KR20160120511A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 샤워헤드 및 히터를 구비하는 챔버 내부로 기판을 반입한 후에 상기 히터에 상기 기판을 배치하고 처리하는 단계; 상기 기판을 상기 챔버 외부로 반출한 후에 클리닝디스크를 상기 챔버 내부로 반입한 후, 상기 클리닝디스크가 상기 샤워헤드와 상기 히터 사이에 서로 이격되어 개재된 상태를 유지하도록 상기 클리닝디스크의 최종위치를 설정하는 단계; 상기 클리닝디스크의 최종위치를 계속 유지한 상태에서, 클리닝가스를 이용하여 상기 챔버 내부를 세정하는 단계; 및 상기 클리닝디스크를 상기 챔버 외부로 반출하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정 중 발생하는 불순물을 제어할 수 있는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
최근 반도체 제조 업계에서는 반도체 칩의 동작 속도를 증대시키고, 단위 면적당 정보 저장 능력을 증가시키기 위하여 반도체 직접 회로 공정에 적용되는 최소 선폭이 꾸준히 줄어드는 추세에 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 상에 집적화 되는 트랜지스터와 같은 반도체 소자의 크기가 서브 하프 마이크론 이하로 축소되고 있다.
이와 같은, 반도체 소자는 증착공정, 포토공정, 식각공정, 확산공정 등을 통하여 제조될 수 있으며, 이러한 공정들이 수차례에서 수십차례 반복되어야 반도체 소자로 제작될 수 있다. 특히, 증착공정은 반도체 소자 제조의 재현성 및 신뢰성에 있어서 개선이 요구되는 필수적인 공정으로 예를 들면, 졸겔(sol-gel)방법, 스퍼터링(sputtering)방법, 전기도금(eletro-plating)방법, 증기(evaporation)방법, 화학기상증착(chemical vapor deposition)방법, 분자빔에피탁시(molecule beam epitaxy)방법 및 원자층증착(atomic layer deposition)방법 등에 의하여 웨이퍼 상에 증착막을 형성한다.
그 중에서, 화학기상증착방법과 원자층증착방법은 다른 증착방법보다 웨이퍼 상에 형성되는 증착 특성과 증착막의 균일성이 우수하기 때문에 가장 보편적으로 사용되고 있다. 일반적으로 상기 방법을 이용하여 고온에서 박막을 형성한 이후 인시츄(in-situ) 세정공정을 수행할 경우, 챔버 프로세스 키트(chamber process kit) 등에 손상 내지 오염이 유발되어 공정 재현성 및 생산수율이 떨어지는 등에 문제가 발생할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 고온 세정 공정시 챔버나 프로세스 키트의 손상 내지 오염을 최소화할 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 따른 반도체 소자의 제조방법이 제공된다. 상기 반도체 소자의 제조방법은 샤워헤드 및 히터를 구비하는 챔버 내부로 기판을 반입한 후에 상기 히터에 상기 기판을 배치하고 박막을 증착하는 제 1 단계; 상기 기판을 상기 챔버 외부로 반출한 후에 클리닝디스크를 상기 챔버 내부로 반입한 후, 상기 클리닝디스크가 상기 샤워헤드와 상기 히터 사이에 서로 이격되어 개재된 상태를 유지하도록 상기 클리닝디스크의 최종위치를 설정하는 제 2 단계; 상기 클리닝디스크의 최종위치를 계속 유지한 상태에서, 클리닝가스를 이용하여 상기 챔버 내부를 세정하는 제 3 단계; 및 상기 클리닝디스크를 상기 챔버 외부로 반출하는 제 4 단계;를 포함할 수 있다.
상기 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 제 2 단계는 상기 챔버의 내부 구조물을 이용하여 상기 클리닝디스크를 상기 샤워헤드와 상기 히터 사이에 서로 이격되어 개재된 상태로 유지하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 제 2 단계는 상기 히터에서 돌출된 상태를 계속 유지하는 리프트핀 상에 상기 클리닝디스크를 배치함으로써 상기 클리닝디스크의 최종위치를 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 제 3 단계는 플라즈마에 의하여 활성화된 클리닝가스를 이용하여 상기 챔버 내부를 세정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 플라즈마는 다이렉트 플라즈마(direct plasma) 방식 또는 리모트 플라즈마(remote plasma) 방식에 의하여 형성될 수 있다.
상기 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 제 3 단계 이후에, 상기 챔버 내부 에 시즈닝층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 클리닝가스는 불소를 함유하는 라디칼(radical)을 제공할 수 있는 클리닝가스를 포함하며, 상기 히터는 알루미늄을 함유하여 이루어질 수 있다.
상기 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 클리닝가스는 불소를 함유하는 라디칼을 제공할 수 있는 클리닝가스로서 NF3, C3F8, CF4, C2F6, C3F8, SiF4 및 F2 중 어느 하나를 포함하며, 상기 히터는 알루미늄 질화물(AlN)을 함유하여 이루어질 수 있다.
상기 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 제 1 단계는 480℃ 이상의 온도에서 수행될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 고온 히터에서 제공하는 열이 직접적으로 상부 샤워헤드에 전달되지 못하게 함과 동시에 히터, 샤워헤드 및 챔버의 오염을 방지함으로써 박막의 재현성과 생산수율을 향상할 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 제공할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 도해하는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법에서 세정공정시 챔버를 개략적으로 도해하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법에서 세정공정시 챔버의 온도분포를 도해하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 이용하여 형성된 박막의 두께를 측정한 결과이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법에서 세정공정시 챔버를 개략적으로 도해하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법에서 세정공정시 챔버의 온도분포를 도해하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 이용하여 형성된 박막의 두께를 측정한 결과이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 여러 실시예들을 예시적으로 설명하기로 한다.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 상기 다른 구성요소 "상에" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것일 수 있다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 도해하는 순서도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 샤워헤드 및 히터를 구비하는 챔버 내부로 기판을 반입한 후에 히터에 기판을 배치하고 처리(예를 들어, 박막 증착)하는 단계(S110), 기판을 챔버 외부로 반출한 후에 클리닝디스크를 챔버 내부로 반입한 후, 클리닝디스크가 샤워헤드와 히터 사이에 서로 이격되어 개재된 상태를 유지하도록 클리닝디스크의 최종위치를 설정하는 단계(S120), 상기 클리닝디스크의 최종위치를 계속 유지한 상태에서, 클리닝가스를 이용하여 챔버 내부를 세정하는 단계(S130) 및 클리닝디스크를 챔버 외부로 반출하는 단계(S140)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법에 대한 상세한 설명은 도 2를 참조하여 후술한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법에서 세정공정시 챔버를 개략적으로 도해하는 도면이다.
좀 더 구체적으로, 도 2를 참조하여 반도체 소자의 제조방법을 살펴보면, 샤워헤드(20) 및 히터(30)를 구비하는 박막증착장치(100)의 챔버(10)에 기판(미도시)을 반입할 수 있다. 이후에 히터(30) 상에 상기 기판을 배치하고 처리할 수 있다. 상기 기판의 처리는, 예를 들어, 기판 상에 박막을 형성하는 공정을 수행함으로써 구현될 수 있다. 예를 들어, 히터(30)가 약 480℃ 이상의 온도로 설정되어, 박막을 형성하는 동안 지속적으로 기판을 가열할 수 있다.
여기서, 상기 박막은 예를 들어, 산화막, 산질화막, 질화막, 다결정 실리콘막, 비정질 실리콘막, 금속막, 반도체막 또는 도체막일 수 있다.
또한, 박막이 형성된 기판을 챔버(10) 외부로 반출한 후에 클리닝디스크(cleaning disk, 50)를 챔버(10) 내부로 반입할 수 있다. 샤워헤드(20)와 히터(30) 사이에 샤워헤드(20)의 손상 내지 오염을 방지하기 위하여 클리닝디스크(50)를 배치한 후에 클리닝가스를 이용하여 챔버(10) 내부를 세정할 수 있다.
클리닝디스크(50)는 상기 클리닝가스와 히터(30)가 반응하여 생성되는 물질이 샤워헤드(20)로 이동되거나 히터(30)에서 발생한 열이 샤워헤드(20)로 직접 전달되는 것을 저감시켜 생산수율 향상에 도움을 준다.
한편, 박막이 형성된 기판(50)을 챔버(10) 외부로 반출한 후에 바로 클리닝디스크(50)를 반입하지 않고, 후속의 다음 기판을 계속해서 챔버(10) 내부로 반입하여 상기 박막 증착 공정을 수차례 반복적으로 수행한 이후에 비로소 클리닝디스크(50)를 반입하여 챔버(10) 내부를 세정할 수도 있다.
챔버(10) 내부를 세정하는 단계 이전에 클리닝디스크(50)가 샤워헤드(20)와 히터(30) 사이에 서로 이격되어 개재된 상태를 유지하도록 클리닝디스크(50)의 최종위치를 설정하는 단계를 먼저 수행할 수 있다.
클리닝디스크(50)의 최종위치를 설정하는 단계는 챔버 내의 소정의 내부 구조물을 이용하여 클리닝디스크(50)를 샤워헤드(20)와 히터(30) 사이에 서로 이격되어 개재된 상태로 유지하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 소정의 내부 구조물은, 예컨대, 클리닝디스크(50)의 측면에 맞닿아 클리닝디스크(50)의 챔버(10) 내 위치를 고정시킬 수 있는 링 타입의 구조물을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 의하면, 소정의 내부 구조물은, 예컨대, 클리닝디스크(50)의 후면에 맞닿아 클리닝디스크(50)의 챔버(10) 내 위치를 고정시킬 수 있는 리프트핀(lift pin) 타입의 구조물을 포함할 수 있다. 이 경우, 클리닝디스크(50)의 최종위치를 설정하는 단계는 히터(30)에서 돌출된 상태를 계속 유지하는 리프트핀(40) 상에 클리닝디스크(50)를 배치함으로써 클리닝디스크(50)의 최종위치를 설정하는 단계를 포함할 수 있다. 즉, 클리닝디스크(50)는 히터(30)에서 돌출된 리프트핀(40) 상에 지지되며, 챔버(10) 내부를 세정하는 단계 동안 리프트핀(40)은 히터(30)에서 돌출된 상태를 계속 유지할 수 있다.
리프트핀(40)은 히터(30) 내측에 형성된 관통공(45)을 통하여 상하 이동을 할 수 있는 구조체이다. 관통공(45)을 통하여 상방으로 이동함으로써 히터(30)에서 돌출된 상태로 유지된 리프트핀(40) 상에 챔버(10) 내부로 반입된 기판이 올려지며, 리프트핀(40)이 관통공(45)을 통하여 하방으로 이동함으로써 상기 기판이 히터(30)와 직접 접촉하게 된다. 이 상태에서 증착 공정이 완료되면, 리프트핀(40)은 다시 관통공(45)을 통하여 상방으로 이동함으로써 히터(30)에서 돌출되며 상기 기판은 히터(30)와 이격되어 챔버(10) 외부로 반출된다.
그러나, 클리닝디스크(50)가 챔버(10) 내부로 반입되고 세정한 후 다시 챔버(10) 외부로 반출되는 동안 리프트핀(40)은 히터(30)에서 돌출된 상태로 계속 유지된다. 이로 인하여, 세정 과정에서 클리닝디스크(50)는 히터(30)와 이격된 상태를 유지하게 된다.
상기 챔버 내부를 세정하는 단계(S100)는 박막증착장치(100)를 이용하여 박막 형성 공정을 진행하는 동안에 챔버(10) 내부 표면에 부착된 반응 생성물을 제거하기 위하여 수행되며, 불소(F)를 이용한 인시츄(in-situ) 세정 방법을 포함할 수 있다. 즉, 챔버(10) 내에 불소를 함유하는 라디칼(radical)을 제공할 수 있는 클리닝가스를 주입하여 챔버(10) 내벽, 서셉터 등을 세정할 수 있다. 상기 불소를 함유하는 라디칼(radical)을 제공할 수 있는 클리닝가스는 NF3, C3F8, CF4, C2F6, C3F8, SiF4 및 F2 중 어느 하나의 클리닝가스를 포함할 수 있다. 변형된 다른 실시예에서 상기 클리닝가스는 Cl계열 가스를 포함할 수도 있다. 한편, 히터(30)는 알루미늄을 함유하여 이루어질 수 있다.
이 경우, 예를 들어, 약 480℃ 이상의 고온에서 클리닝 공정을 진행함에 있어서 불소(fluorine)과 알루미늄(Al)이 서로 반응하여 불화알루미늄 생성으로 인한 파우더(powder) 생성으로 챔버(10) 내 임피던스 변화와 샤워헤드(20)의 홀(hole)이 막힐 수 있다. 이에 따라 공정 특성 변화 문제 및 그리고 꾸준히 불화알루미늄 불순물이 형성됨으로 인해서 챔버(10) 내에서 공정 변화(process drift) 문제를 야기시킬 수 있다. 이를 해결하기 위해서, 본 발명에서는 클리닝 후 불소 관련 부산물들이 샤워헤드(20)와 같이 민감한 프로세스 키트에 바로 승화되는 등의 손상을 최소화하기 위해서 클리닝디스크(50)를 사용하여 드러난 샤워헤드(20)를 보호할 수 있다.
플라즈마에 의하여 활성화된 클리닝가스를 이용하여 챔버(10) 내부를 세정할 수 있다. 본원에서 언급하는 상기 플라즈마를 생성하는 방식은 다이렉트 플라즈마(direct plasma) 방식 또는 리모트 플라즈마(remote plasma) 방식을 포함할 수 있다.
다이렉트 플라즈마 방식은, 클리닝 가스와 불활성 가스를 공급하여 플라즈마를 발생함에 있어서, 예를 들어, 불활성 가스를 샤워헤드와 기판 사이의 처리공간에 공급하여 가스 안정화를 진행한 후에 클리닝가스를 공급하여 다시 한번 안정화시킨 다음 RF를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 방식을 포함할 수 있다. 리모트 플라즈마 방식은, 클리닝가스와 불활성 가스를 공급하여 플라즈마를 발생함에 있어서, 예를 들어, 불활성 가스(Ar)를 공급하여 플라즈마를 점화시킨 후 클리닝가스를 소량 공급하고 그 이후 클리닝가스를 점차 증가시키는 방식을 포함할 수 있다.
한편, 이외에도, 본원에서 언급하는 플라즈마는, 기판 상에 배치된 샤워헤드(20) 내에서 형성될 수 있다. 이 경우, 플라즈마 상태의 물질은, 예를 들어, 샤워헤드(20)에 형성된 분사공을 통하여, 기판 상의 처리공간으로 제공될 수 있다.
또한, 챔버(10) 내부의 세정 이후에, 챔버(10) 내부에 시즈닝층(seasoning layer)을 형성할 수 있는 바, 일 실시예로서, 챔버(10) 내부의 세정 이후 및 클리닝디스크(50)를 챔버(10) 외부로 반출하기 이전에, 챔버(10) 내부 및 클리닝디스크(50)에 시즈닝층(seasoning layer)을 형성할 수 있다. 상기 시즈닝층을 형성함으로써 클리닝디스크(50)의 상태를 유지하거나 소모 주기를 책정할 수 있으며, 고온 세정시 불화알루미늄(AlF)의 생성을 막아 고온에서의 챔버(10) 특성 유지를 지속할 수 있다.
챔버(10) 내부를 세정한 이후에, 후속의 증착될 물질과 동일한 물질, 후속 공정 진행 시에도 떨어지지 않는 접착성이 강한 물질 또는 파티클이 발생된다 하더라도 후속의 증착될 박막에 영향을 크게 미치치 않는 물질로 챔버(10) 내부를 시즈닝 처리함으로써, 챔버(10) 세정 이후 챔버(10)의 분위기를 최적의 조건으로 조성하여 안정적인 반도체 장치의 생산을 도모할 수 있다.
마지막으로, 챔버(10) 내 세정이 완료된 후 클리닝디스크(50)를 챔버(10) 외부로 반출하고, 계속 기판을 챔버(10) 내부로 반입하여 재현성이 우수하며, 생산수율이 향상된 반도체 소자를 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해서 실험예를 제공한다. 다만, 하기의 실험예들은 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 아래의 실험예들에 의해서 한정되는 것은 아니다.
도 3은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법에서 세정공정시 챔버의 온도분포를 전산모사로 구현한 도면이고, 도 4는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 이용하여 박막의 두께를 측정한 결과이다.
먼저, 도 3을 참조하면, 도 3의 (a)는 본 발명의 비교예이며, 도 3의 (b)는 본 발명의 실시예이다. 모든 케이스들에서 히터의 온도는 약 200℃이며, 히터와 샤워헤드 간 이격거리는 약 55㎜로 설정된 후 챔버 각각의 온도분포를 도해하는 도면이다.
도 3을 다시 참조하면, 클리닝디스크가 없는 경우(도 3의 (a))가 클리닝디스크가 있는 경우(도 3의 (b))보다 전체적으로 챔버 내부의 온도가 더 높음을 확인할 수 있다. 이는, 히터에서 발생한 열이 샤워헤드까지 쉽게 전달되어 나타나는 현상으로써 클리닝디스크가 샤워헤드와 히터 사이에 배치되어 히터에서 발생하는 열을 차단하는 효과를 보여준다. 이에 따르면, 클리닝 후 불소 관련 부산물들이 샤워헤드(20)와 같이 민감한 프로세스 키트에 바로 승화되는 현상을 최소화할 수 있다.
한편, 도 4를 참조하면, 도 4에 도시된 샘플 1과 샘플 3은 본 발명의 비교예로서 챔버 세정 공정에서 상술한 클리닝디스크를 사용하지 않은 경우에 해당하며, 샘플 2와 샘플 4는 본 발명의 실시예로서 챔버 세정 공정에서 상술한 클리닝디스크를 사용한 경우에 해당한다. 모든 샘플들의 초기 설정된 박막의 두께는 약 1600Å 이며, 1000매의 기판을 반복적으로 수행함으로써 상기 기판 상에 증착되는 박막의 두께 추이를 비교한다.
도 4를 참조하면, 박막증착 공정 초기 즉, 약 100매의 기판까지는 박막의 두께가 모든 샘플에서 약 1600Å으로 거의 유사하게 증착된다. 그 이후부터 샘플 1과 샘플 3에서는 박막의 두께가 점점 감소하게 되어 1000매의 기판이 공정을 마친 후 박막의 두께는 약 1400Å 가까이 감소함을 확인할 수 있다. 이러한 현상은 고온의 챔버 세정 공정에서 불소(fluorine)과 알루미늄(Al)이 서로 반응하여 불화알루미늄 생성으로 인한 파우더(powder) 생성으로 챔버 내 임피던스 변화와 샤워헤드의 홀이 막혀 공정 조건이 변화하기 때문인 것으로 이해된다. 반면에, 상술한 상술한 클리닝디스크를 사용한 샘플 2와 샘플 4는 상술한 문제점이 해결되어 공정이 계속 진행되더라도 박막의 두께 변화가 거의 없음을 알 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10 : 챔버
20 : 샤워헤드
30 : 히터
40 : 리프트핀
50 : 클리닝디스크
100 : 박막증착장치
20 : 샤워헤드
30 : 히터
40 : 리프트핀
50 : 클리닝디스크
100 : 박막증착장치
Claims (9)
- 샤워헤드 및 히터를 구비하는 챔버 내부로 기판을 반입한 후에 상기 히터 상에 상기 기판을 배치하고 처리하는 제 1 단계;
상기 기판을 상기 챔버 외부로 반출한 후에 클리닝디스크를 상기 챔버 내부로 반입한 후, 상기 클리닝디스크가 상기 샤워헤드와 상기 히터 사이에 서로 이격되어 개재된 상태를 유지하도록 상기 클리닝디스크의 최종위치를 설정하는 제 2 단계;
상기 클리닝디스크의 최종위치를 계속 유지한 상태에서, 클리닝가스를 이용하여 상기 챔버 내부를 세정하는 제 3 단계; 및
상기 클리닝디스크를 상기 챔버 외부로 반출하는 제 4 단계;
를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 단계는 상기 챔버의 내부 구조물을 이용하여 상기 클리닝디스크를 상기 샤워헤드와 상기 히터 사이에 서로 이격되어 개재된 상태로 유지하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 단계는 상기 히터에서 돌출된 상태를 계속 유지하는 리프트핀 상에 상기 클리닝디스크를 배치함으로써 상기 클리닝디스크의 최종위치를 설정하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 3 단계는 플라즈마에 의하여 활성화된 클리닝가스를 이용하여 상기 챔버 내부를 세정하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 플라즈마는 다이렉트 플라즈마(direct plasma) 방식 또는 리모트 플라즈마(remote plasma) 방식에 의하여 형성되는, 반도체 소자의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 3 단계 이후에, 상기 챔버 내부에 시즈닝층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 반도체 소자의 제조방법. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 클리닝가스는 불소를 함유하는 라디칼(radical)을 제공할 수 있는 클리닝가스를 포함하며, 상기 히터는 알루미늄을 함유하여 이루어진, 반도체 소자의 제조방법. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 클리닝가스는 불소를 함유하는 라디칼을 제공할 수 있는 클리닝가스로서 NF3, C3F8, CF4, C2F6, C3F8, SiF4 및 F2 중 어느 하나를 포함하며, 상기 히터는 알루미늄 질화물(AlN)을 함유하여 이루어진, 반도체 소자의 제조방법. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 단계는 480℃ 이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 반도체 소자의 제조방법.
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|---|---|---|---|---|
| KR20220091611A (ko) | 2019-11-19 | 2022-06-30 | 타나카 세이미츠 코교 가부시키가이샤 | 적층 철심의 제조 장치 및 제조 방법 |
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