KR20170055593A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170055593A
KR20170055593A KR1020150158104A KR20150158104A KR20170055593A KR 20170055593 A KR20170055593 A KR 20170055593A KR 1020150158104 A KR1020150158104 A KR 1020150158104A KR 20150158104 A KR20150158104 A KR 20150158104A KR 20170055593 A KR20170055593 A KR 20170055593A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
forming
particles
inorganic film
film
Prior art date
Application number
KR1020150158104A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102453924B1 (ko
Inventor
김성준
김재현
쇼고 니시자키
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150158104A priority Critical patent/KR102453924B1/ko
Priority to US15/230,160 priority patent/US9966561B2/en
Publication of KR20170055593A publication Critical patent/KR20170055593A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102453924B1 publication Critical patent/KR102453924B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H01L51/5237—
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • H01L27/3274—
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H01L2227/32—
    • H01L2251/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Abstract

본 발명의 일 실시예는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 표시부 및 상기 표시부를 외부의 수분이나 산소로부터 차단시키며 유기막과 무기막을 포함하는 봉지부를 포함하며, 상기 무기막은 제1층, 상기 제1층의 상부에 배치되는 제2층, 및 상기 제1층과 상기 제2층의 사이에 존재하는 파티클을 포함하는 표시 장치를 개시한다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{Display device and the method of manufacturing thereof}
본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인　표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED), 전기영동표시장치(Electro Phoretic Display; EPD) 및 플라즈마 액정패널(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은　표시장치의 사용이 증가하고 있다.
최근, 표시 패널에 대한 요구는 평판 표시 패널에만 국한되지 않고 다양한 방향으로 구부리거나 펼 수 있는 플렉서블 표시 패널에까지 미치고 있다.
그러나, 이와 같은 표시 장치는 빛이 직선으로만 이동하여 측면에서의 시인성, WAD가 저하되는 문제가 있다. 또한, 측면으로 빛이 출광되지 않으므로 광효율이 떨어지는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 봉지부 내에서 빛의 이동 경로를 변경하고, 빛의 산란을 일으켜 WAD를 개선, 광효율이 향상된 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 표시부 및 상기 표시부를 외부의 수분이나 산소로부터 차단시키며 유기막과 무기막을 포함하는 봉지부를 포함하며, 상기 무기막은 제1층, 상기 제1층의 상부에 배치되는 제2층 및 상기 제1층과 상기 제2층의 사이에 존재하는 파티클을 포함하는 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2층의 상부면은 상기 파티클을 중심으로 배치되는 볼록부를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 파티클 및 상기 볼록부는 각각 2개 이상 존재할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상부에 배치되는 제3층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2층과 상기 제3층의 사이에도 상기 파티클이 존재하고, 상기 제2층의 상부면 및 상기 제3층의 상부면은 상기 각각의 파티클을 중심으로 배치되는 볼록부를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예는 기판을 제공하는 단계, 상기 기판 상에 표시부를 형성하는 단계, 상기 표시부를 밀봉시키는 봉지부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 봉지부를 형성하는 단계는 무기막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 무기막을 형성하는 단계는 제1층을 형성하는 단계 상기 제1층의 상부면에 파티클을 형성하는 단계 상기 제1층의 상부에 제2층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1층을 형성하는 단계 및 제2층을 형성하는 단계는 동일한 공정 조건 하에서 수행되며, 상기 공정 조건은 반응 가스, 전원 조건을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 파티클을 형성하는 단계는 전원이 차단되는 조건 하에서 수행될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 반응 가스는 상기 제1층 및 상기 제2층의 형성에 필수적인 복수 개의 반응 가스들을 포함하며, 상기 파티클을 형성하는 단계는 상기 반응 가스들 중 적어도 1개의 반응 가스가 차단되는 조건 하에서 수행될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2층의 상부면은 상기 파티클에 의해 볼록한 형상을 갖도록 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1층, 상기 파티클 및 상기 제2층은 모두 동일한 공정에 의해 연속으로 형성되며, 상기 파티클만 상이한 공정 조건 하에서 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 무기막을 형성하는 단계는 상기 제2층의 상부에 제3층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2층을 형성하는 단계를 수행한 후, 제3층을 형성하기 전에 상기 파티클을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지부를 형성하는 단계는 유기막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 봉지부 내에서 빛의 산란이 일어나 WAD가 개선되고 광효율이 향상되는 유리한 효과가 있다.
또한, 별도의 공정에 의해 봉지부 내에 빛의 산란을 일으키는 굴곡면을 형성하는 것이 아니라 봉지부 내에 무기막을 형성하는 것과 동일한 공정으로 굴곡면을 형성할 수 있어 시간적, 비용적 측면에서 시간 및 비용을 절감할 수 있는 유리한 효과가 있다.
본 발명의 효과는 상술한 내용 이외에도, 도면을 참조하여 이하에서 설명할 내용으로부터도 도출될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 제2 무기막의 일부를 확대하여 도시한 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 표시 장치의 단면을 표시부를 중심으로 확대하여 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 하나의 무기막만을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용된다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위"에 또는 "상"에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)의 평면도이다.
선택적 실시예로서, 기판(100)은 가요성이 있는 다양한 소재로 이루어질 수 있으며 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다.
기판(100)은 사용자가 인식할 수 있는 화상을 구현하는 표시 영역(DA)과 상기 표시 영역(DA)의 외곽 영역인 비표시 영역(NDA)를 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)에는 유기 발광 소자, 액정 표시 소자와 같은 빛을 발생시키는 다양한 소자가 구비될 수 있으며, 비표시 영역(DA)에는 전원을 공급하는 전압선이 배치될 수 있다.
또한, 비표시 영역(NDA)에는 전원 공급장치(미도시) 또는 신호 생성장치(미도시)로부터 전기적 신호를 표시 영역(DA)으로 전달하는 패드부(PAD)가 배치될 수 있다.
패드부(PAD)에는 드라이버 IC(미도시), 드라이버 IC와 화소 회로를 연결시키는 패드(미도시) 및 팬 아웃 배선(미도시)을 포함할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 실시예에 도시된 표시 장치(1000)는 기판(100), 기판(100) 상에 구비되는 표시부(200), 상기 표시부(200)를 외부의 수분이나 공기로부터 차단시키기 위한 봉지부(500)를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이 기판(100)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 선택적 실시예로서, 기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 기판(100)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성할 수도 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 기판(100)이 유연한 성질을 갖도록 형성하여, 2차원 적으로 연신 가능하게 할 수 있다.
선택적 실시예로서 기판(100)은 0.4 이상의 포아송 비(Poisson's ratio)를 가지는 재질로 형성될 수 있다. 포아송 비(Poisson's ratio)는 한쪽방향에서 잡아 당겨서 길이를 늘일 때, 다른 쪽 방향이 줄어드는 비를 의미한다.
기판(100)을 형성하는 재질의 포아송 비(Poisson's ratio)가 0.4 이상, 즉 기판(100)이 잘 늘어나는 특성을 갖도록 하여 기판(100)의 유연성이 향상되고, 이를 통하여 표시 장치(1000)가 용이하게 벤딩 또는 폴딩될 수 있다.
표시부(200)는 기판(100)의 상부에 형성될 수 있다.
표시부(200)는 사용자가 시인 가능하도록 가시 광선을 발생한다. 표시부(200)는 다양한 소자를 구비할 수 있고, 예를 들면 유기 발광 소자 또는 액정 표시 소자 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 표시부(200)가 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있으며, 이에 대한 상세한 설명은 후술하도록 한다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 표시부(200)를 외부의 수분이나 산소로부터 보호하기 위하여 표시부(200)가 완전히 밀봉되도록 형성되는 봉지부(500)를 포함할 수 있다.
선택적 실시예로서, 봉지부(500)는 표시부(200)의 상부에 형성될 수 있으며 봉지부(500)의 양단이 기판(100)과 밀착하도록 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 봉지부(500)는 다수의 박막층이 적층된 구조로서, 유기막(300)과 무기막(400)이 교번적으로 적층되어 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 도 2에 도시된 바와 같이 봉지부(500)는 제1 무기막(310), 제1 유기막(410), 제2 무기막(330), 제2 유기막(430)이 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다. 박막층의 개수가 이에 한정되지 않음은 물론이며 교번적으로 복수 개의 박막층이 적층되어 형성될 수 있다.
상기 무기막(300)은 산소나 수분의 침투를 견고히 막아주는 역할을 할 수 있고, 상기 유기막(400)은 무기막(300)의 스트레스를 흡수하여 유연성을 부여하는 역할을 할 수 있다.
상기 무기막(300)은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일수 있다. 선택적 실시예로서, 상기 무기막들은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 유기막(400)은 고분자로 형성되며, 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일수 있다. 예컨대, 상기 유기막들은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 유기막들은 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함할 수 있다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 광개시제가 더 포함될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
선택적 실시예로서, 무기막(300)은 다층막으로 형성될 수 있다.
다층막으로 형성되는 무기막(300)은 한정되지 않는다. 즉, 제1 무기막(310) 과 제2 무기막(330) 중 어느 하나의 무기막이 다층막으로 형성될 수도 있고, 제1 무기막(310)과 제2 무기막(330) 모두 다층막으로 형성될 수도 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도 2에 도시된 바와 같이 제2 무기막(330)이 두 개의 층을 갖도록 형성될 수 있다.
즉, 제2 무기막(330)은 제1층(330a) 및 상기 제1층의 상부에 형성되는 제2층(330b)을 포함하여 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 제2층(330b)의 상부면은 편평하지 않고 부분적으로 볼록한 부분을 갖도록 형성될 수 있다. 제2층(330b)의 상부면이 부분적으로 볼록한 형태로 형성됨에 따라 빛의 이동 경로를 변경시켜 광효율을 향상시키는 유리한 효과가 있다. 다층막으로 이루어지는 무기막의 구조에 대하여 도 3을 참조하여 이후 자세히 설명하도록 한다.
도 3은 도 2에 도시된 제2 무기막의 일부를 확대하여 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 실시예에 따른 제2 무기막(330)은 제1층(330a) 및 제2층(330b)을 포함할 수 있고, 제1층(330a)과 제2층(330b)의 경계면에 존재하는 파티클(350)을 포함할 수 있다.
파티클(350)은 1개가 형성되거나 2개 이상 형성될 수 있으며, 형성 개수, 파티클의 크기, 형성 위치가 한정되지 않음은 물론이다. 편의상, 도 3에서는 파티클(350)을 눈에 띄기 쉽게 사각형 형태로 도시하였으나, 더 작은 입자로 다양한 형태로 형성될 수 있음은 물론이다.
파티클(350)은 제1층(330a) 및 제2층(330b)과 같은 무기물로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 파티클(350)은 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어질 수 있으며, 선택적 실시예로서, 상기 파티클(350)들은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
파티클(350)이 형성되는 과정에 대하여는 이후 표시 장치의 제조 방법의 실시예에서 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
제1층(330a) 상에 파티클(350)이 형성되고 난 후, 제1층(330a) 상부에 파티클(350)을 덮도록 제2층(330b)이 형성될 수 있다.
제2층(330b)의 상부면은 볼록부(370)를 포함할 수 있다.
즉, 제2층(330b)의 상부면은 상술한 바와 같이 편평하게 형성되는 것이 아니라 부분적으로 볼록하게 상부를 향하여 돌출되는 형태로 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 볼록부(370)는 파티클(350)을 중심으로 제2층(330b)의 상부면에 형성될 수 있다.
제1층(330a)의 상부면에 파티클(350)이 부분적으로 존재하게 되면, 제1층(330a) 및 파티클(350) 상에 형성되는 제2층(330b)은 이러한 파티클(350)을 seed로 하여 형성되므로 표면이 편평하게 형성되기 어려울 수 있다.
즉, 파티클(350)이 존재하는 부분에서는 제2층(330b)의 상부면이 부분적으로 볼록하게 상부를 향하여 돌출되는 돌출부(370)를 갖도록 형성될 수 있다.
무기막(300, 도 2 참고) 가운데 일부가 다층막으로 형성될 수 있고, 층간에 구비되는 파티클(350)에 의해 파티클(350)의 상부에 형성되는 층의 상부면이 굴곡을 갖도록 형성됨에 따라 빛의 이동 경로가 변화되는 효과가 있다.
다시 말해 무기막의 상부면이 편평하게 형성되는 경우에는 빛이 직선 방향으로만 이동하므로 광효율이 낮고, 측면에서의 시인성이 저하되는 문제가 있었다.
반면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1000, 도 2)는 제2 무기막(330)이 제1층(330a) 및 제2층(330b)을 포함하고, 두 층 사이에 형성되는 파티클(350)에 의해 제2층(330b)의 상부면이 굴곡진 형태로 볼록부(370)를 갖도록 형성됨에 따라 빛의 이동 경로를 변경하는 효과가 있다.
선택적 실시예로서, 도 3에 도시된 바와 같이 빛(light)이 직선으로 이동하다 볼록부(370)에 의해 방향을 꺾어 이동할 수 있고, 이로 인하여 측면 시인성(WAD) 및 광효율이 향상되는 유리한 효과가 있다.
편의상, 도 3에서는 빛(Light)의 이동 경로를 간략하게 도시하였으나, 모든 빛이 다양한 각도로 굴절되어 표시 장치(1000) 밖으로 출광될 수 있다.
즉, 볼록부(370)를 포함하는 제2층(330b)은 빛을 산란시키는 산란층으로서의 역할을 수행할 수 있으며, 봉지부(500, 도 2 참고) 내에서 빛의 산란에 의해 광효율이 향상될 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 표시 장치의 단면을 표시부(200)를 중심으로 확대하여 개략적으로 도시한 단면도이다.
상술한 바와 같이 표시부(200)는 유기 발광 소자(OLED), 액정 표시 소자와 같이 다양한 발광 소자를 구비할 수 있으나, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 표시부(200)가 유기 발광 소자(OLED)를 포함하는 실시예에 대하여 설명하도록 한다.
기판(100)의 상부에 버퍼층(110)이 형성될 수 있다. 버퍼층(110)은 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 베리어층, 및/또는 블록킹층으로 역할을 할 수 있다.
선택적 실시예로서, 상기 버퍼층(110)은 무기막으로 이루어질 수 있으며 기판 전면(全面)에 형성될 수 있다.
버퍼층(110)의 상부에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)의 활성층(A)은 폴리 실리콘으로 이루어질 수 있으며, 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 여기서, 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, N형 불순물 또는 P형 불순물이 가능하다.
활성층(A)이 형성된 후 활성층(A)의 상부에는 게이트 절연막(210)이 형성될 수 있다.
게이트 절연막(210)은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(210)은 활성층(A)과 상부에 위치하는 게이트 전극(G)을 절연하는 역할을 한다.
선택적 실시예로서, 게이트 절연막(210)은 무기막으로 이루어질 수 있으며, 기판 전면(全面)에 형성될 수 있다.
상기 게이트 절연막(210)을 형성한 후 게이트 절연막(210)의 상부에 게이트 전극(G)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(G)은 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통하여 형성될 수 있다.
게이트 전극(G)의 물질은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(G)이 형성된 후 층간 절연막(230)이 게이트 전극(G)을 덮도록 기판 전면(全面)에 형성될 수 있다.
층간 절연막(230)은 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(230)은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.
층간 절연막(230)은 실리콘산화물(SiOx) 및/또는 실리콘질화물(SiNx) 등의 무기물로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 층간 절연막(230)은 SiOx/SiNy 또는 SiNx/SiOy의 이중 구조로 이루어질 수 있다.
상기 층간 절연막(230)의 상부에는 박막 트랜지스터의 소스 전극(S), 드레인 전극(D)이 배치될 수 있다.
상기 소스 전극(S), 드레인 전극(D)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
소스 전극(S)과 드레인 전극(D)을 덮도록 비아층(250)이 형성될 수 있다. 비아층(250)의 상부에는 제1 전극(281)이 형성될 수 있다. 도 3에 도시된 일 실시예에 따르면, 제1 전극(281)은 비아홀을 통해 드레인 전극(D)과 연결된다.
비아층(250)은 절연물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 비아층(250)은 무기물, 유기물, 또는 유/무기 복합물로 단층 또는 복수층의 구조로 형성될 수 있으며, 다양한 증착방법에 의해서 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 비아층(250)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.
상기 비아층(250)의 상부에는 유기 발광 소자(OLED)가 구비될 수 있다.
유기 발광 소자(OLED)는 제1 전극(281), 유기 발광층을 포함하는 중간층(283), 및 제2 전극(285)을 포함한다. 또한, 표시 장치는 화소 정의막(270)을 더 포함할 수 있다.
유기 발광 소자(OLED)의 제1 전극(281)과 제2 전극(285)에서 주입되는 정공과 전자는 중간층(283)의 유기 발광층에서 결합하면서 빛이 발생할 수 있다.
제1 전극(281) 및/또는 제2 전극(285)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투명 전극으로 구비될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 구비될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 투명막을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 화소 전극(281) 또는 대향 전극(285)은 ITO/Ag/ITO 구조를 가질 수 있다.
중간층(283)은 제1 전극(281)과 제2 전극(285)의 사이에 형성되고 유기 발광층을 구비할 수 있다.
선택적인 실시예로서, 중간층(283)은 유기 발광층을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL:hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다. 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 중간층(283)은 유기 발광층을 구비하고, 기타 다양한 기능층을 더 구비할 수 있다.
상기 화소 정의막(270) 상에는 스페이서(미도시)가 더 형성될 수 있다. 스페이서(미도시)는 화소 정의막(270)으로부터 상부 방향으로 돌출되어 마련될 수 있으며 외부 충격에 의해 표시 특성이 저하되지 않게 하기 위해 마련된 것일 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(2000)의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 5에서 도 2와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다.
본 실시예에 따른 표시 장치(2000)는 기판(100), 기판 상에 구비되는 표시부(200), 상기 표시부(200)를 외부의 수분이나 산소로부터 차단시키기 위해 상기 표시부(200)를 밀봉하는 봉지부(500)를 포함할 수 있다.
선택적 실시예로서, 봉지부(500)는 표시부(200)의 상부에 형성될 수 있으며 봉지부(500)의 양단이 기판(100)과 밀착하도록 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 봉지부(500)는 다수의 박막층이 적층된 구조로서, 유기막(300)과 무기막(400)이 교번적으로 적층되어 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 도 2에 도시된 바와 같이 봉지부(500)는 제1 무기막(310), 제1 유기막(410), 제2 무기막(330), 제2 유기막(430)이 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다. 박막층의 개수가 이에 한정되지 않음은 물론이며 교번적으로 복수 개의 박막층이 적층되어 형성될 수 있다.
상기 무기막(300)은 산소나 수분의 침투를 견고히 막아주는 역할을 할 수 있고, 상기 유기막(400)은 무기막(300)의 스트레스를 흡수하여 유연성을 부여하는 역할을 할 수 있다.
선택적 실시예로서, 상기 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(330)은 다층막으로 형성될 수 있다.
도 5에서는 무기막(300)이 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(330)을 포함하는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되지 않음은 물론이며 3개 이상의 무기막 층을 포함하여 형성될 수 있다.
이 때, 선택적 실시예로서, 모든 복수개의 무기막들이 다층막으로 형성될 수 있다. 상술한 다른 실시예에서와 마찬가지로 일부 무기막만이 다층막으로 형성될 수도 있음은 물론이다.
제1 무기막(310)과 제2 무기막(330)은 각각 제1층(310a, 330a) 및 제2층(310b, 330b)을 포함할 수 있다.
도 3에서 도시한 바와 같이 제1층(310a, 330a)과 제2층(310b, 330b) 사이에는 파티클(350)이 형성될 수 있다. 편의상, 작은 크기의 입자인 파티클(350)을 도 5에서는 도시하지 않았으나 제1층(310a, 330a)과 제2층(310b, 330b)사이에 위치, 크기, 개수에 대하여 한정 없이 파티클(350)이 존재할 수 있다.
제1층(310a, 330a)과 제2층(310b, 330b) 사이에 형성된 파티클(350, 도 3 참고)에 의해 제2층(310b, 330b)의 상부 표면은 각각 편평하지 않게 형성될 수 있다.
즉, 본 실시예에 따른 표시 장치(2000)는 제1 무기막(310)의 제2층(3310b)과 제2 무기막(330)의 제2층(330b)의 상부면이 파티클(350)을 덮도록 형성되므로 파티클(350)이 존재하는 위치에서 볼록한 형태로 굴곡진 부분을 갖도록 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 제1 무기막(310)의 제2층(3310b)과 제2 무기막(330)의 제2층(330b)의 상부면이 파티클(350, 도 3 참고)과 대응되는 위치에 볼록부(370, 도 3 참고)를 포함하도록 형성될 수 있다.
이에 따라, 표시부(200)로부터 발생하는 빛이 이동하는 경로가 제2층(310b, 330b)의 상부면에 형성된 볼록부(370)에 의해 변경될 수 있다.
결과적으로, 본 실시예에 따른 표시 장치(2000)는 빛이 제1 무기막(310)의 제2층(3310b), 제2 무기막(330)의 제2층(330b)을 통과함에 따라 굴절되어 빛이 분산되므로 넓은 시야각을 확보할 수 있고, 표시 장치(2000)의 광효율을 향상시킬 수 있는 유리한 효과가 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 하나의 무기막만을 확대하여 도시한 단면도이다. 도 6에서 도 2와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다.
본 실시예에 따른 일 무기막(330')은 도 2에 도시된 표시 장치의 제1 무기막(310)에 해당할 수도 있고 제2 무기막(330)에 해당할 수도 있다. 즉, 도 6에 도시된 무기막(330')의 위치는 한정되지 않으며, 상술한 표시 장치의 봉지부(500, 도 2 참고)에 포함되는 무기막 가운데 하나일 수 있다.
선택적 실시예로서, 무기막(330')은 제1층(330a), 제2층(330b) 및 제3층(330c)이 순차로 적층되어 형성될 수 있다.
도 2에 도시된 표시 장치(1000)에 관한 설명에서 무기막(300)은 2개 이상의 다층막으로 형성될 수 있음을 이미 설명하였다.
선택적 실시예로서, 도 6에 도시된 바와 같이 무기막(330')은 3개의 다층막으로 형성될 수 있다.
이 때, 제1층(330a) 및 제2층(330b)의 사이에는 파티클(350)이 배치될 수 있으며, 제2층(330b) 및 제3층(330c)의 사이에도 파티클(350)이 배치될 수 있다.
각각의 층 사이에 배치되는 파티클(350)의 형성 위치, 형상, 개수에 관하여 한정되지 않음은 물론이다.
제1층(330a) 과 제2층(330b)의 사이에 형성된 파티클(350)에 의해 제2층(330b)의 상부면은 편평하지 않고, 파티클(350)이 위치하는 부분에서 볼록한 형상을 갖도록 형성될 수 있다.
또한, 제2층(330b)과 제3층(330c)의 사이에 형성된 파티클(350) 및 볼록한 형상을 갖는 제2층(330b)의 상부면에 의해 제2층(330b)의 상부에 형성되는 제3층(330c) 또한 상부면이 하부의 복수의 파티클(350)들이 위치하는 부분에서 볼록한 형상을 갖도록 형성될 수 있다.
이에 따라, 표시부(200)에서 발생하는 빛이 이동하는 경로가 제2층(330b) 및 제3층(330c)의 상부면에 형성된 볼록한 형상에 의해 변경될 수 있다.
결과적으로, 본 실시예에 따른 표시 장치는 빛이 무기막(330')의 제2층(330b)과 제3층(330c)을 통과함에 따라 굴절되어 빛이 분산되므로 넓은 시야각을 확보할 수 있고, 의 광효율을 향상시킬 수 있는 유리한 효과가 있다.
도 6에서는 제1층(330a), 제2층(330b) 및 제3층(330c), 3개의 층을 포함하는 무기막(330')에 대하여 도시하고 있으나, 4개 이상의 다층막으로 이루어질 수 있으며, 본 실시예에 따른 무기막(330')은 봉지부(500, 도 2 참고) 가운데 하나의 무기막에 해당하거나 봉지부(500, 도 5 참고)의 모든 무기막에 해당할 수 있다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도이다. 도 7a 내지 도 7d에서 도 2와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다.
도 7a를 참고하면 먼저 기판(100)을 제공하고, 기판(100) 상에 표시부(200)를 형성할 수 있다.
다음으로, 표시부(200)를 외부의 수분이나 산소로부터 차단시키기 위해 표시부(200)를 밀봉하는 제1 무기막(310)을 표시부(200)의 상부에 형성할 수 있다. 이 때, 표시부(200)를 완전히 밀봉시키기 위하여, 제1 무기막(310)의 양단이 기판(100)에 접하도록 형성될 수 있다.
이 때, 제1 무기막(310)은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일수 있다. 선택적 실시예로서, 상기 제1 무기막(310)은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
선택적 실시예로서, 제1 무기막(310)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정에 의해 형성될 수 있다.
CVD(Chemical Vapor Deposition)란 화학 증착 방식으로 대기압 내지 중 진공(100~Pa) 범위의 압력 상태에서 가스 기체 성분을 보내고 열, 플라즈마, 빛 등의 에너지를 부여하여 화학 반응을 일으킴에 따라 박막을 합성하고 기재 표면에 흡착 시키는 공정이다. CVD 공정의 종류로는 열 CVD, 플라즈마 CVD, 광 CVD 등이 있다.
즉, 일정한 압력 조건 하에서 반응 가스들을 에너지와 함께 제공하여 화학 반응을 일으킴에 따라 CVD 공정에 의해 제1 무기막(310)을 형성할 수 있다.
다음으로, 제1 무기막(310)의 상부에 제1 유기막(410)을 형성할 수 있다.
선택적 실시예로서, 제1 유기막(410)은 고분자로 형성되며, 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일수 있다.
선택적 실시예로서, 제1 유기막(410)은 액상의 모노머를 기화시켜 증착 시킨 후, 자외선을 조사하여 폴리머로 중합시켜 형성할 수 있다. 이는 하나의 실시예에 불과하며, 다양한 방법에 의해 제1 무기막(310) 상에 제1 유기막(410)을 형성할 수 있다.
다음으로, 제1 유기막(410)의 상부에 제2 무기막(330)의 제1층(330a)을 형성할 수 있다.
선택적 실시예로서, 제2 무기막(330)의 제1층(330a)은 CVD 공정에 의해 형성될 수 있다.
선택적 실시에로서, 제2 무기막(330)의 제1층(330a)은 제1 무기막(310)과 동일한 조건 하에서 동일한 CVD 공정에 의해 형성될 수 있다.
즉, 제1 무기막(310)과 동일한 압력, 동일한 반응 가스들, 동일한 에너지 조건에서 제2 무기막(330)의 제1층(330a)이 성막될 수 있다. 이것은 하나의 실시예에 불과하며, 제1 무기막(310)과 상이한 조건 하에서 제2 무기막(330)의 제1층(330a)이 성막될 수 있음은 물론이다.
도 7b를 참고하면, 제2 무기막(330)의 제1층(330a)이 형성된 후 파티클(350)이 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 파티클(350)은 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(330)의 제1층(330a)과 동일한 무기물으로 형성될 수 있다.
구체적으로, 파티클(350)은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 무기물일수 있다. 선택적 실시예로서, 상기 파티클(350)들은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
선택적 실시예로서, 파티클(350)은 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(330)의 제1층(330a)과 동일한 CVD 공정에 의해 제1층(330a) 상에 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에서 파티클(350)은 제1 무기막(310) 및 제1층(330a)의 성막시와 다른 조건 하에서 CVD 공정을 수행하여 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 제1 무기막(310) 및 제1층(330a)의 성막시 막의 종류, 형성 방법에 따라 다양한 반응 가스들이 사용될 수 있다. 구체적으로, SiH4, O2, N2O, NH3 등의 반응 가스들이 CVD 공정에 사용될 수 있다.
이와 달리, 선택적 실시예로서, 파티클(350)의 형성시에는 성막에 필수적인 상기 복수개의 반응가스들 중 적어도 하나의 반응 가스를 공급하지 않는 조건 하에서 CVD 공정을 행할 수 있다.
즉, 파티클(350)의 형성시, 제1 무기막(310) 및 제1층(330a)과 동일한 CVD 공정을 수행하되 반응 가스 조건을 달리하여, 반응 가스 가운데 적어도 하나의 반응 가스를 차단할 수 있다.
이에 따라, 공정 조건이 달라져 제1 무기막(310) 및 제1층(330a)과 같이 완전한 막으로 성장하지 못하고, 작은 크기의 입자인 파티클(350)이 제1층(330a)의 상부면상에 형성될 수 있다.
도 7b에서는 파티클(350)을 일정 크기의 직사각형 형상으로 도시하였으나, 이는 편의를 위한 것일 뿐, 파티클(350)의 크기나 형상은 이에 한정되지 않으며, 더 작은 크기의 파티클이 복수 개로 제1층(330a) 상에 형성될 수 있음은 물론이다.
다른 실시예로서, 파티클(350)의 형성시에는 성막에 필수적인 에너지 공급 즉, 전원을 차단하는 조건 하에서 CVD 공정을 행할 수 있다.
즉, 파티클(350)의 형성시, 제1 무기막(310) 및 제1층(330a)과 동일한 CVD 공정을 수행하되 전원이 차단된 상태에서 CVD 공정이 행해질 수 있으며, 이에 따라, 제1 무기막(310) 또는 제1층(330a)과 같은 완전한 막으로 성막되지 못할 수 있다.
결과적으로, 파티클(350)은 제1층(330a)과 동일한 CVD 공정을 수행하여 형성될 수 있으며, 다만, 반응 가스 조건 혹은 전원 공급 조건을 변경하여 반응 가스 중 적어도 하나를 차단하거나 전원을 차단하는 조건 하에서 형성될 수 있다.
도 7c를 참고하면, 파티클(350)이 배치되어 있는 제1층(330a) 상부에 파티클(350)을 덮도록 제2 무기막(330)의 제2층(330b)이 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 제2층(330b)은 CVD 공정에 의해 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 제2층(330b)은 제1층(330a)과 동일한 조건 하에서 동일한 CVD 공정에 의해 형성될 수 있다.
즉, 제1층(330a)과 동일한 압력, 동일한 반응 가스들, 동일한 에너지 조건에서 제2층(330b)이 성막될 수 있다. 이것은 하나의 실시예에 불과하며, 제1층(330a)과 상이한 조건 하에서 제2층(330 b)이 성막될 수 있음은 물론이다.
제2층(330b)은 제1층(330a) 상에 존재하는 파티클(350)을 덮도록 형성되므로 파티클(350)이 형성된 부분에서 상부면이 굴곡진 형상으로 형성될 수 있다.
즉, 파티클(350)이 seed 역할을 하여 파티클(350)의 상부에 성막되는 제2층(330b)은 굴곡지게 형성될 수 있으며, 제2층(330b)의 상부면이 굴곡부(370)를 포함하도록 형성될 수 있다.
굴곡부(370)는 파티클(350)이 위치하는 부분에서 위로 볼록한 형상을 가지도록 형성되므로, 표시부(200)에서 발생하는 빛의 이동 경로를 변경시킬 수 있다.
결과적으로 본 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 표시 장치는 굴곡부(370)가 형성된 상부면을 포함하는 제2층(330b)에 의해 빛의 산란이 일어날 수 있고, 시야각이 개선되며, 이에 따라 광효율이 향상되는 유리한 효과가 있다.
또한, 상술한 바와 같이 제1층(330a), 파티클(350), 제2층(330b)이 모두 동일한 CVD 공정에 의해 수행될 수 있어, 별도의 공정에 의해 봉지부 내에 굴곡면을 형성할 필요가 없으므로 시간 및 비용을 절감할 수 있는 유리한 효과가 있다.
다음으로, 도 7d를 참고하면, 제2 무기막(330)의 상부에 제2 유기막(430)을 형성할 수 있다.
선택적 실시예로서, 제2 유기막(430)은 고분자로 형성되며, 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일수 있다.
선택적 실시예로서, 제2 유기막(430)은 PVD 공정에 의해 형성될 수 있다. 구체적으로 액상의 모노머를 기화시켜 증착 시킨 후, 자외선을 조사하여 폴리머로 중합시켜 형성할 수 있다. 다만, 이는 하나의 실시예에 불과하며, 다양한 방법에 의해 제2 무기막(330) 상에 제2 유기막(430)을 형성할 수 있다.
제2 유기막(430)은 볼록부(370)가 상부면에 형성된 제2 무기막(430)의 상부에 형성되지만 평탄화막으로의 역할을 수행할 수 있다.
즉, 도 7d에 도시된 바와 같이 제2 유기막(430)은 제2 무기막(330)의 볼록부(370)에 영향을 받지 않고 상부면이 편평하게 형성될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.

100: 기판
200: 표시부
300: 무기막
310: 제1 무기막
330: 제2 무기막
310a, 330a: 제1층
310b, 330b: 제2층
350: 파티클
370: 볼록부
400: 유기막
410: 제1 유기막
430: 제2 유기막
500: 봉지부

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 표시부; 및
    상기 표시부를 외부의 수분이나 산소로부터 차단시키며 유기막과 무기막을 포함하는 봉지부;를 포함하며,
    상기 무기막은 제1층; 상기 제1층의 상부에 배치되는 제2층; 및 상기 제1층과 상기 제2층의 사이에 존재하는 파티클;을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2층의 상부면은 상기 파티클을 중심으로 배치되는 볼록부;를 포함하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 파티클 및 상기 볼록부는 각각 2개 이상 존재하는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 무기막은 상기 제2층의 상부에 배치되는 제3층;을 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2층과 상기 제3층의 사이에도 상기 파티클이 존재하고,
    상기 제2층의 상부면 및 상기 제3층의 상부면은 상기 각각의 파티클을 중심으로 배치되는 볼록부를 포함하는 표시 장치.
  6. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 표시부를 형성하는 단계;
    상기 표시부를 밀봉시키는 봉지부를 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 봉지부를 형성하는 단계는 무기막을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 무기막을 형성하는 단계는 제1층을 형성하는 단계; 상기 제1층의 상부면에 파티클을 형성하는 단계; 상기 제1층의 상부에 제2층을 형성하는 단계;를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1층을 형성하는 단계 및 제2층을 형성하는 단계는 동일한 공정 조건 하에서 수행되며,
    상기 공정 조건은 반응 가스, 전원 조건을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 파티클을 형성하는 단계는 전원이 차단되는 조건 하에서 수행되는 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 반응 가스는 상기 제1층 및 상기 제2층의 형성에 필수적인 복수 개의 반응 가스들을 포함하며,
    상기 파티클을 형성하는 단계는 상기 반응 가스들 중 적어도 1개의 반응 가스가 차단되는 조건 하에서 수행되는 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제2층의 상부면은 상기 파티클에 의해 볼록한 형상을 갖도록 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 제1층, 상기 파티클 및 상기 제2층은 모두 동일한 공정에 의해 연속으로 형성되며,
    상기 파티클만 상이한 공정 조건 하에서 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 무기막을 형성하는 단계는 상기 제2층의 상부에 제3층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2층을 형성하는 단계를 수행한 후, 제3층을 형성하기 전에 상기 파티클을 형성하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제6항에 있어서,
    상기 봉지부를 형성하는 단계는 유기막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
KR1020150158104A 2015-11-11 2015-11-11 표시 장치 및 이의 제조 방법 KR102453924B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150158104A KR102453924B1 (ko) 2015-11-11 2015-11-11 표시 장치 및 이의 제조 방법
US15/230,160 US9966561B2 (en) 2015-11-11 2016-08-05 Display device having a plurality of particles between inorganic layers and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150158104A KR102453924B1 (ko) 2015-11-11 2015-11-11 표시 장치 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170055593A true KR20170055593A (ko) 2017-05-22
KR102453924B1 KR102453924B1 (ko) 2022-10-17

Family

ID=58667933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150158104A KR102453924B1 (ko) 2015-11-11 2015-11-11 표시 장치 및 이의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9966561B2 (ko)
KR (1) KR102453924B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109755407A (zh) * 2017-11-08 2019-05-14 三星显示有限公司 有机发光显示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018179288A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
CN109346622A (zh) * 2018-10-19 2019-02-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled阵列基板及其制作方法
CN109817817A (zh) * 2019-01-30 2019-05-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled器件及其制备方法
TWI731655B (zh) 2020-04-21 2021-06-21 元太科技工業股份有限公司 電子紙封裝結構

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120140488A (ko) * 2011-06-21 2012-12-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140082479A (ko) * 2012-12-24 2014-07-02 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법
KR20140088335A (ko) * 2013-01-02 2014-07-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR20150011231A (ko) * 2013-07-22 2015-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150025260A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100958480B1 (ko) 2005-09-29 2010-05-17 파나소닉 주식회사 유기 ｅｌ 디스플레이 및 그 제조 방법
KR101089715B1 (ko) 2009-11-05 2011-12-07 한국기계연구원 다층 박막형 봉지막 및 이의 제조방법
KR20120109083A (ko) 2011-03-24 2012-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9257579B2 (en) * 2012-07-30 2016-02-09 Electronics And Telecommunications Research Institute Electronic devices and method of fabricating the same
JP6124622B2 (ja) 2013-02-28 2017-05-10 株式会社カネカ 有機ｅｌ装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120140488A (ko) * 2011-06-21 2012-12-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140082479A (ko) * 2012-12-24 2014-07-02 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법
KR20140088335A (ko) * 2013-01-02 2014-07-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR20150011231A (ko) * 2013-07-22 2015-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150025260A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109755407A (zh) * 2017-11-08 2019-05-14 三星显示有限公司 有机发光显示装置
KR20190052738A (ko) * 2017-11-08 2019-05-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN109755407B (zh) * 2017-11-08 2023-08-01 三星显示有限公司 有机发光显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170133630A1 (en) 2017-05-11
KR102453924B1 (ko) 2022-10-17
US9966561B2 (en) 2018-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11925055B2 (en) Organic light-emitting diode display
US8829495B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US10673016B2 (en) Display device comprising an inorganic encapsulation layer covering a pixel area and a pixel area gap
KR20170010285A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102465377B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10923546B2 (en) Organic light-emitting display device
KR20170055593A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102640753B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9843021B2 (en) Method of manufacturing display device
CN111106146A (zh) 显示设备及其制造方法
KR102385234B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20180007375A (ko) 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170128665A (ko) 박막트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210106616A (ko) 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US10944074B2 (en) Organic electroluminescent display device and method for producing same
US9343701B2 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US10991913B2 (en) Encapsulating structure capable of securing barrier characteristics with reduced thickness, display device having encapsulating structure and method of manufacturing the same
CN112447929A (zh) 显示装置
KR20170050848A (ko) 유기발광 표시장치
CN113838896A (zh) 滤色器单元和具有滤色器单元的显示设备
KR20220145461A (ko) 마스크 조립체, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right