KR20160112932A

KR20160112932A - 유전체 자기 조성물 및 전자 부품

Info

Publication number: KR20160112932A
Application number: KR1020160010302A
Authority: KR
Inventors: 다이스케 오츠; 마츠미 와타나베
Original assignee: 티디케이가부시기가이샤
Priority date: 2015-03-18
Filing date: 2016-01-27
Publication date: 2016-09-28
Also published as: JP6413862B2; CN105985100B; KR101751790B1; JP2016175782A; CN105985100A

Abstract

조성식 (Ba_1-x-y, Ca_x, A1_y)_m(Ti₁ _-z-a, Zr_z, B1_a)O₃(x≠0, z≠0, x＋y≠1, z＋a≠1)로 표시되는 제1 주조성물 입자와, 조성식 (Ba_1-α, A2_α)_n(Ti_1-β, B2_β)O₃(α≠1, β≠1)로 표시되는 제2 주조성물 입자를 갖는 유전체 자기 조성물이다. 제1 주조성물 입자의 평균 입경이 3㎛ 내지 10㎛이고, 제2 주조성물 입자의 평균 입경이 0.1㎛ 내지 3㎛이고, 또한 산화아연이 편석되어 있다.

Description

유전체 자기 조성물 및 전자 부품{DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND ELECTRONIC COMPONENT}

본 발명은 유전체 자기(磁器) 조성물 및 전자 부품에 관한 것이다.

최근, 급속히 진행되는 전기 기기의 고성능화에 수반해 전기 회로의 소형화, 복잡화 또한 급속히 진행되고 있다. 이 때문에 전자 부품에도 한층 더 소형화, 고성능화가 요구되고 있다. 즉, 양호한 온도 특성을 유지하면서, 소형화되어도 정전 용량을 유지하기 위해 비유전율이 높고, 또한 고전압하에서 사용하기 위해 교류 파괴 전압이 높은 유전체 자기 조성물 및 전자 부품이 요구되고 있다.

종래, 자기 콘덴서, 적층 콘덴서, 고주파용 콘덴서, 고전압용 콘덴서 등으로서 널리 이용되고 있는 고유전율 유전체 자기 조성물로서, 특허 문헌 1 내지 3과 같이 BaTiO₃-BaZrO₃-CaTiO₃-SrTiO₃계 유전체 자기 조성물을 주성분으로 한 것이 알려져 있다.

종래의 BaTiO₃-BaZrO₃-CaTiO₃-SrTiO₃계 유전체 자기 조성물은 강유전성이기 때문에, 높은 정전 용량, 낮은 유전손실을 유지한 채로, 높은 교류 파괴 전압을 확보하는 것이 곤란했다. 또한, 종래의 BaTiO₃-BaZrO₃-CaTiO₃-SrTiO₃계 유전체 자기 조성물에는 원하는 특성을 얻기 위해 여러 가지 희토류 원소가 첨가되는데, 희토류 원소는 가격이 비싸 사용량 저감이 종래부터 요구되고 있다.

특허 문헌 1: 일본 특허공개 1994-302219호 공보 특허 문헌 2: 일본 특허공개 2003-104774호 공보 특허 문헌 3: 일본 특허공개 2004-238251호 공보

본 발명은 이와 같은 실상을 감안하여 이루어진 것으로, 비유전율 및 교류 파괴 전압이 높고, 유전손실이 낮고, 온도 특성 및 소결성이 양호한 유전체 자기 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 이와 같은 유전체 자기 조성물에 의해 구성되는 유전체층을 갖는 전자 부품을 제공하는 것도 목적으로 한다.

본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토한 결과, 주성분으로서 1종의 유전체 자기 조성물만을 이용하는 것이 아니라, 2종의 유전체 자기 조성물로 주성분을 구성하고, 각 유전체 자기 조성물의 입경을 제어하고, 또한 산화아연을 편석(偏析)시킨 유전체 자기 조성물을 이용함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다는 것을 알아내 본 발명의 완성에 이르렀다.

즉, 상기 과제를 해결하는 본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은,

조성식 (Ba_1-x-y, Ca_x, A1_y)_m(Ti₁ _-z-d, Zr_z, B1_d)O₃(x≠0, z≠0, x＋y≠1, z＋d≠1)로 표시되는 제1 주조성물 입자와,

조성식 (Ba_1-α, A2_α)_n(Ti_1-β, B2_β)O₃(α≠1, β≠1)로 표시되는 제2 주조성물을 갖는 유전체 자기 조성물로서,

상기 제1 주조성물 입자의 평균 입경이 3㎛ 내지 10㎛이고,

상기 제2 주조성물 입자의 평균 입경이 0.1㎛ 내지 3㎛이고,

산화아연이 더 편석되어 있는 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물이다.

이하, 조성식 (Ba_1-x-y, Ca_x, A1_y)_m(Ti₁ _-z-d, Zr_z, B1_d)O₃(x≠0, z≠0, x＋y≠1, z＋d≠1)로 표시되는 제1 주조성물 입자를 BCTZ계 주조성물 입자라고 부르는 경우가 있고, 조성식 (Ba_1-α, A2_α)_n(Ti_1-β, B2_β)O₃(α≠1, β≠1)로 표시되는 제2 주조성물 입자를 BT계 주조성물 입자라고 부르는 경우가 있다.

BCTZ계 주조성물 입자의 평균 입경과 BT계 주조성물 입자의 평균 입경을 소정 범위 내에서 제어하고, 또한 산화아연이 편석되어 있는 것을 특징으로 하는 본 발명에 의하면, 비유전율 및 교류 파괴 전압이 높고, 유전손실이 낮고, 온도 특성 및 소결성이 양호한 유전체 자기 조성물을 제공할 수 있다.

본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은, 상기 제1 주조성물 입자 중 90% 이상의 입자의 입경이 3㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은, 상기 제2 주조성물 입자 중 90% 이상의 입자의 입경이 0.1㎛ 내지 3㎛인 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 유전체 자기 조성물에서는, 상기 제1 주조성물 입자에 Bi가 고용(固溶)되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은, 상기 유전체 자기 조성물의 단면에서 상기 제1 주조성물이 차지하는 면적과 상기 제2 주조성물이 차지하는 면적의 합을 100%로 하는 경우에, 상기 제2 주조성물 입자가 차지하는 면적이 5 내지 40%인 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 전자 부품은, 상기 유전체 자기 조성물로 구성되는 유전체를 갖는다.

본 발명에 따른 전자 부품의 종류에 특별히 한정은 없다. 예를 들면 단판형 세라믹 콘덴서, 관통형 콘덴서, 적층 세라믹 콘덴서, 압전 소자, 칩 인덕터, 칩 배리스터, 칩 서미스터, 칩 저항, 그 외의 표면 실장(SMD) 칩형 전자 부품, 링 배리스터, ESD 보호 디바이스 등을 들 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 세라믹 콘덴서의 개략도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 유전체의 단면 조성상의 개략도이다.
도 3은 도 2와 동일한 시야에서의 Ba 매핑의 개략도이다.
도 4는 도 2와 동일한 시야에서의 Ca 매핑의 개략도이다.
도 5는 도 2와 동일한 시야에서의 Zn 매핑의 개략도이다.
도 6은 도 1에 나타낸 유전체 단면의 개략도이다.
도 7은 도 2와 동일한 시야에서의 Bi 매핑의 개략도이다.
도 8은 시료 1, 시료 2에서의 TC 커브의 개략도이다.

이하, 본 발명을 도면에 나타내는 실시 형태에 기초해 설명한다.

세라믹 콘덴서(2)

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 실시 형태에 따른 세라믹 콘덴서(2)는 유전체(4)와, 그 대향 표면에 형성된 한 쌍의 전극(6, 8)을 갖는 구성이다. 세라믹 콘덴서의 형상은 목적이나 용도에 따라 적절하게 결정하면 된다. 본 실시 형태에서는 유전체(4)가 원판 형상인 원판형 콘덴서로서 설명한다.

전극(6, 8)

전극(6, 8)은 도전재로 구성된다. 단자 전극(6, 8)에 이용되는 도전재는 특별히 한정되지 않고, 용도 등에 따라 적절하게 결정하면 된다. 상기 도전재로는, 예를 들어 Ag, Cu, Ni 등을 들 수 있다.

유전체(4)

세라믹 콘덴서(2)의 유전체(4)는, 본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물에 의해 구성된다. 유전체(4)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 용도 등에 따라 적절하게 결정하면 된다.

본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은, (Ba_1-x-y, Ca_x, A1_y)_m(Ti₁ _-z-d, Zr_z, B1_d)O₃(x≠0, z≠0, x＋y≠1, z＋d≠1)의 조성식으로 표시되는 제1 주조성물 입자와, (Ba_1-α, A2_α)_n(Ti_1-β, B2_β)O₃(α≠1, β≠1)의 조성식으로 표시되는 제2 주조성물 입자와, 적어도 산화아연을 포함하는 부성분을 갖는 유전체 자기 조성물이다.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은, 상기 제1 주조성물의 평균 입경이 3㎛ 내지 10㎛이고, 상기 제2 주조성물의 평균 입경이 0.1㎛ 내지 3㎛이다. 상기 제1 주조성물의 평균 입경을 3㎛ 내지 10㎛로 함으로써 유전율 및 온도 특성 및 교류 파괴 전압이 향상된다. 상기 제2 주조성물의 평균 입경을 0.1㎛ 내지 3㎛로 함으로써 온도 특성과 유전율이 향상된다.

또한, 본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은, 상기 제1 주조성물 입자 중 90% 이상의 입자의 입경이 3㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하다. 또한, 상기 제2 주조성물 입자 중 90% 이상의 입자의 입경이 0.1㎛ 내지 3㎛인 것이 바람직하다. 상기 제1 주조성물 입자 중 90% 이상의 입자의 입경을 3㎛ 내지 10㎛로 함으로써 유전율 및 온도 특성 및 교류 파괴 전압이 향상된다. 상기 제2 주조성물 중 90% 이상의 입자의 입경을 0.1㎛ 내지 3㎛로 함으로써 온도 특성과 유전율이 향상된다.

또한, 본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은, 상기 제1 주조성물이 차지하는 면적과 상기 제2 주조성물이 차지하는 면적의 합을 100%로 하는 경우에, 상기 제2 주조성물 입자가 차지하는 면적이 5 내지 40%인 것이 바람직하다. 상기 제2 주조성물 입자가 차지하는 면적을 5 내지 40%로 함으로써 용량 온도 특성 및 실온 부근에서의 비유전율이 모두 양호해진다.

이하, 제1 주조성물 입자와 제2 주조성물 입자의 식별 방법, 입경(평균 입경)의 측정 방법, 및 각 주조성물 입자가 차지하는 면적의 측정 방법에 대해 설명한다.

우선, 소결 후의 유전체 자기 조성물(소결체)을 절단한 단면을 경면(鏡面) 연마하고, 경면 연마를 실시한 면에 대해 주사형 전자현미경(Scanning Electron Microscope: SEM)의 조성상을 촬영한다. 또한, 상기 조성상과 동일한 시야에서 EPMA(Electron Probe Micro Analyzer)로 관찰해 각 원소의 매핑 분석을 실시했다.

SEM에 의한 조성상의 촬영 및 EPMA 매핑 분석은, 배율 2,500 내지 10,000배로 (12.5 내지 50)㎛×(10 내지 40)㎛의 시야에서 실시한다.

우선, SEM에 의한 조성상에서 각 입자의 윤곽을 확정시킨다. 또한, 각 원소 매핑에 상기 각 입자의 윤곽을 중첩시킨다.

Ba 매핑에서 Ba가 관측되고, Ca 매핑에서 Ca가 관측된 입자는 제1 주조성물 입자이다. 이에 대해, Ba 매핑에서 Ba가 관측되고, Ca 매핑에서 Ca가 관측되지 않는 입자는 제2 주조성물 입자이다. 또한, Ba, Ca 매핑에서 Ba, Ca가 관측되지 않고, Zn 매핑에서 Zn가 관측된 부분은 Zn 편석상이다.

또한, Bi 매핑에 상기 각 입자의 윤곽을 중첩시킴으로써 각 주조성물 입자에 Bi가 고용되어 있는지 여부를 관찰할 수 있다.

여기에서, 상기 조성상에 완전하게 찍혀 있는 모든 제1 주조성물 입자, 제2 주조성물 입자에 대해 입자 직경을 산출해, 평균 입경을 산출했다.

또한, 상기 제1 주조성물 입자 중 90% 이상의 입자의 입경이 3㎛ 내지 10㎛인지 여부의 확인 및 상기 제2 주조성물 입자 중 90% 이상의 입자의 입경이 0.1㎛ 내지 3㎛인지 여부의 확인도, 상기 조성상에 완전하게 찍혀 있는 모든 제1 주조성물 입자, 제2 주조성물 입자에 대해 입자 직경을 산출함으로써 행했다.

또한, 상기 조성상에 의해 각 주조성물 입자가 차지하는 면적도 산출했다.

한편, 전술한 평균 입경의 산출, 90% 이상의 입자의 입경이 소정 범위 내인지 여부의 확인, 및 각 주조성물 입자가 차지하는 면적의 측정은, 같은 조건으로 제조한 1개 이상의 유전체 자기 조성물에 대해 상기 유전체 자기 조성물 1개당 5개 이상의 시야에 대해 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 입경 및 면적을 측정하는 주조성물 입자의 입자수는 300개 이상으로 하는 것이 바람직하다.

조성식 중의 x는 제1 주조성물의 A 사이트 원자에 차지하는 Ca 원자의 비율을 나타낸다. x의 범위는 바람직하게는 0.01≤x≤0.30이다. Ca가 상기 범위로 함유됨으로써 교류 파괴 전압 및 용량 온도 특성이 양호해지는 경향이 있다.

상기 조성식 중의 y는 제1 주조성물의 A 사이트 원자에 차지하는 A1의 비율을 나타낸다. A1의 종류는 Ba, Ca 이외의 원소이며, 상기 제1 주조성물의 A 사이트를 치환하는 원소라면 특별히 한정되지 않는다. A1은 한 종류의 원소로 구성되어 있어도 되고, 2종 이상의 원소로 구성되어 있어도 무방하다. A1의 종류로는, 예를 들어 Sr, Mg를 들 수 있다.

A1은 임의 성분이며, A1을 함유하지 않아도 상관없다. A1로서 Sr를 함유하는 경우에는, y의 범위는 y≤0.1인 것이 바람직하다.

상기 조성식 중의 z는 제1 주조성물의 B 사이트 원자에 차지하는 Zr의 비율을 나타낸다. z의 범위는 바람직하게는 0.04≤z≤0.2이다. Zr이 상기 범위로 함유됨으로써 비유전율 및 저온측의 용량 온도 특성이 양호해지는 경향이 있다.

상기 조성식 중의 d는 제1 주조성물의 B 사이트 원자에 차지하는 B1의 비율을 나타낸다. B1의 종류는 Ti, Zr 이외의 원소이며, 상기 제1 주조성물의 B 사이트를 치환하는 원소라면 특별히 한정되지 않는다. B1은 한 종류의 원소로 구성되어 있어도 되고, 2종 이상의 원소로 구성되어 있어도 무방하다. B1의 종류로는, 예를 들어 Sn, Hf를 들 수 있다.

B1는 임의 성분이며, B1를 함유하지 않아도 상관없다. B1로서 Sn을 함유하는 경우에는, d의 범위는 d≤0.2인 것이 바람직하다.

상기 조성식 중의 m는 제1 주조성물의 A 사이트 원자인 Ba, Ca, A1와 제1 주조성물의 B 사이트 성분인 Ti, Zr, B1의 몰비를 나타낸다. m의 수치 범위에 특별히 한정은 없다.

조성식 중의 α는 제2 주조성물의 A 사이트 원자에 차지하는 A2 원자의 비율을 나타낸다. A2의 종류는 Ba, Ca 이외의 원소이며, 상기 제2 주조성물의 A 사이트를 치환하는 원소라면 특별히 한정되지 않는다. A2는 한 종류의 원소로 구성되어 있어도 되고, 2종 이상의 원소로 구성되어 있어도 무방하다. A2의 종류로는, 예를 들어 Sr을 들 수 있다. 또한, A1과 A2가 동일한 원소라도 상관없다.

A2는 임의 성분이며, A2를 함유하지 않아도, 즉 α=0이라도 상관없다. A2로서 Sr을 함유하는 경우에는, α의 범위는 α≤0.1인 것이 바람직하다.

조성식 중의 β는 제2 주조성물의 B 사이트 원자에 차지하는 B2 원자의 비율을 나타낸다. B2의 종류는 Ti, Zr 이외의 원소이며, 상기 제2 주조성물의 B 사이트를 치환하는 원소라면 특별히 한정되지 않는다. B2는 한 종류의 원소로 구성되어 있어도 되고, 2종 이상의 원소로 구성되어 있어도 무방하다. B2의 종류로는, 예를 들어 Sn을 들 수 있다. 또한, B1과 B2가 동일한 원소라도 상관없다.

B2는 임의 성분이며, B2를 함유하지 않아도, 즉 β=0이라도 상관없다. B2로서 Sn을 함유하는 경우에는, β의 범위는 β≤0.02인 것이 바람직하다.

상기 조성식 중의 n은 제2 주조성물의 A 사이트 원자인 Ba, A2와 제2 주조성물의 B 사이트 성분인 Ti, B2의 몰비를 나타낸다. n의 수치 범위에는 특별히 한정은 없다.

제1 주조성물과 제2 주조성물을 함께 주성분이라고 한다. 주성분의 함유량을 100 중량부라고 하고, 상기 제2 주조성물의 함유량은 5 내지 40 중량부인 것이 바람직하다. 상기 제2 주조성물의 함유량을 5 내지 40 중량부로 함으로써 용량 온도 특성 및 실온 부근에서의 비유전율이 모두 양호해진다.

한편, 주성분의 함유량을 100 중량부라고 한 경우의 상기 제2 주조성물의 함유량은, 상기 제1 주조성물이 차지하는 면적과 상기 제2 주조성물이 차지하는 면적의 합을 100%로 하는 경우에서의 상기 제2 주조성물 입자가 차지하는 면적의 비율과 대체로 일치한다.

또한, 제2 주조성물의 함유량을 A 중량부라고 하는 경우에, 0.97≤{(100-A)×m＋A×n}×0.01≤1.03을 만족하는 것이 바람직하다. m, n, A가 상기 수식을 만족하는 경우에 비유전율, 교류 파괴 전압 및 소결성이 향상된다.

본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은, 상기 주성분 외에 적어도 산화아연을 포함하는 부성분을 함유한다.

산화아연의 함유량에 특별히 제한은 없다. 상기 주성분 100 중량부에 대해 0.45 내지 10 중량부 함유하는 것이 바람직하다. 산화아연의 함유량을 상기 범위 내로 함으로써 교류 파괴 전압, 용량 온도 특성 및 소결성이 향상된다. 한편, 산화아연을 전혀 함유하지 않는 경우에는 특히 소결성이 악화된다.

본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은, 부성분으로서 산화비스머스를 함유해도 된다. 산화비스머스를 상기 주성분 100 중량부에 대해 0.3 내지 3 중량부 함유하는 것이 바람직하다. 산화비스머스를 0.3 내지 3 중량부 함유함으로써 교류 파괴 전압이 양호해진다. 또한, 용량 온도 특성 및 실온 부근에서의 비유전율이 모두 양호해진다.

또한, 상기 산화비스머스는 상기 제1 주조성물 입자에 고용되어 있는 것이 바람직하다. 상기 산화비스머스를 상기 제1 주조성물 입자에 고용시킴으로써 저온측의 용량 온도 특성이 향상된다. 또한, 산화비스머스가 고용된 상기 제1 주조성물 입자가 모든 상기 제1 주조성물 입자에서 차지하는 비율은 90% 이상이 바람직하고, 95% 이상이 더욱 바람직하다.

한편, 상기 산화비스머스는 상기 제2 주조성물 입자에는 고용되어 있지 않은 것이 고온측의 용량 온도 특성을 향상시키는 관점에서 바람직하다.

여기에서, 용량 온도 특성 및 실온에서의 비유전율과 제2 주조성물(BT계 주조성물 입자)의 함유량 및 산화비스머스의 함유량의 관계에 대해 상세하게 설명한다.

본 기술 분야에서 요구되는 유전체 자기 조성물은, 용량 온도 특성과 실온에서의 비유전율을 양립시킨 유전체 자기 조성물이다. 용량 온도 특성이 E 특성을 만족하면서, 실온에서의 비유전율이 높은 유전체 자기 조성물이 요구된다. 한편, E 특성을 만족한다는 것은, 기준 온도 20℃에서의 정전 용량에 대한 영하 25℃에서의 정전 용량의 변화율 및 85℃에서의 정전 용량의 변화율이 ＋20% 내지 -55%의 범위 내에 있는 경우를 말하며, 본 기술 분야에서 일반적으로 이용되고 있는 용량 온도 특성의 기준이다. 한편, 정전 용량이 높을수록 비유전율도 높아진다.

횡축에 온도를 나타내고, 종축에 정전 용량을 나타내는 그래프에서, BCTZ계 주조성물 입자만으로 이루어지는 유전체 자기 조성물을 포함하는 콘덴서의 정전 용량은 실온 부근에서 최대가 되고, 영하 25℃ 전후의 저온부 및 영상 85℃ 전후의 고온부에서의 정전 용량은 실온 부근에서의 정전 용량과 비교해 큰 폭으로 낮아지는 경향이 있다.

여기에서, 상기 유전체 자기 조성물의 BCTZ계 주조성물 입자의 일부를 BT계 주조성물 입자로 치환하면, 저온부 및 고온부(특히 고온부)에서의 정전 용량이 증가하는 경향이 있다. 그리고, 용량 온도 특성이 향상되는 경향이 있다. 그러나, BT계 주조성물 입자의 함유량이 너무 많아지면 실온 부근에서의 정전 용량이 저하되는 경향이 있다.

또한, 상기 산화비스머스가 BCTZ계 주조성물 입자에 고용되면, 상기 곡선(TC 커브라고도 한다)이 저온측으로 이동하는 경향이 있다. 그리고, 저온부에서의 용량 온도 특성이 향상되는 경향이 있다.

이상으로부터, BT계 주조성물 입자의 함유량 및 산화비스머스의 함유량을 적절히 조정함으로써 실온 부근에서의 비유전율을 높일 뿐만 아니라 용량 온도 특성도 뛰어난 유전체 자기 조성물이 얻어진다.

본 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물에서는, 주성분의 함유량을 100 중량부라고 하는 경우 상기 제2 주조성물의 함유량이 5 내지 40 중량부이며, 산화비스머스를 주성분 100 중량부에 대해 0.3 내지 3 중량부 함유하는 경우가 바람직하다. 이 경우에 실온에서의 높은 비유전율과 E 특성을 만족하는 용량 온도 특성을 양립시키기 쉽기 때문이다.

본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은, 부성분으로서 희토류 원소의 산화물을 함유해도 된다. 상기 희토류 원소의 산화물은 La, Ce, Pr, Pm, Nd, Sm, Eu, Gd, Y로 이루어지는 군 중 적어도 1종 이상의 산화물인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 Y, Gd, La, Sm, Nd로 이루어지는 군 중 적어도 1종 이상의 산화물이다. 상기 희토류 원소의 산화물을 상기 주성분 100 중량부에 대해 0.3 중량부 이하로 함유하는 것이 바람직하다. 상기 희토류 원소의 산화물을 0.3 중량부 이하로 함유함으로써 내환원성, 비유전율, 교류 파괴 전압 및 용량 온도 특성이 향상된다.

본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은, 부성분으로서 Al, Ga, Si, Mg, In, Ni로 이루어지는 군 중 적어도 1종 이상의 산화물을 함유해도 된다. 바람직하게는 Al, Ga, Mg, Si로 이루어지는 군 중 적어도 1종 이상의 산화물이다. 상기 Al, Ga, Si, Mg, In, Ni로 이루어지는 군 중 적어도 1종 이상의 산화물을 상기 주성분 100 중량부에 대해 0.02 내지 1.5 중량부 함유하는 것이 바람직하다. 상기 Al, Ga, Si, Mg, In, Ni로 이루어지는 군 중 적어도 1종 이상의 산화물의 함유량을 상기 범위 내로 함으로써 비유전율 및 교류 파괴 전압이 향상된다.

본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은, 부성분으로서 Mg, Cr로 이루어지는 군 중 적어도 1종 이상의 산화물을 함유해도 된다. 상기 Mg, Cr로 이루어지는 군 중 적어도 1종 이상의 산화물을 상기 주성분 100 중량부에 대해 0.01 내지 0.6 중량부 함유하는 것이 바람직하다. 상기 Mg, Cr로 이루어지는 군 중 적어도 1종 이상의 산화물의 함유량을 상기 범위 내로 함으로써 비유전율, 교류 파괴 전압, 용량 온도 특성 및 고온시의 신뢰성이 향상된다.

세라믹 콘덴서(2)의 제조 방법

다음으로, 세라믹 콘덴서(2)의 제조 방법에 대해 설명한다. 우선, 소성 후에 도 1에 나타내는 유전체(4)를 형성하게 되는 유전체 자기 조성물 분말을 제조한다.

주성분(제1 주조성물 및 제2 주조성물)의 원료 및 각 부성분의 원료를 준비한다. 주성분의 원료로는 Ba, Ca, Ti, Zr 등의 각 산화물 및/또는 소성에 의해 산화물이 되는 원료나, 이들의 복합 산화물 등을 들 수 있다. 예를 들어, 탄산바륨(BaCO₃), 탄산칼슘(CaCO₃), 산화티탄(TiO₂), 산화지르코늄(ZrO₂) 등을 이용할 수 있지만, 상기 화합물로 한정되지 않는다. 예를 들어 상기 금속 원소의 수산화물 등, 소성 후에 산화물이나 티탄 화합물이 되는 여러 가지 화합물을 이용하는 것도 가능하다.

또한, 주성분 원료의 제조 방법에 특별히 제한은 없다. 예를 들어, 고상법(固相法)에 의해 제조해도 되고, 수열합성법이나 옥살산염법 등의 액상법(液相法)에 의해 제조해도 무방하다. 한편, 제조 비용면에서는 고상법에 의해 제조하는 것이 바람직하다.

각 부성분의 원료에 특별히 제한은 없다. 소성에 의해 산화물이 되는 각종 화합물, 예를 들어 탄산염, 질산염, 수산화물, 유기 금속 화합물 등에서 적절하게 선택해 이용할 수 있다.

본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물의 제조 방법으로는, 우선 제1 주조성물 가소(假燒) 분말 및 제2 주조성물 분말을 각각 제조한다.

제1 주조성물 가소 분말은 각 주조성물의 원료를 배합해 혼합한다. 혼합 방법에 특별히 제한은 없다. 예를 들면 습식 혼합에 의해 혼합할 수 있다. 또한, 습식 혼합에 이용하는 기구에도 특별히 제한은 없다. 예를 들어 볼 밀 등을 이용할 수 있다. 습식 혼합에 의해 혼합을 실시하는 경우에는, 습식 혼합 후에 탈수 건조를 실시하고, 탈수 건조 후에 가소성(假燒成)을 실시한다. 가소성에 의해 각 원료를 화학 반응시킴으로써 상기 각 주조성물 가소 분말을 얻을 수 있다. 한편, 가소 온도는 1100 내지 1250℃, 가소 분위기는 공기중으로 하는 것이 바람직하다.

제2 주조성물 분말의 준비 방법에 특별히 한정은 없다. 제1 주조성물 가소 분말과 같은 방법으로 제2 주조성물 가소 분말을 준비해도 된다. 또한, 제2 주조성물이 티탄산바륨인 경우(α=0, β=0의 경우)에는, 시판의 티탄산바륨 분말을 그대로 이용할 수도 있다.

제2 주조성물이 티탄산바륨인 경우에는, 소결 반응도를 높인 티탄산바륨 분말을 준비하는 것이 바람직하다. 소결 반응도를 높이는 방법에 특별히 한정은 없다. 예를 들면 고가소온도화, 원료의 고순도화 등의 방법을 이용할 수 있다. 소결 반응도를 높인 후의 티탄산바륨 분말은, X축 2축 회절 장치를 이용한 리트벨트법(Rietveld method)에 의해 측정되는 c/a가 1.0095 이상인 것이 바람직하다.

얻어진 제1 주조성물 가소 분말을 조(粗)분쇄한 후에, 제1 주조성물 가소 분말, 제2 주조성물 분말, 및 각 부성분의 원료를 혼합한다. 상기 혼합 후에 미(微)분쇄를 실시한다. 미분쇄 방법에 특별히 제한은 없다. 예를 들면 포트 밀 등을 이용해 미분쇄를 실시할 수 있다. 미분쇄 후의 평균 입경에도 특별히 제한은 없다. 평균 입경이 0.5 내지 2㎛ 정도가 되도록 미분쇄를 실시하는 것이 바람직하다.

제1 주조성물 가소 분말과 제2 주조성물 분말을 혼합하기 전에 제2 주조성물 분말만을 미분쇄해 제2 주조성물 분말의 입경을 조정해도 된다. 또한, 제2 주성분 분말을 다른 분말과 별도로 미분쇄해 다른 분말과 입경을 변화시키고 나서, 미분쇄한 제2 주성분 분말과 미분쇄한 다른 분말을 혼합해도 된다.

미분쇄 후에 탈수 건조를 실시하고, 탈수 건조 후에 유기 결합제를 첨가한다. 유기 결합제에 특별히 제한은 없고, 본 기술 분야에서 통상적으로 이용할 수 있는 유기 결합제를 이용할 수 있다. 일례로서 폴리비닐 알코올(PVA)을 들 수 있다.

상기 유기 결합제를 첨가한 후에 조립(造粒) 및 정립(整粒)을 실시해 과립 분말을 얻는다. 얻어진 과립 분말을 성형해 성형물을 얻는다.

얻어진 성형물을 본소성(本燒成)해 유전체 자기 조성물의 소결체(유전체(4))를 얻는다. 소성 분위기에 특별히 제한은 없지만, 공기 중에서 소성하는 것이 바람직하다. 소성 온도, 소성 시간에 특별히 제한은 없지만, 소성 온도는 1150 내지 1300℃, 소성 시간은 1.5 내지 3시간으로 실시하는 것이 바람직하다.

얻어진 유전체 자기 조성물 소결체(유전체(4))의 소정 표면에 전극을 인쇄하고, 필요에 따라 소부(燒付)해 전극(6, 8)을 형성함으로써, 도 1에 나타내는 세라믹 콘덴서(2)를 얻는다.

이와 같이 하여 제조된 본 발명의 세라믹 콘덴서(2)는, 리드 단자를 개재해 프린트 기판 등에 실장되어 각종 전자 기기 등에 사용된다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이와 같은 실시 형태에 하등 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 여러 가지 다른 형태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.

이하, 소결 후 소결체에서의 BCTZ계 주조성물 입자의 입경(평균 입경) 및 BT계 주조성물 입자의 입경(평균 입경)을 제어하는 방법에 대해 기재한다.

우선, 일반적으로 소성 온도가 높고, 소성 시간이 길수록 주조성물 입자가 입자 성장해 입경이 커지는 경향이 있다.

여기에서, BCTZ계 주조성물 입자와 BT계 주조성물 입자의 입자 성장의 용이성을 비교하면, BCTZ계 주조성물 입자가 입자 성장하기 쉽다. 또한, 소성 온도가 높고, 소성 시간이 길수록 입자 성장의 정도도 커지고, 소성 온도가 낮고, 소성 시간이 짧을수록 입자 성장의 정도도 작다.

또한, 특히 BCTZ계 주조성물 입자에서는, 소성 전의 주조성물 입자의 입경이 작을수록 입자 성장하기 쉽고, 소성 전의 주조성물 입자의 입경이 클수록 입자 성장하기 어렵다.

반대로, BT계 주조성물 입자는, 통상적인 소성 조건에서는 입자 성장의 정도가 작다. 그리고, 소성 온도의 변화 및 소성 시간의 변화가 입경에 미치는 영향도 작다.

이상으로부터, BT계 주조성물 입자는, 전술한 바와 같이 소성 전후에서의 입경의 변화가 작다. 따라서, 소성 전의 BT계 주조성물 입자의 입경을 변화시키면, 소성 후의 BT계 주조성물 입자의 입경도 변화한다.

따라서, 소성 후의 BCTZ계 주조성물 입자의 입경을 제어하기 위해서는, 소성 전의 BCTZ계 주조성물 입자의 입경과 소성 조건의 양쪽 모두를 제어하는 것이 중요하고, 소성 조건을 제어하는 것이 특히 중요하다.

이에 대해, 소성 후의 BT계 주조성물 입자의 입경을 제어하기 위해서는, 소성 전의 BT계 주조성물 입자의 입경과 소성 조건의 양쪽 모두를 제어하는 것이 중요하고, 소성 전의 BT계 주조성물 입자의 입경을 제어하는 것이 특히 중요하다.

전술한 실시 형태에서는, 본 발명에 따른 전자 부품으로서 유전체층이 단층인 단판형 세라믹 콘덴서를 예시했지만, 본 발명에 따른 전자 부품은 단판형 세라믹 콘덴서로 한정되지 않고, 상기한 유전체 자기 조성물을 포함하는 유전체 페이스트 및 전극 페이스트를 이용한 통상의 인쇄법이나 시트법에 의해 제작되는 적층형 세라믹 콘덴서라도 되고, 관통형 콘덴서의 유전체층을 상기한 유전체 자기 조성물을 이용해 제작해도 무방하다.

〈실시예〉

이하, 본 발명을 한층 더 상세한 실시예에 기초하여 설명한다. 그러나, 본 발명은 이들 실시예로 한정되지 않는다.

실시예 1(시료 No. 1)

제1 주조성물 ( BCTZ계 유전체 입자)

제1 주조성물 원료로서 탄산바륨(BaCO₃), 탄산칼슘(CaCO₃), 산화티탄(TiO₂), 산화지르코늄(ZrO₂)을 각각 준비했다.

소성 후의 조성이 (Ba₀ _. ₉₂Ca₀ _.08)(Ti₀ _. ₈₈Zr₀ _. ₁₂)O₃가 되도록, 상기 주조성물 원료를 칭량했다. 칭량 후에 각 원료를 배합했다. 배합은 볼 밀에 의해 3시간 습식 혼합 교반함으로써 실시했다. 습식 혼합 교반 후의 배합물을 탈수 건조했다. 탈수 건조 후에 1170 내지 1210℃에서 가소성해 제1 주조성물 가소 분말을 얻었다.

제2 주조성물 ( BT계 유전체 입자)

시판의 티탄산바륨에 대해 다시 가소를 실시해, 티탄산바륨의 소결 반응도를 높였다. 소결 반응도를 높인 후의 티탄산바륨에 X선 2축 회절 장치를 이용한 리트벨트법에 의한 결정 해석을 실시해, c/a가 1.0095 이상인 것을 확인했다.

부성분

부성분 원료로서 알루민산아연, 산화비스머스(Bi₂O₃), 산화네오디뮴(Nd₂O₃)을 각각 준비했다. 알루민산아연이란, 산화아연(ZnO) 100 중량부에 대해 산화알루미늄(Al₂O₃) 10 중량부를 첨가한 것이다.

혼합 및 미분쇄

상기 제1 주조성물 가소 분말, 상기 제2 주조성물 및 상기 각 부성분 원료를, 소성 후의 조성이 제1 주조성물 80 중량부, 제2 주조성물 20 중량부, 산화아연 3.00 중량부, 산화비스머스 0.60 중량부, 산화네오디뮴 0.020 중량부, 산화알루미늄 0.30 중량부가 되도록 칭량해 혼합한 다음, 포트 밀로 평균 입경 0.5㎛ 내지 2㎛ 정도로 미분쇄했다. 미분쇄한 원료 분말을 탈수 건조했다. 탈수 건조 후의 원료 분말에 유기 결합제로서 폴리비닐 알코올(PVA)을 첨가하고 조립 및 정립하여 과립 분말로 했다.

상기 과립 분말을 300㎫의 압력으로 성형해 직경 16.5㎜, 두께 1.15㎜의 원판상 성형물을 얻었다.

상기 원판상 성형물을 공기 중, 1200℃ 내지 1250℃에서 2시간 본소성해 소결체를 얻었다.

상기 소결체의 양면에 은(Ag) 페이스트를 소부해 전극을 형성하고, 자기 콘덴서를 얻었다.

비교예 1(시료 No. 2)

상기 제2 주조성물을 이용하지 않고, 상기 제1 주조성물이 100 중량부가 되도록 칭량하는 점 및 최종적으로 얻어지는 유전체의 조성이 실시예 1과 동일한 조성이 되도록 상기 제1 주조성물 가소 분말의 조성을 (Ba₀ _. ₉₄Ca₀ _.06)(Ti₀ _. ₉₀Zr₀ _. ₁₀)O₃로 변화시키고 있는 점 외에는 모두 실시예 1과 동일한 조건으로 자기 콘덴서를 얻었다.

실시예 2(시료 No. 11 내지 17)

알루민산아연(산화아연)의 양을 실시예 1로부터 변화시키고, 또한, 각 주조성물의 평균 입경 및 후술하는 BT 면적이 하기 표 1의 값이 되도록 혼합 전의 각 원료 분말의 평균 입경, 미분쇄 후의 원료 분말의 평균 입경 및/또는 소성 조건을 실시예 1로부터 변화시킨 점 외에는 모두 실시예 1과 동일한 조건으로 자기 콘덴서를 얻었다. 한편, 각 시료에서는 최종적으로 얻어지는 유전체의 조성이, 알루민산아연 외에는 실시예 1과 동일한 조성이 되도록 제1 주조성물 가소 분말의 조성을 변화시켰다.

비교예 2(시료 No. 18)

알루민산아연(산화아연)을 첨가하지 않은 점 외에는 시료 No. 17과 동일한 조건으로 자기 콘덴서를 얻었다.

비교예 3(시료 No. 21 내지 28)

알루민산아연(산화아연)의 양을 실시예 1로부터 변화시키고, 또한, 각 주조성물의 평균 입경이 하기 표 1의 값이 되도록 혼합 전의 각 원료 분말(특히 제2 주조성물 원료 분말)의 평균 입경, 미분쇄 후의 원료 분말의 평균 입경 및/또는 소성 조건을 실시예 1로부터 변화시킨 점 외에는 모두 실시예 1과 동일한 조건으로 자기 콘덴서를 얻었다. 한편, 각 시료에서는 최종적으로 얻어지는 유전체의 조성이, 알루민산아연 외에는 실시예 1과 동일한 조성이 되도록 제1 주조성물 가소 분말의 조성을 변화시켰다.

얻어진 자기 콘덴서(시료 No. 1 내지 28)의 특성을 측정했다. 이하, 각 특성의 측정 방법 및 평가 방법에 대해 설명한다. 또한, 측정 결과를 표 1에 정리했다.

(소결성(소결체 밀도))

상기 소결체의 치수 및 중량으로부터 소결체 밀도를 산출했다. 소결체 밀도가 5.5 g/㎤ 이상인 경우를 소결성 양호라고 했다. 표 1에서는 소결체 밀도가 5.5 g/㎤ 이상의 경우를 ○, 5.5 g/㎤ 미만의 경우를 ×로 했다. 기준을 5.5 g/㎤로 한 것은, 소결체 밀도가 5.5 g/㎤ 미만인 경우에는 소결체 기질의 강도가 현저하게 저하되기 때문이다. 한편, 소결체 밀도가 5.5 g/㎤ 미만의 시료에 대해서는 비유전율, 유전손실, 교류 파괴 전압 및 온도 특성의 측정은 불필요한 것으로 하여 실시하지 않았다.

(비유전율(ε))

비유전율 ε은 상기 콘덴서 시료에 대해, 기준 온도 20℃에서, 디지털 LCR 미터에 의해, 주파수 1㎑, 입력 신호 레벨(측정 전압) 1.0 Vrms의 조건하에서 측정된 정전 용량으로부터 산출했다(단위 없음). 비유전율은 높은 편이 바람직하고, 본 실시예에서는 8000 이상을 양호한 것으로 했다.

(유전손실(tanδ))

유전손실(tanδ)은 상기 콘덴서 시료에 대해, 기준 온도 20℃에서, 디지털 LCR 미터에 의해, 주파수 1㎑, 입력 신호 레벨(측정 전압) 1.0 Vrms의 조건하에서 측정했다. 유전손실은 낮은 편이 바람직하고, 본 실시예에서는 1.5% 이하를 양호한 것으로 했다.

(교류 파괴 전압(AC-Eb))

교류 파괴 전압(AC-Eb)은, 상기 콘덴서 시료의 양단에 교류 전계를 100 V/s로 서서히 인가하고, 100㎃의 누설 전류가 흐른 시점에서의 전압을 측정해, 단위 두께당 교류 파괴 전압을 구했다. 교류 파괴 전압은 높은 편이 바람직하고, 본 실시예에서는 4.0 kV/㎜ 이상을 양호한 것으로 했다.

(온도 특성(E 특성))

상기 콘덴서 시료에 대해, 영하 25℃ 내지 영상 85℃에서, 디지털 LCR 미터에 의해, 주파수 1㎑, 입력 신호 레벨(측정 전압) 1 Vrms의 조건으로 정전 용량을 측정해, 기준 온도 20℃에서의 정전 용량에 대한 영하 25℃에서의 정전 용량의 변화율 및 영상 85℃에서의 정전 용량의 변화율을 산출했다. 본 실시예에서는 E 특성을 만족하는 ＋20% 내지 -55%를 바람직한 범위로 했다.

(SEM, EPMA)

시료 1에 대해 소결 후의 소결체를 절단한 단면을 경면 연마하고, 경면 연마를 실시한 면에 대해 주사형 전자현미경(Scanning Electron Microscope: SEM)의 조성상을 촬영했다. 또한, 상기 조성상과 동일한 시야에서 EPMA(Electron Probe Micro Analyzer)로 관찰해, 각 원소의 매핑 분석을 실시했다.

SEM에 의한 조성상의 촬영 및 EPMA 매핑은, 1개의 시료당 1개의 소결체의 단면에 대해 모두 배율 5000배에서 25㎛×20㎛의 시야를 10 시야 설정해, 300 내지 1000개의 입자의 입경, 면적 등을 측정할 수 있도록 행했다.

조성상에서 각 입자의 윤곽을 확정시켰다. 각 입자 윤곽의 개략도가 도 2이다.

또한, Ba 매핑의 개략도에 상기 각 입자의 윤곽을 중첩시킨 개략도를 도 3에 나타낸다. Ca 매핑의 개략도에 상기 각 입자의 윤곽을 중첩시킨 개략도를 도 4에 나타낸다. Zn 매핑의 개략도에 상기 각 입자의 윤곽을 중첩시킨 개략도를 도 5에 나타낸다. 한편, 각 도면에서 모양이 그려져 있는 부분은, 원소 매핑에서 당해 원소가 관측된 부분이다. 모양이 그려져 있지 않은 부분은, 원소 매핑에서 당해 원소가 관측되지 않았던 부분이다.

Ba 매핑에서 Ba가 관측되고, Ca 매핑에서 Ca가 관측된 입자는 BCTZ계 주조성물 입자(12)이다. 이에 대해, Ba 매핑에서 Ba가 관측되고, Ca 매핑에서 Ca가 관측되지 않은 입자는 BT계 주조성물 입자(14)이다. 또한, Ba, Ca 매핑에서 Ba, Ca가 관측되지 않고, Zn 매핑에서 Zn가 관측된 부분은 Zn 편석상(偏析相)(16)이다. 그리고, Ca 매핑, Ba 매핑, Zn 매핑의 결과를 1매로 합친 결과의 개략도가 도 6이다.

또한, Bi 매핑의 개략도에 상기 각 입자의 윤곽을 중첩시킨 개략도가 도 7이다. 도 6 및 도 7로부터, Bi의 거의 전량이 BCTZ계 주조성물 입자(12)에 고용되고, Bi가 BT계 주조성물 입자(14)에는 고용되어 있지 않은 것을 확인할 수 있다.

(각 주조성물 입자의 입경, 평균 입경)

각 시료에 대해 소결품을 절단한 단면을 경면 연마하고, 경면 연마를 실시한 면에 대해 SEM에 의한 조성상의 촬영, EPMA에 의한 원소 매핑을 시료(1)와 같은 조건으로 행했다. 상기 조성상에 완전하게 찍혀 있는 모든 BCTZ계 주조성물 입자, BT계 주조성물 입자에 대해 입자 직경을 산출해 평균 입경을 산출했다.

시료 1 내지 18은 모두 BCTZ계 주조성물 입자의 평균 입경이 3.00㎛ 내지 10.00㎛이고, BT계 주조성물 입자의 평균 입경이 0.10㎛ 내지 3.00㎛였다. 이에 대해, 시료 21 내지 28은 BCTZ계 주조성물 입자 또는 BT계 주조성물 입자의 평균 입경이 상기 범위 밖이었다.

또한, 시료 1 내지 18에서, 시료 1, 15 내지 18은 전체 BCTZ계 주조성물 입자 가운데 90% 이상의 입자가 입경 3㎛ 내지 10㎛의 범위 내이고, 전체 BT계 주조성물 입자 가운데 90% 이상의 입자가 입경 0.1㎛ 내지 3㎛의 범위 내였다.

한편, 하기 표 1에서는, 전체 BCTZ계 주조성물 입자 가운데 90% 이상의 입자가 입경 3㎛ 내지 10㎛의 범위 내인 시료를 BCTZ 입경 편차가 ○인 것으로 평가하고, 90% 미만의 입자가 입경 3㎛ 내지 10㎛의 범위 내인 시료를 BCTZ 입경 편차가×인 것으로 평가했다. 또한, 전체 BT계 주조성물 입자 가운데 90% 이상의 입자가 입경 0.1㎛ 내지 3㎛의 범위 내인 시료를 BT 입경 편차가 ○인 것으로 평가하고, 90% 미만의 입자가 입경 0.1㎛ 내지 3㎛의 범위 내인 시료를 BT 입경 편차가 ×인 것으로 평가했다.

(각 주조성물 입자가 차지하는 면적)

각 주조성물 입자(BCTZ계 주조성물 입자 및 BT계 주조성물 입자)가 차지하는 면적은 평균 입경 측정시의 SEM 화상, EPMA 원소 매핑으로부터 산출했다.

BCTZ계 주조성물 입자 및 BT계 주조성물 입자의 합계 중량을 100 중량부로 한 경우의 각 주조성물 입자의 중량 비율과, BCTZ계 주조성물 입자 및 BT계 주조성물 입자의 합계 면적을 100%라고 한 경우의 각 주조성물 입자의 면적 비율(%)은 대체로 일치했다. 한편, 표 1에서는, BT계 주조성물 입자의 면적 비율을 BT 면적(%)으로 기재하고 있다.

(TC 커브 측정)

시료 1(실시예)과 시료 2(비교예)에 대해 영하 40℃ 내지 영상 140℃에서, 디지털 LCR 미터에 의해 주파수 1㎑, 입력 신호 레벨(측정 전압) 1 Vrms의 조건으로 정전 용량을 측정해 그래프화했다. 도 8에 상기 그래프의 개략도를 나타낸다.

도 8로부터, 시료 1(실시예)은 시료 2(비교예)와 비교해 영상 25℃에서의 정전 용량을 기준으로 했을 경우에, 영하 25℃ 이하, 영상 85℃ 이상에서의 정전 용량의 변화가 작다.

2…세라믹 콘덴서
4…유전체
6, 8…전극
12…BCTZ계 주조성물 입자
14…BT계 주조성물 입자
16…Zn 편석상

Claims

조성식 (Ba_1-x-y, Ca_x, A1_y)_m(Ti₁ _-z-a, Zr_z, B1_a)O₃(x≠0, z≠0, x＋y≠1, z＋a≠1)로 표시되는 제1 주조성물 입자와,
조성식 (Ba_1-α, A2_α)_n(Ti_1-β, B2_β)O₃(α≠1, β≠1)로 표시되는 제2 주조성물 입자를 갖는 유전체 자기 조성물로서,
상기 제1 주조성물 입자의 평균 입경이 3㎛ 내지 10㎛이고,
상기 제2 주조성물 입자의 평균 입경이 0.1㎛ 내지 3㎛이고,
산화아연이 더 편석되어 있는 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
제1항에 있어서,
상기 제1 주조성물 입자 중 90% 이상의 입자의 입경이 3㎛ 내지 10㎛인 유전체 자기 조성물.
제1항에 있어서,
상기 제2 주조성물 입자 중 90% 이상의 입자의 입경이 0.1㎛ 내지 3㎛인 유전체 자기 조성물.
제1항에 있어서,
상기 제1 주조성물 입자에 Bi가 고용되어 있는 유전체 자기 조성물.
제1항에 있어서,
상기 유전체 자기 조성물의 단면에서, 상기 제1 주조성물이 차지하는 면적과 상기 제2 주조성물이 차지하는 면적의 합을 100%로 하는 경우에, 상기 제2 주조성물 입자가 차지하는 면적이 5 내지 40%인 유전체 자기 조성물.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 유전체 자기 조성물을 포함하는 전자 부품.