KR20180000632A - P형 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이를 이용해 제조된 전극 및 p형 태양전지 - Google Patents

P형 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이를 이용해 제조된 전극 및 p형 태양전지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (A) 은 분말; (B) 유리 프릿; 및 (C) 유기비히클을 포함하며, 상기 유리 프릿이 Al성분을 50 ppm 내지 10,000 ppm으로 포함하는 것인 P형 태양전지 전극 형성용 조성물, 이를 이용해 제조된 전극 및 P형 태양전지에 관한 것이다.

Description

P형 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이를 이용해 제조된 전극 및 P형 태양전지{COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE SOLAR CELL ELECTRODE, ELECTRODE PREPARED AND P-TYPE SOLAR CELL PREPARED BY USING THE SAME}
본 발명은 P형 태양전지 전극 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 전극 및 P형 태양전지에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 극소량의 Al을 함유하는 유리 프릿을 사용하여 전극과 웨이퍼의 접촉성 및 저항 특성을 개선할 수 있도록 개발된 P형 태양전지 전극 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 전극 및 P형 태양전지에 관한 것이다.
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 pn 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양전지는 pn 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼 또는 기판 상,하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어 있다. 태양전지는 반도체 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 pn 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다. 이러한 태양전지의 전극은 태양전지 전극 형성용 조성물의 도포, 패터닝 및 소성에 의해, 웨이퍼 표면에 형성될 수 있다. 상기 태양전지 전극 형성용 조성물로는 도전성 분말, 유리 프릿, 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트 조성물이 사용되고 있다.
한편, 태양전지의 웨이퍼 또는 기판으로는 실리콘 기판이 주로 사용되고 있으며, 실리콘 기판을 사용하는 태양전지는 p형 실리콘 기판 상에 인(P)과 같은 불순물을 도핑하여 n형 에미터층을 형성하는 P형 태양전지와 n형 실리콘 기판 상에 보론(B)과 같은 불순물을 도핑하여 p형 에미터층을 형성하는 N형 태양전지로 구분될 수 있다. 이 중 P형 태양전지는 에미터층 형성시에 사용되는 인 확산이 보론 확산보다 낮은 온도에서 수행될 수 있고, 전자의 이동도가 정공보다 빠르다는 장점이 있으나, N형 태양전지에 비해 상대적으로 낮은 효율을 나타낸다는 단점이 있다.
한편, 최근 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 태양전지의 면적은 점차 증가하고, 에미터층의 두께는 지속적으로 얇아지고 있는 추세이다. 이와 같이 태양전지의 면적이 증가함에 따라 웨이퍼의 면저항이 증가하고 이로 인해 태양전지의 접촉 저항이 높아지고 있고, 이는 태양전지의 효율 감소로 이어질 수 있다. 또한, 에미터층의 두께가 얇아짐에 따라 션팅(shunting) 발생 빈도가 증가하고 있으며, 이는 태양전지의 성능저하로 이어질 수 있다.
따라서, 다양한 면저항 하에서 Emitter 층의 접합에 대한 피해를 최소화하고 웨이퍼와 전극과의 계면에서의 도전성을 향상함으로써 접촉 저항을 개선할 수 있고, 이를 통해 태양전지 효율을 높일 수 있는 P형 태양전지 전극 형성용 조성물을 개발할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 전극과 기판(웨이퍼) 사이의 접촉성 및 저항 특성을 개선할 수 있는 P형 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 Fill Factor 및 변환 효율이 향상된 P형 태양전지 전극 및 P형 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 전극 형성용 조성물을 이용하여 제조된 P형 태양전지 전극 및 P형 태양전지를 제공하는 것이다.
일 측면에서, 본 발명은 (A) 은 분말; (B) 유리 프릿; 및 (C) 유기비히클을 포함하며, 상기 유리 프릿이 Al성분을 50ppm 내지 10,000ppm으로 포함하는 것인 P형 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공한다.
상기 유리 프릿은 텔루륨(Te) 원소를 포함할 수 있다. 또한, 상기 유리 프릿은 텔루륨(Te) 원소와 함께, 납(Pb) 원소 및 비스무스(Bi) 원소 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
일 구체예에 따르면, 상기 유리 프릿은 텔루륨 원소 및 납 원소를 포함하고, 상기 유리 프릿 내의 텔루륨 원소 : 납 원소의 몰 비율이 1 : 10 내지 30 : 1일 수 있다.
다른 구체예에 따르면, 상기 유리 프릿은 텔루륨 원소 및 비스무스 원소를 포함하고, 상기 유리 프릿 내의 텔루륨 원소 : 비스무스 원소의 몰 비율이 1 : 10 내지 40 : 1일 수 있다.
본 발명에 따른 P형 태양전지 전극 형성용 조성물은 상기 은 분말 60중량% 내지 95중량%, 상기 유리 프릿 0.5중량% 내지 20중량% 및 유기 비히클 1중량% 내지 30중량%를 포함할 수 있다.
또한, 상기 조성물은 텅스텐 입자 및/또는 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함할 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은 상기 본 발명에 따른 P형 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 P형 태양전지 전극을 제공한다.
또 다른 측면에서, 본 발명은, p형 기판 및 상기 p형 기판의 일면에 형성된 n형 에미터를 포함하는 웨이퍼; 상기 n형 에미터 상에 형성된 전면 전극; 및 상기 p형 기판의 타면에 형성된 후면 전극을 포함하며, 상기 전면 전극이 상기한 본 발명의 P형 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 것인 태양전지를 제공한다.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 극소량의 Al을 함유하는 유리 프릿을 사용하여, P형 태양전지의 전면 전극에 적용되었을 때, 션팅(shunting) 현상을 발생시키지 않으면서 전극과 기판(웨이퍼) 사이의 접촉성 및 저항 특성을 향상시킨다.
상기와 같은 본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물이 적용된 전극 및 태양전지는 직렬저항(Rs)이 최소화되어 Fill Factor 및 변환 효율이 우수하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 P형 태양전지의 구조를 간략히 개시한 개략도이다.
도 2는 Ag-Al-Si계 공융점을 보여주는 다이어그램이다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
태양전지 전극 형성용 조성물
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 은 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하며, 상기 유리 프릿은 Al성분을 50ppm 내지 10,000 ppm으로 포함한다.
(A) 은 분말
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 도전성 분말로서 은(Ag) 분말을 사용한다. 상기 은 분말은 나노 사이즈 또는 마이크로 사이즈의 입경을 갖는 분말일 수 있으며, 예를 들어 수십 내지 수백 나노미터 크기의 은 분말, 수 내지 수십 마이크로미터의 은 분말일 수 있다. 또한, 상기 은 분말로 2 이상의 서로 다른 사이즈를 갖는 은 분말을 혼합하여 사용할 수도 있다.
상기 은 분말은 입자 형상이 특별히 한정되지 않으며, 다양한 형상의 입자들, 예를 들면, 구형, 판상 또는 무정형 형상의 입자들이 제한없이 사용될 수 있다.
상기 은 분말의 평균입경(D50)은 바람직하게는 0.1㎛ 내지 10㎛이며, 더 바람직하게는 0.5㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 상기 평균입경은 이소프로필알코올(IPA)에 도전성 분말을 초음파로 25℃에서 3분 동안 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다. 상기 범위 내에서, 접촉저항과 선 저항이 낮아지는 효과를 가질 수 있다.
상기 은 분말은 조성물 전체 중량 대비 60 내지 95 중량%로 포함될 수 있다. 은 분말의 함량이 상기 범위를 만족할 때, 태양전지의 변화 효율이 우수하게 나타나며, 페이스트화가 원활하게 이루어질 수 있다. 바람직하게는, 상기 은 분말은 조성물 전체 중량 대비 70 내지 90 중량%로 포함될 수 있다.
(B) 유리 프릿
유리 프릿(glass frit)은 태양전지 전극 형성용 조성물의 소성 공정 중 반사 방지막을 에칭(etching)하고, 은 입자를 용융시켜 에미터 영역에 은 결정 입자를 생성시키기 위한 것이다. 또한, 유리 프릿은 은 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소결시에 연화하여 소성 온도를 낮추는 효과를 유도한다.
본 발명에 있어서, 상기 유리 프릿은 50 ppm 내지 10,000 ppm의 알루미늄 성분을 포함하며, 바람직하게는 100 ppm 내지 10,000 ppm의 알루미늄 성분을 포함한다.
상기한 바와 같이, P형 태양전지는 p형 기판의 일면에 인(P) 등과 같은 불순물을 도핑하여 에미터층을 형성하고, 상기 에미터층 상에 전면 전극이 형성되는 구조로 이루어진다. 그런데, 상기 n형 에미터층에 Al이 결합될 경우, shunting이 발생될 수 있기 때문에, 종래에 사용되던 P형 태양전지 전면 전극 형성용 조성물에는 Al이 포함되지 않는 것이 일반적이었다.
그러나, 본 발명자들의 연구에 따르면, 유리 프릿 내에 상기와 같이 극소량의 알루미늄을 포함할 경우, n형 에미터층과 Al 반응으로 인한 션팅(shunting) 현상을 발생시키지 않으면서, 전극과 기판(웨이퍼) 사이의 접촉성 및 저항 특성이 향상되는 효과를 얻을 수 있는 것으로 나타났다. 상기 기판과의 접촉성 및 저항 특성의 향상 효과는 유리 프릿 내에 포함된 알루미늄과, 은 분말 및 기판에 포함된 실리콘 성분이 소성 시에 낮은 온도에서 공융되기 때문에 발생하는 것으로 판단된다.
도 2에는 은(Ag), 알루미늄(Al), 실리콘(Si)의 3성분계 공융점을 보여주는 다이어그램이 도시되어 있다. 도 2를 통해, 은, 알루미늄 및 실리콘의 3성분계에서는 알루미늄의 함량이 적을수록 더 낮은 온도에서 공융(eutactic)이 형성됨을 확인할 수 있다. 즉, 본 발명과 같이 유리 프릿 내에 알루미늄이 극소량으로 포함될 경우, 소성 시에 유리 프릿 내의 알루미늄과 은 분말, 그리고 기판의 실리콘이 낮은 온도에서 공융되면서 소결 속도가 빨라지고, 전극 소결 온도에서 은 분말이 액체 상태로 용융되어 액상 소결이 이루어져 실리콘 기판(웨이퍼) 표면과의 접촉 저항을 낮출 수 있다. 그러나, 유리 프릿 내의 알루미늄의 10,000ppm을 초과할 경우, 유리 프릿 내에 포함된 알루미늄이 n형 에미터층과 반응하여 션팅(shunting) 현상을 발생할 수 있기 때문에, P형 태양전지용으로 적합하지 않다.
한편, 상기 유리 프릿은, 상기 알루미늄(Al) 원소 이외에 텔루륨(Te) 원소를 포함하는 것일 수 있으며, 바람직하게는 산화텔루륨을 10 내지 80중량%로 포함하는 산화텔루륨(TeO2)계 유리 프릿일 수 있다.
또한, 상기 유리 프릿은 알루미늄(Al) 및 텔루륨(Te) 원소와 함께, 납(Pb) 원소 및 비스무스(Bi) 원소 중 적어도 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
일 구체예에 따르면, 상기 유리 프릿은 텔루륨 원소 및 납 원소를 포함하는 Te-Pb-O계 유리 프릿일 수 있으며, 이때, 상기 유리 프릿 내의 텔루륨 원소 : 납 원소의 몰 비율은 1 : 10 내지 30 : 1, 바람직하게는 1 : 5 내지 20 : 1 일 수 있다.
다른 구체예에 따르면, 상기 유리 프릿은 텔루륨 원소 및 비스무스 원소를 포함하는 Te-Bi-O계 유리 프릿일 수 있으며, 상기 유리 프릿 내의 텔루륨 원소 : 비스무스 원소의 몰 비율이 1 : 10 내지 40 : 1, 바람직하게는 1 : 5 내지 30 : 1 일 수 있다.
또한, 상기 유리 프릿은 상기 알루미늄, 텔루륨, 납 및/또는 비스무스 이외에 금속 및/또는 금속 산화물을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 유리 프릿은 리튬(Li), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 철(Fe), 규소(Si), 아연(Zn), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 세슘(Cs), 스트론튬(Sr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 나트륨(Na), 칼륨(K), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn) 및 이들의 산화물들로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 원소를 더 포함할 수 있다.
상기 유리 프릿은 특별히 제한되지 않고, 통상의 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 예를 들면, 상기 유리 프릿은 상기 기술된 조성을 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill) 등을 사용하여 혼합한 후, 혼합된 조성물을 900℃ 내지 1300℃의 조건에서 용융시키고, 25℃에서 ??칭(quenching)한 다음, 얻은 결과물을 디스크 밀(disk mill), 플라네터리 밀 등에 의해 분쇄하여 얻을 수 있다.
상기 유리 프릿으로는 평균입경(D50)이 0.1 내지 10㎛인 것이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 유리 프릿의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 구형이거나 부정형상일 수 있다.
상기 유리 프릿은 전체 조성물 중량 대비 0.5 내지 20 중량%, 예를 들면 3 내지 15 중량% 로 포함될 수 있다. 상기 범위로 함유되는 경우, 다양한 면저항 하에서 pn 접합 안정성을 확보할 수 있고 직렬저항 값을 최소화시킬 수 있으며, 종국적으로 태양전지의 효율을 개선할 수 있다.
(C) 유기 비히클
유기비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물의 무기성분과 기계적 혼합을 통하여 조성물에 인쇄에 적합한 점도 및 유변학적 특성을 부여한다.
상기 유기비히클은 통상적으로 태양전지 전극 형성용 조성물에 사용되는 유기비히클이 사용될 수 있는데, 통상 바인더 수지와 용매 등을 포함할 수 있다.
상기 바인더 수지로는 아크릴레이트계 또는 셀룰로오스계 수지 등을 사용할 수 있으며 에틸 셀룰로오스가 일반적으로 사용되는 수지이다. 그러나, 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스와 페놀 수지의 혼합물, 알키드 수지, 페놀계 수지, 아크릴산 에스테르계 수지, 크실렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 요소계 수지, 멜라민계 수지, 초산비닐계 수지, 목재 로진(rosin) 또는 알콜의 폴리메타크릴레이트 등을 사용할 수도 있다.
상기 용매로는 예를 들어, 헥산, 톨루엔, 에틸셀로솔브, 시클로헥사논, 부틸셀로솔브, 부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르), 디부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르), 부틸 카비톨 아세테이트(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 헥실렌 글리콜, 터핀올(Terpineol), 메틸에틸케톤, 벤질알콜, 감마부티로락톤 또는 에틸락테이트 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 유기비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물 전체 중량 대비 1 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 충분한 접착강도와 우수한 인쇄성을 확보할 수 있다.
(D) 금속 산화물
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은, 상기에서 기술한 구성 요소 외에 필요에 따라, 금속 산화물 입자를 더 포함할 수 있다.
태양전지는 다수의 셀들을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 하나의 셀은 인접한 셀과 리본에 의하여 서로 연결된다. 이때, 리본은 버스바 형태의 전극과 직접적으로 접착될 수 있다. 따라서, 리본과 접착되는 태양전지 전극의 접착강도(adhesion strength)가 충분하게 확보되지 않으면, 셀(cell)이 탈락되거나 태양전지의 신뢰성이 저하될 우려가 있다. 금속 산화물 입자는 전극과 리본과의 접착 강도를 향상시키기 위한 것으로, 예를 들면, 산화텅스텐(WO3) 입자일 수 있다.
이 때, 산화텅스텐(WO3) 입자는 분말상 또는 과립상일 수 있다. 상기 산화텅스텐(WO3) 입자의 소결 전 평균입경(D50)은 예를 들면, 약 0.1㎛ 내지 약 10㎛이며, 구체적으로는 약 0.1㎛ 내지 약 5㎛일 수 있다. 상기 범위에서 전극은 우수한 접착강도 및 광전변환효율을 확보할 수 있다.
상기 산화텅스텐 입자는 전극 페이스트 전체 중량 대비 약 0.1중량% 내지 약 1.0 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 전극의 에칭(etching)시 정밀한 패턴의 형성이 가능하다. 또한, 전극의 개방전압을 향상시킴과 동시에 우수한 접착강도를 확보할 수 있다.
(E) 첨가제
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 상기에서 기술한 구성 요소 외에 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이들은 태양전지 전극 형성용 조성물 전체 중량 대비 0.1 내지 5 중량%로 포함될 수 있지만 필요에 따라 함량을 변경할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 극소량의 Al을 함유하는 유리 프릿을 사용함으로써 전극 소성 시에 알루미늄, 은 분말 및 실리콘 성분이 공융되면서 액상 소결이 이루어지고, 그 결과, 전극과 웨이퍼의 접촉성 및 저항 특성이 향상된다. 또한, 알루미늄의 함유량이 매우 적기 때문에, P형 태양전지에 적용되어도 션팅(shunting) 현상을 발생하지 않는다.
태양전지 전극 및 이를 포함하는 태양전지
본 발명의 다른 관점은 상기한, 태양전지 전극 형성용 조성물로부터 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양전지는 p형 기판(101) 및 상기 p형 기판의 일면에 형성된 n형 에미터(102)를 포함하는 웨이퍼(100); 상기 n형 에미터 상에 형성된 전면 전극(230); 및 상기 p형 기판(101)의 타면에 형성된 후면 전극(210)을 포함하는 것일 수 있다.
이때, 상기 n형 에미터(102)는 p형 기판(101)의 일면에 5족 원소인 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P) 등의 불순물을 도핑하여 형성될 수 있다.
상기 전면 전극(230)은 상기한 본 발명에 따른 태양전지 전극 형성용 조성물을 이용하여 제조된 것일 수 있으며, 상기 후면 전극(210)은 알루미늄 페이스트로 제조된 것일 수 있다. 구체적으로는, p형 기판(101) 및 n형 에미터(102)를 포함하는 웨이퍼(100)의 전면에 본 발명에 따른 태양전지 전극 형성용 조성물을 인쇄하고 소성하여 전면 전극(P+전극)(230)을 형성할 수 있으며, 후면에는 알루미늄 페이스트를 도포 후 소성하여 후면 전극(210)을 형성할 수 있다. 예컨대, 상기 조성물을 웨이퍼의 후면에 인쇄 도포한 후, 대략 200℃ 내지 400℃ 온도로 대략 10 내지 60초 정도 건조하여 후면 전극을 위한 사전 준비 단계를 수행할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 전면에 조성물을 인쇄한 후 건조하여 전면 전극을 위한 사전 준비단계를 수행할 수 있다. 이후에, 400℃ 내지 950℃, 바람직하게는 850℃ 내지 950℃에서 30초 내지 50초 정도 소성하는 소성 과정을 수행하여 전면 전극 및 후면 전극을 형성할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 다만, 하기 실시예들은 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명이 하기 실시예로 제한되는 것으로 해석되어서는 안 된다.
실시예 및 비교예
유기 바인더로서 에틸셀룰로오스(Dow chemical社, STD4) 1.0 중량%를 용매인 텍사놀(Texanol) 6.2 중량%에 60℃에서 충분히 용해한 후, 평균입경이 1.0㎛인 구형의 은 분말(Dowa Hightech CO. LTD, AG-4-8) 89.0 중량%, 하기 표 1에 제시된 유리프릿 3.0 중량%, 첨가제로서 분산제 BYK102(BYK-chemie) 0.2 중량% 및 요변제 Thixatrol ST (Elementis co.) 0.3중량%, 산화텅스텐 입자 0.3 중량%를 투입하여 골고루 믹싱 후 3롤 혼련기로 혼합 분산시켜 전극 페이스트를 제조하였다.
유리프릿 유리성분 Al함량(중량%) Te:Pb 몰비 Te:Bi 몰비
실시예 1 유리프릿 #1 Pb-Te-Na-Zn-O계 0.31 1:0.60 -
실시예 2 유리프릿 #2 Pb-Bi-Te-Li-W-O계 0.98 1:0.98 1:0.21
실시예 3 유리프릿 #3 Pb-Bi-Te-Li-Zn-O계 0.05 1:0.06 1:0.20
실시예 4 유리프릿 #4 Bi-Te-Li-Zn-O계 0.48 - 1:0.23
실시예 5 유리프릿 #5 Pb-Bi-Te-Li-Na-Mg-Al-Si-O계 0.27 1:0.49 1:0.06
실시예 6 유리프릿 #6 Pb-Bi-Te-Li-Na-Al-O계 0.52 1:0.52 1:0.70
비교예 1 유리프릿 #7 Pb-Bi-Te-Li-Na-Mg-Al-Si-O계 1.98 1:1.03 1:0.22
비교예 2 유리프릿 #8 Pb-Bi-Te-Li-Na-Mg-W-Si-O계 0.00 1:0.95 1:0.20
유도결합플라즈마 - 원자방출분광법(ICP-OES)을 이용한 유리프릿 내 Al 함량(wt%) 측정
상기에서 각 유리프릿의 성분 및 함량 측정은 다음과 같은 방법으로 실시하였다.
□ 시료의 전처리 : 분석대상 시료인 유리프릿 0.5g을 비커에 담고 0.0001g 단위까지 정확하게 칭량한다. 시료가 담겨진 비이커에 황산(H2SO4) 5ml를 투입 후 열판(hot plate)를 이용하여 220℃에서 3시간 동안 가열하여 시료를 완전히 탄화시켰다. 탄화된 시료가 담겨진 비이커가 투명하게 될 때까지 과산화수소(H2O2)를 투입하여 전처리를 완료하였다.
□ 표준용액의 준비: 분석대상인 원소들(Al 포함)의 표준용액을 각각 준비하였다.
□ 금속성분의 함량 측정: 전처리가 완료된 시료가 담겨진 비커에 질산(HNO3)을 투입하여 5분간 가열 후 공냉하였다. 준비된 표준용액을 ICP-OES 측정기기(PerkinElmer社)에 도입하여 외부 표준법(external standard method)으로 검정곡선(calibration curve)을 작성한 후 상기 ICP-OES 측정기기로 시료 내에 포함되는 분석대상 원소인 유리 프릿의 원소 농도를 각각 측정한 후 환산하여 유리프릿 내 Al의 함량비를 계산하였다.
* 각 원소의 함량(%) = 각 원소의 농도(ppm)×Dilution Factor(DF)/10000
* Al 함량비(wt%) = Al 원소의 함량 / 전체 원소의 함량 x 100
물성측정 방법
(1) Rs (series resistance), Rsh (Shunt resistance), Fill Factor (FF, % ) 및 변환효율( Eff ., % ):
POCl3로 도핑된 P-type 기판(Lightway, c-Si p-type wafer) 전면에 상기 실시예 및 비교예에서 제조한 태양전지 전극 형성용 페이스트를 일정한 패턴으로 스크린 프린팅 하여 인쇄하고, 적외선 건조로를 사용하여 건조시켰다. 이후 Wafer의 후면에 알루미늄 페이스트를 후면 인쇄한 후 동일한 방법으로 건조하였다. 상기 과정으로 형성된 Cell을 벨트형 소성로를 사용하여 400 내지 950℃ 사이로 30초에서 180초간 소성을 행하였으며, 이렇게 제조 완료된 Cell은 태양전지효율측정장비 (Pasan社, CT-801)를 사용하여 태양전지의 접촉저항 Rs(ohm), 분로 저항 Rsh(ohm), 필 팩터 FF(%), 변환효율 Eff. (%)을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
　 Rs(ohm) Rsh(ohm) FF(%) Eff.(%)
실시예 1 0.004628 20.26 78.42 19.573
실시예 2 0.004343 25.88 78.56 19.538
실시예 3 0.004262 37.35 78.97 19.573
실시예 4 0.004343 25.88 78.56 19.538
실시예 5 0.004345 24.81 78.90 19.572
실시예 6 0.004240 24.21 78.41 19.519
비교예 1 0.004651 12.08 78.39 19.331
비교예 2 0.005172 24.25 78.08 19.244
상기 표 2를 통해, Al 성분을 본 발명의 범위로 포함하는 유리 프릿을 사용한 실시예 1 내지 6의 경우, 션팅 현상이 최소화 즉, 분로 저항(Rsh)이 높으면서도 접촉 저항(Rs)이 우수하여, 전기적 특성(필 팩터 및 변환 효율)이 모두 우수하게 나타남을 확인 할 수 있다. 이에 비해 Al 성분을 본원 발명 대비 과량으로 포함하는 유리 프릿을 사용한 비교예 1의 경우에는 접촉 저항은 양호한 수준이나, 션팅 현상이 발생하여 전기적 특성이 상대적으로 저하되는 결과를 나타냈으며, Al 성분을 전혀 포함하지 않은 유리 프릿을 사용한 비교예 2의 경우, 접촉 저항 특성이 높고, 이로 인해 전기적 특성이 저하됨을 확인하였다.
101 : p형 기판
102 : n형 에미터
210 : 후면전극
230 : 전면전극

Claims (10)

  1. (A) 은 분말; (B) 유리 프릿; 및 (C) 유기비히클을 포함하며,
    상기 유리 프릿은 알루미늄(Al)성분을 50 ppm 내지 10,000ppm으로 포함하는 것인 P형 태양전지 전극 형성용 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 텔루륨(Te) 원소를 포함하는 것인 P형 태양전지 전극 형성용 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 납(Pb) 원소 및 비스무스(Bi) 원소 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것인 P형 태양전지 전극 형성용 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 텔루륨 원소 및 납 원소를 포함하고,
    상기 유리 프릿 내의 텔루륨 원소 : 납 원소의 몰 비율이 1 : 10 내지 30 : 1 인 P형 태양전지 전극 형성용 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 텔루륨 원소 및 비스무스 원소를 포함하고,
    상기 유리 프릿 내의 텔루륨 원소 : 비스무스 원소의 몰 비율이 1 : 10 내지 40 : 1 인 P형 태양전지 전극 형성용 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 은 분말 60중량% 내지 95중량%, 상기 유리 프릿 0.5중량% 내지 20중량% 및 유기 비히클 1중량% 내지 30중량%를 포함하는 P형 태양전지 전극 형성용 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 산화텅스텐 입자를 더 포함하는 P형 태양전지 전극 형성용 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함하는 것인 P형 태양전지 전극 형성용 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 어느 한 항의 P형 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 P형 태양전지 전극.
  10. p형 기판 및 상기 p형 기판의 일면에 형성된 n형 에미터를 포함하는 웨이퍼;
    상기 n형 에미터 상에 형성된 전면 전극; 및
    상기 p형 기판의 타면에 형성된 후면 전극을 포함하며,
    상기 전면 전극은 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 것을 특징으로 하는 P형 태양전지.
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JP2018565749A JP6940166B2 (ja) 2016-06-23 2017-05-12 Ｐ型太陽電池電極形成用組成物、これを用いて製造された電極及びｐ型太陽電池
TW106118783A TWI648239B (zh) 2016-06-23 2017-06-07 P型太陽能電池電極的組成物、由使用此組成物製備的電極以及使用此組成物製備的p型太陽能電池

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190113131A (ko) * 2018-03-27 2019-10-08 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120086213A (ko) * 2011-01-25 2012-08-02 엘지이노텍 주식회사 유리 프릿, 페이스트 조성물 및 태양 전지
JP2013201071A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Toshiba Corp 電池用電極材料、電池用電極材料ペースト、色素増感太陽電池、および蓄電池
KR20150071632A (ko) * 2013-12-17 2015-06-26 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20150146105A (ko) * 2014-06-20 2015-12-31 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20160057583A (ko) * 2014-11-13 2016-05-24 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이로부터 제조된 전극

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3760361B2 (ja) * 1997-03-24 2006-03-29 株式会社村田製作所 太陽電池用導電性組成物
WO2009052141A1 (en) * 2007-10-18 2009-04-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
CN102027550A (zh) * 2008-05-30 2011-04-20 E.I.内穆尔杜邦公司 导电组合物以及用于半导体装置制造的方法
US20110126897A1 (en) * 2009-05-20 2011-06-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Composition for extruding fibers
US20100301479A1 (en) * 2009-05-28 2010-12-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Devices containing silver compositions deposited by micro-deposition direct writing silver conductor lines
KR101765920B1 (ko) * 2011-01-31 2017-08-07 엘지이노텍 주식회사 페이스트 조성물 및 태양 전지
JP5768455B2 (ja) * 2011-04-14 2015-08-26 日立化成株式会社 電極用ペースト組成物及び太陽電池素子
KR20140022511A (ko) * 2012-08-13 2014-02-25 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트, 이로부터 제조된 전극 및 이를 포함하는 태양전지
CN102881350B (zh) * 2012-09-25 2015-07-22 深圳市首骋新材料科技有限公司 太阳能电池正面电极浆料及玻璃粉
JP2014084249A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Asahi Glass Co Ltd 電極形成用ガラスフリット、電極形成用導電ペーストおよび太陽電池
CN103915127B (zh) * 2013-01-03 2017-05-24 上海匡宇科技股份有限公司 用于表面高方阻硅基太阳能电池正面银浆及其制备方法
KR102088264B1 (ko) * 2013-03-29 2020-03-12 소에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 태양전지 소자 표면 전극용 도전성 페이스트 및 태양전지 소자의 제조방법
KR20150045831A (ko) * 2013-10-21 2015-04-29 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 태양전지
KR101716549B1 (ko) * 2014-11-19 2017-03-15 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
TWI521548B (zh) * 2014-12-08 2016-02-11 碩禾電子材料股份有限公司 一種含無鉛玻璃熔塊之導電漿（四）

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120086213A (ko) * 2011-01-25 2012-08-02 엘지이노텍 주식회사 유리 프릿, 페이스트 조성물 및 태양 전지
JP2013201071A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Toshiba Corp 電池用電極材料、電池用電極材料ペースト、色素増感太陽電池、および蓄電池
KR20150071632A (ko) * 2013-12-17 2015-06-26 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20150146105A (ko) * 2014-06-20 2015-12-31 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20160057583A (ko) * 2014-11-13 2016-05-24 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이로부터 제조된 전극

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190113131A (ko) * 2018-03-27 2019-10-08 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

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