JP2018141053A - Resin composition - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition capable of giving an insulating layer achieving both a reduction in dielectric constant and an improvement in adhesion to a conductor layer.SOLUTION: The resin composition contains a component (A): an epoxy resin, a component (B): an active ester compound, a component (C): an inorganic filler, and a component (D): a fluorine-based filler. When a nonvolatile component in the resin composition is 100 mass%, the content of the component (D) is 10-40 mass%. When the total content of the component (C) and the component (D) is 100 mass%, the component (D) is 20-70 mass%.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、樹脂組成物、接着フィルム、回路基板、及び半導体装置に関する。   The present invention relates to a resin composition, an adhesive film, a circuit board, and a semiconductor device.

回路基板の製造技術としては、内層回路基板に絶縁層と導体層を交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。絶縁層は、一般に、樹脂組成物を含む樹脂ワニスの塗膜である樹脂組成物層を硬化させることにより形成される。例えば、特許文献1には、エポキシ樹脂と、硬化剤と、フッ素樹脂フィラーとを含む樹脂組成物であって、かかるフッ素樹脂フィラーの含有量が、前記樹脂組成物の固形分に対して、50質量%〜85質量%であることを特徴とする樹脂組成物が記載されている。   As a circuit board manufacturing technique, a manufacturing method using a build-up method in which insulating layers and conductor layers are alternately stacked on an inner circuit board is known. The insulating layer is generally formed by curing a resin composition layer that is a coating film of a resin varnish containing the resin composition. For example, Patent Document 1 discloses a resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, and a fluororesin filler, and the content of the fluororesin filler is 50 with respect to the solid content of the resin composition. A resin composition characterized in that it is from mass% to 85 mass% is described.

特開2016−166347号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2006-166347

しかしながら、上記特許文献1が開示している樹脂組成物は、フッ素樹脂フィラーを50質量%〜85質量%と大量に含むため、内層回路基板に対する密着力が犠牲になってしまい、高周波回路基板及び多層配線基板には適用することが困難である。   However, since the resin composition disclosed in Patent Document 1 contains a large amount of fluororesin filler of 50% by mass to 85% by mass, the adhesion to the inner circuit board is sacrificed, and the high frequency circuit board and It is difficult to apply to a multilayer wiring board.

したがって、本発明の課題は誘電特性に優れ、かつ内層回路基板に対する密着性も良好な樹脂組成物を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a resin composition having excellent dielectric properties and good adhesion to an inner layer circuit board.

本発明者らは、上記課題につき鋭意検討した結果、樹脂組成物における無機充填材及びフッ素系充填材の含有量を所定の割合に調整することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。   As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved by adjusting the content of the inorganic filler and the fluorine-based filler in the resin composition to a predetermined ratio, and the present invention has been completed. I came to let you.

すなわち、本発明は下記[1]〜[10]を提供する。
[1]成分(A)エポキシ樹脂、成分(B)活性エステル化合物、成分(C)無機充填材、及び成分(D)フッ素系充填材を含む樹脂組成物であって、
前記樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合に、前記成分(D)の含有量が10質量%〜40質量%であり、
前記成分(C)及び前記成分(D)の含有量の合計を100質量%とした場合に、前記成分(D)が20質量%〜70質量%である、樹脂組成物。
[2]前記成分(D)が、フッ素系ポリマー粒子である、[1]に記載の樹脂組成物。
[3]前記フッ素系ポリマー粒子が、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)粒子である、[2]に記載の樹脂組成物。
[4]成分(E)不飽和炭化水素基を有する化合物をさらに含む、[1]〜[3]のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
[5]前記成分(E)が、アクリル基、メタクリル基、スチリル基、アリル基、ビニル基及びプロペニル基からなる群から選択される1以上の不飽和炭化水素基を有する化合物である、[4]に記載の樹脂組成物。
[6]前記成分(E)が、ビニル基を有し、かつ5員環以上の環状エーテル構造を有する化合物である、[5]に記載の樹脂組成物。
[7]高周波回路基板の絶縁層形成用である、[1]〜[6]のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
[8]支持体と、該支持体上に設けられた[1]〜[6]のいずれか1つに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを有する接着フィルム。
[9][1]〜[6]のいずれか1つに記載の樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層を含む、高周波回路基板。
[10][9]に記載の高周波回路基板を備える、半導体装置。
That is, the present invention provides the following [1] to [10].
[1] A resin composition comprising component (A) epoxy resin, component (B) active ester compound, component (C) inorganic filler, and component (D) fluorine-based filler,
When the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, the content of the component (D) is 10% by mass to 40% by mass,
The resin composition whose said component (D) is 20 mass%-70 mass% when the sum total of content of the said component (C) and the said component (D) is 100 mass%.
[2] The resin composition according to [1], wherein the component (D) is fluoropolymer particles.
[3] The resin composition according to [2], wherein the fluorine-based polymer particles are polytetrafluoroethylene (PTFE) particles.
[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], further including a component (E) a compound having an unsaturated hydrocarbon group.
[5] The component (E) is a compound having one or more unsaturated hydrocarbon groups selected from the group consisting of an acryl group, a methacryl group, a styryl group, an allyl group, a vinyl group, and a propenyl group. ] The resin composition as described in.
[6] The resin composition according to [5], wherein the component (E) is a compound having a vinyl group and a cyclic ether structure having a 5-membered ring or more.
[7] The resin composition according to any one of [1] to [6], which is used for forming an insulating layer of a high-frequency circuit board.
[8] An adhesive film having a support and a resin composition layer comprising the resin composition according to any one of [1] to [6] provided on the support.
[9] A high-frequency circuit board including an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [6].
[10] A semiconductor device comprising the high-frequency circuit board according to [9].

本発明によれば、誘電特性、特に誘電率及び誘電正接が低く、かつ内層回路基板、特に導体層に対する密着性に優れる絶縁層を得ることができる樹脂組成物を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resin composition which can obtain the insulating layer which is low in a dielectric characteristic, especially a dielectric constant and a dielectric loss tangent, and is excellent in the adhesiveness with respect to an inner-layer circuit board, especially a conductor layer can be provided.

以下、樹脂組成物、接着フィルム、高周波回路基板、及び半導体装置について詳細に説明する。   Hereinafter, the resin composition, the adhesive film, the high-frequency circuit board, and the semiconductor device will be described in detail.

[樹脂組成物]
樹脂組成物は、成分(A)エポキシ樹脂、成分(B)活性エステル化合物、成分(C)無機充填材、及び成分(D)フッ素系充填材を含む樹脂組成物であって、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合に、成分(D)の含有量が10質量%〜40質量%であり、成分(C)及び成分(D)の含有量の合計を100質量%とした場合に、成分(D)が20質量%〜70質量%である。以下、本発明の樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
[Resin composition]
The resin composition is a resin composition containing component (A) epoxy resin, component (B) active ester compound, component (C) inorganic filler, and component (D) fluorine-based filler, When the non-volatile component of 100% by mass is used, the content of the component (D) is 10% by mass to 40% by mass, and the total content of the component (C) and the component (D) is 100% by mass. In a case, a component (D) is 20 mass%-70 mass%. Hereinafter, each component contained in the resin composition of the present invention will be described in detail.

<成分(A)エポキシ樹脂>
樹脂組成物は、成分(A)エポキシ樹脂を含有する。エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
<Component (A) Epoxy Resin>
The resin composition contains a component (A) epoxy resin. Examples of the epoxy resin include bixylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, Naphthol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolak Type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having butadiene structure, alicyclic epoxy resin, complex Wherein the epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resins, cyclohexanedimethanol type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, tetraphenyl ethane epoxy resin. An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

成分(A)は、平均線熱膨張率を低下させる観点から、芳香族骨格含有エポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、及びジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂から選択される1種以上であることがより好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂がさらに好ましい。なお、芳香族骨格とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。   The component (A) is preferably an aromatic skeleton-containing epoxy resin from the viewpoint of reducing the average linear thermal expansion coefficient. The bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, naphthalene-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, and di More preferably, it is at least one selected from cyclopentadiene type epoxy resins, and biphenyl type epoxy resins are more preferable. The aromatic skeleton is a chemical structure generally defined as aromatic, and includes polycyclic aromatics and aromatic heterocycles.

エポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であることが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を100質量%とした場合に、少なくとも50質量%以上は1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であることが好ましい。中でも、1分子中に3個以上のエポキシ基を有し、温度20℃で固体状のエポキシ樹脂(「固体状エポキシ樹脂」という。)を含むことが好ましい。エポキシ樹脂は、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、1分子中に2個以上のエポキシ基を有し、温度20℃で液状のエポキシ樹脂(「液状エポキシ樹脂」という。)と、固体状エポキシ樹脂とを含んでいてもよい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。   The epoxy resin is preferably an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. When the nonvolatile component of the epoxy resin is 100% by mass, at least 50% by mass is preferably an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Among them, it is preferable to contain an epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule and solid at 20 ° C. (referred to as “solid epoxy resin”). The epoxy resin may contain only a solid epoxy resin, and has two or more epoxy groups in one molecule, and is liquid at 20 ° C. (referred to as “liquid epoxy resin”) and solid. And an epoxy resin. By using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination as an epoxy resin, a resin composition having excellent flexibility can be obtained. Moreover, the breaking strength of the cured product of the resin composition is also improved.

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC(株)製「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(ナフタレン型エポキシ樹脂)、三菱化学(株)製「828US」、「jER828EL」、「825」、「エピコート828EL」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂)、「jER807」、「1750」(ビスフェノールF型エポキシ樹脂)、「jER152」(フェノールノボラック型エポキシ樹脂)、「630」、「630LSD」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂)、新日鉄住金化学(株)製「ZX1059」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合品)、ナガセケムテックス(株)製「EX−721」(グリシジルエステル型エポキシ樹脂)、(株)ダイセル製「セロキサイド2021P」(エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂)、「PB−3600」(ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂)、新日鐵化学(株)製「ZX1658」、「ZX1658GS」(液状1,4−グリシジルシクロヘキサン)が挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, glycidyl amine type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, and ester skeletons. Preferred are cycloaliphatic epoxy resins, cyclohexanedimethanol type epoxy resins, glycidylamine type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure. Glycidylamine type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF Type epoxy resin and naphthalene type epoxy resin are more preferable. Specific examples of the liquid epoxy resin include “HP4032”, “HP4032D”, “HP4032SS” (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, “828US”, “jER828EL”, “825” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. “Epicoat 828EL” (bisphenol A type epoxy resin), “jER807”, “1750” (bisphenol F type epoxy resin), “jER152” (phenol novolac type epoxy resin), “630”, “630LSD” (glycidylamine type epoxy) Resin), “ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. (mixed product of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin), “EX-721” (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Corporation, "Ceroki" manufactured by Daicel Corporation Id 2021P "(alicyclic epoxy resin having an ester skeleton)," PB-3600 "(epoxy resin having a butadiene structure)," ZX1658 "," ZX1658GS "(liquid 1,4-) manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Glycidylcyclohexane). These may be used alone or in combination of two or more.

固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。   Solid epoxy resins include naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, Anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, and tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, and naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, naphthol type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin are more preferable.

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC(株)製「HP4032H」(ナフタレン型エポキシ樹脂)、「HP−4700」、「HP−4710」(ナフタレン型4官能エポキシ樹脂)、「N−690」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、「N−695」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、「HP−7200」(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂)、「HP−7200HH」、「HP−7200H」、「EXA−7311」、「EXA−7311−G3」、「EXA−7311−G4」、「EXA−7311−G4S」、「HP6000」(ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂)、日本化薬(株)製「EPPN−502H」(トリスフェノール型エポキシ樹脂)、「NC7000L」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(ビフェニル型エポキシ樹脂)、新日鉄住金化学(株)製「ESN475V」(ナフタレン型エポキシ樹脂)、「ESN485」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂)、三菱化学(株)製「YX4000H」、「YX4000」、「YL6121」(ビフェニル型エポキシ樹脂)、「YX4000HK」(ビキシレノール型エポキシ樹脂)、「YX8800」(アントラセン型エポキシ樹脂)、大阪ガスケミカル(株)製「PG−100」、「CG−500」、三菱化学(株)製「YL7760」(ビスフェノールAF型エポキシ樹脂)、「YL7800」(フルオレン型エポキシ樹脂)、三菱化学(株)製「jER1010」(固体状ビスフェノールA型エポキシ樹脂)、「jER1031S」(テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂)が挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Specific examples of the solid epoxy resin include “HP4032H” (naphthalene type epoxy resin), “HP-4700”, “HP-4710” (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin), “N-690” manufactured by DIC Corporation. (Cresol novolac type epoxy resin), “N-695” (cresol novolac type epoxy resin), “HP-7200” (dicyclopentadiene type epoxy resin), “HP-7200HH”, “HP-7200H”, “EXA-” 7311 "," EXA-7311-G3 "," EXA-7311-G4 "," EXA-7311-G4S "," HP6000 "(naphthylene ether type epoxy resin)," EPPN-502H "manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. "(Trisphenol type epoxy resin)", "NC7000L" (Naphthol novolak type epoxy) ), “NC3000H”, “NC3000”, “NC3000L”, “NC3100” (biphenyl type epoxy resin), “ESN475V” (naphthalene type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., “ESN485” (naphthol novolak type) Epoxy resin), “YX4000H”, “YX4000”, “YL6121” (biphenyl type epoxy resin), “YX4000HK” (bixylenol type epoxy resin), “YX8800” (anthracene type epoxy resin), manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation “PG-100”, “CG-500” manufactured by Gas Chemical Co., Ltd., “YL7760” (bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, “YL7800” (fluorene type epoxy resin), Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "JER1010" (solid screw Phenol A type epoxy resin), "jER1031S" (tetraphenyl ethane epoxy resin) and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は、質量比で、1:0.1〜1:15の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比をかかる範囲とすることにより、i)接着フィルムの形態で使用する場合に粘着性を好適にすることができ、ii)接着フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性を向上させることができ、かつiii)十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記i)〜iii)の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は、質量比で、1:0.5〜1:10の範囲がより好ましく、1:1〜1:8の範囲がさらに好ましい。   When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as an epoxy resin, the quantitative ratio thereof (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is in the range of 1: 0.1 to 1:15 in terms of mass ratio. preferable. By making the quantitative ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin within such a range, i) the adhesiveness can be made suitable when used in the form of an adhesive film, and ii) the adhesive film is used in the form of an adhesive film. In some cases, sufficient flexibility can be obtained, handling properties can be improved, and iii) an effect that a cured product having sufficient breaking strength can be obtained. From the viewpoint of the effects i) to iii) above, the quantitative ratio of liquid epoxy resin to solid epoxy resin (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is 1: 0.5 to 1:10 by mass ratio. A range is more preferable, and a range of 1: 1 to 1: 8 is even more preferable.

樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは5質量%以上、より好ましくは8質量%以上、さらに好ましくは10質量%以上である。エポキシ樹脂の含有量は、本発明の効果を得ることができることを条件として、好ましくは40質量%以下、より好ましくは30質量%以下、さらに好ましくは20質量%以下である。   The content of the epoxy resin in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 8% when the nonvolatile component is 100% by mass from the viewpoint of obtaining an insulating layer exhibiting good mechanical strength and insulation reliability. It is at least 10% by mass, more preferably at least 10% by mass. The content of the epoxy resin is preferably 40% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, and further preferably 20% by mass or less, on the condition that the effect of the present invention can be obtained.

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは50〜5000であり、より好ましくは50〜3000であり、さらに好ましくは80〜2000であり、さらにより好ましくは110〜1000である。この範囲とすることで、硬化物の架橋密度が十分であり、表面粗さの小さい絶縁層とすることができる。なお、エポキシ当量は、1当量のエポキシ基を含む樹脂の質量であり、JIS K7236に従って測定することができる。   The epoxy equivalent of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 50-5000, More preferably, it is 50-3000, More preferably, it is 80-2000, More preferably, it is 110-1000. By setting it as this range, the crosslinked density of hardened | cured material is enough and it can be set as an insulating layer with small surface roughness. The epoxy equivalent is the mass of a resin containing 1 equivalent of an epoxy group, and can be measured according to JIS K7236.

エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは100〜5000であり、より好ましくは250〜3000であり、さらに好ましくは400〜1500である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。   The weight average molecular weight of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 100-5000, More preferably, it is 250-3000, More preferably, it is 400-1500. Here, the weight average molecular weight of the epoxy resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

<成分(B)活性エステル化合物>
成分(B)活性エステル化合物は、1分子中に1個以上の活性エステル基を有する化合物である。通常、活性エステル化合物は、既に説明した成分(A)エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させる硬化剤として機能できる。成分(B)活性エステル化合物を用いることにより、樹脂組成物の硬化物の誘電正接を低くすることができ、さらに通常は、表面粗さの小さい絶縁層を得ることができる。
<Component (B) Active ester compound>
The component (B) active ester compound is a compound having one or more active ester groups in one molecule. Usually, the active ester compound can function as a curing agent that reacts with the component (A) epoxy resin already described to cure the resin composition. By using the component (B) active ester compound, the dielectric loss tangent of the cured product of the resin composition can be lowered, and more usually, an insulating layer having a small surface roughness can be obtained.

成分(B)活性エステル化合物は、1分子中に活性エステル基を2個以上有することが好ましい。このような活性エステル化合物としては、例えば、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が挙げられる。また、成分(B)活性エステル化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。   The component (B) active ester compound preferably has two or more active ester groups in one molecule. Examples of such active ester compounds include two ester groups having high reaction activity in one molecule, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds. The compound which has the above is mentioned. Moreover, a component (B) active ester compound may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.

耐熱性の向上の観点から、成分(B)活性エステル化合物としては、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物と、ヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物とを縮合反応させて得られる活性エステル化合物がより好ましい。中でも、カルボン酸化合物と、フェノール化合物、ナフトール化合物及びチオール化合物からなる群より選択される1種以上とを反応させて得られる活性エステル化合物がさらに好ましい。さらには、カルボン酸化合物と、フェノール性水酸基を有する芳香族化合物とを反応させて得られる、1分子中に2個以上の活性エステル基を有する芳香族化合物がより好ましい。その中でも、少なくとも2個以上のカルボキシ基を1分子中に有するカルボン酸化合物と、フェノール性水酸基を有する芳香族化合物とを反応させて得られる芳香族化合物であって、1分子中に2個以上の活性エステル基を有する芳香族化合物が特に好ましい。また、成分(B)活性エステル化合物は、直鎖状であっても分岐状であってもよい。さらに、2個以上のカルボキシ基を1分子中に有するカルボン酸化合物が、脂肪族鎖を含む化合物であれば樹脂組成物との相溶性を高くすることができ、芳香族環を有する化合物であれば耐熱性を高くすることができる。   From the viewpoint of improving heat resistance, the active ester compound (B) is more preferably an active ester compound obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and / or a thiol compound. . Among these, an active ester compound obtained by reacting a carboxylic acid compound with one or more selected from the group consisting of a phenol compound, a naphthol compound, and a thiol compound is more preferable. Furthermore, an aromatic compound having two or more active ester groups in one molecule obtained by reacting a carboxylic acid compound with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group is more preferable. Among them, an aromatic compound obtained by reacting a carboxylic acid compound having at least two or more carboxy groups in one molecule with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group, wherein two or more in one molecule An aromatic compound having an active ester group is particularly preferred. Further, the component (B) active ester compound may be linear or branched. Furthermore, if the carboxylic acid compound having two or more carboxy groups in one molecule is a compound containing an aliphatic chain, the compatibility with the resin composition can be enhanced, and any compound having an aromatic ring can be used. Heat resistance can be increased.

カルボン酸化合物としては、例えば、炭素原子数1〜20(好ましくは2〜10、より好ましくは2〜8)の脂肪族カルボン酸、炭素原子数7〜20(好ましくは7〜10)の芳香族カルボン酸が挙げられる。脂肪族カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸が挙げられる。芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸が挙げられる。中でも、耐熱性の観点から、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸が好ましく、イソフタル酸、テレフタル酸がより好ましい。また、カルボン酸化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。   Examples of the carboxylic acid compound include an aliphatic carboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms (preferably 2 to 10 and more preferably 2 to 8) and an aromatic having 7 to 20 carbon atoms (preferably 7 to 10). Carboxylic acid is mentioned. Examples of the aliphatic carboxylic acid include acetic acid, malonic acid, succinic acid, maleic acid, and itaconic acid. Examples of the aromatic carboxylic acid include benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Among these, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, and terephthalic acid are preferable from the viewpoint of heat resistance, and isophthalic acid and terephthalic acid are more preferable. Moreover, a carboxylic acid compound may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.

チオカルボン酸化合物としては、例えば、チオ酢酸、チオ安息香酸が挙げられる。また、チオカルボン酸化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。   Examples of the thiocarboxylic acid compound include thioacetic acid and thiobenzoic acid. Moreover, a thiocarboxylic acid compound may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.

フェノール化合物としては、例えば、炭素原子数6〜40(好ましくは6〜30、より好ましくは6〜23、さらに好ましくは6〜22)のフェノール化合物が挙げられる。フェノール化合物の好適な具体例としては、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、カテコール、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノールが挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール」とは、ジシクロペンタジエン1分子にフェノール2分子が縮合して得られるフェノール化合物をいう。フェノール化合物としてはまた、フェノールノボラック、特開2013−40270号公報記載のフェノール性水酸基を有するリン原子含有オリゴマーを使用してもよい。また、フェノール化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。   Examples of the phenol compound include phenol compounds having 6 to 40 carbon atoms (preferably 6 to 30, more preferably 6 to 23, and still more preferably 6 to 22). Preferable specific examples of the phenol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Examples include cresol, p-cresol, catechol, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, and dicyclopentadiene type diphenol. Here, “dicyclopentadiene type diphenol” refers to a phenol compound obtained by condensing two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene. As the phenol compound, a phenol novolak or a phosphorus atom-containing oligomer having a phenolic hydroxyl group described in JP2013-40270A may be used. Moreover, a phenol compound may be used individually by 1 type and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.

ナフトール化合物としては、例えば、炭素原子数10〜40(好ましくは10〜30、より好ましくは10〜20)のナフトール化合物が挙げられる。ナフトール化合物の好適な具体例としては、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレンが挙げられる。ナフトール化合物としてはまた、ナフトールノボラックを使用してもよい。また、ナフトール化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。   Examples of the naphthol compound include naphthol compounds having 10 to 40 carbon atoms (preferably 10 to 30, more preferably 10 to 20). Preferable specific examples of the naphthol compound include α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, and 2,6-dihydroxynaphthalene. A naphthol novolak may also be used as the naphthol compound. Moreover, a naphthol compound may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.

中でも、耐熱性向上及び溶解性向上の観点から、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール、フェノールノボラック、フェノール性水酸基を有するリン原子含有オリゴマーが好ましい。さらには、カテコール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール、フェノールノボラック、フェノール性水酸基を有するリン原子含有オリゴマーがさらに好ましい。その中でも、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ジシクロペンタジエン型ジフェノール、フェノールノボラック、フェノール性水酸基を有するリン原子含有オリゴマーがより好ましい。さらには、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエン型ジフェノール、フェノールノボラック、フェノール性水酸基を有するリン原子含有オリゴマーがさらにより好ましい。その中でも、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエン型ジフェノール、フェノール性水酸基を有するリン原子含有オリゴマーが殊更好ましい。さらには、ジシクロペンタジエン型ジフェノールが特に好ましい。   Among them, from the viewpoint of improving heat resistance and solubility, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5 -Dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadiene diphenol, phenol novolac, phosphorus with phenolic hydroxyl group Atom-containing oligomers are preferred. Further, catechol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol, phenol More preferred are novolak and phosphorus atom-containing oligomers having a phenolic hydroxyl group. Among them, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, dicyclopentadiene type diphenol, phenol novolak, phenolic hydroxyl group A phosphorus atom-containing oligomer is more preferable. Furthermore, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dicyclopentadiene type diphenol, phenol novolac, and a phosphorus atom-containing oligomer having a phenolic hydroxyl group are even more preferable. Among them, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dicyclopentadiene type diphenol, and a phosphorus atom-containing oligomer having a phenolic hydroxyl group are particularly preferable. Furthermore, dicyclopentadiene type diphenol is particularly preferable.

チオール化合物としては、例えば、ベンゼンジチオール、トリアジンジチオールが挙げられる。また、チオール化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。   Examples of the thiol compound include benzenedithiol and triazinedithiol. Moreover, a thiol compound may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.

活性エステル化合物の好適な具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物、芳香族カルボン酸とフェノール性水酸基を有するリン原子含有オリゴマーとを反応させて得られる活性エステル化合物が挙げられる。中でも、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、芳香族カルボン酸とフェノール性水酸基を有するリン原子含有オリゴマーとを反応させて得られる活性エステル化合物がより好ましい。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる2価の構造単位を表す。   Preferable specific examples of the active ester compound include an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and a benzoylated product of phenol novolac. Examples include active ester compounds, active ester compounds obtained by reacting aromatic carboxylic acids with phosphorus atom-containing oligomers having phenolic hydroxyl groups. Among these, an active ester compound having a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound having a naphthalene structure, and an active ester compound obtained by reacting an aromatic carboxylic acid with a phosphorus atom-containing oligomer having a phenolic hydroxyl group are more preferable. . Here, the “dicyclopentadiene type diphenol structure” represents a divalent structural unit composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物の特に好適な具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。   As a particularly preferable specific example of the active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, a compound represented by the following formula may be mentioned.

Figure 2018141053
Figure 2018141053

前記式中、Rは、それぞれ独立に、フェニル基又はナフチル基を表す。中でも、誘電正接を低下させ、耐熱性を向上させるという観点から、Rはナフチル基が好ましい。   In said formula, R represents a phenyl group or a naphthyl group each independently. Among these, R is preferably a naphthyl group from the viewpoint of reducing the dielectric loss tangent and improving the heat resistance.

前記式中、kは、0又は1を示す。中でも、誘電正接を低下させ、耐熱性を向上させるという観点から、kは、0が好ましい。
前記式中、nは、繰り返し単位の平均数であって、0.05〜2.5である。中でも、誘電正接を低下させ、耐熱性を向上させるという観点から、nは、0.25〜1.5であることが好ましい。
In the above formula, k represents 0 or 1. Among these, k is preferably 0 from the viewpoint of reducing the dielectric loss tangent and improving the heat resistance.
In the above formula, n is the average number of repeating units and is 0.05 to 2.5. Especially, it is preferable that n is 0.25-1.5 from a viewpoint of reducing a dielectric loss tangent and improving heat resistance.

成分(B)活性エステル化合物としては、特開2004−277460号公報、又は、特開2013−40270号公報に開示されている活性エステル化合物を用いてもよい。また、成分(B)活性エステル化合物としては、市販の活性エステル化合物を用いてもよい。活性エステル化合物の市販品としては、例えば、DIC社製「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC−8000−65T」、「HPC−8000L−65M」(ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物);DIC社製「EXB9416−70BK」(ナフタレン構造を含む活性エステル化合物);三菱化学社製「DC808」(フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物);三菱化学社製「YLH1026」(フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物);DIC社製「EXB9050L−62M」(リン原子含有活性エステル化合物);が挙げられる。   As the component (B) active ester compound, an active ester compound disclosed in JP-A No. 2004-277460 or JP-A No. 2013-40270 may be used. Moreover, as a component (B) active ester compound, you may use a commercially available active ester compound. Examples of commercially available active ester compounds include “EXB9451”, “EXB9460”, “EXB9460S”, “HPC-8000-65T”, “HPC-8000L-65M” (dicyclopentadiene type diphenol structure manufactured by DIC). Active ester compound containing DIC; “EXB9416-70BK” manufactured by DIC (active ester compound including naphthalene structure); “DC808” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (active ester compound including acetylated phenol novolac); “YLH1026 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation” "(Active ester compound containing a benzoylated product of phenol novolac)"; "EXB9050L-62M" (phosphorus atom-containing active ester compound) manufactured by DIC.

成分(B)活性エステル化合物の活性基当量は、好ましくは120〜500であり、より好ましくは150〜400であり、特に好ましくは180〜300である。成分(B)活性エステル化合物の活性基当量が前記の範囲にあることにより、樹脂組成物の硬化物の架橋密度が十分となり、表面粗さの小さい絶縁層を得ることができる。ここで、活性基当量は、1当量の活性基を含む樹脂の質量を示す。   The active group equivalent of the component (B) active ester compound is preferably 120 to 500, more preferably 150 to 400, and particularly preferably 180 to 300. When the active group equivalent of the component (B) active ester compound is in the above-described range, the crosslinked density of the cured product of the resin composition becomes sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness can be obtained. Here, an active group equivalent shows the mass of resin containing 1 equivalent of active groups.

また、活性エステル化合物は、1種を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。   Moreover, an active ester compound may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.

樹脂組成物における成分(B)活性エステル化合物の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、1質量%以上であることが好ましく、5質量%以上であることがより好ましく、10質量%以上であることがさらに好ましく、15質量%以上であることが特に好ましく、また、40質量%以下であることが好ましく、35質量%以下であることがより好ましく、30質量%以下であることがさらに好ましい。成分(B)活性エステル化合物の含有量が、前記範囲の下限値以上であると導体層と絶縁層との密着性を特に高めることができ、また、前記範囲の上限値以下であると耐熱性を向上させたり、スミアの発生を抑制したりすることができる。   The content of the component (B) active ester compound in the resin composition is preferably 1% by mass or more and more preferably 5% by mass or more with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. It is more preferably 10% by mass or more, particularly preferably 15% by mass or more, more preferably 40% by mass or less, more preferably 35% by mass or less, and 30% by mass or less. More preferably. When the content of the component (B) active ester compound is equal to or higher than the lower limit of the above range, the adhesion between the conductor layer and the insulating layer can be particularly enhanced, and when it is equal to or lower than the upper limit of the above range, the heat resistance is increased. Can be improved, and the occurrence of smear can be suppressed.

成分(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合、機械的強度の良好な絶縁層を得る観点から、成分(B)活性エステル化合物の活性基数は、好ましくは0.1以上であり、より好ましくは0.2以上であり、さらに好ましくは0.3以上であり、特に好ましくは0.4以上であり、好ましくは2以下、より好ましくは1.5以下であり、さらに好ましくは1以下である。ここで、「エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在するエポキシ樹脂の不揮発成分量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値である。また、「活性基」とはエポキシ基と反応することができる官能基のことを意味し、「活性エステル化合物の活性基数」とは、樹脂組成物中に存在する活性エステル化合物の不揮発成分量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。   When the number of epoxy groups of component (A) epoxy resin is 1, from the viewpoint of obtaining an insulating layer with good mechanical strength, the number of active groups of component (B) active ester compound is preferably 0.1 or more, more Preferably it is 0.2 or more, more preferably 0.3 or more, particularly preferably 0.4 or more, preferably 2 or less, more preferably 1.5 or less, and even more preferably 1 or less. is there. Here, the “number of epoxy groups of the epoxy resin” is a value obtained by dividing the value obtained by dividing the amount of nonvolatile components of the epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent for all epoxy resins. Further, “active group” means a functional group capable of reacting with an epoxy group, and “the number of active groups of the active ester compound” means the amount of non-volatile components of the active ester compound present in the resin composition. This is the total value of all values divided by the active group equivalent.

<成分(C)無機充填材>
樹脂組成物は、成分(C)無機充填材を含有している。無機充填材の材料は特に限定されない。無機充填材の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウムが挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
<Component (C) Inorganic filler>
The resin composition contains a component (C) inorganic filler. The material of the inorganic filler is not particularly limited. Examples of the inorganic filler material include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, Magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide , Barium titanate, barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Of these, silica is particularly preferred. As silica, spherical silica is preferable. An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

無機充填材の平均粒径は、導体層の埋め込み性を向上させ、表面粗度の低い絶縁層を得る観点から、好ましくは5μm以下であり、より好ましくは2.5μm以下であり、さらに好ましくは2μm以下であり、さらにより好ましくは1.5μm以下である。平均粒径は、好ましくは0.01μm以上であり、より好ましくは0.05μm以上であり、さらに好ましくは0.1μm以上、0.5μm以上、又は1μm以上である。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、新日鉄住金マテリアルズ(株)製「SP60−05」、「SP507−05」、(株)アドマテックス製「YC100C」、「YA050C」、「YA050C−MJE」、「YA010C」、デンカ(株)製「UFP−30」、(株)トクヤマ製「シルフィルNSS−3N」、「シルフィルNSS−4N」、「シルフィルNSS−5N」、(株)アドマテックス製「SC2500SQ」、「SO−C4」、「SO−C2」、「SO−C1」が挙げられる。   The average particle size of the inorganic filler is preferably 5 μm or less, more preferably 2.5 μm or less, and even more preferably from the viewpoint of improving the embedding property of the conductor layer and obtaining an insulating layer having a low surface roughness. It is 2 μm or less, and more preferably 1.5 μm or less. The average particle diameter is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, and further preferably 0.1 μm or more, 0.5 μm or more, or 1 μm or more. Examples of commercially available inorganic fillers having such an average particle size include, for example, “SP60-05”, “SP507-05” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd., “YC100C” manufactured by Admatechs Corporation, “ “YA050C”, “YA050C-MJE”, “YA010C”, “UFP-30” manufactured by Denka Corporation, “Sylfil NSS-3N”, “Sylfil NSS-4N”, “Sylfil NSS-5N” manufactured by Tokuyama Corporation, Examples include “SC2500SQ”, “SO-C4”, “SO-C2”, and “SO-C1” manufactured by Admatechs Corporation.

無機充填材の平均粒径はミー(Mie)散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルとしては、無機充填材を超音波により水中に分散させたサンプルを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、(株)堀場製作所製「LA−500」等を使用することができる。   The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be prepared on a volume basis by a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus, and the median diameter can be measured as the average particle diameter. As a measurement sample, a sample in which an inorganic filler is dispersed in water by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus, “LA-500” manufactured by Horiba, Ltd. or the like can be used.

無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の1種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業(株)製「KBM403」(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBM803」(3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBE903」(3−アミノプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBM573」(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「SZ−31」(ヘキサメチルジシラザン)、信越化学工業(株)製「KBM−103」(フェニルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBM−4803」(長鎖エポキシ型シランカップリング剤)が挙げられる。   Inorganic fillers are aminosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, alkoxysilane compounds, organosilazane compounds, titanate coupling agents, etc., from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. It is preferable to treat with one or more surface treatment agents. Examples of commercially available surface treatment agents include “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and “KBM803” (3-mercaptopropyltrimethoxy manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). Silane), Shin-Etsu Chemical "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical "SZ-31" (hexamethyldisilazane) manufactured by Co., Ltd., "KBM-103" (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM-4803" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (long chain) Epoxy type silane coupling agent).

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、0.02mg/m以上であることが好ましく、0.1mg/m以上であることがより好ましく、0.2mg/m以上であることが更に好ましい。他方、樹脂ワニスの溶融粘度や樹脂ワニスをシート形態としたときの溶融粘度の上昇を防止する観点から、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、1mg/m以下であることが好ましく、0.8mg/m以下であることがより好ましく、0.5mg/m以下であることが更に好ましい。 The degree of surface treatment with the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. Carbon content per unit surface area of the inorganic filler, from the viewpoint of improving dispersibility of the inorganic filler is preferably at 0.02 mg / m 2 or more, more preferably 0.1 mg / m 2 or more, More preferably, it is 0.2 mg / m 2 or more. On the other hand, from the viewpoint of preventing the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity when the resin varnish is in sheet form, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 1 mg / m 2 or less, It is more preferably 0.8 mg / m 2 or less, and further preferably 0.5 mg / m 2 or less.

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤(例えば、メチルエチルケトン(MEK))により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、まず、溶剤として十分な量のMEKを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、25℃で5分間超音波洗浄する。次いで、上澄液を除去して、不揮発成分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、(株)堀場製作所製「EMIA−320V」等を使用することができる。   The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after the surface-treated inorganic filler is washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, first, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent, and ultrasonic cleaning is performed at 25 ° C. for 5 minutes. Next, after removing the supernatant and drying the non-volatile components, the carbon amount per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, “EMIA-320V” manufactured by Horiba, Ltd. can be used.

樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、熱膨張率の低い絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、好ましくは10質量%以上であり、より好ましくは15質量%以上であり、さらに好ましくは20質量%以上である。樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、絶縁層の機械強度、特に伸びを良好にする観点から、好ましくは70質量%以下であり、より好ましくは60質量%以下であり、さらに好ましくは50質量%以下である。   The content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 10% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of obtaining an insulating layer having a low coefficient of thermal expansion. Preferably it is 15 mass% or more, More preferably, it is 20 mass% or more. The content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, and still more preferably, from the viewpoint of improving the mechanical strength of the insulating layer, particularly the elongation. It is 50 mass% or less.

<成分(D)フッ素系充填材>
樹脂組成物は、成分(D)フッ素系充填材を含有している。ここで「フッ素系」とは、フッ素原子を含むことをいう。また「フッ素系充填材」とは、フッ素原子を含む化合物を材料として含む充填材をいう。成分(D)は、粒子状であり、その粒径は特に限定されない。成分(D)の平均粒径は、樹脂組成物中における分散性に優れるので、5μm以下であることが好ましく、4μm以下であることがより好ましく、3μm以下であることがさらに好ましい。成分(D)の平均粒径は、0.05μm以上であることが好ましく、0.08μm以上であることがより好ましく、0.10μm以上であることがさらに好ましい。よって、成分(D)は、平均粒径が0.05μm〜5μmであることが好ましく、0.08μm〜4μmであることがより好ましく、0.10μm〜3μmであることがさらに好ましい。
<Component (D) Fluorine-based filler>
The resin composition contains component (D) a fluorine-based filler. Here, “fluorine-based” means containing a fluorine atom. The “fluorine-based filler” refers to a filler containing a compound containing a fluorine atom as a material. Component (D) is in the form of particles, and the particle size is not particularly limited. The average particle size of the component (D) is excellent in dispersibility in the resin composition, is preferably 5 μm or less, more preferably 4 μm or less, and further preferably 3 μm or less. The average particle diameter of the component (D) is preferably 0.05 μm or more, more preferably 0.08 μm or more, and further preferably 0.10 μm or more. Therefore, the component (D) preferably has an average particle size of 0.05 μm to 5 μm, more preferably 0.08 μm to 4 μm, and even more preferably 0.10 μm to 3 μm.

成分(D)としては、例えば、フッ素樹脂、フッ素ゴムから選ばれる材料を含む粒子が挙げられる。   As a component (D), the particle | grains containing the material chosen from a fluororesin and fluororubber are mentioned, for example.

成分(D)としては、絶縁層の誘電率を低減する観点から、フッ素樹脂を含むフッ素系ポリマー粒子が好ましい。   Component (D) is preferably fluorine-based polymer particles containing a fluororesin from the viewpoint of reducing the dielectric constant of the insulating layer.

フッ素樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、パーフルオロアルコキシアルカン(PFA)、パーフルオロエチレンプロペンコポリマー(FEP)、エチレン・テトラフルオロエチレンコポリマー(ETFE)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロジオキソールコポリマー(TFE/PDD)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、エチレン−クロロトリフルオロエチレンコポリマー(ECTFE)、ポリフッ化ビニル(PVF)が挙げられる。これらの樹脂は1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the fluororesin include polytetrafluoroethylene (PTFE), perfluoroalkoxyalkane (PFA), perfluoroethylene propene copolymer (FEP), ethylene-tetrafluoroethylene copolymer (ETFE), and tetrafluoroethylene-perfluorodioxide. Sole copolymer (TFE / PDD), polyvinylidene fluoride (PVDF), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE), and polyvinyl fluoride (PVF). These resins may be used alone or in combination of two or more.

絶縁層の誘電率をより低減する観点から、フッ素系樹脂としてはPTFEを用いることが好ましい。換言すると、成分(D)としては、フッ素系樹脂としてPTFEを含むフッ素系ポリマー粒子であるPTFE粒子を用いることが好ましい。   From the viewpoint of further reducing the dielectric constant of the insulating layer, it is preferable to use PTFE as the fluororesin. In other words, as the component (D), it is preferable to use PTFE particles which are fluorine-based polymer particles containing PTFE as the fluorine-based resin.

PTFEの重量平均分子量は、5000000以下であることが好ましく、4000000以下であることがより好ましく、3000000以下であることがさらに好ましい。   The weight average molecular weight of PTFE is preferably 5000000 or less, more preferably 4000000 or less, and still more preferably 3000000 or less.

フッ素系ポリマー粒子は、市販品を用いてもよい。市販のフッ素系ポリマー粒子であるPTFE粒子の具体例としては、ダイキン工業(株)製「ルブロンL−2」、ダイキン工業(株)製「ルブロンL−5」、ダイキン工業(株)製「ルブロンL−5F」、旭硝子(株)製「FluonPTFE L−170JE」、旭硝子(株)製「FluonPTFEL−172JE」、旭硝子(株)製「FluonPTFE L−173JE」、(株)喜多村製「KTL−500F」、(株)喜多村製「KTL−2N」、(株)喜多村製「KTL−1N」、三井・デュポン フロロケミカル(株)製「TLP10F−1」が挙げられる。   Commercial products may be used as the fluorine-based polymer particles. Specific examples of PTFE particles, which are commercially available fluoropolymer particles, include “Lublon L-2” manufactured by Daikin Industries, Ltd., “Lublon L-5” manufactured by Daikin Industries, Ltd., and “Lublon manufactured by Daikin Industries, Ltd.” L-5F ", Asahi Glass Co., Ltd." FluonPTFE L-170JE ", Asahi Glass Co., Ltd." FluonPTFEEL-172JE ", Asahi Glass Co., Ltd." FluonPTFE L-173JE ", Kitamura" KTL-500F " "KTL-2N" manufactured by Kitamura Co., Ltd., "KTL-1N" manufactured by Kitamura Co., Ltd., and "TLP10F-1" manufactured by Mitsui DuPont Fluorochemical Co., Ltd.

成分(D)は、例えば、表面処理された粒子を含んでいてもよい。表面処理としては例えば、表面処理剤での表面処理が挙げられる。表面処理剤は、特に限定されない。表面処理剤には、ノニオン性界面活性剤、両性界面活性剤、カチオン界面活性剤、アニオン界面活性剤等の界面活性剤の他、無機微粒子等も含まれる。親和性の観点から、表面処理剤としては、フッ素系の界面活性剤を用いることが好ましい。フッ素系の界面活性剤の具体例としては、AGCセイミケミカル(株)製「サーフロンS−243」(パーフルオロアルキル エチレンオキシド付加物)、DIC(株)製「メガファックF−251」、DIC(株)製「メガファックF−477」、DIC(株)製「メガファックF−553」、DIC(株)製「メガファックR−40」、DIC(株)製「メガファックR−43」、DIC(株)製「メガファックR−94」、ネオス(株)製「FTX−218」、ネオス(株)製「フタージェント610FM」、ネオス(株)製「フタージェント730LM」が挙げられる。   Component (D) may contain, for example, surface-treated particles. Examples of the surface treatment include surface treatment with a surface treatment agent. The surface treatment agent is not particularly limited. In addition to surfactants such as nonionic surfactants, amphoteric surfactants, cationic surfactants and anionic surfactants, the surface treatment agents include inorganic fine particles. From the viewpoint of affinity, it is preferable to use a fluorosurfactant as the surface treatment agent. Specific examples of the fluorosurfactant include “Surflon S-243” (perfluoroalkyl ethylene oxide adduct) manufactured by AGC Seimi Chemical Co., Ltd., “Megafac F-251” manufactured by DIC Corporation, DIC Corporation ) "Megafuck F-477", DIC Corporation "Megafuck F-553", DIC Corporation "Megafuck R-40", DIC Corporation "Megafuck R-43", DIC “Megafac R-94” manufactured by Co., Ltd., “FTX-218” manufactured by Neos Co., Ltd., “Furgent 610FM” manufactured by Neos Co., Ltd., and “Futgent 730LM” manufactured by Neos Co., Ltd. may be mentioned.

また、成分(D)の含有量は、絶縁層の誘電率を効果的に低減する観点や密着強度を維持するという観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合に、成分(D)の含有量は10質量%〜40質量%となる。絶縁層の誘電率を効果的に低減する観点からは、15質量%以上が好ましく、20質量%以上がより好ましい。密着強度を維持するという観点からは、35質量%以下が好ましく、30質量%以下がより好ましく、25質量%以下がさらに好ましい。   In addition, the content of the component (D) is such that the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of effectively reducing the dielectric constant of the insulating layer and maintaining the adhesion strength. The content of (D) is 10% by mass to 40% by mass. From the viewpoint of effectively reducing the dielectric constant of the insulating layer, it is preferably 15% by mass or more, and more preferably 20% by mass or more. From the viewpoint of maintaining the adhesion strength, it is preferably 35% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, and further preferably 25% by mass or less.

このとき、成分(C)及び成分(D)の含有量の合計を100質量%とした場合に、成分(D)は、絶縁層の誘電率を効果的に低減する観点や密着強度を維持するという観点から20質量%〜70質量%となる。絶縁層の誘電率を効果的に低減する観点からは、25質量%以上が好ましく、30質量%以上がより好ましい。密着強度を維持するという観点からは、60質量%以下が好ましく、50質量%以下がより好ましく、40質量%以下がさらに好ましい。   At this time, when the total content of the component (C) and the component (D) is 100% by mass, the component (D) maintains the viewpoint of effectively reducing the dielectric constant of the insulating layer and the adhesion strength. From this point of view, it is 20% by mass to 70% by mass. From the viewpoint of effectively reducing the dielectric constant of the insulating layer, it is preferably 25% by mass or more, and more preferably 30% by mass or more. From the viewpoint of maintaining the adhesion strength, it is preferably 60% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, and further preferably 40% by mass or less.

樹脂組成物の硬化物の誘電率に特に着目すると、本実施形態において、硬化物の誘電率を低減するために用いられる成分(D)フッ素系充填材は、好ましくはPTFEを含むフッ素系ポリマー粒子であるPTFE粒子である。   Paying particular attention to the dielectric constant of the cured product of the resin composition, the component (D) fluorine-based filler used for reducing the dielectric constant of the cured product in this embodiment is preferably a fluorine-based polymer particle containing PTFE. It is a PTFE particle.

ここで、PTFEの誘電率は2.1である。よって、例えば、樹脂組成物の成分としてPTFE粒子を用いる場合には、硬化物の誘電率の低減目標がたとえ0.1程度であったとしても、誘電率を低減し、かつ樹脂組成物の物性、ひいては硬化物の物性、電気的特性をも良好にすることは極めて困難である。なぜならば、誘電率を低減するために、上記特許文献1に記載されているように多量のPTFE粒子を樹脂組成物に配合すれば、確かに硬化体の誘電率を低減させることはできるが、PTFE粒子が樹脂組成物中で凝集しやすくなってしまい、PTFE粒子を樹脂組成物及び硬化体中で均一に分布させることができなくなってしまう結果として、導体層に対する密着性が著しく低下してしまうばかりか、硬化物の物性、電気的特性が損なわれてしまうおそれがあるためである。   Here, the dielectric constant of PTFE is 2.1. Thus, for example, when PTFE particles are used as a component of the resin composition, the dielectric constant is reduced and the physical properties of the resin composition are reduced even if the target for reducing the dielectric constant of the cured product is about 0.1. As a result, it is extremely difficult to improve the physical properties and electrical characteristics of the cured product. Because, in order to reduce the dielectric constant, if a large amount of PTFE particles are blended in the resin composition as described in Patent Document 1, the dielectric constant of the cured product can surely be reduced. The PTFE particles tend to aggregate in the resin composition, and the PTFE particles cannot be uniformly distributed in the resin composition and the cured product. As a result, the adhesion to the conductor layer is significantly reduced. Moreover, it is because there exists a possibility that the physical property and electrical property of hardened | cured material may be impaired.

しかしながら、本実施形態にかかる樹脂組成物によれば、樹脂組成物中の成分(C)及び成分(D)の含有量を上記数値範囲のとおりに調整するという解決手段を見出し、さらには他の成分の配合についても考慮したことで、成分(D)の含有量をより低減したとしても、硬化物の誘電率の低減を実現することができ、誘電率の低減と導体層に対する密着性の向上とを両立させることができるのみならず、硬化物の誘電正接をも低下させることができるという効果を得ることができる。   However, according to the resin composition according to the present embodiment, a solution means for adjusting the contents of the component (C) and the component (D) in the resin composition in accordance with the above numerical range is found. Considering the blending of components, even if the content of component (D) is further reduced, the dielectric constant of the cured product can be reduced, and the dielectric constant can be reduced and the adhesion to the conductor layer can be improved. As well as an effect that the dielectric loss tangent of the cured product can be reduced.

<成分(E)不飽和炭化水素基を有する化合物>
樹脂組成物は、成分(E)を含有していてもよい。成分(E)の不飽和結合部位が反応して形成される分子構造部位を硬化物が有することにより、硬化物の極性が小さくなり、誘電正接の値を低減することができる。
<Component (E) Compound having an unsaturated hydrocarbon group>
The resin composition may contain a component (E). When the cured product has a molecular structure site formed by the reaction of the unsaturated bond site of the component (E), the polarity of the cured product is reduced, and the value of the dielectric loss tangent can be reduced.

成分(E)は、不飽和炭化水素基を有していれば、特に限定されない。不飽和炭化水素基を使用することで、硬化物の誘電正接を低下させることができる。不飽和炭化水素基は、アクリル基、メタクリル基、スチリル基、オレフィン基であることが好ましい。ここで、「オレフィン基」とは、分子中に炭素−炭素二重結合を有する脂肪族炭化水素基をいう。例えば、アリル基、ビニル基、プロペニル基が挙げられる。すなわち、成分(E)は、アクリル基、メタクリル基、スチリル基、アリル基、ビニル基及びプロペニル基からなる群から選択される1以上の不飽和炭化水素基を有する化合物であることが好ましい。   The component (E) is not particularly limited as long as it has an unsaturated hydrocarbon group. By using an unsaturated hydrocarbon group, the dielectric loss tangent of the cured product can be reduced. The unsaturated hydrocarbon group is preferably an acrylic group, a methacryl group, a styryl group, or an olefin group. Here, the “olefin group” refers to an aliphatic hydrocarbon group having a carbon-carbon double bond in the molecule. For example, an allyl group, a vinyl group, and a propenyl group are mentioned. That is, the component (E) is preferably a compound having one or more unsaturated hydrocarbon groups selected from the group consisting of an acryl group, a methacryl group, a styryl group, an allyl group, a vinyl group, and a propenyl group.

成分(E)としては、下記式(2)、下記式(7)及び下記式(8)で表される化合物がより好ましい。   As a component (E), the compound represented by following formula (2), following formula (7), and following formula (8) is more preferable.

Figure 2018141053
Figure 2018141053

式(2)中、R〜Rは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数1〜4のアルキル基を表し、好ましくは水素原子である。Aは、下記式(3)又は下記式(4)で表される構造(2価の基)を表す。 In formula (2), R < 1 > -R < 6 > represents a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group each independently, Preferably it is a hydrogen atom. A represents a structure (divalent group) represented by the following formula (3) or the following formula (4).

Figure 2018141053
Figure 2018141053

式(3)中、Bは、下記式(B−1)、(B−2)又は(B−3)で表される構造(2価の基)を表す。   In formula (3), B represents a structure (a divalent group) represented by the following formula (B-1), (B-2) or (B-3).

Figure 2018141053
Figure 2018141053

式(4)中、Dは、下記式(5)で表される構造を表す。   In formula (4), D represents a structure represented by the following formula (5).

Figure 2018141053
Figure 2018141053

式(5)中、R〜R14は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数6以下のアルキル基又はフェニル基を表し、好ましくは水素原子又はメチル基である。特にR、R、R13、R14は、より好ましくはメチル基である。a、bは、少なくとも一方が0でない0〜100の整数である。Bは、下記式(B−1)、(B−2)又は(B−3)で表される構造(2価の基)を表す。 In formula (5), R 7 to R 14 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms, or a phenyl group, and preferably a hydrogen atom or a methyl group. In particular, R 7 , R 8 , R 13 and R 14 are more preferably a methyl group. a and b are integers of 0 to 100, at least one of which is not 0. B represents a structure (a divalent group) represented by the following formula (B-1), (B-2) or (B-3).

Figure 2018141053
Figure 2018141053

式(B−1)中、R15〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数6以下のアルキル基又はフェニル基を表し、好ましくは水素原子又はメチル基である。
式(B−2)中、R19〜R26は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数6以下のアルキル基又はフェニル基を表し、好ましくは水素原子又はメチル基である。
式(B−3)中、R27〜R34は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数6以下のアルキル基又はフェニル基を表し、好ましくは水素原子又はメチル基である。Eは、炭素原子数20以下の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基を表す。
In formula (B-1), R 15 to R 18 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms, or a phenyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group.
In formula (B-2), R 19 to R 26 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms, or a phenyl group, and preferably a hydrogen atom or a methyl group.
In formula (B-3), R 27 to R 34 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms, or a phenyl group, and preferably a hydrogen atom or a methyl group. E represents a linear, branched or cyclic divalent hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms.

前記式(2)で表される化合物としては、下記式(6)で表される化合物がより好ましい。   As the compound represented by the formula (2), a compound represented by the following formula (6) is more preferable.

Figure 2018141053
Figure 2018141053

式(6)中、R〜Rは、前記式(2)中のR〜Rと同義であり、Bは、前記式(3)中のBと同義であり、a、bは、前記式(5)中のa、bと同義である。 Wherein (6), R 1 to R 6, the formula (2) has the same meaning as R 1 to R 6 in, B has the same meaning as B in the formula (3) in, a, b is , Are the same as a and b in the formula (5).

Figure 2018141053
Figure 2018141053

成分(E)としては、下記式(8)で表される「5員環以上の環状エーテル構造を有する化合物」がさらに好ましい。   As the component (E), “a compound having a cyclic ether structure of 5 or more members” represented by the following formula (8) is more preferable.

Figure 2018141053
Figure 2018141053

前記式中、環Fは5員環以上の環状エーテル構造を有する2価の基を表す。B及びBはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基を表す。C及びCは同一であっても互いに異なっていてもよい官能基を表す。 In the above formula, ring F represents a divalent group having a cyclic ether structure of 5 or more members. B 1 and B 2 each independently represents a single bond or a divalent linking group. C 1 and C 2 represent functional groups which may be the same or different from each other.

5員環以上の環状エーテルは、分子の動きが制限されていることから誘電正接を低くすることができるという性質がある。炭素−炭素不飽和結合は、環状エーテル構造内に含まれていてもよく、環状エーテル構造外に含まれていてもよい。炭素−炭素不飽和結合は複数個存在していてもよい。   A cyclic ether having a 5-membered ring or more has a property that the dielectric loss tangent can be lowered because the movement of the molecule is restricted. The carbon-carbon unsaturated bond may be contained in the cyclic ether structure or may be contained outside the cyclic ether structure. There may be a plurality of carbon-carbon unsaturated bonds.

「5員環以上の環状エーテル構造を有する化合物」にかかる環状エーテル構造に含まれる酸素原子数は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは1以上、より好ましくは2以上であり、好ましくは5以下、より好ましくは4以下、さらに好ましくは3以下である。   The number of oxygen atoms contained in the cyclic ether structure according to the “compound having a 5-membered or higher cyclic ether structure” is preferably 1 or more, more preferably 2 or more, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. Yes, preferably 5 or less, more preferably 4 or less, still more preferably 3 or less.

5員環以上の環状エーテル構造としては、環状エーテルが5員環以上の多員環構造を有していれば特に限定されない。5員環以上の環状エーテル構造は、単環、多環又は縮合環であってもよい。また、「5員環以上の環状エーテル構造を有する化合物」は、複数個の環状エーテル構造を有していてもよい。環状エーテル構造は、5〜10員環であることが好ましく、5〜8員環であることがより好ましく、5〜6員環であることがさらに好ましい。具体的な5員環以上の環状エーテル構造としては、例えば、フラン構造、テトラヒドロフラン構造、ジオキソラン構造、ピラン構造、ジヒドロピラン構造、テトラヒドロピラン構造、ジオキサン構造が挙げられる。中でも、相溶性を向上させる観点から、5員環以上の環状エーテル構造を有する化合物は、ジオキサン構造を含むことが好ましい。ジオキサン構造には、1,2−ジオキサン構造、1,3−ジオキサン構造及び1,4−ジオキサン構造が含ま、1,3−ジオキサン構造が好ましい。   The cyclic ether structure having 5 or more members is not particularly limited as long as the cyclic ether has a multi-membered structure having 5 or more members. The cyclic ether structure having 5 or more members may be a monocyclic ring, a polycyclic ring or a condensed ring. In addition, the “compound having a cyclic ether structure having 5 or more members” may have a plurality of cyclic ether structures. The cyclic ether structure is preferably a 5- to 10-membered ring, more preferably a 5- to 8-membered ring, and further preferably a 5- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic ether structure having five or more members include a furan structure, a tetrahydrofuran structure, a dioxolane structure, a pyran structure, a dihydropyran structure, a tetrahydropyran structure, and a dioxane structure. Among these, from the viewpoint of improving the compatibility, the compound having a cyclic ether structure having a 5-membered ring or more preferably includes a dioxane structure. The dioxane structure includes a 1,2-dioxane structure, a 1,3-dioxane structure, and a 1,4-dioxane structure, and a 1,3-dioxane structure is preferable.

また、5員環以上の環状エーテル構造には、アルキル基、アルコキシ基等の置換基が結合していてもよい。かかる置換基の炭素原子数は、通常、1〜6であり、好ましくは1〜3である。   Moreover, substituents, such as an alkyl group and an alkoxy group, may couple | bond with the cyclic ether structure 5 or more membered. The number of carbon atoms of the substituent is usually 1 to 6, preferably 1 to 3.

5員環以上の環状エーテル構造を有する2価の基の具体的な例としては、フラン−2,5−ジイル基、テトラヒドロフラン−2,5−ジイル基、ジオキソラン−2,5−ジイル基、ピラン−2,5−ジイル基、ジヒドロピラン−2,5−ジイル基、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル基、1,2−ジオキサン−3,6−ジイル基、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル基、1,4−ジオキサン−2,5−ジイル基、5−エチル−1,3−ジオキサン−2,5−ジイル基が挙げられる。5員環以上の環状エーテル構造を有する2価の基としては、5−エチル−1,3−ジオキサン−2,5−ジイル基が好ましい。   Specific examples of the divalent group having a cyclic ether structure of 5 or more members include furan-2,5-diyl group, tetrahydrofuran-2,5-diyl group, dioxolane-2,5-diyl group, pyran -2,5-diyl group, dihydropyran-2,5-diyl group, tetrahydropyran-2,5-diyl group, 1,2-dioxane-3,6-diyl group, 1,3-dioxane-2,5 -Diyl group, 1,4-dioxane-2,5-diyl group, 5-ethyl-1,3-dioxane-2,5-diyl group may be mentioned. As the divalent group having a cyclic ether structure of 5 or more members, a 5-ethyl-1,3-dioxane-2,5-diyl group is preferable.

及びBはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基を表す。B及びBは2価の連結基であることが好ましい。2価の連結基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアルキニレン基、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基、−COO−で表される基、−CO−で表される基、−CONH−で表される基、−NHCONH−で表される基、−NHCOO−で表される基、−C(=O)−で表される基、−S−で表される基、−SO−で表される基、−NH−で表される基、これらの基を複数組み合わせた基が挙げられる。 B 1 and B 2 each independently represents a single bond or a divalent linking group. B 1 and B 2 are preferably a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include an alkylene group that may have a substituent, an alkynylene group that may have a substituent, an arylene group that may have a substituent, and a substituent. A heteroarylene group, a group represented by —COO—, a group represented by —CO—, a group represented by —CONH—, a group represented by —NHCONH—, and a group represented by —NHCOO—. Group represented by -C (= O)-, group represented by -S-, group represented by -SO-, group represented by -NH-, and a combination of these groups Groups.

前記置換基にかかる「C1−6」及び「C6−10」の意味を、これらの文言を「Cp−q」と一般化して説明する。「Cp−q」(ここで、p及びqは正の整数であり、p<qを満たす。)は、この文言の直後に記載された有機基の炭素原子数がp〜qであることを表す。具体的には、例えば、「C1−6アルキル基」は、「炭素原子数1〜6のアルキル基」を表している。 The meaning of such a substituent "C 1-6" and "C 6-10", explain these words to generalize as "C p-q". “C p-q ” (where p and q are positive integers and p <q is satisfied) means that the number of carbon atoms of the organic group described immediately after this wording is p to q. Represents. Specifically, for example, “C 1-6 alkyl group” represents “an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms”.

置換基は、さらに置換基(以下、「2次置換基」という場合がある。)を有していてもよい。2次置換基としては、例えば、既に説明した置換基と同じ基が挙げられる。   The substituent may further have a substituent (hereinafter sometimes referred to as “secondary substituent”). Examples of the secondary substituent include the same groups as those already described.

これらの中でも、B及びBは、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアルキニレン基、−COO−で表される基、−O−で表される基から2個以上の任意の基を選択して組み合わせた基が好ましく、置換基を有していてもよいアルキレン基、−COO−で表される基から2個以上の任意の基を選択して組み合わせた基がより好ましい。 Among these, B 1 and B 2 are represented by an alkylene group which may have a substituent, an alkynylene group which may have a substituent, a group represented by —COO—, and —O—. A group in which two or more arbitrary groups are selected and combined is preferable, and an alkylene group which may have a substituent, or two or more arbitrary groups are selected from a group represented by —COO— Thus, the combined group is more preferable.

及びCは互いに同一であっても互いに異なっていてもよい官能基を表す。官能基としては、例えば、ビニル基、メタクリル基、アクリル基、アリル基、スチリル基、プロペニル基、エポキシ基が挙げられる。官能基としては、ビニル基が好ましい。 C 1 and C 2 represent functional groups that may be the same or different from each other. Examples of the functional group include a vinyl group, a methacryl group, an acrylic group, an allyl group, a styryl group, a propenyl group, and an epoxy group. As the functional group, a vinyl group is preferable.

「5員環以上の環状エーテル構造を有する化合物」の具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。   Specific examples of the “compound having a cyclic ether structure having 5 or more members” include compounds represented by the following formulae.

Figure 2018141053
Figure 2018141053

成分(E)としては、例えば、スチレン変性ポリフェニレンエーテル樹脂(三菱瓦斯化学社製「OPE−2St 1200(数平均分子量1200)」、前記式(6)相当)、ビキシレノールジアリルエーテル樹脂(三菱化学社製「YL7776(数平均分子量331)」、前記式(7)相当)、ジオキサンアクリルモノマーグリコールジアクリレート(新中村化学工業社製「A−DOG(数平均分子量326)、前記式(8)相当」、日本化薬社製「KAYARAD R−604、前記式(8)相当」が挙げられる。   Examples of the component (E) include a styrene-modified polyphenylene ether resin (“OPE-2St 1200 (number average molecular weight 1200)” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., equivalent to the above formula (6)), bixylenol diallyl ether resin (Mitsubishi Chemical Corporation). “YL7776 (number average molecular weight 331)” manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. “A-DOG (number average molecular weight 326), equivalent to formula (8)” “KAYARAD R-604, equivalent to the formula (8)” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. can be mentioned.

成分(E)の数平均分子量は、樹脂ワニス乾燥時の揮発防止、樹脂組成物の溶融粘度が上昇しすぎるのを防止するという観点から、好ましくは100〜10000の範囲であり、より好ましくは200〜3000の範囲である。なお、本発明における数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法(ポリスチレンン換算)で測定される。GPC法による数平均分子量としては、例えば、測定装置として島津製作所社製「LC−9A/RID−6A」を用い、カラムとして昭和電工社製「Shodex K−800P/K−804L/K−804L」を、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度40℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。   The number average molecular weight of the component (E) is preferably in the range of 100 to 10,000, more preferably 200, from the viewpoint of preventing volatilization when drying the resin varnish and preventing the melt viscosity of the resin composition from excessively increasing. It is in the range of ~ 3000. In addition, the number average molecular weight in this invention is measured by the gel permeation chromatography (GPC) method (polystyrene conversion). As the number average molecular weight by the GPC method, for example, “LC-9A / RID-6A” manufactured by Shimadzu Corporation is used as a measuring device, and “Shodex K-800P / K-804L / K-804L” manufactured by Showa Denko KK is used as a column. Is measured at a column temperature of 40 ° C. using chloroform or the like as a mobile phase, and can be calculated using a standard polystyrene calibration curve.

成分(E)の含有量は、不揮発成分を100質量%とした場合、硬化物の誘電正接を低くする観点から、1質量%以上が好ましく、3質量%以上がより好ましい。また、樹脂ワニスの相溶性を向上させる観点から、15質量%以下が好ましく、10質量%がより好ましい。   The content of the component (E) is preferably 1% by mass or more and more preferably 3% by mass or more from the viewpoint of lowering the dielectric loss tangent of the cured product when the nonvolatile component is 100% by mass. Moreover, from a viewpoint of improving the compatibility of a resin varnish, 15 mass% or less is preferable and 10 mass% is more preferable.

成分(A)エポキシ樹脂と成分(E)との質量比(エポキシ樹脂の質量:成分(E)の質量)は、1:0.01〜1:100の範囲であることが好ましく、1:0.1〜1:90の範囲であることがより好ましく、1:0.1〜1:80の範囲であることがより好ましい。このような範囲内とすることで、相溶性を向上させることができる。   The mass ratio of the component (A) epoxy resin to the component (E) (the mass of the epoxy resin: the mass of the component (E)) is preferably in the range of 1: 0.01 to 1: 100, and 1: 0 More preferably, it is in the range of 1 to 1:90, and more preferably in the range of 1: 0.1 to 1:80. By making it in such a range, compatibility can be improved.

樹脂組成物は、成分(E)を含むことで、相溶性を向上させることができ、既に説明した成分(D)フッ素系充填材を樹脂組成物中でより均一に分散させることができる。結果として、樹脂組成物の均一性が向上するため、硬化物の導体層に対する密着性をより向上させることができ、さらには誘電正接を低下させることができる。結果として、形成される絶縁層の物性、電気的特性を向上させ、デバイスの信頼性を向上させることができる。   By including the component (E), the resin composition can improve the compatibility, and the component (D) fluorine-based filler described above can be more uniformly dispersed in the resin composition. As a result, since the uniformity of the resin composition is improved, the adhesion of the cured product to the conductor layer can be further improved, and further the dielectric loss tangent can be reduced. As a result, the physical properties and electrical characteristics of the formed insulating layer can be improved, and the reliability of the device can be improved.

<成分(F)硬化促進剤>
樹脂組成物は、成分(F)硬化促進剤を含有していてもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤、過酸化物系硬化促進剤が挙げられる。硬化促進剤としては、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
<Component (F) Curing Accelerator>
The resin composition may contain a component (F) curing accelerator. Examples of the curing accelerator include a phosphorus curing accelerator, an amine curing accelerator, an imidazole curing accelerator, a guanidine curing accelerator, a metal curing accelerator, and a peroxide curing accelerator. As the curing accelerator, a phosphorus curing accelerator, an amine curing accelerator, an imidazole curing accelerator, and a metal curing accelerator are preferable, and an amine curing accelerator, an imidazole curing accelerator, and a metal curing accelerator include More preferred. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、n−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、(4−メチルフェニル)トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネートが挙げられる。リン系硬化促進剤としては、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。   Examples of phosphorus curing accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate. , Tetraphenylphosphonium thiocyanate, and butyltriphenylphosphonium thiocyanate. As the phosphorus curing accelerator, triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)、ベンジルジメチルアミン、2,4,6,−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセンが挙げられる。アミン系硬化促進剤としては、4−ジメチルアミノピリジン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセンが好ましい。   Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP), benzyldimethylamine, 2,4,6, -tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1, 8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene is mentioned. As the amine curing accelerator, 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ[1,2−a]ベンズイミダゾール、1−ドデシル−2−メチル−3−ベンジルイミダゾリウムクロライド、2−メチルイミダゾリン、2−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。イミダゾール系硬化促進剤としては、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾールが好ましい。   Examples of the imidazole curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2 Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino- 6- [2′-Methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl- 4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl 3-benzyl-imidazolium chloride, 2-methyl-imidazoline, adduct of 2-phenyl-imidazo imidazole compounds such as phosphorus and imidazole compound and an epoxy resin. As the imidazole curing accelerator, 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよい。市販の用いられ得るイミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、三菱化学(株)製「P200−H50」が挙げられる。   A commercially available product may be used as the imidazole curing accelerator. Examples of commercially available imidazole-based curing accelerators include “P200-H50” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、1−メチルグアニジン、1−エチルグアニジン、1−シクロヘキシルグアニジン、1−フェニルグアニジン、1−(o−トリル)グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン、7−メチル−1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン、1−メチルビグアニド、1−エチルビグアニド、1−n−ブチルビグアニド、1−n−オクタデシルビグアニド、1,1−ジメチルビグアニド、1,1−ジエチルビグアニド、1−シクロヘキシルビグアニド、1−アリルビグアニド、1−フェニルビグアニド、1−(o−トリル)ビグアニドが挙げられる。グアニジン系硬化促進剤としては、ジシアンジアミド、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エンが好ましい。   Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] Deca-5-ene, 1-methyl biguanide, 1-ethyl biguanide, 1-n-butyl biguanide, 1-n-octadecyl biguanide, 1,1-dimethyl biguanide, 1,1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1 -Allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1- ( - tolyl), and the biguanide. As the guanidine curing accelerator, dicyandiamide and 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene are preferable.

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト(II)アセチルアセトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅(II)アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛(II)アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄(III)アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル(II)アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン(II)アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛が挙げられる。   Examples of the metal curing accelerator include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Organic zinc complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

過酸化物系硬化促進剤としては、例えば、シクロヘキサノンパーオキサイド、tert−ブチルパーオキシベンゾエート、メチルエチルケトンパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、tert−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−tert−ブチルパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、tert−ブチルハイドロパーオキサイドが挙げられる。   Examples of the peroxide curing accelerator include cyclohexanone peroxide, tert-butyl peroxybenzoate, methyl ethyl ketone peroxide, dicumyl peroxide, tert-butyl cumyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, diisopropylbenzene hydro Examples thereof include peroxide, cumene hydroperoxide, and tert-butyl hydroperoxide.

過酸化物系硬化促進剤としては、市販品を用いることができる。過酸化物系硬化促進剤としては、例えば、日油社製「パークミル D」が挙げられる。   A commercially available product can be used as the peroxide curing accelerator. Examples of the peroxide curing accelerator include “Park Mill D” manufactured by NOF Corporation.

樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は特に限定されない。硬化促進剤の含有量は、不揮発成分を100質量%とした場合、通常、0.01質量%〜3質量%であり、0.05質量%〜2質量%であることが好ましく、0.1質量%〜1質量%であることがより好ましい。   The content of the curing accelerator in the resin composition is not particularly limited. The content of the curing accelerator is usually 0.01% by mass to 3% by mass, preferably 0.05% by mass to 2% by mass, when the nonvolatile component is 100% by mass, More preferably, the content is 1% by mass to 1% by mass.

<成分(G)熱可塑性樹脂>
樹脂組成物は、成分(G)熱可塑性樹脂を含有していてもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂は、1種単独で用いてもよく、又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
<Component (G) thermoplastic resin>
The resin composition may contain a component (G) a thermoplastic resin. Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polycarbonate resin, polyetheretherketone resin, A polyester resin is mentioned. As the thermoplastic resin, a phenoxy resin is preferable. A thermoplastic resin may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、8000〜70000の範囲であることが好ましく、10000〜60000の範囲であることがより好ましく、20000〜60000の範囲であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として(株)島津製作所製「LC−9A/RID−6A」を用い、カラムとして昭和電工(株)製「Shodex K−800P/K−804L/K−804L」を用いて、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を40℃として測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。   The polystyrene-reduced weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably in the range of 8000 to 70000, more preferably in the range of 10,000 to 60000, and still more preferably in the range of 20000 to 60000. The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the polystyrene equivalent weight average molecular weight of the thermoplastic resin is “LC-9A / RID-6A” manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, and “Shodex K-” manufactured by Showa Denko KK as a column. 800P / K-804L / K-804L ", using chloroform or the like as the mobile phase, measuring the column temperature at 40 ° C, and calculating using a standard polystyrene calibration curve.

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA骨格、ビスフェノールF骨格、ビスフェノールS骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される1種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学(株)製「1256」及び「4250」(いずれもビスフェノールA骨格含有フェノキシ樹脂)、「YX8100」(ビスフェノールS骨格含有フェノキシ樹脂)、及び「YX6954」(ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂)が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学(株)製「FX280」及び「FX293」、三菱化学(株)製「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」、「YL7891BH30」及び「YL7482」が挙げられる。   Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene Examples thereof include phenoxy resins having a skeleton and one or more skeletons selected from the group consisting of a trimethylcyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. A phenoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Specific examples of the phenoxy resin include “1256” and “4250” (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resin), “YX8100” (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin), and “YX6954” (bisphenol) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. Other examples include “FX280” and “FX293” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., “YX6954BH30”, “YX7553”, “YX7553BH30”, “YL7769BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. , “YL6794”, “YL7213”, “YL7290”, “YL7891BH30”, and “YL7482”.

ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられる。ポリビニルアセタール樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、例えば、電気化学工業(株)製「電化ブチラール4000−2」、「電化ブチラール5000−A」、「電化ブチラール6000−C」、「電化ブチラール6000−EP」、積水化学工業(株)製のエスレックBHシリーズ、BXシリーズ(例えばBX−5Z)、KSシリーズ(例えばKS−1)、BLシリーズ、BMシリーズが挙げられる。   Examples of the polyvinyl acetal resin include a polyvinyl formal resin and a polyvinyl butyral resin. As the polyvinyl acetal resin, a polyvinyl butyral resin is preferable. Specific examples of the polyvinyl acetal resin include, for example, “Electrical butyral 4000-2”, “Electrical butyral 5000-A”, “Electrical butyral 6000-C”, “Electrical butyral 6000-EP” manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., Examples include SRECEC BH series, BX series (for example, BX-5Z), KS series (for example, KS-1), BL series, and BM series manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化(株)製「リカコートSN20」及び「リカコートPN20」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、2官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド(特開2006−37083号公報記載のポリイミド)、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド(特開2002−12667号公報及び特開2000−319386号公報等に記載のポリイミド)等の変性ポリイミドが挙げられる。   Specific examples of the polyimide resin include “Rika Coat SN20” and “Rika Coat PN20” manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd. Specific examples of the polyimide resin include linear polyimide obtained by reacting a bifunctional hydroxy group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride (polyimide described in JP-A-2006-37083), a polysiloxane skeleton. Examples thereof include modified polyimides such as containing polyimide (polyimides described in JP-A Nos. 2002-12667 and 2000-319386).

ポリアミドイミド樹脂としては、市販品を用いてもよい。市販の用いられ得るポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡(株)製「バイロマックスHR11NN」及び「バイロマックスHR16NN」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業(株)製「KS9100」、「KS9300」(ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド)等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。   A commercially available product may be used as the polyamideimide resin. Specific examples of commercially available polyamide-imide resins include “Vilomax HR11NN” and “Vilomax HR16NN” manufactured by Toyobo Co., Ltd. Specific examples of the polyamideimide resin include modified polyamideimides such as “KS9100” and “KS9300” (polysiloxane skeleton-containing polyamideimide) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

ポリエーテルスルホン樹脂としては、市販品を用いてもよい。市販の用いられ得るポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学(株)製「PES5003P」が挙げられる。   A commercially available product may be used as the polyethersulfone resin. Specific examples of commercially available polyethersulfone resins include “PES5003P” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.

ポリスルホン樹脂としては、市販品を用いてもよい。市販の用いられ得るポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ(株)製「P1700」、「P3500」が挙げられる。   A commercially available product may be used as the polysulfone resin. Specific examples of commercially available polysulfone resins that can be used include “P1700” and “P3500” manufactured by Solvay Advanced Polymers.

中でも、熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましい。好適な一実施形態において、熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される1種以上を含む。   Of these, phenoxy resin and polyvinyl acetal resin are preferable as the thermoplastic resin. In a preferred embodiment, the thermoplastic resin includes one or more selected from the group consisting of a phenoxy resin and a polyvinyl acetal resin.

樹脂組成物が熱可塑性樹脂を含有する場合、熱可塑性樹脂の含有量は、不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは0.5質量%〜15質量%、より好ましくは0.6質量%〜12質量%、さらに好ましくは0.7質量%〜10質量%である。   When the resin composition contains a thermoplastic resin, the content of the thermoplastic resin is preferably 0.5% by mass to 15% by mass, more preferably 0.6% by mass when the nonvolatile component is 100% by mass. It is -12 mass%, More preferably, it is 0.7 mass%-10 mass%.

<成分(H)難燃剤>
樹脂組成物は、成分(H)難燃剤を含有していてもよい。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物が挙げられる。難燃剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
<Component (H) Flame Retardant>
The resin composition may contain a component (H) flame retardant. Examples of the flame retardant include organic phosphorus flame retardants, organic nitrogen-containing phosphorus compounds, nitrogen compounds, silicone flame retardants, and metal hydroxides. A flame retardant may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

難燃剤としては、市販品を用いてもよい。市販の用いられ得る難燃剤としては、例えば、三光(株)製「HCA−HQ」、大八化学工業(株)製「PX−200」が挙げられる。   A commercially available product may be used as the flame retardant. Examples of commercially available flame retardants include “HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd. and “PX-200” manufactured by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd.

樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は特に限定されない。難燃剤の含有量は、不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは0.5質量%〜20質量%であり、より好ましくは0.5質量%〜15質量%であり、さらに好ましくは0.5質量%〜10質量%である。   When the resin composition contains a flame retardant, the content of the flame retardant is not particularly limited. The content of the flame retardant is preferably 0.5% by mass to 20% by mass, more preferably 0.5% by mass to 15% by mass, and further preferably 0 when the nonvolatile component is 100% by mass. 0.5 mass% to 10 mass%.

<成分(I)任意の添加剤>
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、任意の添加剤を含んでいてもよい。かかる任意の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤が挙げられる。
<Component (I) Optional Additive>
The resin composition may further contain an optional additive as necessary. Examples of such optional additives include organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds, and organic cobalt compounds, and resins such as thickeners, antifoaming agents, leveling agents, adhesion promoters, and colorants. An additive is mentioned.

<接着フィルム>
接着フィルムは、支持体と、該支持体に設けられた、既に説明した樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを備えている。
<Adhesive film>
The adhesive film includes a support and a resin composition layer that is provided on the support and includes the resin composition described above.

支持体
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられる。支持体としては、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
Support Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper. The support is preferably a film made of a plastic material or a metal foil.

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」という場合がある。)、ポリエチレンナフタレート(以下「PEN」という場合がある。)等のポリエステル、ポリカーボネート(以下「PC」という場合がある。)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリエーテルサルファイド(PES)、ポリエーテルケトン、ポリイミドが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価で入手性に優れるのでポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。   When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes referred to as “PET”) and polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes referred to as “PEN”). Examples include polyester, polycarbonate (hereinafter sometimes referred to as “PC”), acrylic polymer such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES), polyether ketone, and polyimide. It is done. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and polyethylene terephthalate is particularly preferable because it is inexpensive and excellent in availability.

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられる。支持体としては、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅のみからなる箔を用いてもよく、銅と他の金属(例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等)との銅合金からなる箔を用いてもよい。   When metal foil is used as the support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil. As the support, copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made only of copper may be used, and a foil made of a copper alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) is used. May be.

支持体は、樹脂組成物層と接合する側の面に、マット処理、コロナ処理、帯電防止処理を施してあってもよい。   The support may be subjected to mat treatment, corona treatment, and antistatic treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用することができる離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される1種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体としては、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するPETフィルムである、リンテック(株)製「SK−1」、「AL−5」、「AL−7」、東レ(株)製「ルミラーT6AM」が挙げられる。   Moreover, as a support body, you may use the support body with a release layer which has a release layer in the surface joined to a resin composition layer. Examples of the release agent that can be used for the release layer of the support with the release layer include one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins. Is mentioned. As the support with a release layer, a commercially available product may be used. For example, “SK-1” manufactured by Lintec Corporation, which is a PET film having a release layer mainly composed of an alkyd resin release agent. , “AL-5”, “AL-7”, “Lumirror T6AM” manufactured by Toray Industries, Inc.

支持体の厚さは、特に限定されない。支持体の厚さは、5μm〜75μmの範囲であることが好ましく、10μm〜60μmの範囲であることがより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。   The thickness of the support is not particularly limited. The thickness of the support is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, and more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. In addition, when using a support body with a release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a release layer is the said range.

樹脂組成物層
接着フィルムが備える樹脂組成物層は、樹脂ワニスの塗膜を半硬化した薄膜である。接着フィルムは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体に塗布し、樹脂ワニスの塗膜をある程度乾燥させて樹脂組成物層とすることにより製造することができる。
Resin Composition Layer The resin composition layer provided in the adhesive film is a thin film obtained by semi-curing a resin varnish coating. The adhesive film is prepared, for example, by preparing a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent, applying the resin varnish to a support using a die coater or the like, and drying the resin varnish coating film to some extent. It can manufacture by setting it as a physical layer.

樹脂組成物層の形成に用いられる有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド(DMAc)及びN−メチルピロリドン等のアミド系溶媒を挙げることができる。有機溶剤は1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。   Examples of the organic solvent used for forming the resin composition layer include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone, acetic acid such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate. Mention may be made of esters, carbitols such as cellosolve and butyl carbitol, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

樹脂ワニスの塗膜の乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施することができる。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が10質量%以下、好ましくは5質量%以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば30質量%〜60質量%の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、樹脂ワニスの塗膜を、50℃〜150℃で3分間〜10分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。   Drying of the coating film of the resin varnish can be carried out by a known method such as heating or hot air blowing. The drying conditions are not particularly limited, but the drying is performed so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of the organic solvent is used, the resin varnish coating is applied at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes. The resin composition layer can be formed by drying.

接着フィルムにおいて、樹脂組成物層の面のうちの支持体とは接合していない側の面(支持体とは反対側の面)には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではない。保護フィルムの厚さは、例えば、1μm〜40μmである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズがついてしまうことを抑制することができる。接着フィルムは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。接着フィルムが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がし、除去することによって使用可能となる。   In the adhesive film, a surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (the surface opposite to the support) may be further laminated with a protective film according to the support. it can. The thickness of the protective film is not particularly limited. The thickness of the protective film is, for example, 1 μm to 40 μm. By laminating the protective film, it is possible to suppress the adhesion or scratches of dust or the like to the surface of the resin composition layer. The adhesive film can be stored in a roll. When an adhesive film has a protective film, it can be used by peeling off and removing the protective film.

接着フィルムにおける樹脂組成物層(又は樹脂組成物)の最低溶融粘度は、樹脂組成物層が薄くともその厚さを安定して維持するという観点から、1000ポイズ(poise)以上であることが好ましく、1500ポイズ以上であることがより好ましく、2000ポイズ以上であることがさらに好ましい。樹脂組成物層の最低溶融粘度は、回路の埋め込み性を良好にする観点から、好ましくは12000ポイズ以下であり、より好ましくは10000ポイズ以下であり、さらに好ましくは8000ポイズ以下であり、特に好ましくは5000ポイズ以下である。   The minimum melt viscosity of the resin composition layer (or resin composition) in the adhesive film is preferably 1000 poise or more from the viewpoint of stably maintaining the thickness even when the resin composition layer is thin. More preferably, it is 1500 poise or more, and further preferably 2000 poise or more. The minimum melt viscosity of the resin composition layer is preferably 12000 poise or less, more preferably 10,000 poise or less, still more preferably 8000 poise or less, particularly preferably, from the viewpoint of improving circuit embedding properties. It is less than 5000 poise.

「樹脂組成物層の最低溶融粘度」とは、樹脂組成物層が溶融した際に呈する最低の粘度をいう。詳細には、一定の昇温速度で樹脂組成物層を加熱して溶融させると、初期においては溶融粘度が温度上昇とともに低下し、その後、ある程度の時間の経過により温度上昇とともに溶融粘度が上昇する。最低溶融粘度とは、溶融粘度が最も低下した極小点の溶融粘度をいう。樹脂組成物層の最低溶融粘度は、動的粘弾性法により測定することができる。   The “minimum melt viscosity of the resin composition layer” refers to the minimum viscosity exhibited when the resin composition layer is melted. Specifically, when the resin composition layer is heated and melted at a constant rate of temperature increase, the melt viscosity initially decreases as the temperature rises, and then the melt viscosity increases as the temperature rises over a period of time. . The lowest melt viscosity is the minimum melt viscosity at which the melt viscosity is the lowest. The minimum melt viscosity of the resin composition layer can be measured by a dynamic viscoelastic method.

<プリプレグ>
高周波回路基板にかかる絶縁層は、既に説明した接着フィルムに代えて、プリプレグを用いて形成してもよい。プリプレグは、シート状繊維基材に後述する樹脂組成物を含浸させて形成することができる。
<Prepreg>
The insulating layer on the high-frequency circuit board may be formed using a prepreg instead of the adhesive film described above. The prepreg can be formed by impregnating a sheet-like fiber base material with a resin composition described later.

プリプレグに用いられるシート状繊維基材は特に限定されない。シート状繊維基材としては、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。高周波回路基板の薄型化の観点から、シート状繊維基材の厚さは、好ましくは900μm以下であり、より好ましくは800μm以下であり、さらに好ましくは700μm以下であり、さらにより好ましくは600μm以下である。導体層の形成にかかるめっきのもぐり深さを小さく抑えることができるため、30μm以下であることが好ましく、20μm以下であることがより好ましく、10μm以下であることがさらに好ましい。シート状繊維基材の厚さは、通常、1μm以上とすることができ、1.5μm以上とすることができ、2μm以上とすることができる。   The sheet-like fiber base material used for the prepreg is not particularly limited. As the sheet-like fiber substrate, those commonly used as prepreg substrates such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric can be used. From the viewpoint of reducing the thickness of the high-frequency circuit board, the thickness of the sheet-like fiber base material is preferably 900 μm or less, more preferably 800 μm or less, still more preferably 700 μm or less, and even more preferably 600 μm or less. is there. Since the depth of plating for forming the conductor layer can be kept small, it is preferably 30 μm or less, more preferably 20 μm or less, and even more preferably 10 μm or less. The thickness of the sheet-like fiber base material can usually be 1 μm or more, 1.5 μm or more, and 2 μm or more.

プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。   The prepreg can be produced by a known method such as a hot melt method or a solvent method.

プリプレグの厚さは、上述の接着フィルムにおける樹脂組成物層と同様の範囲とし得る。   The thickness of the prepreg can be in the same range as the resin composition layer in the adhesive film described above.

[高周波回路基板]
本発明の高周波回路基板は、高周波回路基板の絶縁層形成用である、既に説明した樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
[High-frequency circuit board]
The high-frequency circuit board of the present invention includes an insulating layer formed of a cured product of the resin composition described above, which is for forming an insulating layer of the high-frequency circuit board.

ここで「高周波回路基板」とは、高周波帯域の電気信号であっても動作させることができる回路基板を意味する。ここで「高周波帯域」とは、1GHz以上の帯域を意味し、本発明では特に28GHz〜80GHzの帯域において有効である。   Here, the “high frequency circuit board” means a circuit board that can be operated even with an electric signal in a high frequency band. Here, the “high frequency band” means a band of 1 GHz or more, and is particularly effective in the band of 28 GHz to 80 GHz in the present invention.

高周波回路基板が備えている、内層回路基板及びこの内層回路基板に設けられている絶縁層それぞれについて説明する。   Each of the inner layer circuit board and the insulating layer provided on the inner layer circuit board provided in the high frequency circuit board will be described.

<内層回路基板>
「内層回路基板」とは、コア基材である例えばガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板といった基板の片面側又は両面側の主表面に、直接的又は間接的に所定のパターンにパターン加工された導体層(配線層)、すなわち電気的な回路を備えている基板をいう。
<Inner layer circuit board>
“Inner layer circuit board” is a main surface of one or both sides of a substrate such as a glass epoxy board, a metal board, a polyester board, a polyimide board, a BT resin board, a thermosetting polyphenylene ether board, which is a core base material, A conductor layer (wiring layer) patterned directly or indirectly into a predetermined pattern, that is, a substrate having an electrical circuit.

高周波回路基板に用いることができる内層回路基板の厚さは、通常50μm〜4000μmであり、高周波回路基板の機械的強度の向上及び低背化(厚さの低減)の観点から、好ましくは200μm〜3200μmである。   The thickness of the inner layer circuit board that can be used for the high-frequency circuit board is usually 50 μm to 4000 μm. From the viewpoint of improving the mechanical strength and reducing the height (reducing the thickness) of the high-frequency circuit board, preferably 200 μm to 3200 μm.

内層回路基板には、内層回路基板が備える両面側の2層の導体層(及び絶縁層に設けられる導体層)を相互に電気的に接続するために、一方の主表面から他方の主表面に至る1個以上のスルーホールが設けられていてもよく、受動素子といった任意好適なさらなる構成要素を備えていてもよい。   In order to electrically connect the two conductor layers (and the conductor layer provided on the insulating layer) on both sides of the inner layer circuit board to the inner layer circuit board, the inner layer circuit board is connected from one main surface to the other main surface. One or more through-holes may be provided, and any suitable additional components such as passive elements may be provided.

<絶縁層>
高周波回路基板にかかる絶縁層は、後述する樹脂組成物を熱硬化した硬化物の層である。かかる硬化物からなる絶縁層は、特に高周波回路基板用の絶縁層に好適に適用することができる。
<Insulating layer>
The insulating layer concerning a high frequency circuit board is a layer of the hardened | cured material which heat-cured the resin composition mentioned later. Such an insulating layer made of a cured product can be suitably applied particularly to an insulating layer for a high-frequency circuit board.

高周波回路基板において、絶縁層は1層のみが設けられていてもよいし、2層以上が設けられていてもよい。なお、2層以上の絶縁層が設けられる場合には、導体層(配線)と絶縁層とが交互に積層されたビルドアップ層として設けることができる。   In the high-frequency circuit board, only one insulating layer may be provided, or two or more layers may be provided. In the case where two or more insulating layers are provided, the insulating layer can be provided as a buildup layer in which conductor layers (wirings) and insulating layers are alternately stacked.

高周波回路基板にかかる絶縁層の厚さは、通常20μm〜200μmであり、電気的特性の向上と高周波回路基板の低背化の観点から、好ましくは50μm〜150μmである。   The thickness of the insulating layer applied to the high frequency circuit board is usually 20 μm to 200 μm, and preferably 50 μm to 150 μm from the viewpoint of improving electrical characteristics and reducing the height of the high frequency circuit board.

絶縁層は、内層回路基板が備える導体層と絶縁層に設けられる導体層とを電気的に接続するための、又は2層以上の絶縁層に設けられる導体層同士を電気的に接続するための1個以上のビアホールを備えていてもよい。   The insulating layer is for electrically connecting a conductor layer provided in the inner layer circuit board and a conductor layer provided in the insulating layer, or for electrically connecting conductor layers provided in two or more insulating layers. One or more via holes may be provided.

絶縁層の誘電率は、より低いことが好ましい。誘電率は、高周波の電気信号の伝送損失をより小さくする観点から、3.0以下であることが好ましく、2.9以下であることがより好ましく、2.8以下であることがさらに好ましい。誘電率の下限値は特に制限されないが、通常1以上となる。   The dielectric constant of the insulating layer is preferably lower. The dielectric constant is preferably 3.0 or less, more preferably 2.9 or less, and even more preferably 2.8 or less, from the viewpoint of further reducing transmission loss of high-frequency electrical signals. The lower limit value of the dielectric constant is not particularly limited, but is usually 1 or more.

絶縁層は、より低い誘電正接を示すことが好ましい。誘電正接は、高周波信号の伝送時の発熱防止、信号遅延及び信号ノイズの低減の観点から、0.0049以下であることが好ましく、0.0048以下であることがより好ましく、0.0047以下であることがさらに好ましい。誘電正接の下限値は特に制限されないが、通常0.0001以上となる。   The insulating layer preferably exhibits a lower dielectric loss tangent. The dielectric loss tangent is preferably 0.0049 or less, more preferably 0.0048 or less, and more preferably 0.0047 or less, from the viewpoint of preventing heat generation during transmission of a high-frequency signal, reducing signal delay and signal noise. More preferably it is. The lower limit value of the dielectric loss tangent is not particularly limited, but is usually 0.0001 or more.

誘電正接及び誘電率は、後述する「誘電率及び誘電正接の評価及び評価」に記載の方法に従って測定することができる。   The dielectric loss tangent and dielectric constant can be measured according to the method described in “Evaluation and evaluation of dielectric constant and dielectric loss tangent” described later.

高周波回路基板にかかる絶縁層は、導体層に対する良好な密着性、すなわち導体層に対する優れたピール強度を示す。導体層に対するピール強度は、好ましくは0.4kgf/cm以上であり、より好ましくは0.5kgf/cm以上であり、さらに好ましくは0.6kgf/cm以上である。導体層に対するピール強度の上限値は特に制限されないが、通常2kgf/cm以下となる。導体層に対するピール強度の評価は、後述する「ピール強度の測定及び評価」に記載の方法に従って測定することができる。   The insulating layer applied to the high-frequency circuit board exhibits good adhesion to the conductor layer, that is, excellent peel strength to the conductor layer. The peel strength with respect to the conductor layer is preferably 0.4 kgf / cm or more, more preferably 0.5 kgf / cm or more, and further preferably 0.6 kgf / cm or more. Although the upper limit of the peel strength with respect to the conductor layer is not particularly limited, it is usually 2 kgf / cm or less. The peel strength of the conductor layer can be evaluated according to the method described in “Measurement and evaluation of peel strength” described later.

[高周波回路基板の製造方法]
次に、高周波回路基板の製造方法について説明する。
[Method for manufacturing high-frequency circuit board]
Next, a method for manufacturing a high-frequency circuit board will be described.

高周波回路基板は、既に説明した接着フィルムを用いて、下記工程(I)及び工程(II)を含む製造方法により製造することができる。
工程(I)内層回路基板に、接着フィルムを、該接着フィルムの樹脂組成物層が内層回路基板と接合するように積層する工程
工程(II)樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程
A high frequency circuit board can be manufactured by the manufacturing method including the following process (I) and process (II) using the adhesive film already demonstrated.
Step (I) Step of laminating an adhesive film on the inner layer circuit board so that the resin composition layer of the adhesive film is bonded to the inner layer circuit substrate Step (II) Forming an insulating layer by thermosetting the resin composition layer Process

内層回路基板への接着フィルムの積層は、例えば、支持体側から接着フィルムを内層回路基板に押圧しつつ加熱する加熱圧着工程により行うことができる。加熱圧着工程のための部材(「加熱圧着部材」ともいう。)としては、例えば、加熱された金属板(SUS鏡板等)又は金属ロール(SUSロール)が挙げられる。なお、加熱圧着部材を接着フィルムの支持体に直接的に押し当ててプレスするのではなく、内層回路基板の主表面の凹凸に接着フィルムが十分に追随するように、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスすることが好ましい。   Lamination | stacking of the adhesive film to an inner layer circuit board can be performed by the thermocompression bonding process heated, for example, pressing an adhesive film to an inner layer circuit board from a support body side. Examples of the member for the thermocompression bonding process (also referred to as “thermocompression bonding member”) include a heated metal plate (SUS end plate or the like) or a metal roll (SUS roll). Instead of pressing the thermocompression bonding member directly against the support of the adhesive film, an elastic material such as heat-resistant rubber is used so that the adhesive film sufficiently follows the irregularities on the main surface of the inner circuit board. It is preferable to press through.

内層回路基板と接着フィルムとの積層は、真空ラミネート法により実施することができる。真空ラミネート法において、加熱圧着の温度は、好ましくは60℃〜160℃の範囲であり、より好ましくは80℃〜140℃の範囲である。加熱圧着の圧力は、好ましくは0.098MPa〜1.77MPaの範囲であり、より好ましくは0.29MPa〜1.47MPaの範囲であり、加熱圧着の時間は、好ましくは20秒間〜400秒間の範囲であり、より好ましくは30秒間〜300秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力26.7hPa以下の減圧条件下で実施する。   Lamination of the inner circuit board and the adhesive film can be performed by a vacuum laminating method. In the vacuum laminating method, the thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 60 ° C to 160 ° C, more preferably in the range of 80 ° C to 140 ° C. The pressure for thermocompression bonding is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably in the range of 0.29 MPa to 1.47 MPa, and the time for thermocompression bonding is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds. More preferably, it is in the range of 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably performed under reduced pressure conditions with a pressure of 26.7 hPa or less.

積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、(株)名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ(株)製のバキュームアップリケーターが挙げられる。   Lamination can be performed with a commercially available vacuum laminator. Examples of the commercially available vacuum laminator include a vacuum pressure laminator manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd. and a vacuum applicator manufactured by Nikko Materials Co., Ltd.

積層の後に、常圧下(大気圧下)、例えば、加熱圧着部材で支持体側からさらにプレスすることにより、積層された樹脂組成物層の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着の条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層及び平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。   After lamination, the laminated resin composition layer may be smoothed by further pressing from the support side under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, with a thermocompression bonding member. The pressing conditions for the smoothing treatment can be the same as the conditions for the thermocompression bonding of the laminate. The smoothing treatment can be performed with a commercially available laminator. In addition, you may perform a lamination | stacking and smoothing process continuously using said commercially available vacuum laminator.

支持体は、工程(I)と工程(II)との間に除去してもよく、工程(II)の後に除去してもよい。   The support may be removed between step (I) and step (II), or may be removed after step (II).

工程(II)において、積層(及び平滑化処理)された樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。   In step (II), the laminated (and smoothing) resin composition layer is thermoset to form an insulating layer.

樹脂組成物層の熱硬化の条件は特に限定されず、高周波回路基板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を採用することができる。   The conditions for thermosetting the resin composition layer are not particularly limited, and conditions usually employed when forming the insulating layer of the high-frequency circuit board can be employed.

樹脂組成物層の熱硬化条件は、例えば、硬化温度を120℃〜240℃の範囲(好ましくは150℃〜220℃の範囲、より好ましくは170℃〜200℃の範囲)とし、硬化時間を5分間〜120分間の範囲(好ましくは10分間〜100分間、より好ましくは15分間〜90分間)とすることができる。   The thermosetting conditions of the resin composition layer include, for example, a curing temperature in the range of 120 ° C. to 240 ° C. (preferably in the range of 150 ° C. to 220 ° C., more preferably in the range of 170 ° C. to 200 ° C.), and a curing time of 5 It can be in the range of minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化するのに先立ち、50℃以上120℃未満(好ましくは60℃以上110℃以下、より好ましくは70℃以上100℃以下)の温度にて、樹脂組成物層を5分間以上(好ましくは5分間〜150分間、より好ましくは15分間〜120分間)予備加熱してもよい。   Before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer is formed at a temperature of 50 ° C. or higher and lower than 120 ° C. (preferably 60 ° C. or higher and 110 ° C. or lower, more preferably 70 ° C. or higher and 100 ° C. or lower). Preheating may be performed for 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

高周波回路基板を製造するに際しては、(III)絶縁層に穴あけする工程、(IV)絶縁層を粗化処理する工程、及び(V)導体層を形成する工程のうちのいずれかをさらに実施してもよい。これらの工程(III)乃至(V)は、高周波回路基板の製造に用いられる、当業者に公知の各種方法に従って実施することができる。なお、支持体を工程(II)の後に除去する場合、該支持体の除去は、工程(II)と工程(III)との間、工程(III)と工程(IV)との間、又は工程(IV)と工程(V)との間に実施することができる。   When manufacturing a high-frequency circuit board, any one of (III) a step of drilling an insulating layer, (IV) a step of roughening the insulating layer, and (V) a step of forming a conductor layer is further performed. May be. These steps (III) to (V) can be performed according to various methods known to those skilled in the art, which are used for manufacturing a high-frequency circuit board. When the support is removed after step (II), the support is removed between step (II) and step (III), between step (III) and step (IV), or step It can be carried out between (IV) and step (V).

他の実施形態において、本発明の高周波回路基板にかかる絶縁層は、接着フィルムに代えて、既に説明したプリプレグを用いて形成してもよい。プリプレグを用いる絶縁層の形成は、基本的に接着フィルムを用いる場合と同様の工程により実施することができる。   In another embodiment, the insulating layer according to the high-frequency circuit board of the present invention may be formed using the prepreg already described instead of the adhesive film. The formation of the insulating layer using the prepreg can be basically performed by the same process as in the case of using the adhesive film.

工程(III)は、絶縁層に穴あけする工程であり、これにより絶縁層にビアホール、スルーホール等のホールを形成することができる。工程(III)は、絶縁層の形成に使用した樹脂組成物の組成等に応じて、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等を使用して実施することができる。ホールの寸法や形状は、高周波回路基板のデザインに応じて適宜決定することができる。   Step (III) is a step of making a hole in the insulating layer, whereby holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. Step (III) can be performed using, for example, a drill, a laser, plasma, or the like according to the composition of the resin composition used for forming the insulating layer. The dimensions and shape of the holes can be appropriately determined according to the design of the high-frequency circuit board.

工程(IV)は、絶縁層を粗化処理する工程である。粗化処理の手順、条件は特に限定されず、高周波回路基板の絶縁層を形成するに際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施して絶縁層を粗化処理することができる。膨潤液は特に限定されない。膨潤液としては、例えばアルカリ溶液、界面活性剤溶液が挙げられる。膨潤液は、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン(株)製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスP」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU」が挙げられる。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されない。膨潤処理は、例えば、30℃〜90℃の膨潤液に絶縁層を1分間〜20分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、40℃〜80℃の膨潤液に絶縁層を5分間〜15分間浸漬させることが好ましい。酸化剤は、特に限定されない。酸化剤としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、60℃〜80℃に加熱した酸化剤溶液に絶縁層を10分間〜30分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は5質量%〜10質量%が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン(株)製「コンセントレート・コンパクトCP」、「ドージングソリューション・セキュリガンスP」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、中和液としては、酸性の水溶液が好ましい。中和液の市販品としては、例えば、アトテックジャパン(株)製「リダクションソリューション・セキュリガンスP」が挙げられる。中和液による処理は、酸化剤による粗化処理がなされた絶縁層の処理面を30℃〜80℃の中和液に5分間〜30分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤による粗化処理がなされた絶縁層を、40℃〜70℃の中和液に5分間〜20分間浸漬することが好ましい。   Step (IV) is a step of roughening the insulating layer. The procedure and conditions for the roughening treatment are not particularly limited, and known procedures and conditions that are normally used when forming the insulating layer of the high-frequency circuit board can be adopted. For example, the insulating layer can be roughened by performing a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent, and a neutralization treatment with a neutralizing liquid in this order. The swelling liquid is not particularly limited. Examples of the swelling liquid include an alkaline solution and a surfactant solution. The swelling liquid is preferably an alkaline solution, and the alkaline solution is more preferably a sodium hydroxide solution or a potassium hydroxide solution. Examples of commercially available swelling liquids include “Swelling Dip Securigans P” and “Swelling Dip Securigans SBU” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. The swelling treatment with the swelling liquid is not particularly limited. The swelling treatment can be performed, for example, by immersing the insulating layer in a swelling liquid at 30 ° C. to 90 ° C. for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin in the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in a swelling liquid at 40 ° C. to 80 ° C. for 5 minutes to 15 minutes. The oxidizing agent is not particularly limited. Examples of the oxidizing agent include an alkaline permanganate solution in which potassium permanganate or sodium permanganate is dissolved in an aqueous solution of sodium hydroxide. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably performed by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated to 60 to 80 ° C. for 10 to 30 minutes. The concentration of permanganate in the alkaline permanganate solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as “Concentrate Compact CP” and “Dosing Solution Securigans P” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. Moreover, as a neutralization liquid, acidic aqueous solution is preferable. As a commercial item of a neutralization liquid, Atotech Japan Co., Ltd. product "Reduction Solution Securigans P" is mentioned, for example. The treatment with the neutralizing solution can be performed by immersing the treated surface of the insulating layer subjected to the roughening treatment with the oxidizing agent in the neutralizing solution at 30 to 80 ° C. for 5 to 30 minutes. From the viewpoint of workability and the like, it is preferable to immerse the insulating layer subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 40 ° C. to 70 ° C. for 5 minutes to 20 minutes.

一実施形態において、粗化処理後の絶縁層の表面の算術平均粗さ(Ra)は、好ましくは280nm以下であり、より好ましくは250nm以下であり、さらに好ましくは200nm以下であり、140nm以下、130nm以下、120nm以下、110nm以下、100nm以下、95nm以下、又は90nm以下である。Ra値は0.5nm以上であることが好ましく、1nm以上であることがより好ましい。絶縁層の表面の算術平均粗さ(Ra)は、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ社製「WYKO NT3300」が挙げられる。   In one embodiment, the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 280 nm or less, more preferably 250 nm or less, still more preferably 200 nm or less, 140 nm or less, 130 nm or less, 120 nm or less, 110 nm or less, 100 nm or less, 95 nm or less, or 90 nm or less. The Ra value is preferably 0.5 nm or more, and more preferably 1 nm or more. The arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the insulating layer can be measured using a non-contact type surface roughness meter. As a specific example of the non-contact type surface roughness meter, “WYKO NT3300” manufactured by Becoins Instruments Co., Ltd. may be mentioned.

工程(V)は、導体層を形成する工程である。   Step (V) is a step of forming a conductor layer.

導体層に用いられる材料は特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される1種以上の金属を含む。導体層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される2種以上の金属の合金(例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金)から形成された層が挙げられる。中でも、導体層の形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。   The material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer is one or more selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. Contains metal. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. As the alloy layer, for example, an alloy of two or more metals selected from the above group (for example, nickel-chromium alloy, copper- A layer formed from a nickel alloy and a copper / titanium alloy). Above all, from the viewpoint of versatility of forming the conductor layer, cost, easiness of patterning, etc., single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or nickel / chromium alloy, copper -Nickel alloy, copper-titanium alloy alloy layer is preferable, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper single metal layer, or nickel-chromium alloy alloy layer is more preferable, copper A single metal layer is more preferred.

導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が2層以上積層した多層構造であってもよい。導体層が多層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。   The conductor layer may have a single layer structure or a multilayer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys are laminated. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of nickel / chromium alloy.

導体層の厚さは、通常、3μm〜200μmであり、好ましくは10μm〜100μmである。   The thickness of the conductor layer is usually 3 μm to 200 μm, preferably 10 μm to 100 μm.

一実施形態において、導体層は、接着フィルムの支持体として用いられた金属箔を利用して、これを直接的にパターニングして形成することもできるし、まためっきにより形成することができる。めっきによる形成方法としては、例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法といった従来公知の方法により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。以下、導体層をセミアディティブ法により形成する例について説明する。   In one embodiment, the conductor layer can be formed by directly patterning the metal foil used as the support for the adhesive film, or by plating. As a formation method by plating, for example, the surface of the insulating layer can be plated by a conventionally known method such as a semi-additive method or a full additive method to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Hereinafter, an example in which the conductor layer is formed by the semi-additive method will be described.

まず、絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応するようにめっきシード層の一部分を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより金属層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。   First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, a mask pattern for exposing a part of the plating seed layer is formed on the formed plating seed layer so as to correspond to a desired wiring pattern. A metal layer is formed by electrolytic plating on the exposed plating seed layer, and then the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern.

高周波回路基板が2層以上の絶縁層及び配線層(ビルドアップ層)を備える場合には、既に説明した絶縁層の形成工程、導体層の形成工程をさらに1回以上繰り返して実施することにより高周波回路として機能し得る多層配線構造を備える高周波回路基板を製造することができる。   When the high-frequency circuit board includes two or more insulating layers and wiring layers (build-up layers), the above-described insulating layer forming step and conductor layer forming step are repeated one or more times to perform high frequency. A high-frequency circuit board having a multilayer wiring structure that can function as a circuit can be manufactured.

[半導体装置]
半導体装置は、既に説明した高周波回路基板を含む。換言すると、本発明の半導体装置は、本発明の高周波回路基板を用いて製造することができる。
[Semiconductor device]
The semiconductor device includes the already described high-frequency circuit board. In other words, the semiconductor device of the present invention can be manufactured using the high-frequency circuit board of the present invention.

半導体装置としては、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。   Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices used for electrical products (for example, computers, mobile phones, digital cameras, and televisions) and vehicles (for example, motorcycles, automobiles, trains, ships, and aircrafts).

半導体装置は、高周波回路基板の導通箇所に、部品(半導体チップ)を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「高周波回路基板における電気信号を伝送することができる箇所」であって、その箇所は高周波回路基板の表面であっても、高周波回路基板の厚さ内に埋め込まれた箇所であっても構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。   The semiconductor device can be manufactured by mounting a component (semiconductor chip) on a conductive portion of the high-frequency circuit board. “Conducting part” means “a part where an electric signal can be transmitted in the high-frequency circuit board”, and the part is embedded in the thickness of the high-frequency circuit board even if it is the surface of the high-frequency circuit board. It may be a place. The semiconductor chip is not particularly limited as long as it is an electric circuit element made of a semiconductor.

本発明の半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されない。半導体チップの実装方法としては、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法、異方性導電フィルム(ACF)による実装方法、非導電性フィルム(NCF)による実装方法が挙げられる。ここで、「バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法」とは、「半導体チップを高周波回路基板に直接的に埋め込み、半導体チップと高周波回路基板の配線とを接続させる実装方法」を意味する。   The semiconductor chip mounting method for manufacturing the semiconductor device of the present invention is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively. Specifically, the semiconductor chip mounting method includes a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, a mounting method using a bumpless buildup layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), and a non-conductive property. There is a mounting method using a film (NCF). Here, “a mounting method using a build-up layer without a bump (BBUL)” means “a mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a high-frequency circuit board and the wiring of the semiconductor chip and the high-frequency circuit board are connected”. .

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、「部」及び「%」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量%」を意味する。   EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following description, “parts” and “%” mean “parts by mass” and “% by mass”, respectively, unless otherwise specified.

<実施例1>
ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)20部、をソルベントナフサ20部に撹拌しながら加熱溶解し、その後常温にまで冷却した。無機充填材(アドマテックス社製「SO−C2」、平均粒径0.5μm、単位表面積当たりのカーボン量0.38mg/m)60部、PTFE粒子(ダイキン工業(株)製「ルブロンL−2」、平均粒子径3μm)30部を混合し、3本ロールで混練し分散させた。そこへ、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC−8000−65T」、活性基当量約223の不揮発成分65%のトルエン溶液)46.1部、5員環以上の環状エーテル構造を有する化合物(ビニル化合物)(新中村化学工業社製「A−DOG」)10部、硬化促進剤である4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)の5%のMEK溶液2部及びジクミルパーオキサイド(日油社製「パークミル D」)0.13部を混合し、回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス1を調製した。
<Example 1>
20 parts of bixylenol type epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent of about 185) was dissolved in 20 parts of solvent naphtha with stirring and then cooled to room temperature. 60 parts of inorganic filler (“SO-C2” manufactured by Admatechs, average particle size of 0.5 μm, carbon amount per unit surface area of 0.38 mg / m 2 ), PTFE particles (“Lublon L- manufactured by Daikin Industries, Ltd.”) 2 ”, average particle diameter 3 μm) 30 parts were mixed, kneaded with three rolls and dispersed. Thereto, an active ester curing agent (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC, a toluene solution of 65% non-volatile component having an active group equivalent of about 223) 46.1 parts, a compound having a cyclic ether structure of 5 or more members (Vinyl compound) (“A-DOG” manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) 10 parts, 2 parts of a 5% MEK solution of 4-dimethylaminopyridine (DMAP), which is a curing accelerator, and dicumyl peroxide (NOF Corporation) Resin varnish 1 was prepared by mixing 0.13 part (manufactured “Park Mill D”) and uniformly dispersing with a rotary mixer.

<実施例2>
ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)を30部、無機充填材(アドマテックス社製「SO−C2」、平均粒径0.5μm、単位表面積当たりのカーボン量0.38mg/m)を50部に変更し、PTFE粒子(ダイキン工業(株)製「ルブロンL−2」、平均粒子径3μm)を21部に変更し、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC−8000−65T」、活性基当量約223の不揮発成分65%のトルエン溶液)を61.5部に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂ワニス2を調製した。
<Example 2>
30 parts of bixylenol type epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent of about 185), inorganic filler (“SO-C2” manufactured by Admatechs, average particle size of 0.5 μm, amount of carbon per unit surface area) 0.38 mg / m 2 ) was changed to 50 parts, PTFE particles (“Lublon L-2” manufactured by Daikin Industries, Ltd., average particle diameter 3 μm) were changed to 21 parts, and an active ester curing agent (DIC Corporation). “HPC-8000-65T” (a toluene solution of 65% non-volatile component having an active group equivalent of about 223) was changed to 61.5 parts. A resin varnish 2 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

<実施例3>
無機充填材(アドマテックス社製「SO−C2」、平均粒径0.5μm、単位表面積当たりのカーボン量0.38mg/m)を80部に変更し、PTFE粒子(ダイキン工業(株)製「ルブロンL−2」、平均粒子径3μm)を20部に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂ワニス3を調製した。
<Example 3>
Inorganic filler (“SO-C2” manufactured by Admatechs, average particle size 0.5 μm, carbon amount per unit surface area 0.38 mg / m 2 ) was changed to 80 parts, PTFE particles (Daikin Industries, Ltd.) "Lublon L-2", average particle diameter 3 μm) was changed to 20 parts. A resin varnish 3 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

<実施例4>
無機充填材(アドマテックス社製「SO−C2」、平均粒径0.5μm、単位表面積当たりのカーボン量0.38mg/m)を30部に変更し、PTFE粒子(ダイキン工業(株)製「ルブロンL−2」、平均粒子径3μm)を60部に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂ワニス4を調製した。
<Example 4>
Inorganic filler ("Ad-Tex""SO-C2", average particle size 0.5 μm, carbon amount per unit surface area 0.38 mg / m 2 ) was changed to 30 parts, PTFE particles (Daikin Kogyo Co., Ltd.) "Lublon L-2", average particle diameter 3 μm) was changed to 60 parts. A resin varnish 4 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

<比較例1>
ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)を30部に変更し、無機充填材(アドマテックス社製「SO−C2」、平均粒径0.5μm、単位表面積当たりのカーボン量0.38mg/m)を100部に変更し、PTFE粒子(ダイキン工業(株)製「ルブロンL−2」、平均粒子径3μm)を20部に変更し、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC−8000−65T」、活性基当量約223の不揮発成分65%のトルエン溶液)を61.5部に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂ワニス5を調製した。
<Comparative Example 1>
Bixylenol type epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent of about 185) was changed to 30 parts, and inorganic filler (“SO-C2” manufactured by Admatechs Co., Ltd., average particle size 0.5 μm, per unit surface area) The carbon amount of 0.38 mg / m 2 ) was changed to 100 parts, PTFE particles (“Lublon L-2” manufactured by Daikin Industries, Ltd., average particle size 3 μm) were changed to 20 parts, and an active ester curing agent. (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC Corporation, a toluene solution of a 65% non-volatile component having an active group equivalent of about 223) was changed to 61.5 parts. A resin varnish 5 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

<比較例2>
無機充填材(アドマテックス社製「SO−C2」、平均粒径0.5μm、単位表面積当たりのカーボン量0.38mg/m)を15部に変更し、PTFE粒子(ダイキン工業(株)製「ルブロンL−2」、平均粒子径3μm)を50部に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂ワニス6を調製した。
<Comparative Example 2>
Inorganic filler (“SO-C2” manufactured by Admatechs Co., Ltd., average particle size 0.5 μm, carbon amount per unit surface area 0.38 mg / m 2 ) was changed to 15 parts, and PTFE particles (Daikin Industries, Ltd.) "Lublon L-2", average particle diameter 3 μm) was changed to 50 parts. A resin varnish 6 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

<比較例3>
無機充填材(アドマテックス社製「SO−C2」、平均粒径0.5μm、単位表面積当たりのカーボン量0.38mg/m)を20部に変更し、PTFE粒子(ダイキン工業(株)製「ルブロンL−2」、平均粒子径3μm)を5部に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂ワニス7を調製した。
<Comparative Example 3>
The inorganic filler ("SO-C2" manufactured by Admatechs Co., Ltd., average particle size 0.5 µm, carbon amount per unit surface area 0.38 mg / m 2 ) was changed to 20 parts, and PTFE particles (Daikin Industries, Ltd.) “Lublon L-2”, average particle size 3 μm) was changed to 5 parts. A resin varnish 7 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

<比較例4>
無機充填材(アドマテックス社製「SO−C2」、平均粒径0.5μm、単位表面積当たりのカーボン量0.38mg/m)を35部に変更し、PTFE粒子(ダイキン工業(株)製「ルブロンL−2」、平均粒子径3μm)を80部に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂ワニス8を調製した。
<Comparative example 4>
Inorganic filler ("Ad-Tex""SO-C2", average particle size 0.5 μm, carbon amount per unit surface area 0.38 mg / m 2 ) was changed to 35 parts, PTFE particles (Daikin Industries, Ltd.) "Lublon L-2", average particle diameter 3 μm) was changed to 80 parts. A resin varnish 8 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

<比較例5>
活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC−8000−65T」、活性基当量約223の不揮発成分65%のトルエン溶液)をノボラック構造を有するナフトール系硬化剤(フェノール性水酸基当量215、新日鉄住金化学社製「SN−485」、不揮発成分50%のMEK溶液)を40部に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂ワニス9を調製した。
<Comparative Example 5>
An active ester hardener (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC, a toluene solution of 65% non-volatile component having an active group equivalent of about 223) is a naphthol hardener having a novolak structure (phenolic hydroxyl group equivalent 215, NSSMC) "SN-485", MEK solution with 50% non-volatile component) was changed to 40 parts. A resin varnish 9 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

<比較例6>
ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)を20部に変更し、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC−8000−65T」、活性基当量約223の不揮発成分65%のトルエン溶液)をノボラック構造を有するナフトール系硬化剤(フェノール性水酸基当量215、新日鉄住金化学社製「SN−485」、不揮発成分50%のMEK溶液)を20部に変更した。以上の事項以外は比較例5と同様にして樹脂ワニス10を調製した。
<Comparative Example 6>
Bixylenol type epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent of about 185) was changed to 20 parts, and an active ester curing agent (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC Co., Ltd., non-volatile with an active group equivalent of about 223) A naphthol-based curing agent having a novolak structure (a component 65% toluene solution) (phenolic hydroxyl group equivalent 215, “SN-485” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., MEK solution having a nonvolatile component 50%) was changed to 20 parts. A resin varnish 10 was prepared in the same manner as in Comparative Example 5 except for the above items.

[評価方法]
上述した実施例及び比較例で得た樹脂組成物を用いて、下記のとおり樹脂組成物層を硬化した硬化物フィルムを作製し、下記の方法によって評価した。
[Evaluation method]
Using the resin compositions obtained in the above-described Examples and Comparative Examples, cured films obtained by curing the resin composition layers were prepared as described below, and evaluated by the following methods.

<硬化物フィルム(評価用サンプル)の作製>
実施例及び比較例で得た樹脂ワニス1〜10それぞれを、離型処理されたPETフィルム(リンテック(株)製「PET501010」)の一方の主表面に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが40μmとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、80℃〜110℃(平均95℃)で6分間乾燥させた。その後、200℃で90分間熱処理し、支持体を剥離して除去することで硬化物フィルムを得た。得られた硬化物フィルムを長さ80mm、幅2mmの短冊状に切り出し評価用サンプルとした。
<Preparation of cured product film (sample for evaluation)>
Each of the resin varnishes 1 to 10 obtained in Examples and Comparative Examples was dried on the main surface of one of the release-treated PET films ("PET5010" manufactured by Lintec Corporation), and the thickness of the resin composition layer after drying Was uniformly applied by a die coater so as to be 40 μm, and dried at 80 to 110 ° C. (average 95 ° C.) for 6 minutes. Then, it heat-processed for 90 minutes at 200 degreeC, and the hardened | cured material film was obtained by peeling and removing a support body. The obtained cured product film was cut into a strip shape having a length of 80 mm and a width of 2 mm to obtain a sample for evaluation.

<誘電率及び誘電正接の測定及び評価>
得られた評価用サンプルについて、アジレントテクノロジーズ(Agilent Technologies)社製「HP8362B」を用いて、空洞共振摂動法により、測定周波数10GHz、測定温度25℃の条件にて、誘電率及び誘電正接を測定した。
<Measurement and evaluation of dielectric constant and dielectric loss tangent>
With respect to the obtained sample for evaluation, dielectric constant and dielectric loss tangent were measured by a cavity resonance perturbation method using “HP8362B” manufactured by Agilent Technologies, under the conditions of a measurement frequency of 10 GHz and a measurement temperature of 25 ° C. .

なお、誘電率が3.0以下であった場合を「良」と評価し、3.0を超えた場合を「不良」と評価した。また、誘電正接の値が0.005以下であった場合を「良」と評価し、0.005を超えた場合を「不良」と評価した。   A case where the dielectric constant was 3.0 or less was evaluated as “good”, and a case where the dielectric constant exceeded 3.0 was evaluated as “bad”. Moreover, the case where the value of the dielectric loss tangent was 0.005 or less was evaluated as “good”, and the case where it exceeded 0.005 was evaluated as “bad”.

<導体層との密着性(ピール強度)の測定及び評価>
(1)内層回路基板の粗化処理
内層回路基板であるガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板の厚さ0.4mm、パナソニック(株)製「R1515A」)の両面を、メック(株)製「CZ8101」に浸漬し、両面の銅箔を厚さ方向に1μmエッチングすることにより銅箔の表面の粗化処理を行った。
<Measurement and evaluation of adhesion (peel strength) with the conductor layer>
(1) Roughening of inner layer circuit board Glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness 18 μm, substrate thickness 0.4 mm, Panasonic Corporation “R1515A”) ) Was immersed in “CZ8101” manufactured by Mec Co., Ltd., and the copper foil on both sides was etched by 1 μm in the thickness direction to roughen the surface of the copper foil.

(2)樹脂組成物層付き銅箔のラミネート処理
実施例及び比較例で調製された樹脂ワニス1〜10それぞれを三井金属鉱業(株)製「MT18Ex」箔の一方の表面に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが40μmとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、80℃〜110℃(平均95℃)で6分間乾燥させ、樹脂組成物層付き銅箔を作製した。この樹脂組成物層付き銅箔をバッチ式真空加圧ラミネーター(名機(株)製「MVLP-500」)を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板(銅箔)と接合するように、内層回路基板の両面にラミネート処理した。ラミネート処理は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaで30秒間圧着することにより行った。
(2) Lamination of copper foil with resin composition layer Resin varnishes 1 to 10 prepared in Examples and Comparative Examples are each dried on one surface of “MT18Ex” foil manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. It apply | coated uniformly with the die-coater so that the thickness of a composition layer might be 40 micrometers, and it was made to dry at 80 to 110 degreeC (average 95 degreeC) for 6 minutes, and produced the copper foil with a resin composition layer. Using the batch-type vacuum pressurization laminator ("MVLP-500" manufactured by Meiki Co., Ltd.), this resin composition layer-attached copper foil is bonded to the inner circuit board (copper foil). Lamination was performed on both sides of the inner circuit board. The laminating process was performed by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and then pressure bonding at 100 ° C. and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds.

(3)樹脂組成物層付き銅箔の硬化処理
ラミネートされた樹脂組成物層付き銅箔の樹脂組成物層を200℃、90分間の条件で硬化して硬化体とする硬化処理を行い、銅箔付き硬化体が内層回路基板に積層された積層体を形成した。
(3) Curing treatment of copper foil with resin composition layer The copper foil resin composition layer with a laminated resin composition layer is cured at a temperature of 200 ° C. for 90 minutes to obtain a cured product. A laminated body in which the cured body with foil was laminated on the inner layer circuit board was formed.

(4)導体層の形成(電気めっき)
上記(3)で得られた銅箔付き硬化体から銅箔を剥離した後、露出した硬化体の表面に、厚さが25μmとなるように硫酸銅電解めっきを行い、銅層である導体層を形成した。次に、導体層が形成された積層体に対し、アニール処理を180℃にて30分間行い、評価用回路基板とした。この評価用回路基板を用いて、導体層の引き剥がし強さ(ピール強度)の測定を行った。
(4) Formation of conductor layer (electroplating)
After peeling the copper foil from the cured body with copper foil obtained in the above (3), the exposed surface of the cured body is subjected to copper sulfate electrolytic plating so as to have a thickness of 25 μm, and a conductor layer which is a copper layer Formed. Next, the laminated body on which the conductor layer was formed was annealed at 180 ° C. for 30 minutes to obtain an evaluation circuit board. Using this evaluation circuit board, the peel strength (peel strength) of the conductor layer was measured.

(5)導体層の引き剥がし強さの測定及び評価
評価用回路基板に、幅10mm、長さ100mmの短冊状の切込みをいれ、長さ方向の一端を剥がしてつかみ具((株)ティー・エス・イー、オートコム型試験機AC−50C−SL)で掴み、室温(25℃)中にて、50mm/分の速度で垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm(N/cm))を測定した。
ここで、測定された荷重が0.3kgf/cm超である場合を「良」と評価し、0.3kgf/cm以下である場合を「不良」と評価した。
(5) Measurement and evaluation of the peeling strength of the conductor layer A strip-shaped cut having a width of 10 mm and a length of 100 mm was made in the circuit board for evaluation, and one end in the length direction was peeled off to grasp the gripping tool. S.E., an autocom type tester AC-50C-SL), and a load (kgf / cm (N / Cm)).
Here, the case where the measured load was more than 0.3 kgf / cm was evaluated as “good”, and the case where it was 0.3 kgf / cm or less was evaluated as “bad”.

<結果>
評価の結果を、下記表1に示す。
<Result>
The evaluation results are shown in Table 1 below.

Figure 2018141053
Figure 2018141053

表1から明らかなように、実施例1〜4の樹脂組成物によれば、成分(C)及び成分(D)の含有量を上記のとおりに調整したことにより、硬化物の誘電率の効果的な低減を実現することができ、既に説明したとおり極めて困難と考えられていた誘電率の低減と導体層に対する密着性(ピール強度)の向上との両立をできるのみならず、誘電正接をもより低減することができていた。   As is apparent from Table 1, according to the resin compositions of Examples 1 to 4, the effects of the dielectric constant of the cured product were obtained by adjusting the contents of the component (C) and the component (D) as described above. The reduction of the dielectric constant, which was considered to be extremely difficult as already explained, and the improvement of the adhesion (peel strength) to the conductor layer as well as the dielectric tangent can be realized. It could be reduced more.

成分(C)及び成分(D)の総量に対する成分(D)の含有量の割合が低い比較例1では、硬化体の誘電率が高くなってしまっており、成分(C)及び成分(D)の総量に対する成分(D)の含有量の割合が高すぎる比較例2では、硬化体の導電層に対する密着性が低くなってしまっていた。よって、成分(C)及び成分(D)の総量に対する成分(D)の含有量の割合を所定範囲に適切に調整することにより、硬化体の誘電率と硬化体の導電層に対する密着性とを両立できることがわかった。   In Comparative Example 1 in which the ratio of the content of the component (D) to the total amount of the component (C) and the component (D) is low, the dielectric constant of the cured product is high, and the component (C) and the component (D) In Comparative Example 2 in which the ratio of the content of the component (D) to the total amount was too high, the adhesion of the cured body to the conductive layer was low. Therefore, by appropriately adjusting the ratio of the content of the component (D) to the total amount of the component (C) and the component (D) within a predetermined range, the dielectric constant of the cured body and the adhesion of the cured body to the conductive layer are obtained. It turns out that both are compatible.

成分(D)の含有量が既に説明した所定範囲より少ない比較例3では、硬化体の誘電率が高くなってしまっており、成分(D)の含有量が上記所定範囲よりも多い比較例4では、硬化体の導電層に対する密着性が低くなってしまっていた。よって、成分(D)の含有量を所定範囲に適切に調整することにより、硬化体の誘電率と硬化体の導電層に対する密着性とを両立できることがわかった。   In Comparative Example 3 in which the content of component (D) is less than the predetermined range already described, the dielectric constant of the cured product is high, and Comparative Example 4 in which the content of component (D) is greater than the predetermined range. Then, the adhesiveness with respect to the conductive layer of the hardening body has become low. Therefore, it was found that the dielectric constant of the cured body and the adhesion of the cured body to the conductive layer can both be achieved by appropriately adjusting the content of the component (D) within a predetermined range.

成分(B)を含有しない比較例5及び6では、硬化体の誘電正接が高くなってしまっていた。   In Comparative Examples 5 and 6 that did not contain the component (B), the dielectric loss tangent of the cured product was high.

Claims (10)

成分(A)エポキシ樹脂、成分(B)活性エステル化合物、成分(C)無機充填材、及び成分(D)フッ素系充填材を含む樹脂組成物であって、
前記樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合に、前記成分(D)の含有量が10質量%〜40質量%であり、
前記成分(C)及び前記成分(D)の含有量の合計を100質量%とした場合に、前記成分(D)が20質量%〜70質量%である、樹脂組成物。
A resin composition comprising component (A) epoxy resin, component (B) active ester compound, component (C) inorganic filler, and component (D) fluorine-based filler,
When the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, the content of the component (D) is 10% by mass to 40% by mass,
The resin composition whose said component (D) is 20 mass%-70 mass% when the sum total of content of the said component (C) and the said component (D) is 100 mass%.
前記成分(D)が、フッ素系ポリマー粒子である、請求項1に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 1, wherein the component (D) is a fluorine-based polymer particle. 前記フッ素系ポリマー粒子が、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)粒子である、請求項2に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 2, wherein the fluorine-based polymer particles are polytetrafluoroethylene (PTFE) particles. 成分(E)不飽和炭化水素基を有する化合物をさらに含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 1 to 3, further comprising a component (E) a compound having an unsaturated hydrocarbon group. 前記成分(E)が、アクリル基、メタクリル基、スチリル基、アリル基、ビニル基及びプロペニル基からなる群から選択される1以上の不飽和炭化水素基を有する化合物である、請求項4に記載の樹脂組成物。   The said component (E) is a compound which has a 1 or more unsaturated hydrocarbon group selected from the group which consists of an acryl group, a methacryl group, a styryl group, an allyl group, a vinyl group, and a propenyl group. Resin composition. 前記成分(E)が、ビニル基を有し、かつ5員環以上の環状エーテル構造を有する化合物である、請求項5に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 5, wherein the component (E) is a compound having a vinyl group and a cyclic ether structure having a 5-membered ring or more. 高周波回路基板の絶縁層形成用である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 1 to 6, which is used for forming an insulating layer of a high-frequency circuit board. 支持体と、該支持体上に設けられた請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを有する接着フィルム。   The adhesive film which has a support body and the resin composition layer containing the resin composition of any one of Claims 1-6 provided on this support body. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層を含む、高周波回路基板。   A high-frequency circuit board comprising an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to claim 1. 請求項9に記載の高周波回路基板を備える、半導体装置。   A semiconductor device comprising the high-frequency circuit board according to claim 9.
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