KR20170089783A - 전기적 연속성을 사용하여 엔드 이펙터 평탄도 검증 - Google Patents

Abstract

전기적 연속성을 사용하여 엔드 이펙터 평탄도를 측정하고 그리고/또는 검증하기 위한, 방법들, 키트들, 시스템들, 및 장치들이 제공된다.

Description

전기적 연속성을 사용하여 엔드 이펙터 평탄도 검증{VERIFYING END EFFECTOR FLATNESS USING ELECTRICAL CONTINUITY}

일부 반도체 프로세싱 툴들은 웨이퍼들 또는 기판들을 툴들 내로, 툴들 내부에서, 그리고 툴들의 외부로 이동시키기 위한 엔드 이펙터들을 구비한 로봇들을 사용한다. 일부 이러한 엔드 이펙터들은 웨이퍼 아래로 미끄러질 수도 있고 그리고 상부에 웨이퍼가 놓이는 3 개 이상의 상승된 콘택트 지점들을 통상적으로 갖는 길고, 얇은, 주걱-같은 구조체들인 "블레이드"-타입 엔드 이펙터들의 형태를 취할 수도 있다.

일 실시예에서, 반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, z-방향이 수직 방향이도록, 프로브가 제 1 위치에 위치되도록, 그리고 프로브 및 제 1 측정 지점은 프로브와 제 1 측정 지점이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하게 구성되도록, 엔드 이펙터의 제 1 측정 지점과 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 엔드 이펙터를 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계; 프로브 및 제 1 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하는 단계; 및 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션이 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 1 측정 지점과 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션을 저장하는 단계를 포함할 수도 있다. 방법은 또한 프로브가 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치되도록, 그리고 프로브 및 제 2 측정 지점은 프로브와 제 2 측정 지점이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하기 위해 구성되도록, 엔드 이펙터의 제 2 측정 지점과 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 엔드 이펙터를 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계; 프로브 및 제 2 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하는 단계; 및 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션은 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 2 측정 지점과 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션을 저장하는 단계를 포함할 수도 있다. 방법은 프로브가 제 1 위치 및 제 2 위치와 상이한 제 3 위치에 위치되도록, 그리고 프로브 및 제 3 측정 지점은 프로브와 제 3 측정 지점이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하기 위해 구성되도록, 엔드 이펙터의 제 3 측정 지점과 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 엔드 이펙터를 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계; 프로브 및 제 3 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하는 단계; 및 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션은 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 3 측정 지점과 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션을 저장하는 단계를 더 포함할 수도 있다.

일부 실시예들에서, 방법은 지그가 프로브를 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 포지셔닝하도록 구성되기 위해, 반도체 프로세싱 툴 내에 지그 (jig) 를 배치하는 단계를 더 포함할 수도 있다.

일부 실시예들에서, 방법은 프로브를 제 1 위치에 포지셔닝하는 단계, 프로브를 제 2 위치에 포지셔닝하는 단계, 및 프로브를 제 3 위치에 포지셔닝하는 단계를 더 포함할 수도 있다.

일부 실시예들에서, 반도체 프로세싱 툴 내의 지그는 프로브를 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 포지셔닝하도록 구성될 수도 있다.

일부 실시예들에서, 엔드 이펙터는 제 1 측정 지점, 제 2 측정 지점, 및 제 3 측정 지점에서 비전도성 코팅 및 전도성 콘택트 지점들을 가질 수도 있다.

일부 실시예들에서, 게이지는 비전도성 베이스를 가질 수도 있다.

일부 실시예들에서, 제 1 측정 지점은 엔드 이펙터의 제 1 웨이퍼 지지 패드에 실질적으로 근접하게 위치될 수도 있고, 제 2 측정 지점은 엔드 이펙터의 제 2 웨이퍼 지지 패드에 실질적으로 근접하게 위치될 수도 있고, 그리고 제 3 측정 지점은 엔드 이펙터의 제 3 웨이퍼 지지 패드에 실질적으로 근접하게 위치될 수도 있다.

일 실시예에서, 반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 방법이 제공될 수도 있다. z-방향이 수직 방향이고, 엔드 이펙터가 제 1 위치에 위치되도록, 그리고 프로브 및 제 1 측정 지점은 프로브와 제 1 측정 지점이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하기 위해 구성되도록, 엔드 이펙터의 제 1 측정 지점과 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 엔드 이펙터를 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계; 프로브 및 제 1 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하는 단계; 및 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션은 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 1 측정 지점과 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션을 저장하는 단계를 포함할 수도 있다. 방법은 또한 x-방향이 y-방향에 대해 직교하고, 그리고 x-방향 및 y-방향이 z-방향에 대해 수직이도록, 엔드 이펙터를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 다음의 방향들: x-방향 및 y-방향 중 하나 이상으로 이동시키는 단계; 엔드 이펙터가 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치되도록, 그리고 프로브 및 제 2 측정 지점은 프로브와 제 2 측정 지점이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하기 위해 구성되도록, 엔드 이펙터의 제 2 측정 지점과 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 엔드 이펙터를 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계; 프로브 및 제 2 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하는 단계; 및 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션은 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 2 측정 지점과 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션을 저장하는 단계를 포함할 수도 있다. 방법은 또한 엔드 이펙터를 제 2 위치로부터 제 3 위치로 다음의 방향들: x-방향 및 y-방향 중 하나 이상으로 이동시키는 단계; 엔드 이펙터가 제 1 위치 및 제 2 위치와 상이한 제 3 위치에 위치되도록, 그리고 프로브 및 제 3 측정 지점은 프로브와 제 3 측정 지점이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하기 위해 구성되도록, 엔드 이펙터의 제 3 측정 지점과 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 엔드 이펙터를 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계; 프로브 및 제 3 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하는 단계; 및 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션은 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 3 측정 지점과 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션을 저장하는 단계를 포함할 수도 있다.

일 실시예에서, 반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 키트가 제공될 수도 있다. 키트는 제 1 전기 케이블, 제 2 전기 케이블, 프로브, 프로브를 적어도 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 포지셔닝하도록 구성된 지그, 및 전기적 연속성 검출기를 포함할 수도 있다. 제 1 케이블은 프로브에 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있고, 제 2 케이블은 접지에 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있고, 지그는 엔드 이펙터가 위치될 수 있는 반도체 프로세싱 툴의 일부분 내에 배치되도록 구성될 수도 있고, 전기적 연속성 검출기는 제 1 전기 케이블 및 제 2 전기 케이블과 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있고, 그리고 전기적 연속성 검출기는 프로브 및 엔드 이펙터가 전기적으로 전도성으로 콘택트할 때 프로브와 엔드 이펙터 사이에서 전기적 연속성을 검출하도록 구성될 수도 있다.

일 이러한 실시예에서, 지그는 프로브를 하나 이상의 부가적인 위치들에 포지셔닝하도록 더 구성될 수도 있다.

추가의 이러한 실시예들에서, 지그는 프로브를 제 4 위치, 제 5 위치, 제 6 위치, 제 7 위치, 및 제 8 위치에 포지셔닝하도록 더 구성될 수도 있다.

일 추가의 이러한 실시예에서, 지그는 프로브를 제 9 위치 및 제 10 위치에 포지셔닝하도록 더 구성될 수도 있다.

일부 실시예들에서, 전기적 연속성 검출기는 멀티미터일 수도 있다.

일부 실시예들에서, 반도체 프로세싱 툴의 제어기는 전기적 연속성 검출기로서 작용하도록 구성될 수도 있다.

일부 실시예들에서, 전기적 연속성 검출기는 반도체 프로세싱 툴의 제어기의 입력/출력 포트에 전기적으로 연결되는 센서일 수도 있다.

일 실시예에서, 반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 시스템이 제공될 수도 있다. 시스템은, 적어도 부분적으로 전기적으로 전도성이고 그리고 z-방향, x-방향, 및 y-방향으로 이동하도록 구성되는 엔드 이펙터로서, z-방향은 수직 방향이고, x-방향은 y-방향에 대해 직교하고, 그리고 x-방향 및 y-방향은 z-방향에 대해 수직인, 엔드 이펙터; 프로브; 전기적 연속성 검출기; 및 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 엔드 이펙터와 프로브 사이에 전기적 연속성이 처음 발생할 때 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션이 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터와 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하기 위해서 엔드 이펙터를 z-방향에서 이동시키도록, 프로브와 엔드 이펙터가 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하도록, 그리고 엔드 이펙터의 z-포지션을 저장하도록 구성될 수도 있는 제어기를 포함할 수도 있다.

일 이러한 실시예에서, 프로브는 반도체 프로세싱 툴 내에서 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 위치되도록 구성될 수도 있고, 그리고 제어기는 프로브가 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 위치될 때 엔드 이펙터와 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 z-방향에서 하측으로 엔드 이펙터를 이동시키고, 프로브가 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 위치될 때 프로브 및 엔드 이펙터가 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하고, 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션은 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 1 측정 지점과 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션을 저장하고, 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션은 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 2 측정 지점과 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션을 저장하고, 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션은 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 3 측정 지점과 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션을 저장하도록 더 구성될 수도 있다.

추가의 이러한 실시예들에서, 시스템은 지그가 엔드 이펙터가 위치될 수 있는 반도체 프로세싱 툴의 일부분 내에 배치되도록 구성되고 그리고 게이지를 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 포지셔닝하도록 구성될 수 있기 위해서, 지그를 더 포함한다.

일부 실시예들에서, 엔드 이펙터는 x-방향이 y-방향에 대해 직교이도록, 그리고 x-방향 및 y-방향이 z-방향에 대해 수직이도록, x-방향, 및 y-방향으로 이동하도록 더 구성될 수도 있고, 그리고 제어기는, 엔드 이펙터를 제 1 포지션, 제 2 포지션, 및 제 3 위치로 이동시키고, 엔드 이펙터가 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 위치될 때 엔드 이펙터와 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하기 위해서 엔드 이펙터를 z-방향에서 하측으로 이동시키고, 엔드 이펙터가 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 위치될 때 프로브와 엔드 이펙터가 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하고, 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션은 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 1 측정 지점과 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션을 저장하고, 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션은 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 2 측정 지점과 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션을 저장하고, 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션은 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 3 측정 지점과 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이도록, 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션을 저장하도록 더 구성된다.

일 실시예에서, 플레이트가 제공될 수도 있다. 플레이트는 플레이트가 엔드 이펙터 상에 배치되도록 구성되는 제 1 전도성 표면을 포함할 수도 있고, 제 1 전도성 표면은 플레이트가 엔드 이펙터 상에 배치될 때 엔드 이펙터의 상단 표면과 대면하고 오버랩하도록 구성되고, 제 1 전도성 표면은 전기적 연속성 검출기에 전기적으로 연결되도록 구성되고, 제 1 전도성 표면은 제 1 전도성 표면과 엔드 이펙터의 상단 표면이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 완성하도록 구성되고, 그리고 제 1 전도성 표면은 엔드 이펙터가 편향되지 않은 상태일 때 제 1 거리만큼 엔드 이펙터의 상단 표면으로부터 이격되도록 구성된다.

일부 실시예들에서, 제 1 표면은 이격 거리만큼 제 1 플레이트 표면으로부터 오프셋될 수도 있다.

일부 실시예들에서, 플레이트는 웨이퍼의 중량 및 무게 중심과 실질적으로 동일한 중량 및 무게 중심을 갖도록 구성 가능할 수도 있다.

일부 실시예들에서, 플레이트는 웨이퍼의 중량 및 무게 중심과 실질적으로 동일한 중량 및 무게 중심을 가질 수도 있다.

일부 실시예들에서, 플레이트는 엔드 이펙터에 의해 이동되도록 구성될 수도 있다.

일부 실시예들에서, 플레이트는 제 2 전도성 표면을 더 포함할 수도 있고, 제 2 전도성 표면은 플레이트가 엔드 이펙터 상에 배치될 때 엔드 이펙터의 상단 표면과 대면하고 오버랩하도록 구성되고, 제 2 전도성 표면은 전기적 연속성 검출기에 전기적으로 연결되도록 구성되고, 제 2 전도성 표면은 제 2 전도성 표면과 엔드 이펙터의 상단 표면이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 완성하도록 구성되고, 그리고 제 2 전도성 표면은 엔드 이펙터가 편향되지 않은 상태에 있을 때 제 1 거리만큼 엔드 이펙터의 상단 표면으로부터 이격되도록 구성된다.

일 실시예에서, 반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하기 위한 키트가 제공될 수도 있다. 키트는 제 1 전기 케이블, 제 2 전기 케이블, 플레이트로서, 플레이트는 엔드 이펙터 상에 배치될 때 엔드 이펙터의 상단 표면과 대면하고 오버랩하도록 구성되는 제 1 전도성 표면을 포함하는, 플레이트, 및 전기적 연속성 검출기를 포함할 수도 있다. 제 1 케이블은 제 1 전도성 표면에 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있고, 제 2 케이블은 접지에 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있고, 전기적 연속성 검출기는 제 1 전기 케이블 및 제 2 전기 케이블과 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있고, 그리고 전기적 연속성 검출기는 제 1 전도성 표면 및 엔드 이펙터의 상단 표면이 전기적으로 전도성으로 콘택트할 때 제 1 전도성 표면과 엔드 이펙터의 상단 표면 사이에서 전기적 연속성을 검출하도록 구성될 수도 있다.

도 1은 예시적인 엔드 이펙터의 평면도를 도시한다.
도 2는 예시적인 엔드 이펙터를 가진 반도체 프로세싱 툴의 예시적인 부분적인, 커버되지 않은 에어록의 비스듬한 각도에서 본 도면을 도시한다.
도 3은 도 2의 예시적인 에어록 및 엔드 이펙터의 평면도를 도시한다.
도 4는 웨이퍼를 지지하는 예시적인 엔드 이펙터의 단면도를 도시한다.
도 5는 편향된 상태인 도 4의 엔드 이펙터의 단면도를 도시한다.
도 6은 예시적인 벤딩된 엔드 이펙터를 도시한다.
도 7은 10 개의 라벨링된 (labeled) 측정 지점들을 가진 예시적인 엔드 이펙터를 도시한다.
도 8은 프로브의 비스듬한 각도에서 본 도면을 도시한다.
도 9는 프로브를 향하여 수직으로 하측으로 이동하는 예시적인 엔드 이펙터를 도시한다.
도 10은 도 9의 예증적인 엔드 이펙터와 프로브 사이의 확립된 전기적 연속성을 도시한다.
도 11은 엔드 이펙터, 프로브, 및 지그를 가진 예시적인 에어록의 비스듬한 각도에서 본 도면을 도시한다.
도 12는 예시적인 지그의 평면도를 도시한다.
도 13은 에어록 내부에 위치된 지그 및 프로브의 평면도를 도시한다.
도 14는 지그 및 프로브 위의 엔드 이펙터에 따른 도 13의 에어록의 평면도를 도시한다.
도 15는 도 14의 에어록, 지그, 및 엔드 이펙터의 평면도를 도시한다.
도 16은 반도체 프로세싱 툴을 위한 프로세서-기반 제어기의 예를 도시한다.
도 17은 엔드 이펙터의 높이를 측정하는 예시적인 구현예를 도시한다.
도 18은 프로브가 고정된 채로 있는 동안 위치들 사이에서 x- 및/또는 y- 방향으로의 엔드 이펙터의 이동을 포함하는 제 2 일반적인 실시예의 샘플 구현예의 흐름도를 도시한다.
도 19는 엔드 이펙터의 높이를 측정하기 위한 제 1 키트를 도시한다.
도 20은 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하는 일 샘플 구현예를 도시한다.
도 21은 또 다른 엔드 이펙터에 대한 엔드 이펙터 포지션 데이터를 도시한다.
도 22는 제 1 예시적인 플레이트의 등각도를 도시한다.
도 23은 평탄도 측정 동작들 동안 엔드 이펙터 상에 배치된 플레이트의 평면도를 도시한다.
도 24는 도 23의 엔드 이펙터 및 플레이트의 식별된 부분의 확대된 측단면도를 도시한다.
도 25는 엔드 이펙터의 평면도를 도시한다.
도 26은 도 23과 유사한 평탄도 측정 동작들 동안 엔드 이펙터 상에 배치된 플레이트의 평면도를 도시한다.
도 27은 일부 평탄도 측정 동작들 동안 엔드 이펙터 상에 배치된 플레이트의 평면도를 도시한다.
도 28은 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하도록 상기 도면들의 플레이트들과 같은 플레이트들을 사용하기 위한 예시적인 기법을 도시하는 흐름도이다.

다음의 기술에서, 수많은 구체적인 상세들이 제공된 개념들의 완전한 이해를 제공하도록 제시된다. 제공된 개념들은 이들 구체적인 상세들의 일부 또는 전부 없이 실시될 수도 있다. 다른 예들에서, 공지된 프로세스 동작들은 기술된 개념들을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않았다. 일부 개념들은 구체적인 실시예들과 함께 기술될 것이지만, 이들 실시예들을 제한하도록 의도되지 않음이 이해될 것이다.

본 명세서에 기술되고 예시된 많은 개념들 및 구현예들이 있다. 본 명세서에 논의된 구현예들의 특정한 특징들, 속성들 및 이점들이 기술되고 예시되지만, 본 개시의 많은 다른 것들, 뿐만 아니라 상이한 그리고/또는 유사한 구현예들, 특징들, 속성들 및 이점들이 기술 및 예시들로부터 분명하다는 것이 이해되어야 한다. 이와 같이, 이하의 구현예들은 단지 예시적이다. 구현예들은 총망라한 것으로 또는 개시된 정확한 형태들, 기법들, 재료들 및/또는 구성들에 본 개시를 제한하도록 의도되지 않는다. 많은 수정들 및 변동들이 이 개시를 고려하여 가능하다. 다른 구현예들이 활용될 수도 있고 그리고 동작 상의 변화들이 본 개시의 범위로부터 벗어나지 않고 행해질 수도 있다는 것이 이해된다. 이와 같이, 본 개시의 범위는 이하의 구현예들의 기술이 예시 및 기술의 목적들을 위해 제공되기 때문에 이하의 기술에만 제한되지 않는다.

본 개시는 임의의 단일의 양태 또는 구현예에, 또는 이러한 양태들 및/또는 구현예들의 임의의 단일의 조합 및/또는 치환에 제한되지 않는다. 게다가, 본 개시의 양태들, 및/또는 본 개시의 구현예들 각각은, 단독으로 또는 본 개시의 다른 양태들 및/또는 구현예들의 하나 이상의 조합으로 채용될 수도 있다. 간결성을 위해, 많은 이러한 치환들 및 조합들이 본 명세서에 별도로 논의되지 않고 그리고/또는 예시되지 않을 것이다.

반도체 제조 프로세스들에서 사용되는 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 실시예들, 구현예들, 방법들, 기법들, 및 장치들이 본 명세서에 개시된다. 엔드 이펙터는 웨이퍼 (본 명세서에서 사용된 바와 같이, "웨이퍼"는 반도체 웨이퍼 및/또는 기판 양자를 지칭함) 를 픽업하고, 홀딩하고, 이송하고, 그리고/또는 배치하도록 사용될 수도 있는 로봇 암의 단부 부분이다. 일부 반도체 프로세싱에서, 엔드 이펙터는 반도체 프로세싱 툴 ("tool") 외부의 위치로부터 이로 제한되지 않지만, 프로세싱 스테이션들, 에어록들, 로드록들, 등을 포함하는, 툴 내의 하나 이상의 위치들로 웨이퍼를 이송할 수도 있다. 예를 들어, "FOUP" (front opening unified pod) 는 하나 이상의 웨이퍼들을 포함할 수도 있고 그리고 툴 상에 설치될 수도 있다. 툴은 하나 이상의 웨이퍼들을 FOUP로부터 로드록, 에어록, 및/또는 프로세싱 챔버와 같은, 툴 내의 하나 이상의 위치들로 이송하도록 엔드 이펙터를 사용할 수도 있다. 일부 이러한 프로세싱에서, 툴은 또한 툴의 다른 위치들 사이에서, 예컨대, 프로세싱 챔버들 사이에서 그리고 프로세싱 챔버로부터 에어록으로 웨이퍼를 이송하도록 하나 이상의 다른 엔드 이펙터들을 사용할 수도 있다. 엔드 이펙터는 x-축, y-축, 및 z-축을 따라서와 같이, 수많은 공간적 방향들로 이동시키도록, 뿐만 아니라 예를 들어, 모터 메커니즘 또는 이동 메커니즘에 의해 z-축 (때때로 "θ"로 나타낸 세타로서 지칭됨) 방향들 중심의 회전 이동을 위해 구성될 수도 있다.

일부 엔드 이펙터들은 적어도 부분적으로, 금속으로 이루어질 수도 있고 그리고 웨이퍼를 홀딩하도록 구성된다. 일부 엔드 이펙터들은 웨이퍼가 이들 지정된 웨이퍼 지지 위치들 (예를 들어, 패드들, 웨이퍼 지지 패드들, 웨이퍼 지지부들) 이외에서 엔드 이펙터와 콘택트하지 않도록 웨이퍼를 지지하는 패드들 (일부 경우들에서 고무 또는 다른 비전도성 재료로 이루어질 수도 있음) 을 포함할 수도 있다. 도 1은 예시적인 엔드 이펙터의 평면도를 도시한다. 보이는 바와 같이, 엔드 이펙터 (1104) 가 도시되고 그리고 4 개의 원형의 웨이퍼 지지 패드들 (1110) 을 포함한다. 이 엔드 이펙터는 적어도 부분적으로, 웨이퍼를 에어록 내로, 에어록의 외부로, 그리고 에어록 내부에서 이송하도록 사용될 수도 있다. 도 2는 예시적인 엔드 이펙터를 가진 반도체 프로세싱 툴의 예시적인 부분적인, 커버되지 않은 에어록의 비스듬한 각도에서 본 도면을 도시한다. 도 3은 도 2의 예시적인 에어록 및 엔드 이펙터의 평면도를 도시한다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 엔드 이펙터 (1104) 는 에어록 (1102) 의 부분 내로 연장한다.

많은 반도체 프로세스들에서, 엔드 이펙터는 지정된 웨이퍼 지지 위치들, 예를 들어, 웨이퍼 지지 패드들 이외의 위치들에서 웨이퍼와 콘택트하려고 하지 않는다. 본 발명자들은 의도된 것보다 많이 편향되거나, 엔드 이펙터들에 영구적인 변형이 있도록 손상된 엔드 이펙터들이 상부에 지지되는 웨이퍼들로 하여금 엔드 이펙터들의 부분들에 대해 러빙되게 할 수도 있다는 것을 알아냈다. 엔드 이펙터와 엔드 이펙터에 의해 지지된 웨이퍼 사이의 모든 의도되지 않은 콘택트는 웨이퍼 및/또는 엔드 이펙터를 손상시킬 수도 있거나, 그렇지 않으면 웨이퍼들의 프로세싱에 부정적으로 영향을 줄 수도 있다 (예를 들어, 웨이퍼가 손상되지 않을 수도 있지만, 웨이퍼는 엔드 이펙터에 대해 러빙될 수도 있고 이는 결국 웨이퍼 및/또는 다른 웨이퍼들을 오염시킬 수도 있는 미립자를 생성할 수도 있음). 본 발명자들은 엔드 이펙터들의 평탄도의 정도를 결정하기 위한 주기적인 테스트가 웨이퍼가 로딩될 때 바람직하지 않은 변형도를 가진 엔드 이펙터들를 식별하는 것을 도울 수도 있다는 것을 알아냈다. 일부 이러한 반도체 프로세스들에서, 웨이퍼를 둘러싸는 영역에서 곧은 그리고/또는 편평한 엔드 이펙터를 유지하는 것은 엔드 이펙터 및 웨이퍼가 서로 콘택트하지 않는다는 것을 보장할 수도 있다. 웨이퍼 지지 위치들 이외의 위치들에서, 웨이퍼와 엔드 이펙터 사이의 콘택트는 예를 들어, 벤딩되고, 랩핑되고, 그리고/또는 손상되는 엔드 이펙터를 포함한, 수많은 조건들 및 요인들에 의해 유발될 수도 있다.

웨이퍼가 엔드 이펙터와 콘택트하는 것을 방지하기 위해서, 대부분의 엔드 이펙터들은 패드들이 웨이퍼를 지지할뿐만 아니라 웨이퍼를 엔드 이펙터로부터 특정한 거리 또는 간격만큼 이격시킬 수도 있도록 구성될 수도 있다. 도 4는 웨이퍼를 지지하는 예시적인 엔드 이펙터의 단면도를 도시한다. 보이는 바와 같이, 엔드 이펙터 (404) 는 웨이퍼 (452) 를 지지하는 2 개의 패드들 (410) 을 포함한다. 웨이퍼 (452) 는 간격 거리 (454) 만큼 엔드 이펙터 (404) 의 상단 표면으로부터 이격된다. 웨이퍼 (452) 와 엔드 이펙터 (404) 사이의 간격 거리 (454) 는 이로 제한되지 않지만, 웨이퍼의 중량 및 무게 중심, 웨이퍼 변형, 변동, 및/또는 형상, 엔드 이펙터 (404) 의 재료, 및/또는 프로세싱 조건들 (예를 들어, 온도 및 압력) 을 포함한, 수많은 요인들에 기초하여 상이할 수도 있다. 간격 거리는 웨이퍼 및 엔드 이펙터가 미리 결정된 특정한 상황들, 조건들, 또는 다른 파라미터들을 간섭하지 않는다는 것을 보장하도록 선택될 수도 있다.

본 명세서에 논의된 엔드 이펙터들과 같은 엔드 이펙터들은 웨이퍼가 웨이퍼에 의해 엔드 이펙터 상에 가해진 캔틸레버된 (cantilevered) 로딩에 기인하여 엔드 이펙터 상에 배치될 때 편향되거나 벤딩될 수도 있다. 이러한 상황들에서, 엔드 이펙터와 웨이퍼 사이의 최소 간격 거리는 하나 이상의 위치들에서 감소될 수도 있다. 도 5는 편향된 상태인 도 4의 엔드 이펙터의 단면도를 도시한다. 도 4와 유사하게, 엔드 이펙터 (404) 는 패드들 (410) 을 사용하여 웨이퍼 (452) 를 지지한다. 그러나, 도 5에서, 엔드 이펙터 (404) 는 웨이퍼 (452) 및 엔드 이펙터 (404) 가 도 4의 간격 거리 (454) 미만인 최소 이격 거리 (456) 만큼 특정한 위치에서 이격되도록 편향된다. 일 예에서, 간격 거리 (454) 는 약 0.025 인치일 수도 있고 그리고 최소 이격 거리 (456) 는 약 0.022 인치일 수도 있다.

상기에 언급된 바와 같이, 웨이퍼 및 엔드 이펙터는 목표된 문턱값 밖에 있는 엔드 이펙터의 평탄도 또는 곧은 정도에 기인하여 서로 콘택트할 수도 있다. 예를 들어, 도 6은 예시적인 벤딩된 엔드 이펙터를 도시한다. 엔드 이펙터 (404), 패드들 (410), 및 웨이퍼 (452) 는 도 4에 도시된 것과 유사하지만, 여기서 엔드 이펙터 (404) 는 웨이퍼 (452) 및 엔드 이펙터 (404) 가 콘택트하도록 벤딩되고, 이는 상기에 논의된 바와 같이, 바람직하지 않다.

따라서, 특정한 파라미터, 문턱값, 및/또는 범위 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 유지하는 것은 엔드 이펙터와 웨이퍼 사이의 콘택트를 방지할 수도 있다. 이것을 적절히 성취하기 위한 일 방식은 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하는 것이다 - 목표된 레벨의 평탄도를 갖지 않은 엔드 이펙터들은 제거될 수도 있고 재활용될 수도 있거나 폐기될 수도 있고 그리고 새로운 엔드 이펙터로 교체될 수도 있다 -. 본 명세서에서 논의된 바와 같이, 본 개시의 발명자들은 엔드 이펙터의 평탄도의 추정을 허용하는 측정들을 포함하여, 반도체 프로세싱 툴 내의 엔드 이펙터의 다양한 양태들을 측정하도록 신규한 방법들, 시스템들, 기법들, 및 장치들을 개발하였다.

엔드 이펙터의 평탄도가 측정될 수도 있는 일부 종래의 방식들은 고가이고 시간이 많이 걸린다. 예를 들어, 일 이러한 측정 방법은 엔드 이펙터를 툴로부터 제거하고 그리고 엔드 이펙터를 특정한 화강석 상에 배치하는 것이고, 이는 엔드 이펙터를 툴로부터 디스어셈블하고 제거하고, 엔드 이펙터의 측정을 제거하고, 엔드 이펙터를 재설치하고, 그리고 툴을 리캘리브레이팅하도록 (recalibrate) 상당한 툴 정지 시간 (downtime) 및 노동을 요구한다. 이 방법은 또한 정확한 결과들을 제공할 수도 있는 사용자의 시각적 평가에 의존한다. 또 다른 예시적인 방법은 평탄도를 측정하도록 레이저들을 사용하지만, 이 방법은 고가이고, 시간 및 노동 집약적이고, 긴 셋업 시간을 갖고, 그리고 레이저들은 최종 소비자 반도체 프로세싱 툴들 상에 통상적으로 배치되지 않는다. 세번째 가능한 기법은 평탄도를 결정하도록 엔드 이펙터 아래에 게이지를 수동으로 배치하고 그리고 상측으로 압력을 가하는 (assert) 것이지만; 이 결정은 사용자에 의해 시각적으로 이루어지고 그리고 엔드 이펙터에 게이지를 적용함으로써 유발된 의도하지 않은 변형에 기인한 거짓 결과들을 나타낼 수도 있다.

본 개시는 기준 평면에 대해 엔드 이펙터의 일련의 수직 높이 측정들을 결정하도록 프로브와 엔드 이펙터 사이의 전기적 연속성의 개념을 사용하고, 이는 웨이퍼 평면에 대한 엔드 이펙터의 평탄도 및 웨이퍼 평면의 추정과 같은, 엔드 이펙터의 상이한 양태들을 결정하도록 사용될 수도 있다. 전기적 연속성은 전기적 경로가 2 개의 지점들 사이에 확립될 때 발생한다. 일부 실시예들에서, 엔드 이펙터 평탄도는 엔드 이펙터의 상이한 지점들의 측정된 수직 높이들을 사용하여 결정된다 - 이들 측정값들은 전기적 연속성이 발생하는 순간에 엔드 이펙터의 z-축 좌표를 획득함으로써 획득될 수도 있다 -. 예를 들어, 엔드 이펙터의 측정 높이들은 본 명세서에 기술된 바와 같이, 엔드 이펙터의 웨이퍼 평면의 지표 그리고 엔드 이펙터가 이러한 웨이퍼 평면에 매우 근접할 수도 있고 그리고/또는 이러한 웨이퍼 평면에 침범할 (invade) 수도 있는 구역들을 포함하는지 여부를 제공할 수도 있다. 엔드 이펙터의 수직 높이 측정값 각각은 엔드 이펙터와 프로브가 콘택트할 때, 전기적으로 전도성 경로가 확립되도록 엔드 이펙터의 측정 지점과 프로브가 콘택트할 때까지 엔드 이펙터를 하측으로 이동시킴으로써 획득될 수도 있다. 예를 들어, 나타낸 바와 같이, 광, 톤, 디스플레이 리드아웃 (readout), 또는 다른 신호에 의해 일단 전기적으로 전도성 경로가 확립된다면, 엔드 이펙터의 수직 이동은 중단될 수도 있고 그리고 엔드 이펙터의 z-축 위치는 수직 높이 측정값을 제공할 수도 있다.

엔드 이펙터는 프로브 위에서 시작되고 그리고 전기적으로 전도성 콘택트가 엔드 이펙터의 측정 지점과 프로브 사이에 이루어질 때까지 프로브를 향하여 수직 방향으로 하측으로 이동된다. 측정된 수직 높이 측정값은 엔드 이펙터의 수직 방향으로의 이동 동안 전기적 연속성이 엔드 이펙터의 측정 지점과 프로브 사이에 처음 발생할 때, 기준 평면에 대한 엔드 이펙터의 수직 높이이다. 전기적 연속성은 점 콘택트로 하여금 엔드 이펙터의 편향 없이 최소로 프로브와 엔드 이펙터 사이에 발생하게 인에이블하기 때문에 엔드 이펙터의 높이의 정확한 측정을 제공한다. 엔드 이펙터를 따라 복수의 지점들에 대한 이러한 측정들을 수행함으로써, 엔드 이펙터 평탄도의 추정값이 계산될 수도 있다.

가요성 엔드 이펙터들의 현재 사용되는 많은 콘택트-측정 기법들은 측정될 가요성 엔드 이펙터가 콘택트 측정 디바이스에 의해 콘택트될 때 가요성 엔드 이펙터가 이동되기 때문에 본질적으로 부정확하고 그리고/또는 반복 가능하지 않다. 그러나, 본 명세서에 기술된 실시예들, 구현예들, 및 기법들은 엔드 이펙터의 휨을 최소화하고, 따라서 측정 에러를 감소시키는 측정 디바이스와 가요성 엔드 이펙터 사이의 매우 약한 콘택트의 사용을 인에이블하는 전기적 연속성의 개념을 사용한다. 본 명세서에 기술된 이러한 기법들 및 장치들은 또한 현재 사용되는 다른 기법들 및/또는 장치들과 비교할 때 비용이 적게 들고 단순하다.

예를 들어, 일부 실시예들에서, 엔드 이펙터의 평탄도는 엔드 이펙터 상의 10 개의 상이한 측정 지점들에서의 엔드 이펙터의 측정된 높이를 사용하여 결정될 수도 있다. 도 7은 10 개의 라벨링된 측정 지점들을 가진 예시적인 엔드 이펙터를 도시한다. 보이는 바와 같이, 예시적인 엔드 이펙터 (1104) 는 총 10 개의 측정 지점들을 포함하고, 5 개는 좌측 (즉, 제 1 축 (751) 의 좌측) 을 따라 위치되고, 732 내지 740으로 라벨링되고 그리고 5 개는 우측을 따라 위치되고, 742 내지 750으로 라벨링된다. 이들 10 개의 측정 지점들 (732 내지 750) 은 엔드 이펙터 상에 마킹되지 않을 수도 있지만, 도 7에서 어두운 원들로 표현된다. 이들 10 개의 지점들에서 전기적 연속성을 생성하도록 프로브에 의해 콘택트가 이루어질 수도 있다. 일부 실시예들에서, 엔드 이펙터의 측정 지점들 중 하나 이상은 엔드 이펙터의 웨이퍼 지지 패드에 실질적으로 근접할 수도 있다. 예를 들어, 측정 지점은 웨이퍼 지지 패드의 약 1 인치 반경 내에 있을 수도 있다. 측정 지점들은 관련된 결과들을 생성하도록 엔드 이펙터 상에 임의의 수의 방식들로 이격될 수도 있다. 예를 들어, 측정 지점들은 서로 균등하게, 예컨대, 2 인치 이격될 수도 있거나 측정 지점들은 특정한 위치들에, 예컨대, 웨이퍼 지지부들 사이의 중간 지점 근방에 집중될 수도 있다.

엔드 이펙터 그리고 적어도 엔드 이펙터의 측정 지점들과 콘택트하는 프로브의 부분은 전기적으로 전도성일 수도 있고 그리고 콘택트가 프로브와 측정 지점 각각 사이에서 이루어질 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성된다. 일부 이러한 실시예들에서, 전체 엔드 이펙터는 전기적으로 전도성일 수도 있다. 일부 다른 이러한 실시예들에서, 엔드 이펙터는 비전도성 코팅으로 코팅될 수도 있지만, 측정 지점 각각에서, 엔드 이펙터는 전기적으로 전도성이도록 구성될 수도 있고, 예를 들어, 코팅은, 프로브와 콘택트할 때, 전기적으로 전도성 경로가 확립되도록, 제거되거나 그렇지 않으면 부재할 수도 있다.

프로브는 수많은 방식들로 구성될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 프로브는 프로브의 비스듬한 각도에서 본 도면을 도시하는 도 8에 도시된 바와 같이, 전도성 부분 및 비전도성 베이스를 포함할 수도 있다. 프로브 (806) 의 전도성 부분 (858) 은 비전도성 베이스 (860) 에 장착된 것으로 보일 수 있다. 프로브 (806) 는 또한 전기적 연속성 검출기 (미도시) 에 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있다. 이 전기적 연결은 기술에 공지된 임의의 방법에 의해 발생할 수도 있다. 일부 이러한 구성들에서, 프로브 (806) 는 전기 케이블이 프로브 (806) 에 전기적으로 연결될 수도 있는 도 8에 도시된 바와 같은 전기적 연결 포트들 (861) 을 포함할 수도 있다. 프로브의 팁 또는 포인트는 라운딩되거나, 포인팅되거나, 편평하거나, 일부 다른 형상일 수도 있다. 프로브는 프로브의 실질적으로 작은 영역이 엔드 이펙터와 콘택트하도록 엔드 이펙터와 점 콘택트를 생성하게 구성될 수도 있다. 예를 들어, 팁은 핀 헤드와 유사하도록 "뾰족하다고" 간주될 수도 있다. 프로브의 일부 추가의 구성들 및 프로브를 사용하는 실시예들이 이하에 논의된다. 프로브의 다른 구성들이 또한 사용될 수도 있다.

상기에 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 엔드 이펙터는 엔드 이펙터의 측정 지점과 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 하측으로 수직 방향으로 이동된다. 도 9는 프로브를 향하여 수직으로 하측으로 이동하는 예시적인 엔드 이펙터를 도시한다. 도 9의 화살표는 예증적인 엔드 이펙터 (904) 가 프로브 (906) 를 향하여 수직 방향으로 이동한다는 것을 나타낸다. 전기적 연속성 검출기 (9102) 와 프로브 (906) 를 전기적으로 연결하는 제 1 전기 케이블 (9104) 이 도시되고 그리고 제 2 전기 케이블 (9106) 은 전기적 연속성 검출기 (9102) 와 예증적인 엔드 이펙터 (904) 를 전기적으로 연결한다. 일부 실시예들에서, 프로브 또는 엔드 이펙터는 접지될 수도 있고, 그리고 제 2 전기 케이블 (9106) 도 또한 접지에 연결될 수도 있다.

도 10은 도 9의 예증적인 엔드 이펙터와 프로브 사이의 확립된 전기적 연속성을 도시한다. 도 10의 작은 흰색 화살표들은 예증적인 엔드 이펙터 (904) 및 프로브 (906) 가 전기적으로 전도성으로 콘택트할 때 생성되는 전기적으로 전도성 경로, 예를 들어, 전류의 플로우를 나타낸다. 일부 이러한 실시예들에서, 전기적 연속성 검출기 (9102) 는 이 전기적 연속성을 검출하도록 구성되고, 그리고 전기적 연속성 검출기는 멀티미터일 수도 있지만, 일부 다른 실시예들에서, 전기적 연속성 검출기는 전기적 연속성을 검출하도록 구성되는 제어기의 일부일 수도 있다.

엔드 이펙터의 상이한 측정 위치들이 측정되기 때문에, 프로브 및 엔드 이펙터는 서로에 대하여 XY 평면에 평행하게 이동되어야 한다. 이 개시의 일부로서, 발명자들은 이 이동이 발생할 수도 있는 적어도 2 개의 일반적인 실시예들이 있다는 것을 알아냈다: (1) 엔드 이펙터가 상승되는 동안 상이한 XY 위치들 사이의 프로브의 이동 및 (2) 프로브가 고정된 채로 있는 동안 상이한 XY 위치들 사이의 x-방향 및/또는 y-방향으로의 상승된 엔드 이펙터의 이동. 이러한 실시예들에서, x-방향은 y- 방향에 대해 직교하고, 그리고 x-방향 및 y-방향은 z-방향에 대해 수직이다 (즉, 수직 방향). 이들 일반적인 실시예들은 결국 아래에서 논의될 것이다. 이들 2 개의 실시예들의 조합이 또한 사용될 수도 있고, 예를 들어, 일부 실시예들에서 엔드 이펙터가 2 개 이상의 위치들 사이에서 이동할 수도 있고 그리고 프로브가 또한 2 개 이상의 위치들 사이에서 이동할 수도 있다는 것이 또한 고려된다.

엔드 이펙터가 수직 방향으로 이동하지만 XY 방향들에서 고정된 채로 있는 동안 위치들 사이의 프로브의 이동을 포함하는 제 1 일반적인 실시예가 이제 논의될 것이다. 본 명세서에 기술된 바와 같이 엔드 이펙터의 높이를 측정하는 것은 반도체 프로세싱 툴의 상이한 부분들에서 발생할 수도 있지만, 설명 목적들을 위해, 에어록에서 엔드 이펙터를 측정하는 것이 논의될 것이다. 일부 이러한 실시예들에서, 프로브는 엔드 이펙터가 프로브 위에서 이동할 수도 있도록 에어록의 내부 플로어 상에, 또는 에어록의 하단에 배치될 수도 있다. 프로브는 프로브가 엔드 이펙터의 2 개 이상의 측정 지점과 콘택트하기 위해서 2 개 이상의 위치에 위치되도록, 사용자 또는 기계적 수단에 의해서와 같이 측정들 사이에서 에어록 내부에서 이동될 수도 있다. 에어록 플로어 상에 위치된, 가이드 (프로브가 배치될 수 있는 하나 이상의 물리적 위치들을 가짐), 약도, 또는 마킹들 및/또는 픽스처들과 같은, 복수의 수단이 에어록 (또는 툴의 다른 부분들) 내에 프로브를 위치시키도록 사용될 수도 있다. 일부 이러한 실시예들에서, 프로브의 배치를 가이드하도록, 즉, 에어록 내부의 하나 이상의 위치들에 프로브를 포지셔닝하도록 구성되는 지그가 사용될 수도 있다. 지그는 또한 에어록의 플로어 상에 위치될 수도 있고 그리고 장착 메커니즘들, 핀들, 나사들, 클램프들, 등을 포함한 수많은 수단에 의해 에어록에 고정될 수도 있다. 지그는 본 명세서에 기술된 바와 같이 전기적 연속성을 생성하기 위해서 프로브와 엔드 이펙터 사이의 콘택트를 인에이블하도록 툴의 임의의 적합한 부분에 피팅되고 그리고/또는 배치되도록 구성될 수도 있다. 예시적인 지그가 본 명세서의 다양한 도면들에 도시되지만, 이러한 지그는 복수의 상이한 형태들을 취할 수도 있고 그리고 본 명세서에 도시된 특정한 변형에 제한되지 않는다는 것이 이해된다.

도 11은 엔드 이펙터, 프로브, 및 지그를 가진 예시적인 에어록의 비스듬한 각도에서 본 도면을 도시한다. 보이는 바와 같이, 엔드 이펙터 (1104) 는 에어록 (1102) 내로 연장하고 그리고 프로브 (1106) 및 지그 (1108) 위에 위치된다. 엔드 이펙터 (1104) 는 프로브 (1106) 및 지그 (1108) 의 전체적인 뷰를 부분적으로 가리고, 프로브 (1106) 및 지그 (1108) 양자는 에어록의 플로어 상에 위치된다. 프로브 (1106) 는 도 8에 도시된 프로브와 유사하고; 프로브 (1106) 는 전도성 부분 및 비전도성 베이스를 갖는다. 일부 실시예들에서, 에어록 (1102) 및/또는 엔드 이펙터 (1104) 는 전기적으로 접지될 수도 있다.

도 12는 예시적인 지그의 평면도를 도시한다. 도 12의 지그 (1108) 는 프로브를 포지셔닝하도록 10 개의 위치들을 포함한다. (제 2 축 (1231) 의) 좌측에서, 지그는 제 1 위치 (1212), 제 2 위치 (1214), 제 3 위치 (1216), 제 4 위치 (1218), 및 제 5 위치 (1220) 를 포함한다. 우측에서, 지그는 제 6 포지션 (1222), 제 7 위치 (1224), 제 8 위치 (1226), 제 9 위치 (1228), 및 제 10 위치 (1230) 를 포함한다. 지그는 또한 프로브를 포지셔닝하도록 11 개 이상, 또는 10 개 미만의 위치들을 가질 수도 있다. 일부 실시예들에서, 지그는 측면 각각에 4 개의 위치들을 가지며, 총 8 개의 위치들을 가질 수도 있다. 일부 실시예들에서, 위치 각각은 다른 위치들과 상이하다. 지그는 또한 폴리머와 같은 비전도성 재료로 이루어질 수도 있다.

도 13은 에어록 내부에 위치된 지그 및 프로브의 평면도를 도시한다. 지그 (1108) 및 프로브 (1106) 양자는 도 11과 유사하게 에어록 (1102) 의 플로어 상에 위치되고, 그리고 지그 (1108) 는 도 12에 도시된 지그이다. 보이는 바와 같이, 프로브 (1106) 는 지그 (1108) 의 제 2 위치 (1214) 에 포지셔닝된다. 제 2 위치에 포지셔닝된 프로브 위에서 에어록 내로 연장되는 엔드 이펙터를 사용하여, 엔드 이펙터는 도 14에 예시된 바와 같이, 엔드 이펙터의 특정한 측정 위치에서 프로브와 콘택트하도록 수직으로 하측으로 이동할 수도 있다. 도 14는 지그 및 프로브 위의 엔드 이펙터와 함께 도 13의 에어록의 평면도를 도시한다. 도 14에서 보이는 엔드 이펙터 (1104) 는 엔드 이펙터 (1104) 가 10 개의 측정 위치들을 포함하지만, 단 하나의 측정 위치, 제 2 측정 위치 (734) 가 도 14에서 식별되도록 도 7의 엔드 이펙터와 유사하다. 프로브는 엔드 이펙터가 수직으로 이동할 때 프로브가 엔드 이펙터 (1104) 의 제 2 측정 위치 (734) 와 콘택트할 수도 있도록 제 2 위치 (1214) 에 포지셔닝된다.

일부 이러한 실시예들에서, 엔드 이펙터 (1104) 가 제 2 측정 지점 (734) 과 프로브 (1106) 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 수직으로 하측으로 이동할 때, 전기적으로 전도성 경로가 도 9 및 도 10에 관하여 상기에 논의된 바와 같이 생성되도록, 프로브 (1106) 및 엔드 이펙터 (1104) 는 전기적 연속성 검출기 (미도시) 에 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있다. 전기적 연속성 검출기, 또는 제어기 (이하에 논의됨) 와 같은 다른 디바이스는 프로브 (1106) 및 제 2 측정 지점 (734) 이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정할 수도 있다.

상기에 언급된 바와 같이, 프로브 (1106) 는 프로브 (1106) 와 엔드 이펙터 (1104) 사이의 콘택트가 엔드 이펙터의 상이한 측정 지점들에서 발생할 수도 있도록 지그 (1108) 의 상이한 위치들에 리포지셔닝될 수도 있다. 도 15는 도 14의 에어록, 지그, 및 엔드 이펙터의 평면도를 도시한다. 여기서, 프로브 (도시되지만 식별되지 않음) 는 지그 (1108) 의 모든 10 개의 위치들에 도시된다. 실제로, 2 개 이상의 프로브는 일 프로브와 엔드 이펙터 사이의 콘택트가 엔드 이펙터를 편향시킬 수 있고 그리고 다른 프로브에서 수직 높이 측정에 영향을 줄 수 있기 때문에 복수의 위치들에 동시에 배치되지 않을 것이다. 여기서, 복수의 프로브들은 예증적인 목적들을 위해 도시된다. 프로브는, 프로브가 제 1 측정 지점 (732) 에서 엔드 이펙터와 콘택트할 수도 있도록 제 1 위치 (1212) 에서, 프로브가 제 2 측정 지점 (734) 에서 엔드 이펙터와 콘택트할 수도 있도록 제 2 위치 (1214) 에서, 프로브가 제 3 측정 지점 (736) 에서 엔드 이펙터와 콘택트할 수도 있도록 제 3 위치 (1216) 에서, 프로브가 제 4 측정 지점 (738) 에서 엔드 이펙터와 콘택트할 수도 있도록 제 4 위치 (1218) 에서, 프로브가 제 5 측정 지점 (740) 에서 엔드 이펙터와 콘택트할 수도 있도록 제 5 위치 (1220) 에서 보일 수 있다. 위치들 (1222 내지 1230) 및 측정 지점들 (742 내지 750) 을 각각 가진 엔드 이펙터 (1104) 의 우측에 동일한 것이 반복된다.

일부 실시예들에서, 상기의 본 명세서에 언급된 바와 같이, 반도체 프로세싱 툴은 하나 이상의 이동 메커니즘들을 사용하여 엔드 이펙터를 수직 방향으로 이동시키도록 구성된다. 일부 이러한 실시예들에서, 이 수직 방향은 툴의 부분의 하단 또는 플로어, 또는 상부에 툴이 위치되는 플로어에 대해 수직인 것으로 간주될 수도 있다. 수직 방향은 또한 때때로 "웨이퍼 홀딩" 또는 "웨이퍼 이송" 평면 (이 평면은 엔드 이펙터에 편향이 없다고 가정하여 규정됨) 으로 지칭되는, 웨이퍼가 엔드 이펙터에 의해 홀딩되는 명목상 평면에 대해 수직일 수도 있다. 툴은 x-방향, y-방향, z-방향, 및/또는 세타 방향을 포함하여, 엔드 이펙터의 포지션들을 검출하고 그리고/또는 저장하도록 구성될 수도 있다. 웨이퍼 핸들링 로봇들은 통상적으로 이러한 포지션 측정값들을 제공할 수도 있는 센서들을 구비한다. 일부 이러한 실시예들에서, 이러한 연속성 검출 및 측정값들의 저장은 툴의 제어기에 의해 수행될 수도 있다. 다른 실시예들에서, 연속성 검출 및 측정값들의 저장은 수동으로 행해질 수도 있고, 예를 들어, 오퍼레이터는 연속성이 발생할 때를 결정하도록 연속성 테스터를 모니터링할 수도 있고, 그리고 이어서 수직 높이 측정값을 스프레드시트 (spreadsheet) 또는 다른 매체에 기록할 수도 있다.

일부 실시예들에서, 제어기 (또는 제어기의 기능) 는 프로세서-기반 제어기일 수도 있거나, 프로세서-기반 제어기 (예컨대, 반도체 프로세싱 툴 제어기) 의 부분일 수도 있다. 예를 들어, 반도체 프로세싱 툴은 다양한 액추에이터들, 밸브들, 센서들, 릴레이들, 등과 통신 가능하게 연결되고 그리고 반도체 제작 프로세스의 단계들을 실시하도록 이러한 컴포넌트들 (components) 을 제어하는 하나 이상의 컴퓨터들에 의해 제어될 수도 있다. 이러한 제어기는 제어기로 하여금 입력/출력 인터페이스들 중 하나에 연결되는, 하나의 전자 장비, 예컨대, 엔드 이펙터를 제어하게 하는 다양한 입력/출력 인터페이스들을 포함할 수도 있다. 이러한 제어기는 또한 입력/출력 인터페이스들 중 하나에 연결되는, 하나의 전자 장비, 예컨대 모터 메커니즘들, 센서들, 등으로부터 하나 이상의 신호들을 수신, 프로세싱, 그리고/또는 저장하도록 구성될 수도 있다.

도 16은 반도체 프로세싱 툴을 위한 프로세서-기반 제어기의 예를 도시한다. 프로세서-기반 제어기 (16108) 는 하나 이상의 대용량 저장 디바이스들 (미도시) 을 포함할 수도 있는 하나 이상의 메모리 디바이스들 (16110), 및 하나 이상의 프로세서들 (16112) 을 포함할 수도 있다. 프로세서 (16112) 는 CPU 또는 컴퓨터, 아날로그 및/또는 디지털 입력/출력 연결부들, 등을 포함할 수도 있다. 메모리는 이하에 보다 상세히 기술된 바와 같은 다양한 기능들을 수행하도록 프로세서를 제어하기 위한 컴퓨터-실행 가능 인스트럭션들을 저장할 수도 있다. 일부 구현예들에서, 프로세서-기반 제어기 (16108) 는 엔드 이펙터의 수직 방향으로의 이동을 포함하여, 엔드 이펙터의 이동을 제어하도록 구성될 수도 있다. 일부 구현예들에서, 프로세서-기반 제어기 (16108) 는 반도체 프로세싱 툴의 모든 액티비티들을 제어할 수도 있다. 다른 구현예들에서, 프로세서-기반 제어기 (16108) 는 엔드 이펙터를 포함하는 반도체 프로세싱 툴의 컴포넌트들의 서브세트를 제어하는데만 전용일 수도 있다. 이러한 경우들에서, 이하에 기술된 다양한 기능들 및 능력들은 프로세서-기반 제어기 (16108) 가 갖는 제어의 레벨을 맞추도록 테일러링될 수도 있다. 예를 들어, 프로세서-기반 제어기 (16108) 가 엔드 이펙터들을 제어하는데만 전용이라면, 그러면 밸브들, 질량 유량 제어기들, 및 다른 프로세스 장비의 제어에 관해 이하에 기술된 기능은 반도체 프로세싱 툴의 상이한 제어기에 포함될 수도 있다.

프로세서-기반 제어기 (16108) 의 프로세서 (16112) 는 메모리 (16110) 에 저장되고 메모리 (16110) 에 로딩되는 시스템 제어 소프트웨어를 실행할 수도 있다. 시스템 제어 소프트웨어는 타이밍, 가스들의 혼합물, 챔버 및/또는 스테이션 압력, 챔버 및/또는 스테이션 온도, 웨이퍼 온도, 타깃 전력 레벨들, RF 전력 레벨들, 기판 페데스탈, 척 및/또는 서셉터 포지션, 엔드 이펙터들의 이동, 및 반도체 프로세싱 툴에 의해 수행된 특정한 프로세스의 다른 파라미터들을 제어하기 위한 인스트럭션들을 포함할 수도 있다. 시스템 제어 소프트웨어는 임의의 적합한 방식으로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 다양한 프로세스 툴 컴포넌트 서브루틴들 또는 제어 객체들은 다양한 프로세스 툴 프로세스들을 실시하는데 필요한 프로세스 툴 컴포넌트들의 동작을 제어하기 위해 작성될 수도 있다. 시스템 제어 소프트웨어는 임의의 적합한 컴퓨터 판독 가능 프로그래밍 언어로 코딩될 수도 있다.

일부 실시예들에서, 시스템 제어 소프트웨어는 상기에 기술된 다양한 파라미터들을 제어하기 위한, 뿐만 아니라 엔드 이펙터를 이동시키는 메커니즘(들)과 같은 디바이스들로부터 신호들, 전기적 연속성 검출기로부터 신호들, 그리고/또는 프로브 및/또는 엔드 이펙터로부터 신호들을 수신하기 위한 IOC (input/ouput control) 시퀀싱 인스트럭션들을 포함할 수도 있다. 일부 구현예들에서, 프로세서-기반 제어기 (16108) 와 연관된 사용자 인터페이스가 있을 수도 있다. 사용자 인터페이스는 디스플레이 스크린, 장치 및/또는 프로세스 조건들의 그래픽 소프트웨어 디스플레이들, 및 포인팅 디바이스들, 키보드들, 터치 스크린들, 마이크로폰들, 등과 같은 사용자 입력 디바이스들을 포함할 수도 있다.

프로세스, 엔드 이펙터, 및/또는 프로브를 모니터링하기 위한 신호들은 다양한 프로세스 툴 센서들로부터 프로세서-기반 제어기 (16108) 로 아날로그 및/또는 디지털 통신들에 의해 제공될 수도 있다. 제어기는 도 16에 도시된 바와 같은 엔드 이펙터 이동 메커니즘을 포함하는, 반도체 프로세싱 툴로 그리고 반도체 프로세싱 툴로부터 신호들을 수신하고 전송하도록 입력/출력 인터페이스 (1614) 를 포함할 수도 있다. 프로세스를 제어하기 위한 신호들은 반도체 프로세싱 툴의 아날로그 및/또는 디지털 출력 연결부들을 통해 제공될 수도 있다. 모니터링될 수도 있는 프로세스 툴 센서들의 비한정적인 예들은 질량 유량 제어기들, 압력 센서들 (예컨대, 마노미터들), 열적 커플링들, 엔드 이펙터의 포지션을 결정하기 위한 센서, 및/또는 프로브와 엔드 이펙터 사이의 전기적 연속성을 결정하기 위한 센서를 포함한다. 적절하게 프로그램된 피드백 및 제어 알고리즘들은 프로세스 조건들을 유지하도록 뿐만 아니라 엔드 이펙터와 프로브 사이의 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하기 위해서 엔드 이펙터를 이동시키도록 이들 센서들로부터의 데이터를 사용하여 사용될 수도 있다. 프로세서-기반 제어기 (16108) 는 다양한 반도체 제조 프로세스들을 구현하기 위한 프로그램 인스트럭션들을 제공할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 다양한 프로세스 파라미터들, 예컨대, DC 전력 레벨, RF 바이어스 전력 레벨, 압력, 및 온도를 제어할 수도 있다. 앞서 논의된 바와 같이, 일부 구현예들에서, 프로세서-기반 제어기 (16108) 는 예를 들어, 개조 키트에서 전체 툴 동작을 제어하는 제어기로부터 분리된 유닛일 수도 있고, 그리고 반도체 프로세싱 툴은 반도체 프로세싱 툴의 양태들을 제어하도록 구성되는 제어기를 이미 포함할 수도 있다.

일부 실시예들에서, 제어기는 전기적 연속성이 프로브와 엔드 이펙터 사이에 확립된다는 것을 나타내는 신호를 포함하여, 전기적 연속성 검출기로부터의 신호들을 수신하도록 구성될 수도 있다. 제어기는 전기적 연속성이 프로브와 엔드 이펙터 사이에 확립될 때를 결정하도록, 뿐만 아니라 엔드 이펙터의 수직 방향으로의 이동 동안 엔드 이펙터와 프로브 사이에 전기적 연속성이 처음 발생할 때 엔드 이펙터의 수직 포지션을 저장하도록 더 구성될 수도 있다. 제어기는 또한 적어도 부분적으로, 전기적 연속성 검출기로서 수행하도록 구성될 수도 있다. 일부 이러한 실시예들에서, 제어기는 프로브 및 엔드 이펙터에 전기적으로 연결될 수도 있고, 그리고 프로브 또는 엔드 이펙터로의 전기적 연결부들 중 하나에 전압을 인가하도록 구성될 수도 있고, 그리고 전기적으로 전도성 경로가 프로브와 엔드 이펙터 사이에 생성된다는 것을 검출하도록 구성될 수도 있다. 제어기는 또한 엔드 이펙터의 수직 높이들의 측정값들에 기초하여 평탄도 (예를 들어, 엔드 이펙터가 특정한 평탄도 파라미터 또는 범위 내에 속하는지의 여부) 를 산출하거나 결정하도록 구성될 수도 있다.

엔드 이펙터가 수직 방향으로 이동하는 동안 위치들 사이에서 프로브의 이동을 포함하는 제 1 일반적인 실시예의 일부 구현예들이 이제 논의될 것이다. 도 17은 엔드 이펙터의 높이를 측정하는 예시적인 구현예를 도시한다. 일부 이러한 구현예들에서, 엔드 이펙터는 예를 들어, 에어록 내의 최초 포지션으로 이동될 수도 있다. 엔드 이펙터의 최초 포지션은, 프로브가 프로브와 엔드 이펙터의 상이한 측정 위치들 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성할 수도 있도록, 엔드 이펙터로 하여금 수직 방향, 예를 들어, z-방향에서만 이동하게 인에이블할 수도 있다. 일부 구현예들에서, 지그 및 프로브는 또한 지그 및 프로브가 엔드 이펙터 아래에 있도록 에어록 내부에 배치되고, 그리고 프로브는 지그에 의해 놓이는 위치들 중 하나 이상의 위치들에 포지셔닝될 수도 있다.

예를 들어, 프로브는 제 1 위치에 위치될 수도 있고 그리고 엔드 이펙터의 최초 포지션은 블록 1762에 제공된 바와 같이, 엔드 이펙터로 하여금 프로브와 엔드 이펙터의 제 1 측정 지점 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 z-방향에서 하측으로 이동하게 인에이블할 수도 있다. 상기에 논의된 바와 같이, 프로브 및 엔드 이펙터는 프로브 및 엔드 이펙터가 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성될 수도 있다. 블록 1764에 언급된 바와 같이, 프로브 및 제 1 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때가 제어기 및/또는 전기적 연속성 검출기에 의해 결정될 수도 있다. 일단 결정이 이루어진다면, 블록 1766에서, 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션은 상기에 언급된 바와 같이, 예를 들어, 제어기 또는 다른 디바이스/메모리에 의해 저장될 수도 있고; 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션은 또한 툴로부터 분리된 컴퓨터에 의해 저장될 수도 있다. 제 1 z-포지션, 즉, 수직 높이 또는 z-높이는 전기적 연속성이 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 제 1 측정 지점과 프로브 사이에 처음 발생할 때 엔드 이펙터의 수직 또는 z-방향 포지션일 수도 있다.

이어서 프로브는 제 2 위치와 같은, 지그에 의해 놓일 수도 있는 또 다른 위치에 포지셔닝될 수도 있다. 예를 들어, 블록 1767에서 프로브는 제 1 위치로부터 제 2 위치로 리포지셔닝된다. 프로브를 리포지셔닝하기 전에, 엔드 이펙터는 엔드 이펙터와 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트가 없도록 상측으로 z-방향에서 이동될 수도 있다. 다시, 엔드 이펙터는 z-방향과 다른 방향으로 이동하지 않을 수도 있다. 제 2 위치의 프로브에 대해, 블록 1768에서, 엔드 이펙터는 프로브와 엔드 이펙터의 제 2 측정 지점 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 하측으로 다시 z-방향에서 이동될 수도 있다. 블록들 1770 및 1772는 블록들 1764 및 1766 각각과 유사하게 수행되지만, 제 2 측정 지점 및 제 2 z-포지션에 대한 것이다. 블록 1774 전에, 엔드 이펙터는 엔드 이펙터와 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트가 없도록 다시 수직으로 상측으로 이동할 수도 있다. 프로브는 블록 1773에서와 같이, 제 3 위치로 리포지셔닝될 수도 있고, 그리고 블록들 1774, 1776, 및 1778은 블록들 1762, 1764, 및 1768, 각각과 유사하게 수행될 수도 있지만, 제 3 위치, 제 3 측정 지점, 및 제 3 z-포지션에 대한 것이다. 일부 이러한 구현예들에서, 각각의 위치, 예를 들어, 제 1 위치 및 제 2 위치는 모든 다른 위치들과 상이하다.

이러한 구현예는 또한 4 개 이상의 측정 지점들 및 3 개의 위치들을 사용하여 수행될 수도 있다. 예를 들어, 구현예는 도 15에 도시된 것과 같이, 엔드 이펙터의 10 개의 측정 지점들 및 지그에 대한 10 개의 위치들을 사용하여 수행될 수도 있다.

프로브는 프로브를 x-방향 및 y-방향에서 위치 각각으로 이동시킬 수도 있는 모터 및 기계적 메커니즘들을 가진 지그에 연결된 프로브와 같은, 기계적 수단에 의해 또는 사람에 의해 상이한 위치들에 포지셔닝될 수도 있다.

본 발명자들은 상기에 언급된 바와 같이, 사용자 또는 사람이 본 명세서에 논의된 방법들 및 기법들을 구현할 수도 있다는 것을 알아냈다. 예를 들어, 사용자는 처음에 지그 및 프로브를 에어록 내에 배치할 수도 있고, 그리고 전술된 측정들을 수행하기 위한 포지션에 엔드 이펙터를 포지셔닝하도록 툴을 제어할 수도 있다. 사용자는 또한 에어록 또는 툴의 부분일 수도 있는 연속성 검출기를 프로브에 그리고 접지에 연결할 수도 있다. 이 예에서, 연속성 검출기는 연속성 검출 모드를 포함하는 멀티미터일 수도 있다. 사용자는 이어서 상기에 기술된 바와 같이, 전기적으로 전도성 콘택트가 프로브와 엔드 이펙터의 제 1 측정 지점 사이에 발생하도록 엔드 이펙터를 (예를 들어, 버튼을 눌러서 엔드 이펙터를 z-방향에서 미는 것과 같이, 엔드 이펙터를 하강시키도록 툴의 이동 메커니즘을 사용하는 툴의 제어들을 사용하여) 수동으로 하강시킬 수도 있다. 전기적으로 전도성 콘택트가 발생하는 순간에, 경보 (예를 들어 가청음, 가시광선, 또는 다른 지표) 는 사용자가 엔드 이펙터의 하측의 수직 이동을 중단할 수도 있도록 전기적 연속성 검출기에 의해 나올 수도 있다. 이어서 사용자는 엔드 이펙터의 z-높이 측정값을 컴퓨터 프로그램에, 예컨대, 툴의 사용자 인터페이스 상에 또는 Microsoft Excel 스프레드시트와 같은 컴퓨터 상에 기록할 수도 있다. 이어서 사용자는 프로브와 엔드 이펙터 사이에 갭이 있고 프로브와 엔드 이펙터 사이에 전기적 콘택트가 발생하지 않도록 (예를 들어, 툴의 제어들을 사용하여) 엔드 이펙터를 상승시킬 수도 있다. 이어서 사용자는 프로브를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 물리적으로 리포지셔닝시킬 수도 있고, 그 후에 측정 단계들은 사용자에 의해 반복될 수도 있다 (예를 들어, 엔드 이펙터의 하강, z-높이의 저장, 엔드 이펙터의 상승, 프로브의 리포지셔닝). 그러므로, 일부 이러한 구현예에서, 사용자는 도 17의 모든 블록들을 제어하고 그리고/또는 수행할 수도 있다.

프로브가 고정된 채로 있는 동안 위치들 사이에서 x-방향 및/또는 y-방향으로의 엔드 이펙터의 이동을 포함하는 제 2 일반적인 실시예가 이제 논의될 것이다. 일부 이러한 실시예들에서, 프로브는 엔드 이펙터의 높이를 측정하는 것이 수행되는 동안 프로브가 고정된 채로 있도록, 에어록, 또는 툴의 다른 부분 내에 위치될 수도 있다. 프로브는 툴 내에 영구적으로 설치될 수도 있거나, 프로브는 툴 내의 특정한 위치에 일시적으로 배치될 수도 있다.

일부 이러한 실시예들에서, 엔드 이펙터의 측정 지점과 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하는 동일한 일반적인 원리가 여전히 적용되지만, 여기서, 프로브가 아닌 엔드 이펙터는 엔드 이펙터의 상이한 측정 지점들과 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 리포지셔닝된다. 그러므로, 이러한 실시예들에서, 엔드 이펙터는 프로브가 엔드 이펙터의 상이한 측정 위치들에서 엔드 이펙터와 전기적으로 전도성으로 콘택트하도록 x-방향, y-방향, z-방향, 및/또는 세타 방향으로 이동한다. 상기에 논의된 바와 같은, 제어기는 프로브가 엔드 이펙터의 상이한 측정 지점들과 콘택트할 수도 있도록 위치들 사이에서 엔드 이펙터를 이동시키기 위한 제어 로직 및/또는 인스트럭션들을 포함할 수도 있다.

예를 들어, 도 18은 프로브가 고정된 채로 있는 동안 위치들 사이에서 x-방향 및/또는 y-방향으로의 엔드 이펙터의 이동을 포함하는 제 2 일반적인 실시예의 샘플 구현예의 흐름도를 도시한다. 도 18에 도시된 블록들 대다수는 도 17에 기술된 블록들과 동일하거나 유사할 수도 있다. 예를 들어, 블록들 1880, 1882, 및 1884는 블록들 1762, 1764, 및 1766, 각각과 동일하게 구현될 수도 있지만, 프로브가 아닌 엔드 이펙터는 상이한 위치들에 리포지셔닝된다. 도 18은 도 17에 없는 부가적인 블록들 1886 및 1894를 포함한다. 블록 1886에서, 엔드 이펙터는 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동되고, 이는 엔드 이펙터를 x-방향, y-방향, 및/또는 세타 방향으로 이동시킴으로써 성취될 수도 있다. 유사하게, 블록 1894에서, 엔드 이펙터는 제 2 위치로부터 제 3 위치로 이동되고, 이는 다시 엔드 이펙터를 x-방향, y-방향, 및/또는 세타 방향으로 이동시킴으로써 성취될 수도 있다. 일부 이러한 구현예들에서, 제 1, 제 2, 및 제 3 위치들은 서로 상이하다. 제어기 및/또는 다른 디바이스는 도 18의 블록들의 적어도 일부, 그리고 일부 구현예들에서, 도 18의 블록들의 전부를 수행하도록 구성될 수도 있다.

본 개시의 일부 실시예들은 또한 엔드 이펙터의 높이 및/또는 평탄도를 측정하기 위한 키트를 포함한다. 도 19는 엔드 이펙터의 높이를 측정하기 위한 제 1 키트를 도시한다. 일부 이러한 실시예들에서, 키트 (19110) 는 제 1 전기 케이블 (19104), 제 2 전기 케이블 (19106), 프로브 (1906), 프로브를 적어도 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 포지셔닝하도록 구성될 수도 있는 지그 (1908), 및 전기적 연속성 검출기 (19102) 를 포함할 수도 있다. 키트는 또한 이들 아이템들의 일부 또는 전부를 포함할 수도 있고, 그리고 일부 이러한 실시예들에서, 키트는 엔드 이펙터와 프로브 사이에 전기적 연속성을 달성하는데 필요한 엘리먼트들을 포함할 수도 있다. 제 1 케이블 (19104) 은 프로브에 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있다. 이러한 전기적 연결은 도 8에 상기에 논의된 바와 같은, 전기적 연결 포트를 포함하여, 기술의 임의의 공지된 기법들을 사용하여 이루어질 수도 있다. 이것은 또한 제 1 케이블에 전기적으로 연결되는 전기적 연결 포트에 전기적으로 연결하는 러그 (lug) 또는 다른 볼트를 연결하는 것을 포함할 수도 있다. 제 2 케이블 (19106) 은 도 19에 도시된 바와 같이, 접지에 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 접지는 에어록을 포함하는, 반도체 프로세싱 툴의 부분일 수도 있다. 지그 (1908) 는 프로브를 적어도 3 개의 위치들에 위치시키도록 구성될 수도 있고, 그리고 도 19에 도시된 바와 같이, 도 12의 지그와 유사하게, 프로브를 10 개의 위치들에 위치시키도록 구성될 수도 있다. 전기적 연속성 검출기 (19102) 는 도시된 바와 같이, 제 1 전기 케이블 및 제 2 전기 케이블과 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있고, 그리고 프로브와 엔드 이펙터가 전기적으로 전도성으로 콘택트할 때 프로브와 엔드 이펙터 사이에서 전기적 연속성을 검출하도록 구성될 수도 있다. 전기적 연속성 검출기 (19102) 는 상기에 논의된 바와 같이, 멀티미터일 수도 있거나 제어기일 수도 있다.

본 개시의 일부 실시예들은 또한 엔드 이펙터의 높이를 측정하기 위한 시스템을 포함한다. 시스템은 상기에 언급된 바와 같이, x-방향, y-방향, z-방향, 및/또는 세타 방향으로 이동하도록 구성될 수도 있는 엔드 이펙터를 포함할 수도 있다. x-방향은 y-방향에 대해 직교할 수도 있고, 그리고 x-방향 및 y-방향은 z-방향에 대해 수직일 수도 있다. 시스템은 또한 본 명세서에서 논의된 프로브와 유사한 프로브, 또한 본 명세서에서 논의된 바와 같은 전기적 연속성 검출기, 및 제어기를 포함할 수도 있다. 제어기는 이미 상기에 논의된 제어기와 유사하게 구성될 수도 있다. 일부 이러한 실시예들에서, 제어기는 엔드 이펙터와 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하기 위해서 z-방향에서 엔드 이펙터를 이동시키도록, 프로브와 엔드 이펙터가 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하도록, 그리고 엔드 이펙터의 z-포지션을 저장하도록 구성될 수도 있고, 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션은 전기적 연속성이 엔드 이펙터의 z-방향에서의 이동 동안 엔드 이펙터와 프로브 사이에 처음 발생할 때 z-방향에서의 엔드 이펙터의 포지션이다. 이러한 인스트럭션들은 도 17 및 도 18의 블록들을 포함하여, 상기의 본 명세서에서 논의된 실시예들 및 구현예들과 유사할 수도 있다.

일부 실시예들에서, 시스템은 상기에 논의된 바와 같이, 엔드 이펙터가 수직 방향으로 이동하는 동안 위치들 사이에서 프로브의 이동을 포함하는 제 1 일반적인 실시예, 뿐만 아니라 상기의 본 명세서에서 논의된 바와 같이, 프로브가 고정된 채로 있는 동안 위치들 사이에서 x-방향 및/또는 y-방향으로의 엔드 이펙터의 이동을 포함하는 제 2 일반적인 실시예와 유사하거나 동일하게 구성될 수도 있다.

본 명세서에서 논의된 실시예들 중 일부에서, 엔드 이펙터는 도면들에 도시된 것들과 상이하게 구성될 수도 있다. 예를 들어, 엔드 이펙터는 "단도 (dagger)" 및/또는 "T"같은 형상들로 구성될 수도 있다. 그럼에도 불구하고, 본 명세서에서 논의된 기법들, 실시예들, 및 구현예들은 상이하게 성형된 엔드 이펙터들에 적용된다.

본 명세서에서 논의된 실시예들 중 일부에서, 엔드 이펙터 상의 최소 수의 측정 위치들은 3 개의 측정 위치들일 수도 있다. 일부 이러한 실시예들에서, 측정 위치들은 엔드 이펙터 상의 웨이퍼 지지부들에 실질적으로 근접하게 위치될 수도 있다.

일부 실시예들에서, 엔드 이펙터 및/또는 프로브에서, 일부 컴플라이언스 (compliance), 또는 "유연성 (give)" 이 있을 수도 있다. 예를 들어, 프로브는 단단한 금속으로 이루어질 수도 있지만, 엔드 이펙터는 프로브보다 훨씬 적은 힘 하에서 변형되는 긴, 얇은 피스의 금속일 수도 있다. 일부 이러한 예들에서, 엔드 이펙터가 프로브와 콘택트할 때 엔드 이펙터의 컴플라이언스, 예를 들어, 변형이 있을 수도 있다. 프로브 및/또는 엔드 이펙터 중 하나의 일부 컴플라이언스는 장비의 피스에 대한 원치 않은 손상 및/또는 변형을 방지할 수도 있다. 그러나, 너무 많은 컴플라이언스가 존재한다면, 그러면 측정들의 정확도가 부정적으로 영향을 받을 수도 있다.

본 명세서에서 논의된 실시예들 및 구현예들은 에어록, 로드록, 또는 다른 부품들을 포함하여, 툴의 수많은 부품들에서 발생할 수도 있다. 실시예들 및 구현예들은 진공 또는 진공이 아닌 분위기 중 하나에서 발생하도록 구성될 수도 있다.

엔드 이펙터의 수직 방향으로의 이동은 엔드 이펙터 높이 및/또는 평탄도 결정을 위한 임의의 유용한 증가시 발생할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 이 엔드 이펙터의 수직 이동은 엔드 이펙터를 이동시키는 이동 메커니즘에 의해 달성 가능한 가장 짧은 이동 펄스일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 수직 이동은 상이한 거리들, 예컨대, 프로브 위에서 보다 먼 보다 긴 거리들 및 프로브에 보다 가까운 보다 짧은 거리들의 수직 이동일 수도 있다. 이동은 또한 사용자에 의해 제어될 수도 있다.

일부 실시예들에서, 지그는, 지그의 측면 각각 상의 위치들이 엔드 이펙터의 측면 각각 상의 유사하게-위치된 지점들과 정렬하기 위해서, 엔드 이펙터와 정렬되도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 지그는 프로브가 엔드 이펙터의 좌측의 측정 위치들뿐만 아니라 측면 각각에서 서로 유사한 포지션들에 있는 우측의 측정 위치들과 콘택트하기 위해서 포지셔닝될 수도 있도록 에어록 내에 배치되기 위해서 구성될 수도 있다. 예를 들어, 다시 도 15를 참조하면, 지그는 프로브가 콘택트 측정 위치들 (732 내지 740) 각각과 콘택트할 수도 있도록, 5 개의 위치들 (1212 내지 1220) 에 프로브를 위치시키도록 구성된다. 지그는 또한 프로브가 유사하게 위치될 수도 있고 그리고/또는 좌측 측정 위치들 (732 내지 740) 의 미러 위치들일 수도 있는, 엔드 이펙터의 우측의 측정 위치들 (742 내지 750) 과 콘택트할 수도 있도록 엔드 이펙터의 우측에 프로브를 배치하도록 구성된다.

일부 실시예들 및/또는 구현예들에서, z-높이 측정값들은 엔드 이펙터의 평탄도를 계산하고 그리고/또는 결정하도록 사용될 수도 있다. 높이 측정값들은 엔드 이펙터의 2 개 이상의 지점들의 선형 피트 (linear fit) 에 대해 이러한 측정값들을 비교함으로써 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하도록 또는 엔드 이펙터의 2 개 이상의 지점들의 평면 피트 (plane fit) 를 사용하도록 사용될 수도 있다. 선형 피트를 사용하는 일부 이러한 실시예들에서, 2 개의 지점들은 웨이퍼 지지 패드들과 가장 가까운 2 개의 지점들일 수도 있거나, 여기서 2 개의 웨이퍼 지지 패드들이 위치된다. 선형 피트는 또한 예를 들어, 특정한 허용 가능한 변형 기준 또는 간격 문턱값 파라미터들에 기초할 수도 있는, 특정한 양만큼 오프셋될 수도 있다. 예를 들어, 선형 피트는 엔드 이펙터 측정값들이 엔드 이펙터의 허용 가능한 문턱값 내에 있는지의 여부를 결정하도록 초기 선형 피트 선 위로 수직으로 오프셋될 수도 있다. 오프셋은 엔드 이펙터의 일부 변형이 특정한 양까지 허용 가능할 수도 있도록, 상기에 기술된 간격 양과 유사한, 복수의 요인들에 기초할 수도 있다. 일 예에서, 오프셋은 선형 피트 선 위로 약 0.02 인치일 수도 있고, 이는 결국 초기 선형 피트 선 위로 0.02 인치보다 높은 엔드 이펙터 측정값들이 "편평하다고" 간주되지 않을 수도 있다는 것을 의미한다. 선형 피트 오프셋은 웨이퍼 (웨이퍼는 편향하지 않는다고 가정될 수도 있고 따라서 웨이퍼 지지 패드들 사이에서 연장하는 선을 형성함) 의 근사한 위치를 나타낼 수도 있다.

도 20은 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하는 일 샘플 구현예를 도시한다. 엔드 이펙터 포지션 데이터는 도 20에 도시되고 그리고 y-축을 따른 엔드 이펙터에 대한 z-포지션들 및 x-축의 엔드 이펙터에 따른 위치를 포함한다. 5 개의 플롯팅된 z-포지션 측정값들은 M1, M2, M3, M4, 및 M5이다. 여기서, 샘플 지점들 M3 및 M5는 웨이퍼 지지 패드들의 위치에 대응한다. 초기, 원래의 선형 피트 선은 0 (M1) 으로부터 M5로 연장하는 점선으로 보일 수 있다. 쇄선인 오프셋 선은 초기 선 위로 오프셋되고 M6에서 시작되고 그리고 M7과 M8 사이에서 연장된다. 5 개의 z-포지션 측정값들은 오프셋 선 아래에 있고, 이는 엔드 이펙터가 허용 가능한 문턱값 내에 있으며, 즉, "편평하다"는 것을 나타낸다.

그러나, 하나 이상의 측정값들이 결정된 문턱값 위에 있다면, 그러면 엔드 이펙터는 허용 가능한 평탄도 파라미터들 내에 없을 수도 있다. 도 21은 또 다른 엔드 이펙터에 대한 엔드 이펙터 포지션 데이터를 도시한다. 도 21의 축들 및 레이아웃은 도 20과 유사하다. 보이는 바와 같이, 엔드 이펙터의 5 개의 플롯팅된 z-높이 측정값들은 M9, M10, M11, M12, 및 M13이다. 초기 선형 피트 선, 파선은 지점들 M11과 M13 사이에서 연장하고, 그리고 오프셋 선, 쇄선은 초기 선형 피트 선 위로 오프셋되고 그리고 지점들 M14, M15, 및 M16 사이에서 연장한다. 측정 높이 M12는 이 오프셋 선 위에 있고, 측정 높이 M12는 이 엔드 이펙터에 대한 허용 가능한 높이 측정값 외부에 속한다는 것을 나타낸다. 따라서, 이 엔드 이펙터는 충분히 "편평하지" 않다.

본 개시의 또 다른 실시예는 평탄도 측정 동작들 동안 엔드 이펙터 상에 배치되는 플레이트를 사용하여 반도체 프로세싱 툴 내의 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하기 위한 기법을 포함한다. 도 22는 제 1 예시적인 플레이트의 등각도를 도시한다. 보이는 바와 같이, 플레이트 (22114) 는 제 1 플레이트 표면 (22126), 제 1 전도성 표면 (22116), 제 2 전도성 표면 (22118), 제 3 전도성 표면 (22120), 및 제 4 전도성 표면 (22122) 을 포함하는 원형의 플레이트이다. 4 개의 전도성 표면들은 제 1 플레이트 표면 (22126) 상에 배치되고 그리고 상이한 음영으로 보일 수 있다. 전도성 표면 각각은 플레이트 (22114) 로부터 이격되어 마주볼 수도 있고 그리고 예를 들어 도 22에 도시된 바와 같이 이격 거리만큼 제 1 플레이트 표면 (22126) 으로부터 오프셋될 수도 있다. 전도성 표면 각각의 기하학적 구조는 선, 점, 원, 정사각형, 또는 오브라운드 (obround) 와 같이, 도 22에 도시된 것과 상이할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 플레이트의 전도성 표면, 또는 표면들의 표면적은 상부에 플레이트가 배치되는 상단 표면의 표면적과 실질적으로 매칭되도록 (예를 들어 +/- 10 % 이내) 구성될 수도 있다. 전도성 표면은 비전도성 재료 상에 배치된 전도성 층일 수도 있거나, 전도성 표면은 보다 큰 전도성 엘리먼트 (element) 또는 바디의 부분일 수도 있다.

일부 실시예들에서, 플레이트의 중량 및/또는 무게 중심은 웨이퍼와 동일할 수도 있다. 일부 다른 실시예들에서, 플레이트의 중량 및/또는 무게 중심은 웨이퍼와 상이할 수도 있다. 일부 이러한 다른 실시예들에서, 플레이트의 중량 및/또는 무게 중심은 중량들, 컴포넌트들, 재료, 등의 추가 또는 삭감에 의해 조정되거나 튜닝될 (tuned) 수도 있다. 이러한 조정들은 플레이트의 중량 및/또는 무게 중심으로 하여금 플레이트가 웨이퍼와 실질적으로 동일한 중량 및/또는 무게 중심을 가질 수도 있도록 튜닝되게 인에이블한다. 여기서, "실질적으로 동일한"은 미리 결정된 값의 +/- 10 % 이내를 의미한다. 일부 이러한 실시예들에서, 예를 들어, 플레이트가 엔드 이펙터 상에 배치될 때, 웨이퍼가 엔드 이펙터 상에 배치될 때와 실질적으로 유사한 방식으로 엔드 이펙터가 변형되게 하도록, 전도성 표면들과 같은 모든 플레이트의 부분들을 포함하여 플레이트가 웨이퍼의 중량 및 무게 중심과 실질적으로 동일한 중량 및 무게 중심을 갖도록, 플레이트의 중량 및/또는 무게 중심을 수정하도록 재료가 플레이트 상에 그리고/또는 플레이트 내에 배치되거나 제거될 수도 있다.

플레이트 (22114) 는 적어도 플레이트의 제 1 전도성 표면으로 하여금 엔드 이펙터의 상단 표면과 대면하도록 엔드 이펙터 상에 배치될 수도 있다. 이 배치는 평탄도 측정 동작들 동안 발생할 수도 있다. 다시 도 1을 참조하면, 엔드 이펙터 (1104) 는 또한 도시된 바와 같이, 상부에 웨이퍼 지지 패드들 (1110) 이 위치되는 표면인 1111로서 식별된 상단 표면을 포함할 수도 있다. 도 23은 평탄도 측정 동작들 동안 엔드 이펙터 상에 배치된 플레이트의 평면도를 도시한다. 플레이트 (22114) 의 하부측에 그리고 플레이트 (22114) 아래에 위치된 피처들 (예를 들어, 전도성 표면들) 은 점선들로 보일 수 있다. 여기서 도 23에서, 제 1 플레이트 표면 (미식별) 은 엔드 이펙터의 상단 표면 (1111) 과 대면하고, 즉, 도면의 페이지 내로 향하고, 그리고 플레이트 (22114) 가 웨이퍼 지지 패드들 (1110) 에 의해 지지되도록 웨이퍼 지지 패드들 (1110) 과 콘택트한다.

일부 실시예들에서, 플레이트는 전기적으로 전도성 재료로 이루어질 수도 있다. 일부 이러한 실시예들에서, 엔드 이펙터의 웨이퍼 지지 패드들은 플레이트가 엔드 이펙터 상에 배치될 때, 전기적 경로가 웨이퍼 지지 패드를 통해 플레이트와 엔드 이펙터 사이에 생성되지 않도록 비전도성 재료로 이루어질 수도 있다. 일부 다른 이러한 실시예들에서, 플레이트 및 웨이퍼 지지 패드들 양자는 전도성 재료로 이루어지지만, 플레이트는 비전도성 층 또는 재료를 가질 수도 있고 여기서 웨이퍼 지지 패드들은 전기적 경로가 웨이퍼 지지 패드를 통해 플레이트와 엔드 이펙터 사이에 형성되는 것을 방지하도록 플레이트와 콘택트한다. 이하에 보다 상세히 기술되는 바와 같이, 엔드 이펙터의 평탄도는 플레이트가 엔드 이펙터 상에 배치될 때 플레이트의 전도성 표면(들)과 엔드 이펙터 사이의 전기적 연속성을 사용하여 결정될 수도 있다. 그러나, 엔드 이펙터 평탄도의 효과적인 결정이 이루어지도록, 이러한 결정은 다른 경우라면 웨이퍼 지지 패드들을 통해 플레이트와 엔드 이펙터 사이에 전기적 연속성이 없을 것을 요구할 수도 있다.

일부 다른 실시예들에서, 플레이트는 폴리머와 같은 비전도성 재료로 이루어질 수도 있다. 일부 이러한 실시예들에서, 플레이트의 전도성 표면(들)은 플레이트에 도포되는 전기적으로 전도성 코팅 또는 층일 수도 있다.

도 23에서, 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 전도성 표면들 (22116, 22118, 22120, 및 22122), 각각은 페이지 내로 향하고 그리고 상단 표면 (1111) 과 대면한다. 이 맥락에서 "대면"은 표면에 대해 수직인 방향으로 표면들 중 일 표면 상의 적어도 일 지점으로부터 연장하는 선이 다른 표면 상의 일 지점과 교차하도록 2 개의 표면들이 서로를 향해 지향된다는 것을 의미한다.

도 24는 도 23의 엔드 이펙터 및 플레이트의 식별된 부분의 확대된 측단면도를 도시한다. 도 23에서, 식별된 부분은 23121로 라벨링되고 그리고 도 24에서 보이는 바와 같이, 플레이트 (22114) 는 제 1 전도성 표면 (22116) 이 엔드 이펙터 (1104) 의 상단 표면 (1111) 과 대면하고, 제 2 전도성 표면 (22118) 이 상단 표면 (1111) 과 대면하고, 그리고 제 1 플레이트 표면이 상단 표면 (1111) 과 대면하도록 웨이퍼 지지 패드 (1110) 상에 배치된다. 전도성 표면들은 플레이트 (22114) 상에 배치된 전기적으로 전도성 코팅들 또는 층들일 수도 있다.

제 1 전도성 표면 (22116) 은 24128로 마킹된 2 개의 수직 화살표들 사이에 식별된 바와 같은 제 1 거리 (24128) 만큼 상단 표면 (1111) 으로부터 이격될 수도 있다. 제 1 거리는 엔드 이펙터가 편향되지 않은 상태에 있을 때 전도성 표면과 상단 표면 사이의 이격 거리로 지칭될 수도 있다. 엔드 이펙터가 플레이트의 중량에 의해 유발될 수도 있는 편향된 상태에 있을 때, 엔드 이펙터를 따른 다양한 위치들에서 엔드 이펙터의 상단 표면과 전도성 표면 사이의 거리는 엔드 이펙터 편향의 방식 및 이들 특정한 포지션들의 위치들에 따라, 증가하거나, 감소하거나, 동일할 수도 있다. 제 1 거리는 이하에 논의되는 바와 같이 평탄도 측정 동작들 동안 임의의 적합한 거리일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 전도성 표면 각각은 엔드 이펙터가 편향되지 않은 상태에 있을 때 동일한 제 1 거리만큼 상단 표면으로부터 이격될 수도 있지만, 일부 다른 실시예들에서, 적어도 하나의 전도성 표면은 엔드 이펙터가 편향되지 않은 상태에 있을 때 상이한 거리만큼 상단 표면으로부터 이격될 수도 있다.

전도성 표면들은 플레이트가 엔드 이펙터 상에 위치될 때 전도성 표면들이 하나 이상의 웨이퍼 지지 패드들에 근접하게 위치되도록 구성될 수도 있다. 다시 도 23을 참조하면, 제 1 전도성 표면 (22116) 은 2 개의 웨이퍼 지지 패드들 (1110) 에 근접하게 그리고 2 개의 웨이퍼 지지 패드들 (1110) 사이에서 보이고, 제 2 전도성 표면 (22118) 은 일 웨이퍼 지지 패드 (1110) 에만 근접하게 보이고, 제 3 전도성 표면 (22120) 은 2 개의 다른 웨이퍼 지지 패드들 (1110) 에 근접하게 그리고 2 개의 다른 웨이퍼 지지 패드들 (1110) 사이에서 보이고, 그리고 제 4 전도성 표면 (22122) 은 일 웨이퍼 지지 패드 (1110) 에 근접하게 보인다. 도 24는 또한 웨이퍼 지지 패드 (1110) 에 근접한 제 1 전도성 표면 (22116) 및 제 2 전도성 표면 (22118) 을 도시한다.

플레이트 (22114) 의 전도성 표면들 및 엔드 이펙터 (1104) 의 상단 표면 (1111) 은, 플레이트 (22114) 가 엔드 이펙터 (1104) 상에 배치되고 그리고 엔드 이펙터 (1104) 가 디스크 (22114) 의 중량에 기인하여 편향될 때 발생될 수도 있는 바와 같이, 플레이트 (22114) 의 전도성 표면들 및 엔드 이펙터 (1104) 의 상단 표면 (1111) 이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성될 수도 있다. 이러한 전기적 경로 및/또는 구성은 프로브와 엔드 이펙터 사이의 전기적 경로에 관한 상기 논의와 유사할 수도 있다. 예를 들어, 엔드 이펙터 (1104) 는 적어도 상단 표면 (1111) 이 전기적으로 전도성이도록 전기적으로 전도성 재료로 이루어질 수도 있고, 상단 표면 (1111) 은 전기적 접지에 전기적으로 연결될 수도 있고, 그리고 플레이트 (22114) 의 제 1 전도성 표면 (22116) 은 상단 표면 (1111) 이 제 1 전도성 표면 (22116) 과 콘택트할 때, 전기적으로 연속성이 2 개의 표면들 사이에 생성되도록 전기적 연속성 검출기에 전기적으로 연결될 수도 있다. 또 다른 예에서, 상기에 언급된 바와 같이, 엔드 이펙터는 비전도성 코팅으로 코팅될 수도 있지만, 엔드 이펙터의 상단 표면의 하나 이상의 섹션들에서, 엔드 이펙터는 전기적으로 전도성이도록 구성될 수도 있고, 예를 들어, 코팅은 하나 이상의 섹션들이 플레이트의 제 1 전도성 표면과 콘택트할 때, 전기적으로 전도성 경로가 확립되도록 제거되거나 그렇지 않으면 부재할 수도 있다.

일부 실시예들에서, 엔드 이펙터의 실질적으로 모든 상단 표면 (1111) 은 전기적으로 전도성 재료일 수도 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "실질적으로"는 상단 표면 (1111) 의 적어도 80 %를 의미한다. 그러나, 일부 실시예들에서, 엔드 이펙터의 상단 표면 (1111) 은 2 개 이상의 섹션들을 가질 수도 있고 섹션 각각은 전기적으로 전도성 표면이다. 일부 이러한 실시예들에서, 섹션 각각은 적어도 하나의 다른 섹션으로부터 전기적으로 절연될 수도 있다. 도 25는 엔드 이펙터의 평면도를 도시한다. 보이는 바와 같이, 엔드 이펙터 (2504) 의 상단 표면 (2511) 은 4 개의 웨이퍼 지지 패드들 (2510), 뿐만 아니라 제 1 섹션 (25130) 및 제 2 섹션 (25132) 을 포함한다. 섹션 각각은 전기적으로 전도성 재료로 이루어질 수도 있고 그리고 다른 섹션들로부터 전기적으로 이격될 수도 있다.

상단 표면의 섹션 각각은 또한 섹션이 플레이트의 전도성 표면과 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 전도성 표면 (22116) 및 제 1 섹션 (25130) 은 제 1 전도성 표면 (22116) 및 제 1 섹션 (25130) 이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성될 수도 있지만, 제 2 전도성 표면 (22118) 및 제 2 섹션 (25132) 은 제 2 전도성 표면 (22118) 및 제 2 섹션 (25132) 이 콘택트할 때 개별적인 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 섹션 각각은 플레이트의 전도성 표면과 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성할 수도 있는 전기적으로 전도성 표면일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 및 제 2 섹션은 모두 서로 전기적으로 연결될 수도 있다.

일부 실시예들에서, 전도성 표면들은 도 22 및 도 23에 도시된 것과 상이하게 플레이트 상에 구성되고 위치될 수도 있다. 예를 들어, 하나 이상의 전도성 표면들은 22120과 같이, 도 22 및 도 23에 도시된 전도성 표면들보다 짧을 수도 있고, 그리고 하나 이상의 전도성 표면들은 플레이트가 평탄도 측정 동작들 동안 엔드 이펙터 상에 배치될 때 웨이퍼 지지 패드에 근접하게 위치되지 않을 수도 있다. 이러한 구성들의 일부 예들은 도 23과 유사하게 평탄도 측정 동작들 동안 엔드 이펙터 상에 배치된 플레이트의 평면도를 도시하는 도 26에 도시된다. 여기서, 또 다른 예시적인 플레이트 (26114) 는 평탄도 측정 동작들 동안 엔드 이펙터 (2604) 상에 배치된다. 도 23에서와 같이, 플레이트 (26114) 의 하부측 상에 그리고 플레이트 (26114) 아래에 위치된 피처들 (예를 들어, 전도성 표면들) 은 점선들로 보일 수 있다. 도면의 좌측에서, 플레이트 (26114) 는 도 23의 전도성 표면 (22120) 보다 길이가 짧고 그리고 전도성 표면이 웨이퍼 지지 패드들 (1110) 에 근접하지 않도록 플레이트 (26114) 상에 위치되는 전도성 표면 (26138) 을 포함한다.

도 26의 우측에서, 플레이트 (26114) 는 2 개의 웨이퍼 지지 패드들 (1110) 사이에서 이격되는 6 개의 전도성 표면들 (26140, 26142, 26144, 26146, 26148, 및 26150) 각각을 포함한다. 보이는 바와 같이, 전도성 표면들 (26140 및 26150) 은 플레이트 (26114) 가 평탄도 측정 동작들 동안 엔드 이펙터 (2604) 상에 배치될 때, 이들 표면들이 웨이퍼 지지 패드들 (1110) 에 근접하도록 플레이트 (26114) 상에 위치된다. 전도성 표면들 (26142, 26144, 26146, 및 26148) 은 전도성 표면들 (26140 및 26150) 사이에서 플레이트 (26114) 상에서 균등하게 이격된다.

상기에 논의된 엔드 이펙터의 제 1 및 제 2 섹션들과 유사하게, 플레이트 (26114) 는 또한 각각의 전도성 표면 (26140, 26142, 26144, 26146, 26148, 및 26150) 각각이 전도성 표면들 중 일 전도성 표면이 엔드 이펙터의 상단 표면과 콘택트할 때 개별적인 전기적으로 전도성 경로를 생성할 수도 있도록 구성될 수도 있다. 일부 이러한 구성들에서, 전도성 표면 각각은 다른 전도성 표면들로부터 전기적으로 절연될 수도 있다. 예를 들어, 전도성 표면 (26142) 만이 엔드 이펙터 (2604) 의 상단 표면과 콘택트한다면, 그러면 전기적 연속성은 전도성 표면 (26142) 과 엔드 이펙터의 상단 표면 사이에만 생성될 수도 있다. 이 플레이트 구성, 예를 들어 엔드 이펙터의 부분 위에 배치된 2 개 이상의 전기적으로 절연된 전도성 표면들은 플레이트와 콘택트하는 엔드 이펙터의 위치 또는 구역의 결정을 허용할 수도 있고 따라서 엔드 이펙터가 최대로 변형될 수도 있는 경우에 관한 통찰력을 제공할 수도 있다. 예를 들어, (도 26의 좌측에서) 엔드 이펙터의 상단 표면과 전도성 표면 (26138) 사이의 전기적 연속성은 엔드 이펙터 (2604) 의 적어도 하나의 부분이 플레이트 (26114) 와 콘택트한다는 것을 나타낼 수도 있지만, 전도성 표면 (26138) 을 따라 콘택트가 이루어지는 경우에 관한 추가의 정보가 획득되지 않을 수도 있다. 반면에, 복수의 전도성 표면들 (26140, 26142, 26144, 26146, 26148, 및 26150) 의 사용 및 배치 각각은 엔드 이펙터 (2604) 와 플레이트 (26114) 사이에 콘택트가 발생하는 장소 및 콘택트가 발생하는 위치들이 얼마나 많은지의 보다 정확한 결정을 인에이블한다.

일부 실시예들에서, 플레이트는 제 1 플레이트 표면의 적어도 일 섹션이 전도성 영역이도록 구성될 수도 있다. 다시 도 22를 참조하면, 제 1 플레이트 표면 (22126) 은 플레이트 (22114) 의 평면의, 외부 표면일 수도 있다. 일부 이러한 실시예들에서, (예를 들어, 도 22에 도시된 것과 달리) 제 1 플레이트 표면으로부터 오프셋되는 전도성 표면들이 없을 수도 있지만, 오히려 제 1 플레이트 표면은 평탄도를 측정하기 위해 사용되는 전도성 표면인 연속적인 표면이다. 일부 이러한 실시예들에서, 제 1 플레이트 표면의 실질적으로 전부 (예를 들어, 적어도 90 %) 가 전도성일 수도 있다. 일부 다른 이러한 실시예들에서, 제 1 플레이트 표면은 전도성일 수도 있고 그리고 또한 플레이트의 모든 전도성 표면들을 사용하여 평탄도 검출을 인에이블하도록, 도 22에 도시된 전도성 표면들과 같은, 제 1 플레이트 표면으로부터 오프셋되는 전도성 표면들을 포함할 수도 있다. 일부 이러한 실시예들에서, 엔드 이펙터의 상단 표면의 하나 이상의 부분들은 또한 상기에 논의된 바와 같이, 상단 표면 및 제 1 플레이트 표면의 전도성 섹션(들)이 서로 콘택트할 때 전기적 연속성이 생성되도록 전도성일 수도 있다.

일부 실시예들에서, 제 1 플레이트 표면의 특정한 영역만이 전도성일 수도 있다. 이 특정한 전도성 영역은 플레이트 상의 코팅일 수도 있거나 플레이트 자체의 재료일 수도 있다. 예를 들어, 제 1 플레이트 표면의 제 1 전도성 영역은 상부에 플레이트가 평탄도 측정 동안 위치되는 엔드 이펙터의 상단 표면의 표면적과 유사하지만 보다 크게 성형될 수도 있다. 예를 들어, 도 27은 도 23 및 도 26과 유사한, 평탄도 측정 동작들 동안 엔드 이펙터 상에 배치된 플레이트의 평면도를 도시한다. 보이는 바와 같이, 도 27의 플레이트 (27114) 는 평탄도 측정 동작들 동안 엔드 이펙터 (2704) 상에 배치되고 그리고 제 1 플레이트 표면 (미식별) 의 부분이고 그리고 엔드 이펙터 (2704) 의 상단 표면 (1111) 과 대면하고, 즉, 페이지 내로 향하는, 음영 및 파선들로 식별되는, 전도성 영역 (27152) 을 포함한다. 전도성 영역 (27152) 은 상부에 플레이트 (27114) 가 배치되는 엔드 이펙터 (2704) 의 상단 표면 (1111) 의 표면적과 유사하고 그리고 보다 크게 성형된다. 일부 실시예들에서, 전도성 영역의 형상은 도 27에 도시된 형상과 상이할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 도 27에 도시된 전도성 영역과 같이, 전도성 영역 (27152) 은 전기적 경로가 웨이퍼 지지 패드 (1110) 를 통해 엔드 이펙터 (2704) 와 플레이트 (27114) 사이에 발생하는 것을 방지하도록 웨이퍼 지지 패드들 (1110) 위에 비전도성 영역들을 포함할 수도 있다.

상기의 본 명세서의 논의와 유사하게, 엔드 이펙터 (2704) 의 상단 표면 (1111) 및 전도성 영역 (27152) 은 엔드 이펙터 (2704) 의 상단 표면 (1111) 및 전도성 영역 (27152) 이 서로 콘택트할 때 전기적 경로를 생성하도록 구성될 수도 있다. 게다가, 예를 들어, 전도성 영역 (27152) 은 연속성 검출기에 전기적으로 연결될 수도 있고 그리고 엔드 이펙터 (2704) 의 상단 표면 (1111) 의 하나 이상의 부분들은 전도성일 수도 있고 그리고 또한 전기적 연속성이 전도성 영역 (27152) 및 엔드 이펙터 (2704) 의 전도성 부분들 사이에서 발생할 때를 연속성 검출기가 검출할 수 있도록 연속성 검출기 및/또는 접지에 전기적으로 연결될 수도 있다.

본 명세서에서 나타낸 도면들은 예시적인 구성들이고 그리고 플레이트는 보다 많거나 보다 적은 표면들을 포함할 수도 있고, 그리고 도시되고 논의된 것과 상이하게 구성될 수도 있음이 주의되어야 한다.

반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하도록 상기에 기술된 플레이트를 사용하기 위한 일 예시적인 기법이 이제 논의될 것이다. 도 28은 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하도록 상기에 기술된 플레이트와 같은 플레이트를 사용하기 위한 예시적인 기법을 도시하는 흐름도이다. 블록 28134에서, 플레이트가 엔드 이펙터 상에 배치되고 그리고 이러한 배치는 플레이트의 제 1 전도성 표면, 제 2 전도성 표면, 제 3 전도성 표면, 및 제 4 전도성 표면으로 하여금 제 1 전도성 표면 (22116), 제 2 전도성 표면 (22118), 제 3 전도성 표면 (22120), 및 제 4 전도성 표면 (22122) 을 포함하는 플레이트 (22114) 에 관하여 상기에 논의된 것과 같이 엔드 이펙터의 상단 표면과 대면하게 할 수도 있다. 플레이트는 사용자에 의해 엔드 이펙터 상에 배치될 수도 있고 그리고/또는 엔드 이펙터는 자동으로 또는 엔드 이펙터의 수동 사용자 제어에 의해 플레이트를 픽업할 (pick up) 수도 있다. 일부 이러한 기법들에서, 엔드 이펙터 상의 플레이트의 단일의 배치는 모든 4 개의 전도성 표면들로 하여금 상단 표면과 대면하게 할 수도 있다. 본 명세서에 기술된 기법은 예시적인 구현예이고 그리고 이러한 기법은 보다 많거나 보다 적은 전도성 표면들을 포함할 수도 있는 플레이트를 위해 사용될 수도 있다.

블록 28134 동안, 제 1 전도성 표면, 제 2 전도성 표면, 제 3 전도성 표면, 및 제 4 전도성 표면 각각은 플레이트 (22114) 에 관하여 상기에 논의된 바와 같이, 전도성 표면이 엔드 이펙터의 상단 표면과 콘택트할 때 엔드 이펙터의 상단 표면을 사용하여 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성될 수도 있다. 또한 블록 28134에서, 제 1 전도성 표면, 제 2 전도성 표면, 제 3 전도성 표면, 및 제 4 전도성 표면은 플레이트 (22114) 에 관하여 또한 상기에 논의된 바와 같이, 제 1 거리만큼 엔드 이펙터의 상단 표면으로부터 이격되도록 구성될 수도 있다.

블록 28136에서, 힘은 본 명세서의 상기에 논의된 바와 같이, z-방향에서 하측으로 엔드 이펙터 상에 인가된다. 이전에 논의된 바와 같은 일부 실시예들 및/또는 구현예들에서, 힘은 다른 것들 중에서, 웨이퍼와 실질적으로 동일한 중량 및 무게 중심을 포함할 수도 있는, 엔드 이펙터 상에 배치되는 웨이퍼에 의해 유발된 하측의 z-방향의 힘과 실질적으로 동일한 방식으로 인가될 수도 있다. 일부 구현예들에서, 하측으로의 힘은 웨이퍼에 의해 유발되는 힘보다 큰 방식으로 인가될 수도 있다. 상기에 언급된 바와 같이, 이 하측으로의 힘은 플레이트 상의 추 및/또는 다른 아이템들의 추가 또는 삭감에 의해 조정될 수도 있고 그리고/또는 엔드 이펙터 직상에 배치된 추들과 같은, 엔드 이펙터 상에 위치된 다른 아이템들에 의해 달성될 수도 있다.

일부 구현예들에서, 플레이트 (22114) 와 유사하거나 동일한 플레이트의 전도성 표면과 엔드 이펙터의 상단 표면이 전기적 연속성을 형성하는지의 여부에 대한 하나 이상의 결정들이 이루어질 수도 있다. 도 28에서 보이는 바와 같이, 블록 28136 후의 블록 28138에서, 임의의 전도성 표면 및 상단 표면이 전기적 연속성을 형성하는지의 여부에 대한 결정이 이루어진다. 블록 28138에서, 제 1 전도성 표면과 엔드 이펙터의 상단 표면이 전기적 연속성을 형성하는지, 제 2 전도성 표면과 엔드 이펙터의 상단 표면이 전기적 연속성을 형성하는지, 제 3 전도성 표면과 엔드 이펙터의 상단 표면이 전기적 연속성을 형성하는지, 그리고 제 4 전도성 표면과 엔드 이펙터의 상단 표면이 전기적 연속성을 형성하는지가 결정될 수도 있다.

상기에 논의된 바와 같이, 전기적 연속성의 결정은 전기적 연속성 검출기의 사용에 의해 수행될 수도 있고 그리고 이러한 논의들 및/또는 구성들은 본 명세서에 포함된다. 예를 들어, 제 1 전도성 표면과 상단 표면 사이의 전기적 연속성의 결정은 제 1 전도성 표면에 그리고 접지에 (접지는 엔드 이펙터가 전기적으로 연결되는 접지와 동일할 수도 있음) 전기적으로 연결될 수도 있는, 멀티미터 또는 제어기와 같은 연속성 검출기에 의해 이루어질 수도 있다.

일부 구현예들에서, 블록 28138의 결정은 예를 들어 도 26에 관하여 상기에 논의된 바와 같이, 2 개 이상의 결정을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 4 개의 전도성 표면들 각각에 전기적으로 연결된 전기적 연속성 검출기는 전기적 연속성이 4 개의 전도성 표면들 각각과 상단 표면 사이에서 발생하는지의 여부에 관한 4 개의 개별적인 결정들을 하도록 구성될 수도 있다. 이러한 구현예에서, 제 1 전도성 표면과 상단 표면만이 전기적 연속성을 형성한다면, 그러면 전기적 연속성 검출기는, 이 전기적 연속성이 상단 표면과 다른 3 개의 전도성 표면들이 아니라 제 1 전도성 표면 사이에서 발생한다고 결정할 수도 있고, 예를 들어, 어느 전도성 표면이 상단 표면과 콘택트하는지를 구별할 수도 있다.

일부 다른 구현예들에서, 블록 28138의 결정은 단일의 결정일 수도 있다. 일부 이러한 구현예들에서, 전기적 연속성이 하나 이상의 전도성 표면들 및 상단 표면 사이에 형성된다면, 그러면 전기적 연속성 검출기는 어느 전도성 표면 또는 표면들이 상단 표면과 전기적 연속성을 형성하는지를 명시하고, 예를 들어 구별하지 않고, 전기적 연속성의 존재를 나타내도록, 전기적 연속성 검출기는 모든 4 개의 전도성 표면들 및 상단 표면에 전기적으로 연결될 수도 있다.

제 1 거리를 선택하는 것은 또한 예를 들어 도 4, 도 5, 도 6에 관하여 상기에 기술된 것들을 포함하는, 본 명세서에서 논의된 요인들의 고려사항, 뿐만 아니라 도 20 및 도 21에 관하여 논의된 것과 같이 또 다른 실시예에서 평탄도를 결정하는 것을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 최소 제 1 거리, 예를 들어 이격 거리는 플레이트를 향하는 거리에서 또는 거리를 지나 엔드 이펙터의 모든 편향이 바람직하지 않고 그리고 "편평하지"않다고 간주될 수도 있도록 선택될 수도 있다. 다시 도 21을 참조하면, 최소 이격 거리는 오프셋된 쇄선일 수도 있고 그리고 점 M12와 같이, 선에서의 또는 선을 지나는 엔드 이펙터의 모든 편향은 엔드 이펙터가 이 엔드 이펙터에 대한 허용 가능한 높이 측정값 외부에 속하고 그리고 엔드 이펙터가 충분히 "편평"하지 않다는 것을 나타낸다. 반대로, 이 제 1 거리 이하의 엔드 이펙터의 모든 편향은 충분히 "편평"하다고 간주될 수도 있다. 상이한 거리들은 다른 것들 중에서, 얼마나 많은 편향이 특정한 엔드 이펙터에 대해 목표되거나 용인되는지에 기초하여 선택될 수도 있다.

일부 구현예들에서, 연속성의 결정 또는 결정들은 엔드 이펙터 평탄도의 지표일 수도 있다. 상기에 논의된 바와 같이, 허용 가능한 엔드 이펙터 편향 및/또는 비-평탄도의 문턱값 또는 허용오차는 수많은 요인들 및 기준에 기초할 수도 있고, 그리고 목표된 값으로 설정될 수도 있다. 이러한 구현예들에서, 플레이트의 전도성 표면들과 엔드 이펙터의 상단 표면을 분리하는 제 1 거리는, 엔드 이펙터의 임의의 부분이 플레이트의 전도성 표면과 콘택트하고 그리고 전기적 연속성을 형성할 때, 엔드 이펙터의 적어도 일 부분이 선택된 문턱값 평탄도 값에 있고 그리고/또는 선택된 문턱값 평탄도 값을 지나고, 그리고 "편평"하다고 간주되지 않을 수도 있다는 것을 연속성이 나타내도록 선택된 문턱값 평탄도 허용오차에 기초하여 선택될 수도 있다.

본 개시의 또 다른 실시예는 제 1 전기 케이블, 제 2 전기 케이블, 플레이트가 엔드 이펙터 상에 배치될 때 엔드 이펙터의 상단 표면과 대면하도록 구성되는 제 1 전도성 표면을 포함하는 플레이트, 및 전기적 연속성 검출기를 포함하는 키트이다. 제 1 케이블은 제 1 전도성 표면에 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있고, 제 2 케이블은 접지에 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있고, 전기적 연속성 검출기는 제 1 전기 케이블 및 제 2 전기 케이블과 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있고, 그리고 전기적 연속성 검출기는 제 1 전도성 표면 및 제 1 섹션이 전기적으로 전도성으로 콘택트할 때 제 1 전도성 표면과 엔드 이펙터의 상단 표면 사이에서 전기적 연속성을 검출하도록 구성될 수도 있다.

키트의 모든 엘리먼트들 및 피처들은 모든 피처들 및 제한들을 포함할 수도 있고, 그리고 플레이트들, 엔드 이펙터들, 및/또는 연속성 검출기들과 같은 임의의 다른 유사하게 명명된 그리고/또는 기술된 엘리먼트들에 대해 상기의 본 명세서에 논의되고 도시된 바와 같이, 구성될 수도 있고, 그리고 이러한 논의들 및 도면들은 본 명세서에 포함되고 그리고 이러한 아이템들에 대한 참조로 적용된다는 것이 주의되어야 한다.

이 개시의 맥락이 달리 명확히 요구되지 않더라도, 기술 및 실시예들 전반에 걸쳐, 단어들 "포함하다", "포함하는", 등은 배제적이거나 총망라한 의미와 반대되는 것으로서 포괄적인 의미로; 즉, "이로 제한되지 않지만 포함하는"의 의미로 해석된다. 단수 또는 복수를 사용한 단어들은 또한 일반적으로 단수 또는 복수를 각각 포함한다. 부가적으로, 단어들 "본 명세서에", "아래에", "상기에", "이하에", 및 유사한 의미의 단어들은 이 출원의 임의의 특정한 부분들이 아닌 이 출원의 전체를 지칭한다. 단어 "또는"이 2 이상의 아이템들의 리스트에 관하여 사용될 때, 상기 단어는 단어의 모든 다음의 해석들을 포함한다: 리스트 내의 임의의 아이템들, 리스트 내의 모든 아이템들, 및 리스트 내의 아이템들의 임의의 조합. 용어 "구현예"는 본 명세서에 기술된 기법들 및 방법들의 구현예들뿐만 아니라 본 명세서에 기술된 기법들 및/또는 방법들을 포함하고 그리고/또는 구조들을 구현하는 물리적 객체들을 지칭한다. 달리 명시되지 않는다면, 용어 "실질적으로"는 명시된 값의 +/- 5 % 이내를 지칭한다. 예를 들어, "실질적으로 평행한"은 0° 내지 90°의 각 범위의 +/- 5 %를 의미한다.

Claims (26)

1. 반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 방법에 있어서,
   엔드 이펙터의 제 1 측정 지점과 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 상기 엔드 이펙터를 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계로서, 상기 z-방향은 수직 방향이고, 상기 프로브는 제 1 위치에 위치되고, 그리고 상기 프로브 및 상기 제 1 측정 지점은 상기 프로브와 상기 제 1 측정 지점이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성되는, 상기 엔드 이펙터를 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계;
   상기 프로브 및 상기 제 1 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하는 단계;
   상기 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션을 저장하는 단계로서, 상기 엔드 이펙터의 상기 제 1 z-포지션은 상기 엔드 이펙터의 상기 z-방향에서의 이동 동안 상기 제 1 측정 지점과 상기 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 상기 z-방향에서의 상기 엔드 이펙터의 포지션인, 상기 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션을 저장하는 단계;
   상기 엔드 이펙터의 제 2 측정 지점과 상기 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 상기 엔드 이펙터를 상기 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계로서, 상기 프로브는 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치되고, 그리고 상기 프로브 및 상기 제 2 측정 지점은 상기 프로브와 상기 제 2 측정 지점이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성되는, 상기 엔드 이펙터를 상기 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계;
   상기 프로브 및 상기 제 2 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하는 단계;
   상기 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션을 저장하는 단계로서, 상기 엔드 이펙터의 상기 제 2 z-포지션은 상기 엔드 이펙터의 상기 z-방향에서의 이동 동안 상기 제 2 측정 지점과 상기 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 상기 z-방향에서의 상기 엔드 이펙터의 포지션인, 상기 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션을 저장하는 단계;
   상기 엔드 이펙터의 제 3 측정 지점과 상기 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 상기 엔드 이펙터를 상기 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계로서, 상기 프로브는 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치와 상이한 제 3 위치에 위치되고, 그리고 상기 프로브 및 상기 제 3 측정 지점은 상기 프로브와 상기 제 3 측정 지점이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성되는, 상기 엔드 이펙터를 상기 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계;
   상기 프로브 및 상기 제 3 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하는 단계; 및
   상기 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션을 저장하는 단계로서, 상기 엔드 이펙터의 상기 제 3 z-포지션은 상기 엔드 이펙터의 상기 z-방향에서의 이동 동안 상기 제 3 측정 지점과 상기 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 상기 z-방향에서의 상기 엔드 이펙터의 포지션인, 상기 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션을 저장하는 단계를 포함하는, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 반도체 프로세싱 툴 내에 지그 (jig) 를 배치하는 단계를 더 포함하고, 상기 지그는 상기 프로브를 상기 제 1 위치, 상기 제 2 위치, 및 상기 제 3 위치에 포지셔닝하도록 구성되는, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 방법.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 프로브를 상기 제 1 위치에 포지셔닝하는 단계;
   상기 프로브를 상기 제 2 위치에 포지셔닝하는 단계; 및
   상기 프로브를 상기 제 3 위치에 포지셔닝하는 단계를 더 포함하는, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 방법.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 반도체 프로세싱 툴 내의 지그는 상기 프로브를 상기 제 1 위치, 상기 제 2 위치, 및 상기 제 3 위치에 포지셔닝하도록 구성되는, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 방법.
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 엔드 이펙터는 상기 제 1 측정 지점, 상기 제 2 측정 지점, 및 상기 제 3 측정 지점에서 비전도성 코팅 및 전도성 콘택트 지점들을 갖는, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 방법.
6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   게이지는 비전도성 베이스를 갖는, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 방법.
7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제 1 측정 지점은 상기 엔드 이펙터의 제 1 웨이퍼 지지 패드에 실질적으로 근접하게 위치되고,
   상기 제 2 측정 지점은 상기 엔드 이펙터의 제 2 웨이퍼 지지 패드에 실질적으로 근접하게 위치되고, 그리고
   상기 제 3 측정 지점은 상기 엔드 이펙터의 제 3 웨이퍼 지지 패드에 실질적으로 근접하게 위치되는, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 방법.
8. 반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 방법에 있어서,
   엔드 이펙터의 제 1 측정 지점과 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 상기 엔드 이펙터를 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계로서, 상기 z-방향은 수직 방향이고, 상기 엔드 이펙터는 제 1 위치에 위치되고, 그리고 상기 프로브 및 상기 제 1 측정 지점은 상기 프로브와 상기 제 1 측정 지점이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성되는, 상기 엔드 이펙터를 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계;
   상기 프로브 및 상기 제 1 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하는 단계;
   상기 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션을 저장하는 단계로서, 상기 엔드 이펙터의 상기 제 1 z-포지션은 상기 엔드 이펙터의 상기 z-방향에서의 이동 동안 상기 제 1 측정 지점과 상기 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 상기 z-방향에서의 상기 엔드 이펙터의 포지션인, 상기 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션을 저장하는 단계;
   상기 엔드 이펙터를 상기 제 1 위치로부터 제 2 위치로 다음의 방향들: x-방향 및 y-방향 중 하나 이상으로 이동시키는 단계로서, 상기 x-방향은 상기 y-방향에 대해 직교하고, 그리고 상기 x-방향 및 상기 y-방향은 상기 z-방향에 대해 수직인, 상기 엔드 이펙터를 이동시키는 단계;
   상기 엔드 이펙터의 제 2 측정 지점과 상기 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 상기 엔드 이펙터를 상기 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계로서, 상기 엔드 이펙터는 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치되고, 그리고 상기 프로브 및 상기 제 2 측정 지점은 상기 프로브와 상기 제 2 측정 지점이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성되는, 상기 엔드 이펙터를 상기 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계;
   상기 프로브 및 상기 제 2 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하는 단계;
   상기 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션을 저장하는 단계로서, 상기 엔드 이펙터의 상기 제 2 z-포지션은 상기 엔드 이펙터의 상기 z-방향에서의 이동 동안 상기 제 2 측정 지점과 상기 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 상기 z-방향에서의 상기 엔드 이펙터의 포지션인, 상기 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션을 저장하는 단계;
   상기 엔드 이펙터를 상기 제 2 위치로부터 제 3 위치로 다음의 방향들: x-방향 및 y-방향 중 하나 이상으로 이동시키는 단계;
   상기 엔드 이펙터의 제 3 측정 지점과 상기 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 상기 엔드 이펙터를 상기 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계로서, 상기 엔드 이펙터는 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치와 상이한 제 3 위치에 위치되고, 그리고 상기 프로브 및 상기 제 3 측정 지점은 상기 프로브와 상기 제 3 측정 지점이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성되는, 상기 엔드 이펙터를 상기 z-방향에서 하측으로 이동시키는 단계;
   상기 프로브 및 상기 제 3 측정 지점이 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하는 단계; 및
   상기 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션을 저장하는 단계로서, 상기 엔드 이펙터의 상기 제 3 z-포지션은 상기 엔드 이펙터의 상기 z-방향에서의 이동 동안 상기 제 3 측정 지점과 상기 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 상기 z-방향에서의 상기 엔드 이펙터의 포지션인, 상기 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션을 저장하는 단계를 포함하는, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 방법.
9. 반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 키트에 있어서,
   상기 키트는,
   제 1 전기 케이블;
   제 2 전기 케이블;
   프로브;
   상기 프로브를 적어도 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 포지셔닝하도록 구성된 지그; 및
   전기적 연속성 검출기를 포함하고,
   상기 제 1 케이블은 상기 프로브에 전기적으로 연결되도록 구성되고,
   상기 제 2 케이블은 접지에 전기적으로 연결되도록 구성되고,
   상기 지그는 상기 엔드 이펙터가 위치될 수 있는 상기 반도체 프로세싱 툴의 일부분 내에 배치되도록 구성되고,
   상기 전기적 연속성 검출기는 상기 제 1 전기 케이블 및 상기 제 2 전기 케이블과 전기적으로 연결되도록 구성되고, 그리고
   상기 전기적 연속성 검출기는 상기 프로브 및 상기 엔드 이펙터가 전기적으로 전도성으로 콘택트할 때 상기 프로브와 상기 엔드 이펙터 사이에서 전기적 연속성을 검출하도록 구성되는, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 키트.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 지그는, 상기 프로브를 하나 이상의 부가적인 위치들에 포지셔닝하는 것, 상기 프로브를 제 4 위치, 제 5 위치, 제 6 위치, 제 7 위치, 및 제 8 위치에 포지셔닝하는 것, 및 상기 프로브를 제 9 위치 및 제 10 위치에 포지셔닝하는 것으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나를 행하도록 더 구성되는, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 키트.
11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 전기적 연속성 검출기는, 멀티미터, 상기 전기적 연속성 검출기로서 작용하도록 구성되는 반도체 프로세싱 툴의 제어기, 및 상기 반도체 프로세싱 툴의 상기 제어기의 입력/출력 포트에 전기적으로 연결되는 센서로 구성된 그룹으로부터 선택된 아이템인, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 키트.
12. 반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 시스템에 있어서,
    상기 시스템은,
    적어도 부분적으로 전기적으로 전도성이고 그리고 z-방향, x-방향, 및 y-방향으로 이동하도록 구성되는 엔드 이펙터로서, 상기 z-방향은 수직 방향이고, 상기 x-방향은 상기 y-방향에 대해 직교하고, 그리고 상기 x-방향 및 상기 y-방향은 상기 z-방향에 대해 수직인, 상기 엔드 이펙터;
    프로브로서, 상기 프로브는 상기 반도체 프로세싱 툴 내에서 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 위치되도록 구성되는, 상기 프로브;
    전기적 연속성 검출기; 및
    제어기를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 프로브가 상기 제 1 위치, 상기 제 2 위치, 및 상기 제 3 위치에 위치될 때 상기 엔드 이펙터와 상기 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하도록 z-방향에서 하측으로 상기 엔드 이펙터를 이동시키고,
    상기 프로브가 상기 제 1 위치, 상기 제 2 위치, 및 상기 제 3 위치에 위치될 때 상기 프로브 및 상기 엔드 이펙터가 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하고,
    상기 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션을 저장하고, - 상기 엔드 이펙터의 상기 제 1 z-포지션은 상기 엔드 이펙터의 상기 z-방향에서의 이동 동안 상기 제 1 측정 지점과 상기 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 상기 z-방향에서의 상기 엔드 이펙터의 포지션임 -,
    상기 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션을 저장하고, - 상기 엔드 이펙터의 상기 제 2 z-포지션은 상기 엔드 이펙터의 상기 z-방향에서의 이동 동안 상기 제 2 측정 지점과 상기 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 상기 z-방향에서의 상기 엔드 이펙터의 포지션임 -,
    상기 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션을 저장하도록 구성되는 - 상기 엔드 이펙터의 상기 제 3 z-포지션은 상기 엔드 이펙터의 상기 z-방향에서의 이동 동안 상기 제 3 측정 지점과 상기 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 상기 z-방향에서의 상기 엔드 이펙터의 포지션임 -, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 시스템.
13. 제 12 항에 있어서,
    지그를 더 포함하고, 상기 지그는 엔드 이펙터가 위치될 수 있는 상기 반도체 프로세싱 툴의 일부분 내에 배치되도록 구성되고 그리고 게이지를 제 1 위치, 제 2 위치, 및 제 3 위치에 포지셔닝하도록 구성되는, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 시스템.
14. 반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 시스템에 있어서,
    상기 시스템은,
    적어도 부분적으로 전기적으로 전도성이고 그리고 z-방향, x-방향, 및 y-방향으로 이동하도록 구성되는 엔드 이펙터로서, 상기 z-방향은 수직 방향이고, 상기 x-방향은 상기 y-방향에 대해 직교하고, 그리고 상기 x-방향 및 상기 y-방향은 상기 z-방향에 대해 수직인, 상기 엔드 이펙터;
    프로브;
    전기적 연속성 검출기; 및
    제어기를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 엔드 이펙터를 제 1 포지션, 제 2 포지션, 및 제 3 위치로 이동시키고,
    상기 엔드 이펙터가 상기 제 1 위치, 상기 제 2 위치, 및 상기 제 3 위치에 위치될 때 상기 엔드 이펙터와 상기 프로브 사이에 전기적으로 전도성 콘택트를 생성하기 위해서 엔드 이펙터를 상기 z-방향에서 하측으로 이동시키고,
    상기 엔드 이펙터가 상기 제 1 위치, 상기 제 2 위치, 및 상기 제 3 위치에 위치될 때 상기 프로브와 상기 엔드 이펙터가 전기적 연속성을 형성할 때를 결정하고,
    상기 엔드 이펙터의 제 1 z-포지션을 저장하고, - 상기 엔드 이펙터의 상기 제 1 z-포지션은 상기 엔드 이펙터의 상기 z-방향에서의 이동 동안 상기 제 1 측정 지점과 상기 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 상기 z-방향에서의 상기 엔드 이펙터의 포지션임 -,
    상기 엔드 이펙터의 제 2 z-포지션을 저장하고, - 상기 엔드 이펙터의 상기 제 2 z-포지션은 상기 엔드 이펙터의 상기 z-방향에서의 이동 동안 상기 제 2 측정 지점과 상기 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 상기 z-방향에서의 상기 엔드 이펙터의 포지션임 -,
    상기 엔드 이펙터의 제 3 z-포지션을 저장하도록 구성되는, - 상기 엔드 이펙터의 상기 제 3 z-포지션은 상기 엔드 이펙터의 상기 z-방향에서의 이동 동안 상기 제 3 측정 지점과 상기 프로브 사이에서 전기적 연속성이 처음 발생할 때 상기 z-방향에서의 상기 엔드 이펙터의 포지션임 -, 엔드 이펙터의 평탄도를 측정하기 위한 시스템.
15. 반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하기 위한 방법에 있어서,
    상기 방법은,
    플레이트의 제 1 전도성 표면으로 하여금 상기 엔드 이펙터의 상단 표면과 대면하고 그리고 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면과 오버랩하게 하도록 상기 엔드 이펙터 상에 상기 플레이트를 배치하는 단계로서, 상기 제 1 전도성 표면 및 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면은 상기 제 1 전도성 표면과 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성되고, 그리고 상기 제 1 전도성 표면은 상기 엔드 이펙터가 편향되지 않은 상태에 있을 때 제 1 거리만큼 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면으로부터 이격되도록 구성되는, 상기 엔드 이펙터 상에 상기 플레이트를 배치하는 단계;
    상기 엔드 이펙터 상에 힘을 z-방향에서 하측으로 인가하는 단계; 및
    상기 제 1 전도성 표면과 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면이 전기적 연속성을 형성하는지를 결정하는 단계를 포함하는, 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하기 위한 방법.
16. 제 15 항에 있어서,
    상기 하측으로의 힘은 상기 플레이트의 중량에 의해 제공되는, 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하기 위한 방법.
17. 제 15 항에 있어서,
    상기 하측으로의 힘은 웨이퍼의 중량에 의해 상기 엔드 이펙터 상에 가해지는 것과 동일한 하측으로의 힘을 상기 엔드 이펙터가 겪도록 선택되는, 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하기 위한 방법.
18. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제 2 전도성 표면 및 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면이 전기적 연속성을 형성하는지를 결정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 엔드 이펙터 상에 상기 플레이트를 배치하는 단계는 상기 플레이트의 제 2 전도성 표면으로 하여금 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면과 더 대면하고 더 오버랩하게 하고, 상기 제 2 전도성 표면 및 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면은 상기 제 2 전도성 표면과 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성되고, 그리고 상기 제 2 전도성 표면은 상기 엔드 이펙터가 편향되지 않은 상태에 있을 때 제 1 거리만큼 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면으로부터 이격되도록 구성되는, 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하기 위한 방법.
19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 전도성 표면은, 상기 플레이트가 상기 엔드 이펙터 상에 배치될 때 상기 엔드 이펙터의 제 1 웨이퍼 지지 패드와 상기 엔드 이펙터의 제 2 웨이퍼 지지 패드 사이에 위치되도록 구성되고, 그리고
    상기 제 2 전도성 표면은, 상기 플레이트가 상기 엔드 이펙터 상에 배치될 때 상기 엔드 이펙터의 제 3 웨이퍼 지지 패드와 상기 엔드 이펙터의 제 4 웨이퍼 지지 패드 사이에 위치되도록 구성되는, 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하기 위한 방법.
20. 제 18 항에 있어서,
    제 3 전도성 표면 및 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면이 전기적 연속성을 형성하는지를 결정하는 단계, 및
    제 4 전도성 표면 및 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면이 전기적 연속성을 형성하는지를 결정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 엔드 이펙터 상에 상기 플레이트를 배치하는 단계는 상기 플레이트의 제 3 전도성 표면으로 하여금 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면과 더 대면하고 더 오버랩하게 하고, 상기 제 3 전도성 표면 및 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면은 상기 제 3 전도성 표면과 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성되고, 그리고 상기 제 3 전도성 표면은 상기 엔드 이펙터가 편향되지 않은 상태에 있을 때 제 1 거리만큼 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면으로부터 이격되도록 구성되고, 그리고
    상기 엔드 이펙터 상에 상기 플레이트를 배치하는 단계는 상기 플레이트의 제 4 전도성 표면으로 하여금 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면과 더 대면하고 더 오버랩하게 하고, 상기 제 4 전도성 표면 및 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면은 상기 제 4 전도성 표면과 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 생성하도록 구성되고, 그리고 상기 제 4 전도성 표면은 상기 엔드 이펙터가 편향되지 않은 상태에 있을 때 제 1 거리만큼 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면으로부터 이격되도록 구성되는, 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하기 위한 방법.
21. 제 1 전도성 표면을 포함하고,
    플레이트는 엔드 이펙터 상에 배치되도록 구성되고,
    상기 제 1 전도성 표면은 상기 플레이트가 상기 엔드 이펙터 상에 배치될 때 상기 엔드 이펙터의 상단 표면과 대면하고 그리고 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면과 오버랩하도록 구성되고,
    상기 제 1 전도성 표면은 전기적 연속성 검출기에 전기적으로 연결되도록 구성되고,
    상기 제 1 전도성 표면은 상기 제 1 전도성 표면과 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 완성하도록 구성되고, 그리고
    상기 제 1 전도성 표면은 상기 엔드 이펙터가 편향되지 않은 상태에 있을 때 제 1 거리만큼 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면으로부터 이격되도록 구성되는, 플레이트.
22. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 표면은 이격 거리만큼 제 1 플레이트 표면으로부터 오프셋되는, 플레이트.
23. 제 21 항에 있어서,
    상기 플레이트는 웨이퍼의 중량 및 무게 중심과 실질적으로 동일한 중량 및 무게 중심을 갖도록 구성 가능하거나 웨이퍼의 중량 및 무게 중심과 실질적으로 동일한 중량 및 무게 중심을 갖는, 플레이트.
24. 제 21 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 엔드 이펙터에 의해 이동되도록 구성되는, 플레이트.
25. 제 21 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제 2 전도성 표면을 더 포함하고,
    상기 제 2 전도성 표면은 상기 플레이트가 상기 엔드 이펙터 상에 배치될 때 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면과 대면하고 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면과 오버랩하도록 구성되고,
    상기 제 2 전도성 표면은 상기 전기적 연속성 검출기에 전기적으로 연결되도록 구성되고,
    상기 제 2 전도성 표면은 상기 제 2 전도성 표면과 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면이 콘택트할 때 전기적으로 전도성 경로를 완성하도록 구성되고, 그리고
    상기 제 2 전도성 표면은 상기 엔드 이펙터가 편향되지 않은 상태에 있을 때 제 1 거리만큼 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면으로부터 이격되도록 구성되는, 플레이트.
26. 반도체 프로세싱 툴 내에서 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하기 위한 키트에 있어서,
    상기 키트는,
    제 1 전기 케이블;
    제 2 전기 케이블;
    플레이트로서, 상기 플레이트는 상기 엔드 이펙터 상에 배치될 때 상기 엔드 이펙터의 상단 표면과 대면하고 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면과 오버랩하도록 구성되는 제 1 전도성 표면을 포함하는, 상기 플레이트; 및
    전기적 연속성 검출기를 포함하고,
    상기 제 1 케이블은 제 1 전도성 표면에 전기적으로 연결되도록 구성되고,
    상기 제 2 케이블은 접지에 전기적으로 연결되도록 구성되고,
    상기 전기적 연속성 검출기는 상기 제 1 전기 케이블 및 상기 제 2 전기 케이블과 전기적으로 연결되도록 구성되고, 그리고
    상기 전기적 연속성 검출기는 상기 제 1 전도성 표면 및 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면이 전기적으로 전도성으로 콘택트할 때 상기 제 1 전도성 표면과 상기 엔드 이펙터의 상기 상단 표면 사이에서 전기적 연속성을 검출하도록 구성되는, 엔드 이펙터의 평탄도를 결정하기 위한 키트.

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