KR20170014222A - 도전성 필름용 조성물 - Google Patents

도전성 필름용 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20170014222A
KR20170014222A KR1020150107198A KR20150107198A KR20170014222A KR 20170014222 A KR20170014222 A KR 20170014222A KR 1020150107198 A KR1020150107198 A KR 1020150107198A KR 20150107198 A KR20150107198 A KR 20150107198A KR 20170014222 A KR20170014222 A KR 20170014222A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polymerizable compound
resin layer
conductive film
layer
region
Prior art date
Application number
KR1020150107198A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102118369B1 (ko
Inventor
이준행
김현철
정희준
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020150107198A priority Critical patent/KR102118369B1/ko
Publication of KR20170014222A publication Critical patent/KR20170014222A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102118369B1 publication Critical patent/KR102118369B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/12—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by physical features, e.g. anisotropy, viscosity or electrical conductivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2300/00—Characterised by the use of unspecified polymers
    • C08J2300/12—Polymers characterised by physical features, e.g. anisotropy, viscosity or electrical conductivity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

본 출원은 도전성 필름용 조성물, 도전성 필름, 도전성 필름의 제조방법 및 이의 용도에 관한 것이다.
본 출원은 시인성이 개선되고, 공정수가 저감되며 경제적인 방법으로 도전성 필름을 제조할 수 있는 조성물, 도전성 필름, 도전성 필름의 제조방법 및 이의 용도를 제공할 수 있다.

Description

도전성 필름용 조성물{THE COMPOSITIONS USING CONDUCTIVE FILM}
본 출원은 도전성 필름용 조성물, 도전성 필름, 도전성 필름의 제조방법 및 이의 용도에 관한 것이다.
사용자가 화면(스크린)을 손 또는 물체로 터치하는 것만으로 편하게 데이터를 입력할 수 있도록 해주는 Operating System의 입력장치를 터치스크린패널(TSP, Touch Screen Panel)이라고 하며, 터치 인식 방법에 따라 저항막 방식(Resistive), 정전용량 방식(Capacitive) 등으로 구분된다.
이중 현재 가장 널리 사용되고 있는 방식은 저항막 방식(Resistive)과 정전용량 방식(Capacitive)이며, 저항막 방식은 손가락이나 펜으로 터치했을 때, 눌린 지점에서 전위차가 발생하면, 그 지점을 감지해 동작하는 원리이며 감압식이라 부르기도 한다.
또한, 정전용량 방식은 사람의 몸에 있는 정전 용량을 이용해 전류의 방향이 변경된 부분을 감지해 동작하는 것이다.
상기 저항막 방식과 정전용량 방식의 터치 스크린 패널의 구조에 공통으로 구성되는 ITO(Indium-Tin Oxide) 필름은 금속 전도성 물질인 인듐 주석 화합물로 이루어진 투명 도전막을 물리적 또는 화학적 방식으로 증착하여 전류가 흐르는 투명전극(전기회로, pattern)을 베이스기판에 형성되도록 한 것이다.
특히, 정전용량 방식은 투명전극(전기회로, pattern)의 시인성이 문제가 되고 있다. 상기 시인성 문제를 개선하기 위하여 ITO층 등의 도전층이 형성되는 하부면에 광학 조절층을 형성시켜 에칭(패터닝 형성 공정)된 필름면과 에칭이 되지 않은 면의 반사율을 최소화하는 기술을 이용하고 있다.
또한, 도전성 필름은 광학 조절층 이외에 도전층의 하부에 투명 언더코팅(under coating)층과 같은 층을 형성하여, 도전층과 기재층의 부착력 및 투과도를 향상시키고 있다. 상기 언더 코팅층은 습식 코팅(wetcoating)이나 진공 스터터링 방법으로 형성할 수 있으나, 각 층의 형성 공정이 개별적으로 수행될 필요가 있어, 제조 공정이 복잡하고 비용이 높은 단점이 있다.
더욱이, 상기와 같은 시인성 개선 노력에도 불구하고, ITO 층의 패턴 후 열처리 과정에서 ITO가 패턴 되지 않은 기재부분의 눌림 현상이 발생할 수 있고, 이에 따라 시인성이 저하되는 문제점 등은 여전히 존재한다.
한국공개특허공보 제 2010-0134692호
본 출원은 도전성 필름의 굽힘 현상에 따른 시인성 저하 문제를 개선하고, 공정수가 절감되어 경제적인 도전성 필름용 조성물, 도전성 필름 및 이의 제조방법을 제공한다.
본 출원은 또한, 도전성 필름을 포함하는 터치 패널을 제공한다.
본 출원은 상기 과제를 해결하기 위해 안출된 것으로써, 제 1 중합성 화합물; 및 상기 제 1 중합성 화합물에 비하여 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물을 포함하는 도전성 필름용 조성물에 관한 것이다.
하나의 예시에서, 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이는 1mN/m 이상 일 수 있다.
본 출원의 도전성 필름용 조성물은 또한, 무기 입자를 추가로 포함할 수 있다.
본 출원은 또한, 기재 필름; 상기 기재 필름의 일면에 형성되어 있으며, 제 1 중합성 화합물; 및 상기 제 1 중합성 화합물에 비하여 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물을 포함하는 조성물의 중합물인 제 1 수지층; 및 상기 기재 필름의 상기 제 1 수지층이 형성된 면의 반대 면에 형성되어 있는 제 2 수지층을 포함하는 도전성 필름에 관한 것이다.
하나의 예시에서, 제 1 수지층은 제 1 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 A 영역 및 상기 A 영역 상에 형성되어 있는 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 B 영역을 포함할 수 있다.
하나의 예시에서, 제 1 수지층의 A 영역은 무기 입자를, 예를 들면 60 중량% 이상 포함할 수 있다.
상기 기재 필름은, 예를 들면 화학적 처리, 코로나 방전 처리, 기계적 처리, 자외선(UV) 처리, 활성 플라즈마 처리 및 글로우 방전 처리로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 처리를 수행한 것일 수 있다.
본 출원의 도전성 필름은, 예를 들면 제 1 수지층 상에 도전층을 더 포함하고, 상기 도전층 방향으로 오목한 곡면 구조를 형성할 수 있다.
본 출원은 또한, 기재 필름 상에 제 1 중합성 화합물; 및 상기 제 1 중합성 화합물보다 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물을 포함하는 조성물을 코팅한 후, 경화하여 제 1 수지층을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조방법에 관한 것이다.
본 출원은 또한, 도전성 필름을 포함하는 터치 패널에 관한 것이다.
본 출원은 열 처리 등에 의해 발생할 수 있는 굽힘 현상에 따른 시인성 문제를 방지할 수 있는 도전성 필름용 조성물, 이로부터 형성된 도전성 필름, 도전성 필름의 제조방법 및 도전성 필름을 포함하는 터치 패널을 제공할 수 있다.
본 출원은 또한, 제 1 하드 코팅층과 언더 코팅층을 상 분리 현상을 이용하여 단일 코팅공정으로 형성함으로써, 공정수가 저감되고 경제적인 도전성 필름용 조성물, 도전성 필름, 도전성 필름의 제조방법 및 도전성 필름을 포함하는 터치 패널을 제공할 수 있다.
도 1 은 본 출원의 도전성 필름에 대한 일 모식도이다.
도 2는 본 출원의 실시예에 따른 도전성 필름의 파장별 반사도를 도시한 것이다.
이하 본 출원에 대해서 실시예를 통해 보다 상세히 설명하겠지만, 본 출원의 요지에 국한된 실시예에 지나지 않는다. 한편 본 출원은 이하의 실시예에서 제시하는 공정조건에 제한되는 것이 아니며, 본 출원의 목적을 달성하기에 필요한 조건의 범위 안에서 임의로 선택 할 수 있음은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다.
본 출원은 도전성 필름용 조성물에 관한 것이다.
본 출원의 도전성 필름용 조성물은, 예를 들면 중합 후 상 분리 구조를 형성할 수 있는 중합성 화합물을 포함할 수 있다.
통상적인 도전성 필름은 시인성을 개선하기 위하여, 도전층과 기재 필름 사이에 언더 코팅층 및 하드 코팅층을 형성한다. 상기 하드 코팅층 및 언더 코팅층은 각각 기재 필름 상에 습식 도포 방식, 예를 들면 그라비아 코팅, 마이크로그라비아 코팅, 롤 코팅, 바 코팅 또는 딥 코팅 등의 방식을 이용하여 하드 코팅층을 형성한 후, 건식 도포 방식, 예를 들면 스퍼터링 등의 방식을 이용하여 언더 코팅층을 형성하는 공정에 의해 제조된다. 상기와 같은, 도전성 필름에 포함되는 언더 코팅층 및 하드 코팅층을 형성하는 공정은 습식 및 건식 도포 공정이 모두 포함되어 공정이 복잡하고, 공정상의 제약이 많이 따르며 경제적으로 고비용을 요구하는 등 많은 문제점이 있다.
이에, 본 출원은 중합 후 상 분리가 가능하고, 소정의 표면 에너지 차이를 가지는 중합성 화합물을 포함하여 상 분리 구조를 구현함으로써, 단일 코팅공정으로 하드 코팅층 및 언더 코팅층을 형성하여 공정이 간편하며, 경제적으로 우수한 도전성 필름용 조성물을 제공할 수 있다.
즉, 본 출원의 도전성 필름용 조성물은 표면 에너지가 서로 다른 중합성 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 서로 다른 중합성 화합물은 중합 후 상분리 구조를 구현할 수 있다.
구체적으로, 본 출원의 도전성 필름용 조성물은 제 1 중합성 화합물; 및 제 2 중합성 화합물을 포함한다. 상기 제 2 중합성 화합물은 상기 제 1 중합성 화합물보다 표면 에너지가 작은 것이다. 또한, 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물은 중합 후 상분리 구조를 구현할 수 있다.
본 출원에서 용어 「중합성 화합물」이란, 광, 예를 들면 UV 광이나 열 등에 의해 라디칼 또는 이온 중합되어 중합체를 형성할 수 있는 화합물을 의미할 수 있다.
본 출원의 도전성 필름용 조성물에 포함되는 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물은, 광 예를 들면 UV 광에 의해 중합되며, 중합 후 상 분리 되어 각자의 영역을 형성한 상태로 도전성 필름에 포함될 수 있다.
하나의 예시에서, 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물은 중합되는 경우, 소정 두께를 가지고 상분리 되어, 예를 들면 후술하는 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제 1 수지층을 형성할 수 있다.
상기에서 용어 「상 분리되어 각자의 영역을 형성한 상태」라는 것은 각 화합물이 중합되어 형성된 중합체가 서로 다른 물성을 가지며 상 분리되어 각자의 영역을 형성한 상태, 예를 들면 수직 상 분리되어 소정 두께의 층을 형성하고 있는 상태를 의미할 수 있다. 상기 상 분리되어 형성된 각층은 실질적으로 하나의 수지에 의해 형성된 층이고, 실질적으로 다른 수지에 의해 형성된 층 상에 위치하거나 배열될 수 있다.
상기 「실질적으로 하나의 수지에 의해 형성된 층」이란 한 종류의 수지가 해-도(sea-island) 구조를 형성하지 않고, 하나의 층 전체에 연속적으로 존재하는 것을 의미할 수 있다. 상기 「해-도 구조」는 상 분리된 수지가 전체 수지 혼합물 내에 부분적으로 분포되어 있는 것을 의미한다. 또한, 「실질적으로 형성된」은 하나의 층에 하나의 수지만 존재하거나, 하나의 수지가 풍부한(rich) 것, 예를 들면 하나의 수지가 층의 구성 수지 중 90% 이상, 91% 이상, 92% 이상, 93% 이상94% 이상, 95% 이상을 차지하고 있는 것을 의미할 수 있다.
구체적으로, 상기에서 A 영역 및 B 영역은 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물의 중합물인 제 1 수지층 내에 포함되어 있는 물성이 상이한 영역을 의미하는 것으로써, 예를 들면 제 1 중합성 화합물의 중합 단위를 주로 포함하는 영역을 A 영역이라 하고, 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 주로 포함하는 영역을 B 영역이라 할 수 있다. 상기 「소정 화합물을 주로 포함하고 있다」는 것은 실질적으로 하나의 중합성 화합물만을 포함하고 있는 상태, 예를 들면 A 영역에 제 1 중합성 화합물을 제외한 화합물이 10% 이하, 9% 이하, 8% 이하, 7% 이하, 6% 이하 또는 5% 이하인 상태를 의미할 수 있다. 상기 용어 「소정 화합물의 중합 단위」라는 것은 소정 화합물이 중합되어 형성된 중합체의 주쇄 또는 측쇄 등에 상기 소정 화합물이 중합되어 포함되어 있는 상태를 의미할 수 있다.
상기 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물이 중합된 후 상 분리되어 각자의 영역을 형성하기 위해서는 각 화합물의 물성이 상이해야 한다.
구체적으로, 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물은 표면 에너지 차이가 서로 상이해야 한다.
하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름은 제 1 중합성 화합물 및 상기 제 1 중합성 화합물 보다 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물을 포함할 수 있다. 상기 제 2 중합성 화합물은 중합 후 상기 제 1 중합성 화합물과 수직 상 분리 구조를 구현할 수 있을 정도의 표면 에너지 차이를 가지는 것일 수 있다.
구체적으로, 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이는 1 mN/m이상 일 수 있다. 상기 중합성 화합물의 표면 에너지는 중합성 화합물이 중합되어 형성된 중합체를 포함하는 층의 표면 에너지로부터 계산된 것일 수 있다.
상기와 같은 표면 에너지 차이 범위 내에서, 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물은 중합 후, 상 분리 되어 각자의 영역, 예를 들면 수직 상 분리된 A 영역 및 B영역을 형성할 수 있다.
다른 예시에서 상기 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이는 25℃에서, 1.5 mN/m 이상, 2.0 mN/m 이상, 3.0 mN/m 이상, 4.0 mN/m 이상, 5.0mN/m 이상 또는 6.0mN/m 이상 일 수 있다. 상기 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이의 상한값은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면 50mN/m 이하, 45mN/m 이하 또는 40mN/m 이하일 수 있다. 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이가 0.1mN/m 보다 작을 경우, 작은 표면 에너지 차이로 인하여 수직 상분리되어 각자의 영역을 형성한 상태의 층을 형성할 수 없으며, 표면 에너지 차이가 50mN/m 를 초과하는 경우, 각 화합물 간에 서로 섞이는 현상은 발생하지 않으나, 전체적인 필름의 내구성에 영향을 줄 수 있다.
본 출원의 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물은 전술한 표면 에너지 차이 이외에, 상 분리 구조에 영향을 줄 수 있는 다른 물성, 예를 들면 용융 점도 등이 서로 상이한 것일 수 있다.
본 출원의 도전성 필름용 조성물에 포함되는 상기 제 1 중합성 화합물은, 제 2 중합성 화합물과 전술한 표면 에너지 차이를 만족하며, 예를 들면 도전성 필름의 제 1 수지층의 A영역을 형성하기에 적합한 공지의 재료가 제한 없이 이용될 수 있다.
하나의 예시에서, 제 1 중합성 화합물은 라디칼 중합성 화합물 일 수 있다.
상기 라디칼 중합성 화합물은 예를 들면, 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물일 수 있다. 상기 용어 「단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물」은 중합성 관능기, 예를 들면 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 하나 또는 그 이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 단량체, 올리고머 또는 이들의 혼합물을 의미할 수 있다. 또한, 상기 「(메타)아크릴레이트」는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미할 수 있다.
하나의 예시에서, 단관능 (메타)아크릴레이트 화합물은 알킬 (메타)아크릴레이트 일 수 있다.
구체적으로, 알킬 (메타)아크릴레이트는 탄소수가 1 내지 20인 알킬기를 가지는 알킬 (메타)아크릴레이트 일 수 있으며, 그 예로는 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, n-프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, 이소부틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소노닐 (메타)아크릴레이트, 데실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트, 트리데실 (메타)아크릴레이트, 테트라데실 (메타)아크릴레이트, 옥타데실 (메타)아크릴레이트 또는 이소보닐 (메타)아크릴레이트 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 다관능성 (메타)아크릴레이트 화합물로는, 예를 들면, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트(neopentylglycol adipate) 디(메타)아크릴레이트, 히드록시피발산(hydroxyl puivalic acid) 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(dicyclopentanyl) 디(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 디(메타)아크릴레이트, 디(메타)아크릴록시 에틸 이소시아누레이트, 알릴(allyl)화 시클로헥실 디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올(메타)아크릴레이트, 디메틸롤 디시클로펜탄 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 헥사히드로프탈산 디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸 디메탄올(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸프로판 디(메타)아크릴레이트, 아다만탄(adamantane) 디(메타)아크릴레이트 또는 9,9-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌(fluorine) 등과 같은 2관능성 (메타)아크릴레이트; 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥시드 변성 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 3 관능형 우레탄 (메타)아크릴레이트 또는 트리스(메타)아크릴록시에틸이소시아누레이트 등의 3관능성 (메타)아크릴레이트; 디글리세린 테트라(메타)아크릴레이트 또는 펜타에리쓰리톨 테트라(메타)아크릴레이트 등의 4관능성 (메타) 아크릴레이트; 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 펜타(메타)아크릴레이트 등의 5관능성 (메타) 아크릴레이트; 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트 또는 우레탄 (메타)아크릴레이트(ex. 이소시아네이트 단량체 또는 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트의 반응물) 등의 6관능성 (메타) 아크릴레이트 등을 사용할 수 있다.
또한, 다관능성 (메타)아크릴레이트로는 업계에서 소위 광 중합성 올리고머로 호칭되는 화합물로서, 우레탄 (메타)아크릴레이트, 에폭시 (메타)아크릴레이트, 폴리에스테르 (메타)아크릴레이트 또는 폴리에테르 (메타)아크릴레이트 등도 사용할 수 있다.
본 출원은 상기와 같은 제 1 중합성 화합물 중에서 제2 중합성 화합물과의 물성 차이를 고려하여 적절한 종류를 일종 또는 이종 이상 선택하여 사용할 수 있다.
본 출원의 도전성 필름용 조성물에 포함되는 제 2 중합성 화합물은 제 1 중합성 화합물과 전술한 표면 에너지 차이 및 용해도 파라미터 차이를 만족하며, 예를 들면 도전성 필름의 제 1 수지층의 B 영역을 형성하기에 적합한 공지의 재료가 제한 없이 이용될 수 있다.
하나의 예시에서, 제 2 중합성 화합물은 라디칼 중합성 화합물 또는 이온 중합성 화합물 일 수 있다.
구체적으로, 제 2 중합성 화합물은 라디칼 중합성 관능기, 예를 들면 (메타)아크릴로일기 또는 (메타)아크릴로일옥시기를 포함하는 불소 화합물; 또는 상기 작용기를 포함하는 실록산 화합물; 일 수 있다. 상기 용어 「(메타)아크릴로일기」는 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 의미하고, 상기 용어 「(메타)아크릴로일옥시기」는 아크릴일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기를 의미할 수 있다.
상기 불소 화합물은, 예를 들면 하기 화학식 1 내지 5로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 불소 (메타)아크릴레이트 화합물 일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
[화학식 1]
Figure pat00001
[화학식 2]
Figure pat00002
[화학식 3]
Figure pat00003
[화학식 4]
Figure pat00004
[화학식 5]
Figure pat00005
상기 화학식 1 내지 5에서 에서 R1은 수소 또는 알킬기이고, a 내지 f는 임의의 수, 예를 들면 양의 정수이다.
본 출원에서 용어 「알킬기」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 의미할 수 있다. 상기 알킬기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있다. 알킬기로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기,sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기,n- 헵틸기 또는 n-옥틸기 등의 직쇄형 또는 분지쇄형 알킬기이거나, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 또는 시클로헵틸기 등의 시클로 알킬기 등이 예시될 수 있다. 또한, 상기 알킬기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 화학식 1의 a는 0 내지 7의 정수이고, b는 1 내지 3의 정수 일 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 화학식 2의 c는 1 내지 10의 정수 일 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 화학식 3의 d는 1 내지 11의 정수 일 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 화학식 4의 e는 1 내지 5의 정수 일 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 화학식 5의 f는 4 내지 10의 정수 일 수 있다.
상기 실록산 화합물은, 예를 들면 하기 화학식 6 의 중합 단위를 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
[화학식 6]
Figure pat00006
상기 화학식 6에서 R2은 수소 또는 알킬기이고, R3는 하기 화학식 7의 치환기를 나타내고,
[화학식 7]
Figure pat00007
상기 화학식 7에서 R4는 알킬렌기를 나타내고, R5 및 R6는 각각 독립적으로 알킬기를 나타내며, n은 임의의 수, 예를 들면 양의 정수이다.
또한, 상기 실록산 화합물은, 예를 들면 상기 화학식 6의 중합 단위와 함께 하기 화학식 8의 중합 단위를 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
[화학식 8]
Figure pat00008
상기 화학식 8에서 R7은 수소 또는 알킬기를 나타내며, R8은 알킬기, 아릴기 또는 지환족 고리기를 나타낸다.
본 출원에서 용어 「알킬렌기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기를 의미할 수 있다. 상기 알킬렌기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알킬렌기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.
본 출원에서 용어 「아릴기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 12의 탄소계 방향족기이며, 이에 제한되는 것은 아니나, 벤젠, 나프탈렌 등을 포함한다. 용어 "방향족"은 또한 "헤테로아릴기"를 포함하며, 이는 방향족기의 고리 내에 혼입된 하나 이상의 헤테로 원자를 갖는 방향족기로 정의된다. 헤테로원자의 예는, 이에 제한되는 것은 아니나, 질소, 산소, 황, 및 인을 포함한다. 아릴기는 치환되거나 또는 비치환 될 수 있다.
본 출원에서 용어 「지환족 고리기」는 3개 이상의 탄소 원자로 구성된 지방족 탄소계 고리를 의미한다. 지환족 고리기의 예는, 이에 제한되는 것은 아니나, 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실 등을 포함한다.
더욱이, 실록산 화합물은 전술한 (메타)아크릴로일기 또는 (메타)아크릴로일옥시기를 포함하는 화합물 이외에도, 라디칼 중합성 관능기, 예를 들면 비닐기를 포함할 수 있다. 비닐기 등의 라디칼 중합성 관능기를 포함하는 실록산 화합물의 구체적인 종류는 공지이며, 언더 코팅층을 형성할 수 있을 정도의 투광성 및 굴절률 범위를 가지고 있는 것이면 본 출원에서는 제한 없이 이용될 수 있다.
제 2 중합성 화합물이 이온 중합성 화합물 일 경우, 상기 이온 중합성 화합물은 예를 들면 에폭사이드, 사이클릭 에테르, 설파이드, 아세탈 또는 락톤 등의 양이온 중합성 관능기를 포함하는 실록산 화합물 일 수 있다. 상기 이온 중합성 화합물로서의 실록산 화합물은 라디칼 중합성 관능기, 예를 들면 (메타)아크릴로일기, (메타)아크릴로일옥시기 또는 비닐기 등의 관능기를 포함하지 않는 화합물을 의미할 수 있다.
본 출원의 도전성 필름용 조성물은 상기 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물을 중합 후 각자의 영역을 형성할 수 있을 정도의 범위로 포함할 수 있다.
하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름용 조성물은 제 1 중합성 화합물 100 중량부 및 10 중량부 내지 100 중량부의 제 2 중합성 화합물을 포함할 수 있다.
다른 예시에서, 본 출원의 도전성 필름용 조성물은 제 1 중합성 화합물 30 내지 95 중량부 및 제 2 중합성 화합물 3 내지 50 중량부를 포함할 수 있고, 또는 반대로, 제 1 중합성 화합물 3 내지 50 중량부 및 제 2 중합성 화합물 30 내지 95 중량부를 포함할 수 있다. 본 출원에서 용어 「중량부」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 각 성분간의 중량비율을 의미한다.
상기와 같은 비율로 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물을 도전성 필름용 조성물에 포함시킬 경우, 상기 조성물이 중합되었을 때, 상 분리되어, 예를 들면 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제 1 수지층을 형성할 수 있다.
하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름용 조성물이 후술하는 방법에 의해 중합되는 경우 제 1 수지층이 형성될 수 있다. 상기 제 1 수지층은 A 영역 및 B 영역을 포함할 수 있다.
본 출원의 도전성 필름용 조성물은 또한, 무기 입자를 추가로 포함할 수 있다.
본 출원의 도전성 필름용 조성물에 포함되는 무기 입자는 제 1 중합성 화합물이 중합되어 형성된 제 1 수지층의 A 영역에 포함되어 목적하는 굴절률의 조절 및 제 1 수지층의 A 영역에 적절한 강성을 부여하기 위한 것일 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 무기 입자는 ZnO, TiO2, CeO2, SnO2, ZrO2, MgO 또는 Ta2O5을 포함하는 입자일 수 있다. 상기 무기 입자는 크기는 예를 들면 5 내지 100 nm 범위 내에 있을 수 있다.
다른 예시에서, 상기 무기 입자는 표면이 적절히 처리되어 전술한 제 1 중합성 화합물과 유사한 물성을 가지도록 할 수 있다. 구체적으로, 무기 입자는 전술한 제 1 중합성 화합물 중 어느 한 화합물에 의해서 표면이 코팅된 것일 수 있다.
상기 무기 입자의 함량은 전술한 무기 입자의 채택 목적을 해치지 아니하는 범위 내에서 적절히 포함될 수 있으며, 예를 들면 조성물의 총 고형분 대비 40 중량% 이상, 50 중량% 이상, 60 중량% 이상 또는 70 중량% 이상의 범위로 도전성 필름용 조성물에 포함될 수 있다.
본 출원의 도전성 필름용 조성물은 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물의 중합을 위하여 개시제를 포함한다. 상기 개시제는, 예를 들면 라디칼 광 개시제 또는 양이온 광 개시제일 수 있다.
보다 구체적으로, 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물이 모두 라디칼 중합이 가능한 경우, 라디칼 광 개시제가 단독으로 첨가될 수 있다. 한편, 상기 두 화합물 중 적어도 하나가 이온 중합성을 띄는 경우, 양이온 광 개시제를 더 포함할 수 있다.
하나의 예시에서, 라디칼 광 개시제로는 벤조인계, 히드록시 케톤계, 아미노케톤계 또는 포스핀 옥시드계 광개시제 등이 사용될 수 있다. 구체적으로, 라디칼 광 개시제로는 벤조인, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 벤조인 n-부틸에테르, 벤조인 이소부틸에테르, 아세토페논, 디메틸아미노 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2-(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4’-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오잔톤(thioxanthone), 2-에틸티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2,4-디메틸티오잔톤, 2,4-디에틸티오잔톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논 디메틸케탈, p-디메틸아미노 안식향산 에스테르, 올리고[2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판논] 또는 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥시드 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
하나의 예시에서, 양이온 광개시제는 방향족 디아조늄염 광 개시제, 방향족 할로늄염 광개시제 또는 방향족 술포늄염 광 개시제 등이 이용될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 광 개시제는, 예를 들면 도전성 필름용 조성물에 0.05 내지 5 중량부의 범위로 포함될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물의 중합을 위해 필요한 범위 내에서 상기 수치는 변동될 수 있다.
본 출원의 도전성 필름용 조성물은, 또한 전술한 성분 이외에 공지의 첨가제, 예를 들면 계면 활성제, 가소제, 표면 윤활제, 레벨링제, 산화 방지제, 부식 방지제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 중합 금지제 또는 실란 커플링제 등을 추가로 포함할 수 있다. 상기 성분들의 함량은 도전성 필름의 물성을 해치지 아니하는 범위 내에서 적정량 첨가될 수 있으며, 예를 들면 도전성 필름용 조성물 100 중량부 대비 0.01 내지 2 중량부의 범위로 포함될 수 있다.
본 출원은 또한, 전술한 도전성 필름용 조성물로부터 형성된 층을 포함하는 도전성 필름에 관한 것이다.
본 출원의 도전성 필름은 도전성 필름의 열처리 공정 시 발생할 수 있는 굽힘 현상에 기인한 시인성 문제를 극복할 수 있으며, 전술한 조성물의 단일 코팅공정으로부터 상 분리 된 층을 형성하여 공정수를 저감하고 경제성을 도모할 수 있다.
하나의 예시에서, 본 출원은 기재 필름; 상기 기재 필름의 일면에 형성되어 있으며, 제 1 중합성 화합물; 및 상기 제 1 중합성 화합물에 비하여 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물을 포함하는 조성물의 중합물인 제 1 수지층; 및 상기 기재 필름의 상기 제 1 수지층이 형성된 면의 반대 면에 형성되어 있는 제 2 수지층을 포함하는 도전성 필름에 관한 것이다.
본 출원에 따른 도전성 필름은 기재 필름의 양면에 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 형성하고, 상기 제 1 수지층과 제 2 수지층의 두께 및 무기 입자의 함량을 조절하여 도전성 필름의 열 팽창 계수를 소정 범위 이하로 유지하거나, 열 처리 공정으로 인한 도전성 필름의 굽힘 방향을 도전층 방향으로 설정함으로써, 궁극적으로 도전성 필름의 패턴 시인성 문제를 개선할 수 있다.
또한, 본 출원의 도전성 필름은 기존에 기재 필름 상에 형성되는 하드 코팅층 및 언더 코팅층의 복수 형성 공정 대신에, 전술한 제 1 및 제 2 중합성 화합물을 포함하는 조성물의 단일 코팅공정만으로 하드 코팅층 및 언더 코팅층 역할을 수행할 수 있는 층을 형성함으로써, 공정수를 저감하여 경제성을 도모할 수 있다.
본 출원의 도전성 필름은 기재 필름을 포함한다.
하나의 예시에서, 상기 기재 필름은 투명 필름으로서, 투명성과 강도가 적정 범위에 있는 도전성 필름용으로 적합한 공지의 것이 채택될 수 있다.
구체적으로, 기재 필름의 재질로는 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리 에스테르; 6-나일론 또는 6,6-나일론 등의 폴리아미드; 폴리카보네이트; 폴리에테르설폰; 또는 노르보르넨계 수지 등이 이용될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 기재 필름은 이들 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어있을 수 있다. 또한 기재 필름은 단일 필름의 형태 또는 적층 필름의 형태가 될 수 있다.
본 출원의 기재 필름은 또한, 표면이 개질 된 것일 수 있다. 상기 표면 개질은 극성을 부여하기 위한 것으로써, 도전성 필름용 조성물을 기재 필름에 도포 한 후, 상 분리 현상에 의해 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제 1 수지층의 형성 시, 상 분리 구조를 보다 더 명확하게 하기 위한 것일 수 있다.
하나의 예시에서, 기재 필름은 화학적 처리, 코로나 방전 처리, 기계적 처리, 자외선(UV) 처리, 활성 플라즈마 처리 또는 글로우 방전 처리 등의 공지의 처리 방식을 이용하여 표면을 개질 한 것일 수 있다.
또한, 기재 필름에는 공지의 첨가제, 예컨대 대전 방지제, 자외선 흡수제, 적외선 흡수제, 가소제, 윤활제, 착색제, 산화방지제 또는 난연제 등이 포함되어 있을 수 있다.
기재 필름의 두께는 투명성, 박막화 및 가공시 장력에 의한 주름의 발생 등을 최소화하기 위한 목적 등을 고려한 적절한 두께 범위가 설정될 수 있다. 하나의 예시에서, 기재 필름은 10 내지 80㎛, 또는 20 내지 60㎛의 두께 범위를 가질 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
본 출원의 도전성 필름은 제 1 수지층을 포함한다. 상기 제 1 수지층은, 예를 들면 전술한 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물을 포함하는 조성물의 중합물 일 수 있다.
보다 구체적으로, 본 출원의 제 1 수지층은 제 1 중합성 화합물, 제 2 중합성 화합물 및 기타 첨가제를 포함하는 도전성 필름용 조성물을 기재 필름 상에 코팅 하는 경우, 각 중합성 화합물의 표면 에너지 등의 물성 차이에 기인하여, 상 분리 되어 두 층을 형성하는 것으로부터 제조될 수 있다.
상기와 같은 상 분리 현상에 기인하여, 제 1 수지층은 제 1 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 A 영역 및 상기 A 영역 상에 형성되어 있는 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 B 영역을 포함할 수 있다.상기 A 영역 및 B 영역은, 예를 들면 도 1에 도시된 바와 같이, 수직 상 분리되어 각자의 영역을 형성하고 있는 상태로 제 1 수지층에 포함될 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 A 영역은 제 1 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하고, 실질적으로 제 2 중합성 화합물을 포함하지 않을 수 있다.
상기 「실질적으로 포함하지 않는다는 것」은, 예를 들면 A 영역에 포함되어 있는 제 1 중합성 화합물 대비 제 2 중합성 화합물이 10 중량% 이하, 9 중량% 이하, 8 중량% 이하, 7 중량% 이하, 6 중량% 이하 또는 5 중량% 이하의 비율로 포함되어 있는 상태를 의미할 수 있다.
상기 A 영역은, 예를 들면 무기 입자를 더 포함할 수 있다. 즉, A 영역은 도전성 필름에 적절한 강성을 부여하고, 기재 필름과 굴절률 차이를 감소시키기 위해 형성되는 하드 코팅층의 역할을 수행할 수 있다.
하나의 예시에서, A 영역 내 무기 입자의 비율은 60 중량% 이상일 수 있다. 상기와 같은 중량 범위 내에서 제 1 수지층의 A 영역은 목적하는 굴절률 및 강성을 확보하여 궁극적으로 패턴 시인성이 개선된 도전성 필름을 제공할 수 있다. 상기 무기 입자의 함량은, 예를 들면 열 중량 분석기(TGA)를 이용하여 산출된 값일 수 있다.
다른 예시에서, 무기 입자는 70 중량% 이상, 80 중량% 이상 또는 85 중량% 이상의 범위로 제 1 수지층의 A 영역에 포함될 수 있다. 상기 무기 입자 함량 범위의 상한값은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면 99 중량% 이하, 95 중량% 이하 또는 90 중량% 이하 일 수 있다.
제 1 수지층의 A 영역은 상기와 같은 범위 내에서 무기 입자를 포함함으로써, 기재 필름과 유사한 굴절률을 나타낼 수 있다.
하나의 예시에서, 제 1 수지층 내 A 영역의 굴절률(550 nm 파장 기준)과 기재 필름의 굴절률(550 nm 파장 기준)의 차이의 절대값은 0.3 이하일 수 있다. 상기와 같은 굴절률 차이 내에서 도전성 필름의 목적하는 광학적 특성을 달성할 수 있다. 다른 예시에서, 상기 제 1 수지층 내 A 영역의 굴절률(550 nm 파장 기준)과 기재 필름의 굴절률(550 nm 파장 기준)의 차이의 절대값은 0.2 이하 또는 0.1 이하일 수 있다.
구체적으로, 제 1 수지층의 A 영역은 550nm 파장에서 측정한 굴절률이 1.5 내지 1.8의 범위 내에 있을 수 있다. 다른 예시에서, 제 1 수지층의 A 영역은 550nm 파장에서 측정한 굴절률이 1.5 내지 1.7 또는 1.6 내지 1.7의 범위 내에 있을 수 있다.
제 1 수지층의 A 영역의 두께는, 예를 들면 0.3 ㎛ 내지 1.3 ㎛의 범위 내에 있을 수 있다. 상기 제 1 수지층의 A 영역의 두께는 도전성 필름의 열 팽창 계수를 조절할 수 있는 인자로써, 두께가 지나치게 얇을 경우, 열 팽창 계수가 낮아져 패턴 눌림 현상이 발생할 수 있고, 두께가 지나치게 두꺼울 경우 필름의 박형화에 부합하지 못하며, 후속되는 열 처리 공정에 따라 크랙(crack) 등이 발생할 우려가 있으므로, 상기 수치 범위 내에서 적절한 두께가 설정되어야 한다.
제 1 수지층은 B 영역을 포함할 수 있다. 상기 B 영역은 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하고, 실질적으로 제 1 중합성 화합물을 포함하지 않을 수 있다.
상기 제 1 수지층의 B 영역은, 도전성 필름의 도전층 및 기재 필름 사이에 위치하여, 소정의 굴절률을 가지는 것으로서, 도전성 필름의 반사율을 감소시키는 역할을 수행할 수 있다.
제 1 수지층의 B 영역은, 예를 들면 550nm 파장에 대한 굴절률이 1.4 내지 1.7 범위 내에 있을 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 도전층 및 제 1 수지층 내 A 영역의 굴절률에 따라 상기 범위는 달라질 수 있다.
본 출원의 도전성 필름은 제 2 수지층을 포함한다.
본 출원의 제 2 수지층은, 예를 들면 제 1 수지층과 소정의 두께 범위 차이 및 열 팽창 계수 차이를 가지는 것으로써, 도전성 필름에 전체적인 강성을 부여하고, 소정의 열 처리 공정에 따라 어느 일 방향으로 도전성 필름이 만곡되는 것을 방지하는 역할을 수행하는 것일 수 있다.
하나의 예시에서, 제 1 수지층 내 A 영역의 두께(T1) 및 제 2 수지층의 두께(T2)의 비율(T1/T2)은 0.75 내지 1.30의 범위 내에 있을 수 있다. 이와 같은 두께 비율 범위 내에서 도전성 필름의 패턴부 눌림 현상을 개선할 수 있다. 다른 예시에서, 상기 비율(T1/T2)는 0.85 내지 1.20 또는 0.90 내지 1.10의 범위 내에 있을 수 있으며, 바람직하게는 상기 비율(T1/T2)가 0.90 내지 1.10의 범위 내에 있을 때 도전성 필름의 낮은 열 팽창 계수로 인하여 패턴의 눌림 현상을 최소화할 수 있다.
제 2 수지층의 두께는, 상기 두께 비율(T1/T2)을 만족할 수 있을 정도의 범위로 적절히 설정될 수 있으며, 예를 들면 0.8㎛ 내지 1.7㎛ 또는 0.9㎛ 내지 1.7㎛의 범위 내에 있을 수 있다.
제 2 수지층은, 예를 들면 라디칼 중합성 화합물의 중합에 의해 형성된 코팅층일 수 있다. 제 2 수지층은 라디칼 중합성 화합물은 제 1 수지층의 A 영역을 형성할 수 있는 화합물, 예를 들면 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물의 중합 단위를 포함할 수 있다.
상기와 같은, 제 1 수지층 및 제 2 수지층은 적절한 강성을 가지고 있어, 도전성 필름의 열 팽창 계수를 낮추는 역할을 수행할 수 있다.
하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름은 15ppm/℃ 이하의 열 팽창 계수를 가질 수 있다. 다른 예시에서, 도전성 필름은 14ppm/℃ 이하, 13ppm/℃ 이하, 12ppm/℃ 이하 또는 11ppm/℃ 이하일 열 팽창 계수를 가질 수 있다. 도전성 필름의 열 팽창 계수가 낮을수록 열 처리 공정에 따른 변형이 감소된다는 것을 의미하므로 그 하한값은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 1ppm/℃ 이상, 2ppm/℃ 이상, 3ppm/℃ 이상, 4ppm/℃ 이상 또는 5ppm/℃ 이상 일 수 있다. 상기 열 팽창 계수는 예를 들면, TMA(thermo mechanical analyzer)를 이용하여 25℃에서 150℃의 온도구간에서 10℃/min의 속도로 냉각 및 승온하면서 측정한 평균 열 팽창률을 선 열팽창 계수로 산출한 값일 수 있다.
본 출원의 도전성 필름은 상기와 같이 기재 필름의 양면에 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 형성함으로써, 열 팽창 계수를 15ppm/℃ 이하로 유지하여, 도전성 필름의 열 처리 공정시 발생할 수 있는 굽힘 현상에 기인하는 시인성 문제를 극복할 수 있다.
본 출원의 도전성 필름은 제 1 수지층 상에 도전층을 추가로 포함할 수 있다. 도전층이 제 1 수지층 상에 포함된다는 것은, 제 1 수지층과 직접 접하고 있는 경우뿐 아니라, 제 1 수지층에 임의의 층이 더 존재하고 있는 상태에서 포함하고 있는 경우도 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
상기 도전층은, 예를 들면 에칭 공정을 통해 패턴부와 비 패턴부를 포함하는 구조 일 수 있다.
하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름은 도 1 에 도시된 바와 같이 패턴부(101)와 비 패턴부(102)를 포함하는 도전층(100), A 영역(201) 및 B 영역 (202)를 포함하는 제 1 수지층(200), 기재 필름(300) 및 제 2 하드 코팅층(400)을 포함하는 구조 일 수 있다.
도전층의 재료는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 금, 은, 백금, 팔라듐, 구리, 산화티탄, 산화카드뮴, 요오드화 구리, 주석을 함유하는 산화 인듐 (ITO: Indium Tin Oxide), 안티몬을 함유하는 산화 주석, 불소를 함유하는 산화주석(FTO: Florinated Tin Oxide) 및 산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 금속의 금속 산화물; 탄소나노튜브; 은이나 구리 등의 물질로 형성된 금속 나노와이어; 또는, 폴리(스티렌술포네이트)(Poly(styrenesulfonate))를 포함하는 폴리티오펜(Polythiophene)계 고분자 또는 폴리아닐린(Polyanilin)계 고분자 등과 같은 도전성 고분자 등 일 수 있다.
도전층은, 예를 들면 550nm 파장에 대한 굴절률이 1.9 ~ 2.1 범위 내에 있을 수 있다.
또한, 도전층은 두께가 0.01 ~ 0.022㎛의 범위로 형성될 수 있다. 도전층의 두께가 0.01㎛ 미만이 되면 도전성이 저하되고 0.022㎛를 초과하면 투명성이 저하될 수 있으므로, 상기 범위가 바람직하다.
본 출원의 도전성 필름은 도전층 방향으로 오목한 구조를 가져, 도전층 방향으로 볼록한 구조를 가지는 도전성 필름에 비하여, 시인성이 우수할 수 있다.
하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름은 도전층을 향해 오목한 곡면 구조를 형성할 수 있다. 또한, 상기 곡면 구조의 곡률 반경은 1 mm 내지 1,000 mm의 범위 내에 있을 수 있다.
본 출원은 또한, 도전성 필름의 제조 방법에 대한 것이다.
즉, 본 출원은 기재 필름 상에 기재 필름 상에 제 1 중합성 화합물; 및 상기 제 1 중합성 화합물보다 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물을 포함하는 조성물을 코팅한 후, 경화하여 제 1 수지층을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조방법에 관한 것이다.
본 출원은, 기재 필름 상에 상 분리 구조가 구현 가능한 조성물을 코팅한 후, 경화하여 물성이 상이한 두 영역, 예를 들면 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제 1 수지층을 형성함으로써, 공정수가 저감되고 경제적인 도전성 필름의 제조방법을 제공할 수 있다.
하나의 예시에서, 본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 기재 필름 상에 물성이 상이한 중합성 화합물, 예를 들면 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물의 조성물을 코팅한 후, 경화하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 조성물을 코팅하는 경우, 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물은 물성의 차이 예를 들면, 표면 에너지 등의 물성 차이에 기인하여, 상 분리되어 각자의 영역을 형성할 수 있다. 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물의 구체적인 종류 및 물성은 전술한 도전성 필름용 조성물에서 언급한 바와 같다.
기재 필름 상에 상기 조성물을 코팅하는 방법은, 특별히 제한되지 않으며 예를 들면, 그라비아 코팅, 마이크로그라비아 코팅, 슬롯 다이 코팅, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 롤 코팅, 바 코팅 또는 딥 코팅 등의 방법을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 기재 필름 상에 상기 조성물을 코팅하기 전, 기재 필름에 소정의 전처리를 실시할 수 있다. 기재 필름 상에 전처리, 예를 들면 표면 개질을 위한 전처리를 수행하는 경우, 기재 필름의 극성을 향상 시킬 수 있어, 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물을 포함하는 조성물에 따른 상 분리 현상이 보다 뚜렷하게 일어날 수 있다.
하나의 예시에서, 본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 기재 필름에 화학적 처리, 코로나 방전 처리, 기계적 처리, 자외선(UV) 처리, 활성 플라즈마 처리 및 글로우 방전 처리로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 처리를 수행하여 기재 필름 표면을 개질하는 단계를 더 포함할 수 있다.
기재 필름 상에 코팅되는 상기 조성물에는, 전술한 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물 이외에, 무기 입자 및 개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 무기 입자 및 개시제의 종류 및 함량은 도전성 필름용 조성물에서 언급한 바와 동일하다.
또한, 기재 필름 상에 코팅되는 조성물에는 용매를 더 포함할 수 있다. 상기 조성물에 포함되는 용매는, 예를 들면 물, 유기용매 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
유기용매는, 예를 들면 알콜류 용매, 할로겐 함유 탄화수소류 용매, 케톤류 용매, 셀로솔브류 용매 또는 아미이드류 용매 등을 사용할 수 있다.
보다 구체적으로 상기 알콜류 용매는 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알콜, n-부탄올 또는 디아세톤알코올 등이고, 할로겐 함유 탄화수소류 용매는 클로로포름, 디클로로메탄 또는 에틸렌디클로라이드 등이고, 케톤류 용매는 아세트알데하이드, 아세톤, 메틸에틸케톤 또는 메틸이소부틸케톤 등이고, 셀로솔브류 용매는 메틸 셀로솔브 또는 이소프로필 셀로솔브 등이고, 아미이드류 용매는 디메틸포름아미드, 포름아마이드 또는 아세트아마이드 등일 수 있다.
상기 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물을 포함하는 조성물을 기재 필름 상에 코팅하는 경우, 각 화합물의 물성, 예를 들면 표면 에너지 차이에 의해 두께 방향으로 상 분리된 층이 형성되고, 경화하는 단계를 거치는 경우 기재 필름 상에 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제 1 수지층이 형성될 수 있다.
상기 기재 필름 상에 코팅된 조성물을 경화하는 방식은, 특별히 제한되지 않으며 예를 들면 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물이 개시제에 의해 중합될 수 있는 조건, 예를 들면 UV 광 등을 적절히 조사하여 경화하는 방법을 이용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 또한, 제 1 수지층이 형성되어 있는 기재 필름 면의 반대 면에 제 2 수지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제 2 수지층은 제 1 수지층과 소정의 두께 범위 차이를 가지는 것으로써, 열 처리시 발생할 수 있는 도전성 필름의 굽힘 현상에 따른 시인성 저하를 개선하기 위한 구성일 수 있다. 따라서, 제 2 수지층을 형성하기 위한 재료는 제 1 수지층을 형성하는 재료, 예를 들면 제 1 중합성 화합물 및 무기 입자와 기타 첨가제를 포함할 수 있다. 제 2 수지층을 형성하는 방법은, 예를 들면 제 1 중합성 화합물 등을 포함하는 조성물을 제 1 수지층이 형성되어 있지 않은 기재 필름 면에 코팅 및 경화하는 단계를 포함할 수 있다.
기재 필름의 양면에 형성되어 있는 제 1 수지층 및 제 2 수지층의 물성은 전술한 도전성 필름에서 언급한 바와 같다.
상기와 같이 기재 필름 상에 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 형성하는 경우, 도전성 필름은 열 팽창 계수가 15ppm/℃ 이하의 열 팽창 계수를 가질 수 있고, 이를 통해, 소정의 열 처리 공정시 발생할 수 있는 도전성 필름의 굽힘 현상을 최소화하여, 궁극적으로 시인성 문제를 해결할 수 있다.
본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 또한, 제 1 수지층 상에 도전층을 형성한 후, 열 처리 하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도전층을 형성하는 방법은, 예를 들면 전술한 도전층의 형성 재료를 스퍼터링 등의 방식으로 증착 하는 공정을 포함하여 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 도전층을 형성하는 방법은 이 기술분야에서 공지이며, 본 출원에서는 이를 제한 없이 이용할 수 있다.
상기 도전층이 형성된 도전성 필름을 열 처리 하는 단계는 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면 도전층의 재료를 결정화시키기 위한 것이거나 또는 도전층을 패터닝 한 후 추가적인 열 처리를 수행하여 필름의 내구성 등을 향상시키기 위한 것일 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 열 처리 공정은 100℃ 내지 200℃의 온도에서 10분 내지 100분의 시간 동안 수행될 수 있다.
상기와 같이 열 처리 공정을 거치는 경우, 본 출원의 도전성 필름은 도전층 방향으로 오목한 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 도전성 필름은 곡률 반경이 1mm 내지 1,000 mm의 범위 내에서 도전층 방향으로 오목한 구조를 가질 수 있다. 이러한 구조에서, 도전성 필름의 시인성이 개선될 수 있다.
본 출원은 또한, 도전성 필름을 포함하는 터치 패널에 관한 것이다.
본 출원의 도전성 필름은 터치 패널, 특히 저항막 방식의 터치 패널의 상부 기판 및/또는 하부 기판으로 유용할 수 있다. 저항막 방식의 터치 패널은 한 쌍의 도전성 필름이 스페이서를 개재하여 배향 배치되어 있으며, 손가락이나 펜 등으로 상부 패널을 가압하면, 상기 도전성 필름이 굴곡되면서, 상부 기판과 하부 기판의 도전층이 접촉되어 통전함으로써, 위치를 검지하는 구조일 수 있다.
본 출원에 따른 도전성 필름은 시인성이 개선되며, 적은 공정수를 포함하여 제조되기 때문에, 투명성이 우수하고, 경제적인 비용으로 제조될 수 있는 터치 패널을 구현할 수 있다.
상기와 같은 터치 패널은, 예를 들면 LCD, PDP, LED, OLED 또는 E-페이퍼 등과 같은 디스 플레이 장치에 장착되어 이용될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
이하, 본 출원에 따른 도전성 필름을 실시예 및 비교예를 들어 보다 구체적으로 설명하나, 하기 실시예 및 비교예는 본 출원에 따른 일례에 불과할 뿐 본 출원의 기술적 사상을 제한하는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 사람에게 자명하다.
1. 표면 에너지의 측정
Owens-Wendt-Rabel-Kaelble 방법에 의거하여, 물방울모양분석기(Drop Shape Analyzer, KRUSS사의 DSA100제품)를 사용하여 표면 에너지를 측정하였다. 구체적으로, 실시예 및 비교예에 따른 제 1 중합성 화합물 또는 제 2 광중합성 화합물의 단독 중합체를 메틸 에틸 케톤(methyl ethyl ketone) 용매에 15중량%로 녹인 후, LCD 유리(glass)에 바코팅(bar coating)하였다. 그리고, 상기 코팅된 LCD 유리를 100℃의 오븐에서 1분간 건조 후, UV 경화시켰다. 경화 후, 상기 코팅 면에 다이오도메탄 및 탈이온화수를 각각 10번씩 떨어뜨려서 접촉각의 평균값을 구하고, Owens-Wendt-Rabel-Kaelble 방법에 수치를 대입하여 표면에너지를 구하였다.
2. 곡률 반경 측정 실험
소정의 열처리가 수행된 도전성필름을 10cm ｘ10cm 로 잘라 평면에 위치시켰을 때, 각 모서리 또는 일 변이 평면에서 이격되는 거리의 최대값(H1)과, 필름의 현의 길이(S1)를 측정하여 하기 식 2에 의해 곡률 반경(R) 값 구하였다.
[식 2]
R = H1 + R x cos (S1/2R)
3. 도전성 필름의 열 팽창 계수의 측정
도전성 필름을 TMA(thermo mechanical analyzer)를 이용하여 25℃ 내지 150℃의 온도구간에서 10℃/min의 속도로 냉각 및 승온 하면서 측정한 평균 열 팽창률을 선 열팽창 계수로 산출하였다.
[ 실시예 1]
제 1 수지층 형성용 조성물(A1)
표면 에너지가 약 47.6mN/m인 펜타에리쓰리톨 테트라아크릴레이트 (pentaerythritol tetraacrylate,PETA)(제 1 중합성 화합물), 표면에너지가 약 42.8mN/m인 아크릴레이트 실록산(KR513)(제 2 중합성 화합물), 라디칼 개시제(Irgacure 184) 및 무기 입자(ZrO2)를 각각 40:5:3:6의 중량비율로 혼합하고, 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트(Propylene glycol monomethyl ether acetate,PGMEA)를 첨가하여 제 1 수지층 형성용 조성물(A1)을 제조 하였다.
제 2 수지층 형성용 조성물(A2)의 제조
디펜타에리쓰리톨 헥사아크릴레이트(dipentaerythritol hexaacrylate, DPHA) 및 개시제(Irgacure 184)를 각각 100:3의 중량 비율로 혼합하고, 용매로서, 메틸 이소부틸 케톤(MIBK)을 첨가하여 제 2 수지층 형성용 조성물(A2)을 제조하였다.
도전성 필름의 제조
양면이 이형 처리된 두께 50 ㎛의 PET 기재 필름(UH-13 PET, 굴절률 약 1.65)의 일면에 제 1 수지층 형성용 조성물(A1)을 코팅하고, 자외선을 조사하여 수직 상분리된 A 영역(두께 약 0.5㎛, 굴절률 약 1.65, 무기 입자의 함량 약 65%) 및 B 영역(두께 약 30nm, 굴절률 약 1.46 내지 1.54)을 포함하는 제 1 수지층을 형성하고, 상기 PET 기재 필름(UH-13 PET)의 제 1 수지층이 형성되어 있지 않은 면에 제 2 수지층 형성용 조성물(A2)를 코팅하고, 자외선을 조사하여 두께 약 1.3㎛의 제 2 수지층을 형성하였다. 또한, 상기 제 1 수지층 상에 ITO를 진공 스퍼터링 방식으로 증착 한 후, 상기 ITO 도전층을 패터닝 하여 순차적으로 제 2 수지층/기재 필름/제 1수지층(A영역/B영역)/도전층을 포함하는 도전성 필름을 제조하였다.
[ 실시예 2]
제 2 중합성 화합물로서, 표면 에너지가 약 40.0mN/m인 에폭시 실록산(Shinetsu : X-40-2670) 및 양이온 개시제(Irgacure 250)를 포함하고, 제 1 중합성 화합물 : 제 2 중합성 화합물 : 라디칼 개시제 : 양이온 개시제 : 무기 입자를 40:5:3:0.15:60의 중량 비율로 포함하는 제 1 수지층 형성용 조성물(A3)를 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 도전성 필름을 제조 하였다.
[ 실시예 3]
기재 필름에 플라즈마 표면 처리를 실시하고, 상기 플라즈마 표면 처리된 면에 제 1 수지층 형성용 조성물(A1)을 코팅하여 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제1 수지층을 형성하고, 그 반대 면에 제 2수지층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 도전성 필름을 제조하였다.
[ 실시예 4]
기재 필름에 플라즈마 표면 처리를 실시하고, 상기 플라즈마 표면 처리된 면에 제 1 수지층 형성용 조성물(A3)을 코팅하여 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제 1 수지층을 형성하고, 그 반대 면에 제 2수지층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 2과 동일한 방식으로 도전성 필름을 제조하였다.
[ 비교예 1]
제 2 중합성 화합물로서, 표면 에너지가 약 48.4 mN/m인 디펜타에리쓰리톨 헥사아크릴레이트(dipentaerythritol hexaacrylate, DPHA)를 포함하고, 제 1 중합성 화합물 : 제 2 중합성 화합물 : 라디칼 개시제 : 무기 입자를 각각 40:5:3:60의 중량비율로 혼합하여 제 1 수지층 형성용 조성물(B1)을 제조 하였다. 그 후, 양면이 이형 처리된 두께 50 ㎛의 PET 기재 필름(UH-13 PET, 굴절률 약 1.65)의 어느 일면에 상기 제 1 수지층 형성용 조성물(B1)을 코팅 하여 UV 경화 시키는 경우, 제 2 중합성 화합물을 주로 포함하는 층이 제 1 중합성 화합물을 주로 포함하는 층의 상부에 형성되고, 또한 국지적으로 도-해 구조를 나타내는 혼합층이 형성되어, 목적하는 도전성 필름을 제조하지 못하였다.
[ 실험예 ] 상분리 정도의 확인
실시예 및 비교예에 따른 도전성 필름의 A 영역 및 B 영역의 상분리 정도를 확인하기 위하여, 380nm 내지 780nm 파장 범위 내에서의 반사도(%)를 측정하여 도 2에 나타내었다.
구체적으로, 도전성 필름의 수직 상분리 정도는 기재 필름 상에 고굴절층을 코팅하여 형성된 도전성 필름과 비교했을 때, 파장에 따른 반사율이 유사한 형태를 유지하면서 어느 정도 감소하였는지를 기준으로 평가 가능한데, 도 2에 도시된 것처럼, 실시예 1 내지 4에 따른 도전성 필름은 파장별 반사도가 기재 필름 상에 고굴절층을 코팅하여 형성된 도전성 필름과 유사한 형태를 유지하며, 반사율이 감소된 것을 확인할 수 있어, 상분리 구조가 잘 구현되고 있음을 확인할 수 있었다. 또한, 실시예 3 및 4에서와 같이 기재 필름에 소정의 전처리를 수행하는 경우 상분리 효과가 더욱 커지는 것을 확인할 수 있었다. 그러나, 비교예에 따른 도전성 필름의 경우 낮은 표면 에너지 차이로 인하여, 국지적인 도-해 구조가 발생함으로써, 반사도를 측정하는 것이 곤란하였다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 1
제 1 수지층 A영역 표면 에너지(mN/m) 47.6 47.6 47.6 47.6 -
무기 입자 함량 65% 65% 65% 65% -
두께(㎛) 0.5 0.5 0.5 0.5 -
B 영역 표면 에너지(mN/m) 42.8 40.0 42.8 40.0 -
두께(mm) 30 30 30 30 -
상분리 정도 양호 양호 매우양호 매우양호 불량
제 2 수지층 두께(㎛) 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3
100 :도전층
101 : 패턴부
102 : 비 패턴부
200 : 제 1 수지층
201 : A 영역
202 : B 영역
300 : 기재 필름
400 : 제 2 수지층

Claims (20)

  1. 제 1 중합성 화합물; 및
    상기 제 1 중합성 화합물에 비하여 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물을 포함하는 도전성 필름용 조성물.
  2. 제 1항에 있어서,
    제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이가 1mN/m 이상인 도전성 필름용 조성물.
  3. 제 1항에 있어서,
    무기 입자를 추가로 포함하는 도전성 필름용 조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    제 1 중합성 화합물은 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물인 도전성 필름용 조성물.
  5. 제 1항에 있어서,
    제 2 중합성 화합물은 라디칼 중합성 화합물 또는 이온 중합성 화합물인 도전성 필름용 조성물.
  6. 제 1항에 있어서,
    제 1 중합성 화합물 30 내지 95 중량부 및 제 2 중합성 화합물 3 내지 50 중량부를 포함하는 도전성 필름.
  7. 기재 필름;
    상기 기재 필름의 일면에 형성되어 있으며, 제 1 중합성 화합물; 및 상기 제 1 중합성 화합물에 비하여 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물을 포함하는 조성물의 중합물인 제 1 수지층; 및
    상기 기재 필름의 상기 제 1 수지층이 형성된 면의 반대 면에 형성되어 있는 제 2 수지층을 포함하는 도전성 필름.
  8. 제 7 항에 있어서,
    제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이가 1 mN/m 이상인 도전성 필름.
  9. 제 7항에 있어서,
    제 1 수지층은 제 1 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 A 영역 및 상기 A 영역 상에 형성되어 있는 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 B 영역을 포함하는 도전성 필름.
  10. 제 7항에 있어서,
    제 1 수지층의 A 영역은 무기 입자를 더 포함하는 도전성 필름.
  11. 제 10항에 있어서,
    A 영역 내 무기 입자의 비율은 60 중량% 이상인 도전성 필름.
  12. 제 7항에 있어서,
    기재 필름은 화학적 처리, 코로나 방전 처리, 기계적 처리, 자외선(UV) 처리, 활성 플라즈마 처리 및 글로우 방전 처리로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 처리를 수행한 것인 도전성 필름.
  13. 제 7항에 있어서,
    제 1 수지층 상에 도전층을 더 포함하고, 상기 도전층 방향으로 오목한 곡면 구조를 형성하는 도전성 필름.
  14. 제 13항에 있어서,
    곡면 구조의 곡률 반경이 1mm 내지 1,000mm의 범위 내에 있는 도전성 필름.
  15. 기재 필름 상에 제 1 중합성 화합물; 및 상기 제 1 중합성 화합물보다 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물을 포함하는 조성물을 코팅한 후, 경화하여 제 1 수지층을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    제 1 수지층은 제 1 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 A 영역 및 상기 A 영역 상에 형성되어 있는 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 B 영역을 포함하는 도전성 필름의 제조방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    기재 필름에 화학적 처리, 코로나 방전 처리, 기계적 처리, 자외선(UV) 처리, 활성 플라즈마 처리 및 글로우 방전 처리로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 처리를 수행하여 기재 필름 표면을 개질하는 단계를 더 포함하는 도전성 필름의 제조방법.
  18. 제 15항에 있어서,
    제 1 수지층이 형성되어 있는 기재 필름 면의 반대 면에 제 2 수지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 도전성 필름의 제조방법.
  19. 제 15항에 있어서,
    제 1 수지층 상에 도전층을 형성한 후, 열 처리하는 단계를 더 포함하는 도전성 필름의 제조방법.
  20. 제 8항의 도전성 필름을 포함하는 터치 패널.
KR1020150107198A 2015-07-29 2015-07-29 도전성 필름용 조성물 KR102118369B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150107198A KR102118369B1 (ko) 2015-07-29 2015-07-29 도전성 필름용 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150107198A KR102118369B1 (ko) 2015-07-29 2015-07-29 도전성 필름용 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170014222A true KR20170014222A (ko) 2017-02-08
KR102118369B1 KR102118369B1 (ko) 2020-06-03

Family

ID=58154829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150107198A KR102118369B1 (ko) 2015-07-29 2015-07-29 도전성 필름용 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102118369B1 (ko)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090049558A (ko) * 2007-11-13 2009-05-18 주식회사 엘지화학 반사방지 코팅 조성물, 반사방지 필름 및 이의 제조방법
KR20090049517A (ko) * 2007-11-13 2009-05-18 주식회사 엘지화학 반사방지 코팅 조성물 및 이것을 이용하여 제조된 반사방지필름
KR20100134692A (ko) 2008-04-15 2010-12-23 린텍 가부시키가이샤 비산방지용 필름 및 그 제조방법
JP2011008945A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Teijin Dupont Films Japan Ltd 導電性フィルム
KR20110037881A (ko) * 2009-10-06 2011-04-13 니치유 가부시키가이샤 투명 도전성 필름
JP4887608B2 (ja) * 2004-07-12 2012-02-29 凸版印刷株式会社 ハードコートフィルム及びそのフィルムを備えた表示装置
KR20130036964A (ko) * 2011-10-05 2013-04-15 주식회사 엘지화학 광 특성이 우수한 전도성 필름
KR20130046159A (ko) * 2011-10-27 2013-05-07 주식회사 엘지화학 투명 도전성 필름의 제조방법
KR20150027913A (ko) * 2013-09-04 2015-03-13 도레이첨단소재 주식회사 Ito 증착용 투명 도전성 필름

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4887608B2 (ja) * 2004-07-12 2012-02-29 凸版印刷株式会社 ハードコートフィルム及びそのフィルムを備えた表示装置
KR20090049558A (ko) * 2007-11-13 2009-05-18 주식회사 엘지화학 반사방지 코팅 조성물, 반사방지 필름 및 이의 제조방법
KR20090049517A (ko) * 2007-11-13 2009-05-18 주식회사 엘지화학 반사방지 코팅 조성물 및 이것을 이용하여 제조된 반사방지필름
KR20100134692A (ko) 2008-04-15 2010-12-23 린텍 가부시키가이샤 비산방지용 필름 및 그 제조방법
JP2011008945A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Teijin Dupont Films Japan Ltd 導電性フィルム
KR20110037881A (ko) * 2009-10-06 2011-04-13 니치유 가부시키가이샤 투명 도전성 필름
KR20130036964A (ko) * 2011-10-05 2013-04-15 주식회사 엘지화학 광 특성이 우수한 전도성 필름
KR20130046159A (ko) * 2011-10-27 2013-05-07 주식회사 엘지화학 투명 도전성 필름의 제조방법
KR20150027913A (ko) * 2013-09-04 2015-03-13 도레이첨단소재 주식회사 Ito 증착용 투명 도전성 필름

Also Published As

Publication number Publication date
KR102118369B1 (ko) 2020-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI631012B (zh) 帶有保護薄膜的透明導電性薄膜
KR101812962B1 (ko) 광학용 시트 및 도전성 시트 및 상기 광학용 시트를 구비하는 표시 장치
KR101566058B1 (ko) 도전성 필름용 조성물, 이로부터 형성된 도전성 필름을 포함하는 도전성 적층체 및 이를 포함하는 광학 표시 장치
KR101186894B1 (ko) 터치패널용 도전성 필름 및 터치패널용 도전성 필름제조방법
TWI460742B (zh) 透明導電膜
US8974900B2 (en) Transparent conductive film with hardcoat layer
US9568497B2 (en) Scratch resistant touch sensor
KR101737156B1 (ko) 투명 도전체 및 이를 포함하는 장치
US20140186587A1 (en) Transparent conductor and apparatus including the same
CN107750354B (zh) 触摸传感器及其制造方法
KR20160138436A (ko) 펜 입력 디바이스용 투명 적층 필름 및 그의 제조 방법
US9099222B2 (en) Patterned films and methods
JP5958476B2 (ja) 透明導電体及びタッチパネル
JP6151611B2 (ja) 透明触感フィルム及びその製造方法
TW201426768A (zh) 透明導電性薄膜
KR20200006442A (ko) 광학표시장치의 보호 필름, 이를 포함하는 광학 부재 및 이를 포함하는 광학표시장치
KR101512546B1 (ko) 시인성이 개선된 투명 도전성 필름 및 이의 제조방법
KR20150024184A (ko) 투명 도전체 및 이를 포함하는 광학표시 장치
JP2015176466A (ja) タッチパネル用透明導電性フィルムのベースフィルムおよびタッチパネル用透明導電性フィルム
KR102118369B1 (ko) 도전성 필름용 조성물
TW201637842A (zh) 透明導電膜積層用薄膜及其製造方法以及透明導電性薄膜
KR102118368B1 (ko) 도전성 필름용 조성물
KR20150080748A (ko) 정전용량방식 터치센서용 광학조정 필름 및 그를 이용한 터치센서 필름
JP2010176357A (ja) 透明導電性フィルム及びタッチパネル
KR101989916B1 (ko) 인덱스매칭 필름

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant