KR20160124033A - 반도체 가스 센서에서 가열 온도를 측정 및 제어하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발열 저항기의 온도를 표현한 물리적 양을 측정하는 측정 디바이스 및 발열 저항기의 전력 공급을 제어하는 작동 유닛의 자동 제어 시스템으로서 발열 저항기로 이루어진, 제어 루프를 포함한 반도체 가스 센서에서의 가열 온도를 제어하기 위한 장치, 및 장치를 이용하는 방법에 관한 것이다. 높은 전기 효율을 가진 발열 저항기의 간단한 제어 회로를 표시하는 문제점은 작동 유닛이, 발열 저항기가 동작 전압에 연결되는 제 1 펄스 지속 기간 및 발열 저항기가 동작 전압으로부터 분리되는 제 2 펄스 지속 기간을 가진 펄스화 전압 소스로 이루어지며, 제 1 및/또는 제 2 펄스 지속 기간이 교정 변수로서 제어될 수 있고, 제 2 펄스 지속 기간 동안 발열 저항기에 측정 전류를 인가하는 정전류 소스 및 발열 저항기에 걸친 측정 전압 강하를 측정하는 측정 디바이스가 제공되고 있으며, 그 출력은 제어 루프에서 제어된 가변 피드백으로서 설계된다는 점에서 해결된다.
Description
본 발명은 발열 저항기의 온도를 표현하는 물리적 양을 측정하는 측정 디바이스, 및 상기 발열 저항기의 전력 공급을 제어하는 작동 유닛의 자동 제어 시스템으로서 발열 저항기로 이루어진, 제어 루프를 포함하는 반도체 가스 센서에서의 가열 온도를 제어하기 위한 장치에 관한 것이다.
본 발명은 또한 반도체 가스 센서에서 발열 저항기의 가열 온도를 측정 및 제어하기 위한 방법에 관한 것이다.
금속 산화물(요약해서 MOX) 반도체 가스 센서들로서도 알려진, 반도체 가스 센서들은 전기 전도율 센서들이다. 그것들은 센서 저항기로 이루어지며, 이것은 작동 온도로 가열될 필요가 있다. 그것의 센서적인-활성화 층의 저항은 검출되는 가스와의 접촉 시 변화한다. 가스는 센서 표면과의 이상적인 완전 가역 반응에 진입한다. 그것들의 화학적 특징으로 인해, 금속 산화물 가스 센서들은 모든 반응성 가스들의 인가 및 검출의 광범위한 영역에 적합하다. 사용된 재료들 및 검출되는 가스들에 의존하여, 300℃ 및 900℃ 사이에서의 동작 온도들이 관례적이다.
반도체 가스 센서들의 사용의 영역들은 매우 다양하며 안전 기술(폭발들, 누설, 화재 및 중독 보호)로부터 품질 보증 및 프로세스 미터링 기술에 대한 방출 및 공기 품질 모니터링까지 확장된다. 측정 범위는 검출되는 가스에 의존하며 수 ppb로부터 퍼센티지들까지 확장된다. 검출의 한계는 가스-민감 재료에 의존적이다. 동작 온도들은 마찬가지로 민감성 층의 재료 및 센서들의 최적의 반응 행동에 의존적이다.
센서 저항기가 가열되도록 요구하는 작동 온도는 또한 센서 저항기의 민감도 및 선택도에 영향을 미치며 그러므로 가능한 한 정확하게 조정되어야 한다. 가스 센서에 대한 양호한 선택도는 그것의 센서 반응이 검출되는 가스와 같은, 타겟 물질에서 겨냥되며, 단지 이러한 물질만이 검출됨을 의미한다. 보통 가열은 발열 저항기에 의해 행해지며, 이것은 센서 저항기에 열적으로 잘 결합된다. 작동 온도의 측정을 위해, 그것은 별개의 온도 센서를 사용하거나 또는 그것은 발열 저항기의 온도 의존성을 이용한다. 예를 들면, 발열 저항기는 백금으로 만들어질 수 있으며 그 후 그것은 정확하게 정의된 온도 의존성을 가진다. 본 발명에서, 어떤 별개의 온도 센서도 사용되지 않으며, 대신에 발열 저항기가 가열 및 작동 온도의 측정 양쪽 모두를 위해 사용된다.
발열 저항기의 온도는 저항기의 전기 전력을 통해 제어될 수 있다. 이를 위해 알려진 다양한 방법들이 있다.
그것은 발열 저항기에 걸친 전압 또는 그것을 통해 흐르는 전류를 조정하기 위해 작동 엘러먼트를 사용할 수 있다. 이 경우에, 전력 손실이 아날로그 작동 엘러먼트에 걸쳐 일어나며, 이것은 장치의 전기 효율을 손상시킨다. 샘플 장치가 도 1에 도시된다. 아날로그 작동 엘러먼트로서, 그것은 예를 들면, 트랜지스터 또는 전위차계를 사용한다. 매우 낮은 저항 값을 가진 분로 저항기(116)는 전류 측정(115)으로서 작용한다. 동시에, 가열 전류 및 가열 전압(114)을 위한 측정 신호가 제거된다.
또 다른 방법은 발열 저항기에 걸친 전압 또는 그것을 통해 흐르는 전류를 스위칭 온 및 오프하며, 따라서 원하는 평균 전력이 온 및 오프 시간에 기인하도록 디지털 작동 엘러먼트를 사용하는 데 있다. 상기 스위칭 온 및 오프는 펄스 폭 또는 펄스 밀도 변조의 형태로 발생할 수 있다. 이상적으로, 디지털 동작 덕분에 작동 엘러먼트는 그 자신의 전력 손실이 없으며 매우 높은 전기 효율이 달성될 수 있다.
가열을 위해, 전압은 발열 저항기에 인가되어야 하며 전류가 흘러야 한다. 결과적인 전기 전력은 발열 저항기에서의 열로 변환되고 발열 저항기의 가열을 야기하며, 이것은 센서 저항기를 가열한다. 전기 전력(및 그에 따라 발열 저항기 및 센서 저항기의 온도)를 제어하기 위해, 발열 저항기에 걸친 전압 또는 발열 저항기를 통한 전류가 제어되어야 한다.
온도의 측정을 위해, 발열 저항기의 저항 값은, 저항 값이 센서 저항기의 온도의 측정치이므로, 측정되어야 한다. 이것이 아니라면, 발열 저항기에 걸친 전압 및 발열 저항기를 통한 전류는 알려지거나 또는 측정되어야 한다.
가열 및 온도 측정을 가능하게 하는 알려진 작동 회로들은 매우 복잡하지만, 단지 낮은 전기 효율을 가진다. 예를 들면 도 1에 도시된 회로는 레이아웃이 배우 간단하지만, 그것은 아날로그 작동 엘러먼트 및 분로 저항기의 높은 전력 손실 때문에 열악한 효율을 가진다. 디지털 작동 엘러먼트는, 그 자신의 전력 손실을 갖지 않는 동안, 발열 저항의 측정을 매우 복잡하게 만들 것이며: 한편으로, 그것은 분로 저항기에 의해서와 같은, 온 시간 동안 가열 엘러먼트를 통해 전류를 측정해야 할 것이지만, 이것은 전력 효율을 한 번 더 손상시킬 것이다. 다른 한편으로, 온 시간 동안 발열 저항기에 걸친 전압은 알려져야 할 것이다. 이것은 (알려지지 않은) 동작 전압 빼기 디지털 작동 엘러먼트에 걸친 (알려지지 않은) 전압 강하 빼기 분로 저항기에 걸친 전압 강하의 결과일 것이다.
그러므로, 본 발명이 해결하도록 제안하는 문제점은 종래 기술의 이전 결점들을 제거하며 발열 저항기의 전기 전력의 간단한 제어를 가능하게 하는 반도체 가스 센서에서의 발열 저항기에 대한 작동 회로가 발열 저항기의 저항 값을 측정할 수 있으며 높은 전기 효율을 갖는다는 것을 표시하는 것이다. 낮은 전력 손실을 가진 회로는 정확히 이동 사용을 위해 특히 중요하다.
동시에, 발열 저항기의 온도 및 그에 따라 반도체 가스 센서의 센서 저항기의 온도는 측정 요건들에 정확하게 적응 가능해야 한다. 이러한 온도 적응화는 또한 장치의 동작 전압(VDD)이 예측 가능하지 않은 변동들을 겪을 때 정확하게 적응 가능해야 한다. 그러므로, 측정 프로세스로부터 동작 전압(VDD)의 디커플링이 특히 중요하다.
본 발명의 문제점은, 장치에 대해서, 작동 유닛이 그 동안 발열 저항기가 동작 전압(VDD)에 연결되는 제 1 펄스 지속 기간, 및 그 동안 발열 저항기가 동작 전압(VDD)으로부터 분리되는 제 2 펄스 지속 기간을 갖는 맥동(pulsating) 전압 소스로 이루어지며, 제 1 및/또는 제 2 펄스 지속 기간은 교정 변수로서 제어될 수 있고, 제 2 펄스 지속 기간 동안 발열 저항기에 측정 전류를 인가하는 정전류 소스 및 발열 저항기에 걸친 측정 전압 강하를 측정하는 측정 디바이스가 제공되고 있으며, 그것의 출력은 제어 루프에서 제어된 가변 피드백으로서 설계된다는 점에서 해결된다. 상기 작동 유닛은 제 1 펄스 지속 기간(구동 유닛의 온 시간) 동안 발열 저항기를 전원 공급 장치에 연결하도록 작용하며, 즉 전압이 인가되며 전류가 발열 저항기를 통해 흐르고, 이것은 그에 의해 따뜻해지며, 즉 가열된다. 전압(VDD)은 일정하지 않으며, 오히려 변동들의 대상이 되고, 이것은 발열 저항기의 가열 시 고려되어야 한다. 제 2 펄스 지속 기간(구동 유닛의 오프 시간) 동안, 발열 저항기는 전원 공급 장치로부터 분리되며 정전류 소스에 연결되지 않고, 이것은 발열 저항기를 통해 알려진 측정 전류를 전송하며, 그 시간 동안 측정 디바이스는 측정 전류에 의해 발생된 발열 저항기에 걸친 전압 강하를 측정한다. 오프 시간 동안 측정 전류에 의해 생성된 전압 강하는 발열 저항기의 저항 값의 측정치 및 그에 따라 센서 저항기의 온도의 측정치이다. 이러한 방식으로, 발열 저항기의 측정은 레이아웃의 나머지로부터 디커플링되며 더 이상 전원 공급 장치의 변동 전압(VDD)의 대상이 되지 않는다. 측정 디바이스는 전압 측정 회로로서 설계되며 발열 저항기의 온도 및 그에 따라 센서 저항기의 온도에 대응하는 신호를 측정 신호로부터 발생시킬 수 있다. 이러한 신호는 작동 유닛 및 측정 디바이스에 의해 형성된 제어 루프에서의 제어된 변수를 구성하며, 따라서 이러한 방식으로 센서 저항기의 온도는 작동 유닛의 작동에 의해 정확하게 조정될 수 있다. 일정한 측정 전류를 인가함으로써, 그것은 단지 발열 저항기를 통한 전력을 결정하기 위해 발열 저항기에 걸친 전압을 측정할 필요가 있다. 이러한 레이아웃 덕분에, 제 1 장소에서, 이러한 측정 레이아웃들에서 이전에 사용된 아날로그 작동 엘러먼트가 제거되어, 손실들의 최대 소스가 되며, 총 전력의 약 70%를 소비하고, 제 2 장소에서, 그것의 치수화에 의존하여 약 10% 전력 손실을 발생시킬, 어떤 분로 저항기도 사용되지 않기 때문에, 이러한 스위칭 및 측정 레이아웃에서 손실들이 거의 발생하지 않으므로, 그것은 높은 전기 효율을 갖고 행해질 수 있다. 측정 전류의 소스가 또한 전력 손실을 발생시키지만, 측정 전류는, 전력 손실을 최소화하기 위해, 낮게 유지될 수 있다.
하나의 유리한 실시예에서, 작동 유닛은 디지털로 스위칭 가능한 것으로 설계된다. 즉, MOSFET와 같은 스위치는 예를 들면 PWM 신호에 의해 스위치 온 및 오프된다.
더욱이, 차동 증폭기가 제어된 가변 피드백 및 제어 변수 사이에서의 제어 편차를 결정하기 위해 제어 루프에서 구성된다. 게다가, 발생기 및 비교기가 교정 변수를 발생시키도록 구성된다. 측정 디바이스의 측정 신호로부터 발생되는 온도 신호는 원하는 온도에 대한 공칭 값 세트포인트로부터 제하여지며 에러 증폭기에서 증폭된다. 증폭된 편차는 발생기에서 생성되는, 삼각형 또는 톱니파 신호와 같은, 변조 신호와 비교기에서 비교된다. 비교의 결과는 작동 엘러먼트 및 측정 디바이스의 제어를 위한 교정 변수이다. 교정 변수는 예로서, 펄스 폭 변조(PWM) 신호일 수 있다.
방법에 대해서, 본 발명의 문제점은 발열 저항기가 온 상태의 제 1 펄스 지속 기간 및 오프 상태의 제 2 펄스 지속 기간을 갖고 펄싱 전압을 공급받는다는 점에서 해결되며, 여기에서 제 1 및/또는 제 2 펄스 지속 기간은 제어 루프의 교정 변수를 구성하며 발열 저항기는 제 2 펄스 지속 기간 동안 정전압 소스의 측정 전류를 수신하고, 여기에서 발열 저항기에 걸친 측정 전류에 의해 발생된 전압이 측정되며 제어된 변수로서 사용된다. 전압의 측정은 전력 공급 전압(VDD)으로부터 독립적으로 및 개별적으로 행해진다는 것이 특히 유리하다. 이러한 방식으로, 측정 결과는 일정하지 않은, 즉 변동하는 전력 공급 전압에 의해 영향을 받지 않는다. 변동하는 전력 공급 전압에 의해, VDD는 그것의 d.c. 전압 값이 시간에 걸쳐 일정하지 않지만, 대신에 애플리케이션에 따라 변하는 전압임이 의도된다. 예를 들면, 직접 배터리 동작들인 애플리케이션들에서, 배터리 전압은 전하 상태에 의존적이다. 송신기가 스위치 온 또는 오프될 때 이동 전화에서의 전압 변동들과 같은, 부하 변동들이 또한 발생할 수 있다. 본 발명은 더욱이 2.6V 내지 3.6V와 같은, 광범위한 동작 전압 범위를 커버하기 위한 능력을 제공한다. 제 1 펄스 지속 기간(작동 유닛의 온 시간) 동안, 발열 저항기는 전원 공급 장치에 연결되며, 즉 전압이 인가되며 전류가 발열 저항기를 통해 흐르고, 그 결과 발열 저항기는 이에 의해 따뜻해지며, 즉 가열된다. 제 2 펄스 지속 기간(구동 유닛의 오프 시간) 동안, 발열 저항기는 전원 공급 장치로부터 분리되며 이제 전류 소스에 연결되고, 따라서 알려진 측정 전류가 발열 저항기를 통해 흐르며, 그 결과 동시에 측정 전류에 의해 발생되는 발열 저항기에 걸친 전압 강하가 측정 디바이스에 의해 측정된다. 동시에 측정 회로가 작동 유닛에 대한 제어 신호에 의존하여 활성화되거나 또는 비활성화된다는 것을 의미한다. 온 시간 동안, 측정 회로는 비활성화되며, 오프 시간 동안, 측정 회로는 활성화되며 발열 저항기에 걸친 전압을 측정한다. 오프 시간 동안 측정 전류에 의해 생성되는 전압 강하는 발열 저항기의 저항 값의 측정치 및 그에 따라 센서 저항기의 온도의 측정치이다. 전압 측정 회로는 따라서 발열 저항기의 온도 및 그에 따라 센서 저항기의 온도에 대응하는 신호를 발생시킬 수 있으며, 여기에서 측정은 발열 저항기의 제어를 위한 장치의 일정하지 않은 전력 공급 전압으로부터 디커플링되어 행해진다. 이러한 신호는 작동 엘러먼트 및 측정 디바이스에 의해 형성된 제어 루프에서 제어된 변수를 구성하며, 따라서 이러한 방식으로 센서 저항기의 온도는 작동 유닛의 작동에 의해 정확하게 조정될 수 있다.
제안된 방법에 대해, 발열 저항기의 온도가, 온도 편차들에 대응하기 위해 규칙적으로 측정되는 것이 중요하다. 이를 위해, 작동 메커니즘에 의해 제 1 및 제 2 스위칭 상태 사이에 주기적인 스위칭이 있다. 작동 유닛은 작동 유닛의 온 시간에서, 발열 저항기가 전원 공급 장치에 연결되며, 즉 전압이 발열 저항기에 인가되고, 이것은 가열을 더 따뜻하게 하며, 작동 유닛의 오프 시간에서, 발열 저항기는 전류 소스에 연결되며, 따라서 발열 저항기의 온도가 측정될 수 있음을 보장한다.
측정 전류에 의해 측정된 발열 저항기에 걸친 전압은 발열 저항기의 가열 온도의 측정치이며 본 발명에 따른 방법에서의 제어된 변수로서 작용하는 반면, 제어된 변수는 세트포인트 설정으로부터 제하여지며 편차는 증폭기에서 증폭된다. 세트포인트 설정은 이 같은 반도체 가스 센서 및 그것의 사용 영역에 의존한다. 어떤 센서 저항기 재료가 사용되는지 및 어떤 가스가 검출되는지에 의존하여, 센서 저항기의 정확한 온도가 발열 저항기를 통해 조정될 수 있다. 제어 시스템에 의해, 센서 온도의 추적이 어떤 문제 없이 가능하다.
가열 온도 및 온도에 대한 세트포인트 설정의 편차가 비교기에 의해 변조 신호와 비교되며, 작동 유닛 및 측정 회로의 제어를 위한 교정 변수가 비교의 결과로부터 생성된다. 예를 들면, 교정 변수는 PWM 신호일 수 있다. 제 1 스위칭 상태의 지속 기간 및 제 2 스위칭 상태의 지속 기간은 타이밍 비(m)를 형성하며 발열 저항기에서 발생된 열은 타이밍 비(m)에 대해 조정된다. 타이밍 비, 즉 이러한 펄스 폭 변조 신호의 총 시간에 비교하여 온 시간의 부분이, 예를 들면, 발열 저항기에서 생성되는 열을 결정한다.
본 발명은 이제 샘플 실시예들에 의해 보다 면밀히 설명될 것이다.
첨부한 도면들은 다음을 도시한다.
도 1은 종래 기술에 따른 발열 저항기의 온도의 측정을 위한 반도체 가스 센서에서의 발열 저항기를 위한 작동 회로.
도 2는 반도체 가스 센서에서의 발열 저항기들을 위한 본 발명에 따른 구동기 회로.
도 3은 전통적 제어 루프의 개략도.
도 4는 제어 루프에서 자동 제어 시스템으로서 반도체 가스 센서에서의 발열 저항기들을 위한 본 발명에 따른 구동기 및 측정 회로.
도 1은 종래 기술에 따른 발열 저항기의 온도의 측정을 위한 반도체 가스 센서에서의 발열 저항기를 위한 작동 회로.
도 2는 반도체 가스 센서에서의 발열 저항기들을 위한 본 발명에 따른 구동기 회로.
도 3은 전통적 제어 루프의 개략도.
도 4는 제어 루프에서 자동 제어 시스템으로서 반도체 가스 센서에서의 발열 저항기들을 위한 본 발명에 따른 구동기 및 측정 회로.
도 2는 본 발명에 따른 구동기(driver) 및 측정 회로(100)를 도시한다. 스위치로서 동작하는 트랜지스터와 같은, 작동 메커니즘(102)은 제 1 펄스 지속 기간(구동 유닛의 온 시간) 동안 발열 저항기(101)를 전원 공급 장치에 연결하도록 작용하며, 즉 전압이 인가되고 전류는 발열 저항기(101)를 통해 흐르며, 이것은 이러한 방식으로 더 따뜻해지고, 즉 가열된다. 제 2 펄스 지속 기간(구동 유닛의 오프 시간) 동안, 발열 저항기(101)는 전원으로부터 분리되며 정전류 소스(103)로의 연결에 의해 브리징되고, 그 결과 정전류 소스(103)는 발열 저항기(101)를 통해 알려진 측정 전류를 전송하며, 이 시간 동안 측정 디바이스(104)에 의해 측정 전류에 의해 발생되는 발열 저항기(101)에 걸친 전압 강하가 측정된다. 오프 시간 동안 측정 전류에 의해 생성된 전압 강하는 발열 저항기(101)의 저항 값의 측정치 및 그에 따른 센서 저항기의 온도의 측정치이다. 전압 측정 회로(104)는 따라서 발열 저항기(101)의 온도 및 그에 따른 센서 저항기의 온도에 대응하는 신호(106)를 발생시킬 수 있다. 이 신호(106)는 작동 엘러먼트(102), 측정 디바이스(104) 및 자동 제어기에 의해 형성되는 제어 루프(200)에서의 제어된 변수를 구성하며, 이것은 발생기(111) 및 비교기(112)에 의해 형성되고, 따라서 센서 저항기의 온도는 작동 엘러먼트(102)의 작동에 의해 이러한 방식으로 정확하게 조정될 수 있다.
도 3은 특히 사용된 자동 제어 용어의 예시 및 대조를 위한, 전통적 제어 루프의 개략도를 도시한다.
도 4는 반도체 가스 센서에서의 가열 온도의 제어를 위한 본 발명에 따른 장치를 개략적으로 도시한다. 구동기 및 측정 회로는 도 2에 도시된 것에 정확하게 대응한다. 측정 디바이스의 측정 신호로부터 발생되는, 온도 신호(106)는 원하는 온도를 위한 세트포인트 설정(107)으로부터 제하여지며 에러 증폭기(108)에서 증폭된다. 증폭된 편차(109)는 발생기(111)에서 생성되는, 삼각형 또는 톱니파 신호와 같은, 변조 신호(110)와 비교기(112)에서 비교된다. 비교의 결과는 작동 엘러먼트(102) 및 측정 디바이스(104)의 제어를 위한 펄스 폭 변조(PWM) 신호(105)이다.
100: 구동기 및 측정 회로
101: 발열 저항기
102: 작동 엘러먼트
103: 전류 소스
104: 측정 디바이스
105: PWM 신호, 교정 변수
106: 온도 측정 값, 전압 값을 위한 신호
107: 세트포인트 설정
108: 차동 증폭기
109: 제어 편차, 즉 세트포인트 및 측정된 값 사이에서의 증폭된 편차
110: 변조 신호
111: 변조 신호를 발생시키기 위한 발생기
112: 비교기
113: 변조 신호를 위한 입력 신호
114: 가열 전류 및 가열 전압을 위한 측정 신호
115: 가열 전류를 위한 측정 신호
116: 전류 측정을 위한 분로 저항기
200: 제어 루프
101: 발열 저항기
102: 작동 엘러먼트
103: 전류 소스
104: 측정 디바이스
105: PWM 신호, 교정 변수
106: 온도 측정 값, 전압 값을 위한 신호
107: 세트포인트 설정
108: 차동 증폭기
109: 제어 편차, 즉 세트포인트 및 측정된 값 사이에서의 증폭된 편차
110: 변조 신호
111: 변조 신호를 발생시키기 위한 발생기
112: 비교기
113: 변조 신호를 위한 입력 신호
114: 가열 전류 및 가열 전압을 위한 측정 신호
115: 가열 전류를 위한 측정 신호
116: 전류 측정을 위한 분로 저항기
200: 제어 루프
Claims (9)
- 발열 저항기의 온도를 표현한 물리적 양을 측정하는 측정 디바이스(104), 및 상기 발열 저항기의 전력 공급을 제어하는 작동 유닛(102)의 자동 제어 시스템(100)으로서 발열 저항기(101)로 이루어진, 제어 루프를 포함하는 반도체 가스 센서에서의 가열 온도를 제어하기 위한 장치로서,
상기 작동 유닛(102)은, 상기 발열 저항기가 동작 전압(VDD)에 연결되는 제 1 펄스 지속 기간, 및 상기 발열 저항기가 상기 동작 전압(VDD)으로부터 분리되는 제 2 펄스 지속 기간을 갖는 맥동(pulsating) 전압 소스로 이루어지고, 제 1 및/또는 제 2 펄스 지속 기간은 교정 변수(105)로서 제어될 수 있으며, 상기 제 2 펄스 지속 기간 동안 상기 발열 저항기(101)에 측정 전류를 인가하는 정전류 소스(103) 및 상기 측정 전류로 인한 상기 발열 저항기(101)에 걸친 상기 측정 전압 강하를 측정하는 측정 디바이스(104)가 제공되며, 그 출력은 상기 제어 루프(200)에서의 제어 변수 피드백(106)으로서 설계되는 것을 특징으로 하는, 반도체 가스 센서에서의 가열 온도를 제어하기 위한 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 작동 유닛(102)은 디지털로 스위칭 가능한 것으로 설계되는 것을 특징으로 하는, 반도체 가스 센서에서의 가열 온도를 제어하기 위한 장치. - 청구항 1에 있어서,
차동 증폭기(108)는 상기 제어된 변수 피드백(106) 및 제어 변수(107) 사이에서의 제어 편차(109)를 결정하기 위해 상기 제어 루프(200)에서 구성되며, 발생기(111) 및 비교기(112)는 상기 교정 변수(105)를 발생시키도록 설계되는 것을 특징으로 하는, 반도체 가스 센서에서의 가열 온도를 제어하기 위한 장치. - 반도체 가스 센서에서의 발열 저항기의 가열 온도를 측정 및 제어하기 위한 방법으로서, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 따른 상기 장치를 이용하며, 상기 발열 저항기(101)의 온도를 표현하는 물리적 양이 제어 루프(200)의 제어된 변수(106)를 구성하는, 발열 저항기의 가열 온도를 측정 및 제어하기 위한 방법으로서,
상기 발열 저항기(101)는 온 상태의 제 1 펄스 지속 기간 및 오프 상태의 제 2 펄스 지속 기간을 가진 펄싱 전압을 공급받고, 상기 제 1 및/또는 상기 제 2 펄스 지속 기간은 상기 제어 루프(200)의 교정 변수(105)를 구성하며 상기 발열 저항기(101)는 상기 제 2 펄스 지속 기간 동안 정전압 소스(103)의 측정 전류를 수신하고, 상기 발열 저항기에 걸쳐 상기 측정 전류에 의해 발생되는 전압(106)이 측정되며 제어된 변수로서 사용되는 것을 특징으로 하는, 발열 저항기의 가열 온도를 측정 및 제어하기 위한 방법. - 청구항 4에 있어서,
작동 엘러먼트(102)에 의해 상기 제 1 및 상기 제 2 스위칭 상태 사이에서의 주기적인 스위칭이 있는 것을 특징으로 하는, 발열 저항기의 가열 온도를 측정 및 제어하기 위한 방법. - 청구항 5에 있어서,
상기 측정 전류에 의해 발생되는 상기 발열 저항기에 걸친 상기 전압(106)은 세트포인트 설정(107)으로부터 제하여지며, 편차(109)는 증폭기(108)에서 증폭되는 것을 특징으로 하는, 발열 저항기의 가열 온도를 측정 및 제어하기 위한 방법. - 청구항 6에 있어서,
상기 가열 온도(106) 및 상기 세트포인트 설정(107)의 편차(109)는 비교기(112)에 의해 변조 신호(110)와 비교되며, 상기 작동 유닛(102) 및 상기 측정 회로(104)의 제어를 위한 교정 변수(105)는 상기 비교의 결과로부터 발생되는 것을 특징으로 하는, 발열 저항기의 가열 온도를 측정 및 제어하기 위한 방법. - 청구항 7에 있어서,
상기 교정 변수(105)는 PWM 신호인 것을 특징으로 하는, 발열 저항기의 가열 온도를 측정 및 제어하기 위한 방법. - 청구항 6에 있어서,
상기 제 1 스위칭 상태의 지속 기간 및 상기 제 2 스위칭 상태의 지속 기간은 타이밍 비(m)를 형성하며, 상기 발열 저항기(101)에서 발생되는 열은 상기 타이밍 비(m)에 대해 조정되는 것을 특징으로 하는, 발열 저항기의 가열 온도를 측정 및 제어하기 위한 방법.
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