KR20170064174A

KR20170064174A - Gate driving method, sensing driving method, gate driver, and organic light emitting display device

Info

Publication number: KR20170064174A
Application number: KR1020150169525A
Authority: KR
Inventors: 권순영
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2015-11-30
Filing date: 2015-11-30
Publication date: 2017-06-09
Also published as: KR102561589B1

Abstract

본 실시예들은, 게이트 구동 방법, 센싱 구동 방법, 게이트 드라이버 및 유기발광표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 멀티 턴-온 레벨 전압을 사용하여 게이트 구동을 수행하여, 각 트랜지스터의 특성 및 역할에 맞게 각 트랜지스터의 스위칭 동작을 제어함으로써, 센싱 시 발생할 수 있는 센싱 노이즈를 제거하여 정확한 센싱을 가능하게 하고, 이를 통해 화상 품질(특히, 저계조 화상 품질)을 향상시킬 수 있는 게이트 구동 방법, 센싱 구동 방법, 게이트 드라이버 및 유기발광표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to a gate driving method, a sensing driving method, a gate driver and an organic light emitting display, and more particularly, to a method of driving a gate using a multi-turn- A gate driving method capable of improving image quality (particularly, low-gradation image quality) by allowing accurate sensing by eliminating sensing noise that may occur during sensing, A gate driver, and an organic light emitting display device.

Description

TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a gate driving method, a sensing driving method, a gate driver, and an OLED display device.

본 실시예들은 게이트 구동 방법, 센싱 구동 방법, 게이트 드라이버 및 유기발광표시장치에 관한 것이다. The present embodiments relate to a gate driving method, a sensing driving method, a gate driver and an organic light emitting display.

최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, an organic light emitting diode (OLED) display device that has been popular as a display device has advantages of high response speed, high luminous efficiency, high brightness, and wide viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED)

이러한 유기발광표시장치는 유기발광다이오드와 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터가 포함된 서브픽셀을 매트릭스 형태로 배열하고 스캔신호에 의해 선택된 서브픽셀들의 밝기를 데이터의 계조에 따라 제어한다. The organic light emitting display includes a matrix of subpixels including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode, and the brightness of the subpixels selected by the scan signal is controlled according to the gray level of the data.

한편, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터, 유기발광다이오드 등의 회로 소자는 고유한 특성치를 갖는다. 일 예로, 구동 트랜지스터는 문턱전압, 이동도 등의 고유 특성치를 갖고, 유기발광다이오드는 문턱전압 등의 고유 특성치를 갖는다. On the other hand, the circuit elements such as driving transistors and organic light emitting diodes in each sub-pixel have characteristic values. For example, the driving transistor has a characteristic value such as a threshold voltage and a mobility, and the organic light emitting diode has a characteristic value such as a threshold voltage.

이러한 서브픽셀의 특성치는, 회로 소자의 구동 시간에 따라 열화(Degradation)가 진행되어 변할 수 있다. The characteristic value of such a subpixel can be changed by the progress of the degradation according to the driving time of the circuit element.

이러한 점 때문에, 각 서브픽셀 내 회로 소자 간의 구동 시간의 차이에 따라, 회로 소자 간의 열화 정도의 차이가 발생하고, 회로 소자 간의 특성치 편차도 발생할 수 있다. For this reason, a difference in degree of deterioration between circuit elements occurs due to a difference in drive time between circuit elements in each sub-pixel, and a characteristic value deviation between circuit elements may also occur.

이러한 회로 소자 간의 특성치 편차는, 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 야기하여 화질 저하를 발생시키는 주요 요인이 될 수 있다. Such a characteristic value deviation between circuit elements may cause a luminance deviation between subpixels, which may be a main factor causing image quality degradation.

이에, 서브픽셀의 특성치를 센싱하여 보상해주기 위한 다양한 기술이 개발되었다. Accordingly, various techniques have been developed to sense and compensate the characteristic values of sub-pixels.

하지만, 유기발광표시장치에는 다양한 위치에서 리플 노이즈 등의 노이즈가 발생할 수 있는데, 이러한 노이즈가 서브픽셀의 특성치를 센싱하기 위한 센싱값에 섞이어 센싱 오류가 발생할 수 있다. However, noise such as ripple noise may occur at various positions in the organic light emitting display device. Such noise may be mixed with a sensing value for sensing a characteristic value of a sub pixel, resulting in a sensing error.

이러한 노이즈에 의한 센싱 오류는 보상값의 오류를 발생시켜 화상 품질을 저하시킬 수 있다. A sensing error caused by such a noise may cause an error in the compensation value, thereby deteriorating the image quality.

유기발광표시장치에서 발생하는 노이즈가 미세한 노이즈이기 때문에, 노이즈에 의해 발생하는 화상 품질 저하 현상은 계조 표현 전압이 낮은 저계조 영역에서 더욱 두드러질 수 있다. Since the noise generated in the organic light emitting diode display is a minute noise, the phenomenon of image quality deterioration caused by the noise can be more conspicuous in the low gradation region where the gradation expression voltage is low.

본 실시예들의 목적은, 서브픽셀의 특성치를 센싱하는 과정에서 발생할 수 있는 센싱 노이즈를 제거하여 정확한 센싱을 가능하게 하고, 이를 통해 화상 품질을 향상시킬 수 있는 게이트 구동 방법, 센싱 구동 방법, 게이트 드라이버 및 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다.It is an object of the present embodiments to provide a gate driving method, a sensing driving method, a gate driving method, and a driving method capable of correct sensing by eliminating sensing noise that may occur in the process of sensing a characteristic value of a subpixel, And an organic light emitting display device.

본 실시예들의 다른 목적은, 센싱 노이즈에 의한 저계조 영역에서의 화상 품질 저하를 방지할 수 있는 게이트 구동 방법, 센싱 구동 방법, 게이트 드라이버 및 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide a gate driving method, a sensing driving method, a gate driver, and an organic light emitting display which can prevent image quality deterioration in a low gradation region due to sensing noise.

본 실시예들의 또 다른 목적은, 서브픽셀 내 각 트랜지스터의 특성 및 역할에 맞게 각 트랜지스터를 제어할 수 있는 게이트 구동 방법, 센싱 구동 방법, 게이트 드라이버 및 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다.It is another object of the present embodiments to provide a gate driving method, a sensing driving method, a gate driver, and an organic light emitting display that can control each transistor in accordance with the characteristics and roles of each transistor in a subpixel.

일 측면에서, 본 실시예들은, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 제1 게이트 라인을 통해 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호에 의해 제어되며 구동 트랜지스터의 제1노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 제2 게이트 라인을 통해 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호에 의해 제어되며 구동 트랜지스터의 제2노드와 기준전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터가 서브픽셀마다 배치된 유기발광표시패널과, 데이터 라인으로 데이터 전압을 출력하는 데이터 드라이버와, 제1 턴-온 레벨 전압 및 턴-오프 레벨 전압을 이용하여 제1 스캔신호를 생성하여 제1 게이트 라인으로 출력하고, 제2 턴-온 레벨 전압 및 턴-오프 레벨 전압을 이용하여 제2 스캔신호를 생성하여 제2 게이트 라인으로 출력하는 게이트 드라이버를 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. In one aspect, the present embodiments provide an organic light emitting display comprising: an organic light emitting diode; a driving transistor for driving the organic light emitting diode; a first scan signal applied to the gate node through the first gate line, A second transistor electrically connected between the second node of the driving transistor and the reference voltage line, the second transistor being controlled by a second scan signal applied to the gate node through the second gate line, An organic light emitting display panel in which a storage capacitor electrically connected between a first node and a second node of the driving transistor is arranged for each subpixel; a data driver for outputting a data voltage to the data line; Generates a first scan signal using the turn-off level voltage and outputs the first scan signal to the first gate line, And a gate driver for generating a second scan signal using the on-level voltage and the turn-off level voltage and outputting the second scan signal to the second gate line.

이러한 유기발광표시장치에서, 제1 턴-온 레벨 전압과 제2 턴-온 레벨 전압은 서로 다를 수 있다. In such an organic light emitting display, the first turn-on level voltage and the second turn-on level voltage may be different from each other.

다른 측면에서, 본 실시예들은, 제1 턴-온 레벨 전압 및 턴-오프 레벨 전압을 이용하여 제1 스캔신호를 생성하고, 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제1노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터의 게이트 노드와 연결된 제1 게이트 라인으로 제1 스캔신호를 출력하는 제1 게이트 구동부와, 제2 턴-온 레벨 전압 및 턴-오프 레벨 전압을 이용하여 제2 스캔신호를 생성하고, 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제2노드와 기준전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터의 게이트 노드와 연결된 제2 게이트 라인으로 제2 스캔신호를 출력하는 제2 게이트 구동부를 포함하는 게이트 드라이버를 제공할 수 있다. In another aspect, the present embodiments provide a method of generating a first scan signal using a first turn-on level voltage and a turn-off level voltage, and electrically connecting the first node of the driving transistor in the sub-pixel and the data line A first gate driver for outputting a first scan signal to a first gate line connected to a gate node of the first transistor, a second gate driver for generating a second scan signal using a second turn-on level voltage and a turn- And a second gate driver for outputting a second scan signal to a second gate line connected to the gate node of the second transistor electrically connected between the second node of the driving transistor and the reference voltage line in the sub pixel .

이러한 게이트 드라이버에서 사용하는 제1 턴-온 레벨 전압과 제2 턴-온 레벨 전압은 서로 다를 수 있다.The first turn-on level voltage and the second turn-on level voltage used in such a gate driver may be different from each other.

또 다른 측면에서, 본 실시예들은, 제1 턴-온 레벨 전압, 제2 턴-온 레벨 전압 및 턴-오프 레벨 전압을 입력받는 단계와, 제1 턴-온 레벨 전압 및 턴-오프 레벨 전압을 이용하여 제1 스캔신호를 생성하고, 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제1노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터의 게이트 노드와 연결된 제1 게이트 라인으로 제1 스캔신호를 출력하는 단계와, 제2 턴-온 레벨 전압 및 턴-오프 레벨 전압을 이용하여 제2 스캔신호를 생성하고, 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제2노드와 기준전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터의 게이트 노드와 연결된 제2 게이트 라인으로 제2 스캔신호를 출력하는 단계를 포함하는 게이트 구동 방법을 제공할 수 있다. In another aspect, the present embodiments provide a method comprising: receiving a first turn-on level voltage, a second turn-on level voltage and a turn-off level voltage; and applying a first turn-on level voltage and a turn- Outputting a first scan signal to a first gate line connected to a gate node of a first transistor electrically connected between a first node of a driving transistor and a data line in a sub-pixel, A second scan signal is generated using the second turn-on level voltage and the turn-off level voltage, and a gate node of the second transistor electrically connected between the second node of the drive transistor and the reference voltage line in the sub- And outputting a second scan signal to the second gate line connected to the second gate line.

이러한 게이트 구동 방법에서 사용되는 제1 턴-온 레벨 전압과 제2 턴-온 레벨 전압은 서로 다를 수 있다. The first turn-on level voltage and the second turn-on level voltage used in this gate driving method may be different from each other.

또 다른 측면에서, 본 실시예들은, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 제1 게이트 라인을 통해 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호에 의해 제어되며 구동 트랜지스터의 제1노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 제2 게이트 라인을 통해 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호에 의해 제어되며 구동 트랜지스터의 제2노드와 기준전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터가 서브픽셀마다 배치된 유기발광표시패널을 포함하는 유기발광표시장치의 센싱 구동 방법을 제공할 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display comprising: an organic light emitting diode; a driving transistor for driving the organic light emitting diode; a first scan signal applied to the gate node through the first gate line, And a second transistor electrically connected between the second node of the driving transistor and the reference voltage line, the second transistor being controlled by a second scan signal applied to the gate node through the second gate line, And a storage capacitor electrically connected between the first node and the second node of the driving transistor is disposed for each subpixel.

이러한 센싱 구동 방법은, 제1 트랜지스터의 게이트 노드에 제1 턴-온 레벨 전압을 갖는 제1 스캔신호가 인가되는 동안 구동 트랜지스터의 제1노드에 데이터 전압을 공급하고, 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 제2 턴-온 레벨 전압을 갖는 제2 스캔신호가 인가되는 동안 구동 트랜지스터의 제2노드에 기준전압을 공급하는 제1 단계와, 구동 트랜지스터의 제2노드에 기준전압이 공급되는 것을 차단하여 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 상승시키는 제2 단계와, 기준전압 라인의 전압을 센싱하는 제3 단계와, 기준전압 라인의 전압 센싱 결과를 토대로 구동 트랜지스터 또는 유기발광다이오드의 특성치를 센싱하는 제4 단계를 포함할 수 있다. This sensing driving method supplies a data voltage to the first node of the driving transistor while a first scan signal having a first turn-on level voltage is applied to the gate node of the first transistor, A first step of supplying a reference voltage to a second node of the driving transistor while a second scan signal having a second turn-on level voltage is applied; and a step of supplying a reference voltage to the second node of the driving transistor, A second step of raising the voltage of the second node of the transistor, a third step of sensing the voltage of the reference voltage line, a fourth step of sensing the characteristic value of the driving transistor or the organic light emitting diode based on the voltage sensing result of the reference voltage line, Step < / RTI >

이러한 센싱 구동 방법에서 사용하는 제1 턴-온 레벨 전압과 제2 턴-온 레벨 전압은 서로 다를 수 있다. The first turn-on level voltage and the second turn-on level voltage used in this sensing driving method may be different from each other.

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀의 특성치를 센싱하는 과정에서 발생할 수 있는 센싱 노이즈를 제거하여 정확한 센싱을 가능하게 하고, 이를 통해 화상 품질을 향상시킬 수 있는 게이트 구동 방법, 센싱 구동 방법, 게이트 드라이버 및 유기발광표시장치를 제공할 수 있다.As described above, according to the present embodiments, a gate driving method capable of correct sensing by eliminating sensing noise that may occur in the process of sensing a characteristic value of a subpixel, thereby improving image quality, A driving method, a gate driver, and an organic light emitting display device can be provided.

또한, 본 실시예들에 의하면, 센싱 노이즈에 의한 저계조 영역에서의 화상 품질 저하를 방지할 수 있는 게이트 구동 방법, 센싱 구동 방법, 게이트 드라이버 및 유기발광표시장치를 제공할 수 있다.Further, according to the embodiments, it is possible to provide a gate driving method, a sensing driving method, a gate driver, and an organic light emitting display that can prevent image quality deterioration in a low gradation region due to sensing noise.

또한, 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 내 각 트랜지스터의 특성 및 역할에 맞게 각 트랜지스터를 제어할 수 있는 게이트 구동 방법, 센싱 구동 방법, 게이트 드라이버 및 유기발광표시장치를 제공할 수 있다.According to the embodiments, it is possible to provide a gate driving method, a sensing driving method, a gate driver, and an organic light emitting display that can control each transistor in accordance with the characteristics and roles of each transistor in a subpixel.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 예시도이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 회로의 예시도이다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서 센싱 노이즈 영향을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 각 서브픽셀 내 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터에 인가되는 제1 스캔신호 및 제2 스캔신호의 신호파형을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 공통 턴-온 레벨 전압(VGH)을 이용하여 제1 스캔신호 및 제2 스캔신호를 생성할 때, 턴-온 레벨 전압(VGH)의 크기에 따른 전체 화상 품질 및 충전 특성의 변화 그래프와, 턴-온 레벨 전압(VGH)의 크기에 따른 저계조 화상 품질의 변화 그래프를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조가 1 스캔 구조인 경우, 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터에 동일한 스캔신호(제1 스캔신호= 제2 스캔신호)가 공통으로 인가되는 것을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조가 2 스캔 구조인 경우, 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터에 제1 스캔신호 및 제2 스캔신호가 별도로 인가되는 것을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 제1 트랜지스터에 인가되는 제1 스캔신호와 제2 트랜지스터에 인가되는 제2 스캔신호를 서로 다른 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)을 이용하여 생성하는 게이트 드라이버 집적회로를 나타낸 도면이다.
도 12는 본 실시예들에 따른 게이트 드라이버 집적회로에서, 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)을 이용하여 생성한 제1 스캔신호와, 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)을 이용하여 생성한 제2 스캔신호의 신호 파형을 나타낸 도면이다.
도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 멀티 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)을 이용하여 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터의 온-오프를 제어하는 경우, 서브픽셀 구조를 나타낸 도면이다.
도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 구동 모드의 종류에 따라, 공통 턴-온 레벨 전압(VGH)에 근거한 제1 스캔신호 및 제2 스캔신호의 신호 파형과, 멀티 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)에 근거한 제1 스캔신호 및 제2 스캔신호의 신호 파형을 나타낸 도면이다.
도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 구동 모드의 종류에 관계 없이, 멀티 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)에 근거한 제1 스캔신호 및 제2 스캔신호의 신호 파형을 나타낸 도면이다.
도 16은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 멀티 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)을 이용하여 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터의 온-오프를 제어하는 경우, 센싱 노이즈 저감 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 게이트 구동 방법에 대한 흐름도이다.
도 18은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 구동 방법에 대한 흐름도이다. 1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display according to the present embodiments.
FIG. 2 is a view illustrating a sub-pixel structure of an OLED display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
3 is an illustration of an example of a compensation circuit of an organic light emitting display according to the present embodiments.
4 is a diagram for explaining a threshold voltage sensing method of a driving transistor in the organic light emitting display according to the present embodiments.
5 is a view for explaining a mobility sensing method of a driving transistor in the organic light emitting display according to the present embodiments.
6 is a view for explaining the influence of sensing noise in the organic light emitting display according to the present embodiments.
7 is a diagram illustrating signal waveforms of a first scan signal and a second scan signal applied to the first transistor and the second transistor in each subpixel of the organic light emitting display according to the present embodiments.
FIG. 8 is a diagram illustrating a voltage level of the turn-on level voltage VGH when generating the first scan signal and the second scan signal using the common turn-on level voltage VGH in the OLED display according to the present embodiment. A graph of a change in overall image quality and charge characteristics depending on the size, and a graph of a change in low gradation image quality according to the magnitude of the turn-on level voltage VGH.
FIG. 9 is a diagram illustrating a case where the sub-pixel structure of the organic light emitting diode display according to the present embodiment has a one scan structure and the same scan signal (first scan signal = second scan signal) is commonly applied to the first transistor and the second transistor Fig.
10 is a diagram illustrating that a first scan signal and a second scan signal are separately applied to the first transistor and the second transistor when the subpixel structure of the organic light emitting display according to the present embodiments has a two scan structure.
11, in the organic light emitting diode display according to the present embodiment, the first scan signal applied to the first transistor and the second scan signal applied to the second transistor are turned on by different turn-on level voltages VGH1 and VGH2, And a gate driver integrated circuit formed using the gate driver IC.
12 is a diagram illustrating a gate driver integrated circuit according to an embodiment of the present invention in which a first scan signal generated using a first turn-on level voltage VGH1 and a second scan signal generated using a second turn-on level voltage VGH2 And a signal waveform of a second scan signal.
FIG. 13 illustrates a sub-pixel structure in the case of controlling ON / OFF of the first transistor and the second transistor using the multi-turn-on level voltages VGH1 and VGH2 in the organic light emitting display according to the present embodiments. FIG.
FIG. 14 is a graph showing the relationship between the signal waveforms of the first scan signal and the second scan signal based on the common turn-on level voltage VGH and the signal waveforms of the multi-turn- And the signal waveforms of the first scan signal and the second scan signal based on the on level voltages VGH1 and VGH2.
15 illustrates signal waveforms of the first scan signal and the second scan signal based on the multi-turn-on level voltages VGH1 and VGH2 regardless of the drive mode, in the OLED display according to the present embodiments. FIG.
FIG. 16 is a graph showing the sensing noise reduction effect when controlling the ON and OFF states of the first transistor and the second transistor using the multi-turn-on level voltages VGH1 and VGH2 in the organic light emitting display according to the present embodiments. Fig.
17 is a flowchart illustrating a method of driving a gate of an OLED display according to the present invention.
18 is a flowchart illustrating a sensing driving method of the OLED display according to the present embodiments.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 시스템 구성도이다. FIG. 1 is a system configuration diagram of an organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments.

도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되고, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)에 의해 정의된 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 배치된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다. 1, the OLED display 100 according to the present embodiment includes a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL, a plurality of data lines DL, An OLED display panel 110 in which a plurality of sub pixels (SP) defined by a gate line GL are arranged, a data driver 120 driving a plurality of data lines DL, A gate driver 130 for driving the gate line GL, a controller 140 for controlling the data driver 120 and the gate driver 130, and the like.

컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다. The controller 140 supplies various control signals to the data driver 120 and the gate driver 130 to control the data driver 120 and the gate driver 130.

이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, switches the input image data input from the outside according to the data signal format used by the data driver 120, and outputs the converted image data , And controls the data driving at a suitable time according to the scan.

이러한 컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행하는 제어장치일 수 있다. The controller 140 may be a timing controller used in a conventional display technology or a control device including a timing controller to perform other control functions.

데이터 드라이버(120)는, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(120)는 '소스 드라이버'라고도 한다. The data driver 120 drives the plurality of data lines DL by supplying data voltages to the plurality of data lines DL. Here, the data driver 120 is also referred to as a 'source driver'.

이러한 데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The data driver 120 may drive a plurality of data lines including at least one source driver integrated circuit (SDIC).

게이트 드라이버(130)는, 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(130)는 '스캔 드라이버'라고도 한다. The gate driver 130 sequentially supplies the scan signals to the plurality of gate lines GL to sequentially drive the plurality of gate lines GL. Here, the gate driver 130 is also referred to as a " scan driver ".

이러한 게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 게이트 라인(GL)을 구동할 수 있다.The gate driver 130 may drive a plurality of gate lines GL including at least one gate driver integrated circuit (GDIC).

게이트 드라이버(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 순차적으로 공급한다. The gate driver 130 sequentially supplies a scan signal of an On voltage or an Off voltage to the plurality of gate lines GL under the control of the controller 140.

데이터 드라이버(120)는, 게이트 드라이버(130)에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 공급한다. When a specific gate line is opened by the gate driver 130, the data driver 120 converts the image data received from the controller 140 into an analog data voltage and supplies the data voltage to a plurality of data lines DL.

데이터 드라이버(120)는, 도 1에서는 유기발광표시패널(110)의 일측(예: 상측 또는 하측)에만 위치하고 있으나, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서, 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the data driver 120 is located only on one side (e.g., on the upper side or the lower side) of the organic light emitting display panel 110, : Upper side and lower side).

게이트 드라이버(130)는, 도 1에서는 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치하고 있으나, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서, 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the gate driver 130 is located only on one side (e.g., the left side or the right side) of the organic light emitting display panel 110. However, the gate driver 130 may be disposed on both sides of the organic light emitting display panel 110 For example, left and right).

전술한 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. The controller 140 described above is capable of outputting various kinds of signals including the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, the input data enable signal (DE), and the clock signal (CLK) Timing signals from the outside (e.g., the host system).

컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다. The controller 140 receives a timing signal such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, an input DE signal, and a clock signal to control the data driver 120 and the gate driver 130, And generates various control signals and outputs them to the data driver 120 and the gate driver 130.

예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the gate driver 130, the controller 140 generates a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), a gate output enable signal GOE Gate Output Enable), and the like.

여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the gate driver 130. The gate shift clock GSC is a clock signal commonly input to one or more gate driver integrated circuits, and controls the shift timing of the scan signal (gate pulse). The gate output enable signal GOE specifies the timing information of one or more gate driver ICs.

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In order to control the data driver 120, the controller 140 may further include a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), a source output enable signal (SOE) And outputs various data control signals (DCS: Data Control Signals).

여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다. Here, the source start pulse SSP controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the data driver 120. The source sampling clock SSC is a clock signal for controlling sampling timing of data in each of the source driver integrated circuits. The source output enable signal SOE controls the output timing of the data driver 120.

데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The data driver 120 may drive a plurality of data lines including at least one source driver integrated circuit (SDIC).

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 유기발광표시패널(110)에 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) is connected to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) Or may be directly disposed on the organic light emitting display panel 110, and may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110, as the case may be. In addition, each source driver integrated circuit (SDIC) may be implemented by a chip on film (COF) method, which is mounted on a film connected to the organic light emitting display panel 110.

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 쉬프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, and the like.

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may further include an analog to digital converter (ADC), as the case may be.

게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. The gate driver 130 may include at least one gate driver integrated circuit (GDIC).

각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 유기발광표시패널(110)과 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수도 있다. Each gate driver integrated circuit GDIC may be connected to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) ) Type and may be directly disposed on the organic light emitting display panel 110 or may be integrated on the organic light emitting display panel 110 as the case may be. In addition, each gate driver IC (GDIC) may be implemented by a chip on film (COF) method, which is mounted on a film connected to the organic light emitting display panel 110.

각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 쉬프트 레지스터(Shift Register), 레벨 쉬프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. Each gate driver IC (GDIC) may include a shift register, a level shifter, and the like.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 대한 회로적인 연결을 위해 필요한 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB: Source Printed Circuit Board)과 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB: Control Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다. The OLED display 100 according to the present embodiments includes at least one source printed circuit board (S-PCB) necessary for circuit connection to at least one source driver IC (SDIC) And a control printed circuit board (C-PCB) for mounting control components and various electric devices.

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)에는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 되거나, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 필름이 연결될 수 있다. At least one source driver integrated circuit (SDIC) may be mounted on at least one source printed circuit board (S-PCB), or a film on which at least one source driver integrated circuit (SDIC) is mounted may be connected.

컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)에는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(140)와, 유기발광표시패널(110), 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러 등이 실장 될 수 있다. The control printed circuit board (C-PCB) is provided with a controller 140 for controlling the operation of the data driver 120 and the gate driver 130 and the like, and a controller 140 for controlling operations of the organic light emitting display panel 110, the data driver 120, A power controller for controlling various voltages or currents to supply or supply various voltages or currents to the battery 130, or the like.

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. The at least one source printed circuit board (S-PCB) and the control printed circuit board (C-PCB) may be circuitly connected via at least one connecting member.

여기서, 연결 부재는 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다. Here, the connecting member may be a flexible printed circuit (FPC), a flexible flat cable (FFC), or the like.

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다. At least one source printed circuit board (S-PCB) and a control printed circuit board (C-PCB) may be integrated into one printed circuit board.

유기발광표시패널(110)에 배치되는 각 서브픽셀(SP)은 트랜지스터 등의 회로 소자를 포함하여 구성될 수 있다. Each sub-pixel SP disposed in the organic light emitting display panel 110 may include a circuit element such as a transistor.

일 예로, 각 서브픽셀(SP)은 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성되어 있다. For example, each sub-pixel SP includes circuit elements such as an organic light emitting diode (OLED) and a driving transistor for driving the organic light emitting diode (OLED).

각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다. The types and the number of the circuit elements constituting each subpixel SP can be variously determined depending on the providing function, the design method, and the like.

도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 예시도이다. 2 is an exemplary view of a sub-pixel structure of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀은, 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 제1노드(N1)로 데이터 전압(Vdata)을 전달해주기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 기준전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 기준전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터(T2)와, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata) 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(Cstg: Storage Capacitor)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 2, in the OLED display 100 according to the present embodiment, each sub-pixel includes an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor A first transistor T1 for transmitting a data voltage Vdata to a first node N1 corresponding to a gate node of the driving transistor DRT; A second transistor T2 electrically connected between the second node N2 and a reference voltage line RVL for supplying a reference voltage Vref and a second transistor T2 electrically connected to the data voltage Vdata ) Or a storage capacitor (Cstg: Storage Capacitor) for holding the voltage corresponding thereto for one frame time.

유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극) 등으로 이루어질 수 있다. The organic light emitting diode OLED may include a first electrode (e.g., an anode electrode), an organic layer, and a second electrode (e.g., a cathode electrode).

구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode OLED by supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED.

구동 트랜지스터(DRT)에서, 제1노드(N1)는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있으며 게이트 노드에 해당할 수 있다. 제2노드(N2)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. 그리고, 제3노드(N3)는 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. In the driving transistor DRT, the first node N1 may be electrically connected to the source node or the drain node of the first transistor T1, and may correspond to a gate node. The second node N2 may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED and may be a source node or a drain node. The third node N3 may be electrically connected to a driving voltage line (DVL) for supplying a driving voltage EVDD, and may be a drain node or a source node.

제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 라인을 통해 제1 스캔신호(SCAN1)를 게이트 노드로 인가 받아 제어될 수 있다. The first transistor T1 is electrically connected between the data line DL and the first node N1 of the driving transistor DRT and receives the first scan signal SCAN1 through the gate line to the gate node .

이러한 제1 트랜지스터(T1)는 제1 스캔신호(SCAN1)에 의해 턴-온 되어 데이터 라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 전달해줄 수 있다. The first transistor T1 is turned on by the first scan signal SCAN1 to transfer the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the first node N1 of the driving transistor DRT .

제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 기준전압 라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결되며, 게이트 노드로 제2 스캔신호(SCAN2)를 인가 받아 제어될 수 있다. The second transistor T2 is electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and the reference voltage line RVL and may be controlled by receiving the second scan signal SCAN2 to the gate node .

이러한 제2 트랜지스터(T2)는 제2 스캔신호(SCAN2)에 의해 턴-온 되어 기준전압 라인(RVL)을 통해 공급되는 기준전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 인가해준다. The second transistor T2 is turned on by the second scan signal SCAN2 and supplies a reference voltage Vref supplied through the reference voltage line RVL to the second node N2 of the driving transistor DRT .

또한, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 대한 전압 센싱 경로 중 하나로 활용될 수 있다. Also, the second transistor T2 may be utilized as one of the voltage sensing paths for the second node N2 of the driving transistor DRT.

스토리지 캐패시터(Cstg)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 제1노드(N1) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The storage capacitor Cstg may be electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and the first node N1.

이러한 스토리지 캐패시터(Cstg)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 제1노드(N1) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다. The storage capacitor Cstg is not a parasitic capacitor (e.g., Cgs or Cgd) which is an internal capacitor existing between the second node N2 of the driving transistor DRT and the first node N1, And is an external capacitor intentionally designed outside the driving transistor DRT.

구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)는, 도 2의 예시와 같이 n 타입으로 구현될 수도 있고, p 타입으로도 구현될 수도 있다. The driving transistor DRT, the first transistor T1 and the second transistor T2 may be implemented as an n-type or a p-type as illustrated in FIG.

한편, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)는, 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. Meanwhile, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be separate gate signals. In this case, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be respectively applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through another gate line have.

이와 같이, 별개의 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)를 이용하여 서브픽셀이 구동되는 경우, 서브픽셀은 "1 스캔 구조"를 갖는다고 한다. In this manner, when the subpixels are driven using the first and second scan signals SCAN1 and SCAN2, the subpixel has a " one scan structure ".

경우에 따라서는, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)는 동일한 게이트 신호일 수도 있다. 이 경우, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)는 동일한 게이트 라인을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다. In some cases, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be the same gate signal. In this case, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be commonly applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through the same gate line .

이와 같이, 동일한 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)를 이용하여 서브픽셀이 구동되는 경우, 서브픽셀은 "2 스캔 구조"를 갖는다고 한다. In this manner, when a subpixel is driven using the same first scan signal SCAN1 and second scan signal SCAN2, the subpixel has a "two scan structure".

한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 경우, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다. In the OLED display 100 according to the present embodiment, as the driving time of each sub-pixel SP becomes longer, the driving voltage of the organic light emitting diode OLED, the driving transistor DRT, Degradation can proceed.

이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)가 변할 수 있다. Accordingly, inherent characteristic values (e.g., threshold voltage, mobility, etc.) of the circuit elements such as the organic light emitting diode OLED and the driving transistor DRT can be changed.

이러한 회로 소자의 특성치 변화는 해당 서브픽셀의 휘도 변화를 야기한다. 따라서, 회로 소자의 특성치 변화는 서브픽셀의 휘도 변화와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. Such a change in the characteristic value of the circuit element causes the luminance change of the corresponding subpixel. Therefore, the change in the characteristic value of the circuit element can be used in the same concept as the change in luminance of the subpixel.

또한, 이러한 회로 소자 간의 특성치 변화의 정도는 각 회로 소자의 열화 정도의 차이에 따라 서로 다를 수 있다. In addition, the degree of change in the characteristic value between the circuit elements may be different depending on the degree of deterioration of each circuit element.

이러한 회로 소자 간의 특성치 편차는 서브픽셀 간의 휘도 편차를 야기한다. 따라서, 회로 소자 간의 특성치 편차는 서브픽셀 간의 휘도 편차와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. Such a characteristic value deviation between the circuit elements causes a luminance deviation between the subpixels. Therefore, the characteristic value deviation between the circuit elements can be used in the same concept as the luminance deviation between the subpixels.

전술한 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차는, 서브픽셀의 휘도 표현력에 대한 정확도를 떨어뜨리거나 화면 이상 현상을 발생시키는 등의 문제를 발생시킬 수 있다. The above-described subpixel luminance variation and subpixel luminance variation may cause problems such as degradation of the accuracy with respect to the luminance expression power of the subpixels or occurrence of screen abnormal phenomenon.

여기서, 회로 소자의 특성치(이하, "서브픽셀 특성치"라고도 함)는, 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 및 이동도 등을 포함할 수 있고, 경우에 따라서, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압을 포함할 수도 있다. Here, the characteristic value of a circuit element (hereinafter also referred to as a "subpixel characteristic value") may include, for example, a threshold voltage and a mobility of a driving transistor DRT, May include the threshold voltage of the transistor.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차(회로 소자의 특성치 변화 및 회로 소자 간의 특성치 편차)를 센싱(측정)하는 센싱 기능과, 센싱 결과를 이용하여 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차를 보상해주는 보상 기능을 제공할 수 있다. The OLED display 100 according to the present embodiment has a sensing function for sensing a sub-pixel luminance change and a sub-pixel luminance deviation (a characteristic value change of a circuit element and a characteristic value deviation between circuit elements) The compensation function for compensating the sub-pixel luminance variation and the sub-pixel luminance deviation can be provided.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차에 대한 센싱 및 보상 기능을 제공하기 위하여, 그에 맞는 서브픽셀 구조(도 2의 서브픽셀 구조)와, 센싱 및 보상 구성을 포함하는 보상 회로를 포함한다. The organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment includes a subpixel structure (the subpixel structure in FIG. 2) and a subpixel structure corresponding thereto to provide a sensing and compensating function for a subpixel luminance change and a luminance deviation between subpixels , And a compensation circuit including a sensing and compensation arrangement.

도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 회로에 대한 예시도이다. 3 is an exemplary view of a compensation circuit of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 서브픽셀 특성치(구동 트랜지스터의 특성치, 유기발광다이오드의 특성)의 변화 및/또는 서브픽셀 특성치 간의 편차를 센싱하기 위하여, 기준전압 라인(RVL)의 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 출력하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter, 310)와, 센싱 데이터를 저장하는 메모리(320)와, 센싱 데이터를 이용하여 서브픽셀 특성치의 변화 및/또는 서브픽셀 특성치 간의 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부(330) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, the organic light emitting display 100 according to the present exemplary embodiment is configured to sense a deviation between a sub-pixel characteristic value (a characteristic value of a driving transistor, a characteristic of an organic light emitting diode) and / An analog to digital converter (ADC) 310 for sensing the voltage of the reference voltage line RVL and outputting sensing data, a memory 320 for storing sensing data, And a compensation unit 330 that performs a compensation process to compensate for the variation between the characteristic values and / or the deviation between the sub-pixel characteristic values.

각 아날로그 디지털 컨버터(310)는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 외부에 포함될 수도 있다. Each analog-to-digital converter 310 may be contained within a source driver integrated circuit (SDIC) and, in some cases, external to a source driver integrated circuit (SDIC).

전술한 아날로그 디지털 컨버터(310)를 이용하면, 서브픽셀의 특성치를 반영하는 전압(Vsen)을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하여 센싱 데이터로 출력함으로써, 디지털 레벨에서 프로세싱이 가능한 보상부(330)는 디지털 레벨에서 서브픽셀의 특성치를 정확하게 센싱(파악)할 수 있다. By using the analog digital converter 310 described above, the voltage Vsen reflecting the characteristic value of the subpixel is converted into the sensing value corresponding to the digital value and output as the sensing data, so that the compensation unit 330 Can precisely sense the characteristic value of the subpixel at the digital level.

보상부(330)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 컨트롤러(140)의 외부에 포함될 수도 있다. The compensation unit 330 may be included inside the controller 140 and, in some cases, may be included outside the controller 140.

아날로그 디지털 컨버터(310)에서 출력되는 센싱 데이터는, 일 예로, LVDS (Low Voltage Differential Signaling) 데이터 포맷으로 되어 있을 수 있다. The sensing data output from the analog-to-digital converter 310 may be, for example, a Low Voltage Differential Signaling (LVDS) data format.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 센싱 구동을 제어하기 위하여, 즉, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 인가 상태를 서브픽셀 특성치 센싱에 필요한 상태로 제어하기 위한 스위치 구성으로서, 제1 스위치(SW1)와 제2 스위치(SW2)를 더 포함할 수 있다. The organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiment is configured to control the sensing driving of the organic light emitting display 100 according to the first embodiment of the present invention in order to control the voltage application state of the second node N2 of the driving transistor DRT in the sub- And may further include a first switch (SW1) and a second switch (SW2) as a switch configuration for controlling a state necessary for sensing.

제1 스위치(SW1)는, 기준전압 라인(RVL)과 기준전압 공급노드(Nref) 사이에 전기적으로 연결된 스위치로서, 기준전압 라인(RVL)으로의 기준전압(Vref)의 공급 여부를 제어할 수 있다. The first switch SW1 is a switch electrically connected between the reference voltage line RVL and the reference voltage supply node Nref and is capable of controlling whether the reference voltage Vref is supplied to the reference voltage line RVL have.

이러한 제1 스위치(SW1)가 턴-온 되면, 기준전압(Vref)이 기준전압 라인(RVL)으로 공급되어 턴-온 되어 있는 제2 트랜지스터(T2)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 인가될 수 있다. When the first switch SW1 is turned on, the reference voltage Vref is supplied to the reference voltage line RVL and is supplied to the second node T2 of the driving transistor DRT through the second transistor T2, (N2).

제2 스위치(SW2)는, 기준전압 라인(RVL)과 아날로그 디지털 컨버터(310) 사이에 전기적으로 연결된 스위치로서, 기준전압 라인(RVL)과 아날로그 디지털 컨버터(310) 간의 연결을 스위칭 해 줄 수 있다. The second switch SW2 is a switch electrically connected between the reference voltage line RVL and the analog digital converter 310 and can switch the connection between the reference voltage line RVL and the analog digital converter 310 .

전술한 제1 스위치(SW1) 및 제2 스위치(SW2)를 이용하면, 센싱 구동 절차에 맞게, 기준전압 라인(RVL)의 전압 상태, 연결 상태 등을 효율적으로 제어할 수 있다. By using the first switch SW1 and the second switch SW2 described above, the voltage state, the connection state, and the like of the reference voltage line RVL can be efficiently controlled in accordance with the sensing driving procedure.

한편, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압 상태가 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 등 전위일 수 있는 기준전압 라인(RVL)의 전압도 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압 상태가 될 수 있다. 이때, 기준전압 라인(RVL) 상에 형성된 라인 캐패시터에 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압이 충전될 수 있다. On the other hand, when the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the sub-pixel characteristic value, the reference voltage line (which may be of the same potential as the second node N2 of the driving transistor DRT RVL may be a voltage state reflecting the sub-pixel characteristic value. At this time, the line capacitor formed on the reference voltage line RVL may be charged with a voltage reflecting the sub-pixel characteristic value.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압 상태가 되면, 제2 스위치(SW2)가 턴-온 되어, 아날로그 디지털 컨버터(310)와 기준전압 라인(RVL)이 연결될 수 있다. When the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the sub pixel characteristic value, the second switch SW2 is turned on and the analog digital converter 310 and the reference voltage line RVL ) Can be connected.

이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(310)는 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압 상태인 기준전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 센싱한다. 여기서, 기준전압 라인(RVL)을 "센싱 라인"이라고도 기재한다. Accordingly, the analog-to-digital converter 310 senses the voltage of the reference voltage line RVL, that is, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, which is a voltage state reflecting the subpixel characteristic value. Here, the reference voltage line RVL is also referred to as a "sensing line ".

이러한 기준전압 라인(RVL)은, 일 예로, 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있고, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. The reference voltage lines RVL may be arranged, for example, one for each sub-pixel column, or one for each of two or more sub-pixel columns.

예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 기준전압 라인(RVL)은 4개의 서브픽셀 열(적색 서브픽셀 열, 흰색 서브픽셀 열, 녹색 서브픽셀 열, 청색 서브픽셀 열)을 포함하는 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. For example, when one pixel is composed of four subpixels (red subpixel, white subpixel, green subpixel, and blue subpixel), the reference voltage line RVL is divided into four subpixel columns , A white subpixel column, a green subpixel column, and a blue subpixel column).

아날로그 디지털 컨버터(310)는 기준전압 라인(RVL)과 연결되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(기준전압 라인(RVL)의 전압, 또는, 기준전압 라인(RVL) 상의 라인 캐패시터에 충전된 전압)을 센싱한다. When the analog digital converter 310 is connected to the reference voltage line RVL, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT (the voltage of the reference voltage line RVL or the voltage of the reference voltage line RVL) Voltage charged in the line capacitor).

아날로그 디지털 컨버터(310)에서 센싱된 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 편차(ΔVth)을 포함하는 전압 값(Vdata-Vth 또는 Vdata-ΔVth)이거나, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압 값일 수도 있다. The voltage sensed in the analog digital converter 310 may be a voltage value (Vdata-Vth or Vdata-? Vth) including a threshold voltage Vth or a threshold voltage deviation? Vth of the driving transistor DRT, May be a voltage value for sensing the degree of mobility.

한편, 기준전압 라인(RVL)에는 의도적으로 형성되거나 자연적으로 생겨난 캐패시터(Cr)가 존재할 수 있다. On the other hand, the reference voltage line RVL may include a capacitor Cr intentionally formed or naturally occurring.

아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 및 이동도 센싱 구동에 대하여 간략하게 설명한다. In the following, the threshold voltage sensing drive and the mobility sensing drive for the driving transistor DRT will be briefly described.

도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a diagram for explaining a threshold voltage sensing driving method for the driving transistor DRT in the OLED display 100 according to the present embodiments.

구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 제1노드(N1) 각각은 기준전압(Vref)과 문턱전압 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)으로 초기화된다. The second node N2 and the first node N1 of the driving transistor DRT respectively receive the reference voltage Vref and the threshold voltage sensing driving data voltage Vdata during the threshold voltage sensing operation of the driving transistor DRT, .

이후, 제1 스위치(SW1)이 오프되어 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 플로팅(Floating) 된다. Thereafter, the first switch SW1 is turned off, and the second node N2 of the driving transistor DRT is floated.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 상승한다. As a result, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT rises.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압은 상승이 이루어지다가 상승 폭이 서서히 줄어들어 포화하게 된다. The voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT rises and then the rising width gradually decreases and becomes saturated.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 포화된 전압은 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이 또는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압 편차(ΔVth)의 차이에 해당할 수 있다. The saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT may correspond to the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth or the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage deviation Vth .

아날로그 디지털 컨버터(310)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 포화되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 포화된 전압을 센싱한다. The analog-to-digital converter 310 senses the saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT when the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes saturated.

아날로그 디지털 컨버터(310)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth) 또는 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압 편차(ΔVth)을 뺀 전압(Vdata-ΔVth)일 수 있다. The voltage Vsen sensed by the analog digital converter 310 is a voltage Vdata-Vth obtained by subtracting the threshold voltage Vth from the data voltage Vdata or a voltage Vdata-Vth obtained by subtracting the threshold voltage deviation Vth from the data voltage Vdata (Vdata -? Vth).

도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.5 is a diagram for explaining a mobility sensing driving method for the driving transistor DRT in the OLED display 100 according to the present embodiments.

이동도 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 제1노드(N1) 각각은 기준전압(Vref)과 이동도 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)으로 초기화된다. The second node N2 and the first node N1 of the driving transistor DRT are initialized to the reference voltage Vref and the data sensing voltage Vdata for the mobility sensing.

이후, 제1 스위치(SW1)가 오프 되어 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 플로팅 된다. Thereafter, the first switch SW1 is turned off, and the second node N2 of the driving transistor DRT is floated.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 상승하기 시작한다. As a result, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT starts to rise.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 상승 속도(시간에 대한 전압 상승치의 변화량(ΔV))는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력, 즉 이동도에 따라 달라진다. The voltage rising rate (the amount of change? V of the voltage rising value with respect to time) of the second node N2 of the driving transistor DRT depends on the current capability of the driving transistor DRT, i.e., the mobility.

즉, 전류 능력(이동도)이 큰 구동 트랜지스터(DRT)일 수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 더욱 가파르게 상승한다. That is, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT increases more steeply as the driving transistor DRT has a larger current capability (mobility).

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 미리 정해진 일정 시간 동안 상승이 이루어진 이후, 아날로그 디지털 컨버터(310)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 상승된 전압(즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 상승에 따라 함께 전압 상승이 이루어진 기준전압 라인(RVL)의 전압)을 센싱한다. After the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT rises for a predetermined period of time, the analog-to-digital converter 310 outputs the raised voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT And the voltage of the reference voltage line RVL in which the voltage is raised together with the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT).

전술한 문턱전압 또는 이동도 센싱 구동에 따라 아날로그 디지털 컨버터(310)는 문턱전압 센싱 또는 이동도 센싱을 위해 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 디지털 값(센싱 값)을 포함하는 센싱 데이터를 생성하여 출력한다. According to the threshold voltage or mobility sensing drive described above, the analog-to-digital converter 310 converts the sensed voltage Vsen to a digital value for threshold voltage sensing or mobility sensing and includes a converted digital value (sensing value) And outputs the generated sensing data.

아날로그 디지털 컨버터(310)에서 출력된 센싱 데이터는 메모리(320)에 저장되거나 보상부(330)로 제공될 수 있다. The sensing data output from the analog-to-digital converter 310 may be stored in the memory 320 or provided to the compensation unit 330.

보상부(330)는 메모리(320)에 저장되거나 아날로그 디지털 컨버터(310)에서 제공된 센싱 데이터를 토대로 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압, 이동도) 또는 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화(예: 문턱전압 변화, 이동도 변화)를 파악하고, 특성치 보상 프로세스를 수행할 수 있다. The compensation unit 330 may store characteristic values (for example, threshold voltage, mobility) of the driving transistors DRT in the corresponding subpixel or driving characteristics of the driving transistors DRT, DRT based on the sensing data stored in the memory 320 or provided by the analog- (For example, a change in threshold voltage and a change in mobility) of the characteristic value of the target pixel can be detected and the characteristic value compensation process can be performed.

여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화는 이전 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미하거나, 기준 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미할 수도 있다. Here, the change in the characteristic value of the driving transistor DRT means that the current sensing data is changed based on the previous sensing data, or the current sensing data is changed based on the reference sensing data.

여기서, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 또는 특성치 변화를 비교해보면, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차를 파악할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화가 기준 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미하는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화로부터 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차(즉, 서브픽셀 휘도 편차)를 파악할 수도 있다. Here, when comparing the characteristic value or the characteristic value change between the driving transistors DRT, it is possible to grasp the characteristic value deviation between the driving transistors DRT. When the characteristic value change of the driving transistor DRT means that the current sensing data is changed based on the reference sensing data, the characteristic value deviation (i.e., the sub pixel luminance deviation) between the driving transistors DRT from the characteristic value change of the driving transistor DRT, .

특성치 보상 프로세스는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 보상하는 문턱전압 보상 처리와, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 보상하는 이동도 보상 처리를 포함할 수 있다. The characteristic value compensation process may include a threshold voltage compensation process for compensating the threshold voltage of the driving transistor DRT and a mobility compensation process for compensating the mobility of the driving transistor DRT.

문턱전압 보상 처리는 문턱전압 또는 문턱전압 편차(문턱전압 변화)를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(320)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The threshold voltage compensation process may be performed by calculating a compensation value for compensating for a threshold voltage or a threshold voltage deviation (threshold voltage change), storing the calculated compensation value in the memory 320, For example.

이동도 보상 처리는 이동도 또는 이동도 편차(이동도 변화)를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(320)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The mobility compensation process calculates a compensation value to compensate for mobility or mobility deviation (mobility change), stores the calculated compensation value in the memory 320, or stores the corresponding image data Data as the calculated compensation value, For example.

보상부(330)는 문턱전압 보상 처리 또는 이동도 보상 처리를 통해 영상 데이터(Data)를 변경하여 변경된 데이터를 데이터 드라이버(120) 내 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 공급해줄 수 있다. The compensation unit 330 may change the image data Data through the threshold voltage compensation process or the mobility compensation process and supply the changed data to the corresponding source driver integrated circuit (SDIC) in the data driver 120.

이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 보상부(330)에서 변경된 데이터를 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter, 340)를 통해 데이터 전압으로 변환하여 해당 서브픽셀로 공급해줌으로써, 서브픽셀 특성치 보상(문턱전압 보상, 이동도 보상)이 실제로 이루어지게 된다. Accordingly, the source driver integrated circuit (SDIC) converts the data changed by the compensating unit 330 into a data voltage through a digital to analog converter (DAC) 340 and supplies the data voltage to the corresponding sub pixel, Pixel characteristic value compensation (threshold voltage compensation, mobility compensation) is actually performed.

이러한 서브픽셀 특성치 보상이 이루어짐에 따라, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 줄여주거나 방지해줌으로써, 화상 품질을 향상시켜줄 수 있다. By compensating for the subpixel characteristic value, luminance deviation between the subpixels is reduced or prevented, thereby improving the image quality.

도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서 센싱 노이즈 영향을 설명하기 위한 도면이다. 6 is a diagram for explaining the influence of sensing noise in the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 6을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서는, 다양한 위치에서 리플 노이즈(Ripple Noise) 등의 노이즈가 발생할 수 있다. Referring to FIG. 6, in the organic light emitting diode display 100 according to the embodiments, noise such as ripple noise may occur at various positions.

이러한 노이즈는, 아날로그 디지털 컨버터(310)에 의해 센싱되는 전압(Vsen)에 섞여 있을 수 있다. This noise may be mixed with the voltage (Vsen) sensed by the analog-to-digital converter 310.

이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(310)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 노이즈 성분에 의해 정확하지 않은 센싱 전압일 수 있다. Accordingly, the voltage (Vsen) sensed by the analog-to-digital converter 310 may be a sensing voltage that is not accurate due to the noise component.

이러한 노이즈에 의한 센싱 오류는 보상값 연산에 오류를 발생시켜 화상 품질을 떨어뜨리는 요인이 될 수 있다. The sensing error caused by such noise may cause an error in the calculation of the compensation value, thereby deteriorating the image quality.

이와 같이, 센싱 오류를 발생시키는 노이즈를 아래에서는 "센싱 노이즈"라고 한다. As described above, the noise causing the sensing error is referred to as "sensing noise ".

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서 발생하는 노이즈가 미세한 노이즈이기 때문에, 노이즈에 의해 발생하는 화상 품질 저하 현상은 계조 표현 전압이 낮은 저계조 영역에서 더욱 두드러질 수 있다. Since the noise generated in the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments is a minute noise, the phenomenon of image quality deterioration caused by noise can be more conspicuous in the low gradation region where the gradation expression voltage is low.

저계조 영역에서의 화상 품질 저하 현상은, 일 예로, 저계조 영역에서 잔 가로선이 나타나는 현상일 수 있다. The image quality degradation phenomenon in the low gradation region can be, for example, a phenomenon in which a residual horizontal line appears in the low gradation region.

도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 각 서브픽셀(SP) 내 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)의 신호파형을 나타낸 도면이다. 7 illustrates a first scan signal SCAN1 applied to the first transistor T1 and a second transistor T2 in each subpixel SP of the OLED display 100 according to the present embodiment, And a signal waveform of the scan signal SCAN2.

도 7을 참조하면, 게이트 드라이버(130) 내 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 턴-온 레벨 전압(예: 하이 레벨 게이트 전압(VGH)), 및 턴-오프 레벨 전압(예: 로우 레벨 게이트 전압(VGL))을 이용하여, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1)와 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN2)를 생성할 수 있다. 7, a gate driver integrated circuit (GDIC) in the gate driver 130 is turned on and off by a turn-on level voltage (e.g., a high level gate voltage VGH) and a turn- Generates a first scan signal SCAN1 applied to the gate node of the first transistor T1 and a second scan signal SCAN2 applied to the gate node of the second transistor T2 using the voltage VGL can do.

본 명세서에서, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 n형 트랜지스터인 것으로 예를 들고 있기 때문에, 턴-온 레벨 전압을 하이 레벨 게이트 전압(VGH)으로 기재하고, 턴-오프 레벨 전압을 로우 레벨 게이트 전압(VGL)으로 기재한다. In this specification, since the first transistor T1 and the second transistor T2 are n-type transistors, the turn-on level voltage is referred to as a high level gate voltage VGH and the turn- The voltage is described as a low level gate voltage (VGL).

즉, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1)와 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN2)는, 동일한 턴-온 레벨 전압(VGH)과 동일한 턴-오프 레벨 전압(VGL)을 갖는다. That is, the first scan signal SCAN1 applied to the gate node of the first transistor T1 and the second scan signal SCAN2 applied to the gate node of the second transistor T2 are the same turn-on level voltage Off level voltage VGL equal to the turn-off level voltage VGL.

본 명세서에서는, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1)와 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN2)가 동일한 턴-온 레벨 전압(VGH)을 사용하여 생성되는 경우, 동일한 턴-온 레벨 전압(VGH)을 "공통 턴-온 레벨 전압"이라고도 기재한다. In this specification, the first scan signal SCAN1 applied to the gate node of the first transistor T1 and the second scan signal SCAN2 applied to the gate node of the second transistor T2 are the same turn-on level voltage (VGH), the same turn-on level voltage VGH is also referred to as "common turn-on level voltage ".

도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 공통 턴-온 레벨 전압(VGH)을 이용하여 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)를 생성할 때, 공통 턴-온 레벨 전압(VGH)의 크기에 따른 전체 화상 품질 및 충전 특성의 변화 그래프와, 공통 턴-온 레벨 전압(VGH)의 크기에 따른 저계조 화상 품질의 변화 그래프를 나타낸 도면이다. 8 is a timing diagram of the organic light emitting display 100 according to the present invention when the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are generated using the common turn-on level voltage VGH, A graph of a change in the overall image quality and charge characteristics according to the magnitude of the common turn-on level voltage VGH and a graph of the change in the low gradation image quality according to the magnitude of the common turn-on level voltage VGH.

도 8을 참조하면, 공통 턴-온 레벨 전압(VGH)이 높아질수록, 전체 화상 품질 및 충전 특성은 좋아질 수 있다. Referring to FIG. 8, the higher the common turn-on level voltage VGH, the better the overall picture quality and charging characteristics.

하지만, 공통 턴-온 레벨 전압(VGH)이 높아지면, 센싱 노이즈에 의한 영향이 켜져서 저계조 화상 품질이 떨어질 수 있다. However, if the common turn-on level voltage VGH becomes high, the influence of the sensing noise may be turned on and the low-gradation image quality may deteriorate.

도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조가 1 스캔 구조인 경우, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)에 동일한 스캔신호(SCAN)가 공통으로 인가되는 것을 나타낸 도면이다. 9 is a timing chart showing a case where the same scan signal SCAN is commonly applied to the first transistor T1 and the second transistor T2 when the subpixel structure of the OLED display 100 according to the present embodiment has a one scan structure. Fig.

도 9를 참조하면, 서브픽셀 구조가 1 스캔 구조인 경우, 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 동일한 게이트 라인(GL)을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드와 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 동일한 스캔신호(SCAN)를 공급한다. 9, when the subpixel structure is a one-scan structure, the gate driver IC (GDIC) is connected to the gate terminal of the first transistor T1 and the gate terminal of the second transistor T2 And supplies the same scan signal SCAN to the gate node.

즉, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1)와, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN21)는 서로 동일하다. That is, the first scan signal SCAN1 applied to the gate node of the first transistor T1 and the second scan signal SCAN21 applied to the gate node of the second transistor T2 are the same.

도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀(SP) 구조가 2 스캔 구조인 경우, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)에 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)가 별도로 인가되는 것을 나타낸 도면이다. 10 is a timing chart showing a first scan signal SCAN1 to the first transistor T1 and a second transistor T2 when the subpixel SP structure of the OLED display 100 according to the present embodiment has a two scan structure. And the second scan signal SCAN2 are separately applied.

도 10을 참조하면, 서브픽셀 구조가 2 스캔 구조인 경우, 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 서로 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 제1 스캔신호(SCAN1)를 공급하고, 제2 게이트 라인(GL2)를 통해 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 제2 스캔신호(SCAN2)를 공급한다. 10, when the sub-pixel structure has a two-scan structure, the gate driver IC (GDIC) applies a first scan signal SCAN1 to the gate node of the first transistor T1 through different gate lines And supplies the second scan signal SCAN2 to the gate node of the second transistor T2 through the second gate line GL2.

즉, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1)와, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN21)는 서로 다르다. That is, the first scan signal SCAN1 applied to the gate node of the first transistor T1 and the second scan signal SCAN21 applied to the gate node of the second transistor T2 are different from each other.

도 8 내지 도 10을 참조하면, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따른 스토리지 캐패시터(Cstg)의 충전 특성과 전체 화상 품질의 향상을 위해, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)의 공통 턴-온 레벨 전압(VGH)은 높은 전압 값을 사용하는 것이 유리하다. 8 to 10, in order to improve the charging characteristics and the overall image quality of the storage capacitor Cstg according to the switching operation of the first transistor T1 and the second transistor T2, the first scan signal SCAN1 And the common turn-on level voltage VGH of the second scan signal SCAN2 are advantageous to use a high voltage value.

이에 따라, 센싱 노이즈에 의한 저계조 영역에서의 화상 품질이 저하되는 현상이 불가피하게 발생한다. As a result, a phenomenon in which the image quality in a low gradation region due to sensing noise is lowered inevitably occurs.

이에, 본 실시예들은, 서로 다른 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)을 갖는 제1 스캔신호(SCAN1)와 제2 스캔신호(SCAN2)를 사용하여 게이트 구동을 수행하여 제1 트랜지스터(T1)와 제2 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작을 제어한다. Therefore, in the present embodiment, the first transistor T1 is turned on by performing gate driving using the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 having different turn-on level voltages VGH1 and VGH2, And the second transistor (T2).

이러한 게이트 구동을 "멀티 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)을 사용한 게이트 구동"이라고 한다. 이에 따라, 각 서브픽셀(SP)은 도 10과 같은 2 스캔 구조로 설계되어야 한다. This gate driving is referred to as "gate driving using multi-turn-on level voltages VGH1 and VGH2 ". Accordingly, each sub-pixel SP must be designed with a two-scan structure as shown in FIG.

아래에서는, 서로 다른 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)을 갖는 제1 스캔신호(SCAN1)와 제2 스캔신호(SCAN2)를 사용하여 게이트 구동을 수행하여 제1 트랜지스터(T1)와 제2 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작을 제어하는 게이트 구동 방법과 이를 이용한 센싱 구동 방법과, 서로 다른 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)을 갖는 제1 스캔신호(SCAN1)와 제2 스캔신호(SCAN2)를 사용하여 게이트 구동을 수행하는 게이트 드라이버(130) 및 이를 포함하는 유기발광표시장치(100)에 대하여 설명한다. In the following description, gate driving is performed using a first scan signal SCAN1 and a second scan signal SCAN2 having different turn-on level voltages VGH1 and VGH2, And a second scan signal SCAN2 having different turn-on level voltages VGH1 and VGH2 and a second scan signal SCAN2 having different turn-on level voltages VGH1 and VGH2, A gate driver 130 for performing gate driving and an OLED display 100 including the same will be described.

먼저, 도 11 내지 도 13을 참조하여 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에 대하여 설명한다. First, an organic light emitting display 100 according to the present embodiments will be described with reference to FIGS. 11 to 13. FIG.

도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 제1 트랜지스터(T1)에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1)와 제2 트랜지스터(T2)에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN2)를 서로 다른 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)을 이용하여 생성하는 게이트 드라이버(130) 집적회로를 나타낸 도면이고, 도 12는 본 실시예들에 따른 게이트 드라이버(130) 집적회로에서, 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)을 이용하여 생성한 제1 스캔신호(SCAN1)와, 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)을 이용하여 생성한 제2 스캔신호(SCAN2)의 신호 파형을 나타낸 도면이며, 도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 멀티 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)을 이용하여 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)의 온-오프를 제어하는 경우, 서브픽셀(SP) 구조를 나타낸 도면이다. 11 is a timing diagram illustrating a first scan signal SCAN1 applied to the first transistor T1 and a second scan signal SCAN2 applied to the second transistor T2 in the OLED display 100 according to the present embodiment. ) Using a different turn-on level voltage (VGH1, VGH2), and Fig. 12 is a circuit diagram of a gate driver 130 integrated circuit according to the present embodiment, The signal waveforms of the first scan signal SCAN1 generated using the first turn-on level voltage VGH1 and the second scan signal SCAN2 generated using the second turn-on level voltage VGH2 are shown FIG. 13 is a timing chart illustrating the ON and OFF states of the first transistor T1 and the second transistor T2 using the multi-turn-on level voltages VGH1 and VGH2 in the OLED display 100 according to the present embodiments. (SP) structure when controlling the " off "

도 11 내지 도 13을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 유기발광표시패널(110)의 각 서브픽셀(SP)에는, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)와, 제1 게이트 라인(GL1)을 통해 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1)에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)와, 제2 게이트 라인을 통해 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN2)에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 기준전압 라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터(T2)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cstg)가 배치될 수 있다. 11 to 13, in each of the sub-pixels SP of the organic light emitting display panel 110, the organic light emitting diode OLED, the organic light emitting diode OLED, A driving transistor DRT driving a diode OLED and a first scan signal SCAN1 applied to a gate node through a first gate line GL1 and a first node N1 And a second scan signal SCAN2 applied to the gate node through the second gate line and a second scan signal SCAN2 applied to the gate node through the second gate line, A second transistor T2 electrically connected between the node N2 and the reference voltage line RVL and a second transistor T2 electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. (Cstg) may be disposed.

도 11 내지 도 13을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 게이트 드라이버(130)는, 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1) 및 턴-오프 레벨 전압(VGL)을 이용하여 제1 스캔신호(SCAN1)를 생성하여 제1 게이트 라인(GL1)으로 출력하고 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2) 및 턴-오프 레벨 전압(VGL)을 이용하여 제2 스캔신호(SCAN2)를 생성하여 제2 게이트 라인으로 출력할 수 있다. 11 to 13, in the OLED display 100 according to the present embodiment, the gate driver 130 includes a first turn-on level voltage VGH1 and a turn-off level voltage VGL, Off level voltage VGL by using the second turn-on level voltage VGH2 and the turn-off level voltage VGL to generate the first scan signal SCAN1 using the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2, SCAN2) and output it to the second gate line.

도 12를 참조하면, 게이트 드라이버(130)에서 출력된 제1 스캔신호(SCAN1)의 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과 제2 스캔신호(SCAN2)의 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)은 서로 다를 수 있다. 12, the first turn-on level voltage VGH1 of the first scan signal SCAN1 outputted from the gate driver 130 and the second turn-on level voltage VGH2 of the second scan signal SCAN2 ) May be different.

즉, 게이트 드라이버(130)가 제1 스캔신호(SCAN1)를 생성하기 위해 입력 받은 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과 게이트 드라이버(130)가 제2 스캔신호(SCAN2)를 생성하기 위해 입력 받은 제2 스캔신호(SCAN2)의 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)은 서로 다를 수 있다. That is, the first turn-on level voltage VGH1, which the gate driver 130 receives to generate the first scan signal SCAN1, and the gate driver 130, to generate the second scan signal SCAN2, The second turn-on level voltage VGH2 of the received second scan signal SCAN2 may be different from each other.

전술한 바에 따르면, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각의 특성 및 역할에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1)의 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN2)의 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)을 다르게 함으로써, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각의 스위칭 동작을 효율적으로 제어할 수 있다. The first turn-on of the first scan signal SCAN1 applied to the gate node of the first transistor T1 is performed according to the characteristics and roles of the first transistor T1 and the second transistor T2, And the second turn-on level voltage VGH2 of the second scan signal SCAN2 applied to the gate node of the second transistor T2 are made different from each other by the ON level voltage VGH1, The switching operation of each of the two transistors T2 can be efficiently controlled.

한편, 제2 스캔신호(SCAN2)의 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)은 제1 스캔신호(SCAN1)의 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)보다는 낮은 전압일 수 있다. On the other hand, the second turn-on level voltage VGH2 of the second scan signal SCAN2 may be lower than the first turn-on level voltage VGH1 of the first scan signal SCAN1.

이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 데이터 전압 전달 역할과 이에 따른 충전 특성을 좋게 해주면서도, 제2 트랜지스터(T2)와 관련된 센싱 노이즈를 저감시켜 센싱 노이즈에 의한 센싱 오류 및 보상 오류를 방지할 수 있다. 따라서, 전체 화상 품질 및 충전 특성을 개선하면서도 저계조 화상 품질을 향상시킬 수 있다. Accordingly, sensing noise associated with the second transistor T2 can be reduced, and sensing and compensating errors due to sensing noise can be prevented while improving the data voltage transfer function and charging characteristics of the first transistor T1. have. Therefore, it is possible to improve the low-gradation image quality while improving the overall image quality and charging characteristics.

한편, 도 12를 참조하면, 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)의 편차(ΔV)는, 제2 트랜지스터(T2) 또는 제2 트랜지스터(T2)와 전기적으로 연결된 신호 라인(예: 기준전압 라인(RVL) 등)에서의 노이즈(센싱 노이즈)의 크기에 따라 제어될 수 있다. 12, the deviation (? V) between the first turn-on level voltage VGH1 and the second turn-on level voltage VGH2 is set to a value equal to or less than the second transistor T2 or the second transistor T2 (Sensing noise) in an electrically connected signal line (e.g., a reference voltage line (RVL) or the like).

일 예로, 제2 트랜지스터(T2) 또는 제2 트랜지스터(T2)와 전기적으로 연결된 신호 라인(예: 기준전압 라인(RVL) 등)에서의 노이즈(센싱 노이즈)의 크기가 클수록, 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)의 편차(ΔV)를 크게 할 수 있다. For example, the larger the magnitude of the noise (sensing noise) in the signal line (e.g., the reference voltage line RVL, etc.) electrically connected to the second transistor T2 or the second transistor T2, The deviation? V between the level voltage VGH1 and the second turn-on level voltage VGH2 can be increased.

즉, 제2 트랜지스터(T2) 또는 제2 트랜지스터(T2)와 전기적으로 연결된 신호 라인(예: 기준전압 라인(RVL) 등)에서의 노이즈(센싱 노이즈)의 크기가 클수록, 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)을 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)보다 더 많이 낮게 설정할 수 있다. That is, the greater the magnitude of the noise (sensing noise) in the signal line (e.g., the reference voltage line RVL, etc.) electrically connected to the second transistor T2 or the second transistor T2, The voltage VGH2 can be set to be much lower than the first turn-on level voltage VGH1.

전술한 바에 따르면, 서브픽셀의 특성치 센싱 시, 아날로그 디지털 컨버터(310)에 의해 전압 센싱이 되는 기준전압 라인(RVL)에서의 센싱 노이즈 저감을 제어할 수 있다. 이에 따라, 센싱 노이즈에 의한 센싱 오류 및 보상 오류를 더욱 효과적으로 방지할 수 있고, 저계조 화상 품질을 향상시킬 수 있다.According to the above description, it is possible to control the sensing noise reduction in the reference voltage line RVL, which is voltage-sensed by the analog-digital converter 310, when the characteristic value of the subpixel is sensed. Accordingly, the sensing error and the compensation error due to the sensing noise can be prevented more effectively, and the low-gradation image quality can be improved.

도 11을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 게이트 드라이버(130)에 포함된 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 각 서브픽셀(SP) 내 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드로 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1)를 생성하여 출력하는 제1 게이트 구동부(1110)와, 각 서브픽셀(SP) 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 인가되는 제2 스캔신호(SCAN2)를 생성하여 출력하는 제2 게이트 구동부(1120)를 포함할 수 있다. 11, the gate driver IC GDIC included in the gate driver 130 of the OLED display 100 according to the present embodiment includes a first transistor T1 in each subpixel SP, A first gate driver 1110 for generating and outputting a first scan signal SCAN1 applied to the gate node of the second transistor T2 and a second scan signal SCAN1 applied to the gate node of the second transistor T2 in each subpixel SP, And a second gate driver 1120 for generating and outputting the scan signal SCAN2.

제1 게이트 구동부(1110)는, 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1) 및 턴-오프 레벨 전압(VGL)을 이용하여 제1 스캔신호(SCAN1)를 생성하고, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드와 연결된 제1 게이트 라인(GL1)으로 제1 스캔신호(SCAN1)를 출력할 수 있다. The first gate driver 1110 generates the first scan signal SCAN1 using the first turn-on level voltage VGH1 and the turn-off level voltage VGL, The first scan signal SCAN1 is output to the first gate line GL1 connected to the gate node of the first transistor T1 electrically connected between the first node N1 of the data line DRT and the data line DL .

제2 게이트 구동부(1120)는, 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2) 및 턴-오프 레벨 전압(VGL)을 이용하여 제2 스캔신호(SCAN2)를 생성하고, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 기준전압 라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드와 연결된 제2 게이트 라인으로 제2 스캔신호(SCAN2)를 출력할 수 있다. The second gate driver 1120 generates the second scan signal SCAN2 using the second turn-on level voltage VGH2 and the turn-off level voltage VGL, The second scan signal SCAN2 may be output to the second gate line connected to the gate node of the second transistor T2 electrically connected between the second node N2 of the first transistor DRT and the reference voltage line RVL .

위에서 언급한 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)은 서로 다른 전압일 수 있다. The first turn-on level voltage VGH1 and the second turn-on level voltage VGH2 may be different voltages.

전술한 바와 같이, 게이트 드라이버(130)는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각의 특성 및 역할에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN2)를 차별화하여 생성하고 출력함으로써, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각의 특성 및 역할에 맞게, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각의 스위칭 동작을 효율적으로 제어할 수 있다. As described above, the gate driver 130 applies a first scan signal (first scan signal) applied to the gate node of the first transistor Tl according to the characteristics and roles of the first transistor T1 and the second transistor T2 SCAN1 and the second scan signal SCAN2 applied to the gate node of the second transistor T2 are generated and output by differentiating the first and second transistors T1 and T2 according to the characteristics and roles of the first transistor T1 and the second transistor T2, , The first transistor (T1), and the second transistor (T2) can be efficiently controlled.

일 예로, 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)은 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과 다르되, 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)보다 낮은 전압일 수 있다. In one example, the second turn-on level voltage VGH2 is different from the first turn-on level voltage VGH1 and may be lower than the first turn-on level voltage VGH1.

한편, 제1 스캔신호(SCAN1)의 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과, 제2 스캔신호(SCAN2)의 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)을 서로 다르게 사용하는 게이트 구동은, 센싱 구동 모드 구간에서만 수행될 수도 있고, 센싱 구동 모드 구간과 영상 구동 모드 구간 모두에서 수행될 수도 있다. On the other hand, the gate driving which uses the first turn-on level voltage VGH1 of the first scan signal SCAN1 and the second turn-on level voltage VGH2 of the second scan signal SCAN2 differently, May be performed only in the driving mode section or in both the sensing driving mode section and the image driving mode section.

도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 구동 모드의 종류에 따라, 공통 턴-온 레벨 전압(VGH)에 근거한 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)의 신호 파형과, 멀티 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)에 근거한 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)의 신호 파형을 나타낸 도면이다. FIG. 14 is a timing diagram illustrating a first scan signal SCAN1 and a second scan signal SCAN2 based on the common turn-on level voltage VGH in the OLED display 100 according to the present embodiment, And the signal waveforms of the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 based on the multi-turn-on level voltages VGH1 and VGH2.

도 14를 참조하면, 센싱 구동 모드(Sensing Driving Mode) 구간에서는, 게이트 드라이버(130)는, 제1 스캔신호(SCAN1)의 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과, 제2 스캔신호(SCAN2)의 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)을 서로 다르게 사용하는 게이트 구동을 수행할 수 있다. 14, in the sensing driving mode period, the gate driver 130 outputs the first turn-on level voltage VGH1 of the first scan signal SCAN1 and the second turn-on level voltage VGH1 of the second scan signal SCAN2 On level voltage VGH2 of the first turn-on level voltage VGH2.

즉, 센싱 구동 모드 구간에서는, 게이트 드라이버(130)는, 멀티 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)에 근거한 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)를 이용하여 게이트 구동을 수행할 수 있다. That is, in the sensing driving mode period, the gate driver 130 performs the gate driving using the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 based on the multi-turn-on level voltages VGH1 and VGH2 can do.

영상 구동 모드(Image Driving Mode) 구간에서, 게이트 드라이버(130)는, 제1 스캔신호(SCAN1)의 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과, 제2 스캔신호(SCAN2)의 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)을 동일하게 사용하는 게이트 구동을 수행할 수 있다. In the image driving mode period, the gate driver 130 applies the first turn-on level voltage VGH1 of the first scan signal SCAN1 and the second turn-on level voltage VGH1 of the second scan signal SCAN2, It is possible to perform gate driving using the same on-level voltage VGH2.

즉, 영상 구동 모드 구간에서는, 게이트 드라이버(130)는, 공통 턴-온 레벨 전압(VGH)에 근거한 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)를 이용하여 게이트 구동을 수행할 수 있다. That is, in the video driving mode period, the gate driver 130 can perform the gate driving using the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 based on the common turn-on level voltage VGH have.

다시 말해, 유기발광표시패널(110)의 구동 모드가 센싱 구동 모드인 경우, 제1 스캔신호(SCAN1)의 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과 제2 스캔신호(SCAN2)의 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)은 서로 다를 수 있다. In other words, when the driving mode of the OLED display panel 110 is the sensing driving mode, the first turn-on level voltage VGH1 of the first scan signal SCAN1 and the second turn of the second scan signal SCAN2 - the on level voltage (VGH2) may be different.

유기발광표시패널(110)의 구동 모드가 영상 구동 모드인 경우, 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)은 공통 턴-온 레벨 전압(VGH)로서 동일할 수 있다. When the driving mode of the OLED display panel 110 is the image driving mode, the first turn-on level voltage VGH1 and the second turn-on level voltage VGH2 are the same as the common turn-on level voltage VGH can do.

전술한 바에 따르면, 영상 구동 모드 구간에서는, 전체 화상 품질 및 충전 특성을 좋게 하는 것에 초점을 맞추어, 제1 스캔신호(SCAN1)의 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과 제2 스캔신호(SCAN2)의 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)을 높은 수준으로 이용하고, 센싱 구동 모드 구간에서는, 센싱 노이즈에 의한 저계조 화상 품질 개선에 초점을 맞추어, 제2 스캔신호(SCAN2)의 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)을 제1 스캔신호(SCAN1)의 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)보다 낮게 이용할 수 있다. 이에 따라, 구동 모드의 종류에 따라 적응적인 게이트 구동을 제공할 수 있다. According to the above description, the first turn-on level voltage VGH1 of the first scan signal SCAN1 and the second turn-on level voltage VGH2 of the second scan signal SCAN2 The second turn-on level voltage VGH2 of the second scan signal SCAN2 is used as a high level and the second turn-on level voltage VGH2 of the second scan signal SCAN2 is used as a high level in the sensing drive mode period, The on level voltage VGH2 may be lower than the first turn-on level voltage VGH1 of the first scan signal SCAN1. Accordingly, adaptive gate driving can be provided according to the type of the driving mode.

도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 구동 모드의 종류에 관계 없이, 멀티 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)에 근거한 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)의 신호 파형을 나타낸 도면이다. FIG. 15 is a graph showing the relationship between the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 based on the multi-turn-on level voltages VGH1 and VGH2 in the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment, And the signal SCAN2.

도 15를 참조하면, 구동 모드의 종류에 관계없이, 게이트 드라이버(130)는, 제1 스캔신호(SCAN1)의 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과, 제2 스캔신호(SCAN2)의 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)을 서로 다르게 사용하는 게이트 구동을 수행할 수 있다. 15, regardless of the type of the driving mode, the gate driver 130 outputs the first turn-on level voltage VGH1 of the first scan signal SCAN1 and the second turn-on level voltage VGH1 of the second scan signal SCAN2, It is possible to perform gate driving using two turn-on level voltages VGH2 differently.

즉, 영상 구동 모드 구간과 센싱 구동 모드 구간 모두에서, 게이트 드라이버(130)는, 멀티 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)에 근거한 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)를 이용하여 게이트 구동을 수행할 수 있다. That is, in both the image driving mode period and the sensing driving mode period, the gate driver 130 outputs the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 based on the multi-turn-on level voltages VGH1 and VGH2 Gate driving can be performed using the gate driving circuit.

전술한 바에 따르면, 구동 모드 종류에 관계 없이, 멀티 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)에 근거하여 게이트 구동을 일관성 있게 수행함으로써, 센싱 노이즈에 의한 저계조 화상 품질 개선 효과를 극대화시키면서도 효율적인 게이트 구동을 제공할 수 있다. According to the above description, the gate drive is consistently performed based on the multi-turn-on level voltages VGH1 and VGH2 irrespective of the drive mode, thereby maximizing the effect of improving the low-gradation image quality due to the sensing noise, Can be provided.

도 16은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 멀티 턴-온 레벨 전압(VGH1, VGH2)을 이용하여 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)의 온-오프를 제어하는 경우, 센싱 노이즈 저감 효과를 설명하기 위한 도면이다. 16 is a timing chart illustrating the ON / OFF of the first transistor T1 and the second transistor T2 using the multi-turn-on level voltages VGH1 and VGH2 in the OLED display 100 according to the present embodiment. Fig. 8 is a diagram for explaining a sensing noise reduction effect in the case of control.

도 16을 참조하면, 이상에서 설명한 바와 같이, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN2)의 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)을 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1)의 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)보다 낮은 전압으로 사용함으로써, 제2 트랜지스터(T2)와 그 주변에 있는 캐패시터(C)는 리플 노이즈 등과 같은 센싱 노이즈를 효과적으로 제거해줄 수 있는 필터(Filter) 역할을 할 수 있다. Referring to FIG. 16, the second turn-on level voltage VGH2 of the second scan signal SCAN2 applied to the gate node of the second transistor T2 is applied to the first transistor T1, By using the voltage lower than the first turn-on level voltage VGH1 of the first scan signal SCAN1 applied to the gate node, the second transistor T2 and the capacitor C around the second transistor T2 can be used as ripple noise, It can serve as a filter that can effectively remove sensing noise.

이러한 필터 역할에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(310)는 노이즈 성분이 제거된 센싱 전압(Vsen)을 얻어질 수 있다. In accordance with this filter role, the analog-to-digital converter 310 can obtain a sensing voltage (Vsen) from which a noise component is removed.

이에 따라, 보상부(330)는 정확한 센싱 값을 통해 정확한 보상값 연산을 할 수 있다. 이로써, 화상 품질 개선에 도움을 줄 수 있다. Accordingly, the compensation unit 330 can accurately calculate the compensation value based on the accurate sensing value. This can help improve image quality.

도 17은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 게이트 구동 방법에 대한 흐름도이다. 17 is a flowchart of a gate driving method of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 17을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 게이트 구동 방법은, 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1), 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2) 및 턴-오프 레벨 전압(VGL)을 입력받는 단계(S1710)와, 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1) 및 턴-오프 레벨 전압(VGL)을 이용하여 제1 스캔신호(SCAN1)를 생성하고, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드와 연결된 제1 게이트 라인(GL1)으로 제1 스캔신호(SCAN1)를 출력하는 단계(S1720)와, 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2) 및 턴-오프 레벨 전압(VGL)을 이용하여 제2 스캔신호(SCAN2)를 생성하고, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 기준전압 라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드와 연결된 제2 게이트 라인으로 제2 스캔신호(SCAN2)를 출력하는 단계(S1730) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 17, the gate driving method of the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment includes a first turn-on level voltage VGH1, a second turn-on level voltage VGH2, A first scan signal SCAN1 is generated using the first turn-on level voltage VGH1 and the turn-off level voltage VGL in step S1710, A first scan signal GL1 is applied to the first gate line GL1 connected to the gate node of the first transistor T1 electrically connected between the first node N1 of the drive transistor DRT and the data line DL A second scan signal SCAN2 is generated using the second turn-on level voltage VGH2 and the turn-off level voltage VGL in step S1720, The second gate line connected to the gate node of the second transistor T2 electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and the reference voltage line RVL, Outputting a signal (SCAN2) (S1730), and the like.

제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)과 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)은 서로 다른 전압 값을 가질 수 있다. The first turn-on level voltage VGH1 and the second turn-on level voltage VGH2 may have different voltage values.

전술한 게이트 구동 방법을 이용하면, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각의 특성 및 역할에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN2)를 차별화하여 생성하고 출력함으로써, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각의 특성 및 역할에 맞게, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각의 스위칭 동작을 효율적으로 제어할 수 있다. The first scan signal SCAN1 applied to the gate node of the first transistor T1 and the first scan signal SCAN2 applied to the gate of the first transistor Tl may be different depending on the characteristics and roles of the first transistor T1 and the second transistor T2, The second scan signal SCAN2 applied to the gate node of the second transistor T2 is generated and output by differentiating the second scan signal SCAN2 so that the first and second transistors T1 and T2 The switching operation of each of the transistor T1 and the second transistor T2 can be efficiently controlled.

제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)은 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)보다는 낮은 전압 값을 가질 수 있다. The second turn-on level voltage VGH2 may have a voltage value lower than the first turn-on level voltage VGH1.

도 18은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 구동 방법에 대한 흐름도이다.18 is a flowchart of a sensing driving method of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 18을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 유기발광표시패널(110)에 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)와, 제1 게이트 라인(GL1)을 통해 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1)에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)와, 제2 게이트 라인을 통해 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN2)에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 기준전압 라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터(T2)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cstg)가 배치된 서브픽셀(SP)에 대한 특성치(예: 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압, 이동도, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압)를 센싱하기 위한 센싱 구동 방법을 제공할 수 있다. 18, the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment includes an organic light emitting diode OLED in the organic light emitting display panel 110, a driving transistor DRT1 for driving the organic light emitting diode OLED, And a first scan signal SCAN1 applied to the gate node through the first gate line GL1 and electrically connected between the first node N1 and the data line DL of the driving transistor DRT And a second scan signal SCAN2 applied to the gate node through the second gate line and connected to the second node N2 and the reference voltage line RVL of the driving transistor DRT, A second transistor T2 electrically connected between the first node N1 and the second node N2 and a storage capacitor Cstg electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT, (E.g., the threshold voltage of the driving transistor DRT, mobility, The threshold voltage of de (OLED)) may provide a sensing drive method for sensing.

도 18을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 구동 방법은, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)을 갖는 제1 스캔신호(SCAN1)가 인가되는 동안 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)을 공급하고, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)을 갖는 제2 스캔신호(SCAN2)가 인가되는 동안 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 기준전압을 공급하는 제1 단계(S1810)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 기준전압이 공급되는 것을 차단하여 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 상승시키는 제2 단계(S1820)와, 기준전압 라인(RVL)의 전압을 센싱하는 제3 단계(S1830)와, 기준전압 라인(RVL)의 전압 센싱 결과를 토대로 구동 트랜지스터(DRT) 또는 유기발광다이오드(OLED)의 특성치를 센싱하는 제4 단계(S1840) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 18, the sensing driving method of the OLED display 100 according to the exemplary embodiments of the present invention includes a first scan (first scan) having a first turn-on level voltage VGH1 at a gate node of the first transistor T1, Supply voltage Vdata to the first node N1 of the driving transistor DRT while the signal SCAN1 is applied and the second turn-on level voltage VGH2 to the gate node of the second transistor T2, A first step S1810 of supplying a reference voltage to the second node N2 of the driving transistor DRT while the second scan signal SCAN2 having the first node N2 A second step S1820 of raising the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT by interrupting the supply of the reference voltage to the reference voltage line RVL and a third step of sensing the voltage of the reference voltage line RVL And the characteristic value of the driving transistor DRT or the organic light emitting diode OLED is sensed based on the voltage sensing result of the reference voltage line RVL It may include a first step 4 (S1840).

전술한 센싱 구동 방법을 이용하면, 센싱 구동 시, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각의 특성 및 역할에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가되는 제2 스캔신호(SCAN2)를 차별화하여 생성하고 출력하여 센싱 구동을 진행함으로써, 센싱 값에 센싱 노이즈 성분이 포함되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 정확한 센싱값을 얻을 수 있다. The sensing signal is applied to the gate terminal of the first transistor T1 according to the characteristics and roles of the first transistor T1 and the second transistor T2, The second scan signal SCAN2 applied to the gate node of the first transistor SCAN1 and the second transistor T2 is generated and output to differentiate the scan signal SCAN2 from the second scan signal SCAN2 to prevent the sensing noise from being included in the sensing value . Thus, an accurate sensing value can be obtained.

제2 턴-온 레벨 전압(VGH2)은 제1 턴-온 레벨 전압(VGH1)보다는 낮은 유기발광표시장치(100)의 센싱 구동 방법.The second turn-on level voltage (VGH2) is lower than the first turn-on level voltage (VGH1).

이에 따라, 제2 트랜지스터(T2)와 관련된 센싱 노이즈를 저감시켜 센싱 노이즈에 의한 센싱 오류 및 보상 오류를 방지할 수 있다. 따라서, 전체 화상 품질 및 충전 특성을 개선하면서도 저계조 화상 품질을 향상시킬 수 있다. Accordingly, the sensing noise associated with the second transistor T2 can be reduced, thereby preventing a sensing error and a compensation error due to sensing noise. Therefore, it is possible to improve the low-gradation image quality while improving the overall image quality and charging characteristics.

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀의 특성치를 센싱하는 과정에서 발생할 수 있는 센싱 노이즈를 제거하여 정확한 센싱을 가능하게 하고, 이를 통해 화상 품질을 향상시킬 수 있는 게이트 구동 방법, 센싱 구동 방법, 게이트 드라이버(130) 및 유기발광표시장치(100)를 제공할 수 있다.As described above, according to the present embodiments, a gate driving method, a sensing method, and an image sensing method can improve the image quality by eliminating sensing noise that may occur in the process of sensing a characteristic value of a subpixel, A driving method, a gate driver 130, and an OLED display 100 can be provided.

또한, 본 실시예들에 의하면, 센싱 노이즈에 의한 저계조 영역에서의 화상 품질 저하를 방지할 수 있는 게이트 구동 방법, 센싱 구동 방법, 게이트 드라이버(130) 및 유기발광표시장치(100)를 제공할 수 있다.Further, according to the present embodiments, a gate driving method, a sensing driving method, a gate driver 130, and an organic light emitting display 100 that can prevent image quality degradation in a low gradation region due to sensing noise are provided .

또한, 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 내 각 트랜지스터의 특성 및 역할에 맞게 각 트랜지스터를 제어할 수 있는 게이트 구동 방법, 센싱 구동 방법, 게이트 드라이버(130) 및 유기발광표시장치(100)를 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiments, a gate driving method, a sensing driving method, a gate driver 130, and an organic light emitting display 100 that can control each transistor according to the characteristics and roles of each transistor in a sub-pixel are provided can do.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. , Separation, substitution, and alteration of the invention will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터 드라이버
130: 게이트 드라이버
140: 타이밍 컨트롤러100: organic light emitting display
110: organic light emitting display panel
120: Data driver
130: gate driver
140: Timing controller

Claims

A driving transistor for driving the organic light emitting diode; a first transistor coupled between the first node of the driving transistor and a data line, the first transistor being controlled by a first scan signal applied to a gate node through a first gate line, A second transistor electrically connected between a second node of the driving transistor and a reference voltage line, the second transistor being controlled by a second scan signal applied to a gate node through a second gate line, An organic light emitting display panel in which storage capacitors electrically connected between the first node and the second node are arranged for each subpixel;
A data driver for outputting a data voltage to the data line; And
A first turn-on level voltage and a turn-off level voltage are used to generate and output the first scan signal to the first gate line, and a second turn-on level voltage different from the first turn- And a gate driver for generating the second scan signal using a turn-off level voltage and outputting the second scan signal to the second gate line.

The method according to claim 1,
And the second turn-on level voltage is lower than the first turn-on level voltage.

The method according to claim 1,
And a deviation between the first turn-on level voltage and the second turn-on level voltage is controlled according to a magnitude of noise in a signal line electrically connected to the second transistor or the second transistor.

The method according to claim 1,
And an analog-to-digital converter for sensing the voltage of the reference voltage line.

5. The method of claim 4,
A first switch electrically connected between the reference voltage line and a reference voltage supply node,
And a second switch electrically connected between the reference voltage line and the analog digital converter.

The method according to claim 1,
Wherein the first turn-on level voltage and the second turn-on level voltage are different when the driving mode of the organic light emitting display panel is the sensing driving mode and the image driving mode.

The method according to claim 1,
When the driving mode of the organic light emitting display panel is the sensing driving mode,
The first turn-on level voltage and the second turn-on level voltage are different from each other,
When the driving mode of the organic light emitting display panel is a video driving mode,
And the first turn-on level voltage and the second turn-on level voltage are the same.

A first scan signal is generated using a first turn-on level voltage and a turn-off level voltage, and a first scan signal is generated by using a first scan signal, which is connected to the gate node of the first transistor electrically connected between the first node of the drive transistor and the data line, A first gate driver for outputting the first scan signal to one gate line; And
Off level voltage and a second turn-on level voltage that is different from the first turn-on level voltage and the turn-off level voltage to generate a second scan signal, and the second node of the drive transistor and the reference voltage line And a second gate driver for outputting the second scan signal to a second gate line connected to the gate node of the second transistor electrically connected between the second gate line and the second gate line.

9. The method of claim 8,
And the second turn-on level voltage is lower than the first turn-on level voltage.

9. The method of claim 8,
And the first turn-on level voltage and the second turn-on level voltage are different when the driving mode of the organic light emitting display panel is the sensing driving mode and the image driving mode.

9. The method of claim 8,
When the driving mode of the organic light emitting display panel is the sensing driving mode,
The first turn-on level voltage and the second turn-on level voltage are different from each other,
When the driving mode of the organic light emitting display panel is a video driving mode,
Wherein the first turn-on level voltage and the second turn-on level voltage are the same.

In a method of driving a gate driver,
Receiving a first turn-on level voltage, a second turn-on level voltage, and a turn-off level voltage;
The first scan signal is generated using the first turn-on level voltage and the turn-off level voltage and is connected to the gate node of the first transistor electrically connected between the first node of the driving transistor and the data line in the sub- Outputting the first scan signal to a first gate line; And
Off level voltage and a turn-off level voltage which are different from the first turn-on level voltage, and generates a second scan signal by using the second turn-on level voltage and the turn- And outputting the second scan signal to a second gate line connected to a gate node of a second transistor electrically connected between the lines.

13. The method of claim 12,
And the second turn-on level voltage is lower than the first turn-on level voltage.

A driving transistor for driving the organic light emitting diode; a first transistor coupled between the first node of the driving transistor and a data line, the first transistor being controlled by a first scan signal applied to a gate node through a first gate line, A second transistor electrically connected between a second node of the driving transistor and a reference voltage line, the second transistor being controlled by a second scan signal applied to a gate node through a second gate line, 1. A method of driving an organic light emitting display device having an organic light emitting display panel in which a storage capacitor electrically connected between a first node and a second node is disposed for each subpixel,
Supplying a data voltage to a first node of the driving transistor while a first scan signal having a first turn-on level voltage is applied to a gate node of the first transistor, A first step of supplying a reference voltage to a second node of the driving transistor while a second scan signal having a second turn-on level voltage different from the turn-on level voltage is applied;
A second step of raising a voltage of a second node of the driving transistor by interrupting supply of the reference voltage to a second node of the driving transistor;
A third step of sensing a voltage of the reference voltage line; And
And sensing a characteristic value of the driving transistor or the organic light emitting diode based on the voltage sensing result of the reference voltage line.

15. The method of claim 14,
And the second turn-on level voltage is lower than the first turn-on level voltage.