KR20160092465A - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR20160092465A
KR20160092465A KR1020150076527A KR20150076527A KR20160092465A KR 20160092465 A KR20160092465 A KR 20160092465A KR 1020150076527 A KR1020150076527 A KR 1020150076527A KR 20150076527 A KR20150076527 A KR 20150076527A KR 20160092465 A KR20160092465 A KR 20160092465A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
light emitting
bulk
layer
electrodes
Prior art date
Application number
KR1020150076527A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102407827B1 (en
Inventor
채종현
김창연
서대웅
손성수
Original Assignee
서울바이오시스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울바이오시스 주식회사 filed Critical 서울바이오시스 주식회사
Priority to US14/748,149 priority Critical patent/US9543488B2/en
Priority to CN201580038935.1A priority patent/CN106537616B/en
Priority to PCT/KR2015/009087 priority patent/WO2016122076A1/en
Priority to CN201911071816.2A priority patent/CN110854251B/en
Priority to DE112015006061.8T priority patent/DE112015006061T5/en
Publication of KR20160092465A publication Critical patent/KR20160092465A/en
Priority to US15/380,982 priority patent/US9947849B2/en
Priority to US15/954,465 priority patent/US10580950B2/en
Priority to KR1020220069034A priority patent/KR102546262B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102407827B1 publication Critical patent/KR102407827B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

According to the present invention, disclosed is a light emitting device with a reduced failure probability due to excellent mechanical stability. The light emitting device comprises: a light emitting structure including a first and a second conductive semiconductor layer, and an active layer; a first and a second contact electrode placed on the light emitting structure, and making ohmic contact with the first and the second conductive semiconductor layer, respectively; an insulation layer insulating the first and the second contact electrode, and partially covering the first and the second contact electrode; a stress buffering layer placed on the insulation layer; a first and a second bulk electrode placed on the light emitting structure, the stress buffering layer and the insulation layer, and electrically connecting to the first and the second contact electrode, respectively; and an insulation support structure covering a side surface of the first and the second bulk electrode, and exposing at least a part of an upper surface of the first and the second bulk electrode. The first bulk electrode includes a protruding unit protruding from a side surface where the first and the second bulk electrode face each other. The second bulk electrode includes a concave unit sunken from the side surface where the first and the second bulk electrode face each other.

Description

발광 소자{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 특히, 기계적 안정성 및 열 방출 효율이 향상된 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device having improved mechanical stability and heat emission efficiency.

최근 소형 고출력 발광 소자에 대한 요구가 증가하면서, 방열 효율이 우수한 대면적 플립칩형 발광 소자의 수요가 증가하고 있다. 플립칩형 발광 소자의 전극은 직접 2차 기판에 접합되며, 또한 플립칩형 발광 소자에 외부 전원을 공급하기 위한 와이어를 이용하지 않으므로, 수평형 발광 소자에 비해 열 방출 효율이 매우 높다. 따라서 고밀도 전류를 인가하더라도 효과적으로 열을 2차 기판 측으로 전도시킬 수 있어서, 플립칩형 발광 소자는 고출력 발광원으로 적합하다.In recent years, there is an increasing demand for a small-sized high-output light-emitting device, and a demand for a large-area flip-chip type light-emitting device having excellent heat dissipation efficiency is increasing. Since the electrode of the flip chip type light emitting device is directly bonded to the secondary substrate and the wire for supplying external power to the flip chip type light emitting device is not used, the heat emission efficiency is much higher than that of the horizontal type light emitting device. Therefore, even when a high-density current is applied, the heat can be effectively conducted to the secondary substrate side, so that the flip chip type light emitting device is suitable as a high output light emitting source.

또한, 발광 소자의 소형화 및 고출력을 위하여, 발광 소자를 별도의 하우징 등에 패키징하는 공정을 생략하고, 발광 소자 자체를 패키지로서 이용하는 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)에 대한 요구가 증가하고 있다. 특히, 플립칩형 발광 소자의 전극은 패키지의 리드와 유사한 기능을 할 수 있어서, 이러한 칩 스케일 패키지에 있어서도 유용하게 플립칩형 발광 소자가 적용될 수 있다.In addition, there is an increasing demand for a chip scale package that uses a light emitting device itself as a package, omitting the step of packaging the light emitting device into a separate housing for the miniaturization and high output of the light emitting device. In particular, the electrode of the flip chip type light emitting element can perform a similar function to the lead of the package, and a flip chip type light emitting element can be applied to such a chip scale package.

이러한 칩 스케일 패키지 형태의 소자를 고출력 발광 장치로서 이용하는 경우, 상기 칩 스케일 패키지에 고밀도의 전류가 인가된다. 고밀도의 전류가 인가되면, 그만큼 발광 칩으로부터 발생하는 열도 증가한다. 이러한 열은 발광 소자에 열적 스트레스를 발생시키고, 열 팽창 계수가 서로 다른 물질들 간의 계면에서 발생하는 응력 및 이로 인한 잔류 응력을 발생시킨다. When such a chip scale package type device is used as a high output light emitting device, a high density current is applied to the chip scale package. When a high-density current is applied, the heat generated from the light emitting chip also increases. Such heat causes thermal stress in the light emitting device, and generates stress generated at the interface between materials having different thermal expansion coefficients and residual stress caused thereby.

특히, 이러한 응력에 의해 전극들의 사이에 크랙이 발생하면 발광 소자의 파괴가 발생할 확률이 높아, 발광 소자의 불량을 야기한다. 따라서 고출력 발광 장치에 적용되는 발광 소자는 높은 열 방출 효율 및 우수한 기계적 안정성이 요구된다.Particularly, when a crack is generated between the electrodes due to such a stress, the probability of the breakdown of the light emitting device is high, resulting in a failure of the light emitting device. Therefore, a light emitting device applied to a high output light emitting device is required to have high heat emission efficiency and excellent mechanical stability.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기계적 안정성이 우수하여, 파괴(failure) 확률이 감소된 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting device having excellent mechanical stability and reduced failure probability and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 측면에 따른 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체; 상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 절연시키며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 절연층; 상기 절연층 상에 위치하는 응력완충층; 상기 발광 구조체 및 상기 응력완충층 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극; 및 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 측면을 덮고, 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 상면을 적어도 부분적으로 노출시키는 절연지지체를 포함하고, 상기 제1 벌크 전극은, 상기 제1 및 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 측면으로부터 돌출된 돌출부를 포함하며, 상기 제2 벌크 전극은, 상기 제1 및 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 측면으로부터 함입된 오목부를 포함한다.A light emitting device according to an aspect of the present invention includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, ; A first contact electrode and a second contact electrode located on the light emitting structure and ohmically contacting the first and second conductive type semiconductor layers, respectively; An insulating layer for insulating the first and second contact electrodes, and partially covering the first and second contact electrodes; A stress buffer layer located on the insulating layer; A first bulk electrode and a second bulk electrode located on the light emitting structure and the stress buffer layer, the first bulk electrode and the second bulk electrode being electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; And an insulating support covering the side surfaces of the first and second bulk electrodes and at least partially exposing an upper surface of the first and second bulk electrodes, And a projection protruding from a side opposite to the second bulk electrode, and the second bulk electrode includes a recessed portion embedded from the side opposite to the first and second bulk electrodes.

상기 돌출부는 상기 오목부에 맞물릴 수 있다.The protrusion can be engaged with the recess.

상기 돌출부는 돌출되는 방향을 따라 그 폭이 변화할 수 있다.The width of the projecting portion may vary along the direction in which the projecting portion is projected.

상기 돌출부는 돌출되는 방향을 따라 그 폭이 감소할 수 있고, 상기 오목부는 함입되는 방향을 따라 그 폭이 감소할 수 있다.The width of the protrusion may decrease along the direction in which the protrusion is projected, and the width of the recess may decrease along the direction in which the protrusion is inserted.

상기 돌출부 및 오목부는 각각 복수개로 형성될 수 있으며, 상기 복수의 돌출부는 상기 복수의 오목부에 맞물릴 수 있다.The protrusions and the recesses may be formed in a plurality, respectively, and the plurality of protrusions may be engaged with the plurality of recesses.

상기 절연층은 제1 절연층 및 제2 절연층을 포함할 수 있고, 상기 제1 절연층은 상기 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮고 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 컨택 전극을 각각 부분적으로 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부를 포함할 수 있으며, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 절연층을 부분적으로 덮을 수 있고, 상기 제2 절연층은 상기 제1 컨택 전극을 부분적으로 덮어, 상기 제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극을 부분적으로 노출시키는 제3 개구부 및 제4 개구부를 포함할 수 있다.The insulating layer may include a first insulating layer and a second insulating layer, and the first insulating layer partially covers the second contact electrode, and the first conductive semiconductor layer and the second contact electrode are partially Wherein the first contact electrode may partially cover the first insulating layer and the second insulating layer partially covers the first contact electrode and the second contact electrode may partially cover the first contact electrode, And a third opening and a fourth opening partially exposing the first contact electrode and the second contact electrode.

상기 발광 소자는, 상기 제2 컨택 전극과 상기 제2 벌크 전극 사이에 위치하는 연결 전극을 더 포함할 수 있고, 상기 연결 전극은 상기 제1 컨택 전극과 동일한 물질로 형성될 수 있다.The light emitting device may further include a connection electrode positioned between the second contact electrode and the second bulk electrode, and the connection electrode may be formed of the same material as the first contact electrode.

상기 제1 절연층의 일부는 상기 제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극의 사이에 개재될 수 있다.And a part of the first insulating layer may be interposed between the first contact electrode and the second contact electrode.

상기 발광 소자는, 상기 제2 컨택 전극 상에 위치하는 연결 전극을 더 포함할 수 있고, 상기 절연층은 상기 제1 컨택 전극 및 상기 연결 전극을 각각 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부를 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a connection electrode positioned on the second contact electrode, and the insulation layer includes a first opening and a second opening exposing the first contact electrode and the connection electrode, respectively .

상기 발광 구조체는 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역을 포함할 수 있고, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역 내에 위치할 수 있다.The light emitting structure may include a region where the first conductivity type semiconductor layer is partially exposed, and the first contact electrode may be located in a region where the first conductivity type semiconductor layer is partially exposed.

상기 발광 구조체는 상기 제1 도전형 반도체층을 부분적으로 노출시키는 복수의 홀을 포함할 수 있고, 상기 제1 컨택 전극은 상기 복수의 홀을 통해 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting structure may include a plurality of holes partially exposing the first conductive type semiconductor layer, and the first contact electrode may be electrically connected to the first conductive type semiconductor layer through the plurality of holes .

상기 발광 소자는, 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극 각각의 상에 위치하는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 더 포함할 수 있고, 상기 절연지지체는 상기 제1 및 제2 벌크 전극의 상면 일부를 덮으며, 상기 절연지지체는 상기 제1 및 제2 패드 전극의 측면을 감쌀 수 있다.The light emitting device may further include a first pad electrode and a second pad electrode positioned on the first and second bulk electrodes, respectively, and the insulating support may include a first pad electrode and a second pad electrode, And the insulating support may cover the sides of the first and second pad electrodes.

상기 제1 패드 전극은 상기 돌출부 상에 위치하지 않을 수 있다.The first pad electrode may not be positioned on the protrusion.

상기 제1 패드 전극과 상기 제2 패드 전극의 표면 면적은 동일할 수 있다.The surface areas of the first pad electrode and the second pad electrode may be the same.

상기 발광 소자는, 상기 발광 구조체의 하면 상에 위치하는 파장변환부를 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a wavelength converting unit located on a lower surface of the light emitting structure.

상기 제1 벌크 전극과 상기 제2 벌크 전극 간의 이격 거리는 일정할 수 있다.The distance between the first bulk electrode and the second bulk electrode may be constant.

상기 제1 벌크 전극의 수평 단면적은 상기 제2 벌크 전극의 수평 단면적보다 클 수 있다.The horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode may be greater than the horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode.

상기 제1 벌크 전극의 돌출부는 제1 돌출부, 및 상기 제1 돌출부로부터 돌출된 제2 돌출부를 포함할 수 있고, 상기 제2 벌크 전극의 오목부는 제1 오목부, 및 상기 제1 오목부로부터 더 함입된 제2 오목부를 포함할 수 있다.The protrusion of the first bulk electrode may include a first protrusion and a second protrusion protruding from the first protrusion, and the recess of the second bulk electrode may include a first recess, and a second recess And may include an embedded second concave portion.

상기 제2 돌출부는 상기 발광 소자의 중심부와 수직 방향으로 중첩하는 위치에 위치할 수 있다.The second protrusion may be located at a position overlapping the center portion of the light emitting element in the vertical direction.

상기 제2 돌출부는 발광 소자의 중심부를 원점으로 하고, 직경이 50㎛이상인 내접원을 갖는 다각형, 원형 또는 타원형의 적어도 일부로 형성될 수 있다.The second protrusion may be formed of at least a part of a polygonal, circular or elliptical shape having a center portion of the light emitting element as an origin and having an inscribed circle having a diameter of 50 탆 or more.

본 발명의 다른 측면에 따른 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체; 상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 절연시키며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 절연층; 상기 발광 구조체 및 상기 절연층 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극; 및 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 측면을 덮고, 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 상면을 적어도 부분적으로 노출시키는 절연지지체를 포함하고, 상기 제1 벌크 전극과 상기 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가지며, 상기 제1 벌크 전극의 수평 단면적은 상기 제2 벌크 전극의 수평 단면적보다 크다.A light emitting device according to another aspect of the present invention includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, ; A first contact electrode and a second contact electrode located on the light emitting structure and ohmic-conducting to the first and second conductive type semiconductor layers, respectively; An insulating layer for insulating the first and second contact electrodes, and partially covering the first and second contact electrodes; A first bulk electrode and a second bulk electrode that are located on the light emitting structure and the insulating layer and are electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; And an insulating support covering the sides of the first and second bulk electrodes and at least partially exposing an upper surface of the first and second bulk electrodes, The imaginary line extending along the spacing region of the portion where the electrodes are opposed to each other has at least one folded portion and the horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode is larger than the horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode.

상기 가상선의 시작점과 끝점은 동일 선상에 위치할 수 있다.The starting point and the ending point of the imaginary line may be located on the same line.

본 발명의 또 다른 측면에 따른 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체; 상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 절연시키며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 절연층; 상기 절연층 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극; 및 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 측면을 덮고, 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 상면을 적어도 부분적으로 노출시키는 절연지지체를 포함하고, 상기 제1 벌크 전극은, 상기 제1 및 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 측면으로부터 돌출된 제1 돌출부, 및 상기 제1 돌출부로부터 돌출된 제2 돌출부를 포함하며, 상기 제2 벌크 전극은, 상기 제1 및 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 측면으로부터 함입된 제1 오목부, 및 상기 제1 오목부로부터 더 함입된 제2 오목부를 포함하고, 상기 제2 돌출부는 발광 소자의 중심부를 원점으로 하는 내접원을 갖는 다각형, 원형 또는 타원형의 적어도 일부로 형성된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting device including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer Structure; A first contact electrode and a second contact electrode located on the light emitting structure and ohmically contacting the first and second conductive type semiconductor layers, respectively; An insulating layer for insulating the first and second contact electrodes, and partially covering the first and second contact electrodes; A first bulk electrode and a second bulk electrode located on the insulating layer and electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; And an insulating support covering the side surfaces of the first and second bulk electrodes and at least partially exposing an upper surface of the first and second bulk electrodes, And a second protrusion protruding from the first protrusion, wherein the second bulk electrode has a first protrusion protruded from a side opposite to the first protector and a second protrusion protruded from the first protrusion, And a second concave portion further embedded from the first concave portion, wherein the second projection is formed of a polygonal, circular or elliptic shape having an inscribed circle having the center of the light emitting element as the origin .

본 발명에 따르면, 각각 돌출부와 오목부를 갖는 제1 및 제2 벌크 전극을 포함하는 발광 소자가 제공된다. 이에 따라, 벌크 전극들과 절연지지체 간의 박리 현상이 발생되는 것을 억제할 수 있고, 절연지지체의 기계적 안정성을 향상시켜 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 벌크 전극의 수평 단면적을 다르게 형성함으로써, 열 방출 효율이 향상된 발광 소자가 제공된다.According to the present invention, there is provided a light emitting device comprising first and second bulk electrodes each having a projection and a recess. As a result, it is possible to suppress the peeling phenomenon between the bulk electrodes and the insulating support, thereby improving the mechanical stability of the insulating support and improving the reliability of the light emitting device. Further, by forming the horizontal cross-sectional area of the bulk electrode differently, a light emitting device with improved heat emission efficiency is provided.

또한, 제1 벌크 전극의 돌출부가 발광 소자의 중심부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치됨으로써, 발광 소자의 기계적 안정성이 향상될 수 있으며, 발광 소자 제조 과정에서 절연지지체에 결함 또는 파손이 발생하는 것을 효과적으로 방지하여 발광 소자 제조 수율을 향상시킬 수 있다.In addition, since the protruding portion of the first bulk electrode is disposed at a position where the protruding portion of the first bulk electrode overlaps with the central portion of the light emitting element in the vertical direction, mechanical stability of the light emitting element can be improved and defects or breakage And the yield of the light emitting device can be improved.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.
도 10 내지 도 25는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들 및 단면도들이다.
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 27은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 29는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.1 and 2 are a plan view and a sectional view for explaining a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view illustrating a light emitting device according to embodiments of the present invention.
4 and 5 are a plan view and a sectional view for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
6 and 7 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
8 and 9 are plan views and cross-sectional views for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
10 to 25 are plan and sectional views for explaining a light emitting device and a method of manufacturing the same according to another embodiment of the present invention.
26 is an exploded perspective view for explaining an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a lighting device.
27 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.
28 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.
29 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a headlamp.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where another component is interposed between the two. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다. 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들이다.1 and 2 are a plan view and a sectional view for explaining a light emitting device according to an embodiment of the present invention. Fig. 2 shows a cross-section of a portion corresponding to the line I-I 'in Fig. 3 is a plan view illustrating a light emitting device according to embodiments of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자는 발광 구조체(220), 제1 컨택 전극(230), 제2 컨택 전극(240), 절연층(250, 260), 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273) 및 절연지지체(280)를 포함한다. 나아가, 발광 소자는 성장 기판(미도시), 연결 전극(245) 및 응력완충층(265)을 더 포함할 수 있다.1 and 2, the light emitting device includes a light emitting structure 220, a first contact electrode 230, a second contact electrode 240, insulating layers 250 and 260, first and second bulk electrodes 271, 273, and an insulating support 280. Further, the light emitting device may further include a growth substrate (not shown), a connection electrode 245, and a stress buffer layer 265.

발광 구조체(220)는 제1 도전형 반도체층(221), 제1 도전형 반도체층(221) 상에 위치하는 활성층(223), 및 활성층(223) 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층(225)을 포함한다. 제1 도전형 반도체층(221), 활성층(223) 및 제2 도전형 반도체층(225)은 Ⅲ-Ⅴ 계열 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 예를 들어, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(221)은 n형 불순물(예를 들어, Si)을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(225)은 p형 불순물(예를 들어, Mg)을 포함할 수 있다. 또한, 그 반대일 수도 있다. 활성층(223)은 다중양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있고, 원하는 피크 파장의 광을 방출하도록 그 조성비가 결정될 수 있다.The light emitting structure 220 includes a first conductive semiconductor layer 221, an active layer 223 located on the first conductive semiconductor layer 221, and a second conductive semiconductor layer 223 located on the active layer 223 225). The first conductive semiconductor layer 221, the active layer 223, and the second conductive semiconductor layer 225 may include a III-V compound semiconductor. For example, the first conductive semiconductor layer 221, the active layer 223, And may include the same nitride-based semiconductor. The first conductivity type semiconductor layer 221 may include an n-type impurity (for example, Si) and the second conductivity type semiconductor layer 225 may include a p-type impurity (for example, Mg) have. It may also be the opposite. The active layer 223 may comprise a multiple quantum well structure (MQW) and its compositional ratio may be determined to emit light of a desired peak wavelength.

또한, 발광 구조체(220)는 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)이 부분적으로 제거되어 제1 도전형 반도체층(221)이 부분적으로 노출된 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1b에 도시된 바와 같이, 발광 구조체(220)는 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(221)을 노출시키는 적어도 하나의 홀(220a)을 포함할 수 있다. 홀(220a)은 복수로 형성될 수도 있으며, 홀(220a)의 형태 및 배치가 도시된 바에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1 도전형 반도체층(221)이 부분적으로 노출된 영역은, 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)을 부분적으로 제거하여 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)을 포함하는 메사를 형성함으로써 제공될 수도 있다. The light emitting structure 220 may include a region where the second conductivity type semiconductor layer 225 and the active layer 223 are partially removed and the first conductivity type semiconductor layer 221 is partially exposed. For example, as shown in FIG. 1B, the light emitting structure 220 may include at least one light emitting structure 220 that exposes the first conductive type semiconductor layer 221 through the second conductive type semiconductor layer 225 and the active layer 223 Hole 220a. The plurality of holes 220a may be formed, and the shape and arrangement of the holes 220a are not limited to those shown in the drawings. The second conductive type semiconductor layer 225 and the active layer 223 may be partially removed to partially expose the first conductive type semiconductor layer 221. The second conductive type semiconductor layer 225 and the active layer 223 may be formed by partially removing the second conductive type semiconductor layer 225 and the active layer 223, 223). ≪ / RTI >

또한, 발광 구조체(220)는 그 하면의 거칠기가 증가되어 형성된 거칠어진 표면(220R)을 더 포함할 수 있다. 거칠어진 표면(220R)은 습식 식각, 건식 식각, 전기화학 식각 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, PEC 식각 또는 KOH 및 NaOH를 포함하는 식각 용액을 이용한 식각 방법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(220)는 제1 도전형 반도체층(221)의 표면에 형성된 ㎛ 내지 nm 스케일의 돌출부 및/또는 오목부를 포함할 수 있다. 거칠어진 표면(220R)에 의해 발광 구조체(220)에서 방출된 광의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.Further, the light emitting structure 220 may further include a roughened surface 220R formed by increasing the roughness of its lower surface. The rough surface 220R may be formed using at least one of wet etching, dry etching, and electrochemical etching. For example, the rough surface 220R may be etched using PEC etching or an etching solution including KOH and NaOH . Accordingly, the light emitting structure 220 may include protrusions and / or recesses on the surface of the first conductivity type semiconductor layer 221 formed on the surface of the first conductivity type semiconductor layer 221. The light extraction efficiency of the light emitted from the light emitting structure 220 by the roughened surface 220R can be improved.

또한, 발광 구조체(220)는 제1 도전형 반도체층(221)의 아래에 위치하는 성장 기판(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 성장 기판은 발광 구조체(220)를 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 성장 기판은 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판 등일 수 있다. 이러한 성장 기판은 공지의 기술을 이용하여 발광 구조체(220)로부터 분리되어 제거될 수 있다.The light emitting structure 220 may further include a growth substrate (not shown) positioned under the first conductive type semiconductor layer 221. The growth substrate is not limited as long as it can grow the light emitting structure 220. For example, the growth substrate may be a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a silicon substrate, a gallium nitride substrate, an aluminum nitride substrate, or the like. Such a growth substrate can be separated and removed from the light emitting structure 220 using a known technique.

제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225) 상에 위치하며, 제2 도전형 반도체층(225)과 오믹 컨택할 수 있다. 또한, 제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225)의 상면을 적어도 부분적으로 덮을 수 있으며, 나아가, 제2 도전형 반도체층(225)의 상면을 전반적으로 덮도록 배치될 수 있다. 또한, 발광 구조체(220)의 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역이 형성된 위치를 제외한 나머지 영역에서 단일체로 제2 도전형 반도체층(225)의 상면을 덮도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(220)의 전체에 대해 전류를 균일하게 공급하여, 전류 분산 효율이 향상될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고, 제2 컨택 전극(240)은 복수의 단위 전극들을 포함할 수도 있다.The second contact electrode 240 is located on the second conductive semiconductor layer 225 and may be in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 225. The second contact electrode 240 may cover the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 225 at least partially and further may cover the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 225 have. The first conductive semiconductor layer 221 of the light emitting structure 220 may be formed to cover the upper surface of the second conductive semiconductor layer 225 as a single body except for a region where the exposed region of the first conductive semiconductor layer 221 is formed. Thus, current can be uniformly supplied to the whole of the light emitting structure 220, and the current dispersion efficiency can be improved. However, the present invention is not limited thereto, and the second contact electrode 240 may include a plurality of unit electrodes.

제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225)에 오믹 컨택할 수 있는 물질로 형성될 수 있고, 예를 들어, 금속성 물질 및/또는 도전성 산화물을 포함할 수 있다.The second contact electrode 240 may be formed of a material capable of ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 225, and may include, for example, a metallic material and / or a conductive oxide.

제2 컨택 전극(240)이 금속성 물질을 포함하는 경우, 제2 컨택 전극(240)은 반사층 및 상기 반사층을 덮는 커버층을 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225)과 오믹 컨택되는 것과 더불어, 광을 반사시키는 기능을 할 수 있다. 따라서, 상기 반사층은 높은 반사도를 가지면서 제2 도전형 반도체층(225)과 오믹 접촉을 형성할 수 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반사층은 Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.When the second contact electrode 240 includes a metallic material, the second contact electrode 240 may include a reflective layer and a cover layer covering the reflective layer. As described above, the second contact electrode 240 can perform the function of reflecting light in addition to ohmic contact with the second conductive type semiconductor layer 225. Accordingly, the reflective layer may include a metal having high reflectivity and capable of forming an ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 225. For example, the reflective layer may include at least one of Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag and Au. Also, the reflective layer may comprise a single layer or multiple layers.

상기 커버층은 상기 반사층과 다른 물질 간의 상호 확산을 방지할 수 있고, 외부의 다른 물질이 상기 반사층에 확산하여 상기 반사층이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 커버층은 상기 반사층의 하면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 상기 커버층은 상기 반사층과 함께 제2 도전형 반도체층(225)과 전기적으로 연결될 수 있어서, 상기 반사층과 함께 전극 역할을 할 수 있다. 상기 커버층은, 예를 들어, Au, Ni, Ti, Cr 등을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 다중층을 포함할 수도 있다. The cover layer may prevent mutual diffusion between the reflective layer and other materials, and may prevent external substances from diffusing to the reflective layer and damaging the reflective layer. Accordingly, the cover layer may be formed to cover the bottom surface and the side surface of the reflective layer. The cover layer may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 225 together with the reflective layer to serve as an electrode together with the reflective layer. The cover layer may comprise, for example, Au, Ni, Ti, Cr, etc., and may comprise a single layer or multiple layers.

이러한 반사층 및 커버층은 전자선 증착, 도금 방식 등을 이용하여 형성될 수 있다. The reflective layer and the cover layer may be formed using electron beam deposition, plating, or the like.

한편, 제2 컨택 전극(240)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 상기 도전성 산화물은 ITO, ZnO, AZO, IZO 등일 수 있다. 제2 컨택 전극(240)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 금속을 포함하는 경우에 비해 더 넓은 영역의 제2 도전형 반도체층(225)의 상면을 커버할 수 있다. 즉, 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역의 테두리로부터 제2 컨택 전극(240)까지의 이격 거리는 제2 컨택 전극(240)이 도전성 산화물로 형성된 경우에 상대적으로 더 짧게 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 컨택 전극(240)과 제2 도전형 반도체층(225)이 접촉하는 부분에서 제1 컨택 전극(230)과 제1 도전형 반도체층(221)이 접촉하는 부분까지의 최단 거리가 상대적으로 더 짧아질 수 있어서, 발광 소자의 순방향 전압(Vf)이 감소될 수 있다.On the other hand, when the second contact electrode 240 includes a conductive oxide, the conductive oxide may be ITO, ZnO, AZO, IZO, or the like. When the second contact electrode 240 includes a conductive oxide, the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 225 can cover a wider region than the case where the second contact electrode 240 includes a metal. That is, the distance from the edge of the region where the first conductivity type semiconductor layer 221 is exposed to the second contact electrode 240 may be relatively shorter when the second contact electrode 240 is formed of the conductive oxide have. In this case, the shortest distance from the portion where the second contact electrode 240 and the second conductivity type semiconductor layer 225 are in contact to the portion where the first contact electrode 230 and the first conductivity type semiconductor layer 221 are in contact with each other the method can be relatively shorter, there can be reduced the forward voltage (V f) of the light emitting element.

이는 금속성 물질로 제2 컨택 전극(240)을 형성하는 경우와, 도전성 산화물로 제2 컨택 전극(240)을 형성하는 경우의 제조 방법 차이로부터 기인한 것일 수 있다. 예를 들어, 금속성 물질은 증착 또는 도금 방식으로 형성되므로, 마스크의 공정 마진에 의해 제2 도전형 반도체층(225)의 외곽 테두리로부터 일정 거리 이격된 부분에 형성된다. 반면, 도전성 산화물은 제2 도전형 반도체층(225) 상에 전체적으로 형성된 후에, 제1 도전형 반도체층(221)을 노출시키는 식각 공정에서 동일 공정으로 제거된다. 따라서, 도전성 산화물은 상대적으로 제2 도전형 반도체층(225)의 외곽 테두리에 더욱 가깝게 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.This may be caused by a difference in manufacturing method between the case where the second contact electrode 240 is formed of a metallic material and the case where the second contact electrode 240 is formed of a conductive oxide. For example, since the metallic material is formed by a deposition or plating method, the metallic material is formed at a portion spaced from the outer rim of the second conductive type semiconductor layer 225 by a process margin of the mask. On the other hand, the conductive oxide is entirely formed on the second conductive type semiconductor layer 225 and then removed in the same step in the etching process for exposing the first conductive type semiconductor layer 221. Therefore, the conductive oxide may be formed closer to the outer rim of the second conductive type semiconductor layer 225 relatively. However, the present invention is not limited thereto.

또한, 제2 컨택 전극(240)이 ITO를 포함하고, 제1 절연층(250)이 SiO2를 포함하며, 제1 컨택 전극(230)이 Ag를 포함하는 경우, ITO/SiO2/Ag 적층 구조를 포함하는 전방위 반사기가 형성될 수 있다.In the case where the second contact electrode 240 includes ITO, the first insulating layer 250 includes SiO 2 , and the first contact electrode 230 includes Ag, the ITO / SiO 2 / Ag laminate An omni-directional reflector including a structure can be formed.

절연층(250, 260)은 절연층(250, 260)은 제1 및 제2 컨택 전극(230, 240)을 부분적으로 덮고, 제1 컨택 전극(230)과 제2 컨택 전극(240)을 서로 절연시킨다. 절연층(250, 260)은 제1 절연층(250) 및 제2 절연층(260)을 포함할 수 있다. 이하, 제1 절연층(250)에 관하여 먼저 설명하며, 제2 절연층(260)과 관련된 내용은 후술하여 설명한다.The insulating layers 250 and 260 are formed such that the insulating layers 250 and 260 partially cover the first and second contact electrodes 230 and 240 and the first and second contact electrodes 230 and 240 Insulated. The insulating layers 250 and 260 may include a first insulating layer 250 and a second insulating layer 260. Hereinafter, the first insulating layer 250 will be described first, and the contents related to the second insulating layer 260 will be described later.

제1 절연층(250)은 발광 구조체(220)의 상면 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 덮을 수 있다. 또한, 제1 절연층(250)은 홀(220a)의 측면을 덮되, 홀(220a)에 노출된 제1 도전형 반도체층(221)을 부분적으로 노출시킬 수 있다. 제1 절연층(250)은 홀(220a)에 대응하는 부분에 위치하는 개구부와 제2 컨택 전극(240)의 일부를 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 상기 개구부들을 통해 제1 도전형 반도체층(221) 및 제2 컨택 전극(240)이 부분적으로 노출될 수 있다. The first insulating layer 250 may partially cover the upper surface of the light emitting structure 220 and the second contact electrode 240. The first insulating layer 250 covers the side surface of the hole 220a and may partially expose the first conductive type semiconductor layer 221 exposed in the hole 220a. The first insulating layer 250 may include an opening portion corresponding to the hole 220a and an opening portion exposing a portion of the second contact electrode 240. [ The first conductive semiconductor layer 221 and the second contact electrode 240 may be partially exposed through the openings.

제1 절연층(250)은 절연성의 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiNx, MgF2 등을 포함할 수 있다. 나아가, 제1 절연층(250)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다. The first insulating layer 250 may include an insulating material, for example, SiO 2 , SiN x , MgF 2, or the like. Further, the first insulating layer 250 may include multiple layers and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked.

제2 컨택 전극(240)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 제1 절연층(250)이 분포 브래그 반사기를 포함하여 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 이와 달리, 제2 컨택 전극(240)이 도전성 산화물을 포함하며, 제1 절연층(250)을 투명 절연 산화물(예를 들어, SiO2)로 형성함으로써, 제2 컨택 전극(240), 제1 절연층(250) 및 제1 컨택 전극(230)의 적층 구조에 의해 형성되는 전방위 반사기를 형성할 수도 있다. 이때, 제1 컨택 전극(230)은 제2 컨택 전극(240)의 일부를 노출시키는 영역을 제외한 제1 절연층(250)의 표면을 거의 전체적으로 덮도록 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 제1 절연층(250)의 일부는 제1 컨택 전극(230)과 제2 컨택 전극(240)의 사이에 개재될 수 있다.When the second contact electrode 240 includes a conductive oxide, the first insulating layer 250 may include a distributed Bragg reflector to improve the luminous efficiency of the light emitting device. Alternatively, the second contact electrode 240 may include a conductive oxide, and the first insulating layer 250 may be formed of a transparent insulating oxide (e.g., SiO 2 ), so that the second contact electrode 240, An omnidirectional reflector formed by a laminated structure of the first insulating layer 250 and the first contact electrode 230 may be formed. At this time, the first contact electrode 230 is preferably formed so as to cover substantially the entire surface of the first insulating layer 250 except for a region where a part of the second contact electrode 240 is exposed. Accordingly, a part of the first insulating layer 250 may be interposed between the first contact electrode 230 and the second contact electrode 240.

나아가, 도시된 바와 달리, 제1 절연층(250)은 발광 구조체(220)의 적어도 일부의 측면을 더 덮을 수 있다. 제1 절연층(250)이 발광 구조체(220)의 측면을 덮는 정도는, 발광 소자의 제조 과정에서 칩 단위 개별화(isolation)의 여부에 따라 달라질 수 있다. 즉, 본 실시예와 같이 제1 절연층(250)은 발광 구조체(220)의 상면만 덮도록 형성될 수도 있고, 이와 달리, 발광 소자의 제조 과정에서 웨이퍼를 칩 단위로 개별화한 후에 제1 절연층(250)을 형성하는 경우에는 발광 구조체(220)의 측면까지 제1 절연층(250)에 덮일 수 있다.Further, unlike the illustrated embodiment, the first insulating layer 250 may further cover at least a part of the side surface of the light emitting structure 220. The extent to which the first insulating layer 250 covers the side surface of the light emitting structure 220 may vary depending on whether chip unit isolation is performed during the manufacturing process of the light emitting device. In other words, the first insulating layer 250 may be formed to cover only the upper surface of the light emitting structure 220 as in the present embodiment, or alternatively, after the wafers are individually formed in units of chips in the manufacturing process of the light emitting device, In the case of forming the layer 250, the first insulating layer 250 may be covered to the side of the light emitting structure 220.

제1 컨택 전극(230)은 발광 구조체(220)를 부분적으로 덮을 수 있다. 또한, 제1 컨택 전극(230)은 홀(220a) 및 상기 홀(220a)에 대응하는 부분에 위치하는 제1 절연층(250)의 개구부를 통해 제1 도전형 반도체층(221)과 오믹 컨택된다. 본 실시예에 있어서, 제1 컨택 전극(230)은 제1 절연층(250)의 일부 영역을 제외한 다른 부분을 전체적으로 덮도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 컨택 전극(230)을 통해 광이 반사될 수 있다. 또한, 제1 컨택 전극(230)은 제1 절연층(250)에 의해 제2 컨택 전극(240)과 전기적으로 절연될 수 있다.The first contact electrode 230 may partly cover the light emitting structure 220. The first contact electrode 230 is electrically connected to the first conductive semiconductor layer 221 through the opening of the first insulating layer 250 located at the portion corresponding to the hole 220a and the hole 220a, do. In this embodiment, the first contact electrode 230 may be formed so as to cover the entirety of the first insulating layer 250 except a part thereof. Accordingly, light can be reflected through the first contact electrode 230. In addition, the first contact electrode 230 may be electrically insulated from the second contact electrode 240 by the first insulating layer 250.

제1 컨택 전극(230)이 일부 영역을 제외하고 발광 구조체(220)의 상면을 전반적으로 덮도록 형성됨으로써, 전류 분산 효율이 더욱 향상될 수 있다. 또한, 제2 컨택 전극(240)에 의해 덮이지 않는 부분을 제1 컨택 전극(230)이 커버할 수 있으므로, 광을 더욱 효과적으로 반사시켜 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The first contact electrode 230 is formed so as to cover the entire upper surface of the light emitting structure 220 except for a part of the region, so that the current dispersion efficiency can be further improved. In addition, since the first contact electrode 230 can cover a portion not covered by the second contact electrode 240, the light can be reflected more effectively and the light emitting efficiency of the light emitting device can be improved.

상술한 바와 같이, 제1 컨택 전극(230)은 제1 도전형 반도체층(221)과 오믹 컨택함과 아울러, 광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 따라서, 제1 컨택 전극(230)은 Al층과 같은 고반사성 금속층을 포함할 수 있다. 이때, 제1 컨택 전극(230)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 상기 고반사 금속층은 Ti, Cr 또는 Ni 등의 접착층 상에 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 컨택 전극(230)은 Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다.As described above, the first contact electrode 230 may serve to reflect light in addition to ohmic contacts with the first conductive semiconductor layer 221. Accordingly, the first contact electrode 230 may include a highly reflective metal layer such as an Al layer. At this time, the first contact electrode 230 may be a single layer or a multilayer. The highly reflective metal layer may be formed on an adhesive layer such as Ti, Cr or Ni. However, the present invention is not limited thereto. The first contact electrode 230 may include at least one of Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag and Au.

또한, 도시된 바와 달리, 제1 컨택 전극(230)은 발광 구조체(220)의 측면까지 덮도록 형성될 수도 있다. 제1 컨택 전극(230)이 발광 구조체(220)의 측면에도 형성되는 경우, 활성층(223)으로부터 측면으로 방출되는 광을 상부로 반사시켜 발광 소자의 상면으로 방출되는 광의 비율을 증가시킨다. 제1 컨택 전극(230)의 발광 구조체(220)의 측면까지 덮도록 형성되는 경우, 발광 구조체(220)의 측면과 제1 컨택 전극(230) 사이에는 제1 절연층(250)이 개재될 수 있다.In addition, unlike the first contact electrode 230, the first contact electrode 230 may be formed to cover the side surface of the light emitting structure 220. When the first contact electrode 230 is formed on the side surface of the light emitting structure 220, the light emitted to the side from the active layer 223 is reflected upward to increase the ratio of light emitted to the upper surface of the light emitting device. The first insulating layer 250 may be interposed between the side surface of the light emitting structure 220 and the first contact electrode 230 when the first contact electrode 230 is formed to cover the side surface of the light emitting structure 220. [ have.

한편, 상기 발광 소자는 연결 전극(245)을 더 포함할 수 있다. 연결 전극(245)은 제2 컨택 전극(240) 상에 위치할 수 있고, 제1 절연층(250)의 개구부를 통해 제2 컨택 전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 나아가, 연결 전극(245)은 제2 컨택 전극(240)과 제2 벌크 전극(273)을 서로 전기적으로 연결시킬 수 있다. 또한, 연결 전극(245)은 제1 절연층(250)을 부분적으로 덮도록 형성될 수 있으며, 제1 컨택 전극(230)과 서로 이격되어 절연될 수 있다.The light emitting device may further include a connection electrode 245. The connection electrode 245 may be located on the second contact electrode 240 and may be electrically connected to the second contact electrode 240 through the opening of the first insulation layer 250. Further, the connection electrode 245 may electrically connect the second contact electrode 240 and the second bulk electrode 273 to each other. The connection electrode 245 may be formed to partially cover the first insulation layer 250 and may be isolated from the first contact electrode 230 and isolated from each other.

연결 전극(245)의 상면은 제1 컨택 전극(230)의 상면과 대체로 동일한 높이로 형성될 수 있다. 또한, 연결 전극(245)은 제1 컨택 전극(230)과 동일 공정에서 형성될 수 있으며, 연결 전극(245)과 제1 컨택 전극(230)은 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 연결 전극(245)과 제1 컨택 전극(230)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. The upper surface of the connection electrode 245 may be formed at a substantially same height as the upper surface of the first contact electrode 230. The connection electrode 245 may be formed in the same process as the first contact electrode 230 and the connection electrode 245 and the first contact electrode 230 may include the same material. However, the present invention is not limited thereto, and the connection electrode 245 and the first contact electrode 230 may include different materials.

제2 절연층(260)은 제1 컨택 전극(230)을 부분적으로 덮을 수 있으며, 제1 컨택 전극(230)을 부분적으로 노출시키는 제1 개구부(260a), 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 노출시키는 제2 개구부(260b)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 개구부(260a, 260b) 각각은 하나 이상 형성될 수 있다. The second insulating layer 260 may partially cover the first contact electrode 230 and may have a first opening 260a partially exposing the first contact electrode 230 and a second opening 260a partially exposing the second contact electrode 240. [ And a second opening 260b for partially exposing the second opening. At least one of the first and second openings 260a and 260b may be formed.

제2 절연층(260)은 절연성의 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiNx, MgF2을 포함할 수 있다. 나아가, 제2 절연층(260)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다. 제2 절연층(260)이 다중층으로 이루어진 경우, 제2 절연층(260)의 최상부층은 SiNx로 형성될 수 있다. 제2 절연층(260)의 최상부층이 SiNx로 형성됨으로써, 발광 구조체(220)로 습기가 침투하는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.The second insulating layer 260 may include an insulating material, and may include, for example, SiO 2 , SiN x , and MgF 2 . Further, the second insulating layer 260 may include multiple layers, and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked. When the second insulating layer 260 is formed of multiple layers, the uppermost layer of the second insulating layer 260 may be formed of SiN x . Since the uppermost layer of the second insulating layer 260 is formed of SiN x , penetration of moisture into the light emitting structure 220 can be more effectively prevented.

응력완충층(265)은 절연층(250, 260) 상에 위치한다. 특히, 응력완충층(265)은 제2 절연층(260) 상에 위치할 수 있다. 응력완충층(265)은, 도시된 바와 같이, 제2 절연층(260)의 상면을 적어도 부분적으로 덮을 수 있다. 이와 달리, 응력완충층(265)은 제2 절연층(260)의 측면 일부를 더 덮을 수 있고, 이 경우 응력완충층(265)은 제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)과 접할 수 있다. 즉, 응력완충층(265)은 제1 및 제2 개구부(260a, 260b)의 측면을 더 덮을 수 있다.The stress buffer layer 265 is located on the insulating layer 250, 260. In particular, the stress buffer layer 265 may be located on the second insulating layer 260. The stress buffer layer 265 may at least partially cover the upper surface of the second insulating layer 260, as shown. Alternatively, the stress buffer layer 265 may further cover a portion of the side surface of the second insulating layer 260, in which case the stress buffer layer 265 may contact the first contact electrode 230 and the connecting electrode 245 . That is, the stress buffer layer 265 can further cover the side surfaces of the first and second openings 260a and 260b.

응력완충층(265)은 발광 소자 구동 시 발생하는 응력을 완화시키는 역할을 한다. 응력완충층(265)은 상대적으로 큰 영의 계수(Young's modulus)를 가질 수 있으며, 이에 따라, 높은 응력에도 낮은 스트레인 거동을 보인다. 따라서, 응력완충층(265)에 의해 에너지가 흡수되는 효과가 발생하여 발광 구조체(220), 제1 및 제2 컨택 전극(230, 240), 절연층(250, 260), 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273) 및 절연지지체(280)에 인가되는 응력을 감소시킬 수 있다. 응력완충층(265)에 의해 상기 다른 구성요소들에 인가되는 응력이 완화되어, 발광 소자의 기계적 안정성이 향상되고, 크랙 및 파괴가 발생할 확률이 감소되어 발광 소자의 신뢰성이 향상된다.The stress buffer layer 265 serves to relieve stress generated when the light emitting device is driven. The stress buffer layer 265 may have a relatively high Young's modulus and thus exhibit a low strain behavior even at high stresses. Accordingly, the energy absorbing effect is absorbed by the stress buffer layer 265, so that the light emitting structure 220, the first and second contact electrodes 230 and 240, the insulating layers 250 and 260, The stress applied to the electrodes 271 and 273 and the insulating support body 280 can be reduced. The stress applied to the other components by the stress buffer layer 265 is relaxed to improve the mechanical stability of the light emitting element and reduce the probability of occurrence of cracking and breakage, thereby improving the reliability of the light emitting element.

또한, 응력완충층(265)은 절연층(250, 260) 및/또는 절연지지체(190)보다 낮은 잔류 응력(소정의 응력에 의해 발생된)을 가질 수 있다. 따라서, 응력완충층(265)은 발광 소자의 온/오프가 반복되는 과정에서 잔류 응력에 의해 상기 다른 구성요소들에 인가되는 응력을 완화시킬 수 있다. 또한, 응력완충층(265)은 상대적으로 우수한 흡습 특성을 가질 수 있다. 특히, 응력완충층(265)의 흡습성은 절연지지체(280)의 흡습성보다 낮을 수 있다. 응력완충층(265)이 비교적 낮은 흡습성을 가져 발광 소자 내로 침투한 습기에 의해 발생하는 크랙 및 박리 현상을 방지할 수 있다.The stress buffer layer 265 may also have a lower residual stress (generated by the predetermined stress) than the insulating layers 250 and 260 and / or the insulating support 190. Accordingly, the stress buffer layer 265 can relieve the stress applied to the other components due to the residual stress in the process of repeatedly turning on / off the light emitting element. Further, the stress buffer layer 265 can have a relatively excellent moisture absorption property. In particular, the hygroscopicity of the stress buffer layer 265 may be lower than the hygroscopicity of the insulating support 280. The stress buffer layer 265 has a relatively low hygroscopicity and can prevent a crack and a peeling phenomenon caused by moisture penetrated into the light emitting element.

뿐만 아니라, 응력완충층(265)과 절연지지체(280) 간의 접착성(adhesion)은 절연층(250, 260)과 절연지지체(190) 간의 접착성보다 높을 수 있다. 따라서 절연지지체(280)가 제2 절연층(260) 상에 형성되는 경우에 비해, 절연지지체(280)가 응력완충층(265) 상에 형성되면 계면에서의 분리 또는 박리가 발생할 확률을 매우 감소시킨다. In addition, the adhesion between the stress buffer layer 265 and the insulating support body 280 may be higher than the adhesion between the insulating layers 250 and 260 and the insulating support body 190. Therefore, when the insulating support body 280 is formed on the stress buffer layer 265, the probability of separation or peeling at the interface is greatly reduced compared with the case where the insulating support body 280 is formed on the second insulating layer 260 .

상술한 효과를 갖는 응력완충층(265)은 응력 완화 거동을 보이며, 나아가, 투습 방지 효과 및 접착성 향상 효과를 갖는 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 응력완충층은 폴리이미드(polyimide), 테플론(Teflon), 벤조시클로부틴(BCB) 및 파릴린(parylene) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 특히, 응력완충층(265)은 감광성 물질(예컨대, 폴리이미드)을 포함할 수 있고, 응력완충층(265)이 감광성 물질을 포함하는 경우에 감광성 물질을 현상하는 과정만으로 응력완충층(265)을 형성할 수 있다. 따라서, 별도의 추가적인 패터닝 공정이 생략될 수 있어, 발광 소자 제조 공정이 간소화될 수 있다. 응력완충층(265)은 제1 벌크 전극(271), 제2 벌크 전극(273) 및 절연지지체(280)와 접할 수 있다.The stress buffer layer 265 having the above-described effects may include an insulating material exhibiting a stress relaxation behavior and further having an effect of preventing moisture permeation and improving adhesiveness. For example, the stress buffer layer may include at least one of polyimide, Teflon, benzocyclobutyne (BCB), and parylene. In particular, the stress buffer layer 265 may include a photosensitive material (e.g., polyimide), and when the stress buffer layer 265 includes a photosensitive material, the stress buffer layer 265 may be formed only by developing the photosensitive material . Therefore, a separate additional patterning process can be omitted, and the manufacturing process of the light emitting device can be simplified. The stress buffer layer 265 may be in contact with the first bulk electrode 271, the second bulk electrode 273, and the insulating support 280.

응력완충층(265)의 두께는 효과적인 응력 완화 거동 및 투습 방지 효과를 얻을 수 있는 두께면 제한되지 않으며, 예를 들어, 약 2 내지 30㎛의 두께를 가질 수 있다. 다만, 본 발명에 이에 한정되는 것은 아니다.The thickness of the stress buffer layer 265 is not limited in the thickness to obtain an effective stress relaxation behavior and moisture-proofing effect, and may have a thickness of, for example, about 2 to 30 탆. However, the present invention is not limited thereto.

응력완충층(265)은 증착 및 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다. 나아가, 응력완충층(265)과 제2 절연층(260)은 동시에 패터닝될 수도 있다. 예를 들어, 먼저 제1 컨택 전극(230)을 덮는 제2 절연층(260)을 형성하고, 상기 제2 절연층(260) 상에 응력완충층(265)을 형성한 후에, 제2 절연층(260)과 응력완충층(265)을 동시에 패터닝함으로써, 도시된 바와 같은 응력완충층(265)이 제공될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The stress buffer layer 265 may be formed through a deposition and patterning process. Further, the stress buffer layer 265 and the second insulating layer 260 may be simultaneously patterned. For example, a second insulating layer 260 is first formed to cover the first contact electrode 230, a stress buffer layer 265 is formed on the second insulating layer 260, and then a second insulating layer 260 260 and the stress buffer layer 265 can be simultaneously patterned to provide the stress buffer layer 265 as shown. However, the present invention is not limited thereto.

한편, 응력완충층(265)은 생략될 수도 있다.On the other hand, the stress buffer layer 265 may be omitted.

제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273) 은 발광 구조체(220) 상에 위치할 수 있고, 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273) 은 각각 제1 컨택 전극(230) 및 제2 컨택 전극(240)에 전기적으로 연결될 수 있다. 특히, 제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273) 각각은 제1 및 제2 컨택 전극(230, 240)과 직접적으로 접촉하여 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273) 은 각각 제1 및 제2 개구부(260a, 260b)를 통해 제1 및 제2 컨택 전극(230, 240)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be positioned on the light emitting structure 220 and the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be located on the first contact electrode 230 and the second contact electrode 240, respectively. In particular, the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be in direct contact with and electrically connected to the first and second contact electrodes 230 and 240, respectively. At this time, the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be electrically connected to the first and second contact electrodes 230 and 240 through the first and second openings 260a and 260b, respectively .

제1 벌크 전극(271)은, 제1 벌크 전극(271)의 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 측면으로부터 돌출된 돌출부(271a)를 포함한다. 제2 벌크 전극(273)은, 제2 벌크 전극(273)의 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 측면으로부터 함입된 오목부(273a)를 포함한다. 상기 돌출부(271a)와 오목부(273a)가 각각 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273)에 포함되어, 제1 벌크 전극(271)의 수평 단면적은 상대적으로 증가되고, 제2 벌크 전극(273)의 수평 단면적은 상대적으로 감소될 수 있다. 이에 따라, 제1 벌크 전극(271)의 수평 단면적은 제2 벌크 전극(273)의 수평 단면적에 비해 크다.The first bulk electrode 271 includes a protrusion 271a protruding from the side opposite to the first and second bulk electrodes 271 and 273 of the first bulk electrode 271. The second bulk electrode 273 includes a concave portion 273a embedded from the side where the first and second bulk electrodes 271 and 273 of the second bulk electrode 273 face each other. The projecting portion 271a and the concave portion 273a are included in the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 respectively so that the horizontal cross sectional area of the first bulk electrode 271 is relatively increased, The horizontal cross-sectional area of the bulk electrode 273 can be relatively reduced. Accordingly, the horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode 271 is larger than the horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode 273.

또한, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D1-D1')은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가질 수 있다. 상기 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 갖는 가상선(D1-D1')은 돌출부(271a) 및 오목부(273b)의 형상 및 배치로부터 도출될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 가상선(D1-D1')의 시작점과 끝점은 동일 선상에 위치할 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 가상선(D1-D1')의 시작점과 끝점은 대체로 발광 소자를 균일하게 2등분하는 선상에 위치하되, 가상선(D1-D1')이 절곡되면서 가상선(D1-D1')의 일부는 제2 벌크 전극(273) 측으로 치우쳐 위치할 수 있다.In addition, the imaginary lines D1-D1 'extending along the spacing regions of the portions where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other may have at least one folded portion. The imaginary line D1-D1 'having the at least one folded portion can be derived from the shapes and arrangements of the projections 271a and the recesses 273b, but the present invention is not limited thereto. The starting point and the end point of the virtual line D1-D1 'may be located on the same line. That is, as shown in the figure, the start point and the end point of the imaginary line D1-D1 'are generally located on a line bisecting the light emitting element uniformly, and the imaginary line D1- D1 'may be biased toward the second bulk electrode 273 side.

돌출부(271a)와 오목부(273a)는 서로 맞물리는 형태로 제공될 수 있다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 오목부(273a)가 오목하게 함입되는 정도 및 오목부(273a)의 위치는 각각 돌출부(271a)가 돌출되는 정도와 돌출부(271a)의 위치에 대체로 대응할 수 있다. 이에 따라, 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273) 간의 이격 거리는 대체로 일정할 수 있다.The protrusion 271a and the recess 273a may be provided in an interlocking manner. That is, as shown in Fig. 1, the degree of concave recess 273a and the position of concave portion 273a can be substantially matched to the degree of projection of protrusion 271a and the position of protrusion 271a, respectively have. Accordingly, the separation distance between the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 can be substantially constant.

한편, 돌출부(271a)와 오목부(273a)의 형태는 도 1에 도시된 바에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 돌출부(271b)는 돌출되는 방향에 따라 그 폭이 변화할 수 있고, 특히, 돌출되는 방향에 따라 그 폭이 감소할 수 있다. 상기 돌출부(271b)에 대응하여, 오목부(273b) 역시 함입되는 방향에 따라 그 폭이 변화할 수 있고, 함입되는 방향에 따라 그 폭이 감소할 수 있다. 이때, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D2-D2')은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가질 수 있다. 또한, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 돌출부(271c)는 복수로 형성될 수 있고, 상기 복수의 돌출부(271c) 중 적어도 일부의 돌출부(271c)의 돌출 형상에 대응하는 하나 이상의 오목부(273c)가 형성될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D3-D3')은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가질 수 있으며, 도 3(a)의 실시예에 비해 더 많은 절곡된 부분을 가질 수 있다. 또한, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 돌출부(271d)는 돌출되는 방향에 따라 그 폭이 변화할 수 있고, 특히, 돌출되는 방향에 따라 그 폭이 증가할 수 있다. 상기 돌출부(271d)에 대응하여, 오목부(273d) 역시 함입되는 방향에 따라 그 폭이 변화할 수 있고, 함입되는 방향에 따라 그 폭이 감소할 수 있다. 이때, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D4-D4')은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가질 수 있다. 또한, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 돌출부(271e)는 복수로 형성될 수 있고, 상기 복수의 돌출부(271e) 중 적어도 일부의 돌출부(271e)의 돌출 형상에 대응하는 하나 이상의 오목부(273e)가 형성될 수 있다. 돌출부(271e) 및 오목부(273e)의 외곽 형태는 곡선 형태로 형성될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D5-D5')은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가질 수 있다.On the other hand, the shapes of the projecting portion 271a and the recess 273a are not limited to those shown in Fig. For example, as shown in Fig. 3 (a), the width of the projecting portion 271b may vary along the direction in which the projecting portion 271b is projected, and in particular, the width of the projecting portion 271b may decrease in accordance with the projecting direction. Corresponding to the protruding portion 271b, the width of the concave portion 273b may also vary along the direction in which the concave portion 273b is inserted, and the width of the concave portion 273b may decrease according to the direction in which the concave portion 273b is inserted. At this time, the imaginary lines D2-D2 'extending along the spacing regions of the portions where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other may have at least one bent portion. 3 (b), the projections 271c may be formed in plural, and at least one concave portion corresponding to the protruding shape of at least a part of the projections 271c of the plurality of projections 271c A portion 273c can be formed. In this case, the imaginary lines D3-D3 'extending along the spacing regions of the portions where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other may have at least one bent portion, 0.0 > a < / RTI > embodiment of FIG. 3 (c), the width of the protruding portion 271d may vary according to the direction in which the protruding portion 271d protrudes. In particular, the width of the protruding portion 271d may increase in accordance with the protruding direction. Corresponding to the projecting portion 271d, the width of the concave portion 273d may also vary along the direction in which the concave portion 273d is inserted, and the width thereof may be reduced in accordance with the direction of insertion. At this time, the imaginary lines D4-D4 'extending along the spacing regions of the portions where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other may have at least one folded portion. 3 (d), the protruding portion 271e may be formed in a plurality of, and at least one concave portion corresponding to the protruding shape of the protruding portion 271e of at least a part of the plurality of protruding portions 271e A portion 273e can be formed. The outer shape of the protrusion 271e and the recess 273e may be formed in a curved shape. At this time, the imaginary lines D5-D5 'extending along the spacing regions of the portions where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other may have at least one bent portion.

다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 돌출부(271a) 및 오목부(273a)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the shape of the projecting portion 271a and the recess 273a may be variously modified.

발광 소자 구동 시 열이 발생하는데, 절연지지체(280)와 벌크 전극들(271, 273)은 서로 열 팽창 계수가 달라, 이러한 열이 발생하면 절연지지체(280) 및 벌크 전극들(271, 273)에 스트레스가 인가된다. 특히, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 사이 영역에 상대적으로 더 큰 스트레스가 인가되어, 절연지지체(280)에 크랙이 발생할 수 있으며, 절연지지체(280)와 벌크 전극들(271, 273)이 서로 박리되는 현상이 발생할 수 있다. 벌크 전극들(271, 273)의 사이 영역이 직선 형태로 되어 있는 경우, 절연지지체(280)에 발생한 크랙은 직선 방향으로 쉽게 전파(propagation)되어 발광 소자의 파손을 야기시킨다. 예를 들어, 벌크 전극들(271, 273) 사이를 가로지르는 것으로 정의되는 직선의 가상선에 있어서, 상기 가상선은 벌크 전극들(271, 273)과 중첩되지 않고, 절연지지체(280)만이 상기 가상선과 중첩되도록 형성되는 경우, 벌크 전극들(271, 273) 사이에 발생한 크랙은 상기 가상선을 따라 쉽게 전파되어 절연지지체(280)가 분리되는 문제가 발생한다.The insulating support body 280 and the bulk electrodes 271 and 273 are different from each other in thermal expansion coefficient. When the heat is generated, the insulating support body 280 and the bulk electrodes 271 and 273 are heated, Stress is applied. Particularly, a relatively larger stress is applied to the region between the first and second bulk electrodes 271 and 273 so that cracks may occur in the insulating support body 280 and the insulating support body 280 and the bulk electrodes 271 And 273 may peel off from each other. In the case where the area between the bulk electrodes 271 and 273 is linear, a crack generated in the insulating support body 280 is easily propagated in a linear direction, causing breakage of the light emitting element. For example, in the imaginary line of a straight line defined as traversing between the bulk electrodes 271, 273, the imaginary line does not overlap with the bulk electrodes 271, 273, only the insulating support 280 Cracks generated between the bulk electrodes 271 and 273 are easily propagated along the imaginary line to cause the problem that the insulating support body 280 is separated.

본 실시예에 따르면, 제1 벌크 전극(271)이 돌출부(271a)를 포함하고, 제2 벌크 전극(273)이 오목부(273a)를 포함하며, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D1-D1')이 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가짐으로써, 벌크 전극들(271, 273) 사이 부분의 절연지지체(280)의 스트레스에 대한 내성을 증가시킨다. 또한, 벌크 전극들(271, 273) 사이 부분의 절연지지체(280)에 크랙이 발생하더라도, 벌크 전극들(271, 273)의 사이 영역에 적어도 한번의 절곡된 부분이 형성되어 있으므로 상기 크랙이 전파되는 것이 억제될 수 있다. 특히, 가상선(D1-D1')의 시작점과 끝점을 잇는 직선의 또 다른 가상선과 벌크 전극(271, 273)들의 적어도 일부분이 중첩됨으로써, 상기 직선의 또 다른 가상선과 중첩되는 벌크 전극(271, 273)들의 일부분에 의해 상기 크랙이 절연지지체(280)를 가로질러 전파되는 것이 차단된다. 따라서, 절연지지체(280)에 크랙이 발생하더라도 절연지지체(280)가 분리되는 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. According to the present embodiment, the first bulk electrode 271 includes the protrusion 271a, the second bulk electrode 273 includes the concave portion 273a, and the first and second bulk electrodes 271 and 273 The stress of the insulating support body 280 between the bulk electrodes 271 and 273 can be suppressed by virtue of the fact that the imaginary line D1-D1 'extending along the spaced- Lt; / RTI > Even if a crack occurs in the insulating support body 280 between the bulk electrodes 271 and 273, since at least one bent portion is formed between the bulk electrodes 271 and 273, Can be suppressed. Particularly, by overlapping another virtual line of a straight line connecting the start point and the end point of the virtual line D1-D1 'and at least a part of the bulk electrodes 271 and 273, the bulk electrodes 271, 273 are prevented from propagating across the insulating support 280. Therefore, even if a crack is generated in the insulating support body 280, the separation of the insulating support body 280 can be effectively prevented.

더욱이, 절연지지체(280) 및 벌크 전극들(271, 273)의 기계적 안정성이 증가하고, 스트레스에 대한 내성이 향상되어, 발광 소자 제조 공정 중 성장 기판이 분리되는 과정에서 절연지지체(280)에 크랙 또는 파손이 발생하거나, 절연지지체(280)와 벌크 전극들(271, 273)이 서로 박리되는 것이 억제될 수 있다. Further, the mechanical stability of the insulating support body 280 and the bulk electrodes 271 and 273 is increased, and the resistance to stress is improved. In the process of separating the growth substrate during the light emitting device manufacturing process, Or breakage may occur, or the insulating support 280 and the bulk electrodes 271 and 273 may be prevented from being peeled off from each other.

따라서, 본 실시예의 발광 소자는 기계적 안정성이 우수하며, 특히, 절연지지체(280)의 크랙 및 파손이 방지되어 신뢰성이 우수한 발광 소자가 제공될 수 있다. 나아가, 본 실시예의 발광 소자의 구조에 따라, 제조 과정에서 발광 소자의 불량이 발생할 확률이 감소되므로, 발광 소자의 공정 수율이 향상될 수 있다.Therefore, the light emitting device of this embodiment is excellent in mechanical stability, and cracking and breakage of the insulative support body 280 is prevented in particular, so that a light emitting device having excellent reliability can be provided. Further, according to the structure of the light emitting device of the present embodiment, since the probability of failure of the light emitting device in the manufacturing process is reduced, the process yield of the light emitting device can be improved.

뿐만 아니라, 제1 벌크 전극(271)이 돌출부(271a)를 포함하여, 제1 벌크 전극(271)의 수평 단면적이 제2 벌크 전극(273)의 수평 단면적보다 크므로, 발광 소자의 열 방출 효율이 향상된다. 제1 도전형 반도체층(221)이 N형 반도체층인 경우 제1 벌크 전극(271) 역시 N형 전극으로 기능할 수 있으며, 발광 소자의 구동 시, 발광 및 발열이 제1 벌크 전극(271)이 위치하는 영역에 상대적으로 집중된다. 따라서, 본 실시예와 같이 제1 벌크 전극(271)의 수평 단면적을 제2 벌크 전극(273)의 수평 단면적에 비해 크게 형성함으로써, 발광 소자의 전체 발광 영역에서 발광을 균일하게 하여 발광 특성을 향상시킬 수 있고, 제1 벌크 전극(271)을 통해 효과적으로 열을 방출시켜 발광 소자의 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(220)의 위치에 따른 온도 차이를 최소화하여, 온도 균일성을 향상시킬 수 있다. 발광 구조체(220)의 특정 부분에서의 접합 온도(Tj)가 과도하게 상승하는 것 역시 방지되어, 발광 소자의 효율 저하를 방지할 수 있어 신뢰성이 향상될 수 있다.In addition, since the first bulk electrode 271 includes the protruding portion 271a and the horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode 271 is larger than the horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode 273, . When the first conductive semiconductor layer 221 is an N-type semiconductor layer, the first bulk electrode 271 may also function as an N-type electrode. When the light emitting device is driven, the first bulk electrode 271, Is relatively concentrated in the area in which it is located. Therefore, by forming the horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode 271 larger than the horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode 273 as in the present embodiment, it is possible to uniformly emit light in the entire light- And the heat is effectively radiated through the first bulk electrode 271, thereby improving the heat emission efficiency of the light emitting device. Accordingly, the temperature difference according to the position of the light emitting structure 220 can be minimized, and the temperature uniformity can be improved. It is also prevented that the junction temperature T j in a specific portion of the light emitting structure 220 is excessively increased to thereby prevent the efficiency deterioration of the light emitting device and improve the reliability.

나아가, 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273) 간의 이격 거리는 대체로 일정하게 함으로써, 발광 소자의 상면 대비 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 표면이 차지하는 면적의 비율이 돌출부(271a) 및/또는 오목부(273a)에 의해 감소되는 것이 최소화될 수 있다. 따라서, 돌출부(271a) 및/또는 오목부(273a)를 형성하더라도, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 수평 단면적 감소로 인하여 열 방출 효율이 감소되는 것이 방지된다.Further, by making the distance between the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 substantially constant, the ratio of the area occupied by the surfaces of the first and second bulk electrodes 271 and 273 to the upper surface of the light emitting device is It can be minimized to be reduced by the projection 271a and / or the recess 273a. Therefore, even if the projecting portions 271a and / or the recessed portions 273a are formed, the decrease in the horizontal cross-sectional area of the first and second bulk electrodes 271 and 273 prevents the heat emission efficiency from being reduced.

제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273) 은 수십㎛ 이상의 두께를 가질 수 있고, 예컨대, 약 70 내지 80㎛의 두께를 가질 수 있다. 벌크 전극들(271, 273)이 상술한 범위의 두께를 가짐으로써, 상기 발광 소자는 그 자체로 칩 스케일 패키지로 이용될 수 있다. The first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may have a thickness of several tens of micrometers or more, and may have a thickness of, for example, about 70 to 80 micrometers. By having the bulk electrodes 271 and 273 have a thickness in the above-mentioned range, the light emitting element can be used as a chip scale package by itself.

제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273) 은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있고, 전기적 도전성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273) 은 각각 Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al, Ag등을 포함할 수 있다. 또한, 이와 달리, 소결된 형태의 금속 입자들 및 상기 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함할 수도 있다. 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)은 도금, 증착, 도팅 또는 스크린 프린팅 방법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 한편, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273) 각각은 제1 금속층(271s) 및 제2 금속층(273s)을 포함할 수 있다. 제1 금속층(271s) 및 제2 금속층(273s)은 각각 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 하부에 위치하여, 컨택 전극들(230, 240), 절연층(250, 260) 및 응력완충층(265)과 접할 수 있다. 제1 금속층(271s) 및 제2 금속층(273s)은 벌크 전극들(271, 273)의 형성 방법에 따라 달라 질 수 있으며, 이하, 상세하게 설명한다.The first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be made of a single layer or a multilayer and may include a material having electrical conductivity. For example, the first and second bulk electrodes 271 and 273 may include Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al, Ag, and the like. Alternatively, it may alternatively comprise a sintered form of metal particles and a nonmetallic material interposed between the metal particles. The first and second bulk electrodes 271 and 273 may be formed using a plating method, a deposition method, a dipping method, a screen printing method, or the like. On the other hand, each of the first and second bulk electrodes 271 and 273 may include a first metal layer 271s and a second metal layer 273s. The first metal layer 271s and the second metal layer 273s are located under the first and second bulk electrodes 271 and 273 respectively and contact electrodes 230 and 240, The stress buffer layer 265 can be contacted. The first metal layer 271s and the second metal layer 273s may vary depending on the method of forming the bulk electrodes 271 and 273, and will be described in detail below.

도금을 이용하여 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하는 경우를 먼저 설명한다. 응력완충층(265), 제1 개구부(260a) 및 제2 개구부(260b)의 전면에 스퍼터링과 같은 방법으로 시드 메탈을 형성한다. 상기 시드 메탈은 Ti, Cu, Au, Cr 등을 포함할 수 있고, 상기 시드 메탈은 UBM층(under bump metallization layer)와 같은 역할을 할 수 있다. 예컨대, 상기 시드 메탈은 Ti/Cu 적층 구조를 가질 수 있다. 이어서, 상기 시드 메탈 상에 마스크를 형성하되, 상기 마스크는 절연지지체(280)가 형성되는 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성되는 영역을 오픈한다. 다음, 도금 공정을 통해 상기 마스크의 오픈 영역 내에 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하고, 이후 식각 공정을 통해 상기 마스크 및 시드 메탈을 제거함으로써 제1 및 제2 벌크 전극(281, 283)이 제공될 수 있다. 이때, 제거되지 않고, 제1 및 제2 벌크 전극(281, 283) 하부에 잔류하는 시드 메탈은 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)으로 형성된다.First, the case where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed by plating will be described first. A seed metal is formed on the entire surface of the stress buffer layer 265, the first opening 260a, and the second opening 260b by a method such as sputtering. The seed metal may include Ti, Cu, Au, Cr, and the seed metal may function as an under bump metallization layer. For example, the seed metal may have a Ti / Cu laminated structure. Next, a mask is formed on the seed metal, the mask masking a portion corresponding to a region where the insulating support body 280 is formed, and a region where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed is opened do. Next, first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed in an open region of the mask through a plating process, and then the mask and the seed metal are removed through an etching process to form first and second bulk electrodes 281 , 283 may be provided. At this time, the seed metal remaining in the lower portion of the first and second bulk electrodes 281 and 283 is not removed and is formed of the first and second metal layers 271s and 273s.

또한, 스크린 프린팅 방법을 이용하여 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하는 경우는 다음과 같다. 응력완충층(265), 제1 개구부(260a) 및 제2 개구부(260b)의 적어도 일부 상에, 스퍼터링과 같은 증착 및 패터닝 방식, 또는 증착 및 리프트 오프 방법을 통해 UBM층을 형성한다. 상기 UBM층은 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성될 영역 상에 형성될 수 있으며, (Ti 또는 TiW)층과 (Cu, Ni, Au 단일층 또는 조합)층을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 UBM층은 Ti/Cu 적층 구조를 가질 수 있다. 상기 UBM층은 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)에 대응한다. 이어서, 마스크를 형성하되, 상기 마스크는 절연지지체(280)가 형성되는 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성되는 영역을 오픈한다. 다음, 스크린 프린팅 공정을 통해 Ag 페이스트, Au 페이스트, Cu 페이스트와 같은 물질을 상기 오픈 영역 내에 형성하고, 이를 경화시킨다. 이후 식각 공정을 통해 상기 마스크를 제거함으로써 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 제공될 수 있다.The first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed using a screen printing method as follows. A UBM layer is formed on at least a portion of the stress buffer layer 265, the first opening 260a, and the second opening 260b through a deposition and patterning method such as sputtering or a deposition and lift-off method. The UBM layer may be formed on a region where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are to be formed and may include a (Ti or TiW) layer and a (Cu, Ni, Au single layer or a combination) have. For example, the UBM layer may have a Ti / Cu laminated structure. The UBM layer corresponds to the first and second metal layers 271s and 273s. Next, a mask is formed, and the mask masks a portion corresponding to the region where the insulating support body 280 is formed, and opens the region where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed. Subsequently, a material such as an Ag paste, an Au paste, and a Cu paste is formed in the open area through a screen printing process, and is cured. The first and second bulk electrodes 271 and 273 may then be provided by removing the mask through an etching process.

절연지지체(280)는 발광 구조체(220) 상에 위치하며, 벌크 전극들(271, 273)의 측면을 적어도 부분적으로 덮는다. 절연지지체(280)는 전기적으로 절연성을 가지며, 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273) 의 측면을 덮어, 효과적으로 이들을 서로 절연시킨다. 동시에, 절연지지체(280)는 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273)을 지지하는 역할을 할 수 있다. 절연지지체(280)는, 예를 들어, EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 절연지지체(280)는 TiO2입자와 같은 광 반사성 및 광 산란 입자를 포함할 수도 있다. 특히, 절연지지체(280)가 EMC를 포함하는 경우, 상술한 바와 같이 응력완충층(265)은 절연지지체(280)가 분리되는 것을 방지하고, 절연지지체(280)에 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있다.An insulative support 280 is located on the light emitting structure 220 and at least partially covers the sides of the bulk electrodes 271, 273. Insulation support 280 is electrically insulative and covers the sides of first bulk electrode 271 and second bulk electrode 273, effectively insulating them from each other. At the same time, the insulating support 280 may serve to support the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273. The insulative support 280 may comprise a material such as, for example, an epoxy molding compound (EMC), a Si resin, or the like. The insulating substrate 280 may include a light-reflective and light-scattering particles, such as TiO 2 particles. In particular, when the insulative support 280 comprises EMC, the stress buffer layer 265 prevents the insulative support 280 from separating and prevents moisture from penetrating the insulative support 280 have.

몇몇 실시예들에서, 도시된 바와 달리, 절연지지체(280)는 발광 구조체(220) 측면까지 덮을 수도 있으며, 이 경우, 발광 구조체(220)에서 방출된 광의 발광 각도가 달라질 수 있다. 예를 들어, 절연지지체(280)가 발광 구조체(220) 측면의 적어도 일부까지 더 덮는 경우, 발광 구조체(220)의 측면으로 방출된 광 중 일부가 발광 구조체(220)의 하면으로 반사될 수 있다. 이와 같이, 절연지지체(280)가 배치되는 영역을 조절함으로써, 발광 소자의 발광 각도를 조절할 수 있다.In some embodiments, unlike the illustrated embodiment, the insulating support 280 may cover the side of the light emitting structure 220, in which case the light emitting angle of the light emitted from the light emitting structure 220 may vary. A portion of the light emitted to the side of the light emitting structure 220 may be reflected to the bottom surface of the light emitting structure 220 when the insulating support 280 covers at least a portion of the side surface of the light emitting structure 220 . Thus, by adjusting the region where the insulating support body 280 is disposed, the light emitting angle of the light emitting element can be adjusted.

도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다. 4 and 5 are a plan view and a sectional view for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention. Fig. 5 shows a cross section of a portion corresponding to the line II-II 'in Fig.

도 4 및 도 5의 발광 소자는 도 1 및 도 2의 발광 소자와 비교하여, 절연지지체(280)가 상부 절연지지체(281) 및 하부 절연지지체(283)를 포함하는 점과, 발광 소자가 패드 전극들(291, 293)을 더 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하, 차이점을 중심으로 본 실시예의 발광 소자에 관해 설명하며, 중복되는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.The light emitting device of FIGS. 4 and 5 is different from the light emitting device of FIGS. 1 and 2 in that the insulating support body 280 includes an upper insulating support body 281 and a lower insulating support body 283, And further includes electrodes 291 and 293. Hereinafter, the light emitting device of the present embodiment will be described with a focus on the differences, and a detailed description of the overlapping configuration will be omitted.

도 4 및 도 5를 참조하면, 발광 소자는 발광 구조체(220), 제1 컨택 전극(230), 제2 컨택 전극(240), 절연층(250, 260), 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273), 절연지지체(280) 및 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)을 포함한다. 나아가, 발광 소자는 성장 기판(미도시), 연결 전극(245) 및 응력완충층(265)을 더 포함할 수 있다.4 and 5, the light emitting device includes a light emitting structure 220, a first contact electrode 230, a second contact electrode 240, insulating layers 250 and 260, first and second bulk electrodes 271, 273, an insulating support 280, and first and second pad electrodes 291, 293. Further, the light emitting device may further include a growth substrate (not shown), a connection electrode 245, and a stress buffer layer 265.

절연지지체(280)는 발광 구조체(220) 상에 위치하며, 벌크 전극들(271, 273)의 측면 및 벌크 전극들(271, 273)의 상면을 부분적으로 덮는다. 또한, 절연지지체(280)는 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273)의 상면을 부분적으로 노출시키는 개구부들을 포함할 수 있다. 절연지지체(280)는 상부 절연지지체(281) 및 하부 절연지지체(283)를 포함할 수 있으며, 하부 절연지지체(283)는 벌크 전극들(271, 273)의 측면을 둘러쌀 수 있고, 상부 절연지지체(281)는 벌크 전극들(271, 273)의 상면을 부분적으로 덮을 수 있다. 또한, 상부 절연지지체(281)는 하부 절연지지체(283)와 벌크 전극들(271, 273) 간의 계면을 덮을 수 있다.The insulating support 280 is located on the light emitting structure 220 and partially covers the side surfaces of the bulk electrodes 271 and 273 and the upper surfaces of the bulk electrodes 271 and 273. In addition, the insulating support 280 may include openings that partially expose the top surfaces of the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273. The insulative support 280 may include an upper insulative support 281 and a lower insulative support 283 and the lower insulative support 283 may surround the sides of the bulk electrodes 271 and 273, The support 281 may partly cover the upper surface of the bulk electrodes 271, 273. The upper insulating support 281 may cover the interface between the lower insulating support 283 and the bulk electrodes 271 and 273.

절연지지체(280)는 전기적으로 절연성을 가지며, 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273)의 측면을 덮어, 효과적으로 이들을 서로 절연시킨다. 동시에, 절연지지체(280)는 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273)을 지지하는 역할을 할 수 있다. Insulation support 280 is electrically insulative and covers the sides of first bulk electrode 271 and second bulk electrode 273, effectively insulating them from each other. At the same time, the insulating support 280 may serve to support the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273.

상부 절연지지체(281)에 의해 벌크 전극들(271, 273)의 상면이 부분적으로 덮여 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 상면 중 노출된 부분의 면적은, 각각 제1 벌크 전극(271)의 수평 단면적 및 제2 벌크 전극(273)의 수평 단면적보다 작을 수 있다. 특히, 상부 절연지지체(281)는 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273)이 서로 대향하는 측면 주변의 벌크 전극들(271, 273)의 상면 상에 위치할 수 있다. 따라서, 상부 절연지지체(281)의 개구부에 의해 노출되는 제1 벌크 전극(271)의 상면과 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면 간의 이격 거리는 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273) 간의 이격 거리보다 크다.The upper surface of the bulk electrodes 271 and 273 is partially covered with the upper insulating support 281 so that the exposed area of the upper surface of the first and second bulk electrodes 271 and 273 is equal to the area of the first bulk electrode 271 and the horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode 273. In particular, the upper insulating support 281 may be positioned on the upper surface of the bulk electrodes 271 and 273 around the side surfaces of the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 facing each other. The distance between the upper surface of the first bulk electrode 271 exposed by the opening of the upper insulating support 281 and the exposed upper surface of the second bulk electrode 273 is larger than the distance between the upper surface of the first bulk electrode 271 and the upper surface of the second bulk electrode 273, (273).

이와 관련하여 구체적으로 설명하면, 상기 노출된 상면들(271a, 273a)과 별도의 기판 사이에 도전성 물질(예를 들어, 솔더, 도전성 접착제, 공정(Eutectic) 물질 등)을 형성하여 발광 소자와 상기 별도의 기판을 접착함으로써 발광 소자를 상기 별도의 기판 상에 실장시킬 수 있다. 접착을 위해 형성한 도전성 물질에 의해 벌크 전극들(271, 273) 간에 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지하기 위하여, 상술한 바와 같이 노출된 상면들 사이의 이격 거리는 소정 수치 이상이 될 것이 요구된다. 본 발명에 따르면, 절연지지체(280)가 벌크 전극들(271, 273)의 상면을 부분적으로 덮도록 형성됨으로써, 제1 벌크 전극(271)의 노출된 상면과 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면 간의 이격 거리가 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273) 간의 이격 거리보다 크게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 이격 거리를 벌크 전극들(271, 273) 간에 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있는 소정 수치 이상으로 형성함과 동시에, 벌크 전극들(271, 273) 간의 이격 거리는 벌크 전극들(271, 273) 간에 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있는 소정 수치 이하로 형성할 수 있다. 따라서, 발광 소자의 열 방출 효율을 향상시킴과 동시에, 발광 소자의 실장 과정에서 전기적 쇼트가 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.More specifically, a conductive material (for example, solder, conductive adhesive, eutectic material, or the like) is formed between the exposed upper surfaces 271a and 273a and a separate substrate, The light emitting element can be mounted on the separate substrate by adhering a separate substrate. In order to prevent electrical shorting between the bulk electrodes 271 and 273 due to the conductive material formed for adhesion, the distance between the exposed upper surfaces as described above is required to be equal to or larger than a predetermined value. According to the present invention, the insulating support body 280 is formed to partially cover the upper surfaces of the bulk electrodes 271 and 273, so that the exposed upper surface of the first bulk electrode 271 and the exposed surface of the second bulk electrode 273 The distance between the upper surfaces of the first and second bulk electrodes 271 and 273 may be larger than the distance between the first and second bulk electrodes 271 and 273. [ Therefore, the distance between the bulk electrodes 271 and 273 is set to be larger than a predetermined value that prevents the occurrence of an electrical short between the bulk electrodes 271 and 273, 273 can be formed to be less than a predetermined value that can prevent electrical shorts from occurring. Therefore, it is possible to improve the heat emission efficiency of the light emitting element and effectively prevent the occurrence of electrical short in the mounting process of the light emitting element.

제1 벌크 전극(271)의 노출된 상면과 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면 간의 이격 거리는 제한되지 않으나, 솔더링을 통해 발광 소자를 별도의 기판에 실장하는 경우 상기 이격 거리는 약 250㎛ 이상일 수 있고, 나아가, 공정 본딩을 통해 발광 소자를 별도의 기판에 실장하는 경우 상기 이격 거리는 약 80㎛ 이상일 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The distance between the exposed upper surface of the first bulk electrode 271 and the exposed upper surface of the second bulk electrode 273 is not limited. However, when the light emitting device is mounted on a separate substrate through soldering, Further, when the light emitting device is mounted on a separate substrate through process bonding, the spacing distance may be about 80 탆 or more. However, the present invention is not limited thereto.

또한, 상부 절연지지체(281)는 제1 벌크 전극(271)의 노출된 상면과 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면 간의 이격 거리가 소정 수치 이상으로 형성되도록 벌크 전극들(271, 273)이 서로 대향하는 측면 상부 주변 영역에 배치되면 충분하고, 그 외의 영역에서 배치되는 형태는 제한되지 않는다. 예를 들어, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 사이에 위치하는 절연지지체(280)는, 그 단면이 'T'형상을 가질 수 있고, 나아가, 상기 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 외곽 측면을 덮는 절연지지체(280)는 그 단면이 'ㄱ' 형상을 가질 수 있다.The upper insulating support 281 is connected to the bulk electrodes 271 and 273 so that a distance between the exposed upper surface of the first bulk electrode 271 and the exposed upper surface of the second bulk electrode 273 is formed to be equal to or greater than a predetermined value, Are arranged in the upper peripheral region of the upper side facing each other, and the arrangement in the other region is not limited. 4 and 5, the insulating support body 280 positioned between the first and second bulk electrodes 271 and 273 may have a T shape in cross section In addition, the insulating support body 280, which covers the outer side surfaces of the first and second bulk electrodes 271 and 273, may have a cross-sectional shape.

또한, 절연지지체(280)와 벌크 전극들(271, 273)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있는데, 특히, 절연지지체(280)는 절연성 폴리머 및/또는 절연성 세라믹을 포함할 수 있고, 벌크 전극들(271, 273)은 금속성 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 절연지지체(280)와 벌크 전극들(271, 273) 간의 계면에서 박리 또는 크랙이 발생할 수 있고, 서로 다른 물질이 접합됨으로 인하여 발생할 수 있는 스트레스 및 스트레인에 의한 파손이 발생할 수 있다. 절연지지체(280) 및/또는 벌크 전극들(271, 273)이 파손되면, 발광 구조체(220)가 오염될 수 있고, 나아가, 발광 구조체(220)에 크랙 등이 발생할 수 있어, 발광 소자의 신뢰성이 떨어질 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 절연지지체(280)가 벌크 전극들(271, 273)의 측면 및 벌크 전극들(271, 273)의 상면을 부분적으로 덮도록 형성됨으로써, 절연지지체(280) 및 벌크 전극들(271, 273) 간의 기계적 안정성이 향상될 수 있다. 따라서, 발광 소자의 신뢰성이 향상될 수 있다.In addition, the insulating support 280 and the bulk electrodes 271 and 273 may be formed of different materials. In particular, the insulating support 280 may include an insulating polymer and / or an insulating ceramic, (271, 273) may include a metallic material. Accordingly, peeling or cracking may occur at the interface between the insulating support member 280 and the bulk electrodes 271 and 273, and breakage due to stress and strain may occur due to bonding of different materials. Breakage of the insulating support body 280 and / or the bulk electrodes 271 and 273 may cause the light emitting structure 220 to be contaminated and cracks or the like may be generated in the light emitting structure 220, Can fall. According to embodiments of the present invention, the insulating support body 280 is formed so as to partially cover the side surfaces of the bulk electrodes 271 and 273 and the upper surfaces of the bulk electrodes 271 and 273, The mechanical stability between the bulk electrodes 271 and 273 can be improved. Therefore, the reliability of the light emitting element can be improved.

또한, 발광 소자의 기계적 안정성이 향상됨으로써, 발광 구조체(220)로부터 성장 기판(미도시)을 분리하는 과정에서 발광 구조체(220)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the mechanical stability of the light emitting device is improved, it is possible to prevent the light emitting structure 220 from being damaged in the process of separating the growth substrate (not shown) from the light emitting structure 220.

나아가, 하부 절연지지체(283)와 상부 절연지지체(281)는 서로 동일한 물질 또는 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 하부 절연지지체(283)와 상부 절연지지체(281)가 서로 동일한 물질로 형성되는 경우, 절연지지체(280)는, 예를 들어, EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 절연지지체(280)는 TiO2입자와 같은 광 반사성 및 광 산란 입자를 포함할 수도 있다. 하부 절연지지체(283)와 상부 절연지지체(281)가 서로 다른 물질로 형성되는 경우, 상부 절연지지체(281)는 하부 절연지지체(283)에 비해 낮은 취성 및/또는 낮은 흡습성을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 하부 절연지지체(283)는 EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질을 포함할 수 있고, 상부 절연지지체(281)는 포토레지스트(PR) 및/또는 포토솔더레지스트(PSR)와 같은 물질을 포함할 수 있다.Further, the lower insulating support 283 and the upper insulating support 281 may be formed of the same material or different materials. When the lower insulating support body 283 and the upper insulating support body 281 are formed of the same material, the insulating support body 280 may include a material such as an epoxy molding compound (EMC) or a Si resin . The insulating substrate 280 may include a light-reflective and light-scattering particles, such as TiO 2 particles. When the lower insulating support 283 and the upper insulating support 281 are formed of different materials, the upper insulating support 281 is formed of a material having lower embrittlement and / or lower hygroscopicity than the lower insulating support 283 . For example, the lower insulative support 283 may comprise materials such as EMC (Epoxy Molding Compound), Si resin, and the upper insulative support 281 may include photoresist PR and / or photo solder resist (PSR) ≪ / RTI >

상부 절연지지체(281)가 취성이 상대적으로 낮은 물질로 형성됨으로써, 하부 절연지지체(283)에 비해 깨지거나 크랙이 발생할 확률이 낮아, 하부 절연지지체(283)와 벌크 전극들(271, 273)간의 계면을 통해 외부 오염 물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상부 절연지지체(281)가 흡습성이 상대적으로 낮은 물질로 형성됨으로써, 하부 절연지지체(283)와 벌크 전극들(271, 273)간의 계면을 통해 외부 오염 물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 하부 절연지지체(283)가 EMC와 같이 흡습성이 높은 물질로 형성되는 경우, PSR과 같은 물질로 형성된 상부 절연지지체(281)에 의해 발광 소자가 습기로부터 더욱 효과적으로 보호될 수 있다. 특히, 상부 절연지지체(281)가 하부 절연지지체(283)와 벌크 전극들(271, 273)간의 계면을 덮도록 형성되는 경우, 더욱 효과적으로 상술한 발광 소자 보호 기능이 발휘될 수 있다.The upper insulating support body 281 is formed of a material having a relatively low brittleness so that the probability of cracking or cracking is lower than that of the lower insulating support body 283 and the lower insulating support body 283 and the bulk electrodes 271 and 273 It is possible to prevent foreign contaminants from penetrating through the interface. In addition, since the upper insulating support 281 is formed of a material having a relatively low hygroscopicity, external contaminants can be prevented from penetrating through the interface between the lower insulating support 283 and the bulk electrodes 271 and 273. For example, when the lower insulating support 283 is formed of a highly hygroscopic material such as EMC, the light emitting element can be more effectively protected from moisture by the upper insulating support 281 formed of a material such as PSR. In particular, when the upper insulating support 281 is formed so as to cover the interface between the lower insulating support 283 and the bulk electrodes 271 and 273, the light emitting element protecting function described above can be more effectively exerted.

한편, 제1 벌크 전극(271)의 노출된 상면(271a)의 면적은 제1 벌크 전극(271)과 제1 컨택 전극(230)이 접하는 영역의 면적보다 작을 수 있고, 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면(273a)의 면적은 제2 벌크 전극(273)과 제2 컨택 전극(240)이 접하는 영역의 면적보다 클 수 있다. 이 경우, 제1 벌크 전극(271)의 수평 단면적이 제2 벌크 전극(273)의 수평 단면적보다 클 수 있다.The area of the exposed upper surface 271a of the first bulk electrode 271 may be smaller than the area of the contact area of the first bulk electrode 271 and the first contact electrode 230 and the area of the second bulk electrode 273 May be larger than the area of the region where the second bulk electrode 273 and the second contact electrode 240 are in contact with each other. In this case, the horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode 271 may be larger than the horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode 273.

제1 패드 전극(291) 및 제2 패드 전극(293)은 각각 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273) 상에 위치할 수 있으며, 또한, 각각 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 상면을 부분적으로 노출시키는 절연지지체(280)의 개구부들을 채울 수 있다. 이에 따라, 제1 패드 전극(291)과 제2 패드 전극(293)은 각각 제1 벌크 전극(271)의 노출된 상면 및 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면을 덮을 수 있다. 따라서 제1 및 제2 패드 전극(291, 293) 간의 이격 거리는 제1 벌크 전극(271)의 노출된 상면과 제2 벌크 전극(273)의 노출된 상면 간의 이격 거리에 대응될 수 있다.The first pad electrode 291 and the second pad electrode 293 may be located on the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 respectively and may also be disposed on the first and second bulk electrodes 271, 271, 273) of the insulating support body 280, which partially exposes the upper surface of the insulating support body 280. Accordingly, the first pad electrode 291 and the second pad electrode 293 may cover the exposed upper surface of the first bulk electrode 271 and the exposed upper surface of the second bulk electrode 273, respectively. The distance between the first and second pad electrodes 291 and 293 may correspond to the distance between the exposed upper surface of the first bulk electrode 271 and the exposed upper surface of the second bulk electrode 273. [

또한, 도시된 바와 같이, 제1 패드 전극(291)과 제2 패드 전극(293)의 상면은 절연지지체(280)의 상면과 대체로 동일한 높이로 나란하게(flush) 위치할 수 있다. 이 경우, 발광 소자의 상면은 대체로 평평하게 형성될 수 있다. 또한, 제1 패드 전극(291)의 상면과 제2 패드 전극(293)의 상면은 대체로 동일한 면적을 가질 수 있다. 따라서, 발광 소자의 실장면에 노출된 전기적 연결 부분이 동일한 면적으로 형성될 수 있어, 실장 공정이 용이해질 수 있다.The top surface of the first pad electrode 291 and the top surface of the second pad electrode 293 may be flush with the top surface of the insulating support 280 at substantially the same height. In this case, the upper surface of the light emitting element may be formed to be generally flat. The upper surface of the first pad electrode 291 and the upper surface of the second pad electrode 293 may have substantially the same area. Therefore, the electrical connection portions exposed in the mounting surface of the light emitting element can be formed in the same area, so that the mounting process can be facilitated.

제1 및 제2 패드 전극(291, 293)은, 절연지지체(280)의 개구부들을 채우도록 도금 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 이 후, 제1 및 제2 패드 전극(291, 293) 및 절연지지체(280)를 물리적 및/또는 화학적 방법, 예컨대, 래핑 또는 CMP 등이 방법을 이용하여 부분적으로 제거함으로써, 제1 패드 전극(291)과 제2 패드 전극(293)의 상면은 절연지지체(280)의 상면을 대체로 동일한 높이로 나란하게 형성할 수 있다.The first and second pad electrodes 291 and 293 may be formed by plating or the like so as to fill the openings of the insulating support body 280. Thereafter, the first and second pad electrodes 291 and 293 and the insulating support body 280 are partially removed by a physical and / or chemical method such as lapping or CMP to form the first pad electrode 291 and the second pad electrode 293 may be formed on the upper surface of the insulative support body 280 at substantially the same height.

제1 패드 전극(291)과 제2 패드 전극(293)은 도전성 물질, 특히, 금속성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Au, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb 등을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)은 벌크 전극들(271, 273)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수도 있고, 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다. 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)은 증착 또는 도금 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 예컨대, 무전해 도금을 이용하여 형성할 수 있다.The first pad electrode 291 and the second pad electrode 293 may include a conductive material such as Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Au, Sn , Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb and the like. The first and second pad electrodes 291 and 293 may include substantially the same material as the bulk electrodes 271 and 273, or may be formed of different materials. The first and second pad electrodes 291 and 293 may be formed using a deposition or plating method, and may be formed using electroless plating, for example.

발광 소자가 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)을 더 포함함으로써, 발광 소자의 상면(발광 소자가 별도의 기판에 실장되는 면일 수 있다)이 대체로 평평하게 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 소자을 별도의 기판 상에 실장하는 공정이 용이해질 수 있다. The light emitting device further includes the first and second pad electrodes 291 and 293 so that the upper surface of the light emitting device (the surface on which the light emitting device is mounted on a separate substrate) can be formed substantially flat. Accordingly, the step of mounting the light emitting element on a separate substrate can be facilitated.

도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 도 7은 도 6의 Ⅲ-Ⅲ'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다. 6 and 7 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 7 shows a cross-section of a portion corresponding to line III-III 'in Fig.

도 6 및 도 7의 발광 소자는 도 1 및 도 2의 발광 소자와 비교하여, 제1 컨택 전극(230) 및 절연층(255)의 구조에 있어서 차이가 있다. 이하 차이점을 중심으로 본 실시예의 발광 소자에 관해 설명하며, 중복되는 구성에 대한 상세한 설명은 이하 생략한다.6 and 7 are different from each other in the structure of the first contact electrode 230 and the insulating layer 255 as compared with the light emitting device of FIGS. 1 and 2. FIG. The light emitting device of the present embodiment will be described mainly on the basis of the differences below, and a detailed description of the overlapping configuration will be omitted below.

도 6 및 도 7을 참조하면, 발광 소자는 발광 구조체(220), 제1 컨택 전극(230), 제2 컨택 전극(240), 절연층(250, 260), 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273) 및 절연지지체(280)를 포함한다. 나아가, 발광 소자는 성장 기판(미도시), 연결 전극(245) 및 응력완충층(265)을 더 포함할 수 있다.6 and 7, the light emitting device includes a light emitting structure 220, a first contact electrode 230, a second contact electrode 240, insulating layers 250 and 260, first and second bulk electrodes 271, 273, and an insulating support 280. Further, the light emitting device may further include a growth substrate (not shown), a connection electrode 245, and a stress buffer layer 265.

상기 발광 소자는 발광 구조체(220)를 포함하되, 발광 구조체(220)는 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)이 부분적으로 제거되어 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역을 포함한다. 제1 도전형 반도체층(221)이 노출됨으로써, 발광 구조체(220)는 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)을 포함하는 메사(220m)를 가질 수 있다. 메사(220m)의 위치는 제한되지 않으며, 예컨대, 도시된 바와 같이 상기 메사(220m)는 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역에 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있다.The light emitting device includes a light emitting structure 220. In the light emitting structure 220, the second conductive semiconductor layer 225 and the active layer 223 are partially removed to expose the first conductive semiconductor layer 221 Region. The light emitting structure 220 may have a mesa 220m including the second conductivity type semiconductor layer 225 and the active layer 223 by exposing the first conductivity type semiconductor layer 221. [ The position of the mesa 220m is not limited. For example, as shown in the figure, the mesa 220m may be at least partially surrounded by the exposed region of the first conductivity type semiconductor layer 221. [

제1 컨택 전극(230)은 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역 상에 위치하여 제1 도전형 반도체층(221)과 오믹 컨택할 수 있다. 특히, 도 1 및 도 2의 실시예와 달리, 제1 컨택 전극(230)은 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역 내에 위치한다. 따라서, 제1 컨택 전극(230)과 제2 컨택 전극(240)은 서로 이격될 수 있다.The first contact electrode 230 may be on the exposed region of the first conductive semiconductor layer 221 and may be in ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 221. In particular, unlike the embodiment of FIGS. 1 and 2, the first contact electrode 230 is located in the exposed region of the first conductive type semiconductor layer 221. Accordingly, the first contact electrode 230 and the second contact electrode 240 can be spaced apart from each other.

절연층(255)은 제1 컨택 전극(230) 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 덮되, 제1 컨택 전극(230) 및 제2 컨택 전극(240)을 각각 부분적으로 노출시키는 제1 개구부(255a) 및 제2 개구부(255b)를 포함한다. 본 실시예에 따르면, 제1 컨택 전극(230)이 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역 내에 위치하므로, 절연층(255)이 제1 컨택 전극(230)과 제2 컨택 전극(240) 사이에 끼인 형태로 형성되지 않을 수 있다. 또한, 절연층(255)이 제1 절연층과 제2 절연층으로 분리되지 않고, 한번의 공정으로 형성될 수 있으므로, 발광 소자의 제조 공정이 더욱 간소화될 수 있다. 특히, 절연층이 제1 절연층과 제2 절연층으로 구분되는 경우, 각각의 절연층을 패터닝하기 위한 마스크 패턴 형성 공정이 적어도 2회 이상 요구된다. 반면, 본 실시예의 경우 절연층(255)은 단일의 절연층(255)으로 형성되어, 마스크 패턴 형성 공정이 적어도 1회 이상 생략될 수 있다.The insulating layer 255 partially covers the first contact electrode 230 and the second contact electrode 240 and has a first opening portion 260 partially exposing the first contact electrode 230 and the second contact electrode 240, (255a) and a second opening (255b). Since the first contact electrode 230 is located in the exposed region of the first conductivity type semiconductor layer 221, the insulating layer 255 is formed between the first contact electrode 230 and the second contact electrode 240, respectively. In addition, since the insulating layer 255 can be formed in one step without being separated into the first insulating layer and the second insulating layer, the manufacturing process of the light emitting device can be further simplified. Particularly, when the insulating layer is divided into the first insulating layer and the second insulating layer, a mask pattern forming step for patterning each insulating layer is required at least twice. On the other hand, in this embodiment, the insulating layer 255 is formed of a single insulating layer 255, so that the mask pattern forming process can be omitted at least once.

한편, 연결 전극(245)은 제2 컨택 전극(240) 상에 위치할 수 있다. 또한, 연결 전극(245)은 절연층(255)에 의해 그 측면이 덮일 수 있다. 본 실시예에 따르면, 절연층(255)이 단일의 절연층(255)으로 형성되므로, 연결 전극(245)은 절연층(255)의 하부에 위치할 수 있다.On the other hand, the connection electrode 245 may be positioned on the second contact electrode 240. In addition, the connection electrode 245 may be covered on its side by the insulating layer 255. According to the present embodiment, since the insulating layer 255 is formed of a single insulating layer 255, the connecting electrode 245 may be positioned below the insulating layer 255.

다만, 본 실시예에서 절연층(255)이 단일의 절연층(255)으로 형성된다는 것은 절연층(255)이 단일층으로 이루어진 것으로 한정하여 의미하는 것은 아니며, 절연층(255)은 다중층으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the insulating layer 255 is formed of a single insulating layer 255. However, the insulating layer 255 is not limited to a single layer, Lt; / RTI >

도 8 및 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.8 and 9 are plan views and cross-sectional views for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

본 실시예의 발광 소자는 도 1 및 도 2의 발광 소자와 비교하여 발광 구조체(220)의 구조가 상이하며, 파장변환부(295), 제1 및 제2 패드 전극(291)을 더 포함하는 점에서 차이가 있다. 이에 따라, 다른 나머지 구성들의 상호 구조 관계 등에 차이가 있으며, 이하 차이점을 중심으로 상세하게 설명한다. 동일한 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.The light emitting device of this embodiment differs from the light emitting device of FIGS. 1 and 2 in the structure of the light emitting structure 220 and further includes a wavelength converting portion 295, first and second pad electrodes 291 . Accordingly, there is a difference in the mutual structure relation of the other remaining components, and the following description will be focused on the differences. Detailed description of the same configuration will be omitted.

도 8의 (a)는 본 실시예에 따른 발광 소자의 평면도이고, (b)는 홀(220h)의 위치 및 제1 개구부(260a)와 제2 개구부(260b)의 위치를 설명하기 위한 평면도이며, 도 9는 도 8의 (a)와 (b)의 Ⅳ-Ⅳ'선에 대응하는 영역의 단면을 도시하는 단면도이다.8A is a plan view of the light emitting device according to the present embodiment, FIG. 8B is a plan view for explaining the position of the hole 220h and the positions of the first opening 260a and the second opening 260b And Fig. 9 is a cross-sectional view showing a cross section of a region corresponding to line IV-IV 'in Figs. 8 (a) and 8 (b).

도 8 및 도 9를 참조하면, 발광 소자는 발광 구조체(220), 제1 컨택 전극(230), 제2 컨택 전극(240), 절연층(250, 260), 응력완충층(265), 제1 및 제2 벌크 전극(281, 283) 및 절연지지체(190)를 포함한다. 나아가, 발광 소자는 성장 기판(미도시), 파장변환부(210), 제1 및 제2 패드 전극(291, 293) 및 응력완충층(265)을 더 포함할 수 있다.8 and 9, the light emitting device includes a light emitting structure 220, a first contact electrode 230, a second contact electrode 240, insulating layers 250 and 260, a stress buffer layer 265, And second bulk electrodes (281, 283) and an insulating support (190). Further, the light emitting device may further include a growth substrate (not shown), a wavelength conversion portion 210, first and second pad electrodes 291 and 293, and a stress buffer layer 265.

발광 구조체(220)는 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)이 부분적으로 제거되어 제1 도전형 반도체층(221)이 부분적으로 노출된 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 발광 구조체(220)는 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(221)을 노출시키는 복수의 홀(220h)을 포함할 수 있다. 홀(220h)들은 발광 구조체(220)의 전체에 걸쳐 대체로 규칙적으로 위치할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 홀(220h)의 배치 형태 및 개수는 다양하게 변형될 수 있다.The light emitting structure 220 may include a region where the second conductivity type semiconductor layer 225 and the active layer 223 are partially removed to partially expose the first conductivity type semiconductor layer 221. The light emitting structure 220 may include a plurality of holes 220h through the second conductive semiconductor layer 225 and the active layer 223 to expose the first conductive semiconductor layer 221, . ≪ / RTI > The holes 220h may be positioned substantially regularly throughout the light emitting structure 220. [ However, the present invention is not limited thereto, and the arrangement and the number of the holes 220h may be variously modified.

또한, 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 형태는 홀(220h)과 같은 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(221) 노출되는 영역은 라인 형태, 홀 및 라인이 복합된 형태 등으로 형성될 수 있다. In addition, the form in which the first conductivity type semiconductor layer 221 is exposed is not limited to the same shape as the hole 220h. For example, the exposed region of the first conductive semiconductor layer 221 may be formed in a line shape, a combination of holes and lines, or the like.

제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225) 상에 위치하여, 오믹 컨택될 수 있다. 제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225)의 상면을 전반적으로 덮도록 배치될 수 있으며, 나아가, 제2 도전형 반도체층(225)의 상면을 거의 완전히 덮도록 형성될 수 있다. 제2 컨택 전극(240)은 발광 구조체(220) 전체에 걸쳐 단일체로 형성될 수 있으며, 이 경우, 제2 컨택 전극(240)은 복수의 홀(220h)의 위치에 대응하는 개구 영역들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(220)의 전체에 대해 전류를 균일하게 공급하여, 전류 분산 효율이 향상될 수 있다.The second contact electrode 240 may be on ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 225. The second contact electrode 240 may be disposed so as to cover the entire upper surface of the second conductive type semiconductor layer 225 and may be formed so as to substantially completely cover the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 225 have. The second contact electrode 240 may be formed as a single body over the whole of the light emitting structure 220. In this case, the second contact electrode 240 includes openings corresponding to the positions of the plurality of holes 220h . Thus, current can be uniformly supplied to the whole of the light emitting structure 220, and the current dispersion efficiency can be improved.

다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 컨택 전극(240)은 복수의 단위 유닛들로 형성될 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the second contact electrode 240 may be formed of a plurality of unit units.

제1 절연층(250)은 발광 구조체(220)의 상면 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 덮을 수 있다. 제1 절연층(250)은 복수의 홀(220h)들의 측면을 덮되, 홀(220h)의 하면에 위치하는 제1 도전형 반도체층(221)을 부분적으로 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 따라서 상기 개구부는 복수의 홀(220h)이 배치된 위치에 대응하여 위치할 수 있다. 또한, 제1 절연층(250)은 제2 컨택 전극(240)의 일부를 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 나아가, 제1 절연층(250)은 발광 구조체(220)의 적어도 일부의 측면을 더 덮을 수 있다.The first insulating layer 250 may partially cover the upper surface of the light emitting structure 220 and the second contact electrode 240. The first insulating layer 250 may cover the side surfaces of the plurality of holes 220h and may include openings partially exposing the first conductive type semiconductor layer 221 located on the lower surface of the hole 220h. Accordingly, the openings may be positioned corresponding to the positions where the plurality of holes 220h are disposed. In addition, the first insulating layer 250 may include an opening exposing a part of the second contact electrode 240. Further, the first insulating layer 250 may further cover at least a part of the side surface of the light emitting structure 220.

제1 컨택 전극(230)은 발광 구조체(220)를 부분적으로 덮을 수 있으며, 홀들(220h) 및 상기 홀들(220h)에 대응하는 부분에 위치하는 제1 절연층(250)의 개구부를 통해 제1 도전형 반도체층(221)과 오믹 컨택할 수 있다. 또한, 도시된 바와 달리, 제1 컨택 전극(230)은 발광 구조체(220)의 측면까지 덮도록 형성될 수도 있다. The first contact electrode 230 may partly cover the light emitting structure 220 and may be electrically connected to the first contact electrode 230 through the openings of the first insulating layer 250 located at the portions corresponding to the holes 220h and the holes 220h. The ohmic contact with the conductive semiconductor layer 221 can be achieved. In addition, unlike the first contact electrode 230, the first contact electrode 230 may be formed to cover the side surface of the light emitting structure 220.

제2 절연층(260)은 제1 컨택 전극(230)을 부분적으로 덮을 수 있으며, 제1 컨택 전극(230)을 부분적으로 노출시키는 제1 개구부(260a), 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 노출시키는 제2 개구부(260b)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 개구부(260a, 260b) 각각은 하나 이상 형성될 수 있다. 또한, 상기 개구부들(260a, 260b)은 서로 반대하여 위치하는 측면들에 각각 치우쳐 위치할 수 있다. 응력완충층(265)은 제2 절연층(260) 상에 위치할 수 있다.The second insulating layer 260 may partially cover the first contact electrode 230 and may have a first opening 260a partially exposing the first contact electrode 230 and a second opening 260a partially exposing the second contact electrode 240. [ And a second opening 260b for partially exposing the second opening. At least one of the first and second openings 260a and 260b may be formed. In addition, the openings 260a and 260b may be biased to opposite sides. The stress buffer layer 265 may be located on the second insulating layer 260.

제1 벌크 전극(271) 과 제2 벌크 전극(273)은 발광 구조체(220) 상에 위치할 수 있고, 제1 벌크 전극(271) 및 제2 벌크 전극(273)은 각각 제1 컨택 전극(230) 및 제2 컨택 전극(240)에 전기적으로 연결될 수 있다. 절연지지체(280)는 발광 구조체(220) 상에 위치하며, 벌크 전극들(271, 273)의 측면을 적어도 부분적으로 덮는다. 또한, 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)은 각각 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273) 상에 위치할 수 있다. 절연지지체(280), 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)에 관한 설명은, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 바와 대체로 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.The first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be positioned on the light emitting structure 220 and the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 may be located on the first contact electrode 230 and the second contact electrode 240, respectively. An insulative support 280 is located on the light emitting structure 220 and at least partially covers the sides of the bulk electrodes 271, 273. Also, the first and second pad electrodes 291 and 293 may be positioned on the first and second bulk electrodes 271 and 273, respectively. The insulating support 280 and the first and second pad electrodes 291 and 293 are substantially the same as those described with reference to FIGS. 4 and 5, and a detailed description thereof will be omitted.

파장변환부(295)는 발광 구조체(220)의 하면 상에 배치될 수 있다. 파장변환부(210)에 의해 발광 구조체(220)로부터 방출된 광이 파장변환되어 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 발광 소자가 제공될 수 있다. 또한, 파장변환부(210)는 발광 구조체(220)의 하면뿐만 아니라, 발광 구조체(220)의 측면까지 연장되어 형성될 수 있고, 나아가, 절연지지체(280)의 측면까지 더 연장되어 형성될 수도 있다.The wavelength converter 295 may be disposed on the bottom surface of the light emitting structure 220. A light emitting device may be provided in which the light emitted from the light emitting structure 220 is wavelength-converted by the wavelength converting unit 210 to realize light of various colors. The wavelength conversion portion 210 may be formed not only on the lower surface of the light emitting structure 220 but also on the side surface of the light emitting structure 220 and may further extend to the side surface of the insulating support 280 have.

파장변환부(295)는 광의 파장을 변환시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 파장변환부(295)는 담지체 내에 형광체가 분산된 형태로 제공될 수 있고, 또는 단결정 형광체 시트 형태로 제공될 수도 있으며, 또는 양자점 물질을 포함하는 형태로 제공될 수도 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The wavelength converter 295 may include a material capable of changing the wavelength of the light. For example, the wavelength converter 295 may be provided in a form that the phosphor is dispersed in the carrier, Or may be provided in a form including a quantum dot material. However, the present invention is not limited thereto.

발광 소자가 파장변환부(295)를 포함함으로써, 백색광을 방출할 수 있는 칩 스케일 패키지가 제공될 수 있다.By including the wavelength converter 295 in the light emitting element, a chip scale package capable of emitting white light can be provided.

도 10 내지 도 25는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들 및 단면도들이다. 각각의 도면들에서, 동일한 도면 내에 포함된 (a) 및 (b)는 각각 평면도 및 단면도를 나타내며, 각 도면에서 (b)는 (a)의 Ⅴ-Ⅴ'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다. 후술하는 설명에서, 도 10 내지 도 25를 참조하여 다양한 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명한다. 도 1 내지 도 9의 실시예들에서 설명한 구성과 유사한 구성에 대한 상세한 설명은 축소 또는 생략하며, 차이점을 갖는 구성에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 후술하는 실시예들에서, 단일 발광 소자를 기준으로 발광 소자 제조 방법에 대해 설명하는 경우에도, 상기 실시예들에서 설명되는 구성 및 특징들은 복수의 발광 소자를 형성하는 경우에도 적용될 수 있다.10 to 25 are plan and sectional views for explaining a light emitting device and a method of manufacturing the same according to another embodiment of the present invention. In each of the drawings, (a) and (b) included in the same drawing represent a plan view and a cross-sectional view, respectively, and in each drawing, (b) is a cross-sectional view taken along line V- do. In the following description, a light emitting device according to various embodiments and a manufacturing method thereof will be described with reference to FIGS. 10 to 25. FIG. The detailed description of the configuration similar to the configuration described in the embodiments of Figs. 1 to 9 will be omitted or omitted, and the configuration having the differences will be described in detail. Also, in the following embodiments, the method of manufacturing the light emitting device with reference to the single light emitting device is also applicable to the case of forming a plurality of light emitting devices.

도 10을 참조하면, 성장 기판(210) 상에 제1 도전형 반도체층(221), 활성층(223) 및 제2 도전형 반도체층(225)을 포함하는 발광 구조체(220)를 형성한다.Referring to FIG. 10, a light emitting structure 220 including a first conductive semiconductor layer 221, an active layer 223, and a second conductive semiconductor layer 225 is formed on a growth substrate 210.

성장 기판(210)은 발광 구조체(220)를 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않는다. 예를 들어, 성장 기판(210)은 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판 등일 수 있다. 발광 구조체(220)는 유기금속화학증착(Metal-organic chemical vapor deposition; MOCVD), 수소화물기상증착(Hydride vapor phase epitaxy; HVPE), 또는 분자선 증착(Molecular beam epitaxy; MBE) 등의 방법을 이용하여 성장될 수 있다. The growth substrate 210 is not limited as long as it can grow the light emitting structure 220. For example, the growth substrate 210 may be a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a silicon substrate, a gallium nitride substrate, an aluminum nitride substrate, or the like. The light emitting structure 220 may be formed by a method such as metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), or molecular beam epitaxy (MBE) It can be grown.

또한, 도 10에서 단일 소자에 대응하는 성장 기판(210) 및 발광 구조체(220)를 도시하고 있으나, 본 실시예는 성장 기판(210) 상에 발광 구조체(220)가 성장된 웨이퍼를 이용하는 경우에도 대체로 동일하게 적용될 수 있다.Although the growth substrate 210 and the light emitting structure 220 corresponding to a single device are illustrated in FIG. 10, the present embodiment is applicable to a case where a wafer on which the light emitting structure 220 is grown on the growth substrate 210 is used It can be applied substantially equally.

이어서, 도 11을 참조하면, 발광 구조체(220)를 패터닝하여 적어도 하나의 메사(220m)를 형성한다.Referring to FIG. 11, the light emitting structure 220 is patterned to form at least one mesa 220m.

메사(220m)는 사진 및 식각 공정을 통해 제2 도전형 반도체층(225) 및 활성층(223)을 부분적으로 제거함으로써 형성될 수 있다. 메사(220m)가 형성됨으로써, 메사(220m) 주변 영역에는 제1 도전형 반도체층(221)이 부분적으로 노출될 수 있다. 메사(220m)의 형태는 제한되지 않으나, 예를 들어, 도 11(a)에 도시된 바와 같이, 대체로 동일한 방향으로 기다랗게 연장되는 형태로 형성될 수 있으며, 또한, 복수로 형성될 수 있다. 이 경우, 복수의 메사들(220m)은 서로 이격된다.The mesa 220m may be formed by partially removing the second conductive type semiconductor layer 225 and the active layer 223 through a photo and etching process. By forming the mesa 220m, the first conductivity type semiconductor layer 221 can be partially exposed in the region around the mesa 220m. The shape of the mesa 220m is not limited. For example, as shown in FIG. 11 (a), the mesa 220m may be formed to extend in a substantially same direction and may be formed in plural numbers. In this case, the plurality of mesas 220m are spaced from each other.

본 발명은 이에 한정되지 않으며, 도 12의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 메사(220m)는 일체로 형성되되, 상기 메사(220m)의 일 측면으로부터 함입되는 부분을 갖는 형태를 가질 수도 있다. 예컨대, 도 12의 (a)에 도시된 바와 같이, 메사(220m')는 성장 기판(110)의 일 측면에 인접하는 부분에서 서로 연결되고, 상기 일 측면에 반대하여 위치하는 타 측면에 인접하는 부분에는 이격 영역이 형성된 형태로 형성될 수 있다. 상기 이격 영역을 통해 제1 도전형 반도체층(221)이 부분적으로 노출될 수 있다. 상기 이격 영역은 복수로 형성될 수 있으며, 도 12의 (a)와 같이 2개 또는 도 12의 (b)와 같이 3개 이상으로 형성될 수도 있다. 한편, 이와 달리, 메사(220m)는 제1 도전형 반도체층(221)을 부분적으로 노출시키는 복수의 홈을 포함하는 형태로 형성될 수도 있으며, 이 경우, 도 8 및 도 9의 실시예와 유사한 형태의 발광 구조체(220)가 제공될 수 있다.The present invention is not limited thereto. As shown in FIGS. 12A and 12B, the mesa 220m is formed integrally with the mesa 220m. . For example, as shown in FIG. 12 (a), the mesa 220m 'is connected to each other at a portion adjacent to one side of the growth substrate 110, and is adjacent to the other side And a spacing region may be formed in the portion. The first conductivity type semiconductor layer 221 may be partially exposed through the spacing region. The spacing region may be formed in a plurality of, and may be formed as two or three or more as shown in FIG. 12 (a) or 12 (b). Alternatively, the mesa 220m may be formed to include a plurality of grooves that partially expose the first conductive type semiconductor layer 221. In this case, the mesa 220m may be formed in a similar manner to the embodiment of FIGS. 8 and 9 Type light emitting structure 220 may be provided.

다음, 도 13을 참조하면, 제2 도전형 반도체층(225) 상에, 즉, 메사(220m) 상면의 적어도 일부 상에 제2 컨택 전극(240)을 형성한다. 나아가, 발광 구조체(220) 상에 예비(pre) 제1 절연층(251)을 더 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 13, a second contact electrode 240 is formed on the second conductive semiconductor layer 225, that is, on at least a part of the upper surface of the mesa 220m. Furthermore, a preliminary first insulating layer 251 may be further formed on the light emitting structure 220.

제2 컨택 전극(240)은, 상술한 바와 같이, 금속 및 도전성 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제2 컨택 전극(240)은 공지의 증착 및 패터닝 방법을 통해 메사(220m) 상면의 적어도 일부 상에 위치하도록 형성될 수 있다. The second contact electrode 240 may include at least one of a metal and a conductive oxide, as described above. The second contact electrode 240 may be formed on at least a part of the upper surface of the mesa 220m through a known deposition and patterning method.

예비 제1 절연층(251)은 발광 구조체(220) 상에 형성되되, 제2 컨택 전극(240)이 형성되는 영역을 제외한 발광 구조체(220)의 상면을 적어도 부분적으로 덮도록 형성될 수 있다. 예비 제1 절연층(251)은 제1 도전형 반도체층(221)이 노출된 영역을 덮을 수 있으며, 나아가, 메사(220m)들의 측면을 더 덮을 수 있으며, 더 나아가, 메사(220m)들의 상면을 부분적으로 덮을 수 있다. 예비 제1 절연층(251)은 제2 컨택 전극(240)과 접촉할 수도 있으며, 이격될 수도 있다. 예비 제1 절연층(251)이 이격되는 경우, 예비 제1 절연층(251)과 제2 컨택 전극(240)의 사이에는 제2 도전형 반도체층(225)이 부분적으로 노출된다. 예비 제1 절연층(251)은 SiO2, SiNx, MgF2 등을 포함할 수 있다. 나아가, 예비 제1 절연층(251)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다.The preliminary first insulating layer 251 may be formed on the light emitting structure 220 so as to at least partially cover the upper surface of the light emitting structure 220 except for a region where the second contact electrode 240 is formed. The preliminary first insulating layer 251 may cover the exposed region of the first conductivity type semiconductor layer 221 and may further cover the sides of the mesas 220m and may further cover the upper surfaces of the mesas 220m. As shown in Fig. The preliminary first insulating layer 251 may be in contact with the second contact electrode 240 or may be spaced apart. When the preliminary first insulating layer 251 is spaced apart, the second conductive semiconductor layer 225 is partially exposed between the preliminary first insulating layer 251 and the second contact electrode 240. The preliminary first insulating layer 251 is made of SiO 2 , SiN x , MgF 2 And the like. Further, the preliminary first insulating layer 251 may include multiple layers and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked.

한편, 예비 제1 절연층(251)은 제2 컨택 전극(240)의 형성 전에 형성될 수도 있고, 제2 컨택 전극(240)의 형성 후에 형성될 수도 있으며, 또한 제2 컨택 전극(240)의 형성 중에 형성될 수도 있다. 예컨대, 제2 컨택 전극(240)이 도전성 산화물층 및 상기 도전성 산화물층 상에 위치하는 금속을 포함하는 반사층을 포함하는 경우, 제2 도전형 반도체층(225) 상에 도전성 산화물층을 형성하고, 반사층을 형성하기 전에 예비 제1 절연층(251)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 도전성 산화물층은 제2 도전형 반도체층(225)과 오믹 컨택하며, 예비 제1 절연층(251)은 약 1000Å의 두께로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 예비 제1 절연층(251)은 제2 컨택 전극(240)의 형성 전에 형성될 수 있으며, 이 경우, 제2 컨택 전극(240)은 제2 도전형 반도체층(225)과 오믹 컨택을 형성하며, 금속 물질로 형성된 반사층을 포함할 수 있다. 이러한 실시예들에서, 금속 물질을 포함하는 반사층의 형성 전에 예비 제1 절연층(251)을 형성함으로써, 상기 반사층과 발광 구조체(220) 상호 간의 물질 확산에 의해 상기 반사층의 광 반사율 감소 및 저항 증가를 방지할 수 있다. 또한, 금속 물질을 포함하는 반사층의 형성 과정에서, 제2 컨택 전극(240)이 형성되지 않는 다른 부분에 금속 물질이 잔류하여 발생할 수 있는 전기적 쇼트 등의 문제를 방지할 수 있다.The preliminary first insulating layer 251 may be formed before the second contact electrode 240 is formed or may be formed after the second contact electrode 240 is formed, May be formed during formation. For example, when the second contact electrode 240 includes a conductive oxide layer and a reflective layer including a metal located on the conductive oxide layer, a conductive oxide layer may be formed on the second conductive type semiconductor layer 225, The preliminary first insulating layer 251 can be formed before forming the reflective layer. At this time, the conductive oxide layer is in ohmic contact with the second conductive type semiconductor layer 225, and the preliminary first insulating layer 251 is formed to a thickness of about 1000 Å. In another embodiment, the preliminary first insulating layer 251 may be formed prior to the formation of the second contact electrode 240. In this case, the second contact electrode 240 may be formed of the second conductive semiconductor layer 225, And an ohmic contact, and may include a reflective layer formed of a metal material. In these embodiments, the preliminary first insulating layer 251 is formed before the formation of the reflective layer including the metal material, thereby reducing the light reflectance and increasing the resistance of the reflective layer by the diffusion of the material between the reflective layer and the light- Can be prevented. In addition, in the process of forming the reflective layer including the metal material, it is possible to prevent a problem such as an electric short which may occur due to the remaining metal material in another portion where the second contact electrode 240 is not formed.

이어서, 도 14를 참조하면, 발광 구조체(220) 상에 제1 절연층(250)을 형성하되, 제1 절연층(250)은 제1 도전형 반도체층(221), 메사(220m) 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 덮는다. 또한, 제1 절연층(250)은 제1 도전형 반도체층(225)을 부분적으로 노출시키는 제1 개구부(250a) 및 제2 컨택 전극(240)을 부분적으로 노출시키는 제2 개구부(250b)를 포함할 수 있다.14, a first insulating layer 250 is formed on the light emitting structure 220. The first insulating layer 250 may include a first conductive semiconductor layer 221, a mesa 220m, 2 < / RTI > contact electrode 240 is partially covered. The first insulating layer 250 may include a first opening 250a partially exposing the first conductivity type semiconductor layer 225 and a second opening 250b partially exposing the second contact electrode 240 .

제1 절연층(250)은 도 13에서 설명한 예비 제1 절연층(251) 및 주(main) 제1 절연층(253)을 포함할 수 있다. 주 제1 절연층(253)은 PECVD, 전자선 증착(E-beam evaporation) 등의 공지의 증착 방법을 통해 형성될 수 있다. 이때, 주 제1 절연층(253)은 제1 도전형 반도체층(221), 메사(220m) 및 제2 컨택 전극(240)을 전체적으로 덮도록 형성된 후, 패터닝 공정을 통해 제1 및 제2 개구부(250a, 250b)를 형성함으로써, 도시된 바와 같은 제1 절연층(250)이 제공될 수 있다. 상기 패터닝 공정은 사진 식각 공정 또는 리프트 오프 공정을 포함할 수 있다. 주 제1 절연층(253)은 SiO2, SiNx, MgF2 등을 포함할 수 있다. 나아가, 주 제1 절연층(253)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다. 또한, 주 제1 절연층(253)은 예비 제1 절연층(251)에 비해 두꺼운 두께를 가질 수 있다.The first insulating layer 250 may include the preliminary first insulating layer 251 and the main first insulating layer 253 described with reference to FIG. The first insulating layer 253 may be formed through a known deposition method such as PECVD or E-beam evaporation. The main first insulating layer 253 is formed to cover the first conductive type semiconductor layer 221, the mesa 220m and the second contact electrode 240 as a whole and then is patterned through a patterning process. (250a, 250b), a first insulating layer 250 as shown can be provided. The patterning process may include a photolithography process or a lift-off process. The main first insulating layer 253 is made of SiO 2 , SiN x , MgF 2 And the like. Further, the main first insulating layer 253 may include multiple layers and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked. In addition, the main first insulating layer 253 may have a thickness larger than that of the preliminary first insulating layer 251.

제1 개구부(250a)는 적어도 하나로 형성될 수 있고, 예컨대, 메사들(220m) 각각 상에 형성될 수 있다. 또한, 제1 개구부(250a)는 성장 기판(210)의 일 측면에 인접하는 위치에 형성될 수 있다. 제2 개구부(250b)는 메사(220m)들이 연장되는 방향에 따라 기다랗게 연장된 형상으로 형성될 수 있다. 특히, 제2 개구부(250b)는 메사(220m)들의 긴 측면들에 인접하여 형성될 수 있다. 다만, 제1 및 제2 개구부(250a, 250b)의 위치, 크기 및 개수는 이에 한정되지 않으며, 후술하는 벌크 전극들(271, 273)이 형성되는 위치 등에 따라 다양하게 변형될 수 있다.The first openings 250a may be formed in at least one, for example, on each of the mesas 220m. Also, the first opening 250a may be formed at a position adjacent to one side of the growth substrate 210. The second openings 250b may be formed in a shape elongated along the direction in which the mesas 220m extend. In particular, the second opening 250b may be formed adjacent to long sides of the mesa 220m. However, the position, size, and number of the first and second openings 250a and 250b are not limited thereto, and may be variously changed according to the positions of the bulk electrodes 271 and 273 to be described later.

한편, 본 실시예에서, 메사(220m)를 형성한 후, 제2 컨택 전극(230)을 형성하는 것으로 설명하고 있으나, 이와 달리, 제2 컨택 전극(230)이 먼저 형성된 후에 메사(220m)를 형성할 수도 있다. In the present embodiment, the second contact electrode 230 is formed after the mesa 220m is formed. Alternatively, after the second contact electrode 230 is formed first, the mesa 220m may be formed. .

다음, 도 15를 참조하면, 제1 절연층(250) 상에 제1 컨택 전극(230)을 형성한다. 제1 컨택 전극(230)은 제1 개구부(250a)를 통해 노출된 제1 도전형 반도체층(221)과 오믹 컨택할 수 있다. 나아가, 제2 개구부(250b)를 통해 제2 컨택 전극(240)과 전기적으로 접촉되는 연결 전극(245)을 더 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 15, a first contact electrode 230 is formed on the first insulating layer 250. The first contact electrode 230 may be in ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 221 exposed through the first opening 250a. Furthermore, the connection electrode 245 may be further formed in electrical contact with the second contact electrode 240 through the second opening 250b.

제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)은 공지의 증착 및 패터닝 방법을 통해 형성될 수 있으며, 동시에 형성될 수도 있고, 별개의 공정을 통해 형성될 수도 있다. 제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)은 서로 동일한 물질 및 다층 구조로 형성될 수도 있고, 서로 다른 물질 및/또는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 제1 컨택 전극(230)과 연결 전극(245)은 서로 이격되며, 이에 따라, 제1 컨택 전극(230)과 제2 컨택 전극(240)은 서로 전기적으로 절연된다.The first contact electrode 230 and the connection electrode 245 may be formed through a known deposition and patterning method, may be formed simultaneously, or may be formed through separate processes. The first contact electrode 230 and the connection electrode 245 may be formed of the same material and a multi-layer structure, or may be formed of different materials and / or a multi-layer structure. The first and second contact electrodes 230 and 245 are spaced apart from each other so that the first and second contact electrodes 230 and 240 are electrically insulated from each other.

예를 들어, 제1 컨택 전극(230) 및/또는 연결 전극(245)은 각각 다층 구조를 포함할 수 있다. 상기 다층 구조는, 제1 접착층(오믹 컨택층)/반사층/베리어층/산화방지층/제2 접착층의 적층 구조를 가질 수 있다. 상기 제1 접촉층은 제1 도전형 반도체층(221) 및/또는 제2 컨택 전극(240)에 접촉하며, Ni, Ti, Cr등을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 광 반사율이 높은 금속을 포함할 수 있으며, 예컨대, Al, Ag 등을 포함할 수 있다. 상기 베리어층은 상기 반사층의 금속이 상호확산하는 것을 방지하며, Cr, Co, Ni, Pt, TiN의 단층으로 형성하거나, Ti, Mo, W과 함께 다층으로 형성될 수 있으며, 예컨대, Cr/Ti의 복층 구조를 가질 수 있다. 상기 산화방지층은 상기 산화방지층의 하부에 위치하는 다른 층들의 산화를 방지하며, 산화에 대한 내성이 강한 금속 물질을 포함할 수 있다. 상기 산화방지층은, 예컨대, Au, Pt, Ag등을 포함할 수 있다. 상기 제2 접착층은 제2 절연층(260)과 제1 도전형 반도체층(221)(또는, 제2 절연층(260)과 연결 전극(245)) 간의 접합력을 향상시키기 위하여 채택될 수 있으며, 예컨대, Ti, Ni, Cr 등을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the first contact electrode 230 and / or the connecting electrode 245 may each include a multi-layer structure. The multi-layer structure may have a laminated structure of a first adhesive layer (ohmic contact layer) / a reflective layer / a barrier layer / an anti-oxidation layer / a second adhesive layer. The first contact layer contacts the first conductive semiconductor layer 221 and / or the second contact electrode 240 and may include Ni, Ti, Cr, and the like. The reflective layer may include a metal having a high reflectance, for example, Al, Ag, or the like. The barrier layer prevents the metals of the reflective layer from interdiffusion. The barrier layer may be formed of a single layer of Cr, Co, Ni, Pt, or TiN or may be formed of multiple layers together with Ti, Layer structure. The antioxidant layer may include a metal material that prevents oxidation of other layers located under the antioxidant layer and is resistant to oxidation. The oxidation preventing layer may include, for example, Au, Pt, Ag and the like. The second adhesive layer may be employed to improve the bonding strength between the second insulating layer 260 and the first conductive type semiconductor layer 221 (or between the second insulating layer 260 and the connecting electrode 245) For example, Ti, Ni, Cr, or the like. However, the present invention is not limited thereto.

이와 달리, 연결 전극(245)은 생략될 수도 있다. 도 16에 도시된 바와 같이, 연결 전극(245)이 생략되는 경우, 제2 개구부(250b)를 통해 제2 컨택 전극(240)이 노출된다. 따라서, 이 경우, 제2 벌크 전극(173)은 제2 컨택 전극(240)과 직접적으로 접촉될 수 있다.Alternatively, the connecting electrode 245 may be omitted. As shown in FIG. 16, when the connecting electrode 245 is omitted, the second contact electrode 240 is exposed through the second opening 250b. Thus, in this case, the second bulk electrode 173 can be in direct contact with the second contact electrode 240.

이어서, 도 17을 참조하면, 제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)을 부분적으로 덮는 제2 절연층(260)을 형성한다. 제2 절연층(260)은 제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)을 각각 노출시키는 제3 개구부(260a) 및 제4 개구부(260b)를 포함할 수 있다. 나아가, 제2 절연층(260) 상에 응력완충층(265)이 더 형성될 수 있다.Referring to FIG. 17, a second insulating layer 260 is formed to partially cover the first contact electrode 230 and the connection electrode 245. The second insulating layer 260 may include a third opening 260a and a fourth opening 260b for exposing the first contact electrode 230 and the connecting electrode 245, respectively. Further, a stress buffer layer 265 may be further formed on the second insulating layer 260.

제2 절연층(260)은 PECVD, 전자선 증착(E-beam evaporation) 등의 공지의 증착 방법을 통해 형성될 수 있다. 이때, 제2 절연층(260)은 제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)을 전체적으로 덮도록 형성된 후, 패터닝 공정을 통해 제3 및 제4 개구부(260a, 260b)를 형성함으로써, 도시된 바와 같은 제2 절연층(260)이 제공될 수 있다. 상기 패터닝 공정은 사진 식각 공정 또는 리프트 오프 공정을 포함할 수 있다. 제2 절연층(260)은 SiO2, SiNx, MgF2 등을 포함할 수 있다. 나아가, 제2 절연층(260)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다. 제2 절연층(260)의 최상부층은 SiNx로 형성될 수 있다. 제2 절연층(260)의 최상부층이 SiNx로 형성됨으로써, 발광 구조체(220)로 습기가 침투하는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 제2 절연층(260)은 제1 절연층(250)에 비해 얇은 두께를 가질 수 있으며, 절연 내압을 확보하기 위하여 약 0.8㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The second insulating layer 260 may be formed by a known deposition method such as PECVD or E-beam evaporation. The second insulating layer 260 is formed to cover the first contact electrode 230 and the connection electrode 245 as a whole and then the third and fourth openings 260a and 260b are formed through a patterning process, A second insulating layer 260 may be provided. The patterning process may include a photolithography process or a lift-off process. The second insulating layer 260 may be formed of SiO 2 , SiN x , MgF 2 And the like. Further, the second insulating layer 260 may include multiple layers, and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked. The uppermost layer of the second insulating layer 260 may be formed of SiN x . Since the uppermost layer of the second insulating layer 260 is formed of SiN x , penetration of moisture into the light emitting structure 220 can be more effectively prevented. In addition, the second insulating layer 260 may have a thickness smaller than that of the first insulating layer 250, and may have a thickness of about 0.8 μm or more to secure the withstand voltage. However, the present invention is not limited thereto.

제3 및 제4 개구부(260a, 260b)는 각각 제1 컨택 전극(230) 및 연결 전극(245)을 노출시켜, 벌크 전극들(171, 173)이 제1 컨택 전극(230) 및 제2 컨택 전극(240)에 전기적으로 연결될 수 있는 통로를 제공할 수 있다.The third and fourth openings 260a and 260b expose the first contact electrode 230 and the connection electrode 245 so that the bulk electrodes 171 and 173 are electrically connected to the first contact electrode 230 and the second contact, And may provide a passageway that can be electrically connected to the electrode 240.

응력완충층(265)은 증착 또는 스핀 코팅 등의 방법을 통해 형성될 수 있고, 제2 절연층(260)과 동시에 패터닝될 수 있다. 이에 따라, 응력완충층(265)은 제3 및 제4 개구부(260a, 260b)에 대응하는 위치에 형성된 개구부들을 포함할 수 있다.The stress buffer layer 265 may be formed by a method such as vapor deposition or spin coating, and may be patterned simultaneously with the second insulating layer 260. Accordingly, the stress buffer layer 265 may include openings formed at positions corresponding to the third and fourth openings 260a and 260b.

도 18 및 도 19를 참조하면, 제2 절연층(260) 상에 제1 벌크 전극(171), 제2 벌크 전극(173) 및 하부 절연지지체(183)를 형성한다.Referring to FIGS. 18 and 19, a first bulk electrode 171, a second bulk electrode 173, and a lower insulating support 183 are formed on a second insulating layer 260.

구체적으로, 도 18을 참조하면, 벌크 전극 형성용 몰드(310)를 이용하여 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성되는 영역을 정의하여, 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273)을 형성할 수 있다. 벌크 전극 형성용 몰드(310)는 패터닝이 가능한 몰드일 수 있으며, 예컨대, 감광성 폴리이미드, SU-8, 도금용 포토레지스트, 또는 드라이 필름을 포함할 수 있다.18, a region where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed is defined by using the mold 310 for forming the bulk electrode, so that the first bulk electrode 271 and the second The bulk electrode 273 can be formed. The bulk electrode forming mold 310 may be a patternable mold and may include, for example, a photosensitive polyimide, SU-8, a photoresist for plating, or a dry film.

제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)은 도금, 증착, 도팅 또는 스크린 프린팅 방법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 한편, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하는 것은, 제1 금속층(271s) 및 제2 금속층(273s)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 제1 금속층(271s) 및 제2 금속층(273s)은 각각 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 하부에 위치하여, 제1 컨택 전극(230), 연결 전극(245), 절연층들(250, 260) 및 응력완충층(265)과 접할 수 있다. 제1 금속층(271s) 및 제2 금속층(273s)은 벌크 전극들(271, 273)의 형성 방법에 따라 달라질 수 있다.The first and second bulk electrodes 271 and 273 may be formed using a plating method, a deposition method, a dipping method, a screen printing method, or the like. On the other hand, forming the first and second bulk electrodes 271 and 273 may include forming the first metal layer 271s and the second metal layer 273s. The first metal layer 271s and the second metal layer 273s are located below the first and second bulk electrodes 271 and 273 and are electrically connected to the first contact electrode 230, the connection electrode 245, (250, 260) and the stress buffer layer (265). The first metal layer 271s and the second metal layer 273s may be different depending on the method of forming the bulk electrodes 271 and 273.

다음, 도 19를 참조하면, 벌크 전극 형성용 몰드(310)를 제거하고, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 측면을 적어도 부분적으로 덮는 하부 절연지지체(283)를 형성한다. 하부 절연지지체(283)는, 예를 들어, EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질를 스크린 프린팅, 스핀 코팅과 같은 공지의 방법을 통해 형성함으로써 제공될 수 있다. Next, referring to FIG. 19, the mold 310 for forming a bulk electrode is removed, and a lower insulating support body 283 is formed which at least partially covers the sides of the first and second bulk electrodes 271 and 273. The lower insulating support 283 can be provided by forming a material such as an EMC (Epoxy Molding Compound) or a Si resin through a known method such as screen printing or spin coating.

본 실시예의 발광 소자 제조 방법은, 하부 절연지지체(283) 형성 후, 제1 벌크 전극(271), 제2 벌크 전극(273) 및 하부 절연지지체(283)의 상면을 평탄화하는 것을 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 벌크 전극(271), 제2 벌크 전극(273) 및 하부 절연지지체(283)의 상면들은 대체로 평평하게(flush) 형성될 수 있다. 제1 벌크 전극(271), 제2 벌크 전극(273) 및 하부 절연지지체(283)를 평탄화하는 것은, 그라인딩, 래핑, CMP, 및 습식 식각 중 적어도 하나의 방법을 이용하는 것을 포함할 수 있다.The method of manufacturing a light emitting device of the present embodiment may further include planarizing the upper surface of the first bulk electrode 271, the second bulk electrode 273 and the lower insulating support 283 after forming the lower insulating support 283 have. Accordingly, the upper surfaces of the first bulk electrode 271, the second bulk electrode 273, and the lower insulating support body 283 can be formed to be substantially flush. Planarizing the first bulk electrode 271, the second bulk electrode 273 and the lower insulating support 283 may include using at least one of grinding, lapping, CMP, and wet etching.

이하, 제1 벌크 전극(271), 제2 벌크 전극(273) 및 하부 절연지지체(283)를 형성하는 것을 더욱 구체적으로 설명한다. 도금을 이용하여 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하는 경우, 응력완충층(265), 제3 개구부(260a) 및 제4 개구부(260b)의 전면에 스퍼터링과 같은 방법으로 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)을 형성한다. 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)은 Ti, Cu, Au, Cr 등을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)은 UBM층(under bump metallization layer) 또는 시드 메달과 같은 역할을 할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)은 Ti/Cu 적층 구조를 가질 수 있다. 이어서, 제1 및 제2 금속층(271s, 273s) 상에 마스크를 형성하되, 상기 마스크는 벌크 전극 형성용 몰드(310)일 수 있다. 상기 벌크 전극 형성용 몰드(310)는 하부 절연지지체(283)가 형성되는 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성되는 영역을 오픈한다. 다음, 도금 공정을 통해 상기 마스크의 오픈 영역 내에 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하되, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)은 각각 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)을 시드로 형성될 수 있다. 이후 식각 공정을 통해 상기 벌크 전극 형성용 몰드(310) 및 벌크 전극 형성용 몰드(310)의 하부에 위치하는 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 일부를 제거함으로써 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 제공될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)은 제1 및 제2 벌크 전극(281, 283) 하부에 잔류할 수 있다.Hereinafter, formation of the first bulk electrode 271, the second bulk electrode 273 and the lower insulating support 283 will be described in more detail. When the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed by plating, the entire surface of the stress buffer layer 265, the third opening 260a, and the fourth opening 260b is formed by sputtering, And second metal layers 271s and 273s are formed. The first and second metal layers 271s and 273s may include Ti, Cu, Au, Cr and the like. The first and second metal layers 271s and 273s may be formed of a UBM layer (under bump metallization layer) Can play the same role. For example, the first and second metal layers 271s and 273s may have a Ti / Cu laminated structure. Next, a mask is formed on the first and second metal layers 271s and 273s, and the mask may be a mold 310 for forming a bulk electrode. The bulk electrode forming mold 310 masks a portion corresponding to a region where the lower insulating support body 283 is formed and opens a region where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed. Next, first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed in an open region of the mask through a plating process, wherein the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed by first and second metal layers 271s , 273s may be formed as a seed. The first and second bulk electrodes 271 and 273 located under the mold 310 for forming the bulk electrode and the mold 310 for forming the bulk electrode are removed through an etching process, Bulk electrodes 271 and 273 may be provided. Accordingly, the first and second metal layers 271s and 273s may remain under the first and second bulk electrodes 281 and 283, respectively.

또한, 스크린 프린팅 방법을 이용하여 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)을 형성하는 경우는 다음과 같다. 응력완충층(265), 제3 개구부(260a) 및 제4 개구부(260b)의 적어도 일부 상에, 스퍼터링과 같은 증착 및 패터닝 방식, 또는 증착 및 리프트 오프 방법을 통해 UBM층을 형성한다. 상기 UBM층은 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성될 영역 상에 형성될 수 있으며, (Ti 또는 TiW)층과 (Cu, Ni, Au 단일층 또는 조합)층을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 UBM층은 Ti/Cu 적층 구조를 가질 수 있다. 상기 UBM층은 제1 및 제2 금속층(271s, 273s)에 대응할 수 있다. 이어서, 마스크를 형성하되, 상기 마스크는 하부 절연지지체(283)가 형성되는 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고, 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 형성되는 영역을 오픈한다. 다음, 스크린 프린팅 공정을 통해 Ag 페이스트, Au 페이스트, Cu 페이스트와 같은 물질을 상기 오픈 영역 내에 형성하고, 이를 경화시킨다. 이후 식각 공정을 통해 상기 마스크를 제거함으로써 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 제공될 수 있다.The first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed using a screen printing method as follows. A UBM layer is formed on at least a part of the stress buffer layer 265, the third opening 260a and the fourth opening 260b through a deposition and patterning method such as sputtering or a deposition and lift-off method. The UBM layer may be formed on a region where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are to be formed and may include a (Ti or TiW) layer and a (Cu, Ni, Au single layer or a combination) have. For example, the UBM layer may have a Ti / Cu laminated structure. The UBM layer may correspond to the first and second metal layers 271s and 273s. Then, a mask is formed, and the mask masks a portion corresponding to the region where the lower insulating support body 283 is formed, and opens the region where the first and second bulk electrodes 271 and 273 are formed. Subsequently, a material such as an Ag paste, an Au paste, and a Cu paste is formed in the open area through a screen printing process, and is cured. The first and second bulk electrodes 271 and 273 may then be provided by removing the mask through an etching process.

제1 벌크 전극(271)은, 제1 벌크 전극(271)의 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 측면으로부터 돌출된 제1 돌출부(271a)를 포함하고, 상기 제1 돌출부(271a)로부터 제2 벌크 전극(273)을 향해 더 돌출되는 제2 돌출부(271b)를 포함한다. 제2 벌크 전극(273)은 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 측면으로부터 함입된 제1 오목부(273a)를 포함하고, 상기 제1 오목부(273a)로부터 함입된 제2 오목부(273b)를 포함한다. 이에 따라, 제1 벌크 전극(171)의 수평 단면적은 제2 벌크 전극(173)의 수평 단면적에 비해 클 수 있다.The first bulk electrode 271 includes a first protrusion 271a protruding from the side opposite to the first and second bulk electrodes 271 and 273 of the first bulk electrode 271, And a second protrusion 271b that further protrudes from the protrusion 271a toward the second bulk electrode 273. [ The second bulk electrode 273 includes a first concave portion 273a embedded from the side where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other and the second concave portion 273a is embedded from the first concave portion 273a And a second concave portion 273b. Accordingly, the horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode 171 may be larger than the horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode 173.

또한, 돌출부들(271a, 271b)과 오목부들(273a, 273b)은 대체로 서로 맞물리는 형태로 형성될 수 있다. 제1 돌출부(271a)는 제1 오목부(273a)에 의해 함입된 부분에 대응하여 위치할 수 있고, 제2 돌출부(271b)는 제2 오목부(273b)에 의해 함입된 부분에 대응하여 위치할 수 있다. 이에 따라, 제1 벌크 전극(271)과 제2 벌크 전극(273)이 서로 대향하는 측면들 간의 이격 거리는, 대체로 일정하게 유지될 수 있다. 나아가, 제2 돌출부(271b)의 폭은 제1 돌출부(271a)의 폭보다 작을 수 있다. In addition, the protrusions 271a and 271b and the recesses 273a and 273b may be formed to be substantially in mesh with each other. The first projection 271a may be positioned corresponding to the portion recessed by the first recess 273a and the second projection 271b may be positioned corresponding to the portion recessed by the second recess 273b. can do. Accordingly, the distance between the side faces of the first bulk electrode 271 and the second bulk electrode 273 facing each other can be kept substantially constant. Furthermore, the width of the second projection 271b may be smaller than the width of the first projection 271a.

제2 돌출부(271b)는 다양한 형상을 가질 수 있으며, 제2 돌출부(271b)는 발광 소자의 중심부(200c)를 원점으로 하고 직경이 약 50㎛이상 약 150㎛이하인 내접원(200ic)을 갖는 다각형, 원형 또는 타원형의 적어도 일부로 형성될 수 있다. 예컨대, 도시된 바와 같이, 제2 돌출부(271b)는 발광 소자의 중심부(200c)를 원점으로 하는 내접원(200ic)에 대응하는 원호를 포함하는 형상을 가질 수 있다. 제1 및 제2 오목부(273a, 273b)의 형상은 제1 및 제2 돌출부(271a, 271b)의 형상에 대응하도록 형성될 수 있다. The second protrusion 271b may have various shapes and the second protrusion 271b may be a polygon having an inscribed circle 200ic whose center is the center portion 200c of the light emitting element and whose diameter is about 50 μm or more and about 150 μm or less, Circular, or elliptical shape. For example, as shown in the figure, the second protrusion 271b may have a shape including an arc corresponding to the inscribed circle 200ic having the center portion 200c of the light emitting element as its origin. The shapes of the first and second concave portions 273a and 273b may be formed to correspond to the shapes of the first and second projecting portions 271a and 271b.

제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선(D6-D6')은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가질 수 있다. 상기 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 갖는 가상선(D6-D6')은 돌출부들(271a, 271b) 및 오목부들(273a, 273b)의 형상 및 배치로부터 도출될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 가상선(D6-D6')의 시작점과 끝점은 동일 선상에 위치할 수 있다.The imaginary lines D6-D6 'extending along the spacing regions of the portions where the first and second bulk electrodes 271 and 273 face each other may have at least one folded portion. The imaginary lines D6-D6 'having the at least one folded portion can be derived from the shape and arrangement of the protrusions 271a, 271b and the recesses 273a, 273b, no. The start point and the end point of the imaginary lines D6-D6 'may be located on the same line.

한편, 제1 벌크 전극(271)의 돌출부들(271a, 271b)은 발광 소자의 중심부(200c)와 수직방향으로 중첩되는 위치에 위치할 수 있다. 특히, 본 실시예에 있어서, 제2 돌출부(271b)는 발광 소자의 중심부(200c)를 원점으로 하는 내접원(200ic)에 접하는 다각형, 원형 또는 타원형의 적어도 일부로 형성되어, 발광 소자의 중심부(200c)와 수직방향으로 중첩되어 위치한다. 이에 따라, 발광 소자 제조 과정에서 절연지지체(280)에 크랙이 발생하거나 절연지지체(280)가 파손되는 것을 방지할 수 있어, 발광 소자의 제조 수율을 향상시킬 수 있다. 이와 관련하여서는, 후술하여 더욱 상세하게 설명한다. 또한, 돌출부들(271a, 271b)가 발광 소자의 중심부(200c)와 수직방향으로 중첩되어, 절연지지체(280)의 크랙 및 파손을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 외부 충격에 대한 발광 소자의 강도를 향상시킬 수 있고, 외부에서 인가되는 스트레스 등으로 인한 휨 모멘텀에 대한 강도를 더욱 향상시킬 수 있다. 특히, 제2 돌출부(271b)에 의해 발광 소자 중심부(200c)의 수직방향 주변 영역이 제1 벌크 전극(271)으로 커버됨으로써, 더욱 효과적으로 발광 소자의 기계적 안정성을 향상시킬 수 있다.On the other hand, the protrusions 271a and 271b of the first bulk electrode 271 may be positioned at positions overlapping with the center portion 200c of the light emitting device in the vertical direction. Particularly, in this embodiment, the second projecting portion 271b is formed at least in part of a polygonal, circular or elliptic shape in contact with the inscribed circle 200ic having the center portion 200c of the light emitting element as its origin, In the vertical direction. Accordingly, it is possible to prevent a crack from being generated in the insulating support body 280 or breakage of the insulating support body 280 in the process of manufacturing the light emitting element, and the yield of manufacturing the light emitting element can be improved. In this regard, it will be described later in more detail. In addition, the protrusions 271a and 271b are superimposed on the central portion 200c of the light emitting element in the vertical direction, thereby effectively preventing the insulating support body 280 from cracking and breaking. Accordingly, the strength of the light emitting element against an external impact can be improved, and the strength against the bending moment due to stress applied from the outside can be further improved. Particularly, since the peripheral region of the light emitting element center portion 200c in the vertical direction is covered with the first bulk electrode 271 by the second projection 271b, the mechanical stability of the light emitting element can be improved more effectively.

이어서, 도 20을 참조하면, 하부 절연지지체(283) 및 벌크 전극들(271, 273) 상에 제1 패드 전극(291), 제2 패드 전극(293) 및 상부 절연지지체(281)를 더 형성할 수 있다.20, a first pad electrode 291, a second pad electrode 293 and an upper insulating support 281 are further formed on the lower insulating support 283 and the bulk electrodes 271 and 273 can do.

제1 및 제2 패드 전극(291, 293)은 증착 및 패터닝 공정을 통해 각각 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273) 상에 형성될 수 있다. 상부 절연지지체(281)는 제1 및 제2 패드 전극(291, 293)의 측면을 감쌀수 있다. 상부 절연지지체(281)가 형성됨으로써, 상부 절연지지체(281) 및 하부 절연지지체(283)를 포함하는 절연지지체(280)가 제공될 수 있다. 상부 절연지지체(281)는 하부 절연지지체(283)와 동일한 물질로 형성될 수도 있고, 또는 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다.The first and second pad electrodes 291 and 293 may be formed on the first and second bulk electrodes 271 and 273 through a deposition and patterning process, respectively. The upper insulating support 281 may cover the sides of the first and second pad electrodes 291 and 293. By forming the upper insulating support 281, an insulating support 280 including the upper insulating support 281 and the lower insulating support 283 can be provided. The upper insulating support 281 may be formed of the same material as the lower insulating support 283, or may be formed of a different material.

다음, 도 21을 참조하면, 성장 기판(210)을 발광 구조체(220)로부터 분리할 수 있다. 성장 기판(210)은 레이저 리프트 오프, 화학적 리프트 오프, 열적 리프트 오프 및 스트레스 리프트 오프 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 제1 도전형 반도체층(221)으로부터 분리되어 제거될 수 있다. 성장 기판(210) 분리 후, 건식 식각, 습식 식각, 물리적 방법, 화학적 방법, 및 물리화학적 방법 중 적어도 하나의 방법을 통해 성장 기판(210)이 분리되어 노출된 제1 도전형 반도체층(221) 표면이 부분적으로 제거될 수 있다.Next, referring to FIG. 21, the growth substrate 210 may be separated from the light emitting structure 220. The growth substrate 210 may be removed from the first conductive semiconductor layer 221 using at least one of laser lift off, chemical lift off, thermal lift off, and stress lift off. After the growth substrate 210 is separated, the growth substrate 210 is separated and exposed through at least one of dry etching, wet etching, physical method, chemical method, and physicochemical method to form a first conductive type semiconductor layer 221, The surface can be partially removed.

한편, 성장 기판(210)을 제거하기 전에, 임시 기판(미도시)을 성장 기판(210)의 반대측에 본딩할 수 있다. 성장 기판(210) 분리 과정에서, 상기 임시 기판은 발광 소자를 지지하는 역할을 한다. 이에 따라, 성장 기판(210)이 분리되는 과정에서 발생하는 스트레스 및 스트레인에 의해 발광 소자에 결함이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 특히, 복수의 발광 소자를 제조하기 위해 웨이퍼 단위로 대면적으로 성장 기판을 분리하는 경우, 성장 기판(210) 분리 과정에서 발광 구조체(220) 등에 크랙 또는 파손이 발생하여 발광 소자의 불량이 확률이 높다. 임시 기판은 이러한 경우에 특히 발광 소자의 불량을 방지할 수 있다. 예컨대, 도 22에 도시된 바와 같이, 복수의 발광 소자를 제조하는 경우에 임시 기판(320)이 적용될 수 있다.On the other hand, before removing the growth substrate 210, a temporary substrate (not shown) may be bonded to the opposite side of the growth substrate 210. In the process of separating the growth substrate 210, the temporary substrate supports the light emitting device. Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of defects in the light emitting device due to stress and strain generated in the process of separating the growth substrate 210. Particularly, when a growth substrate is separated in a large area in units of wafers to manufacture a plurality of light emitting devices, a crack or breakage occurs in the light emitting structure 220 or the like in the process of separating the growth substrate 210, high. In this case, the temporary substrate can prevent defects of the light emitting element in particular. For example, as shown in FIG. 22, a temporary substrate 320 may be applied when a plurality of light emitting devices are manufactured.

웨이퍼 단위로 복수의 발광 소자를 제조하는 경우, 성장 기판(210) 분리 후, 단위 소자 영역의 사이 부분이 부분적으로 제거될 수 있다. 도 22(a)에 도시된 바와 같이, 복수의 발광 소자를 제조하는 경우, 성장 기판(210)이 분리된 웨이퍼(W1)는 임시 기판(320) 상에 위치될 수 있다. 이때, 웨이퍼(W1)는 복수의 단위 소자(UD)를 포함할 수 있고, 복수의 단위 소자(UD)들의 사이의 경계(L1)는 분할 영역(331)으로 정의될 수 있다. 도 22(b)에 도시된 바와 같이, 상기 분할 영역(331)은 부분적으로 제거되어, 복수의 단위 소자(UD)들의 사이에는 분할 홈(333)이 형성될 수 있다. 분할 홈(333)은 건식 식각 등의 방법을 통해 제1 도전형 반도체층(221)을 적어도 부분적으로 제거함으로써 형성될 수 있다. 웨이퍼(W1)를 단위 발광 소자로 분할하기 전에, 제1 도전형 반도체층(221)이 부분적으로 제거된 분할 홈(333)을 형성함으로써, 웨이퍼(W1)를 단위 발광 소자로 분할하는 과정에서 발광 구조체(220)에 치핑(chipping)이 발생하거나, 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 다만, 분할 홈(333)을 형성하는 공정은 생략될 수도 있다.In the case of manufacturing a plurality of light emitting devices on a wafer-by-wafer basis, after the growth substrate 210 is separated, a portion between the unit device regions can be partially removed. 22 (a), when a plurality of light emitting devices are manufactured, the wafer W1 from which the growth substrate 210 has been separated may be placed on the temporary substrate 320. [ At this time, the wafer W1 may include a plurality of unit elements UD, and the boundary L1 between the plurality of unit elements UD may be defined as a divided area 331. [ As shown in FIG. 22 (b), the division region 331 is partially removed, and a division groove 333 may be formed between the plurality of unit elements UD. The dividing groove 333 may be formed by at least partially removing the first conductive type semiconductor layer 221 through a method such as dry etching. The dividing grooves 333 in which the first conductivity type semiconductor layer 221 is partially removed are formed before the wafer W1 is divided into the unit light emitting elements so that in the process of dividing the wafer W1 into unit light emitting elements, It is possible to prevent chipping or cracks from being generated in the structure 220. However, the step of forming the dividing groove 333 may be omitted.

이어서, 도 23을 참조하면, 발광 구조체(220) 상에 파장변환부(295)를 형성할 수 있다. 또한, 파장변환부(295)를 형성하기 전에, 발광 구조체(220)의 표면의 거칠기를 증가시켜, 거칠어진 표면(220R)을 더 형성할 수 있다. 이에 따라, 도 23에 도시된 바와 같은 발광 소자가 제공될 수 있다.Referring to FIG. 23, a wavelength conversion portion 295 may be formed on the light emitting structure 220. Further, before forming the wavelength converting portion 295, the roughness of the surface of the light emitting structure 220 can be increased to further form the rough surface 220R. Thus, a light emitting device as shown in Fig. 23 can be provided.

파장변환부(295)는 광의 파장을 변환시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 파장변환부(295)는 담지체 내에 형광체가 분산된 형태로 제공될 수 있고, 또는 단결정 형광체 시트 형태로 제공될 수도 있으며, 또는 양자점 물질을 포함하는 형태로 제공될 수도 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 발광 소자가 파장변환부(295)를 포함함으로써, 백색광을 방출할 수 있는 칩 스케일 패키지가 제공될 수 있다. 파장변환부(295)는 발광 구조체(220)의 상면뿐만 아니라, 발광 구조체(220)의 측면까지 연장되어 형성될 수 있고, 나아가, 절연지지체(280)의 측면까지 더 연장되어 형성될 수도 있다. 파장변환부(295)는 도포 및 경화하는 방법을 통해 형성될 수도 있고, 스프레이 방식을 통해 형성될 수도 있으며, 이외 공지의 방법을 통해 형성될 수도 있다. The wavelength converter 295 may include a material capable of changing the wavelength of the light. For example, the wavelength converter 295 may be provided in a form that the phosphor is dispersed in the carrier, Or may be provided in a form including a quantum dot material. However, the present invention is not limited thereto. By including the wavelength converting portion 295 in the light emitting element of this embodiment, a chip scale package capable of emitting white light can be provided. The wavelength converting portion 295 may extend not only to the upper surface of the light emitting structure 220 but also to the side surface of the light emitting structure 220 and further extend to the side surface of the insulating supporting body 280. The wavelength converting portion 295 may be formed by a method of applying and curing, by a spray method, or by a known method.

거칠어진 표면(220R)은 습식 식각, 건식 식각, 전기화학 식각 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, PEC 식각 또는 KOH 및 NaOH를 포함하는 식각 용액을 이용한 식각 방법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(220)는 제1 도전형 반도체층(221)의 표면에 형성된 ㎛ 내지 nm 스케일의 돌출부 및/또는 오목부를 포함할 수 있다. 거칠어진 표면(220R)에 의해 발광 구조체(220)에서 방출된 광의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.The rough surface 220R may be formed using at least one of wet etching, dry etching, and electrochemical etching. For example, the rough surface 220R may be etched using PEC etching or an etching solution including KOH and NaOH . Accordingly, the light emitting structure 220 may include protrusions and / or recesses on the surface of the first conductivity type semiconductor layer 221 formed on the surface of the first conductivity type semiconductor layer 221. The light extraction efficiency of the light emitted from the light emitting structure 220 by the roughened surface 220R can be improved.

한편, 파장변환부(295) 형성 후, 발광 소자의 표면을 적어도 부분적으로 덮는 패시베이션층(미도시)을 더 형성할 수도 있다.On the other hand, after forming the wavelength converter 295, a passivation layer (not shown) may be further formed to at least partially cover the surface of the light emitting device.

한편, 도 23에 도시된 발광 소자는 복수의 단위 소자(UD)를 포함하는 웨이퍼(W2)로부터 제조될 수 있다. 도 24 및 도 25를 참조하면, 도 24(a)에 도시된 바와 같이, 임시 기판(320)에 본딩된 복수의 단위 소자(UD)를 포함하는 웨이퍼(W2)가 준비되고, 상기 웨이퍼(W2)는 분할 공정을 위한 제1 지지체(340) 상에 위치될 수 있다. 상기 제1 지지체(340)는 다이싱 테이프를 포함할 수 있다. 이어서, 도 24(b)를 참조하면, 임시 기판(320)을 웨이퍼(W2)로부터 분리하고, 웨이퍼(W2)를 분할선(L2)에 따라 다이싱한다. 분할선(L2)은 복수의 단위 소자(UD)의 경계에 대응한다. 다음, 복수로 분리된 복수의 단위 소자들(UD)을 픽업하여 다음 공정을 진행하기 위하여, 제1 지지체(340)로부터 제2 지지체(340a)로 전사할 수 있다. 제2 지지체(340a) 역시 다이싱 테이프를 포함할 수 있다. 이때, 도 24(c)에 도시된 바와 같이, 제2 지지체(340a)가 다이싱 테이프인 경우, 일 단위 소자(UD1)를 픽업하는 것은, 다이싱 테이프(제2 지지체(340a))의 하부에서 이젝터(ejector) 핀(350)을 이용하여 상기 일 단위 소자(UD1)를 상부로 밀어내는 것을 포함할 수 있다.On the other hand, the light emitting element shown in Fig. 23 can be manufactured from the wafer W2 including a plurality of unit elements UD. 24 and 25, a wafer W2 including a plurality of unit elements UD bonded to a temporary substrate 320 is prepared as shown in FIG. 24 (a), and the wafer W2 May be located on the first support 340 for the splitting process. The first support 340 may include a dicing tape. 24 (b), the temporary substrate 320 is separated from the wafer W2, and the wafer W2 is diced along the dividing line L2. The dividing line L2 corresponds to the boundary of a plurality of unit elements UD. Next, in order to pick up a plurality of the plurality of unit elements UD separated and proceed to the next process, it may be transferred from the first support 340 to the second support 340a. The second support 340a may also include a dicing tape. 24 (c), when the second support body 340a is a dicing tape, picking up the one unit element UD1 is carried out only when the dicing tape (the second support body 340a) And pushing the one unit element UD1 upward by using an ejector pin 350. [

이 과정에서, 이젝터 핀(350)은 발광 소자 하부의 일 부분에 충격을 가하게된다. 도 24(c) 및 도 25에 도시된 바와 같이, 이젝터 핀(350)의 핀 포인트에 의해 충격이 가해지는 부분(PP)으로부터, 수직 방향(C1)을 따라 스트레스가 전파될 수 있다. 이에 따라, 상기 이젝터 핀(350)의 핀 포인트에 의해 충격이 가해지는 부분(PP)과 그 수직 방향(C1)에 중첩되는 영역들에 스트레스가 집중될 수 있다. 이때, 핀 포인트에 의해 충격이 가해지는 부분(PP)은 발광 소자의 중심부(200c)와 대체로 일치할 수 있다. 발광 소자의 중심부(200c)와 수직 방향(C1)으로 중첩되는 부분에 절연지지체(280)가 위치하는 경우, 특히, 절연지지체(280) 중에서 제1 및 제2 벌크 전극(271, 273)의 사이에 위치하는 부분이 발광 소자의 중심부(200c)와 수직 방향(C1)으로 중첩되는 경우, 절연지지체(280)에 쉽게 크랙이 발생하여 제조된 발광 소자의 불량이 발생할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 도 25의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 발광 소자의 중심부(200c, 핀 포인트에 의해 충격이 가해지는 부분(PP)에 대체로 대응함)와 수직 방향(C1)으로 중첩되는 부분에는 제1 벌크 전극(271), 특히, 돌출부(271a, 271b)가 위치함으로써, 이젝터 핀(350)에 의한 절연지지체(280)의 불량을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 제2 돌출부(271b)가 발광 소자의 중심부(200c)를 원점으로 하는 직경이 약 50㎛이상인 내접원(200ic)을 갖는 다각형, 원형 또는 타원형으로 형성되는 경우, 이젝터 핀(350)에 의한 충격으로 발생하는 스트레스를 흡수 및 완화시켜 절연지지체(280)에 스트레스가 인가되어 불량이 발생하는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.In this process, the ejector pin 350 impacts a part of the lower part of the light emitting element. The stress can propagate along the vertical direction C1 from the portion PP impacted by the pin point of the ejector pin 350 as shown in Fig. 24 (c) and Fig. Accordingly, stress can be concentrated on the portion PP that is impacted by the pin point of the ejector pin 350 and the regions overlapping the vertical direction C1. At this time, the portion PP that is impacted by the pin point can substantially coincide with the center portion 200c of the light emitting element. Particularly when the insulating support body 280 is located at a portion overlapping with the center portion 200c of the light emitting element in the vertical direction C1 and particularly between the first and second bulk electrodes 271 and 273 in the insulating support body 280 A crack may easily occur in the insulating support body 280, resulting in a failure of the manufactured light emitting device. According to this embodiment, as shown in Figs. 25A and 25B, the center portion 200c of the light emitting element (corresponding generally to the portion PP impacted by the pin point) and the vertical direction C1 The protruding portions 271a and 271b are positioned at the portions where the ejector pins 350 are overlapped with the first bulk electrodes 271 and particularly the protruding portions 271a and 271b can effectively prevent the failure of the insulating support body 280 by the ejector pins 350. [ When the second projecting portion 271b is formed in a polygonal, circular or elliptic shape having an inscribed circle 200ic having a diameter of about 50 mu m or more with the center portion 200c of the light emitting element as the origin, the impact caused by the ejector pin 350 It is possible to more effectively prevent the occurrence of defects due to the stress applied to the insulating support body 280.

또한, 본 실시예에 따르면, 상술한 다른 실시예들과 유사하게 기계적 안정성이 우수하며, 열 방출 효율이 높은 발광 소자가 제공될 수 있다.Also, according to this embodiment, a light emitting device having excellent mechanical stability and high heat emission efficiency similar to the above-described other embodiments can be provided.

도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.26 is an exploded perspective view for explaining an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a lighting device.

도 26을 참조하면, 본 실시예에 따른 조명 장치는, 확산 커버(1010), 발광 소자 모듈(1020) 및 바디부(1030)를 포함한다. 바디부(1030)는 발광 소자 모듈(1020)을 수용할 수 있고, 확산 커버(1010)는 발광 소자 모듈(1020)의 상부를 커버할 수 있도록 바디부(1030) 상에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 26, the illumination device according to the present embodiment includes a diffusion cover 1010, a light emitting device module 1020, and a body part 1030. The body 1030 may receive the light emitting module 1020 and the diffusion cover 1010 may be disposed on the body 1030 to cover the upper portion of the light emitting module 1020.

바디부(1030)는 발광 소자 모듈(1020)을 수용 및 지지하여, 발광 소자 모듈(1020)에 전기적 전원을 공급할 수 있는 형태이면 제한되지 않는다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 바디부(1030)는 바디 케이스(1031), 전원 공급 장치(1033), 전원 케이스(1035), 및 전원 접속부(1037)를 포함할 수 있다. The body part 1030 is not limited as long as it can receive and support the light emitting element module 1020 and supply the electric power to the light emitting element module 1020. For example, as shown, the body portion 1030 may include a body case 1031, a power supply 1033, a power supply case 1035, and a power connection 1037. [

전원 공급 장치(1033)는 전원 케이스(1035) 내에 수용되어 발광 소자 모듈(1020)과 전기적으로 연결되며, 적어도 하나의 IC칩을 포함할 수 있다. 상기 IC칩은 발광 소자 모듈(1020)로 공급되는 전원의 특성을 조절, 변환 또는 제어할 수 있다. 전원 케이스(1035)는 전원 공급 장치(1033)를 수용하여 지지할 수 있고, 전원 공급 장치(1033)가 그 내부에 고정된 전원 케이스(1035)는 바디 케이스(1031)의 내부에 위치할 수 있다. 전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035)의 하단에 배치되어, 전원 케이스(1035)와 결속될 수 있다. 이에 따라, 전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035) 내부의 전원 공급 장치(1033)와 전기적으로 연결되어, 외부 전원이 전원 공급 장치(1033)에 공급될 수 있는 통로 역할을 할 수 있다.The power supply unit 1033 is accommodated in the power supply case 1035 and is electrically connected to the light emitting device module 1020, and may include at least one IC chip. The IC chip may control, convert, or control the characteristics of the power supplied to the light emitting device module 1020. The power supply case 1035 can receive and support the power supply device 1033 and the power supply case 1035 in which the power supply device 1033 is fixed can be located inside the body case 1031 . The power connection portion 115 is disposed at the lower end of the power source case 1035 and can be connected to the power source case 1035. [ The power connection unit 115 may be electrically connected to the power supply unit 1033 in the power supply case 1035 and may serve as a path through which external power may be supplied to the power supply unit 1033. [

발광 소자 모듈(1020)은 기판(1023) 및 기판(1023) 상에 배치된 발광 소자(1021)를 포함한다. 발광 소자 모듈(1020)은 바디 케이스(1031) 상부에 마련되어 전원 공급 장치(1033)에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting element module 1020 includes a substrate 1023 and a light emitting element 1021 disposed on the substrate 1023. The light emitting device module 1020 is provided on the body case 1031 and can be electrically connected to the power supply device 1033.

기판(1023)은 발광 소자(1021)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 배선을 포함하는 인쇄회로기판일 수 있다. 기판(1023)은 바디 케이스(1031)에 안정적으로 고정될 수 있도록, 바디 케이스(1031) 상부의 고정부에 대응하는 형태를 가질 수 있다. 발광 소자(1021)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The substrate 1023 is not limited as long as it is a substrate capable of supporting the light emitting element 1021, and may be, for example, a printed circuit board including wiring. The substrate 1023 may have a shape corresponding to the fixing portion on the upper portion of the body case 1031 so as to be stably fixed to the body case 1031. [ The light emitting device 1021 may include at least one of the light emitting devices according to the embodiments of the present invention described above.

확산 커버(1010)는 발광 소자(1021) 상에 배치되되, 바디 케이스(1031)에 고정되어 발광 소자(1021)를 커버할 수 있다. 확산 커버(1010)는 투광성 재질을 가질 수 있으며, 확산 커버(1010)의 형태 및 광 투과성을 조절하여 조명 장치의 지향 특성을 조절할 수 있다. 따라서 확산 커버(1010)는 조명 장치의 이용 목적 및 적용 태양에 따라 다양한 형태로 변형될 수 있다.The diffusion cover 1010 is disposed on the light emitting element 1021 and may be fixed to the body case 1031 to cover the light emitting element 1021. [ The diffusion cover 1010 may have a light-transmitting material and may control the shape and the light transmittance of the diffusion cover 1010 to control the directivity characteristics of the illumination device. Accordingly, the diffusion cover 1010 can be modified into various forms depending on the purpose and application of the illumination device.

도 27은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다. 27 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.

본 실시예의 디스플레이 장치는 표시패널(2110), 표시패널(2110)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU1) 및, 상기 표시패널(2110)의 하부 가장자리를 지지하는 패널 가이드(2100)를 포함한다.The display device of this embodiment includes a display panel 2110, a backlight unit BLU1 for providing light to the display panel 2110 and a panel guide 2100 for supporting the lower edge of the display panel 2110. [

표시패널(2110)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(2110)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB(2112, 2113)는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다.The display panel 2110 is not particularly limited and may be, for example, a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer. At the edge of the display panel 2110, a gate driving PCB for supplying a driving signal to the gate line may be further disposed. Here, the gate driving PCBs 2112 and 2113 are not formed on a separate PCB, but may be formed on a thin film transistor substrate.

백라이트 유닛(BLU1)은 적어도 하나의 기판(2150) 및 복수의 발광 소자(2160)를 포함하는 광원 모듈을 포함한다. 나아가, 백라이트 유닛(BLU1)은 바텀커버(2180), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 더 포함할 수 있다.The backlight unit (BLU1) includes a light source module including at least one substrate (2150) and a plurality of light emitting elements (2160). Further, the backlight unit BLU1 may further include a bottom cover 2180, a reflection sheet 2170, a diffusion plate 2131, and optical sheets 2130. [

바텀커버(2180)는 상부로 개구되어, 기판(2150), 발광 소자(2160), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 수납할 수 있다. 또한, 바텀커버(2180)는 패널 가이드(2100)와 결합될 수 있다. 기판(2150)은 반사 시트(2170)의 하부에 위치하여, 반사 시트(2170)에 둘러싸인 형태로 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 반사 물질이 표면에 코팅된 경우에는 반사 시트(2170) 상에 위치할 수도 있다. 또한, 기판(2150)은 복수로 형성되어, 복수의 기판(2150)들이 나란히 배치된 형태로 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 단일의 기판(2150)으로 형성될 수도 있다.The bottom cover 2180 is open at the top and can accommodate the substrate 2150, the light emitting element 2160, the reflection sheet 2170, the diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130. In addition, the bottom cover 2180 can be engaged with the panel guide 2100. The substrate 2150 may be disposed under the reflective sheet 2170 and surrounded by the reflective sheet 2170. However, the present invention is not limited thereto, and it may be placed on the reflective sheet 2170 when the reflective material is coated on the surface. In addition, a plurality of substrates 2150 may be arranged so that a plurality of substrates 2150 are arranged side by side, but it is not limited thereto and may be formed as a single substrate 2150.

발광 소자(2160)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 발광 소자(2160)들은 기판(2150) 상에 일정한 패턴으로 규칙적으로 배열될 수 있다. 또한, 각각의 발광 소자(2160) 상에는 렌즈(2210)가 배치되어, 복수의 발광 소자(2160)들로부터 방출되는 광을 균일성을 향상시킬 수 있다.The light emitting device 2160 may include at least one of the light emitting devices according to the embodiments of the present invention described above. The light emitting elements 2160 may be regularly arranged on the substrate 2150 in a predetermined pattern. In addition, a lens 2210 is disposed on each light emitting element 2160, so that the uniformity of light emitted from the plurality of light emitting elements 2160 can be improved.

확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)은 발광 소자(2160) 상에 위치한다. 발광 소자(2160)로부터 방출된 광은 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 거쳐 면 광원 형태로 표시패널(2110)로 공급될 수 있다. The diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130 are placed on the light emitting element 2160. The light emitted from the light emitting element 2160 may be supplied to the display panel 2110 in the form of a surface light source via the diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자는 본 실시예와 같은 직하형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.As described above, the light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to the direct-type display device as in the present embodiment.

도 28은 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다. 28 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment is applied to a display device.

본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 구비된 디스플레이 장치는 영상이 디스플레이되는 표시패널(3210), 표시패널(3210)의 배면에 배치되어 광을 조사하는 백라이트 유닛(BLU2)을 포함한다. 나아가, 상기 디스플레이 장치는, 표시패널(3210)을 지지하고 백라이트 유닛(BLU2)이 수납되는 프레임(240) 및 상기 표시패널(3210)을 감싸는 커버(3240, 3280)를 포함한다.The display device having the backlight unit according to the present embodiment includes a display panel 3210 on which an image is displayed, and a backlight unit BLU2 disposed on the back surface of the display panel 3210 to emit light. The display device further includes a frame 240 supporting the display panel 3210 and storing the backlight unit BLU2 and covers 3240 and 3280 surrounding the display panel 3210. [

표시패널(3210)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(3210)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다. 표시패널(3210)은 그 상하부에 위치하는 커버(3240, 3280)에 의해 고정되며, 하부에 위치하는 커버(3280)는 백라이트 유닛(BLU2)과 결속될 수 있다.The display panel 3210 is not particularly limited and may be, for example, a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer. At the edge of the display panel 3210, a gate driving PCB for supplying a driving signal to the gate line may be further disposed. Here, the gate driving PCB may not be formed on a separate PCB, but may be formed on the thin film transistor substrate. The display panel 3210 is fixed by the covers 3240 and 3280 located at the upper and lower portions thereof and the cover 3280 located at the lower portion can be engaged with the backlight unit BLU2.

표시패널(3210)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU2)은 상면의 일부가 개구된 하부 커버(3270), 하부 커버(3270)의 내부 일 측에 배치된 광원 모듈 및 상기 광원 모듈과 나란하게 위치되어 점광을 면광으로 변환하는 도광판(3250)을 포함한다. 또한, 본 실시예의 백라이트 유닛(BLU2)은 도광판(3250) 상에 위치되어 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들(3230), 도광판(3250)의 하부에 배치되어 도광판(3250)의 하부방향으로 진행하는 광을 표시패널(3210) 방향으로 반사시키는 반사시트(3260)를 더 포함할 수 있다.The backlight unit BLU2 for providing light to the display panel 3210 includes a lower cover 3270 partially opened on the upper surface thereof, a light source module disposed on one side of the inner side of the lower cover 3270, And a light guide plate 3250 for converting the light into the plane light. The backlight unit BLU2 of the present embodiment is disposed on the light guide plate 3250 and includes optical sheets 3230 for diffusing and condensing light, a light guide plate 3250 disposed below the light guide plate 3250, And a reflective sheet 3260 that reflects the light toward the display panel 3210. [

광원 모듈은 기판(3220) 및 상기 기판(3220)의 일면에 일정 간격으로 이격되어 배치된 복수의 발광 소자(3110)를 포함한다. 기판(3220)은 발광 소자(3110)를 지지하고 발광 소자(3110)에 전기적으로 연결된 것이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판일 수 있다. 발광 소자(3110)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자를 적어도 하나 포함할 수 있다. 광원 모듈로부터 방출된 광은 도광판(3250)으로 입사되어 광학 시트들(3230)을 통해 표시패널(3210)로 공급된다. 도광판(3250) 및 광학 시트들(3230)을 통해, 발광 소자(3110)들로부터 방출된 점 광원이 면 광원으로 변형될 수 있다.The light source module includes a substrate 3220 and a plurality of light emitting devices 3110 disposed on a surface of the substrate 3220 at predetermined intervals. The substrate 3220 is not limited as long as it supports the light emitting element 3110 and is electrically connected to the light emitting element 3110, for example, it may be a printed circuit board. The light emitting device 3110 may include at least one light emitting device according to the embodiments of the present invention described above. The light emitted from the light source module is incident on the light guide plate 3250 and is supplied to the display panel 3210 through the optical sheets 3230. Through the light guide plate 3250 and the optical sheets 3230, the point light source emitted from the light emitting elements 3110 can be transformed into a surface light source.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자는 본 실시예와 같은 에지형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.As described above, the light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to the edge display device as in the present embodiment.

도 29는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.29 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a headlamp.

도 29를 참조하면, 상기 헤드 램프는, 램프 바디(4070), 기판(4020), 발광 소자(4010) 및 커버 렌즈(4050)를 포함한다. 나아가, 상기 헤드 램프는, 방열부(4030), 지지랙(4060) 및 연결 부재(4040)를 더 포함할 수 있다.29, the head lamp includes a lamp body 4070, a substrate 4020, a light emitting element 4010, and a cover lens 4050. Furthermore, the head lamp may further include a heat dissipating unit 4030, a support rack 4060, and a connecting member 4040.

기판(4020)은 지지랙(4060)에 의해 고정되어 램프 바디(4070) 상에 이격 배치된다. 기판(4020)은 발광 소자(4010)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판과 같은 도전 패턴을 갖는 기판일 수 있다. 발광 소자(4010)는 기판(4020) 상에 위치하며, 기판(4020)에 의해 지지 및 고정될 수 있다. 또한, 기판(4020)의 도전 패턴을 통해 발광 소자(4010)는 외부의 전원과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광 소자(4010)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자를 적어도 하나 포함할 수 있다. Substrate 4020 is fixed by support rack 4060 and is spaced apart on lamp body 4070. The substrate 4020 is not limited as long as it can support the light emitting element 4010, and may be a substrate having a conductive pattern such as a printed circuit board. The light emitting element 4010 is located on the substrate 4020 and can be supported and fixed by the substrate 4020. [ Also, the light emitting device 4010 may be electrically connected to an external power source through the conductive pattern of the substrate 4020. In addition, the light emitting device 4010 may include at least one light emitting device according to the embodiments of the present invention described above.

커버 렌즈(4050)는 발광 소자(4010)로부터 방출되는 광이 이동하는 경로 상에 위치한다. 예컨대, 도시된 바와 같이, 커버 렌즈(4050)는 연결 부재(4040)에 의해 발광 소자(4010)로부터 이격되어 배치될 수 있고, 발광 소자(4010)로부터 방출된 광을 제공하고자하는 방향에 배치될 수 있다. 커버 렌즈(4050)에 의해 헤드 램프로부터 외부로 방출되는 광의 지향각 및/또는 색상이 조절될 수 있다. 한편, 연결 부재(4040)는 커버 렌즈(4050)를 기판(4020)과 고정시킴과 아울러, 발광 소자(4010)를 둘러싸도록 배치되어 발광 경로(4045)를 제공하는 광 가이드 역할을 할 수도 있다. 이때, 연결 부재(4040)는 광 반사성 물질로 형성되거나, 광 반사성 물질로 코팅될 수 있다. 한편, 방열부(4030)는 방열핀(4031) 및/또는 방열팬(4033)을 포함할 수 있고, 발광 소자(4010) 구동 시 발생하는 열을 외부로 방출시킨다.The cover lens 4050 is located on the path through which light emitted from the light emitting element 4010 travels. For example, as shown, the cover lens 4050 may be disposed apart from the light emitting device 4010 by the connecting member 4040, and may be disposed in a direction in which light is to be emitted from the light emitting device 4010 . The directional angle and / or color of the light emitted from the headlamp to the outside by the cover lens 4050 can be adjusted. The connecting member 4040 may serve as a light guide for fixing the cover lens 4050 to the substrate 4020 and for arranging the light emitting element 4010 to provide the light emitting path 4045. [ At this time, the connection member 4040 may be formed of a light reflective material or may be coated with a light reflective material. The heat dissipation unit 4030 may include a heat dissipation fin 4031 and / or a heat dissipation fan 4033 to dissipate heat generated when the light emitting device 4010 is driven.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자는 본 실시예와 같은 헤드 램프, 특히, 차량용 헤드 램프에 적용될 수 있다.As described above, the light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to a head lamp as in the present embodiment, particularly, a headlamp for a vehicle.

이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 각각의 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 실시예들에서 설명하는 기술적 특징들의 결합 및 치환을 통하여 변경된 발명 역시 본 발명의 범위에 모두 포함되며, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다. While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the following claims.

Claims (23)

제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체;
상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극;
상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 절연시키며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 절연층;
상기 절연층 상에 위치하는 응력완충층;
상기 발광 구조체 및 상기 응력완충층 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극; 및
상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 측면을 덮고, 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 상면을 적어도 부분적으로 노출시키는 절연지지체를 포함하고,
상기 제1 벌크 전극은, 상기 제1 및 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 측면으로부터 돌출된 돌출부를 포함하며,
상기 제2 벌크 전극은, 상기 제1 및 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 측면으로부터 함입된 오목부를 포함하는 발광 소자.
A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
A first contact electrode and a second contact electrode located on the light emitting structure and ohmically contacting the first and second conductive type semiconductor layers, respectively;
An insulating layer for insulating the first and second contact electrodes, and partially covering the first and second contact electrodes;
A stress buffer layer located on the insulating layer;
A first bulk electrode and a second bulk electrode located on the light emitting structure and the stress buffer layer, the first bulk electrode and the second bulk electrode being electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; And
And an insulating support covering the sides of the first and second bulk electrodes and at least partially exposing an upper surface of the first and second bulk electrodes,
Wherein the first bulk electrode includes protrusions protruding from side surfaces of the first and second bulk electrodes facing each other,
Wherein the second bulk electrode includes a concave portion embedded from a side opposite to the first and second bulk electrodes.
청구항 1에 있어서,
상기 돌출부는 상기 오목부에 맞물리는 발광 소자.
The method according to claim 1,
And the projecting portion engages with the concave portion.
청구항 1에 있어서,
상기 돌출부는 돌출되는 방향을 따라 그 폭이 변화하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
And the width of the protrusion varies along a direction in which the protrusion protrudes.
청구항 3에 있어서,
상기 돌출부는 돌출되는 방향을 따라 그 폭이 감소하고, 상기 오목부는 함입되는 방향을 따라 그 폭이 감소하는 발광 소자.
The method of claim 3,
And the width of the protrusion decreases along a direction in which the protrusion protrudes, and the width of the recess decreases along a direction in which the recess is embedded.
청구항 1에 있어서,
상기 돌출부 및 오목부는 각각 복수개로 형성되며, 상기 복수의 돌출부는 상기 복수의 오목부에 맞물리는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the protrusions and the recesses are each formed in a plurality, and the plurality of protrusions are engaged with the plurality of recesses.
청구항 1에 있어서,
상기 절연층은 제1 절연층 및 제2 절연층을 포함하고,
상기 제1 절연층은 상기 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮고 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 컨택 전극을 각각 부분적으로 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부를 포함하고,
상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 절연층을 부분적으로 덮으며,
상기 제2 절연층은 상기 제1 컨택 전극을 부분적으로 덮어, 상기 제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극을 부분적으로 노출시키는 제3 개구부 및 제4 개구부를 포함하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the insulating layer includes a first insulating layer and a second insulating layer,
Wherein the first insulating layer includes a first opening portion and a second opening portion that partially cover the second contact electrode and partially expose the first conductive type semiconductor layer and the second contact electrode,
The first contact electrode partially covering the first insulating layer,
The second insulating layer partially covering the first contact electrode and including a third opening and a fourth opening partially exposing the first contact electrode and the second contact electrode.
청구항 6에 있어서,
상기 제2 컨택 전극과 상기 제2 벌크 전극 사이에 위치하는 연결 전극을 더 포함하고, 상기 연결 전극은 상기 제1 컨택 전극과 동일한 물질로 형성된 발광 소자.
The method of claim 6,
And a connection electrode located between the second contact electrode and the second bulk electrode, wherein the connection electrode is formed of the same material as the first contact electrode.
청구항 6에 있어서,
상기 제1 절연층의 일부는 상기 제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극의 사이에 개재된 발광 소자.
The method of claim 6,
And a part of the first insulating layer is interposed between the first contact electrode and the second contact electrode.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 컨택 전극 상에 위치하는 연결 전극을 더 포함하고,
상기 절연층은 상기 제1 컨택 전극 및 상기 연결 전극을 각각 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부를 포함하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
And a connection electrode located on the second contact electrode,
Wherein the insulating layer includes a first opening and a second opening that respectively expose the first contact electrode and the connection electrode.
청구항 9에 있어서,
상기 발광 구조체는 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역을 포함하고,
상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역 내에 위치하는 발광 소자.
The method of claim 9,
Wherein the light emitting structure includes a region in which the first conductivity type semiconductor layer is partially exposed,
Wherein the first contact electrode is located in a region in which the first conductivity type semiconductor layer is partially exposed.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 구조체는 상기 제1 도전형 반도체층을 부분적으로 노출시키는 복수의 홀을 포함하고,
상기 제1 컨택 전극은 상기 복수의 홀을 통해 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting structure includes a plurality of holes partially exposing the first conductivity type semiconductor layer,
Wherein the first contact electrode is electrically connected to the first conductive type semiconductor layer through the plurality of holes.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극 각각의 상에 위치하는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 더 포함하고,
상기 절연지지체는 상기 제1 및 제2 벌크 전극의 상면 일부를 덮으며, 상기 절연지지체는 상기 제1 및 제2 패드 전극의 측면을 감싸는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Further comprising a first pad electrode and a second pad electrode positioned on each of the first bulk electrode and the second bulk electrode,
Wherein the insulating support covers a part of the upper surface of the first and second bulk electrodes, and the insulating support surrounds the sides of the first and second pad electrodes.
청구항 12에 있어서,
상기 제1 패드 전극은 상기 돌출부 상에 위치하지 않는 발광 소자.
The method of claim 12,
Wherein the first pad electrode is not located on the protrusion.
청구항 12에 있어서,
상기 제1 패드 전극과 상기 제2 패드 전극의 표면 면적은 동일한 발광 소자.
The method of claim 12,
Wherein the first pad electrode and the second pad electrode have the same surface area.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 구조체의 하면 상에 위치하는 파장변환부를 더 포함하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
And a wavelength conversion unit positioned on a lower surface of the light emitting structure.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 벌크 전극과 상기 제2 벌크 전극 간의 이격 거리는 일정한 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein a distance between the first bulk electrode and the second bulk electrode is constant.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 벌크 전극의 수평 단면적은 상기 제2 벌크 전극의 수평 단면적보다 큰 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein a horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode is larger than a horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 벌크 전극의 돌출부는 제1 돌출부, 및 상기 제1 돌출부로부터 돌출된 제2 돌출부를 포함하고,
상기 제2 벌크 전극의 오목부는 제1 오목부, 및 상기 제1 오목부로부터 더 함입된 제2 오목부를 포함하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the protrusion of the first bulk electrode includes a first protrusion and a second protrusion protruding from the first protrusion,
And the concave portion of the second bulk electrode includes a first concave portion and a second concave portion further embedded from the first concave portion.
청구항 18에 있어서,
상기 제2 돌출부는 상기 발광 소자의 중심부와 수직 방향으로 중첩하는 위치에 위치하는 발광 소자.
19. The method of claim 18,
And the second protrusion is located at a position overlapping the center portion of the light emitting element in the vertical direction.
청구항 18에 있어서,
상기 제2 돌출부는 발광 소자의 중심부를 원점으로 하고, 직경이 50㎛이상인 내접원을 갖는 다각형, 원형 또는 타원형의 적어도 일부로 형성된 발광 소자.
19. The method of claim 18,
Wherein the second projecting portion is formed of at least a part of a polygonal, circular, or elliptic shape having an inscribed circle having a diameter of 50 mu m or more, the center of the light emitting element being the origin.
제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체;
상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극;
상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 절연시키며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 절연층;
상기 발광 구조체 및 상기 절연층 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극; 및
상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 측면을 덮고, 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 상면을 적어도 부분적으로 노출시키는 절연지지체를 포함하고,
상기 제1 벌크 전극과 상기 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 부분의 이격 영역을 따라 연장되는 가상선은 적어도 한번 이상의 절곡된 부분을 가지며,
상기 제1 벌크 전극의 수평 단면적은 상기 제2 벌크 전극의 수평 단면적보다 큰 발광 소자.
A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
A first contact electrode and a second contact electrode located on the light emitting structure and ohmically contacting the first and second conductive type semiconductor layers, respectively;
An insulating layer for insulating the first and second contact electrodes, and partially covering the first and second contact electrodes;
A first bulk electrode and a second bulk electrode that are located on the light emitting structure and the insulating layer and are electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; And
And an insulating support covering the sides of the first and second bulk electrodes and at least partially exposing an upper surface of the first and second bulk electrodes,
The imaginary line extending along the spacing region of the portion where the first bulk electrode and the second bulk electrode face each other has at least one folded portion,
Wherein a horizontal cross-sectional area of the first bulk electrode is larger than a horizontal cross-sectional area of the second bulk electrode.
청구항 21에 있어서,
상기 가상선의 시작점과 끝점은 동일 선상에 위치하는 발광 소자.
23. The method of claim 21,
And the start point and the end point of the imaginary line are located on the same line.
제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체;
상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극;
상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 절연시키며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 절연층;
상기 절연층 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극; 및
상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 측면을 덮고, 상기 제1 벌크 전극 및 제2 벌크 전극의 상면을 적어도 부분적으로 노출시키는 절연지지체를 포함하고,
상기 제1 벌크 전극은, 상기 제1 및 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 측면으로부터 돌출된 제1 돌출부, 및 상기 제1 돌출부로부터 돌출된 제2 돌출부를 포함하며,
상기 제2 벌크 전극은, 상기 제1 및 제2 벌크 전극이 서로 대향하는 측면으로부터 함입된 제1 오목부, 및 상기 제1 오목부로부터 더 함입된 제2 오목부를 포함하고,
상기 제2 돌출부는 발광 소자의 중심부를 원점으로 하는 내접원을 갖는 다각형, 원형 또는 타원형의 적어도 일부로 형성된 발광 소자.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
A first contact electrode and a second contact electrode located on the light emitting structure and ohmically contacting the first and second conductive type semiconductor layers, respectively;
An insulating layer for insulating the first and second contact electrodes, and partially covering the first and second contact electrodes;
A first bulk electrode and a second bulk electrode located on the insulating layer and electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; And
And an insulating support covering the sides of the first and second bulk electrodes and at least partially exposing an upper surface of the first and second bulk electrodes,
Wherein the first bulk electrode includes a first protrusion protruded from a side opposite to the first and second bulk electrodes and a second protrusion protruded from the first protrusion,
Wherein the second bulk electrode includes a first concave portion embedded from a side opposite to the first and second bulk electrodes and a second concave portion further embedded from the first concave portion,
And the second projection is formed of at least a part of a polygonal, circular, or elliptic shape having an inscribed circle having the center of the light emitting element as an origin.
KR1020150076527A 2014-06-23 2015-05-29 Light emitting device KR102407827B1 (en)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/748,149 US9543488B2 (en) 2014-06-23 2015-06-23 Light emitting device
CN201580038935.1A CN106537616B (en) 2015-01-27 2015-08-28 Light emitting device
PCT/KR2015/009087 WO2016122076A1 (en) 2015-01-27 2015-08-28 Light emitting device
CN201911071816.2A CN110854251B (en) 2015-01-27 2015-08-28 Light emitting diode
DE112015006061.8T DE112015006061T5 (en) 2015-01-27 2015-08-28 Light-emitting device
US15/380,982 US9947849B2 (en) 2014-06-23 2016-12-15 Light emitting device
US15/954,465 US10580950B2 (en) 2014-06-23 2018-04-16 Light emitting device
KR1020220069034A KR102546262B1 (en) 2015-01-27 2022-06-07 Light emitting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150012864 2015-01-27
KR20150012864 2015-01-27

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220069034A Division KR102546262B1 (en) 2015-01-27 2022-06-07 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160092465A true KR20160092465A (en) 2016-08-04
KR102407827B1 KR102407827B1 (en) 2022-06-13

Family

ID=56709498

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150076527A KR102407827B1 (en) 2014-06-23 2015-05-29 Light emitting device
KR1020220069034A KR102546262B1 (en) 2015-01-27 2022-06-07 Light emitting device

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220069034A KR102546262B1 (en) 2015-01-27 2022-06-07 Light emitting device

Country Status (3)

Country Link
KR (2) KR102407827B1 (en)
CN (2) CN110854251B (en)
DE (1) DE112015006061T5 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019017584A1 (en) * 2017-07-18 2019-01-24 주식회사 루멘스 Apparatus and method for manufacturing light-emitting diode module
KR20190140265A (en) * 2018-06-11 2019-12-19 주식회사 세미콘라이트 Apparatus and method for drying wafer
WO2019240371A1 (en) * 2018-06-11 2019-12-19 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light-emitting device
CN111129264A (en) * 2016-09-05 2020-05-08 首尔伟傲世有限公司 Chip scale package light emitting diode
US11289459B2 (en) 2017-07-18 2022-03-29 Lumens Co., Ltd. Apparatus and method for manufacturing light-emitting diode module
WO2024129810A1 (en) * 2022-12-16 2024-06-20 Lumileds Llc Die metallization for dense packed arrays

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107768491B (en) * 2017-10-31 2019-11-22 江苏新广联半导体有限公司 MicroLED display module production method for bracelet
CN108091753B (en) * 2018-01-22 2023-08-25 扬州大学 Light source element
DE102018119734A1 (en) * 2018-08-14 2020-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A SUPPORT ELEMENT THAT INCLUDES AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE MATERIAL
KR102624112B1 (en) 2018-10-23 2024-01-12 서울바이오시스 주식회사 Flip chip type light emitting diode chip
CN111863853A (en) * 2019-04-24 2020-10-30 深圳第三代半导体研究院 Vertical integrated unit diode chip
CN110491976A (en) * 2019-08-22 2019-11-22 佛山市国星半导体技术有限公司 A kind of flip LED chips of resistant to hydrolysis and preparation method thereof
DE102020215562A1 (en) 2020-12-09 2022-06-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRICAL CONTACTS AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
TWI795790B (en) * 2021-05-26 2023-03-11 隆達電子股份有限公司 Light emitting element and display device using the same
CN114023858B (en) * 2021-11-02 2023-07-14 厦门三安光电有限公司 Light emitting diode, light emitting module and light emitting device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345480A (en) * 2000-03-31 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd Iii nitride compound semiconductor element
JP2003273408A (en) * 2000-07-31 2003-09-26 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device
JP2006245232A (en) * 2005-03-02 2006-09-14 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light-emitting device
KR20060129526A (en) * 2004-03-05 2006-12-15 젤코어 엘엘씨 Flip-chip light emitting diode device without sub-mount
JP2012019217A (en) * 2010-07-08 2012-01-26 Samsung Led Co Ltd Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, illuminating device and backlight
KR20120027318A (en) * 2009-05-11 2012-03-21 크리 인코포레이티드 Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
KR20130030178A (en) * 2011-09-16 2013-03-26 서울옵토디바이스주식회사 Light emitting diode and method of fabricating the same
US20140361243A1 (en) * 2013-06-05 2014-12-11 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
WO2015001446A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-08 Koninklijke Philips N.V. Led with stress-buffer layer under metallization layer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8008683B2 (en) * 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101142965B1 (en) * 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101969334B1 (en) * 2011-11-16 2019-04-17 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and light emitting apparatus having the same
KR102191933B1 (en) 2013-02-19 2020-12-18 루미리즈 홀딩 비.브이. A light emitting die component formed by multilayer structures

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345480A (en) * 2000-03-31 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd Iii nitride compound semiconductor element
JP2003273408A (en) * 2000-07-31 2003-09-26 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device
KR20060129526A (en) * 2004-03-05 2006-12-15 젤코어 엘엘씨 Flip-chip light emitting diode device without sub-mount
JP2006245232A (en) * 2005-03-02 2006-09-14 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light-emitting device
KR20120027318A (en) * 2009-05-11 2012-03-21 크리 인코포레이티드 Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
JP2012019217A (en) * 2010-07-08 2012-01-26 Samsung Led Co Ltd Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, illuminating device and backlight
KR20130030178A (en) * 2011-09-16 2013-03-26 서울옵토디바이스주식회사 Light emitting diode and method of fabricating the same
US20140361243A1 (en) * 2013-06-05 2014-12-11 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
WO2015001446A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-08 Koninklijke Philips N.V. Led with stress-buffer layer under metallization layer

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111129264A (en) * 2016-09-05 2020-05-08 首尔伟傲世有限公司 Chip scale package light emitting diode
CN114188471A (en) * 2016-09-05 2022-03-15 首尔伟傲世有限公司 Chip scale package light emitting diode
CN114203881A (en) * 2016-09-05 2022-03-18 首尔伟傲世有限公司 Chip scale package light emitting diode
US11749707B2 (en) 2016-09-05 2023-09-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Chip-scale package light emitting diode
CN111129264B (en) * 2016-09-05 2023-11-17 首尔伟傲世有限公司 Chip-scale package light-emitting diode
WO2019017584A1 (en) * 2017-07-18 2019-01-24 주식회사 루멘스 Apparatus and method for manufacturing light-emitting diode module
US11289459B2 (en) 2017-07-18 2022-03-29 Lumens Co., Ltd. Apparatus and method for manufacturing light-emitting diode module
KR20190140265A (en) * 2018-06-11 2019-12-19 주식회사 세미콘라이트 Apparatus and method for drying wafer
WO2019240371A1 (en) * 2018-06-11 2019-12-19 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light-emitting device
WO2024129810A1 (en) * 2022-12-16 2024-06-20 Lumileds Llc Die metallization for dense packed arrays

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220088382A (en) 2022-06-27
KR102407827B1 (en) 2022-06-13
DE112015006061T5 (en) 2017-10-19
CN110854251B (en) 2023-03-07
CN106537616B (en) 2019-12-03
CN106537616A (en) 2017-03-22
KR102546262B1 (en) 2023-06-23
CN110854251A (en) 2020-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102546262B1 (en) Light emitting device
US10950755B2 (en) Light emitting diode, method of fabricating the same and LED module having the same
US10580950B2 (en) Light emitting device
US10505077B2 (en) Light emitting element including metal bulk
KR20160046538A (en) Light emitting device and method of fabricating the same
KR20160149827A (en) Light emitting device including multiple wavelength conversion units and method of making the same
US12027657B2 (en) Light emitting diode, light emitting diode module, and display device including the same
KR102550004B1 (en) Light emitting device
KR102449558B1 (en) Light emitting device
KR102475409B1 (en) Light-emitting diode including metal bulk
KR20160099430A (en) Light-emitting device including metal bulk
KR102403193B1 (en) Light-emitting diode including metal bulk

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant