KR20170012635A - 표시 장치 - Google Patents
표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170012635A KR20170012635A KR1020150103011A KR20150103011A KR20170012635A KR 20170012635 A KR20170012635 A KR 20170012635A KR 1020150103011 A KR1020150103011 A KR 1020150103011A KR 20150103011 A KR20150103011 A KR 20150103011A KR 20170012635 A KR20170012635 A KR 20170012635A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- sealing
- edge
- sealing portion
- width
- Prior art date
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 132
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 TeO 2 Substances 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H01L27/3223—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H01L27/3272—
-
- H01L51/5237—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
-
- H01L2227/32—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Abstract
본 발명은 액티브영역과, 상기 액티브영역을 둘러싸는 씰링영역을 포함하는, 기판과, 상기 기판의 액티브영역에 배치되는 표시부와, 상기 기판의 씰링영역에 배치되고, 상기 기판의 가장자리를 향한 부분에서 상기 기판의 액티브영역 방향으로 오목한 또는 상기 기판의 액티브영역을 향하는 부분에서 상기 기판의 가장자리 방향으로 오목한, 요부(凹部)를 갖는, 씰링부 및 상기 요부와 상기 기판의 가장자리 사이 또는 상기 요부와 상기 기판의 액티브영역 사이에 위치하는, 정렬마크를 구비하는, 표시 장치를 개시한다.
Description
본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이러한 표시 장치는 다양한 형태로 개발되고 있는데, 그 중에서도 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 표시 장치로서 유기 발광 표시 장치가 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 화소를 구현하는 표시 소자로서 유기 발광 소자를 구비하며, 각 유기 발광 소자의 발광 여부나 발광 정도를 박막트랜지스터를 통해 조절한다. 이러한 유기 발광 소자는 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 화소전극과, 이에 대향된 대향전극과, 화소전극 및 대향전극 사이에 개재되며 유기 발광층을 포함하는 중간층을 구비한다.
중간층에 포함된 유기 발광층을 형성하는 방법 중 하나로 마스크를 이용한 증착법이 있다. 즉, 증착원으로부터 증발된 유기물은 마스크의 개구부를 통과해 기판 상에 증착되어 유기 발광층을 형성하게 된다. 따라서 증착 과정에서 유기물을 기판 상의 정해진 위치에 정확하게 증착하기 위해서는 기판에 대한 마스크의 위치 정밀도를 확보하는 것이 매우 중요하다.
본 발명은 기판에 대한 마스크의 위치 정밀도를 확보할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 액티브영역과, 상기 액티브영역을 둘러싸는 씰링영역을 포함하는, 기판, 상기 기판의 액티브영역에 배치되는 표시부, 상기 기판의 씰링영역에 배치되고, 상기 기판의 가장자리를 향한 부분에서 상기 기판의 액티브영역 방향으로 오목한 또는 상기 기판의 액티브영역을 향하는 부분에서 상기 기판의 가장자리 방향으로 오목한, 요부(凹部)를 갖는, 씰링부 및 상기 요부와 상기 기판의 가장자리 사이 또는 상기 요부와 상기 기판의 액티브영역 사이에 위치하는, 정렬마크를 구비하는, 표시 장치가 제공된다.
상기 씰링부는 상기 기판의 가장자리를 향한 부분에서 상기 기판의 액티브영역 방향으로 오목한 요부를 갖고, 상기 씰링부의 상기 요부가 위치한 부분을 제1 부분이라 하고 상기 씰링부의 상기 제1 부분에 인접한 부분을 제2 부분이라 하면, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에서의 상기 씰링부의 폭이 동일할 수 있다.
상기 씰링부의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 부분을 제3 부분이라 하면, 상기 제3 부분에서의 상기 씰링부의 폭이, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에서의 상기 씰링부의 폭보다 넓을 수 있다.
상기 씰링부는 상기 기판의 가장자리를 향한 부분에서 상기 기판의 액티브영역 방향으로 오목한 요부를 갖고, 상기 씰링부의 상기 요부가 위치한 부분을 제1 부분이라 하고 상기 씰링부의 상기 제1 부분에 인접한 부분을 제2 부분이라 하면, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에 있어서 상기 씰링부의 상기 기판의 액티브영역을 향한 부분의 가장자리는 일직선 형상을 가질 수 있다.
상기 씰링부는 상기 기판의 액티브영역을 향한 부분에서 상기 기판의 가장자리 방향으로 오목한 요부를 갖고, 상기 씰링부의 상기 요부가 위치한 부분을 제1 부분이라 하고 상기 씰링부의 상기 제1 부분에 인접한 부분을 제2 부분이라 하면, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에서의 상기 씰링부의 폭이 동일할 수 있다.
상기 씰링부의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 부분을 제3 부분이라 하면, 상기 제3 부분에서의 상기 씰링부의 폭이, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에서의 상기 씰링부의 폭보다 넓을 수 있다.
상기 씰링부는 상기 기판의 액티브영역을 향한 부분에서 상기 기판의 가장자리 방향으로 오목한 요부를 갖고, 상기 씰링부의 상기 요부가 위치한 부분을 제1 부분이라 하고 상기 씰링부의 상기 제1 부분에 인접한 부분을 제2 부분이라 하면, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에 있어서 상기 씰링부의 상기 기판의 가장자리를 향한 부분의 가장자리는 일직선 형상을 가질 수 있다.
상기 씰링부의 폭이 일정할 수 있다.
상기 정렬마크는 복수의 마크들을 포함하고, 상기 복수의 마크들의 적어도 일부는 상기 씰링부의 길이방향에 평행하게 배치될 수 있다.
상기 정렬마크는 유기물을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시 장치에 있어서 기판에 대한 마스크의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있고, 기판의 데드 스페이스(dead space)를 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치용 기판을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 상의 일 화소를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 A를 개략적으로 도시한 확대도의 일 예이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 2는 도 1의 기판 상의 일 화소를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 A를 개략적으로 도시한 확대도의 일 예이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분"위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 본 발명에 따른 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명함에 있어 실질적으로 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치용 기판을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 기판(100), 표시부(200) 및 정렬마크(300)를 구비한다.
기판(100)은 액티브영역(AA)과 씰링영역(SA)을 포함한다.
액티브영역(AA)은 표시 장치의 외부로 화상이 표시되는 영역이고, 씰링영역(SA)은 화상이 표시되지 않는 영역으로서, 액티브영역(AA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
정렬마크(300)는 씰링영역(SA)에 적어도 일부 배치될 수 있다. 즉, 정렬마크(300)는 씰링영역(SA)에 배치되거나, 씰링영역(SA)과 씰링영역(SA)의 외측에 걸쳐 배치될 수 있다.
액티브영역(AA)에는 표시부(200)가 배치된다. 표시부(200)는 복수의 박막 트랜지스터들과 이에 전기적으로 연결되는 표시 소자들을 포함할 수 있다. 표시 소자들은 표시 장치의 종류에 따라 다양한 형태일 수 있으나, 이하에서는 편의상 유기 발광 소자(OLED, organic light-emitting device)를 중심으로 설명하기로 한다.
도 2는 도 1의 기판 상의 일 화소를 개략적으로 도시한 단면도이다..
기판(100)은 글라스재, 금속재 또는 플라스틱재 등과 같은 다양한 재료로 형성될 수 있다. 표시 장치(1000)가 화상이 기판(100)의 방향으로 표시되는 배면 발광형(bottom emission type)인 경우, 기판(100)은 투명한 재질로 형성될 수 있다. 이에 반하여, 표시 장치(1000)가 화상이 기판(100)의 반대 방향으로 표시되는 전면 발광형(top emission type)인 경우, 기판(100)은 반드시 투명한 재질로 형성될 필요는 없다.
기판(100)상에는 버퍼층(212)이 형성될 수 있다. 버퍼층(212)은 기판(100)을 통한 불순 원소의 침투를 방지하고, 기판(100) 상부에 평탄한 면을 제공하는 층으로서, 버퍼층(212)은 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(212)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 옥시나이트라이드 등의 무기물 등으로 형성될 수 있다.
활성층(221)은 버퍼층(212) 상에서 실리콘과 같은 무기질 반도체나, 유기 반도체에 의해 형성될 수 있다. 활성층(221)은 소스 영역, 드레인 영역과 이들 사이의 채널 영역을 갖는다. 예를 들어, 비정질 실리콘을 사용하여 활성층(221)을 형성하는 경우, 비정질 실리콘층을 기판(100) 전면에 형성한 후 이를 결정화하여 다결정 실리콘층을 형성하고, 패터닝한 후 가장자리의 소스 영역 및 드레인 영역에 불순물을 도핑하여 소스 영역, 드레인 영역 및 그 사이의 채널 영역을 포함하는 활성층(221)을 형성할 수 있다.
활성층(221) 상에는 게이트 절연막(213)이 형성된다. 게이트 절연막(213)은 활성층(221)과 게이트 전극(222)을 절연하기 위한 것으로 SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
게이트 절연막(213) 상부의 소정 영역에는 게이트 전극(222)이 형성된다. 게이트 전극(222)은 박막 트랜지스터(TFT)의 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다.
게이트 전극(222)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo를 함유할 수 있고, Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 합금을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않고 설계 조건을 고려하여 다양한 재질로 형성할 수 있다.
게이트 전극(222) 상에 형성되는 층간 절연막(214)은 게이트 전극(222)과 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224) 사이의 절연을 위한 것으로, SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
층간 절연막(214)상에는 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)이 형성된다. 구체적으로, 층간 절연막(214) 및 게이트 절연막(213)은 활성층(221)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고, 이러한 활성층(221)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)이 형성된다.
한편, 도 2는 활성층(221)과, 게이트 전극(222)과, 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)을 순차적으로 포함하는 탑 게이트 방식(top gate type)의 박막 트랜지스터(TFT)를 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 게이트 전극(222)이 활성층(221)의 하부에 배치될 수도 있다.
이와 같은 박막 트랜지스터(200a)는 유기 발광 소자(200b)에 전기적으로 연결되어 유기 발광 소자(200b)를 구동하며, 보호막(215)으로 덮여 보호된다.
보호막(215)은 일반 범용고분자(PMMA, PS), 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 또는 이들의 블렌드 등의 유기물로 형성될 수 있다.
유기 발광 소자(200b)는 화소전극(231), 중간층(232) 및 대향전극(233)을 구비할 수 있다.
화소전극(231)은 보호막(215)상에 형성되고, 보호막(215)에 형성된 컨택홀(230)을 통하여 드레인 전극(224)과 전기적으로 연결된다.
화소전극(231)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. (반)투명 전극으로 형성될 때에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성될 수 있다. 반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
화소전극(231)과 대향하도록 배치된 대향전극(233)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. 대향전극(233)이 (반)투명 전극으로 형성될 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(233)이 반사형 전극으로 형성될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(233)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다.
따라서, 대향전극(233)은 중간층(232)에 포함된 유기 발광층(미도시)에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층(미도시)에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 화소전극(231)에 의해 반사되어, 대향전극(233) 측으로 방출될 수 있다.
그러나, 본 실시예의 유기 발광 디스플레이 장치(10)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층(미도시)에서 방출된 광이 기판(100) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 화소전극(231)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 대향전극(233)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 유기 발광 디스플레이 장치(10)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
한편, 화소전극(231)상에는 절연물로 화소 정의막(216)이 형성된다. 화소 정의막(216)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(216)은 화소전극(231)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 유기 발광층을 포함하는 중간층(232)이 위치한다.
중간층(232)은 유기 발광층(미도시) 뿐 만 아니라, 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
중간층(232)에 포함된 유기 발광층(미도시)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다. 저분자 유기물로는 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등이 있으며, 고분자 유기물로는 폴리-페닐렌비닐렌(Poly-Phenylenevinylene; PPV)계 또는 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 물질 등이 있다.
유기 발광층을 형성하는 방법은 다양하나, 일 예로 전술한 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 진공 증착하여 형성할 수 있다. 유기 발광층은 화소전극(231) 및 대향전극(233), 중간층(232)의 각종 기능층과 함께 형성될 수도 있고, 또는 별도로 형성될 수도 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 전술한 전극층 및 기능층과 별도로 유기 발광층이 형성되는 경우를 중심으로 설명하기로 한다.
증착 공정에 의해 유기 발광층을 형성하기 위해서는, 유기 발광층의 패턴에 대응하도록 개구가 형성된 증착용 마스크(미도시)가 사용될 수 있다. 증착용 마스크는 진공 흡착 수단이나 마그넷 유닛 같은 지지수단을 통해 기판(100)과 밀착하여 배치될 수 있다. 증착용 마스크와 기판(100)을 정렬하기 위해서 기판(100)의 일면에는 도 1에 도시된 바와 같이 정렬마크(300)가 배치될 수 있다. 정렬마크(300)에 대한 구체적인 내용은 도 3을 참조하여 후술하기로 한다.
증착용 마스크는 증착하고자 하는 대상물의 패턴에 대응하도록 형성된 개구를 포함하는 판상 부재일 수 있다. 증착용 마스크의 재질은 금속이나 합금과 같은 금속 소재, 기능성 폴리머 또는 폴리머와 금속의 혼합물일 수 있다. 증착용 마스크의 개구는 증착용 마스크를 관통하도록 형성되고, 복수의 슬릿을 포함하도록 형성될 수 있다.
한편 화소전극(231), 중간층(232) 및 대향전극(233)을 차례로 형성한 이후, 기판(100)과 봉지기판(미도시)을 씰링할 수 있다. 기판(100)과 봉지기판을 씰링하는 방법은, 기판(100)과 봉지기판 사이에 씰링부를 배치하여 이후 기판(100)과 봉지기판을 압착하는 방법일 수 있다. 이때 봉지기판은 기판(100)과 유사한 형상을 가질 수 있다. 이하에서는 도 3 내지 도 5를 참조하여 상기의 씰링부에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 도 1의 A를 개략적으로 도시한 확대도의 일 예이고, 도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다.
설명의 편의를 위해 씰링부(400)의 길이방향을 Y방향, 이에 수직한 씰링부(400)의 폭방향을 X방향이라 한다.
먼저 도 3을 참조하면, 기판(100)의 액티브영역(AA)의 외곽에 위치한 씰링영역(SA)에 씰링부(400)가 배치될 수 있다. 씰링부(400)는 액티브영역(AA)의 외측에서 표시부를 밀봉함으로써 외부의 수분, 공기 기타 불순물 등이 표시부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
예를 들면, 씰링부(400)는 프릿(frit)을 포함할 수 있다. 씰링부(400)는 기판(100)의 씰링영역(SA)에 프릿을 포함하는 페이스트를 형성한 후, 이 페이스트를 용융 및 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 프릿은 바나듐(V) 산화물 또는 비스무스(Bi) 산화물을 포함하고, 그 외에도 다양한 재료를 포함할 수 있는데, 예를 들면 TeO2, ZnO, BaO, Nb2O5, SiO2, Al2O3, ZrO2, P2O5로 이루어지는 군으로부터 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 씰링부(400)는 밀봉특성을 향상시키기 위해 다양한 재질의 필러(filler)를 함유할 수도 있다.
씰링부(400)는 씰링부(400)의 기판(100)의 가장자리(E)를 향한 부분에서 액티브영역(AA) 방향으로 오목한 요부(411)(凹部)를 가질 수 있다. 설명의 편의를 위해, 씰링부(400)에 있어서, 요부(411)가 위치한 부분을 제1 부분(401), 제1 부분(401)에 인접한 부분을 제2 부분(402), 제1 부분(401)과 제2 부분(402) 사이의 부분을 제3 부분(403)이라 하자.
도 3에서 보는 바와 같이, 제1 부분(401)의 폭(W1)은 제2 부분(402)의 폭(W2)과 동일할 수 있다. 이때 씰링부(400)가 Y방향에서 X방향으로 굴곡지게 형성된 후 다시 X방향에서 Y방향으로 굴곡지게 형성됨에 따라, 제1 부분(401)과 제2 부분(402)을 연결하는 제3 부분(403)의 폭(W3)은 제1 부분(401)의 폭(W1)과 제2 부분(402)의 폭(W2)보다 크게 된다.
상기와 같은 형상으로 씰링부(400)가 형성되는 경우, 씰링부(400)의 오목한 요부(411)와 기판(100)의 가장자리(E) 사이에 기판(100)과 증착용 마스크(미도시)를 정렬하기 위한 정렬마크(300)가 배치될 수 있다. 제조 방법을 고려하면, 먼저 소정의 위치에 정렬마크(300)가 형성된 기판(100)을 준비하고, 기판(100) 상에 표시부(200)를 형성하는 공정이 완료된 후 비로소 정렬마크(300)와 표시부(200) 사이에 씰링부(400)를 형성하게 될 것이다. 이로써 정렬마크(300)의 적어도 일부가 씰링영역(SA)에 배치되어, 씰링영역(SA)의 외측에 위치하는 불필요한 영역인 데드 스페이스(dead space)를 줄일 수 있게 된다.
정렬마크(300)는 복수의 마크들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 정렬마크(300)는 Y방향에 평행한 두 개의 장변을 가지는 막대 모양의 제1 마크(301) 및/또는 X방향에 평행한 두 개의 장변을 가지는 막대 모양의 제2 마크(302)를 포함할 수 있다. 이때 제1 마크(301)와 제2 마크(302)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이로써 제1 마크(301)의 중심선(L1)과 제2 마크(302)의 중심선(L2)이 일 점에서 수직으로 교차할 수 있다.
정렬마크(300)는 제3 마크(303)를 더 포함할 수 있다. 제3 마크(303)는 유기 발광층을 형성하기 전 또는 유기 발광층과 동시에 형성되는 테스트용 유기물 패턴이므로, 유기 발광층과 동일한 재료로 형성될 수 있다. 제3 마크(303)는 화소들의 색상별로 적어도 하나씩 형성될 수 있다.
제3 마크(303)는 제1 마크(301) 및 제2 마크(302)와의 위치 관계를 이용하여 기판(100)과 증착용 마스크의 정렬 오차를 확인할 수 있다. 예를 들면, 제1 마크(301)의 중심선(L1)과 제2 마크(302)의 중심선(L2)이 교차하는 지점과 제3 마크(303)의 중심 간의 X방향 및 Y방향에서의 거리 차가 기판(100)과 증착용 마스크의 정렬 오차로 정의될 수 있다. 상기와 같이 기판(100)과 증착용 마스크의 정렬 오차를 검출하기 위해서, 증착용 마스크에는 유기 발광층에 대응하는 개구 외에도 테스트용 유기물 패턴인 제3 마크(303)에 대응하는 개구가 형성되고, 제3 마크(303)에 대응하는 개구는 유기 발광층에 대응하는 개구와 동일한 크기, 형상 및 정렬방향을 갖는다.
정렬마크(300)는 제1 내지 제3 마크(301 내지 303) 외에도, 제4 마크(304)를 더 포함할 수 있다. 제4 마크(304) 기판(100)과 측정 설비의 정렬을 확인하기 위한 것으로, 십자형으로 형성될 수 있다.
전술한 복수의 마크들은 씰링부(400)의 길이방향인 X방향에 평행하게 배치될 수 있다. 이때 복수의 마크들이 하나 이상의 열을 이루며 X방향에 평행하게 배치될 수 있다. 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이 제1 마크(301) 및 제2 마크(302)가 열을 달리하여 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이로써 테스트용 유기물 패턴인 제3 마크(303)를 액티브영역(AA)의 외측에 여러 개 형성할 수 있다.
여기서, 복수의 마크들의 위치, 개수, 형상 등은 전술한 예로 한정되지 않으며, 설계에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
도 3은 씰링부(400)가 씰링부(400)의 기판(100)의 가장자리(E)를 향한 부분에서 액티브영역(AA) 방향으로 오목한 요부(411)를 갖는 경우를 도시하였으나, 이와 반대방향으로 요부가 형성되는 것도 가능하다.
도 4를 참조하면, 씰링부(400)는 씰링부(400)의 액티브영역(AA)을 향한 부분에서 기판(100)의 가장자리(E) 방향으로 오목한 요부를 가질 수도 있다. 이때 씰링부(400)의 형상은 도 3에 도시된 씰링부를 씰링영역(SA)의 중심선(LS)을 중심으로 대칭이동한 형상과 동일하게 된다. 따라서 정렬마크(300)는 씰링부(400)의 오목한 요부와 액티브영역(AA) 사이에 배치될 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다. 이하에서는 편의상 도 3 및 도 4를 참조하여 전술한 부분과 동일하거나 유사한 부분에 대한 설명은 생략한다. 이는 후술하는 실시예들 및 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.
도 5를 참조하면, 씰링부(400)는 기판(100)의 가장자리(E)를 향한 부분에서 액티브영역(AA) 방향으로 오목한 요부(411)를 가질 수 있다. 설명의 편의를 위해, 씰링부(400)에 있어서, 요부(411)가 위치한 부분을 제1 부분(401), 제1 부분(401)에 인접한 부분을 제2 부분(402), 제1 부분(401)과 제2 부분(402) 사이의 부분을 제3 부분(403)이라 하자.
제1 부분(401)의 폭(W1), 제2 부분(402)의 폭(W2) 및 제3 부분(403)의 폭(W3)은 모두 동일할 수 있다. 즉 씰링부(400)의 폭은 씰링부(400)의 전장(全長)에 걸쳐 동일할 수 있다. 도 5에는 씰링부(400)의 제3 부분(403)의 양측 가장자리가 곡선으로 되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제3 부분(403)의 양측 가장자리가 직선일 수도 있다.
정렬마크(300)는 씰링부(400)의 오목한 요부(411)와 기판(100)의 가장자리(E) 사이에 배치될 수 있다. 이로써 정렬마크(300)의 적어도 일부가 씰링영역(SA)에 배치되어, 기판(100)과 증착용 마스크와의 정렬을 돕는 한편, 데드 스페이스를 감소시킬 수 있다.
도 5는 씰링부(400)가 씰링부(400)의 기판(100)의 가장자리(E)를 향한 부분에서 액티브영역(AA) 방향으로 오목한 요부(411)를 갖는 경우를 도시하였으나, 이와 반대방향으로 요부가 형성되는 것도 가능하다.
도 6을 참조하면, 씰링부(400)는 씰링부(400)의 액티브영역(AA)을 향한 부분에서 기판(100)의 가장자리(E) 방향으로 오목한 요부를 가질 수도 있다. 이때 씰링부(400)의 형상은 도 5에 도시된 씰링부를 씰링영역(SA)의 중심선(LS)을 중심으로 대칭이동한 형상과 동일하게 된다. 따라서 정렬마크(300)는 씰링부(400)의 오목한 요부와 액티브영역(AA) 사이에 배치될 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 확대도이다. 이하에서는 편의상 도 3 내지 도 6을 참조하여 전술한 부분과 동일하거나 유사한 부분에 대한 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 씰링부(400)는 기판(100)의 가장자리(E)를 향한 부분에서 액티브영역(AA) 방향으로 오목한 요부(411)를 가질 수 있다. 설명의 편의를 위해, 씰링부(400)에 있어서, 요부(411)가 위치한 부분을 제1 부분(401), 제1 부분(401)에 인접한 부분을 제2 부분(402)이라 하자.
제1 부분(401)의 폭(W1)은 제2 부분(402)의 폭(W2)보다 좁을 수 있다.
정렬마크(300)는 씰링부(400)의 오목한 요부(411)와 기판(100)의 가장자리(E) 사이에 배치될 수 있다. 이때 제1 부분(401)과 제2 부분(402)에 있어서 씰링부(400)의 액티브영역(AA)을 향한 부분의 가장자리는 일직선 형상을 가질 수 있다. 따라서, 제1 부분(401)의 폭(W1)은 제2 부분(402)의 폭(W2)에서 요부(411)의 X방향으로의 길이(W4)만큼을 뺀 값에 해당한다.
이로써 정렬마크(300)의 적어도 일부가 씰링영역(SA)에 배치되어, 기판(100)과 증착용 마스크와의 정렬을 돕는 한편, 데드 스페이스를 감소시킬 수 있다. 물론 정렬마크(300)는 기판의 일부분에 형성되는 것이기에, 정렬마크(300)에 의해 씰링부(400)의 폭이 줄어드는 제1 부분(401)의 (Y방향으로의) 길이는 씰링부(400)의 전체 길이에 비하면 매우 짧다. 따라서 씰링부(400)가 그러한 제1 부분(401)을 갖는다 하더라도, 기판과 봉지기판 사이의 합착력이 저하되는 등의 문제가 발생할 여지는 없다.
도 7은 씰링부(400)가 씰링부(400)의 기판(100)의 가장자리(E)를 향한 부분에서 액티브영역(AA) 방향으로 오목한 요부(411)를 갖는 경우를 도시하였으나, 이와 반대방향으로 요부가 형성되는 것도 가능하다.
도 8을 참조하면, 씰링부(400)는 씰링부(400)의 액티브영역(AA)을 향한 부분에서 기판(100)의 가장자리(E) 방향으로 오목한 요부를 가질 수도 있다. 이때 씰링부(400)의 형상은 도 7에 도시된 씰링부를 씰링영역(SA)의 중심선(LS)을 중심으로 대칭이동한 형상과 동일하게 된다. 따라서 정렬마크(300)는 씰링부(400)의 오목한 요부와 액티브영역(AA) 사이에 배치될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판에 대한 마스크의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있고, 기판의 데드 스페이스(dead space)를 줄일 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1000: 표시 장치
100: 기판
AA: 액티브영역
SA: 씰링영역
200: 표시부
300: 정렬마크
400: 씰링부
401, 402, 403: 제1, 2, 3 부분
411: 요부
100: 기판
AA: 액티브영역
SA: 씰링영역
200: 표시부
300: 정렬마크
400: 씰링부
401, 402, 403: 제1, 2, 3 부분
411: 요부
Claims (10)
- 액티브영역과, 상기 액티브영역을 둘러싸는 씰링영역을 포함하는, 기판;
상기 기판의 액티브영역에 배치되는 표시부;
상기 기판의 씰링영역에 배치되고, 상기 기판의 가장자리를 향한 부분에서 상기 기판의 액티브영역 방향으로 오목한 또는 상기 기판의 액티브영역을 향하는 부분에서 상기 기판의 가장자리 방향으로 오목한, 요부(凹部)를 갖는, 씰링부; 및
상기 요부와 상기 기판의 가장자리 사이 또는 상기 요부와 상기 기판의 액티브영역 사이에 위치하는, 정렬마크;
를 구비하는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 씰링부는 상기 기판의 가장자리를 향한 부분에서 상기 기판의 액티브영역 방향으로 오목한 요부를 갖고,
상기 씰링부의 상기 요부가 위치한 부분을 제1 부분이라 하고 상기 씰링부의 상기 제1 부분에 인접한 부분을 제2 부분이라 하면, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에서의 상기 씰링부의 폭이 동일한, 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 씰링부의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 부분을 제3 부분이라 하면, 상기 제3 부분에서의 상기 씰링부의 폭이, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에서의 상기 씰링부의 폭보다 넓은, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 씰링부는 상기 기판의 가장자리를 향한 부분에서 상기 기판의 액티브영역 방향으로 오목한 요부를 갖고,
상기 씰링부의 상기 요부가 위치한 부분을 제1 부분이라 하고 상기 씰링부의 상기 제1 부분에 인접한 부분을 제2 부분이라 하면, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에 있어서 상기 씰링부의 상기 기판의 액티브영역을 향한 부분의 가장자리는 일직선 형상을 갖는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 씰링부는 상기 기판의 액티브영역을 향한 부분에서 상기 기판의 가장자리 방향으로 오목한 요부를 갖고,
상기 씰링부의 상기 요부가 위치한 부분을 제1 부분이라 하고 상기 씰링부의 상기 제1 부분에 인접한 부분을 제2 부분이라 하면, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에서의 상기 씰링부의 폭이 동일한, 표시 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 씰링부의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 부분을 제3 부분이라 하면, 상기 제3 부분에서의 상기 씰링부의 폭이, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에서의 상기 씰링부의 폭보다 넓은, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 씰링부는 상기 기판의 액티브영역을 향한 부분에서 상기 기판의 가장자리 방향으로 오목한 요부를 갖고,
상기 씰링부의 상기 요부가 위치한 부분을 제1 부분이라 하고 상기 씰링부의 상기 제1 부분에 인접한 부분을 제2 부분이라 하면, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에 있어서 상기 씰링부의 상기 기판의 가장자리를 향한 부분의 가장자리는 일직선 형상을 갖는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 씰링부의 폭이 일정한 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 정렬마크는 복수의 마크들을 포함하고,
상기 복수의 마크들의 적어도 일부는 상기 씰링부의 길이방향에 평행하게 배치되는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 정렬마크는 유기물을 포함하는 표시 장치.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150103011A KR102323357B1 (ko) | 2015-07-21 | 2015-07-21 | 표시 장치 |
| US15/012,391 US9595690B2 (en) | 2015-07-21 | 2016-02-01 | Display apparatus |
| US15/421,608 US9917275B2 (en) | 2015-07-21 | 2017-02-01 | Display apparatus |
| US15/916,558 US10340474B2 (en) | 2015-07-21 | 2018-03-09 | Display apparatus |
| US16/411,184 US10833288B2 (en) | 2015-07-21 | 2019-05-14 | Display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150103011A KR102323357B1 (ko) | 2015-07-21 | 2015-07-21 | 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170012635A true KR20170012635A (ko) | 2017-02-03 |
| KR102323357B1 KR102323357B1 (ko) | 2021-11-09 |
Family
ID=57837525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150103011A KR102323357B1 (ko) | 2015-07-21 | 2015-07-21 | 표시 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US9595690B2 (ko) |
| KR (1) | KR102323357B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102323357B1 (ko) * | 2015-07-21 | 2021-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN107359285B (zh) * | 2017-08-18 | 2019-03-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示装置及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040015505A (ko) * | 2002-08-13 | 2004-02-19 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자용 소프트 몰드 및 그의 제조 방법 |
| KR20090073478A (ko) * | 2007-12-31 | 2009-07-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR20090121501A (ko) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 |
| JP2011017890A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Seiko Epson Corp | 電子機器の製造方法 |
| KR20120139075A (ko) * | 2011-06-16 | 2012-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 강화된 씰링부를 가지는 표시 장치 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7241668B2 (en) * | 2003-06-24 | 2007-07-10 | International Business Machines Corporation | Planar magnetic tunnel junction substrate having recessed alignment marks |
| CN101002293A (zh) | 2004-08-25 | 2007-07-18 | 株式会社东芝 | 图像显示装置及其制造方法 |
| KR101076435B1 (ko) | 2004-12-01 | 2011-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 기판과 마스크의 얼라인먼트 감지 방법 |
| JP4907929B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2012-04-04 | 株式会社東芝 | 電界効果型半導体装置及び電界効果型半導体装置の製造方法 |
| KR20120139392A (ko) | 2011-06-17 | 2012-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널, 그 제조방법 및 이에 사용되는 프릿 조성물 |
| KR20140017767A (ko) | 2012-07-31 | 2014-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 및 이의 정렬 방법 |
| KR20140075467A (ko) | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법 |
| KR102323357B1 (ko) * | 2015-07-21 | 2021-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2015
- 2015-07-21 KR KR1020150103011A patent/KR102323357B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-02-01 US US15/012,391 patent/US9595690B2/en active Active
-
2017
- 2017-02-01 US US15/421,608 patent/US9917275B2/en active Active
-
2018
- 2018-03-09 US US15/916,558 patent/US10340474B2/en active Active
-
2019
- 2019-05-14 US US16/411,184 patent/US10833288B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040015505A (ko) * | 2002-08-13 | 2004-02-19 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자용 소프트 몰드 및 그의 제조 방법 |
| KR20090073478A (ko) * | 2007-12-31 | 2009-07-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR20090121501A (ko) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 |
| JP2011017890A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Seiko Epson Corp | 電子機器の製造方法 |
| KR20120139075A (ko) * | 2011-06-16 | 2012-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 강화된 씰링부를 가지는 표시 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10833288B2 (en) | 2020-11-10 |
| KR102323357B1 (ko) | 2021-11-09 |
| US20170025632A1 (en) | 2017-01-26 |
| US20170141343A1 (en) | 2017-05-18 |
| US20190267565A1 (en) | 2019-08-29 |
| US9917275B2 (en) | 2018-03-13 |
| US10340474B2 (en) | 2019-07-02 |
| US9595690B2 (en) | 2017-03-14 |
| US20180198085A1 (en) | 2018-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8022618B2 (en) | Structure of organic light emitting display apparatus | |
| JP6154572B2 (ja) | 薄膜蒸着用のマスクフレームアセンブリー | |
| KR101889918B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR100709255B1 (ko) | 평판 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US9450185B2 (en) | Thin-film deposition mask, method of fabricating the same, and method of fabricating an organic light emitting display apparatus using the same | |
| KR102028025B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
| CN104347669A (zh) | 有机发光显示设备及其制造方法 | |
| KR102116493B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 | |
| US20080142807A1 (en) | Organic light emitting display apparatus | |
| KR20150033195A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102216672B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102393931B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102162794B1 (ko) | 평판표시장치용 백플레인 및 그의 제조 방법 | |
| KR102254311B1 (ko) | 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 표시 장치 | |
| KR20170083698A (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR102323357B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR20150011702A (ko) | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
| US20070284760A1 (en) | Chip and flat panel display apparatus comprising the same | |
| KR100759578B1 (ko) | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20090105060A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20180045090A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100987382B1 (ko) | 도너 필름 및 그를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법 | |
| KR100846589B1 (ko) | 기판 정렬 방법 | |
| KR102461286B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR100647621B1 (ko) | 평판 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |