KR20170102795A - 광학 필름의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 광학 필름의 제조 방법은, 장척상의 수지 기재를 길이 방향으로 반송하면서 그 길이 방향으로 연신하고, 이어서, 폭 방향으로 수축시키는 공정 (연신·수축 공정) 을 포함하고, 그 연신·수축 공정이, 그 장척상의 수지 기재의 파지 수단으로서의 복수의 클립을 구비하는 텐터 연신 장치를 사용하여 그 장척상의 수지 기재의 양 가장자리부를 반송 방향의 클립 간격 (L1) 로 파지하고, 그 클립 간격을 L1 에서 L2 까지 확대함으로써 그 장척상의 수지 기재를 길이 방향으로 연신하고, 이어서, 폭 방향의 클립 간격을 감소시킴으로써 그 장척상의 수지 기재를 폭 방향으로 수축시키는 것을 포함한다. 그 클립 간격 (L1) 이 60 ㎜ 이하이고, 그 클립 간격 (L2) 가 폭 방향의 클립 간격을 감소시킬 때 클립끼리가 간섭하지 않는 간격이다.

Description

광학 필름의 제조 방법{OPTICAL FILM MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 광학 필름의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 장척상의 필름을 텐터 클립에 의해 파지 및 반송하고, 그 텐터 클립의 반송 방향의 간격을 넓힘으로써 연신하고, 반송 방향과 대략 직교하는 방향으로 그 필름을 수축시켜 광학 필름을 제조하는 기술이 알려져 있다 (특허문헌 1 의 청구항 7). 이와 같은 연신 기술에 있어서는, 연신 후의 필름 (예를 들어, 필름의 폭 방향의 단부 (端部) 영역) 에 광학 특성의 불균일이 발생한다는 문제가 있다. 그 때문에, 종래에는 불균일이 발생한 영역을 슬릿 가공 등으로 절단 제거하고, 불균일이 없는 영역만을 광학 필름으로서 사용하여 왔다.
한편, 최근, 디스플레이의 대형화의 요망에 따라, 거기에 사용되는 광학 필름으로서 광폭의 필름이 요구된다. 그 때문에, 상기 슬릿 가공에 의해 절단 제거되는 영역은 가능한 한 작은 것이 바람직하다.
일본 공개특허공보 2008-26881호
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 주된 목적은, 텐터 연신 장치를 사용하여 장척상의 수지 필름을 반송 방향으로 연신 및 폭 방향으로 수축시키는 것을 포함하는 광학 필름의 제조 방법으로서, 연신 후의 필름에 광학 특성의 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있는 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명은 장척상의 수지 필름을 길이 방향으로 반송하면서 그 길이 방향으로 연신하고, 이어서, 폭 방향으로 수축시키는 공정 (연신·수축 공정) 을 포함하는 광학 필름의 제조 방법을 제공한다. 그 방법은 그 연신·수축 공정이, 그 장척상의 수지 필름의 파지 수단으로서의 복수의 클립을 구비하는 텐터 연신 장치를 사용하여 그 장척상의 수지 필름의 양 가장자리부를 반송 방향의 클립 간격 (L1) 로 파지하고, 그 클립 간격을 L1 에서 L2 까지 확대함으로써 그 장척상의 수지 필름을 길이 방향으로 연신하고, 이어서, 폭 방향의 클립 간격을 감소시킴으로써 그 장척상의 수지 필름을 폭 방향으로 수축시키는 것을 포함하고, 그 클립 간격 (L1) 이 60 ㎜ 이하이고, 그 클립 간격 (L2) 가 폭 방향의 클립 간격을 감소시킬 때 클립끼리가 간섭하지 않는 간격이다.
일 실시형태에 있어서는, 상기 수지 필름의 길이 방향으로의 연신 배율 (L2/L1) 이 1.1 배 ∼ 6.0 배이다.
일 실시형태에 있어서는, 상기 연신·수축 공정에 있어서, 폭 방향의 클립 간격을 감소시킴으로써 상기 수지 필름을 폭 방향으로 수축시키는 동안에, 반송 방향의 클립 간격을 L2 에서 L3 까지 확대함으로써 상기 수지 필름을 길이 방향으로 연신한다.
일 실시형태에 있어서는, 상기 광학 필름이 편광막이다.
본 발명의 다른 국면에 의하면, 광학 적층체가 제공된다. 그 광학 적층체는, 상기 광학 필름의 제조 방법에 의해 제조된 광학 필름과, 그 광학 필름의 적어도 편측에 형성된 기재를 갖는다.
본 발명의 제조 방법에 있어서는, 장척상의 수지 필름을 파지하기 위한 복수의 클립을 구비하는 텐터 연신 장치를 사용하여, 초기의 반송 방향의 클립 간격을 소정의 간격 이하로 하여 길이 방향으로의 연신을 실시하고, 이어서, 폭 방향으로의 수축을 실시한다. 이로써, 얻어지는 광학 필름에 광학 특성의 불균일이 발생하는 것을 억제하여 면내 균일성을 향상시킬 수 있다. 또, 폭 방향으로의 수축시에 있어서의 클립끼리의 간섭을 회피할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 제조 방법에 사용될 수 있는 연신 장치의 일례의 전체 구성을 설명하는 개략 평면도이다.
도 2 는 도 1 의 연신 장치의 요부 개략 평면도이다.
도 3 은 도 1 의 연신 장치의 요부 개략 평면도이다.
도 4 는 수축·연신 공정의 일례를 설명하는 개략도이다.
도 5 는 수축·연신 공정의 다른 일례를 설명하는 개략도이다.
도 6 은 얻어진 연신 필름에 있어서, 광학 특성의 불균일이 발생한 영역의 폭과 클립 간격 (L1) 의 관계를 나타내는 그래프이다.
A. 광학 필름의 제조 방법
본 발명의 광학 필름의 제조 방법은, 장척상의 수지 필름을 길이 방향으로 반송하면서 그 길이 방향으로 연신하고, 이어서, 폭 방향으로 수축시키는 공정 (연신·수축 공정) 을 포함한다. 그 연신·수축 공정은, 그 장척상의 수지 필름의 파지 수단으로서의 복수의 클립을 구비하는 텐터 연신 장치를 사용하여 그 장척상의 수지 필름의 양 가장자리부를 반송 방향의 클립 간격 (L1) 로 파지하고, 그 클립 간격을 L1 에서 L2 까지 확대함으로써 그 장척상의 수지 필름을 길이 방향으로 연신하고, 이어서, 폭 방향의 클립 간격을 감소시킴으로써 그 장척상의 수지 필름을 폭 방향으로 수축시키는 것을 포함한다. 본 발명의 제조 방법에서 사용되는 장척상의 수지 필름은, 단층의 수지 필름이어도 되고, 2 층 이상의 적층체여도 된다 (예를 들어, 후술하는 편광막의 제조 방법에 있어서는, 열가소성 수지 기재와 폴리비닐알코올계 수지층의 적층체가 장척상의 수지 필름에 대응된다).
본 발명의 제조 방법에 의해 제조될 수 있는 광학 필름으로는, 상기 연신·수축 공정을 포함하는 제조 방법에 의해 제조될 수 있는 한 임의의 적절한 광학 필름일 수 있다. 이러한 광학 필름의 구체예로는, 편광막, 광학 보상 필름 등을 바람직하게 예시할 수 있으며, 편광막을 보다 바람직하게 예시할 수 있다. 이하, 광학 필름이 편광막인 실시형태 (즉, 편광막의 제조 방법) 에 대하여 설명하지만, 본 발명의 제조 방법은 당해 실시형태에 한정되지 않는다.
a. 편광막의 제조 방법
본 발명의 편광막의 제조 방법은, 열가소성 수지 기재 위에 폴리비닐알코올 (이하, 「PVA」라고 칭한다) 계 수지층을 형성하여 적층체를 제조하는 공정 (적층체 제조 공정) 과, 그 적층체를 길이 방향으로 반송하면서 그 길이 방향으로 연신하고, 이어서, 폭 방향으로 수축시키는 공정 (연신·수축 공정) 을 포함한다. 이하, 각각의 공정에 대하여 설명한다.
a-1. 적층체 제조 공정
적층체는 열가소성 수지 기재 위에 PVA 계 수지층을 형성함으로써 제조된다. 열가소성 수지 기재는, PVA 계 수지층 (얻어지는 편광막) 을 편측에서 지지할 수 있는 한, 임의의 적절한 구성이 된다.
열가소성 수지 기재의 형성 재료로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지 등의 에스테르계 수지, 시클로올레핀계 수지, 폴리프로필렌 등의 올레핀계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 이것들의 공중합체 수지 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 바람직하게는 시클로올레핀계 수지 (예를 들어, 노르보르넨계 수지), 비정질의 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지이다. 비정질의 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지의 구체예로는, 디카르복실산으로서 이소프탈산을 추가로 함유하는 공중합체나, 글리콜로서 시클로헥산디메탄올을 추가로 함유하는 공중합체를 들 수 있다.
열가소성 수지 기재의 연신 방법은, 임의의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 구체적으로는, 고정단 연신이어도 되고, 자유단 연신이어도 된다. 열가소성 수지 기재의 연신은, 일단계로 실시해도 되고, 다단계로 실시해도 된다. 다단계로 실시하는 경우, 후술하는 열가소성 수지 기재의 연신 배율은, 각 단계의 연신 배율의 곱이다. 또, 본 공정에 있어서의 연신 방식은, 특별히 한정되지 않고, 공중 연신 방식이어도 되고, 수중 연신 방식이어도 된다.
열가소성 수지 기재의 연신 온도는, 열가소성 수지 기재의 형성 재료, 연신 방식 등에 따라 임의의 적절한 값으로 설정할 수 있다. 연신 온도는, 대표적으로는 열가소성 수지 기재의 유리 전이 온도 (Tg) 이상이고, 바람직하게는 Tg + 10 ℃ 이상, 더욱 바람직하게는 Tg + 15 ℃ ∼ Tg + 30 ℃ 이다. 연신 방식으로서 수중 연신 방식을 채용하고, 열가소성 수지 기재의 형성 재료로서 비정질의 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지를 사용하는 경우, 연신 온도를 열가소성 수지 기재의 유리 전이 온도 (예를 들어, 60 ℃ ∼ 100 ℃) 보다 낮게 할 수 있다.
열가소성 수지 기재에 미리 표면 개질 처리 (예를 들어, 코로나 처리 등) 를 실시해도 되고, 열가소성 수지 기재 위에 접착 용이층을 형성해도 된다. 이와 같은 처리를 실시함으로써, 열가소성 수지 기재와 PVA 계 수지층의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 표면 개질 처리 및/또는 용이 접착층의 형성은, 상기 연신 전에 실시해도 되고, 상기 연신 후에 실시해도 된다.
상기 PVA 계 수지층의 형성 방법은, 임의의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 바람직하게는 연신 처리가 실시된 열가소성 수지 기재 위에, PVA 계 수지를 함유하는 도포액을 도포하고, 건조시킴으로써, PVA 계 수지층을 형성한다.
상기 PVA 계 수지로는, 임의의 적절한 수지를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리비닐알코올, 에틸렌-비닐알코올 공중합체를 들 수 있다. 폴리비닐알코올은, 폴리아세트산비닐을 비누화함으로써 얻어진다. 에틸렌-비닐알코올 공중합체는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체를 비누화함으로써 얻어진다. PVA 계 수지의 비누화도는, 통상적으로 85 몰% ∼ 100 몰% 이고, 바람직하게는 95.0 몰% ∼ 99.95 몰%, 더욱 바람직하게는 99.0 몰% ∼ 99.93 몰% 이다. 비누화도는, JIS K 6726-1994 에 준하여 구할 수 있다. 이와 같은 비누화도의 PVA 계 수지를 사용함으로써 내구성이 우수한 편광막을 얻을 수 있다. 비누화도가 지나치게 높은 경우에는, 도포액이 겔화되기 쉬워, 균일한 도포막을 형성하는 것이 곤란해질 우려가 있다.
PVA 계 수지의 평균 중합도는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 평균 중합도는, 통상적으로 1000 ∼ 10000 이고, 바람직하게는 1200 ∼ 4500, 더욱 바람직하게는 1500 ∼ 4300 이다. 또한, 평균 중합도는 JIS K 6726-1994 에 준하여 구할 수 있다.
상기 도포액은, 대표적으로는 상기 PVA 계 수지를 용매에 용해시킨 용액이다. 용매로는, 예를 들어, 물, 디메틸술폭사이드, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드N-메틸피롤리돈, 각종 글리콜류, 트리메틸올프로판 등의 다가 알코올류, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민 등의 아민류를 들 수 있다. 이것들은 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 이것들 중에서도, 바람직하게는 물이다. 용액의 PVA 계 수지 농도는, 용매 100 중량부에 대해, 바람직하게는 3 중량부 ∼ 20 중량부이다. 이와 같은 수지 농도이면, 열가소성 수지 기재에 밀착된 균일한 도포막을 형성할 수 있다.
도포액에 첨가제를 배합해도 된다. 첨가제로는, 예를 들어, 가소제, 계면 활성제 등을 들 수 있다. 가소제로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜이나 글리세린 등의 다가 알코올을 들 수 있다. 계면 활성제로는, 예를 들어, 비이온 계면활성제를 들 수 있다. 이것들은 얻어지는 PVA 계 수지층의 균일성이나 염색성, 연신성을 한층 더 향상시키는 목적으로 사용할 수 있다.
도포액의 도포 방법으로는, 임의의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 롤 코트법, 스핀 코트법, 와이어 바 코트법, 딥 코트법, 다이 코트법, 커튼 코트법, 스프레이 코트법, 나이프 코트법 (콤마 코트법 등) 등을 들 수 있다.
상기 건조 온도는, 열가소성 수지 기재의 유리 전이 온도 (Tg) 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 Tg ― 20 ℃ 이하이다. 이와 같은 온도에서 건조시킴으로써, PVA 계 수지층을 형성하기 전에 열가소성 수지 기재가 변형되는 것을 방지하여, 얻어지는 PVA 계 수지층의 배향성이 악화되는 것을 방지할 수 있다. 이렇게 하여, 열가소성 수지 기재가 PVA 계 수지층과 함께 양호하게 변형될 수 있어, 후술하는 적층체의 수축 및 연신을 양호하게 실시할 수 있다. 그 결과, PVA 계 수지층에 양호한 배향성을 부여할 수 있고, 우수한 광학 특성을 갖는 편광막을 얻을 수 있다. 여기서, 「배향성」이란, PVA 계 수지층의 분자 사슬의 배향을 의미한다.
a-2. 수축·연신 공정
다음으로, 상기 적층체를 길이 방향으로 반송하면서 그 길이 방향으로 연신하고, 이어서, 폭 방향으로 수축시킨다. 또한, 연신 방향인 길이 방향이, 실질적으로 얻어지는 편광막의 흡수축 방향이 된다.
본 발명에 있어서는, 상기 적층체의 연신 및 수축을, 적층체의 파지 수단으로서의 복수의 클립을 구비하는 텐터 연신 장치를 사용하여 적층체의 양 가장자리부를 반송 방향의 클립 간격 (L1) 로 파지하고, 그 클립 간격을 L1 에서 L2 까지 확대함으로써 적층체를 길이 방향으로 연신하고, 이어서, 폭 방향의 클립 간격을 감소시키는 것에 의해 적층체를 폭 방향으로 수축시킴으로써 실시한다. 폭 방향의 클립 간격을 감소시킴으로써 적층체를 폭 방향으로 수축시키는 동안에, 반송 방향의 클립 간격을 L2 에서 L3 까지 확대함으로써 적층체를 길이 방향으로 연신해도 된다. 또한, 클립 간격 (L1) 은 60 ㎜ 이하이고, 클립 간격 (L2) 는 폭 방향의 클립 간격을 감소시킬 때 클립끼리가 간섭하지 않는 간격이다.
상기 텐터 연신 장치로는, 예를 들어, 레일간 거리가 일정한 직선부와 레일간 거리가 연속적으로 감소하는 테이퍼부를 갖는 1 쌍의 레일과, 각 레일 상을 클립 간격을 변화시키면서 주행 가능한 복수의 클립을 구비하는 연신 장치가 사용될 수 있다. 이와 같은 연신 장치에 의하면, 적층체의 양 가장자리부를 클립으로 파지한 상태에서, 반송 방향의 클립 간격 (동일 레일 상의 클립간 거리) 및 폭 방향의 클립 간격 (상이한 레일 상의 클립간 거리) 을 변화시킴으로써, 적층체의 연신 및 수축이 가능해진다.
도 1 은, 본 발명의 제조 방법에 사용될 수 있는 연신 장치의 일례의 전체 구성을 설명하는 개략 평면도이다. 도 1 을 참조하면서, 본 발명의 제조 방법에 사용될 수 있는 연신 장치에 대하여 설명한다. 연신 장치 (100) 는, 평면에서 보았을 때, 좌우 양측에, 무단 (無端) 레일 (10L) 과 무단 레일 (10R) 을 좌우 대칭으로 갖는다. 또한, 본 명세서에 있어서는, 적층체의 입구측에서 보았을 때 좌측의 무단 레일을 좌측의 무단 레일 (10L), 우측의 무단 레일을 우측의 무단 레일 (10R) 이라고 칭한다. 좌우의 무단 레일 (10L, 10R) 상에는 각각 적층체 파지용의 다수의 클립 (20) 이 배치되어 있다. 클립 (20) 은, 각각의 레일에 안내되어 루프상으로 순회 이동한다. 좌측의 무단 레일 (10L) 상의 클립 (20) 은 반시계 회전 방향으로 순회 이동하고, 우측의 무단 레일 (10R) 상의 클립 (20) 은 시계 회전 방향으로 순회 이동한다. 연신 장치에 있어서는, 적층체의 반입측으로부터 반출측을 향하여, 파지존 (A), MD 연신존 (B), TD 수축존 (C), 및 해방존 (D) 이 순서대로 형성되어 있다. 또한, 이들 각각의 존은, 적층체가 실질적으로 파지, MD 연신, TD 수축 (또는 TD 수축과 MD 연신) 및 해방되는 존을 의미하며, 기계적, 구조적으로 독립된 구획을 의미하는 것은 아니다. 또, 도 1 의 연신 장치에 있어서의 각각의 존의 길이의 비율은, 실제 길이의 비율과 상이한 것에 유의해야 한다.
파지존 (A) 및 MD 연신존 (B) 에서는, 좌우의 무단 레일 (10R, 10L) 은, 레일간 거리가 일정한 직선부로 되어 있다. 대표적으로는 좌우의 무단 레일 (10R, 10L) 은, 처리 대상이 되는 적층체의 초기 폭에 대응하는 레일간 거리로 서로 대략 평행이 되도록 구성되어 있다. TD 수축존 (C) 에서는, 좌우의 무단 레일 (10R, 10L) 은, 레일간 거리가 연속적으로 감소하는 테이퍼부로 되어 있다. 대표적으로는 좌우의 무단 레일 (10R, 10L) 은, MD 연신존 (B) 측으로부터 해방존 (D) 측을 향함에 따라 레일간 거리가 상기 적층체의 수축 후의 폭에 대응될 때까지 서서히 감소하는 구성으로 되어 있다. 해방존 (D) 에서는, 좌우의 무단 레일 (10R, 10L) 은, 레일간 거리가 일정한 직선부로 되어 있고, 대표적으로는 상기 적층체의 수축 후의 폭에 대응되는 레일간 거리로 서로 대략 평행이 되도록 구성되어 있다.
좌측의 무단 레일 (10L) 상의 클립 (좌측의 클립) (20) 및 우측의 무단 레일 (10R) 상의 클립 (우측의 클립) (20) 은, 각각 독립적으로 순회 이동할 수 있다. 예를 들어, 좌측의 무단 레일 (10L) 의 구동용 스프로킷 (30a, 30b) 이 전동 모터 (40a, 40b) 에 의해 반시계 회전 방향으로 회전 구동되고, 우측의 무단 레일 (10R) 의 구동용 스프로킷 (30a, 30b) 이 전동 모터 (40a, 40b) 에 의해 시계 회전 방향으로 회전 구동된다. 그 결과, 이들 구동용 스프로킷 (30a, 30b) 에 걸어 맞춰져 있는 구동 롤러 (도시 생략) 의 클립 담지 부재 (도시 생략) 에 주행력이 부여된다. 이로써, 좌측의 클립 (20) 은 반시계 회전 방향으로 순회 이동하고, 우측의 클립 (20) 은 시계 회전 방향으로 순회 이동한다. 좌측의 전동 모터 및 우측의 전동 모터를, 각각 독립적으로 구동시킴으로써, 좌측의 클립 (20) 및 우측의 클립 (20) 을 각각 독립적으로 순회 이동시킬 수 있다.
클립 사이즈는 바람직하게는 12 ㎜ ∼ 40 ㎜ 이고, 보다 바람직하게는 15 ㎜ ∼ 35 ㎜ 이다. 클립 사이즈가 12 ㎜ 미만인 경우에는, 연신 장력을 유지할 수 없게 되어 파단되거나, 클립 반송부의 강도 부족에 의해 구동 문제가 발생하는 경우가 있다. 클립 사이즈가 40 ㎜ 를 초과하면, 클립 근방에서 연신되지 않는 영역이 커져 단부의 불균일이 발생하거나, 비파지부가 국소적으로 연신됨으로써 수지 필름의 표면에 균열이 발생하는 경우가 있다. 또한, 클립 사이즈란, 파지 영역의 폭을 의미한다.
또한, 좌측의 클립 (20) 및 우측의 클립 (20) 은, 각각 가변 피치형이다. 즉, 좌우의 클립 (20, 20) 은, 각각 독립적으로 이동에 수반하여 반송 방향 (MD) 의 클립 간격 (클립 피치) 이 변화될 수 있다. 가변 피치형의 클립은, 일본 공개특허공보 2008-23775호에 기재된 구성 등의 임의의 적절한 구성에 의해 실현될 수 있다.
도 2 및 도 3 은 각각 도 1 의 연신 장치의 요부 개략 평면도이다. 도 2 는, 도 1 의 연신 장치에 있어서, MD 연신존 (B) 로부터 TD 수축존 (C) 로 이행되는 부분의 레일의 개략 평면도이다. 도 3 은, 도 1 의 연신 장치에 있어서, TD 수축존 (C) 으로부터 해방존 (D) 으로 이행되는 부분의 레일의 개략 평면도이다. 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 테이퍼부의 양단은 각각 소정의 각도 (θ1) 로 굴곡되는 굴곡부 (11, 12) 가 되고, 이로써, 레일간 거리가 일정한 직선부와의 접속이 가능하게 되어 있다. 굴곡 각도는 원하는 수축률 및 생산성에 따라 적절히 설정될 수 있다. 굴곡 각도 (θ1) 는, 예를 들어 1° ∼ 20 °일 수 있다.
도 1 에 예시한 바와 같은 연신 장치를 사용하는 경우, 수축·연신 공정은, 적층체의 양 가장자리부를 클립에 의해 반송 방향의 클립 간격 (L1) 로 파지시키는 것 (파지 공정), 적층체를 직선부를 통과시키면서 반송 방향의 클립 간격을 L1 에서 L2 까지 확대하여, 길이 방향으로 연신하는 것 (MD 연신 공정), 적층체를 테이퍼부를 통과시켜, 폭 방향으로 수축시키는 것 (TD 수축 공정) 을 포함할 수 있다. 필요에 따라 적층체를 파지하는 클립을 해방시키는 것 (해방 공정) 을 추가로 포함해도 된다. 도 4 및 도 5 는 각각 이들 공정을 포함하는 수축·연신 공정의 일례를 나타내는 개략도이다. 이하, 이들 도면을 참조하면서 수축·연신 공정에 있어서의 각 공정에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
먼저, 파지 공정 (파지존 (A)) 에 있어서, 좌우의 클립 (20) 에 의해, 연신 장치에 도입된 적층체 (50) 의 양 가장자리부를 일정한 파지 간격 (클립 간격) 으로 파 지하고, 좌우의 무단 레일에 안내된 각 클립 (20) 의 이동에 의해, 당해 적층체 (50) 를 MD 연신존 (B) 에 반송한다. 파지존 (A) 에 있어서의 양 가장자리부의 파지 간격 (클립 간격) 은, 대표적으로는 서로 동등한 간격이 된다. 또한, 클립 간격이란, 이웃하는 클립의 중심간의 거리이다.
이어서, MD 연신 공정 (MD 연신존 (B)) 에 있어서, 좌우의 클립 (20) 으로 파지된 적층체 (50) 를 반송하면서, 길이 방향으로 연신 (MD 연신) 한다. 적층체 (50) 의 MD 연신은, 클립 (20) 의 반송 방향으로의 이동 속도를 서서히 증대시켜, 반송 방향의 클립 간격을 L1 에서 L2 까지 확대함으로써 실시된다. MD 연신존 (B) 의 입구에 있어서의 반송 방향의 클립 간격 (파지 공정에 있어서의 파지 간격) (L1) 과 MD 연신존 (B) 의 출구에 있어서의 반송 방향의 클립 간격 (L2) 을 조정함으로써, 연신 배율 (L2/L1) 을 제어할 수 있다.
MD 연신 공정에 있어서의 연신 배율 (L2/L1) 은, 예를 들어 1.1 배 ∼ 6.0 배, 바람직하게는 1.1 배 ∼ 5.5 배, 보다 바람직하게는 1.8 배 ∼ 3.0 배이다. 연신 배율이 1.1 배 미만이면, 원하는 광학 특성이 얻어지지 않는 경우가 있다. 한편, 연신 배율이 6.0 배를 초과하면, 적층체가 파단되는 경우가 있다.
여기서, 클립 간격 (L1) 이 지나치게 크면, 적층체 (50) 의 클립 (20) 으로 파지되지 않는 부분에 폭 방향으로 수축되는 응력이 발생하고, 그 결과, 얻어지는 편광막의 광학 특성 (예를 들어, 편광 특성) 에 불균일이 발생하는 것으로 추측된다. 따라서, 본 발명의 특징 중 하나로서, 클립 간격 (L1) 은 이와 같은 불균일의 발생이 억제되는 간격 이하로 설정된다.
구체적으로는 클립 간격 (L1) 은 60 ㎜ 이하이고, 바람직하게는 50 ㎜ 이하, 보다 바람직하게는 40 ㎜ 이하이다. L1 을 60 ㎜ 이하로 함으로써 불균일의 발생을 억제할 수 있고, 그 결과, 슬릿 가공에 의해 절단 제거되는 폭을 작게 할 수 있다. L1 의 하한으로는, 연신 후에 후술하는 클립 간격 (L2) 를 달성할 수 있는 한 제한은 없으며, 예를 들어 25 ㎜ 이상일 수 있다.
한편, 상기와 같이 클립 간격 (L1) 을 소정의 간격 이하로 하면, 연신 배율에 따라서는 MD 연신 후의 클립 간격 (L2) 도 작아지고, 테이퍼부 (특히, 굴곡부) 에 있어서 클립 (20) 끼리가 접촉 등의 간섭을 일으켜 원하는 수축률을 달성할 수 없는 (결과적으로, 원하는 광학 특성이 얻어지지 않는) 경우가 있다. 따라서, 클립 간격 (L2) 은, 테이퍼부로 되어 있는 TD 수축존 (C) (특히, 굴곡부) 을 적층체 (50) 가 통과할 때 클립 (20) 끼리가 간섭하지 않는 간격 이상이 된다. 이와 같은 L2 로 함으로써, L1 은 굴곡부에서 클립끼리가 간섭하지 않는 간격으로 제한되지 않고 작게 할 수 있다. 또한, 「클립 끼리가 간섭하지 않는다」란, 클립 및 그 담지 부재나 간격 조정 기구가 서로 접촉하지 않고, 클립이 설정한 바와 같이 굴곡부를 이동 가능한 것을 의미한다.
클립 간격 (L2) 은, 굴곡 각도, 클립의 사이즈·형상 등에 따라 적절히 설정될 수 있다. 클립 간격 (L2) 은, 바람직하게는 25 ㎜ ∼ 130 ㎜ 이고, 보다 바람직하게는 35 ㎜ ∼ 50 ㎜ 이다. 클립 간격 (L2) 이 상기 범위 내이면, TD 수축 공정에 있어서, 테이퍼부 (특히, 굴곡부) 에 있어서의 클립 (20) 끼리의 간섭을 회피하여 충분한 굴곡 각도를 실현할 수 있음과 함께, 보다 균일한 수축을 실현할 수 있다. 또한, 굴곡부에 있어서의 굴곡 반경 (R) 을 크게 하여 완만하게 굴곡시킴으로써, 클립 간격이 작아도 클립끼리의 간섭을 회피하는 것이 가능하다. 그러나, 그 경우에는, 큰 원을 그리며 레일을 형성할 필요가 있어 설비가 대형화된다는 문제가 있다. 이에 반해, 본 발명에 있어서는, TD 수축이 MD 연신 후에 실시됨으로써, 상기 바람직한 범위의 클립 간격 (L1 과 L2) 을 바람직하게 양립시킬 수 있고, 그 결과, 불균일의 발생을 억제할 뿐만 아니라, 상기 설비의 대형화의 문제를 회피할 수도 있다.
적층체의 연신 온도는, 열가소성 수지 기재의 형성 재료 등에 따라 임의의 적절한 값으로 설정할 수 있다. 연신 온도는, 대표적으로는 열가소성 수지 기재의 유리 전이 온도 (Tg) 이상이며, 바람직하게는 열가소성 수지 기재의 유리 전이 온도 (Tg) + 10 ℃ 이상, 더욱 바람직하게는 Tg + 15 ℃ 이상이다. 그 한편으로, 적층체의 연신 온도는, 바람직하게는 170 ℃ 이하이다. 이와 같은 온도에서 연신함으로써, PVA 계 수지의 결정화가 급속히 진행되는 것을 억제하여, 당해 결정화에 의한 문제 (예를 들어, 연신에 의한 PVA 계 수지층의 배향을 방해한다) 를 억제할 수 있다.
이어서, TD 수축 공정 (TD 수축존 (C)) 에 있어서, 좌우의 클립 (20) 으로 파지된 적층체 (50) 를 길이 방향으로 반송하면서, 폭 방향으로 수축 (TD 수축) 시킨다. TD 수축존 (C) 에 있어서는, 좌우의 무단 레일 (10R, 10L) 이 레일간 거리가 연속적으로 감소하는 테이퍼부로 되어 있기 때문에, 당해 존을 통과시킴으로써, 적층체 (50) 의 폭 방향으로의 수축이 이루어진다. TD 수축률은, 레일간 거리의 변화량을 조정함으로써 제어할 수 있다. 구체적으로는 TD 수축존 (C) 의 입구 (MD 연신존 (B) 측단부) 에 있어서의 레일간 거리에 대한 TD 수축존 (C) 의 출구 (해방존 (D) 측단부) 에 있어서의 레일간 거리의 비를 작게 할수록 큰 수축률이 얻어진다.
TD 수축률 ((TD 수축존 (C) 의 입구에 있어서의 적층체의 폭 : W1) - (TD 수축존 (C) 의 출구에 있어서의 적층체의 폭 : W2))/(TD 수축존 (C) 의 입구에 있어서의 적층체의 폭 : W1) × 100) 은, 임의의 적절한 값으로 설정할 수 있다. TD 수축률은, 바람직하게는 15 % 를 초과하고, 더욱 바람직하게는 20 % 를 초과하고 50 % 미만이다. 이와 같은 수축률로 함으로써, 보다 우수한 광학 특성을 얻을 수 있다.
도 4 에 예시하는 실시형태에 있어서는, TD 수축 공정에 있어서, 적층체 (50) 의 폭 방향으로의 수축만이 이루어진다. 이 경우, 반송 방향의 클립 간격 (L2) 을 유지한 상태에서, 적층체 (50) 를 TD 수축존 (C) 을 통과시킨다. 한편, 도 5 에 예시하는 실시형태에 있어서는, TD 수축 공정에 있어서, 적층체 (50) 의 폭 방향으로의 수축과 길이 방향으로의 연신이 이루어진다. 이 경우, 반송 방향의 클립 간격을 L2 에서 L3 까지 확대하면서, 적층체 (50) 를 TD 수축존 (C) 을 통과시킨다. MD 연신 공정과 TD 수축 공정에 있어서, 다단계로 MD 연신을 실시함으로써 최종 연신 배율을 높게 할 수 있다. 또, TD 수축과 MD 연신을 동시에 실시함으로써, 휨이나 주름의 발생을 억제할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.
TD 수축 공정 후에 있어서의 적층체의 연신 배율 (MD 연신 공정에 있어서의 연신 배율과 TD 수축 공정에 있어서의 연신 배율의 곱이며, 최종 연신 배율이라고도 칭한다. TD 수축 공정이 MD 연신을 포함하는 경우의 최종 연신 배율은, L3/L1 이고, TD 수축 공정이 MD 연신을 포함하지 않는 경우의 최종 연신 배율은, L2/L1 이다.) 은, 적층체의 원길이에 대해, 예를 들어 3.0 배 이상, 바람직하게는 4.0 배 이상이다. 이와 같은 높은 배율로 연신함으로써, 우수한 광학 특성을 갖는 편광막을 얻을 수 있다.
TD 수축 공정에 있어서의 온도 환경은, MD 연신 공정에 있어서의 연신 온도와 동일할 수 있다.
마지막으로, 해방 공정 (해방존 (D)) 에 있어서, 적층체 (50) 를 파지하는 클립 (20) 을 해방시킨다. 해방 공정에 있어서는, 대표적으로는 클립간 거리 및 클립 간격이 모두 일정해진다. 필요에 따라 적층체 (50) 를 원하는 온도로 냉각시킨 후에 클립을 해방시킨다.
a-3. 그 밖의 공정
본 발명의 편광막의 제조 방법은, 상기 이외에, 그 밖의 공정을 포함할 수 있다. 그 밖의 공정으로는, 예를 들어, 불용화 공정, 염색 공정, 가교 공정, 상기 연신과는 다른 연신 공정, 세정 공정, 건조 (수분율의 조절) 공정 등을 들 수 있다. 그 밖의 공정은, 임의의 적절한 타이밍으로 실시할 수 있다.
상기 염색 공정은, 대표적으로는 PVA 계 수지층을 이색성 물질로 염색하는 공정이다. 바람직하게는 PVA 계 수지층에 이색성 물질을 흡착시킴으로써 실시한다. 당해 흡착 방법으로는, 예를 들어, 이색성 물질을 함유하는 염색액에 PVA 계 수지층 (적층체) 을 침지시키는 방법, PVA 계 수지층에 염색액을 도포하는 방법, PVA 계 수지층에 염색액을 분무하는 방법 등을 들 수 있다. 바람직하게는 이색성 물질을 함유하는 염색액에 적층체를 침지시키는 방법이다. 이색성 물질이 양호하게 흡착될 수 있기 때문이다. 또한, 적층체 양면을 염색액에 침지시켜도 되고, 편면에만 침지시켜도 된다.
상기 이색성 물질로는, 예를 들어, 요오드, 유기 염료를 들 수 있다. 이것들은 단독으로, 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 이색성 물질은 바람직하게는 요오드이다. 이색성 물질로서 요오드를 사용하는 경우, 상기 염색액은, 바람직하게는 요오드 수용액이다. 요오드의 배합량은, 물 100 중량부에 대해, 바람직하게는 0.1 중량부 ∼ 1.0 중량부이다. 요오드의 물에 대한 용해 성을 높이기 위해, 요오드 수용액에 요오드화물염을 배합하는 것이 바람직하다. 요오드화물염으로는, 예를 들어, 요오드화 칼륨, 요오드화 리튬, 요오드화 나트륨, 요오드화 아연, 요오드화 알루미늄, 요오드화 납, 요오드화 구리, 요오드화 바륨, 요오드화 칼슘, 요오드화 주석, 요오드화 티탄 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 바람직하게는 요오드화 칼륨, 요오드화 나트륨이다. 요오드화물염의 배합량은, 물 100 중량부에 대해, 바람직하게는 0.3 중량부 ∼ 15 중량부이다.
염색액의 염색시의 액온은 바람직하게는 20 ℃ ∼ 40 ℃ 이다. 염색액에 PVA 계 수지층을 침지시키는 경우, 침지 시간은 바람직하게는 5 초 ∼ 300 초이다. 이와 같은 조건이면, PVA 계 수지층에 충분히 이색성 물질을 흡착시킬 수 있다.
상기 불용화 공정 및 가교 공정은, 대표적으로는 붕산 수용액에 PVA 계 수지층을 침지시킴으로써 실시한다. 상기 세정 공정은, 대표적으로는 요오드화 칼륨 수용액에 PVA 계 수지층을 침지시킴으로써 실시한다. 상기 건조 공정에 있어서의 건조 온도는 바람직하게는 30 ℃ ∼ 100 ℃ 이다.
B. 편광막
상기 제조 방법에 의해 제조되는 편광막은, 실질적으로는 이색성 물질을 흡착 배향시킨 PVA 계 수지막이다. 편광막은, 바람직하게는, 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 의 어느 파장에서 흡수 이색성을 나타낸다.
편광막의 사용 방법은 임의의 적절한 방법이 채용될 수 있다. 구체적으로는 상기 열가소성 수지 기재와 일체가 된 상태에서 사용해도 되고, 열가소성 수지 기재로부터 다른 부재에 전사시켜 (열가소성 수지 기재를 박리하여) 사용해도 된다.
C. 광학 적층체
본 발명의 광학 적층체는, A 항에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 광학 필름 (예를 들어, 편광막) 과, 그 광학 필름의 적어도 편측에 형성된 기재를 갖는다. 기재는 접착제층을 개재하여 광학 필름의 편측에 형성되어 있어도 되고, 접착제층을 개재하지 않고 직접 광학 필름에 적층되어 있어도 된다.
광학 필름이 편광막인 경우의 광학 적층체는, 상기 편광막과, 편광막의 적어도 편측에 형성되어, 편광막을 지지할 수 있는 기재를 갖는다. 이 기재로는, 상기 열가소성 수지 기재를 그대로 사용해도 되고, 상기 열가소성 수지 기재와는 다른 광학 기능 필름을 사용해도 된다. 광학 기능 필름의 형성 재료로는, 예를 들어, 상기 열가소성 수지와 동일한 재료가 사용된다. 이것들 이외에도, 예를 들어, (메트)아크릴계 수지, 디아세틸셀룰로오스, 트리아세틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스계 수지 등이 사용된다.
광학 기능 필름은, 바람직하게는 접착제층을 개재하여 편광막의 편측에 형성된다. 광학 기능 필름을 형성함으로써 컬을 억제할 수 있다. 광학 기능 필름의 두께는 바람직하게는 20 ㎛ ∼ 100 ㎛ 이다. 광학 기능 필름을 사용하는 경우, 미리 편광막의 편측에 형성되어 있는 열가소성 수지 기재는 바람직하게는 박리된다. 컬을 보다 확실하게 억제할 수 있기 때문이다. 접착제층은 임의의 적절한 접착제로 형성된다. 접착제로는, 예를 들어, 폴리비닐알코올계 접착제를 들 수 있다.
본 발명의 광학 적층체 (편광막) 는, 수축 응력이 작아, 고온 환경하에서도 치수 안정성이 우수할 수 있다. 또, 단체 투과율 41 % 에 있어서의 편광도는, 바람직하게는 99.9 % 이상이다. 이와 같이 광학 특성이 우수할 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
<적층체 제조 공정>
열가소성 수지 기재로서, 비정성 PET 기재 (100 ㎛ 두께) 를 준비하고, 그 비정성 PET 기재에 PVA 수용액을 도포하고, 50 ℃ ∼ 60 ℃ 의 온도에서 건조시켰다. 이로써, 비정성 PET 기재 위에 14 ㎛ 두께의 PVA 층을 제막하여, 적층체를 제조하였다.
<수축·연신 공정>
얻어진 적층체를, 도 1 에 나타내는 바와 같은 연신 장치를 사용하여, MD 연신 및 TD 수축시켰다. 구체적으로는 파지존 (A) 에 있어서, 클립 간격 (L1) : 35 ㎜ 로 적층체의 양 가장자리부를 파지하여 길이 방향으로 반송하고, MD 연신존 (B) 에 있어서, 140 ℃ 에서, 길이 방향으로 1.43 배로 공중 연신하였다 (MD 연신존 (B) 의 출구에 있어서의 클립 간격 (L2) :50 ㎜). 이어서, TD 수축존 (C) 에 있어서, 폭 방향으로 25 % 수축시킴과 동시에, 길이 방향으로 공중 연신하였다 (TD 수축존 (C) 의 출구에 있어서의 클립 간격 (L3) : 105 ㎜, 최종 연신 배율 : 3 배, 적층체의 폭 : 650 ㎜). 그 후, 해방존 (D) 에 있어서, 적층체를 파지하는 클립을 해방시켰다. 또한, 굴곡부의 굴곡 각도는 약 7 °였지만, 굴곡부에 있어서 클립의 접촉은 발생하지 않았다.
<염색 처리>
이어서, 적층체를, 25 ℃ 의 요오드 수용액 (요오드 농도 : 0.5 중량%, 요오드화 칼륨 농도 : 10 중량%) 에 30 초간 침지시켰다.
<가교 처리>
염색 후의 적층체를, 60 ℃ 의 붕산 수용액 (붕산 농도 : 5 중량%, 요오드화 칼륨 농도 : 5 중량%) 에 60 초간 침지시키고, 그 붕산 수용액 중에서 다시 1.8 배 길이 방향으로 연신시켰다.
<세정 처리>
가교 처리 후, 적층체를, 25 ℃ 의 요오드화 칼륨 수용액 (요오드화 칼륨 농도 : 5 중량%) 에 5 초간 침지시켰다.
이와 같이 하여, 열가소성 수지 기재 위에 두께 4.0 ㎛ 의 편광막을 제조하였다.
[실시예 2]
이하와 같이 하여 수축·연신 공정을 실시한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 열가소성 수지 기재 위에 두께 4.0 ㎛ 의 편광막을 제조하였다.
<수축·연신 공정>
파지존 (A) 에 있어서, 클립 간격 (L1) : 60 ㎜ 로 적층체의 양 가장자리부를 파 지하여 길이 방향으로 반송하고, MD 연신존 (B) 에 있어서, 140 ℃ 에서, 길이 방향으로 1.66 배로 공중 연신하였다 (MD 연신존 (B) 의 출구에 있어서의 클립 간격 (L2) : 100 ㎜). 이어서, TD 수축존 (C) 에 있어서, 폭 방향으로 25 % 수축시킴과 동시에, 길이 방향으로 공중 연신하였다 (TD 수축존 (C) 의 출구에 있어서의 클립 간격 (L3) :180 ㎜, 최종 연신 배율 : 3 배, 적층체의 폭 : 700 ㎜). 그 후, 해방존 (D) 에 있어서, 적층체를 파지하는 클립을 해방시켰다. 또한, 굴곡부의 굴곡 각도는 약 7 °였지만, 굴곡부에 있어서 클립의 접촉은 발생하지 않았다.
[비교예 1]
이하와 같이 하여 수축·연신 공정을 실시한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 열가소성 수지 기재 위에 두께 4.0 ㎛ 의 편광막을 제조하였다.
<수축·연신 공정>
파지존 (A) 에 있어서, 클립 간격 (L1) : 100 ㎜ 로 적층체의 양 가장자리부를 파지하여 길이 방향으로 반송하고, MD 연신존 (B) 에 있어서, 140 ℃ 에서, 길이 방향으로 1.2 배로 공중 연신하였다 (MD 연신존 (B) 의 출구에 있어서의 클립 간격 (L2) : 120 ㎜). 이어서, TD 수축존 (C) 에 있어서, 폭 방향으로 25 % 수축시킴과 동시에, 길이 방향으로 공중 연신하였다 (TD 수축존 (C) 의 출구에 있어서의 클립 간격 (L3) : 300 ㎜, 최종 연신 배율 : 3 배, 적층체의 폭 : 680 ㎜). 그 후, 해방존 (D) 에 있어서, 적층체를 파지하는 클립을 해방시켰다. 또한, 굴곡부의 굴곡 각도는 약 7 °였지만, 굴곡부에 있어서 클립의 접촉은 발생하지 않았다.
[비교예 2]
이하와 같이 하여 수축·연신 공정을 실시한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 열가소성 수지 기재 위에 두께 4.0 ㎛ 의 편광막을 제조하였다.
<수축·연신 공정>
파지존 (A) 에 있어서, 클립 간격 (L1) : 120 ㎜ 로 적층체의 양 가장자리부를 파지하여 길이 방향으로 반송하고, MD 연신존 (B) 에 있어서, 140 ℃ 에서, 길이 방향으로 1.25 배로 공중 연신하였다 (MD 연신존 (B) 의 출구에 있어서의 클립 간격 (L2) : 150 ㎜). 이어서, TD 수축존 (C) 에 있어서, 폭 방향으로 25 % 수축시킴과 동시에, 길이 방향으로 공중 연신하였다 (TD 수축존 (C) 의 출구에 있어서의 클립 간격 (L3) : 360 ㎜, 최종 연신 배율 : 3 배, 적층체의 폭 : 650 ㎜). 그 후, 해방존 (D) 에 있어서, 적층체를 파지하는 클립을 해방시켰다. 또한, 굴곡부의 굴곡 각도는 약 7 °였지만, 굴곡부에 있어서 클립의 접촉은 발생하지 않았다.
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 연신 필름 (즉, 염색 처리에 제공하기 전의 필름) 에 관하여, 광학 특성의 불균일이 발생한 영역 (이하, 「불안정 영역」이라고도 칭한다) 의 폭과 L1 의 관계를 도 6 에 나타낸다. 또한, 불안정 영역의 폭은 이하와 같이 하여 구하였다. 즉, 폭 방향의 두께 분포를 측정하여, 중앙부를 포함하는 두께 분포가 3 ㎛ 에 들어가는 영역을 안정 영역으로 하고, 그 이외의 영역을 불안정 영역으로 하였다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 초기의 반송 방향의 클립 간격을 60 ㎜ 이하로 하여 길이 방향으로의 연신을 실시하고, 이어서, 폭 방향으로의 수축을 실시함으로써, 최종 연신 배율이 동일해도, 광학 특성의 균일성이 현저하게 개선되고, 그 결과, 불안정 영역의 폭이 대폭 저감되는 것을 알 수 있다.
산업상 이용가능성
본 발명의 제조 방법은, 편광막, 광학 보상 필름 등의 광학 필름의 제조에 바람직하게 사용된다.
10 : 레일
20 : 클립
50 : 적층체 (수지 필름)
100 : 연신 장치

Claims (5)

  1. 장척상의 수지 필름을 길이 방향으로 반송하면서 그 길이 방향으로 연신하고, 이어서, 폭 방향으로 수축시키는 공정 (연신·수축 공정) 을 포함하는, 광학 필름의 제조 방법으로서,
    상기 연신·수축 공정이, 상기 장척상의 수지 필름의 파지 수단으로서의 복수의 클립을 구비하는 텐터 연신 장치를 사용하여 상기 장척상의 수지 필름의 양 가장자리부를 반송 방향의 클립 간격 (L1) 로 파지하고, 상기 클립 간격을 L1 에서 L2 까지 확대함으로써 상기 장척상의 수지 필름을 길이 방향으로 연신하고, 이어서, 폭 방향의 클립 간격을 감소시킴으로써 상기 장척상의 수지 필름을 폭 방향으로 수축시키는 것을 포함하고,
    상기 클립 간격 (L1) 이 60 ㎜ 이하이고,
    상기 클립 간격 (L2) 가 폭 방향의 클립 간격을 감소시킬 때 클립끼리가 간섭하지 않는 간격인, 광학 필름의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 필름의 길이 방향으로의 연신 배율 (L2/L1) 이 1.1 배 ∼ 6.0 배인, 광학 필름의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 연신·수축 공정에 있어서, 폭 방향의 클립 간격을 감소시킴으로써 상기 수지 필름을 폭 방향으로 수축시키는 동안에, 반송 방향의 클립 간격을 L2 에서 L3 까지 확대함으로써 상기 수지 필름을 길이 방향으로 연신하는, 광학 필름의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학 필름이 편광막인, 광학 필름의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 기재된 광학 필름의 제조 방법에 의해 제조된 광학 필름과,
    상기 광학 필름의 적어도 편측에 형성된 기재를 갖는, 광학 적층체.
KR1020167020257A 2015-01-14 2015-11-24 광학 필름의 제조 방법 KR102322179B1 (ko)

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