KR20170071470A - Resin composition, and insulating film and semiconductor device using same - Google Patents

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Abstract

FPC의 배선을 이루는 금속박 및 폴리이미드 필름 등의 FPC의 기판 재료에 대한 우수한 접착 강도를 갖고, 고주파 영역에서 우수한 전기 특성, 구체적으로는 주파수 1∼10GHz의 영역에서, 저유전율(e) 및 저유전 탄젠트(tand)를 나타내고, 또한 양호한 셸프 라이프를 갖는 커버레이 필름으로서의 절연 필름 및 당해 절연 필름에 함유되는 수지 조성물의 제공. 당해 수지 조성물은 (A) 양 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 변성 폴리페닐렌에테르, (B) 에폭시 수지, (C) 스티렌계 열가소성 엘라스토머, (D) 1분자 중에 이미드기와 아크릴레이트기를 갖는 화합물, 및 (E) 경화 촉매를 함유하고, 상기 성분(A)∼성분(E)의 합계 100질량부에 대해, 상기 성분(D)를 0.5∼4질량부 함유한다.(E) and a low dielectric constant (e) in an area of a frequency of 1 to 10 GHz, and has excellent adhesive strength to a substrate material of an FPC such as a metal foil and a polyimide film constituting the wiring of the FPC, Provided is an insulating film as a coverlay film which exhibits a tangent and has a good shelf life, and a resin composition contained in the insulating film. (B) an epoxy resin, (C) a styrenic thermoplastic elastomer, (D) a compound having an imide group and an acrylate group in one molecule, (D) a compound having an imide group and an acrylate group in one molecule, And (E) a curing catalyst, and contains 0.5 to 4 parts by mass of the above-mentioned component (D) relative to 100 parts by mass of the total of the components (A) to (E).

Description

수지 조성물 및 이를 사용한 절연 필름 및 반도체 장치{RESIN COMPOSITION, AND INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin composition and an insulating film and a semiconductor device using the resin composition.

<크로스·레퍼런스> <Cross reference>

본원은 2014년 10월 22일에 출원된 일본 특허출원 「특허출원 2014-215035호」에 기초하는 우선권을 주장함과 함께, 참조에 의해 그 내용을 포함한다.The present application claims priority based on Japanese patent application "Patent Application No. 2014-215035" filed on October 22, 2014, together with its contents by reference.

본 발명은 수지 조성물 및 이를 사용한 절연 필름 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition and an insulating film and a semiconductor device using the resin composition.

최근에는 전기 및 전자 기기에 사용되는 프린트 배선판의 소형화, 경량화 및 고성능화가 진행되고 있다. 특히, 다층 프린트 배선판의 추가적인 고다층화, 고밀도화, 박형화, 경량화, 고신뢰성 및 성형 가공성 등이 요구되고 있다. 또한, 최근, 프린트 배선판에서 처리되는 전송 신호의 고속화에 대한 요구가 높아지고 있다. 이에 따라, 전송 신호의 고주파화가 현저하게 진행되고 있다. 이로써, 프린트 배선판에 사용하는 재료에는 고주파 영역, 구체적으로는 주파수 1GHz 이상의 영역에서의 전기 신호 손실을 저감시킬 수 있는 것이 요구되고 있다. 다층 프린트 배선판에 사용되는 층간 접착제 및 프린트 배선판의 표면 보호막(즉, 커버레이 필름)으로서 사용되는 접착 필름에도 고주파 영역에서 우수한 전기 특성(저유전율(e), 저유전 탄젠트(tand))를 나타내는 것이 요구된다.In recent years, printed wiring boards used in electric and electronic devices have been made smaller, lighter, and have higher performance. Particularly, there is a demand for further multilayered, high-density, thin, lightweight, high reliability and molding processability of the multilayered printed circuit board. In addition, there is a growing demand for higher speed of transmission signals processed in printed wiring boards. As a result, the frequency of the transmission signal is significantly increased. Thus, it is required that the material used for the printed wiring board is capable of reducing electric signal loss in a high frequency range, specifically, in a frequency range of 1 GHz or more. (Low dielectric constant (e), low dielectric tangent (tand)) in the high-frequency region is also exhibited in the interlayer adhesive used in the multilayer printed wiring board and in the adhesive film used as the surface protective film of the printed wiring board Is required.

특허문헌 1에는 저유전율, 저유전 탄젠트 및 우수한 내열성, 기계 특성, 내약품성 및 난연성을 갖는 경화물을 제공하고, 또한, 저온에서 경화할 수 있는 경화성 수지 조성물이 개시되어 있다. 또한, 이 문헌에는 이 경화성 수지 조성물을 사용한 경화성 필름 및 이들을 경화함으로써 얻어지는 경화물 및 필름이 개시되어 있다. 한편, 특허문헌 2에는 플렉서블 프린트 배선판(FPC)의 배선을 구성하는 금속박 및 당해 플렉서블 프린트 배선판의 기판 재료에 대한 우수한 접착 강도를 갖고, 또한, 주파수 1GHz 이상의 고주파 영역에서 우수한 전기 특성을 나타내는 커버레이 필름이 제안되어 있다. 구체적으로는 이 커버레이 필름은 주파수 1GHz 이상의 영역에서 저유전율(e) 및 저유전 탄젠트(tand)를 나타낸다. 또한, 이 커버레이 필름은 전기 및 전자 용도의 접착 필름 및 다층 프린트 배선판의 층간 접착제로서도 사용할 수 있다.Patent Document 1 discloses a curable resin composition which can provide a cured product having a low dielectric constant, a low dielectric tangent, an excellent heat resistance, a mechanical property, a chemical resistance, and a flame retardancy and can be cured at a low temperature. In addition, this document discloses a curable film using the curable resin composition, and a cured product and a film obtained by curing the same. On the other hand, Patent Document 2 discloses a metal foil constituting a wiring of a flexible printed wiring board (FPC) and a coverlay film having excellent adhesive strength to a substrate material of the flexible printed wiring board and exhibiting excellent electric characteristics in a high frequency region of a frequency of 1 GHz or more Has been proposed. Specifically, the coverlay film exhibits a low dielectric constant (e) and a low dielectric tangent (tand) in a frequency region of 1 GHz or more. The coverlay film can also be used as an adhesive film for electric and electronic uses and as an interlayer adhesive for a multilayer printed wiring board.

국제 공개공보 WO 2008/18483호International Publication No. WO 2008/18483 일본 공개특허공보 2011-68713호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-68713

특허문헌 2에 기재된 커버레이 필름은 가열 경화된 후에 고주파 영역에서 우수한 전기 특성을 나타낸다. 구체적으로는 이 필름은 주파수 1∼10GHz의 영역에서 3.0 이하, 나아가서는 2.5 이하의 유전율을 나타낸다. 또한, 이 필름은 주파수 1∼10GHz의 영역에서 0.01 이하, 나아가서는 0.0025 이하의 유전 탄젠트(tand)를 나타낸다.The coverlay film described in Patent Document 2 exhibits excellent electrical properties in a high frequency region after heat curing. Specifically, the film exhibits a dielectric constant of 3.0 or less, more specifically 2.5 or less in the frequency range of 1 to 10 GHz. Further, this film exhibits a dielectric tangent (tand) of 0.01 or less, more preferably 0.0025 or less, in a frequency of 1 to 10 GHz.

최근에는 고주파 특성에 대한 요구는 더욱 엄격해지고 있다. 구체적으로는 주파수 1∼10GHz의 영역에서의 유전율이 2.5 이하인 것이 요구되고 있다. 또한, 주파수 1∼10GHz의 영역에서의 유전 탄젠트(tand)가 0.0025 이하인 것이 요구되고 있다. 특허문헌 2에 기재된 커버레이 필름은 이 요구를 만족시킬 수 있다. 그러나, 이 커버레이 필름보다 장기 보존성이 우수한 필름이 요구되고 있다.In recent years, demands for high frequency characteristics have become more stringent. Concretely, it is required that the dielectric constant in the range of frequency 1 to 10 GHz is 2.5 or less. Further, it is required that the dielectric tangent (tand) in the range of frequency 1 to 10 GHz is 0.0025 or less. The coverlay film described in Patent Document 2 can satisfy this requirement. However, there is a demand for a film excellent in long-term preservability than the coverlay film.

특허문헌 2에는 커버레이 필름의 (E)성분인 경화제의 바람직한 예로서 말레이미드계 경화제가 개시되어 있다. 동문헌에 의하면, 말레이미드계 경화제를 사용함으로써, 커버레이 필름의 가열 경화를 보다 낮은 온도에서 진행시킬 수 있다(예를 들면, 통상 200℃의 경화 온도를 150℃로 설정함). 그 중에서도, 비스말레이미드가 커버레이 필름의 유전 특성의 유지, 필름에 대한 접착력의 부여 및 필름의 높은 Tg(유리 전이점)라는 관점에서 특히 바람직하게 사용되고 있다. 그러나, 추가로 셸프 라이프가 양호하고, 장기간 보존 후의 필름의 외관 및 가압착성이 우수한 필름이 요구되고 있다.Patent Document 2 discloses a maleimide-based curing agent as a preferable example of the curing agent which is the component (E) of the coverlay film. According to this document, by using a maleimide-based curing agent, the heat curing of the coverlay film can be proceeded at a lower temperature (for example, a curing temperature of 200 캜 is usually set at 150 캜). Among them, bismaleimide is particularly preferably used in view of maintaining the dielectric properties of the coverlay film, giving an adhesive force to the film, and high Tg (glass transition point) of the film. However, a film excellent in shelf life and excellent in external appearance and pressure-bonding property after long-term storage has been demanded.

본 발명의 목적은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결할 수 있는 절연 필름의 제조에 사용되는 수지 조성물을 제공하는 것에 있다. 이 수지 조성물을 포함하는 절연 필름은 FPC의 배선을 구성하는 금속박, 그리고 폴리이미드 필름 및 액정 폴리머 등의 FPC의 기판 재료에 대한 우수한 접착 강도를 갖는다. 또한, 이 절연 필름은 고주파 영역에서 우수한 전기 특성, 구체적으로는 주파수 1∼10GHz의 영역에서 저유전율(e) 및 저유전 탄젠트(tand)를 나타낸다. 또한, 이 절연 필름의 셸프 라이프는 양호하다.An object of the present invention is to provide a resin composition for use in the production of an insulating film capable of solving the problems of the prior art described above. The insulating film containing the resin composition has excellent adhesive strength to a metal foil constituting the wiring of the FPC, and to a substrate material of an FPC such as a polyimide film and a liquid crystal polymer. Further, this insulating film exhibits excellent electrical characteristics in the high frequency range, specifically, low dielectric constant (e) and low dielectric tangent (tand) in the frequency range of 1 to 10 GHz. Further, the shelf life of the insulating film is good.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 수지 조성물은 (A) 양 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 변성 폴리페닐렌에테르, (B) 에폭시 수지, (C) 스티렌계 열가소성 엘라스토머, (D) 1분자 중에 이미드기와 아크릴레이트기를 갖는 화합물 및 (E) 경화 촉매를 함유하고, 상기 성분(A)∼성분(E)의 합계 100질량부에 대해, 상기 성분(D)를 0.5∼4질량부 함유한다.(B) an epoxy resin, (C) a styrenic thermoplastic elastomer, (D) a thermosetting resin composition containing, in one molecule, at least one compound selected from the group consisting of (A) a modified polyphenylene ether having an ethylenic unsaturated group at both terminals, A compound having an imide group and an acrylate group, and (E) a curing catalyst, and 0.5 to 4 parts by mass of the above-mentioned component (D) relative to 100 parts by mass of the total of the above components (A) to (E).

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 상기 (B)성분의 에폭시 수지가 바람직하게는 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지이다.In the resin composition of the present invention, the epoxy resin of component (B) is preferably an epoxy resin having a naphthalene skeleton.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 상기 (E)성분의 경화 촉매가 바람직하게는 이미다졸계 경화 촉매이다.In the resin composition of the present invention, the curing catalyst of component (E) is preferably an imidazole-based curing catalyst.

또한, 본 발명의 수지 조성물에 있어서, 상기 (E)성분의 경화 촉매가 바람직하게는 벤젠 고리를 갖는 이미다졸계 경화 촉매이다.In the resin composition of the present invention, the curing catalyst of component (E) is preferably an imidazole-based curing catalyst having a benzene ring.

본 발명의 수지 조성물은 추가로 (F) 유기 과산화물을 함유해도 된다.The resin composition of the present invention may further contain (F) an organic peroxide.

본 발명의 수지 조성물은 상기 수지 조성물의 열경화물이 주파수 1∼10GHz의 영역에서 바람직하게는 2.5 이하의 유전율(e) 및 0.0025 이하의 유전 탄젠트(tand)를 갖는다. 또한, 본 발명의 절연 필름은 본 발명의 수지 조성물을 포함한다.The resin composition of the present invention has a dielectric constant (e) of not more than 2.5 and a dielectric tangent (tand) of not more than 0.0025 in a region where the thermosetting resin of the resin composition has a frequency of 1 to 10 GHz. Further, the insulating film of the present invention includes the resin composition of the present invention.

또한, 본 발명의 반도체 장치는 기판 사이의 층간 접착제로서 본 발명의 수지 조성물 또는 그 열경화물을 포함한다.Further, the semiconductor device of the present invention includes the resin composition of the present invention or a thermosetting resin thereof as an interlayer adhesive between substrates.

또한, 본 발명의 반도체 장치는 기판 사이의 층간 접착제로서 본 발명의 절연 필름 또는 그 열경화물을 포함한다.Further, the semiconductor device of the present invention includes the insulating film of the present invention or thermosetting resin thereof as an interlayer adhesive between substrates.

본 발명의 수지 조성물로 형성되는 절연 필름은 FPC의 배선을 형성하는 금속박, 그리고 폴리이미드 필름 및 액정 폴리머 필름 등의 FPC의 기판 재료에 대한 우수한 접착 강도를 갖는다. 또한, 이 절연 필름은 고주파 영역에서 우수한 전기 특성, 구체적으로는 주파수 1∼10GHz의 영역에서 저유전율(e) 및 저유전 탄젠트(tand)를 나타낸다. 또한, 이 절연 필름의 셸프 라이프는 양호하다. 이 때문에, 이 필름이 장기간 보존되고 있는 동안에도 필름 내의 성분의 결정화가 일어나기 어렵다. 그 결과, 필름 외관의 악화가 일어나기 어렵다. 또한, 필름의 물성 악화, 구체적으로는 필름의 가압착성 저하도 일어나기 어렵다. 이 때문에, 전기 및 전자 용도의 접착 필름 및 프린트 배선판의 커버레이 필름에 바람직하다. 또한, 이 절연 필름은 반도체 장치의 기판 사이의 층간 접착제로서 바람직하다.The insulating film formed from the resin composition of the present invention has excellent adhesive strength to a metal foil forming the wiring of an FPC, and to a substrate material of an FPC such as a polyimide film and a liquid crystal polymer film. Further, this insulating film exhibits excellent electrical characteristics in the high frequency range, specifically, low dielectric constant (e) and low dielectric tangent (tand) in the frequency range of 1 to 10 GHz. Further, the shelf life of the insulating film is good. Therefore, crystallization of the components in the film is difficult to occur even when the film is stored for a long period of time. As a result, deterioration of the appearance of the film hardly occurs. Further, the physical properties of the film are deteriorated, and in particular, the pressure-bonding property of the film is hardly lowered. Therefore, it is preferable for an adhesive film for electric and electronic use and a coverlay film for printed wiring board. Further, this insulating film is preferable as an interlayer adhesive between substrates of a semiconductor device.

이하, 본 발명의 수지 조성물에 대해 상세하게 설명한다. 본 발명의 수지 조성물은 적어도 이하에 나타내는 성분(A)∼성분(E)를 함유한다. Hereinafter, the resin composition of the present invention will be described in detail. The resin composition of the present invention contains at least the following components (A) to (E).

(A) 양 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 변성 폴리페닐렌에테르 (A) a modified polyphenylene ether having an ethylenic unsaturated group at both terminals

성분(A)의, 양 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 변성 폴리페닐렌에테르가 갖는 에틸렌성 불포화기의 예로는 에테닐기, 알릴기, 메탈릴기, 프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기 및 옥테닐기 등의 알케닐기, 시클로펜테닐기 및 시클로헥세닐기 등의 시클로알케닐기 및 비닐벤질기 및 비닐나프틸기 등의 알케닐아릴기를 들 수 있다. 이들 중에서도 바람직한 예는 비닐벤질기이다. 양 말단의 2개의 에틸렌성 불포화기는 동일해도 되고, 상이해도 된다.Examples of the ethylenic unsaturated group contained in the modified polyphenylene ether having an ethylenic unsaturated group at both terminals of the component (A) include ethylenic, allyl, methallyl, propenyl, butenyl, A cycloalkenyl group such as an alkenyl group, a cyclopentenyl group and a cyclohexenyl group, and an alkenylaryl group such as a vinylbenzyl group and a vinylnaphthyl group. Of these, preferred examples are vinylbenzyl groups. The two ethylenic unsaturated groups at both terminals may be the same or different.

성분(A)의 양 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 변성 폴리페닐렌에테르로서 하기 식(1)로 나타내는 변성 폴리페닐렌에테르가 바람직하다.The modified polyphenylene ether having an ethylenic unsaturated group at both terminals of the component (A) is preferably a modified polyphenylene ether represented by the following formula (1).

Figure pct00001
Figure pct00001

식(1) 중, -(O-X-O)-는 하기 식(2) 또는 (3)으로 나타낸다.In the formula (1), - (O-X-O) - is represented by the following formula (2) or (3).

Figure pct00002
Figure pct00002

Figure pct00003
Figure pct00003

식(2) 중, R1, R2, R3, R7 및 R8은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다. R4, R5 및 R6은 동일하거나 또는 상이한 수소 원자, 또는 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다.In formula (2), R 1 , R 2 , R 3 , R 7 and R 8 are the same or different alkyl groups having 6 or less carbon atoms or phenyl groups. R 4 , R 5 and R 6 are the same or different hydrogen atoms, or an alkyl group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group.

식(3) 중, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15 및 R16은 동일하거나 또는 상이한 수소 원자, 또는 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다. -A-는 탄소수 20 이하의 직쇄상, 분기상, 또는 고리형의 2가 탄화수소기이다.In formula (3), R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 and R 16 are the same or different and each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group. -A- is a linear, branched, or cyclic divalent hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms.

식(1) 중, -(Y-O)-는 식(4)로 나타낸다. -(Y-O)-는 동일한 구조이거나, 또는 랜덤으로 배열되어 있는 상이한 구조를 나타낸다.In the formula (1), - (Y-O) - is represented by the formula (4). - (Y-O) - have the same structure or represent different structures randomly arranged.

Figure pct00004
Figure pct00004

식(4) 중, R17 및 R18은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다. R19 및 R20은 동일하거나 또는 상이한 수소 원자, 또는 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다.In the formula (4), R 17 and R 18 are the same or different alkyl groups having 6 or less carbon atoms or phenyl groups. R 19 and R 20 are the same or different hydrogen atoms, or an alkyl group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group.

식(1) 중, a 및 b는 적어도 어느 일방이 0이 아닌 0∼100의 정수를 나타낸다.In formula (1), a and b each represent an integer of 0 to 100, at least one of which is not 0.

식(3)에 있어서의 -A-의 예로는 메틸렌, 에틸리덴, 1-메틸에틸리덴, 1, 1-프로필리덴, 1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴), 1,3-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴), 시클로헥실리덴, 페닐메틸렌, 나프틸메틸렌 및 1-페닐에틸리덴 등의 2가 유기기를 들 수 있다. 단, -A-는 이들에 한정되는 것은 아니다.Examples of -A- in the formula (3) include methylene, ethylidene, 1-methylethylidene, 1, 1-propylidene, 1,4-phenylenebis (1-methylethylidene) And divalent organic groups such as 3-phenylene bis (1-methylethylidene), cyclohexylidene, phenylmethylene, naphthylmethylene and 1-phenylethylidene. However, -A- is not limited to these.

식(1)로 나타내는 변성 폴리페닐렌에테르의 바람직한 예로는 R1, R2, R3, R7, R8, R17 및 R18이 탄소수 3 이하의 알킬기이고, R4, R5, R6, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R19 및 R20이 수소 원자 또는 탄소수 3 이하의 알킬기인 화합물을 들 수 있다. 특히, 바람직하게는 식(2) 또는 식(3)의 -(O-X-O)-는 식(5), 식(6), 또는 식(7)을 나타내고, 식(4)의 -(Y-O)-는 식(8) 또는 식(9)로 나타내는 구조이거나, 혹은 랜덤으로 배열된 식(8)로 나타내는 구조 및 식(9)로 나타내는 구조를 나타낸다.Preferred examples of the modified polyphenylene ether represented by the formula (1) and the R 1, R 2, R 3 , R 7, R 8, R 17 and R 18 an alkyl group of more than a carbon number of 3, R 4, R 5, R 6 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 , R 19 and R 20 are hydrogen atoms or alkyl groups having 3 or less carbon atoms. Particularly preferably - (O-X-O) - in the formula (2) or (3) represents the formula (5), the formula (6), or the formula (7) Y-O) - represents a structure represented by formula (8) or (9), or a structure represented by formula (8) and a structure represented by formula (9).

Figure pct00005
Figure pct00005

Figure pct00006
Figure pct00006

Figure pct00007
Figure pct00007

Figure pct00008
Figure pct00008

Figure pct00009
Figure pct00009

식(1)로 나타내는 변성 폴리페닐렌에테르의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 2관능 페닐렌에테르 올리고머의 말단 페놀성 수산기를 비닐벤질에테르화함으로써 제조할 수 있다. 이 2관능 페닐렌에테르 올리고머는 예를 들면, 2관능 페놀 화합물과 1관능 페놀 화합물을 산화 커플링시킴으로써 얻어진다.The method for producing the modified polyphenylene ether expressed by the formula (1) is not particularly limited. For example, the terminal phenolic hydroxyl group of the bifunctional phenylene ether oligomer can be produced by vinylbenzyl etherification. This bifunctional phenylene ether oligomer is obtained, for example, by oxidatively coupling a bifunctional phenol compound and a monofunctional phenol compound.

성분(A)의, 양 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 변성 폴리페닐렌에테르의 수평균 분자량은 GPC법에 의한 폴리스티렌 환산으로, 바람직하게는 500∼4,500의 범위, 보다 바람직하게는 500∼3,000의 범위, 더욱 바람직하게는 1,000∼2,500의 범위에 있다. 수평균 분자량이 500 이상이면, 본 발명의 수지 조성물을 도막 형상으로 했을 때, 수지 조성물이 달라붙기 어렵다. 또한, 수평균 분자량이 4,500 이하이면, 성분(A)의 용제에 대한 용해성의 저하를 억제할 수 있다.The number average molecular weight of the modified polyphenylene ether having an ethylenically unsaturated group at both terminals of the component (A) is preferably in the range of 500 to 4,500, more preferably in the range of 500 to 3,000 in terms of polystyrene by the GPC method , More preferably in the range of 1,000 to 2,500. When the number average molecular weight is 500 or more, the resin composition is hardly stuck to the resin when the resin composition of the present invention is formed into a coating film. When the number average molecular weight is 4,500 or less, deterioration of the solubility of the component (A) in a solvent can be suppressed.

성분(A)의, 양 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 변성 폴리페닐렌에테르의 함유량은 성분(A)∼성분(E)의 합계 100질량부에 대해, 바람직하게는 30∼60질량부, 보다 바람직하게는 30∼50질량부, 더욱 바람직하게는 35∼45질량부이다. 성분(A)가 지나치게 적으면, 본 발명의 수지 조성물을 포함하는 절연 필름의 성형성이 악화될 뿐만 아니라, 원하는 고주파 특성을 얻기 어려워진다. 성분(A)가 지나치게 많으면, 상대적으로 성분(B) 및 성분(C)의 양이 감소된다. 이 때문에, 본 발명의 수지 조성물을 포함하는 절연 필름의 접착성이 악화된다. 또한, 고주파 특성이라는 관점에서, 바람직한 성분(A)의 비유전율은 3.0 이하이다.The content of the modified polyphenylene ether having an ethylenic unsaturated group at both terminals of the component (A) is preferably 30 to 60 parts by mass, more preferably 30 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total of the components (A) to (E) Is preferably 30 to 50 parts by mass, and more preferably 35 to 45 parts by mass. When the amount of the component (A) is too small, not only the moldability of the insulating film containing the resin composition of the present invention deteriorates but also the desired high frequency characteristics are hardly obtained. If the component (A) is too large, the amount of the component (B) and the component (C) is relatively reduced. For this reason, the adhesiveness of the insulating film containing the resin composition of the present invention is deteriorated. From the viewpoint of high-frequency characteristics, the relative dielectric constant of the preferable component (A) is 3.0 or less.

(B) 에폭시 수지(B) Epoxy resin

성분(B)의 에폭시 수지의 예로는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 실록산형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지 및 나프탈렌 고리 함유 에폭시 수지를 들 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 하나가 단독으로 사용되어도 되고, 둘 이상이 혼합되어 사용되어도 된다. 여기서, 필름의 성형성이라는 관점에서, 성분(B)의 에폭시 수지는 바람직하게는 액상이다. 또한, 본 발명의 수지 조성물을 포함하는 절연 필름의 접착성 향상이라는 관점에서, 성분(B)의 에폭시 수지는 바람직하게는 나프탈렌 골격을 갖는다.Examples of the epoxy resin of the component (B) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, siloxane type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, glycidyl ester type Epoxy resin, glycidylamine-type epoxy resin, hydantoin-type epoxy resin, and naphthalene ring-containing epoxy resin. One of these epoxy resins may be used alone, or two or more thereof may be used in combination. Here, from the viewpoint of the moldability of the film, the epoxy resin of the component (B) is preferably a liquid. Further, from the viewpoint of improving the adhesiveness of the insulating film comprising the resin composition of the present invention, the epoxy resin of the component (B) preferably has a naphthalene skeleton.

성분(B)의 에폭시 수지의 함유량은 성분(A)∼성분(E)의 합계 100질량부에 대해, 바람직하게는 2∼15질량부, 보다 바람직하게는 4∼12질량부, 더욱 바람직하게는 6∼11질량부이다. 성분(B)가 지나치게 적으면, 본 발명의 수지 조성물을 포함하는 절연 필름의 접착성이 악화된다. 성분(B)가 지나치게 많으면, 상대적으로 성분(A) 및 성분(C)의 양이 감소된다. 이 때문에, 본 발명의 수지 조성물을 포함하는 절연 필름의 성형성 및 고주파 특성이 악화된다.The content of the epoxy resin in the component (B) is preferably 2 to 15 parts by mass, more preferably 4 to 12 parts by mass, more preferably 4 to 12 parts by mass, relative to 100 parts by mass in total of the components (A) to 6 to 11 parts by mass. If the amount of the component (B) is too small, the adhesiveness of the insulating film comprising the resin composition of the present invention deteriorates. When the component (B) is too large, the amount of the component (A) and the component (C) is relatively reduced. As a result, the moldability and high-frequency characteristics of the insulating film containing the resin composition of the present invention are deteriorated.

(C) 스티렌계 열가소성 엘라스토머(C) a styrene-based thermoplastic elastomer

성분(C)의 스티렌계 열가소성 엘라스토머란, 스티렌, 또는 그 동족체 또는 그 유사체를 함유하는 열가소성 엘라스토머를 말한다. 성분(C)의 예로는 폴리스티렌-폴리(에틸렌-에틸렌/프로필렌)블록-폴리스티렌(SEEPS), 폴리스티렌-폴리(에틸렌/부틸렌)블록-폴리스티렌(SEBS), 스티렌-부타디엔 블록 공중합체(SBS), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체(SIS) 및 폴리부타디엔(PB)을 들 수 있다. 이들 열가소성 엘라스토머 중 하나가 단독으로 사용되어도 되고, 둘 이상이 혼합되어 사용되어도 된다. FPC의 배선을 구성하는 금속박, 그리고 폴리이미드 필름 및 액정 폴리머 등의 FPC의 기판 재료에 대한 접착 강도 향상이라는 관점에서는 성분(C)는 바람직하게는 SEEPS를 포함한다. 성분(C) 중의 SEEPS의 함유량은 바람직하게는 10∼70질량%, 보다 바람직하게는 10∼50질량%이다. 또한, 내열성이라는 관점에서는 성분(C)는 바람직하게는 SEBS를 포함한다.The styrene-based thermoplastic elastomer of the component (C) refers to a thermoplastic elastomer containing styrene, an isomer thereof, or an analogue thereof. Examples of the component (C) include polystyrene-poly (ethylene-ethylene / propylene) block-polystyrene (SEEPS), polystyrene-poly (ethylene / butylene) block-polystyrene (SEBS), styrene-butadiene block copolymer (SBS) Styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS) and polybutadiene (PB). One of these thermoplastic elastomers may be used alone, or two or more thereof may be used in combination. From the viewpoint of improving the bonding strength of the metal foil constituting the wiring of the FPC and the substrate material of the FPC such as the polyimide film and the liquid crystal polymer, the component (C) preferably includes SEEPS. The content of SEEPS in the component (C) is preferably from 10 to 70 mass%, more preferably from 10 to 50 mass%. Further, in view of heat resistance, component (C) preferably includes SEBS.

성분(C)의 스티렌계 열가소성 엘라스토머의 함유량은 성분(A)∼성분(E)의 합계 100질량부에 대해, 바람직하게는 30∼70질량부, 보다 바람직하게는 40∼60질량부, 더욱 바람직하게는 45∼55질량부이다. 성분(C)가 지나치게 많으면 성형성이 악화된다. 성분(C)가 지나치게 적으면 접착 강도가 악화되며, 추가로 성형성도 악화된다. 또한, 고주파 특성이라는 관점에서, 사용되는 성분(C)의 바람직한 비유전율은 3.0 이하이다.The content of the styrene-based thermoplastic elastomer of the component (C) is preferably 30 to 70 parts by mass, more preferably 40 to 60 parts by mass, further preferably 40 to 60 parts by mass, Is 45 to 55 parts by mass. If the component (C) is excessively large, the moldability is deteriorated. If the component (C) is too small, the bonding strength is deteriorated and further the moldability is deteriorated. From the viewpoint of high-frequency characteristics, the preferred relative dielectric constant of the component (C) used is 3.0 or less.

(D) 1분자 중에 이미드기와 아크릴레이트기를 갖는 화합물 성분(D) a compound having an imide group and an acrylate group in one molecule

(D)는 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성되는 절연 필름의 경화를 보조하는 성분이다. 상술한 바와 같이, 특허문헌 2에 기재된 커버레이 필름에는 (E)성분의 경화제로서 비스말레이미드가 사용된다. 이에 대해, 본 발명의 수지 조성물에는 성분(D)로서 1분자 중에 이미드기와 아크릴레이트기를 갖는 화합물이 사용된다. 이 때문에, 비스말레이미드를 사용한 절연 필름과 비교하여, 수지 조성물을 사용하여 형성되는 절연 필름을 장기간 보존하고 있는 동안에 필름 내의 성분의 결정화가 일어나기 어렵다. 이 때문에, 필름 외관의 악화가 일어나기 어렵다. 또한, 필름의 물성 악화, 구체적으로는 필름의 가압착성 저하도 일어나기 어렵다. 필름의 가압착성은 절연 필름을 커버레이 필름으로서 사용하는 경우에 한정되지 않고, 전기 및 전자 용도의 접착 필름으로서 사용하는 경우 및 반도체 장치의 기판 사이의 층간 접착제로서 사용하는 경우에도 요구되는 특성이다. 성분(D)로서 사용하는 1분자 중에 이미드기와 아크릴레이트기를 갖는 화합물은 절연 필름의 유전 특성의 유지, 절연 필름에 대한 접착력의 부여 및 절연 필름의 고Tg(유리 전이점)라는 관점에서도 비스말레이미드에 비해 손색이 없다.(D) is a component for assisting the curing of the insulating film formed using the resin composition of the present invention. As described above, bismaleimide is used as a curing agent for the component (E) in the coverlay film described in Patent Document 2. [ On the other hand, a compound having an imide group and an acrylate group in one molecule is used as the component (D) in the resin composition of the present invention. Therefore, as compared with an insulating film using bismaleimide, crystallization of components in the film is difficult to occur while an insulating film formed using the resin composition is stored for a long period of time. Therefore, deterioration of the film appearance is unlikely to occur. Further, the physical properties of the film are deteriorated, and in particular, the pressure-bonding property of the film is hardly lowered. The pressure-bonding property of the film is not limited to the case where the insulating film is used as a cover film, but is also a property required when used as an adhesive film for electric and electronic applications and as an interlayer adhesive between substrates of semiconductor devices. The compound having an imide group and an acrylate group in one molecule used as the component (D) can be also used in view of maintaining the dielectric property of the insulating film, giving the adhesive force to the insulating film and high Tg of the insulating film (glass transition point) There is no comparison to Mid.

성분(D)의 예로는 이미드아크릴레이트를 들 수 있다. 이미드아크릴레이트의 예로는 N-아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈이미드, N-아크릴로일옥시에틸-1,2,3,6-테트라히드로프탈이미드 및 N-아크릴로일옥시에틸-3,4,5,6-테트라히드로프탈이미드를 들 수 있다. 특히, N-아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈이미드가 바람직하게 사용된다.An example of the component (D) is an imide acrylate. Examples of imide acrylates include N-acryloyloxyethylhexahydrophthalimide, N-acryloyloxyethyl-1,2,3,6-tetrahydrophthalimide and N-acryloyloxyethyl- 3,4,5,6-tetrahydrophthalimide. Particularly, N-acryloyloxyethylhexahydrophthalimide is preferably used.

성분(D)의 함유량은 성분(A)∼성분(E)의 합계 100질량부에 대해, 0.5∼4질량부이다. 성분(D)의 함유량이 상기 범위 밖이면, 본 발명의 수지 조성물을 포함하는 절연 필름의 접착 강도가 불충분하다. 성분(D)의 함유량은 성분(A)∼성분(E)의 합계 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.5∼3.0질량부, 보다 바람직하게는 0.5∼2.5 질량부이다.The content of the component (D) is 0.5 to 4 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total of the components (A) to (E). If the content of the component (D) is out of the above range, the adhesive strength of the insulating film comprising the resin composition of the present invention is insufficient. The content of the component (D) is preferably 0.5 to 3.0 parts by mass, more preferably 0.5 to 2.5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total of the components (A) to (E).

(E) 경화 촉매(E) Curing catalyst

성분(E)의 경화 촉매는 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성되는 절연 필름의 경화를 촉진한다. 보다 구체적으로는 성분(E)는 성분(B)의 에폭시 수지의 경화 반응을 촉진하는 촉매이다. 성분(E)의 예로는 이미다졸계 경화 촉매, 아민계 경화 촉매 및 인계 경화 촉매 등을 들 수 있다. 이미다졸계 경화 촉매로는 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-이미다졸, 2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸 및 2-페닐-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 바람직한 예는 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸 및 1-시아노에틸-2-에틸-4-이미다졸이다. 아민계 경화 촉매의 예로는 2,4-디아미노-6-〔2'-메틸이미다졸릴-(1')〕에틸-s-트리아진 등의 트리아진 화합물, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]운데센-7(DBU), 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민 및 트리에탄올아민 등의 제3급 아민 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 바람직한 예는 2,4-디아미노-6-〔2'-메틸이미다졸릴-(1')〕에틸-s-트리아진이다. 또한, 인계 경화 촉매의 예로는 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀 및 트리(노닐페닐)포스핀을 들 수 있다. 이들 중에서도 적당한 경화성의 조정을 행할 수 있기 때문에, 이미다졸계 경화 촉매가 바람직하게 사용된다. 또한, 벤젠 고리를 갖는 이미다졸계 경화 촉매가 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성되는 절연 필름의 셸프 라이프를 길게 할 수 있기 때문에, 보다 바람직하게 사용된다. 이러한 이미다졸계 경화 촉매의 예로는 2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸 및 2-페닐-4-메틸이미다졸을 들 수 있다. 특히, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하게 사용된다.The curing catalyst of component (E) promotes curing of the insulating film formed using the resin composition of the present invention. More specifically, the component (E) is a catalyst for promoting the curing reaction of the epoxy resin of the component (B). Examples of the component (E) include an imidazole-based curing catalyst, an amine-based curing catalyst and a phosphorus-based curing catalyst. Examples of the imidazole-based curing catalyst include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, Methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-imidazole, 2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole and 2-phenyl- Imidazole compounds. Among them, preferred examples are 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole and 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-imidazole. Examples of the amine-based curing catalyst include triazine compounds such as 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] ethyl-s-triazine, and triazine compounds such as 1,8-diazabicyclo [ 5,4,0] undecene-7 (DBU), triethylenediamine, benzyldimethylamine, and triethanolamine. Among them, a preferable example is 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] ethyl-s-triazine. Examples of phosphorus-based curing catalysts include triphenylphosphine, tributylphosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine and tri (nonylphenyl) phosphine. Among them, an imidazole-based curing catalyst is preferably used since it is possible to adjust the appropriate curing properties. Further, an imidazole-based curing catalyst having a benzene ring is more preferably used since it can lengthen the shelf life of an insulating film formed using the resin composition of the present invention. Examples of such imidazole-based curing catalysts include 2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole and 2-phenyl-4-methylimidazole. Particularly, 1-benzyl-2-phenylimidazole is preferably used.

성분(E)의 함유량은 성분(E)로서 사용하는 경화 촉매의 종류에 따라 적절히 선택된다. 성분(E)로서 이미다졸계 경화 촉매를 사용하는 경우는 성분(B)의 에폭시 수지 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.01∼20질량부, 보다 바람직하게는 0.1∼15 질량부, 더욱 바람직하게는 1∼10질량부이다. 성분(E)의 함유량이 지나치게 적으면, 경화성이 악화된다. 한편, 성분(E)의 함유량이 지나치게 많으면, 절연 필름의 셸프 라이프가 악화된다.The content of the component (E) is appropriately selected depending on the kind of the curing catalyst used as the component (E). When the imidazole-based curing catalyst is used as the component (E), the amount is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 15 parts by mass, more preferably 0.1 to 15 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the epoxy resin of the component (B) Is 1 to 10 parts by mass. If the content of the component (E) is too small, the curability is deteriorated. On the other hand, if the content of the component (E) is too large, the shelf life of the insulating film deteriorates.

본 발명의 수지 조성물은 상기 성분(A)∼성분(E) 이외에 이하에 서술하는 성분을 필요에 따라 함유해도 된다.The resin composition of the present invention may contain the components described below in addition to the components (A) to (E), if necessary.

(F) 유기 과산화물(F) Organic peroxide

성분(F)의 유기 과산화물의 예로는 t-부틸퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시 이소프로필카보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실카보네이트, t-부틸퍼옥시아세테이트, 디쿠밀퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, 디-t-부틸퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥신-3,1,1-디(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-디(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 2,5-디메틸헥실-2,5-디퍼옥시벤조에이트, t-부틸히드로퍼옥사이드, p-멘탄히드로퍼옥사이드, 벤조일퍼옥사이드, p-클로로벤조일퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시이소부티레이트, 히드록시헵틸퍼옥사이드 및 시클로헥사논퍼옥사이드를 들 수 있다. 성분(F)의 유기 과산화물을 첨가함으로써, 성분(A)의 경화 반응을 촉진하고, 또한 반응성을 안정시킬 수 있다. 본 발명의 수지 조성물을 필름화하여 사용하는 것을 고려하면, 성분(F)는 바람직하게는 필름화의 건조 공정의 60∼120℃의 온도역에서는 활성화되지 않으며, 또한, 그 이상의 온도역에서 활성화되는 화합물이다. 이러한 성분(F)의 예로는 t-부틸퍼옥시벤조에이트를 들 수 있다.Examples of the organic peroxide of the component (F) include t-butyl peroxybenzoate, t-butyl peroxyisopropyl carbonate, t-butyl peroxy-2-ethylhexylcarbonate, t-butyl peroxyacetate, dicumyl peroxide, Di (t-butylperoxy) hexane, di-t-butylperoxide, 2,5-dimethyl- 1,1-di (t-butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-di (t-butylperoxy) cyclohexane, methyl ethyl ketone peroxide, 2,5- T-butyl peroxybenzoate, t-butyl peroxide, t-butyl peroxybenzoate, t-butyl hydroperoxide, p- menthol hydroperoxide, benzoyl peroxide, p-chlorobenzoyl peroxide, And hexanone peroxide. By adding the organic peroxide of the component (F), the curing reaction of the component (A) can be promoted and the reactivity can be stabilized. Considering the use of the resin composition of the present invention in the form of a film, the component (F) is preferably not activated at a temperature range of 60 to 120 캜 in the drying step of film formation, / RTI &gt; An example of such a component (F) is t-butyl peroxybenzoate.

(그 밖의 배합제) (Other compounding agent)

본 발명의 수지 조성물은 상기 성분(A)∼성분(F) 이외의 성분을 필요에 따라 추가로 함유해도 된다. 이러한 배합 가능한 성분의 구체예로는 실란 커플링제, 소포제, 유동 조정제, 성막 보조제, 분산제 및 무기 입자를 들 수 있다. 각 배합제의 종류 및 배합량은 통상의 방법에 따라 선택할 수 있다.The resin composition of the present invention may further contain components other than the above components (A) to (F), if necessary. Specific examples of such blendable components include silane coupling agents, defoaming agents, flow control agents, film forming assistants, dispersants and inorganic particles. The kind and blending amount of each compounding agent can be selected according to an ordinary method.

한편, 본 발명의 수지 조성물을 포함하는 절연 필름의 고주파 특성에 악영향을 미치는 성분은 함유하지 않아도 된다. 이러한 성분의 예로는 액상 고무 및 난연제를 들 수 있다.On the other hand, the insulating film containing the resin composition of the present invention may not contain a component that adversely affects the high-frequency characteristics. Examples of such components include liquid rubbers and flame retardants.

(수지 조성물의 제조) (Preparation of resin composition)

본 발명의 수지 조성물은 관용의 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 용제의 존재하에서, 상기 성분(A)∼성분(D)(다른 임의 성분을 함유하는 경우는 추가로 이들 성분)를 가열 혼합 니더로 혼합한다. 혼합 조건은 예를 들면, 니더의 회전수가 100∼1000rpm이고, 혼합 온도가 80℃이며, 그리고, 혼합 시간이 3시간이다. 얻어진 혼합물을 냉각시킨 후, 추가로 성분(E)(수지 조성물이 성분(F)를 포함하는 경우는 추가로 성분(F))가 혼합물에 첨가된다. 마지막으로, 성분(E)(및 성분(F))를 포함하는 혼합물을 30∼60분간 상온에서 교반함으로써, 본 발명의 수지 조성물을 얻을 수 있다.The resin composition of the present invention can be prepared by a conventional method. For example, in the presence of a solvent, the above-mentioned components (A) to (D) (in the case of containing any other optional components, these components) are mixed with a heated mixing kneader. For example, the number of revolutions of the kneader is 100 to 1000 rpm, the mixing temperature is 80 ° C, and the mixing time is 3 hours. After the obtained mixture is cooled, further component (E) (in addition, component (F) if the resin composition contains component (F)) is added to the mixture. Finally, the resin composition of the present invention can be obtained by stirring the mixture containing the component (E) (and the component (F)) at room temperature for 30 to 60 minutes.

본 발명의 수지 조성물은 이하에 나타내는 양호한 특성을 갖고 있다.The resin composition of the present invention has the following excellent properties.

본 발명의 수지 조성물의 열경화물은 고주파 영역에서 우수한 전기 특성을 나타낸다. 구체적으로는 수지 조성물의 열경화물의, 주파수 1∼10GHz의 영역에서의 유전율(e)는 바람직하게는 2.5 이하, 보다 바람직하게는 2.4 이하이다. 또한, 주파수 1∼10GHz의 영역에서의 유전 탄젠트(tand)는 바람직하게는 0.0025 이하, 보다 바람직하게는 0.0022 이하이다. 주파수 1∼10GHz의 영역에서의 유전율(e) 및 유전 탄젠트(tand)가 상기 범위에 있을 때, 주파수 1∼10GHz의 영역에서의 전기 신호 손실을 저감시킬 수 있다.The thermosetting resin composition of the present invention exhibits excellent electrical properties in the high frequency range. Specifically, the dielectric constant (e) of the thermosetting resin composition in the frequency range of 1 to 10 GHz is preferably 2.5 or less, and more preferably 2.4 or less. Further, the dielectric tangent (tand) in the region of the frequency of 1 to 10 GHz is preferably 0.0025 or less, more preferably 0.0022 or less. When the dielectric constant (e) and the dielectric tangent (tand) in the frequency range of 1 to 10 GHz fall within the above range, the electric signal loss in the frequency range of 1 to 10 GHz can be reduced.

본 발명의 수지 조성물의 열경화물은 충분한 접착 강도를 갖고 있다. 구체적으로는 수지 조성물의 열경화물의 JISK6854-2에 준거하여 측정한 구리박 조화면에 대한 필 강도(180도 필)는 바람직하게는 7N/㎝ 이상, 보다 바람직하게는 8N/㎝ 이상이다. 또한, JISK6854-1에 준거하여 측정한 액정 폴리머 필름에 대한 필 강도(90도 필)는 바람직하게는 6N/㎝ 이상, 보다 바람직하게는 7N/㎝ 이상이다.The thermosetting resin composition of the present invention has a sufficient adhesive strength. Specifically, the fill strength (180 degree fill) of the thermosetting resin composition for a copper foil screen measured in accordance with JIS K6854-2 is preferably 7 N / cm or more, and more preferably 8 N / cm or more. The peel strength (90 degree fill) of the liquid crystal polymer film measured in accordance with JIS K6854-1 is preferably 6 N / cm or more, and more preferably 7 N / cm or more.

본 발명의 절연 필름은 본 발명의 수지 조성물로부터 공지의 방법에 의해 얻을 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 수지 조성물을 용제로 희석하여 바니시를 제조한다. 얻어진 바니시를 지지체의 적어도 한쪽 면에 도포한다. 지지체 위의 바니시를 건조시킴으로써, 본 발명의 절연 필름을 지지체가 형성된 필름, 또는 지지체에서 박리된 필름으로서 제공할 수 있다.The insulating film of the present invention can be obtained from the resin composition of the present invention by a known method. For example, the resin composition of the present invention is diluted with a solvent to prepare a varnish. The obtained varnish is applied to at least one side of the support. By drying the varnish on the support, the insulating film of the present invention can be provided as a film on which the support is formed, or as a film peeled off from the support.

바니시로서 사용 가능한 용제의 예로는 메틸에틸케톤 및 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류; 톨루엔 및 자일렌 등의 방향족 용제; 및 디옥틸프탈레이트 및 디부틸프탈레이트 등의 고비점 용제를 들 수 있다. 용제의 사용량은 특별히 한정되지 않는다. 종래부터 사용되고 있는 양의 용제를 사용할 수 있다. 용제의 바람직한 양은 고형분에 대해 20∼90질량%이다.Examples of the solvent usable as the varnish include ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone; Aromatic solvents such as toluene and xylene; And high boiling solvents such as dioctyl phthalate and dibutyl phthalate. The amount of the solvent to be used is not particularly limited. A conventionally used amount of a solvent may be used. The preferable amount of the solvent is 20 to 90 mass% with respect to the solid content.

지지체는 특별히 한정되지 않는다. 필름의 제조 방법에 적합한 원하는 형태를 갖는 지지체를 적절히 선택할 수 있다. 사용되는 지지체의 예로는 구리 및 알루미늄 등의 금속박 및 폴리에스테르 및 폴리에틸렌 등의 수지제 캐리어 필름을 들 수 있다. 본 발명의 절연 필름을 지지체에서 박리된 필름으로서 제공하는 경우, 실리콘 화합물 등으로 이형 처리된 지지체가 바람직하게 사용된다.The support is not particularly limited. A support having a desired shape suitable for the production method of the film can be appropriately selected. Examples of the support to be used include a metal foil such as copper and aluminum, and a carrier film made of resin such as polyester and polyethylene. When the insulating film of the present invention is provided as a film peeled off from a support, a support subjected to release treatment with a silicone compound or the like is preferably used.

바니시를 도포하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 사용할 수 있는 방법의 예로는 슬롯 다이 방식, 그라비아 방식 및 닥터 코터 방식을 들 수 있다. 이들 방식 중에서 원하는 필름의 두께 등에 따라, 최적의 방식을 선택할 수 있다. 특히, 필름의 두께를 얇게 설계할 수 있다는 점에서, 그라비아 방식이 바람직하게 이용된다. 도포는 건조 후에 형성되는 필름의 두께가 원하는 두께가 되도록 행해진다. 이러한 두께는 당업자이면, 용제 함유량으로부터 도출할 수 있다.The method of applying the varnish is not particularly limited. Examples of usable methods include a slot die method, a gravure method, and a doctor coater method. The optimum method can be selected from among these methods depending on the desired film thickness and the like. Particularly, a gravure method is preferably used in that the thickness of the film can be designed to be thin. Coating is performed so that the thickness of the film formed after drying becomes a desired thickness. Such thickness can be deduced from the solvent content if it is a person skilled in the art.

본 발명의 절연 필름의 두께는 필름의 용도에 따라 요구되는 기계적 강도 등의 특성에 기초하여 적절히 설계된다. 필름의 두께는 일반적으로는 1∼100㎛이다. 박막화가 요구되는 경우의 필름의 두께는 바람직하게는 1∼30㎛이다.The thickness of the insulating film of the present invention is appropriately designed based on the characteristics such as the mechanical strength required depending on the use of the film. The thickness of the film is generally 1 to 100 mu m. The thickness of the film when thinning is required is preferably 1 to 30 mu m.

건조의 조건은 특별히 한정되지 않는다. 건조 조건은 바니시에 사용되는 용제의 종류 및 양 및 바니시의 사용량 및 도포의 두께 등에 따라, 적절히 설정된다. 예를 들면, 60∼100℃, 대기압하에서 건조를 행할 수 있다.The drying conditions are not particularly limited. The drying conditions are appropriately set according to the type and amount of the solvent used in the varnish, the amount of the varnish to be used, the thickness of the coating, and the like. For example, drying can be carried out at 60 to 100 캜 under atmospheric pressure.

본 발명의 절연 필름은 셸프 라이프가 양호하다. 절연 필름이 장기간 보존되고 있는 동안에도 필름 내의 성분의 결정화에 의한 필름 외관의 악화가 일어나기 어렵다. 또한, 이 장기간 보존 중에도 후술하는 순서로 측정되는 필름의 가압착성의 저하가 일어나기 어렵다.The insulating film of the present invention has good shelf life. The deterioration of the appearance of the film due to crystallization of the components in the film is hard to occur even while the insulating film is being stored for a long period of time. In addition, during this long-term storage, the pressure-bonding property of the film, which is measured in the following procedure, is hardly reduced.

본 발명의 절연 필름을 이하의 순서에 의해, 전기 및 전자 용도의 접착 필름으로서 사용할 수 있다. 본 발명의 절연 필름을 사용하여 접착하는 2개의 대상물 중에서 일방의 대상물의 피접착면 위에 본 발명의 절연 필름을 재치한다. 그 후, 다른 일방의 대상물을 그 피접착면이 절연 필름의 노출면과 접하도록 필름 위에 재치한다. 여기서, 지지체가 형성된 절연 필름을 사용하는 경우, 절연 필름의 노출면이 일방의 대상물의 피접착면에 접하도록 절연 필름을 당해 피접착면 위에 재치함으로써, 피접착면 위에 당해 절연 필름을 가압착한다. 여기서, 가압착시의 온도는 예를 들면, 130℃로 설정할 수 있다.The insulating film of the present invention can be used as an adhesive film for electric and electronic applications by the following procedure. The insulating film of the present invention is placed on the surface to be bonded of one of the two objects to be bonded using the insulating film of the present invention. Thereafter, the other one of the objects is placed on the film so that the surface to be adhered is in contact with the exposed surface of the insulating film. When an insulating film on which a support is formed is used, the insulating film is placed on the surface to be bonded such that the exposed surface of the insulating film comes into contact with the surface to be bonded of one of the objects, so that the insulating film is pressed on the surface to be bonded . Here, the temperature at the time of pressure application can be set at, for example, 130 deg.

다음으로, 가압착 후에 지지체를 박리함으로써 노출된 절연 필름면 위에 다른 일방의 대상물을 그 피접착면이 절연 필름의 노출면과 접하도록 재치한다. 이 순서로 가압착을 실시한 후, 소정 온도에서 소정 시간 열압착을 실시한다. 그 후, 필름을 가열 경화한다. 여기서, 열압착 공정은 생략해도 된다. 열압착시의 온도는 바람직하게는 100∼150℃이다. 열압착의 시간은 바람직하게는 0.5∼10분이다. 가열 경화의 온도는 바람직하게는 150∼200℃이다. 가열 경화 시간은 바람직하게는 30∼120분이다. 여기서, 미리 필름화한 것을 사용하는 것 대신에 본 발명의 수지 조성물을 용제로 희석한 바니시를 일방의 접착 대상물의 피접착면에 도포하여 건조시킨 후에, 상기한 일방의 대상물을 재치하는 이후의 순서를 실시해도 된다.Next, the support is peeled off after press-bonding, and the other object is placed on the exposed surface of the insulating film such that the surface to be adhered is in contact with the exposed surface of the insulating film. After performing pressure bonding in this order, thermocompression bonding is performed at a predetermined temperature for a predetermined time. Thereafter, the film is heat-cured. Here, the thermocompression bonding step may be omitted. The temperature at the time of thermocompression bonding is preferably 100 to 150 占 폚. The time of thermocompression bonding is preferably 0.5 to 10 minutes. The temperature of the heat curing is preferably 150 to 200 占 폚. The heat curing time is preferably 30 to 120 minutes. Here, instead of using a film which has been previously formed into a film, a varnish diluted with a solvent of the resin composition of the present invention is applied to the surface to be bonded of one of the objects to be adhered and dried, and then the above- .

본 발명의 절연 필름을 이하의 순서에 의해, 커버레이 필름으로서 사용할 수 있다. 본 발명의 절연 필름을 주면에 배선 패턴이 형성된 배선이 형성된 수지 기판의 소정 위치, 즉, 배선 패턴이 형성된 측의 절연 필름으로 피복하는 위치에 당해 커버레이 필름을 배치한다. 그 후, 소정 온도 및 소정 시간에 가압착, 열압착 및 가열 경화를 실시할 수 있다. 여기서, 열압착 공정은 생략해도 된다. 가압착, 열압착 및 가열 경화의 온도 및 시간은 상기 전기 및 전자 용도의 접착 필름으로서 사용하는 경우와 동일하다.The insulating film of the present invention can be used as a coverlay film by the following procedure. The cover film is disposed at a predetermined position of the resin substrate on which the wiring with the wiring pattern is formed on the main surface of the insulating film of the present invention, that is, the position where the wiring film is covered with the insulating film on the side where the wiring pattern is formed. Thereafter, pressure bonding, thermocompression bonding and heat curing can be performed at a predetermined temperature and for a predetermined time. Here, the thermocompression bonding step may be omitted. The temperature and time for pressure bonding, thermocompression bonding and heat curing are the same as those in the case of using as the adhesive film for the above electric and electronic uses.

본 발명의 절연 필름은 반도체 장치의 기판 사이의 층간 접착제로서도 사용할 수 있다. 이 경우, 상기한 접착되는 대상물이 반도체 장치를 구성하는 적층된 복수의 기판이 된다. 또한, 반도체 장치의 기판 사이의 층간 접착제로서도 미리 필름화한 것을 사용하는 것 대신에, 본 발명의 수지 조성물을 용제로 희석한 바니시를 사용해도 된다.The insulating film of the present invention can also be used as an interlayer adhesive between substrates of a semiconductor device. In this case, the object to be bonded becomes a plurality of stacked substrates constituting the semiconductor device. As an interlayer adhesive between the substrates of the semiconductor device, a varnish obtained by diluting the resin composition of the present invention with a solvent may be used instead of a film which has been previously formed into a film.

반도체 장치를 구성하는 기판은 특별히 한정되지 않는다. 에폭시 수지, 페놀 수지 및 비스말레이미드트리아진 수지 등의 유기 기판, CCL 기판, 세라믹 기판 및 실리콘 기판 등의 무기 기판 중 어느 것도 사용할 수 있다.The substrate constituting the semiconductor device is not particularly limited. An organic substrate such as epoxy resin, phenol resin and bismaleimide triazine resin, an inorganic substrate such as CCL substrate, ceramic substrate and silicon substrate can be used.

실시예Example

이하, 실시예에 의해, 본 발명을 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited to these.

(실시예 1∼10, 비교예 1∼5) (Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 5)

샘플 제조와 측정 방법 Sample preparation and measurement method

각 성분을 하기 표에 나타내는 배합 비율(질량부)이 되도록 계량 배합하였다. 그 후, 이들 성분을 80℃로 가온된 반응 가마에 투입하였다. 계속해서, 투입된 성분을 회전수 250rpmm, 상압, 3시간에 혼합하였다. 단, 성분(E)의 경화 촉매 및 성분(F)의 유기 과산화물은 냉각 후에 첨가하였다. 이와 같이 하여 얻어진 수지 조성물을 포함하는 바니시를 지지체(이형 처리를 실시한 PET 필름)의 한쪽 면에 도포하고, 100℃(성분(F)의 유기 과산화물을 포함하는 경우는 80℃)에서 건조시킴으로써 지지체가 형성된 절연 필름을 얻었다.Each component was weighed and compounded so as to have a blending ratio (parts by mass) shown in the following table. These components were then added to a reaction kettle heated to 80 占 폚. Subsequently, the charged components were mixed at a revolution number of 250 rpmm, normal pressure, and 3 hours. However, the curing catalyst of component (E) and the organic peroxide of component (F) were added after cooling. The varnish containing the resin composition thus obtained was applied to one side of a support (PET film subjected to release treatment) and dried at 100 캜 (80 캜 when containing organic peroxide of component (F)), To obtain an insulating film formed.

여기서, 표 중의 약기호는 각각 이하를 나타낸다.Here, the weak symbols in the tables indicate the following.

성분(A) Component (A)

OPE2200: 올리고 페닐렌에테르(상기 식(1)로 나타내는 변성 폴리페닐렌에테르(식(1) 중의 -(O-X-O)-가 식(5)이고, 식(1) 중의 -(Y-O)-가 식(8)이다)(Mn=2200), 미츠비시 가스 화학 주식회사 제조 OPE2200: Oligophenylene ether (modified polyphenylene ether represented by the above formula (1) (- (O-X-O) - in the formula (1) O) - is the formula (8)) (Mn = 2200), manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co.,

성분(B) Component (B)

NC3000H: 비페닐형 에폭시 수지, 닛폰 화약 주식회사 제조 NC3000H: biphenyl type epoxy resin, manufactured by Nippon Yakusho KK

828: 비스페놀 A형 에폭시 수지, 미츠비시 화학 주식회사 제조 828: Bisphenol A type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation

HP4032D: 나프탈렌형 에폭시 수지, DIC 주식회사 제조 HP4032D: naphthalene type epoxy resin, manufactured by DIC Co., Ltd.

성분(C) Component (C)

터프텍 H1052: 폴리스티렌-폴리(에틸렌/부틸렌)블록-폴리스티렌(SEBS)), 아사히카세이 케미컬즈 주식회사 제조 Polystyrene-poly (ethylene / butylene) block-polystyrene (SEBS) manufactured by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.

셉톤 4044: 폴리스티렌-폴리(에틸렌-에틸렌/프로필렌)블록-폴리스티렌(SEEPS), 주식회사 구라레 제조 SEPTON 4044: polystyrene-poly (ethylene-ethylene / propylene) block-polystyrene (SEEPS), manufactured by Kuraray Co.,

성분(D) Component (D)

M-140: 이미드아크릴레이트(N-아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈이미드), 도아 합성 주식회사 제조 M-140: imide acrylate (N-acryloyloxyethylhexahydrophthalimide), manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.

성분(D′) Component (D ')

BMI-70: 비스말레이미드, 케이·아이 화성 주식회사 제조 BMI-70: bismaleimide manufactured by K.I.Hwaseong Co., Ltd.

M-5300: 모노아크릴레이트(ω-카르복시-폴리카프로락톤모노아크릴레이트), 도아 합성 주식회사 M-5300: monoacrylate (omega -carboxy-polycaprolactone monoacrylate), Toa Synthetic Co., Ltd.

성분(E) Component (E)

2E4MZ: 2-에틸-4-메틸이미다졸, 시코쿠 화성 공업 주식회사 제조2E4MZ: 2-ethyl-4-methylimidazole, manufactured by Shikoku Chemical Industry Co.,

1B2PZ: 1-벤질-2-페닐이미다졸, 시코쿠 화성 공업 주식회사 제조1B2PZ: 1-benzyl-2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.

성분(F) Component (F)

퍼부틸 Z: tert-부틸퍼옥시벤조에이트, 니치유 주식회사 제조 Per butyl Z: tert-butyl peroxybenzoate, manufactured by Nichiyu Co., Ltd.

그 밖의 성분 Other components

KBM403: 실란 커플링제, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조KBM403: silane coupling agent, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

유전율(e), 유전 탄젠트(tand): 절연 필름을 200℃((성분(F)의 유기 과산화물을 포함하는 경우는 180℃)에서 가열 경화시킨 후, 지지체에서 박리하였다. 그 후, 당해 절연 필름으로부터 시험편(40±0.5㎜×100±2㎜)을 잘라 내어 두께를 측정하였다. 통형상으로 둥글게 된 길이 100㎜, 직경 2㎜ 이하의 시험편의 유전율(e) 및 유전 탄젠트(tand)를 공동 공진기 섭동법(10GHz)으로 측정하였다.The dielectric film (e) and the dielectric tangent (tand): The insulating film was heated and cured at 200 ° C (180 ° C in the case of containing the organic peroxide of component (F)) and then peeled off from the support. The dielectric constant (e) and the dielectric tangent (tand) of a test piece having a length of 100 mm and a diameter of 2 mm or less, which were rounded in a cylindrical shape, were cut from the cavity resonator And measured by the perturbation method (10 GHz).

필 강도(Cu): 지지체에서 박리된 절연 필름의 양면에 조화면을 내측으로 한 구리박(CF-T8, 후쿠다 금속박분 공업 주식회사 제조, 두께 18㎛)을 첩합시켰다. 이어서, 프레스기를 이용해 200℃, 60min 및 10kgf의 조건에서(성분(F)의 유기 과산화물을 포함하는 경우는 180℃, 60min 및 10kgf의 조건에서), 절연 필름을 가열 경화하였다. 이 시험편을 10㎜ 폭으로 컷하였다. 오토 그래프를 이용한 박리에 의해, JISK6854-2에 준거하여 필 강도(180도 필)를 측정하였다.Peel Strength (Cu): A copper foil (CF-T8, made by Fukuda Metal Bottom Kogyo Kogyo K.K., thickness 18 μm) having roughened surfaces inside was stuck on both sides of the insulation film peeled off from the support. Subsequently, the insulating film was heated and cured under the conditions of 200 DEG C, 60 min and 10 kgf (when the organic peroxide of component (F) was contained at 180 DEG C, 60 min and 10 kgf) using a press machine. This test piece was cut into a width of 10 mm. Peel strength (180 degree peel) was measured according to JIS K6854-2 by peeling using an autograph.

필 강도(LCP): 지지체에서 박리된 절연 필름의 한쪽 면에 액정 폴리머(LCP) 필름(벡스타 CT-Z, 주식회사 구라레 제조, 25㎛)을 첩합시켰다. 이어서, 절연 필름의 타방의 한쪽 면에 FR4 기판을 첩합시켰다. 그 후, 200℃, 60min 및 10kgf의 조건에서(성분(F)의 유기 과산화물을 포함하는 경우는 180℃, 60min 및 10kgf의 조건에서), 가열 경화하였다. 그 후, JISK6854-1에 준거하여 오토 그래프를 이용한 박리에 의해, 필 강도(90도 필)를 측정하였다.Peel strength (LCP): A liquid crystal polymer (LCP) film (BECKSTAR CT-Z, manufactured by Kuraray Co., Ltd., 25 mu m) was bonded to one side of the insulating film peeled off from the support. Then, the FR4 substrate was bonded to one of the other surfaces of the insulating film. Then, under the conditions of 200 DEG C, 60 min and 10 kgf (when the organic peroxide of component (F) was contained, the conditions were 180 DEG C, 60 min and 10 kgf). Thereafter, peel strength (90 degree peel) was measured by peeling using an autograph in accordance with JIS K6854-1.

가압착성: 상기 순서로 제조한 지지체가 형성된 절연 필름을 롤 라미네이터로 130℃에서 액정 폴리머(LCP) 필름(벡스타 CT-Z, 주식회사 구라레 제조, 25㎛)에 라미네이트하였다. 라미네이트 후에 지지체를 박리시켰다. 그 후, 이 절연 필름으로 라미네이트한 LCP 필름을 절곡시켰다. 절곡시킬 때, 필름끼리의 박리가 없는 경우의 가압착성의 평가를 ○로 나타냈다. 필름끼리의 박리가 있을 경우의 평가를 ×로 나타냈다. 동일한 순서로 제조 후, 3개월간 상온 대기 분위기하에서 보관한 지지체가 형성된 절연 필름의 가압착성도 평가하였다.Pressure-bonding: The insulating film on which the support prepared in the above procedure was formed was laminated on a liquid crystal polymer (LCP) film (BECKSTAR CT-Z, manufactured by Kuraray Co., Ltd., 25 탆) at 130 캜 using a roll laminator. After the lamination, the support was peeled off. Thereafter, the LCP film laminated with the insulating film was bent. Evaluation of the pressure-bonding property in the case where no peeling between the films was observed at the time of bending was evaluated as &amp; cir &amp; The evaluation when the films were peeled off was indicated by X. &lt; tb &gt; &lt; TABLE &gt; After the fabrication in the same order, the pressure-tightness of the insulating film on which the support was formed for 3 months was also evaluated.

Figure pct00010
Figure pct00010

Figure pct00011
Figure pct00011

Figure pct00012
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실시예 1∼10에서 사용한 시험편의 고주파의 전기 특성(유전율(e), 유전 탄젠트(tand)), 필 강도 및 가압착성은 모두 우수하였다. 실시예 1과 실시예 2∼10의 차이점은 이하와 같다.The electrical properties (dielectric constant (e), dielectric tangent (tand)), fill strength and pressure bonding of the high frequency electrical properties of the test pieces used in Examples 1 to 10 were excellent. The differences between Example 1 and Examples 2 to 10 are as follows.

실시예 2: 성분(F)가 포함되어 있지 않다.Example 2: Component (F) is not included.

실시예 3, 4: 성분(F)가 포함되어 있지 않다. 또한, 성분(D)의 함유량이 상이하다.Examples 3 and 4: Component (F) is not included. Further, the content of the component (D) is different.

실시예 5, 6: 성분(B)의 에폭시 수지의 종류, 성분(C)의 열가소성 엘라스토머의 배합 비율, 성분(D)의 함유량 및 성분(E)의 경화 촉매의 종류가 상이하다. 또한, 그 밖의 성분으로서 실란 커플링제가 첨가되어 있다.Examples 5 and 6 differ in the kind of the epoxy resin of the component (B), the blending ratio of the thermoplastic elastomer of the component (C), the content of the component (D) and the kind of the curing catalyst of the component (E). In addition, a silane coupling agent is added as another component.

실시예 7: 성분(D)의 함유량 및 성분(E)의 경화 촉매의 종류가 상이하다. 또한, 성분(F)가 포함되어 있지 않다. 또한, 그 밖의 성분으로서 실란 커플링제가 첨가되어 있다.Example 7: The content of the component (D) and the kind of the curing catalyst of the component (E) are different. Further, the component (F) is not included. In addition, a silane coupling agent is added as another component.

실시예 8: 성분(E)의 경화 촉매의 종류가 상이하다. 또한, 그 밖의 성분으로서 실란 커플링제가 첨가되어 있다.Example 8: The kind of curing catalyst of component (E) is different. In addition, a silane coupling agent is added as another component.

실시예 9: 성분(B)의 에폭시 수지의 종류 및 성분(E)의 경화 촉매의 종류가 상이하다. 또한, 그 밖의 성분으로서 실란 커플링제가 첨가되어 있다.Example 9: The kind of the epoxy resin of the component (B) and the kind of the curing catalyst of the component (E) are different. In addition, a silane coupling agent is added as another component.

실시예 10: 성분(E)의 경화 촉매의 종류가 상이하다. 또한, 성분(F)가 포함되어 있지 않다.Example 10: The kind of curing catalyst of component (E) is different. Further, the component (F) is not included.

성분(D)의 이미드아크릴레이트 대신에, 비스말레이미드가 사용된 비교예 1 및 2에서는 3개월 후의 가압착성이 떨어져 있었다. 비스말레이미드의 함유량이 높은 비교예 1에서는 고주파의 전기 특성 중, 유전 탄젠트(tand)가 떨어져 있었다. 성분(D)의 이미드아크릴레이트 대신에, 모노아크릴레이트를 사용한 비교예 3에서는 LCP 필름에 대한 필 강도가 낮았다. 또한, 고주파의 전기 특성 중에 유전 탄젠트(tand)가 떨어져 있었다. 성분(D)를 포함하지 않는 비교예 4에서는 LCP 필름에 대한 필 강도가 낮았다. 성분(D)의 함유량이 지나치게 많은 비교예 5에서는 LCP 필름에 대한 필 강도가 낮았다.In Comparative Examples 1 and 2 in which bismaleimide was used instead of the imide acrylate of the component (D), the pressure-bonding ability after 3 months was lost. In Comparative Example 1 in which the content of bismaleimide was high, the dielectric tangent of the high-frequency electric characteristics was disappeared. In Comparative Example 3 using monoacrylate instead of imide acrylate of the component (D), the peel strength to the LCP film was low. Also, the dielectric tangent was lost during the high frequency electrical characteristics. In Comparative Example 4 which did not contain the component (D), the peel strength to the LCP film was low. In Comparative Example 5 in which the content of the component (D) was excessively high, the peel strength to the LCP film was low.

본 발명의 실시형태에 따른 수지 조성물은 이하의 제1∼6 수지 조성물이어도 된다.The resin composition according to the embodiment of the present invention may be the following first to sixth resin compositions.

상기 제1 수지 조성물은 (A) 양 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 변성 폴리페닐렌에테르, (B) 에폭시 수지, (C) 스티렌계 열가소성 엘라스토머, (D) 1분자 중에 이미드기와 아크릴레이트기를 갖는 화합물 및 (E) 경화 촉매를 함유하고, 상기 성분(A)∼성분(E)의 합계 100질량부에 대해, 상기 성분(D)를 0.5∼4질량부 함유하는 것을 특징으로 한다.(B) an epoxy resin, (C) a styrenic thermoplastic elastomer, (D) a resin having an imide group and an acrylate group in one molecule, and (D) a modified polyphenylene ether having an ethylenic unsaturated group at both terminals, (D) in an amount of 0.5 to 4 parts by mass based on 100 parts by mass of the total of the components (A) to (E).

상기 제2 수지 조성물은 상기 (B)성분의 에폭시 수지가 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지인 상기 제1 수지 조성물이다.The second resin composition is the first resin composition wherein the epoxy resin of the component (B) is an epoxy resin having a naphthalene skeleton.

상기 제3 수지 조성물은 상기 (E)성분의 경화 촉매가 이미다졸계 경화 촉매인 상기 제1 또는 2 수지 조성물이다.The third resin composition is the first or second resin composition wherein the curing catalyst of the component (E) is an imidazole-based curing catalyst.

상기 제4 수지 조성물은 상기 (E)성분의 경화 촉매가 벤젠 고리를 갖는 이미다졸계 경화 촉매인 상기 제1∼3 중 어느 수지 조성물이다.The fourth resin composition is any one of the first to third resin compositions, wherein the curing catalyst of the component (E) is an imidazole-based curing catalyst having a benzene ring.

상기 제5 수지 조성물은 추가로 (F) 유기 과산화물을 함유하는 상기 제1∼4 중 어느 수지 조성물이다.The fifth resin composition is any of the first to fourth resin compositions containing (F) an organic peroxide.

상기 제6 수지 조성물은 수지 조성물의 열경화물이 주파수 1GHz 이상의 영역에서의 유전율(e)가 2.5 이하이며, 유전 탄젠트(tand)가 0.0025 이하인 상기 제 1∼5 중 어느 수지 조성물이다.The sixth resin composition is any one of the first to fifth resin compositions wherein the dielectric constant (e) of the thermosetting resin composition in a frequency region of 1 GHz or more is 2.5 or less and the dielectric tangent (tand) is 0.0025 or less.

또한, 본 발명의 실시형태에 따른 절연체 필름은 상기 제1∼6 중 어느 수지 조성물로 형성되어 있어도 된다.The insulator film according to the embodiment of the present invention may be formed of any one of the resin compositions of the first to sixth aspects.

또한, 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치는 이하의 제1 또는 2의 반도체 장치여도 된다.The semiconductor device according to the embodiment of the present invention may be the following first or second semiconductor device.

상기 제1 반도체 장치는 기판 사이의 층간 접착에 상기 제1∼6 중 어느 수지 조성물이 사용된다.In the first semiconductor device, any one of the first to sixth resin compositions is used for interlayer bonding between the substrates.

상기 제1 반도체 장치는 기판 사이의 층간 접착에 상기 절연 필름이 사용된다.The first semiconductor device uses the insulating film for interlayer adhesion between the substrates.

Claims (9)

(A) 양 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 변성 폴리페닐렌에테르,
(B) 에폭시 수지,
(C) 스티렌계 열가소성 엘라스토머,
(D) 1분자 중에 이미드기와 아크릴레이트기를 갖는 화합물, 및
(E) 경화 촉매를 함유하고,
상기 성분(A)∼성분(E)의 합계 100질량부에 대해, 상기 성분(D)를 0.5∼4질량부 함유하는 수지 조성물.
(A) a modified polyphenylene ether having ethylenic unsaturated groups at both terminals,
(B) an epoxy resin,
(C) a styrene-based thermoplastic elastomer,
(D) a compound having an imide group and an acrylate group in one molecule, and
(E) a curing catalyst,
And 0.5 to 4 parts by mass of the component (D), based on 100 parts by mass of the total of the components (A) to (E).
제 1 항에 있어서,
상기 (B)성분의 에폭시 수지가 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지인 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the epoxy resin of the component (B) is an epoxy resin having a naphthalene skeleton.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (E)성분의 경화 촉매가 이미다졸계 경화 촉매인 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the curing catalyst of component (E) is an imidazole-based curing catalyst.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (E)성분의 경화 촉매가 벤젠 고리를 갖는 이미다졸계 경화 촉매인 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the curing catalyst of component (E) is an imidazole-based curing catalyst having a benzene ring.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
추가로 유기 과산화물을 함유하는 수지 조성물.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Further comprising an organic peroxide.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 조성물의 열경화물이 주파수 1GHz 이상의 영역에서 2.5 이하의 유전율(e) 및 0.0025 이하의 유전 탄젠트(tand)를 갖는 수지 조성물.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the resin composition has a dielectric constant (e) of 2.5 or less and a dielectric tangent (tand) of 0.0025 or less in a region where the thermosetting resin has a frequency of 1 GHz or more.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 수지 조성물을 포함하는 절연 필름.An insulating film comprising the resin composition of any one of claims 1 to 6. 기판 사이의 층간 접착제로서 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 수지 조성물 또는 그 열경화물을 포함하는 반도체 장치.A semiconductor device comprising the resin composition of any one of claims 1 to 6 or a thermoset material thereof as an interlayer adhesive between substrates. 기판 사이의 층간 접착제로서 제 7 항의 절연 필름 또는 그 열경화물을 포함하는 반도체 장치.A semiconductor device comprising the insulating film of claim 7 as an interlayer adhesive between substrates or a thermoset material thereof.
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