KR20160132025A - 조성물, 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 잉크 조성물, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기 - Google Patents

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다로 야마키
기요시 이케다
히로노리 가와카미
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이데미쓰 고산 가부시키가이샤
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Abstract

도포법에 의해 층 형성하는 유기 EL 소자에 적합한 조성물 또는 화합물, 당해 조성물 또는 화합물로 이루어지는 유기 전기발광 소자용 재료, 당해 조성물 또는 화합물을 포함하는 잉크 조성물, 및 당해 조성물 또는 화합물을 이용한 유기 EL 소자, 및 당해 유기 EL 소자를 탑재한 전자 기기를 제공한다. 상기 화합물은 특정 구조를 갖는 치환기에 의해 치환된 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 갖는 화합물이며, 상기 조성물은 당해 화합물을 함유하는 조성물이다.

Description

조성물, 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 잉크 조성물, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기{COMPOSITION, COMPOUND, MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, INK COMPOSITION, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 조성물, 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 잉크 조성물, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기에 관한 것이다.
양극과 음극 사이에 발광층을 포함하는 유기 박막층을 구비하고, 발광층에 주입된 정공과 전자의 재결합에 의해 생기는 여기자(엑시톤) 에너지로부터 발광을 얻는 유기 전기발광 소자(이하, 「유기 EL 소자」라고 기재하는 경우도 있음)가 알려져 있다.
유기 EL 소자는, 자발광형 소자로서의 이점을 살려, 고발광효율, 고화질, 저소비전력 나아가서는 박형의 디자인성이 우수한 발광 소자로서 기대되고 있다. 발광층을, 호스트에 도펀트로서 발광 재료를 도핑한 호스트/도펀트 발광층으로 한다는 것이 알려져 있다.
호스트/도펀트 발광층에서는, 호스트에 주입된 전하로부터 효율적으로 여기자를 생성할 수 있다. 그리고, 생성된 여기자의 에너지를 도펀트에 이동시켜, 도펀트로부터 고효율의 발광을 얻을 수 있다.
근래에는 유기 EL 소자의 성능 향상을 달성할 수 있도록, 호스트/도펀트 시스템에 관해서도 더한층의 연구가 행해지고 있고, 적합한 호스트 재료 및 그 밖의 유기 EL 소자용 재료의 탐색이 계속되고 있다.
또한, 유기 EL 소자의 각 층을 형성하는 방법은, 진공 증착법이나 분자선 증착법 등의 증착법과, 디핑법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 바 코팅법 및 롤 코팅법 등의 도포법으로 대별된다. 도포법으로 층 형성하는 재료는, 예를 들면 온도 내성이나 용매에 대한 가용성 등, 증착법에서 이용되는 재료와는 상이한 특성이 요구된다. 따라서, 증착법에서 유용한 재료가 도포법에 있어서도 유용하다고는 할 수 없다. 또, 도포법으로의 층 형성이 가능한 뒤에, 유기 EL 소자로서 요구되는 다양한 성능 요구에 응할 필요가 있다.
특히, 대형의 유기 EL 디스플레이, 조명 패널 등의 제조에는 도포법에 의한 층 형성이 적용될 수 있기 때문에, 도포법에 이용할 수 있는 유기 EL 소자용 재료의 개발이 요망되고 있다.
국제공개 제2012/086170호
본 발명의 목적은, 도포법에 의해 층 형성하는 유기 EL 소자에 적합한 조성물 또는 화합물을 제공하는 것이다. 또한, 다른 목적은, 당해 조성물 또는 화합물로 이루어지는 유기 전기발광 소자용 재료, 당해 조성물 또는 화합물을 포함하는 잉크 조성물, 및 당해 조성물 또는 화합물을 이용한 유기 전기발광 소자, 및 당해 유기 전기발광 소자를 탑재한 전자 기기를 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 예의 연구를 거듭한 결과, 특정 구조를 갖는 치환기에 의해 치환된 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 갖는 화합물, 및 해당 화합물을 함유하는 조성물이 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 발견했다.
즉, 본 발명의 일 태양에 의하면, 하기 [1]∼[6]이 제공된다.
[1] 하기 화학식(1)로 표시되는 화합물과,
하기 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종
을 함유하는 조성물.
Figure pct00001
[화학식(1) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 D1, D2 및 D3은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
*1∼*3은 각각 D1∼D3과 결합하고 있다. 해당 D1∼D3은, 각각 독립적으로, 하기 화학식(DA)∼(DD)로 표시되는 4개의 기군인 A군∼D군으로부터 선택되는 기이다.
Figure pct00002
(A군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DA) 중, *4 및 *5 중, 한쪽은 식(1) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합하고, 다른 쪽은 Ar1과 결합한다. Ar1 및 Ar2는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기이다. X1∼X4 중 1개 및 X13∼X16 중 1개는 각각 *10 및 *11에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며, 또한 X9∼X12 중 1개 및 X21∼X24 중 1개는 각각 *12 및 *13에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다. X5∼X8 및 X17∼X20은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다. 해당 R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
(B군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DB) 중, X1∼X4 중 2개는 각각 *21 및 *22에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며, X5∼X12는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다. 해당 R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Y1은 산소 원자, 황 원자, -C(RA)(RB)-, -Si(RC)(RD)-, -P(RE)-, -P(=O)(RF)-, -S(=O)2-, -P(=S)(RG)-, 또는 -N(RH)-이다. 해당 RA∼RH는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. *는 식(1) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.)
(C군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DC) 중, X1∼X8은 각각 C(R1)∼C(R8) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R8은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 1개는 Z1 또는 Ar4 및 Ar5가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는 R1∼R8로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Ar1, Ar4 및 Ar5는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기를 나타낸다. Z1은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다. d는 0 또는 1이다. 화학식(DC) 중, *6'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중 어느 한쪽이 탈리되어, 그 대신에 화학식(1) 중의 *1∼3 중 어느 하나가 질소 원자와 직접 결합하고 있다.)
(D군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DD) 중, X1∼X16은 각각 C(R1)∼C(R16) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, 및 R9∼R16으로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Y1은 산소 원자, 황 원자, C(RA)(RB), Si(RC)(RD), P(RE), P(=O)(RF), S(=O)2, P(=S)(RG), 또는 -N(RH)-이다. 해당 RA∼RH는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. *는 식(1) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.)]
Figure pct00003
[식(CH1) 중, A는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며,
L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며,
B는 하기 식(CH2)로 표시되는 구조의 잔기이며,
m은 2 이상의 정수이며, 복수의 L1은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 B는 서로 동일해도 상이해도 된다.]
Figure pct00004
[식(CH2) 중, X1 및 Y1의 한쪽은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, 다른 쪽은 -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이며,
X2 및 Y2의 한쪽은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, 다른 쪽은 -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이며,
R은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며,
Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소환기, 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로환기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며,
L2는 연결기이고,
n은 0∼5의 정수이며, n이 2 이상인 경우, 복수의 Z2는 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 X2는 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 Y2는 서로 동일해도 상이해도 된다.]
Figure pct00005
[식(CH3) 중, X5, Y5는 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, 모두가 단일 결합이 되는 경우는 없다. R은 상기와 동일하다.
Z7, Z8은 상기 Z1, Z2와 동일하지만, 3환 이상이 축환(縮環)된 지방족 탄화수소환기, 3환 이상이 축환된 지방족 헤테로환기, 3환 이상이 축환된 방향족 탄화수소환기, 또는 3환 이상이 축환된 방향족 헤테로환기인 경우는 없다.
t는 1 이상의 정수이다.
L3은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기 또는 이들의 조합이다. 단, t가 1인 경우, L3은 단일 결합은 아니다.]
Figure pct00006
[식(CH4) 중, A1∼A3은 각각 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이다.]
Figure pct00007
[식(CH5) 중, L4는 1∼4개의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환이 연결(또는 함유)된 2가의 기, 또는 1∼4개의 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환이 연결된 2가의 기이다. A4∼A6은 각각 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이다. A4 및 A5는 서로 결합하여 환상 구조를 형성해도 된다.]
Figure pct00008
[식(CH6) 중, L5는 1∼6개의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환이 연결(또는 함유)된 2가의 기, 또는 1∼6개의 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환이 연결된 2가의 기이다. A7∼A10은 각각 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환이 1∼10개 결합한 기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환이 1∼10개 결합한 기이다.]
Figure pct00009
[식(CH7) 중, Ar1 및 Ar3은 치환 또는 비치환된 1가의 방향족 탄화수소환기, 치환 또는 비치환된 1가의 방향족 헤테로환기, Ar2는 치환 또는 비치환된 2가의 방향족 탄화수소환이 1∼10개 결합한 기, 치환 또는 비치환된 2가의 방향족 헤테로환이 1∼10개 결합한 기이다.]
Figure pct00010
[식(CH14) 중, X9, X10, Y9, Y10은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S-, -PR-, 또는 -SiR2-로 표시되는 기이고, 모두가 단일 결합이 되는 경우는 없다.
R은 식(CH2)의 X1, X2, Y1 및 Y2에 있어서의 R과 동의이고,
Z9, Z10, Z11은 식(CH2)의 Z1, Z2와 동의이고,
aa는 1∼5의 정수이며, aa가 2 이상인 경우, 복수의 Z10은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 X10은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 Y10은 서로 동일해도 상이해도 된다.]
Figure pct00011
[식(CH15) 중, Aa는 식(CH1)의 A와 동의이고, L11은 식(CH1)의 L1과 동의이며, B2는 상기 식(CH2)로 표시되는 구조의 잔기이다.
h는 1 이상의 정수이며, h의 상한은 Aa의 구조에 의존해서 결정되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 1∼10 정도의 범위로부터 선택되는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 1∼3이고, 더 바람직하게는 1 또는 2이다.
j는 1 이상의 정수이며, j의 상한은 L11의 구조에 의존해서 결정되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 2 또는 3이다.
단, h+j는 3 이상의 정수이다.
복수의 L11은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 B2는 서로 동일해도 상이해도 된다.]
[2] 상기 화학식(1)로 표시되는 화합물.
[3] 상기 [1]에 기재된 조성물 또는 상기 [2]에 기재된 화합물로 이루어지는, 유기 전기발광 소자용 재료.
[4] 용매, 및 상기 [1]에 기재된 조성물 또는 상기 [2]에 기재된 화합물을 포함하는, 잉크 조성물.
[5] 음극, 양극, 및 해당 음극과 해당 양극 사이에 일층 이상의 유기 박막층을 갖는 유기 전기발광 소자로서,
상기 일층 이상의 유기 박막층이 발광층을 포함하고, 상기 일층 이상의 유기 박막층의 적어도 1층이, 상기 [1]에 기재된 조성물 또는 상기 [2]에 기재된 화합물을 포함하는 층인, 유기 전기발광 소자.
[6] 상기 [5]에 기재된 유기 전기발광 소자를 탑재한, 전자 기기.
본 발명에 의하면, 도포법에 의해 층 형성하는 유기 EL 소자에 적합한 조성물 또는 화합물을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 태양에 따른 유기 EL 소자의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
본 명세서에 있어서, 「치환 또는 비치환된 탄소수 XX∼YY의 ZZ기」라는 표현에 있어서의 「탄소수 XX∼YY」는, ZZ기가 비치환인 경우의 탄소수를 나타내는 것이고, 치환되어 있는 경우의 치환기의 탄소수는 포함시키지 않는다. 여기에서, 「YY」는 「XX」보다도 크고, 「XX」와 「YY」는 각각 1 이상의 정수를 의미한다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「치환 또는 비치환된 원자수 XX∼YY의 ZZ기」라는 표현에 있어서의 「원자수 XX∼YY」는, ZZ기가 비치환인 경우의 원자수를 나타내는 것이고, 치환되어 있는 경우의 치환기의 원자수는 포함시키지 않는다. 여기에서, 「YY」는 「XX」보다도 크고, 「XX」와 「YY」는 각각 1 이상의 정수를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 환형성 탄소수란, 원자가 환상으로 결합한 구조의 화합물(예를 들면 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물, 헤테로환 화합물)의 당해 환 자체를 구성하는 원자 중 탄소 원자의 수를 나타낸다. 당해 환이 치환기에 의해 치환되는 경우, 치환기에 포함되는 탄소는 환형성 탄소수에는 포함하지 않는다. 이하에서 기재되는 「환형성 탄소수」에 대해서는, 특필하지 않는 한 마찬가지로 한다. 예를 들면, 벤젠환은 환형성 탄소수가 6이고, 나프탈렌환은 환형성 탄소수가 10이고, 피리딘일기는 환형성 탄소수 5이며, 퓨란일기는 환형성 탄소수 4이다. 또한, 벤젠환이나 나프탈렌환에 치환기로서 예를 들면 알킬기가 치환되어 있는 경우, 당해 알킬기의 탄소수는 환형성 탄소수의 수에 포함시키지 않는다. 또한, 플루오렌환에 치환기로서 예를 들면 플루오렌환이 결합하고 있는 경우(스파이로플루오렌환을 포함함), 치환기로서의 플루오렌환의 탄소수는 환형성 탄소수의 수에 포함시키지 않는다.
또한, 본 명세서에 있어서, 환형성 원자수란, 원자가 환상으로 결합한 구조(예를 들면 단환, 축합환, 환집합)의 화합물(예를 들면 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물, 헤테로환 화합물)의 당해 환 자체를 구성하는 원자의 수를 나타낸다. 환을 구성하지 않는 원자(예를 들면 환을 구성하는 원자의 결합손을 종단하는 수소 원자)나, 당해 환이 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 환형성 원자수에는 포함하지 않는다. 이하에서 기재되는 「환형성 원자수」에 대해서는, 특필하지 않는 한 마찬가지로 한다. 예를 들면, 피리딘환의 환형성 원자수는 6이고, 퀴나졸린환의 환형성 원자수는 10이며, 퓨란환의 환형성 원자수는 5이다. 피리딘환이나 퀴나졸린환의 탄소 원자에 각각 결합하고 있는 수소 원자나 치환기를 구성하는 원자에 대해서는, 환형성 원자수의 수에 포함시키지 않는다. 또한, 플루오렌환에 치환기로서 예를 들면 플루오렌환이 결합하고 있는 경우(스파이로플루오렌환을 포함함), 치환기로서의 플루오렌환의 원자수는 환형성 원자수의 수에 포함시키지 않는다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「수소 원자」란, 중성자수가 상이한 동위체, 즉 경수소(protium), 중수소(deuterium) 및 삼중수소(tritium)를 포함한다.
본 명세서 중에 있어서, 「헤테로아릴기」 및 「헤테로아릴렌기」는 환형성 원자로서, 적어도 1개의 헤테로 원자를 포함하는 기이고, 해당 헤테로 원자로서는, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자, 규소 원자 및 셀레늄 원자로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
본 명세서 중에 있어서, 「치환 또는 비치환된 카바졸릴기」는, 하기의 카바졸릴기,
Figure pct00012
및 상기의 기에 대하여, 추가로 임의의 치환기를 갖는 치환 카바졸릴기를 나타낸다.
한편, 당해 치환 카바졸릴기는, 임의의 치환기끼리가 서로 결합하여 축환해도 되고, 질소 원자, 산소 원자, 규소 원자 및 셀레늄 원자 등의 헤테로 원자를 포함해도 되며, 또한 결합 위치는 1위∼9위 중 어느 것이어도 된다. 이와 같은 치환 카바졸릴기의 구체예로서, 예를 들면 하기에 나타내는 기를 들 수 있다.
Figure pct00013
본 명세서에 있어서, 「치환 또는 비치환된 다이벤조퓨란일기」 및 「치환 또는 비치환된 다이벤조싸이오펜일기」는, 하기의 다이벤조퓨란일기 및 다이벤조싸이오펜일기,
Figure pct00014
및 상기의 기에 대하여, 추가로 임의의 치환기를 갖는 치환 다이벤조퓨란일기 및 치환 다이벤조싸이오펜일기를 나타낸다.
한편, 당해 치환 다이벤조퓨란일기 및 치환 다이벤조싸이오펜일기는, 임의의 치환기끼리가 서로 결합하여 축환해도 되고, 질소 원자, 산소 원자, 규소 원자 및 셀레늄 원자 등의 헤테로 원자를 포함해도 되며, 또한 결합 위치는 1위∼8위 중 어느 것이어도 된다.
이와 같은 치환 다이벤조퓨란일기 및 치환 다이벤조싸이오펜일기의 구체예로서, 예를 들면 하기에 나타내는 기를 들 수 있다.
Figure pct00015
[상기 식 중, X는 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, Y는 산소 원자, 황 원자, NH, NRa(Ra는 알킬기 또는 아릴기이다), CH2, 또는 CRb 2(Rb는 알킬기 또는 아릴기이다)를 나타낸다.]
또한, 「치환기」, 또는 「치환 또는 비치환」이라는 기재에 있어서의 치환기로서는, 탄소수 1∼50(바람직하게는 1∼18, 보다 바람직하게는 1∼8)의 알킬기; 환형성 탄소수 3∼50(바람직하게는 3∼10, 보다 바람직하게는 3∼8, 더 바람직하게는 5 또는 6)의 사이클로알킬기; 환형성 탄소수 6∼50(바람직하게는 6∼25, 보다 바람직하게는 6∼18)의 아릴기; 환형성 탄소수 6∼50(바람직하게는 6∼25, 보다 바람직하게는 6∼18)의 아릴기를 갖는 탄소수 7∼51(바람직하게는 7∼30, 보다 바람직하게는 7∼20)의 아르알킬기; 아미노기; 탄소수 1∼50(바람직하게는 1∼18, 보다 바람직하게는 1∼8)의 알킬기 및 환형성 탄소수 6∼50(바람직하게는 6∼25, 보다 바람직하게는 6∼18)의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 모노치환 또는 다이치환 아미노기; 탄소수 1∼50(바람직하게는 1∼18, 보다 바람직하게는 1∼8)의 알킬기를 갖는 알콕시기; 환형성 탄소수 6∼50(바람직하게는 6∼25, 보다 바람직하게는 6∼18)의 아릴기를 갖는 아릴옥시기; 탄소수 1∼50(바람직하게는 1∼18, 보다 바람직하게는 1∼8)의 알킬기 및 환형성 탄소수 6∼50(바람직하게는 6∼25, 보다 바람직하게는 6∼18)의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 모노치환, 다이치환 또는 트라이치환 실릴기; 환형성 원자수 5∼50(바람직하게는 5∼24, 보다 바람직하게는 5∼13)의 헤테로아릴기; 탄소수 1∼50(바람직하게는 1∼18, 보다 바람직하게는 1∼8)의 할로알킬기; 할로젠 원자(불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자); 사이아노기; 나이트로기; 탄소수 1∼50(바람직하게는 1∼18, 보다 바람직하게는 1∼8)의 알킬기 및 환형성 탄소수 6∼50(바람직하게는 6∼25, 보다 바람직하게는 6∼18)의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 설폰일기; 탄소수 1∼50(바람직하게는 1∼18, 보다 바람직하게는 1∼8)의 알킬기 및 환형성 탄소수 6∼50(바람직하게는 6∼25, 보다 바람직하게는 6∼18)의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 다이치환 포스포릴기; 알킬설폰일옥시기; 아릴설폰일옥시기; 알킬카보닐옥시기; 아릴카보닐옥시기; 붕소 함유기; 아연 함유기; 주석 함유기; 규소 함유기; 마그네슘 함유기; 리튬 함유기; 하이드록시기; 알킬 치환 또는 아릴 치환 카보닐기; 카복실기; 바이닐기; (메트)아크릴로일기; 에폭시기; 및 옥세탄일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기인 것이 바람직하다.
이들 치환기는 전술한 임의의 치환기에 의해 더 치환되어 있어도 된다. 또한, 이들 치환기는 복수의 치환기가 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
또한, 「치환 또는 비치환」이라는 기재에 있어서의 「비치환」이란, 이들 치환기로 치환되지 않고, 수소 원자가 결합하고 있는 것을 의미한다.
상기 치환기 중에서도, 보다 바람직하게는 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼50(바람직하게는 1∼18, 보다 바람직하게는 1∼8)의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼50(바람직하게는 3∼10, 보다 바람직하게는 3∼8, 더 바람직하게는 5 또는 6)의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50(바람직하게는 6∼25, 보다 바람직하게는 6∼18)의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼50(바람직하게는 1∼18, 보다 바람직하게는 1∼8)의 알킬기 및 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50(바람직하게는 6∼25, 보다 바람직하게는 6∼18)의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 모노치환 또는 다이치환 아미노기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50(바람직하게는 5∼24, 보다 바람직하게는 5∼13)의 헤테로아릴기, 할로젠 원자, 사이아노기이다.
본 명세서 중, 바람직하다고 하는 규정은 임의로 선택할 수 있고, 또한 바람직하다고 하는 규정의 조합은 보다 바람직하다고 말할 수 있다.
[조성물]
본 발명의 일 태양에 있어서, 하기 화학식(1)로 표시되는 화합물과, 후술하는 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 조성물이 제공된다. 당해 조성물은, 도포법에 의해 층 형성하는 유기 EL 소자에 적합한 화합물이고, 유기 전기발광 소자용 재료로서 유용하다.
Figure pct00016
[화학식(1) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 D1, D2 및 D3은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
*1∼*3은 각각 D1∼D3과 결합하고 있다. 해당 D1∼D3은, 각각 독립적으로, 하기 화학식(DA)∼(DD)로 표시되는 4개의 기군인 A군∼D군으로부터 선택되는 기이다.
Figure pct00017
(A군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DA) 중, *4 및 *5 중, 한쪽은 식(1) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합하고, 다른 쪽은 Ar1과 결합한다. Ar1 및 Ar2는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기이다. X1∼X4 중 1개 및 X13∼X16 중 1개는 각각 *10 및 *11에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며, 또한 X9∼X12 중 1개 및 X21∼X24 중 1개는 각각 *12 및 *13에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다. X5∼X8 및 X17∼X20은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다. 해당 R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
(B군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DB) 중, X1∼X4 중 2개는 각각 *21 및 *22에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며, X5∼X12는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다. 해당 R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Y1은 산소 원자, 황 원자, -C(RA)(RB)-, -Si(RC)(RD)-, -P(RE)-, -P(=O)(RF)-, -S(=O)2-, -P(=S)(RG)-, 또는 -N(RH)-이다. 해당 RA∼RH는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. *는 식(1) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.)
(C군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DC) 중, X1∼X8은 각각 C(R1)∼C(R8) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R8은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 1개는 Z1 또는 Ar4 및 Ar5가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는 R1∼R8로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Ar1, Ar4 및 Ar5는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기를 나타낸다. Z1은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다. d는 0 또는 1이다. 화학식(DC) 중, *6'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중 어느 한쪽이 탈리되어, 그 대신에 화학식(1) 중의 *1∼3 중 어느 하나가 질소 원자와 직접 결합하고 있다.)
(D군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DD) 중, X1∼X16은 각각 C(R1)∼C(R16) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, 및 R9∼R16으로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Y1은 산소 원자, 황 원자, C(RA)(RB), Si(RC)(RD), P(RE), P(=O)(RF), S(=O)2, P(=S)(RG), 또는 -N(RH)-이다. 해당 RA∼RH는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. *는 식(1) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.)]
상기 화학식(1) 중의 각 기의 보다 구체적인 설명은, 후술하는 화학식(1[V]) 중의 동일 기호의 기와 동일하게 설명되고, 바람직한 것도 동일하다.
본 발명의 일 태양에 있어서는, 후술하는 화학식(1[I])로 표시되는 화합물과, 후술하는 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 조성물도 제공된다. 단, 화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14) 및 화합물(CH15)는 화학식(1[I])로 표시되는 화합물과 동일하지는 않다. 즉, 각 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중에 화학식(1[I])로 표시되는 화합물이 포함될 수 있는 경우에는, 화학식(1[I])로 표시되는 화합물에 상당하는 그의 중복 부분은 제외된다.
본 발명의 일 태양에 있어서는, 후술하는 화학식(1[II])로 표시되는 화합물과, 후술하는 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 조성물도 제공된다. 단, 화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14) 및 화합물(CH15)는 화학식(1[II])로 표시되는 화합물과 동일하지는 않다. 즉, 각 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중에 화학식(1[II])로 표시되는 화합물이 포함될 수 있는 경우에는, 화학식(1[II])로 표시되는 화합물에 상당하는 그의 중복 부분은 제외된다.
본 발명의 일 태양에 있어서는, 후술하는 화학식(1[III])으로 표시되는 화합물과, 후술하는 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 조성물도 제공된다. 단, 화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14) 및 화합물(CH15)는 화학식(1[III])으로 표시되는 화합물과 동일하지는 않다. 즉, 각 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중에 화학식(1[III])으로 표시되는 화합물이 포함될 수 있는 경우에는, 화학식(1[III])으로 표시되는 화합물에 상당하는 그의 중복 부분은 제외된다.
본 발명의 일 태양에 있어서는, 후술하는 화학식(1[IV])로 표시되는 화합물과, 후술하는 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 조성물도 제공된다. 단, 화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14) 및 화합물(CH15)는 화학식(1[IV])로 표시되는 화합물과 동일하지는 않다. 즉, 각 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중에 화학식(1[IV])로 표시되는 화합물이 포함될 수 있는 경우에는, 화학식(1[IV])로 표시되는 화합물에 상당하는 그의 중복 부분은 제외된다.
본 발명의 일 태양에 있어서는, 후술하는 화학식(1[V])로 표시되는 화합물과, 후술하는 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 조성물도 제공된다. 단, 화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14) 및 화합물(CH15)는 화학식(1[V])로 표시되는 화합물과 동일하지는 않다. 즉, 각 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중에 화학식(1[V])로 표시되는 화합물이 포함될 수 있는 경우에는, 화학식(1[V])로 표시되는 화합물에 상당하는 그의 중복 부분은 제외된다.
이들 조성물은, 도포법에 의해 층 형성하는 유기 EL 소자에 적합한 화합물이고, 유기 전기발광 소자용 재료로서 유용하다.
[화학식(1)로 표시되는 화합물]
본 발명의 일 태양에 있어서는, 상기 화학식(1)로 표시되는 화합물도 제공된다. 당해 화합물은, 도포법에 의해 층 형성하는 유기 EL 소자에 적합한 화합물이고, 유기 전기발광 소자용 재료로서 유용하다.
화학식(1)로 표시되는 화합물로서는, 바람직하게는 후술의 화학식(1[I])로 표시되는 화합물, 후술의 화학식(1[II])로 표시되는 화합물, 후술의 화학식(1[III])으로 표시되는 화합물, 후술의 화학식(1[IV])로 표시되는 화합물, 후술의 화학식(1[V])로 표시되는 화합물이다.
[화학식(1[I])로 표시되는 화합물]
본 발명의 일 태양에 있어서, 하기 화학식(1[I])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1[I])」이라고도 함)이 제공된다. 당해 화합물(1[I])은, 도포법에 의해 층 형성하는 유기 EL 소자에 적합한 화합물이고, 유기 전기발광 소자용 재료로서 유용하다.
Figure pct00018
(화학식(1[I]) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
*4 및 *5 중, 한쪽은 *1과 결합하고, 다른 쪽은 Ar1과 결합하며,
*6 및 *7 중, 한쪽은 *2와 결합하고, 다른 쪽은 Ar3과 결합하며,
*8 및 *9 중, 한쪽은 *3과 결합하고, 다른 쪽은 Ar5와 결합한다.
Ar1∼Ar6은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기이다.
X1∼X4 중 1개 및 X13∼X16 중 1개는 각각 *10 및 *11에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며,
X9∼X12 중 1개 및 X21∼X24 중 1개는 각각 *12 및 *13에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며,
X25∼X28 중 1개 및 X37∼X40 중 1개는 각각 *14 및 *15에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며,
X33∼X36 중 1개 및 X45∼X48 중 1개는 각각 *16 및 *17에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며,
X49∼X52 중 1개 및 X61∼X64 중 1개는 각각 *18 및 *19에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며,
X57∼X60 중 1개 및 X69∼X72 중 1개는 각각 *20 및 *21에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며,
X5∼X8, X17∼X20, X29∼X32, X41∼X44, X53∼X56 및 X65∼X68은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다.
R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
(화학식(1[I]) 중의 각 기에 대한 설명)
화학식(1[I]) 중의 A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 6∼20, 보다 바람직하게는 6∼14이다.
당해 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는, 바람직하게는 단환, 2환으로 구성되는 축합환, 3환으로 구성되는 축합환 중 어느 것인 것이 바람직하다.
당해 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 함유하는 질소 원자의 수는, 바람직하게는 1∼3개, 보다 바람직하게는 2개 또는 3개이다. 특히, 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 단환인 경우에는, 함유하는 질소 원자의 수는 바람직하게는 2개 또는 3개, 보다 바람직하게는 3개이고, 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 2환 또는 3환으로 구성되는 축합환인 경우에는, 함유하는 질소 원자의 수는 바람직하게는 2개이다.
한편, 당해 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는 질소 원자 이외의 헤테로 원자(예를 들면 산소 원자, 황 원자, 규소 원자 및 셀레늄 원자 등)를 함유하고 있어도 되지만, 헤테로 원자로서 질소 원자만을 함유하고 있는 것이 바람직하다.
화학식(1[I]) 중의 A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 구체예로서는, 피롤, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트라이아진, 이미다졸, 피라졸, 옥사다이아졸, 싸이아다이아졸, 트라이아졸, 테트라졸, 인돌, 아이소인돌, 인돌리진, 퀴놀리진, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 나프티리딘, 신놀린, 프탈라진, 퀴나졸린, 벤조[f]퀴나졸린, 벤조[h]퀴나졸린, 퀴녹살린, 벤즈이미다졸, 인다졸, 카바졸, 비스카바졸, 페난트리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 아자트라이페닐렌, 다이아자트라이페닐렌, 헥사아자트라이페닐렌, 아자카바졸, 아자다이벤조퓨란, 아자다이벤조싸이오펜 및 다이나프토[2',3':2,3:2',3':6,7]카바졸로부터 선택되는 화합물의 잔기 등을 들 수 있다.
여기에서, 잔기란, 화합물로부터 수소 원자가 1개 이상 탈리되어 얻어지는 1가 이상의 기이다. 한편, 상기 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 가수, 즉 「A」의 가수는, 화학식(1[I]) 중의 「a+b+c」의 값에 상당한다.
상기 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기로서는, 상기 중에서도, 하기의 군으로부터 선택되는 화합물의 잔기가 바람직하다.
Figure pct00019
또한, 본 발명의 일 태양에 있어서는, A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 하기 화학식(A1)로 표시되는 질소 함유 헤테로환의 잔기인 것이 바람직하다.
Figure pct00020
(화학식(A1) 중, X101∼X104는 각각 C(R101)∼C(R104) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101∼R104는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102∼R104로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
본 발명의 일 태양에 있어서는, A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 하기 화학식(A2)∼(A4) 중 어느 것으로 표시되는 질소 함유 헤테로환의 잔기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00021
(화학식(A2) 중, X103은 C(R103) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101∼R104는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. R102∼R104로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00022
(화학식(A3) 중, X101, X102, X105∼X108은 각각 C(R101), C(R102), C(R105)∼C(R108) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101, R102 및 R105∼R108은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00023
(화학식(A4) 중, R101, R102 및 R105∼R108은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
한편, 화학식(1[I]) 중의 A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는 임의로 치환기를 갖고 있어도 된다.
질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기에 치환될 수 있는 치환기로서는, 구체적으로는 전술의 치환기를 들 수 있고, 「2개의 (아자)카바졸릴기로 치환된 (아자)카바졸릴기」(예를 들면 후술의 화학식(D1)로 표시되는 기 등)나, 「2개의 (아자)카바졸릴기로 치환된 (아자)카바졸릴기로 더 치환된 아릴기 및 헤테로아릴기」(예를 들면 후술의 화학식(D1)로 표시되는 기 등으로 치환된 아릴기 및 헤테로아릴기 등)도 포함된다.
상기 화학식(1[I])에 있어서, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기의 환형성 탄소수는 6∼30이고, 바람직하게는 6∼18, 보다 바람직하게는 6∼13, 더 바람직하게는 6∼12, 특히 바람직하게는 6∼10이다.
본 발명의 일 태양에 있어서는, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, L1∼L3 중 적어도 하나가 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 바람직하고, L1∼L3 모두가 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00024
(상기 화합물 중의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
또, 본 발명의 일 태양에 있어서는, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, L1∼L3 중 적어도 하나가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 바람직하고, L1∼L3 모두가 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00025
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
상기 중에서도, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, L1∼L3 중 적어도 하나가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 보다 바람직하고, L1∼L3 모두가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 더 바람직하다.
Figure pct00026
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
상기 중에서도, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, L1∼L3 중 적어도 하나가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 보다 바람직하고, L1∼L3 모두가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 더 바람직하다.
Figure pct00027
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 상기 이외에도, 하기 식으로 표시되는 기를 들 수 있다.
Figure pct00028
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기가 2가인 경우의 구체예로서는, 하기 식으로 표시되는 기를 들 수 있다.
Figure pct00029
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
또한, 상기 화학식(1[I])에 있어서, L1∼L3이 나타내는 헤테로환기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 5∼18, 보다 바람직하게는 5∼13, 특히 바람직하게는 5∼10이다.
이와 같은 헤테로환기로서는, 예를 들면, 피롤, 피리딘, 이미다조피리딘, 피라졸, 트라이아졸, 테트라졸, 인돌, 아이소인돌 및 카바졸 등의 함질소 헤테로환 화합물의 잔기; 퓨란, 벤조퓨란, 아이소벤조퓨란, 다이벤조퓨란, 옥사졸, 옥사다이아졸, 벤즈옥사졸, 벤조나프토퓨란 및 다이나프토퓨란 등의 함산소 헤테로환 화합물의 잔기; 싸이오펜, 벤조싸이오펜, 다이벤조싸이오펜, 싸이아졸, 싸이아다이아졸, 벤조싸이아졸, 벤조나프토싸이오펜 및 다이나프토싸이오펜 등의 함황 헤테로환 화합물의 잔기 등을 들 수 있다.
L1∼L3이 나타내는 「이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기」는, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기 및 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기로부터 선택되는 2∼4개의 기가 결합하여 이루어지는 기이다. 한편, 선택되는 2∼4개의 기가 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 된다. 또한, 당해 방향족 탄화수소기 및 헤테로환기로부터 선택되는 기의 결합 순서에 특별히 제한은 없다.
이상 중에서도, L1∼L3으로서는, 모두, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 해당 방향족 탄화수소기로서 보다 바람직한 것은 전술한 대로이다.
또한, 상기 화학식(1[I]) 중의 a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
상기 화학식(1[I])에 있어서, 예를 들면, a=0의 경우, L1은 존재하지 않는 것을 의미하고, A가 직접 [ ] 내의 기와 결합한다. 한편, a=1의 경우에는, A는 L1을 개재해서 [ ] 내의 기와 결합한다. 한편, b, c에 대해서도 마찬가지이다.
상기 화학식(1[I])에 있어서, *4 및 *5 중, 한쪽은 *1과 결합하고, 다른 쪽은 Ar1과 결합하며, *6 및 *7 중, 한쪽은 *2와 결합하고, 다른 쪽은 Ar3과 결합하며, *8 및 *9 중, 한쪽은 *3과 결합하고, 다른 쪽은 Ar5와 결합한다.
본 발명의 일 태양의 화합물로서는, 상기 화학식(1[I])에 있어서, *5는 *1과 결합하고, *4는 Ar1과 결합하고, *7은 *2와 결합하고, *6은 Ar3과 결합하고, *9는 *3과 결합하고, *8은 Ar5와 결합한 화합물이 바람직하다.
Ar1∼Ar6은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기이다.
Ar1∼Ar6이 나타내는 아릴기의 환형성 탄소수는 6∼30이고, 바람직하게는 6∼18, 보다 바람직하게는 6∼15, 더 바람직하게는 6∼12, 특히 바람직하게는 6∼10이다.
한편, 해당 아릴기는 비축합 아릴기, 축합 아릴기, 및 이들의 조합 중 어느 것이어도 된다.
해당 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 쿼터페닐릴기, 퀸크페닐릴기, 나프틸기(1-나프틸기, 2-나프틸기), 아세나프틸렌일기, 안트릴기, 벤즈안트릴기, 아세안트릴기, 페난트릴기, 벤조페난트릴기, 페날렌일기, 플루오렌일기(9,9-다이메틸플루오렌일기, 9,9-다이페닐플루오렌일기, 9,9'-스파이로바이플루오렌일기를 포함한다), 벤조플루오렌일기, 다이벤조플루오렌일기, 피센일기, 펜타페닐기, 펜타센일기, 피렌일기, 크라이센일기, 벤조크라이센일기, 플루오란텐일기, 벤조플루오란텐일기, 테트라센일기, 페릴렌일기, 코로닐기, 다이벤즈안트릴기, 나프틸페닐기, s-인다닐기, as-인다닐기, 트라이페닐렌일기, 벤조트라이페닐렌일기 등을 들 수 있다. 상기 각 기는, 이성체기가 존재하는 경우에는, 이성체기를 포함한다.
Ar1∼Ar6이 나타내는 아릴기로서는, 보다 구체적으로는, 하기 군으로부터 선택되는 아릴기가 바람직하다.
Figure pct00030
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
Ar1∼Ar6이 나타내는 헤테로아릴기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 5∼20, 보다 바람직하게는 5∼14, 더 바람직하게는 5∼10이다.
해당 헤테로아릴기는 적어도 1개, 바람직하게는 1∼5개, 보다 바람직하게는 1∼3개, 더 바람직하게는 1∼2개의 동일 또는 상이한 헤테로 원자를 포함한다.
해당 헤테로아릴기로서는, 예를 들면, 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 피리다진일기, 피리미딘일기, 피라진일기, 트라이아진일기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 싸이아졸릴기, 피라졸릴기, 아이속사졸릴기, 아이소싸이아졸릴기, 옥사다이아졸릴기, 싸이아다이아졸릴기, 트라이아졸릴기, 테트라졸릴기, 인돌릴기, 아이소인돌릴기, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기, 아이소벤조싸이오펜일기, 인돌리진일기, 퀴놀리진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 신놀릴기, 프탈라진일기, 퀴나졸린일기, 퀴녹살린일기, 벤즈이미다졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤조싸이아졸릴기, 인다졸릴기, 벤즈아이속사졸릴기, 벤즈아이소싸이아졸릴기, 다이벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오펜일기, 카바졸릴기, 비스카바졸릴기, 페난트리딘일기, 아크리딘일기, 페난트롤린일기, 페나진일기, 페노싸이아진일기, 페녹사진일기, 아자트라이페닐렌일기, 다이아자트라이페닐렌일기, 잔텐일기, 아자카바졸릴기, 아자다이벤조퓨란일기, 아자다이벤조싸이오펜일기, 벤조퓨라노벤조싸이오펜일기, 벤조싸이에노벤조싸이오펜일기, 다이벤조퓨라노나프틸기, 다이벤조싸이에노나프틸기, 다이나프토싸이에노싸이오펜일기, 및 다이나프토[2',3':2,3:2',3':6,7]카바졸릴기를 들 수 있다.
Ar1∼Ar6으로서는, 모두, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가 바람직하다. 해당 아릴기로서 보다 바람직한 것은 전술한 대로이다.
상기 화학식(1[I])에 있어서, X1∼X4 중 1개 및 X13∼X16 중 1개는 각각 *10 및 *11에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다.
X9∼X12 중 1개 및 X21∼X24 중 1개는 각각 *12 및 *13에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다.
X25∼X28 중 1개 및 X37∼X40 중 1개는 각각 *14 및 *15에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다.
X33∼X36 중 1개 및 X45∼X48 중 1개는 각각 *16 및 *17에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다.
X49∼X52 중 1개 및 X61∼X64 중 1개는 각각 *18 및 *19에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다.
X57∼X60 중 1개 및 X69∼X72 중 1개는 각각 *20 및 *21에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다.
상기 규정이 의미하는 점에 대하여, 「X1∼X4 및 X13∼X16」에 관한 규정을 예로 설명하면, 가령 X1이 *10에 결합하는 탄소 원자이고, X13이 *11에 결합하는 탄소 원자인 경우를 생각한다. 이 경우, X1 및 X13은 탄소 원자가 되고 당해 2개의 탄소 원자는 서로 직접 결합하여, 2개의 (아자)카바졸릴기를 결합한다. 또한, 그 이외의 X2∼X4 및 X14∼X16의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자가 된다. 다른 규정에 대해서도, 상기와 동일한 사항을 의미한다.
즉, 상기 화학식(1[I])에 있어서, *10, *12, *14, *16, *18 및 *20은 각각 소정의 (아자)카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 또는 4위(X1∼X4 중 1개, X9∼X12 중 1개, X25∼X28 중 1개, X49∼X52 중 1개, X57∼X60 중 1개, X57∼X60 중 1개)의 탄소 원자와 결합한다.
한편, 상기 화학식(1[I])에 있어서, *10, *12, *14, *16, *18 및 *20은 각각 소정의 (아자)카바졸릴기의 5위, 6위, 7위 또는 8위(X13∼X16 중 1개, X21∼X24 중 1개, X37∼X40 중 1개, X45∼X48 중 1개, X61∼X64 중 1개, X69∼X72 중 1개)의 탄소 원자와 결합한다.
그 결과, *10-*11, *12-*13, *14-*15, *16-*17, *18-*19 및 *20-*21에 의해, 2개의 (아자)카바졸릴기가 결합된다.
또한, 상기 화학식(1[I])에 있어서, X5∼X8, X17∼X20, X29∼X32, X41∼X44, X53∼X56 및 X65∼X68은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다.
즉, 상기 화학식(1[I])에 있어서, (아자)카바졸릴기끼리의 결합에 관여하지 않는 X1∼X72는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며, 본 발명의 일 태양에 있어서는, 모두 C(R)인 것이 바람직하다.
여기에서, R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
단, 본 발명의 일 태양의 화합물에 있어서, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우가 없는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 태양의 화합물에 있어서, 상기 화학식(1[I]) 중의 [ ] 내의 기가 하기 화학식(D1)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pct00031
화학식(D1) 중, R1∼R24는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, R1∼R24로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
* 및 ** 중, 한쪽은 상기 화학식(1[I]) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합하고, 다른 쪽은 Ar1과 결합한다. Ar1은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다.
*10-*11은, R1∼R4 중 1개 및 R13∼R16 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타내고, *12-*13은, R9∼R12 중 1개 및 R21∼R24 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
즉, *10 및 *12는 하나의 카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 또는 4위의 탄소 원자와 결합하고, *11 및 *13은 다른 카바졸릴기의 5위, 6위, 7위 또는 8위의 탄소 원자와 결합하며, *10-*11 및 *12-*13에 의해, 2개의 카바졸릴기가 결합된다.
한편, 상기 화학식(D1) 중의 R1∼R24로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하는 경우에는, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8, R17과 R18, R18과 R19 및 R19와 R20으로부터 선택되는 1조 이상에서, 서로 결합하여 환을 형성하는 구성이 바람직하다.
단, 본 발명의 일 태양의 화합물에 있어서, 상기 화학식(D1) 중의 R1∼R24로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우가 없는 것이 바람직하고, 상기 화학식(1[I]) 중의 [ ] 내의 기가 하기 화학식(D2)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00032
(화학식(D2) 중, *10-*11 및 *12-*13은 벤젠환 중의 수소 원자가 각각 탈리된 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다. * 및 **는 상기 화학식(D1)에 관한 기재와 동일하다.)
또한, 본 발명의 일 태양의 화합물에 있어서, 상기 화학식(1[I]) 중의 [ ] 내의 기가, 상기 화학식(D1)로 표시되는 기 중에서도, 하기 화학식(D3)으로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pct00033
(화학식(D3) 중, R1∼R24, Ar1, *10-*11 및 *12-*13은 상기 화학식(D1)에 관한 기재와 동일하다. *는 상기 화학식(1[I]) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.)
또한, 상기 화학식(D3)으로 표시되는 기 중에서도, 하기 화학식(D3-i)∼(D3-vi) 중 어느 것으로 표시되는 기가 보다 바람직하다.
Figure pct00034
(화학식(D3-i)∼(D3-vi) 중, R1∼R24, Ar1, *10-*11, *12-*13 및 *는 상기 화학식(D3)에 관한 기재와 동일하다.)
상기 화학식(1[I]) 중의 [ ] 내의 기로서, 보다 구체적으로는, 하기 군으로부터 선택되는 기가 바람직하다. 한편, 하기의 기에 있어서, *는 상기 화학식(1[I]) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와의 결합 위치를 나타낸다. 게다가, 하기의 기에 있어서, 수소 원자와 결합하고 있는 탄소 원자는, 당해 수소 원자 대신에, 전술의 치환기와 결합해도 된다.
Figure pct00035
Figure pct00036
Figure pct00037
Figure pct00038
Figure pct00039
Figure pct00040
Figure pct00041
Figure pct00042
Figure pct00043
Figure pct00044
Figure pct00045
Figure pct00046
Figure pct00047
Figure pct00048
Figure pct00049
Figure pct00050
Figure pct00051
Figure pct00052
상기 화학식(1[I]) 중, p∼r은, 전술한 대로, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이 된다. p∼r은 특별히 제한되는 것은 아니지만, p∼r 중 2개가 동시에 0은 아닌 것이 바람직하다.
한편, p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
(본 발명의 일 태양의 화합물)
본 발명의 일 태양의 화합물로서, 하기 화학식(1a[I])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a[I])」이라고도 함)이 바람직하다.
Figure pct00053
상기 화학식(1a) 중, A, L1∼L3, a∼c, X1∼X72, *1∼*21, Ar2, Ar4 및 Ar6은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a[I]) 중에서도, 하기 화학식(1a-i[I])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-i[I])」이라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00054
상기 화학식(1a-i[I]) 중, A, L1∼L3, a∼c, *1∼*9, Ar2, Ar4 및 Ar6은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R72는 상기 화학식(1[I])에 관한 기재의 R과 동일하다. 즉, R1∼R72는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, R1∼R72로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
또한, *10-*11은, R1∼R4 중 1개 및 R13∼R16 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
*12-*13은, R9∼R12 중 1개 및 R21∼R24 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
*14-*15는, R25∼R28 중 1개 및 R37∼R40 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
*16-*17은, R33∼R36 중 1개 및 R45∼R48 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
*18-*19는, R49∼R52 중 1개 및 R61∼R64 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
*20-*21은, R57∼R60 중 1개 및 R69∼R72 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
즉, *10, *12, *14, *16, *18 및 *20은 하나의 카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 또는 4위의 탄소 원자와 결합하고, *11, *13, *15, *17, *19 및 *21은 다른 카바졸릴기의 5위, 6위, 7위 또는 8위의 탄소 원자와 결합하며, *10-*11, *12-*13, *14-*15, *16-*17, *18-*19 및 *20-*21에 의해, 2개의 카바졸릴기가 결합된다.
한편, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a-i[I])로서는, R1∼R72로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하는 경우가 없는 화합물인 것이 바람직하고, 하기 화학식(1a-vi[I])로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00055
화학식(1a-vi[I]) 중, A, L1∼L3, a∼c, *1∼*9, Ar2, Ar4 및 Ar6은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다.
*10-*11, *12-*13, *14-*15, *16-*17, *18-*19, *20-*21은 벤젠환 중의 수소 원자가 각각 탈리된 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
즉, *10, *12, *14, *16, *18 및 *20은 하나의 카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 또는 4위의 탄소 원자와 결합하고, *11, *13, *15, *17, *19 및 *21은 다른 카바졸릴기의 5위, 6위, 7위 또는 8위의 탄소 원자와 결합하며, *10-*11, *12-*13, *14-*15, *16-*17, *18-*19 및 *20-*21에 의해, 2개의 카바졸릴기가 결합된다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a-i[I])에 포함되는 다른 태양으로서, 하기 화학식(1a-ii[I])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-ii[I])」이라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00056
화학식(1a-ii[I]) 중, A, L1∼L3, a∼c, Ar1∼Ar6은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R72 및 *10∼*21은 상기 화학식(1a-i[I])에 관한 기재와 동일하다.
또, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a-ii[I]) 중에서도, 하기 화학식(1a-ii-1[I])∼(1a-ii-6[I]) 중 어느 것으로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-ii-1[I])∼(1a-ii-6[I])」이라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00057
Figure pct00058
Figure pct00059
Figure pct00060
Figure pct00061
Figure pct00062
화학식(1a-ii-1[I])∼(1a-ii-6[I]) 중, A, L1∼L3, a∼c, Ar1∼Ar6은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R72 및 *10∼*21은 상기 화학식(1a-i[I])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a-i[I])에 포함되는 다른 태양으로서, 하기 화학식(1a-iii[I])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-iii[I])」이라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00063
화학식(1a-iii[I]) 중, A, L1∼L3, *1∼*9, Ar2, Ar4 및 Ar6은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R72 및 *10∼*21은 상기 화학식(1a-i[I])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a-i[I])에 포함되는 다른 태양으로서, 하기 화학식(1a-iv[I])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-iv[I])」이라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00064
화학식(1a-iv[I]) 중, A, L2, L3, b, c, *1∼*9, Ar2, Ar4 및 Ar6은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R72 및 *10∼*21은 상기 화학식(1a-i[I])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a-i[I])에 포함되는 다른 태양으로서, 하기 화학식(1a-iv[I])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-v[I])」이라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00065
화학식(1a-v[I]) 중, A, *1∼*9, Ar2, Ar4 및 Ar6은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R72 및 *10∼*21은 상기 화학식(1a-i[I])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양의 화합물로서, 하기 화학식(1b[I])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1b[I])」이라고도 함)이 바람직하다.
Figure pct00066
화학식(1b[I]) 중, A, L1, L2, a, *1∼*7, Ar2 및 Ar4는 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R48은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재의 R과 동일하다.
*10-*11은, R1∼R4 중 1개 및 R13∼R16 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
*12-*13은, R9∼R12 중 1개 및 R21∼R24 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
*14-*15는, R25∼R28 중 1개 및 R37∼R40 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
*16-*17은, R33∼R36 중 1개 및 R45∼R48 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
즉, *10, *12, *14 및 *16은 하나의 카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 또는 4위의 탄소 원자와 결합하고, *11, *13, *15 및 *17은 다른 카바졸릴기의 5위, 6위, 7위 또는 8위의 탄소 원자와 결합하며, *10-*11, *12-*13, *14-*15 및 *16-*17에 의해, 2개의 카바졸릴기가 결합된다.
한편, 본 발명의 일 태양인 화합물(1b[I])로서는, R1∼R48로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하는 경우가 없는 화합물인 것이 바람직하고, 하기 화학식(1b-i[I])로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00067
상기 화학식(1b-i[I]) 중, A, L1, L2, a, *1∼*7, Ar2, Ar4는 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다.
*10-*11, *12-*13, *14-*15, *16-*17은 벤젠환 중의 수소 원자가 각각 탈리된 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
즉, *10, *12, *14 및 *16은 하나의 카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 또는 4위의 탄소 원자와 결합하고, *11, *13, *15 및 *17은 다른 카바졸릴기의 5위, 6위, 7위 또는 8위의 탄소 원자와 결합하며, *10-*11, *12-*13, *14-*15 및 *16-*17에 의해, 2개의 카바졸릴기가 결합된다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물로서, 하기 화학식(1c-i[I])∼(1c-iv[I])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1c-i[I])∼(1c-iv[I])」이라고도 함)이 바람직하다.
Figure pct00068
화학식(1c-i[I]) 중, L1∼L3, a∼c, X1∼X72, *1∼*21, Ar2, Ar4 및 Ar6은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다.
X101∼X104는 각각 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
Figure pct00069
화학식(1c-ii[I]) 중, L1∼L3, a∼c, X1∼X72, *1∼*21, Ar2, Ar4 및 Ar6은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다. X103은 C(Rx) 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이다.
Figure pct00070
화학식(1c-iii[I]) 중, L1∼L3, a∼c, X1∼X72, *1∼*21, Ar2, Ar4 및 Ar6은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다.
X101, X102, X105∼X108은 각각 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
Figure pct00071
화학식(1c-iv[I]) 중, L1∼L3, a∼c, X1∼X72, *1∼*21, Ar2, Ar4 및 Ar6은 상기 화학식(1[I])에 관한 기재와 동일하다.
R101, R102 및 R105∼R108 중 1∼3개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자가 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하고, 그 이외는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 한편, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
이하에 본 발명의 일 태양인 화합물(1[I])의 구체예를 나타내지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
Figure pct00072
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Figure pct00118
[화학식(1[II])로 표시되는 화합물]
본 발명의 일 태양에 있어서, 하기 화학식(1[II])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1[II])」라고도 함)이 제공된다. 당해 화합물(1[II])은, 도포법에 의해 층 형성하는 유기 EL 소자에 적합한 화합물이고, 유기 전기발광 소자용 재료로서 유용하다.
Figure pct00119
화학식(1[II]) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로환기를 나타낸다.
L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
X1∼X4 중 2개는 각각 *1 및 *2에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며,
X13∼X16 중 2개는 각각 *3 및 *4에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며,
X25∼X28 중 2개는 각각 *5 및 *6에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며,
X5∼X12, X17∼X24 및 X29∼X36은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며,
R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
Y1∼Y3은, 각각 독립적으로, 산소 원자, 황 원자, -C(RA)(RB)-, -Si(RC)(RD)-, -P(RE)-, -P(=O)(RF)-, -S(=O)2-, 또는 -P(=S)(RG)-이다.
RA∼RG는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, RA∼RG로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
(화학식(1[II]) 중의 각 기에 대한 설명)
화학식(1[II]) 중의 A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 6∼20, 보다 바람직하게는 6∼14이다.
당해 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는, 바람직하게는 단환, 2환으로 구성되는 축합환, 3환으로 구성되는 축합환 중 어느 것인 것이 바람직하다.
당해 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 함유하는 질소 원자의 수는, 바람직하게는 1∼3개, 보다 바람직하게는 2개 또는 3개이다. 특히, 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 단환인 경우에는, 함유하는 질소 원자의 수는 바람직하게는 2개 또는 3개, 보다 바람직하게는 3개이고, 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 2환 또는 3환으로 구성되는 축합환인 경우에는, 함유하는 질소 원자의 수는 바람직하게는 2개이다.
한편, 당해 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는 질소 원자 이외의 헤테로 원자(예를 들면 산소 원자, 황 원자, 규소 원자 및 셀레늄 원자 등)를 함유하고 있어도 되지만, 헤테로 원자로서 질소 원자만을 함유하고 있는 것이 바람직하다.
화학식(1[II]) 중의 A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 구체예로서는, 피롤, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트라이아진, 이미다졸, 피라졸, 옥사다이아졸, 싸이아다이아졸, 트라이아졸, 테트라졸, 인돌, 아이소인돌, 인돌리진, 퀴놀리진, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 나프티리딘, 신놀린, 프탈라진, 퀴나졸린, 벤조[f]퀴나졸린, 벤조[h]퀴나졸린, 퀴녹살린, 벤즈이미다졸, 인다졸, 카바졸, 비스카바졸, 페난트리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 아자트라이페닐렌, 다이아자트라이페닐렌, 헥사아자트라이페닐렌, 아자카바졸, 아자다이벤조퓨란, 아자다이벤조싸이오펜 및 다이나프토[2',3':2,3:2',3':6,7]카바졸로부터 선택되는 화합물의 잔기 등을 들 수 있다.
여기에서, 잔기란, 화합물로부터 수소 원자가 1개 이상 탈리되어 얻어지는 1가 이상의 기이다. 한편, 상기 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 가수, 즉 「A」의 가수는, 화학식(1[II]) 중의 「a+b+c」의 값에 상당한다.
상기 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기로서는, 상기 중에서도, 하기의 군으로부터 선택되는 화합물의 잔기가 바람직하다.
Figure pct00120
또한, 본 발명의 일 태양에 있어서는, A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 하기 화학식(A1)로 표시되는 질소 함유 헤테로환의 잔기인 것이 바람직하다.
Figure pct00121
(화학식(A1) 중, X101∼X104는 각각 C(R101)∼C(R104) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101∼R104는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102∼R104로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
본 발명의 일 태양에 있어서는, A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 하기 화학식(A2)∼(A4) 중 어느 것으로 표시되는 질소 함유 헤테로환의 잔기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00122
(화학식(A2) 중, X103은 C(R103) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101∼R104는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. R102∼R104로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00123
(화학식(A3) 중, X101, X102, X105∼X108은 각각 C(R101), C(R102), C(R105)∼C(R108) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101, R102 및 R105∼R108은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00124
(화학식(A4) 중, R101, R102 및 R105∼R108은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
한편, 화학식(1[II]) 중의 A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는 임의로 치환기를 갖고 있어도 된다.
질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기에 치환될 수 있는 치환기로서는, 구체적으로는 전술의 치환기를 들 수 있고, 예를 들면, 2개의 치환기가 서로 결합하여 형성된 환을 갖는 (아자)카바졸릴기나, 당해 2개의 치환기가 서로 결합하여 형성된 환을 갖는 (아자)카바졸릴기로 더 치환된 아릴기 및 헤테로아릴기도 포함된다.
상기 화학식(1[II])에 있어서, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기의 환형성 탄소수는 6∼30이고, 바람직하게는 6∼18, 보다 바람직하게는 6∼13, 더 바람직하게는 6∼12, 특히 바람직하게는 6∼10이다.
본 발명의 일 태양에 있어서는, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, L1∼L3 중 적어도 하나가 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 바람직하고, L1∼L3 모두가 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00125
(상기 화합물 중의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
또, 본 발명의 일 태양에 있어서는, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, L1∼L3 중 적어도 하나가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 바람직하고, L1∼L3 모두가 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00126
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
상기 중에서도, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, L1∼L3 중 적어도 하나가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 보다 바람직하고, L1∼L3 모두가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 더 바람직하다.
Figure pct00127
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
상기 중에서도, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, L1∼L3 중 적어도 하나가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 보다 바람직하고, L1∼L3 모두가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 더 바람직하다.
Figure pct00128
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 상기 이외에도, 하기 식으로 표시되는 기를 들 수 있다.
Figure pct00129
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기가 2가인 경우의 구체예로서는, 하기 식으로 표시되는 기를 들 수 있다.
Figure pct00130
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
또한, 상기 화학식(1[II])에 있어서, L1∼L3이 나타내는 헤테로환기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 5∼18, 보다 바람직하게는 5∼13, 특히 바람직하게는 5∼10이다.
이와 같은 헤테로환기로서는, 예를 들면, 피롤, 피리딘, 이미다조피리딘, 피라졸, 트라이아졸, 테트라졸, 인돌, 아이소인돌 및 카바졸 등의 함질소 헤테로환 화합물의 잔기; 퓨란, 벤조퓨란, 아이소벤조퓨란, 다이벤조퓨란, 옥사졸, 옥사다이아졸, 벤즈옥사졸, 벤조나프토퓨란 및 다이나프토퓨란 등의 함산소 헤테로환 화합물의 잔기; 싸이오펜, 벤조싸이오펜, 다이벤조싸이오펜, 싸이아졸, 싸이아다이아졸, 벤조싸이아졸, 벤조나프토싸이오펜 및 다이나프토싸이오펜 등의 함황 헤테로환 화합물의 잔기 등을 들 수 있다.
L1∼L3이 나타내는 「이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기」는, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기 및 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기로부터 선택되는 2∼4개의 기가 결합하여 이루어지는 기이다. 한편, 선택되는 2∼4개의 기가 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 된다. 또한, 당해 방향족 탄화수소기 및 헤테로환기로부터 선택되는 기의 결합 순서에 특별히 제한은 없다.
이상 중에서도, L1∼L3으로서는, 모두, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 해당 방향족 탄화수소기로서 보다 바람직한 것은 전술한 대로이다.
또한, 상기 화학식(1[II]) 중의 a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
상기 화학식(1[II])에 있어서, 예를 들면, a=0의 경우, L1은 존재하지 않는 것을 의미하고, A가 직접 [ ] 내의 기와 결합한다. 한편, a=1의 경우에는, A는 L1을 개재해서 [ ] 내의 기와 결합한다. 한편, b, c에 대해서도 마찬가지이다.
상기 화학식(1[II])에 있어서, X1∼X4 중 2개는 각각 *1 및 *2에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다.
X13∼X16 중 2개는 각각 *3 및 *4에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다.
X25∼X28 중 2개는 각각 *5 및 *6에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다.
본 발명의 일 태양에 있어서, *1 및 *2에 결합하는 탄소 원자가 되는 X1∼X4로부터 선택되는 2개의 조합으로서는, X1과 X2, X2와 X3, 및 X3과 X4로부터 선택되는 1조가 바람직하다.
마찬가지로, *3 및 *4에 결합하는 탄소 원자가 되는 X13∼X16으로부터 선택되는 2개의 조합으로서는, X13과 X14, X14와 X15, 및 X15와 X16으로부터 선택되는 1조가 바람직하다.
또, *5 및 *6에 결합하는 탄소 원자가 되는 X25∼X28로부터 선택되는 2개의 조합으로서는, X25와 X26, X26과 X27, 및 X27과 X28로부터 선택되는 1조가 바람직하다.
또한, X5∼X12, X17∼X24 및 X29∼X36은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다.
즉, 상기 화학식(1[II])에 있어서, 화학식(1[II]) 중에 나타나는 소정의 환 구조의 형성에 관여하지 않는 X1∼X36은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며, 본 발명의 일 태양에 있어서는, 모두 C(R)인 것이 바람직하다.
여기에서, R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
단, 본 발명의 일 태양의 화합물에 있어서, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우가 없는 것이 바람직하다.
상기 화학식(1[II]) 중의 Y1∼Y3은, 각각 독립적으로, 산소 원자, 황 원자, -C(RA)(RB)-, -Si(RC)(RD)-, -P(RE)-, -P(=O)(RF)-, -S(=O)2-, 또는 -P(=S)(RG)-이다.
RA∼RG는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, RA∼RG로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
한편, RA∼RG로서 선택할 수 있는 치환기로서는, 상기에 기재된 기를 들 수 있지만, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기가 바람직하고, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가 보다 바람직하다.
RA∼RG로서 선택할 수 있는 아릴기의 환형성 탄소수는 6∼30이고, 바람직하게는 6∼18, 보다 바람직하게는 6∼13, 더 바람직하게는 6∼12, 특히 바람직하게는 6∼10이다. 한편, 해당 아릴기는 비축합 아릴기, 축합 아릴기, 및 이들의 조합 중 어느 것이어도 된다.
해당 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 쿼터페닐릴기, 퀸크페닐릴기, 나프틸기(1-나프틸기, 2-나프틸기), 아세나프틸렌일기, 안트릴기, 벤즈안트릴기, 아세안트릴기, 페난트릴기, 벤조페난트릴기, 페날렌일기, 플루오렌일기(9,9-다이메틸플루오렌일기, 9,9-다이페닐플루오렌일기, 9,9'-스파이로바이플루오렌일기를 포함한다), 벤조플루오렌일기, 다이벤조플루오렌일기, 피센일기, 펜타페닐기, 펜타센일기, 피렌일기, 크라이센일기, 벤조크라이센일기, 플루오란텐일기, 벤조플루오란텐일기, 테트라센일기, 페릴렌일기, 코로닐기, 다이벤즈안트릴기, 나프틸페닐기, s-인다닐기, as-인다닐기, 트라이페닐렌일기, 벤조트라이페닐렌일기 등을 들 수 있다. 상기 각 기는, 이성체기가 존재하는 경우에는, 이성체기를 포함한다.
RA∼RG로서 선택할 수 있는 아릴기로서는, 보다 구체적으로는, 하기 군으로부터 선택되는 아릴기가 바람직하다.
Figure pct00131
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
RA∼RG로서 선택할 수 있는 헤테로아릴기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 5∼20, 보다 바람직하게는 5∼14, 더 바람직하게는 5∼10이다.
해당 헤테로아릴기는 적어도 1개, 바람직하게는 1∼5개, 보다 바람직하게는 1∼3개, 더 바람직하게는 1∼2개의 동일 또는 상이한 헤테로 원자를 포함한다.
해당 헤테로아릴기로서는, 예를 들면, 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 피리다진일기, 피리미딘일기, 피라진일기, 트라이아진일기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 싸이아졸릴기, 피라졸릴기, 아이속사졸릴기, 아이소싸이아졸릴기, 옥사다이아졸릴기, 싸이아다이아졸릴기, 트라이아졸릴기, 테트라졸릴기, 인돌릴기, 아이소인돌릴기, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기, 아이소벤조싸이오펜일기, 인돌리진일기, 퀴놀리진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 신놀릴기, 프탈라진일기, 퀴나졸린일기, 퀴녹살린일기, 벤즈이미다졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤조싸이아졸릴기, 인다졸릴기, 벤즈아이속사졸릴기, 벤즈아이소싸이아졸릴기, 다이벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오펜일기, 카바졸릴기, 비스카바졸릴기, 페난트리딘일기, 아크리딘일기, 페난트롤린일기, 페나진일기, 페노싸이아진일기, 페녹사진일기, 아자트라이페닐렌일기, 다이아자트라이페닐렌일기, 잔텐일기, 아자카바졸릴기, 아자다이벤조퓨란일기, 아자다이벤조싸이오펜일기, 벤조퓨라노벤조싸이오펜일기, 벤조싸이에노벤조싸이오펜일기, 다이벤조퓨라노나프틸기, 다이벤조싸이에노나프틸기, 다이나프토싸이에노싸이오펜일기, 및 다이나프토[2',3':2,3:2',3':6,7]카바졸릴기를 들 수 있다.
본 발명의 일 태양의 화합물에 있어서, 상기 화학식(1[II]) 중의 [ ] 내의 기가 하기 화학식(D1)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pct00132
화학식(D1) 중, R1∼R12는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, R1∼R12로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. 단, R1∼R4 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *1 및 *2와 결합한다.
Y1은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하고, *는 상기 화학식(1[II]) 중의 L1∼L3 및 A 중 어느 하나와 결합하는 위치를 나타낸다.
본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 화학식(D1)로 표시되는 기 중에서도, 하기 화학식(D1-i)∼(D1-vi) 중 어느 것으로 표시되는 기가 보다 바람직하다.
Figure pct00133
(상기 화학식(D1-i)∼(D1-vi) 중, R1∼R12, Y1 및 *는 상기 화학식(D1)에 관한 기재와 동일하다.)
한편, 상기 화학식(D1) 중의 R1∼R24로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하는 경우에는, R5와 R6, R6과 R7 및 R7과 R8로부터 선택되는 1조 이상에서, 서로 결합하여 환을 형성하는 구성이 바람직하다.
단, 본 발명의 일 태양의 화합물에 있어서, 상기 화학식(D1) 중의 R1∼R24로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우가 없는 것이 바람직하고, 상기 화학식(1[II]) 중의 [ ] 내의 기가 하기 화학식(D2)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00134
(상기 화학식(D2) 중, 카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 및 4위에 갖는 4개의 수소 원자 중 2개가 탈리되어, 탈리된 수소 원자와 결합하고 있던 탄소 원자가 *1 및 *2와 결합한다. 또한, 상기 화학식(D2) 중, Y1 및 *는 상기 화학식(D1)에 관한 기재와 동일하다.)
상기 화학식(1[II]) 중의 [ ] 내의 기로서, 보다 구체적으로는, 하기 군으로부터 선택되는 기가 바람직하다. 한편, 하기의 기에 있어서, *는 상기 화학식(1[II]) 중의 L1∼L3 및 A 중 어느 하나와 결합하는 위치를 나타낸다. 게다가, 하기의 기에 있어서, 수소 원자와 결합하고 있는 탄소 원자는, 당해 수소 원자 대신에, 전술의 치환기와 결합해도 된다.
Figure pct00135
Figure pct00136
Figure pct00137
Figure pct00138
Figure pct00139
Figure pct00140
Figure pct00141
Figure pct00142
Figure pct00143
Figure pct00144
Figure pct00145
Figure pct00146
Figure pct00147
Figure pct00148
상기 화학식(1[II]) 중, p∼r은, 전술한 대로, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이 된다. p∼r은 특별히 제한되는 것은 아니지만, p∼r 중 2개가 동시에 0은 아닌 것이 바람직하다.
한편, p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
(본 발명의 일 태양의 화합물)
본 발명의 일 태양의 화합물로서, 하기 화학식(1a[II])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a[II])」라고도 함)이 바람직하다.
Figure pct00149
상기 화학식(1a[II]) 중, A, L1∼L3, a∼c, X1∼X36 및 Y1∼Y3은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a[II]) 중에서도, 하기 화학식(1a-i[II])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-i[II])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00150
상기 화학식(1a-i[II]) 중, A, L1∼L3, a∼c 및 Y1∼Y3은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R36은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재의 R과 동일하다. 즉, R1∼R36은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, R1∼R36으로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
상기 화학식(1a-i[II]) 중, R1∼R4 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *1 및 *2와 결합하고, R13∼R16 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *3 및 *4와 결합하고, R25∼R28 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *5 및 *6과 결합한다.
한편, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a-i[II])로서는, R1∼R36으로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하는 경우가 없는 화합물인 것이 바람직하고, 하기 화학식(1a-v[II])로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00151
화학식(1a-v[II]) 중, A, L1∼L3, a∼c 및 Y1∼Y3은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다.
카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 및 4위에 갖는 4개의 수소 원자 중 2개가 탈리되어, 탈리된 수소 원자와 결합하고 있던 탄소 원자가 *1 및 *2, *3 및 *4, 또는 *5 및 *6과 결합한다.
또, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a-i[II])의 보다 구체적인 화합물로서, 하기 화학식(1a-i-1[II])∼(1a-i-6[II]) 중 어느 것으로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-i-1[II])∼(1a-i-6[II])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00152
Figure pct00153
Figure pct00154
Figure pct00155
Figure pct00156
Figure pct00157
화학식(1a-i-1[II])∼(1a-i-6[II]) 중, A, L1∼L3, a∼c 및 Y1∼Y3은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R36은 상기 화학식(1[II])에 기재된 R과 동일하다.
R13∼R16 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *3 및 *4와 결합하고, R25∼R28 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *5 및 *6과 결합한다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물로서, 하기 화학식(1a-ii[II])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-ii[II])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00158
화학식(1a-ii[II]) 중, A, L1∼L3 및 Y1∼Y3은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R36은 상기 화학식(1[II])에 기재된 R과 동일하다.
R1∼R4 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *1 및 *2와 결합하고, R13∼R16 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *3 및 *4와 결합하고, R25∼R28 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *5 및 *6과 결합한다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물로서, 하기 화학식(1a-iii[II])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-iii[II])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00159
화학식(1a-iii[II]) 중, A, L2∼L3, b∼c 및 Y1∼Y3은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R36은 상기 화학식(1[II])에 기재된 R과 동일하다.
R1∼R4 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *1 및 *2와 결합하고, R13∼R16 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *3 및 *4와 결합하고, R25∼R28 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *5 및 *6과 결합한다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물로서, 하기 화학식(1a-iv[II])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-iv[II])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00160
화학식(1a-iv[II]) 중, A 및 Y1∼Y3은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R36은 상기 화학식(1[II])에 기재된 R과 동일하다.
R1∼R4 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *1 및 *2와 결합하고, R13∼R16 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *3 및 *4와 결합하고, R25∼R28 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *5 및 *6과 결합한다.
또한, 본 발명의 일 태양의 화합물로서, 하기 화학식(1b[II])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1b[II])」라고도 함)이 바람직하다.
Figure pct00161
화학식(1b[II]) 중, A, L1∼L2, a 및 Y1∼Y2는 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다. R1∼R24는 상기 화학식(1[II])에 기재된 R과 동일하다.
R1∼R4 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *1 및 *2와 결합하고, R13∼R16 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *3 및 *4와 결합한다.
한편, 본 발명의 일 태양인 화합물(1b[II])로서는, R1∼R24로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하는 경우가 없는 화합물인 것이 바람직하고, 하기 화학식(1b-i[II])로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00162
화학식(1b-i[II]) 중, A, L1∼L2, a 및 Y1∼Y2는 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다.
카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 및 4위에 갖는 4개의 수소 원자 중 2개가 탈리되어, 탈리된 수소 원자와 결합하고 있던 탄소 원자가 *1 및 *2, *3 및 *4, 또는 *5 및 *6과 결합한다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물로서, 하기 화학식(1c-i[II])∼(1c-iv[II])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1c-i[II])∼(1c-iv[II])」라고도 함)이 바람직하다.
Figure pct00163
화학식(1c-i[II]) 중, L1∼L3, a∼c, p∼r, X1∼X36 및 Y1∼Y3은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다.
X101∼X104는 각각 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
Figure pct00164
화학식(1c-ii[II]) 중, L1∼L3, a∼c, p∼r, X1∼X36 및 Y1∼Y3은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다. X103은 C(Rx) 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이다.
Figure pct00165
화학식(1c-iii[II]) 중, L1∼L3, a∼c, p∼r, X1∼X36 및 Y1∼Y3은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다.
X101, X102, X105∼X108은 각각 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
Figure pct00166
화학식(1c-iv[II]) 중, L1∼L3, a∼c, p∼r, X1∼X36 및 Y1∼Y3은 상기 화학식(1[II])에 관한 기재와 동일하다.
R101, R102 및 R105∼R108 중 1∼3개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자가 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하고, 그 이외는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 한편, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
이하에 본 발명의 일 태양인 화합물(1[II])의 구체예를 나타내지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
Figure pct00167
Figure pct00168
Figure pct00169
Figure pct00170
Figure pct00171
Figure pct00172
Figure pct00173
Figure pct00174
Figure pct00175
Figure pct00176
Figure pct00177
Figure pct00178
Figure pct00179
Figure pct00180
Figure pct00181
Figure pct00182
Figure pct00183
Figure pct00184
Figure pct00185
Figure pct00186
Figure pct00187
Figure pct00188
Figure pct00189
Figure pct00190
Figure pct00191
Figure pct00192
Figure pct00193
Figure pct00194
Figure pct00195
Figure pct00196
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Figure pct00198
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Figure pct00200
Figure pct00201
Figure pct00202
Figure pct00203
Figure pct00204
Figure pct00205
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Figure pct00210
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Figure pct00212
Figure pct00213
Figure pct00214
Figure pct00215
Figure pct00216
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Figure pct00218
Figure pct00219
Figure pct00220
Figure pct00221
Figure pct00222
Figure pct00223
Figure pct00224
Figure pct00225
Figure pct00226
Figure pct00227
Figure pct00228
Figure pct00229
Figure pct00230
Figure pct00231
Figure pct00232
Figure pct00233
[화학식(1[III])으로 표시되는 화합물]
본 발명의 일 태양에 있어서, 하기 화학식(1[III])으로 표시되는 화합물[화합물(1[III])으로 약칭하는 경우가 있다]이 제공된다. 당해 화합물(1[III])은, 도포법에 의해 층 형성하는 유기 EL 소자에 적합한 화합물이고, 유기 전기발광 소자용 재료로서 유용하다.
Figure pct00234
(화학식(1[III]) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
X1∼X24는 각각 C(R1)∼C(R24) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R24는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 1개는 Z1 또는 Ar4 및 Ar5가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이고, X9∼X12 중 1개는 Z2 또는 Ar6 및 Ar7이 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이며, X21∼X24 중 1개는 Z3 또는 Ar8 및 Ar9가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는 R1∼R8로부터 선택되는 2개, R9∼R16으로부터 선택되는 2개, 및 R17∼R24로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
Ar1∼Ar3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기를 나타낸다.
Ar4∼Ar9는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기를 나타낸다.
Z1∼Z3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
d∼f는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
화학식(1[III]) 중, *1은, *1'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중 어느 한쪽이 탈리되어 질소 원자와 직접 결합하고 있다. *2는, *2'가 기재되어 있는 Ar2 및 Ar6 중 어느 한쪽이 탈리되어 질소 원자와 직접 결합하고 있다. *3은, *3'가 기재되어 있는 Ar3 및 Ar8 중 어느 한쪽이 탈리되어 질소 원자와 직접 결합하고 있다.)
(화학식(1[III]) 중의 각 기에 대한 설명)
A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 6∼20, 보다 바람직하게는 6∼14이다. 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는, 바람직하게는 단환, 2환으로 구성되는 축합환, 3환으로 구성되는 축합환 중 어느 것이다.
질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 함유하는 질소 원자의 수는, 바람직하게는 1∼3개, 보다 바람직하게는 2개 또는 3개이다. 특히, 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 단환인 경우에는, 함유하는 질소 원자의 수는 바람직하게는 2개 또는 3개, 보다 바람직하게는 3개이고, 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 2환 또는 3환으로 구성되는 축합환인 경우에는, 함유하는 질소 원자의 수는 바람직하게는 2개이다. 한편, 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는 질소 원자 이외의 헤테로 원자, 예를 들면 산소 원자, 황 원자, 규소 원자, 셀레늄 원자 등을 함유하고 있어도 되고, 한편 헤테로 원자로서 질소 원자만을 함유하고 있는 것도 바람직하다.
A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 구체예로서는, 피롤, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트라이아진, 이미다졸, 피라졸, 옥사다이아졸, 싸이아다이아졸, 트라이아졸, 테트라졸, 인돌, 아이소인돌, 인돌리진, 퀴놀리진, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 나프티리딘, 신놀린, 프탈라진, 퀴나졸린, 벤조[f]퀴나졸린, 벤조[h]퀴나졸린, 퀴녹살린, 벤즈이미다졸, 인다졸, 카바졸, 비스카바졸, 페난트리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 아자트라이페닐렌, 다이아자트라이페닐렌, 헥사아자트라이페닐렌, 아자카바졸, 아자다이벤조퓨란, 아자다이벤조싸이오펜 및 다이나프토[2',3':2,3:2',3':6,7]카바졸로부터 선택되는 화합물의 잔기 등을 들 수 있다. 여기에서, 잔기란, 화합물로부터 수소 원자가 1개 이상 탈리되어 얻어지는 1가 이상의 기이다. 한편, 상기 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 가수, 즉 「A」의 가수는, 「a+b+c」의 값에 상당한다.
상기 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기로서는, 상기 중에서도, 하기의 군으로부터 선택되는 화합물의 잔기가 바람직하다.
Figure pct00235
또한, 본 발명의 일 태양에 있어서는, A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 하기 화학식(A1)로 표시되는 질소 함유 헤테로환의 잔기인 것이 바람직하다.
Figure pct00236
(화학식(A1) 중, X101∼X104는 각각 C(R101)∼C(R104) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101∼R104는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102∼R104로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
본 발명의 일 태양에 있어서는, A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 하기 화학식(A2)∼(A4) 중 어느 것으로 표시되는 질소 함유 헤테로환의 잔기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00237
(화학식(A2) 중, X103은 C(R103) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101∼R104는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. R102∼R104로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00238
(화학식(A3) 중, X101, X102, X105∼X108은 각각 C(R101), C(R102), C(R105)∼C(R108) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101, R102 및 R105∼R108은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00239
(화학식(A4) 중, R101, R102 및 R105∼R108은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
한편, 화학식(1[III]) 중의 A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는 임의로 치환기를 갖고 있어도 된다.
질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기에 치환될 수 있는 치환기로서는, 구체적으로는 전술의 치환기를 들 수 있고, 해당 치환기로서는, 예를 들면, 치환 아미노기가 치환된 9-카바졸릴기나, 카바졸릴기가 치환된 치환 아미노기나, 치환 아미노기가 치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환된 9-카바졸릴기나, 카바졸릴기가 치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환된 치환 아미노기도 포함된다.
상기 화학식(1[III])에 있어서, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기의 환형성 탄소수는 6∼30이고, 바람직하게는 6∼18, 보다 바람직하게는 6∼13, 더 바람직하게는 6∼12, 특히 바람직하게는 6∼10이다.
L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 바람직하고, 본 발명의 일 태양에 있어서는, L1∼L3 중 적어도 하나(바람직하게는 모두)가 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 바람직하다.
Figure pct00240
(상기 화합물 중의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
또, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 보다 바람직하고, 본 발명의 일 태양에 있어서는, L1∼L3 중 적어도 하나(바람직하게는 모두)가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00241
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
상기 중에서도, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 하기 식으로 표시되는 기 중 어느 것인 것이 보다 바람직하고, L1∼L3 중 적어도 하나(바람직하게는 모두)가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00242
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
상기 중에서도, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 하기 식으로 표시되는 기 중 어느 것인 것이 더 바람직하고, L1∼L3 중 적어도 하나(바람직하게는 모두)가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 더 바람직하다.
Figure pct00243
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 상기 이외에도, 하기 식으로 표시되는 기를 들 수 있다.
Figure pct00244
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기가 2가인 경우의 구체예로서는, 하기 식으로 표시되는 기를 들 수 있다.
Figure pct00245
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
또한, L1∼L3이 나타내는 헤테로환기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 5∼18, 보다 바람직하게는 5∼13, 특히 바람직하게는 5∼10이다. 헤테로환기로서는, 예를 들면, 피롤, 피리딘, 이미다조피리딘, 피라졸, 트라이아졸, 테트라졸, 인돌, 아이소인돌 및 카바졸 등의 함질소 헤테로환 화합물의 잔기; 퓨란, 벤조퓨란, 아이소벤조퓨란, 다이벤조퓨란, 옥사졸, 옥사다이아졸, 벤즈옥사졸, 벤조나프토퓨란 및 다이나프토퓨란 등의 함산소 헤테로환 화합물의 잔기; 싸이오펜, 벤조싸이오펜, 다이벤조싸이오펜, 싸이아졸, 싸이아다이아졸, 벤조싸이아졸, 벤조나프토싸이오펜 및 다이나프토싸이오펜 등의 함황 헤테로환 화합물의 잔기 등을 들 수 있다.
L1∼L3이 나타내는 「이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기」는, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기와 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다. 이 경우의 결합 순서에 특별히 제한은 없다.
이상 중에서도, L1∼L3으로서는, 모두, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 해당 방향족 탄화수소기로서 보다 바람직한 것은 전술한 대로이다.
X1∼X24는 각각 C(R1)∼C(R24) 또는 질소 원자를 나타낸다. 해당 R1∼R24는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다.
단, X1∼X4 중 1개는 Z1 또는 Ar4 및 Ar5가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이다. 보다 상세하게 설명하면, X1∼X4 중 1개는, d=0의 경우, Ar4 및 Ar5가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이고, d=1의 경우, Z1과 직접 결합하는 탄소 원자이다.
또한, X9∼X12 중 1개는 Z2 또는 Ar6 및 Ar7이 결합하는 질소 원자(N)와 직접 결합하는 탄소 원자이고, X21∼X24 중 1개는 Z3 또는 Ar8 및 Ar9가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이다. 보다 상세하게 설명하면, X9∼X12 중 1개는, e=0의 경우, Ar6 및 Ar7이 결합하는 질소 원자(N)와 직접 결합하는 탄소 원자이고, e=1의 경우, Z2와 직접 결합하는 탄소 원자이다. X21∼X24 중 1개는, f=0의 경우, Ar8 및 Ar9가 결합하는 질소 원자(N)와 직접 결합하는 탄소 원자이고, f=1의 경우, Z3과 직접 결합하는 탄소 원자이다.
또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, R9∼R16으로부터 선택되는 2개, 및 R17∼R24로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. 본 발명의 일 태양에서는, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, R9∼R16으로부터 선택되는 2개, 및 R17∼R24로부터 선택되는 2개는, 모두, 서로 결합하여 환을 형성하고 있지 않는 것이 바람직하다.
한편, 「직접 결합」은, 다른 문언에서는, 일반적으로는 「단일 결합」이라고 말해지는 경우도 있다.
X1∼X24로서는, 바람직하게는 모두 C(R1)∼C(R24)이고, 해당 R1∼R24가 모두 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.
Ar1∼Ar3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기를 나타낸다.
또한, Ar4∼Ar9는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기를 나타낸다.
Ar1∼Ar3 및 Ar4∼Ar9가 나타내는 아릴기의 환형성 탄소수는 6∼30이고, 모두, 바람직하게는 6∼18, 보다 바람직하게는 6∼13, 더 바람직하게는 6∼12, 특히 바람직하게는 6∼10이다.
해당 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기(1-나프틸기, 2-나프틸기), 나프틸페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 쿼터페닐릴기, 퀸크페닐릴기, 아세나프틸렌일기, 안트릴기, 벤즈안트릴기, 아세안트릴기, 페난트릴기, 벤조페난트릴기, 페날렌일기, 플루오렌일기(9,9-다이메틸플루오렌일기, 9,9-다이페닐플루오렌일기, 9,9'-스파이로바이플루오렌일기를 포함한다), 벤조플루오렌일기, 다이벤조플루오렌일기, 피센일기, 펜타페닐기, 펜타센일기, 피렌일기, 크라이센일기, 벤조크라이센일기, s-인다닐기, as-인다닐기, 플루오란텐일기, 벤조플루오란텐일기, 테트라센일기, 트라이페닐렌일기, 벤조트라이페닐렌일기, 페릴렌일기, 코로닐기, 다이벤즈안트릴기 등을 들 수 있다. 상기 각 기는, 이성체기가 존재하는 경우에는, 이성체기를 포함한다.
Ar4∼Ar9로서는, 본 발명의 일 태양에 있어서는, 상기 아릴기 중에서도, 환형성 탄소수 10∼30(바람직하게는 10∼20, 보다 바람직하게는 10∼14)의 축합환기인 것도 바람직하다. 해당 축합환기로서는, 나프틸기(1-나프틸기, 2-나프틸기), 아세나프틸렌일기, 안트릴기, 벤즈안트릴기, 아세안트릴기, 페난트릴기, 벤조페난트릴기, 페날렌일기, 플루오렌일기(9,9-다이메틸플루오렌일기, 9,9-다이페닐플루오렌일기, 9,9'-스파이로바이플루오렌일기를 포함한다), 벤조플루오렌일기, 다이벤조플루오렌일기, 피센일기, 펜타센일기, 피렌일기, 크라이센일기, 벤조크라이센일기, 플루오란텐일기, 벤조플루오란텐일기, 테트라센일기, 페릴렌일기, 코로닐기, 다이벤즈안트릴기 등을 들 수 있다.
또한, 아릴기로서는, 보다 구체적으로는, 하기 군으로부터 선택되는 아릴기가 바람직하다.
Figure pct00246
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
Ar1∼Ar3 및 Ar4∼Ar9가 나타내는 헤테로아릴기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 5∼20, 보다 바람직하게는 5∼14, 더 바람직하게는 5∼10이다.
해당 헤테로아릴기는 적어도 1개, 바람직하게는 1∼5개, 보다 바람직하게는 1∼3개, 더 바람직하게는 1∼2개의 동일 또는 상이한 헤테로 원자를 포함한다. 해당 헤테로 원자로서는, 예를 들면 질소 원자, 황 원자, 산소 원자 및 인 원자를 들 수 있고, 바람직하게는 이들로부터 선택된다.
해당 헤테로아릴기로서는, 예를 들면, 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 피리다진일기, 피리미딘일기, 피라진일기, 트라이아진일기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 싸이아졸릴기, 피라졸릴기, 아이속사졸릴기, 아이소싸이아졸릴기, 옥사다이아졸릴기, 싸이아다이아졸릴기, 트라이아졸릴기, 테트라졸릴기, 인돌릴기, 아이소인돌릴기, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기, 아이소벤조싸이오펜일기, 인돌리진일기, 퀴놀리진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 신놀릴기, 프탈라진일기, 퀴나졸린일기, 퀴녹살린일기, 벤즈이미다졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤조싸이아졸릴기, 인다졸릴기, 벤즈아이속사졸릴기, 벤즈아이소싸이아졸릴기, 다이벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오펜일기, 카바졸릴기, 비스카바졸릴기, 페난트리딘일기, 아크리딘일기, 페난트롤린일기, 페나진일기, 페노싸이아진일기, 페녹사진일기, 아자트라이페닐렌일기, 다이아자트라이페닐렌일기, 잔텐일기, 아자카바졸릴기, 아자다이벤조퓨란일기, 아자다이벤조싸이오펜일기, 벤조퓨라노벤조싸이오펜일기, 벤조싸이에노벤조싸이오펜일기, 다이벤조퓨라노나프틸기, 다이벤조싸이에노나프틸기, 다이나프토싸이에노싸이오펜일기, 및 다이나프토[2',3':2,3:2',3':6,7]카바졸릴기를 들 수 있다.
Ar1∼Ar3 및 Ar4∼Ar9로서는, 모두 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가 바람직하다. 해당 아릴기로서 보다 바람직한 것은 전술한 대로이다.
화학식(1[III]) 중, Z1∼Z3이 나타내는 방향족 탄화수소기, 헤테로환기 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기의 설명은 L1∼L3의 경우와 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. 그 중에서도, Z1∼Z3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 페닐렌기, 나프틸렌기가 바람직하고, 페닐렌기가 보다 바람직하다.
또한, Z1∼Z3으로서는, 이상 중에서도, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 해당 방향족 탄화수소기로서 보다 바람직한 것은 전술한 대로이다.
화학식(1[III]) 중, d∼f는 모두 0인 것도 바람직하고, 모두 1인 것도 바람직하다. 또한, d∼f는 어느 1개가 0이고, 나머지 2개가 1인 것도 바람직하다.
화학식(1[III]) 중, p∼r은, 전술한 대로, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이 된다. 특별히 제한되는 것은 아니지만, p∼r 중 2개가 동시에 0은 아닌 것이 바람직하다.
또한, 화학식(1[III]) 중, *1'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중 어느 한쪽이 탈리되어, 그 대신에 *1이 질소 원자와 직접 결합하고 있다. *2'가 기재되어 있는 Ar2 및 Ar6 중 어느 한쪽이 탈리되어, 그 대신에 *2가 질소 원자와 직접 결합하고 있다. *3'가 기재되어 있는 Ar3 및 Ar8 중 어느 한쪽이 탈리되어, 그 대신에 *3이 질소 원자와 직접 결합하고 있다.
예를 들면, *1'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중, Ar1이 탈리되어, 그 대신에 *1이 질소 원자와 직접 결합하고 있는 경우, 이하의 상태(부분 구조만을 나타낸다)가 된다.
Figure pct00247
한편, *1'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중, Ar4가 탈리되어, 그 대신에 *1이 질소 원자와 직접 결합하고 있는 경우, 이하의 상태(부분 구조만을 나타낸다)가 된다.
Figure pct00248
화학식(1[III])에 있어서, [ ] 내의 기로서는, 구체적으로는 이하의 기가 예시되고, 이하의 기로부터 임의로 선택할 수 있다.
Figure pct00249
Figure pct00250
Figure pct00251
Figure pct00252
Figure pct00253
Figure pct00254
Figure pct00255
Figure pct00256
Figure pct00257
Figure pct00258
Figure pct00259
Figure pct00260
Figure pct00261
Figure pct00262
Figure pct00263
Figure pct00264
Figure pct00265
Figure pct00266
(화합물(1[III]) 중에서도 바람직한 화합물의 화학식)
본 발명의 화합물(1[III]) 중에서도 바람직한 화합물의 화학식을 이하에 열거한다. 한편, 각 기의 정의는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.
Figure pct00267
(화학식(1a[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, X1∼X24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00268
(화학식(1a'[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00269
(화학식(2'[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, p∼r, R1∼R24, Ar4∼Ar9, Z1∼Z3은 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00270
(화학식(3'[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, p∼r, R1∼R24, Ar1∼Ar3, Ar5, Ar7, Ar9, Z1∼Z3은 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00271
(화학식(2-1[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, p∼r, R1, R2, R4∼R10, R12∼R21, R23, R24, Ar4∼Ar9, Z1∼Z3은 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00272
(화학식(1a-i[III]) 중, A, L1∼L3, d∼f, X1∼X24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00273
(화학식(1a'-i[III]) 중, A, L1∼L3, d∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00274
(화학식(2a'-i[III]) 중, A, L1∼L3, d∼f, R1∼R24, Ar4∼Ar9, Z1∼Z3은 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00275
(화학식(3a'-i[III]) 중, A, L1∼L3, d∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar3, Ar5, Ar7, Ar9, Z1∼Z3은 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00276
(화학식(1a-ii[III]) 중, A, L2, L3, b∼f, X1∼X24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00277
화학식(1a'-ii[III]) 중, A, L2, L3, b∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00278
(화학식(2a'-ii[III]) 중, A, L2, L3, b∼f, R1∼R24, Ar4∼Ar9, Z1∼Z3은 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00279
(화학식(3a'-ii[III]) 중, A, L2, L3, b∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar3, Ar5, Ar7, Ar9, Z1∼Z3은 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00280
(화학식(1a-iii[III]) 중, A, d∼f, X1∼X24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00281
(화학식(1a'-iii[III]) 중, A, d∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00282
(화학식(2a'-iii[III]) 중, A, d∼f, R1∼R24, Ar4∼Ar9, Z1∼Z3은 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00283
(화학식(3a'-iii[III]) 중, A, d∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar3, Ar5, Ar7, Ar9, Z1∼Z3은 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00284
(화학식(1a-iv[III]) 중, A, L1, L2, a, d, e, X1∼X16, Ar1, Ar2, Ar4∼Ar7, Z1, Z2, *1, *2, *1', *2'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. 화학식(1a-iv[III]) 중의 각 기에 있어서, 동일 기호는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00285
(화학식(1a'-iv[III]) 중, A, L1, L2, a, d, e, R1∼R16, Ar1, Ar2, Ar4∼Ar7, Z1, Z2, *1, *2, *1', *2'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. 화학식(1a'-iv[III]) 중의 각 기에 있어서, 동일 기호는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00286
(화학식(2a'-iv[III]) 중, A, L1, L2, a, d, e, R1∼R16, Ar4∼Ar7, Z1, Z2는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. 화학식(2a'-iv[III]) 중의 각 기에 있어서, 동일 기호는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00287
(화학식(3a'-iv[III]) 중, A, L1, L2, a, d, e, R1∼R16, Ar1, Ar2, Ar5, Ar7, Z1, Z2는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. 화학식(3a'-iv[III]) 중의 각 기에 있어서, 동일 기호는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00288
(화학식(2[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, p∼r, X1∼X24, Ar4∼Ar9, Z1∼Z3은 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00289
화학식(2-1[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, p∼r, X1, X2, X4∼X10, X12∼X21, X23, X24, Ar4∼Ar9, Z1∼Z3은 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00290
(화학식(3[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, p∼r, X1∼X24, Ar1∼Ar3, Ar5, Ar7, Ar9, Z1∼Z3은 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00291
(화학식(1a'-H[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
한편, 상기 화학식(1a'-H[III]) 중, Z1∼Z3의 각각으로부터 벤젠환으로 뻗어 있는 결합손은, 선단이 위치하는 벤젠환 상의 4개의 수소 원자 중 어느 하나가 탈리되어, 거기에서 결합하고 있는 것을 나타낸다.
Figure pct00292
(화학식(1a'-iv-H[III]) 중, A, L1, L2, a, d, e, Ar1, Ar2, Ar4∼Ar7, Z1, Z2, *1, *2, *1', *2'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. 화학식(1a'-iv-H[III]) 중의 각 기에 있어서, 동일 기호는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
한편, 상기 화학식(1a'-iv-H[III]) 중, Z1∼Z3의 각각으로부터 벤젠환으로 뻗어 있는 결합손은, 선단이 위치하는 벤젠환 상의 4개의 수소 원자 중 어느 하나가 탈리되어, 거기에서 결합하고 있는 것을 나타낸다.
Figure pct00293
(화학식(1b-i[III]) 중, L1∼L3, a∼f, p∼r, X1∼X24, Ar1∼Ar3, Ar4∼Ar9, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
X101∼X104는 각각 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이다. 해당 Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00294
(화학식(1b-ii[III]) 중, L1∼L3, a∼f, p∼r, X1∼X24, Ar1∼Ar3, Ar4∼Ar9, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
X103은 C(Rx) 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이다.)
Figure pct00295
화학식(1b-iii[III]) 중, L1∼L3, a∼f, p∼r, X1∼X24, Ar1∼Ar3, Ar4∼Ar9, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
X101, X102, X105∼X108은 각각 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이다. 해당 Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00296
(화학식(1b-iv[III]) 중, L1∼L3, a∼f, p∼r, X1∼X24, Ar1∼Ar3, Ar4∼Ar9, *1∼*3, *1'∼*3'는 화학식(1[III]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
R101, R102 및 R105∼R108 중 1∼3개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자가 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하고, 그 이외는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 한편, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
이하에 본 발명의 일 태양인 화합물(1[III])의 구체예를 나타내지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
Figure pct00297
Figure pct00298
Figure pct00299
Figure pct00300
Figure pct00301
Figure pct00302
Figure pct00303
Figure pct00304
Figure pct00305
Figure pct00306
Figure pct00307
Figure pct00308
Figure pct00309
Figure pct00310
Figure pct00311
Figure pct00312
Figure pct00313
Figure pct00314
Figure pct00315
Figure pct00316
Figure pct00317
Figure pct00318
Figure pct00319
Figure pct00320
Figure pct00321
Figure pct00322
Figure pct00323
Figure pct00324
Figure pct00325
Figure pct00326
Figure pct00327
Figure pct00328
Figure pct00329
Figure pct00330
Figure pct00331
Figure pct00332
Figure pct00333
Figure pct00334
Figure pct00335
Figure pct00336
Figure pct00337
Figure pct00338
Figure pct00339
Figure pct00340
Figure pct00341
Figure pct00342
Figure pct00343
Figure pct00344
Figure pct00345
Figure pct00346
Figure pct00347
Figure pct00348
[화학식(1[IV])로 표시되는 화합물]
본 발명의 일 태양에 있어서는, 하기 화학식(1[IV])로 표시되는 화합물[화합물(1[IV])로 약칭하는 경우가 있다]을 유기 전기발광 소자의 재료로서 이용한다. 당해 화합물은, 도포법에 의해 층 형성하는 유기 EL 소자에 적합한 화합물이고, 유기 전기발광 소자용 재료로서 유용하다.
Figure pct00349
(화학식(1[IV]) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
X1∼X48은 각각 C(R1)∼C(R48) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R48은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있으며, X17∼X20 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X29∼X32 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있으며, X37∼X40 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X41∼X44 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는 R1∼R48로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
Y1∼Y3은, 각각 독립적으로, 산소 원자, 황 원자, C(RA)(RB), Si(RC)(RD), P(RE), P(=O)(RF), S(=O)2 또는 P(=S)(RG)이다. RA, RB, RC, RD, RE, RF 및 RG는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
(화학식(1[IV]) 중의 각 기에 대한 설명)
A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 6∼20, 보다 바람직하게는 6∼14이다. 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는, 바람직하게는 단환, 2환으로 구성되는 축합환, 3환으로 구성되는 축합환 중 어느 것이다.
질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 함유하는 질소 원자의 수는, 바람직하게는 1∼3개, 보다 바람직하게는 2개 또는 3개이다. 특히, 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 단환인 경우에는, 함유하는 질소 원자의 수는 바람직하게는 2개 또는 3개, 보다 바람직하게는 3개이고, 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 2환 또는 3환으로 구성되는 축합환인 경우에는, 함유하는 질소 원자의 수는 바람직하게는 2개이다. 한편, 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는 질소 원자 이외의 헤테로 원자, 예를 들면 산소 원자, 황 원자, 규소 원자, 셀레늄 원자 등을 함유하고 있어도 되고, 한편 헤테로 원자로서 질소 원자만을 함유하고 있는 것도 바람직하다.
A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 구체예로서는, 피롤, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트라이아진, 이미다졸, 피라졸, 옥사다이아졸, 싸이아다이아졸, 트라이아졸, 테트라졸, 인돌, 아이소인돌, 인돌리진, 퀴놀리진, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 나프티리딘, 신놀린, 프탈라진, 퀴나졸린, 벤조[f]퀴나졸린, 벤조[h]퀴나졸린, 퀴녹살린, 벤즈이미다졸, 인다졸, 카바졸, 비스카바졸, 페난트리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 아자트라이페닐렌, 다이아자트라이페닐렌, 헥사아자트라이페닐렌, 아자카바졸, 아자다이벤조퓨란, 아자다이벤조싸이오펜 및 다이나프토[2',3':2,3:2',3':6,7]카바졸로부터 선택되는 화합물의 잔기 등을 들 수 있다. 여기에서, 잔기란, 화합물로부터 수소 원자가 1개 이상 탈리되어 얻어지는 1가 이상의 기이다. 한편, 상기 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 가수, 즉 「A」의 가수는, 「a+b+c」의 값에 상당한다.
상기 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기로서는, 상기 중에서도, 하기의 군으로부터 선택되는 화합물의 잔기가 바람직하다.
Figure pct00350
또한, 본 발명의 일 태양에 있어서는, A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 하기 화학식(A1)로 표시되는 질소 함유 헤테로환의 잔기인 것이 바람직하다.
Figure pct00351
(화학식(A1) 중, X101∼X104는 각각 C(R101)∼C(R104) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101∼R104는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102∼R104로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
본 발명의 일 태양에 있어서는, A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 하기 화학식(A2)∼(A4) 중 어느 것으로 표시되는 질소 함유 헤테로환의 잔기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00352
(화학식(A2) 중, X103은 C(R103) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101∼R104는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. R102∼R104로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00353
(화학식(A3) 중, X101, X102, X105∼X108은 각각 C(R101), C(R102), C(R105)∼C(R108) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101, R102 및 R105∼R108은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00354
(화학식(A4) 중, R101, R102 및 R105∼R108은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
한편, 화학식(1[IV]) 중의 A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는 임의로 치환기를 갖고 있어도 된다.
질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기에 치환될 수 있는 치환기로서는, 구체적으로는 전술의 치환기를 들 수 있고, 해당 치환기로서는, 예를 들면, 아릴기 또는 헤테로아릴기가 치환된 9-카바졸릴기나, 아릴기 또는 헤테로아릴기가 치환된 9-카바졸릴기로 치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기도 포함된다.
상기 화학식(1[IV])에 있어서, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기의 환형성 탄소수는 6∼30이고, 바람직하게는 6∼18, 보다 바람직하게는 6∼13, 더 바람직하게는 6∼12, 특히 바람직하게는 6∼10이다.
L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 바람직하고, 본 발명의 일 태양에 있어서는, L1∼L3 중 적어도 하나(바람직하게는 모두)가 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 바람직하다.
Figure pct00355
(상기 화합물 중의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
또, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 보다 바람직하고, 본 발명의 일 태양에 있어서는, L1∼L3 중 적어도 하나(바람직하게는 모두)가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00356
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
상기 중에서도, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 하기 식으로 표시되는 기 중 어느 것인 것이 보다 바람직하고, L1∼L3 중 적어도 하나(바람직하게는 모두)가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00357
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
상기 중에서도, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 하기 식으로 표시되는 기 중 어느 것인 것이 더 바람직하고, L1∼L3 중 적어도 하나(바람직하게는 모두)가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 더 바람직하다.
Figure pct00358
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 상기 이외에도, 하기 식으로 표시되는 기를 들 수 있다.
Figure pct00359
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기가 2가인 경우의 구체예로서는, 하기 식으로 표시되는 기를 들 수 있다.
Figure pct00360
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
또한, L1∼L3이 나타내는 헤테로환기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 5∼18, 보다 바람직하게는 5∼13, 특히 바람직하게는 5∼10이다. 헤테로환기로서는, 예를 들면, 피롤, 피리딘, 이미다조피리딘, 피라졸, 트라이아졸, 테트라졸, 인돌, 아이소인돌 및 카바졸 등의 함질소 헤테로환 화합물의 잔기; 퓨란, 벤조퓨란, 아이소벤조퓨란, 다이벤조퓨란, 옥사졸, 옥사다이아졸, 벤즈옥사졸, 벤조나프토퓨란 및 다이나프토퓨란 등의 함산소 헤테로환 화합물의 잔기; 싸이오펜, 벤조싸이오펜, 다이벤조싸이오펜, 싸이아졸, 싸이아다이아졸, 벤조싸이아졸, 벤조나프토싸이오펜 및 다이나프토싸이오펜 등의 함황 헤테로환 화합물의 잔기 등을 들 수 있다.
L1∼L3이 나타내는 「이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기」는, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기와 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다. 이 경우의 결합 순서에 특별히 제한은 없다.
이상 중에서도, L1∼L3으로서는, 모두, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 해당 방향족 탄화수소기로서 보다 바람직한 것은 전술한 대로이다.
X1∼X48은 각각 C(R1)∼C(R48) 또는 질소 원자를 나타낸다. 해당 R1∼R48은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다.
단, X1∼X4 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있으며, X17∼X20 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X29∼X32 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있으며, X37∼X40 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X41∼X44 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있다.
또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, R9∼R16으로부터 선택되는 2개, R17∼R24로부터 선택되는 2개, R25∼R32로부터 선택되는 2개, R33∼R40으로부터 선택되는 2개, 및 R41∼R48로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. 본 발명의 일 태양에서는, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, R9∼R16으로부터 선택되는 2개, R17∼R24로부터 선택되는 2개, R25∼R32로부터 선택되는 2개, R33∼R40으로부터 선택되는 2개, 및 R41∼R48로부터 선택되는 2개는, 모두, 서로 결합하여 환을 형성하고 있지 않는 것이 바람직하다.
한편, 「직접 결합」은, 다른 문언에서는, 일반적으로는 「단일 결합」이라고 말해지는 경우도 있다.
X1∼X48로서는, 바람직하게는 모두 C(R1)∼C(R48)이고, 해당 R1∼R48이 모두 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.
Y1∼Y3은, 각각 독립적으로, 산소 원자, 황 원자, C(RA)(RB), Si(RC)(RD), P(RE), P(=O)(RF), S(=O)2 또는 P(=S)(RG)이다. Y1∼Y3으로서는, 모두, 바람직하게는 산소 원자 또는 황 원자이고, Y1∼Y3 모두가 산소 원자 또는 황 원자인 것이 보다 바람직하며, Y1∼Y3 모두가 산소 원자이거나, 또는 Y1∼Y3 모두가 황 원자인 것이 더 바람직하다.
해당 RA, RB, RC, RD, RE, RF 및 RG는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
RA, RB, RC, RD, RE, RF 및 RG는 모두 아릴기인 것도 바람직하고, 해당 아릴기로서는, 하기 군으로부터 선택되는 아릴기가 보다 바람직하다.
Figure pct00361
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
또한, C(RA)(RB)의 RA와 RB, 및 Si(RC)(RD)의 RC와 RD가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우, 구체적으로는 이하와 같은 구조를 들 수 있다.
Figure pct00362
화학식(1[IV]) 중, p∼r은, 전술한 대로, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이 된다. 특별히 제한되는 것은 아니지만, p∼r 중 2개가 동시에 0은 아닌 것이 바람직하다.
화학식(1[IV])에 있어서, [ ] 내의 기로서는, 구체적으로는 이하의 기가 예시되고, 이하의 기로부터 임의로 선택할 수 있다.
Figure pct00363
Figure pct00364
Figure pct00365
Figure pct00366
Figure pct00367
Figure pct00368
Figure pct00369
Figure pct00370
(화합물(1[IV]) 중에서도 바람직한 화합물의 화학식)
화합물(1[IV]) 중에서도 바람직한 화합물의 화학식을 이하에 열거한다. 한편, 각 기의 정의는 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.
Figure pct00371
(화학식(1a[IV]) 중, A, L1∼L3, a∼c, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00372
(화학식(1-ii-1[IV]) 중, A, L2, L3, c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00373
(화학식(1a-ii-1[IV]) 중, A, L2, L3, c, X1∼X48, Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00374
(화학식(1a'[IV]) 중, A, L1∼L3, a∼c, R1∼R48 및 Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00375
(화학식(1a-i[IV]) 중, A, L1∼L3, X1∼X48, Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00376
(화학식(1a'-i[IV]) 중, A, L1∼L3, R1∼R48 및 Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00377
(화학식(1a-ii[IV]) 중, A, L2, L3, b, c, X1∼X48, Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00378
(화학식(1a'-ii[IV]) 중, A, L2, L3, b, c, R1∼R48 및 Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00379
(화학식(1a-iii[IV]) 중, A, X1∼X48, Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00380
(화학식(1a'-iii[IV]) 중, A, R1∼R48 및 Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00381
(화학식(1a-iv[IV]) 중, A, L1, L2, a, X1∼X32, Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. 화학식(1a-iv[IV]) 중의 각 기에 있어서, 동일 기호는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00382
(화학식(1a'-iv[IV]) 중, A, L1, L2, a, R1∼R32, Y1 및 Y2는 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. 화학식(1a'-iv[IV]) 중의 각 기에 있어서, 동일 기호는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00383
(화학식(1a'-H[IV]) 중, A, L1∼L3, a∼c 및 Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
한편, 상기 화학식(1a'-H[IV]) 중, 카바졸릴기가 갖는 벤젠환으로부터 뻗어 있는 결합손은, 그 결합손의 2개의 선단이 위치하는 각각의 벤젠환 상의 4개의 수소 원자 중 어느 하나가 탈리되어, 거기에서 결합하고 있는 것을 나타낸다.
Figure pct00384
(화학식(1a'-iv-H[IV]) 중, A, L1, L2, a, Y1 및 Y2는 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. 화학식(1a'-iv-H[IV]) 중의 각 기에 있어서, 동일 기호는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
한편, 상기 화학식(1a'-iv-H[IV]) 중, 카바졸릴기가 갖는 벤젠환으로부터 뻗어 있는 결합손은, 그 결합손의 2개의 선단이 위치하는 각각의 벤젠환 상의 4개의 수소 원자 중 어느 하나가 탈리되어, 거기에서 결합하고 있는 것을 나타낸다.
Figure pct00385
(화학식(1b-i[IV]) 중, L1∼L3, a∼c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
X101∼X104는 각각 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이다. 해당 Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00386
(화학식(1b-ii[IV]) 중, L1∼L3, a∼c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
X103은 C(Rx) 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이다.)
Figure pct00387
(화학식(1b-iii[IV]) 중, L1∼L3, a∼c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
X101, X102, X105∼X108은 각각 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이다. 해당 Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00388
(화학식(1b-iv[IV]) 중, L1∼L3, a∼c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 화학식(1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
R101, R102 및 R105∼R108 중 1∼3개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자가 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하고, 그 이외는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 한편, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
또한, 화합물(1[IV]) 중에서도, 특히 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 이용하는 것이 바람직하다.
Figure pct00389
(화학식(1-ii-1[IV]) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
L2 및 L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
c는 0 또는 1이다.
X1∼X48은 각각 C(R1)∼C(R48) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R48은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있으며, X17∼X20 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X29∼X32 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있으며, X37∼X40 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X41∼X44 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, R9∼R16으로부터 선택되는 2개, R17∼R24로부터 선택되는 2개, R25∼R32로부터 선택되는 2개, R33∼R40으로부터 선택되는 2개, 및 R41∼R48로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
Y1∼Y3은, 각각 독립적으로, 산소 원자, 황 원자, C(RA)(RB), Si(RC)(RD), P(RE), P(=O)(RF), S(=O)2 또는 P(=S)(RG)이다. RA, RB, RC, RD, RE, RF 및 RG는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
Figure pct00390
(화학식(1a-ii-1[IV]) 중, A, L2, L3, c, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 화학식(1-ii-1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00391
(화학식(1a'-ii-1[IV]) 중, A, L2, L3, c, R1∼R48 및 Y1∼Y3은 화학식(1-ii-1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.)
Figure pct00392
(화학식(1b-i-1[IV]) 중, L2, L3, c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 화학식(1-ii-1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
X101∼X104는 각각 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이다. 해당 Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00393
(화학식(1b-ii-1[IV]) 중, L2, L3, c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 화학식(1-ii-1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
X103은 C(Rx) 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이다.)
Figure pct00394
(화학식(1b-iii-1[IV]) 중, L2, L3, c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 화학식(1-ii-1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
X101, X102, X105∼X108은 각각 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이다. 해당 Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00395
(화학식(1b-iv-1[IV]) 중, L2, L3, c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 화학식(1-ii-1[IV]) 중의 것과 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
R101, R102 및 R105∼R108 중 1∼3개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자가 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하고, 그 이외는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 한편, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
이하에 본 발명의 일 태양인 화합물(1[IV])의 구체예를 나타내지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
Figure pct00396
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[화학식(1[V])로 표시되는 화합물]
본 발명의 일 태양에 있어서, 하기 화학식(1[V])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1[V])」라고도 함)이 제공된다. 당해 화합물은, 도포법에 의해 층 형성하는 유기 EL 소자에 적합한 화합물이고, 유기 전기발광 소자용 재료로서 유용하다.
한편, 당해 화합물(1[V])은, 상기 화합물(1)에 있어서, D1∼D3의 기 중 적어도 2개가, 서로 상이한 기군(A군∼D군)으로부터 선택된 것에 상당한다.
Figure pct00523
[화학식(1[V]) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 D1, D2 및 D3은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
*1∼*3은 각각 D1∼D3과 결합하고 있다. 해당 D1∼D3은, 각각 독립적으로, 하기 화학식(DA)∼(DD)로 표시되는 4개의 기군인 A군∼D군으로부터 선택되는 기이고, 이들 기 중 적어도 2개는 서로 상이한 기군으로부터 선택된다.
Figure pct00524
(A군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DA) 중, *4 및 *5 중, 한쪽은 식(1[V]) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합하고, 다른 쪽은 Ar1과 결합한다. Ar1 및 Ar2는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기이다. X1∼X4 중 1개 및 X13∼X16 중 1개는 각각 *10 및 *11에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며, 또한 X9∼X12 중 1개 및 X21∼X24 중 1개는 각각 *12 및 *13에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다. X5∼X8 및 X17∼X20은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다. 해당 R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
(B군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DB) 중, X1∼X4 중 2개는 각각 *21 및 *22에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며, X5∼X12는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다. 해당 R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Y1은 산소 원자, 황 원자, -C(RA)(RB)-, -Si(RC)(RD)-, -P(RE)-, -P(=O)(RF)-, -S(=O)2-, -P(=S)(RG)-, 또는 -N(RH)-이다. 해당 RA∼RH는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. *는 식(1[V]) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.)
(C군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DC) 중, X1∼X8은 각각 C(R1)∼C(R8) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R8은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 1개는 Z1 또는 Ar4 및 Ar5가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는 R1∼R8로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Ar1, Ar4 및 Ar5는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기를 나타낸다. Z1은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다. d는 0 또는 1이다. 화학식(DC) 중, *6'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중 어느 한쪽이 탈리되어, 그 대신에 화학식(1[V]) 중의 *1∼3 중 어느 하나가 질소 원자와 직접 결합하고 있다.)
(D군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DD) 중, X1∼X16은 각각 C(R1)∼C(R16) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, 및 R9∼R16으로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Y1은 산소 원자, 황 원자, C(RA)(RB), Si(RC)(RD), P(RE), P(=O)(RF), S(=O)2, P(=S)(RG), 또는 -N(RH)-이다. 해당 RA∼RH는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. *는 식(1[V]) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.)]
(상기 화학식(1[V]) 중의 「A」에 대한 설명)
화학식(1[V]) 중의 A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 6∼20, 보다 바람직하게는 6∼14이다.
당해 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는, 바람직하게는 단환, 2환으로 구성되는 축합환, 3환으로 구성되는 축합환 중 어느 것인 것이 바람직하다.
당해 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 함유하는 질소 원자의 수는, 바람직하게는 1∼3개, 보다 바람직하게는 2개 또는 3개이다. 특히, 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 단환인 경우에는, 함유하는 질소 원자의 수는 바람직하게는 2개 또는 3개, 보다 바람직하게는 3개이고, 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 2환 또는 3환으로 구성되는 축합환인 경우에는, 함유하는 질소 원자의 수는 바람직하게는 2개이다.
한편, 당해 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는 질소 원자 이외의 헤테로 원자(예를 들면 산소 원자, 황 원자, 규소 원자 및 셀레늄 원자 등)를 함유하고 있어도 되지만, 헤테로 원자로서 질소 원자만을 함유하고 있는 것이 바람직하다.
화학식(1[V]) 중의 A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 구체예로서는, 피롤, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트라이아진, 이미다졸, 피라졸, 옥사다이아졸, 싸이아다이아졸, 트라이아졸, 테트라졸, 인돌, 아이소인돌, 인돌리진, 퀴놀리진, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 나프티리딘, 신놀린, 프탈라진, 퀴나졸린, 벤조[f]퀴나졸린, 벤조[h]퀴나졸린, 퀴녹살린, 벤즈이미다졸, 인다졸, 카바졸, 비스카바졸, 페난트리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 아자트라이페닐렌, 다이아자트라이페닐렌, 헥사아자트라이페닐렌, 아자카바졸, 아자다이벤조퓨란, 아자다이벤조싸이오펜 및 다이나프토[2',3':2,3:2',3':6,7]카바졸로부터 선택되는 화합물의 잔기 등을 들 수 있다.
여기에서, 잔기란, 화합물로부터 수소 원자가 1개 이상 탈리되어 얻어지는 1가 이상의 기이다. 한편, 상기 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기의 가수, 즉 「A」의 가수는, 화학식(1[V]) 중의 「a+b+c」의 값에 상당한다.
상기 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기로서는, 상기 중에서도, 하기의 군으로부터 선택되는 화합물의 잔기가 바람직하다.
Figure pct00525
또한, 본 발명의 일 태양에 있어서는, A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 하기 화학식(A1)로 표시되는 질소 함유 헤테로환의 잔기인 것이 바람직하다.
Figure pct00526
(화학식(A1) 중, X101∼X104는 각각 C(R101)∼C(R104) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101∼R104는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102∼R104로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
본 발명의 일 태양에 있어서는, A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기가 하기 화학식(A2)∼(A4) 중 어느 것으로 표시되는 질소 함유 헤테로환의 잔기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00527
(화학식(A2) 중, X103은 C(R103) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101∼R104는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. R102∼R104로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00528
(화학식(A3) 중, X101, X102, X105∼X108은 각각 C(R101), C(R102), C(R105)∼C(R108) 또는 질소 원자를 나타낸다. R101, R102 및 R105∼R108은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
Figure pct00529
(화학식(A4) 중, R101, R102 및 R105∼R108은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
한편, 화학식(1[V]) 중의 A가 나타내는 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기는 임의로 치환기를 갖고 있어도 된다.
질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기에 치환될 수 있는 치환기로서는, 구체적으로는 전술의 치환기를 들 수 있지만, 이하의 (a)∼(d)에서 나타내는 치환기도 포함된다.
(a): 2개의 (아자)카바졸릴기로 치환된 (아자)카바졸릴기 및 당해 2개의 (아자)카바졸릴기로 치환된 (아자)카바졸릴기로 더 치환된 아릴기 및 헤테로아릴기.
(b): 2개의 치환기가 서로 결합하여 형성된 환을 갖는 (아자)카바졸릴기 및 당해 2개의 치환기가 서로 결합하여 형성된 환을 갖는 (아자)카바졸릴기로 더 치환된 아릴기 및 헤테로아릴기.
(c): 치환 아미노기가 치환된 9-카바졸릴기, 카바졸릴기가 치환된 치환 아미노기, 치환 아미노기가 치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환된 9-카바졸릴기, 카바졸릴기가 치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환된 치환 아미노기, 및 이들의 치환 9-카바졸릴기 또는 치환 아미노기로 더 치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기.
(d): 아릴기 또는 헤테로아릴기가 치환된 9-카바졸릴기, 아릴기 또는 헤테로아릴기가 치환된 9-카바졸릴기로 치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기.
(상기 화학식(1[V]) 중의 「L1∼L3」에 대한 설명)
상기 화학식(1[V])에 있어서, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기의 환형성 탄소수는 6∼30이고, 바람직하게는 6∼18, 보다 바람직하게는 6∼13, 더 바람직하게는 6∼12, 특히 바람직하게는 6∼10이다.
본 발명의 일 태양에 있어서는, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, L1∼L3 중 적어도 하나가 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 바람직하고, L1∼L3 모두가 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00530
(상기 화합물 중의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
또, 본 발명의 일 태양에 있어서는, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, L1∼L3 중 적어도 하나가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 바람직하고, L1∼L3 모두가 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00531
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
상기 중에서도, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, L1∼L3 중 적어도 하나가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 보다 바람직하고, L1∼L3 모두가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 더 바람직하다.
Figure pct00532
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
상기 중에서도, L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, L1∼L3 중 적어도 하나가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 보다 바람직하고, L1∼L3 모두가 하기 식으로 표시되는 어느 기인 것이 더 바람직하다.
Figure pct00533
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 상기 이외에도, 하기 식으로 표시되는 기를 들 수 있다.
Figure pct00534
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
L1∼L3이 나타내는 방향족 탄화수소기가 2가인 경우의 구체예로서는, 하기 식으로 표시되는 기를 들 수 있다.
Figure pct00535
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
또한, 상기 화학식(1[V])에 있어서, L1∼L3이 나타내는 헤테로환기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 5∼18, 보다 바람직하게는 5∼13, 특히 바람직하게는 5∼10이다.
이와 같은 헤테로환기로서는, 예를 들면, 피롤, 피리딘, 이미다조피리딘, 피라졸, 트라이아졸, 테트라졸, 인돌, 아이소인돌 및 카바졸 등의 함질소 헤테로환 화합물의 잔기; 퓨란, 벤조퓨란, 아이소벤조퓨란, 다이벤조퓨란, 옥사졸, 옥사다이아졸, 벤즈옥사졸, 벤조나프토퓨란 및 다이나프토퓨란 등의 함산소 헤테로환 화합물의 잔기; 싸이오펜, 벤조싸이오펜, 다이벤조싸이오펜, 싸이아졸, 싸이아다이아졸, 벤조싸이아졸, 벤조나프토싸이오펜 및 다이나프토싸이오펜 등의 함황 헤테로환 화합물의 잔기 등을 들 수 있다.
L1∼L3이 나타내는 「이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기」는, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기 및 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기로부터 선택되는 2∼4개의 기가 결합하여 이루어지는 기이다. 한편, 선택되는 2∼4개의 기가 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 된다. 또한, 당해 방향족 탄화수소기 및 헤테로환기로부터 선택되는 기의 결합 순서에 특별히 제한은 없다.
이상 중에서도, L1∼L3으로서는, 모두, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 해당 방향족 탄화수소기로서 보다 바람직한 것은 전술한 대로이다.
(상기 화학식(1[V]) 중의 「a∼c」에 대한 설명)
또한, 상기 화학식(1[V]) 중의 a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
상기 화학식(1[V])에 있어서, 예를 들면, a=0의 경우, L1은 존재하지 않는 것을 의미하고, A가 직접 [ ] 내의 기와 결합한다. 한편, a=1의 경우에는, A는 L1을 개재해서 [ ] 내의 기와 결합한다. 한편, b, c에 대해서도 마찬가지이다.
(상기 화학식(1[V]) 중의 「p∼r」에 대한 설명)
상기 화학식(1[V]) 중, p∼r은, 전술한 대로, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이 된다. p∼r은, 특별히 제한되는 것은 아니지만, p∼r 중 2개가 동시에 0은 아닌 것이 바람직하다.
한편, p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
(상기 화학식(1[V]) 중의 「D1∼D3」에 대한 설명)
상기 화학식(1[V]) 중, *1∼*3은 각각 D1∼D3과 결합하고 있다.
D1∼D3은, 각각 독립적으로, 상기 화학식(DA)∼(DD)로 표시되는 4개의 기군인 A군∼D군으로부터 선택되는 기이고, 이들 기 중 적어도 2개는 서로 상이한 기군으로부터 선택된다.
상기의 「이들 기 중 적어도 2개는 서로 상이한 기군으로부터 선택된다」란, D1∼D3 모두가 동일한 기군으로부터 선택되는 경우는 없다는 것을 나타내고 있다. 그 때문에, D1∼D3은 적어도 2개의 기군에 속하는 기로 구성된다.
한편, 본 발명의 일 태양으로서는, D1∼D3 중 2개가 동일한 기군에 속하는 기이며, 나머지 1개가 당해 기군과는 다른 기군에 속하는 기인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 일 태양으로서는, D1∼D3이 각각 서로 상이한 기군에 속하는 기인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 다른 일 태양으로서는, D1∼D3 중 적어도 하나가 A군에 속하는 기인 것이 바람직하다.
이하, D1∼D3으로서 선택할 수 있는, 상기 화학식(DA)∼(DD)로 표시되는 4개의 기군(A군∼D군)에 대하여 설명한다.
(상기 화학식(DA)로 표시되는 A군에 속하는 기에 대한 설명)
상기 화학식(DA)에 있어서, *4 및 *5 중, 한쪽은 상기 화학식(1[V]) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합하고, 다른 쪽은 Ar1과 결합한다.
본 발명의 일 태양으로서는, 상기 화학식(DA)에 있어서, *5는 *1∼*3 중 어느 하나와 결합하고, *4는 Ar1과 결합하는 것이 바람직하다.
Ar1 및 Ar2는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기이다.
Ar1 및 Ar2가 나타내는 아릴기의 환형성 탄소수는 6∼30이고, 바람직하게는 6∼18, 보다 바람직하게는 6∼15, 더 바람직하게는 6∼12, 특히 바람직하게는 6∼10이다.
한편, 해당 아릴기는 비축합 아릴기, 축합 아릴기, 및 이들의 조합 중 어느 것이어도 된다.
해당 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 쿼터페닐릴기, 퀸크페닐릴기, 나프틸기(1-나프틸기, 2-나프틸기), 아세나프틸렌일기, 안트릴기, 벤즈안트릴기, 아세안트릴기, 페난트릴기, 벤조페난트릴기, 페날렌일기, 플루오렌일기(9,9-다이메틸플루오렌일기, 9,9-다이페닐플루오렌일기, 9,9'-스파이로바이플루오렌일기를 포함한다), 벤조플루오렌일기, 다이벤조플루오렌일기, 피센일기, 펜타페닐기, 펜타센일기, 피렌일기, 크라이센일기, 벤조크라이센일기, 플루오란텐일기, 벤조플루오란텐일기, 테트라센일기, 페릴렌일기, 코로닐기, 다이벤즈안트릴기, 나프틸페닐기, s-인다닐기, as-인다닐기, 트라이페닐렌일기, 벤조트라이페닐렌일기 등을 들 수 있다. 상기 각 기는, 이성체기가 존재하는 경우에는, 이성체기를 포함한다.
Ar1 및 Ar2가 나타내는 아릴기로서는, 보다 구체적으로는 하기 군으로부터 선택되는 아릴기가 바람직하다.
Figure pct00536
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
Ar1 및 Ar2가 나타내는 헤테로아릴기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 5∼20, 보다 바람직하게는 5∼14, 더 바람직하게는 5∼10이다.
해당 헤테로아릴기는 적어도 1개, 바람직하게는 1∼5개, 보다 바람직하게는 1∼3개, 더 바람직하게는 1∼2개의 동일 또는 상이한 헤테로 원자를 포함한다.
해당 헤테로아릴기로서는, 예를 들면, 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 피리다진일기, 피리미딘일기, 피라진일기, 트라이아진일기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 싸이아졸릴기, 피라졸릴기, 아이속사졸릴기, 아이소싸이아졸릴기, 옥사다이아졸릴기, 싸이아다이아졸릴기, 트라이아졸릴기, 테트라졸릴기, 인돌릴기, 아이소인돌릴기, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기, 아이소벤조싸이오펜일기, 인돌리진일기, 퀴놀리진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 신놀릴기, 프탈라진일기, 퀴나졸린일기, 퀴녹살린일기, 벤즈이미다졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤조싸이아졸릴기, 인다졸릴기, 벤즈아이속사졸릴기, 벤즈아이소싸이아졸릴기, 다이벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오펜일기, 카바졸릴기, 비스카바졸릴기, 페난트리딘일기, 아크리딘일기, 페난트롤린일기, 페나진일기, 페노싸이아진일기, 페녹사진일기, 아자트라이페닐렌일기, 다이아자트라이페닐렌일기, 잔텐일기, 아자카바졸릴기, 아자다이벤조퓨란일기, 아자다이벤조싸이오펜일기, 벤조퓨라노벤조싸이오펜일기, 벤조싸이에노벤조싸이오펜일기, 다이벤조퓨라노나프틸기, 다이벤조싸이에노나프틸기, 다이나프토싸이에노싸이오펜일기, 및 다이나프토[2',3':2,3:2',3':6,7]카바졸릴기를 들 수 있다.
Ar1 및 Ar2로서는, 모두, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가 바람직하다. 해당 아릴기로서 보다 바람직한 것은 전술한 대로이다.
상기 화학식(DA)에 있어서, X1∼X4 중 1개 및 X13∼X16 중 1개는 각각 *10 및 *11에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다.
또한, X9∼X12 중 1개 및 X21∼X24 중 1개는 각각 *12 및 *13에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다.
상기 규정이 의미하는 점에 대하여, 「X1∼X4 및 X13∼X16」에 관한 규정을 예로 설명하면, 가령 X1이 *10에 결합하는 탄소 원자이고, X13이 *11에 결합하는 탄소 원자인 경우를 생각한다. 이 경우, X1 및 X13은 탄소 원자가 되고 당해 2개의 탄소 원자는 서로 직접 결합하여, 2개의 (아자)카바졸릴기를 결합한다. 또한, 그 이외의 X2∼X4 및 X14∼X16의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자가 된다. 다른 규정에 대해서도, 상기와 동일한 사항을 의미한다.
즉, 상기 화학식(DA)에 있어서, *10 및 *12는 각각 소정의 (아자)카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 또는 4위(X1∼X4 중 1개, X9∼X12 중 1개)의 탄소 원자와 결합한다.
한편, 상기 화학식(DA)에 있어서, *11 및 *13은 각각 소정의 (아자)카바졸릴기의 5위, 6위, 7위 또는 8위(X13∼X16 중 1개, X21∼X24 중 1개)의 탄소 원자와 결합한다.
그 결과, *10-*11 및 *12-*13에 의해, 2개의 (아자)카바졸릴기가 결합된다.
또한, 상기 화학식(DA)에 있어서, X5∼X8 및 X17∼X20은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다.
즉, 상기 화학식(DA)에 있어서, (아자)카바졸릴기끼리의 결합에 관여하지 않는 X1∼X24는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며, 본 발명의 일 태양에 있어서는, 모두 C(R)인 것이 바람직하다.
여기에서, R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
단, 본 발명의 일 태양의 화합물에 있어서, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우가 없는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 화학식(DA)로 표시되는 기가 하기 화학식(DA1)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pct00537
화학식(DA1) 중, R1∼R24는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내며, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, R1∼R24로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. 그 이외의 각 기호의 정의는 상기 화학식(DA)에 관한 기재와 동일하다.
*10-*11은, R1∼R4 중 1개 및 R13∼R16 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타내고, *12-*13은, R9∼R12 중 1개 및 R21∼R24 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.
즉, *10 및 *12는 하나의 카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 또는 4위의 탄소 원자와 결합하고, *11 및 *13은 다른 카바졸릴기의 5위, 6위, 7위 또는 8위의 탄소 원자와 결합하며, *10-*11 및 *12-*13에 의해, 2개의 카바졸릴기가 결합된다.
또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 화학식(DA1)로 표시되는 기가, 하기 화학식(DA1-1)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하고, (DA1-1-1)∼(DA1-1-6) 중 어느 것으로 표시되는 기인 것이 더 바람직하다.
Figure pct00538
(화학식(DA1-1) 중, 각 기호의 정의는 상기 화학식(DA1)에 관한 기재와 동일하다.)
Figure pct00539
(화학식(DA1-1-1)∼(DA1-1-6) 중, 각 기호의 정의는 상기 화학식(DA1)에 관한 기재와 동일하다.
한편, 상기 화학식(DA) 중의 R1∼R24로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하는 경우에는, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8, R17과 R18, R18과 R19 및 R19와 R20으로부터 선택되는 1조 이상에서, 서로 결합하여 환을 형성하는 구성이 바람직하다.
단, 본 발명의 일 태양의 화합물에 있어서, 상기 화학식(DA) 중의 R1∼R24로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우가 없는 것이 바람직하고, 상기 화학식(DA)로 표시되는 기가 하기 화학식(DA2)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00540
상기 화학식(DA2) 중, *10-*11, 및 *12-*13은 벤젠환 중의 수소 원자가 각각 탈리된 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 상기 화학식(DA)에 관한 기재와 동일하다.
상기 화학식(DA1)로 표시되는 기로서, 보다 구체적으로는, 하기로부터 선택되는 기가 바람직하다. 한편, 하기의 기에 있어서, *는 상기 화학식(1[V]) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와의 결합 위치를 나타낸다. 게다가, 하기의 기에 있어서, 수소 원자와 결합하고 있는 탄소 원자는, 당해 수소 원자 대신에, 전술의 치환기와 결합해도 된다.
Figure pct00541
Figure pct00542
Figure pct00543
Figure pct00544
Figure pct00545
Figure pct00546
Figure pct00547
Figure pct00548
Figure pct00549
Figure pct00550
Figure pct00551
Figure pct00552
Figure pct00553
Figure pct00554
Figure pct00555
Figure pct00556
Figure pct00557
Figure pct00558
(상기 화학식(DB)로 표시되는 B군에 속하는 기에 대한 설명)
상기 화학식(DB)에 있어서, X1∼X4 중 2개는 각각 *21 및 *22에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다.
본 발명의 일 태양에 있어서, *21 및 *22에 결합하는 탄소 원자가 되는 X1∼X4로부터 선택되는 2개의 조합으로서는, X1과 X2, X2와 X3 및 X3과 X4로부터 선택되는 1조가 바람직하다.
또한, X5∼X12는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다.
즉, 상기 화학식(DB)에 있어서, 화학식(DB) 중에 나타나는 소정의 환 구조의 형성에 관여하지 않는 X1∼X12는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며, 본 발명의 일 태양에 있어서는, 모두 C(R)인 것이 바람직하다.
여기에서, R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
단, 본 발명의 일 태양의 화합물에 있어서, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우가 없는 것이 바람직하다.
상기 화학식(DB) 중의 Y1은 산소 원자, 황 원자, -C(RA)(RB)-, -Si(RC)(RD)-, -P(RE)-, -P(=O)(RF)-, -S(=O)2-, -P(=S)(RG)-, 또는 -N(RH)-이다.
RA∼RH는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
*는 화학식(1[V]) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.
한편, RA∼RG로서 선택할 수 있는 치환기로서는, 상기에 기재된 치환기를 들 수 있지만, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기가 바람직하고, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가 보다 바람직하다.
RA∼RG로서 선택할 수 있는 아릴기의 환형성 탄소수는 6∼30이고, 바람직하게는 6∼18, 보다 바람직하게는 6∼13, 더 바람직하게는 6∼12, 특히 바람직하게는 6∼10이다. 한편, 해당 아릴기는 비축합 아릴기, 축합 아릴기, 및 이들의 조합 중 어느 것이어도 된다.
또한, RA∼RG로서 선택할 수 있는 헤테로아릴기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 5∼20, 보다 바람직하게는 5∼14, 더 바람직하게는 5∼10이다.
해당 헤테로아릴기는 적어도 1개, 바람직하게는 1∼5개, 보다 바람직하게는 1∼3개, 더 바람직하게는 1∼2개의 동일 또는 상이한 헤테로 원자를 포함한다.
상기 RA∼RG로서 선택할 수 있는 아릴기 및 헤테로아릴기에 대하여, 구체적인 기 및 적합한 기로서는, 상기 화학식(DA) 중의 Ar1 및 Ar2로서 선택할 수 있는 아릴기 및 헤테로아릴기로서 기재한 것을 들 수 있다.
본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 화학식(DB)로 표시되는 기가 하기 화학식(DB1)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pct00559
화학식(DB1) 중, R1∼R12는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내며, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, R1∼R12로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. 그 이외의 각 기호의 정의는 상기 화학식(DB)에 관한 기재와 동일하다.
한편, R1∼R4 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *1 및 *2와 결합한다.
본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 화학식(DB1)로 표시되는 기 중에서도, 하기 화학식(DB1-1)∼(DB1-6) 중 어느 것으로 표시되는 기가 보다 바람직하다.
Figure pct00560
(상기 화학식(DB1-1)∼(DB1-6) 중, 각 기호의 정의는 상기 화학식(DB1)에 관한 기재와 동일하다.)
한편, 상기 화학식(DB) 중의 R1∼R24로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하는 경우에는, R5와 R6, R6과 R7 및 R7과 R8로부터 선택되는 1조 이상에서, 서로 결합하여 환을 형성하는 구성이 바람직하다.
단, 본 발명의 일 태양의 화합물에 있어서, 상기 화학식(DB) 중의 R1∼R24로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우가 없는 것이 바람직하고, 상기 화학식(DB)로 표시되는 기가 하기 화학식(DB2)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00561
상기 화학식(DB2) 중, 카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 및 4위에 갖는 4개의 수소 원자 중 2개가 탈리되어, 탈리된 수소 원자와 결합하고 있던 탄소 원자가 *1 및 *2와 결합한다. 그 이외의 각 기호의 정의는 상기 화학식(DB)에 관한 기재와 동일하다.
상기 화학식(DB)로 표시되는 기로서, 보다 구체적으로는, 하기 군으로부터 선택되는 기가 바람직하다. 한편, 하기의 기에 있어서, *는 상기 화학식(1[V]) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합하는 위치를 나타낸다. 게다가, 하기의 기에 있어서, 수소 원자와 결합하고 있는 탄소 원자는, 당해 수소 원자 대신에, 전술의 치환기와 결합해도 된다.
Figure pct00562
Figure pct00563
Figure pct00564
Figure pct00565
Figure pct00566
Figure pct00567
Figure pct00568
Figure pct00569
Figure pct00570
Figure pct00571
Figure pct00572
Figure pct00573
Figure pct00574
Figure pct00575
Figure pct00576
Figure pct00577
Figure pct00578
Figure pct00579
(상기 화학식(DC)로 표시되는 C군에 속하는 기에 대한 설명)
상기 화학식(DC)에 있어서, X1∼X8은 각각 C(R1)∼C(R8) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R8은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다.
단, X1∼X4 중 1개는 Z1 또는 Ar4 및 Ar5가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이다. 보다 상세하게 설명하면, X1∼X4 중 1개는, d=0의 경우, Ar4 및 Ar5가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이고, d=1의 경우, Z1과 직접 결합하는 탄소 원자이다.
또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는 R1∼R8로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. 본 발명의 일 태양에서는, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는 R1∼R8로부터 선택되는 2개는 모두 서로 결합하여 환을 형성하고 있지 않는 것이 바람직하다.
한편, 「직접 결합」은, 다른 문언에서는, 일반적으로는 「단일 결합」이라고 말해지는 경우도 있다.
X1∼X8로서는, 바람직하게는 모두 C(R1)∼C(R8)이고, 해당 R1∼R8이 모두 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.
상기 화학식(DC)에 있어서, Ar1, Ar4 및 Ar5는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기를 나타낸다.
Ar1, Ar4 및 Ar5로서 선택할 수 있는 아릴기의 환형성 탄소수는 6∼30이고, 모두, 바람직하게는 6∼18, 보다 바람직하게는 6∼13, 더 바람직하게는 6∼12, 특히 바람직하게는 6∼10이다. 한편, 해당 아릴기는 비축합 아릴기, 축합 아릴기, 및 이들의 조합 중 어느 것이어도 된다.
또한, Ar1, Ar4 및 Ar5로서 선택할 수 있는 헤테로아릴기의 환형성 원자수는 5∼30이고, 바람직하게는 5∼20, 보다 바람직하게는 5∼14, 더 바람직하게는 5∼10이다.
해당 헤테로아릴기는 적어도 1개, 바람직하게는 1∼5개, 보다 바람직하게는 1∼3개, 더 바람직하게는 1∼2개의 동일 또는 상이한 헤테로 원자를 포함한다. 해당 헤테로 원자로서는, 예를 들면 질소 원자, 황 원자, 산소 원자 및 인 원자를 들 수 있고, 바람직하게는 이들로부터 선택된다.
상기 Ar1, Ar4 및 Ar5로서 선택할 수 있는 아릴기 및 헤테로아릴기에 대하여, 구체적인 기 및 적합한 기로서는, 상기 화학식(DA) 중의 Ar1 및 Ar2로서 선택할 수 있는 아릴기 및 헤테로아릴기로서 기재한 것을 들 수 있다.
상기 화학식(DC)에 있어서, Z1은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
화학식(DC) 중, Z1이 나타내는 방향족 탄화수소기, 헤테로환기 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기의 설명은 L1∼L3의 경우와 동일하고, 바람직한 것도 동일하다. 그 중에서도, Z1∼Z3이 나타내는 방향족 탄화수소기로서는, 페닐렌기, 나프틸렌기가 바람직하고, 페닐렌기가 보다 바람직하다.
또한, Z1로서는, 이상 중에서도, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 해당 방향족 탄화수소기로서 보다 바람직한 것은 전술한 대로이다.
상기 화학식(DC)에 있어서, d는 0 또는 1이다.
또한, 상기 화학식(DC) 중, *6'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중 어느 한쪽이 탈리되어, 그 대신에 화학식(1[V]) 중의 *1∼3 중 어느 하나가 질소 원자와 직접 결합하고 있다.
*6'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중, Ar1이 탈리되어, 그 대신에 *6이 질소 원자와 직접 결합하고 있는 경우, 이하의 상태(부분 구조만을 나타낸다)가 된다.
Figure pct00580
한편, *6'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중, Ar4가 탈리되어, 그 대신에 *6이 질소 원자와 직접 결합하고 있는 경우, 이하의 상태(부분 구조만을 나타낸다)가 된다.
Figure pct00581
본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 화학식(DC)로 표시되는 기가 하기 화학식(DC1)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pct00582
(화학식(DC1) 중의 각 기호의 정의는 상기 화학식(DC)에 관한 기재와 동일하다.)
또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 화학식(DC)로 표시되는 기가 하기 화학식(DC2)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pct00583
(화학식(DC2) 중의 각 기호의 정의는 상기 화학식(DC)에 관한 기재와 동일하다.)
상기 화학식(DC)로 표시되는 기로서, 보다 구체적으로는, 하기 군으로부터 선택되는 기가 바람직하다. 한편, 하기의 기에 있어서, 수소 원자와 결합하고 있는 탄소 원자는, 당해 수소 원자 대신에, 전술의 치환기와 결합해도 된다.
Figure pct00584
Figure pct00585
Figure pct00586
Figure pct00587
Figure pct00588
Figure pct00589
Figure pct00590
Figure pct00591
Figure pct00592
Figure pct00593
Figure pct00594
Figure pct00595
Figure pct00596
Figure pct00597
Figure pct00598
Figure pct00599
Figure pct00600
Figure pct00601
(상기 화학식(DD)로 표시되는 D군에 속하는 기에 대한 설명)
상기 화학식(DD)에 있어서, X1∼X16은 각각 C(R1)∼C(R16) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다.
단, X1∼X4 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있다.
또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, 및 R9∼R16으로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
본 발명의 일 태양에서는, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, 및 R9∼R16으로부터 선택되는 2개는, 모두, 서로 결합하여 환을 형성하고 있지 않는 것이 바람직하다.
한편, 「직접 결합」은, 다른 문언에서는, 일반적으로는 「단일 결합」이라고 말해지는 경우도 있다.
X1∼X16으로서는, 바람직하게는 모두 C(R1)∼C(R16)이며, 해당 R1∼R16이 모두 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.
상기 화학식(DD)에 있어서, Y1은 산소 원자, 황 원자, C(RA)(RB), Si(RC)(RD), P(RE), P(=O)(RF), S(=O)2, P(=S)(RG) 또는 -N(RH)-이다. Y1로서는, 산소 원자 또는 황 원자인 것이 바람직하다.
해당 RA∼RH는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. *는 식(1[V]) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.
RA∼RH는 모두 아릴기인 것도 바람직하고, 해당 아릴기로서는, 하기 군으로부터 선택되는 아릴기가 보다 바람직하다.
Figure pct00602
(상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기를 갖고 있어도 된다.)
또한, C(RA)(RB)의 RA와 RB, 및 Si(RC)(RD)의 RC와 RD가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우, 구체적으로는 이하와 같은 구조를 들 수 있다.
Figure pct00603
본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 화학식(DD)로 표시되는 기가 하기 화학식(DD1)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pct00604
(화학식(DD1) 중의 각 기호의 정의는 상기 화학식(DD)에 관한 기재와 동일하다.)
또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 화학식(DD)로 표시되는 기가 하기 화학식(DD2)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pct00605
(화학식(DD2) 중의 각 기호의 정의는 상기 화학식(DD)에 관한 기재와 동일하다.)
상기 화학식(DD)로 표시되는 기로서, 보다 구체적으로는, 하기 군으로부터 선택되는 기가 바람직하다. 한편, 하기의 기에 있어서, 수소 원자와 결합하고 있는 탄소 원자는, 당해 수소 원자 대신에, 전술의 치환기와 결합해도 된다.
Figure pct00606
Figure pct00607
Figure pct00608
Figure pct00609
Figure pct00610
Figure pct00611
Figure pct00612
Figure pct00613
Figure pct00614
Figure pct00615
Figure pct00616
Figure pct00617
(본 발명의 일 태양의 화합물)
본 발명의 일 태양의 화합물로서, 하기 화학식(1a[V])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a[V])」라고도 함)이 바람직하다.
Figure pct00618
상기 화학식(1a[V]) 중, 각 기호의 정의는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a) 중에서도, 하기 화학식(1a-1[V])∼(1a-4[V]) 중 어느 것으로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-1[V])∼(1a-4[V])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00619
상기 화학식(1a-1[V]) 중, DA는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DD는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 D군에 속하는 상기 화학식(DD)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
Figure pct00620
상기 화학식(1a-2[V]) 중, DA는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DB는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 B군에 속하는 상기 화학식(DB)로 표시되는 기를 나타내고, DD는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 D군에 속하는 상기 화학식(DD)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
Figure pct00621
상기 화학식(1a-3[V]) 중, DA는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DB는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 B군에 속하는 상기 화학식(DB)로 표시되는 기를 나타내고, DC는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 C군에 속하는 상기 화학식(DC)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
Figure pct00622
상기 화학식(1a-4[V]) 중, DA는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DC는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 C군에 속하는 상기 화학식(DC)로 표시되는 기를 나타내고, DD는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 D군에 속하는 상기 화학식(DD)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1[V]) 또는 화합물(1a[V])에 포함되는 다른 태양으로서, 하기 화학식(1a-i[V])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-i[V])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00623
상기 화학식(1a-i[V]) 중, 각 기호의 정의는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
또, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a-i[V]) 중에서도, 하기 화학식(1a-4-i[V])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-4-i[V])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00624
상기 화학식(1a-4-i[V]) 중, DA는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DC는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 C군에 속하는 상기 화학식(DC)로 표시되는 기를 나타내고, DD는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 D군에 속하는 상기 화학식(DD)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1[V]) 또는 화합물(1a[V])에 포함되는 다른 태양으로서, 하기 화학식(1a-ii[V])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-ii[V])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00625
상기 화학식(1a-ii[V]) 중, 각 기호의 정의는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1[V]) 또는 화합물(1a[V])에 포함되는 다른 태양으로서, 하기 화학식(1a-iii[V])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-iii[V])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00626
상기 화학식(1a-iii[V]) 중, 각 기호의 정의는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1a-iii[V]) 중에서도, 하기 화학식(1a-1-iii[V])∼(1a-3-iii[V]) 중 어느 것으로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-1-iii[V])∼(1a-3-iii[V])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00627
상기 화학식(1a-1-iii[V]) 중, DA는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DD는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 D군에 속하는 상기 화학식(DD)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
Figure pct00628
상기 화학식(1a-2-iii[V]) 중, DA는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DB는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 B군에 속하는 상기 화학식(DB)로 표시되는 기를 나타내고, DD는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 D군에 속하는 상기 화학식(DD)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
Figure pct00629
상기 화학식(1a-3-iii[V]) 중, DA는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DB는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 B군에 속하는 상기 화학식(DB)로 표시되는 기를 나타내고, DC는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재 중의 C군에 속하는 상기 화학식(DC)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1[V]) 또는 화합물(1a[V])에 포함되는 다른 태양으로서, 하기 화학식(1a-iv[V])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1a-iv[V])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00630
상기 화학식(1a-iv[V]) 중, 각 기호의 정의는 각각 상기 화학식(1[V])에 관한 기재와 동일하다.
또한, 본 발명의 일 태양인 화합물(1[V])에 포함되는 다른 태양으로서, 하기 화학식(1b-i[V])∼(1b-iv[V])로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1b-i[V])∼(1b-iv[V])」라고도 함)이 보다 바람직하다.
Figure pct00631
상기 화학식(1b-i[V]) 중, 각 기호의 정의는 각각 상기 화학식(1[V])에 관한 기재의 정의와 동일하다.
X101∼X104는 각각 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
Figure pct00632
상기 화학식(1b-ii[V]) 중, 각 기호의 정의는 각각 상기 화학식(1[V])에 관한 기재의 정의와 동일하다. X103은 C(Rx) 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이다.
Figure pct00633
상기 화학식(1b-iii[V]) 중, 각 기호의 정의는 각각 상기 화학식(1[V])에 관한 기재의 정의와 동일하다.
X101, X102, X105∼X108은 각각 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
Figure pct00634
화학식(1b-iv[V]) 중, 각 기호의 정의는 각각 상기 화학식(1[V])에 관한 기재의 정의와 동일하다.
R101, R102 및 R105∼R108 중 1∼3개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자가 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하고, 그 이외는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 한편, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
이하에 본 발명의 일 태양인 화합물(1[V])의 구체예를 나타내지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
Figure pct00635
Figure pct00636
Figure pct00637
Figure pct00638
Figure pct00639
Figure pct00640
Figure pct00641
Figure pct00642
Figure pct00643
Figure pct00644
Figure pct00645
Figure pct00646
Figure pct00647
Figure pct00648
Figure pct00649
Figure pct00650
Figure pct00651
Figure pct00652
Figure pct00653
Figure pct00654
Figure pct00655
Figure pct00656
Figure pct00657
Figure pct00658
Figure pct00659
Figure pct00660
Figure pct00661
Figure pct00662
Figure pct00663
Figure pct00664
Figure pct00665
Figure pct00666
Figure pct00667
Figure pct00668
Figure pct00669
Figure pct00670
Figure pct00671
Figure pct00672
Figure pct00673
Figure pct00674
Figure pct00675
Figure pct00676
Figure pct00677
Figure pct00678
Figure pct00679
Figure pct00680
Figure pct00681
Figure pct00682
Figure pct00683
Figure pct00684
Figure pct00685
Figure pct00686
Figure pct00687
Figure pct00688
Figure pct00689
Figure pct00690
Figure pct00691
전술한 대로, 본 발명의 일 태양은, 상기 본 발명의 화합물과, 하기 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중 어느 것으로 표시되는 화합물[각각, 화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14), 화합물(CH15)로 칭하는 경우가 있다]로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 조성물이다.
단, 화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14) 및 화합물(CH15)는 본 발명의 상기 화합물과 동일하지는 않다. 즉, 각 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중에 본 발명의 화합물이 포함될 수 있는 경우에는, 본 발명의 화합물에 상당하는 그의 중복 부분은 제외된다.
당해 조성물에 있어서, 본 발명의 화합물과, 화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14) 및 화합물(CH15)로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물의 함유 비율에 특별히 제한은 없다. 예를 들면, 1개의 태양으로서, 「본 발명의 화합물」:「화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14) 및 화합물(CH15)로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물」=5:95∼95:5가 바람직하고, 10:90∼90:10이 보다 바람직하고, 20:80∼80:20이 더 바람직하며, 40:60∼60:40이 특히 바람직하다. 해당 함유 비율은 질량비이다.
또한, 다른 태양으로서 「본 발명의 화합물」:「화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14) 및 화합물(CH15)로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물」=5:95∼90:10이 바람직하고, 10:90∼60:40이 보다 바람직하며, 20:80∼40:60이 더 바람직하다. 해당 함유 비율은 질량비이다.
또 다른 태양으로서 「본 발명의 화합물」:「화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14) 및 화합물(CH15)로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물」=10:90∼95:5가 바람직하고, 40:60∼90:10이 보다 바람직하며, 60:40∼80:20이 더 바람직하다. 해당 함유 비율은 질량비이다.
한편, 당해 조성물에 있어서, 본 발명의 화합물과, 화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14) 및 화합물(CH15)로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물의 합계 함유 비율은, 바람직하게는 20질량% 이상, 보다 바람직하게는 50질량% 이상, 더 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 80질량% 이상, 특히 바람직하게는 90질량% 이상, 가장 바람직하게는 실질적으로 100질량%이다.
이하, 화합물(CH1), 화합물(CH3), 화합물(CH4), 화합물(CH5), 화합물(CH6), 화합물(CH14) 및 화합물(CH15)에 대하여 상세하게 설명한다.
[화합물(CH1)]
화합물(CH1)은 정공 수송능을 갖는 정공 수송성 골격과 전자 수송능을 갖는 전자 수송성 골격을 분자 내에 겸비하는 것이 바람직하다. 더 적합하게는, B의 구조 부분이 정공 수송성 골격을 갖고, A의 구조 부분이 전자 수송성 골격을 갖는다.
Figure pct00692
식(CH1) 중, A는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며,
L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며,
B는 하기 식(CH2)로 표시되는 구조의 잔기이다. 식(CH2)에 대해서는 후술한다.
m은 2 이상의 정수이다. m의 상한은 A의 구조에 의존해서 결정되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 유리전이온도를 높이는 관점에서 m은 2∼10 정도의 범위로부터 선택되는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는 2 또는 3이다. 본 발명의 조성물은 도포법으로 유기 EL 소자의 층을 형성할 수 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 통상은 도포막을 형성 후, 가열에 의해 용매를 증발시킴으로써 유기 박막이 형성된다. 유리전이온도가 높은 재료는 비정질의 유기 박막의 형성에 유리하다.
복수의 L1은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 B는 서로 동일해도 상이해도 된다. 용해성의 관점에서는, L1과 B로 형성되는 구조가 서로 상이하여, A에 대해서 비대칭이 되는 구조의 화합물이 바람직하다.
상기 화합물(CH1)은 하기 식(CHi) 또는 하기 식(CH1-A)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pct00693
식(CH1-A') 중, a는 1 이상의 정수이고, b는 1 이상의 정수이며, a+b는 식(CH1-A)의 m-k를 나타낸다. Ax, Rx, L1, B 및 k는 식(CH1-A) 중의 그들 기호와 동의이다. 복수의 L1은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 B는 서로 동일해도 상이해도 된다.
이하, 식(CH2)에 대하여 설명한다. 식(CH2)를 구성하는, Z1, X1, Y1, Z2, X2, Y2 또는 L2와 L1이 결합하고, L1이 단일 결합인 경우에는 A와 결합하여, 식(CH1)의 화합물이 형성된다.
Figure pct00694
식(CH2) 중, X1 및 Y1의 한쪽은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, 다른 쪽은 -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이며,
X2 및 Y2의 한쪽은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, 다른 쪽은 -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이다.
여기에서 R은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이다.
Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소환기, 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로환기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이다.
L2는 연결기이다. 상기 연결기로서는, -CR2-, -CR2CR2-, -CR=CR-, -NR-, -N=CR-, 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소환기, 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로환기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기를 들 수 있다.
L2에 있어서의 R은 X1, X2, Y1 및 Y2에 있어서의 R과 동의이다.
n은 0∼5의 정수이다. 바람직하게는 0∼2의 정수이고, 특히 바람직하게는 0 또는 1이다. n이 2 이상인 경우, Z2, X2 및 Y2는 각각 복수 존재하지만, 복수의 Z2는 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 X2는 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 Y2는 서로 동일해도 상이해도 된다.
식(CH2)로 표시되는 구조는 하기 식(CH2-a)로 표시되는 구조 또는 하기 식(CH2-b)로 표시되는 구조인 것이 바람직하다. 식(CH1)은 식(CH2-a)로 표시되는 구조와 하기 식(CH2-b)로 표시되는 구조의 양쪽을 갖는 화합물이어도 된다.
Figure pct00695
식(CH2-a)에 대하여 설명한다. 식(CH2-a)는 식(CH2)를 구성하는 L2가 Za3인 구조이다. 식(CH2-a)를 구성하는 Za1, Xa1, Ya1, Za2, Xa2, Ya2 또는 Za3 중 어느 하나와 L1이 결합하고, L1이 단일 결합인 경우에는 A와 결합하여, 식(CH1)의 화합물이 형성된다.
Xa1 및 Y1의 한쪽은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, 다른 쪽은 -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이다.
Xa2 및 Ya2의 한쪽은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, 다른 쪽은 -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이다.
Xa1, Xa2, Ya1 및 Ya2에 있어서의 R은 식(CH2)의 X1, X2, Y1 및 Y2에 있어서의 R과 동의이다.
Za1, Za2 및 Za3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소환기, 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로환기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이다.
na는 0∼5의 정수이고, 바람직하게는 0∼2의 정수이며, 특히 바람직하게는 0 또는 1이다. na가 2 이상인 경우, Za2, Xa2 및 Ya2는 각각 복수 존재하지만, 복수의 Za2는 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 Xa2는 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 Ya2는 서로 동일해도 상이해도 된다.
식(CH2-b)에 대하여 설명한다. 식(CH2-b)는 식(CH2)를 구성하는 n이 0이고, L2가 3환 이상의 축환 구조의 치환기를 갖는 방향족 탄화수소환기, 또는 방향족 헤테로환기인 구조이다. 식(CH2-b)를 구성하는, Zb1, Xb1, Yb1, Zb2, Zb3, Xb2, Yb2 또는 Zb4 중 어느 하나와 L1이 결합하고, L1이 단일 결합인 경우에는 A와 결합하여 식(CH1)의 화합물이 형성된다. 식(CH2-b)의 환 Zb2와 환 Zb3은 단일 결합으로 결합하고 있다. 용해성 향상의 관점에서는, 식(CH2-b)가 바람직하다.
Xb1 및 Yb1의 한쪽은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-로 표시되는 기이고, 다른 쪽은 -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이다.
Xb2 및 Yb2의 한쪽은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, 다른 쪽은 -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이다.
Xb1, Xb2, Yb1 및 Yb2에 있어서의 R은 식(CH2)의 X1, X2, Y1 및 Y2에 있어서의 R과 동의이다.
Zb1, Zb2, Zb3 및 Zb4는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소환기, 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로환기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이다.
식(CH2-a)로 표시되는 구조에 있어서, na가 1인 경우, 하기 식(CH2-a-1)∼식(CH2-a-6)으로 표시되는 구조 중 어느 것인 것이 보다 바람직하다. 식(CH2-a)로 표시되는 구조에 있어서 na가 1이고, Za1, Za2, Za3이 벤젠환이고, Xa1과 Ya1의 한쪽이 단일 결합이며, Xa2와 Ya2 중 한쪽이 단일 결합인 구조가, 식(CH2-a-1)∼식(CH2-a-6)으로 표시되는 구조이다.
Figure pct00696
식(CH2-a-1) 중의 Xa11 및 Xa12, 식(CH2-a-2) 중의 Xa21 및 Xa22, 식(CH2-a-3) 중의 Xa31 및 Xa32, 식(CH2-a-4) 중의 Xa41 및 Xa42, 식(CH2-a-5) 중의 Xa51 및 Xa52, 및 식(CH2-a-6) 중의 Xa61 및 Xa62는, 각각 독립적으로, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이다.
Xa11, Xa12, Xa21, Xa22, Xa31, Xa32, Xa41, Xa42, Xa51, Xa52, Xa61 및 Xa62에 있어서의 R은 식(CH2)의 X1, X2, Y1 및 Y2에 있어서의 R과 동의이다.
식(CH2-a-1) 중의 Ra1, 식(CH2-a-2) 중의 Ra2, 식(CH2-a-3) 중의 Ra3, 식(CH2-a-4) 중의 Ra4, 식(CH2-a-5) 중의 Ra5, 및 식(CH2-a-6) 중의 Ra6은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7∼24의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼24의 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 2∼24의 방향족 헤테로환기이다.
Ra1이 복수 존재하는 경우에 복수의 Ra1은 서로 동일해도 상이해도 되고, Ra2가 복수 존재하는 경우에 복수의 Ra2는 서로 동일해도 상이해도 되고, Ra3이 복수 존재하는 경우에 복수의 Ra3은 서로 동일해도 상이해도 되고, Ra4가 복수 존재하는 경우에 복수의 Ra4는 서로 동일해도 상이해도 되고, Ra5가 복수 존재하는 경우에 복수의 Ra5는 서로 동일해도 상이해도 되고, Ra6이 복수 존재하는 경우에 복수의 Ra6은 서로 동일해도 상이해도 된다.
식(CH2-a-1) 중의 p1, 식(CH2-a-2) 중의 p2, 식(CH2-a-3) 중의 p3, 식(CH2-a-4) 중의 p4, 식(CH2-a-5) 중의 p5, 및 식(CH2-a-6) 중의 p6은, 각각 독립적으로, 0∼4의 정수이다.
식(CH2-a-1) 중의 q1, 식(CH2-a-2) 중의 q2, 식(CH2-a-3) 중의 q3, 식(CH2-a-4) 중의 q4, 식(CH2-a-5) 중의 q5, 및 식(CH2-a-6) 중의 q6은, 각각 독립적으로, 0∼2의 정수이다.
식(CH2-a-1) 중의 r1, 식(CH2-a-2) 중의 r2, 식(CH2-a-3) 중의 r3, 식(CH2-a-4) 중의 r4, 식(CH2-a-5) 중의 r5, 및 식(CH2-a-1) 중의 r6은 0∼4의 정수이다.
식(CH2-b)로 표시되는 구조는 하기 식(CH2-b-1)로 표시되는 구조인 것이 용해성 향상의 관점에서 보다 바람직하다. 식(CH2-b)로 표시되는 구조에 있어서, Zb1, Zb2, Zb3, Zb4가 벤젠환이고, Xb1과 Yb1 중 한쪽이 단일 결합이며, Xb2와 Yb2 중 한쪽이 단일 결합인 구조가 식(CH2-b-1)이다.
Figure pct00697
식(CH2-b-1) 중, Xb11 및 Xb12는, 각각 독립적으로, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이다. 해당 R은 식(CH2)의 X1, X2, Y1 및 Y2에 있어서의 R과 동의이다.
Rb11, Rb12, Rb13 및 Rb14는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7∼24의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼24의 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 2∼24의 방향족 헤테로환기이다.
s1은 0∼4의 정수이다. s1이 2 이상인 경우, Rb11은 복수 존재하지만, 복수의 Rb11은 서로 동일해도 상이해도 되고,
t1은 0∼3의 정수이고, t1이 2 이상인 경우, Rb12는 복수 존재하지만, 복수의 Rb12는 서로 동일해도 상이해도 되고,
u1은 0∼3의 정수이고, u1이 2 이상인 경우, Rb13은 복수 존재하지만, 복수의 Rb13은 서로 동일해도 상이해도 되고,
v1은 0∼4의 정수이고, v1이 2 이상인 경우, Rb14는 복수 존재하지만, 복수의 Rb14는 서로 동일해도 상이해도 된다.
식(CH1)에 있어서의 B는, 하기 식(CH2-A)로 표시되는 기 또는 하기 식(CH2-B)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pct00698
식(CH2-A)에 대하여 설명한다.
Xb12, Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, s1, t1, u1 및 v1은 식(CH2-b-1) 중의 그들 기호와 동의이다.
*는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
식(CH2-B)에 대하여 설명한다.
s1은 0∼3의 정수이다.
Xb12, R, Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, t1, u1 및 v1은 식(CH2-b-1) 중의 그들 기호와 동의이다. 용해성 향상의 관점에서 Xb12는 NR인 것이 바람직하다.
*는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
식(CH2-B) 중의 R은 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기인 것이 바람직하다.
식(CH2-A)로 표시되는 기는 하기 식(CH2-A-i) 또는 하기 식(CH2-A-ii)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pct00699
식(CH2-A-i)에 대하여 설명한다.
Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, s1, t1, u1 및 v1은 식(CH2-A) 중의 그들 기호와 동의이다.
R은 식(CH2)의 X1, X2, Y1 및 Y2에 있어서의 R과 동의이다.
*는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
식(CH2-A-i) 중의 R은 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기인 것이 바람직하다.
식(CH2-A-ii)에 대하여 설명한다.
s1은 0∼3의 정수이고, Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, t1, u1 및 v1은 식(CH2-A) 중의 그들 기호와 동의이다.
Rb15 및 Rb16은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7∼24의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼24의 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 2∼24의 방향족 헤테로환기이다.
R은 식(CH2)의 X1, X2, Y1 및 Y2에 있어서의 R과 동의이고, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기인 것이 바람직하다.
w1은 0∼3의 정수이고, w1이 2 이상인 경우, 복수의 Rb15는 서로 동일해도 상이해도 된다.
z1은 0∼4의 정수이고, z1이 2 이상인 경우, 복수의 Rb16은 서로 동일해도 상이해도 된다.
*는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
식(CH2-A-i)로 표시되는 기는 하기 식(CH2-A-1)∼식(CH2-A-3)으로 표시되는 기 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
Figure pct00700
식(CH2-A-1)∼식(CH2-A-3) 중의 R, Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, s1, t1, u1 및 v1은 식(CH2-b-1) 중의 그들 기호와 동의이다.
식(CH2-A-1)∼식(CH2-A-3) 중의 *는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
식(CH2-A-1)∼식(CH2-A-3) 중의 R은 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기인 것이 바람직하다.
식(CH2-B)로 표시되는 기는 하기 식(CH2-B-i) 또는 하기 식(CH2-B-ii)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pct00701
식(CH2-B-i)에 대하여 설명한다.
R, Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, t1, u1 및 v1은 식(CH2-B) 중의 그들 기호와 동의이다.
*는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
식(CH2-B-i) 중의 R은 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기인 것이 바람직하다.
식(CH2-B-ii)에 대하여 설명한다.
s1은 0∼2의 정수이고, R, Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, t1, u1 및 v1은 식(CH2-B) 중의 그들 기호와 동의이다.
Rb15 및 Rb16은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7∼24의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼24의 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 2∼24의 방향족 헤테로환기이다.
w1은 0∼3의 정수이고, w1이 2 이상인 경우, 복수의 Rb15는 서로 동일해도 상이해도 된다.
z1은 0∼4의 정수이고, z1이 2 이상인 경우, 복수의 Rb16은 서로 동일해도 상이해도 된다.
*는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
식(CH2-B-ii) 중의 R은 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기인 것이 바람직하다.
또한, 식(CH1)에 있어서의 B는 하기 식(CH2-C)로 표시되는 기 또는 하기 식(CH2-D)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00702
식(CH2-C)에 대하여 설명한다.
u1은 0∼4의 정수이다.
Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, s1, t1 및 v1은 식(CH2-b-1) 중의 그들 기호와 동의이다.
*는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
식(CH2-D)에 대하여 설명한다.
s1은 0∼3의 정수이고, u1은 0∼4의 정수이다.
R, Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, t1 및 v1은 식(CH2-b-1) 중의 그들 기호와 동의이다.
*는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
식(CH2-D) 중의 R은 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기인 것이 바람직하다.
식(CH2-C)로 표시되는 기는 하기 식(CH2-C-1) 또는 하기 식(CH2-C-2)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00703
식(CH2-C-1)에 대하여 설명한다.
R, Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, s1, t1 및 v1은 식(CH2-b-1) 중의 그들 기호와 동의이다.
u1은 0∼4의 정수를 나타낸다.
*는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
식(CH2-C-1) 중의 R은 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기인 것이 바람직하다.
식(CH2-C-2)에 대하여 설명한다.
R, Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, s1, t1 및 v1은 식(CH2-b-1) 중의 그들 기호와 동의이다.
u1은 0∼4의 정수를 나타낸다.
*는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
식(CH2-C-2) 중의 R은 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기인 것이 바람직하다.
또한, 식(CH1)에 있어서의 B는 하기 식(CH2-E)로 표시되는 기 또는 하기 식(CH2-F)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00704
식(CH2-E)에 대하여 설명한다.
s1은 0∼3의 정수이고, u1은 0∼4의 정수이고, w1은 0∼4의 정수이며, Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, t1 및 v1은 식(CH2-b-1) 중의 그들 기호와 동의이다.
Rb15 및 Rb16은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7∼24의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼24의 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 2∼24의 방향족 헤테로환기이다.
R은 식(CH2)의 X1, X2, Y1 및 Y2에 있어서의 R과 동의이고, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기인 것이 바람직하다.
w1은 0∼3의 정수이고, w1이 2 이상인 경우, 복수의 Rb15는 서로 동일해도 상이해도 된다.
z1은 0∼4의 정수이고, z1이 2 이상인 경우, 복수의 Rb16은 서로 동일해도 상이해도 된다.
*는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
식(CH2-F)에 대하여 설명한다.
s1은 0∼2의 정수이고, u1은 0∼4의 정수이며, Rb11, Rb12, Rb13, Rb14, t1 및 v1은 식(CH2-b-1) 중의 그들 기호와 동의이다.
Rb15 및 Rb16은 식(CH2-E) 중의 그들 기호와 동의이다.
R은 식(CH2)의 X1, X2, Y1 및 Y2에 있어서의 R과 동의이고, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기인 것이 바람직하다.
w1은 0∼4의 정수이고, w1이 2 이상인 경우, 복수의 Rb15는 서로 동일해도 상이해도 된다.
z1은 0∼4의 정수이고, z1이 2 이상인 경우, 복수의 Rb16은 서로 동일해도 상이해도 된다.
*는 식(CH1)의 L1과의 결합손을 나타낸다.
이하에, 상기 식에 있어서의 기호가 나타내는 각 기의 상세에 대하여 설명한다.
식(CH1) 중의 L1, 식(CHi) 중의 L1, 식(CH1-A) 중의 L1, 식(CH1-A') 중의 L1, 식(CH2) 중의 R, Z1, Z2 및 L2, 식(CH2-a) 중의 R 및 Za1∼Za3, 식(CH2-b) 중의 R 및 Zb1∼Zb4, 식(CH2-a-1)∼식(CH2-a-6) 중의 R, 식(CH2-b-1) 중의 R, 식(CH2-A) 중의 R, 식(CH2-B) 중의 R, 식(CH2-D) 중의 R, 식(CH2-F) 중의 R, 식(CH2-A-i) 중의 R, 식(CH2-A-ii) 중의 R, 식(CH2-B-i) 중의 R, 식(CH2-B-ii) 중의 R, 식(CH2-A-1)∼식(CH2-A-3) 중의 R이 나타내는 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소환의 잔기인 것이 바람직하다.
환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소환의 구체예로서는, 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트렌, 트라이페닐렌, 페릴렌, 크라이센, 플루오란텐, 벤조플루오렌, 벤조트라이페닐렌, 벤조크라이센 및 안트라센, 및 그들의 벤즈체 및 가교체를 들 수 있고, 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐, 터페닐, 플루오렌 및 페난트렌이 바람직하다.
식(CH1)의 L1, 식(CHi) 중의 L1, 식(CH1-A) 중의 L1, 식(CH1-A') 중의 L1이 나타내는 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소환기로서는, 메타페닐렌기, 파라페닐렌기, 4,4'-바이페닐렌기, 4,3'-바이페닐렌기, 1,4-나프틸렌기, 2,6-나프틸렌기가 바람직하게 예시된다.
식(CH2) 중의 R, 식(CH2-a) 중 또는 식(CH2-b) 중의 R, 식(CH2-a-1)∼식(CH2-a-6) 중의 R, 식(CH2-b-1) 중의 R, 식(CH2-A) 중 또는 식(CH2-B) 중의 R, 식(CH2-D) 중의 R, 식(CH2-F) 중의 R, 식(CH2-A-i) 중의 R, 식(CH2-A-ii) 중의 R, 식(CH2-B-i) 중의 R, 식(CH2-B-ii) 중의 R, 식(CH2-A-1)∼식(CH2-A-3) 중의 R이 나타내는 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소환으로서는, 벤젠이 바람직하게 예시된다. 이 경우, 전자 수송능을 갖는 치환기를 갖는 벤젠이어도 된다. 전자 수송능을 갖는 치환기로서는, 사이아노기를 들 수 있다.
식(CH2) 중의 Z1, Z2, 식(CH2-a) 중의 Z1∼Za3, 식(CH2-b) 중의 Zb1∼Zb4가 나타내는 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소환으로서는, 벤젠이 바람직하게 예시된다.
식(CH1) 중의 A 및 L1, 식(CHi) 중의 A 및 L1, 식(CH1-A) 중의 Ax 및 L1, 식(CH1-A') 중의 Ax 및 L1, 식(CH2) 중의 R, Z1, Z2 및 L2, 식(CH2-a) 중의 R 및 Za1∼Za3, 식(CH2-b) 중의 R 및 Zb1∼Zb4, 식(CH2-a-1)∼식(CH2-a-6) 중의 R, 식(CH2-b-1) 중의 R, 식(CH2-A) 중의 R, 식(CH2-B) 중의 R, 식(CH2-D) 중의 R, 식(CH2-F) 중의 R, 식(CH2-A-i) 중의 R, 식(CH2-A-ii) 중의 R, 식(CH2-B-i) 중의 R, 식(CH2-B-ii) 중의 R, 식(CH2-A-1)∼식(CH2-A-3) 중의 R이 나타내는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 2∼30의 방향족 헤테로환의 잔기인 것이 바람직하다.
환형성 탄소수 2∼30의 방향족 헤테로환으로서는, 피롤, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트라이아진, 인돌, 아이소인돌, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴녹살린, 아크리딘, 피롤리딘, 다이옥세인, 피페리딘, 모폴린, 피페라진, 카바졸, 페난트리딘, 페난트롤린, 퓨란, 벤조퓨란, 아이소벤조퓨란, 싸이오펜, 옥사졸, 옥사다이아졸, 벤즈옥사졸, 싸이아졸, 싸이아다이아졸, 벤조싸이아졸, 트라이아졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 피란, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 아자플루오렌, 벤조[f]퀴나졸린, 벤조[h]퀴나졸린, 아자플루오란텐, 다이아자플루오란텐 및 아자카바졸, 및 그들의 벤즈체 및 가교체를 들 수 있다.
식(CH1)의 A, 식(CHi) 중의 A, 식(CH1-A) 중의 Ax, 식(CH1-A') 중의 Ax가 나타내는 환형성 탄소수 2∼30의 방향족 헤테로환으로서는, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트라이아진, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 아지리딘, 아자인돌리진, 인돌리진, 이미다졸, 인돌, 아이소인돌, 인다졸, 퓨린, 프테리딘, β-카볼린, 나프티리딘, 벤조[f]퀴나졸린, 벤조[h]퀴나졸린, 아자플루오란텐, 다이아자플루오란텐, 피라졸, 테트라졸, 퀴놀리진, 신놀린, 프탈라진, 비스카바졸, 페나진, 아자트라이페닐렌, 다이아자트라이페닐렌, 헥사아자트라이페닐렌, 아자카바졸, 아자다이벤조퓨란, 아자다이벤조싸이오펜 및 다이나프토[2',3':2,3:2',3':6,7]카바졸을 바람직하게 들 수 있다. 상기 중에서도, 하기의 군으로부터 선택되는 화합물의 잔기가 바람직하다.
Figure pct00705
그 중에서도, 피리딘, 피리미딘, 트라이아진, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린이 바람직하다. 특히 바람직하게는 피리미딘, 트라이아진이다.
식(CH2) 중의 R, 식(CH2-a) 중의 R, 식(CH2-b) 중의 R, 식(CH2-a-1)∼식(CH2-a-6) 중의 R, 식(CH2-b-1) 중의 R, 식(CH2-A) 중의 R, 식(CH2-B) 중의 R, 식(CH2-D) 중의 R, 식(CH2-F) 중의 R, 식(CH2-A-i) 중의 R, 식(CH2-A-ii) 중의 R, 식(CH2-B-i) 중의 R, 식(CH2-B-ii) 중의 R, 식(CH2-A-1)∼식(CH2-A-3) 중의 R이 나타내는 치환 또는 비치환된 알킬기는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.
탄소수 1∼30의 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트라이데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-뷰틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기 등을 들 수 있고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기 및 t-뷰틸기가 바람직하다.
식(CH2) 중의 R, 식(CH2-a) 중의 R, 식(CH2-b) 중의 R, 식(CH2-a-1)∼식(CH2-a-6) 중의 R, 식(CH2-b-1) 중의 R, 식(CH2-A) 중의 R, 식(CH2-B) 중의 R, 식(CH2-D) 중의 R, 식(CH2-F) 중의 R, 식(CH2-A-i) 중의 R, 식(CH2-A-ii) 중의 R, 식(CH2-B-i) 중의 R, 식(CH2-B-ii) 중의 R, 식(CH2-A-1)∼식(CH2-A-3) 중의 R이 나타내는 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼30의 사이클로알킬기이다.
환형성 탄소수 3∼30의 사이클로알킬기의 구체예로서는, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로옥틸기, 아다만틸기 등을 들 수 있고, 사이클로펜틸기 및 사이클로헥실기가 바람직하다.
식(CH2) 중의 Z1, Z2 및 L2, 식(CH2-a) 중의 Za1∼Za3, 및 식(CH2-b) 중의 Zb1∼Zb4가 나타내는 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소환기는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼30의 사이클로알케인의 잔기 또는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼30의 사이클로알켄의 잔기인 것이 바람직하다.
환형성 탄소수 3∼30의 사이클로알케인의 구체예로서는, 사이클로프로페인, 사이클로뷰테인, 사이클로펜테인, 사이클로헥세인, 사이클로옥테인, 아다만테인 등을 들 수 있고, 사이클로펜테인 및 사이클로헥세인이 바람직하다.
환형성 탄소수 3∼30의 사이클로알켄의 구체예로서는, 사이클로프로펜, 사이클로뷰텐, 사이클로펜텐, 사이클로헥센, 사이클로옥텐 등을 들 수 있고, 사이클로펜텐 및 사이클로헥센이 바람직하다.
식(CH2) 중의 Z1, Z2 및 L2, 식(CH2-a) 중의 Za1∼Za3, 및 식(CH2-b) 중의 Zb1∼Zb4가 나타내는 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로환기는, 각각 독립적으로, 전술의 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소환기의 환형성 탄소 원자 중 하나 이상을, 산소, 질소, 황 등의 헤테로 원자로 치환한 것인 것이 바람직하다.
식(CH2-a-1) 중의 Ra1, 식(CH2-a-2) 중의 Ra2, 식(CH2-a-3) 중의 Ra3, 식(CH2-a-4) 중의 Ra4, 식(CH2-a-5) 중의 Ra5, 식(CH2-a-6) 중의 Ra6, 식(CH2-b-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-D) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-E) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-F) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-B-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-2) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-3) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C-1) 중의 Rb11∼Rb14, 및 식(CH2-C-2) 중의 Rb11∼Rb14가 나타내는 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기에 있어서의, 그 탄소수 1∼20의 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 아이소뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트라이데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-뷰틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기 등을 들 수 있고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트라이데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-뷰틸펜틸기 및 1-헵틸옥틸기가 바람직하다.
식(CH2-a-1) 중의 Ra1, 식(CH2-a-2) 중의 Ra2, 식(CH2-a-3) 중의 Ra3, 식(CH2-a-4) 중의 Ra4, 식(CH2-a-5) 중의 Ra5, 식(CH2-a-6) 중의 Ra6, 식(CH2-b-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-D) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-E) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-F) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-B-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-2) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-3) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C-1) 중의 Rb11∼Rb14, 및 식(CH2-C-2) 중의 Rb11∼Rb14가 나타내는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기에 있어서의, 그 환형성 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기로서는, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등을 들 수 있고, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기 및 사이클로헥실기가 바람직하다.
식(CH2-a-1) 중의 Ra1, 식(CH2-a-2) 중의 Ra2, 식(CH2-a-3) 중의 Ra3, 식(CH2-a-4) 중의 Ra4, 식(CH2-a-5) 중의 Ra5, 식(CH2-a-6) 중의 Ra6, 식(CH2-b-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-D) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-E) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-F) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-B-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-2) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-3) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C-1) 중의 Rb11∼Rb14, 및 식(CH2-C-2) 중의 Rb11∼Rb14가 나타내는 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알콕시기에 있어서의, 그 탄소수 1∼20의 알콕시기의 구체예로서는, 메톡시기, 에톡시기, 메톡시기, i-프로폭시기, n-프로폭시기, n-뷰톡시기, s-뷰톡시기, t-뷰톡시기 등을 들 수 있고, 메톡시기, 에톡시기, 메톡시기, i-프로폭시기 및 n-프로폭시기가 바람직하다.
식(CH2-a-1) 중의 Ra1, 식(CH2-a-2) 중의 Ra2, 식(CH2-a-3) 중의 Ra3, 식(CH2-a-4) 중의 Ra4, 식(CH2-a-5) 중의 Ra5, 식(CH2-a-6) 중의 Ra6, 식(CH2-b-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-D) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-E) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-F) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-B-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-2) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-3) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C-1) 중의 Rb11∼Rb14, 및 식(CH2-C-2) 중의 Rb11∼Rb14가 나타내는 치환 또는 비치환된 탄소수 7∼24의 아르알킬기에 있어서의, 그 탄소수 7∼24의 아르알킬기로서는 벤질기, 페네틸기, 페닐프로필기 등을 들 수 있고, 벤질기가 바람직하다.
식(CH2-a-1) 중의 Ra1, 식(CH2-a-2) 중의 Ra2, 식(CH2-a-3) 중의 Ra3, 식(CH2-a-4) 중의 Ra4, 식(CH2-a-5) 중의 Ra5, 식(CH2-a-6) 중의 Ra6, 식(CH2-b-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-D) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-E) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-F) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-B-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-2) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-3) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C-1) 중의 Rb11∼Rb14, 및 식(CH2-C-2) 중의 Rb11∼Rb14가 나타내는 치환 또는 비치환된 실릴기로서는, 탄소수 1∼10(바람직하게는 1∼5)의 알킬실릴기나 환형성 탄소수 6∼30(바람직하게는 6∼18)의 아릴실릴기를 들 수 있다. 탄소수 1∼10의 알킬실릴기로서는, 예를 들면 트라이메틸실릴기나 트라이에틸실릴기를 들 수 있다. 환형성 탄소수 6∼30의 아릴실릴기로서는, 예를 들면 트라이페닐실릴기를 들 수 있다.
식(CH2-a-1) 중의 Ra1, 식(CH2-a-2) 중의 Ra2, 식(CH2-a-3) 중의 Ra3, 식(CH2-a-4) 중의 Ra4, 식(CH2-a-5) 중의 Ra5, 식(CH2-a-6) 중의 Ra6, 식(CH2-b-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-D) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-E) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-F) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-B-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-2) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-3) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C-1) 중의 Rb11∼Rb14, 및 식(CH2-C-2) 중의 Rb11∼Rb14가 나타내는 환형성 탄소수 6∼24의 방향족 탄화수소환기로서는, 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트렌, 트라이페닐렌, 페릴렌, 크라이센, 플루오란텐, 벤조플루오렌, 벤조트라이페닐렌, 벤조크라이센, 안트라센 등의 방향족 탄화수소환의 잔기를 들 수 있고, 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐, 터페닐, 플루오렌 및 페난트렌의 잔기가 바람직하다.
식(CH2-a-1) 중의 Ra1, 식(CH2-a-2) 중의 Ra2, 식(CH2-a-3) 중의 Ra3, 식(CH2-a-4) 중의 Ra4, 식(CH2-a-5) 중의 Ra5, 식(CH2-a-6) 중의 Ra6, 식(CH2-b-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-D) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-E) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-F) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-B-i) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-B-ii) 중의 Rb11∼Rb16, 식(CH2-A-1) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-2) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-A-3) 중의 Rb11∼Rb14, 식(CH2-C-1) 중의 Rb11∼Rb14, 및 식(CH2-C-2) 중의 Rb11∼Rb14가 나타내는 환형성 탄소수 2∼24의 방향족 헤테로환기로서는, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 1,3,5-트라이아진, 카바졸, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 페녹사진, 페노싸이아진 및 다이하이드로아크리딘 등의 방향족 헤테로환의 잔기를 들 수 있고, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 카바졸, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 페녹사진 및 다이하이드로아크리딘의 잔기가 바람직하다.
이하에, 화합물(CH1)의 구체예를 기재하지만, 그들 구체예로 한정되지 않는다.
Figure pct00706
Figure pct00707
Figure pct00708
Figure pct00709
Figure pct00710
Figure pct00711
Figure pct00712
Figure pct00713
Figure pct00714
Figure pct00715
Figure pct00716
Figure pct00717
Figure pct00718
Figure pct00719
Figure pct00720
Figure pct00721
화합물(CH1)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면, 일반적으로 행해지는 할로젠 화합물과 카바졸의 울만 반응이나 부흐발트 반응, 나아가서는 카바졸의 수소를 수소화나트륨이나 탄산칼륨 등의 염기로 인발하여, 염을 생성시키고 나서, 할로젠 화합물을 반응시키는 방법 등을 이용할 수 있다.
구체적으로는, 예를 들면 WO 2012/086170호 공보에 기재된 방법을 채용할 수 있다.
[화합물(CH3)]
이하, 화합물(CH3)에 대하여 설명한다. 화합물(CH3)은 여기자의 생성을 높여, 유기 EL의 발광 효율을 향상시키는 효과를 갖는다.
화합물(CH3)의 일 태양으로서는, 전자 수송성 골격을 갖는 것인 것도 바람직하다. 또한, 화합물(CH3)의 일 태양으로서는, 트라이아릴아미노기 등의 아미노기를 갖지 않는 것인 것도 바람직하다.
전자 수송성 골격이란, 정공 수송능보다도 전자 수송능을 많이 갖는 골격으로, 구체적으로는 함질소 방향족 헤테로환이나 사이아노기를 들 수 있다.
Figure pct00722
식(CH3) 중의 Z7, X5, Y5 또는 Z8 중 어느 하나와 L3이 결합하여 화합물이 형성된다.
식(CH3) 중, X5, Y5는 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, 모두가 단일 결합이 되는 경우는 없다. R은 상기와 동일하고, 식(CH2)에서 설명한 것과 마찬가지의 예를 들 수 있다.
여기 상태와 기저 상태의 에너지 갭을 높이는 관점에서, X5, Y5의 1 이상은 -NR-인 것이 바람직하다. 이 경우, 정공 수송능이 높아지기 때문에, R은 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진 및 트라이아진 등의 전자 수송성 골격의 잔기인 것이 바람직하다. 이들 기는 페닐기, 바이페닐기, 플루오렌일기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다. 페닐렌기 등의 연결기를 개재해서 전자 수송성 골격의 잔기가 결합하는 구조여도 된다. 또한, 페닐기나, 사이아노기로 치환된 페닐기도 바람직하다.
Z7, Z8은 상기 Z1, Z2와 동일하지만, 3환 이상이 축환된 지방족 탄화수소환기, 3환 이상이 축환된 지방족 헤테로환기, 3환 이상이 축환된 방향족 탄화수소환기, 또는 3환 이상이 축환된 방향족 헤테로환기인 경우는 없다. 구체적으로는, 식(CH2)에서 설명한 것과 마찬가지의 예를 들 수 있지만, 카바졸, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜 등의 3환이 축환된 방향족 헤테로환 등은 제외된다.
t는 1 이상의 정수이다. t의 상한은 L3의 구조에 의존해서 결정되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, t는 1∼4 정도의 범위로부터 선택되는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는 1∼3이다.
L3은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며, 식(CH1)의 L1에서 설명한 방향족 탄화수소환기, 비치환된 방향족 헤테로환기와 마찬가지의 예를 들 수 있다. t가 1일 때, L3은 단일 결합은 아니다.
L3이 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기인 경우의 치환기로서는, 전술한 환형성 탄소수 2∼30(바람직하게는 2∼18)의 헤테로아릴기에 추가로 환형성 탄소수 6∼20(바람직하게는 6∼18)의 방향족 탄화수소가 결합하고 있어도 된다. 이 경우의 방향족 탄화수소기로서는, 페닐기, 바이페닐기, 9,9-다이메틸플루오렌일기 등 외, 9,9-다이메틸플루오렌일기가 결합한 페닐기를 들 수 있다.
상기 식(CH3)으로 표시되는 화합물은 하기 식(CH3-A)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pct00723
식(CH3-A)에 대하여 설명한다.
t 및 L3은 식(CH3) 중의 그들 기호와 동의이다.
Xc는 -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, R은 *u의 위치에서 L3에 직접 결합하는 단일 결합, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이다.
Y15 및 Y16은, 각각 독립적으로, *u의 위치에서 L3에 직접 결합하는 단일 결합, 수소 원자, 불소 원자, 사이아노기, 탄소수 1∼20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1∼20의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 1∼20의 치환 또는 비치환된 할로알킬기, 탄소수 1∼20의 치환 또는 비치환된 할로알콕시기, 탄소수 1∼20의 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 탄소수 6∼30의 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 환형성 탄소수 6∼30의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 환형성 탄소수 6∼30의 치환 또는 비치환된 축합 방향족 탄화수소환기, 환형성 탄소수 2∼30의 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기, 또는 환형성 탄소수 2∼30의 치환 또는 비치환된 축합 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
한편, 인접하는 Y15 및 Y16끼리가 서로 결합하여 연결기를 형성해도 되지만, 2환 이상이 축환된 지방족 탄화수소환기, 2환 이상이 축환된 지방족 헤테로환기, 2환 이상이 축환된 방향족 탄화수소환기, 또는 2환 이상이 축환된 방향족 헤테로환기를 형성하는 경우는 없다.
m1은 1∼4의 정수를 나타낸다. n1은, R이 *u의 위치에서 L3에 직접 결합하는 단일 결합을 나타내는 경우, 1∼3의 정수를 나타내고, R이 *u의 위치에서 L3에 직접 결합하는 단일 결합 이외인 경우, 1∼4의 정수를 나타낸다. 한편, m1, n1이 2 이상인 경우, 복수의 Y15 및 Y16은 서로 동일해도 상이해도 된다.
상기 식(CH3-A)로 표시되는 화합물은 하기 식(CH3-A-1)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pct00724
식(CH3-A-1)에 대하여 설명한다.
t, Xc, Y15, Y16, m1 및 n1은 식(CH3-A) 중의 그들 기호와 동의이다.
A14는 환형성 탄소수 1∼30의 치환 또는 비치환된 함질소 헤테로환기를 나타내고, X14는 단일 결합, 환형성 탄소수 6∼30의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환, 환형성 탄소수 6∼30의 치환 또는 비치환된 축합 방향족 탄화수소환, 환형성 탄소수 2∼30의 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환, 또는 환형성 탄소수 2∼30의 치환 또는 비치환된 축합 방향족 헤테로환의 잔기를 나타낸다.
또한, 상기 식(CH3-A)로 표시되는 화합물은 하기 식(CH3-A-2)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pct00725
식(CH3-A-2)에 대하여 설명한다.
L3, Xc, Y15, Y16, m1 및 n1은 식(CH3-A) 중의 그들 기호와 동의이다.
u는 1 이상의 정수이다.
Xd는 -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, R은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이다.
상기 식(CH3)으로 표시되는 화합물은 하기 식(CH8)∼(CH9) 중 어느 것으로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 식(CH3)으로 표시되는 화합물에 있어서, t가 2, L3이 단일 결합, X5의 한쪽이 NAr인 화합물이 식(CH8)이고, t가 2, X5가 N인 화합물이 식(CH9)이다.
Figure pct00726
식(CH8) 및 (CH9) 중, X5, Y5, Z7, Z8은 상기 식(CH3) 중의 그들 기호와 동일하고, 구체예도 마찬가지의 것을 들 수 있다. 복수의 Y5, Z7, Z8은 서로 동일해도 상이해도 된다.
L6은 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기 또는 이들의 조합이다. 구체적으로는, 식(CH1)의 L1에서 설명한 방향족 탄화수소환기, 방향족 헤테로환기와 마찬가지의 예를 들 수 있다.
Ar은 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소환기, 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로환기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며, 식(CH2)의 R이나 Z1에서 설명한 것과 마찬가지의 예로 1가의 것을 들 수 있다.
또한, 상기 식(CH3)으로 표시되는 화합물은 하기 식(CH10)∼(CH11) 중 어느 것으로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pct00727
[식(CH10) 및 (CH11) 중, A11은 환형성 탄소수 1∼30의 치환 또는 비치환된 함질소 헤테로환기를 나타내고, A13은 환형성 탄소수 1∼30의 치환 또는 비치환된 2가의 함질소 헤테로환기, 또는 환형성 탄소수 2∼30의 치환 또는 비치환된 2가의 함산소 헤테로환기를 나타낸다.
A12는 환형성 탄소수 6∼30의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 환형성 탄소수 2∼30의 치환 또는 비치환된 함질소 헤테로환기를 나타낸다.
X11, X12 및 X13은 연결기이고, 각각 독립적으로, 단일 결합, 환형성 탄소수 6∼30의 치환 또는 비치환된 2가의 방향족 탄화수소환기, 환형성 탄소수 6∼30의 치환 또는 비치환된 2가의 축합 방향족 탄화수소환기, 환형성 탄소수 2∼30의 치환 또는 비치환된 2가의 방향족 헤테로환기, 또는 환형성 탄소수 2∼30의 치환 또는 비치환된 2가의 축합 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
식(CH11)에 있어서, X13은 환형성 탄소수 6∼30의 치환 또는 비치환된 2가의 방향족 탄화수소환기인 것이 바람직하다.
Y11∼Y14는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자, 사이아노기, 탄소수 1∼20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1∼20의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 1∼20의 치환 또는 비치환된 할로알킬기, 탄소수 1∼20의 치환 또는 비치환된 할로알콕시기, 탄소수 1∼20의 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 탄소수 6∼30의 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 환형성 탄소수 6∼30의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 환형성 탄소수 6∼30의 치환 또는 비치환된 축합 방향족 탄화수소환기, 환형성 탄소수 2∼30의 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기, 또는 환형성 탄소수 2∼30의 치환 또는 비치환된 축합 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
한편, 인접하는 Y11∼Y14끼리가 서로 결합하여, 연결기를 형성해도 된다.
p1, q1은 1∼4의 정수를 나타내고, r1, s1은 1∼3의 정수를 나타낸다. 한편, p1, q1, r1, s1이 2 이상인 경우, 복수의 Y11∼Y14는 동일해도 상이해도 된다.]
A12가 나타내는 방향족 탄화수소환기로서는, 식(CH2)의 R이나 Z1에서 설명한 방향족 탄화수소환기와 마찬가지의 예를 들 수 있다.
A11 및 A12가 나타내는 함질소 헤테로환기로서는, 피롤, 피리딘, 피라진, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 트라이아진, 인돌, 아이소인돌, 인다졸, 퓨린, 프테리딘, β-카볼린, 나프티리딘, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 아지리딘, 아자인돌리진, 인돌리진, 아크리딘, 피롤리딘, 피페리딘, 모폴린, 피페라진, 카바졸, 페난트리딘, 페난트롤린, 옥사졸, 옥사다이아졸, 벤즈옥사졸, 싸이아졸, 싸이아다이아졸, 벤조싸이아졸, 트라이아졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 아자플루오렌 및 아자카바졸, 및 그들의 벤즈체 및 가교체의 1가의 잔기를 들 수 있다.
이들 중에서는, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트라이아진, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 아지리딘, 아자인돌리진, 인돌리진, 이미다졸, 인돌, 아이소인돌, 인다졸, 퓨린, 프테리딘, β-카볼린, 나프티리딘이 바람직하다. 그 중에서도, 피리딘, 피리미딘, 트라이아진, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린이 더 바람직하다. 특히 바람직하게는 피리미딘, 트라이아진이다.
A13이 나타내는 2가의 함질소 헤테로환기의 구체예 및 바람직한 예로서는, A11 및 A12가 나타내는 함질소 헤테로환기의 예의 2가의 잔기를 들 수 있다. 또한, A13이 나타내는 2가의 함산소 헤테로환기의 구체예 및 바람직한 예로서는, 다이벤조퓨란일렌기를 들 수 있다.
X11, X12 및 X13이 나타내는 방향족 탄화수소환기, 축합 방향족 탄화수소환기로서는, 식(CH2)의 R이나 Z1에서 설명한 방향족 탄화수소환기와 마찬가지의 예의 2가의 것을 들 수 있고, X11, X12 및 X13이 나타내는 방향족 헤테로환기, 축합 방향족 헤테로환기로서는, 식(CH2)의 R이나 Z1에서 설명한 방향족 헤테로환기와 마찬가지의 예의 2가의 것을 들 수 있다. X11 및 X12로서 구체적으로는, 메타페닐렌기, 파라페닐렌기, 4,4'-바이페닐렌기, 4,3'-바이페닐렌기, 1,4-나프틸렌기, 2,6-나프틸렌기가 바람직하게 예시된다.
Y11∼Y14가 나타내는 알킬기의 예로서는, 상기 식(CH2)에서 설명한 것과 마찬가지의 예를 들 수 있다. 또한, 알콕시기 및 싸이오알콕시기의 예로서는, 상기 알킬기에 산소 원자, 황 원자가 결합한 기를 들 수 있다. 또한, 할로알킬기, 할로알콕시기로서는, 상기 알킬기, 알콕시기의 수소 원자가 할로젠 원자로 치환된 기를 들 수 있고, 알킬실릴기로서는, 예를 들면, 트라이메틸실릴기, 트라이에틸실릴기, 트라이뷰틸실릴기, 다이메틸에틸실릴기, 다이메틸아이소프로필실릴기, 다이메틸프로필실릴기, 다이메틸뷰틸실릴기, 다이메틸터셔리뷰틸실릴기, 다이에틸아이소프로필실릴기 등을 들 수 있다. 아릴실릴기로서는, 페닐다이메틸실릴기, 다이페닐메틸실릴기, 다이페닐터셔리뷰틸실릴기, 트라이페닐실릴기 등을 들 수 있다.
Y11∼Y14가 나타내는 방향족 탄화수소환기, 축합 방향족 탄화수소환기로서는, 식(CH2)의 R이나 Z1에서 설명한 방향족 탄화수소환기와 마찬가지의 예를 들 수 있고, X11 및 X12가 나타내는 방향족 헤테로환기, 축합 방향족 헤테로환기로서는, 식(CH2)의 R이나 Z1에서 설명한 방향족 헤테로환기와 마찬가지의 예를 들 수 있다.
식(CH10)으로서는, 이하의 (CH10-1)∼(CH10-4)로 표시되는 구조를 바람직하게 들 수 있다.
Figure pct00728
이하에, 식(CH3)의 화합물의 구체예를 기재하지만, 그들 구체예로 한정되지 않는다.
Figure pct00729
Figure pct00730
Figure pct00731
Figure pct00732
Figure pct00733
Figure pct00734
Figure pct00735
또, 화합물(CH3)은, 식(CH3)으로 표현되는 부분 구조를 갖는 고분자 화합물이어도 되지만, 정공 수송에 기여하는 구조와 전자 수송에 기여하는 구조의 밸런스를 미세 조정할 수 있다는 관점에서는, 저분자 화합물인 편이 바람직하다.
식(CH3)으로 표시되는 화합물이 하기 식(CH12)∼(CH13) 중 어느 것으로 표시되는 화합물인 것도 바람직하다.
Figure pct00736
식(CH12)∼(CH13) 중, X5, Y5, Z7, Z8은 상기 식(CH3) 중의 그들 기호와 동일하고, X5, Y5, Z7, Z8의 구체예로서는, 식(CH2)에서 설명한 것과 마찬가지의 예를 들 수 있다.
L7, L8은 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소환기, 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로환기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며, 식(CH2)의 R이나 Z1에서 설명한 것과 마찬가지의 예를 들 수 있다.
식(CH3)의 화합물의 제조 방법으로서는, 상기한 화합물(CH1)의 제조 방법과 마찬가지의 방법을 채용할 수 있다. 또한, 예를 들면, 카바졸 화합물과 방향족 할로젠화 화합물에 대해, 테트라헤드론, 40(1984), p. 1433∼1456에 기재된 구리 촉매, 또는 저널 오브 아메리칸 케미컬 소사이어티, 123(2001), p. 7727∼7729에 기재된 구리 촉매를 이용한 커플링 반응으로 제조할 수도 있다.
이하, 화합물(CH4)∼(CH6)에 대하여 설명한다. 이들 화합물은 아릴아미노기나 카바졸릴기를 화학 구조 중에 갖는다는 점에 특징이 있다. 본 발명의 조성물을 그의 사용 태양 중 하나인 도포법에 사용하여 유기 EL 소자를 형성하는 경우, 발광층 중의 정공 수송층으로부터 떨어진 위치에서 발광시키는 것이 적합한 경우가 있다. 이와 같은 경우, 정공 수송성에 기여하는 기를 갖는 화합물이 유효하고, 식(CH4)∼식(CH6)의 화합물을 포함하는 조성물이 바람직하다.
[화합물(CH4)]
이하, 식(CH4)의 화합물에 대하여 설명한다.
Figure pct00737
식(CH4) 중, A1∼A3은 각각 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며, 바람직하게는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소환기이다. 구체적으로는, 식(CH2) 중의 Z1, Z2에서 설명한 것과 마찬가지의 것인 1가의 잔기의 예를 들 수 있다. 바람직하게는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 플루오렌일기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 상기 식(CH1)의 설명에서 예시한 기를 들 수 있지만, 환형성 탄소수 2∼30의 헤테로아릴기가 바람직하고, 더 바람직하게는 환형성 탄소수 2∼18의 헤테로아릴기이다. 이와 같은 치환기로서는, 카바졸릴기나 다이벤조퓨란일기를 들 수 있다.
[화합물(CH5)]
이하, 화합물(CH5)에 대하여 설명한다.
Figure pct00738
식(CH5) 중, L4는 1∼4개의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환이 연결(또는 함유)된 2가의 기, 또는 1∼4개의 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환이 연결된 2가의 기이다. L4는 방향족 탄화수소환과 방향족 헤테로환의 조합이어도 된다. A4∼A6은 각각 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이다. A4 및 A5는 서로 결합하여 환상 구조를 형성해도 된다.
L4의 구체예로서는, 식(CH2) 중의 Z1, Z2에서 설명한 방향족 탄화수소환기, 방향족 헤테로환기가 연결된 예를 들 수 있다. 예를 들면, 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트렌, 트라이페닐렌, 바이나프탈렌, 바이안트라센, 페릴렌, 크라이센, 플루오란텐, 벤조플루오렌, 벤조트라이페닐렌, 벤조크라이센, 안트라센, 피롤, 피리딘, 피라진, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 트라이아진, 인돌, 아이소인돌, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴녹살린, 아크리딘, 피롤리딘, 다이옥세인, 피페리딘, 모폴린, 피페라진, 카바졸, 페난트리딘, 페난트롤린, 퓨란, 벤조퓨란, 아이소벤조퓨란, 싸이오펜, 옥사졸, 옥사다이아졸, 벤즈옥사졸, 싸이아졸, 싸이아다이아졸, 벤조싸이아졸, 트라이아졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 피란, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 아자플루오렌 및 아자카바졸, 및 그들의 벤즈체 및 가교체 등의 2가의 잔기를 들 수 있다. 바람직하게는 페닐렌기, 바이페닐렌기, 플루오렌일렌기이다.
A4∼A6의 구체예로서는, 식(CH2) 중의 Z1, Z2에서 설명한 것과 마찬가지의 것인 1가의 잔기의 예를 들 수 있다. 적합한 기는 식(CH4) 중의 A1∼A3과 마찬가지이다.
이하에, 화합물(CH4), 화합물(CH5)의 구체예를 기재하지만, 그들 구체예로 한정되지 않는다
Figure pct00739
Figure pct00740
Figure pct00741
[화합물(CH6)]
이하, 화합물(CH6)에 대하여 설명한다.
Figure pct00742
식(CH6) 중, L5는 1∼6개의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환이 연결(또는 함유)된 2가의 기, 또는 1∼6개의 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환이 연결된 2가의 기이다. L5는 방향족 탄화수소환과 방향족 헤테로환의 조합이어도 된다. A7∼A10은 각각 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환이 1∼10개 결합한 기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환이 1∼10개 결합한 기이다.
L5의 구체예로서는, 식(CH2) 중의 Z1, Z2에서 설명한 방향족 탄화수소환기, 방향족 헤테로환기가 연결된 예를 들 수 있고, 예를 들면, 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트렌, 트라이페닐렌, 바이나프탈렌, 바이안트라센, 페릴렌, 크라이센, 플루오란텐, 벤조플루오렌, 벤조트라이페닐렌, 벤조크라이센, 안트라센, 피롤, 피리딘, 피라진, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 트라이아진, 인돌, 아이소인돌, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴녹살린, 아크리딘, 피롤리딘, 다이옥세인, 피페리딘, 모폴린, 피페라진, 카바졸, 페난트리딘, 페난트롤린, 퓨란, 벤조퓨란, 아이소벤조퓨란, 싸이오펜, 옥사졸, 옥사다이아졸, 벤즈옥사졸, 싸이아졸, 싸이아다이아졸, 벤조싸이아졸, 트라이아졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 피란, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 아자플루오렌 및 아자카바졸, 및 그들의 벤즈체 및 가교체 등의 2가의 잔기를 들 수 있다. 바람직하게는 벤젠, 바이페닐, 스파이로플루오렌, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜의 2가의 잔기이다.
마찬가지로, A7∼A10의 구체예로서는, 식(CH2) 중의 Z1, Z2에서 설명한 방향족 탄화수소환, 방향족 헤테로환이 1∼10개 결합한 1가의 기를 들 수 있고, 예를 들면, 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트렌, 트라이페닐렌, 바이나프탈렌, 바이안트라센, 페릴렌, 크라이센, 플루오란텐, 벤조플루오렌, 벤조트라이페닐렌, 벤조크라이센, 안트라센, 피롤, 피리딘, 피라진, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 트라이아진, 인돌, 아이소인돌, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴녹살린, 아크리딘, 피롤리딘, 다이옥세인, 피페리딘, 모폴린, 피페라진, 카바졸, 페난트리딘, 페난트롤린, 퓨란, 벤조퓨란, 아이소벤조퓨란, 싸이오펜, 옥사졸, 옥사다이아졸, 벤즈옥사졸, 싸이아졸, 싸이아다이아졸, 벤조싸이아졸, 트라이아졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 피란, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 아자플루오렌 및 아자카바졸, 및 그들의 벤즈체 및 가교체 등의 1가의 잔기를 들 수 있다. 적합한 기는 식(CH5) 중의 A1∼A3과 마찬가지이다. 또한, 다이벤조퓨란일기 등이어도 된다.
이하에, 식(CH6)의 화합물의 구체예를 기재하지만, 그들 구체예로 한정되지 않는다.
Figure pct00743
식(CH4)∼식(CH6)의 화합물은 공지의 제조 방법을 이용하여 제조할 수 있다. 예를 들면, WO 2010/061824호 공보에 기재된 제조 방법을 참고로 해서 제조할 수 있다.
[화합물(CH7)]
이하, 식(CH7)에 대하여 설명한다. 식(CH7)의 화합물은 안정성이 우수하기 때문에, 내구성 향상에 기여한다.
Figure pct00744
식(CH7) 중, Ar1 및 Ar3은 치환 또는 비치환된 1가의 방향족 탄화수소환기, 치환 또는 비치환된 1가의 방향족 헤테로환기, Ar2는 치환 또는 비치환된 2가의 방향족 탄화수소환이 1∼10개 결합한 기, 치환 또는 비치환된 2가의 방향족 헤테로환이 1∼10개 결합한 기이다. 안정성의 관점에서, Ar1, Ar2, Ar3 모두가 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다.
Ar1 및 Ar3의 구체예로서는, 식(CH2) 중의 Z1, Z2에서 설명한 것과 마찬가지의 것인 1가의 잔기의 예를 들 수 있고, Ar2의 구체예로서는, 식(CH2) 중의 Z1, Z2에서 설명한 것과 마찬가지의 것이 1∼10개 결합한 2가의 잔기의 예를 들 수 있다. Ar2는 적합하게는 방향족 탄화수소기가 1개 또는 2개 결합한 2가의 잔기이다. Ar1∼Ar3이 벤젠환, 나프탈렌환, 벤조페난트렌환, 다이벤조페난트렌환, 크라이센환, 벤조크라이센환, 다이벤조크라이센환, 플루오란텐환, 벤조플루오란텐환, 트라이페닐렌환, 벤조트라이페닐렌환, 다이벤조트라이페닐렌환, 피센환, 벤조피센환 및 다이벤조피센환의 잔기이면, 인광 발광 재료와 조합한 유기 EL 소자의 발광 효율의 점에서 바람직하다.
식(CH7)의 화합물은 스즈키-미야우라 크로스 커플링 반응 등을 이용하여 합성할 수 있다. 예를 들면, 이하의 화학 반응식에 나타내는 바와 같이 합성된다.
(Ra-B(OH)2)+(I-Ar1-Br) → (Ra-Ar1-Br)
(Ra-Ar1-Br)+((OH)2-Ar2-Rb) → Ra-Ar1-Ar2-Rb
구체적으로는, WO 2009/008215호 공보에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.
이하에, 식(CH7)의 화합물의 구체예를 기재하지만, 그들 구체예로 한정되지 않는다.
Figure pct00745
[화합물(CH14)]
이하, 화합물(CH14)에 대하여 설명한다.
Figure pct00746
식(CH14) 중, X9, X10, Y9, Y10은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S-, -PR-, 또는 -SiR2-로 표시되는 기이고, 모두가 단일 결합이 되는 경우는 없다. R은 식(CH2)와 동일하고, 식(CH2)에서 설명한 것과 마찬가지의 예를 들 수 있다.
Z9, Z10, Z11은 식(CH2) Z1, Z2와 동일하고, 식(CH2)에서 설명한 것과 마찬가지의 예를 들 수 있다.
aa는 1∼5의 정수이다. 바람직하게는 1∼2의 정수이고, 특히 바람직하게는 1이다. aa가 2 이상인 경우, Z10, X10 및 Y10은 각각 복수 존재하지만, 복수의 Z10은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 X10은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 Y10은 서로 동일해도 상이해도 된다.
또한, 식(CH14)는 식(CH1)로 표시되는 화합물 이외의 화합물을 나타낸다.
상기 식(CH14)로 표시되는 화합물은 하기 식(CH14-a-1)∼식(CH14-a-6)으로 표시되는 구조 중 어느 것인 것이 보다 바람직하다. 식(CH14)로 표시되는 구조에 있어서 aa가 1이고, Z9, Z10, Z11이 벤젠환이고, X9와 Y9의 한쪽이 단일 결합이며, X10과 Y10의 한쪽이 단일 결합인 구조가, 식(CH14-a-1)∼식(CH14-a-6)으로 표시되는 구조이다.
Figure pct00747
식(CH14-a-1) 중의 Xc11 및 Xc12, 식(CH14-a-2) 중의 Xc21 및 Xc22, 식(CH14-a-3) 중의 Xc31 및 Xc32, 식(CH14-a-4) 중의 Xc41 및 Xc42, 식(CH14-a-5) 중의 Xc51 및 Xc52, 및 식(CH14-a-6) 중의 Xc61 및 Xc62는, 각각 독립적으로, -CR2-, -NR-, -O-, -S-, -PR-, 또는 -SiR2-이다.
Xc11, Xc12, Xc21, Xc22, Xc31, Xc32, Xc41, Xc42, Xc51, Xc52, Xc61 및 Xc62에 있어서의 R은, 식(CH2)의 X1, X2, Y1 및 Y2에 있어서의 R과 동의이다.
식(CH14-a-1) 중의 Rc1, 식(CH14-a-2) 중의 Rc2, 식(CH14-a-3) 중의 Rc3, 식(CH14-a-4) 중의 Rc4, 식(CH14-a-5) 중의 Rc5, 및 식(CH14-a-6) 중의 Rc6은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7∼24의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼24의 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 2∼24의 방향족 헤테로환기이다.
Ra1이 복수 존재하는 경우에 복수의 Rc1은 서로 동일해도 상이해도 되고, Rc2가 복수 존재하는 경우에 복수의 Rc2는 서로 동일해도 상이해도 되고, Rc3이 복수 존재하는 경우에 복수의 Rc3은 서로 동일해도 상이해도 되고, Rc4가 복수 존재하는 경우에 복수의 Rc4는 서로 동일해도 상이해도 되고, Rc5가 복수 존재하는 경우에 복수의 Rc5는 서로 동일해도 상이해도 되고, Rc6이 복수 존재하는 경우에 복수의 Rc6은 서로 동일해도 상이해도 된다.
식(CH14-a-1) 중의 p1, 식(CH14-a-2) 중의 p2, 식(CH14-a-3) 중의 p3, 식(CH14-a-4) 중의 p4, 식(CH14-a-5) 중의 p5, 및 식(CH14-a-6) 중의 p6은, 각각 독립적으로, 0∼4의 정수이다.
식(CH14-a-1) 중의 q1, 식(CH14-a-2) 중의 q2, 식(CH14-a-3) 중의 q3, 식(CH14-a-4) 중의 q4, 식(CH14-a-5) 중의 q5, 및 식(CH14-a-6) 중의 q6은, 각각 독립적으로, 0∼2의 정수이다.
식(CH14-a-1) 중의 r1, 식(CH14-a-2) 중의 r2, 식(CH14-a-3) 중의 r3, 식(CH14-a-4) 중의 r4, 식(CH14-a-5) 중의 r5, 및 식(CH14-a-1) 중의 r6은 0∼4의 정수이다.
이하에, 화합물(CH14)의 구체예를 기재하지만, 이들 구체예로 한정되지 않는다.
Figure pct00748
Figure pct00749
Figure pct00750
Figure pct00751
Figure pct00752
Figure pct00753
Figure pct00754
Figure pct00755
Figure pct00756
Figure pct00757
Figure pct00758
[화합물(CH15)]
식(CH15)의 화합물은 정공 수송능을 갖는 정공 수송성 골격과 전자 수송능을 갖는 전자 수송성 골격을 분자 내에 겸비하는 것이 바람직하다. 더 적합하게는, B2의 구조 부분이 정공 수송성 골격을 갖고, Aa의 구조 부분이 전자 수송성 골격을 갖는다.
Figure pct00759
이하, 식(CH15)에 대하여 설명한다.
Aa는 식(CH1)의 A와 동의이고, L11은 식(CH1)의 L1과 동의이며, B2는 상기 식(CH2)로 표시되는 구조의 잔기이다.
h는 1 이상의 정수이며, h의 상한은 Aa의 구조에 의존해서 결정되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 1∼10 정도의 범위로부터 선택되는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 1∼3이고, 더 바람직하게는 1 또는 2이다.
j는 1 이상의 정수이며, j의 상한은 L11의 구조에 의존해서 결정되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 2 또는 3이다.
단, h+j는 3 이상의 정수이다.
복수의 L11은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 B2는 서로 동일해도 상이해도 된다. 용해성의 관점에서는, L11과 B2로 형성되는 구조가 서로 상이하여, Aa에 대해서 비대칭이 되는 구조의 화합물이 바람직하다.
식(CH15)로 표시되는 화합물은 하기 식(CH15-i) 또는 하기 식(CH15-ii)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pct00760
식(CH15-i) 중, Aa, L11, B2는 식(CH15) 중의 그들 기호와 동의이며, 복수의 L11은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 B2는 서로 동일해도 상이해도 된다.
식(CH15-ii) 중, Aa, L11, B2는 식(CH15) 중의 그들 기호와 동의이며, 복수의 L11은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 B2는 서로 동일해도 상이해도 된다.
(유기 EL 소자)
다음으로, 본 발명의 일 태양의 유기 EL 소자에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 태양의 유기 EL 소자는, 음극, 양극, 및 해당 음극과 해당 양극 사이에 일층 이상의 유기 박막층을 갖는 유기 전기발광 소자로서, 상기 일층 이상의 유기 박막층이 발광층을 포함하고, 상기 일층 이상의 유기 박막층의 적어도 1층이, 상기 본 발명의 조성물 또는 상기 본 발명의 화합물을 포함하는 층인, 유기 전기발광 소자이다.
상기 본 발명의 조성물 또는 화합물이 포함되는 유기 박막층의 예로서는, 양극과 발광층 사이에 설치되는 양극측 유기 박막층(정공 수송층, 정공 주입층 등), 발광층, 음극과 발광층 사이에 설치되는 음극측 유기 박막층(전자 수송층, 전자 주입층 등), 스페이스층, 장벽층 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 상기 본 발명의 조성물 또는 화합물은 상기 어느 층에 포함되어 있어도 되고, 예를 들면, 형광 발광 유닛의 발광층에 있어서의 호스트 재료나 도펀트 재료, 인광 발광 유닛의 발광층에 있어서의 호스트 재료, 발광 유닛의 정공 수송층 재료, 전자 수송층 재료 등으로서 이용할 수 있다.
본 발명의 일 태양에 있어서, 유기 EL 소자는, 형광 또는 인광 발광형의 단색 발광 소자여도, 형광/인광 하이브리드형의 백색 발광 소자여도 되고, 단독의 발광 유닛을 갖는 심플형이어도, 복수의 발광 유닛을 갖는 탠덤형이어도 되고, 그 중에서도, 인광 발광형인 것이 바람직하다. 여기에서, 「발광 유닛」이란, 일층 이상의 유기층을 포함하고, 그 중의 한 층이 발광층이며, 주입된 정공과 전자가 재결합하는 것에 의해 발광할 수 있는 최소 단위를 말한다.
따라서, 심플형 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는, 이하의 소자 구성을 들 수 있다.
(1) 양극/발광 유닛/음극
또한, 상기 발광 유닛은 인광 발광층이나 형광 발광층을 복수 갖는 적층형이어도 되고, 그 경우, 각 발광층 사이에, 인광 발광층에서 생성된 여기자가 형광 발광층으로 확산하는 것을 막을 목적으로, 스페이스층을 갖고 있어도 된다. 발광 유닛의 대표적인 층 구성을 이하에 나타낸다.
(a) 정공 수송층/발광층(/전자 수송층)
(b) 정공 수송층/제 1 인광 발광층/제 2 인광 발광층(/전자 수송층)
(c) 정공 수송층/인광 발광층/스페이스층/형광 발광층(/전자 수송층)
(d) 정공 수송층/제 1 인광 발광층/제 2 인광 발광층/스페이스층/형광 발광층(/전자 수송층)
(e) 정공 수송층/제 1 인광 발광층/스페이스층/제 2 인광 발광층/스페이스층/형광 발광층(/전자 수송층)
(f) 정공 수송층/인광 발광층/스페이스층/제 1 형광 발광층/제 2 형광 발광층(/전자 수송층)
(g) 정공 수송층/전자 장벽층/발광층(/전자 수송층)
(h) 정공 수송층/발광층/정공 장벽층(/전자 수송층)
(i) 정공 수송층/형광 발광층/트리플렛 장벽층(/전자 수송층)
상기 각 인광 또는 형광 발광층은 각각 서로 상이한 발광색을 나타내는 것으로 할 수 있다. 구체적으로는, 상기 적층 발광 유닛(d)에 있어서, 정공 수송층/제 1 인광 발광층(적색 발광)/제 2 인광 발광층(녹색 발광)/스페이스층/형광 발광층(청색 발광)/전자 수송층과 같은 층 구성 등을 들 수 있다.
한편, 각 발광층과 정공 수송층 또는 스페이스층 사이에는, 적절히 전자 장벽층을 설치해도 된다. 또한, 각 발광층과 전자 수송층 사이에는, 적절히 정공 장벽층을 설치해도 된다. 전자 장벽층이나 정공 장벽층을 설치함으로써, 전자 또는 정공을 발광층 내에 가두어, 발광층에 있어서의 전하의 재결합 확률을 높여, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
탠덤형 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는, 이하의 소자 구성을 들 수 있다.
(2) 양극/제 1 발광 유닛/중간층/제 2 발광 유닛/음극
여기에서, 상기 제 1 발광 유닛 및 제 2 발광 유닛으로서는, 예를 들면, 각각 독립적으로 전술의 발광 유닛과 마찬가지의 것을 선택할 수 있다.
상기 중간층은, 일반적으로 중간 전극, 중간 도전층, 전하 발생층, 전자 인발층, 접속층, 중간 절연층이라고도 불리고, 제 1 발광 유닛에 전자를, 제 2 발광 유닛에 정공을 공급하는 공지의 재료 구성을 이용할 수 있다.
도 1에 상기 유기 EL 소자의 일례의 개략 구성을 나타낸다. 유기 EL 소자(1)는 기판(2), 양극(3), 음극(4), 및 해당 양극(3)과 음극(4) 사이에 배치된 발광 유닛(10)을 갖는다. 발광 유닛(10)은 인광 호스트 재료와 인광 도펀트(인광 발광 재료)를 포함하는 적어도 1개의 인광 발광층을 포함하는 발광층(5)을 갖는다. 발광층(5)과 양극(3) 사이에 정공 주입·수송층(양극측 유기 박막층)(6) 등, 발광층(5)과 음극(4) 사이에 전자 주입·수송층(음극측 유기 박막층)(7) 등을 형성해도 된다. 또한, 발광층(5)의 양극(3)측에 전자 장벽층(도시하지 않음)을, 발광층(5)의 음극(4)측에 정공 장벽층(도시하지 않음)을 각각 설치해도 된다. 이에 의해, 전자나 정공을 발광층(5)에 가두어, 발광층(5)에 있어서의 여기자의 생성 확률을 더 높일 수 있다.
한편, 본 발명에 있어서, 형광 도펀트(형광 발광 재료)와 조합된 호스트를 형광 호스트라고 칭하고, 인광 도펀트와 조합된 호스트를 인광 호스트라고 칭한다. 형광 호스트와 인광 호스트는 분자 구조만에 의해 구분되는 것은 아니다. 즉, 인광 호스트란, 인광 도펀트를 함유하는 인광 발광층을 형성하는 재료를 의미하고, 형광 발광층을 형성하는 재료로서 이용할 수 없다는 것을 의미하는 것은 아니다. 형광 호스트에 대해서도 마찬가지이다.
(기판)
기판은 발광 소자의 지지체로서 이용된다. 기판으로서는, 예를 들면 유리, 석영, 플라스틱 등을 이용할 수 있다. 또한, 가요성 기판을 이용해도 된다. 가요성 기판이란, 절곡(折曲)할 수 있는(플렉시블) 기판이고, 예를 들면 폴리카보네이트, 폴리염화바이닐로 이루어지는 플라스틱 기판 등을 들 수 있다.
(양극)
기판 상에 형성되는 양극에는, 일함수가 큰(구체적으로는 4.0eV 이상) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면, 산화인듐-산화주석(ITO: Indium Tin Oxide), 규소 또는 산화규소를 함유한 산화인듐-산화주석, 산화인듐-산화아연, 산화텅스텐, 및 산화아연을 함유한 산화인듐, 그라펜 등을 들 수 있다. 이 밖에, 금(Au), 백금(Pt), 또는 금속 재료의 질화물(예를 들면 질화타이타늄) 등을 들 수 있다.
(음극)
음극에는, 일함수가 작은(구체적으로는 3.8eV 이하) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 이용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 음극 재료의 구체예로서는, 원소 주기율표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소, 즉 리튬(Li)이나 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 및 마그네슘(Mg) 등의 알칼리 토류 금속, 및 이들을 포함하는 합금(예를 들면 MgAg, AlLi) 등의 희토류 금속 및 이들을 포함하는 합금 등을 들 수 있다.
(발광층의 게스트 재료)
발광층은 발광성이 높은 물질을 포함하는 층이고, 여러 가지의 재료를 이용할 수 있다. 예를 들면, 발광성이 높은 물질로서는, 형광을 발광하는 형광성 화합물이나 인광을 발광하는 인광성 화합물을 이용할 수 있다. 형광성 화합물은 일중항 여기 상태로부터 발광 가능한 화합물이고, 인광성 화합물은 삼중항 여기 상태로부터 발광 가능한 화합물이다.
발광층에 이용할 수 있는 청색계의 형광 발광 재료로서, 피렌 유도체, 스타이릴아민 유도체, 크라이센 유도체, 플루오란텐 유도체, 플루오렌 유도체, 다이아민 유도체, 트라이아릴아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N,N'-비스[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐스틸벤-4,4'-다이아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBAPA) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 녹색계의 형광 발광 재료로서, 방향족 아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-2-안트릴]-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCABPhA), N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPAPA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-2-안트릴]-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPABPhA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)]-N-[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N-페닐안트라센-2-아민(약칭: 2YGABPhA), N,N,9-트라이페닐안트라센-9-아민(약칭: DPhAPhA) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 적색계의 형광 발광 재료로서, 테트라센 유도체, 다이아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)테트라센-5,11-다이아민(약칭: p-mPhTD), 7,14-다이페닐-N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)아세나프토[1,2-a]플루오란텐-3,10-다이아민(약칭: p-mPhAFD) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 청색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체, 오스뮴 착체, 백금 착체 등의 금속 착체, 바람직하게는 이리듐, 오스뮴 또는 백금 금속의 오쏘메탈화 착체가 사용된다. 구체적으로는, 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 테트라키스(1-피라졸릴)보레이트(약칭: FIr6), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 피콜리네이트(약칭: FIrpic), 비스[2-(3',5'-비스트라이플루오로메틸페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 피콜리네이트(약칭: Ir(CF3ppy)2(pic)), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: FIracac) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 녹색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체 등이 사용된다. 트리스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III)(약칭: Ir(ppy)3), 비스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(ppy)2(acac)), 비스(1,2-다이페닐-1H-벤즈이미다졸레이토)이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(pbi)2(acac)), 비스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bzq)2(acac)) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 적색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체, 백금 착체, 터븀 착체, 유로퓸 착체 등의 금속 착체가 사용된다. 구체적으로는, 비스[2-(2'-벤조[4,5-α]싸이엔일)피리디네이토-N,C3']이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(btp)2(acac)), 비스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(piq)2(acac)), (아세틸아세토네이토)비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리네이토]이리듐(III)(약칭: Ir(Fdpq)2(acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린 백금(II)(약칭: PtOEP) 등의 유기 금속 착체를 들 수 있다.
또한, 트리스(아세틸아세토네이토)(모노페난트롤린)터븀(III)(약칭: Tb(acac)3(Phen)), 트리스(1,3-다이페닐-1,3-프로페인다이오네이토)(모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(DBM)3(Phen)), 트리스[1-(2-테노일)-3,3,3-트라이플루오로아세토네이토](모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(TTA)3(Phen)) 등의 희토류 금속 착체는, 희토류 금속 이온으로부터의 발광(상이한 다중도 간의 전자 전이)이기 때문에, 인광성 화합물로서 이용할 수 있다.
(발광층의 호스트 재료)
발광층으로서는, 전술한 발광성이 높은 물질(게스트 재료)을 다른 물질(호스트 재료)에 분산시킨 구성으로 해도 된다. 발광성이 높은 물질을 분산시키기 위한 물질로서는, 각종의 것을 이용할 수 있고, 발광성이 높은 물질보다도 최저 공궤도 준위(LUMO 준위)가 높고, 최고 피점유 궤도 준위(HOMO 준위)가 낮은 물질을 이용하는 것이 바람직하다.
발광성이 높은 물질을 분산시키기 위한 물질(호스트 재료)로서는, 본 발명의 상기 조성물 또는 본 발명의 상기 화합물이 바람직하다.
본 발명의 일 태양인 화합물 이외에도, 예를 들면, 1) 알루미늄 착체, 베릴륨 착체, 또는 아연 착체 등의 금속 착체, 2) 옥사다이아졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 또는 페난트롤린 유도체 등의 헤테로환 화합물, 3) 카바졸 유도체, 안트라센 유도체, 페난트렌 유도체, 피렌 유도체, 또는 크라이센 유도체 등의 축합 방향족 화합물, 4) 트라이아릴아민 유도체, 또는 축합 다환 방향족 아민 유도체 등의 방향족 아민 화합물을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등의 금속 착체, 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트라이일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(약칭: TPBI), 바쏘페난트롤린(약칭: BPhen), 바쏘큐프로인(약칭: BCP) 등의 헤테로환 화합물이나, 9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA), 3,6-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: DPCzPA), 9,10-비스(3,5-다이페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 2-tert-뷰틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,9'-바이안트릴(약칭: BANT), 9,9'-(스틸벤-3,3'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS), 9,9'-(스틸벤-4,4'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS2), 3,3',3''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이피렌(약칭: TPB3), 9,10-다이페닐안트라센(약칭: DPAnth), 6,12-다이메톡시-5,11-다이페닐크라이센 등의 축합 방향족 화합물, N,N-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: CzA1PA), 4-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: DPhPA), N,9-다이페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPA), N,9-다이페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPBA), N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), NPB(또는 α-NPD), TPD, DFLDPBi, BSPB 등의 방향족 아민 화합물 등을 호스트 재료로서 이용할 수 있다. 또한, 발광성이 높은 물질(게스트 재료)을 분산시키기 위한 물질(호스트 재료)은 복수종 이용할 수 있다.
(전자 수송층)
전자 수송층은 전자 수송성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 전자 수송층에는, 1) 알루미늄 착체, 베릴륨 착체, 아연 착체 등의 금속 착체, 2) 이미다졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 아진 유도체, 카바졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등의 헤테로방향족 화합물, 3) 고분자 화합물을 사용할 수 있다.
(전자 주입층)
전자 주입층은 전자 주입성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 전자 주입층에는, 리튬(Li), 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화칼슘(CaF2), 리튬 산화물(LiOx) 등과 같은 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 또는 그들의 화합물을 이용할 수 있다.
(정공 주입층)
정공 주입층은 정공 주입성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 정공 주입성이 높은 물질로서는, 몰리브데넘 산화물, 타이타늄 산화물, 바나듐 산화물, 레늄 산화물, 루테늄 산화물, 크로뮴 산화물, 지르코늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 은 산화물, 텅스텐 산화물, 망간 산화물, 방향족 아민 화합물, 또는 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등) 등도 사용할 수 있다.
(정공 수송층)
정공 수송층은 정공 수송성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 정공 수송층에는, 방향족 아민 화합물, 카바졸 유도체, 안트라센 유도체 등을 사용할 수 있다. 폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK)이나 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA) 등의 고분자 화합물을 이용할 수도 있다. 단, 전자보다도 정공의 수송성이 높은 물질이면, 이들 이외의 것을 이용해도 된다. 한편, 정공 수송성이 높은 물질을 포함하는 층은 단층의 것뿐만 아니라, 상기 물질로 이루어지는 층이 2층 이상 적층된 것으로 해도 된다.
본 발명의 일 태양에 있어서, 유기 EL 소자의 각 층은 종래 공지의 진공 증착법, 스핀 코팅법 등에 의해 형성할 수 있다. 예를 들면, 진공 증착법, 분자선 증착법(MBE법), 또는 층을 형성하는 화합물의 용액을 이용한, 디핑법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법 등의 도포법에 의한 공지의 방법으로 형성할 수 있다.
각 유기층의 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 막 두께가 지나치게 얇으면 핀홀 등의 결함이 생기기 쉽고, 반대로 지나치게 두꺼우면 높은 구동 전압이 필요해져 효율이 나빠지기 때문에, 통상은 수nm 내지 1μm의 범위가 바람직하다.
상기 본 발명의 조성물 또는 화합물을 함유하는 층(발광층, 정공 수송층, 전자 수송층)은 용매 및 상기 본 발명의 조성물 또는 화합물을 포함하는 용액(잉크 조성물)을 이용하여 상기 도포법에 의해 성막하는 것이 바람직하다. 한편, 당해 용액에는, 필요에 따라서, 도펀트 등의 다른 재료를 포함해도 된다.
도포법으로서는, 습식 성막법이 적합하게 이용되고, 볼록판 인쇄법, 오목판 인쇄법, 평판 인쇄법, 공(孔)판 인쇄법, 및 그것들과 옵셋 인쇄법을 조합한 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 디스펜서 도포 스핀 코팅법, 바 코팅법, 딥 코팅법, 스프레이 코팅법, 슬릿 코팅법, 롤 코팅법, 캡 코팅법, 그라비어 롤 코팅법, 메니스커스 코팅법 등을 적용할 수 있다. 특히 미세한 패터닝을 필요로 하는 경우, 볼록판 인쇄법, 오목판 인쇄법, 평판 인쇄법, 공판 인쇄법, 및 그것들과 옵셋 인쇄법을 조합한 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 디스펜서 도포 등이 바람직하다. 또한, 전사 전구 기판에 본 중합체를 상기의 습식 성막법에 의해 성막한 후, 레이저 광이나 열 프레스 등으로 대상으로 하는 전극을 갖는 배선 기판 상에 전사하는 방법을 이용할 수도 있다.
이들 방법에 의한 성막은 당업자에게 주지인 조건에 의해 행할 수 있어, 그의 상세는 생략한다.
도포법에 사용하는 도포액(잉크 조성물)은 적어도 1종류의 상기 본 발명의 조성물 또는 화합물을 함유하고 있으면 되고, 용매에 용해되어 있어도, 분산되어 있어도 된다.
상기 도포액(잉크 조성물) 중의 상기 본 발명의 조성물 또는 화합물의 함유량은, 성막용 용액 전체에 대해서 0.1∼15질량%가 바람직하고, 0.1∼10질량%가 보다 바람직하고, 0.3∼5질량%가 더 바람직하며, 0.3∼3질량%가 특히 바람직하다.
용매는 바람직하게는 유기 용매이고, 당해 유기 용매로서는, 예를 들면 클로로폼, 클로로벤젠, 클로로톨루엔, 클로로자일렌, 클로로아니솔, 다이클로로메테인, 다이클로로벤젠, 다이클로로톨루엔, 다이클로로에테인, 트라이클로로에테인, 트라이클로로벤젠, 트라이클로로메틸벤젠, 브로모벤젠, 다이브로모벤젠, 브로모아니솔 등의 염소계 용매, 테트라하이드로퓨란, 다이옥세인, 다이옥솔레인, 옥사졸, 메틸벤즈옥사졸, 벤즈아이속사졸, 퓨란, 퓨라잔, 벤조퓨란, 다이하이드로벤조퓨란 등의 에터계 용매, 에틸벤젠, 다이에틸벤젠, 트라이에틸벤젠, 트라이메틸벤젠, 트라이메톡시벤젠, 프로필벤젠, 아이소프로필벤젠, 다이아이소프로필벤젠, 다이뷰틸벤젠, 아밀벤젠, 다이헥실벤젠, 사이클로헥실벤젠, 테트라메틸벤젠, 도데실벤젠, 벤조나이트릴, 아세토페논, 메틸아세토페논, 메톡시아세토페논, 톨루산에틸에스터, 톨루엔, 에틸톨루엔, 메톡시톨루엔, 다이메톡시톨루엔, 트라이메톡시톨루엔, 아이소프로필톨루엔, 자일렌, 뷰틸자일렌, 아이소프로필자일렌, 아니솔, 에틸아니솔, 다이메틸아니솔, 트라이메틸아니솔, 프로필아니솔, 아이소프로필아니솔, 뷰틸아니솔, 메틸에틸아니솔, 아네톨아니실알코올, 벤조산메틸, 벤조산에틸, 벤조산프로필, 벤조산뷰틸, 다이페닐에터, 뷰틸페닐에터, 벤질메틸에터, 벤질에틸에터, 메틸렌다이옥시벤젠, 메틸나프탈렌, 테트라하이드로나프탈렌, 아닐린, 메틸아닐린, 에틸아닐린, 뷰틸아닐린, 바이페닐, 메틸바이페닐, 아이소프로필바이페닐 등의 방향족 탄화수소계 용매, 사이클로헥세인, 메틸사이클로헥세인, n-펜테인, n-헥세인, n-헵테인, n-옥테인, n-노네인, n-데케인, 테트라데케인, 데칼린, 아이소프로필사이클로헥세인 등의 지방족 탄화수소계 용매, 아세톤, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 아세토페논 등의 케톤계 용매, 아세트산에틸, 아세트산뷰틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 벤조산메틸, 아세트산페닐 등의 에스터계 용매, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노뷰틸에터, 에틸렌글리콜모노에틸에터, 에틸렌글리콜모노메틸에터, 다이메톡시에테인, 프로필렌글리콜, 다이에톡시메테인, 트라이에틸렌글리콜모노에틸에터, 글리세린, 1,2-헥세인다이올 등의 다가 알코올 및 그의 유도체, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 아이소프로판올, 사이클로헥산올 등의 알코올계 용매, 다이메틸설폭사이드 등의 설폭사이드계 용매, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸폼아마이드 등의 아마이드계 용매가 예시된다. 또한, 이들 유기 용매는 단독으로 또는 복수 조합하여 이용할 수 있다.
상기의 용매 중, 용해성, 성막의 균일성, 점도 특성 등의 관점에서, 적어도 톨루엔, 자일렌, 에틸벤젠, 아밀벤젠, 아니솔, 4-메톡시톨루엔, 2-메톡시톨루엔, 1,2-다이메톡시벤젠, 메시틸렌, 테트라하이드로나프탈렌, 사이클로헥실벤젠, 2,3-다이하이드로벤조퓨란, 사이클로헥산온, 메틸사이클로헥산온 중 어느 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 성막용의 도포액(잉크 조성물)에는, 필요에 따라서 점도의 조정제, 표면 장력의 조정제, 가교 반응의 개시제, 가교 반응의 촉매를 첨가할 수도 있다. 한편, 점도의 조정제, 표면 장력의 조정제, 가교 반응의 개시제, 가교 반응의 촉매는, 막 중에 잔류해도 소자 특성에 영향을 주지 않는 것을 선택하거나, 성막 공정에서 막 중으로부터 제거할 수 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 태양에 있어서, 유기 전기발광 소자는 유기 EL 패널 모듈 등의 표시 부품, 텔레비전, 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 표시 장치, 및 조명, 차량용 등구의 발광 장치 등의 전자 기기에 사용할 수 있다.
실시예
다음으로, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예의 기재 내용에 전혀 제한되는 것은 아니다.
(1) 우선, 화합물(1[I])의 합성 방법, 및 해당 화합물(1[I])을 이용한 유기 EL 소자의 제조 방법 및 그의 평가 결과를 나타낸다.
<<화합물(1[I])>>
합성예 1[I](화합물 H-1[I]의 합성)
Figure pct00761
아르곤 분위기하, 9-페닐카바졸-3-보론산(12.06g, 42mmol), 3,6-다이브로모카바졸(5.60g, 20mmol), 다이클로로(다이페닐포스피노페로센)팔라듐-염화메틸렌 착체(0.32g, 0.4mmol), 1,4-다이옥세인(60mL), 2M 탄산나트륨 수용액(60mL)을 순차적으로 가하고 7시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 석출된 고체를 여과 채취하고, 1,4-다이옥세인 및 물로 세정하고, 감압 건조했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후, 1,4-다이옥세인으로부터 재결정하여, 트라이카바졸릴 중간체 A1(11.05g, 수율 85%)을 얻었다.
3-브로모벤즈알데하이드(17.0mL, 146mmol), 3-브로모아세토페논(19.3mL, 146mmol)을 메탄올(300mL)에 용해시키고, 수산화나트륨(0.584g, 14.6mmol)을 가하고, 실온에서 10.5시간 교반했다.
석출된 고체를 여과 채취하고, 메탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 크림색의 분말(47.8g, 수율 90%)을 얻었다.
계속해서, 얻어진 그 분말(12.4g, 33.9mmol)에, 3-브로모벤즈아미딘염산염(4.00g, 16.9mmol), 수산화나트륨(0.745g, 18.6mmol)을 가하고 에탄올(35mL)을 추가하여, 가열 환류하 12.5시간 반응시켰다. 생성된 백색 분말을 여과 채취하여, 액의 착색이 없어질 때까지 에탄올로 세정하고, 추가로 물, 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 목적으로 하는 피리미딘 중간체 B1(5.75g, 수율 62%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 트라이카바졸릴 중간체 A1(3.58g, 5.50mmol), 피리미딘 중간체 B1(1.00g, 1.83mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.0336g, 0.0732mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.269g, 0.293mmol), t-뷰톡시나트륨(0.528g, 9.0mmol), 무수 톨루엔(36mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-1[I](2.25g, 수율 55%)을 얻었다.
화합물 H-1[I]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C166H103N11=2249,
found m/z=2249(M+, 100)
합성예 2[I](화합물 H-2[I]의 합성)
Figure pct00762
3-브로모벤즈알데하이드(1.85g, 10.0mmol), 3-브로모벤즈아미딘염산염(4.71g, 20.0mmol), 수산화나트륨(1.20g, 30.0mmol)을 가하고 에탄올(200mL)을 추가하여, 가열 환류하 7시간 반응시켰다. 생성된 고체를 여과 채취했다. 여과액을 감압하 증류 제거하고, 얻어진 고체에 클로라닐(0.776g, 3.16mmol), 다이클로로메테인(120mL)을 가하고 실온에서 1시간 교반했다. 생성된 고체를 여과 채취하고, 앞서의 고체와 혼합하여, 다이클로로메테인과 에탄올로 재결정을 2회 반복했다. 석출된 백색 고체를 여과 채취하고, 진공 건조하여, 목적으로 하는 트라이아진 중간체 C1(4.44g, 수율 81%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 트라이카바졸릴 중간체 A1(5.30g, 8.13mmol), 트라이아진 중간체 C1(1.48g, 2.71mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.0993g, 0.108mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.126g, 0.433mmol), t-뷰톡시나트륨(0.78g, 8.13mmol), 무수 자일렌(50mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-2[I](4.27g, 수율 70%)을 얻었다.
화합물 H-2[I]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C165H102N12=2250,
found m/z=2250(M+, 100)
합성예 3[I](화합물 H-3[I]의 합성)
Figure pct00763
아르곤 분위기하, 9-페닐카바졸-3-보론산(12.06g, 42mmol), 2,7-다이브로모카바졸(5.60g, 20mmol), 다이클로로(다이페닐포스피노페로센)팔라듐-염화메틸렌 착체(0.320g, 0.4mmol), 1,4-다이옥세인(60mL), 2M 탄산나트륨 수용액(60mL)을 순차적으로 가하고 7시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 석출된 고체를 여과 채취하고, 1,4-다이옥세인 및 물로 세정하고, 감압 건조했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 트라이카바졸릴 중간체 D1(9.00g, 수율 69%)을 얻었다.
4-브로모벤즈알데하이드(17.0mL, 146mmol), 4-브로모아세토페논(19.3mL, 146mmol)을 메탄올(300mL)에 용해시키고, 수산화나트륨(0.584g, 14.6mmol)을 가하고, 실온에서 10.5시간 교반했다.
석출된 고체를 여과 채취하고, 메탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 분말(47.8g, 수율 90%)을 얻었다.
계속해서, 얻어진 그 분말(12.4g, 33.9mmol)에, 4-브로모벤즈아미딘염산염(4.00g, 16.9mmol), 수산화나트륨(0.745g, 18.6mmol)을 가하고 에탄올(35mL)을 추가하여, 가열 환류하 12.5시간 반응시켰다. 생성된 백색 분말을 여과 채취하여, 액의 착색이 없어질 때까지 에탄올로 세정하고, 추가로 물, 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 목적으로 하는 피리미딘 중간체 E1(7.42g, 수율 80%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 트라이카바졸릴 중간체 D1(3.58g, 5.50mmol), 피리미딘 중간체 E1(1.00g, 1.83mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.0336g, 0.0732mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.269g, 0.293mmol), t-뷰톡시나트륨(0.528g, 9.0mmol), 무수 톨루엔(36mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-3[I](2.86g, 수율 70%)을 얻었다.
화합물 H-3[I]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C166H103N11=2249,
found m/z=2249(M+, 100)
합성예 4[I](화합물 H-4[I]의 합성)
Figure pct00764
아르곤 분위기하, 보론산 F1(14.00g, 37.3mmol), 3,6-다이브로모카바졸(5.77g, 17.8mmol), 다이클로로(다이페닐포스피노페로센)팔라듐-염화메틸렌 착체(0.290g, 0.355mmol), 1,4-다이옥세인(90mL), 2M 탄산나트륨 수용액(55mL)을 순차적으로 가하고 10시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 석출된 고체를 여과 채취하고, 1,4-다이옥세인 및 물로 세정하고, 감압 건조했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 트라이카바졸릴 중간체 G1(12.1g, 수율 77%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 트라이카바졸릴체 G1(5.29g, 6.00mmol), 트라이아진 중간체 C1(1.09g, 2.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.0733g, 0.0800mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.0928g, 0.320mmol), t-뷰톡시나트륨(0.577g, 6.0mmol), 무수 자일렌(40mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-4[I](3.83g, 수율 65%)을 얻었다.
화합물 H-4[I]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 98.6%
LC-MS: calcd for C219H150N12=2948,
found m/z=2948(M+, 100)
합성예 5[I](화합물 H-5[I]의 합성)
Figure pct00765
3-브로모벤즈알데하이드(17.0mL, 146mmol), 3-브로모아세토페논(19.3mL, 146mmol)을 메탄올(300mL)에 용해시키고, 수산화나트륨(0.584g, 14.6mmol)을 가하고, 실온에서 10.5시간 교반했다.
석출된 고체를 여과 채취하고, 메탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 크림색의 분말(47.8g, 수율 90%)을 얻었다.
계속해서, 얻어진 그 분말(12.4g, 33.9mmol)에, 3-클로로벤즈아미딘염산염(3.23g, 16.9mmol), 수산화나트륨(0.745g, 18.6mmol)을 가하고 에탄올(35mL)을 추가하여, 가열 환류하 12.5시간 반응시켰다. 생성된 백색 분말을 여과 채취하여, 액의 착색이 없어질 때까지 에탄올로 세정하고, 추가로 물, 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 목적으로 하는 피리미딘 중간체 J1(5.25g, 수율 62%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 트라이카바졸릴체 A1(3.90g, 6.00mmol), 피리미딘 중간체 J1(1.50g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 K1(2.70g, 수율 55%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 화합물 K1(2.70g, 3.00mmol), 카바졸릴체 D1(1.95g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-5[I](5.74g, 수율 85%)을 얻었다.
화합물 H-5[I]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C166H103N11=2249,
found m/z=2249(M+, 100)
합성예 6[I](화합물 H-6[I]의 합성)
Figure pct00766
아르곤 분위기하, 트라이카바졸릴체 A1(5.85g, 9.00mmol), 피리미딘 중간체 L1(0.550g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-6[I](4.86g, 수율 80%)을 얻었다.
화합물 H-6[I]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C148H91N11=2021,
found m/z=2021(M+, 100)
한편, 이상의 합성 반응을 참조하여, 목적물에 맞춘 공지의 대체 반응이나 원료를 이용하는 것에 의해, 특허청구범위에서 규정한 화합물을 합성하는 것이 가능하다.
실시예 1[I]
(기판의 세정)
25mm×25mm×두께 1.1mm의 ITO 투명 전극 부착 유리 기판(지오마텍주식회사제)을 아이소프로필알코올 중에서, 초음파 세정을 5분간 행한 후, UV 오존 세정을 5분간 행했다.
(하지(下地)층의 형성)
정공 수송 재료로서 HERAEUS사제 CLEVIOUS AI4083(상품명)을 30nm의 두께로 상기의 ITO 기판 상에 스핀 코팅법에 의해 성막했다. 성막 후, 아세톤에 의해 불필요한 부분을 제거하고, 이어서 대기 중에서 200℃의 핫 플레이트에서 10분간 소성하여, 하지 기판을 제작했다.
(발광층의 형성)
호스트 재료로서 합성예 1[I]에서 얻은 화합물 H-1[I], 도펀트 재료로서 하기의 화합물 D-i을 이용하여, 화합물 H-1[I]:화합물 D-i이 질량비로 95:5가 되는 혼합비로 1.6질량%의 톨루엔 용액을 조제했다. 이 톨루엔 용액을 이용하여, 상기 하지 기판 상에 스핀 코팅법에 의해, 50nm의 막 두께가 되도록 도포 적층했다. 도포 성막 후, 불필요 부분을 톨루엔으로 제거하고, 150℃의 핫 플레이트 상에서 가열 건조하여, 발광층을 성막한 도포 적층 기판을 제작했다. 한편, 발광층의 성막에 관련된 모든 조작은 질소 분위기의 글로브 박스 중에서 실시했다.
(증착, 봉지)
도포 적층 기판을 증착 챔버 중에 반송하고, 전자 수송층으로서 하기의 화합물 ET-1을 50nm 증착했다. 추가로 불화리튬을 1nm, 알루미늄을 80nm 증착 적층했다. 모든 증착 공정을 완료시킨 후, 질소 분위기하의 글로브 박스 중에서 카운터보어드 유리(counterbored glass)에 의한 봉지를 행하여, 유기 EL 소자를 제작했다.
(소자 평가)
얻어진 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
한편, 발광층의 형성 과정에 있어서, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 200℃로 해서 마찬가지로 유기 EL 소자를 별도 제작하고, 당해 유기 EL 소자에 대해서도, 상기와 마찬가지로 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 2[I]
호스트 재료로서 합성예 2[I]에서 얻은 화합물 H-2[I]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[I]과 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작했다. 당해 유기 EL 소자의 외부 양자 효율(EQE)의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 3[I]
호스트 재료로서 합성예 3[I]에서 얻은 화합물 H-3[I]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[I]과 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작했다. 당해 유기 EL 소자의 외부 양자 효율(EQE)의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 4[I]
호스트 재료로서 합성예 4[I]에서 얻은 화합물 H-4[I]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[I]과 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작했다. 당해 유기 EL 소자의 외부 양자 효율(EQE)의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 5[I]
호스트 재료로서 합성예 5[I]에서 얻은 화합물 H-5[I]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[I]과 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작했다. 당해 유기 EL 소자의 외부 양자 효율(EQE)의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 6[I]
호스트 재료로서 합성예 6[I]에서 얻은 화합물 H-6[I]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[I]과 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작했다. 당해 유기 EL 소자의 외부 양자 효율(EQE)의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
비교예 1[I]
호스트 재료로서 공지 문헌 WO 2012/086170에 기재된 하기 화합물 Q-1[I]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[I]과 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃로 한 유기 EL 소자를 제작했다. 당해 유기 EL 소자의 외부 양자 효율(EQE)의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
비교예 2[I]
호스트 재료로서 하기 화합물 Q-2[I]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[I]과 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작했다. 당해 유기 EL 소자의 외부 양자 효율(EQE)의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00767
Figure pct00768
(2) 다음으로, 화합물(1[II])의 합성 방법, 및 해당 화합물(1[II])을 이용한 유기 EL 소자의 제조 방법 및 그의 평가 결과를 나타낸다.
<<화합물(1[II])>>
합성예 1[II](화합물 H-1[II]의 합성)
Figure pct00769
3-브로모벤즈알데하이드(17.0mL, 146mmol), 3-브로모아세토페논(19.3mL, 146mmol)을 메탄올(300mL)에 용해시키고, 수산화나트륨(0.584g, 14.6mmol)을 가하고, 실온에서 10.5시간 교반했다.
석출된 고체를 여과 채취하고, 메탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 분말(47.8g, 수율 90%)을 얻었다.
계속해서, 얻어진 그 분말(12.4g, 33.9mmol)에, 3-브로모벤즈아미딘염산염(4.00g, 16.9mmol), 수산화나트륨(0.745g, 18.6mmol)을 가하고 에탄올(35mL)을 추가하여, 가열 환류하 12.5시간 반응시켰다. 생성된 백색 분말을 여과 채취하여, 액의 착색이 없어질 때까지 에탄올로 세정하고, 추가로 물, 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 목적으로 하는 피리미딘 중간체 A1(7.42g, 수율 80%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 B1(2.55g, 9.00mmol), 피리미딘 중간체 A1(1.64g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.480mmol), t-뷰톡시나트륨(0.965g, 9.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-1[II](2.25g, 수율 65%)를 얻었다.
화합물 H-1[II]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.2%
LC-MS: calcd for C85H61N5=1151,
found m/z=1151(M+, 100)
합성예 2[II](화합물 H-2[II]의 합성)
Figure pct00770
3-브로모벤즈알데하이드(1.85g, 10.0mmol), 3-브로모벤즈아미딘염산염(4.71g, 20.0mmol), 수산화나트륨(1.20g, 30.0mmol)을 가하고 에탄올(200mL)을 추가하여, 가열 환류하 7시간 반응시켰다. 생성된 고체를 여과 채취했다. 여과액을 감압하 증류 제거하고, 얻어진 고체에, 클로라닐(0.776g, 3.16mmol), 다이클로로메테인(120mL)을 가하고 실온에서 1시간 교반했다. 생성된 고체를 여과 채취하고, 앞서의 고체와 혼합하여, 다이클로로메테인과 에탄올로 재결정을 2회 반복했다. 석출된 백색 고체를 여과 채취하고, 진공 건조하여, 목적으로 하는 트라이아진 중간체 C1(4.44g, 수율 81%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 D1(2.32g, 9.00mmol), 트라이아진 중간체 C1(1.64g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.480mmol), t-뷰톡시나트륨(0.965g, 9.00mmol), 무수 자일렌(60mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-2[II](2.26g, 수율 70%)를 얻었다.
화합물 H-2[II]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.4%
LC-MS: calcd for C75H42N6O3=1074,
found m/z=1074(M+, 100)
합성예 3[II](화합물 H-3[II]의 합성)
Figure pct00771
4-브로모벤즈알데하이드(17.0mL, 146mmol), 4-브로모아세토페논(19.3mL, 146mmol)을 메탄올(300mL)에 용해시키고, 수산화나트륨(0.584g, 14.6mmol)을 가하고, 실온에서 10.5시간 교반했다.
석출된 고체를 여과 채취하고, 메탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 분말(47.8g, 수율 90%)을 얻었다.
계속해서, 얻어진 그 분말(12.4g, 33.9mmol)에, 4-브로모벤즈아미딘염산염(4.00g, 16.9mmol), 수산화나트륨(0.745g, 18.6mmol)을 가하고 에탄올(35mL)을 추가하여, 가열 환류하 12.5시간 반응시켰다. 생성된 백색 분말을 여과 채취하여, 액의 착색이 없어질 때까지 에탄올로 세정하고, 추가로 물, 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 목적으로 하는 피리미딘 중간체 E1(7.42g, 수율 80%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 F1(2.46g, 9.00mmol), 피리미딘 중간체 E1(1.64g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.480mmol), t-뷰톡시나트륨(0.965g, 9.00mmol), 무수 자일렌(60mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-3[II](2.19g, 수율 65%)를 얻었다.
화합물 H-3[II]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.2%
LC-MS: calcd for C76H43N5S3=1121,
found m/z=1121(M+, 100)
합성예 4[II](화합물 H-4[II]의 합성)
Figure pct00772
아르곤 분위기하, 2,4,6-트라이클로로피리미딘(3.67g, 20mmol), 3-클로로페닐보론산(3.13g, 20mmol), 다이클로로(비스트라이페닐포스핀)팔라듐 착체(0.351g, 0.5mmol), 1,4-다이옥세인(80mL), 2M 탄산칼륨 수용액(40mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다. 실온까지 반응액을 냉각한 후, 톨루엔을 가하여 희석하고, 물로 세정하고, 감압 건조했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 피리미딘 중간체 G1(4.05g, 수율 78%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 B1(2.55g, 9.00mmol), 피리미딘체 G1(0.779g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.480mmol), t-뷰톡시나트륨(0.965g, 9.00mmol), 무수 자일렌(60mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-4[II](1.65g, 수율 55%)를 얻었다.
화합물 H-4[II]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 98.6%
LC-MS: calcd for C73H53N5=999,
found m/z=999(M+, 100)
합성예 5[II](화합물 H-5[II]의 합성)
Figure pct00773
3-브로모벤즈알데하이드(17.0mL, 146mmol), 3-브로모아세토페논(19.3mL, 146mmol)을 메탄올(300mL)에 용해시키고, 수산화나트륨(0.584g, 14.6mmol)을 가하고, 실온에서 10.5시간 교반했다.
석출된 고체를 여과 채취하고, 메탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 크림색의 분말(47.8g, 수율 90%)을 얻었다.
계속해서, 얻어진 그 분말(12.4g, 33.9mmol)에, 3-클로로벤즈아미딘염산염(3.23g, 16.9mmol), 수산화나트륨(0.745g, 18.6mmol)을 가하고 에탄올(35mL)을 추가하여, 가열 환류하 12.5시간 반응시켰다. 생성된 백색 분말을 여과 채취하여, 액의 착색이 없어질 때까지 에탄올로 세정하고, 추가로 물, 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 목적으로 하는 피리미딘 중간체 J1(5.25g, 수율 62%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 B1(1.70g, 6.00mmol), 피리미딘 중간체 J1(1.50g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 K1(1.90g, 수율 70%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 화합물 K1(1.90g, 3.00mmol), 카바졸릴체 L1(0.850g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-5[II](2.94g, 수율 85%)를 얻었다.
화합물 H-5[II]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C85H61N5=1151,
found m/z=1379(M+, 100)
합성예 6[II](화합물 H-6[II]의 합성)
Figure pct00774
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 F1(2.46g, 9.00mmol), 트라이아진 중간체 M1(0.553g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 자일렌(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-6[II](2.15g, 수율 80%)를 얻었다.
화합물 H-6[II]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C57H30N6S3=894,
found m/z=894(M+, 100)
한편, 이상의 합성 반응을 참조하여, 목적물에 맞춘 공지의 대체 반응이나 원료를 이용하는 것에 의해, 특허청구범위에서 규정한 화합물을 합성하는 것이 가능하다.
실시예 1[II]
(기판의 세정)
25mm×25mm×두께 1.1mm의 ITO 투명 전극 부착 유리 기판(지오마텍주식회사제)을 아이소프로필알코올 중에서, 초음파 세정을 5분간 행한 후, UV 오존 세정을 5분간 행했다.
(하지층의 형성)
정공 수송 재료로서 HERAEUS사제 CLEVIOUS AI4083(상품명)을 30nm의 두께로 상기의 ITO 기판 상에 스핀 코팅법에 의해 성막했다. 성막 후, 아세톤에 의해 불필요한 부분을 제거하고, 이어서 대기 중에서 200℃의 핫 플레이트에서 10분간 소성하여, 하지 기판을 제작했다.
(발광층의 형성)
호스트 재료로서 합성예 1[II]에서 얻은 화합물 H-1[II], 도펀트 재료로서 하기의 화합물 D-ii를 이용하여, 화합물 H-1[II]:화합물 D-ii가 질량비로 90:10이 되는 혼합비로 1.6질량%의 톨루엔 용액을 조제했다. 이 톨루엔 용액을 이용하여, 상기 하지 기판 상에 스핀 코팅법에 의해, 50nm의 막 두께가 되도록 도포 적층했다. 도포 성막 후, 불필요 부분을 톨루엔으로 제거하고, 150℃의 핫 플레이트 상에서 가열 건조하여, 발광층을 성막한 도포 적층 기판을 제작했다. 한편, 발광층의 성막에 관련된 모든 조작은 질소 분위기의 글로브 박스 중에서 실시했다.
(증착, 봉지)
도포 적층 기판을 증착 챔버 중에 반송하고, 전자 수송층으로서 하기 화합물 ET-1을 50nm 증착했다. 추가로 불화리튬을 1nm, 알루미늄을 80nm 증착 적층했다. 모든 증착 공정을 완료시킨 후, 질소 분위기하의 글로브 박스 중에서 카운터보어드 유리에 의한 봉지를 행하여, 유기 EL 소자를 제작했다.
(소자 평가)
얻어진 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 또, 당해 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 1000cd/m2의 휘도로 발광시켰다. 연속 점등시켜, 휘도가 800cd/m2가 될 때까지의 시간(LT80)을 계측했다. 이들의 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
한편, 발광층의 형성 과정에 있어서, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 200℃로 해서 마찬가지로 유기 EL 소자를 별도 제작하고, 당해 유기 EL 소자에 대해서도, 상기와 마찬가지로 외부 양자 효율(EQE)만을 측정했다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
실시예 2[II]
호스트 재료로서 합성예 2[II]에서 얻은 화합물 H-2[II]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[II]와 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작하여, 실시예 1[II]와 마찬가지의 평가를 했다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
실시예 3[II]
호스트 재료로서 합성예 3[II]에서 얻은 화합물 H-3[II]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[II]와 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작하여, 실시예 1[II]와 마찬가지의 평가를 했다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
실시예 4[II]
호스트 재료로서 합성예 4[II]에서 얻은 화합물 H-4[II]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[II]와 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작하여, 실시예 1[II]와 마찬가지의 평가를 했다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
실시예 5[II]
호스트 재료로서 합성예 5[II]에서 얻은 화합물 H-5[II]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[II]와 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작하여, 실시예 1[II]와 마찬가지의 평가를 했다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
실시예 6[II]
호스트 재료로서 합성예 6[II]에서 얻은 화합물 H-6[II]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[II]와 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작하여, 실시예 1[II]와 마찬가지의 평가를 했다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
비교예 1[II]
호스트 재료로서 공지 문헌 WO 2012/086170에 기재된 하기 화합물 Q-1[II]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[II]와 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작하여, 실시예 1[II]와 마찬가지의 평가를 했다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
비교예 2[II]
호스트 재료로서 WO 2011/108902에 기재된 하기 화합물 Q-2[II]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[II]와 마찬가지의 방법으로, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 150℃ 및 200℃로 한 유기 EL 소자를 각각 제작하여, 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
비교예 3[II]
호스트 재료로서 공지 문헌 WO 2007/063754에 기재된 하기 화합물 Q-3[II]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[II]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작하려고 했지만, 톨루엔에 대한 용해성이 낮아, 발광 가능한 소자를 얻을 수 없었다.
Figure pct00775
Figure pct00776
(3) 다음으로, 화합물(1[III])의 합성 방법, 및 해당 화합물(1[III])을 이용한 유기 EL 소자의 제조 방법 및 그의 평가 결과를 나타낸다.
<<화합물(1[III])>>
합성예 1[III](화합물 H-1[III]의 합성)
Figure pct00777
3-브로모벤즈알데하이드(17.0mL, 146mmol), 3-브로모아세토페논(19.3mL, 146mmol)을 메탄올(300mL)에 용해시키고, 수산화나트륨(0.584g, 14.6mmol)을 가하고, 실온에서 10.5시간 교반했다.
석출된 고체를 여과 채취하고, 메탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 크림색의 분말(47.8g, 수율 90%)을 얻었다.
계속해서, 얻어진 그 분말(12.4g, 33.9mmol)에, 3-브로모벤즈아미딘염산염(4.00g, 16.9mmol), 수산화나트륨(0.745g, 18.6mmol)을 가하고 에탄올(35mL)을 추가하여, 가열 환류하 12.5시간 반응시켰다. 생성된 백색 분말을 여과 채취하여, 액의 착색이 없어질 때까지 에탄올로 세정하고, 추가로 물, 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 목적으로 하는 피리미딘 중간체 A1(5.75g, 수율 62%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 B1(4.91g, 9.00mmol), 피리미딘 중간체 A1(1.23g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.480mmol), t-뷰톡시나트륨(0.965g, 9.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-1[III](3.22g, 수율 70%)을 얻었다.
화합물 H-1[III]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C112H76N8=1532,
found m/z=1532(M+, 100)
합성예 2[III](화합물 H-2[III]의 합성)
Figure pct00778
3-브로모벤즈알데하이드(1.85g, 10.0mmol), 3-브로모벤즈아미딘염산염(4.71g, 20.0mmol), 수산화나트륨(1.20g, 30.0mmol)을 가하고 에탄올(200mL)을 추가하여, 가열 환류하 7시간 반응시켰다. 생성된 고체를 여과 채취했다. 여과액을 감압하 증류 제거하고, 얻어진 고체에, 클로라닐(0.776g, 3.16mmol), 다이클로로메테인(120mL)을 가하고 실온에서 1시간 교반했다. 생성된 고체를 여과 채취하고, 앞서의 고체와 혼합하여, 다이클로로메테인과 에탄올로 재결정을 2회 반복했다. 석출된 백색 고체를 여과 채취하고, 진공 건조하여, 목적으로 하는 트라이아진 중간체 C1(4.44g, 수율 81%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴 중간체 B1(4.91g, 9.00mmol), 트라이아진 중간체 C1(1.64g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.480mmol), t-뷰톡시나트륨(0.965g, 9.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-2[III](3.22g, 수율 70%)을 얻었다.
화합물 H-2[III]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.4%
LC-MS: calcd for C111H75N9=1533,
found m/z=1533(M+, 100)
합성예 3[III](화합물 H-3[III]의 합성)
Figure pct00779
4-브로모벤즈알데하이드(17.0mL, 146mmol), 4-브로모아세토페논(19.3mL, 146mmol)을 메탄올(300mL)에 용해시키고, 수산화나트륨(0.584g, 14.6mmol)을 가하고, 실온에서 10.5시간 교반했다.
석출된 고체를 여과 채취하고, 메탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 분말(47.8g, 수율 90%)을 얻었다.
계속해서, 얻어진 그 분말(12.4g, 33.9mmol)에, 4-브로모벤즈아미딘염산염(4.00g, 16.9mmol), 수산화나트륨(0.745g, 18.6mmol)을 가하고 에탄올(35mL)을 추가하여, 가열 환류하 12.5시간 반응시켰다. 생성된 백색 분말을 여과 채취하여, 액의 착색이 없어질 때까지 에탄올로 세정하고, 추가로 물, 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 목적으로 하는 피리미딘 중간체 E1(7.42g, 수율 80%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴 중간체 D1(3.01g, 9.00mmol), 피리미딘 중간체 E1(1.23g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.480mmol), t-뷰톡시나트륨(0.965g, 9.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-3[III](2.55g, 수율 65%)을 얻었다.
화합물 H-3[III]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.2%
LC-MS: calcd for C94H64N8=1304,
found m/z=1304(M+, 100)
합성예 4[III](화합물 H-4[III]의 합성)
Figure pct00780
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 F1(4.06g, 9.00mmol), 트라이아진체 C1(1.64g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.480mmol), t-뷰톡시나트륨(0.965g, 9.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-4[III](2.73g, 수율 55%)을 얻었다.
화합물 H-4[III]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 98.6%
LC-MS: calcd for C120H87N9=1653,
found m/z=1653(M+, 100)
합성예 5[III](화합물 H-5[III]의 합성)
Figure pct00781
Figure pct00782
3-브로모벤즈알데하이드(17.0mL, 146mmol), 3-브로모아세토페논(19.3mL, 146mmol)을 메탄올(300mL)에 용해시키고, 수산화나트륨(0.584g, 14.6mmol)을 가하고, 실온에서 10.5시간 교반했다.
석출된 고체를 여과 채취하고, 메탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 크림색의 분말(47.8g, 수율 90%)을 얻었다.
계속해서, 얻어진 그 분말(12.4g, 33.9mmol)에, 3-클로로벤즈아미딘염산염(3.23g, 16.9mmol), 수산화나트륨(0.745g, 18.6mmol)을 가하고 에탄올(35mL)을 추가하여, 가열 환류하 12.5시간 반응시켰다. 생성된 백색 분말을 여과 채취하여, 액의 착색이 없어질 때까지 에탄올로 세정하고, 추가로 물, 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 목적으로 하는 피리미딘 중간체 J1(5.25g, 수율 62%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 B1(2.46g, 6.00mmol), 피리미딘 중간체 J1(1.50g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 K1(1.91g, 수율 55%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, K1(1.91g, 3.00mmol), 카바졸릴체 D1(1.00g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-5[III](3.72g, 수율 85%)을 얻었다.
화합물 H-5[III]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C106H72N8=1456,
found m/z=1456(M+, 100)
합성예 6[III](화합물 H-6[III]의 합성)
Figure pct00783
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 B1(3.01g, 9.00mmol), 트라이아진 중간체 L1(0.553g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 자일렌(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-6[III](2.59g, 수율 80%)을 얻었다.
화합물 H-6[III]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C75H51N9=1077,
found m/z=1077(M+, 100)
한편, 이상의 합성 반응을 참조하여, 목적물에 맞춘 공지의 대체 반응이나 원료를 이용하는 것에 의해, 특허청구범위에서 규정한 화합물을 합성하는 것이 가능하다.
실시예 1[III]
(기판의 세정)
25mm×25mm×두께 1.1mm의 ITO 투명 전극 부착 유리 기판(지오마텍주식회사제)을 아이소프로필알코올 중에서, 초음파 세정을 5분간 행한 후, UV 오존 세정을 5분간 행했다.
(하지층의 형성)
정공 수송 재료로서 HERAEUS사제 CLEVIOUS AI4083(상품명)을 30nm의 두께로 상기의 ITO 기판 상에 스핀 코팅법에 의해 성막했다. 성막 후, 아세톤에 의해 불필요한 부분을 제거하고, 이어서 대기 중에서 200℃의 핫 플레이트에서 10분간 소성하여, 하지 기판을 제작했다.
(발광층의 형성)
호스트 재료로서 합성예 1[III]에서 얻은 화합물 H-1[III], 도펀트 재료로서 하기의 화합물 D-i을 이용하여, 화합물 H-1[III]:화합물 D-i이 질량비로 95:5가 되는 혼합비로 1.6질량%의 톨루엔 용액을 조제했다. 이 톨루엔 용액을 이용하여, 상기 하지 기판 상에 스핀 코팅법에 의해, 50nm의 막 두께가 되도록 도포 적층했다. 도포 성막 후, 불필요 부분을 톨루엔으로 제거하고, 150℃에서 핫 플레이트 상에서 가열 건조하여, 발광층을 성막한 도포 적층 기판을 제작했다. 한편, 발광층의 성막에 관련된 모든 조작은 질소 분위기의 글로브 박스 중에서 실시했다.
(증착, 봉지)
도포 적층 기판을 증착 챔버 중에 반송하고, 전자 수송층으로서 하기 화합물 ET-1을 50nm 증착했다. 추가로 불화리튬을 1nm, 알루미늄을 80nm 증착 적층했다. 모든 증착 공정을 완료시킨 후, 질소 분위기하의 글로브 박스 중에서 카운터보어드 유리에 의한 봉지를 행하여, 유기 EL 소자를 제작했다.
(소자 평가)
얻어진 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
한편, 발광층의 형성 과정에 있어서, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 200℃로 해서 마찬가지로 유기 EL 소자를 별도 제작하고, 당해 유기 EL 소자에 대해서도, 상기와 마찬가지로 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure pct00784
실시예 2[III]
호스트 재료로서 합성예 2[III]에서 얻은 화합물 H-2[III]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[III]과 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
실시예 3[III]
호스트 재료로서 합성예 3[III]에서 얻은 화합물 H-3[III]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[III]과 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
실시예 4[III]
호스트 재료로서 합성예 4[III]에서 얻은 화합물 H-4[III]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[III]과 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
실시예 5[III]
호스트 재료로서 합성예 5[III]에서 얻은 화합물 H-5[III]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[III]과 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
실시예 6[III]
호스트 재료로서 합성예 6[III]에서 얻은 화합물 H-6[III]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[III]과 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
비교예 1[III]
호스트 재료로서 국제공개 제2012/086170호에 기재된 하기 화합물 Q-1[III]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[III]과 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
비교예 2[III]
호스트 재료로서 국제공개 제2013/081088호에 기재된 하기 화합물 Q-2[III]을 이용한 것 이외에는, 실시예 1[III]과 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure pct00785
Figure pct00786
(4) 다음으로, 화합물(1[IV])의 합성 방법, 및 해당 화합물(1[IV])을 이용한 유기 EL 소자의 제조 방법 및 그의 평가 결과를 나타낸다.
<<화합물(1[IV])>>
합성예 1[IV](화합물 H-1[IV]의 합성)
Figure pct00787
3-브로모벤즈알데하이드(17.0mL, 146mmol), 3-브로모아세토페논(19.3mL, 146mmol)을 메탄올(300mL)에 용해시키고, 수산화나트륨(0.584g, 14.6mmol)을 가하고, 실온에서 10.5시간 교반했다.
석출된 고체를 여과 채취하고, 메탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 크림색의 분말(47.8g, 수율 90%)을 얻었다.
계속해서, 얻어진 그 분말(12.4g, 33.9mmol)에, 3-브로모벤즈아미딘염산염(4.00g, 16.9mmol), 수산화나트륨(0.745g, 18.6mmol)을 가하고 에탄올(35mL)을 추가하여, 가열 환류하 12.5시간 반응시켰다. 생성된 백색 분말을 여과 채취하여, 액의 착색이 없어질 때까지 에탄올로 세정하고, 추가로 물, 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 목적으로 하는 피리미딘 중간체 A1(5.75g, 수율 62%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 B1(3.00g, 9.00mmol), 피리미딘 중간체 A1(1.23g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.480mmol), t-뷰톡시나트륨(0.965g, 9.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-1[IV](2.74g, 수율 70%)를 얻었다.
화합물 H-1[IV]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C94H55N5O3=1301,
found m/z=13012(M+, 100)
합성예 2[IV](화합물 H-2[IV]의 합성)
Figure pct00788
3-브로모벤즈알데하이드(1.85g, 10.0mmol), 3-브로모벤즈아미딘염산염(4.71g, 20.0mmol), 수산화나트륨(1.20g, 30.0mmol)을 가하고 에탄올(200mL)을 추가하여, 가열 환류하 7시간 반응시켰다. 생성된 고체를 여과 채취했다. 여과액을 감압하 증류 제거하고, 얻어진 고체에, 클로라닐(0.776g, 3.16mmol), 다이클로로메테인(120mL)을 가하고 실온에서 1시간 교반했다. 생성된 고체를 여과 채취하고, 앞서의 고체와 혼합하여, 다이클로로메테인과 에탄올로 재결정을 2회 반복했다. 석출된 백색 고체를 여과 채취하고, 진공 건조하여, 목적으로 하는 트라이아진 중간체 C1(4.44g, 수율 81%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 D1(3.24g, 9.00mmol), 트라이아진 중간체 C1(1.64g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.480mmol), t-뷰톡시나트륨(0.965g, 9.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-2[IV](2.90g, 수율 70%)를 얻었다.
화합물 H-2[IV]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.4%
LC-MS: calcd for C102H72N6=1380,
found m/z=1380(M+, 100)
합성예 3[IV](화합물 H-3[IV]의 합성)
Figure pct00789
4-브로모벤즈알데하이드(17.0mL, 146mmol), 4-브로모아세토페논(19.3mL, 146mmol)을 메탄올(300mL)에 용해시키고, 수산화나트륨(0.584g, 14.6mmol)을 가하고, 실온에서 10.5시간 교반했다.
석출된 고체를 여과 채취하고, 메탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 분말(47.8g, 수율 90%)을 얻었다.
계속해서, 얻어진 그 분말(12.4g, 33.9mmol)에, 4-브로모벤즈아미딘염산염(4.00g, 16.9mmol), 수산화나트륨(0.745g, 18.6mmol)을 가하고 에탄올(35mL)을 추가하여, 가열 환류하 12.5시간 반응시켰다. 생성된 백색 분말을 여과 채취하여, 액의 착색이 없어질 때까지 에탄올로 세정하고, 추가로 물, 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 목적으로 하는 피리미딘 중간체 E1(7.42g, 수율 80%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 F1(3.15g, 9.00mmol), 피리미딘 중간체 E1(1.23g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.480mmol), t-뷰톡시나트륨(0.965g, 9.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-3[IV](2.63g, 수율 65%)를 얻었다.
화합물 H-3[IV]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.2%
LC-MS: calcd for C94H55N5S3=1349,
found m/z=1349(M+, 100)
합성예 4[IV](화합물 H-4[IV]의 합성)
Figure pct00790
아르곤 분위기하, 2,4,6-트라이클로로피리미딘(3.67g, 20mmol), 3-클로로페닐보론산(3.13g, 20mmol), 다이클로로(비스트라이페닐포스핀)팔라듐 착체(0.351g, 0.5mmol), 1,4-다이옥세인(80mL), 2M 탄산칼륨 수용액(40mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다. 실온까지 반응액을 냉각한 후, 톨루엔을 가하여 희석하고, 물로 세정하고, 감압 건조했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 피리미딘 중간체 G1(4.05g, 수율 78%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 J1(3.15g, 9.00mmol), 피리미딘체 G1(0.779g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.480mmol), t-뷰톡시나트륨(0.965g, 9.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 8시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-4[IV](1.98g, 수율 55%)를 얻었다.
화합물 H-4[IV]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 98.6%
LC-MS: calcd for C82H47N5S3=1197,
found m/z=1197(M+, 100)
합성예 5[IV](화합물 H-5[IV]의 합성)
Figure pct00791
3-브로모벤즈알데하이드(17.0mL, 146mmol), 3-브로모아세토페논(19.3mL, 146mmol)을 메탄올(300mL)에 용해시키고, 수산화나트륨(0.584g, 14.6mmol)을 가하고, 실온에서 10.5시간 교반했다.
석출된 고체를 여과 채취하고, 메탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 크림색의 분말(47.8g, 수율 90%)을 얻었다.
계속해서, 얻어진 그 분말(12.4g, 33.9mmol)에, 3-클로로벤즈아미딘염산염(3.23g, 16.9mmol), 수산화나트륨(0.745g, 18.6mmol)을 가하고 에탄올(35mL)을 추가하여, 가열 환류하 12.5시간 반응시켰다. 생성된 백색 분말을 여과 채취하여, 액의 착색이 없어질 때까지 에탄올로 세정하고, 추가로 물, 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여, 목적으로 하는 피리미딘 중간체 J1(5.25g, 수율 62%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 D1(2.16g, 6.00mmol), 피리미딘 중간체 J1(1.50g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 K1(2.22g, 수율 70%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, K1(2.22g, 3.00mmol), 카바졸릴체 L1(1.08g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-5[IV](3.52g, 수율 85%)를 얻었다.
화합물 H-5[IV]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C103H73N5=1379,
found m/z=1379(M+, 100)
합성예 6[IV](화합물 H-6[IV]의 합성)
Figure pct00792
아르곤 분위기하, 카바졸릴체 B1(3.00g, 9.00mmol), 피리미딘 중간체 M1(0.550g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-6[IV](2.58g, 수율 80%)를 얻었다.
화합물 H-6[IV]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C76H43N5O3=1073,
found m/z=1073(M+, 100)
한편, 이상의 합성 반응을 참조하여, 목적물에 맞춘 공지의 대체 반응이나 원료를 이용하는 것에 의해, 특허청구범위에서 규정한 화합물을 합성하는 것이 가능하다.
실시예 1[IV]
(기판의 세정)
25mm×25mm×두께 1.1mm의 ITO 투명 전극 부착 유리 기판(지오마텍주식회사제)을 아이소프로필알코올 중에서, 초음파 세정을 5분간 행한 후, UV 오존 세정을 5분간 행했다.
(하지층의 형성)
정공 수송 재료로서 HERAEUS사제 CLEVIOUS AI4083(상품명)을 30nm의 두께로 상기의 ITO 기판 상에 스핀 코팅법에 의해 성막했다. 성막 후, 아세톤에 의해 불필요한 부분을 제거하고, 이어서 대기 중에서 200℃의 핫 플레이트에서 10분간 소성하여, 하지 기판을 제작했다.
(발광층의 형성)
호스트 재료로서 합성예 1[IV]에서 얻은 화합물 H-1[IV], 도펀트 재료로서 하기의 화합물 D-ii를 이용하여, 화합물 H-1[IV]:화합물 D-ii가 질량비로 90:10이 되는 혼합비로 1.6질량%의 톨루엔 용액을 조제했다. 이 톨루엔 용액을 이용하여, 상기 하지 기판 상에 스핀 코팅법에 의해, 50nm의 막 두께가 되도록 도포 적층했다. 도포 성막 후, 불필요 부분을 톨루엔으로 제거하고, 150℃의 핫 플레이트 상에서 가열 건조하여, 발광층을 성막한 도포 적층 기판을 제작했다. 한편, 발광층의 성막에 관련된 모든 조작은 질소 분위기의 글로브 박스 중에서 실시했다.
(증착, 봉지)
도포 적층 기판을 증착 챔버 중에 반송하고, 전자 수송층으로서 하기 화합물 ET-1을 50nm 증착했다. 추가로 불화리튬을 1nm, 알루미늄을 80nm 증착 적층했다. 모든 증착 공정을 완료시킨 후, 질소 분위기하의 글로브 박스 중에서 카운터보어드 유리에 의한 봉지를 행하여, 유기 EL 소자를 제작했다.
(소자 평가)
얻어진 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 4에 나타낸다.
또한, 얻어진 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 1000cd/m2의 휘도로 발광시켰다. 연속 점등시켜, 휘도가 800cd/m2가 될 때까지의 시간(LT80)을 계측한 결과를 표 4에 나타낸다.
한편, 발광층의 형성 과정에 있어서, 도포 성막 후의 가열 건조 온도를 200℃로 해서 마찬가지로 유기 EL 소자를 별도 제작하고, 당해 유기 EL 소자에 대해서도, 상기와 마찬가지로 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 4에 나타낸다.
Figure pct00793
실시예 2[IV]
호스트 재료로서 합성예 2[IV]에서 얻은 화합물 H-2[IV]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[IV]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 4에 나타낸다.
실시예 3[IV]
호스트 재료로서 합성예 3[IV]에서 얻은 화합물 H-3[IV]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[IV]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 4에 나타낸다.
실시예 4[IV]
호스트 재료로서 합성예 4[IV]에서 얻은 화합물 H-4[IV]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[IV]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 4에 나타낸다.
실시예 5[IV]
호스트 재료로서 합성예 5에서 얻은 화합물 H-5[IV]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[IV]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 4에 나타낸다.
실시예 6[IV]
호스트 재료로서 합성예 6[IV]에서 얻은 화합물 H-6[IV]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[IV]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 4에 나타낸다.
비교예 1[IV]
호스트 재료로서 국제공개 제2012/086170호에 기재된 하기 화합물 Q-1[IV]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[IV]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 4에 나타낸다.
비교예 2[IV]
호스트 재료로서 국제공개 제2013/081088호에 기재된 하기 화합물 Q-2[IV]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[IV]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 측정 결과를 표 4에 나타낸다.
Figure pct00794
Figure pct00795
(5) 다음으로, 화합물(1[V])의 합성 방법, 및 해당 화합물(1[V])을 이용한 유기 EL 소자의 제조 방법 및 그의 평가 결과를 나타낸다.
<<화합물(1[V])>>
합성예 1[V](화합물 H-1[V]의 합성)
Figure pct00796
아르곤 분위기하, 화합물 A1(0.550g, 3.00mmol), 카바졸릴체 B1(3.90g, 6.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 C1(3.60g, 수율 85%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 화합물 C1(3.60g, 3.00mmol), 카바졸릴체 D1(1.23g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-1[V](4.54g, 수율 85%)를 얻었다.
화합물 H-1[V]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C130H80N10=1780,
found m/z=1780(M+, 100)
합성예 2[V](화합물 H-2[V]의 합성)
Figure pct00797
아르곤 분위기하, 화합물 A1(0.550g, 3.00mmol), 카바졸릴체 B1(1.95g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 E1(1.91g, 수율 80%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 화합물 E1(1.91g, 3.00mmol), 카바졸릴체 F1(0.771g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 G1(2.44g, 수율 80%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 화합물 G1(2.44g, 3.00mmol), 카바졸릴체 J1(1.00g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-2[V](3.15g, 수율 80%)를 얻었다.
화합물 H-2[V]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C94H55N7O2=1313,
found m/z=1313(M+, 100)
합성예 3[V](화합물 H-3[V]의 합성)
Figure pct00798
아르곤 분위기하, 화합물 K1(0.553g, 3.00mmol), 카바졸릴체 B1(1.95g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 L1(1.91g, 수율 80%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 화합물 L1(1.91g, 3.00mmol), 카바졸릴체 F1(0.772g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 M1(2.44g, 수율 80%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 화합물 M1(2.44g, 3.00mmol), 카바졸릴체 N1(1.00g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-3[V](3.16g, 수율 80%)를 얻었다.
화합물 H-3[V]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C93H57N9O=1315,
found m/z=1315(M+, 100)
합성예 4[V](화합물 H-4[V]의 합성)
Figure pct00799
아르곤 분위기하, 화합물 O1(1.64g, 3.00mmol), 카바졸릴체 B1(1.95g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 P1(2.67g, 수율 80%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 화합물 P1(2.67g, 3.00mmol), 카바졸릴체 D1(1.23g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 Q1(3.46g, 수율 80%)을 얻었다.
아르곤 분위기하, 화합물 Q1(3.46g, 3.00mmol), 카바졸릴체 N1(1.00g, 3.00mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0.110g, 0.120mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄테트라플루오로붕산염(0.139g, 0.48mmol), t-뷰톡시나트륨(0.288g, 3.00mmol), 무수 톨루엔(60mL)을 순차적으로 가하고 11시간 가열 환류했다.
실온까지 반응액을 냉각한 후, 불용물을 여과하여 제거하고, 유기 용매를 감압하 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 H-4[V](4.07g, 수율 80%)를 얻었다.
화합물 H-4[V]에 대하여, HPLC(High Performance Liquid Chromatography) 및 LC-MS(Liquid Chromatography-Mass Spectrometry)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
HPLC: 순도 99.0%
LC-MS: calcd for C124H79N9=1693,
found m/z=1693(M+, 100)
한편, 이상의 합성 반응을 참조하여, 목적물에 맞춘 공지의 대체 반응이나 원료를 이용하는 것에 의해, 특허청구범위에서 규정한 화합물을 합성하는 것이 가능하다.
실시예 1[V]
(기판의 세정)
25mm×25mm×두께 1.1mm의 ITO 투명 전극 부착 유리 기판(지오마텍주식회사제)을 아이소프로필알코올 중에서, 초음파 세정을 5분간 행한 후, UV 오존 세정을 5분간 행했다.
(하지층의 형성)
정공 수송 재료로서 HERAEUS사제 CLEVIOUS AI4083(상품명)을 30nm의 두께로 상기의 ITO 기판 상에 스핀 코팅법에 의해 성막했다. 성막 후, 아세톤에 의해 불필요한 부분을 제거하고, 이어서 대기 중에서 200℃의 핫 플레이트에서 10분간 소성하여, 하지 기판을 제작했다.
(발광층의 형성)
호스트 재료로서 합성예 1[V]에서 얻은 화합물 H-1[V], 도펀트 재료로서 하기의 화합물 D-ii를 이용하여, 화합물 H-1[V]:화합물 D-i이 질량비로 90:10이 되는 혼합비로 1.6질량%의 톨루엔 용액을 조제했다. 이 톨루엔 용액을 이용하여, 상기 하지 기판 상에 스핀 코팅법에 의해, 50nm의 막 두께가 되도록 도포 적층했다. 도포 성막 후, 불필요 부분을 톨루엔으로 제거하고, 150℃의 핫 플레이트 상에서 가열 건조하여, 발광층을 성막한 도포 적층 기판을 제작했다. 한편, 발광층의 성막에 관련된 모든 조작은 질소 분위기의 글로브 박스 중에서 실시했다.
(증착, 봉지)
도포 적층 기판을 증착 챔버 중에 반송하고, 전자 수송층으로서 하기 화합물 ET-1을 50nm 증착했다. 추가로 불화리튬을 1nm, 알루미늄을 80nm 증착 적층했다. 모든 증착 공정을 완료시킨 후, 질소 분위기하의 글로브 박스 중에서 카운터보어드 유리에 의한 봉지를 행하여, 유기 EL 소자를 제작했다.
(소자 평가)
얻어진 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 5에 나타낸다.
실시예 2[V]
호스트 재료로서 합성예 2[V]에서 얻은 화합물 H-2[V]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[V]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 당해 유기 EL 소자에 대해서도, 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 5에 나타낸다.
실시예 3[V]
호스트 재료로서 합성예 3[V]에서 얻은 화합물 H-3[V]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[V]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 당해 유기 EL 소자에 대해서도, 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 5에 나타낸다.
실시예 4[V]
호스트 재료로서 합성예 4[V]에서 얻은 화합물 H-4[V]를 이용한 것 이외에는, 실시예 1[V]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 당해 유기 EL 소자에 대해서도, 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 5에 나타낸다.
실시예 5[V]
도펀트 재료로서 화합물 D-i을 이용하고, 호스트 재료와 도펀트 재료의 질량비를 90:10으로 한 것 이외에는, 실시예 1[V]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 당해 유기 EL 소자에 대해서도, 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 5에 나타낸다.
실시예 6[V]
도펀트 재료로서 화합물 D-i을 이용하고, 호스트 재료와 도펀트 재료의 질량비를 90:10으로 한 것 이외에는, 실시예 2[V]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 당해 유기 EL 소자에 대해서도, 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 5에 나타낸다.
실시예 7[V]
도펀트 재료로서 화합물 D-i을 이용하고, 호스트 재료와 도펀트 재료의 질량비를 90:10으로 한 것 이외에는, 실시예 3[V]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 당해 유기 EL 소자에 대해서도, 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 5에 나타낸다.
실시예 8[V]
도펀트 재료로서 화합물 D-i을 이용하고, 호스트 재료와 도펀트 재료의 질량비를 90:10으로 한 것 이외에는, 실시예 4[V]와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. 당해 유기 EL 소자에 대해서도, 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 5에 나타낸다.
Figure pct00800
Figure pct00801
실시예 1∼66
(기판의 세정)
25mm×25mm×두께 1.1mm의 ITO 투명 전극 부착 유리 기판(지오마텍주식회사제)을 아이소프로필알코올 중에서, 초음파 세정을 5분간 행한 후, UV 오존 세정을 5분간 행했다.
(하지층의 형성)
정공 수송 재료로서 HERAEUS사제 「CLEVIOUS AI4083」(상품명)을 30nm의 두께로 상기의 ITO 기판 상에 스핀 코팅법에 의해 성막했다. 성막 후, 아세톤에 의해 불필요한 부분을 제거하고, 이어서 대기 중에서 200℃의 핫 플레이트에서 10분간 소성하여, 하지 기판을 제작했다.
(발광층의 형성)
호스트 재료 2종(질량비=1:1) 및 도펀트 재료로서 하기 화합물 D-ii를 이용하여, 호스트 재료 2종:화합물 D-ii가 질량비로 90:10이 되는 혼합비로 1.6질량%의 톨루엔 용액을 조제했다. 이 톨루엔 용액을 이용하여, 상기 하지 기판 상에 스핀 코팅법에 의해, 50nm의 막 두께가 되도록 도포 적층했다. 도포 성막 후, 불필요 부분을 톨루엔으로 제거하고, 150℃의 핫 플레이트 상에서 가열 건조하여, 발광층을 성막한 도포 적층 기판을 제작했다. 한편, 발광층의 성막에 관련된 모든 조작은 질소 분위기의 글로브 박스 중에서 실시했다.
(증착, 봉지)
도포 적층 기판을 증착 챔버 중에 반송하고, 전자 수송층으로서 하기의 화합물 ET-1을 50nm 증착했다. 추가로 불화리튬을 1nm, 알루미늄을 80nm 증착 적층했다. 모든 증착 공정을 완료시킨 후, 질소 분위기하의 글로브 박스 중에서 카운터보어드 유리에 의한 봉지를 행하여, 유기 EL 소자를 제작했다.
(소자 평가)
얻어진 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 외부 양자 효율(EQE)을 측정했다. 측정 결과를 표 6 및 표 7에 나타낸다.
Figure pct00802
Figure pct00803
Figure pct00804
1: 유기 EL 소자
2: 기판
3: 양극
4: 음극
5: 발광층
6: 양극측 유기 박막층
7: 음극측 유기 박막층
10: 발광 유닛

Claims (109)

  1. 하기 화학식(1)로 표시되는 화합물과,
    하기 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6), (CH14) 및 (CH15) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종
    을 함유하는 조성물.

    [화학식(1) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
    L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
    a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
    p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 D1, D2 및 D3은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    *1∼*3은 각각 D1∼D3과 결합하고 있다. 해당 D1∼D3은, 각각 독립적으로, 하기 화학식(DA)∼(DD)로 표시되는 4개의 기군인 A군∼D군으로부터 선택되는 기이다.
    Figure pct00806

    (A군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DA) 중, *4 및 *5 중, 한쪽은 식(1) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합하고, 다른 쪽은 Ar1과 결합한다. Ar1 및 Ar2는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기이다. X1∼X4 중 1개 및 X13∼X16 중 1개는 각각 *10 및 *11에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며, 또한 X9∼X12 중 1개 및 X21∼X24 중 1개는 각각 *12 및 *13에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다. X5∼X8 및 X17∼X20은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다. 해당 R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
    (B군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DB) 중, X1∼X4 중 2개는 각각 *21 및 *22에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며, X5∼X12는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다. 해당 R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Y1은 산소 원자, 황 원자, -C(RA)(RB)-, -Si(RC)(RD)-, -P(RE)-, -P(=O)(RF)-, -S(=O)2-, -P(=S)(RG)-, 또는 -N(RH)-이다. 해당 RA∼RH는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. *는 식(1) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.)
    (C군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DC) 중, X1∼X8은 각각 C(R1)∼C(R8) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R8은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 1개는 Z1 또는 Ar4 및 Ar5가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는 R1∼R8로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Ar1, Ar4 및 Ar5는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기를 나타낸다. Z1은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다. d는 0 또는 1이다. 화학식(DC) 중, *6'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중 어느 한쪽이 탈리되어, 그 대신에 화학식(1) 중의 *1∼3 중 어느 하나가 질소 원자와 직접 결합하고 있다.)
    (D군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DD) 중, X1∼X16은 각각 C(R1)∼C(R16) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, 및 R9∼R16으로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Y1은 산소 원자, 황 원자, C(RA)(RB), Si(RC)(RD), P(RE), P(=O)(RF), S(=O)2, P(=S)(RG), 또는 -N(RH)-이다. 해당 RA∼RH는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. *는 식(1) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.)]
    Figure pct00807

    [식(CH1) 중, A는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며,
    L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며,
    B는 하기 식(CH2)로 표시되는 구조의 잔기이며,
    m은 2 이상의 정수이며, 복수의 L1은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 B는 서로 동일해도 상이해도 된다.]
    Figure pct00808

    [식(CH2) 중, X1 및 Y1의 한쪽은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, 다른 쪽은 -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이며,
    X2 및 Y2의 한쪽은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, 다른 쪽은 -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이며,
    R은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며,
    Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소환기, 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로환기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이며,
    L2는 연결기이고,
    n은 0∼5의 정수이며, n이 2 이상인 경우, 복수의 Z2는 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 X2는 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 Y2는 서로 동일해도 상이해도 된다.]
    Figure pct00809

    [식(CH3) 중, X5, Y5는 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S- 또는 -SiR2-이고, 모두가 단일 결합이 되는 경우는 없다. R은 상기와 동일하다.
    Z7, Z8은 상기 Z1, Z2와 동일하지만, 3환 이상이 축환된 지방족 탄화수소환기, 3환 이상이 축환된 지방족 헤테로환기, 3환 이상이 축환된 방향족 탄화수소환기, 또는 3환 이상이 축환된 방향족 헤테로환기인 경우는 없다.
    t는 1 이상의 정수이다.
    L3은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기 또는 이들의 조합이다. 단, t가 1인 경우, L3은 단일 결합은 아니다.]
    Figure pct00810

    [식(CH4) 중, A1∼A3은 각각 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이다.]
    Figure pct00811

    [식(CH5) 중, L4는 1∼4개의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환이 연결(또는 함유)된 2가의 기, 또는 1∼4개의 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환이 연결된 2가의 기이다. A4∼A6은 각각 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기이다. A4 및 A5는 서로 결합하여 환상 구조를 형성해도 된다.]
    Figure pct00812

    [식(CH6) 중, L5는 1∼6개의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환이 연결(또는 함유)된 2가의 기, 또는 1∼6개의 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환이 연결된 2가의 기이다. A7∼A10은 각각 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소환이 1∼10개 결합한 기, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환이 1∼10개 결합한 기이다.]
    Figure pct00813

    [식(CH7) 중, Ar1 및 Ar3은 치환 또는 비치환된 1가의 방향족 탄화수소환기, 치환 또는 비치환된 1가의 방향족 헤테로환기, Ar2는 치환 또는 비치환된 2가의 방향족 탄화수소환이 1∼10개 결합한 기, 치환 또는 비치환된 2가의 방향족 헤테로환이 1∼10개 결합한 기이다.]
    Figure pct00814

    [식(CH14) 중, X9, X10, Y9, Y10은 단일 결합, -CR2-, -NR-, -O-, -S-, -PR-, 또는 -SiR2-로 표시되는 기이고, 모두가 단일 결합이 되는 경우는 없다.
    R은 식(CH2)의 X1, X2, Y1 및 Y2에 있어서의 R과 동의이고,
    Z9, Z10, Z11은 식(CH2)의 Z1, Z2와 동의이고,
    aa는 1∼5의 정수이며, aa가 2 이상인 경우, 복수의 Z10은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 X10은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 Y10은 서로 동일해도 상이해도 된다.]
    Figure pct00815

    [식(CH15) 중, Aa는 식(CH1)의 A와 동의이고, L11은 식(CH1)의 L1과 동의이며, B2는 상기 식(CH2)로 표시되는 구조의 잔기이다.
    h는 1 이상의 정수이며, h의 상한은 Aa의 구조에 의존해서 결정되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 1∼10 정도의 범위로부터 선택되는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 1∼3이고, 더 바람직하게는 1 또는 2이다.
    j는 1 이상의 정수이며, j의 상한은 L11의 구조에 의존해서 결정되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 2 또는 3이다.
    단, h+j는 3 이상의 정수이다.
    복수의 L11은 서로 동일해도 상이해도 되고, 복수의 B2는 서로 동일해도 상이해도 된다.]
  2. 하기 화학식(1)로 표시되는 화합물.
    Figure pct00816

    [화학식(1) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
    L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
    a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
    p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 D1, D2 및 D3은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    *1∼*3은 각각 D1∼D3과 결합하고 있다. 해당 D1∼D3은, 각각 독립적으로, 하기 화학식(DA)∼(DD)로 표시되는 4개의 기군인 A군∼D군으로부터 선택되는 기이다.
    Figure pct00817

    (A군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DA) 중, *4 및 *5 중, 한쪽은 화학식(1) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합하고, 다른 쪽은 Ar1과 결합한다. Ar1 및 Ar2는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기이다. X1∼X4 중 1개 및 X13∼X16 중 1개는 각각 *10 및 *11에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며, 또한 X9∼X12 중 1개 및 X21∼X24 중 1개는 각각 *12 및 *13에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이다. X5∼X8 및 X17∼X20은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다. 해당 R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
    (B군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DB) 중, X1∼X4 중 2개는 각각 *21 및 *22에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며, X5∼X12는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다. 해당 R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Y1은 산소 원자, 황 원자, -C(RA)(RB)-, -Si(RC)(RD)-, -P(RE)-, -P(=O)(RF)-, -S(=O)2-, -P(=S)(RG)-, 또는 -N(RH)-이다. 해당 RA∼RH는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. *는 식(1) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.)
    (C군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DC) 중, X1∼X8은 각각 C(R1)∼C(R8) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R8은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 1개는 Z1 또는 Ar4 및 Ar5가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는 R1∼R8로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Ar1, Ar4 및 Ar5는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기를 나타낸다. Z1은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다. d는 0 또는 1이다. 화학식(DC) 중, *6'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중 어느 한쪽이 탈리되어, 그 대신에 화학식(1) 중의 *1∼3 중 어느 하나가 질소 원자와 직접 결합하고 있다.)
    (D군에 속하는 기를 나타내는 화학식(DD) 중, X1∼X16은 각각 C(R1)∼C(R16) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, 및 R9∼R16으로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. Y1은 산소 원자, 황 원자, C(RA)(RB), Si(RC)(RD), P(RE), P(=O)(RF), S(=O)2, P(=S)(RG), 또는 -N(RH)-이다. 해당 RA∼RH는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. *는 식(1) 중의 *1∼*3 중 어느 하나와 결합한다.)]
  3. 제 2 항에 있어서,
    하기 화학식(1[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00818

    (화학식(1[I]) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
    L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
    a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
    *4 및 *5 중, 한쪽은 *1과 결합하고, 다른 쪽은 Ar1과 결합하며,
    *6 및 *7 중, 한쪽은 *2와 결합하고, 다른 쪽은 Ar3과 결합하며,
    *8 및 *9 중, 한쪽은 *3과 결합하고, 다른 쪽은 Ar5와 결합한다.
    Ar1∼Ar6은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기이다.
    X1∼X4 중 1개 및 X13∼X16 중 1개는 각각 *10 및 *11에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며,
    X9∼X12 중 1개 및 X21∼X24 중 1개는 각각 *12 및 *13에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며,
    X25∼X28 중 1개 및 X37∼X40 중 1개는 각각 *14 및 *15에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며,
    X33∼X36 중 1개 및 X45∼X48 중 1개는 각각 *16 및 *17에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며,
    X49∼X52 중 1개 및 X61∼X64 중 1개는 각각 *18 및 *19에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며,
    X57∼X60 중 1개 및 X69∼X72 중 1개는 각각 *20 및 *21에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 6개는, 각각 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자이며,
    X5∼X8, X17∼X20, X29∼X32, X41∼X44, X53∼X56 및 X65∼X68은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이다.
    R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
    p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
  4. 제 2 항에 있어서,
    하기 화학식(1[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00819

    (화학식(1[II]) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로환기를 나타낸다.
    L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
    a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
    X1∼X4 중 2개는 각각 *1 및 *2에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며,
    X13∼X16 중 2개는 각각 *3 및 *4에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며,
    X25∼X28 중 2개는 각각 *5 및 *6에 결합하는 탄소 원자이고, 그 이외의 2개는, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며,
    X5∼X12, X17∼X24 및 X29∼X36은, 각각 독립적으로, C(R) 또는 질소 원자이며,
    R은 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 R은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
    Y1∼Y3은, 각각 독립적으로, 산소 원자, 황 원자, -C(RA)(RB)-, -Si(RC)(RD)-, -P(RE)-, -P(=O)(RF)-, -S(=O)2-, 또는 -P(=S)(RG)-이다.
    RA∼RG는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이며, RA∼RG로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
    p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
  5. 제 2 항에 있어서,
    하기 화학식(1[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00820

    (화학식(1[III]) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
    L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
    a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
    X1∼X24는 각각 C(R1)∼C(R24) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R24는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 1개는 Z1 또는 Ar4 및 Ar5가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이고, X9∼X12 중 1개는 Z2 또는 Ar6 및 Ar7이 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이며, X21∼X24 중 1개는 Z3 또는 Ar8 및 Ar9가 결합하는 질소 원자와 직접 결합하는 탄소 원자이다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는 R1∼R8로부터 선택되는 2개, R9∼R16으로부터 선택되는 2개, 및 R17∼R24로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
    Ar1∼Ar3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기를 나타낸다.
    Ar4∼Ar9는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로아릴기를 나타낸다.
    Z1∼Z3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
    d∼f는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
    p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    화학식(1[III]) 중, *1'가 기재되어 있는 Ar1 및 Ar4 중 어느 한쪽이 탈리되어, 그 대신에 *1이 질소 원자와 직접 결합하고 있다. *2'가 기재되어 있는 Ar2 및 Ar6 중 어느 한쪽이 탈리되어, 그 대신에 *2가 질소 원자와 직접 결합하고 있다. *3'가 기재되어 있는 Ar3 및 Ar8 중 어느 한쪽이 탈리되어, 그 대신에 *3이 질소 원자와 직접 결합하고 있다.)
  6. 제 2 항에 있어서,
    하기 화학식(1-ii-1[IV])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00821

    (화학식(1-ii-1[IV]) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
    L2 및 L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
    c는 0 또는 1이다.
    X1∼X48은 각각 C(R1)∼C(R48) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R48은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있으며, X17∼X20 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X29∼X32 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있으며, X37∼X40 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X41∼X44 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, R9∼R16으로부터 선택되는 2개, R17∼R24로부터 선택되는 2개, R25∼R32로부터 선택되는 2개, R33∼R40으로부터 선택되는 2개, 및 R41∼R48로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
    Y1∼Y3은, 각각 독립적으로, 산소 원자, 황 원자, C(RA)(RB), Si(RC)(RD) 또는 P(RE)이다. RA, RB, RC, RD 및 RE는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
    p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 D1∼D3 중 적어도 2개가, 서로 상이한 기군으로부터 선택되는 화합물.
  8. 상기 화학식(1[I])로 표시되는 화합물과,
    상기 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6) 및 (CH14) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종
    을 함유하는 조성물.
  9. 상기 화학식(1[II])로 표시되는 화합물과,
    상기 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6) 및 (CH14) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종
    을 함유하는 조성물.
  10. 상기 화학식(1[III])으로 표시되는 화합물과,
    상기 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6) 및 (CH14) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종
    을 함유하는 조성물.
  11. 상기 화학식(1[IV])로 표시되는 화합물과,
    상기 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6) 및 (CH14) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종
    을 함유하는 조성물.
  12. 상기 화학식(1[V])로 표시되는 화합물과,
    상기 화학식(CH1), (CH3), (CH4), (CH5), (CH6) 및 (CH14) 중 어느 것으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종
    을 함유하는 조성물.
  13. 제 3 항에 있어서,
    하기 화학식(1a[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00822

    (화학식(1a[I]) 중, A, L1∼L3, a∼c, X1∼X72, *1∼*21, Ar2, Ar4 및 Ar6은 제 3 항의 기재와 동일하다.)
  14. 제 13 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-i[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00823

    (화학식(1a-i[I]) 중, A, L1∼L3, a∼c, *1∼*9, Ar2, Ar4 및 Ar6은 제 3 항의 기재와 동일하다. R1∼R72는 제 3 항에 기재된 R과 동일하다.
    *10-*11은, R1∼R4 중 1개 및 R13∼R16 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타내고,
    *12-*13은, R9∼R12 중 1개 및 R21∼R24 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타내고,
    *14-*15는, R25∼R28 중 1개 및 R37∼R40 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타내고,
    *16-*17은, R33∼R36 중 1개 및 R45∼R48 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타내고,
    *18-*19는, R49∼R52 중 1개 및 R61∼R64 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타내고,
    *20-*21은, R57∼R60 중 1개 및 R69∼R72 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.)
  15. 제 14 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-ii[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00824

    (화학식(1a-ii[I]) 중, A, L1∼L3, a∼c, Ar1∼Ar6은 제 3 항의 기재와 동일하다. R1∼R72는 제 3 항에 기재된 R과 동일하다. *10∼*21은 제 14 항의 기재와 동일하다.)
  16. 제 15 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-ii-1[I])∼(1a-ii-6[I]) 중 어느 것으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00825

    Figure pct00826

    Figure pct00827

    Figure pct00828

    Figure pct00829

    Figure pct00830

    (화학식(1a-ii-1[I])∼(1a-ii-6[I]) 중, A, L1∼L3, a∼c, Ar1∼Ar6은 제 3 항의 기재와 동일하다. R1∼R72는 제 3 항에 기재된 R과 동일하다. *14∼*21은 제 14 항의 기재와 동일하다.)
  17. 제 14 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-iii[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00831

    (화학식(1a-iii[I]) 중, A, L1∼L3, *1∼*9, Ar2, Ar4 및 Ar6은 제 3 항의 기재와 동일하다. R1∼R72는 제 3 항에 기재된 R과 동일하다. *10∼*21은 제 14 항의 기재와 동일하다.)
  18. 제 14 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-iv[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00832

    (화학식(1a-iv[I]) 중, A, L2, L3, b, c, *1∼*9, Ar2, Ar4 및 Ar6은 제 3 항의 기재와 동일하다. R1∼R72는 제 3 항에 기재된 R과 동일하다. *10∼*21은 제 14 항의 기재와 동일하다.)
  19. 제 14 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-v[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00833

    (화학식(1a-v[I]) 중, A, *1∼*9, Ar2, Ar4 및 Ar6은 제 3 항의 기재와 동일하다. R1∼R72는 제 3 항에 기재된 R과 동일하다. *10∼*21은 제 14 항의 기재와 동일하다.)
  20. 제 3 항에 있어서,
    하기 화학식(1b[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00834

    (화학식(1b[I]) 중, A, L1, L2, a, *1∼*7, Ar2 및 Ar4는 제 3 항의 기재와 동일하다. R1∼R48은 제 3 항에 기재된 R과 동일하다.
    *10-*11은, R1∼R4 중 1개 및 R13∼R16 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타내고,
    *12-*13은, R9∼R12 중 1개 및 R21∼R24 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타내고,
    *14-*15는, R25∼R28 중 1개 및 R37∼R40 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타내고,
    *16-*17은, R33∼R36 중 1개 및 R45∼R48 중 1개가 각각 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.)
  21. 제 3 항에 있어서,
    복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우가 없는 화합물.
  22. 제 3 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-vi[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00835

    (화학식(1a-vi[I]) 중, A, L1∼L3, a∼c, *1∼*9, Ar2, Ar4 및 Ar6은 제 3 항의 기재와 동일하다.
    *10-*11, *12-*13, *14-*15, *16-*17, *18-*19, *20-*21은 벤젠환 중의 수소 원자가 각각 탈리된 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.)
  23. 제 3 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-i[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00836

    (화학식(1b-i[I]) 중, A, L1, L2, a, *1∼*7, Ar2, Ar4는 제 3 항의 기재와 동일하다.
    *10-*11, *12-*13, *14-*15, *16-*17은 벤젠환 중의 수소 원자가 각각 탈리된 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.)
  24. 제 3 항에 있어서,
    하기 화학식(1c-i[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00837

    (화학식(1c-i[I]) 중, L1∼L3, a∼c, X1∼X72, *1∼*21, Ar2, Ar4 및 Ar6은 제 3 항의 기재와 동일하다.
    X101∼X104는 각각 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  25. 제 3 항에 있어서,
    하기 화학식(1c-ii[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00838

    (화학식(1c-ii[I]) 중, L1∼L3, a∼c, X1∼X72, *1∼*21, Ar2, Ar4 및 Ar6은 제 3 항의 기재와 동일하다. X103은 C(Rx) 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이다.)
  26. 제 3 항에 있어서,
    하기 화학식(1c-iii[I])로 표시되는 화합물.

    (화학식(1c-iii[I]) 중, L1∼L3, a∼c, X1∼X72, *1∼*21, Ar2, Ar4 및 Ar6은 제 3 항의 기재와 동일하다.
    X101, X102, X105∼X108은 각각 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  27. 제 3 항에 있어서,
    하기 화학식(1c-iv[I])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00840

    (화학식(1c-iv[I]) 중, L1∼L3, a∼c, X1∼X72, *1∼*21, Ar2, Ar4 및 Ar6은 제 3 항의 기재와 동일하다.
    R101, R102 및 R105∼R108 중 1∼3개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자가 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하고, 그 이외는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 한편, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  28. 제 3 항 및 제 13 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Ar1∼Ar6이 모두, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기인 화합물.
  29. 제 4 항에 있어서,
    하기 화학식(1a[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00841

    (화학식(1a[II]) 중, A, L1∼L3, a∼c, X1∼X36 및 Y1∼Y3은 제 4 항의 기재와 동일하다.)
  30. 제 4 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-i[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00842

    (화학식(1a-i[II]) 중, A, L1∼L3, a∼c 및 Y1∼Y3은 제 4 항의 기재와 동일하다. R1∼R36은 제 4 항에 기재된 R과 동일하다.
    R1∼R4 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *1 및 *2와 결합하고, R13∼R16 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *3 및 *4와 결합하고, R25∼R28 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *5 및 *6과 결합한다.)
  31. 제 30 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-i-1[II])∼(1a-i-6[II]) 중 어느 것으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00843

    Figure pct00844

    Figure pct00845

    Figure pct00846

    Figure pct00847

    Figure pct00848

    (화학식(1a-i-1[II])∼(1a-i-6[II]) 중, A, L1∼L3, a∼c 및 Y1∼Y3은 제 4 항의 기재와 동일하다. R1∼R36은 제 4 항에 기재된 R과 동일하다.
    R13∼R16 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *3 및 *4와 결합하고, R25∼R28 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *5 및 *6과 결합한다.)
  32. 제 29 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-ii[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00849

    (화학식(1a-ii[II]) 중, A, L1∼L3 및 Y1∼Y3은 제 4 항의 기재와 동일하다. R1∼R36은 제 4 항에 기재된 R과 동일하다.
    R1∼R4 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *1 및 *2와 결합하고, R13∼R16 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *3 및 *4와 결합하고, R25∼R28 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *5 및 *6과 결합한다.)
  33. 제 29 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-iii[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00850

    (화학식(1a-iii[II]) 중, A, L2∼L3, b∼c 및 Y1∼Y3은 제 4 항의 기재와 동일하다. R1∼R36은 제 4 항에 기재된 R과 동일하다.
    R1∼R4 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *1 및 *2와 결합하고, R13∼R16 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *3 및 *4와 결합하고, R25∼R28 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *5 및 *6과 결합한다.)
  34. 제 29 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-iv[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00851

    (화학식(1a-iv[II]) 중, A 및 Y1∼Y3은 제 4 항의 기재와 동일하다. R1∼R36은 제 4 항에 기재된 R과 동일하다.
    R1∼R4 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *1 및 *2와 결합하고, R13∼R16 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *3 및 *4와 결합하고, R25∼R28 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *5 및 *6과 결합한다.)
  35. 제 4 항에 있어서,
    하기 화학식(1b[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00852

    (화학식(1b[II]) 중, A, L1∼L2, a 및 Y1∼Y2는 제 4 항의 기재와 동일하다. R1∼R24는 제 4 항에 기재된 R과 동일하다.
    R1∼R4 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *1 및 *2와 결합하고, R13∼R16 중 2개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자는 *3 및 *4와 결합한다.)
  36. 제 4 항에 있어서,
    복수 존재하는 R로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우가 없는 화합물.
  37. 제 4 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-v[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00853

    (화학식(1a-v[II]) 중, A, L1∼L3, a∼c 및 Y1∼Y3은 제 4 항의 기재와 동일하다.
    카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 및 4위에 갖는 4개의 수소 원자 중 2개가 탈리되어, 탈리된 수소 원자와 결합하고 있던 탄소 원자가 *1 및 *2, *3 및 *4, 또는 *5 및 *6과 결합한다.)
  38. 제 4 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-i[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00854

    (화학식(1b-i[II]) 중, A, L1∼L2, a 및 Y1∼Y2는 제 4 항의 기재와 동일하다.
    카바졸릴기의 1위, 2위, 3위 및 4위에 갖는 4개의 수소 원자 중 2개가 탈리되어, 탈리된 수소 원자와 결합하고 있던 탄소 원자가 *1 및 *2, *3 및 *4, 또는 *5 및 *6과 결합한다.)
  39. 제 4 항에 있어서,
    하기 화학식(1c-i[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00855

    (화학식(1c-i[II]) 중, L1∼L3, a∼c, p∼r, X1∼X36 및 Y1∼Y3은 제 4 항의 기재와 동일하다.
    X101∼X104는 각각 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  40. 제 4 항에 있어서,
    하기 화학식(1c-ii[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00856

    (화학식(1c-ii[II]) 중, L1∼L3, a∼c, p∼r, X1∼X36 및 Y1∼Y3은 제 4 항의 기재와 동일하다. X103은 C(Rx) 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이다.)
  41. 제 4 항에 있어서,
    하기 화학식(1c-iii[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00857

    (화학식(1c-iii[II]) 중, L1∼L3, a∼c, p∼r, X1∼X36 및 Y1∼Y3은 제 4 항의 기재와 동일하다.
    X101, X102, X105∼X108은 각각 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  42. 제 4 항에 있어서,
    하기 화학식(1c-iv[II])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00858

    (화학식(1c-iv[II]) 중, L1∼L3, a∼c, p∼r, X1∼X36 및 Y1∼Y3은 제 4 항의 기재와 동일하다.
    R101, R102 및 R105∼R108 중 1∼3개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자가 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하고, 그 이외는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 한편, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  43. 제 4 항 및 제 29 항 내지 제 42 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Y1∼Y3이 모두 산소 원자 또는 황 원자인 화합물.
  44. 제 5 항에 있어서,
    하기 화학식(1a[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00859

    (화학식(1a[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, X1∼X24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 제 5 항의 기재와 동일하다.)
  45. 제 44 항에 있어서,
    하기 화학식(1a'[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00860

    (화학식(1a'[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 제 5 항의 기재와 동일하다.)
  46. 제 5 항에 있어서,
    하기 화학식(2'[III]) 또는 (3'[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00861

    (화학식(2'[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, p∼r, R1∼R24, Ar4∼Ar9, Z1∼Z3은 제 5 항의 기재와 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
    Figure pct00862

    (화학식(3'[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, p∼r, R1∼R24, Ar1∼Ar3, Ar5, Ar7, Ar9, Z1∼Z3은 제 5 항의 기재와 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
  47. 제 46 항에 있어서,
    하기 화학식(2-1[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00863

    (화학식(2-1[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, p∼r, R1, R2, R4∼R10, R12∼R21, R23, R24, Ar4∼Ar9, Z1∼Z3은 제 5 항의 기재와 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
  48. 제 5 항에 있어서,
    하기 화학식(1a'-i[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00864

    (화학식(1a'-i[III]) 중, A, L1∼L3, d∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 제 5 항의 기재와 동일하다.)
  49. 제 48 항에 있어서,
    하기 화학식(2a'-i[III]) 또는 (3a'-i[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00865

    (화학식(2a'-i[III]) 중, A, L1∼L3, d∼f, R1∼R24, Ar4∼Ar9, Z1∼Z3은 제 5 항의 기재와 동일하다.)
    Figure pct00866

    (화학식(3a'-i[III]) 중, A, L1∼L3, d∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar3, Ar5, Ar7, Ar9, Z1∼Z3은 제 5 항의 기재와 동일하다.)
  50. 제 5 항에 있어서,
    하기 화학식(1a'-ii[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00867

    (화학식(1a'-ii[III]) 중, A, L2, L3, b∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 제 5 항의 기재와 동일하다.)
  51. 제 50 항에 있어서,
    하기 화학식(2a'-ii[III]) 또는 (3a'-ii[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00868

    (화학식(2a'-ii[III]) 중, A, L2, L3, b∼f, R1∼R24, Ar4∼Ar9, Z1∼Z3은 제 5 항의 기재와 동일하다.)
    Figure pct00869

    (화학식(3a'-ii[III]) 중, A, L2, L3, b∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar3, Ar5, Ar7, Ar9, Z1∼Z3은 제 5 항의 기재와 동일하다.)
  52. 제 5 항에 있어서,
    하기 화학식(1a'-iii[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00870

    (화학식(1a'-iii[III]) 중, A, d∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 제 5 항의 기재와 동일하다.)
  53. 제 52 항에 있어서,
    하기 화학식(2a'-iii[III]) 또는 (3a'-iii[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00871

    (화학식(2a'-iii[III]) 중, A, d∼f, R1∼R24, Ar4∼Ar9, Z1∼Z3은 제 5 항의 기재와 동일하다.)
    Figure pct00872

    (화학식(3a'-iii[III]) 중, A, d∼f, R1∼R24, Ar1∼Ar3, Ar5, Ar7, Ar9, Z1∼Z3은 제 5 항의 기재와 동일하다.)
  54. 제 5 항에 있어서,
    하기 화학식(1a'-iv[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00873

    (화학식(1a'-iv[III]) 중, A, L1, L2, a, d, e, R1∼R16, Ar1, Ar2, Ar4∼Ar7, Z1, Z2, *1, *2, *1', *2'는 제 5 항의 기재와 동일하다. 화학식(1a'-iv) 중의 각 기에 있어서, 동일 기호는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
  55. 제 54 항에 있어서,
    하기 화학식(2a'-iv[III]) 또는 (3a'-iv[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00874

    (화학식(2a'-iv[III]) 중, A, L1, L2, a, d, e, R1∼R16, Ar4∼Ar7, Z1, Z2는 제 5 항의 기재와 동일하다. 화학식(2a'-iv[III]) 중의 각 기에 있어서, 동일 기호는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
    Figure pct00875

    (화학식(3a'-iv[III]) 중, A, L1, L2, a, d, e, R1∼R16, Ar1, Ar2, Ar5, Ar7, Z1, Z2는 제 5 항의 기재와 동일하다. 화학식(3a'-iv[III]) 중의 각 기에 있어서, 동일 기호는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
  56. 제 5 항 및 제 44 항 내지 제 55 항 중 어느 한 항에 있어서,
    R1∼R24로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우가 없는 화합물.
  57. 제 45 항에 있어서,
    하기 화학식(1a'-H[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00876

    (화학식(1a'-H[III]) 중, A, L1∼L3, a∼f, Ar1∼Ar9, Z1∼Z3, *1∼*3, *1'∼*3'는 제 5 항의 기재와 동일하다.)
  58. 제 54 항에 있어서,
    하기 화학식(1a'-iv-H[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00877

    (화학식(1a'-iv-H[III]) 중, A, L1, L2, a, d, e, Ar1, Ar2, Ar4∼Ar7, Z1, Z2, *1, *2, *1', *2'는 제 5 항의 기재와 동일하다. 화학식(1a'-iv-H[III]) 중의 각 기에 있어서, 동일 기호는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
  59. 제 5 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-i[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00878

    (화학식(1b-i[III]) 중, L1∼L3, a∼f, p∼r, X1∼X24, Ar1∼Ar3, Ar4∼Ar9, *1∼*3, *1'∼*3'는 제 5 항의 기재와 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    X101∼X104는 각각 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이다. 해당 Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  60. 제 5 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-ii[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00879

    (화학식(1b-ii[III]) 중, L1∼L3, a∼f, p∼r, X1∼X24, Ar1∼Ar3, Ar4∼Ar9, *1∼*3, *1'∼*3'는 제 5 항의 기재와 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    X103은 C(Rx) 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이다.)
  61. 제 5 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-iii[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00880

    (화학식(1b-iii[III]) 중, L1∼L3, a∼f, p∼r, X1∼X24, Ar1∼Ar3, Ar4∼Ar9, *1∼*3, *1'∼*3'는 제 5 항의 기재와 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    X101, X102, X105∼X108은 각각 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이다. 해당 Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  62. 제 5 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-iv[III])으로 표시되는 화합물.
    Figure pct00881

    (화학식(1b-iv[III]) 중, L1∼L3, a∼f, p∼r, X1∼X24, Ar1∼Ar3, Ar4∼Ar9, *1∼*3, *1'∼*3'는 제 5 항의 기재와 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    R101, R102 및 R105∼R108 중 1∼3개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자가 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하고, 그 이외는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 한편, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  63. 제 5 항 및 제 44 항 내지 제 62 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Ar4∼Ar9가 모두, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기인 화합물.
  64. 제 5 항 및 제 44 항 내지 제 62 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Ar4∼Ar9가 모두, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 10∼30의 축합환기인 화합물.
  65. 제 6 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-ii-1[IV])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00882

    (화학식(1a-ii-1[IV]) 중, A, L2, L3, c, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 제 6 항의 기재와 동일하다.)
  66. 제 6 항에 있어서,
    하기 화학식(1a'-ii-1[IV])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00883

    (화학식(1a'-ii-1[IV]) 중, A, L2, L3, c, R1∼R48 및 Y1∼Y3은 제 6 항의 기재와 동일하다.)
  67. 제 6 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-i-1[IV])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00884

    (화학식(1b-i-1[IV]) 중, L2, L3, c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 제 6 항의 기재와 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    X101∼X104는 각각 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이다. 해당 Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  68. 제 6 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-ii-1[IV])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00885

    (화학식(1b-ii-1[IV]) 중, L2, L3, c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 제 6 항의 기재와 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    X103은 C(Rx) 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이다.)
  69. 제 6 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-iii-1[IV])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00886

    (화학식(1b-iii-1[IV]) 중, L2, L3, c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 제 6 항의 기재와 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    X101, X102, X105∼X108은 각각 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이다. 해당 Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  70. 제 6 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-iv-1[IV])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00887

    (화학식(1b-iv-1[IV]) 중, L2, L3, c, p∼r, X1∼X48 및 Y1∼Y3은 제 6 항의 기재와 동일하다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    R101, R102 및 R105∼R108 중 1∼3개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자가 *10∼*12 중 어느 하나와 결합하고, 그 이외는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 한편, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  71. 제 6 항 및 제 65 항 내지 제 70 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 R1∼R48로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있는 경우가 없는 화합물.
  72. 제 6 항 및 제 65 항 내지 제 71 항 중 어느 한 항에 있어서,
    X2∼X4 중 어느 1개가 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합하고 있으며, X18∼X20 중 어느 1개가 탄소 원자이고, X29∼X32 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합하고 있으며, X37∼X39 중 어느 1개가 탄소 원자이고, X41∼X44 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합하고 있는 화합물.
  73. 제 6 항 및 제 65 항 내지 제 71 항 중 어느 한 항에 있어서,
    X2∼X3 중 어느 1개가 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합하고 있으며, X18∼X19 중 어느 1개가 탄소 원자이고, X29∼X32 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합하고 있으며, X38∼X39 중 어느 1개가 탄소 원자이고, X41∼X44 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합하고 있는 화합물.
  74. 제 6 항 및 제 65 항 내지 제 73 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Y1∼Y3이 모두 산소 원자 또는 황 원자인 화합물.
  75. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1a[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00888

    (화학식(1a[V]) 중, 각 기호의 정의는 제 2 항 및 제 7 항 중의 기재와 동일하다.)
  76. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-1[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00889

    (화학식(1a-1[V]) 중, DA는 제 2 항에 기재된 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DD는 제 2 항에 기재된 D군에 속하는 상기 화학식(DD)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 제 2 항의 화학식(1) 중의 기재와 동일하다.)
  77. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-2[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00890

    (화학식(1a-2[V]) 중, DA는 제 2 항에 기재된 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DB는 제 2 항에 기재된 B군에 속하는 상기 화학식(DB)로 표시되는 기를 나타내고, DD는 제 2 항에 기재된 D군에 속하는 상기 화학식(DD)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 제 2 항의 화학식(1) 중의 기재와 동일하다.)
  78. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-3[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00891

    (화학식(1a-3[V]) 중, DA는 제 2 항에 기재된 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DB는 제 2 항에 기재된 B군에 속하는 상기 화학식(DB)로 표시되는 기를 나타내고, DC는 제 2 항에 기재된 C군에 속하는 상기 화학식(DC)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 제 2 항의 화학식(1) 중의 기재와 동일하다.)
  79. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-4[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00892

    (화학식(1a-4[V]) 중, DA는 제 2 항에 기재된 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DC는 제 2 항에 기재된 C군에 속하는 상기 화학식(DC)로 표시되는 기를 나타내고, DD는 제 2 항에 기재된 D군에 속하는 상기 화학식(DD)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 제 2 항의 화학식(1) 중의 기재와 동일하다.)
  80. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-i[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00893

    (화학식(1a-i[V]) 중, 각 기호의 정의는 제 2 항 및 제 7 항 중의 기재와 동일하다.)
  81. 제 80 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-4-i[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00894

    (화학식(1a-4-i[V]) 중, DA는 제 2 항에 기재된 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DC는 제 2 항에 기재된 C군에 속하는 상기 화학식(DC)로 표시되는 기를 나타내고, DD는 제 2 항에 기재된 D군에 속하는 상기 화학식(DD)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 제 2 항의 화학식(1) 중의 기재와 동일하다.)
  82. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-ii[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00895

    (화학식(1a-ii[V]) 중, 각 기호의 정의는 제 2 항 및 제 7 항 중의 기재와 동일하다.)
  83. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-iii[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00896

    (화학식(1a-iii[V]) 중, 각 기호의 정의는 제 2 항 및 제 7 항 중의 기재와 동일하다.)
  84. 제 83 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-1-iii[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00897

    (화학식(1a-1-iii[V]) 중, DA는 제 2 항에 기재된 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DD는 제 2 항에 기재된 D군에 속하는 상기 화학식(DD)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 제 2 항의 화학식(1) 중의 기재와 동일하다.)
  85. 제 83 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-2-iii[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00898

    (화학식(1a-2-iii[V]) 중, DA는 제 2 항에 기재된 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DB는 제 2 항에 기재된 B군에 속하는 상기 화학식(DB)로 표시되는 기를 나타내고, DD는 제 2 항에 기재된 D군에 속하는 상기 화학식(DD)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 제 2 항의 화학식(1) 중의 기재와 동일하다.)
  86. 제 83 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-3-iii[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00899

    (화학식(1a-3-iii[V]) 중, DA는 제 2 항에 기재된 A군에 속하는 상기 화학식(DA)로 표시되는 기를 나타내고, DB는 제 2 항에 기재된 B군에 속하는 상기 화학식(DB)로 표시되는 기를 나타내고, DC는 제 2 항에 기재된 C군에 속하는 상기 화학식(DC)로 표시되는 기를 나타낸다. 그 이외의 각 기호의 정의는 제 2 항의 화학식(1) 중의 기재와 동일하다.)
  87. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1a-iv[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00900

    (화학식(1a-iv[V]) 중, 각 기호의 정의는 각각 제 2 항 및 제 7 항 중의 기재와 동일하다.)
  88. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-i[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00901

    (화학식(1b-i[V]) 중, 각 기호의 정의는 각각 제 2 항 및 제 7 항에 기재된 정의와 동일하다.
    X101∼X104는 각각 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  89. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-ii[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00902

    (화학식(1b-ii[V]) 중, 각 기호의 정의는 각각 제 2 항 및 제 7 항에 기재된 정의와 동일하다. X103은 C(Rx) 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이다.)
  90. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-iii[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00903

    (화학식(1b-iii[V]) 중, 각 기호의 정의는 각각 제 2 항 및 제 7 항에 기재된 정의와 동일하다.
    X101, X102, X105∼X108은 각각 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하는 탄소 원자, C(Rx), 또는 질소 원자이고, Rx는 수소 원자 또는 치환기이며, 복수 존재하는 Rx는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 복수 존재하는 Rx로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  91. 제 7 항에 있어서,
    하기 화학식(1b-iv[V])로 표시되는 화합물.
    Figure pct00904

    (화학식(1b-iv[V]) 중, 각 기호의 정의는 각각 제 2 항 및 제 7 항에 기재된 정의와 동일하다.
    R101, R102 및 R105∼R108 중 1∼3개의 기는 탈리되어, 당해 기와 결합하고 있던 탄소 원자가 *p∼*r 중 어느 하나와 결합하고, 그 이외는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 한편, R102 및 R105∼R108로부터 선택되는 2개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.)
  92. 제 7 항 및 제 75 항 내지 제 91 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화학식(DA)∼(DD)로 표시되는 기가 각각 하기 화학식(DA1)∼(DD1)로 표시되는 기인 화합물.
    Figure pct00905

    (화학식(DA1), (DB1), (DC1) 및 (DD1) 중, R1∼R24는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내며, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, R1∼R24로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. 그 이외의 각 기호의 정의는 각각 제 2 항에 기재된 화학식(DA), (DB), (DC) 및 (DD) 중의 기재와 동일하다.)
  93. 제 7 항 및 제 75 항 내지 제 91 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화학식(DA)∼(DD)로 표시되는 기가 각각 하기 화학식(DA2)∼(DD2)로 표시되는 기인 화합물.
    Figure pct00906

    (화학식(DA2), (DB2), (DC2) 및 (DD2) 중, 각 기호의 정의는 각각 제 2 항에 기재된 화학식(DA), (DB), (DC) 및 (DD) 중의 기재와 동일하다. 단, *10-*11, *12-*13은 벤젠환 중의 수소 원자가 각각 탈리된 탄소 원자끼리의 결합을 나타낸다.)
  94. 제 7 항 및 제 75 항 내지 제 93 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화학식(DB) 중의 Y1 및 상기 화학식(DD) 중의 Y1이, 각각 독립적으로, 산소 원자 또는 황 원자인 화합물.
  95. 제 7 항 및 제 75 항 내지 제 94 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Ar1∼Ar6이 모두, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기인 화합물.
  96. 제 2 항 내지 제 95 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L1∼L3이 모두, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기인 화합물.
  97. 제 2 항 내지 제 95 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L1∼L3 중 적어도 하나가, 하기 식으로 표시되는 어느 화합물의 2∼4가의 잔기인 화합물.
    Figure pct00907

    (상기 화합물 중의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
  98. 제 2 항 내지 제 95 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L1∼L3 중 적어도 하나가, 하기 식으로 표시되는 기 중 어느 것인 화합물.
    Figure pct00908

    (상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
  99. 제 2 항 내지 제 95 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L1∼L3 중 적어도 하나가, 하기 식으로 표시되는 기 중 어느 것인 화합물.
    Figure pct00909

    (상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
  100. 제 2 항 내지 제 95 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L1∼L3 중 적어도 하나가, 하기 식으로 표시되는 기인 화합물.
    Figure pct00910

    (상기 식 중, *는 결합 위치를 나타낸다. 또한, 상기 식 중의 결합 위치 이외의 탄소 원자는 치환기와 결합하고 있어도 된다.)
  101. 제 2 항 내지 제 100 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 치환기, 또는 「치환 또는 비치환」이라는 기재에 있어서의 치환기가 모두, 탄소수 1∼50의 알킬기, 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기를 갖는 탄소수 7∼51의 아르알킬기, 아미노기, 탄소수 1∼50의 알킬기 및 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 모노치환 또는 다이치환 아미노기, 탄소수 1∼50의 알킬기를 갖는 알콕시기, 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기를 갖는 아릴옥시기, 탄소수 1∼50의 알킬기 및 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 모노치환, 다이치환 또는 트라이치환 실릴기, 환형성 원자수 5∼50의 헤테로아릴기, 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 탄소수 1∼50의 알킬기 및 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 설폰일기, 탄소수 1∼50의 알킬기 및 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 다이치환 포스포릴기, 알킬설폰일옥시기, 아릴설폰일옥시기, 알킬카보닐옥시기, 아릴카보닐옥시기, 붕소 함유기, 아연 함유기, 주석 함유기, 규소 함유기, 마그네슘 함유기, 리튬 함유기, 하이드록시기, 알킬 치환 또는 아릴 치환 카보닐기, 카복실기, 바이닐기, (메트)아크릴로일기, 에폭시기, 및 옥세탄일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물.
  102. 제 1 항 및 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 조성물 또는 제 2 항 내지 제 7 항 및 제 13 항 내지 제 101 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물로 이루어지는 유기 전기발광 소자용 재료.
  103. 용매, 및 제 1 항 및 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 조성물 또는 제 2 항 내지 제 7 항 및 제 13 항 내지 제 101 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 잉크 조성물.
  104. 음극, 양극, 및 해당 음극과 해당 양극 사이에 일층 이상의 유기 박막층을 갖는 유기 전기발광 소자로서,
    상기 일층 이상의 유기 박막층이 발광층을 포함하고, 상기 일층 이상의 유기 박막층의 적어도 1층이, 제 1 항 및 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 조성물 또는 제 2 항 내지 제 7 항 및 제 13 항 내지 제 101 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 층인 유기 전기발광 소자.
  105. 제 104 항에 있어서,
    상기 발광층이, 제 1 항 및 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 조성물 또는 제 2 항 내지 제 7 항 및 제 13 항 내지 제 101 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자.
  106. 제 104 항 또는 제 105 항에 기재된 유기 전기발광 소자를 탑재한 전자 기기.
  107. 음극, 양극, 및 해당 음극과 해당 양극 사이에 일층 이상의 유기 박막층을 갖는 유기 전기발광 소자로서,
    상기 일층 이상의 유기 박막층이 발광층을 포함하고, 상기 일층 이상의 유기 박막층의 적어도 1층이, 하기 화학식(1[IV])로 표시되는 화합물을 포함하는 층인 유기 전기발광 소자.
    Figure pct00911

    (화학식(1[IV]) 중, A는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 질소 함유 헤테로방향족 탄화수소기를 나타낸다.
    L1∼L3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 이들 기가 2∼4개 결합하여 이루어지는 기이다.
    a∼c는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.
    X1∼X48은 각각 C(R1)∼C(R48) 또는 질소 원자를 나타낸다. R1∼R48은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. 단, X1∼X4 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X13∼X16 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있으며, X17∼X20 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X29∼X32 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있으며, X37∼X40 중 어느 1개는 탄소 원자이고, X41∼X44 중 어느 1개의 탄소 원자와 직접 결합을 하고 있다. 또한, 그 직접 결합에 관여하고 있지 않는, R1∼R8로부터 선택되는 2개, R9∼R16으로부터 선택되는 2개, R17∼R24로부터 선택되는 2개, R25∼R32로부터 선택되는 2개, R33∼R40으로부터 선택되는 2개, 및 R41∼R48로부터 선택되는 2개는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
    Y1∼Y3은, 각각 독립적으로, 산소 원자, 황 원자, C(RA)(RB), Si(RC)(RD), P(RE), P(=O)(RF), S(=O)2 또는 P(=S)(RG)이다. RA, RB, RC, RD, RE, RF 및 RG는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기이다. RA와 RB, 및 RC와 RD는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
    p∼r은, 각각 독립적으로, 0∼3의 정수이고, p+q+r=3이다. p, q 또는 r이 2 또는 3인 경우, 복수 존재하는 [ ] 내의 기는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
  108. 제 107 항에 있어서,
    상기 발광층이, 제 107 항에 기재된 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자.
  109. 제 107 항 또는 제 108 항에 기재된 유기 전기발광 소자를 탑재한 전자 기기.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016056169A (ja) * 2014-09-05 2016-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
WO2018102500A1 (en) * 2016-12-02 2018-06-07 The Research Foundation For The State University Of New York Fabrication method for fused multi-layer amorphous selenium sensor
JP2019119723A (ja) * 2018-01-11 2019-07-22 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用組成物、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
US11706977B2 (en) 2018-01-11 2023-07-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Heterocyclic compound, composition including the same, and organic light-emitting device including the heterocyclic compound
WO2021052339A1 (zh) * 2019-09-20 2021-03-25 广州华睿光电材料有限公司 一种多组分的组合物
CN111548342B (zh) * 2020-05-12 2024-01-19 中国科学院长春应用化学研究所 以三嗪为中心核的树枝状双极主体材料、制备方法及其在有机电致发光器件上的应用
GB202017406D0 (en) * 2020-11-03 2020-12-16 Univ Court Univ St Andrews Compounds

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012086170A1 (ja) 2010-12-20 2012-06-28 出光興産株式会社 芳香族複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101321755B (zh) * 2005-12-01 2012-04-18 新日铁化学株式会社 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件
KR101347519B1 (ko) * 2006-11-24 2014-01-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
EP2372803A4 (en) 2008-12-26 2012-07-04 Idemitsu Kosan Co MATERIAL FOR AN ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENE ELEMENT
DE102009023155A1 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR101758865B1 (ko) 2009-12-28 2017-07-17 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자
CN104592206B (zh) * 2010-04-20 2019-12-31 出光兴产株式会社 双咔唑衍生物、有机电致发光元件用材料及使用其的有机电致发光元件
US8227801B2 (en) * 2010-04-26 2012-07-24 Universal Display Corporation Bicarbzole containing compounds for OLEDs
US9040962B2 (en) * 2010-04-28 2015-05-26 Universal Display Corporation Depositing premixed materials
US9159930B2 (en) 2010-11-26 2015-10-13 Merck Patent Gmbh Formulations and electronic devices
WO2013081088A1 (ja) 2011-12-02 2013-06-06 国立大学法人九州大学 有機発光素子ならびにそれに用いる遅延蛍光材料および化合物
KR102176965B1 (ko) * 2012-09-07 2020-11-10 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 신규 방향족 복소 고리 유도체, 유기 일렉트로 루미네선스 소자용 재료, 유기 일렉트로 루미네선스 소자용 재료 용액 및 유기 일렉트로 루미네선스 소자
WO2015020217A1 (ja) * 2013-08-09 2015-02-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス用組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液及び有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012086170A1 (ja) 2010-12-20 2012-06-28 出光興産株式会社 芳香族複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

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