KR20210003678A - Resin composition - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a resin composition capable of inhibiting the dielectric constant of an obtained cured product low. The resin composition contains: (A) an epoxy resin; (B) a curing agent; (C) an inorganic filler; and (D) silicone resin particles. According to the resin composition of the present invention, it is possible to inhibit the dielectric constant of a cured product low.

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSITION}Resin composition {RESIN COMPOSITION}

본 발명은 에폭시 수지를 포함하는 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 상기 수지 조성물을 사용하여 얻어지는 경화물, 시트상 적층 재료, 수지 시트, 프린트 배선판 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition containing an epoxy resin. Further, it relates to a cured product obtained by using the resin composition, a sheet-like laminate material, a resin sheet, a printed wiring board, and a semiconductor device.

프린트 배선판의 제조 기술로서, 절연층과 도체층을 교호하여 포개어 쌓는 빌드업 방식에 의한 제조방법이 알려져 있다. 빌드업 방식에 의한 제조방법에 있어서 일반적으로, 절연층은 수지 조성물을 경화시켜 형성된다.As a manufacturing technique of a printed wiring board, a manufacturing method using a build-up method in which an insulating layer and a conductor layer are alternately stacked and stacked is known. In the manufacturing method according to the build-up method, generally, the insulating layer is formed by curing the resin composition.

프린트 배선판에서의 전기 신호의 감쇠 요인의 하나로서 절연층의 높은 유전율을 들 수 있다. 절연층의 높은 유전율에 기인하는 전기 신호의 감쇠를 억제하기 위해서는, 유전율을 보다 낮게 억제하는 것이 요구된다.One of the factors of attenuation of electrical signals in a printed wiring board is a high dielectric constant of the insulating layer. In order to suppress attenuation of the electric signal due to the high dielectric constant of the insulating layer, it is required to lower the dielectric constant.

한편, 지금까지, 실리콘 수지 입자를 배합한 에폭시 수지 조성물이 알려져 있다(특허문헌 1). 또한, 활성 에스테르계 경화제 및 불소계 충전재를 포함하는 에폭시 수지 조성물도 알려져 있다(특허문헌 2).On the other hand, so far, an epoxy resin composition containing silicone resin particles is known (Patent Document 1). Further, an epoxy resin composition containing an active ester-based curing agent and a fluorine-based filler is also known (Patent Document 2).

일본 공개특허공보 특개2014-152310호Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2014-152310 일본 공개특허공보 특개2018-141053호Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2018-141053

본 발명의 과제는, 얻어지는 경화물의 유전율을 낮게 억제할 수 있는 수지 조성물 등을 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a resin composition and the like capable of lowering the dielectric constant of the resulting cured product.

본 발명의 과제를 달성하기 위해, 본 발명자들은 예의 검토한 결과, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재 및 (D) 실리콘 수지 입자를 포함하는 수지 조성물을 사용함으로써, 경화물의 유전율을 낮게 억제할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.In order to achieve the subject of the present invention, the present inventors intensively studied, by using a resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler and (D) silicone resin particles, It was discovered that the dielectric constant of water can be suppressed low, and the present invention has been completed.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following contents.

[1] (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재 및 (D) 실리콘 수지 입자를 포함하는, 수지 조성물.[1] A resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler, and (D) silicone resin particles.

[2] (B) 성분이 활성 에스테르계 경화제인, 상기 [1]에 기재된 수지 조성물.[2] The resin composition according to [1], wherein the component (B) is an active ester curing agent.

[3] (C) 성분이 실리카인, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물.[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the component (C) is silica.

[4] (D) 성분이 폴리알킬실세스퀴옥산 입자인, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the component (D) is polyalkylsilsesquioxane particles.

[5] (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 65질량% 이하인, 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[5] The resin composition according to any one of [1] to [4], wherein the content of the component (C) is 65% by mass or less when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass.

[6] (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 30질량% 이상인, 상기 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the content of the component (C) is 30% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass.

[7] (D) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 5질량% 이상인, 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[7] The resin composition according to any one of [1] to [6], wherein the content of the component (D) is 5% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass.

[8] (D) 성분의 함유량과 (C) 성분의 함유량의 질량비((D) 성분의 함유량/(C) 성분의 함유량)가 1.1 이하인, 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[8] According to any one of [1] to [7], wherein the mass ratio of the content of the component (D) and the content of the component (C) (content of the component (D)/content of the component (C)) is 1.1 or less. Resin composition.

[9] (D) 성분의 함유량과 (C) 성분의 함유량의 질량비((D) 성분의 함유량/(C) 성분의 함유량)가 0.1 이상인, 상기 [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[9] According to any one of [1] to [8], wherein the mass ratio of the content of the component (D) and the content of the component (C) (content of the component (D)/content of the component (C)) is 0.1 or more. Resin composition.

[10] 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물.[10] A cured product of the resin composition according to any one of [1] to [9].

[11] 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 함유하는 시트상 적층 재료.[11] A sheet-like laminate material containing the resin composition according to any one of [1] to [9].

[12] 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물로 형성되는 수지 조성물층을 갖는, 수지 시트.[12] A resin sheet having a support and a resin composition layer formed of the resin composition according to any one of [1] to [9] provided on the support.

[13] 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 구비하는 프린트 배선판.[13] A printed wiring board comprising an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [9].

[14] 상기 [13]에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.[14] A semiconductor device comprising the printed wiring board according to [13].

본 발명의 수지 조성물에 의하면, 경화물의 유전율을 낮게 억제할 수 있다.According to the resin composition of the present invention, the dielectric constant of a cured product can be suppressed low.

이하, 본 발명을 이의 적합한 실시형태에 입각하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 하기 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위 및 그 균등의 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in detail based on its preferred embodiment. However, the present invention is not limited to the following embodiments and examples, and can be carried out with arbitrary changes without departing from the scope of the claims and their equivalents of the present invention.

<수지 조성물><Resin composition>

본 발명의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재 및 (D) 실리콘 수지 입자를 포함한다. 이러한 수지 조성물을 사용함으로써 경화물의 유전율을 낮게 억제할 수 있다. 본 명세서에서는 유전율은 모두 비유전율을 나타낸다. 또한, 어떤 특정의 실시형태에서는, 보다 우수한 도금 밀착성을 달성할 수 있다. 또한, 어떤 특정의 실시형태에서는, 보다 낮은 열팽창률을 달성할 수 있다.The resin composition of the present invention contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler, and (D) silicone resin particles. By using such a resin composition, the dielectric constant of a cured product can be suppressed low. In this specification, all dielectric constants represent relative dielectric constants. In addition, in certain specific embodiments, more excellent plating adhesion can be achieved. Further, in certain specific embodiments, a lower coefficient of thermal expansion can be achieved.

본 발명의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재 및 (D) 실리콘 수지 입자 이외에, 임의의 성분을 추가로 포함하고 있어도 좋다. 임의의 성분으로서는, 예를 들어, (E) 실란 커플링제, (F) 경화 촉진제, (G) 기타 첨가제, (H) 유기 용제를 들 수 있다. 이하, 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대하여 상세하게 설명한다.The resin composition of the present invention may further contain optional components other than (A) epoxy resin, (B) curing agent, (C) inorganic filler, and (D) silicone resin particles. As an arbitrary component, (E) a silane coupling agent, (F) hardening accelerator, (G) other additives, (H) organic solvent are mentioned, for example. Hereinafter, each component contained in the resin composition will be described in detail.

<(A) 에폭시 수지><(A) Epoxy resin>

본 발명의 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지를 포함한다. (A) 에폭시 수지란, 에폭시기를 갖는 수지를 의미한다.The resin composition of the present invention contains (A) an epoxy resin. (A) Epoxy resin means resin which has an epoxy group.

(A) 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 이소시아누레이트형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 나프탈렌형 에폭시 수지 및 비페닐형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. (A) 에폭시 수지는 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A) As an epoxy resin, for example, bixylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, tris Phenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin , Glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having a butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, Cyclohexane type epoxy resin, cyclohexane dimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin, isocyanurate type epoxy resin, and the like. Among them, naphthalene-type epoxy resins and biphenyl-type epoxy resins are particularly preferred. (A) Epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

수지 조성물은 (A) 에폭시 수지로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직 70질량% 이상이다.The resin composition is an epoxy resin (A), and preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups per molecule. (A) The ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule to 100% by mass of the nonvolatile component of the epoxy resin is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, particularly preferably 70 It is not less than mass%.

에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)가 있다. 본 발명의 수지 조성물은, 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 또는 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋지만, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하고 있는 것이 바람직하다.Epoxy resins include a liquid epoxy resin at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resin”), and a solid epoxy resin at a temperature of 20°C (hereinafter, referred to as “solid epoxy resin”). There is. The resin composition of the present invention may contain only a liquid epoxy resin or may contain only a solid epoxy resin as an epoxy resin, but it is preferable to contain a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다.As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups per molecule is preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 그 중에서도 나프탈렌형 에폭시 수지가 특히 바람직하다.Liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin. , An alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, a cyclohexane-type epoxy resin, a cyclohexanedimethanol-type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferred, and among them, a naphthalene-type epoxy resin is particularly preferred.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「828EL」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」, 「604」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「ED-523T」(글리시롤형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-3950L」, 「EP-3980S」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-4088S」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」, 니혼 소다사 제조의 「JP-100」, 「JP-200」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a liquid epoxy resin, "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "828US", "828EL", "jER828EL", "825", "Epicoat 828EL" (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "JER807" and "1750" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol F type epoxy resin); "JER152" (phenol novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "630", "630LSD", and "604" (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "ED-523T" manufactured by ADEKA (glycyrrh type epoxy resin); "EP-3950L" and "EP-3980S" manufactured by ADEKA (glycidylamine type epoxy resin); "EP-4088S" by ADEKA company (dicyclopentadiene type epoxy resin); "ZX1059" by Shinnittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. (a mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin); "EX-721" manufactured by Nagase Chemtex (glycidyl ester type epoxy resin); "Celoxide 2021P" manufactured by Daicel (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton); "PB-3600" manufactured by Daicel Corporation, "JP-100" manufactured by Nippon Soda Corporation, and "JP-200" (epoxy resin having a butadiene structure); "ZX1658" and "ZX1658GS" (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin) manufactured by Shinnittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As the solid epoxy resin, a solid epoxy resin having three or more epoxy groups per molecule is preferred, and an aromatic solid epoxy resin having three or more epoxy groups per molecule is more preferred.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 그 중에서도 비페닐형 에폭시 수지가 특히 바람직하다.Examples of the solid epoxy resin include bixylenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, and Phenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, and tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, and among them, biphenyl type epoxy resin is particularly preferable. .

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX7700」(크실렌 구조 함유 노볼락형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a solid epoxy resin, "HP4032H" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "HP-4700" and "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-690" (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-695" (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "HP-7200", "HP-7200HH", and "HP-7200H" (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" (naphthylene ether type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "EPPN-502H" by Nippon Kayaku Co., Ltd. (trisphenol type epoxy resin); "NC7000L" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. (naphthol novolak type epoxy resin); "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Corporation; "ESN475V" manufactured by Shinnittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. (naphthol type epoxy resin); "ESN485" manufactured by Shinnittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. (naphthol novolak type epoxy resin); "YX4000H", "YX4000", and "YL6121" (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (bixylenol type epoxy resin); "YX8800" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (anthracene type epoxy resin); "YX7700" by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (xylene structure-containing novolac type epoxy resin); "PG-100" and "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemicals; "YL7760" by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (bisphenol AF type epoxy resin); "YL7800" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (fluorene type epoxy resin); "JER1010" manufactured by Mitsubishi Chemical (solid bisphenol A type epoxy resin); "JER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. can be mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types.

(A) 성분으로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용하는 경우, 이들의 양비(量比)(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 100:1 내지 1:100의 범위가 바람직하고, 10:1 내지 1:10의 범위가 보다 바람직하고, 3:1 내지 1:3의 범위가 더욱 바람직하다.When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the component (A), the quantity ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably in the range of 100:1 to 1:100 by mass ratio. And, the range of 10:1 to 1:10 is more preferable, and the range of 3:1 to 1:3 is more preferable.

(A) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 5,000g/eq., 보다 바람직하게는 50g/eq. 내지 2,000g/eq., 더욱 바람직하게는 80g/eq. 내지 1,000g/eq., 보다 더 바람직하게는 80g/eq. 내지 500g/eq.이다. 에폭시 당량은, 에폭시기 1당량당 수지의 질량이다. 이러한 에폭시 당량은 JIS K7236에 따라서 측정할 수 있다.(A) The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 g/eq. To 5,000 g/eq., more preferably 50 g/eq. To 2,000 g/eq., more preferably 80 g/eq. To 1,000 g/eq., even more preferably 80 g/eq. To 500 g/eq. Epoxy equivalent is the mass of resin per 1 equivalent of epoxy group. This epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.

(A) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 100 내지 5,000, 보다 바람직하게는 250 내지 3,000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1,500이다. 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.(A) The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin is preferably 100 to 5,000, more preferably 250 to 3,000, and still more preferably 400 to 1,500. The weight average molecular weight of a resin can be measured as a value in terms of polystyrene by a gel permeation chromatography (GPC) method.

수지 조성물 중의 (A) 에폭시 수지의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 8질량% 이상, 특히 바람직하게는 10질량% 이상이다. (A) 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 60질량% 이하, 보다 바람직하게는 40질량% 이하, 더욱 바람직하게는 30질량% 이하, 특히 바람직하게는 25질량% 이하이다.The content of the epoxy resin (A) in the resin composition is not particularly limited, but when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, further It is preferably 8% by mass or more, particularly preferably 10% by mass or more. (A) The upper limit of the content of the epoxy resin is not particularly limited, but when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 60% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, further preferably It is preferably 30% by mass or less, particularly preferably 25% by mass or less.

<(B) 경화제><(B) curing agent>

본 발명의 수지 조성물은 (B) 경화제를 포함한다. (B) 경화제는 (A) 에폭시 수지를 경화하는 기능을 갖는다.The resin composition of the present invention contains a curing agent (B). (B) The curing agent has a function of curing the (A) epoxy resin.

(B) 경화제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 산 무수물계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제 및 카르보디이미드계 경화제를 들 수 있고, 활성 에스테르계 경화제가 바람직하다. 경화제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(B) Although it does not specifically limit as a hardening agent, For example, a phenol hardening agent, a naphthol hardening agent, an acid anhydride hardening agent, an active ester hardening agent, a benzoxazine hardening agent, a cyanate ester hardening agent, and a carbodiimide hardening agent And active ester curing agents are preferred. Curing agents may be used alone or in combination of two or more.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제 또는 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제가 바람직하다. 또한, 피착체에 대한 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제 또는 함질소 나프톨계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제 또는 트리아진 골격 함유 나프톨계 경화제가 보다 바람직하다. 그 중에서도, 내열성, 내수성 및 밀착성을 고도로 만족시키는 관점에서, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 수지가 바람직하다. 페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들어, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 니혼 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」, 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「SN-170」, 「SN-180」, 「SN-190」, 「SN-475」, 「SN-485」, 「SN-495」, 「SN-375」, 「SN-395」, DIC사 제조의 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-3018」, 「LA-3018-50P」, 「LA-1356」, 「TD2090」, 「TD-2090-60M」 등을 들 수 있다.As the phenolic curing agent and the naphthol curing agent, from the viewpoint of heat resistance and water resistance, a phenolic curing agent having a novolac structure or a naphthol curing agent having a novolac structure is preferable. Further, from the viewpoint of adhesion to an adherend, a nitrogen-containing phenol-based curing agent or a nitrogen-containing naphthol-based curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenolic curing agent or a triazine skeleton-containing naphthol-based curing agent is more preferable. Among them, a triazine skeleton-containing phenol novolac resin is preferred from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesion. As specific examples of the phenolic curing agent and the naphthol curing agent, for example, "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851" manufactured by Maywa Kasei, "NHN", "CBN" manufactured by Nihon Kayaku Corporation. ", "GPH", "SN-170", "SN-180", "SN-190", "SN-475", "SN-485", "SN-495" manufactured by Shinnittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., "SN-375", "SN-395", "LA-7052", "LA-7054", "LA-3018", "LA-3018-50P", "LA-1356", "TD2090" manufactured by DIC Corporation ", "TD-2090-60M", etc. are mentioned.

산 무수물계 경화제로서는, 1분자 내 중에 1개 이상의 산 무수물기를 갖는 경화제를 들 수 있고, 1분자 내 중에 2개 이상의 산 무수물기를 갖는 경화제가 바람직하다. 산 무수물계 경화제의 구체예로서는, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화 메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 석신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 2무수물, 비페닐테트라카복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 폴리머형 산 무수물 등을 들 수 있다. 산 무수물계 경화제의 시판품으로서는, 신니혼 리카사 제조의 「HNA-100」, 「MH-700」 등을 들 수 있다.Examples of the acid anhydride-based curing agent include a curing agent having one or more acid anhydride groups in one molecule, and a curing agent having two or more acid anhydride groups in one molecule is preferable. Specific examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydro phthalic anhydride, methyltetrahydro phthalic anhydride, methylhexahydro phthalic anhydride, methylnadic anhydride, hydrogenated methylnadic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride , Dodecenyl succinic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, trimellitic anhydride, pyromelli anhydride Acid, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalene tetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 1,3, 3a,4,5,9b-hexahydro-5-(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho[1,2-C]furan-1,3-dione, ethylene glycolbis (Anhydrotrimellitate), and polymeric acid anhydrides such as styrene maleic resin in which styrene and maleic acid are copolymerized. As commercially available products of the acid anhydride-based curing agent, "HNA-100", "MH-700" manufactured by Shin Nippon Rika Corporation, and the like are mentioned.

활성 에스테르계 경화제로서는, 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 상기 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해서 얻어지는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들어 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.Although there is no restriction|limiting in particular as an active ester-type hardening agent, In general, 2 ester groups with high reactive activity, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, per molecule. Compounds having two or more are preferably used. It is preferable that the said active ester hardening agent is obtained by condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylate compound, and a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound, a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. As a phenol compound or a naphthol compound, for example, hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzenetriol, dicyclopentadiene-type diphenol compound, phenol novolac, and the like. Here, the "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol into one molecule of dicyclopentadiene.

구체적으로는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물이 바람직하고, 그 중에서도 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜탈렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Specifically, an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and a benzoylated product of phenol novolac. An active ester compound is preferable, and among them, an active ester compound containing a naphthalene structure and an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene-type diphenol structure" refers to a divalent structural unit composed of phenylene-dicyclopentalene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000」, 「HPC-8000H」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L」, 「EXB-8000L-65M」, 「EXB-8000L-65TM」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「EXB9416-70BK」, 「EXB-8150-65T」, 「EXB-8100L-65T」, 「EXB-8150L-65T」(DIC사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1030」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available active ester curing agents are active ester compounds containing dicyclopentadiene-type diphenol structures, such as "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000", "HPC-8000H", and "HPC. -8000-65T", "HPC-8000H-65TM", "EXB-8000L", "EXB-8000L-65M", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC); As an active ester compound containing a naphthalene structure, "EXB9416-70BK", "EXB-8150-65T", "EXB-8100L-65T", "EXB-8150L-65T" (manufactured by DIC); "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical) as an active ester compound containing an acetylated phenol novolac; "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical) as an active ester compound containing a benzoylated phenol novolak; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical) as an active ester curing agent which is an acetylated product of phenol novolac; Examples of the active ester curing agent that is a benzoylated phenol novolac include "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical), and "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical).

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, JFE 케미컬사 제조의 「JBZ-OP100D」, 「ODA-BOZ」; 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」 등을 들 수 있다.As specific examples of the benzoxazine-based curing agent, "JBZ-OP100D" and "ODA-BOZ" manufactured by JFE Chemical Co., Ltd.; "HFB2006M" manufactured by Showa Kobunshi Corporation, "P-d", "F-a" manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Corporation, etc. are mentioned.

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트)), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(모두 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.As a cyanate ester curing agent, for example, bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo(3-methylene-1,5-phenylene cyanate)), 4,4'-methylenebis(2,6 -Dimethylphenyl cyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4 -Cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4- Difunctional cyanate resins such as cyanate phenyl) thioether and bis (4-cyanate phenyl) ether, polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolacs and cresol novolacs, and these cyanate resins are partially triazineized And prepolymers. As specific examples of the cyanate ester curing agent, ``PT30'' and ``PT60'' (both phenol novolak type polyfunctional cyanate ester resins), ``BA230'', ``BA230S75'' (part of bisphenol A dicyanate) manufactured by Ronza Japan Or a prepolymer in which all is triazineized to become a trimer), and the like.

카르보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛신보 케미컬사 제조의 「V-03」, 「V-07」 등을 들 수 있다.As specific examples of the carbodiimide-based curing agent, "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd. are mentioned.

수지 조성물이 (B) 경화제를 포함하는 경우, (A) 에폭시 수지와 (B) 경화제의 양비는, [(A) 에폭시 수지의 에폭시기의 합계 수]:[(B) 경화제의 반응기의 합계 수]의 비율로, 1:0.2 내지 1:2가 바람직하고, 1:0.3 내지 1:1.5가 보다 바람직하고, 1:0.4 내지 1:1.2가 더욱 바람직하다. 여기서, (B) 경화제의 반응기는, 예를 들어, 페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제이면 방향족 수산기이고, 활성 에스테르계 경화제이면 활성 에스테르기이고, 경화제의 종류에 따라서 다르다.When the resin composition contains (B) curing agent, the amount ratio of (A) epoxy resin and (B) curing agent is [(A) total number of epoxy groups of epoxy resin]: [(B) total number of reactors of curing agent] The ratio of 1:0.2 to 1:2 is preferable, 1:0.3 to 1:1.5 are more preferable, and 1:0.4 to 1:1.2 are more preferable. Here, the reactive group of the curing agent (B) is an aromatic hydroxyl group if it is a phenolic curing agent and a naphthol curing agent, and an active ester group if it is an active ester curing agent, and varies depending on the type of curing agent.

(B) 경화제 반응기 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 3,000g/eq., 보다 바람직하게는 100g/eq. 내지 1,000g/eq., 더욱 바람직하게는 120g/eq. 내지 500g/eq., 특히 바람직하게는 150g/eq. 내지 300g/eq.이다. 반응기 당량은, 반응기 1당량당 경화제의 질량이다.(B) The curing agent reactor equivalent is preferably 50 g/eq. To 3,000 g/eq., more preferably 100 g/eq. To 1,000 g/eq., more preferably 120 g/eq. To 500 g/eq., particularly preferably 150 g/eq. To 300 g/eq. The reactor equivalent is the mass of the curing agent per 1 equivalent of the reactor.

수지 조성물 중의 (B) 경화제의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 1질량% 이상,보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 10질량% 이상, 특히 바람직하게는 15질량% 이상이다. (B) 경화제의 함유량의 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 50질량% 이하, 더욱 바람직하게는 40질량% 이하, 특히 바람직하게는 35질량% 이하이다.The content of the curing agent (B) in the resin composition is not particularly limited, but when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, further preferably It is preferably 10% by mass or more, particularly preferably 15% by mass or more. (B) The upper limit of the content of the curing agent is not particularly limited, but when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 70% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, further preferably Is 40% by mass or less, particularly preferably 35% by mass or less.

<(C) 무기 충전재><(C) inorganic filler>

본 발명의 수지 조성물은 (C) 무기 충전재를 포함한다. (C) 무기 충전재는 무기 재료로 이루어지고, 입자의 상태로 수지 조성물에 포함된다.The resin composition of the present invention contains (C) an inorganic filler. (C) The inorganic filler is made of an inorganic material, and is contained in the resin composition in the form of particles.

(C) 무기 충전재의 재료로서는 무기 화합물을 사용한다. (C) 무기 충전재의 재료로서는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디어라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무트, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄 및 인산텅스텐산지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들면, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. (C) 무기 충전재는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.(C) As the material of the inorganic filler, an inorganic compound is used. (C) As a material of the inorganic filler, for example, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, hydroxide Aluminum, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, titanium titanate And barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate and zirconium tungsten phosphate. Among these, silica is particularly suitable. Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Moreover, spherical silica is preferable as silica. (C) Inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used combining 2 or more types by arbitrary ratios.

(C) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들어, 덴키 카가쿠 코교사 제조의 「UFP-30」; 신닛테츠 스미킨 머테리얼즈사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 덴카사 제조의 「UFP-30」; 토쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」; 덴카사 제조의 「DAW-03」, 「FB-105FD」 등을 들 수 있다.(C) As a commercial item of an inorganic filler, For example, "UFP-30" manufactured by Denki Chemical Co., Ltd.; "SP60-05" and "SP507-05" manufactured by Shinnittetsu Sumikin Materials Corporation; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C" manufactured by Adomex Corporation; "UFP-30" manufactured by Denka Corporation; "Silfil NSS-3N", "Silfil NSS-4N", and "Silfil NSS-5N" manufactured by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", "SO-C1" manufactured by Adomatex Corporation; "DAW-03" and "FB-105FD" manufactured by Denka Corporation are mentioned.

(C) 무기 충전재의 평균 입자 직경은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 40μm 이하, 보다 바람직하게는 10μm 이하, 더욱 바람직하게는 5μm 이하, 보다 더 바람직하게는 3μm 이하, 특히 바람직하게는 1μm 이하이다. (C) 무기 충전재의 평균 입자 직경의 하한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 0.005μm 이상, 보다 바람직하게는 0.01μm 이상, 더욱 바람직하게는 0.05μm 이상, 더욱 바람직하게는 0.1μm 이상, 보다 더 바람직하게는 0.2μm 이상, 특히 바람직하게는 0.3μm 이상이다. (C) 무기 충전재의 평균 입자 직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중앙(median) 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재 100mg, 메틸에틸케톤 10g을 바이알병에 측정하여 담아, 초음파로 10분간 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 측정 샘플을, 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치를 사용하여, 사용 광원 파장을 청색 및 적색으로 하고, 플로우 셀 방식으로 무기 충전재의 체적 기준의 입자 직경 분포를 측정하여, 얻어진 입자 직경 분포로부터 중앙 직경으로서 평균 입자 직경을 산출했다. 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 예를 들면 호리바 세이사쿠쇼사 제조의 「LA-960」 등을 들 수 있다.(C) The average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 40 μm or less, more preferably 10 μm or less, still more preferably 5 μm or less, even more preferably 3 μm or less, particularly preferably 1 μm Below. (C) The lower limit of the average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, still more preferably 0.05 μm or more, even more preferably 0.1 μm or more, It is still more preferably 0.2 μm or more, particularly preferably 0.3 μm or more. (C) The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can be measured by creating a particle diameter distribution of an inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction scattering type particle diameter distribution measuring device, and setting the median diameter to an average particle diameter. As a measurement sample, 100 mg of an inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone were measured and put in a vial bottle, and the one obtained by dispersing for 10 minutes by ultrasonic waves can be used. Using a laser diffraction type particle diameter distribution measuring device, the measurement sample was made blue and red at the wavelength of the light source, and the particle diameter distribution based on the volume of the inorganic filler was measured by a flow cell method, and the median diameter from the obtained particle diameter distribution The average particle diameter was calculated as. Examples of the laser diffraction type particle diameter distribution measuring device include "LA-960" manufactured by Horiba Seisakusho Corporation.

(C) 무기 충전재의 비표면적은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 0.1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 0.5㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 1㎡/g 이상이다. (C) 무기 충전재의 비표면적의 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 50㎡/g 이하, 보다 바람직하게는 20㎡/g 이하, 특히 바람직하게는 10㎡/g 이하이다. 무기 충전재의 비표면적은, BET법에 따라, 비표면적 측정 장치(마운테크사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 얻어진다.(C) The specific surface area of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.1 m 2 /g or more, more preferably 0.5 m 2 /g or more, and particularly preferably 1 m 2 /g or more. (C) The upper limit of the specific surface area of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 50 m 2 /g or less, more preferably 20 m 2 /g or less, and particularly preferably 10 m 2 /g or less. The specific surface area of the inorganic filler is obtained by adsorbing nitrogen gas on the sample surface using a specific surface area measuring device (Macsorb HM-1210 manufactured by Mauntech Co., Ltd.) according to the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multi-point method. Lose.

(C) 무기 충전재는, 적절한 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리됨으로써 (C) 무기 충전재의 내습성 및 분산성을 높일 수 있다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란 등의 비닐계 실란 커플링제; 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란 등의 에폭시계 실란 커플링제; p-스티릴트리메톡시실란 등의 스티릴계 실란 커플링제; 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란 등의 메타크릴계 실란 커플링제; 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 아크릴계 실란 커플링제; N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-8-아미노옥틸트리메톡시실란, N-(비닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노계 실란 커플링제; 트리스-(트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트계 실란 커플링제; 3-우레이도프로필트리알콕시실란 등의 등의 우레이도계 실란 커플링제; 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 머캅토계 실란 커플링제; 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등의 이소시아네이트계 실란 커플링제; 3-트리메톡시실릴프로필석신산 무수물 등의 산 무수물계 실란 커플링제 등의 실란 커플링제; 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 데실트리메톡시실란, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 트리플루오로프로필트리메톡시실란 등의 비(非)실란 커플링-알콕시실란 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 표면 처리제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.(C) It is preferable that the inorganic filler is surface-treated with an appropriate surface treatment agent. By surface treatment, (C) the moisture resistance and dispersibility of the inorganic filler can be improved. Examples of the surface treatment agent include vinyl-based silane coupling agents such as vinyl trimethoxysilane and vinyl triethoxysilane; 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, Epoxy-based silane coupling agents such as 3-glycidoxypropyltriethoxysilane; styryl-based silane coupling agents such as p-styryltrimethoxysilane; Methacrylic silane couples such as 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, and 3-methacryloxypropyltriethoxysilane Ringje; Acrylic silane coupling agents such as 3-acryloxypropyltrimethoxysilane; N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltri Ethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethyl-butylidene)propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-8-aminooctyltrime Amino-based silane coupling agents such as oxysilane and N-(vinylbenzyl)-2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane; Isocyanurate silane coupling agents such as tris-(trimethoxysilylpropyl)isocyanurate; Ureido-based silane coupling agents such as 3-ureidopropyl trialkoxysilane; Mercapto-based silane coupling agents such as 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane; Isocyanate-based silane coupling agents such as 3-isocyanate propyl triethoxysilane; Silane coupling agents such as acid anhydride-based silane coupling agents such as 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride; Methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, phenyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, Hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, octyltriethoxysilane, decyltrimethoxysilane, 1,6-bis(trimethoxysilyl)hexane, trifluoropropyltrimethoxysilane, etc. ) Silane coupling-alkoxysilane compounds, etc. are mentioned. In addition, the surface treatment agent may be used individually by 1 type, and may be used combining 2 or more types by arbitrary ratios.

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠 코교사 제조의 「KBM-1003」, 「KBE-1003」(비닐계 실란 커플링제); 「KBM-303」, 「KBM-402」, 「KBM-403」, 「KBE-402」, 「KBE-403」(에폭시계 실란 커플링제); 「KBM-1403」(스티릴계 실란 커플링제); 「KBM-502」, 「KBM-503」, 「KBE-502」, 「KBE-503」(메타크릴계 실란 커플링제); 「KBM-5103」(아크릴계 실란 커플링제); 「KBM-602」, 「KBM-603」, 「KBM-903」, 「KBE-903」, 「KBE-9103P」, 「KBM-573」, 「KBM-575」(아미노계 실란 커플링제); 「KBM-9659」(이소시아누레이트계 실란 커플링제); 「KBE-585」(우레이도계 실란 커플링제); 「KBM-802」, 「KBM-803」(머캅토계 실란 커플링제); 「KBE-9007N」(이소시아네이트계 실란 커플링제); 「X-12-967C」(산 무수물계 실란 커플링제); 「KBM-13」, 「KBM-22」, 「KBM-103」, 「KBE-13」, 「KBE-22」, 「KBE-103」, 「KBM-3033」, 「KBE-3033」, 「KBM-3063」, 「KBE-3063」, 「KBE-3083」, 「KBM-3103C」, 「KBM-3066」, 「KBM-7103」(비실란 커플링-알콕시실란 화합물) 등을 들 수 있다.As commercially available products of the surface treatment agent, for example, "KBM-1003" and "KBE-1003" (vinyl silane coupling agent) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co.; "KBM-303", "KBM-402", "KBM-403", "KBE-402", "KBE-403" (epoxy silane coupling agent); "KBM-1403" (styryl-based silane coupling agent); "KBM-502", "KBM-503", "KBE-502", "KBE-503" (methacrylic silane coupling agent); "KBM-5103" (acrylic silane coupling agent); "KBM-602", "KBM-603", "KBM-903", "KBE-903", "KBE-9103P", "KBM-573", "KBM-575" (amino-based silane coupling agent); "KBM-9659" (isocyanurate-based silane coupling agent); "KBE-585" (ureido-based silane coupling agent); "KBM-802", "KBM-803" (mercapto-based silane coupling agent); "KBE-9007N" (isocyanate-based silane coupling agent); "X-12-967C" (acid anhydride type silane coupling agent); "KBM-13", "KBM-22", "KBM-103", "KBE-13", "KBE-22", "KBE-103", "KBM-3033", "KBE-3033", "KBM -3063", "KBE-3063", "KBE-3083", "KBM-3103C", "KBM-3066", "KBM-7103" (non-silane coupling-alkoxysilane compound), and the like.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 소정의 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 충전재 100질량%는, 0.2질량% 내지 5질량%의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량% 내지 3질량%로 표면 처리되어 있는 것이 보다 바람직하고, 0.3질량% 내지 2질량%로 표면 처리되어 있는 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that the degree of surface treatment with the surface treatment agent falls within a predetermined range from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. Specifically, 100 mass% of the inorganic filler is preferably surface-treated with a surface treatment agent of 0.2 mass% to 5 mass%, more preferably surface-treated with 0.2 mass% to 3 mass%, and 0.3 mass% It is more preferable that the surface treatment is performed at 2% by mass.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 따라서 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1mg/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 조성물의 용융 점도나 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 방지하는 관점에서, 1.0mg/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.The degree of surface treatment with the surface treatment agent can be evaluated according to the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and still more preferably 0.2 mg/m 2 or more, from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. On the other hand, from the viewpoint of preventing an increase in the melt viscosity of the resin composition or the melt viscosity in the form of a sheet, 1.0 mg/m 2 or less is preferable, 0.8 mg/m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m 2 or less is still more preferable. .

(C) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 가하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바 세이사쿠쇼사 제조의 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.(C) The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after washing the inorganic filler after surface treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, and ultrasonic cleaning is performed at 25°C for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Seisakusho Corporation can be used.

수지 조성물 중의 (C) 무기 충전재의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상이고, 선 열팽창 계수를 보다 낮게 억제하는 관점에서, 특히 바람직하게는 40질량% 이상이다. (C) 무기 충전재의 함유량의 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 75질량% 이하, 더욱 바람직하게는 65질량% 이하이고, 유전율을 보다 낮게 억제하는 관점에서, 특히 바람직하게는 50질량% 이하이다.The content of the (C) inorganic filler in the resin composition is not particularly limited, but when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, further It is preferably 30% by mass or more, and particularly preferably 40% by mass or more from the viewpoint of lowering the linear thermal expansion coefficient. (C) The upper limit of the content of the inorganic filler is not particularly limited, but when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 90% by mass or less, more preferably 75% by mass or less, further preferably It is preferably 65% by mass or less, and particularly preferably 50% by mass or less from the viewpoint of lowering the dielectric constant.

<(D) 실리콘 수지 입자><(D) silicone resin particles>

본 발명의 수지 조성물은 (D) 실리콘 수지 입자를 포함한다. (D) 실리콘 수지 입자는, 주쇄에 실록산 결합을 갖는 유기 규소 중합체의 입자를 의미하고, 그 중에서도, 실록산 결합이 화학식 (RSiO3/2)n[식 중, R은 유기기]로 나타내는 3차원 망목 구조를 갖는 폴리오가노실세스퀴옥산 입자가 바람직하다. 폴리오가노실세스퀴옥산 입자로서는, 예를 들면, 상기 R이 알킬기(예를 들면, 탄소수가 1 내지 6)인 폴리알킬실세스퀴옥산 입자(예를 들면, 폴리메틸실세스퀴옥산 입자, 폴리에틸실세스퀴옥산 입자, 폴리사이클로헥실실세스퀴옥산 입자), 상기 R이 아릴기(예를 들면, 탄소수가 6 내지 12)인 폴리아릴실세스퀴옥산 입자(예를 들면, 폴리페닐실세스퀴옥산 입자) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리알킬실세스퀴옥산 입자가 보다 바람직하고, 폴리메틸실세스퀴옥산 입자가 특히 바람직하다. (D) 실리콘 수지 입자는 실리콘 수지 경화물로서, 입자의 상태로 수지 조성물에 포함된다. (D) 실리콘 수지 입자는 구상인 것이 바람직하다. (D) 실리콘 수지 입자는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition of the present invention contains (D) silicone resin particles. (D) The silicone resin particles mean particles of an organosilicon polymer having a siloxane bond in the main chain, and among them, the siloxane bond is represented by the formula (RSiO 3/2 ) n [ wherein R is an organic group]. Polyorganosilsesquioxane particles having a network structure are preferred. Examples of the polyorganosilsesquioxane particles include polyalkylsilsesquioxane particles in which R is an alkyl group (eg, 1 to 6 carbon atoms) (eg, polymethylsilsesquioxane particles, poly Ethylsilsesquioxane particles, polycyclohexylsilsesquioxane particles), polyarylsilsesquioxane particles in which R is an aryl group (for example, 6 to 12 carbon atoms) (for example, polyphenylsilses Quioxane particles) and the like. Among them, polyalkylsilsesquioxane particles are more preferable, and polymethylsilsesquioxane particles are particularly preferable. (D) The silicone resin particle is a silicone resin cured product, and is contained in the resin composition in a particle state. (D) It is preferable that the silicone resin particle is spherical. (D) Silicone resin particles may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.

(D) 실리콘 수지 입자의 평균 입자 직경은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 40μm 이하, 보다 바람직하게는 10μm 이하, 더욱 바람직하게는 5μm 이하, 보다 더 바람직하게는 3μm 이하, 특히 바람직하게는 1μm 이하이다. (D) 실리콘 수지 입자의 평균 입자 직경의 하한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 0.01μm 이상, 보다 바람직하게는 0.05μm 이상, 더욱 바람직하게는 0.08μm 이상, 특히 바람직하게는 0.1μm 이상이다. (D) 실리콘 수지 입자의 평균 입자 직경은, 질량 기준의 중앙 직경으로서, 예를 들어 원심 침강법에 의한 측정에 의해 구할 수 있다.(D) The average particle diameter of the silicone resin particles is not particularly limited, but is preferably 40 μm or less, more preferably 10 μm or less, still more preferably 5 μm or less, even more preferably 3 μm or less, particularly preferably It is less than 1 μm. (D) The lower limit of the average particle diameter of the silicone resin particles is not particularly limited, but is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, still more preferably 0.08 μm or more, particularly preferably 0.1 μm or more. to be. (D) The average particle diameter of the silicone resin particles is a median diameter based on mass and can be determined by, for example, measurement by a centrifugal sedimentation method.

(D) 실리콘 수지 입자의 시판품으로서는, 구체적으로, 토쿠야마사 제조의 「산실 MP-M」(평균 입자 직경 0.13μm); 신에츠 카가쿠사 제조의 「KMP-701」(평균 입자 직경 3.5μm), 「KMP-590」(평균 입자 직경 2μm), 「X-52-854」(평균 입자 직경 0.7μm), 「X-52-1621」(평균 입자 직경 5μm); 모멘티브 퍼포먼스 머테리얼 재팬사 제조의 「토스펄 105」(평균 입자 직경 0.5μm), 「토스펄 120」(평균 입자 직경 2μm), 「토스펄 130」(평균 입자 직경 3μm), 「토스펄 145」(평균 입자 직경 4.5μm), 「토스펄 2000B」(평균 입자 직경 6μm); 닛코 리카사 제조의 「MSP-N050」(평균 입자 직경 0.5μm) 등을 사용할 수 있다.(D) As a commercial product of the silicone resin particles, specifically, "Sansil MP-M" manufactured by Tokuyama Corporation (average particle diameter 0.13 μm); ``KMP-701'' (average particle diameter 3.5 μm), ``KMP-590'' (average particle diameter 2 μm), ``X-52-854'' (average particle diameter 0.7 μm), ``X-52-'' manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 1621" (average particle diameter 5 μm); Momentive Performance Material Japan ``Toss Pearl 105'' (average particle diameter 0.5 μm), ``Tos Pearl 120'' (average particle diameter 2 μm), ``Tos Pearl 130'' (average particle diameter 3 μm), and ``Tos Pearl 145'' "(Average particle diameter 4.5 µm), "Tospul 2000B" (average particle diameter 6 µm); "MSP-N050" (average particle diameter of 0.5 μm) manufactured by Nikko Rika Corporation can be used.

수지 조성물 중의 (D) 실리콘 수지 입자의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이고, 유전율을 보다 낮게 억제하는 관점에서, 특히 바람직하게는 10질량% 이상이다. (D) 실리콘 수지 입자의 함유량의 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 40질량% 이하이고, 보다 높은 도금 밀착성을 달성하는 관점에서, 더욱 바람직하게는 30질량% 이하, 특히 바람직하게는 25질량% 이하이다.The content of the silicone resin particles (D) in the resin composition is not particularly limited, but when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, It is more preferably 5% by mass or more, and particularly preferably 10% by mass or more from the viewpoint of lowering the dielectric constant. (D) The upper limit of the content of the silicone resin particles is not particularly limited, but when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, it is preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, From the viewpoint of achieving higher plating adhesion, it is more preferably 30% by mass or less, and particularly preferably 25% by mass or less.

수지 조성물 중의 (D) 실리콘 수지 입자의 함유량과 (C) 무기 충전재의 함유량의 질량비((D) 성분의 함유량/(C) 성분의 함유량)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.05 이상, 더욱 바람직하게는 0.1 이상이고, 유전율을 보다 낮게 억제하는 관점에서, 더욱 바람직하게는 0.2 이상, 특히 바람직하게는 0.3 이상이다. 상기 질량비의 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 5.0 이하, 보다 바람직하게는 2.0 이하, 더욱 바람직하게는 1.5 이하, 보다 더 바람직하게는 1.1 이하이고, 보다 높은 도금 밀착성을 달성하는 관점에서, 특히 바람직하게는 0.5 이하이다.The mass ratio of the content of the (D) silicone resin particles and the content of the (C) inorganic filler in the resin composition (content of the component (D) / content of the component (C)) is not particularly limited, but is preferably 0.01 or more, It is more preferably 0.05 or more, still more preferably 0.1 or more, and from the viewpoint of lowering the dielectric constant, more preferably 0.2 or more, and particularly preferably 0.3 or more. The upper limit of the mass ratio is not particularly limited, but is preferably 5.0 or less, more preferably 2.0 or less, still more preferably 1.5 or less, even more preferably 1.1 or less, from the viewpoint of achieving higher plating adhesion , Particularly preferably 0.5 or less.

<(E) 실란 커플링제><(E) Silane coupling agent>

본 발명의 수지 조성물은, 임의의 성분으로서 (E) 실란 커플링제를 포함하는 경우가 있다. (E) 실란 커플링제를 사용함으로써 (C) 성분 및 (D) 성분의 분산성을 높일 수 있다.The resin composition of the present invention may contain (E) a silane coupling agent as an optional component. By using the (E) silane coupling agent, the dispersibility of the component (C) and the component (D) can be improved.

(E) 실란 커플링제로서는, 예를 들면, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란 등의 비닐계 실란 커플링제; 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란 등의 에폭시계 실란 커플링제; p-스티릴트리메톡시실란 등의 스티릴계 실란 커플링제; 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란 등의 메타크릴계 실란 커플링제; 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 아크릴계 실란 커플링제; N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-8-아미노옥틸트리메톡시실란, N-(비닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노계 실란 커플링제; 트리스-(트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트계 실란 커플링제; 3-우레이도프로필트리알콕시실란 등의 우레이도계 실란 커플링제; 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 머캅토계 실란 커플링제; 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등의 이소시아네이트계 실란 커플링제; 3-트리메톡시실릴프로필석신산 무수물 등의 산 무수물계 실란 커플링제 등을 들 수 있다. (E) 실란 커플링제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.(E) Examples of the silane coupling agent include vinyl-based silane coupling agents such as vinyl trimethoxysilane and vinyl triethoxysilane; 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, Epoxy-based silane coupling agents such as 3-glycidoxypropyltriethoxysilane; styryl-based silane coupling agents such as p-styryltrimethoxysilane; Methacrylic silane couples such as 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, and 3-methacryloxypropyltriethoxysilane Ringje; Acrylic silane coupling agents such as 3-acryloxypropyltrimethoxysilane; N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltri Ethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethyl-butylidene)propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-8-aminooctyltrime Amino-based silane coupling agents such as oxysilane and N-(vinylbenzyl)-2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane; Isocyanurate silane coupling agents such as tris-(trimethoxysilylpropyl)isocyanurate; Ureido-based silane coupling agents such as 3-ureidopropyltrialkoxysilane; Mercapto-based silane coupling agents such as 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane; Isocyanate-based silane coupling agents such as 3-isocyanate propyl triethoxysilane; And acid anhydride-based silane coupling agents such as 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride. (E) The silane coupling agent may be used individually by 1 type, and may be used combining 2 or more types by arbitrary ratios.

(E) 실란 커플링제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠 코교사 제조의 「KBM-1003」, 「KBE-1003」(비닐계 실란 커플링제); 「KBM-303」, 「KBM-402」, 「KBM-403」, 「KBE-402」, 「KBE-403」(에폭시계 실란 커플링제); 「KBM-1403」(스티릴계 실란 커플링제); 「KBM-502」, 「KBM-503」, 「KBE-502」, 「KBE-503」(메타크릴계 실란 커플링제); 「KBM-5103」(아크릴계 실란 커플링제);「KBM-602」, 「KBM-603」, 「KBM-903」, 「KBE-903」, 「KBE-9103P」, 「KBM-573」, 「KBM-575」(아미노계 실란 커플링제); 「KBM-9659」(이소시아누레이트계 실란 커플링제); 「KBE-585」(우레이도계 실란 커플링제); 「KBM-802」, 「KBM-803」(머캅토계 실란 커플링제); 「KBE-9007N」(이소시아네이트계 실란 커플링제); 「X-12-967C」(산 무수물계 실란 커플링제) 등을 들 수 있다.(E) As a commercial item of a silane coupling agent, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-1003", "KBE-1003" (vinyl-type silane coupling agent), for example; "KBM-303", "KBM-402", "KBM-403", "KBE-402", "KBE-403" (epoxy silane coupling agent); "KBM-1403" (styryl-based silane coupling agent); "KBM-502", "KBM-503", "KBE-502", "KBE-503" (methacrylic silane coupling agent); "KBM-5103" (acrylic silane coupling agent); "KBM-602", "KBM-603", "KBM-903", "KBE-903", "KBE-9103P", "KBM-573", "KBM -575" (amino silane coupling agent); "KBM-9659" (isocyanurate-based silane coupling agent); "KBE-585" (ureido-based silane coupling agent); "KBM-802", "KBM-803" (mercapto-based silane coupling agent); "KBE-9007N" (isocyanate-based silane coupling agent); "X-12-967C" (acid anhydride silane coupling agent), etc. are mentioned.

수지 조성물이 (E) 실란 커플링제를 포함하는 경우, 수지 조성물 중의 (E) 실란 커플링제의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.001질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.01질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.03질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.05질량% 이상이다. (E) 실란 커플링제의 함유량의 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 5질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이하이다.When the resin composition contains (E) a silane coupling agent, the content of the (E) silane coupling agent in the resin composition is not particularly limited, but when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably It is 0.001% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more, still more preferably 0.03% by mass or more, and particularly preferably 0.05% by mass or more. (E) The upper limit of the content of the silane coupling agent is not particularly limited, but when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 20% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, further It is preferably 1% by mass or less, particularly preferably 0.5% by mass or less.

<(F) 경화 촉진제><(F) hardening accelerator>

본 발명의 수지 조성물은, 임의 성분으로서 (F) 경화 촉진제를 포함하는 경우가 있다. (F) 경화 촉진제는 (A) 에폭시 수지의 경화를 촉진시키는 기능을 갖는다.The resin composition of the present invention may contain (F) a curing accelerator as an optional component. (F) The curing accelerator has a function of accelerating the curing of the (A) epoxy resin.

(F) 경화 촉진제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 우레아계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(F) Although it does not specifically limit as a hardening accelerator, For example, phosphorus-type hardening accelerator, urea-type hardening accelerator, amine-type hardening accelerator, imidazole-type hardening accelerator, guanidine-type hardening accelerator, metallic hardening accelerator, etc. . Among them, a phosphorus-based curing accelerator, an amine-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, and a metal-based curing accelerator are preferable, and an amine-based curing accelerator is more preferable. The hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라부틸포스포늄클로라이드, 테트라부틸포스포늄아세테이트, 테트라부틸포스포늄데카노에이트, 테트라부틸포스포스포늄라우레이트, 비스(테트라부틸포스포늄)피로멜리테이트, 테트라부틸포스포늄하이드로젠헥사하이드로프탈레이트, 테트라부틸포스포늄크레졸노볼락 3량체염, 디-tert-부틸메틸포스포늄테트라페닐보레이트 등의 지방족 포스포늄염; 메틸트리페닐포스포늄브로마이드, 에틸트리페닐포스포늄브로마이드, 프로필트리페닐포스포늄브로마이드, 부틸트리페닐포스포늄브로마이드, 벤질트리페닐포스포늄클로라이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, p-톨릴트리페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라p-톨릴보레이트, 트리페닐에틸포스포늄테트라페닐보레이트, 트리스(3-메틸페닐)에틸포스포늄테트라페닐보레이트, 트리스(2-메톡시페닐)에틸포스포늄테트라페닐보레이트, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등의 방향족 포스포늄염; 트리페닐포스핀·트리페닐보란 등의 방향족 포스핀·보란 복합체; 트리페닐포스핀·p-벤조퀴논 부가 반응물 등의 방향족 포스핀·퀴논 부가 반응물; 트리부틸포스핀, 트리-tert-부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 디-tert-부틸(2-부테닐)포스핀, 디-tert-부틸(3-메틸-2-부테닐)포스핀, 트리사이클로헥실포스핀 등의 지방족 포스핀; 디부틸페닐포스핀, 디-tert-부틸페닐포스핀, 메틸디페닐포스핀, 에틸디페닐포스핀, 부틸디페닐포스핀, 디페닐사이클로헥실포스핀, 트리페닐포스핀, 트리-o-톨릴포스핀, 트리-m-톨릴포스핀, 트리-p-톨릴포스핀, 트리스(4-에틸페닐)포스핀, 트리스(4-프로필페닐)포스핀, 트리스(4-이소프로필페닐)포스핀, 트리스(4-부틸페닐)포스핀, 트리스(4-tert-부틸페닐)포스핀, 트리스(2,4-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,5-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,6-디메틸페닐)포스핀, 트리스(3,5-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,4,6-트리메틸페닐)포스핀, 트리스(2,6-디메틸-4-에톡시페닐)포스핀, 트리스(2-메톡시페닐)포스핀, 트리스(4-메톡시페닐)포스핀, 트리스(4-에톡시페닐)포스핀, 트리스(4-tert-부톡시페닐)포스핀, 디페닐-2-피리딜포스핀, 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄, 1,3-비스(디페닐포스피노)프로판, 1,4-비스(디페닐포스피노)부탄, 1,2-비스(디페닐포스피노)아세틸렌, 2,2'-비스(디페닐포스피노)디페닐에테르 등의 방향족 포스핀 등을 들 수 있다.As a phosphorus-based curing accelerator, for example, tetrabutylphosphonium bromide, tetrabutylphosphonium chloride, tetrabutylphosphonium acetate, tetrabutylphosphonium decanoate, tetrabutylphosphonium laurate, bis(tetrabutylphosphonium) Aliphatic phosphonium salts such as pyromellitate, tetrabutylphosphonium hydrogenhexahydrophthalate, tetrabutylphosphonium cresol novolac trimer salt, and di-tert-butylmethylphosphonium tetraphenylborate; Methyltriphenylphosphonium bromide, ethyltriphenylphosphonium bromide, propyltriphenylphosphonium bromide, butyltriphenylphosphonium bromide, benzyltriphenylphosphonium chloride, tetraphenylphosphonium bromide, p-tolyltriphenylphosphonium tetra- p-tolylborate, tetraphenylphosphoniumtetraphenylborate, tetraphenylphosphoniumtetrap-tolylborate, triphenylethylphosphoniumtetraphenylborate, tris(3-methylphenyl)ethylphosphoniumtetraphenylborate, tris(2-me) Aromatic phosphonium salts such as oxyphenyl) ethylphosphonium tetraphenyl borate, (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, and butyl triphenylphosphonium thiocyanate; Aromatic phosphine-borane complexes such as triphenylphosphine and triphenylborane; Aromatic phosphine-quinone addition reaction products such as triphenylphosphine-p-benzoquinone addition reaction products; Tributylphosphine, tri-tert-butylphosphine, trioctylphosphine, di-tert-butyl (2-butenyl) phosphine, di-tert-butyl (3-methyl-2-butenyl) phosphine, Aliphatic phosphines such as tricyclohexylphosphine; Dibutylphenylphosphine, di-tert-butylphenylphosphine, methyldiphenylphosphine, ethyldiphenylphosphine, butyldiphenylphosphine, diphenylcyclohexylphosphine, triphenylphosphine, tri-o-tolyl Phosphine, tri-m-tolylphosphine, tri-p-tolylphosphine, tris(4-ethylphenyl)phosphine, tris(4-propylphenyl)phosphine, tris(4-isopropylphenyl)phosphine, Tris(4-butylphenyl)phosphine, tris(4-tert-butylphenyl)phosphine, tris(2,4-dimethylphenyl)phosphine, tris(2,5-dimethylphenyl)phosphine, tris(2, 6-dimethylphenyl)phosphine, tris(3,5-dimethylphenyl)phosphine, tris(2,4,6-trimethylphenyl)phosphine, tris(2,6-dimethyl-4-ethoxyphenyl)phosphine , Tris(2-methoxyphenyl)phosphine, tris(4-methoxyphenyl)phosphine, tris(4-ethoxyphenyl)phosphine, tris(4-tert-butoxyphenyl)phosphine, diphenyl- 2-pyridylphosphine, 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane, 1,3-bis(diphenylphosphino)propane, 1,4-bis(diphenylphosphino)butane, 1,2- Aromatic phosphines such as bis(diphenylphosphino)acetylene and 2,2'-bis(diphenylphosphino)diphenyl ether, etc. are mentioned.

우레아계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 1,1-디메틸 요소; 1,1,3-트리메틸 요소, 3-에틸-1,1-디메틸 요소, 3-사이클로헥실-1,1-디메틸 요소, 3-사이클로옥틸-1,1-디메틸 요소 등의 지방족 디메틸우레아; 3-페닐-1,1-디메틸 요소, 3-(4-클로로페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(3-클로로-4-메틸페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(2-메틸페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(4-메틸페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(3,4-디메틸페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(4-이소프로필페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(4-메톡시페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(4-니트로페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-[4-(4-메톡시페녹시)페닐]-1,1-디메틸 요소, 3-[4-(4-클로로페녹시)페닐]-1,1-디메틸 요소, 3-[3-(트리플루오로메틸)페닐]-1,1-디메틸 요소, N,N-(1,4-페닐렌)비스(N',N'-디메틸 요소), N,N-(4-메틸-1,3-페닐렌)비스(N',N'-디메틸 요소)[톨루엔비스디메틸우레아] 등의 방향족 디메틸우레아 등을 들 수 있다.As the urea-based curing accelerator, for example, 1,1-dimethyl urea; Aliphatic dimethylurea such as 1,1,3-trimethyl urea, 3-ethyl-1,1-dimethyl urea, 3-cyclohexyl-1,1-dimethyl urea, and 3-cyclooctyl-1,1-dimethyl urea; 3-phenyl-1,1-dimethyl urea, 3-(4-chlorophenyl)-1,1-dimethyl urea, 3-(3,4-dichlorophenyl)-1,1-dimethyl urea, 3-(3- Chloro-4-methylphenyl)-1,1-dimethyl urea, 3-(2-methylphenyl)-1,1-dimethyl urea, 3-(4-methylphenyl)-1,1-dimethyl urea, 3-(3,4 -Dimethylphenyl)-1,1-dimethyl urea, 3-(4-isopropylphenyl)-1,1-dimethyl urea, 3-(4-methoxyphenyl)-1,1-dimethyl urea, 3-(4 -Nitrophenyl)-1,1-dimethyl urea, 3-[4-(4-methoxyphenoxy)phenyl]-1,1-dimethyl urea, 3-[4-(4-chlorophenoxy)phenyl]- 1,1-dimethyl urea, 3-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-1,1-dimethyl urea, N,N-(1,4-phenylene)bis(N',N'-dimethyl urea ), N,N-(4-methyl-1,3-phenylene)bis(N',N'-dimethylurea)[toluenebisdimethylurea], and the like.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘이 바람직하다.Examples of amine-based curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP), benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, And 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene, etc., and 4-dimethylaminopyridine is preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Midazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl -4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl Imidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s- Triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid addition Water, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2 -a] imidazole compounds such as benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, and 2-phenylimidazoline, and imidazole compounds and epoxy resin Adduct body is mentioned.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.As the imidazole-based curing accelerator, a commercial item may be used, and for example, "P200-H50" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. may be mentioned.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있다.As a guanidine-based hardening accelerator, for example, dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine , Trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methyl biguanide, 1-ethyl biguanide, 1-n-butyl biguanide, 1-n-octadecyl biguanide, 1,1-dimethyl biguanide, 1, 1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1-allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1-(o-tolyl) biguanide, etc. are mentioned.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II) 아세틸아세토네이트, 코발트(III) 아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III) 아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산아연, 옥틸산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 스테아르산주석, 스테아르산아연 등을 들 수 있다.Examples of the metal-based curing accelerator include an organic metal complex or an organic metal salt of a metal such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Organic zinc complexes, organic iron complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, zinc stearate, and the like.

수지 조성물이 (F) 경화 촉진제를 포함하는 경우, 수지 조성물 중의 (F) 경화 촉진제의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.0001질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.001질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.01질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.05질량% 이상이다. (F) 경화 촉진제의 함유량의 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.2질량% 이하이다.When the resin composition contains a curing accelerator (F), the content of the curing accelerator (F) in the resin composition is not particularly limited, but when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 0.0001 mass % Or more, more preferably 0.001% by mass or more, still more preferably 0.01% by mass or more, and particularly preferably 0.05% by mass or more. (F) The upper limit of the content of the curing accelerator is not particularly limited, but when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 5% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, further preferably It is preferably 0.5% by mass or less, particularly preferably 0.2% by mass or less.

<(G) 기타 첨가제><(G) Other additives>

본 발명의 수지 조성물은, 불휘발성 성분으로서, 임의의 첨가제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들면, 고무 입자, 폴리아미드 미립자 등의 유기 충전재; 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지 등의 열가소성 수지; 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물, 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 프탈로시아닌 블루, 프탈로시아닌 그린, 아이오딘 그린, 디아조 옐로우, 크리스탈 바이올렛, 산화티탄, 카본 블랙 등의 착색제; 하이드로퀴논, 카테콜, 피로갈롤, 페노티아진 등의 중합 금지제; 아크릴 폴리머계 레벨링제 등의 레벨링제; 벤톤, 몬모릴로나이트 등의 증점제; 실리콘계 소포제, 아크릴계 소포제, 불소계 소포제, 비닐 수지계 소포제의 소포제; 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 등의 자외선 흡수제; 요소 실란 등의 접착성 향상제; 트리아졸계 밀착성 부여제, 테트라졸계 밀착성 부여제, 트리아진계 밀착성 부여제 등의 밀착성 부여제; 힌더드페놀계 산화 방지제, 힌더드아민계 산화 방지제 등의 산화 방지제; 스틸벤 유도체 등의 형광 증백제; 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 계면활성제; 인계 난연제(예를 들어 인산에스테르 화합물, 포스파젠 화합물, 포스핀산 화합물, 적린), 질소계 난연제(예를 들면 황산멜라민), 할로겐계 난연제, 무기계 난연제(예를 들면 삼산화안티몬) 등의 난연제 등을 들 수 있다. 첨가제는, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. (G) 기타 첨가제의 함유량은 당업자이면 적절하게 설정할 수 있다.The resin composition of the present invention may further contain an optional additive as a nonvolatile component. Examples of such additives include organic fillers such as rubber particles and polyamide fine particles; Thermoplastic resins such as phenoxy resins, polyvinyl acetal resins, polyolefin resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyphenylene ether resins, polycarbonate resins, polyether ether ketone resins, and polyester resins; Organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds, and organocobalt compounds; Colorants such as phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodine green, diazo yellow, crystal violet, titanium oxide, and carbon black; Polymerization inhibitors such as hydroquinone, catechol, pyrogallol, and phenothiazine; Leveling agents such as acrylic polymer leveling agents; Thickeners such as bentone and montmorillonite; Antifoaming agents such as silicone antifoam, acrylic antifoam, fluorine antifoam, and vinyl resin antifoam; Ultraviolet absorbers such as benzotriazole-based ultraviolet absorbers; Adhesion improving agents such as urea silane; Adhesive imparting agents such as triazole-based adhesive imparting agents, tetrazole-based adhesive imparting agents, and triazine-based adhesive imparting agents; Antioxidants such as hindered phenol-based antioxidants and hindered amine-based antioxidants; Optical brighteners such as stilbene derivatives; Surfactants such as fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants; Flame retardants such as phosphorus-based flame retardants (for example, phosphoric acid ester compounds, phosphazene compounds, phosphinic acid compounds, red phosphorus), nitrogen-based flame retardants (for example, melamine sulfate), halogen-based flame retardants, and inorganic flame retardants (for example, antimony trioxide), etc. Can be lifted. The additives may be used alone or in combination of two or more at an arbitrary ratio. (G) The content of other additives can be appropriately set by those skilled in the art.

<(H) 유기 용제><(H) organic solvent>

본 발명의 수지 조성물은, 상기한 불휘발성 성분 이외에, 휘발성 성분으로서, 임의의 유기 용제를 추가로 함유하는 경우가 있다. (H) 유기 용제로서는, 공지의 것을 적절히 사용할 수 있고, 그 종류는 특별히 한정되는 것은 아니다. (H) 유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥사논 등의 케톤계 용제; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산이소아밀, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르계 용제; 테트라하이드로피란, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디부틸에테르, 디페닐에테르 등의 에테르계 용제; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜 등의 알코올계 용제; 아세트산 2-에톡시에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸디글리콜아세테이트, γ-부티로락톤, 메톡시프로피온산메틸 등의 에테르에스테르계 용제; 락트산메틸, 락트산에틸, 2-하이드록시이소부티르산메틸 등의 에스테르알코올계 용제; 2-메톡시프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(부틸카르비톨) 등의 에테르알코올계 용제; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드계 용제; 디메틸설폭사이드 등의 설폭사이드계 용제; 아세토니트릴, 프로피오니트릴 등의 니트릴계 용제; 헥산, 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용제; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다. (H) 유기 용제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition of the present invention may further contain an arbitrary organic solvent as a volatile component in addition to the above nonvolatile component. (H) As an organic solvent, a well-known thing can be used suitably, and its kind is not specifically limited. (H) Examples of the organic solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; Ester solvents such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, isoamyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, and γ-butyrolactone; Ether solvents such as tetrahydropyran, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, and diphenyl ether; Alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, butanol, and ethylene glycol; Ether ester solvents such as 2-ethoxyethyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl diglycol acetate, γ-butyrolactone, and methyl methoxypropionate; Ester alcohol solvents such as methyl lactate, ethyl lactate, and methyl 2-hydroxyisobutyrate; Ether alcohol-based solvents such as 2-methoxypropanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, propylene glycol monomethyl ether, and diethylene glycol monobutyl ether (butylcarbitol); Amide solvents such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, and N-methyl-2-pyrrolidone; Sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide; Nitrile solvents such as acetonitrile and propionitrile; Aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane, cyclopentane, cyclohexane, and methylcyclohexane; And aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, and trimethylbenzene. (H) An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used combining 2 or more types by arbitrary ratios.

<수지 조성물의 제조방법><Method of manufacturing resin composition>

본 발명의 수지 조성물은, 예를 들어, 임의의 반응 용기에 (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재, (D) 실리콘 수지 입자, 필요에 따라서 (E) 실란 커플링제, 필요에 따라서 (F) 경화 촉진제, 필요에 따라서 (G) 기타 첨가제 및 필요에 따라서 (H) 유기 용제를, 임의의 순서로 그리고/또는 일부 또는 전부 동시에 첨가하여 혼합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 각 성분을 첨가하여 혼합하는 과정에서 온도를 적절하게 설정할 수 있고, 일시적으로 또는 시종에 걸쳐서, 가열 및/또는 냉각해도 좋다. 또한, 각 성분을 첨가하여 혼합하는 과정에서, 교반 또는 진탕을 행해도 좋다. 또한, 첨가하여 혼합할 때에 또는 그 후에, 수지 조성물을, 예를 들어, 믹서 등의 교반 장치를 사용하여 교반하여 균일하게 분산시켜도 좋다.The resin composition of the present invention is, for example, in an optional reaction vessel (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler, (D) silicone resin particles, and if necessary (E) a silane coupling agent, If necessary, (F) a curing accelerator, if necessary, (G) other additives, and if necessary (H) an organic solvent can be added and mixed in any order and/or at the same time in some or all of them. Further, in the process of adding and mixing each component, the temperature can be appropriately set, and may be heated and/or cooled temporarily or over time. Further, in the process of adding and mixing each component, stirring or shaking may be performed. Further, at the time of adding and mixing or after that, the resin composition may be stirred and uniformly dispersed using a stirring device such as a mixer, for example.

<수지 조성물의 특성><Characteristics of resin composition>

본 발명의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재 및 (D) 실리콘 수지 입자를 포함하기 때문에, 얻어지는 경화물의 유전율을 낮게 억제할 수 있다. 또한, 어떤 특정의 실시형태에서는, 보다 우수한 도금 밀착성을 달성할 수 있다. 또한, 어떤 특정의 실시형태에서는, 보다 낮은 열팽창률을 달성할 수 있다.Since the resin composition of the present invention contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler, and (D) silicone resin particles, the dielectric constant of the resulting cured product can be suppressed low. In addition, in certain specific embodiments, more excellent plating adhesion can be achieved. Further, in certain specific embodiments, a lower coefficient of thermal expansion can be achieved.

본 발명의 수지 조성물은, 얻어지는 경화물의 유전율을 낮게 억제할 수 있기 때문에, 예를 들어, 공동 공진 섭동법에 의해 측정 주파수 5.8GHz, 측정 온도 23℃에서 측정되는 유전율이, 바람직하게는 4.0 이하, 보다 바람직하게는 3.5 이하, 더욱 바람직하게는 3.2 이하, 보다 더 바람직하게는 3.0 이하, 특히 바람직하게는 2.8 이하로 될 수 있다.Since the resin composition of the present invention can suppress the dielectric constant of the resulting cured product low, for example, the dielectric constant measured at a measurement frequency of 5.8 GHz and a measurement temperature of 23° C. by a cavity resonance perturbation method is preferably 4.0 or less, It may be more preferably 3.5 or less, still more preferably 3.2 or less, even more preferably 3.0 or less, and particularly preferably 2.8 or less.

특정의 실시형태에서는, 본 발명의 수지 조성물의 경화물은, 우수한 도금 밀착성을 구비하기 때문에, 하기 시험예 1의 조건에서 얻어지는 기판에서의, 실온 중에서 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 35mm를 벗겨내어 측정되는 도금 도체층의 박리 강도가, 바람직하게는 2kgf/cm 이상, 보다 바람직하게는 3kgf/cm 이상, 더욱 바람직하게는 4kgf/cm 이상, 특히 바람직하게는 5kgf/cm 이상으로 될 수 있다.In a specific embodiment, since the cured product of the resin composition of the present invention has excellent plating adhesion, 35 mm is peeled off in the vertical direction at a rate of 50 mm/min at room temperature on the substrate obtained under the conditions of Test Example 1 below. The peel strength of the plated conductor layer measured by taking out may be preferably 2 kgf/cm or more, more preferably 3 kgf/cm or more, more preferably 4 kgf/cm or more, and particularly preferably 5 kgf/cm or more.

특정의 실시형태에서는, 본 발명의 수지 조성물의 경화물은 열팽창률이 낮기 때문에, 25℃ 내지 150℃까지의 범위에서의 평균 선 열팽창 계수가, 바람직하게는 60ppm/℃ 이하, 보다 바람직하게는 50ppm/℃ 이하, 더욱 바람직하게는 45ppm/℃ 이하, 보다 더 바람직하게는 40ppm/℃ 이하, 특히 바람직하게는 35ppm/℃ 이하로 될 수 있다.In a specific embodiment, since the cured product of the resin composition of the present invention has a low coefficient of thermal expansion, the average linear thermal expansion coefficient in the range of 25°C to 150°C is preferably 60 ppm/°C or less, more preferably 50 ppm. /°C or less, more preferably 45 ppm/°C or less, even more preferably 40 ppm/°C or less, and particularly preferably 35 ppm/°C or less.

<수지 조성물의 용도><Use of resin composition>

본 발명의 수지 조성물은, 절연 용도의 수지 조성물, 특히, 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물로서 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 절연층 위에 형성되는 도체층(재배선층을 포함함)을 형성하기 위한 상기 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(도체층을 형성하기 위한 절연층 형성용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 후술하는 프린트 배선판에서, 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(프린트 배선판의 절연층 형성용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은 또한, 수지 시트, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료, 솔더 레지스트, 언더필재, 다이 본딩재, 반도체 밀봉재, 구멍 메우기 수지, 부품 매립 수지 등, 수지 조성물이 필요한 용도로 광범위하게 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention can be suitably used as a resin composition for insulating applications, particularly as a resin composition for forming an insulating layer. Specifically, it can be suitably used as a resin composition for forming the insulating layer (resin composition for forming an insulating layer for forming a conductor layer) for forming a conductor layer (including a rewiring layer) formed on the insulating layer. have. Further, in a printed wiring board described later, it can be suitably used as a resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board (a resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board). The resin composition of the present invention is also widely used in applications requiring a resin composition, such as sheet-like laminated materials such as resin sheets and prepregs, solder resists, underfill materials, die bonding materials, semiconductor sealing materials, hole filling resins, and component embedding resins. Can be used.

또한, 예를 들어, 이하의 (1) 내지 (6) 공정을 거쳐 반도체 칩 패키지가 제조되는 경우, 본 발명의 수지 조성물은, 재배선층을 형성하기 위한 절연층으로서의 재배선 형성층용 수지 조성물(재배선 형성층 형성용 수지 조성물), 및 반도체 칩을 밀봉하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 밀봉용 수지 조성물)로서도 적합하게 사용할 수 있다. 반도체 칩 패키지가 제조될 때, 밀봉층 위에 추가로 재배선층을 형성해도 좋다.In addition, for example, when a semiconductor chip package is manufactured through the following steps (1) to (6), the resin composition of the present invention is a resin composition for a redistribution forming layer as an insulating layer for forming a redistribution layer (cultivation It can also be suitably used as a resin composition for forming a line forming layer) and a resin composition for sealing a semiconductor chip (a resin composition for sealing a semiconductor chip). When a semiconductor chip package is manufactured, a redistribution layer may be further formed on the sealing layer.

(1) 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정,(1) the process of laminating a temporary fixing film on the substrate,

(2) 반도체 칩을 가고정 필름 위에 가고정하는 공정,(2) the process of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporary fixing film,

(3) 반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정,(3) the step of forming a sealing layer on the semiconductor chip,

(4) 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정,(4) the step of peeling the substrate and the temporary fixing film from the semiconductor chip,

(5) 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에, 절연층으로서의 재배선 형성층을 형성하는 공정, 및(5) a step of forming a rewiring forming layer as an insulating layer on the surface from which the substrate and the temporary fixing film of the semiconductor chip are peeled off, and

(6) 재배선 형성층 위에 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정(6) Step of forming a redistribution layer as a conductor layer on the redistribution formation layer

또한, 본 발명의 수지 조성물은, 부품 매립성이 양호한 절연층을 형성하기 때문에, 프린트 배선판이 부품 내장 회로판인 경우에도 적합하게 사용할 수 있다.In addition, since the resin composition of the present invention forms an insulating layer having good component embedding properties, it can be suitably used even when the printed wiring board is a component-embedded circuit board.

<시트상 적층 재료><Sheet Laminated Material>

본 발명의 수지 조성물은 바니시 상태로 도포하여 사용할 수도 있지만, 공업적으로는 일반적으로, 상기 수지 조성물을 함유하는 시트상 적층 재료 형태로 사용하는 것이 적합하다.Although the resin composition of the present invention may be applied and used in a varnish state, industrially, it is generally suitable to be used in the form of a sheet-like laminate material containing the resin composition.

시트상 적층 재료로서는, 이하에 나타내는 수지 시트, 프리프레그가 바람직하다.As a sheet-like laminated material, a resin sheet and a prepreg shown below are preferable.

일 실시형태에서, 수지 시트는, 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된 수지 조성물층을 포함하여 이루어지고, 수지 조성물층은 본 발명의 수지 조성물로 형성된다.In one embodiment, the resin sheet comprises a support and a resin composition layer provided on the support, and the resin composition layer is formed of the resin composition of the present invention.

수지 조성물층의 두께는, 프린트 배선판의 박형화 및 상기 수지 조성물의 경화물이 박막이라도 절연성이 우수한 경화물을 제공할 수 있다는 관점에서, 바람직하게는 50μm 이하, 보다 바람직하게는 40μm 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상 5μm 이상, 10μm 이상 등으로 할 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 50 μm or less, more preferably 40 μm or less from the viewpoint of thinning of the printed wiring board and the ability to provide a cured product having excellent insulation even if the cured product of the resin composition is a thin film. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, but can be usually 5 μm or more, 10 μm or more.

지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, 「PET」로 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하, 「PEN」으로 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하, 「PC」로 약칭하는 경우가 있음), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, the plastic material includes, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter, sometimes abbreviated as ``PET''), polyethylene naphthalate (hereinafter, abbreviated as ``PEN'') A) polyester, polycarbonate (hereinafter, sometimes abbreviated as ``PC''), acrylic such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetylcellulose (TAC), polyether sulfide ( PES), polyether ketone, polyimide, etc. are mentioned. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When a metal foil is used as the support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil, and copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and other metals (e.g., tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. good.

지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리를 실시해도 좋다.The support may be subjected to a mat treatment, a corona treatment, or an antistatic treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지 및 실리콘 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」, 토레사 제조의 「루미라 T60」, 테이진사 제조의 「퓨렉스」, 유니티카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.Further, as the support, a support with a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. As a releasing agent used for the releasing layer of the support body with a releasing layer, for example, one or more releasing agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins and silicone resins can be mentioned. As a support with a release layer, a commercial item may be used. For example, "SK-1", "AL-5", and "AL-" manufactured by Lintec, which are PET films having a release layer containing an alkyd resin-based release agent as a main component. 7", "Lumira T60" manufactured by Tore Corporation, "Purex" manufactured by Teijin Corporation, "Uni-Feel" manufactured by Unitika Corporation, etc. are mentioned.

지지체의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 5μm 내지 75μm의 범위가 바람직하고, 10μm 내지 60μm의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.Although the thickness of the support is not particularly limited, the range of 5 μm to 75 μm is preferable, and the range of 10 μm to 60 μm is more preferable. Moreover, when using a support body with a release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a release layer is the said range.

일 실시형태에 있어서, 수지 시트는, 필요에 따라서 임의의 층을 추가로 포함하고 있어도 좋다. 이러한 임의의 층으로서는, 예를 들어, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에 제공된, 지지체에 준한 보호 필름 등을 들 수 있다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1μm 내지 40μm이다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물층의 표면에 대한 먼지 등의 부착이나 흠집을 억제할 수 있다.In one embodiment, the resin sheet may further contain an arbitrary layer as needed. As such an arbitrary layer, a protective film conforming to a support body, etc. provided on the surface which is not bonded to the support body of a resin composition layer (that is, the surface opposite to a support body), etc. are mentioned, for example. The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 μm to 40 μm. By laminating the protective film, adhesion of dust or the like to the surface of the resin composition layer and scratches can be suppressed.

수지 시트는, 예를 들어, 액상인 수지 조성물을 그대로, 또는 유기 용제에 수지 조성물을 용해시킨 수지 바니시를 조제하고, 이것을, 다이 코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 추가로 건조시켜 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.For the resin sheet, for example, a liquid resin composition as it is or a resin varnish obtained by dissolving a resin composition in an organic solvent is prepared, and this is applied on a support body using a die coater or the like, and further dried to form a resin composition layer. It can be produced by forming.

유기 용제로서는, 수지 조성물의 성분으로서 설명한 유기 용제와 동일한 것을 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the organic solvent include those similar to the organic solvent described as a component of the resin composition. Organic solvents may be used alone or in combination of two or more.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 조성물 또는 수지 바니시 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들면 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 조성물 또는 수지 바니시를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써 수지 조성물층을 형성할 수 있다.Drying may be performed by a known method such as heating and hot air spraying. Although drying conditions are not particularly limited, drying is performed so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it also varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin composition or resin varnish, for example, in the case of using a resin composition or resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of an organic solvent, from 50°C to 150°C for 3 minutes to The resin composition layer can be formed by drying for 10 minutes.

수지 시트는, 롤상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다.The resin sheet can be wound up and stored in a roll shape. When a resin sheet has a protective film, it becomes usable by peeling off a protective film.

일 실시형태에 있어서, 프리프레그는, 시트상 섬유 기재에 본 발명의 수지 조성물을 함침시켜 형성된다.In one embodiment, a prepreg is formed by impregnating the resin composition of the present invention into a sheet-like fiber base material.

프리프레그로 사용하는 시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않고, 유리 클로스, 아라미드 부직포, 액정 폴리머 부직포 등의 프리프레그용 기재로서 상용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는, 바람직하게는 50μm 이하, 보다 바람직하게는 40μm 이하, 더욱 바람직하게는 30μm 이하, 특히 바람직하게는 20μm 이하이다. 시트상 섬유 기재의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않는다. 통상, 10μm 이상이다.The sheet-like fibrous base material used for the prepreg is not particularly limited, and those commonly used as the base material for prepreg such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric can be used. From the viewpoint of thinning the printed wiring board, the thickness of the sheet-like fibrous substrate is preferably 50 μm or less, more preferably 40 μm or less, still more preferably 30 μm or less, and particularly preferably 20 μm or less. The lower limit of the thickness of the sheet-like fibrous substrate is not particularly limited. Usually, it is 10 μm or more.

프리프레그는, 핫멜트법, 솔벤트법 등의 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.The prepreg can be produced by a known method such as a hot melt method and a solvent method.

프리프레그의 두께는, 상기한 수지 시트에서의 수지 조성물층과 동일한 범위로 할 수 있다.The thickness of the prepreg can be in the same range as the resin composition layer in the resin sheet described above.

본 발명의 시트상 적층 재료는, 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위해(프린트 배선판의 절연층용) 적합하게 사용할 수 있고, 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위해(프린트 배선판의 층간 절연층용) 보다 적합하게 사용할 수 있다.The sheet-like laminated material of the present invention can be suitably used to form an insulating layer of a printed wiring board (for an insulating layer of a printed wiring board), and to form an interlayer insulating layer of a printed wiring board (for an interlayer insulating layer of a printed wiring board). It can be used suitably.

<프린트 배선판><Printed wiring board>

본 발명의 프린트 배선판은, 본 발명의 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물로 이루어진 절연층을 포함한다.The printed wiring board of the present invention includes an insulating layer made of a cured product obtained by curing the resin composition of the present invention.

프린트 배선판은, 예를 들어, 상기한 수지 시트를 사용하여, 하기 (I) 및 (II)의 공정을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.A printed wiring board can be manufactured by a method including the following steps (I) and (II) using, for example, the resin sheet described above.

(I) 내층 기판 위에, 수지 시트를, 수지 시트의 수지 조성물층이 내층 기판과 접합하도록 적층하는 공정(I) Step of laminating a resin sheet on the inner substrate so that the resin composition layer of the resin sheet is bonded to the inner substrate

(II) 수지 조성물층을 경화(예를 들어, 열경화)하여 절연층을 형성하는 공정(II) The process of forming an insulating layer by curing (for example, thermosetting) the resin composition layer

공정 (I)에서 사용하는 「내층 기판」이란, 프린트 배선판의 기판이 되는 부재로서, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있다. 또한, 상기 기판은, 이의 편면 또는 양면에 도체층을 갖고 있어도 좋고, 이 도체층은 패턴 가공되어 있어도 좋다. 기판의 편면 또는 양면에 도체층(회로)이 형성된 내층 기판은 「내층 회로 기판」이라고 하는 경우가 있다. 또한 프린트 배선판을 제조할 때에, 절연층 및/또는 도체층이 추가로 형성되어야 할 중간 제조물도 본 발명에서 말하는 「내층 기판」에 포함된다. 프린트 배선판이 부품 내장 회로판인 경우, 부품을 내장한 내층 기판을 사용해도 좋다.The "inner layer substrate" used in the step (I) is a member that becomes a substrate for a printed wiring board, for example, a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, and a thermosetting polyphenylene. Ether substrates, and the like. Further, the substrate may have a conductor layer on one or both surfaces thereof, and the conductor layer may be patterned. An inner layer substrate in which a conductor layer (circuit) is formed on one or both sides of the substrate is sometimes referred to as an "inner layer circuit board". Further, when manufacturing a printed wiring board, an intermediate product to which an insulating layer and/or a conductor layer should be further formed is also included in the "inner layer substrate" referred to in the present invention. When the printed wiring board is a component-embedded circuit board, an inner-layer board with embedded components may be used.

내층 기판과 수지 시트의 적층은 예를 들어, 지지체측으로부터 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착함으로써 행할 수 있다. 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 함)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니라, 내층 기판의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.Lamination of the inner layer substrate and the resin sheet can be performed, for example, by heat-pressing the resin sheet to the inner layer substrate from the support side. As a member for heat-pressing the resin sheet to the inner layer substrate (hereinafter, also referred to as "heat-pressing member"), a heated metal plate (SUS hard plate, etc.) or a metal roll (SUS roll) may be mentioned. In addition, it is preferable not to directly press the heat-pressed member onto the resin sheet, but to press through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the inner layer substrate.

내층 기판과 수지 시트의 적층은, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이고, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이고, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건 하에 실시될 수 있다.Lamination of the inner-layer substrate and the resin sheet may be performed by a vacuum lamination method. In the vacuum lamination method, the heating compression temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, more preferably 80°C to 140°C, and the heating compression pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably Is in the range of 0.29 MPa to 1.47 MPa, and the heating and compression time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, and more preferably in the range of 30 seconds to 300 seconds. Lamination can be carried out under reduced pressure conditions, preferably of 26.7 hPa or less.

적층은 시판의 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들어, 메이키 세이사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코 머테리얼즈사 제조의 베큠 어플리케이터, 배취식 진공 가압 라미네이터 등을 들 수 있다.Lamination can be performed by a commercially available vacuum laminator. Examples of commercially available vacuum laminators include a vacuum pressurized laminator manufactured by Meiki Seisakusho, a vacuum applicator manufactured by Nikko Materials, and a batch vacuum pressurized laminator.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들어, 가열 압착 부재를 지지체측으로부터 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 행해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는 시판의 라미네이터에 의해서 행할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는 상기 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행해도 좋다.After lamination, the laminated resin sheet may be smoothed under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing the heat-pressed member from the support side. Pressing conditions of the smoothing treatment can be the same as those of the above-described hot-pressing conditions for lamination. The smoothing treatment can be performed by a commercially available laminator. In addition, lamination and smoothing treatment may be performed continuously using the commercially available vacuum laminator.

지지체는, 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (II) 후에 제거해도 좋다.The support may be removed between the step (I) and the step (II), or may be removed after the step (II).

공정 (II)에서, 수지 조성물층을 경화(예를 들어 열경화)하여, 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 형성한다. 수지 조성물층의 경화 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 통상 채용되는 조건을 사용해도 좋다.In step (II), the resin composition layer is cured (for example, thermosetting) to form an insulating layer made of a cured product of the resin composition. The conditions for curing the resin composition layer are not particularly limited, and conditions generally employed when forming the insulating layer of the printed wiring board may be used.

예를 들어, 수지 조성물층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 따라서도 다르지만, 경화 온도는 바람직하게는 120℃ 내지 240℃, 보다 바람직하게는 150℃ 내지 220℃, 더욱 바람직하게는 170℃ 내지 210℃이다. 경화 시간은 바람직하게는 5분간 내지 120분간, 보다 바람직하게는 10분간 내지 100분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간으로 할 수 있다.For example, the thermosetting conditions of the resin composition layer vary depending on the type of the resin composition, etc., but the curing temperature is preferably 120°C to 240°C, more preferably 150°C to 220°C, still more preferably 170°C. To 210°C. The curing time may be preferably 5 minutes to 120 minutes, more preferably 10 minutes to 100 minutes, and still more preferably 15 minutes to 100 minutes.

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열해도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물층을 열경화시키기에 앞서, 50℃ 내지 120℃, 바람직하게는 60℃ 내지 115℃, 보다 바람직하게는 70℃ 내지 110℃의 온도에서, 수지 조성물층을 5분간 이상, 바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간 예비 가열해도 좋다.Before thermosetting the resin composition layer, you may preheat the resin composition layer at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, at a temperature of 50°C to 120°C, preferably 60°C to 115°C, more preferably 70°C to 110°C, the resin composition layer is heated for 5 minutes or more, Preheating may be preferably performed for 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes, and even more preferably 15 minutes to 100 minutes.

프린트 배선판을 제조할 때에는, (III) 절연층에 구멍을 뚫는 공정, (IV) 절연층을 조화(粗化) 처리하는 공정, (V) 도체층을 형성하는 공정을 추가로 실시해도 좋다. 이러한 공정 (III) 내지 공정 (V)는, 프린트 배선판의 제조에 사용되는, 당업자에게 공지된 각종 방법에 따라서 실시해도 좋다. 또한, 지지체를 공정 (II) 후에 제거하는 경우, 상기 지지체의 제거는, 공정 (II)와 공정 (III) 사이, 공정 (III)과 공정 (IV) 사이, 또는 공정 (IV)와 공정 (V) 사이에 실시해도 좋다. 또한, 필요에 따라서, 공정 (II) 내지 공정 (V)의 절연층 및 도체층의 형성을 반복해서 실시하여 다층 배선판을 형성해도 좋다.When manufacturing a printed wiring board, (III) a process of making a hole in an insulating layer, (IV) a process of roughening an insulation layer, and (V) a process of forming a conductor layer may be additionally performed. These steps (III) to (V) may be performed according to various methods known to those skilled in the art used for manufacturing a printed wiring board. In addition, when the support is removed after the step (II), the removal of the support may be performed between steps (II) and (III), between steps (III) and (IV), or between steps (IV) and (V). ) May be carried out. Further, if necessary, the insulating layer and the conductor layer in steps (II) to (V) may be repeatedly formed to form a multilayer wiring board.

다른 실시형태에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판은 상기한 프리프레그를 사용하여 제조할 수 있다. 제조방법은 기본적으로 수지 시트를 사용하는 경우와 동일하다.In another embodiment, the printed wiring board of the present invention can be manufactured using the prepreg described above. The manufacturing method is basically the same as in the case of using a resin sheet.

공정 (III)은 절연층에 구멍을 뚫는 공정이며, 이에 의해 절연층에 비아 홀, 스루 홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 공정 (III)은, 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성 등에 따라서, 예를 들어, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용하여 실시해도 좋다. 홀의 치수나 형상은, 프린트 배선판의 디자인에 따라서 적절하게 결정해도 좋다.Step (III) is a step of making a hole in the insulating layer, whereby holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. Step (III) may be performed using, for example, a drill, laser, plasma, or the like, depending on the composition of the resin composition used to form the insulating layer. The size and shape of the hole may be appropriately determined according to the design of the printed wiring board.

공정 (IV)는 절연층을 조화 처리하는 공정이다. 통상, 상기 공정 (IV)에서 스미어의 제거도 행해진다. 조화 처리의 수순, 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성함에 있어서 통상 사용되는 공지의 수순, 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순서로 실시하여 절연층을 조화 처리할 수 있다.Step (IV) is a step of roughening the insulating layer. Usually, smear is also removed in the step (IV). The procedure and conditions of the roughening treatment are not particularly limited, and known procedures and conditions commonly used in forming the insulating layer of the printed wiring board can be adopted. For example, the insulating layer can be roughened by performing a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent, and a neutralization treatment with a neutralizing liquid in this order.

조화 처리에 사용하는 팽윤액으로서는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 용액, 계면활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이고, 상기 알칼리 용액으로서는, 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「스웰링 딥 세큐리간스 P」, 「스웰링 딥 세큐리간스 SBU」 등을 들 수 있다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지함으로써 행할 수 있다. 절연층의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다.Although it does not specifically limit as a swelling liquid used for roughening treatment, An alkali solution, a surfactant solution, etc. are mentioned, Preferably it is an alkali solution, As said alkali solution, a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution are more preferable. As a commercially available swelling liquid, "Swelling Deep Securigans P", "Swelling Deep Securigans SBU" manufactured by Atotech Japan, etc. are mentioned, for example. The swelling treatment with the swelling liquid is not particularly limited, but can be performed, for example, by immersing the insulating layer in a swelling liquid of 30°C to 90°C for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin of the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in a swelling solution of 40°C to 80°C for 5 minutes to 15 minutes.

조화 처리에 사용하는 산화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨 또는 과망간산나트륨을 용해시킨 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 100℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「컨센트레이트 컴팩트 CP」, 「도징 솔루션 세큐리간스 P」 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as an oxidizing agent used for roughening treatment, For example, an alkaline permanganic acid solution in which potassium permanganate or sodium permanganate is dissolved in an aqueous solution of sodium hydroxide can be mentioned. The roughening treatment with an oxidizing agent, such as an alkaline permanganic acid solution, is preferably performed by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated to 60°C to 100°C for 10 minutes to 30 minutes. Further, the concentration of permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as "Concentrate Compact CP" and "Dosing Solution Securigans P" manufactured by Atotech Japan.

또한, 조화 처리에 사용하는 중화액으로서는, 산성 수용액이 바람직하고, 시판품으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「리덕션 솔루션 세큐리간트 P」를 들 수 있다.In addition, as the neutralizing liquid used for the roughening treatment, an acidic aqueous solution is preferable, and as a commercial item, "Reduction Solution Securigant P" manufactured by Atotech Japan is mentioned, for example.

중화액에 의한 처리는, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 대상물을 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.Treatment with the neutralizing liquid can be performed by immersing the treated surface on which the roughening treatment with an oxidizing agent has been performed in the neutralizing liquid at 30°C to 80°C for 5 minutes to 30 minutes. From the standpoint of workability and the like, a method of immersing the object subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 40°C to 70°C for 5 minutes to 20 minutes is preferable.

일 실시형태에 있어서, 조화 처리 후의 절연층 표면의 산술 평균 조도(Ra)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 500nm 이하, 보다 바람직하게는 400nm 이하, 더욱 바람직하게는 300nm 이하이다. 하한에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 1nm 이상, 2nm 이상 등으로 할 수 있다. 또한, 조화 처리 후의 절연층 표면의 자승 평균 평방근 조도(Rq)는, 바람직하게는 500nm 이하, 보다 바람직하게는 400nm 이하, 더욱 바람직하게는 300nm 이하이다. 하한에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 1nm 이상, 2nm 이상 등으로 할 수 있다. 절연층 표면의 산술 평균 조도(Ra) 및 자승 평균 평방근 조도(Rq)는 비접촉형 표면 조도계를 사용하여 측정할 수 있다.In one embodiment, the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is not particularly limited, but is preferably 500 nm or less, more preferably 400 nm or less, and even more preferably 300 nm or less. The lower limit is not particularly limited, and may be, for example, 1 nm or more, 2 nm or more. In addition, the root mean square roughness (Rq) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 500 nm or less, more preferably 400 nm or less, and still more preferably 300 nm or less. The lower limit is not particularly limited, and may be, for example, 1 nm or more, 2 nm or more. The arithmetic mean roughness (Ra) and the square mean square roughness (Rq) of the surface of the insulating layer can be measured using a non-contact type surface roughness meter.

공정 (V)는 도체층을 형성하는 공정으로, 절연층 위에 도체층을 형성한다. 도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은, 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는, 예를 들어, 상기 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티탄 합금의 합금층이 바람직하고, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하고, 구리의 단금속층이 더욱 바람직하다.Step (V) is a step of forming a conductor layer, and a conductor layer is formed on the insulating layer. The conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a suitable embodiment, the conductor layer comprises at least one metal selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. do. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer, and as the alloy layer, for example, an alloy of two or more metals selected from the above group (e.g., nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy, and copper-titanium alloy ) Formed by. Among them, from the viewpoint of versatility, cost, and ease of patterning for forming a conductor layer, a monometallic layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or a nickel-chromium alloy, or a copper-nickel alloy , A copper-titanium alloy alloy layer is preferred, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or an alloy layer of a nickel-chromium alloy is more preferred, and a single metal layer of copper This is more preferable.

도체층은, 단층 구조라도, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은, 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single-layer structure, or a multilayer structure in which two or more layers of a single metal layer or an alloy layer made of different types of metals or alloys are stacked. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc, or titanium, or an alloy layer of a nickel-chromium alloy.

도체층의 두께는, 원하는 프린트 배선판의 디자인에 따르지만, 일반적으로 3μm 내지 35μm, 바람직하게는 5μm 내지 30μm이다.The thickness of the conductor layer depends on the design of the desired printed wiring board, but is generally 3 μm to 35 μm, preferably 5 μm to 30 μm.

일 실시형태에 있어서, 도체층은 도금에 의해 형성해도 좋다. 예를 들어, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있고, 제조의 간편성의 관점에서, 세미 어디티브법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 이하, 도체층을 세미 어디티브법에 의해 형성하는 예를 나타낸다.In one embodiment, the conductor layer may be formed by plating. For example, it is possible to form a conductor layer having a desired wiring pattern by plating the surface of the insulating layer by a conventionally known technique such as a semi-positive method and a full-positive method. It is preferable to form by the additive method. Hereinafter, an example of forming a conductor layer by a semi-positive method is shown.

우선, 절연층의 표면에 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 이때, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Subsequently, on the formed plating seed layer, a mask pattern for exposing a part of the plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern is formed. After forming a metal layer by electrolytic plating on the exposed plating seed layer, the mask pattern is removed. At this time, the unnecessary plating seed layer is removed by etching or the like, so that a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed.

다른 실시형태에 있어서, 도체층은 금속박을 사용하여 형성해도 좋다. 금속박을 사용하여 도체층을 형성하는 경우, 공정 (V)는, 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 실시하는 것이 적합하다. 예를 들어, 공정 (I) 후 지지체를 제거하고, 노출된 수지 조성물층의 표면에 금속박을 적층한다. 수지 조성물층과 금속박의 적층은 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 적층 조건은, 공정 (I)에 대하여 설명한 조건과 동일하게 해도 좋다. 이어서, 공정 (II)를 실시하여 절연층을 형성한다. 그 후, 절연층 위의 금속박을 이용하여, 서브트랙티브법, 모디파이드 세미 어디티브법 등의 종래의 공지의 기술에 의해 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.In another embodiment, the conductor layer may be formed using a metal foil. When forming a conductor layer using a metal foil, it is suitable to perform process (V) between process (I) and process (II). For example, after the step (I), the support is removed, and a metal foil is laminated on the surface of the exposed resin composition layer. Lamination of the resin composition layer and the metal foil may be performed by a vacuum lamination method. The lamination conditions may be the same as those described for the step (I). Next, step (II) is carried out to form an insulating layer. Thereafter, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by a conventionally known technique such as a subtractive method and a modified semi-positive method using the metal foil on the insulating layer.

금속박은 예를 들어, 전해법, 압연법 등의 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다. 금속박의 시판품으로서는, 예를 들어, JX 닛코 닛세키 킨조쿠사 제조의 HLP박, JXUT-III박, 미츠이 킨조쿠 코잔사 제조의 3EC-III박, TP-III박 등을 들 수 있다.The metal foil can be manufactured by known methods, such as an electrolysis method and a rolling method, for example. As a commercial item of metal foil, JX Nikko Nisseki Kinzoku company HLP foil, JXUT-III foil, Mitsui Kinzoku Kozan company 3EC-III foil, TP-III foil, etc. are mentioned, for example.

<반도체 장치><Semiconductor device>

본 발명의 반도체 장치는 본 발명의 프린트 배선판을 포함한다. 본 발명의 반도체 장치는 본 발명의 프린트 배선판을 사용하여 제조할 수 있다.The semiconductor device of the present invention includes the printed wiring board of the present invention. The semiconductor device of the present invention can be manufactured using the printed wiring board of the present invention.

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈 것(예를 들면, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장비를 들 수 있다.Examples of semiconductor devices include various semiconductor equipment provided in electrical appliances (for example, computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.) and vehicles (for example, motorcycles, automobiles, tanks, ships and aircraft, etc.). I can.

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 있어서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by examples. The present invention is not limited to these examples. In addition, in the following, "parts" and "%" indicating amounts mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified.

<실시예 1: 수지 조성물 1의 조제><Example 1: Preparation of resin composition 1>

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144g/eq.) 10부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠사 제조 「NC-3000-H」, 에폭시 당량 약 290g/eq.) 10부를, 톨루엔 15부, MEK 15부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 얻어진 용액을 실온으로까지 냉각한 후, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 223g/eq., 고형분 65질량%의 톨루엔 용액) 46부, 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘 고형분 5%의 MEK 용액) 2부, 아민계 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」) 0.1부, 폴리메틸실세스퀴옥산 입자(토쿠야마사 제조 「산실 MP-M」, 평균 입자 직경 0.13μm) 10부, 무기 충전재(아민계 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」)로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5μm)) 90부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 조성물 1을 얻었다.Naphthalene type epoxy resin ("HP4032SS" manufactured by DIC, epoxy equivalent of about 144g/eq.) 10 parts, biphenyl type epoxy resin ("NC-3000-H" manufactured by Nihon Kayaku, about 290g/eq. of epoxy equivalent) 10 The part was heated and dissolved in 15 parts of toluene and 15 parts of MEK while stirring. After cooling the obtained solution to room temperature, 46 parts of an active ester curing agent ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Corporation, an active group equivalent of 223 g/eq., a toluene solution having a solid content of 65% by mass), an amine curing accelerator (4 -Dimethylaminopyridine solid content 5% MEK solution) 2 parts, amine-based silane coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ``KBM-573'') 0.1 part, polymethylsilsesquioxane particles (Tokuyama company ``Sansil MP -M", average particle diameter 0.13 μm) 10 parts, inorganic filler (amine-based silane coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ``KBM-573'') surface-treated spherical silica (Adomex Corporation ``SO-C2'') ", average particle diameter 0.5 μm)) 90 parts were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to obtain a resin composition 1.

<실시예 2: 수지 조성물 2의 조제><Example 2: Preparation of resin composition 2>

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144g/eq.) 10부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠사 제조 「NC-3000-H」, 에폭시 당량 약 290g/eq.) 10부를, 톨루엔 15부, MEK 15부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 얻어진 용액을 실온으로까지 냉각한 후, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 223g/eq., 고형분 65질량%의 톨루엔 용액) 46부, 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘 고형분 5%의 MEK 용액) 2부, 아민계 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」) 0.3부, 폴리메틸실세스퀴옥산 입자(토쿠야마사 제조 「산실 MP-M」, 평균 입자 직경 0.13μm) 30부, 무기 충전재(아민계 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」)로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5μm)) 70부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 조성물 2를 얻었다.Naphthalene type epoxy resin ("HP4032SS" manufactured by DIC, epoxy equivalent of about 144g/eq.) 10 parts, biphenyl type epoxy resin ("NC-3000-H" manufactured by Nihon Kayaku, about 290g/eq. of epoxy equivalent) 10 The part was heated and dissolved in 15 parts of toluene and 15 parts of MEK while stirring. After cooling the obtained solution to room temperature, 46 parts of an active ester curing agent ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Corporation, an active group equivalent of 223 g/eq., a toluene solution having a solid content of 65% by mass), an amine curing accelerator (4 -Dimethylaminopyridine solid content 5% MEK solution) 2 parts, amine-based silane coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ``KBM-573'') 0.3 parts, polymethylsilsesquioxane particles (Tokuyama company ``Sansil MP -M", average particle diameter 0.13μm) 30 parts, inorganic filler (amine-based silane coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ``KBM-573'') surface-treated spherical silica (Adomatex Co., Ltd. ``SO-C2'') ", average particle diameter 0.5 μm)) 70 parts were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to obtain a resin composition 2.

<실시예 3: 수지 조성물 3의 조제><Example 3: Preparation of resin composition 3>

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144g/eq.) 10부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠사 제조 「NC-3000-H」, 에폭시 당량 약 290g/eq.) 10부를, 톨루엔 15부, MEK 15부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 얻어진 용액을 실온으로까지 냉각한 후, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 223g/eq., 고형분 65질량%의 톨루엔 용액) 46부, 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘 고형분 5%의 MEK 용액) 2부, 아민계 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」) 0.3부, 폴리메틸실세스퀴옥산 입자(신에츠 카가쿠사 제조 「X-52-854」, 평균 입자 직경 0.7μm) 30부, 무기 충전재(아민계 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」)로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5μm)) 70부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 조성물 3을 얻었다.Naphthalene type epoxy resin ("HP4032SS" manufactured by DIC, epoxy equivalent of about 144g/eq.) 10 parts, biphenyl type epoxy resin ("NC-3000-H" manufactured by Nihon Kayaku, about 290g/eq. of epoxy equivalent) 10 The part was heated and dissolved in 15 parts of toluene and 15 parts of MEK while stirring. After cooling the obtained solution to room temperature, 46 parts of an active ester curing agent ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Corporation, an active group equivalent of 223 g/eq., a toluene solution having a solid content of 65% by mass), an amine curing accelerator (4 -Dimethylaminopyridine solid content 5% MEK solution) 2 parts, amine-based silane coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ``KBM-573'') 0.3 parts, polymethylsilsesquioxane particles (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ``X- 52-854", average particle diameter 0.7 μm) 30 parts, inorganic filler (amine-based silane coupling agent (``KBM-573'' manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)) surface-treated spherical silica ("SO-" manufactured by Adomex Corporation). C2", average particle diameter 0.5 μm)) 70 parts were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to obtain a resin composition 3.

<실시예 4: 수지 조성물 4의 조제><Example 4: Preparation of resin composition 4>

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144g/eq.) 10부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠사 제조 「NC-3000-H」, 에폭시 당량 약 290g/eq.) 10부를, 톨루엔 15부, MEK 15부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 얻어진 용액을 실온으로까지 냉각한 후, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 223g/eq., 고형분 65질량%의 톨루엔 용액) 46부, 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘 고형분 5%의 MEK 용액) 2부, 아민계 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」) 0.12부, 폴리메틸실세스퀴옥산 입자(토쿠야마사 제조 「산실 MP-M」, 평균 입자 직경 0.13μm) 12부, 무기 충전재(아민계 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」)로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5μm)) 28부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 조성물 4를 얻었다.Naphthalene type epoxy resin ("HP4032SS" manufactured by DIC, epoxy equivalent of about 144g/eq.) 10 parts, biphenyl type epoxy resin ("NC-3000-H" manufactured by Nihon Kayaku, about 290g/eq. of epoxy equivalent) 10 The part was heated and dissolved in 15 parts of toluene and 15 parts of MEK while stirring. After cooling the obtained solution to room temperature, 46 parts of an active ester curing agent ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Corporation, an active group equivalent of 223 g/eq., a toluene solution having a solid content of 65% by mass), an amine curing accelerator (4 -Dimethylaminopyridine solid content 5% MEK solution) 2 parts, amine-based silane coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ``KBM-573'') 0.12 parts, polymethylsilsesquioxane particles (Tokuyama Co., Ltd. ``Sansil MP -M", average particle diameter 0.13 μm) 12 parts, inorganic filler (amine-based silane coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ``KBM-573'') surface-treated spherical silica (Adomex Corporation ``SO-C2'') ", average particle diameter 0.5 μm)) 28 parts were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to obtain a resin composition 4.

<실시예 5: 수지 조성물 5의 조제><Example 5: Preparation of resin composition 5>

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144g/eq.) 10부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠사 제조 「NC-3000-H」, 에폭시 당량 약 290g/eq.) 10부를, 톨루엔 15부, MEK 15부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 얻어진 용액을 실온으로까지 냉각한 후, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 223g/eq., 고형분 65질량%의 톨루엔 용액) 46부, 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘 고형분 5%의 MEK 용액) 2부, 아민계 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」) 0.5부, 폴리메틸실세스퀴옥산 입자(토쿠야마사 제조 「산실 MP-M」, 평균 입자 직경 0.13μm) 50부, 무기 충전재(아민계 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」)로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5μm)) 50부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 조성물 5를 얻었다.Naphthalene type epoxy resin ("HP4032SS" manufactured by DIC, epoxy equivalent of about 144g/eq.) 10 parts, biphenyl type epoxy resin ("NC-3000-H" manufactured by Nihon Kayaku, about 290g/eq. of epoxy equivalent) 10 The part was heated and dissolved in 15 parts of toluene and 15 parts of MEK while stirring. After cooling the obtained solution to room temperature, 46 parts of an active ester curing agent ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Corporation, an active group equivalent of 223 g/eq., a toluene solution having a solid content of 65% by mass), an amine curing accelerator (4 -Dimethylaminopyridine solid content 5% MEK solution) 2 parts, amine-based silane coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ``KBM-573'') 0.5 parts, polymethylsilsesquioxane particles (Tokuyama company ``Sansil MP -M", average particle diameter 0.13 μm) 50 parts, inorganic filler (amine-based silane coupling agent (``KBM-573'' manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) surface-treated spherical silica (``SO-C2'' manufactured by Adomex Corporation) ", average particle diameter 0.5 μm)) 50 parts were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to obtain a resin composition 5.

<비교예 1: 수지 조성물 6의 조제><Comparative Example 1: Preparation of resin composition 6>

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144g/eq.) 10부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠사 제조 「NC-3000-H」, 에폭시 당량 약 290g/eq.) 10부를, 톨루엔 15부, MEK 15부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 얻어진 용액을 실온으로까지 냉각한 후, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 223g/eq., 고형분 65질량%의 톨루엔 용액) 46부, 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘 고형분 5%의 MEK 용액) 2부, 무기 충전재(아민계 실란 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」)로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5μm)) 100부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 조성물 6을 얻었다.Naphthalene type epoxy resin ("HP4032SS" manufactured by DIC, epoxy equivalent of about 144g/eq.) 10 parts, biphenyl type epoxy resin ("NC-3000-H" manufactured by Nihon Kayaku, about 290g/eq. of epoxy equivalent) 10 The part was heated and dissolved in 15 parts of toluene and 15 parts of MEK while stirring. After cooling the obtained solution to room temperature, 46 parts of an active ester curing agent ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Corporation, an active group equivalent of 223 g/eq., a toluene solution having a solid content of 65% by mass), an amine curing accelerator (4 -Dimethylaminopyridine solid content 5% MEK solution) 2 parts, inorganic filler (amine-based silane coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ``KBM-573'') surface-treated spherical silica (Adomatex company ``SO-'') C2", average particle diameter 0.5 µm)) 100 parts were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to obtain a resin composition 6.

<제작예 1: 수지 시트의 제작><Production Example 1: Preparation of resin sheet>

지지체로서, 알키드 수지계 이형제(린텍사 제조 「AL-5」)로 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레사 제조 「루미라 R80」, 두께 38μm, 연화점 130℃)을 준비했다.As a support, a polyethylene terephthalate film ("Lumira R80" manufactured by Tore Corporation, a thickness of 38 μm, a softening point of 130° C.) subjected to a release treatment with an alkyd resin type releasing agent (“AL-5” manufactured by Lintec) was prepared.

실시예 및 비교예에서 얻은 수지 조성물 1 내지 6을 각각 지지체 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 40μm가 되도록, 다이 코터로 균일하게 도포하고, 70℃ 내지 95℃에서 4분간 건조함으로써, 지지체 위에 수지 조성물층을 형성했다. 이어서, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면에, 보호 필름으로서 폴리프로필렌 필름(오우지 에프텍스사 제조 「알팬 MA-411」, 두께 15μm)의 조면을 첩합했다. 이로써, 지지체, 수지 조성물층 및 보호 필름을 이러한 순서로 갖는 수지 시트를 얻었다.Resin compositions 1 to 6 obtained in Examples and Comparative Examples were applied uniformly with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 40 μm on the support, and dried at 70° C. to 95° C. for 4 minutes, respectively, on the support. A resin composition layer was formed. Next, a rough surface of a polypropylene film ("Alpan MA-411" manufactured by Oji Ftex Co., Ltd., thickness 15 μm) was bonded to the surface of the resin composition layer not bonded to the support body as a protective film. Thereby, the resin sheet which has a support body, a resin composition layer, and a protective film in this order was obtained.

<시험예 1: 도금 도체층의 필 강도의 측정><Test Example 1: Measurement of peel strength of plated conductor layer>

(1) 내층 기판의 준비(1) Preparation of the inner layer substrate

내층 회로를 형성한 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18μm, 기판의 두께 0.4mm, 파나소닉사 제조 「R1515A」)의 양면을 마이크로 에칭제(멕사 제조 「CZ8101」)로 1μm 에칭하여 구리 표면의 조화 처리를 행했다.Copper coated on both sides of a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness 18 μm, substrate thickness 0.4 mm, Panasonic Corporation ``R1515A'') with a micro-etchant ("CZ8101" manufactured by MEC) by 1 μm etching The surface was roughened.

(2) 수지 시트의 라미네이트(2) Lamination of resin sheet

제작예 1에서 얻은 수지 시트로부터 보호 필름을 벗겨서 수지 조성물층을 노출시켰다. 배취식 진공 가압 라미네이터(닛코 머테리얼즈사 제조, 2스테이지 빌드업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 기판과 접하도록 내층 기판의 양면에 라미네이트했다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 조정한 후, 120℃, 압력 0.74MPa에서 30초간 압착시킴으로써 실시했다. 이어서, 100℃, 압력 0.5MPa에서 60초간 열 프레스를 행했다.The protective film was peeled off from the resin sheet obtained in Production Example 1, and the resin composition layer was exposed. Using a batch-type vacuum pressurized laminator (manufactured by Nikko Materials, a two-stage build-up laminator "CVP700"), the resin composition layer was laminated on both sides of the inner layer substrate so that it contacts the inner layer substrate. After the lamination was decompressed for 30 seconds to adjust the atmospheric pressure to 13 hPa or less, it was carried out by pressing at 120°C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. Next, hot pressing was performed at 100°C and a pressure of 0.5 MPa for 60 seconds.

(3) 수지 조성물층의 열경화(3) Thermal curing of the resin composition layer

그 후, 수지 시트가 라미네이트된 내층 기판을, 130℃의 오븐에 투입하여 30분간 가열하고, 이어서 170℃의 오븐으로 옮겨 30분간 가열하여, 수지 조성물층을 열경화시켜 절연층을 형성했다. 그 후, 지지체를 박리하여, 절연층, 내층 기판 및 절연층을 이러한 순서로 갖는 경화 기판 A를 얻었다.Thereafter, the inner-layer substrate on which the resin sheet was laminated was put into an oven at 130° C. and heated for 30 minutes, and then transferred to an oven at 170° C. and heated for 30 minutes to heat cure the resin composition layer to form an insulating layer. Thereafter, the support was peeled off to obtain a cured substrate A having an insulating layer, an inner layer substrate, and an insulating layer in this order.

(4) 조화 처리(4) Harmonization treatment

경화 기판 A에 조화 처리로서의 디스미어 처리를 행했다. 디스미어 처리로서는, 하기의 습식 디스미어 처리를 실시했다.The cured substrate A was subjected to a desmear treatment as a roughening treatment. As the desmear treatment, the following wet desmear treatment was performed.

(습식 디스미어 처리)(Wet desmear treatment)

경화 기판 A를, 팽윤액(아토텍 재팬사 제조 「스웰링 딥 세큐리간트 P」, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 및 수산화나트륨의 수용액)에 60℃에서 5분간 침지하고, 이어서, 산화제 용액(아토텍 재팬사 제조 「컨센트레이트 컴팩트 CP」, 과망간산칼륨 농도 약 6%, 수산화나트륨 농도 약 4%의 수용액)에 80℃에서 15분간 침지하고, 이어서, 중화액(아토텍 재팬사 제조 「리덕션 솔루션 세큐리간트 P」, 황산 수용액)에 40℃에서 5분간 침지한 후, 80℃에서 15분간 건조했다.The cured substrate A was immersed in a swelling liquid ("Swelling Deep Securigant P" manufactured by Atotech Japan, an aqueous solution of diethylene glycol monobutyl ether and sodium hydroxide) at 60° C. for 5 minutes, and then an oxidizing agent solution (Ato It was immersed in "Concentrate Compact CP" manufactured by Tec Japan, an aqueous solution of approximately 6% potassium permanganate and approximately 4% sodium hydroxide) at 80°C for 15 minutes, followed by a neutralization solution ("Reduction Solution Secury manufactured by Atotech Japan"). Gantt P", sulfuric acid aqueous solution) was immersed at 40°C for 5 minutes, and then dried at 80°C for 15 minutes.

(5) 도체층의 형성(5) Formation of conductor layer

세미 어디티브법에 따라서 절연층의 조화면에 도체층을 형성했다. 즉, 조화 처리 후의 기판을, PdCl2를 포함하는 무전해 도금액에 40℃에서 5분간 침지한 후, 무전해 구리 도금액에 25℃에서 20분간 침지했다. 이어서, 150℃에서 30분간 가열하여 어닐 처리를 행한 후, 에칭 레지스트를 형성하고, 에칭에 의해 패턴 형성했다. 그 후, 황산구리 전해 도금을 행하여 두께 30μm의 도체층을 형성하고, 어닐 처리를 200℃에서 60분간 행했다. 얻어진 기판을 「평가 기판 B」라고 칭한다.A conductor layer was formed on the roughened surface of the insulating layer according to the semi-positive method. That is, the substrate after the roughening treatment was immersed in an electroless plating solution containing PdCl 2 at 40° C. for 5 minutes, and then immersed in an electroless copper plating solution at 25° C. for 20 minutes. Subsequently, after performing an annealing treatment by heating at 150° C. for 30 minutes, an etching resist was formed, and a pattern was formed by etching. Thereafter, copper sulfate electroplating was performed to form a conductor layer having a thickness of 30 μm, and annealing treatment was performed at 200°C for 60 minutes. The obtained substrate is referred to as "evaluation substrate B".

(6) 도금 도체층의 필 강도의 측정(6) Measurement of the peel strength of the plated conductor layer

절연층과 도체층의 필 강도의 측정은 일본 공업 규격(JIS C6481)에 준거하여 행했다. 구체적으로는, 평가 기판 B의 도체층에, 폭 10mm, 길이 100mm의 부분 절개를 넣고, 이의 일단을 벗겨 집기 도구로 집어, 실온 중에서 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 35mm를 잡아당겨 벗겨냈을 때의 하중을 측정하여, 박리 강도(kgf/cm)를 구했다. 측정에는 인장 시험기(TSE사 제조 「AC-50C-SL」)를 사용했다.The measurement of the peel strength of the insulating layer and the conductor layer was performed in accordance with the Japanese Industrial Standard (JIS C6481). Specifically, when a partial incision with a width of 10 mm and a length of 100 mm is made in the conductor layer of the evaluation substrate B, one end of the incision is peeled off and picked up with a pick-up tool, and when 35 mm is pulled out in the vertical direction at a rate of 50 mm/min at room temperature. The load of was measured and the peel strength (kgf/cm) was calculated|required. For the measurement, a tensile tester ("AC-50C-SL" manufactured by TSE) was used.

<시험예 2: 유전율의 측정><Test Example 2: Measurement of dielectric constant>

제작예 1에서 얻은 수지 시트로부터 보호 필름을 벗겨서, 200℃에서 90분간 가열하여 수지 조성물층을 열경화시킨 후, 지지체를 박리했다. 얻어진 경화물을 「평가용 경화물 C」라고 칭한다. 평가용 경화물 C를 폭 2mm, 길이 80mm의 시험편으로 절단했다. 상기 시험편에 대하여, 애질런트 테크놀로지즈사 제조 「HP8362B」를 사용하여, 공동 공진 섭동법에 의해 측정 주파수 5.8GHz, 측정 온도 23℃에서 유전율을 측정했다. 3개의 시험편에 대하여 측정을 행하고, 평균값을 산출했다.The protective film was peeled off from the resin sheet obtained in Production Example 1, heated at 200° C. for 90 minutes to thermally cure the resin composition layer, and then the support was peeled off. The obtained cured product is referred to as "cured product C for evaluation". The cured product C for evaluation was cut into a test piece having a width of 2 mm and a length of 80 mm. With respect to the test piece, the dielectric constant was measured at a measurement frequency of 5.8 GHz and a measurement temperature of 23°C by a cavity resonance perturbation method using "HP8362B" manufactured by Agilent Technologies. Measurement was performed on three test pieces, and an average value was calculated.

<시험예 3: 선 열팽창 계수의 측정><Test Example 3: Measurement of linear thermal expansion coefficient>

시험예 2에서 얻은 평가용 경화물 C를, 폭 약 5mm, 길이 약 15mm의 시험편으로 절단하고, 열 기계 분석 장치((주)리가쿠 제조 「Thermo Plus TMA8310」)를 사용하여 인장 가중법으로 열 기계 분석을 행했다. 상세하게는, 시험편을 상기 열 기계 분석 장치에 장착한 후, 하중 1g, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건에서 연속하여 2회 측정했다. 그리고 2회째의 측정에서, 25℃부터 150℃까지의 범위에서의 평균 선 열팽창 계수(CTE; ppm /℃)를 산출했다.The cured product C for evaluation obtained in Test Example 2 was cut into a test piece having a width of about 5 mm and a length of about 15 mm, and heated by a tensile weighting method using a thermomechanical analyzer (``Thermo Plus TMA8310'' manufactured by Rigaku Corporation). Mechanical analysis was done. Specifically, after attaching a test piece to the said thermomechanical analysis apparatus, it measured twice continuously under the measurement conditions of a load 1g and a temperature increase rate 5 degreeC/min. And in the second measurement, the average linear thermal expansion coefficient (CTE; ppm/°C) in the range from 25°C to 150°C was calculated.

실시예 및 비교예의 수지 조성물의 불휘발 성분의 사용량, 시험예의 측정 결과 등을 하기 표 1에 나타낸다.Table 1 shows the amount of nonvolatile components used in the resin compositions of Examples and Comparative Examples, measurement results of Test Examples, and the like.

Figure pat00001
Figure pat00001

(A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재 및 (D) 실리콘 수지 입자를 포함하는 수지 조성물을 사용함으로써, 경화물의 유전율을 낮게 억제할 수 있는 것을 알았다. 또한, 우수한 도금 밀착성 및 보다 낮은 열팽창률도 달성할 수 있는 것을 알았다.It was found that the dielectric constant of a cured product can be suppressed low by using a resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler, and (D) silicone resin particles. In addition, it has been found that excellent plating adhesion and a lower coefficient of thermal expansion can also be achieved.

Claims (14)

(A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재 및 (D) 실리콘 수지 입자를 포함하는, 수지 조성물.A resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler, and (D) silicone resin particles. 제1항에 있어서, (B) 성분이 활성 에스테르계 경화제인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (B) is an active ester curing agent. 제1항에 있어서, (C) 성분이 실리카인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (C) is silica. 제1항에 있어서, (D) 성분이 폴리알킬실세스퀴옥산 입자인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (D) is polyalkylsilsesquioxane particles. 제1항에 있어서, (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 65질량% 이하인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the content of the component (C) is 65% by mass or less when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. 제1항에 있어서, (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 30질량% 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the content of the component (C) is 30 mass% or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100 mass%. 제1항에 있어서, (D) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 5질량% 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the content of the component (D) is 5% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. 제1항에 있어서, (D) 성분의 함유량과 (C) 성분의 함유량의 질량비((D) 성분의 함유량/(C) 성분의 함유량)가 1.1 이하인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the mass ratio of the content of the component (D) and the content of the component (C) (content of the component (D)/content of the component (C)) is 1.1 or less. 제1항에 있어서, (D) 성분의 함유량과 (C) 성분의 함유량의 질량비((D) 성분의 함유량/(C) 성분의 함유량)가 0.1 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the mass ratio of the content of the component (D) and the content of the component (C) (content of the component (D)/content of the component (C)) is 0.1 or more. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물.A cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 9. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 함유하는 시트상 적층 재료.A sheet-like laminated material containing the resin composition according to any one of claims 1 to 9. 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물로 형성되는 수지 조성물층을 갖는, 수지 시트.A resin sheet comprising a support and a resin composition layer formed of the resin composition according to any one of claims 1 to 9 provided on the support. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 구비하는 프린트 배선판.A printed wiring board comprising an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 9. 제13항에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.A semiconductor device comprising the printed wiring board according to claim 13.
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