KR20130036964A - 광 특성이 우수한 전도성 필름 - Google Patents

광 특성이 우수한 전도성 필름 Download PDF

Info

Publication number
KR20130036964A
KR20130036964A KR1020110101236A KR20110101236A KR20130036964A KR 20130036964 A KR20130036964 A KR 20130036964A KR 1020110101236 A KR1020110101236 A KR 1020110101236A KR 20110101236 A KR20110101236 A KR 20110101236A KR 20130036964 A KR20130036964 A KR 20130036964A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
conductive film
resin
conductive
resins
Prior art date
Application number
KR1020110101236A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101557180B1 (ko
Inventor
구본석
류상욱
장현우
김동렬
황장연
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020110101236A priority Critical patent/KR101557180B1/ko
Publication of KR20130036964A publication Critical patent/KR20130036964A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101557180B1 publication Critical patent/KR101557180B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명은 기재; 상기 기재상에 형성된 제 1 층; 상기 제 1 층 상에 형성된 제 2 층; 및 상기 제 2 층 상에 형성된 도전성층을 포함하고, 하기 일반식 1 및 2의 조건을 만족하는 전도성 필름에 관한 것으로서, 표면 반사율 차이가 적고 광투과도가 우수하며, 디스플레이 또는 조명 분야에서 다양하게 활용 가능하다:
[일반식 1]
n2 < n1 < n3
[일반식 2]
d2 < d1
상기 일반식 1 및 2에서, n1, n2 및 n3는 각각 제 1 층, 제 2 층 및 도전성층의 굴절율을 나타내고, d1 및 d2는 각각 제 1 층 및 제 2 층의 두께를 나타낸다.

Description

광 특성이 우수한 전도성 필름{CONDUCTIVE FILM HAVING EXCELLENT OPTICAL PROPERTIES}
본 발명은 표면 반사율 차이가 작고 광투과도가 우수한 전도성 필름에 관한 것이다.
일반적인 투명 전도성 필름으로는 유리 기판 상에 산화 인듐 박막을 형성한 도전성 유리를 사용하였지만, 상기 도전성 유리는 가요성 및 가공성이 떨어지고 용도에 따라서는 바람직하지 않은 경우가 많다. 이를 보완하기 위해서 가요성 및 가공성이 우수하고 내충격성 및 경화화가 가능한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 비롯한 다양한 플라스틱 기재를 적용한 투명 전도성 필름이 사용되어 왔다.
그러나, 상기와 같은 플라스틱 필름을 기재로 적용한 투명 전도성 필름은 박막 표면의 광 반사율이 크기 때문에 투과도가 저하되는 문제가 있다. 특히, 기재상에 적층되는 전도성층을 패턴화한 경우에는 패턴부와 비패턴부 사이의 반사율 차이가 높게 나타날 수 있다. 이러한 표면 반사율 차이는 투명 전도성 필름을 포함하는 소자 구성시 색감을 저하시킬 수 있다.
본 발명은 표면 반사율 차이가 작고 광투과도가 우수한 전도성 필름 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기재; 상기 기재상에 형성된 제 1 층; 상기 제 1 층 상에 형성된 제 2 층; 및 상기 제 2 층 상에 형성된 도전성층을 포함하고, 하기 일반식 1 및 2의 조건을 만족하는 전도성 필름을 제공한다.
[일반식 1]
n2 < n1 < n3
[일반식 2]
d2 < d1
상기 일반식 1 및 2에서, n1, n2 및 n3는 각각 제 1 층, 제 2 층 및 도전성층의 굴절율을 나타내고, d1 및 d2는 각각 제 1 층 및 제 2 층의 두께를 나타낸다.
또한, 상기 전도성 필름을 포함하는 터치패널을 제공한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 도전성 필름은 표면 반사율 차이가 적고 광투과도가 우수하며, 디스플레이 또는 조명 분야에서 다양하게 활용 가능하다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전도성 필름의 적층구조를 나타낸 모식도이다.
본 발명은 기재; 상기 기재상에 형성된 제 1 층; 상기 제 1 층 상에 형성된 제 2 층; 및 상기 제 2 층 상에 형성된 도전성층을 포함하고, 하기 일반식 1 및 2의 조건을 만족하는 전도성 필름을 제공한다.
[일반식 1]
n2 < n1 < n3
[일반식 2]
d2 < d1
상기 일반식 1 및 2에서, n1, n2 및 n3는 각각 제 1 층, 제 2 층 및 도전성층의 굴절율을 나타내고, d1 및 d2는 각각 제 1 층 및 제 2 층의 두께를 나타낸다. 상기 굴절율은 압베 굴절계(Abbe Refractometer)를 이용하여 25℃에서 측정하였다.
상기 도전성층은 패턴화되어 있으며, 하기 일반식 3의 조건을 만족할 수 있다.
[일반식 3]
|R1-R2| ≤ 1%
상기 일반식 3에서, R1은 전도성 필름에서 도전성층이 존재하는 영역의 반사율을 나타내고, R2는 전도성 필름에서 도전성층이 존재하지 않는 영역의 반사율을 나타낸다.
상기 도전성층은 평면상에서 일정 형태로 패턴화될 수 있으며, 예를 들어, 직선 또는 곡선형, 평행 또는 사선행, 메쉬형 또는 허니콤형 등으로 패턴화된 구조일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 전도성 필름은 제 1 층, 제 2 층 및 전도성층의 굴절율과 두께를 조절함으로써, 전도성층이 존재하는 영역과 존재하지 않는 영역 사이의 반사율 차이를 최소화할 수 있다.
본 발명에서 상기 반사율은 분광 광도계(Shimadzu 사)를 이용하여 380 내지 780 nm의 파장 영역에서 입사광 5°에서의 정반사의 평균 반사율을 측정하였다. 또한, 상기 R1 및 R2 값은 실험적으로 측정된 반사율 수치 뿐만 아니라 오차 범위 내의 수치를 포함한다.
상기 전도성 필름은 광투과성의 투명 전도성 필름일 수 있다.
상기 기재는 특별히 제한되지 않으며, 광투과성 플라스틱 필름을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 기재는 폴리에스테르계 수지, 아세테이트계 수지, 폴리에테르 술폰계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, (메타)아크릴레이트계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리비닐 알코올계 수지, 폴리아릴레이트계 수지 및 폴리페닐렌 황화물계 수지로 구성된 군으로부터 선택된 1 종 이상일 수 있다.
상기 기재의 표면은 코팅층의 코팅성 및 부착성 향상을 위해 스퍼터링, 코로나 방전, 자외선 조사, 플라즈마 처리 또는 산/염기 처리 등을 수행할 수 있으며, 경우에 따라서는 프라이머(primer) 처리 등을 수행할 수 있다.
상기 제 1 층 및 제 2 층은 유기물, 무기물 또는 유무기 복합물을 사용할 수 있으며, 각 층의 굴절율 관계를 만족한다면 그 종류에 관계없이 사용 가능하다.
상기 유기물은 열 또는 UV 경화 가능한 유기물 수지가 사용될 수 있으며, 예를 들어, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 티오우레탄계 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지 및 실록산계 수지 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상이 사용될 수 있다.
상기 무기물은 알루미늄, 지르코늄, 티타늄, 틴 및 실리콘으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상의 금속을 포함하는 금속 알콕사이드 화합물의 축합물일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 알콕사이드 화합물의 축합물은 하기 화학식 a로 표시될 수 있다.
[화학식 a]
M-(R5)z
상기 식에서,
M은 알루미늄, 지르코늄, 티타늄, 틴 및 실리콘으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상의 금속이며, R5는 할로겐; 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알콕시 또는 아실옥시; 또는 하이드록시기이고, z는 2 또는 4의 정수이다.
예를 들어, 상기 무기물로는 CaF2, BaF2, SiO2, LaF3, CeF3, Al2O3, 산질화 실리콘(silicon oxynitride) 및 산질화 알루미늄(aluminum oxynitride) 중 1 종 이상이 사용될 수 있다.
또한, 상기 유무기 복합물로는 TiO2, Nb2O5, Ta2O5, Sb2O5, ZrO2, ZnO 및 ZnS으로 이루어진 군으로부터 선택되는 단일 또는 복합조성물의 고굴절 입자가 분산된 수지 조성물 또는 그 경화물이 사용될 수 있다.
상기 수지 조성물 또는 그 경화물은 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 티오우레탄계 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실록산계 수지 및 하기 화학식 1로 표시되는 유기 실란 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상 또는 그 경화물이 사용될 수 있다. 수지 조성물로 유기 실란 화합물이 사용되는 경우에는 고굴절 입자와 혼합하여 굴절율 조절 및 가교가 가능한 구조가 바람직하다.
[화학식 1]
(R)m-Si-X(4-m)
상기 화학식 1에서,
X는 수소, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 아실옥시, 알킬카보닐, 알콕시카보닐, 또는 -N(R3)2(여기서 R3는 수소 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬)이고,
R은 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴, 아릴알케닐, 알케닐아릴, 아릴알키닐, 알키닐아릴, 할로겐, 치환된 아미노, 아마이드, 알데히드, 케토, 알킬카보닐, 카르복시, 머캅도, 시아노, 하이드록시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카보닐, 설폰산, 인산, 아크릴옥시, 메타크릴옥시, 에폭시 또는 비닐기이고,
산소 또는 -NR4(여기서, R4는 수소 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬)가 라디칼 R과 Si 사이에 삽입되어 (R)m-O-Si-X(4-m) 또는 (R)m-NR4-Si-X(4-m)로 될 수 있으며,
m은 1 내지 3의 정수이다.
상기 유기 실란 화합물의 예로는, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 페닐디메톡시실란, 페닐디에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 메틸디에톡시실란, 페닐메틸디메톡시실란, 페닐메틸디에톡시실란, 트리메틸메톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 트리페닐메톡시실란, 트리페닐에톡시실란, 페닐디메틸메톡시실란, 페닐디메틸에톡시실란, 디페닐메틸메톡시실란, 디페닐메틸에톡시실란, 디메틸에톡시실란, 디메틸에톡시실란, 디페닐메톡시실란, 디페닐에톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, p-아미노페닐실란, 알릴트리메톡시실란, n-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아민프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필디이소프로필에톡시실란, (3-글리시독시프로필)메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, n-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 비닐메틸디에톡시실란, 비닐트리에톡시실란 또는 비닐트리메톡시실란 등이 있다.
상기 제 1 층 및 제 2 층으로 유무기 복합물을 사용하는 경우에는, 유기물의 함량이 1 중량% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 중량% 이상일 수 있다. 또한, 상기 무기물의 함량은 0.01 내지 99 중량%로 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 95 중량% 이하일 수 있다.
상기 제 1 층의 굴절율(n1)은 1.5 내지 1.7 범위일 수 있으며, 보다 구체적으로는 1.57 내지 1.65 범위일 수 있다. 상기 제 2 층의 굴절율(n2)은 1.3 내지 1.6 범위, 보다 구체적으로는 1.4 내지 1.55 범위일 수 있다. 또한, 상기 제 1 층과 제 2 층의 굴절율 차이는 0.01 내지 0.4 범위, 보다 구체적으로는 0.02 내지 0.3 범위일 수 있다. 상기 각 층의 굴절율 범위가 상기 범위를 벗어나는 경우에는 원하는 광투과도 및 색감을 얻을 수 없다.
상기 제 1 층의 두께(d1)는 60 nm 내지 120 nm, 보다 구체적으로는 80 nm 내지 100 nm 범위일 수 있다. 상기 제 2 층의 두께(d2)는 10 nm 내지 70 nm, 보다 구체적으로는 15 nm 내지 50 nm 범위일 수 있다. 상기 제 1 층과 제 2 층의 두께 차이는 10 nm 내지 110 nm, 보다 구체적으로는 30 nm 내지 85 nm 범위일 수 있다. 상기 제 1 층 또는 제 2 층의 두께가 상기 범위보다 두꺼운 경우에는 광투과도가 저하될 수 있고 표면 크랙(crack)이 발생될 우려가 있다.
상기 전도성층의 굴절율(n3)은 1.9 내지 2.1 범위일 수 있다. 상기 전도성층의 굴절율(n3)은 우수한 광투과성과 색감을 동시에 구현하기 위한 것이다. 또한, 상기 전도성층의 두께는 10 내지 90 nm, 보다 구체적으로는 15 내지 70 nm일 수 있다. 전도성층의 두께가 상기 범위보다 얇은 경우에는 전압 인가시 면저항값이 증가될 수 있고, 상기 범위보다 두꺼운 경우에는 광투과성이 저하될 수 있다.
상기 전도성층은 인듐 틴 옥사이드; 및 13 족 원소 또는 산화수 +3의 전이 금속이 도핑된 산화 아연 중 1 종 이상을 포함할 수 있다. 상기 13 족 원소 또는 +3의 산화수를 갖는 전이금속의 비제한적인 예로는 B, Al, Ga, In, Ti, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Co 또는 Ni 등이 있으며, 보다 구체적으로는 Al 또는 Ga 등이 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 전도성 필름을 제조하는 방법을 제공한다. 기재상에 제 1 층, 제 2 층 및 전도성층을 형성하는 방법으로는 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 도금법, 도공법 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 당업계에 알려진 통상적인 방법이 이용될 수 있다.
본 발명에 따른 전도성 필름은 제조과정에서 충진제 및/또는 용매를 더 포함할 수 있다. 상기 충진제로는 금속, 유리분말, 다이아몬드분말, 실리콘옥사이드(SiOx, 여기서 x는 2 내지 4의 정수), 클레이(벤토나이트, 스멕타이트, 카올린 등), 칼슘포스페이트, 마그네슘포스페이트, 바리움설페이트, 알루미늄 플루오라이드, 칼슘실리케이트, 마그네슘실리케이트, 바륨실리케이트, 알루미늄실리케이트 등의 물질 중에서 1 종 이상을 선택하여 사용할 수 있다.
상기 용매는 통상의 가수분해 반응에 사용되는 용매를 사용할 수 있으며, 예를 들어 알코올계, 케톤계 또는 증류수 등을 사용할 수 있다. 또한, 촉매는 특별히 한정되지 않으며, 산 또는 염기 촉매가 사용될 수 있으며, 예를 들어, 염산, 아세트산, 질산, 포름산 또는 옥살산 등이 사용될 수 있다. 상기 충진제, 용매 및 촉매의 사용량은 특별히 한정되지 않으며, 필요에 따라 첨가될 수 있다.
본 발명에 따른 전도성 필름은 다양한 분야에서 적용 가능하며, 특히 PDA, 노트북, 모니터, OA·FA 기기, ATM, 휴대폰, e-종이, 네비게이션 등의 터치패널에 사용될 수 있다. 또한, LCD, LED, OLED 등의 디스플레이 또는 조명 등에도 사용 가능하다. 상기 터치패널은 저항막 방식 또는 정전용량 방식일 수 있으며, 바람직하게는 정전용량 방식일 수 있다.
예를 들어, 본 발명에 따른 전도성 필름을 포함하는 정전용량 방식의 터치패널은, 전도성 필름; 그 일면의 가장자리에 형성되어 전도성 필름에 전압을 인가하는 배선패턴; 전도성 필름의 상부에 위치하는 윈도우 패널; 및 그 윈도우 패널 하부의 배선패턴 상부에 형성되는 차단막 등을 포함할 수 있다. 상기 정전용량 방식의 터치패널의 구성은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양하게 변형 내지 추가될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 실시예 등을 통해 본 발명을 더욱 상술하지만, 본 발명의 범주가 그것에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
두께가 25 ㎛인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름 상에 TiO2 입자가 도핑된 우레탄계 수지로 코팅을 하고 60℃에서 1 분간 건조하였다. 그런 다음, 다시 120℃에서 3 분간 건조하여 두께가 85 nm인 제 1 층(굴절율 1.60)을 형성하였다. 유기실란 : 테트라에톡시실란 : 에틸알콜 : 증류수 = 1 : 6 : 7 : 2(중량비)의 혼합물에 산 촉매를 첨가하여 25℃에서 24 시간 동안 부분 가수분해 반응하여 졸 상태의 조성물을 제조하였다. 제조된 졸 상태의 조성물을 상기 제 1 층 상에 코팅하여 60℃에서 1 분간 용매 건조 후 140℃의 대류 오븐에서 3 분 동안 젤 반응을 진행하여 두께가 35 nm인 제 2 층(굴절율 1.46)을 형성하였다. 이 후, 아르곤 가스 98.4%와 산소 가스 1.6%로 이루어진 5 mTorr의 분위기 하에서 스퍼터링 방법을 이용하여 두께가 22 nm인 ITO층(굴절율 1.95)을 증착하여 전도성 필름을 제조하였다.
실시예 2
굴절율이 1.5이고, 두께가 40 nm인 제 2 층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 필름을 제조하였다. 상기 굴절율이 1.5인 제 2 층은 TiO2 입자를 포함하는 우레탄아크릴 수지를 코팅하고 100℃에서 1 분간 건조한 후 400 mJ/cm2 광량의 UV를 조사하여 형성하였다.
실시예 3
굴절율이 1.62이고, 두께가 90 nm인 제 1 층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 필름을 제조하였다. 상기 제 1 층은 TiO2 입자를 포함하는 우레탄아크릴 수지를 코팅하고 100℃에서 1 분간 건조한 후 400 mJ/cm2 광량의 UV를 조사하여 형성하였다.
비교예 1
제 1 층의 굴절율을 1.46으로 형성하고, 제 2 층의 굴절율을 1.60으로 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 필름을 제조하였다.
비교예 2
제 2 층의 두께를 120 nm로 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 필름을 제조하였다.
비교예 3
제 2 층을 형성하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 필름을 제조하였다.
비교예 4
제 1 층을 형성하지 않고 제 2 층의 두께를 150 nm로 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 필름을 제조하였다.
실험예 1. 전광선 투과도(% Tt ) 값의 측정
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4의 전도성 필름에 대하여 150℃, 60 분 동안 열처리를 실시한 후, 전광선 투과도(%Tt)를 측정하였다. 전광선 투과도는 전광선 헤이즈미터 (Total Light of Hazemeter) (JIS K 7150)을 사용하여 측정하였으며, 측정 결과는 하기 표 1 과 같다.
No. 전광선 투과도(%Tt)
실시예 1 90.8
실시예 2 90.6
실시예 3 91.1
비교예 1 87.2
비교예 2 90.0
비교예 3 89.9
비교예 4 88.5
상기 표 1에서 볼 수 있듯이, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 3의 전도성 필름은 90.6% 이상의 전광선 투과도를 나타내는 것을 알 수 있다.
실험예 2. 표면 반사율 차이 측정
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4의 전도성 필름에 대하여, 옥살산 (5% 수용액, 40℃, 1 분)을 이용하여 전도성층을 패턴화하였다. 이 후, 150℃에서 60 분 동안 열치리를 실시하고, 전도성층이 존재하는 영역과 그렇지 않은 영역 사이의 표면 반사율을 측정하여 그 차이를 산출하였다. 표면 반사율 차이는 분광 광도계(일본분광주식회사)를 이용하여 380 내지 780 nm의 파장 영역에서 입사광 5°에서 정반사의 평균 반사율을 측정하였다. 측정 결과는 하기 표 2와 같다.
No. 반사율 차이(%)
실시예 1 0.76
실시예 2 0.81
실시예 3 0.55
비교예 1 3.94
비교예 2 2.59
비교예 3 1.21
비교예 4 2.66
상기 표 1에서 볼 수 있듯이, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 3의 전도성 필름은 패턴부와 비패턴부 사이의 반사율 차이가 1% 이하인 것으로 나타났다. 이에 대해, 비교예 1 내지 4의 경우에는 반사율 차이가 상대적으로 높은 것으로 나타났다.
10: 기재 20: 제 1 층
30: 제 2 층 40: 전도성층

Claims (19)

  1. 기재; 상기 기재상에 형성된 제 1 층; 상기 제 1 층 상에 형성된 제 2 층; 및 상기 제 2 층 상에 형성된 도전성층을 포함하고, 하기 일반식 1 및 2의 조건을 만족하는 전도성 필름:
    [일반식 1]
    n2 < n1 < n3
    [일반식 2]
    d2 < d1
    상기 일반식 1 및 2에서, n1, n2 및 n3는 각각 제 1 층, 제 2 층 및 도전성층의 굴절율을 나타내고, d1 및 d2는 각각 제 1 층 및 제 2 층의 두께를 나타낸다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성층은 패턴화된 층이고, 하기 일반식 3의 조건을 만족하는 전도성 필름:
    [일반식 3]
    |R1-R2| ≤ 1%
    상기 일반식 3에서, R1은 전도성 필름에서 도전성층이 존재하는 영역의 반사율을 나타내고, R2는 전도성 필름에서 도전성층이 존재하지 않는 영역의 반사율을 나타낸다.
  3. 제 1 항에 있어서,
    기재는 폴리에스테르계 수지, 아세테이트계 수지, 폴리에테르 술폰계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, (메타)아크릴레이트계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리아릴레이트계 수지 및 폴리페닐렌 황화물계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상인 전도성 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    제 1 층 및 제 2 층은 유기물, 무기물 또는 유무기 복합물을 포함하는 전도성 필름.
  5. 제 4 항에 있어서,
    유기물은 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지 및 실록산계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상인 전도성 필름.
  6. 제 4 항에 있어서,
    무기물은 알루미늄, 지르코늄, 티타늄, 틴 및 실리콘으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상의 금속을 포함하는 금속 알콕사이드 화합물의 축합물인 전도성 필름.
  7. 제 4 항에 있어서,
    유무기 복합물은 TiO2, Nb2O5, Ta2O5, Sb2O5, ZrO2, ZnO 및 ZnS으로 이루어진 군으로부터 선택되는 단일 또는 복합조성물의 고굴절 입자가 분산된 수지 조성물 또는 그 경화물인 전도성 필름.
  8. 제 7 항에 있어서,
    수지 조성물 또는 그 경화물은,
    아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 티오우레탄계 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실록산계 수지 및 하기 화학식 1로 표시되는 유기 실란 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상 또는 그 경화물인 전도성 필름:
    [화학식 1]
    (R)m-Si-X(4-m)
    상기 화학식 1에서,
    X는 수소, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 아실옥시, 알킬카보닐, 알콕시카보닐, 또는 -N(R3)2(여기서 R3는 수소 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬)이고,
    R은 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴, 아릴알케닐, 알케닐아릴, 아릴알키닐, 알키닐아릴, 할로겐, 치환된 아미노, 아마이드, 알데히드, 케토, 알킬카보닐, 카르복시, 머캅도, 시아노, 하이드록시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카보닐, 설폰산, 인산, 아크릴옥시, 메타크릴옥시, 에폭시 또는 비닐기이고,
    산소 또는 -NR4(여기서, R4는 수소 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬)가 라디칼 R과 Si 사이에 삽입되어 (R)m-O-Si-X(4-m) 또는 (R)m-NR4-Si-X(4-m)로 될 수 있으며,
    m은 1 내지 3의 정수이다.
  9. 제 1 항에 있어서, n1은 1.5 내지 1.7인 전도성 필름.
  10. 제 1 항에 있어서, n2는 1.3 내지 1.6인 전도성 필름.
  11. 제 1 항에 있어서,
    제 1 층과 제 2 층의 굴절율 차이는 0.01 내지 0.4인 전도성 필름.
  12. 제 1 항에 있어서, d1은 60 nm 내지 120 nm인 전도성 필름.
  13. 제 1 항에 있어서, d2는 10 nm 내지 70 nm인 전도성 필름.
  14. 제 1 항에 있어서,
    제 1 층과 제 2 층의 두께 차이는 10 nm 내지 110 nm인 전도성 필름.
  15. 제 1 항에 있어서, n3는 1.9 내지 2.1인 전도성 필름.
  16. 제 1 항에 있어서,
    전도성층은 인듐 틴 옥사이드; 및 13족 원소 또는 산화수 +3의 전이 금속이 도핑된 산화 아연 중 1 종 이상을 포함하는 전도성 필름.
  17. 제 1 항에 있어서,
    전도성층은 두께가 10 nm 내지 90 nm인 전도성 필름.
  18. 제 1 항에 따른 전도성 필름을 포함하는 터치패널.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 터치 패널은 정전용량 방식인 터치패널.
KR1020110101236A 2011-10-05 2011-10-05 광 특성이 우수한 전도성 필름 KR101557180B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110101236A KR101557180B1 (ko) 2011-10-05 2011-10-05 광 특성이 우수한 전도성 필름

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110101236A KR101557180B1 (ko) 2011-10-05 2011-10-05 광 특성이 우수한 전도성 필름

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130036964A true KR20130036964A (ko) 2013-04-15
KR101557180B1 KR101557180B1 (ko) 2015-10-05

Family

ID=48438107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110101236A KR101557180B1 (ko) 2011-10-05 2011-10-05 광 특성이 우수한 전도성 필름

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101557180B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015020318A1 (ko) * 2013-08-05 2015-02-12 (주)엘지하우시스 투명 도전성 필름 및 이의 제조방법
WO2015023105A1 (ko) * 2013-08-12 2015-02-19 주식회사 태광뉴텍 기능성 코팅층을 포함하는 기능성 투명 시트 및 그 제조방법
WO2015160209A1 (ko) * 2014-04-16 2015-10-22 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
KR20170014222A (ko) * 2015-07-29 2017-02-08 주식회사 엘지화학 도전성 필름용 조성물

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4667471B2 (ja) 2007-01-18 2011-04-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015020318A1 (ko) * 2013-08-05 2015-02-12 (주)엘지하우시스 투명 도전성 필름 및 이의 제조방법
WO2015023105A1 (ko) * 2013-08-12 2015-02-19 주식회사 태광뉴텍 기능성 코팅층을 포함하는 기능성 투명 시트 및 그 제조방법
WO2015160209A1 (ko) * 2014-04-16 2015-10-22 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
KR20150119818A (ko) * 2014-04-16 2015-10-26 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
US9992864B2 (en) 2014-04-16 2018-06-05 Lg Chem, Ltd. Composition for forming conductive pattern, method for forming conductive pattern using the same, and resin components having conductive pattern thereon
KR20170014222A (ko) * 2015-07-29 2017-02-08 주식회사 엘지화학 도전성 필름용 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR101557180B1 (ko) 2015-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2571031B1 (en) Transparent and electrically conductive film having a multi-layer structure and a production method for the same
EP3208520B1 (en) Quantum dot protective film, quantum dot film using same, and backlight unit
KR20130110089A (ko) 하드코팅 기재 및 그것을 이용한 투명 도전성 필름
JP5417698B2 (ja) 機能性フィルムの製造方法
US8920912B2 (en) Multilayer structured transparent electrically-conductive film and method of manufacturing the same
TWI657929B (zh) 積層體、透明導電性積層體及觸控面板
TW201538636A (zh) 低折射組合物及其製備方法以及透明導電膜
KR101557180B1 (ko) 광 특성이 우수한 전도성 필름
KR101624830B1 (ko) 배리어 필름 및 그 제조 방법
KR101571202B1 (ko) 저굴절층 코팅용 조성물 및 이를 포함하는 투명 도전성 필름
CN105739743B (zh) 层叠膜、透明导电膜和触摸面板
KR101371867B1 (ko) 광 특성이 우수한 투명 전도성 필름 및 이의 제조방법
KR101539488B1 (ko) 투명 전도성 필름 및 이를 제조하는 방법
KR101640615B1 (ko) 투명 도전성 필름의 제조방법
JP2013174787A (ja) 光学部材
JP2013246975A (ja) 導電性光学部材及びそれを備える電子デバイス
KR101699151B1 (ko) 다층구조의 투명 전도성 필름 및 이의 제조방법
JP5758672B2 (ja) 光反射防止シートとその製造方法およびその光反射防止シートを用いたタッチパネルおよびディスプレイ
JP5659601B2 (ja) 透明導電性フィルム
TW202021798A (zh) 隔離膜
KR20140147420A (ko) 양면 투명 도전성 필름의 제조방법
KR102294026B1 (ko) 배리어 필름
TW201801907A (zh) 導電透明膜、其製造方法及包括其的觸控面板
KR102089409B1 (ko) 배리어 필름
KR102040461B1 (ko) 도전성 필름

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180619

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190625

Year of fee payment: 5