KR20180099500A - Resin compositions - Google Patents

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Abstract

Provided is a resin composition capable of obtaining an insulation layer with the reduction of a dielectric constant and the improvement of adhesion to a conductive layer. The resin composition includes (A) an epoxy resin, (B) an active ester compound, (C) an inorganic filler, and (D) a fluorine-based filler. When the content of nonvolatile components in the resin composition is 100%, the content of the component (D) is 10 mass% to 40 mass%. When the sum of the content of the component (C) and the component (D) is 100%, the component (D) is 20 mass% to 70 mass%.

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSITIONS}RESIN COMPOSITIONS [0001]

본 발명은, 수지 조성물, 접착 필름, 회로 기판, 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, an adhesive film, a circuit board, and a semiconductor device.

회로 기판의 제조 기술로서는, 내층 회로 기판에 절연층과 도체층을 교대로 쌓아 포개는 빌드업 방식에 의한 제조 방법이 알려져 있다. 절연층은, 일반적으로, 수지 조성물을 포함하는 수지 바니시의 도막인 수지 조성물층을 경화시킴으로써 형성된다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 에폭시 수지와, 경화제와, 불소 수지 필러를 포함하는 수지 조성물로서, 이러한 불소 수지 필러의 함유량이, 상기 수지 조성물의 고형분에 대하여, 50질량% 내지 85질량%인 것을 특징으로 하는 수지 조성물이 기재되어 있다.BACKGROUND ART [0002] As a manufacturing technique of a circuit board, a manufacturing method using a build-up method in which an insulating layer and a conductor layer are alternately stacked on an inner-layer circuit board is known. The insulating layer is generally formed by curing a resin composition layer which is a coating film of a resin varnish containing a resin composition. For example, Patent Document 1 discloses a resin composition comprising an epoxy resin, a curing agent, and a fluorine resin filler, wherein the content of the fluorine resin filler is 50% by mass to 85% by mass relative to the solid content of the resin composition And the like.

일본 공개특허공보 특개2016-166347호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-166347

하지만, 상기 특허문헌 1이 개시하고 있는 수지 조성물은, 불소 수지 필러를 50질량% 내지 85질량%로 대량으로 포함하기 때문에, 내층 회로 기판에 대한 밀착력이 희생되어 버려서, 고주파 회로 기판 및 다층 배선 기판에는 적용하는 것이 곤란하다.However, since the resin composition disclosed in Patent Document 1 contains a large amount of the fluororesin filler in an amount of 50% by mass to 85% by mass, the adhesion to the inner-layer circuit substrate is sacrificed, It is difficult to apply it.

따라서, 본 발명의 과제는 유전 특성이 우수하고, 또한 내층 회로 기판에 대한 밀착성도 양호한 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a resin composition excellent in dielectric properties and having good adhesion to an inner layer circuit board.

본 발명자들은, 상기 과제에 대하여 예의 검토한 결과, 수지 조성물에서의 무기 충전재 및 불소계 충전재의 함유량을 소정의 비율로 조정함으로써 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.The present inventors have intensively studied the above problems and found that the above problems can be solved by adjusting the content of the inorganic filler and the fluorine-based filler in the resin composition at a predetermined ratio, and have accomplished the present invention.

즉, 본 발명은 하기 [1] 내지 [10]을 제공한다.That is, the present invention provides the following [1] to [10].

[1] 성분 (A) 에폭시 수지, 성분 (B) 활성 에스테르 화합물, 성분 (C) 무기 충전재, 및 성분 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물로서,[1] A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) an active ester compound, (C) an inorganic filler, and (D) a fluorine-

상기 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 상기 성분 (D)의 함유량이 10질량% 내지 40질량%이고,Wherein the content of the component (D) is 10% by mass to 40% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass,

상기 성분 (C) 및 상기 성분 (D)의 함유량의 합계를 100질량%로 한 경우에, 상기 성분 (D)가 20질량% 내지 70질량%인, 수지 조성물.Wherein the total amount of the component (C) and the component (D) is 100 mass%, and the component (D) is 20 mass% to 70 mass%.

[2] 상기 성분 (D)가, 불소계 중합체 입자인, [1]에 기재된 수지 조성물.[2] The resin composition according to [1], wherein the component (D) is a fluorine-based polymer particle.

[3] 상기 불소계 중합체 입자가, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 입자인, [2]에 기재된 수지 조성물.[3] The resin composition according to [2], wherein the fluorine-based polymer particles are polytetrafluoroethylene (PTFE) particles.

[4] 성분 (E) 불포화 탄화수소기를 갖는 화합물을 추가로 포함하는, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[4] Component (E) The resin composition according to any one of [1] to [3], further comprising a compound having an unsaturated hydrocarbon group.

[5] 상기 성분 (E)가, 아크릴기, 메타크릴기, 스티릴기, 알릴기, 비닐기 및 프로페닐기로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1 이상의 불포화 탄화수소기를 갖는 화합물인, [4]에 기재된 수지 조성물.[5] The resin composition according to [4], wherein the component (E) is a compound having at least one unsaturated hydrocarbon group selected from the group consisting of an acrylic group, methacrylic group, styryl group, allyl group, vinyl group and propenyl group .

[6] 상기 성분 (E)가, 비닐기를 갖고, 또한 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물인, [5]에 기재된 수지 조성물.[6] The resin composition according to [5], wherein the component (E) is a compound having a vinyl group and having a cyclic ether structure having 5 or more ring members.

[7] 고주파 회로 기판의 절연층 형성용인, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[7] The resin composition according to any one of [1] to [6], which is used for forming an insulating layer of a high frequency circuit board.

[8] 지지체와, 당해 지지체 위에 형성된 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 갖는 접착 필름.[8] An adhesive film having a support and a resin composition layer comprising the resin composition according to any one of [1] to [6] formed on the support.

[9] [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 절연층을 포함하는, 고주파 회로 기판.[9] A high-frequency circuit board comprising an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [6].

[10] [9]에 기재된 고주파 회로 기판을 구비하는, 반도체 장치.[10] A semiconductor device comprising the high-frequency circuit substrate according to [9].

본 발명에 의하면, 유전 특성, 특히 유전율 및 유전 정접이 낮고, 또한 내층 회로 기판, 특히 도체층에 대한 밀착성이 우수한 절연층을 얻을 수 있는 수지 조성물을 제공할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a resin composition capable of obtaining an insulating layer having a low dielectric constant, in particular, a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, and excellent adhesion to an inner layer circuit board, particularly a conductor layer.

이하, 수지 조성물, 접착 필름, 고주파 회로 기판, 및 반도체 장치에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the resin composition, the adhesive film, the high frequency circuit board, and the semiconductor device will be described in detail.

[수지 조성물][Resin composition]

수지 조성물은, 성분 (A) 에폭시 수지, 성분 (B) 활성 에스테르 화합물, 성분 (C) 무기 충전재, 및 성분 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물로서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 성분 (D)의 함유량이 10질량% 내지 40질량%이고, 성분 (C) 및 성분 (D)의 함유량의 합계를 100질량%로 한 경우에, 성분 (D)가 20질량% 내지 70질량%이다. 이하, 본 발명의 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대하여 상세히 설명한다.The resin composition is a resin composition comprising a component (A) an epoxy resin, a component (B) an active ester compound, a component (C) an inorganic filler, and a component (D) a fluorine- , When the content of the component (D) is 10% by mass to 40% by mass and the total content of the component (C) and the component (D) is 100% % To 70% by mass. Hereinafter, each component contained in the resin composition of the present invention will be described in detail.

<성분 (A) 에폭시 수지><Component (A) Epoxy Resin>

수지 조성물은, 성분 (A) 에폭시 수지를 함유한다. 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선형 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.The resin composition contains the component (A) epoxy resin. Examples of the epoxy resin include epoxy resins such as biquilene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, A naphthalene type epoxy resin, an anthracene type epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, a glycidyl ether type epoxy resin, a glycidyl ether type epoxy resin, a glycidyl type epoxy resin, Alicyclic epoxy resins, cycloaliphatic epoxy resins, spiro-ring-containing epoxy resins, cyclohexanedicarboxylic acid esters, cyclohexanedicarboxylic acid esters, cyclohexanedicarboxylic acid esters, A methanol type epoxy resin, a naphthylene ether type epoxy resin, a trimethylol type epoxy resin, And tetraphenyl ethane type epoxy resins. The epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.

성분 (A)는, 평균 선열팽창율을 저하시키는 관점에서, 방향족 골격 함유 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 및 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지로부터 선택되는 1종 이상인 것이 보다 바람직하고, 비페닐형 에폭시 수지가 더욱 바람직하다. 또한, 방향족 골격이란, 일반적으로 방향족이라고 정의되는 화학 구조이며, 다환 방향족 및 방향족 복소환도 포함한다.The component (A) is preferably an aromatic skeleton-containing epoxy resin from the viewpoint of lowering the average linear heat expansion coefficient, and is preferably a bisphenol A epoxy resin, a bisphenol F epoxy resin, a naphthalene epoxy resin, A pentadiene type epoxy resin, and more preferably a biphenyl type epoxy resin. Also, the aromatic skeleton is a chemical structure generally defined as aromatic, and includes polycyclic aromatic and aromatic heterocyclic rings.

에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 적어도 50질량% 이상은 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 고체상의 에폭시 수지(「고체상 에폭시 수지」라고 함.)를 포함하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지는, 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 액상의 에폭시 수지(「고체상 에폭시 수지」라고 함.)와, 고체상 에폭시 수지를 포함하고 있어도 좋다. 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용함으로써, 우수한 가요성을 갖는 수지 조성물을 얻을 수 있다. 또한, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도도 향상된다.The epoxy resin is preferably an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. When the nonvolatile component of the epoxy resin is 100% by mass, it is preferable that at least 50% by mass or more of the epoxy resin is an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Among them, it is preferable to include an epoxy resin (referred to as &quot; solid epoxy resin &quot;) having three or more epoxy groups in one molecule and a solid phase at a temperature of 20 캜. The epoxy resin may contain only solid epoxy resin, and may contain a liquid epoxy resin (referred to as a &quot; solid epoxy resin &quot;) and a solid epoxy resin at two or more epoxy groups per molecule at a temperature of 20 캜 There may be. By using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as an epoxy resin in combination, a resin composition having excellent flexibility can be obtained. Further, the fracture strength of the cured product of the resin composition is also improved.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC(주) 제조 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠(주) 제조 「828US」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀A형 에폭시 수지), 「jER807」, 「1750」(비스페놀F형 에폭시 수지), 「jER152」(페놀 노볼락형 에폭시 수지), 「630」, 「630LSD」(글리시딜 아민형 에폭시 수지), 신닛테츠 스미킨 카가쿠(주) 제조 「ZX1059」(비스페놀A형 에폭시 수지와 비스페놀F형 에폭시 수지의 혼합품), 나가세 켐텍스(주) 제조 「EX-721」(글리시딜 에스테르형 에폭시 수지), (주)다이셀 제조 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지), 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지), 신닛테츠 카가쿠(주) 제조 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산)을 들 수 있다. 이것들은 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin , An alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, a cyclohexanedimethanol type epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferable, and a glycidylamine type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin , Bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin and naphthalene type epoxy resin are more preferable. Specific examples of the liquid epoxy resin include "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, "828US", "jER828EL", "825" 630LSD &quot; (glycidyl) epoxy resin, &quot; Epicote 828EL &quot; (bisphenol A type epoxy resin), &quot; jER807 &quot;, &quot; 1750 &quot; (bisphenol F type epoxy resin) Amine type epoxy resin), "ZX1059" (a mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., "EX-721" PB-3600 &quot; (an epoxy resin having a butadiene structure), Shinnetsu Tetsukagaku Co., Ltd. (an epoxy resin having an ester skeleton), &quot; Celloxide 2021P &quot; (an alicyclic epoxy resin having an ester skeleton) ) &Quot; ZX1658 &quot;, and &quot; ZX1658GS &quot; (liquid 1,4-glycidyl cyclohexane). These may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

고체상 에폭시 수지로서는, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 및 비페닐형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. Examples of the solid epoxy resin include naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, trisphenol type epoxy resins, naphthol type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins , An anthracene type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin and a tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, and a naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, a naphthol type epoxy resin and a biphenyl type epoxy resin are more preferable.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC(주) 제조 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지), 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지), 「N-690」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지), 「N-695」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지), 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지), 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지), 니혼 카야쿠(주) 제조 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지), 「NC7000L」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지), 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지), 신닛테츠 스미킨 카가쿠(주) 제조 「ESN475V」(나프탈렌형 에폭시 수지), 「ESN485」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지), 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지), 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지), 오사카 가스 케미컬(주) 제조 「PG-100」, 「CG-500」, 미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YL7760」(비스페놀AF형 에폭시 수지), 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠(주) 제조 「jER1010」(고체상 비스페놀A형 에폭시 수지), 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지)를 들 수 있다. 이것들은 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Specific examples of the solid epoxy resin include HP4032H (naphthalene type epoxy resin), HP-4700, HP-4710 (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin), N-690 HP-7200H "," HP-7200H "," EXA-7200H ", and the like)," N-695 "(cresol novolak type epoxy resin) EXA-7311-G4 "," EXA-7311-G4S "," HP6000 "(naphthylene ether type epoxy resin)," EPPN-502H "manufactured by Nippon Kayaku Co., NC3000H "," NC3000L "," NC3100 "(biphenyl type epoxy resin), Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., "ESN475V" (naphthalene type epoxy resin), "ESN485" (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Kagaku KK, "YX4000H", "YX4000", "YL6121" Manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YX4000HK" (biquilene type epoxy resin), "YX8800" (anthracene type epoxy resin), "PG-100", "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemical Co., "JER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin), "jER1031S" (tetraphenyl ethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "YL7760" (bisphenol AF type epoxy resin) Resin). These may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용할 경우, 그것들의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로 1:0.1 내지 1:15의 범위가 바람직하다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비를 이러한 범위로 함으로써, ⅰ) 접착 필름의 형태로 사용하는 경우에 점착성을 적합하게 할 수 있고, ⅱ) 접착 필름의 형태로 사용하는 경우에 충분한 가요성을 얻을 수 있고, 취급성을 향상시킬 수 있으며, 또한 ⅲ) 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 얻을 수 있는 등의 효과를 얻을 수 있다. 상기 ⅰ) 내지 ⅲ)의 효과의 관점에서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.5 내지 1:10의 범위가 보다 바람직하고, 1:1 내지 1:8의 범위가 더욱 바람직하다.When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used together as the epoxy resin, their ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably in the range of 1: 0.1 to 1:15 in terms of the mass ratio. By setting the ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin within this range, it is possible to make the adhesive property favorable in the case of i) in the form of an adhesive film, and ii) to obtain sufficient flexibility in the case of using in the form of an adhesive film And (iii) a cured product having sufficient breaking strength can be obtained. From the viewpoint of the effects of the above i) to iii), the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is more preferably in the range of 1: 0.5 to 1:10, : 1 to 1: 8 is more preferable.

수지 조성물 중의 에폭시 수지의 함유량은, 양호한 기계 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 얻는 관점에서, 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 8질량% 이상, 더욱 바람직하게는 10질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량은, 본 발명의 효과를 얻을 수 있는 것을 조건으로 하여, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다.The content of the epoxy resin in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 8% by mass or more, still more preferably 8% by mass or less, Or more, more preferably 10 mass% or more. The content of the epoxy resin is preferably 40 mass% or less, more preferably 30 mass% or less, further preferably 20 mass% or less, provided that the effect of the present invention can be obtained.

에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000이고, 보다 바람직하게는 50 내지 3000이고, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000이고, 보다 더 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이 범위로 함으로써, 경화물의 가교 밀도가 충분하고, 표면 거칠기가 작은 절연층으로 할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은, 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이며, JIS K7236에 따라 측정할 수 있다.The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, and even more preferably 110 to 1000. By setting this range, an insulating layer having sufficient cross-linking density of the cured product and having a small surface roughness can be obtained. The epoxy equivalent is a mass of a resin containing one equivalent of an epoxy group and can be measured in accordance with JIS K7236.

에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100 내지 5000이고, 보다 바람직하게는 250 내지 3000이고, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 여기서, 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.The weight average molecular weight of the epoxy resin is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and still more preferably 400 to 1500. Here, the weight average molecular weight of the epoxy resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

<성분 (B) 활성 에스테르 화합물><Component (B) Active ester compound>

성분 (B) 활성 에스테르 화합물은, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기을 갖는 화합물이다. 통상, 활성 에스테르 화합물은, 이미 설명한 성분 (A) 에폭시 수지와 반응해서 수지 조성물을 경화시키는 경화제로서 기능할 수 있다. 성분 (B) 활성 에스테르 화합물을 사용함으로써, 수지 조성물의 경화물의 유전 정접을 낮게 할 수 있고, 또한 통상은, 표면 거칠기가 작은 절연층을 얻을 수 있다.Component (B) The active ester compound is a compound having at least one active ester group in one molecule. Usually, the active ester compound can function as a curing agent for curing the resin composition by reacting with the above-described component (A) epoxy resin. Component (B) By using the active ester compound, the dielectric tangent of the cured product of the resin composition can be lowered, and in general, an insulating layer with a small surface roughness can be obtained.

성분 (B) 활성 에스테르 화합물은, 1분자 중에 활성 에스테르기를 2개 이상 갖는 것이 바람직하다. 이러한 활성 에스테르 화합물로서는, 예를 들어, 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 또한, 성분 (B) 활성 에스테르 화합물은, 1종류를 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용하여도 좋다.Component (B) The active ester compound preferably has two or more active ester groups in one molecule. Examples of such active ester compounds include ester groups having high reactivity, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, And the like. The active ester compound (B) may be used alone, or two or more kinds thereof may be used in combination at an arbitrary ratio.

내열성의 향상의 관점에서, 성분 (B) 활성 에스테르 화합물로서는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과, 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물을 축합 반응시켜서 얻어지는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 그 중에서도, 카복실산 화합물과, 페놀 화합물, 나프톨 화합물 및 티올 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 반응시켜서 얻어지는 활성 에스테르 화합물이 더욱 바람직하다. 또한, 카복실산 화합물과, 페놀성 수산기를 갖는 방향족 화합물을 반응시켜 얻어지는, 1분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 방향족 화합물이 보다 바람직하다. 그 중에서도, 적어도 2개 이상의 카복실기를 1분자 중에 갖는 카복실산 화합물과, 페놀성 수산기를 갖는 방향족 화합물을 반응시켜서 얻어지는 방향족 화합물로서, 1분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 방향족 화합물이 특히 바람직하다. 또한, 성분 (B) 활성 에스테르 화합물은, 직쇄상이라도 분기상이라도 좋다. 또한, 2개 이상의 카복실기를 1분자 중에 갖는 카복실산 화합물이, 지방족쇄를 포함하는 화합물이면 수지 조성물과의 상용성을 높게 할 수 있고, 방향족환을 갖는 화합물이면 내열성을 높게 할 수 있다.From the viewpoint of improving the heat resistance, the active ester compound (B) is more preferably an active ester compound obtained by condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and / or a thiol compound. Among them, an active ester compound obtained by reacting a carboxylic acid compound with at least one selected from the group consisting of a phenol compound, a naphthol compound and a thiol compound is more preferable. Further, an aromatic compound having two or more active ester groups per molecule, obtained by reacting a carboxylic acid compound with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group, is more preferable. Among them, an aromatic compound having at least two active ester groups in one molecule is particularly preferable as an aromatic compound obtained by reacting a carboxylic acid compound having at least two carboxyl groups in one molecule with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group. The active ester compound (B) may be linear or branched. In addition, if a carboxylic acid compound having two or more carboxyl groups in one molecule contains a compound having an aliphatic chain, compatibility with the resin composition can be enhanced, and heat resistance can be enhanced if the compound has an aromatic ring.

카복실산 화합물로서는, 예를 들어, 탄소 원자수 1 내지 20(바람직하게는 2 내지 10, 보다 바람직하게는 2 내지 8)의 지방족 카복실산, 탄소 원자수 7 내지 20(바람직하게는 7 내지 10)의 방향족 카복실산을 들 수 있다. 지방족 카복실산으로서는, 예를 들어, 아세트산, 말론산, 숙신산, 말레산, 이타콘산을 들 수 있다. 방향족 카복실산으로서는, 예를 들어, 벤조산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산을 들 수 있다. 그 중에서도, 내열성의 관점에서, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산이 바람직하고, 이소프탈산, 테레프탈산이 보다 바람직하다. 또한, 카복실산 화합물은, 1종류를 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the carboxylic acid compound include aliphatic carboxylic acids having 1 to 20 (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 8) carbon atoms, aromatic groups having 7 to 20 carbon atoms (preferably 7 to 10) Carboxylic acid. Examples of the aliphatic carboxylic acid include acetic acid, malonic acid, succinic acid, maleic acid and itaconic acid. Examples of the aromatic carboxylic acid include benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid and pyromellitic acid. Among them, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid and terephthalic acid are preferable from the viewpoint of heat resistance, and isophthalic acid and terephthalic acid are more preferable. The carboxylic acid compound may be used alone, or two or more kinds may be used in combination at an arbitrary ratio.

티오카복실산 화합물로서는, 예를 들어, 티오아세트산, 티오벤조산을 들 수 있다. 또한, 티오카복실산 화합물은, 1종류를 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용하여도 좋다.The thiocarboxylic acid compound includes, for example, thioacetic acid and thiobenzoic acid. The thiocarboxylic acid compound may be used singly or in combination of two or more at any ratio.

페놀 화합물로서는, 예를 들어, 탄소 원자수 6 내지 40(바람직하게는 6 내지 30, 보다 바람직하게는 6 내지 23, 더욱 바람직하게는 6 내지 22)의 페놀 화합물을 들 수 있다. 페놀 화합물의 적합한 구체예로서는, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀A, 비스페놀F, 비스페놀S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀A, 메틸화 비스페놀F, 메틸화 비스페놀S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀을 들 수 있다. 여기에서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 수득되는 페놀 화합물을 말한다. 페놀 화합물로서는 또한, 페놀 노볼락, 일본 공개특허공보 특개2013-40270호에 기재된 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머를 사용하여도 좋다. 또한, 페놀 화합물은, 1종류를 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the phenol compound include a phenol compound having 6 to 40 carbon atoms (preferably 6 to 30, more preferably 6 to 23, and still more preferably 6 to 22) carbon atoms. Suitable specific examples of the phenol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenol phthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o- Cresol, catechol, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzene triol, and dicyclopentadiene type diphenol. Here, "dicyclopentadiene-type diphenol" refers to a phenol compound obtained by condensing two molecules of phenol in one molecule of dicyclopentadiene. As the phenol compound, a phenol novolak, a phosphorus atom-containing oligomer having a phenolic hydroxyl group described in JP-A-2013-40270 may be used. The phenol compounds may be used alone, or two or more phenol compounds may be used in combination at an arbitrary ratio.

나프톨 화합물로서는, 예를 들어, 탄소 원자수 10 내지 40(바람직하게는 10 내지 30, 보다 바람직하게는 10 내지 20)의 나프톨 화합물을 들 수 있다. 나프톨 화합물의 적합한 구체예로서는, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌을 들 수 있다. 나프톨 화합물로서는 또한, 나프톨 노볼락을 사용하여도 좋다. 또한, 나프톨 화합물은, 1종류를 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용하여도 좋다.The naphthol compound includes, for example, a naphthol compound having 10 to 40 (preferably 10 to 30, more preferably 10 to 20) carbon atoms. Suitable specific examples of the naphthol compound include? -Naphthol,? -Naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene and 2,6-dihydroxynaphthalene. As the naphthol compound, naphthol novolak may also be used. The naphthol compound may be used singly or in combination of two or more at any ratio.

그중에서도, 내열성 향상 및 용해성 향상의 관점에서, 비스페놀A, 비스페놀F, 비스페놀S, 메틸화 비스페놀A, 메틸화 비스페놀F, 메틸화 비스페놀S, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀 노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 바람직하다. 또한, 카테콜, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀 노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 더욱 바람직하다. 그 중에서도, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀 노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 보다 바람직하다. 또한, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀 노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 보다 더 바람직하다. 그 중에서도, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 더더욱 바람직하다. 또한, 디사이클로펜타디엔형 디페놀이 특히 바람직하다.Among them, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, catechol,? -Naphthol,? -Naphthol, 1,5-dihydroxy Naphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzene triol, dicyclopenta Diene type diphenols, phenol novolacs, and phosphorus atom-containing oligomers having a phenolic hydroxyl group are preferable. Further, it is also possible to use catechol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, More preferred are phosphorus atom-containing oligomers having fluoroglycine, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol, phenol novolac, and phenolic hydroxyl group. Among them, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, dicyclo Pentadien-type diphenol, phenol novolac, and phosphorus atom-containing oligomers having a phenolic hydroxyl group are more preferable. Further, it is also possible to use a phosphorus atom-containing oligomer having 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dicyclopentadiene type diphenol, phenol novolak, Is more preferable. Among them, a phosphorus atom-containing oligomer having 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dicyclopentadiene type diphenol or phenolic hydroxyl group is even more preferable Do. Dicyclopentadiene type diphenols are also particularly preferred.

티올 화합물로서는, 예를 들어, 벤젠디티올, 트리아진디티올을 들 수 있다. 또한, 티올 화합물은, 1종류를 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the thiol compound include benzene dithiol and triazinedithiol. The thiol compound may be used alone, or two or more thiol compounds may be used in combination at an arbitrary ratio.

활성 에스테르 화합물의 적합한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 방향족 카복실산과 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머를 반응시켜서 수득되는 활성 에스테르 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 방향족 카복실산과 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머를 반응시켜 수득되는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 여기서,「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Suitable specific examples of the active ester compound include active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, active ester compounds containing a naphthalene structure, active ester compounds containing an acetylated phenol novolak, benzoyl phenol novolak An active ester compound containing a cargo, and an active ester compound obtained by reacting an aromatic carboxylic acid with a phosphorus atom-containing oligomer having a phenolic hydroxyl group. Among them, an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound obtained by reacting an aromatic carboxylic acid with a phosphorus atom-containing oligomer having a phenolic hydroxyl group is more preferable Do. Here, the "dicyclopentadiene type diphenol structure" refers to a divalent structural unit comprising phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물의 특히 적합한 구체예로서는, 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Particularly suitable specific examples of the active ester compound having a dicyclopentadiene type diphenol structure include compounds represented by the following formulas.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식에서, R은, 각각 독립적으로, 페닐기 또는 나프틸기를 나타낸다. 그 중에서도, 유전 정접을 저하시키고, 내열성을 향상시킨다는 관점에서, R은 나프틸기가 바람직하다.In the above formulas, R represents, independently of each other, a phenyl group or a naphthyl group. Among them, R is preferably a naphthyl group from the viewpoint of lowering dielectric tangent and improving heat resistance.

상기 화학식에서, k는 0 또는 1을 나타낸다. 그 중에서도, 유전 정접을 저하시키고, 내열성을 향상시킨다는 관점에서, k는, 0이 바람직하다.In the above formula, k represents 0 or 1. In particular, from the viewpoint of lowering dielectric tangent and improving heat resistance, k is preferably 0.

상기 화학식에서, n은, 반복 단위의 평균수로서, 0.05 내지 2.5이다. 그 중에서도, 유전 정접을 저하시키고, 내열성을 향상시킨다는 관점에서, n은, 0.25 내지 1.5인 것이 바람직하다.In the above formula, n is an average number of repeating units of 0.05 to 2.5. Among them, n is preferably 0.25 to 1.5 from the viewpoint of lowering dielectric tangent and improving heat resistance.

성분 (B) 활성 에스테르 화합물로서는, 일본 공개특허공보 특개2004-277460호, 또는, 일본 공개특허공보 특개2013-40270호에 개시되어 있는 활성 에스테르 화합물을 사용하여도 좋다. 또한, 성분 (B) 활성 에스테르 화합물로서는, 시판의 활성 에스테르 화합물을 사용하여도 좋다. 활성 에스테르 화합물의 시판품으로서는, 예를 들어, DIC사 제조 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000L-65M」(디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물); DIC사 제조「EXB9416-70BK」(나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물); 미츠비시 카가쿠사 제조「DC808」(페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물); 미츠비시 카가쿠사 제조「YLH1026」(페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물); DIC사 제조「EXB9050L-62M」(인 원자 함유 활성 에스테르 화합물); 을 들 수 있다.Component (B) As the active ester compound, the active ester compound disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-277460 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-40270 may be used. As the active ester compound (B), commercially available active ester compounds may be used. EXB9451 "," EXB9460 "," EXB9460S "," HPC-8000-65T "," HPC-8000L-65M "(dicyclopentadiene-type diphenol structure &Lt; / RTI &gt; "EXB9416-70BK" (active ester compound containing a naphthalene structure) manufactured by DIC Corporation; &Quot; DC808 &quot; (active ester compound containing acetylated phenol novolak), manufactured by Mitsubishi Kagaku; &Quot; YLH1026 &quot; (active ester compound containing benzoylated phenol novolak) manufactured by Mitsubishi Kagaku; &Quot; EXB9050L-62M &quot; (phosphorus atom-containing active ester compound) manufactured by DIC Corporation; .

성분 (B) 활성 에스테르 화합물의 활성기 당량은, 바람직하게는 120 내지 500이고, 보다 바람직하게는 150 내지 400이며, 특히 바람직하게는 180 내지 300이다. 성분 (B) 활성 에스테르 화합물의 활성기 당량이 상기의 범위에 있음으로써, 수지 조성물의 경화물의 가교 밀도가 충분해지고, 표면 거칠기가 작은 절연층을 얻을 수 있다. 여기서, 활성기 당량은, 1당량의 활성기를 포함하는 수지의 질량을 나타낸다.The active group equivalent of the active ester compound (B) is preferably 120 to 500, more preferably 150 to 400, and particularly preferably 180 to 300. When the equivalent of the active group of the component (B) active ester compound is within the above range, the crosslinked density of the cured product of the resin composition becomes sufficient, and an insulating layer with a small surface roughness can be obtained. Here, the active group equivalent represents the mass of the resin containing one equivalent of an active group.

또한, 활성 에스테르 화합물은, 1종을 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용하여도 좋다.The active ester compound may be used alone, or two or more kinds thereof may be used in combination at an arbitrary ratio.

수지 조성물에서의 성분 (B) 활성 에스테르 화합물의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1질량% 이상인 것이 바람직하고, 5질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 10질량% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 15질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 또한, 40질량% 이하인 것이 바람직하고, 35질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 30질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 성분 (B) 활성 에스테르 화합물의 함유량이, 상기 범위의 하한치 이상이면 도체층과 절연층과의 밀착성을 특히 높일 수 있고, 또한, 상기 범위의 상한치 이하이면 내열성을 향상시키거나, 스미어의 발생을 억제하거나 할 수 있다.The content of the active ester compound (B) in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and more preferably 10% by mass or more, relative to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition And particularly preferably 15 mass% or more, more preferably 40 mass% or less, more preferably 35 mass% or less, and still more preferably 30 mass% or less. If the content of the component (B) active ester compound is lower than the lower limit of the above range, the adhesiveness between the conductor layer and the insulating layer can be particularly enhanced. If the content is less than the upper limit of the above range, the heat resistance can be improved, Or the like.

성분 (A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1로 한 경우, 기계적 강도가 양호한 절연층을 얻는 관점에서, 성분 (B) 활성 에스테르 화합물의 활성기 수는, 바람직하게는 0.1 이상이고, 보다 바람직하게는 0.2 이상이며, 더욱 바람직하게는 0.3 이상이고, 특히 바람직하게는 0.4 이상이고, 바람직하게는 2 이하, 보다 바람직하게는 1.5 이하이고, 더 바람직하게는 1 이하이다. 여기에서, 「에폭시 수지의 에폭시기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 에폭시 수지의 불휘발 성분량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 전체 에폭시 수지에 대하여 합계한 값이다. 또한, 「활성기」란 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 의미하며, 「활성 에스테르 화합물의 활성기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 활성 에스테르 화합물의 불휘발 성분량을 활성기 당량으로 나눈 값을 전부 합계한 값이다.When the number of epoxy groups in the epoxy resin of the component (A) is 1, the number of active groups of the active ester compound (B) is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, from the viewpoint of obtaining an insulating layer having a good mechanical strength. More preferably not less than 0.3, particularly preferably not less than 0.4, preferably not more than 2, more preferably not more than 1.5, and even more preferably not more than 1. [ Here, the "number of epoxy groups of the epoxy resin" is a value obtained by dividing the value obtained by dividing the amount of non-volatile component of the epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent, to the total epoxy resin. The term &quot; active group &quot; means a functional group capable of reacting with an epoxy group. The term &quot; number of active groups of the active ester compound &quot; means the sum of values obtained by dividing the amount of non-volatile components in the active ester compound present in the resin composition to be.

<성분 (C) 무기 충전재><Component (C) inorganic filler>

수지 조성물은 성분 (C) 무기 충전재를 함유하고 있다. 무기 충전재의 재료는 특별히 한정되지 않는다. 무기 충전재의 재료로서는, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산 바륨, 탄산 바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화 아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 질화 망간, 붕산 알루미늄, 탄산 스트론튬, 티탄산 스트론튬, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스무스, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 티탄산 바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 인산 지르코늄, 및 인산 텅스텐산 지르코늄을 들 수 있다. 이것들 중에서도 실리카가 특히 적합하다. 또한 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. 무기 충전재는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.The resin composition contains component (C) inorganic filler. The material of the inorganic filler is not particularly limited. As the material of the inorganic filler, for example, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, A metal oxide such as magnesium, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, Barium, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Of these, silica is particularly suitable. As the silica, spherical silica is preferable. The inorganic fillers may be used singly or in combination of two or more kinds.

무기 충전재의 평균 입자 직경은, 도체층의 매립성을 향상시키고, 표면 조도가 낮은 절연층을 얻는 관점에서, 바람직하게는 5㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 2.5㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 2㎛ 이하이고, 보다 더 바람직하게는 1.5㎛ 이하이다. 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.01㎛ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상이고, 더욱 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 0.5㎛ 이상, 또는 1㎛ 이상이다. 이러한 평균 입자 직경을 갖는 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들어, 신닛테츠 스미킨 머티리얼즈(주) 제조 「SP60-05」, 「SP-507-05」, (주)아도마텍스 제조 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」, 덴카(주) 제조 「UFP-30」, (주)토쿠야마 제조 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」, (주)아도마텍스 제조 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」을 들 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler is preferably not more than 5 mu m, more preferably not more than 2.5 mu m, more preferably not more than 2 mu m, from the viewpoint of improving the filling property of the conductor layer and obtaining an insulating layer with low surface roughness Mu m or less, and even more preferably 1.5 mu m or less. The average particle diameter is preferably 0.01 占 퐉 or more, more preferably 0.05 占 퐉 or more, still more preferably 0.1 占 퐉 or more, 0.5 占 퐉 or more, or 1 占 퐉 or more. Examples of the commercially available inorganic filler having such an average particle diameter include SP60-05, SP-507-05, YD100C manufactured by Adomatex Co., Ltd., Shin-Tetsu Sumikin Materials Co., , "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C", "UFP-30" manufactured by Denka Corporation, "Silphil NSS-3N" manufactured by Tokuyama Corporation, "Silphil NSS- 5N "manufactured by Nippon Sheet Glass Co., Ltd.," SC2500SQ "manufactured by Adomex Co., Ltd.," SO-C4 "," SO-C2 "and" SO-C1 ".

무기 충전재의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중간(median) 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플로서는, 무기 충전재를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 샘플을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치로서는, (주)호리바 세사쿠쇼 제조 「LA-500」등을 사용할 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be measured with a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, and the median diameter of the inorganic filler is determined as the average particle diameter. As the measurement sample, a sample in which an inorganic filler is dispersed in water by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, "LA-500" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. and the like can be used.

무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 알콕시실란 화합물, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등의 1종 이상의 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM-103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제)를 들 수 있다.From the viewpoint of improving the moisture resistance and dispersibility, the inorganic filler is preferably selected from the group consisting of an amino silane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, an alkoxysilane compound, an organosilazane compound and a titanate coupling agent It is preferable that the surface treatment agent is treated with at least two kinds of surface treatment agents. As commercially available products of surface treatment agents, for example, "KBM403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM803" (3-mercapto KBE903 "(3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.," KBM573 "(manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., SZ-31 (hexamethyldisilazane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-103 (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., KBM-4803 &quot; (long chain epoxy type silane coupling agent) manufactured by Kagyo KK.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량에 의해 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상인 것이 바람직하고, 0.1mg/㎡ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.2mg/㎡ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 다른 한편, 수지 바니시의 용융 점도나 수지 바니시를 시트 형태로 했을 때의 용융 점도의 상승을 방지하는 관점에서, 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 1mg/㎡ 이하인 것이 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The degree of surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. The carbon content per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg / m 2 or more, more preferably 0.1 mg / m 2 or more, and still more preferably 0.2 mg / m 2 or more from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. On the other hand, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 1 mg / m 2 or less, more preferably 0.8 mg / m 2 or less, from the viewpoint of preventing the melt viscosity of the resin varnish or the resin varnish from being increased in the form of a sheet, M 2 or less, and more preferably 0.5 mg / m 2 or less.

무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들어, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로서는, 우선, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 첨가하여 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 이어서, 상청액을 제거하여, 불휘발 성분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여, 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, (주)호리바 세사쿠쇼 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after the surface-treated inorganic filler is washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, first, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to an inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, and ultrasonically cleaned at 25 ° C for 5 minutes. Subsequently, the supernatant liquid is removed, and the nonvolatile component is dried, and then the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. and the like can be used.

수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량은, 열팽창률이 낮은 절연층을 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 10질량% 이상이고, 보다 바람직하게는 15질량% 이상이며, 더욱 바람직하게는 20질량% 이상이다. 수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량은, 절연층의 기계 강도, 특히 신장을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 70질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 60질량% 이하이며, 더욱 바람직하게는 50질량% 이하다.The content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, still more preferably 15% by mass or less, Or more, and more preferably 20 mass% or more. The content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 70 mass% or less, more preferably 60 mass% or less, further preferably 50 mass% or less, from the viewpoint of improving the mechanical strength of the insulating layer, Respectively.

<성분 (D) 불소계 충전재><Component (D) Fluorine-based filler>

수지 조성물은, 성분 (D) 불소계 충전재를 함유하고 있다. 여기서 「불소계」란, 불소 원자를 포함하는 것을 말한다. 또한 「불소계 충전재」란, 불소 원자를 포함하는 화합물을 재료로서 포함하는 충전재를 말한다. 성분 (D)는 입자상이며, 그 입자 직경은 특별히 한정되지 않는다. 성분 (D)의 평균 입자 직경은, 수지 조성물 중에서의 분산성이 우수하므로, 5㎛ 이하인 것이 바람직하고, 4㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 3㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 성분 (D)의 평균 입자 직경은, 0.05㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.08㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.10㎛ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 따라서, 성분 (D)는, 평균 입자 직경이 0.05㎛ 내지 5㎛인 것이 바람직하고, 0.08㎛ 내지 4㎛인 것이 보다 바람직하고, 0.10㎛ 내지 3㎛인 것이 더욱 바람직하다.The resin composition contains a fluorine-based filler as the component (D). Here, the term &quot; fluorine-based &quot; means a fluorine-containing one. The "fluorine-based filler" refers to a filler containing a fluorine atom-containing compound as a material. The component (D) is in a particulate form, and its particle diameter is not particularly limited. The average particle diameter of the component (D) is preferably 5 占 퐉 or less, more preferably 4 占 퐉 or less, and even more preferably 3 占 퐉 or less because of its excellent dispersibility in the resin composition. The average particle diameter of the component (D) is preferably 0.05 mu m or more, more preferably 0.08 mu m or more, and further preferably 0.10 mu m or more. Therefore, the component (D) preferably has an average particle diameter of 0.05 탆 to 5 탆, more preferably 0.08 탆 to 4 탆, and further preferably 0.10 탆 to 3 탆.

성분 (D)로서는, 예를 들어, 불소 수지, 불소 고무로부터 선택되는 재료를 포함하는 입자를 들 수 있다.As the component (D), for example, particles containing a material selected from a fluorine resin and a fluorine rubber may be mentioned.

성분 (D)로서는, 절연층의 유전율을 저감하는 관점에서, 불소 수지를 포함하는 불소계 중합체 입자가 바람직하다.As the component (D), fluorine-based polymer particles containing a fluorine resin are preferable from the viewpoint of reducing the dielectric constant of the insulating layer.

불소 수지로서는, 예를 들어, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 퍼플루오로알콕시알칸(PFA), 퍼플루오로에틸렌프로펜 공중합체(FEP), 에틸렌·테트라플루오로에틸렌 공중합체(ETFE), 테트라플루오로에틸렌퍼플루오로디옥솔 공중합체(TFE/PDD), 폴리불화비닐리덴(PVDF), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE), 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(ECTFE), 폴리불화비닐(PVF)을 들 수 있다. 이들 수지는 1종을 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the fluororesin include polytetrafluoroethylene (PTFE), perfluoroalkoxyalkane (PFA), perfluoroethylene propene copolymer (FEP), ethylene / tetrafluoroethylene copolymer (ETFE) (TFE / PDD), polyvinylidene fluoride (PVDF), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE), polyvinyl fluoride (PVF). These resins may be used singly or in combination of two or more kinds.

절연층의 유전율을 보다 저감하는 관점에서, 불소계 수지로서는 PTFE를 사용하는 것이 바람직하다. 바꿔 말하면, 성분 (D)로서는, 불소계 수지로서 PTFE를 포함하는 불소계 중합체 입자인 PTFE 입자를 사용하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further reducing the dielectric constant of the insulating layer, it is preferable to use PTFE as the fluorine resin. In other words, as the component (D), it is preferable to use PTFE particles which are fluoropolymer particles containing PTFE as the fluororesin.

PTFE의 중량 평균 분자량은, 5000000 이하인 것이 바람직하고, 4000000 이하인 것이 보다 바람직하고, 3000000 이하인 것이 더욱 바람직하다.The weight average molecular weight of PTFE is preferably 5,000,000 or less, more preferably 4,000,000 or less, and still more preferably 3,000,000 or less.

불소계 중합체 입자는, 시판품을 사용하여도 좋고, 시판의 불소계 중합체 입자인 PTFE 입자의 구체예로서는, 다이킨 코교(주) 제조 「루블론 L-2」, 다이킨 코교(주) 제조 「루블론 L-5」, 다이킨 코교(주) 제조 「루블론 L-5F」, 아사히 가라스(주) 제조 「FluonPTFE L-170JE」, 아사히 가라스(주) 제조 「FluonPTFE L-172JE」, 아사히 가라스(주) 제조 「FluonPTFE L-173JE」, (주)키타무라 제조 「KTL-500F」, (주)키타무라 제조 「KTL-2N」, (주)키타무라 제조 「KTL-1N」, 미츠이·듀폰 플로로케미컬(주) 제조 「TLP10F-1」을 들 수 있다.Specific examples of PTFE particles that are commercially available fluorine-based polymer particles include "Lubron L-2" manufactured by Daikin Industries Ltd., "Lubron L-2" manufactured by Daikin Industries, Ltd. -5 "manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.," Lubron L-5F "manufactured by Daikin Kogyo Co., Ltd.," FluonPTFE L-170JE "manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.," FluonPTFE L-172JE " KTL-1N "manufactured by Kitamura Co., Ltd.," Mitsui DuPont "(trade name) manufactured by KITAMURA CO., LTD.," FluonPTFE L-173JE " TLP10F-1 &quot; manufactured by Fluoro Chemical Co., Ltd. can be mentioned.

성분 (D)는, 예를 들어, 표면 처리된 입자를 포함하고 있어도 좋다. 표면 처리로서는 예를 들어, 표면 처리제로의 표면 처리를 들 수 있다. 표면 처리제는 특별히 한정되지 않는다. 표면 처리제에는, 비이온성 계면 활성제, 양성 계면 활성제, 양이온 계면 활성제, 음이온 계면 활성제 등의 계면 활성제 외에, 무기 미립자 등도 포함된다. 친화성의 관점에서, 표면 처리제로서는, 불소계의 계면 활성제를 사용하는 것이 바람직하다. 불소계의 계면 활성제의 구체예로서는, AGC 세이미 케미컬(주) 제조 「사프론S-243」(퍼플루오로알킬에틸렌옥사이드 부가물), DIC(주) 제조 「메가팍F-251」, DIC(주) 제조 「메가팍F-477」, DIC(주) 제조 「메가팍F-553」, DIC(주) 제조 「메가팍R-40」, DIC(주) 제조 「메가팍R-43」, DIC(주) 제조 「메가팍R-94」, 네오스(주) 제조 「FTX-218」, 네오스(주) 제조 「프타젠트610FM」, 네오스(주) 제조 「프타젠트730LM」을 들 수 있다.The component (D) may contain, for example, surface-treated particles. The surface treatment includes, for example, surface treatment with a surface treatment agent. The surface treatment agent is not particularly limited. In addition to the surfactants such as nonionic surfactants, amphoteric surfactants, cationic surfactants and anionic surfactants, the surface treating agent includes inorganic fine particles and the like. From the viewpoint of affinity, it is preferable to use a fluorine-based surfactant as the surface treatment agent. Specific examples of the fluorine-based surfactant include "SURFON S-243" (perfluoroalkyl ethylene oxide adduct) manufactured by AGC Seiyam Chemical Co., "Megapak F-251" manufactured by DIC Co., Megapak F-477 "manufactured by DIC Corporation," Megapark F-553 "manufactured by DIC Corporation," Megapark R-40 "manufactured by DIC Corporation," Megapark R-43 " FTX-218 "manufactured by Neos Corporation," Pertigent 610FM "manufactured by Neos Corporation, and" Pectigent 730LM "manufactured by Neos Co., Ltd. can be mentioned.

또한, 성분 (D)의 함유량은, 절연층의 유전율을 효과적으로 저감하는 관점이나 밀착 강도를 유지한다는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 성분 (D)의 함유량은 10질량% 내지 40질량%가 된다. 절연층의 유전율을 효과적으로 저감하는 관점에서는, 15질량% 이상이 바람직하고, 20질량% 이상이 보다 바람직하다. 밀착 강도를 유지한다는 관점에서는, 35질량% 이하가 바람직하고, 30질량% 이하가 보다 바람직하고, 25질량% 이하가 더욱 바람직하다.From the viewpoint of effectively reducing the dielectric constant of the insulating layer and maintaining the adhesion strength, the content of the component (D) is preferably such that when the nonvolatile component in the resin composition is 100 mass%, the content of the component (D) 10% by mass to 40% by mass. From the viewpoint of effectively reducing the dielectric constant of the insulating layer, 15 mass% or more is preferable, and 20 mass% or more is more preferable. But is preferably 35 mass% or less, more preferably 30 mass% or less, and still more preferably 25 mass% or less, from the viewpoint of maintaining the adhesion strength.

이 때, 성분 (C) 및 성분 (D)의 함유량의 합계를 100질량%로 한 경우에, 성분 (D)는, 절연층의 유전율을 효과적으로 저감하는 관점이나 밀착 강도를 유지한다는 관점에서 20질량% 내지 70질량%가 된다. 절연층의 유전율을 효과적으로 저감하는 관점에서는, 25질량% 이상이 바람직하고, 30질량% 이상이 보다 바람직하다. 밀착 강도를 유지한다는 관점에서는, 60질량% 이하가 바람직하고, 50질량% 이하가 보다 바람직하고, 40질량% 이하가 더욱 바람직하다.When the total content of the component (C) and the component (D) is 100 mass%, the component (D) is preferably 20 mass% from the viewpoint of effectively reducing the dielectric constant of the insulating layer, % To 70% by mass. From the viewpoint of effectively reducing the dielectric constant of the insulating layer, 25 mass% or more is preferable, and 30 mass% or more is more preferable. But is preferably 60 mass% or less, more preferably 50 mass% or less, still more preferably 40 mass% or less, from the viewpoint of maintaining the adhesion strength.

수지 조성물의 경화물의 유전율에 특별히 착안하면, 본 실시형태에 있어서, 경화물의 유전율을 저감하기 위해 사용되는 성분 (D) 불소계 충전재는, 바람직하게는 PTFE를 포함하는 불소계 중합체 입자인 PTFE 입자이다.Particular attention is paid to the dielectric constant of the cured product of the resin composition. In the present embodiment, the fluorine-based filler (D) used for reducing the dielectric constant of the cured product is preferably PTFE particles which are fluoropolymer particles containing PTFE.

여기서, PTFE의 유전율은 2.1이다. 따라서, 예를 들어, 수지 조성물의 성분으로서 PTFE 입자를 사용하는 경우에는, 경화물의 유전율의 저감 목표가 설령 0.1 정도라고 해도, 유전율을 저감하고, 또한 수지 조성물의 물성, 나아가서는 경화물의 물성, 전기적 특성도 양호하게 하는 것은 극히 곤란하다. 왜냐하면, 유전율을 저감하기 위해서, 상기 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이 다량의 PTFE 입자를 수지 조성물에 배합하면, 확실히 경화체의 유전율을 저감시킬 수는 있지만, PTFE 입자가 수지 조성물 중에서 응집되기 쉬워져 버려, PTFE 입자를 수지 조성물 및 경화체 중에서 균일하게 분포시킬 수가 없게 되는 결과로서, 반도체층에 대한 밀착성이 현저히 저하되어 버릴 뿐 아니라, 경화물의 물성, 전기적 특성이 손상되어 버릴 우려가 있기 때문이다.Here, the dielectric constant of PTFE is 2.1. Therefore, for example, when PTFE particles are used as the components of the resin composition, even if the target of reduction of the dielectric constant of the cured product is about 0.1, the dielectric constant is reduced and the physical properties of the resin composition, It is extremely difficult to make it good. This is because, in order to reduce the dielectric constant, when a large amount of PTFE particles are compounded in the resin composition as described in the above-mentioned Patent Document 1, the dielectric constant of the cured product can surely be reduced, but the PTFE particles tend to aggregate in the resin composition This is because, as a result, the PTFE particles can not be uniformly distributed in the resin composition and the cured product, the adhesion to the semiconductor layer is significantly lowered, and the physical properties and electrical properties of the cured product are impaired.

하지만, 본 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면, 수지 조성물 중의 성분 (C) 및 성분 (D)의 함유량을 상기 수치 범위와 같이 조정한다는 해결 수단을 발견하고, 또한 다른 성분의 배합에 대해서도 고려함으로써, 성분 (D)의 함유량을 보다 저감하였다고 해도, 경화물의 유전율의 저감을 실현할 수 있고, 유전율의 저감과 도체층에 대한 밀착성의 향상을 양립시킬 수 있을 뿐 아니라, 경화물의 유전 정접도 저하시킬 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.However, the resin composition according to the present embodiment finds a solution for adjusting the content of the component (C) and the component (D) in the resin composition to the above-mentioned numerical range, and by considering the blending of other components, Even if the content of the component (D) is further reduced, reduction of the dielectric constant of the cured product can be realized, not only the reduction of the dielectric constant and the improvement in the adhesiveness to the conductor layer can be achieved, but also the dielectric loss tangent of the cured product can be lowered Effect can be obtained.

<성분 (E) 불포화 탄화수소기를 갖는 화합물><Component (E) Compound Having Unsaturated Hydrocarbon Group>

수지 조성물은, 성분 (E)를 함유하고 있어도 좋다. 성분 (E)의 불포화 결합 부위가 반응하여 형성되는 분자 구조 부위를 경화물이 가짐으로써, 경화물의 극성이 작아지고, 유전 정접의 값을 저감할 수 있다.The resin composition may contain the component (E). By having the cured product in the molecular structure portion formed by the reaction of the unsaturated bond portion of the component (E), the polarity of the cured product becomes small and the dielectric loss tangent value can be reduced.

성분 (E)는, 불포화 탄화수소기를 갖고 있으면 특별히 한정되지 않는다. 불포화 탄화수소기를 사용함으로써, 경화물의 유전 정접을 저하시킬 수 있다. 불포화 탄화수소기는, 아크릴기, 메타크릴기, 스티릴기, 올레핀기인 것이 바람직하다. 여기서, 「올레핀기」란, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 가진 지방족 탄화수소기를 말한다. 예를 들어, 알릴기, 비닐기, 프로페닐기를 들 수 있다. 즉, 성분 (E)는, 아크릴기, 메타크릴기, 스티릴기, 알릴기, 비닐기 및 프로페닐기로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1 이상의 불포화 탄화수소기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The component (E) is not particularly limited as long as it has an unsaturated hydrocarbon group. By using an unsaturated hydrocarbon group, dielectric tangent of the cured product can be lowered. The unsaturated hydrocarbon group is preferably an acryl group, a methacryl group, a styryl group, or an olefin group. Here, the "olefin group" refers to an aliphatic hydrocarbon group having a carbon-carbon double bond in a molecule. For example, an allyl group, a vinyl group, or a propenyl group. That is, the component (E) is preferably a compound having at least one unsaturated hydrocarbon group selected from the group consisting of an acryl group, a methacryl group, a styryl group, an allyl group, a vinyl group and a propenyl group.

성분 (E)로서는, 하기 화학식 (2), 하기 화학식 (7) 및 하기 화학식 (8)로 표시되는 화합물이 보다 바람직하다.As the component (E), compounds represented by the following formulas (2), (7) and (8) are more preferable.

화학식 (2)(2)

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 (2)에서, R1 내지 R6은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자이다. A는, 하기 화학식 (3) 또는 하기 화학식 (4)로 표시되는 구조(2가의 기)를 나타낸다.In the above formula (2), R 1 to R 6 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, preferably a hydrogen atom. A represents a structure (divalent group) represented by the following formula (3) or (4).

화학식 (3)(3)

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 (3)에서, B는, 하기 화학식 (B-1), (B-2) 또는 (B-3)으로 표시되는 구조 (2가의 기)를 나타낸다.In the above formula (3), B represents a structure (divalent group) represented by the following formula (B-1), (B-2) or (B-3).

화학식 (4)(4)

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 (4)에서, D는, 하기 화학식 (5)로 표시되는 구조를 나타낸다.In the above formula (4), D represents a structure represented by the following formula (5).

화학식 (5)(5)

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 (5)에서, R7 내지 R14는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소 원자수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다. 특히, R7, R8, R13, R14는, 보다 바람직하게는 메틸기이다. a, b는, 적어도 한쪽이 0이 아닌 0 내지 100의 정수이다. B는, 하기 화학식 (B-1), (B-2) 또는 (B-3)으로 표시되는 구조 (2가의 기)를 나타낸다.In the above formula (5), R 7 to R 14 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group. In particular, R 7 , R 8 , R 13 and R 14 are more preferably a methyl group. a and b are integers of 0 to 100, at least one of which is not 0. B represents a structure (divalent group) represented by the following formula (B-1), (B-2) or (B-3)

화학식 (B-1)The formula (B-1)

Figure pat00006
Figure pat00006

화학식 (B-2) (B-2)

Figure pat00007
Figure pat00007

화학식 (B-3)(B-3)

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 (B-1)에서, R15 내지 R18은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소 원자수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다.In the above formula (B-1), R 15 to R 18 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group.

상기 화학식 (B-2)에서, R19 내지 R26은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소 원자수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다.In the above formula (B-2), R 19 to R 26 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group.

상기 화학식 (B-3)에서, R27 내지 R34는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소 원자수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다. E는, 탄소 원자수 20 이하의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 2가의 탄화수소기를 나타낸다.In the above formula (B-3), R 27 to R 34 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group. E represents a linear, branched or cyclic divalent hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms.

상기 화학식 (2)로 표시되는 화합물로서는, 하기 화학식 (6)으로 표시되는 화합물이 보다 바람직하다.As the compound represented by the above formula (2), a compound represented by the following formula (6) is more preferable.

화학식 (6)(6)

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 (6)에서, R1 내지 R6은, 상기 화학식 (2)에서의 R1 내지 R6과 동의이며, B는 상기 화학식 (3) 중의 B와 동의이고, a, b는, 상기 화학식 (5) 중의 a, b와 동의이다.In the formula (6), R 1 to R 6 are, and R 1 to R 6 and copper in the above formula (2), B is a B and agreement in the formula (3), a, b, the formula (A) and (b) in (5).

화학식 (7)로 표시되는 화합물은 하기와 같다.The compound represented by the formula (7) is as follows.

화학식 (7)(7)

Figure pat00010
Figure pat00010

성분 (E)로서는, 하기 화학식 (8)로 표시되는 「5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물」이 더욱 바람직하다.As the component (E), "a compound having a cyclic ether structure having five or more ring members" represented by the following formula (8) is more preferable.

화학식 (8)(8)

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 화학식 (8)에서, 환 F는 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 2가의 기를 나타낸다. B1 및 B2는 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. C1 및 C2는 동일해도 서로 달라도 좋은 관능기를 나타낸다.In the above formula (8), the ring F represents a divalent group having a cyclic ether structure having five or more ring members. B 1 and B 2 each independently represent a single bond or a divalent linking group. C 1 and C 2 represent the same or different functional groups.

5원환 이상의 환상 에테르는, 분자의 움직임이 제한되어 있으므로 유전 정접을 낮게 할 수 있다는 성질이 있다. 탄소-탄소 불포화 결합은, 환상 에테르 구조 내에 포함되어 있어도 좋고, 환상 에테르 구조 밖에 포함되어 있어도 좋다. 탄소-탄소 불포화 결합은 복수개 존재하고 있어도 좋다.The cyclic ethers having five or more ring members have a property that the dielectric tangent can be lowered because the movement of molecules is limited. The carbon-carbon unsaturated bond may be contained in the cyclic ether structure or may be contained only in the cyclic ether structure. A plurality of carbon-carbon unsaturated bonds may be present.

「5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물」에 따른 환상 에테르 구조에 포함되는 산소 원자수는, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하는 1 이상, 보다 바람직하게는 2 이상이고, 바람직하게는 5 이하, 보다 바람직하게는 4 이하, 더욱 바람직하게는 3 이하이다.The number of oxygen atoms contained in the cyclic ether structure according to the &quot; compound having a cyclic ether structure having five or more ring members &quot; is preferably at least 1, more preferably at least 2, and more preferably at least 2 from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention Is preferably 5 or less, more preferably 4 or less, and further preferably 3 or less.

5원환 이상의 환상 에테르 구조로서는, 환상 에테르가 5원환 이상의 다원환 구조를 갖고 있으면 특별히 한정되지 않는다. 5원환 이상의 환상 에테르 구조는, 단환, 다환 또는 축합환이라도 좋다. 또한, 「5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물」은, 복수개의 환상 에테르 구조를 갖고 있어도 좋다. 환상 에테르 구조는, 5 내지 10원환인 것이 바람직하고, 5 내지 8원환인 것이 보다 바람직하고, 5 내지 6원환인 것이 더욱 바람직하다. 구체적인 5원환 이상의 환상 에테르 구조로서는, 예를 들어, 푸란 구조, 테트라하이드로푸란 구조, 디옥솔란 구조, 피란 구조, 디하이드로피란 구조, 테트라하이드로피란 구조, 디옥산 구조를 들 수 있다. 그 중에서도, 상용성을 향상시킨다는 관점에서, 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물은, 디옥산 구조를 포함하는 것이 바람직하다. 디옥산 구조에는, 1,2-디옥산 구조, 1,3-디옥산 구조 및 1,4-디옥산 구조가 포함되고, 1,3-디옥산 구조가 바람직하다.The cyclic ether structure having five or more ring members is not particularly limited as long as the cyclic ether has a multiple ring structure of five-membered rings or more. The cyclic ether structure having five or more ring members may be a monocyclic, polycyclic or condensed ring. The "compound having a cyclic ether structure having five or more ring members" may have a plurality of cyclic ether structures. The cyclic ether structure is preferably a 5- to 10-membered ring, more preferably a 5- to 8-membered ring, and even more preferably a 5- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic ether structure having five or more ring members include a furan structure, a tetrahydrofuran structure, a dioxolane structure, a pyran structure, a dihydropyran structure, a tetrahydropyran structure, and a dioxane structure. Among them, from the viewpoint of improving the compatibility, the compound having a cyclic ether structure having five or more rings is preferable to include a dioxane structure. The dioxane structure includes a 1,2-dioxane structure, a 1,3-dioxane structure and a 1,4-dioxane structure, and a 1,3-dioxane structure is preferable.

또한, 5원환 이상의 환상 에테르 구조에는, 알킬기, 알콕시기 등의 치환기가 결합되어 있어도 좋다. 이러한 치환기의 탄소 원자수는, 통상, 1 내지 6이고, 바람직하게는 1 내지 3이다.A substituent such as an alkyl group or an alkoxy group may be bonded to the cyclic ether structure having five or more ring members. The number of carbon atoms of such a substituent is usually 1 to 6, preferably 1 to 3. [

5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 2가의 기의 구체적인 예로서는, 푸란-2,5-디일기, 테트라하이드로푸란-2,5-디일기, 디옥솔란-2,5-디일기, 피란-2,5-디일기, 디하이드로피란-2,5-디일기, 테트라하이드로피란-2,5-디일기, 1,2-디옥산-3,6-디일기, 1,3-디옥산-2,5-디일기, 1,4-디옥산-2,5-디일기, 5-에틸-1,3-디옥산-2,5-디일기를 들 수 있다. 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 2가의 기로서는, 5-에틸-1,3-디옥산-2,5-디일기가 바람직하다.Specific examples of the divalent group having a cyclic ether structure having five or more ring members include a furan-2,5-diyl group, a tetrahydrofuran-2,5-diyl group, a dioxolane-2,5-diyl group, Diyl group, dihydropyran-2,5-diyl group, tetrahydropyran-2,5-diyl group, 1,2-dioxane-3,6-diyl group, 1,3-dioxane-2,5 -Diol group, 1,4-dioxane-2,5-diyl group, and 5-ethyl-1,3-dioxane-2,5-diyl group. As the divalent group having a cyclic ether structure having 5 or more ring members, 5-ethyl-1,3-dioxane-2,5-diyl group is preferable.

B1 및 B2는 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. B1 및 B2는 2가의 연결기인 것이 바람직하다. 2가의 연결기로서는, 예를 들어, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알키닐렌기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴렌기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 헤테로아릴렌기, -COO-로 표시되는 기, -CO-로 표시되는 기, -CONH-로 표시되는 기, -NHCONH-로 표시되는 기, -NHCOO-로 표시되는 기, -C(=O)-로 표시되는 기, -S-로 표시되는 기, -SO-로 표시되는 기, -NH-로 표시되는 기, 이들 기를 복수 조합한 기를 들 수 있다.B 1 and B 2 each independently represent a single bond or a divalent linking group. B 1 and B 2 are preferably divalent linking groups. Examples of the divalent linking group include an alkylene group which may have a substituent, an alkynylene group which may have a substituent, an arylene group which may have a substituent, a heteroarylene group which may have a substituent, a group represented by -COO- , A group represented by -CO-, a group represented by -CONH-, a group represented by -NHCONH-, a group represented by -NHCOO-, a group represented by -C (= O) -, a group represented by -S- , A group represented by -SO-, a group represented by -NH-, and a group obtained by combining a plurality of these groups.

치환기는 특별히 제한되지 않는다. 치환기로서는, 예를 들어, 할로겐 원자, -OH로 표시되는 기, -O-C1-6 알킬기, -N(C1-6 알킬기)2, C1-6 알킬기, C6-10 아릴기, -NH2로 표시되는 기, -CN으로 표시되는 기, -C(O)O-C1-6 알킬기, -COOH로 표시되는 기, -C(O)H로 표시되는 기, -NO2로 표시되는 기를 들 수 있다.The substituent is not particularly limited. Examples of the substituent include a halogen atom, a group represented by -OH, a -OC 1-6 alkyl group, -N (C 1-6 alkyl group) 2 , a C 1-6 alkyl group, a C 6-10 aryl group, -NH 2 , a group represented by -CN, a group represented by -C (O) OC 1-6 alkyl, a group represented by -COOH, a group represented by -C (O) H, or -NO 2 , .

상기 치환기에 따른 「C1-6」 및 「C6-10」의 의미를, 이들 문언을 「Cp-q」라고 일반화하여 설명한다. 「Cp-q」(여기서, p 및 q는 양의 정수이고, p<q를 충족한다.)는, 이 문언의 직후에 기재된 유기기의 탄소 원자수가 p 내지 q인 것을 나타낸다. 구체적으로는, 예를 들어, 「C1-6 알킬기」는, 「탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기」를 나타내고 있다. Quot ; C 1-6 &quot; and &quot; C 6-10 &quot; according to the above substituents are generically referred to as &quot; C pq &quot; &Quot; C pq &quot; (where p and q are positive integers and p &lt; q is satisfied) indicates that the number of carbon atoms of the organic group described immediately after this word is p to q. Specifically, for example, the "C 1-6 alkyl group" represents "an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms".

치환기는, 또한 치환기(이하, 「2차 치환기」라고 하는 경우가 있다.)를 갖고 있어도 좋다. 2차 치환기로서는, 예를 들어, 이미 설명한 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.The substituent may also have a substituent (hereinafter sometimes referred to as "secondary substituent"). As the secondary substituent, for example, there can be mentioned the same group as the substituent described above.

이것들 중에서도, B1 및 B2는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알키닐렌기, -COO-로 표시되는 기, -O-로 표시되는 기로부터 2개 이상의 임의의 기를 선택하여 조합한 기가 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기, -COO-로 표시되는 기로부터 2개 이상의 임의의 기를 선택하여 조합한 기가 보다 바람직하다.Of these, B 1 and B 2 are selected from an alkylene group which may have a substituent, an alkynylene group which may have a substituent, a group represented by -COO-, and two or more arbitrary groups selected from the group represented by -O- And a group obtained by selecting two or more arbitrary groups from the group represented by -COO-, which may have a substituent, is more preferable.

C1 및 C2는 서로 동일해도 서로 달라도 좋은 관능기를 나타낸다. 관능기로서는, 예를 들어, 비닐기, 메타크릴기, 아크릴기, 알릴기, 스티릴기, 프로페닐기, 에폭시기를 들 수 있다. 관능기로서는, 비닐기가 바람직하다.C 1 and C 2 represent the same or different functional groups. Examples of the functional group include a vinyl group, a methacrylic group, an acrylic group, an allyl group, a styryl group, a propenyl group, and an epoxy group. As the functional group, a vinyl group is preferable.

「5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물」의 구체예로서는, 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the &quot; compound having a cyclic ether structure having five or more ring members &quot; include compounds represented by the following formulas.

Figure pat00012
Figure pat00012

성분 (E)로서는, 예를 들어, 스티렌 변성 폴리페닐렌 에테르 수지(미츠비시 가스 카가쿠사 제조 「OPE-2St 1200(수평균 분자량 1200)」, 상기 화학식 (6) 상당), 비크실레놀디알릴에테르 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YL7776(수평균 분자량 331)」, 상기 화학식 (7) 상당), 디옥산아크릴 모노머 글리콜 디아크릴레이트(신나카무라 카가쿠 코교사 제조 「A-DOG(수평균 분자량 326), 상기 화학식 (8) 상당」, 니혼 카야쿠사 제조 「KAYARAD R-604, 상기 화학식 (8) 상당」을 들 수 있다.As the component (E), for example, a styrene-modified polyphenylene ether resin (OPE-2St 1200 (number average molecular weight 1200) manufactured by Mitsubishi Gas Kagaku Co., (A-DOG (number average molecular weight: 326) manufactured by Shin-Nakamura Kagaku Co., Ltd.), "YL7776 (number average molecular weight 331)" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Equivalent to the above formula (8) ", KAYARAD R-604 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., and the above formula (8) equivalent.

성분 (E)의 수평균 분자량은, 수지 바니시의 건조 시의 휘발 방지, 수지 조성물의 용융 점도가 너무 상승하는 것을 방지한다는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 10000의 범위이고, 보다 바람직하게는 200 내지 3000의 범위이다. 또한, 본 발명에서의 수평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법(폴리스티렌 환산)으로 측정된다. GPC법에 의한 수평균 분자량으로서는, 예를 들어, 측정 장치로서 시마즈 세사쿠쇼사 제조 「LC-9A/RID-6A」를 사용하고, 컬럼으로서 쇼와 덴코사 제조 「Shodex K-800P/K-804L/K-804L」을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하고, 컬럼 온도 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.The number average molecular weight of the component (E) is preferably in the range of from 100 to 10000, more preferably from 200 to 10000, from the viewpoint of preventing the volatilization of the resin varnish during drying and preventing the melt viscosity of the resin composition from rising too high, 3000 &lt; / RTI &gt; In addition, the number average molecular weight in the present invention is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method (in terms of polystyrene). As the number average molecular weight by the GPC method, for example, "LC-9A / RID-6A" manufactured by Shimadzu Corporation, and "Shodex K-800P / K-804L / K-804L "as a mobile phase, chloroform at a column temperature of 40 ° C, and using a standard polystyrene calibration curve.

성분 (E)의 함유량은, 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 경화물의 유전 정접을 낮게 하는 관점에서, 1질량% 이상이 바람직하고, 3질량% 이상이 보다 바람직하다. 또한, 수지 바니시의 상용성을 향상시키는 관점에서, 15질량% 이하가 바람직하고, 10질량%가 보다 바람직하다.The content of the component (E) is preferably 1% by mass or more, and more preferably 3% by mass or more, from the viewpoint of lowering the dielectric loss tangent of the cured product when the nonvolatile component is 100% by mass. From the viewpoint of improving the compatibility of the resin varnish, the content is preferably 15% by mass or less, and more preferably 10% by mass.

성분 (A) 에폭시 수지와 성분 (E)의 질량비(에폭시 수지의 질량: 성분 (E)의 질량)는, 1:0.01 내지 1:100의 범위인 것이 바람직하고, 1:0.1 내지 1:90의 범위인 것이 보다 바람직하고, 1:0.1 내지 1:80의 범위인 것이 보다 바람직하다. 이러한 범위 내로 함으로써, 상용성을 향상시킬 수 있다.Component (A) The mass ratio of the epoxy resin to the component (E) (mass of the epoxy resin: mass of the component (E)) is preferably in the range of 1: 0.01 to 1: 100, , More preferably in the range of 1: 0.1 to 1: 80. Within this range, compatibility can be improved.

수지 조성물은, 성분 (E)를 포함함으로써, 상용성을 향상시킬 수 있고, 이미 설명한 성분 (D) 불소계 충전재를 수지 조성물 중에서 보다 균일하게 분산시킬 수 있다. 결과적으로, 수지 조성물의 균일성이 향상되므로, 경화물의 도체층에 대한 밀착성을 보다 향상시킬 수 있고, 또한 유전 정접을 저하시킬 수 있다. 결과적으로, 형성되는 절연층의 물성, 전기적 특성을 향상시키고, 디바이스의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.By including the component (E), the resin composition can improve the compatibility and disperse the fluorine-based filler (D) already described more uniformly in the resin composition. As a result, since the uniformity of the resin composition is improved, the adhesion of the cured product to the conductor layer can be further improved, and the dielectric loss tangent can be lowered. As a result, the physical properties and electrical characteristics of the insulating layer to be formed can be improved and the reliability of the device can be improved.

<성분 (F)의 경화 촉진제>&Lt; Curing accelerator of component (F)

수지 조성물은, 성분 (F) 경화 촉진제를 함유하고 있어도 좋다. 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제, 과산화물계 경화 촉진제를 들 수 있다. 경화 촉진제로서는, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는, 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.The resin composition may contain a component (F) curing accelerator. Examples of the curing accelerator include a phosphorus hardening accelerator, an amine hardening accelerator, an imidazole hardening accelerator, a guanidine hardening accelerator, a metal hardening accelerator and a peroxide hardening accelerator. As the hardening accelerator, phosphorus hardening accelerator, amine hardening accelerator, imidazole hardening accelerator and metal hardening accelerator are preferable, and amine hardening accelerator, imidazole hardening accelerator and metal hardening accelerator are more preferable. The curing accelerator may be used singly or in combination of two or more kinds.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트를 들 수 있다. 인계 경화 촉진제로서는, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of phosphorus hardening accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, and butyltriphenylphosphonium thiocyanate. As the phosphorus hardening accelerator, triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 벤질디메틸아민, 2,4,6,-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센을 들 수 있다. 아민계 경화 촉진제로서는, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of amine curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP), benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol , And 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene. As the amine-based curing accelerator, 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진 이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸 이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있다. 이미다졸계 경화 촉진제로서는, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] -ethyl-s-triazine, 2,4- diamino-6- [ Imidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- Triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine isocyanate 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2 2-methylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazole, 2-methylimidazolium chloride, Imidazole compounds such as phenol and zolin, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins. Examples of imidazole-based curing accelerators include 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-benzyl- .

이미다졸계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용하여도 좋다. 시판품을 사용할 수 있는 이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 미츠비시 카가쿠(주) 제조의 「P200-H50」을 들 수 있다.A commercially available imidazole-based curing accelerator may be used. As the imidazole-based curing accelerator which can be used in the market, for example, "P200-H50" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation can be mentioned.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드를 들 수 있다. 구아니딘계 경화 촉진제로서는, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, , Trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [ 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, and 1- (o-tolyl) biguanide. As the guanidine curing accelerator, dicyandiamide and 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene are preferable.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(Ⅱ)아세틸아세토네이트, 코발트(Ⅲ)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(Ⅱ)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(Ⅱ)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(Ⅲ)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(Ⅱ)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(Ⅱ)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체를 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들어, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연을 들 수 있다.Examples of the metal-based curing accelerator include organic metal complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese and tin. Specific examples of the organometallic complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate An organic iron complex such as an organic zinc complex and iron (III) acetylacetonate, an organic nickel complex such as nickel (II) acetylacetonate, and an organic manganese complex such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

과산화물계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 사이클로헥산온퍼옥사이드, tert-부틸퍼옥시벤조에이트, 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드, tert-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-tert-부틸퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, tert-부틸하이드로퍼옥사이드를 들 수 있다.Examples of the peroxide-based curing accelerator include cyclohexanone peroxide, tert-butyl peroxybenzoate, methyl ethyl ketone peroxide, dicumyl peroxide, tert-butyl cumyl peroxide, di- Propylbenzene hydroperoxide, cumene hydroperoxide, and tert-butyl hydroperoxide.

과산화물계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용할 수 있다. 과산화물계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 니치유사 제조 「퍼쿠밀 D」를 들 수 있다.Commercially available products can be used as the peroxide-based curing accelerator. As the peroxide-based curing accelerator, there can be mentioned, for example, "Percumile D" which is a nich-like preparation.

수지 조성물 중의 경화 촉진제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 경화 촉진제의 함유량은, 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 통상, 0.01질량% 내지 3질량%이고, 0.05질량% 내지 2질량%인 것이 바람직하고, 0.1질량% 내지 1질량%인 것이 보다 바람직하다.The content of the curing accelerator in the resin composition is not particularly limited. The content of the curing accelerator is usually 0.01% by mass to 3% by mass, preferably 0.05% by mass to 2% by mass, and more preferably 0.1% by mass to 1% by mass, based on 100% by mass of the nonvolatile component desirable.

<성분 (G) 열가소성 수지><Component (G) Thermoplastic resin>

수지 조성물은, 성분 (G) 열가소성 수지를 함유하고 있어도 좋다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어, 페녹시 수지, 폴리비닐 아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지를 들 수 있다. 열가소성 수지로서는, 페녹시 수지가 바람직하다. 열가소성 수지는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.The resin composition may contain the component (G) thermoplastic resin. Examples of the thermoplastic resin include thermoplastic resins such as phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyether sulfone resin, polycarbonate resin , A polyether ether ketone resin, and a polyester resin. As the thermoplastic resin, a phenoxy resin is preferable. The thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more.

열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 8000 내지 70000의 범위인 것이 바람직하고, 10000 내지 60000의 범위인 것이 보다 바람직하고, 20000 내지 60000의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정된다. 구체적으로는, 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 측정 장치로서 (주)시마즈 세사쿠쇼 제조 「LC-9A/RID-6A」를 사용하고, 컬럼으로서 쇼와 덴코(주) 제조 「Shodex K-800P/K-804L/K-804L」을 사용하고, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하고, 컬럼 온도를 40℃로 하여 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.The weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene is preferably in the range of 8000 to 70000, more preferably in the range of 10,000 to 60,000, and still more preferably in the range of 20,000 to 60,000. The weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene was measured using "LC-9A / RID-6A" manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device and "Shodex (trade name, K-800P / K-804L / K-804L "is used as a mobile phase, chloroform or the like is used as a mobile phase, the column temperature is measured at 40 ° C, and calibration curve of standard polystyrene is used.

페녹시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀A 골격, 비스페놀F 골격, 비스페놀S 골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기라도 좋다. 페녹시 수지는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는, 미츠비시 카가쿠(주) 제조 「1256」 및 「4250」(모두 비스페놀A 골격 함유 페녹시 수지), 「YX8100」(비스페놀S 골격 함유 페녹시 수지), 및 「YX6954」 (비스페놀아세토페논 골격 함유 페녹시 수지)를 들 수 있고, 그 밖에도, 신닛테츠 스미킨 카가쿠(주) 제조 「FX280」 및 「FX293」, 미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX6954BH30」, 「YX7553」, 「YX7553BH30」, 「YL7769BH30」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」, 「YL7891BH30」 및 「YL7482」를 들 수 있다.Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, A phenoxy resin having at least one skeleton selected from the group consisting of a skeleton, an anthracene skeleton, an adamantane skeleton, a terpene skeleton, and a trimethyl cyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. The phenoxy resins may be used alone or in combination of two or more. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" (both phenol resins containing a bisphenol A skeleton), "YX8100" (phenoxy resin containing a bisphenol S skeleton), and "YX6954" (Phenoxy resin containing a bisphenol acetophenone skeleton). In addition, "FX280" and "FX293" manufactured by Shin Nitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., "YX6954BH30", "YX7553" YL7569BH30 "," YL6794 "," YL7213 "," YL7290 "," YL7891BH30 ", and" YL7482 ".

폴리비닐 아세탈 수지로서는, 예를 들어, 폴리비닐 포르말 수지, 폴리비닐 부티랄 수지를 들 수 있다. 폴리비닐 아세탈 수지로서는 폴리비닐부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐 아세탈 수지의 구체예로서는, 예를 들어, 덴키 카가쿠 코교(주) 제조 「전화 부티랄 4000-2」, 「전화 부티랄 5000-A」, 「전화 부티랄 6000-C」, 「전화 부티랄 6000-EP」, 세키스이 카가쿠 코교(주) 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈(예를 들어 BX-5Z), KS 시리즈(예를 들어 KS-1), BL 시리즈, BM 시리즈를 들 수 있다.Examples of the polyvinyl acetal resin include a polyvinyl formal resin and a polyvinyl butyral resin. As the polyvinyl acetal resin, a polyvinyl butyral resin is preferable. Specific examples of the polyvinyl acetal resin include polyvinyl acetal resins such as "Phone Butyral 4000-2", "Phone Butyral 5000-A", "Phone Butyral 6000-C" manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., (For example, KS-1), BL series, and BM series manufactured by Sekisui Chemical Industries, Ltd. under the trade designation "LAL 6000-EP" .

폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신닛폰 리카(주) 제조 「리카코트 SN20」 및 「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록시기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜서 수득되는 선형 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호 기재의 폴리이미드), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호 등에 기재된 폴리이미드) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다.Specific examples of the polyimide resin include "Rika coat SN20" and "Rika coat PN20" manufactured by Shin-Nippon Rikagaku Co., Ltd. Specific examples of the polyimide resin include a linear polyimide (polyimide disclosed in JP-A-2006-37083) obtained by reacting a bifunctional hydroxyl-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride, Modified polyimides such as polysiloxane skeleton-containing polyimide (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-12667 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-319386, etc.).

폴리아미드이미드 수지로서는 시판품을 사용하여도 좋다. 시판품을 사용할 수 있는 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요보(주) 제조 「바이로막스 HR11NN」 및 「바이로막스 HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는 또한, 히타치 카세이 코교(주) 제조 「KS9100」, 「KS9300」(폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드) 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.As the polyamide-imide resin, a commercially available product may be used. Specific examples of the polyamide-imide resin that can be used in the market include "Bylomex HR11NN" and "Bylomax HR16NN" manufactured by Toyobo Co., Ltd. Specific examples of the polyamide-imide resin include modified polyamideimides such as "KS9100" and "KS9300" (polysiloxane skeleton-containing polyamideimide) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

폴리에테르설폰 수지로서는 시판품을 사용하여도 좋다. 시판품을 사용할 수 있는 폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠(주) 제조 「PES5003P」를 들 수 있다.As the polyether sulfone resin, a commercially available product may be used. As a specific example of the polyether sulfone resin that can be used in the market, "PES 5003P" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. may be mentioned.

폴리설폰 수지로서는 시판품을 사용하여도 좋다. 시판품을 사용할 수 있는 구체예로서는, 솔베이 어드밴스트 폴리머즈(주) 제조 「P1700」, 「P3500」을 들 수 있다.As the polysulfone resin, a commercially available product may be used. Specific examples of commercially available products include "P1700" and "P3500" manufactured by Solvay Advanced Polymers Co., Ltd.

그 중에서도, 열가소성 수지로서는, 페녹시 수지, 폴리비닐 아세탈 수지가 바람직하다. 적합한 일 실시형태에 있어서, 열가소성 수지는, 페녹시 수지 및 폴리비닐 아세탈 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다. Among them, a phenoxy resin and a polyvinyl acetal resin are preferable as the thermoplastic resin. In a preferred embodiment, the thermoplastic resin includes at least one selected from the group consisting of a phenoxy resin and a polyvinyl acetal resin.

수지 조성물이 열가소성 수지를 함유하는 경우, 열가소성 수지의 함유량은, 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.5질량% 내지 15질량%, 보다 바람직하게는 0.6질량% 내지 12질량%, 더욱 바람직하게는 0.7질량% 내지 10질량%이다.When the resin composition contains a thermoplastic resin, the content of the thermoplastic resin is preferably 0.5% by mass to 15% by mass, more preferably 0.6% by mass to 12% by mass, based on 100% by mass of the nonvolatile component, And more preferably 0.7% by mass to 10% by mass.

<성분 (H) 난연제><Component (H) Flame Retardant>

수지 조성물은, 성분 (H) 난연제를 함유하고 있어도 좋다. 난연제로서는, 예를 들어, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물을 들 수 있다. 난연제는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 또는 2종 이상을 병용하여도 좋다.The resin composition may contain a flame retardant of component (H). Examples of the flame retardant include organic phosphorus flame retardants, organic nitrogen-containing phosphorus compounds, nitrogen compounds, silicone flame retardants and metal hydroxides. The flame retardant may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.

난연제로서는 시판품을 사용하여도 좋다. 시판품을 사용할 수 있는 난연제로서는, 예를 들어, 산코(주) 제조 「HCA-HQ」, 다이하치 카가쿠 코교(주) 제조 「PX-200」을 들 수 있다.As the flame retardant, a commercially available product may be used. Examples of the flame retardant that can be used for commercial products include "HCA-HQ" manufactured by Sanko Co., Ltd. and "PX-200" manufactured by Daihachi Chemical Co., Ltd.

수지 조성물이 난연제를 함유하는 경우, 난연제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 난연제의 함유량은, 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.5질량% 내지 20질량%이고, 보다 바람직하게는 0.5질량% 내지 15질량%이고, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 내지 10질량%이다.When the resin composition contains a flame retardant, the content of the flame retardant is not particularly limited. The content of the flame retardant is preferably 0.5% by mass to 20% by mass, more preferably 0.5% by mass to 15% by mass, and still more preferably 0.5% by mass to 10% by mass, based on 100% by mass of the non- Mass%.

<성분 (I) 임의의 첨가제><Component (I) Optional Additive>

수지 조성물은 추가로 필요에 따라 임의의 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 임의의 첨가제로서는, 예를 들어, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물, 및 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 및 착색제 등의 수지 첨가제를 들 수 있다.The resin composition may further contain optional additives as required. Examples of such optional additives include organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds and organic cobalt compounds, and resin additives such as thickeners, defoaming agents, leveling agents, adhesion promoters, and coloring agents.

<접착 필름>&Lt; Adhesive film &

접착 필름은, 지지체와, 당해 지지체 위에 형성된, 이미 설명한 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 구비하고 있다.The adhesive film comprises a support and a resin composition layer formed on the support and including the resin composition described above.

지지체Support

지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있다. 지지체로서는, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.As the support, for example, a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper can be given. As the support, a film or a metal foil made of a plastic material is preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(이하 「PET」라고 하는 경우가 있음.), 폴리에틸렌 나프탈레이트(이하 「PEN」이라고 하는 경우가 있음.) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하 「PC」라고 하는 경우가 있음.), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴 중합체, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸 셀룰로스(TAC), 폴리에테르 설파이드(PES), 폴리에테르 케톤, 폴리이미드를 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트가 바람직하고, 저렴하고 입수성이 우수하므로 폴리에틸렌 테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as a support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes referred to as "PET"), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes referred to as "PEN" (TAC), polyether sulfide (PES), polyether sulfone (PES), polyether sulfone (PES), polyether sulfone , Polyether ketone, and polyimide. Of these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and polyethylene terephthalate is particularly preferable since it is inexpensive and excellent in availability.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들어, 구리박, 알루미늄박 등을 들 수 있다. 지지체로서는, 구리박이 바람직하다. 구리박으로서는, 구리만으로 이루어진 박을 사용하여도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크로뮴, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용하여도 좋다.When a metal foil is used as the support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil. As the support, copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made only of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) good.

지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 측의 면에, 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리를 실시하여도 좋다.The support may be subjected to a matte treatment, a corona treatment, and an antistatic treatment on the side bonded to the resin composition layer.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용하여도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용할 수 있는 이형제로서는, 예를 들어, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체로서는, 시판품을 사용하여도 좋고, 예를 들어, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍(주) 제조 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」, 토레(주) 제조 「루미러 T6AM」을 들 수 있다.As the support, a support having a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. Examples of the releasing agent that can be used for the release layer of the release layer-adhered support include at least one release agent selected from the group consisting of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin. As the support for attaching the releasing layer, a commercially available product may be used. For example, "SK-1", "AL-5" and "PE-5", each of which is a PET film having a releasing layer mainly composed of an alkyd resin- AL-7 "manufactured by Toray Industries, Inc., and" Lumirror T6AM "manufactured by Toray Co., Ltd.

지지체의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 지지체의 두께는, 5㎛ 내지 75㎛의 범위인 것이 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위인 것이 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용할 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is not particularly limited. The thickness of the support is preferably in the range of 5 탆 to 75 탆, and more preferably in the range of 10 탆 to 60 탆. When the release layer-adhered support is used, it is preferable that the thickness of the entirety of the release layer-adhered support is in the above range.

수지 조성물층The resin composition layer

접착 필름이 구비하는 수지 조성물층은, 수지 바니시의 도막을 반경화한 박막이다. 접착 필름은, 예를 들어, 유기 용제에 수지 조성물을 용해한 수지 바니시를 조제하고, 이 수지 바니시를 다이 코터 등을 사용하여 지지체에 도포하고, 수지 바니시의 도막을 어느 정도 건조시켜 수지 조성물층으로 함으로써 제조할 수 있다.The resin composition layer included in the adhesive film is a thin film obtained by semi-curing a resin varnish coating film. The adhesive film can be formed, for example, by preparing a resin varnish obtained by dissolving a resin composition in an organic solvent, applying the resin varnish to a support using a die coater or the like, and drying the coating film of the resin varnish to some extent to form a resin composition layer Can be manufactured.

수지 조성물층의 형성에 사용되는 유기 용제로서는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥산온 등의 케톤류, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 셀로솔브 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 카르비톨 아세테이트 등의 아세트산 에스테르류, 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매를 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the organic solvent used for forming the resin composition layer include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone, ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, Carbitol such as cellosolve and butyl carbitol, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, amides such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone Solvent. The organic solvents may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

수지 바니시의 도막의 건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법으로 실시할 수 있다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 중의 유기 용제의 함유량이 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니시 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들어 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니시를 사용하는 경우, 수지 바니시의 도막을, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다.The coating film of the resin varnish can be dried by a known method such as heating or hot air blowing. The drying conditions are not particularly limited, but are dried so that the content of the organic solvent in the resin composition is 10 mass% or less, preferably 5 mass% or less. When using a resin varnish containing an organic solvent in an amount of 30% by mass to 60% by mass, for example, the coating film of the resin varnish may be used at a temperature ranging from 50 ° C to 150 ° C for 3 minutes Followed by drying for 10 minutes, whereby a resin composition layer can be formed.

접착 필름에 있어서, 수지 조성물층의 면 중의 지지체와 접합하고 있지 않은 측의 면(지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름을 추가로 적층할 수 있다. 보호 필름의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니다. 보호 필름의 두께는, 예를 들어, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집이 붙는 것을 억제할 수 있다. 접착 필름은, 롤 형상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다. 접착 필름이 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 벗겨서, 제거함으로써 사용 가능해진다.In the adhesive film, a protective film corresponding to the support may be further laminated on the side of the side of the resin composition layer which is not bonded to the support (the side opposite to the support). The thickness of the protective film is not particularly limited. The thickness of the protective film is, for example, 1 占 퐉 to 40 占 퐉. By laminating a protective film, adherence or scratching of dust or the like to the surface of the resin composition layer can be suppressed. The adhesive film can be rolled and stored. When the adhesive film has a protective film, it can be used by peeling and removing the protective film.

접착 필름에서의 수지 조성물층(또는 수지 조성물)의 최저 용융 점도는, 수지 조성물층이 얇아도 그 두께를 안정적으로 유지한다는 관점에서, 1000포이즈(poise) 이상인 것이 바람직하고, 1500포이즈 이상인 것이 보다 바람직하고, 2000포이즈 이상인 것이 더욱 바람직하다. 수지 조성물층의 최저 용융 점도는, 회로의 매립성을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 12000포이즈 이하이고, 보다 바람직하게는 10000포이즈 이하이고, 더욱 바람직하게는 8000포이즈 이하이고, 특히 바람직하게는 5000포이즈 이하이다.The minimum melt viscosity of the resin composition layer (or resin composition) in the adhesive film is preferably 1000 poise or more, more preferably 1500 poise or more, from the viewpoint of stably maintaining the thickness of the resin composition layer, , And more preferably 2,000 poises or more. The minimum melt viscosity of the resin composition layer is preferably 12000 poise or less, more preferably 10,000 poise or less, still more preferably 8000 poise or less, and particularly preferably 8000 poise or less, from the viewpoint of improving the filling property of the circuit 5000 poise or less.

「수지 조성물층의 최저 용융 점도」란, 수지 조성물층이 용융했을 때에 나타내는 최저의 점도를 말한다. 상세하게는, 일정한 승온 속도로 수지 조성물층을 가열하여 용융시키면, 초기에서는 용융 점도가 온도 상승과 함께 저하되고, 그 후, 어느 정도의 시간의 경과에 의해 온도 상승과 함께 용융 점도가 상승한다. 최저 용융 점도란, 용융 점도가 가장 저하된 극소점의 용융 점도를 말한다. 수지 조성물층의 최저 용융 점도는, 동적 점탄성법에 의해 측정할 수 있다.The &quot; minimum melt viscosity of the resin composition layer &quot; refers to the lowest viscosity exhibited when the resin composition layer is melted. Specifically, when the resin composition layer is melted by heating at a constant heating rate, the melt viscosity decreases at the initial stage as the temperature rises. Thereafter, as the temperature rises, the melt viscosity increases with the lapse of a certain period of time. The lowest melt viscosity refers to the melt viscosity at the minimum point where the melt viscosity is the lowest. The minimum melt viscosity of the resin composition layer can be measured by a dynamic viscoelasticity method.

<프리프레그><Prepreg>

고주파 회로 기판에 따른 절연층은, 이미 설명한 접착 필름 대신에, 프리프레그를 사용하여 형성하여도 좋다. 프리프레그는, 시트상 섬유 기재에 후술하는 수지 조성물을 함침시켜 형성할 수 있다.The insulating layer along the high frequency circuit board may be formed using a prepreg instead of the adhesive film already described. The prepreg can be formed by impregnating a sheet-like fiber substrate with a resin composition described later.

프리프레그에 사용되는 시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않는다. 시트상 섬유 기재로서는, 글래스 클로스(glass cloth), 아라미드 부직포, 액정 중합체 부직포 등의 프리프레그용 기재로서 상용되어 있는 것을 사용할 수 있다. 고주파 회로 기판의 박형화의 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는, 바람직하게는 900㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 800㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 700㎛ 이하이고, 보다 더 바람직하게는 600㎛ 이하이다. 도체층의 형성에 따른 도금의 침투 깊이를 작게 억제할 수 있으므로, 30㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 10㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 시트상 섬유 기재의 두께는, 통상, 1㎛ 이상으로 할 수 있고, 1.5㎛ 이상으로 할 수 있고, 2㎛ 이상으로 할 수 있다.The sheet-like fibrous substrate used in the prepreg is not particularly limited. As the sheet-like fiber base material, those commonly used as prepreg substrates such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric can be used. From the viewpoint of thinning of the high-frequency circuit board, the thickness of the sheet-like fiber base material is preferably 900 m or less, more preferably 800 m or less, further preferably 700 m or less, and still more preferably 600 m Or less. The penetration depth of the plating due to the formation of the conductor layer can be suppressed to a small value. Therefore, the thickness is preferably 30 占 퐉 or less, more preferably 20 占 퐉 or less, and further preferably 10 占 퐉 or less. The thickness of the sheet-like fibrous base material can be usually 1 占 퐉 or more, 1.5 占 퐉 or more, and 2 占 퐉 or more.

프리프레그는, 핫멜트법, 솔벤트법 등의 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.And can be produced by a known method such as prepreg, hot melt method, solvent method and the like.

프리프레그의 두께는, 상술한 접착 필름에서의 수지 조성물층과 동일한 범위로 할 수 있다.The thickness of the prepreg can be the same as that of the resin composition layer in the above-mentioned adhesive film.

[고주파 회로 기판][High frequency circuit board]

본 발명의 고주파 회로 기판은, 고주파 회로 기판의 절연층 형성용인, 이미 설명한 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함한다.The high-frequency circuit board of the present invention includes an insulating layer formed by a cured product of the resin composition described above for forming an insulating layer of a high-frequency circuit board.

여기서 「고주파 회로 기판」이란, 고주파대역의 전기 신호라도 동작시킬 수 있는 회로 기판을 의미한다. 여기에서 「고주파 대역」이란, 1GHz 이상의 대역을 의미하며, 본 발명에서는 특히 28GHz 내지 80GHz의 대역에서 유효하다.Here, the term &quot; high frequency circuit board &quot; means a circuit board capable of operating even an electric signal of a high frequency band. Here, the &quot; high frequency band &quot; means a band of 1 GHz or more, and is particularly effective in the band of 28 GHz to 80 GHz in the present invention.

고주파 회로 기판이 구비하고 있는, 내층 회로 기판 및 이 내층 회로 기판에 형성되어 있는 절연층 각각에 대하여 설명한다.An inner layer circuit board and an insulating layer formed on the inner layer circuit board provided in the high frequency circuit board will be described.

<내층 회로 기판><Inner layer circuit board>

「내층 회로 기판」이란, 코어 기재인 예를 들어 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판과 같은 기판의 편면측 도는 양면측의 주 표면에, 직접적 또는 간접적으로 소정의 패턴으로 패턴 가공된 도체층(배선층), 즉 전기적인 회로를 구비하고 있는 기판을 말한다.The term &quot; inner layer circuit board &quot; means a substrate such as a core substrate, such as a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate and a thermosetting polyphenylene ether substrate, Refers to a substrate provided with a conductor layer (wiring layer), that is, an electric circuit patterned on a surface in a predetermined pattern, directly or indirectly.

고주파 회로 기판에 사용할 수 있는 내층 회로 기판의 두께는, 통상 50㎛ 내지 4000㎛이고, 고주파 회로 기판의 기계적 강도의 향상 및 저배화(두께의 저감)의 관점에서, 바람직하게는 200㎛ 내지 3200㎛이다.The thickness of the inner-layer circuit board which can be used for the high-frequency circuit board is usually 50 μm to 4000 μm, and from the viewpoint of improvement of the mechanical strength of the high-frequency circuit board and reduction in thickness (reduction in thickness), preferably 200 μm to 3200 μm to be.

내층 회로 기판에는, 내층 회로 기판이 구비하는 양면측의 2층의 도체층(및 절연층에 형성되는 도체층)을 서로 전기적으로 접속하기 위해, 한쪽의 주표면에서 다른 쪽의 주표면에 이르는 1개 이상의 스루홀이 형성되어 있어도 좋고, 수동 소자와 같은 임의 적합한 추가 구성 요소를 구비하고 있어도 좋다.In order to electrically connect the two conductor layers on both surfaces of the inner layer circuit board (and the conductor layer formed on the insulating layer) provided on the inner layer circuit board, one Or more through holes may be formed, or may have any suitable additional component such as a passive element.

<절연층>&Lt; Insulating layer &

고주파 회로 기판에 따른 절연층은, 후술하는 수지 조성물을 열경화한 경화물의 층이다. 이러한 경화물로 이루어진 절연층은, 특히 고주파 회로 기판용의 절연층에 적합하게 적용할 수 있다.The insulating layer along the high frequency circuit board is a layer of a cured product obtained by thermally curing a resin composition described later. The insulating layer made of such a cured product can be suitably applied to an insulating layer particularly for a high-frequency circuit board.

고주파 회로 기판에 있어서, 절연층은 1층만이 형성되어 있어도 좋고, 2층 이상이 형성되어 있어도 좋다. 또한, 2층 이상의 절연층이 형성되는 경우에는, 도체층(배선)과 절연층이 교대로 적층된 빌드업층으로서 형성할 수 있다.In the high frequency circuit board, the insulating layer may be formed only on one layer, or two or more layers may be formed on the insulating layer. When two or more insulating layers are formed, a buildup layer in which a conductor layer (wiring) and an insulating layer are alternately laminated can be formed.

고주파 회로 기판에 따른 절연층의 두께는, 통상 20㎛ 내지 200㎛이고, 전기적 특성의 향상과 고주파 회로 기판의 저배화의 관점에서, 바람직하게는 50㎛ 내지 150㎛이다.The thickness of the insulating layer along the high frequency circuit board is usually 20 to 200 占 퐉 and preferably 50 to 150 占 퐉 in view of improvement of electrical characteristics and reduction of the frequency of the high frequency circuit board.

절연층은, 내층 회로 기판이 구비하는 도체층과 절연층에 형성되는 도체층을 전기적으로 접속하기 위한, 또는 2층 이상의 절연층에 형성되는 도체층끼리를 전기적으로 접속하기 위한 1개 이상의 비아홀을 구비하고 있어도 좋다.The insulating layer may be formed of at least one via hole for electrically connecting the conductor layer provided in the inner layer circuit board and the conductor layer formed in the insulating layer or for electrically connecting the conductor layers formed in the two or more insulating layers May be provided.

절연층의 유전율은, 보다 낮은 것이 바람직하다. 유전율은, 고주파의 전기 신호의 전송 손실을 보다 작게 하는 관점에서, 3.0 이하인 것이 바람직하고, 2.9 이하인 것이 보다 바람직하고, 2.8 이하인 것이 더욱 바람직하다. 유전율의 하한치는 특별히 한정되지 않지만, 통상 1 이상이 된다.It is preferable that the dielectric constant of the insulating layer is lower. The dielectric constant is preferably 3.0 or less, more preferably 2.9 or less, and even more preferably 2.8 or less from the viewpoint of reducing the transmission loss of the high-frequency electric signal. The lower limit of the permittivity is not particularly limited, but is usually 1 or more.

절연층은, 보다 낮은 유전 정접을 나타내는 것이 바람직하다. 유전 정접은, 고주파 신호의 전송시의 발열 방지, 신호 지연 및 신호 노이즈의 저감의 관점에서, 0.0049 이하인 것이 바람직하고, 0.0048 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.0047 이하인 것이 더욱 바람직하다. 유전 정접의 하한치는 특별히 제한되지 않지만, 통상 0.0001 이상이 된다.The insulating layer preferably exhibits a lower dielectric loss tangent. The dielectric loss tangent is preferably 0.0049 or less, more preferably 0.0048 or less, and even more preferably 0.0047 or less from the viewpoints of prevention of generation of heat during transmission of a high-frequency signal, reduction of signal delay, and reduction of signal noise. The lower limit of the dielectric tangent is not particularly limited, but is usually 0.0001 or more.

유전 정접 및 유전율은, 후술하는 「유전율 및 유전 정접의 측정 및 평가」에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.The dielectric tangent and dielectric constant can be measured according to the method described in &quot; Measurement and evaluation of dielectric constant and dielectric tangent &quot;

고주파 회로 기판에 관한 절연층은, 도체층에 대한 양호한 밀착성, 즉 도체층에 대한 우수한 필 강도를 나타낸다. 도체층에 대한 필 강도는, 바람직하게는 0.4kgf/cm 이상이고, 보다 바람직하게는 0.5kgf/cm 이상이고, 더욱 바람직하게는 0.6kgf/cm 이상이다. 도체층에 대한 필 강도의 상한치는 특별히 제한되지 않지만, 통상 2kgf/cm 이하가 된다. 도체층에 대한 필 강도의 평가는, 후술하는 「필 강도의 측정 및 평가」에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.The insulating layer with respect to the high frequency circuit board shows good adhesion to the conductor layer, that is, excellent peel strength to the conductor layer. The fill strength of the conductor layer is preferably 0.4 kgf / cm or more, more preferably 0.5 kgf / cm or more, and further preferably 0.6 kgf / cm or more. The upper limit value of the peel strength with respect to the conductor layer is not particularly limited, but is usually 2 kgf / cm or less. The evaluation of the peel strength with respect to the conductor layer can be carried out according to the method described in &quot; Measurement and Evaluation of Peel Strength &quot;

[고주파 회로 기판의 제조 방법][Manufacturing method of high frequency circuit board]

다음에, 고주파 회로 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a method for manufacturing a high-frequency circuit board will be described.

고주파 회로 기판은, 이미 설명한 접착 필름을 사용하여, 하기 공정 (Ⅰ) 및 공정 (Ⅱ)를 포함하는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.The high-frequency circuit board can be manufactured by a manufacturing method including the following steps (I) and (II) using the adhesive film already described.

공정 (Ⅰ) 내층 회로 기판에, 접착 필름을, 당해 접착 필름의 수지 조성물층이 내층 회로 기판과 접합하도록 적층하는 공정Process (I) A step of laminating an adhesive film on the inner layer circuit board and bonding the resin composition layer of the adhesive film to the inner layer circuit board

공정 (Ⅱ) 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하는 공정Process (II) Step of thermally curing the resin composition layer to form an insulating layer

내층 회로 기판으로의 접착 필름의 적층은, 예를 들어, 지지체측부터 접착 필름을 내층 회로 기판에 가압하면서 가열하는 가열 압착 공정에 의해 수행할 수 있다. 가열 압착 공정을 위한 부재(「가열 압착 부재」라고도 함)로서는, 예를 들어, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤)을 들 수 있다. 또한, 내열 압착 부재를 접착 필름의 지지체에 직접적으로 꽉 눌러 프레스하는 것이 아니라, 내층 회로 기판의 주표면의 요철에 접착 필름이 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.The lamination of the adhesive film to the inner layer circuit board can be performed, for example, by a heat pressing process in which the adhesive film is heated while being pressed against the inner layer circuit board from the support side. Examples of members (also referred to as &quot; hot pressing members &quot;) for a hot pressing process include a heated metal plate (SUS hard plate) or a metal roll (SUS roll). It is also preferable to press the heat resistant compression member through an elastic material such as heat resistant rubber such that the heat resistant compression member does not press directly on the support of the adhesive film and presses the adhesive film sufficiently to the unevenness of the main surface of the inner layer circuit board .

내층 회로 기판과 접착 필름의 적층은, 진공 라미네이트법으로 실시할 수 있다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착의 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃의 범위이고, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이다. 가열 압착의 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa의 범위이고, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이고, 가열 압착의 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간의 범위이고, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시한다.The lamination of the inner layer circuit board and the adhesive film can be carried out by a vacuum lamination method. In the vacuum laminating method, the temperature of hot pressing is preferably in the range of 60 占 폚 to 160 占 폚, and more preferably in the range of 80 占 폚 to 140 占 폚. The pressure of the hot pressing is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably in the range of 0.29 MPa to 1.47 MPa, and the time of the hot pressing is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, Preferably from 30 seconds to 300 seconds. The lamination is preferably performed under a reduced pressure of 26.7 hPa or less.

적층은, 시판의 진공 라미네이터에 의해 수행할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들어, (주)메이키 세사쿠쇼 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코 머티리얼즈(주) 제조의 베큠 어플리케이터를 들 수 있다.The lamination can be performed by a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, there can be mentioned, for example, a vacuum pressurized laminator manufactured by Meikishesakusho Co., Ltd., and a baking applicator manufactured by Nikko Materials Co., Ltd.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들어, 가열 압착 부재로 지지체측부터 더 프레스함으로써, 적층된 수지 조성물층의 평활화 처리를 수행하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착의 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는, 시판의 라미네이터에 의해 수행할 수 있다. 또한, 적층 및 평활화 처리는, 상기의 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 수행하여도 좋다.After lamination, the laminated resin composition layer may be subjected to a smoothing treatment by further pressing under atmospheric pressure (at atmospheric pressure), for example, from the support side with a hot press member. The pressing condition of the smoothing process may be the same as the condition of the hot pressing of the laminate. The smoothing process can be performed by a commercially available laminator. The lamination and smoothing process may be performed continuously using the commercially available vacuum laminator.

지지체는, 공정 (Ⅰ)과 공정 (Ⅱ) 사이에 제거하여도 좋고, 공정 (Ⅱ) 후에 제거하여도 좋다.The support may be removed between the step (I) and the step (II) or may be removed after the step (II).

공정 (Ⅱ)에 있어서, 적층(및 평활화 처리)된 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다.In the step (II), the resin composition layer laminated (and smoothed) is thermally cured to form an insulating layer.

수지 조성물층의 열경화의 조건은 특별히 한정되지 않고, 고주파 회로 기판의 절연층을 형성할 때에 통상 채용되는 조건을 채용할 수 있다.The conditions of the thermosetting of the resin composition layer are not particularly limited, and conditions that are generally adopted when forming the insulating layer of the high-frequency circuit board can be employed.

수지 조성물층의 열경화 조건은, 예를 들어, 경화 온도를 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위)로 하고, 경화 시간을 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)으로 할 수 있다.The thermosetting condition of the resin composition layer is set, for example, by setting the curing temperature in the range of 120 캜 to 240 캜 (preferably in the range of 150 캜 to 220 캜, more preferably in the range of 170 캜 to 200 캜) The curing time may be in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열하여도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물층을 열경화하기에 앞서, 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물층을 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간) 예비 가열하여도 좋다.The resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature before thermosetting the resin composition layer. For example, before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer is heated at a temperature of 50 ° C or more and less than 120 ° C (preferably 60 ° C or more and 110 ° C or less, more preferably 70 ° C or more and 100 ° C or less) Preheating may be performed for 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

고주파 회로 기판을 제조할 때에는, (Ⅲ) 절연층에 천공하는 공정, (Ⅳ) 절연층을 조화 처리하는 공정, 및 (Ⅴ) 도체층을 형성하는 공정 중 어느 하나를 추가로 실시하여도 좋다. 이들 공정 (Ⅲ) 내지 (Ⅴ)는, 고주파 회로 기판의 제조에 사용되는, 당업자에게 공지의 각종 방법에 따라 실시할 수 있다. 또한, 지지체를 공정 (Ⅱ) 후에 제거하는 경우, 당해 지지체의 제거는, 공정 (Ⅱ)와 공정 (Ⅲ)의 사이, 공정 (Ⅲ)과 공정 (Ⅳ)의 사이, 또는 공정 (Ⅳ)와 공정 (Ⅴ)의 사이에 실시할 수 있다.In manufacturing the high-frequency circuit board, either the step of (III) piercing the insulating layer, (IV) the step of roughening the insulating layer, or the step of forming the conductor layer (V) may be further performed. These steps (III) to (V) can be carried out according to various methods known to those skilled in the art, which are used for manufacturing a high-frequency circuit board. When the support is removed after the step (II), the removal of the support is carried out between the step (II) and the step (III), between the step (III) and the step (IV) (V).

다른 실시형태에 있어서, 본 발명의 고주파 회로 기판에 따른 절연층은, 접착 필름 대신에, 이미 설명한 프리프레그를 사용하여 형성하여도 좋다. 프리프레그를 사용하는 절연층의 형성은, 기본적으로 접착 필름을 사용하는 경우와 동일한 공정에 의해 실시할 수 있다.In another embodiment, the insulating layer according to the high-frequency circuit board of the present invention may be formed using the prepreg described above instead of the adhesive film. The formation of the insulating layer using the prepreg can basically be carried out by the same process as in the case of using an adhesive film.

공정 (Ⅲ)은, 절연층에 천공하는 공정이며, 이로써 절연층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 공정 (Ⅲ)은, 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성 등에 따라, 예를 들어, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용하여 실시할 수 있다. 홀의 치수나 형상은, 고주파 회로 기판의 디자인에 따라 적절히 결정할 수 있다.The step (III) is a step of perforating the insulating layer, whereby holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. The step (III) can be carried out using, for example, a drill, a laser, a plasma or the like depending on the composition of the resin composition used for forming the insulating layer. The dimensions and shape of the holes can be appropriately determined according to the design of the high-frequency circuit board.

공정 (Ⅳ)는, 절연층을 조화 처리하는 공정이다. 조화 처리의 수순, 조건은 특별히 한정되지 않고, 고주파 회로 기판의 절연층을 형성할 때에 통상 사용되는 공지의 수순, 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순으로 실시하여 절연층을 조화 처리할 수 있다. 팽윤액은 특별히 한정되지 않는다. 팽윤액으로서는, 예를 들어 알칼리 용액, 계면 활성제 용액을 들 수 있다. 팽윤액은, 바람직하게는 알칼리 용액이고, 당해 알칼리 용액으로서는, 수산화 나트륨 용액, 수산화 칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬(주) 제조 「스웰링 딥 시큐리간스 P」, 「스웰링 딥 시큐리간스 SBU」를 들 수 있다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 특별히 한정되지 않는다. 팽윤 처리는, 예를 들어, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지함으로써 수행할 수 있다. 절연층의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다. 산화제는 특별히 한정되지 않는다. 산화제로서는, 예를 들어, 수산화 나트륨의 수용액에 과망간산 칼륨이나 과망간산 나트륨을 용해시킨 알카리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알카리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜서 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 알카리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬(주) 제조 「콘센트레이트 컴팩트 CP」, 「도징 솔루션 시큐리간스 P」 등의 알카리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 중화액으로서는 산성의 수용액이 바람직하다. 중화액의 시판품으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬(주) 제조 「리덕션 솔루션 시큐리간트 P」를 들 수 있다. 중화액에 의한 처리는, 산화제에 의한 조화 처리가 된 절연층의 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 수행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 된 절연층을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.Step (IV) is a step of roughening the insulating layer. The procedure and condition of the roughening treatment are not particularly limited, and known procedures and conditions commonly used in forming the insulating layer of the high-frequency circuit board can be adopted. For example, the swelling treatment by the swelling liquid, the coarsening treatment by the oxidizing agent, and the neutralization treatment by the neutralizing liquid can be performed in this order to roughen the insulating layer. The swelling liquid is not particularly limited. The swelling liquid includes, for example, an alkali solution and a surfactant solution. The swelling liquid is preferably an alkali solution, and as the alkali solution, a sodium hydroxide solution or a potassium hydroxide solution is more preferable. Examples of commercially available swelling solutions include Swelling Deep Securigans P and Swelling Deep Securigans SBU manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. The swelling treatment by the swelling liquid is not particularly limited. The swelling treatment can be carried out, for example, by immersing the insulating layer in a swelling solution at 30 占 폚 to 90 占 폚 for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin in the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in the swelling liquid at 40 占 폚 to 80 占 폚 for 5 minutes to 15 minutes. The oxidizing agent is not particularly limited. As the oxidizing agent, for example, an alkali permanganic acid solution obtained by dissolving potassium permanganate or sodium permanganate in an aqueous solution of sodium hydroxide can be mentioned. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably carried out by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated at 60 캜 to 80 캜 for 10 minutes to 30 minutes. The concentration of the permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as "Concentrate Compact CP" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., and "Dozing Solution Securigans P". As the neutralizing solution, an acidic aqueous solution is preferable. As a commercially available product of the neutralization liquid, for example, "Reduction Solution Securigant P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. may be mentioned. The treatment with the neutralizing liquid can be carried out by immersing the treated surface of the insulating layer subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 30 ° C to 80 ° C for 5 minutes to 30 minutes. It is preferable to immerse the insulating layer subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 40 占 폚 to 70 占 폚 for 5 minutes to 20 minutes in terms of workability and the like.

일 실시형태에 있어서, 조화 처리 후의 절연층 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 바람직하게는 280nm 이하이고, 보다 바람직하게는 250nm 이하이고, 더욱 바람직하게는 200nm 이하이고, 140nm 이하, 130nm 이하, 120nm 이하, 110nm 이하, 100nm 이하, 95nm 이하, 또는 90nm 이하이다. Ra값은 0.5nm 이상인 것이 바람직하고, 1nm 이상인 것이 보다 바람직하다. 절연층의 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 비접촉형 표면 조도계를 사용하여 측정할 수 있다. 비접촉형 표면 조도계의 구체예로서는, 비코 인스트루먼츠사 제조 「WYKO NT3300」을 들 수 있다.In one embodiment, the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 280 nm or less, more preferably 250 nm or less, further preferably 200 nm or less, 140 nm or less, 120 nm or less, 110 nm or less, 100 nm or less, 95 nm or less, or 90 nm or less. The Ra value is preferably 0.5 nm or more, more preferably 1 nm or more. The arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the insulating layer can be measured using a non-contact surface roughness meter. A specific example of the non-contact surface roughness meter is "WYKO NT3300" manufactured by Vico Instruments.

공정 (Ⅴ)는 도체층을 형성하는 공정이다.Step (V) is a step of forming a conductor layer.

도체층에 사용되는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크로뮴, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는, 예를 들어, 상기의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크로뮴 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층의 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크로뮴, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크로뮴 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티탄 합금의 합금층이 바람직하고, 크로뮴, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크로뮴 합금의 합금층이 보다 바람직하고, 구리의 단금속층이 더욱 바람직하다.The conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer comprises at least one metal selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium do. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. Examples of the alloy layer include alloys of two or more metals selected from the above-mentioned group (for example, nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy and copper- ). &Lt; / RTI &gt; Among them, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper or a nickel-chromium alloy, copper-nickel Alloy or a copper-titanium alloy layer is preferable, and a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or an alloy layer of nickel-chromium alloy is more preferable, A metal layer is more preferable.

도체층은, 단층 구조라도, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층한 다층 구조라도 좋다. 도체층이 다층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은, 크로뮴, 아연 또는 티탄의 단금속층, 또는 니켈·크로뮴 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different kinds of metals or alloys are stacked. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of nickel-chromium alloy.

도체층의 두께는, 통상 3㎛ 내지 200㎛이고, 바람직하게는 10㎛ 내지 100㎛이다.The thickness of the conductor layer is usually 3 탆 to 200 탆, preferably 10 탆 to 100 탆.

일 실시형태에 있어서, 도체층은 접착 필름의 지지체로서 사용된 금속박을 이용하여, 이것을 직접적으로 패터닝하여 형성할 수도 있고, 또한 도금에 의해 형성할 수 있다. 도금에 의한 형성 방법으로서는, 예를 들어, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법과 같은 종래 공지의 방법에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 이하, 도체층을 세미 어디티브법으로 형성하는 예에 대하여 설명한다.In one embodiment, the conductor layer can be formed by directly patterning the metal foil used as the support of the adhesive film, or by plating. As a forming method by plating, it is possible to form a conductor layer having a desired wiring pattern by plating on the surface of the insulating layer by a conventionally known method such as a semi-insulating method or a pulling method. Hereinafter, an example in which the conductor layer is formed by the semi-specific method will be described.

우선, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하도록 도금 시드층의 일부분을 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Subsequently, a mask pattern is formed on the formed plating seed layer to expose a part of the plating seed layer so as to correspond to the desired wiring pattern. A metal layer is formed on the exposed plating seed layer by electrolytic plating, and then the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer is removed by etching or the like, and a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed.

고주파 회로 기판이 2층 이상의 절연층 및 배선층(빌드업층)을 구비하는 경우에는, 이미 설명한 절연층의 형성 공정, 도체층의 형성 공정을 추가로 1회 이상 반복해서 실시함으로써 고주파 회로로서 기능할 수 있는 다층 배선 구조를 구비하는 고주파 회로 기판을 제조할 수 있다.When the high-frequency circuit board has two or more insulating layers and wiring layers (build-up layers), it is possible to function as a high-frequency circuit by repeating the above-described step of forming the insulating layer and the step of forming the conductor layer A high-frequency circuit board having a multilayer interconnection structure can be manufactured.

[반도체 장치][Semiconductor device]

반도체 장치는, 이미 설명한 고주파 회로 기판을 포함한다. 바꿔 말하면, 본 발명의 반도체 장치는, 본 발명의 고주파 회로 기판을 사용하여 제조할 수 있다.The semiconductor device includes the high-frequency circuit board already described. In other words, the semiconductor device of the present invention can be manufactured by using the high frequency circuit board of the present invention.

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라 및 TV 등) 및 탈 것(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided in electric products (e.g., a computer, a mobile phone, a digital camera and a TV) and a vehicle (e.g., a motorcycle, an automobile, a tanker, .

반도체 장치는, 고주파 회로 기판의 도통 개소에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통 개소」란, 「고주파 회로 기판에서의 전기 신호를 전송할 수 있는 개소」로서, 그 개소는 고주파 회로 기판의 표면이라도, 고주파 회로 기판의 두께 내에 매립된 개소라도 상관 없다. 또한, 반도체 칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자이면 특별히 한정되지 않는다.The semiconductor device can be manufactured by mounting a component (semiconductor chip) in a conductive portion of the high-frequency circuit board. The &quot; conduction point &quot; is a position where the electric signal can be transmitted from the high-frequency circuit board, and the position may be the surface of the high-frequency circuit board or the portion embedded in the thickness of the high- The semiconductor chip is not particularly limited as long as it is an electric circuit element made of a semiconductor material.

본 발명의 반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은, 반도체 칩이 유효하게 기능하기만 한다면 특별히 한정되지 않는다. 반도체 칩의 실장 방법으로서는, 구체적으로는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립칩 실장 방법, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법을 들 수 있다. 여기서, 「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체 칩을 고주파 회로 기판에 직접적으로 매립하여, 반도체 칩과 고주파 회로 기판의 배선을 접속시키는 실장 방법」을 의미한다.The method of mounting the semiconductor chip in manufacturing the semiconductor device of the present invention is not particularly limited as long as the semiconductor chip effectively functions. As a mounting method of the semiconductor chip, specifically, a wire bonding method, a flip chip mounting method, a mounting method using a bumpless buildup layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF) As shown in Fig. Here, the "mounting method using the bumpless buildup layer (BBUL)" means "a mounting method in which a semiconductor chip is directly buried in a high-frequency circuit board to connect the semiconductor chip and the wiring of the high-frequency circuit board".

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하겠지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재에 있어서, 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described concretely with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following description, &quot; part &quot; and &quot;% &quot; mean &quot; part by mass &quot; and &quot;% by mass &quot;, respectively, unless otherwise specified.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 20부를 솔벤트 나프타 20부에 교반하면서 가열 용해하고, 그 후 상온으로까지 냉각하였다. 무기 충전재(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 단위 표면적당의 카본량 0.38mg/㎡) 60부, PTFE 입자(다이킨 코교(주) 제조 「루브론 L-2」, 평균 입자 직경 3㎛) 30부를 혼합하고, 3개 롤로 혼련하여 분산시켰다. 거기에, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223의 불휘발 성분 65%의 톨루엔 용액) 46.1부, 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물(비닐 화합물)(신나카무라 카가쿠코교사 제조 「A-DOG」) 10부, 경화 촉진제인 4-디메틸아미노피리딘(DMAP)의 5%의 MEK 용액 2부 및 디쿠밀퍼옥사이드(니치유사 제조 「퍼쿠밀 D」) 0.13부를 혼합하고, 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니시 1을 조제하였다.20 parts of biquilene-type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 185) was dissolved by heating in 20 parts of solvent naphtha with stirring, and then cooled to room temperature. , 60 parts of an inorganic filler ("SO-C2" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter of 0.5 μm, carbon content per unit surface area of 0.38 mg / m 2), 60 parts of PTFE particles ("Lubron L-2" manufactured by Daikin Industries, , Average particle diameter: 3 占 퐉) were mixed and kneaded with three rolls and dispersed. Thereafter, 46.1 parts of an active ester type curing agent ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Co., a toluene solution of a nonvolatile component having an active equivalent of about 223) of 46.1 parts, a compound (vinyl compound) having a cyclic ether structure 10 parts of "A-DOG" manufactured by Shin Nakamura Kagakuko Co., Ltd.), 2 parts of a 5% MEK solution of 4-dimethylaminopyridine (DMAP) as a curing accelerator and 0.1 parts of dicumyl peroxide Were mixed and uniformly dispersed with a rotary mixer to prepare resin varnish 1.

<실시예 2>&Lt; Example 2 >

비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185)를 30부, 무기 충전재(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 단위 표면적당의 카본량 0.38mg/㎡)를 50부로 변경하고, PTFE 입자(다이킨 코교(주) 제조 「루브론 L-2」, 평균 입자 직경 3㎛)를 21부로 변경하고, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223의 불휘발 성분 65%의 톨루엔 용액)을 61.5부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시 2를 조제하였다.("SO-C2" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 mu m, carbon content 0.38 (weight per unit surface area)), 30 parts of bicyclopenol epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., ("Lubron L-2" manufactured by Daikin Industries, Ltd., average particle diameter: 3 μm) was changed to 21 parts, and an active ester type curing agent ("HPC -8000-65T &quot;, a toluene solution of 65% of a nonvolatile component having an active equivalent weight of about 223) was changed to 61.5 parts. Resin varnish 2 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

<실시예 3>&Lt; Example 3 >

무기 충전재(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5 ㎛, 단위 표면적당의 카본량 0.38mg/㎡)를 80부로 변경하고, PTFE 입자(다이킨 코교(주) 제조 「루브론 L-2」, 평균 입자 직경 3㎛)를 20부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시 3을 조제하였다.Inorganic filler (&quot; SO-C2 &quot; manufactured by Adomex, Inc., average particle diameter 0.5 (Carbon content per unit surface area of 0.38 mg / m 2) was changed to 80 parts, and 20 parts of PTFE particles ("Lubron L-2" manufactured by Daikin Industries, Ltd., average particle diameter 3 μm) were changed. Resin varnish 3 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

<실시예 4><Example 4>

무기 충전재(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 단위 표면적당의 카본량 0.38mg/㎡)를 80부로 변경하고, PTFE 입자(다이킨 코교(주) 제조 「루브론 L-2」, 평균 입자 직경 3㎛)를 60부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시 4를 조제하였다., And 80 parts of an inorganic filler ("SO-C2" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm, carbon amount per unit surface area 0.38 mg / m 2) was changed to 80 parts, and PTFE particles ("Rubron L-2 &quot;, average particle diameter 3 mu m) was changed to 60 parts. Resin varnish 4 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185)를 30부로 변경하고, 무기 충전재(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 단위 표면적당의 카본량 0.38mg/㎡)를 100부로 변경하고, PTFE 입자(다이킨 코교(주) 제조 「루브론 L-2」, 평균 입자 직경 3㎛)를 20부로 변경하고, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223의 불휘발 성분 65%의 톨루엔 용액)를 61.5부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시 5를 조제하였다.("SO-C2" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 mu m, carbon of unit surface area (weight per unit surface area), and the like) was changed to 30 parts, (Lubron L-2 manufactured by Daikin Industries, Ltd., average particle diameter: 3 mu m) was changed to 20 parts, and an active ester type curing agent (manufactured by DIC Corporation) &Quot; HPC-8000-65T &quot;, a toluene solution of 65% of a nonvolatile component having an active equivalent of about 223) was changed to 61.5 parts. Resin varnish 5 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

무기 충전재(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 단위 표면적당의 카본량 0.38mg/㎡)를 15부로 변경하고, PTFE 입자(다이킨 코교(주) 제조 「루브론 L-2」, 평균 입자 직경 3㎛)를 50부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시 6을 조제하였다., 15 parts of an inorganic filler (&quot; SO-C2 &quot; manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter of 0.5 mu m, carbon content per unit surface area of 0.38 mg / L-2 &quot;, average particle diameter: 3 mu m) was changed to 50 parts. Resin varnish 6 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

<비교예 3>&Lt; Comparative Example 3 &

무기 충전재(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 단위 표면적당의 카본량 0.38mg/㎡)를 20부로 변경하고, PTFE 입자(다이킨 코교(주) 제조 「루브론 L-2」, 평균 입자 직경 3㎛)를 5부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시 7을 조제하였다., And 20 parts of an inorganic filler ("SO-C2" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm, carbon amount per unit surface area 0.38 mg / m 2) was changed to 20 parts, and PTFE particles ("Rubron L-2 &quot;, average particle diameter 3 mu m) was changed to 5 parts. Resin varnish 7 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

<비교예 4>&Lt; Comparative Example 4 &

무기 충전재(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 단위 표면적당의 카본량 0.38mg/㎡)를 35부로 변경하고, PTFE 입자(다이킨 코교(주) 제조 「루브론 L-2」, 평균 입자 직경 3㎛)를 80부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시 8을 조제하였다., 35 parts of an inorganic filler ("SO-C2" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter of 0.5 μm, carbon content per unit surface area of 0.38 mg / m 2) was changed to 35 parts, and PTFE particles (Lubron L-2 &quot;, average particle diameter 3 mu m) was changed to 80 parts. Resin varnish 8 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

<비교예 5>&Lt; Comparative Example 5 &

활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223의 불휘발 성분 65%의 톨루엔 용액)을 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제(페놀성 수산기 당량 215, 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN-485」, 불휘발 성분 50%의 MEK 용액)를 40부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시 9를 조제하였다.An active ester type curing agent ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Corporation, a toluene solution of a nonvolatile component having an active equivalent weight of about 223 of 65%) was mixed with a naphthol type curing agent (phenolic hydroxyl equivalent 215, SN-485 &quot;, manufactured by Kagaku Co., Ltd .; MEK solution of non-volatile component 50%) was changed to 40 parts. Resin varnish 9 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

<비교예 6>&Lt; Comparative Example 6 >

노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제(페놀성 수산기 당량 215, 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN-485」, 불휘발 성분 50%의 MEK 용액)을 20부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 비교예 5와 동일하게 하여 수지 바니시 10을 조제하였다.(Phenolic hydroxyl equivalent 215, SN-485 manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., MEK solution of 50% non-volatile component) having a novolak structure was changed to 20 parts. Resin varnish 10 was prepared in the same manner as in Comparative Example 5 except for the above.

[평가 방법][Assessment Methods]

상술한 실시예 및 비교예에서 얻은 수지 조성물을 사용하여, 하기와 같이 수지 조성물층을 경화한 경화물 필름을 제작하여, 하기의 방법에 의해 평가하였다.Using the resin compositions obtained in the above-mentioned Examples and Comparative Examples, a cured film obtained by curing the resin composition layer as described below was prepared and evaluated by the following method.

<경화물 필름(평가용 샘플)의 제작>&Lt; Production of Cured Carrier Film (Evaluation Sample)

실시예 및 비교예에서 얻은 수지 바니시 1 내지 10 각각을, 이형 처리된 PET 필름(린텍(주) 제조 「PET501010」)의 한쪽의 주표면에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 40㎛가 되도록 다이 코터로 균일하게 도포하고, 80℃ 내지 110℃(평균 95℃)에서 6분간 건조시켰다. 그 후, 200℃에서 90분간 열처리하여, 지지체를 박리하여 제거함으로써 경화물 필름을 얻었다. 얻어진 경화물 필름을 길이 80mm, 폭 2mm의 직사각형상으로 잘라내어 평가용 샘플로 하였다.Each of the resin varnishes 1 to 10 obtained in Examples and Comparative Examples was applied to one main surface of a release-treated PET film (&quot; PET501010 &quot;, manufactured by LINTEC CO., LTD.) So that the thickness of the resin composition layer after drying was 40 [ Uniformly coated with a coater, and dried at 80 캜 to 110 캜 (average 95 캜) for 6 minutes. Thereafter, the substrate was heat-treated at 200 DEG C for 90 minutes, and the support was peeled and removed to obtain a cured film. The obtained cured film was cut into a rectangular shape having a length of 80 mm and a width of 2 mm to prepare a sample for evaluation.

<유전율 및 유전 정접의 측정 및 평가>&Lt; Measurement and evaluation of dielectric constant and dielectric tangent &

얻어진 평가용 샘플에 대하여, 아질렌트 테크놀로지즈(Agilent Technologies)사 제조 「HP8362B」를 사용하여, 공동 공진 섭동법에 의해, 측정 주파수 10GHz, 측정 온도 25℃의 조건으로, 유전율 및 유전 정접을 측정하였다.Using the "HP8362B" manufactured by Agilent Technologies, the dielectric constant and dielectric loss tangent were measured by the cavity resonance perturbation method under the conditions of a measurement frequency of 10 GHz and a measurement temperature of 25 ° C. .

또한, 유전율이 3.0 이하인 경우를 「양호」로 평가하고, 3.0을 초과한 경우를 「불량」이라고 평가하였다. 또한, 유전 정접의 값이 0.005 이하인 경우를 「양호」로 평가하고, 0.005를 초과한 경우를 「불량」이라고 평가하였다.The case where the dielectric constant was 3.0 or less was evaluated as &quot; good &quot;, and the case where the dielectric constant was 3.0 or more was evaluated as &quot; defective &quot;. The case where the value of dielectric loss tangent was 0.005 or less was evaluated as &quot; good &quot;, and the case of exceeding 0.005 was evaluated as &quot; defective &quot;.

<도체층과의 밀착성(필 강도)의 측정 및 평가>&Lt; Measurement and Evaluation of Adhesion (Peel Strength) to Conductor Layer >

(1) 내층 회로 기판의 조화 처리(1) Harmonization of inner layer circuit board

내층 회로 기판인 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(구리박의 두께 18㎛, 기판의 두께 0.4mm, 파나소닉(주) 제조 「R1515A」)의 양면을, 메크(주) 제조 「CZ8101」에 침지하고, 양면의 구리박을 두께 방향으로 1㎛ 에칭함으로써 구리박의 표면의 조화 처리를 수행하였다.Both surfaces of a glass cloth-based epoxy resin double-sided copper-clad laminate (thickness of copper foil of 18 탆, thickness of substrate: 0.4 mm, "R1515A" manufactured by Panasonic Corporation) which is an inner layer circuit board were immersed in "CZ8101" , And the surface of copper foil was roughened by etching the copper foil on both sides in the thickness direction by 1 mu m.

(2) 수지 조성물층 부착 구리박의 라미네이트 처리(2) Lamination of copper foil with resin composition layer

실시예 및 비교예에서 조제된 수지 바니시 1 내지 10 각각을 미츠이 킨조쿠 코교(주) 제조 「MT18Ex」박의 한쪽 표면에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 40㎛가 되도록 다이 코터로 균일하게 도포하여, 80℃ 내지 110℃(평균 95℃)에서 6분간 건조시켜, 수지 조성물층 부착 구리박을 제작하였다. 이 수지 조성물층 부착 구리박을 배치식 진공 가압 라미네이터(메이키(주) 제조 「MVLP-500」)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 회로 기판(구리박)과 접합하도록, 내층 회로 기판의 양면에 라미네이트 처리하였다. 라미네이트 처리는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74Mpa로 30초간 압착함으로써 수행하였다.Each of the resin varnishes 1 to 10 prepared in the examples and comparative examples was uniformly applied on one surface of a "MT18Ex" foil manufactured by Mitsui Kinzoku Kogyo Co., Ltd. with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying became 40 μm And dried at 80 ° C to 110 ° C (average 95 ° C) for 6 minutes to prepare a copper foil with a resin composition layer. The copper foil with the resin composition layer was laminated on both surfaces of the inner-layer circuit board (copper foil) so that the resin composition layer was bonded to the inner-layer circuit board (copper foil) using a batch type vacuum pressure laminator (MVLP- Lt; / RTI &gt; The lamination treatment was carried out by reducing the pressure for 30 seconds to bring the air pressure to 13 hPa or lower, followed by pressing at 100 deg. C and a pressure of 0.74 Mpa for 30 seconds.

(3) 수지 조성물층 부착 구리박의 경화 처리(3) Curing treatment of copper foil with resin composition layer

라미네이트된 수지 조성물층 부착 구리박의 수지 조성물층을 200℃, 90분간의 조건으로 경화하여 경화체로 하는 경화 처리를 수행하고, 구리박 부착 경화체가 내층 회로 기판에 적층된 적층체를 형성하였다.The resin composition layer of the laminated copper foil with the laminated resin composition layer was cured at 200 캜 for 90 minutes to form a cured product to form a laminate in which the copper foil-adhered cured product was laminated on the inner-layer circuit board.

(4) 도체층의 형성(전기 도금)(4) Formation of conductor layer (electroplating)

상기 (3)에서 얻어진 구리박 부착 경화체로부터 구리박을 박리한 후, 노출된 경화체의 표면에, 두께가 25㎛가 되도록 황산구리 전해 도금을 수행하여, 구리층인 도체층을 형성하였다. 다음으로, 도체층이 형성된 적층체에 대하여, 어닐 처리를 180℃에서 30분간 수행하여, 평가용 회로 기판으로 하였다.The copper foil was peeled off from the copper foil-adhered cured product obtained in the above (3), and then copper sulfate electroplating was performed on the surface of the exposed cured product so as to have a thickness of 25 탆 to form a conductor layer as a copper layer. Next, the multilayer body having the conductor layer formed thereon was annealed at 180 캜 for 30 minutes to obtain a circuit board for evaluation.

(5) 도체층의 박리 강도의 측정 및 평가(5) Measurement and evaluation of peel strength of conductor layer

상기의 평가용 회로 기판을 사용하여, 도체층의 박리 강도(필 강도)의 측정을 수행하였다.Using the above evaluation circuit board, the peel strength (peel strength) of the conductor layer was measured.

평가용 회로 기판에, 폭 10mm, 길이 100mm의 직사각형상의 절개를 넣고, 길이 방향의 일단을 벗겨 집기도구((주)디에스이, 오토컴형 시험기 AC-50C-SL)로 집고, 실온(25℃) 중에서, 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 35mm를 벗겼을 때의 하중(kgf/cm(N/cm))을 측정하였다.A rectangular incision of 10 mm in width and 100 mm in length was placed on the circuit board for evaluation and one end in the longitudinal direction was peeled off and picked up with a holding tool (AC-50C-SL, automobile type tester) (Kgf / cm (N / cm)) when 35 mm was peeled off in the vertical direction at a speed of 50 mm / min.

여기서, 측정된 하중이 0.3kgf/cm 초과인 경우를 「양호」라고 평가하고, 0.3kgf/cm 이하인 경우를 「불량」이라고 평가하였다.Here, the case where the measured load exceeded 0.3 kgf / cm was evaluated as &quot; good &quot;, and the case where the measured load was 0.3 kgf / cm or less was evaluated as &quot;

<결과><Result>

평가의 결과를, 하기 표 1에 나타낸다.The evaluation results are shown in Table 1 below.

[표 1][Table 1]

Figure pat00013
Figure pat00013

표 1로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1 내지 4의 수지 조성물에 의하면, 성분 (C) 및 성분 (D)의 함유량을 상기와 같이 조정함으로써, 경화물의 유전율의 효과적인 저감을 실현할 수 있고, 이미 설명한 바와 같이 극히 곤란하다고 여겨지고 있었던 유전율의 저감과 도체층에 대한 밀착성(필 강도)의 향상의 양립이 가능할 뿐 아니라, 유전 정접도 보다 저감할 수 있었다.As apparent from Table 1, the resin compositions of Examples 1 to 4 can effectively reduce the dielectric constant of the cured product by adjusting the contents of the component (C) and the component (D) as described above, It is possible to achieve both of the reduction of the dielectric constant which has been regarded as extremely difficult and the improvement of the adhesiveness (fill strength) to the conductor layer, as well as to reduce the dielectric loss tangent.

성분 (C) 및 성분 (D)의 총량에 대한 성분 (D)의 함유량의 비율이 낮은 비교예 1에서는, 경화체의 유전율이 높아져 있고, 성분 (C) 및 성분 (D)의 총량에 대한 성분 (D)의 함유량의 비율이 너무 높은 비교예 2에서는, 경화체의 도체층에 대한 밀착성이 낮아져 있었다. 따라서, 성분 (C) 및 성분 (D)의 총량에 대한 성분 (D)의 함유량의 비율을 소정 범위로 적절히 조정함으로써, 경화체의 유전율과 경화체의 도전층에 대한 밀착성이 양립할 수 있음을 알 수 있었다.In Comparative Example 1 in which the content ratio of the component (D) to the total amount of the component (C) and the component (D) was low, the dielectric constant of the cured product was high and the component (C) D) was too high, the adhesiveness of the cured body to the conductor layer was lowered in Comparative Example 2. Therefore, it can be seen that the dielectric constant of the cured product and the adhesiveness to the conductive layer of the cured product can be made compatible by appropriately adjusting the ratio of the content of the component (D) to the total amount of the component (C) there was.

성분 (D)의 함유량이 이미 설명한 소정 범위보다 적은 비교예 3에서는, 경화체의 유전율이 높아져 있고, 성분 (D)의 함유량이 상기 소정 범위보다도 많은 비교예 4에서는, 경화체의 도전층에 대한 밀착성이 낮아져 있었다. 따라서, 성분 (D)의 함유량을 소정 범위로 적절히 조정함으로써, 경화체의 유전율과 경화체의 도전층에 대한 밀착성이 양립할 수 있음을 알 수 있었다.In Comparative Example 3 in which the content of the component (D) was smaller than the predetermined range, the dielectric constant of the cured product was high and in Comparative Example 4 in which the content of the component (D) was larger than the predetermined range, the adhesiveness It was low. Therefore, it was found that by adjusting the content of the component (D) to a predetermined range, the dielectric constant of the cured product and the adhesiveness to the conductive layer of the cured product can be both satisfied.

성분 (B)를 함유하지 않는 비교예 5 및 6에서는, 경화체의 유전 정접이 높아져 있었다.In Comparative Examples 5 and 6 which did not contain the component (B), the dielectric tangent of the cured product was high.

Claims (10)

성분 (A) 에폭시 수지, 성분 (B) 활성 에스테르 화합물, 성분 (C) 무기 충전재, 및 성분 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물로서,
상기 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 상기 성분 (D)의 함유량이 10질량% 내지 40질량%이고,
상기 성분 (C) 및 상기 성분(D)의 함유량의 합계를 100질량%로 한 경우에, 상기 성분 (D)가 20질량% 내지 70질량%인, 수지 조성물.
A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) an active ester compound, (C) an inorganic filler, and (D) a fluorine-
Wherein the content of the component (D) is 10% by mass to 40% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass,
Wherein the total amount of the component (C) and the component (D) is 100 mass%, and the component (D) is 20 mass% to 70 mass%.
제1항에 있어서, 상기 성분 (D)가 불소계 중합체 입자인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (D) is a fluorine-based polymer particle. 제2항에 있어서, 상기 불소계 중합체 입자가 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 입자인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 2, wherein the fluorine-based polymer particles are polytetrafluoroethylene (PTFE) particles. 제1항에 있어서, 성분 (E) 불포화 탄화수소기를 갖는 화합물을 추가로 포함하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, further comprising a compound having a component (E) unsaturated hydrocarbon group. 제4항에 있어서, 상기 성분 (E)가, 아크릴기, 메타크릴기, 스티릴기, 알릴기, 비닐기 및 프로페닐기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 이상의 불포화 탄화수소기를 갖는 화합물인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 4, wherein the component (E) is a compound having at least one unsaturated hydrocarbon group selected from the group consisting of an acryl group, a methacryl group, a styryl group, an allyl group, a vinyl group and a propenyl group. 제5항에 있어서, 상기 성분 (E)가, 비닐기를 갖고, 또한 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 5, wherein the component (E) is a compound having a vinyl group and having a cyclic ether structure having five or more ring members. 제1항에 있어서, 고주파 회로 기판의 절연층 형성용인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, which is for forming an insulating layer of a high frequency circuit board. 지지체와, 당해 지지체 위에 형성된 제1항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 갖는 접착 필름.An adhesive film comprising a support and a resin composition layer comprising the resin composition according to claim 1 formed on the support. 제1항에 기재된 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는, 고주파 회로 기판.A high frequency circuit board comprising an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to claim 1. 제9항에 기재된 고주파 회로 기판을 구비하는, 반도체 장치.A semiconductor device comprising the high frequency circuit board according to claim 9.
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