JP7004566B2 - Laminates and their manufacturing methods, as well as electronic component manufacturing methods - Google Patents

Laminates and their manufacturing methods, as well as electronic component manufacturing methods Download PDF

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Description

本発明は、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法に関する。 The present invention relates to a laminate, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing electronic components.

半導体素子を含む半導体パッケージ(電子部品)には、対応サイズに応じて様々な形態が存在し、例えばWLP(Wafer Level Package)、PLP(Panel Level Package)等がある。
半導体パッケージの技術としては、ファンイン型技術、ファンアウト型技術が挙げられる。ファンイン型技術による半導体パッケージとしては、ベアチップ端部にある端子をチップエリア内に再配置する、ファンイン型WLP(Fan-in Wafer Level Package)等が知られている。ファンアウト型技術による半導体パッケージとしては、該端子をチップエリア外に再配置する、ファンアウト型WLP(Fan-out Wafer Level Package)等が知られている。
A semiconductor package (electronic component) including a semiconductor element has various forms depending on the corresponding size, and includes, for example, WLP (Wafer Level Package), PLP (Panel Level Package), and the like.
Examples of the semiconductor package technology include fan-in type technology and fan-out type technology. As a semiconductor package by fan-in type technology, a fan-in type WLP (Fan-in Wafer Level Package) or the like in which terminals at the end of a bare chip are rearranged in a chip area is known. As a semiconductor package based on the fan-out type technology, a fan-out type WLP (Fan-out Wafer Level Package) or the like in which the terminals are rearranged outside the chip area is known.

近年、特にファンアウト型技術は、パネル上に半導体素子を配置してパッケージ化するファンアウト型PLP(Fan-out Panel Level Package)に応用される等、半導体パッケージにおける、よりいっそうの高集積化、薄型化及び小型化等を実現し得る方法として注目を集めている。 In recent years, in particular, fan-out type technology has been applied to fan-out type PLP (Fan-out Panel Level Package) in which semiconductor elements are arranged and packaged on a panel. It is attracting attention as a method that can realize thinning and miniaturization.

半導体パッケージの小型化を図るためには、組み込まれる素子における基板の厚さを薄くすることが重要となる。しかしながら、基板の厚さを薄くすると、その強度が低下し、半導体パッケージ製造の際に基板の破損を生じやすくなる。これに対し、基板に支持体を貼り合わせた積層体が採用されている。 In order to reduce the size of the semiconductor package, it is important to reduce the thickness of the substrate in the element to be incorporated. However, if the thickness of the substrate is reduced, the strength thereof is reduced, and the substrate is liable to be damaged during the manufacture of the semiconductor package. On the other hand, a laminated body in which a support is bonded to a substrate is adopted.

ここで基板と支持体とを貼り合わせる際には、従来、光の透過率に優れる点から、シクロオレフィン構造を有するポリマー、を含有する接着剤が汎用されている。
特許文献1には、シクロオレフィン構造を有するポリマーと、当該ポリマーに相溶する(メタ)アクリレートモノマーと、を含有する接着剤組成物が開示されている。
Here, when the substrate and the support are bonded to each other, an adhesive containing a polymer having a cycloolefin structure has been widely used because of its excellent light transmittance.
Patent Document 1 discloses an adhesive composition containing a polymer having a cycloolefin structure and a (meth) acrylate monomer compatible with the polymer.

特開2014-105316号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-105316

ところで、ファンアウト型技術では、支持体上に配置された基板として、モールド材で封止された基板が用いられたり、支持体上に絶縁樹脂と金属配線とが組み合わさった構造体が設けられることがある。たとえば、このようなモールド材としては、吸湿性のエポキシ樹脂などの樹脂材料が用いられる。半導体パッケージ製造においては、封止材により封止を行った後、薄膜形成、焼成などの高温処理が施される。その際に、封止材が含有する樹脂中の水分等が気化してガスを発生し、基板と支持体との間にボイド(泡)が生じ、これにより支持体が剥がれる等の問題をが生じる懸念がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高温処理を施した場合でも、デバイス層と支持体との間の剥離のリスクを低減できる積層体を提供することを課題とする。
By the way, in the fan-out type technology, a substrate sealed with a molding material is used as the substrate arranged on the support, or a structure in which an insulating resin and a metal wiring are combined is provided on the support. Sometimes. For example, as such a molding material, a resin material such as a hygroscopic epoxy resin is used. In semiconductor package manufacturing, after sealing with a sealing material, high temperature treatment such as thin film formation and firing is performed. At that time, the moisture in the resin contained in the encapsulant evaporates to generate gas, and voids (foam) are generated between the substrate and the support, which causes problems such as peeling of the support. There is a concern that it will arise.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a laminated body capable of reducing the risk of peeling between the device layer and the support even when subjected to high temperature treatment.

上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第1の態様は、支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体であって、少なくとも、前記中間層と前記デバイス層とは互いに隣接しており、前記デバイス層は、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体であり、前記中間層は、温度:40℃、湿度:90%RHにおいて、厚み20μm換算値の水蒸気透過率が5g/(m・day)以下との要件を満たす材料により構成される積層体である。
In order to solve the above problems, the present invention has adopted the following configuration.
That is, the first aspect of the present invention is a laminated body in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer and a device layer are laminated in this order, and at least the intermediate layer and the device layer are adjacent to each other. The device layer is a composite of a member made of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member, and the intermediate layer has a thickness of 20 μm at a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH. It is a laminate made of a material that satisfies the requirement that the converted water vapor permeability is 5 g / (m 2 · day) or less.

本発明の第2の態様は、支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体であって、少なくとも、前記中間層と前記デバイス層とは互いに隣接しており、前記デバイス層は、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体であり、前記中間層は、厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃での溶融粘度が10000(Pa・s)以上との要件を満たす材料により構成される積層体である。 A second aspect of the present invention is a laminate in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer, and a device layer are laminated in this order, and at least the intermediate layer and the device layer are adjacent to each other, and the device. The layer is a composite of a member made of metal or semiconductor and a resin that seals or insulates the member, and the intermediate layer prepares a test piece having a thickness of 500 μm, and starts at a starting temperature of 25 ° C. and rises. It is composed of a material that meets the requirements that the melt viscosity at 180 ° C is 10,000 (Pa · s) or more when subjected to dynamic viscoelasticity measurement under the conditions of temperature rate: 5 ° C / min and frequency: 1 Hz. It is a laminated body.

本発明の第3の態様は、支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体であって、少なくとも、前記中間層と前記デバイス層とは互いに隣接しており、前記デバイス層は、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体であり、前記中間層は、シクロオレフィンポリマーを含む、積層体である。 A third aspect of the present invention is a laminate in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer, and a device layer are laminated in this order, and at least the intermediate layer and the device layer are adjacent to each other, and the device. The layer is a composite of a member made of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member, and the intermediate layer is a laminate containing a cycloolefin polymer.

本発明の第4の態様は、支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体の製造方法であって、支持体上に、接着剤組成物を用いて接着層を形成する接着層形成工程と、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体である、デバイス層を形成するデバイス層形成工程と、前記デバイス層上又は前記接着層上に、中間層形成材料を用いて、中間層を形成する中間層形成工程と、前記接着層及び前記中間層を介して、前記支持体上に、前記デバイス層を固定するデバイス層固定工程と、を含み、前記中間層形成材料が、温度:40℃、湿度:90%RHにおいて、厚み20μm換算値の水蒸気透過率が5g/(m・day)以下との要件を満たす材料である、積層体の製造方法である。 A fourth aspect of the present invention is a method for producing a laminate in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer, and a device layer are laminated in this order, and an adhesive layer is formed on the support using an adhesive composition. Adhesive layer forming step to form a device layer, which is a composite of a member composed of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member, and a device layer forming step on the device layer or the above. An intermediate layer forming step of forming an intermediate layer on the adhesive layer using an intermediate layer forming material, and device layer fixing for fixing the device layer on the support via the adhesive layer and the intermediate layer. Including the step, the intermediate layer forming material is a material that satisfies the requirement that the water vapor permeability in terms of thickness 20 μm is 5 g / (m 2 · day) or less at a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH. There is a method for manufacturing a laminated body.

本発明の第5の態様は、支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体の製造方法であって、支持体上に、接着剤組成物を用いて接着層を形成する接着層形成工程と、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体である、デバイス層を形成するデバイス層形成工程と、前記デバイス層上又は前記接着層上に、中間層形成材料を用いて、中間層を形成する中間層形成工程と、前記接着層及び前記中間層を介して、前記支持体上に、前記デバイス層を固定するデバイス層固定工程と、を含み、前記中間層形成材料が、厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃で溶融粘度が10000(Pa・s)以上との要件を満たす材料である、積層体の製造方法である。 A fifth aspect of the present invention is a method for producing a laminated body in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer and a device layer are laminated in this order, and an adhesive layer is formed on the support using an adhesive composition. Adhesive layer forming step to form a device layer, which is a composite of a member made of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member, and a device layer forming step on the device layer or the above. An intermediate layer forming step of forming an intermediate layer on the adhesive layer using an intermediate layer forming material, and device layer fixing for fixing the device layer on the support via the adhesive layer and the intermediate layer. Including the step, the intermediate layer forming material prepares a test piece having a thickness of 500 μm, and is used for dynamic viscous elasticity measurement under the conditions of a starting temperature of 25 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a frequency of 1 Hz. It is a method for producing a laminated body, which is a material that satisfies the requirement that the melt viscosity is 10,000 (Pa · s) or more at 180 ° C. when attached.

本発明の第6の態様は、支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体の製造方法であって、支持体上に、接着剤組成物を用いて接着層を形成する接着層形成工程と、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体である、デバイス層を形成するデバイス層形成工程と、前記デバイス層上又は前記接着層上に、中間層形成材料を用いて、中間層を形成する中間層形成工程と、前記接着層及び前記中間層を介して、前記支持体上に、前記デバイス層を固定するデバイス層固定工程と、を含み、前記中間層形成材料が、シクロオレフィンポリマーを含む材料である、積層体の製造方法である。 A sixth aspect of the present invention is a method for producing a laminated body in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer and a device layer are laminated in this order, and an adhesive layer is formed on the support using an adhesive composition. Adhesive layer forming step to form a device layer, which is a composite of a member composed of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member, and a device layer forming step on the device layer or the above. An intermediate layer forming step of forming an intermediate layer on the adhesive layer using an intermediate layer forming material, and device layer fixing for fixing the device layer on the support via the adhesive layer and the intermediate layer. A method for producing a laminate, which comprises a step and the intermediate layer forming material is a material containing a cycloolefin polymer.

本発明の第7の態様は、前記第4~6のいずれかの態様に係る積層体の製造方法により積層体を得た後、前記支持基体を介して前記分離層に光を照射して、前記分離層を変質させることにより、前記積層体が備える前記デバイス層から前記支持基体を分離する分離工程と、前記分離工程の後、前記デバイス層に付着する前記接着層および中間層を除去する除去工程と、を含む、電子部品の製造方法である。 A seventh aspect of the present invention is to obtain a laminate by the method for producing a laminate according to any one of the fourth to sixth aspects, and then irradiate the separation layer with light via the support substrate. By altering the separation layer, the separation step of separating the support substrate from the device layer provided in the laminate, and removal of the adhesive layer and the intermediate layer adhering to the device layer after the separation step. It is a manufacturing method of an electronic part including a process.

本発明によれば、高温処理を施した場合でも、デバイス層と支持体との間の剥離のリスクを低減できる積層体を提供することを課題とする。 According to the present invention, it is an object of the present invention to provide a laminate capable of reducing the risk of peeling between the device layer and the support even when subjected to high temperature treatment.

本発明を適用した積層体の一実施形態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows one Embodiment of the laminated body to which this invention is applied. 本発明を適用した積層体の一実施形態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows one Embodiment of the laminated body to which this invention is applied. 本発明を適用した積層体の一実施形態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows one Embodiment of the laminated body to which this invention is applied. 本発明を適用した積層体の一実施形態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows one Embodiment of the laminated body to which this invention is applied. 支持体および接着層からなる接着層付き支持体123の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図5(a)は、支持基体及び分離層からなる支持基体を示す図であり、図5(b)は、接着層形成工程を説明する図である。It is a schematic process diagram explaining one Embodiment of the manufacturing method of the support 123 with an adhesive layer composed of a support and an adhesive layer. FIG. 5A is a diagram showing a support substrate composed of a support substrate and a separation layer, and FIG. 5B is a diagram illustrating an adhesive layer forming step. 接着層付き支持体123から積層体100を製造する方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図6(a)は、接着層付き支持体123を示す図であり、図6(b)は、中間層形成工程を示す図であり、図6(c)は、デバイス層固定工程を説明する図である。It is a schematic process diagram explaining one Embodiment of the method of manufacturing a laminated body 100 from a support 123 with an adhesive layer. FIG. 6A is a diagram showing a support 123 with an adhesive layer, FIG. 6B is a diagram showing an intermediate layer forming step, and FIG. 6C is a diagram illustrating a device layer fixing step. It is a figure. 積層体100から積層体200を製造する方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図7(a)は、積層体100を示す図であり、図7(b)は、研削工程を説明する図であり、図5(c)は配線層形成工程を説明する図である。It is a schematic process diagram explaining one Embodiment of the method of manufacturing a laminated body 200 from a laminated body 100. 7 (a) is a diagram showing the laminated body 100, FIG. 7 (b) is a diagram for explaining a grinding process, and FIG. 5 (c) is a diagram for explaining a wiring layer forming process. 積層体200から半導体パッケージ(電子部品)を製造する方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図8(a)は、積層体200を示す図であり、図8(b)は、分離工程を説明する図であり、図8(c)は、除去工程を説明する図である。It is a schematic process diagram explaining one Embodiment of the method of manufacturing a semiconductor package (electronic component) from a laminated body 200. 8 (a) is a diagram showing the laminated body 200, FIG. 8 (b) is a diagram for explaining a separation step, and FIG. 8 (c) is a diagram for explaining a removal step. エポキシ樹脂を含むモールド材からのガス放出量を測定したグラフである。図9(a)は、全ガス放出量を示すグラフであり、図9(b)は、水蒸気放出量を示すグラフである。It is a graph which measured the amount of gas released from the mold material containing an epoxy resin. FIG. 9A is a graph showing the total amount of gas released, and FIG. 9B is a graph showing the amount of water vapor released.

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物(樹脂、重合体、共重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
「置換基を有していてもよい」又は「置換基を有してもよい」と記載する場合、水素原子(-H)を1価の基で置換する場合と、メチレン基(-CH-)を2価の基で置換する場合との両方を含む。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
In the present specification and claims, "aliphatic" is defined as a relative concept to aromatics and means a group, a compound or the like having no aromaticity.
Unless otherwise specified, the "alkyl group" shall include linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups. The same applies to the alkyl group in the alkoxy group.
Unless otherwise specified, the "alkylene group" includes linear, branched and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups.
The "alkyl halide group" is a group in which a part or all of the hydrogen atom of the alkyl group is substituted with a halogen atom, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
The "fluorinated alkyl group" or "fluorinated alkylene group" refers to a group in which a part or all of the hydrogen atom of the alkyl group or the alkylene group is substituted with a fluorine atom.
The “constituent unit” means a monomer unit (monomer unit) constituting a polymer compound (resin, polymer, copolymer).
When it is described that "may have a substituent" or "may have a substituent", the case where the hydrogen atom (-H) is substituted with a monovalent group and the case where the methylene group (-CH 2 ) is substituted. Includes both cases where-) is replaced with a divalent group.
"Exposure" is a concept that includes general irradiation of radiation.

「ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。「ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子を有機基で置換したもの;α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンのベンゼン環に、水酸基以外の置換基が結合したもの等が挙げられる。尚、α位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
ヒドロキシスチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
The “constituent unit derived from hydroxystyrene” means a structural unit composed by cleavage of the ethylenic double bond of hydroxystyrene. The “constituent unit derived from the hydroxystyrene derivative” means a structural unit formed by cleaving the ethylenic double bond of the hydroxystyrene derivative.
The term "hydroxystyrene derivative" is a concept including a hydrogen atom at the α-position of hydroxystyrene substituted with another substituent such as an alkyl group or an alkyl halide group, and derivatives thereof. As those derivatives, the hydrogen atom at the α-position may be substituted with a substituent. The hydrogen atom of the hydroxyl group of hydroxystyrene is substituted with an organic group; even if the hydrogen atom at the α-position is substituted with a substituent. Examples thereof include those in which a substituent other than a hydroxyl group is bonded to a good hydroxystyrene benzene ring. The α-position (carbon atom at the α-position) refers to a carbon atom to which a benzene ring is bonded, unless otherwise specified.
Examples of the substituent substituting the hydrogen atom at the α-position of hydroxystyrene include the same as those mentioned as the substituent at the α-position in the α-substituted acrylic acid ester.

上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、炭素数1~5のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基)等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、1~5が好ましく、1が最も好ましい。
The alkyl group as the substituent at the α-position is preferably a linear or branched alkyl group, and specifically, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group). , N-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group) and the like.
Further, the alkyl halide group as the substituent at the α-position is specifically a group in which a part or all of the hydrogen atom of the above-mentioned "alkyl group as the substituent at the α-position" is substituted with a halogen atom. Be done. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like, and a fluorine atom is particularly preferable.
Further, as the hydroxyalkyl group as the substituent at the α-position, specifically, a group in which a part or all of the hydrogen atom of the above-mentioned "alkyl group as the substituent at the α-position" is substituted with a hydroxyl group can be mentioned. The number of hydroxyl groups in the hydroxyalkyl group is preferably 1 to 5, most preferably 1.

(積層体(第1の態様))
本発明の第1の態様に係る積層体は、支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体であって、少なくとも、前記中間層と前記デバイス層とは互いに隣接してたものである。前記デバイス層は、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体である。前記中間層は、温度:40℃、湿度:90%RHにおいて、厚み20μm換算値の水蒸気透過率が5g/(m・day)以下との要件を満たす材料により構成される。
(Laminated body (first aspect))
The laminate according to the first aspect of the present invention is a laminate in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer, and a device layer are laminated in this order, and at least the intermediate layer and the device layer are adjacent to each other. It is a thing. The device layer is a composite of a member made of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member. The intermediate layer is made of a material that satisfies the requirement that the water vapor transmittance in terms of thickness 20 μm is 5 g / (m 2 · day) or less at a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH.

図1は、第1の態様に係る積層体の一実施形態を示している。
図1に示す積層体100は、支持基体1および分離層2からなる支持体12と、接着層3と、中間層10と、基板4および封止材層5からなるデバイス層45と、を備えている。積層体100において、支持体12、接着層3、中間層10及びデバイス層456が、この順に積層している。なお、図1の例では、支持体12は、支持基体1および分離層2からなるが、これに限定されず、支持基体のみから支持体を構成してもよい。
中間層10は、デバイス層45と隣接して設けられており、これにより熱処理時のデバイス層45からガスが放出されたとしても、接着層3側にこのガスが行き渡ることを抑制することができる。
FIG. 1 shows an embodiment of a laminated body according to the first aspect.
The laminate 100 shown in FIG. 1 includes a support 12 composed of a support substrate 1 and a separation layer 2, an adhesive layer 3, an intermediate layer 10, and a device layer 45 composed of a substrate 4 and a sealing material layer 5. ing. In the laminated body 100, the support 12, the adhesive layer 3, the intermediate layer 10 and the device layer 456 are laminated in this order. In the example of FIG. 1, the support 12 is composed of the support base 1 and the separation layer 2, but the support is not limited to this, and the support may be formed only from the support base.
The intermediate layer 10 is provided adjacent to the device layer 45, so that even if the gas is released from the device layer 45 during the heat treatment, it is possible to prevent the gas from spreading to the adhesive layer 3 side. ..

図2は、第1の態様に係る積層体の別の実施形態を示している。
図2に示す積層体200は、デバイス層が、基板4、封止材層5および配線層6からなるデバイス層456である以外は、積層体100と同様の構成である。
FIG. 2 shows another embodiment of the laminate according to the first aspect.
The laminate 200 shown in FIG. 2 has the same configuration as the laminate 100 except that the device layer is the device layer 456 composed of the substrate 4, the encapsulant layer 5, and the wiring layer 6.

図3は、第1の態様に係る積層体のさらなる別の実施形態を示している。
図3に示す積層体300は、デバイス層が、配線層6からなる以外は、積層体100と同様の構成である。
FIG. 3 shows yet another embodiment of the laminate according to the first aspect.
The laminated body 300 shown in FIG. 3 has the same configuration as the laminated body 100 except that the device layer is composed of the wiring layer 6.

図4は、第1の態様に係る積層体のさらなる別の実施形態を示している。
図4に示す積層体400は、デバイス層が、配線層6、基板4および封止材層5からなるデバイス層645である以外は、積層体100と同様の構成である。
FIG. 4 shows yet another embodiment of the laminate according to the first aspect.
The laminate 400 shown in FIG. 4 has the same configuration as the laminate 100 except that the device layer is the device layer 645 including the wiring layer 6, the substrate 4, and the encapsulant layer 5.

<中間層>
中間層は、接着層とデバイス層との間に、デバイス層に隣接して設けられる層であり、中間層形成材料により構成される。中間層は、デバイス層からのガスの放出を抑制する機能を有する。
<Middle layer>
The intermediate layer is a layer provided adjacent to the device layer between the adhesive layer and the device layer, and is composed of an intermediate layer forming material. The intermediate layer has a function of suppressing the release of gas from the device layer.

本実施形態において、中間層形成材料は、下記(要件1-1)を満たす。
(要件1-1):温度:40℃、湿度:90%RHにおいて、厚み20μm換算値の水蒸気透過率が5g/(m・day)以下となる。
In the present embodiment, the intermediate layer forming material satisfies the following (requirement 1-1).
(Requirement 1-1): At a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH, the water vapor permeability in terms of a thickness of 20 μm is 5 g / (m 2 · day) or less.

上記(要件1-1)における水蒸気透過率の測定は、JIS K7129Bに準拠して行うことができる。 The measurement of the water vapor permeability in the above (Requirement 1-1) can be performed in accordance with JIS K7129B.

上記(要件1-1)を満たす材料により構成される中間層をデバイス層に隣接して設けることで、デバイス層からのガスの放出を効果的に抑制することができる。上記(要件1-1)における水蒸気透過率は、3g/(m・day)以下が好ましく、1g/(m・day)以下がより好ましい。水蒸気透過率の下限値は特に限定されるものではないが、例えば、0.01g/(m・day)以上である。 By providing an intermediate layer made of a material satisfying the above (Requirement 1-1) adjacent to the device layer, it is possible to effectively suppress the release of gas from the device layer. The water vapor permeability in the above (requirement 1-1) is preferably 3 g / (m 2 · day) or less, and more preferably 1 g / (m 2 · day) or less. The lower limit of the water vapor transmittance is not particularly limited, but is, for example, 0.01 g / (m 2 · day) or more.

中間層形成材料は、上記(要件1-1)を満たし、成膜可能なものであれば、公知のものを特に制限なく用いることができる。そのような材料としては、例えば、シクロオレフィンポリマー、無機物、包装用フィルム材料等として用いられる各種樹脂材料等が挙げられる。 As the intermediate layer forming material, any known material can be used without particular limitation as long as it satisfies the above (Requirement 1-1) and can form a film. Examples of such materials include cycloolefin polymers, inorganic substances, various resin materials used as packaging film materials, and the like.

≪シクロオレフィンポリマー≫
シクロオレフィンポリマーとしては、例えば、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分の開環重合体、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分を付加重合させた付加重合体が好適に挙げられる。
≪Cycloolefin polymer≫
Preferable examples of the cycloolefin polymer include a ring-opening polymer having a monomer component containing a cycloolefin monomer and an addition polymer obtained by addition-polymerizing a monomer component containing a cycloolefin monomer.

前記シクロオレフィンモノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどの二環体、ジシクロペンタジエン、ヒドロキシジシクロペンタジエンなどの三環体、テトラシクロドデセンなどの四環体、シクロペンタジエン三量体などの五環体、テトラシクロペンタジエンなどの七環体、又はこれら多環体のアルキル(メチル、エチル、プロピル、ブチルなど)置換体、アルケニル(ビニルなど)置換体、アルキリデン(エチリデンなど)置換体もしくはアリール(フェニル、トリル、ナフチルなど)置換体等のモノマーが挙げられる。 Examples of the cycloolefin monomer include dicyclics such as norbornene and norbornadiene, tricyclics such as dicyclopentadiene and hydroxydicyclopentadiene, tetracyclics such as tetracyclopentadiene, and cyclopentadiene trimers. Rings, seven rings such as tetracyclopentadiene, or alkyl (methyl, ethyl, propyl, butyl, etc.) substitutions, alkenyl (vinyl, etc.) substitutions, alkylidene (ethylidene, etc.) substitutions or aryls (such as ethylidene) of these polycyclics. Monomers such as phenyl, trill, naphthyl, etc.) substituents can be mentioned.

上記の中でも、特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン及びこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれる、ノルボルネン構造を有するモノマー由来の構成単位を有するポリマーが好ましい。このような、ノルボルネン構造をもつシクロオレフィンポリマーを用いることにより、水蒸気透過率を低減することができる。 Among the above, a polymer having a structural unit derived from a monomer having a norbornene structure, which is selected from the group consisting of norbornene, tetracyclododecene and alkyl-substituted products thereof, is particularly preferable. By using such a cycloolefin polymer having a norbornene structure, the water vapor permeability can be reduced.

シクロオレフィンポリマーは、前記シクロオレフィンモノマーと共重合可能なモノマーを単量体単位として有していてもよい。
かかる共重合可能なモノマーとしては、例えば、アルケンモノマーが好適に挙げられる。このアルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよいし、炭素数2~10のアルケンモノマーが挙げられ、例えば、エチレン、プロピレン、1-ブテン、イソブテン、1-ヘキセン等のα-オレフィンが好ましく、これらの中でも、エチレンを単量体単位とすることがより好ましい。
The cycloolefin polymer may have a monomer copolymerizable with the cycloolefin monomer as a monomer unit.
As such a copolymerizable monomer, for example, an alkene monomer is preferably mentioned. The alkene monomer may be linear or branched, and examples thereof include alkene monomers having 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include ethylene, propylene, 1-butene, isobutene, and 1. -Α-olefins such as hexene are preferable, and among these, ethylene is more preferable as a monomer unit.

シクロオレフィンポリマー中、シクロオレフィンモノマー単位の含有割合は、シクロオレフィンポリマーを構成する全構成単位(100モル%)に対して、30モル%以上が好ましく、40モル%以上がより好ましい。シクロオレフィンモノマー単位の含有割合が、上記好ましい範囲の下限値以上であると、水蒸気透過率を低減することができる。シクロオレフィンモノマー単位の含有割合の上限は特に限定されるものではないが、シクロオレフィンポリマーを構成する全構成単位(100モル%)に対して、例えば、90モル%以下である。 The content ratio of the cycloolefin monomer unit in the cycloolefin polymer is preferably 30 mol% or more, more preferably 40 mol% or more, based on the total constituent units (100 mol%) constituting the cycloolefin polymer. When the content ratio of the cycloolefin monomer unit is at least the lower limit of the above preferable range, the water vapor transmittance can be reduced. The upper limit of the content ratio of the cycloolefin monomer unit is not particularly limited, but is, for example, 90 mol% or less with respect to all the constituent units (100 mol%) constituting the cycloolefin polymer.

シクロオレフィンポリマーは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 As the cycloolefin polymer, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

尚、シクロオレフィンポリマーは、例えば、シクロオレフィンモノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する点から好ましい。
単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従って適宜設定すればよい。
The cycloolefin polymer is a resin having no polar group, such as a resin obtained by polymerizing a monomer component composed of a cycloolefin monomer and an alkene monomer, which is a gas at a high temperature. It is preferable from the viewpoint of suppressing the occurrence of.
The polymerization method, polymerization conditions, etc. when polymerizing the monomer component are not particularly limited and may be appropriately set according to a conventional method.

シクロオレフィンポリマーの市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「TOPAS(商品名)」、三井化学株式会社製の「APEL(商品名)」、日本ゼオン株式会社製の「ZEONOR(商品名)」、日本ゼオン株式会社製の「ZEONEX(商品名)」、JSR株式会社製の「ARTON(商品名)」等が挙げられる。 Commercially available cycloolefin polymers include, for example, "TOPAS (trade name)" manufactured by Polyplastics Corporation, "APEL (trade name)" manufactured by Mitsui Kagaku Co., Ltd., and "ZEONOR (trade name)" manufactured by Japan Zeon Co., Ltd. Name) ”,“ ZEONEX (trade name) ”manufactured by Japan Zeon Co., Ltd.,“ ARTON (trade name) ”manufactured by JSR Corporation, and the like.

シクロオレフィンポリマーは、適宜、他の成分を添加して、シクロオレフィンポリマー組成物として中間層に用いてもよい。かかる他の成分としては、例えば、希釈溶剤、重合禁止剤、重合開始剤、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、界面活性剤等が挙げられる。これらは、公知のものを特に制限なく用いることができる。希釈溶剤としては、例えば、後述する「≪接着層≫」において挙げたもの等が挙げられる。 The cycloolefin polymer may be used in the intermediate layer as a cycloolefin polymer composition by adding other components as appropriate. Examples of such other components include diluting solvents, polymerization inhibitors, polymerization initiators, plasticizers, adhesion aids, stabilizers, colorants, surfactants and the like. As these, known ones can be used without particular limitation. Examples of the diluting solvent include those mentioned in "<< Adhesive layer >>" described later.

≪無機物≫
中間層形成材料としての無機物は、上記(要件1-1)を満たすものであれば特に限定されない。かかる無機物としては、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される1種類以上が好適に挙げられる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物であり、例えば金属酸化物、金属窒化物が挙げられる。
このような無機物としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、SiO、SiN、Si、TiN、及びカーボンからなる群より選ばれる1種類以上が挙げられる。ここで、カーボンとは、炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えばダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等を包含する。
≪Inorganic matter≫
The inorganic substance as the intermediate layer forming material is not particularly limited as long as it satisfies the above (requirement 1-1). As such an inorganic substance, for example, one or more kinds selected from the group consisting of a metal, a metal compound and carbon are preferably mentioned. The metal compound is a compound containing a metal atom, and examples thereof include metal oxides and metal nitrides.
Examples of such an inorganic substance include one or more selected from the group consisting of gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, titanium, chromium, SiO 2 , SiN, Si 3N 4 , TiN, and carbon. Here, carbon is a concept that can also include allotropes of carbon, and includes, for example, diamond, fullerene, diamond-like carbon, carbon nanotubes, and the like.

無機物膜からなる中間層は、例えばスパッタ、化学蒸着(CVD)、メッキ、プラズマCVD、スピンコート等の公知の技術により、接着層上に形成され得る。 The intermediate layer made of an inorganic film can be formed on the adhesive layer by a known technique such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), plating, plasma CVD, spin coating and the like.

≪各種樹脂材料≫
中間層形成材料として使用可能な樹脂材料は特に限定されず、上記(要件1-1)を満たす材料であれば、例えば、包装用フィルム材料として公知の樹脂材料等を用いることができる。かかる樹脂材料としては、例えば、下記表1に示す樹脂材料が挙げられるが、これらに限定されない。
≪Various resin materials≫
The resin material that can be used as the intermediate layer forming material is not particularly limited, and for example, a known resin material or the like as a packaging film material can be used as long as it is a material that satisfies the above (requirement 1-1). Examples of such resin materials include, but are not limited to, the resin materials shown in Table 1 below.

Figure 0007004566000001
Figure 0007004566000001

表1における各略語は、以下のとおりである。
PET:ポリエチレンテレフタレート
CPP:無延伸ポリプロピレン
ONY:ナイロン
PVDC:ポリ塩化ビニリデン
VDC:塩化ビニル
MA:メタクリル酸
OPP:二軸延伸ポリプロピレン
PVC:ポリ塩化ビニル
Each abbreviation in Table 1 is as follows.
PET: Polyethylene terephthalate CPP: Unstretched polypropylene ONY: Nylon PVDC: Polyvinylidene chloride VDC: Vinyl chloride MA: Methacrylate OPP: Biaxially stretched polypropylene PVC: Polyvinyl chloride

中間層形成材料は、上記(要件1-1)に加えて、下記(要件1-2)を満たすことが好ましい。
(要件1-2):厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃での溶融粘度が10000(Pa・s)以上となる。
The intermediate layer forming material preferably satisfies the following (requirement 1-2) in addition to the above (requirement 1-1).
(Requirement 1-2): When a test piece having a thickness of 500 μm was prepared and subjected to dynamic viscoelasticity measurement under the conditions of a starting temperature of 25 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a frequency of 1 Hz, 180. The melt viscosity at ° C. is 10,000 (Pa · s) or more.

上記(要件1-2)における溶融粘度の測定は、動的粘弾性測定装置(Rheogel-E4000、ユービーエム株式会社製)を用い、前述の(要件1-2)に記載の条件に沿って実施することができる。 The measurement of the melt viscosity in the above (requirement 1-2) is carried out using a dynamic viscoelasticity measuring device (Rheogel-E4000, manufactured by UBM Co., Ltd.) in accordance with the conditions described in the above (requirement 1-2). can do.

上記(要件1-1)に加えて(要件1-2)を満たすことで、デバイス層からのガス放出をより効果的に抑制することができる。上記(要件1-2)における溶融粘度は、15000(Pa・s)以上が好ましく、20000(Pa・s)以上がより好ましく、25000(Pa・s)以上がさらに好ましい。溶融粘度の上限値は特に限定されるものではないが、例えば、50000(Pa・s)以下である。 By satisfying (Requirement 1-2) in addition to the above (Requirement 1-1), outgassing from the device layer can be suppressed more effectively. The melt viscosity in the above (Requirement 1-2) is preferably 15,000 (Pa · s) or more, more preferably 20000 (Pa · s) or more, and even more preferably 25,000 (Pa · s) or more. The upper limit of the melt viscosity is not particularly limited, but is, for example, 50,000 (Pa · s) or less.

中間層の厚さは、例えば0.1μm以上、50μm以下の範囲内であることが好ましく、5μm以上、40μm以下の範囲内であることがより好ましく、10μm以上、30μm以下の範囲内であることがさらに好ましく、15μm以上、25μm以下の範囲内であることが特に好ましい。
中間層の厚さが前記好ましい範囲の下限値以上であれば、デバイス層から放出されるガスの遮断機能が向上する。また、中間層の厚さが前記好ましい範囲の上限値以下であることにより、後の除去工程の妨げとなることがない。
The thickness of the intermediate layer is, for example, preferably in the range of 0.1 μm or more and 50 μm or less, more preferably in the range of 5 μm or more and 40 μm or less, and more preferably in the range of 10 μm or more and 30 μm or less. Is more preferable, and it is particularly preferable that the range is 15 μm or more and 25 μm or less.
When the thickness of the intermediate layer is at least the lower limit of the preferable range, the function of blocking the gas released from the device layer is improved. Further, when the thickness of the intermediate layer is not more than the upper limit of the preferable range, it does not interfere with the subsequent removal step.

<接着層>
接着層は、支持体と基板とを貼り合わせるための層であり、後述の接着剤組成物を用いて形成することができる。
<Adhesive layer>
The adhesive layer is a layer for adhering the support and the substrate, and can be formed by using the adhesive composition described later.

接着層の厚さは、例えば0.1μm以上、100μm以下の範囲内であることが好ましく、1μm以上、50μm以下の範囲内であることがより好ましく、10μm以上、40μm以下の範囲内であることがさらに好ましい。接着層の厚さが前記好ましい範囲内であると、支持体と基板とをより良好に貼り合わせることができる。 The thickness of the adhesive layer is, for example, preferably 0.1 μm or more and 100 μm or less, more preferably 1 μm or more and 50 μm or less, and 10 μm or more and 40 μm or less. Is even more preferable. When the thickness of the adhesive layer is within the above-mentioned preferable range, the support and the substrate can be better bonded to each other.

接着層の厚さ(μm)と上記中間層の厚さ(μm)との比率は、接着層/中間層=1/9~9/1であることが好ましい。前記比率が前記好ましい範囲内であると、支持体と基板との接着性を保ちつつ、デバイス層からのガスの放出を抑制することができる。前記比率は、接着層/中間層=1/5~5/1であることがより好ましく、接着層/中間層=1/1~4/1であることがさらに好ましい。 The ratio of the thickness (μm) of the adhesive layer to the thickness (μm) of the intermediate layer is preferably the adhesive layer / intermediate layer = 1/9 to 9/1. When the ratio is within the preferable range, it is possible to suppress the release of gas from the device layer while maintaining the adhesiveness between the support and the substrate. The ratio is more preferably 1/5 to 5/1 for the adhesive layer / intermediate layer, and further preferably 1/1 to 4/1 for the adhesive layer / intermediate layer.

≪接着剤組成物≫ ≪Adhesive composition≫

接着剤組成物は、下記(要件A)を満たすことが好ましい。
(要件A):厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃での溶融粘度が1000(Pa・s)以上10000(Pa・s)以下となる。
The adhesive composition preferably satisfies the following (requirement A).
(Requirement A): When a test piece having a thickness of 500 μm was prepared and subjected to dynamic viscoelasticity measurement under the conditions of a starting temperature of 25 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a frequency of 1 Hz, the temperature was 180 ° C. The melt viscosity of is 1000 (Pa · s) or more and 10000 (Pa · s) or less.

上記(要件A)における溶融粘度の測定は、上記「<中間層>」における(要件1-2)の溶融粘度の測定と同様の手順に従って行うことができる。 The measurement of the melt viscosity in the above (requirement A) can be performed according to the same procedure as the measurement of the melt viscosity in (requirement 1-2) in the above "<intermediate layer>".

接着剤組成物が(要件A)を満たすことで、接着剤組成物は、常温時、加熱時とも安定的な接着機能を発揮しやすくなる。上記(要件A)における溶融粘度は、2000(Pa・s)以上8000(Pa・s)以下がより好ましく、2000(Pa・s)以上6000(Pa・s)以下がさらに好ましい。 When the adhesive composition satisfies (Requirement A), the adhesive composition tends to exhibit a stable adhesive function at both normal temperature and heating. The melt viscosity in the above (requirement A) is more preferably 2000 (Pa · s) or more and 8000 (Pa · s) or less, and further preferably 2000 (Pa · s) or more and 6000 (Pa · s) or less.

接着剤組成物として、例えば、アクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー、ポリサルホン系等の当該分野において公知の種々の接着剤組成物が使用可能である。 As the adhesive composition, various adhesive compositions known in the art such as acrylic type, novolak type, naphthoquinone type, hydrocarbon type, polyimide type, elastomer, polysulfone type and the like can be used.

接着剤組成物としては、例えば熱可塑性樹脂、希釈剤、及び、添加剤等のその他成分を含有しているものが挙げられる。かかる熱可塑性樹脂は、接着力を発現するものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル-スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂、ポリサルホン系樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等を好ましく用いることができる。 Examples of the adhesive composition include those containing other components such as a thermoplastic resin, a diluent, and an additive. The thermoplastic resin may be any one that exhibits adhesive strength, and for example, a hydrocarbon resin, an acrylic-styrene resin, a maleimide resin, an elastomer resin, a polysulfone resin, or a combination thereof is preferable. Can be used.

・炭化水素樹脂
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィンポリマー(以下、「樹脂(A)」ということがある。)、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂(以下、「樹脂(B)」ということがある。)等が挙げられるが、これに限定されない。
-Hydrocarbon resin A hydrocarbon resin is a resin having a hydrocarbon skeleton and polymerized with a monomer composition. As the hydrocarbon resin, at least one resin selected from the group consisting of a cycloolefin polymer (hereinafter, may be referred to as "resin (A)"), a terpene resin, a rosin-based resin, and a petroleum resin (hereinafter, "" It may be referred to as “resin (B)”), etc., but is not limited thereto.

樹脂(A)としては、例えば、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分の開環重合体、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分を付加重合させた付加重合体が好適に挙げられる。 Preferred examples of the resin (A) include a ring-opening polymer having a monomer component containing a cycloolefin monomer and an addition polymer obtained by addition-polymerizing a monomer component containing a cycloolefin monomer.

前記シクロオレフィンモノマーとしては、上記「<中間層>」で挙げたものと同様の者が挙げられる。
シクロオレフィンポリマーは、前記シクロオレフィンモノマーと共重合可能なモノマーを単量体単位として有していてもよく、かかる共重合可能なモノマーも、上記「<中間層>」で挙げたものと同様の者が挙げられる。
Examples of the cycloolefin monomer include those similar to those mentioned in the above "<intermediate layer>".
The cycloolefin polymer may have a monomer copolymerizable with the cycloolefin monomer as a monomer unit, and the copolymerizable monomer is also the same as that mentioned in the above "<intermediate layer>". Can be mentioned.

また、樹脂(A)を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性(低い熱分解、熱重量減少性)の観点から好ましい。樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、5モル%以上であることが好ましく、10モル%以上であることがより好ましく、20モル%以上であることがさらに好ましい。また、樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは80モル%以下であることが好ましく、70モル%以下であることがより好ましい。 Further, it is preferable to contain a cycloolefin monomer as a monomer component constituting the resin (A) from the viewpoint of high heat resistance (low thermal decomposition, thermal weight reduction). The ratio of the cycloolefin monomer to the total monomer component constituting the resin (A) is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, and further preferably 20 mol% or more. preferable. The ratio of the cycloolefin monomer to the entire monomer component constituting the resin (A) is not particularly limited, but is preferably 80 mol% or less from the viewpoint of solubility and stability over time in a solution. It is more preferably 70 mol% or less.

また、樹脂(A)を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは10~90モル%であることが好ましく、20~85モル%であることがより好ましく、30~80モル%であることがさらに好ましい。 Further, as a monomer component constituting the resin (A), a linear or branched alkene monomer may be contained. The ratio of the alkene monomer to the total monomer component constituting the resin (A) is preferably 10 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol% from the viewpoint of solubility and flexibility. , 30-80 mol%, more preferably.

なお、樹脂(A)は、例えば、シクロオレフィンモノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。
単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従って適宜設定すればよい。
The resin (A) is a resin having no polar group, such as a resin obtained by polymerizing a monomer component composed of a cycloolefin monomer and an alkene monomer, at a high temperature. It is preferable for suppressing the generation of gas.
The polymerization method, polymerization conditions, etc. when polymerizing the monomer component are not particularly limited and may be appropriately set according to a conventional method.

樹脂(A)として用い得るシクロオレフィンポリマーの市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「TOPAS(商品名)」、三井化学株式会社製の「APEL(商品名)」、日本ゼオン株式会社製の「ZEONOR(商品名)」、日本ゼオン株式会社製の「ZEONEX(商品名)」、JSR株式会社製の「ARTON(商品名)」等が挙げられる。 Commercially available cycloolefin polymers that can be used as the resin (A) include, for example, "TOPAS (trade name)" manufactured by Polyplastics Corporation, "APEL (trade name)" manufactured by Mitsui Chemicals Corporation, and JSR Corporation. Examples thereof include "ZEONOR (product name)" manufactured by the company, "ZEONEX (product name)" manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., and "ARTON (product name)" manufactured by JSR Corporation.

樹脂(A)のガラス転移温度(Tg)は、60℃以上であることが好ましく、70℃以上であることが特に好ましい。樹脂(A)のガラス転移温度が60℃以上であると、高温環境に曝されたときに接着層の軟化を抑制することができる。 The glass transition temperature (Tg) of the resin (A) is preferably 60 ° C. or higher, and particularly preferably 70 ° C. or higher. When the glass transition temperature of the resin (A) is 60 ° C. or higher, softening of the adhesive layer can be suppressed when exposed to a high temperature environment.

樹脂(B)は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。 The resin (B) is at least one resin selected from the group consisting of a terpene-based resin, a rosin-based resin, and a petroleum resin. Specifically, examples of the terpene-based resin include terpene resin, terpene phenol resin, modified terpene resin, hydrogenated terpene resin, hydrogenated terpene phenol resin and the like. Examples of the rosin-based resin include rosin, rosin ester, hydrogenated rosin, hydrogenated rosin ester, polymerized rosin, polymerized rosin ester, modified rosin and the like. Examples of petroleum resins include aliphatic or aromatic petroleum resins, hydrogenated petroleum resins, modified petroleum resins, alicyclic petroleum resins, and Kumaron-Inden petroleum resins. Among these, hydrogenated terpene resin and hydrogenated petroleum resin are more preferable.

樹脂(B)の軟化点は特に限定されないが、80~160℃であることが好ましい。樹脂(B)の軟化点が80~160℃であると、高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。 The softening point of the resin (B) is not particularly limited, but is preferably 80 to 160 ° C. When the softening point of the resin (B) is 80 to 160 ° C., softening can be suppressed when exposed to a high temperature environment, and poor adhesion does not occur.

樹脂(B)の重量平均分子量は特に限定されないが、300~3,000であることが好ましい。樹脂(B)の重量平均分子量が300以上であると、耐熱性が十分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂(B)の重量平均分子量が3,000以下であると、炭化水素系溶剤への接着層の溶解速度が良好なものとなる。このため、支持体を分離した後のデバイス層上の接着層の残渣を迅速に溶解し、除去することができる。なお、本実施形態における樹脂(B)の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。 The weight average molecular weight of the resin (B) is not particularly limited, but is preferably 300 to 3,000. When the weight average molecular weight of the resin (B) is 300 or more, the heat resistance becomes sufficient and the amount of degassing becomes small in a high temperature environment. On the other hand, when the weight average molecular weight of the resin (B) is 3,000 or less, the dissolution rate of the adhesive layer in the hydrocarbon solvent becomes good. Therefore, the residue of the adhesive layer on the device layer after the support is separated can be quickly dissolved and removed. The weight average molecular weight of the resin (B) in the present embodiment means the polystyrene-equivalent molecular weight measured by gel permeation chromatography (GPC).

炭化水素樹脂としては、樹脂(A)と樹脂(B)とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性が良好なものとなる。例えば、樹脂(A)と樹脂(B)との混合割合としては、(A):(B)=80:20~55:45(質量比)であることが、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。 As the hydrocarbon resin, a mixture of the resin (A) and the resin (B) may be used. By mixing, the heat resistance becomes good. For example, the mixing ratio of the resin (A) and the resin (B) is (A) :( B) = 80: 20 to 55:45 (mass ratio), that is, the heat resistance in a high temperature environment and the heat resistance. It is preferable because it has excellent flexibility.

・アクリル-スチレン系樹脂
アクリル-スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、(メタ)アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
-Acrylic-styrene resin Examples of the acrylic-styrene resin include a resin obtained by polymerizing a styrene or a derivative of styrene and a (meth) acrylic acid ester or the like as a monomer.

(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステル、芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数15~20のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数1~14のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がn-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐鎖状であってもよい。 Examples of the (meth) acrylic acid ester include a (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure, a (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring, and a (meth) acrylic acid ester having an aromatic ring. .. Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure include an acrylic long-chain alkyl ester having an alkyl group having 15 to 20 carbon atoms, an acrylic alkyl ester having an alkyl group having 1 to 14 carbon atoms, and the like. .. As the acrylic long chain alkyl ester, acrylic acid or methacrylic acid whose alkyl group is n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-eicosyl group or the like Alkyl esters can be mentioned. The alkyl group may be in the form of a branched chain.

炭素数1~14のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、2-エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。 Examples of the acrylic alkyl ester having an alkyl group having 1 to 14 carbon atoms include known acrylic alkyl esters used in existing acrylic adhesives. For example, the alkyl group is an alkyl of acrylic acid or methacrylic acid consisting of a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a 2-ethylhexyl group, an isooctyl group, an isononyl group, an isodecyl group, a dodecyl group, a lauryl group, a tridecyl group and the like. Esther can be mentioned.

脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、シクロペンチル(メタ)アクリレート、1-アダマンチル(メタ)アクリレート、ノルボルニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、テトラシクロドデカニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレートがより好ましい。 Examples of the (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring include cyclohexyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, 1-adamantyl (meth) acrylate, norbornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, and tricyclodecanyl. Examples thereof include (meth) acrylate, tetracyclododecanyl (meth) acrylate, and dicyclopentanyl (meth) acrylate, but isobornyl methacrylate and dicyclopentanyl (meth) acrylate are more preferable.

芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数1~5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。 The (meth) acrylic acid ester having an aromatic ring is not particularly limited, but the aromatic ring includes, for example, a phenyl group, a benzyl group, a tolyl group, a xsilyl group, a biphenyl group, a naphthyl group and an anthrasenyl group. , Phenoxymethyl group, phenoxyethyl group and the like. Further, the aromatic ring may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specifically, phenoxyethyl acrylate is preferable.

・マレイミド系樹脂
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、N-メチルマレイミド、N-エチルマレイミド、N-n-プロピルマレイミド、N-イソプロピルマレイミド、N-n-ブチルマレイミド、N-イソブチルマレイミド、N-sec-ブチルマレイミド、N-tert-ブチルマレイミド、N-n-ペンチルマレイミド、N-n-ヘキシルマレイミド、N-n-へプチルマレイミド、N-n-オクチルマレイミド、N-ラウリルマレイミド、N-ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、N-シクロプロピルマレイミド、N-シクロブチルマレイミド、N-シクロペンチルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド、N-シクロヘプチルマレイミド、N-シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、N-フェニルマレイミド、N-m-メチルフェニルマレイミド、N-o-メチルフェニルマレイミド、N-p-メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
-Maleimide-based resin Examples of the maleimide-based resin include N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, Nn-propylmaleimide, N-isopropylmaleimide, Nn-butylmaleimide, and N-isobutylmaleimide as monomers. , N-sec-butylmaleimide, N-tert-butylmaleimide, Nn-pentylmaleimide, Nn-hexylmaleimide, Nn-heptylmaleimide, Nn-octylmaleimide, N-laurylmaleimide, N -Alipid hydrocarbons such as maleimide having an alkyl group such as stearylmaleimide, N-cyclopropylmaleimide, N-cyclobutylmaleimide, N-cyclopentylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-cycloheptylmaleimide and N-cyclooctylmaleimide. It was obtained by polymerizing aromatic maleimide having an aryl group such as maleimide having a group, N-phenylmaleimide, Nm-methylphenylmaleimide, NO-methylphenylmaleimide, Np-methylphenylmaleimide and the like. Resin is mentioned.

・エラストマー
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、炭素数1~5のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であることが好ましい。
-Elastomer The elastomer preferably contains a styrene unit as a constituent unit of the main chain, and the "styrene unit" may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an acetoxy group, a carboxyl group and the like. Further, it is more preferable that the content of the styrene unit is in the range of 14% by weight or more and 50% by weight or less. Further, the elastomer preferably has a weight average molecular weight in the range of 10,000 or more and 200,000 or less.

スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易かつ迅速に接着層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、レジストリソグラフィーに用いられるレジスト溶剤(例えばPGMEA、PGME等)、酸(フッ化水素酸等)、アルカリ(TMAH等)に対して優れた耐性を発揮する。 If the content of the styrene unit is in the range of 14% by weight or more and 50% by weight or less, and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 or more and 200,000 or less, the hydrocarbon solvent described later will be used. Since it dissolves easily, the adhesive layer can be removed more easily and quickly. Further, when the content of the styrene unit and the weight average molecular weight are within the above ranges, the resist solvent (for example, PGMEA, PGME, etc.), acid (hydrofluoric acid, etc.), alkali (TMAH, etc.) used for resist lithography are used. Exhibits excellent resistance to.

なお、エラストマーには、上述した(メタ)アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。 The above-mentioned (meth) acrylic acid ester may be further mixed with the elastomer.

スチレン単位の含有量は、より好ましくは17重量%以上であり、また、より好ましくは40重量%以下である。 The content of the styrene unit is more preferably 17% by weight or more, and more preferably 40% by weight or less.

重量平均分子量のより好ましい範囲は20,000以上であり、また、より好ましい範囲は150,000以下である。 A more preferable range of the weight average molecular weight is 20,000 or more, and a more preferable range is 150,000 or less.

エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン-ポリ(エチレン/プロピレン)ブロックコポリマー(SEP)、スチレン-イソプレン-スチレンブロックコポリマー(SIS)、スチレン-ブタジエン-スチレンブロックコポリマー(SBS)、スチレン-ブタジエン-ブチレン-スチレンブロックコポリマー(SBBS)、及び、これらの水添物、スチレン-エチレン-ブチレン-スチレンブロックコポリマー(SEBS)、スチレン-エチレン-プロピレン-スチレンブロックコポリマー(スチレン-イソプレン-スチレンブロックコポリマー)(SEPS)、スチレン-エチレン-エチレン-プロピレン-スチレンブロックコポリマー(SEEPS)、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン-エチレン-エチレン-プロピレン-スチレンブロックコポリマー(SeptonV9461(株式会社クラレ製)、SeptonV9475(株式会社クラレ製))、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン-エチレン-ブチレン-スチレンブロックコポリマー(反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、SeptonV9827(株式会社クラレ製))、ポリスチレン-ポリ(エチレン-エチレン/プロピレン)ブロック-ポリスチレンブロックコポリマー(SEEPS-OH:末端水酸基変性)等が挙げられ、エラストマーのスチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。 As the elastomer, various elastomers as long as the content of the styrene unit is in the range of 14% by weight or more and 50% by weight or less and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 or more and 200,000 or less. Can be used. For example, polystyrene-poly (ethylene / propylene) block copolymer (SEP), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-butadiene-butylene-styrene block copolymer (SBBS). , And these hydrogenated products, styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (styrene-isoprene-styrene block copolymer) (SEPS), styrene-ethylene-ethylene- Styrene-styrene block copolymer (SEEPS), styrene block reaction cross-linked styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (SeptonV9461 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.), SeptonV9475 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.)), styrene block reaction crosslinked Styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SeptonV9827 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.) having a reactive polystyrene-based hard block), polystyrene-poly (ethylene-ethylene / propylene) block-polystyrene block copolymer (SEEPS-OH) : Terminal hydroxyl group modification) and the like, and those in which the content of the styrene unit and the weight average molecular weight of the elastomer are within the above ranges can be used.

また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。 Further, among the elastomers, hydrogenated products are more preferable. If it is a hydrogenated product, its stability against heat is improved, and deterioration such as decomposition and polymerization is unlikely to occur. Further, it is more preferable from the viewpoint of solubility in a hydrocarbon solvent and resistance to a resist solvent.

また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。 Further, among the elastomers, those having styrene block polymers at both ends are more preferable. This is because styrene, which has high thermal stability, is blocked at both ends to exhibit higher heat resistance.

より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。 More specifically, the elastomer is more preferably hydrogenated from block copolymers of styrene and conjugated diene. Stability against heat is improved, and deterioration such as decomposition and polymerization is unlikely to occur. In addition, it exhibits higher heat resistance by blocking styrene, which has high thermal stability, at both ends. Further, it is more preferable from the viewpoint of solubility in a hydrocarbon solvent and resistance to a resist solvent.

接着剤組成物に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン(商品名)」、株式会社クラレ製「ハイブラー(商品名)」、旭化成株式会社製「タフテック(商品名)」、JSR株式会社製「ダイナロン(商品名)」等が挙げられる。 Commercially available products that can be used as elastomers contained in adhesive compositions include, for example, "Septon (trade name)" manufactured by Kuraray Corporation, "Hyblur (trade name)" manufactured by Kuraray Corporation, and "Tough Tech" manufactured by Asahi Kasei Corporation. Product name) ”,“ Dynalon (product name) ”manufactured by JSR Corporation, and the like.

接着剤組成物に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を100重量部として、50重量部以上、99重量部以下の範囲内が好ましく、60重量部以上、99重量部以下の範囲内がより好ましく、70重量部以上、95重量部以下の範囲内が最も好ましい。これらの範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、基板を支持体に好適に固定することができる。 The content of the elastomer contained in the adhesive composition is, for example, preferably in the range of 50 parts by weight or more and 99 parts by weight or less, with the total amount of the adhesive composition being 100 parts by weight, and 60 parts by weight or more and 99 parts by weight. The following range is more preferable, and the range of 70 parts by weight or more and 95 parts by weight or less is most preferable. By keeping the temperature within these ranges, the substrate can be suitably fixed to the support while maintaining heat resistance.

また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。すなわち、接着剤組成物は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。そして、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着剤組成物において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が30重量%である株式会社クラレ製のセプトン(商品名)のSepton4033と、スチレン単位の含有量が13重量%であるセプトン(商品名)のSepton2063とを重量比1対1で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は21~22重量%となり、従って14重量%以上となる。また、例えば、スチレン単位が10重量%のものと60重量%のものとを重量比1対1で混合すると35重量%となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着剤組成物に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、かつ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。 Further, a plurality of types of elastomers may be mixed. That is, the adhesive composition may contain a plurality of types of elastomers. Then, at least one of the plurality of types of elastomers may contain a styrene unit as a constituent unit of the main chain. Further, at least one of the plurality of types of elastomer has a styrene unit content in the range of 14% by weight or more and 50% by weight or less, or a weight average molecular weight of 10,000 or more and 200,000 or less. If it is within the range, it is within the scope of the present invention. Further, when the adhesive composition contains a plurality of types of elastomers, the content of the styrene unit may be adjusted to be within the above range as a result of mixing. For example, Septon 4033 of Septon (trade name) manufactured by Kuraray Co., Ltd. having a styrene unit content of 30% by weight and Septon 2063 of Septon (trade name) having a styrene unit content of 13% by weight are combined in a weight ratio of 1. When mixed 1: 1 the styrene content to the total elastomer contained in the adhesive is 21-22% by weight, and thus 14% by weight or more. Further, for example, when a styrene unit having a styrene unit of 10% by weight and a styrene unit having a weight ratio of 60% by weight is mixed at a weight ratio of 1: 1, it becomes 35% by weight, which is within the above range. The present invention may have such a form. Further, it is most preferable that all of the plurality of types of elastomers contained in the adhesive composition contain styrene units within the above range and have a weight average molecular weight within the above range.

・ポリサルホン系樹脂
接着剤組成物は、ポリサルホン系樹脂を含んでいてもよい。接着層3をポリサルホン系樹脂によって形成することにより、封止体形成工程において高温の処理を行っても、その後の工程において接着層3を溶解し、封止体7から支持基体1を剥離することができる。接着層3がポリサルホン樹脂を含んでいれば、封止体形成工程において、例えば、300℃以上という高温で処理する高温プロセスを用いることができる。
-Polysulfone-based resin The adhesive composition may contain polysulfone-based resin. By forming the adhesive layer 3 with polysulfone-based resin, even if high-temperature treatment is performed in the encapsulant forming step, the adhesive layer 3 is melted in the subsequent steps and the support substrate 1 is peeled off from the encapsulant 7. Can be done. If the adhesive layer 3 contains the polysulfone resin, a high temperature process of treating at a high temperature of, for example, 300 ° C. or higher can be used in the sealing body forming step.

ポリサルホン系樹脂は、下記一般式(ad1)で表される構成単位、及び、下記一般式(ad2)で表される構成単位のうちの少なくとも1種の構成単位からなる構造を有している。 The polysulfone-based resin has a structure composed of a structural unit represented by the following general formula (ad1) and at least one of the structural units represented by the following general formula (ad2).

Figure 0007004566000002
[式中、RC3、RC4、RC5、RC3及びRC4は、それぞれ独立して、フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基からなる群より選択される基であり、X’は、炭素数1~3のアルキレン基である。]
Figure 0007004566000002
[In the formula, RC3 , RC4 , RC5 , RC3 and RC4 are independently selected from the group consisting of a phenylene group, a naphthylene group and an anthrylene group, and X'is the number of carbon atoms. It is 1 to 3 alkylene groups. ]

ポリサルホン系樹脂は、式(ad1)で表されるポリサルホン構成単位及び式(ad2)で表されるポリエーテルサルホン構成単位のうちの少なくとも1つを備えていることによって、支持体上に接着層を形成した後、高い温度条件の処理を行っても、分解及び重合等により接着層が不溶化することを防止することができる。また、ポリサルホン系樹脂は、上記式(ad1)で表されるポリサルホン構成単位からなるポリサルホン樹脂であれば、より高い温度に加熱しても安定である。 The polysulfone-based resin comprises at least one of the polysulfone structural unit represented by the formula (ad1) and the polyethersulfone structural unit represented by the formula (ad2), whereby the adhesive layer is formed on the support. It is possible to prevent the adhesive layer from being insolubilized due to decomposition, polymerization, or the like, even if the treatment under high temperature conditions is performed after the formation of the layer. Further, the polysulfone-based resin is stable even when heated to a higher temperature as long as it is a polysulfone resin composed of the polysulfone structural unit represented by the above formula (ad1).

ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量(Mw)は、30,000以上、70,000以下の範囲内であることが好ましく、30,000以上、50,000以下の範囲内であることがより好ましい。ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量(Mw)が、30,000以上の範囲内であれば、例えば、300℃以上の高い温度において用いることができる接着剤組成物を得ることができる。また、ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量(Mw)が、70,000以下の範囲内であれば、溶剤によって好適に溶解することができる。つまり、溶剤によって好適に除去することができる接着剤組成物を得ることができる。 The weight average molecular weight (Mw) of the polysulfone-based resin is preferably in the range of 30,000 or more and 70,000 or less, and more preferably in the range of 30,000 or more and 50,000 or less. When the weight average molecular weight (Mw) of the polysulfone-based resin is in the range of 30,000 or more, an adhesive composition that can be used at a high temperature of, for example, 300 ° C. or higher can be obtained. Further, if the weight average molecular weight (Mw) of the polysulfone-based resin is within the range of 70,000 or less, it can be suitably dissolved by a solvent. That is, it is possible to obtain an adhesive composition that can be suitably removed by a solvent.

・希釈溶剤
希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、イソノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数4から15の分岐鎖状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、p-メンタン、o-メンタン、m-メンタン、ジフェニルメンタン、1,4-テルピン、1,8-テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α-テルピネオール、β-テルピネオール、γ-テルピネオール、テルピネン-1-オール、テルピネン-4-オール、ジヒドロターピニルアセテート、1,4-シネオール、1,8-シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、d-リモネン、l-リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤;γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン(CH)、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体(これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい);ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
-Diluting solvent Examples of the diluting solvent include linear hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, nonane, isononane, methyloctane, decane, undecane, dodecane, and tridecane, and branched chain carbide having 4 to 15 carbon atoms. Cyclic hydrocarbons such as hydrogen, for example cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, naphthalene, decahydronaphthalene, tetrahydronaphthalene, p-menthan, o-menthan, m-menthan, diphenylmentan, 1,4-terpine, 1,8 -Terpine, Bornan, Norbornan, Pinan, Tujan, Karan, Longihoren, Geraniol, Nerol, Linarol, Citral, Citronerol, Mentor, Isomentol, Neomentol, α-Terpineol, β-Terpineol, γ-Terpineol, Terpinen-1-ol , Terpine-4-ol, dihydroterpinyl acetate, 1,4-cineol, 1,8-cineol, borneol, carboxylic, yonon, tuyon, camphor, d-lymonen, l-lymonen, dipentene and other terpene-based solvents; lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone (CH), methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, 2-heptanone; ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol and the like. Polyhydric alcohols; compounds having an ester bond such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ethers and monomethyl ethers of the polyhydric alcohols or compounds having the ester bond. Derivatives of polyhydric alcohols such as monoalkyl ethers such as ethyl ether, monopropyl ether and monobutyl ether or compounds having an ether bond such as monophenyl ether (among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol Monomethyl ether (PGME) is preferred); cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methoxybutyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methoxy Ethers such as methyl propionate and ethyl ethoxypropionate; anisole, ethylbenzyl Examples thereof include aromatic organic solvents such as ether, cresylmethyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, and butyl phenyl ether.

・その他の成分
接着剤組成物は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、硬化性モノマー、重合禁止剤、重合開始剤、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
-Other Ingredients The adhesive composition may further contain other miscible substances as long as the essential properties are not impaired. For example, additional resins, curable monomers, polymerization inhibitors, polymerization initiators, plasticizers, adhesion aids, stabilizers, colorants, surfactants, etc. for improving the performance of adhesives are commonly used. Various additives can be further used.

<支持体>
支持体は、基板を支持する部材であり、接着層を介して支持体上に基板が固定される。図1及び図2の例では、支持体12は、支持基体1と、支持基体1上に設けられた分離層2と、を備えている。なお、分離層2を設けない場合には、支持基体1が支持体となる。
<Support>
The support is a member that supports the substrate, and the substrate is fixed on the support via an adhesive layer. In the examples of FIGS. 1 and 2, the support 12 includes a support base 1 and a separation layer 2 provided on the support base 1. If the separation layer 2 is not provided, the support substrate 1 becomes a support.

≪支持基体≫
支持基体は、光を透過する特性を有する。支持基体は、基板を支持する部材であり、分離層を設ける場合には分離層及び接着層を介して基板に貼り合わされる。分離層を設けない場合には、支持基体は、接着層を介して基板に貼り合される。そのため、支持基体としては、デバイスの薄化、基板の搬送、基板への実装等の際に、基板の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していることが好ましい。また、支持基体は、分離層を変質させることができる波長の光を透過するものが好ましい。
支持基体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂等が用いられる。支持基体の形状としては、例えば矩形、円形等が挙げられるが、これに限定されない。
また、支持基体としては、さらなる高密度集積化や生産効率の向上のために、円形である支持基体のサイズを大型化したもの、平面視における形状が四角形である大型パネルを用いることもできる。
≪Supporting substrate≫
The support substrate has the property of transmitting light. The support substrate is a member that supports the substrate, and when a separation layer is provided, it is attached to the substrate via the separation layer and the adhesive layer. When the separation layer is not provided, the support substrate is bonded to the substrate via the adhesive layer. Therefore, it is preferable that the support substrate has the strength necessary to prevent the substrate from being damaged or deformed when the device is thinned, the substrate is transported, or the substrate is mounted on the substrate. Further, the support substrate is preferably one that transmits light having a wavelength that can change the quality of the separation layer.
As the material of the support substrate, for example, glass, silicon, acrylic resin and the like are used. Examples of the shape of the support substrate include, but are not limited to, a rectangle, a circle, and the like.
Further, as the support substrate, in order to further increase the density and improve the production efficiency, it is possible to use a support substrate having a larger size, which is circular, or a large panel having a quadrangular shape in a plan view.

≪分離層≫
分離層は、接着層に隣接し、光の照射により変質して、支持体に貼り合わされる基板から支持基体を分離可能とする層である。
この分離層は、後述の分離層形成用組成物を用いて形成することができ、例えば、分離層形成用組成物が含有する成分を焼成することにより、又は化学気相堆積(CVD)法により形成される。この分離層は、支持基体を透過して照射される光を吸収することによって好適に変質する。
分離層が「変質する」とは、分離層が外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態になる現象をいう。分離層は、光を吸収することによって脆くなり、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。かかる分離層の変質は、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることで起こる。
分離層は、光を吸収する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲で、光を吸収する構造を有していない材料が配合された層であってもよい。
≪Separation layer≫
The separation layer is a layer adjacent to the adhesive layer, which is altered by irradiation with light and enables the support substrate to be separated from the substrate bonded to the support.
This separation layer can be formed by using the composition for forming a separation layer described later, for example, by calcining the components contained in the composition for forming a separation layer, or by a chemical vapor deposition (CVD) method. It is formed. This separation layer is suitably denatured by absorbing the light transmitted through the support substrate and irradiated.
The term "deterioration" of the separation layer means a phenomenon in which the separation layer can be destroyed by an external force or a state in which the adhesive force between the separation layer and the layer in contact with the separation layer is reduced. The separation layer becomes brittle by absorbing light and loses its strength or adhesiveness before being exposed to light. The alteration of the separation layer occurs by causing decomposition by the energy of absorbed light, change in configuration, dissociation of functional groups, and the like.
The separation layer is preferably formed only from a material that absorbs light, but is a layer containing a material that does not have a structure that absorbs light to the extent that the essential properties of the present invention are not impaired. There may be.

分離層の厚さは、例えば0.05μm以上、50μm以下の範囲内であることが好ましく、0.3μm以上、1μm以下の範囲内であることがより好ましい。分離層の厚さが0.05μm以上、50μm以下の範囲内であれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層の厚さは、生産性の観点から1μm以下の範囲内であることが特に好ましい。 The thickness of the separation layer is preferably, for example, in the range of 0.05 μm or more and 50 μm or less, and more preferably in the range of 0.3 μm or more and 1 μm or less. When the thickness of the separation layer is within the range of 0.05 μm or more and 50 μm or less, the separation layer can be subjected to desired alteration by short-time light irradiation and low-energy light irradiation. Further, the thickness of the separation layer is particularly preferably in the range of 1 μm or less from the viewpoint of productivity.

分離層は、接着層に接する側の面が平坦である(凹凸が形成されていない)ことが好ましく、これにより、接着層の形成が容易に行え、かつ、支持基体と基板とを均一に貼り付けることが容易となる。 It is preferable that the surface of the separation layer on the side in contact with the adhesive layer is flat (no unevenness is formed), whereby the adhesive layer can be easily formed and the support substrate and the substrate are uniformly adhered. It will be easy to attach.

〔分離層形成用組成物〕
分離層を形成するための材料である分離層形成用組成物は、例えば、フルオロカーボン、光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体、無機物、赤外線吸収性の構造を有する化合物、赤外線吸収物質、反応性ポリシルセスキオキサン、又はフェノール骨格を有する樹脂成分を含有するものが挙げられる。
また、分離層形成用組成物は、任意成分としてフィラー、可塑剤、熱酸発生剤成分、光酸発生剤成分、有機溶剤成分、界面活性剤、増感剤、又は支持基体の分離性を向上し得る成分等を含有してもよい。
[Composition for forming a separation layer]
The composition for forming a separation layer, which is a material for forming a separation layer, is, for example, fluorocarbon, a polymer having a repeating unit including a structure having light absorption, an inorganic substance, or a compound having an infrared absorption structure. , Infrared absorbers, reactive polysilsesquioxane, or those containing a resin component having a phenolic skeleton.
Further, the composition for forming a separation layer improves the separability of a filler, a plasticizer, a thermoacid generator component, a photoacid generator component, an organic solvent component, a surfactant, a sensitizer, or a support substrate as optional components. It may contain a possible component or the like.

・フルオロカーボン
分離層は、フルオロカーボンを含有していてもよい。フルオロカーボンによって構成される分離層は、光を吸収することで変質するようになっており、その結果、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と基板とを分離し易くすることができる。分離層を構成するフルオロカーボンは、プラズマCVD法によって好適に成膜することができる。
フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。分離層における光の吸収率は、80%以上であることが好ましい。
-The fluorocarbon separation layer may contain fluorocarbon. The separation layer composed of fluorocarbon is adapted to be altered by absorbing light, and as a result, loses its strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support), the separation layer can be broken and the support and the substrate can be easily separated. The fluorocarbon constituting the separation layer can be suitably formed by a plasma CVD method.
Fluorocarbons absorb light with wavelengths in a unique range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength within the range absorbed by the fluorocarbon used for the separation layer, the fluorocarbon can be suitably altered. The light absorption rate in the separation layer is preferably 80% or more.

分離層に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He-Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、例えば600nm以下の範囲の波長を用いることができる。 The light to irradiate the separation layer is, for example, a YAG laser, a ruby laser, a glass laser, a YVO4 laser, an LD laser, a solid laser such as a fiber laser, or a liquid laser such as a dye laser, depending on the wavelength that fluorocarbon can absorb. , CO 2 laser, excima laser, Ar laser, gas laser such as He-Ne laser, laser light such as semiconductor laser, free electron laser, or non-laser light may be appropriately used. As the wavelength capable of altering the fluorocarbon, for example, a wavelength in the range of 600 nm or less can be used.

・光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体
分離層は、光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。
光吸収性を有している構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含む原子団が挙げられる。光吸収性を有している構造は、より具体的には、カルド構造、又は該重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造(ビスフェニルスルホン構造)、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造が挙げられる。
上記の光吸収性を有している構造は、その種類に応じて、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記の光吸収性を有している構造が吸収可能な光の波長は、100~2000nmの範囲内であることが好ましく、100~500nmの範囲内であることがより好ましい。
-Polymer having a repeating unit including a structure having a light absorption The separation layer may contain a polymer having a repeating unit including a structure having a light absorption property. The polymer is altered by being irradiated with light.
Examples of the structure having photoabsorbability include an atomic group containing a conjugated π-electron system composed of a substituted or unsubstituted benzene ring, a condensed ring or a heterocycle. More specifically, the structure having light absorption is a cardo structure, or a benzophenone structure, a diphenyl sulfoxide structure, a diphenyl sulfone structure (bisphenyl sulfone structure), or a diphenyl present in the side chain of the polymer. Structure or diphenylamine structure can be mentioned.
The above-mentioned structure having light absorption ability can absorb light having a wavelength in a desired range depending on the type thereof. For example, the wavelength of light that can be absorbed by the structure having light absorption is preferably in the range of 100 to 2000 nm, and more preferably in the range of 100 to 500 nm.

上記の光吸収性を有している構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ(波長254nm以上、436nm以下)、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、Fエキシマレーザ(波長157nm)、XeClレーザ(波長308nm)、XeFレーザ(波長351nm)若しくは固体UVレーザ(波長355nm)から発せられる光、又はg線(波長436nm)、h線(波長405nm)若しくはi線(波長365nm)等である。 The light that can be absorbed by the above-mentioned light-absorbing structure is, for example, a high-pressure mercury lamp (wavelength 254 nm or more and 436 nm or less), KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 . Light emitted from an Xima laser (wavelength 157 nm), XeCl laser (wavelength 308 nm), XeF laser (wavelength 351 nm) or solid UV laser (wavelength 355 nm), or g-line (wavelength 436 nm), h-line (wavelength 405 nm) or i-line. (Wavelength 365 nm) and the like.

・無機物
分離層は、無機物からなるものであってもよい。この無機物は、光を吸収することによって変質するものであればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される1種類以上が好適に挙げられる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物であり、例えば金属酸化物、金属窒化物が挙げられる。
このような無機物としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、SiO、SiN、Si、TiN、及びカーボンからなる群より選ばれる1種類以上が挙げられる。
尚、カーボンとは、炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えばダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等を包含する。
上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。
-The inorganic substance separation layer may be made of an inorganic substance. The inorganic substance may be any substance that is altered by absorbing light, and for example, one or more selected from the group consisting of a metal, a metal compound, and carbon is preferably mentioned. The metal compound is a compound containing a metal atom, and examples thereof include metal oxides and metal nitrides.
Examples of such an inorganic substance include one or more selected from the group consisting of gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, titanium, chromium, SiO 2 , SiN, Si 3N 4 , TiN, and carbon.
Note that carbon is a concept that may include allotropes of carbon, and includes, for example, diamond, fullerene, diamond-like carbon, carbon nanotubes, and the like.
The inorganic substance absorbs light having a wavelength in a unique range depending on the type.

無機物からなる分離層に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He-Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は非レーザ光を適宜用いればよい。
無機物からなる分離層は、例えばスパッタ、化学蒸着(CVD)、メッキ、プラズマCVD、スピンコート等の公知の技術により、支持基体上に形成され得る。
The light irradiating the separation layer made of an inorganic substance may be, for example, a solid laser such as a YAG laser, a ruby laser, a glass laser, a YVO4 laser, an LD laser, or a fiber laser, or a dye laser, depending on the wavelength that the inorganic substance can absorb. Liquid lasers such as, CO 2 lasers, excima lasers, Ar lasers, gas lasers such as He-Ne lasers, laser light such as semiconductor lasers and free electron lasers, or non-laser light may be appropriately used.
The separation layer made of an inorganic substance can be formed on a support substrate by known techniques such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), plating, plasma CVD, and spin coating.

・赤外線吸収性の構造を有する化合物
分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有していてもよい。この、赤外線吸収性の構造を有する化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。
赤外線吸収性を有している構造、又はこの構造を有する化合物としては、例えば、アルカン、アルケン(ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式)、アルキン(一置換、二置換)、単環式芳香族(ベンゼン、一置換、二置換、三置換)、アルコールもしくはフェノール類(自由OH、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級)、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、1,3-ジケトンのエノール、o-ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸(二量体、カルボン酸アニオン)、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン(β-、γ-、δ-)、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物(共役、非共役、環式、非環式)、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン(脂肪族、芳香族)、第二級アミン(脂肪族、芳香族)、第三級アミン(脂肪族、芳香族)、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合(脂肪族、芳香族、単量体、二量体)、メルカプタンもしくはチオフェノールもしくはチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素-ハロゲン結合、Si-A結合(Aは、H、C、O又はハロゲン)、P-A結合(Aは、H、C又はO)又はTi-O結合が挙げられる。
-The compound having an infrared absorbing structure The separation layer may contain a compound having an infrared absorbing structure. This compound having an infrared absorbing structure is altered by absorbing infrared rays.
Examples of the structure having infrared absorption or the compound having this structure include alkane, alkene (vinyl, trans, cis, vinylidene, trisubstituted, tetrasubstituted, conjugated, cumlen, cyclic), and alkyne (1). Substitution, bi-substituted), monocyclic aromatics (benzene, mono-substituted, di-substituted, tri-substituted), alcohols or phenols (free OH, intramolecular hydrogen bonds, intermolecular hydrogen bonds, saturated secondary, saturated tertiary). Class, unsaturated secondary, unsaturated tertiary), acetal, ketal, aliphatic ether, aromatic ether, vinyl ether, oxylan ring ether, peroxide ether, ketone, dialkylcarbonyl, aromatic carbonyl, 1,3 -Diketone enol, o-hydroxyarylketone, dialkylaldehyde, aromatic aldehyde, carboxylic acid (dimer, carboxylic acid anion), formic acid ester, acetic acid ester, conjugated ester, non-conjugated ester, aromatic ester, lactone (β) -, Γ-, δ-), Aliphatic acid compounds, Aromatic acid compounds, Acid anhydrides (conjugated, non-conjugated, cyclic, acyclic), primary amides, secondary amides, lactams, Primary amine (aliphatic, aromatic), secondary amine (aliphatic, aromatic), tertiary amine (aliphatic, aromatic), primary amine salt, secondary amine salt, tertiary Secondary amine salts, ammonium ions, aliphatic nitriles, aromatic nitriles, carbodiimides, aliphatic isonitriles, aromatic isonitriles, isocyanic acid esters, thiocyanic acid esters, aliphatic isothiocyanate esters, aromatic isothiocyanate esters, aliphatic nitro compounds, Aromatic nitro compounds, nitroamines, nitrosamines, nitrates, nitrites, nitroso bonds (aliphatics, aromatics, monomers, dimers), sulfur compounds such as mercaptans or thiophenols or thiolic acids, thiocarbonyl groups, Sulfoxide, sulfone, sulfonyl chloride, primary sulfonamide, secondary sulfonamide, sulfate ester, carbon-halogen bond, Si-A 1 bond (A 1 is H, C, O or halogen), PA 2 Bonds (A 2 is H, C or O) or Ti—O bonds can be mentioned.

上記の炭素-ハロゲン結合を含む構造としては、例えば-CHCl、-CHBr、-CHI、-CF-、-CF、-CH=CF、-CF=CF、フッ化アリール又は塩化アリール等が挙げられる。 Examples of the structure containing a carbon-halogen bond include -CH 2 Cl, -CH 2 Br, -CH 2 I, -CF 2- , -CF 3 , -CH = CF 2 , -CF = CF 2 , and fluorine. Aryl carbonate, aryl chloride and the like can be mentioned.

上記のSi-A結合を含む構造としては、例えば、SiH、SiH、SiH、Si-CH、Si-CH-、Si-C、SiO-脂肪族、Si-OCH、Si-OCHCH、Si-OC、Si-O-Si、Si-OH、SiF、SiF又はSiF等が挙げられる。Si-A結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格又はシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。 Examples of the structure including the above Si—A 1 bond include SiH, SiH 2 , SiH 3 , Si—CH 3 , Si—CH 2- , Si—C 6H 5 , SiO—aliphatic, Si OCH 3 , Si-OCH 2 CH 3 , Si-OC 6 H 5 , Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF 2 or SiF 3 and the like. As the structure containing the Si—A 1 bond, it is particularly preferable to form a siloxane skeleton or a silsesquioxane skeleton.

上記のP-A結合を含む構造としては、例えば、PH、PH、P-CH、P-CH-、P-C、A -P-O(Aは脂肪族基又は芳香族基)、(AO)-P-O(Aはアルキル基)、P-OCH、P-OCHCH、P-OC、P-O-P、P-OH又はO=P-OH等が挙げられる。 Examples of the structure containing the PA 2 bond include PH, PH 2 , P-CH 3 , P-CH 2- , P-C 6 H 5 , A 3 3 -PO (A 3 is a fat). Group group or aromatic group), (A 4 O) 3 -PO (A 4 is an alkyl group), P-OCH 3 , P-OCH 2 CH 3 , P-OC 6 H 5 , P-O-P , P-OH or O = P-OH and the like.

上記のTi-O結合を含む化合物としては、例えば、(i)テトラ-i-プロポキシチタン、テトラ-n-ブトキシチタン、テトラキス(2-エチルヘキシルオキシ)チタン又はチタニウム-i-プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン;(ii)ジ-i-プロポキシ・ビス(アセチルアセトナト)チタン又はプロパンジオキシチタンビス(エチルアセトアセテート)等のキレートチタン;(iii)i-CO-[-Ti(O-i-C-O-]-i-C又はn-CO-[-Ti(O-n-C-O-]-n-C等のチタンポリマー;(iv)トリ-n-ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ-i-プロポキシチタンジイソステアレート又は(2-n-ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ)トリブトキシチタン等のアシレートチタン;(v)ジ-n-ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。
中でも、Ti-O結合を含む化合物としては、ジ-n-ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン(Ti(OC[OCN(COH))が好ましい。
Examples of the compound containing the Ti—O bond include (i) tetra-i-propoxytitanium, tetra-n-butoxytitanium, tetrakis (2-ethylhexyloxy) titanium, titanium-i-propoxyoctylene glycolate and the like. Alkoxytitanium; (iii) Di-i-propoxy-bis (acetylacetonato) titanium or chelated titanium such as propanedioxytitanium bis (ethylacetoacetate); (iii) i-C 3 H 7 O- [-Ti ( O-i-C 3 H 7 ) 2 -O-] n -i-C 3 H 7 or n-C 4 H 9 O- [-Ti (On-C 4 H 9 ) 2 -O-] n -Titanium polymers such as n-C 4H 9 ; ( iv ) tri-n-butoxytitanium monostearate, titanium stearate, di-i-propoxytitanium diisostearate or (2-n-butoxycarbonylbenzoyloxy). Achilled titanium such as tributoxytitanium; (v) water-soluble titanium compounds such as di-n-butoxy-bis (triethanolaminato) titanium and the like can be mentioned.
Among them, as a compound containing a Ti—O bond, di-n-butoxy-bis (triethanolamineto) titanium (Ti (OC 4 H 9 ) 2 [OC 2 H 4 N (C 2 H 4 OH) 2 ] 2 ) is preferable.

上記の赤外線吸収性の構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記の赤外線吸収性の構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば1~20μmの範囲内であり、2~15μmの範囲内をより好適に吸収することができる。
さらに、上記構造がSi-O結合、Si-C結合又はTi-O結合である場合には、9~11μmの範囲内が好ましい。
The infrared-absorbing structure described above can absorb infrared rays having a wavelength in a desired range, depending on the type of the structure. Specifically, the wavelength of infrared rays that can be absorbed by the above-mentioned infrared-absorbing structure is, for example, in the range of 1 to 20 μm, and more preferably in the range of 2 to 15 μm.
Further, when the structure is Si—O bond, Si—C bond or Ti—O bond, it is preferably in the range of 9 to 11 μm.

尚、上記の各構造が吸収できる赤外線の波長は、当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献:SILVERSTEIN・BASSLER・MORRILL著「有機化合物のスペクトルによる同定法(第5版)-MS、IR、NMR、UVの併用-」(1992年発行)第146頁から第151頁の記載を参照することができる。 Those skilled in the art can easily understand the wavelength of infrared rays that can be absorbed by each of the above structures. For example, as an absorption band in each structure, Non-Patent Documents: SILVERSTEIN, BASSLER, MORRRILL, "Identification Method by Spectrum of Organic Compounds (5th Edition) -Combination of MS, IR, NMR, UV-" (Published in 1992). References can be made to the description on pages 146 to 151.

分離層の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化して固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層における化合物を効果的に変質させ、支持基体と基板との分離を容易にするには、分離層における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層における赤外線の透過率が90%より低いことが好ましく、赤外線の透過率が80%より低いことがより好ましい。 As the compound having an infrared absorbing structure used for forming the separation layer, among the compounds having the above-mentioned structure, the compound can be dissolved in a solvent for coating and solidified to form a solid layer. Is not particularly limited as long as it can form. However, in order to effectively alter the compound in the separation layer and facilitate the separation between the support substrate and the substrate, the absorption of infrared rays in the separation layer is large, that is, the infrared rays when the separation layer is irradiated with infrared rays. It is preferable that the transmittance is low. Specifically, the infrared transmittance in the separation layer is preferably lower than 90%, and the infrared transmittance is more preferably lower than 80%.

・赤外線吸収物質
分離層は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。この赤外線吸収物質は、光を吸収することによって変質するものであればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。
赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。
-Infrared absorbing substance The separation layer may contain an infrared absorbing substance. The infrared absorber may be any substance that is altered by absorbing light, and for example, carbon black, iron particles, or aluminum particles can be preferably used.
The infrared absorber absorbs light having a wavelength in a unique range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength within the range absorbed by the infrared absorber used for the separation layer, the infrared absorber can be suitably altered.

・反応性ポリシルセスキオキサン
分離層は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができる。これにより形成される分離層は、高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。
-The reactive polysilsesquioxane separation layer can be formed by polymerizing the reactive polysilsesquioxane. The separation layer formed thereby has high chemical resistance and high heat resistance.

「反応性ポリシルセスキオキサン」とは、ポリシルセスキオキサン骨格の末端にシラノール基、又は、加水分解することによってシラノール基を形成することができる官能基を有するポリシルセスキオキサンをいう。当該シラノール基、又はシラノール基を形成することができる官能基を縮合することによって、互いに重合することができる。また、反応性ポリシルセスキオキサンは、シラノール基、又は、シラノール基を形成することができる官能基を有していれば、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造等のシルセスキオキサン骨格を備えている反応性ポリシルセスキオキサンを採用することができる。 "Reactive polysilsesquioxane" refers to polysilsesquioxane having a silanol group at the end of the polysilsesquioxane skeleton or a functional group capable of forming a silanol group by hydrolysis. .. By condensing the silanol group or the functional group capable of forming the silanol group, they can be polymerized with each other. Further, if the reactive polysilsesquioxane has a silanol group or a functional group capable of forming a silanol group, it can form a silsesquioxane skeleton having a random structure, a cage-shaped structure, a ladder structure or the like. The provided reactive polysilsesquioxane can be adopted.

反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量は、70~99モル%であることが好ましく、80~99モル%であることがより好ましい。
反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、赤外線(好ましくは遠赤外線、より好ましくは波長9~11μmの光)を照射することによって好適に変質させることができる分離層を形成することができる。
The siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is preferably 70 to 99 mol%, more preferably 80 to 99 mol%.
If the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is within the above-mentioned preferable range, it can be suitably altered by irradiating with infrared rays (preferably far infrared rays, more preferably light having a wavelength of 9 to 11 μm). A possible separation layer can be formed.

反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量(Mw)は、500~50000であることが好ましく、1000~10000であることがより好ましい。
反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量(Mw)が、前記の好ましい範囲内であれば、溶剤に好適に溶解させることができ、サポートプレート上に好適に塗布することができる。
The weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is preferably 500 to 50,000, more preferably 1000 to 10000.
When the weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is within the above-mentioned preferable range, it can be suitably dissolved in a solvent and can be suitably applied on a support plate.

反応性ポリシルセスキオキサンとして用いることができる市販品としては、例えば、小西化学工業株式会社製のSR-13、SR-21、SR-23又はSR-33(商品名)等を挙げられる。 Examples of commercially available products that can be used as the reactive polysilsesquioxane include SR-13, SR-21, SR-23 and SR-33 (trade name) manufactured by Konishi Chemical Industry Co., Ltd.

・フェノール骨格を有する樹脂成分
分離層は、フェノール骨格を有する樹脂成分を含有していてもよい。フェノール骨格を有することで、加熱等により容易に変質(酸化等)して光反応性が高まる。
ここでいう「フェノール骨格を有する」とは、ヒドロキシベンゼン構造を含んでいることを意味する。
フェノール骨格を有する樹脂成分は、膜形成能を有し、好ましくは分子量が1000以上である。当該樹脂成分の分子量が1000以上であることにより、膜形成能が向上する。当該樹脂成分の分子量は、1000~30000がより好ましく、1500~20000がさらに好ましく、2000~15000が特に好ましい。当該樹脂成分の分子量が、前記の好ましい範囲の上限値以下であることにより、分離層形成用組成物の溶媒に対する溶解性が高められる。
尚、樹脂成分の分子量としては、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)を用いるものとする。
-Resin component having a phenol skeleton The separation layer may contain a resin component having a phenol skeleton. By having a phenol skeleton, it is easily altered (oxidized, etc.) by heating or the like, and the photoreactivity is enhanced.
As used herein, "having a phenol skeleton" means that it contains a hydroxybenzene structure.
The resin component having a phenol skeleton has a film-forming ability, and preferably has a molecular weight of 1000 or more. When the molecular weight of the resin component is 1000 or more, the film forming ability is improved. The molecular weight of the resin component is more preferably 1000 to 30000, still more preferably 1500 to 20000, and particularly preferably 2000 to 15000. When the molecular weight of the resin component is not more than the upper limit of the above-mentioned preferable range, the solubility of the composition for forming a separation layer in a solvent is enhanced.
As the molecular weight of the resin component, the polystyrene-equivalent weight average molecular weight (Mw) by GPC (gel permeation chromatography) is used.

フェノール骨格を有する樹脂成分としては、例えばノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ヒドロキシフェニルシルセスキオキサン樹脂、ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン樹脂、フェノール骨格含有アクリル樹脂、後述の一般式(P2)で表される繰り返し単位を有する樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂がより好ましい。 Examples of the resin component having a phenol skeleton include a novolak type phenol resin, a resole type phenol resin, a hydroxystyrene resin, a hydroxyphenylsilsesquioxane resin, a hydroxybenzylsilsesquioxane resin, a phenol skeleton-containing acrylic resin, and a general formula described later. Examples thereof include a resin having a repeating unit represented by (P2). Among these, novolak type phenol resin and resol type phenol resin are more preferable.

<デバイス層>
デバイス層は、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体である。具体的には、デバイス層は、封止材層および配線層の少なくとも一方を含み、さらに基板を含むことができる。
図1に示す積層体100では、デバイス層456は、基板4と封止材層5、および配線層6により構成されている。図2に示す積層体200では、デバイス層45は、基板4および封止材層5により構成されている。図3に示す積層体300では、デバイス層は配線層6により構成されている。図4に示す積層体400では、デバイス層645は、配線層6、基板4および封止材層5により構成されている。
<Device layer>
The device layer is a composite of a member made of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member. Specifically, the device layer includes at least one of an encapsulant layer and a wiring layer, and may further include a substrate.
In the laminate 100 shown in FIG. 1, the device layer 456 is composed of a substrate 4, a sealing material layer 5, and a wiring layer 6. In the laminate 200 shown in FIG. 2, the device layer 45 is composed of the substrate 4 and the encapsulant layer 5. In the laminated body 300 shown in FIG. 3, the device layer is composed of the wiring layer 6. In the laminated body 400 shown in FIG. 4, the device layer 645 is composed of a wiring layer 6, a substrate 4, and a sealing material layer 5.

≪基板≫
基板(ベアチップ)は、支持体に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供される。基板には、例えば集積回路や金属バンプ等の構造物が実装される。
基板としては、典型的には、シリコンウェーハ基板が用いられるが、これに限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等を用いてもよい。
≪Board≫
The substrate (bare chip) is subjected to processes such as thinning and mounting while being supported by a support. Structures such as integrated circuits and metal bumps are mounted on the substrate.
As the substrate, a silicon wafer substrate is typically used, but the substrate is not limited to this, and a ceramic substrate, a thin film substrate, a flexible substrate, or the like may be used.

基板は、半導体素子又はその他素子であってもよく、単層又は複数層の構造を有し得る。尚、基板が半導体素子である場合、デバイス層をダイシングすることにより得られる電子部品は半導体装置となる。好ましくは、基板は半導体素子である。 The substrate may be a semiconductor device or other device, and may have a single-layer or multi-layer structure. When the substrate is a semiconductor element, the electronic component obtained by dicing the device layer is a semiconductor device. Preferably, the substrate is a semiconductor device.

≪封止材層≫
封止材層は、基板を封止するために設けられるものであり、封止材を用いて形成される。封止材には、金属または半導体により構成される部材を絶縁または封止可能な部材が用いられる。
本実施形態において、封止材としては、樹脂を含む樹脂組成物が用いられる。封止材に用いられる樹脂は、金属または半導体を封止および/または絶縁可能なものであれば、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂等が挙げられる。
封止材は、樹脂のほか、フィラー等の他の成分を含んでいてもよい。フィラーとしては、例えば、球状シリカ粒子等が挙げられる。
≪Encapsulant layer≫
The encapsulant layer is provided for encapsulating the substrate, and is formed by using the encapsulant. As the sealing material, a member capable of insulating or sealing a member made of metal or a semiconductor is used.
In the present embodiment, a resin composition containing a resin is used as the sealing material. The resin used for the encapsulant is not particularly limited as long as it can encapsulate and / or insulate a metal or semiconductor, and examples thereof include epoxy resins.
The encapsulant may contain other components such as a filler in addition to the resin. Examples of the filler include spherical silica particles and the like.

後述する実施例で示すように、封止材に用いられる樹脂は、吸湿性を有し、昇温に伴いガスを発生する(図9(a)参照)。また、封止材から発生するガスのほとんどは、水蒸気であることが確認された(図9(b)参照)。そのため、電子部品製造プロセス中の熱処理工程により、封止材からガスが放出されて、ボイドの原因となる。本実施形態の積層体では、水蒸気透過率の低い材料(すなわち、(要件1-1)を満たす材料)により構成される中間層を、デバイス層に隣接させて設けることを特徴とし、これにより封止材からのガスの放出を抑制している。そのため、デバイス層と支持体との間におけるボイドの発生を低減することができる。 As shown in Examples described later, the resin used for the encapsulant has hygroscopicity and generates gas as the temperature rises (see FIG. 9A). It was also confirmed that most of the gas generated from the encapsulant was water vapor (see FIG. 9B). Therefore, the heat treatment step in the electronic component manufacturing process releases gas from the encapsulant, which causes voids. The laminate of the present embodiment is characterized in that an intermediate layer made of a material having a low water vapor permeability (that is, a material satisfying (Requirement 1-1)) is provided adjacent to the device layer, thereby sealing. It suppresses the release of gas from the stop material. Therefore, the generation of voids between the device layer and the support can be reduced.

≪配線層≫
配線層は、RDL(Redistribution Layer:再配線層)とも呼ばれ、基板に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。配線層は、パターン化された樹脂材料(感光性を有するポリイミドや感光性を有するアクリル樹脂等)の間に導電体(例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金及び銀等の金属並びに銀-錫合金等の合金)によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。
≪Wiring layer≫
The wiring layer is also called an RDL (Redistribution Layer), and is a thin film wiring body constituting a wiring connected to a substrate, and may have a single layer or a plurality of layers. The wiring layer is formed between patterned resin materials (such as photosensitive polyimide and photosensitive acrylic resin) and conductors (eg, metals such as aluminum, copper, titanium, nickel, gold and silver, and silver-. The wiring may be formed of an alloy such as a tin alloy), but the wiring is not limited to this.

デバイス層において、中間層に隣接して配線層が設けられる場合、配線層中の誘電体は樹脂を含むことが好ましい。誘電体がエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の吸湿性の樹脂を含む場合、熱処理工程により、当該樹脂からガスが放出されて、ボイドの原因となる。本実施形態の積層体では、デバイス層に隣接する中間層により、当該樹脂からのガスの放出が抑制されるため、ボイドの発生を低減することができる。 When the wiring layer is provided adjacent to the intermediate layer in the device layer, it is preferable that the dielectric in the wiring layer contains a resin. When the dielectric contains a hygroscopic resin such as an epoxy resin or a polyimide resin, gas is released from the resin by the heat treatment step, which causes voids. In the laminated body of the present embodiment, the emission of gas from the resin is suppressed by the intermediate layer adjacent to the device layer, so that the generation of voids can be reduced.

なお、図1~図3の積層体では、支持基体1と分離層2とが隣接しているが、これに限定されず、支持基体1と分離層2との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は、光を透過する材料から構成されていればよい。これによれば、分離層2への光の入射を妨げることなく、積層体100に好ましい性質等を付与する層を適宜追加できる。分離層2を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、全ての波長の光を透過させる必要はなく、分離層2を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過する材料から適宜選択し得る。 In the laminated body of FIGS. 1 to 3, the support substrate 1 and the separation layer 2 are adjacent to each other, but the present invention is not limited to this, and another layer is further formed between the support substrate 1 and the separation layer 2. It may have been done. In this case, the other layer may be composed of a material that transmits light. According to this, it is possible to appropriately add a layer that imparts preferable properties to the laminated body 100 without hindering the incident of light on the separation layer 2. The wavelength of light that can be used differs depending on the type of material constituting the separation layer 2. Therefore, the material constituting the other layer does not need to transmit light of all wavelengths, and can be appropriately selected from the materials transmitting light having a wavelength that can change the material constituting the separation layer 2.

(積層体(第2の態様))
本発明の第2の態様に係る積層体は、支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体であって、少なくとも、前記中間層と前記デバイス層とは互いに隣接してたものである。前記デバイス層は、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体である。前記中間層は、厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃での貯蔵弾性率が10000(Pa・s)以上との要件を満たす材料により構成される。
(Laminated body (second aspect))
The laminate according to the second aspect of the present invention is a laminate in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer, and a device layer are laminated in this order, and at least the intermediate layer and the device layer are adjacent to each other. It is a thing. The device layer is a composite of a member made of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member. The intermediate layer was prepared at 180 ° C. when a test piece having a thickness of 500 μm was prepared and subjected to dynamic viscoelasticity measurement under the conditions of a starting temperature of 25 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a frequency of 1 Hz. It is composed of a material that satisfies the requirement that the storage elastic modulus of 10000 (Pa · s) or more.

第2の態様に係る積層体は、中間層が、下記(要件2-1)を満たす中間層形成材料により構成される以外は、上記第1の態様に係る積層体と同様の構成である。
(要件2-1):厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃での溶融粘度が10000(Pa・s)以上となる。
The laminate according to the second aspect has the same configuration as the laminate according to the first aspect, except that the intermediate layer is composed of an intermediate layer forming material satisfying the following (requirement 2-1).
(Requirement 2-1): When a test piece having a thickness of 500 μm was prepared and subjected to dynamic viscoelasticity measurement under the conditions of a starting temperature of 25 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a frequency of 1 Hz, 180. The melt viscosity at ° C. is 10,000 (Pa · s) or more.

上記(要件2-1)における溶融粘度の測定は、上記第1の態様の積層体における「(要件1-2)」と同様の手順に従って行うことができる。 The measurement of the melt viscosity in the above (Requirement 2-1) can be performed according to the same procedure as in "(Requirement 1-2)" in the laminate of the first aspect.

上記(要件2-1)を満たす中間層形成材料により構成される中間層をデバイス層に隣接して設けることで、デバイス層からのガスの放出を効果的に抑制することができる。上記(要件1)における溶融粘度は、15000(Pa・s)以上が好ましく、20000(Pa・s)以上がより好ましく、25000(Pa・s)以上がさらに好ましい。溶融粘度の上限値は特に限定されるものではないが、例えば、50000(Pa・s)以下である。 By providing an intermediate layer made of an intermediate layer forming material satisfying the above (Requirement 2-1) adjacent to the device layer, it is possible to effectively suppress the release of gas from the device layer. The melt viscosity in the above (requirement 1) is preferably 15,000 (Pa · s) or more, more preferably 20000 (Pa · s) or more, and even more preferably 25,000 (Pa · s) or more. The upper limit of the melt viscosity is not particularly limited, but is, for example, 50,000 (Pa · s) or less.

中間層形成材料は、上記(要件2-1)を満たし、成膜可能なものであれば、公知のものを特に制限なく用いることができる。そのような材料としては、例えば、エラストマー樹脂等が挙げられる。かかるエラストマー樹脂としては、上記第1の態様の積層体における「≪接着剤組成物≫」で記載したものと同様のものが挙げられる。 As the intermediate layer forming material, any known material can be used without particular limitation as long as it satisfies the above (Requirement 2-1) and can form a film. Examples of such a material include an elastomer resin and the like. Examples of such an elastomer resin include the same as those described in "<< Adhesive Composition >>" in the laminate of the first aspect.

エラストマーは、適宜、他の成分を添加して、エラストマー組成物として中間層に用いてもよい。かかる他の成分としては、例えば、希釈溶剤、重合禁止剤、重合開始剤、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、界面活性剤等が挙げられる。これらは、公知のものを特に制限なく用いることができる。 The elastomer may be used in the intermediate layer as an elastomer composition by adding other components as appropriate. Examples of such other components include diluting solvents, polymerization inhibitors, polymerization initiators, plasticizers, adhesion aids, stabilizers, colorants, surfactants and the like. As these, known ones can be used without particular limitation.

中間層の材料として用い得るエラストマー樹脂組成物の市販品としては、例えば、東京応化工業株式会社製の「TZNR-A4007」等が挙げられる。 Examples of commercially available products of the elastomer resin composition that can be used as the material of the intermediate layer include "TZNR-A4007" manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.

中間層形成材料は、上記(要件2-1)に加えて、下記(要件2-2)を満たすことが好ましい。
(要件2-2):温度:40℃、湿度:90%RHにおいて、厚み20μm換算値の水蒸気透過率が5g/(m・day)以下となる。
The intermediate layer forming material preferably satisfies the following (requirement 2-2) in addition to the above (requirement 2-1).
(Requirement 2-2): At a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH, the water vapor permeability in terms of a thickness of 20 μm is 5 g / (m 2 · day) or less.

上記(要件2)における水蒸気透過率の測定は、上記第1の態様の積層体における「(要件1)」と同様の手順に従って行うことができる。 The measurement of the water vapor transmittance in the above (requirement 2) can be performed according to the same procedure as in "(requirement 1)" in the laminate of the first aspect.

上記(要件2-1)に加えて(要件2-2)を満たすことで、デバイス層からのガス放出をより効果的に抑制することができる。上記(要件2)における水蒸気透過率は、3g/(m・day)以下が好ましく、1g/(m・day)以下がより好ましい。水蒸気透過率の下限値は特に限定されるものではないが、例えば、0.01g/(m・day)以上である。 By satisfying (Requirement 2-2) in addition to the above (Requirement 2-1), outgassing from the device layer can be suppressed more effectively. The water vapor permeability in the above (requirement 2) is preferably 3 g / (m 2 · day) or less, and more preferably 1 g / (m 2 · day) or less. The lower limit of the water vapor transmittance is not particularly limited, but is, for example, 0.01 g / (m 2 · day) or more.

本態様の積層体では、溶融粘度の高い材料(すなわち、(要件2-1)を満たす材料)により構成される中間層を、デバイス層に隣接させて設けることを特徴としている。これにより、上記第1の態様の積層体と同様に、デバイス層からのガスの放出を抑制し、デバイス層と支持体との間におけるボイドの発生を低減することができる。 The laminate of this embodiment is characterized in that an intermediate layer made of a material having a high melt viscosity (that is, a material satisfying (Requirement 2-1)) is provided adjacent to the device layer. Thereby, similarly to the laminated body of the first aspect, it is possible to suppress the release of gas from the device layer and reduce the generation of voids between the device layer and the support.

(積層体(第3の態様))
本発明の第3の態様に係る積層体は、支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体であって、少なくとも、前記中間層と前記デバイス層とは互いに隣接してたものである。前記デバイス層は、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体である。前記中間層は、シクロオレフィンポリマーを含む。
(Laminated body (third aspect))
The laminate according to the third aspect of the present invention is a laminate in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer, and a device layer are laminated in this order, and at least the intermediate layer and the device layer are adjacent to each other. It is a thing. The device layer is a composite of a member made of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member. The intermediate layer contains a cycloolefin polymer.

第3の態様に係る積層体は、中間層が、シクロオレフィンポリマーを含む中間層形成材料により構成される以外は、上記第1の態様に係る積層体と同様の構成である。 The laminate according to the third aspect has the same configuration as the laminate according to the first aspect, except that the intermediate layer is composed of an intermediate layer forming material containing a cycloolefin polymer.

≪シクロオレフィンポリマー≫
シクロオレフィンポリマーとしては、上記第1の態様における「<中間層>」で挙げたものと同様のものが挙げられる。
シクロオレフィンポリマーが有するシクロオレフィンモノマーから誘導される構成単位(u1)の好ましい例としては、下記一般式(u1-1)で表される構成単位が挙げられる。
≪Cycloolefin polymer≫
Examples of the cycloolefin polymer include the same as those mentioned in "<Intermediate layer>" in the first aspect.
Preferred examples of the structural unit (u1) derived from the cycloolefin monomer contained in the cycloolefin polymer include the structural unit represented by the following general formula (u1-1).

Figure 0007004566000003
[式中、Ru11~Ru14は、それぞれ独立に、炭素数1~30の有機基又は水素原子を表す。nは、0~2の整数である。]
Figure 0007004566000003
[In the formula, Ru11 to Ru14 each independently represent an organic group or a hydrogen atom having 1 to 30 carbon atoms. n is an integer of 0 to 2. ]

前記式(u1-1)中、Ru11~Ru14における有機基としては、例えばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、カルボキシ基を有する有機基、ヘテロ環を有する有機基が挙げられる。
u11~Ru14におけるアルキル基としては、炭素数1~10のアルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。
u11~Ru14におけるアルケニル基としては、例えばアリル基、ペンテニル基、ビニル基等が挙げられる。
u11~Ru14におけるアルキニル基としては、例えばエチニル基等が挙げられる。
u11~Ru14におけるアルキリデン基としては、例えばメチリデン基、エチリデン基等が挙げられる。
u11~Ru14におけるアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。
u11~Ru14におけるアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
u11~Ru14におけるアルカリル基としては、例えばトリル基、キシリル基等が挙げられる。
u11~Ru14におけるシクロアルキル基としては、例えばアダマンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
u11~Ru14におけるヘテロ環を有する有機基としては、例えば、エポキシ基を有する有機基、オキセタニル基を有する有機基等が挙げられる。
In the above formula (u1-1), the organic group in Ru11 to Ru14 has, for example, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkylidene group, an aryl group, an aralkyl group, an alkalinel group, a cycloalkyl group and a carboxy group. Examples thereof include an organic group and an organic group having a heterocycle.
The alkyl group in R u11 to Ru14 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and the like. Examples thereof include a tert-butyl group, a pentyl group, a neopentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group and the like.
Examples of the alkenyl group in R u11 to R u14 include an allyl group, a pentaenyl group, a vinyl group and the like.
Examples of the alkynyl group in R u11 to R u14 include an ethynyl group and the like.
Examples of the alkylidene group in R u11 to R u14 include a methylidene group and an ethylidene group.
Examples of the aryl group in R u11 to R u14 include a phenyl group, a naphthyl group, an anthrasenyl group and the like.
Examples of the aralkyl group in R u11 to R u14 include a benzyl group and a phenethyl group.
Examples of the alkaline group in R u11 to R u14 include a tolyl group and a xylyl group.
Examples of the cycloalkyl group in R u11 to R u14 include an adamantyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclooctyl group and the like.
Examples of the organic group having a heterocycle in Ru11 to Ru14 include an organic group having an epoxy group, an organic group having an oxetanyl group and the like.

u11~Ru14における有機基は、炭化水素系の溶剤に対する溶解性をより高められること、及び合成上の観点から、アルキル基が好ましい。加えて、高いガラス転移点を維持しやすいことから、炭素数1~8のアルキル基がより好ましく、炭素数2~6のアルキル基がさらに好ましい。 The organic group in Ru11 to Ru14 is preferably an alkyl group from the viewpoint of higher solubility in a hydrocarbon solvent and synthetic viewpoint. In addition, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is more preferable, and an alkyl group having 2 to 6 carbon atoms is further preferable because it is easy to maintain a high glass transition point.

u11~Ru14における有機基は、1つ以上の水素原子が、ハロゲン原子により置換されていてもよい。このハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。 In the organic groups in R u11 to R u14 , one or more hydrogen atoms may be substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

u11~Ru14としては、水素原子又はアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。 As R u11 to R u14 , a hydrogen atom or an alkyl group is preferable, and a hydrogen atom is more preferable.

前記式(u1-1)中、nは、0~2の整数であり、0又は1が好ましく、0がより好ましい。 In the above formula (u1-1), n is an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, and more preferably 0.

以下に、構成単位(u1)の具体例を示す。 A specific example of the structural unit (u1) is shown below.

Figure 0007004566000004
Figure 0007004566000004

上記の中でも、構成単位(u1)としては、式(u1-1-1)で表される構成単位が好ましい。シクロオレフィンポリマーが有する構成単位(u1)は、1種でもよく2種以上でもよい。 Among the above, as the structural unit (u1), the structural unit represented by the formula (u1-1-1) is preferable. The structural unit (u1) contained in the cycloolefin polymer may be one kind or two or more kinds.

シクロオレフィンポリマー中の構成単位(u1)の割合は、シクロオレフィンポリマーを構成する全構成単位(100モル%)に対して、30モル%以上が好ましく、40モル%以上がより好ましい。構成単位(u1)の含有割合が、上記好ましい範囲の下限値以上であると、デバイス層からのガス放出を効果的に抑制することができる。構成単位(u1)の含有割合の上限は特に限定されるものではないが、シクロオレフィンポリマーを構成する全構成単位(100モル%)に対して、例えば、90モル%以下である。
また、シクロオレフィンポリマー中の構成単位(u1)の割合は100モル%であってもよい。
The ratio of the structural unit (u1) in the cycloolefin polymer is preferably 30 mol% or more, more preferably 40 mol% or more, based on all the structural units (100 mol%) constituting the cycloolefin polymer. When the content ratio of the structural unit (u1) is at least the lower limit of the above preferable range, outgassing from the device layer can be effectively suppressed. The upper limit of the content ratio of the structural unit (u1) is not particularly limited, but is, for example, 90 mol% or less with respect to all the structural units (100 mol%) constituting the cycloolefin polymer.
Further, the ratio of the constituent unit (u1) in the cycloolefin polymer may be 100 mol%.

シクロオレフィンポリマーは、前記構成単位(u1)に加えて、シクロオレフィンモノマーと共重合可能な他のモノマーから誘導される構成単位を有していてもよい。
かかる構成単位としては、例えば、アルケンモノマーから誘導される構成単位(u2)が挙げられる。構成単位(u2)の好ましい例としては、下記一般式(u2-1)で表される構成単位が挙げられる。
In addition to the structural unit (u1), the cycloolefin polymer may have a structural unit derived from another monomer copolymerizable with the cycloolefin monomer.
Examples of such a structural unit include a structural unit (u2) derived from an alkene monomer. A preferable example of the structural unit (u2) is a structural unit represented by the following general formula (u2-1).

Figure 0007004566000005
[式中、Ru21は、アルキル基又は水素原子を表す。]
Figure 0007004566000005
[In the formula, Ru21 represents an alkyl group or a hydrogen atom. ]

前記一般式(u2-1)中、Ru21は、アルキル基又は水素原子である。
u21におけるアルキル基は、直鎖状であってもよく分岐鎖状であってもよい。Ru21におけるアルキル基としては、炭素数1~10のアルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、炭素数1~3のアルキル基がより好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がさらに好ましい。
u21の好ましい例としては、メチル基、エチル基、又は水素原子が挙げられる。中でも、Ru21は、水素原子が好ましい。
In the general formula (u2-1), Ru21 is an alkyl group or a hydrogen atom.
The alkyl group in Ru21 may be linear or branched. The alkyl group in Ru21 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, or tert-butyl. Examples thereof include a group, a pentyl group, a neopentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group and the like. Among these, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is more preferable, and an alkyl group having 1 or 2 carbon atoms is further preferable.
Preferred examples of R u21 include a methyl group, an ethyl group, or a hydrogen atom. Of these, a hydrogen atom is preferable for Ru21 .

シクロオレフィンポリマーが有する構成単位(u2)は、1種でもよく2種以上でもよい。 The structural unit (u2) contained in the cycloolefin polymer may be one kind or two or more kinds.

シクロオレフィンポリマー中の構成単位(u2)の割合は、シクロオレフィンポリマーを構成する全構成単位(100モル%)に対して、70モル%以下が好ましく、60モル%以上がより好ましい。構成単位(u2)の含有割合が、上記好ましい範囲の下限値以上であると、構成単位(u1)とのバランスがとりやすくなる。構成単位(u2)の含有割合の下限は特に限定されるものではないが、シクロオレフィンポリマーを構成する全構成単位(100モル%)に対して、例えば、10モル%以上である。 The ratio of the structural unit (u2) in the cycloolefin polymer is preferably 70 mol% or less, more preferably 60 mol% or more, with respect to all the structural units (100 mol%) constituting the cycloolefin polymer. When the content ratio of the structural unit (u2) is at least the lower limit of the above preferable range, it becomes easy to balance with the structural unit (u1). The lower limit of the content ratio of the structural unit (u2) is not particularly limited, but is, for example, 10 mol% or more with respect to all the structural units (100 mol%) constituting the cycloolefin polymer.

本実施形態において、シクロオレフィンポリマーは、シクロオレフィンモノマーとアルケンモノマーとの共重合体であることが好ましく、かかる共重合体は、構成単位(u1)及び(u2)からなる。 In the present embodiment, the cycloolefin polymer is preferably a copolymer of a cycloolefin monomer and an alkene monomer, and the copolymer comprises the structural units (u1) and (u2).

以下に、シクロオレフィンポリマーの具体例を示す。 Specific examples of the cycloolefin polymer are shown below.

Figure 0007004566000006
Figure 0007004566000006

本実施形態において、シクロオレフィンポリマーを含む中間層形成材料は、下記(要件3-1)を満たすシクロオレフィンポリマー組成物であることが好ましい。
(要件3-1):温度:40℃、湿度:90%RHにおいて、厚み20μm換算値の水蒸気透過率が5g/(m・day)以下となる。
In the present embodiment, the intermediate layer forming material containing the cycloolefin polymer is preferably a cycloolefin polymer composition satisfying the following (requirement 3-1).
(Requirement 3-1): At a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH, the water vapor permeability in terms of a thickness of 20 μm is 5 g / (m 2 · day) or less.

上記(要件3-1)における水蒸気透過率の測定は、上記第1の態様の積層体における「(要件1-1)」と同様の手順に従って行うことができる。 The measurement of the water vapor transmittance in the above (requirement 3-1) can be performed according to the same procedure as in "(requirement 1-1)" in the laminate of the first aspect.

上記(要件3-1)を満たすシクロオレフィンポリマー組成物を用いることで、デバイス層からのガス放出をより効果的に抑制することができる。上記(要件3-1)における水蒸気透過率は、3g/(m・day)以下が好ましく、1g/(m・day)以下がより好ましい。水蒸気透過率の下限値は特に限定されるものではないが、例えば、0.01g/(m・day)以上である。 By using a cycloolefin polymer composition satisfying the above (requirement 3-1), outgassing from the device layer can be suppressed more effectively. The water vapor permeability in the above (requirement 3-1) is preferably 3 g / (m 2 · day) or less, and more preferably 1 g / (m 2 · day) or less. The lower limit of the water vapor transmittance is not particularly limited, but is, for example, 0.01 g / (m 2 · day) or more.

さらに、シクロオレフィンポリマー組成物は、上記要件(3-1)に加えて、下記要件(3-2)を満たすことが好ましい。
(要件3-2):厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃での溶融粘度が10000(Pa・s)以上となる。
Further, the cycloolefin polymer composition preferably satisfies the following requirement (3-2) in addition to the above requirement (3-1).
(Requirement 3-2): When a test piece having a thickness of 500 μm was prepared and subjected to dynamic viscoelasticity measurement under the conditions of a starting temperature of 25 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a frequency of 1 Hz, 180. The melt viscosity at ° C. is 10,000 (Pa · s) or more.

上記(要件3-2)における溶融粘度の測定は、上記第1の態様の積層体における「(要件1-2)」と同様の手順に従って行うことができる。 The measurement of the melt viscosity in the above (Requirement 3-2) can be performed according to the same procedure as in "(Requirement 1-2)" in the laminate of the first aspect.

上記(要件3-1)に加えて(要件3-2)を満たすシクロオレフィンポリマー組成物を用いることで、デバイス層からのガス放出をより効果的に抑制することができる。上記(要件3-2)における溶融粘度は、15000(Pa・s)以上が好ましく、20000(Pa・s)以上がより好ましく、25000(Pa・s)以上がさらに好ましい。溶融粘度の上限値は特に限定されるものではないが、例えば、50000(Pa・s)以下である。 By using a cycloolefin polymer composition satisfying (Requirement 3-2) in addition to the above (Requirement 3-1), outgassing from the device layer can be suppressed more effectively. The melt viscosity in the above (Requirement 3-2) is preferably 15,000 (Pa · s) or more, more preferably 20000 (Pa · s) or more, and even more preferably 25,000 (Pa · s) or more. The upper limit of the melt viscosity is not particularly limited, but is, for example, 50,000 (Pa · s) or less.

また、シクロオレフィンポリマーは、ガラス転移温度(Tg)が90℃以上であることが好ましい。
樹脂成分についてのガラス転移温度(Tg/℃)は、動的粘弾性測定により求められる。例えば、動的粘弾性測定装置Rheologel-E4000(UBM株式会社製)を用い、周波数1Hzの条件にて、5℃/分の昇温速度で、25℃から300℃まで温度を上昇させることにより測定した粘弾性の変化に基づき求めることができる。
Further, the cycloolefin polymer preferably has a glass transition temperature (Tg) of 90 ° C. or higher.
The glass transition temperature (Tg / ° C.) for the resin component is determined by dynamic viscoelasticity measurement. For example, using a dynamic viscoelasticity measuring device Rheologel-E4000 (manufactured by UBM Co., Ltd.), measurement is performed by raising the temperature from 25 ° C to 300 ° C at a temperature rising rate of 5 ° C / min under the condition of a frequency of 1 Hz. It can be obtained based on the change in viscoelasticity.

シクロオレフィンポリマーのガラス転移温度(Tg)が、90℃以上であると、デバイス層からのガス放出をより効果的に抑制することができる。ガラス転移温度(Tg)は、100℃以上が好ましく、120℃以上がより好ましく、130℃以上がさらに好ましい。ガラス転移温度(Tg)の上限値は特に限定されるものではないが、例えば、250℃以下である。 When the glass transition temperature (Tg) of the cycloolefin polymer is 90 ° C. or higher, outgassing from the device layer can be suppressed more effectively. The glass transition temperature (Tg) is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher, and even more preferably 130 ° C. or higher. The upper limit of the glass transition temperature (Tg) is not particularly limited, but is, for example, 250 ° C. or lower.

中間層形成材料は、シクロオレフィンポリマーに加えて、他の成分を含有していてもよい。かかる他の成分としては、例えば、希釈溶剤、重合禁止剤、重合開始剤、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、界面活性剤等が挙げられる。これらは、公知のものを特に制限なく用いることができる。希釈溶剤としては、例えば、上記第1の態様の積層体における「≪接着層≫」において挙げたもの等が挙げられる。 The intermediate layer forming material may contain other components in addition to the cycloolefin polymer. Examples of such other components include diluting solvents, polymerization inhibitors, polymerization initiators, plasticizers, adhesion aids, stabilizers, colorants, surfactants and the like. As these, known ones can be used without particular limitation. Examples of the diluting solvent include those mentioned in "<< Adhesive layer >>" in the laminate of the first aspect.

本態様の積層体では、シクロオレフィンポリマーを含む材料により構成される中間層を、デバイス層に隣接させて設けることを特徴としている。これにより、上記第1および第2の態様の積層体と同様に、デバイス層からのガスの放出を抑制し、デバイス層と支持体との間におけるボイドの発生を低減することができる。 The laminate of this embodiment is characterized in that an intermediate layer made of a material containing a cycloolefin polymer is provided adjacent to the device layer. Thereby, similarly to the laminated body of the first and second aspects, it is possible to suppress the release of gas from the device layer and reduce the generation of voids between the device layer and the support.

(積層体の製造方法)
本発明の第4~6の態様に係る積層体の製造方法は、支持体、接着層、中間層およびデバイス層がこの順に積層した積層体の製造方法であり、接着層形成工程、デバイス層形成工程、中間層形成工程およびデバイス層固定工程を含む。前記積層体の製造方法は、さらに、研削工程、配線層形成工程、分離層形成工程等を含んていてもよい。
(Manufacturing method of laminated body)
The method for manufacturing a laminated body according to the fourth to sixth aspects of the present invention is a method for manufacturing a laminated body in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer and a device layer are laminated in this order, and is a bonding layer forming step and a device layer forming. Includes steps, intermediate layer forming steps and device layer fixing steps. The method for manufacturing the laminate may further include a grinding step, a wiring layer forming step, a separating layer forming step, and the like.

第4の態様に係る積層体の製造方法は、上記第1の態様に係る積層体を製造する方法であり、中間層形成材料として、温度:40℃、湿度:90%RHにおいて、厚み20μm換算値の水蒸気透過率が5g/(m・day)以下との要件を満たす材料を用いる。
第5の態様に係る積層体の製造方法は、上記第2の態様に係る積層体を製造する方法であり、中間層形成材料として、厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃で溶融粘度が10000(Pa・s)以上との要件を満たす材料を用いる。
第6の態様に係る積層体の製造方法は、上記第3の態様に係る積層体を製造する方法であり、中間層形成材料として、シクロオレフィンポリマーを含む材料を用いる。
中間層形成工程で用いる中間層形成材料を上記のとおりとする以外は、第4~6の態様に係る積層体の製造方法は、同様の工程により行うことができる。
The method for producing the laminate according to the fourth aspect is the method for producing the laminate according to the first aspect, and the thickness is converted to 20 μm at a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH as an intermediate layer forming material. Use a material that meets the requirement that the value of water vapor permeability is 5 g / (m 2 · day) or less.
The method for producing the laminate according to the fifth aspect is the method for producing the laminate according to the second aspect, wherein a test piece having a thickness of 500 μm is produced as an intermediate layer forming material, and the starting temperature is 25 ° C. A material that meets the requirements of a melt viscosity of 10,000 (Pa · s) or more at 180 ° C. when subjected to dynamic viscoelasticity measurement under the conditions of a temperature rising rate of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz is used.
The method for producing the laminate according to the sixth aspect is the method for producing the laminate according to the third aspect, and a material containing a cycloolefin polymer is used as the intermediate layer forming material.
The method for producing the laminate according to the fourth to sixth aspects can be performed by the same step except that the intermediate layer forming material used in the intermediate layer forming step is as described above.

図5~7は、本実施形態に係る積層体の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。
図5は、支持体12および接着層3から構成される接着層付き支持体123の製造工程を説明する図である。図5(a)は、分離層形成工程を説明する図であり、図5(b)は、接着層形成工程を説明する図である。
図6は、接着層付き支持体123から積層体100を製造する工程を説明する図である。図6(a)は、接着層付き支持体123を示す図であり、図6(b)は、中間層形成工程を説明する図であり、図6(c)は、デバイス層固定工程を説明する図である。
図7は、積層体100から積層体200を製造する工程を説明する図である。図7(a)は、積層体100を示す図であり、図7(b)は、研削工程を説明する図であり、図7(c)は、配線層形成工程を説明する図である。
5 to 7 are schematic process diagrams illustrating an embodiment of the method for manufacturing a laminated body according to the present embodiment.
FIG. 5 is a diagram illustrating a manufacturing process of a support 123 with an adhesive layer composed of a support 12 and an adhesive layer 3. FIG. 5A is a diagram illustrating a separation layer forming step, and FIG. 5B is a diagram illustrating an adhesive layer forming step.
FIG. 6 is a diagram illustrating a process of manufacturing the laminated body 100 from the support 123 with an adhesive layer. FIG. 6A is a diagram showing a support 123 with an adhesive layer, FIG. 6B is a diagram illustrating an intermediate layer forming step, and FIG. 6C is a diagram illustrating a device layer fixing step. It is a figure to do.
FIG. 7 is a diagram illustrating a process of manufacturing the laminated body 200 from the laminated body 100. 7 (a) is a diagram showing the laminated body 100, FIG. 7 (b) is a diagram for explaining a grinding process, and FIG. 7 (c) is a diagram for explaining a wiring layer forming process.

[分離層形成工程]
本実施形態に係る積層体の製造方法は、分離層形成工程を含んでいてもよい。分離層形成工程は、支持基体上の一方に、分離層形成用組成物を用いて分離層を形成する工程である。
図5(a)では、支持基体1上に、分離層形成用組成物を用いることにより分離層2を形成している。これにより、支持基体1および分離層2により構成される支持体12が作製される。
[Separation layer forming step]
The method for producing a laminate according to the present embodiment may include a separation layer forming step. The separation layer forming step is a step of forming a separation layer on one side of the support substrate using the composition for forming the separation layer.
In FIG. 5A, the separation layer 2 is formed on the support substrate 1 by using the composition for forming the separation layer. As a result, the support 12 composed of the support substrate 1 and the separation layer 2 is manufactured.

支持基体1上への分離層2の形成方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布、化学気相成長(CVD)等の方法が挙げられる。
例えば、分離層形成工程では、加熱環境下もしくは減圧環境下、支持基体1上に塗布された分離層形成用組成物の塗工層から溶剤成分を除去して成膜する、又は、支持基体1上に、蒸着法により成膜することで、支持体12を得ることができる。
The method for forming the separation layer 2 on the support substrate 1 is not particularly limited, and examples thereof include spin coating, dipping, roller blades, spray coating, slit coating, and chemical vapor deposition (CVD).
For example, in the separation layer forming step, the solvent component is removed from the coating layer of the separation layer forming composition coated on the support substrate 1 under a heating environment or a reduced pressure environment to form a film, or the support substrate 1 is formed. The support 12 can be obtained by forming a film on the film by a vapor deposition method.

なお、接着層又は中間層に分離層の機能を有するものを用いる等により、分離層が不要である場合には、分離層形成工程は省略可能である。この場合、支持基体1を、支持体として用いればよい。 If the separation layer is unnecessary due to the use of an adhesive layer or an intermediate layer having the function of a separation layer, the separation layer forming step can be omitted. In this case, the support substrate 1 may be used as a support.

[接着層形成工程]
本実施形態に係る積層体の製造方法は、接着層形成工程を含む。接着層形成工程は、支持体上に、接着剤組成物を用いて接着層を形成する工程である。支持体が分離層を有する場合には、接着層は、支持体において分離層を有する側の面に形成される。
図5(b)では、支持体12の分離層2側の面に、接着剤組成物を用いて接着層3を形成している。これにより、接着層付き支持体123が作製される。
[Adhesive layer forming process]
The method for producing a laminated body according to the present embodiment includes an adhesive layer forming step. The adhesive layer forming step is a step of forming an adhesive layer on the support using the adhesive composition. If the support has a separation layer, the adhesive layer is formed on the surface of the support that has the separation layer.
In FIG. 5B, the adhesive layer 3 is formed on the surface of the support 12 on the separation layer 2 side by using the adhesive composition. As a result, the support 123 with an adhesive layer is produced.

支持体12上への接着層3の形成方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法が挙げられる。そして、支持体12上に、接着剤組成物を塗布して加熱するか、又は、減圧環境下で接着剤組成物に含まれている溶剤成分を除去する。 The method for forming the adhesive layer 3 on the support 12 is not particularly limited, and examples thereof include spin coating, dipping, roller blades, spray coating, and slit coating. Then, the adhesive composition is applied onto the support 12 and heated, or the solvent component contained in the adhesive composition is removed under a reduced pressure environment.

その後、接着層が硬化性モノマー及び熱重合開始剤を含有する場合、加熱により、当該硬化性モノマーを重合させるとよい。接着層3を加熱する条件は、熱重合開始剤における1分間半減温度、及び1時間半減温度に基づいて適宜設定すればよい。加熱は、例えば50~300℃の範囲内の温度において、真空下、又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、不活性ガス雰囲気下で行うことがより好ましい。 After that, when the adhesive layer contains a curable monomer and a thermal polymerization initiator, the curable monomer may be polymerized by heating. The conditions for heating the adhesive layer 3 may be appropriately set based on the 1-minute half temperature and the 1-hour half temperature of the thermal polymerization initiator. The heating is preferably performed under vacuum or in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas, more preferably in an atmosphere of an inert gas, at a temperature in the range of, for example, 50 to 300 ° C.

また、接着層が硬化性モノマー及び光重合開始剤を含んでいる場合、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて露光することにより、硬化性モノマーを重合させるとよい。露光する条件は、光重合開始剤の種類等に応じて適宜設定すればよい。 When the adhesive layer contains a curable monomer and a photopolymerization initiator, it is preferable to polymerize the curable monomer by exposing it to an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas. The exposure conditions may be appropriately set according to the type of the photopolymerization initiator and the like.

[デバイス層形成工程]
本実施形態に係る積層体の製造方法は、デバイス層形成工程を含む。デバイス層形成工程は、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体である、デバイス層を形成する工程である。
デバイス層形成工程は、基板を封止材により封止する封止工程を含むことができる。例えば、図6(b)では、基板4を封止材で封止することにより、デバイス層45(封止体)を形成している。
[Device layer forming process]
The method for manufacturing a laminate according to the present embodiment includes a device layer forming step. The device layer forming step is a step of forming a device layer, which is a composite of a member made of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member.
The device layer forming step can include a sealing step of sealing the substrate with a sealing material. For example, in FIG. 6B, the device layer 45 (sealing body) is formed by sealing the substrate 4 with a sealing material.

<封止工程>
封止工程は、基板を、封止材を用いて封止することにより、封止体を作製する工程である。前記封止体は、本実施形態に係る積層体の製造方法において、デバイス層45として用いられる。封止材により封止する基板の数は、特に限定されず、所望のデバイス層を形成するために必要な数とすればよい。
<Sealing process>
The sealing step is a step of producing a sealed body by sealing the substrate with a sealing material. The sealed body is used as the device layer 45 in the method for manufacturing a laminated body according to the present embodiment. The number of substrates to be sealed with the encapsulant is not particularly limited, and may be any number required to form the desired device layer.

封止工程においては、例えば、保持プレート上に基板を配置し、130~170℃に加熱された封止材が、高粘度の状態を維持しつつ、基板4を覆うように、前記保持プレート上に供給され、圧縮成形されることによって、封止体が作製される。
その際、温度条件は、例えば130~170℃である。
基板4に加えられる圧力は、例えば50~500N/cmである。
In the sealing step, for example, the substrate is placed on the holding plate, and the sealing material heated to 130 to 170 ° C. is placed on the holding plate so as to cover the substrate 4 while maintaining a high viscosity state. A sealed body is produced by being supplied to and compression-molded.
At that time, the temperature condition is, for example, 130 to 170 ° C.
The pressure applied to the substrate 4 is, for example, 50 to 500 N / cm 2 .

なお、デバイス層形成工程は、後述する研削工程、配線層形成工程等を含んでいてもよい。 The device layer forming step may include a grinding step, a wiring layer forming step, and the like, which will be described later.

[中間層形成工程]
本実施形態に係る積層体の製造方法は、中間層形成工程を含む。中間層形成工程は、デバイス層上又は接着層上に、中間層形成材料を用いて中間層を形成する工程である。
図6(b)では、デバイス層45(封止体)上に、中間層形成材料を用いて中間層10を形成している。これにより、デバイス層45および中間層から構成される積層体20が作製される。なお、中間層10は、接着層付き支持体123の接着層3上に形成してもよい。後述のデバイス層固定工程における接着性の観点から、中間層10は、デバイス層45上に形成することが好ましい。
[Intermediate layer forming process]
The method for producing a laminate according to the present embodiment includes an intermediate layer forming step. The intermediate layer forming step is a step of forming an intermediate layer on the device layer or the adhesive layer by using the intermediate layer forming material.
In FIG. 6B, the intermediate layer 10 is formed on the device layer 45 (sealed body) by using the intermediate layer forming material. As a result, the laminated body 20 composed of the device layer 45 and the intermediate layer is produced. The intermediate layer 10 may be formed on the adhesive layer 3 of the support 123 with an adhesive layer. From the viewpoint of adhesiveness in the device layer fixing step described later, the intermediate layer 10 is preferably formed on the device layer 45.

中間層形成工程では、中間層形成材料として、上述の第1~3の態様の積層体において説明した中間層形成材料のいずれかを用いて、デバイス層45上又は接着層3上に中間層10を形成する。
デバイス層45上又は接着層3上への中間層10の形成方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布、化学気相成長(CVD)等の方法が挙げられる。中間層形成材料として無機物を用いる場合には、中間層10の形成方法としては、例えばスパッタ、化学蒸着(CVD)、メッキ、プラズマCVD、スピンコート等の方法が挙げられる。
例えば、中間層形成工程では、加熱環境下もしくは減圧環境下、デバイス層45上又は接着層3上に塗布された中間層形成材料の塗工層から溶剤成分を除去して成膜する、あるいは、デバイス層45上又は接着層3上に、蒸着法により成膜することで、デバイス層45上又は接着層3上に中間層10を形成することができる。
In the intermediate layer forming step, any of the intermediate layer forming materials described in the above-mentioned laminates of the first to third aspects is used as the intermediate layer forming material, and the intermediate layer 10 is placed on the device layer 45 or the adhesive layer 3. To form.
The method for forming the intermediate layer 10 on the device layer 45 or the adhesive layer 3 is not particularly limited, and for example, a method such as spin coating, dipping, roller blade, spray coating, slit coating, chemical vapor deposition (CVD), or the like. Can be mentioned. When an inorganic substance is used as the intermediate layer forming material, examples of the method for forming the intermediate layer 10 include sputtering, chemical vapor deposition (CVD), plating, plasma CVD, spin coating and the like.
For example, in the intermediate layer forming step, the solvent component is removed from the coating layer of the intermediate layer forming material coated on the device layer 45 or the adhesive layer 3 under a heating environment or a reduced pressure environment to form a film. The intermediate layer 10 can be formed on the device layer 45 or the adhesive layer 3 by forming a film on the device layer 45 or the adhesive layer 3 by a vapor deposition method.

本実施形態に係る積層体の製造方法によれば、上述した中間層形成材料を用いて中間層が形成されるため、その後の工程で高温処理がなされた場合であっても、封止材層からのガスの放出を抑制することができる。そのため、支持体とデバイス層との間にボイドが発生することが防止され、後のプロセスを好適に行うことができる。 According to the method for manufacturing a laminate according to the present embodiment, since the intermediate layer is formed by using the above-mentioned intermediate layer forming material, the encapsulant layer is formed even when high temperature treatment is performed in the subsequent steps. It is possible to suppress the release of gas from. Therefore, it is possible to prevent voids from being generated between the support and the device layer, and the subsequent process can be preferably performed.

[デバイス層固定工程]
本実施形態に係る積層体の製造方法は、デバイス層固定工程を含む。デバイス層固定程工程は、接着層3及び中間層10を介して、支持体12上にデバイス層45(封止体)を固定する工程である。これにより、積層体100を得ることができる。
図6(c)では、接着層付き支持体123と積層体20とを貼り合せることにより、接着層3及び中間層10を介して、支持体12上にデバイス層45を固定することにより、積層体100を得ている。
[Device layer fixing process]
The method for manufacturing a laminated body according to the present embodiment includes a device layer fixing step. The device layer fixing step is a step of fixing the device layer 45 (sealed body) on the support 12 via the adhesive layer 3 and the intermediate layer 10. Thereby, the laminated body 100 can be obtained.
In FIG. 6C, the support 123 with an adhesive layer and the laminated body 20 are bonded to each other, and the device layer 45 is fixed on the support 12 via the adhesive layer 3 and the intermediate layer 10 to be laminated. I'm getting 100 bodies.

接着層3および中間層10を介して支持体12上にデバイス層45を固定する方法は、特に限定されず、基板の接着等に用いられる公知の方法を用いればよい。例えば、接着層3と中間層10とを向い合せて、支持体12上の所定位置にデバイス層45を配置し、真空下で加熱(例えば100℃程度)しつつ、ダイボンダー等によって支持体12と基板4とを圧着することにより行うことができる。 The method of fixing the device layer 45 on the support 12 via the adhesive layer 3 and the intermediate layer 10 is not particularly limited, and a known method used for adhering the substrate or the like may be used. For example, the adhesive layer 3 and the intermediate layer 10 face each other, the device layer 45 is arranged at a predetermined position on the support 12, and the support 12 is heated by a die bonder or the like while being heated under vacuum (for example, about 100 ° C.). This can be done by crimping with the substrate 4.

[任意工程]
本実施形態に係る積層体の製造方法は、上記工程に加えて、他の工程を含んでいてもよい。他の工程としては、例えば、研削工程、配線層形成工程等が挙げられる。なお、研削工程、配線層形成工程は、上記デバイス層形成工程において行ってもよい。
[Arbitrary process]
The method for producing a laminate according to the present embodiment may include other steps in addition to the above steps. Examples of other steps include a grinding step, a wiring layer forming step, and the like. The grinding step and the wiring layer forming step may be performed in the device layer forming step.

<研削工程>
研削工程は、前記デバイス層固定工程の後、デバイス層における封止材部分(封止材層5)を、基板の一部が露出するように研削する工程である。
封止材部分の研削は、例えば図7(b)に示すように、封止材層5を、基板4とほぼ同等の厚さになるまで削ることにより行う。
<Grinding process>
The grinding step is a step of grinding the sealing material portion (sealing material layer 5) in the device layer so that a part of the substrate is exposed after the device layer fixing step.
Grinding of the encapsulant portion is performed, for example, by grinding the encapsulant layer 5 to a thickness substantially equal to that of the substrate 4, as shown in FIG. 7 (b).

<配線層形成工程>
配線層形成工程は、デバイス層固定工程の後、デバイス層上に配線層を形成する工程である。配線層形成工程は、前記研削工程の後、前記の露出した基板上に配線層を形成することが好ましい。
図7(c)では、基板4及び封止材層5上に、配線層6が形成されている。これにより、積層体200を得ることができる。積層体200において、基板4、封止材層5および配線層6は、デバイス層456を構成する。
<Wiring layer forming process>
The wiring layer forming step is a step of forming a wiring layer on the device layer after the device layer fixing step. In the wiring layer forming step, it is preferable to form the wiring layer on the exposed substrate after the grinding step.
In FIG. 7C, the wiring layer 6 is formed on the substrate 4 and the encapsulant layer 5. Thereby, the laminated body 200 can be obtained. In the laminated body 200, the substrate 4, the sealing material layer 5, and the wiring layer 6 constitute the device layer 456.

配線層6を形成する方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。
まず、封止材層5上に、酸化シリコン(SiO)、感光性樹脂等の誘電体層を形成する。酸化シリコンからなる誘電体層は、例えばスパッタ法、真空蒸着法等により形成することができる。感光性樹脂からなる誘電体層は、例えばスピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により、封止材層5上に、感光性樹脂を塗布することで形成することができる。
Examples of the method for forming the wiring layer 6 include the following methods.
First, a dielectric layer such as silicon oxide (SiO x ) or a photosensitive resin is formed on the encapsulant layer 5. The dielectric layer made of silicon oxide can be formed by, for example, a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or the like. The dielectric layer made of the photosensitive resin can be formed by applying the photosensitive resin on the sealing material layer 5 by, for example, spin coating, dipping, roller blades, spray coating, slit coating, or the like. ..

続いて、誘電体層に、金属等の導電体によって配線を形成する。配線を形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィー(レジストリソグラフィー)等のリソグラフィー処理、エッチング処理等の公知の半導体プロセス手法を用いることができる。このような、リソグラフィー処理としては、例えば、ポジ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理、ネガ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理が挙げられる。 Subsequently, wiring is formed on the dielectric layer with a conductor such as metal. As a method for forming the wiring, for example, a known semiconductor process method such as a lithography process such as photolithography (resist lithography) or an etching process can be used. Examples of such a lithography process include a lithography process using a positive resist material and a lithography process using a negative resist material.

このように、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理等を行う際、積層体は、フッ化水素酸等の酸、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)等のアルカリ、又はレジスト材料を溶解するためのレジスト溶剤に曝されるとともに、高温で処理される。
しかしながら、上述した中間層形成材料を用いて中間層10を形成することにより、封止材から放出されるガスの移動が抑制される。このため、デバイス層45と支持体12との間でのボイド発生を防止することができ、配線層6を好適に形成することができる。
In this way, when performing photolithography treatment, etching treatment, etc., the laminate is used as an acid such as hydrofluoric acid, an alkali such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH), or a resist solvent for dissolving the resist material. As it is exposed, it is treated at high temperatures.
However, by forming the intermediate layer 10 using the above-mentioned intermediate layer forming material, the movement of the gas released from the encapsulant is suppressed. Therefore, it is possible to prevent the generation of voids between the device layer 45 and the support 12, and the wiring layer 6 can be suitably formed.

本実施形態に係る積層体の製造方法によれば、支持体12と、接着層3と、中間層10と、デバイス層45(基板4および封止材層5)またはデバイス層456(基板4、封止材層5および配線層6)と、がこの順に積層されてなる積層体を安定的に製造することができる。
かかる積層体は、基板4に設けられた端子がチップエリア外に広がる配線層6に実装される、ファンアウト型技術に基づく過程において作製される積層体である。
According to the method for manufacturing a laminated body according to the present embodiment, the support 12, the adhesive layer 3, the intermediate layer 10, the device layer 45 (the substrate 4 and the encapsulant layer 5) or the device layer 456 (the substrate 4, the substrate 4,) A laminated body in which the sealing material layer 5 and the wiring layer 6) are laminated in this order can be stably manufactured.
Such a laminated body is a laminated body manufactured in a process based on a fan-out type technology in which terminals provided on the substrate 4 are mounted on a wiring layer 6 extending outside the chip area.

本実施形態に係る積層体の製造方法においては、さらに、配線層6上にバンプの形成、又は素子の実装を行うことができる。配線層6上への素子の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。 In the method for manufacturing a laminated body according to the present embodiment, bumps can be further formed or elements can be mounted on the wiring layer 6. The element can be mounted on the wiring layer 6 by using, for example, a chip mounter or the like.

また、上述した積層体の製造方法においては、デバイス層固定工程及び研削工程の後、配線層形成工程を行っているが、接着層形成工程の後、デバイス層形成工程において配線層形成工程を行い、その後、中間層形成工程及びデバイス層固定工程を行って、図3に示す積層体300を得てもよい。この場合、配線層形成工程に続いて、封止工程および研削工程を行い、図4に示す積層体400を得てもよい。この実施態様における封止工程では、配線層上に基板を配置して、封止材による封止を行う。 Further, in the above-mentioned method for manufacturing a laminated body, a wiring layer forming step is performed after the device layer fixing step and the grinding step, but after the adhesive layer forming step, a wiring layer forming step is performed in the device layer forming step. After that, the intermediate layer forming step and the device layer fixing step may be performed to obtain the laminated body 300 shown in FIG. In this case, the wiring layer forming step may be followed by a sealing step and a grinding step to obtain the laminated body 400 shown in FIG. In the sealing step in this embodiment, the substrate is placed on the wiring layer and sealed with a sealing material.

(電子部品の製造方法)
第7の態様に係る電子部品の製造方法は、上記第4~6の態様のいずれかに係る積層体の製造方法により上記第1~3の態様のいずれかに係る積層体を得た後、分離工程と、除去工程と、を有する。
(Manufacturing method of electronic parts)
The method for manufacturing an electronic component according to a seventh aspect is as follows: after obtaining the laminate according to any one of the first to third aspects by the method for manufacturing a laminate according to any one of the fourth to sixth aspects. It has a separation step and a removal step.

図8は、半導体パッケージ(電子部品)の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図8(a)及び図8(b)は、分離工程を説明する図であり、図8(c)は、除去工程を説明する図である。 FIG. 8 is a schematic process diagram illustrating an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package (electronic component). 8 (a) and 8 (b) are diagrams for explaining the separation step, and FIG. 8 (c) is a diagram for explaining the removal step.

[分離工程]
分離工程は、支持基体1を介して分離層2に光(矢印)を照射して、分離層2を変質させることにより、デバイス層456と支持基体1とを分離する工程である。
図8(a)では、支持基体1を介して、分離層2に光(矢印)を照射することで、分離層2を変質させている。
[Separation process]
The separation step is a step of irradiating the separation layer 2 with light (arrows) via the support substrate 1 to change the quality of the separation layer 2 to separate the device layer 456 and the support substrate 1.
In FIG. 8A, the separation layer 2 is altered by irradiating the separation layer 2 with light (arrows) via the support substrate 1.

分離層2を変質させ得る波長としては、例えば600nm以下の範囲が挙げられる。
照射する光の種類及び波長は、支持基体1の透過性、及び分離層2の材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He-Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、非レーザ光を用いることができる。これにより、分離層2を変質させて、支持基体1とデバイス層456とを容易に分離可能な状態とすることができる。
Examples of the wavelength at which the separation layer 2 can be altered include a range of 600 nm or less.
The type and wavelength of the light to be irradiated may be appropriately selected depending on the transparency of the support substrate 1 and the material of the separation layer 2. For example, a YAG laser, a ruby laser, a glass laser, a YVO 4 laser, an LD laser, and a fiber. It is possible to use solid lasers such as lasers, liquid lasers such as dye lasers, gas lasers such as CO 2 lasers, excima lasers, Ar lasers and He-Ne lasers, laser light such as semiconductor lasers and free electron lasers, and non-laser light. can. As a result, the separation layer 2 can be altered so that the support substrate 1 and the device layer 456 can be easily separated.

レーザ光を照射する場合、レーザ光照射条件の一例として、以下の条件を挙げることができる。
レーザ光の平均出力値は、1.0W以上、5.0W以下が好ましく、3.0W以上、4.0W以下がより好ましい。レーザ光の繰り返し周波数は、20kHz以上、60kHz以下が好ましく、30kHz以上、50kHz以下がより好ましい。レーザ光の走査速度は、100mm/s以上、10000mm/s以下が好ましい。
When irradiating a laser beam, the following conditions can be mentioned as an example of the laser beam irradiation conditions.
The average output value of the laser beam is preferably 1.0 W or more and 5.0 W or less, and more preferably 3.0 W or more and 4.0 W or less. The repetition frequency of the laser beam is preferably 20 kHz or more and 60 kHz or less, and more preferably 30 kHz or more and 50 kHz or less. The scanning speed of the laser beam is preferably 100 mm / s or more and 10,000 mm / s or less.

分離層2に光(矢印)を照射して分離層2を変質させた後、図8(b)に示すように、デバイス層456から支持基体1を分離する。
例えば、支持基体1とデバイス層456とが互いに離れる方向に力を加えることにより、支持基体1とデバイス層456とを分離する。具体的には、支持基体1又はデバイス層456側の一方をステージに固定した状態で、他方をベローズパッド等の吸着パッドを備えた分離プレートにより吸着保持しつつ持ち上げることにより、支持基体1とデバイス層456とを分離することができる。
積層体100に加える力は、積層体100の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、直径が300mm程度の積層体であれば、0.1~5kgf(0.98~49N)程度の力を加えることによって、支持基体1とデバイス層456とを好適に分離することができる。
After irradiating the separation layer 2 with light (arrow) to change the quality of the separation layer 2, the support substrate 1 is separated from the device layer 456 as shown in FIG. 8 (b).
For example, the support substrate 1 and the device layer 456 are separated from each other by applying a force in a direction in which the support substrate 1 and the device layer 456 are separated from each other. Specifically, the support substrate 1 and the device are lifted while one of the support substrate 1 or the device layer 456 side is fixed to the stage and the other is suction-held by a separation plate equipped with a suction pad such as a bellows pad. It can be separated from the layer 456.
The force applied to the laminated body 100 may be appropriately adjusted depending on the size of the laminated body 100 and the like, and is not limited. For example, in the case of a laminated body having a diameter of about 300 mm, 0.1 to 5 kgf (0). By applying a force of about .98 to 49N), the support substrate 1 and the device layer 456 can be suitably separated.

[除去工程]
除去工程は、前記分離工程の後、デバイス層に付着する分離層、接着層及び中間層を除去する工程である。
図6(b)は、分離工程後のデバイス層456に、分離層2、接着層3及び中間層10が付着して残存している状態を示している。図8(c)では、除去工程において、デバイス層456に付着する分離層2、接着層3及び中間層10を除去することにより、電子部品50が得られている。
[Removal process]
The removal step is a step of removing the separation layer, the adhesive layer, and the intermediate layer adhering to the device layer after the separation step.
FIG. 6B shows a state in which the separation layer 2, the adhesive layer 3 and the intermediate layer 10 are attached and remain on the device layer 456 after the separation step. In FIG. 8C, the electronic component 50 is obtained by removing the separation layer 2, the adhesive layer 3, and the intermediate layer 10 adhering to the device layer 456 in the removal step.

デバイス層456に付着する接着層3等を除去する方法としては、例えば、洗浄液を用いて分離層2、接着層3及び中間層10の残渣を除去する方法が挙げられる。
洗浄液には、有機溶剤を含有する洗浄液が好適に用いられる。この洗浄液における有機溶剤としては、分離層形成用組成物に配合の溶剤成分、接着層形成用組成物に配合の溶剤成分、中間層形成材料に配合の溶剤成分等を用いることが好ましい。
Examples of the method for removing the adhesive layer 3 and the like adhering to the device layer 456 include a method of removing the residue of the separation layer 2, the adhesive layer 3 and the intermediate layer 10 using a cleaning liquid.
As the cleaning liquid, a cleaning liquid containing an organic solvent is preferably used. As the organic solvent in this cleaning liquid, it is preferable to use a solvent component blended in the composition for forming a separation layer, a solvent component blended in the composition for forming an adhesive layer, a solvent component blended in the intermediate layer forming material, and the like.

本実施形態の電子部品の製造方法は、上記の除去工程の後、さらに、電子部品50に対してソルダーボール形成、ダイシング、酸化膜形成等の処理を行ってもよい。 In the method for manufacturing an electronic component of the present embodiment, after the above removing step, the electronic component 50 may be further subjected to treatments such as solder ball formation, dicing, and oxide film formation.

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

(モールド材のガス放出性評価)
エポキシ樹脂を含むモールド材を1cm X 1cm角にカットし、ESCO社製のTDS1200を使用して、水分量の測定を行った。温度は40℃から300℃で0.5℃/秒の昇温速度で行った。
(Evaluation of outgassing of mold material)
The mold material containing the epoxy resin was cut into 1 cm x 1 cm squares, and the water content was measured using TDS1200 manufactured by ESCO. The temperature was changed from 40 ° C. to 300 ° C. at a heating rate of 0.5 ° C./sec.

結果を図9に示す。図9(a)は、モールド材からの全ガス放出量を示し、図9(b)は、封止材からの水蒸気放出量を示す。図9(a)及び図9(b)に示すように、昇温に伴い、150~180℃付近をピークとして、モールド材からの全ガス放出量及び水蒸気放出量が増加することが確認された。全ガス放出量及び水蒸気放出量は、ベイクによる脱水処理により減少するが、脱水処理後1日おくと、放出量が増加した。また、図9(a)及び図9(b)から、封止材から放出されるガスのほとんどは、水蒸気であると確認された。 The results are shown in FIG. FIG. 9A shows the total amount of gas released from the mold material, and FIG. 9B shows the amount of water vapor released from the encapsulant. As shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b), it was confirmed that the total amount of gas released from the molding material and the amount of water vapor released increased with the temperature rising, peaking at around 150 to 180 ° C. .. The total gas release amount and the water vapor release amount decreased by the dehydration treatment by baking, but the release amount increased one day after the dehydration treatment. Further, from FIGS. 9 (a) and 9 (b), it was confirmed that most of the gas released from the encapsulant was water vapor.

(実施例1、比較例1~2)
<積層体の製造>
[接着層形成工程]
ガラス支持基体(サイズ直径30cm、厚さ700μm)上に、表2の実施例1に示す接着層をスピンコート法により1000rpmで回転させながら作製した。
次いで、各例の接着剤組成物を塗布した支持基体をそれぞれ、90℃で4分間、160℃で4分間、220℃で4分間で加熱することにより、表2に示す各例の厚さの接着層を形成した。
(Example 1, Comparative Examples 1 and 2)
<Manufacturing of laminated body>
[Adhesive layer forming process]
The adhesive layer shown in Example 1 of Table 2 was produced on a glass-supported substrate (size diameter 30 cm, thickness 700 μm) while rotating at 1000 rpm by a spin coating method.
Then, the support substrate coated with the adhesive composition of each example was heated at 90 ° C. for 4 minutes, 160 ° C. for 4 minutes, and 220 ° C. for 4 minutes, respectively, to obtain the thickness of each example shown in Table 2. An adhesive layer was formed.

[中間層形成工程]
エポキシ封止材により封止されたモールド基板上に、表2の実施例1に示す中間層をスピンコート法により1000rpmで回転させながら塗布した。
次いで、中間層形成材料を塗布した支持基体をそれぞれ、90℃で4分間、160℃で4分間、220℃で4分間で加熱することにより、表2の実施例1に示す厚さの中間層を形成した。
[Intermediate layer forming process]
The intermediate layer shown in Example 1 of Table 2 was applied onto a molded substrate sealed with an epoxy encapsulant while rotating at 1000 rpm by a spin coating method.
Next, the support substrate coated with the intermediate layer forming material was heated at 90 ° C. for 4 minutes, 160 ° C. for 4 minutes, and 220 ° C. for 4 minutes, respectively, to obtain an intermediate layer having a thickness shown in Example 1 of Table 2. Formed.

[積層体の形成]
上述のように形成したガラス支持基体とモールド基板とを、接着層と中間層とを互いに向い合せながら積層させ、次いで、10Paよりも低圧の減圧条件下、貼付装置を用い、215℃に加熱した押圧用プレート(300mmφ)にて押圧して、4トンの力を加えつつ、3分間圧縮し、表2に示す各例の積層体を得た(実施例1)。
なお、比較例1においては、A4007のみを介してガラス支持基体とモールド基板とを積層させようとしたものであるが、この例は貼付自体ができなかった。
また、比較例2においては、厚さ50μmのA4017により構成される接着層を介してガラス支持基体とモールド基板とを積層させたものである。
[Formation of laminated body]
The glass support substrate and the molded substrate formed as described above were laminated while the adhesive layer and the intermediate layer faced each other, and then heated to 215 ° C. using a sticking device under a reduced pressure condition of a pressure lower than 10 Pa. It was pressed with a pressing plate (300 mmφ) and compressed for 3 minutes while applying a force of 4 tons to obtain a laminate of each example shown in Table 2 (Example 1).
In Comparative Example 1, the glass support substrate and the molded substrate were laminated via only A4007, but this example could not be attached.
Further, in Comparative Example 2, the glass support substrate and the molded substrate are laminated via an adhesive layer made of A4017 having a thickness of 50 μm.

<評価>
各例の積層体に対して熱処理を行い、支持基体と封止基盤との間にボイドが発生するかを評価した。加えて、各例の積層体に用いた接着剤組成物/中間層形成材料について、溶融粘度、水蒸気透過率、ガラス転移温度(Tg)の測定を行った。これらの結果を表2及び表3にそれぞれに示した。
<Evaluation>
The laminated body of each example was heat-treated, and it was evaluated whether voids were generated between the support substrate and the sealing substrate. In addition, the melt viscosity, water vapor transmittance, and glass transition temperature (Tg) of the adhesive composition / intermediate layer forming material used for the laminate of each example were measured. These results are shown in Tables 2 and 3, respectively.

[ボイド発生試験]
各例の積層体について、150℃、180℃、又は200℃の温度条件下で1時間熱処理した。熱処理後、目視にて以下のに示す評価基準に従い、接着層中のボイドの発生を評価した。評価結果を表2に示した。
評価基準
○:ボイドなし
×:ボイド発生
[Void generation test]
The laminates of each example were heat-treated for 1 hour under temperature conditions of 150 ° C., 180 ° C., or 200 ° C. After the heat treatment, the generation of voids in the adhesive layer was visually evaluated according to the evaluation criteria shown below. The evaluation results are shown in Table 2.
Evaluation criteria ○: No void ×: Void generation

[溶融粘度の測定]
各例の接着剤組成物/中間層形成材料について、動的粘弾性測定装置(Rheogel-E4000、ユービーエム株式会社製)を用い、150℃、180℃、及び200℃における溶融粘度をそれぞれ測定した。
まず、接着剤組成物/中間層形成材料を、離型剤付のPETフィルム上に塗布し、大気圧下のオーブンで50℃、150℃で各60分間、加熱して試験片層を形成した(厚さ500μm)。その後、PETフィルムから剥がした試験片の溶融粘度を、前記の動的粘弾性測定装置を用いて測定した。
測定条件を、周波数1Hzの引張条件において、開始温度50℃から300℃まで、速度5℃/分で昇温する条件とした。
[Measurement of melt viscosity]
For the adhesive composition / intermediate layer forming material of each example, the melt viscosities at 150 ° C., 180 ° C., and 200 ° C. were measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (Rheogel-E4000, manufactured by UBM Co., Ltd.). ..
First, the adhesive composition / intermediate layer forming material was applied onto a PET film with a mold release agent, and heated in an oven under atmospheric pressure at 50 ° C. and 150 ° C. for 60 minutes each to form a test piece layer. (Thickness 500 μm). Then, the melt viscosity of the test piece peeled off from the PET film was measured using the above-mentioned dynamic viscoelasticity measuring device.
The measurement conditions were a tension condition with a frequency of 1 Hz, and a condition in which the temperature was raised from a starting temperature of 50 ° C. to 300 ° C. at a speed of 5 ° C./min.

[水蒸気透過率]
前述の手法(JIS K7129B)に基づき、各例の接着剤組成物/中間層形成材料について、厚み20μm換算値および厚み50μm換算値の水蒸気透過率をそれぞれ求め表3に記した。なお、水蒸気透過率は、温度40℃、湿度90%RHの条件下での値として示している。
[Water vapor permeability]
Based on the above-mentioned method (JIS K7129B), the water vapor permeability of the adhesive composition / intermediate layer forming material of each example was obtained in terms of thickness 20 μm and thickness 50 μm, respectively, and is shown in Table 3. The water vapor transmittance is shown as a value under the conditions of a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH.

[ガラス転移温度(Tg)の測定]
各例の接着剤組成物/中間層形成材料について、動的粘弾性測定装置Rheogel-E4000(UBM株式会社製)を用い、周波数1Hzの条件にて、5℃/分の昇温速度で、25℃から300℃まで温度を上昇させることにより測定した粘弾性の変化に基づき、ガラス転移温度を求めた。結果を表3に示した。
[Measurement of glass transition temperature (Tg)]
For the adhesive composition / intermediate layer forming material of each example, a dynamic viscoelasticity measuring device Rheogel-E4000 (manufactured by UBM Co., Ltd.) was used, and the temperature was 25 ° C./min at a temperature of 5 ° C./min. The glass transition temperature was determined based on the change in viscoelasticity measured by increasing the temperature from ° C to 300 ° C. The results are shown in Table 3.

Figure 0007004566000007
Figure 0007004566000007

Figure 0007004566000008
Figure 0007004566000008

表2~3中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。
A4007:TZNR-A4007(商品名)、東京応化工業株式会社製;エラストマー系接着剤。
A4017:TZNR-A4017(商品名)、東京応化工業株式会社製;エラストマー系接着剤。
In Tables 2 and 3, each abbreviation has the following meaning.
A4007: TZNR-A4007 (trade name), manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd .; elastomer adhesive.
A4017: TZNR-A4017 (trade name), manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd .; elastomer adhesive.

表2および表3に示す結果より、実施例1の積層体は、いずれの温度においても封止基板からのガス発生を抑制し、ボイド発生を防止できることが確認された。
これに対して、比較例1では、支持基体に対して封止基板を貼付できず、積層体を作製することができなかった。比較例2では、いずれの温度においてもボイドが発生した。
From the results shown in Tables 2 and 3, it was confirmed that the laminate of Example 1 can suppress the generation of gas from the sealed substrate and prevent the generation of voids at any temperature.
On the other hand, in Comparative Example 1, the sealed substrate could not be attached to the support substrate, and the laminate could not be produced. In Comparative Example 2, voids were generated at any temperature.

(実施例2~3、参考例1~3)
<樹脂組成物の調製>
表4に示す樹脂成分を固形分濃度30%で溶媒(デカヒドロナフタリン)に溶解し、各例の樹脂組成物を調製した。また、各例の樹脂組成物から成膜を行い、上記と同様の方法で、厚み5μm換算値、厚み20μm換算値および厚み50μm換算値の水蒸気透過率をそれぞれ測定した。その結果を表4に示す。
(Examples 2 to 3, reference examples 1 to 3)
<Preparation of resin composition>
The resin components shown in Table 4 were dissolved in a solvent (decahydronaphthalene) at a solid content concentration of 30% to prepare resin compositions of each example. Further, a film was formed from the resin composition of each example, and the water vapor transmittances of the thickness 5 μm conversion value, the thickness 20 μm conversion value, and the thickness 50 μm conversion value were measured by the same method as described above. The results are shown in Table 4.

Figure 0007004566000009
Figure 0007004566000009

表4中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。なお、以下に示す樹脂成分についてのガラス転移温度(℃)は、上記と同様にして求めた。 In Table 4, each abbreviation has the following meaning. The glass transition temperature (° C.) for the resin components shown below was determined in the same manner as above.

(P)-1:APL8008T(商品名)三井化学社製。ガラス転移温度75℃、重量平均分子量80000;下記化学式(P)-1で表されるシクロオレフィンポリマー(m:n=80:20(モル比))。 (P) -1: APL8008T (trade name) manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. Glass transition temperature 75 ° C., weight average molecular weight 80000; cycloolefin polymer represented by the following chemical formula (P) -1 (m: n = 80: 20 (molar ratio)).

Figure 0007004566000010
Figure 0007004566000010

(P)-2:APL6013T(商品名)三井化学社製。ガラス転移温度125℃、重量平均分子量60000;下記化学式(P)-2で表されるシクロオレフィンポリマー(m:n=65:35(モル比))。 (P) -2: APL6013T (trade name) manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. Glass transition temperature 125 ° C., weight average molecular weight 60000; cycloolefin polymer represented by the following chemical formula (P) -2 (m: n = 65: 35 (molar ratio)).

Figure 0007004566000011
Figure 0007004566000011

(P)-3:APL6015T(商品名)三井化学社製。ガラス転移温度145℃、重量平均分子量60000;下記化学式(P)-3で表されるシクロオレフィンポリマー(m:n=58:42(モル比))。 (P) -3: APL6015T (trade name) manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. Glass transition temperature 145 ° C., weight average molecular weight 60000; cycloolefin polymer represented by the following chemical formula (P) -3 (m: n = 58: 42 (molar ratio)).

Figure 0007004566000012
Figure 0007004566000012

<積層体の製造>
接着剤組成物および中間層形成材として表5および表6に示す各例の組成物を用いたこと以外は、上記と同様の方法で、表5に示す各例の積層体を製造した。
<Manufacturing of laminated body>
The laminates of each example shown in Table 5 were produced by the same method as above except that the compositions of each example shown in Tables 5 and 6 were used as the adhesive composition and the intermediate layer forming material.

<評価>
各例の積層体に対して熱処理を行い、上記と同様の方法で、ボイド発生試験を行った。その結果を表5および表6に示した。表5中、「A4017」は表2におけるものと同じである。評価基準は、以下のとおりである。
評価基準
○:ボイドなし
×:ボイド発生
<Evaluation>
The laminated body of each example was heat-treated, and a void generation test was conducted by the same method as described above. The results are shown in Tables 5 and 6. In Table 5, "A4017" is the same as that in Table 2. The evaluation criteria are as follows.
Evaluation criteria ○: No void ×: Void generation

Figure 0007004566000013
Figure 0007004566000013

Figure 0007004566000014
Figure 0007004566000014

表5に示す結果から、実施例3の積層体は、いずれの温度においても、封止基板からのガス発生を抑制し、ボイド発生を防止できることが確認された。実施例2の積層体でも、150℃までの温度までは、ボイド発生を防止できることが確認された。
一方、参考例1~2では、150℃以上になるとボイドが発生した。参考例3では、支持基体に対して封止基板を貼付できず、積層体を作製することができなかった。
From the results shown in Table 5, it was confirmed that the laminate of Example 3 can suppress the generation of gas from the sealed substrate and prevent the generation of voids at any temperature. It was confirmed that even the laminate of Example 2 can prevent the generation of voids up to a temperature of up to 150 ° C.
On the other hand, in Reference Examples 1 and 2, voids were generated at 150 ° C. or higher. In Reference Example 3, the sealing substrate could not be attached to the support substrate, and the laminate could not be produced.

1 支持基体、
2 分離層、
3 接着層、
4 基板、
5 封止材層、
6 配線層、
10 中間層、
12 支持体、
20 積層体、
45 デバイス層
50 電子部品、
100 積層体、
200 積層体、
300 積層体、
400 積層体、
123 接着層付き支持体
456 デバイス層
645 デバイス層。
1 Support substrate,
2 Separation layer,
3 Adhesive layer,
4 board,
5 Encapsulant layer,
6 wiring layer,
10 middle layer,
12 Support,
20 laminated body,
45 device layer 50 electronic components,
100 laminates,
200 laminates,
300 laminated body,
400 laminate,
123 Support with adhesive layer 456 Device layer 645 Device layer.

Claims (15)

支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体であって、
少なくとも、前記中間層と前記デバイス層とは互いに隣接しており、
前記デバイス層は、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体であり、
前記中間層は、温度:40℃、湿度:90%RHにおいて、厚み20μm換算値の水蒸気透過率が5g/(m・day)以下との要件を満たす材料により構成される積層体。
A laminate in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer, and a device layer are laminated in this order.
At least, the intermediate layer and the device layer are adjacent to each other,
The device layer is a composite of a member made of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member.
The intermediate layer is a laminate made of a material that satisfies the requirement that the water vapor transmittance in terms of thickness 20 μm is 5 g / (m 2 · day) or less at a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH.
支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体であって、
少なくとも、前記中間層と前記デバイス層とは互いに隣接しており、
前記デバイス層は、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体であり
前記中間層は、厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃での溶融粘度が10000(Pa・s)以上との要件を満たす材料により構成される積層体。
A laminate in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer, and a device layer are laminated in this order.
At least, the intermediate layer and the device layer are adjacent to each other,
The device layer is a composite of a member made of metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member. The intermediate layer prepares a test piece having a thickness of 500 μm, and starts at a starting temperature of 25 ° C. It is made of a material that meets the requirements that the melt viscosity at 180 ° C is 10,000 (Pa · s) or more when subjected to dynamic viscoelasticity measurement under the conditions of temperature rise rate: 5 ° C / min and frequency: 1 Hz. Laminated body.
支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体であって、
少なくとも、前記中間層と前記デバイス層とは互いに隣接しており、
前記デバイス層は、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体であり
前記中間層は、シクロオレフィンポリマーを含み、
前記中間層を構成するシクロオレフィンポリマーを含む中間層形成材料は、厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃での溶融粘度が10000(Pa・s)以上との要件を満たす、積層体。
A laminate in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer, and a device layer are laminated in this order.
At least, the intermediate layer and the device layer are adjacent to each other,
The device layer is a composite of a member made of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member, and the intermediate layer contains a cycloolefin polymer.
As the intermediate layer forming material containing the cycloolefin polymer constituting the intermediate layer, a test piece having a thickness of 500 μm was prepared, and the starting temperature was 25 ° C., the heating rate was 5 ° C./min, and the frequency was 1 Hz. A laminate that satisfies the requirement that the melt viscosity at 180 ° C. be 10,000 (Pa · s) or more when subjected to viscoelasticity measurement .
前記シクロオレフィンポリマーは、シクロオレフィンモノマーとアルケンモノマーとの共重合体である、請求項3に記載の積層体。 The laminate according to claim 3, wherein the cycloolefin polymer is a copolymer of a cycloolefin monomer and an alkene monomer. 前記共重合体中の、シクロオレフィンモノマーから誘導される構成単位の割合は、前記共重合体を構成する全構成単位(100モル%)に対して30モル%以上である、請求項4に記載の積層体。 The fourth aspect of the present invention, wherein the proportion of the constituent units derived from the cycloolefin monomer in the copolymer is 30 mol% or more with respect to all the constituent units (100 mol%) constituting the copolymer. Laminated body. 前記接着層は、厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃での溶融粘度が1000(Pa・s)以上10000(Pa・s)以下との要件を満たす材料により構成される、請求項1~5のいずれか一項に記載の積層体。 The adhesive layer was prepared at 180 ° C. when a test piece having a thickness of 500 μm was prepared and subjected to dynamic viscoelasticity measurement under the conditions of a starting temperature of 25 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a frequency of 1 Hz. The laminate according to any one of claims 1 to 5, which is made of a material having a melt viscosity of 1000 (Pa · s) or more and 10000 (Pa · s) or less. 前記接着層の厚さ(μm)と前記中間層の厚さ(μm)との比率は、接着層/中間層=1/9~9/1である、請求項1~6のいずれか一項に記載の積層体。 The ratio of the thickness (μm) of the adhesive layer to the thickness (μm) of the intermediate layer is any one of claims 1 to 6, wherein the adhesive layer / intermediate layer = 1/9 to 9/1. The laminate described in. 前記支持体は、光を透過する支持基体と、前記支持基体上に形成され、光の照射により変質する分離層と、を有し、前記分離層と前記接着層とが互いに隣接するように設けられている、請求項1~7のいずれか一項に記載の積層体。 The support has a support substrate that transmits light and a separation layer that is formed on the support substrate and is altered by irradiation with light, and the separation layer and the adhesive layer are provided so as to be adjacent to each other. The laminate according to any one of claims 1 to 7. 支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体の製造方法であって、
支持体上に、接着剤組成物を用いて接着層を形成する接着層形成工程と、
金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体である、デバイス層を形成するデバイス層形成工程と、
前記デバイス層上又は前記接着層上に、中間層形成材料を用いて、中間層を形成する中間層形成工程と、
前記接着層及び前記中間層を介して、前記支持体上に、前記デバイス層を固定するデバイス層固定工程と、を含み、
前記中間層形成材料が、温度:40℃、湿度:90%RHにおいて、厚み20μm換算値の水蒸気透過率が5g/(m・day)以下との要件を満たす材料である、
積層体の製造方法。
A method for manufacturing a laminated body in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer, and a device layer are laminated in this order.
An adhesive layer forming step of forming an adhesive layer on a support using an adhesive composition,
A device layer forming step of forming a device layer, which is a composite of a member made of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member.
An intermediate layer forming step of forming an intermediate layer on the device layer or the adhesive layer by using the intermediate layer forming material.
A device layer fixing step of fixing the device layer on the support via the adhesive layer and the intermediate layer is included.
The intermediate layer forming material is a material that satisfies the requirement that the water vapor transmittance in terms of thickness 20 μm is 5 g / (m 2 · day) or less at a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH.
A method for manufacturing a laminate.
支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体の製造方法であって、
支持体上に、接着剤組成物を用いて接着層を形成する接着層形成工程と、
金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体である、デバイス層を形成するデバイス層形成工程と、
前記デバイス層上又は前記接着層上に、中間層形成材料を用いて、中間層を形成する中間層形成工程と、
前記接着層及び前記中間層を介して、前記支持体上に、前記デバイス層を固定するデバイス層固定工程と、を含み、
前記中間層形成材料が、厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃での溶融粘度が10000(Pa・s)以上との要件を満たす材料である、
積層体の製造方法。
A method for manufacturing a laminated body in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer, and a device layer are laminated in this order.
An adhesive layer forming step of forming an adhesive layer on a support using an adhesive composition,
A device layer forming step of forming a device layer, which is a composite of a member made of a metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member.
An intermediate layer forming step of forming an intermediate layer on the device layer or the adhesive layer by using the intermediate layer forming material.
A device layer fixing step of fixing the device layer on the support via the adhesive layer and the intermediate layer is included.
When the intermediate layer forming material produced a test piece having a thickness of 500 μm and subjected to dynamic viscoelasticity measurement under the conditions of a starting temperature of 25 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a frequency of 1 Hz, 180. A material that meets the requirement that the melt viscosity at ° C be 10,000 (Pa · s) or more.
A method for manufacturing a laminate.
支持体、接着層、中間層及びデバイス層がこの順に積層した積層体の製造方法であって、
支持体上に、接着剤組成物を用いて接着層を形成する接着層形成工程と、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂との複合体である、デバイス層を形成するデバイス層形成工程と、
前記デバイス層上又は前記接着層上に、中間層形成材料を用いて、中間層を形成する中間層形成工程と、
前記接着層及び前記中間層を介して、前記支持体上に、前記デバイス層を固定するデバイス層固定工程と、を含み、
前記中間層形成材料が、シクロオレフィンポリマーを含む材料であり、厚み500μmの試験片を作製し、開始温度:25℃、昇温速度:5℃/min、周波数:1Hzの条件での動的粘弾性測定に付したときに、180℃での溶融粘度が10000(Pa・s)以上との要件を満たす、
積層体の製造方法。
A method for manufacturing a laminated body in which a support, an adhesive layer, an intermediate layer, and a device layer are laminated in this order.
A device that is a composite of an adhesive layer forming step of forming an adhesive layer on a support using an adhesive composition, a member composed of a metal or a semiconductor, and a resin that seals or insulates the member. Device layer forming process to form a layer,
An intermediate layer forming step of forming an intermediate layer on the device layer or the adhesive layer by using the intermediate layer forming material.
A device layer fixing step of fixing the device layer on the support via the adhesive layer and the intermediate layer is included.
The intermediate layer forming material is a material containing a cycloolefin polymer, and a test piece having a thickness of 500 μm is prepared and dynamically operated under the conditions of a starting temperature of 25 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a frequency of 1 Hz. Satisfies the requirement that the melt viscosity at 180 ° C. be 10,000 (Pa · s) or more when subjected to viscoelasticity measurement.
A method for manufacturing a laminate.
前記デバイス層が、半導体により構成される基板と前記基板を封止する樹脂との複合体であり、
前記デバイス層固定工程の後、さらに、
前記デバイス層上に、金属により構成される配線と、前記配線を絶縁する樹脂との複合体である配線層を形成する配線層形成工程を含む、
請求項9~11のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
The device layer is a complex of a substrate made of a semiconductor and a resin that seals the substrate.
After the device layer fixing step, further
The device includes a wiring layer forming step of forming a wiring layer which is a composite of a wiring composed of metal and a resin for insulating the wiring on the device layer.
The method for producing a laminate according to any one of claims 9 to 11.
前記デバイス層固定工程の後、前記配線層形成工程の前に、さらに
前記基板の一部が露出するように、前記基板を封止する樹脂部分を研削する研削工程を含む、
請求項12に記載の積層体の製造方法。
After the device layer fixing step and before the wiring layer forming step, a grinding step of grinding a resin portion sealing the substrate so that a part of the substrate is further exposed is included.
The method for manufacturing a laminate according to claim 12.
前記支持体が、支持基体および光の照射により変質する分離層から構成されており、
前記接着層形成工程が、前記分離層上に接着層を形成する工程である、請求項9~13のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
The support is composed of a support substrate and a separation layer that is altered by irradiation with light.
The method for producing a laminated body according to any one of claims 9 to 13, wherein the adhesive layer forming step is a step of forming an adhesive layer on the separation layer.
請求項14記載の製造方法により積層体を得た後、
前記支持基体を介して前記分離層に光を照射して、前記分離層を変質させることにより、前記積層体が備える前記デバイス層から前記支持基体を分離する分離工程と、
前記分離工程の後、前記デバイス層に付着する前記接着層および中間層を除去する除去工程と、
を含む、電子部品の製造方法。
After obtaining the laminated body by the manufacturing method according to claim 14,
A separation step of separating the support substrate from the device layer included in the laminate by irradiating the separation layer with light through the support substrate to change the quality of the separation layer.
After the separation step, a removal step of removing the adhesive layer and the intermediate layer adhering to the device layer, and
Manufacturing methods for electronic components, including.
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