KR20170091090A - 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막, 및 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치 - Google Patents

금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막, 및 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170091090A
KR20170091090A KR1020177013000A KR20177013000A KR20170091090A KR 20170091090 A KR20170091090 A KR 20170091090A KR 1020177013000 A KR1020177013000 A KR 1020177013000A KR 20177013000 A KR20177013000 A KR 20177013000A KR 20170091090 A KR20170091090 A KR 20170091090A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
film
carbonitride film
source
semi
Prior art date
Application number
KR1020177013000A
Other languages
English (en)
Inventor
마사시 시라이
히로시 니헤이
Original Assignee
우베 고산 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우베 고산 가부시키가이샤 filed Critical 우베 고산 가부시키가이샤
Publication of KR20170091090A publication Critical patent/KR20170091090A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/28—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases more than one element being applied in one step
    • C23C8/30—Carbo-nitriding
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/36—Carbonitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막을 저온에서 성막할 수 있는 방법 및 장치를 제공한다.
일반식 (1)
Figure pct00007

(식 중 복수의 R은 동일하거나 또는 상이할 수도 있고, 각각 수소 원자, 탄소 원자수 1 내지 5의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 혹은 탄소 원자수 1 내지 9의 트리알킬실릴기를 나타낸다. 또한, 복수의 R은 서로 결합하여 환을 형성하고 있을 수도 있다)
로 표시되는 구아니딘 화합물을 포함하는 질소원과, 금속원 또는 반금속원을 성막 대상물 위에 공급하여 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막을 성막한다.

Description

금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막, 및 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치{METHOD FOR PRODUCING METAL CARBONITRIDE FILM OR METALLOID CARBONITRIDE FILM, METAL CARBONITRIDE FILM OR METALLOID CARBONITRIDE FILM, AND APPARATUS FOR PRODUCING METAL CARBONITRIDE FILM OR METALLOID CARBONITRIDE FILM}
본 발명은 구아니딘 화합물을 사용하여, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막을 제조하는 방법, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막, 및 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치에 관한 것이다.
근년, 반도체나 전자 부품 등의 분야에 있어서, 높은 내약품성을 갖는 「금속 탄질화막 또는 반금속 질화막 중에 탄소가 존재하는 탄질화막」에 대하여 많은 연구·개발이 이루어지고 있다. 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법으로서는, 예를 들어 암모니아 등의 무기 질소 가스와, 아세틸렌 등의 탄화수소 가스를 조합하여 제조하는 방법(예를 들어, 특허문헌 1 참조)이나, 이소프로필아민을 탄소·질소원(탄질화제)으로서 사용하는 방법(예를 들어, 특허문헌 2 참조)이 알려져 있다.
일본 특허 공개 제2007-189173호 공보 일본 특허 공개 제2009-283587호 공보
그러나, 특허문헌 1, 2에 기재된 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법에서는, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 성막 온도가 높다는 문제가 있다.
본 발명의 주목적은, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막을 저온에서 성막할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명에 관한 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법에서는,
일반식 (1)
Figure pct00001
(식 중 복수의 R은 동일하거나 또는 상이할 수도 있고, 각각 수소 원자, 탄소 원자수 1 내지 5의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 혹은 탄소 원자수 1 내지 9의 트리알킬실릴기를 나타낸다. 또한, 복수의 R은 서로 결합하여 환을 형성하고 있을 수도 있다)
로 표시되는 구아니딘 화합물을 포함하는 질소원과, 금속원 또는 반금속원을 성막 대상물 위에 공급하여 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막을 성막한다.
본 발명에 관한 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막은, 본 발명에 관한 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법으로 얻어진 것이다.
본 발명에 관한 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치는, 본 발명에 관한 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법에 사용되는 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치이다. 본 발명에 관한 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치는, 반응실과, 금속원 또는 반금속원 공급부와, 질소원 공급부를 구비한다. 반응실은, 성막 대상물이 배치되는 배치부를 갖는다. 금속원 또는 반금속원 공급부는, 반응실 내에 금속원 또는 반금속원을 공급한다. 질소원 공급부는 반응실 내에 질소원을 공급한다.
본 발명에 의해, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막을 저온에서 성막할 수 있는 방법 및 장치를 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치를 도시하는 모식도이다.
본 실시 형태에 관한 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법에서는,
일반식 (1)
Figure pct00002
(식 중 복수의 R은 동일하거나 또는 상이할 수도 있고, 각각 수소 원자, 탄소 원자수 1 내지 5의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 혹은 탄소 원자수 1 내지 9의 트리알킬실릴기를 나타낸다. 또한, 복수의 R은 서로 결합하여 환을 형성하고 있을 수도 있다)
로 표시되는 구아니딘 화합물을 포함하는 질소원과, 금속원 또는 반금속원을 성막 대상물 위에 공급하여 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막을 성막한다. 구체적으로는, 도 1에 도시한 바와 같이 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치(20)의 반응실(21) 내에 설치된 배치부(22)에 배치된 성막 대상물(23)에 대하여, 반응실(21) 내에 설치된 금속원 또는 반금속원 공급부(24)로부터 금속원 또는 반금속원(24a)을 공급함과 함께, 반응실(21) 내에 설치된 질소원 공급부(25)로부터 질소원(25a)을 공급함으로써 막(26)을 성막한다. 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막은, 예를 들어 CVD법(Chemical Vapor Deposition법; 이하, CVD법이라고 칭한다) 혹은 ALD(Atomic Layer Deposition; 이하, ALD법이라고 칭한다)법 등의 증착법으로 제조할 수 있다.
CVD법 및 ALD법에 있어서는, 성막 대상물에서의 막 형성을 위하여 구아니딘 화합물을 기화시킬 필요가 있다. 예를 들어, 구아니딘 화합물만을 기화실에 공급하여 기화시킬 수도 있고, 구아니딘 화합물을 용매에 희석한 구아니딘 화합물 용액을 기화실에 공급하여 기화시킬 수도 있다.
구아니딘 화합물 용액의 용매로서는, 지방족 탄화수소류, 방향족 탄화수소류 및 에테르류 등을 들 수 있다. 이들 용매를 단독으로 사용할 수도 있고, 복수 종류를 혼합하여 사용할 수도 있다.
지방족 탄화수소류의 구체예로서는, 예를 들어 헥산, 메틸시클로헥산, 에틸시클로헥산, 옥탄 등을 들 수 있다.
방향족 탄화수소류의 구체예로서는, 예를 들어 톨루엔 등을 들 수 있다.
에테르류의 구체예로서는, 예를 들어 테트라히드로푸란, 디부틸에테르 등을 들 수 있다.
구아니딘 화합물을 사용하여 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막을 증착시키는 경우, 예를 들어 반응실(21) 내의 압력은, 바람직하게는 1Pa 내지 200㎪, 더욱 바람직하게는 10Pa 내지 110㎪이다. 성막 온도는, 바람직하게는 600℃ 미만, 보다 바람직하게는 550℃ 미만, 더욱 바람직하게는 500℃ 이하이다. 성막 온도는, 바람직하게는 100℃ 이상, 더욱 바람직하게는 200℃ 이상이다. 구아니딘 화합물을 기화시키는 온도는, 바람직하게는 0℃ 내지 180℃, 더욱 바람직하게는 10℃ 내지 100℃이다. 반응실(21) 내에 공급하는 가스량에 대한 구아니딘 화합물의 가스의 함유 비율은, 바람직하게는 0.1용량％ 내지 99용량％, 더욱 바람직하게는 0.5용량％ 내지 95용량％이다.
또한, 본 발명에 있어서 성막 온도는, 성막 시에 있어서의 성막 대상물의 온도이다.
(구아니딘 화합물)
구아니딘 화합물은, 상기한 일반식 (1)로 표시된다. 그 일반식 (1)에 있어서, 복수의 R은 동일하거나 또는 상이할 수도 있고, 각각 수소 원자, 탄소 원자수 1 내지 5의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 혹은 탄소 원자수 1 내지 9의 트리알킬실릴기이다.
탄소 원자수 1 내지 5의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기 등을 들 수 있다.
탄소 원자수 1 내지 9의 트리알킬실릴기로서는, 예를 들어 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 디메틸에틸실릴기, 메틸디에틸실릴기 등을 들 수 있다.
또한, 복수의 R은 서로 결합하여 환을 형성하고 있을 수도 있고, 형성되는 환으로서는, 예를 들어 탄소 원자수 2 내지 10의 포화 또는 불포화의 환을 들 수 있다.
바람직하게 사용되는 구아니딘 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 식 (2) 내지 식 (29)로 표시되는 구아니딘 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 이들 구아니딘 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
Figure pct00003
Figure pct00004
(금속원 또는 반금속원) 금속원 또는 반금속원으로서는, 예를 들어 금속 할로겐화물 또는 반금속 할로겐화물이 바람직하게 사용된다.
금속 할로겐화물로서는, 트리클로로알루미늄, 트리브로모알루미늄, 트리플루오로알루미늄, 트리요오도알루미늄, 테트라브로모티타늄, 테트라클로로티타늄, 테트라플루오로티타늄, 테트라요오도티타늄, 테트라브로모지르코늄, 테트라클로로지르코늄, 테트라플루오로지르코늄, 테트라요오도지르코늄, 테트라브로모하프늄, 테트라클로로하프늄, 테트라플루오로하프늄, 테트라요오도하프늄, 펜타클로로탄탈룸, 펜타클로로몰리브덴, 헥사플루오로몰리브덴, 비스시클로펜타디에닐디클로로몰리브덴헥사클로로텅스텐, 헥사플루오로텅스텐, 디브로모코발트, 디클로로코발트, 디플루오로코발트, 디요오도코발트, 디브로모니켈, 디클로로니켈, 디요오도니켈, 디브로모망간, 디클로로망간, 디플루오로망간, 디요오도망간, 모노브로모구리, 디브로모구리, 모노클로로구리, 디클로로구리, 디플루오로구리, 디요오도구리, 트리브로모갈륨, 트리클로로갈륨, 트리플루오로갈륨, 트리요오도갈륨, 트리브로모비스무트, 트리클로로비스무트, 트리플루오로비스무트, 트리요오도비스무트, 트리브로모루테늄, 트리클로로루테늄, 트리플루오로루테늄, 트리클로로로듐, 디브로모백금, 디클로로백금, 테트라클로로백금, 디요오도백금, 디브로모팔라듐, 디클로로팔라듐, 디요오도팔라듐, 트리요오도루테늄, 벤젠디클로로루테늄, 디브로모아연, 디클로로아연, 디플루오로아연, 디요오도아연 등을 들 수 있다.
반금속 할로겐화물로서는, 테트라클로로실란, 테트라플루오로실란, 헥사클로로디실란, 클로로펜타메틸디실란, 디클로로테트라메틸디실란, 모노클로로실란, 디클로로실란, 트리클로로실란, 테트라브로모게르마늄, 테트라클로로게르마늄, 테트라요오도게르마늄, 트리브로모보론, 트리클로로보론, 트리플루오로보론, 트리요오도보론 등을 들 수 있다.
본 발명에 관한 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법은, 실리콘 탄질화막의 제조에 특히 적합하다.
실시예
이어서, 실시예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 내지 3(증착 실험; 실리콘 탄질화막의 제조)
표 1에 나타내는 구아니딘 화합물을 사용하여, 표 1에 나타내는 조건에서 CVD법에 의해 20㎜×20㎜ 사이즈의 기판 위에 막을 성막했다. 또한, 성막한 막을 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy) 분석함으로써 막을 특정했다.
Figure pct00005
이상의 결과로부터 구아니딘 화합물을 사용함으로써, 저온에서 실리콘 탄질화막을 제조할 수 있는 것을 알 수 있다.
20 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치
21 반응실
22 배치부
23 성막 대상물
24 금속원 또는 반금속원 공급부
24a 금속원 또는 반금속원
25 질소원 공급부
25a 질소원
26 막

Claims (9)

  1. 일반식 (1)
    Figure pct00006

    (식 중 복수의 R은 동일하거나 또는 상이할 수도 있고, 각각 수소 원자, 탄소 원자수 1 내지 5의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 혹은 탄소 원자수 1 내지 9의 트리알킬실릴기를 나타낸다. 또한, 복수의 R은 서로 결합하여 환을 형성하고 있을 수도 있다)
    로 표시되는 구아니딘 화합물을 포함하는 질소원과, 금속원 또는 반금속원을 성막 대상물 위에 공급하여 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막을 성막하는, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반금속 탄질화막으로서 실리콘 탄질화막을 성막하는, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 지방족 탄화수소류, 방향족 탄화수소류 및 에테르류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용매를 포함하는 구아니딘 화합물 용액을 상기 질소원으로서 사용하는, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속원 또는 반금속원으로서, 금속 할로겐화물 또는 반금속 할로겐화물을 사용하는, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 성막 온도를 600℃ 미만으로 하는, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 성막 온도를 550℃ 미만으로 하는, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 성막 온도를 500℃ 이하로 하는, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법으로 얻어지는 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법에 사용되는 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치로서,
    상기 성막 대상물이 배치되는 배치부를 갖는 반응실과,
    상기 반응실 내에 상기 금속원 또는 반금속원을 공급하는 금속원 또는 반금속원 공급부와,
    상기 반응실 내에 상기 질소원을 공급하는 질소원 공급부
    를 구비하는 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치.
KR1020177013000A 2014-12-02 2015-11-04 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막, 및 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치 KR20170091090A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014243722 2014-12-02
JPJP-P-2014-243722 2014-12-02
PCT/JP2015/081014 WO2016088500A1 (ja) 2014-12-02 2015-11-04 金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜の製造方法、金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜及び金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜の製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170091090A true KR20170091090A (ko) 2017-08-08

Family

ID=56091452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177013000A KR20170091090A (ko) 2014-12-02 2015-11-04 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막, 및 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20170247786A1 (ko)
JP (1) JP6361048B2 (ko)
KR (1) KR20170091090A (ko)
CN (1) CN107109642A (ko)
TW (1) TW201634732A (ko)
WO (1) WO2016088500A1 (ko)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4434149B2 (ja) * 2006-01-16 2010-03-17 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US8142847B2 (en) * 2007-07-13 2012-03-27 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Precursor compositions and methods
JP5064296B2 (ja) * 2008-05-21 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置
JP6371223B2 (ja) * 2012-12-21 2018-08-08 国立研究開発法人理化学研究所 ｇ−Ｃ３Ｎ４フィルムの製造方法およびその利用

Also Published As

Publication number Publication date
JP6361048B2 (ja) 2018-07-25
WO2016088500A1 (ja) 2016-06-09
CN107109642A (zh) 2017-08-29
US20170247786A1 (en) 2017-08-31
TW201634732A (zh) 2016-10-01
JPWO2016088500A1 (ja) 2017-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6777680B2 (ja) 有機アミノシラン前駆体およびこれを含む膜の堆積方法
US10316407B2 (en) Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing films
CN102282291B (zh) 化学气相沉积用原料及使用了该原料的含硅薄膜形成方法
JP6781165B2 (ja) ホウ素含有化合物、組成物、及びホウ素含有膜の堆積方法
US11390635B2 (en) Composition for depositing silicon-containing thin film and method for producing silicon-containing thin film using the same
GB201205801D0 (en) Process
US20200111664A1 (en) Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same
US11401166B2 (en) Process for producing isomer enriched higher silanes
KR101965219B1 (ko) 알루미늄 화합물 및 이를 이용한 알루미늄-함유 막의 형성 방법
KR20170091090A (ko) 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막, 및 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치
US20200111665A1 (en) Composition for depositing silicon-containing thin film and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same
KR20170105483A (ko) 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막, 및 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치
JP7203232B2 (ja) 液体ポリシラン及び異性体エンリッチド高級シランを製造するためのプロセス
JP2016138325A (ja) 金属又は半金属炭窒化膜の製造方法
JP2016130337A (ja) 金属又は半金属炭窒化膜の製造方法
US20200115238A1 (en) Process for producing isomer enriched higher silanes
TW200706542A (en) Processes for the production of organometallic compounds
JP2014043640A (ja) ケイ素含有薄膜の製造方法及びケイ素含有薄膜
Blakeney Synthesis Of Volatile And Thermally Stable Aluminum Hydride Complexes And Their Use In Atomic Layer Deposition Of Metal Thin Films
JP2016141882A (ja) アルミニウム含有酸化物薄膜の製造方法およびアルミニウム含有酸化物薄膜
JP2023518157A (ja) 触媒的ヒドロシリル化のための方法
JP2017149790A (ja) 加熱重合によるポリシランの製造方法