KR20170130279A - A sealing body manufacturing method, and a laminate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 봉지체의 제조 방법, 및, 적층체에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a plug, and a laminate.
최근, 반도체 장치의 집적화나 소형화 등을 실현하기 위해서, 팬 아웃형 WLP (Fan-Out Wafer Level Package) 기술이 개발되어 있다. 팬 아웃형 WLP 기술로는, (i) 일단, 지지체 상에 있어서, 복수의 칩을 수지로 봉지한 수지 웨이퍼 (유사 웨이퍼) 를 형성한 후에, 수지 웨이퍼로부터 지지체를 제거하고, 그 후에 수지 웨이퍼에 대하여 배선층을 형성함으로써 봉지체를 형성하는 방법 (특허문헌 1 ∼ 3) 과, (ii) 지지체 상에 있어서 배선층 및 수지 웨이퍼를 형성한 후에, 지지체를 제거함으로써 봉지체를 형성하는 방법 (비특허문헌 1) 이 알려져 있고, 고밀도 배선이 가능한 점 등에서, 후자가 주목을 받고 있다.In recent years, a fan-out type wafer-level package (WLP) technology has been developed to realize integration and miniaturization of semiconductor devices. In the fan-out type WLP technology, (i) a step of forming a resin wafer (a similar wafer) in which a plurality of chips are sealed with a resin on a support once and then removing the support from the resin wafer, (
본 발명자들은, 독자적인 지견에 기초하여, 팬 아웃형 WLP 기술에 있어서, 지지체를 원하는 타이밍에 있어서 제거하기 위한 구조로서, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층을 미리 지지체에 형성해 두는 것을 검토하고 있다. 그 결과, 비특허문헌 1 과 같이, 지지체 상에 있어서 봉지체 (배선층 및 수지 웨이퍼) 를 형성하는 방법에서는, 지지체 상에 있어서 배선층을 형성하기 위한 처리 (예를 들어, 리소그래피 처리 등) 가 이루어지기 때문에, 당해 처리의 영향 (예를 들어, 처리에 사용되는 약액 등의 영향) 에 의해, 지지체에 형성한 분리층이 박리된다는 문제가 발생할 수 있는 것을 알아냈다.The inventors of the present invention, based on their unique knowledge, have studied to form a separation layer on the support in advance, which is deteriorated by irradiating light, as a structure for removing the support at a desired timing in the fan-out WLP technology. As a result, in the method of forming the plugs (wiring layers and resin wafers) on the support as in the case of
본 발명은, 상기의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 지지체 상에 있어서 봉지체를 형성하고 있을 때에, 지지체에 형성한 분리층이 박리되는 것을 방지할 수 있는 봉지체의 제조 방법, 및, 적층체를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a plug capable of preventing peeling of a separation layer formed on a support when a plug is formed on a support, The main purpose is to provide.
상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관련된 봉지체의 제조 방법은,In order to solve the above problems, a method of manufacturing a bag according to the present invention comprises:
배선층과, 상기 배선층에 실장되어 있는 소자와, 상기 소자를 봉지하고 있는 봉지재를 구비한 봉지체를 제조하는 봉지체의 제조 방법으로서,A manufacturing method of a plug including a wiring layer, an element mounted on the wiring layer, and an encapsulating material encapsulating the element,
광을 투과하는 지지체의 일방의 평면부에, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층을 형성하는 분리층 형성 공정과,A separation layer forming step of forming a separation layer which is altered by irradiating light on one flat surface portion of a support through which light is transmitted,
상기 지지체의 주연 부분 전체 둘레에 형성된 분리층을 제거하는 분리층 주연 부분 제거 공정과,A separation layer peripheral portion removing step for removing the separation layer formed around the entire periphery of the support;
상기 지지체에 있어서의 주연 부분 전체 둘레의 분리층을 제거한 측의 면에, 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정과,An adhesive layer forming step of forming an adhesive layer on the surface of the support on the side of the entire periphery of the peripheral portion from which the separation layer is removed,
상기 접착층 상에, 상기 봉지체를 형성하는 봉지체 형성 공정을 포함하고 있다.And a stick-forming step of forming the plug on the adhesive layer.
또한, 본 발명에 관련된 적층체는,Further, in the laminate related to the present invention,
광을 투과하는 지지체와,A support for transmitting light,
광을 조사함으로써 변질되는 분리층과,A separating layer which is altered by irradiating light,
접착층과,An adhesive layer,
봉지체가 이 순서로 적층되어 이루어지고,A sealing member is stacked in this order,
상기 봉지체는, 배선층과, 상기 배선층에 실장되어 있는 소자와, 상기 소자를 봉지하고 있는 봉지재를 구비하고 있고,The sealing member includes a wiring layer, an element mounted on the wiring layer, and an encapsulating material that encapsulates the element,
상기 분리층은, 상기 지지체에 접하고 있는 부분 이외가 상기 접착층에 의해 피복되어 있다.The separation layer is covered with the adhesive layer other than a portion in contact with the support.
본 발명에 의하면, 지지체 상에 있어서 봉지체를 형성하고 있을 때에, 지지체에 형성한 분리층이 박리되는 것을 방지할 수 있는 봉지체의 제조 방법, 및, 적층체를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a plug and a laminate which can prevent peeling of the separation layer formed on the support when the plug is formed on the support.
도 1 은 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 봉지체의 제조 방법의 각 공정을 나타내는 도면이다.
도 2 는 본 발명의 실시형태 2 에 관련된 봉지체의 제조 방법의 각 공정을 나타내는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing respective steps of a method of manufacturing a plug according to
2 is a view showing each step of the method for manufacturing a plug according to
본 발명에 관련된 봉지체의 제조 방법은, 배선층과, 상기 배선층에 실장되어 있는 소자와, 상기 소자를 봉지하고 있는 봉지재를 구비한 봉지체를 제조하는 봉지체의 제조 방법으로서, 광을 투과하는 지지체의 일방의 평면부에, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층을 형성하는 분리층 형성 공정과, 상기 지지체의 주연 부분 전체 둘레에 형성된 분리층을 제거하는 분리층 주연 부분 제거 공정과, 상기 지지체에 있어서의 주연 부분 전체 둘레의 분리층을 제거한 측의 면에, 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정과, 상기 접착층 상에, 상기 봉지체를 형성하는 봉지체 형성 공정을 포함하고 있다.A method of manufacturing a plug according to the present invention is a method of manufacturing a plug including a wiring layer, an element mounted on the wiring layer, and an encapsulating material encapsulating the element, A separating layer forming step of forming a separating layer which is altered by irradiating light on one of the planar portions of the supporting body; a separating layer peripheral portion removing step of removing the separating layer formed around the entire periphery of the supporting body; A step of forming an adhesive layer on the side of the entire periphery of the peripheral portion on the side from which the separation layer is removed and a step of forming the plug on the adhesive layer.
상기의 구성에 의하면, 지지체의 주연 부분 전체 둘레에 형성된 분리층을 제거한 후에, 지지체에 있어서의 주연 부분 전체 둘레의 분리층을 제거한 측의 면에, 접착층을 형성함으로써, 분리층을 접착층에 의해 보호할 수 있다. 이에 의해, 봉지체 형성 공정에 있어서, 약액 등에 의한 분리층의 침식에 의해 지지체가 박리되는 것을 방지할 수 있다.According to the above configuration, after the separation layer formed around the entire periphery of the support is removed, an adhesive layer is formed on the side of the support around which the separation layer is entirely removed, so that the separation layer is protected can do. This makes it possible to prevent the support from being peeled off by the erosion of the separation layer by the chemical liquid or the like in the plug formation step.
〔실시형태 1〕[Embodiment 1]
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태 (실시형태 1) 에 관련된 봉지체의 제조 방법의 각 공정을 설명하는 도면이다. 실시형태 1 에 관련된 봉지체의 제조 방법은, 분리층 형성 공정, 분리층 주연 부분 제거 공정, 접착층 형성 공정, 봉지체 형성 공정, 접착층 제거 공정, 광 조사 공정, 분리 공정 및 제거 공정을 이 순서로 실시한다.Brief Description of the Drawings Fig. 1 is a view for explaining respective steps of a method for manufacturing a plug according to an embodiment (Embodiment 1) of the present invention. Fig. The method of manufacturing the plug according to
(분리층 형성 공정)(Separation layer forming step)
도 1 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 분리층 형성 공정에서는, 광을 투과하는 지지체 (1) 의 일방의 평면부 (1a) 에, 예를 들어, 화학 기상 성장 (CVD) 법 등에 의해, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층 (2) 을 형성한다. 또한, 「일방의 평면부」 란, 지지체 (1) 가 갖는 평면부 중 1 개를 가리킨다. 또한, 「평면부」 는, 실질적으로 평면이라고 볼 수 있을 정도의 미세한 요철을 가지고 있어도 된다. 지지체 (1) 및 분리층 (2) 의 상세 그리고 분리층 (2) 의 형성 순서의 상세한 것에 대해서는 후술한다.1 (a), in the separation layer forming step, the one
(분리층 주연 부분 제거 공정)(Separation layer edge portion removal process)
도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 분리층 주연 부분 제거 공정에서는, 예를 들어, EBR (Edge Bead Removal) 처리에 의해, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 분리층 (2) 을 제거한다. 주연 부분 (1b) 은, 평면부 (1a) 의 주연 부분이다. 이에 의해, 도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 평면부 (1a) 상에는, 분리층 (2) 이 제거된 주연 부분 (1b) 에 둘러싸인 부분에, 분리층 (2) 이 형성되어 있는 상태가 된다. EBR 처리의 상세한 것에 대해서는 후술한다.As shown in Fig. 1 (b), in the step of removing the peripheral portion of the separation layer, a separation layer (not shown) formed around the
(접착층 형성 공정)(Adhesive layer forming step)
도 1 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 접착층 형성 공정에서는, 지지체 (1) 에 있어서의 주연 부분 (1b) 전체 둘레의 분리층 (2) 을 제거한 측의 면에, 접착층 (3) 을 형성한다. 접착층 (3) 은, 예를 들어, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 접착제를 도포함으로써 형성할 수 있다. 이에 의해, 분리층 (2) 을 둘러싸는 주연 부분 (1b), 및, 분리층 (2) 의 상부에 접착층 (3) 이 형성되기 때문에, 분리층 (2) 이 접착층 (3) 에 의해 덮여 있는 상태가 된다. 이에 의해, 분리층 (2) 을 보호할 수 있다. 접착층 (3) 을 형성하기 위한 접착제의 상세한 것에 대해서는 후술한다.As shown in Fig. 1C, in the adhesive layer forming step, the
(봉지체 형성 공정)(Bag-forming step)
도 1 의 (d) ∼ (g) 에 나타내는 바와 같이, 봉지체 형성 공정에서는, 접착층 (3) 상에, 봉지체 (7) 를 형성한다. 본 실시형태에서는, 봉지체 형성 공정에서는, 배선층 형성 공정, 실장 공정, 봉지 공정 및 박화 공정을 이 순서로 실시한다.1 (d) to 1 (g), the
도 1 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 배선층 형성 공정에서는, 접착층 (3) 상에 배선층 (4) 을 형성한다.As shown in Fig. 1 (d), in the wiring layer forming step, the
일 실시형태에 있어서, 배선층 (4) 의 형성 순서로는, 먼저, 접착층 (3) 상에, 산화실리콘 (SiOx), 감광성 수지 등의 유전체층을 형성한다. 산화실리콘으로 이루어지는 유전체층은, 예를 들어, 스퍼터법, 진공 증착법 등에 의해 형성할 수 있다. 감광성 수지로 이루어지는 유전체층은, 예를 들어, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 감광성 수지를 도포함으로써 형성할 수 있다.In one embodiment, in order to form the
계속해서, 유전체층에, 금속 등의 도전체에 의해 배선을 형성한다. 배선의 형성 수법으로는, 예를 들어, 포토리소그래피 (레지스트 리소그래피) 등의 리소그래피 처리, 에칭 처리 등의 공지된 반도체 프로세스 수법을 사용할 수 있다.Subsequently, wirings are formed on the dielectric layer by a conductor such as a metal. As a wiring formation method, a well-known semiconductor process technique such as a lithography process such as photolithography (resist lithography) or an etching process can be used.
도 1 의 (e) 에 나타내는 바와 같이, 실장 공정에서는, 배선층 (4) 상에 소자 (5) 를 실장한다. 배선층 (4) 상에 대한 소자 (5) 의 실장은, 예를 들어, 칩 마운터 등을 사용하여 실시할 수 있다.As shown in Fig. 1 (e), the
도 1 의 (f) 에 나타내는 바와 같이, 봉지 공정에서는, 소자 (5) 를 봉지재 (6) 에 의해 봉지한다. 봉지재 (6) 는, 예를 들어, 성형 형을 사용하여 사출 성형해도 되고, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 도포해도 된다.As shown in Fig. 1 (f), in the sealing step, the
도 1 의 (g) 에 나타내는 바와 같이, 박화 공정에서는, 봉지재 (6) 를 박화한다. 봉지재 (6) 는, 예를 들어, 소자 (5) 와 동등한 두께까지 박화해도 된다.As shown in Fig. 1 (g), in the thinning step, the
이상에 의해, 지지체 (1) 상에 있어서, 봉지체 (7) 를 순조롭게 형성할 수 있다. 이 때, 예를 들어, 배선을 형성하기 위한 리소그래피 처리, 에칭 처리 등에 있어서 약액이 이용될 수 있다. 분리층 (2) 에는 약액 내성이 부족한 경우가 많기 때문에, 분리층 (2) 이 약액에 접하면, 분리층 (2) 이 박리될 우려가 있다. 그러나, 본 실시형태에 의하면, 분리층 (2) 이 접착층 (3) 에 의해 보호되어 있기 때문에, 분리층 (2) 에 약액이 접촉하는 것을 피할 수 있다. 또한, 접착층 (3) 에 의해 분리층 (2) 을 보호함으로써, 약액 이외로부터도 분리층 (2) 을 보호할 수 있다. 이에 의해, 봉지체 형성 공정 중에, 분리층 (2) 이 박리되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 접착층 (3) 에 의하면, 예를 들어, 배선층 형성 공정에 있어서, 배선층 (4) 을 구성하기 위한 산화막이나 메탈층 등이, 지지체 (1) 의 단부 부근에 부착한 경우에도, 접착층 (3) 을 제거함으로써 당해 산화막이나 메탈층 등을 지지체 (1) 로부터 용이하게 제거하는 것이 가능하고, 특별한 세정을 필요로 하지 않고 지지체 (1) 의 재이용을 가능하게 할 수 있다.As described above, the
또한, 이상의 공정에 의해 얻어진 도 1 의 (g) 에 나타내는 적층체 (8) 는, 광을 투과하는 지지체 (1) 와, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층 (2) 과, 접착층 (3) 과, 봉지체 (7) 가 이 순서로 적층되어 이루어지고, 봉지체 (7) 는, 배선층 (4) 과, 배선층 (4) 에 실장된 소자 (5) 와, 소자 (5) 를 봉지하는 봉지재 (6) 를 구비하고 있고, 분리층 (2) 은, 지지체 (1) 에 접하고 있는 부분 이외가 접착층 (3) 에 의해 피복되어 있는 것이다. 이와 같은 적층체 (8) 는, 본 발명에 관련된 봉지체의 제조 방법의 과정에 있어서만 제조되는 것으로, 단리된 봉지체 (7) 를 제조하기 위해서 바람직하게 이용할 수 있다.The
(접착층 제거 공정)(Adhesive layer removing step)
도 1 의 (h) 에 나타내는 바와 같이, 접착층 제거 공정에서는, 예를 들어, EBR 처리에 의해, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 접착층 (3) 을 제거한다. EBR 처리의 상세한 것에 대해서는 후술한다. 접착층 (3) 중, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 부분은, 분리층 (2) 을 개재하지 않고, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 접착하고 있기 때문에, 당해 부분을 제거해 둠으로써, 분리층 (2) 을 변질시켰을 때에, 원활하게 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리할 수 있다.As shown in FIG. 1 (h), in the adhesive layer removing step, the
특히, 지지체 (1) 상에 형성되어 있는 분리층 (2) 의 외주 단부 (2a) 보다 외측에 형성된 접착층 (3) 을 제거해 둠으로써, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 가, 반드시 분리층 (2) 을 개재하여 접착되어 있는 상태로 할 수 있기 때문에, 분리층 (2) 을 변질시켰을 때에, 보다 원활하게 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리할 수 있다.Particularly, by removing the
(광 조사 공정)(Light irradiation step)
도 1 의 (i) 에 나타내는 바와 같이, 광 조사 공정에서는, 지지체 (1) 를 개재하여, 분리층 (2) 에 광 (L) 을 조사함으로써, 분리층 (2) 을 변질시킨다. 조사하는 광 (L) 의 종류 및 파장은, 지지체 (1) 의 투과성 및 분리층 (2) 의 재질에 따라 적절히 선택하면 되고, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는, 비레이저 광을 사용할 수 있다. 이에 의해, 분리층 (2) 을 변질시켜, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 용이하게 분리 가능한 상태로 할 수 있다.1 (i), in the light irradiation step, the
또한, 레이저 광을 조사하는 경우의 레이저 광 조사 조건의 일례로는, 이하의 조건을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다 : 레이저 광의 평균 출력값은, 1.0 W 이상, 5.0 W 이하인 것이 바람직하고, 3.0 W 이상, 4.0 W 이하인 것이 보다 바람직하다 ; 레이저 광의 반복 주파수는, 20 ㎑ 이상, 60 ㎑ 이하인 것이 바람직하고, 30 ㎑ 이상, 50 ㎑ 이하인 것이 보다 바람직하다 ; 레이저 광의 주사 속도는, 100 ㎜/s 이상, 10000 ㎜/s 이하인 것이 바람직하다.The average output value of the laser light is preferably 1.0 W or more and 5.0 W or less, more preferably 3.0 L or less, more preferably 3.0 L or less, W or more and 4.0 W or less; The repetition frequency of the laser light is preferably 20 kHz or more and 60 kHz or less, more preferably 30 kHz or more and 50 kHz or less; The scanning speed of the laser beam is preferably 100 mm / s or more and 10000 mm / s or less.
(분리 공정)(Separation step)
도 1 의 (j) 에 나타내는 바와 같이, 분리 공정에서는, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리한다. 예를 들어, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 가 서로 멀어지는 방향으로 힘을 가함으로써, 지지체 (1) 와, 봉지체 (7) 를 분리한다. 예를 들어, 지지체 (1) 및 봉지체 (7) 의 일방을 스테이지에 고정시킨 상태로, 타방을 벨로우즈 패드 등의 흡착 패드를 구비한 분리 플레이트에 의해 흡착 유지하면서 들어 올림으로써, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리할 수 있다.As shown in Fig. 1 (j), in the separation step, the
(제거 공정)(Removal process)
도 1 의 (k) 에 나타내는 바와 같이, 제거 공정에서는, 지지체 (1) 가 분리된 봉지체 (7) 에 잔류하고 있는 접착층 (3) 과 분리층 (2) 을 제거한다. 예를 들어, 유기 용제를 포함하고 있는 세정액 등에 의해 접착층 (3) 및 분리층 (2) 의 잔류물을 제거하는 세정 공정을 실시한다. 세정액으로는, 예를 들어, 후술하는 접착제의 희석 용제나, 알칼리성을 나타내는 용제 (특히, 아민계 화합물) 등을 사용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.As shown in Fig. 1 (k), in the removing step, the
이상에 의해, 단리된 봉지체 (7) 를 얻을 수 있다.Thus, the
또한, 추가로 봉지체 (7) 에 대하여, 솔더 볼 형성, 다이싱 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 또한, 봉지체 (7) 상에, 추가로 다른 소자를 적층해도 된다.Further, the
또한, 접착제 제거 공정 (도 1 의 (h) 참조) 에 있어서, 접착층 (3) 의 외주부 (분리층 (2) 의 외측) 를 바람직하게 제거하기 위해서는, 봉지체 (7) 의 외경이, 지지체 (1) 의 외경보다 작은 것이 바람직하다. 그러기 위해서는, 예를 들어, (i) 봉지체 (7) 의 성형용 형의 외경을 지지체보다 작게 함으로써, 봉지체 (7) 를 지지체 외경보다 작게 성형하거나, 또는, (ii) 봉지체 (7) 의 성형 후에, 지지체 외경보다 작게 하기 위해서, 봉지체 (7) 에 대하여 풀 커트 트림을 실시하는 것이 바람직하다.In order to preferably remove the outer peripheral portion (the outer side of the separation layer 2) of the
〔EBR 처리〕[EBR treatment]
일 실시형태에 있어서, (A) 분리층 주연 부분 제거 공정에 있어서, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 분리층 (2) 을 제거하기 위한 EBR 처리, 및, (B) 접착층 제거 공정에 있어서, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 접착층 (3) 을 제거하기 위한 EBR 처리는, 예를 들어, (i) 용제에 의해 용해시켜 제거하는 방법, (ii) 커터 또는 블레이드 등을 사용하여 물리적으로 절단하여 제거하는 방법, (iii) 대기압하에서의 애싱에 의해 제거하는 방법 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 강도 및 실용성의 관점에서, 용제에 의해 제거하는 방법이 바람직하다.An EBR treatment for removing the
용제에 의해 제거하는 방법에 있어서 사용되는 용제로는 제거 대상이 되는 분리층 (2) 또는 접착층 (3) 을 용해시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 당업자는, 제거 대상의 조성에 따라, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 탄화수소계의 접착제를 사용하여 형성된 접착층 (3) 에 대해서는, 용제로서 p-멘탄, 및 d-리모넨 등의 테르펜계 용제를 사용할 수 있고, 아크릴계 또는 말레이미드계의 접착제를 사용하여 형성된 접착층 (3) 에 대해서는, 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 시클로헥사논, 2-헵타논, 아세트산에틸, 및 메틸에틸케톤 등을 사용할 수 있다.The solvent used in the method of removing by the solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the
또한, 분리층 (2) 에 대해서는, 예를 들어, 알칼리성을 나타내는 용제, 특히, 아민계 화합물을 사용할 수 있고, 제 1 급, 제 2 급, 제 3 급의 지방족 아민, 지환식 아민, 방향족 아민, 또는 복소 고리형 아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 사용할 수 있고, 이들 유기 아민류의 화합물 중에서는, 특히 모노에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 및 2-에틸아미노에탄올, 2-메틸아미노에탄올 (MMA) 등의 알칸올아민이 바람직하게 사용된다. 또한, 박리액은 상기 아민계 화합물을 다른 용제와 혼합하여 사용해도 되고, 후술하는 (희석 용제) 의 란에 기재하고 있는 용제를 혼합하여 사용해도 된다.As the
용제를 공급하는 방법으로는, 예를 들어, 용제의 분출에 의해, 제거 대상에 용제를 공급하는 방법, 제거 대상을 용제 중에 침지시키는 방법을 들 수 있다.Examples of the method for supplying the solvent include a method of supplying the solvent to the object to be removed by spraying the solvent and a method of immersing the object to be removed in the solvent.
용제의 분출에 의해, 제거 대상에 용제를 공급하는 방법으로는, 균일하게 용제를 공급하기 위해서, 지지체 (1) 를 회전시키면서, 제거 대상에 용제를 공급하는 방법이 바람직하다. 지지체 (1) 를 회전시키면서, 용제를 공급하는 방법으로는, 예를 들어, 용제를 분출하는 노즐을 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 의 바로 외측의 바로 위에 배치하고, 용제를 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 의 바로 외측에 적하하면서, 지지체 (1) 를, 스피너를 사용하여 회전시키는 방법을 들 수 있다. 이에 의해, 용제를 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 의 전체 둘레의 바로 외측에 공급할 수 있다. 또한, 배치하는 노즐의 수에 제한은 없고, 1 개 이상이면 된다.As a method of supplying the solvent to the object to be removed by spraying the solvent, a method of supplying the solvent to the object to be removed while rotating the
지지체 (1) 의 회전 및 용제의 분출을 수반하는 상기 방법에 있어서, 지지체 (1) 의 회전 속도, 용제를 노즐로부터 공급할 때의 용제의 유량, 및 용제의 공급 시간은, 제거 대상의 조성, 제거 대상의 두께, 사용하는 용제의 종류, 및 제거의 정도에 따라 상이할 수 있는 것이지만, 당업자이면, 그 최적 조건을 곤란 없이 검토 및 결정할 수 있다.In the above method involving the rotation of the
또한, 용제에 의한 제거 대상의 용해 후에는, 지지체 (1) 등을 건조시키는 것이 바람직하다. 건조 공정을 거치는 것에 의해, 불필요한 용제, 제거 대상 부분이 아닌 분리층 (2) 또는 접착층 (3) 에 침입한 용제를 제거할 수 있다.After dissolving the object to be removed by the solvent, it is preferable to dry the
건조 방법으로는, 스피너 등을 사용하여 지지체 (1) 를 회전시키는 것에 의한 털기 건조, N2 가스 등의 분무에 의한 에어 블로우로의 건조, 베이크에 의한 건조, 및 감압에 의한 건조 등을 들 수 있다. 또한, 이들 건조 방법으로는, 어느 방법을 단독으로 사용하는 방법, 혹은 임의의 2 개 이상의 방법을 조합하여 사용하는 방법 모두 가능하다.Examples of the drying method include drying of the hair by spinning the
〔봉지체 (7)〕[Plug (7)]
상기 서술한 바와 같이, 봉지체 (7) 는, 배선층 (4) 과, 배선층 (4) 에 실장되어 있는 소자 (5) 와, 소자 (5) 를 봉지하고 있는 봉지재 (6) 를 구비하고 있다. 일 실시형태에 있어서, 봉지체 (7) 는 복수의 소자 (5) 를 구비하고 있고, 이와 같은 봉지체 (7) 를 다이싱함으로써, 복수의 전자 부품을 얻을 수 있다.As described above, the
소자 (5) 는, 반도체 소자 또는 그 밖의 소자이고, 단층 또는 복수층의 구조를 가질 수 있다. 또한, 소자 (5) 가 반도체 소자인 경우, 봉지체 (7) 를 다이싱함으로써 얻어지는 전자 부품은, 반도체 장치가 된다.The
배선층 (4) 은, RDL (Redistribution Layer : 재배선층) 이라고도 불리고, 소자 (5) 에 접속하는 배선을 구성하는 박막의 배선체이고, 단층 또는 복수층의 구조를 가질 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 배선층 (4) 은, 유전체 (예를 들어, 산화실리콘 (SiOx), 감광성 에폭시 등의 감광성 수지 등) 에, 도전체 (예를 들어, 알루미늄, 동, 티탄, 니켈, 금 등의 금속 등) 에 의해 배선이 형성된 것일 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.The
봉지재 (6) 로는, 예를 들어, 에폭시계의 수지, 실리콘계의 수지 등을 사용할 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 봉지재 (6) 는, 소자 (5) 마다 형성되어 있는 것이 아니라, 배선층 (4) 에 실장된 복수의 소자 (5) 모두를 일체적으로 봉지하고 있는 것이다.As the sealing
〔지지체 (1)〕[Support (1)]
일 실시형태에 있어서, 지지체 (1) 는, 봉지체 (7) 의 형성시에, 봉지체 (7) 의 각 구성 요소의 파손 또는 변형을 방지하기 위해서 필요한 강도를 가지고 있으면 된다. 또한, 분리층 (2) 을 변질시키기 위한 광을 투과시키는 것이면 된다.In one embodiment, the
지지체 (1) 의 재료로는, 예를 들어, 유리, 실리콘, 아크릴계 수지 등을 사용할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 지지체 (1) 의 형상으로는, 예를 들어, 원형의 판상의 것을 사용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.As the material of the
〔접착층 (3)〕[Adhesive Layer (3)]
일 실시형태에 있어서, 접착층 (3) 은, 봉지체 (7) 를, 지지체 (1) 상에 고정시키기 위해서 사용됨과 함께, 분리층 (2) 을 보호하기 위해서 사용된다.In one embodiment, the
접착층 (3) 의 두께는, 지지체 (1) 및 봉지체 (7) 의 종류, 봉지체 형성 공정에 있어서 실시하는 처리 등에 따라 적절히 설정하면 되는데, 10 ∼ 150 ㎛ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 15 ∼ 100 ㎛ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the
접착층 (3) 을 형성하는 접착제로서, 예를 들어, 아크릴계, 노볼락계, 나프토퀴논계, 탄화수소계, 폴리이미드계, 엘라스토머, 폴리설폰계 등의 당해 분야에 있어서 공지된 다양한 접착제가 사용 가능하다.As the adhesive for forming the
접착제가 함유하는 수지, 요컨대, 접착층 (3) 이 함유하는 수지로는, 접착성을 구비한 것이면 되고, 예를 들어, 탄화수소 수지, 아크릴-스티렌계 수지, 말레이미드계 수지, 엘라스토머 수지, 폴리설폰계 수지 등, 또는 이들을 조합한 것 등을 보다 바람직하게 사용할 수 있다. 이하, 접착층 (3) 이 함유하는 수지의 조성에 대하여 설명한다.The resin contained in the adhesive, that is, the resin contained in the
(탄화수소 수지)(Hydrocarbon resin)
탄화수소 수지는, 탄화수소 골격을 갖고, 단량체 조성물을 중합하여 이루어지는 수지이다. 탄화수소 수지로서, 시클로올레핀계 폴리머 (이하, 「수지 (A)」 라고 하는 경우가 있다), 그리고, 테르펜 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지 (이하, 「수지 (B)」 라고 하는 경우가 있다) 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.The hydrocarbon resin is a resin having a hydrocarbon skeleton and polymerizing the monomer composition. As the hydrocarbon resin, at least one resin selected from the group consisting of a cycloolefin-based polymer (hereinafter also referred to as "resin (A)"), a terpene resin, a rosin-based resin and a petroleum resin Resin (B) "), but the present invention is not limited thereto.
수지 (A) 는, 시클로올레핀계 모노머를 포함하는 단량체 성분을 중합하여 이루어지는 수지여도 된다. 구체적으로는, 시클로올레핀계 모노머를 포함하는 단량체 성분의 개환 (공) 중합체, 시클로올레핀계 모노머를 포함하는 단량체 성분을 부가 (공) 중합시킨 수지 등을 들 수 있다.The resin (A) may be a resin obtained by polymerizing a monomer component containing a cycloolefin-based monomer. Specific examples thereof include a ring-opening (co) polymer of a monomer component containing a cycloolefin-based monomer, and a resin obtained by addition (co) polymerization of a monomer component containing a cycloolefin-based monomer.
수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분에 포함되는 상기 시클로올레핀계 모노머로는, 예를 들어, 노르보르넨, 노르보르나디엔 등의 2 고리체, 디시클로펜타디엔, 하이드록시디시클로펜타디엔 등의 3 고리체, 테트라시클로도데센 등의 4 고리체, 시클로펜타디엔 3 량체 등의 5 고리체, 테트라시클로펜타디엔 등의 7 고리체, 또는 이들 다고리체의 알킬 (메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등) 치환체, 알케닐 (비닐 등) 치환체, 알킬리덴 (에틸리덴 등) 치환체, 아릴 (페닐, 톨릴, 나프틸 등) 치환체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히, 노르보르넨, 테트라시클로도데센, 또는 이들의 알킬 치환체로 이루어지는 군에서 선택되는 노르보르넨계 모노머가 바람직하다.Examples of the cycloolefin-based monomer contained in the monomer component constituting the resin (A) include bicyclic compounds such as norbornene and norbornadiene, dicyclopentadiene, hydroxydicyclopentadiene and the like (Methyl, ethyl, propyl, butyl (meth) acrylate of a cyclic compound such as a cyclic compound such as a cyclic compound such as cyclopentadiene or cyclopentadiene or a cyclic compound such as a cyclic compound such as a cyclic compound Etc.), alkenyl (vinyl, etc.) substituents, alkylidene (ethylidene etc.) substituents, aryl (phenyl, tolyl, naphthyl, etc.) substituents and the like. Of these, norbornene monomers selected from the group consisting of norbornene, tetracyclododecene, and alkyl substituents thereof are particularly preferable.
수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분은, 상기 서술한 시클로올레핀계 모노머와 공중합 가능한 다른 모노머를 함유하고 있어도 되고, 예를 들어, 알켄 모노머를 함유하는 것이 바람직하다. 알켄 모노머로는, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-헥센, α-올레핀 등을 들 수 있다. 알켄 모노머는, 직사슬형이어도 되고, 분기 사슬형이어도 된다.The monomer component constituting the resin (A) may contain other monomer copolymerizable with the cycloolefin-based monomer described above, and preferably contains, for example, an alkene monomer. Examples of the alkene monomer include ethylene, propylene, 1-butene, isobutene, 1-hexene, and -olefin. The alkene monomer may be linear or branched.
또한, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분으로서, 시클로올레핀 모노머를 함유하는 것이, 고내열성 (낮은 열 분해, 열 중량 감소성) 의 관점에서 바람직하다. 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은, 5 몰% 이상인 것이 바람직하고, 10 몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 20 몰% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은, 특별히 한정되지 않지만, 용해성 및 용액에서의 시간 경과적 안정성의 관점에서는 80 몰% 이하인 것이 바람직하고, 70 몰% 이하인 것이 보다 바람직하다.Further, it is preferable that a monomer component constituting the resin (A) contains a cycloolefin monomer in view of high heat resistance (low thermal decomposition and thermogravimetric reduction). The proportion of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, and still more preferably 20 mol% or more. The ratio of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is not particularly limited, but from the viewpoints of solubility and stability over time in the solution, it is preferably 80 mol% or less, more preferably 70 mol% Is more preferable.
또한, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분으로서, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알켄 모노머를 함유해도 된다. 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 알켄 모노머의 비율은, 용해성 및 유연성의 관점에서는 10 ∼ 90 몰% 인 것이 바람직하고, 20 ∼ 85 몰% 인 것이 보다 바람직하고, 30 ∼ 80 몰% 인 것이 더욱 바람직하다.As the monomer component constituting the resin (A), an alkene monomer of a linear or branched type may be contained. The proportion of the alkene monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is preferably from 10 to 90 mol%, more preferably from 20 to 85 mol%, still more preferably from 30 to 80 mol%, from the viewpoints of solubility and flexibility, Is more preferable.
또한, 수지 (A) 는, 예를 들어, 시클로올레핀계 모노머와 알켄 모노머로 이루어지는 단량체 성분을 중합시켜 이루어지는 수지와 같이, 극성기를 가지고 있지 않은 수지인 것이, 고온하에서의 가스의 발생을 억제하는 데에 있어서 바람직하다.The resin (A) is, for example, a resin having no polar group, such as a resin obtained by polymerizing a monomer component comprising a cycloolefin-based monomer and an alkene monomer, in order to suppress the generation of gas under high temperature .
단량체 성분을 중합할 때의 중합 방법이나 중합 조건 등에 대해서는, 특별히 제한은 없고, 통상적인 방법에 따라 적절히 설정하면 된다.The polymerization method, polymerization conditions, and the like at the time of polymerizing the monomer component are not particularly limited and may be suitably set according to a conventional method.
예를 들어, 하기 화학식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (2) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 시클로올레핀 코폴리머를 접착 성분인 수지 (A) 로서 사용할 수 있다.For example, a cycloolefin copolymer which is a copolymer of a repeating unit represented by the following formula (1) and a repeating unit represented by the following formula (2) may be used as the resin (A) as an adhesive component.
[화학식 1][Chemical Formula 1]
(화학식 (2) 중, n 은 0 또는 1 ∼ 3 의 정수이다.)(In the formula (2), n is 0 or an integer of 1 to 3.)
이와 같은 시클로올레핀 코폴리머로는, APL 8008T, APL 8009T, 및 APL 6013T (모두 미츠이 화학 주식회사 제조) 등을 사용할 수 있다.As such cycloolefin copolymers, APL 8008T, APL 8009T, and APL 6013T (both manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) can be used.
또한, 수지 (A) 로서 사용할 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 폴리플라스틱스 주식회사 제조의 「TOPAS」, 미츠이 화학 주식회사 제조의 「APEL」, 닛폰 제온 주식회사 제조의 「ZEONOR」 및 「ZEONEX」, JSR 주식회사 제조의 「ARTON」 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products that can be used as the resin (A) include "TOPAS" manufactured by Polyplastics Co., Ltd., "APEL" manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., "ZEONOR" and "ZEONEX" manufactured by Nippon Zeon Co., &Quot; ARTON " manufactured by Kokusan Co., Ltd., and the like.
수지 (A) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 60 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 70 ℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 수지 (A) 의 유리 전이 온도가 60 ℃ 이상이면, 고온 환경에 노출되었을 때에 접착층 (3) 의 연화를 더욱 억제할 수 있다.The glass transition temperature (Tg) of the resin (A) is preferably 60 占 폚 or higher, and particularly preferably 70 占 폚 or higher. When the glass transition temperature of the resin (A) is 60 DEG C or more, softening of the adhesive layer (3) can be further suppressed when exposed to a high temperature environment.
수지 (B) 는, 테르펜계 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지이다. 구체적으로는, 테르펜계 수지로는, 예를 들어, 테르펜 수지, 테르펜 페놀 수지, 변성 테르펜 수지, 수소 첨가 테르펜 수지, 수소 첨가 테르펜 페놀 수지 등을 들 수 있다. 로진계 수지로는, 예를 들어, 로진, 로진 에스테르, 수소 첨가 로진, 수소 첨가 로진 에스테르, 중합 로진, 중합 로진 에스테르, 변성 로진 등을 들 수 있다. 석유 수지로는, 예를 들어, 지방족 또는 방향족 석유 수지, 수소 첨가 석유 수지, 변성 석유 수지, 지환족 석유 수지, 쿠마론·인덴 석유 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수소 첨가 테르펜 수지, 수소 첨가 석유 수지가 보다 바람직하다.The resin (B) is at least one resin selected from the group consisting of a terpene resin, a rosin resin and a petroleum resin. Specifically, examples of the terpene resin include a terpene resin, a terpene phenol resin, a modified terpene resin, a hydrogenated terpene resin, and a hydrogenated terpene phenol resin. Examples of the rosin-based resin include rosin, rosin ester, hydrogenated rosin, hydrogenated rosin ester, polymerized rosin, polymerized rosin ester, and modified rosin. Examples of the petroleum resin include an aliphatic or aromatic petroleum resin, a hydrogenated petroleum resin, a modified petroleum resin, an alicyclic petroleum resin, a coumarone-indene petroleum resin, and the like. Of these, hydrogenated terpene resins and hydrogenated petroleum resins are more preferable.
수지 (B) 의 연화점은 특별히 한정되지 않지만, 80 ∼ 160 ℃ 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 연화점이 80 ∼ 160 ℃ 이면, 고온 환경에 노출되었을 때에 연화하는 것을 억제할 수 있고, 접착 불량을 일으키지 않는다.The softening point of the resin (B) is not particularly limited, but is preferably 80 to 160 ° C. When the softening point of the resin (B) is 80 to 160 占 폚, softening of the resin (B) upon exposure to a high temperature environment can be suppressed, and adhesion failure is not caused.
수지 (B) 의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 300 ∼ 3,000 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 중량 평균 분자량이 300 이상이면, 내열성이 충분한 것이 되어, 고온 환경하에 있어서 탈가스량이 적어진다. 한편, 수지 (B) 의 중량 평균 분자량이 3,000 이하이면, 탄화수소계 용제에 대한 접착층 (3) 의 용해 속도가 양호한 것이 된다. 이 때문에, 지지체 (1) 를 분리한 후의 봉지체 (7) 상의 접착층 (3) 의 잔류물을 신속히 용해시켜, 제거할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 수지 (B) 의 중량 평균 분자량은, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피 (GPC) 로 측정되는 폴리스티렌 환산의 분자량을 의미하는 것이다.The weight average molecular weight of the resin (B) is not particularly limited, but is preferably 300 to 3,000. When the weight average molecular weight of the resin (B) is 300 or more, the heat resistance becomes sufficient, and the amount of degassing is reduced in a high temperature environment. On the other hand, if the weight average molecular weight of the resin (B) is 3,000 or less, the dissolution rate of the adhesive layer (3) to the hydrocarbon solvent becomes good. Therefore, it is possible to rapidly dissolve and remove the residue of the
또한, 수지로서, 수지 (A) 와 수지 (B) 를 혼합한 것을 사용해도 된다. 혼합함으로써, 내열성이 양호한 것이 된다. 예를 들어, 수지 (A) 와 수지 (B) 의 혼합 비율로는, (A) : (B) = 80 : 20 ∼ 55 : 45 (질량비) 인 것이, 고온 환경시의 열 내성, 및 유연성이 우수하기 때문에 바람직하다.As the resin, a mixture of the resin (A) and the resin (B) may be used. By mixing, the heat resistance becomes good. For example, the mixing ratio of the resin (A) and the resin (B) is preferably from 80:20 to 55:45 (mass ratio) of (A) :( B) It is preferable because it is excellent.
(아크릴-스티렌계 수지)(Acrylic-styrenic resin)
아크릴-스티렌계 수지로는, 예를 들어, 스티렌 또는 스티렌의 유도체와, (메트)아크릴산에스테르 등을 단량체로서 사용하여 중합한 수지를 들 수 있다.Examples of the acryl-styrene type resin include resins obtained by polymerizing a derivative of styrene or styrene with (meth) acrylic acid ester as a monomer.
(메트)아크릴산에스테르로는, 예를 들어, 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르, 지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르로는, 탄소수 15 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 아크릴계 장사슬 알킬에스테르, 탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 아크릴계 장사슬 알킬에스테르로는, 알킬기가 n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-에이코실기 등인 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다. 또한, 당해 알킬기는, 분기 사슬형이어도 된다.(Meth) acrylic esters include, for example, (meth) acrylic acid alkyl esters having a chain structure, (meth) acrylic esters having aliphatic rings, and (meth) acrylic esters having aromatic rings. Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure include an acrylic long-chain alkyl ester having an alkyl group having a carbon number of 15 to 20 and an acrylic alkyl ester having an alkyl group having a carbon number of 1 to 14. Examples of the acrylic long chain alkyl ester include acrylic acid or methacrylic acid in which the alkyl group is n-pentadecyl, n-hexadecyl, n-heptadecyl, n-octadecyl, Of alkyl esters. The alkyl group may be branched chain.
탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르로는, 기존의 아크릴계 접착제에 이용되고 있는 공지된 아크릴계 알킬에스테르를 들 수 있다. 예를 들어, 알킬기가, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 이소옥틸기, 이소노닐기, 이소데실기, 도데실기, 라우릴기, 트리데실기 등으로 이루어지는 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다.Examples of the acrylic alkyl ester having an alkyl group having 1 to 14 carbon atoms include known acrylic alkyl esters used in conventional acrylic adhesives. For example, when the alkyl group is an acrylic acid or methacrylic acid group such as methyl, ethyl, propyl, butyl, 2-ethylhexyl, isooctyl, isononyl, isodecyl, dodecyl, lauryl, And alkyl esters of acrylic acid.
지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 시클로펜틸(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 노르보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 테트라시클로도데카닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있지만, 이소보르닐메타아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Examples of the (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring include cyclohexyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, 1-adamantyl (meth) acrylate, norbornyl (meth) (Meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, tetracyclododecanyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate and the like can be given, but isobornyl methacrylate, Cyclopentanyl (meth) acrylate is more preferable.
방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 방향족 고리로는, 예를 들어 페닐기, 벤질기, 톨릴기, 자일릴기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페녹시메틸기, 페녹시에틸기 등을 들 수 있다. 또한, 방향족 고리는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 가지고 있어도 된다. 구체적으로는, 페녹시에틸아크릴레이트가 바람직하다.The (meth) acrylic ester having an aromatic ring is not particularly limited, and examples of the aromatic ring include a phenyl group, a benzyl group, a tolyl group, a xylyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, , A phenoxyethyl group, and the like. The aromatic ring may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specifically, phenoxyethyl acrylate is preferable.
(말레이미드계 수지)(Maleimide resin)
말레이미드계 수지로는, 예를 들어, 단량체로서, N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-n-프로필말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-n-부틸말레이미드, N-이소부틸말레이미드, N-sec-부틸말레이미드, N-tert-부틸말레이미드, N-n-펜틸말레이미드, N-n-헥실말레이미드, N-n-헵틸말레이미드, N-n-옥틸말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-스테아릴말레이미드 등의 알킬기를 갖는 말레이미드, N-시클로프로필말레이미드, N-시클로부틸말레이미드, N-시클로펜틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-시클로헵틸말레이미드, N-시클로옥틸말레이미드 등의 지방족 탄화수소기를 갖는 말레이미드, N-페닐말레이미드, N-m-메틸페닐말레이미드, N-o-메틸페닐말레이미드, N-p-메틸페닐말레이미드 등의 아릴기를 갖는 방향족 말레이미드 등을 중합하여 얻어진 수지를 들 수 있다.Examples of the maleimide-based resin include monomers such as N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, Nn-propylmaleimide, N-isopropylmaleimide, N-butylmaleimide, N- N-heptylmaleimide, Nn-octylmaleimide, N-laurylmaleimide, N-heptylmaleimide, N-heptylmaleimide, N-heptylmaleimide, N-tert-butylmaleimide, Maleimide having an alkyl group such as stearyl maleimide, N-cyclopropyl maleimide, N-cyclobutyl maleimide, N-cyclopentyl maleimide, N-cyclohexyl maleimide, N-cycloheptyl maleimide, N- Maleimide having an aliphatic hydrocarbon group such as cyclooctylmaleimide, aromatic maleimide having an aryl group such as N-phenylmaleimide, Nm-methylphenylmaleimide, No-methylphenylmaleimide and Np-methylphenylmaleimide, etc. Can be .
(엘라스토머)(Elastomer)
엘라스토머는, 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 포함하고 있는 것이 바람직하고, 당해 「스티렌 단위」 는 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시알킬기, 아세톡시기, 카르복실기 등을 들 수 있다. 또한, 당해 스티렌 단위의 함유량이 14 중량% 이상, 50 중량% 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또한, 엘라스토머는, 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.The elastomer preferably contains a styrene unit as a constitutional unit of the main chain, and the " styrene unit " may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group of 1 to 5 carbon atoms, an alkoxyalkyl group of 1 to 5 carbon atoms, an acetoxy group, and a carboxyl group. It is more preferable that the content of the styrene unit is in the range of 14 wt% or more and 50 wt% or less. The elastomer preferably has a weight average molecular weight of 10,000 or more and 200,000 or less.
스티렌 단위의 함유량이 14 중량% 이상, 50 중량% 이하의 범위 내이고, 엘라스토머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내이면, 후술하는 탄화수소계의 용제에 용이하게 용해되기 때문에, 보다 용이하고 또한 신속하게 접착층 (3) 을 제거할 수 있다. 또한, 스티렌 단위의 함유량 및 중량 평균 분자량이 상기의 범위 내임으로써, 레지스트 리소그래피에 사용되는 레지스트 용제 (예를 들어 PGMEA, PGME 등), 산 (불화수소산 등), 알칼리 (TMAH 등) 에 대하여 우수한 내성을 발휘한다.When the content of the styrene unit is in the range of 14% by weight or more and 50% by weight or less and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 or more and 200,000 or less, it is easily dissolved in the hydrocarbon solvent described later, And the
또한, 엘라스토머에는, 상기 서술한 (메트)아크릴산에스테르를 추가로 혼합해도 된다.The above-mentioned (meth) acrylic acid ester may be further mixed in the elastomer.
스티렌 단위의 함유량은, 보다 바람직하게는 17 중량% 이상이고, 또한, 보다 바람직하게는 40 중량% 이하이다.The content of the styrene unit is more preferably 17% by weight or more, and still more preferably 40% by weight or less.
중량 평균 분자량의 보다 바람직한 범위는 20,000 이상이고, 또한, 보다 바람직한 범위는 150,000 이하이다.A more preferable range of the weight average molecular weight is 20,000 or more, and a more preferable range is 150,000 or less.
엘라스토머로는, 스티렌 단위의 함유량이 14 중량% 이상, 50 중량% 이하의 범위 내이고, 엘라스토머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내이면, 다양한 엘라스토머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리스티렌-폴리(에틸렌/프로필렌) 블록 코폴리머 (SEP), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머 (SIS), 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 코폴리머 (SBS), 스티렌-부타디엔-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SBBS), 및, 이들의 수소 첨가물, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEBS), 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머) (SEPS), 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEEPS), 스티렌 블록이 반응 가교형인 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (SeptonV9461 (주식회사 쿠라레 제조), SeptonV9475 (주식회사 쿠라레 제조)), 스티렌 블록이 반응 가교형인 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (반응성의 폴리스티렌계 하드 블록을 갖는, SeptonV9827 (주식회사 쿠라레 제조)), 폴리스티렌-폴리 (에틸렌-에틸렌/프로필렌) 블록-폴리스티렌 블록 코폴리머 (SEEPS-OH : 말단 수산기 변성) 등을 들 수 있고, 엘라스토머의 스티렌 단위의 함유량 및 중량 평균 분자량이 상기 서술한 범위 내인 것을 사용할 수 있다.As the elastomer, various elastomers can be used so long as the content of the styrene unit is in the range of 14% by weight or more and 50% by weight or less, and the weight average molecular weight of the elastomer is 10,000 or more and 200,000 or less. Styrene block copolymer (SIS), styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-butadiene-butylene-styrene block copolymers Styrene block copolymer (SBBS), and hydrogenated products thereof, styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (styrene-isoprene- styrene block copolymer) (SEPS), a styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (SEEPS), a styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer having a styrene block as a reactive crosslinking type (Septon V9461 A styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (having a reactive polystyrene-based hard block, Septon V9827 (Kuraray Co., Ltd.)) in which the styrene block is a reactive crosslinked type, (Ethylene-ethylene / propylene) block-polystyrene block copolymer (SEEPS-OH: terminal hydroxyl group-modified), and the elastomer having a styrene unit content and a weight average molecular weight within the above- .
또한, 엘라스토머 중에서도 수소 첨가물이 보다 바람직하다. 수소 첨가물이면 열에 대한 안정성이 향상되어, 분해나 중합 등의 변질이 잘 발생하지 않는다. 또한, 탄화수소계 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.Among the elastomers, a hydrogenated product is more preferable. Hydrogenation improves the stability to heat and does not cause degradation such as decomposition or polymerization. It is more preferable from the viewpoints of solubility in a hydrocarbon solvent and resistance to a resist solvent.
또한, 엘라스토머 중에서도 양단이 스티렌의 블록 중합체인 것이 보다 바람직하다. 열 안정성이 높은 스티렌을 양말단에 블록함으로써 보다 높은 내열성을 나타내기 때문이다.Further, among the elastomers, it is more preferable that both ends are styrene block polymers. This is because styrene having high heat stability is blocked at both ends to exhibit higher heat resistance.
보다 구체적으로는, 엘라스토머는, 스티렌 및 공액 디엔의 블록 코폴리머의 수소 첨가물인 것이 보다 바람직하다. 열에 대한 안정성이 향상되어, 분해나 중합 등의 변질이 잘 발생하지 않는다. 또한, 열 안정성이 높은 스티렌을 양말단에 블록함으로써보다 높은 내열성을 나타낸다. 또한, 탄화수소계 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.More specifically, it is more preferable that the elastomer is a hydrogenation product of a block copolymer of styrene and a conjugated diene. Stability against heat is improved, and deterioration such as decomposition or polymerization does not occur well. Further, styrene having high thermal stability is blocked at both ends to exhibit higher heat resistance. It is more preferable from the viewpoints of solubility in a hydrocarbon solvent and resistance to a resist solvent.
접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 포함되는 엘라스토머로서 이용될 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 주식회사 쿠라레 제조 「셉톤 (상품명)」, 주식회사 쿠라레 제조 「하이브라 (상품명)」, 아사히 화성 주식회사 제조 「터프텍 (상품명)」, JSR 주식회사 제조 「다이나론 (상품명)」 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products that can be used as the elastomer included in the adhesive constituting the
접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 포함되는 엘라스토머의 함유량으로는, 예를 들어, 접착제 조성물 전체량을 100 중량부로 하여, 50 중량부 이상, 99 중량부 이하의 범위 내가 바람직하고, 60 중량부 이상, 99 중량부 이하의 범위 내가 보다 바람직하고, 70 중량부 이상, 95 중량부 이하의 범위 내가 가장 바람직하다. 이들 범위 내로 함으로써, 내열성을 유지하면서, 봉지체 (7) 를 지지체 (1) 에 바람직하게 고정시킬 수 있다.The content of the elastomer contained in the adhesive constituting the
또한, 엘라스토머는, 복수의 종류를 혼합해도 된다. 요컨대, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제는 복수의 종류의 엘라스토머를 포함하고 있어도 된다. 그리고, 복수의 종류의 엘라스토머 중 적어도 1 개가, 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 포함하고 있으면 된다. 또한, 복수 종류의 엘라스토머 중 적어도 1 개가, 스티렌 단위의 함유량이 14 중량% 이상, 50 중량% 이하의 범위 내이거나, 또는, 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내이면, 본 발명의 범주이다. 또한, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 있어서, 복수 종류의 엘라스토머를 포함하는 경우, 혼합한 결과, 스티렌 단위의 함유량이 상기의 범위 내가 되도록 조정해도 된다. 예를 들어, 스티렌 단위의 함유량이 30 중량% 인 주식회사 쿠라레 제조의 셉톤 (상품명) 의 Septon4033 과, 스티렌 단위의 함유량이 13 중량% 인 셉톤 (상품명) 의 Septon2063 을 중량비 1 대 1 로 혼합하면, 접착제에 포함되는 엘라스토머 전체에 대한 스티렌 함유량은 21 ∼ 22 중량% 가 되고, 따라서 14 중량% 이상이 된다. 또한, 예를 들어, 스티렌 단위가 10 중량% 인 것과 60 중량% 인 것을 중량비 1 대 1 로 혼합하면 35 중량% 가 되어, 상기의 범위 내가 된다. 본 발명은 이와 같은 형태여도 된다. 또한, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 포함되는 복수 종류의 엘라스토머는, 모두 상기의 범위 내에서 스티렌 단위를 포함하고, 또한, 상기의 범위 내의 중량 평균 분자량인 것이 가장 바람직하다.The elastomer may be mixed with a plurality of kinds. In other words, the adhesive constituting the
또한, 광 경화성 수지 (예를 들어, UV 경화성 수지) 이외의 수지를 사용하여 접착층 (3) 을 형성하는 것이 바람직하다. 광 경화성 수지 이외의 수지를 사용함으로써, 접착층 (3) 의 박리 또는 제거 후에, 봉지체 (7) 의 미소한 요철의 주변에 잔류물이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 특히, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제로는, 모든 용제에 용해되는 것이 아니라, 특정한 용제에 용해되는 것이 바람직하다. 이것은, 봉지체 (7) 에 물리적인 힘을 가하지 않고, 접착층 (3) 을 용제에 용해시키는 것에 의해 제거 가능하기 때문이다. 접착층 (3) 의 제거에 있어서, 강도가 낮은 봉지체 (7) 로부터도, 봉지체 (7) 를 파손시키거나, 변형시키지 않고, 용이하게 접착층 (3) 을 제거할 수 있다.Further, it is preferable to form the
(폴리설폰계 수지)(Polysulfone resin)
접착층 (3) 을 형성하기 위한 접착제는, 폴리설폰계 수지를 포함하고 있어도 된다. 접착층 (3) 을 폴리설폰계 수지에 의해 형성함으로써, 봉지체 형성 공정에 있어서 고온의 처리를 실시해도, 그 후의 공정에 있어서 접착층 (3) 을 용해시키고, 봉지체 (7) 로부터 지지체 (1) 를 박리할 수 있다. 접착층 (3) 이 폴리설폰 수지를 포함하고 있으면, 봉지체 형성 공정에 있어서, 예를 들어, 300 ℃ 이상이라는 고온에서 처리하는 고온 프로세스를 사용할 수 있다.The adhesive for forming the
폴리설폰계 수지는, 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 구성 단위, 및, 하기 일반식 (4) 로 나타내는 구성 단위 중 적어도 1 종의 구성 단위로 이루어지는 구조를 가지고 있다.The polysulfone resin has a structure comprising at least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (3) and a structural unit represented by the following formula (4).
[화학식 2](2)
(여기서, 일반식 (3) 의 R1, R2 및 R3, 그리고 일반식 (4) 중의 R1 및 R2 는, 각각 독립적으로 페닐렌기, 나프틸렌기 및 안트릴렌기로 이루어지는 군에서 선택되고, X' 는, 탄소수가 1 이상, 3 이하의 알킬렌기이다.)(Wherein R 1 , R 2 and R 3 in the general formula (3) and R 1 and R 2 in the general formula (4) are each independently selected from the group consisting of a phenylene group, a naphthylene group and an anthrylene group And X 'is an alkylene group having a carbon number of 1 or more and 3 or less).
폴리설폰계 수지는, 식 (3) 으로 나타내는 폴리설폰 구성 단위 및 식 (4) 로 나타내는 폴리에테르설폰 구성 단위 중 적어도 1 개를 구비하고 있는 것에 의해, 지지체 (1) 및 분리층 (2) 상에 접착층 (3) 을 형성한 후, 봉지체 형성 공정에 있어서, 높은 온도 조건의 처리를 실시해도, 분해 및 중합 등에 의해 접착층 (3) 이 불용화하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 폴리설폰계 수지는, 상기 식 (3) 으로 나타내는 폴리설폰 구성 단위로 이루어지는 폴리설폰 수지이면, 보다 높은 온도로 가열해도 안정적이다. 이 때문에, 세정 후의 봉지체 (7) 에 접착층 (3) 에서 기인하는 잔류물이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The polysulfone resin has at least one of the polysulfone constitutional unit represented by the formula (3) and the polyethersulfone constitutional unit represented by the formula (4) It is possible to prevent the
폴리설폰계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 30,000 이상, 70,000 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 30,000 이상, 50,000 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 폴리설폰계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 이, 30,000 이상의 범위 내이면, 예를 들어, 300 ℃ 이상의 높은 온도에 있어서 사용할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있다. 또한, 폴리설폰계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 이, 70,000 이하의 범위 내이면, 용제에 의해 바람직하게 용해될 수 있다. 요컨대, 용제에 의해 바람직하게 제거할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있다.The polysulfone resin preferably has a weight average molecular weight (Mw) of 30,000 or more and 70,000 or less, more preferably 30,000 or more and 50,000 or less. When the weight average molecular weight (Mw) of the polysulfone resin is within the range of 30,000 or more, an adhesive composition which can be used at a high temperature of, for example, 300 DEG C or more can be obtained. When the weight average molecular weight (Mw) of the polysulfone resin is within the range of 70,000 or less, it can be preferably dissolved by a solvent. In short, an adhesive composition which can be preferably removed by a solvent can be obtained.
(희석 용제)(Diluting solvent)
접착층 (3) 을 형성할 때에 사용하는 희석 용제로는, 예를 들어, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 이소노난, 메틸옥탄, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸 등의 직사슬형의 탄화수소, 탄소수 4 내지 15 의 분기 사슬형의 탄화수소, 예를 들어, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 나프탈렌, 데카하이드로나프탈렌, 테트라하이드로나프탈렌 등의 고리형 탄화수소, p-멘탄, o-멘탄, m-멘탄, 디페닐멘탄, 1,4-테르핀, 1,8-테르핀, 보르난, 노르보르난, 피난, 투얀, 카란, 롱기폴렌, 게라니올, 네롤, 리날로올, 시트랄, 시트로네롤, 멘톨, 이소멘톨, 네오멘톨, α-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 테르피넨-1-올, 테르피넨-4-올, 디하이드로터피닐아세테이트, 1,4-시네올, 1,8-시네올, 보르네올, 카르본, 요논, 투욘, 캠퍼, d-리모넨, l-리모넨, 디펜텐 등의 테르펜계 용제 ; γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 (CH), 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 (이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다) ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 메톡시부틸아세테이트, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르 등의 방향족계 유기 용제 등을 들 수 있다.Examples of the diluent for use in forming the
(그 밖의 성분)(Other components)
접착층 (3) 을 구성하는 접착제는, 본질적인 특성을 저해하지 않는 범위에 있어서, 혼화성이 있는 다른 물질을 추가로 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 접착제의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 가소제, 접착 보조제, 안정제, 착색제, 열 중합 금지제 및 계면 활성제 등, 관용되고 있는 각종 첨가제를 추가로 사용할 수 있다.The adhesive constituting the adhesive layer (3) may further contain other miscible substances in the range that does not impair the intrinsic properties. For example, various additives commonly used such as an additive resin for improving the performance of the adhesive, a plasticizer, an adhesion promoter, a stabilizer, a colorant, a thermal polymerization inhibitor and a surfactant may be further used.
〔분리층 (2)〕[Separation layer (2)]
상기 서술한 바와 같이, 분리층 (2) 은, 광을 조사함으로써 변질되도록 되어 있다. 일 실시형태에 있어서, 지지체 (1) 를 개재하여 분리층 (2) 에 광을 조사하여 분리층 (2) 을 변질시키는 것에 의해, 지지체 (1) 를 봉지체 (7) 로부터 분리시킬 수 있다.As described above, the
분리층 (2) 의 두께는, 예를 들어, 0.05 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ㎛ 이상, 1 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 더욱 바람직하다. 분리층 (2) 의 두께가 0.05 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 범위에 들어가 있으면, 단시간의 광의 조사 및 저에너지의 광의 조사에 의해, 분리층 (2) 에 원하는 변질을 발생시킬 수 있다. 또한, 분리층 (2) 의 두께는, 생산성의 관점에서 1 ㎛ 이하의 범위에 들어가 있는 것이 특히 바람직하다.The thickness of the
또한, 분리층 (2) 과 지지체 (1) 사이에 다른 층이 추가로 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 다른 층은 광을 투과하는 재료로 구성되어 있으면 된다. 이에 의해, 분리층 (2) 에 대한 광의 입사를 방해하지 않고, 바람직한 성질 등을 갖는 층을, 적절히 추가할 수 있다. 분리층 (2) 을 구성하고 있는 재료의 종류에 따라, 이용할 수 있는 광의 파장이 상이하다. 따라서, 다른 층을 구성하는 재료는, 모든 광을 투과시킬 필요는 없고, 분리층 (2) 을 구성하는 재료를 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과시킬 수 있는 재료로부터 적절히 선택할 수 있다.Further, another layer may be additionally formed between the
또한, 분리층 (2) 은, 광을 흡수하는 구조를 갖는 재료만으로부터 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 본 발명에 있어서의 본질적인 특성을 저해하지 않는 범위에 있어서, 광을 흡수하는 구조를 가지고 있지 않은 재료를 첨가하여, 분리층 (2) 을 형성해도 된다. 또한, 분리층 (2) 에 있어서의 접착층 (3) 에 대향하는 측의 면이 평탄한 (요철이 형성되어 있지 않은) 것이 바람직하고, 이에 의해, 분리층 (2) 의 형성을 용이하게 실시할 수 있고, 또한 첩부에 있어서도 균일하게 첩부하는 것이 가능해진다.It is preferable that the
(플루오로 카본)(Fluorocarbon)
분리층 (2) 은, 플루오로 카본으로 이루어져 있어도 된다. 분리층 (2) 은, 플루오로 카본에 의해 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가하는 (예를 들어, 지지체 (1) 를 들어 올리는 등) 것에 의해, 분리층 (2) 이 파괴되어, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리하기 쉽게 할 수 있다. 분리층 (2) 을 구성하는 플루오로 카본은, 플라즈마 CVD (화학 기상 퇴적) 법에 의해 바람직하게 성막할 수 있다.The
플루오로 카본은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층 (2) 에 사용한 플루오로 카본이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층 (2) 에 조사함으로써, 플루오로 카본을 바람직하게 변질시킬 수 있다. 또한, 분리층 (2) 에 있어서의 광의 흡수율은 80 % 이상인 것이 바람직하다.Fluorocarbon absorbs light having a wavelength in a specific range depending on its kind. By irradiating the
분리층 (2) 에 조사하는 광으로는, 플루오로 카본이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는, 비레이저 광을 적절히 이용하면 된다. 플루오로 카본을 변질시킬 수 있는 파장으로는, 이것에 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 600 ㎚ 이하의 범위의 것을 사용할 수 있다.As the light to be irradiated to the
(광 흡수성을 가지고 있는 구조를 그 반복 단위에 포함하고 있는 중합체)(A polymer containing a structure having light absorption properties in the repeating unit)
분리층 (2) 은, 광 흡수성을 가지고 있는 구조를 그 반복 단위에 포함하고 있는 중합체를 함유하고 있어도 된다. 그 중합체는, 광의 조사를 받아 변질된다. 그 중합체의 변질은, 상기 구조가 조사된 광을 흡수함으로써 발생한다. 분리층 (2) 은, 중합체의 변질의 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃었다. 따라서, 약간의 외력을 가하는 (예를 들어, 서포트 플레이트 (2) 를 들어 올리는 등) 것에 의해, 분리층 (2) 이 파괴되어, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리하기 쉽게 할 수 있다.The
광 흡수성을 가지고 있는 상기 구조는, 광을 흡수하여, 반복 단위로서 그 구조를 포함하고 있는 중합체를 변질시키는 화학 구조이다. 그 구조는, 예를 들어, 치환 혹은 비치환의 벤젠 고리, 축합 고리 또는 복소 고리로 이루어지는 공액 π 전자계를 포함하고 있는 원자단이다. 보다 상세하게는, 그 구조는, 카르도 구조, 또는 상기 중합체의 측사슬에 존재하는 벤조페논 구조, 디페닐술폭시드 구조, 디페닐술폰 구조 (비스페닐술폰 구조), 디페닐 구조 혹은 디페닐아민 구조일 수 있다.The above structure having light absorption property is a chemical structure that absorbs light and changes the polymer containing the structure as a repeating unit. The structure thereof is, for example, an atomic group containing a conjugated pi-electron system consisting of a substituted or unsubstituted benzene ring, a condensed ring or a heterocyclic ring. More specifically, the structure may be a carbodiimide structure, a benzophenone structure, a diphenyl sulfoxide structure, a diphenyl sulfone structure (biphenyl sulfone structure), a diphenyl structure or a diphenylamine structure in a side chain of the polymer Structure.
상기 구조가 상기 중합체의 측사슬에 존재하는 경우, 그 구조는 이하의 식에 의해 나타낼 수 있다.When the structure is present in the side chain of the polymer, its structure can be represented by the following formula.
[화학식 3](3)
(식 중, R 은 각각 독립적으로, 알킬기, 아릴기, 할로겐, 수산기, 케톤기, 술폭시드기, 술폰기 또는 N(R4)(R5) 이고 (여기서, R4 및 R5 는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다), Z 는, 존재하지 않거나, 또는 -CO-, -SO2-, -SO- 혹은 -NH- 이고, n 은 0 또는 1 ∼ 5 의 정수이다.)(Wherein, R is each independently an alkyl group, an aryl group, a halogen, a hydroxyl group, a ketone group, a sulfoxide group, a sulfone group or an N (R 4) (R 5 ) , and (wherein, R 4 and R 5 are each independently Z is an unsubstituted or -CO-, -SO 2 -, -SO- or -NH- group, and n is 0 or an integer of 1 to 5 .)
또한, 상기 중합체는, 예를 들어, 이하의 식 중, (a) ∼ (d) 의 어느 것에 의해서 나타내는 반복 단위를 포함하고 있거나, (e) 에 의해 나타내거나, 또는 (f) 의 구조를 그 주사슬에 포함하고 있다.The polymer may contain repeating units represented by, for example, any of the following formulas (a) to (d), or may be represented by (e) It is included in the main chain.
[화학식 4][Chemical Formula 4]
(식 중, l 은 1 이상의 정수이고, m 은 0 또는 1 ∼ 2 의 정수이고, X 는, (a) ∼ (e) 에 있어서 상기의 "화학식 3" 에 나타낸 식의 어느 것이고, (f) 에 있어서 상기의 "화학식 3" 에 나타낸 식의 어느 것이거나, 또는 존재하지 않고, Y1 및 Y2 는 각각 독립적으로, -CO- 또는 SO2- 이다. l 은 바람직하게는 10 이하의 정수이다.)X is an integer represented by the formula (3) in (a) to (e), (f) is an integer of 1 or more, , Y 1 and Y 2 are each independently -CO- or SO 2 - in any of the formulas shown in the above-mentioned "formula (3)" or not, and 1 is preferably an integer of 10 or less .)
상기의 "화학식 3" 에 나타나는 벤젠 고리, 축합 고리 및 복소 고리의 예로는, 페닐, 치환 페닐, 벤질, 치환 벤질, 나프탈렌, 치환 나프탈렌, 안트라센, 치환 안트라센, 안트라퀴논, 치환 안트라퀴논, 아크리딘, 치환 아크리딘, 아조벤젠, 치환 아조벤젠, 플루오림, 치환 플루오림, 플루오리몬, 치환 플루오리몬, 카르바졸, 치환 카르바졸, N-알킬카르바졸, 디벤조푸란, 치환 디벤조푸란, 페난트렌, 치환 페난트렌, 피렌 및 치환 피렌을 들 수 있다. 예시한 치환기가 추가로 치환기를 가지고 있는 경우, 그 치환기는, 예를 들어, 알킬, 아릴, 할로겐 원자, 알콕시, 니트로, 알데하이드, 시아노, 아미드, 디알킬아미노, 술폰아미드, 이미드, 카르복실산, 카르복실산에스테르, 술폰산, 술폰산에스테르, 알킬아미노 및 아릴아미노에서 선택된다.Examples of the benzene ring, condensed ring and heterocyclic ring shown in the above-mentioned "
상기의 "화학식 3" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 가지고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -SO2- 인 경우의 예로는, 비스(2,4-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,4-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,5-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,6-디하이드록시페닐)술폰, 비스(4-하이드록시페닐)술폰, 비스(3-하이드록시페닐)술폰, 비스(2-하이드록시페닐)술폰, 및 비스(3,5-디메틸-4-하이드록시페닐)술폰 등을 들 수 있다.Among the substituents represented by the above-mentioned "
상기의 "화학식 3" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 가지고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -SO- 인 경우의 예로는, 비스(2,3-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(5-클로로-2,3-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,4-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,4-디하이드록시-6-메틸페닐)술폭시드, 비스(5-클로로-2,4-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,5-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(3,4-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(3,5-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,3,4-트리하이드록시 페닐)술폭시드, 비스(2,3,4-트리하이드록시-6-메틸페닐)-술폭시드, 비스(5-클로로-2,3,4-트리하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,4,6-트리하이드록시페닐)술폭시드, 비스(5-클로로-2,4,6-트리하이드록시페닐)술폭시드 등을 들 수 있다.Among the substituents represented by the above-mentioned "
상기의 "화학식 3" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 가지고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -C(=O)- 인 경우의 예로는, 2,4-디하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,2',5,6'-테트라하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-옥토시벤조페논, 2-하이드록시-4-도데실옥시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,6-디하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4,4'-디메톡시벤조페논, 4-아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디에틸아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-4'-메톡시-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-2',4'-디하이드록시벤조페논, 및 4-디메틸아미노-3',4'-디하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다.Among the substituents represented by the above-mentioned "
상기 구조가 상기 중합체의 측사슬에 존재하고 있는 경우, 상기 구조를 포함하고 있는 반복 단위의, 상기 중합체에서 차지하는 비율은, 분리층 (2) 의 광의 투과율이 0.001 % 이상, 10 % 이하가 되는 범위 내에 있다. 그 비율이 이와 같은 범위에 들어가도록 중합체가 조제되어 있으면, 분리층 (2) 이 충분히 광을 흡수하여, 확실하고 또한 신속하게 변질될 수 있다. 즉, 봉지체 (7) 로부터의 지지체 (1) 의 제거가 용이하고, 그 제거에 필요한 광의 조사 시간을 단축시킬 수 있다.When the structure is present in the side chain of the polymer, the proportion of the repeating unit having the structure in the polymer is preferably in the range of 0.001% or more and 10% or less in the light transmittance of the separation layer (2) . When the polymer is prepared so that the ratio falls within such a range, the
상기 구조는, 그 종류의 선택에 의해, 원하는 범위의 파장을 가지고 있는 광을 흡수할 수 있다. 예를 들어, 상기 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 100 ㎚ 이상, 2,000 ㎚ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 이 범위 내 중, 상기 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 보다 단파장측이고, 예를 들어, 100 ㎚ 이상, 500 ㎚ 이하의 범위 내이다. 예를 들어, 상기 구조는, 바람직하게는 대략 300 ㎚ 이상, 370 ㎚ 이하의 범위 내의 파장을 가지고 있는 자외광을 흡수함으로써, 그 구조를 포함하고 있는 중합체를 변질시킬 수 있다.The structure can absorb light having a wavelength in a desired range by selection of the kind. For example, the wavelength of the absorbable light of the above structure is more preferably in the range of 100 nm or more and 2,000 nm or less. Within this range, the wavelength of the light absorbable by the above structure is on the shorter wavelength side, for example, in the range of 100 nm or more and 500 nm or less. For example, the above structure may deform the polymer containing the structure, preferably by absorbing ultraviolet light having a wavelength within a range of about 300 nm or more and 370 nm or less.
상기 구조가 흡수 가능한 광은, 예를 들어, 고압 수은 램프 (파장 : 254 ㎚ 이상, 436 ㎚ 이하), KrF 엑시머 레이저 (파장 : 248 ㎚), ArF 엑시머 레이저 (파장 : 193 ㎚), F2 엑시머 레이저 (파장 : 157 ㎚), XeCl 레이저 (파장 : 308 ㎚), XeF 레이저 (파장 : 351 ㎚) 혹은 고체 UV 레이저 (파장 : 355 ㎚) 로부터 발생되는 광, 또는 g 선 (파장 : 436 ㎚), h 선 (파장 : 405 ㎚) 혹은 i 선 (파장 : 365 ㎚) 등이다.(Wavelength: 254 nm or more, 436 nm or less), KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), F2 excimer laser (Wavelength: 157 nm), XeCl laser (wavelength: 308 nm), XeF laser (wavelength: 351 nm) or solid UV laser (wavelength: 355 nm) Line (wavelength: 405 nm) or an i-line (wavelength: 365 nm).
상기 서술한 분리층 (2) 은, 반복 단위로서 상기 구조를 포함하고 있는 중합체를 함유하고 있지만, 분리층 (2) 은 추가로, 상기 중합체 이외의 성분을 포함할 수 있다. 그 성분으로는, 필러, 가소제, 및 서포트 플레이트 (2) 의 박리성을 향상시킬 수 있는 성분 등을 들 수 있다. 이들 성분은, 상기 구조에 의한 광의 흡수, 및 중합체의 변질을 방해하지 않거나, 또는 촉진시키는, 종래 공지된 물질 또는 재료로부터 적절히 선택된다.Although the above-described
(무기물)(Mineral)
분리층 (2) 은, 무기물로 이루어져 있어도 된다. 분리층 (2) 은, 무기물에 의해 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가하는 (예를 들어, 지지체 (1) 를 들어 올리는 등) 것에 의해, 분리층 (2) 이 파괴되어, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리하기 쉽게 할 수 있다.The
상기 무기물은, 광을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어, 금속, 금속 화합물 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 바람직하게 사용할 수 있다. 금속 화합물이란, 금속 원자를 포함하는 화합물을 가리키고, 예를 들어, 금속 산화물, 금속 질화물일 수 있다. 이와 같은 무기물의 예시로는, 이것에 한정되는 것은 아니지만, 금, 은, 동, 철, 니켈, 알루미늄, 티탄, 크롬, SiO2, SiN, Si3N4, TiN, 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 들 수 있다. 또한, 카본이란 탄소의 동소체도 포함될 수 있는 개념이고, 예를 들어, 다이아몬드, 플러렌, 다이아몬드 라이크 카본, 카본 나노 튜브 등일 수 있다.The inorganic material may be modified so as to absorb light. For example, one or more inorganic materials selected from the group consisting of metals, metal compounds and carbon may be preferably used. The metal compound refers to a compound containing a metal atom, and may be, for example, a metal oxide or a metal nitride. In this example of such minerals include, but are not limited to this, but gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, titanium, chromium, SiO 2, SiN, Si 3 N 4, TiN, and selected from the group consisting of carbon And at least one kind of inorganic substance. Also, carbon is a concept that can include carbon isotopes, and can be, for example, diamond, fullerene, diamond like carbon, carbon nanotubes, and the like.
상기 무기물은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층 (2) 에 사용한 무기물이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층 (2) 에 조사함으로써, 상기 무기물을 바람직하게 변질시킬 수 있다.The inorganic material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the kind thereof. By irradiating the
무기물로 이루어지는 분리층 (2) 에 조사하는 광으로는, 상기 무기물이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는, 비레이저 광을 적절히 이용하면 된다.As the light to be irradiated to the
무기물로 이루어지는 분리층 (2) 은, 예를 들어 스퍼터, 화학 증착 (CVD), 도금, 플라즈마 CVD, 스핀 코트 등의 공지된 기술에 의해, 서포트 플레이트 (2) 상에 형성될 수 있다. 무기물로 이루어지는 분리층 (2) 의 두께는 특별히 한정되지 않고, 사용하는 광을 충분히 흡수할 수 있는 막 두께이면 되는데, 예를 들어, 0.05 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이하의 범위 내의 막 두께로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 분리층 (2) 을 구성하는 무기물로 이루어지는 무기막 (예를 들어, 금속막) 의 양면 또는 편면에 미리 접착제를 도포하고, 지지체 (1) 에 첩부해도 된다.The
또한, 분리층 (2) 으로서 금속막을 사용하는 경우에는, 분리층 (2) 의 막질, 레이저 광원의 종류, 레이저 출력 등의 조건에 따라서는, 레이저의 반사나 막에 대한 대전 등이 일어날 수 있다. 그 때문에, 반사 방지막이나 대전 방지막을 분리층 (2) 의 상하 또는 어느 일방에 형성함으로써, 그것들의 대책을 도모하는 것이 바람직하다.When a metal film is used as the
(적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물)(A compound having an infrared absorbing structure)
분리층 (2) 은, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물에 의해 형성되어 있어도 된다. 그 화합물은, 적외선을 흡수함으로써 변질된다. 분리층 (2) 은, 화합물의 변질의 결과로서, 적외선의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃었다. 따라서, 약간의 외력을 가하는 (예를 들어, 지지체 (1) 를 들어 올리는 등) 것에 의해, 분리층 (2) 이 파괴되어, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리하기 쉽게 할 수 있다.The
적외선 흡수성을 가지고 있는 구조, 또는 적외선 흡수성을 가지고 있는 구조를 포함하는 화합물로는, 예를 들어, 알칸, 알켄 (비닐, 트랜스, 시스, 비닐리덴, 3 치환, 4 치환, 공액, 큐뮬렌, 고리형), 알킨 (1 치환, 2 치환), 단고리형 방향족 (벤젠, 1 치환, 2 치환, 3 치환), 알코올 및 페놀류 (자유 OH, 분자 내 수소 결합, 분자간 수소 결합, 포화 제 2 급, 포화 제 3 급, 불포화 제 2 급, 불포화 제 3 급), 아세탈, 케탈, 지방족 에테르, 방향족 에테르, 비닐에테르, 옥실란 고리 에테르, 과산화물 에테르, 케톤, 디알킬카르보닐, 방향족 카르보닐, 1,3-디케톤의 에놀, o-하이드록시아릴케톤, 디알킬알데하이드, 방향족 알데하이드, 카르복실산 (2 량체, 카르복실산 아니온), 포름산에스테르, 아세트산에스테르, 공액 에스테르, 비공액 에스테르, 방향족 에스테르, 락톤 (β-, γ-, δ-), 지방족 산 염화물, 방향족 산 염화물, 산 무수물 (공액, 비공액, 고리형, 비고리형), 제 1 급 아미드, 제 2 급 아미드, 락탐, 제 1 급 아민 (지방족, 방향족), 제 2 급 아민 (지방족, 방향족), 제 3 급 아민 (지방족, 방향족), 제 1 급 아민염, 제 2 급 아민염, 제 3 급 아민염, 암모늄 이온, 지방족 니트릴, 방향족 니트릴, 카르보디이미드, 지방족 이소니트릴, 방향족 이소니트릴, 이소시안산에스테르, 티오시안산에스테르, 지방족 이소티오시안산에스테르, 방향족 이소티오시안산에스테르, 지방족 니트로 화합물, 방향족 니트로 화합물, 니트로아민, 니트로소아민, 질산에스테르, 아질산에스테르, 니트로소 결합 (지방족, 방향족, 단량체, 2 량체), 메르캅탄 및 티오페놀 및 티올산 등의 황 화합물, 티오카르보닐기, 술폭시드, 술폰, 염화술포닐, 제 1 급 술폰아미드, 제 2 급 술폰아미드, 황산에스테르, 탄소-할로겐 결합, Si-A1 결합 (A1 은, H, C, O 또는 할로겐), P-A2 결합 (A2 는, H, C 또는 O), 또는 Ti-O 결합일 수 있다.Examples of the compound including a structure having an infrared absorbing property or a structure having an infrared absorbing property include an alkane, an alkene (vinyl, a trans, a cis, a vinylidene, a trisubstituted, a tetrasubstituted, a conjugated, Alcohol, and phenols (free OH, intramolecular hydrogen bonds, intermolecular hydrogen bonds, saturated secondary alcohols, saturated aliphatic alcohols), monocyclic aromatic (benzene, monosubstituted, Unsaturated secondary or tertiary unsaturated tertiary), acetal, ketal, aliphatic ether, aromatic ether, vinyl ether, oxirane ring ether, peroxide ether, ketone, dialkylcarbonyl, aromatic carbonyl, 1,3- (Dimers, carboxylic anions), formic acid esters, acetic acid esters, conjugated esters, non-conjugated esters, aromatic esters, lactones, lactones, (? -,? -,? (aliphatic, aromatic), aliphatic acid chloride, aromatic acid chloride, acid anhydride (conjugated, non-conjugated, cyclic, acyclic), primary amide, secondary amide, lactam, primary amine (Aliphatic, aromatic), primary amine salt, secondary amine salt, tertiary amine salt, ammonium ion, aliphatic nitrile, aromatic nitrile, carbodiimide, An aromatic isothiocyanate ester, an aliphatic nitro compound, an aromatic nitro compound, a nitroamine, a nitrosamine, a nitrate ester, a nitrile ester, an isocyanate ester, Sulfur compounds such as nitrite, nitrite, nitrite, nitrite, nitroso ester (aliphatic, aromatic, monomer, dimer), mercaptane and thiophenol and thiol acid, thiocarbonyl group, sulfoxide, sulfone, Class 2-sulfonamide, sulfuric acid ester, a carbon-halogen bond, a bond Si-A 1 (A 1 is, H, C, O, or halogen), PA 2 bond (A 2 is, H, C, or O), or Ti -O bond.
상기 탄소-할로겐 결합을 포함하는 구조로는, 예를 들어, -CH2Cl, -CH2Br, -CH2I, -CF2-, -CF3, -CH=CF2, -CF=CF2, 불화아릴, 및 염화아릴 등을 들 수 있다.The structure containing the carbon-halogen bond includes, for example, -CH 2 Cl, -CH 2 Br, -CH 2 I, -CF 2 -, -CF 3 , -CH═CF 2 , -CF═CF 2 2 , fluoroaryl, and aryl chloride.
상기 Si-A1 결합을 포함하는 구조로는, SiH, SiH2, SiH3, Si-CH3, Si-CH2-, Si-C6H5, SiO-지방족, Si-OCH3, Si-OCH2CH3, Si-OC6H5, Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF2, 및 SiF3 등을 들 수 있다. Si-A1 결합을 포함하는 구조로는, 특히, 실록산 골격 및 실세스퀴옥산 골격을 형성하고 있는 것이 바람직하다.A structure including the combination Si-A 1 is, SiH, SiH 2, SiH 3 , Si-
상기 P-A2 결합을 포함하는 구조로는, PH, PH2, P-CH3, P-CH2-, P-C6H5, A3 3-P-O (A3 은 지방족 또는 방향족), (A4O)3-P-O (A4 는 알킬), P-OCH3, P-OCH2CH3, P-OC6H5, P-O-P, P-OH, 및 O=P-OH 등을 들 수 있다.Examples of the structure including the PA 2 bond include PH, PH 2 , P-CH 3 , P-CH 2 -, PC 6 H 5 , A 3 3 -PO (A 3 is an aliphatic or aromatic), (A 4 O ) 3 -PO (A 4 is alkyl), P-OCH 3 , P-OCH 2 CH 3 , P-OC 6 H 5 , POP, P-OH and O═P-OH.
상기 구조는, 그 종류의 선택에 따라, 원하는 범위의 파장을 가지고 있는 적외선을 흡수할 수 있다. 구체적으로는, 상기 구조가 흡수 가능한 적외선의 파장은, 예를 들어 1 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이하의 범위 내이고, 2 ㎛ 이상, 15 ㎛ 이하의 범위 내를 보다 바람직하게 흡수할 수 있다. 또한, 상기 구조가 Si-O 결합, Si-C 결합 및 Ti-O 결합인 경우에는, 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하의 범위 내일 수 있다. 또한, 각 구조를 흡수할 수 있는 적외선의 파장은 당업자이면 용이하게 이해할 수 있다. 예를 들어, 각 구조에 있어서의 흡수대로서, 비특허문헌 : SILVERSTEIN·BASSLER·MORRILL 저 「유기 화합물의 스펙트럼에 의한 동정법 (제 5 판) -MS, IR, NMR, UV 의 병용-」 (1992년 발행) 제146페이지 ∼ 제151페이지의 기재를 참조할 수 있다.The above structure can absorb infrared rays having a desired wavelength range according to the selection of the type. Specifically, the wavelength of infrared rays capable of absorbing the above structure is, for example, in the range of 1 占 퐉 or more and 20 占 퐉 or less and more preferably in a range of 2 占 퐉 to 15 占 퐉. When the structure is a Si-O bond, a Si-C bond and a Ti-O bond, it may be in the range of 9 탆 or more and 11 탆 or less. In addition, the wavelength of infrared rays capable of absorbing each structure can be easily understood by those skilled in the art. For example, as an absorption band in each structure, a method of determining the absorption spectrum of an organic compound (fifth edition) -SM combined with IR, NMR, and UV- (1992), SILVERSTEIN BASSLER MORRILL Published on pages 146 to 151 can be referred to.
분리층 (2) 의 형성에 사용되는, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물로는, 상기 서술한 바와 같은 구조를 가지고 있는 화합물 중, 도포를 위해서 용매에 용해시킬 수 있고, 고화되어 고층을 형성할 수 있는 것이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 그러나, 분리층 (2) 에 있어서의 화합물을 효과적으로 변질시켜, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 의 분리를 용이하게 하는 데에는, 분리층 (2) 에 있어서의 적외선의 흡수가 큰 것, 즉, 분리층 (2) 에 적외선을 조사했을 때의 적외선의 투과율이 낮은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 분리층 (2) 에 있어서의 적외선의 투과율이 90 % 보다 낮은 것이 바람직하고, 적외선의 투과율이 80 % 보다 낮은 것이 보다 바람직하다.As the compound having an infrared absorbing structure used in the formation of the
일례를 들어 설명하면, 실록산 골격을 갖는 화합물로는, 예를 들어, 하기 화학식 (5) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (6) 으로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 수지, 혹은 하기 화학식 (5) 로 나타내는 반복 단위 및 아크릴계 화합물 유래의 반복 단위의 공중합체인 수지를 사용할 수 있다.For example, the compound having a siloxane skeleton may be a resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following formula (5) and a repeating unit represented by the following formula (6), or a resin represented by the following formula (5) A resin which is a copolymer of a repeating unit and an acrylic compound-derived repeating unit can be used.
[화학식 5][Chemical Formula 5]
(화학식 (6) 중, R6 은, 수소, 탄소수 10 이하의 알킬기, 또는 탄소수 10 이하의 알콕시기이다.)(In the formula (6), R 6 is hydrogen, an alkyl group having 10 or less carbon atoms, or an alkoxy group having 10 or less carbon atoms.)
그 중에서도, 실록산 골격을 갖는 화합물로는, 상기 화학식 (5) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (7) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 t-부틸스티렌 (TBST)-디메틸실록산 공중합체가 보다 바람직하고, 상기 식 (5) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (7) 로 나타내는 반복 단위를 1 : 1 로 포함하는, TBST-디메틸실록산 공중합체가 더욱 바람직하다.Among them, the compound having a siloxane skeleton is more preferably a t-butylstyrene (TBST) -dimethylsiloxane copolymer which is a copolymer of a repeating unit represented by the above formula (5) and a repeating unit represented by the following formula (7) A TBST-dimethylsiloxane copolymer containing a repeating unit represented by the formula (5) and a repeating unit represented by the following formula (7) in a ratio of 1: 1 is more preferable.
[화학식 6][Chemical Formula 6]
또한, 실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 예를 들어, 하기 화학식 (8) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (9) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 수지를 사용할 수 있다.As the compound having a silsesquioxane skeleton, for example, a resin which is a copolymer of a repeating unit represented by the following formula (8) and a repeating unit represented by the following formula (9) can be used.
[화학식 7](7)
(화학식 (8) 중, R7 은, 수소 또는 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기이고, 화학식 (9) 중, R8 은, 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기, 또는 페닐기이다.)(8), R 7 is hydrogen or an alkyl group having a carbon number of 1 or more and 10 or less, and in the formula (9), R 8 is an alkyl group having a carbon number of 1 or more and 10 or less or a phenyl group.
실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 이 밖에도, 일본 공개특허공보 2007-258663호 (2007년 10월 4일 공개), 일본 공개특허공보 2010-120901호 (2010년 6월 3일 공개), 일본 공개특허공보 2009-263316호 (2009년 11월 12일 공개), 및 일본 공개특허공보 2009-263596호 (2009년 11월 12일 공개) 에 있어서 개시되어 있는 각 실세스퀴옥산 수지를 바람직하게 이용할 수 있다.Examples of compounds having a silsesquioxane skeleton include compounds disclosed in JP-A-2007-258663 (published on October 4, 2007), JP-A-2010-120901 (published on June 3, 2010) Each silsesquioxane resin disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2009-263316 (published on November 12, 2009) and Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2009-263596 (published on November 12, 2009) Can be used.
그 중에서도, 실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 하기 화학식 (10) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (11) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체가 보다 바람직하고, 하기 화학식 (10) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (11) 로 나타내는 반복 단위를 7 : 3 으로 포함하는 공중합체가 더욱 바람직하다.Among them, as the compound having a silsesquioxane skeleton, a copolymer of a repeating unit represented by the following formula (10) and a repeating unit represented by the following formula (11) is more preferable, and a repeating unit represented by the following formula And a repeating unit represented by the following chemical formula (11) in a ratio of 7: 3.
[화학식 8][Chemical Formula 8]
실세스퀴옥산 골격을 갖는 중합체로는, 랜덤 구조, 래더 구조, 및 바구니형 구조가 있을 수 있지만, 어느 구조여도 된다.The polymer having a silsesquioxane skeleton may have a random structure, a ladder structure, and a basket structure, but any structure may be used.
또한, Ti-O 결합을 포함하는 화합물로는, 예를 들어, (i) 테트라-i-프로폭시티탄, 테트라-n-부톡시티탄, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)티탄, 및 티타늄-i-프로폭시옥틸렌글리콜레이트 등의 알콕시티탄 ; (ii) 디-i-프로폭시·비스(아세틸아세토나토)티탄, 및 프로판디옥시티탄비스(에틸아세토아세테이트) 등의 킬레이트티탄 ; (iii) i-C3H7O-[-Ti(O-i-C3H7)2-O-]n-i-C3H7, 및 n-C4H9O-[-Ti(O-n-C4H9)2-O-]n-n-C4H9 등의 티탄 폴리머 ; (iv) 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트, 티타늄스테아레이트, 디-i-프로폭시티탄디이소스테아레이트, 및 (2-n-부톡시카르보닐벤조일옥시)트리부톡시티탄 등의 아실레이트티탄 ; (v) 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 등의 수용성 티탄 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the compound containing a Ti-O bond include (i) tetra-i-propoxy titanium, tetra-n-butoxy titanium, tetrakis (2-ethylhexyloxy) titanium, alkoxytitaniums such as -i-propoxy octylene glycolate; (ii) titanium chelates such as di-i-propoxy bis (acetylacetonato) titanium and propanedioxy titanium bis (ethylacetoacetate); (iii) iC 3 H 7 O - [- Ti (OiC 3 H 7) 2 -O-] n -iC 3
그 중에서도, Ti-O 결합을 포함하는 화합물로는, 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 (Ti(OC4H9)2[OC2H4N(C2H4OH)2]2) 가 바람직하다.Among these, a compound containing a Ti-O bond, di -n- butoxy-bis (triethanolamine Oh Minato) titanium (Ti (OC 4 H 9) 2 [OC 2 H 4 N (C 2
상기 서술한 분리층 (2) 은, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물을 함유하고 있지만, 분리층 (2) 은 추가로 상기 화합물 이외의 성분을 포함할 수 있다. 그 성분으로는, 필러, 가소제, 및 서포트 플레이트 (2) 의 박리성을 향상시킬 수 있는 성분 등을 들 수 있다. 이들 성분은, 상기 구조에 의한 적외선의 흡수, 및 화합물의 변질을 방해하지 않거나, 또는 촉진시키는, 종래 공지된 물질 또는 재료로부터 적절히 선택된다.Although the above-described
(적외선 흡수 물질)(Infrared absorbing material)
분리층 (2) 은, 적외선 흡수 물질을 함유하고 있어도 된다. 분리층 (2) 은, 적외선 흡수 물질을 함유하여 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가하는 (예를 들어, 지지체 (1) 를 들어 올리는 등) 것에 의해, 분리층 (2) 이 파괴되어, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리하기 쉽게 할 수 있다.The
적외선 흡수 물질은, 적외선을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어, 카본 블랙, 철 입자, 또는 알루미늄 입자를 바람직하게 사용할 수 있다. 적외선 흡수 물질은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층 (2) 에 사용한 적외선 흡수 물질이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층 (2) 에 조사함으로써, 적외선 흡수 물질을 바람직하게 변질시킬 수 있다.The infrared absorbing material can be any structure that is altered by absorbing infrared rays. For example, carbon black, iron particles, or aluminum particles can be preferably used. The infrared absorbing material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on its type. The infrared absorbing material can be preferably altered by irradiating the
(반응성 폴리실세스퀴옥산)(Reactive polysilsesquioxane)
분리층 (2) 은, 반응성 폴리실세스퀴옥산을 중합시킴으로써 형성할 수 있고, 이에 의해, 분리층 (2) 은 높은 내약품성과 높은 내열성을 구비하고 있다.The
본 명세서 중에 있어서, 반응성 폴리실세스퀴옥산이란, 폴리실세스퀴옥산 골격의 말단에 실란올기, 또는, 가수 분해함으로써 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 갖는 폴리실세스퀴옥산이고, 당해 실란올기 또는 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 축합함으로써, 서로 중합할 수 있는 것이다. 또한, 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 실란올기, 또는, 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 구비하고 있으면, 랜덤 구조, 바구니형 구조, 래더 구조 등의 실세스퀴옥산 골격을 구비한 것을 채용할 수 있다.In the present specification, the reactive polysilsesquioxane is a polysilazquioxane having a silanol group at the end of the polysilsesquioxane skeleton or a functional group capable of forming a silanol group by hydrolysis, and the silanol group Or by condensing a functional group capable of forming a silanol group. When the reactive polysilsesquioxane is provided with a silanol group or a functional group capable of forming a silanol group, those having a silsesquioxane skeleton such as a random structure, a basket structure and a ladder structure are employed .
또한, 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 하기 식 (12) 에 나타내는 구조를 가지고 있는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that the reactive polysilsesquioxane has a structure represented by the following formula (12).
[화학식 9][Chemical Formula 9]
식 (12) 중, R" 는, 각각 독립적으로, 수소 및 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되고, 수소 및 탄소수 1 이상, 5 이하의 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 보다 바람직하다. R" 가, 수소 또는 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기이면, 분리층 (2) 형성 공정에 있어서의 가열에 의해, 식 (12) 에 의해 나타내는 반응성 폴리실세스퀴옥산을 바람직하게 축합시킬 수 있다.In formula (12), R "is independently selected from the group consisting of hydrogen and alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, more preferably selected from the group consisting of hydrogen and alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms When R "is hydrogen or an alkyl group having a carbon number of 1 or more and 10 or less, the reactive polysilsesquioxane represented by the formula (12) is preferably condensed by heating in the step of forming the separation layer (2) .
식 (12) 중, p 는, 1 이상, 100 이하의 정수인 것이 바람직하고, 1 이상, 50 이하의 정수인 것이 보다 바람직하다. 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 식 (12) 로 나타내는 반복 단위를 구비하는 것에 의해, 다른 재료를 사용하여 형성하는 것보다 Si-O 결합의 함유량이 많고, 적외선 (0.78 ㎛ 이상, 1000 ㎛ 이하), 바람직하게는 원적외선 (3 ㎛ 이상, 1000 ㎛ 이하), 더욱 바람직하게는 파장 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하에 있어서의 흡광도가 높은 분리층 (2) 을 형성할 수 있다.In the formula (12), p is preferably an integer of 1 or more and 100 or less, and more preferably an integer of 1 or more and 50 or less. The reactive polysilsesquioxane has a repeating unit represented by the formula (12), so that the content of Si-O bonds is larger than that formed by using other materials, and the infrared rays (0.78 탆 or more and 1000 탆 or less) (Preferably at least 3 탆 and not more than 1000 탆), and more preferably at least 9 탆 and not more than 11 탆.
또한, 식 (12) 중, R' 는, 각각 독립적으로, 서로 동일하거나, 또는 상이한 유기기이다. 여기서, R 은, 예를 들어, 아릴기, 알킬기, 및, 알케닐기 등이고, 이들 유기기는 치환기를 가지고 있어도 된다.In the formula (12), R '' are each independently the same or different organic group. Here, R is, for example, an aryl group, an alkyl group, and an alkenyl group, and these organic groups may have a substituent.
R' 가 아릴기인 경우, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있고, 페닐기인 것이 보다 바람직하다. 또한, 아릴기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기를 개재하여 폴리실세스퀴옥산 골격에 결합하고 있어도 된다.When R 'is an aryl group, examples thereof include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group, and more preferably a phenyl group. The aryl group may be bonded to the polysilsesquioxane skeleton via an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms.
R' 가 알킬기인 경우, 알킬기로는, 직사슬형, 분기 사슬형, 또는 고리형의 알킬기를 들 수 있다. 또한, R 이 알킬기인 경우, 탄소수는 1 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하다. 또한, R 이, 고리형의 알킬기인 경우, 단고리형 또는 2 ∼ 4 고리형의 구조를 한 알킬기여도 된다.When R 'is an alkyl group, examples of the alkyl group include a linear, branched, or cyclic alkyl group. When R is an alkyl group, the number of carbon atoms is preferably 1 to 15, more preferably 1 to 6. When R is a cyclic alkyl group, it may be monocyclic or an alkyl group having 2 to 4 ring structures.
R' 가 알케닐기인 경우, 알킬기의 경우와 마찬가지로, 직사슬형, 분기 사슬형, 또는 고리형의 알케닐기를 들 수 있고, 알케닐기는, 탄소수가 2 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하다. 또한, R 이, 고리형의 알케닐기인 경우, 단고리형 또는 2 ∼ 4 고리형의 구조를 한 알케닐기여도 된다. 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 및 알릴기 등을 들 수 있다.When R 'is an alkenyl group, as in the case of an alkyl group, there may be mentioned a linear, branched, or cyclic alkenyl group. The alkenyl group preferably has 2 to 15 carbon atoms, Is more preferable. When R is a cyclic alkenyl group, it may be monocyclic or an alkenyl group having 2 to 4 ring structures. Examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group and the like.
또한, R' 가 가질 수 있는 치환기로는, 수산기 및 알콕시기 등을 들 수 있다. 치환기가 알콕시기인 경우, 직사슬형, 분기 사슬형, 또는 고리형의 알킬알콕시기를 들 수 있고, 알콕시기에 있어서의 탄소수는 1 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하다.Examples of the substituent that R 'may have include a hydroxyl group and an alkoxy group. When the substituent is an alkoxy group, there may be mentioned a linear, branched, or cyclic alkylalkoxy group, and the number of carbon atoms in the alkoxy group is preferably 1 to 15, more preferably 1 to 10.
또한, 하나의 관점에 있어서, 반응성 폴리실세스퀴옥산의 실록산 함유량은, 70 몰% 이상, 99 몰% 이하인 것이 바람직하고, 80 몰% 이상, 99 몰% 이하인 것이 보다 바람직하다. 반응성 폴리실세스퀴옥산의 실록산 함유량이 70 몰% 이상, 99 몰% 이하이면, 적외선 (바람직하게는 원적외선, 더욱 바람직하게는 파장 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하의 광) 을 조사함으로써 바람직하게 변질시킬 수 있는 분리층 (2) 을 형성할 수 있다.In one aspect, the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is preferably 70 mol% or more and 99 mol% or less, and more preferably 80 mol% or more and 99 mol% or less. When the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is 70 mol% or more and 99 mol% or less, it is preferably modified by irradiating with infrared rays (preferably far-infrared rays, more preferably light having a wavelength of 9 탆 or more and 11 탆 or less) The
또한, 하나의 관점에 있어서, 반응성 폴리실세스퀴옥산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 500 이상, 50,000 이하인 것이 바람직하고, 1,000 이상, 10,000 이하인 것이 보다 바람직하다. 반응성 폴리실세스퀴옥산의 중량 평균 분자량 (Mw) 이 500 이상, 50,000 이하이면, 용제에 바람직하게 용해시킬 수 있고, 서포트 플레이트 상에 바람직하게 도포할 수 있다.In one aspect, the weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is preferably 500 or more and 50,000 or less, more preferably 1,000 or more and 10,000 or less. When the weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is 500 or more and 50,000 or less, the reactive polysilsesquioxane can be preferably dissolved in a solvent and can be preferably applied onto a support plate.
반응성 폴리실세스퀴옥산으로서 사용할 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 코니시 화학 공업 주식회사 제조의 SR-13, SR-21, SR-23 및 SR-33 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products usable as the reactive polysilsesquioxane include SR-13, SR-21, SR-23 and SR-33 manufactured by Konishi Chemical Industry Co., Ltd.
〔실시형태 2〕[Embodiment 2]
본 발명의 다른 실시형태 (실시형태 2) 에 대하여 설명하면 이하와 같다. 또한, 설명의 편의상, 상기 실시형태에서 설명한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 부기하고, 그 설명을 생략한다. 실시형태 2 에 관련된 봉지체의 제조 방법은, 분리층 형성 공정, 분리층 주연 부분 제거 공정, 접착층 형성 공정, 봉지체 형성 공정, 접착층 제거 공정, 광 조사 공정, 분리 공정 및 제거 공정을 이 순서로 실시한다.Another embodiment (Embodiment 2) of the present invention will be described below. For convenience of explanation, the members having the same functions as those described in the above embodiments are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. The method for manufacturing a plug according to
(분리층 형성 공정 ∼ 접착층 형성 공정)(Separation layer forming step to adhesive layer forming step)
도 2 의 (a) ∼ (c) 에 나타내는 바와 같이, 분리층 형성 공정, 분리층 주연 부분 제거 공정 및 접착층 형성 공정은, 실시형태 1 과 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.As shown in Figs. 2A to 2C, the separation layer forming step, the separation layer peripheral edge portion removing step, and the adhesive layer forming step are the same as those in
(봉지체 형성 공정)(Bag-forming step)
도 2 의 (d) ∼ (g) 에 나타내는 바와 같이, 봉지체 형성 공정에서는, 접착층 (3) 상에, 봉지체 (7) 를 형성한다. 본 실시형태에 있어서의 봉지체 형성 공정에서는, 소자 배치 공정, 봉지 공정, 박화 공정 및 배선층 형성 공정을 이 순서로 실시한다.2 (d) to 2 (g), the
도 2 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 소자 배치 공정에서는, 접착층 (3) 상에 소자 (5) 를 배치한다. 접착층 (3) 상에 대한 소자 (5) 의 배치는, 예를 들어, 칩 마운터 등을 사용하여 실시할 수 있다.As shown in Fig. 2 (d), in the element disposing step, the
도 2 의 (e) 에 나타내는 바와 같이, 봉지 공정에서는, 소자 (5) 를 봉지재 (6) 에 의해 봉지한다. 봉지재 (6) 는, 예를 들어, 성형 형을 사용하여 사출 성형해도 되고, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 도포해도 된다.As shown in FIG. 2 (e), in the sealing step, the
도 2 의 (f) 에 나타내는 바와 같이, 박화 공정에서는, 봉지재 (6) 를 박화한다. 봉지재 (6) 는, 예를 들어, 소자 (5) 의 단자부가 봉지재 (6) 로부터 노출될 때까지 박화하면 된다.As shown in Fig. 2 (f), in the thinning step, the sealing
도 2 의 (g) 에 나타내는 바와 같이, 배선층 형성 공정에서는, 봉지재 (6) 에 의해 봉지된 소자 (5) 상에 배선층 (4) 을 형성한다.As shown in Fig. 2 (g), in the wiring layer forming step, the
일 실시형태에 있어서, 배선층 (4) 의 형성 순서로는, 먼저, 봉지재 (6) 에 의해 봉지된 소자 (5) 상에, 산화실리콘 (SiOx), 감광성 수지 등의 유전체층을 형성한다. 산화실리콘으로 이루어지는 유전체층은, 예를 들어, 스퍼터법, 진공 증착법 등에 의해 형성할 수 있다. 감광성 수지로 이루어지는 유전체층은, 예를 들어, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 감광성 수지를 도포함으로써 형성할 수 있다.In one embodiment, in order to form the
계속해서, 유전체층에, 금속 등의 도전체에 의해 배선을 형성한다. 배선의 형성 수법으로는, 예를 들어, 포토리소그래피 (레지스트 리소그래피) 등의 리소그래피 처리, 에칭 처리 등의 공지된 반도체 프로세스 수법을 사용할 수 있다.Subsequently, wirings are formed on the dielectric layer by a conductor such as a metal. As a wiring formation method, a well-known semiconductor process technique such as a lithography process such as photolithography (resist lithography) or an etching process can be used.
이상에 의해, 지지체 (1) 상에 있어서, 봉지체 (7) 를 순조롭게 형성할 수 있다. 본 실시형태에 있어서도, 실시형태 1 과 동일하게, 분리층 (2) 이 접착층 (3) 에 의해 보호되어 있기 때문에, 분리층 (2) 에 약액이 접촉하는 것을 피할 수 있다. 또한, 접착층 (3) 에 의해 분리층 (2) 을 보호함으로써, 약액 이외로부터도 분리층 (2) 을 보호할 수 있다. 이에 의해, 봉지체 형성 공정 중에, 분리층 (2) 이 박리되는 것을 방지할 수 있다.As described above, the
또한, 이상의 공정에 의해 얻어진 도 2 의 (g) 에 나타내는 적층체 (9) 는, 광을 투과하는 지지체 (1) 와, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층 (2) 과, 접착층 (3) 과, 봉지체 (7) 가 이 순서로 적층되어 이루어지고, 봉지체 (7) 는, 배선층 (4) 과, 배선층 (4) 에 실장된 소자 (5) 와, 소자 (5) 를 봉지하는 봉지재 (6) 를 구비하고 있고, 분리층 (2) 은, 지지체 (1) 에 접하고 있는 부분 이외가 접착층 (3) 에 의해 피복되어 있는 것이다. 이와 같은 적층체 (9) 는, 본 발명에 관련된 봉지체의 제조 방법의 과정에 있어서만 제조되는 것으로, 단리된 봉지체 (7) 를 제조하기 위해서 바람직하게 이용할 수 있다.The
(접착층 제거 공정 ∼ 제거 공정)(Adhesive layer removing step to removing step)
도 2 의 (h) ∼ (k) 에 나타내는 바와 같이, 접착층 제거 공정, 광 조사 공정, 분리 공정 및 제거 공정은, 봉지체 (7) 의 상하 방향의 방향에 대해서는 상이하지만, 다른 부분에 대해서는 실시형태 1 과 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.2 (h) to 2 (k), the adhesive layer removing step, the light irradiation step, the separating step and the removing step are different from each other in the vertical direction of the
이상에 의해, 실시형태 1 과 마찬가지로, 단리된 봉지체 (7) 를 얻을 수 있다. 또한, 추가로 봉지체 (7) 에 대하여, 솔더 볼 형성, 다이싱 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 또한, 봉지체 (7) 상에, 추가로 다른 소자를 적층해도 된다.Thus, in the same manner as in
또한, 실시형태 1 과 마찬가지로, (i) 봉지체 (7) 의 성형용 형의 외경을 지지체 (1) 보다 작게 함으로써, 봉지체 (7) 를 지지체 (1) 의 외경보다 작게 성형하거나, 또는, (ii) 봉지체 (7) 의 성형 후에, 지지체 (1) 의 외경보다 작아지도록, 봉지체 (7) 에 대하여 풀 커트 트림을 실시해도 된다.As in the first embodiment, (i) the outer diameter of the molding die of the
본 발명은 상기 서술한 각 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 청구항에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 상이한 실시형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, but various modifications may be made within the scope of the claims, and embodiments obtained by appropriately combining the technical means disclosed in the different embodiments may be included in the technical scope of the present invention. do.
본 발명에 관련된 지지체 분리 방법은, 미세화된 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 바람직하게 이용할 수 있다.The support separating method according to the present invention can be suitably used in the manufacturing process of the miniaturized semiconductor device.
1 지지체
1a 평면부
1b 주연 부분
2 분리층
2a 외주 단부
3 접착층
4 배선층
5 소자
6 봉지재
7 봉지체
8, 9 적층체1 support
1a plane portion
1b
2 separation layer
2a outer peripheral end
3 adhesive layer
4 wiring layer
5 element
6 bags
7 bags
8, 9 laminate
Claims (8)
광을 투과하는 지지체의 일방의 평면부에, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층을 형성하는 분리층 형성 공정과,
상기 지지체의 주연 부분 전체 둘레에 형성된 분리층을 제거하는 분리층 주연 부분 제거 공정과,
상기 지지체에 있어서의 주연 부분 전체 둘레의 분리층을 제거한 측의 면에, 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정과,
상기 접착층 상에, 상기 봉지체를 형성하는 봉지체 형성 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 봉지체의 제조 방법.A manufacturing method of a plug including a wiring layer, an element mounted on the wiring layer, and an encapsulating material encapsulating the element,
A separation layer forming step of forming a separation layer which is altered by irradiating light on one flat surface portion of a support through which light is transmitted,
A separation layer peripheral portion removing step for removing the separation layer formed around the entire periphery of the support;
An adhesive layer forming step of forming an adhesive layer on the surface of the support on the side of the entire periphery of the peripheral portion from which the separation layer is removed,
And a step of forming a plug body on the adhesive layer to form the plug body.
상기 봉지체 형성 공정 후, 상기 지지체의 주연 부분 전체 둘레에 형성된 상기 접착층을 제거하는 접착층 제거 공정을 추가로 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 봉지체의 제조 방법.The method according to claim 1,
Further comprising an adhesive layer removing step of removing the adhesive layer formed around the entire periphery of the support after the bag-forming process.
상기 접착층 제거 공정에서는, 상기 지지체 상에 형성되어 있는 상기 분리층의 외주 단부보다 외측에 형성된 접착층을 제거하는 것을 특징으로 하는 봉지체의 제조 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the adhesive layer removing step removes the adhesive layer formed on the outer side of the outer peripheral end of the separation layer formed on the support.
상기 접착층 제거 공정 후, 상기 지지체를 개재하여, 상기 분리층에 광을 조사함으로써, 상기 분리층을 변질시키는 광 조사 공정과,
상기 광 조사 공정 후, 상기 지지체와, 상기 봉지체를 분리하는 분리 공정을 추가로 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 봉지체의 제조 방법.The method according to claim 2 or 3,
A light irradiation step of irradiating light to the separation layer via the support after the adhesive layer removal step to deteriorate the separation layer,
And a separating step of separating the support from the bag after the light irradiation step.
상기 분리 공정 후, 상기 봉지체에 잔류하고 있는 상기 접착층과 상기 분리층을 제거하는 제거 공정을 추가로 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 봉지체의 제조 방법.5. The method of claim 4,
Further comprising a removing step of removing the adhesive layer and the separating layer remaining on the plug after the separating step.
상기 봉지체 형성 공정은, 상기 접착층 상에 상기 배선층을 형성하고, 상기 배선층 상에 상기 소자를 실장하고, 상기 소자를 상기 봉지재에 의해 봉지하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 봉지체의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the sealing material forming step includes forming the wiring layer on the adhesive layer, mounting the element on the wiring layer, and sealing the element with the sealing material.
상기 봉지체 형성 공정은, 상기 접착층 상에 상기 소자를 배치하고, 상기 소자를 상기 봉지재에 의해 봉지하고, 상기 봉지재에 의해 봉지된 상기 소자 상에 상기 배선층을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 봉지체의 제조 방법.The method according to claim 1,
The sealing material forming step includes disposing the element on the adhesive layer, sealing the element with the sealing material, and forming the wiring layer on the element encapsulated by the sealing material Of the bag.
광을 조사함으로써 변질되는 분리층과,
접착층과,
봉지체가 이 순서로 적층되어 이루어지고,
상기 봉지체는, 배선층과, 상기 배선층에 실장되어 있는 소자와, 상기 소자를 봉지하고 있는 봉지재를 구비하고 있고,
상기 분리층은, 상기 지지체에 접하고 있는 부분 이외가 상기 접착층에 의해 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 적층체.A support for transmitting light,
A separating layer which is altered by irradiating light,
An adhesive layer,
A sealing member is stacked in this order,
The sealing member includes a wiring layer, an element mounted on the wiring layer, and an encapsulating material that encapsulates the element,
Wherein the separation layer is covered with the adhesive layer other than the portion in contact with the support.
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