KR20170028262A - Resin sheet and electronic apparatus - Google Patents

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KR20170028262A
KR20170028262A KR1020160111836A KR20160111836A KR20170028262A KR 20170028262 A KR20170028262 A KR 20170028262A KR 1020160111836 A KR1020160111836 A KR 1020160111836A KR 20160111836 A KR20160111836 A KR 20160111836A KR 20170028262 A KR20170028262 A KR 20170028262A
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resin
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고지 사토
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Abstract

A resin sheet of the present invention is used to bond electronic components. The adhesive force is 80 gf/5mm or more at 25C. The lowest melting viscosity of the resin sheet is more than or equal to 300 Pas, and less than or equal to 2,000 Pas, when measured at the measuring temperature range of 50-200C with the frequency of 62.83 rad/sec using a viscoelastic measuring device.

Description

수지 시트, 및 전자 장치{RESIN SHEET AND ELECTRONIC APPARATUS}[0001] RESIN SHEET AND ELECTRONIC APPARATUS [0002]

본 발명은 수지 시트, 및 전자 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin sheet and an electronic apparatus.

전자 장치의 제조에서는, 절연층의 한 면에 전자 부품을 탑재해 고정하는 경우가 있다. 예를 들어 세라믹 콘덴서 등의 전자 부품을 내장한 배선 기판의 제조시에, 전자 부품을 빌드업층 위에 형성하는 기술이 있다. 이와 같은 기술로서는, 예를 들어 특허문헌 1에 기재된 기술을 들 수 있다.In the manufacture of electronic devices, there is a case where electronic parts are mounted on one side of an insulating layer and fixed. For example, there is a technique of forming an electronic component on a build-up layer at the time of manufacturing a wiring board in which an electronic component such as a ceramic capacitor is built. As such a technique, for example, a technique described in Patent Document 1 can be cited.

특허문헌 1에는, 본체부와 외부 전극을 가지는 전자 부품을 가지는 전자 부품 내장 배선판에서, 외부 전극의 적어도 일부를 본체부에 형성된 개구부에 형성하는 것이 기재되어 있다.Patent Document 1 discloses that in an electronic component built-in wiring board having an electronic component having a main body portion and an external electrode, at least a part of the external electrode is formed in an opening portion formed in the main body portion.

일본 특개 2013-183028호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2013-183028

절연층 위에 전자 부품이 탑재된 전자 장치의 제조시에, 예를 들어 회로가 마련된 하지층 위에 수지 시트를 형성하고, 수지 시트 위에 전자 부품을 올린 후, 수지 시트를 경화시킨다는 프로세스를 실시하는 것이 본 발명자에 의해 검토되고 있다. 그렇지만, 회로 배선의 미세화에 따라, 하지층의 회로에 대한 수지 시트의 매립성이 보다 중요해지고 있다. 한편으로, 동일한 프로세스 중에서, 이러한 수지 시트에는, 전자 부품에 대한 밀착성을 향상시키는 점도 요구되는 것이 판명되었다. 지금까지는, 하지층의 회로에 대한 매립성과, 전자 부품에 대한 밀착성의 밸런스를 향상시키는 것이 가능한 수지 시트를 실현하는 것은 곤란했다.It is preferable that a process of forming a resin sheet on a base layer provided with a circuit, for example, placing an electronic part on a resin sheet, and then curing the resin sheet at the time of manufacturing an electronic device having the electronic part mounted on the insulating layer Have been reviewed by the inventors. However, as the circuit wiring becomes finer, the filling property of the resin sheet with respect to the circuit of the ground layer becomes more important. On the other hand, in the same process, it has been found that such a resin sheet is also required to improve the adhesion to electronic parts. Up to now, it has been difficult to realize a resin sheet capable of improving the balance between the bottom layer and the adhesion to the electronic component.

본 발명에 의하면,According to the present invention,

전자 부품을 접착하는데 이용되는 수지 시트로서, As a resin sheet used for bonding electronic components,

25℃에서의 점착력(tack force)이 80gf/5mmφ 이상이며, The tack force at 25 캜 is 80 gf / 5 mmφ or more,

상기 수지 시트에 대해서, 동적 점탄성 측정 장치를 이용하여 주파수 62.83rad/sec, 측정 온도 범위 50℃~200℃의 조건에서 측정했을 때에, 상기 수지 시트의 최저 용융 점도가 300Pa·s 이상 1000Pa·s 이하인 수지 시트가 제공된다.When the resin sheet is measured under the conditions of a frequency of 62.83 rad / sec and a measurement temperature range of 50 ° C to 200 ° C using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus, the resin sheet has a minimum melt viscosity of 300 Pa · s or more and 1000 Pa · s or less A resin sheet is provided.

또, 본 발명에 의하면, 상술의 수지 시트의 경화막과, 상기 경화막의 한쪽의 면 위에 접착된 전자 부품을 구비하는 전자 장치가 제공된다.According to the present invention, there is provided an electronic device comprising the cured film of the resin sheet described above and the electronic component bonded onto one side of the cured film.

본 발명에 의하면, 회로에 대한 매립성과, 전자 부품에 대한 밀착성의 밸런스를 향상시키는 것이 가능한 수지 시트를 실현할 수 있다.According to the present invention, it is possible to realize a resin sheet capable of improving the balance between the filling property of a circuit and the adhesion property to an electronic component.

도 1은 본 실시 형태에 관한 수지 시트를 나타내는 단면 모식도이다.
도 2는 본 실시 형태에 관한 회로 기판의 제조 방법을 나타내는 단면 모식도이다.
도 3은 본 실시 형태에 관한 회로 기판의 제조 방법을 나타내는 단면 모식도이다.
도 4는 본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법을 나타내는 단면 모식도이다.
도 5는 본 실시 형태에 관한 수지 시트의 변형예를 나타내는 단면 모식도이다.
도 6은 위치 편차량의 측정 방법을 나타내는 평면 모식도이다.
도 7은 세라믹 콘덴서의 변형예를 나타내는 단면 모식도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing a resin sheet according to the present embodiment. Fig.
2 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing a circuit board according to the embodiment.
3 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing a circuit board according to the present embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing method of the electronic device according to the embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the resin sheet according to the present embodiment.
6 is a plan view schematically showing a method of measuring the positional deviation.
7 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the ceramic capacitor.

이하, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해서, 도면을 이용해 설명한다. 또한, 모든 도면에서 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여 적절히 설명을 생략한다.Best Mode for Carrying Out the Invention Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.

우선, 본 발명에 관한 수지 시트의 개요에 대해 설명한다.First, the outline of the resin sheet according to the present invention will be described.

본 발명의 수지 시트는, 25℃에서의 점착력이 80gf/5mmφ 이상이라는 구성 요건 A와, 동적 점탄성 측정 장치를 이용하여 주파수 62.83rad/sec, 측정 온도 범위 50℃~200℃의 조건에서 측정했을 때의 최저 용융 점도가 300Pa·s 이상, 1000Pa·s 이하라는 구성 요건 B를 만족한다.The resin sheet of the present invention has a constitutional requirement A in which the adhesive force at 25 DEG C is 80 gf / 5 mm phi or more and a constitutional requirement A when measured at a frequency of 62.83 rad / sec and a measurement temperature range of 50 DEG C to 200 DEG C using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus Satisfies the constituent requirement B that the minimum melt viscosity is 300 Pa · s or more and 1000 Pa · s or less.

본 발명의 수지 시트는, 그 한쪽의 면 위에 전자 부품을 접착시키기 위해서 이용할 수 있다. 한편, 다른 쪽의 면은 회로 패턴이 형성된 기판의 회로면에 접착시킬 수 있다.The resin sheet of the present invention can be used to adhere an electronic component on one side thereof. On the other hand, the other surface can be adhered to the circuit surface of the substrate on which the circuit pattern is formed.

본 발명에서, 구성 요건 A를 만족함으로써, 수지 시트는 상측에 접착된 전자 부품에 대해서 충분한 밀착력을 갖는다. 구성 요건 A의 점착력을 크게 함으로써, 수지 시트의 전자 부품에 대한 밀착력을 높여 수지 시트를 경화 후, 이러한 전자 부품이 위치 편차를 일으키는 것을 억제할 수 있다.In the present invention, by satisfying the constituent requirement A, the resin sheet has sufficient adhesion to the electronic parts bonded on the upper side. By increasing the adhesive force of the constituent requirement A, it is possible to suppress the occurrence of positional deviation of such electronic parts after the resin sheet is cured by increasing the adhesion of the resin sheet to the electronic parts.

또, 본 발명에서, 구성 요건 B를 만족함으로써, 수지 시트는 하측에 배치된 회로에 대해서 양호한 매립 특성을 갖는다. 구성 요건 B의 최저 용융 점도를 상기 범위 내가 되도록 비교적 낮게 함으로써, 경화 전의 수지 시트가 회로의 간격 등에 매립되기 쉬워진다.Further, in the present invention, by satisfying the constituent requirement B, the resin sheet has good embedding characteristics with respect to the circuit arranged on the lower side. By making the minimum melt viscosity of the component B so low as to fall within the above-mentioned range, the resin sheet before curing is likely to be embedded in the circuit interval or the like.

본 발명자가 검토한 결과, 회로 배선의 미세화에 따라, 하측의 회로(기판의 회로)에 대한 수지 시트의 매립성이 보다 중요해지고 있는 한편으로, 동일 프로세스 중에서, 전자 부품에 대한 밀착성을 향상시키는 것도 필요한 것을 알아냈다. 이러한 지견에 근거하여, 추가로 검토한 결과, 구성 요건 A와 구성 요건 B를 양립시킴으로써, 기판의 회로에 대한 매립성과, 전자 부품에 대한 밀착성의 밸런스를 향상시키는 것이 가능한 수지 시트를 실현하기에 이르렀다.As a result of the investigation by the inventor of the present invention, it has been found that the filling of the resin sheet with respect to the lower circuit (circuit of the substrate) becomes more important as the circuit wiring becomes finer, while the adhesion to electronic parts I found out what I needed. On the basis of these findings, it has been further investigated that a resin sheet capable of improving the balance of the substrate with respect to the circuit and the adhesion to the electronic component can be improved by combining the constitutional requirement A and the constituent requirement B .

본 발명의 수지 시트는, 기판의 회로에 대한 매립성과, 전자 부품에 대한 밀착성을 모두 향상시킬 수 있고, 매립성과 밀착성의 밸런스를 잡을 수 있다. 또, 이러한 수지 시트를 이용한 회로 기판이나 전자 장치는 신뢰성이 높고, 수율이 뛰어나다.The resin sheet of the present invention can improve both the filling of the circuit board with the circuit and the adhesion to the electronic part, and the balance between the filling property and the adhesiveness can be achieved. In addition, a circuit board or an electronic device using such a resin sheet has high reliability and excellent yield.

이하, 본 실시 형태에 관한 수지 시트, 회로 기판, 회로 기판의 제조 방법 및 전자 장치에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, a resin sheet, a circuit board, a method of manufacturing a circuit board, and an electronic apparatus according to the present embodiment will be described in detail.

[수지 시트용 수지 조성물][Resin composition for resin sheet]

우선, 본 실시 형태에 관한 수지 시트를 형성하기 위한 수지 시트용 수지 조성물에 대해서 설명한다.First, a resin composition for a resin sheet for forming a resin sheet according to the present embodiment will be described.

수지 시트용 수지 조성물은 바니시상의 수지 조성물이다. 상기 수지 시트용 수지 조성물을 필름상으로 함으로써, 본 실시 형태의 수지 시트를 얻을 수 있다. 이와 같은 수지 시트용 수지 조성물은 열경화성 수지를 포함하는 열경화성 수지 조성물이다. 본 실시 형태의 수지 시트로서는, 상기 열경화성 수지 조성물을 이용해서 이루어지는 수지막을 사용할 수 있다.The resin composition for a resin sheet is a varnish-type resin composition. By making the resin composition for a resin sheet into a film, the resin sheet of the present embodiment can be obtained. Such a resin composition for a resin sheet is a thermosetting resin composition containing a thermosetting resin. As the resin sheet of the present embodiment, a resin film using the above-mentioned thermosetting resin composition can be used.

상기 열경화성 수지로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 페놀 수지, 벤조옥사진환을 가지는 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르수지, 말레이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 시아네이트 수지, 메타크릴로일기를 가지는 수지 등을 들 수 있다. 예를 들면, 열경화성 수지가 실온(25℃)에서 액상인 액상 수지를 포함해도 된다. 이들은 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 열경화성 수지가 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다.Examples of the thermosetting resin include, but not limited to, a phenol resin, a resin having a benzoxazine ring, an epoxy resin, a melamine resin, an unsaturated polyester resin, a maleimide resin, a polyurethane resin, a diallyl phthalate resin, A cyanate resin, and a resin having a methacryloyl group. For example, the thermosetting resin may include a liquid resin in a liquid state at room temperature (25 DEG C). These may be used alone or in combination of two or more. In the present embodiment, it is preferable that the thermosetting resin comprises an epoxy resin.

(에폭시 수지(A))(Epoxy resin (A))

에폭시 수지(A)는, 예를 들어 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 E형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 M형 에폭시 수지(4,4'-(1,3-페닐렌디이소프리디엔) 비스페놀형 에폭시 수지), 비스페놀 P형 에폭시 수지(4,4'-(1,4-페닐렌디이소프리디엔) 비스페놀형 에폭시 수지), 비스페놀 Z형 에폭시 수지(4,4'-시클로헥시디엔비스페놀형 에폭시 수지) 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 테트라페놀기에탄형 노볼락형 에폭시 수지, 축합환 방향족 탄화수소 구조를 가지는 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지; 크실릴렌형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지 등의 아랄킬형 에폭시 수지; 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌디올형 에폭시 수지, 2관능 내지 4관능 나프탈렌형 에폭시 수지, 비나프틸형 에폭시 수지, 나프탈렌아랄킬형 에폭시 수지, 나프탈렌 변성 크레졸 노볼락 에폭시 수지 등의 나프탈렌 골격을 가지는 에폭시 수지; 안트라센형 에폭시 수지; 페녹시형 에폭시 수지; 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지; 노르보르넨형 에폭시 수지; 아다만탄형 에폭시 수지; 플루오렌형 에폭시 수지, 알릴화 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다. 이들 중에서도, 수지 시트의 매립성이나, 표면 평활성을 향상시키는 관점에서는, 나프탈렌 골격을 가지는 에폭시 수지를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 수지 시트의 저선팽창화 및 고탄성율화를 도모할 수도 있다. 또, 회로 기판의 강성을 향상시켜 작업성의 향상에 기여하는 것이나, 반도체 패키지에서의 내(耐)리플로우성의 향상 및 휨의 억제를 실현하는 것도 가능하다. 또한 수지 시트의 매립성을 향상시키는 관점에서는, 3관능 이상의 나프탈렌 골격을 가지는 에폭시 수지를 포함하는 것이 특히 바람직하다.Examples of the epoxy resin (A) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin (4,4 ' Bisphenol-type epoxy resin (4,4 '- (1,4-phenylene diisoprene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol Z type epoxy resin (4,4' -Cyclohexidiene bisphenol type epoxy resin); Novolak type epoxy resins such as phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, tetra novolak type epoxy resin to tetraphenol group, and novolak type epoxy resin having condensed ring aromatic hydrocarbon structure; Biphenyl type epoxy resins; Aralkyl type epoxy resins such as xylylene type epoxy resin and biphenyl aralkyl type epoxy resin; Naphthalene type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, naphthalene diol type epoxy resins, bifunctional to tetrafunctional naphthalene type epoxy resins, binaphthyl type epoxy resins, naphthalene aralkyl type epoxy resins, and naphthalene modified cresol novolac epoxy resins. An epoxy resin having a skeleton; Anthracene type epoxy resin; Phenoxy type epoxy resin; Dicyclopentadiene type epoxy resin; Norbornene type epoxy resin; Adamantane type epoxy resin; A fluorene type epoxy resin, an allylated epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, a glycidyl ester type epoxy resin, and an alicyclic epoxy resin. Of these, from the viewpoint of improving the filling property of the resin sheet and the surface smoothness, it is more preferable to include an epoxy resin having a naphthalene skeleton. Thus, the resin sheet can be reduced in linear expansion and high elasticity. It is also possible to improve the rigidity of the circuit board to contribute to the improvement of the workability and to improve the reflow resistance and the warpage in the semiconductor package. From the viewpoint of improving the filling property of the resin sheet, it is particularly preferable to include an epoxy resin having a trifunctional or more naphthalene skeleton.

에폭시 수지(A)는, 이하의 일반식(1)으로 나타내는 에폭시 수지를 포함하는 것이, 바람직한 양태의 일례로서 들 수 있다.The epoxy resin (A) includes an epoxy resin represented by the following general formula (1) as an example of a preferable embodiment.

[화 1]However,

Figure pat00001
Figure pat00001

(식(1) 중, n은 0~10의 정수이며, R1 및 R2는 서로 독립해 수소 원자, 탄소수 1~6의 알킬기, 또는 탄소수 1~6의 알콕시기이다) (In the formula (1), n is an integer of 0 to 10, and R 1 and R 2 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms)

에폭시 수지(A)의 함유량은, 예를 들어 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 3중량% 이상인 것이 바람직하고, 5중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지(A)의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 열경화성 수지 조성물을 이용해 형성되는 수지 시트의 매립성이나 평활성의 향상에 기여할 수 있다. 한편으로, 에폭시 수지(A)의 함유량은, 예를 들어 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 40중량% 이하인 것이 바람직하고, 35중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지(A)의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 열경화성 수지 조성물을 이용해 형성되는 수지 시트의 내열성이나 내습성의 향상을 도모할 수 있다. 상기 에폭시 수지(A)는 액상 에폭시 수지를 포함하는 것이어도 된다. 액상 에폭시 수지의 함유량은 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서, 15중량% 이하로 해도 되고, 10중량% 이하로 해도 된다. 액상 에폭시 수지의 함유량을 줄임으로써, 점착력이 너무 강해지는 것에 의한 캐리어 박리성의 악화를 억제할 수 있다. The content of the epoxy resin (A) is preferably 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, based on the total solid content of the thermosetting resin composition. By making the content of the epoxy resin (A) equal to or higher than the lower limit value described above, it is possible to contribute to improvement of the filling property and smoothness of the resin sheet formed using the thermosetting resin composition. On the other hand, the content of the epoxy resin (A) is preferably 40% by weight or less, more preferably 35% by weight or less, based on the total solid content of the thermosetting resin composition. By setting the content of the epoxy resin (A) to the upper limit or lower, the heat resistance and moisture resistance of the resin sheet formed using the thermosetting resin composition can be improved. The epoxy resin (A) may contain a liquid epoxy resin. The content of the liquid epoxy resin may be 15% by weight or less and 10% by weight or less based on the total solid content of the thermosetting resin composition. By reducing the content of the liquid epoxy resin, it is possible to suppress deterioration of the carrier peelability due to too strong adhesive force.

또한 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분이란, 열경화성 수지 조성물 중에 포함되는 용제를 제외한 성분 전체를 나타낸다. 이하, 본 명세서에서 동일하다.Further, the total solid content of the thermosetting resin composition refers to the entirety of the components excluding the solvent contained in the thermosetting resin composition. Hereinafter, it is the same in the present specification.

또, 열경화성 수지 조성물은 시아네이트 수지, 알릴페놀 화합물, 프로페닐페놀 화합물, 활성 에스테르 화합물, 알콕시실란 변성 페놀 화합물, 카르보디이미드 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 액상, 또는 반고형상의 수지를 추가로 포함하고 있는 것이 바람직하다. 이들 수지를 포함함으로써, 수지 시트의 최저 용융 점도를 상기 범위 내로 하면서, 그 점착력을 향상시킬 수 있다. 특히, 열경화성 수지 조성물은 상기의 수지 중에서도, 시아네이트 수지를 포함하고 있는 것이 바람직하다.The thermosetting resin composition may further comprise at least one liquid or semi-solid resin selected from a cyanate resin, an allyl phenol compound, a propenyl phenol compound, an active ester compound, an alkoxysilane-modified phenol compound and a carbodiimide compound . By including these resins, the adhesive strength can be improved while keeping the minimum melt viscosity of the resin sheet within the above range. Particularly, the thermosetting resin composition preferably contains a cyanate resin among the above-mentioned resins.

(시아네이트 수지(B1)) (Cyanate resin (B1))

열경화성 수지 조성물이, 시아네이트 수지를 포함함으로써, 수지 시트에 적당한 점착성을 부여하는 것과 함께, 수지 시트의 저선팽창화나, 탄성률 및 강성의 향상을 도모할 수 있다. 또, 얻어지는 반도체 장치의 내열성이나 내습성의 향상에 기여하는 것도 가능하다.By including the cyanate resin in the thermosetting resin composition, it is possible to impart appropriate tackiness to the resin sheet and improve the low linear expansion of the resin sheet, the elastic modulus and the rigidity. It is also possible to contribute to improvement of the heat resistance and moisture resistance of the obtained semiconductor device.

시아네이트 수지(B1)는, 분자 내에 시아네이트기(-O-CN)를 가지는 수지이다. 특히, 시아네이트기를 분자 내에 2개 이상을 가지는 시아네이트 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 상기 시아네이트 수지(B1)로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 디시클로펜타디엔형 시아네이트에스테르 수지, 페놀 노볼락형 시아네이트에스테르 수지, 노볼락형 시아네이트 수지, 비스페놀 A형 시아네이트 수지, 비스페놀 E형 시아네이트 수지, 테트라메틸 비스페놀 F형 시아네이트 수지 등의 비스페놀형 시아네이트 수지, 및 나프톨아랄킬형 시아네이트 수지 등을 들 수 있다.The cyanate resin (B1) is a resin having a cyanate group (-O-CN) in the molecule. In particular, it is preferable to use a cyanate resin having two or more cyanate groups in the molecule. Examples of the cyanate resin (B1) include, but are not limited to, dicyclopentadiene type cyanate ester resins, phenol novolak type cyanate ester resins, novolak type cyanate resins, bisphenol A type cyanate resins, Bisphenol-type cyanate resins such as bisphenol E type cyanate resins and tetramethyl bisphenol F type cyanate resins, and naphthol aralkyl type cyanate resins.

또, 상기 시아네이트 수지(B1)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 할로겐화 시안 화합물과, 페놀류 또는 나프톨류를 반응시켜 얻을 수 있다. 이와 같은 상기 시아네이트 수지로서는, 예를 들면 페놀 노볼락형의 다가 페놀류와 할로겐화 시안의 반응에서 얻어지는 시아네이트 수지, 크레졸 노볼락형의 다가 페놀류와 할로겐화 시안의 반응에서 얻어지는 시아네이트 수지, 나프톨아랄킬형의 다가 나프톨류와 할로겐화 시안의 반응에서 얻어지는 시아네이트 수지 등을 들 수 있다. 상기 시아네이트 수지(B1)는, 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.The cyanate resin (B1) is not particularly limited, and can be obtained, for example, by reacting a halogenated cyanide compound with a phenol or naphthol. Examples of such cyanate resins include cyanate resins obtained by the reaction of phenol novolac type polyvalent phenols with halogenated cyanide, cyanate resins obtained by reaction of cresol novolac type polyvalent phenols with halogenated cyanide, naphthol aralkyl type And a cyanate resin obtained by a reaction between a cyanuric chloride and a cyanogen halide. The cyanate resin (B1) may be used singly or in combination of two or more.

이들 중에서도, 수지 시트의 저선팽창화나, 탄성률 및 강성을 향상시키는 관점에서는, 페놀 노볼락형 시아네이트 수지, 디시클로펜타디엔형 시아네이트에스테르 수지, 또는 나프톨아랄킬형 시아네이트 수지를 포함하는 것이 보다 바람직하고, 페놀 노볼락형 시아네이트 수지를 포함하는 것이 특히 바람직하다.Among them, from the viewpoint of improving the low linear expansion of the resin sheet, the modulus of elasticity and the rigidity, it is more preferable to contain a phenol novolak type cyanate resin, a dicyclopentadiene type cyanate ester resin, or a naphthol aralkyl type cyanate resin And a phenol novolak type cyanate resin is particularly preferable.

상기 시아네이트 수지(B1)의 함유량은, 예를 들어 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 3중량% 이상인 것이 바람직하고, 5중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 시아네이트 수지(B1)의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 열경화성 수지 조성물을 이용해 형성되는 수지 시트의 보다 효과적인 저선팽창화, 고탄성율화를 도모할 수 있다. 또, 매립성이나 평활성의 향상에 기여할 수 있다. 한편으로, 시아네이트 수지(B1)의 함유량은, 예를 들어 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 40중량% 이하인 것이 바람직하고, 35중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 시아네이트 수지(B1)의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 열경화성 수지 조성물을 이용해 형성되는 수지 시트의 내열성이나 내습성의 향상을 도모할 수 있다.The content of the cyanate resin (B1) is preferably 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, based on the total solid content of the thermosetting resin composition. By making the content of the cyanate resin (B1) equal to or more than the above lower limit value, the resin sheet formed using the thermosetting resin composition can be more effectively lowered in linear expansion and high elasticity. Further, it can contribute to the improvement of the filling property and the smoothness. On the other hand, the content of the cyanate resin (B1) is preferably 40% by weight or less, more preferably 35% by weight or less, based on the total solid content of the thermosetting resin composition. By setting the content of the cyanate resin (B1) to be not more than the upper limit, the heat resistance and moisture resistance of the resin sheet formed using the thermosetting resin composition can be improved.

(충전재(C))(Filler (C))

열경화성 수지 조성물은 충전재(C)를 추가로 포함하고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the thermosetting resin composition further contains a filler (C).

충전재(C)로서는, 무기 충전재를 이용할 수 있다. 상기 무기 충전제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 탈크, 소성 클레이, 미소성 클레이, 마이카, 유리 등의 규산염; 산화 티탄, 알루미나, 베마이트, 실리카, 용융 실리카 등의 산화물; 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 하이드로탈사이트 등의 탄산염; 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 수산화 칼슘 등의 수산화물; 황산바륨, 황산칼슘, 아황산칼슘 등의 황산염 또는 아황산염; 붕산 아연, 메타붕산 바륨, 붕산 알루미늄, 붕산 칼슘, 붕산 나트륨 등의 붕산염; 질화 알루미늄, 질화 붕소, 질화 규소, 질화 탄소 등의 질화물; 티탄산스트론튬, 티탄산바륨 등의 티탄산염 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탈크, 알루미나, 유리, 실리카, 마이카, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘이 바람직하고, 특히 실리카가 바람직하다.As the filler (C), an inorganic filler can be used. Examples of the inorganic filler include, but are not limited to, silicates such as talc, calcined clay, unbaked clay, mica, and glass; Oxides such as titanium oxide, alumina, boehmite, silica and fused silica; Carbonates such as calcium carbonate, magnesium carbonate, and hydrotalcite; Hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and calcium hydroxide; Sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate and calcium sulfite; Borates such as zinc borate, barium metaborate, aluminum borate, calcium borate and sodium borate; Nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, and carbon nitride; Strontium titanate, titanate such as barium titanate, and the like. Among these, talc, alumina, glass, silica, mica, aluminum hydroxide and magnesium hydroxide are preferable, and silica is particularly preferable.

실리카는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 구상 실리카, 및 파쇄실리카 중 적어도 한쪽을 포함해도 된다. 수지 시트의 매립성이나 표면 평활성을 향상시키는 관점에서는, 구상 실리카를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또, 실리카는, 예를 들어 용융 구상 실리카여도 된다.The silica is not particularly limited, but may include at least one of, for example, spherical silica and crushed silica. From the viewpoint of improving the filling property and surface smoothness of the resin sheet, it is more preferable to include spherical silica. The silica may be, for example, molten spherical silica.

상기 충전재(C)의 평균 입경 D50은 특별히 한정되지 않지만, 0.01μm 이상 5.0μm 이하가 바람직하고, 0.05μm 이상 2.0μm 이하가 보다 바람직하다.The average particle diameter D 50 of the filler (C) is not particularly limited, but is preferably 0.01 μm or more and 5.0 μm or less, and more preferably 0.05 μm or more and 2.0 μm or less.

상기 충전재(C)의 평균 입경 D50은, 예를 들어 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(HORIBA사 제, LA-500)를 이용해 측정하는 것이 가능하다. 또, 충전재는 1종 또는 2종 이상을 포함해도 된다.The average particle diameter D 50 of the filler (C) is, for example, It is possible to measure using a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus (HORIBA, LA-500). The filler may contain one or more kinds of fillers.

상기 충전재(C)의 함유량은, 예를 들어 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 40중량% 이상인 것이 바람직하고, 50중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 충전재(C)의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 열경화성 수지 조성물을 이용해 얻어지는 수지 시트의 내열성이나 내습성을 효과적으로 향상시킬 수 있다. 또, 수지 시트를 저선팽창화 및 고탄성율화시켜, 얻어지는 반도체 패키지의 휨 저감에 기여하는 것도 가능하다. 한편으로, 충전재(C)의 함유량은, 예를 들어 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 90중량% 이하인 것이 바람직하고, 85중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 충전재(B)의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 수지 시트의 매립성을 보다 효과적으로 향상시키는 것이 가능해진다.The content of the filler (C) is preferably 40 wt% or more, more preferably 50 wt% or more, based on the total solid content of the thermosetting resin composition, for example. By setting the content of the filler (C) to the lower limit value or more, the heat resistance and moisture resistance of the resin sheet obtained using the thermosetting resin composition can be effectively improved. It is also possible to reduce the warpage of the obtained semiconductor package by lowering the linear expansion and high elasticity of the resin sheet. On the other hand, the content of the filler (C) is preferably 90% by weight or less, more preferably 85% by weight or less, based on the total solid content of the thermosetting resin composition. By making the content of the filler (B) equal to or lower than the upper limit value, it becomes possible to improve the filling property of the resin sheet more effectively.

(경화촉진제(D))(Curing accelerator (D))

열경화성 수지 조성물은, 예를 들어 경화촉진제(D)를 추가로 포함하고 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 열경화성 수지 조성물의 경화성을 향상시킬 수 있다.It is preferable that the thermosetting resin composition further includes, for example, a curing accelerator (D). As a result, the curability of the thermosetting resin composition can be improved.

경화촉진제(D)로서는, 에폭시 수지(A)의 경화 반응을 촉진시키는 것을 이용할 수 있고, 그 종류는 특별히 한정되지 않는다. 경화촉진제(D)로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 옥틸산주석, 옥틸산코발트, 옥틸산아연, 비스아세틸아세토네이트코발트(II), 트리스아세틸아세토네이트코발트(III) 등의 유기 금속염, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등의 3급 아민류, 테트라페닐포스포늄·테트라페닐보레이트(TPP-K), 테트라페닐포스포늄·테트라키스(4-메틸페닐)보레이트(TPP-MK)와 같은 4급 포스포늄계 화합물, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-에틸-4-에틸이미다졸, 2-페닐-4-에틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시이미다졸 등의 이미다졸류, 페놀, 비스페놀 A, 노닐페놀 등의 페놀 화합물, 아세트산, 벤조산, 살리실산, 파라톨루엔설폰산 등의 유기산, 및 오늄염 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다. 이들 중에서도, 경화성을 보다 효과적으로 향상시키는 관점에서는, 오늄염 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하다.As the curing accelerator (D), those which accelerate the curing reaction of the epoxy resin (A) can be used, and the kind thereof is not particularly limited. Examples of the curing accelerator (D) include, but are not limited to, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, zinc octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt (III)), tertiary amines such as triethylamine, tributylamine and diazabicyclo [2.2.2] octane, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (TPP-K), tetraphenylphosphonium tetra (4-methylphenyl) borate (TPP-MK), 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl- Imidazoles such as imidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole and 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, phenol compounds such as phenol, bisphenol A and nonylphenol, Organic acids such as acetic acid, benzoic acid, salicylic acid, para-toluenesulfonic acid and the like, and onium salt compounds, The can be included. Among these, from the viewpoint of improving the curability more effectively, it is more preferable to include an onium salt compound.

상기 경화촉진제(D)로서 이용되는 오늄염 화합물은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 하기 일반식(2)으로 나타내는 화합물을 이용할 수 있다.The onium salt compound used as the curing accelerator (D) is not particularly limited, and for example, a compound represented by the following general formula (2) can be used.

[화 2][Figure 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

(식(2) 중, P는 인 원자, R3, R4, R5 및 R6은 각각 치환 혹은 비치환의 방향환 또는 복소환을 가지는 유기기, 혹은 치환 혹은 비치환의 지방족기를 나타내고, 서로 동일해도 상이해도 된다. A-는 분자 외에 방출할 수 있는 프로톤을 적어도 1개 이상 분자 내에 가지는 n(n≥1)가의 프로톤 공여체의 음이온, 또는 그 착음이온을 나타낸다) (In the formula (2), P represents a phosphorus atom, R 3 , R 4 , R 5 and R 6 represent an organic group having a substituted or unsubstituted aromatic ring or heterocyclic ring, or a substituted or unsubstituted aliphatic group, A - represents an anion of n (n? 1) -valent proton donor having at least one proton capable of releasing from the molecule in the molecule, or an anion thereof.

상기 경화촉진제(D)의 함유량은, 예를 들어 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 0.1중량% 이상인 것이 바람직하고, 0.3중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 경화촉진제(D)의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 열경화성 수지 조성물의 경화성을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다. 한편으로, 경화촉진제(D)의 함유량은, 예를 들어 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 10중량% 이하인 것이 바람직하고, 5중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 경화촉진제(D)의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 열경화성 수지 조성물의 보존성을 향상시킬 수 있다.The content of the curing accelerator (D) is, for example, preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.3% by weight or more based on the total solid content of the thermosetting resin composition. By setting the content of the curing accelerator (D) to the lower limit value or more, the curability of the thermosetting resin composition can be improved more effectively. On the other hand, the content of the curing accelerator (D) is preferably 10% by weight or less, more preferably 5% by weight or less, based on the total solid content of the thermosetting resin composition. By keeping the content of the curing accelerator (D) at or below the upper limit, the preservability of the thermosetting resin composition can be improved.

(E) 착색제(E) Colorant

열경화성 수지 조성물은, 예를 들어 착색제(E)를 추가로 포함할 수 있다. 착색제(E)는, 예를 들어 녹, 적, 청, 황, 및 흑 등의 염료, 안료, 및 색소로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함한다. 이들 중에서도, 개구부의 시인성 등을 향상시키는 관점에서, 녹색의 착색제를 이용할 수 있지만, 녹색 염료를 이용해도 된다. 상기 녹색의 착색제로서는, 예를 들어 안트라퀴논계, 프탈로시아닌계, 및 페릴렌계 등의 공지의 착색제를 1종 또는 2종 이상 포함할 수 있다.The thermosetting resin composition may further contain, for example, a colorant (E). The colorant (E) includes, for example, one or two or more selected from dyes, pigments, and pigments such as rust, red, blue, sulfur, and black. Of these, a green colorant can be used from the viewpoint of improving the visibility of the opening, and a green dye may be used. Examples of the green colorant may include one or more known colorants such as anthraquinone, phthalocyanine, and perylene.

상기 착색제(E)의 함유량은, 예를 들어 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 0.05중량% 이상인 것이 바람직하고, 0.1중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 착색제(E)의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 열경화성 수지 조성물을 이용해 얻어지는 수지 시트의 개구부의 시인성이나 은폐성을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다. 한편으로, 착색제(E)의 함유량은, 예를 들어 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 5중량% 이하인 것이 바람직하고, 3중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 착색제(E)의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 열경화성 수지 조성물의 경화성 등을 보다 효과적으로 향상시키는 것이 가능해진다.The content of the colorant (E) is preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more based on the total solid content of the thermosetting resin composition. By setting the content of the colorant (E) to the lower limit value or more, the visibility and hiding property of the opening of the resin sheet obtained by using the thermosetting resin composition can be improved more effectively. On the other hand, the content of the colorant (E) is preferably 5% by weight or less, more preferably 3% by weight or less based on the total solid content of the thermosetting resin composition. By setting the content of the colorant (E) to the upper limit value or less, it becomes possible to more effectively improve the curability and the like of the thermosetting resin composition.

(그 밖의 성분(F))(Other component (F))

열경화성 수지 조성물에는, 상기 각 성분 이외에, 필요에 따라 커플링제, 레벨링제, 경화제, 감광제, 소포제, 자외선 흡수제, 발포제, 산화 방지제, 난연제, 및 이온 포착제 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 첨가물을 첨가해도 된다.The thermosetting resin composition may contain one or more additives such as a coupling agent, a leveling agent, a curing agent, a sensitizer, a defoaming agent, an ultraviolet absorber, a foaming agent, an antioxidant, a flame retardant, May be added.

상기 커플링제로서는, 예를 들어 에폭시실란 커플링제, 양이온성 실란커플링제, 아미노실란 커플링제 등의 실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제 및 실리콘 오일형 커플링제 등을 들 수 있다. 레벨링제로서는, 아크릴계 공중합물 등을 들 수 있다. 상기 커플링제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서, 0.05~5중량%인 것이 바람직하고, 0.2~3중량%인 것이 보다 바람직하다.Examples of the coupling agent include a silane coupling agent such as an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent and an aminosilane coupling agent, a titanate coupling agent, and a silicone oil coupling agent. As the leveling agent, an acrylic copolymer or the like can be mentioned. The content of the coupling agent is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 5% by weight, more preferably 0.2 to 3% by weight, based on the total solid content of the thermosetting resin composition.

상기 경화제로서는, 예를 들어 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 아릴알킬렌형 노볼락 수지 등의 페놀 수지 등을 들 수 있다. 상기 경화제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서, 0.05~10중량%인 것이 바람직하고, 0.2~5중량%인 것이 보다 바람직하다.Examples of the curing agent include phenol resins such as phenol novolak resins, cresol novolak resins, aryl alkylene novolac resins, and the like. The content of the curing agent is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 10% by weight, more preferably 0.2 to 5% by weight, based on the total solid content of the thermosetting resin composition.

본 실시 형태의 수지 시트는, 상술한 각 성분을 소정량 함유하는 열경화성 수지 조성물을 이용함으로써, 구성 요건 A 및 B를 만족한다. 특히, 에폭시 수지(A)를 3~40중량%와, 시아네이트 수지(B1), 알릴페놀 화합물, 프로페닐페놀 화합물, 활성 에스테르 화합물, 알콕시실란 변성 페놀 화합물, 카르보디이미드 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 액상, 또는 반고형상의 수지를 3~40중량%와, 충전제(C)를 40~80중량%와, 경화촉진제(D)를 0.1~5중량%를 포함하는 열경화성 수지 조성물을 이용함으로써, 구성 요건 A 및 B를 보다 확실히 만족하는 수지 시트를 얻을 수 있다. 또, 구성 요건 A 및 B를 만족하고, 매립성과 밀착성의 밸런스가 특별히 뛰어난 수지 시트를 얻는 관점에서, 에폭시 수지(A)를 5~35중량%와, 시아네이트 수지(B1), 알릴페놀 화합물, 프로페닐페놀 화합물, 활성 에스테르 화합물, 알콕시실란 변성 페놀 화합물, 카르보디이미드 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 액상, 또는 반고형상의 수지를 10~35중량%와, 충전제(C)를 50~85중량%와, 경화촉진제(D)를 0.3~5중량%를 포함하는 열경화성 수지 조성물을 이용하는 것이 보다 바람직하다.The resin sheet of the present embodiment satisfies the constituent requirements A and B by using the thermosetting resin composition containing the above-mentioned respective components in a predetermined amount. Particularly, it is preferable that the epoxy resin (A) is used in an amount of 3 to 40% by weight, the cyanate resin (B1), the allylphenol compound, the propenylphenol compound, the active ester compound, the alkoxysilane-modified phenol compound and the carbodiimide compound By using a thermosetting resin composition comprising 3 to 40% by weight of a liquid, semi-solid resin of the type, 40 to 80% by weight of a filler (C) and 0.1 to 5% by weight of a curing accelerator (D) It is possible to obtain a resin sheet which more surely satisfies the constituent requirements A and B. From the viewpoint of obtaining a resin sheet which satisfies the constitutional requirements A and B and which is particularly excellent in balance between the filling property and the adhesiveness, it is preferable to use a resin composition containing 5 to 35% by weight of an epoxy resin (A), a cyanate resin (B1) 10 to 35% by weight of at least one liquid or semi-solid resin selected from propenylphenol compounds, active ester compounds, alkoxysilane-modified phenol compounds and carbodiimide compounds, 50 to 85% by weight of filler (C) , And 0.3 to 5% by weight of a curing accelerator (D), based on the total weight of the thermosetting resin composition.

또, 상기 열경화성 수지 조성물은 바니시상의 수지 조성물이다. 바니시상의 열경화성 수지 조성물을 필름상으로 함으로써, 본 실시 형태의 수지 시트가 얻어진다.The thermosetting resin composition is a varnish-type resin composition. By making the thermosetting resin composition on the varnish as a film, the resin sheet of the present embodiment is obtained.

본 실시 형태의 수지 시트는, 예를 들어 바니시상의 열경화성 수지 조성물을 도포해 얻어진 도포막(수지막)에 대해서, 용제 제거 처리를 실시함으로써 얻을 수 있다. 상기 수지 시트는, 용제 함유율이 열경화성 수지 조성물 전체에 대해서 5중량% 이하라고 정의할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 예를 들어 100℃~150℃, 1분~5분의 조건에서 용제 제거 처리를 실시할 수 있다. 이것에 의해, 열경화성 수지막의 경화가 진행하는 것을 억제하면서, 충분히 용제를 제거하는 것이 가능해진다.The resin sheet of the present embodiment can be obtained, for example, by applying a solvent removal treatment to a coating film (resin film) obtained by applying a varnish-type thermosetting resin composition. The resin sheet may be defined such that the content of the solvent is 5 wt% or less with respect to the entire thermosetting resin composition. In the present embodiment, for example, solvent removal treatment can be performed under the conditions of 100 ° C to 150 ° C for 1 minute to 5 minutes. This makes it possible to sufficiently remove the solvent while suppressing the progress of the curing of the thermosetting resin film.

본 실시 형태에서, 열경화성 수지 조성물을 캐리어 기재에 형성하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 이하와 같은 방법을 들 수 있다. 예를 들면, 우선 열경화성 수지를 용제 등에 용해·분산시켜 수지 바니시를 조제하고, 각종 코터 장치를 이용해 수지 바니시를 캐리어 기재에 도공한 후, 이것을 건조하는 방법, 스프레이 장치를 이용해 수지 바니시를 캐리어 기재에 분무 도공한 후, 이것을 건조하는 방법, 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 콤마 코터, 다이 코터 등의 각종 코터 장치를 이용하여 수지 바니시를 캐리어 기재에 도공한 후, 이것을 건조하는 방법이 바람직하다. 이것에 의해, 보이드가 없고, 균일한 두께를 가지는 수지 시트를 구비한 캐리어 기재 부착 수지 시트를 효율적으로 제조할 수 있다.In the present embodiment, the method of forming the thermosetting resin composition on the carrier substrate is not particularly limited, but the following methods can be used. For example, a resin varnish is first prepared by dissolving and dispersing a thermosetting resin in a solvent or the like to prepare a resin varnish, coating the resin varnish on a carrier substrate by using various coater apparatuses, and then drying the resin varnish. And a method of drying it after spray coating, and the like. Among them, a method of coating a resin varnish on a carrier substrate by using various coater apparatuses such as a comma coater and a die coater, and then drying it is preferred. This makes it possible to efficiently produce a resin sheet with a carrier substrate having a resin sheet having no void and having a uniform thickness.

(용제)(solvent)

상술한 바니시상의 열경화성 수지 조성물은, 예를 들어 용제를 포함할 수 있다.The thermosetting resin composition on the varnish described above may contain, for example, a solvent.

상기 용제로서는, 예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 톨루엔, 아세트산에틸, 시클로헥산, 헵탄, 시클로헥산, 시클로헥사논, 테트라히드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 에틸렌글리콜, 셀로솔브계, 카르비톨계, 아니솔, 및 N-메틸피롤리돈 등의 유기용제로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다.Examples of the solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide , Organic solvents such as ethylene glycol, cellosolve, carbitol, anisole, and N-methylpyrrolidone.

바니시상의 열경화성 수지 조성물에서, 열경화성 수지 조성물의 고형분 함유량은, 예를 들어 30중량% 이상 80중량% 이하인 것이 바람직하고, 40중량% 이상 70중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 작업성이나 성막성이 매우 뛰어난 열경화성 수지 조성물이 얻어진다. 또한 바니시상의 열경화성 수지 조성물은, 예를 들어 상술의 각 성분을 초음파 분산 방식, 고압 충돌식 분산 방식, 고속 회전 분산 방식, 비즈 밀 방식, 고속 전단 분산 방식, 및 자전 공전식 분산 방식 등의 각종 혼합기를 이용해 용제 중에 용해, 혼합, 교반함으로써 조제할 수 있다.In the thermosetting resin composition on the varnish, the solid content of the thermosetting resin composition is preferably 30 wt% or more and 80 wt% or less, and more preferably 40 wt% or more and 70 wt% or less. As a result, a thermosetting resin composition excellent in workability and film formability can be obtained. In addition, the thermosetting resin composition on the varnish may be prepared, for example, by mixing various components such as an ultrasonic dispersing system, a high-pressure impact dispersing system, a high-speed rotation dispersing system, a bead mill system, a high-speed shear dispersing system, And then dissolving, mixing and stirring in a solvent.

또한 열경화성 수지 조성물은, 예를 들어 유리 섬유 기재 등의 섬유 기재나 종이 기재를 포함하지 않는 조성물로 하는 것이 바람직하다. 이와 같은 기재를 포함하지 않음으로써, 회로의 매립성이 향상되고, 수지 시트를 형성하기 위해서 특히 적합한 열경화성 수지 조성물을 실현할 수 있다.The thermosetting resin composition is preferably made of a composition that does not include a fiber substrate such as a glass fiber substrate or a paper substrate. By not including such a base material, the filling property of a circuit is improved, and a thermosetting resin composition particularly suitable for forming a resin sheet can be realized.

[수지 시트][Resin sheet]

본 실시 형태에 관한 수지 시트는, 상기 수지 시트용 수지 조성물로부터 얻어진 필름을 포함할 수 있다. 본 실시 형태에서, 수지 시트는, 시트 형상이어도 되고, 권취 가능한 롤 형상이어도 된다.The resin sheet according to the present embodiment may include a film obtained from the resin composition for a resin sheet. In the present embodiment, the resin sheet may be in the form of a sheet or a roll in a rollable form.

전술한 바와 같이, 본 실시 형태의 수지 시트는, 25℃에서의 점착력이 80gf/5mmφ 이상이다. 상기 수지 시트의 점착력의 하한값은, 80gf/5mmφ 이상이지만, 90gf/5mmφ 이상이 바람직하고, 100gf/5mmφ 이상이 보다 바람직하다. 상기 수지 시트의 점착력의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 1000gf/5mmφ 이하가 바람직하고, 900gf/5mmφ 이하가 보다 바람직하며, 800gf/5mmφ 이하가 더욱 바람직하다. 점착력을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 전자 부품에 대한 밀착력을 높일 수 있다. 이것에 의해, 전자 장치의 제조시에, 수지 시트가 경화하기 전에, 건조나 추가 공정의 영향에 의한 전자 부품의 위치 편차를 억제할 수 있다. 점착력을 상기 상한값 이하로 함으로써, 캐리어나 캐리어 기재를 용이하게 박리할 수 있어 수지 시트의 취급이 양호하게 된다.As described above, the resin sheet of the present embodiment has an adhesive force of 80 gf / 5 mmφ or more at 25 ° C. The lower limit value of the adhesive force of the resin sheet is 80 gf / 5 mm phi or more, preferably 90 gf / 5 mm phi or more, and more preferably 100 gf / 5 mm phi or more. The upper limit value of the adhesive force of the resin sheet is not particularly limited, but is preferably 1000 gf / 5 mm or less, more preferably 900 gf / 5 mm or less, and even more preferably 800 gf / 5 mm or less. By setting the adhesive strength to the lower limit value or more, the adhesion to the electronic component can be increased. This makes it possible to suppress the positional deviation of the electronic component due to the influence of the drying or the additional process before the resin sheet is cured at the time of manufacturing the electronic device. By setting the adhesive force to the upper limit value or less, the carrier and the carrier base material can be easily peeled off, and the handling of the resin sheet becomes favorable.

본 실시 형태에서, 수지 시트의 점착력은, 예를 들면 이하의 순서에 의해 측정할 수 있다. 우선, 캐리어 기재 부착 수지 시트를 준비한다. 이 캐리어 기재 부착 수지 시트의 수지 시트를 코어재에 80℃에서 첩합시킨다. 다음에, 첩합된 캐리어 기재 부착 수지 시트 및 코어재를 약 10cm 사각형으로 절단하고, 캐리어 기재를 박리하여 측정 샘플로 한다. 그 다음에, 25℃로 설정된, 점착 시험기(레스카사 제)의 스테이지 위에 코어재가 아래가 되도록 측정 샘플을 재치하고, 측정 샘플에 프로브(5mmφ)를 100gf/5mmφ, 5sec의 조건에서 누른다. 그 후, 2mm/sec의 조건에서 프로브를 측정 샘플로부터 이탈시킨다. 이때, 프로브가 측정 샘플로부터 받는 인장력을 측정하고, 그 피크값을 점착력(gf/5mmφ)으로 한다. 이상에 의해, 캐리어 기재를 박리한 수지 시트의 박리면의 점착력을 측정할 수 있다.In the present embodiment, the adhesive force of the resin sheet can be measured by, for example, the following procedure. First, a resin sheet with a carrier substrate is prepared. The resin sheet of the resin sheet with a carrier substrate was bonded to the core at 80 캜. Next, the resin substrate and the core material with the carrier substrate adhered to each other are cut into squares of about 10 cm, and the carrier base material is peeled off to obtain a measurement sample. Then, the measurement sample was placed on the stage of an adhesion tester (made by Rescasa) set at 25 占 폚 so that the core material was located below, and a probe (5 mm?) Was pressed under the condition of 100 gf / 5 mm ?, 5 sec. Thereafter, the probe is released from the measurement sample under the condition of 2 mm / sec. At this time, the tensile force which the probe receives from the measurement sample is measured, and the peak value is determined as the adhesive force (gf / 5 mm?). As described above, the adhesive force of the release surface of the resin sheet from which the carrier substrate is peeled can be measured.

본 실시 형태의 수지 시트에서, 측정 주파수 62.83rad/sec, 승온 속도 3℃/분의 조건에 의한 동적 점탄성 시험에 의해서 측정되는 50~200℃에서의 최저 용융 점도는, 2000Pa·s 이하이다. 상기 최저 용융 점도의 상한값은, 2000Pa·s 이하이지만, 900Pa·s 이하가 바람직하고, 800Pa·s 이하가 보다 바람직하다. 최저 용융 점도를 상기 상한값 이하로 함으로써, 위에서 설명한 바와 같이 수지 시트의 매립성을 향상시키는 것이 가능해진다. 한편, 상기 최저 용융 점도의 하한값은, 300Pa·s 이상이지만, 400Pa·s 이상이 바람직하고, 500Pa·s 이상이 보다 바람직하다. 최저 용융 점도를 상기 하한값 이상으로 함으로써, 수지 시트의 표면 평활성을 향상시킬 수 있다.In the resin sheet of the present embodiment, the minimum melt viscosity at 50 to 200 占 폚 as measured by dynamic viscoelasticity test under the conditions of a measurement frequency of 62.83 rad / sec and a temperature raising rate of 3 占 폚 / min is not more than 2000 Pa 占 퐏. The upper limit of the lowest melt viscosity is 2000 Pa · s or less, but is preferably 900 Pa · s or less, more preferably 800 Pa · s or less. By setting the lowest melt viscosity to the upper limit value or less, it becomes possible to improve the filling property of the resin sheet as described above. On the other hand, the lower limit value of the lowest melt viscosity is 300 Pa · s or more, preferably 400 Pa · s or more, and more preferably 500 Pa · s or more. By setting the minimum melt viscosity to the lower limit value or more, the surface smoothness of the resin sheet can be improved.

본 실시 형태에서, 동적 점탄성 시험은, 예를 들어 동적 점탄성 측정 장치를 이용하고, 하기의 조건으로 실시할 수 있다. 또, 동적 점탄성 측정 장치로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 Anton Paar사 제의, Physica MCR-301을 이용할 수 있다.In the present embodiment, the dynamic viscoelasticity test can be carried out under the following conditions using, for example, a dynamic viscoelasticity measuring apparatus. The dynamic viscoelasticity measuring apparatus is not particularly limited, and for example, Physica MCR-301 manufactured by Anton Paar may be used.

주파수: 62.83rad/sec Frequency: 62.83 rad / sec

측정 온도: 50~200℃ Measuring temperature: 50 to 200 ° C

승온 속도: 3℃/min Heating rate: 3 ° C / min

지오메트리: 병렬 플레이트 Geometry: Parallel Plate

플레이트 직경: 10mm Plate diameter: 10mm

플레이트 간격: 0.1mm Plate spacing: 0.1 mm

하중(노멀 포스): 0N(일정) Load (Normal force): 0N (schedule)

스트레인: 0.3% Strain: 0.3%

측정 분위기: 공기 Measurement Atmosphere: Air

본 실시 형태에서는, 예를 들어 열경화성 수지 조성물 중에 포함되는 각 성분의 종류나 배합량, 열경화성 수지 조성물의 조제 방법 등을 적절히 선택함으로써, 상기 점착력 및 최저 용융 점도를 제어하는 것이 가능하다. 이들 중에서도, 예를 들어 액상의 에폭시 수지의 함유량이 적은 범위(열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서, 15중량% 이하)에서, 가온 등의 조합 방법, 커플링제 처리, 교반 방법에 의해 필러의 분산성을 향상시키는 것 등이, 상기 점착력 및 최저 용융 점도를 원하는 수치 범위로 하기 위한 요소로서 들 수 있다. 추가로, 액상의 에폭시 수지의 함유량이 적은 범위에서, 충전재의 함유량을 상기 하한값 이상(열경화성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서, 40중량% 이상)으로 하는 것과 함께, 적절한 교반 방법에 의해 충전재의 분산성을 향상시키는 것이, 상기 점착력 및 최저 용융 점도를 제어하기 위해서, 특히 중요한 요소로서 들 수 있다.In the present embodiment, it is possible to control the adhesive force and the minimum melt viscosity by appropriately selecting, for example, the kind and amount of each component contained in the thermosetting resin composition, the method of preparing the thermosetting resin composition, and the like. Among them, for example, the dispersibility of the filler in a range in which the content of the liquid epoxy resin is small (15% by weight or less with respect to the total solid content of the thermosetting resin composition) by a combination method such as heating, a coupling agent treatment, And the like can be mentioned as an element for setting the adhesive strength and the minimum melt viscosity to a desired numerical value range. In addition, the content of the filler is set to the lower limit value or more (the content is 40 wt% or more with respect to the total solid content of the thermosetting resin composition) within a range where the content of the liquid epoxy resin is small, Is an especially important factor for controlling the adhesive strength and the lowest melt viscosity.

본 실시 형태에서, 수지 시트를 200℃, 1시간으로 열처리하여 경화물을 얻었을 때에, 수지 시트의 경화물의 25℃에서의 저장 탄성률이 7GPa 이상인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 열경화성 수지 조성물을 이용해 얻어지는 수지 시트를 구비하는 회로 기판의 굴곡 억제나 강도 향상, 이 회로 기판을 구비하는 반도체 패키지의 휨 억제 등을 도모하는 것이 가능해진다. 상기 저장 탄성률은 10GPa 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편으로, 상기 저장 탄성률의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 50GPa 이하로 할 수 있다.In the present embodiment, when a cured product is obtained by heat-treating the resin sheet at 200 ° C for 1 hour, it is preferable that the cured product of the resin sheet has a storage elastic modulus at 25 ° C of 7 GPa or more. This makes it possible to suppress the bending of the circuit board including the resin sheet obtained by using the thermosetting resin composition and to improve the strength and to suppress the warpage of the semiconductor package having the circuit board. The storage elastic modulus is more preferably 10 GPa or more. On the other hand, the upper limit value of the storage elastic modulus is not particularly limited, but may be, for example, 50 GPa or less.

본 실시 형태에서, 수지 시트를 200℃, 1시간으로 열처리하여 경화물을 얻었을 때에 수지 시트의 경화물의 유리 전이 온도가, 160℃ 이상인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 열경화성 수지 조성물을 이용해 얻어지는 수지 시트의 내열성 및 내리플로우성의 향상 등을 도모하는 것이 가능해진다. 상기 유리 전이 온도는, 200℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편으로, 상기 유리 전이 온도의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 350℃ 이하로 할 수 있다.In the present embodiment, it is preferable that the cured product of the resin sheet has a glass transition temperature of 160 DEG C or higher when the cured product is obtained by heat-treating the resin sheet at 200 DEG C for 1 hour. This makes it possible to improve the heat resistance and downflow resistance of the resin sheet obtained by using the thermosetting resin composition. The glass transition temperature is more preferably 200 DEG C or higher. On the other hand, the upper limit value of the glass transition temperature is not particularly limited, but may be 350 DEG C or less, for example.

본 실시 형태에서, 상기 저장 탄성률 및 상기 유리 전이 온도는, 예를 들어 상기 경화물에 대해서, 동적 점탄성 측정 장치를 이용하여 주파수 1Hz, 승온 속도 5℃/분의 조건에서 동적 점탄성 시험을 실시함으로써 얻어지는 측정 결과로부터, 산출할 수 있다. 동적 점탄성 측정 장치로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 세이코 인스트루먼트사 제, DMS6100을 이용할 수 있다.In the present embodiment, the storage elastic modulus and the glass transition temperature can be obtained, for example, by subjecting the cured product to dynamic viscoelasticity testing at a frequency of 1 Hz and a temperature raising rate of 5 deg. C / min using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus Can be calculated from the measurement results. The dynamic viscoelasticity measuring apparatus is not particularly limited, and for example, DMS6100 manufactured by Seiko Instruments Inc. may be used.

본 실시 형태에서, 수지 시트를 200℃, 1시간으로 열처리하여 경화물을 얻었을 때에, 수지 시트의 경화물의 유리 전이 온도 미만에서의 선팽창 계수가 30ppm/℃ 이하인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 열경화성 수지 조성물을 이용해 얻어지는 수지 시트를 구비하는 반도체 패키지의 휨 억제 등을 도모하는 것이 가능해진다. 상기 선팽창 계수는, 28ppm/℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 한편으로, 상기 선팽창 계수의 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 3ppm/℃ 이상으로 할 수 있다. In the present embodiment, when a cured product is obtained by heat-treating the resin sheet at 200 占 폚 for 1 hour, it is preferable that the coefficient of linear expansion of the cured product of the resin sheet at a temperature lower than the glass transition temperature is 30 ppm / 占 폚 or less. This makes it possible to suppress the warpage of the semiconductor package including the resin sheet obtained by using the thermosetting resin composition. The coefficient of linear expansion is more preferably 28 ppm / 占 폚 or lower. On the other hand, the lower limit value of the linear expansion coefficient is not particularly limited, but can be, for example, 3 ppm / DEG C or more.

본 실시 형태에서는, 예를 들어 상기 경화물에 대해서, TMA(열 분석 장치)를 이용해 승온 속도 10℃/분의 조건에서 측정함으로써 얻어지는 선팽창 계수의 25~50℃에서의 평균을 산출하고, 이것을 유리 전이 온도 미만에서의 상기 선팽창 계수로 할 수 있다.In the present embodiment, for example, an average of the coefficient of linear expansion obtained at 25 to 50 DEG C obtained by measuring the cured product at a temperature raising rate of 10 DEG C / min using a TMA (thermal analysis apparatus) is calculated, The coefficient of linear expansion below the transition temperature can be used.

또한 본 실시 형태에서는, 예를 들어 열경화성 수지 조성물 중에 포함되는 각 성분의 종류나 배합량, 열경화성 수지 조성물의 조제 방법 등을 적절히 선택함으로써, 상기 저장 탄성률, 상기 유리 전이 온도, 및 상기 선팽창 계수를 제어하는 것이 가능하다.In the present embodiment, the storage modulus, the glass transition temperature, and the coefficient of linear expansion are controlled by appropriately selecting, for example, the type and blending amount of each component contained in the thermosetting resin composition and the method of preparing the thermosetting resin composition It is possible.

또, 본 실시 형태의 수지 시트를 캐리어 기재 위에 적층함으로써, 캐리어 기재 부착 수지 시트를 구성할 수 있다. 이것에 의해, 수지 시트의 핸들링성을 향상시킬 수 있다.Further, by laminating the resin sheet of the present embodiment on a carrier substrate, a resin sheet with a carrier substrate can be formed. Thus, the handling property of the resin sheet can be improved.

본 실시 형태에서, 캐리어 기재로서는, 예를 들면 고분자 필름을 이용할 수 있다. 상기 고분자 필름으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 실리콘 시트 등의 이형지, 불소계 수지, 폴리이미드 수지 등의 내열성을 가진 열가소성 수지 시트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 폴리에틸렌 테레프탈레이트로 구성되는 시트가 염가 및 박리 강도의 조절이 간편하기 때문에 가장 바람직하다. 이것에 의해, 상기 수지 시트로부터, 적당한 강도로 박리하는 것이 용이해진다. In the present embodiment, for example, a polymer film can be used as the carrier substrate. Examples of the polymer film include, but are not limited to, polyolefins such as polyethylene and polypropylene, polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, releasing paper such as polycarbonate and silicone sheet, fluorine resin, polyimide resin And thermoplastic resin sheets having heat resistance such as heat resistance. Among them, a sheet composed of polyethylene terephthalate is most preferable because it is easy to control the price and the peel strength. This makes it easy to peel off the resin sheet with an appropriate strength.

상기 캐리어 기재의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 10~100μm로 해도 되고, 10~70μm로 해도 된다. 이것에 의해, 수지 시트를 제조할 때의 취급성이 양호하고 바람직하다.The thickness of the carrier substrate is not particularly limited, but may be, for example, 10 to 100 占 퐉 or 10 to 70 占 퐉. As a result, the handling property in the production of the resin sheet is favorable and preferable.

본 발명의 수지 시트는, 단층이어도 다층이어도 되고, 1종 또는 2종 이상의 상기 필름을 포함할 수 있다. 상기 수지 시트가 다층인 경우, 동종으로 구성되어도 되고, 이종으로 구성되어도 된다.The resin sheet of the present invention may be a single layer or a multilayer, and may include one or more of the above-mentioned films. When the resin sheet has multiple layers, it may be composed of the same kind or may be composed of different kinds.

본 실시 형태의 수지 시트는, 제1 수지 시트(제1 수지층)와, 제1 수지 시트 아래에 배치된 제2 수지 시트(제2 수지층)를 포함하는 구성으로 할 수 있다. 또한 제1 수지 시트 및 제2 수지 시트는, 상기 수지 시트와 동일한 구성을 갖는다.The resin sheet of the present embodiment can be configured to include a first resin sheet (first resin layer) and a second resin sheet (second resin layer) disposed under the first resin sheet. The first resin sheet and the second resin sheet have the same structure as the resin sheet.

상기 제1 수지 시트는, 제2 수지 시트보다도 전자 부품에 대한 밀착성을 높여도 된다. 즉, 본 실시 형태에서, 제1 수지 시트의 상기 점착력을, 상기 제2 수지 시트의 점착력보다도 크게 할 수 있다. 한편으로, 상기 제2 수지 시트는, 제1 수지 시트보다도, 하층의 회로에 대한 매립 특성을 높여도 된다. 즉, 본 실시 형태에서, 제2 수지 시트의 상기 최저 용융 점도를, 제1 수지 시트의 최저 용융 점도보다도 크게 할 수 있다. 2층 이상의 수지 시트를 이용함으로써, 상층은 전자 부품과의 밀착성을 보다 높이면서도, 하층은 회로에 대한 매립을 보다 양호한 것으로 할 수 있다. 즉, 전자 부품에 대한 밀착성과 하층의 회로에 대한 매립 특성의 밸런스를 한층 높이는 것이 가능해진다.The first resin sheet may have higher adhesion to electronic parts than the second resin sheet. That is, in this embodiment, the adhesive force of the first resin sheet can be made larger than the adhesive force of the second resin sheet. On the other hand, the second resin sheet may have a higher embedding characteristic with respect to the lower layer circuit than the first resin sheet. That is, in the present embodiment, the lowest melt viscosity of the second resin sheet can be made larger than the lowest melt viscosity of the first resin sheet. By using a resin sheet of two or more layers, the upper layer can improve the adhesion with the electronic component, and the lower layer can be better embedded in the circuit. In other words, it is possible to further enhance the balance between the adhesion to the electronic component and the filling property with respect to the lower layer circuit.

본 실시 형태에서, 2층 이상의 수지 시트(수지층)를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 우선 열경화성 수지 조성물을 캐리어 기재에 도포해 얻어진, 제1 수지층과 제2 수지층을 제1 수지층과 제2 수지층이 대향하도록 첩합하여 건조시킨다. 그 후, 제1 수지층 및 제2 수지층으로부터 캐리어 기재를 제거함으로써, 2층 구성의 수지 시트가 얻어진다. 그 외에도, 열경화성 수지 조성물을 캐리어 기재에 도포해, 건조시킴으로써 제1 수지 시트를 얻는다. 그 후, 제1 수지 시트 위에, 열경화성 수지 조성물을 도포, 건조시킴으로써 제2 수지 시트를 제1 수지 시트 위에 형성하는 방법을 들 수 있다. 또, 2층 동시에 캐리어 기재 위에 도포, 건조시킴으로써 2층의 수지 시트를 얻는 방법도 사용할 수 있다.In the present embodiment, a method of forming a resin sheet (resin layer) of two or more layers is not particularly limited. For example, first, a first resin layer and a second resin layer, which are obtained by applying a thermosetting resin composition to a carrier substrate, 1 < / RTI > resin layer and the second resin layer are opposed to each other and dried. Thereafter, the carrier substrate is removed from the first resin layer and the second resin layer to obtain a resin sheet having a two-layer structure. In addition, a thermosetting resin composition is applied to a carrier substrate and dried to obtain a first resin sheet. Thereafter, the second resin sheet is formed on the first resin sheet by applying and drying the thermosetting resin composition on the first resin sheet. It is also possible to use a method of obtaining a two-layered resin sheet by coating and drying two layers simultaneously on a carrier substrate.

또, 본 실시 형태에서 상기 제2 수지 시트의 제조에서, 제1 수지 시트보다도 추가로 액상 에폭시 수지의 함유량을 줄이거나, 혹은 배합시키지 않음으로써, 제2 수지 시트와 캐리어 기재의 박리성을 향상시키는 것이 가능해진다.Further, in the present embodiment, in the production of the second resin sheet, the content of the liquid epoxy resin is further reduced or not added to the first resin sheet, thereby improving the peelability of the second resin sheet and the carrier substrate Lt; / RTI >

[회로 기판][Circuit board]

본 실시 형태에 관한 회로 기판은 상기 수지 시트의 경화막과, 상기 경화막의 한 면 위에 접착된 전자 부품을 포함할 수 있다.The circuit board according to the present embodiment may include a cured film of the resin sheet and an electronic component bonded on one side of the cured film.

도 3의 (c)는 본 실시 형태의 회로 기판(1)의 일례를 나타낸다. 상기 회로 기판(1)은 빌드업층(12), 절연층(62), 배선(40) 및, 전자 부품(세라믹 콘덴서(50))을 구비해도 된다. 배선(40)은 하층의 빌드업층(12)에 매립되어 있다. 하층의 빌드업층(12)의 상면에 세라믹 콘덴서(50)가 고정되어 있다. 하층의 빌드업층(12) 위에, 세라믹 콘덴서(50)와 절연층(62)이 동일층을 형성하도록 배치되어 있다. 절연층(62)은 프리프레그의 경화물을 이용할 수 있다. 이러한 프리프레그는 기재를 포함하지 않아도 된다. 세라믹 콘덴서(50) 및 절연층(62) 위에 상층의 빌드업층(12)이 배치되어 있다. 본 실시 형태의 회로 기판(1)에서, 전자 부품이 내장되는 것과 함께, 절연층(62)이 기재를 포함하는 코어층을 이용하지 않는 코어리스층에서 형성되어 있어도 된다. 이와 같은 전자 부품 내장형의 코어리스 기판으로 하는 것이 가능하다.Fig. 3 (c) shows an example of the circuit board 1 of the present embodiment. The circuit board 1 may include a buildup layer 12, an insulating layer 62, a wiring 40, and an electronic component (ceramic capacitor 50). The wiring 40 is buried in the buildup layer 12 of the lower layer. And a ceramic capacitor 50 is fixed on the upper surface of the buildup layer 12 in the lower layer. The ceramic capacitor 50 and the insulating layer 62 are disposed on the buildup layer 12 of the lower layer so as to form the same layer. The insulating layer 62 may be a cured product of a prepreg. Such prepreg may not include a substrate. The buildup layer 12 of the upper layer is disposed on the ceramic capacitor 50 and the insulating layer 62. [ In the circuit board 1 of the present embodiment, the insulating layer 62 may be formed of a coreless layer not using a core layer in addition to the electronic parts being embedded. It is possible to provide such a coreless substrate with built-in electronic parts.

본 실시 형태에서, 빌드업층(12)이 상술한 수지 시트로 구성되어 있기 때문에, 배선의 매립이 양호하고, 전자 부품의 위치 편차가 억제되어 있기 때문에, 신뢰성이 뛰어난 구조의 회로 기판을 얻는 것이 가능하다.In the present embodiment, since the buildup layer 12 is formed of the resin sheet described above, it is possible to obtain a circuit board having a structure with high reliability because the wiring is well embedded and the positional deviation of the electronic component is suppressed Do.

[전자 장치][Electronic devices]

본 실시 형태에 관한 전자 장치는, 상기 회로 기판 위에 전자 소자가 실장된 전자 장치가 이용된다. 전자 소자로서는, 예를 들면 반도체 소자 등을 들 수 있다.In the electronic device according to the present embodiment, an electronic device in which an electronic device is mounted on the circuit board is used. Examples of electronic devices include semiconductor devices.

도 4의 (c)는, 상기 전자 장치(100)의 일례를 나타낸다. 회로 기판(1)에 반도체 칩(80)이 플립 칩 접속된 예이다. 상기 전자 장치(100)는 회로 기판(1), 배선층, 외부 접속 단자, 반도체 소자의 전극 범프와 접속하는 접속부(배선(74), 금속 도금층(78)), 반도체 칩(80)을 포함할 수 있다.Fig. 4C shows an example of the electronic device 100. Fig. And the semiconductor chip 80 is connected to the circuit board 1 by flip-chip bonding. The electronic device 100 may include a circuit board 1, a wiring layer, an external connection terminal, a connection portion (wiring 74, a metal plating layer 78) to be connected to the electrode bumps of the semiconductor element, and a semiconductor chip 80 have.

회로 기판(1)의 양면에 배선층이 형성되어 있다. 배선층의 층수는 임의이다. 하층의 배선층의 배선(76)은 외부 접속 단자(86)와 전기적으로 접속하고 있다. 상층의 배선층의 배선(74)은 반도체 칩(80)의 범프(82)와 전기적으로 접속하고 있다. 배선(74, 76)의 주위는 각각 솔더 레지스트막(64, 68)으로 덮여 있다. 반도체 칩(80)과 솔더 레지스트막(64)의 간격에는 언더필 수지(84)가 충전된다.On both sides of the circuit board 1, a wiring layer is formed. The number of wiring layers is arbitrary. The wiring 76 of the wiring layer in the lower layer is electrically connected to the external connection terminal 86. The wiring 74 of the upper wiring layer is electrically connected to the bumps 82 of the semiconductor chip 80. The periphery of the wirings 74 and 76 is covered with solder resist films 64 and 68, respectively. The gap between the semiconductor chip 80 and the solder resist film 64 is filled with an underfill resin 84. [

본 실시 형태에서, 신뢰성이 뛰어난 구조의 회로 기판을 이용함으로써, 신뢰성이 안정적으로 얻어지는 것과 함께, 수율이 뛰어난 구조를 가지는 전자 장치를 실현하는 것이 가능해진다.In the present embodiment, by using a circuit board having a structure with high reliability, it is possible to realize an electronic device having a structure with a high yield, with reliability being stably obtained.

[회로 기판의 제조 방법][Method of manufacturing circuit board]

본 실시 형태의 회로 기판의 제조 공정에 대해서, 도 1~3을 이용해 설명한다.The manufacturing process of the circuit board of this embodiment will be described with reference to Figs.

도 1은 본 실시 형태의 수지 시트(10)의 구조를 나타내는 단면도이며, 도 2 및 도 3은 본 실시 형태의 회로 기판(1)의 제조 절차를 나타내는 공정 단면도이다.Fig. 1 is a cross-sectional view showing the structure of the resin sheet 10 of the present embodiment, and Figs. 2 and 3 are process sectional views showing a manufacturing procedure of the circuit board 1 of the present embodiment.

우선, 도 1로 나타내는 수지 시트(10)를 준비한다. 상기 수지 시트(10)로서는, 본 실시 형태의 수지 시트용 수지 조성물로 형성된 수지 시트(10)가 이용된다. 이러한 수지 시트(10)는 캐리어 기재(도시하지 않음)의 한쪽의 면 위에 형성되어 있다.First, the resin sheet 10 shown in Fig. 1 is prepared. As the resin sheet 10, a resin sheet 10 formed from the resin composition for a resin sheet of the present embodiment is used. The resin sheet 10 is formed on one side of a carrier substrate (not shown).

이어서, 박리층(30)이 한쪽의 면에 형성된 캐리어(20)를 준비한다. 캐리어(20)로서는, 강도가 높은 기판이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 구리판 등의 금속판이 이용된다. 상기 캐리어(20) 위에, 리소그래피에 의해 패터닝된 레지스트를 형성한다. 그 다음에, 금속 배리어층을 형성하고, 전해 도금 처리에 의해, 전해 도금막을 형성한다. 그 다음에, 레지스트 박리액을 이용해 상기 레지스트를 제거함으로써, 패터닝된 도전 회로로서 기능하는 배선(40)(배선 패턴)을 형성한다(도 2의 (a)).Next, the carrier 20 on which the release layer 30 is formed on one side is prepared. The carrier 20 is not particularly limited as long as it is a substrate having high strength, for example, a metal plate such as a copper plate is used. On the carrier 20, a resist patterned by lithography is formed. Then, a metal barrier layer is formed, and an electrolytic plating film is formed by an electrolytic plating treatment. Then, the resist is removed by using a resist stripping liquid to form a wiring 40 (wiring pattern) functioning as a patterned conductive circuit (FIG. 2 (a)).

다음에, 캐리어 기재가 배치되지 않은 수지 시트(10)의 한쪽의 면과, 캐리어(20)의 배선(40)이 형성된 배선면을 대향시킨 상태로, 수지 시트(10)를 박리층(30) 위에 압착시킨다. 이것에 의해, 수지 시트(10)와 캐리어(20)를 접합한다. 즉, 도전 회로(배선(40))가 형성된 측의 기판(캐리어(20))의 면에, 수지 시트를 접합한다. 이것에 의해, 수지 시트(10)를 배선(40)의 주위나 배선간의 간격에 매립할 수 있다. 그 후, 수지 시트(10)로부터 캐리어 기재를 박리한다(도 2의 (b)).The resin sheet 10 is peeled off from the release layer 30 in a state in which one side of the resin sheet 10 on which the carrier substrate is not disposed faces the wiring side on which the wiring 40 of the carrier 20 is formed, Lt; / RTI > As a result, the resin sheet 10 and the carrier 20 are bonded. That is, the resin sheet is bonded to the surface of the substrate (carrier 20) on the side where the conductive circuit (wiring 40) is formed. As a result, the resin sheet 10 can be buried in the space around the wiring 40 or at intervals between wirings. Thereafter, the carrier base material is peeled from the resin sheet 10 (Fig. 2 (b)).

다음에, 수지 시트(10)의 박리면 위에, 전자 부품(예를 들면, 세라믹 콘덴서(50))을 적층한다(도 2의 (c)).Next, an electronic component (for example, a ceramic capacitor 50) is laminated on the peeling surface of the resin sheet 10 (Fig. 2 (c)).

다음에, 수지 시트(10) 및 세라믹 콘덴서(50) 위에 프리프레그(60)를 적층한다. 그 후, 예를 들어 레이저 조사, 플라즈마 에칭, 또는 메카니컬 드릴에 의해서, 세라믹 콘덴서(50)를 노출시키는 개구부(90)를 프리프레그(60)에 형성한다(도 3의 (a)). 이것에 의해, B 스테이지 상태의 수지 시트(10)에 최적인 개구 처리를 선택할 수 있다. 프리프레그(60)으로서는, 예를 들면 일반적인 열경화성 수지 조성물을 반경화시킨 프리프레그를 이용할 수 있지만, 본 실시 형태의 수지 시트(20)를 구성하는 수지 시트용 수지 조성물을 이용한 프리프레그를 사용해도 된다. 상기 프리프레그(60)의 막 두께는, 예를 들면 10~100μm인 것이 바람직하고, 10~70μm인 것이 보다 바람직하다.Next, the prepreg 60 is laminated on the resin sheet 10 and the ceramic capacitor 50. Thereafter, an opening 90 for exposing the ceramic capacitor 50 is formed in the prepreg 60 by, for example, laser irradiation, plasma etching, or a mechanical drill (FIG. 3 (a)). As a result, it is possible to select the optimum opening process for the resin sheet 10 in the B-stage state. As the prepreg 60, for example, a prepreg in which a general thermosetting resin composition is semi-cured can be used, but a prepreg using the resin composition for a resin sheet constituting the resin sheet 20 of the present embodiment may be used . The thickness of the prepreg 60 is preferably 10 to 100 탆, and more preferably 10 to 70 탆.

다음에, 세라믹 콘덴서(50) 및 프리프레그(60) 위에, 캐리어 기재 부착 수지 시트(10)를 열압착에 의해 적층한다. 이것에 의해, 상기 개구부의 내부에서의 세라믹 콘덴서(50)의 주위 및 상부를 수지 시트(10)에 매설할 수 있다. 또, 프리프레그(60) 위에 수지 시트(10)를 배치할 수 있다. 그 후, 캐리어 기재를 수지 시트(10)로부터 박리한다. 수지 시트(10)의 박리면에는 박리층(30)이 남게 된다(도 3의 (b)). 이때, 수지 시트(10)의 캐리어 기재로서는 금속박을 이용해도 된다. 금속박으로서는, 예를 들면 구리박 등을 이용할 수 있다. 또, 도 3의 (b)에서 이용한 수지 시트(10) 대신에, 수지 시트(10)를 구성하는 수지 시트용 수지 조성물과는 상이한 조성물로 구성된 일반적인 프리프레그를 이용해도 된다. 상기 프리프레그는 캐리어 기재 부착 수지 시트의 형태로 이용할 수 있다. 예를 들면, 구리박 프리프레그를 이용하여, 세라믹 콘덴서(50)를 매설할 수도 있다.Next, the resin sheet 10 with a carrier substrate is laminated on the ceramic capacitor 50 and the prepreg 60 by thermocompression bonding. Thus, the periphery and the upper portion of the ceramic capacitor 50 inside the opening can be embedded in the resin sheet 10. In addition, the resin sheet 10 can be disposed on the prepreg 60. Thereafter, the carrier base material is peeled from the resin sheet 10. The peeling layer 30 remains on the peeling surface of the resin sheet 10 (Fig. 3 (b)). At this time, as the carrier base material of the resin sheet 10, a metal foil may be used. As the metal foil, for example, copper foil and the like can be used. Instead of the resin sheet 10 used in FIG. 3 (b), a general prepreg made of a composition different from the resin composition for a resin sheet constituting the resin sheet 10 may be used. The prepreg can be used in the form of a resin sheet with a carrier substrate. For example, the ceramic capacitor 50 may be embedded using a copper foil prepreg.

다음에, 도 3의 (b)로 나타내는 구조체에 대해서 열처리한다. 이것에 의해, 하층의 수지 시트(10), 프리프레그(60), 및 상층의 수지 시트(10)를 일괄 경화시킬 수 있다. 본 실시 형태에서, 세라믹 콘덴서(50)를 고정하는 하층의 수지 시트(10)와, 세라믹 콘덴서(50)를 매립하는 상층의 수지 시트(10)를 일괄 경화할 수 있으므로, 공정 수나 제조 시간을 삭감하는 등의 프로세스의 생산성을 높일 수 있다. 또, 하층의 수지 시트(10)에서, 점착력을 상기 하한값 이상으로 할 뿐만 아니라, 최저 용융 점도를 상기 하한값 이상으로 함으로써, 미경화의 상태에서도 세라믹 콘덴서(50)의 위치 편차량을 효과적으로 억제하는 것이 가능하다. 따라서, 도 2의 (c)로부터 도 3의 (b)의 프로세스 중에서, 바꾸어 말하면, 수지 시트(10) 위에 세라믹 콘덴서(50)를 배치하고 나서, 이러한 수지 시트(10)를 경화할 때까지, 미경화의 수지 시트(10)는 세라믹 콘덴서(50)의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.Next, the structure shown in FIG. 3 (b) is heat-treated. As a result, the resin sheet 10, the prepreg 60, and the resin sheet 10 in the upper layer can be cured together. In the present embodiment, since the resin sheet 10 as the lower layer for fixing the ceramic capacitor 50 and the resin sheet 10 as the upper layer for embedding the ceramic capacitor 50 can be integrally cured, the number of processes and the manufacturing time can be reduced It is possible to increase the productivity of the process. In addition, in the resin sheet 10 of the lower layer, not only the adhesive force is set to the lower limit value or more, but the minimum melt viscosity is set to the lower limit value or more, thereby effectively suppressing the position deviation of the ceramic capacitor 50 even in the uncured state It is possible. Therefore, in the processes of FIGS. 2 (c) to 3 (b), in other words, the ceramic capacitor 50 is placed on the resin sheet 10 and, until such resin sheet 10 is cured, The uncured resin sheet 10 can suppress the displacement of the ceramic capacitor 50.

또한 상기의 설명에서는 도 3의 (b)에서 일괄 경화하는 예를 설명했지만, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 수지 시트(10) 위에 세라믹 콘덴서(50)를 배치했을 때에(도 2의 (c)), 이러한 수지 시트(10)를 조금 경화시켜도 된다. 예를 들면, 도 2의 (c)에서 나타내는 상태로, 수지 시트(10)가 완전 경화하지 않는 정도로 열처리를 한다. 이것에 의해, 수지 시트(10)의 위치 편차를 추가로 작게 할 수 있다. 또, 완전 경화시킨 경우에 비해, 프로세스의 시간 단축을 도모할 수 있어 생산성이 향상된다.In the above description, an example of batch curing is described in (b) of Fig. 3, but the present invention is not limited to this. For example, when the ceramic capacitor 50 is disposed on the resin sheet 10 (Fig. 2 (c)), the resin sheet 10 may be hardened a little. For example, in the state shown in Fig. 2 (c), the resin sheet 10 is heat-treated to such an extent that the resin sheet 10 is not completely cured. As a result, the positional deviation of the resin sheet 10 can be further reduced. In addition, compared to the case where the film is completely cured, the time of the process can be shortened and the productivity is improved.

또, 도 2의 (c)에서, 세라믹 콘덴서(50)이 배치된 수지 시트(10)를 완전 경화시켜도 된다. 이것에 의해, 세라믹 콘덴서(50)의 위치 편차를 보다 억제할 수 있다. 2 (c), the resin sheet 10 on which the ceramic capacitor 50 is disposed may be completely cured. As a result, the positional deviation of the ceramic capacitor 50 can be further suppressed.

여기서, 수지 시트(10)로서 최저 용융 점도가 상기 하한값 미만의 것을 사용한 경우에는, 프리프레그(60)나 상층의 수지 시트(10) 등의 적층시의 열압착에 의해, 하층의 수지 시트(10)의 점도가 낮아져, 세라믹 콘덴서(50)가 어긋나기 쉬워질 우려가 있다. 이 경우에서도, 도 2의 (c)에서 완전 경화시킴으로써, 위치 편차를 억제할 수 있지만, 완전 경화시키면 세라믹 콘덴서(50)의 하부와 수지 시트(10)의 계면에 보이드가 발생할 염려가 있다. 이것에 대해서, 일괄 경화하는 경우에는, 콘덴서 주위의 공간을 수지로 매립시에 상층의 수지 시트, 하층의 수지 시트와 함께 수지의 점도가 저하되어 유동하기 때문에, 보이드 발생의 염려는 적게 된다.When the resin sheet 10 having a minimum melt viscosity of less than the above lower limit value is used, the resin sheet 10 (hereinafter, referred to as " resin sheet 10 ") is thermally compressed during lamination of the prepreg 60, The viscosity of the ceramic capacitor 50 is lowered, and the ceramic capacitor 50 may be easily displaced. In this case as well, although the positional deviation can be suppressed by completely curing in Fig. 2 (c), voids may be generated at the interface between the lower portion of the ceramic capacitor 50 and the resin sheet 10 by completely curing. On the other hand, when the space around the condenser is filled with the resin, the viscosity of the resin decreases along with the resin sheet of the upper layer and the resin sheet of the lower layer, and the viscosity of the voids is reduced.

본 실시 형태에서, 열경화 처리의 조건은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 200~220℃, 약 1시간의 조건으로 할 수 있다. 경화 처리에 의해, 수지 시트(10)의 경화물로 이루어지는 빌드업층(12)(절연층)과, 프리프레그(60)의 경화물로 이루어지는 절연층(62)을 형성한다. 이것에 의해, 하층의 빌드업층(12) 위에 세라믹 콘덴서(50)를 고정할 수 있다. 계속해서, 캐리어(20)를 박리층(30)으로부터 박리한다(도 3의 (c)).In the present embodiment, the condition of the heat curing treatment is not particularly limited, but may be, for example, 200 to 220 DEG C for about 1 hour. A buildup layer 12 (insulating layer) made of a cured product of the resin sheet 10 and an insulating layer 62 made of a cured product of the prepreg 60 are formed by the curing treatment. Thus, the ceramic capacitor 50 can be fixed on the buildup layer 12 of the lower layer. Subsequently, the carrier 20 is peeled from the peeling layer 30 (Fig. 3 (c)).

이상에 의해, 본 실시 형태의 회로 기판(1)이 얻어진다. 또한 프리프레그(60)가 기재를 포함하지 않는 경우에는, 코어층을 가지지 않는 코어리스 회로 기판(1)이 얻어진다.Thus, the circuit board 1 of the present embodiment is obtained. When the prepreg 60 does not contain a base material, the coreless circuit board 1 having no core layer is obtained.

[전자 장치의 제조 방법][Manufacturing method of electronic device]

본 실시 형태의 전자 장치(100)의 제조 공정에 대해서, 도 4를 이용해 설명한다.The manufacturing process of the electronic device 100 of the present embodiment will be described with reference to FIG.

도 4는, 본 실시 형태의 전자 장치(100)의 제조 순서를 나타내는 공정 단면도이다.4 is a process sectional view showing a manufacturing procedure of the electronic device 100 of the present embodiment.

상기의 회로 기판의 제조 공정에서 얻어진 회로 기판(1)을 이용한다. 우선, 예를 들면 회로 기판(1)의 양면에 레이저 조사함으로써, 개구부(스루홀(70, 72))를 형성한다(도 4의 (a)). 스루홀(70)의 바닥부에는, 세라믹 콘덴서(50)의 전극(54)의 일부가 노출되어 있다. 한편, 스루홀(72)의 바닥부에는, 배선(40)의 일부가 노출되어 있다.The circuit board 1 obtained in the above-described manufacturing process of the circuit board is used. First, openings (through holes 70 and 72) are formed by laser irradiation on both sides of the circuit board 1, for example (Fig. 4 (a)). A part of the electrode 54 of the ceramic capacitor 50 is exposed at the bottom of the through hole 70. [ On the other hand, a part of the wiring 40 is exposed at the bottom of the through hole 72. [

다음에, 회로 기판(1)의 양면 측에 배선층을 형성한다. 본 실시 형태에서는 배선층이 1층인 예를 나타내지만, 이것으로 한정되지 않고 배선층의 적층 수는 임의로 설정할 수 있다(도 4의 (b)).Next, a wiring layer is formed on both surface sides of the circuit board 1. In the present embodiment, an example in which the wiring layer is one layer is shown, but the number of the wiring layers is not limited to this, and the number of the wiring layers can be arbitrarily set (FIG. 4B).

배선층의 배선(74, 76)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 리소그래피 처리와 선택적 에칭에 의해 배선을 형성하는 방법이 이용된다.The method of forming the wiring layers 74 and 76 in the wiring layer is not particularly limited, but a method of forming wiring by, for example, lithography processing and selective etching is used.

다음에, 회로 기판(1)의 상면 측에 솔더 레지스트막(64)을 형성한다. 예를 들어 레이저 조사, 플라즈마 에칭, 케미컬 에칭, 또는 리소그래피 처리에 의해서, 배선(74)의 일부를 노출시키는 개구부를 솔더 레지스트막(64)에 형성한다. 계속해서, 전기 도금 처리 등에 의해, 이러한 개구부 내의 배선(74)의 상면에 금속 도금층(78)을 형성한다. 금속 도금층(78)은 반도체 칩(80)의 전극 범프(범프(82))와 접속하는 접속부로서 기능한다. Next, a solder resist film 64 is formed on the upper surface side of the circuit board 1. An opening for exposing a part of the wiring 74 is formed in the solder resist film 64 by, for example, laser irradiation, plasma etching, chemical etching, or lithography. Subsequently, a metal plating layer 78 is formed on the upper surface of the wiring 74 in the opening by electroplating or the like. The metal plating layer 78 functions as a connection portion to be connected to the electrode bumps (bumps 82) of the semiconductor chip 80.

한편으로, 회로 기판(1)의 하면 측에도, 솔더 레지스트막(68)을 형성한다. 동일하게 하여, 배선(76)의 일부를 노출시키는 개구부를 솔더 레지스트막(68)에 형성한다. 계속해서, 이러한 개구부 내의 배선(76)에 납땜 볼 등을 탑재함으로써, 외부 접속 단자(86)를 형성한다.On the other hand, a solder resist film 68 is also formed on the lower surface side of the circuit board 1. In the same manner, an opening for exposing a part of the wiring 76 is formed in the solder resist film 68. Subsequently, solder balls or the like are mounted on the wirings 76 in the openings to form the external connection terminals 86.

다음에, 회로 기판(1)의 상면 측의 접속부(배선(74), 금속 도금층(78))에, 반도체 칩(80)의 범프(82)를 플립 칩 접속한다. 추가로, 반도체 칩(80)의 하측에 언더필 수지(84)를 충전한다. 이상에 의해, 반도체 장치(전자 장치(100))가 얻어진다(도 4의 (c)).Next, the bumps 82 of the semiconductor chip 80 are flip-chip connected to the connecting portions (the wiring 74 and the metal plating layer 78) on the upper surface side of the circuit board 1. [ In addition, the underfill resin 84 is filled on the lower side of the semiconductor chip 80. Thus, a semiconductor device (electronic device 100) is obtained (Fig. 4 (c)).

본 실시 형태의 제조 공정에서, 수지 시트(10)가 단층인 예에 대해서 도 1을 이용해 설명했지만, 단층으로 한정되지 않고, 2층 이상의 복수층이어도 된다. 도 5에는, 본 실시 형태의 수지 시트가 2층인 예가 제시되어 있다. 수지 시트(10)는 제1 수지층(14)(제1 수지 시트)과 제2 수지층(16)(제2 수지 시트)으로 구성되어 있다. 상층의 제1 수지층(14)은 세라믹 콘덴서(50)를 안정적으로 고정하는 특성을 가지고 있고, 하층의 제2 수지층(16)은 배선(40) 등의 회로 패턴을 매립하기 쉬운 특성을 가지고 있다. 상기 수지 시트를 2층 이상으로 함으로써, 하층의 회로에 대한 매립성과 상층의 전자 부품에 대한 밀착성의 밸런스를 한층 향상시키는 것이 가능해진다.1 in the manufacturing process of the present embodiment, the example in which the resin sheet 10 is a single layer has been described with reference to Fig. 1. However, the present invention is not limited to a single layer and may be a plurality of layers of two or more layers. Fig. 5 shows an example in which the resin sheet of this embodiment has two layers. The resin sheet 10 is composed of a first resin layer 14 (first resin sheet) and a second resin layer 16 (second resin sheet). The first resin layer 14 in the upper layer has a property of stably fixing the ceramic capacitor 50 and the second resin layer 16 in the lower layer has a characteristic in which circuit patterns such as the wirings 40 can be easily filled have. By making the resin sheet two or more layers, it becomes possible to further improve the balance between the filling of the lower layer circuit and the adhesiveness to the upper electronic part.

도 7은 세라믹 콘덴서(50)의 변형예를 나타내는 도이다. 상기의 설명에서는 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 본체부(52)의 길이 방향의 양단에 전극(54)이 형성된 세라믹 콘덴서(50)를 이용한 예를 나타내지만, 이것으로 한정되지 않고 여러 가지 구조를 가지는 세라믹 콘덴서(50)를 이용할 수 있다. 예를 들면, 전극(54)이 본체부(52)의 한쪽의 면측에만 배치된 구성, 즉 전극(54)이 본체부(52)의 하측에 배치된 구성(도 7의 (a)), 또는 전극(54)이 본체부(52)의 상측에 배치된 구성(도 7의 (b))을 가지는 콘덴서(50)를 들 수 있다. 이들 전극(54)은 전극 패턴을 가지고 있다. 또, 도 7의 (c)에 나타내는 바와 같이, 전극(54)이 본체부(52)의 양면에 형성되고 그 표면 전체에 걸쳐 형성된 콘덴서(50)를 이용할 수도 있다.7 is a view showing a modified example of the ceramic capacitor 50. Fig. In the above description, as shown in Fig. 3 (c), an example is shown in which the ceramic capacitor 50 in which the electrodes 54 are formed at both ends in the longitudinal direction of the main body 52 is used, A ceramic capacitor 50 having a branch structure can be used. For example, the configuration in which the electrode 54 is disposed on only one side of the main body 52, that is, the configuration in which the electrode 54 is disposed on the lower side of the main body 52 (FIG. 7A) And a capacitor 50 having a configuration in which the electrode 54 is disposed on the upper side of the main body portion 52 (Fig. 7 (b)). These electrodes 54 have electrode patterns. 7 (c), a capacitor 50 formed on both surfaces of the main body 52 and formed over the entire surface of the main body 52 can also be used.

본 실시 형태에서는, 플립 칩 접속의 예를 설명했지만, 이것으로 한정되지 않고, 각종 접속 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면, 와이어 본딩 방법을 이용할 수도 있다.In the present embodiment, an example of flip chip connection has been described, but the present invention is not limited to this, and various connection methods can be used. For example, a wire bonding method may be used.

또한 본 발명은 전술의 실시 형태로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위로의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함되는 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and variations, modifications, and the like within the scope of achieving the object of the present invention are included in the present invention.

[[ 실시예Example ]]

다음에, 본 발명의 실시예에 대해 설명한다. 또한 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다.Next, an embodiment of the present invention will be described. The present invention is not limited to this.

(열경화성 수지 조성물의 조제)(Preparation of thermosetting resin composition)

각 실시예 및 각 비교예에 대해서, 바니시상의 열경화성 수지 조성물을 조정했다. 바니시상의 열경화성 수지 조성물은 표 1에 따라 배합된 각 성분의 원료를 하기 용제 1에 용해, 분산시킨 후, 고속 교반 장치를 이용해 1시간 교반함으로써 얻었다. 또한 표 1에서의 각 성분의 배합 비율을 나타내는 수치는, 열경화성 수지 조성물의 고형분 전체에 대한 각 성분의 배합 비율(중량%)을 나타내고 있다.For each of the examples and comparative examples, the thermosetting resin composition on the varnish was adjusted. The thermosetting resin composition on the varnish was obtained by dissolving and dispersing the ingredients of each component blended according to Table 1 in the following solvent 1 and then stirring for 1 hour using a high-speed stirring device. Further, the numerical values representing the blending ratios of the respective components in Table 1 indicate the blending ratios (% by weight) of the respective components with respect to the total solid content of the thermosetting resin composition.

표 1에서의 각 성분의 원료의 상세한 것은 하기와 같다.Details of the ingredients of each component in Table 1 are as follows.

(열경화성 수지)(Thermosetting resin)

열경화성 수지 1: 나프탈렌 변성 크레졸 노볼락 에폭시 수지(DIC사 제, HP-5000) Thermosetting resin 1: Naphthalene-modified cresol novolak epoxy resin (HP-5000, manufactured by DIC)

열경화성 수지 2: 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(DIC사 제, HP-6000) Thermosetting resin 2: naphthylene ether type epoxy resin (HP-6000, manufactured by DIC)

열경화성 수지 3: 4관능 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제, EPICLON HP-4710) Thermosetting resin 3: tetrafunctional naphthalene type epoxy resin (EPICLON HP-4710, manufactured by DIC Corporation)

열경화성 수지 4: 비스페놀 F형 에폭시 수지(DIC사 제, EPICLON, 830S) Thermosetting resin 4: Bisphenol F type epoxy resin (EPICLON, 830S, manufactured by DIC)

열경화성 수지 5: 페놀 노볼락형 시아네이트 수지(LONZA사 제, Primaset PT-30) Thermosetting resin 5: phenol novolac cyanate resin (Primaset PT-30, manufactured by LONZA)

열경화성 수지 6: 카르보디이미드(닛신보 케미컬사 제, V-05) Thermosetting resin 6: Carbodiimide (V-05 made by Nisshinbo Chemical Co., Ltd.)

열경화성 수지 7: 3관능 알콕시실란 변성 페놀 노볼락(아라카와 화학사 제, P501) Thermosetting resin 7: Trifunctional alkoxysilane-modified phenol novolac (Arakawa Chemical Industries, Ltd., P501)

열경화성 수지 8: 아크릴레이트 화합물(2-Propenoic acid, 2-[4-(acetoxy) phenyl]ethyl ester) Thermosetting resin 8: 2-Propenoic acid, 2- [4- (acetoxy) phenyl] ethyl ester)

(충전재) (filling)

충전재 1: 구상 실리카(아드마텍스사 제 SO-C4, 평균 입자 지름 1.0μm, 페닐아미노실란 처리) Filler 1: spherical silica (SO-C4 made by Admatechs Co., average particle diameter 1.0 mu m, treated with phenylaminosilane)

충전재 2: 구상 실리카(아드마텍스사 제 SO-C4, 평균 입자 지름 1.0μm, 미처리) Filler 2: spherical silica (SO-C4 made by Admatechs, average particle size 1.0 μm, untreated)

(경화촉진제) (Hardening accelerator)

경화촉진제 1: 테트라페닐포스포늄·테트라키스(4-메틸페닐)보레이트(TPP-MK) Curing accelerator 1: tetraphenylphosphonium tetrakis (4-methylphenyl) borate (TPP-MK)

(커플링제) (Coupling agent)

커플링제 1: 에폭시실란(신에츠 화학공업사 제, KBM-403)Coupling agent 1: Epoxy silane (KBM-403, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

(용제)(solvent)

용제 1: 메틸에틸케톤 Solvent 1: methyl ethyl ketone

Figure pat00003
Figure pat00003

(수지 시트의 제작)(Production of resin sheet)

실시예 1~8, 및 비교예 1~4에 대해서, 얻어진 열경화성 수지 조성물을 캐리어 기재인 PET 필름(38μm 두께) 위에 도포한 후, 140℃, 2분의 조건에서 용제를 제거하여 두께 30μm의 캐리어 기재 부착 수지 시트를 형성했다.The thermosetting resin composition obtained was applied onto a PET film (38 μm thick) as a carrier base material for Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 4, and then the solvent was removed at 140 ° C. for 2 minutes to form a carrier having a thickness of 30 μm Thereby forming a base resin sheet.

또, 실시예 4에 대해서는, 다음과 같이 하여 수지 시트를 제작했다. 얻어진 열경화성 수지 조성물을 캐리어 기재인 PET 필름(38μm 두께) 위에 도포한 후, 140℃, 2분의 조건에서 용제를 제거하여 1층째의 제1 수지층을 형성했다. 동일하게 하여 2층째의 제2 수지층을 얻었다. 제1 수지층과 제2 수지층을 첩합함으로써 2층의 수지층을 형성했다. 그 후, 제2 수지층으로부터 캐리어 기재를 박리해, 두께 30μm의 제1 수지 시트와 두께 30μm의 제2 수지 시트가 적층된 캐리어 기재 부착 수지 시트를 형성했다.In Example 4, a resin sheet was produced as follows. The obtained thermosetting resin composition was coated on a PET film (38 μm thick) as a carrier base, and then the solvent was removed under the conditions of 140 ° C. and 2 minutes to form a first resin layer as the first layer. In the same manner, a second resin layer of the second layer was obtained. The two resin layers were formed by bonding the first resin layer and the second resin layer. Thereafter, the carrier substrate was peeled off from the second resin layer to form a resin-coated resin sheet in which a first resin sheet having a thickness of 30 탆 and a second resin sheet having a thickness of 30 탆 were laminated.

(점착력)(adhesiveness)

각 실시예 및 각 비교예에 대해서, 다음과 같이 하여 수지 시트의 점착력을 측정했다. 우선, 캐리어 기재 부착 수지 시트를 코어재(FR-4 기재)에 80℃에서 첩합하였다. 다음에, 첩합된 캐리어 기재 부착 수지 시트 및 코어재를 약 10cm 사각형으로 절단하고, 캐리어 기재(PET 필름)를 박리해 측정 샘플을 제작했다. 그 다음에, 25℃로 설정된, 택 시험기(레스카사 제)의 스테이지 위에 코어재가 아래가 되도록 측정 샘플을 재치하고, 측정 샘플에 프로브(5mmφ)를 100gf/5mmφ, 5sec의 조건으로 눌렀다. 그 후, 2mm/sec의 조건으로 프로브를 측정 샘플로부터 이탈시켰다. 이때, 프로브가 측정 샘플로부터 받는 인장력을 측정해, 그 피크값을 점착력(gf/5mmφ)으로 했다. 이상에 의해, PET 필름을 박리한, 수지 시트의 박리면의 점착력을 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.With respect to each of the Examples and Comparative Examples, the adhesive strength of the resin sheet was measured as follows. First, a resin sheet with a carrier substrate was bonded to a core material (FR-4 substrate) at 80 占 폚. Next, the bonded resin sheet with a carrier substrate and the core material were cut into squares of about 10 cm, and a carrier substrate (PET film) was peeled off to produce measurement samples. Then, the measurement sample was placed on the stage of a tester (made by Rescasa) set at 25 캜 so that the core material was located below, and a probe (5 mmφ) was pressed at a rate of 100 gf / 5 mmφ for 5 seconds. Thereafter, the probe was released from the measurement sample under the condition of 2 mm / sec. At this time, the tensile force of the probe was measured from the measurement sample, and the peak value was determined as the adhesive force (gf / 5 mm?). Thus, the adhesive strength of the peeled surface of the resin sheet from which the PET film was peeled off was measured. The results are shown in Table 1.

(최저 용융 점도)(Lowest melt viscosity)

각 실시예 및 각 비교예에 대해서, 다음과 같이 하여 수지 시트의 최저 용융 점도를 측정했다. 우선, 상기에서 얻어진 캐리어 기재 부착 수지 시트로부터, 캐리어 기재인 PET 필름을 박리한 수지 시트를 측정 샘플로서 준비했다. 그 다음에, 이 측정 샘플에 대해, 동적 점탄성 측정 장치(Anton Paar사 제, 장치명 Physica MCR-301)를 이용하여, 하기의 조건에서 용융 점도의 측정을 실시했다. 얻어진 측정 결과로부터, 50~200℃에서의 최저 용융 점도(Pa·s)를 산출했다. 결과를 표 1에 나타낸다.With respect to each of the Examples and Comparative Examples, the lowest melt viscosity of the resin sheet was measured as follows. First, a resin sheet from which a PET film as a carrier base was peeled from the resin sheet with a carrier base material obtained above was prepared as a measurement sample. Next, with respect to this measurement sample, the melt viscosities were measured under the following conditions using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (manufactured by Anton Paar, device name: Physica MCR-301). From the obtained measurement results, the lowest melt viscosity (Pa · s) at 50 to 200 ° C was calculated. The results are shown in Table 1.

주파수: 62.83rad/sec Frequency: 62.83 rad / sec

측정 온도: 50~200℃ Measuring temperature: 50 to 200 ° C

승온 속도: 3℃/min Heating rate: 3 ° C / min

지오메트리: 병렬 플레이트 Geometry: Parallel Plate

플레이트 직경: 10mm Plate diameter: 10mm

플레이트 간격: 0.1mm Plate spacing: 0.1 mm

하중(노멀 포스): 0N(일정) Load (Normal force): 0N (schedule)

스트레인: 0.3% Strain: 0.3%

측정 분위기: 공기 Measurement Atmosphere: Air

(유리 전이 온도, 저장 탄성률)(Glass transition temperature, storage modulus)

각 실시예 및 각 비교예에 대해서, 얻어진 캐리어 기재 부착 수지 시트로부터 캐리어 기재인 PET 필름을 박리한 수지 시트를 3매 적층하고, 두께 90μm의 수지 시트를 제작했다. 그 다음에, 상기 수지 시트를 200℃, 1시간에 열처리한 후, 폭 8mm×길이 50mm×두께 90μm로 잘라내어 측정 샘플로 했다. 이 측정 샘플에 대해, 동적 점탄성 측정 장치(세이코 인스트루먼트사 제, DMS6100)를 이용하고, 주파수 1Hz, 승온 속도 5℃/분의 조건에서 동적 점탄성 시험을 실시했다. 그 다음에, 얻어진 측정 결과로부터, 유리 전이 온도(℃)와, 25℃에서의 저장 탄성률(GPa)을 산출했다. 유리 전이 온도는, tanδ의 피크값으로부터 판정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.For each of the examples and comparative examples, three resin sheets were peeled off from the obtained resin substrate with a carrier substrate as a carrier substrate to obtain a resin sheet having a thickness of 90 탆. Then, the resin sheet was heat-treated at 200 ° C for 1 hour, cut into a width of 8 mm, a length of 50 mm, and a thickness of 90 μm to obtain a measurement sample. The dynamic viscoelasticity test was carried out on this measurement sample under the conditions of a frequency of 1 Hz and a temperature raising rate of 5 deg. C / min using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (DMS6100, manufactured by Seiko Instruments Inc.). Next, the glass transition temperature (占 폚) and the storage elastic modulus (GPa) at 25 占 폚 were calculated from the obtained measurement results. The glass transition temperature was determined from the peak value of tan delta. The results are shown in Table 1.

(선팽창 계수)(Coefficient of linear expansion)

각 실시예 및 각 비교예에 대해서, 얻어진 캐리어 기재 부착 수지 시트로부터 캐리어 기재인 PET 필름을 박리한 수지 시트를 3매 적층하고, 두께 90μm의 수지 시트를 제작했다. 그 다음에, 상기 수지 시트를 200℃, 1시간에 열처리한 후, 폭 4mm×길이 20mm×두께 90μm로 잘라내어 측정 샘플로 했다. 이 측정 샘플에 대해, TMA(TA인스트루먼트(주) 제)를 이용하고, 승온 속도 10℃/분의 조건으로 선팽창 계수의 측정을 실시했다. 그 다음에, 25~50℃에서의 측정 결과의 평균을 산출하고, 이것을 유리 전이 온도 미만에서의 선팽창 계수(ppm/℃)로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다.For each of the examples and comparative examples, three resin sheets were peeled off from the obtained resin substrate with a carrier substrate as a carrier substrate to obtain a resin sheet having a thickness of 90 탆. Then, the resin sheet was heat-treated at 200 캜 for 1 hour, cut into a width of 4 mm, a length of 20 mm, and a thickness of 90 탆 to obtain a measurement sample. The measurement sample was measured for the coefficient of linear expansion under the conditions of a temperature raising rate of 10 캜 / min using TMA (manufactured by TA Instruments Co., Ltd.). Then, the average of the measurement results at 25 to 50 占 폚 was calculated, and the coefficient of linear expansion at the temperature lower than the glass transition temperature (ppm / 占 폚) was determined. The results are shown in Table 1.

(회로 매립성 평가, 밀착성 평가)(Circuit embedding property evaluation, adhesion property evaluation)

각 실시예 및 각 비교예에 대해서, 이하와 같이 하여 회로 매립성, 및 적층 세라믹 콘덴서에 대한 밀착성을 평가했다. 우선, 캐리어인 구리판 위에, 리소그래피에 의해 패터닝된 레지스트를 형성했다. 그 다음에, 니켈 배리어층을 형성하고, 그 다음에 전해 도금 처리에 의해 전해 구리 도금막(두께 12μm)을 형성하여, L/S=12/12μm의 배선 패턴을 형성했다. 다음에, 레지스트 박리액을 이용해 레지스트를 제거했다. 다음에, 상기에서 얻어진 캐리어 기재 부착 수지 시트를, 수지 시트가 배선을 매립하도록 박리층 위에 적층한 후, 수지 시트로부터 캐리어 기재를 박리했다. 그 다음에, 수지 시트 위에 세라믹 콘덴서를 올렸다. 그 다음에, 수지 시트를 200℃, 1시간의 조건에서 경화시켜, 수지 시트의 경화물로 이루어지는 절연층을 형성했다. 이것에 의해 평가 샘플을 얻었다.With respect to each of the examples and comparative examples, the circuit filling property and the adhesion to the multilayer ceramic capacitor were evaluated as described below. First, a resist patterned by lithography was formed on a copper plate as a carrier. Next, a nickel barrier layer was formed, and then an electrolytic copper plating film (thickness: 12 m) was formed by electrolytic plating to form a wiring pattern with L / S = 12/12 m. Next, the resist was removed using a resist stripper. Next, the carrier sheet-attached resin sheet obtained above was laminated on the release layer so that the resin sheet would embed the wiring, and then the carrier sheet was peeled from the resin sheet. Then, a ceramic capacitor was placed on the resin sheet. Then, the resin sheet was cured at 200 DEG C for 1 hour to form an insulating layer made of a cured resin sheet. As a result, an evaluation sample was obtained.

상기에서 얻어진 평가 샘플 내의 임의의 10개소에 대하여, 절연층의 표면을 현미경으로 관찰하여, 배선 패턴간에 절연층이 매립되어 있는지를 확인하고, 이하의 기준에 따라 회로 매립성을 평가했다.The surface of the insulating layer was observed under a microscope to check whether or not an insulating layer was embedded between the wiring patterns, and the circuit embedding property was evaluated according to the following criteria.

◎: 샘플의 전체 개소에서 배선 패턴간에 보이드가 전혀 관찰되지 않았다.&Amp; cir & & cir & & cir &: No voids were observed between wiring patterns at all portions of the sample.

○: 샘플의 전체 개소에서 배선 패턴간에 보이드는 관찰되지 않았지만, 절연층의 표면에 약간의 굴곡이 관찰되었다.?: No voids were observed between wiring patterns in all portions of the sample, but slight bending was observed on the surface of the insulating layer.

×: 샘플의 적어도 한 개소에서 배선 패턴간에 보이드가 관찰되었다.X: voids were observed between wiring patterns in at least one place of the sample.

결과를 표 1에 나타낸다.The results are shown in Table 1.

또, 상기에서 얻어진 평가 샘플에 대해서, 푸시풀 시험으로 다이 쉐어 강도 측정에 의해, 이하의 기준에 따라 적층 세라믹 콘덴서의 밀착성의 평가를 실시했다.The adhesion test of the multilayer ceramic capacitor was carried out according to the following criteria by the die-shear strength measurement using the push-pull test.

◎: 20N/mm2 이상.?: 20 N / mm 2 or more.

○: 15N/mm2 이상 20 N/mm2 미만.?: Not less than 15 N / mm 2 and not more than 20 N / mm 2 .

×: 15N/mm2 미만.X: less than 15 N / mm 2 .

결과를 표 1에 나타낸다.The results are shown in Table 1.

(캐리어 박리성)(Carrier peelability)

각 실시예 및 각 비교예에 대해서, 수지 시트의 캐리어 박리성을 다음과 같이 평가했다. 우선, 캐리어 기재 부착 수지 시트 중 PET 필름(두께 38μm)이 마련되지 않은 쪽의 면 위에, 두께 25μm의 PET 필름을 적층해, 적층체를 얻었다. 그 다음에, 상기 적층체를 약 10cm 사각형으로 잘라내어 측정 샘플로 했다. 그 다음에, 측정 샘플 중 두께 38μm의 PET 필름을 스테이지에 고정했다. 그 다음에, 25℃의 온도 조건 하에서, 측정 샘플 중 두께 25μm의 PET 필름에 대해서, 4개 모서리 중 한 개소를 측정 샘플에 대해 수직 방향으로 5cm 끌어당기고, 이하의 기준에 따라 캐리어 박리성을 평가했다.With respect to each of the examples and comparative examples, the carrier peelability of the resin sheet was evaluated as follows. First, a PET film having a thickness of 25 占 퐉 was laminated on the side of the resin sheet with a carrier substrate on which the PET film (38 占 퐉 thickness) was not provided, to obtain a laminate. Then, the laminate was cut into squares of about 10 cm to obtain measurement samples. Then, a PET film having a thickness of 38 mu m was fixed on the stage in the measurement sample. Subsequently, under a temperature condition of 25 ° C, one of the four corners of the PET film having a thickness of 25 μm in the measurement sample was pulled 5 cm in the vertical direction with respect to the measurement sample, and the carrier peelability was evaluated did.

◎: 두께 25μm의 PET 필름과 수지 시트의 사이에 박리가 생겼다.?: Peeling occurred between the PET film having a thickness of 25 占 퐉 and the resin sheet.

○: 두께 38μm의 PET 필름과 수지 시트의 사이에 일부 박리가 생겼지만, 두께 25μm의 PET 필름과 수지 시트의 사이에서 박리했다.?: Partial peeling occurred between the PET film having a thickness of 38 占 퐉 and the resin sheet, but peeling was observed between the PET film having a thickness of 25 占 퐉 and the resin sheet.

×: 두께 25μm의 PET 필름과 수지 시트의 사이에 박리하지 않고, 두께 38μm의 PET 필름과 수지 시트의 사이에 박리하거나, 혹은 측정 샘플이 고정 스테이지로부터 박리했다. 결과를 표 1에 나타낸다.X: Peeling was performed between the PET film having a thickness of 38 mu m and the resin sheet without peeling between the PET film having a thickness of 25 mu m and the resin sheet, or the measurement sample was peeled from the fixing stage. The results are shown in Table 1.

(위치 편차량)(Position deviation vehicle)

각 실시예 및 각 비교예에 대해서, 세라믹 콘덴서의 위치 편차량을 이하와 같이 하여 측정했다. 우선, 구리판 위에 캐리어 기재 부착 수지 시트를, 구리판과 수지 시트가 대향하도록 적층하고, 배치식 진공 가압 라미네이트를 이용해 30초간 진공 흡인했다. 그 후, 내압 고무를 이용해 30초간, 압력 1kg/cm2의 조건으로 가압했다. 그 다음에, 캐리어 기재 부착 수지 시트로부터 캐리어 기재를 박리했다. 그 다음에, 세라믹 콘덴서(1608 사이즈)를 수지 시트 위에 올렸다.With respect to each of the examples and comparative examples, the positional deviation of the ceramic capacitor was measured as follows. First, a resin sheet with a carrier base material was laminated on a copper plate such that a copper plate and a resin sheet were opposed to each other, and vacuum-suction was performed for 30 seconds using a batch vacuum press laminate. Thereafter, pressure was applied under pressure of 1 kg / cm 2 for 30 seconds using pressure-resistant rubber. Then, the carrier substrate was peeled off from the resin substrate-equipped resin sheet. Then, a ceramic capacitor (size 1608) was placed on the resin sheet.

그 다음에, 세라믹 콘덴서 부분에 대응해 형성된 개구부를 가지는 프리프레그를 수지 시트 위에 올렸다.Then, a prepreg having an opening formed corresponding to the ceramic capacitor portion was placed on the resin sheet.

그 다음에, 수지 시트를 적층하고, 진공 가압 프레스를 이용해 압력 30 kg/cm2, 200℃에서 30분 처리하며, 세라믹 콘덴서를 수지 시트에 고정해, 수지 시트를 경화시켰다. 이것에 의해 측정 샘플을 얻었다.Then, a resin sheet was laminated and treated at a pressure of 30 kg / cm 2 and a vacuum press at 200 캜 for 30 minutes, and the ceramic capacitor was fixed to the resin sheet to cure the resin sheet. Thus, a measurement sample was obtained.

도 6은 위치 편차량의 측정 방법을 나타내는 평면 모식도이다. 프리프레그를 올린 후에, 원점 A, B와 세라믹 콘덴서의 4개 모서리의 평면 거리(X, Y, Z, W)를, 각각 측정했다. 도 6 중의 개구부(90)는 프리프레그에 형성한 개구부를 나타낸다.6 is a plan view schematically showing a method of measuring the positional deviation. After the prepreg was raised, the plane distances (X, Y, Z, W) between the origin A and B and the four corners of the ceramic capacitor were measured. The openings 90 in Fig. 6 represent openings formed in the prepreg.

다음에, 수지 시트를 경화시켰다. 경화시킨 측정 샘플의 원점 A, B와 세라믹 콘덴서의 4개 모서리의 평면 거리(X, Y, Z, W)를 재차 측정했다. 그리고, X, Y, Z, W 중, 수지 시트를 경화시키는 상기 공정에서 가장 큰 편차가 생긴 콘덴서의 4개 모서리의 어느 하나의 지점에 대해서, 그 편차량을 위치 편차량으로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다.Next, the resin sheet was cured. The plane distances (X, Y, Z, W) between the origin A and the origin B of the cured measurement sample and the four corners of the ceramic capacitor were measured again. Then, for X, Y, Z, and W, at any one of the four corners of the capacitor in which the largest deviation occurred in the above-described step of curing the resin sheet, the deviation amount was set as the position deviation amount. The results are shown in Table 1.

또한 비교예 3에서는, 점착력이 높기 때문에, 수지 시트를 구리판에 적층한 후, 수지 시트로부터 캐리어 기재를 박리할 경우에, 구리판과 수지 시트간에 박리하거나 수지 시트의 내부가 갈라져 박리하거나 했기 때문에, 캐리어 기재의 박리를 정상적으로 실시하는 것이 가능하지 않았다. 이 때문에, 비교예 3의 위치 편차량은 평가 불가로 했다.In Comparative Example 3, since the adhesive force was high, when the resin substrate was peeled from the resin sheet after the resin sheet was laminated on the copper plate, the peeling between the copper plate and the resin sheet or the inside of the resin sheet was peeled off, It was not possible to carry out the peeling of the base material normally. For this reason, the positional deviation of Comparative Example 3 was not evaluated.

10 수지 시트
12 빌드업층
14 제1 수지층
16 제2 수지층
20 캐리어
30 박리층
40 배선
50 세라믹 콘덴서
52 본체부
54 전극
60 프리프레그
62 절연층
64 솔더 레지스트막
68 솔더 레지스트막
70 스루홀
72 스루홀
74 배선
76 배선
78 금속 도금층
80 반도체 칩
82 범프
84 언더필 수지
86 외부 접속 단자
90 개구부
10 Resin Sheet
12 buildup layer
14 First resin layer
16 Second resin layer
20 carriers
30 peeling layer
40 wiring
50 Ceramic Capacitors
52 body portion
54 Electrodes
60 prepreg
62 insulation layer
64 solder resist film
68 solder resist film
70 Through Hole
72 Through Hole
74 Wiring
76 Wiring
78 metal plating layer
80 semiconductor chip
82 bump
84 underfill resin
86 External connection terminal
90 opening

Claims (13)

전자 부품을 접착하는데 이용되는 수지 시트로서,
25℃에서의 점착력이 80gf/5mmφ 이상이며,
상기 수지 시트에 대해서, 동적 점탄성 측정 장치를 이용하여 주파수 62.83rad/sec, 측정 온도 범위 50℃~200℃의 조건에서 측정했을 때에, 상기 수지 시트의 최저 용융 점도가 300Pa·s 이상 2000Pa·s 이하인 것을 특징으로 하는 수지 시트.
As a resin sheet used for bonding electronic components,
The adhesive force at 25 캜 is 80 gf / 5 mmφ or more,
When the resin sheet is measured under the conditions of a frequency of 62.83 rad / sec and a measurement temperature range of 50 ° C to 200 ° C using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus, the resin sheet has a minimum melt viscosity of 300 Pa · s or more and 2000 Pa · s or less Wherein the resin sheet is a resin sheet.
청구항 1에 있어서,
상기 수지 시트를 200℃, 1시간으로 열처리하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 유리 전이 온도가 160℃ 이상인 수지 시트.
The method according to claim 1,
Wherein the resin sheet is heat treated at 200 DEG C for 1 hour to obtain a cured product, wherein the cured product has a glass transition temperature of 160 DEG C or higher.
청구항 1에 있어서,
상기 수지 시트를 200℃, 1시간으로 열처리하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 유리 전이 온도 미만에서의 선팽창 계수가 30ppm/℃ 이하인 수지 시트.
The method according to claim 1,
Wherein the resin sheet is heat treated at 200 占 폚 for 1 hour to obtain a cured product, wherein the coefficient of linear expansion of the cured product at a temperature lower than the glass transition temperature is 30 ppm / 占 폚 or less.
청구항 1에 있어서,
상기 수지 시트를 200℃, 1시간으로 열처리하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 25℃에서의 저장 탄성률이 7GPa 이상인 수지 시트.
The method according to claim 1,
Wherein the resin sheet is heat treated at 200 DEG C for 1 hour to obtain a cured product, wherein the cured product has a storage elastic modulus at 25 DEG C of 7 GPa or more.
청구항 1에 있어서,
상기 점착력이 1000gf/5mmφ 이하인 수지 시트.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive strength is 1000 gf / 5 mm or less.
청구항 1에 있어서,
상기 전자 부품을 접착하는 한쪽의 면과, 상기 한쪽의 면과 대향하는 다른 쪽의 면을 구비하는 제1 수지층과, 상기 제1 수지층의 상기 다른 쪽의 면측에 마련된 제2 수지층을 포함하는 수지 시트.
The method according to claim 1,
A first resin layer including one surface for adhering the electronic component and the other surface opposite to the one surface and a second resin layer provided on the other surface of the first resin layer .
청구항 6에 있어서,
상기 제2 수지층의 상기 최저 용융 점도가 상기 제1 수지층의 상기 최저 용융 점도보다도 큰 수지 시트.
The method of claim 6,
Wherein the minimum melt viscosity of the second resin layer is larger than the lowest melt viscosity of the first resin layer.
청구항 1에 있어서,
상기 수지 시트는 열경화성 수지와 충전재를 포함하는 열경화성 수지 조성물로 구성되어 있는 수지 시트.
The method according to claim 1,
Wherein the resin sheet comprises a thermosetting resin composition comprising a thermosetting resin and a filler.
청구항 8에 있어서,
상기 열경화성 수지가 에폭시 수지를 포함하는 수지 시트.
The method of claim 8,
Wherein the thermosetting resin comprises an epoxy resin.
청구항 8에 있어서,
상기 충전재가 실리카를 포함하는 수지 시트.
The method of claim 8,
Wherein the filler comprises silica.
청구항 8에 있어서,
상기 열경화성 수지 조성물이 시아네이트 수지를 추가로 포함하는 수지 시트.
The method of claim 8,
Wherein the thermosetting resin composition further comprises a cyanate resin.
청구항 1에 있어서,
상기 전자 부품은 세라믹 콘덴서인 수지 시트.
The method according to claim 1,
Wherein the electronic component is a ceramic capacitor.
청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항의 상기 수지 시트의 경화막과,
상기 경화막의 한쪽의 면 위에 접착된 상기 전자 부품을 구비하는 전자 장치.
A cured film of the resin sheet according to any one of claims 1 to 12,
And the electronic component adhered on one side of the cured film.
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