KR20160142852A - 산란측정 계측을 이용한 초점 측정 - Google Patents

산란측정 계측을 이용한 초점 측정 Download PDF

Info

Publication number
KR20160142852A
KR20160142852A KR1020167030508A KR20167030508A KR20160142852A KR 20160142852 A KR20160142852 A KR 20160142852A KR 1020167030508 A KR1020167030508 A KR 1020167030508A KR 20167030508 A KR20167030508 A KR 20167030508A KR 20160142852 A KR20160142852 A KR 20160142852A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
focus
pitch
target
critical dimension
pattern
Prior art date
Application number
KR1020167030508A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102285895B1 (ko
Inventor
코다디 모하메드 엘
누리엘 아미르
로이에 볼코비치
블라디미르 레빈스키
요엘 펠레
다니엘 캔들
나다브 구트만
스틸리안 판데프
드미트리 산코
Original Assignee
케이엘에이-텐코 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 케이엘에이-텐코 코포레이션 filed Critical 케이엘에이-텐코 코포레이션
Publication of KR20160142852A publication Critical patent/KR20160142852A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102285895B1 publication Critical patent/KR102285895B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4785—Standardising light scatter apparatus; Standards therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70681—Metrology strategies
    • G03F7/70683—Mark designs
    • G06F17/5072—
    • G06F17/5081—
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G06F30/392—Floor-planning or layout, e.g. partitioning or placement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

제1 방향으로 제1 피치로 반복되는 요소를 갖는 주기적 구조물과 관련된 타겟 디자인 및 방법이 제공된다. 상기 요소는 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 제2 피치로 주기적이며 또한 초점-민감 패턴과 초점-둔감 패턴을 제2 방향으로 제2 피치로 교호시키는 것을 특징으로 한다. 생산된 타겟에 있어서, 상기 제1 피치는 대략 장치 피치일 수 있으며, 상기 제2 피치는 몇 배 더 클 수 있다. 제1 초점-둔감 패턴은 제1 임계 치수를 생성하도록 생산될 수 있으며, 제2 초점-민감 패턴은 특정한 초점 요건이 만족되었을 때에만 제1 임계 치수와 동일할 수 있는 제2 임계 치수를 생성하거나, 또는 직교 방향을 따라 더 긴 피치에 기초하여 영차수뿐만 아니라 제1 회절 차수의 산란측정 계측값을 제공하도록 구성될 수 있다.

Description

산란측정 계측을 이용한 초점 측정{FOCUS MEASUREMENTS USING SCATTEROMETRY METROLOGY}
본 출원은 그 전체가 여기에 참조 인용된 2014년 3월 31일자 출원된 미국 가특허출원 제61/973,151호의 이익을 청구한다.
본 발명은 계측의 분야에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 산란측정 계측을 이용한 초점 측정에 관한 것이다.
리소그래픽 툴은 기판 상에 원하는 패턴을 프린트하는데 사용되는 장치이다. 상기 툴은 마스크로부터, 웨이퍼 상에 프린트된 집적회로의 개별 층으로 패턴을 전사하는데 사용된다. 상기 전사는 전형적으로 레지스트로 지칭되는 감지층 상으로의 촬상을 통해 실시된다. 패턴 요소의 목표 임계치수(critical dimension)(CD)가 축소됨에 따라, 촬상 프로세스 윈도우가 축소되고, 그 결과 초점 깊이(depth of focus)(DOF)의 관점에서 프로세스 윈도우가 더 작아지게 된다. 인쇄된 패턴 균일도를 제어하기 위해, 리소그래픽 툴의 매개변수, 특히 초점의 매개변수를 측정하는 것이 필요하다. 예를 들어, 진보된 노드(advanced node)는 웨이퍼를 가로질러 매우 타이트한 초점 제어, 예를 들어 3σ < 10nm를 요구한다.
그 전체가 여기에 참조 인용되는 2013년의 왕(Wong) 등의 논문(SPIE 제8681권, 868137호의 프로세스에서 "광학 리소그래피를 연장하기 위한 CD 최적화 방법론")는, 초점 측정을 위해, 비대칭, 즉 좌우 에지에서의 유효 측벽각들(side wall angle)(SWA)의 차이가 초점을 통해 단조롭게 변하는 비대칭 타겟(target)을 사용하는 것을 교시하고 있다(문헌 1 참조). 상기 SWA 차이는 측정된 산란측정 신호에서 +1과 -1 회절 차수 사이의 강도 차이로서 나타난다. 그러나 상기 왕 등에 의해 교시된 타겟 피치는 제품 피치의 적어도 4배이며, 이는 타겟을 리소그래픽 툴 수차(aberration)에 민감하게 한다. 다른 문제점은 SWA 각도 비대칭이 작을 때, 신호 차이가 작아져서, 부정확한 결과로 이어진다는 점이다.
그 전체가 여기에 참조 인용되는 2012년의 스파지아니(Spaziani) 등의 논문(SPIE 제8324권, 83241L호의 프로세스에서 "인-라인 계측을 사용하는 리소그래피 프로세스 제어"), 및 2007년의 브런너(Brunner) 및 아우스쉬니트(Ausschnitt)의 논문(SPIE 제6518-2권의 프로세스에서 "프로세스 모니터 격자")은, 초점 측정을 위해, 타겟이 도스(dose) 및 초점 변화에 대해 더 높은 민감도로 설계되는, 초점 도스 패턴 및 프로세스 모니터 격자(Focus Dose Pattern and Process Monitor Grating)를 교시하고 있다. 상기 타겟은 산란 바아 기술(scattering bar technique), 라인 기술의 엔드(end) 및 금지된 피치를 사용함으로써 더욱 민감하게 된다. 그러나 상기 타겟은 프로세스 윈도우의 전체 범위에서 그 작은 심도(DOF; depth of field) 및 패턴의 인쇄성과 관련하여 불리하다. 측정 방법은 모델 에러에 민감하게 되는 산란측정 모델 베이스 접근법을 사용한다.
그 전체가 여기에 참조 인용된 미국 특허공개 제2014/0141536호는 한 세트의 셀 구조물을 포함하는 세그먼트형 마스크를 개시하고 있다. 각각의 셀 구조물은 제1 방향을 따라 난분해성(unresolvable) 세그먼트화 피치를 갖는 한 세트의 특징부(a set of features)를 포함한다. 상기 제1 방향을 따른 난분해성 세그먼트화 피치는 리소그래피 프린팅 툴의 조명보다 더 작다. 상기 셀 구조물은 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 피치를 갖는다. 상기 난분해성 세그먼트화 피치는, 선택된 레벨의 초점 민감도를 달성하기 위해, 리소그래피 툴의 최상의 초점 위치를 선택된 양만큼 이동시키기 위한 프린트된 패턴을 발생시키기에 적합하다.
이하는 본 발명의 초기 이해를 제공하는 간략한 요약이다. 상기 요약은 주요 요소를 필연적으로 식별하지도 않고 본 발명의 범위를 제한하지도 않으며, 단지 이하의 기재에 대한 도입부로서 기능할 뿐이다.
본 발명의 일 양태는, 제1 방향으로 제1 피치를 특징으로 하는 다수의 반복 요소를 갖는 주기적 구조물을 포함하는 타겟 디자인을 제공하며, 상기 요소는 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 제2 피치로 주기적이며, 또한 초점-민감 패턴 및 초점-둔감 패턴을 제2 방향으로 제2 피치로 교호시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 이들 추가적인 및/또는 다른 양태 및/또는 이점은 이하의 상세한 설명에 기재되며; 상기 상세한 설명으로부터 추론하는 것이 가능하며; 및/또는 본 발명의 실시에 의해 학습 가능하다.
본 발명의 실시예의 더 나은 이해를 위하여 또한 상기 실시예가 어떻게 효과적으로 실시되는지를 나타내기 위해, 이제 유사한 도면부호가 전체적으로 대응하는 요소 또는 섹션을 나타내는 첨부한 도면을 단지 예로서 참조한다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예에 따른, 마스크 상의 타겟 디자인, 생산된 타겟, 및 그 산란측정 계측값의 레벨 개략도이다.
도 2a-2f는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 타겟 디자인의 하이 레벨 개략도이다.
도 3a-3c는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 요소(110)를 생산하기 위한 시뮬레이션 결과를 개략적으로 도시하고 있다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예에 따라, 타겟 디자인을 사용하여 생산된 웨이퍼 상의 타겟을 사용하여 초점을 측정하는 하이 레벨 개략도이다.
도 5a 및 5b는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 타겟 디자인의 하이 레벨 개략도이다.
도 6a-6c는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 타겟 디자인의 하이 레벨 개략도이다.
도 7은 본 발명의 일부 실시예에 따른, 방법을 도시한 하이 레벨 흐름도이다.
이하에 설명하는 상세한 설명 이전에, 이하에 사용될 일부 용어들의 정의를 설명하는 것이 도움이 될 것이다.
본 출원에 사용되는 바와 같은 "초점-둔감 패턴"이라는 용어는, 연속적이지만 세분화되지 않으며 그리고 균일한 임계 치수를 특징으로 하는, 타겟 디자인에서의 요소의 영역을 지칭한다. 본 출원에 사용되는 바와 같은 "초점-민감 패턴"이라는, 용어는 세분화되거나(임의의 방향으로, 예를 들어 세그먼트형으로 또는 갭을 포함하는) 및/또는 불균일한 임계 침수를 특징으로 하는, 타겟 디자인에서의 요소의 영역을 지칭한다.
이제 도면을 특별히 상세하게 참조하면, 도시된 세부사항은 단지 예일 뿐이고, 또한 단지 본 발명의 바람직한 실시예의 도식적인 논의를 위한 것이며, 그리고 가장 유용한 것으로 여겨지며 또한 본 발명의 원리 및 개념적 양태의 기재를 용이하게 이해하도록 제시되었음이 강조된다. 이에 대해, 본 발명의 기본적 이해에 필요한 것보다 본 발명의 구조적 세부사항을 더욱 상세히 나타내기 위한 노력은 하지 않았으며, 기재된 바는 본 기술분야의 숙련자에게 본 발명의 여러 형태가 실제로 어떻게 구현될 수 있는지를 명확하게 하는 도면을 참조하였다.
본 발명의 적어도 하나의 실시예를 상세히 설명하기 전에, 본 발명은 이하의 기재에 설명되거나 또는 도면에 도시된 부품의 구성 및 배치의 세부사항에 대한 그 적용에 제한되지 않음을 인식해야 한다. 본 발명은 다른 실시예에 적용 가능하거나 또는 다양한 방법으로 실시되거나 실행된다. 또한, 여기에 사용된 어법 및 용어는 기재를 위한 것이며 제한적인 것으로는 간주되지 않음을 인식해야 한다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예에 따라, 마스크 상의 타겟 디자인(100), 생산된 타겟(101), 및 그 산란측정 계측값(96A, 96B)의 레벨 개략도이다.
타겟 디자인(100)은 제1 방향(x)으로 제1 피치(135)를 특징으로 하는 다수의 반복 요소(110)를 갖는 주기적 구조물을 포함한다. 요소(110)는 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향(y)을 따라 제2 피치(130)로 자체적으로 주기적이다. 상기 요소(110)는 초점-민감 패턴 및 초점-둔감 패턴(120, 125)을 제2 방향으로 제2 피치로 각각 교호시키는 것을 특징으로 한다. 초점-둔감 패턴(125)은 생산시 마스크 상의 요소 폭(140)으로부터 제1 임계 치수(CDa)를 가질 수 있다. 초점-민감 패턴(125)은 프린팅 시 마스크로부터 제2 임계 치수(CDb)를 나타낼 수 있다. 어떤 실시예에 있어서, 제2 임계 치수(CDb)는 타겟(101)의 생산 중 초점에 의존한다. 어떤 실시예에 있어서, 제2 임계 치수(CDb)는 특정 초점 요건이 만족되었을 때만 생산시 웨이퍼 상의 제1 임계 치수(CDa)와 동일할 수 있다.
생산된 요소(111)를 구비한 생산된 타겟(101)은, CDb가 CDa와 상이한 경우(과장하여 도시됨), 제1 방향(x)으로의 피치(Px), 및 가능하게는 제2 방향(y)으로의 피치(Py)를 특징으로 한다. 피치(Py)는 피치(Px)(장치 피치와 유사할 수 있음)보다 몇 배 더 크게 설계될 수 있으며, 또한 계측 툴(80)에 의해 영차수의 회절 차수(96B)와 함께 ±제1 회절 차수의 산란측정 계측을 가능하게 한다. 따라서 상기 산란측정 계측은 타겟(101)이 생산된 초점을 추정하는데 사용될 수 있다.
도 2a-2f는 본 발명의 일부 실시예에 따라, 타겟 디자인(100)의 하이 레벨 개략도이다. 도 2a-2f는 웨이퍼 상에 타겟(101)을 생산하는데 사용되는 각각의 포토리소그래피 마스크 상의 타겟 디자인(100)을 나타내고 있다. 전술한 바와 같이, 웨이퍼 상의 타겟 디자인(100)의 실제 생산된 형태(101)는 초점 및 도스와 같은 생산 매개변수에 따라 마스크 상의 타겟 디자인(100)과는 상이할 수 있음을 인식해야 한다. 도 2a-2f는 타겟 디자인(100)의 비-제한적 가능성을 개략적으로 도시하고 있으며, 이는 이하에 제시된 원리에 따라 수정될 수 있다.
타겟 디자인(100)은 제1 방향(x)으로 제1 피치(135)를 특징으로 하는 다수의 반복 요소(110)를 갖는 주기적 구조물을 포함할 수 있으며, 이는 또한 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향(y)을 따라 제2 피치(130)로 주기적이다. 요소(110)는 초점-민감 패턴(120) 및 초점-둔감 패턴(125)을 제2 방향으로 교호시키는 것을 특징으로 하며, 이는 제2 피치로 교호한다.
어떤 실시예에 있어서, 생산시, 제1 초점-둔감 패턴(125)은 CDa로 마킹된 제1 임계 치수를 가질 수 있으며, 제2 초점-민감 패턴(120)은 CDb로 마킹된 제2 임계 치수를 가질 수 있다. 어떤 실시예에 있어서, 후자의 초점-민감 패턴(120)은 특정한 초점 요건이 만족되었을 때만 웨이퍼 상에서의 생산시 제1 임계 치수(CDa)를 나타낼 수 있다. 부적절한 초점 시, 예를 들어 CDb와 CDa 사이에 상이한 임계 치수가 생성될 수 있다.
어떤 실시예에 있어서, 제1 피치(135)는 제품 피치에 가까운 Px를 생성하도록 생성될 수 있고, 생성된 제1 임계 치수(CDa)는 생성된 피치(Px)의 절반보다 작을 수 있다. 어떤 실시예에 있어서, 제2 피치(130)는 제1 임계 치수(CDa)의 1.5-2배일 수 있는 Py를 생성하도록 생성될 수 있다. 어떤 실시예에 있어서, 상기 제2 임계 치수(CDb)는 제1 임계 치수(CDa)의 0.5-1배일 수 있다. 어떤 실시예에 있어서, Py는 Px의 4-6배일 수 있다. 어떤 실시예에 있어서, 타겟 디자인(100)은, 산란측정 계측 시, 영차수의 회절 차수 신호(96A)를 생성하는 Px를 생산하도록, 그리고 ±제1 회절 차수 신호(96B)뿐만 아니라 영차수 회절 차수 신호를 생성하는 Py를 생산하도록 구성될 수 있다.
어떤 실시예에 있어서, 제2 초점-민감 패턴(120)은 서브-해상도 피치에서 세그먼트화될 수 있다. 초점-민감 패턴(120)은 상이한 방법으로 설계될 수 있으며, 그 일부가 도 2a-2f에 도시되어 있다. 예를 들어, 초점-민감 패턴(120)은 수평 요소(들)(121) 및/또는 수직 요소(들)(122)를 포함할 수 있다. 이런 맥락에서 "수평"이라는 용어는 x 방향을 따르는[즉, 제1 피치(135)를 따르는, 그리고 요소(110)의 짧은 치수를 각각 따르는] 것으로 이해되는 반면에, 이런 맥락에서 "수직"이라는 용어는 y 방향을 따르는[즉, 제2 피치(130)를 따르는, 그리고 요소(110)의 긴 치수를 각각 따르는] 것으로 이해된다. 수평 요소(들)(121) 또는 수직 요소(들)(122)는 단독으로 초점-민감 패턴(120)(예를 들어, 도 2a, 2f)을 규정할 수 있으며, 또는 수평 요소(들)(121)와 수직 요소(들)(122)는 초점-민감 패턴(120)(도 2b-2e)을 형성하도록 조합될 수 있다. 수평 요소(들)(121) 및/또는 수직 요소(들)(122)는 주기적일 수 있으며[수평 요소(들)(121)가 필연적으로 주기적일 필요는 없더라도, 수평 요소(들)(121)에 대해 도 2a-2f; 및 상이한 주기성의 방향을 갖는 수직 요소(들)(122)에 대해 도 2c, 2e], 초점-민감 패턴(120)(예를 들어, 도 2f) 내에서 길이가 변할 수 있다. 서브-해상도 요소(121, 122)의 치수는, 요구된 초점 민감도에 따를 뿐만 아니라, 생산 및 측정 툴 그리고 매개변수에 따라 최적화될 수 있다. 예시적인 특징부 치수는, 특정 디자인에 따라, 수평 요소(121)의 길이(141, 145) 및 폭(142), 수직 요소(122)의 길이(지정되지 않음) 및 폭(143, 144)을 포함한다.
리소그래픽 툴 초점 오프셋은 타겟 디자인(100)을 사용하여 측정될 수 있다. 타겟 디자인(100)은 견고하고, 초점에 민감하도록 구성될 수 있으며, 또한 제품과 관련되어 있다. 측정법(measurement approach)은 영차수 및 제1 회절 차수 신호 또는 그 부분들을 사용하도록 구성될 수 있다(예를 들어, +1 및/또는 -1 차수). 생산된 타겟 디자인(100)의 피치(Px) 및/또는 생산된 타겟 디자인(100)의 임계 치수(CDa)는, 제품 피치에 가까울 수 있다. 비-제한적인 방식에 있어서, 타겟 디자인(100)을 나타내기 위해 라인 패턴이 사용되며, 또한 CDa는 대략 Px이거나 또는 이 보다 작게 예시된다. 어떤 실시예에 있어서, CDa는 제품 CD에 가까울 수 있으며 및/또는 예를 들어 Px의 30% 내지 70% 일 수 있다.
초점 매개변수에 대한 생산된 타겟(101)의 개선된 민감도는, 주 측정 방향(이를 따라 Px가 지정되는)과는 상이한 방향을 따라, 전형적으로 주 측정 방향에 직교하는 방향으로 달성될 수 있다. 따라서, 그 방향을 따라, 요소(110)를 따른 교호 패턴(120, 125)을 생산함으로써 제2 피치(Py)가 형성된다. 도 2a-2f에는 오직 하나의 초점-민감 패턴(120)이 도시되어 있는 반면에, 다중 변경 및 복수의 초점-민감 패턴(120)은 그 길이에 의존하여 요소(110)를 따라 설계될 수 있음을 인식해야 한다. 타겟 디자인(100)에 있어서의 일부 또는 모든 요소(110)는 교호하는 초점-민간 패턴 및 초점-둔감 패턴(120, 125)을 포함하며, 또한 상이한 요소(110)는 상이한 패턴(120 및/또는 125)을 포함할 수 있어서, 상이한 피치(Py) 및/또는 상이한 임계 치수(CDb)를 생성한다.
어떤 실시예에 있어서, 제2 피치(130)는 제1 피치(135)보다, 예를 들어 4배 내지 6배 더 클 수 있으며, 또한 예를 들어 400-1200nm 일 수 있다. 제1 임계 치수(CDa)는 제품 CD에 가까울 수 있으며, 또한 Px의 30% 내지 70% 일 수 있다. 제2 임계 치수(CDb)는 예를 들어 Py의 30% 내지 70% 일 수 있다.
제2 초점-민감 패턴(120)은 서브-해상도 특징부(121, 122), 즉 생산된 타겟(101)에서 필연적으로 재생산되지 않고 생산된 요소(111)의 각각의 부분의 임계 치수에 여전히 영향을 끼치는 특징부에 의해 패터닝될 수 있다. 따라서 타겟 디자인(100)은 적어도 초점 및 도스 등의 정확한 포토리소그래피 매개변수의 경우에 제1 및 제2 패턴(120, 125) 사이에 구별이 결여된 주기적 구조물로서 프린트될 수 있으며, 또한 이런 예상된 주기적 구조물로부터의 이탈에 의해, 초점 및 도스 등의 부적절한 포토리소그래피 매개변수, 예를 들어 특정한 공차 영역을 벗어난 매개변수의 사용을 표시할 수 있다. 민감도 영역 및 공차 영역을 규정하고 조정하기 위해, 초점-민감 패턴(120)의 세부사항이 사용되고 설계될 수 있다.
어떤 실시예에 있어서, 초점-민감 패턴 및 초점-둔감 패턴(120, 125)은 도스 변화와 유사한 민감도를 가질 수 있는 반면에, 상기 패턴(120, 125)은 그 초점 민감도가 상이할 수 있는데, 즉 초점 이탈의 정도에 의존하여, 도스 변화 하에서 CDb는 CDa와 대략 동일하게 유지될 수 있고, 초점 변화 하에서 CDb는 CDa로부터 발산될 수 있다. 어떤 실시예에 있어서, 요소(111)의 균일도 또는 요소(111) 내의 생산된 패턴(120, 125) 사이의 대칭은 초점 이탈 또는 초점 정확성을 추정하기 위한 측정 기준으로서 작용할 수 있다.
도 3a-3c는 본 발명의 일부 실시예에 따라, 요소(110)를 생산하기 위한 시뮬레이션 결과를 개략적으로 도시하고 있다. 시뮬레이션 툴로서 PROLITH를 사용하여, 도 3a는 -60 nm, 0 및 +60 nm의 값을 갖는 초점 변화에서, 그리고 -1 mJ/cm2, 0, +1 mJ/cm2 의 값을 갖는 도스 변화에서, 도시된 타겟 디자인(도 3b와 유사한)에 의해 생산된 레지스트 구조물(111)의 CDa-CDb의 종속성을 도시하고 있다. 도 3b 및 3c는 각각의 CDa, CDb에 대한, 초점 변화(도 3b) 및 도스 변화(도 3c)에 대한 결과를 도시하고 있다. 도시된 실시예에 있어서, CDb는 CDa와 동일하지 않으며, 그 차이(CDa-CDb)는 명확하게 초점 이탈에 의존하며, 따라서 초점 이탈을 나타내는데 사용될 수 있다. CDa 및 CDb는 유사한 방식으로 도스에 의존하며, 따라서 초점 매개변수가 도스 매개변수와는 독립적으로 측정될 수 있음을 인식해야 한다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예에 따라 타겟 디자인(100)을 사용하여 생산된 웨이퍼(90) 상의 타겟(101)을 사용하여 초점을 측정하는 하이 레벨 개략도이다. 조명 소스(85)는 타겟(101)으로부터 회절 신호(95)를 유도하는데 사용된다. 상기 회절 신호(95)는 도 4의 우측에 개략적으로 도시되어, (x 방향을 따른) 파장(96A)의 함수로서 영차수 신호(96A) 및 y 방향을 따른 영차수와 ±제1 회절 차수 신호 모두를 도시하고 있다.
도 5a 및 5b는 본 발명의 일부 실시예에 따른 타겟 디자인(100)의 하이 레벨 개략도이다. 어떤 실시예는 제1 피치(135)(도 5a)와는 상이한 피치(136)로 별개의 그룹으로 분리되고 유사한 요소(110)를 포함하는 복수의 서브-타겟(100A, 100B)을 갖는 타겟 디자인(100)을 포함한다. 어떤 실시예는 2개 또는 그 이상의 타입의 요소(110), 예를 들어 상이한 초점-민감 패턴(120)을 구비한 요소(110A, 11B)를 갖는 타겟 디자인(100)을 포함한다. 비-제한적인 예에 있어서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 요소(110A, 110B)는 도 2a, 2b에 각각 제시되고 앞의 수평 요소(121A) 및 뒤의 수평 요소(121B) 및 수직 요소(122B)로 구성되는 타입을 갖는다. 따라서 타겟 디자인(100)은 2개의 별개의 수평 피치, 즉 인접한 요소(110A, 110B) 사이의 피치(135) 및 인접한 유사한 요소(110A)[또는 유사한 요소(110B)] 사이의 또 다른 피치(136)를 특징으로 한다. 요소(110A, 110B)에서 초점-민감 패턴(120) 사이의 차이는 이로부터 유도된 초점 측정값의 정확도를 개선시키는데 사용될 수 있다. 예시적인 특징부 치수는, 특정 디자인에 의존하여, 수평 요소(121, 121A, 121B)의 길이(141, 146) 및 폭(142, 148), 그리고 수직 요소(122, 122B)의 길이(지정되지 않음) 및 폭(143, 147)을 포함한다.
어떤 실시예는 그 초점-민감 패턴(120)과는 상이한 요소(110)를 구비한 2개 또는 그 이상의 서브-타겟(100A, 100B)을 갖는 타겟 디자인(100)을 포함한다. 복수의 초점 민감 패턴(120)을 사용하면 이로부터 유도되는 초점 측정값의 정확도를 개선시킨다. 도 6a-6c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 타겟 디자인(100)의 하이 레벨 개략도이다. 비-제한적인 예에 있어서, 서브-타겟(100A)은 3개의 디자인이 도 2a[수평 요소(121A)를 구비한]와 유사한 반면에, 서브-타겟(100B)은 도 2b, 2f, 및 2e[도 6a 및 6c에서 수평 요소(121B) 및 수직 요소(122)를 구비한]에 도입된 패턴에 따라 각각 수정된다. 2개 또는 그 이상의 서브-타겟 디자인의 임의의 조합이 타겟 디자인(100)으로서 사용될 수 있다. 도시된 경우에 있어서, 서브-타겟(100A, 100B)은 제1 피치(135)를 특징으로 하는 반면에, 서브-타겟(100A, 100B)은 더 큰 피치(136)로 설계된다. 예시적인 특징부 피치는, 특정 디자인에 따라, 수평 요소(121A, 121B)의 길이(141, 146) 및 폭(142, 148), 그리고 수직 요소(122)의 길이(지정되지 않음) 및 폭(147, 150)을 포함한다.
도 7은 본 발명의 일부 실시예에 따른 방법(200)을 도시한 하이 레벨 흐름도이다. 상기 방법(200)에서의 디자인 단계는 적어도 부분적으로 컴퓨터 프로세서에 의해 실시될 수 있다.
상기 방법(200)은 제1 방향으로 제1 피치를 갖는 주기적 타겟, 및 직교 방향을 따라 교호하는 초점-민감 패턴 및 초점-둔감 패턴을 구비한 제2 피치를 갖는 요소를 설계하는 단계를 포함한다[단계(210)]. 어떤 실시예에 있어서, 상기 방법(200)은 초점-민감 패턴을 서브-해상도 피치로 세그먼트화하는 단계를 포함한다[단계(212)].
상기 방법(200)은 생산시 제1 임계 치수를 갖는 초점-둔감 패턴, 및 생산시 특정한 초점 요건이 만족되었을 때만 상기 제1 임계 치수와 동일한 제2 임계 치수를 갖는 초점-둔감 패턴을 설계하는 단계를 추가로 포함할 수 있다[단계(215)].
예를 들어, 상기 방법(200)은 제2 피치가 제1 피치의 4-6배가 되고 또한 제2 임계 치수가 제1 임계 치수의 0.5-1배가 되도록 설계하는 단계를 포함할 수 있다[단계(220)].
상기 방법(200)은 타겟이 산란측정에 의해 측정되도록 구성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 피치는 영차수 신호를 생성하도록 구성되고, 상기 제2 피치는 영차수 및 적어도 하나의 제1 차수 신호를 생성하도록 구성된다[단계(225)].
상기 방법(200)은 설계된 타겟을 생산하는 단계[단계(230)], 및 상기 생산된 초점-민감 패턴을 측정함으로써 툴의 초점을 검증하는 단계[단계(240)]를 포함할 수 있다.
상기 방법(200)은 가변 임계 치수 및/또는 피치를 구비한 설계된 타겟으로부터 FEM(focus exposure matrix)(초점 노출 매트릭스) 웨이퍼를 준비하는 단계[단계(250)], 및 측정된 타겟 신호와 상기 FEM 웨이퍼로부터 측정된 신호와의 비교로부터 초점 매개변수를 유도하는 단계[단계(255)]를 추가로 포함할 수 있다.
상기 방법(200)은 가변 임계 치수 및/또는 피치를 갖는 설계된 타겟의 산란측정 계측값으로부터 모델을 유도하는 단계[단계(260)], 및 상기 모델에 따라 측정된 타겟 신호로부터 초점 매개변수를 유도하는 단계[단계(265)]를 추가로 포함할 수 있다. 상기 모델은 계측을 위한 프로세스 가변-기반형 모델 최적화를 개시하는 미국 특허출원 제2013/0110477호에 기재된 방법에 의해 유도될 수 있으며, 상기 특허출원은 그 전체가 여기에 참조 인용되었다.
유리하게는, 타겟 디자인(100) 및 방법(200)은, 좋은 타겟 인쇄성뿐만 아니라, 종래기술보다 스캐너 초점에 더 높은 민감도를 제공한다. CD 변화, 산란측정 신호 매개변수, 및 초점 사이의 관계는 초점 변화를 유도하는데 사용된다. 어떤 실시예에 있어서, 생산된 타겟(101)은 제품 피치에 가까운 주 피치(Px)로 주기적이며, 또한 산란측정 툴에 의해 사용된 조명 파장보다 더 큰 피치(Py)를 갖는 적어도 하나의 반복적인 초점-민감 패턴을 갖는 직교형 구조물을 포함한다. 타겟 디자인(100)은 상이한 초점 민감도를 갖는 2개 또는 그 이상의 서브-타겟을 포함할 수 있다. 신호 모델 또는 기준 타겟은 각각의 회절 신호(예를 들어, 영차수, +제1 차수 및/또는 -제1 차수)로부터 초점을 유도하는데 사용될 수 있다. 복수의 타겟 또는 서브-타겟은 초점과 도스 측정값 및/또는 이탈값의 상관관계를 해제하는데 사용될 수 있다.
어떤 실시예에 있어서, 하부층 상관관계 해제(under layer de-correlation)를 위해 막 패드 타겟(film pad target)이 사용될 수 있다. 회절 차수 신호(예를 들어, 영차수)는 상기 막 패드 타겟의 측정값으로부터 추출될 수 있다. 상기 막 패드 타겟을 사용하여 측정된 신호는 전술한 민감한 초점 타겟을 구비한 격자 상의 측정값으로 피드-포워드(feed-forward)될 수 있다. 어떤 실시예에 있어서, 상기 막 패드 타겟을 사용한 하부층 상관관계 해제는, 초점 측정의 정확도를 증가시킬 수 있다.
전술한 바에 있어서, 실시예는 본 발명의 예시 또는 실시이다. "일 실시예(one embodiment)", "하나의 실시예(an embodiment)", "어떤 실시예(certain embodiment)", 또는 "일부 실시예(some embodiment)"의 다양한 형태가 반드시 모두 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다.
본 발명의 다양한 특징부가 단일의 실시예의 내용에 기재될 수 있더라도, 상기 특징부는 별도로 또는 임의의 적절한 조합으로 제공될 수도 있다. 역으로, 본 발명이 여기에 명확함을 위해 별도의 실시예의 내용에 기재될 수 있더라도, 본 발명은 단일의 실시예로 실시될 수도 있다.
본 발명의 어떤 실시예는 전술한 상이한 실시예로부터 특징을 포함할 수 있으며, 또한 어떤 실시예는 전술한 다른 실시예로부터의 요소를 통합할 수 있다. 특정한 실시예의 내용에서 본 발명의 요소의 기재는 특정한 실시예에서만 사용되는 것으로 제한하는 것으로는 받아들여지지 않는다.
또한, 본 발명은 다양한 방법으로 실시되거나 실행될 수 있으며, 또한 본 발명은 위의 기재에서 설명된 것 이외의 어떤 실시예에서 실행될 수 있음을 인식해야 한다.
본 발명은 이들 도면에 또는 대응의 기재에 제한되지 않는다. 예를 들어, 흐름은 각각 도시된 박스 또는 상태를 통해, 또는 도시되고 기재된 바와 정확하게 동일한 순서로 이동될 필요는 없다.
여기에 사용된 기술적 및 과학적 용어의 의미는, 달리 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되어야 한다.
본 발명이 제한된 개수의 실시예에 대해 기재되었지만, 이들 실시예는 발명의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안되며, 오히려 일부의 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 다른 가능한 변화, 수정, 및 적용 또한 본 발명의 범주 내에 있다. 따라서 본 발명의 범주는 기재된 바에 의해 제한되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위 및 그 법적 등가물에 의해 제한되어야 한다.

Claims (16)

  1. 제1 방향으로 제1 피치를 특징으로 하는 다수의 반복 요소를 갖는 주기적 구조물을 포함하는 타겟 디자인으로서,
    상기 요소는 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 제2 피치로 주기적이고, 상기 제2 방향으로 초점-민감 패턴(focus-sensitive pattern)과 초점-둔감 패턴(focus-insensitive pattern)이 제2 피치로 교호하는 것을 특징으로 하는 타겟 디자인.
  2. 제1항에 있어서, 제1 초점-둔감 패턴은 생산시 제1 임계 치수를 생성하도록 구성되고,
    제2 초점-민감 패턴은 생산시 특정한 초점 요건이 만족되었을 때에만 상기 제1 임계 치수와 동일한 제2 임계 치수를 생성하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 타겟 디자인.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 피치는 제품 피치에 가까운 것을 특징으로 하는 타겟 디자인.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제2 피치는 제1 피치의 4-6배인 것을 특징으로 하는 타겟 디자인.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제2 임계 치수는 제1 임계 치수의 0.5-1배인 것을 특징으로 하는 타겟 디자인.
  6. 제2항에 있어서, 상기 제2 초점-민감 패턴은 서브-해상도 피치로 세그먼트화되는 것을 특징으로 하는 타겟 디자인.
  7. 제2항에 있어서, 생산된 타겟 디자인의 산란측정 계측 시, 상기 제1 피치는 영차수의 회절 차수 신호를 생성하도록 구성되고, 상기 제2 피치는 영차수뿐만 아니라 ±제1 회절 차수 신호를 생성하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 타겟 디자인.
  8. 제1 방향으로 제1 피치를 갖는 주기적 타겟과, 교호하는 초점-민감 패턴과 초점-둔감 패턴을 갖고 직교 방향을 따라 제2 피치를 갖는 요소를 설계하는 단계;
    상기 설계된 타겟을 생산하는 단계; 및
    상기 생산된 초점-민감 패턴을 측정함으로써 툴의 초점을 검증하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 생산시 제1 임계 치수를 갖는 초점-둔감 패턴과, 특정한 초점 요건이 만족되었을 때에만 생산시 상기 제1 임계 치수와 동일한 제2 임계 치수를 갖는 초점-민감 패턴을 설계하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 타겟은 산란측정에 의해 측정되도록 구성되며, 상기 제1 피치는 영차수 신호를 생성하도록 구성되고, 상기 제2 피치는 영차수 및 적어도 하나의 제1 차수 신호를 생성하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제8항에 있어서, 가변 임계 치수 및/또는 피치를 갖는 설계된 타겟로부터 FEM(초점 노출 매트릭스) 웨이퍼를 준비하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 측정된 타겟 신호와 상기 FEM 웨이퍼로부터 측정된 복수의 신호를 비교하여 초점 매개변수(focus parameter)를 유도하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제8항에 있어서, 가변 임계 치수 및/또는 피치를 갖는 다수의 타겟의 산란측정 계측값으로부터 모델을 유도하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 모델에 따라 측정된 타겟 신호로부터 초점 매개변수를 유도하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제8항에 있어서, 상기 초점-민감 패턴을 서브-해상도 피치로 세그먼트화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제8항에 있어서, 제2 피치가 제1 피치의 4-6배가 되고 또한 제2 임계 치수가 제1 임계 치수의 0.5-1배가 되도록 설계하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020167030508A 2014-03-31 2015-03-30 산란측정 계측을 이용한 초점 측정 KR102285895B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461973151P 2014-03-31 2014-03-31
US61/973,151 2014-03-31
PCT/US2015/023405 WO2015153497A1 (en) 2014-03-31 2015-03-30 Focus measurements using scatterometry metrology

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160142852A true KR20160142852A (ko) 2016-12-13
KR102285895B1 KR102285895B1 (ko) 2021-08-04

Family

ID=54241181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167030508A KR102285895B1 (ko) 2014-03-31 2015-03-30 산란측정 계측을 이용한 초점 측정

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9934353B2 (ko)
EP (1) EP3126893A4 (ko)
JP (1) JP6532479B2 (ko)
KR (1) KR102285895B1 (ko)
CN (1) CN106164733B (ko)
TW (1) TWI656408B (ko)
WO (1) WO2015153497A1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2011816A (en) 2012-11-30 2014-06-04 Asml Netherlands Bv Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method.
KR102333504B1 (ko) 2013-06-27 2021-12-01 케이엘에이 코포레이션 계측 타겟의 편광 측정 및 대응 타겟 설계
US9678442B2 (en) * 2014-05-28 2017-06-13 Applied Materials Israel Ltd. Aerial mask inspection based weak point analysis
WO2016000914A1 (en) 2014-06-30 2016-01-07 Asml Netherlands B.V. Method of determining dose, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method
WO2017024158A1 (en) * 2015-08-06 2017-02-09 Kla-Tencor Corporation Focus metrology and targets which utilize transformations based on aerial images of the targets
US10209627B2 (en) * 2017-01-06 2019-02-19 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for focus-sensitive metrology targets
DE112018000764T5 (de) 2017-02-10 2019-12-19 Kla-Tencor Corporation Identifizierung von prozessvariationen während der herstellung von produkten
EP3639166A4 (en) * 2017-06-06 2021-02-24 KLA-Tencor Corporation RETICLE OPTIMIZATION AND OPTIMAL TARGET DRAWING ALGORITHMS
US20190250504A1 (en) * 2017-10-23 2019-08-15 Kla-Tencor Corporation Reduction or elimination of pattern placement error in metrology measurements
US11085754B2 (en) * 2017-12-12 2021-08-10 Kla Corporation Enhancing metrology target information content
EP3807924A4 (en) * 2018-07-30 2022-01-26 KLA - Tencor Corporation REDUCING DEVICE OVERLAY ERRORS
WO2020046408A1 (en) * 2018-08-28 2020-03-05 Kla-Tencor Corporation Off-axis illumination overlay measurement using two-diffracted orders imaging
EP3637187A1 (en) * 2018-10-12 2020-04-15 ASML Netherlands B.V. Method for measuring focus performance of a lithographic apparatus
EP4155821A1 (en) * 2021-09-27 2023-03-29 ASML Netherlands B.V. Method for focus metrology and associated apparatuses

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060132744A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus focus test method and system, and device manufacturing method
US20060215161A1 (en) * 2004-09-22 2006-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment system, and device manufacturing method
WO2010076232A2 (en) * 2008-12-30 2010-07-08 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6803995B2 (en) * 2001-01-17 2004-10-12 International Business Machines Corporation Focus control system
US6842237B2 (en) * 2001-12-28 2005-01-11 International Business Machines Corporation Phase shifted test pattern for monitoring focus and aberrations in optical projection systems
US20030160163A1 (en) * 2002-02-25 2003-08-28 Alan Wong Optical metrology target design for simultaneous measurement of multiple periodic structures
JP4678372B2 (ja) * 2004-06-29 2011-04-27 株式会社ニコン 管理方法及び管理システム、並びにプログラム
JP2006039148A (ja) * 2004-07-26 2006-02-09 Toshiba Corp ホトマスク、それを用いたフォーカス測定方法および半導体装置の製造方法
US7573584B2 (en) * 2006-09-25 2009-08-11 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
KR101527619B1 (ko) * 2007-09-26 2015-06-09 가부시키가이샤 니콘 표면 검사 방법 및 표면 검사 장치
NL1036647A1 (nl) * 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv A method of measuring a lithographic projection apparatus.
NL1036856A1 (nl) * 2008-04-24 2009-10-27 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
EP2131245A3 (en) * 2008-06-02 2012-08-01 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and its focus determination method
WO2010040696A1 (en) * 2008-10-06 2010-04-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic focus and dose measurement using a 2-d target
US20130110477A1 (en) 2011-10-31 2013-05-02 Stilian Pandev Process variation-based model optimization for metrology
US9454072B2 (en) 2012-11-09 2016-09-27 Kla-Tencor Corporation Method and system for providing a target design displaying high sensitivity to scanner focus change

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060215161A1 (en) * 2004-09-22 2006-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment system, and device manufacturing method
US20060132744A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus focus test method and system, and device manufacturing method
JP2006179915A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置の焦点試験方法およびシステム、およびデバイス製造方法
WO2010076232A2 (en) * 2008-12-30 2010-07-08 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR102285895B1 (ko) 2021-08-04
US20160103946A1 (en) 2016-04-14
JP2017511504A (ja) 2017-04-20
TW201606444A (zh) 2016-02-16
EP3126893A1 (en) 2017-02-08
JP6532479B2 (ja) 2019-06-19
EP3126893A4 (en) 2017-10-04
CN106164733B (zh) 2020-06-30
CN106164733A (zh) 2016-11-23
TWI656408B (zh) 2019-04-11
WO2015153497A1 (en) 2015-10-08
US9934353B2 (en) 2018-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102285895B1 (ko) 산란측정 계측을 이용한 초점 측정
JP5013657B2 (ja) 半導体プロセスパラメータを制御する方法
KR102202517B1 (ko) 오버레이 및 수율 임계 패턴을 이용한 계측
US6376139B1 (en) Control method for exposure apparatus and control method for semiconductor manufacturing apparatus
TWI704421B (zh) 半導體製程的量測方法
TWI623818B (zh) 用於製程參數量測之目標元件類型
US7455939B2 (en) Method of improving grating test pattern for lithography monitoring and controlling
DE102006017938A1 (de) Fokusüberwachungsverfahren, Photomaske und photolithographisches System
KR102234406B1 (ko) 회절 기반의 포커스 메트롤로지
JP2002311564A (ja) 散乱測定を用いてマスクルールを求めるための方法および装置
DE102006018074A1 (de) Photomaske
JP7477564B2 (ja) ホットスポット及びプロセスウィンドウ監視装置
TWI617878B (zh) 用於計量目標製造之方法、計量目標及其製造設備、微影系統、遮罩、經曝光阻抗層及目標設計檔案
US6301008B1 (en) Arrangement and method for calibrating optical line shortening measurements
JP2004354906A (ja) レジスト感度の評価方法及びレジストの製造方法
US20060292460A1 (en) Exposure method, exposure quantity calculating system using the exposure method and semiconductor device manufacturing method using the exposure method
US20030003385A1 (en) Optical proximity correction
KR20200005682A (ko) 레티클 최적화 알고리즘들 및 최적의 타겟 설계
EP4372468A1 (en) A method for optimizing a parameter applied in a semiconductor fabrication process including a lithography step
KR100602489B1 (ko) 반도체 미세 패턴 형성 방법
Neumann et al. Overlay metrology for low-k1: challenges and solutions
Kong et al. Sub-resolution assist feature (SRAF) study for active area immersion lithography
US8723341B2 (en) Alignment mark and method of manufacturing the same
CN114690537A (zh) 一种相移掩膜版以及光刻机狭缝透光均匀性的检测方法
JP2008192834A (ja) 露光装置のフレア測定方法と露光装置の管理方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant