KR20170093174A - Substrate monitoring device and substrate monitoring method - Google Patents
Substrate monitoring device and substrate monitoring method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170093174A KR20170093174A KR1020177017975A KR20177017975A KR20170093174A KR 20170093174 A KR20170093174 A KR 20170093174A KR 1020177017975 A KR1020177017975 A KR 1020177017975A KR 20177017975 A KR20177017975 A KR 20177017975A KR 20170093174 A KR20170093174 A KR 20170093174A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- laser beam
- section
- imaging
- unit
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/958—Inspecting transparent materials or objects, e.g. windscreens
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N2021/9513—Liquid crystal panels
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N2203/0058—Kind of property studied
- G01N2203/006—Crack, flaws, fracture or rupture
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
소정의 촬상 범위를 갖는 촬상부(27), 촬상 범위 내에 기판(S)을 배치하는 배치부(26a), 촬상 범위 내에 배치된 기판(Sc(Se1))에 레이저 광선(L)을 비춤으로써, 기판의 단부(So(Se1))에서 레이저 광선의 반사광 및 산란광의 적어도 한쪽을 발생시켜 단부(Se1)의 상을 촬상부(27)의 수광면에 형성하도록 구성되는 조사부(29), 그리고 촬상부(27)의 촬상 결과를 감시하는 감시부를 구비한다.By irradiating the laser beam L onto an imaging section 27 having a predetermined imaging range, a disposing section 26a for disposing the substrate S within the imaging range, and a substrate Sc (Se1) disposed within the imaging range, An irradiating unit 29 configured to generate at least one of the reflected light and the scattered light of the laser beam at the end portion So (Se1) of the substrate to form an image of the end Se1 on the light receiving surface of the image pickup unit 27, And a monitoring section for monitoring the image pickup result of the image pickup section 27.
Description
본 발명은 기판을 감시하는 기판 감시 장치 및 기판 감시 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate monitoring apparatus and a substrate monitoring method for monitoring a substrate.
플랫 패널 디스플레이의 제조 공정에 있어서, 소자나 배선 등이 형성되는 기판의 균열이나 깨짐을 검출하는 기판 감시 장치가 이용되고 있다. 기판 감시 장치는 기판의 위쪽으로부터 기판을 향하여 레이저 광선을 조사하는 조사부와 조사부와 대향하는 촬상부를 구비하며, 조사부와 촬상부가 기판을 개재하여 위치한다. 촬상부는 기판을 투과한 투과광과 기판을 투과하지 않고 촬상부에 도달한 비투과광을 받으며, 기판 감시 장치는 투과광과 비투과광의 강도에 차이에 기초하여 기판의 균열이나 깨짐을 검출한다(예를 들면, 특허 문헌 1).BACKGROUND ART [0002] In a manufacturing process of a flat panel display, a substrate monitoring apparatus for detecting cracks or cracks in a substrate on which devices, wiring, and the like are formed is used. The substrate monitoring apparatus includes an irradiating unit for irradiating a laser beam from above the substrate to the substrate and an imaging unit facing the irradiating unit, and the irradiating unit and the imaging unit are positioned via the substrate. The imaging unit receives the transmitted light transmitted through the substrate and the non-transmitted light reaching the imaging unit without passing through the substrate, and the substrate monitoring apparatus detects cracks or cracks in the substrate based on the difference in the intensity of the transmitted light and the transmitted light , Patent Document 1).
[특허문헌][Patent Literature]
특허 문헌 1: 일본 공개 특허 공보 제2011-149800호Patent Document 1: Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-149800
그렇지만, 상술한 기판 감시 장치가 기판의 균열이나 깨짐을 검출하기 위해서는 투과광과 비투과광의 양쪽을 촬상부가 받아야만 하기 때문에, 투과광의 광로상과 비투과광의 광로 상에 하나의 촬상부가 위치하도록 촬상부의 위치가 큰 제약을 받고 있다.However, in order to detect cracks or cracks in the substrate, it is necessary for the image pickup unit to receive both the transmitted light and the non-transmitted light, so that the position of the image pickup unit is set such that one image pickup unit is positioned on the optical path of the transmitted light and the non- Is a major constraint.
본 발명은 조사부의 위치에 대한 촬상부 위치의 자유도를 높일 수 있는 기판 감시 장치 및 기판 감시 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate monitoring apparatus and a substrate monitoring method capable of increasing the degree of freedom of the position of the imaging section with respect to the position of the irradiation section.
상술한 과제를 해결하기 위해 기판 감시 장치는 소정의 촬상 범위로부터의 광을 수광하는 수광면을 갖는 촬상부와, 상기 촬상 범위 내에 기판을 배치하는 배치부와, 상기 촬상 범위 내에 배치된 상기 기판에 레이저 광선을 비춤으로써, 상기 기판의 단부에 있어서 상기 레이저 광선의 반사광 및 산란광의 적어도 한쪽을 발생시켜, 상기 단부의 상을 촬상 결과로서 상기 수광면에 형성하도록 구성된 반사부와, 상기 촬상 결과를 감시하는 감시부를 구비한다.In order to solve the above problems, a substrate monitoring apparatus includes an imaging section having a light receiving surface for receiving light from a predetermined imaging range, a disposing section for disposing the substrate within the imaging range, A reflecting unit configured to generate at least one of reflected light and scattered light of the laser beam at an end of the substrate by irradiating the laser beam to form an image of the end on the light receiving surface as an image pickup result; And the like.
상술한 과제를 해결하기 위한 기판 감시 방법은 촬상부가 갖는 촬상 범위 내에 배치된 기판에 레이저 광선을 비춤으로써, 상기 기판의 단부에서 상기 레이저 광선의 반사광 및 산란광의 적어도 한쪽을 발생시켜, 상기 단부의 상을 촬상 결과로서 상기 촬상부의 수광면에 형성하는 조사 공정과, 상기 단부를 촬상하는 촬상 공정과, 상기 촬상 결과를 감시하는 감시 공정을 포함한다.A substrate monitoring method for solving the above problems is characterized in that at least one of reflected light and scattered light of the laser beam is generated at an end portion of the substrate by irradiating a laser beam on a substrate disposed within an imaging range of the imaging portion, An image pickup step of picking up the end portion, and a monitoring step of monitoring the image pickup result.
상술한 구성에 의하면, 촬상부의 위치가 기판의 단부에 있어서의 레이저 광선의 반사광 및 산란광의 적어도 한쪽에 의하여 촬상부의 수광면에 상이 형성되는 위치면 되기 때문에, 조사부의 위치에 대하여 촬상부의 위치가 하나의 위치에 한정되지 않는다. 이에 따라, 조사부의 위치에 대한 촬상부 위치의 자유도를 높일 수 있다.According to the above-described configuration, since the position of the image pickup unit is a position surface where an image is formed on the light-receiving surface of the image pickup unit by at least one of the reflected light and the scattered light of the laser beam at the end portion of the substrate, As shown in FIG. Thus, the degree of freedom of the position of the imaging unit with respect to the position of the irradiation unit can be increased.
상기 기판 감시 장치에 있어서, 상기 조사부는 상기 기판에 상기 레이저 광선을 비추고 상기 기판 내에 상기 레이저 광선을 투과시켜, 상기 단부에 있어서 상기 레이저 광선을 산란시키도록 구성되어 있다.In the substrate monitoring apparatus, the irradiating unit is configured to irradiate the laser beam onto the substrate, transmit the laser beam through the substrate, and scatter the laser beam at the end.
상기 기판 감시 장치에 의하면, 기판에 비추어진 레이저 광선이 기판의 내부를 투과하며, 또한 단부에서 산란된다. 이에 따라, 기판의 단부 중에서 레이저 광선이 닿은 부분 이외의 부분의 명도를 높일 수 있다.According to the above-described substrate monitoring apparatus, a laser beam reflected on a substrate passes through the inside of the substrate and is scattered at the end. This makes it possible to increase the brightness of the portion of the substrate other than the portion where the laser beam hits.
상기 기판 감시 장치에 있어서, 상기 조사부는 상기 기판에 상기 레이저 광선을 비추고, 상기 기판 내에서의 반사를 통하여 상기 기판 내에 상기 레이저 광선을 투과시켜, 상기 단부에서 상기 레이저 광선을 산란시키도록 구성되어 있다.In the above substrate monitoring apparatus, the irradiating unit is configured to irradiate the laser beam onto the substrate, transmit the laser beam through the substrate through reflection in the substrate, and scatter the laser beam at the end .
상기 기판 감시 장치에 의하면, 레이저 광선이 기판 내에서 반사되어 기판의 단부에까지 기판의 내부를 투과하기 때문에, 기판의 단부의 상을 촬상부의 수광면에 형성할 수 있다.According to the substrate monitoring apparatus, since the laser beam is reflected in the substrate and penetrates the inside of the substrate to the end of the substrate, an image of the end of the substrate can be formed on the light receiving surface of the image pickup section.
상기 기판 감시 장치에 있어서, 상기 기판의 상기 단부는 상기 기판의 단면을 포함하며, 상기 조사부는 상기 단면에 상기 레이저 광선을 비춤으로써, 상기 단면으로부터 상기 기판의 내부에 상기 레이저 광선을 도입하고, 또한 상기 단면 중에서 상기 레이저 광선이 도입된 부위와는 다른 부위로부터 상기 레이저 광선이 도출되도록 광축이 설정된 상기 레이저 광선을 상기 촬상부와는 다른 위치를 향해 조사한다.In the above substrate monitoring apparatus, the end portion of the substrate includes an end face of the substrate, and the irradiation portion introduces the laser beam into the substrate from the end face by abrading the laser beam on the end face, The laser beam having an optical axis set so that the laser beam is led out from a portion different from a portion into which the laser beam is introduced in the cross section is irradiated toward a position different from the image pickup portion.
상기 감시 방법에 있어서, 상기 기판의 상기 단부는 상기 기판의 단면을 포함하며, 상기 조사 공정에서 상기 단면에 레이저 광선을 비춤으로써, 상기 단면에 상기 레이저 광선이 도입되고, 또한 상기 단면 중에서 상기 레이저 광선이 도입된 부위와는 다른 부위로부터 상기 레이저 광선이 도출되도록 광축이 설정된 상기 레이저 광선을 상기 촬상부와는 다른 위치를 향하여 조사한다.In the monitoring method, the end portion of the substrate includes a cross section of the substrate, and the laser beam is introduced into the cross section by irradiating the cross section with the laser beam in the irradiating process, The laser beam having the optical axis set so that the laser beam is led out from a site different from the site where the laser beam is introduced is irradiated toward a position different from the image pickup section.
상술한 구성에 의하면, 촬상부가 촬상한 화상에는 기판 단면의 명도가 기판에 있어서의 단면 이외의 부분의 명도나, 기판을 유지하는 배치부의 명도 등보다도 높여진 상태로 얻어진다. 이외에도, 조사부는 촬상부와는 다른 위치를 향해 레이저 광선을 조사하도록 구성되어 있으면 좋기 때문에, 조사부의 위치에 대한 촬상부 위치의 자유도가 높여진 상태에서 기판 단면의 명도에 기초하여 단면의 상태를 감시할 수 있다.According to the above-described configuration, the lightness of the cross section of the substrate is obtained in the image picked up by the image pickup section in a state where the lightness of the portion other than the cross section in the substrate is higher than the lightness of the arrangement portion for holding the substrate. In addition, since the irradiation unit may be configured to irradiate a laser beam toward a position different from the image pickup unit, it is possible to monitor the state of the cross section based on the brightness of the cross section of the substrate in a state where the degree of freedom of the position of the image pickup unit with respect to the position of the irradiation unit is increased. can do.
상기 기판 감시 장치에 있어서, 상기 조사부는 점 광원이다.In the substrate monitoring apparatus, the irradiation unit is a point light source.
상기 기판 감시 방법에 있어서, 상기 레이저 광원을 조사하는 조사부는 점 광원이다.In the substrate monitoring method, the irradiating unit for irradiating the laser light source is a point light source.
상술한 구성에 의하면, 조사부가 점 광원이기 때문에 조사부가 출력하는 레이저 광선의 광량이 동일하면, 선 광원에 비하여 기판의 단면 중에서 레이저 광선이 닿는 부위에서의 단위 면적당 광량이 커진다. 이에 따라, 기판의 내부에 도입된 광이 기판의 외부에 도출될 때의 광량도 커진다. 그 결과, 기판에 있어서의 단면의 명도와 기판에 있어서의 다른 부분의 명도나 배치부의 명도와의 차가 커진다.According to the above-described configuration, since the irradiating unit is a point light source, if the light amount of the laser beam output by the irradiating unit is the same, the light amount per unit area at the portion where the laser beam touches the end face of the substrate becomes larger than that of the linear light source. Accordingly, the amount of light when the light introduced into the substrate is led to the outside of the substrate becomes large. As a result, the difference between the brightness of the cross section of the substrate and the brightness of the other portions of the substrate and the brightness of the arrangement portion becomes large.
상기 기판 감시 장치에 있어서, 상기 조사부는 상기 단부를 따라서 연장되는 띠 형상을 가지는 상기 레이저 광선을 상기 단부에 비춘다.In the above substrate monitoring apparatus, the irradiating unit reflects the laser beam having a band shape extending along the end portion on the end portion.
상기 기판 감시 장치에 의하면, 레이저 광선이 띠 형상으로 연장되는 분량만큼 기판의 단부 중에서 촬상부의 수광면에 상으로서 형성되는 부분이 확산된다.According to the above-described substrate monitoring apparatus, a portion formed on the light-receiving surface of the image pickup unit among the end portions of the substrate is spread by the amount that the laser beam extends in a strip shape.
상기 기판 감시 방법에 있어서, 상기 기판은 사각형 형상을 가지며, 상기 조사 공정에서 상기 기판의 네 귀퉁이들의 적어도 하나에 상기 레이저 광선이 조사된다.In the substrate monitoring method, the substrate has a rectangular shape, and at least one of the four corners of the substrate is irradiated with the laser beam in the irradiation step.
상기 기판 감시 방법에 의하면, 레이저 광선이 기판이 확산되는 방향인 두 방향들에 대하여 기울어진 방향으로부터 기판에 입사된다. 이에 따라, 레이저 광선이 기판이 확산되는 방향 중의 한쪽에 직교하며, 또한 다른 쪽에 평행한 방향으로부터 기판에 입사하는 구성과 비교하여, 기판에 도입된 레이저 광선이 기판의 내부에서 반사하여 기판에서 보다 넓은 영역으로 쉽게 확장된다. 이에 따라, 기판의 단면 중에서 레이저 광선이 조사되는 부위가 차지하는 비율이 커진다.According to the substrate monitoring method, a laser beam is incident on the substrate from a direction tilted with respect to two directions, that is, a direction in which the substrate is diffused. Thus, as compared with the configuration in which the laser beam is incident on the substrate in a direction orthogonal to one of the directions in which the substrate is diffused and parallel to the other side, the laser beam introduced into the substrate is reflected inside the substrate, Area. As a result, a portion occupied by a portion irradiated with the laser beam in the cross section of the substrate becomes large.
상기 기판 감시 방법에 있어서, 상기 조사부가 갖는 조사구의 직경은 상기 기판의 두께보다도 크다.In the above substrate monitoring method, the diameter of the irradiation port of the irradiation unit is larger than the thickness of the substrate.
상기 기판 감시 방법에 의하면, 조사구의 직경이 기판의 두께 이하인 구성과 비교하여, 레이저 광선이 단면에 있어서의 두께 방향 전체에 쉽게 닿는다. 이에 따라, 기판의 단면으로부터 기판의 내부에 도입되는 광량이 커지기 때문에, 기판의 단면으로부터 기판의 외부에 도출되는 레이저 광선의 광량도 커진다.According to the above-described substrate monitoring method, the laser beam easily touches the entire thickness direction in cross section, as compared with the configuration in which the diameter of the irradiation port is equal to or less than the thickness of the substrate. As a result, the amount of light introduced into the substrate from the end face of the substrate becomes large, so that the amount of laser light emitted from the end face of the substrate to the outside of the substrate becomes large.
도 1은 기판 감시 장치를 스퍼터 장치에 적용한 제1 실시예에서의 스퍼터 장치의 모식적인 구조를 나타내는 블록도이다.
도 2는 스퍼터 장치의 내부의 구조를 기판과 함께 모식적으로 나타내는 블록도이다.
도 3은 스퍼터 장치의 내부를 기판과 대향하는 방향에서 바라본 구조를 모식적으로 나타내는 블록도이다.
도 4는 레이저 조사부가 구비하는 조사구의 위치와 기판 단면의 위치와의 관계 및 레이저 광선의 투과 경로와 촬상부의 촬상 방향과의 관계를 모식적으로 나타내는 블록도이다.
도 5는 촬상부의 촬상 범위를 설명하기 위한 블록도이다.
도 6은 스퍼터 장치의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 7은 기판 감시 방법을 구체화한 하나의 실시예에 있어서의 처리의 순서를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8은 스퍼터 챔버의 동작의 일 예를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 9는 스퍼터 장치의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 기판의 단면에서 광이 산란되는 상태를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 11은 변형예에 따른 촬상 공정을 설명하기 위한 공정도이다.
도 12는 기판 감시 장치를 스퍼터 장치에 적용한 제2 실시예서의 스퍼터 챔버를 상면에서 바라본 평면 구조를 나타내는 평면도이다.
도 13은 승강 핀에 의하여 지지된 기판과 촬상부의 촬상 범위와의 관계를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 14는 레이저 조사부가 기판의 단부에 대하여 레이저 광선을 조사하고 있는 상태를 나타내는 도면이다.
도 15는 레이저 조사부가 기판의 단부에 대하여 레이저 광선을 조사하고 있는 상태를 나타내는 도면이다.
도 16은 기판의 단부에서 레이저 광선이 반사되는 상태 및 산란되는 상태를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 17은 기판의 단부에서 레이저 광선이 반사되는 상태를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 18은 변형예에 따른 기판의 단부에서 레이저 광선이 반사되는 상태를 모식적으로 나타내는 도면이다.1 is a block diagram showing a schematic structure of a sputtering apparatus in a first embodiment in which a substrate monitoring apparatus is applied to a sputtering apparatus.
2 is a block diagram schematically showing the structure of the inside of the sputtering apparatus together with the substrate.
3 is a block diagram schematically showing a structure in which the inside of the sputtering apparatus is viewed from the direction opposite to the substrate.
4 is a block diagram schematically showing the relationship between the position of the irradiation port and the position of the end face of the substrate provided in the laser irradiation unit and the relationship between the transmission path of the laser beam and the imaging direction of the imaging unit.
Fig. 5 is a block diagram for explaining the imaging range of the imaging unit. Fig.
6 is a block diagram for explaining an electrical configuration of the sputtering apparatus.
7 is a flowchart for explaining a procedure of a process in one embodiment embodying a substrate monitoring method.
8 is a flowchart for explaining an example of the operation of the sputter chamber.
9 is a view for explaining the operation of the sputtering apparatus.
10 is a diagram schematically showing a state in which light is scattered in the cross section of the substrate.
11 is a process diagram for explaining an imaging process according to a modified example.
12 is a plan view showing a planar structure of the sputter chamber of the second embodiment in which a substrate monitoring apparatus is applied to a sputtering apparatus as viewed from above.
13 is a diagram schematically showing the relationship between the substrate supported by the lift pins and the imaging range of the imaging section.
14 is a diagram showing a state in which the laser irradiation unit irradiates the laser beam to the end portion of the substrate.
15 is a diagram showing a state in which the laser irradiation unit irradiates the laser beam to the end portion of the substrate.
16 is a diagram schematically showing a state in which a laser beam is reflected and scattered at an end portion of a substrate.
17 is a diagram schematically showing a state in which a laser beam is reflected at an end portion of a substrate.
18 is a diagram schematically showing a state in which a laser beam is reflected at an end portion of a substrate according to a modification.
실시예Example 1 One
도 1 내지 도 10을 참조하여 기판 감시 장치를 스퍼터 장치에 적용한 제1 실시예 및 기판 감시 방법을 구체화한 제1 실시예를 설명한다. 이하에서, 스퍼터 장치의 구성, 스퍼터 챔버의 구성, 기판 감시 방법 및 스퍼터 장치의 작용을 순차적으로 설명한다.A first embodiment in which the substrate monitoring apparatus according to the first embodiment and the substrate monitoring method in which the substrate monitoring apparatus is applied to the sputtering apparatus will be described with reference to FIGS. 1 to 10. FIG. Hereinafter, the structure of the sputtering apparatus, the structure of the sputtering chamber, the substrate monitoring method, and the operation of the sputtering apparatus will be sequentially described.
스퍼터Sputter 장치의 구성 Configuration of the device
도 1을 참조하여 스퍼터 장치의 구성을 설명한다.The configuration of the sputtering apparatus will be described with reference to Fig.
도 1에 도시한 바와 같이, 스퍼터 장치(10)는 하나의 반송 챔버(11)와, 반송 챔버(11)에 접속하는 두 개의 로드락 챔버(12)들과, 반송 챔버(11)에 접속하는 두 개의 스퍼터 챔버(13)들을 구비하고 있다. 또한, 각 로드락 챔버(12)와 반송 챔버(11)의 사이 및 각 스퍼터 챔버(13)와 반송 챔버(11)의 사이에는 게이트 밸브가 배치되며, 각 게이트 밸브는 반송 챔버(11)와 대응하는 챔버를 연통한 상태와 연통하지 않은 상태 사이에서 전환된다.1, the
로드락 챔버(12)는 스퍼터 장치(10)에서의 처리의 대상인 기판(S)을 스퍼터 장치(10)의 외부로부터 스퍼터 장치(10)의 내부에 반입하며, 또한 스퍼터 장치(10)의 내부로부터 스퍼터 장치(10)의 외부에 반출한다. 로드락 챔버(12)는 기판(S)을 반입할 때와 기판(S)을 반출할 때, 반송 챔버(11)에 연통되지 않은 상태에서 로드락 챔버(12)의 내부를 대기에 개방한다. 한편, 로드락 챔버(12)는 반입한 기판(S)을 반송 챔버(11)에 전달할 때와 반출하는 기판(S)을 반송 챔버(11)로부터 수취할 때, 반송 챔버(11)에 연통된 상태에서 반송 챔버(11)와 함께 소정의 압력으로 감압된 공간을 형성한다.The
또한, 스퍼터 장치(10)는 하나의 로드락 챔버(12)를 구비하는 구성이어도 좋고, 3개 이상의 로드락 챔버(12)들을 구비하는 구성이어도 좋다.The
스퍼터 챔버(13)는 캐소드(14)를 구비하며, 캐소드(14)에 의해 기판(S)의 하나의 면에 소정의 막을 형성한다. 스퍼터 챔버(13)에서 기판(S)에 형성되는 막은 ITO 막이나 IGZO 막 등의 투명 도전막이어도 좋고, 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 몰리브덴 텅스텐 및 티타늄 등의 금속막이어도 좋다. 또는, 스퍼터 챔버(13)에서 기판(S)에 형성되는 막은, 실리콘 산화물이나 티타늄 산화물 등의 산화물막 및 티타늄 질화물 등의 질화물막 등의 화합물막이어도 좋다. 스퍼터 챔버(13)는 기판(S)에 막이 형성될 때, 반송 챔버(11)의 내부와 같은 압력, 또는 반송 챔버(11)의 내부보다도 낮은 압력으로 감압된 공간을 형성한다.The
또한, 각 스퍼터 챔버(13)는 다른 나머지 스퍼터 챔버(13)와 서로 동일한 막을 기판(S)에 형성하기 위한 캐소드(14)를 구비하고 있어도 좋고, 서로 다른 막들을 기판(S)에 형성하기 위한 캐소드(14)를 구비하고 있어도 좋다. 또한, 스퍼터 장치(10)는 하나의 스퍼터 챔버(13)를 구비하는 구성이어도 좋고, 3개 이상의 스퍼터 챔버(13)들을 구비하는 구성이어도 좋다.Each of the
반송 챔버(11)는 기판(S)을 반송하는 반송 로봇(15)을 구비하고 있다. 반송 로봇(15)은 반송 챔버(11)를 통하여 로드락 챔버(12)로부터 스퍼터 챔버(13)로 성막 전의 기판(S)을 반송하며, 또한 반송 챔버(11)를 통하여 스퍼터 챔버(13)로부터 로드락 챔버(12)에 성막 후의 기판(S)을 반송한다.The
또한, 스퍼터 장치(10)는 상술한 로드락 챔버(12) 및 스퍼터 챔버(13) 이외의 챔버, 예를 들면, 기판(S)에 막을 형성하기 전의 처리를 행하기 위한 전처리 챔버나 기판(S)에 막을 형성한 후의 처리를 행하기 위한 후처리 챔버 등을 구비하고 있어도 된다.The
스퍼터Sputter 챔버의Chamber 구성 Configuration
도 2 내지 도 5를 참조하여, 스퍼터 챔버(13)의 구성을 설명한다. 또한, 도 2에는 스퍼터 챔버(13)의 구성을 설명의 편의상 스퍼터 챔버(13)에 접속하고 있는 반송 챔버(11)의 일부도 도시되어 있다. 또한, 도 2에서는, 반송 로봇(15)이 반송 챔버(11)로부터 스퍼터 챔버(13)에 기판(S)을 반입할 때의 기판 스테이지의 상태가 실선으로 도시되는 한편, 기판(S)에 소정의 막을 형성할 때의 기판 스테이지의 상태가 2점 쇄선으로 도시되어 있다.2 to 5, the structure of the
도 2에 도시한 바와 같이, 스퍼터 챔버(13)는 박스 형상을 갖는 챔버 본체(21)를 구비하며, 챔버 본체(21)의 하나의 측벽으로서 반송 챔버(11)에 접속하는 측벽에는 반출입구(21a)가 형성되어 있다. 반출입구(21a)는 수평 방향을 따라 측벽을 관통하는 구멍으로서, 챔버 본체(21)의 내부에 대한 기판(S)의 반출입을 행하기 위한 구멍이다. 반출입구(21a)에는 상술한 게이트 밸브가 배치되며, 게이트 밸브는 스퍼터 챔버(13)와 반송 챔버(11)의 사이가 연통되어 있지 않은 상태로 유지함으로써, 반송 챔버(11)에 대하여 스퍼터 챔버(13)를 기밀된 상태로 유지한다. 챔버 본체(21)의 내벽면 중에서 반송 챔버(11)에 접속하는 측벽과 대향하는 면에는 캐소드(14)가 위치하고 있다.2, the
캐소드(14)는 백킹 플레이트(22)와 타켓(23)을 포함하고 있다. 캐소드(14) 중에서 백킹 플레이트(22)가 챔버 본체(21)에 고정되며, 타겟(23)이 백킹 플레이트(22)에 고정되어 있다. 타겟(23)의 형성 재료는 상술한 막의 어느 하나를 형성하기 위한 재료이다.The
챔버 본체(21)의 내부에는 기판(S)이 재치되는 기판 스테이지(24)가 위치하며, 기판 스테이지(24)는 직사각형의 판 형상을 가지고, 기판(S)이 재치되는 재치면(24a)을 구비하고 있다. 기판 스테이지(24)는 기판 스테이지(24)의 자세를 변경하는 자세 변경부(25)에 접속하고 있다.A
자세 변경부(25)는 기판 스테이지(24)의 자세를 수평 자세와 기립 자세 사이에서 전환시킨다. 기판 스테이지(24)의 자세가 수평 자세일 때, 기판 스테이지(24)는 챔버 본체(21)의 내벽 면의 일부인 하면과 거의 평행한 상태이며, 또한 타겟(23)에 대하여 거의 수직인 상태이다. 한편, 기판 스테이지(24)의 자세가 기립 자세일 때, 기판 스테이지(24)는 하면과 거의 수직인 상태이며, 또한 기판 스테이지(24)는 타켓(23)에 대하여 거의 평행한 상태이다.The
기판 스테이지(24)의 자세 중에서, 수평 자세는 성막전의 기판(S)이 스퍼터 챔버(13)에 반입될 때 및 성막 후의 기판(S)이 스퍼터 챔버(13)로부터 반출될 때의 기판 스테이지(24)의 자세이다. 한편, 기립 자세는 성막 전의 기판(S)에 대하여 막이 형성되는 기간 내내 기판 스테이지(24)의 자세이다.The horizontal posture of the posture of the
스퍼터 챔버(13)는 기판 스테이지(24)의 재치면(24a)에 대한 기판(S)의 위치를 바꾸는 승강 장치(26)를 구비하고 있다. 승강 장치(26)는 기판(S)의 위치를 재치 위치와 상승 위치 사이에서 변경한다. 기판(S)이 재치 위치에 위치할 때, 기판(S)은 기판 스테이지(24)의 재치면(24a)에 접촉하는 한편, 기판(S)이 상승 위치에 위치할 때, 기판(S)은 재치면(24a)으로부터 소정의 거리만큼 위쪽에 위치하고 있다.The
승강 장치(26)는 복수의 승강 핀(26a)들과 승강 기구(26b)를 포함하고 있다. 승강 핀(26a)은 기판(S)에 접촉하는 선단부를 가진다. 각 승강 핀(26a)은 기판(S)에 접촉하여 재치면(24a)보다도 위쪽에 기판(S)을 위치시키며, 또한 기판(S)을 상승 위치에 위치시킨 상태에서 기판(S)의 자세를 유지한다. 승강 핀(26a)은 배치부의 일 예이다. 승강 기구(26b)는 중력 방향을 따라서 기판 스테이지(24)의 재치면(24a)에 대한 승강 핀(26a)의 선단부의 위치를 변경한다.The elevating
승강 기구(26b)는 성막 전의 기판(S)이 반송 로봇(15)으로부터 기판 스테이지(24)에 전달될 때 및 성막 후의 기판(S)이 기판 스테이지(24)로부터 반송 로봇(15)에 전달될 때, 승강 핀(26a)을 상승시켜 승강 핀(26a)에 기판(S)을 상승 위치에서 지지한다. 승강기구(26b)는, 기판(S)의 위치를 상승위치로부터 재치 위치로 바꿀 때, 승강 핀(26a)을 하강시켜서, 승강 핀(26a)의 선단부를 재치면(24a) 이하의 위치에 위치시킨다.The elevating
스퍼터 챔버(13)의 상벽에는 촬상창(21b)이 형성되어 있다. 촬상창(21b)은 챔버 본체(21)의 상벽을 중력 방향을 따라서 관통하는 구멍에 끼워 넣어진 소정의 투과성을 갖는 투명 부재로 구성되어 있다. 챔버 본체(21)의 외부로서 촬상창(21b)과 겹치는 위치에는 소정의 촬상 범위를 갖는 촬상부(27)가 배치되어 있다.On the upper wall of the
촬상부(27)는, 예를 들면, CCD 카메라나 CMOS 카메라 등이다. 촬상부(27)는 복수의 수광 소자들이 배열되는 수광면을 가지며, 촬상부(27)는 복수의 수광 소자들이 인식한 광의 강도의 나열을 상으로서, 다시 말하면 광학 상으로서 인식한다. 촬상부(27)는 촬상부(27)의 수광면에 형성된 광학 상을 전기 신호로 변환하는, 즉 촬상부(27)를 향하여 광을 사출하는 물체를 촬상한다.The
도 3을 참조하여 스퍼터 챔버(13)의 구성을 추가로 설명한다. 도 3에는 또한 스퍼터 챔버(13)의 상태 중에서 복수의 승강 핀(26a)들이 기판(S)의 자세를 상승 위치에서 유지하고 있는 상태가 도시되어 있다. 또한, 도 3에는 챔버 본체(21)의 외부에 배치되는 촬상부(27)의 위치가 파선으로 도시되어 있다. The construction of the
도 3에 도시한 바와 같이, 기판 스테이지(24)는 복수의 클램프(28)들을 구비하며, 각 클램프(28)는 퇴피 위치와 고정 위치의 사이에서 위치를 전환한다. 클램프(28)는 기판(S)이 상승 위치에 위치할 때에 퇴피 위치에 위치하는 한편, 기판(S)이 재치 위치에 위치할 때에 고정 위치에 위치하여, 기판(S)을 기판 스테이지(24)의 재치면(24a)에 고정한다.As shown in Fig. 3, the
기판(S)은 직사각형의 판 형상을 가지며, 기판(S)의 외표면은 소정의 막이 형성되는 표면과, 표면과는 반대측의 면인 이면과, 표면과 이면과의 사이에 위치하여 직사각형의 고리 형상을 가지는 단면(Se1)으로 구성되어 있다. 기판(S)은 표면과 대향하는 방향에서 볼 경우에 사각형의 형상을 가진다. 기판(S)의 단면(Se1)에서의 네 귀퉁이들이 각기 기판(S)의 모서리부(Sc)이다. 또한, 기판(S) 중에서 표면에서의 가장자리, 이면에서의 가장자리 및 단면(Se1)을 포함하는 부분이 기판(S)의 단부이다.The substrate S has a rectangular plate shape. The outer surface of the substrate S is formed of a surface on which a predetermined film is formed, a back surface which is a surface opposite to the surface, and a rectangular ring- As shown in Fig. The substrate S has a rectangular shape when viewed in a direction opposite to the surface. The four corners in the section Se1 of the substrate S are the corner portions Sc of the substrate S, respectively. Further, among the substrates S, the edge portion at the surface, the edge at the back surface, and the portion including the end face Se1 are the end portions of the substrate S.
기판(S)의 형성 재료는 가시광에 대한 광 투과성을 갖는 재료로서, 예를 들면 유리이다. 또한, 기판(S)의 형성 재료는 막의 형성시에 생기는 열에 대한 내성을 가지면 각종 합성 수지여도 좋다. 이 경우, 후술하는 레이저 조사부(29)에는 가시광 영역에 포함되는 파장을 가진 레이저 광선을 조사하는 가시광 레이저를 선택할 수 있다. 가시광 레이저를 이용하는 경우에는, 레이저 광선의 조사 위치, 즉 기판에서 레이저 광선이 조사되는 위치를 육안으로 확인하면서 레이저 광선이 조사되는 위치를 조정할 수 있게 된다. 또한, 가시광 레이저라면 조사 대상인 기판의 사이즈, 배치의 상태 및 챔버 내의 밝기 등의 촬상환경이나 촬상부의 성능에 따라서 적색, 녹색 및 청색 등의 색을 가진 레이저 광선을 조사하는 레이저를 선택하는 것이 가능하다.The material for forming the substrate S is a material having optical transparency to visible light, for example, glass. The material for forming the substrate S may be any of various synthetic resins provided that it has resistance to heat generated when the film is formed. In this case, a visible light laser that emits a laser beam having a wavelength included in the visible light region can be selected for the
촬상부(27)는 수평 자세인 기판 스테이지(24)와 대향하는 평면 시에 있어서, 기판 스테이지(24)의 중앙과 겹친다. 또한, 승강 핀(26a)에 의하여 기판(S)이 지지되어 있을 때, 촬상부(27)는 기판 스테이지(24)와 대향하는 평면 시에 있어서, 기판(S)의 중앙과 겹친다.The
챔버 본체(21)의 네 귀퉁이 중의 하나에는 조사창(21c)이 형성되어 있다. 조사창(21c)은 챔버 본체(21)의 하나의 귀퉁이를 수평 방향을 따라서 관통하는 구멍에 끼워 넣어진 소정의 투과성을 갖는 투명 부재로 구성되어 있다. 챔버 본체(21)의 외부로서 조사창(21c)과 겹치는 위치에는 챔버 본체(21)의 내부를 향하여 레이저 광선(L)을 조사하는 레이저 조사부(29)가 위치하고 있다. 레이저 조사부(29), 촬상부(27) 및 승강 핀(26a)이 기판 감시 장치의 일부를 구성하고 있다.An
레이저 조사부(29)는 레이저 광선(L)을 조사하기 위한 조사구(29a)를 구비하며, 레이저 조사부(29)는, 다음에 설명하는 도 5에 도시한 바와 같이, 챔버 본체(21)의 내부에서의 소정의 위치인 조사 위치(P1)를 향하여 레이저 광선(L)을 조사하는 점 광원이다. 조사 위치(P1)는, 예를 들면, 챔버 본체(21)의 내벽면(21d) 중에서 레이저 조사부(29)의 조사구(29a)와 대향하는 부위이다.The
한편, 기판(S)이 상승 위치에 위치하고 있을 때, 레이저 조사부(29)가 조사한 레이저 광선(L)은 기판(S)의 모서리부(Sc)들 중의 하나에 닿는다. 이때, 레이저 광선(L)의 광축(La)은 기판(S)의 모서리부(Sc)로부터 기판(S)의 내부에 도입되고, 또한 단면(Se1) 중에서 레이저 광선(L)이 도입된 부위와는 다른 위치로부터 레이저 광선(L)이 도출되도록 설정되어 있다.On the other hand, when the substrate S is located at the raised position, the laser beam L irradiated by the
이에 따라, 레이저 광선(L)의 적어도 일부가 기판(S)의 모서리부(Sc)로부터 기판(S)의 내부에 도입된다. 또한, 기판(S)에 도입된 광이 기판(S)의 단면(Se1) 중에서 판(S)의 모서리부(Sc)와는 다른 부위인 도출부(So)로부터 도출된다. 도출부(So)는, 예를 들면, 기판(S)의 단면(Se1) 중에서 레이저 광선(L)이 조사된 모서리부(Sc)를 제외한 단면(Se1)의 전체이다. 이에 따라, 기판(S)의 단면(Se1) 중에서 레이저 광선(L)이 닿는 모서리부(Sc)의 명도 및 도출부(So)의 명도가 기판(S)의 다른 부분보다도 높아진다.At least a part of the laser beam L is introduced into the interior of the substrate S from the edge portion Sc of the substrate S. [ The light introduced into the substrate S is led out from the leading portion So which is a portion different from the edge portion Sc of the plate S among the end face Se1 of the substrate S. [ The lead portion So is the entirety of the cross section Se1 excluding the corner portion Sc irradiated with the laser beam L among the cross section Se1 of the substrate S, for example. The brightness of the corner portion Sc and the brightness of the leading portion So that the laser beam L touches in the cross section Se1 of the substrate S become higher than the other portions of the substrate S. [
즉, 단면(Se1)은 레이저 광선(L)으로부터 산란광을 발생시킨다. 또한, 단면(Se1)에서 산란한 레이저 광선(L)의 적어도 일부가 촬상부(27)의 수광 소자에 의해서 수광됨에 따라, 단면(Se1)의 위치가 고명도의 위치로서 촬상부(27)에 파악된다. 촬상부(27)는 촬상부(27)의 수광면에 형성된 단면(Se1)의 광학 상을 전기 신호로 변환한다. 즉, 촬상부(27)는 촬상부(27)를 향하여 광을 사출하는 단면(Se1)을 촬상한다.That is, the section Se1 generates scattered light from the laser beam L. As the laser beam L scattered at the end face Se1 is received by the light receiving element of the
다시 말하면, 승강 핀(26a)이 기판(S)의 단면(Se1)을 목표 위치(P2)에 위치시킨다. 목표 위치(P2)는 챔버 본체(21)의 내부 공간 중에서 기판(S)이 상승 위치에 위치할 때에, 기판(S)의 단면(Se1)이 위치하는 영역이다. 이에 따라, 승강 핀(26a)은 기판(S)의 단면(Se1) 중에서 하나의 모서리부(Sc)에 설정된 피조사 위치(P3)와는 다른 위치에 설정되어 있는 도출 위치(P4)로부터 레이저 광선(L)을 도출시킨다. 도출 위치(P4)는 챔버 본체(21)의 내부 공간 중에서 기판(S)이 상승 위치에 위치할 때에, 단면(Se1) 중 도출부(So)가 위치하는 영역이다.In other words, the lift pins 26a place the end face Se1 of the substrate S at the target position P2. The target position P2 is a region where the end face Se1 of the substrate S is located when the substrate S is located at the raised position in the inner space of the chamber
도 4에 도시한 바와 같이, 레이저 광선(L)이 기판(S)의 내부를 투과하는 경로가 투과 경로(PP)이며, 촬상 범위를 포함하는 평면으로부터 촬상부(27)를 바라본 방향이 촬상 방향(Di)이다. 이 중에서, 투과 경로(PP)는 거의 수평 방향을 따라서 연장되는 방향이다. 한편, 촬상 방향(Di)은 거의 중력 방향에 따른 방향이다. 즉, 스퍼터 챔버(13)에서는 투과 경로(PP)와 촬상 방향(Di)이 거의 직교하고 있다.The path through which the laser beam L passes through the inside of the substrate S is the transmission path PP and the direction from the plane including the image pickup range toward the
이로 인해, 투과 경로(PP)와 촬상 방향(Di)이 형성하는 각도가 보다 작은 구성과 비교하여, 기판(S)에서의 단면(Se1)의 광학 상이 기판(S)의 단면(Se1)과 거의 동등한 형상으로 촬상부(27)의 수광면에 형성된다. 이에 따라, 단면(Se1)의 상인 촬상 결과의 감시가 행하기 쉬워진다.The optical image of the end face Se1 in the substrate S is substantially aligned with the end face Se1 of the substrate S in comparison with the configuration in which the angle formed between the transmission path PP and the imaging direction Di is smaller And is formed on the light-receiving surface of the
조사구(29a)가 직경(D)을 가지고, 기판(S)이 두께(T)를 가질 때, 직경(D)은 두께(T)보다도 크다. 이에 따라, 조사구(29a)의 직경(D)이 기판(S)의 두께(T) 이하인 구성과 비교하여, 레이저 광선(L)이 단면(Se1)에 있어서의 두께 방향의 전체에 닿기 쉽다. 이로 인하여, 기판(S)의 단면(Se1)으로부터 기판(S)의 내부에 도입되는 레이저 광선(L)의 광량이 커지기 때문에, 기판(S)의 도출부(So)로부터 기판(S)의 외부에 도출되는 레이저 광선(L)의 광량도 커진다.When the
여기서, 플랫 패널 디스플레이 등의 표시 장치의 경량화나 박형화가 진행됨에 따라서, 표시 장치에 이용되는 기판의 박형화도 진행되고 있다. 또한, 최근에는 두께(T)가 1㎜에 미치지 않는 기판(S)도 표시 장치를 구성하는 기판(S)으로서 이용되고 있다. 기판(S)의 두께(T)가, 예를 들면, 0.1㎜ 이상 0.7㎜ 이하일 때, 직경(D)은 1㎜ 이상인 것이 바람직하며, 3㎜ 이상인 것이 보다 바람직하고, 5㎜ 이상인 것이 더욱 바람직하다.Here, as the display device such as a flat panel display is made lighter and thinner, the thickness of the substrate used in the display device is also progressing. In addition, in recent years, a substrate S having a thickness T of less than 1 mm is used as a substrate S constituting a display device. When the thickness T of the substrate S is, for example, 0.1 mm or more and 0.7 mm or less, the diameter D is preferably 1 mm or more, more preferably 3 mm or more, and further preferably 5 mm or more .
승강 핀(26a)은 기판(S)을 상승 위치에 유지할 때, 중력 방향에서 기판(S)의 단면(Se1)을 레이저 조사부(29)의 조사구(29a)와 겹치는 위치에 배치한다. 승강 핀(26a)이 기판(S)을 상승 위치에 유지할 때, 중력 방향에서 기판(S)의 단면(Se1)을 레이저 조사부(29)의 조사구(29a)와 겹치는 위치에 배치하는 구성이라면, 레이저 조사부(29)는 기판(S)의 단면(Se1)에 대하여 거의 수직인 방향으로부터 레이저 광선(L)을 조사한다. 이에 따라, 기판(S)의 단면(Se1)에 의해 많은 레이저 광선(L)이 도입된다.The
상술한 구성이라면, 기판(S)의 표면 혹은 이면에 금속막이 형성되어 있는 구성이어도 금속막이 부착되어 있지 않거나, 금속막의 부착이 적은 기판(S)의 단면(Se1)으로부터 레이저 광선(L)을 기판(S)에 도입할 수 있기 때문에, 기판(S)의 내부에 대하여 보다 확실하게 레이저 광선(L)을 도입할 수 있다. 그 결과, 금속막을 가진 기판(S)이어도 기판(S)의 단면(Se1) 전체의 명도가 높아지기 쉽다.The laser beam L is irradiated from the end face Se1 of the substrate S on which the metal film is not attached or the adhesion of the metal film is small even if the metal film is formed on the front surface or back surface of the substrate S, It is possible to introduce the laser beam L into the substrate S more reliably. As a result, even in the case of the substrate S having a metal film, the brightness of the entire section Se1 of the substrate S tends to be high.
또한, 승강 핀(26a)은 기판(S)을 상승위치에 유지할 때, 중력 방향에서 기판(S)의 단면(Se1)을 레이저 조사부(29)의 조사구(29a)보다도 위에 배치해도 좋다. 혹은, 승강 핀(26a)은 기판(S)을 상승 위치에서 유지할 때, 중력 방향에서 기판(S)의 단면(Se1)을 레이저 조사부(29)의 조사구(29a) 이하의 위치에 배치해도 좋다.The
도 5에 도시한 바와 같이, 촬상부(27)는 소정의 촬상 범위(C)를 갖고 있다. 촬상부(27)는 기판(S)의 단면(Se1) 전체로서 레이저 광선(L)이 조사된 모서리부(Sc) 및 도출부(So)를 포함하는 영역인 고명도부(Sh)의 전체를 포함하는 부분이 촬상 범위(C)에 포함되도록, 레이저 광선(L)의 조사 대상인 조사 위치(P1)와는 다른 위치에 배치되어 있다. 즉, 촬상부(27)는 챔버 본체(21)의 내부 공간 중에서 피조사 위치(P3)와 도출 위치(P4)로 구성되는 고명도 위치(P5)의 전체가 촬상 범위(C)에 포함되도록 배치되어 있다. 다시 말하면, 중력 방향에서 촬상부(27)의 위치와 기판(S)이 재치되는 기판 스테이지(24)의 위치는 촬상부(27)의 촬상 범위(C)에 기판(S)의 단면(Se1) 전체가 포함될 정도로 떨어져 있다.As shown in Fig. 5, the
스퍼터Sputter 장치의 전기적 구성 Electrical configuration of the device
도 6을 참조하여 스퍼터 장치(10)의 전기적 구성을 설명한다. 이하에서는, 스퍼터 장치(10)의 전기적 구성 중에서 촬상부(27)에 의한 촬상, 레이저 조사부(29)에 의한 레이저 광선(L)의 조사 및 기판(S)의 감시에 관련되는 부분에 대해서만 설명한다.The electrical configuration of the
스퍼터 장치(10)는 스퍼터 장치(10)의 구동을 제어하는 제어부(40)를 구비하고 있다. 제어부(40)는, 반송 로봇(15), 자세 변경부(25), 승강 기구(26b), 촬상부(27), 클램프(28) 및 레이저 조사부(29)에 각기 전기적으로 접속되어 있다. 제어부(40)는 반송 로봇(15), 자세 변경부(25), 승강 기구(26b) 및 클램프(28)의 구동을 제어하여, 스퍼터 장치(10)의 내부에서의 기판(S)의 위치를 변경한. 또한, 제어부(40)는 촬상부(27) 및 레이저 조사부(29)의 구동을 제어하여, 기판(S)의 단면(Se1)에서의 상태의 감시에 관련되는 동작을 수행하게 한다. 제어부(40)는 촬상부(27)가 제어부(40)를 향해 출력한 촬상 결과, 예를 들면, 화상을 취득한다.The
제어부(40)는 기억부(40a)와 감시부(31)를 포함한다. 기억부(40a)는 제어부(40)에 의하여 해석되는 프로그램으로서, 스퍼터 챔버(13) 내에서의 기판(S)의 감시 처리를 포함하는 성막 처리에 관한 프로그램을 기억하고 있다.The
제어부(40)가 성막 처리에 관한 프로그램을 해석하여 실행함으로써, 제어부(40)는 반송 로봇(15), 자세 변경부(25), 승강 기구(26b), 촬상부(27), 클램프(28) 및 레이저 조사부(29)를 각기 구동시키기 위한 신호나, 구동을 정지시키기 위한 신호를 출력한다. 또한, 반송 로봇(15), 자세 변경부(25), 승강 기구(26b), 촬상부(27) 및 레이저 조사부(29)는 각기 제어부(40)로부터의 신호를 받아 동작을 개시하거나 정지한다.The
감시부(31)는 촬상부(27)의 촬상 결과인 화상을 감시하고 있다. 감시부(31)는 화상에 기초하여 기판(S)의 단면(Se1)에 있어서의 균열이나 깨짐, 추가적으로 기판(S)의 단면(Se1)으로부터 내부를 향해 연장되는 금인 크랙 등의 손상이 형성되어 있는 지의 여부를 판단한다. 제어부(40)는 상술한 감시부(31)를 포함하고 있지만, 감시부(31)와는 별도로 스퍼터 장치(10)에 설치되어도 좋다. 레이저 조사부(29), 촬상부(27), 승강 핀(26a) 및 감시부(31)가 기판 감시 장치의 일 예를 구성하고 있다.The
또한, 제어부(40)는 스퍼터 챔버(13)에 있어서의 기판(S)의 위치에 관한 정보로서, 예를 들면, 반송 로봇(15)의 위치에 관한 정보와 승강 핀(26a)을 승강시키기 위한 모터의 회전수에 관한 정보를 취득해도 좋다.The
전술한 구성에 있어서, 제어부(40)는 취득한 정보로부터 기판(S)의 위치가 상승 위치라고 판단할 때, 레이저 조사부(29)에 레이저 광선(L)의 조사를 개시시키기 위한 신호를 생성하여 레이저 조사부(29)를 향하여 출력하고, 제어부(40)로부터의 신호를 취득한 레이저 조사부(29)가 레이저 광선(L)의 조사를 개시한다. 또한, 제어부(40)는 촬상부(27)에 촬상시키기 위한 신호를 생성하여 촬상부(27)를 향하여 출력하고, 제어부(40)로부터의 신호를 취득한 촬상부(27)가 촬상 범위(C)에 포함되는 기판(S)을 촬상한다.The
기판 감시 방법Substrate monitoring method
도 7 및 도 8을 참조하여 기판 감시 방법을 설명한다.The substrate monitoring method will be described with reference to Figs. 7 and 8. Fig.
도 7에 도시한 바와 같이, 기판 감시 방법은 조사 공정(단계 S11), 촬상 공정(단계 S12) 및 감시 공정(단계 S13)을 구비하고 있다. 조사 공정에서는, 레이저 조사부(29)가 기판(S)의 하나의 모서리부(Sc)에 레이저 광선(L)을 조사하며, 레이저 광선(L)이 닿은 모서리부(Sc)로부터 기판(S)의 내부에 레이저 광선(L)의 적어도 일부가 도입된다. 이에 따라, 기판(S)의 단면(Se1) 중에서 레이저 광선(L)이 닿는 모서리부(Sc)의 명도와 기판(S)에 도입된 레이저 광선(L)을 도출하는 도출부(So)의 명도가 기판(S)의 다른 부분보다도 높아진다.As shown in Fig. 7, the substrate monitoring method includes an irradiation step (step S11), an imaging step (step S12), and a monitoring step (step S13). In the irradiation step, the
촬상 공정에서는, 촬상부(27)가 기판(S)의 단면(Se1) 전체를 촬상한다.In the imaging step, the
감시 공정에서는, 감시부(31)가 촬상부(27)의 촬상 결과를 감시한다. 감시부(31)는, 예를 들면, 촬상부(27)의 촬상 결과이기도 한 화상에 있어서, 서로 평행한 복수의 검출용 라인들로서 기판(S)의 단면(Se1)을 횡단하는 검출용 라인을 설정하며, 각 검출용 라인 상에서 다른 부분보다도 명도가 높은 부분의 위치를 검출한다. 감시부(31)는 이에 따라 얻어진 명도가 높은 부분의 위치 정보를 감시 대상으로 하고 있는 기판(S)의 외연, 즉 검출용 라인 상에서의 기판(S) 단면(Se1)의 위치정보로서 취급한다.In the monitoring process, the
여기서, 감시부(31)는 감시부(31)가 기판(S)의 단면(Se1)의 상태를 감시하면서, 촬상 범위의 일부로서 화상 처리의 범위를 설정하며, 화상처리의 범위 내에 미리 단면(Se1)에 있어서의 손상의 검출에 있어서 기준이 되는 2줄의 기준 라인들을 갖고 있다. 배치부에 의해 유지되는 기판(S)의 외연이 2줄의 기준 라인들의 사이에 포함되도록 화상 처리의 범위 내에서의 각 기준 라인의 위치나, 2줄의 기준 라인 들 사이의 폭인 설치 폭이 미리 설정되어 있다. 또한, 감시부(31)는 이들 2줄의 기준 라인들에 의해 끼워지는 영역 내에 각 검출 라인 상에서 검출된 명도가 높은 위치가 소정의 수 이상 들어 있지 않은 경우에 균열이나 깨짐 등의 손상이 기판(S)의 단면(Se1)에 형성되어 있는 것으로 판단한다.Here, the
또한, 감시부(31)는 기준이 되는 외연의 형상으로 둘러싸이는 위치로서, 또한 외연의 형상으로부터 소정의 거리만큼 떨어진 위치에 명도가 높은 부분이 위치할 때, 기판(S)의 단면(Se1)으로부터 기판(S)의 내부를 향하여 크랙이 형성되어 있는 것으로 판단한다.The
또한, 상술한 스퍼터 장치(10)에 있어서, 기판 감시 방법이, 예를 들면, 다음과 같은 순서로 수행된다.In the above-described
즉, 도 8에 도시한 바와 같이, 제1 조사 공정(단계 S21), 제1 촬상 공정(단계 S22), 성막 공정(단계 S23), 제2 조사 공정(단계 S24) 및 제2 촬상 공정(단계 S25)이 순서대로 실시된다. 또한, 제1 조사 공정이 개시되기 전에, 제어부(40)가 반송 로봇(15)에 기판(S)을 반송 챔버(11)로부터 스퍼터 챔버(13)에 반입시킨다.8, the first irradiation step (step S21), the first imaging step (step S22), the film formation step (step S23), the second irradiation step (step S24), and the second imaging step S25) are performed in this order. Before the first irradiation step is started, the
또한, 제1 조사공정이 개시되기 전에, 제어부(40)가 승강 기구(26b)에 승강 핀(26a)을 상승시킨다. 그리고, 승강 핀(26a)의 선단부가 기판(S)의 이면에 접촉하고 반송 로봇(15)에 기판(S)을 승강 핀(26a)에 전달시켜, 스퍼터 챔버(13)의 외부에 이동시킨다. 이에 따라, 제어부(40)는 승강 핀(26a)에 기판(S)을 상승 위치에서 유지시킨다.Further, before the first irradiation step is started, the
또한, 제1 조사 공정에서는, 제어부(40)가 레이저 조사부(29)에 레이저 광선(L)의 조사를 개시시키고, 레이저 광선(L)이 기판(S)의 하나의 모서리부(Sc)에 닿는다. 이에 따라, 기판(S)의 내부에 레이저 광선(L)이 도입됨으로써 기판(S)의 도출부(So)로부터 레이저 광선(L)이 도출된다. 그 결과, 기판(S)의 단면(Se1)의 명도가 기판(S)의 다른 부분 및 승강 핀(26a)의 명도보다도 높아진다.In the first irradiation step, the
이어서, 제1 촬상 공정에서는, 제어부(40)가 촬상부(27)에 기판(S)의 단면(Se1) 전체를 촬상시킨다. 또한, 촬상부(27)에 의한 단면(Se1)의 촬상이 종료되면, 제어부(40)는 레이저 조사부(29)에 레이저 광선(L)의 조사를 종료시킨다. 이때, 예를 들면, 제어부(40)가 촬상부(27)의 촬상 결과를 취득함으로써, 촬상부(27)에 의한 촬상의 종료를 판단하고, 레이저 조사부(29)가 레이저 광선(L)의 조사를 종료하기 위한 신호를 생성하여 레이저 조사부(29)를 향하여 출력해도 좋다.Subsequently, in the first imaging step, the
성막 공정에서는, 우선 제어부(40)가 승강 기구(26b)에 승강 핀(26a)을 하강시켜 기판(S)을 기판 스테이지(24)의 재치면(24a)에 재치한다. 이어서, 제어부(40)가 클램프(28)를 퇴피 위치로부터 고정 위치로 이동시켜 기판(S)을 재치면(24a)에 고정한다. 기판(S)이 클램프(28)에 의하여 고정되면, 제어부(40)는 자세 변경부(25)에 기판 스테이지(24)의 자세를 수평 자세에서 기립 자세로 변경하게 한다.In the film forming process, first, the
또한, 자세 변경부(25)가 기판 스테이지(24)의 자세를 기립 자세로 유지한 상태에서 타겟(23)이 스퍼터됨에 따라 기판(S)의 표면에 막이 형성된다. 막의 형성이 종료되면, 자세 변경부(25)가 기판 스테이지(24)의 자세를 기립 자세에서 수평 자세로 변경하고, 클램프(28)가 고정 위치로부터 퇴피 위치로 이동한다.A film is formed on the surface of the substrate S as the target 23 is sputtered while the
이어서, 제2 조사공정이 개시되기 전으로서, 성막 공정과 제2 조사 공정의 사이에서는 제어부(40)가 승강 기구(26b)에 승강 핀(26a)을 상승시킨다. 이에 따라, 승강 핀(26a)이 기판(S)을 상승 위치에 유지한다. 또한, 제2 조사 공정에 있어서, 제어부(40)가 레이저 조사부(29)에 레이저 광선(L)의 조사를 개시시키고, 레이저 광선(L)이 기판(S)의 하나의 모서리부(Sc)에 닿는다.Then, before the second irradiation step is started, between the film formation step and the second irradiation step, the
그 후, 제2 촬상 공정에 있어서, 제어부(40)가 촬상부(27)에 기판(S)의 단면(Se1) 전체를 촬상시킨다. 또한, 촬상부(27)에 의한 단면(Se1)의 촬상이 종료되면, 제어부(40)는 레이저 조사부(29)에 레이저 광선(L)의 조사를 종료시킨다.Thereafter, in the second imaging step, the
또한, 레이저 광선(L)의 조사가 종료되면, 제어부(40)는 반송 로봇(15)에 반송 챔버(11)로부터 스퍼터 챔버(13)의 내부에 도입시키고, 승강 핀(26a)으로부터 성막후의 기판(S)을 수취하게 한다. 그리고, 제어부(40)는 반송 로봇(15)에 성막 후의 기판(S)을 스퍼터 챔버(13)로부터 반출시킨다.When the irradiation of the laser beam L is completed, the
또한, 감시 공정은, 예를 들면, 다음의 타이밍으로 실시된다. 감시 공정은 제1 촬상 공정에서의 처리가 행해지고 나서, 기판 스테이지(24)의 자세가 기립 자세로 변경되기 전까지의 사이에 수행된다. 그리고, 감시부(31)가 기판(S)에 손상이 형성되어 있다고 판단할 때에는 제어부(40)는 성막 공정 이후의 처리를 중지하는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 손상을 가진 기판(S)으로의 성막이 행해지지 않기 때문에 타겟(23)의 쓸모없는 소비를 억제할 수 있다.Further, the monitoring process is performed at, for example, the following timing. The monitoring process is performed during the period from when the process in the first imaging process is performed until the posture of the
또한, 손상을 가진 기판(S)으로 성막이 행해진 경우에는, 기판(S)의 균열이나 깨짐을 향하여 비행한 성막종이 기판 스테이지(24)의 재치면(24a)에 부착한다. 그리고, 기판 스테이지(24)에 부착한 막이 벗겨짐으로써, 스퍼터 챔버(13)의 내부에 파티클이 발생하게 된다. 이러한 관점에서, 본 발명의 실시예와 같이 기판(S)에 균열이나 깨짐이 발생하였을 때에, 성막 공정 이후의 처리가 중지되는 구성이라면 상술한 바와 같은 불필요한 영역에 막이 형성되는 것이 억제되기 때문에 스퍼터 챔버(13) 내에서 파티클이 발생하는 양을 적게 하는 일도 가능하다.When the film is formed on the damaged substrate S, the deposited film flying on the substrate S against cracking or cracking is attached to the
또한, 손상을 가지는 기판(S)이 기판 스테이지(24)의 자세가 바뀌는 것에 수반하여, 반송 로봇(15)에 의하여 회수할 수 없을 정도로 작은 복수의 단편들로 쪼개지는 것도 억제되기 때문에, 균열된 기판을 회수하기 위해 스퍼터 챔버(13)를 개방하는 빈도를 낮게 하는 일이 가능하다.In addition, since the damaged substrate S is prevented from being split into a plurality of fragments small enough to be unrecoverable by the
또한, 예를 들면, 감시 공정은 제2 촬상 공정에서의 처리가 수행되고 나서, 기판(S)이 스퍼터 챔버(13)로부터 반출되기 전까지의 사이에 행해진다.Further, for example, the monitoring step is carried out after the processing in the second imaging step is performed, and before the substrate S is taken out of the
여기서, 스퍼터 장치(10)가 두 개의 스퍼터 챔버(13)들에서 서로 다른 막들을 형성하는 구성으로서, 또한 첫 번째 스퍼터 챔버(13)에서 기판(S)에 대하여 성막을 행한 후에 두 번째 스퍼터 챔버(13)에서 기판(S)에 대하여 성막을 행하는 구성이라면, 다음의 작용 및 효과를 얻을 수 있다.Here, as a configuration in which the
즉, 첫 번째 스퍼터 챔버(13)가 구비하는 감시부(31)가 기판(S)에 손상이 형성되어 있다고 판단했을 때에는, 제어부(40)는 첫 번째 스퍼터 챔버(13)로부터 두 번째 스퍼터 챔버(13)에 대한 반송을 중지하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 손상을 갖는 기판(S)이 두 번째 스퍼터 챔버(13)에 반송되는 것이 회피되며, 그 결과, 기판(S)이 반송 로봇(15)의 반송에 의하여 균열되는 것 및 두 번째 스퍼터 챔버(13)가 구비하는 타겟(23)이 쓸모없이 소비되는 일이 억제된다. 또한, 이러한 구성에 의하면, 첫 번째 스퍼터 챔버(13)와 반송 챔버(11) 사이의 게이트 밸브가 닫힌 상태에서 작업자가 첫 번째 스퍼터 챔버(13)를 대기에 개방함으로써, 손상을 가진 기판(S)을 회수할 수 있다.That is, when the
또한, 스퍼터 장치(10)가 두 개의 스퍼터 챔버(13)들에서 서로 같은 막을 형성하는 구성이라면, 다음의 작용 및 효과를 얻을 수 있다.Further, when the
즉, 한쪽의 스퍼터 챔버(13)가 구비하는 감시부(31)가 기판(S)에 손상이 형성되어 있다고 판단했을 때에는, 제어부(40)는 한쪽의 스퍼터 챔버(13)로부터 반송 챔버(11)에 대한 반송을 중지하는 것이 바람직하다. 추가적으로, 제어부(40)는 한쪽의 스퍼터 챔버(13)와 반송 챔버(11) 사이의 게이트 밸브가 닫힌 상태로 유지하며, 또한 한쪽의 스퍼터 챔버(13)에서의 기판(S)으로의 성막을 중지하고, 다른 쪽의 스퍼터 챔버(13)만을 이용하여 기판(S)에 대한 성막을 수행해도 좋다.That is, when the
또한, 제1 촬상 공정의 촬상 결과에 대한 감시 공정과 제2 촬상 공정의 촬상결과에 대한 감시 공정은 성막 후의 기판(S)이 스퍼터 챔버(13)로부터 반송된 후에 행해져도 좋다.The monitoring step for the imaging result of the first imaging step and the monitoring step for the imaging result of the second imaging step may be performed after the substrate S after film formation is conveyed from the
또한, 제1 촬상 공정과 제2 촬상 공정 중에서 어느 하나의 공정이 할애되어도 좋다. 여기서, 기판(S)의 손상은, 예를 들면, 기판(S)이 반송 챔버(11)를 통하여 스퍼터 챔버(13)에 반입되기까지의 사이에 형성되는 경우가 있다. 이로 인해, 촬상 공정이 1회만 행해지는 경우로서, 기판(S)에 막이 형성되기도 전에 형성된 손상을 검출하고 깊은 경우에는 성막 공정보다도 전에 촬상 공정이 행해지는 것이 바람직하다.Further, any one of the first imaging step and the second imaging step may be used. Here, the damage to the substrate S may be formed, for example, during the time when the substrate S is brought into the
또한, 예를 들면, 기판(S)의 손상은 캐소드(14)로부터 기판(S)으로의 입열에 의하여 성막 공정 동안에 형성되는 경우가 있다. 이로 인해, 촬상 공정이 1회만 행해지는 경우로서, 성막 공정 중에 기판(S)에 형성된 손상을 검출하고 싶은 경우에는 성막 공정보다도 나중에 촬상 공정이 행해지는 것이 바람직하다.Further, for example, the damage of the substrate S may be formed during the film forming process by heat input from the
또한, 레이저 조사부(29)에 의한 레이저 광선(L)의 조사는 제1 조사 공정에서 개시되고 나서, 제2 촬상 공정이 끝날 때까지의 기간 내내 계속되어도 좋다. 이 경우, 성막 공정 전에 레이저 광선의 조사를 종료하기 위한 처리와 제2 조사 공정에서의 처리가 할애되면 좋다. 혹은, 레이저 광선(L)의 조사는 기판(S)이 스퍼터 챔버(13)에 반입되기도 전의 시점에서 개시되며, 또한 복수의 기판(S)들이 스퍼터 챔버(13)의 내부에서 처리되는 기간 내내 계속되어도 좋다. 이 경우, 제1 조사 공정에서의 처리 및 제2 조사 공정에서의 처리가 할애되어도 좋다.The irradiation of the laser beam L by the
스퍼터Sputter 장치의 작용 Action of the device
도 9를 참조하여 스퍼터 장치(10)의 작용을 설명한다.The operation of the
스퍼터 챔버(13)에 있어서, 촬상부(27)가 레이저 광선(L)의 조사 대상인 조사 위치(P1)와는 다른 부위에 위치하고 있다. 이에 따라, 기판(S) 중에서 균열이나 깨짐 등의 손상이 형성되는 부분인 기판(S)의 단면(Se1)의 적어도 일부를 촬상할 수 있다. 또한, 피조사 위치(P3)와 도출 위치(P4)를 포함하는 고명도 위치(P5)에서는 레이저 조사부(29)의 조사에 의하여 다른 위치보다도 명도가 높아져 있기 때문에, 촬상부(27)가 촬상한 화상에는 고명도 위치(P5)에 위치하는 기판의 단면(Se1)의 상태가 얻어진다. 즉, 레이저 광선(L)의 조사에 의하여 촬상부(27)에 비추어진 단면(Se1)의 광학 상이 촬상부(27)가 촬상한 화상에 얻어진다. 그 결과로 레이저 조사부(29)의 위치에 대하여 촬상부(27) 위치의 자유도를 높인 상태에서 기판(S)의 단면(Se1)을 감시할 수 있다.In the
도 9에 도시한 바와 같이, 레이저 조사부(29)가 조사한 레이저 광선(L)은 기판(S)의 하나의 모서리부(Sc)로부터 기판(S)의 내부에 도입된다. 이로 인해, 레이저 광선(L)에 포함되는 광 중에서 기판(S)의 내부에 도입된 레이저 광선(L1, L2, L3)들 각각은 기판(S)에 도입되었을 때에 단면(Se1)과 형성하는 각도에 따라서 기판(S)의 내부에서 반사한다. 한편, 레이저 광선(L)이 단면(Se1) 중에서 모서리부(Sc)와는 다른 부분에 대하여 기판(S)의 단면(Se1)과 거의 수직인 방향으로부터 비추어졌을 때, 기판(S)에 도입된 레이저 광선(L)은 기판(S)의 내부에서 거의 반사되지 않는다. 이러한 구성에서는, 촬상부(27)에서 촬상된 화상에 있어서, 기판(S)의 단면(Se1) 전체가 인식되는 것이 가능한 상태이기 위해서는 스퍼터 장치(10)가 복수의 조사부들을 구비할 필요가 있다. 또한, 복수의 조사부들이 기판(S)의 단면(Se1)을 향하여 레이저 광선을 동시에 조사함으로써, 단면(Se1) 전체의 명도가 높아지도록 해야 한다.The laser beam L irradiated by the
이에 비하여, 본 발명의 실시예에서의 레이저 조사부(29)에 의하면, 기판(S)에 도입된 광이 기판(S)의 내부에서 반사되어 기판(S)에서의 보다 넓은 영역으로 확산되기 쉽다. 이로 인해, 기판(S)의 단면(Se1) 중에서 기판(S)의 내부에 입사한 광을 도출하는 도출부(So)의 영역이 커진다. 그 결과, 기판(S)의 단면(Se1) 중에서 레이저 광선(L)이 닿는 부분 이외의 모든 부분을 도출부(So)로 하면서 레이저 조사부(29)의 수를 줄일 수 있다.On the other hand, according to the
도 10에 도시한 바와 같이, 기판(S)이 광 투과성을 갖기 때문에, 기판(S)에 닿은 레이저 광선(L)은 기판(S)의 내부에 도입되고, 기판(S)의 내부에 도입된 레이저 광선(L)은 단면(Se1)에 포함되는 도출부(So)로부터 도출된다. 단면(Se1)은 단면(Se1)으로부터 도출되는 레이저 광선(L)을 산란시킬 정도의 면 조도를 갖고 있다. 이로 인해, 단면(Se1)으로부터 레이저 광선(L)이 도출될 때, 단면(Se1)에 있어서 레이저 광선(L)이 산란된다. 이에 따라, 단면(Se1)에 있어서 산란된 레이저 광선(L)에 의하여 기판(S)의 단면(Se1)에 있어서의 명도가 높여진다. 또한, 레이저 광선(L)이 단면(Se1)에 있어서 산란되지 않는 구성과 비교하여, 단면(Se1)으로부터 도출되는 레이저 광선(L)의 사출각의 범위가 커진다. 10, since the substrate S has optical transparency, the laser beam L that is in contact with the substrate S is introduced into the inside of the substrate S, and is introduced into the inside of the substrate S The laser beam L is led out from the leading portion So included in the cross section Se1. The section Se1 has a surface roughness enough to scatter the laser beam L derived from the section Se1. As a result, when the laser beam L is derived from the section Se1, the laser beam L is scattered at the section Se1. As a result, the brightness of the end face Se1 of the substrate S is increased by the laser beam L scattered at the end face Se1. In addition, as compared with a configuration in which the laser beam L is not scattered at the end face Se1, the range of the exit angle of the laser beam L derived from the end face Se1 becomes large.
앞서 설명한 바와 같이, 기판 감시 장치 및 기판 감시 방법의 제1 실시예에 의하면 다음에 열거하는 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the first embodiment of the substrate monitoring apparatus and the substrate monitoring method, the following effects can be obtained.
(1) 레이저 조사부(29)의 위치에 대한 촬상부(27) 위치의 자유도가 높여진 상태에서 기판(S)의 단면(Se1)의 상태를 감시할 수 있다.(1) The state of the end face Se1 of the substrate S can be monitored in a state in which the degree of freedom of the position of the
(2) 레이저 조사부(29)가 점 광원이기 때문에, 기판(S)에 있어서의 단면(Se1)의 명도와 기판(S)에 있어서의 다른 부분의 명도나 승강 핀(26a)의 명도와의 차이가 커진다.(2) Since the
(3) 기판(S)의 모서리부(Sc)에 레이저 광선(L)이 닿기 때문에, 기판(S)에 도입된 레이저 광선(L)이 기판(S)의 내부에서 반사하여 기판(S)에 있어서의 보다 넓은 영역에 확장되기 쉽다. 이에 따라, 기판(S)의 단면(Se1) 중에서 도출부(So)가 차지하는 비율이 커진다.(3) Since the laser beam L comes into contact with the edge portion Sc of the substrate S, the laser beam L introduced into the substrate S is reflected inside the substrate S, It is likely to expand to a wider area of the image. As a result, the proportion of the outgoing portion So in the cross section Se1 of the substrate S is increased.
(4) 레이저 광선(L)이 단면(Se1)에 있어서의 두께 방향의 전체에 닿기 쉽다. 이에 따라, 기판(S)의 단면(Se1)으로부터 기판(S)의 내부에 도입되는 광량이 커지기 때문에, 기판(S)의 도출부(So)로부터 기판(S)의 외부에 도출되는 레이저 광선(L)의 광량도 커진다.(4) The laser beam L tends to touch the whole of the cross section Se1 in the thickness direction. As a result, the amount of light introduced into the substrate S from the end face Se1 of the substrate S becomes large, so that the amount of the laser beam L becomes large.
(5) 레이저 광선(L)이 기판(S) 내에서 반사되어 기판(S)의 단면(Se1)에까지 기판(S)의 내부를 투과하기 때문에, 기판(S)의 단면(Se1)의 상을 형성할 수 있다.(5) Since the laser beam L is reflected in the substrate S and passes through the inside of the substrate S to the end face Se1 of the substrate S, .
(6) 투과 경로(PP)와 촬상 방향(Di)이 형성하는 각도가 보다 작은 구성과 비교하여, 기판(S)에 있어서의 단면(Se1)의 상이 기판(S)의 단면(Se1)과 거의 동등한 형상으로 촬상부(27)의 수광면에 형성된다. 이에 따라, 촬상 결과의 감시가 행하기 쉬워진다.(6) As compared with the configuration in which the angle formed between the transmission path PP and the imaging direction Di is smaller, the image of the section Se1 on the substrate S is almost equal to the sectional surface Se1 of the substrate S And is formed on the light-receiving surface of the
제1 1st 실시예의Example 변형예Variation example
또한, 상술한 실시예는 다음과 같이 적절하게 변경하여 실시할 수도 있다.The above-described embodiment may be modified as appropriate as follows.
촬상 공정의 In the imaging process 변형예Variation example
제1 1st 변형예Variation example
·촬상 공정에 있어서, 촬상부(27)는 상승 위치로부터 재치 위치를 향하여 이동하고 있는 기판(S)을 촬상해도 좋고, 재치 위치로부터 상승 위치를 향하여 이동하고 있는 기판(S)을 촬상해도 좋다.In the imaging process, the
도 11을 참조하여, 촬상부(27)가 상승 위치로부터 재치 위치를 향하여 이동하고 있는 기판(S)을 촬상하는 촬상 공정을 설명한다. 또한, 재치 위치로부터 상승 위치를 향하여 이동하고 있는 기판(S)을 촬상하는 공정은 상승 위치로부터 재치 위치를 향하여 이동하고 있는 기판(S)을 촬상하는 공정과 비교하여, 중력 방향에서 기판(S)이 이동하는 방향이 다르지만, 촬상부(27)의 동작 및 레이저 조사부(29)의 동작은 공통되어 있다. 이에 따라, 촬상부(27)가 재치 위치로부터 상승 위치로 이동하고 있는 기판(S)을 촬상하는 공정의 설명을 생략한다.11, an image pickup process for picking up an image of the substrate S moving by the
도 11에 도시한 바와 같이, 챔버 본체(21)에 대한 위치가 고정된 레이저 조사부(29)가 조사하는 레이저 광선(L)의 광축(La)에 대하여 승강 핀(26a)이 상승 위치로부터 재치 위치를 향하여 중력 방향을 따라서 이동하고 있다. 이때, 기판(S)은, 예를 들면, 중력 방향에서의 위쪽부터 순서대로 제1 위치, 제2 위치 및 제3 위치에 위치한다.The
이하서는, 제1 위치에 위치하는 기판(S)을 기판(S1)이라고 부르고, 제2 위치에 위치하는 기판(S)을 기판(S2)이라고 부르며, 제3 위치에 위치하는 기판(S)을 기판(S3)이라고 부른다. 또한, 기판(S)의 이동 시에는 기판(S)이, 예를 들면, 중력 방향에서 복수의 승강 핀(26a)들의 각각의 선단부와 다른 위치에서 접하는 경우가 있다. 이 경우, 기판(S)은 레이저 광선(L)의 광축(La)에 대하여 기울기를 가지고 배치되어 있다. 즉, 기판(S)의 단면(Se1)에 대하여 레이저 광선(L)의 광축(La)이 기울기를 가지기 때문에, 레이저 광선(L)은 기판(S)의 단면(Se1)에 대하여 수직으로 도입되기 어려운 상태이다.Hereinafter, the substrate S positioned at the first position is referred to as a substrate S1, the substrate S positioned at the second position is referred to as a substrate S2, and the substrate S positioned at the third position is referred to as a substrate Is referred to as a substrate S3. Further, when the substrate S is moved, the substrate S may be in contact with, for example, the other end of each of the plurality of
이와 같은 상태에서, 기판(S)이 제2 위치까지 하강했을 때, 처음으로 기판(S)의 단면(Se1)에 레이저 광선(L)이 도입된다. 다음에, 기판(S)이 제3 위치까지 하강했을 때에는 레이저 광선(L)이 기판(S3)의 단면(Se1)에는 조사되지 않는 한편, 기판(S)의 표면 일부에 조사된다.In this state, when the substrate S is lowered to the second position, the laser beam L is introduced to the end face Se1 of the substrate S for the first time. Next, when the substrate S is lowered to the third position, the laser beam L is irradiated on a part of the surface of the substrate S while being not irradiated on the end face Se1 of the substrate S3.
또한, 승강 핀(26a)이 상승 위치로부터 재치 위치를 향하여 중력 방향을 따라 기판(S)을 이동시키고 있을 때, 촬상부(27)는 기판(S1), 기판(S2) 및 기판(S3)을 촬상한다.The
또한, 이러한 구성에서는, 예를 들면, 제어부(40)가 촬상부(27)의 동작을 아래와 같이 제어하면 된다. 즉, 제어부(40)는 중력 방향에서의 기판(S)의 위치에 관한 정보로서 승강 핀(26a)을 승강시키기 위한 모터의 회전수에 관한 정보를 취득한다. 그리고, 제어부(40)는 취득한 정보로부터 기판(S)의 위치가 제1 위치, 제2 위치 및 제3 위치 중에서 어느 하나라고 판단할 때, 촬상부(27)에 촬상시키기 위한 신호를 생성하여 촬상부(27)를 향하여 출력한다. 이어서, 제어부(40)로부터의 신호를 취득한 촬상부(27)가 촬상 범위(C)에 포함되는 기판(S)을 촬상한다.In this configuration, for example, the
또한, 제어부(40)는 승강 핀(26a)을 승강시키기 위한 모터가 동작하고 있는 기간 내내 촬상부(27)에 촬상시키기 위한 신호를 소정의 시간 간격으로 복수 회 생성하여 촬상부(27)를 향하여 출력하고, 촬상부(27)가 촬상 범위(C)에 포함되는 기판(S)을 촬상해도 좋다. 촬상부(27)가 소정의 시간 간격으로 복수 회 촬상함으로써, 촬상부(27)가 촬상한 복수의 화상들에는 기판(S1)을 포함하는 화상, 기판(S2)을 포함하는 화상 및 기판(S3)을 포함하는 화상이 포함된다.The
여기에서, 기판(S)이 제1 위치에 배치되었을 때, 기판(S1)에는 레이저 광선(L)이 조사되지 않기 때문에, 촬상된 화상을 이용하여 상술한 검출용 라인 상에 서의 기판(S) 단면(Se1)의 위치 정보를 얻을 수는 없다.Here, when the substrate S is disposed at the first position, since the laser beam L is not irradiated on the substrate S1, the image of the substrate S ) Position information of the section Se1 can not be obtained.
다음으로, 기판(S)이 제2 위치에 배치될 때, 기판(S2)의 단면(Se1)에 대하여 레이저 광선(L)의 광축(La)이 기울어진 상태에서 조사되기 때문에, 레이저 광선(L)이 단면(Se1)에 대하여 거의 수직으로 조사되는 경우와 비교하여, 기판(S2)의 내부에 도입되는 레이저 광선(L)의 양이 작아질 가능성이 있다. 이 경우, 기판(S2)의 단면(Se1) 중에서 레이저 광선(L)이 도출되는 도출부(So)의 영역이 작아지거나, 도출부(So)의 명도가 작아지는 부분이 발생하며, 기판(S2)의 단면(Se1) 전체에 있어서 검출용 라인 상에서의 단면(Se1)의 위치 정보를 얻는 일이 어려워지는 경우가 있다.Next, when the substrate S is placed at the second position, since the optical axis La of the laser beam L is irradiated with the optical axis La inclined with respect to the cross section Se1 of the substrate S2, the laser beam L The amount of the laser beam L introduced into the substrate S2 may be smaller than in the case where the laser beam L is irradiated almost perpendicularly to the end face Se1. In this case, a region where the laser beam L is led out from the end face Se1 of the substrate S2 becomes small, or a portion where the brightness of the leading portion So becomes small occurs, and the substrate S2 It is sometimes difficult to obtain the positional information of the end face Se1 on the detection line in the entire section Se1 of the projection optical system.
또한, 기판(S)이 제3 위치에 배치되는 경우에도 레이저 광선(L)은 상술한 바와 같이 기판(S3)의 단면(Se1)으로부터 벗어난 위치에 조사되기 때문에, 상술한 기판(S2)의 경우와 마찬가지로 기판(S3)의 내부에 도입되는 레이저 광선(L)의 양은 작아진다. 그렇지만, 이 경우에도 기판(S3)의 표면 일부에 조사된 레이저 광선(L)이 기판(S3)의 내부에 도입됨으로써, 기판(S3)의 단면(Se1)에 적잖이 도출부(So)가 얻어지는 경우가 있다.Even when the substrate S is disposed at the third position, since the laser beam L is irradiated at a position deviating from the end face Se1 of the substrate S3 as described above, in the case of the substrate S2 described above The amount of the laser beam L introduced into the substrate S3 becomes small. In this case, however, the laser beam L irradiated on a part of the surface of the substrate S3 is introduced into the substrate S3, so that a small lead portion So is obtained in the end face Se1 of the substrate S3 .
따라서, 감시부(31)는 기판(S1)을 촬상한 촬상 결과, 기판(S2)을 촬상한 촬상 결과 및 기판(S3)을 촬상한 촬상 결과를 합성하여, 각각의 촬상 결과에서 기판(S)의 단면(Se1) 전체에 대하여 부족한 부분을 보충함으로써, 기판(S)의 단면(Se1) 전체에서 검출용 라인 상에서의 단면(Se1)의 위치 정보를 얻는다. 이에 따라, 기판(S)에 있어서의 손상의 유무를 판단하는 일이 가능해진다.Therefore, the
여기서, 기판(S)의 두께(T)는 상술한 바와 같이 1㎜에도 미치지 않는 두께인 경우가 있다. 이때, 승강 핀(26a)에 재치된 기판(S)은 승강 핀(26a)의 수나 승강 핀(26a)에 대한 기판(S)의 위치에 의하여 아래와 같은 상태인 경우가 있다. 즉, 기판(S)의 전체가 하나의 평면을 따른 상태인 것이나, 기판(S)의 외연부가 기판(S)의 중앙부와 비교하여 중력 방향에서의 아래쪽을 향하여 처져있는 것이나, 기판(S)의 중앙부가 다른 부분보다도 중력 방향의 위쪽을 향하여 돌출되어 있는 것이 있다. 이와 같은 경우에는, 기판(S)의 단면(Se1)은, 도 11에 도시한 바와 같이, 레이저 광선(L)의 광축(La)에 대하여 기울기를 가진 상태가 되게 된다. 이러한 관점에서, 촬상 공정으로서 중력 방향에 있어서 복수의 위치들에서 기판(S)을 촬상하는 공정을 채용하면 기판(S)에 있어서의 손상의 유무를 판단하는 일이 가능해진다.Here, the thickness T of the substrate S may be a thickness not exceeding 1 mm as described above. At this time, the substrate S placed on the
또한, 이와 같은 박판의 기판으로서 복수의 기판들에 대하여 연속하여 성막 처리가 행해지는 경우에는, 각 기판에서의 변형의 상태가 다른 나머지 기판에서의 변형의 상태와 서로 다를 가능성이 높다. 이로 인해, 레이저 광선(L)과 기판(S)의 촬상 위치가 일대일로 고정되면, 기판에서의 변형의 상태에 의해 기판(S)에 대하여 레이저 광선(L)이 도입되거나 도입되지 않거나 한다.Further, in the case where a film formation process is continuously performed on a plurality of substrates as such a thin plate substrate, there is a high possibility that the state of deformation in each substrate is different from the state of deformation in the other substrate. As a result, when the imaging positions of the laser beam L and the substrate S are fixed to one-to-one, the laser beam L is not introduced or introduced into the substrate S due to the state of deformation in the substrate.
이와 같은 경우에도, 중력 방향에의 복수의 위치들 각각에 있어서, 기판(S)을 촬상하는 촬상 공정을 채용함으로써, 기판(S)에 대하여 레이저 광선(L)이 도입된 기판을 촬상하는 기회를 늘리는 일이 가능해진다. 또한, 복수의 촬상 결과들의 각각에서 기판(S)의 단면(Se1) 전체에 대한 부족 부분을 복수의 촬상 결과들을 이용하여 보완함으로써, 기판(S)의 단면(Se1) 전체에서 검출용 라인 상에서의 단면(Se1)의 위치 정보를 얻을 수 있으며, 기판(S)에 있어서의 손상의 유무를 판단하는 일이 가능해진다.Even in such a case, by employing an imaging process of picking up the substrate S in each of a plurality of positions in the gravitational direction, it is possible to obtain an opportunity to pick up a substrate on which the laser beam L is introduced with respect to the substrate S It becomes possible to increase. In addition, by supplementing the deficient portion with respect to the entire section (Se1) of the substrate (S) in each of the plurality of imaging results by using a plurality of imaging results, It is possible to obtain the positional information of the cross section Se1, and it is possible to judge whether or not the substrate S is damaged.
·제1 변형예에서는, 촬상 공정에서, 기판(S)이 상승하는 동안 또는 하강하는 동안에 촬상부(27)가 복수의 위치들에 있어서의 기판(S)을 촬상하지만, 이에 한정되지 않으며, 제1 변형예는 다음과 같이 변경하여도 좋다. 즉, 촬상부(27)가 촬상하는 횟수는 1회로서 촬상부(27)의 촬상 시간, 다시 말하면 노광 시간을 기판(S)의 상승 개시부터 종료까지의 기간 또는 하강의 개시부터 종료까지의 기간으로 설정해도 좋다. 이에 따라, 촬상 시간 내에서 얻어지는 촬상 결과의 명도의 적산치 또는 최대치를 이용하여 명도가 높은 부분을 얻어 기판(S)의 단면(Se1) 전체에서 검출용 라인에 있어서의 단면(Se1)의 위치 정보를 얻는 것이 가능하다.In the first modification, in the imaging step, the
·제1 변형예에서는, 기판(S)이 재치 위치로부터 상승 위치로 이동하기까지의 기간 또는 상승 위치로부터 재치 위치로 이동하기까지의 기간에 감시부(31)가 기판(S)에 있어서의 손상 유무의 판단을 종료하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 기판(S)의 자세가 수평 자세로부터 기립 자세로 바뀌기 전 또는 기판(S)이 반송 로봇(15)에 의하여 반송되기 전에 기판(S)에 있어서의 손상의 유무가 판단된다. 이로 인해, 손상을 가지는 기판(S)이 기판(S)의 자세가 변경됨으로써 균열이 가거나, 반송 로봇(15)에 의하여 반송되는 일에 의해 균열이 가거나 하는 것이 억제된다.In the first modified example, the
·또한, 제1 실시예에 있어서의 촬상 공정과 제1 변형예에 있어서의 촬상 공정을 조합하여 실시하여도 좋다.The imaging process in the first embodiment and the imaging process in the first modification may be combined.
제2 Second 변형예Variation example
·촬상부(27)가 반송 로봇(15)에 의해 반송되어 있는 기판(S)을 촬상해도 좋다. 이러한 구성에서는, 예를 들면, 촬상부(27)의 촬상 범위(C)에는 스퍼터 챔버(13)의 반출입구(21a)가 포함된다. 또한, 촬상부(27)는 반출입구(21a)에 대한 반송 로봇(15), 예를 들면, 기판(S)의 반송 방향에 있어서의 반송 로봇(15)의 일단인 선단의 위치가 서로 다른 복수의 위치들 각각에 위치할 때에 기판(S)을 촬상한다.The
또한, 감시부(31)는 복수의 촬상 결과들을 이용하여 검출 라인에 있어서의 단면(Se1)의 위치 정보를 얻어 기판(S)에서의 손상의 유무를 판단한다.The
또한, 이러한 촬상 방법 및 촬상 방법을 실시하기 위한 구성은 상술한 실시예에서의 스퍼터 장치(10), 즉 멀티 챔버식의 스퍼터 장치에 한정되지 않으며, 기판(S)을 거의 중력 방향을 따라서 기립된 상태에서 기판(S)의 반송 및 기판(S)에 대한 처리를 수행하는 장치인 인라인형 장치에도 적용할 수 있다.The configuration for carrying out the imaging method and imaging method is not limited to the
다른 Other 변형예Variation example
·레이저 조사부(29)의 조사구(29a)의 직경(D)은 기판(S)의 두께 이하여도 좋다. 이러한 구성에 있어서도, 상술한 사항 (1) 내지 (3), (5) 및 (6)에 준하는 효과를 얻을 수 있다.The diameter D of the
·스퍼터 챔버(13)는 복수의 레이저 조사부(29)들을 구비해도 좋다. 이러한 구성에서는, 레이저 조사부(29)들의 숫자가 4개 이하일 때, 각 레이저 조사부(29)가 챔버 본체(21)의 네 귀퉁이들에 하나씩 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 승강 핀(26a)이 기판(S)의 4개의 모서리부(Sc)들을 각 레이저 조사부(29)의 피조사 위치(P3)에 배치하는 것이 바람직하다.The
·레이저 조사부(29)는 기판(S)의 단면(Se1) 중에서 기판(S)의 모서리부(Sc)와는 다른 부위에 레이저 광선(L)을 비추어도 좋다. 즉, 승강 핀(26a)이 기판(S)의 단면(Se1) 중에서 기판(S)의 모서리부(Sc)와는 다른 부위를 피조사 위치(P3)에 배치해도 좋다. 이러한 구성이라도, 상술한 사항 (1), (2) 및 (4) 내지 (6)에 준하는 효과를 얻을 수 있다.The
·레이저 조사부(29)는 선 광원이어도 좋다. 이러한 구성이라도, 상술한 사항 (1), (3) 및 (4) 내지 (6)에 준하는 효과를 얻을 수 있다.The
·기판(S)의 단면(Se1) 중에서 레이저 광선(L)이 닿는 모서리부(Sc)를 제외한 단면(Se1)의 일부가 도출부(So)여도 좋다. 이러한 구성에서는, 촬상부(27)가 기판(S) 중에서 레이저 광선(L)이 조사되는 모서리부(Sc)와 도출부(So)를 촬상하여도 좋다. 이에 따라, 촬상부(27)는 기판(S)의 단면(Se1) 중에서 적어도 촬상부(27)에 의해 촬상된 부분의 감시를 할 수는 있다.A part of the end face Se1 excluding the corner portion Sc at which the laser beam L touches the end face Se1 of the substrate S may be a lead portion So. In such a configuration, the
또한, 모서리부(Sc)를 제외한 단면(Se1)의 일부가 도출부(So)일 때에는 레이저 조사부(29)가 기판(S)의 단면(Se1) 중에서 레이저 광선(L)이 닿는 부위를 바꾸기 위한 위치 변경 기구를 구비하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 레이저 조사부(29)가 기판(S) 중에서 레이저 광선(L)이 닿는 부위를 바꿈으로써, 기판(S)의 단면(Se1) 내에 있어서 도출부(So)의 위치를 바꿀 수 있다. 또한, 촬상부(27)의 촬상 범위(C)가 기판(S)의 도출부(So)의 위치를 포함함으로써, 기판(S)의 단면(Se1) 전체를 명도가 높은 상태에서 촬상하는 것이 가능하게 된다.When the part of the cross section Se1 excluding the corner part Sc is the lead-out part So, the
또한, 모서리부(Sc)를 제외한 단면(Se1)의 모든 부분이 도출부(So)여도, 레이저 조사부(29)가 위치 변경 기구를 구비해도 좋다.The
·기판(S)은 사각형 형상 이외의 형상을 가져도 좋으며, 예를 들면, 원판 형상을 가져도 좋고, 기판(S)은 하나의 방향을 따라서 연장되는 띠 형상을 가져도 좋다. 이러한 구성이라도 상술한 사항 (1)에 준하는 효과를 얻는 것이 가능하다.The substrate S may have a shape other than a rectangular shape, for example, a disk shape, and the substrate S may have a strip shape extending along one direction. Even in such a configuration, it is possible to obtain effects equivalent to the above-mentioned item (1).
·촬상부(27)는 챔버 본체(21)의 상벽에 한정되지 않고, 챔버 본체(21) 중에서, 예를 들면, 측벽이나 하벽 등의 다른 위치에 배치되어도 좋다. 또한, 레이저 조사부(29)는 챔버 본체(21)의 네 귀퉁이들 중에서 어느 하나에 한정되지 않고, 챔버 본체(21) 중에서, 예를 들면, 측벽 등의 다른 위치에 배치되어도 좋다. 요점은 촬상부(27)가 고명도 위치(P5)에 배치된 단면(Se1)의 적어도 일부를 촬상 범위(C)에 포함하도록 배치되며, 또한 레이저 조사부(29)가 촬상부(27)와는 다른 위치를 향하여 레이저 광선(L)을 조사하는 구성을 만족시키고 있으면 좋다.The
·레이저 조사부(29)가 기판(S)에 레이저 광선(L)을 비출 때, 기판(S)의 자세는 기판 스테이지(24)에 의하여 유지되어도 좋다. 이러한 구성에서는, 기판 스테이지(24)가 배치부의 일 예이다. 다만, 기판 스테이지(24)는 재치면(24a)에 기판(S)의 이면이 접촉하고 있는 상태에서 기판(S)의 자세를 유지하기 때문에, 레이저 조사부(29)가 조사한 레이저 광선(L)이 기판 스테이지(24)에도 닿기 쉽다. 이에 따라, 기판(S)의 단면(Se1) 이외의 부분이 기판(Se)의 단면(Se1)과 같은 정도의 명도를 갖게 되기 때문에, 감시부(31)가 단면(Se1) 이외의 부분을 단면(Se1)으로서 잘못 인식하기 쉽다. 이러한 관점에서, 레이저 조사부(29)가 기판(S)에 레이저 광선(L)을 비출 때, 기판(S)의 자세가 기판 스테이지(24)의 재치면(24a)으로부터 떨어진 상태에서 승강 핀(26a)에 의하여 유지되는 것이 바람직하다.The posture of the substrate S may be held by the
·기판 스테이지(24)에 의하여 유지된 기판(S)에 레이저 조사부(29)가 레이저 광선(L)을 비출 때에는 기판 스테이지(24)의 자세는 수평 자세여도 좋고, 기립 자세여도 좋다. 즉, 레이저 조사부(29)는 거의 수평인 상태에서 기판 스테이지(24)에 유지된 기판(S)에 대하여 레이저 광선(L)을 비추도록 구성되어도 좋고, 거의 수직인 상태에서 기판 스테이지(24)에 유지된 기판(S)에 대하여 레이저 광선(L)을 비추도록 구성되어도 좋다.The posture of the
또한, 기판 스테이지(24)는 어느 구성에서도 촬상부(27)의 촬상 범위 내에 기판(S)을 배치하고 있으면 좋다. 더욱이, 레이저 조사부(29)가 촬상 범위 내에 배치된 기판(S)에 레이저 광선(L)을 비추고, 단면(Se1)에 있어서 레이저 광선(L)의 산란광을 발생시켜 단면(Se1)의 상을 촬상 결과로서 촬상부(27)의 수광면에 형성하도록 구성되어 있으면, 상술한 사항 (1)에 준하는 효과를 얻을 수 있다.The
·레이저 조사부(29)가 기판(S)에 레이저 광선(L)을 비출 때, 기판(S)의 자세는 반송 로봇(15)에 의하여 유지되어도 좋다. 이러한 구성에서는, 반송 로봇(15)이 배치부의 일 예이다. 다만, 반송 로봇(15)은 기판 스테이지(24)와 마찬가지로 기판(S)의 이면과 접촉한 상태에서 기판(S)의 자세를 유지한다. 이에 따라, 기판 스테이지(24)가 배치부인 경우와 마찬가지의 이유로 기판(S)의 자세는 승강 핀(26a)에 의하여 유지되는 것이 바람직하다.The posture of the substrate S may be held by the conveying
·촬상부(27)가 촬상하는 기능을 유지하는 것이 가능하다면, 촬상부(27)는 챔버 본체(21)의 내부에 배치되어도 좋다.The
·촬상부(27)와 기판 스테이지(24)와의 거리가 촬상부(27)의 촬상 범위(C)에 기판(S)의 단면(Se1)의 일부밖에 포함되지 않을 정도로 작을 때에는, 촬상부(27)는 촬상 범위(C)로부터 촬상부(27)에 대하여 광이 입사하는 방향인 촬상 방향과 기판(S)의 법선이 형성하는 각도인 촬상 각도를 바꿀 수 있는 각도 변경 기구를 구비하는 것이 바람직하다. 각도 변경 기구는, 예를 들면, 촬상 각도를 0°이상 90° 이하의 범위에서 변경하는 것이 가능한 구성이라면 좋다. 이러한 구성에 의하면, 촬상부(27)가 촬상 각도를 바꾸면서 기판(S)의 단면(Se1)을 촬상함으로써, 촬상부(27)가 기판(S)의 단면(Se1) 전체를 촬상할 수 있다.When the distance between the
·촬상부(27)는 상술한 각도 변경 기구를 대신하여 챔버 본체(21)에 대한 촬상부(27)의 위치를 바꿀 수 있는 위치 변경 기구를 구비하고 있어도 좋다. 위치 변경 기구가 촬상부(27)의 위치를 변경함으로써, 기판(S) 중에서 촬상부(27)의 촬상 범위(C)에 포함되는 부위를 바꿀 수 있다. 또한, 촬상부(27)는 촬상 각도를 변경하는 각도 변경 기구와 위치 변경 기구 양쪽을 구비하고 있어도 좋다.The
·레이저 조사부(29)는 레이저 광선(L)을 조사하는 기능을 유지하는 것이 가능하면, 챔버 본체(21)의 내부에 배치되어도 좋다.The
·감시부(31)는 다음에 설명하는 제1 방법에 의하여 기판(S)의 단면(Se1)이 손상을 가지는 지의 여부를 판단해도 좋다. 즉, 감시부(31)는 제1 실시예에서 설명한 기판 감시 방법에서, 각 검출 라인 상에서 얻어진 명도가 높은 부분의 위치 정보에 기초하여 기판(S)의 단면(Se1)을 따르는 근사 곡선을 일차함수, 즉 직선으로서 산출하고, 이를 기판(S)의 외연에 상당하는 근사 직선으로 설정한다. 또한, 감시부(31)는 이러한 근사 직선의 적어도 일부가 2줄의 기준 라인들에 의하여 끼워지는 영역 내에 들어있지 않은 경우에, 기판(S)의 단면(Se1)이 손상을 가진다고 판단한다.The
·추가적으로, 감시부(31)는 다음에 설명하는 제2 방법에 의하여 기판(S)의 단면(Se1)이 손상을 가지는 지의 여부를 판단해도 좋다. 즉, 감시부(31)는 상술한 기판(S)의 외연에 상당하는 근사 직선을 기준으로 근사 직선과 평행한 2줄의 기준 라인들로서 근사 직선과 직교하는 방향에서 근사 직선을 끼우는 2줄의 기준 라인들을 설정한다. 2줄의 기준 라인들은 제1 라인과 제2 라인으로 구성되고, 제1 라인과 제2 라인 각각은 근사 직선과 직교하는 방향에서 근사 직선으로부터 소정의 값으로 떨어져 있다.In addition, the
또한, 감시부(31)는 이들 2줄의 기준 라인들에 의하여 끼워지는 영역 내에 각 검출 라인 상에서 검출된 명도가 높은 위치가 소정의 숫자 이상 들어있지 않은 경우에 기판(S)의 단면(Se1)이 손상을 가진다고 판단한다.In addition, the
이러한 제2 방법은 기판(S) 외연의 위치가 촬상 범위 내, 특히 촬상 범위 내의 일부인 화상 처리의 범위 내에 있어서 불안정한 경우로서, 기준이 되는 기판의 외형의 위치에 대한 기판(S)의 위치 이탈이 기판(S)의 단면(Se1)이 손상을 가진다고 판단하기 위한 이탈과 같은 정도로 커지는 경우에 유효하다.This second method is a case in which the position of the outer edge of the substrate S is unstable within the imaging range, particularly within the image processing range which is a part of the imaging range, and the positional deviation of the substrate S with respect to the position of the outer shape of the reference substrate It is effective when the cross-section Se1 of the substrate S becomes as large as the deviation for judging that there is damage.
이러한 경우에는, 제1 실시예에서 설명된 방법 및 제1 방법과 같이 감시부(31)가 기준이 되는 기판의 외연 위치를 설정하고, 이에 기초하여 미리 2줄의 기준 라인들을 설정하였다고 해도 기준이 되는 기판의 외형의 위치에 대한 기판(S)의 위치 이탈이 단면(Se1)에 있어서의 손상이라고 판단되는 경우가 있다.In such a case, even if the outline position of the substrate to which the
이에 비하여, 제2 방법에 의하면, 기판(S)의 외연에 상당하는 근사 직선을 기준으로 2줄의 기준 라인들이 설정되기 때문에, 기판(S)의 위치 이탈이 기판(S)의단면(Se1)에 있어서의 손상이라고 잘못 판단되는 것이 억제된다.On the other hand, according to the second method, two lines of reference lines are set on the basis of the approximate straight line corresponding to the outer edge of the substrate S, It is inhibited from being erroneously judged as the damage in the case
또한, 기판(S)의 위치가 촬상 범위 내에서 불안정한 경우란, 예를 들면, 승강 핀(26a)에 의해 지지된 기판(S)에 있어서의 수평 방향에서의 위치가 기판(S)의 승강을 통하여 촬상 범위 내에 있어서 바뀌는 경우이다. 또한, 예를 들면, 기판(S)의 위치가 촬상 범위 내에서 불안정한 경우란 반송 로봇(15)에 의해 기판(S)이 스퍼터 챔버(13)에 반입될 때에 승강 핀(26a)의 위치에 대한 기판(S)의 위치가 기준이 되는 위치에 대하여 이탈되는 빈도가 높은 경우 등이다.The case where the position of the substrate S is unstable in the image pickup range means that the position in the horizontal direction of the substrate S supported by the lift pins 26a is the position In the imaging range. The case where the position of the substrate S is unstable in the imaging range means that the substrate S is unstable in the imaging range when the substrate S is carried into the
·감시부(31)는 제1 실시예에서 설명된 방법, 제1 방법 및 제2 방법을 조합하여 실시하고, 세 가지의 방법들 중에서 두 가지 이상의 방법들에 의하여 기판(S)의 단면(Se1)이 손상을 가지지 않는다고 판단된 경우에, 기판(S)의 단면(Se1)이 손상을 가지지 않는 것으로 판단해도 좋다. 이와 같이, 복수의 방법들을 조합하여 단면(Se1)에 있어서의 손상의 유무를 판단함으로써, 기판(S) 위치의 불안정성이나 명도가 높은 위치의 오검출 등의 요인에 의해 잘못된 판단이 생기는 확률을 낮추는 것이 가능해진다. 그 결과, 복수의 방법들의 조합에 의하면, 보다 정확하게 기판(S)의 단면(Se1)에 있어서의 손상의 유무를 판단하는 것이 가능해진다.The
또한, 감시부(31)는 제1 실시예에서 설명된 방법, 제1 방법 및 제2 방법 중에서 어느 두 가지의 방법들을 조합하여 실시해도 좋다. 이 경우에는 두 가지 방법들에 의하여 기판(S)의 단면(Se1)이 손상을 가지고 있지 않다고 판단된 경우에, 기판(S)의 단면(Se1)이 손상을 가지지 않는 것으로 판단하면 좋다. 이러한 구성이라도, 하나의 방법에 의하여 기판(S)의 단면(Se1)에 있어서의 손상의 유무를 판단하기보다도 오판단이 발생하는 확률을 낮게 할 수 있다.The
·기판 감시 장치를 구성하는 요소로서 감시부(31) 이외의 요소, 즉 촬상부(27), 레이저 조사부(29) 및 배치부는 스퍼터 챔버(13)가 아니라 반송 챔버(11)나 로드락 챔버(12)에 배치되어도 좋다. 또는, 스퍼터 장치(10)가 다른 챔버를 구비하는 구성이라면, 기판 감시 장치 중에서 감시부(31) 이외의 요소는 다른 챔버에 배치되어도 좋다.The components other than the
·기판 감시 장치는 스퍼터 장치(10)에 한정되지 않으며, 기판(S)에 대하여 증착에 의하여 막을 형성하는 증착 장치, 기판(S)에 대하여 화학 기상 증착(CVD)법을 이용하여 막을 형성하는 CVD 장치 및 기판(S)을 에칭하는 에칭 장치 등의 각종 기판 처리 장치들에 적용되어도 좋다.The substrate monitoring apparatus is not limited to the
·상술한 제1 실시예의 구성 및 각 변형예의 구성들 적절하게 조합하여 실시하는 것이 가능하다.The configuration of the first embodiment described above and the configurations of the modifications can be appropriately combined.
실시예Example 2 2
도 12 내지 도 16을 참조하여, 기판 감시 장치를 스퍼터 장치에 적용한 제2 실시예를 설명한다. 제2 실시예의 스퍼터 장치는 제1 실시예의 스퍼터 장치와 비교하여 기판에 대한 레이저 광선의 조사 방법이 다르다. 이로 인해, 다음에서는 제1 실시예와의 차이점을 상세하게 설명하는 한편, 제1 실시예와 공통되는 구성에는 제1 실시예와 같은 부호들을 붙임으로써 그 설명을 생략한다.A second embodiment in which a substrate monitoring apparatus is applied to a sputtering apparatus will be described with reference to FIGS. 12 to 16. FIG. The sputtering apparatus of the second embodiment differs from the sputtering apparatus of the first embodiment in the method of irradiating the substrate with the laser beam. In the following, the differences from the first embodiment will be described in detail, while the same elements as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
또한, 이하에서는 스퍼터 챔버의 구성, 스퍼터 장치의 작용, 기판 감시 방법을 순차적으로 설명한다.In the following, the sputter chamber configuration, the operation of the sputtering apparatus, and the substrate monitoring method will be sequentially described.
스퍼터Sputter 챔버의Chamber 구성 Configuration
도 12 내지 도 15를 참조하여 스퍼터 챔버(13)의 구성을 설명한다. 또한, 도 13에서는, 도시의 편의상 기판(S)과 기판(S)의 위쪽에 위치하는 촬상부로서 스퍼터 챔버(13)의 외부에 위치하는 촬상부 양쪽이 실선으로 도시되어 있다.The configuration of the
도 12에 도시한 바와 같이, 스퍼터 챔버(13)의 상면 시에 있어서 챔버 본체(21)의 상벽(21e)으로서 챔버 본체(21)의 외측에는 4개의 촬상부(51)들과 4개의 레이저 조사부(52)들이 위치하고 있다. 챔버 본체(21)의 상벽(21e)에는 4개의 촬상창(21b)들과 하나의 조사창(21c)이 형성되며, 4개의 촬상창(21b)들 중에서 2개의 촬상창(21b)들 각각은 조사창(21c)으로서도 기능한다. 중력 방향과 평행한 방향이 Z 방향이며, 각 촬상창(21b) 및 각 조사창(21c)은 Z 방향을 따라서 상벽(21e)을 관통하고 있다.12, on the outer side of the
각 촬상부(51) 및 각 레이저 조사부(52)는 Z 방향에서 기판(S)의 일부와 겹쳐져 있다. Z 방향과 직교하는 하나의 방향이 X 방향이고, X 방향과 직교하는 방향이 Y 방향이다. 기판(S)은 X 방향과 Y 방향을 따라서 확장되는 직사각형의 형상을 가진다. 스퍼터 챔버(13)의 상면 시에 있어서, 기판(S)은 직사각형 테두리 형상을 가지 가장자리(Se2)를 포함하며, 기판(S)의 가장자리(Se2)와 기판(S)의 단면(Se1)이 기판(S)의 단부(Se)를 구성하고 있다. 기판(S)의 가장자리(Se2)는 기판(S) 표면의 일부로서 표면에서의 외연과 외연보다도 내측의 부분을 포함하고, 가장자리(Se2)는, 예를 들면, 표면에서의 외연으로부터 수십 ㎜ 정도 내측 부분까지의 영역이다.Each
각 레이저 조사부(52)는 기판(S)의 단부(Se)에서의 일부를 향하여 레이저 광선(L)을 조사하며, 기판(S)의 단부(Se)에서 각 레이저 조사부(52)에 의한 피조사부는 나머지 레이저 조사부(52)에 의한 피조사부와는 서로 다르다. 기판(S)의 단부(Se) 중에서 X 방향을 따라서 연장되는 두 개의 부분들 각각에는 서로 다른 레이저 조사부(52)가 레이저 광선(L)을 조사한다. 기판(S)의 단부(Se) 중에서 Y 방향을 따라서 연장되는 두 개의 부분들 각각에는 서로 다른 레이저 조사부(52)로서 단부(Se) 중 X 방향을 따라서 연장되는 부분에는 레이저 광선(L)을 조사하지 않는 레이저 조사부(52)가 레이저 광선(L)을 조사한다.Each
도 13에 도시한 바와 같이, 기판(S)의 표면과 대향하는 평면 시에 있어서, 기판(S)은 제1 영역(R1), 제2 영역(R2), 제3 영역(R3) 및 제4 영역(R4)으로 등분되어 있다. 기판(S)에 있어서, 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)이 Y 방향을 따라서 나열되고, 제3 영역(R3)과 제4 영역(R4)이 Y 방향을 따라서 나열되어 있다. 또한, 기판(S)에 있어서, 제1 영역(R1)과 제3 영역(R3)이 X 방향을 따라서 나열되고, 제2 영역(R2)과 제4 영역(R4)이 X 방향을 따라서 나열되어 있다.13, the substrate S is divided into a first region R1, a second region R2, a third region R3, and a fourth region R4 in plan view opposite to the surface of the substrate S. [ And is divided into regions R4. In the substrate S, the first region R1 and the second region R2 are arranged in the Y direction, and the third region R3 and the fourth region R4 are arranged in the Y direction. In the substrate S, the first region R1 and the third region R3 are arranged in the X direction, and the second region R2 and the fourth region R4 are arranged in the X direction have.
기판(S)의 표면과 대향하는 평면 시에 있어서, 각 영역의 일부와 하나의 촬상부(51)가 겹쳐져 있다. 각 촬상부(51)는 소정의 촬상 범위(C)를 가지며, 승강 핀(26a)은 기판(S) 중에서 각 촬상부(51)와 겹치는 영역 중에서 적어도 기판(S)의 단부(Se) 전체가 촬상 범위(C) 내에 포함되도록 기판(S)을 배치한다.A part of each region is overlapped with one
도 14에 도시한 바와 같이, 각 레이저 조사부(52)는 촬상 범위(C) 내에 배치된 기판(S) 중에서 기판(S)의 단부(Se)에 레이저 광선(L)을 조사한다. 이에 따라, 레이저 조사부(52)는 기판(S)의 단부(Se)에서 레이저 광선(L)을 반사 및 산란시켜 단부(Se)의 상을 촬상부(51)의 수광면에 형성한다.Each
복수의 레이저 조사부(52)들 중에서 레이저 광선(L)을 X 방향을 따라서 연장되는 단부(Se)를 향하여 조사하는 레이저 조사부(52)에 있어서, Z 방향에서의 조사구(52a)로부터의 거리가 커지는 만큼 X 방향을 따르는 레이저 광선(L)의 폭인 조사 폭(W)이 커진다. 이에 따라, 레이저 조사부(52)는 기판(S)의 단부(Se)를 따라서 연장되는 띠 형상을 가진 레이저 광선(L)을 기판(S)의 단부(Se) 중에서 X 방향을 따라서 연장되는 부분 전체에 비춘다. 레이저 광선(L)의 조사 폭(W)은 단부(Se) 중에서 X 방향을 따라서 연장되는 부분의 길이 이상의 길이이다.In the
레이저 조사부(52)에 의하면, 레이저 광선(L)이 띠 형상으로 연장되는 분량만큼 기판(S)의 단부(Se) 중에서 촬상부(51)의 수광면에 상으로서 형성되는 부분이 확장된다.The
도 15에 도시한 바와 같이, Z 방향은 기판(S)의 표면에서의 법선 방향 및 기판 스테이지(24)의 재치면(24a)에서의 법선 방향과 평행한 방향이며, 레이저 광선(L)에서 레이저 광선(L)이 연장되는 방향과 Z 방향이 형성하는 각도가 조사 각(θ)이다. 조사 각(θ)은 0°보다도 크고 90°미만이다. 즉, 레이저 조사부(52)는 Z 방향과는 평행이 아닌 방향을 따라서 레이저 광선(L)을 단부(Se)를 향하여 조사한다.The Z direction is a direction parallel to the normal direction on the surface of the substrate S and the normal direction on the
이러한 레이저 조사부(52)에 의하면, 기판(S)의 단부(Se)를 향하여 조사된 레이저 광선(L)의 일부가 승강 핀(26a) 중에서 Z 방향에서의 기판(S)의 단부(Se)와 겹치는 부분 및 기판 스테이지(24) 중에서 Z 방향에 있어서 기판(S)의 단부(Se)와 겹치는 부분에 닿는 것이 억제된다. 이로 인해, 촬상부(51)가 촬상하는 상들 중에서 기판(S) 이외의 부분에서의 명도가 높여지는 것이 억제되고, 기판(S) 이외의 부분이 기판(S)의 단부(Se)로서 잘못 인식되는 것이 억제된다.A part of the laser beam L irradiated toward the end Se of the substrate S is guided to the end Se of the substrate S in the Z direction among the lift pins 26a, Overlapping portions of the
또한, 상술한 레이저 조사부(52)에 의하면, Z 방향을 따라서 기판(S)의 단부(Se)를 향하여 레이저 광선(L)을 조사하는 구성과 비교하여 Z 방향에 있어서의 조사구(52a)와 기판(S)의 단부(Se) 사이의 거리를 크게 하지 않고, 조사구(52a)와 기판(S)의 단부(Se) 사이의 거리를 크게 할 수 있다. 이에 따라, 기판(S)의 단부(Se)에 닿는 위치에서의 레이저 광선(L)의 조사 폭(W)을 크게 할 수 있다.The
스퍼터Sputter 장치의 작용 Action of the device
도 16 및 도 17을 참조하여, 스퍼터 장치(10)의 작용을 설명한다. 또한, 이하에서 기판(S)은 레이저 광선(L)에 대한 투과성을 가진 기판이며, 성막 전의 기판(S)에 대하여 레이저 광선(L)이 조사될 때의 작용을 설명한다.The operation of the
도 16에 도시한 바와 같이, 기판(S)의 단부(Se)를 향하여 조사된 레이저 광선(L)의 일부는 기판(S)의 가장자리(Se2)에 닿고, 기판(S)의 가장자리(Se2)에서 반사된다. 또한, 기판(S)의 단부(Se)를 향하여 조사된 레이저 광선(L)의 다른 일부는 기판(S)의 가장자리(Se2)로부터 기판(S)의 내부로 투과하고, 기판(S)의 단면(Se1)으로부터 도출된다. 상술한 바와 같이, 기판(S)의 단면(Se1)은 레이저 광선(L)을 산란할 수 있을 정도의 면 조도를 가지고 있기 때문에, 레이저 광선(L)은 기판(S)의 단면(Se1)으로부터 도출될 때에 산란된다.A part of the laser beam L irradiated toward the end portion Se of the substrate S is brought into contact with the edge Se2 of the substrate S and the edge Se2 of the substrate S, Lt; / RTI > Another part of the laser beam L irradiated toward the end portion Se of the substrate S is transmitted from the edge Se2 of the substrate S to the inside of the substrate S, (Se1). As described above, since the end face Se1 of the substrate S has a degree of surface roughness enough to scatter the laser beam L, the laser beam L is irradiated from the end face Se1 of the substrate S It is scattered when it is derived.
이에 따라, 레이저 광선(L) 중에서 기판(S)의 가장자리(Se2)에서 반사되는 레이저 광선(L) 및 기판(S)의 단면(Se1)에서 산란되는 레이저 광선(L)에 의해 기판(S)의 단부(Se)의 상이 촬상부(51)의 수광면에 형성된다.The laser beam L reflected by the edge Se2 of the substrate S in the laser beam L and the laser beam L scattered by the end face Se1 of the substrate S are reflected by the substrate S, Is formed on the light-receiving surface of the
따라서, 촬상부(51)의 위치는 기판(S)의 단부(Se)에 있어서의 레이저 광선(L)의 반사 및 산란에 의하여 촬상부(51)의 수광면에 상이 형성되는 위치면 좋기 때문에, 레이저 조사부(52)의 위치에 대하여 촬상부(51)의 위치가 하나의 위치에 한정되지 않는다. 이에 따라, 레이저 조사부(52)의 위치에 대한 촬상부(51) 위치의 자유도를 높일 수 있다.Therefore, the position of the
또한, 기판(S)에 비추어진 레이저 광선(L)이 기판(S)의 가장자리(Se2)로부터 기판(S)의 내부를 투과하며, 또한 단면(Se1)에서 산란된다. 이에 따라, 기판(S)의 단부(Se) 중에서 레이저 광선(L)이 닿은 부분 이외의 부분의 명도를 높일 수 있다.The laser beam L projected on the substrate S is transmitted through the inside of the substrate S from the edge Se2 of the substrate S and scattered on the end face Se1. Thus, the brightness of the portion other than the portion of the end portion Se of the substrate S that is in contact with the laser beam L can be increased.
도 17에 도시한 바와 같이, 기판(S)의 단면(Se1)은 기판(S)의 가장자리(Se2)에 대하여 외측으로 돌출하는 곡률을 가진 곡면인 경우도 있다. 이러한 구성에서는, 기판(S)의 단부(Se)에 닿은 레이저 광선(L) 중에서 기판(S)의 가장자리(Se2)에 닿은 레이저 광선(L)이 반사되며, 또한 기판(S)의 단면(Se1)의 일부에 닿은 레이저 광선(L)도 반사된다. 이들 중에서 기판(S) 단면(Se1)의 일부에 닿은 레이저 광선(L)은 단면(Se1)의 면 조도 때문에 산란광으로서 단면(Se1)으로부터 사출된다.The end face Se1 of the substrate S may be a curved face having a curvature protruding outward with respect to the edge Se2 of the substrate S as shown in Fig. In this configuration, the laser beam L that is in contact with the edge Se2 of the substrate S among the laser beams L that are in contact with the edge Se of the substrate S is reflected, Is also reflected. Of these, the laser beam L which is in contact with a part of the section S1 of the substrate S is emitted from the section Se1 as scattered light due to the surface roughness of the section Se1.
또한, 기판(S)의 단면(Se1)이 외측으로 돌출하는 곡면이라면, 기판(S)의 단면(Se1)에 레이저 광선(L)이 조사되었을 때, 같은 폭을 가진 레이저 광선(L)이 기판(S)의 평탄한 부분에 조사되었을 때에 비하여 레이저 광선(L)이 조사되는 면적이 넓어진다. 이에 따라, 레이저 광선(L)이 반사 및 산란하는 확률이 높아지는 점에서 촬상 결과에 있어서 명도가 높은 부분을 얻기 쉬워진다.When the end face Se1 of the substrate S protrudes outwardly and the laser beam L is irradiated on the end face Se1 of the substrate S, The area irradiated with the laser beam L is wider than that irradiated on the flat portion of the substrate S. As a result, the probability that the laser beam L is reflected and scattered is increased, so that it is easy to obtain a portion with high brightness in the image pickup result.
또한, 도 17에 도시된 기판(S)에 있어서도, 도 16을 참조하여 먼저 설명된 기판(S)과 마찬가지로 기판(S)의 가장자리(Se2)에 닿은 레이저 광선(L)의 일부는 기판(S)의 내부로 투과하여 기판(S)의 단면(Se1)으로부터 도출된다.17, a part of the laser beam L which is in contact with the edge Se2 of the substrate S similarly to the substrate S described earlier with reference to Fig. 16 is transferred to the substrate S And is led out from the end face Se1 of the substrate S.
기판 감시 방법Substrate monitoring method
제2 실시예에의 기판 감시 방법에서는, 상술한 제1 실시예의 기판 감시 방법과 마찬가지로 스퍼터 챔버(13) 내에서의 위치가 고정된 기판(S)을 각 촬상부(51)에 의하여 촬상해도 좋다. 이 경우에는, 승강 핀(26a)에 의하여 소정의 위치에 배치된 기판(S)에 대하여 각 레이저 조사부(52)가 레이저 광선(L)을 조사하며, 기판(S) 단부(Se)의 상을 촬상부(51)의 수광면에 형성한다. 또한, 각 촬상부(51)가 기판(S)의 단부(Se) 중에서 촬상 범위(C)에 포함되는 부분에 대응하는 상으로부터 화상을 생성한다.In the substrate monitoring method according to the second embodiment, the substrate S to which the position in the
또한, 각 레이저 조사부(52)는 기판(S)의 단부(Se)에 대하여 거의 동시에 레이저 광선(L)을 비추어도 좋고, 서로 다른 타이밍으로 단부(Se)에 대하여 레이저 광선(L)을 비추어도 좋다. 또한, 각 촬상부(51)는 레이저 조사부(52)가 각 촬상부(51)의 촬상 범위(C)에 포함되는 기판(S)의 단부(Se)에 대하여 레이저 광선(L)을 비추고 있는 동안에 단부(Se)를 촬상해도 좋다.Each of the
감시부(31)는 각 촬상부(51)가 생성한 화상에 기초하여 기판(S)의 단부(Se) 전체가 포함되는 화상을 생성한다. 또한, 감시부(31)는 생성한 화상에 기초하여 상술한 제1 실시예와 마찬가지의 방법에 의하여 기판(S)의 단부(Se)가 손상을 가지는 지의 여부를 판단한다.The
또한, 제2 실시예에서의 기판 감시 방법에서는, 상술한 제1 변형예의 기판 감시 방법과 마찬가지로 각 촬상부(51)는 상승 위치로부터 재치 위치를 향하여 이동하고 있는 기판(S)으로서 Z 방향에 있어서 서로 다른 복수의 위치들에 배치된 기판(S)을 촬상해도 좋다.In the substrate monitoring method in the second embodiment, similarly to the substrate monitoring method of the first modification described above, each
앞서 설명한 바와 같이, 기판 감시 장치 및 기판 감시 방법의 제2 실시예에 의하면 다음에 기재되는 효과들을 얻을 수 있다.As described above, according to the second embodiment of the substrate monitoring apparatus and the substrate monitoring method, the following effects can be obtained.
(7) 촬상부(51)의 위치는 기판(S)의 단부(Se)에 있어서의 레이저 광선(L)의 반사광 및 산란광에 의하여 촬상부(51)의 수광면에 상이 형성되는 위치면 좋기 때문에, 레이저 조사부(52)의 위치에 대하여 촬상부(51)의 위치가 하나의 위치에 한정되지 않는다. 이에 따라, 레이저 조사부(52)의 위치에 대한 촬상부(51) 위치의 자유도를 높일 수 있다.(7) The position of the
(8) 기판(S)에 비추어진 레이저 광선(L)이 기판(S)의 내부를 관통하며, 또한 단면(Se1)에서 산란된다. 이에 따라, 기판(S)의 단부(Se) 중에서 레이저 광선(L)이 닿은 부분 이외의 부분의 명도를 높일 수 있다.(8) The laser beam L projected onto the substrate S passes through the inside of the substrate S and is scattered at the end face Se1. Thus, the brightness of the portion other than the portion of the end portion Se of the substrate S that is in contact with the laser beam L can be increased.
(9) 레이저 광선(L)이 띠 형상으로 연장되는 분량만큼 기판(S)의 단부(Se) 중에서 촬상부(51)의 수광면에 상으로서 형성되는 부분이 확산된다.(9) A portion formed on the light-receiving surface of the
제2 Second 실시예의Example 변형예Variation example
또한, 상술한 제2 실시예는 다음과 같이 적절하게 변경하여 실시할 수도 있다.The above-described second embodiment may be modified as appropriate as follows.
·레이저 조사부(52)는 레이저 광선(L)의 조사 폭(W)이 Z 방향의 전체에 걸쳐서 같은 구성이어도 좋다. 이러한 구성이라도, 레이저 광선(L)이 띠 형상을 가지 있으면, 상술한 사항 (9)에 준하는 효과를 얻을 수 있다.The
·레이저 광선(L)의 조사 폭(W)은 X 방향을 따르는 단부(Se)의 폭보다도 작아도 좋고, Y 방향을 따르는 단부(Se)의 폭보다 작아도 좋다. 이러한 구성에서는, 기판(S)의 단부(Se) 중에서 X 방향을 따라서 연장되는 하나의 부분, 또는 X 방향을 따라서 연장되는 하나의 부분에 대하여, 복수의 레이저 조사부들을 이용하여 레이저 광선(L)을 조사하면 좋다.The irradiation width W of the laser beam L may be smaller than the width of the end Se along the X direction or may be smaller than the width of the end Se along the Y direction. In this configuration, the laser beam L is irradiated to one portion extending along the X direction or one portion extending along the X direction in the end portion Se of the substrate S using a plurality of laser irradiation portions You can investigate.
또는, 레이저 조사부(52)가 레이저 광선(L)의 조사 방향을 바꿀 수 있는 기구를 가지며, 변경 기구가 단부(Se) 중에서 레이저 광선(L)이 닿는 위치를 바꿈으로써, 단부(Se) 전체에 레이저 광선(L)을 조사할 수 있는 구성이어도 좋다. 또한, 이러한 구성에서는, 레이저 광선(L)의 조사 방향이 바뀔 때마다 촬상부(51)에 의하여 단부(Se)의 상을 촬상하면 좋다.Or the
·촬상부(51)의 숫자는 3 이하여도 좋고, 5 이상이어도 좋다. 요점은 각 촬상부(51)가 촬상한 화상을 합성함으로써, 단부(Se) 전체에 대응하는 화상을 형성할 수 있다면 촬상부(51)의 숫자는 임의이다.The number of the
·레이저 조사부(52)의 숫자는 3 이하여도 좋고, 5 이상이어도 좋다. 요점은 기판(S)의 단부(Se) 전체에 레이저 광선(L)을 비출 수 있다면, 레이저 조사부(52)의 숫자는 임의이다. 또한, 레이저 조사부(52)의 위치가 고정된 상태에서 기판(S)의 단부(Se) 전체에 레이저 광선(L)을 비출 수 없는 경우에는, 레이저 조사부(52)가 스퍼터 챔버(13)에 대한 레이저 조사부(52)의 위치를 바꿀 수 있는 위치 변경 기구를 구비해도 좋다. 또는, 상술한 바와 같이, 레이저 조사부(52)가 레이저 광선(L)의 조사 방향을 바꾸는 변경 기구를 구비해도 좋다.The number of
·레이저 광선(L)의 조사 각(θ)은 0°여도 좋다. 즉, 레이저 조사부(52)는 레이저 광선(L)을 Z 방향을 따라서 기판(S)의 단부(Se)를 향하여 조사하는 구성이어도 좋다. 이러한 구성이라도, 기판(S)의 단부(Se)의 상을 촬상부(51)의 수광면에 형성하는 것이 가능하다.The irradiation angle [theta] of the laser beam L may be 0 [deg.]. That is, the
·기판(S)에 형성되는 막이 광 투과성을 갖는 막이라면, 성막 후의 기판(S)에 레이저 광선(L)이 조사되어도 기판(S)의 단부, 즉 막의 가장자리로서 Z 방향에서의 기판(S)의 가장자리(Se2)와 겹치는 부분, 막의 단면 및 기판(S)의 단면(Se1)을 포함하는 부분에서 레이저 광선(L)이 반사 또는 산란된다.If the film formed on the substrate S is a light-transmitting film, even if the laser beam L is irradiated onto the substrate S after film formation, the edge of the substrate S, that is, the edge of the film, The laser beam L is reflected or scattered at a portion including the portion overlapping with the edge Se2 of the substrate S, the end face of the film, and the end face Se1 of the substrate S.
·도 18에 도시한 바와 같이, 기판(S)에 형성되는 막이 금속막(M)이라면, 광 투과성을 갖는 기판(S)과 비교하여 금속막(M)의 가장자리(Me2)로서 Z 방향에서의 기판(S)의 가장자리(Se2)와 겹치는 부분에서 반사되는 레이저 광선의 광량이 커지며, 반사광에 의하여 촬상부(51)의 수광면에 상을 형성할 수 있다.As shown in Fig. 18, when the film formed on the substrate S is the metal film M, the edge Me2 of the metal film M as compared with the substrate S having the light transmitting property, The light amount of the laser beam reflected at the portion overlapping with the edge Se2 of the substrate S becomes large and an image can be formed on the light receiving surface of the
이 경우, 레이저 광선(L)이 금속막(M)의 가장자리(Me2)에서 반사되지만, 기판(S)이 존재하지 않는 부분에서는 레이저 광선(L)의 반사는 발생하지 않는다. 이에 따라, 촬상부(51)가 수광하는 광 중에서 금속막(M)의 가장자리(Me2)로부터의 광과 가장자리(Me2)의 외측으로부터의 광과의 사이에서 촬상부(51)가 수광하는 광의 양에 큰 차이가 발생하며, 이에 따라 촬상 결과에서 명도가 높은 부분과 명도가 낮은 부분과의 경계가 명확해진다.In this case, although the laser beam L is reflected at the edge Me2 of the metal film M, the reflection of the laser beam L does not occur at the portion where the substrate S is not present. The amount of light received by the
·기판(S)에 형성되는 막이 금속막일 때, 금속막 중에서 기판(S)의 가장자리(Se2)에 형성된 부분에서 기판(S)에 있어서의 다른 부분에 형성된 부분보다도 두께가 작은 경우가 있다. 또한, 금속막 중에서 기판(S)의 가장자리(Se2)와 겹치는 부분의 두께가 레이저 광선(L)을 투과할 정도로 작을 때에는, 기판(S)의 가장자리(Se2)로부터 기판(S)의 내부에 광이 투과하고 기판(S)의 단면(Se1)으로부터 레이저 광선(L)이 도출된다.When the film formed on the substrate S is a metal film, the thickness of the metal film may be smaller than the thickness of the portion formed on the edge Se2 of the substrate S, as compared with the portion formed on another portion of the substrate S. When the thickness of the portion of the metal film overlapping with the edge Se2 of the substrate S is small enough to transmit the laser beam L, light S is emitted from the edge Se2 of the substrate S to the inside of the substrate S. [ And the laser beam L is led out from the end face Se1 of the substrate S.
제1 실시예와 마찬가지로, 레이저 조사부(52)가 기판(S)에 레이저 광선(L)을 비출 때, 기판(S)의 자세는 기판 스테이지(24)에 의하여 유지되어도 좋다. 이때, 기판 스테이지(24)의 자세는 수평 자세여도 좋고, 기립 자세여도 좋다. 즉, 레이저 조사부(52)는 거의 수평인 상태에서 기판 스테이지(24)에 지지되는 기판(S)에 대하여 레이저 광선(L)을 비추도록 구성되어도 좋고, 거의 수직인 상태에서 기판 스테이지(24)에 지지되는 기판(S)에 대하여 레이저 광선(L)을 비추도록 구성되어도 좋다.The posture of the substrate S may be held by the
10: 스퍼터 장치
11: 반송 챔버
12: 로드락 챔버
13: 스퍼터 침버
14:
캐소드
15: 반송 로봇
21: 챔버 본체
21a: 반출입구
21b: 촬상창
21c: 조사창
21d: 내벽면
21e: 상벽
22: 백킹 플레이트
23: 타켓
24: 기판 스테이지
24a: 재치면
25: 자세 변경부
26: 승강 장치
26a: 승강 핀
26b: 승강 기구
27, 51: 촬상부
28: 클램프
29, 52: 레이저 조사부
29a, 52a: 조사구
31:
감시부
40: 제어부
40a: 기억부
C: 촬상 범위
L, L1, L2, L3: 레이저 광선
La: 광축
P1: 조사 위치
P2: 목표 위치
P3: 피조사 위치
P4: 도출 위치
P5: 고명도 위치
S: 기판
Sc: 모서리부
Se: 단부
Se1: 단면
Se2: 가장자리
Sh: 고명도부
So: 도출부10: sputtering apparatus 11: transporting chamber
12: load lock chamber 13: sputter sinker
14: cathode 15: conveying robot
21:
21b: imaging
21d:
22: backing plate 23: target
24:
25: attitude changing section 26: elevating device
26a:
27, 51: imaging section 28: clamp
29, 52:
31: Monitoring section 40: Control section
40a: storage unit C: imaging range
L, L1, L2, L3: laser beam La: optical axis
P1: irradiation position P2: target position
P3: irradiated position P4: derived position
P5: High brightness position S: Substrate
Sc: edge Se: edge
Se1: Sectional Se2: Edge
Sh: My name is Soo Soo:
Claims (11)
상기 촬상 범위 내에 기판을 배치하는 배치부와,
상기 촬상 범위 내에 배치된 상기 기판에 레이저 광선을 비춤으로써, 상기 기판의 단부에서 상기 레이저 광선의 반사광 및 산란광의 적어도 한쪽을 발생시켜, 상기 단부의 상을 촬상 결과로서 상기 수광면에 형성하도록 구성되는 조사부와,
상기 촬상 결과를 감시하는 감시부를 구비하는 기판 감시 장치.An imaging unit having a light receiving surface for receiving light from a predetermined imaging range,
A placement unit for placing a substrate within the imaging range,
At least one of reflected light and scattered light of the laser beam is generated at an end portion of the substrate by irradiating the substrate with the laser beam in the imaging range so that an image of the end portion is formed on the light receiving surface as an imaging result An examination section,
And a monitoring unit for monitoring the imaging result.
상기 조사부는 상기 단면에 상기 레이저 광선을 비춤으로써, 상기 단면으로부터 상기 기판의 내부에 상기 레이저 광선을 도입하며, 상기 단면 중에서 상기 레이저 광선이 도입된 부위와는 다른 부위로부터 상기 레이저 광선이 도출되도록 광축이 설정된 상기 레이저 광선을 상기 촬상부와는 다른 위치를 향하여 조사하는 것을 특징으로 하는 기판 감시 장치.4. The method of any one of claims 1 to 3, wherein the end of the substrate comprises a cross-section of the substrate,
The irradiating unit introduces the laser beam into the inside of the substrate from the cross section by abrading the laser beam on the cross section and irradiates the laser beam from a portion different from the portion into which the laser beam is introduced in the cross section, And irradiates the set laser beam toward a position different from the image pickup unit.
상기 단부를 촬상하는 촬상 공정과,
상기 촬상 결과를 감시하는 감시 공정을 포함하는 기판 감시 방법.At least one of reflected light and scattered light of the laser beam is generated at an end portion of the substrate by irradiating a laser beam on a substrate disposed in an image pickup range of the image pickup portion so that an image of the end portion is formed on the light receiving surface of the image pickup portion And
An imaging step of imaging the end,
And a monitoring step of monitoring the image pickup result.
상기 조사 공정에서, 상기 단면에 상기 레이저 광선을 비춤으로써, 상기 단면에 상기 레이저 광선이 도입되며, 상기 단면 중에서 상기 레이저 광선이 도입된 부위와는 다른 부위로부터 상기 레이저 광선이 도출되도록 광축이 설정된 상기 레이저 광선을 상기 촬상부와는 다른 위치를 향하여 조사하는 것을 특징으로 하는 기판 감시 방법.8. The method of claim 7, wherein the end of the substrate comprises a cross-
The laser beam is introduced into the cross section by irradiating the laser beam on the cross section in the irradiating step and the optical axis is set so that the laser beam is led out from a portion different from the portion into which the laser beam is introduced, And irradiating the laser beam toward a position different from the image pickup unit.
상기 조사 공정에서, 상기 기판의 네 귀퉁이의 적어도 하나에 상기 레이저 광선이 조사되는 것을 특징으로 하는 기판 감시 방법.9. The apparatus of claim 8, wherein the substrate has a rectangular shape,
Wherein in the irradiation step, at least one of the four corners of the substrate is irradiated with the laser beam.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014246984 | 2014-12-05 | ||
JPJP-P-2014-246984 | 2014-12-05 | ||
PCT/JP2015/083630 WO2016088721A1 (en) | 2014-12-05 | 2015-11-30 | 822 substrate monitoring device and substrate monitoring method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170093174A true KR20170093174A (en) | 2017-08-14 |
KR101981182B1 KR101981182B1 (en) | 2019-05-22 |
Family
ID=56091663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020177017975A KR101981182B1 (en) | 2014-12-05 | 2015-11-30 | Substrate monitoring device and substrate monitoring method |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6483152B2 (en) |
KR (1) | KR101981182B1 (en) |
CN (1) | CN107110793B (en) |
TW (1) | TWI682164B (en) |
WO (1) | WO2016088721A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190032195A (en) * | 2017-09-19 | 2019-03-27 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6963725B2 (en) * | 2017-10-13 | 2021-11-10 | 日本電気硝子株式会社 | Glass plate inspection method and inspection equipment and glass plate manufacturing method |
CN108414518A (en) * | 2018-01-30 | 2018-08-17 | 珠海格力智能装备有限公司 | Film-covering mechanism and industrial vision detection device |
WO2019198537A1 (en) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | 株式会社アルバック | Substrate holding device, substrate holding method, and film forming device |
BR112021011472A2 (en) * | 2019-02-28 | 2021-08-31 | Yoshino Gypsum Co., Ltd. | APPARATUS TO INSPECT PLATE-SHAPED BODIES |
WO2020199206A1 (en) * | 2019-04-04 | 2020-10-08 | 合刃科技(深圳)有限公司 | Transparent or semi-transparent material microscopic-defect detection system and method |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06258231A (en) * | 1991-01-31 | 1994-09-16 | Central Glass Co Ltd | Defect detecting device for plate glass |
JPH11339042A (en) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Sanko:Kk | Substrate wafer discriminating device and method therefor |
JP2004317500A (en) * | 2003-04-03 | 2004-11-11 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | Optical system for detecting defect, apparatus for detecting defect, and method for detecting defect on peripheral surface of translucent disk |
KR20110085879A (en) * | 2010-01-21 | 2011-07-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate inspect apparatus and substrate inspect method |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07119781B2 (en) * | 1987-01-19 | 1995-12-20 | 名古屋電機工業株式会社 | Bridge inspection method of flat package in mounted printed circuit board automatic inspection system |
JPH1030988A (en) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Hitachi Ltd | Automatic focus correcting method and apparatus therefor |
JP3422935B2 (en) * | 1997-07-17 | 2003-07-07 | Hoya株式会社 | Inspection method and apparatus for non-uniformity of translucent substance and method for selecting transparent substrate |
US20040196454A1 (en) * | 2003-04-03 | 2004-10-07 | Takayuki Ishiguro | Optical system, detector and method for detecting peripheral surface defect of translucent disk |
DE102009050711A1 (en) * | 2009-10-26 | 2011-05-05 | Schott Ag | Method and device for detecting cracks in semiconductor substrates |
US9635658B2 (en) | 2012-02-27 | 2017-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptation of control signaling transmissions to variations in respective resources |
JP6196078B2 (en) * | 2012-10-18 | 2017-09-13 | 株式会社アルバック | Deposition equipment |
-
2015
- 2015-11-30 KR KR1020177017975A patent/KR101981182B1/en active IP Right Grant
- 2015-11-30 JP JP2016562619A patent/JP6483152B2/en active Active
- 2015-11-30 WO PCT/JP2015/083630 patent/WO2016088721A1/en active Application Filing
- 2015-11-30 CN CN201580065522.2A patent/CN107110793B/en active Active
- 2015-12-02 TW TW104140284A patent/TWI682164B/en active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06258231A (en) * | 1991-01-31 | 1994-09-16 | Central Glass Co Ltd | Defect detecting device for plate glass |
JPH11339042A (en) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Sanko:Kk | Substrate wafer discriminating device and method therefor |
JP2004317500A (en) * | 2003-04-03 | 2004-11-11 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | Optical system for detecting defect, apparatus for detecting defect, and method for detecting defect on peripheral surface of translucent disk |
KR20110085879A (en) * | 2010-01-21 | 2011-07-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate inspect apparatus and substrate inspect method |
JP2011149800A (en) | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Tokyo Electron Ltd | Substrate inspection device and substrate inspection method |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
[특허문헌] |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190032195A (en) * | 2017-09-19 | 2019-03-27 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201632876A (en) | 2016-09-16 |
CN107110793B (en) | 2021-12-10 |
WO2016088721A1 (en) | 2016-06-09 |
CN107110793A (en) | 2017-08-29 |
TWI682164B (en) | 2020-01-11 |
WO2016088721A8 (en) | 2017-06-22 |
JP6483152B2 (en) | 2019-03-13 |
KR101981182B1 (en) | 2019-05-22 |
JPWO2016088721A1 (en) | 2017-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101981182B1 (en) | Substrate monitoring device and substrate monitoring method | |
US11518038B2 (en) | Substrate conveying robot and operation method therefor | |
JP5544414B2 (en) | Method for automatically measuring and teaching the position of an object in a substrate processing system by means of a sensor carrier and associated sensor carrier | |
TWI661496B (en) | Wafer mapping device and loading port provided with the device | |
KR20170076545A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
JP3202171U (en) | Robot-mounted through-beam substrate detector | |
US9607389B2 (en) | Alignment apparatus | |
KR102044788B1 (en) | Inspection Apparatus for Glass substrate | |
JP6088243B2 (en) | End effector | |
TW201302584A (en) | Broken wafer recovery system | |
TWI679414B (en) | Workpiece detection device, film forming device, and workpiece detection method | |
JP2011134822A (en) | Substrate storage condition detecting device, and method of detecting substrate storage condition | |
TWI744148B (en) | Processing apparatus for electronic component | |
KR101993975B1 (en) | Method for setting mounting position of target substrate and film forming system | |
KR102558405B1 (en) | Semiconductor wafer defect inspection device and defect inspection method | |
JP5657039B2 (en) | Sample loading device | |
US20220367223A1 (en) | Substrate transport apparatus and substrate transport method | |
KR20190134275A (en) | System for inspecting edge area of wafer and method using the same | |
JP2017150937A (en) | Substrate inspection device and sluice valve device | |
KR20230155756A (en) | Inspection device for wafer transfer robot, method for inspecting and method for teaching wafer transfer robot using the same | |
KR20190134103A (en) | Defect inspection system and method in chamber | |
KR20230101645A (en) | Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate | |
JP2013062331A (en) | Charged particle beam device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |