KR101489175B1 - Resin composition - Google Patents

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Abstract

(A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재를 함유하는 수지 조성물로서, 상기 무기 충전재가, 특정한 유기 화합물로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는, 수지 조성물. 당해 수지 조성물은, 습식 조화 공정에 있어서 절연층 표면의 산술 평균 거칠기, 이승 평균 평방근 거칠기가 작고, 게다가 충분한 필 강도를 갖는 도금 도체층을 형성할 수 있고, PCT 내성도 가진다. A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein the inorganic filler is surface-treated with a specific organic compound. The resin composition can form a plated conductor layer having a small arithmetic mean roughness and a root mean square roughness of the surface of the insulating layer and a sufficient fill strength in the wet roughening step, and also has PCT resistance.

Description

수지 조성물 {RESIN COMPOSITION}Resin composition {RESIN COMPOSITION}

본 발명은 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 당해 수지 조성물을 함유하는, 접착 필름, 프리프레그, 다층 프린트 배선판, 반도체 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a resin composition. Further, the present invention relates to an adhesive film, a prepreg, a multilayer printed wiring board, and a semiconductor device containing the resin composition.

최근, 전자 기기의 소형화, 고성능화가 진행되어, 다층 프린트 배선판에 있어서는, 빌드업층이 복층화되어, 배선의 미세화 및 고밀도화가 요구되고 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization and high performance of electronic devices have progressed, and in a multilayer printed wiring board, buildup layers are layered, and miniaturization and high density of wirings are required.

이것에 대해 다양한 시도가 이루어져 왔다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 실리콘알콕시 올리고머를 함유하는 수지 조성물이 개시되어 있다. 이들 조성물에 의해 형성되는 절연 재료는, 접착성을 구비할 수 있는 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 2 내지 4에서는 일반적인 배합 검토도 되어 있다. 그러나, 그 성능은 반드시 만족할 만한 것은 아니었다. Various attempts have been made to this. For example, Patent Document 1 discloses a resin composition containing a silicon alkoxy oligomer. It is described that the insulating material formed by these compositions can have adhesiveness. Also, in Patent Documents 2 to 4, general formulation studies are also conducted. However, the performance was not necessarily satisfactory.

일본 공개특허공보 제2006-117826호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-117826 일본 특허공보 제4674730호Japanese Patent Publication No. 4674730 일본 특허공보 제4686750호Japanese Patent Publication No. 4686750 일본 특허공보 제4782870호Japanese Patent Publication No. 4782870

발명이 해결하고자 하는 과제는, 습식 조화(粗化) 공정에 있어서 절연층 표면의 산술 평균 거칠기, 이승 평균 평방근 거칠기가 작고, 게다가 충분한 필 강도를 갖는 도금 도체층을 형성할 수 있고, PCT(Pressure Cooker Test) 내성도 갖는 수지 조성물을 제공하는 것이다. A problem to be solved by the invention is to provide a plating conductor layer having a small arithmetic mean roughness and a root mean square roughness of a surface of an insulating layer and a sufficient fill strength in a wet roughening step, Cooker Test) resistance.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재를 함유하는 수지 조성물로서, 상기 무기 충전재가, 특정한 유기 화합물로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 조성물에서, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. Means for Solving the Problems As a result of intensive studies for solving the above problems, the present inventors have found that a resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein the inorganic filler is surface- The present invention has been completed.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함하는 것이다. That is, the present invention includes the following contents.

〔1〕(A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재를 함유하는 수지 조성물로서, 상기 무기 충전재가, 하이드록시기 및 반응성 기를 가지고, 또한 비점이 100℃ 이상인 유기 화합물로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.[1] A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein the inorganic filler is surface-treated with an organic compound having a hydroxyl group and a reactive group, Wherein the resin composition is a resin composition.

〔2〕상기〔1〕에 있어서, 상기 유기 화합물의 반응성 기가, 아미노기, 에폭시기, 머캅토기, 메타크릴기, 아크릴기, 비닐기 및 우레이도기로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.[2] The organic electroluminescent device described in [1], wherein the reactive group of the organic compound is at least one selected from the group consisting of amino group, epoxy group, mercapto group, methacryl group, acrylic group, vinyl group, Resin composition.

〔3〕상기〔1〕에 있어서, 상기 유기 화합물이, 하기 화학식 1의 화합물, 하기 화학식 2의 화합물, 하기 화학식 3의 화합물, 이미다졸 화합물 및 이미다졸-에폭시 어덕트로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.[3] The organic electroluminescence device described in [1] above, wherein the organic compound is selected from the group consisting of a compound of the following formula 1, a compound of the following formula 2, a compound of the following formula 3, an imidazole compound and an imidazole- Or more.

Figure 112014038023319-pct00001
Figure 112014038023319-pct00001

Figure 112014038023319-pct00002
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Figure 112014038023319-pct00003
Figure 112014038023319-pct00003

상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,In the above Chemical Formulas 1 to 3,

R1, R2는 각각 독립적으로 페닐기, 벤질기, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이고,R1 and R2 each independently represent a phenyl group, a benzyl group, a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms,

R3은 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기 또는 페닐렌기이고,R3 is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or a phenylene group,

R4는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기 또는 페닐렌기이고, R4 is an alkylene group or a phenylene group having 1 to 5 carbon atoms,

R5는 하이드록시기를 갖는 유기기이고,R5 is an organic group having a hydroxy group,

R6은 수소 원자, 메틸기, 카복실기 또는 페닐기이다. R6 is a hydrogen atom, a methyl group, a carboxyl group or a phenyl group.

〔4〕상기〔1〕내지〔3〕중의 어느 하나에 있어서, (C) 무기 충전재를 100질량%로 한 경우, 상기 유기 화합물이 0.05 내지 2질량%인 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the organic compound is 0.05 to 2% by mass when the inorganic filler (C) is 100% by mass.

〔5〕상기〔1〕내지〔4〕중의 어느 하나에 있어서, (C) 무기 충전재가 상기 유기 화합물로 표면 처리된 후에, 또한 실란 커플링제, 알콕시실란, 알콕시 올리고머, 알루미늄계 커플링제, 티탄계 커플링제 및 지르코늄계 커플링제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상으로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.[5] The method according to any one of [1] to [4], wherein after the inorganic filler is surface-treated with the organic compound, the silane coupling agent, alkoxysilane, alkoxy oligomer, aluminum- A coupling agent, and a zirconium-based coupling agent.

〔6〕상기〔1〕내지〔5〕중의 어느 하나에 있어서, (C) 무기 충전재의 표면에 결합하고 있는 단위 면적당 카본량이 0.05 내지 1.00㎎/㎡인 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the amount of carbon bonded to the surface of the inorganic filler (C) is 0.05 to 1.00 mg / m 2.

〔7〕상기〔1〕내지〔6〕중의 어느 하나에 있어서, 수지 조성물을 경화시켜 절연층을 형성하고, 그 절연층 표면을 조화 처리하고, 도금하여 수득되는 도체층과 절연층의 필 강도가 0.4kgf/cm 내지 1.5kgf/cm이고, 수지 조성물을 경화시켜 절연층을 형성하고, 그 절연층 표면을 조화 처리한 후의 산술 평균 거칠기가 10nm 내지 300nm이고, 이승 평균 평방근 거칠기가 10nm 내지 480nm인 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.[7] The method according to any one of [1] to [6], wherein the resin composition is cured to form an insulating layer, the surface of the insulating layer is roughened, and the peel strength of the conductor layer and the insulating layer, Wherein the resin composition is cured to form an insulating layer and an arithmetic average roughness after roughening the surface of the insulating layer is 10 to 300 nm and a root mean square roughness of the root mean square is 10 to 480 nm Wherein the resin composition is a resin composition.

〔8〕상기〔1〕내지〔7〕중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 함유하는 것을 특징으로 하는 시트상 적층 재료.[8] A sheet-like laminated material characterized by containing the resin composition according to any one of [1] to [7].

〔9〕상기〔1〕내지〔7〕중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 절연층이 형성된 다층 프린트 배선판.[9] A multilayer printed wiring board in which an insulating layer is formed by a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [7].

〔10〕상기〔9〕에 기재된 다층 프린트 배선판을 사용하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.[10] A semiconductor device characterized by using the multilayered printed circuit board according to [9].

(A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재를 함유하는 수지 조성물로서, 상기 무기 충전재가, 특정한 유기 화합물로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 조성물을 사용함으로써, 습식 조화 공정에 있어서 절연층 표면의 산술 평균 거칠기, 이승 평균 평방근 거칠기가 작고, 게다가 충분한 필 강도를 갖는 도금 도체층을 형성할 수 있고, PCT 내성도 갖는 수지 조성물을 제공할 수 있게 되었다. (EN) A resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein the inorganic filler is surface - treated with a specific organic compound, It is possible to form a plated conductor layer having a small arithmetic mean roughness and a root mean square root roughness of the insulating layer surface and a sufficient fill strength, and to provide a resin composition having PCT resistance.

본 발명은, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재를 함유하는 수지 조성물로서, 상기 무기 충전재가, 하이드록시기 및 반응성 기를 가지며, 또한 비점이 100℃ 이상인 유기 화합물로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는, 수지 조성물이다. The present invention provides a resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein the inorganic filler has an organic compound having a hydroxyl group and a reactive group, And the like.

<(A) 에폭시 수지>&Lt; (A) Epoxy resin >

본 발명에 사용하는 에폭시 수지로서는, 특별히 한정되지 않지만, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 할로겐화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the epoxy resin used in the present invention include, but not limited to, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, bisphenol AF epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, tert- Naphthalene type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, linear aliphatic epoxy An epoxy resin having a butadiene structure, an alicyclic epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, a spirocyclic epoxy resin, a cyclohexanedimethanol type epoxy resin, a trimethylol type epoxy resin, and a halogenated epoxy resin. These may be used singly or in combination of two or more.

이들 중에서도, 내열성 향상, 절연 신뢰성 향상, 금속박과의 밀착성 향상의 관점에서, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조「에피코트828EL」,「YL980」), 비스페놀 F형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조「jER806H」,「YL983U」), 나프탈렌형 2관능 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」,「EXA4032SS」), 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조「HP4700」,「HP4710」), 나프톨형 에폭시 수지(토토가세이 가부시키가이샤 제조「ESN-475V」), 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지(다이셀가가쿠고교 가부시키가이샤 제조「PB-3600」), 비페닐 구조를 갖는 에폭시 수지(니혼가야쿠 가부시키가이샤 제조「NC3000H」, 「NC3000L」,「NC3100」, 미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조「YX4000」,「YX4000H」,「YX4000HK」,「YL6121」), 안트라센형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조「YX8800」), 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조「EXA-7310」,「EXA-7311」,「EXA-7311L」,「EXA7311-G3」) 등을 들 수 있다. Among them, bisphenol A epoxy resin, naphthol epoxy resin, naphthalene epoxy resin, biphenyl epoxy resin, naphthylene ether epoxy resin, anthracene type epoxy resin, and the like are preferable from the viewpoints of improvement of heat resistance, improvement of insulation reliability, An epoxy resin having a butadiene structure is preferable. Specifically, for example, bisphenol A type epoxy resin ("Epikote 828EL", "YL980" manufactured by Mitsubishi Chemical Corp.), bisphenol F type epoxy resin ("jER806H" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., HP4000D "," HP4032SS ", and" EXA4032SS "manufactured by DIC Corporation), naphthalene type tetrafunctional epoxy resin (" HP4700 "manufactured by DIC Corporation)," Epoxy resin having a butadiene structure (&quot; PB-3600 &quot; manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.) having a biphenyl structure, NC3000H, NC3000L, NC3100, YX4000, YX4000H, YX4000HK, and YL6121 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) (Mitsubishi EXA-7311 &quot;, &quot; EXA-7311L &quot;, &quot; EXA7311-G3 &quot;, manufactured by DIC Corporation) have.

에폭시 수지는 2종 이상을 병용해도 좋지만, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 이 중에서도, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 가지며, 온도 20℃에서 액상인 방향족계 에폭시 수지(이하,「액상 에폭시 수지」라고 한다.)와, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 가지며, 온도 20℃에서 고체상인 방향족계 에폭시 수지(이하,「고체상 에폭시 수지」라고 한다.)를 함유하는 양태가 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에서 말하는 방향족계 에폭시 수지란, 그 분자 내에 방향환 구조를 갖는 에폭시 수지를 의미한다. 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용하는 경우, 수지 조성물을 접착 필름 형태로 사용하는 경우에 적당한 가요성을 갖는 점이나 수지 조성물의 경화물이 적당한 파단 강도를 갖는 점에서, 그 배합 비율(액상 에폭시 수지 : 고체상 에폭시 수지)은 질량비로 1:0.1 내지 1:2의 범위가 바람직하며, 1:0.3 내지 1:1.8의 범위가 보다 바람직하며, 1:0.6 내지 1:1.5의 범위가 더욱 바람직하다. The epoxy resin may be used in combination of two or more kinds, but preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Among them, an aromatic epoxy resin (hereinafter referred to as &quot; liquid epoxy resin &quot;) which has two or more epoxy groups in one molecule and is liquid at a temperature of 20 캜 and three or more epoxy groups in one molecule, (Hereinafter referred to as &quot; solid-state epoxy resin &quot;), which is a solid phase, is more preferable. The term "aromatic epoxy resin" in the present invention means an epoxy resin having an aromatic ring structure in its molecule. When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, it is preferable that the resin composition has appropriate flexibility when the resin composition is used in the form of an adhesive film or that the cured product of the resin composition has an appropriate breaking strength, Is preferably in the range of 1: 0.1 to 1: 2, more preferably in the range of 1: 0.3 to 1: 1.8, more preferably in the range of 1: 0.6 to 1: 1.5, More preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 또는 나프탈렌형 에폭시 수지가 바람직하며, 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. As the liquid epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, or a naphthalene type epoxy resin is preferable, and a naphthalene type epoxy resin is more preferable. These may be used singly or in combination of two or more.

고체상 에폭시 수지로서는, 4관능 나프탈렌형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀에폭시 수지, 나프톨노볼락에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 또는 나프틸렌에테르형 에폭시 수지가 바람직하며, 4관능 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 또는 나프틸렌에테르형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the solid epoxy resin include tetrafunctional naphthalene type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, trisphenol epoxy resins, naphthol novolac epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, and naphthylene ether type epoxy resins Resins are preferable, and tetrafunctional naphthalene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, or naphthylene ether type epoxy resins are more preferable. These may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 수지 조성물의 경화물의 기계 강도나 내수성을 향상시킨다는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 에폭시 수지의 함유량은 3 내지 40질량%인 것이 바람직하며, 5 내지 35질량%인 것이 보다 바람직하며, 10 내지 30질량%인 것이 더욱 바람직하다.
From the viewpoint of improving the mechanical strength and water resistance of the cured product of the resin composition in the resin composition of the present invention, when the nonvolatile component in the resin composition is 100 mass%, the content of the epoxy resin is preferably 3 to 40 mass% , More preferably from 5 to 35 mass%, further preferably from 10 to 30 mass%.

<(B) 경화제><(B) Hardener>

본 발명에 사용하는 경화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 산 무수물계 경화제 등을 들 수 있고, 이 중에서도 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제가 바람직하다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the curing agent to be used in the present invention include, but are not limited to, a phenolic curing agent, a naphthol curing agent, an active ester curing agent, a benzoxazine curing agent, a cyanate ester curing agent and an acid anhydride curing agent, A curing agent, a naphthol-based curing agent and an active ester-based curing agent are preferable. These may be used singly or in combination of two or more.

페놀계 경화제, 나프톨계 경화제로서는, 특별히 제한은 없지만, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제나 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제를 들 수 있고, 페놀노볼락 수지, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 수지, 나프톨노볼락 수지, 나프톨아르알킬형 수지, 트리아진 골격 함유 나프톨 수지, 비페닐아르알킬형 페놀 수지가 바람직하다. 시판품으로서는, 비페닐아르알킬형 페놀 수지로서,「MEH-7700」, 「MEH-7810」,「MEH-7851」,「MEH7851-4H」(메이와가세이 가부시키가이샤 제조), 「GPH」(니혼카야쿠 가부시키가이샤 제조), 나프톨노볼락 수지로서,「NHN」,「CBN」(니혼카야쿠 가부시키가이샤 제조), 나프톨아르알킬형 수지로서, 「SN170」,「SN180」,「SN190」,「SN475」,「SN485」,「SN495」,「SN395」,「SN375」(토토가세이 가부시키가이샤 제조), 페놀노볼락 수지로서「TD2090」(DIC 가부시키가이샤 제조), 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 수지「LA3018」,「LA7052」,「LA7054」,「LA1356」(DIC 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. Examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include, but are not limited to, phenol-based curing agents having a novolac structure and naphthol-based curing agents having a novolac structure, and phenol novolac resins, phenazine novolac resins containing a triazine skeleton, A naphthol novolak resin, a naphthol aralkyl type resin, a triazine skeleton-containing naphthol resin, and a biphenylaralkyl type phenol resin are preferable. Examples of commercially available products include biphenylaralkyl type phenol resins such as "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851", "MEH7851-4H" (manufactured by Meiwa Kasei Kogyo Co., SN170 "," SN180 ", and" SN190 "as the naphthol aralkyl type resin (" Nippon Kayaku K.K. ") as the naphthol novolac resin," NHN " , SN475, SN485, SN495, SN395, SN375 (manufactured by Toto Chemical), "TD2090" (manufactured by DIC Corporation) as phenol novolak resin, triazine skeleton LA3018 "," LA7052 "," LA7054 ", and" LA1356 "(manufactured by DIC Corporation), and the like. These may be used singly or in combination of two or more.

활성 에스테르계 경화제로서는, 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 당해 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물의 축합 반응에 의해 수득되는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하며, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들면 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화비스페놀 A, 메틸화비스페놀 F, 메틸화비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플루오로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디에닐디페놀, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 활성 에스테르계 경화제는 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 활성 에스테르계 경화제로서는, 일본 공개특허공보 제2004-277460호에 개시되어 있는 활성 에스테르계 경화제를 사용해도 좋고, 또한 시판 중인 것을 사용할 수도 있다. 시판되고 있는 활성 에스테르계 경화제로서는, 디사이클로펜타디에닐디페놀 구조를 함유하는 것, 페놀노볼락의 아세틸화물, 페놀노볼락의 벤조일화물 등이 바람직하며, 이 중에서도 디사이클로펜타디에닐디페놀 구조를 함유하는 것이 보다 바람직하다. 구체적으로는, 디사이클로펜타디에닐디페놀 구조를 함유하는 것으로서 EXB9451, EXB9460, EXB9460S-65T, HPC-8000-65T(DIC 가부시키가이샤 제조, 활성기 당량 약 223), 페놀노볼락의 아세틸화물로서 DC808(미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조, 활성기 당량 약 149), 페놀노볼락의 벤조일화물로서 YLH1026(미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조, 활성기 당량 약 200), YLH1030(미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조, 활성기 당량 약 201), YLH1048(미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조, 활성기 당량 약 245) 등을 들 수 있고, 이 중에서도 HPC-8000-65T가 바니쉬의 보존 안정성, 경화물의 열팽창율의 관점에서 바람직하다. The active ester-based curing agent is not particularly limited, but generally includes ester groups having high reactivity such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, Are preferably used. It is preferable that the active ester-based curing agent is obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and / or a thiol compound. From the viewpoint of heat resistance improvement, an active ester type curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester type curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and / or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid and pyromellitic acid. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenol phthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o- , p-cresol, catechol, alpha -naphthol, beta -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, tri Hydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzenetriol, dicyclopentadienyldiphenol, phenol novolac, and the like. One kind or two or more kinds of active ester type curing agents may be used. As the active ester type curing agent, the active ester type curing agent disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-277460 may be used, or a commercially available active ester type curing agent may be used. As commercially available active ester-based curing agents, those containing a dicyclopentadienyldiphenol structure, acetylated phenol novolak, and benzoylated phenol novolac are preferred, and among them, a dicyclopentadienyldiphenol structure . Specifically, EXB9451, EXB9460, EXB9460S-65T, HPC-8000-65T (manufactured by DIC Corporation, active equivalent weight about 223) containing dicyclopentadienyldiphenol structure and DC808 YLH1026 (manufactured by Mitsubishi Kagaku KK, having an activating group equivalent of about 200), YLH1030 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corp., an activating group equivalent of about 149), phenol novolac benzoylate 201), YLH1048 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, having an active equivalent weight of about 245), and among these, HPC-8000-65T is preferable from the viewpoints of storage stability of the varnish and thermal expansion coefficient of the cured product.

디사이클로펜타디에닐디페놀 구조를 함유하는 활성 에스테르계 경화제로서, 보다 구체적으로는 하기 화학식 4의 화합물을 들 수 있다. As the active ester-based curing agent containing a dicyclopentadienyldiphenol structure, more specifically, a compound represented by the following general formula (4) may be mentioned.

Figure 112014038023319-pct00004
Figure 112014038023319-pct00004

상기 화학식 4에서,In Formula 4,

R은 페닐기, 나프틸기이며,R is a phenyl group or a naphthyl group,

k는 0 또는 1이고,k is 0 or 1,

n은 반복 단위의 평균으로 0.05 내지 2.5이다. n is an average of the repeating units of 0.05 to 2.5.

유전 정접을 저하시키고, 내열성을 향상시킨다는 관점에서, R은 나프틸기가 바람직하며, 한편, k는 0이 바람직하며, 또한, n은 0.25 내지 1.5가 바람직하다. From the viewpoint of lowering dielectric tangent and improving heat resistance, R is preferably a naphthyl group, k is preferably 0, and n is preferably 0.25 to 1.5.

벤조옥사진계 경화제로서는, 특별히 제한은 없지만, 구체예로서는, F-a, P-d(시코쿠가세이 가부시키가이샤 제조), HFB2006M(쇼와코훈시 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다. The benzoxazine-based curing agent is not particularly limited, and specific examples thereof include F-a, P-d (manufactured by Shikoku Chemicals Inc.), HFB2006M (manufactured by Shawako Co., Ltd.) and the like.

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 특별히 제한은 없지만, 노볼락형(페놀노볼락형, 알킬페놀노볼락형 등) 시아네이트에스테르계 경화제, 디사이클로펜타디엔형 시아네이트에스테르계 경화제, 비스페놀형(비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형 등) 시아네이트에스테르계 경화제, 및 이들이 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 중량 평균 분자량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 500 내지 4500이 바람직하며, 600 내지 3000이 보다 바람직하다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락, 크레졸노볼락, 디사이클로펜타디엔 구조 함유 페놀 수지 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. 시판되고 있는 시아네이트에스테르 수지로서는, 하기 화학식 5로 표시되는 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지(론자재팬 가부시키가이샤 제조, PT30, 시아네이트 당량 124), 하기 화학식 6으로 표시되는 비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프리폴리머(론자재팬 가부시키가이샤 제조, BA230, 시아네이트 당량 232), 하기 화학식 7로 표시되는 디사이클로펜타디엔 구조 함유 시아네이트에스테르 수지(론자재팬 가부시키가이샤 제조, DT-4000, DT-7000) 등을 들 수 있다. Examples of the cyanate ester curing agent include, but are not limited to, novolac (phenol novolac type, alkylphenol novolak type, etc.) cyanate ester type curing agent, dicyclopentadiene type cyanate ester type curing agent, bisphenol type Bisphenol F, bisphenol S, etc.) cyanate ester curing agents, and partially triarylated prepolymers thereof. The weight-average molecular weight of the cyanate ester-based curing agent is not particularly limited, but is preferably 500 to 4500, more preferably 600 to 3000. Specific examples of cyanate ester curing agents include, for example, bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'- Dimethylphenyl cyanate), 4,4'-ethylidenediphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis Cyanate phenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethylphenyl) methane, 1,3-bis Bifunctional cyanate resins derived from phenol novolak, cresol novolac, dicyclopentadiene structure-containing phenol resin, etc., and the like, such as bis (cyanate phenyl) thioether and bis , A partially triarylated prepolymer of these cyanate resins, etc. These may be used singly or in combination of two or more kinds. Examples of commercially available cyanate ester resins include phenol novolak type polyfunctional cyanate ester resins represented by the following formula (PT30, cyanate equivalent 124, manufactured by Lonza Japan K.K.), bisphenol (BA230, cyanate equivalent 232, manufactured by Lonza Japan K.K.), a dicyclopentadiene structure-containing cyanate ester resin represented by the following general formula (7) DT-4000, DT-7000, manufactured by Japan Kogyo Co., Ltd.).

Figure 112014038023319-pct00005
Figure 112014038023319-pct00005

상기 화학식 5에서,In Formula 5,

n은 평균값으로서 임의의 수(바람직하게는 0 내지 20)이다.n is an arbitrary number (preferably 0 to 20) as an average value.

Figure 112014038023319-pct00006
Figure 112014038023319-pct00006

Figure 112014038023319-pct00007
Figure 112014038023319-pct00007

상기 화학식 7에서,In Formula 7,

n은 평균값으로서 0 내지 5의 수이다. n is a number from 0 to 5 as an average value.

산 무수물계 경화제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화 메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 석신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 이무수물, 비페닐테트라카복실산 이무수물, 나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 옥시디프탈산 이무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 이무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합된 스티렌·말레산 수지 등의 중합체형의 산 무수물 등을 들 수 있다. Examples of the acid anhydride-based curing agent include, but are not limited to, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, trimellitic anhydride , Anhydrous pyromellitic acid, benzophenonetetracarboxylic acid dianhydride, biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, oxydiphthalic acid dianhydride, 3,3'-4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic acid dianhydride, 1,3,3a, 4,5,9b-hexahydro-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl) -naphtho [ , Ethylene glycol bis (anhydrotrimellitate), &lt; RTI ID = 0.0 &gt; And polymeric acid anhydrides such as styrene-maleic acid resin in which tylene and maleic acid are copolymerized.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 수지 조성물의 경화물의 기계 강도나 내수성을 향상시킨다는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 에폭시기의 합계 수와, (B) 경화제의 반응기의 합계 수의 비가, 1:0.2 내지 1:2가 바람직하며, 1:0.3 내지 1:1.5가 보다 바람직하며, 1:0.4 내지 1:1이 더욱 바람직하다. 또한 수지 조성물 중에 존재하는 에폭시 수지의 에폭시기의 합계 수란, 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 관해서 합계한 값이며, 경화제의 반응기의 합계 수란, 각 경화제의 고형분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모든 경화제에 관해서 합계한 값이다. From the viewpoint of improving the mechanical strength and water resistance of the cured product of the resin composition in the resin composition of the present invention, the ratio of (A) the total number of epoxy groups of the epoxy resin to the total number of the reactors of the curing agent (B) To 1: 2, more preferably from 1: 0.3 to 1: 1.5, further preferably from 1: 0.4 to 1: 1. The total number of epoxy groups in the epoxy resin present in the resin composition, the value obtained by dividing the solid content of each epoxy resin by the epoxy equivalent, and the total number of reactors of the curing agent, the solid content of each curing agent, The value obtained by dividing by the equivalent of the reactor is the sum of all the curing agents.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 수지 조성물의 경화물의 기계 강도나 내수성을 향상시킨다는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 경화제의 함유량은 3 내지 30질량%인 것이 바람직하며, 5 내지 25질량%인 것이 보다 바람직하며, 7 내지 20질량%인 것이 더욱 바람직하다.
In the resin composition of the present invention, from the viewpoint of improving the mechanical strength and water resistance of the cured product of the resin composition, when the nonvolatile component in the resin composition is 100 mass%, the content of the curing agent is preferably 3 to 30 mass% , More preferably from 5 to 25 mass%, further preferably from 7 to 20 mass%.

<(C) 무기 충전재><(C) Inorganic filler>

본 발명에 사용하는 (C) 무기 충전재로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 황산바륨, 활석, 점토, 운모 분말, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 붕산알루미늄, 티탄산바륨, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 실리카가 바람직하다. 또한, 무정형 실리카, 분쇄 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등의 실리카가 바람직하며, 용융 실리카가 보다 바람직하다. 또한, 실리카로서 구상인 것이 바람직하다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. 시판되고 있는 구상 용융 실리카로서, 가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SOC2」,「SOC1」을 들 수 있다. The inorganic filler (C) used in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include silica, alumina, barium sulfate, talc, clay, mica powder, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, Boron nitride, aluminum borate, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, barium zirconate, and calcium zirconate. Of these, silica is preferable. Further, silica such as amorphous silica, pulverized silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, or hollow silica is preferable, and fused silica is more preferable. Further, it is preferably spherical as silica. These may be used singly or in combination of two or more. As commercially available spherical fused silica, "SOC2" and "SOC1" manufactured by Adomex Co., Ltd. may be mentioned.

무기 충전재의 평균 입자 직경은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 절연층 위로 미세 배선을 형성한다는 관점에서, 5㎛ 이하가 바람직하며, 3㎛ 이하가 보다 바람직하며, 1㎛ 이하가 더욱 바람직하며, 0.7㎛ 이하가 더욱 한층 바람직하며, 0.5㎛ 이하가 특히 더 바람직하며, 0.4㎛ 이하가 특히 바람직하며, 0.3㎛ 이하가 특히 바람직하다. 한편, 에폭시 수지 조성물을 수지 바니쉬로 한 경우에, 바니쉬의 점도가 상승하여 취급성이 저하되는 것을 방지한다는 관점에서, 무기 충전재의 평균 입자 직경은 0.01㎛ 이상이 바람직하며, 0.03㎛ 이상이 보다 바람직하며, 0.05㎛ 이상이 더욱 바람직하며, 0.07㎛ 이상이 특히 더 바람직하며. 0.1㎛ 이상이 특히 바람직하다. 상기 무기 충전재의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치로서는, 가부시키가이샤 호리바세사쿠쇼 제조 LA-500, 750, 950 등을 사용할 수 있다. The average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 5 占 퐉 or less, more preferably 3 占 퐉 or less, further preferably 1 占 퐉 or less, and more preferably 0.7 占 퐉 More preferably 0.5 μm or less, particularly preferably 0.4 μm or less, and particularly preferably 0.3 μm or less. On the other hand, in the case where the epoxy resin composition is a resin varnish, the average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.01 탆 or more, more preferably 0.03 탆 or more from the viewpoint of increasing the viscosity of the varnish and preventing the handling property from being lowered More preferably 0.05 mu m or more, and even more preferably 0.07 mu m or more. And particularly preferably at least 0.1 mu m. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be measured by using a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus, and the median diameter is determined as an average particle diameter. The measurement sample can be preferably those in which an inorganic filler is dispersed in water by ultrasonic waves. As the laser diffraction particle size distribution measuring apparatus, LA-500, 750, 950 manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. can be used.

무기 충전재를 배합하는 경우의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 경화물의 열팽창율을 저하시킨다는 관점에서, 20질량% 이상이 바람직하며, 30질량% 이상이 보다 바람직하며, 40질량% 이상이 더욱 바람직하며, 50질량% 이상이 더욱 한층 바람직하다. 또한, 경화물의 기계 특성 향상이라는 관점에서, 85질량% 이하가 바람직하며, 80질량% 이하가 보다 바람직하며, 75질량% 이하가 더욱 바람직하며, 70질량% 이하가 더욱 한층 바람직하다. When the inorganic filler is blended, the content is preferably 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, from the viewpoint of lowering the thermal expansion coefficient of the cured product when the nonvolatile component in the resin composition is 100% By mass, more preferably not less than 40% by mass, and still more preferably not less than 50% by mass. From the viewpoint of improving the mechanical properties of the cured product, the content is preferably 85% by mass or less, more preferably 80% by mass or less, further preferably 75% by mass or less, further preferably 70% by mass or less.

(C) 무기 충전재는, 수지 바니쉬의 분산성 향상, 산술 평균 거칠기의 저감, 이승 평균 평방근 거칠기 저감의 관점에서, 미리 실라잔 화합물로 표면 처리한 것을 사용할 수 있다. 실라잔 화합물로 표면 처리한 후에, 하이드록시기 및 반응성 기를 가지며, 또한 비점이 100℃ 이상인 유기 화합물로 표면 처리함으로써, 분산성 향상, 도체층과의 친화성 향상이라는 점에서 유리해진다. 실라잔 화합물로서는, 예를 들면 헥사메틸디실라잔, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실라잔, 옥타메틸트리실라잔, 헥사(t-부틸)디실라잔, 헥사부틸디실라잔, 헥사옥틸디실라잔, 1,3-디에틸테트라메틸디실라잔, 1,3-디-n-옥틸테트라메틸디실라잔, 1,3-디페닐테트라메틸디실라잔, 1,3-디메틸테트라페닐디실라잔, 1,3-디에틸테트라메틸디실라잔, 1,1,3,3-테트라페닐-1,3-디메틸디실라잔, 1,3-디프로필테트라메틸디실라잔, 헥사메틸사이클로트리실라잔, 헥사페닐디실라잔, 디메틸아미노트리메틸실라잔, 트리실라잔, 사이클로트리실라잔, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸사이클로트리실라잔 등을 들 수 있고, 특히 헥사메틸디실라잔이 바람직하다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. 헥사메틸디실라잔으로 표면 처리한 구상 용융 실리카로서는, 가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SC2050-SQ」를 들 수 있다. The inorganic filler (C) can be prepared by surface-treating with a silazane compound in advance from the viewpoints of improvement in dispersibility of resin varnish, reduction in arithmetic average roughness, and reduction in root mean square root roughness. Surface treatment with an organic compound having a hydroxyl group and a reactive group and a boiling point of 100 ° C or higher after surface treatment with a silazane compound is advantageous in terms of improvement in dispersibility and improvement in affinity with a conductor layer. Examples of the silazane compound include hexamethyldisilazane, 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazane, octamethyltrisilazane, hexa (t-butyl) , Hexabutyldisilazane, hexaoctyldisilazane, 1,3-diethyltetramethyldisilazane, 1,3-di-n-octyltetramethyldisilazane, 1,3-diphenyltetramethyldisilane 1,3-dimethyl tetraphenyldisilazane, 1,3-diethyltetramethyldisilazane, 1,1,3,3-tetraphenyl-1,3-dimethyldisilazane, 1,3-di Propyltetramethyldisilazane, hexamethylcyclotrisilazane, hexaphenyldisilazane, dimethylaminotrimethylsilazane, trisilazane, cyclotrisilazane, 1,1,3,3,5,5-hexamethylcyclohexane And trisilazane. Of these, hexamethyldisilazane is particularly preferable. These may be used singly or in combination of two or more. As the spherical fused silica surface-treated with hexamethyldisilazane, "SC2050-SQ" manufactured by Adomex Co., Ltd. may be mentioned.

본 발명에 사용하는, 하이드록시기 및 반응성 기를 가지며, 또한 비점이 100℃ 이상인 유기 화합물은, 하이드록시기가 무기 충전재와 공유 결합함으로써 충분한 피복이 가능해지고, 반응성 기가 수지 조성물 중의 분산성을 향상시킨다. 또한, 비점이 100℃ 이상임으로써, 탈수 축합에 의해 발생하는 물을 증발시키면서, 당해 유기 화합물의 표면 처리를 안정적으로 실시할 수 있다. 비점의 바람직한 상한값은 500℃, 보다 바람직하게는 400℃, 더욱 바람직하게는 300℃이다. 또한, 본 발명에 있어서 유기 화합물의「비점」이란, 표준 기압(0.101325MPa) 하에 있어서의 비점을 말한다. 당해 유기 화합물로서는, 특별히 한정되지 않지만, 당해 유기 화합물의 반응성 기는, 아미노기, 에폭시기, 머캅토기, 메타크릴기, 아크릴기, 비닐기, 우레이도기로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하며, 아미노기, 에폭시기가 보다 바람직하다. 당해 유기 화합물은 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 원소를 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다. 여기서,「실질적으로 함유하지 않는다」란, 불가피적인 불순물로서 함유하는 경우를 제외하고, 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 원소를 함유하지 않는 것을 말한다. 그리고, 당해 유기 화합물로서는, 하기 화학식 1의 화합물, 하기 화학식 2의 화합물, 하기 화학식 3의 화합물, 이미다졸 화합물 및 이미다졸-에폭시 어덕트로부터 선택되는 1종 이상이 더욱 바람직하다. The organic compound having a hydroxyl group and a reactive group and having a boiling point of 100 ° C or higher used in the present invention is covalently bonded to an inorganic filler by means of a covalent bond with the inorganic filler so that sufficient coverage is possible and the reactive group improves the dispersibility in the resin composition. Further, the boiling point is 100 占 폚 or higher, whereby the surface treatment of the organic compound can be performed stably while evaporating water generated by dehydration condensation. The upper limit value of the boiling point is preferably 500 占 폚, more preferably 400 占 폚, and still more preferably 300 占 폚. In the present invention, the &quot; boiling point &quot; of an organic compound means a boiling point under a standard atmospheric pressure (0.101325 MPa). The organic compound is not particularly limited, but the reactive group of the organic compound is preferably at least one selected from an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a methacryl group, an acrylic group, a vinyl group and a ureido group, More preferable. The organic compound preferably contains substantially no element selected from the group consisting of silicon, aluminum, titanium, and zirconium. Here, the term "substantially not contained" means that the element does not contain an element selected from the group consisting of silicon, aluminum, titanium, and zirconium, except when it is contained as an inevitable impurity. The organic compound is more preferably at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following general formulas (1), (2), (3), imidazole compounds and imidazole-epoxy adducts

화학식 1Formula 1

Figure 112014038023319-pct00008
Figure 112014038023319-pct00008

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

R1, R2는 각각 독립적으로 페닐기, 벤질기, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이고,R1 and R2 each independently represent a phenyl group, a benzyl group, a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms,

R3은 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기 또는 페닐렌기이다. R3 is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or a phenylene group.

R1, R2는, 바람직하게는, 페닐기, 벤질기 또는 수소 원자이다. R3은, 바람직하게는, 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기이고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 3의 알킬렌기이다. R1 and R2 are preferably a phenyl group, a benzyl group or a hydrogen atom. R3 is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms.

화학식 2(2)

Figure 112014038023319-pct00009
Figure 112014038023319-pct00009

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

R4는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기 또는 페닐렌기이다. R4 is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or a phenylene group.

R4는, 바람직하게는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기이고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 3의 알킬렌기이다. R4 is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms.

화학식 3(3)

Figure 112014038023319-pct00010
Figure 112014038023319-pct00010

상기 화학식 3에서,In Formula 3,

R5는 하이드록시기를 갖는 유기기이고,R5 is an organic group having a hydroxy group,

R6은 수소 원자, 메틸기, 카복실기 또는 페닐기이다. R6 is a hydrogen atom, a methyl group, a carboxyl group or a phenyl group.

R5는, 바람직하게는 하이드록시기 및 아미노기를 갖는 1가의 유기기이고, 보다 바람직하게는 하기 화학식 8로 표시되는 1가의 유기기이다. R6은, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이고, 보다 바람직하게는 메틸기이다. R5 is preferably a monovalent organic group having a hydroxyl group and an amino group, and more preferably a monovalent organic group represented by the following formula (8). R6 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, more preferably a methyl group.

Figure 112014038023319-pct00011
Figure 112014038023319-pct00011

상기 화학식 8에서,In Formula 8,

R7, R8은 각각 독립적으로, 하이드록시기, 페놀기, 하이드록시메틸기, 하이드록시에틸기이고,R7 and R8 each independently represent a hydroxyl group, a phenol group, a hydroxymethyl group, or a hydroxyethyl group,

n은 0 내지 5의 임의의 정수이고, n is an arbitrary integer of 0 to 5,

상기 화학식 중 * 부분이 N 원자와 결합한다. The * part of the above formula bonds to the N atom.

R7, R8은 각각 독립적으로, 바람직하게는 하이드록시메틸기 또는 하이드록시에틸기이고, 보다 바람직하게는 하이드록시에틸기이다. n은, 바람직하게는 1 내지 3이다. R7 and R8 are each independently preferably a hydroxymethyl group or a hydroxyethyl group, more preferably a hydroxyethyl group. n is preferably 1 to 3.

또한, 하기 화학식 9의 화합물을 사용할 수도 있다. Further, a compound represented by the following general formula (9) may also be used.

Figure 112014038023319-pct00012
Figure 112014038023319-pct00012

보다 구체적으로는, N-벤질아미노에탄올, N-아닐리노에탄올, 글리시돌, 이미다졸-에폭시 어덕트, 벤조트리아졸 유도체, 3-벤질아미노-1-프로판올, 4-벤질아미노-1-부탄올, 5-벤질아미노-1-펜탄올, 2-메틸아미노에탄올, 2-에틸아미노에탄올, 2-프로필아미노에탄올, 2-이소프로필아미노에탄올, 2-부틸아미노에탄올, 2-((1-메틸프로필)아미노)에탄올, 2-(tert-부틸아미노)에탄올, 2-펜틸아미노에탄올, 3-아닐리노프로판올, 4-페닐아미노-1-부탄올, 5-페닐아미노-1-펜탄올 및 1-(2-하이드록시에틸)이미다졸로부터 선택되는 1종 이상이 더욱 한층 바람직하다. 이 중에서도, 취급 안전성, 도체층과의 고밀착성 부여, 보존 안정성 향상이라는 관점에서, N-벤질아미노에탄올, N-아닐리노에탄올, 글리시돌, 2,2-[{(메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸}이미노]비스에탄올, 1-(2-하이드록시에틸)이미다졸 및 이미다졸-에폭시 어덕트로부터 선택되는 1종 이상이 특히 바람직하다. More specifically, there may be mentioned N-benzylaminoethanol, N-anilinoethanol, glycidol, imidazole-epoxy adduct, benzotriazole derivative, 3-benzylamino-1-propanol, 2-ethylaminoethanol, 2-propylaminoethanol, 2-isopropylaminoethanol, 2-butylaminoethanol, 2 - ((1-methylpropylamino) Phenylamino-1-butanol, 5-phenylamino-1-pentanol and 1- (2-aminoethyl) -Hydroxyethyl) imidazole is still more preferable. Among them, from the viewpoints of handling safety, imparting high adhesion with a conductive layer, and improving storage stability, it is preferable to use N-benzylaminoethanol, N-anilinoethanol, glycidol, 2,2 - [{ 1-yl) methyl} imino] bisethanol, 1- (2-hydroxyethyl) imidazole and imidazole-epoxy adduct are particularly preferable.

(C) 무기 충전재를 당해 유기 화합물로 표면 처리하는 방법으로서는, (C) 무기 충전재를 회전 믹서에 투입하고, 당해 유기 화합물을 분무하면서, (C) 무기 충전재를 5 내지 30분간 교반하는 방법을 들 수 있다. (C) A method of surface-treating an inorganic filler with the organic compound is a method of adding (C) an inorganic filler to a rotary mixer, spraying the organic compound, and (C) stirring the inorganic filler for 5 to 30 minutes .

당해 유기 화합물의 함유량은, 용융 점도의 상승을 방지한다는 관점에서, (C) 무기 충전재를 100질량%로 한 경우, 2질량% 이하가 바람직하며, 1.8질량% 이하가 보다 바람직하며, 1.6질량% 이하가 더욱 바람직하며, 1.4질량% 이하가 더욱 한층 바람직하다. 또한, 수지 바니쉬의 분산성 향상, 무기 충전재의 피복율 향상이라는 관점에서, 0.05질량% 이상이 바람직하며, 0.1질량% 이상이 보다 바람직하며, 0.15질량% 이상이 더욱 바람직하며, 0.2질량% 이상이 더욱 한층 바람직하다. The content of the organic compound is preferably not more than 2% by mass, more preferably not more than 1.8% by mass, more preferably not more than 1.6% by mass, based on 100% by mass of the inorganic filler (C) from the viewpoint of preventing an increase in melt viscosity. Or less, more preferably 1.4 mass% or less. From the viewpoints of improving the dispersibility of the resin varnish and improving the covering ratio of the inorganic filler, the amount is preferably 0.05 mass% or more, more preferably 0.1 mass% or more, more preferably 0.15 mass% or more, and 0.2 mass% Still more preferable.

(C) 무기 충전재를 당해 유기 화합물로 표면 처리한 후, 소수성 향상, 미반응의 실란올기와 반응시키는 것에 의한 분산성의 더욱 향상이라는 관점에서, 실란 커플링제, 알콕시실란, 알콕시 올리고머, 알루미늄계 커플링제, 티탄계 커플링제, 지르코늄계 커플링제로부터 선택되는 1종 이상으로 추가로 표면 처리해도 좋다. (C) a silane coupling agent, an alkoxysilane, an alkoxy oligomer, an aluminum-based coupling agent, a silane coupling agent, a silane coupling agent, or a silane coupling agent, from the viewpoints of improving the hydrophobicity of the inorganic filler after surface treatment with the organic compound and further improving the dispersibility by reacting with an unreacted silanol group , A titanium-based coupling agent, and a zirconium-based coupling agent.

실란 커플링제로서는, 에폭시실란계 커플링제, 아미노실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제 등을 사용할 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면 글리시독시프로필트리메톡시실란, 글리시독시프로필트리에톡시실란, 글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 글리시딜부틸트리메톡시실란, (3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시실란계 커플링제, 아미노프로필메톡시실란, 아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노실란계 커플링제, 머캅토프로필트리메톡시실란, 머캅토프로필트리에톡시실란 등의 머캅토실란계 커플링제를 들 수 있다. As the silane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, or the like can be used. These may be used singly or in combination of two or more. Specifically, there may be mentioned, for example, glycidoxypropyltrimethoxysilane, glycidoxypropyltriethoxysilane, glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, glycidylbutyltrimethoxysilane, (3,4-epoxycyclo Aminopropyltrimethoxysilane, N-2 (aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, Aminosilane coupling agents such as trimethoxy silane, and mercaptosilane coupling agents such as mercaptopropyl trimethoxy silane and mercaptopropyl triethoxy silane.

알콕시실란으로서는, 메틸트리메톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 메타크록시프로필트리메톡시실란, 이미다졸실란, 트리아진실란 등을 사용할 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. As the alkoxysilane, methyltrimethoxysilane, octadecyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methacryloxypropyltrimethoxysilane, imidazolylsilane, triazinilane and the like can be used. These may be used singly or in combination of two or more.

알콕시 올리고머는, 유기기와 알콕시실릴기를 함께 갖는 저분자 수지를 말하며, 예를 들면, 메틸기 함유 알콕시 올리고머, 페닐기 함유 알콕시 올리고머, 메틸/페닐기 함유 알콕시 올리고머, 에폭시기 함유 알콕시 올리고머, 머캅토기 함유 알콕시 올리고머, 아미노기 함유 알콕시 올리고머, 아크릴기 함유 알콕시 올리고머, 메타크릴기 함유 알콕시 올리고머, 우레이도기 함유 알콕시 올리고머, 이소시아네이트기 함유 알콕시 올리고머, 비닐기 함유 알콕시 올리고머 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. The alkoxy oligomer refers to a low molecular weight resin having an organic group and an alkoxysilyl group together and includes, for example, a methyl group-containing alkoxy oligomer, a phenyl group-containing alkoxy oligomer, a methyl / phenyl group-containing alkoxy oligomer, an epoxy group-containing alkoxy oligomer, Alkoxy oligomers, acrylic group-containing alkoxy oligomers, methacryl group-containing alkoxy oligomers, ureido group-containing alkoxy oligomers, isocyanate group-containing alkoxy oligomers, vinyl group-containing alkoxy oligomers and the like. These may be used singly or in combination of two or more.

알루미늄계 커플링제로서는, 예를 들면, 알루미늄이소프로필레이트, 모노sec-부톡시알루미늄디이소프로필레이트, 알루미늄sec-부틸레이트, 알루미늄에틸레이트, 에틸아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트, 알루미늄트리스(에틸아세토아세테이트), 알킬아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트, 알루미늄모노아세틸아세토네이트비스(에틸아세토아세테이트), 알루미늄트리스(아세틸아세토네이트), 환상 알루미늄옥사이드이소프로필레이트, 환상 알루미늄옥사이드이소프로필레이트, 환상 알루미늄옥사이드스테아레이트, 환상 알루미늄옥사이드옥틸레이트, 환상 알루미늄옥사이드스테아레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the aluminum-based coupling agent include aluminum isopropylate, mono sec-butoxyaluminum diisopropylate, aluminum sec-butylate, aluminum ethylate, ethyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum tris Acetate), alkyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum monoacetylacetonate bis (ethylacetoacetate), aluminum tris (acetylacetonate), cyclic aluminum oxide isopropylate, cyclic aluminum oxide isopropylate, cyclic aluminum oxide stearate , Cyclic aluminum oxide octylate, cyclic aluminum oxide stearate, and the like. These may be used singly or in combination of two or more.

티탄계 커플링제로서는, 예를 들면, 부틸티타네이트 다이머, 티탄옥틸렌글리콜레이트, 디이소프로폭시티탄비스(트리에탄올아미네이트), 디하이드록시티탄비스락테이트, 디하이드록시비스(암모늄락테이트)티타늄, 비스(디옥틸파이로포스페이트)에틸렌티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트, 테트라-n-부틸티타네이트, 테트라(2-에틸헥실)티타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트)티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트티타네이트, 이소프로필트리옥타노일티타네이트, 이소프로필트리쿠밀페닐티타네이트, 이소프로필트리이소스테아로일티타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리데실벤젠설포닐티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸파이로포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리(N-아미드에틸·아미노에틸)티타네이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the titanium-based coupling agent include butyl titanate dimer, titanium octylene glycolate, diisopropoxy titanium bis (triethanolamine), dihydroxy titanium bis lactate, dihydroxy bis (ammonium lactate) (Dioctyl pyrophosphate) ethylene titanate, bis (dioctyl pyrophosphate) oxyacetate titanate, tri-n-butoxytitanium monostearate, tetra-n-butyl titanate, tetra (2- Ethylhexyl) titanate, tetraisopropylbis (dioctylphosphite) titanate, tetraoctylbis (ditridecylphosphite) titanate, tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) Tridecyl) phosphite titanate, isopropyltri octanoyl titanate, isopropyl tricumyl phenyl titanate, isopropyl triisostearoyl titanate, isopropyl diisostearoylidene Isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate) titanate, isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate) titanate, isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate) titanate, isopropyl tris , Isopropyltri (N-amidoethylaminoethyl) titanate, and the like. These may be used singly or in combination of two or more.

지르코늄계 커플링제로서는, 예를 들면, 지르코늄IV(2,2-비스(2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 트리스네오데카놀레이트, 지르코늄IV(2,2-비스(2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 트리스(도데실벤질설포네이트)), 지르코늄IV(2,2-비스(2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 트리스(디옥틸)포스페이트), 지르코늄IV(2,2-비스(2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 트리스2-메틸2-프로페놀레이트), 지르코늄IV-비스(2,2-비스(2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 비스파라아미노벤조에이트), 지르코늄IV(2,2-비스(2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 트리스(디이소옥틸)피로포스페이트), 지르코늄IV(2,2-비스(2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 트리스2-프로페노에이트), 지르코늄IV(2,2-비스(2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 트리스(2-에틸렌디아미노)에틸레이트), 지르코늄IV, 비스(2,2-비스(2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 비스(3-머캅토프로파노에이트)), 지르코늄IV(2,2-비스(2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 트리스(2-아미노)페닐레이트), 지르코늄IV(2,2-비스(2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 트리스(디이소옥틸)피로포스페이트), N-치환 메타크릴아미드 부가물, 지르코늄IV(2-에틸, 2-프로페놀레이트메틸)-1,3-프로펜디옥레이트, 사이클로디2,2-(비스-2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 피로포스페이트), 지르코늄IV(테트라키스-2,2-(비스-2-프로페놀레이트메틸)부타놀레이트, 디트리데실하이드로겐포스파이트 2몰 부가물 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the zirconium-based coupling agent include zirconium IV (2,2-bis (2-propanolate methyl) butanolate, trisneodecanolate, zirconium IV (2,2- Methyl) butanolate, tris (dodecylbenzyl sulfonate)), zirconium IV (2,2-bis (2-propanolate methyl) butanolate, tris (dioctyl) phosphate), zirconium IV Bis (2-propenolate methyl) butanolate, tris 2-methyl 2-propenolate), zirconium IV-bis (2,2- Benzoate), zirconium IV (2,2-bis (2-propanolate methyl) butanolate, tris (diisooctyl) pyrophosphate), zirconium IV (2,2- Butanolate, tris (2-propenoate), zirconium IV (2,2-bis (2-propanolate methyl) ), Zirconium IV, 2,2-bis (2-propanolate methyl) butanolate, bis (3-mercaptopropanoate) Methyl) butanolate and tris (2-amino) phenylate), zirconium IV (2,2-bis (2-propanolate methyl) butanolate, tris (diisooctyl) pyrophosphate) (2-ethyl-2-propenolate methyl) -1,3-propenedioate, cyclodiimide 2,2- (bis-2-propanolate methyl) butanolate, pyro Phosphate), zirconium IV (tetrakis-2,2- (bis-2-propanolate methyl) butanolate, ditridecylhydrogenphosphite 2-mol adduct, etc. These may be one or two kinds These may be used in combination.

(C) 무기 충전재의 표면 처리 후, 무기 충전재의 표면에 결합하고 있는 단위 면적당 카본량은 1.00㎎/㎡ 이하가 바람직하며, 0.75㎎/㎡ 이하가 보다 바람직하며, 0.70㎎/㎡ 이하가 더욱 바람직하며, 0.65㎎/㎡ 이하가 더욱 한층 바람직하며, 0.60㎎/㎡ 이하가 특히 더 바람직하며, 0.55㎎/㎡ 이하가 특히 바람직하며, 0.50㎎/㎡ 이하가 특히 바람직하다. 한편, 그 표면에 결합하고 있는 단위 면적당 카본량은, 0.05㎎/㎡ 이상이 바람직하며, 0.08㎎/㎡ 이상이 보다 바람직하며, 0.11㎎/㎡ 이상이 더욱 바람직하며, 0.14㎎/㎡ 이상이 더욱 한층 바람직하며, 0.17㎎/㎡ 이상이 특히 더 바람직하며, 0.20㎎/㎡ 이상이 특히 바람직하며, 0.23㎎/㎡ 이상이 특히 바람직하며, 0.26㎎/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 이것에 의해, 습식 조화 공정후의 산술 평균 거칠기, 이승 평균 평방근 거칠기가 안정되고, 또한 높은 필 강도의 도체층을 안정적으로 형성할 수 있는 것이 된다. (C) The amount of carbon per unit area bonded to the surface of the inorganic filler after the surface treatment of the inorganic filler is preferably 1.00 mg / m 2 or less, more preferably 0.75 mg / m 2 or less, still more preferably 0.70 mg / , More preferably 0.65 mg / m 2 or less, particularly preferably 0.60 mg / m 2 or less, particularly preferably 0.55 mg / m 2 or less, and particularly preferably 0.50 mg / m 2 or less. On the other hand, the amount of carbon per unit area bonded to the surface is preferably 0.05 mg / m 2 or more, more preferably 0.08 mg / m 2 or more, more preferably 0.11 mg / m 2 or more, and more preferably 0.14 mg / More preferably 0.17 mg / m 2 or more, particularly preferably 0.20 mg / m 2 or more, particularly preferably 0.23 mg / m 2 or more, further preferably 0.26 mg / m 2 or more. As a result, the arithmetic mean roughness and the root mean square root roughness after the wet roughening step are stabilized, and the conductor layer with high fill strength can be stably formed.

무기 충전재의 표면 처리의 정도는, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후의 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량(즉, 무기 충전재의 표면에 결합하고 있는 단위 면적당 카본량)을 가지고 정량화할 수 있다. 예를 들면, 무기 충전재의 표면에 결합하고 있는 단위 면적당 카본량은, 이하의 수순으로 산출할 수 있다. 표면 처리 후의 무기 충전재에 용제로서 충분한 양의 MEK를 가하여, 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 표면에 결합하고 있는 카본량을 측정한다. 수득된 카본량을 무기 충전재의 비표면적으로 나눔으로써, 무기 충전재에 결합하고 있는 단위 면적당 카본량을 산출한다. The degree of the surface treatment of the inorganic filler is determined by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler after the surface treatment (for example, methyl ethyl ketone (MEK)), The amount of carbon per unit area bonded) can be quantified. For example, the amount of carbon per unit area bonded to the surface of the inorganic filler can be calculated by the following procedure. A sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler after the surface treatment, followed by ultrasonic cleaning. After the supernatant is removed and the solid content is dried, the amount of carbon bonded to the surface of the inorganic filler is measured using a carbon analyzer. By dividing the obtained amount of carbon by the specific surface area of the inorganic filler, the amount of carbon per unit area bonded to the inorganic filler is calculated.

한편, 카본 분석계로서는, 호리바세사쿠쇼 제조「EMIA-320V」등을 사용할 수 있다. On the other hand, as the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. and the like can be used.

본 발명의 수지 조성물을 경화시켜 절연층을 형성하고, 그 절연층 표면을 조화 처리하고, 도금하여 수득되는 도체층과 절연층의 필 강도는, 후술하는 <도금 도체층의 박리 강도(필 강도)의 측정>에 기재된 측정 방법에 의해 파악할 수 있다. The peel strength of the conductor layer and the insulating layer obtained by curing the resin composition of the present invention to form an insulating layer, roughening the surface of the insulating layer, and plating, Of the present invention can be grasped by the measurement method described in &quot; Measurement of &quot;

필 강도는, 0.8kgf/cm 이하가 바람직하며, 0.9kgf/cm 이하가 보다 바람직하며, 1.0kgf/cm 이하가 더욱 바람직하며, 1.5kgf/cm 이하가 더욱 한층 바람직하다. 또한, 필 강도는, 0.4kgf/cm 이상이 바람직하며, 0.5kgf/cm 이상이 보다 바람직하다. The fill strength is preferably 0.8 kgf / cm or less, more preferably 0.9 kgf / cm or less, more preferably 1.0 kgf / cm or less, and even more preferably 1.5 kgf / cm or less. The peel strength is preferably 0.4 kgf / cm or more, more preferably 0.5 kgf / cm or more.

본 발명의 수지 조성물을 경화시켜 절연층을 형성하고, 그 절연층 표면을 조화 처리한 후의 산술 평균 거칠기(Ra값), 이승 평균 평방근 거칠기(Rq값)는, 후술하는 <조화 후의 산술 평균 거칠기(Ra값), 이승 평균 평방근 거칠기(Rq값)의 측정>에 기재된 측정 방법에 의해 파악할 수 있다. The arithmetic mean roughness (Ra value) and the root average square root roughness (Rq value) of the resin composition of the present invention after curing the insulating layer to form the insulating layer and roughening the surface of the insulating layer are determined by the arithmetic average roughness (Ra value), and the average square root roughness (Rq value) of the root mean square value &gt;.

산술 평균 거칠기(Ra값)는, 전기 신호의 전송 로스를 경감시키기 위해, 300nm 이하가 바람직하며, 260nm 이하가 보다 바람직하며, 240nm 이하가 더욱 바람직하며, 220nm 이하가 더욱 한층 바람직하며, 200nm 이하가 특히 더 바람직하며, 170nm 이하가 특히 바람직하며, 160nm 이하가 특히 바람직하며, 150nm 이하가 더욱 바람직하다. 한편, 산술 평균 거칠기(Ra값)는, 필 강도를 향상시킨다는 관점에서, 10nm 이상이 바람직하며, 20nm 이상이 보다 바람직하며, 30nm 이상이 더욱 바람직하며, 40nm 이상이 더욱 한층 바람직하며, 50nm 이상이 특히 더 바람직하다. The arithmetic mean roughness (Ra value) is preferably 300 nm or less, more preferably 260 nm or less, more preferably 240 nm or less, still more preferably 220 nm or less, and less than 200 nm in order to reduce transmission loss of the electric signal More preferably 170 nm or less, particularly preferably 160 nm or less, further preferably 150 nm or less. On the other hand, the arithmetic mean roughness (Ra value) is preferably 10 nm or more, more preferably 20 nm or more, further preferably 30 nm or more, further preferably 40 nm or more, and more preferably 50 nm or more, Particularly preferred.

이승 평균 평방근 거칠기(Rq값)는, 전기 신호의 전송 로스를 경감시키기 위해, 480nm 이하가 바람직하며, 440nm 이하가 보다 바람직하며, 420nm 이하가 더욱 바람직하며, 380nm 이하가 더욱 한층 바람직하며, 340nm 이하가 특히 더 바람직하며, 300nm 이하가 특히 바람직하며, 260nm 이하가 특히 바람직하며, 220nm 이하가 더욱 바람직하다. 한편, 이승 평균 평방근 거칠기(Rq값)는, 필 강도를 향상시킨다는 관점에서, 10nm 이상이 바람직하며, 30nm 이상이 보다 바람직하며, 50nm 이상이 더욱 바람직하며, 70nm 이상이 더욱 한층 바람직하며, 90nm 이상이 특히 더 바람직하다. The average square root roughness (Rq value) is preferably 480 nm or less, more preferably 440 nm or less, still more preferably 420 nm or less, still more preferably 380 nm or less, and 340 nm or less Still more preferably 300 nm or less, particularly preferably 260 nm or less, further preferably 220 nm or less. On the other hand, the root mean square roughness (Rq value) of the root mean square roughness is preferably 10 nm or more, more preferably 30 nm or more, still more preferably 50 nm or more, still more preferably 70 nm or more, Is particularly preferred.

<(D) 경화 촉진제><(D) Curing accelerator>

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 경화 촉진제를 함유시킴으로써, 에폭시 수지와 경화제를 효율적으로 경화시킬 수 있다. 경화 촉진제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 아민계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 포스포늄계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. By containing the curing accelerator in addition to the resin composition of the present invention, the epoxy resin and the curing agent can be efficiently cured. The curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include amine curing accelerators, guanidine curing accelerators, imidazole curing accelerators, phosphonium curing accelerators, and metal curing accelerators. These may be used singly or in combination of two or more.

아민계 경화 촉진제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센(이하, DBU라고 약기한다.) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the amine-based curing accelerator include, but are not limited to, trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) , 8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene (hereinafter abbreviated as DBU), and the like. These may be used singly or in combination of two or more.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the guanidine curing accelerator include, but are not limited to, dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, Phenylguanidine, trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4. 0] deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide and 1- (o-tolyl) biguanide. These may be used singly or in combination of two or more.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the imidazole-based curing accelerator include, but are not limited to, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, Methylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2- methylimidazole, 2-phenylimidazole, Methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine, 2,4-diamino- (1 ')] - ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, Benzimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, 2-methylimidazoline, 2-methylimidazoline, 2- Imidazole compounds such as phenylimidazoline, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins. These may be used singly or in combination of two or more.

포스포늄계 경화 촉진제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the phosphonium curing accelerator include, but are not limited to, triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4- Methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate, and the like. These may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 경화 촉진제(금속계 경화 촉진제를 제외한다)의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 0.005 내지 1질량%의 범위가 바람직하며, 0.01 내지 0.5질량%의 범위가 보다 바람직하다. 0.005질량% 미만이면, 경화가 느려져 열경화 시간이 길게 필요해지는 경향이 있고, 1질량%를 초과하면 수지 조성물의 보존 안정성이 저하되는 경향으로 된다. In the resin composition of the present invention, the content of the curing accelerator (excluding the metal-based curing accelerator) is preferably in the range of 0.005 to 1% by mass, more preferably 0.01 to 0.5% The range of mass% is more preferable. When the amount is less than 0.005 mass%, the curing tends to be slow and the thermosetting time tends to be long. When it exceeds 1 mass%, the storage stability of the resin composition tends to decrease.

금속계 경화 촉진제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염의 구체예로서는, 옥틸산아연, 옥틸산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 스테아르산주석, 스테아르산아연 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. The metal-based curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include organometallic complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese and tin. Specific examples of the organometallic complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, zinc An organic iron complex such as an organic zinc complex and iron (III) acetylacetonate, an organic nickel complex such as nickel (II) acetylacetonate, and an organic manganese complex such as manganese (II) acetylacetonate. Specific examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate and zinc stearate. These may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 금속계 경화 촉진제의 첨가량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 금속계 경화 촉매에 기초하는 금속의 함유량이 25 내지 500ppm의 범위가 바람직하며, 40 내지 200ppm의 범위가 보다 바람직하다. 25ppm 미만이면, 낮은 산술 평균 거칠기의 절연층 표면으로의 밀착성이 우수한 도체층의 형성이 곤란해지는 경향이 있고, 500ppm을 초과하면, 수지 조성물의 보존 안정성, 절연성이 저하되는 경향으로 된다.
In the resin composition of the present invention, the addition amount of the metal-based curing accelerator is preferably 25 to 500 ppm based on the metal-based curing catalyst when the nonvolatile component in the resin composition is 100 mass% More preferably 200 ppm. If it is less than 25 ppm, it tends to make it difficult to form a conductor layer having a low arithmetic average roughness with good adhesion to the surface of the insulating layer. When it exceeds 500 ppm, the storage stability and insulating properties of the resin composition tend to be lowered.

<(E) 열가소성 수지>&Lt; (E) Thermoplastic resin >

본 발명의 수지 조성물에는, 추가로 (E) 열가소성 수지를 함유시킴으로써 경화물의 기계 강도를 향상시킬 수 있고, 또한 접착 필름의 형태로 사용하는 경우의 필름 성형능을 향상시킬 수도 있다. 이러한 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지를 들 수 있다. 이러한 열가소성 수지는 1종 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 필름 성형능이나 기계 강도 향상, 수지 바니쉬의 상용성(相溶性) 향상이라는 점에서, 열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 5000 내지 200000의 범위인 것이 바람직하다. 또한 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법(폴리스티렌 환산)으로 측정된다. GPC법에 의한 중량 평균 분자량은, 구체적으로는, 측정 장치로서 가부시키가이샤 시마즈세사쿠쇼 제조 LC-9A/RID-6A를, 칼럼으로서 쇼와덴코 가부시키가이샤 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하여, 칼럼 온도 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다. The resin composition of the present invention can further improve the mechanical strength of the cured product by containing the (E) thermoplastic resin and improve the film formability when it is used in the form of an adhesive film. Examples of such a thermoplastic resin include phenoxy resins, polyimide resins, polyamideimide resins, polyetherimide resins, polysulfone resins, polyether sulfone resins, polyphenylene ether resins, polycarbonate resins, polyetheretherketone Resins, and polyester resins. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more. The weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably in the range of 5,000 to 200,000 in view of improvement in film formability, mechanical strength, and improvement in compatibility of the resin varnish. The weight average molecular weight in the present invention is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method (in terms of polystyrene). Specifically, the weight average molecular weight by the GPC method was measured by using LC-9A / RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring apparatus and Shodex K-800P / K-804L manufactured by Showa Denko K.K. / K-804L can be measured using a calibration curve of standard polystyrene at a column temperature of 40 占 폚 using chloroform or the like as the mobile phase.

본 발명의 수지 조성물에, (E) 열가소성 수지를 배합하는 경우에는, 수지 조성물 중의 열가소성 수지의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 0.1 내지 10질량%가 바람직하며, 1 내지 5질량%가 보다 바람직하다. 열가소성 수지의 함유량이 지나치게 적으면 필름 성형능이나 기계 강도 향상의 효과가 발휘되지 않는 경향이 있고, 지나치게 많으면 용융 점도의 상승과, 습식 조화 공정 후의 절연층 표면의 산술 평균 거칠기가 증가하는 경향이 있다.
When the (E) thermoplastic resin is blended in the resin composition of the present invention, the content of the thermoplastic resin in the resin composition is not particularly limited, but it is preferably 0.1 to 10% by mass based on 100% By mass, more preferably from 1 to 5% by mass. If the content of the thermoplastic resin is too small, the effect of improving the film formability and mechanical strength tends not to be exhibited. If the content is too large, the melt viscosity tends to increase and the arithmetic mean roughness of the surface of the insulating layer after the wet coarsening step tends to increase .

<(F) 고무 입자>&Lt; (F) Rubber particles >

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 (F) 고무 입자를 함유시킴으로써, 도금 필 강도를 향상시킬 수 있고, 드릴 가공성의 향상, 유전 정접의 저하, 응력 완화 효과를 수득할 수도 있다. 본 발명에 있어서 사용될 수 있는 고무 입자는, 예를 들면, 당해 수지 조성물의 바니쉬를 조제할 때에 사용하는 유기 용제에도 용해되지 않고, 필수 성분인 경화제나 에폭시 수지 등과도 상용(相溶)되지 않는 것이다. 따라서, 당해 고무 입자는, 본 발명의 수지 조성물의 바니쉬 중에서는 분산 상태로 존재한다. 이러한 고무 입자는, 일반적으로는, 고무 성분의 분자량을 유기 용제나 수지에 용해되지 않는 레벨로까지 크게 하여, 입자상으로 함으로써 조제된다. By containing (F) rubber particles in addition to the resin particles of the present invention, the plating film strength can be improved, and drilling workability, dielectric loss tangent and stress relaxation effect can be obtained. The rubber particles that can be used in the present invention are not soluble in an organic solvent used for preparing varnishes of the resin composition but are not compatible with hardeners or epoxy resins as essential components . Therefore, the rubber particles are present in a dispersed state in the varnish of the resin composition of the present invention. Generally, such rubber particles are prepared by increasing the molecular weight of the rubber component to a level that does not dissolve in an organic solvent or a resin, thereby forming a granular phase.

본 발명에서 사용될 수 있는 고무 입자의 바람직한 예로서는, 코어 쉘형 고무 입자, 가교 아크릴로니트릴부타디엔 고무 입자, 가교 스티렌부타디엔 고무 입자, 아크릴 고무 입자 등을 들 수 있다. 코어 쉘형 고무 입자는, 코어층과 쉘층을 갖는 고무 입자이며, 예를 들면, 외층의 쉘층이 유리상 중합체로 구성되고, 내층의 코어층이 고무상 중합체로 구성되는 2층 구조, 또는 외층의 쉘층이 유리상 중합체로 구성되고, 중간층이 고무상 중합체로 구성되고, 코어층이 유리상 중합체로 구성되는 3층 구조인 것 등을 들 수 있다. 유리상 중합체는, 예를 들면, 메타크릴산메틸의 중합물 등으로 구성되고, 고무상 중합체층은, 예를 들면, 부틸아크릴레이트 중합물(부틸 고무) 등으로 구성된다. 고무 입자는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 코어 쉘형 고무 입자의 구체예로서는, 스타필로이드AC3832, AC3816N, IM-401개(改)1, IM-401개(改)7-17(상품명, 간츠가세이 가부시키가이샤 제조), 메타블렌KW-4426(상품명, 미쯔비시레이온 가부시키가이샤 제조)을 들 수 있다. 가교 아크릴로니트릴부타디엔 고무(NBR) 입자의 구체예로서는, XER-91(평균 입자 직경 0.5㎛, JSR 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다. 가교 스티렌부타디엔 고무(SBR) 입자의 구체예로서는, XSK-500(평균 입자 직경 0.5㎛, JSR 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다. 아크릴 고무 입자의 구체예로서는, 메타블렌W300A(평균 입자 직경 0.1㎛), W450A(평균 입자 직경 0.2㎛)(미쯔비시레이온 가부시키가이샤 제조)를 들 수 있다. Preferred examples of the rubber particles usable in the present invention include core-shell type rubber particles, crosslinked acrylonitrile butadiene rubber particles, crosslinked styrene butadiene rubber particles, acrylic rubber particles and the like. The core-shell-type rubber particle is a rubber particle having a core layer and a shell layer, for example, a two-layer structure in which the shell layer of the outer layer is composed of a glassy polymer and the core layer of the inner layer is composed of a rubber- A three-layer structure composed of a glassy polymer, an intermediate layer made of a rubbery polymer and a core layer made of a glassy polymer, and the like. The glassy polymer is composed of, for example, a polymer of methyl methacrylate and the like, and the rubbery polymer layer is composed of, for example, a butyl acrylate polymer (butyl rubber). The rubber particles may be used in combination of two or more. Specific examples of the core-shell type rubber particles include stapylloid AC3832, AC3816N, IM-401 (revised) 1, IM-401 (revised) 7-17 (trade name, manufactured by Gansu Kasei Seisakusho), Metablen KW- 4426 (trade name, manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.). Specific examples of crosslinked acrylonitrile butadiene rubber (NBR) particles include XER-91 (average particle diameter 0.5 탆, manufactured by JSR Corporation). Specific examples of the crosslinked styrene butadiene rubber (SBR) particles include XSK-500 (average particle diameter 0.5 탆, manufactured by JSR Corporation). Specific examples of the acrylic rubber particles include Metablen W300A (average particle diameter 0.1 mu m) and W450A (average particle diameter 0.2 mu m) (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.).

고무 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.005 내지 1㎛의 범위이며, 보다 바람직하게는 0.2 내지 0.6㎛의 범위이다. 본 발명에서 사용되는 고무 입자의 평균 입자 직경은, 동적 광산란법을 사용하여 측정할 수 있다. 예를 들면, 적당한 유기 용제에 고무 입자를 초음파 등에 의해 균일하게 분산시키고, 농후계(濃厚系) 입자 직경 애널라이저(FPAR-1000; 오츠카덴시 가부시키가이샤 제조)를 사용하여, 고무 입자의 입도 분포를 질량 기준으로 작성하고, 그 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. The average particle diameter of the rubber particles is preferably in the range of 0.005 to 1 占 퐉, and more preferably in the range of 0.2 to 0.6 占 퐉. The average particle diameter of the rubber particles used in the present invention can be measured by a dynamic light scattering method. For example, the rubber particles are uniformly dispersed in a suitable organic solvent by ultrasonic waves or the like, and the particle size distribution of the rubber particles is measured using a concentrated system particle diameter analyzer (FPAR-1000, manufactured by Otsuka Denshi Co., Ltd.) Can be measured on the basis of mass and the median diameter can be measured as the average particle diameter.

고무 입자의 합유량은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1 내지 10질량%이며, 보다 바람직하게는 2 내지 5질량%이다.
The combined flow rate of the rubber particles is preferably from 1 to 10% by mass, more preferably from 2 to 5% by mass, based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition.

<(G) 난연제><(G) Flame Retardant>

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 (G) 난연제를 함유시킴으로써, 난연성을 부여할 수 있다. 난연제로서는, 예를 들면, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 유기 인계 난연제의 구체예로서는, 산코 가부시키가이샤 제조의 HCA, HCA-HQ, HCA-NQ 등의 페난트렌형 인 화합물, 쇼와코훈시 가부시키가이샤 제조의 HFB-2006M 등의 인 함유 벤조옥사진 화합물, 아지노모토파인테크노 가부시키가이샤 제조의 레오포스30, 50, 65, 90, 110, TPP, RPD, BAPP, CPD, TCP, TXP, TBP, TOP, KP140, TIBP, 홋코가가쿠고교 가부시키가이샤 제조의 TPPO, PPQ, 클라리언트 가부시키가이샤 제조의 OP930, 다이하치가가쿠 가부시키가이샤 제조의 PX200 등의 인산에스테르 화합물, 토토가세이 가부시키가이샤 제조의 FX289, FX305, TX0712 등의 인 함유 에폭시 수지, 토토가세이 가부시키가이샤 제조의 ERF001 등의 인 함유 페녹시 수지, 재팬에폭시레진 가부시키가이샤 제조의 YL7613 등의 인 함유 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 유기계 질소 함유 인 화합물의 구체예로서는, 시코쿠가세이고교 가부시키가이샤 제조의 SP670, SP703 등의 인산에스테르아미드 화합물, 오츠카가가쿠 가부시키가이샤 제조의 SPB100, SPE100, 가부시키가이샤 후세미세야쿠쇼 제조 FP-series 등의 포스파젠 화합물 등을 들 수 있다. 금속 수산화물의 구체예로서는, 우베마테리알즈 가부시키가이샤 제조의 UD65, UD650, UD653 등의 수산화마그네슘, 토모에고교 가부시키가이샤 제조의 B-30, B-325, B-315, B-308, B-303, UFH-20 등의 수산화알루미늄 등을 들 수 있다.
The resin composition of the present invention can impart flame retardancy by further containing a flame retardant (G). Examples of the flame retardant include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicon-based flame retardant, a metal hydroxide, and the like. Specific examples of the organophosphorus flame retardant include phenanthrene-type phosphorus compounds such as HCA, HCA-HQ and HCA-NQ manufactured by Sankyo Co., Ltd., phosphorus-containing benzoxazine compounds such as HFB-2006M manufactured by Showa Kogyo Co., TPP, RPD, BAPP, CPD, TCP, TXP, TBP, TOP, KP140, TIBP, manufactured by Hokko Chemical Industries, Ltd., TPO , PPQ, OP930 manufactured by Clariant K.K. and PX200 manufactured by Daihachi Kagaku Co., Ltd., phosphorus-containing epoxy resins such as FX289, FX305 and TX0712 manufactured by Toto Chemical Co., Ltd., Phosphorus-containing phenoxy resins such as ERF001 manufactured by Kagaku Kogyo Co., Ltd., phosphorus-containing epoxy resins such as YL7613 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., and the like. Specific examples of the organic nitrogen-containing phosphorus compound include phosphoric acid ester amide compounds such as SP670 and SP703 manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., SPB100, SPE100 manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd., FP-series manufactured by FUSEMIZE YAKUSHO Co., And the like. Specific examples of the metal hydroxide include magnesium hydroxide such as UD65, UD650 and UD653 manufactured by Ube Industries, Ltd., B-30, B-325, B-315, B- 303, and UFH-20, and the like.

<기타 성분><Other ingredients>

본 발명의 수지 조성물에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라 기타 성분을 배합할 수 있다. 기타 성분으로서는, 예를 들면, 비닐벤질 화합물, 아크릴 화합물, 말레이미드 화합물, 블록이소시아네이트 화합물과 같은 열 경화성 수지, 실리콘 파우더, 나일론 파우더, 불소 파우더 등의 유기 충전제, 올벤, 벤톤 등의 증점제, 실리콘계, 불소계, 고분자계의 소포제 또는 레벨링제, 이미다졸계, 티아졸계, 트리아졸계, 실란계 커플링제 등의 밀착성 부여제, 프탈로시아닌·블루, 프탈로시아닌·그린, 아이오딘·그린, 디스아졸옐로우, 카본블랙 등의 착색제 등을 들 수 있다. In the resin composition of the present invention, other components may be blended as needed within a range not hindering the effect of the present invention. Examples of the other components include thermosetting resins such as vinylbenzyl compounds, acrylic compounds, maleimide compounds and block isocyanate compounds, organic fillers such as silicone powder, nylon powder and fluorine powder, thickeners such as allene and bentone, Based antifoaming agents or leveling agents, imidazole-based, thiazole-based, triazole-based and silane-based coupling agents, phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodine green, dithazol yellow, carbon black, etc. And the like.

본 발명의 수지 조성물의 조제 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 배합 성분을, 필요에 따라 용매 등을 첨가하고, 회전 믹서 등을 사용하여 혼합하는 방법 등을 들 수 있다. The method for preparing the resin composition of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a solvent or the like is added, if necessary, and the mixture is mixed using a rotary mixer or the like.

본 발명의 수지 조성물의 용도는, 특별히 한정되지 않지만, 접착 필름, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료, 회로 기판(적층판, 다층 프린트 배선판 등), 솔더 레지스트, 언더필재, 다이본딩재, 반도체 봉지재, 구멍 매립 수지, 부품 매립 수지 등, 수지 조성물을 필요로 하는 용도에 광범위하게 사용할 수 있다. 이 중에서도, 다층 프린트 배선판의 제조에 있어서, 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물로서 적합하게 사용할 수 있고, 도금에 의해 도체층을 형성하기 위한 수지 조성물로서 보다 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은, 바니쉬 상태로 회로 기판에 도포하여 절연층을 형성할 수도 있지만, 공업적으로는 일반적으로, 접착 필름, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료의 형태로 사용하는 것이 바람직하다. 수지 조성물의 연화점은, 시트상 적층 재료의 라미네이트성의 관점에서 40 내지 150℃가 바람직하다.
The use of the resin composition of the present invention is not particularly limited, but the resin composition of the present invention can be suitably used for various applications such as a sheet-like laminate material such as an adhesive film and a prepreg, a circuit board (laminate board, multilayer printed wiring board, etc.), a solder resist, , A hole-filling resin, a component-embedded resin, and the like. Among them, in the production of a multilayer printed wiring board, it can be suitably used as a resin composition for forming an insulating layer, and can be more suitably used as a resin composition for forming a conductor layer by plating. The resin composition of the present invention may be applied to a circuit board in a varnish state to form an insulating layer, but industrially, it is generally preferable to use it in the form of a sheet-like laminated material such as an adhesive film or a prepreg. The softening point of the resin composition is preferably 40 to 150 DEG C from the viewpoint of the lamination property of the sheet-like laminated material.

<접착 필름>&Lt; Adhesive film &

본 발명의 접착 필름은, 당업자에게 공지된 방법, 예를 들면, 유기 용제에 수지 조성물을 용해시킨 수지 바니쉬를 조제하고, 이 수지 바니쉬를, 다이코터 등을 사용하여, 지지체에 도포하고, 추가로, 가열, 또는 열풍 분사 등에 의해 유기 용제를 건조시켜 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다. The adhesive film of the present invention can be produced by a method known to those skilled in the art, for example, by preparing a resin varnish obtained by dissolving a resin composition in an organic solvent, applying the resin varnish to a support using a die coater or the like, , Or drying the organic solvent by heating or hot air blowing to form a resin composition layer.

유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 카르비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르류, 셀로솔브, 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 유기 용제는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, acetic acid esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate, cellosolve, Carbitols such as butyl carbitol, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, and amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone. Two or more kinds of organic solvents may be used in combination.

건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층으로의 유기 용제의 함유량이 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 바니쉬 중의 유기 용제량, 유기 용제의 비점에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 30 내지 60질량%의 유기 용제를 함유하는 바니쉬를 50 내지 150℃에서 3 내지 10분 정도 건조시킴으로써, 수지 조성물이 지지체 위에 층 형성된 접착 필름을 형성할 수 있다. The drying conditions are not particularly limited, but the drying is performed so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is 10 mass% or less, preferably 5 mass% or less. The amount of the organic solvent in the varnish, and the boiling point of the organic solvent. However, by drying the varnish containing, for example, 30 to 60 mass% of the organic solvent at 50 to 150 캜 for about 3 to 10 minutes, A layered adhesive film can be formed.

접착 필름에 있어서 형성되는 수지 조성물층의 두께는, 도체층의 두께 이상으로 하는 것이 바람직하다. 회로 기판이 갖는 도체층의 두께는 통상 5 내지 70㎛의 범위이기 때문에, 수지 조성물층은 10 내지 100㎛의 두께를 갖는 것이 바람직하며, 20 내지 80㎛의 두께를 갖는 것이 보다 바람직하다. The thickness of the resin composition layer formed in the adhesive film is preferably not less than the thickness of the conductor layer. Since the thickness of the conductor layer of the circuit board is usually in the range of 5 to 70 mu m, the resin composition layer preferably has a thickness of 10 to 100 mu m, more preferably 20 to 80 mu m.

지지체로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐 등의 폴리올레핀의 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하「PET」라고 약칭하는 경우가 있다.), 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르의 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름 등의 각종 플라스틱 필름을 들 수 있다. 또한 이형지나 구리박, 알루미늄박 등의 금속박 등을 사용해도 좋다. 지지체 및 후술하는 보호 필름에는, 매드 처리, 코로나 처리 등의 표면 처리가 가해져 있어도 좋다. 또한, 실리콘 수지계 이형제, 알키드 수지계 이형제, 불소 수지계 이형제 등의 이형제로 이형 처리가 가해져 있어도 좋다. Examples of the support include films of polyolefins such as polyethylene, polypropylene and polyvinyl chloride, films of polyester such as polyethylene terephthalate (hereinafter may be abbreviated as "PET"), polyethylene naphthalate, polycarbonate film, And various plastic films such as a film. In addition, a metal foil such as a mold release, a copper foil, and an aluminum foil may be used. The support and the protective film to be described later may be subjected to a surface treatment such as a mat treatment or a corona treatment. In addition, the releasing treatment may be carried out with a releasing agent such as a silicone resin-based releasing agent, an alkyd resin-based releasing agent, or a fluororesin-based releasing agent.

지지체의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 10 내지 150㎛가 바람직하며, 25 내지 50㎛가 보다 바람직하다. The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably 10 to 150 mu m, more preferably 25 to 50 mu m.

수지 조성물층의 지지체가 밀착되어 있지 않은 면에는, 지지체에 준한 보호 필름을 추가로 적층할 수 있다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1 내지 40㎛이다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물층 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 접착 필름은, 롤상으로 감아 저장할 수도 있다.
On the surface of the resin composition layer on which the support is not closely adhered, a protective film corresponding to the support can be further laminated. The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 to 40 탆. By laminating a protective film, it is possible to prevent adhesion and scratching of dust or the like to the surface of the resin composition layer. The adhesive film may be rolled up and stored.

<접착 필름을 사용한 다층 프린트 배선판><Multilayer Printed Circuit Board Using Adhesive Film>

다음으로, 상기와 같이 하여 제조한 접착 필름을 사용하여 다층 프린트 배선판을 제조하는 방법의 일례를 설명한다. Next, an example of a method for producing a multilayered printed circuit board using the adhesive film produced as described above will be described.

우선, 접착 필름을, 진공 라미네이터를 사용하여 회로 기판의 한쪽 면 또는 양면에 라미네이트한다. 회로 기판에 사용되는 기판으로서는, 예를 들면, 유리에폭시 수지, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있다. 또한, 여기서 회로 기판이란, 상기와 같은 기판의 한쪽 면 또는 양면에 패턴 가공된 도체층(회로)이 형성된 것을 말한다. 또한 도체층과 절연층을 교대로 적층하여 이루어지는 다층 프린트 배선판에 있어서, 당해 다층 프린트 배선판의 최외층의 한쪽 면 또는 양면이 패턴 가공된 도체층(회로)으로 되어 있는 것도, 여기서 말하는 회로 기판에 포함된다. 또한 도체층 표면에는, 흑화 처리, 구리 에칭 등에 의해 미리 조화 처리가 가해져 있어도 좋다. First, the adhesive film is laminated on one side or both sides of the circuit board using a vacuum laminator. Examples of the substrate used for the circuit board include a glass epoxy resin, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, and a thermosetting polyphenylene ether substrate. Here, the circuit board means a patterned conductor layer (circuit) formed on one side or both sides of the substrate. In the multilayered printed circuit board in which the conductor layer and the insulating layer are alternately laminated, the outermost layer of the multilayered printed circuit board may be a conductor layer (circuit) formed by patterning one or both sides of the outermost layer of the multilayered printed circuit board. do. Further, the surface of the conductor layer may be subjected to a harmonic treatment in advance by blackening treatment, copper etching, or the like.

상기 라미네이트에 있어서, 접착 필름이 보호 필름을 가지고 있는 경우에는 당해 보호 필름을 제거한 후, 필요에 따라 접착 필름 및 회로 기판을 프리히트하고, 접착 필름을 가압 및 가열하면서 회로 기판에 압착한다. 본 발명의 접착 필름에 있어서는, 진공 라미네이트법에 의해 감압하에서 회로 기판에 라미네이트하는 방법이 적합하게 사용된다. 라미네이트의 조건은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 압착 온도(라미네이트 온도)를 바람직하게는 70 내지 140℃, 압착 압력을 바람직하게는 1 내지 11kgf/㎠(9.8×104 내지 107.9×104N/㎡)으로 하고, 공기압 20mmHg(26.7hPa) 이하의 감압하에서 라미네이트하는 것이 바람직하다. 또한, 라미네이트의 방법은, 뱃치식이라도 롤에서의 연속식이라도 좋다. 진공 라미네이트는 시판 진공 라미네이터를 사용하여 실시할 수 있다. 시판 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, 니치고·모튼 가부시키가이샤 제조 배큠 어플리케이터, 가부시키가이샤 메이키세사쿠쇼 제조 진공 가압식 라미네이터, 가부시키가이샤 히타치인더스트리즈 제조 롤식 드라이 코터, 히타치에이아이씨 가부시키가이샤 제조 진공 라미네이터 등을 들 수 있다. In the laminate, if the adhesive film has a protective film, the protective film is removed, and if necessary, the adhesive film and the circuit board are preheated, and the adhesive film is pressed and heated on the circuit board while being pressed and heated. In the adhesive film of the present invention, a method of laminating a circuit substrate under reduced pressure by a vacuum laminating method is suitably used. The lamination conditions are not particularly limited. For example, the pressing temperature (lamination temperature) is preferably 70 to 140 占 폚, and the pressing pressure is preferably 1 to 11 kgf / cm 2 (9.8 × 10 4 to 107.9 × 10 4 N / m &lt; 2 &gt;) and laminated under a reduced pressure of 20 mmHg (26.7 hPa) or less. Further, the lamination method may be a batch type or a continuous type in a roll. Vacuum laminates can be made using commercial vacuum laminators. As a commercially available vacuum laminator, for example, a vacuum applicator manufactured by Nichigo Morton K.K., a vacuum pressurized laminator manufactured by Takeda Chemical Industries, Ltd., a roll type dry coater manufactured by Hitachi Industries, Ltd., Hitachi Aichi Kogyo Co., Ltd. A vacuum laminator and the like.

또한, 감압하, 가열 및 가압을 실시하는 적층 공정은, 일반 진공 핫프레스기를 사용하여 실시하는 것도 가능하다. 예를 들면, 가열된 SUS판 등의 금속판을 지지체층측에서부터 프레스함으로써 실시할 수 있다. 프레스 조건은, 감압도(減壓度)를, 통상 1×10-2MPa 이하, 바람직하게는 1×10-3MPa 이하의 감압하로 한다. 가열 및 가압은 1단계로 실시할 수도 있지만, 수지가 스며나오는 것을 제어하는 관점에서 2단계 이상으로 조건을 나누어 실시하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 1단계째의 프레스를, 온도 70 내지 150℃, 압력 1 내지 15kgf/㎠의 범위, 2단계째의 프레스를, 온도 150 내지 200℃, 압력 1 내지 40kgf/㎠의 범위에서 실시하는 것이 바람직하다. 각 단계의 시간은 30 내지 120분으로 실시하는 것이 바람직하다. 시판되고 있는 진공 핫프레스기로서는, 예를 들면, MNPC-V-750-5-200 가부시키가이샤 메이키세사쿠쇼 제조), VH1-1603(키타가와세이키 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다. Further, the lamination step for heating and pressurizing under reduced pressure can also be carried out using a general vacuum hot press machine. For example, it can be carried out by pressing a metal plate such as a heated SUS plate from the support layer side. Press conditions, the, of usually 1 × 10 -2 MPa or lower, preferably reduced pressure (減壓度) is downward pressure of less than 1 × 10 -3 MPa. The heating and pressurization can be carried out in one step, but it is preferable that the conditions are divided into two or more steps from the viewpoint of controlling the exudation of the resin. For example, the first-stage press is performed at a temperature of 70 to 150 DEG C, a pressure of 1 to 15 kgf / cm2, and a second-stage press at a temperature of 150 to 200 DEG C and a pressure of 1 to 40 kgf / . The time for each step is preferably 30 to 120 minutes. Examples of commercially available vacuum hot presses include MNPC-V-750-5-200 manufactured by Meikishesakusho Co., Ltd.) and VH1-1603 (manufactured by Kitagawa Seiki Co., Ltd.).

접착 필름을 회로 기판에 라미네이트한 후, 실온 부근으로 냉각시킨 후, 지지체를 박리하는 경우에는 박리하고, 열경화함으로써 회로 기판에 절연층을 형성할 수 있다. 열경화의 조건은, 수지 조성물 중의 수지 성분의 종류, 함유량 등에 따라 적절히 선택하면 되는데, 바람직하게는 150 내지 220℃에서 20 내지 180분, 보다 바람직하게는 160 내지 210℃에서 30 내지 120분의 범위에서 선택된다. When an adhesive film is laminated on a circuit board and then cooled to a temperature near room temperature, when the support is peeled off, it is peeled and thermally cured to form an insulating layer on the circuit board. The conditions of the thermosetting may be appropriately selected depending on the type and content of the resin component in the resin composition, and preferably 20 to 180 minutes at 150 to 220 DEG C, more preferably 30 to 120 minutes at 160 to 210 DEG C .

절연층을 형성한 후, 경화전에 지지체를 박리하지 않은 경우에는, 여기에서 박리한다. 이어서 필요에 따라, 회로 기판 위에 형성된 절연층에 구멍을 뚫어 비아홀, 스루홀을 형성한다. 구멍 뚫기는, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마 등의 공지된 방법에 의해, 또한 필요에 따라 이들 방법을 조합하여 실시할 수 있지만, 탄산가스 레이저, YAG 레이저 등의 레이저에 의한 구멍 뚫기가 가장 일반적인 방법이다. After the formation of the insulating layer, if the support is not peeled off before curing, the peeling is carried out here. Then, if necessary, a hole is formed in the insulating layer formed on the circuit board to form a via hole and a through hole. The drilling can be carried out by a known method such as drilling, laser, plasma or the like, or by a combination of these methods if necessary. However, if drilling with a laser such as a carbon dioxide gas laser or a YAG laser is the most drastic This is a common method.

이어서, 건식 도금 또는 습식 도금에 의해 절연층 위에 도체층을 형성한다. 건식 도금으로서는, 증착, 스퍼터링, 이온플레이팅 등의 공지의 방법을 사용할 수 있다. 습식 도금의 경우는, 절연층 표면을, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리 및 중화액에 의한 중화 처리를 이 순서로 실시함으로써 요철의 앵커를 형성한다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 절연층을 50 내지 80℃에서 5 내지 20분간 팽윤액에 침지시킴으로써 실시된다. 팽윤액으로서는 알칼리 용액, 계면활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이며, 당해 알칼리 용액으로서는, 예를 들면, 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액 등을 들 수 있다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬 가부시키가이샤 제조의 스웰링·딥·세큐리간트 P(Swelling Dip Securiganth P), 스웰링·딥·세큐리간트 SBU(Swelling Dip Securiganth SBU) 등을 들 수 있다. 산화제에 의한 조화 처리는, 절연층을 60 내지 80℃에서 10 내지 30분간 산화제 용액에 침지시킴으로써 실시된다. 산화제로서는, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨이나 과망간산나트륨을 용해시킨 알칼리성 과망간산 용액, 중크롬산염, 오존, 과산화수소/황산, 질산 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에 있어서의 과망간산염의 농도는 5 내지 10중량%로 하는 것이 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들면, 아토텍재팬 가부시키가이샤 제조의 콘센트레이트·콤팩트 CP, 도징솔류션 세큐리간트 P 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 중화액에 의한 중화 처리는, 30 내지 50℃에서 3 내지 10분간 중화액에 침지시킴으로써 실시된다. 중화액으로서는, 산성의 수용액이 바람직하며, 시판품으로서는, 아토텍재팬 가부시키가이샤 제조의 리덕션솔류신·세큐리간트 P를 들 수 있다. Subsequently, a conductive layer is formed on the insulating layer by dry plating or wet plating. As the dry plating, known methods such as vapor deposition, sputtering, and ion plating can be used. In the case of wet plating, the surface of the insulating layer is subjected to a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent, and a neutralizing treatment with a neutralizing liquid in this order to form an unevenness anchor. The swelling treatment with the swelling liquid is carried out by immersing the insulating layer in the swelling liquid at 50 to 80 캜 for 5 to 20 minutes. Examples of the swelling solution include an alkaline solution and a surfactant solution, and preferably an alkaline solution. Examples of the alkaline solution include a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution. Examples of commercially available swelling liquids include Swelling Dip Securiganth P, Swelling Dip Securiganth SBU, manufactured by Atotech Japan Ltd., And the like. The roughening treatment with an oxidizing agent is carried out by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution at 60 to 80 占 폚 for 10 to 30 minutes. As the oxidizing agent, for example, an alkaline permanganic acid solution prepared by dissolving potassium permanganate or sodium permanganate in an aqueous solution of sodium hydroxide, dichromate, ozone, hydrogen peroxide / sulfuric acid, nitric acid and the like can be given. The concentration of the permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5 to 10% by weight. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as Concentrate Compact CP manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., and Dozing Solution Cecrigant P manufactured by Atotech Japan K.K. The neutralization treatment by the neutralization liquid is carried out by immersing in the neutralization liquid at 30 to 50 캜 for 3 to 10 minutes. As the neutralizing solution, an acidic aqueous solution is preferable, and as a commercial product, Reduction Soluble Leucine · Sucurentan P manufactured by Atotech Japan K.K.

이어서, 무전해 도금과 전해 도금을 조합하여 도체층을 형성한다. 또한 도체층과는 역패턴의 도금 레지스트를 형성하고, 무전해 도금만으로 도체층을 형성할 수도 있다. 그 후의 패턴 형성 방법으로서, 예를 들면, 당업자에게 공지된 서브트랙티브법, 세미어디티브법 등을 사용할 수 있다.
Subsequently, a conductor layer is formed by combining electroless plating and electrolytic plating. It is also possible to form a plating resist having an inverse pattern to that of the conductor layer, and to form the conductor layer only by electroless plating. As a pattern formation method thereafter, for example, a subtractive method, a semi-specific method and the like known to those skilled in the art can be used.

<프리프레그><Prepreg>

본 발명의 프리프레그는, 본 발명의 수지 조성물을 시트상 보강 기재에 핫멜트법 또는 솔벤트법에 의해 함침시키고, 가열하여 반경화시킴으로써 제조할 수 있다. 즉, 본 발명의 수지 조성물이 시트상 보강 기재에 함침된 프리프레그로 할 수 있다. 시트상 보강 기재로서는, 예를 들면, 글라스 클로스나 아라미드 섬유 등의 프리프레그용 섬유로서 상용(常用)되고 있는 섬유로 이루어지는 것을 사용할 수 있다. The prepreg of the present invention can be produced by impregnating the sheet-like reinforcing base material with the resin composition of the present invention by a hot-melt method or a solvent method and heating and semi-curing the resin composition. That is, the resin composition of the present invention may be a prepreg impregnated with a sheet-like reinforcing base material. As the sheet-like reinforcing base material, for example, a fiber composed of fibers which are commonly used as prepreg fibers such as glass cloth or aramid fiber can be used.

핫멜트법은, 수지를, 유기 용제에 용해시키지 않고, 당해 수지와의 박리성이 양호한 도포지에 일단 코팅하고, 그것을 시트상 보강 기재에 라미네이트하거나, 또는 수지를, 유기 용제에 용해시키지 않고, 다이코터에 의해 시트상 보강 기재에 직접 도포하는 등 하여, 프리프레그를 제조하는 방법이다. 또한 솔벤트법은, 접착 필름과 마찬가지로 하여 수지를 유기 용제에 용해시켜 수지 바니쉬를 조제하고, 이 바니쉬에 시트상 보강 기재를 침지하고, 수지 바니쉬를 시트상 보강 기재에 함침시키고, 그 후 건조시키는 방법이다.
The hot-melt method is a method in which a resin is temporarily coated on a coating material having good releasability from the resin without dissolving the resin in an organic solvent and laminated on the sheet-like reinforcing base material, or the resin is dissolved in an organic solvent, On a sheet-like reinforcing base material by means of an extruder or the like to form a prepreg. The solvent method is a method in which a resin varnish is prepared by dissolving a resin in an organic solvent in the same manner as an adhesive film, the sheet-like reinforcing base material is immersed in the varnish, the resin varnish is impregnated into the sheet- to be.

<프리프레그를 사용한 다층 프린트 배선판><Multilayer Printed Circuit Board Using Prepreg>

다음에, 상기와 같이 하여 제조한 프리프레그를 사용하여 다층 프린트 배선판을 제조하는 방법의 일례를 설명한다. 회로 기판에 본 발명의 프리프레그를 1장 또는 필요에 따라 여러장 포개어, 이형 필름을 개재하여 금속 플레이트 사이에 끼우고, 가압·가열 조건하에서 진공 프레스 적층한다. 가압·가열 조건은, 바람직하게는, 압력이 5 내지 40kgf/㎠(49×104 내지 392×104N/㎡), 온도가 120 내지 200℃에서 20 내지 100분이다. 또한 접착 필름과 마찬가지로, 프리프레그를 진공 라미네이트법에 의해 회로 기판에 라미네이트한 후, 가열 경화하는 것도 가능하다. 그 후, 상기에서 기재한 방법과 마찬가지로 하여, 경화된 프리프레그 표면을 조화한 후, 도체층을 도금에 의해 형성하여 다층 프린트 배선판을 제조할 수 있다.
Next, an example of a method for producing a multilayered printed circuit board using the prepreg produced as described above will be described. One prepreg of the present invention or a plurality of prepregs according to the present invention is superimposed on a circuit board, sandwiched between metal plates with a release film interposed therebetween, and vacuum press laminated under pressure and heating conditions. The pressurization and heating conditions are preferably a pressure of 5 to 40 kgf / cm 2 (49 × 10 4 to 392 × 10 4 N / m 2) and a temperature of 120 to 200 ° C. for 20 to 100 minutes. Further, similarly to the adhesive film, it is also possible to laminate the prepreg on the circuit board by the vacuum lamination method, followed by heating and curing. Thereafter, in the same manner as described above, the conductor layer is formed by plating after the surface of the cured prepreg is roughened to produce a multilayer printed wiring board.

<반도체 장치><Semiconductor Device>

본 발명의 다층 프린트 배선판을 사용함으로써 반도체 장치를 제조할 수 있다. 본 발명의 다층 프린트 배선판의 도통 개소(導通 箇所)에, 반도체 칩을 실장함으로써 반도체 장치를 제조할 수 있다. 「도통 개소」란,「다층 프린트 배선판에 있어서의 전기 신호를 전달하는 개소」로서, 그 장소는 표면이라도, 매립된 개소라도 어느 것이라도 상관없다. 또한, 반도체 칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자이면 특별히 한정되지 않는다. A semiconductor device can be manufactured by using the multilayered printed circuit board of the present invention. A semiconductor device can be manufactured by mounting a semiconductor chip in a conductive portion (conductive portion) of the multilayered printed circuit board of the present invention. The &quot; conduction site &quot; is a &quot; location for transmitting electrical signals in the multilayered printed circuit board &quot;, and may be a surface or a buried site. The semiconductor chip is not particularly limited as long as it is an electric circuit element made of a semiconductor material.

본 발명의 반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은, 반도체 칩이 유효하게 기능하기만 하면, 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 와이어본딩 실장 방법, 플립칩 실장 방법, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법 등을 들 수 있다. The method of mounting the semiconductor chip when manufacturing the semiconductor device of the present invention is not particularly limited as long as the semiconductor chip effectively functions. Specifically, the semiconductor chip mounting method, the flip chip mounting method, the bump- (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), and a mounting method using a nonconductive film (NCF).

「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란,「반도체 칩을 다층 프린트 배선판의 오목부에 직접 매립하여, 반도체 칩과 프린트 배선판 위의 배선을 접속시키는 실장 방법」을 말하며, 또한, 이하의 BBUL 방법 1), BBUL 방법 2)의 실장 방법으로 대별된다. Refers to a mounting method in which a semiconductor chip is directly buried in a concave portion of a multilayer printed wiring board to connect the semiconductor chip and the wiring on the printed wiring board to each other. The BBUL method 1), and the BBUL method 2).

BBUL 방법 1) 언더필제를 사용하여 다층 프린트 배선판의 오목부에 반도체 칩을 실장하는 실장 방법BBUL method 1) A mounting method for mounting a semiconductor chip on a concave portion of a multilayer printed wiring board using an underfill

BBUL 방법 2) 접착 필름 또는 프리프레그를 사용하여 다층 프린트 배선판의 오목부에 반도체 칩을 실장하는 실장 방법BBUL method 2) A mounting method for mounting a semiconductor chip on a concave portion of a multilayer printed wiring board using an adhesive film or prepreg

BBUL 방법 1)은, 구체적으로는 이하의 공정을 포함한다. The BBUL method 1) specifically includes the following steps.

공정 1) 다층 프린트 배선판의 양면으로부터 도체층을 제거한 것을 설치하고, 레이저, 기계 드릴에 의해 관통공(貫通孔)을 형성한다. Step 1) A conductor layer is removed from both sides of the multilayer printed wiring board, and through holes (through holes) are formed by a laser or a mechanical drill.

공정 2) 다층 프린트 배선판의 한쪽 면에 점착 테이프를 붙이고, 관통공 안에 반도체 칩의 바닥면을 점착 테이프 위에 고정되도록 배치한다. 이 때의 반도체 칩은 관통공의 높이보다 낮게 하는 것이 바람직하다. Step 2) An adhesive tape is attached to one surface of the multilayer printed wiring board, and the bottom surface of the semiconductor chip is arranged to be fixed on the adhesive tape in the through hole. The semiconductor chip at this time is preferably lower than the height of the through hole.

공정 3) 관통공과 반도체 칩의 간극(隙間)에 언더필제를 주입, 충전함으로써, 반도체 칩을 관통공에 고정시킨다. Step 3) An underfill is injected and filled in the gap between the through hole and the semiconductor chip, thereby fixing the semiconductor chip to the through hole.

공정 4) 그 후 점착 테이프를 박리하여 반도체 칩의 바닥면을 노출시킨다. Step 4) Thereafter, the adhesive tape is peeled to expose the bottom surface of the semiconductor chip.

공정 5) 반도체 칩의 바닥면측에 본 발명의 접착 필름 또는 프리프레그를 라미네이트하여, 반도체 칩을 피복한다. Step 5) The adhesive film or the prepreg of the present invention is laminated on the bottom surface side of the semiconductor chip to cover the semiconductor chip.

공정 6) 접착 필름 또는 프리프레그를 경화 후, 레이저에 의해 구멍을 뚫어, 반도체 칩의 바닥면에 있는 본딩 패트를 노출시키고, 상기에서 나타낸 조화 처리, 무전해 도금, 전해 도금을 실시함으로써, 배선과 접속한다. 필요에 따라 추가로 접착 필름 또는 프리프레그를 적층해도 좋다. Step 6) After curing the adhesive film or the prepreg, a hole is drilled by laser to expose the bonding pad on the bottom surface of the semiconductor chip, and the roughening treatment, the electroless plating, and the electrolytic plating are performed as described above, . If necessary, the adhesive film or the prepreg may be further laminated.

BBUL 방법 2)는, 구체적으로는 이하의 공정을 포함한다. The BBUL method 2) specifically includes the following steps.

공정 1) 다층 프린트 배선판의 양면의 도체층 위에, 포토레지스트막을 형성하고, 포토리소그래피 공법으로 포토레지스트막의 한쪽 면에만 개구부를 형성한다. Step 1) A photoresist film is formed on the conductor layers on both surfaces of the multilayer printed wiring board, and an opening is formed only on one side of the photoresist film by a photolithography method.

공정 2) 개구부에 노출된 도체층을 에칭액에 의해 제거하여 절연층을 노출시키고, 그 후 양면의 레지스트막을 제거한다. Step 2) The conductor layer exposed in the opening is removed by an etching solution to expose the insulating layer, and then the resist film on both sides is removed.

공정 3) 레이저나 드릴을 사용하여, 노출된 절연층을 전부 제거하고 구멍을 뚫어 오목부를 형성한다. 레이저의 에너지는, 구리의 레이저 흡수율을 낮게 하고, 절연층의 레이저 흡수율을 높게 하도록 에너지를 조정할 수 있는 레이저가 바람직하며, 탄산가스 레이저가 보다 바람직하다. 이러한 레이저를 사용함으로써, 레이저는 도체층의 개구부와 대면(對面)하는 도체층을 관통하지 않고, 절연층만을 제거하는 것이 가능해진다. Step 3) Using a laser or a drill, remove all of the exposed insulating layer and drill holes to form recesses. The energy of the laser is preferably a laser capable of adjusting the energy so as to lower the laser absorption rate of copper and increase the laser absorption rate of the insulating layer, and a carbon dioxide gas laser is more preferable. By using such a laser, it is possible to remove only the insulating layer without penetrating the conductor layer that is opposite to the opening portion of the conductor layer.

공정 4) 반도체 칩의 바닥면을 개구부측을 향하여 오목부에 배치하고, 본 발명의 접착 필름 또는 프리프레그를 개구부측에서부터 라미네이트하고, 반도체 칩을 피복하여, 반도체 칩과 오목부의 간극을 매립한다. 이 때의 반도체 칩은 오목부의 높이보다 낮게 하는 것이 바람직하다. Step 4) The bottom surface of the semiconductor chip is disposed in the concave portion toward the opening side, and the adhesive film or the prepreg of the present invention is laminated from the opening side to cover the semiconductor chip and fill the gap between the semiconductor chip and the concave portion. The semiconductor chip at this time is preferably lower than the height of the concave portion.

공정 5) 접착 필름 또는 프리프레그를 경화 후, 레이저에 의해 구멍을 뚫어, 반도체 칩의 바닥면의 본딩 패트를 노출시킨다. Step 5) After the adhesive film or the prepreg is cured, a hole is drilled with a laser to expose the bonding pad on the bottom surface of the semiconductor chip.

공정 6) 상기에서 나타낸 조화 처리, 무전해 도금, 전해 도금을 실시함으로써, 배선을 접속하고, 필요에 따라 추가로 접착 필름 또는 프리프레그를 적층한다. Step 6) The roughening treatment, the electroless plating, and the electrolytic plating shown above are performed to connect the wirings and further laminate the adhesive film or the prepreg if necessary.

반도체 칩의 실장 방법 중에서도, 반도체 장치의 소형화, 전송 손실의 경감이라는 관점이나, 땜납을 사용하지 않기 때문에 반도체 칩에 그 열이력이 가해지지 않고, 또한 땜납과 수지의 뒤틀림을 장래적으로 발생시킬 수 없다는 관점에서, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법이 바람직하며, BBUL 방법 1), BBUL 방법 2)가 보다 바람직하며, BBUL 방법 2)가 더욱 바람직하다.
Among the semiconductor chip mounting methods, in view of miniaturization of the semiconductor device and reduction of the transmission loss, since the solder is not used, the thermal history is not applied to the semiconductor chip, and the twist of the solder and the resin can be generated in the future The BBUL method 1) and the BBUL method 2) are more preferable, and the BBUL method 2) is more preferable.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예로 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described concretely with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

<측정 방법·평가 방법> <Methods of measurement and evaluation>

우선은 각종 측정 방법·평가 방법에 관해서 설명한다. First, various measurement methods and evaluation methods will be described.

<필 강도, 산술 평균 거칠기(Ra값), 이승 평균 평방근 거칠기(Rq값) 측정용 샘플의 조제><Preparation of samples for measurement of peel strength, arithmetic mean roughness (Ra value), and root mean square roughness (Rq value)

(1) 내층 회로 기판의 하지(下地) 처리(1) Underlayer treatment of inner layer circuit board

내층 회로를 형성한 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(구리박의 두께 18㎛, 기판 두께 0.3mm, 마츠시타덴코 가부시키가이샤 제조 R5715ES)의 양면을 멕 가부시키가이샤 제조 CZ8100으로 1㎛ 에칭하여 구리 표면의 조화 처리를 실시하였다.
(Thickness: 18 mu m, substrate thickness: 0.3 mm, R5715ES manufactured by Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.) on which an inner layer circuit was formed was etched with a thickness of 1 mu m with CZ8100 manufactured by MEC Corp. to obtain a copper surface .

(2) 접착 필름의 라미네이트(2) Laminate of adhesive film

실시예 및 비교예에서 작성한 접착 필름을, 뱃치식 진공 가압 라미네이터 MVLP-500(메이키 가부시키가이샤 제조 상품명)을 사용하여, 내층 회로 기판의 양면에 라미네이트하였다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa로 프레스함으로써 실시하였다.
The adhesive films prepared in Examples and Comparative Examples were laminated on both surfaces of an inner layer circuit board using a batch type vacuum pressure laminator MVLP-500 (trade name, manufactured by Meikisha Chemical Co., Ltd.). The laminate was subjected to pressure reduction for 30 seconds to set the air pressure to 13 hPa or less, and then press for 30 seconds at 100 占 폚 under a pressure of 0.74 MPa.

(3) 수지 조성물의 경화(3) Curing of resin composition

라미네이트된 접착 필름으로부터 PET 필름을 박리한 후에, 100℃, 30분, 또한 180℃, 30분의 경화 조건으로 수지 조성물을 경화시켰다. 실시예 10에 관해서는 동일한 조건으로 열경화시킨 후에 PET 필름을 박리하여, 절연층을 형성하였다. After the PET film was peeled from the laminated adhesive film, the resin composition was cured at 100 캜 for 30 minutes and further at 180 캜 for 30 minutes. In Example 10, the PET film was peeled off after thermosetting under the same conditions to form an insulating layer.

(4) 조화 처리(4) Harmonization processing

절연층을 형성한 내층 회로 기판을, 팽윤액인, 아토텍재팬 가부시키가이샤의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 함유의 스웰링딥·세큐리간트 P(글리콜에테르류, 수산화나트륨의 수용액)에 60℃에서 5분간, 실시예 7에 관해서는 60℃에서 10분간, 침지하고, 다음으로 조화액으로서, 아토텍재팬 가부시키가이샤의 콘센트레이트·콤팩트 P(KMnO4: 60g/L, NaOH: 40g/L의 수용액)에 80℃에서 15분간, 실시예 10에 관해서는 80℃에서 20분간, 침지하고, 마지막에 중화액으로서, 아토텍재팬 가부시키가이샤의 리덕션솔류신·세큐리간트 P(글리옥살, 황산의 수용액)에 40℃에서 5분간 침지하였다. 80℃에서 30분간 건조 후, 이 조화 처리 후의 절연층 표면에 관해서, 산술 평균 거칠기(Ra값), 이승 평균 평방근 거칠기(Rq값)를 측정하였다.
The inner layer circuit board on which the insulating layer was formed was immersed in a Swelling dip · Sucrygant P (glycol ethers, aqueous solution of sodium hydroxide) containing diethylene glycol monobutyl ether of Atotech Japan Co., Ltd., which is a swelling liquid, at 60 ° C as for 5 minutes, example 7 in 60 ℃ 10 minutes, and immersed in, and then to a roughening solution, Atotech Japan Concentrate in manufactured by right or wrong and compact P (KMnO 4: 60g / L , NaOH: of 40g / L Aqueous solution) at 80 ° C for 15 minutes and for Example 10 at 80 ° C for 20 minutes. Finally, as a neutralizing solution, Reduction Solyl Leucine · Sucurentan P (glyoxal, sulfuric acid By weight) at 40 캜 for 5 minutes. After drying at 80 占 폚 for 30 minutes, the arithmetic mean roughness (Ra value) and the root mean square roughness (Rq value) of the surface of the insulating layer after the coarsening treatment were measured.

(5) 세미어디티브 공법에 의한 도금(5) Plating by semi-permanent method

절연층 표면에 회로를 형성하기 위해, 내층 회로 기판을, PdCl2를 함유하는 무전해 도금용 용액에 40℃에서 5분간 침지하고, 다음으로 무전해 구리 도금액에 25℃에서 20분간 침지하였다. 150℃에서 30분간 가열하여 어닐 처리를 실시한 후에, 에칭 레지스트를 형성하고, 에칭에 의한 패턴 형성 후에, 황산구리 전해 도금을 실시하여, 35±5㎛의 두께로 도체층을 형성하였다. 다음에, 어닐 처리를 200℃에서 60분간 실시하였다. 이 회로 기판에 관해서 도금 도체층의 박리 강도(필 강도)를 측정하였다.
To form a circuit on the surface of the insulating layer, the inner-layer circuit board was immersed in a solution for electroless plating containing PdCl 2 at 40 ° C for 5 minutes and then immersed in an electroless copper plating solution at 25 ° C for 20 minutes. After an annealing treatment was performed by heating at 150 占 폚 for 30 minutes, an etching resist was formed, and a pattern was formed by etching, followed by copper sulfate electroplating to form a conductor layer with a thickness of 35 占 퐉. Next, annealing was performed at 200 캜 for 60 minutes. The peel strength (peel strength) of the plated conductor layer was measured for this circuit board.

<도금 도체층의 박리 강도(필 강도)의 측정><Measurement of Peel Strength (Peel Strength) of Plated Conductor Layer>

회로 기판의 도체층에, 폭 10mm, 길이 100mm의 부분 노치를 넣고, 이 일단(一端)을 벗겨 집게(가부시키가이샤 티·에스·이, 오토콤형 시험기 AC-50C-SL)로 집고, 실온중에서 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 35mm를 박리했을 때의 하중(kgf/cm)을 측정하였다.
A partial notch having a width of 10 mm and a length of 100 mm was put in the conductor layer of the circuit board and the one end was peeled off and held with a tweezer (ACS-50C-SL, auto-comb type tester) And the load (kgf / cm) when 35 mm was peeled in the vertical direction at a rate of 50 mm / minute was measured.

<조화 후의 산술 평균 거칠기(Ra값), 이승 평균 평방근 거칠기(Rq값)의 측정>&Lt; Measurement of arithmetic mean roughness (Ra value) and root mean square root roughness (Rq value) after harmonization >

비접촉형 표면 거칠기계(비코인스트루먼트사 제조 WYKO NT3300)를 사용하여, VSI 콘택트 모드, 50배 렌즈에 의해 측정 범위를 121㎛×92㎛로 하여 수득되는 수치에 의해 Ra값, Rq값을 구하였다. 그리고, 각각 무작위로 10점의 평균값을 구함으로써 측정하였다.
Using a non-contact surface roughing machine (WYKO NT3300, manufactured by Vico Instruments), the Ra value and the Rq value were obtained from the values obtained by setting the measurement range to 121 mu m x 92 mu m by the VSI contact mode and the 50x magnification lens. Then, each of them was measured by randomly obtaining an average value of 10 points.

<PCT 내성의 평가>&Lt; Evaluation of PCT resistance &

실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을, 뱃치식 진공 가압 라미네이터 MVLP-500(메이키 가부시키가이샤 제조 상품명)을 사용하여, 내층 회로 기판의 양면에 라미네이트하였다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa로 프레스함으로써 실시하였다. 라미네이트한 접착 필름으로부터 PET 필름을 박리한 후에, 190℃, 1시간의 경화 조건으로 수지 조성물을 경화시켜 절연층을 형성하였다. 또한 고도(高度) 가속 수명 시험 장치(ETAC 제조 PM422)를 사용하여, 121.5℃, 100%RH의 환경하에서 100시간 방치하는 PCT 시험(Pressure Cooker Test)을 실시하였다. 그 후 실온으로 되돌리고, 절연층과 하지 구리의 계면에 부풀음이 발생하고 있는지 확인하였다. 또한, 절연층 표면에 크로스컷(폭 1mm의 격자상의 노치)을 넣고, 절연층에 결락이 있는지 확인하였다. 절연층 및 하지 구리 계면에 부풀음이 없고, 크로스컷 후에 결락이 발생하고 있지 않은 경우를「○」로 하고, 절연층 및 하지 구리 계면에 부풀음이 없고, 크로스컷 후에 결락이 발생하고 있는 경우를「△」로 하고, 절연층 및 하지 구리 계면에 부풀음이 있고, 크로스컷 후에 결락이 발생하고 있는 경우를「×」로 하였다.
The adhesive films produced in Examples and Comparative Examples were laminated on both surfaces of an inner layer circuit board using a batch type vacuum laminator MVLP-500 (trade name, manufactured by Meikisha Chemical Co., Ltd.). The laminate was subjected to pressure reduction for 30 seconds to set the air pressure to 13 hPa or less, and then press for 30 seconds at 100 占 폚 under a pressure of 0.74 MPa. After the PET film was peeled from the laminated adhesive film, the resin composition was cured at 190 DEG C for 1 hour to form an insulating layer. In addition, a PCT test (Pressure Cooker Test) was performed in which the sample was allowed to stand at 121.5 ° C and 100% RH for 100 hours using an advanced accelerated life testing apparatus (PM422 manufactured by ETAC). Thereafter, the temperature was returned to room temperature, and it was confirmed whether swelling occurred at the interface between the insulating layer and the underlying copper. Further, a cross cut (a lattice-shaped notch with a width of 1 mm) was put on the surface of the insulating layer to check whether the insulating layer was missing. The case where there was no swelling on the insulating layer and the copper-copper interface, and the case where the plugging did not occur after the crosscut was evaluated as &quot;&quot;, and the case where no swelling occurred on the insulating layer and the copper- Quot; DELTA &quot;, and the case where the insulating layer and the copper-based copper interface were swollen and the plugging occurred after the crosscut was evaluated as &quot; x &quot;.

<단위 면적당 카본량의 측정>&Lt; Measurement of carbon amount per unit area >

표면 처리된 무기 충전재 3g을 시료로서 사용하였다. 시료와 30g의 MEK(메틸에틸케톤)를 원심 분리기의 원심관에 넣고, 교반하여 고형분을 현탁시키고, 500W의 초음파를 5분간 조사하였다. 그 후, 원심 분리에 의해 고액 분리(固液 分離)하고, 상청액을 제거하였다. 또한, 30g의 MEK를 더하고, 교반하여 고형분을 현탁시키고, 500W의 초음파를 5분간 조사하였다. 그 후, 원심 분리에 의해 고액 분리하고, 상청액을 제거하였다. 고형분을 150℃에서 30분간 건조시켰다. 이 건조 시료 0.3g을 측정용 도가니에 정확하게 칭량하여 넣고, 추가로 측정용 도가니에 조연제(助燃劑)(텅스텐 3.0g, 주석 0.3g)를 넣었다. 측정용 도가니를 카본 분석계에 세트하고, 카본량을 측정하였다. 카본 분석계는 호리바세사쿠쇼 제조 EMIA-320V를 사용하였다. 측정한 카본량을 무기 충전재의 비표면적으로 나눈 값을 단위 면적당 카본량으로 하였다.
3 g of the surface-treated inorganic filler was used as a sample. The sample and 30 g of MEK (methyl ethyl ketone) were put in a centrifuge tube of a centrifugal separator, and the solid content was suspended by stirring to irradiate ultrasonic waves of 500 W for 5 minutes. Thereafter, solid-liquid separation (solid-liquid separation) was performed by centrifugation, and the supernatant was removed. Further, 30 g of MEK was added, and the mixture was stirred to suspend the solid content, and the mixture was irradiated with 500 W of ultrasonic waves for 5 minutes. Thereafter, solid-liquid separation was carried out by centrifugation, and the supernatant was removed. The solids were dried at 150 占 폚 for 30 minutes. 0.3 g of the dried sample was precisely weighed and placed in the crucible for measurement, and a combustion aid (3.0 g of tungsten, 0.3 g of tin) was further added to the crucible for measurement. The crucible for measurement was set in a carbon analyzer and the amount of carbon was measured. As the carbon analyzer, EMIA-320V manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. was used. The value obtained by dividing the measured carbon amount by the specific surface area of the inorganic filler was defined as the carbon amount per unit area.

<제조예 1>&Lt; Preparation Example 1 &

구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SOC2」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부를 헨셀형 혼분기(混粉機)에 투입하고, N-벤질아미노에탄올(토쿄가세이고교 가부시키가이샤 제조, 비점 280℃) 0.3질량부를 분무하면서 구상 실리카를 10분간 교반하여, 제조물 1(단위 면적당 카본량 0.13mg/㎡)을 제작하였다.
100 parts by mass of spherical silica ("SOC2" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm) was added to a Henschel type honeycomb type mixer and mixed with N-benzylaminoethanol (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo K.K. , Boiling point: 280 ° C), while stirring the spherical silica for 10 minutes to prepare a product 1 (amount of carbon per unit area of 0.13 mg / m 2).

<제조예 2>&Lt; Preparation Example 2 &

구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SC2050-SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부를 헨셀형 혼분기에 투입하고, N-아닐리노에탄올(토쿄가세이고교 가부시키가이샤 제조, 비점 268℃) 0.3질량부를 분무하면서 구상 실리카를 10분간 교반한 후에, 메틸/페닐기 함유 알콕시 올리고머(신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조「X-40-9227」) 0.3질량부를 분무하면서 10분간 교반하여, 제조물 2(단위 면적당 카본량 0.25mg/㎡)를 제작하였다.
100 parts by mass of spherical silica ("SC2050-SQ" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm) was added to the Henschel type honeycomb, and N-anilinoethanol (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo K.K., boiling point 268 , 0.3 part by mass of methyl / phenyl group-containing alkoxy oligomer (&quot; X-40-9227 &quot; manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was stirred for 10 minutes while spraying, 2 (carbon amount per unit area: 0.25 mg / m 2).

<제조예 3>&Lt; Preparation Example 3 &

구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SC2050-SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부를 헨셀형 혼분기에 투입하고, 글리시돌(니혼유시 가부시키가이샤 제조 「에피올OH」, 비점 167℃) 0.3질량부를 분무하면서 구상 실리카를 10분간 교반한 후에, 페닐트리메톡시실란(신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조「KBM-103」) 0.3질량부를 분무하면서 10분간 교반하여, 제조물 3(단위 면적당 카본량 0.18mg/㎡)을 제작하였다.
100 parts by mass of spherical silica ("SC2050-SQ" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 탆) was added to the Henschel type honeycomb, and glycidol ("Epiol OH", manufactured by Nippon Oil Co., 167 占 폚), 0.3 part by mass of phenyltrimethoxysilane ("KBM-103" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was stirred for 10 minutes while spraying, to obtain a product 3 And a carbon amount per unit area of 0.18 mg / m 2).

<제조예 4>&Lt; Preparation Example 4 &

구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SC2050-SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부를 헨셀형 혼분기에 투입하고, N-벤질아미노에탄올(토쿄가세이고교 가부시키가이샤 제조, 비점 280℃) 0.3질량부를 분무하면서 구상 실리카를 10분간 교반한 후에, 페닐트리메톡시실란(신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조「KBM-103」) 0.3질량부를 분무하면서 10분간 교반하여, 제조물 4(단위 면적당 카본량 0.27mg/㎡)를 제작하였다.
100 parts by mass of spherical silica ("SC2050-SQ" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 탆) was added to the Henschel type honeycomb, and N-benzylaminoethanol (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo K.K., boiling point 280 , And 0.3 part by mass of phenyltrimethoxysilane ("KBM-103" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was stirred for 10 minutes while spraying, to obtain a product 4 And a carbon amount per area of 0.27 mg / m 2).

<제조예 5>&Lt; Production Example 5 &

구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SC2050-SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부를 헨셀형 혼분기에 투입하고, N-벤질아미노에탄올(토쿄가세이고교 가부시키가이샤 제조, 비점 280℃) 0.3질량부를 분무하면서 구상 실리카를 10분간 교반한 후에, 메틸기 함유 알콕시 올리고머(타마가가쿠 가부시키가이샤 제조「MTMS-A」) 0.3질량부를 분무하면서 5분간 교반하여, 제조물 5(단위 면적당 카본량 0.18mg/㎡)를 제작하였다.
100 parts by mass of spherical silica ("SC2050-SQ" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 탆) was added to the Henschel type honeycomb, and N-benzylaminoethanol (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo K.K., boiling point 280 ) Was stirred for 10 minutes while 0.3 part by mass of a methyl group-containing alkoxy oligomer ("MTMS-A" manufactured by Tama Chemical Co., Ltd.) was sprayed for 5 minutes while spraying, to obtain a product 5 0.18 mg / m &lt; 2 &gt;).

<제조예 6>&Lt; Production Example 6 &

구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SC2050-SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부를 헨셀형 혼분기에 투입하고, 이미다졸-에폭시 어덕트(미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조 「P200」, 불휘발 성분 30%의 사이클로헥산 용액) 0.9질량부를 분무하면서 구상 실리카를 10분간 교반한 후에, 메틸기 함유 알콕시 올리고머(타마가가쿠 가부시키가이샤 제조「MTMS-A」) 0.3질량부를 분무하면서 5분간 교반하여, 제조물 6(단위 면적당 카본량 0.29mg/㎡)을 제작하였다.
100 parts by mass of spherical silica ("SC2050-SQ" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 탆) was placed in a Henschel-type honeycomb filter and immersed in an imidazole-epoxy duct ("P200" manufactured by Mitsubishi Kagaku Kogyo K.K.) , 0.9 part by mass of a nonvolatile component 30% cyclohexane solution) was sprayed on the spherical silica for 10 minutes while spraying, 0.3 parts by mass of a methyl group-containing alkoxy oligomer ("MTMS-A" manufactured by Tama Gaku Kagaku Co., Ltd.) And the mixture was stirred to produce Preparation 6 (carbon content per unit area of 0.29 mg / m 2).

<제조예 7>&Lt; Production Example 7 >

구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SC2050-SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부를 헨셀형 혼분기에 투입하고, 2,2-[{(메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸}이미노]비스에탄올(죠호쿠가가쿠 가부시키가이샤 제조「TT-LYK」, 불휘발 성분 60%의 MEK 용액) 0.5질량부를 분무하면서 구상 실리카를 10분간 교반한 후에, 메틸기 함유 알콕시 올리고머(타마가가쿠 가부시키가이샤 제조「MTMS-A」) 0.3질량부를 분무하면서 5분간 교반하여, 제조물 7(단위 면적당 카본량 0.16mg/㎡)을 제작하였다.
100 parts by mass of spherical silica ("SC2050-SQ" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm) was added to the Henschel type honeycomb, and 2,2 - [{(methyl-1H-benzotriazole- , 0.5 part by mass of methyl ethyl ketone (TT-LYK manufactured by JOHOKU KAGAKU KOGYO CO., LTD., MEK solution of non-volatile component 60%) was sprayed on the spherical silica for 10 minutes, , And 0.3 part by mass of an oligomer ("MTMS-A" manufactured by Tama Gaku Kagaku Co., Ltd.) were stirred for 5 minutes while spraying to prepare a product 7 (amount of carbon per unit area: 0.16 mg / m 2).

<제조예 8>&Lt; Production Example 8 &

구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SC2050-SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부를 헨셀형 혼분기에 투입하고, 2,2-[{(메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸}이미노]비스에탄올(죠호쿠가가쿠 가부시키가이샤 제조「TT-LYK」, 불휘발 성분 60%의 MEK 용액) 0.5질량부를 분무하면서 구상 실리카를 10분간 교반한 후에, 아미노기 함유 실란커플링제(신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조「KBM-573」) 0.3질량부를 분무하면서 5분간 교반하여, 제조물 8(단위 면적당 카본량 0.32mg/㎡)을 제작하였다.
100 parts by mass of spherical silica ("SC2050-SQ" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm) was added to the Henschel type honeycomb, and 2,2 - [{(methyl-1H-benzotriazole- (TT-LYK manufactured by JOHOKU KAGAKU KOGYO CO., LTD., MEK solution of 60% non-volatile component) 0.5 part by mass was sprayed on the spherical silica for 10 minutes, And 0.3 part by mass of a coupling agent ("KBM-573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were stirred for 5 minutes while spraying, to prepare a product 8 (carbon content per unit area of 0.32 mg / m 2).

<제조예 9>&Lt; Production Example 9 &

구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SC2050-SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부를 헨셀형 혼분기에 투입하고, 1-(2-하이드록시에틸)이미다졸(니혼고세고교가가쿠 가부시키가이샤 제조, 비점 120℃(4.4Pa), 불휘발 성분 60%의 MEK 용액) 0.5질량부를 분무하면서 구상 실리카를 10분간 교반한 후에, 디메틸디에톡시실란(신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조「KBE-22」) 0.3질량부를 분무하면서 10분간 교반하여, 제조물 9(단위 면적당 카본량 0.12g/㎡)를 제작하였다.
100 parts by mass of spherical silica ("SC2050-SQ" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm) was added to the Henschel type honeycomb, and 1- (2-hydroxyethyl) imidazole (Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., manufactured by Shinetsu Kagaku Kogyo K.K.), 0.5 part by mass of a nonvolatile component (60% KBE-22 &quot;) were stirred for 10 minutes while spraying, to prepare a product 9 (amount of carbon per unit area: 0.12 g / m 2).

<제조예 10>&Lt; Production Example 10 &

구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SC2050-SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부를 헨셀형 혼분기에 투입하고, 페닐트리메톡시실란(신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조「KBM-103」, 비점 218℃) 0.6질량부를 분무하면서 10분간 교반하여, 제조물 10(단위 면적당 카본량 0.09mg/㎡)을 제작하였다.
100 parts by mass of spherical silica ("SC2050-SQ" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm) was added to the Henschel type hornblend, and phenyltrimethoxysilane ("KBM- 103 &quot;, boiling point: 218 占 폚) were stirred for 10 minutes while spraying, to prepare a product 10 (carbon content per unit area: 0.09 mg / m 2).

<제조예 11>&Lt; Production Example 11 &

구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SC2050-SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부를 헨셀형 혼분기에 투입하고, 에폭시기 함유 실란 커플링제(신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조「KBM403」, 비점 290℃) 0.6질량부를 분무하면서 5분간 교반하여, 제조물 11(단위 면적당 카본량 0.24mg/㎡)을 제작하였다.
100 parts by mass of spherical silica ("SC2050-SQ" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 탆) was added to the Henschel type honeycomb, and an epoxy group-containing silane coupling agent (KBM403, manufactured by Shinetsu Kagaku Kogyo K.K.) , Boiling point: 290 占 폚) were stirred for 5 minutes while spraying, to thereby prepare Production 11 (carbon content per unit area of 0.24 mg / m 2).

<제조예 12>&Lt; Production Example 12 &

구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SC2050-SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부를 헨셀형 혼분기에 투입하고, 아미노기 함유 실란 커플링제(신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조「KBM903」, 비점 215℃) 0.6질량부를 분무하면서 5분간 교반하여, 제조물 12(단위 면적당 카본량 0.14mg/㎡)를 제작하였다.
100 parts by mass of spherical silica ("SC2050-SQ" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 탆) was charged in a Henschel-type mixed sieve and an amino group-containing silane coupling agent (KBM903, manufactured by Shinetsu Kagaku Kogyo K.K.) , Boiling point 215 占 폚) (0.6 parts by mass) was stirred for 5 minutes while spraying to prepare a product 12 (amount of carbon per unit area of 0.14 mg / m 2).

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

나프탈렌형 에폭시 수지(에폭시 당량 144, DIC 가부시키가이샤 제조「HP4700」 5질량부, 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 180, 미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조「jER828EL」) 14질량부, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 269, 니혼카야쿠 가부시키가이샤 제조「NC3000H」) 14질량부를 솔벤트나프타 30질량부에 교반하면서 가열 용해시키고, 그 후 실온으로까지 냉각시켜, 혼합물 1을 제작하였다. 이어서, 고무 입자(간츠가세이 가부시키가이샤 제조, 스타필로이드 AC3816N) 1.5질량부를, 솔벤트나프타 6질량부에 12시간, 20℃에서 정치 팽윤시켜 혼합물 2를 제작하였다. 혼합물 1에, 혼합물 2와 제조물 1을 첨가하고, 추가로 난연제(산코 가부시키가이샤 제조「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 1㎛) 5질량부를 첨가하고, 3개 롤로 혼련하여, 균일하게 분산시켰다. 거기에, 페놀노볼락계 경화제(DIC 가부시키가이샤 제조「LA-7054」, 페놀성 하이드록시기 당량 124의 불휘발 성분 60질량%의 MEK 용액) 10질량부, 나프탈렌계 페놀 수지(페놀성 하이드록시기 당량 215, 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 제조「SN485」, 불휘발 성분 60질량%의 MEK 용액) 10질량부, 페녹시 수지(중량 평균 분자량 35000, 미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조「YL7553」, 불휘발 성분 30질량%의 MEK와 사이클로헥산온의 1:1 용액) 7질량부, 경화 촉진제로서 4-디메틸아미노피리딘의 5질량%의 MEK 용액 2질량부, MEK 4질량부를 혼합하고, 회전 믹서로 균일하게 분산시켜 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로, 이러한 수지 바니쉬를 알키드계 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛)의 이형면 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 40㎛가 되도록 다이코터로 균일하게 도포하고, 80 내지 110℃(평균 95℃)에서 5분간 건조시켰다(수지 조성물층 중의 잔류 용매량: 약 2질량%). 이어서, 수지 조성물층의 표면에 두께 15㎛의 폴리프로필렌 필름을 붙이면서 롤상으로 감았다. 롤상의 접착 필름을 폭 507mm로 슬릿하여, 507×336mm 사이즈의 시트상의 접착 필름을 수득하였다.
14 parts by mass of a naphthalene type epoxy resin (epoxy equivalent 144, 5 parts by mass of "HP4700" manufactured by DIC Corporation), liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, "jER828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) And 14 parts by mass of an epoxy resin (epoxy equivalent 269, "NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) were dissolved by heating in 30 parts by mass of solvent naphtha with stirring and then cooled to room temperature to prepare a mixture 1. Then, And 1.5 parts by mass of particles (STABILLOID AC3816N, manufactured by Ganz Chemical Co., Ltd.) were swollen at 6 DEG C for 12 hours at 20 DEG C to prepare Mixture 2. To Mixture 1, Mixture 2 and Product 1 were added (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, manufactured by Sankyo Kagaku Co., Average particle size 1 占 퐉), and the resulting mixture was kneaded in three rolls to be uniformly dispersed. A phenol novolac type curing agent ("LA-7054" manufactured by DIC Corporation) 10 parts by mass of a norbornene-based phenolic resin (phenolic hydroxyl group equivalent 215, "SN485" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., MEK solution of 60% by mass of a nonvolatile component) 10 parts by mass , 7 parts by mass of a phenoxy resin (weight average molecular weight 35000, "YL7553" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, a 1: 1 solution of MEK and cyclohexanone in a nonvolatile component 30% by mass), 4-dimethylamino 2 parts by mass of a 5% by mass MEK solution of pyridine and 4 parts by mass of MEK were mixed and uniformly dispersed by a rotary mixer to prepare a resin varnish. Next, this resin varnish was applied to a polyethylene terephthalate film 38 [micro] m) The coated layer was uniformly coated with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 40 占 퐉 and dried at 80 to 110 占 폚 (average 95 占 폚) for 5 minutes (amount of residual solvent in the resin composition layer: about 2 mass %). Next, a polypropylene film having a thickness of 15 mu m was adhered to the surface of the resin composition layer, and the film was wound in a rolled form. The rolled adhesive film was slit at a width of 507 mm to obtain a sheet-like adhesive film having a size of 507 x 336 mm.

<실시예 2>&Lt; Example 2 >

실시예 1의 제조물 1을, 제조물 2로 변경한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
A resin varnish was produced in the same manner as in Example 1, except that the product 1 was changed to the product 2. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<실시예 3>&Lt; Example 3 >

실시예 1의 제조물 1을, 제조물 3으로 변경한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
A resin varnish was produced in the same manner as in Example 1, except that the preparation 1 was changed to the preparation 3. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<실시예 4><Example 4>

실시예 1의 제조물 1을 제조물 4로 변경한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
A resin varnish was produced in exactly the same manner as in Example 1 except that the preparation 1 was changed to the preparation 4. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<실시예 5>&Lt; Example 5 >

실시예 1의 제조물 1을 제조물 5로 변경한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
A resin varnish was produced in the same manner as in Example 1 except that the preparation 1 was changed to the preparation 5. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<실시예 6>&Lt; Example 6 >

실시예 1의 제조물 1을 제조물 6으로 변경한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
A resin varnish was produced in the same manner as in Example 1 except that the preparation 1 was changed to the preparation 6. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<실시예 7>&Lt; Example 7 >

실시예 1의 제조물 1을 제조물 7로 변경한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
A resin varnish was produced in the same manner as in Example 1 except that the preparation 1 was changed to the preparation 7. [ Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<실시예 8>&Lt; Example 8 >

실시예 1의 제조물 1을 제조물 8로 변경한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
A resin varnish was prepared in exactly the same manner as in Example 1 except that the preparation 1 was changed to the preparation 8. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<실시예 9>&Lt; Example 9 >

실시예 1의 제조물 1을 제조물 9로 변경한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
A resin varnish was produced in the same manner as in Example 1 except that the preparation 1 was changed to the preparation 9. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<실시예 10>&Lt; Example 10 >

나프탈렌형 에폭시 수지(에폭시 당량 144, DIC 가부시키가이샤 제조「EXA4032SS」) 10질량부와, 비크실레놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 190, 미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조「YX4000HK」) 1질량부, 변성 나프탈렌형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 330, 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 제조「ESN475V」) 12질량부를 솔벤트나프타 20질량부에 교반하면서 가열 용해시키고, 그 후 실온까지 냉각시켜, 혼합물 3을 제작하였다. 이어서, 고무 입자(간츠가세이 가부시키가이샤 제조, 스타필로이드AC3816N) 1.5질량부를, 솔벤트나프타 6질량부에 12시간, 20℃에서 정치 팽윤시켜, 혼합물 4를 제작하였다. 혼합물 3에, 혼합물 4와 제조물 4를 첨가하고, 추가로 난연제(산코 가부시키가이샤 제조「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 1㎛) 2.5질량부를 첨가하고, 3개 롤로 혼련하여, 균일하게 분산시켰다. 거기에, 활성 에스테르계 경화제(활성 기 당량 약 223, DIC 가부시키가이샤 제조「HPC-8000-65T」, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액) 10질량부, 페녹시 수지(중량 평균 분자량 35000, 미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조「YL7553」, 불휘발 성분 30질량%의 MEK와 사이클로헥산온의 1:1 용액) 10질량부, 비스페놀 A 디시아네이트(론자재팬 가부시키가이샤 제조 Primaset BADCy) 11질량부를 첨가하고, 추가로 경화 촉진제로서 4-디메틸아미노피리딘의 5질량%의 MEK 용액 0.6질량부, 코발트(III)아세틸아세토네이트(토쿄가세이 가부시키가이샤 제조, Co(III)AcAc)의 1질량%의 MEK 용액 3질량부를 혼합하고, 회전 믹서로 균일하게 분산시켜, 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
, 10 parts by mass of a naphthalene type epoxy resin (epoxy equivalent 144, "EXA4032SS" manufactured by DIC Corporation), 1 part by mass of a beacilene type epoxy resin (epoxy equivalent 190, "YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) 12 parts by mass of epoxy-type epoxy resin (epoxy equivalent of about 330, "ESN475V" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were dissolved by heating in 20 parts by mass of solvent naphtha with stirring and then cooled to room temperature to prepare Mixture 3. Subsequently, 1.5 parts by mass of rubber particles (STABILLOID AC3816N manufactured by KANSEI CHEMICAL CO., LTD.) Were allowed to undergo constant swelling in 6 parts by mass of solvent naphtha at 20 占 폚 for 12 hours to prepare Mixture 4. To the mixture 3, the mixture 4 and the product 4 were added, and a flame retardant ("HCA-HQ", 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9- -Phosphophenanthrene-10-oxide, average particle diameter 1 占 퐉) were added, and the mixture was kneaded with three rolls and dispersed uniformly. 10 parts by mass of an active ester type curing agent (active equivalent weight: about 223, "HPC-8000-65T" manufactured by DIC Corporation), 10 parts by mass of a toluene solution of a nonvolatile component of 65% by mass, , 10 parts by mass of a non-volatile component (a 1: 1 solution of MEK and cyclohexanone in a volume ratio of 30% by mass), 11 parts by mass of bisphenol A dicyanate (Primaset BADCy manufactured by Lonza Japan K.K.) And 0.6 mass parts of a 5 mass% MEK solution of 4-dimethylaminopyridine as a curing accelerator and 1 mass of cobalt (III) acetylacetonate (Co (III) AcAc, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) % Of MEK solution were mixed and uniformly dispersed with a rotary mixer to prepare a resin varnish. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

실시예 1의 제조물 1을 구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SOC2」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부로 변경한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
Except that the product 1 of Example 1 was changed to 100 parts by mass of spherical silica (&quot; SOC2 &quot; manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 占 퐉) to prepare a resin varnish. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

실시예 1의 제조물 1을 구상 실리카(가부시키가이샤 아도마텍스 제조「SOC2」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100질량부로 변경하고, 별도로 N-벤질아미노에탄올(도쿄가세이고교 가부시키가이샤 제조)을 0.3질량부 가한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
Preparation 1 of Example 1 was changed to 100 parts by mass of spherical silica (&quot; SOC2 &quot; manufactured by Adomex Corp., average particle diameter 0.5 占 퐉), and N-benzylaminoethanol (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo K.K.) Was added in an amount of 0.3 part by mass to prepare a resin varnish. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<비교예 3>&Lt; Comparative Example 3 &

실시예 1의 제조물 1을 제조물 10으로 변경한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
A resin varnish was prepared in exactly the same manner as in Example 1, except that the preparation 1 was changed to the preparation 10. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<비교예 4>&Lt; Comparative Example 4 &

실시예 1의 제조물 1을 제조물 11로 변경한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다.
A resin varnish was prepared in exactly the same manner as in Example 1 except that the preparation 1 was changed to the preparation 11. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

<비교예 5>&Lt; Comparative Example 5 &

실시예 1의 제조물 1을 제조물 12로 변경한 것 이외에는, 완전히 동일하게 실시하여 수지 바니쉬를 제작하였다. 다음으로 이러한 수지 바니쉬를 사용하여, 실시예 1과 완전히 동일하게 실시하여 접착 필름을 수득하였다. A resin varnish was produced in the same manner as in Example 1, except that the preparation 1 was changed to the preparation 12. Next, the resin varnish was used in the same manner as in Example 1 to obtain an adhesive film.

결과를 표 1에 기재한다. The results are shown in Table 1.

Figure 112014038023319-pct00013
Figure 112014038023319-pct00013

표 1의 결과로부터, 실시예 1 내지 10의 수지 조성물은, PCT 내성을 가지며, 낮은 산술 평균 거칠기, 낮은 이승 평균 평방근 거칠기로 필 강도가 충분한 값이 수득되고 있는 것을 알 수 있다. 한편, 비교예 1 내지 5에서는, PCT 내성이 떨어지고, 산술 평균 거칠기, 이승 평균 평방근 거칠기가 커져, 도금이 부풀어 필 강도가 현저하게 작은 값이 되었다.
From the results shown in Table 1, it can be seen that the resin compositions of Examples 1 to 10 have PCT resistance, a low arithmetic mean roughness, and a low root mean square root roughness, and a sufficient value of the fill strength is obtained. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 5, the PCT resistance was lowered, the arithmetic mean roughness and the root mean square roughness became larger, and the plating became swollen to a remarkably small value.

습식 조화 공정에 있어서 절연층 표면의 산술 평균 거칠기, 이승 평균 평방근 거칠기가 작고, 게다가 충분한 필 강도를 갖는 도금 도체층을 형성할 수 있고, PCT 내성도 갖는 수지 조성물을 제공할 수 있게 되었다. 또한 그것을 사용한 접착 필름, 프리프레그, 다층 프린트 배선판, 반도체 장치를 제공할 수 있게 되었다. 또한 이들을 탑재한, 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라, 텔레비전 등의 전기 제품이나, 자동이륜차, 자동차, 전차, 선박, 항공기 등의 탈것도 제공할 수 있게 되었다. It is possible to form a plated conductor layer having a small arithmetic mean roughness and a root mean square roughness of the surface of the insulating layer and a sufficient fill strength in the wet roughening step and to provide a resin composition having PCT resistance. It is also possible to provide an adhesive film, a prepreg, a multilayer printed wiring board and a semiconductor device using the same. In addition, it is possible to provide vehicles such as computers, mobile phones, digital cameras, televisions and the like equipped with these, motorcycles, cars, tanks, ships, and aircraft.

Claims (10)

(A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재를 함유하는 수지 조성물로서, 상기 무기 충전재가, 하이드록시기 및 반응성 기를 갖는 한편 비점이 100℃ 이상인 유기 화합물로 표면 처리되고, 상기 유기 화합물의 반응성 기가, 아미노기 및 에폭시기로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 수지 조성물. A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein the inorganic filler is surface-treated with an organic compound having a hydroxyl group and a reactive group and a boiling point of 100 ° C or higher, Wherein the reactive group of the compound is at least one member selected from the group consisting of an amino group and an epoxy group. 제1항에 있어서, 상기 유기 화합물이, 하기 화학식 1의 화합물, 하기 화학식 2의 화합물, 하기 화학식 3의 화합물, 이미다졸 화합물 및 이미다졸-에폭시 어덕트로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.
화학식 1
Figure 112014038081436-pct00017

화학식 2
Figure 112014038081436-pct00018

화학식 3
Figure 112014038081436-pct00019

상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,
R1, R2는 각각 독립적으로 페닐기, 벤질기, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이고,
R3은 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기 또는 페닐렌기이고,
R4는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기 또는 페닐렌기이고,
R5는 하이드록시기를 갖는 유기기이고,
R6은 수소 원자, 메틸기, 카복실기 또는 페닐기이다.
The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the organic compound is at least one compound selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), a compound represented by the following formula (3), an imidazole compound and an imidazole- .
Formula 1
Figure 112014038081436-pct00017

(2)
Figure 112014038081436-pct00018

(3)
Figure 112014038081436-pct00019

In the above Chemical Formulas 1 to 3,
R1 and R2 each independently represent a phenyl group, a benzyl group, a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms,
R3 is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or a phenylene group,
R4 is an alkylene group or a phenylene group having 1 to 5 carbon atoms,
R5 is an organic group having a hydroxy group,
R6 is a hydrogen atom, a methyl group, a carboxyl group or a phenyl group.
제1항에 있어서, (C) 무기 충전재를 100질량%로 한 경우, 상기 유기 화합물이 0.05 내지 2질량%인 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the organic compound (C) is 0.05 to 2% by mass when the inorganic filler is 100% by mass. 제1항에 있어서, (C) 무기 충전재가 상기 유기 화합물로 표면 처리된 후에, 추가로 실란 커플링제, 알콕시실란, 알콕시 올리고머, 알루미늄계 커플링제, 티탄계 커플링제 및 지르코늄계 커플링제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상으로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.The method according to claim 1, wherein after the inorganic filler (C) is surface-treated with the organic compound, a group consisting of a silane coupling agent, an alkoxysilane, an alkoxy oligomer, an aluminum based coupling agent, a titanium based coupling agent and a zirconium based coupling agent And the surface of the resin composition is at least one selected from the group consisting of polyvinyl alcohol and polyvinyl alcohol. 제1항에 있어서, (C) 무기 충전재의 표면에 결합하고 있는 단위 면적당 카본량이 0.05 내지 1.00mg/㎡인 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the amount of carbon bonded to the surface of the inorganic filler (C) is 0.05 to 1.00 mg / m 2 per unit area. 제1항에 있어서, 수지 조성물을 경화시켜 절연층을 형성하고, 그 절연층 표면을 조화(粗化) 처리하고, 도금하여 수득되는 도체층과 절연층의 필 강도가 0.4kgf/㎝ 내지 1.5kgf/㎝이며, 수지 조성물을 경화시켜 절연층을 형성하고, 그 절연층 표면을 조화 처리한 후의 산술 평균 거칠기가 10nm 내지 300nm이며, 이승 평균 평방근 거칠기가 10nm 내지 480nm이고, 상기 절연층 표면의 조화 처리가, 절연층 표면을, 50 내지 80℃에서 5 내지 20분간 팽윤액에, 60 내지 80℃에서 10 내지 30분간 산화제에, 30 내지 50℃에서 3 내지 10분간 중화액에 순차 침지(順次 浸漬)시킴으로써 실시됨을 특징으로 하는, 수지 조성물.The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the resin composition is cured to form an insulating layer, the surface of the insulating layer is roughened, and the conductor layer and the insulating layer obtained by plating have a fill strength of 0.4 kgf / cm to 1.5 kgf / Cm, an insulating layer is formed by curing the resin composition, an arithmetic mean roughness after roughening the surface of the insulating layer is 10 nm to 300 nm, a root mean square roughness of the root mean square is 10 nm to 480 nm, (Successively soaking) the surface of the insulating layer in a swelling liquid at 50 to 80 캜 for 5 to 20 minutes, an oxidizing agent at 60 to 80 캜 for 10 to 30 minutes and a neutralizing liquid at 30 to 50 캜 for 3 to 10 minutes, Wherein the resin composition is a resin composition. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 함유하는 것을 특징으로 하는 시트상 적층 재료.A sheet-stacked material characterized by containing the resin composition according to any one of claims 1 to 6. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 절연층이 형성된 다층 프린트 배선판.A multilayer printed wiring board in which an insulating layer is formed by a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 6. 제8항에 기재된 다층 프린트 배선판을 사용하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.A semiconductor device characterized by using the multilayered printed circuit board according to claim 8. 삭제delete
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