KR102390526B1 - A sealing body manufacturing method, and a laminate - Google Patents

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KR102390526B1 KR1020170040093A KR20170040093A KR102390526B1 KR 102390526 B1 KR102390526 B1 KR 102390526B1 KR 1020170040093 A KR1020170040093 A KR 1020170040093A KR 20170040093 A KR20170040093 A KR 20170040093A KR 102390526 B1 KR102390526 B1 KR 102390526B1
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기미히로 나카다
야스마사 이와타
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도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

(과제) 지지체 상에 있어서 봉지체를 형성하고 있을 때에, 지지체에 형성한 분리층이 박리되는 것을 방지할 수 있는 봉지체의 제조 방법, 및, 적층체를 제공하는 것.
(해결 수단) 봉지체의 제조 방법은, 지지체 (1) 의 일방의 평면부 (1a) 에, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층 (2) 을 형성하는 공정과, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 분리층 (2) 을 제거하는 공정과, 지지체 (1) 에 있어서의 주연 부분 (1b) 전체 둘레의 분리층을 제거한 측의 면에, 접착층 (3) 을 형성하는 공정과, 접착층 (3) 상에 봉지체 (7) 를 형성하는 공정을 포함한다.
(Project) When the sealing body is formed on a support body, the manufacturing method of the sealing body which can prevent that the separation layer formed in the support body peels, and providing a laminated body.
(Solution) The manufacturing method of the sealing body includes the process of forming the separation layer 2 which changes in quality by irradiating light on one flat part 1a of the support body 1, The peripheral part of the support body 1 ( 1b) a step of removing the separation layer (2) formed on the entire periphery, and a step of forming an adhesive layer (3) on the surface of the support body (1) on the side from which the separation layer on the entire periphery of the peripheral portion (1b) has been removed; , a step of forming the encapsulant 7 on the adhesive layer 3 .

Description

봉지체의 제조 방법, 및 적층체{A SEALING BODY MANUFACTURING METHOD, AND A LAMINATE}The manufacturing method of a sealing body, and a laminated body {A SEALING BODY MANUFACTURING METHOD, AND A LAMINATE}

본 발명은, 봉지체의 제조 방법, 및, 적층체에 관한 것이다.This invention relates to the manufacturing method of a sealing body, and a laminated body.

최근, 반도체 장치의 집적화나 소형화 등을 실현하기 위해서, 팬 아웃형 WLP (Fan-Out Wafer Level Package) 기술이 개발되어 있다. 팬 아웃형 WLP 기술로는, (i) 일단, 지지체 상에 있어서, 복수의 칩을 수지로 봉지한 수지 웨이퍼 (유사 웨이퍼) 를 형성한 후에, 수지 웨이퍼로부터 지지체를 제거하고, 그 후에 수지 웨이퍼에 대하여 배선층을 형성함으로써 봉지체를 형성하는 방법 (특허문헌 1 ∼ 3) 과, (ii) 지지체 상에 있어서 배선층 및 수지 웨이퍼를 형성한 후에, 지지체를 제거함으로써 봉지체를 형성하는 방법 (비특허문헌 1) 이 알려져 있고, 고밀도 배선이 가능한 점 등에서, 후자가 주목을 받고 있다.Recently, a fan-out type WLP (Fan-Out Wafer Level Package) technology has been developed in order to realize integration, miniaturization, and the like of semiconductor devices. In the fan-out type WLP technique, (i) once, on a support, a resin wafer (similar wafer) in which a plurality of chips are sealed with a resin is formed, then the support is removed from the resin wafer, and then the resin wafer A method of forming a sealing body by forming a wiring layer with respect to (Patent Documents 1 to 3), and (ii) a method of forming a sealing body by removing the support after forming a wiring layer and a resin wafer on a support (Non-Patent Literature) 1) is known, and the latter attracts attention from the viewpoint that high-density wiring is possible.

일본 공개특허공보 2012-248598호 (2012년 12월 13일 공개)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-248598 (published on December 13, 2012) 일본 공개특허공보 2012-60100호 (2012년 3월 22일 공개)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-60100 (published on March 22, 2012) 일본 공개특허공보 2013-168594호 (2013년 8월 29일 공개)Japanese Patent Laid-Open No. 2013-168594 (published on August 29, 2013)

쿠리타 요이치로, "FO-WLP 의 신프로세스 RDL-first 법에 의해 고신뢰·고밀도 배선을 실현한 초소형 패키지를 개발", [online], RENESAS EDGE, [평성 28년 1월 6일 검색], 인터넷 <URL : http : //japan.renesas.com/media/edge_ol/r_and_d/01/r70pf0030jj0101_edge.pdf> Yoichiro Kurita, "Development of an ultra-small package that realizes high-reliability and high-density wiring by RDL-first method, a new process of FO-WLP", [online], RENESAS EDGE, [Searched on January 6, 2008], Internet < URL: http://japan.renesas.com/media/edge_ol/r_and_d/01/r70pf0030jj0101_edge.pdf>

본 발명자들은, 독자적인 지견에 기초하여, 팬 아웃형 WLP 기술에 있어서, 지지체를 원하는 타이밍에 있어서 제거하기 위한 구조로서, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층을 미리 지지체에 형성해 두는 것을 검토하고 있다. 그 결과, 비특허문헌 1 과 같이, 지지체 상에 있어서 봉지체 (배선층 및 수지 웨이퍼) 를 형성하는 방법에서는, 지지체 상에 있어서 배선층을 형성하기 위한 처리 (예를 들어, 리소그래피 처리 등) 가 이루어지기 때문에, 당해 처리의 영향 (예를 들어, 처리에 사용되는 약액 등의 영향) 에 의해, 지지체에 형성한 분리층이 박리된다는 문제가 발생할 수 있는 것을 알아냈다.The present inventors are examining, based on their own knowledge, that, in the fan-out type WLP technique, a separation layer that is altered by irradiating light is formed on the support in advance as a structure for removing the support at a desired timing. As a result, in the method of forming a sealing body (wiring layer and resin wafer) on a support like Non-Patent Document 1, a process for forming a wiring layer on a support (for example, lithography processing, etc.) is performed. Therefore, it was found that the problem that the separation layer formed on the support peels off may occur due to the influence of the treatment (eg, the influence of a chemical solution used for the treatment).

본 발명은, 상기의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 지지체 상에 있어서 봉지체를 형성하고 있을 때에, 지지체에 형성한 분리층이 박리되는 것을 방지할 수 있는 봉지체의 제조 방법, 및, 적층체를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and when the encapsulant is formed on the support, a method for producing an encapsulant capable of preventing peeling of the separation layer formed on the support, and a laminate Its main purpose is to provide

상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관련된 봉지체의 제조 방법은,In order to solve the above problems, the manufacturing method of the encapsulant according to the present invention,

배선층과, 상기 배선층에 실장되어 있는 소자와, 상기 소자를 봉지하고 있는 봉지재를 구비한 봉지체를 제조하는 봉지체의 제조 방법으로서,A method for manufacturing an encapsulant comprising: a wiring layer; an element mounted on the wiring layer; and an encapsulant for encapsulating the element;

광을 투과하는 지지체의 일방의 평면부에, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층을 형성하는 분리층 형성 공정과,A separation layer forming step of forming a separation layer that is altered by irradiating light on one flat portion of the light-transmitting support;

상기 지지체의 주연 부분 전체 둘레에 형성된 분리층을 제거하는 분리층 주연 부분 제거 공정과,a separation layer peripheral portion removing step of removing the separation layer formed around the entire peripheral portion of the support;

상기 지지체에 있어서의 주연 부분 전체 둘레의 분리층을 제거한 측의 면에, 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정과,an adhesive layer forming step of forming an adhesive layer on the side of the support from which the separation layer has been removed from the entire periphery of the support;

상기 접착층 상에, 상기 봉지체를 형성하는 봉지체 형성 공정을 포함하고 있다.and an encapsulant forming step of forming the encapsulant on the adhesive layer.

또한, 본 발명에 관련된 적층체는,In addition, the laminate according to the present invention,

광을 투과하는 지지체와,A support that transmits light, and

광을 조사함으로써 변질되는 분리층과,A separation layer that is altered by irradiating light, and

접착층과,adhesive layer,

봉지체가 이 순서로 적층되어 이루어지고,The encapsulant is laminated in this order,

상기 봉지체는, 배선층과, 상기 배선층에 실장되어 있는 소자와, 상기 소자를 봉지하고 있는 봉지재를 구비하고 있고,The encapsulant includes a wiring layer, an element mounted on the wiring layer, and a sealing material encapsulating the element,

상기 분리층은, 상기 지지체에 접하고 있는 부분 이외가 상기 접착층에 의해 피복되어 있다.The separation layer is covered with the adhesive layer except for a portion in contact with the support.

본 발명에 의하면, 지지체 상에 있어서 봉지체를 형성하고 있을 때에, 지지체에 형성한 분리층이 박리되는 것을 방지할 수 있는 봉지체의 제조 방법, 및, 적층체를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, when forming the sealing body on a support body, the manufacturing method of the sealing body which can prevent that the separation layer formed in the support body peels, and a laminated body can be provided.

도 1 은 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 봉지체의 제조 방법의 각 공정을 나타내는 도면이다.
도 2 는 본 발명의 실시형태 2 에 관련된 봉지체의 제조 방법의 각 공정을 나타내는 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows each process of the manufacturing method of the sealing body which concerns on Embodiment 1 of this invention.
It is a figure which shows each process of the manufacturing method of the sealing body which concerns on Embodiment 2 of this invention.

본 발명에 관련된 봉지체의 제조 방법은, 배선층과, 상기 배선층에 실장되어 있는 소자와, 상기 소자를 봉지하고 있는 봉지재를 구비한 봉지체를 제조하는 봉지체의 제조 방법으로서, 광을 투과하는 지지체의 일방의 평면부에, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층을 형성하는 분리층 형성 공정과, 상기 지지체의 주연 부분 전체 둘레에 형성된 분리층을 제거하는 분리층 주연 부분 제거 공정과, 상기 지지체에 있어서의 주연 부분 전체 둘레의 분리층을 제거한 측의 면에, 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정과, 상기 접착층 상에, 상기 봉지체를 형성하는 봉지체 형성 공정을 포함하고 있다.A method for manufacturing an encapsulant according to the present invention is a method for manufacturing an encapsulant comprising a wiring layer, an element mounted on the wiring layer, and an encapsulant for encapsulating the element. A separation layer forming step of forming a separation layer altered by irradiating light on one flat portion of the support; a separation layer peripheral portion removing step of removing the separation layer formed around the entire periphery of the support; It includes an adhesive layer forming step of forming an adhesive layer on the surface on the side from which the separation layer has been removed around the entire periphery, and a sealing body forming step of forming the sealing body on the adhesive layer.

상기의 구성에 의하면, 지지체의 주연 부분 전체 둘레에 형성된 분리층을 제거한 후에, 지지체에 있어서의 주연 부분 전체 둘레의 분리층을 제거한 측의 면에, 접착층을 형성함으로써, 분리층을 접착층에 의해 보호할 수 있다. 이에 의해, 봉지체 형성 공정에 있어서, 약액 등에 의한 분리층의 침식에 의해 지지체가 박리되는 것을 방지할 수 있다.According to the above configuration, after removing the separation layer formed around the entire periphery of the support body, the separation layer is protected by the adhesive layer by forming an adhesive layer on the side of the support from which the separation layer around the entire periphery is removed. can do. Accordingly, in the encapsulation forming step, it is possible to prevent the support from peeling due to erosion of the separation layer by a chemical solution or the like.

〔실시형태 1〕[Embodiment 1]

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태 (실시형태 1) 에 관련된 봉지체의 제조 방법의 각 공정을 설명하는 도면이다. 실시형태 1 에 관련된 봉지체의 제조 방법은, 분리층 형성 공정, 분리층 주연 부분 제거 공정, 접착층 형성 공정, 봉지체 형성 공정, 접착층 제거 공정, 광 조사 공정, 분리 공정 및 제거 공정을 이 순서로 실시한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure explaining each process of the manufacturing method of the sealing body which concerns on one Embodiment (Embodiment 1) of this invention. In the manufacturing method of the encapsulant according to the first embodiment, the separation layer forming step, the separation layer peripheral portion removal step, the adhesive layer forming step, the encapsulation body forming step, the adhesive layer removing step, the light irradiation step, the separation step and the removing step are performed in this order. Conduct.

(분리층 형성 공정)(Separation layer formation process)

도 1 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 분리층 형성 공정에서는, 광을 투과하는 지지체 (1) 의 일방의 평면부 (1a) 에, 예를 들어, 화학 기상 성장 (CVD) 법 등에 의해, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층 (2) 을 형성한다. 또한, 「일방의 평면부」 란, 지지체 (1) 가 갖는 평면부 중 1 개를 가리킨다. 또한, 「평면부」 는, 실질적으로 평면이라고 볼 수 있을 정도의 미세한 요철을 가지고 있어도 된다. 지지체 (1) 및 분리층 (2) 의 상세 그리고 분리층 (2) 의 형성 순서의 상세한 것에 대해서는 후술한다.As shown in Fig. 1(a), in the separation layer forming step, light is applied to one flat portion 1a of the support 1 that transmits light, for example, by a chemical vapor deposition (CVD) method or the like. By irradiating the separated layer (2) is formed. In addition, "one plane part" refers to one of the plane parts which the support body 1 has. In addition, the "flat part" may have the fine unevenness|corrugation of the grade which can be seen as substantially flat. The details of the support body 1 and the separation layer 2 and the details of the formation procedure of the separation layer 2 will be described later.

(분리층 주연 부분 제거 공정)(Removing the peripheral portion of the separation layer)

도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 분리층 주연 부분 제거 공정에서는, 예를 들어, EBR (Edge Bead Removal) 처리에 의해, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 분리층 (2) 을 제거한다. 주연 부분 (1b) 은, 평면부 (1a) 의 주연 부분이다. 이에 의해, 도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 평면부 (1a) 상에는, 분리층 (2) 이 제거된 주연 부분 (1b) 에 둘러싸인 부분에, 분리층 (2) 이 형성되어 있는 상태가 된다. EBR 처리의 상세한 것에 대해서는 후술한다.As shown in Fig. 1(b), in the separation layer peripheral portion removal step, for example, by EBR (Edge Bead Removal) treatment, the separation layer formed around the entire circumference of the peripheral portion 1b of the support 1 ( 2) is removed. The peripheral portion 1b is a peripheral portion of the flat portion 1a. As a result, as shown in FIG. 1B , on the flat portion 1a, the separation layer 2 is formed in a portion surrounded by the peripheral portion 1b from which the separation layer 2 has been removed. do. The details of the EBR process will be described later.

(접착층 형성 공정)(Adhesive layer formation process)

도 1 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 접착층 형성 공정에서는, 지지체 (1) 에 있어서의 주연 부분 (1b) 전체 둘레의 분리층 (2) 을 제거한 측의 면에, 접착층 (3) 을 형성한다. 접착층 (3) 은, 예를 들어, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 접착제를 도포함으로써 형성할 수 있다. 이에 의해, 분리층 (2) 을 둘러싸는 주연 부분 (1b), 및, 분리층 (2) 의 상부에 접착층 (3) 이 형성되기 때문에, 분리층 (2) 이 접착층 (3) 에 의해 덮여 있는 상태가 된다. 이에 의해, 분리층 (2) 을 보호할 수 있다. 접착층 (3) 을 형성하기 위한 접착제의 상세한 것에 대해서는 후술한다.As shown in Fig. 1(c), in the adhesive layer forming step, the adhesive layer 3 is formed on the side of the support body 1 from which the separation layer 2 is removed around the peripheral portion 1b. . The adhesive layer 3 can be formed by apply|coating an adhesive agent by methods, such as spin coating, dipping, a roller blade, spray application|coating, slit application|coating, for example. Thereby, since the adhesive layer 3 is formed on the peripheral part 1b which surrounds the separation layer 2, and the separation layer 2, the separation layer 2 is covered by the adhesive layer 3 become a state Thereby, the separation layer 2 can be protected. The detail of the adhesive agent for forming the contact bonding layer 3 is mentioned later.

(봉지체 형성 공정)(Encapsulation Forming Process)

도 1 의 (d) ∼ (g) 에 나타내는 바와 같이, 봉지체 형성 공정에서는, 접착층 (3) 상에, 봉지체 (7) 를 형성한다. 본 실시형태에서는, 봉지체 형성 공정에서는, 배선층 형성 공정, 실장 공정, 봉지 공정 및 박화 공정을 이 순서로 실시한다.As shown to Fig.1 (d) - (g), in the sealing body formation process, the sealing body 7 is formed on the contact bonding layer 3 . In this embodiment, in a sealing body formation process, a wiring layer formation process, a mounting process, a sealing process, and a thinning process are implemented in this order.

도 1 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 배선층 형성 공정에서는, 접착층 (3) 상에 배선층 (4) 을 형성한다.As shown in FIG. 1(d) , in the wiring layer forming step, the wiring layer 4 is formed on the adhesive layer 3 .

일 실시형태에 있어서, 배선층 (4) 의 형성 순서로는, 먼저, 접착층 (3) 상에, 산화실리콘 (SiOx), 감광성 수지 등의 유전체층을 형성한다. 산화실리콘으로 이루어지는 유전체층은, 예를 들어, 스퍼터법, 진공 증착법 등에 의해 형성할 수 있다. 감광성 수지로 이루어지는 유전체층은, 예를 들어, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 감광성 수지를 도포함으로써 형성할 수 있다.In one embodiment, in the order of formation of the wiring layer 4 , first, a dielectric layer such as a silicon oxide (SiOx) or a photosensitive resin is formed on the adhesive layer 3 . The dielectric layer made of silicon oxide can be formed by, for example, a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or the like. The dielectric layer made of the photosensitive resin can be formed by, for example, applying the photosensitive resin by a method such as spin coating, dipping, roller blade, spray coating, or slit coating.

계속해서, 유전체층에, 금속 등의 도전체에 의해 배선을 형성한다. 배선의 형성 수법으로는, 예를 들어, 포토리소그래피 (레지스트 리소그래피) 등의 리소그래피 처리, 에칭 처리 등의 공지된 반도체 프로세스 수법을 사용할 수 있다.Then, wiring is formed in the dielectric layer with a conductor such as a metal. As a method of forming the wiring, for example, a lithographic process such as photolithography (resist lithography) or a known semiconductor process method such as an etching process can be used.

도 1 의 (e) 에 나타내는 바와 같이, 실장 공정에서는, 배선층 (4) 상에 소자 (5) 를 실장한다. 배선층 (4) 상에 대한 소자 (5) 의 실장은, 예를 들어, 칩 마운터 등을 사용하여 실시할 수 있다.As shown in FIG.1(e), the element 5 is mounted on the wiring layer 4 in a mounting process. Mounting of the element 5 on the wiring layer 4 can be performed using a chip mounter etc., for example.

도 1 의 (f) 에 나타내는 바와 같이, 봉지 공정에서는, 소자 (5) 를 봉지재 (6) 에 의해 봉지한다. 봉지재 (6) 는, 예를 들어, 성형 형을 사용하여 사출 성형해도 되고, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 도포해도 된다.As shown in FIG.1(f), in a sealing process, the element 5 is sealed with the sealing material 6. As shown in FIG. The sealing material 6 may be injection-molded using a molding die, for example, and may be apply|coated by methods, such as spin coating, dipping, a roller blade, spray application|coating, and slit application|coating.

도 1 의 (g) 에 나타내는 바와 같이, 박화 공정에서는, 봉지재 (6) 를 박화한다. 봉지재 (6) 는, 예를 들어, 소자 (5) 와 동등한 두께까지 박화해도 된다.As shown in FIG.1(g), in a thinning process, the sealing material 6 is thinned. The sealing material 6 may be thinned to the thickness equivalent to the element 5, for example.

이상에 의해, 지지체 (1) 상에 있어서, 봉지체 (7) 를 순조롭게 형성할 수 있다. 이 때, 예를 들어, 배선을 형성하기 위한 리소그래피 처리, 에칭 처리 등에 있어서 약액이 이용될 수 있다. 분리층 (2) 에는 약액 내성이 부족한 경우가 많기 때문에, 분리층 (2) 이 약액에 접하면, 분리층 (2) 이 박리될 우려가 있다. 그러나, 본 실시형태에 의하면, 분리층 (2) 이 접착층 (3) 에 의해 보호되어 있기 때문에, 분리층 (2) 에 약액이 접촉하는 것을 피할 수 있다. 또한, 접착층 (3) 에 의해 분리층 (2) 을 보호함으로써, 약액 이외로부터도 분리층 (2) 을 보호할 수 있다. 이에 의해, 봉지체 형성 공정 중에, 분리층 (2) 이 박리되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 접착층 (3) 에 의하면, 예를 들어, 배선층 형성 공정에 있어서, 배선층 (4) 을 구성하기 위한 산화막이나 메탈층 등이, 지지체 (1) 의 단부 부근에 부착한 경우에도, 접착층 (3) 을 제거함으로써 당해 산화막이나 메탈층 등을 지지체 (1) 로부터 용이하게 제거하는 것이 가능하고, 특별한 세정을 필요로 하지 않고 지지체 (1) 의 재이용을 가능하게 할 수 있다.By the above, on the support body 1, the sealing body 7 can be formed smoothly. At this time, for example, a chemical may be used in a lithography process for forming wiring, an etching process, or the like. Since the separation layer 2 often lacks chemical resistance, when the separation layer 2 comes into contact with a chemical solution, the separation layer 2 may peel. However, according to the present embodiment, since the separation layer 2 is protected by the adhesive layer 3 , it is possible to avoid contact of the chemical solution with the separation layer 2 . Moreover, by protecting the separation layer 2 with the adhesive layer 3, the separation layer 2 can be protected also from a chemical|medical solution other than a chemical|medical solution. Thereby, it can prevent that the separation layer 2 peels during a sealing body formation process. Further, according to the adhesive layer 3, for example, in the wiring layer forming step, even when an oxide film or a metal layer for constituting the wiring layer 4 is attached to the vicinity of the end of the support body 1, the adhesive layer 3 ), it is possible to easily remove the oxide film, the metal layer, or the like from the support body 1, and reuse of the support body 1 can be made possible without requiring special washing.

또한, 이상의 공정에 의해 얻어진 도 1 의 (g) 에 나타내는 적층체 (8) 는, 광을 투과하는 지지체 (1) 와, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층 (2) 과, 접착층 (3) 과, 봉지체 (7) 가 이 순서로 적층되어 이루어지고, 봉지체 (7) 는, 배선층 (4) 과, 배선층 (4) 에 실장된 소자 (5) 와, 소자 (5) 를 봉지하는 봉지재 (6) 를 구비하고 있고, 분리층 (2) 은, 지지체 (1) 에 접하고 있는 부분 이외가 접착층 (3) 에 의해 피복되어 있는 것이다. 이와 같은 적층체 (8) 는, 본 발명에 관련된 봉지체의 제조 방법의 과정에 있어서만 제조되는 것으로, 단리된 봉지체 (7) 를 제조하기 위해서 바람직하게 이용할 수 있다.In addition, the laminate 8 shown in Fig. 1 (g) obtained by the above process includes a support 1 that transmits light, a separation layer 2 that is altered by irradiating light with light, and an adhesive layer 3 and , the encapsulant 7 is laminated in this order, and the encapsulant 7 includes a wiring layer 4 , an element 5 mounted on the wiring layer 4 , and a sealing material for sealing the element 5 . (6) is provided, and the separation layer (2) is covered with the adhesive layer (3) except for the portion in contact with the support body (1). Such a laminated body 8 is manufactured only in the process of the manufacturing method of the sealing body which concerns on this invention, In order to manufacture the isolated sealing body 7, it can be used suitably.

(접착층 제거 공정)(Adhesive layer removal process)

도 1 의 (h) 에 나타내는 바와 같이, 접착층 제거 공정에서는, 예를 들어, EBR 처리에 의해, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 접착층 (3) 을 제거한다. EBR 처리의 상세한 것에 대해서는 후술한다. 접착층 (3) 중, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 부분은, 분리층 (2) 을 개재하지 않고, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 접착하고 있기 때문에, 당해 부분을 제거해 둠으로써, 분리층 (2) 을 변질시켰을 때에, 원활하게 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리할 수 있다.As shown in Fig. 1(h) , in the adhesive layer removal step, the adhesive layer 3 formed around the entire periphery of the peripheral portion 1b of the support body 1 is removed, for example, by EBR treatment. The details of the EBR process will be described later. Of the adhesive layer 3, the portion formed around the entire periphery of the peripheral portion 1b of the support 1 adheres the support 1 and the encapsulant 7 without the separation layer 2 interposed therebetween. By removing a part, when the separation layer 2 is altered in quality, the support body 1 and the sealing body 7 can be isolate|separated smoothly.

특히, 지지체 (1) 상에 형성되어 있는 분리층 (2) 의 외주 단부 (2a) 보다 외측에 형성된 접착층 (3) 을 제거해 둠으로써, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 가, 반드시 분리층 (2) 을 개재하여 접착되어 있는 상태로 할 수 있기 때문에, 분리층 (2) 을 변질시켰을 때에, 보다 원활하게 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리할 수 있다.In particular, by removing the adhesive layer 3 formed outside the outer peripheral edge portion 2a of the separation layer 2 formed on the support body 1, the support body 1 and the sealing body 7 are necessarily separated. Since it can be set as the state adhere|attached through (2), when the separation layer 2 is altered in quality, the support body 1 and the sealing body 7 can be isolate|separated more smoothly.

(광 조사 공정)(Light irradiation process)

도 1 의 (i) 에 나타내는 바와 같이, 광 조사 공정에서는, 지지체 (1) 를 개재하여, 분리층 (2) 에 광 (L) 을 조사함으로써, 분리층 (2) 을 변질시킨다. 조사하는 광 (L) 의 종류 및 파장은, 지지체 (1) 의 투과성 및 분리층 (2) 의 재질에 따라 적절히 선택하면 되고, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는, 비레이저 광을 사용할 수 있다. 이에 의해, 분리층 (2) 을 변질시켜, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 용이하게 분리 가능한 상태로 할 수 있다.As shown to Fig.1 (i), in a light irradiation process, the separation layer 2 is altered by irradiating light L to the separation layer 2 through the support body 1 . The type and wavelength of the irradiated light L may be appropriately selected according to the transmittance of the support 1 and the material of the separation layer 2, for example, a YAG laser, a ruby laser, a glass laser, a YVO 4 laser, Solid lasers such as LD lasers and fiber lasers, liquid lasers such as dye lasers, gas lasers such as CO 2 lasers, excimer lasers, Ar lasers, and He-Ne lasers, laser light such as semiconductor lasers and free electron lasers, or Laser light may be used. Thereby, the separation layer 2 can be altered in quality, and the support 1 and the sealing body 7 can be easily separated from each other.

또한, 레이저 광을 조사하는 경우의 레이저 광 조사 조건의 일례로는, 이하의 조건을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다 : 레이저 광의 평균 출력값은, 1.0 W 이상, 5.0 W 이하인 것이 바람직하고, 3.0 W 이상, 4.0 W 이하인 것이 보다 바람직하다 ; 레이저 광의 반복 주파수는, 20 ㎑ 이상, 60 ㎑ 이하인 것이 바람직하고, 30 ㎑ 이상, 50 ㎑ 이하인 것이 보다 바람직하다 ; 레이저 광의 주사 속도는, 100 ㎜/s 이상, 10000 ㎜/s 이하인 것이 바람직하다.In addition, examples of laser light irradiation conditions in the case of laser light irradiation include, but are not limited to, the following conditions: The average output value of laser light is preferably 1.0 W or more and 5.0 W or less, and 3.0 W or more and 4.0 W or less are more preferable; It is preferable that they are 20 kHz or more and 60 kHz or less, and, as for the repetition frequency of a laser beam, it is more preferable that they are 30 kHz or more and 50 kHz or less; It is preferable that the scanning speed of a laser beam is 100 mm/s or more and 10000 mm/s or less.

(분리 공정)(separation process)

도 1 의 (j) 에 나타내는 바와 같이, 분리 공정에서는, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리한다. 예를 들어, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 가 서로 멀어지는 방향으로 힘을 가함으로써, 지지체 (1) 와, 봉지체 (7) 를 분리한다. 예를 들어, 지지체 (1) 및 봉지체 (7) 의 일방을 스테이지에 고정시킨 상태로, 타방을 벨로우즈 패드 등의 흡착 패드를 구비한 분리 플레이트에 의해 흡착 유지하면서 들어 올림으로써, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리할 수 있다.As shown in FIG.1(j), in a separation process, the support body 1 and the sealing body 7 are isolate|separated. For example, by applying a force in a direction in which the support body 1 and the sealing body 7 move away from each other, the support body 1 and the sealing body 7 are isolate|separated. For example, in a state in which one of the support body 1 and the sealing body 7 is fixed to the stage, the other is lifted while being sucked and held by a separation plate provided with a suction pad such as a bellows pad, whereby the support body 1 is and the encapsulant 7 can be separated.

(제거 공정)(removal process)

도 1 의 (k) 에 나타내는 바와 같이, 제거 공정에서는, 지지체 (1) 가 분리된 봉지체 (7) 에 잔류하고 있는 접착층 (3) 과 분리층 (2) 을 제거한다. 예를 들어, 유기 용제를 포함하고 있는 세정액 등에 의해 접착층 (3) 및 분리층 (2) 의 잔류물을 제거하는 세정 공정을 실시한다. 세정액으로는, 예를 들어, 후술하는 접착제의 희석 용제나, 알칼리성을 나타내는 용제 (특히, 아민계 화합물) 등을 사용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.As shown in FIG.1(k), in a removal process, the adhesive layer 3 and the separation layer 2 which remain in the sealing body 7 from which the support body 1 wasolate|separated are removed. For example, a washing step of removing the residues of the adhesive layer 3 and the separation layer 2 with a washing solution containing an organic solvent or the like is performed. As the cleaning liquid, for example, a solvent for diluting an adhesive described later, a solvent showing alkalinity (particularly, an amine compound), etc. can be used, but it is not limited thereto.

이상에 의해, 단리된 봉지체 (7) 를 얻을 수 있다.By the above, the isolated sealing body 7 can be obtained.

또한, 추가로 봉지체 (7) 에 대하여, 솔더 볼 형성, 다이싱 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 또한, 봉지체 (7) 상에, 추가로 다른 소자를 적층해도 된다.Moreover, you may perform processes, such as solder ball formation and a dicing process, with respect to the sealing body 7 further. Moreover, you may laminate|stack another element on the sealing body 7 further.

또한, 접착제 제거 공정 (도 1 의 (h) 참조) 에 있어서, 접착층 (3) 의 외주부 (분리층 (2) 의 외측) 를 바람직하게 제거하기 위해서는, 봉지체 (7) 의 외경이, 지지체 (1) 의 외경보다 작은 것이 바람직하다. 그러기 위해서는, 예를 들어, (i) 봉지체 (7) 의 성형용 형의 외경을 지지체보다 작게 함으로써, 봉지체 (7) 를 지지체 외경보다 작게 성형하거나, 또는, (ii) 봉지체 (7) 의 성형 후에, 지지체 외경보다 작게 하기 위해서, 봉지체 (7) 에 대하여 풀 커트 트림을 실시하는 것이 바람직하다.In addition, in the adhesive removal process (refer FIG. 1(h)), in order to remove preferably the outer peripheral part of the adhesive layer 3 (outside of the separation layer 2), the outer diameter of the sealing body 7 is the support body ( It is preferably smaller than the outer diameter of 1). For this purpose, for example, (i) by making the outer diameter of the mold for molding of the sealing body 7 smaller than the support body, the sealing body 7 is molded smaller than the support body outer diameter, or (ii) the sealing body 7 After the molding, in order to make it smaller than the outer diameter of the support body, it is preferable to perform a full cut trim on the sealing body 7 .

〔EBR 처리〕[EBR processing]

일 실시형태에 있어서, (A) 분리층 주연 부분 제거 공정에 있어서, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 분리층 (2) 을 제거하기 위한 EBR 처리, 및, (B) 접착층 제거 공정에 있어서, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 접착층 (3) 을 제거하기 위한 EBR 처리는, 예를 들어, (i) 용제에 의해 용해시켜 제거하는 방법, (ii) 커터 또는 블레이드 등을 사용하여 물리적으로 절단하여 제거하는 방법, (iii) 대기압하에서의 애싱에 의해 제거하는 방법 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 강도 및 실용성의 관점에서, 용제에 의해 제거하는 방법이 바람직하다.In one embodiment, (A) in the separation layer peripheral portion removing step, EBR treatment for removing the separation layer 2 formed around the entire peripheral portion 1b of the support body 1, and (B) the adhesive layer In the removal step, the EBR treatment for removing the adhesive layer 3 formed on the entire circumference of the peripheral portion 1b of the support 1 is, for example, (i) a method of dissolving and removing with a solvent, (ii) A method of physically cutting and removing using a cutter or a blade etc., (iii) a method of removing by ashing under atmospheric pressure, etc. are mentioned. Among these, the method of removing with a solvent from a viewpoint of intensity|strength and practicality is preferable.

용제에 의해 제거하는 방법에 있어서 사용되는 용제로는 제거 대상이 되는 분리층 (2) 또는 접착층 (3) 을 용해시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 당업자는, 제거 대상의 조성에 따라, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 탄화수소계의 접착제를 사용하여 형성된 접착층 (3) 에 대해서는, 용제로서 p-멘탄, 및 d-리모넨 등의 테르펜계 용제를 사용할 수 있고, 아크릴계 또는 말레이미드계의 접착제를 사용하여 형성된 접착층 (3) 에 대해서는, 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 시클로헥사논, 2-헵타논, 아세트산에틸, 및 메틸에틸케톤 등을 사용할 수 있다.The solvent used in the method of removing with a solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the separation layer 2 or the adhesive layer 3 to be removed, and those skilled in the art will appropriately select it according to the composition of the removal target. can For example, for the adhesive layer 3 formed using a hydrocarbon-based adhesive, terpene-based solvents such as p-mentane and d-limonene can be used as solvents, and formed using an acrylic or maleimide-based adhesive For the adhesive layer 3, propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone, 2-heptanone, ethyl acetate, methyl ethyl ketone, etc. can be used as a solvent.

또한, 분리층 (2) 에 대해서는, 예를 들어, 알칼리성을 나타내는 용제, 특히, 아민계 화합물을 사용할 수 있고, 제 1 급, 제 2 급, 제 3 급의 지방족 아민, 지환식 아민, 방향족 아민, 또는 복소 고리형 아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 사용할 수 있고, 이들 유기 아민류의 화합물 중에서는, 특히 모노에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 및 2-에틸아미노에탄올, 2-메틸아미노에탄올 (MMA) 등의 알칸올아민이 바람직하게 사용된다. 또한, 박리액은 상기 아민계 화합물을 다른 용제와 혼합하여 사용해도 되고, 후술하는 (희석 용제) 의 란에 기재하고 있는 용제를 혼합하여 사용해도 된다.For the separation layer 2, for example, an alkaline solvent, particularly an amine compound, can be used, and primary, secondary and tertiary aliphatic amines, alicyclic amines, and aromatic amines can be used. , or at least one compound selected from the group consisting of heterocyclic amines can be used, and among these organic amine compounds, monoethanolamine, 2-(2-aminoethoxy)ethanol, and 2-ethylamino Alkanolamines, such as ethanol and 2-methylamino ethanol (MMA), are used preferably. The stripper may be used by mixing the above-mentioned amine compound with another solvent, or may be used by mixing the solvent described in the (dilution solvent) section to be described later.

용제를 공급하는 방법으로는, 예를 들어, 용제의 분출에 의해, 제거 대상에 용제를 공급하는 방법, 제거 대상을 용제 중에 침지시키는 방법을 들 수 있다.As a method of supplying a solvent, the method of supplying a solvent to a removal object by ejection of a solvent, and the method of immersing a removal object in a solvent are mentioned, for example.

용제의 분출에 의해, 제거 대상에 용제를 공급하는 방법으로는, 균일하게 용제를 공급하기 위해서, 지지체 (1) 를 회전시키면서, 제거 대상에 용제를 공급하는 방법이 바람직하다. 지지체 (1) 를 회전시키면서, 용제를 공급하는 방법으로는, 예를 들어, 용제를 분출하는 노즐을 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 의 바로 외측의 바로 위에 배치하고, 용제를 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 의 바로 외측에 적하하면서, 지지체 (1) 를, 스피너를 사용하여 회전시키는 방법을 들 수 있다. 이에 의해, 용제를 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 의 전체 둘레의 바로 외측에 공급할 수 있다. 또한, 배치하는 노즐의 수에 제한은 없고, 1 개 이상이면 된다.As a method of supplying a solvent to a removal object by ejection of a solvent, in order to supply a solvent uniformly, the method of supplying a solvent to a removal object, rotating the support body 1, is preferable. As a method of supplying the solvent while rotating the support body 1 , for example, a nozzle for ejecting the solvent is disposed directly above the peripheral portion 1b of the support body 1 , and the solvent is disposed on the support body 1 . ), the method of rotating the support body 1 using a spinner, dripping just outside of the peripheral part 1b is mentioned. Thereby, the solvent can be supplied just outside the periphery of the peripheral part 1b of the support body 1 . In addition, there is no restriction|limiting in the number of the nozzles to arrange|position, What is necessary is just one or more.

지지체 (1) 의 회전 및 용제의 분출을 수반하는 상기 방법에 있어서, 지지체 (1) 의 회전 속도, 용제를 노즐로부터 공급할 때의 용제의 유량, 및 용제의 공급 시간은, 제거 대상의 조성, 제거 대상의 두께, 사용하는 용제의 종류, 및 제거의 정도에 따라 상이할 수 있는 것이지만, 당업자이면, 그 최적 조건을 곤란 없이 검토 및 결정할 수 있다.In the above method involving rotation of the support 1 and the ejection of the solvent, the rotational speed of the support 1, the flow rate of the solvent when the solvent is supplied from the nozzle, and the supply time of the solvent are the composition of the removal target, the removal Although it may be different depending on the thickness of the object, the kind of solvent used, and the degree of removal, those skilled in the art can examine and determine the optimal conditions without difficulty.

또한, 용제에 의한 제거 대상의 용해 후에는, 지지체 (1) 등을 건조시키는 것이 바람직하다. 건조 공정을 거치는 것에 의해, 불필요한 용제, 제거 대상 부분이 아닌 분리층 (2) 또는 접착층 (3) 에 침입한 용제를 제거할 수 있다.Moreover, it is preferable to dry the support body 1 etc. after melt|dissolution of the removal object with a solvent. By passing through a drying process, the solvent which penetrated into the separation layer 2 or the contact bonding layer 3 which is not an unnecessary solvent and the part to be removed can be removed.

건조 방법으로는, 스피너 등을 사용하여 지지체 (1) 를 회전시키는 것에 의한 털기 건조, N2 가스 등의 분무에 의한 에어 블로우로의 건조, 베이크에 의한 건조, 및 감압에 의한 건조 등을 들 수 있다. 또한, 이들 건조 방법으로는, 어느 방법을 단독으로 사용하는 방법, 혹은 임의의 2 개 이상의 방법을 조합하여 사용하는 방법 모두 가능하다.As a drying method, hair drying by rotating the support body 1 using a spinner etc., drying by air blow by spraying N 2 gas, etc., drying by baking, and drying by reduced pressure, etc. are mentioned. there is. In addition, as these drying methods, both the method of using any method individually, or the method of using any two or more methods in combination are possible.

〔봉지체 (7)〕[Encapsulation (7)]

상기 서술한 바와 같이, 봉지체 (7) 는, 배선층 (4) 과, 배선층 (4) 에 실장되어 있는 소자 (5) 와, 소자 (5) 를 봉지하고 있는 봉지재 (6) 를 구비하고 있다. 일 실시형태에 있어서, 봉지체 (7) 는 복수의 소자 (5) 를 구비하고 있고, 이와 같은 봉지체 (7) 를 다이싱함으로써, 복수의 전자 부품을 얻을 수 있다.As mentioned above, the sealing body 7 is equipped with the wiring layer 4, the element 5 mounted in the wiring layer 4, and the sealing material 6 which seals the element 5. . In one embodiment, the sealing body 7 is equipped with the some element 5, and by dicing such a sealing body 7, a some electronic component can be obtained.

소자 (5) 는, 반도체 소자 또는 그 밖의 소자이고, 단층 또는 복수층의 구조를 가질 수 있다. 또한, 소자 (5) 가 반도체 소자인 경우, 봉지체 (7) 를 다이싱함으로써 얻어지는 전자 부품은, 반도체 장치가 된다.The element 5 is a semiconductor element or another element, and may have a single-layered or multi-layered structure. In addition, when the element 5 is a semiconductor element, the electronic component obtained by dicing the sealing body 7 turns into a semiconductor device.

배선층 (4) 은, RDL (Redistribution Layer : 재배선층) 이라고도 불리고, 소자 (5) 에 접속하는 배선을 구성하는 박막의 배선체이고, 단층 또는 복수층의 구조를 가질 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 배선층 (4) 은, 유전체 (예를 들어, 산화실리콘 (SiOx), 감광성 에폭시 등의 감광성 수지 등) 에, 도전체 (예를 들어, 알루미늄, 동, 티탄, 니켈, 금 등의 금속 등) 에 의해 배선이 형성된 것일 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.The wiring layer 4 is also called RDL (Redistribution Layer: redistribution layer), is a thin-film wiring body constituting the wiring connected to the element 5 , and may have a single-layer or multiple-layer structure. In one embodiment, the wiring layer 4 is a dielectric (eg, a photosensitive resin such as silicon oxide (SiOx) and photosensitive epoxy) to a conductor (eg, aluminum, copper, titanium, nickel, gold) metal, etc.) may be one in which wiring is formed, but is not limited thereto.

봉지재 (6) 로는, 예를 들어, 에폭시계의 수지, 실리콘계의 수지 등을 사용할 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 봉지재 (6) 는, 소자 (5) 마다 형성되어 있는 것이 아니라, 배선층 (4) 에 실장된 복수의 소자 (5) 모두를 일체적으로 봉지하고 있는 것이다.As the sealing material 6, epoxy-type resin, silicone-type resin, etc. can be used, for example. In one embodiment, the sealing material 6 is not formed for every element 5, but is sealing all the several element 5 mounted in the wiring layer 4 integrally.

〔지지체 (1)〕[Support (1)]

일 실시형태에 있어서, 지지체 (1) 는, 봉지체 (7) 의 형성시에, 봉지체 (7) 의 각 구성 요소의 파손 또는 변형을 방지하기 위해서 필요한 강도를 가지고 있으면 된다. 또한, 분리층 (2) 을 변질시키기 위한 광을 투과시키는 것이면 된다.In one embodiment, the support body 1 just needs to have the intensity|strength required in order to prevent the breakage or deformation|transformation of each component of the sealing body 7 at the time of formation of the sealing body 7 . Moreover, what is necessary is just to transmit the light for changing the quality of the separation layer 2 .

지지체 (1) 의 재료로는, 예를 들어, 유리, 실리콘, 아크릴계 수지 등을 사용할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 지지체 (1) 의 형상으로는, 예를 들어, 원형의 판상의 것을 사용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.As a material of the support body 1, although glass, silicone, an acrylic resin etc. can be used, for example, it is not limited to these. As a shape of the support body 1, although a circular plate-shaped thing can be used, for example, it is not limited to this.

〔접착층 (3)〕[Adhesive Layer (3)]

일 실시형태에 있어서, 접착층 (3) 은, 봉지체 (7) 를, 지지체 (1) 상에 고정시키기 위해서 사용됨과 함께, 분리층 (2) 을 보호하기 위해서 사용된다.In one embodiment, the adhesive layer 3 is used in order to fix the sealing body 7 on the support body 1, and in order to protect the separation layer 2, it is used.

접착층 (3) 의 두께는, 지지체 (1) 및 봉지체 (7) 의 종류, 봉지체 형성 공정에 있어서 실시하는 처리 등에 따라 적절히 설정하면 되는데, 10 ∼ 150 ㎛ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 15 ∼ 100 ㎛ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the adhesive layer 3 may be appropriately set according to the type of the support 1 and the sealing body 7, the treatment performed in the sealing body forming step, etc., but it is preferably in the range of 10 to 150 µm, and 15 to It is more preferable to exist in the range of 100 micrometers.

접착층 (3) 을 형성하는 접착제로서, 예를 들어, 아크릴계, 노볼락계, 나프토퀴논계, 탄화수소계, 폴리이미드계, 엘라스토머, 폴리설폰계 등의 당해 분야에 있어서 공지된 다양한 접착제가 사용 가능하다.As the adhesive for forming the adhesive layer 3, for example, various adhesives known in the art such as acrylic, novolac, naphthoquinone, hydrocarbon, polyimide, elastomer, polysulfone, etc. can be used. .

접착제가 함유하는 수지, 요컨대, 접착층 (3) 이 함유하는 수지로는, 접착성을 구비한 것이면 되고, 예를 들어, 탄화수소 수지, 아크릴-스티렌계 수지, 말레이미드계 수지, 엘라스토머 수지, 폴리설폰계 수지 등, 또는 이들을 조합한 것 등을 보다 바람직하게 사용할 수 있다. 이하, 접착층 (3) 이 함유하는 수지의 조성에 대하여 설명한다.The resin contained in the adhesive, that is, the resin contained in the adhesive layer 3 may be any having adhesive properties, for example, hydrocarbon resins, acrylic-styrene resins, maleimide resins, elastomer resins, and polysulfone resins. A phone-based resin or the like or a combination thereof can be used more preferably. Hereinafter, the composition of the resin which the contact bonding layer 3 contains is demonstrated.

(탄화수소 수지)(hydrocarbon resin)

탄화수소 수지는, 탄화수소 골격을 갖고, 단량체 조성물을 중합하여 이루어지는 수지이다. 탄화수소 수지로서, 시클로올레핀계 폴리머 (이하, 「수지 (A)」 라고 하는 경우가 있다), 그리고, 테르펜 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지 (이하, 「수지 (B)」 라고 하는 경우가 있다) 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.A hydrocarbon resin is a resin which has a hydrocarbon backbone and is formed by superposing|polymerizing a monomer composition. As the hydrocarbon resin, a cycloolefin-based polymer (hereinafter, sometimes referred to as “resin (A)”), and at least one resin selected from the group consisting of terpene resins, rosin-based resins, and petroleum resins (hereinafter, “ Resin (B)") etc. are mentioned, but it is not limited to this.

수지 (A) 는, 시클로올레핀계 모노머를 포함하는 단량체 성분을 중합하여 이루어지는 수지여도 된다. 구체적으로는, 시클로올레핀계 모노머를 포함하는 단량체 성분의 개환 (공) 중합체, 시클로올레핀계 모노머를 포함하는 단량체 성분을 부가 (공) 중합시킨 수지 등을 들 수 있다.Resin (A) may be resin formed by superposing|polymerizing the monomer component containing a cycloolefin type monomer. Specific examples thereof include a ring-opened (co)polymer of a monomer component containing a cycloolefin-based monomer, and a resin obtained by addition (co)polymerization of a monomer component containing a cycloolefin-based monomer.

수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분에 포함되는 상기 시클로올레핀계 모노머로는, 예를 들어, 노르보르넨, 노르보르나디엔 등의 2 고리체, 디시클로펜타디엔, 하이드록시디시클로펜타디엔 등의 3 고리체, 테트라시클로도데센 등의 4 고리체, 시클로펜타디엔 3 량체 등의 5 고리체, 테트라시클로펜타디엔 등의 7 고리체, 또는 이들 다고리체의 알킬 (메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등) 치환체, 알케닐 (비닐 등) 치환체, 알킬리덴 (에틸리덴 등) 치환체, 아릴 (페닐, 톨릴, 나프틸 등) 치환체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히, 노르보르넨, 테트라시클로도데센, 또는 이들의 알킬 치환체로 이루어지는 군에서 선택되는 노르보르넨계 모노머가 바람직하다.As said cycloolefin type monomer contained in the monomer component which comprises resin (A), For example, bicyclic bodies, such as norbornene and norbornadiene, dicyclopentadiene, hydroxydicyclopentadiene, etc. of a tricyclic compound, a tetracyclic compound such as tetracyclododecene, a pentacyclic compound such as cyclopentadiene trimer, etc.) a substituent, an alkenyl (vinyl, etc.) substituent, an alkylidene (ethylidene, etc.) substituent, an aryl (phenyl, tolyl, naphthyl, etc.) substituent, etc. are mentioned. Among these, a norbornene-based monomer selected from the group consisting of norbornene, tetracyclododecene, or an alkyl substituent thereof is particularly preferable.

수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분은, 상기 서술한 시클로올레핀계 모노머와 공중합 가능한 다른 모노머를 함유하고 있어도 되고, 예를 들어, 알켄 모노머를 함유하는 것이 바람직하다. 알켄 모노머로는, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-헥센, α-올레핀 등을 들 수 있다. 알켄 모노머는, 직사슬형이어도 되고, 분기 사슬형이어도 된다.The monomer component which comprises resin (A) may contain the other monomer copolymerizable with the cycloolefin type monomer mentioned above, and it is preferable to contain an alkene monomer, for example. As an alkene monomer, ethylene, propylene, 1-butene, isobutene, 1-hexene, alpha-olefin etc. are mentioned, for example. The alkene monomer may be linear or branched.

또한, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분으로서, 시클로올레핀 모노머를 함유하는 것이, 고내열성 (낮은 열 분해, 열 중량 감소성) 의 관점에서 바람직하다. 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은, 5 몰% 이상인 것이 바람직하고, 10 몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 20 몰% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은, 특별히 한정되지 않지만, 용해성 및 용액에서의 시간 경과적 안정성의 관점에서는 80 몰% 이하인 것이 바람직하고, 70 몰% 이하인 것이 보다 바람직하다.Moreover, it is preferable from a viewpoint of high heat resistance (low thermal decomposition, thermal weight reduction property) to contain a cycloolefin monomer as a monomer component which comprises resin (A). It is preferable that it is 5 mol% or more, and, as for the ratio of the cycloolefin monomer with respect to the whole monomer component which comprises resin (A), it is more preferable that it is 10 mol% or more, It is still more preferable that it is 20 mol% or more. In addition, the ratio of the cycloolefin monomer to the entire monomer component constituting the resin (A) is not particularly limited, but is preferably 80 mol% or less, and 70 mol% or less from the viewpoint of solubility and stability with time in solution. more preferably.

또한, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분으로서, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알켄 모노머를 함유해도 된다. 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 알켄 모노머의 비율은, 용해성 및 유연성의 관점에서는 10 ∼ 90 몰% 인 것이 바람직하고, 20 ∼ 85 몰% 인 것이 보다 바람직하고, 30 ∼ 80 몰% 인 것이 더욱 바람직하다.Moreover, you may contain a linear or branched alkene monomer as a monomer component which comprises resin (A). The ratio of the alkene monomer to the entire monomer component constituting the resin (A) is preferably from 10 to 90 mol%, more preferably from 20 to 85 mol%, and from 30 to 80 mol% from the viewpoint of solubility and flexibility. It is more preferable that

또한, 수지 (A) 는, 예를 들어, 시클로올레핀계 모노머와 알켄 모노머로 이루어지는 단량체 성분을 중합시켜 이루어지는 수지와 같이, 극성기를 가지고 있지 않은 수지인 것이, 고온하에서의 가스의 발생을 억제하는 데에 있어서 바람직하다.In addition, the resin (A) is, for example, a resin that does not have a polar group, such as a resin formed by polymerizing a monomer component consisting of a cycloolefin-based monomer and an alkene monomer, in order to suppress the generation of gas under high temperature. it is preferable to have

단량체 성분을 중합할 때의 중합 방법이나 중합 조건 등에 대해서는, 특별히 제한은 없고, 통상적인 방법에 따라 적절히 설정하면 된다.There is no restriction|limiting in particular about the polymerization method, polymerization conditions, etc. at the time of superposing|polymerizing a monomer component, What is necessary is just to set suitably according to a conventional method.

예를 들어, 하기 화학식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (2) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 시클로올레핀 코폴리머를 접착 성분인 수지 (A) 로서 사용할 수 있다.For example, a cycloolefin copolymer which is a copolymer of a repeating unit represented by the following formula (1) and a repeating unit represented by the following formula (2) can be used as the resin (A) as an adhesive component.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112017030910061-pat00001
Figure 112017030910061-pat00001

(화학식 (2) 중, n 은 0 또는 1 ∼ 3 의 정수이다.)(In formula (2), n is 0 or an integer of 1-3.)

이와 같은 시클로올레핀 코폴리머로는, APL 8008T, APL 8009T, 및 APL 6013T (모두 미츠이 화학 주식회사 제조) 등을 사용할 수 있다.As such a cycloolefin copolymer, APL 8008T, APL 8009T, APL 6013T (all manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd.), etc. can be used.

또한, 수지 (A) 로서 사용할 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 폴리플라스틱스 주식회사 제조의 「TOPAS」, 미츠이 화학 주식회사 제조의 「APEL」, 닛폰 제온 주식회사 제조의 「ZEONOR」 및 「ZEONEX」, JSR 주식회사 제조의 「ARTON」 등을 들 수 있다.In addition, as a commercial item which can be used as resin (A), For example, "TOPAS" manufactured by Polyplastics Co., Ltd., "APEL" manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd., "ZEONOR" and "ZEONEX" manufactured by Nippon Zeon Corporation, JSR "ARTON" manufactured by a corporation, etc. are mentioned.

수지 (A) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 60 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 70 ℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 수지 (A) 의 유리 전이 온도가 60 ℃ 이상이면, 고온 환경에 노출되었을 때에 접착층 (3) 의 연화를 더욱 억제할 수 있다.It is preferable that it is 60 degreeC or more, and, as for the glass transition temperature (Tg) of resin (A), it is especially preferable that it is 70 degreeC or more. When the glass transition temperature of resin (A) is 60 degreeC or more and it exposes to a high-temperature environment, softening of the contact bonding layer 3 can be suppressed further.

수지 (B) 는, 테르펜계 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지이다. 구체적으로는, 테르펜계 수지로는, 예를 들어, 테르펜 수지, 테르펜 페놀 수지, 변성 테르펜 수지, 수소 첨가 테르펜 수지, 수소 첨가 테르펜 페놀 수지 등을 들 수 있다. 로진계 수지로는, 예를 들어, 로진, 로진 에스테르, 수소 첨가 로진, 수소 첨가 로진 에스테르, 중합 로진, 중합 로진 에스테르, 변성 로진 등을 들 수 있다. 석유 수지로는, 예를 들어, 지방족 또는 방향족 석유 수지, 수소 첨가 석유 수지, 변성 석유 수지, 지환족 석유 수지, 쿠마론·인덴 석유 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수소 첨가 테르펜 수지, 수소 첨가 석유 수지가 보다 바람직하다.Resin (B) is at least 1 sort(s) of resin chosen from the group which consists of a terpene type resin, a rosin type resin, and a petroleum resin. Specific examples of the terpene-based resin include a terpene resin, a terpene phenol resin, a modified terpene resin, a hydrogenated terpene resin, and a hydrogenated terpene phenol resin. Examples of the rosin-based resin include rosin, rosin ester, hydrogenated rosin, hydrogenated rosin ester, polymerized rosin, polymerized rosin ester, and modified rosin. As a petroleum resin, an aliphatic or aromatic petroleum resin, hydrogenated petroleum resin, modified petroleum resin, an alicyclic petroleum resin, a coumarone indene petroleum resin, etc. are mentioned, for example. Among these, hydrogenated terpene resin and hydrogenated petroleum resin are more preferable.

수지 (B) 의 연화점은 특별히 한정되지 않지만, 80 ∼ 160 ℃ 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 연화점이 80 ∼ 160 ℃ 이면, 고온 환경에 노출되었을 때에 연화하는 것을 억제할 수 있고, 접착 불량을 일으키지 않는다.Although the softening point in particular of resin (B) is not limited, It is preferable that it is 80-160 degreeC. When the softening point of resin (B) is 80-160 degreeC, when exposed to a high-temperature environment, it can suppress that it softens, and adhesive failure does not arise.

수지 (B) 의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 300 ∼ 3,000 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 중량 평균 분자량이 300 이상이면, 내열성이 충분한 것이 되어, 고온 환경하에 있어서 탈가스량이 적어진다. 한편, 수지 (B) 의 중량 평균 분자량이 3,000 이하이면, 탄화수소계 용제에 대한 접착층 (3) 의 용해 속도가 양호한 것이 된다. 이 때문에, 지지체 (1) 를 분리한 후의 봉지체 (7) 상의 접착층 (3) 의 잔류물을 신속히 용해시켜, 제거할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 수지 (B) 의 중량 평균 분자량은, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피 (GPC) 로 측정되는 폴리스티렌 환산의 분자량을 의미하는 것이다.Although the weight average molecular weight of resin (B) is not specifically limited, It is preferable that it is 300-3,000. When the weight average molecular weight of resin (B) is 300 or more, heat resistance becomes a sufficient thing, and degassing amount decreases in a high temperature environment. On the other hand, when the weight average molecular weight of resin (B) is 3,000 or less, the dissolution rate of the contact bonding layer 3 with respect to a hydrocarbon type solvent becomes favorable. For this reason, the residue of the adhesive layer 3 on the sealing body 7 after isolate|separating the support body 1 can be melt|dissolved quickly and can be removed. In addition, the weight average molecular weight of resin (B) in this embodiment means the molecular weight of polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography (GPC).

또한, 수지로서, 수지 (A) 와 수지 (B) 를 혼합한 것을 사용해도 된다. 혼합함으로써, 내열성이 양호한 것이 된다. 예를 들어, 수지 (A) 와 수지 (B) 의 혼합 비율로는, (A) : (B) = 80 : 20 ∼ 55 : 45 (질량비) 인 것이, 고온 환경시의 열 내성, 및 유연성이 우수하기 때문에 바람직하다.Moreover, you may use what mixed resin (A) and resin (B) as resin. By mixing, heat resistance becomes favorable. For example, as a mixing ratio of the resin (A) and the resin (B), (A): (B) = 80: 20 to 55: 45 (mass ratio), heat resistance in a high-temperature environment, and flexibility It is preferable because it is excellent.

(아크릴-스티렌계 수지)(Acrylic-Styrenic Resin)

아크릴-스티렌계 수지로는, 예를 들어, 스티렌 또는 스티렌의 유도체와, (메트)아크릴산에스테르 등을 단량체로서 사용하여 중합한 수지를 들 수 있다.Examples of the acrylic-styrene-based resin include styrene or a styrene derivative and a resin obtained by polymerization using (meth)acrylic acid ester or the like as a monomer.

(메트)아크릴산에스테르로는, 예를 들어, 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르, 지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르로는, 탄소수 15 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 아크릴계 장사슬 알킬에스테르, 탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 아크릴계 장사슬 알킬에스테르로는, 알킬기가 n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-에이코실기 등인 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다. 또한, 당해 알킬기는, 분기 사슬형이어도 된다.As (meth)acrylic acid ester, (meth)acrylic acid alkylester which consists of a chain structure, (meth)acrylic acid ester which has an aliphatic ring, and (meth)acrylic acid ester which has an aromatic ring is mentioned, for example. Examples of the (meth)acrylic acid alkyl ester having a chain structure include an acrylic long-chain alkyl ester having an alkyl group having 15 to 20 carbon atoms, an acrylic alkyl ester having an alkyl group having 1 to 14 carbon atoms, and the like. As the acrylic long-chain alkyl ester, acrylic acid or methacrylic acid in which the alkyl group is n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-eicosyl group, etc. of alkyl esters. In addition, the said alkyl group may be branched chain form.

탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르로는, 기존의 아크릴계 접착제에 이용되고 있는 공지된 아크릴계 알킬에스테르를 들 수 있다. 예를 들어, 알킬기가, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 이소옥틸기, 이소노닐기, 이소데실기, 도데실기, 라우릴기, 트리데실기 등으로 이루어지는 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다.As acryl-type alkylester which has a C1-C14 alkyl group, the well-known acryl-type alkylester used for the existing acryl-type adhesive agent is mentioned. For example, an alkyl group, acrylic acid or meta consisting of a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a 2-ethylhexyl group, an isooctyl group, an isononyl group, an isodecyl group, a dodecyl group, a lauryl group, a tridecyl group, etc. and alkyl esters of acrylic acid.

지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 시클로펜틸(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 노르보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 테트라시클로도데카닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있지만, 이소보르닐메타아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.As (meth)acrylic acid ester having an aliphatic ring, cyclohexyl (meth)acrylate, cyclopentyl (meth)acrylate, 1-adamantyl (meth)acrylate, norbornyl (meth)acrylate, isobor Although nyl (meth)acrylate, tricyclodecanyl (meth)acrylate, tetracyclododecanyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, etc. are mentioned, Isobornyl methacrylate, dicy Clofentanyl (meth)acrylate is more preferable.

방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 방향족 고리로는, 예를 들어 페닐기, 벤질기, 톨릴기, 자일릴기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페녹시메틸기, 페녹시에틸기 등을 들 수 있다. 또한, 방향족 고리는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 가지고 있어도 된다. 구체적으로는, 페녹시에틸아크릴레이트가 바람직하다.Although it does not specifically limit as (meth)acrylic acid ester which has an aromatic ring, As an aromatic ring, For example, a phenyl group, a benzyl group, a tolyl group, a xylyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, anthracenyl group, a phenoxymethyl group , a phenoxyethyl group, and the like. Moreover, the aromatic ring may have a C1-C5 linear or branched alkyl group. Specifically, phenoxyethyl acrylate is preferable.

(말레이미드계 수지)(Maleimide-based resin)

말레이미드계 수지로는, 예를 들어, 단량체로서, N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-n-프로필말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-n-부틸말레이미드, N-이소부틸말레이미드, N-sec-부틸말레이미드, N-tert-부틸말레이미드, N-n-펜틸말레이미드, N-n-헥실말레이미드, N-n-헵틸말레이미드, N-n-옥틸말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-스테아릴말레이미드 등의 알킬기를 갖는 말레이미드, N-시클로프로필말레이미드, N-시클로부틸말레이미드, N-시클로펜틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-시클로헵틸말레이미드, N-시클로옥틸말레이미드 등의 지방족 탄화수소기를 갖는 말레이미드, N-페닐말레이미드, N-m-메틸페닐말레이미드, N-o-메틸페닐말레이미드, N-p-메틸페닐말레이미드 등의 아릴기를 갖는 방향족 말레이미드 등을 중합하여 얻어진 수지를 들 수 있다.Examples of the maleimide-based resin include N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, N-n-propylmaleimide, N-isopropylmaleimide, N-n-butylmaleimide, and N-isobutylmaleimide as monomers. Mead, N-sec-butylmaleimide, N-tert-butylmaleimide, N-n-pentylmaleimide, N-n-hexylmaleimide, N-n-heptylmaleimide, N-n-octylmaleimide, N-laurylmaleimide, N -maleimide having an alkyl group such as stearylmaleimide, N-cyclopropylmaleimide, N-cyclobutylmaleimide, N-cyclopentylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-cycloheptylmaleimide, N- A resin obtained by polymerizing an aromatic maleimide having an aryl group, such as maleimide having an aliphatic hydrocarbon group such as cyclooctylmaleimide, N-phenylmaleimide, N-m-methylphenylmaleimide, N-o-methylphenylmaleimide, and N-p-methylphenylmaleimide can be heard

(엘라스토머)(elastomer)

엘라스토머는, 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 포함하고 있는 것이 바람직하고, 당해 「스티렌 단위」 는 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시알킬기, 아세톡시기, 카르복실기 등을 들 수 있다. 또한, 당해 스티렌 단위의 함유량이 14 중량% 이상, 50 중량% 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또한, 엘라스토머는, 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.It is preferable that the elastomer contains a styrene unit as a structural unit of a principal chain, and the said "styrene unit" may have a substituent. As a substituent, a C1-C5 alkyl group, a C1-C5 alkoxy group, a C1-C5 alkoxyalkyl group, an acetoxy group, a carboxyl group, etc. are mentioned, for example. Moreover, it is more preferable that content of the said styrene unit exists in the range of 14 weight% or more and 50 weight% or less. Moreover, it is preferable that a weight average molecular weight exists in the range of 10,000 or more and 200,000 or less of an elastomer.

스티렌 단위의 함유량이 14 중량% 이상, 50 중량% 이하의 범위 내이고, 엘라스토머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내이면, 후술하는 탄화수소계의 용제에 용이하게 용해되기 때문에, 보다 용이하고 또한 신속하게 접착층 (3) 을 제거할 수 있다. 또한, 스티렌 단위의 함유량 및 중량 평균 분자량이 상기의 범위 내임으로써, 레지스트 리소그래피에 사용되는 레지스트 용제 (예를 들어 PGMEA, PGME 등), 산 (불화수소산 등), 알칼리 (TMAH 등) 에 대하여 우수한 내성을 발휘한다.When the content of the styrene unit is in the range of 14 wt% or more and 50 wt% or less, and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 or more and 200,000 or less, it is easily dissolved in the hydrocarbon solvent described later, so that it is easier In addition, the adhesive layer 3 can be removed quickly. In addition, when the content of the styrene unit and the weight average molecular weight are within the above ranges, excellent resistance to resist solvents (eg, PGMEA, PGME, etc.), acids (hydrofluoric acid, etc.), alkalis (TMAH, etc.) used in resist lithography. to perform

또한, 엘라스토머에는, 상기 서술한 (메트)아크릴산에스테르를 추가로 혼합해도 된다.In addition, you may further mix the above-mentioned (meth)acrylic acid ester with an elastomer.

스티렌 단위의 함유량은, 보다 바람직하게는 17 중량% 이상이고, 또한, 보다 바람직하게는 40 중량% 이하이다.Content of a styrene unit becomes like this. More preferably, it is 17 weight% or more, More preferably, it is 40 weight% or less.

중량 평균 분자량의 보다 바람직한 범위는 20,000 이상이고, 또한, 보다 바람직한 범위는 150,000 이하이다.The more preferable range of the weight average molecular weight is 20,000 or more, and the more preferable range is 150,000 or less.

엘라스토머로는, 스티렌 단위의 함유량이 14 중량% 이상, 50 중량% 이하의 범위 내이고, 엘라스토머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내이면, 다양한 엘라스토머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리스티렌-폴리(에틸렌/프로필렌) 블록 코폴리머 (SEP), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머 (SIS), 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 코폴리머 (SBS), 스티렌-부타디엔-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SBBS), 및, 이들의 수소 첨가물, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEBS), 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머) (SEPS), 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEEPS), 스티렌 블록이 반응 가교형인 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (SeptonV9461 (주식회사 쿠라레 제조), SeptonV9475 (주식회사 쿠라레 제조)), 스티렌 블록이 반응 가교형인 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (반응성의 폴리스티렌계 하드 블록을 갖는, SeptonV9827 (주식회사 쿠라레 제조)), 폴리스티렌-폴리 (에틸렌-에틸렌/프로필렌) 블록-폴리스티렌 블록 코폴리머 (SEEPS-OH : 말단 수산기 변성) 등을 들 수 있고, 엘라스토머의 스티렌 단위의 함유량 및 중량 평균 분자량이 상기 서술한 범위 내인 것을 사용할 수 있다.As the elastomer, various elastomers can be used as long as the content of the styrene unit is in the range of 14 wt% or more and 50 wt% or less, and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 or more and 200,000 or less. For example, polystyrene-poly(ethylene/propylene) block copolymer (SEP), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-butadiene-butylene- Styrene block copolymer (SBBS), and their hydrogenated products, styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (styrene-isoprene-styrene block copolymer) (SEPS), a styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (SEEPS), a styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer in which the styrene block is a reactive crosslinking type (SeptonV9461 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.), SeptonV9475 (Co.) (manufactured by Kuraray)), a styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer in which the styrene block is a reactive crosslinking type (Septon V9827 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.) having a reactive polystyrene-based hard block), polystyrene-poly (ethylene-ethylene/ propylene) block-polystyrene block copolymer (SEEPS-OH: terminal hydroxyl group modification), etc. are mentioned, Content and weight average molecular weight of the styrene unit of an elastomer in the above-mentioned range can be used.

또한, 엘라스토머 중에서도 수소 첨가물이 보다 바람직하다. 수소 첨가물이면 열에 대한 안정성이 향상되어, 분해나 중합 등의 변질이 잘 발생하지 않는다. 또한, 탄화수소계 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.Moreover, a hydrogenated substance is more preferable also in an elastomer. If it is a hydrogenated substance, the stability with respect to heat|fever improves, and deterioration, such as decomposition and polymerization, does not generate|occur|produce easily. Moreover, it is more preferable also from a viewpoint of the solubility with respect to the hydrocarbon type solvent, and the tolerance with respect to a resist solvent.

또한, 엘라스토머 중에서도 양단이 스티렌의 블록 중합체인 것이 보다 바람직하다. 열 안정성이 높은 스티렌을 양말단에 블록함으로써 보다 높은 내열성을 나타내기 때문이다.Moreover, it is more preferable that both ends are block polymers of styrene among an elastomer. This is because higher heat resistance is exhibited by blocking styrene having high thermal stability at both ends.

보다 구체적으로는, 엘라스토머는, 스티렌 및 공액 디엔의 블록 코폴리머의 수소 첨가물인 것이 보다 바람직하다. 열에 대한 안정성이 향상되어, 분해나 중합 등의 변질이 잘 발생하지 않는다. 또한, 열 안정성이 높은 스티렌을 양말단에 블록함으로써보다 높은 내열성을 나타낸다. 또한, 탄화수소계 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.More specifically, the elastomer is more preferably a hydrogenated product of a block copolymer of styrene and a conjugated diene. The stability to heat is improved, and deterioration such as decomposition or polymerization is less likely to occur. In addition, higher heat resistance is exhibited by blocking styrene with high thermal stability at both ends. Moreover, it is more preferable also from a viewpoint of the solubility with respect to the hydrocarbon type solvent, and the tolerance with respect to a resist solvent.

접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 포함되는 엘라스토머로서 이용될 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 주식회사 쿠라레 제조 「셉톤 (상품명)」, 주식회사 쿠라레 제조 「하이브라 (상품명)」, 아사히 화성 주식회사 제조 「터프텍 (상품명)」, JSR 주식회사 제조 「다이나론 (상품명)」 등을 들 수 있다.Commercially available products that can be used as an elastomer contained in the adhesive constituting the adhesive layer 3 include, for example, “Septon (trade name)” manufactured by Kuraray Co., Ltd., “Hybra (trade name)” manufactured by Kuraray Co., Ltd., Asahi Chemical Co., Ltd. "Toughtech (trade name)" manufactured by K.K., "Dynaron (brand name)" manufactured by JSR Corporation, etc. are mentioned.

접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 포함되는 엘라스토머의 함유량으로는, 예를 들어, 접착제 조성물 전체량을 100 중량부로 하여, 50 중량부 이상, 99 중량부 이하의 범위 내가 바람직하고, 60 중량부 이상, 99 중량부 이하의 범위 내가 보다 바람직하고, 70 중량부 이상, 95 중량부 이하의 범위 내가 가장 바람직하다. 이들 범위 내로 함으로써, 내열성을 유지하면서, 봉지체 (7) 를 지지체 (1) 에 바람직하게 고정시킬 수 있다.As the content of the elastomer contained in the adhesive constituting the adhesive layer 3, for example, the total amount of the adhesive composition is 100 parts by weight, preferably in the range of 50 parts by weight or more and 99 parts by weight or less, and 60 parts by weight or more , more preferably in the range of 99 parts by weight or less, and most preferably in the range of 70 parts by weight or more and 95 parts by weight or less. By setting it in these ranges, the sealing body 7 can be suitably fixed to the support body 1, maintaining heat resistance.

또한, 엘라스토머는, 복수의 종류를 혼합해도 된다. 요컨대, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제는 복수의 종류의 엘라스토머를 포함하고 있어도 된다. 그리고, 복수의 종류의 엘라스토머 중 적어도 1 개가, 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 포함하고 있으면 된다. 또한, 복수 종류의 엘라스토머 중 적어도 1 개가, 스티렌 단위의 함유량이 14 중량% 이상, 50 중량% 이하의 범위 내이거나, 또는, 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내이면, 본 발명의 범주이다. 또한, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 있어서, 복수 종류의 엘라스토머를 포함하는 경우, 혼합한 결과, 스티렌 단위의 함유량이 상기의 범위 내가 되도록 조정해도 된다. 예를 들어, 스티렌 단위의 함유량이 30 중량% 인 주식회사 쿠라레 제조의 셉톤 (상품명) 의 Septon4033 과, 스티렌 단위의 함유량이 13 중량% 인 셉톤 (상품명) 의 Septon2063 을 중량비 1 대 1 로 혼합하면, 접착제에 포함되는 엘라스토머 전체에 대한 스티렌 함유량은 21 ∼ 22 중량% 가 되고, 따라서 14 중량% 이상이 된다. 또한, 예를 들어, 스티렌 단위가 10 중량% 인 것과 60 중량% 인 것을 중량비 1 대 1 로 혼합하면 35 중량% 가 되어, 상기의 범위 내가 된다. 본 발명은 이와 같은 형태여도 된다. 또한, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 포함되는 복수 종류의 엘라스토머는, 모두 상기의 범위 내에서 스티렌 단위를 포함하고, 또한, 상기의 범위 내의 중량 평균 분자량인 것이 가장 바람직하다.In addition, an elastomer may mix several types. In other words, the adhesive constituting the adhesive layer 3 may contain a plurality of types of elastomers. In addition, at least one of a plurality of types of elastomers may contain a styrene unit as a structural unit of the main chain. In addition, if at least one of the plurality of types of elastomers has a styrene unit content in a range of 14 wt% or more and 50 wt% or less, or a weight average molecular weight within a range of 10,000 or more and 200,000 or less, the scope of the present invention am. In addition, in the adhesive agent which comprises the contact bonding layer 3 WHEREIN: When several types of elastomers are included, as a result of mixing, you may adjust so that content of a styrene unit may become in the said range. For example, when Septon4033 manufactured by Kuraray Co., Ltd. (trade name) having a styrene unit content of 30% by weight and Septon2063 manufactured by Septon (trade name) having a styrene unit content of 13% by weight are mixed in a weight ratio of 1:1, The styrene content with respect to the whole elastomer contained in an adhesive agent becomes 21 to 22 weight%, and therefore becomes 14 weight% or more. In addition, for example, when a styrene unit of 10 weight% and a thing of 60 weight% are mixed in a weight ratio of 1:1, it will be 35 weight%, and it will be in the said range. The present invention may have such a form. In addition, it is most preferable that the plurality of types of elastomers contained in the adhesive constituting the adhesive layer 3 all contain a styrene unit within the above range and have a weight average molecular weight within the above range.

또한, 광 경화성 수지 (예를 들어, UV 경화성 수지) 이외의 수지를 사용하여 접착층 (3) 을 형성하는 것이 바람직하다. 광 경화성 수지 이외의 수지를 사용함으로써, 접착층 (3) 의 박리 또는 제거 후에, 봉지체 (7) 의 미소한 요철의 주변에 잔류물이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 특히, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제로는, 모든 용제에 용해되는 것이 아니라, 특정한 용제에 용해되는 것이 바람직하다. 이것은, 봉지체 (7) 에 물리적인 힘을 가하지 않고, 접착층 (3) 을 용제에 용해시키는 것에 의해 제거 가능하기 때문이다. 접착층 (3) 의 제거에 있어서, 강도가 낮은 봉지체 (7) 로부터도, 봉지체 (7) 를 파손시키거나, 변형시키지 않고, 용이하게 접착층 (3) 을 제거할 수 있다.Moreover, it is preferable to form the adhesive layer 3 using resin other than a photocurable resin (for example, UV curable resin). By using resin other than photocurable resin, it can prevent that a residue generate|occur|produces in the periphery of the minute unevenness|corrugation of the sealing body 7 after peeling or removal of the adhesive layer 3 . In particular, the adhesive constituting the adhesive layer 3 is preferably not dissolved in all solvents, but preferably dissolved in a specific solvent. This is because it is removable by dissolving the contact bonding layer 3 in a solvent, without applying a physical force to the sealing body 7 . Removal of the adhesive layer 3 WHEREIN: Even from the sealing body 7 with low intensity|strength, the adhesive layer 3 can be easily removed without damaging or deforming the sealing body 7 .

(폴리설폰계 수지)(Polysulfone-based resin)

접착층 (3) 을 형성하기 위한 접착제는, 폴리설폰계 수지를 포함하고 있어도 된다. 접착층 (3) 을 폴리설폰계 수지에 의해 형성함으로써, 봉지체 형성 공정에 있어서 고온의 처리를 실시해도, 그 후의 공정에 있어서 접착층 (3) 을 용해시키고, 봉지체 (7) 로부터 지지체 (1) 를 박리할 수 있다. 접착층 (3) 이 폴리설폰 수지를 포함하고 있으면, 봉지체 형성 공정에 있어서, 예를 들어, 300 ℃ 이상이라는 고온에서 처리하는 고온 프로세스를 사용할 수 있다.The adhesive for forming the adhesive layer 3 may contain the polysulfone-type resin. By forming the adhesive layer 3 with a polysulfone-based resin, even if a high-temperature treatment is performed in the sealing body forming step, the adhesive layer 3 is dissolved in the subsequent step, and the sealing body 7 is removed from the support body (1) can be peeled off. When the adhesive layer 3 contains the polysulfone resin, in the sealing body forming step, for example, a high-temperature process treated at a high temperature of 300°C or higher can be used.

폴리설폰계 수지는, 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 구성 단위, 및, 하기 일반식 (4) 로 나타내는 구성 단위 중 적어도 1 종의 구성 단위로 이루어지는 구조를 가지고 있다.Polysulfone-type resin has a structure which consists of at least 1 type of structural unit among the structural unit represented by the following general formula (3), and the structural unit represented by the following general formula (4).

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112017030910061-pat00002
Figure 112017030910061-pat00002

(여기서, 일반식 (3) 의 R1, R2 및 R3, 그리고 일반식 (4) 중의 R1 및 R2 는, 각각 독립적으로 페닐렌기, 나프틸렌기 및 안트릴렌기로 이루어지는 군에서 선택되고, X' 는, 탄소수가 1 이상, 3 이하의 알킬렌기이다.)(Here, R 1 , R 2 and R 3 in the general formula (3), and R 1 and R 2 in the general formula (4) are each independently selected from the group consisting of a phenylene group, a naphthylene group, and an anthrylene group and X' is an alkylene group having 1 or more and 3 or less carbon atoms.)

폴리설폰계 수지는, 식 (3) 으로 나타내는 폴리설폰 구성 단위 및 식 (4) 로 나타내는 폴리에테르설폰 구성 단위 중 적어도 1 개를 구비하고 있는 것에 의해, 지지체 (1) 및 분리층 (2) 상에 접착층 (3) 을 형성한 후, 봉지체 형성 공정에 있어서, 높은 온도 조건의 처리를 실시해도, 분해 및 중합 등에 의해 접착층 (3) 이 불용화하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 폴리설폰계 수지는, 상기 식 (3) 으로 나타내는 폴리설폰 구성 단위로 이루어지는 폴리설폰 수지이면, 보다 높은 온도로 가열해도 안정적이다. 이 때문에, 세정 후의 봉지체 (7) 에 접착층 (3) 에서 기인하는 잔류물이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The polysulfone-based resin includes at least one of the polysulfone structural unit represented by the formula (3) and the polyethersulfone structural unit represented by the formula (4) on the support body 1 and the separation layer 2 After forming the adhesive layer 3 in a sealing body formation process, even if it processes under high temperature conditions, it can prevent that the adhesive layer 3 is insolubilized by decomposition|disassembly, superposition|polymerization, etc. In addition, as long as the polysulfone-based resin is a polysulfone resin composed of the polysulfone structural unit represented by the formula (3), it is stable even when heated to a higher temperature. For this reason, it can prevent that the residue resulting from the adhesive layer 3 generate|occur|produces in the sealing body 7 after washing|cleaning.

폴리설폰계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 30,000 이상, 70,000 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 30,000 이상, 50,000 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 폴리설폰계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 이, 30,000 이상의 범위 내이면, 예를 들어, 300 ℃ 이상의 높은 온도에 있어서 사용할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있다. 또한, 폴리설폰계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 이, 70,000 이하의 범위 내이면, 용제에 의해 바람직하게 용해될 수 있다. 요컨대, 용제에 의해 바람직하게 제거할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있다.It is preferable to exist in the range of 30,000 or more and 70,000 or less, and, as for the weight average molecular weight (Mw) of polysulfone-type resin, it is more preferable to exist in the range of 30,000 or more and 50,000 or less. If the weight average molecular weight (Mw) of the polysulfone-based resin is in the range of 30,000 or more, for example, an adhesive composition that can be used at a high temperature of 300°C or more can be obtained. Moreover, if the weight average molecular weight (Mw) of polysulfone-type resin is in the range of 70,000 or less, it can melt|dissolve suitably with a solvent. That is, the adhesive composition which can be preferably removed with a solvent can be obtained.

(희석 용제)(dilution solvent)

접착층 (3) 을 형성할 때에 사용하는 희석 용제로는, 예를 들어, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 이소노난, 메틸옥탄, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸 등의 직사슬형의 탄화수소, 탄소수 4 내지 15 의 분기 사슬형의 탄화수소, 예를 들어, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 나프탈렌, 데카하이드로나프탈렌, 테트라하이드로나프탈렌 등의 고리형 탄화수소, p-멘탄, o-멘탄, m-멘탄, 디페닐멘탄, 1,4-테르핀, 1,8-테르핀, 보르난, 노르보르난, 피난, 투얀, 카란, 롱기폴렌, 게라니올, 네롤, 리날로올, 시트랄, 시트로네롤, 멘톨, 이소멘톨, 네오멘톨, α-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 테르피넨-1-올, 테르피넨-4-올, 디하이드로터피닐아세테이트, 1,4-시네올, 1,8-시네올, 보르네올, 카르본, 요논, 투욘, 캠퍼, d-리모넨, l-리모넨, 디펜텐 등의 테르펜계 용제 ; γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 (CH), 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 (이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다) ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 메톡시부틸아세테이트, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르 등의 방향족계 유기 용제 등을 들 수 있다.Examples of the diluting solvent used when forming the adhesive layer 3 include linear hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, nonane, isononane, methyloctane, decane, undecane, dodecane, and tridecane. , branched hydrocarbons having 4 to 15 carbon atoms, for example, cyclic hydrocarbons such as cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, naphthalene, decahydronaphthalene, tetrahydronaphthalene, p-mentane, o-mentane, m- Menthane, diphenylmentane, 1,4-terpine, 1,8-terpine, bornan, norbornane, finan, tuyan, karan, longipollen, geraniol, nerol, linalool, citral, sheet Lonerol, menthol, isomenthol, neomenthol, α-terpineol, β-terpineol, γ-terpineol, terpinen-1-ol, terpinen-4-ol, dihydroterpinyl acetate, 1 terpene solvents such as 4-cineol, 1,8-cineol, borneol, carbonone, yonone, tuyon, camphor, d-limonene, 1-limonene and dipentene; lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone (CH), methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, and dipropylene glycol; A compound having an ester bond, such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether, monoethyl ether of the polyhydric alcohol or compound having an ester bond, Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having ether bonds such as monoalkyl ethers such as monopropyl ether and monobutyl ether, or monophenyl ether (among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME) is preferable); Cyclic ethers such as dioxane, esters such as methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methoxybutyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, and ethyl ethoxypropionate Ryu ; Aromatic organic solvents, such as anisole, ethyl benzyl ether, crezyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, and butylphenyl ether, etc. are mentioned.

(그 밖의 성분)(Other ingredients)

접착층 (3) 을 구성하는 접착제는, 본질적인 특성을 저해하지 않는 범위에 있어서, 혼화성이 있는 다른 물질을 추가로 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 접착제의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 가소제, 접착 보조제, 안정제, 착색제, 열 중합 금지제 및 계면 활성제 등, 관용되고 있는 각종 첨가제를 추가로 사용할 수 있다.The adhesive constituting the adhesive layer 3 may further contain other miscible substances as long as the essential properties are not impaired. For example, various commonly used additives such as additional resins, plasticizers, adhesion aids, stabilizers, colorants, thermal polymerization inhibitors and surfactants for improving the performance of the adhesive may be additionally used.

〔분리층 (2)〕[Separation layer (2)]

상기 서술한 바와 같이, 분리층 (2) 은, 광을 조사함으로써 변질되도록 되어 있다. 일 실시형태에 있어서, 지지체 (1) 를 개재하여 분리층 (2) 에 광을 조사하여 분리층 (2) 을 변질시키는 것에 의해, 지지체 (1) 를 봉지체 (7) 로부터 분리시킬 수 있다.As mentioned above, the separation layer 2 is changed in quality by irradiating light. In one embodiment, the support body 1 can be isolate|separated from the sealing body 7 by irradiating light to the separation layer 2 through the support body 1 and changing the quality of the separation layer 2 .

분리층 (2) 의 두께는, 예를 들어, 0.05 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ㎛ 이상, 1 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 더욱 바람직하다. 분리층 (2) 의 두께가 0.05 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 범위에 들어가 있으면, 단시간의 광의 조사 및 저에너지의 광의 조사에 의해, 분리층 (2) 에 원하는 변질을 발생시킬 수 있다. 또한, 분리층 (2) 의 두께는, 생산성의 관점에서 1 ㎛ 이하의 범위에 들어가 있는 것이 특히 바람직하다.The thickness of the separation layer 2 is, for example, more preferably in the range of 0.05 µm or more and 50 µm or less, and still more preferably in the range of 0.3 µm or more and 1 µm or less. When the thickness of the separation layer 2 falls within the range of 0.05 µm or more and 50 µm or less, desired alteration can be generated in the separation layer 2 by short-time light irradiation and low-energy light irradiation. Moreover, it is especially preferable that the thickness of the separation layer 2 falls within the range of 1 micrometer or less from a viewpoint of productivity.

또한, 분리층 (2) 과 지지체 (1) 사이에 다른 층이 추가로 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 다른 층은 광을 투과하는 재료로 구성되어 있으면 된다. 이에 의해, 분리층 (2) 에 대한 광의 입사를 방해하지 않고, 바람직한 성질 등을 갖는 층을, 적절히 추가할 수 있다. 분리층 (2) 을 구성하고 있는 재료의 종류에 따라, 이용할 수 있는 광의 파장이 상이하다. 따라서, 다른 층을 구성하는 재료는, 모든 광을 투과시킬 필요는 없고, 분리층 (2) 을 구성하는 재료를 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과시킬 수 있는 재료로부터 적절히 선택할 수 있다.In addition, another layer may be further formed between the separation layer 2 and the support body 1 . In this case, the other layer may be made of a material that transmits light. Thereby, the layer which has a preferable property etc. can be added suitably, without preventing the incidence of light to the separation layer 2 . The wavelength of the light that can be used differs according to the kind of material constituting the separation layer 2 . Therefore, the material constituting the other layer does not need to transmit all the light, and can be appropriately selected from materials capable of transmitting light having a wavelength that can alter the material constituting the separation layer 2 .

또한, 분리층 (2) 은, 광을 흡수하는 구조를 갖는 재료만으로부터 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 본 발명에 있어서의 본질적인 특성을 저해하지 않는 범위에 있어서, 광을 흡수하는 구조를 가지고 있지 않은 재료를 첨가하여, 분리층 (2) 을 형성해도 된다. 또한, 분리층 (2) 에 있어서의 접착층 (3) 에 대향하는 측의 면이 평탄한 (요철이 형성되어 있지 않은) 것이 바람직하고, 이에 의해, 분리층 (2) 의 형성을 용이하게 실시할 수 있고, 또한 첩부에 있어서도 균일하게 첩부하는 것이 가능해진다.In addition, although it is preferable that the separation layer 2 is formed only from the material which has a structure which absorbs light, in the range which does not impair the essential characteristic in this invention, WHEREIN: It does not have a structure which absorbs light. A material may be added to form the separation layer 2 . In addition, it is preferable that the surface of the separation layer 2 on the side opposite to the adhesive layer 3 is flat (no irregularities are formed), whereby the separation layer 2 can be easily formed. Moreover, also in pasting, it becomes possible to stick uniformly.

(플루오로 카본)(fluorocarbon)

분리층 (2) 은, 플루오로 카본으로 이루어져 있어도 된다. 분리층 (2) 은, 플루오로 카본에 의해 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가하는 (예를 들어, 지지체 (1) 를 들어 올리는 등) 것에 의해, 분리층 (2) 이 파괴되어, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리하기 쉽게 할 수 있다. 분리층 (2) 을 구성하는 플루오로 카본은, 플라즈마 CVD (화학 기상 퇴적) 법에 의해 바람직하게 성막할 수 있다.The separation layer 2 may consist of fluorocarbon. When the separation layer 2 is constituted of fluorocarbon, it changes in quality by absorbing light, and as a result, the strength or adhesiveness before being irradiated with light is lost. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support body 1, etc.), the separation layer 2 is destroyed, and the support body 1 and the sealing body 7 can be easily separated. . The fluorocarbon constituting the separation layer 2 can be preferably formed by plasma CVD (chemical vapor deposition) method.

플루오로 카본은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층 (2) 에 사용한 플루오로 카본이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층 (2) 에 조사함으로써, 플루오로 카본을 바람직하게 변질시킬 수 있다. 또한, 분리층 (2) 에 있어서의 광의 흡수율은 80 % 이상인 것이 바람직하다.Fluorocarbon absorbs light having an intrinsic range of wavelengths depending on its type. By irradiating the separation layer 2 with light having a wavelength in the range that the fluorocarbon used for the separation layer 2 absorbs, the fluorocarbon can be suitably altered. Moreover, it is preferable that the light absorptivity in the separation layer 2 is 80 % or more.

분리층 (2) 에 조사하는 광으로는, 플루오로 카본이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는, 비레이저 광을 적절히 이용하면 된다. 플루오로 카본을 변질시킬 수 있는 파장으로는, 이것에 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 600 ㎚ 이하의 범위의 것을 사용할 수 있다.The light irradiated to the separation layer 2 is, for example, a solid laser such as a YAG laser, a ruby laser, a glass laser, a YVO 4 laser, an LD laser, or a fiber laser, a dye, depending on a wavelength that fluorocarbon can absorb. Liquid lasers such as lasers, CO 2 lasers, excimer lasers, gas lasers such as Ar lasers and He-Ne lasers, laser light such as semiconductor lasers and free electron lasers, or non-laser light may be appropriately used. Although it is not limited to this as a wavelength which can change a fluorocarbon, For example, the thing of the range of 600 nm or less can be used.

(광 흡수성을 가지고 있는 구조를 그 반복 단위에 포함하고 있는 중합체)(A polymer containing a structure having light absorption in its repeating unit)

분리층 (2) 은, 광 흡수성을 가지고 있는 구조를 그 반복 단위에 포함하고 있는 중합체를 함유하고 있어도 된다. 그 중합체는, 광의 조사를 받아 변질된다. 그 중합체의 변질은, 상기 구조가 조사된 광을 흡수함으로써 발생한다. 분리층 (2) 은, 중합체의 변질의 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃었다. 따라서, 약간의 외력을 가하는 (예를 들어, 서포트 플레이트 (2) 를 들어 올리는 등) 것에 의해, 분리층 (2) 이 파괴되어, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리하기 쉽게 할 수 있다.The separation layer 2 may contain the polymer which contains the structure which has light absorption in the repeating unit. The polymer changes in quality when irradiated with light. The deterioration of the polymer occurs when the structure absorbs the irradiated light. The separation layer 2 lost the intensity|strength or adhesiveness before receiving irradiation of light as a result of the quality change of a polymer. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support plate 2, etc.), the separation layer 2 is destroyed, so that the support 1 and the encapsulant 7 can be easily separated. there is.

광 흡수성을 가지고 있는 상기 구조는, 광을 흡수하여, 반복 단위로서 그 구조를 포함하고 있는 중합체를 변질시키는 화학 구조이다. 그 구조는, 예를 들어, 치환 혹은 비치환의 벤젠 고리, 축합 고리 또는 복소 고리로 이루어지는 공액 π 전자계를 포함하고 있는 원자단이다. 보다 상세하게는, 그 구조는, 카르도 구조, 또는 상기 중합체의 측사슬에 존재하는 벤조페논 구조, 디페닐술폭시드 구조, 디페닐술폰 구조 (비스페닐술폰 구조), 디페닐 구조 혹은 디페닐아민 구조일 수 있다.The structure having light absorption is a chemical structure that absorbs light and alters the polymer including the structure as a repeating unit. The structure is, for example, an atomic group containing a conjugated π-electron system composed of a substituted or unsubstituted benzene ring, a condensed ring, or a heterocyclic ring. More specifically, the structure is a cardo structure, or a benzophenone structure, a diphenylsulfoxide structure, a diphenylsulfone structure (bisphenylsulfone structure), a diphenyl structure, or a diphenylamine present in the side chain of the polymer. can be a structure.

상기 구조가 상기 중합체의 측사슬에 존재하는 경우, 그 구조는 이하의 식에 의해 나타낼 수 있다.When the said structure exists in the side chain of the said polymer, the structure can be represented by the following formula.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112017030910061-pat00003
Figure 112017030910061-pat00003

(식 중, R 은 각각 독립적으로, 알킬기, 아릴기, 할로겐, 수산기, 케톤기, 술폭시드기, 술폰기 또는 N(R4)(R5) 이고 (여기서, R4 및 R5 는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다), Z 는, 존재하지 않거나, 또는 -CO-, -SO2-, -SO- 혹은 -NH- 이고, n 은 0 또는 1 ∼ 5 의 정수이다.)(Wherein, R is each independently an alkyl group, an aryl group, a halogen, a hydroxyl group, a ketone group, a sulfoxide group, a sulfone group, or N(R 4 )(R 5 ), wherein R 4 and R 5 are each independently , a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms), Z is absent or -CO-, -SO 2 -, -SO- or -NH-, and n is 0 or an integer of 1 to 5 .)

또한, 상기 중합체는, 예를 들어, 이하의 식 중, (a) ∼ (d) 의 어느 것에 의해서 나타내는 반복 단위를 포함하고 있거나, (e) 에 의해 나타내거나, 또는 (f) 의 구조를 그 주사슬에 포함하고 있다.In addition, the said polymer contains, for example, the repeating unit represented by any of (a)-(d) in the following formula, It is represented by (e), or the structure of (f) is its included in the main chain.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112017030910061-pat00004
Figure 112017030910061-pat00004

(식 중, l 은 1 이상의 정수이고, m 은 0 또는 1 ∼ 2 의 정수이고, X 는, (a) ∼ (e) 에 있어서 상기의 "화학식 3" 에 나타낸 식의 어느 것이고, (f) 에 있어서 상기의 "화학식 3" 에 나타낸 식의 어느 것이거나, 또는 존재하지 않고, Y1 및 Y2 는 각각 독립적으로, -CO- 또는 SO2- 이다. l 은 바람직하게는 10 이하의 정수이다.)(Wherein, l is an integer of 1 or more, m is 0 or an integer of 1 to 2, X is any of the formulas shown in the above "Formula 3" in (a) to (e), (f) In any of the formulas shown in "Formula 3" above, or not present, Y 1 and Y 2 are each independently -CO- or SO 2 -. l is preferably an integer of 10 or less .)

상기의 "화학식 3" 에 나타나는 벤젠 고리, 축합 고리 및 복소 고리의 예로는, 페닐, 치환 페닐, 벤질, 치환 벤질, 나프탈렌, 치환 나프탈렌, 안트라센, 치환 안트라센, 안트라퀴논, 치환 안트라퀴논, 아크리딘, 치환 아크리딘, 아조벤젠, 치환 아조벤젠, 플루오림, 치환 플루오림, 플루오리몬, 치환 플루오리몬, 카르바졸, 치환 카르바졸, N-알킬카르바졸, 디벤조푸란, 치환 디벤조푸란, 페난트렌, 치환 페난트렌, 피렌 및 치환 피렌을 들 수 있다. 예시한 치환기가 추가로 치환기를 가지고 있는 경우, 그 치환기는, 예를 들어, 알킬, 아릴, 할로겐 원자, 알콕시, 니트로, 알데하이드, 시아노, 아미드, 디알킬아미노, 술폰아미드, 이미드, 카르복실산, 카르복실산에스테르, 술폰산, 술폰산에스테르, 알킬아미노 및 아릴아미노에서 선택된다.Examples of the benzene ring, condensed ring and heterocyclic ring represented by the above "Formula 3" include phenyl, substituted phenyl, benzyl, substituted benzyl, naphthalene, substituted naphthalene, anthracene, substituted anthracene, anthraquinone, substituted anthraquinone, acridine , substituted acridine, azobenzene, substituted azobenzene, fluorine, substituted fluorine, fluorimone, substituted fluorimone, carbazole, substituted carbazole, N-alkylcarbazole, dibenzofuran, substituted dibenzofuran, phenane threne, substituted phenanthrene, pyrene, and substituted pyrene. When the exemplified substituent further has a substituent, the substituent is, for example, alkyl, aryl, halogen atom, alkoxy, nitro, aldehyde, cyano, amide, dialkylamino, sulfonamide, imide, carboxyl. acid, carboxylic acid ester, sulfonic acid, sulfonic acid ester, alkylamino and arylamino.

상기의 "화학식 3" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 가지고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -SO2- 인 경우의 예로는, 비스(2,4-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,4-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,5-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,6-디하이드록시페닐)술폰, 비스(4-하이드록시페닐)술폰, 비스(3-하이드록시페닐)술폰, 비스(2-하이드록시페닐)술폰, 및 비스(3,5-디메틸-4-하이드록시페닐)술폰 등을 들 수 있다.As a fifth substituent having two phenyl groups among the substituents shown in "Formula 3" above, when Z is -SO 2 -, examples of the case include bis(2,4-dihydroxyphenyl)sulfone, bis( 3,4-dihydroxyphenyl)sulfone, bis(3,5-dihydroxyphenyl)sulfone, bis(3,6-dihydroxyphenyl)sulfone, bis(4-hydroxyphenyl)sulfone, bis(3 -hydroxyphenyl)sulfone, bis(2-hydroxyphenyl)sulfone, bis(3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)sulfone, etc. are mentioned.

상기의 "화학식 3" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 가지고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -SO- 인 경우의 예로는, 비스(2,3-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(5-클로로-2,3-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,4-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,4-디하이드록시-6-메틸페닐)술폭시드, 비스(5-클로로-2,4-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,5-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(3,4-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(3,5-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,3,4-트리하이드록시 페닐)술폭시드, 비스(2,3,4-트리하이드록시-6-메틸페닐)-술폭시드, 비스(5-클로로-2,3,4-트리하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,4,6-트리하이드록시페닐)술폭시드, 비스(5-클로로-2,4,6-트리하이드록시페닐)술폭시드 등을 들 수 있다.As a fifth substituent having two phenyl groups among the substituents shown in the above "Formula 3", when Z is -SO-, examples of the case include bis(2,3-dihydroxyphenyl)sulfoxide, bis( 5-Chloro-2,3-dihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(2,4-dihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(2,4-dihydroxy-6-methylphenyl)sulfoxide, bis(5 -Chloro-2,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,5-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (3,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (3,5-di Hydroxyphenyl)sulfoxide, bis(2,3,4-trihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(2,3,4-trihydroxy-6-methylphenyl)-sulfoxide, bis(5-chloro-2 ,3,4-trihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(2,4,6-trihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(5-chloro-2,4,6-trihydroxyphenyl)sulfoxide, etc. can be heard

상기의 "화학식 3" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 가지고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -C(=O)- 인 경우의 예로는, 2,4-디하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,2',5,6'-테트라하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-옥토시벤조페논, 2-하이드록시-4-도데실옥시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,6-디하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4,4'-디메톡시벤조페논, 4-아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디에틸아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-4'-메톡시-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-2',4'-디하이드록시벤조페논, 및 4-디메틸아미노-3',4'-디하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다.As a fifth substituent having two phenyl groups among the substituents shown in the above "Formula 3", when Z is -C(=O)-, 2,4-dihydroxybenzophenone, 2, 3,4-trihydroxybenzophenone, 2,2',4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2',5,6'-tetrahydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methyl Toxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octocybenzophenone, 2-hydroxy-4-dodecyloxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,6-di Hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 4-amino-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-2'-hydr Roxybenzophenone, 4-diethylamino-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-4'-methoxy-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-2',4'-dihydr and hydroxybenzophenone and 4-dimethylamino-3',4'-dihydroxybenzophenone.

상기 구조가 상기 중합체의 측사슬에 존재하고 있는 경우, 상기 구조를 포함하고 있는 반복 단위의, 상기 중합체에서 차지하는 비율은, 분리층 (2) 의 광의 투과율이 0.001 % 이상, 10 % 이하가 되는 범위 내에 있다. 그 비율이 이와 같은 범위에 들어가도록 중합체가 조제되어 있으면, 분리층 (2) 이 충분히 광을 흡수하여, 확실하고 또한 신속하게 변질될 수 있다. 즉, 봉지체 (7) 로부터의 지지체 (1) 의 제거가 용이하고, 그 제거에 필요한 광의 조사 시간을 단축시킬 수 있다.When the said structure exists in the side chain of the said polymer, the ratio which occupies for the said polymer of the repeating unit containing the said structure is the range in which the light transmittance of the separation layer 2 is 0.001 % or more and 10 % or less. is within When the polymer is prepared so that the ratio falls within such a range, the separation layer 2 sufficiently absorbs light, so that it can be changed reliably and quickly. That is, the removal of the support body 1 from the sealing body 7 is easy, and the irradiation time of the light required for the removal can be shortened.

상기 구조는, 그 종류의 선택에 의해, 원하는 범위의 파장을 가지고 있는 광을 흡수할 수 있다. 예를 들어, 상기 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 100 ㎚ 이상, 2,000 ㎚ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 이 범위 내 중, 상기 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 보다 단파장측이고, 예를 들어, 100 ㎚ 이상, 500 ㎚ 이하의 범위 내이다. 예를 들어, 상기 구조는, 바람직하게는 대략 300 ㎚ 이상, 370 ㎚ 이하의 범위 내의 파장을 가지고 있는 자외광을 흡수함으로써, 그 구조를 포함하고 있는 중합체를 변질시킬 수 있다.The structure can absorb light having a wavelength in a desired range by selecting the type thereof. For example, as for the wavelength of the light which the said structure can absorb, it is more preferable that it exists in the range of 100 nm or more and 2,000 nm or less. In this range, the wavelength of the light which the said structure can absorb is a shorter wavelength side, for example, exists in the range of 100 nm or more and 500 nm or less. For example, the structure preferably absorbs ultraviolet light having a wavelength within the range of about 300 nm or more and 370 nm or less, so that the polymer including the structure can be altered.

상기 구조가 흡수 가능한 광은, 예를 들어, 고압 수은 램프 (파장 : 254 ㎚ 이상, 436 ㎚ 이하), KrF 엑시머 레이저 (파장 : 248 ㎚), ArF 엑시머 레이저 (파장 : 193 ㎚), F2 엑시머 레이저 (파장 : 157 ㎚), XeCl 레이저 (파장 : 308 ㎚), XeF 레이저 (파장 : 351 ㎚) 혹은 고체 UV 레이저 (파장 : 355 ㎚) 로부터 발생되는 광, 또는 g 선 (파장 : 436 ㎚), h 선 (파장 : 405 ㎚) 혹은 i 선 (파장 : 365 ㎚) 등이다.The light that can be absorbed by the above structure is, for example, a high-pressure mercury lamp (wavelength: 254 nm or more, 436 nm or less), KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), F2 excimer laser (wavelength: 157 nm), XeCl laser (wavelength: 308 nm), XeF laser (wavelength: 351 nm) or solid UV laser (wavelength: 355 nm), or g-rays (wavelength: 436 nm), h line (wavelength: 405 nm) or i-line (wavelength: 365 nm) or the like.

상기 서술한 분리층 (2) 은, 반복 단위로서 상기 구조를 포함하고 있는 중합체를 함유하고 있지만, 분리층 (2) 은 추가로, 상기 중합체 이외의 성분을 포함할 수 있다. 그 성분으로는, 필러, 가소제, 및 서포트 플레이트 (2) 의 박리성을 향상시킬 수 있는 성분 등을 들 수 있다. 이들 성분은, 상기 구조에 의한 광의 흡수, 및 중합체의 변질을 방해하지 않거나, 또는 촉진시키는, 종래 공지된 물질 또는 재료로부터 적절히 선택된다.Although the separation layer 2 mentioned above contains the polymer which contains the said structure as a repeating unit, the separation layer 2 can contain components other than the said polymer further. As the component, a filler, a plasticizer, and the component etc. which can improve the peelability of the support plate 2 are mentioned. These components are appropriately selected from conventionally known substances or materials that do not interfere with or promote the absorption of light by the structure and the deterioration of the polymer.

(무기물)(inorganic)

분리층 (2) 은, 무기물로 이루어져 있어도 된다. 분리층 (2) 은, 무기물에 의해 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가하는 (예를 들어, 지지체 (1) 를 들어 올리는 등) 것에 의해, 분리층 (2) 이 파괴되어, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리하기 쉽게 할 수 있다.The separation layer 2 may consist of an inorganic substance. The separation layer 2 is comprised by an inorganic substance, and it changes in quality by absorbing light, As a result, the intensity|strength before receiving irradiation of light or adhesiveness is lost. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support body 1, etc.), the separation layer 2 is destroyed, and the support body 1 and the sealing body 7 can be easily separated. .

상기 무기물은, 광을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어, 금속, 금속 화합물 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 바람직하게 사용할 수 있다. 금속 화합물이란, 금속 원자를 포함하는 화합물을 가리키고, 예를 들어, 금속 산화물, 금속 질화물일 수 있다. 이와 같은 무기물의 예시로는, 이것에 한정되는 것은 아니지만, 금, 은, 동, 철, 니켈, 알루미늄, 티탄, 크롬, SiO2, SiN, Si3N4, TiN, 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 들 수 있다. 또한, 카본이란 탄소의 동소체도 포함될 수 있는 개념이고, 예를 들어, 다이아몬드, 플러렌, 다이아몬드 라이크 카본, 카본 나노 튜브 등일 수 있다.The inorganic substance may have any configuration that is altered by absorbing light, and for example, one or more kinds of inorganic substances selected from the group consisting of metals, metal compounds, and carbon can be preferably used. The metal compound refers to a compound containing a metal atom, and may be, for example, a metal oxide or a metal nitride. Examples of such inorganic materials include, but are not limited to, gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, titanium, chromium, SiO 2 , SiN, Si 3 N 4 , TiN, and carbon selected from the group consisting of One or more types of inorganic substances used can be mentioned. In addition, carbon is a concept that may include an allotrope of carbon, and may be, for example, diamond, fullerene, diamond-like carbon, carbon nanotube, or the like.

상기 무기물은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층 (2) 에 사용한 무기물이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층 (2) 에 조사함으로써, 상기 무기물을 바람직하게 변질시킬 수 있다.The inorganic material absorbs light having an intrinsic wavelength range according to its type. By irradiating the separation layer 2 with light having a wavelength in the range that the inorganic substance used for the separation layer 2 absorbs, the inorganic substance can be suitably altered.

무기물로 이루어지는 분리층 (2) 에 조사하는 광으로는, 상기 무기물이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는, 비레이저 광을 적절히 이용하면 된다.The light irradiated to the separation layer 2 made of an inorganic material is, for example, a solid laser such as a YAG laser, a ruby laser, a glass laser, a YVO 4 laser, an LD laser, or a fiber laser, depending on the wavelength at which the inorganic material can be absorbed. , a liquid laser such as a dye laser, a CO 2 laser, an excimer laser, an Ar laser, a gas laser such as a He-Ne laser, laser light such as a semiconductor laser, a free electron laser, or a non-laser light may be appropriately used.

무기물로 이루어지는 분리층 (2) 은, 예를 들어 스퍼터, 화학 증착 (CVD), 도금, 플라즈마 CVD, 스핀 코트 등의 공지된 기술에 의해, 서포트 플레이트 (2) 상에 형성될 수 있다. 무기물로 이루어지는 분리층 (2) 의 두께는 특별히 한정되지 않고, 사용하는 광을 충분히 흡수할 수 있는 막 두께이면 되는데, 예를 들어, 0.05 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이하의 범위 내의 막 두께로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 분리층 (2) 을 구성하는 무기물로 이루어지는 무기막 (예를 들어, 금속막) 의 양면 또는 편면에 미리 접착제를 도포하고, 지지체 (1) 에 첩부해도 된다.The separation layer 2 made of an inorganic material can be formed on the support plate 2 by a known technique such as, for example, sputtering, chemical vapor deposition (CVD), plating, plasma CVD, or spin coating. The thickness of the separation layer 2 made of an inorganic material is not particularly limited, and may be a film thickness capable of sufficiently absorbing the light to be used. desirable. Moreover, you may apply an adhesive agent to the both surfaces or single side|surface of the inorganic film (for example, a metal film) which consists of an inorganic substance which comprises the separation layer 2 in advance, and stick to the support body 1 .

또한, 분리층 (2) 으로서 금속막을 사용하는 경우에는, 분리층 (2) 의 막질, 레이저 광원의 종류, 레이저 출력 등의 조건에 따라서는, 레이저의 반사나 막에 대한 대전 등이 일어날 수 있다. 그 때문에, 반사 방지막이나 대전 방지막을 분리층 (2) 의 상하 또는 어느 일방에 형성함으로써, 그것들의 대책을 도모하는 것이 바람직하다.In addition, when a metal film is used as the separation layer 2, depending on conditions such as the film quality of the separation layer 2, the type of laser light source, laser output, etc., laser reflection or charging to the film may occur. . Therefore, it is preferable to provide countermeasures against them by forming an antireflection film or an antistatic film on the upper and lower sides of the separation layer 2 or either one.

(적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물)(Compound having an infrared absorptive structure)

분리층 (2) 은, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물에 의해 형성되어 있어도 된다. 그 화합물은, 적외선을 흡수함으로써 변질된다. 분리층 (2) 은, 화합물의 변질의 결과로서, 적외선의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃었다. 따라서, 약간의 외력을 가하는 (예를 들어, 지지체 (1) 를 들어 올리는 등) 것에 의해, 분리층 (2) 이 파괴되어, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리하기 쉽게 할 수 있다.The separation layer 2 may be formed of a compound having an infrared absorptive structure. The compound changes in quality by absorbing infrared rays. The separation layer 2 lost the strength or adhesiveness before being irradiated with infrared rays as a result of deterioration of the compound. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support body 1, etc.), the separation layer 2 is destroyed, and the support body 1 and the sealing body 7 can be easily separated. .

적외선 흡수성을 가지고 있는 구조, 또는 적외선 흡수성을 가지고 있는 구조를 포함하는 화합물로는, 예를 들어, 알칸, 알켄 (비닐, 트랜스, 시스, 비닐리덴, 3 치환, 4 치환, 공액, 큐뮬렌, 고리형), 알킨 (1 치환, 2 치환), 단고리형 방향족 (벤젠, 1 치환, 2 치환, 3 치환), 알코올 및 페놀류 (자유 OH, 분자 내 수소 결합, 분자간 수소 결합, 포화 제 2 급, 포화 제 3 급, 불포화 제 2 급, 불포화 제 3 급), 아세탈, 케탈, 지방족 에테르, 방향족 에테르, 비닐에테르, 옥실란 고리 에테르, 과산화물 에테르, 케톤, 디알킬카르보닐, 방향족 카르보닐, 1,3-디케톤의 에놀, o-하이드록시아릴케톤, 디알킬알데하이드, 방향족 알데하이드, 카르복실산 (2 량체, 카르복실산 아니온), 포름산에스테르, 아세트산에스테르, 공액 에스테르, 비공액 에스테르, 방향족 에스테르, 락톤 (β-, γ-, δ-), 지방족 산 염화물, 방향족 산 염화물, 산 무수물 (공액, 비공액, 고리형, 비고리형), 제 1 급 아미드, 제 2 급 아미드, 락탐, 제 1 급 아민 (지방족, 방향족), 제 2 급 아민 (지방족, 방향족), 제 3 급 아민 (지방족, 방향족), 제 1 급 아민염, 제 2 급 아민염, 제 3 급 아민염, 암모늄 이온, 지방족 니트릴, 방향족 니트릴, 카르보디이미드, 지방족 이소니트릴, 방향족 이소니트릴, 이소시안산에스테르, 티오시안산에스테르, 지방족 이소티오시안산에스테르, 방향족 이소티오시안산에스테르, 지방족 니트로 화합물, 방향족 니트로 화합물, 니트로아민, 니트로소아민, 질산에스테르, 아질산에스테르, 니트로소 결합 (지방족, 방향족, 단량체, 2 량체), 메르캅탄 및 티오페놀 및 티올산 등의 황 화합물, 티오카르보닐기, 술폭시드, 술폰, 염화술포닐, 제 1 급 술폰아미드, 제 2 급 술폰아미드, 황산에스테르, 탄소-할로겐 결합, Si-A1 결합 (A1 은, H, C, O 또는 할로겐), P-A2 결합 (A2 는, H, C 또는 O), 또는 Ti-O 결합일 수 있다.As a compound containing a structure having infrared absorption property or a structure having infrared absorption property, for example, alkane, alkene (vinyl, trans, cis, vinylidene, trisubstituted, tetrasubstituted, conjugated, cumulene, ring type), alkynes (monosubstituted, disubstituted), monocyclic aromatics (benzene, monosubstituted, disubstituted, trisubstituted), alcohols and phenols (free OH, intramolecular hydrogen bonding, intermolecular hydrogen bonding, saturated secondary, saturated tertiary, unsaturated secondary, unsaturated tertiary), acetal, ketal, aliphatic ether, aromatic ether, vinyl ether, oxylan ring ether, peroxide ether, ketone, dialkylcarbonyl, aromatic carbonyl, 1,3- Diketone enol, o-hydroxyaryl ketone, dialkylaldehyde, aromatic aldehyde, carboxylic acid (dimer, carboxylic acid anion), formic acid ester, acetate ester, conjugated ester, non-conjugated ester, aromatic ester, lactone (β-, γ-, δ-), aliphatic acid chlorides, aromatic acid chlorides, acid anhydrides (conjugated, non-conjugated, cyclic, acyclic), primary amides, secondary amides, lactams, primary amines (aliphatic, aromatic), secondary amine (aliphatic, aromatic), tertiary amine (aliphatic, aromatic), primary amine salt, secondary amine salt, tertiary amine salt, ammonium ion, aliphatic nitrile, Aromatic nitrile, carbodiimide, aliphatic isonitrile, aromatic isonitrile, isocyanic acid ester, thiocyanate, aliphatic isothiocyanate, aromatic isothiocyanate, aliphatic nitro compound, aromatic nitro compound, nitroamine; Nitrosoamine, nitrate ester, nitrite ester, nitroso bond (aliphatic, aromatic, monomer, dimer), mercaptan, sulfur compounds such as thiophenol and thiolic acid, thiocarbonyl group, sulfoxide, sulfone, sulfonyl chloride, Primary sulfonamide, secondary sulfonamide, sulfuric ester, carbon-halogen bond, Si-A 1 bond (A 1 is, H, C, O or halogen), PA 2 bond (A 2 is, H, C or O) , or a Ti—O bond.

상기 탄소-할로겐 결합을 포함하는 구조로는, 예를 들어, -CH2Cl, -CH2Br, -CH2I, -CF2-, -CF3, -CH=CF2, -CF=CF2, 불화아릴, 및 염화아릴 등을 들 수 있다.As a structure including the carbon-halogen bond, for example, -CH 2 Cl, -CH 2 Br, -CH 2 I, -CF 2 -, -CF 3 , -CH=CF 2 , -CF=CF 2 , aryl fluoride, and aryl chloride.

상기 Si-A1 결합을 포함하는 구조로는, SiH, SiH2, SiH3, Si-CH3, Si-CH2-, Si-C6H5, SiO-지방족, Si-OCH3, Si-OCH2CH3, Si-OC6H5, Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF2, 및 SiF3 등을 들 수 있다. Si-A1 결합을 포함하는 구조로는, 특히, 실록산 골격 및 실세스퀴옥산 골격을 형성하고 있는 것이 바람직하다.As a structure including the Si-A 1 bond, SiH, SiH 2 , SiH 3 , Si-CH 3 , Si-CH 2 -, Si-C 6 H 5 , SiO-aliphatic, Si-OCH 3 , Si- OCH 2 CH 3 , Si-OC 6 H 5 , Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF 2 , and SiF 3 , and the like. As a structure containing a Si-A 1 bond, it is preferable to form especially siloxane skeleton and silsesquioxane skeleton.

상기 P-A2 결합을 포함하는 구조로는, PH, PH2, P-CH3, P-CH2-, P-C6H5, A3 3-P-O (A3 은 지방족 또는 방향족), (A4O)3-P-O (A4 는 알킬), P-OCH3, P-OCH2CH3, P-OC6H5, P-O-P, P-OH, 및 O=P-OH 등을 들 수 있다.As a structure including the PA 2 bond, PH, PH 2 , P-CH 3 , P-CH 2 -, PC 6 H 5 , A 3 3 -PO (A 3 is aliphatic or aromatic), (A 4 O ) 3 -PO (A 4 is alkyl), P-OCH 3 , P-OCH 2 CH 3 , P-OC 6 H 5 , POP, P-OH, and O=P-OH.

상기 구조는, 그 종류의 선택에 따라, 원하는 범위의 파장을 가지고 있는 적외선을 흡수할 수 있다. 구체적으로는, 상기 구조가 흡수 가능한 적외선의 파장은, 예를 들어 1 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이하의 범위 내이고, 2 ㎛ 이상, 15 ㎛ 이하의 범위 내를 보다 바람직하게 흡수할 수 있다. 또한, 상기 구조가 Si-O 결합, Si-C 결합 및 Ti-O 결합인 경우에는, 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하의 범위 내일 수 있다. 또한, 각 구조를 흡수할 수 있는 적외선의 파장은 당업자이면 용이하게 이해할 수 있다. 예를 들어, 각 구조에 있어서의 흡수대로서, 비특허문헌 : SILVERSTEIN·BASSLER·MORRILL 저 「유기 화합물의 스펙트럼에 의한 동정법 (제 5 판) -MS, IR, NMR, UV 의 병용-」 (1992년 발행) 제146페이지 ∼ 제151페이지의 기재를 참조할 수 있다.The structure can absorb infrared rays having a wavelength in a desired range, depending on the type of the structure. Specifically, the wavelength of the infrared rays that the structure can absorb is, for example, in the range of 1 µm or more and 20 µm or less, and can more preferably absorb it in the range of 2 µm or more and 15 µm or less. In addition, when the structure is a Si-O bond, a Si-C bond, and a Ti-O bond, it may be in the range of 9 μm or more and 11 μm or less. In addition, the wavelength of infrared rays capable of absorbing each structure can be easily understood by those skilled in the art. For example, as an absorption band in each structure, Non-Patent Literature: SILVERSTEIN · BASSLER · MORRILL "Identification method by spectrum of organic compounds (5th edition) - Combination of MS, IR, NMR, UV -" (1992) (published in year) pages 146 to 151 can be referred to.

분리층 (2) 의 형성에 사용되는, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물로는, 상기 서술한 바와 같은 구조를 가지고 있는 화합물 중, 도포를 위해서 용매에 용해시킬 수 있고, 고화되어 고층을 형성할 수 있는 것이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 그러나, 분리층 (2) 에 있어서의 화합물을 효과적으로 변질시켜, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 의 분리를 용이하게 하는 데에는, 분리층 (2) 에 있어서의 적외선의 흡수가 큰 것, 즉, 분리층 (2) 에 적외선을 조사했을 때의 적외선의 투과율이 낮은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 분리층 (2) 에 있어서의 적외선의 투과율이 90 % 보다 낮은 것이 바람직하고, 적외선의 투과율이 80 % 보다 낮은 것이 보다 바람직하다.As the compound having an infrared absorptive structure used in the formation of the separation layer 2, among the compounds having a structure as described above, it can be dissolved in a solvent for application and can be solidified to form a high layer If there is, it will not specifically limit. However, in order to effectively modify the compound in the separation layer 2 and to facilitate separation of the support 1 and the encapsulant 7, the absorption of infrared rays in the separation layer 2 is large, that is, , it is preferable that the infrared transmittance when infrared rays are irradiated to the separation layer 2 is low. Specifically, it is preferable that the infrared transmittance in the separation layer 2 is lower than 90 %, and it is more preferable that the infrared transmittance is lower than 80 %.

일례를 들어 설명하면, 실록산 골격을 갖는 화합물로는, 예를 들어, 하기 화학식 (5) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (6) 으로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 수지, 혹은 하기 화학식 (5) 로 나타내는 반복 단위 및 아크릴계 화합물 유래의 반복 단위의 공중합체인 수지를 사용할 수 있다.As an example, as a compound having a siloxane skeleton, for example, a resin which is a copolymer of a repeating unit represented by the following formula (5) and a repeating unit represented by the following formula (6), or a compound represented by the following formula (5) A resin which is a copolymer of repeating units and repeating units derived from an acrylic compound can be used.

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112017030910061-pat00005
Figure 112017030910061-pat00005

(화학식 (6) 중, R6 은, 수소, 탄소수 10 이하의 알킬기, 또는 탄소수 10 이하의 알콕시기이다.)(In formula (6), R 6 is hydrogen, an alkyl group having 10 or less carbon atoms, or an alkoxy group having 10 or less carbon atoms.)

그 중에서도, 실록산 골격을 갖는 화합물로는, 상기 화학식 (5) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (7) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 t-부틸스티렌 (TBST)-디메틸실록산 공중합체가 보다 바람직하고, 상기 식 (5) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (7) 로 나타내는 반복 단위를 1 : 1 로 포함하는, TBST-디메틸실록산 공중합체가 더욱 바람직하다.Among them, as the compound having a siloxane skeleton, t-butylstyrene (TBST)-dimethylsiloxane copolymer, which is a copolymer of a repeating unit represented by the above formula (5) and a repeating unit represented by the following formula (7), is more preferable, A TBST-dimethylsiloxane copolymer comprising the repeating unit represented by the formula (5) and the repeating unit represented by the following formula (7) in a 1:1 ratio is more preferable.

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112017030910061-pat00006
Figure 112017030910061-pat00006

또한, 실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 예를 들어, 하기 화학식 (8) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (9) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 수지를 사용할 수 있다.As the compound having a silsesquioxane skeleton, for example, a resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following formula (8) and a repeating unit represented by the following formula (9) can be used.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112017030910061-pat00007
Figure 112017030910061-pat00007

(화학식 (8) 중, R7 은, 수소 또는 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기이고, 화학식 (9) 중, R8 은, 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기, 또는 페닐기이다.)(In the formula (8), R 7 is hydrogen or an alkyl group having 1 or more and 10 or less carbon atoms, and in the formula (9), R 8 is an alkyl group having 1 or more and 10 or less carbon atoms, or a phenyl group.)

실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 이 밖에도, 일본 공개특허공보 2007-258663호 (2007년 10월 4일 공개), 일본 공개특허공보 2010-120901호 (2010년 6월 3일 공개), 일본 공개특허공보 2009-263316호 (2009년 11월 12일 공개), 및 일본 공개특허공보 2009-263596호 (2009년 11월 12일 공개) 에 있어서 개시되어 있는 각 실세스퀴옥산 수지를 바람직하게 이용할 수 있다.As a compound having a silsesquioxane skeleton, in addition, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-258663 (published on October 4, 2007), Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-120901 (published on June 3, 2010), Each silsesquioxane resin disclosed in Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-263316 (published on November 12, 2009) and in Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-263596 (published on November 12, 2009) is preferable Available.

그 중에서도, 실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 하기 화학식 (10) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (11) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체가 보다 바람직하고, 하기 화학식 (10) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (11) 로 나타내는 반복 단위를 7 : 3 으로 포함하는 공중합체가 더욱 바람직하다.Among them, as the compound having a silsesquioxane skeleton, a copolymer of a repeating unit represented by the following formula (10) and a repeating unit represented by the following formula (11) is more preferable, and a repeating unit represented by the following formula (10) and a copolymer comprising a repeating unit represented by the following formula (11) in a ratio of 7:3 is more preferable.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112017030910061-pat00008
Figure 112017030910061-pat00008

실세스퀴옥산 골격을 갖는 중합체로는, 랜덤 구조, 래더 구조, 및 바구니형 구조가 있을 수 있지만, 어느 구조여도 된다.Although there may exist a random structure, a ladder structure, and a cage structure as a polymer which has a silsesquioxane skeleton, any structure may be sufficient.

또한, Ti-O 결합을 포함하는 화합물로는, 예를 들어, (i) 테트라-i-프로폭시티탄, 테트라-n-부톡시티탄, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)티탄, 및 티타늄-i-프로폭시옥틸렌글리콜레이트 등의 알콕시티탄 ; (ii) 디-i-프로폭시·비스(아세틸아세토나토)티탄, 및 프로판디옥시티탄비스(에틸아세토아세테이트) 등의 킬레이트티탄 ; (iii) i-C3H7O-[-Ti(O-i-C3H7)2-O-]n-i-C3H7, 및 n-C4H9O-[-Ti(O-n-C4H9)2-O-]n-n-C4H9 등의 티탄 폴리머 ; (iv) 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트, 티타늄스테아레이트, 디-i-프로폭시티탄디이소스테아레이트, 및 (2-n-부톡시카르보닐벤조일옥시)트리부톡시티탄 등의 아실레이트티탄 ; (v) 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 등의 수용성 티탄 화합물 등을 들 수 있다.Further, as the compound containing a Ti-O bond, for example, (i) tetra-i-propoxytitanium, tetra-n-butoxytitanium, tetrakis(2-ethylhexyloxy)titanium, and titanium Alkoxy titanium, such as -i- propoxy octylene glycolate; (ii) chelate titanium such as di-i-propoxy/bis(acetylacetonato)titanium and propanedioxytitaniumbis(ethylacetoacetate); (iii) iC 3 H 7 O-[-Ti(OiC 3 H 7 ) 2 -O-] n -iC 3 H 7 , and nC 4 H 9 O-[-Ti(OnC 4 H 9 ) 2 -O- ] titanium polymers such as n -nC 4 H 9 ; (iv) acyl, such as tri-n-butoxytitanium monostearate, titanium stearate, di-i-propoxytitanium diisostearate, and (2-n-butoxycarbonylbenzoyloxy)tributoxytitanium late titanium; (v) water-soluble titanium compounds, such as di-n-butoxy bis(triethanolaminato)titanium, etc. are mentioned.

그 중에서도, Ti-O 결합을 포함하는 화합물로는, 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 (Ti(OC4H9)2[OC2H4N(C2H4OH)2]2) 가 바람직하다.Among them, as a compound containing a Ti-O bond, di-n-butoxy bis(triethanolaminato)titanium (Ti(OC 4 H 9 ) 2 [OC 2 H 4 N(C 2 H 4 OH) 2 ] 2 ) is preferable.

상기 서술한 분리층 (2) 은, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물을 함유하고 있지만, 분리층 (2) 은 추가로 상기 화합물 이외의 성분을 포함할 수 있다. 그 성분으로는, 필러, 가소제, 및 서포트 플레이트 (2) 의 박리성을 향상시킬 수 있는 성분 등을 들 수 있다. 이들 성분은, 상기 구조에 의한 적외선의 흡수, 및 화합물의 변질을 방해하지 않거나, 또는 촉진시키는, 종래 공지된 물질 또는 재료로부터 적절히 선택된다.Although the separation layer 2 mentioned above contains the compound which has an infrared ray absorptive structure, the separation layer 2 can contain components other than the said compound further. As the component, a filler, a plasticizer, and the component etc. which can improve the peelability of the support plate 2 are mentioned. These components are suitably selected from conventionally well-known substances or materials which do not interfere with or accelerate the absorption of infrared rays by the said structure and deterioration of a compound.

(적외선 흡수 물질)(Infrared absorbing material)

분리층 (2) 은, 적외선 흡수 물질을 함유하고 있어도 된다. 분리층 (2) 은, 적외선 흡수 물질을 함유하여 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가하는 (예를 들어, 지지체 (1) 를 들어 올리는 등) 것에 의해, 분리층 (2) 이 파괴되어, 지지체 (1) 와 봉지체 (7) 를 분리하기 쉽게 할 수 있다.The separation layer 2 may contain an infrared absorbing substance. The separation layer 2 is comprised by containing an infrared ray absorbing substance, and it changes in quality by absorbing light, As a result, the intensity|strength before receiving irradiation of light or adhesiveness is lost. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support body 1, etc.), the separation layer 2 is destroyed, and the support body 1 and the sealing body 7 can be easily separated. .

적외선 흡수 물질은, 적외선을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어, 카본 블랙, 철 입자, 또는 알루미늄 입자를 바람직하게 사용할 수 있다. 적외선 흡수 물질은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층 (2) 에 사용한 적외선 흡수 물질이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층 (2) 에 조사함으로써, 적외선 흡수 물질을 바람직하게 변질시킬 수 있다.What is necessary is just a structure which changes in quality by absorbing infrared rays, for example, carbon black, an iron particle, or an aluminum particle can be used preferably for an infrared ray absorbing substance. The infrared absorbing material absorbs light having a wavelength in an intrinsic range according to its type. By irradiating the separation layer 2 with light having a wavelength in the range that the infrared absorbing substance used for the separating layer 2 absorbs, the infrared absorbing substance can be suitably altered.

(반응성 폴리실세스퀴옥산)(reactive polysilsesquioxane)

분리층 (2) 은, 반응성 폴리실세스퀴옥산을 중합시킴으로써 형성할 수 있고, 이에 의해, 분리층 (2) 은 높은 내약품성과 높은 내열성을 구비하고 있다.The separation layer 2 can be formed by polymerizing reactive polysilsesquioxane, whereby the separation layer 2 has high chemical resistance and high heat resistance.

본 명세서 중에 있어서, 반응성 폴리실세스퀴옥산이란, 폴리실세스퀴옥산 골격의 말단에 실란올기, 또는, 가수 분해함으로써 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 갖는 폴리실세스퀴옥산이고, 당해 실란올기 또는 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 축합함으로써, 서로 중합할 수 있는 것이다. 또한, 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 실란올기, 또는, 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 구비하고 있으면, 랜덤 구조, 바구니형 구조, 래더 구조 등의 실세스퀴옥산 골격을 구비한 것을 채용할 수 있다.In this specification, reactive polysilsesquioxane is polysilsesquioxane which has a silanol group at the terminal of polysilsesquioxane skeleton, or a functional group which can form a silanol group by hydrolysis, The said silanol group Alternatively, by condensing a functional group capable of forming a silanol group, they can be polymerized with each other. In addition, if the reactive polysilsesquioxane has a silanol group or a functional group capable of forming a silanol group, one having a silsesquioxane skeleton such as a random structure, a cage structure, or a ladder structure may be employed. can

또한, 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 하기 식 (12) 에 나타내는 구조를 가지고 있는 것이 보다 바람직하다.Moreover, it is more preferable that reactive polysilsesquioxane has a structure shown to following formula (12).

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112017030910061-pat00009
Figure 112017030910061-pat00009

식 (12) 중, R" 는, 각각 독립적으로, 수소 및 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되고, 수소 및 탄소수 1 이상, 5 이하의 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 보다 바람직하다. R" 가, 수소 또는 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기이면, 분리층 (2) 형성 공정에 있어서의 가열에 의해, 식 (12) 에 의해 나타내는 반응성 폴리실세스퀴옥산을 바람직하게 축합시킬 수 있다.In formula (12), R" is each independently selected from the group consisting of hydrogen and an alkyl group having 1 or more and 10 or less carbon atoms, and more preferably selected from the group consisting of hydrogen and an alkyl group having 1 or more and 5 or less carbon atoms. When R" is hydrogen or an alkyl group having 1 or more and 10 or less carbon atoms, the reactive polysilsesquioxane represented by the formula (12) is preferably condensed by heating in the separation layer 2 forming step. can

식 (12) 중, p 는, 1 이상, 100 이하의 정수인 것이 바람직하고, 1 이상, 50 이하의 정수인 것이 보다 바람직하다. 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 식 (12) 로 나타내는 반복 단위를 구비하는 것에 의해, 다른 재료를 사용하여 형성하는 것보다 Si-O 결합의 함유량이 많고, 적외선 (0.78 ㎛ 이상, 1000 ㎛ 이하), 바람직하게는 원적외선 (3 ㎛ 이상, 1000 ㎛ 이하), 더욱 바람직하게는 파장 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하에 있어서의 흡광도가 높은 분리층 (2) 을 형성할 수 있다.In formula (12), it is preferable that p is an integer of 1 or more and 100 or less, and it is more preferable that it is an integer of 1 or more and 50 or less. Reactive polysilsesquioxane, by having the repeating unit represented by Formula (12), has a greater content of Si-O bonds than that formed using other materials, and infrared rays (0.78 µm or more and 1000 µm or less) , preferably far-infrared rays (3 µm or more, 1000 µm or less), more preferably, a separation layer 2 having high absorbance at a wavelength of 9 µm or more and 11 µm or less.

또한, 식 (12) 중, R' 는, 각각 독립적으로, 서로 동일하거나, 또는 상이한 유기기이다. 여기서, R 은, 예를 들어, 아릴기, 알킬기, 및, 알케닐기 등이고, 이들 유기기는 치환기를 가지고 있어도 된다.In addition, in Formula (12), R' is each independently an organic group which is mutually the same or different. Here, R is, for example, an aryl group, an alkyl group, and an alkenyl group, and these organic groups may have a substituent.

R' 가 아릴기인 경우, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있고, 페닐기인 것이 보다 바람직하다. 또한, 아릴기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기를 개재하여 폴리실세스퀴옥산 골격에 결합하고 있어도 된다.When R' is an aryl group, a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, etc. are mentioned, It is more preferable that it is a phenyl group. Moreover, the aryl group may couple|bond with the polysilsesquioxane skeleton via a C1-C5 alkylene group.

R' 가 알킬기인 경우, 알킬기로는, 직사슬형, 분기 사슬형, 또는 고리형의 알킬기를 들 수 있다. 또한, R 이 알킬기인 경우, 탄소수는 1 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하다. 또한, R 이, 고리형의 알킬기인 경우, 단고리형 또는 2 ∼ 4 고리형의 구조를 한 알킬기여도 된다.When R' is an alkyl group, examples of the alkyl group include a linear, branched, or cyclic alkyl group. Moreover, when R is an alkyl group, it is preferable that carbon number is 1-15, and it is more preferable that it is 1-6. Further, when R is a cyclic alkyl group, it may be an alkyl group having a monocyclic or 2 to 4 cyclic structure.

R' 가 알케닐기인 경우, 알킬기의 경우와 마찬가지로, 직사슬형, 분기 사슬형, 또는 고리형의 알케닐기를 들 수 있고, 알케닐기는, 탄소수가 2 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하다. 또한, R 이, 고리형의 알케닐기인 경우, 단고리형 또는 2 ∼ 4 고리형의 구조를 한 알케닐기여도 된다. 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 및 알릴기 등을 들 수 있다.When R' is an alkenyl group, a linear, branched, or cyclic alkenyl group is mentioned similarly to the case of an alkyl group, The alkenyl group preferably has 2 to 15 carbon atoms, and 2 to 6 carbon atoms. It is more preferable that Further, when R is a cyclic alkenyl group, it may be an alkenyl group having a monocyclic or 2 to 4 cyclic structure. As an alkenyl group, a vinyl group, an allyl group, etc. are mentioned, for example.

또한, R' 가 가질 수 있는 치환기로는, 수산기 및 알콕시기 등을 들 수 있다. 치환기가 알콕시기인 경우, 직사슬형, 분기 사슬형, 또는 고리형의 알킬알콕시기를 들 수 있고, 알콕시기에 있어서의 탄소수는 1 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하다.Moreover, as a substituent which R' may have, a hydroxyl group, an alkoxy group, etc. are mentioned. When a substituent is an alkoxy group, a linear, branched, or cyclic alkylalkoxy group is mentioned, It is preferable that carbon number in an alkoxy group is 1-15, and it is more preferable that it is 1-10.

또한, 하나의 관점에 있어서, 반응성 폴리실세스퀴옥산의 실록산 함유량은, 70 몰% 이상, 99 몰% 이하인 것이 바람직하고, 80 몰% 이상, 99 몰% 이하인 것이 보다 바람직하다. 반응성 폴리실세스퀴옥산의 실록산 함유량이 70 몰% 이상, 99 몰% 이하이면, 적외선 (바람직하게는 원적외선, 더욱 바람직하게는 파장 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하의 광) 을 조사함으로써 바람직하게 변질시킬 수 있는 분리층 (2) 을 형성할 수 있다.Moreover, one viewpoint WHEREIN: It is preferable that they are 70 mol% or more and 99 mol% or less, and, as for the siloxane content of reactive polysilsesquioxane, it is more preferable that they are 80 mol% or more and 99 mol% or less. When the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is 70 mol% or more and 99 mol% or less, it is preferably altered by irradiating infrared rays (preferably far-infrared rays, more preferably light with a wavelength of 9 µm or more and 11 µm or less). It is possible to form a separate layer (2) capable of

또한, 하나의 관점에 있어서, 반응성 폴리실세스퀴옥산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 500 이상, 50,000 이하인 것이 바람직하고, 1,000 이상, 10,000 이하인 것이 보다 바람직하다. 반응성 폴리실세스퀴옥산의 중량 평균 분자량 (Mw) 이 500 이상, 50,000 이하이면, 용제에 바람직하게 용해시킬 수 있고, 서포트 플레이트 상에 바람직하게 도포할 수 있다.Moreover, one viewpoint WHEREIN: It is preferable that they are 500 or more and 50,000 or less, and, as for the weight average molecular weight (Mw) of reactive polysilsesquioxane, it is more preferable that they are 1,000 or more and 10,000 or less. If the weight average molecular weight (Mw) of reactive polysilsesquioxane is 500 or more and 50,000 or less, it can be suitably melt|dissolved in a solvent, and can be apply|coated suitably on a support plate.

반응성 폴리실세스퀴옥산으로서 사용할 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 코니시 화학 공업 주식회사 제조의 SR-13, SR-21, SR-23 및 SR-33 등을 들 수 있다.As a commercial item which can be used as reactive polysilsesquioxane, SR-13, SR-21, SR-23, SR-33 by the Konishi Chemicals Co., Ltd. product, etc. are mentioned, for example.

〔실시형태 2〕[Embodiment 2]

본 발명의 다른 실시형태 (실시형태 2) 에 대하여 설명하면 이하와 같다. 또한, 설명의 편의상, 상기 실시형태에서 설명한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 부기하고, 그 설명을 생략한다. 실시형태 2 에 관련된 봉지체의 제조 방법은, 분리층 형성 공정, 분리층 주연 부분 제거 공정, 접착층 형성 공정, 봉지체 형성 공정, 접착층 제거 공정, 광 조사 공정, 분리 공정 및 제거 공정을 이 순서로 실시한다.Another embodiment (Embodiment 2) of the present invention will be described as follows. In addition, for convenience of description, about the member which has the same function as the member demonstrated in the said embodiment, the same code|symbol is attached|subjected and the description is abbreviate|omitted. In the manufacturing method of the encapsulant according to the second embodiment, the separation layer forming step, the separation layer peripheral portion removal step, the adhesive layer forming step, the encapsulation body forming step, the adhesive layer removing step, the light irradiation step, the separation step, and the removing step are performed in this order. Conduct.

(분리층 형성 공정 ∼ 접착층 형성 공정)(Separation layer formation process - Adhesive layer formation process)

도 2 의 (a) ∼ (c) 에 나타내는 바와 같이, 분리층 형성 공정, 분리층 주연 부분 제거 공정 및 접착층 형성 공정은, 실시형태 1 과 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.As shown to Fig.2 (a)-(c), since the separation layer formation process, the separation layer peripheral part removal process, and the contact bonding layer formation process are the same as that of Embodiment 1, the description is abbreviate|omitted.

(봉지체 형성 공정)(Encapsulation Forming Process)

도 2 의 (d) ∼ (g) 에 나타내는 바와 같이, 봉지체 형성 공정에서는, 접착층 (3) 상에, 봉지체 (7) 를 형성한다. 본 실시형태에 있어서의 봉지체 형성 공정에서는, 소자 배치 공정, 봉지 공정, 박화 공정 및 배선층 형성 공정을 이 순서로 실시한다.As shown to Fig.2 (d) - (g), in the sealing body formation process, the sealing body 7 is formed on the contact bonding layer 3 . In the sealing body formation process in this embodiment, an element arrangement process, a sealing process, a thinning process, and a wiring layer formation process are implemented in this order.

도 2 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 소자 배치 공정에서는, 접착층 (3) 상에 소자 (5) 를 배치한다. 접착층 (3) 상에 대한 소자 (5) 의 배치는, 예를 들어, 칩 마운터 등을 사용하여 실시할 수 있다.As shown in FIG.2(d), the element 5 is arrange|positioned on the contact bonding layer 3 in an element arrangement|positioning process. Arrangement of the element 5 with respect to the adhesive layer 3 can be implemented using a chip mounter etc., for example.

도 2 의 (e) 에 나타내는 바와 같이, 봉지 공정에서는, 소자 (5) 를 봉지재 (6) 에 의해 봉지한다. 봉지재 (6) 는, 예를 들어, 성형 형을 사용하여 사출 성형해도 되고, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 도포해도 된다.As shown to FIG.2(e), in a sealing process, the element 5 is sealed with the sealing material 6. As shown in FIG. The sealing material 6 may be injection-molded using a molding die, for example, and may be apply|coated by methods, such as spin coating, dipping, a roller blade, spray application|coating, and slit application|coating.

도 2 의 (f) 에 나타내는 바와 같이, 박화 공정에서는, 봉지재 (6) 를 박화한다. 봉지재 (6) 는, 예를 들어, 소자 (5) 의 단자부가 봉지재 (6) 로부터 노출될 때까지 박화하면 된다.As shown in FIG.2(f), in a thinning process, the sealing material 6 is thinned. What is necessary is just to thin the sealing material 6 until the terminal part of the element 5 is exposed from the sealing material 6, for example.

도 2 의 (g) 에 나타내는 바와 같이, 배선층 형성 공정에서는, 봉지재 (6) 에 의해 봉지된 소자 (5) 상에 배선층 (4) 을 형성한다.As shown in FIG.2(g), in a wiring layer formation process, the wiring layer 4 is formed on the element 5 sealed with the sealing material 6 .

일 실시형태에 있어서, 배선층 (4) 의 형성 순서로는, 먼저, 봉지재 (6) 에 의해 봉지된 소자 (5) 상에, 산화실리콘 (SiOx), 감광성 수지 등의 유전체층을 형성한다. 산화실리콘으로 이루어지는 유전체층은, 예를 들어, 스퍼터법, 진공 증착법 등에 의해 형성할 수 있다. 감광성 수지로 이루어지는 유전체층은, 예를 들어, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 감광성 수지를 도포함으로써 형성할 수 있다.In one embodiment, in the formation order of the wiring layer 4, first, on the element 5 sealed with the sealing material 6, dielectric layers, such as a silicon oxide (SiOx) and a photosensitive resin, are formed. The dielectric layer made of silicon oxide can be formed by, for example, a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or the like. The dielectric layer made of the photosensitive resin can be formed by, for example, applying the photosensitive resin by a method such as spin coating, dipping, roller blade, spray coating, or slit coating.

계속해서, 유전체층에, 금속 등의 도전체에 의해 배선을 형성한다. 배선의 형성 수법으로는, 예를 들어, 포토리소그래피 (레지스트 리소그래피) 등의 리소그래피 처리, 에칭 처리 등의 공지된 반도체 프로세스 수법을 사용할 수 있다.Then, wiring is formed in the dielectric layer with a conductor such as a metal. As a method of forming the wiring, for example, a lithographic process such as photolithography (resist lithography) or a known semiconductor process method such as an etching process can be used.

이상에 의해, 지지체 (1) 상에 있어서, 봉지체 (7) 를 순조롭게 형성할 수 있다. 본 실시형태에 있어서도, 실시형태 1 과 동일하게, 분리층 (2) 이 접착층 (3) 에 의해 보호되어 있기 때문에, 분리층 (2) 에 약액이 접촉하는 것을 피할 수 있다. 또한, 접착층 (3) 에 의해 분리층 (2) 을 보호함으로써, 약액 이외로부터도 분리층 (2) 을 보호할 수 있다. 이에 의해, 봉지체 형성 공정 중에, 분리층 (2) 이 박리되는 것을 방지할 수 있다.By the above, on the support body 1, the sealing body 7 can be formed smoothly. Also in this embodiment, similarly to Embodiment 1, since the separation layer 2 is protected by the adhesive layer 3, contact of the chemical|medical solution with the separation layer 2 can be avoided. Moreover, by protecting the separation layer 2 with the adhesive layer 3, the separation layer 2 can be protected also from a chemical|medical solution other than a chemical|medical solution. Thereby, it can prevent that the separation layer 2 peels during a sealing body formation process.

또한, 이상의 공정에 의해 얻어진 도 2 의 (g) 에 나타내는 적층체 (9) 는, 광을 투과하는 지지체 (1) 와, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층 (2) 과, 접착층 (3) 과, 봉지체 (7) 가 이 순서로 적층되어 이루어지고, 봉지체 (7) 는, 배선층 (4) 과, 배선층 (4) 에 실장된 소자 (5) 와, 소자 (5) 를 봉지하는 봉지재 (6) 를 구비하고 있고, 분리층 (2) 은, 지지체 (1) 에 접하고 있는 부분 이외가 접착층 (3) 에 의해 피복되어 있는 것이다. 이와 같은 적층체 (9) 는, 본 발명에 관련된 봉지체의 제조 방법의 과정에 있어서만 제조되는 것으로, 단리된 봉지체 (7) 를 제조하기 위해서 바람직하게 이용할 수 있다.In addition, the laminate 9 shown in FIG. 2(g) obtained by the above process includes a support 1 that transmits light, a separation layer 2 that is altered by irradiating light, and an adhesive layer 3 and , the encapsulant 7 is laminated in this order, and the encapsulant 7 includes a wiring layer 4 , an element 5 mounted on the wiring layer 4 , and a sealing material for sealing the element 5 . (6) is provided, and the separation layer (2) is covered with the adhesive layer (3) except for the portion in contact with the support body (1). Such a laminated body 9 is manufactured only in the process of the manufacturing method of the sealing body which concerns on this invention, and in order to manufacture the isolated sealing body 7, it can be used suitably.

(접착층 제거 공정 ∼ 제거 공정)(Adhesive layer removal process - removal process)

도 2 의 (h) ∼ (k) 에 나타내는 바와 같이, 접착층 제거 공정, 광 조사 공정, 분리 공정 및 제거 공정은, 봉지체 (7) 의 상하 방향의 방향에 대해서는 상이하지만, 다른 부분에 대해서는 실시형태 1 과 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.As shown in Figs. 2 (h) to (k), the adhesive layer removal step, the light irradiation step, the separation step, and the removal step are different in the vertical direction of the encapsulant 7, but are performed for other parts Since it is the same as that of Embodiment 1, the description is abbreviate|omitted.

이상에 의해, 실시형태 1 과 마찬가지로, 단리된 봉지체 (7) 를 얻을 수 있다. 또한, 추가로 봉지체 (7) 에 대하여, 솔더 볼 형성, 다이싱 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 또한, 봉지체 (7) 상에, 추가로 다른 소자를 적층해도 된다.By the above, similarly to Embodiment 1, the isolated sealing body 7 can be obtained. Moreover, you may perform processes, such as solder ball formation and a dicing process, with respect to the sealing body 7 further. Moreover, you may laminate|stack another element on the sealing body 7 further.

또한, 실시형태 1 과 마찬가지로, (i) 봉지체 (7) 의 성형용 형의 외경을 지지체 (1) 보다 작게 함으로써, 봉지체 (7) 를 지지체 (1) 의 외경보다 작게 성형하거나, 또는, (ii) 봉지체 (7) 의 성형 후에, 지지체 (1) 의 외경보다 작아지도록, 봉지체 (7) 에 대하여 풀 커트 트림을 실시해도 된다.Further, similarly to Embodiment 1, (i) by making the outer diameter of the mold for molding of the sealing body 7 smaller than the support body 1, the sealing body 7 is molded smaller than the outer diameter of the support body 1, or, (ii) After shaping|molding of the sealing body 7, you may perform full cut trim with respect to the sealing body 7 so that it may become smaller than the outer diameter of the support body 1.

본 발명은 상기 서술한 각 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 청구항에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 상이한 실시형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.This invention is not limited to each embodiment mentioned above, Various changes are possible within the range shown in the claim, The embodiment obtained by combining the technical means disclosed in each different embodiment suitably is also included in the technical scope of this invention do.

본 발명에 관련된 지지체 분리 방법은, 미세화된 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 바람직하게 이용할 수 있다.The support separation method according to the present invention can be suitably used in the manufacturing process of a miniaturized semiconductor device.

1 지지체
1a 평면부
1b 주연 부분
2 분리층
2a 외주 단부
3 접착층
4 배선층
5 소자
6 봉지재
7 봉지체
8, 9 적층체
1 support
1a flat part
1b starring part
2 separation layer
2a perimeter end
3 adhesive layer
4 wiring layer
5 element
6 encapsulant
7 encapsulant
8, 9 Laminate

Claims (8)

봉지체의 제조 방법으로서,
광을 투과하는 지지체의 일방의 평면부에, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층을 형성하는 분리층 형성 공정과,
상기 지지체의 주연 부분 전체 둘레에 형성된 분리층을 제거하는 분리층 주연 부분 제거 공정과,
상기 지지체에 있어서의 주연 부분 전체 둘레의 분리층을 제거한 측의 면에, 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정과,
상기 접착층 상에, 상기 봉지체를 형성하는 봉지체 형성 공정과,
상기 봉지체 형성 공정 후, 상기 지지체의 주연 부분 전체 둘레에 형성된 상기 접착층을 제거하는 접착층 제거 공정을 포함하고,
상기 접착층 제거 공정에서는, 상기 지지체 상에 형성되어 있는 상기 분리층의 외주 단부보다 외측에 형성된 접착층을 제거하는 것을 특징으로 하는 봉지체의 제조 방법.
A method for manufacturing an encapsulant, comprising:
A separation layer forming step of forming a separation layer that is altered by irradiating light on one flat portion of the light-transmitting support;
a separation layer peripheral portion removing step of removing the separation layer formed around the entire peripheral portion of the support;
an adhesive layer forming step of forming an adhesive layer on the side of the support from which the separation layer has been removed from the entire periphery of the support;
an encapsulant forming step of forming the encapsulant on the adhesive layer;
After the encapsulant forming step, an adhesive layer removing step of removing the adhesive layer formed around the entire periphery of the support body,
In the adhesive layer removing step, the sealing body manufacturing method, characterized in that removing the adhesive layer formed outside the outer peripheral end of the separation layer formed on the support body.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 접착층 제거 공정 후, 상기 지지체를 개재하여, 상기 분리층에 광을 조사함으로써, 상기 분리층을 변질시키는 광 조사 공정과,
상기 광 조사 공정 후, 상기 지지체와, 상기 봉지체를 분리하는 분리 공정을 추가로 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 봉지체의 제조 방법.
The method of claim 1,
After the adhesive layer removal step, a light irradiation step of modifying the separation layer by irradiating light to the separation layer through the support;
After the light irradiation process, the manufacturing method of the encapsulant, characterized in that it further comprises a separation process of separating the support and the encapsulant.
제 4 항에 있어서,
상기 분리 공정 후, 상기 봉지체에 잔류하고 있는 상기 접착층과 상기 분리층을 제거하는 제거 공정을 추가로 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 봉지체의 제조 방법.
5. The method of claim 4,
After the separation process, the method of manufacturing an encapsulant, characterized in that it further comprises a removal process of removing the adhesive layer and the separation layer remaining in the encapsulant.
제 1 항에 있어서,
상기 봉지체는, 배선층과, 상기 배선층에 실장되어 있는 소자와, 상기 소자를 봉지하고 있는 봉지재를 구비하고,
상기 봉지체 형성 공정은, 상기 접착층 상에 상기 배선층을 형성하고, 상기 배선층 상에 상기 소자를 실장하고, 상기 소자를 상기 봉지재에 의해 봉지하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 봉지체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The encapsulant includes a wiring layer, an element mounted on the wiring layer, and a sealing material encapsulating the element,
The encapsulant forming step includes forming the wiring layer on the adhesive layer, mounting the element on the wiring layer, and sealing the element with the encapsulant.
제 1 항에 있어서,
상기 봉지체는, 배선층과, 상기 배선층에 실장되어 있는 소자와, 상기 소자를 봉지하고 있는 봉지재를 구비하고,
상기 봉지체 형성 공정은, 상기 접착층 상에 상기 소자를 배치하고, 상기 소자를 상기 봉지재에 의해 봉지하고, 상기 봉지재에 의해 봉지된 상기 소자 상에 상기 배선층을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 봉지체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The encapsulant includes a wiring layer, an element mounted on the wiring layer, and a sealing material encapsulating the element,
The encapsulant forming step comprises disposing the element on the adhesive layer, sealing the element with the encapsulant, and forming the wiring layer on the element encapsulated by the encapsulant. A method for manufacturing an encapsulant.
삭제delete
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