KR20160112295A - Light-emitting diode including metal bulk - Google Patents

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Abstract

According to an embodiment of the present invention, a light emitting device includes: a light emitting structure which includes a first conductivity-type semiconductor layer, a second conductivity-type semiconductor layer, an active layer, and a plurality of grooves passing through the second conductivity-type semiconductor layer and the activation layer and exposing the first conductivity-type semiconductor layer; a first electrode which is placed inside the groove and is electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer; a second electrode which is insulated from the first electrode, is placed on the lower side of the second conductivity-type semiconductor layer, and is electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer; an insulation layer which is placed on the bottom and lateral surfaces of the first and second electrodes and has openings exposing each of the first and second electrodes; and a support structure which includes a first metal bulk and a second metal bulk placed on the bottom and lateral surfaces at a distance from each other and electrically connected to the first electrode and the second electrode, respectively, through the openings and an insulation unit placed on the lateral surfaces of the first and second metal bulks. Also, each of the grooves includes a first groove unit. The first groove unit includes a first area, a second area, and a connection part connecting the first area and the second area. The first area is placed above the first metal bulk. The second area is placed above the second metal bulk. By doing so, the present invention can improve the current distribution efficiency of the light emitting device and enhance the light emitting efficiency of the light emitting device by securing a sufficient light emitting area.

Description

금속 벌크를 포함하는 발광 소자{LIGHT-EMITTING DIODE INCLUDING METAL BULK}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a luminescent device including a metal bulk,

본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 특히 발광 효율이 향상된 발광 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a light emitting device having improved light emitting efficiency.

최근 소형 고출력 발광 소자에 대한 요구가 증가하면서, 방열 효율이 우수한 대면적 플립칩형 발광 소자의 수요가 증가하고 있다. 플립칩형 발광 소자의 전극은 직접 2차 기판에 접합되며, 또한 플립칩형 발광 소자에 외부 전원을 공급하기 위한 와이어를 이용하지 않으므로, 수평형 발광 소자에 비해 열 방출 효율이 매우 높다. 따라서 고밀도 전류를 인가하더라도 효과적으로 열을 2차 기판 측으로 전도시킬 수 있어서, 플립칩형 발광 소자는 고출력 발광원으로 적합하다.In recent years, there is an increasing demand for a small-sized high-output light-emitting device, and a demand for a large-area flip-chip type light-emitting device having excellent heat dissipation efficiency is increasing. Since the electrode of the flip chip type light emitting device is directly bonded to the secondary substrate and the wire for supplying external power to the flip chip type light emitting device is not used, the heat emission efficiency is much higher than that of the horizontal type light emitting device. Therefore, even when a high-density current is applied, the heat can be effectively conducted to the secondary substrate side, so that the flip chip type light emitting device is suitable as a high output light emitting source.

또한, 발광 소자의 소형화 및 고출력을 위하여, 발광 소자를 별도의 하우징 등에 패키징하는 공정을 생략하고, 발광 소자 자체를 패키지로서 이용하는 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)에 대한 요구가 증가하고 있다. 특히, 플립칩형 발광 소자의 전극은 패키지의 리드와 유사한 기능을 할 수 있어서, 이러한 칩 스케일 패키지에 있어서도 유용하게 플립칩형 발광 소자가 적용될 수 있다.In addition, there is an increasing demand for a chip scale package that uses a light emitting device itself as a package, omitting the step of packaging the light emitting device into a separate housing for the miniaturization and high output of the light emitting device. In particular, the electrode of the flip chip type light emitting element can perform a similar function to the lead of the package, and a flip chip type light emitting element can be applied to such a chip scale package.

칩 스케일 패키지 구조에서는 고전류 구동 시에 발생하는 열에 의한 손상이 더욱 치명적일 수 있다. 따라서, 열방출을 원활히 하여 발광 소자의 신뢰성을 개선하기 위해 금속 벌크 등의 외부 전극이 사용되며, 발광 소자의 일정 영역이 외부 전극에 의해 확보될 필요가 있다.In the chip scale package structure, thermal damage caused during high current driving may be more fatal. Therefore, an external electrode such as a metal bulk is used to smooth the heat emission and improve the reliability of the light emitting device, and a certain region of the light emitting device needs to be secured by the external electrode.

한편, 발광 소자는 반도체층과 전기적으로 접속된 전극을 통해 전원을 공급받아 광을 방출시킨다. 이 때, 반도체층과 전극이 접하는 영역이 충분하지 않거나, 발광 소자의 일부 영역에 치우쳐 위치하는 경우, 외부에서 인가된 전류가 충분히 확산되지 못하여, 발광이 반도체층의 특정 위치에서만 강하게 일어나게 된다. 구체적으로, 금속 벌크를 통해 인가된 전류가 반도체층과 전극이 접하는 일부 영역을 통해서만 반도체층으로 흐르기 때문에, 전극과 접하지 않은 반도체층의 다른 영역에서는 발광이 원활히 이루어지지 않게 된다. 따라서, 발광 효율이 떨어지는 문제가 발생한다.On the other hand, the light emitting element emits light by being supplied with power through an electrode electrically connected to the semiconductor layer. At this time, when the region in which the semiconductor layer and the electrode are in contact with each other is not sufficient, or when the region is biased to a partial region of the light emitting device, the current applied from the outside is not sufficiently diffused. Specifically, since the current applied through the metal bulk flows only to the semiconductor layer through a partial region where the semiconductor layer and the electrode are in contact with each other, the light emission is not smoothly performed in other regions of the semiconductor layer not in contact with the electrode. Therefore, there arises a problem that the luminous efficiency is lowered.

일반적으로, 발광 소자로부터 기판이 제거될 시, 스트레스 및 스트레인이 발생한다. 상기 스트레스 및 스트레인은 발광 구조체로 전해져서, 발광 구조체에 크랙(crack)이 발생하기 쉽다. 이를 해결하기 위해, 발광 구조체 아래에 두꺼운 금속 패드 및 EMC 등의 폴리머를 위치시키나, 그러한 경우에도 폴리머의 상부와 인접한 발광 구조체의 중심부 위주로 크랙이 발생하는 문제가 있다.Generally, when the substrate is removed from the light emitting element, stress and strain occur. The stress and strain are transferred to the light emitting structure, and cracks are likely to occur in the light emitting structure. In order to solve this problem, a thick metal pad and a polymer such as EMC are placed under the light emitting structure. However, even in such a case, there is a problem that a crack occurs mainly in the center portion of the light emitting structure adjacent to the upper portion of the polymer.

따라서, 열방출이 원활하고, 발광 소자의 기계적 물성이 우수하며, 전류 분산 효율이 개선된 발광 소자가 요구된다.Therefore, there is a demand for a light emitting device that has a smooth heat emission, an excellent mechanical property of the light emitting element, and improved current dispersion efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전류 분산 효율이 개선되고, 충분한 발광 영역이 확보되므로, 발광 효율이 높은 발광 소자를 제공하는 것이다. 또한, 열방출이 원활하여 신뢰성이 확보된 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 더불어, 기판 분리 시 발생하는 스트레스 및 스트레인으로 인한 발광 소자의 손상을 방지하는 것을 목적으로 한다.A problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting device having a high luminous efficiency because the current dispersion efficiency is improved and a sufficient luminous region is secured. It is another object of the present invention to provide a light emitting device in which heat emission is smooth and reliability is ensured. In addition, it is intended to prevent damage to the light emitting device due to stress and strain generated when the substrate is separated.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층의 하면에 위치하는 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층을 노출시키는 복수개의 홈부를 포함하는 발광 구조체, 상기 홈부 내에 위치하며, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 접속하는 제1 전극, 상기 제1 전극으로부터 절연되고, 상기 제2 도전형 반도체층의 하면에 위치하며, 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 접속하는 제2 전극, 상기 제1 전극의 하면과 측면 및 제2 전극의 하면과 측면에 위치하며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 각각 노출시키는 개구부들을 갖는 절연층, 상기 절연층의 하면 및 측면에 서로 이격되어 위치하고, 상기 개구부들을 통해 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 각각 전기적으로 연결된 제1 금속 벌크, 제2 금속 벌크 및 상기 제1 금속 벌크의 측면 및 제2 금속 벌크의 측면 상에 배치된 절연부를 포함하는 지지구조체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 홈부는 제1 홈부를 포함하며, 상기 제1 홈부는 제1 영역, 제2 영역 및 상기 제1 영역과 제2 영역을 연결하는 연결부를 포함하며, 상기 제1 영역은 제1 금속 벌크의 상부에 위치하며, 상기 제2 영역은 제2 금속 벌크의 상부에 위치할 수 있다. 이를 통해, 발광 소자의 전류 분산 효율이 개선되며, 발광 영역이 충분히 확보될 수 있으므로, 발광 소자의 발광 효율이 향상될 수 있다.A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer disposed on a lower surface of the first conductive semiconductor layer, a first conductive semiconductor layer, A light emitting structure including an active layer positioned between the semiconductor layers and a plurality of groove portions penetrating the active layer and the second conductivity type semiconductor layer to expose the first conductivity type semiconductor layer; A second electrode electrically insulated from the first electrode and located on a bottom surface of the second conductivity type semiconductor layer and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer, An insulating layer disposed on a lower surface and a side surface of the first electrode and a lower surface and a side surface of the second electrode and having openings for respectively exposing the first electrode and the second electrode; A second metal bulk and a second metal bulk disposed on the sides of the first metal bulk and on the sides of the second metal bulk, the first metal bulk being spaced apart from the first metal bulk and electrically connected to the first electrode and the second electrode via the openings, And a support structure including an insulating portion. The groove portion may include a first groove portion, and the first groove portion may include a first region, a second region, and a connection portion connecting the first region and the second region, And the second region may be located on top of the second metal bulk. Accordingly, the current dispersion efficiency of the light emitting device is improved and the light emitting area can be sufficiently secured, so that the light emitting efficiency of the light emitting device can be improved.

상기 제1 전극은 상기 홈부의 측면과 이격되고, 상기 홈부의 형태를 따라 형성될 수 있다. 이를 통해, 상기 제1 전극은 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층으로부터 절연될 수 있으며, 충분한 발광 영역이 확보되면서, 전류 분산 효율이 개선될 수 있다.The first electrode may be spaced apart from a side surface of the groove portion and may be formed along the shape of the groove portion. Accordingly, the first electrode can be insulated from the second conductive type semiconductor layer and the active layer, and sufficient current emission efficiency can be improved while ensuring a sufficient light emitting region.

상기 제1 전극과 상기 홈부의 측면은 일정한 간격을 이격될 수 있다. The side surfaces of the first electrode and the groove may be spaced apart from each other by a predetermined distance.

상기 제1 영역은 상기 제2 영역보다 클 수 있다. 이 경우, 상기 제1 영역 내에 위치한 제1 전극 부분이 상대적으로 작아서, 발광 영역이 지나치게 좁혀지지 않는다. 또한, 기판 분리 시, 상기 발광 구조체에 인가되는 스트레스 및 스트레인이 제1 영역의 하부에 위치한 충분한 넓이와 두께의 금속성 물질에 의해 완화되어 발광 구조체의 크랙이 방지될 수 있다.The first region may be larger than the second region. In this case, the first electrode portion located in the first region is relatively small, so that the light emitting region is not excessively narrowed. Also, when the substrate is separated, the stress and strain applied to the light emitting structure can be mitigated by the metallic material having a sufficient width and thickness located below the first region, thereby preventing cracks in the light emitting structure.

상기 제1 및 제2 영역은 원형일 수 있다. 이 경우, 기판 분리 시 발생하는 스트레스 및 스트레인이 제1 부 및 제2 부를 중심으로 고르게 분산될 수 있으므로, 발광 소자의 손상이 줄어들 수 있다.The first and second regions may be circular. In this case, the stress and strain generated during the separation of the substrate can be evenly distributed around the first and second parts, so that the damage of the light emitting device can be reduced.

상기 홈부는 제1 금속 벌크 상부에 위치한 적어도 하나 이상의 제2 홈부를 더 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 제1 전극과 상기 제1 도전형 반도체층이 접하는 영역이 충분히 확보될 수 있으므로, 전류 분산 효율이 개선될 수 있다.The groove portion may further include at least one second groove portion located above the first metal bulk. As a result, a region in which the first electrode and the first conductive type semiconductor layer are in contact with each other can be sufficiently secured, so that the current dispersion efficiency can be improved.

상기 제2 홈부와 상기 제2 금속 벌크 간의 간격은 상기 제1 영역과 상기 제2 금속 벌크 간의 간격보다 클 수 있다. 이를 통해, 발광 영역이 충분히 확보되면서, 동시에 상기 제1 금속 벌크를 지나 인가되는 전류의 분산 효율이 개선될 수 있다.The gap between the second groove and the second metal bulk may be greater than the gap between the first region and the second metal bulk. As a result, the emission efficiency of the current applied through the first metal bulk can be improved at the same time as the light emitting region is sufficiently secured.

상기 제2 홈부는 원형일 수 있다. 기판 분리 시 발생하는 스트레스 및 스트레인이 제2 홈부 내의 제1 전극을 중심으로 고르게 분산될 수 있으므로, 발광 소자의 손상이 줄어들 수 있다.The second groove portion may be circular. The stress and strain generated during the separation of the substrate can be uniformly dispersed around the first electrode in the second trench, so that the damage of the light emitting device can be reduced.

본 발명에 따르면, 제1 홈부가 제1 금속 벌크 상부 및 제2 금속 벌크의 상부에 걸쳐 존재하므로, 발광 소자 내에서 제1 전극을 통해 인가된 전류의 분산이 원활하게 이루어질 수 있다. 또한, 발광 영역이 충분히 확보될 수 있으므로, 발광 효율이 개선될 수 있다. 더불어, 기판 분리 시 발생하는 스트레스 및 스트레인에 의한 발광 소자의 손상을 줄일 수 있다.According to the present invention, since the first groove portion exists over the upper portion of the first metal bulk and the upper portion of the second metal bulk, the current applied through the first electrode in the light emitting element can be smoothly dispersed. Further, since the light emitting region can be sufficiently secured, the light emitting efficiency can be improved. In addition, damage to the light emitting device due to stress and strain generated when the substrate is separated can be reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 일부분(I)을 확대한 확대도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도(a) 및 단면도(b)이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도(a) 및 단면도(b)이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도(a) 및 단면도(b)이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도(a) 및 단면도(b)이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도(a) 및 단면도(b)이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도(a) 및 단면도(b)이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도(a) 및 단면도(b)이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도(a) 및 단면도(b)이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도(a) 및 단면도(b)이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도(a) 및 단면도(b)이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 16는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a plan view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view of a portion I of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 and 4 are cross-sectional views illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view (a) and a cross-sectional view (b) illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
6 is a plan view (a) and a sectional view (b) for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
7 is a plan view (a) and a sectional view (b) for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
8 is a plan view (a) and a sectional view (b) for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
9 is a plan view (a) and a sectional view (b) for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
10 is a plan view (a) and a sectional view (b) for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
11 is a plan view (a) and a sectional view (b) for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
12 is a plan view (a) and a sectional view (b) for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
13 is a plan view (a) and a cross-sectional view (b) for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
14 is a plan view (a) and a sectional view (b) for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
15 is an exploded perspective view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a lighting device.
16 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.
17 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.
18 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a headlamp.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where another component is interposed between the two. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도들이다. 도 1은 발광 소자의 상부에서 내려다본 평면도이며, 도 2는 도 1의 발광 소자의 일부분을 설명하기 위한 확대도이다. 도 3은 도 1의 A-A'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다. 도 4는 도 1의 B-B'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다.1 to 4 are plan views and sectional views for explaining a light emitting device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a plan view of the light emitting device viewed from the top, and FIG. 2 is an enlarged view for explaining a part of the light emitting device of FIG. 3 shows a cross section of a portion corresponding to the line A-A 'in Fig. 4 shows a cross section of a portion corresponding to the line B-B 'in Fig.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광 소자는 발광 구조체(110), 제2 전극(120), 제1 전극(130), 절연층(140), 지지구조체(210)를 포함한다.1 to 4, the light emitting device includes a light emitting structure 110, a second electrode 120, a first electrode 130, an insulating layer 140, and a support structure 210.

발광 구조체(110)는 제1 도전형 반도체층(111), 제1 도전형 반도체층(111)의 하면에 위치하는 제2 도전형 반도체층(113), 제1 도전형 반도체층(111)과 제2 도전형 반도체층(113) 사이에 위치하는 활성층(112)을 포함한다. 제1 도전형 반도체층(111), 활성층(112) 및 제2 도전형 반도체층(113)은 Ⅲ-Ⅴ 계열 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 예를 들어, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(111)은 n형 불순물(예를 들어, Si)을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(113)은 p형 불순물(예를 들어, Mg)을 포함할 수 있다. 또한, 그 반대일 수도 있다. 활성층(112)은 다중양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있고, 원하는 피크 파장의 광을 방출하도록 그 조성비가 결정될 수 있다.The light emitting structure 110 includes a first conductive semiconductor layer 111, a second conductive semiconductor layer 113 disposed on the lower surface of the first conductive semiconductor layer 111, a first conductive semiconductor layer 111, And an active layer 112 located between the second conductivity type semiconductor layers 113. The first conductivity type semiconductor layer 111, the active layer 112 and the second conductivity type semiconductor layer 113 may include a III-V compound semiconductor and may include, for example, (Al, Ga, In) And may include the same nitride-based semiconductor. The first conductivity type semiconductor layer 111 may include an n-type impurity (for example, Si), and the second conductivity type semiconductor layer 113 may include a p-type impurity (for example, Mg) have. It may also be the opposite. The active layer 112 may comprise a multiple quantum well structure (MQW) and its composition ratio may be determined to emit light of a desired peak wavelength.

발광 구조체(110)는 제2 도전형 반도체층(113)과 활성층(112)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(111)을 노출시키는 적어도 하나 이상의 홈부(h)를 포함할 수 있다. 홈부(h)는 제2 도전형 반도체층(113) 및 활성층(112)이 부분적으로 제거되어 형성될 수 있다. 홈부(h)의 측면은 도 3 내지 도 4에 도시된 것처럼 경사 측면(D)을 포함할 수 있다. 홈부(h)의 경사 측면(D)은 활성층(112)에서 생성된 광의 추출 효율을 향상시킨다. 홈부(h)를 통해 후술할 제1 전극(130)이 제1 도전형 반도체층(111)과 전기적으로 접속할 수 있다.The light emitting structure 110 may include at least one groove h that exposes the first conductive semiconductor layer 111 through the second conductive semiconductor layer 113 and the active layer 112. The groove portion h may be formed by partially removing the second conductive type semiconductor layer 113 and the active layer 112. The side surface of the groove portion h may include the inclined side surface D as shown in Figs. The inclined side surface D of the groove portion h improves the extraction efficiency of the light generated in the active layer 112. The first electrode 130 to be described later can be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 111 through the trench h.

홈부(h)는 제1 홈부(h1)를 포함할 수 있다. 도 2를 참조하면, 제1 홈부(h1)는 제1 영역(h11), 제2 영역(h12) 및 연결부(h13)를 포함할 수 있다. 제2 영역(h12)은 제1 영역(h11)과 반대방향에 위치할 수 있으며, 따라서, 후술할 제1 전극(130) 중 제1 홈부(h1) 내에 위치한 부분이 제1 도전형 반도체층(111)과 긴 영역에서 접할 수 있으며, 발광 소자의 어느 한쪽으로 지나치게 치우치는 것을 방지할 수 있다. 그러므로, 전류 분산 효율이 향상될 수 있어서, 발광 효율이 개선될 수 있다. The groove portion h may include the first groove portion h1. Referring to FIG. 2, the first groove h1 may include a first region h11, a second region h12, and a connection portion h13. The second region h12 may be located in a direction opposite to the first region h11 so that a portion of the first electrode 130, which will be described later, located in the first trench h1, 111) in a long region, and it is possible to prevent the light emitting element from being excessively biased toward one of the light emitting elements. Therefore, the current dispersion efficiency can be improved, and the luminous efficiency can be improved.

제1 영역(h11)은 제2 영역(h12)보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(h11) 및/또는 제2 영역(h12)이 원형인 경우, 제1 영역(h11)의 반지름은 제2 영역(h12)의 반지름보다 클 수 있다. 이 경우, 후술할 제1 전극(130) 중 제1 영역(h11) 내에 위치한 제1 부(131)가 제2 영역(h12) 내에 위치한 제2 부(132)보다 클 수 있다. 따라서, 상대적으로 작은 제2 부(132)에 의해 발광 영역이 지나치게 좁혀지지 않는다. 또한, 상대적으로 큰 제1 영역(h11)에 의해, 제1 부(131)와 발광 구조체(110)가 넓은 영역에서 접할 수 있으며, 제1 부(131)와 제1 금속 벌크(211) 역시 넓은 영역에서 접할 수 있다. 결과적으로, 제1 부(131)와 발광 구조체(110)가 접하는 영역의 하부 수직 방향에는 충분한 넓이의 금속성 물질이 충분한 두께로 위치할 수 있다. 일반적으로 발광 소자로부터 기판이 제거될 시, 제1 금속 벌크(211)과 제2 금속 벌크(212) 사이에 위치한 절연부(213)의 상부와 인접한 발광 구조체(110)의 중심부 위주로 크랙(crack)이 발생하기 쉽다. 본 발명은 발광 구조체(110)의 중심부 하부에 금속성 물질이 넓고 두껍게 위치할 수 있으므로, 기판 분리 시, 발광 구조체(110)에 인가되는 스트레스 및 스트레인이 상기 금속성 물질에 의해 완화되어 발광 구조체(110)의 크랙이 방지될 수 있다. The first area h11 may be larger than the second area h12. For example, when the first area h11 and / or the second area h12 are circular, the radius of the first area h11 may be greater than the radius of the second area h12. In this case, the first portion 131 located in the first region h11 of the first electrode 130, which will be described later, may be larger than the second portion 132 located in the second region h12. Therefore, the light emitting region is not excessively narrowed by the relatively small second portion 132. The first portion 131 and the light emitting structure 110 can be in contact with each other over a wide area by the relatively large first region h11 and the first portion 131 and the first metal bulk 211 are also wide Area. As a result, a sufficient width of the metallic material may be located at a sufficient thickness in the lower vertical direction of the region where the first portion 131 and the light emitting structure 110 are in contact with each other. Generally, when the substrate is removed from the light emitting device, cracks are generated around the central portion of the light emitting structure 110 adjacent to the upper portion of the insulating portion 213 located between the first metal bulk 211 and the second metal bulk 212, . Since the metal material may be widely and thickly positioned in the lower portion of the center of the light emitting structure 110, stress and strain applied to the light emitting structure 110 may be relaxed by the metallic material during the substrate separation, Can be prevented.

홈부(h)는 적어도 하나 이상의 제2 홈부(h2)를 더 포함할 수 있다. 제2 홈부(h2)는 제1 전극(130)과 제1 도전형 반도체층(111)이 전기적으로 접속할 수 있는 영역을 늘릴 수 있다. 따라서, 전류 분산 효율을 향상시켜, 발광 효율이 개선될 수 있다. The groove portion h may further include at least one second groove portion h2. The second trench h2 can increase the area where the first electrode 130 and the first conductivity type semiconductor layer 111 can be electrically connected. Therefore, the current dispersion efficiency can be improved, and the luminous efficiency can be improved.

제1 전극(130)은 홈부(h) 내에 위치할 수 있다. 제1 전극(130)은 홈부(h)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(111) 하면에 위치할 수 있다. 따라서, 제1 전극(130)은 제1 도전형 반도체층(111)과 전기적으로 접속할 수 있다. 제1 전극(130)은 홈부(h)의 측면과 일정한 간격을 가지며 위치할 수 있다. 따라서, 제1 전극(130)이 활성층(112) 및 제2 도전형 반도체층(113)으로부터 전기적으로 절연될 수 있다. 제1 전극(130)과 홈부(h)의 측면 사이에 위치한 이격 공간은 후술할 절연층(140)에 의해 채워질 수 있다. 제1 전극(130)의 높이는 홈부(h)의 높이 이하일 수 있다. The first electrode 130 may be located in the groove h. The first electrode 130 may be located on the lower surface of the first conductive semiconductor layer 111 exposed by the trench h. Accordingly, the first electrode 130 can be electrically connected to the first conductive type semiconductor layer 111. [ The first electrode 130 may be spaced apart from the side surface of the groove h. Therefore, the first electrode 130 can be electrically insulated from the active layer 112 and the second conductive type semiconductor layer 113. The spacing space between the first electrode 130 and the side surface of the groove h may be filled with an insulating layer 140 to be described later. The height of the first electrode 130 may be equal to or less than the height of the groove h.

제1 전극(130)은 홈부(h)의 형태를 따라 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 1 및 2를 참조하면, 홈부(h)가 원형의 제1 영역(h11), 제2 영역(h12) 및 선형의 연결부(h13)를 가지는 경우, 제1 전극(130)도 상기 형태를 따라 원형의 부분들 및 선형의 부분을 가질 수 있다. The first electrode 130 may be formed along the shape of the groove h. 1 and 2, when the groove h has a circular first area h11, a second area h12, and a linear connection h13, the first electrode 130 And may have circular portions and linear portions along the above shape.

제1 전극(130) 중 제1 홈부(h1) 내에 위치하는 부분은 제1 부(131), 제2 부(132) 및 제3 부(133)를 포함할 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니나, 제1 부(131) 및 제2 부(132)는 원형일 수 있다. 이 경우, 제1 부(131)의 반지름(R1)은 약 22 내지 24㎛, 바람직하게는 23㎛일 수 있으며, 제2 부(132)의 반지름(R2)은 약 14 내지 16㎛, 바람직하게는 15㎛일 수 있다. 제2 부(132)는 제1 부(131)와 반대방향에 위치할 수 있다. 제1 부(131) 및 제2 부(132)가 원형인 경우, 기판 분리 시 발생하는 스트레스 및 스트레인이 제1 부(131) 및 제2 부(132)를 중심으로 고르게 분산될 수 있으므로, 발광 소자의 손상이 줄어들 수 있다.The portion of the first electrode 130 located within the first trench h1 may include a first portion 131, a second portion 132, and a third portion 133. Although not limited thereto, the first part 131 and the second part 132 may be circular. In this case, the radius R1 of the first portion 131 may be about 22 to 24 탆, preferably 23 탆, and the radius R2 of the second portion 132 may be about 14 to 16 탆, Lt; / RTI > The second portion 132 may be located in a direction opposite to the first portion 131. In the case where the first part 131 and the second part 132 are circular, the stress and strain generated during the separation of the substrate can be uniformly dispersed around the first part 131 and the second part 132, The damage of the device can be reduced.

제1 부(131)는 제2 부(132)보다 클 수 있다. 따라서, 발광 영역을 지나치게 좁히지 않으면서 전류 분산 효율을 향상시킬 수 있으므로, 발광 효율이 개선될 수 있다. 예를 들어, 제1 부(131) 및 제2 부(132)가 원형인 경우, 제1 부(131)의 반지름(R1)은 제2 부(132)의 반지름(R2)보다 클 수 있다. The first portion 131 may be larger than the second portion 132. Therefore, the efficiency of current dispersion can be improved without excessively narrowing the light emitting region, so that the light emitting efficiency can be improved. For example, when the first part 131 and the second part 132 are circular, the radius R1 of the first part 131 may be larger than the radius R2 of the second part 132. [

제3 부(133)는 제1 부 및 제2 부(131, 132)를 연결할 수 있다. 도 1을 참조하면, 제3 부(133)는 선형이며, 제1 부 및 제2 부(131, 132)의 사이에 위치할 수 있다. 제3 부(133)의 선폭(W)은 약 11 내지 13㎛일 수 있으며, 바람직하게는 12㎛일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 발광 소자 내 발광 영역이 충분히 확보될 수 있다.The third part 133 may connect the first part and the second part 131, 132. Referring to FIG. 1, the third part 133 is linear and may be positioned between the first and second parts 131 and 132. The line width W of the third portion 133 may be about 11 to 13 mu m, preferably 12 mu m. When the above range is satisfied, the light emitting region in the light emitting element can be sufficiently secured.

제1 전극(130)은 Al층과 같은 고반사 금속층을 포함할 수 있으며, 고반사 금속층은 Ti, Cr 또는 Ni 등의 접착층 상에 형성될 수 있다. 또한, 고반사 금속층 상에 Ni, Cr, Au 등의 단층 또는 복합층 구조의 보호층이 형성될 수 있다. 제1 전극(130)은 예컨대, Ti/Al/Ti/Ni/Au 의 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 전극(130)은 금속 물질을 증착하고, 이를 패터닝하여 형성될 수 있다.The first electrode 130 may include a highly reflective metal layer such as an Al layer and the highly reflective metal layer may be formed on an adhesive layer such as Ti, Cr, or Ni. Further, a protective layer of a single layer or a multiple layer structure such as Ni, Cr, Au or the like may be formed on the highly reflective metal layer. The first electrode 130 may have a multilayer structure of Ti / Al / Ti / Ni / Au, for example. The first electrode 130 may be formed by depositing a metal material and patterning the metal material.

제2 전극(120)은 제1 전극(130)으로부터 절연되고, 제2 도전형 반도체층(113) 하면에 위치할 수 있다. 제2 전극(120)은 제2 도전형 반도체층(113)과 전기적으로 접속될 수 있다. The second electrode 120 may be isolated from the first electrode 130 and may be located on the lower surface of the second conductive semiconductor layer 113. The second electrode 120 may be electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 113.

제2 전극(120)은 반사 금속층(121)을 포함하며, 나아가 장벽 금속층(122)을 포함할 수 있다. 장벽 금속층(122)는 반사 금속층(121)의 하면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 예컨대, 반사 금속층(121)의 패턴을 형성하고, 그 하면에 장벽 금속층(122)을 형성함으로써, 장벽 금속층(122)이 반사 금속층(121)의 하면을 덮도록 형성될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 장벽 금속층(122)이 반사 금속층(121)의 하면 및 측면을 덮을 수도 있다. 예를 들어, 반사 금속층(121)은 Ag, Ag 합금, Ni/Ag, NiZn/Ag, TiO/Ag층을 증착 및 패터닝하여 형성될 수 있다. 한편, 장벽 금속층(122)은 Ni, Cr, Ti, Pt, W 또는 그 복합층으로 형성될 수 있으며, 반사 금속층(121)의 금속 물질이 확산되거나 오염되는 것을 방지한다. 제2 전극(120)은 도전성 산화물(ITO, Indium tin oxide)를 포함할 수 있다. 도전성 산화물은 광투과율이 높은 금속 산화물로 이루어져서, 제2 전극(120)에 의한 광의 흡수를 억제하여 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제2 전극(120) 하면에 별도의 전극 커버층이 배치될 수 있다. 전극 커버층은 솔더 등의 접착성 물질이 제2 전극(120)으로 확산되는 것을 방지하는 역할을 한다. 전극 커버층은 제1 전극(130)과 동일한 재료일 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.The second electrode 120 includes a reflective metal layer 121 and may further include a barrier metal layer 122. The barrier metal layer 122 may cover at least a part of the lower surface of the reflective metal layer 121. The barrier metal layer 122 may be formed to cover the lower surface of the reflective metal layer 121 by forming a pattern of the reflective metal layer 121 and forming a barrier metal layer 122 thereon. However, the barrier metal layer 122 is not necessarily limited to this, and the barrier metal layer 122 may cover the lower surface and the side surface of the reflective metal layer 121. For example, the reflective metal layer 121 may be formed by depositing and patterning Ag, Ag alloy, Ni / Ag, NiZn / Ag, and TiO / Ag layers. On the other hand, the barrier metal layer 122 may be formed of Ni, Cr, Ti, Pt, W, or a composite layer thereof to prevent the metal material of the reflective metal layer 121 from being diffused or contaminated. The second electrode 120 may include a conductive oxide (ITO). The conductive oxide is made of a metal oxide having a high light transmittance, so that absorption of light by the second electrode 120 can be suppressed and luminous efficiency can be improved. A separate electrode cover layer may be disposed on the bottom surface of the second electrode 120. The electrode cover layer serves to prevent an adhesive material such as solder from diffusing into the second electrode 120. The electrode cover layer may be made of the same material as the first electrode 130, but is not limited thereto.

절연층(140)은 제1 전극(130)을 제2 전극(120)으로부터 절연시키며, 습기 등의 외부 오염물질로부터 발광 구조체(110)를 보호하는 역할을 한다. 절연층(140)은 제1 전극(130)의 하면과 측면 및 제2 전극(120)의 하면과 측면에 위치할 수 있다. 절연층(140)은 특정 영역에서 제1 도전형 반도체층(111) 및 제2 도전형 반도체층(113)에 전기적 접속을 허용하기 위한 개구부(140a, 140b)를 가질 수 있다. 예컨대, 절연층(140)은 제1 전극(130)을 노출시키는 제1 개구부(140a)와 제2 전극(120)을 노출시키는 제2 개구부(140b)를 가질 수 있다. 제1 개구부(140a) 및 제2 개구부(140b) 각각은 제1 금속 벌크(211) 및 제2 금속 벌크(212)에 의해 채워질 수 있다. 구체적으로, 도 1 내지 4를 참조하면, 개구부(140a)는 제1 부(131) 하면 및 제1 전극 중 제2 홈부(h2) 내에 위치한 부분의 하면에 위치할 수 있다. 절연층(140)은 SiO2 등의 산화막, SiNx 등의 질화막, MgF2의 절연막을 포함할 수 있다. 나아가 절연층(140)은 저굴절 물질층과 고굴절 물질층이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기(DBR)를 포함할 수 있다. 예컨대, SiO2/TiO2 나 SiO2/Nb2O5 등의 층을 적층함으로써 반사율이 높은 절연 반사층을 형성할 수 있다.The insulating layer 140 insulates the first electrode 130 from the second electrode 120 and protects the light emitting structure 110 from external contaminants such as moisture. The insulating layer 140 may be positioned on the lower surface and the side surface of the first electrode 130 and on the lower surface and the side surface of the second electrode 120. The insulating layer 140 may have openings 140a and 140b for allowing electrical connection to the first conductivity type semiconductor layer 111 and the second conductivity type semiconductor layer 113 in a specific region. For example, the insulating layer 140 may have a first opening 140a for exposing the first electrode 130 and a second opening 140b for exposing the second electrode 120. Each of the first opening 140a and the second opening 140b may be filled with a first metal bulk 211 and a second metal bulk 212. 1 to 4, the opening 140a may be located on the lower surface of the first portion 131 and a portion of the first electrode located in the second trench h2. The insulating layer 140 may include an oxide film such as SiO 2 , a nitride film such as SiN x, or an insulating film of MgF 2 . Further, the insulating layer 140 may include a distributed Bragg reflector (DBR) in which a low refractive material layer and a high refractive material layer are alternately laminated. For example, an insulating reflection layer having a high reflectance can be formed by laminating layers such as SiO 2 / TiO 2 and SiO 2 / Nb 2 O 5 .

본 실시예에 따른 발광 소자는 응력완충층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 응력완충층은 절연층(140)의 하면에 위치할 수 있다. 응력완충층과 절연부(213) 간의 접착성은 절연층(140)과 절연부(213) 간의 접착성보다 높을 수 있다. 따라서 절연부(213)가 절연층(140)의 하면에 형성되는 경우에 비해, 절연부(213)가 응력완충층 하면에 형성되면 계면에서의 분리 또는 박리가 발생할 확률을 매우 감소시킨다. 이에 따라, 절연부(213)의 박리에 의한 발광 소자의 파손을 방지하여, 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 상술한 효과를 갖는 응력완충층은 응력 완화 거동을 보이며, 나아가, 접착성 향상 효과를 갖는 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 응력완충층은 폴리이미드(polyimide), 테플론(Teflon), 벤조시클로부틴(BCB) 및 파릴린(parylene) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 특히, 응력완충층은 감광성 물질(예컨대, 폴리이미드)을 포함할 수 있고, 응력완충층이 감광성 물질을 포함하는 경우에 감광성 물질을 현상하는 과정만으로 응력완충층을 형성할 수 있다. 따라서, 별도의 추가적인 패터닝 공정이 생략될 수 있어, 발광 소자 제조 공정이 간소화될 수 있다. 응력완충층은 지지구조체(210)와 접할 수 있다. 응력완충층은 증착 및 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다. 나아가, 응력완충층과 절연층(140)은 동시에 패터닝될 수도 있다.The light emitting device according to the present embodiment may further include a stress buffer layer (not shown). The stress buffer layer may be located on the lower surface of the insulating layer 140. The adhesion between the stress buffer layer and the insulating portion 213 may be higher than the adhesion between the insulating layer 140 and the insulating portion 213. Therefore, as compared with the case where the insulating portion 213 is formed on the bottom surface of the insulating layer 140, if the insulating portion 213 is formed on the bottom surface of the stress buffer layer, the probability of separation or peeling at the interface is greatly reduced. Thus, breakage of the light emitting element due to peeling of the insulating portion 213 can be prevented, and reliability of the light emitting element can be improved. The stress buffer layer having the above-described effect exhibits a stress relaxation behavior and may further include an insulating material having an adhesiveness improving effect. For example, the stress buffer layer may include at least one of polyimide, Teflon, benzocyclobutyne (BCB), and parylene. In particular, the stress buffer layer may include a photosensitive material (e.g., polyimide), and when the stress buffer layer includes a photosensitive material, the stress buffer layer may be formed only by developing the photosensitive material. Therefore, a separate additional patterning process can be omitted, and the manufacturing process of the light emitting device can be simplified. The stress buffer layer may be in contact with the support structure 210. The stress buffer layer may be formed through a deposition and patterning process. Further, the stress buffer layer and the insulating layer 140 may be simultaneously patterned.

발광 구조체(110)는 거칠어진 표면(R)을 더 포함할 수 있다. 거칠어진 표면(R)은 습식 식각, 건식 식각, 전기화학 식각 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, PEC 식각 또는 KOH 및 NaOH를 포함하는 식각 용액을 이용한 식각 방법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(110)는 제1 도전형 반도체층(111)의 표면에 형성된 ㎛ 내지 nm 스케일의 돌출부 및/또는 오목부를 포함할 수 있다. 거칠어진 표면(R)에 의해 발광 구조체(110)에서 방출된 광의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.The light emitting structure 110 may further include a roughened surface (R). The roughened surface (R) can be formed using at least one of wet etching, dry etching, and electrochemical etching. For example, PEC etching or an etching method using an etching solution including KOH and NaOH . Accordingly, the light emitting structure 110 may include protrusions and / or recesses on the surface of the first conductivity type semiconductor layer 111 in the range of 탆 to nm scale. The light extraction efficiency of the light emitted from the light emitting structure 110 by the roughened surface R can be improved.

지지구조체(210)는 시드 금속(216), 제1 금속 벌크(211), 제2 금속 벌크(212), 절연부(213)를 포함하며, 나아가 제1 패드(214), 제2 패드(215) 및 절연지지체(217)를 더 포함할 수도 있다.The support structure 210 includes a seed metal 216, a first metal bulk 211, a second metal bulk 212 and an insulating portion 213 and further includes a first pad 214, a second pad 215 And an insulative support 217. [0050]

도 1 내지 4를 참조하면, 시드 금속(216)은 발광 구조체(110)의 하면에 위치할 수 있 수 있으며, 서로 이격되어 각각 제1 전극(130)의 하부 및 제2 전극(120)의 하부에 위치하여, 제1 전극(130) 및 제2 전극(120)에 각각 전기적으로 접속된다. 시드 금속(216)은 도금 시, 제1 금속 벌크(211)가 절연층(140)의 하면 및 제1 전극(130) 하면에 원활히 형성되고, 제2 금속 벌크(212)가 절연층(140)의 하면 및 제1 전극(130)의 하면에 원활히 형성될 수 있게 하며, UBM층(under bump metallization layer)과 같은 역할을 할 수 있다. 시드 금속(216)은 Ti, Cu, Au, Cr, Ni 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 시드 메탈은 Ti/Cu 적층 구조를 가질 수도 있다.1 through 4, the seed metal 216 may be positioned on the lower surface of the light emitting structure 110 and may be spaced apart from each other to form a lower portion of the first electrode 130 and a lower portion of the second electrode 120, And are electrically connected to the first electrode 130 and the second electrode 120, respectively. The seed metal 216 is smoothly formed on the lower surface of the insulating layer 140 and the lower surface of the first electrode 130 and the second metal bulk 212 is formed on the lower surface of the insulating layer 140, And can function as an under bump metallization layer (UBM layer). The seed metal 216 may include Ti, Cu, Au, Cr, Ni, and the like. For example, the seed metal may have a Ti / Cu laminated structure.

도 1 내지 4를 참조하면, 제1 금속 벌크(211) 및 제2 금속 벌크(212)는 발광 구조체(110) 하부에 위치할 수 있으며, 서로 이격되어 각각 제1 전극(130)의 하부 및 제2 전극(120)의 하부에 위치하여, 제1 전극(130) 및 제2 전극(120)에 각각 전기적으로 접속된다. 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)는 금속 물질로 형성되며, 그 두께가 발광 구조체(110)의 두께보다 일반적으로 큰 구성요소를 의미한다. 제1 금속 벌크(211) 및 제2 금속 벌크(212)는 수십㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다. 제1 금속 벌크(211) 및 제2 금속 벌크(212)는 개구부(140a, 140b)들을 통해 각각 제1 전극(130) 및 제2 전극(120)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 이를 통해 제1 도전형 반도체층(111) 및 제2 도전형 반도체층(113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)는 발광 구조체(110)에서 발생한 열을 외부로 효과적으로 방출시킬 수 있으며, 그 열팽창 계수가 발광 구조체(110)의 열팽창 계수와 유사한 물질을 포함할 수 있다. 제1 금속 벌크(211) 및 제2 금속 벌크(212)의 하면은 직사각형의 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 도 1에 도시되어 있듯, 다각형 형태일 수 있다. 또는, 제1 금속 벌크(211) 및 제2 금속 벌크(212)의 하면은 각각 서로 맞물린 일 측면을 가진 오목부 또는 볼록부를 포함할 수 있으며, 이 경우 외부 오염물질의 침투를 더 효과적으로 방지할 수 있다.1 to 4, the first metal bulk 211 and the second metal bulk 212 may be located under the light emitting structure 110 and may be spaced apart from each other to form a lower portion of the first electrode 130, And is electrically connected to the first electrode 130 and the second electrode 120, respectively. The first and second metal bulk 211 and 212 are formed of a metal material and mean a component whose thickness is generally larger than the thickness of the light emitting structure 110. The first metal bulk 211 and the second metal bulk 212 may have a thickness of several tens of micrometers or more. The first metal bulk 211 and the second metal bulk 212 may be electrically connected to the first electrode 130 and the second electrode 120 through the openings 140a and 140b, Type semiconductor layer 111 and the second conductivity type semiconductor layer 113, respectively. The first and second metal bulk 211 and 212 may effectively emit heat generated from the light emitting structure 110 to the outside and may include a material whose thermal expansion coefficient is similar to the thermal expansion coefficient of the light emitting structure 110 . The lower surface of the first metal bulk 211 and the lower surface of the second metal bulk 212 may be in the form of a rectangle but are not limited thereto and may be polygonal as shown in FIG. Alternatively, the lower surface of the first metal bulk 211 and the lower surface of the second metal bulk 212 may each include a concave or convex portion having one side engaged with each other. In this case, have.

제1 금속 벌크(211)는 제2 금속 벌크(212)보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 금속 벌크(211)의 면적은 제2 금속 벌크(212)의 면적보다 크며, 발광 구조체(110) 하면의 중심부를 덮을 수 있다. 일반적으로, 패키지 공정 등에서 개별 발광 소자를 이동시키는 경우, 발광 소자의 하단에 위치한 이젝터 핀(ejector pin)이 발광 소자 하면의 중심부를 밀어서 발광 소자가 상승되며, 밀어 올려진 발광 소자는 별도의 장비를 통해 이동된다. 따라서, 제1 금속 벌크(211)가 발광 구조체(110)의 하면의 중심부를 덮게 되는 경우, 발광 구조체(110)가 이젝터 핀과 직접적으로 접촉하는 것을 방지할 수 있으므로, 이젝터 핀에 의한 발광 소자의 손상을 줄일 수 있다. 또한, 제1 금속 벌크(211)가 상대적으로 크기 때문에, 제1 전극(130)의 제3 부(133)의 길이가 지나치게 길어지는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 발광 소자에 고전류가 인가될 시, 제1 전극(130)의 일부가 높은 저항으로 작용하는 것을 방지할 수 있으므로, 전류 분산 효율이 개선될 수 있다. 제1 영역(h11)은 제1 금속 벌크(211)의 상부에 형성될 수 있으며, 제2 영역(h12)은 제2 금속 벌크(212)의 상부에 형성될 수 있다. 따라서, 제1 전극(130)과 제1 도전형 반도체층(111)이 접하는 영역이 발광 소자의 어느 한쪽으로 지나치게 치우치지 않을 수 있으므로, 전류 분산 효율이 개선될 수 있다.The first metal bulk 211 may have a larger area than the second metal bulk 212. Specifically, the area of the first metal bulk 211 is larger than the area of the second metal bulk 212, and can cover the center of the lower surface of the light emitting structure 110. [ In general, when an individual light emitting element is moved in a packaging process or the like, an ejector pin located at a lower end of the light emitting element pushes a central portion of a light emitting element face to raise the light emitting element, Lt; / RTI > Therefore, when the first metal bulk 211 covers the central portion of the lower surface of the light emitting structure 110, the light emitting structure 110 can be prevented from directly contacting the ejector pin, Damage can be reduced. In addition, since the first metal bulk 211 is relatively large, the length of the third portion 133 of the first electrode 130 can be prevented from becoming excessively long. Therefore, when a high current is applied to the light emitting element, a part of the first electrode 130 can be prevented from acting as a high resistance, so that the current dispersion efficiency can be improved. The first region h11 may be formed on the first metal bulk 211 and the second region h12 may be formed on the second metal bulk 212. [ Therefore, the region where the first electrode 130 and the first conductivity type semiconductor layer 111 are in contact with each other may not be excessively shifted to either one of the light emitting devices, and the current dispersion efficiency can be improved.

절연부(213)는 제1 금속 벌크(211)와 제2 금속 벌크(212) 사이에 배치될 수 있다. 절연부(213)은 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)를 절연시켜 결과적으로 제1 전극 및 제2 전극(130, 120)을 절연시키며 제1 금속 벌크(211)와 제2 금속 벌크(212) 사이를 채워 내구성을 향상시키고, 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)의 열팽창 시 발생하는 스트레스를 완화시켜주는 역할을 한다. 또한, 도 3 및 4에 도시된 것처럼, 절연부(213)는 제1 금속 벌크(211)와 제2 금속 벌크(212) 사이 뿐만 아니라, 제1 금속 벌크(211)의 측면 및 제2 금속 벌크(212)의 측면에 위치하여, 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)를 감싸는 구조일 수 있다. 이를 통해, 외부의 오염물질이나 충격으로부터 발광 소자가 보호될 수 있다. 절연부(213)는 에폭시 몰딩 화합물(EMC)을 포함할 수 있다. 제1 패드(214) 및 제2 패드(215)가 제1 금속 벌크(211)의 하면과 제2 금속 벌크(212)의 하면에 위치하는 경우, 절연부(213)는 제1 패드(214)의 측면 및 제2 패드(215)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다.The insulating portion 213 may be disposed between the first metal bulk 211 and the second metal bulk 212. The insulating part 213 insulates the first and second metal bulk 211 and 212 and consequently insulates the first and second electrodes 130 and 120 and isolates the first metal bulk 211 and the second metal bulk 211, The first metal bulk 211 and the second metal bulk 212 are provided between the first metal bulk 211 and the second metal bulk 212 to relieve the stress generated during the thermal expansion of the first and second metal bulk 211 and 212. 3 and 4, the insulating portion 213 is formed between the first metal bulk 211 and the second metal bulk 212 as well as between the side of the first metal bulk 211 and the side of the second metal bulk 211, The first metal bulk 211 and the second metal bulk 212 may be disposed on the side surfaces of the first metal bulk 212 and the first metal bulk 211 and 212, respectively. Thereby, the light emitting element can be protected from external contaminants or impacts. The insulating portion 213 may include an epoxy molding compound (EMC). When the first pad 214 and the second pad 215 are located on the lower surface of the first metal bulk 211 and the lower surface of the second metal bulk 212, And the side surfaces of the second pads 215, as shown in FIG.

본 발명의 발광 소자는 절연지지체(217)를 더 포함할 수 있다. 절연지지체(217)는 절연부(213)의 하면, 제1 금속 벌크(211) 하면의 일부 영역 및 제2 금속 벌크(212) 하면의 일부 영역을 덮을 수 있다. 구체적으로, 절연지지체(217)는 제1 금속 벌크(211)의 하면과 제2 금속 벌크(211)의 하면을 각각 부분적으로 노출시키는 노출 영역들을 포함할 수 있다. 발광 소자가 솔더 등의 접착성 물질을 통해 회로기판에 실장될 시, 절연지지체(217)는 노출 영역들을 통해 솔더가 불필요하게 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 발광 소자가 제1 패드(214) 및 제2 패드(215)를 포함하는 경우, 제1 패드(214) 및 제2 패드(215)가 형성되는 위치를 지정해줄 수 있다. 절연지지체(217)는 포토 솔더 레지스트(photo solder resist)에 사용되는 일반적인 물질을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 절연지지체(217)는 절연부(213)와 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 이 경우, 절연부(213) 형성 시, 함께 형성될 수도 있다.The light emitting device of the present invention may further include an insulative support 217. The insulative support 217 may cover a lower surface of the insulating portion 213, a portion of the lower surface of the first metal bulk 211 and a portion of the lower surface of the second metal bulk 212. Specifically, the insulating support 217 may include exposed areas that partially expose the lower surface of the first metal bulk 211 and the lower surface of the second metal bulk 211, respectively. When the light emitting element is mounted on the circuit board through an adhesive material such as solder, the insulating support body 217 can prevent unnecessary dislodgement of the solder through the exposed regions. In addition, when the light emitting device includes the first pad 214 and the second pad 215, positions where the first pad 214 and the second pad 215 are formed can be specified. The insulating support 217 may be a general material used for a photo solder resist, but is not limited thereto. The insulating support 217 may be formed of the same material as that of the insulating portion 213. In this case, the insulating support 213 may be formed together.

본 발명의 발광 소자는 제1 패드(214) 및 제2 패드(215)를 더 포함할 수 있다. 제1 패드(214) 및 제2 패드(215)는 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)의 하면에 위치할 수 있다. 제1 패드(214) 및 제2 패드(215)는 솔더 등의 접착성 물질을 통해 발광 소자가 기판에 실장되는 경우, 소자의 외부 단자로 기능하며, 접착성 물질이 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)로 확산되는 것을 방지하는 역할을 한다. 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)는 Ni, Pd 등으로 형성될 수 있다. 제1 패드(214)와 제2 패드(215)의 간격은 제1 금속 벌크(211)와 제2 금속 벌크(212)의 간격보다 클 수 있다. 이 경우, 접착성 물질이 제1 패드(214)와 제2 패드(215)를 단락시키는 것이 효과적으로 방지되어, 발광 소자의 안정성이 개선될 수 있다. 제1 패드(214)와 제2 패드(215)의 가로 및 세로 길이는 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device of the present invention may further include a first pad 214 and a second pad 215. The first pad 214 and the second pad 215 may be located on the underside of the first and second metal bulk 211, 212. The first pad 214 and the second pad 215 function as external terminals of the device when the light emitting device is mounted on the substrate through an adhesive material such as solder and the adhesive material is applied to the first and second metal bulk (211, 212). The first and second metal bulk 211 and 212 may be formed of Ni, Pd, or the like. The distance between the first pad 214 and the second pad 215 may be greater than the distance between the first metal bulk 211 and the second metal bulk 212. In this case, shorting of the first pad 214 and the second pad 215 to the adhesive material is effectively prevented, and the stability of the light emitting element can be improved. The lengths of the first pad 214 and the second pad 215 may be the same, but the present invention is not limited thereto.

도 5 내지 도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들(a) 및 단면도들(b)이다. 도 5 내지 도 14의 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면 방향은 도 1 내지 도 4의 발광 소자를 설명하기 위한 도면 방향과 반대이다. 즉, 도 5 내지 도 14의 상하 방향은 도 1 내지 도 4의 상하 방향과 반대이다. 이하, 도 5 내지 도 14를 참조한 설명에 있어서 '상면' 및 '하면'은 도 5 내지 도 14에 국한된 표현이며, 도 1 내지 도 4의 '상면' 및 '하면'과 반대의 의미를 지닌다.5 to 14 are a plan view (a) and a cross-sectional view (b) illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention. The direction of the drawing for explaining the manufacturing method of the light emitting device of Figs. 5 to 14 is opposite to the drawing direction of the light emitting device of Figs. 1 to 4. That is, the vertical direction in Figs. 5 to 14 is opposite to the vertical direction in Figs. Hereinafter, in the description with reference to FIGS. 5 to 14, 'upper surface' and 'lower surface' are constructions defined in FIGS. 5 to 14 and have the opposite meaning to the 'upper surface' and the 'lower surface' in FIGS.

도 5를 참조하면, 기판(100) 상면에 제1 도전형 반도체층(111), 활성층(112), 및 제2 도전형 반도체층(113)이 순차적으로 형성된다. 기판(100)은 발광 구조체(110)를 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 기판(100)은 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판 등일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(111), 활성층(112), 및 제2 도전형 반도체층(113)은 금속유기화학 기상증착(MOCVD) 또는 분자선 에피택시(MBE) 등의 기술을 이용하여 기판(100) 상에 성장될 수 있다.Referring to FIG. 5, a first conductive semiconductor layer 111, an active layer 112, and a second conductive semiconductor layer 113 are sequentially formed on an upper surface of a substrate 100. The substrate 100 is not limited as long as it can grow the light emitting structure 110. For example, the substrate 100 may be a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a silicon substrate, a gallium nitride substrate, an aluminum nitride substrate, or the like. The first conductive semiconductor layer 111, the active layer 112 and the second conductive semiconductor layer 113 are formed on the substrate 100 using techniques such as metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE) ). ≪ / RTI >

도 6을 참조하면, 홈부(h)가 발광 구조체(110)에 형성될 수 있다. 구체적으로, 홈부(h)는 제1 도전형 반도체층(111)이 노출되도록 제2 도전형 반도체층(113) 및 활성층(112)이 패터닝됨으로써 형성될 수 있다. 홈부(h)의 측면은 포토레지스트 리플로우와 같은 기술을 사용함으로써 경사지게 형성될 수 있다. 이 때, 제1 홈부(h1)의 제1 영역(h11)은 제2 영역(h12) 보다 크게 형성되도록, 제2 도전형 반도체층(113) 및 활성층(112)이 패터닝될 수 있다.Referring to FIG. 6, a trench h may be formed in the light emitting structure 110. Specifically, the trench h may be formed by patterning the second conductive type semiconductor layer 113 and the active layer 112 so that the first conductive type semiconductor layer 111 is exposed. The side surface of the trench h may be formed obliquely by using a technique such as photoresist reflow. At this time, the second conductivity type semiconductor layer 113 and the active layer 112 may be patterned such that the first region h11 of the first trench h1 is larger than the second region h12.

도 7을 참조하면, 제2 전극(120)이 제2 도전형 반도체층(113) 상면에 형성될 수 있다. 구체적으로, 반사 금속층(121) 및 장벽 금속층(122)이 제2 도전형 반도체층(113) 상면에 형성될 수 있다. 반사 금속층(121) 및 장벽 금속층(122)은 전자선 증착법, 진공 증착법, 스퍼터법(sputter) 또는 금속유기화학 기상증착(MOCVD) 등의 기술을 이용하여 형성될 수 있다. 구체적으로, 반사 금속층(121)의 패턴이 먼저 형성된 뒤, 그 위에 장벽 금속층(122)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7, the second electrode 120 may be formed on the upper surface of the second conductive semiconductor layer 113. Specifically, the reflective metal layer 121 and the barrier metal layer 122 may be formed on the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 113. The reflective metal layer 121 and the barrier metal layer 122 may be formed using techniques such as electron beam evaporation, vacuum evaporation, sputtering, or metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). Specifically, a pattern of the reflective metal layer 121 may be formed first, and then a barrier metal layer 122 may be formed thereon.

도 8을 참조하면, 제1 전극(130)이 홈부(h) 내에 형성될 수 있다. 제1 전극(130)은 마스크를 사용하여 홈부(h)의 형태를 따라 형성될 수 있다. 제1 전극(130)은 전자선 증착법, 진공 증착법, 스퍼터법(sputter) 또는 금속유기화학 기상증착(MOCVD) 등의 기술을 이용하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 8, the first electrode 130 may be formed in the trench h. The first electrode 130 may be formed along the shape of the groove h using a mask. The first electrode 130 may be formed using techniques such as electron beam deposition, vacuum deposition, sputtering, or metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).

도 9를 참조하면, 절연층(140)은 제1 전극(130)의 상면과 측면 및 제2 전극(120)의 상면과 측면에 형성될 수 있다. 절연층(140)은 화학기상증착(CVD) 등의 기술을 사용하여 단일층 또는 다중층으로 형성될 수도 있다. 제1 개구부(140a)와 제2 개구부(140b)는 마스크를 사용하거나, 절연층(140) 증착 후 식각을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.Referring to FIG. 9, the insulating layer 140 may be formed on the top and side surfaces of the first electrode 130 and on the top and sides of the second electrode 120. The insulating layer 140 may be formed as a single layer or multiple layers using techniques such as chemical vapor deposition (CVD). The first opening 140a and the second opening 140b may be formed by using a mask or by etching after depositing the insulating layer 140, but are not limited thereto.

도 10 및 도 11을 참조하면, 시드 금속(216) 및 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)는 절연층(140)의 상부에 형성될 수 있다. 절연층(140)의 상면에 마스크를 형성하되, 상기 마스크는 절연부(213)가 형성되는 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고, 시드 금속(216), 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)가 형성되는 영역을 오픈시킨다. 구체적으로, 제1 홈부(h1)의 제1 영역(h11)의 상부는 마스크에 의해 오픈되므로, 제1 영역(h11)의 상부에 시드 금속(216) 및 제1 금속 벌크(211)가 형성될 수 있도록 위치가 지정될 수 있다. 다음, 마스크의 오픈 영역 내에 스퍼터법과 같은 방법으로 시드 금속(216)이 형성되며, 도금 공정을 통해 시드 금속(216) 상에 제1 금속 벌크(211) 및 제2 금속 벌크(212)가 형성된다. 이 후 식각 공정을 통해 마스크를 제거함으로써, 시드 금속(216), 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)가 원하는 형상으로 제공될 수 있다.10 and 11, the seed metal 216 and the first and second metal bulk 211 and 212 may be formed on the insulating layer 140. A mask is formed on the upper surface of the insulating layer 140. The mask masks a portion corresponding to a region where the insulating portion 213 is formed and forms a seed metal 216 and first and second metal bulk 211 and 212 ) Is formed. Specifically, since the upper portion of the first region h11 of the first trench h1 is opened by the mask, the seed metal 216 and the first metal bulk 211 are formed on the upper portion of the first region h11 The location can be specified. Next, a seed metal 216 is formed in an open region of the mask in the same manner as the sputtering method, and a first metal bulk 211 and a second metal bulk 212 are formed on the seed metal 216 through a plating process . The seed metal 216, the first and second metal bulk 211, 212 can then be provided in a desired shape by removing the mask through an etching process.

또 다른 방법으로써, 스크린 프린팅 방법을 이용하여 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)를 형성하는 경우는 다음과 같다. 제1 개구부(140a) 및 제2 개구부(140b)의 적어도 일부 상에, 스퍼터링과 같은 증착 및 패터닝 방식, 또는 증착 및 리프트 오프 방법을 통해 UBM층을 형성한다. 상기 UBM층은 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)가 형성될 영역 상에 형성될 수 있으며, (Ti 또는 TiW)층과 (Cu, Ni, Au 단일층 또는 조합)층을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 UBM층은 Ti/Cu 적층 구조를 가질 수 있다. 이어서, 마스크를 형성하되, 상기 마스크는 절연부(213)가 형성되는 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고, 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)가 형성되는 영역을 오픈한다. 이 경우에도, 제1 홈부(h1)의 제1 영역(h11)의 상부는 마스크에 의해 오픈되어 제1 금속 벌크(211)가 제1 영역(h11)의 상부에 형성될 수 있도록 한다. 다음, 스크린 프린팅 공정을 통해 Ag 페이스트, Au 페이스트, Cu 페이스트와 같은 물질을 상기 오픈 영역 내에 형성하고, 이를 경화시킨다. 이후 식각 공정을 통해 상기 마스크를 제거함으로써 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)가 제공될 수 있다.As another method, the first and second metal bulk 211 and 212 are formed using a screen printing method as follows. A UBM layer is formed on at least a part of the first opening 140a and the second opening 140b through a deposition and patterning method such as sputtering or a deposition and liftoff method. The UBM layer may be formed on a region where the first and second metal bulk 211 and 212 are to be formed and may include a (Ti or TiW) layer and a (Cu, Ni, Au single layer or a combination) have. For example, the UBM layer may have a Ti / Cu laminated structure. Next, a mask is formed, and the mask masks a portion corresponding to the region where the insulating portion 213 is formed, and opens the region where the first and second metal bulk 211 and 212 are formed. In this case also, the upper portion of the first region h11 of the first trench h1 is opened by the mask so that the first metal bulk 211 can be formed on the upper portion of the first region h11. Subsequently, a material such as an Ag paste, an Au paste, and a Cu paste is formed in the open area through a screen printing process, and is cured. The first and second metal bulk 211, 212 can then be provided by removing the mask through an etching process.

도 12를 참조하면, 절연부(213)가 제1 금속 벌크(211)와 제2 금속 벌크(212) 사이에 배치될 수 있다. 절연부(213)는 프린팅 또는 코팅 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 절연부(213)는 제1 금속 벌크(211)의 상면과 제2 금속 벌크(212)의 상면을 덮도록 코팅 될 수도 있으며, 이 경우, 절연부(213)의 상면은 래핑(lapping), 화학적 기계적 연마(CMP) 등을 통해 평탄화될 수 있고, 제1 및 제2 금속 벌크(211, 212)가 노출될 수 있다.Referring to FIG. 12, an insulating portion 213 may be disposed between the first metal bulk 211 and the second metal bulk 212. The insulating portion 213 may be formed through a printing or coating process or the like. The insulating portion 213 may be coated to cover the upper surface of the first metal bulk 211 and the upper surface of the second metal bulk 212. In this case, the upper surface of the insulating portion 213 may be lapping, Mechanical polishing (CMP), etc., and the first and second metal bulk 211, 212 can be exposed.

본 발명의 발광 소자가 절연지지체(217), 제1 패드(214) 및 제2 패드(215)를 더 포함하는 경우, 도 13 및 도 14는 절연지지체(217), 제1 패드(214) 및 제2 패드(215)의 형성 방법을 보여준다. 도 13에 따르면, 절연지지체(217)는 절연부(213)의 상면에 프린팅 또는 코팅 공정 등을 통해 형성될 수 있으며, 마스크 등을 이용하여 제1 금속 벌크(211)의 상면의 일부 영역 및 제2 금속 벌크(212)의 상면의 일부 영역을 오픈시킬 수 있다. 도 14를 참조하면, 제1 패드(214) 및 제2 패드(215)는 전자선 증착법, 진공 증착법, 스퍼터법(sputter) 또는 금속유기화학 기상증착(MOCVD)를 통해 제1 금속 벌크(214)의 상면 및 제2 금속 벌크(215)의 상면에 형성될 수 있다. 나아가, 제1 패드(214) 및 제2 패드(215)는 마스크 등을 통해 오픈된 제1 금속 벌크(214)의 상면의 노출 영역 및 제2 금속 벌크(215)의 상면의 노출 영역에 한해 형성될 수 있다.13 and 14 illustrate the case where the light emitting device of the present invention further includes the insulating support 217, the first pad 214 and the second pad 215, A method of forming the second pad 215 is shown. 13, the insulating support 217 may be formed on the upper surface of the insulating portion 213 through a printing process or a coating process, and a portion of the upper surface of the first metal bulk 211, A part of the upper surface of the second metal bulk 212 can be opened. 14, the first pad 214 and the second pad 215 may be formed on the first metal bulk 214 through an electron beam evaporation method, a vacuum evaporation method, a sputtering method, or a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. And the upper surface of the second metal bulk 215. The first pad 214 and the second pad 215 are formed only in the exposed region of the upper surface of the first metal bulk 214 opened through the mask or the like and the exposed region of the upper surface of the second metal bulk 215 .

기판(100)은 지지구조체(210)가 형성된 후, 레이저 리프트 오프(laser lift off) 등의 공지의 기술을 이용하여 발광 구조체(110)로부터 분리되어 제거될 수 있다.The substrate 100 may be removed from the light emitting structure 110 using a known technique such as laser lift off after the support structure 210 is formed.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.15 is an exploded perspective view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a lighting device.

도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 조명 장치는, 확산 커버(1010), 발광 소자 모듈(1020) 및 바디부(1030)를 포함한다. 바디부(1030)는 발광 소자 모듈(1020)을 수용할 수 있고, 확산 커버(1010)는 발광 소자 모듈(1020)의 상부를 커버할 수 있도록 바디부(1030) 상에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 15, the illumination device according to the present embodiment includes a diffusion cover 1010, a light emitting device module 1020, and a body part 1030. The body 1030 may receive the light emitting module 1020 and the diffusion cover 1010 may be disposed on the body 1030 to cover the upper portion of the light emitting module 1020.

바디부(1030)는 발광 소자 모듈(1020)을 수용 및 지지하여, 발광 소자 모듈(1020)에 전기적 전원을 공급할 수 있는 형태이면 제한되지 않는다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 바디부(1030)는 바디 케이스(1031), 전원 공급 장치(1033), 전원 케이스(1035), 및 전원 접속부(1037)를 포함할 수 있다. The body part 1030 is not limited as long as it can receive and support the light emitting element module 1020 and supply the electric power to the light emitting element module 1020. For example, as shown, the body portion 1030 may include a body case 1031, a power supply 1033, a power supply case 1035, and a power connection 1037. [

전원 공급 장치(1033)는 전원 케이스(1035) 내에 수용되어 발광 소자 모듈(1020)과 전기적으로 연결되며, 적어도 하나의 IC칩을 포함할 수 있다. 상기 IC칩은 발광 소자 모듈(1020)로 공급되는 전원의 특성을 조절, 변환 또는 제어할 수 있다. 전원 케이스(1035)는 전원 공급 장치(1033)를 수용하여 지지할 수 있고, 전원 공급 장치(1033)가 그 내부에 고정된 전원 케이스(1035)는 바디 케이스(1031)의 내부에 위치할 수 있다. 전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035)의 하단에 배치되어, 전원 케이스(1035)와 결속될 수 있다. 이에 따라, 전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035) 내부의 전원 공급 장치(1033)와 전기적으로 연결되어, 외부 전원이 전원 공급 장치(1033)에 공급될 수 있는 통로 역할을 할 수 있다.The power supply unit 1033 is accommodated in the power supply case 1035 and is electrically connected to the light emitting device module 1020, and may include at least one IC chip. The IC chip may control, convert, or control the characteristics of the power supplied to the light emitting device module 1020. The power supply case 1035 can receive and support the power supply device 1033 and the power supply case 1035 in which the power supply device 1033 is fixed can be located inside the body case 1031 . The power connection portion 115 is disposed at the lower end of the power source case 1035 and can be connected to the power source case 1035. [ The power connection unit 115 may be electrically connected to the power supply unit 1033 in the power supply case 1035 and may serve as a path through which external power may be supplied to the power supply unit 1033. [

발광 소자 모듈(1020)은 기판(1023) 및 기판(1023) 상에 배치된 발광 소자(1021)를 포함한다. 발광 소자 모듈(1020)은 바디 케이스(1031) 상부에 마련되어 전원 공급 장치(1033)에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting element module 1020 includes a substrate 1023 and a light emitting element 1021 disposed on the substrate 1023. The light emitting device module 1020 is provided on the body case 1031 and can be electrically connected to the power supply device 1033.

기판(1023)은 발광 소자(1021)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 배선을 포함하는 인쇄회로기판일 수 있다. 기판(1023)은 바디 케이스(1031)에 안정적으로 고정될 수 있도록, 바디 케이스(1031) 상부의 고정부에 대응하는 형태를 가질 수 있다. 발광 소자(1021)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The substrate 1023 is not limited as long as it is a substrate capable of supporting the light emitting element 1021, and may be, for example, a printed circuit board including wiring. The substrate 1023 may have a shape corresponding to the fixing portion on the upper portion of the body case 1031 so as to be stably fixed to the body case 1031. [ The light emitting device 1021 may include at least one of the light emitting devices according to the embodiments of the present invention described above.

확산 커버(1010)는 발광 소자(1021) 상에 배치되되, 바디 케이스(1031)에 고정되어 발광 소자(1021)를 커버할 수 있다. 확산 커버(1010)는 투광성 재질을 가질 수 있으며, 확산 커버(1010)의 형태 및 광 투과성을 조절하여 조명 장치의 지향 특성을 조절할 수 있다. 따라서 확산 커버(1010)는 조명 장치의 이용 목적 및 적용 태양에 따라 다양한 형태로 변형될 수 있다.The diffusion cover 1010 is disposed on the light emitting element 1021 and may be fixed to the body case 1031 to cover the light emitting element 1021. [ The diffusion cover 1010 may have a light-transmitting material and may control the shape and the light transmittance of the diffusion cover 1010 to control the directivity characteristics of the illumination device. Accordingly, the diffusion cover 1010 can be modified into various forms depending on the purpose and application of the illumination device.

도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다. 16 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.

본 실시예의 디스플레이 장치는 표시패널(2110), 표시패널(2110)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU1) 및, 상기 표시패널(2110)의 하부 가장자리를 지지하는 패널 가이드(2100)를 포함한다.The display device of this embodiment includes a display panel 2110, a backlight unit BLU1 for providing light to the display panel 2110 and a panel guide 2100 for supporting the lower edge of the display panel 2110. [

표시패널(2110)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(2110)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB(2112, 2113)는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다.The display panel 2110 is not particularly limited and may be, for example, a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer. At the edge of the display panel 2110, a gate driving PCB for supplying a driving signal to the gate line may be further disposed. Here, the gate driving PCBs 2112 and 2113 are not formed on a separate PCB, but may be formed on a thin film transistor substrate.

백라이트 유닛(BLU1)은 적어도 하나의 기판(2150) 및 복수의 발광 소자(2160)를 포함하는 광원 모듈을 포함한다. 나아가, 백라이트 유닛(BLU1)은 바텀커버(2180), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 더 포함할 수 있다.The backlight unit (BLU1) includes a light source module including at least one substrate (2150) and a plurality of light emitting elements (2160). Further, the backlight unit BLU1 may further include a bottom cover 2180, a reflection sheet 2170, a diffusion plate 2131, and optical sheets 2130. [

바텀커버(2180)는 상부로 개구되어, 기판(2150), 발광 소자(2160), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 수납할 수 있다. 또한, 바텀커버(2180)는 패널 가이드(2100)와 결합될 수 있다. 기판(2150)은 반사 시트(2170)의 하부에 위치하여, 반사 시트(2170)에 둘러싸인 형태로 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 반사 물질이 표면에 코팅된 경우에는 반사 시트(2170) 상에 위치할 수도 있다. 또한, 기판(2150)은 복수로 형성되어, 복수의 기판(2150)들이 나란히 배치된 형태로 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 단일의 기판(2150)으로 형성될 수도 있다.The bottom cover 2180 is open at the top and can accommodate the substrate 2150, the light emitting element 2160, the reflection sheet 2170, the diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130. In addition, the bottom cover 2180 can be engaged with the panel guide 2100. The substrate 2150 may be disposed under the reflective sheet 2170 and surrounded by the reflective sheet 2170. However, the present invention is not limited thereto, and it may be placed on the reflective sheet 2170 when the reflective material is coated on the surface. In addition, a plurality of substrates 2150 may be arranged so that a plurality of substrates 2150 are arranged side by side, but it is not limited thereto and may be formed as a single substrate 2150.

발광 소자(2160)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 발광 소자(2160)들은 기판(2150) 상에 일정한 패턴으로 규칙적으로 배열될 수 있다. 또한, 각각의 발광 소자(2160) 상에는 렌즈(2210)가 배치되어, 복수의 발광 소자(2160)들로부터 방출되는 광을 균일성을 향상시킬 수 있다.The light emitting device 2160 may include at least one of the light emitting devices according to the embodiments of the present invention described above. The light emitting elements 2160 may be regularly arranged on the substrate 2150 in a predetermined pattern. In addition, a lens 2210 is disposed on each light emitting element 2160, so that the uniformity of light emitted from the plurality of light emitting elements 2160 can be improved.

확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)은 발광 소자(2160) 상에 위치한다. 발광 소자(2160)로부터 방출된 광은 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 거쳐 면 광원 형태로 표시패널(2110)로 공급될 수 있다. The diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130 are placed on the light emitting element 2160. The light emitted from the light emitting element 2160 may be supplied to the display panel 2110 in the form of a surface light source via the diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자는 본 실시예와 같은 직하형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.As described above, the light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to the direct-type display device as in the present embodiment.

도 17은 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다. 17 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment is applied to a display device.

본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 구비된 디스플레이 장치는 영상이 디스플레이되는 표시패널(3210), 표시패널(3210)의 배면에 배치되어 광을 조사하는 백라이트 유닛(BLU2)을 포함한다. 나아가, 상기 디스플레이 장치는, 표시패널(3210)을 지지하고 백라이트 유닛(BLU2)이 수납되는 프레임(240) 및 상기 표시패널(3210)을 감싸는 커버(3240, 3280)를 포함한다.The display device having the backlight unit according to the present embodiment includes a display panel 3210 on which an image is displayed, and a backlight unit BLU2 disposed on the back surface of the display panel 3210 to emit light. The display device further includes a frame 240 supporting the display panel 3210 and storing the backlight unit BLU2 and covers 3240 and 3280 surrounding the display panel 3210. [

표시패널(3210)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(3210)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다. 표시패널(3210)은 그 상하부에 위치하는 커버(3240, 3280)에 의해 고정되며, 하부에 위치하는 커버(3280)는 백라이트 유닛(BLU2)과 결속될 수 있다.The display panel 3210 is not particularly limited and may be, for example, a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer. At the edge of the display panel 3210, a gate driving PCB for supplying a driving signal to the gate line may be further disposed. Here, the gate driving PCB may not be formed on a separate PCB, but may be formed on the thin film transistor substrate. The display panel 3210 is fixed by the covers 3240 and 3280 located at the upper and lower portions thereof and the cover 3280 located at the lower portion can be engaged with the backlight unit BLU2.

표시패널(3210)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU2)은 상면의 일부가 개구된 하부 커버(3270), 하부 커버(3270)의 내부 일 측에 배치된 광원 모듈 및 상기 광원 모듈과 나란하게 위치되어 점광을 면광으로 변환하는 도광판(3250)을 포함한다. 또한, 본 실시예의 백라이트 유닛(BLU2)은 도광판(3250) 상에 위치되어 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들(3230), 도광판(3250)의 하부에 배치되어 도광판(3250)의 하부방향으로 진행하는 광을 표시패널(3210) 방향으로 반사시키는 반사시트(3260)를 더 포함할 수 있다.The backlight unit BLU2 for providing light to the display panel 3210 includes a lower cover 3270 partially opened on the upper surface thereof, a light source module disposed on one side of the inner side of the lower cover 3270, And a light guide plate 3250 for converting the light into the plane light. The backlight unit BLU2 of the present embodiment is disposed on the light guide plate 3250 and includes optical sheets 3230 for diffusing and condensing light, a light guide plate 3250 disposed below the light guide plate 3250, And a reflective sheet 3260 that reflects the light toward the display panel 3210. [

광원 모듈은 기판(3220) 및 상기 기판(3220)의 일면에 일정 간격으로 이격되어 배치된 복수의 발광 소자(3110)를 포함한다. 기판(3220)은 발광 소자(3110)를 지지하고 발광 소자(3110)에 전기적으로 연결된 것이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판일 수 있다. 발광 소자(3110)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자를 적어도 하나 포함할 수 있다. 광원 모듈로부터 방출된 광은 도광판(3250)으로 입사되어 광학 시트들(3230)을 통해 표시패널(3210)로 공급된다. 도광판(3250) 및 광학 시트들(3230)을 통해, 발광 소자(3110)들로부터 방출된 점 광원이 면 광원으로 변형될 수 있다.The light source module includes a substrate 3220 and a plurality of light emitting devices 3110 disposed on a surface of the substrate 3220 at predetermined intervals. The substrate 3220 is not limited as long as it supports the light emitting element 3110 and is electrically connected to the light emitting element 3110, for example, it may be a printed circuit board. The light emitting device 3110 may include at least one light emitting device according to the embodiments of the present invention described above. The light emitted from the light source module is incident on the light guide plate 3250 and is supplied to the display panel 3210 through the optical sheets 3230. Through the light guide plate 3250 and the optical sheets 3230, the point light source emitted from the light emitting elements 3110 can be transformed into a surface light source.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자는 본 실시예와 같은 에지형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.As described above, the light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to the edge display device as in the present embodiment.

도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.18 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a headlamp.

도 18을 참조하면, 상기 헤드 램프는, 램프 바디(4070), 기판(4020), 발광 소자(4010) 및 커버 렌즈(4050)를 포함한다. 나아가, 상기 헤드 램프는, 방열부(4030), 지지랙(4060) 및 연결 부재(4040)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 18, the head lamp includes a lamp body 4070, a substrate 4020, a light emitting element 4010, and a cover lens 4050. Furthermore, the head lamp may further include a heat dissipating unit 4030, a support rack 4060, and a connecting member 4040.

기판(4020)은 지지랙(4060)에 의해 고정되어 램프 바디(4070) 상에 이격 배치된다. 기판(4020)은 발광 소자(4010)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판과 같은 도전 패턴을 갖는 기판일 수 있다. 발광 소자(4010)는 기판(4020) 상에 위치하며, 기판(4020)에 의해 지지 및 고정될 수 있다. 또한, 기판(4020)의 도전 패턴을 통해 발광 소자(4010)는 외부의 전원과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광 소자(4010)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자를 적어도 하나 포함할 수 있다. Substrate 4020 is fixed by support rack 4060 and is spaced apart on lamp body 4070. The substrate 4020 is not limited as long as it can support the light emitting element 4010, and may be a substrate having a conductive pattern such as a printed circuit board. The light emitting element 4010 is located on the substrate 4020 and can be supported and fixed by the substrate 4020. [ Also, the light emitting device 4010 may be electrically connected to an external power source through the conductive pattern of the substrate 4020. In addition, the light emitting device 4010 may include at least one light emitting device according to the embodiments of the present invention described above.

커버 렌즈(4050)는 발광 소자(4010)로부터 방출되는 광이 이동하는 경로 상에 위치한다. 예컨대, 도시된 바와 같이, 커버 렌즈(4050)는 연결 부재(4040)에 의해 발광 소자(4010)로부터 이격되어 배치될 수 있고, 발광 소자(4010)로부터 방출된 광을 제공하고자하는 방향에 배치될 수 있다. 커버 렌즈(4050)에 의해 헤드 램프로부터 외부로 방출되는 광의 지향각 및/또는 색상이 조절될 수 있다. 한편, 연결 부재(4040)는 커버 렌즈(4050)를 기판(4020)과 고정시킴과 아울러, 발광 소자(4010)를 둘러싸도록 배치되어 발광 경로(4045)를 제공하는 광 가이드 역할을 할 수도 있다. 이때, 연결 부재(4040)는 광 반사성 물질로 형성되거나, 광 반사성 물질로 코팅될 수 있다. 한편, 방열부(4030)는 방열핀(4031) 및/또는 방열팬(4033)을 포함할 수 있고, 발광 소자(4010) 구동 시 발생하는 열을 외부로 방출시킨다.The cover lens 4050 is located on the path through which light emitted from the light emitting element 4010 travels. For example, as shown, the cover lens 4050 may be disposed apart from the light emitting device 4010 by the connecting member 4040, and may be disposed in a direction in which light is to be emitted from the light emitting device 4010 . The directional angle and / or color of the light emitted from the headlamp to the outside by the cover lens 4050 can be adjusted. The connecting member 4040 may serve as a light guide for fixing the cover lens 4050 to the substrate 4020 and for arranging the light emitting element 4010 to provide the light emitting path 4045. [ At this time, the connection member 4040 may be formed of a light reflective material or may be coated with a light reflective material. The heat dissipation unit 4030 may include a heat dissipation fin 4031 and / or a heat dissipation fan 4033 to dissipate heat generated when the light emitting device 4010 is driven.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자는 본 실시예와 같은 헤드 램프, 특히, 차량용 헤드 램프에 적용될 수 있다.
As described above, the light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to a head lamp, particularly, a headlamp for a vehicle as in the present embodiment.

Claims (8)

제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층의 하면에 위치하는 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층을 노출시키는 복수개의 홈부를 포함하는 발광 구조체;
상기 홈부 내에 위치하며, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 접속하는 제1 전극;
상기 제1 전극으로부터 절연되고, 상기 제2 도전형 반도체층의 하면에 위치하며, 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 접속하는 제2 전극;
상기 제1 전극의 하면과 측면 및 상기 제2 전극의 하면과 측면에 위치하며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 각각 노출시키는 개구부들을 갖는 절연층;
상기 절연층의 하면 및 측면에 서로 이격되어 위치하고, 상기 개구부들을 통해 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 각각 전기적으로 연결된 제1 금속 벌크, 제2 금속 벌크 및 상기 제1 금속 벌크의 측면 및 상기 제2 금속 벌크의 측면에 배치된 절연부를 포함하는 지지구조체를 포함하며,
상기 홈부는 제1 홈부를 포함하며,
상기 제1 홈부는 제1 영역, 제2 영역 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 연결하는 연결부를 포함하며,
상기 제1 영역은 상기 제1 금속 벌크의 상부에 위치하며, 상기 제2 영역은 상기 제2 금속 벌크의 상부에 위치하는 발광 소자.A second conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer disposed on a lower surface of the first conductivity type semiconductor layer, an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, A light emitting structure including a conductivity type semiconductor layer and a plurality of trenches penetrating the active layer to expose the first conductivity type semiconductor layer;
A first electrode located in the groove and electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
A second electrode that is insulated from the first electrode and is disposed on a lower surface of the second conductive type semiconductor layer and is electrically connected to the second conductive type semiconductor layer;
An insulating layer disposed on a lower surface and a side surface of the first electrode and a lower surface and a side surface of the second electrode and having openings exposing the first electrode and the second electrode, respectively;
A first metal bulk and a second metal bulk electrically connected to the first electrode and the second electrode via the openings, a side surface of the first metal bulk and a side surface of the first metal bulk, A support structure comprising an insulating portion disposed on a side of the second metal bulk,
Wherein the groove portion includes a first groove portion,
Wherein the first groove portion includes a first region, a second region, and a connection portion connecting the first region and the second region,
Wherein the first region is located on top of the first metal bulk and the second region is located on top of the second metal bulk. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 홈부의 측면과 이격되고, 상기 홈부의 형태를 따라 형성된 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode is spaced apart from a side surface of the groove portion and is formed along the shape of the groove portion. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 홈부의 측면은 일정한 간격으로 이격된 발광 소자.The method of claim 2,
And the side surfaces of the first electrode and the groove are spaced apart from each other by a predetermined distance. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 영역은 상기 제2 영역보다 큰 발광 소자.The method of claim 2,
Wherein the first region is larger than the second region. 청구항 4에 있어서,
상기 제1 및 제2 영역은 원형인 발광 소자.The method of claim 4,
Wherein the first and second regions are circular. 청구항 1에 있어서,
상기 홈부는 제1 금속 벌크 상부에 위치한 적어도 하나 이상의 제2 홈부를 더 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the groove portion further comprises at least one second groove portion located above the first metal bulk. 청구항 6에 있어서,
상기 제2 홈부와 상기 제2 금속 벌크 간의 간격은 상기 제1 영역과 상기 제2 금속 벌크 간의 간격보다 큰 발광 소자.The method of claim 6,
Wherein an interval between the second trench and the second metal bulk is larger than an interval between the first region and the second metal bulk. 청구항 6에 있어서,
상기 제2 홈부는 원형인 발광 소자.
The method of claim 6,
And the second groove portion is circular.
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