KR20170098151A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20170098151A
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아끼노리 가미야
히로끼 오하라
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가부시키가이샤 재팬 디스프레이
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Abstract

표시 장치는, 화상을 구성하는 복수의 단위 화소 각각에서 휘도가 제어되어 발광하는 발광 소자층과, 발광 소자층 상에 형성되는 밀봉층과, 밀봉층 상에 형성되는 자외선 흡수층과, 자외선 흡수층 상에 형성되며, 자외선 경화성을 갖는 유기 수지를 포함하는 평탄화층을 갖는다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 화상을 구성하는 복수의 단위 화소 각각에서 휘도가 제어되어 발광하는 발광 소자층과, 발광 소자층을 덮는 밀봉층을 갖는 표시 장치가 알려져 있다. 밀봉층은, 외부로부터의 수분이 장치 내부에 침입하는 것을 억제하기 위해 형성된다. 밀봉층을 갖는 표시 장치로서, 예를 들어 일본 특허 공개 제2013-105947호 공보에 개시된 바와 같이, 무기 재료를 포함하는 밀봉층과, 그 밀봉층 상에 형성되며, 유기 수지를 포함하는 평탄화층과, 그 평탄화층 상에 형성되며, 무기 재료를 포함하는 밀봉층을 갖는 표시 장치가 알려져 있다. 평탄화층은, 자외선 경화성을 갖는 아크릴 수지 등을 포함하고, 자외선을 조사받음으로써 경화되며, 발광 소자층의 상방에 형성된다.
여기서, 평탄화층에 자외선을 조사한 경우, 평탄화층의 하방에 형성되는 발광 소자층이 자외선의 영향을 받고, 그 결과, 발광 특성이 저하될 우려가 있다.
본 발명의 목적은, 발광 특성의 저하를 억제하는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 화상을 구성하는 복수의 단위 화소 각각에서 휘도가 제어되어 발광하는 발광 소자층과, 상기 발광 소자층 상에 형성되는 밀봉 구조와, 상기 발광 소자층 상에 형성되는 자외선 흡수층을 갖고, 상기 밀봉 구조는, 상기 자외선 흡수층 상에 형성되며, 자외선 경화성을 갖는 유기 수지를 포함하는 제1 평탄화층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 형태의 표시 장치의 제조 방법은, 기판을 준비하는 공정과, 상기 기판 상에, 발광 소자층을 형성하는 공정과, 상기 발광 소자층 상에 무기 재료를 포함하는 밀봉층을 형성하는 공정과, 상기 밀봉층 상에 자외선 흡수층을 형성하는 공정과, 상기 자외선 흡수층 상에 자외선 경화성을 갖는 유기 수지를 형성하는 공정과, 상기 유기 수지에 자외선을 조사하여, 경화시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
도 1은 제1∼제3 실시 형태에 따른 표시 장치의 외관 사시도.
도 2는 제1 실시 형태에 따른 표시 장치의 단면을 모식적으로 도시하는 모식 단면도.
도 3은 각 화소에 형성되어 있는 회로를 도시하는 회로도.
도 4는 제1 실시 형태에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 플로우차트.
도 5는 제2 실시 형태에 따른 표시 장치의 단면을 모식적으로 도시하는 모식 단면도.
도 6은 제3 실시 형태에 따른 표시 장치의 단면을 모식적으로 도시하는 모식 단면도.
이하에, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 있어서, 어느 구조체의 「상에」 다른 구조체를 배치하는 형태를 표현할 때에, 간단히 「상에」라고 표기하는 경우, 특별히 언급하지 않는 한은, 어느 구조체에 접하도록, 바로 위에 다른 구조체를 배치하는 경우와, 어느 구조체의 상방에, 제3 구조체를 개재하여 다른 구조체를 배치하는 경우의 양쪽을 포함하는 것으로 한다.
먼저, 도 1, 도 2를 참조하여, 제1 실시 형태에 따른 표시 장치의 전체 구성의 개요에 대하여 설명한다. 도 1은 제1 실시 형태에 따른 표시 장치의 외관 사시도이다. 도 2는 제1 실시 형태에 따른 표시 장치의 단면을 모식적으로 도시하는 모식 단면도이다. 제1 실시 형태에 있어서는, 표시 장치로서, 유기 EL(Electro Luminescence)을 사용한 소위 유기 EL 표시 장치에 대하여 설명하지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 화소를 구성하는 복수의 단위 화소 P 각각에서 휘도가 제어되어 발광하는 층을 갖는 표시 장치이면 된다.
도 1에 도시한 바와 같이, 표시 장치(100)는 박막 트랜지스터 등을 구비하는 TFT(Thin Film Transistor) 기판(10)과, 대향 기판(20)을 갖는다. 도 2에 도시한 바와 같이, 대향 기판(20)은 충전재(30)를 개재하여, TFT 기판(10)에 대향하도록 형성된다. 또한, 표시 장치(100)는 화상 표시를 하는 표시 영역 M과, 표시 영역 M의 주변의 프레임 영역 N을 갖는다. 표시 영역 M에는, 복수의 단위 화소 P가 형성된다. 또한, 도 1에 있어서는, 1개의 단위 화소 P만을 도시하지만, 실제로는, 표시 영역 M에 복수의 단위 화소 P가 매트릭스 형상으로 배치되어 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, TFT 기판(10)은 기판(11)과, 기판(11) 상에 형성되는 발광 소자층(12)과, 발광 소자층(12) 상에 형성되며, 무기 재료를 포함하는 밀봉층(13)과, 밀봉층(13) 상에 형성되는 자외선 흡수층(14)과, 자외선 흡수층(14) 상에 형성되며, 유기 수지를 포함하는 평탄화층(15)과, 밀봉층(15) 상에 형성되며, 무기 재료를 포함하는 밀봉층(16)을 갖는다. 이하, TFT 기판(10)에 포함되는 각 층, 각 기판의 상세에 대하여 설명한다.
기판(11)은 적어도 배선을 포함하는 회로층을 갖는다. 회로층의 배선의 상세에 대해서는 후술한다. 또한, 기판(11)은 가요성을 갖는 폴리이미드 등을 포함하는 수지 기판이어도 되고, 유리 기판 등이어도 된다.
발광 소자층(12)은 화상을 구성하는 복수의 단위 화소 P 각각에서 휘도가 제어되어 발광하는 층이다. 발광 소자층(12)은 적어도 표시 영역 M에 형성되고, 유기 EL층(12a)과, 유기 EL층(12a)의 하부에 형성되는 하부 전극(12b)과, 유기 EL층(12a)의 상부에 형성되는 상부 전극(12c)을 포함하는 층이다. 유기 EL층(12a)은 상세에 대해서는 도시하지 않지만 전하 수송층이나 전하 주입층, 발광층 등을 포함한다.
유기 EL층(12a) 중 하부 전극(12b)에 접하는 영역이 각 단위 화소 P에 대응하고, 이 영역에서 발광이 행해진다. 또한, 각 단위 화소 P는 뱅크층(14)에 의해 구획되어 있고, 뱅크층(14)에 의해 유기 EL층(12a)과 하부 전극(12b)이 이격되는 영역은 발광이 행해지지 않는 영역으로 된다. 상부 전극(12c)은 유기 EL층(12a) 상에 복수의 단위 화소 P에 걸쳐 배치되어 있다. 제1 실시 형태에 있어서는, 하부 전극(12b)을 양극으로 하고, 상부 전극(12c)을 음극으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 극성을 반대로 해도 상관없다. 또한, 유기 EL층(12a)으로부터의 광이 통과하는 상부 전극(12c)은 투명 도전 재료 등을 사용하여 투과 전극으로서 형성되면 된다. 투명 도전 재료로서는, 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 사용하면 된다. 또한, 알루미늄(Al)이나 은(Ag), 또는 은과 마그네슘(Mg)의 합금을 사용하여, 광이 투과하는 정도의 박막으로서 상부 전극(12c)을 형성해도 되고, 이들 금속 박막과 투명 도전 재료의 적층막으로서 형성해도 된다.
또한, 제1 실시 형태에 있어서는, 각 화소의 색에 따른 색으로 발광하도록 유기 EL층(12a)을 구분 도포하는 구분 도포 방식을 채용해도 되고, 전체 화소가 동일한 색(예를 들어 백색)으로 발광하고, 대향 기판(20)에 형성한 컬러 필터를 통해, 각 화소에 있어서 소정의 파장의 광만을 투과시키는 컬러 필터 방식을 채용해도 된다.
밀봉층(13, 16)은, 외부로부터의 수분이 표시 장치(100) 내부에 침입하는 것을 억제하기 위해 형성되는 것이다. 또한, 밀봉층(13, 16)은 질화규소(SiN)를 포함하지만, 내습성이 높은 무기 재료를 포함하는 것이면 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 산화규소 등을 포함하는 것이어도 된다. 또한, 평탄화층(15)은 아크릴 수지를 포함하지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 자외선 경화성을 갖는 유기 수지이면 되고, 예를 들어 에폭시 수지 등을 포함해도 된다.
여기서, 도 2 및 도 3을 참조하여, 발광 소자층의 발광 원리에 대하여 설명한다. 도 3은 각 단위 화소 P에 형성되어 있는 회로를 도시하는 회로도이다. 기판(11)에 포함되는 회로층의 배선은, 도 3에 도시한 바와 같이, 주사선 Lg, 주사선 Lg에 직교하는 영상 신호선 Ld 및 주사선 Lg에 직교하는 전원선 Ls를 포함한다. 또한, 회로층의 각 단위 화소 P에는 화소 제어 회로 Sc가 설치되고, 화소 제어 회로 Sc는, 콘택트 홀(도시하지 않음)을 통해 하부 전극(12b)에 접속된다. 화소 제어 회로 Sc는, 박막 트랜지스터나 콘덴서를 포함하고, 각 단위 화소 P에 형성되는 유기 발광 다이오드 Od에의 전류 공급을 제어한다. 또한, 유기 발광 다이오드 Od는, 도 2를 참조하여 상술한 유기 EL층(12a)과, 하부 전극(12b)과, 상부 전극(12c)을 포함한다.
화소 제어 회로 Sc는, 도 3에 도시한 바와 같이, 구동 TFT(11a)와, 축적 용량(11b)과, 스위칭 TFT(11c)를 갖고 있다. 스위칭 TFT(11c)의 게이트는 주사선 Lg에 접속되고, 스위칭 TFT(11c)의 드레인은 영상 신호선 Ld에 접속되어 있다. 스위칭 TFT(11c)의 소스는 축적 용량(11b) 및 구동 TFT(11a)의 게이트에 접속되어 있다. 구동 TFT(11a)의 드레인은 전원선 Ls에 접속되고, 구동 TFT(11a)의 소스에는 유기 발광 다이오드 Od가 접속되어 있다. 주사선 Lg에 게이트 전압이 인가됨으로써, 스위칭 TFT(11c)가 ON 상태로 된다. 이때, 영상 신호선 Ld로부터 영상 신호가 공급되면, 축적 용량(11b)에 전하가 축적된다. 그리고, 축적 용량(11b)에 전하가 축적됨으로써, 구동 TFT(11a)가 ON 상태로 되어, 전원선 Ls로부터 유기 발광 다이오드 Od에 전류가 흘러, 유기 발광 다이오드 Od가 발광한다.
또한, 화소 제어 회로 Sc는 유기 발광 다이오드 Od에의 전류 공급을 제어하기 위한 회로이면 되고, 도 3에 도시한 것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 화소 제어 회로 Sc는, 축적 용량(11b) 외에, 용량을 증가시키기 위한 보조 용량을 더 포함해도 되고, 회로를 구성하는 트랜지스터의 극성도 도 3에 도시한 것에 한정되지 않는다.
제1 실시 형태에 있어서, 자외선 흡수층(14)은 투명성을 갖는 산화티타늄(Titanium Oxide : TiOx, X는 주로 2)을 포함한다. 산화티타늄은 파장 365㎚의 자외선을 흡수하고, 가시광을 투과하는 특성을 갖는다. 이 자외선 흡수층(14)은 자외선으로부터 발광 소자층(12)을 보호하기 위해 형성된다. 또한, 자외선 흡수층(14)은 산화티타늄에 한정되는 것은 아니고, 자외선을 흡수하고, 또한 발광 소자층(12)으로부터의 광을 투과하는 재료를 포함하는 층이면 된다.
제1 실시 형태에 따른 표시 장치(100)에 있어서는, 발광 소자층(12)과, 발광 소자층(12) 상에 형성되며, 자외선 경화성을 갖는 유기 수지를 포함하는 평탄화층(15) 사이에, 자외선 흡수층(14)을 갖기 때문에, 평탄화층(15)을 경화시키기 위해 자외선을 조사한 경우라도, 발광 소자층(12)이 자외선의 영향을 받기 어렵다. 그 때문에, 자외선의 조사를 원인으로 하는 발광 소자층(12)의 열화를 억제할 수 있어, 장치의 수명 저하를 억제할 수 있다.
다음에, 도 4를 참조하여, 제1 실시 형태에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 4는 제1 실시 형태에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 플로우차트이다.
먼저, 회로층을 포함하는 기판(11)을 준비한다(스텝 ST1). 다음에, 기판(11) 상에 뱅크층(14) 및 발광 소자층(12)을 성막한다(스텝 ST2). 또한, 발광 소자층(12) 상에 실리콘과, 암모니아 가스와, 질소 가스를 성분에 포함하는 재료를 사용하여, 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition, 이하 CVD법이라 함)에 의해, 질화규소를 포함하는 밀봉층(13)을 성막한다(스텝 ST3). CVD법으로서는, 원료 가스를 플라즈마화시켜 화학 반응을 발생시키는 플라즈마 CVD법을 채용하면 된다. 또한, 이 공정에 있어서는, 실리콘과 암모니아 가스의 반응에 의해 질화규소가 생성되고, 질소 가스는 압량 조정을 위해 사용하고 있다. 밀봉층(13)은 발광 소자층(12)의 형상을 따른 형상으로 형성된다.
또한, 밀봉층(13) 상에 자외선 흡수성을 갖는 산화티타늄을 포함하는 자외선 흡수층(14)을 성막한다(스텝 ST4). 다음에, 자외선 흡수층(14) 상에 아크릴 수지를 형성한다(스텝 ST5). 또한, 유동성을 갖는 아크릴 수지를 경화시키기 위해, 자외선을 조사한다(스텝 ST6). 자외선을 조사받은 아크릴 수지는 경화되고, 이에 의해, 평탄화층(15)이 수지층으로서 형성된다. 또한, 산화티타늄을 포함하는 자외선 흡수층(14)은 자외선을 받음으로써, 친수성을 발휘하기 때문에, 자외선 흡수층(14) 상에 형성되는 아크릴 수지의 습윤성이 좋아진다. 그 때문에, 평탄화층(15)을 밀봉층(13) 상에 직접 성막하는 경우와 비교하여, 평탄화층(15)이 불균일없이, 균등하게 자외선 흡수층(14) 상에 성막되게 된다.
다음에, 평탄화층(15) 상에 질화규소를 포함하는 밀봉층(16)을 성막한다(스텝 ST7). 밀봉층(16)의 성막 방법은, 밀봉층(13)과 마찬가지의 방법에 의해 행하면 된다. 또한, 무기 재료를 포함하는 밀봉층(13, 16)의 성막은, CVD법에 한정되는 것은 아니고, 스퍼터링법이나 ALD(Atomic Layer Deposition)법 등 다른 방법을 사용해도 상관없다. 또한, 자외선 흡수층(14)의 성막에 관해서도, 밀봉층(13, 16)과 마찬가지로, CVD법에 의해 행해도 되고, 스퍼터링법이나 ALD법 등 다른 방법을 사용하여 행해도 된다. 이상의 공정에 의해, TFT 기판(10)의 제조가 완료된다.
또한, 스텝 ST7이 완료된 후, 충전층(30)을 개재하여, TFT 기판(10)에 대향하도록, 대향 기판(20)을 설치한다(스텝 ST8). 이상 설명한 공정을 거쳐, 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(100)의 제조가 완료된다.
다음에, 도 5를 참조하여, 제2 실시 형태에 따른 표시 장치(200)에 대하여 설명한다. 도 5는 제2 실시 형태에 따른 표시 장치의 단면을 모식적으로 도시하는 모식 단면도이다. 표시 장치(200)는 평탄화층(18)과, 밀봉층(19)을 갖는 것을 제외하고, 표시 장치(100)와 마찬가지의 구성이다. 구체적으로는, 표시 장치(200)는 발광 소자층(12) 상에 형성되는 밀봉층(13)과, 밀봉층(13) 상에 형성되는 자외선 흡수층(14)과, 자외선 흡수층(14) 상에 형성되는 평탄화층(15)과, 평탄화층(15) 상에 형성되는 밀봉층(16)과, 밀봉층(16) 상에 형성되는 평탄화층(18)과, 평탄화층(18) 상에 형성되는 밀봉층(19)을 갖는다.
평탄화층(18)은 평탄화층(15)과 동일한 재료를 사용하여, 동일한 방법에 의해 성막하면 된다. 또한, 밀봉층(19)은 밀봉층(16)과 동일한 재료를 사용하여, 동일한 방법에 의해 성막하면 된다. 이와 같이, 표시 장치(200)에 있어서는, 유기 수지를 포함하는 평탄화층이 2중으로 형성되기 때문에, 표시 장치(100)와 비교하여, 보다 요철이 적은 층을 형성할 수 있다. 또한, 무기 재료를 포함하는 밀봉층이 3중으로 형성되기 때문에, 표시 장치(100)와 비교하여, 수분의 장치 내부에의 침입을 보다 억제하기 쉽다. 또한, 평탄화층(15) 및 평탄화층(18)을 형성할 때에 자외선을 조사하여 유기 수지를 경화시키는 공정을 각각 행할 필요가 있는 바, 어느 자외선 조사에 대해서도 자외선 흡수층(14)은 자외선을 흡수하여, 발광 소자층(12)에의 자외선의 영향을 억제하는 역할을 한다.
다음에, 도 6을 참조하여, 제3 실시 형태에 따른 표시 장치(300)에 대하여 설명한다. 도 6은 제3 실시 형태에 따른 표시 장치의 단면을 모식적으로 도시하는 모식 단면도이다. 표시 장치(300)는 밀봉층(13)과 자외선 흡수층(14)의 적층순이 상이한 것을 제외하고, 표시 장치(100)와 마찬가지의 구성이다. 구체적으로는, 표시 장치(300)는 발광 소자층(12) 상에 형성되는 자외선 흡수층(14)과, 자외선 흡수층(14) 상에 형성되는 밀봉층(13)과, 밀봉층(13) 상에 형성되는 평탄화층(15)과, 평탄화층(15) 상에 형성되는 밀봉층(16)을 갖는다. 이와 같은 구성이라도, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 자외선 경화성을 갖는 유기 수지를 포함하는 평탄화층(15)을 경화시키기 위해, 자외선을 조사한 경우, 자외선 흡수층(14)이 자외선을 흡수하기 때문에, 발광 소자층(12)이 자외선의 영향을 받기 어렵다.
또한, 제1 실시 형태에서 나타낸 밀봉층(13, 16), 평탄화층(15)을 포함하는 적층 구조가 본 발명의 밀봉 구조에 대응한다. 또한, 제1∼제3 실시 형태에서 나타낸 밀봉층(13, 16, 19), 평탄화층(15, 18)을 포함하는 적층 구조가 본 발명의 밀봉 구조에 대응하고, 밀봉층(13)이 본 발명의 제1 밀봉층에 대응하고, 밀봉층(16)이 본 발명의 제2 밀봉층에 대응하고, 평탄화층(15)이 제1 평탄화층에 대응하고, 평탄화층(18)이 제2 평탄화층에 대응한다.
현재 본 발명의 소정 실시 형태로서 고려되는 것들이 설명되었지만, 그에 대한 다양한 변경이 이루어질 수 있다는 것이 이해될 것이고, 첨부된 특허청구범위는 본 발명의 진정한 사상 및 범주 내에 속하는 그와 같은 모든 변경을 포함하는 것으로 의도된다.
10 : TFT 기판
11 : 기판
11a : 스위칭 TFT
11b : 축적 용량
11c : 구동 TFT
12 : 발광 소자층
12a : 하부 전극
12b : 유기 EL층
12c : 상부 전극
13, 16, 19 : 밀봉층
14 : 자외선 흡수층
15, 18 : 평탄화층
17 : 뱅크층
20 : 대향 기판
30 : 충전층
100, 200, 300 : 표시 장치
M : 표시 영역
N : 프레임 영역
P : 단위 화소

Claims (11)

  1. 기판과,
    상기 기판 상에 형성된 발광 소자층과,
    상기 발광 소자층 상에 형성되는 밀봉 구조 및 자외선 흡수층을 갖고,
    상기 밀봉 구조는, 자외선 경화성을 갖는 유기 수지를 포함하는 제1 평탄화층을 포함하고,
    상기 제1 평탄화층은, 상기 자외선 흡수층보다도 상층에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 밀봉 구조는, 상기 발광 소자층과 상기 자외선 흡수층 사이에, 무기 재료를 포함하는 제1 밀봉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 밀봉 구조는, 상기 자외선 흡수층과 상기 제1 평탄화층 사이에, 무기 재료를 포함하는 제1 밀봉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 흡수층은 산화티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 밀봉 구조는, 상기 제1 평탄화층 상에 형성되며, 무기 재료를 포함하는 제2 밀봉층과, 상기 제2 밀봉층 상에 형성되며, 유기 수지를 포함하는 제2 평탄화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 기판과,
    상기 기판 상에 형성된 발광 소자층과,
    상기 발광 소자 상에 형성되는 밀봉 구조 및 산화티타늄층을 갖고,
    상기 밀봉 구조는, 유기 수지를 포함하는 제1 평탄화층을 포함하고,
    상기 제1 평탄화층은, 상기 산화티타늄층보다도 상층에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 밀봉 구조는, 상기 발광 소자층과 상기 산화티타늄층 사이에, 무기 재료를 포함하는 제1 밀봉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 밀봉 구조는, 상기 산화티타늄층과 상기 제1 평탄화층 사이에, 무기 재료를 포함하는 제1 밀봉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 밀봉 구조는, 상기 제1 평탄화층 상에 형성되며, 무기 재료를 포함하는 제2 밀봉층과, 상기 제2 밀봉층 상에 형성되며, 유기 수지를 포함하는 제2 평탄화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 기판을 준비하는 공정과,
    상기 기판 상에 발광 소자층을 형성하는 공정과,
    상기 발광 소자층 상에 무기 재료를 포함하는 밀봉층을 형성하는 공정과,
    상기 밀봉층 상에 자외선 흡수층을 형성하는 공정과,
    상기 자외선 흡수층 상에 자외선 경화성을 갖는 유기 수지를 형성하는 공정과,
    상기 유기 수지에 자외선을 조사하여, 경화시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 유기 수지 상에, 무기 재료를 포함하는 제2 밀봉층을 형성하는 공정을 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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