KR20170138354A - 고온에서 수성-가스 전환 반응을 수행하는 촉매를 합성하는 방법 - Google Patents

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쥬세페 포르나사리
다니엘 게리
카를로 루카렐리
니콜라 시아롤리
안젤로 바카리
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레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드
레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드
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Abstract

하기 화학식을 갖는 전구체를 사용하여 300℃ 초과의 온도에서 수성-가스 전환 반응을 수행하는 촉매를 합성하는 방법.
[(Cu, Zn)1-x (Al, M)x (OH)2] x+ (An- x/n) ㆍ kH2O
여기서
- M = Al, La, Ga 또는 In,
- A = CO3
- 0.33 < x < 0.5
- 1 < n < 3.

Description

고온에서 수성-가스 전환 반응을 수행하는 촉매를 합성하는 방법 {PROCESS TO SYNTHESIZE A CATALYST PERFORMING WATER-GAS SHIFT REACTION AT A HIGH TEMPERATURE}
본 발명은 고온에 해당하는 300℃ 초과의 온도에서 수성-가스 전환 (HTS) 반응을 수행하는 촉매를 합성하는 방법에 관한 것이다.
오늘날 상업용 HTS 촉매는 대부분 Fe 및 Cr 산화물로 구성된다. 플랜트 운전 이슈는, 플랜트를 낮은 스팀 로딩에서 운전하는 경우에, 이들 조건에서 탄화수소 및 코크스 형성을 촉매하는 금속성 Fe로의 Fe 산화물의 환원으로 인한 촉매 탈활성화로부터 발생할 수 있다. 더욱이 오늘날 Cr의 사용은 Cr (VI)이 토양, 식물, 동물 및 인간에게 유해하기 때문에 안전한 플랜트 운전과 모순된다.
수성 가스 전환 (WGS) 반응은 스팀 개질 (SR) 플랜트에서 배출 스트림 내의 H2 생성을 증가시키고, CO 함량을 감소시키는 주요 역할을 한다. WGS 반응은 대부분 2개의 연속 단계로 수행된다: 고온 수성-가스 전환 (HTS) 및 저온 수성 가스 전환 (LTS). 고온 단계는 일반적으로 350℃ 초과의 온도에서 철 및 크로뮴 산화물 기재 촉매 상에서 수행되지만, 제2 단계는 Cu-기재 촉매를 사용하여 보다 낮은 온도 (200℃)에서 수행된다.
HTS 기술을 사용하는 주요 이점은 하기와 같다:
- 온도를 낮추거나 Cu-함량을 증가시킴으로써 선호되는 저분자량 알콜과 같은 부산물의 가장 낮은 생성
- 스팀의 가장 낮은 생성, 스팀이 플랜트에 의해 가치화되지 않거나 잘 가치화되지 않는 경우에 강한 이점임
- CO의 보다 높은 함량을 수용할 수 있음, 생성된 발열 효과는 촉매가 소결에 대해 보다 강건하기 때문에 이슈가 아님
- 피독에 대해 가장 강건함
제1 반응기에 존재하는 촉매는 운전 조건에 대해 감수성이다. 공정 가스 내 낮은 스팀 함량은, 철 탄화물 또는 금속성 철의 형성에 의해 비가역적으로 Fe-기재 촉매를 손상시키고, 따라서 촉매의 선택성을 변화시키고 생성물 가스 내 탄화수소 함량을 증가시킬 수 있다. 또한, 크로뮴-함유 촉매는 건강 및 환경에 유해하고, 오늘날 그의 생산 및 사용은 엄중한 규제를 받는다.
HTS 촉매로부터 크로뮴을 제거하는 것은 이미 시도된 바 있다. 그러나, 이러한 촉매는 여전히 철 산화물의 환원에 적용되고, 따라서 공정 가스 내 낮은 물 함량에서 탈활성화될 가능성이 있다.
따라서, 문제는 개선된 촉매를 제공하는 것이다.
해결책은 하기 화학식을 갖는 전구체를 사용하여 300℃ 초과의 온도에서 수성-가스 전환 반응을 수행하는 촉매를 합성하는 방법이다:
[(Cu, Zn)1-x (Al, M)x (OH)2] x+ (An- x/n) ㆍ kH2O
여기서
- M = Al, La, Ga 또는 In,
- A = CO3
- 0.33 < x < 0.50
- 1 < n < 3
이 전구체는 HT 전구체 (HT: 히드로탈사이트-유사 화합물)이다.
경우에 따라, 본 발명에 따른 흡착제 혼합물은 하기 특징 중 1종 이상을 가질 수 있다:
- 방법은 하기 단계를 포함한다:
a) 공동침전 방법에 의한 전구체의 합성;
b) 전구체의 세척,
c) 60℃ 내지 80℃의 온도에서의 전구체의 건조,
d) 500℃ 초과의 온도에서의 소성
- 단계 d)를 5℃/분 내지 10℃/분의 온도 증가 속도로 2시간 내지 6시간 지속한다.
- 단계 b) 전구체를 25℃ 내지 60℃의 온도에서 탈이온수로 세척한다.
- 전구체의 합성은 하기 단계를 포함한다:
i) 구리, 아연, 및 알루미늄 염 수용액의 제조,
ii) 중탄산나트륨 함유 용액으로의 수용액의 적가로 pH를 9.0 ± 0.1로 유지함으로써 침전물의 수득,
iii) 상기 침전물의 에이징.
- 전구체는 0.5 내지 5 중량%의 구리를 갖고, 촉매는 0.5 내지 5 중량%의 구리를 갖는다.
- 단계 d) 후에 촉매를 0.5 중량% 내지 2 중량% K로 도핑한다.
- 전구체는 Ga를 0/1 내지 100/1에 포함된 Al/Ga 비로 포함한다.
- 전구체는 하기로부터 선택된다: [Cu0 . 042Zn0 . 458Al0 .500 (OH)2]0.50 + (CO3 2-)0.25 k H2O, [Cu0 . 042Zn0 . 458Al0 . 490La0 .010 (OH)2]0.50 + (CO3 2-)0.25 k H2O, [Cu0 . 042Zn0 . 458Al0 . 490Ga0 .010 (OH)2]0.50+ (CO3 2-)0.25 k H2O, [Cu0 . 042Zn0 . 458Al0 . 490In0 .010 (OH)2]0.50 + (CO3 2-)0.25 k H2O, [Cu0.023Zn0.643Al0.334 (OH)2]0.34 + (CO3 2-)0.17 k H2O, [Cu0 . 023Zn0 . 643Al0 . 327La0 .007 (OH)2]0.34 + (CO3 2-)0.17 k H2O, 및 [Cu0.022Zn0.645Al0.327Ga0.007 (OH)2]0.34+ (CO3 2-)0.17 k H2O.
- 촉매는 하기 화학식을 갖는다:
(Cu, Zn)1-x (Al, M)x Ox
본 발명에 따른 방법에 의해 수득된 촉매는 바람직하게는 0.1 내지 0.9의 스팀 / 건조 가스 비를 갖는 합성 가스 혼합물로부터의 CO의 전환에 사용된다.
본 발명은 전구체의 소성 후 Cu2 + 이온이 포매된 구체적 혼합 산화물의 환원에 의해 수득된 Cu-함유 촉매의 높은 활성, 선택성 및 안정성을 얻기 위한 가능성에 관한 것이다. 층간에 카르보네이트를 함유하는 층상 HT 음이온성 점토는 매우 우수한 성능을 갖는 신규 촉매를 수득하기 위한 전구체로서 사용된 바 있으며, 이는 전구체의 브루사이트-유형 층 내부에 잘 분산된 모든 활성 요소의 존재에 기인한다. HT 상은 조절된 소성에 의해 높은 열 안정성, 표면적 및 활성-층 분산을 갖는 혼합 산화물을 형성하며, 이러한 인자들은 촉매 활성에 직접적으로 영향을 미친다. HT 전구체는 모든 요소를 공동-침전시켜 균질한 침전물을 수득함으로써 제조된다.
연구는 HTS 조건에서 우수한 물리-화학적 특성을 나타내는 것 뿐만 아니라, WGS 반응에서 활성 상으로서 작용하는 안정한 배합물을 언급한다.
본 발명은 낮은 Cu-함량 (≤ 5 중량%)을 가지며, 안정한 매트릭스에서의 Cu2+ 이온 (및, 환원 후, Cu0 입자)의 포함을 입증하며, Cu-함유 종이 안정화되도록 하며, 결과적으로, 소결에 의한 부반응 (메탄화 및/또는 산소화물 합성) 및 탈활성화를 회피시키는, HT 전구체의 소성에 의해 수득된 촉매를 기재한다. 추가의 개선은 제조 방법 및 전구체 성질을 유지함으로써, 스트림 상에서의 시간에 따라 활성 및 촉매 안정성 둘 다를 개선시키도록 하는 매우 소량의 첨가제 (M = Ga, In 또는 La)을 배합물 내에 도입하는 것이었다. 최종적으로, 본 발명은 또한 초기 습식 함침에 의해 소량의 K (≤ 2 중량%)를 갖는 소성 샘플을 도핑하는 것을 포함한다.
하기 화학식을 갖는 본 발명에 따른 HT 전구체는 공동-침전 방법에 의해 합성되었다.
[(Cu, Zn)1-x (Al, M)x (OH)2] x+ (An- x/n) ㆍ kH2O
여기서
- M = Al, La, Ga 또는 In,
- A = CO3
- 0.33 < x < 0.50
- 1 < n < 3
HT 전구체는 1 내지 3의 1-x/x 원자 비, 0 내지 100의 Al/M 원자 비, 및 바람직하게는, 0.5 내지 5 중량%의 구리를 가졌다. 촉매는 그 자체로 사용되거나 또는 K 최종 함량 ≤ 2.0 중량%, 및 바람직하게는 ≤ 1.0 중량% 정도의 K 염 용액에 의한 초기 습식 함침에 의해 도핑될 수 있다. 하기 실시예는 본 발명에 이용된 촉매를 기재하며, 이는 단지 예시적이나 완전한 것은 아닌 특색을 갖는다.
도 1-3은 일부 전구체의 XRD (X선 회절) 분말 패턴을 나타낸다.
도 4-9는 보다 상세한 비교를 나타낸다.
도 10은 촉매 vs ToS의 안정성을 나타낸다.
실시예 1: 촉매 ZAC041c의 제조
본 비교 실시예는 히드로탈사이트-유형 전구체 내에 삽입된 음이온으로서 카르보네이트를 사용하는, 4 중량%의 구리를 함유하며 원자 비 (Cu+Zn)/Al = 1을 갖는 촉매 20 그램의 제조 방법을 예시한다. 구리, 아연 및 알루미늄 염 2M 수용액을 탈이온수 151.26 cm3 중 98% 질산구리 2.5수화물 [Cu(NO3)2, 2.5H2O] 2.988 g, 98% 질산아연 6수화물 [Zn(NO3)2, 6H2O] 42.097 g 및 98% 질산알루미늄 9수화물 [Al(NO3)2, 9H2O] 57.902 g으로부터 제조하였다. 이어서, 이 용액을, 동적인 자기 교반 하에, 60℃에서 탈이온수 약 302.53 cm3 중 99.70%의 중탄산나트륨 (NaHCO3) 25.492 g을 함유하는 몰 (1M) 용액에 적가하여 부으면서, 수산화나트륨 (NaOH)의 3M 수용액의 적가에 의해 pH를 9.0 ± 0.1로 유지하였다. 수득된 침전물을 동적인 자기 교반 하에 45분 동안 동일한 조건 (60℃ 및 pH = 9.0에서)에서 잘 분산시키며 에이징하였다. 이어서, 고체 침전물을 부흐너 깔때기로의 여과에 의해 모액으로부터 분리하였으며, 진공은 벤투리 물 흡인 장치에 의해 제공하였다.
생성된 고체는 하기 화학식의 HT 화합물에 상응한다:
[Cu0 . 042Zn0 . 458Al0 .500 (OH)2]0.50 + (CO3 2-)0.25 k H2O
이어서, 이 생성된 고체를 고온 탈이온수 (60℃, 샘플의 400 cm3/g)로 세척하고, 70℃에서 밤새 건조시켰다. 수득된 전구체를 분쇄한 후, 분말을 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 6시간 동안 소성시킨 다음, 형성하고, 30 내지 40 메쉬의 크기로 체질하였다.
실시예 2: 촉매 ZAC041cLa50의 제조
제조 방법은 50과 동등한 Al3 +/La3 + 몰 비로의 배합물 중 La3 + 이온의 첨가를 제외하고는 실시예 1에서와 같이 작동하였다. 금속 염 2M 수용액을 탈이온수 151.26 cm3 중 98% 질산구리 2.5수화물 [Cu(NO3)2, 2.5H2O] 2.988 g, 98% 질산아연 6수화물 [Zn(NO3)2, 6H2O] 41.348 g, 98% 질산알루미늄 9수화물 [Al(NO3)2, 9H2O] 55.841 g 및 99.99% 질산란타늄 수화물 [La(NO3)3 H2O] 0.948 g으로부터 제조하였다. 이어서, 이 용액을, 동적인 자기 교반 하에, 60℃에서 탈이온수 약 297.60 cm3 중 99.70%의 중탄산나트륨 (NaHCO3) 25.076 g을 함유하는 1M 용액에 적가하여 부으면서, 수산화나트륨 (NaOH)의 3M 수용액의 적가에 의해 pH를 9.0 ± 0.1로 유지하였다. 수득된 침전물을 동적인 자기 교반 하에 45분 동안 동일한 조건 (60℃ 및 pH = 9.0에서)에서 잘 분산시키며 에이징하였다. 이어서, 고체 침전물을 부흐너 깔때기로의 여과에 의해 모액으로부터 분리하였으며, 진공은 벤투리 물 흡인 장치에 의해 제공하였다.
생성된 고체는 하기 화학식의 HT 화합물에 상응한다:
[Cu0 . 042Zn0 . 458Al0 . 490La0 .010 (OH)2]0.50 + (CO3 2-)0.25 k H2O
이어서, 이 생성된 고체를 풍부한 고온 탈이온수 (60℃, 샘플의 400 cm3/g)로 세척하고, 70℃에서 밤새 건조시켰다. 수득된 전구체를 분쇄한 후, 분말을 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 6시간 동안 소성시킨 다음, 형성하고, 30 내지 40 메쉬의 크기로 체질하였다.
실시예 3: 촉매 ZAC041cGa50의 제조
제조 방법은 50과 동등한 Al3 +/Ga3 + 몰 비를 유지하면서, 배합물 중 La3 + 대신 Ga3+ 이온의 첨가를 제외하고는 실시예 2에서와 같이 작동하였다. 구리, 아연, 알루미늄 및 갈륨 염 2M 수용액을 탈이온수 144.08 cm3 중 98% 질산구리 2.5수화물 [Cu(NO3)2, 2.5H2O] 2.988 g, 98% 질산아연 6수화물 [Zn(NO3)2, 6H2O] 39.915 g, 98% 질산알루미늄 9수화물 [Al(NO3)2, 9H2O] 54.070 g 및 99.9% 질산갈륨 4수화물 [Ga(NO3)3 4H2O] 0.919 g으로부터 제조하였다. 이어서, 이 용액을, 동적인 자기 교반 하에, 60℃에서 탈이온수 약 288.16 cm3 중 99.70%의 중탄산나트륨 (NaHCO3) 24.281 g을 함유하는 몰 1M 용액에 적가하여 부으면서, 수산화나트륨 (NaOH)의 3M 수용액의 적가에 의해 pH를 9.0 ± 0.1로 유지하였다. 수득된 침전물을 동적인 자기 교반 하에 45분 동안 동일한 조건 (60℃ 및 pH = 9.0에서)에서 잘 분산시키며 에이징하였다. 이어서, 고체 침전물을 부흐너 깔때기로의 여과에 의해 모액으로부터 분리하였으며, 진공은 벤투리 물 흡인 장치에 의해 제공하였다.
생성된 고체는 하기 화학식의 HT 화합물에 상응한다:
[Cu0 . 042Zn0 . 458Al0 . 490Ga0 .010 (OH)2]0.50 + (CO3 2-)0.25 k H2O
이어서, 이 생성된 고체를 풍부한 고온 탈이온수 (60℃, 샘플의 400 cm3/g)로 세척하고, 70℃에서 밤새 건조시켰다. 수득된 전구체를 분쇄한 후, 분말을 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 6시간 동안 소성시킨 다음, 형성하고, 30 내지 40 메쉬의 크기로 체질하였다.
실시예 4: 촉매 ZAC041cIn50의 제조
금속 염 용액 중 La3 +를 In3 + 이온으로 대체하였다는 것을 제외하고는 실시예 2의 방법을 따랐다. 구리, 아연, 알루미늄 및 인듐 염 2M 수용액을 탈이온수 149.27 cm3 중 98% 질산구리 2.5수화물 [Cu(NO3)2, 2.5H2O] 2.988 g, 98% 질산아연 6수화물 [Zn(NO3)2, 6H2O] 41.493 g, 98% 질산알루미늄 9수화물 [Al(NO3)2, 9H2O] 56.020 g 및 99.9% 질산인듐 5수화물 [In(NO3)3, 5H2O] 1.142 g으로부터 제조하였다. 이어서, 이 용액을, 동적인 자기 교반 하에, 60℃에서 탈이온수 약 298.55 cm3 중 99.70%의 중탄산나트륨 (NaHCO3) 25.157 g을 함유하는 1M 용액에 적가하여 부으면서, NaOH의 3M 수용액의 적가에 의해 pH를 9.0 ± 0.1로 유지하였다. 수득된 침전물을 동적인 자기 교반 하에 45분 동안 동일한 조건 (60℃ 및 pH = 9.0에서)에서 잘 분산시키며 에이징하였다. 이어서, 고체 침전물을 부흐너 깔때기로의 여과에 의해 모액으로부터 분리하였으며, 진공은 벤투리 물 흡인 장치에 의해 제공하였다.
생성된 고체는 하기 화학식의 HT 화합물에 상응한다:
[Cu0 . 042Zn0 . 458Al0 . 490In0 .010 (OH)2]0.50 + (CO3 2-)0.25 k H2O
이어서, 이 생성된 고체를 풍부한 고온 탈이온수 (60℃, 샘플의 400 cm3/g)로 세척하고, 70℃에서 밤새 건조시켰다. 수득된 전구체를 분쇄한 후, 분말을 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 6시간 동안 소성시킨 다음, 형성하고, 30 내지 40 메쉬의 크기로 체질하였다.
실시예 5: 촉매 ZAC041cLa50 1K의 제조
제조 방법은 실시예 2에서와 같이 작동하였으나; 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 6시간 동안 소성시킨 후, 탄산칼륨 (K2CO3) 용액을 사용하여 촉매 분말을 1 중량% K로 도핑하였다. 칼륨 용액을 탈이온수 27 cm3 중 K2CO3 0.35 g으로부터 제조하였다. 이어서, 소성 샘플을 초기 습식 함침 방법에 의해 이 용액으로 함침시키고, 120℃에서 2시간 동안 다시 건조시키고, 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 2시간 동안 소성시킨 다음, 형성하고, 30 내지 40 메쉬의 크기로 체질하였다.
실시예 6: 촉매 ZAC041cGa50 1K의 제조
제조 방법은 실시예 3에서와 같이 작동하였으나; 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 6시간 동안 소성시킨 후, 탄산칼륨 (K2CO3) 용액을 사용하여 촉매 분말을 1 중량% K로 도핑하였다. 칼륨 용액을 탈이온수 27 cm3 중 K2CO3 0.35 g으로부터 제조하였다. 이어서, 소성 샘플을 초기 습식 함침 방법에 의해 이 용액으로 함침시키고, 120℃에서 2시간 동안 다시 건조시키고, 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 2시간 동안 소성시킨 다음, 형성하고, 30 내지 40 메쉬의 크기로 체질하였다.
실시예 7: 촉매 ZAC022c의 제조
제조 방법은 2 중량%인 Cu 함량 및 2인 금속(II)/금속(III) 몰 비를 제외하고는 실시예 1에서와 같이 작동하였다. 구리, 아연, 알루미늄 염 2M 수용액을 탈이온수 약 140.42 cm3 중 98% 질산구리 2.5수화물 [Cu(NO3)2, 2.5H2O] 1.494 g, 98% 질산아연 6수화물 [Zn(NO3)2, 6H2O] 54.926 g, 및 98% 질산알루미늄 9수화물 [Al(NO3)2, 9H2O] 35.835 g으로부터 제조하였다. 이어서, 이 용액을, 동적인 자기 교반 하에, 60℃에서 탈이온수 187.23 cm3 중 99.70%의 중탄산나트륨 (NaHCO3) 15.777 g을 함유하는 1M 용액에 적가하여 부으면서, 수산화나트륨 (NaOH)의 3M 수용액의 적가에 의해 pH를 9.0 ± 0.1로 유지하였다. 수득된 침전물을 동적인 자기 교반 하에 45분 동안 동일한 조건 (60℃ 및 pH = 9.0에서)에서 잘 분산시키며 에이징하였다. 이어서, 고체 침전물을 부흐너 깔때기로의 여과에 의해 모액으로부터 분리하였으며, 진공은 벤투리 물 흡인 장치에 의해 제공하였다.
생성된 고체는 하기 화학식의 HT 화합물에 상응한다:
[Cu0 . 023Zn0 . 643Al0 .334 (OH)2]0.34 + (CO3 2-)0.17 k H2O
이어서, 이 생성된 고체를 풍부한 온수 (60℃, 샘플의 400 cm3/g)로 세척하고, 70℃에서 밤새 건조시켰다. 수득된 전구체를 분쇄한 후, 분말을 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 6시간 동안 소성시킨 다음, 형성하고, 30 내지 40 메쉬의 크기로 체질하였다.
실시예 8: 촉매 ZAC022c 0.5K의 제조
제조 방법은 실시예 7에서와 같이 작동하였으나; 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 6시간 동안 소성시킨 후, 탄산칼륨 (K2CO3) 용액을 사용하여 촉매 분말을 0.5 중량% K로 도핑하였다. 칼륨 용액을 탈이온수 25 cm3 중 K2CO3 0.352 g으로부터 제조하였다. 이어서, 소성 샘플을 초기 습식 함침 방법에 의해 이 용액으로 함침시키고, 120℃에서 2시간 동안 다시 건조시키고, 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 2시간 동안 소성시킨 다음, 형성하고, 30 내지 40 메쉬의 크기로 체질하였다.
실시예 9: 촉매 ZAC022cLa50의 제조
제조 방법은 50과 동등한 Al3 +/La3 + 몰 비로의 배합물 중 La3 + 이온의 첨가를 제외하고는 실시예 7에서와 같이 작동하였다. 금속 염 2M 수용액을 탈이온수 139.00 cm3 중 98% 질산구리 2.5수화물 [Cu(NO3)2, 2.5H2O] 1.494 g, 98% 질산아연 6수화물 [Zn(NO3)2, 6H2O] 54.348 g, 98% 질산알루미늄 9수화물 [Al(NO3)2, 9H2O] 34.775 g 및 99.99% 질산란타늄 수화물 [La(NO3)3 H2O] 0.590 g으로부터 제조하였다. 이어서, 이 용액을, 동적인 자기 교반 하에, 60℃에서 탈이온수 약 185.33 cm3 중 99.70%의 중탄산나트륨 (NaHCO3) 15.616 g을 함유하는 몰 (1M) 용액에 적가하여 부으면서, 수산화나트륨 (NaOH)의 3M 수용액의 적가에 의해 pH를 9.0 ± 0.1로 유지하였다. 수득된 침전물을 동적인 자기 교반 하에 45분 동안 동일한 조건 (60℃ 및 pH = 9.0에서)에서 잘 분산시키며 에이징하였다. 이어서, 고체 침전물을 부흐너 깔때기로의 여과에 의해 모액으로부터 분리하였으며, 진공은 벤투리 물 흡인 장치에 의해 제공하였다. 수득된 침전물을 동적인 자기 교반 하에 45분 동안 동일한 조건 (60℃ 및 pH = 9.0에서)에서 잘 분산시키며 에이징하였다. 이어서, 고체 침전물을 부흐너 깔때기로의 여과에 의해 모액으로부터 분리하였으며, 진공은 벤투리 물 흡인 장치에 의해 제공하였다.
생성된 고체는 하기 화학식의 HT 화합물에 상응한다:
[Cu0 . 023Zn0 . 643Al0 . 327La0 .007 (OH)2]0.34 + (CO3 2-)0.17 k H2O
이어서, 이 생성된 고체를 풍부한 온수 (60℃, 샘플의 400 cm3/g)로 세척하고, 70℃에서 밤새 건조시켰다. 수득된 전구체를 분쇄한 후, 분말을 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 6시간 동안 소성시킨 다음, 형성하고, 30 내지 40 메쉬의 크기로 체질하였다.
실시예 10: 촉매 ZAC022cGa50의 제조
제조 방법은 50과 동등한 Al3 +/Ga3 + 몰 비를 유지하면서, 배합물 중 La3 + 대신 Ga3 + 이온의 첨가를 제외하고는 실시예 9에서와 같이 작동하였다. 구리, 아연, 알루미늄 및 갈륨 염 2M 수용액을 탈이온수 139.88 cm3 중 98% 질산구리 2.5수화물 [Cu(NO3)2, 2.5H2O] 1.494 g, 98% 질산아연 6수화물 [Zn(NO3)2, 6H2O] 34.995 g, 98% 질산알루미늄 9수화물 [Al(NO3)2, 9H2O] 54.704 g 및 99.9% 질산갈륨 4수화물 [Ga(NO3)3 4H2O] 0.600 g으로부터 제조하였다. 이어서, 이 용액을, 동적인 자기 교반 하에, 60℃에서 탈이온수 약 186.50 cm3 중 99.70%의 중탄산나트륨 (NaHCO3) 15.715 g을 함유하는 1M 용액에 적가하여 부으면서, 수산화나트륨 (NaOH)의 3M 수용액의 적가에 의해 pH를 9.0 ± 0.1로 유지하였다. 수득된 침전물을 동적인 자기 교반 하에 45분 동안 동일한 조건 (60℃ 및 pH = 9.0에서)에서 잘 분산시키며 에이징하였다. 이어서, 고체 침전물을 부흐너 깔때기로의 여과에 의해 모액으로부터 분리하였으며, 진공은 벤투리 물 흡인 장치에 의해 제공하였다.
생성된 고체는 하기 화학식의 HT 화합물에 상응한다:
[Cu0 . 022Zn0 . 645Al0 . 327Ga0 .007 (OH)2]0.34 + (CO3 2-)0.17 k H2O
이어서, 이 생성된 고체를 풍부한 온수 (60℃, 샘플의 400 cm3/g)로 세척하고, 70℃에서 밤새 건조시켰다. 수득된 전구체를 분쇄한 후, 분말을 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 6시간 동안 소성시킨 다음, 형성하고, 30 내지 40 메쉬의 크기로 체질하였다.
실시예 11: 촉매 ZAC022cGa50 1K의 제조
제조 방법은 실시예 10에서와 같이 작동하였으나; 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 6시간 동안 소성시킨 후, 탄산칼륨 (K2CO3) 용액을 사용하여 촉매 분말을 1 중량% K로 도핑하였다. 칼륨 용액을 탈이온수 27 cm3 중 K2CO3 0.35 g으로부터 제조하였다. 이어서, 소성 샘플을 초기 습식 함침 방법에 의해 이 용액으로 함침시키고, 120℃에서 2시간 동안 다시 건조시키고, 머플 퍼니스에서 550℃ (10℃/분)에서 2시간 동안 소성시킨 다음, 형성하고, 30 내지 40 메쉬의 크기로 체질하였다.
비교 실시예 12: 상업용-유사 HTS 촉매
비교 실시예는 문헌 US 7 998 897에 기재된 바와 같이 제조되며 하기 중량% 조성: Zn = 42; Al = 21; Cu = 4; K = 2를 갖는, 고온에서 수성 가스 전환 반응을 수행하기에 최적화된 상업용-유사 HTS 촉매이다.
이들 촉매를 분석하였다.
도 1은 일부 전구체 (ZAC041cGa50, ZAC041cIn50 및 ZAC022cGa50)의 XRD (X선 회절) 분말 패턴을 나타낸다. 침전 동안 카르보네이트 이온의 존재는 XRD 분석에 의해 확인된 바와 같이, 매우 소량의 Zn(OH)2와 함께 HT-구조 형성을 유발한다.
도 2에 제시된 바와 같이, 카르보네이트를 토포택틱하게 함유하는 HT-구조는 소성에 의해 발생하고, XRD 패턴은 ZnO-유사 및 (Zn,Cu)Al2O4 상을 나타내었으며, 보다 높은 M(II)/M(III) 또는 1-x/x 원자 비를 갖는 샘플에서 보다 높은 강도의 ZnO 피크를 가졌다. M(II)/M(III)은 히드로탈사이트-유형 전구체 (명백하게 GA가 Al을 부분적으로 대체함) 내부의 2가 및 3가 양이온 사이의 원자 비이다. 이 비는 히드로탈사이트-유형 상을 수득하기 위한 문헌에 5 내지 1의 범위로 청구된 바 있으나, 양끝에서의 값은 아마도 또한 측 무정형 상을 형성한다. 보다 현실적으로는 이 비는 3 내지 2 범위이다.
촉매 시험 (도 3) 후의 XRD 패턴은 비록 보다 결정질일지라도 시험 전에서와 동일한 상의 존재를 나타내었다. Cu0는, 산화물 매트릭스에서의 낮은 Cu 함량 및 그의 양호한 분산과 일치하여, 단지 매우 소수의 샘플에서 미량으로 검출된다.
화학적-물리적 특성의 요약은 표 1에 보고된다. BET 표면적 및 Cu0 표면적 (MSA) 뿐만 아니라 Cu 분산 (D%)의 유의한 증가는 매우 소량의 촉진제 (La, Ga 또는 In)의 첨가에 의해 관찰되며, 수득된 촉매의 화학적-물리적 특성에 대한 이들 요소의 긍정적 효과를 입증한다. 반대로, K-도핑은 일반적으로 모든 이들 파라미터를 감소시킨다.
표 1
Figure pat00001
MSA 및 D% 값을 N2O 적정 방법에 의해 평가한다. 샘플 (100 mg)을 작은 반응기에 로딩하고, 40 내지 350℃ (10℃/분)의 5 부피% H2/N2 혼합물의 80 mL/분 유량에 의해 사전-환원시키고, 이 온도에서 60분 동안 유지한다. 촉매층을 He 스트림 하에 20분 동안 플러싱하여 모든 H2를 제거한 후, 반응기를 40℃로 냉각시키고, 연속적으로, N2O (250μL)의 펄스를 6-포트 밸브에 의해 He 캐리어 스팀으로 도입하여 선택적으로 Cu0 표면을 산화시킨다:
2Cu + N2O → N2 + Cu2O
각각의 펄스 후에, N2 및 N2O를 GS-탄소 플롯 칼럼을 사용함으로써 분리하고, 추가의 N2O 전환이 관찰되지 않을 때까지 적정을 발생시킨다. 열 전도율 검출기 (TCD)는 N2O 분해를 통해 발생된 배출 가스를 측정하는데 사용된다. Cu0의 비표면적은 N2O 소비의 총량으로부터 계산되며, 1.46 x 1019개 Cu0 원자/m2의 구리 밀도 및 Cu/N2O= 2의 몰 화학량론을 가정하였다.
소성 후 HT 전구체를 HTS 조건 하에 촉매 시험 전에 환원시켜, 주된 활성 상을 수득하였다. 전형적인 과정은 하기를 포함한다:
- 1) 반응기에서 질소 (N2)를 퍼징함으로써 산소 (O2)를 제거하고, 그 후에, 촉매를 275℃ (50℃/시간)로 가열하고, 반응기를 1.0 MPa (10 bar)에서 가압함.
- 2) 1.0 MPa (10 bar)에서 공정 가스 (스팀 + 건조 가스)를 도입하고, 이어서 추가의 시험의 고온 반응 조건에서의 유량을 고려하여 30℃/시간에서 350℃까지 램핑함.
- 3) 350℃에서, 압력을 시험의 값까지 증가시킴.
시험 전의 소성 촉매의 H2-TPR (TPR = 수소로 온도 프로그램화된 환원) 프로파일은 2개의 환원 피크, 전형적인 지지체와의 강한 상호작용에 의해 안정화된 Cu2 + 종의 환원인 약 340℃에서의 가장 강한 피크, 및 Cu-함유 스피넬-유형 상에 기인하는 약 550℃에서의 작은 피크를 나타낸다. 소량의 촉진제 (La, Ga 또는 In)의 첨가는 약 20℃의 제1 환원 피크의 최대치를 낮추지만, 보다 높은 온도에서의 것은 변화되지 않은 채 유지된다. 촉매 시험 후에, 제1 가장 강한 피크는 복합 형상으로 약 200℃에서 감소하며, 상이한 결정 크기를 갖는 유리 CuO의 형성을 입증한다. ZnO-유사 상은 실험 조건 하에 감소하지 않는다.
참조 촉매와 함께 본 발명의 촉매를 30 내지 40 메쉬의 크기를 갖는 펠릿으로서 성형하고, 플러그-유동 반응기에서 시험한다. 관형 반응기를, 촉매층의 유출구 직후에서 측정 시, 350 내지 450℃ (±1℃)의 온도를 갖도록 오븐에 의해 가열하고, 15 bar로 가압한다. 건조 가스 (DG) 및 스팀 (S)을 예열 (215℃)하고, 혼합 (질량 유량 제어기)한 후, 촉매 상에 통과시킨다. 다양한 실시예에 의해 제조된 촉매의 HTS 공정에서의 활성을 결정하기 위해, 18.8 부피% CO, 4.6 부피% CO2, 4.6 부피% CH4와 밸런스 H2를 함유하는 전형적인 DG 조성을 사용하고, 사전-환원된 촉매 상에서 0.55 및 0.25 v/v의 스팀 대 건조 가스 (S/DG) 비로 통과시킨다. 모든 성분의 농도를, 공지된 조성의 가스 혼합물에 대해 보정된 애질런트 기체 크로마토그래피의 수단에 의해 유입구 및 유출구 건조 가스 둘 다에 대해 규칙적으로 측정한다. 기체의 시간당 공간 속도 (GHSV: Gas Hourly Space Velocity)는 3,600 내지 14,400 h-1이다.
표 2 및 표 3은 본 발명에 청구된 촉매의 일부에 대해 수득된 촉매 결과를 요약하며, 이는 단지 예시적이나 완전한 것은 아닌 예이다: 상이한 파라미터의 함수로서의 보다 구체적 비교는 도 4-9에 예시된다.
표 2: CO 전환 및 H2 수율의 관점에서의 촉매 결과의 요약
Figure pat00002
표 3: CO2 선택성 및 형성된 부산물 MeOH의 양의 관점에서의 촉매 결과의 요약
Figure pat00003
표 2는, 존재하는 촉매가 일반적으로 우수한 촉매 활성을 가지며, 보다 낮은 M(II)/M(II) 또는 1-x/x 원자 비를 갖는 샘플에 대해 유의하게 보다 나은 결과가 관찰되었음을 나타낸다. 400℃ 및 450℃에서 대부분의 모든 촉매는 접촉 시간 값에 관계 없이 열역학적 평형 값에 접근한다. 소량의 Al을 In으로 대체하는 것 (원자 비로서 Al/In = 50)은, 소량의 La 및 놀랍게도 Ga를 첨가하여 관찰된 것과 달리 촉매 활성을 악화시켰다. 이러한 후자 촉매는, 도핑 또는 K-도핑 시, 매우 우수한 촉매 성능을 나타내며, 또한 조사된 가장 낮은 온도에 대해 열역학적 평형 값에 도달하며, 즉 이는 중간 온도에서 작동한다. 모든 촉매는, 조성에 관계 없이, 모든 반응 조건에서 검출된 CO2에서의 선택성의 높은 값과 일치하여, 어떠한 다른 부산물 없이 단지 소량의 메탄올의 추가의 형성 (표 3)을 나타낸다.
보다 상세한 비교는 도 4-9에 보고된다.
도 4는 ZAC041cM50 촉매 [(M(II)/M(III) = 1 원자 비; Al/M = 50 원자 비; M = Al, In 또는 Ga]에 대한 활성의 비교를 예시한다.
도 5는 상업용-유사 촉매 및 ZAC041cGa50 촉매 [원자 비로서 M(II)/M(III) = 1; 원자 비로서 Al/Ga = 50]에 대한 활성의 비교를 예시한다.
도 6은 ZAC022cM50 비도핑 및 K-도핑된 촉매 [원자 비로서 (M(II)/M(III) = 2; 원자 비로서 Al/M = 50; M = Al 또는 Ga]의 활성의 비교를 예시한다.
도 7은 ZAC041c 촉매 [원자 비로서 (M(II)/M(III) = 1]에 대한 상이한 온도에서의 활성의 비교를 예시한다.
도 8은 K-도핑된 ZAC041cGa50_1K 촉매 [원자 비로서 (M(II)/M(III) = 1; 원자 비로서 Al/GA = 50]에 대한 상이한 온도에서의 활성의 비교를 예시한다.
도 9는 ZAC041cGa50_1K 촉매 [원자 비로서 (M(II)/M(III) = 1; Al/Ga = 50]에 대한 상이한 온도 및 S/DG 부피 비에서의 활성의 비교를 예시한다.
특히 도 9는 곤란한 반응 조건, 예컨대 산업 플랜트에서 사용되는 것들에 비해 유의하게 더 높은 S/DG 비로의 운전 하에 Ga-촉진된 촉매의 매우 우수한 활성 및 안정성을 나타낸다. 한편, 낮은 S/DG 값은 생산성이 개선되고, 비용 및 반응기 크기가 감소되도록 하는 매우 흥미로운 경제적 이점을 제공한다. 그러나, 가장 넓은 적용의 안정성에 대한 데이터를 갖기 위해, ZAC041cGa_1K의 활성을 긴 스트림 상에서의 시간에 대해 실험실 규모 파일럿 플랜트에서 또한 조사하였다.
ZAC041cGa50_1K 촉매의 안정성을 운전 조건의 동일한 세트에 대해 300시간 초과 동안 수행된 장기 지속기간 시험의 수단에 의해 평가하였다. 반응기에서 로딩한 후, 2시간 동안 스팀/탄소 비 = 10에서의 스팀 중에 희석된 합성가스 혼합물을 사용함으로써 촉매 (9g, 30/40 메쉬)를 320℃에서 활성화시킨 다음, 온도를 3시간 동안 400℃까지의 경사를 따라 증가시킨다.
그 후에, 15bar의 압력에서 비 스팀/건조가스 (S/DG) = 0.55에 달성하기 위해, 스팀의 주입을 감소시킨다. 유입구 온도는 390℃로 표적화되고, 접촉 시간 값은 2초에 근접한다. DG 조성은 H2/CO/CO2/CH4 = 0.75/0.168/0.041/0.041%mol이다.
긴 시험 동안, 온도 (인/아웃)를 모니터링하고, 반응기에 존재하는 생성된 건조 가스를 IR 검출기의 수단에 의해 연속적으로 분석한다 (CO, CO2, CH4). 반응기의 유출구에서, 습윤 가스를 냉각기에 의해 켄칭한 다음, 분리기 포트를 가로지른 후, 건조 가스를 포트의 상부에서 회수하고, 응축물을 하부 파트에서 수집한다.
시험의 300시간 동안, 가스의 온도 및 조성은 안정하게 유지된다. CO 슬립은 평형 예측과 일치하며, CH4 함량은 안정하게 머무른다. 어떠한 부산물도 가스 상에서 검출되지 않았고, 응축물 중에 존재하는 단지 일부 미량의 MeOH가 검출되고, 다시 평형과 일치하였다.
도 10은 촉매 vs ToS (Time on stream: 스트림 상에서의 시간)의 안정성을 나타낸다.
이들 결과 및 측정의 불확실성을 기반으로 하여, 본 발명자들은 이러한 신규 촉매가 부산물의 비정상적 생성 없이 평형에서 수행되는 것으로 고려할 수 있다.
비록 HTS 조건에서 작동하기 위한 문헌에 기재된 촉매의 대부분이 철 및 크로뮴으로 구성되었을지라도, 본 발명의 촉매는 스트림 상에서의 시간에 대해 매우 우수한 안정성을 갖지만, 철 부재 및 크로뮴 부재 하에 열역학적 평형에 근접하여 HTS 조건 (350℃ 내지 450℃)에서 작동하는 높은 활성을 갖는다.
HTS 적용을 위한 ZnAl-기반 물질의 용도를 청구하는 다른 특허와 대조적으로, 본 발명의 촉매는 또한 소량의 구리를 함유하며, 이는 반응의 빠른 시동 및 350℃ 미만의 온도에서의 활성을 또한 가능하게 한다.
소량의 La 또는 주로 Ga의 첨가는 촉매 활성 및 안정성을 유의하게 증가시킨다. Ga의 거동은 인듐 하에 관찰된 악화를 고려하면 매우 놀라우며, 이는 Al, Ga 및 In이 모두 원소 주기율표의 III족의 구성원이기 때문이다.
작은 백분율의 칼륨에 의한 도핑은, 또한 저온에서의 Ga-촉진된 촉매의 성능을 추가로 개선시킨다.
게다가, 높은 활성 및 선택성 값이 또한 낮은 접촉 시간 및 S/DG 값에서, 즉 높은 산업적 관심의 조건에서 작동하는 것으로 관찰되었다.

Claims (11)

  1. 하기 화학식을 갖는 전구체를 사용하여 300℃ 초과의 온도에서 수성-가스 전환 반응을 수행하는 촉매를 합성하는 방법.
    [(Cu, Zn)1-x (Al, M)x (OH)2] x+ (An- x/n) ㆍ kH2O
    여기서
    - M = Al, La, Ga 또는 In,
    - A = CO3
    - 0.33 < x < 0.5
    - 1 < n < 3.
  2. 제1항에 있어서, 하기 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:
    a) 공동침전 방법에 의한 전구체의 합성;
    b) 전구체의 세척,
    c) 60℃ 내지 80℃의 온도에서의 전구체의 건조,
    d) 500℃ 초과의 온도에서의 소성.
  3. 제2항에 있어서, 단계 d)를 5℃/분 내지 10℃/분의 온도 증가 속도로 2시간 내지 6시간 지속하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 단계 b)에서 전구체를 25℃ 내지 60℃의 온도에서 탈이온수로 세척하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 전구체의 합성이 하기 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:
    i) 구리, 아연, 및 알루미늄 염 수용액의 제조,
    ii) 중탄산나트륨 함유 용액으로의 수용액의 적가로 pH를 9.0 ± 0.1로 유지함으로써 침전물의 수득,
    iii) 상기 침전물의 에이징.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 전구체가 0.5 내지 5 중량%의 구리를 갖고, 촉매가 0.5 내지 5 중량%의 구리를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 d) 후에 촉매를 0.5 중량% 내지 2 중량% K로 도핑하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 전구체가 Ga를 0/1 내지 100/1에 포함된 Al/Ga 비로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 전구체가 하기로부터 선택된 것을 특징으로 하는 방법:
    - [Cu0 . 042Zn0 . 458Al0 .500 (OH)2]0.50 + (CO3 2-)0.25 k H2O,
    - [Cu0 . 042Zn0 . 458Al0 . 490La0 .010 (OH)2]0.50 + (CO3 2-)0.25 k H2O,
    - [Cu0 . 042Zn0 . 458Al0 . 490Ga0 .010 (OH)2]0.50 + (CO3 2-)0.25 k H2O,
    - [Cu0 . 042Zn0 . 458Al0 . 490In0 .010 (OH)2]0.50 + (CO3 2-)0.25 k H2O,
    - [Cu0 . 023Zn0 . 643Al0 .334 (OH)2]0.34 + (CO3 2-)0.17 k H2O,
    - [Cu0 . 023Zn0 . 643Al0 . 327La0 .007 (OH)2]0.34 + (CO3 2-)0.17 k H2O, 및
    - [Cu0 . 022Zn0 . 645Al0 . 327Ga0 .007 (OH)2]0.34 + (CO3 2-)0.17 k H2O.
  10. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 촉매가 하기 화학식: (Cu, Zn)1-x (Al, M)x Ox를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 0.1 대 0.9의 스팀 / 건조 가스 비를 갖는 합성 가스 혼합물로부터의 CO의 전환을 위한 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 수득된 촉매의 용도.
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