KR20170019236A - 특이 부분의 검출 방법 및 이를 이용한 측정 장치의 ap 설정 방법 - Google Patents

특이 부분의 검출 방법 및 이를 이용한 측정 장치의 ap 설정 방법 Download PDF

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KR20170019236A
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Abstract

특이 부분(unique portion)의 검출 방법 및 이를 이용한 측정 장치의 AP 설정 방법이 제공된다. 상기 측정 장치의 AP 설정 방법은 설계 데이터를 이용하여 오리지널 이미지를 생성하고, 상기 오리지널 이미지를 단순화하여 심플 이미지를 생성하고, 상기 심플 이미지에서 특이 부분을 확인하고, 상기 특이 부분을 포함하는 일정 영역을 AP로 설정하는 것을 포함한다.

Description

특이 부분의 검출 방법 및 이를 이용한 측정 장치의 AP 설정 방법{Method for detecting a unique portion and Method for setting an address point of a measuring apparatus using the same}
본 발명은 주변과 다른 형상 또는 이격 공간을 갖는 특이 부분의 검출 방법 및 이를 이용한 측정 장치의 AP 설정 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 형성 방법은 웨이퍼 상에 형성된 패턴들이 설계된 바와 동일한 지 확인하는 공정을 포함한다. 상기 웨이퍼 상에 형성된 패턴들은 전자 주사 현미경(Scanning Electronic Microscope; SEM)과 같은 측정 장치에 의해 측정될 수 있다. 상기 측정하고자 하는 위치를 정확하게 찾아가기 위하여, 상기 측정 장치는 AP(address point)를 설정할 수 있다. 상기 AP는 주변과 구별되는 특이 부분(unique portion)을 포함할 수 있다. 상기 측정 장치에서는 AP의 설정에 소요되는 시간을 감소하기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 주변과 구별되는 특이 부분을 빠르게 확인할 수 있는 특이 부분의 검출 방법 및 이를 이용한 측정 장치의 AP 설정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 AP의 설정에 소용되는 시간을 감소할 수 있는 측정 장치의 AP 설정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 AP의 탐색율을 향상할 수 있는 측정 장치의 AP 설정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 앞서 언급한 과제들로 한정되지 않는다. 여기서 언급되지 않은 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 측정 장치의 AP 설정 방법은 설계 데이터를 이용하여 오리지널 이미지를 생성하고, 상기 오리지널 이미지에서 패턴들의 크기를 증가하여 제 1 심플 이미지를 생성하고, 상기 제 1 심플 이미지에서 정점(vertex)를 확인하고, 상기 정점을 포함하는 일정 영역을 AP로 설정하는 것을 포함한다.
상기 패턴들의 크기를 증가하는 것은 각 패턴의 제 1 방향으로의 길이 및 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로의 길이를 설정된 길이만큼 증가하는 것을 포함할 수 있다.
상기 측정 장치의 AP 설정 방법은 상기 제 1 심플 이미지에서 정점이 확인되지 않으면, 상기 패턴들의 크기가 증가되는 정도를 감소하여 상기 제 1 심플 이미지를 재생성하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 측정 장치의 AP 설정 방법은 상기 제 1 심플 이미지에서 확인된 정점의 수가 설정된 값보다 크면, 상기 패턴들의 크기가 증가되는 정도를 증가하여 상기 제 1 심플 이미지를 재생성하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 측정 장치의 AP 설정 방법은 상기 제 1 심플 이미지에서 패턴들의 크기를 감소하여 제 2 심플 이미지를 생성하는 것을 더 포함할 수 있다. 상기 정점은 상기 제 2 심플 이미지에서 확인할 수 있다.
상기 제 2 심플 이미지의 생성을 위하여 상기 패턴들의 크기가 감소하는 정도는 상기 제 1 심플 이미지의 생성을 위하여 상기 패턴들의 크기가 증가하는 정도와 동일할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 측정 장치의 AP 설계 방법은 설계 데이터를 이용하여 오리지널 이미지를 생성하고, 상기 오리지널 이미지를 단순화하여 심플 이미지를 생성하고, 상기 심플 이미지에서 특이 부분(unique portion)을 확인하고, 상기 특이 부분을 포함하는 일정 영역을 AP로 설정하는 것을 포함한다. 상기 오리지널 이미지를 단순화하는 것은 상기 오리지널 이미지에서 패턴들의 크기를 조절하는 것을 포함한다.
상기 심플 이미지에서 상기 특이 부분을 확인하는 것은 상기 심플 이미지에서 폐곡선(closed curve)을 확인하는 것을 포함할 수 있다.
상기 심플 이미지에서 상기 특이 부분을 확인하는 것은 상기 심플 이미지에서 폐곡선이 확인되지 않으면, 상기 심플 이미지에서 정점을 확인하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 측정 장치의 AP 설정 방법은 상기 심플 이미지에서 폐곡선 및 정점이 확인되지 않으면, 상기 오리지널 이미지에서 상기 패턴들의 크기가 조절되는 정도를 감소하여 상기 심플 이미지를 재생성하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 특이 부분의 검출 방법 및 이를 이용한 측정 장치의 AP 설정 방법은 주변과 구별되는 특이 부분을 빠르게 확인할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 기술적 사상에 따른 측정 장치의 AP 설정 방법에서는 AP의 설정에 소요되는 시간을 감소할 수 있다. 또한, 본 발명의 기술적 사상에 따른 특이 부분의 검출 방법 및 이를 이용한 측정 장치의 AP 설정 방법은 주변과 확실하게 구별되는 특이 부분을 검출할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 기술적 사상에 따른 측정 장치의 AP 설정 방법에서는 AP의 탐색율이 향상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 측정 장치의 AP 설정 방법에서는 측정 효율이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법을 나타낸 플로 챠트이다.
도 2a, 2b, 3a, 3b, 4a 및 4b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법에 따른 이미지를 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법을 나타낸 플로 챠트이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법을 나타낸 플로 챠트이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법을 나타낸 플로 챠트이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법을 이용하는 측정 장치를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법을 이용하는 측정 장치의 AP 설정 방법을 나타낸 플로 챠트이다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 여기서, 본 발명의 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이므로, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않도록 다른 형태로 구체화될 수 있다.
또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 의미하며, 도면들에 있어서 층 또는 영역의 길이와 두께는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 덧붙여, 제 1 구성 요소가 제 2 구성 요소 "상"에 있다고 기재되는 경우, 상기 제 1 구성 요소가 상기 제 2 구성 요소와 직접 접촉하는 상측에 위치하는 것뿐만 아니라, 상기 제 1 구성 요소와 상기 제 2 구성 요소 사이에 제 3 구성 요소가 위치하는 경우도 포함한다.
여기서, 상기 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위한 것으로, 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서는 제 1 구성 요소와 제 2 구성 요소는 당업자의 편의에 따라 임의로 명명될 수 있다.
본 발명의 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 예를 들어, 단수로 표현된 구성 요소는 문맥상 명백하게 단수만을 의미하지 않는다면 복수의 구성 요소를 포함한다. 또한, 본 발명의 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
덧붙여, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
　
(실시 예)
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법을 나타낸 플로 챠트이다. 도 2a, 2b, 3a, 3b, 4a 및 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법에 따른 이미지를 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 1, 2a, 2b, 3a, 3b, 4a 및 4b를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법을 설명한다. 먼저, 도 1, 2a 및 2b를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 설계 데이터를 이용하여 오리지널 이미지(original image)를 생성하는 단계(S110)를 포함할 수 있다.
상기 오리지널 이미지는 일반적인 레이아웃의 이미지화 포맷일 수 있다. 예를 들어, 상기 오리지널 이미지는 설계 데이터를 이용하여 생성된 GDS 이미지 또는 OASIS 이미지를 포함할 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 오리지널 이미지를 단순화하는 단계(S120)를 포함할 수 있다.
상기 오리지널 이미지를 단순화하는 단계(S120)는 제 1 심플 이미지(first simplified image)를 생성하는 단계(S121) 및 제 2 심플 이미지를 생성하는 단계(S122)를 포함할 수 있다.
도 1, 3a 및 3b에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 심플 이미지를 생성하는 단계(S121)는 상기 오리지널 이미지에서 패턴들의 크기를 증가하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 심플 이미지를 생성하는 단계(S121)는 상기 오리지널 이미지에서 각 패턴의 제 1 방향으로의 길이 및 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로의 길이를 설정된 길이만큼 증가하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 오리지널 이미지에서 각 패턴의 제 1 방향 길이 및 제 2 방향 길이를 설정된 길이만큼 증가하여 제 1 심플 이미지를 생성하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 오리지널 이미지에서 각 패턴의 크기를 일정 비율로 증가하여 제 1 심플 이미지를 생성할 수 있다.
상기 제 1 심플 이미지는 폐곡선(SC1, LC1) 및 정점(VP1)을 포함할 수 있다. 상기 폐곡선(SC1, LC1)은 상기 오리지널 이미지에서 인접한 패턴들 사이의 이격 거리가 상대적으로 큰 영역에 위치할 수 있다. 상기 오리지널 이미지에서 상기 폐곡선(SC1, LC1)이 형성된 영역보다 인접한 패턴들 사이의 이격 거리가 작은 부분은 상기 제 1 심플 이미지에서 하나의 패턴으로 나타날 수 있다. 상기 정점(VP1)은 상기 오리지널 이미지에서 패턴들의 배열되는 방향이 변경되는 영역에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 정점(VP1)은 제 1 방향으로 배열되는 패턴들과 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 배열되는 패턴들이 교차하되, 패턴들이 형성되지 않은 영역에 위치할 수 있다.
도 1, 3a 및 3b에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 심플 이미지를 생성하는 단계(S122)는 상기 제 1 심플 이미지에서 패턴들의 크기를 감소하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 심플 이미지를 생성하는 단계(S122)는 상기 제 1 심플 이미지에서 각 패턴의 제 1 방향으로의 길이 및 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로의 길이를 설정된 길이만큼 감소하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제 2 심플 이미지의 생성을 위하여 상기 패턴들의 크기가 감소하는 정도는 상기 제 1 심플 이미지의 생성을 위하여 상기 패턴들의 크기가 증가하는 정도와 동일할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 제 2 심플 이미지를 생성하는 단계(S122)가 제 1 심플 이미지를 생성하는 단계(S121)와 동일한 방식으로, 패턴들의 크기를 조절하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 제 2 심플 이미지를 생성하는 단계(S122)가 제 1 심플 이미지를 생성하는 단계(S121)와 다른 방식으로, 패턴들의 크기를 조절할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 제 1 심플 이미지를 생성하는 단계(S121)가 오리지널 이미지에서 각 패턴의 크기를 일정 비율로 증가하는 것을 포함하고, 제 2 심플 이미지를 생성하는 단계(S122)가 여 및 상기 제 1 심플 이미지에서 각 패턴의 제 1 방향 길이 및 제 2 방향 길이를 설정된 길이만큼 감소하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제 2 심플 이미지는 폐곡선(SC2, LC2) 및 정점(VP2)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 심플 이미지에서 상기 폐곡선(SC2, LC2)의 위치는 상기 제 1 심플 이미지에서 상기 폐곡선(SC2, LC2)의 위치와 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 심플 이미지에서 상기 폐곡선(SC2, LC2)의 중심은 상기 제 1 심플 이미지에서 상기 폐곡선(SC2, LC2)의 중심과 동일할 수 있다. 상기 제 2 심플 이미지에서 상기 폐곡선(SC2, LC2)은 상기 제 1 심플 이미지에서 상기 폐곡선(SC2, LC2)의 크기가 증가한 형상일 수 있다.
도 1, 4a 및 4b를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 제 2 심플 이미지에서 정점(vertex)를 확인하는 단계(S130)를 포함할 수 있다.
상기 제 2 심플 이미지에서 폐곡선(SC2, LC2)가 다각형의 형상이면, 상기 폐곡선(SC2, LC2)의 모서리는 정점으로 인정될 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법에서 상기 정점(vertex)를 확인하는 단계(S130)는 상기 오리지널 이미지에서 패턴들의 배열되는 방향이 교차하는 영역 및 인접한 패턴들 사이의 이격 거리가 상대적으로 큰 영역을 확인할 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 제 2 심플 이미지에서 정점(vertex)이 확인되지 않으면, 상기 제 1 심플 이미지의 생성을 위해 패턴들의 크기가 증가되는 정도를 감소하여 상기 제 1 심플 이미지를 재생성하는 단계(S140)를 포함할 수 있다.
결과적으로 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 오리지널 이미지에서 패턴들의 크기를 조절하여 단순화한 후, 정점을 확인함으로써, 주변과 구별될 수 있는 특이 부분을 빠르고 간편하게 확인할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 특이 부분의 검출에 소요되는 시간을 최소화할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 오리지널 이미지에서 패턴들의 크기를 조절하여 제 1 심플 이미지 및 제 2 심플 이미지를 생성하는 것으로 설명된다. 그러나, 도 3a 및 3b에 도시된 바와 같이, 제 1 심플 이미지에서도 특이 부분이 확인되므로, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 제 2 심플 이미지를 생성하는 단계가 생략될 수 있다. 즉, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 오리지널 이미지에서 패턴들의 크기가 증가된 상태에서 정점을 확인할 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 오리지널 이미지를 생성하는 단계(S210), 상기 오리지널 이미지에서 패턴들의 크기를 증가하여 심플 이미지를 생성하는 단계(S220), 상기 심플 이미지에서 정점을 확인하는 단계(S230) 및 상기 심플 이미지에서 정점이 확인되지 않으면, 패턴의 크기가 증가되는 정도를 감소하여 심플 이미지를 재생성하는 단계(S240)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 오리지널 이미지를 단순화한 후, 정점을 확인하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 오리지널 이미지를 단순화한 후, 폐곡선(closed curve)를 확인할 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 오리지널 이미지를 생성하는 단계(S310), 상기 오리지널 이미지를 단순화하여 심플 이미지를 생성하는 단계(S320), 상기 심플 이미지에서 폐곡선을 확인하는 단계(S330), 상기 심플 이미지에서 폐곡선이 확인되지 않으면, 상기 심플 이미지에서 정점을 확인하는 단계(S340) 및 상기 심플 이미지에서 폐곡선 및 정점이 확인되지 않으면, 상기 심플 이미지의 생성을 위해 패턴들의 크기가 변경되는 정도를 조절하여, 상기 심플 이미지를 재생성하는 단계(S350)를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 심플 이미지에서 확인되는 정점의 총 개수에 따라 심플 이지미의 생성을 위해 패턴들의 크기가 변경되는 정도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법은 오리지널 이미지를 생성하는 단계(S410), 상기 오리지널 이미지를 단순화하여 심플 이미지를 생성하는 단계(S420), 상기 심플 이미지에서 정점을 확인하는 단계(S430), 상기 심플 이미지에서 정점이 확인되지 않으면, 심플 이미지의 생성을 위해 패턴들의 크기가 변경되는 정도를 감소하여 상기 심플 이미지를 재생성하는 단계(S440), 상기 확인된 정점의 총 개수가 설정된 값보다 작은 지 확인하는 단계(S450) 및 상기 확인된 정점의 총 개수가 설정된 값보다 크면, 심플 이미지의 생성을 위해 패턴들의 크기가 변경되는 정도를 증가하여 상기 심플 이미지를 재생성하는 단계(S450)를 포함할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법을 이용하는 측정 장치를 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)는 측정부(100) 및 측정 제어부(300)를 포함할 수 있다. 상기 측정부(100)는 패턴들이 형성된 웨이퍼(W) 상에 전자 빔을 주사하는 전자총(110), 상기 전자총(110)에 의해 생성/가속된 전자빔을 상기 웨이퍼(W) 상의 일정 지점으로 집속하기 위한 집속 렌즈(120), 상기 웨이퍼(W)를 이동하기 위한 스테이지(130), 상기 집속된 전자 빔을 포커싱하기 위한 대물 렌즈(140), 상기 웨이퍼(W)에 의해 반사된 다양한 신호들을 검출하기 위한 제 1 검출기(151)와 제 2 검출기(152) 및 상기 전자빔의 주사 각도 및 방향을 조절하기 위한 주사 코일(160)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)는 전자 주사 현미경(Scanning Electronic Microscope; SEM)일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치는 상기 제 1 검출기(151) 및 상기 제 2 검출기(152)에 의해 검출된 다양한 신호를 디지털 신호로 변환하여, 상기 측정 제어부(300)로 전달하기 위한 제 1 A/D 변환기(211) 및 제 2 A/D 변환기(212)를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치는 상기 측정 제어부(300)에 의해 제어되면, 상기 주사 코일(160)을 조절하는 코일 제어부(220) 및 상기 스테이지(130)를 구동하는 스테이지 구동부(230)를 더 포함할 수 있다.
상기 측정 제어부(300)는 마이크로 프로세서(310), 메모리(320), 측정 레시피 생성부(330) 및 매칭부(340)를 포함할 수 있다.
상기 마이크로 프로세서(310)는 본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)의 전체적인 동작을 제어할 수 있다. 상기 메모리(320)에는 설계 데이터 등이 저장될 수 있다. 상기 측정 레시피 생성부(330)는 본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)가 웨이퍼(W) 상에 측정하고자 하는 위치의 이미지를 얻기 위한 순서들을 설정할 수 있다. 예를 들어, 상기 측정 레시피 생성부(330)는 사용자의 요청에 따라 EP 및 AP를 설정할 수 있다. 상기 매칭부(340)는 상기 측정부(100)에 의해 획득된 이미지와 상기 메모리(320)에 저장된 설계 데이터 등을 이용하여 생성된 오리지널 이미지를 비교할 수 있다. 예를 들어, 상기 매칭부(340)는 오리지널 이미지에서 AP와 웨이퍼의 AP에서 획득된 이미지를 비교할 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 특이 부분의 검출 방법을 이용하는 측정 장치의 AP 설정 방법을 나타낸 플로 챠트이다.
도 8 및 9를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)의 AP 설정 방법을 설명한다. 먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)의 AP 설정 방법은 웨이퍼 상에 형성될 패턴들이 도시된 오리지널 이미지를 생성하는 단계(S1100)를 포함할 수 있다.
상기 오리지널 이미지를 생성하는 단계(S1100)는 레이아웃을 이미지화하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 오리지널 이미지를 생성하는 단계(S1100)는 상기 측정 장치(1)의 메모리(320)에 저장된 설계 데이터를 이용하여 GDS 이미지 또는 OASIS 이미지를 생성하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)의 AP 설정 방법은 상기 오리지널 이미지에서 EP 및 EPAF(evaluation point auto focusing point)를 설정하는 단계(S1200)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 EPAF는 웨이퍼의 EP에 대한 이미지를 획득하기 위하여 포커싱하는 지점을 의미할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)의 AP 설정 방법은 상기 설정된 EP를 중심으로 일정 범위의 오리지널 이미지를 추출하는 단계(S1300) 및 상기 추출된 오리지널 이미지에서 특이 패턴을 검출하는 단계(S1400)를 포함할 수 있다.
상기 일정 범위는 본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)의 정밀도를 고려하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 상기 일정 범위는 본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)가 스테이지(130)의 이동 없이 이미지를 획득할 수 있는 범위일 수 있다. 상기 일정 범위는 상기 측정 장치(1)의 주사 코일(160)에 의해 조절되는 전자빔의 주사 각도 및 방향에 의해 결정될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)의 AP 설정 방법은 EP를 기준으로 일정 범위의 오리지널 이미지를 추출하여 AP를 설정하는 것으로 설명된다. 따라서 본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)의 AP 설정 방법에서는 다수의 EP가 설정된 경우, 각 EP에 해당하는 AP를 병렬 처리하여 설정할 수 있다.
상기 특이 패턴을 검출하는 단계(S1400)는 도 1 및 5 내지 7에 도시된 본 발명의 기술적 사상에 따른 특이 부분의 검출 방법을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 특이 패턴을 검출하는 단계(S1400)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 오리지널 이미지에서 패턴들의 크기를 증가하여 제 1 심플 이미지를 생성하는 단계(S121), 상기 제 1 심플 이미지에서 패턴들의 크기를 감소하여 제 2 심플 이미지를 생성하는 단계(S122), 상기 제 2 심플 이미지에서 정점을 확인하는 단계(S130) 및 상기 심플 이미지에서 정점이 확인되지 않으면, 패턴의 크기가 증가되는 정도를 감소하여 제 1 심플 이미지를 재생성하는 단계(S140)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)의 AP 설정 방법은 상기 특이 패턴을 포함하는 일정 범위의 영역을 AP로 설정하는 단계(S1500)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)의 AP 설정 방법은 AP 이미지 획득 시, 포커싱을 위하여, 상기 오리지널 이미지에서 APAF(address point auto focusing point)를 설정하는 단계(S1600)를 더 포함할 수 있다.
결과적으로 본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)의 AP 설정 방법은 오리지널 이미지를 단순화 심플 이미지에서 정점을 확인하여 AP를 설정함으로써, AP의 설정에 소요되는 시간을 감소할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 측정 장치(1)의 AP 설정 방법은 주변과 확실하게 구별되는 영역을 AP로 설정함에 따라, AP의 탐색율을 향상할 수 있다.
100 : 측정부 110 : 전자총
120 : 집속 렌즈 130 : 스테이지
140 : 대물 렌즈 151 : 제 1 검출기
152 : 제 2 검출기 160 : 주사 코일
211 : 제 1 A/D 변환기 212 : 제 2 A/D 변환기
220 : 주사 제어부 230 : 스테이지 구동부
300 : 측정 제어부 310 : 마이크로 프로세서
320 : 메모리 330 : 측정 레시피 생성부
340 : 매칭부

Claims (10)

  1. 설계 데이터를 이용하여 오리지널 이미지를 생성하고,
    상기 오리지널 이미지에서 패턴들의 크기를 증가하여 제 1 심플 이미지를 생성하고,
    상기 제 1 심플 이미지에서 정점(vertex)를 확인하고,
    상기 정점을 포함하는 일정 영역을 AP로 설정하는 것을 포함하는 측정 장치의 AP 설정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 패턴들의 크기를 증가하는 것은 각 패턴의 제 1 방향으로의 길이 및 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로의 길이를 설정된 길이만큼 증가하는 것을 포함하는 측정 장치의 AP 설정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 심플 이미지에서 정점이 확인되지 않으면, 상기 패턴들의 크기가 증가되는 정도를 감소하여 상기 제 1 심플 이미지를 재생성하는 것을 더 포함하는 측정 장치의 AP 설정 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 심플 이미지에서 확인된 정점의 수가 설정된 값보다 크면, 상기 패턴들의 크기가 증가되는 정도를 증가하여 상기 제 1 심플 이미지를 재생성하는 것을 더 포함하는 측정 장치의 AP 설정 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 심플 이미지에서 패턴들의 크기를 감소하여 제 2 심플 이미지를 생성하는 것을 더 포함하되,
    상기 정점은 상기 제 2 심플 이미지에서 확인하는 측정 장치의 AP 설정 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 심플 이미지의 생성을 위하여 상기 패턴들의 크기가 감소하는 정도는 상기 제 1 심플 이미지의 생성을 위하여 상기 패턴들의 크기가 증가하는 정도와 동일한 측정 장치의 AP 설정 방법.
  7. 설계 데이터를 이용하여 오리지널 이미지를 생성하고,
    상기 오리지널 이미지를 단순화하여 심플 이미지를 생성하고,
    상기 심플 이미지에서 특이 부분(unique portion)을 확인하고,
    상기 특이 부분을 포함하는 일정 영역을 AP로 설정하는 것을 포함하되,
    상기 오리지널 이미지를 단순화하는 것은 상기 오리지널 이미지에서 패턴들의 크기를 조절하는 것을 포함하는 측정 장치의 AP 설정 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 심플 이미지에서 상기 특이 부분을 확인하는 것은 상기 심플 이미지에서 폐곡선(closed curve)을 확인하는 것을 포함하는 측정 장치의 AP 설정 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 심플 이미지에서 상기 특이 부분을 확인하는 것은 상기 심플 이미지에서 폐곡선이 확인되지 않으면, 상기 심플 이미지에서 정점을 확인하는 것을 더 포함하는 측정 장치의 AP 설정 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 심플 이미지에서 폐곡선 및 정점이 확인되지 않으면, 상기 오리지널 이미지에서 상기 패턴들의 크기가 조절되는 정도를 감소하여 상기 심플 이미지를 재생성하는 것을 더 포함하는 측정 장치의 AP 설정 방법.
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