KR102546262B1 - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

발광 소자가 개시된다. 발광 소자는 제1 및 제2 도전형 반도체층과 활성층을 포함하는 발광 구조체, 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극, 제2 컨택 전극 상에 위치하는 연결 전극, 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 절연층; 절연층 상에 배치되어 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극, 제1 벌크 전극과 전기적으로 연결되는 하면 및 하면과 마주하는 상면을 포함하는 제1 패드 전극; 제2 벌크 전극과 전기적으로 연결되는 하면 및 하면과 마주하는 상면을 포함하는 제2 패드 전극; 및 발광 구조체의 측면의 적어도 일부를 덮는 절연지지체를 포함하고, 절연 지지체는 광 산란 입자를 포함하며, 절연층은 제1 컨택 전극 및 연결 전극을 각각 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부를 포함하고, 제1 패드 전극의 상면과 제2 패드 전극의 상면은 나란하게 형성된다.A light emitting device is disclosed. The light emitting element is formed on a light emitting structure including first and second conductivity type semiconductor layers and an active layer, a first contact electrode and a second contact electrode making ohmic contact with the first and second conductivity type semiconductor layers, and a second contact electrode, respectively. an insulating layer partially covering the connecting electrode and the first and second contact electrodes; A first pad including a first bulk electrode and a second bulk electrode disposed on the insulating layer and electrically connected to each of the first and second contact electrodes, a lower surface electrically connected to the first bulk electrode, and an upper surface facing the lower surface electrode; a second pad electrode including a lower surface electrically connected to the second bulk electrode and an upper surface facing the lower surface; and an insulating support covering at least a portion of a side surface of the light emitting structure, wherein the insulating support includes light scattering particles, and the insulating layer includes a first opening and a second opening exposing the first contact electrode and the connection electrode, respectively; , The top surface of the first pad electrode and the top surface of the second pad electrode are formed side by side.

Description

발광 소자{LIGHT EMITTING DEVICE}Light emitting device {LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 특히, 기계적 안정성 및 열 방출 효율이 향상된 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device having improved mechanical stability and heat dissipation efficiency.

최근 소형 고출력 발광 소자에 대한 요구가 증가하면서, 방열 효율이 우수한 대면적 플립칩형 발광 소자의 수요가 증가하고 있다. 플립칩형 발광 소자의 전극은 직접 2차 기판에 접합되며, 또한 플립칩형 발광 소자에 외부 전원을 공급하기 위한 와이어를 이용하지 않으므로, 수평형 발광 소자에 비해 열 방출 효율이 매우 높다. 따라서 고밀도 전류를 인가하더라도 효과적으로 열을 2차 기판 측으로 전도시킬 수 있어서, 플립칩형 발광 소자는 고출력 발광원으로 적합하다.Recently, as the demand for small high-power light emitting devices increases, the demand for large-area flip-chip type light emitting devices with excellent heat dissipation efficiency is increasing. Electrodes of the flip chip type light emitting device are directly bonded to the secondary substrate, and since a wire for supplying external power to the flip chip type light emitting device is not used, heat dissipation efficiency is very high compared to a horizontal type light emitting device. Therefore, even if a high-density current is applied, heat can be effectively conducted toward the secondary substrate, and thus the flip chip type light emitting device is suitable as a high-power light emitting source.

또한, 발광 소자의 소형화 및 고출력을 위하여, 발광 소자를 별도의 하우징 등에 패키징하는 공정을 생략하고, 발광 소자 자체를 패키지로서 이용하는 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)에 대한 요구가 증가하고 있다. 특히, 플립칩형 발광 소자의 전극은 패키지의 리드와 유사한 기능을 할 수 있어서, 이러한 칩 스케일 패키지에 있어서도 유용하게 플립칩형 발광 소자가 적용될 수 있다.In addition, for miniaturization and high output of the light emitting device, there is an increasing demand for a chip scale package using the light emitting device itself as a package, omitting a process of packaging the light emitting device in a separate housing. In particular, since the electrode of the flip chip type light emitting device can perform a similar function to the lead of the package, the flip chip type light emitting device can be usefully applied even in such a chip scale package.

이러한 칩 스케일 패키지 형태의 소자를 고출력 발광 장치로서 이용하는 경우, 상기 칩 스케일 패키지에 고밀도의 전류가 인가된다. 고밀도의 전류가 인가되면, 그만큼 발광 칩으로부터 발생하는 열도 증가한다. 이러한 열은 발광 소자에 열적 스트레스를 발생시키고, 열 팽창 계수가 서로 다른 물질들 간의 계면에서 발생하는 응력 및 이로 인한 잔류 응력을 발생시킨다. When such a chip-scale package type device is used as a high-power light emitting device, a high-density current is applied to the chip-scale package. When a high-density current is applied, heat generated from the light emitting chip also increases accordingly. This heat generates thermal stress in the light emitting device, stress generated at interfaces between materials having different thermal expansion coefficients, and residual stress resulting therefrom.

특히, 이러한 응력에 의해 전극들의 사이에 크랙이 발생하면 발광 소자의 파괴가 발생할 확률이 높아, 발광 소자의 불량을 야기한다. 따라서 고출력 발광 장치에 적용되는 발광 소자는 높은 열 방출 효율 및 우수한 기계적 안정성이 요구된다.In particular, when cracks occur between electrodes due to such stress, the light emitting element is highly likely to be destroyed, resulting in defects in the light emitting element. Therefore, a light emitting device applied to a high power light emitting device requires high heat dissipation efficiency and excellent mechanical stability.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기계적 안정성이 우수하여, 파괴(failure) 확률이 감소된 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting device with excellent mechanical stability and reduced probability of failure and a manufacturing method thereof.

본 발명의 일 측면에 따른 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체; 상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 절연시키며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 절연층; 상기 절연층 상에 위치하는 응력완충층; 상기 발광 구조체 및 상기 응력완충층 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극; 및 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 측면을 덮고, 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 상면을 적어도 부분적으로 노출시키는 절연지지체를 포함하고, 상기 제1 벌크 전극은, 상기 제1 및 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 측면으로부터 돌출된 돌출부를 포함하며, 상기 제2 벌크 전극은, 상기 제1 및 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 측면으로부터 함입된 오목부를 포함한다.A light emitting device according to an aspect of the present invention is a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer positioned between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. ; first contact electrodes and second contact electrodes disposed on the light emitting structure and making ohmic contacts to the first and second conductivity type semiconductor layers, respectively; an insulating layer insulating the first contact electrode and the second contact electrode and partially covering the first and second contact electrodes; a stress buffer layer positioned on the insulating layer; first and second bulk electrodes disposed on the light emitting structure and the stress buffer layer and electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; and an insulating support covering side surfaces of the first bulk electrode and the second bulk electrode and at least partially exposing upper surfaces of the first bulk electrode and the second bulk electrode, wherein the first bulk electrode comprises: and a protruding portion protruding from side surfaces of the second bulk electrodes facing each other, wherein the second bulk electrode includes a concave portion recessed from side surfaces of the first and second bulk electrodes facing each other.

상기 돌출부는 상기 오목부에 맞물릴 수 있다.The protruding portion may be engaged with the concave portion.

상기 돌출부는 돌출되는 방향을 따라 그 폭이 변화할 수 있다.A width of the protruding portion may vary along a protruding direction.

상기 돌출부는 돌출되는 방향을 따라 그 폭이 감소할 수 있고, 상기 오목부는 함입되는 방향을 따라 그 폭이 감소할 수 있다.A width of the protruding portion may decrease along a protruding direction, and a width of the concave portion may decrease along a direction in which the concave portion is indented.

상기 돌출부 및 오목부는 각각 복수개로 형성될 수 있으며, 상기 복수의 돌출부는 상기 복수의 오목부에 맞물릴 수 있다.Each of the protrusions and concave portions may be formed in plurality, and the plurality of protrusions may be engaged with the plurality of concave portions.

상기 절연층은 제1 절연층 및 제2 절연층을 포함할 수 있고, 상기 제1 절연층은 상기 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮고 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 컨택 전극을 각각 부분적으로 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부를 포함할 수 있으며, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 절연층을 부분적으로 덮을 수 있고, 상기 제2 절연층은 상기 제1 컨택 전극을 부분적으로 덮어, 상기 제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극을 부분적으로 노출시키는 제3 개구부 및 제4 개구부를 포함할 수 있다.The insulating layer may include a first insulating layer and a second insulating layer, wherein the first insulating layer partially covers the second contact electrode and partially covers the first conductivity-type semiconductor layer and the second contact electrode, respectively. may include a first opening and a second opening exposing the first contact electrode to partially cover the first insulating layer, and the second insulating layer to partially cover the first contact electrode; A third opening and a fourth opening partially exposing the first contact electrode and the second contact electrode may be included.

상기 발광 소자는, 상기 제2 컨택 전극과 상기 제2 벌크 전극 사이에 위치하는 연결 전극을 더 포함할 수 있고, 상기 연결 전극은 상기 제1 컨택 전극과 동일한 물질로 형성될 수 있다.The light emitting element may further include a connection electrode positioned between the second contact electrode and the second bulk electrode, and the connection electrode may be formed of the same material as the first contact electrode.

상기 제1 절연층의 일부는 상기 제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극의 사이에 개재될 수 있다.A portion of the first insulating layer may be interposed between the first contact electrode and the second contact electrode.

상기 발광 소자는, 상기 제2 컨택 전극 상에 위치하는 연결 전극을 더 포함할 수 있고, 상기 절연층은 상기 제1 컨택 전극 및 상기 연결 전극을 각각 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부를 포함할 수 있다.The light emitting element may further include a connection electrode positioned on the second contact electrode, and the insulating layer may include a first opening and a second opening exposing the first contact electrode and the connection electrode, respectively. can

상기 발광 구조체는 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역을 포함할 수 있고, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역 내에 위치할 수 있다.The light emitting structure may include a region in which the first conductivity-type semiconductor layer is partially exposed, and the first contact electrode may be positioned in the region in which the first conductivity-type semiconductor layer is partially exposed.

상기 발광 구조체는 상기 제1 도전형 반도체층을 부분적으로 노출시키는 복수의 홀을 포함할 수 있고, 상기 제1 컨택 전극은 상기 복수의 홀을 통해 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting structure may include a plurality of holes partially exposing the first conductivity type semiconductor layer, and the first contact electrode may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer through the plurality of holes. .

상기 발광 소자는, 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극 각각의 상에 위치하는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 더 포함할 수 있고, 상기 절연지지체는 상기 제1 및 제2 벌크 전극의 상면 일부를 덮으며, 상기 절연지지체는 상기 제1 및 제2 패드 전극의 측면을 감쌀 수 있다.The light emitting device may further include a first pad electrode and a second pad electrode positioned on each of the first bulk electrode and the second bulk electrode, and the insulating support is formed of the first and second bulk electrodes. Covering a portion of the upper surface, the insulating support may cover side surfaces of the first and second pad electrodes.

상기 제1 패드 전극은 상기 돌출부 상에 위치하지 않을 수 있다.The first pad electrode may not be positioned on the protrusion.

상기 제1 패드 전극과 상기 제2 패드 전극의 표면 면적은 동일할 수 있다.Surface areas of the first pad electrode and the second pad electrode may be the same.

상기 발광 소자는, 상기 발광 구조체의 하면 상에 위치하는 파장변환부를 더 포함할 수 있다.The light emitting element may further include a wavelength conversion unit positioned on a lower surface of the light emitting structure.

상기 제1 벌크 전극과 상기 제2 벌크 전극 간의 이격 거리는 일정할 수 있다.A separation distance between the first bulk electrode and the second bulk electrode may be constant.

상기 제1 벌크 전극의 수평 단면적은 상기 제2 벌크 전극의 수평 단면적보다 클 수 있다.A horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode may be greater than a horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode.

상기 제1 벌크 전극의 돌출부는 제1 돌출부, 및 상기 제1 돌출부로부터 돌출된 제2 돌출부를 포함할 수 있고, 상기 제2 벌크 전극의 오목부는 제1 오목부, 및 상기 제1 오목부로부터 더 함입된 제2 오목부를 포함할 수 있다.The protruding part of the first bulk electrode may include a first protruding part and a second protruding part protruding from the first protruding part, and the concave part of the second bulk electrode may include a first concave part and a further protruding part from the first concave part. A second concave portion may be included.

상기 제2 돌출부는 상기 발광 소자의 중심부와 수직 방향으로 중첩하는 위치에 위치할 수 있다.The second protrusion may be located at a position overlapping the central portion of the light emitting device in a vertical direction.

상기 제2 돌출부는 발광 소자의 중심부를 원점으로 하고, 직경이 50㎛이상인 내접원을 갖는 다각형, 원형 또는 타원형의 적어도 일부로 형성될 수 있다.The second protrusion may be formed as at least a part of a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape having a center of the light emitting device as an origin and an inscribed circle having a diameter of 50 μm or more.

본 발명의 다른 측면에 따른 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체; 상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 절연시키며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 절연층; 상기 발광 구조체 및 상기 절연층 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극; 및 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 측면을 덮고, 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 상면을 적어도 부분적으로 노출시키는 절연지지체를 포함하고, 상기 제1 벌크 전극과 상기 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가지며, 상기 제1 벌크 전극의 수평 단면적은 상기 제2 벌크 전극의 수평 단면적보다 크다.A light emitting device according to another aspect of the present invention is a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer positioned between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. ; first contact electrodes and second contact electrodes positioned on the light emitting structure and having ohmic contact with the first and second conductivity type semiconductor layers, respectively; an insulating layer insulating the first contact electrode and the second contact electrode and partially covering the first and second contact electrodes; first and second bulk electrodes disposed on the light emitting structure and the insulating layer and electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; and an insulating support covering side surfaces of the first bulk electrode and the second bulk electrode and at least partially exposing upper surfaces of the first bulk electrode and the second bulk electrode, wherein the first bulk electrode and the second bulk electrode An imaginary line extending along a spaced area where electrodes face each other has at least one bent portion, and a horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode is greater than a horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode.

상기 가상선의 시작점과 끝점은 동일 선상에 위치할 수 있다.The starting point and the ending point of the virtual line may be located on the same line.

본 발명의 또 다른 측면에 따른 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체; 상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 절연시키며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 절연층; 상기 절연층 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극; 및 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 측면을 덮고, 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 상면을 적어도 부분적으로 노출시키는 절연지지체를 포함하고, 상기 제1 벌크 전극은, 상기 제1 및 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 측면으로부터 돌출된 제1 돌출부, 및 상기 제1 돌출부로부터 돌출된 제2 돌출부를 포함하며, 상기 제2 벌크 전극은, 상기 제1 및 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 측면으로부터 함입된 제1 오목부, 및 상기 제1 오목부로부터 더 함입된 제2 오목부를 포함하고, 상기 제2 돌출부는 발광 소자의 중심부를 원점으로 하는 내접원을 갖는 다각형, 원형 또는 타원형의 적어도 일부로 형성된다.A light emitting device according to another aspect of the present invention includes a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer positioned between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. structure; first contact electrodes and second contact electrodes disposed on the light emitting structure and making ohmic contacts to the first and second conductivity type semiconductor layers, respectively; an insulating layer insulating the first contact electrode and the second contact electrode and partially covering the first and second contact electrodes; a first bulk electrode and a second bulk electrode disposed on the insulating layer and electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; and an insulating support covering side surfaces of the first bulk electrode and the second bulk electrode and at least partially exposing upper surfaces of the first bulk electrode and the second bulk electrode, wherein the first bulk electrode comprises: and a first protruding portion protruding from a side surface at which the second bulk electrode faces each other, and a second protruding portion protruding from the first protruding portion, wherein the second bulk electrode includes the first and second bulk electrodes facing each other. A first concave portion recessed from a side surface of the light emitting device, and a second concave portion further recessed from the first concave portion, wherein the second protrusion has a shape of at least a polygonal, circular, or elliptical shape having an inscribed circle having the center of the light emitting element as an origin. formed in part

본 발명에 따르면, 각각 돌출부와 오목부를 갖는 제1 및 제2 벌크 전극을 포함하는 발광 소자가 제공된다. 이에 따라, 벌크 전극들과 절연지지체 간의 박리 현상이 발생되는 것을 억제할 수 있고, 절연지지체의 기계적 안정성을 향상시켜 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 벌크 전극의 수평 단면적을 다르게 형성함으로써, 열 방출 효율이 향상된 발광 소자가 제공된다.According to the present invention, there is provided a light emitting device including first and second bulk electrodes each having a protruding portion and a concave portion. Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of peeling between the bulk electrodes and the insulating support, and improve the reliability of the light emitting device by improving the mechanical stability of the insulating support. In addition, by forming the horizontal cross-sectional area of the bulk electrode differently, a light emitting device with improved heat dissipation efficiency is provided.

또한, 제1 벌크 전극의 돌출부가 발광 소자의 중심부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치됨으로써, 발광 소자의 기계적 안정성이 향상될 수 있으며, 발광 소자 제조 과정에서 절연지지체에 결함 또는 파손이 발생하는 것을 효과적으로 방지하여 발광 소자 제조 수율을 향상시킬 수 있다.In addition, since the protrusion of the first bulk electrode is disposed at a position overlapping the center of the light emitting device in the vertical direction, mechanical stability of the light emitting device can be improved, and defects or damage to the insulating support can be prevented during the manufacturing process of the light emitting device. It is possible to effectively prevent it, thereby improving the yield of light emitting device manufacturing.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.
도 10 내지 도 25는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들 및 단면도들이다.
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 27은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 29는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.1 and 2 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 are plan views for explaining a light emitting device according to embodiments of the present invention.
4 and 5 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
6 and 7 are plan and cross-sectional views for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
8 and 9 are plan views and cross-sectional views for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
10 to 25 are plan views and cross-sectional views for explaining a light emitting device and a manufacturing method thereof according to other embodiments of the present invention.
26 is an exploded perspective view for explaining an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a lighting device.
27 is a cross-sectional view for explaining an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.
28 is a cross-sectional view for explaining an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.
29 is a cross-sectional view for explaining an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a headlamp.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments introduced below are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention may be embodied in other forms without being limited to the embodiments described below. And, in the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Also, when an element is described as being “on top of” or “on” another element, each part is “immediately on” or “directly on” the other element, as well as each element and other elements. It also includes the case where another component is interposed in between. Like reference numbers indicate like elements throughout the specification.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다. 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들이다.1 and 2 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a cross section of a portion corresponding to the line II' of FIG. 1 . 3 are plan views for explaining a light emitting device according to embodiments of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자는 발광 구조체(220), 제1 컨택 전극(230), 제2 컨택 전극(240), 절연층(250, 260), 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273) 및 절연지지체(280)를 포함한다. 나아가, 발광 소자는 성장 기판(미도시), 연결 전극(245) 및 응력완충층(265)을 더 포함할 수 있다.1 and 2, the light emitting device includes a light emitting structure 220, a first contact electrode 230, a second contact electrode 240, insulating layers 250 and 260, first and second bulk electrodes ( 271, 273) and an insulating support (280). Furthermore, the light emitting device may further include a growth substrate (not shown), a connection electrode 245 and a stress buffer layer 265 .

발광 구조체(220)는 제1 도전형 반도체층(221), 제1 도전형 반도체층(221) 상에 위치하는 활성층(223), 및 활성층(223) 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층(225)을 포함한다. 제1 도전형 반도체층(221), 활성층(223) 및 제2 도전형 반도체층(225)은 Ⅲ-Ⅴ 계열 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 예를 들어, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(221)은 n형 불순물(예를 들어, Si)을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(225)은 p형 불순물(예를 들어, Mg)을 포함할 수 있다. 또한, 그 반대일 수도 있다. 활성층(223)은 다중양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있고, 원하는 피크 파장의 광을 방출하도록 그 조성비가 결정될 수 있다.The light emitting structure 220 includes a first conductivity type semiconductor layer 221, an active layer 223 positioned on the first conductivity type semiconductor layer 221, and a second conductivity type semiconductor layer (positioned on the active layer 223). 225). The first conductivity type semiconductor layer 221, the active layer 223, and the second conductivity type semiconductor layer 225 may include a III-V series compound semiconductor, for example, (Al, Ga, In)N and The same nitride-based semiconductor may be included. The first conductivity-type semiconductor layer 221 may include an n-type impurity (eg, Si), and the second conductivity-type semiconductor layer 225 may include a p-type impurity (eg, Mg). there is. Also, the opposite may be true. The active layer 223 may include a multi-quantum well structure (MQW), and a composition ratio thereof may be determined to emit light having a desired peak wavelength.

또한, 발광 구조체(220)는 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)이 부분적으로 제거되어 제1 도전형 반도체층(221)이 부분적으로 노출된 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1b에 도시된 바와 같이, 발광 구조체(220)는 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(221)을 노출시키는 적어도 하나의 홀(220a)을 포함할 수 있다. 홀(220a)은 복수로 형성될 수도 있으며, 홀(220a)의 형태 및 배치가 도시된 바에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1 도전형 반도체층(221)이 부분적으로 노출된 영역은, 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)을 부분적으로 제거하여 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)을 포함하는 메사를 형성함으로써 제공될 수도 있다. In addition, the light emitting structure 220 may include a region where the first conductivity type semiconductor layer 221 is partially exposed by partially removing the second conductivity type semiconductor layer 225 and the active layer 223 . For example, as shown in FIG. 1B , the light emitting structure 220 penetrates the second conductivity type semiconductor layer 225 and the active layer 223 to expose the first conductivity type semiconductor layer 221 at least one layer. A hole 220a may be included. A plurality of holes 220a may be formed, and the shape and arrangement of the holes 220a are not limited to those shown. In addition, in the region where the first conductivity type semiconductor layer 221 is partially exposed, the second conductivity type semiconductor layer 225 and the active layer 223 are partially removed to form the second conductivity type semiconductor layer 225 and the active layer ( 223) may be provided by forming a mesa.

또한, 발광 구조체(220)는 그 하면의 거칠기가 증가되어 형성된 거칠어진 표면(220R)을 더 포함할 수 있다. 거칠어진 표면(220R)은 습식 식각, 건식 식각, 전기화학 식각 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, PEC 식각 또는 KOH 및 NaOH를 포함하는 식각 용액을 이용한 식각 방법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(220)는 제1 도전형 반도체층(221)의 표면에 형성된 ㎛ 내지 nm 스케일의 돌출부 및/또는 오목부를 포함할 수 있다. 거칠어진 표면(220R)에 의해 발광 구조체(220)에서 방출된 광의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.In addition, the light emitting structure 220 may further include a roughened surface 220R formed by increasing the roughness of the lower surface thereof. The roughened surface 220R may be formed using at least one of wet etching, dry etching, and electrochemical etching, and for example, PEC etching or an etching method using an etching solution containing KOH and NaOH. can be formed using Accordingly, the light emitting structure 220 may include protruding portions and/or concave portions formed on the surface of the first conductivity-type semiconductor layer 221 in a ㎛ to nm scale. Light extraction efficiency of light emitted from the light emitting structure 220 may be improved by the roughened surface 220R.

또한, 발광 구조체(220)는 제1 도전형 반도체층(221)의 아래에 위치하는 성장 기판(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 성장 기판은 발광 구조체(220)를 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 성장 기판은 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판 등일 수 있다. 이러한 성장 기판은 공지의 기술을 이용하여 발광 구조체(220)로부터 분리되어 제거될 수 있다.In addition, the light emitting structure 220 may further include a growth substrate (not shown) positioned under the first conductivity type semiconductor layer 221 . The growth substrate is not limited as long as it can grow the light emitting structure 220 thereon. For example, the growth substrate may be a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a silicon substrate, a gallium nitride substrate, an aluminum nitride substrate, or the like. Such a growth substrate may be separated from the light emitting structure 220 and removed using a known technique.

제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225) 상에 위치하며, 제2 도전형 반도체층(225)과 오믹 컨택할 수 있다. 또한, 제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225)의 상면을 적어도 부분적으로 덮을 수 있으며, 나아가, 제2 도전형 반도체층(225)의 상면을 전반적으로 덮도록 배치될 수 있다. 또한, 발광 구조체(220)의 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역이 형성된 위치를 제외한 나머지 영역에서 단일체로 제2 도전형 반도체층(225)의 상면을 덮도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(220)의 전체에 대해 전류를 균일하게 공급하여, 전류 분산 효율이 향상될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고, 제2 컨택 전극(240)은 복수의 단위 전극들을 포함할 수도 있다.The second contact electrode 240 is positioned on the second conductivity type semiconductor layer 225 and may make ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 225 . In addition, the second contact electrode 240 may at least partially cover the top surface of the second conductivity type semiconductor layer 225, and may be disposed to entirely cover the top surface of the second conductivity type semiconductor layer 225. there is. In addition, the light emitting structure 220 may be formed to cover the upper surface of the second conductivity type semiconductor layer 225 as a single body in the remaining areas except for the exposed area where the first conductivity type semiconductor layer 221 is formed. Accordingly, current is uniformly supplied to the entire light emitting structure 220, and current dissipation efficiency can be improved. However, the present invention is not limited thereto, and the second contact electrode 240 may include a plurality of unit electrodes.

제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225)에 오믹 컨택할 수 있는 물질로 형성될 수 있고, 예를 들어, 금속성 물질 및/또는 도전성 산화물을 포함할 수 있다.The second contact electrode 240 may be formed of a material capable of making ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 225 and may include, for example, a metallic material and/or a conductive oxide.

제2 컨택 전극(240)이 금속성 물질을 포함하는 경우, 제2 컨택 전극(240)은 반사층 및 상기 반사층을 덮는 커버층을 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225)과 오믹 컨택되는 것과 더불어, 광을 반사시키는 기능을 할 수 있다. 따라서, 상기 반사층은 높은 반사도를 가지면서 제2 도전형 반도체층(225)과 오믹 접촉을 형성할 수 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반사층은 Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.When the second contact electrode 240 includes a metallic material, the second contact electrode 240 may include a reflective layer and a cover layer covering the reflective layer. As described above, the second contact electrode 240 may function to reflect light as well as being in ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 225 . Accordingly, the reflective layer may include a metal capable of forming an ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 225 while having high reflectivity. For example, the reflective layer may include at least one of Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag, and Au. Also, the reflective layer may include a single layer or multiple layers.

상기 커버층은 상기 반사층과 다른 물질 간의 상호 확산을 방지할 수 있고, 외부의 다른 물질이 상기 반사층에 확산하여 상기 반사층이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 커버층은 상기 반사층의 하면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 상기 커버층은 상기 반사층과 함께 제2 도전형 반도체층(225)과 전기적으로 연결될 수 있어서, 상기 반사층과 함께 전극 역할을 할 수 있다. 상기 커버층은, 예를 들어, Au, Ni, Ti, Cr 등을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 다중층을 포함할 수도 있다. The cover layer may prevent mutual diffusion between the reflective layer and another material, and prevent damage to the reflective layer due to diffusion of an external material into the reflective layer. Accordingly, the cover layer may be formed to cover the bottom and side surfaces of the reflective layer. The cover layer may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 225 together with the reflective layer, so that it may serve as an electrode together with the reflective layer. The cover layer may include, for example, Au, Ni, Ti, Cr, or the like, and may include a single layer or multiple layers.

이러한 반사층 및 커버층은 전자선 증착, 도금 방식 등을 이용하여 형성될 수 있다. The reflective layer and the cover layer may be formed using an electron beam deposition method or a plating method.

한편, 제2 컨택 전극(240)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 상기 도전성 산화물은 ITO, ZnO, AZO, IZO 등일 수 있다. 제2 컨택 전극(240)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 금속을 포함하는 경우에 비해 더 넓은 영역의 제2 도전형 반도체층(225)의 상면을 커버할 수 있다. 즉, 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역의 테두리로부터 제2 컨택 전극(240)까지의 이격 거리는 제2 컨택 전극(240)이 도전성 산화물로 형성된 경우에 상대적으로 더 짧게 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 컨택 전극(240)과 제2 도전형 반도체층(225)이 접촉하는 부분에서 제1 컨택 전극(230)과 제1 도전형 반도체층(221)이 접촉하는 부분까지의 최단 거리가 상대적으로 더 짧아질 수 있어서, 발광 소자의 순방향 전압(Vf)이 감소될 수 있다.Meanwhile, when the second contact electrode 240 includes a conductive oxide, the conductive oxide may be ITO, ZnO, AZO, IZO, or the like. When the second contact electrode 240 includes a conductive oxide, it may cover a larger area of the upper surface of the second conductive semiconductor layer 225 than when the second contact electrode 240 includes a metal. That is, when the second contact electrode 240 is formed of a conductive oxide, the distance between the edge of the exposed region of the first conductivity type semiconductor layer 221 and the second contact electrode 240 may be relatively shorter. there is. In this case, the shortest distance from the contact point between the second contact electrode 240 and the second conductivity type semiconductor layer 225 to the contact point between the first contact electrode 230 and the first conductivity type semiconductor layer 221 Since can be relatively shorter, the forward voltage (V f ) of the light emitting device can be reduced.

이는 금속성 물질로 제2 컨택 전극(240)을 형성하는 경우와, 도전성 산화물로 제2 컨택 전극(240)을 형성하는 경우의 제조 방법 차이로부터 기인한 것일 수 있다. 예를 들어, 금속성 물질은 증착 또는 도금 방식으로 형성되므로, 마스크의 공정 마진에 의해 제2 도전형 반도체층(225)의 외곽 테두리로부터 일정 거리 이격된 부분에 형성된다. 반면, 도전성 산화물은 제2 도전형 반도체층(225) 상에 전체적으로 형성된 후에, 제1 도전형 반도체층(221)을 노출시키는 식각 공정에서 동일 공정으로 제거된다. 따라서, 도전성 산화물은 상대적으로 제2 도전형 반도체층(225)의 외곽 테두리에 더욱 가깝게 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.This may be due to a difference in manufacturing method between the case of forming the second contact electrode 240 with a metallic material and the case of forming the second contact electrode 240 with a conductive oxide. For example, since the metallic material is formed by deposition or plating, it is formed at a portion spaced a predetermined distance from the outer rim of the second conductive semiconductor layer 225 by a process margin of a mask. On the other hand, after the conductive oxide is entirely formed on the second conductivity type semiconductor layer 225 , it is removed in the same process in an etching process that exposes the first conductivity type semiconductor layer 221 . Accordingly, the conductive oxide may be formed relatively closer to the outer edge of the second conductive semiconductor layer 225 . However, the present invention is not limited thereto.

또한, 제2 컨택 전극(240)이 ITO를 포함하고, 제1 절연층(250)이 SiO2를 포함하며, 제1 컨택 전극(230)이 Ag를 포함하는 경우, ITO/SiO2/Ag 적층 구조를 포함하는 전방위 반사기가 형성될 수 있다.In addition, when the second contact electrode 240 includes ITO, the first insulating layer 250 includes SiO 2 , and the first contact electrode 230 includes Ag, ITO/SiO 2 /Ag is stacked. An omnidirectional reflector comprising the structure may be formed.

절연층(250, 260)은 절연층(250, 260)은 제1 및 제2 컨택 전극(230, 240)을 부분적으로 덮고, 제1 컨택 전극(230)과 제2 컨택 전극(240)을 서로 절연시킨다. 절연층(250, 260)은 제1 절연층(250) 및 제2 절연층(260)을 포함할 수 있다. 이하, 제1 절연층(250)에 관하여 먼저 설명하며, 제2 절연층(260)과 관련된 내용은 후술하여 설명한다.The insulating layers 250 and 260 partially cover the first and second contact electrodes 230 and 240, and the first and second contact electrodes 230 and 240 are connected to each other. Insulate. The insulating layers 250 and 260 may include a first insulating layer 250 and a second insulating layer 260 . Hereinafter, the first insulating layer 250 will be described first, and contents related to the second insulating layer 260 will be described later.

제1 절연층(250)은 발광 구조체(220)의 상면 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 덮을 수 있다. 또한, 제1 절연층(250)은 홀(220a)의 측면을 덮되, 홀(220a)에 노출된 제1 도전형 반도체층(221)을 부분적으로 노출시킬 수 있다. 제1 절연층(250)은 홀(220a)에 대응하는 부분에 위치하는 개구부와 제2 컨택 전극(240)의 일부를 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 상기 개구부들을 통해 제1 도전형 반도체층(221) 및 제2 컨택 전극(240)이 부분적으로 노출될 수 있다. The first insulating layer 250 may partially cover the upper surface of the light emitting structure 220 and the second contact electrode 240 . In addition, the first insulating layer 250 may cover the side surface of the hole 220a and partially expose the first conductive semiconductor layer 221 exposed through the hole 220a. The first insulating layer 250 may include an opening positioned at a portion corresponding to the hole 220a and an opening exposing a portion of the second contact electrode 240 . The first conductivity type semiconductor layer 221 and the second contact electrode 240 may be partially exposed through the openings.

제1 절연층(250)은 절연성의 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiNx, MgF2 등을 포함할 수 있다. 나아가, 제1 절연층(250)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다. The first insulating layer 250 may include an insulating material, for example, SiO 2 , SiN x , MgF 2 and the like. Furthermore, the first insulating layer 250 may include multiple layers and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked.

제2 컨택 전극(240)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 제1 절연층(250)이 분포 브래그 반사기를 포함하여 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 이와 달리, 제2 컨택 전극(240)이 도전성 산화물을 포함하며, 제1 절연층(250)을 투명 절연 산화물(예를 들어, SiO2)로 형성함으로써, 제2 컨택 전극(240), 제1 절연층(250) 및 제1 컨택 전극(230)의 적층 구조에 의해 형성되는 전방위 반사기를 형성할 수도 있다. 이때, 제1 컨택 전극(230)은 제2 컨택 전극(240)의 일부를 노출시키는 영역을 제외한 제1 절연층(250)의 표면을 거의 전체적으로 덮도록 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 제1 절연층(250)의 일부는 제1 컨택 전극(230)과 제2 컨택 전극(240)의 사이에 개재될 수 있다.When the second contact electrode 240 includes a conductive oxide, the first insulating layer 250 includes a distributed Bragg reflector to improve light emitting efficiency of the light emitting device. Also, unlike this, the second contact electrode 240 includes a conductive oxide, and the first insulating layer 250 is formed of a transparent insulating oxide (eg, SiO 2 ), so that the second contact electrode 240, An omnidirectional reflector formed by a stacked structure of the first insulating layer 250 and the first contact electrode 230 may be formed. In this case, the first contact electrode 230 is preferably formed to cover almost the entire surface of the first insulating layer 250 except for a region where a part of the second contact electrode 240 is exposed. Accordingly, a portion of the first insulating layer 250 may be interposed between the first contact electrode 230 and the second contact electrode 240 .

나아가, 도시된 바와 달리, 제1 절연층(250)은 발광 구조체(220)의 적어도 일부의 측면을 더 덮을 수 있다. 제1 절연층(250)이 발광 구조체(220)의 측면을 덮는 정도는, 발광 소자의 제조 과정에서 칩 단위 개별화(isolation)의 여부에 따라 달라질 수 있다. 즉, 본 실시예와 같이 제1 절연층(250)은 발광 구조체(220)의 상면만 덮도록 형성될 수도 있고, 이와 달리, 발광 소자의 제조 과정에서 웨이퍼를 칩 단위로 개별화한 후에 제1 절연층(250)을 형성하는 경우에는 발광 구조체(220)의 측면까지 제1 절연층(250)에 덮일 수 있다.Furthermore, unlike shown, the first insulating layer 250 may further cover at least a portion of the side surface of the light emitting structure 220 . The extent to which the first insulating layer 250 covers the side surface of the light emitting structure 220 may vary depending on whether chip unit isolation is performed during the manufacturing process of the light emitting device. That is, as in the present embodiment, the first insulating layer 250 may be formed to cover only the upper surface of the light emitting structure 220. Alternatively, in the manufacturing process of the light emitting device, the first insulating layer 250 is individualized into chip units and then the first insulating layer 250 is formed. When the layer 250 is formed, the first insulating layer 250 may cover even the side surface of the light emitting structure 220 .

제1 컨택 전극(230)은 발광 구조체(220)를 부분적으로 덮을 수 있다. 또한, 제1 컨택 전극(230)은 홀(220a) 및 상기 홀(220a)에 대응하는 부분에 위치하는 제1 절연층(250)의 개구부를 통해 제1 도전형 반도체층(221)과 오믹 컨택된다. 본 실시예에 있어서, 제1 컨택 전극(230)은 제1 절연층(250)의 일부 영역을 제외한 다른 부분을 전체적으로 덮도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 컨택 전극(230)을 통해 광이 반사될 수 있다. 또한, 제1 컨택 전극(230)은 제1 절연층(250)에 의해 제2 컨택 전극(240)과 전기적으로 절연될 수 있다.The first contact electrode 230 may partially cover the light emitting structure 220 . In addition, the first contact electrode 230 makes an ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer 221 through the hole 220a and the opening of the first insulating layer 250 positioned at a portion corresponding to the hole 220a. do. In this embodiment, the first contact electrode 230 may be formed to entirely cover other portions of the first insulating layer 250 except for a portion thereof. Accordingly, light may be reflected through the first contact electrode 230 . Also, the first contact electrode 230 may be electrically insulated from the second contact electrode 240 by the first insulating layer 250 .

제1 컨택 전극(230)이 일부 영역을 제외하고 발광 구조체(220)의 상면을 전반적으로 덮도록 형성됨으로써, 전류 분산 효율이 더욱 향상될 수 있다. 또한, 제2 컨택 전극(240)에 의해 덮이지 않는 부분을 제1 컨택 전극(230)이 커버할 수 있으므로, 광을 더욱 효과적으로 반사시켜 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.Since the first contact electrode 230 is formed to entirely cover the upper surface of the light emitting structure 220 except for a partial area, current dissipation efficiency may be further improved. In addition, since the first contact electrode 230 may cover a portion not covered by the second contact electrode 240, the light emitting efficiency of the light emitting device may be improved by more effectively reflecting light.

상술한 바와 같이, 제1 컨택 전극(230)은 제1 도전형 반도체층(221)과 오믹 컨택함과 아울러, 광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 따라서, 제1 컨택 전극(230)은 Al층과 같은 고반사성 금속층을 포함할 수 있다. 이때, 제1 컨택 전극(230)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 상기 고반사 금속층은 Ti, Cr 또는 Ni 등의 접착층 상에 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 컨택 전극(230)은 Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다.As described above, the first contact electrode 230 may make ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer 221 and reflect light. Accordingly, the first contact electrode 230 may include a highly reflective metal layer such as an Al layer. In this case, the first contact electrode 230 may be formed of a single layer or multiple layers. The highly reflective metal layer may be formed on an adhesive layer of Ti, Cr, or Ni. However, the present invention is not limited thereto, and the first contact electrode 230 may include at least one of Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag, and Au.

또한, 도시된 바와 달리, 제1 컨택 전극(230)은 발광 구조체(220)의 측면까지 덮도록 형성될 수도 있다. 제1 컨택 전극(230)이 발광 구조체(220)의 측면에도 형성되는 경우, 활성층(223)으로부터 측면으로 방출되는 광을 상부로 반사시켜 발광 소자의 상면으로 방출되는 광의 비율을 증가시킨다. 제1 컨택 전극(230)의 발광 구조체(220)의 측면까지 덮도록 형성되는 경우, 발광 구조체(220)의 측면과 제1 컨택 전극(230) 사이에는 제1 절연층(250)이 개재될 수 있다.Also, unlike shown, the first contact electrode 230 may be formed to cover even the side surface of the light emitting structure 220 . When the first contact electrode 230 is also formed on the side surface of the light emitting structure 220, light emitted from the active layer 223 to the side surface is reflected upward to increase the ratio of light emitted to the top surface of the light emitting device. When the first contact electrode 230 is formed to cover even the side surface of the light emitting structure 220, the first insulating layer 250 may be interposed between the side surface of the light emitting structure 220 and the first contact electrode 230. there is.

한편, 상기 발광 소자는 연결 전극(245)을 더 포함할 수 있다. 연결 전극(245)은 제2 컨택 전극(240) 상에 위치할 수 있고, 제1 절연층(250)의 개구부를 통해 제2 컨택 전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 나아가, 연결 전극(245)은 제2 컨택 전극(240)과 제2 벌크 전극(273)을 서로 전기적으로 연결시킬 수 있다. 또한, 연결 전극(245)은 제1 절연층(250)을 부분적으로 덮도록 형성될 수 있으며, 제1 컨택 전극(230)과 서로 이격되어 절연될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device may further include a connection electrode 245 . The connection electrode 245 may be positioned on the second contact electrode 240 and may be electrically connected to the second contact electrode 240 through an opening of the first insulating layer 250 . Furthermore, the connection electrode 245 may electrically connect the second contact electrode 240 and the second bulk electrode 273 to each other. In addition, the connection electrode 245 may be formed to partially cover the first insulating layer 250 and may be spaced apart from and insulated from the first contact electrode 230 .

연결 전극(245)의 상면은 제1 컨택 전극(230)의 상면과 대체로 동일한 높이로 형성될 수 있다. 또한, 연결 전극(245)은 제1 컨택 전극(230)과 동일 공정에서 형성될 수 있으며, 연결 전극(245)과 제1 컨택 전극(230)은 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 연결 전극(245)과 제1 컨택 전극(230)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. A top surface of the connection electrode 245 may be formed at substantially the same height as a top surface of the first contact electrode 230 . Also, the connection electrode 245 may be formed in the same process as the first contact electrode 230, and the connection electrode 245 and the first contact electrode 230 may include the same material. However, the present invention is not limited thereto, and the connection electrode 245 and the first contact electrode 230 may include different materials.

제2 절연층(260)은 제1 컨택 전극(230)을 부분적으로 덮을 수 있으며, 제1 컨택 전극(230)을 부분적으로 노출시키는 제1 개구부(260a), 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 노출시키는 제2 개구부(260b)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 개구부(260a, 260b) 각각은 하나 이상 형성될 수 있다. The second insulating layer 260 may partially cover the first contact electrode 230, and may partially expose the first contact electrode 230 through the first opening 260a and the second contact electrode 240. A second opening 260b partially exposed may be included. One or more first and second openings 260a and 260b may be formed.

제2 절연층(260)은 절연성의 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiNx, MgF2을 포함할 수 있다. 나아가, 제2 절연층(260)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다. 제2 절연층(260)이 다중층으로 이루어진 경우, 제2 절연층(260)의 최상부층은 SiNx로 형성될 수 있다. 제2 절연층(260)의 최상부층이 SiNx로 형성됨으로써, 발광 구조체(220)로 습기가 침투하는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.The second insulating layer 260 may include an insulating material, for example, SiO 2 , SiN x , and MgF 2 . Furthermore, the second insulating layer 260 may include multiple layers and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked. When the second insulating layer 260 is formed of multiple layers, an uppermost layer of the second insulating layer 260 may be formed of SiN x . Since the uppermost layer of the second insulating layer 260 is formed of SiN x , penetration of moisture into the light emitting structure 220 can be more effectively prevented.

응력완충층(265)은 절연층(250, 260) 상에 위치한다. 특히, 응력완충층(265)은 제2 절연층(260) 상에 위치할 수 있다. 응력완충층(265)은, 도시된 바와 같이, 제2 절연층(260)의 상면을 적어도 부분적으로 덮을 수 있다. 이와 달리, 응력완충층(265)은 제2 절연층(260)의 측면 일부를 더 덮을 수 있고, 이 경우 응력완충층(265)은 제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)과 접할 수 있다. 즉, 응력완충층(265)은 제1 및 제2 개구부(260a, 260b)의 측면을 더 덮을 수 있다.The stress buffer layer 265 is positioned on the insulating layers 250 and 260 . In particular, the stress buffer layer 265 may be positioned on the second insulating layer 260 . As illustrated, the stress buffer layer 265 may at least partially cover the upper surface of the second insulating layer 260 . Alternatively, the stress buffer layer 265 may further cover a portion of the side surface of the second insulating layer 260, and in this case, the stress buffer layer 265 may come into contact with the first contact electrode 230 and the connection electrode 245. . That is, the stress buffer layer 265 may further cover side surfaces of the first and second openings 260a and 260b.

응력완충층(265)은 발광 소자 구동 시 발생하는 응력을 완화시키는 역할을 한다. 응력완충층(265)은 상대적으로 큰 영의 계수(Young's modulus)를 가질 수 있으며, 이에 따라, 높은 응력에도 낮은 스트레인 거동을 보인다. 따라서, 응력완충층(265)에 의해 에너지가 흡수되는 효과가 발생하여 발광 구조체(220), 제1 및 제2 컨택 전극(230, 240), 절연층(250, 260), 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273) 및 절연지지체(280)에 인가되는 응력을 감소시킬 수 있다. 응력완충층(265)에 의해 상기 다른 구성요소들에 인가되는 응력이 완화되어, 발광 소자의 기계적 안정성이 향상되고, 크랙 및 파괴가 발생할 확률이 감소되어 발광 소자의 신뢰성이 향상된다.The stress buffer layer 265 serves to alleviate stress generated during driving of the light emitting device. The stress buffer layer 265 may have a relatively large Young's modulus, and thus exhibits low strain behavior even under high stress. Therefore, an effect in which energy is absorbed by the stress buffer layer 265 occurs, and thus the light emitting structure 220, the first and second contact electrodes 230 and 240, the insulating layers 250 and 260, and the first and second bulk Stress applied to the electrodes 271 and 273 and the insulating support 280 may be reduced. Stress applied to the other components is alleviated by the stress buffer layer 265, thereby improving mechanical stability of the light emitting device and reducing the probability of occurrence of cracks and destruction, thereby improving reliability of the light emitting device.

또한, 응력완충층(265)은 절연층(250, 260) 및/또는 절연지지체(190)보다 낮은 잔류 응력(소정의 응력에 의해 발생된)을 가질 수 있다. 따라서, 응력완충층(265)은 발광 소자의 온/오프가 반복되는 과정에서 잔류 응력에 의해 상기 다른 구성요소들에 인가되는 응력을 완화시킬 수 있다. 또한, 응력완충층(265)은 상대적으로 우수한 흡습 특성을 가질 수 있다. 특히, 응력완충층(265)의 흡습성은 절연지지체(280)의 흡습성보다 낮을 수 있다. 응력완충층(265)이 비교적 낮은 흡습성을 가져 발광 소자 내로 침투한 습기에 의해 발생하는 크랙 및 박리 현상을 방지할 수 있다.In addition, the stress buffer layer 265 may have a residual stress (generated by a predetermined stress) lower than that of the insulating layers 250 and 260 and/or the insulating support 190 . Accordingly, the stress buffering layer 265 can relieve stress applied to the other components due to residual stress in the process of repeatedly turning on/off the light emitting device. In addition, the stress buffer layer 265 may have relatively excellent moisture absorption characteristics. In particular, the hygroscopicity of the stress buffer layer 265 may be lower than that of the insulating support 280 . Since the stress buffer layer 265 has relatively low hygroscopicity, cracks and peeling caused by moisture penetrating into the light emitting device can be prevented.

뿐만 아니라, 응력완충층(265)과 절연지지체(280) 간의 접착성(adhesion)은 절연층(250, 260)과 절연지지체(190) 간의 접착성보다 높을 수 있다. 따라서 절연지지체(280)가 제2 절연층(260) 상에 형성되는 경우에 비해, 절연지지체(280)가 응력완충층(265) 상에 형성되면 계면에서의 분리 또는 박리가 발생할 확률을 매우 감소시킨다. In addition, adhesion between the stress buffer layer 265 and the insulating support 280 may be higher than adhesion between the insulating layers 250 and 260 and the insulating support 190 . Therefore, compared to the case where the insulating support 280 is formed on the second insulating layer 260, when the insulating support 280 is formed on the stress buffer layer 265, the probability of separation or peeling at the interface is greatly reduced. .

상술한 효과를 갖는 응력완충층(265)은 응력 완화 거동을 보이며, 나아가, 투습 방지 효과 및 접착성 향상 효과를 갖는 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 응력완충층은 폴리이미드(polyimide), 테플론(Teflon), 벤조시클로부틴(BCB) 및 파릴린(parylene) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 특히, 응력완충층(265)은 감광성 물질(예컨대, 폴리이미드)을 포함할 수 있고, 응력완충층(265)이 감광성 물질을 포함하는 경우에 감광성 물질을 현상하는 과정만으로 응력완충층(265)을 형성할 수 있다. 따라서, 별도의 추가적인 패터닝 공정이 생략될 수 있어, 발광 소자 제조 공정이 간소화될 수 있다. 응력완충층(265)은 제1 벌크 전극(271), 제2 벌크 전극(273) 및 절연지지체(280)와 접할 수 있다.The stress buffer layer 265 having the above-described effect exhibits a stress relaxation behavior and may further include an insulating material having an effect of preventing moisture permeation and improving adhesion. For example, the stress buffer layer may include at least one of polyimide, Teflon, benzocyclobutyne (BCB), and parylene. In particular, the stress buffer layer 265 may include a photosensitive material (eg, polyimide), and when the stress buffer layer 265 includes the photosensitive material, the stress buffer layer 265 may be formed only by developing the photosensitive material. can Accordingly, a separate additional patterning process may be omitted, and thus a light emitting device manufacturing process may be simplified. The stress buffering layer 265 may contact the first bulk electrode 271 , the second bulk electrode 273 and the insulating support 280 .

응력완충층(265)의 두께는 효과적인 응력 완화 거동 및 투습 방지 효과를 얻을 수 있는 두께면 제한되지 않으며, 예를 들어, 약 2 내지 30㎛의 두께를 가질 수 있다. 다만, 본 발명에 이에 한정되는 것은 아니다.The thickness of the stress buffer layer 265 is not limited as long as it can obtain effective stress relaxation behavior and moisture permeation prevention effect, and may have, for example, a thickness of about 2 to 30 μm. However, the present invention is not limited thereto.

응력완충층(265)은 증착 및 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다. 나아가, 응력완충층(265)과 제2 절연층(260)은 동시에 패터닝될 수도 있다. 예를 들어, 먼저 제1 컨택 전극(230)을 덮는 제2 절연층(260)을 형성하고, 상기 제2 절연층(260) 상에 응력완충층(265)을 형성한 후에, 제2 절연층(260)과 응력완충층(265)을 동시에 패터닝함으로써, 도시된 바와 같은 응력완충층(265)이 제공될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The stress buffer layer 265 may be formed through deposition and patterning processes. Furthermore, the stress buffer layer 265 and the second insulating layer 260 may be patterned simultaneously. For example, after first forming the second insulating layer 260 covering the first contact electrode 230 and forming the stress buffer layer 265 on the second insulating layer 260, the second insulating layer ( 260) and the stress buffer layer 265 are simultaneously patterned, the stress buffer layer 265 as shown can be provided. However, the present invention is not limited thereto.

한편, 응력완충층(265)은 생략될 수도 있다.Meanwhile, the stress buffer layer 265 may be omitted.

제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273) 은 발광 구조체(220) 상에 위치할 수 있고, 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273) 은 각각 제1 컨택 전극(230) 및 제2 컨택 전극(240)에 전기적으로 연결될 수 있다. 특히, 제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273) 각각은 제1 및 제2 컨택 전극(230, 240)과 직접적으로 접촉하여 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273) 은 각각 제1 및 제2 개구부(260a, 260b)를 통해 제1 및 제2 컨택 전극(230, 240)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be positioned on the light emitting structure 220, and each of the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 is a first contact electrode ( 230) and the second contact electrode 240. In particular, each of the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may directly contact and be electrically connected to the first and second contact electrodes 230 and 240 . In this case, the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be electrically connected to the first and second contact electrodes 230 and 240 through the first and second openings 260a and 260b, respectively. .

제1 벌크 전극(271)은, 제1 벌크 전극(271)의 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 측면으로부터 돌출된 돌출부(271a)를 포함한다. 제2 벌크 전극(273)은, 제2 벌크 전극(273)의 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 측면으로부터 함입된 오목부(273a)를 포함한다. 상기 돌출부(271a)와 오목부(273a)가 각각 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273)에 포함되어, 제1 벌크 전극(271)의 수평 단면적은 상대적으로 증가되고, 제2 벌크 전극(273)의 수평 단면적은 상대적으로 감소될 수 있다. 이에 따라, 제1 벌크 전극(271)의 수평 단면적은 제2 벌크 전극(273)의 수평 단면적에 비해 크다.The first bulk electrode 271 includes a protruding portion 271a protruding from a side surface where the first and second bulk electrodes 271 and 273 of the first bulk electrode 271 face each other. The second bulk electrode 273 includes a concave portion 273a recessed from a side surface where the first and second bulk electrodes 271 and 273 of the second bulk electrode 273 face each other. The protruding portion 271a and the concave portion 273a are included in the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273, respectively, so that the horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode 271 is relatively increased, and the second bulk electrode 271 is relatively large. A horizontal cross-sectional area of the bulk electrode 273 may be relatively reduced. Accordingly, the horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode 271 is larger than that of the second bulk electrode 273 .

또한, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D1-D1')은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가질 수 있다. 상기 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 갖는 가상선(D1-D1')은 돌출부(271a) 및 오목부(273b)의 형상 및 배치로부터 도출될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 가상선(D1-D1')의 시작점과 끝점은 동일 선상에 위치할 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 가상선(D1-D1')의 시작점과 끝점은 대체로 발광 소자를 균일하게 2등분하는 선상에 위치하되, 가상선(D1-D1')이 절곡되면서 가상선(D1-D1')의 일부는 제2 벌크 전극(273) 측으로 치우쳐 위치할 수 있다.In addition, the imaginary lines D1-D1' extending along the separation area where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other may have at least one bent portion. The imaginary lines D1-D1' having at least one bent portion may be derived from the shapes and arrangements of the protruding portion 271a and the concave portion 273b, but the present invention is not limited thereto. The starting point and the ending point of the imaginary lines D1-D1' may be located on the same line. That is, as shown, the starting point and the ending point of the virtual line (D1-D1') are generally located on a line that uniformly divides the light emitting element into two parts, but the virtual line (D1-D1') is bent while the virtual line (D1-D1') is bent. A part of D1') may be positioned toward the second bulk electrode 273.

돌출부(271a)와 오목부(273a)는 서로 맞물리는 형태로 제공될 수 있다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 오목부(273a)가 오목하게 함입되는 정도 및 오목부(273a)의 위치는 각각 돌출부(271a)가 돌출되는 정도와 돌출부(271a)의 위치에 대체로 대응할 수 있다. 이에 따라, 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273) 간의 이격 거리는 대체로 일정할 수 있다.The protruding portion 271a and the concave portion 273a may be provided in a form that engages with each other. That is, as shown in FIG. 1, the degree of concave indentation of the concave portion 273a and the position of the concave portion 273a may correspond to the degree of protrusion of the protruding portion 271a and the location of the protruding portion 271a, respectively. there is. Accordingly, the separation distance between the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be substantially constant.

한편, 돌출부(271a)와 오목부(273a)의 형태는 도 1에 도시된 바에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 돌출부(271b)는 돌출되는 방향에 따라 그 폭이 변화할 수 있고, 특히, 돌출되는 방향에 따라 그 폭이 감소할 수 있다. 상기 돌출부(271b)에 대응하여, 오목부(273b) 역시 함입되는 방향에 따라 그 폭이 변화할 수 있고, 함입되는 방향에 따라 그 폭이 감소할 수 있다. 이때, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D2-D2')은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가질 수 있다. 또한, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 돌출부(271c)는 복수로 형성될 수 있고, 상기 복수의 돌출부(271c) 중 적어도 일부의 돌출부(271c)의 돌출 형상에 대응하는 하나 이상의 오목부(273c)가 형성될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D3-D3')은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가질 수 있으며, 도 3(a)의 실시예에 비해 더 많은 절곡된 부분을 가질 수 있다. 또한, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 돌출부(271d)는 돌출되는 방향에 따라 그 폭이 변화할 수 있고, 특히, 돌출되는 방향에 따라 그 폭이 증가할 수 있다. 상기 돌출부(271d)에 대응하여, 오목부(273d) 역시 함입되는 방향에 따라 그 폭이 변화할 수 있고, 함입되는 방향에 따라 그 폭이 감소할 수 있다. 이때, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D4-D4')은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가질 수 있다. 또한, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 돌출부(271e)는 복수로 형성될 수 있고, 상기 복수의 돌출부(271e) 중 적어도 일부의 돌출부(271e)의 돌출 형상에 대응하는 하나 이상의 오목부(273e)가 형성될 수 있다. 돌출부(271e) 및 오목부(273e)의 외곽 형태는 곡선 형태로 형성될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D5-D5')은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가질 수 있다.Meanwhile, the shapes of the protruding portion 271a and the concave portion 273a are not limited to those shown in FIG. 1 . For example, as shown in (a) of FIG. 3 , the width of the protruding portion 271b may change according to the direction in which it protrudes, and in particular, the width may decrease according to the direction in which it protrudes. Corresponding to the protruding portion 271b, the width of the concave portion 273b may also change according to the indentation direction, and may decrease in accordance with the indentation direction. In this case, the imaginary line D2-D2′ extending along the separation area where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other may have at least one bent portion. In addition, as shown in (b) of FIG. 3 , a plurality of protrusions 271c may be formed, and one or more recesses corresponding to the protruding shapes of at least some of the protrusions 271c are formed. A portion 273c may be formed. At this time, the imaginary line D3-D3' extending along the separation region of the portion where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other may have at least one bent portion, and FIG. 3(a) ) may have more bent parts compared to the embodiment of Also, as shown in (c) of FIG. 3 , the width of the protruding portion 271d may vary depending on the protruding direction, and in particular, the width may increase depending on the protruding direction. Corresponding to the protruding portion 271d, the width of the concave portion 273d may also change according to the indentation direction, and may decrease in accordance with the indentation direction. In this case, the imaginary lines D4 - D4 ′ extending along the separation area where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other may have at least one bent portion. In addition, as shown in (d) of FIG. 3 , a plurality of protrusions 271e may be formed, and one or more recesses corresponding to the protruding shapes of at least some of the plurality of protrusions 271e. A portion 273e may be formed. The outer shape of the protruding portion 271e and the concave portion 273e may be formed in a curved shape. In this case, the imaginary lines D5 - D5 ′ extending along the separation area where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other may have at least one bent portion.

다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 돌출부(271a) 및 오목부(273a)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the shapes of the protruding portion 271a and the concave portion 273a may be variously modified.

발광 소자 구동 시 열이 발생하는데, 절연지지체(280)와 벌크 전극들(271, 273)은 서로 열 팽창 계수가 달라, 이러한 열이 발생하면 절연지지체(280) 및 벌크 전극들(271, 273)에 스트레스가 인가된다. 특히, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 사이 영역에 상대적으로 더 큰 스트레스가 인가되어, 절연지지체(280)에 크랙이 발생할 수 있으며, 절연지지체(280)와 벌크 전극들(271, 273)이 서로 박리되는 현상이 발생할 수 있다. 벌크 전극들(271, 273)의 사이 영역이 직선 형태로 되어 있는 경우, 절연지지체(280)에 발생한 크랙은 직선 방향으로 쉽게 전파(propagation)되어 발광 소자의 파손을 야기시킨다. 예를 들어, 벌크 전극들(271, 273) 사이를 가로지르는 것으로 정의되는 직선의 가상선에 있어서, 상기 가상선은 벌크 전극들(271, 273)과 중첩되지 않고, 절연지지체(280)만이 상기 가상선과 중첩되도록 형성되는 경우, 벌크 전극들(271, 273) 사이에 발생한 크랙은 상기 가상선을 따라 쉽게 전파되어 절연지지체(280)가 분리되는 문제가 발생한다.Heat is generated when the light emitting element is driven, and the insulating support 280 and the bulk electrodes 271 and 273 have different coefficients of thermal expansion. stress is applied to In particular, relatively greater stress is applied to the region between the first and second bulk electrodes 271 and 273, and cracks may occur in the insulating support 280, and the insulating support 280 and the bulk electrodes 271 , 273) may peel off from each other. When the region between the bulk electrodes 271 and 273 has a linear shape, cracks generated in the insulating support 280 are easily propagated in a linear direction, causing damage to the light emitting device. For example, in a virtual line of a straight line defined as crossing between the bulk electrodes 271 and 273, the virtual line does not overlap with the bulk electrodes 271 and 273, and only the insulating support 280 When formed to overlap the imaginary line, cracks generated between the bulk electrodes 271 and 273 easily propagate along the imaginary line, causing a problem in that the insulating support 280 is separated.

본 실시예에 따르면, 제1 벌크 전극(271)이 돌출부(271a)를 포함하고, 제2 벌크 전극(273)이 오목부(273a)를 포함하며, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D1-D1')이 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가짐으로써, 벌크 전극들(271, 273) 사이 부분의 절연지지체(280)의 스트레스에 대한 내성을 증가시킨다. 또한, 벌크 전극들(271, 273) 사이 부분의 절연지지체(280)에 크랙이 발생하더라도, 벌크 전극들(271, 273)의 사이 영역에 적어도 한번의 절곡된 부분이 형성되어 있으므로 상기 크랙이 전파되는 것이 억제될 수 있다. 특히, 가상선(D1-D1')의 시작점과 끝점을 잇는 직선의 또 다른 가상선과 벌크 전극(271, 273)들의 적어도 일부분이 중첩됨으로써, 상기 직선의 또 다른 가상선과 중첩되는 벌크 전극(271, 273)들의 일부분에 의해 상기 크랙이 절연지지체(280)를 가로질러 전파되는 것이 차단된다. 따라서, 절연지지체(280)에 크랙이 발생하더라도 절연지지체(280)가 분리되는 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. According to this embodiment, the first bulk electrode 271 includes the protruding portion 271a, the second bulk electrode 273 includes the concave portion 273a, and the first and second bulk electrodes 271 and 273 Stress of the insulating support 280 in the portion between the bulk electrodes 271 and 273 by having at least one bent portion of the imaginary lines D1-D1' extending along the separation region of the portion facing each other. increases resistance to In addition, even if a crack occurs in the insulating support 280 between the bulk electrodes 271 and 273, the crack propagates because at least one bent portion is formed in the region between the bulk electrodes 271 and 273. being can be suppressed. In particular, by overlapping at least a portion of the bulk electrodes 271 and 273 with another virtual line of a straight line connecting the start and end points of the virtual line D1-D1', the bulk electrode 271 overlaps with another virtual line of the straight line. A portion of 273) blocks propagation of the crack across the insulating support 280. Therefore, even if a crack occurs in the insulating support 280, it is possible to effectively prevent the separation of the insulating support 280.

더욱이, 절연지지체(280) 및 벌크 전극들(271, 273)의 기계적 안정성이 증가하고, 스트레스에 대한 내성이 향상되어, 발광 소자 제조 공정 중 성장 기판이 분리되는 과정에서 절연지지체(280)에 크랙 또는 파손이 발생하거나, 절연지지체(280)와 벌크 전극들(271, 273)이 서로 박리되는 것이 억제될 수 있다. Moreover, the mechanical stability of the insulating support 280 and the bulk electrodes 271 and 273 is increased, and the resistance to stress is improved, so that the insulating support 280 cracks in the process of separating the growth substrate during the manufacturing process of the light emitting device. Alternatively, breakage may occur or separation of the insulating support 280 and the bulk electrodes 271 and 273 from each other may be suppressed.

따라서, 본 실시예의 발광 소자는 기계적 안정성이 우수하며, 특히, 절연지지체(280)의 크랙 및 파손이 방지되어 신뢰성이 우수한 발광 소자가 제공될 수 있다. 나아가, 본 실시예의 발광 소자의 구조에 따라, 제조 과정에서 발광 소자의 불량이 발생할 확률이 감소되므로, 발광 소자의 공정 수율이 향상될 수 있다.Therefore, the light emitting device of the present embodiment has excellent mechanical stability, and in particular, cracks and breakage of the insulating support 280 are prevented, so that a light emitting device having excellent reliability can be provided. Furthermore, since the probability of defects occurring in the light emitting device in the manufacturing process is reduced according to the structure of the light emitting device of this embodiment, the process yield of the light emitting device can be improved.

뿐만 아니라, 제1 벌크 전극(271)이 돌출부(271a)를 포함하여, 제1 벌크 전극(271)의 수평 단면적이 제2 벌크 전극(273)의 수평 단면적보다 크므로, 발광 소자의 열 방출 효율이 향상된다. 제1 도전형 반도체층(221)이 N형 반도체층인 경우 제1 벌크 전극(271) 역시 N형 전극으로 기능할 수 있으며, 발광 소자의 구동 시, 발광 및 발열이 제1 벌크 전극(271)이 위치하는 영역에 상대적으로 집중된다. 따라서, 본 실시예와 같이 제1 벌크 전극(271)의 수평 단면적을 제2 벌크 전극(273)의 수평 단면적에 비해 크게 형성함으로써, 발광 소자의 전체 발광 영역에서 발광을 균일하게 하여 발광 특성을 향상시킬 수 있고, 제1 벌크 전극(271)을 통해 효과적으로 열을 방출시켜 발광 소자의 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(220)의 위치에 따른 온도 차이를 최소화하여, 온도 균일성을 향상시킬 수 있다. 발광 구조체(220)의 특정 부분에서의 접합 온도(Tj)가 과도하게 상승하는 것 역시 방지되어, 발광 소자의 효율 저하를 방지할 수 있어 신뢰성이 향상될 수 있다.In addition, since the first bulk electrode 271 includes the protruding portion 271a and the horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode 271 is larger than the horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode 273, the heat dissipation efficiency of the light emitting device is high. this improves When the first conductivity-type semiconductor layer 221 is an N-type semiconductor layer, the first bulk electrode 271 may also function as an N-type electrode, and when the light emitting device is driven, light emission and heat are emitted from the first bulk electrode 271. It is relatively concentrated in the area where it is located. Therefore, by making the horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode 271 larger than the horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode 273, as in the present embodiment, the light emission is uniform in the entire light-emitting area of the light-emitting device and the light-emitting characteristics are improved. In addition, heat can be effectively discharged through the first bulk electrode 271 to improve the heat dissipation efficiency of the light emitting device. Accordingly, temperature uniformity may be improved by minimizing a temperature difference according to a position of the light emitting structure 220 . An excessive increase in the junction temperature (T j ) in a specific portion of the light emitting structure 220 may also be prevented, thereby reducing the efficiency of the light emitting device and improving reliability.

나아가, 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273) 간의 이격 거리는 대체로 일정하게 함으로써, 발광 소자의 상면 대비 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 표면이 차지하는 면적의 비율이 돌출부(271a) 및/또는 오목부(273a)에 의해 감소되는 것이 최소화될 수 있다. 따라서, 돌출부(271a) 및/또는 오목부(273a)를 형성하더라도, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 수평 단면적 감소로 인하여 열 방출 효율이 감소되는 것이 방지된다.Furthermore, by keeping the separation distance between the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 substantially constant, the ratio of the area occupied by the surface of the first and second bulk electrodes 271 and 273 to the upper surface of the light emitting device is increased. Reduction by the protruding portion 271a and/or the concave portion 273a may be minimized. Therefore, even if the protruding portion 271a and/or the concave portion 273a are formed, heat dissipation efficiency is prevented from being reduced due to a decrease in the horizontal cross-sectional area of the first and second bulk electrodes 271 and 273 .

제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273) 은 수십㎛ 이상의 두께를 가질 수 있고, 예컨대, 약 70 내지 80㎛의 두께를 가질 수 있다. 벌크 전극들(271, 273)이 상술한 범위의 두께를 가짐으로써, 상기 발광 소자는 그 자체로 칩 스케일 패키지로 이용될 수 있다. The first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may have a thickness of several tens of μm or more, for example, about 70 μm to about 80 μm. When the bulk electrodes 271 and 273 have a thickness within the aforementioned range, the light emitting device itself can be used as a chip scale package.

제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273) 은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있고, 전기적 도전성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273) 은 각각 Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al, Ag등을 포함할 수 있다. 또한, 이와 달리, 소결된 형태의 금속 입자들 및 상기 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함할 수도 있다. 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)은 도금, 증착, 도팅 또는 스크린 프린팅 방법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 한편, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273) 각각은 제1 금속층(271s) 및 제2 금속층(273s)을 포함할 수 있다. 제1 금속층(271s) 및 제2 금속층(273s)은 각각 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 하부에 위치하여, 컨택 전극들(230, 240), 절연층(250, 260) 및 응력완충층(265)과 접할 수 있다. 제1 금속층(271s) 및 제2 금속층(273s)은 벌크 전극들(271, 273)의 형성 방법에 따라 달라 질 수 있으며, 이하, 상세하게 설명한다.The first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be formed of a single layer or multiple layers, and may include an electrically conductive material. For example, each of the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may include Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al, or Ag. Alternatively, it may include sintered metal particles and a non-metallic material interposed between the metal particles. The first and second bulk electrodes 271 and 273 may be formed using a plating, deposition, dotting, or screen printing method. Meanwhile, each of the first and second bulk electrodes 271 and 273 may include a first metal layer 271s and a second metal layer 273s. The first metal layer 271s and the second metal layer 273s are positioned under the first and second bulk electrodes 271 and 273, respectively, to form contact electrodes 230 and 240, insulating layers 250 and 260, and It may contact the stress buffer layer 265 . The first metal layer 271s and the second metal layer 273s may vary according to the method of forming the bulk electrodes 271 and 273, and will be described in detail below.

도금을 이용하여 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하는 경우를 먼저 설명한다. 응력완충층(265), 제1 개구부(260a) 및 제2 개구부(260b)의 전면에 스퍼터링과 같은 방법으로 시드 메탈을 형성한다. 상기 시드 메탈은 Ti, Cu, Au, Cr 등을 포함할 수 있고, 상기 시드 메탈은 UBM층(under bump metallization layer)와 같은 역할을 할 수 있다. 예컨대, 상기 시드 메탈은 Ti/Cu 적층 구조를 가질 수 있다. 이어서, 상기 시드 메탈 상에 마스크를 형성하되, 상기 마스크는 절연지지체(280)가 형성되는 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성되는 영역을 오픈한다. 다음, 도금 공정을 통해 상기 마스크의 오픈 영역 내에 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하고, 이후 식각 공정을 통해 상기 마스크 및 시드 메탈을 제거함으로써 제1 및 제2 벌크 전극(281, 283)이 제공될 수 있다. 이때, 제거되지 않고, 제1 및 제2 벌크 전극(281, 283) 하부에 잔류하는 시드 메탈은 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)으로 형성된다.A case of forming the first and second bulk electrodes 271 and 273 using plating will first be described. A seed metal is formed on the entire surface of the stress buffer layer 265, the first opening 260a, and the second opening 260b by a method such as sputtering. The seed metal may include Ti, Cu, Au, Cr, and the like, and may serve as an under bump metallization layer (UBM). For example, the seed metal may have a Ti/Cu stacked structure. Subsequently, a mask is formed on the seed metal, the mask masks a portion corresponding to the region where the insulating support 280 is formed, and the region where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed is opened do. Next, the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed in the open area of the mask through a plating process, and then the mask and seed metal are removed through an etching process. , 283) may be provided. At this time, the seed metal that is not removed and remains under the first and second bulk electrodes 281 and 283 is formed as the first and second metal layers 271s and 273s.

또한, 스크린 프린팅 방법을 이용하여 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하는 경우는 다음과 같다. 응력완충층(265), 제1 개구부(260a) 및 제2 개구부(260b)의 적어도 일부 상에, 스퍼터링과 같은 증착 및 패터닝 방식, 또는 증착 및 리프트 오프 방법을 통해 UBM층을 형성한다. 상기 UBM층은 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성될 영역 상에 형성될 수 있으며, (Ti 또는 TiW)층과 (Cu, Ni, Au 단일층 또는 조합)층을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 UBM층은 Ti/Cu 적층 구조를 가질 수 있다. 상기 UBM층은 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)에 대응한다. 이어서, 마스크를 형성하되, 상기 마스크는 절연지지체(280)가 형성되는 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성되는 영역을 오픈한다. 다음, 스크린 프린팅 공정을 통해 Ag 페이스트, Au 페이스트, Cu 페이스트와 같은 물질을 상기 오픈 영역 내에 형성하고, 이를 경화시킨다. 이후 식각 공정을 통해 상기 마스크를 제거함으로써 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 제공될 수 있다.In addition, the case of forming the first and second bulk electrodes 271 and 273 using the screen printing method is as follows. A UBM layer is formed on at least a portion of the stress buffer layer 265, the first opening 260a, and the second opening 260b by a deposition and patterning method such as sputtering or a deposition and lift-off method. The UBM layer may be formed on regions where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are to be formed, and may include a (Ti or TiW) layer and a (Cu, Ni, Au single layer or combination) layer. there is. For example, the UBM layer may have a Ti/Cu stacked structure. The UBM layer corresponds to the first and second metal layers 271s and 273s. Then, a mask is formed. The mask masks a portion corresponding to the region where the insulating support 280 is formed, and opens regions where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed. Next, a material such as Ag paste, Au paste, or Cu paste is formed in the open area through a screen printing process and cured. Thereafter, the first and second bulk electrodes 271 and 273 may be provided by removing the mask through an etching process.

절연지지체(280)는 발광 구조체(220) 상에 위치하며, 벌크 전극들(271, 273)의 측면을 적어도 부분적으로 덮는다. 절연지지체(280)는 전기적으로 절연성을 가지며, 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273) 의 측면을 덮어, 효과적으로 이들을 서로 절연시킨다. 동시에, 절연지지체(280)는 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273)을 지지하는 역할을 할 수 있다. 절연지지체(280)는, 예를 들어, EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 절연지지체(280)는 TiO2입자와 같은 광 반사성 및 광 산란 입자를 포함할 수도 있다. 특히, 절연지지체(280)가 EMC를 포함하는 경우, 상술한 바와 같이 응력완충층(265)은 절연지지체(280)가 분리되는 것을 방지하고, 절연지지체(280)에 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있다.The insulating support 280 is positioned on the light emitting structure 220 and at least partially covers side surfaces of the bulk electrodes 271 and 273 . The insulating support 280 has electrical insulation and covers the side surfaces of the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 to effectively insulate them from each other. At the same time, the insulating support 280 may serve to support the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 . The insulating support 280 may include, for example, a material such as EMC (Epoxy Molding Compound) or Si resin. In addition, the insulating support 280 may include light reflective and light scattering particles such as TiO 2 particles. In particular, when the insulating support 280 includes EMC, as described above, the stress buffer layer 265 can prevent the insulating support 280 from being separated and prevent moisture from permeating the insulating support 280. there is.

몇몇 실시예들에서, 도시된 바와 달리, 절연지지체(280)는 발광 구조체(220) 측면까지 덮을 수도 있으며, 이 경우, 발광 구조체(220)에서 방출된 광의 발광 각도가 달라질 수 있다. 예를 들어, 절연지지체(280)가 발광 구조체(220) 측면의 적어도 일부까지 더 덮는 경우, 발광 구조체(220)의 측면으로 방출된 광 중 일부가 발광 구조체(220)의 하면으로 반사될 수 있다. 이와 같이, 절연지지체(280)가 배치되는 영역을 조절함으로써, 발광 소자의 발광 각도를 조절할 수 있다.In some embodiments, unlike shown, the insulating support 280 may cover up to the side of the light emitting structure 220 , and in this case, a light emitting angle of light emitted from the light emitting structure 220 may vary. For example, when the insulating support 280 further covers at least a portion of the side surface of the light emitting structure 220, some of the light emitted from the side surface of the light emitting structure 220 may be reflected to the lower surface of the light emitting structure 220. . In this way, by adjusting the area where the insulating support 280 is disposed, it is possible to adjust the light emitting angle of the light emitting device.

도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다. 4 and 5 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention. FIG. 5 shows a cross-section of a portion corresponding to line II-II' in FIG. 4 .

도 4 및 도 5의 발광 소자는 도 1 및 도 2의 발광 소자와 비교하여, 절연지지체(280)가 상부 절연지지체(281) 및 하부 절연지지체(283)를 포함하는 점과, 발광 소자가 패드 전극들(291, 293)을 더 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하, 차이점을 중심으로 본 실시예의 발광 소자에 관해 설명하며, 중복되는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.Compared to the light emitting devices of FIGS. 4 and 5, the light emitting device of FIGS. 1 and 2, the insulating support 280 includes an upper insulating support 281 and a lower insulating support 283, and the light emitting device is a pad. There is a difference in that the electrodes 291 and 293 are further included. Hereinafter, the light emitting device of this embodiment will be described focusing on differences, and detailed descriptions of overlapping configurations will be omitted.

도 4 및 도 5를 참조하면, 발광 소자는 발광 구조체(220), 제1 컨택 전극(230), 제2 컨택 전극(240), 절연층(250, 260), 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273), 절연지지체(280) 및 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)을 포함한다. 나아가, 발광 소자는 성장 기판(미도시), 연결 전극(245) 및 응력완충층(265)을 더 포함할 수 있다.4 and 5 , the light emitting device includes a light emitting structure 220, a first contact electrode 230, a second contact electrode 240, insulating layers 250 and 260, first and second bulk electrodes ( 271 and 273), an insulating support 280, and first and second pad electrodes 291 and 293. Furthermore, the light emitting device may further include a growth substrate (not shown), a connection electrode 245 and a stress buffer layer 265 .

절연지지체(280)는 발광 구조체(220) 상에 위치하며, 벌크 전극들(271, 273)의 측면 및 벌크 전극들(271, 273)의 상면을 부분적으로 덮는다. 또한, 절연지지체(280)는 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273)의 상면을 부분적으로 노출시키는 개구부들을 포함할 수 있다. 절연지지체(280)는 상부 절연지지체(281) 및 하부 절연지지체(283)를 포함할 수 있으며, 하부 절연지지체(283)는 벌크 전극들(271, 273)의 측면을 둘러쌀 수 있고, 상부 절연지지체(281)는 벌크 전극들(271, 273)의 상면을 부분적으로 덮을 수 있다. 또한, 상부 절연지지체(281)는 하부 절연지지체(283)와 벌크 전극들(271, 273) 간의 계면을 덮을 수 있다.The insulating support 280 is positioned on the light emitting structure 220 and partially covers side surfaces of the bulk electrodes 271 and 273 and upper surfaces of the bulk electrodes 271 and 273 . In addition, the insulating support 280 may include openings partially exposing upper surfaces of the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 . The insulating support 280 may include an upper insulating support 281 and a lower insulating support 283, the lower insulating support 283 may surround the side surfaces of the bulk electrodes 271 and 273, and the upper insulation The support 281 may partially cover upper surfaces of the bulk electrodes 271 and 273 . Also, the upper insulating support 281 may cover interfaces between the lower insulating support 283 and the bulk electrodes 271 and 273 .

절연지지체(280)는 전기적으로 절연성을 가지며, 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273)의 측면을 덮어, 효과적으로 이들을 서로 절연시킨다. 동시에, 절연지지체(280)는 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273)을 지지하는 역할을 할 수 있다. The insulating support 280 has electrical insulation and covers side surfaces of the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 to effectively insulate them from each other. At the same time, the insulating support 280 may serve to support the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 .

상부 절연지지체(281)에 의해 벌크 전극들(271, 273)의 상면이 부분적으로 덮여 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 상면 중 노출된 부분의 면적은, 각각 제1 벌크 전극(271)의 수평 단면적 및 제2 벌크 전극(273)의 수평 단면적보다 작을 수 있다. 특히, 상부 절연지지체(281)는 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273)이 서로 대향하는 측면 주변의 벌크 전극들(271, 273)의 상면 상에 위치할 수 있다. 따라서, 상부 절연지지체(281)의 개구부에 의해 노출되는 제1 벌크 전극(271)의 상면과 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면 간의 이격 거리는 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273) 간의 이격 거리보다 크다.The upper surfaces of the bulk electrodes 271 and 273 are partially covered by the upper insulating support 281, and the exposed area of the upper surfaces of the first and second bulk electrodes 271 and 273 is the first bulk electrode ( 271) and the horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode 273. In particular, the upper insulating support 281 may be positioned on the upper surfaces of the bulk electrodes 271 and 273 around the side surfaces where the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 face each other. Therefore, the distance between the upper surface of the first bulk electrode 271 exposed by the opening of the upper insulating support 281 and the exposed upper surface of the second bulk electrode 273 is the distance between the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode. (273) is greater than the separation distance between them.

이와 관련하여 구체적으로 설명하면, 상기 노출된 상면들(271a, 273a)과 별도의 기판 사이에 도전성 물질(예를 들어, 솔더, 도전성 접착제, 공정(Eutectic) 물질 등)을 형성하여 발광 소자와 상기 별도의 기판을 접착함으로써 발광 소자를 상기 별도의 기판 상에 실장시킬 수 있다. 접착을 위해 형성한 도전성 물질에 의해 벌크 전극들(271, 273) 간에 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지하기 위하여, 상술한 바와 같이 노출된 상면들 사이의 이격 거리는 소정 수치 이상이 될 것이 요구된다. 본 발명에 따르면, 절연지지체(280)가 벌크 전극들(271, 273)의 상면을 부분적으로 덮도록 형성됨으로써, 제1 벌크 전극(271)의 노출된 상면과 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면 간의 이격 거리가 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273) 간의 이격 거리보다 크게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 이격 거리를 벌크 전극들(271, 273) 간에 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있는 소정 수치 이상으로 형성함과 동시에, 벌크 전극들(271, 273) 간의 이격 거리는 벌크 전극들(271, 273) 간에 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있는 소정 수치 이하로 형성할 수 있다. 따라서, 발광 소자의 열 방출 효율을 향상시킴과 동시에, 발광 소자의 실장 과정에서 전기적 쇼트가 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.Specifically in this regard, by forming a conductive material (eg, solder, conductive adhesive, eutectic material, etc.) between the exposed upper surfaces 271a and 273a and a separate substrate, the light emitting element and the By bonding a separate substrate, the light emitting device can be mounted on the separate substrate. In order to prevent an electrical short between the bulk electrodes 271 and 273 due to the conductive material formed for bonding, as described above, the separation distance between the exposed top surfaces is required to be greater than a predetermined value. According to the present invention, the insulating support 280 is formed to partially cover the upper surfaces of the bulk electrodes 271 and 273, so that the exposed upper surface of the first bulk electrode 271 and the exposed upper surface of the second bulk electrode 273 are exposed. The separation distance between the upper surfaces may be larger than the separation distance between the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 . Therefore, the separation distance between the bulk electrodes 271 and 273 is formed to be greater than or equal to a predetermined value capable of preventing an electric short from occurring between the bulk electrodes 271 and 273, and the separation distance between the bulk electrodes 271 and 273 , 273) can be formed below a predetermined value that can prevent an electrical short from occurring. Accordingly, it is possible to improve the heat dissipation efficiency of the light emitting device and effectively prevent an electrical short during the mounting of the light emitting device.

제1 벌크 전극(271)의 노출된 상면과 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면 간의 이격 거리는 제한되지 않으나, 솔더링을 통해 발광 소자를 별도의 기판에 실장하는 경우 상기 이격 거리는 약 250㎛ 이상일 수 있고, 나아가, 공정 본딩을 통해 발광 소자를 별도의 기판에 실장하는 경우 상기 이격 거리는 약 80㎛ 이상일 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The separation distance between the exposed upper surface of the first bulk electrode 271 and the exposed upper surface of the second bulk electrode 273 is not limited, but when the light emitting element is mounted on a separate substrate through soldering, the separation distance may be about 250 μm or more. Furthermore, when the light emitting device is mounted on a separate substrate through process bonding, the separation distance may be about 80 μm or more. However, the present invention is not limited thereto.

또한, 상부 절연지지체(281)는 제1 벌크 전극(271)의 노출된 상면과 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면 간의 이격 거리가 소정 수치 이상으로 형성되도록 벌크 전극들(271, 273)이 서로 대향하는 측면 상부 주변 영역에 배치되면 충분하고, 그 외의 영역에서 배치되는 형태는 제한되지 않는다. 예를 들어, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 사이에 위치하는 절연지지체(280)는, 그 단면이 'T'형상을 가질 수 있고, 나아가, 상기 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 외곽 측면을 덮는 절연지지체(280)는 그 단면이 'ㄱ' 형상을 가질 수 있다.In addition, the upper insulating support 281 is formed by the bulk electrodes 271 and 273 so that the separation distance between the exposed upper surface of the first bulk electrode 271 and the exposed upper surface of the second bulk electrode 273 is greater than a predetermined value. It is sufficient if they are arranged in the upper peripheral area of the side faces facing each other, and the shape of the arrangement in other areas is not limited. For example, as shown in FIGS. 4 and 5, the insulating support 280 positioned between the first and second bulk electrodes 271 and 273 may have a 'T' shape in cross section. Furthermore, the insulating support 280 covering the outer side surfaces of the first and second bulk electrodes 271 and 273 may have an 'A' shape in cross section.

또한, 절연지지체(280)와 벌크 전극들(271, 273)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있는데, 특히, 절연지지체(280)는 절연성 폴리머 및/또는 절연성 세라믹을 포함할 수 있고, 벌크 전극들(271, 273)은 금속성 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 절연지지체(280)와 벌크 전극들(271, 273) 간의 계면에서 박리 또는 크랙이 발생할 수 있고, 서로 다른 물질이 접합됨으로 인하여 발생할 수 있는 스트레스 및 스트레인에 의한 파손이 발생할 수 있다. 절연지지체(280) 및/또는 벌크 전극들(271, 273)이 파손되면, 발광 구조체(220)가 오염될 수 있고, 나아가, 발광 구조체(220)에 크랙 등이 발생할 수 있어, 발광 소자의 신뢰성이 떨어질 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 절연지지체(280)가 벌크 전극들(271, 273)의 측면 및 벌크 전극들(271, 273)의 상면을 부분적으로 덮도록 형성됨으로써, 절연지지체(280) 및 벌크 전극들(271, 273) 간의 기계적 안정성이 향상될 수 있다. 따라서, 발광 소자의 신뢰성이 향상될 수 있다.In addition, the insulating support 280 and the bulk electrodes 271 and 273 may be formed of different materials. In particular, the insulating support 280 may include an insulating polymer and/or an insulating ceramic, and the bulk electrodes (271, 273) may include a metallic material. Accordingly, peeling or cracking may occur at the interface between the insulating support 280 and the bulk electrodes 271 and 273, and damage may occur due to stress and strain that may occur due to bonding of different materials. If the insulating support 280 and/or the bulk electrodes 271 and 273 are damaged, the light emitting structure 220 may be contaminated, and furthermore, cracks may occur in the light emitting structure 220, resulting in reliability of the light emitting device. this may fall According to the embodiments of the present invention, the insulating support 280 is formed to partially cover the side surfaces of the bulk electrodes 271 and 273 and the upper surfaces of the bulk electrodes 271 and 273, so that the insulating support 280 and Mechanical stability between the bulk electrodes 271 and 273 may be improved. Therefore, the reliability of the light emitting element can be improved.

또한, 발광 소자의 기계적 안정성이 향상됨으로써, 발광 구조체(220)로부터 성장 기판(미도시)을 분리하는 과정에서 발광 구조체(220)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.In addition, by improving the mechanical stability of the light emitting device, it is possible to prevent the light emitting structure 220 from being damaged in the process of separating the growth substrate (not shown) from the light emitting structure 220 .

나아가, 하부 절연지지체(283)와 상부 절연지지체(281)는 서로 동일한 물질 또는 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 하부 절연지지체(283)와 상부 절연지지체(281)가 서로 동일한 물질로 형성되는 경우, 절연지지체(280)는, 예를 들어, EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 절연지지체(280)는 TiO2입자와 같은 광 반사성 및 광 산란 입자를 포함할 수도 있다. 하부 절연지지체(283)와 상부 절연지지체(281)가 서로 다른 물질로 형성되는 경우, 상부 절연지지체(281)는 하부 절연지지체(283)에 비해 낮은 취성 및/또는 낮은 흡습성을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 하부 절연지지체(283)는 EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질을 포함할 수 있고, 상부 절연지지체(281)는 포토레지스트(PR) 및/또는 포토솔더레지스트(PSR)와 같은 물질을 포함할 수 있다.Furthermore, the lower insulating support 283 and the upper insulating support 281 may be formed of the same material or different materials. When the lower insulating support 283 and the upper insulating support 281 are formed of the same material, the insulating support 280 may include, for example, a material such as EMC (Epoxy Molding Compound) or Si resin. . In addition, the insulating support 280 may include light reflective and light scattering particles such as TiO 2 particles. When the lower insulating support 283 and the upper insulating support 281 are formed of different materials, the upper insulating support 281 may be formed of a material having lower brittleness and/or lower hygroscopicity than the lower insulating support 283. can For example, the lower insulating support 283 may include a material such as EMC (Epoxy Molding Compound) or Si resin, and the upper insulating support 281 may include photoresist (PR) and/or photo solder resist (PSR). may contain substances such as

상부 절연지지체(281)가 취성이 상대적으로 낮은 물질로 형성됨으로써, 하부 절연지지체(283)에 비해 깨지거나 크랙이 발생할 확률이 낮아, 하부 절연지지체(283)와 벌크 전극들(271, 273)간의 계면을 통해 외부 오염 물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상부 절연지지체(281)가 흡습성이 상대적으로 낮은 물질로 형성됨으로써, 하부 절연지지체(283)와 벌크 전극들(271, 273)간의 계면을 통해 외부 오염 물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 하부 절연지지체(283)가 EMC와 같이 흡습성이 높은 물질로 형성되는 경우, PSR과 같은 물질로 형성된 상부 절연지지체(281)에 의해 발광 소자가 습기로부터 더욱 효과적으로 보호될 수 있다. 특히, 상부 절연지지체(281)가 하부 절연지지체(283)와 벌크 전극들(271, 273)간의 계면을 덮도록 형성되는 경우, 더욱 효과적으로 상술한 발광 소자 보호 기능이 발휘될 수 있다.Since the upper insulating support 281 is formed of a material with relatively low brittleness, the probability of breaking or cracking is lower than that of the lower insulating support 283, so that the gap between the lower insulating support 283 and the bulk electrodes 271 and 273 Penetration of external contaminants through the interface can be prevented. In addition, since the upper insulating support 281 is formed of a material having relatively low hygroscopicity, penetration of external contaminants through the interface between the lower insulating support 283 and the bulk electrodes 271 and 273 can be prevented. For example, when the lower insulating support 283 is formed of a material having high hygroscopicity such as EMC, the light emitting device can be more effectively protected from moisture by the upper insulating support 281 formed of a material such as PSR. In particular, when the upper insulating support 281 is formed to cover the interface between the lower insulating support 283 and the bulk electrodes 271 and 273, the above-described function of protecting the light emitting device can be exhibited more effectively.

한편, 제1 벌크 전극(271)의 노출된 상면(271a)의 면적은 제1 벌크 전극(271)과 제1 컨택 전극(230)이 접하는 영역의 면적보다 작을 수 있고, 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면(273a)의 면적은 제2 벌크 전극(273)과 제2 컨택 전극(240)이 접하는 영역의 면적보다 클 수 있다. 이 경우, 제1 벌크 전극(271)의 수평 단면적이 제2 벌크 전극(273)의 수평 단면적보다 클 수 있다.Meanwhile, the area of the exposed upper surface 271a of the first bulk electrode 271 may be smaller than the area of the area where the first bulk electrode 271 and the first contact electrode 230 come into contact, and the area of the second bulk electrode 273 The area of the exposed top surface 273a of ) may be larger than the area of the area where the second bulk electrode 273 and the second contact electrode 240 come into contact. In this case, the horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode 271 may be greater than the horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode 273 .

제1 패드 전극(291) 및 제2 패드 전극(293)은 각각 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273) 상에 위치할 수 있으며, 또한, 각각 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 상면을 부분적으로 노출시키는 절연지지체(280)의 개구부들을 채울 수 있다. 이에 따라, 제1 패드 전극(291)과 제2 패드 전극(293)은 각각 제1 벌크 전극(271)의 노출된 상면 및 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면을 덮을 수 있다. 따라서 제1 및 제2 패드 전극(291, 293) 간의 이격 거리는 제1 벌크 전극(271)의 노출된 상면과 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면 간의 이격 거리에 대응될 수 있다.The first pad electrode 291 and the second pad electrode 293 may be positioned on the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273, respectively, and the first and second bulk electrodes ( Openings of the insulating support 280 partially exposing upper surfaces of the 271 and 273 may be filled. Accordingly, the first pad electrode 291 and the second pad electrode 293 may cover the exposed upper surface of the first bulk electrode 271 and the exposed upper surface of the second bulk electrode 273 , respectively. Therefore, the distance between the first and second pad electrodes 291 and 293 may correspond to the distance between the exposed upper surface of the first bulk electrode 271 and the exposed upper surface of the second bulk electrode 273 .

또한, 도시된 바와 같이, 제1 패드 전극(291)과 제2 패드 전극(293)의 상면은 절연지지체(280)의 상면과 대체로 동일한 높이로 나란하게(flush) 위치할 수 있다. 이 경우, 발광 소자의 상면은 대체로 평평하게 형성될 수 있다. 또한, 제1 패드 전극(291)의 상면과 제2 패드 전극(293)의 상면은 대체로 동일한 면적을 가질 수 있다. 따라서, 발광 소자의 실장면에 노출된 전기적 연결 부분이 동일한 면적으로 형성될 수 있어, 실장 공정이 용이해질 수 있다.Also, as shown, the upper surfaces of the first pad electrode 291 and the second pad electrode 293 may be flush with the upper surface of the insulating support 280 at substantially the same height. In this case, the upper surface of the light emitting device may be formed substantially flat. Also, the top surface of the first pad electrode 291 and the top surface of the second pad electrode 293 may have substantially the same area. Accordingly, the electrical connection portion exposed on the mounting surface of the light emitting device can be formed in the same area, thereby facilitating the mounting process.

제1 및 제2 패드 전극(291, 293)은, 절연지지체(280)의 개구부들을 채우도록 도금 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 이 후, 제1 및 제2 패드 전극(291, 293) 및 절연지지체(280)를 물리적 및/또는 화학적 방법, 예컨대, 래핑 또는 CMP 등이 방법을 이용하여 부분적으로 제거함으로써, 제1 패드 전극(291)과 제2 패드 전극(293)의 상면은 절연지지체(280)의 상면을 대체로 동일한 높이로 나란하게 형성할 수 있다.The first and second pad electrodes 291 and 293 may be formed using a method such as plating to fill the openings of the insulating support 280 . Thereafter, by partially removing the first and second pad electrodes 291 and 293 and the insulating support 280 using a physical and/or chemical method, for example, lapping or CMP, the first pad electrode ( 291) and the upper surface of the second pad electrode 293 may be formed parallel to the upper surface of the insulating support 280 at substantially the same height.

제1 패드 전극(291)과 제2 패드 전극(293)은 도전성 물질, 특히, 금속성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Au, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb 등을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)은 벌크 전극들(271, 273)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수도 있고, 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다. 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)은 증착 또는 도금 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 예컨대, 무전해 도금을 이용하여 형성할 수 있다.The first pad electrode 291 and the second pad electrode 293 may include a conductive material, in particular, a metallic material, such as Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Au, or Sn. , Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb, and the like. The first and second pad electrodes 291 and 293 may include substantially the same material as the bulk electrodes 271 and 273 or may be formed of different materials. The first and second pad electrodes 291 and 293 may be formed using a deposition or plating method, and may be formed using, for example, electroless plating.

발광 소자가 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)을 더 포함함으로써, 발광 소자의 상면(발광 소자가 별도의 기판에 실장되는 면일 수 있다)이 대체로 평평하게 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 소자을 별도의 기판 상에 실장하는 공정이 용이해질 수 있다. Since the light emitting element further includes the first and second pad electrodes 291 and 293 , an upper surface of the light emitting element (which may be a surface on which the light emitting element is mounted on a separate substrate) may be formed substantially flat. Accordingly, a process of mounting the light emitting device on a separate substrate can be facilitated.

도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 도 7은 도 6의 Ⅲ-Ⅲ'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다. 6 and 7 are plan and cross-sectional views for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention. FIG. 7 shows a cross-section of a portion corresponding to line III-III' in FIG. 6 .

도 6 및 도 7의 발광 소자는 도 1 및 도 2의 발광 소자와 비교하여, 제1 컨택 전극(230) 및 절연층(255)의 구조에 있어서 차이가 있다. 이하 차이점을 중심으로 본 실시예의 발광 소자에 관해 설명하며, 중복되는 구성에 대한 상세한 설명은 이하 생략한다.The light emitting devices of FIGS. 6 and 7 differ from the light emitting devices of FIGS. 1 and 2 in structures of the first contact electrode 230 and the insulating layer 255 . Hereinafter, the light emitting device of the present embodiment will be described focusing on the differences, and detailed descriptions of overlapping configurations will be omitted below.

도 6 및 도 7을 참조하면, 발광 소자는 발광 구조체(220), 제1 컨택 전극(230), 제2 컨택 전극(240), 절연층(250, 260), 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273) 및 절연지지체(280)를 포함한다. 나아가, 발광 소자는 성장 기판(미도시), 연결 전극(245) 및 응력완충층(265)을 더 포함할 수 있다.6 and 7 , the light emitting device includes a light emitting structure 220, a first contact electrode 230, a second contact electrode 240, insulating layers 250 and 260, first and second bulk electrodes ( 271, 273) and an insulating support (280). Furthermore, the light emitting device may further include a growth substrate (not shown), a connection electrode 245 and a stress buffer layer 265 .

상기 발광 소자는 발광 구조체(220)를 포함하되, 발광 구조체(220)는 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)이 부분적으로 제거되어 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역을 포함한다. 제1 도전형 반도체층(221)이 노출됨으로써, 발광 구조체(220)는 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)을 포함하는 메사(220m)를 가질 수 있다. 메사(220m)의 위치는 제한되지 않으며, 예컨대, 도시된 바와 같이 상기 메사(220m)는 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역에 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있다.The light emitting device includes a light emitting structure 220, wherein the second conductivity type semiconductor layer 225 and the active layer 223 are partially removed to expose the first conductivity type semiconductor layer 221. contains the area As the first conductivity type semiconductor layer 221 is exposed, the light emitting structure 220 may have a mesa 220m including the second conductivity type semiconductor layer 225 and the active layer 223 . The location of the mesa 220m is not limited, and for example, as shown, the mesa 220m may be at least partially surrounded by a region where the first conductivity type semiconductor layer 221 is exposed.

제1 컨택 전극(230)은 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역 상에 위치하여 제1 도전형 반도체층(221)과 오믹 컨택할 수 있다. 특히, 도 1 및 도 2의 실시예와 달리, 제1 컨택 전극(230)은 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역 내에 위치한다. 따라서, 제1 컨택 전극(230)과 제2 컨택 전극(240)은 서로 이격될 수 있다.The first contact electrode 230 may be positioned on an area where the first conductivity type semiconductor layer 221 is exposed to make ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer 221 . In particular, unlike the exemplary embodiments of FIGS. 1 and 2 , the first contact electrode 230 is located in an area where the first conductivity type semiconductor layer 221 is exposed. Accordingly, the first contact electrode 230 and the second contact electrode 240 may be spaced apart from each other.

절연층(255)은 제1 컨택 전극(230) 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 덮되, 제1 컨택 전극(230) 및 제2 컨택 전극(240)을 각각 부분적으로 노출시키는 제1 개구부(255a) 및 제2 개구부(255b)를 포함한다. 본 실시예에 따르면, 제1 컨택 전극(230)이 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역 내에 위치하므로, 절연층(255)이 제1 컨택 전극(230)과 제2 컨택 전극(240) 사이에 끼인 형태로 형성되지 않을 수 있다. 또한, 절연층(255)이 제1 절연층과 제2 절연층으로 분리되지 않고, 한번의 공정으로 형성될 수 있으므로, 발광 소자의 제조 공정이 더욱 간소화될 수 있다. 특히, 절연층이 제1 절연층과 제2 절연층으로 구분되는 경우, 각각의 절연층을 패터닝하기 위한 마스크 패턴 형성 공정이 적어도 2회 이상 요구된다. 반면, 본 실시예의 경우 절연층(255)은 단일의 절연층(255)으로 형성되어, 마스크 패턴 형성 공정이 적어도 1회 이상 생략될 수 있다.The insulating layer 255 partially covers the first contact electrode 230 and the second contact electrode 240 and partially exposes the first contact electrode 230 and the second contact electrode 240, respectively. (255a) and a second opening (255b). According to the present embodiment, since the first contact electrode 230 is located in the region where the first conductivity type semiconductor layer 221 is exposed, the insulating layer 255 is formed between the first contact electrode 230 and the second contact electrode ( 240) may not be formed in a sandwiched form. In addition, since the insulating layer 255 can be formed in one process without being separated into the first insulating layer and the second insulating layer, the manufacturing process of the light emitting device can be further simplified. In particular, when the insulating layer is divided into a first insulating layer and a second insulating layer, a mask pattern forming process for patterning each insulating layer is required at least twice. On the other hand, in the case of the present embodiment, the insulating layer 255 is formed of a single insulating layer 255, so that at least one mask pattern forming process may be omitted.

한편, 연결 전극(245)은 제2 컨택 전극(240) 상에 위치할 수 있다. 또한, 연결 전극(245)은 절연층(255)에 의해 그 측면이 덮일 수 있다. 본 실시예에 따르면, 절연층(255)이 단일의 절연층(255)으로 형성되므로, 연결 전극(245)은 절연층(255)의 하부에 위치할 수 있다.Meanwhile, the connection electrode 245 may be positioned on the second contact electrode 240 . In addition, the side surface of the connection electrode 245 may be covered by the insulating layer 255 . According to the present embodiment, since the insulating layer 255 is formed of a single insulating layer 255 , the connection electrode 245 may be positioned below the insulating layer 255 .

다만, 본 실시예에서 절연층(255)이 단일의 절연층(255)으로 형성된다는 것은 절연층(255)이 단일층으로 이루어진 것으로 한정하여 의미하는 것은 아니며, 절연층(255)은 다중층으로 이루어질 수 있다.However, in this embodiment, the fact that the insulating layer 255 is formed of a single insulating layer 255 does not mean that the insulating layer 255 is limited to being made of a single layer, and the insulating layer 255 is formed of multiple layers. It can be done.

도 8 및 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.8 and 9 are plan views and cross-sectional views for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

본 실시예의 발광 소자는 도 1 및 도 2의 발광 소자와 비교하여 발광 구조체(220)의 구조가 상이하며, 파장변환부(295), 제1 및 제2 패드 전극(291)을 더 포함하는 점에서 차이가 있다. 이에 따라, 다른 나머지 구성들의 상호 구조 관계 등에 차이가 있으며, 이하 차이점을 중심으로 상세하게 설명한다. 동일한 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.The light emitting device of this embodiment has a different structure of the light emitting structure 220 compared to the light emitting devices of FIGS. 1 and 2, and further includes a wavelength conversion unit 295 and first and second pad electrodes 291. There is a difference in Accordingly, there is a difference in the mutual structural relationship of the other components, and the following will be described in detail focusing on the differences. Detailed descriptions of the same components are omitted.

도 8의 (a)는 본 실시예에 따른 발광 소자의 평면도이고, (b)는 홀(220h)의 위치 및 제1 개구부(260a)와 제2 개구부(260b)의 위치를 설명하기 위한 평면도이며, 도 9는 도 8의 (a)와 (b)의 Ⅳ-Ⅳ'선에 대응하는 영역의 단면을 도시하는 단면도이다.Figure 8 (a) is a plan view of the light emitting device according to the present embodiment, (b) is a plan view for explaining the position of the hole (220h) and the position of the first opening (260a) and the second opening (260b) , FIG. 9 is a cross-sectional view showing a cross section of a region corresponding to lines IV-IV′ in FIGS. 8 (a) and (b).

도 8 및 도 9를 참조하면, 발광 소자는 발광 구조체(220), 제1 컨택 전극(230), 제2 컨택 전극(240), 절연층(250, 260), 응력완충층(265), 제1 및 제2 벌크 전극(281, 283) 및 절연지지체(190)를 포함한다. 나아가, 발광 소자는 성장 기판(미도시), 파장변환부(210), 제1 및 제2 패드 전극(291, 293) 및 응력완충층(265)을 더 포함할 수 있다.8 and 9, the light emitting device includes a light emitting structure 220, a first contact electrode 230, a second contact electrode 240, insulating layers 250 and 260, a stress buffer layer 265, a first and second bulk electrodes 281 and 283 and an insulating support 190 . Furthermore, the light emitting device may further include a growth substrate (not shown), a wavelength converter 210 , first and second pad electrodes 291 and 293 , and a stress buffer layer 265 .

발광 구조체(220)는 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)이 부분적으로 제거되어 제1 도전형 반도체층(221)이 부분적으로 노출된 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 발광 구조체(220)는 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(221)을 노출시키는 복수의 홀(220h)을 포함할 수 있다. 홀(220h)들은 발광 구조체(220)의 전체에 걸쳐 대체로 규칙적으로 위치할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 홀(220h)의 배치 형태 및 개수는 다양하게 변형될 수 있다.The light emitting structure 220 may include a region where the first conductivity type semiconductor layer 221 is partially exposed by partially removing the second conductivity type semiconductor layer 225 and the active layer 223 . For example, as shown, the light emitting structure 220 includes a plurality of holes 220h penetrating the second conductivity type semiconductor layer 225 and the active layer 223 to expose the first conductivity type semiconductor layer 221 . can include The holes 220h may be substantially regularly positioned throughout the light emitting structure 220 . However, the present invention is not limited thereto, and the arrangement shape and number of holes 220h may be variously modified.

또한, 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 형태는 홀(220h)과 같은 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(221) 노출되는 영역은 라인 형태, 홀 및 라인이 복합된 형태 등으로 형성될 수 있다. In addition, the shape in which the first conductivity type semiconductor layer 221 is exposed is not limited to the same shape as the hole 220h. For example, the exposed region of the first conductivity-type semiconductor layer 221 may be formed in a line shape, a combination of holes and lines, or the like.

제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225) 상에 위치하여, 오믹 컨택될 수 있다. 제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225)의 상면을 전반적으로 덮도록 배치될 수 있으며, 나아가, 제2 도전형 반도체층(225)의 상면을 거의 완전히 덮도록 형성될 수 있다. 제2 컨택 전극(240)은 발광 구조체(220) 전체에 걸쳐 단일체로 형성될 수 있으며, 이 경우, 제2 컨택 전극(240)은 복수의 홀(220h)의 위치에 대응하는 개구 영역들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(220)의 전체에 대해 전류를 균일하게 공급하여, 전류 분산 효율이 향상될 수 있다.The second contact electrode 240 may be positioned on the second conductivity type semiconductor layer 225 to make ohmic contact. The second contact electrode 240 may be disposed to entirely cover the top surface of the second conductivity type semiconductor layer 225, and furthermore, may be formed to almost completely cover the top surface of the second conductivity type semiconductor layer 225. there is. The second contact electrode 240 may be formed as a single body throughout the light emitting structure 220. In this case, the second contact electrode 240 may include opening areas corresponding to positions of the plurality of holes 220h. can Accordingly, current is uniformly supplied to the entire light emitting structure 220, and current dissipation efficiency can be improved.

다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 컨택 전극(240)은 복수의 단위 유닛들로 형성될 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the second contact electrode 240 may be formed of a plurality of unit units.

제1 절연층(250)은 발광 구조체(220)의 상면 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 덮을 수 있다. 제1 절연층(250)은 복수의 홀(220h)들의 측면을 덮되, 홀(220h)의 하면에 위치하는 제1 도전형 반도체층(221)을 부분적으로 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 따라서 상기 개구부는 복수의 홀(220h)이 배치된 위치에 대응하여 위치할 수 있다. 또한, 제1 절연층(250)은 제2 컨택 전극(240)의 일부를 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 나아가, 제1 절연층(250)은 발광 구조체(220)의 적어도 일부의 측면을 더 덮을 수 있다.The first insulating layer 250 may partially cover the upper surface of the light emitting structure 220 and the second contact electrode 240 . The first insulating layer 250 may include openings that cover side surfaces of the plurality of holes 220h and partially expose the first conductive semiconductor layer 221 positioned on the lower surface of the holes 220h. Accordingly, the openings may be located corresponding to positions where the plurality of holes 220h are disposed. Also, the first insulating layer 250 may include an opening exposing a portion of the second contact electrode 240 . Furthermore, the first insulating layer 250 may further cover at least a portion of the side surface of the light emitting structure 220 .

제1 컨택 전극(230)은 발광 구조체(220)를 부분적으로 덮을 수 있으며, 홀들(220h) 및 상기 홀들(220h)에 대응하는 부분에 위치하는 제1 절연층(250)의 개구부를 통해 제1 도전형 반도체층(221)과 오믹 컨택할 수 있다. 또한, 도시된 바와 달리, 제1 컨택 전극(230)은 발광 구조체(220)의 측면까지 덮도록 형성될 수도 있다. The first contact electrode 230 may partially cover the light emitting structure 220 , and through holes 220h and openings of the first insulating layer 250 positioned in portions corresponding to the holes 220h, the first contact electrode 230 may cover the first contact electrode 230 . It may make ohmic contact with the conductive semiconductor layer 221 . Also, unlike shown, the first contact electrode 230 may be formed to cover even the side surface of the light emitting structure 220 .

제2 절연층(260)은 제1 컨택 전극(230)을 부분적으로 덮을 수 있으며, 제1 컨택 전극(230)을 부분적으로 노출시키는 제1 개구부(260a), 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 노출시키는 제2 개구부(260b)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 개구부(260a, 260b) 각각은 하나 이상 형성될 수 있다. 또한, 상기 개구부들(260a, 260b)은 서로 반대하여 위치하는 측면들에 각각 치우쳐 위치할 수 있다. 응력완충층(265)은 제2 절연층(260) 상에 위치할 수 있다.The second insulating layer 260 may partially cover the first contact electrode 230, and may partially expose the first contact electrode 230 through the first opening 260a and the second contact electrode 240. A second opening 260b partially exposed may be included. One or more first and second openings 260a and 260b may be formed. In addition, the openings 260a and 260b may be located on opposite sides of each other. The stress buffer layer 265 may be positioned on the second insulating layer 260 .

제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273)은 발광 구조체(220) 상에 위치할 수 있고, 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273)은 각각 제1 컨택 전극(230) 및 제2 컨택 전극(240)에 전기적으로 연결될 수 있다. 절연지지체(280)는 발광 구조체(220) 상에 위치하며, 벌크 전극들(271, 273)의 측면을 적어도 부분적으로 덮는다. 또한, 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)은 각각 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273) 상에 위치할 수 있다. 절연지지체(280), 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)에 관한 설명은, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 바와 대체로 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.The first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be positioned on the light emitting structure 220, and each of the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 is a first contact electrode ( 230) and the second contact electrode 240. The insulating support 280 is positioned on the light emitting structure 220 and at least partially covers side surfaces of the bulk electrodes 271 and 273 . Also, the first and second pad electrodes 291 and 293 may be positioned on the first and second bulk electrodes 271 and 273 , respectively. Since descriptions of the insulating support 280 and the first and second pad electrodes 291 and 293 are substantially the same as those described with reference to FIGS. 4 and 5 , detailed descriptions thereof will be omitted.

파장변환부(295)는 발광 구조체(220)의 하면 상에 배치될 수 있다. 파장변환부(210)에 의해 발광 구조체(220)로부터 방출된 광이 파장변환되어 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 발광 소자가 제공될 수 있다. 또한, 파장변환부(210)는 발광 구조체(220)의 하면뿐만 아니라, 발광 구조체(220)의 측면까지 연장되어 형성될 수 있고, 나아가, 절연지지체(280)의 측면까지 더 연장되어 형성될 수도 있다.The wavelength conversion unit 295 may be disposed on the lower surface of the light emitting structure 220 . Light emitted from the light emitting structure 220 by the wavelength conversion unit 210 is wavelength-converted to provide a light emitting device capable of implementing light of various colors. In addition, the wavelength conversion unit 210 may be formed extending not only to the lower surface of the light emitting structure 220, but also to the side surface of the light emitting structure 220, and may further extend to the side surface of the insulating support 280. there is.

파장변환부(295)는 광의 파장을 변환시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 파장변환부(295)는 담지체 내에 형광체가 분산된 형태로 제공될 수 있고, 또는 단결정 형광체 시트 형태로 제공될 수도 있으며, 또는 양자점 물질을 포함하는 형태로 제공될 수도 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The wavelength conversion unit 295 may include a material capable of converting a wavelength of light. For example, the wavelength conversion unit 295 may be provided in a form in which a phosphor is dispersed in a support, or a single crystal phosphor sheet. It may be provided in a form, or may be provided in a form containing a quantum dot material. However, the present invention is not limited thereto.

발광 소자가 파장변환부(295)를 포함함으로써, 백색광을 방출할 수 있는 칩 스케일 패키지가 제공될 수 있다.When the light emitting device includes the wavelength converter 295, a chip scale package capable of emitting white light may be provided.

도 10 내지 도 25는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들 및 단면도들이다. 각각의 도면들에서, 동일한 도면 내에 포함된 (a) 및 (b)는 각각 평면도 및 단면도를 나타내며, 각 도면에서 (b)는 (a)의 Ⅴ-Ⅴ'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다. 후술하는 설명에서, 도 10 내지 도 25를 참조하여 다양한 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명한다. 도 1 내지 도 9의 실시예들에서 설명한 구성과 유사한 구성에 대한 상세한 설명은 축소 또는 생략하며, 차이점을 갖는 구성에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 후술하는 실시예들에서, 단일 발광 소자를 기준으로 발광 소자 제조 방법에 대해 설명하는 경우에도, 상기 실시예들에서 설명되는 구성 및 특징들은 복수의 발광 소자를 형성하는 경우에도 적용될 수 있다.10 to 25 are plan views and cross-sectional views for explaining a light emitting device and a manufacturing method thereof according to other embodiments of the present invention. In each of the drawings, (a) and (b) included in the same drawing represent a plan view and a cross-sectional view, respectively, and (b) in each drawing shows a cross section of a part corresponding to the line V-V' in (a). do. In the following description, a light emitting device and a manufacturing method thereof according to various embodiments will be described with reference to FIGS. 10 to 25 . Detailed descriptions of components similar to those described in the embodiments of FIGS. 1 to 9 will be reduced or omitted, and components having differences will be described in detail. In addition, in the embodiments to be described later, even when a method of manufacturing a light emitting device is described based on a single light emitting device, configurations and features described in the above embodiments may be applied even when a plurality of light emitting devices are formed.

도 10을 참조하면, 성장 기판(210) 상에 제1 도전형 반도체층(221), 활성층(223) 및 제2 도전형 반도체층(225)을 포함하는 발광 구조체(220)를 형성한다.Referring to FIG. 10 , a light emitting structure 220 including a first conductivity type semiconductor layer 221 , an active layer 223 , and a second conductivity type semiconductor layer 225 is formed on a growth substrate 210 .

성장 기판(210)은 발광 구조체(220)를 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않는다. 예를 들어, 성장 기판(210)은 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판 등일 수 있다. 발광 구조체(220)는 유기금속화학증착(Metal-organic chemical vapor deposition; MOCVD), 수소화물기상증착(Hydride vapor phase epitaxy; HVPE), 또는 분자선 증착(Molecular beam epitaxy; MBE) 등의 방법을 이용하여 성장될 수 있다. The growth substrate 210 is not limited as long as it can grow the light emitting structure 220 thereon. For example, the growth substrate 210 may be a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a silicon substrate, a gallium nitride substrate, an aluminum nitride substrate, or the like. The light emitting structure 220 is formed by using a method such as metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), or molecular beam epitaxy (MBE). can grow

또한, 도 10에서 단일 소자에 대응하는 성장 기판(210) 및 발광 구조체(220)를 도시하고 있으나, 본 실시예는 성장 기판(210) 상에 발광 구조체(220)가 성장된 웨이퍼를 이용하는 경우에도 대체로 동일하게 적용될 수 있다.In addition, although FIG. 10 shows the growth substrate 210 and the light emitting structure 220 corresponding to a single device, this embodiment uses a wafer in which the light emitting structure 220 is grown on the growth substrate 210. Broadly the same can be applied.

이어서, 도 11을 참조하면, 발광 구조체(220)를 패터닝하여 적어도 하나의 메사(220m)를 형성한다.Next, referring to FIG. 11 , at least one mesa 220m is formed by patterning the light emitting structure 220 .

메사(220m)는 사진 및 식각 공정을 통해 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)을 부분적으로 제거함으로써 형성될 수 있다. 메사(220m)가 형성됨으로써, 메사(220m) 주변 영역에는 제1 도전형 반도체층(221)이 부분적으로 노출될 수 있다. 메사(220m)의 형태는 제한되지 않으나, 예를 들어, 도 11(a)에 도시된 바와 같이, 대체로 동일한 방향으로 기다랗게 연장되는 형태로 형성될 수 있으며, 또한, 복수로 형성될 수 있다. 이 경우, 복수의 메사들(220m)은 서로 이격된다.The mesa 220m may be formed by partially removing the second conductive semiconductor layer 225 and the active layer 223 through a photolithography and etching process. As the mesa 220m is formed, the first conductivity type semiconductor layer 221 may be partially exposed in an area around the mesa 220m. The shape of the mesa 220m is not limited, but, for example, as shown in FIG. 11(a), it may be formed in a form elongated in substantially the same direction, and may also be formed in plurality. In this case, the plurality of mesas 220m are spaced apart from each other.

본 발명은 이에 한정되지 않으며, 도 12의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 메사(220m)는 일체로 형성되되, 상기 메사(220m)의 일 측면으로부터 함입되는 부분을 갖는 형태를 가질 수도 있다. 예컨대, 도 12의 (a)에 도시된 바와 같이, 메사(220m')는 성장 기판(110)의 일 측면에 인접하는 부분에서 서로 연결되고, 상기 일 측면에 반대하여 위치하는 타 측면에 인접하는 부분에는 이격 영역이 형성된 형태로 형성될 수 있다. 상기 이격 영역을 통해 제1 도전형 반도체층(221)이 부분적으로 노출될 수 있다. 상기 이격 영역은 복수로 형성될 수 있으며, 도 12의 (a)와 같이 2개 또는 도 12의 (b)와 같이 3개 이상으로 형성될 수도 있다. 한편, 이와 달리, 메사(220m)는 제1 도전형 반도체층(221)을 부분적으로 노출시키는 복수의 홈을 포함하는 형태로 형성될 수도 있으며, 이 경우, 도 8 및 도 9의 실시예와 유사한 형태의 발광 구조체(220)가 제공될 수 있다.The present invention is not limited thereto, and as shown in (a) and (b) of FIG. 12, the mesa 220m is integrally formed, but has a shape that is recessed from one side of the mesa 220m. may have For example, as shown in (a) of FIG. 12, the mesas 220m' are connected to each other at portions adjacent to one side of the growth substrate 110 and adjacent to the other side opposite to the one side. The part may be formed in a form in which a spaced area is formed. The first conductivity type semiconductor layer 221 may be partially exposed through the separation region. The separation area may be formed in plurality, and may be formed in two as shown in FIG. 12 (a) or as three or more as shown in FIG. 12 (b). Meanwhile, the mesa 220m may be formed in a form including a plurality of grooves partially exposing the first conductivity type semiconductor layer 221. In this case, the mesa 220m may be formed similar to the embodiment of FIGS. 8 and 9. A shape of the light emitting structure 220 may be provided.

다음, 도 13을 참조하면, 제2 도전형 반도체층(225) 상에, 즉, 메사(220m) 상면의 적어도 일부 상에 제2 컨택 전극(240)을 형성한다. 나아가, 발광 구조체(220) 상에 예비(pre) 제1 절연층(251)을 더 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 13 , a second contact electrode 240 is formed on the second conductivity type semiconductor layer 225 , that is, on at least a portion of the upper surface of the mesa 220m. Furthermore, a pre-first insulating layer 251 may be further formed on the light emitting structure 220 .

제2 컨택 전극(240)은, 상술한 바와 같이, 금속 및 도전성 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제2 컨택 전극(240)은 공지의 증착 및 패터닝 방법을 통해 메사(220m) 상면의 적어도 일부 상에 위치하도록 형성될 수 있다. As described above, the second contact electrode 240 may include at least one of a metal and a conductive oxide. The second contact electrode 240 may be formed to be positioned on at least a portion of the upper surface of the mesa 220m through known deposition and patterning methods.

예비 제1 절연층(251)은 발광 구조체(220) 상에 형성되되, 제2 컨택 전극(240)이 형성되는 영역을 제외한 발광 구조체(220)의 상면을 적어도 부분적으로 덮도록 형성될 수 있다. 예비 제1 절연층(251)은 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역을 덮을 수 있으며, 나아가, 메사(220m)들의 측면을 더 덮을 수 있으며, 더 나아가, 메사(220m)들의 상면을 부분적으로 덮을 수 있다. 예비 제1 절연층(251)은 제2 컨택 전극(240)과 접촉할 수도 있으며, 이격될 수도 있다. 예비 제1 절연층(251)이 이격되는 경우, 예비 제1 절연층(251)과 제2 컨택 전극(240)의 사이에는 제2 도전형 반도체층(225)이 부분적으로 노출된다. 예비 제1 절연층(251)은 SiO2, SiNx, MgF2 등을 포함할 수 있다. 나아가, 예비 제1 절연층(251)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다.The preliminary first insulating layer 251 may be formed on the light emitting structure 220 to at least partially cover an upper surface of the light emitting structure 220 excluding a region where the second contact electrode 240 is formed. The preliminary first insulating layer 251 may cover the exposed region of the first conductivity type semiconductor layer 221, further cover side surfaces of the mesas 220m, and furthermore, top surfaces of the mesas 220m. can partially cover. The preliminary first insulating layer 251 may contact the second contact electrode 240 or may be spaced apart from the second contact electrode 240 . When the preliminary first insulating layer 251 is spaced apart, the second conductivity type semiconductor layer 225 is partially exposed between the preliminary first insulating layer 251 and the second contact electrode 240 . The preliminary first insulating layer 251 may include SiO 2 , SiN x , MgF 2 , or the like. Furthermore, the preliminary first insulating layer 251 may include multiple layers and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked.

한편, 예비 제1 절연층(251)은 제2 컨택 전극(240)의 형성 전에 형성될 수도 있고, 제2 컨택 전극(240)의 형성 후에 형성될 수도 있으며, 또한 제2 컨택 전극(240)의 형성 중에 형성될 수도 있다. 예컨대, 제2 컨택 전극(240)이 도전성 산화물층 및 상기 도전성 산화물층 상에 위치하는 금속을 포함하는 반사층을 포함하는 경우, 제2 도전형 반도체층(225) 상에 도전성 산화물층을 형성하고, 반사층을 형성하기 전에 예비 제1 절연층(251)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 도전성 산화물층은 제2 도전형 반도체층(225)과 오믹 컨택하며, 예비 제1 절연층(251)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 예비 제1 절연층(251)은 제2 컨택 전극(240)의 형성 전에 형성될 수 있으며, 이 경우, 제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225)과 오믹 컨택을 형성하며, 금속 물질로 형성된 반사층을 포함할 수 있다. 이러한 실시예들에서, 금속 물질을 포함하는 반사층의 형성 전에 예비 제1 절연층(251)을 형성함으로써, 상기 반사층과 발광 구조체(220) 상호 간의 물질 확산에 의해 상기 반사층의 광 반사율 감소 및 저항 증가를 방지할 수 있다. 또한, 금속 물질을 포함하는 반사층의 형성 과정에서, 제2 컨택 전극(240)이 형성되지 않는 다른 부분에 금속 물질이 잔류하여 발생할 수 있는 전기적 쇼트 등의 문제를 방지할 수 있다.Meanwhile, the preliminary first insulating layer 251 may be formed before the formation of the second contact electrode 240 or after the formation of the second contact electrode 240. It may also be formed during formation. For example, when the second contact electrode 240 includes a conductive oxide layer and a reflective layer including a metal positioned on the conductive oxide layer, a conductive oxide layer is formed on the second conductive semiconductor layer 225, Before forming the reflective layer, a preliminary first insulating layer 251 may be formed. In this case, the conductive oxide layer may make ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 225, and the preliminary first insulating layer 251 may be formed to a thickness of about 1000 Å. In another embodiment, the preliminary first insulating layer 251 may be formed before forming the second contact electrode 240, and in this case, the second contact electrode 240 is formed of the second conductive semiconductor layer 225. and an ohmic contact and may include a reflective layer formed of a metal material. In these embodiments, by forming the preliminary first insulating layer 251 before forming the reflective layer including a metal material, the light reflectance of the reflective layer is reduced and the resistance is increased by material diffusion between the reflective layer and the light emitting structure 220 . can prevent In addition, in the process of forming the reflective layer including the metal material, it is possible to prevent problems such as an electrical short that may occur due to the metal material remaining in other parts where the second contact electrode 240 is not formed.

이어서, 도 14를 참조하면, 발광 구조체(220) 상에 제1 절연층(250)을 형성하되, 제1 절연층(250)은 제1 도전형 반도체층(221), 메사(220m) 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 덮는다. 또한, 제1 절연층(250)은 제1 도전형 반도체층(225)을 부분적으로 노출시키는 제1 개구부(250a) 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 노출시키는 제2 개구부(250b)를 포함할 수 있다.Next, referring to FIG. 14 , a first insulating layer 250 is formed on the light emitting structure 220, and the first insulating layer 250 includes the first conductive semiconductor layer 221, the mesa 220m, and the second insulating layer 250. The second contact electrode 240 is partially covered. In addition, the first insulating layer 250 includes a first opening 250a partially exposing the first conductive semiconductor layer 225 and a second opening 250b partially exposing the second contact electrode 240 . can include

제1 절연층(250)은 도 13에서 설명한 예비 제1 절연층(251) 및 주(main) 제1 절연층(253)을 포함할 수 있다. 주 제1 절연층(253)은 PECVD, 전자선 증착(E-beam evaporation) 등의 공지의 증착 방법을 통해 형성될 수 있다. 이때, 주 제1 절연층(253)은 제1 도전형 반도체층(221), 메사(220m) 및 제2 컨택 전극(240)을 전체적으로 덮도록 형성된 후, 패터닝 공정을 통해 제1 및 제2 개구부(250a, 250b)를 형성함으로써, 도시된 바와 같은 제1 절연층(250)이 제공될 수 있다. 상기 패터닝 공정은 사진 식각 공정 또는 리프트 오프 공정을 포함할 수 있다. 주 제1 절연층(253)은 SiO2, SiNx, MgF2 등을 포함할 수 있다. 나아가, 주 제1 절연층(253)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다. 또한, 주 제1 절연층(253)은 예비 제1 절연층(251)에 비해 두꺼운 두께를 가질 수 있다.The first insulating layer 250 may include the preliminary first insulating layer 251 and the main first insulating layer 253 described in FIG. 13 . The main first insulating layer 253 may be formed through a known deposition method such as PECVD or E-beam evaporation. At this time, the main first insulating layer 253 is formed to entirely cover the first conductive semiconductor layer 221, the mesa 220m, and the second contact electrode 240, and then the first and second openings are subjected to a patterning process. By forming (250a, 250b), the first insulating layer 250 as shown can be provided. The patterning process may include a photolithography process or a lift-off process. The primary first insulating layer 253 may include SiO 2 , SiN x , MgF 2 , or the like. Furthermore, the primary first insulating layer 253 may include multiple layers, and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked. Also, the main first insulating layer 253 may have a thicker thickness than the preliminary first insulating layer 251 .

제1 개구부(250a)는 적어도 하나로 형성될 수 있고, 예컨대, 메사들(220m) 각각 상에 형성될 수 있다. 또한, 제1 개구부(250a)는 성장 기판(210)의 일 측면에 인접하는 위치에 형성될 수 있다. 제2 개구부(250b)는 메사(220m)들이 연장되는 방향에 따라 기다랗게 연장된 형상으로 형성될 수 있다. 특히, 제2 개구부(250b)는 메사(220m)들의 긴 측면들에 인접하여 형성될 수 있다. 다만, 제1 및 제2 개구부(250a, 250b)의 위치, 크기 및 개수는 이에 한정되지 않으며, 후술하는 벌크 전극들(271, 273)이 형성되는 위치 등에 따라 다양하게 변형될 수 있다.At least one first opening 250a may be formed, and may be formed on each of the mesas 220m, for example. Also, the first opening 250a may be formed at a position adjacent to one side surface of the growth substrate 210 . The second opening 250b may be formed in an elongated shape along the direction in which the mesas 220m extend. In particular, the second opening 250b may be formed adjacent to long side surfaces of the mesas 220m. However, the position, size, and number of the first and second openings 250a and 250b are not limited thereto, and may be variously modified depending on the position where the bulk electrodes 271 and 273 are formed, which will be described later.

한편, 본 실시예에서, 메사(220m)를 형성한 후, 제2 컨택 전극(230)을 형성하는 것으로 설명하고 있으나, 이와 달리, 제2 컨택 전극(230)이 먼저 형성된 후에 메사(220m)를 형성할 수도 있다. Meanwhile, in this embodiment, it is described that the second contact electrode 230 is formed after the mesa 220m is formed, but unlike this, the mesa 220m is formed after the second contact electrode 230 is first formed. can also be formed.

다음, 도 15를 참조하면, 제1 절연층(250) 상에 제1 컨택 전극(230)을 형성한다. 제1 컨택 전극(230)은 제1 개구부(250a)를 통해 노출된 제1 도전형 반도체층(221)과 오믹 컨택할 수 있다. 나아가, 제2 개구부(250b)를 통해 제2 컨택 전극(240)과 전기적으로 접촉되는 연결 전극(245)을 더 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 15 , a first contact electrode 230 is formed on the first insulating layer 250 . The first contact electrode 230 may make ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 221 exposed through the first opening 250a. Furthermore, a connection electrode 245 electrically contacting the second contact electrode 240 through the second opening 250b may be further formed.

제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)은 공지의 증착 및 패터닝 방법을 통해 형성될 수 있으며, 동시에 형성될 수도 있고, 별개의 공정을 통해 형성될 수도 있다. 제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)은 서로 동일한 물질 및 다층 구조로 형성될 수도 있고, 서로 다른 물질 및/또는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 제1 컨택 전극(230)과 연결 전극(245)은 서로 이격되며, 이에 따라, 제1 컨택 전극(230)과 제2 컨택 전극(240)은 서로 전기적으로 절연된다.The first contact electrode 230 and the connection electrode 245 may be formed through known deposition and patterning methods, may be formed simultaneously, or may be formed through separate processes. The first contact electrode 230 and the connection electrode 245 may be formed of the same material and multilayer structure, or may be formed of different materials and/or multilayer structures. The first contact electrode 230 and the connection electrode 245 are spaced apart from each other, and thus the first contact electrode 230 and the second contact electrode 240 are electrically insulated from each other.

예를 들어, 제1 컨택 전극(230) 및/또는 연결 전극(245)은 각각 다층 구조를 포함할 수 있다. 상기 다층 구조는, 제1 접착층(오믹 컨택층)/반사층/베리어층/산화방지층/제2 접착층의 적층 구조를 가질 수 있다. 상기 제1 접촉층은 제1 도전형 반도체층(221) 및/또는 제2 컨택 전극(240)에 접촉하며, Ni, Ti, Cr등을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 광 반사율이 높은 금속을 포함할 수 있으며, 예컨대, Al, Ag 등을 포함할 수 있다. 상기 베리어층은 상기 반사층의 금속이 상호확산하는 것을 방지하며, Cr, Co, Ni, Pt, TiN의 단층으로 형성하거나, Ti, Mo, W과 함께 다층으로 형성될 수 있으며, 예컨대, Cr/Ti의 복층 구조를 가질 수 있다. 상기 산화방지층은 상기 산화방지층의 하부에 위치하는 다른 층들의 산화를 방지하며, 산화에 대한 내성이 강한 금속 물질을 포함할 수 있다. 상기 산화방지층은, 예컨대, Au, Pt, Ag등을 포함할 수 있다. 상기 제2 접착층은 제2 절연층(260)과 제1 도전형 반도체층(221)(또는, 제2 절연층(260)과 연결 전극(245)) 간의 접합력을 향상시키기 위하여 채택될 수 있으며, 예컨대, Ti, Ni, Cr 등을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.For example, each of the first contact electrode 230 and/or the connection electrode 245 may include a multilayer structure. The multilayer structure may have a stacked structure of a first adhesive layer (ohmic contact layer)/reflective layer/barrier layer/antioxidation layer/second adhesive layer. The first contact layer contacts the first conductivity-type semiconductor layer 221 and/or the second contact electrode 240, and may include Ni, Ti, Cr, or the like. The reflective layer may include a metal having high light reflectivity, for example, Al or Ag. The barrier layer prevents interdiffusion of metals of the reflective layer, and may be formed of a single layer of Cr, Co, Ni, Pt, or TiN, or a multilayer of Ti, Mo, or W, for example, Cr/Ti. may have a multilayer structure of The anti-oxidation layer prevents oxidation of other layers positioned below the anti-oxidation layer, and may include a metal material having strong resistance to oxidation. The anti-oxidation layer may include, for example, Au, Pt, Ag, and the like. The second adhesive layer may be used to improve bonding strength between the second insulating layer 260 and the first conductive semiconductor layer 221 (or, the second insulating layer 260 and the connection electrode 245), For example, it may include Ti, Ni, Cr, and the like. However, the present invention is not limited thereto.

이와 달리, 연결 전극(245)은 생략될 수도 있다. 도 16에 도시된 바와 같이, 연결 전극(245)이 생략되는 경우, 제2 개구부(250b)를 통해 제2 컨택 전극(240)이 노출된다. 따라서, 이 경우, 제2 벌크 전극(173)은 제2 컨택 전극(240)과 직접적으로 접촉될 수 있다.Alternatively, the connection electrode 245 may be omitted. As shown in FIG. 16 , when the connection electrode 245 is omitted, the second contact electrode 240 is exposed through the second opening 250b. Accordingly, in this case, the second bulk electrode 173 may directly contact the second contact electrode 240 .

이어서, 도 17을 참조하면, 제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)을 부분적으로 덮는 제2 절연층(260)을 형성한다. 제2 절연층(260)은 제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)을 각각 노출시키는 제3 개구부(260a) 및 제4 개구부(260b)를 포함할 수 있다. 나아가, 제2 절연층(260) 상에 응력완충층(265)이 더 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 17 , a second insulating layer 260 partially covering the first contact electrode 230 and the connection electrode 245 is formed. The second insulating layer 260 may include a third opening 260a and a fourth opening 260b exposing the first contact electrode 230 and the connection electrode 245 , respectively. Furthermore, a stress buffer layer 265 may be further formed on the second insulating layer 260 .

제2 절연층(260)은 PECVD, 전자선 증착(E-beam evaporation) 등의 공지의 증착 방법을 통해 형성될 수 있다. 이때, 제2 절연층(260)은 제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)을 전체적으로 덮도록 형성된 후, 패터닝 공정을 통해 제3 및 제4 개구부(260a, 260b)를 형성함으로써, 도시된 바와 같은 제2 절연층(260)이 제공될 수 있다. 상기 패터닝 공정은 사진 식각 공정 또는 리프트 오프 공정을 포함할 수 있다. 제2 절연층(260)은 SiO2, SiNx, MgF2 등을 포함할 수 있다. 나아가, 제2 절연층(260)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다. 제2 절연층(260)의 최상부층은 SiNx로 형성될 수 있다. 제2 절연층(260)의 최상부층이 SiNx로 형성됨으로써, 발광 구조체(220)로 습기가 침투하는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 제2 절연층(260)은 제1 절연층(250)에 비해 얇은 두께를 가질 수 있으며, 절연 내압을 확보하기 위하여 약 0.8㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The second insulating layer 260 may be formed through a known deposition method such as PECVD or E-beam evaporation. In this case, the second insulating layer 260 is formed to entirely cover the first contact electrode 230 and the connection electrode 245, and then forms the third and fourth openings 260a and 260b through a patterning process, as shown in FIG. A second insulating layer 260 as described above may be provided. The patterning process may include a photolithography process or a lift-off process. The second insulating layer 260 may include SiO 2 , SiN x , MgF 2 , or the like. Furthermore, the second insulating layer 260 may include multiple layers and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked. An uppermost layer of the second insulating layer 260 may be formed of SiN x . Since the uppermost layer of the second insulating layer 260 is formed of SiN x , penetration of moisture into the light emitting structure 220 can be more effectively prevented. In addition, the second insulating layer 260 may have a thickness smaller than that of the first insulating layer 250 and may have a thickness of about 0.8 μm or more to secure dielectric breakdown voltage. However, the present invention is not limited thereto.

제3 및 제4 개구부(260a, 260b)는 각각 제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)을 노출시켜, 벌크 전극들(171, 173)이 제1 컨택 전극(230) 및 제2 컨택 전극(240)에 전기적으로 연결될 수 있는 통로를 제공할 수 있다.The third and fourth openings 260a and 260b expose the first contact electrode 230 and the connection electrode 245, respectively, so that the bulk electrodes 171 and 173 contact the first contact electrode 230 and the second contact electrode 230. A passage electrically connected to the electrode 240 may be provided.

응력완충층(265)은 증착 또는 스핀 코팅 등의 방법을 통해 형성될 수 있고, 제2 절연층(260)과 동시에 패터닝될 수 있다. 이에 따라, 응력완충층(265)은 제3 및 제4 개구부(260a, 260b)에 대응하는 위치에 형성된 개구부들을 포함할 수 있다.The stress buffer layer 265 may be formed through a method such as deposition or spin coating, and may be patterned simultaneously with the second insulating layer 260 . Accordingly, the stress buffer layer 265 may include openings formed at positions corresponding to the third and fourth openings 260a and 260b.

도 18 및 도 19를 참조하면, 제2 절연층(260) 상에 제1 벌크 전극(171), 제2 벌크 전극(173) 및 하부 절연지지체(183)를 형성한다.Referring to FIGS. 18 and 19 , a first bulk electrode 171 , a second bulk electrode 173 , and a lower insulating support 183 are formed on the second insulating layer 260 .

구체적으로, 도 18을 참조하면, 벌크 전극 형성용 몰드(310)를 이용하여 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성되는 영역을 정의하여, 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273)을 형성할 수 있다. 벌크 전극 형성용 몰드(310)는 패터닝이 가능한 몰드일 수 있으며, 예컨대, 감광성 폴리이미드, SU-8, 도금용 포토레지스트, 또는 드라이 필름을 포함할 수 있다.Specifically, referring to FIG. 18 , a region in which the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed is defined using a mold 310 for forming a bulk electrode, so that the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 271 are formed. A bulk electrode 273 may be formed. The mold 310 for forming the bulk electrode may be a patternable mold, and may include, for example, photosensitive polyimide, SU-8, photoresist for plating, or a dry film.

제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)은 도금, 증착, 도팅 또는 스크린 프린팅 방법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 한편, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하는 것은, 제1 금속층(271s) 및 제2 금속층(273s)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 제1 금속층(271s) 및 제2 금속층(273s)은 각각 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 하부에 위치하여, 제1 컨택 전극(230), 연결 전극(245), 절연층들(250, 260) 및 응력완충층(265)과 접할 수 있다. 제1 금속층(271s) 및 제2 금속층(273s)은 벌크 전극들(271, 273)의 형성 방법에 따라 달라질 수 있다.The first and second bulk electrodes 271 and 273 may be formed using a plating, deposition, dotting, or screen printing method. Meanwhile, forming the first and second bulk electrodes 271 and 273 may include forming the first metal layer 271s and the second metal layer 273s. The first metal layer 271s and the second metal layer 273s are positioned under the first and second bulk electrodes 271 and 273, respectively, to form the first contact electrode 230, the connection electrode 245, and the insulating layers. (250, 260) and the stress buffer layer (265). The first metal layer 271s and the second metal layer 273s may vary depending on how the bulk electrodes 271 and 273 are formed.

다음, 도 19를 참조하면, 벌크 전극 형성용 몰드(310)를 제거하고, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 측면을 적어도 부분적으로 덮는 하부 절연지지체(283)를 형성한다. 하부 절연지지체(283)는, 예를 들어, EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질를 스크린 프린팅, 스핀 코팅과 같은 공지의 방법을 통해 형성함으로써 제공될 수 있다. Next, referring to FIG. 19 , the mold 310 for forming the bulk electrode is removed, and a lower insulating support 283 at least partially covering the side surfaces of the first and second bulk electrodes 271 and 273 is formed. The lower insulating support 283 may be provided by forming a material such as EMC (Epoxy Molding Compound) or Si resin through a known method such as screen printing or spin coating.

본 실시예의 발광 소자 제조 방법은, 하부 절연지지체(283) 형성 후, 제1 벌크 전극(271), 제2 벌크 전극(273) 및 하부 절연지지체(283)의 상면을 평탄화하는 것을 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 벌크 전극(271), 제2 벌크 전극(273) 및 하부 절연지지체(283)의 상면들은 대체로 평평하게(flush) 형성될 수 있다. 제1 벌크 전극(271), 제2 벌크 전극(273) 및 하부 절연지지체(283)를 평탄화하는 것은, 그라인딩, 래핑, CMP, 및 습식 식각 중 적어도 하나의 방법을 이용하는 것을 포함할 수 있다.The method of manufacturing a light emitting device according to the present embodiment may further include planarizing upper surfaces of the first bulk electrode 271, the second bulk electrode 273, and the lower insulating support 283 after forming the lower insulating support 283. there is. Accordingly, upper surfaces of the first bulk electrode 271 , the second bulk electrode 273 , and the lower insulating support 283 may be formed to be substantially flush. Planarization of the first bulk electrode 271, the second bulk electrode 273, and the lower insulating support 283 may include using at least one of grinding, lapping, CMP, and wet etching.

이하, 제1 벌크 전극(271), 제2 벌크 전극(273) 및 하부 절연지지체(283)를 형성하는 것을 더욱 구체적으로 설명한다. 도금을 이용하여 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하는 경우, 응력완충층(265), 제3 개구부(260a) 및 제4 개구부(260b)의 전면에 스퍼터링과 같은 방법으로 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)을 형성한다. 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)은 Ti, Cu, Au, Cr 등을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)은 UBM층(under bump metallization layer) 또는 시드 메달과 같은 역할을 할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)은 Ti/Cu 적층 구조를 가질 수 있다. 이어서, 제1 및 제2 금속층(271s, 273s) 상에 마스크를 형성하되, 상기 마스크는 벌크 전극 형성용 몰드(310)일 수 있다. 상기 벌크 전극 형성용 몰드(310)는 하부 절연지지체(283)가 형성되는 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성되는 영역을 오픈한다. 다음, 도금 공정을 통해 상기 마스크의 오픈 영역 내에 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하되, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)은 각각 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)을 시드로 형성될 수 있다. 이후 식각 공정을 통해 상기 벌크 전극 형성용 몰드(310) 및 벌크 전극 형성용 몰드(310)의 하부에 위치하는 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 일부를 제거함으로써 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 제공될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)은 제1 및 제2 벌크 전극(281, 283) 하부에 잔류할 수 있다.Hereinafter, forming the first bulk electrode 271, the second bulk electrode 273, and the lower insulating support 283 will be described in more detail. When the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed using plating, the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed on the entire surfaces of the stress buffer layer 265, the third opening 260a, and the fourth opening 260b by a method such as sputtering. and second metal layers 271s and 273s. The first and second metal layers 271s and 273s may include Ti, Cu, Au, Cr, and the like, and the first and second metal layers 271s and 273s may be an under bump metallization layer (UBM layer) or a seed medallion. can play a similar role. For example, the first and second metal layers 271s and 273s may have a Ti/Cu stacked structure. Subsequently, a mask is formed on the first and second metal layers 271s and 273s, and the mask may be a mold 310 for forming a bulk electrode. The mold 310 for forming the bulk electrode masks a portion corresponding to the region where the lower insulating support 283 is formed, and opens the region where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed. Next, first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed in the open area of the mask through a plating process, and the first and second bulk electrodes 271 and 273 are respectively first and second metal layers 271s. , 273s) may be formed as a seed. Thereafter, parts of the first and second bulk electrodes 271 and 273 positioned under the mold for forming the bulk electrode 310 and the mold for forming the bulk electrode 310 are removed through an etching process, thereby removing the first and second bulk electrodes 271 and 273 . Bulk electrodes 271 and 273 may be provided. Accordingly, the first and second metal layers 271s and 273s may remain below the first and second bulk electrodes 281 and 283 .

또한, 스크린 프린팅 방법을 이용하여 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하는 경우는 다음과 같다. 응력완충층(265), 제3 개구부(260a) 및 제4 개구부(260b)의 적어도 일부 상에, 스퍼터링과 같은 증착 및 패터닝 방식, 또는 증착 및 리프트 오프 방법을 통해 UBM층을 형성한다. 상기 UBM층은 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성될 영역 상에 형성될 수 있으며, (Ti 또는 TiW)층과 (Cu, Ni, Au 단일층 또는 조합)층을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 UBM층은 Ti/Cu 적층 구조를 가질 수 있다. 상기 UBM층은 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)에 대응할 수 있다. 이어서, 마스크를 형성하되, 상기 마스크는 하부 절연지지체(283)가 형성되는 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성되는 영역을 오픈한다. 다음, 스크린 프린팅 공정을 통해 Ag 페이스트, Au 페이스트, Cu 페이스트와 같은 물질을 상기 오픈 영역 내에 형성하고, 이를 경화시킨다. 이후 식각 공정을 통해 상기 마스크를 제거함으로써 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 제공될 수 있다.In addition, the case of forming the first and second bulk electrodes 271 and 273 using the screen printing method is as follows. A UBM layer is formed on at least a portion of the stress buffer layer 265, the third opening 260a, and the fourth opening 260b by a deposition and patterning method such as sputtering or a deposition and lift-off method. The UBM layer may be formed on regions where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are to be formed, and may include a (Ti or TiW) layer and a (Cu, Ni, Au single layer or combination) layer. there is. For example, the UBM layer may have a Ti/Cu stacked structure. The UBM layer may correspond to the first and second metal layers 271s and 273s. Subsequently, a mask is formed. The mask masks a portion corresponding to the region where the lower insulating support 283 is formed, and opens regions where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed. Next, a material such as Ag paste, Au paste, or Cu paste is formed in the open area through a screen printing process and cured. Thereafter, the first and second bulk electrodes 271 and 273 may be provided by removing the mask through an etching process.

제1 벌크 전극(271)은, 제1 벌크 전극(271)의 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 측면으로부터 돌출된 제1 돌출부(271a)를 포함하고, 상기 제1 돌출부(271a)로부터 제2 벌크 전극(273)을 향해 더 돌출되는 제2 돌출부(271b)를 포함한다. 제2 벌크 전극(273)은 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 측면으로부터 함입된 제1 오목부(273a)를 포함하고, 상기 제1 오목부(273a)로부터 함입된 제2 오목부(273b)를 포함한다. 이에 따라, 제1 벌크 전극(171)의 수평 단면적은 제2 벌크 전극(173)의 수평 단면적에 비해 클 수 있다.The first bulk electrode 271 includes a first protrusion 271a protruding from side surfaces of the first and second bulk electrodes 271 and 273 facing each other of the first bulk electrode 271, and A second protrusion 271b further protrudes from the protrusion 271a toward the second bulk electrode 273 . The second bulk electrode 273 includes a first concave portion 273a recessed from side surfaces of the first and second bulk electrodes 271 and 273 facing each other, and A second concave portion 273b is included. Accordingly, the horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode 171 may be larger than that of the second bulk electrode 173 .

또한, 돌출부들(271a, 271b)과 오목부들(273a, 273b)은 대체로 서로 맞물리는 형태로 형성될 수 있다. 제1 돌출부(271a)는 제1 오목부(273a)에 의해 함입된 부분에 대응하여 위치할 수 있고, 제2 돌출부(271b)는 제2 오목부(273b)에 의해 함입된 부분에 대응하여 위치할 수 있다. 이에 따라, 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273)이 서로 대향하는 측면들 간의 이격 거리는, 대체로 일정하게 유지될 수 있다. 나아가, 제2 돌출부(271b)의 폭은 제1 돌출부(271a)의 폭보다 작을 수 있다. In addition, the protrusions 271a and 271b and the concave portions 273a and 273b may be formed in a form generally engaged with each other. The first protrusion 271a may be positioned corresponding to the portion depressed by the first concave portion 273a, and the second protrusion 271b may be positioned corresponding to the portion depressed by the second concave portion 273b. can do. Accordingly, a separation distance between opposite sides of the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be maintained substantially constant. Furthermore, the width of the second protrusion 271b may be smaller than that of the first protrusion 271a.

제2 돌출부(271b)는 다양한 형상을 가질 수 있으며, 제2 돌출부(271b)는 발광 소자의 중심부(200c)를 원점으로 하고 직경이 약 50㎛이상 약 150㎛이하인 내접원(200ic)을 갖는 다각형, 원형 또는 타원형의 적어도 일부로 형성될 수 있다. 예컨대, 도시된 바와 같이, 제2 돌출부(271b)는 발광 소자의 중심부(200c)를 원점으로 하는 내접원(200ic)에 대응하는 원호를 포함하는 형상을 가질 수 있다. 제1 및 제2 오목부(273a, 273b)의 형상은 제1 및 제2 돌출부(271a, 271b)의 형상에 대응하도록 형성될 수 있다. The second protrusion 271b may have various shapes, and the second protrusion 271b has the center 200c of the light emitting element as the origin and has an inscribed circle 200ic having a diameter of about 50 μm or more and about 150 μm or less. A polygon, It may be formed as at least part of a circular or elliptical shape. For example, as shown, the second protrusion 271b may have a shape including a circular arc corresponding to an inscribed circle 200ic having the central portion 200c of the light emitting device as an origin. The shapes of the first and second concave portions 273a and 273b may be formed to correspond to the shapes of the first and second protruding portions 271a and 271b.

제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D6-D6')은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가질 수 있다. 상기 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 갖는 가상선(D6-D6')은 돌출부들(271a, 271b) 및 오목부들(273a, 273b)의 형상 및 배치로부터 도출될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 가상선(D6-D6')의 시작점과 끝점은 동일 선상에 위치할 수 있다.The imaginary lines D6 - D6 ′ extending along the separation area where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other may have at least one bent portion. The imaginary lines D6-D6′ having the at least one bent portion may be derived from the shape and arrangement of the protrusions 271a and 271b and the concave portions 273a and 273b, but the present invention is not limited thereto. no. The starting point and the ending point of the imaginary lines D6-D6' may be located on the same line.

한편, 제1 벌크 전극(271)의 돌출부들(271a, 271b)은 발광 소자의 중심부(200c)와 수직방향으로 중첩되는 위치에 위치할 수 있다. 특히, 본 실시예에 있어서, 제2 돌출부(271b)는 발광 소자의 중심부(200c)를 원점으로 하는 내접원(200ic)에 접하는 다각형, 원형 또는 타원형의 적어도 일부로 형성되어, 발광 소자의 중심부(200c)와 수직방향으로 중첩되어 위치한다. 이에 따라, 발광 소자 제조 과정에서 절연지지체(280)에 크랙이 발생하거나 절연지지체(280)가 파손되는 것을 방지할 수 있어, 발광 소자의 제조 수율을 향상시킬 수 있다. 이와 관련하여서는, 후술하여 더욱 상세하게 설명한다. 또한, 돌출부들(271a, 271b)가 발광 소자의 중심부(200c)와 수직방향으로 중첩되어, 절연지지체(280)의 크랙 및 파손을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 외부 충격에 대한 발광 소자의 강도를 향상시킬 수 있고, 외부에서 인가되는 스트레스 등으로 인한 휨 모멘텀에 대한 강도를 더욱 향상시킬 수 있다. 특히, 제2 돌출부(271b)에 의해 발광 소자 중심부(200c)의 수직방향 주변 영역이 제1 벌크 전극(271)으로 커버됨으로써, 더욱 효과적으로 발광 소자의 기계적 안정성을 향상시킬 수 있다.Meanwhile, the protrusions 271a and 271b of the first bulk electrode 271 may be positioned to vertically overlap the central portion 200c of the light emitting device. In particular, in this embodiment, the second protrusion 271b is formed as at least a part of a polygon, circle, or ellipse in contact with an inscribed circle 200ic having the center 200c of the light emitting element as the origin, and the center 200c of the light emitting element and overlapping in the vertical direction. Accordingly, it is possible to prevent cracks from occurring in the insulating support 280 or damage to the insulating support 280 during the manufacturing process of the light emitting device, thereby improving the manufacturing yield of the light emitting device. In this regard, it will be described in more detail below. In addition, since the protrusions 271a and 271b vertically overlap the central portion 200c of the light emitting device, cracks and breakage of the insulating support 280 can be effectively prevented. Accordingly, it is possible to improve the strength of the light emitting element against external impact, and it is possible to further improve the strength against bending momentum due to stress or the like applied from the outside. In particular, since the vertical peripheral area of the center portion 200c of the light emitting device is covered with the first bulk electrode 271 by the second protrusion 271b, mechanical stability of the light emitting device can be more effectively improved.

이어서, 도 20을 참조하면, 하부 절연지지체(283) 및 벌크 전극들(271, 273) 상에 제1 패드 전극(291), 제2 패드 전극(293) 및 상부 절연지지체(281)를 더 형성할 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 20 , a first pad electrode 291, a second pad electrode 293, and an upper insulation support 281 are further formed on the lower insulation support 283 and the bulk electrodes 271 and 273. can do.

제1 및 제2 패드 전극(291, 293)은 증착 및 패터닝 공정을 통해 각각 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273) 상에 형성될 수 있다. 상부 절연지지체(281)는 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)의 측면을 감쌀수 있다. 상부 절연지지체(281)가 형성됨으로써, 상부 절연지지체(281) 및 하부 절연지지체(283)를 포함하는 절연지지체(280)가 제공될 수 있다. 상부 절연지지체(281)는 하부 절연지지체(283)와 동일한 물질로 형성될 수도 있고, 또는 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다.The first and second pad electrodes 291 and 293 may be formed on the first and second bulk electrodes 271 and 273 through deposition and patterning processes, respectively. The upper insulating support 281 may cover side surfaces of the first and second pad electrodes 291 and 293 . As the upper insulating support 281 is formed, the insulating support 280 including the upper insulating support 281 and the lower insulating support 283 may be provided. The upper insulating support 281 may be formed of the same material as the lower insulating support 283 or may be formed of different materials.

다음, 도 21을 참조하면, 성장 기판(210)을 발광 구조체(220)로부터 분리할 수 있다. 성장 기판(210)은 레이저 리프트 오프, 화학적 리프트 오프, 열적 리프트 오프 및 스트레스 리프트 오프 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 제1 도전형 반도체층(221)으로부터 분리되어 제거될 수 있다. 성장 기판(210) 분리 후, 건식 식각, 습식 식각, 물리적 방법, 화학적 방법, 및 물리화학적 방법 중 적어도 하나의 방법을 통해 성장 기판(210)이 분리되어 노출된 제1 도전형 반도체층(221) 표면이 부분적으로 제거될 수 있다.Next, referring to FIG. 21 , the growth substrate 210 may be separated from the light emitting structure 220 . The growth substrate 210 may be separated from and removed from the first conductivity-type semiconductor layer 221 using at least one of laser lift-off, chemical lift-off, thermal lift-off, and stress lift-off. After separating the growth substrate 210, the growth substrate 210 is separated and exposed through at least one of dry etching, wet etching, a physical method, a chemical method, and a physicochemical method. The surface may be partially removed.

한편, 성장 기판(210)을 제거하기 전에, 임시 기판(미도시)을 성장 기판(210)의 반대측에 본딩할 수 있다. 성장 기판(210) 분리 과정에서, 상기 임시 기판은 발광 소자를 지지하는 역할을 한다. 이에 따라, 성장 기판(210)이 분리되는 과정에서 발생하는 스트레스 및 스트레인에 의해 발광 소자에 결함이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 특히, 복수의 발광 소자를 제조하기 위해 웨이퍼 단위로 대면적으로 성장 기판을 분리하는 경우, 성장 기판(210) 분리 과정에서 발광 구조체(220) 등에 크랙 또는 파손이 발생하여 발광 소자의 불량이 확률이 높다. 임시 기판은 이러한 경우에 특히 발광 소자의 불량을 방지할 수 있다. 예컨대, 도 22에 도시된 바와 같이, 복수의 발광 소자를 제조하는 경우에 임시 기판(320)이 적용될 수 있다.Meanwhile, before removing the growth substrate 210 , a temporary substrate (not shown) may be bonded to the opposite side of the growth substrate 210 . In the process of separating the growth substrate 210, the temporary substrate serves to support the light emitting device. Accordingly, occurrence of defects in the light emitting device due to stress and strain generated in the process of separating the growth substrate 210 can be suppressed. In particular, in the case of separating a large-area growth substrate on a wafer basis to manufacture a plurality of light emitting devices, cracks or damage occur in the light emitting structure 220 during the separation process of the growth substrate 210, and the probability of defective light emitting devices is low. high. The temporary substrate can prevent failure of the light emitting device in particular in this case. For example, as shown in FIG. 22 , a temporary substrate 320 may be applied when a plurality of light emitting devices are manufactured.

웨이퍼 단위로 복수의 발광 소자를 제조하는 경우, 성장 기판(210) 분리 후, 단위 소자 영역의 사이 부분이 부분적으로 제거될 수 있다. 도 22(a)에 도시된 바와 같이, 복수의 발광 소자를 제조하는 경우, 성장 기판(210)이 분리된 웨이퍼(W1)는 임시 기판(320) 상에 위치될 수 있다. 이때, 웨이퍼(W1)는 복수의 단위 소자(UD)를 포함할 수 있고, 복수의 단위 소자(UD)들의 사이의 경계(L1)는 분할 영역(331)으로 정의될 수 있다. 도 22(b)에 도시된 바와 같이, 상기 분할 영역(331)은 부분적으로 제거되어, 복수의 단위 소자(UD)들의 사이에는 분할 홈(333)이 형성될 수 있다. 분할 홈(333)은 건식 식각 등의 방법을 통해 제1 도전형 반도체층(221)을 적어도 부분적으로 제거함으로써 형성될 수 있다. 웨이퍼(W1)를 단위 발광 소자로 분할하기 전에, 제1 도전형 반도체층(221)이 부분적으로 제거된 분할 홈(333)을 형성함으로써, 웨이퍼(W1)를 단위 발광 소자로 분할하는 과정에서 발광 구조체(220)에 치핑(chipping)이 발생하거나, 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 다만, 분할 홈(333)을 형성하는 공정은 생략될 수도 있다.In the case of manufacturing a plurality of light emitting devices on a wafer basis, after the growth substrate 210 is separated, portions between unit device regions may be partially removed. As shown in FIG. 22( a ) , in the case of manufacturing a plurality of light emitting devices, the wafer W1 from which the growth substrate 210 is separated may be positioned on the temporary substrate 320 . In this case, the wafer W1 may include a plurality of unit devices UD, and a boundary L1 between the plurality of unit devices UD may be defined as a division area 331 . As shown in FIG. 22(b) , the division region 331 may be partially removed, and division grooves 333 may be formed between the plurality of unit elements UD. The division groove 333 may be formed by at least partially removing the first conductivity type semiconductor layer 221 through dry etching or the like. Before dividing the wafer W1 into unit light emitting devices, the dividing grooves 333 in which the first conductivity type semiconductor layer 221 is partially removed are formed to emit light during the process of dividing the wafer W1 into unit light emitting devices. It is possible to prevent chipping or cracks from occurring in the structure 220 . However, the process of forming the divided grooves 333 may be omitted.

이어서, 도 23을 참조하면, 발광 구조체(220) 상에 파장변환부(295)를 형성할 수 있다. 또한, 파장변환부(295)를 형성하기 전에, 발광 구조체(220)의 표면의 거칠기를 증가시켜, 거칠어진 표면(220R)을 더 형성할 수 있다. 이에 따라, 도 23에 도시된 바와 같은 발광 소자가 제공될 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 23 , a wavelength conversion unit 295 may be formed on the light emitting structure 220 . In addition, before forming the wavelength conversion part 295, the roughness of the surface of the light emitting structure 220 may be increased to further form the roughened surface 220R. Accordingly, a light emitting device as shown in FIG. 23 can be provided.

파장변환부(295)는 광의 파장을 변환시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 파장변환부(295)는 담지체 내에 형광체가 분산된 형태로 제공될 수 있고, 또는 단결정 형광체 시트 형태로 제공될 수도 있으며, 또는 양자점 물질을 포함하는 형태로 제공될 수도 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 발광 소자가 파장변환부(295)를 포함함으로써, 백색광을 방출할 수 있는 칩 스케일 패키지가 제공될 수 있다. 파장변환부(295)는 발광 구조체(220)의 상면뿐만 아니라, 발광 구조체(220)의 측면까지 연장되어 형성될 수 있고, 나아가, 절연지지체(280)의 측면까지 더 연장되어 형성될 수도 있다. 파장변환부(295)는 도포 및 경화하는 방법을 통해 형성될 수도 있고, 스프레이 방식을 통해 형성될 수도 있으며, 이외 공지의 방법을 통해 형성될 수도 있다. The wavelength conversion unit 295 may include a material capable of converting a wavelength of light. For example, the wavelength conversion unit 295 may be provided in a form in which a phosphor is dispersed in a support, or a single crystal phosphor sheet. It may be provided in a form, or may be provided in a form containing a quantum dot material. However, the present invention is not limited thereto. By including the wavelength converter 295 in the light emitting device of this embodiment, a chip scale package capable of emitting white light can be provided. The wavelength conversion unit 295 may be formed to extend not only to the top surface of the light emitting structure 220 but also to the side surface of the light emitting structure 220 , and may further extend to the side surface of the insulating support 280 . The wavelength conversion unit 295 may be formed through a coating and curing method, may be formed through a spray method, or may be formed through other known methods.

거칠어진 표면(220R)은 습식 식각, 건식 식각, 전기화학 식각 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, PEC 식각 또는 KOH 및 NaOH를 포함하는 식각 용액을 이용한 식각 방법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(220)는 제1 도전형 반도체층(221)의 표면에 형성된 ㎛ 내지 nm 스케일의 돌출부 및/또는 오목부를 포함할 수 있다. 거칠어진 표면(220R)에 의해 발광 구조체(220)에서 방출된 광의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.The roughened surface 220R may be formed using at least one of wet etching, dry etching, and electrochemical etching, and for example, PEC etching or an etching method using an etching solution containing KOH and NaOH. can be formed using Accordingly, the light emitting structure 220 may include protruding portions and/or concave portions formed on the surface of the first conductivity-type semiconductor layer 221 in a ㎛ to nm scale. Light extraction efficiency of light emitted from the light emitting structure 220 may be improved by the roughened surface 220R.

한편, 파장변환부(295) 형성 후, 발광 소자의 표면을 적어도 부분적으로 덮는 패시베이션층(미도시)을 더 형성할 수도 있다.Meanwhile, after forming the wavelength conversion unit 295, a passivation layer (not shown) may be further formed to at least partially cover the surface of the light emitting device.

한편, 도 23에 도시된 발광 소자는 복수의 단위 소자(UD)를 포함하는 웨이퍼(W2)로부터 제조될 수 있다. 도 24 및 도 25를 참조하면, 도 24(a)에 도시된 바와 같이, 임시 기판(320)에 본딩된 복수의 단위 소자(UD)를 포함하는 웨이퍼(W2)가 준비되고, 상기 웨이퍼(W2)는 분할 공정을 위한 제1 지지체(340) 상에 위치될 수 있다. 상기 제1 지지체(340)는 다이싱 테이프를 포함할 수 있다. 이어서, 도 24(b)를 참조하면, 임시 기판(320)을 웨이퍼(W2)로부터 분리하고, 웨이퍼(W2)를 분할선(L2)에 따라 다이싱한다. 분할선(L2)은 복수의 단위 소자(UD)의 경계에 대응한다. 다음, 복수로 분리된 복수의 단위 소자들(UD)을 픽업하여 다음 공정을 진행하기 위하여, 제1 지지체(340)로부터 제2 지지체(340a)로 전사할 수 있다. 제2 지지체(340a) 역시 다이싱 테이프를 포함할 수 있다. 이때, 도 24(c)에 도시된 바와 같이, 제2 지지체(340a)가 다이싱 테이프인 경우, 일 단위 소자(UD1)를 픽업하는 것은, 다이싱 테이프(제2 지지체(340a))의 하부에서 이젝터(ejector) 핀(350)을 이용하여 상기 일 단위 소자(UD1)를 상부로 밀어내는 것을 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device shown in FIG. 23 may be manufactured from a wafer W2 including a plurality of unit devices UD. Referring to FIGS. 24 and 25, as shown in FIG. 24(a), a wafer W2 including a plurality of unit devices UD bonded to a temporary substrate 320 is prepared. ) may be positioned on the first support 340 for the division process. The first support 340 may include a dicing tape. Next, referring to FIG. 24(b), the temporary substrate 320 is separated from the wafer W2, and the wafer W2 is diced along the dividing line L2. The division line L2 corresponds to the boundary of the plurality of unit elements UD. Next, a plurality of separated unit devices UD may be picked up and transferred from the first support 340 to the second support 340a in order to proceed with the next process. The second support 340a may also include a dicing tape. At this time, as shown in FIG. 24(c) , when the second supporter 340a is a dicing tape, picking up one unit element UD1 is the lower part of the dicing tape (the second supporter 340a). may include pushing the one unit device UD1 upward using an ejector pin 350.

이 과정에서, 이젝터 핀(350)은 발광 소자 하부의 일 부분에 충격을 가하게된다. 도 24(c) 및 도 25에 도시된 바와 같이, 이젝터 핀(350)의 핀 포인트에 의해 충격이 가해지는 부분(PP)으로부터, 수직 방향(C1)을 따라 스트레스가 전파될 수 있다. 이에 따라, 상기 이젝터 핀(350)의 핀 포인트에 의해 충격이 가해지는 부분(PP)과 그 수직 방향(C1)에 중첩되는 영역들에 스트레스가 집중될 수 있다. 이때, 핀 포인트에 의해 충격이 가해지는 부분(PP)은 발광 소자의 중심부(200c)와 대체로 일치할 수 있다. 발광 소자의 중심부(200c)와 수직 방향(C1)으로 중첩되는 부분에 절연지지체(280)가 위치하는 경우, 특히, 절연지지체(280) 중에서 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 사이에 위치하는 부분이 발광 소자의 중심부(200c)와 수직 방향(C1)으로 중첩되는 경우, 절연지지체(280)에 쉽게 크랙이 발생하여 제조된 발광 소자의 불량이 발생할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 도 25의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 발광 소자의 중심부(200c, 핀 포인트에 의해 충격이 가해지는 부분(PP)에 대체로 대응함)와 수직 방향(C1)으로 중첩되는 부분에는 제1 벌크 전극(271), 특히, 돌출부(271a, 271b)가 위치함으로써, 이젝터 핀(350)에 의한 절연지지체(280)의 불량을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 제2 돌출부(271b)가 발광 소자의 중심부(200c)를 원점으로 하는 직경이 약 50㎛이상인 내접원(200ic)을 갖는 다각형, 원형 또는 타원형으로 형성되는 경우, 이젝터 핀(350)에 의한 충격으로 발생하는 스트레스를 흡수 및 완화시켜 절연지지체(280)에 스트레스가 인가되어 불량이 발생하는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.In this process, the ejector pin 350 applies an impact to a portion of the lower portion of the light emitting device. As shown in FIGS. 24(c) and 25 , stress may propagate from the portion PP to which the impact is applied by the pin point of the ejector pin 350 along the vertical direction C1. Accordingly, stress may be concentrated in areas overlapping the portion PP to which the impact is applied by the pin point of the ejector pin 350 and the vertical direction C1. In this case, the portion PP to which the impact is applied by the pinpoint may substantially coincide with the center portion 200c of the light emitting device. When the insulating support 280 is located at the portion overlapping the central portion 200c of the light emitting device in the vertical direction C1, in particular, between the first and second bulk electrodes 271 and 273 in the insulating support 280 When the portion located at overlaps with the central portion 200c of the light emitting device in the vertical direction C1, cracks may easily occur in the insulating support 280, resulting in defects in the manufactured light emitting device. According to the present embodiment, as shown in (a) and (b) of FIG. 25, the center of the light emitting element (200c, generally corresponding to the portion PP to which the impact is applied by the pinpoint) and the vertical direction (C1) Since the first bulk electrode 271, in particular, the protruding portions 271a and 271b are positioned at the portion overlapping with ), defects of the insulating support 280 caused by the ejector pin 350 can be effectively prevented. In addition, when the second protrusion 271b is formed in a polygonal, circular, or elliptical shape having an inscribed circle 200ic having a diameter of about 50 μm or more with the center 200c of the light emitting element as the origin, impact by the ejector pin 350 By absorbing and alleviating the stress generated by the stress applied to the insulating support 280, it is possible to more effectively prevent occurrence of defects.

또한, 본 실시예에 따르면, 상술한 다른 실시예들과 유사하게 기계적 안정성이 우수하며, 열 방출 효율이 높은 발광 소자가 제공될 수 있다.In addition, according to the present embodiment, similar to the other embodiments described above, a light emitting device having excellent mechanical stability and high heat dissipation efficiency can be provided.

도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.26 is an exploded perspective view for explaining an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a lighting device.

도 26을 참조하면, 본 실시예에 따른 조명 장치는, 확산 커버(1010), 발광 소자 모듈(1020) 및 바디부(1030)를 포함한다. 바디부(1030)는 발광 소자 모듈(1020)을 수용할 수 있고, 확산 커버(1010)는 발광 소자 모듈(1020)의 상부를 커버할 수 있도록 바디부(1030) 상에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 26 , the lighting device according to the present embodiment includes a diffusion cover 1010, a light emitting device module 1020, and a body portion 1030. The body portion 1030 may accommodate the light emitting device module 1020 , and the diffusion cover 1010 may be disposed on the body portion 1030 to cover an upper portion of the light emitting device module 1020 .

바디부(1030)는 발광 소자 모듈(1020)을 수용 및 지지하여, 발광 소자 모듈(1020)에 전기적 전원을 공급할 수 있는 형태이면 제한되지 않는다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 바디부(1030)는 바디 케이스(1031), 전원 공급 장치(1033), 전원 케이스(1035), 및 전원 접속부(1037)를 포함할 수 있다. The body portion 1030 is not limited as long as it can accommodate and support the light emitting device module 1020 and supply electrical power to the light emitting device module 1020 . For example, as shown, the body portion 1030 may include a body case 1031 , a power supply device 1033 , a power case 1035 , and a power connector 1037 .

전원 공급 장치(1033)는 전원 케이스(1035) 내에 수용되어 발광 소자 모듈(1020)과 전기적으로 연결되며, 적어도 하나의 IC칩을 포함할 수 있다. 상기 IC칩은 발광 소자 모듈(1020)로 공급되는 전원의 특성을 조절, 변환 또는 제어할 수 있다. 전원 케이스(1035)는 전원 공급 장치(1033)를 수용하여 지지할 수 있고, 전원 공급 장치(1033)가 그 내부에 고정된 전원 케이스(1035)는 바디 케이스(1031)의 내부에 위치할 수 있다. 전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035)의 하단에 배치되어, 전원 케이스(1035)와 결속될 수 있다. 이에 따라, 전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035) 내부의 전원 공급 장치(1033)와 전기적으로 연결되어, 외부 전원이 전원 공급 장치(1033)에 공급될 수 있는 통로 역할을 할 수 있다.The power supply 1033 is accommodated in the power case 1035 and electrically connected to the light emitting device module 1020, and may include at least one IC chip. The IC chip may adjust, convert, or control characteristics of power supplied to the light emitting device module 1020 . The power case 1035 may receive and support the power supply 1033, and the power case 1035 having the power supply 1033 fixed therein may be located inside the body case 1031. . The power connector 115 may be disposed at the lower end of the power case 1035 and bound to the power case 1035 . Accordingly, the power connector 115 may be electrically connected to the power supply 1033 inside the power case 1035 and serve as a passage through which external power may be supplied to the power supply 1033 .

발광 소자 모듈(1020)은 기판(1023) 및 기판(1023) 상에 배치된 발광 소자(1021)를 포함한다. 발광 소자 모듈(1020)은 바디 케이스(1031) 상부에 마련되어 전원 공급 장치(1033)에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device module 1020 includes a substrate 1023 and a light emitting device 1021 disposed on the substrate 1023 . The light emitting device module 1020 may be provided above the body case 1031 and electrically connected to the power supply 1033 .

기판(1023)은 발광 소자(1021)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 배선을 포함하는 인쇄회로기판일 수 있다. 기판(1023)은 바디 케이스(1031)에 안정적으로 고정될 수 있도록, 바디 케이스(1031) 상부의 고정부에 대응하는 형태를 가질 수 있다. 발광 소자(1021)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The substrate 1023 is not limited as long as it can support the light emitting element 1021, and may be, for example, a printed circuit board including wires. The substrate 1023 may have a shape corresponding to the fixing part of the upper part of the body case 1031 so as to be stably fixed to the body case 1031 . The light emitting device 1021 may include at least one of the light emitting devices according to the above-described embodiments of the present invention.

확산 커버(1010)는 발광 소자(1021) 상에 배치되되, 바디 케이스(1031)에 고정되어 발광 소자(1021)를 커버할 수 있다. 확산 커버(1010)는 투광성 재질을 가질 수 있으며, 확산 커버(1010)의 형태 및 광 투과성을 조절하여 조명 장치의 지향 특성을 조절할 수 있다. 따라서 확산 커버(1010)는 조명 장치의 이용 목적 및 적용 태양에 따라 다양한 형태로 변형될 수 있다.The diffusion cover 1010 may be disposed on the light emitting element 1021 and fixed to the body case 1031 to cover the light emitting element 1021 . The diffusion cover 1010 may have a light-transmitting material, and directing characteristics of the lighting device may be adjusted by adjusting the shape and light transmittance of the diffusion cover 1010 . Therefore, the diffusion cover 1010 may be modified in various forms according to the purpose of use and application of the lighting device.

도 27은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다. 27 is a cross-sectional view for explaining an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.

본 실시예의 디스플레이 장치는 표시패널(2110), 표시패널(2110)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU1) 및, 상기 표시패널(2110)의 하부 가장자리를 지지하는 패널 가이드(2100)를 포함한다.The display device of this embodiment includes a display panel 2110, a backlight unit BLU1 providing light to the display panel 2110, and a panel guide 2100 supporting a lower edge of the display panel 2110.

표시패널(2110)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(2110)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB(2112, 2113)는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다.The display panel 2110 is not particularly limited, and may be, for example, a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer. A gate driving PCB for supplying a driving signal to the gate line may be further positioned at an edge of the display panel 2110 . Here, the gate driving PCBs 2112 and 2113 may be formed on a thin film transistor substrate instead of a separate PCB.

백라이트 유닛(BLU1)은 적어도 하나의 기판(2150) 및 복수의 발광 소자(2160)를 포함하는 광원 모듈을 포함한다. 나아가, 백라이트 유닛(BLU1)은 바텀커버(2180), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 더 포함할 수 있다.The backlight unit BLU1 includes a light source module including at least one substrate 2150 and a plurality of light emitting devices 2160 . Furthermore, the backlight unit BLU1 may further include a bottom cover 2180 , a reflective sheet 2170 , a diffusion plate 2131 , and optical sheets 2130 .

바텀커버(2180)는 상부로 개구되어, 기판(2150), 발광 소자(2160), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 수납할 수 있다. 또한, 바텀커버(2180)는 패널 가이드(2100)와 결합될 수 있다. 기판(2150)은 반사 시트(2170)의 하부에 위치하여, 반사 시트(2170)에 둘러싸인 형태로 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 반사 물질이 표면에 코팅된 경우에는 반사 시트(2170) 상에 위치할 수도 있다. 또한, 기판(2150)은 복수로 형성되어, 복수의 기판(2150)들이 나란히 배치된 형태로 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 단일의 기판(2150)으로 형성될 수도 있다.The bottom cover 2180 is open upward and may accommodate the substrate 2150 , the light emitting device 2160 , the reflective sheet 2170 , the diffusion plate 2131 , and the optical sheets 2130 . Also, the bottom cover 2180 may be combined with the panel guide 2100 . The substrate 2150 may be disposed under the reflective sheet 2170 and surrounded by the reflective sheet 2170 . However, it is not limited thereto, and may be positioned on the reflective sheet 2170 when the reflective material is coated on the surface. In addition, a plurality of substrates 2150 may be formed so that the plurality of substrates 2150 may be arranged side by side, but the substrate 2150 is not limited thereto and may be formed as a single substrate 2150 .

발광 소자(2160)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 발광 소자(2160)들은 기판(2150) 상에 일정한 패턴으로 규칙적으로 배열될 수 있다. 또한, 각각의 발광 소자(2160) 상에는 렌즈(2210)가 배치되어, 복수의 발광 소자(2160)들로부터 방출되는 광을 균일성을 향상시킬 수 있다.The light emitting device 2160 may include at least one of the light emitting devices according to the above-described embodiments of the present invention. The light emitting elements 2160 may be regularly arranged in a predetermined pattern on the substrate 2150 . In addition, a lens 2210 may be disposed on each light emitting element 2160 to improve uniformity of light emitted from the plurality of light emitting elements 2160 .

확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)은 발광 소자(2160) 상에 위치한다. 발광 소자(2160)로부터 방출된 광은 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 거쳐 면 광원 형태로 표시패널(2110)로 공급될 수 있다. A diffusion plate 2131 and optical sheets 2130 are positioned on the light emitting element 2160 . Light emitted from the light emitting element 2160 may be supplied to the display panel 2110 in the form of a surface light source via the diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130 .

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자는 본 실시예와 같은 직하형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.In this way, the light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to a direct type display device like the present embodiment.

도 28은 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다. 28 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an exemplary embodiment is applied to a display device.

본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 구비된 디스플레이 장치는 영상이 디스플레이되는 표시패널(3210), 표시패널(3210)의 배면에 배치되어 광을 조사하는 백라이트 유닛(BLU2)을 포함한다. 나아가, 상기 디스플레이 장치는, 표시패널(3210)을 지지하고 백라이트 유닛(BLU2)이 수납되는 프레임(240) 및 상기 표시패널(3210)을 감싸는 커버(3240, 3280)를 포함한다.A display device with a backlight unit according to the present embodiment includes a display panel 3210 on which an image is displayed, and a backlight unit BLU2 disposed on the rear surface of the display panel 3210 to emit light. Furthermore, the display device includes a frame 240 supporting the display panel 3210 and accommodating the backlight unit BLU2 , and covers 3240 and 3280 surrounding the display panel 3210 .

표시패널(3210)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(3210)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다. 표시패널(3210)은 그 상하부에 위치하는 커버(3240, 3280)에 의해 고정되며, 하부에 위치하는 커버(3280)는 백라이트 유닛(BLU2)과 결속될 수 있다.The display panel 3210 is not particularly limited and may be, for example, a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer. A gate driving PCB for supplying a driving signal to the gate line may be further positioned at an edge of the display panel 3210 . Here, the gate driving PCB may not be formed on a separate PCB, but may be formed on a thin film transistor substrate. The display panel 3210 is fixed by the covers 3240 and 3280 located on the top and bottom of the display panel 3210, and the cover 3280 located on the bottom may be bound to the backlight unit BLU2.

표시패널(3210)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU2)은 상면의 일부가 개구된 하부 커버(3270), 하부 커버(3270)의 내부 일 측에 배치된 광원 모듈 및 상기 광원 모듈과 나란하게 위치되어 점광을 면광으로 변환하는 도광판(3250)을 포함한다. 또한, 본 실시예의 백라이트 유닛(BLU2)은 도광판(3250) 상에 위치되어 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들(3230), 도광판(3250)의 하부에 배치되어 도광판(3250)의 하부방향으로 진행하는 광을 표시패널(3210) 방향으로 반사시키는 반사시트(3260)를 더 포함할 수 있다.The backlight unit BLU2 providing light to the display panel 3210 includes a lower cover 3270 having a partially opened upper surface, a light source module disposed on one inner side of the lower cover 3270, and a light source module positioned in parallel with the light source module. and a light guide plate 3250 that converts point light into surface light. In addition, the backlight unit BLU2 of this embodiment is disposed on the light guide plate 3250 to diffuse and condense light, and the optical sheets 3230 are disposed on the light guide plate 3250 to move downward of the light guide plate 3250. A reflective sheet 3260 for reflecting light toward the display panel 3210 may be further included.

광원 모듈은 기판(3220) 및 상기 기판(3220)의 일면에 일정 간격으로 이격되어 배치된 복수의 발광 소자(3110)를 포함한다. 기판(3220)은 발광 소자(3110)를 지지하고 발광 소자(3110)에 전기적으로 연결된 것이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판일 수 있다. 발광 소자(3110)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자를 적어도 하나 포함할 수 있다. 광원 모듈로부터 방출된 광은 도광판(3250)으로 입사되어 광학 시트들(3230)을 통해 표시패널(3210)로 공급된다. 도광판(3250) 및 광학 시트들(3230)을 통해, 발광 소자(3110)들로부터 방출된 점 광원이 면 광원으로 변형될 수 있다.The light source module includes a substrate 3220 and a plurality of light emitting devices 3110 spaced apart from each other at regular intervals on one surface of the substrate 3220 . The substrate 3220 is not limited as long as it supports the light emitting element 3110 and is electrically connected to the light emitting element 3110, and may be, for example, a printed circuit board. The light emitting device 3110 may include at least one light emitting device according to the above-described embodiments of the present invention. Light emitted from the light source module is incident on the light guide plate 3250 and supplied to the display panel 3210 through the optical sheets 3230 . Through the light guide plate 3250 and the optical sheets 3230 , point light sources emitted from the light emitting devices 3110 may be transformed into planar light sources.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자는 본 실시예와 같은 에지형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.In this way, the light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to an edge type display device like the present embodiment.

도 29는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.29 is a cross-sectional view for explaining an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a headlamp.

도 29를 참조하면, 상기 헤드 램프는, 램프 바디(4070), 기판(4020), 발광 소자(4010) 및 커버 렌즈(4050)를 포함한다. 나아가, 상기 헤드 램프는, 방열부(4030), 지지랙(4060) 및 연결 부재(4040)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 29 , the headlamp includes a lamp body 4070, a substrate 4020, a light emitting element 4010, and a cover lens 4050. Furthermore, the headlamp may further include a heat dissipation unit 4030, a support rack 4060, and a connecting member 4040.

기판(4020)은 지지랙(4060)에 의해 고정되어 램프 바디(4070) 상에 이격 배치된다. 기판(4020)은 발광 소자(4010)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판과 같은 도전 패턴을 갖는 기판일 수 있다. 발광 소자(4010)는 기판(4020) 상에 위치하며, 기판(4020)에 의해 지지 및 고정될 수 있다. 또한, 기판(4020)의 도전 패턴을 통해 발광 소자(4010)는 외부의 전원과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광 소자(4010)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자를 적어도 하나 포함할 수 있다. The substrate 4020 is fixed by the support rack 4060 and spaced apart from each other on the lamp body 4070 . The substrate 4020 is not limited as long as it can support the light emitting element 4010, and may be, for example, a substrate having a conductive pattern such as a printed circuit board. The light emitting element 4010 may be positioned on the substrate 4020 and supported and fixed by the substrate 4020 . In addition, the light emitting element 4010 may be electrically connected to an external power source through the conductive pattern of the substrate 4020 . In addition, the light emitting device 4010 may include at least one light emitting device according to the above-described embodiments of the present invention.

커버 렌즈(4050)는 발광 소자(4010)로부터 방출되는 광이 이동하는 경로 상에 위치한다. 예컨대, 도시된 바와 같이, 커버 렌즈(4050)는 연결 부재(4040)에 의해 발광 소자(4010)로부터 이격되어 배치될 수 있고, 발광 소자(4010)로부터 방출된 광을 제공하고자하는 방향에 배치될 수 있다. 커버 렌즈(4050)에 의해 헤드 램프로부터 외부로 방출되는 광의 지향각 및/또는 색상이 조절될 수 있다. 한편, 연결 부재(4040)는 커버 렌즈(4050)를 기판(4020)과 고정시킴과 아울러, 발광 소자(4010)를 둘러싸도록 배치되어 발광 경로(4045)를 제공하는 광 가이드 역할을 할 수도 있다. 이때, 연결 부재(4040)는 광 반사성 물질로 형성되거나, 광 반사성 물질로 코팅될 수 있다. 한편, 방열부(4030)는 방열핀(4031) 및/또는 방열팬(4033)을 포함할 수 있고, 발광 소자(4010) 구동 시 발생하는 열을 외부로 방출시킨다.The cover lens 4050 is positioned on a path along which light emitted from the light emitting element 4010 moves. For example, as shown, the cover lens 4050 may be spaced apart from the light emitting element 4010 by the connecting member 4040 and disposed in a direction in which light emitted from the light emitting element 4010 is to be provided. can A beam angle and/or color of light emitted from the headlamp to the outside may be adjusted by the cover lens 4050 . Meanwhile, the connecting member 4040 fixes the cover lens 4050 to the substrate 4020 and may serve as a light guide by being disposed to surround the light emitting device 4010 and providing a light emitting path 4045 . In this case, the connection member 4040 may be formed of a light reflective material or coated with a light reflective material. Meanwhile, the heat dissipation unit 4030 may include a heat dissipation fin 4031 and/or a heat dissipation fan 4033, and emits heat generated when the light emitting element 4010 is driven to the outside.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자는 본 실시예와 같은 헤드 램프, 특히, 차량용 헤드 램프에 적용될 수 있다.In this way, the light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to a headlamp like the present embodiment, in particular, a vehicle headlamp.

이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 각각의 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 실시예들에서 설명하는 기술적 특징들의 결합 및 치환을 통하여 변경된 발명 역시 본 발명의 범위에 모두 포함되며, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다. In the above, various embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not limited to the above-described respective embodiments and features. Inventions changed through combination and substitution of technical features described in the embodiments are also included in the scope of the present invention, and various modifications and changes are possible without departing from the technical spirit of the claims of the present invention.

Claims (11)

기판 및 상기 기판 상에 위치하는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체;
상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극;
상기 제2 컨택 전극 상에 위치하는 연결 전극;
상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 절연시키며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 절연층;
상기 절연층 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극;
상기 제1 벌크 전극 상에 배치되어 상기 제1 벌크 전극과 전기적으로 연결되는 하면 및 상기 하면과 마주하는 상면을 포함하는 제1 패드 전극;
상기 제2 벌크 전극 상에 배치되어 상기 제2 벌크 전극과 전기적으로 연결되는 하면 및 상기 하면과 마주하는 상면을 포함하는 제2 패드 전극; 및
상기 발광 구조체의 측면의 적어도 일부를 덮는 절연 지지체를 포함하고,
상기 절연 지지체는 광 산란 입자를 포함하며,
상기 절연층은 상기 제1 컨택 전극 및 상기 연결 전극을 각각 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부를 포함하고,
상기 제1 패드 전극의 상면과 상기 제2 패드 전극의 상면은 나란하게 형성되는 발광 소자.A light emitting structure including a substrate, a first conductivity type semiconductor layer positioned on the substrate, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer positioned between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
first contact electrodes and second contact electrodes disposed on the light emitting structure and making ohmic contacts to the first and second conductivity type semiconductor layers, respectively;
a connection electrode positioned on the second contact electrode;
an insulating layer insulating the first contact electrode and the second contact electrode and partially covering the first and second contact electrodes;
a first bulk electrode and a second bulk electrode disposed on the insulating layer and electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively;
a first pad electrode disposed on the first bulk electrode and including a lower surface electrically connected to the first bulk electrode and an upper surface facing the lower surface;
a second pad electrode disposed on the second bulk electrode and including a lower surface electrically connected to the second bulk electrode and an upper surface facing the lower surface; and
Including an insulating support covering at least a portion of the side surface of the light emitting structure,
The insulating support includes light scattering particles,
The insulating layer includes a first opening and a second opening exposing the first contact electrode and the connection electrode, respectively;
An upper surface of the first pad electrode and an upper surface of the second pad electrode are formed in parallel. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층 상에 위치하는 응력완충층을 더 포함하며, 상기 응력완충층은 상기 제1 벌크 전극, 제2 벌크 전극 및 절연 지지체와 접하는 발광 소자.The light emitting device of claim 1, further comprising a stress buffer layer disposed on the insulating layer, wherein the stress buffer layer contacts the first bulk electrode, the second bulk electrode, and the insulating support. 청구항 2에 있어서, 상기 응력완충층은 폴리이미드(polyimide), 테플론(Teflon), 벤조시클로부틴(BCB) 및 파릴린(parylene) 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The light emitting device of claim 2, wherein the stress buffer layer includes at least one of polyimide, Teflon, benzocyclobutyne (BCB), and parylene. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 컨택전극은 도전성 산화물을 포함하며, 상기 연결전극은 금속물질로 형성되는 발광 소자.The light emitting device of claim 1, wherein the second contact electrode includes a conductive oxide, and the connection electrode is formed of a metal material. 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 제1 벌크 전극과 제2 벌크 전극은 각각 Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al, Ag중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The light emitting device of claim 1, wherein each of the first bulk electrode and the second bulk electrode includes at least one of Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al, and Ag. 청구항 1에 있어서, 상기 절연 지지체는 EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 발광 소자.The light emitting device of claim 1, wherein the insulating support includes at least one of EMC (Epoxy Molding Compound) and Si resin. 청구항 1에 있어서, 상기 절연 지지체는 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 측면의 적어도 일부를 덮는 발광 소자.The light emitting device of claim 1, wherein the insulating support covers at least a portion of side surfaces of the first bulk electrode and the second bulk electrode. 청구항 1에 있어서, 상기 절연 지지체와 상기 제1 벌크전극 및 상기 제2 벌크 전극은 서로 다른 물질로 형성되는 발광 소자.The light emitting device of claim 1, wherein the insulating support, the first bulk electrode, and the second bulk electrode are formed of different materials. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 벌크 전극은 상기 제2 컨택 전극과 마주하는 상면 및 상기 상면에 대향하는 하면을 포함하며,
상기 제2 벌크 전극의 상면과 상기 제2 컨택 전극이 접하는 영역의 면적은 상기 제2 벌크 전극의 하면의 면적보다 작은 발광 소자.The method according to claim 1, wherein the second bulk electrode includes an upper surface facing the second contact electrode and a lower surface facing the upper surface,
An area of a region where the upper surface of the second bulk electrode and the second contact electrode are in contact is smaller than an area of a lower surface of the second bulk electrode. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 패드 전극 및 상기 제2 패드 전극은 도전성 물질을 포함할 수 있고, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Au, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1, wherein the first pad electrode and the second pad electrode may include a conductive material, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Au, Sn, Cu, Ag, Bi, In , Zn, Sb, Mg, a light emitting device comprising at least one material of Pb.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114188471A (en) 2016-09-05 2022-03-15 首尔伟傲世有限公司 Chip scale package light emitting diode
JP7096261B2 (en) 2017-07-18 2022-07-05 ルーメンス カンパニー リミテッド Light emitting diode module manufacturing equipment and method
WO2019017584A1 (en) * 2017-07-18 2019-01-24 주식회사 루멘스 Apparatus and method for manufacturing light-emitting diode module
CN107768491B (en) * 2017-10-31 2019-11-22 江苏新广联半导体有限公司 MicroLED display module production method for bracelet
CN108091753B (en) * 2018-01-22 2023-08-25 扬州大学 Light source element
WO2019240371A1 (en) * 2018-06-11 2019-12-19 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light-emitting device
KR102066517B1 (en) * 2018-06-11 2020-01-15 주식회사 세미콘라이트 Apparatus and method for drying wafer
DE102018119734A1 (en) * 2018-08-14 2020-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A SUPPORT ELEMENT THAT INCLUDES AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE MATERIAL
KR102624112B1 (en) * 2018-10-23 2024-01-12 서울바이오시스 주식회사 Flip chip type light emitting diode chip
CN111863853A (en) * 2019-04-24 2020-10-30 深圳第三代半导体研究院 Vertical integrated unit diode chip
CN110491976A (en) * 2019-08-22 2019-11-22 佛山市国星半导体技术有限公司 A kind of flip LED chips of resistant to hydrolysis and preparation method thereof
DE102020215562A1 (en) 2020-12-09 2022-06-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRICAL CONTACTS AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
TWI795790B (en) * 2021-05-26 2023-03-11 隆達電子股份有限公司 Light emitting element and display device using the same
CN114023858B (en) * 2021-11-02 2023-07-14 厦门三安光电有限公司 Light emitting diode, light emitting module and light emitting device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345480A (en) 2000-03-31 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd Iii nitride compound semiconductor element
JP2006245232A (en) 2005-03-02 2006-09-14 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light-emitting device
WO2014128574A1 (en) 2013-02-19 2014-08-28 Koninklijke Philips N.V. A light emitting die component formed by multilayer structures
WO2015001446A1 (en) 2013-07-03 2015-01-08 Koninklijke Philips N.V. Led with stress-buffer layer under metallization layer

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003273408A (en) 2000-07-31 2003-09-26 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device
US7179670B2 (en) * 2004-03-05 2007-02-20 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode device without sub-mount
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8008683B2 (en) * 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101252032B1 (en) 2010-07-08 2013-04-10 삼성전자주식회사 Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR101142965B1 (en) * 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101691589B1 (en) * 2011-09-16 2017-01-02 서울바이오시스 주식회사 Light emitting diode and method of fabricating the same
KR101969334B1 (en) * 2011-11-16 2019-04-17 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and light emitting apparatus having the same
KR102075147B1 (en) 2013-06-05 2020-02-10 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and light emitting device package

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345480A (en) 2000-03-31 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd Iii nitride compound semiconductor element
JP2006245232A (en) 2005-03-02 2006-09-14 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light-emitting device
WO2014128574A1 (en) 2013-02-19 2014-08-28 Koninklijke Philips N.V. A light emitting die component formed by multilayer structures
WO2015001446A1 (en) 2013-07-03 2015-01-08 Koninklijke Philips N.V. Led with stress-buffer layer under metallization layer

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