KR102066517B1 - Apparatus and method for drying wafer - Google Patents
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Abstract
본 개시는 이젝션 니들과 접촉하는 반도체 발광소자에 있어서, 기판 위에 형성되는 복수의 발광부;로서, 각각 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층을 포함하는 제1 발광부 및 제2 발광부; 제1 발광부와 제2 발광부를 전기적으로 연결하는 연결부; 제1 발광부와 제2 발광부 위에 구비되는 절연층; 절연층을 관통하여 제1 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연결하는 제1 전극부; 그리고 절연층을 관통하여 제2 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연결하는 제2 전극부;를 포함하며, 제1 전극부는: 절연층 위에 형성되는 제1 상부전극; 그리고, 절연층을 관통하여 제1 발광부의 제2 반도체층과 제1 상부전극을 전기적으로 연결하는 제1 전기적 연결;을 포함하고, 제2 전극부는: 절연층 위에 형성되는 제2 상부전극; 그리고, 절연층을 관통하여 제2 발광부의 제1 반도체층과 제2 상부전극을 전기적으로 연결하는 제2 전기적 연결;을 포함하고, 평면도에서 복수의 발광부 중 하나의 발광부가 다른 하나의 발광부측으로 일부가 돌출되도록 형성되는 돌출부; 그리고, 평면도에서 다른 하나의 발광부의 일부가 돌출부에 대응되도록 형성되는 홈부;를 포함하며, 돌출부 위에 이젝션 니들과 접촉하는 접촉영역이 형성되는 반도체 발광소자에 관한 것이다.A semiconductor light emitting device in contact with an ejection needle includes a plurality of light emitting parts formed on a substrate, each of which includes a first semiconductor layer having a first conductivity and a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity. A first light emitting unit and a second light emitting unit including a plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer generating light by recombination of electrons and holes; A connecting part electrically connecting the first light emitting part and the second light emitting part; An insulating layer provided on the first light emitting part and the second light emitting part; A first electrode part electrically connected to the second semiconductor layer of the first light emitting part through the insulating layer; And a second electrode part electrically connected to the first semiconductor layer of the second light emitting part through the insulating layer, wherein the first electrode part comprises: a first upper electrode formed on the insulating layer; And a first electrical connection penetrating the insulating layer to electrically connect the second semiconductor layer of the first light emitting part to the first upper electrode. The second electrode part may include: a second upper electrode formed on the insulating layer; And a second electrical connection penetrating the insulating layer to electrically connect the first semiconductor layer and the second upper electrode to the second light emitting part, wherein one light emitting part of the plurality of light emitting parts in the plan view is the other light emitting part. A protrusion formed to protrude to a side; And a groove formed in a plan view so that a portion of the other light emitting part corresponds to the protrusion. The semiconductor light emitting device includes a contact region in contact with the ejection needle on the protrusion.
Description
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 신뢰성이 높은 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device as a whole, and more particularly, to a semiconductor light emitting device having high reliability.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art.
도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(10), 기판(10) 위에 성장되는 위에 성장되는 n형 반도체층(30), n형 반도체층(30) 위에 성장되는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 p형 반도체층(50), p형 반도체층(50) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901,902,903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(30) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(80)를 포함한다. 이러한 구조의 칩, 즉 기판(101)의 일 측에 전극(901,902,903) 및 전극(80) 모두가 형성되어 있고, 전극(901,902,903)이 반사막으로 기능하는 형태의 칩을 플립 칩(filp chip)이라 한다. 전극(901,902,903)은 반사율이 높은 전극(901; 예: Ag), 본딩을 위한 전극(903; 예: Au) 그리고 전극(901) 물질과 전극(903) 물질 사이의 확산을 방지하는 전극(902; 예: Ni)으로 이루어진다. 이러한 금속 반사막 구조는 반사율이 높고, 전류 확산에 이점을 가지지만, 금속에 의한 빛 흡수라는 단점을 가진다.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in US Patent No. 7,262,436, wherein the semiconductor light emitting device is a
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-20913호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(10), 기판(10) 위에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20) 위에 성장되는 n형 반도체층(30), n형 반도체층(30) 위에 성장되는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 p형 반도체층(50), p형 반도체층(50) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(60), 투광성 도전막(60) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(70) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(30) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(80)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(60) 위에는 분포 브래그 리플렉터(90; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다. 이러한 구성에 의하면, 금속 반사막(904)에 의한 빛 흡수를 감소하지만, 전극(901,902,903)을 이용하는 것보다 상대적으로 전류 확산이 원활치 못한 단점이 있다.FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-20913. The semiconductor light emitting device includes a
도 3은 미국 등록특허공보 제6,547,249호에 개시된 직렬연결된 LED(A,B)의 일 예를 나타내는 도면으로서, 여러 가지 장점 때문에 도 3에 도시된 것과 같이 복수의 LED(A,B)가 직렬연결되어 사용된다. 예를 들어, 복수의 LED(A,B)를 직렬연결하면 외부 회로와 와이어 연결의 개수가 감소하며, 와이어로 인한 광흡수 손실이 감소된다. 또한, 직렬연결된 LED(A,B) 전체의 동작전압이 상승하기 때문에 전원 공급 회로가 보다 단순화될 수 있다. 한편, 복수의 LED(A,B)를 직렬연결하기 위해서 연결부(84)를 증착하여 이웃한 LED(A,B)의 p측 전극(82)과 n측 전극(82)을 연결한다. 그러나 복수의 LED(A,B)를 전기적으로 절연하는 분리(isolation) 공정에서 사파이어 기판(11)이 노출되도록 복수의 반도체층을 식각해야 하는데, 그 식각 깊이가 깊어서 시간이 오래 걸리고 단차가 크기 때문에 연결부(84)를 형성하기가 어렵다. 연결절연층(80)을 사용하여 연결부(84)를 완만한 경사를 이루도록 형성하는 경우 LED(A,B)들 사이 간격이 증가하여 집적도 향상에 문제가 있다.3 is a view illustrating an example of a series-connected LED (A, B) disclosed in US Patent No. 6,547,249, and a plurality of LED (A, B) is connected in series as shown in Figure 3 because of various advantages It is used. For example, connecting a plurality of LEDs A and B in series reduces the number of external circuits and wire connections, and reduces the light absorption loss due to the wires. In addition, since the operating voltage of the series-connected LEDs A and B all rises, the power supply circuit can be further simplified. On the other hand, in order to connect a plurality of LED (A, B) in series by depositing the
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This is described later in the section titled 'Details of the Invention.'
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all, provided that this is a summary of the disclosure. of its features).
이젝션 니들과 접촉하는 반도체 발광소자에 있어서, 기판 위에 형성되는 복수의 발광부;로서, 각각 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층을 포함하는 제1 발광부 및 제2 발광부; 제1 발광부와 제2 발광부를 전기적으로 연결하는 연결부; 제1 발광부와 제2 발광부 위에 구비되는 절연층; 절연층을 관통하여 제1 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연결하는 제1 전극부; 그리고 절연층을 관통하여 제2 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연결하는 제2 전극부;를 포함하며, 제1 전극부는: 절연층 위에 형성되는 제1 상부전극; 그리고, 절연층을 관통하여 제1 발광부의 제2 반도체층과 제1 상부전극을 전기적으로 연결하는 제1 전기적 연결;을 포함하고, 제2 전극부는: 절연층 위에 형성되는 제2 상부전극; 그리고, 절연층을 관통하여 제2 발광부의 제1 반도체층과 제2 상부전극을 전기적으로 연결하는 제2 전기적 연결;을 포함하고, 평면도에서 복수의 발광부 중 하나의 발광부가 다른 하나의 발광부측으로 일부가 돌출되도록 형성되는 돌출부; 그리고, 평면도에서 다른 하나의 발광부의 일부가 돌출부에 대응되도록 형성되는 홈부;를 포함하며, 돌출부 위에 이젝션 니들과 접촉하는 접촉영역이 형성되는 반도체 발광소자가 제공된다.A semiconductor light emitting device in contact with an ejection needle, comprising: a plurality of light emitting parts formed on a substrate, each of a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and A first light emitting part and a second light emitting part interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and including a plurality of semiconductor layers having an active layer generating light by recombination of electrons and holes; A connecting part electrically connecting the first light emitting part and the second light emitting part; An insulating layer provided on the first light emitting part and the second light emitting part; A first electrode part electrically connected to the second semiconductor layer of the first light emitting part through the insulating layer; And a second electrode part electrically connected to the first semiconductor layer of the second light emitting part through the insulating layer, wherein the first electrode part comprises: a first upper electrode formed on the insulating layer; And a first electrical connection penetrating the insulating layer to electrically connect the second semiconductor layer of the first light emitting part to the first upper electrode. The second electrode part may include: a second upper electrode formed on the insulating layer; And a second electrical connection penetrating the insulating layer to electrically connect the first semiconductor layer and the second upper electrode to the second light emitting part, wherein one light emitting part of the plurality of light emitting parts in the plan view is the other light emitting part. A protrusion formed to protrude to a side; Further, a semiconductor light emitting device including a groove portion formed so that a part of the other light emitting portion corresponding to the protrusion in the plan view is provided, and a contact region is formed on the protrusion to contact the ejection needle.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This is described later in the section titled 'Details of the Invention.'
도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-20913호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 등록특허공보 제6,547,249호에 개시된 직렬연결된 LED(A,B)의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 반도체 발광소자의 제조공정의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 설명하는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 장점을 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in US Patent No. 7,262,436;
2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-20913;
3 is a view showing an example of a series-connected LED (A, B) disclosed in US Patent No. 6,547,249,
4 is a view for explaining an example of the manufacturing process of the semiconductor light emitting device;
5 is a diagram illustrating an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
6 is a view showing another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
7 is a view showing another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
8 is a view showing another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
9 is a view showing another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
10 is a view showing still another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
11 illustrates a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
12 is a view showing still another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
13 is a view showing the advantages of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing (s).
도 4는 반도체 발광소자의 제조공정의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining an example of the manufacturing process of the semiconductor light emitting device.
반도체 발광소자의 제조공정에서 도 4(a)에 제시된 바와 같이, 쏘터(501)는 전기적 흡착 또는 진공 흡착 등의 방식으로 테이프(513) 위에 반도체 발광소자(500)를 잡아 이동시키게 된다. 이때, 이젝션 니들(802; ejection needle)로 반도체 발광소자(500)를 때려서 테이프(513)로부터 반도체 발광소자(500)의 이탈을 용이하게 한다. 이젝션 니들(802)의 직경은 50㎛ 내지 80㎛ 정도이며, 반도체 발광소자(500)의 형태나 면적에 따라 달라질 수 있다. 반도체 발광소자(500)의 절연층(130;도 5 참조)이 이젝션 니들(802)과 접촉하면서 깨질 수 있고, 깨진 틈을 타고 전극을 형성하는 물질이 이동하여 반도체 발광소자(500)의 불량이 생길 수 있는 문제가 있다. 도 4(b), 도 4(c)에서 자세하게 설명한다. In the manufacturing process of the semiconductor light emitting device, as shown in FIG. 4A, the
도 4(b)와 도 4(c)는 도 4(a)의 반도체 발광소자(500)를 자세하게 나타낸다. 도 4(b)는 도 4(a)의 반도체 발광소자(500)의 평면도를 나타낸 도면이다. 도 4(c)는 도 4(b)의 AA' 단면을 나타낸 도면이며, 발광부(110;도 5 참조) 사이에 식각부(180)가 형성되며, 식각부(180)는 반도체 발광소자(500)의 집적도를 높이기 위해 일반적으로 최대한 좁게 형성된다. 도 4(a)와 같이 이젝션 니들(802)로 반도체 발광소자(500)의 중심을 누르면, 반도체 발광소자(500)의 최상층을 누르게 되는데 최상층은 절연층(130)으로 형성된다. 절연층(130) 아래에는 발광부(110)와 식각부(180) 등이 구비되며, 절연층(130) 아래에 구비된 발광부(110)와 식각부(180) 등을 따라 형성된 절연층(130)에 의해 절연층(130)의 높이는 차이가 생긴다. 특히, 크랙(C)는 이젝션 니들(802)이 누르는 절연층(130)의 높이 차가 있는 부분에서 잘 생긴다.4 (b) and 4 (c) show the semiconductor
도 4(c)는 발광부(110)가 짝수개가 구비되는 경우 발광부(110) 사이의 식각부(180)와 발광부(110)를 누를 때 나타날 수 있는 문제점의 일 예를 나타낸다. 이젝션 니들(802)로 인한 충격으로 인해 절연층(130)에 크랙(C)이 형성될 수 있으며, 솔더링시 크랙(C) 주위의 제1 전극부(140), 제2 전극부(150), 연결부(120) 중 적어도 하나를 형성하는 금속물질이 크랙(C)을 따라 이동하여 의도하지 않은 부분과 전기적으로 연결될 수 있다. 반도체 발광소자(500)의 불량을 일으켜 신뢰도를 떨어뜨릴 수 있다.FIG. 4C illustrates an example of a problem that may occur when pressing the
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.
도 5(a)는 반도체 발광소자(100)의 평면도를 나타낸 도면이며, 도 5(b)는 도 5(a)의 AA' 단면도를 나타낸다.FIG. 5A is a plan view of the semiconductor
반도체 발광소자(100)에 있어서, 반도체 발광소자(100)는 발광부(110), 연결부(120), 절연층(130), 제1 전극부(140), 제2 전극부(150), 돌출부(160) 및 홈부(170)를 포함한다. In the semiconductor
발광부(110)는 기판(101) 위에 형성되며, 복수개 구비될 수 있다. 기판(101)으로 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 기판(101)은 최종적으로 제거될 수 있다. 제1 반도체층(103)과 제2 반도체층(105)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어질 수 있다.The
발광부(110)는 복수의 반도체층(102,103,104,105)을 가질 수 있다. 복수의 반도체층(103,104,105)은 기판(101) 위에 형성된 버퍼층(102), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(103; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(105; 예: Mg 도핑된 GaN) 및 제1 반도체층(103)과 제2 반도체층(105) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(104; 예: nGaN/(In)GaN 다중양자우물구조)을 포함할 수 있다. 복수의 반도체층(102,103,104,105) 각각은 층으로 이루어질 수 있고, 버퍼층(102)은 생략될 수 있다. 발광부(110)는 제1 발광부(111)와 제2 발광부(112)를 포함할 수 있다. 발광부(110)는 짝수로 형성되는 것이 바람직하다.The
연결부(120)는 제1 발광부(111)와 제2 발광부(112)를 전기적으로 연결할 수 있다. 연결부(120)는 절연층(130) 아래에 형성되며, 연결부(120)는 제1 발광부(111)의 제1 반도체층(103)과 제2 발광부(112)의 제2 반도체층(105)을 전기적으로 연결한다.The
연결부(120) 아래에는 연결절연층(121)이 구비될 수 있다. 연결절연층(121)은 투광성을 가지는 패시베이션(passivation)층으로서, SiO2, TiO2, Al2O3와 같은 물질로 증착될 수 있다. 증착의 두께는 일 예로, 수천 Å일 수 있지만, 물론 이 두께는 변경될 수 있다. 연결절연층(121)은 제1 발광부(111)의 제1 반도체층(103)과 제2 발광부(112)의 제2 반도체층(105)을 연결부(120)로 연결할 때, 제2 발광부(112)의 제2 반도체층(105)과 제2 발광부(111)의 제1 반도체층(103)이 전기적으로 연결되어 쇼트되지 않도록 절연할 수 있다.The
본 예에서 절연층(130)은 금속 반사막에 의한 광흡수 감소를 위해 절연성 물질로 형성되며, 바람직하게는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni-Directional Reflector)을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 다층 구조의 일 예로, 유전체막(191b), 분포 브래그 리플렉터(191a) 및 클래드막(191c)을 포함할 수 있다. 유전체막(191b)은 높이차를 완화하여 분포 브래그 리플렉터(191a)를 안정적으로 제조할 수 있게 되며, 빛의 반사에도 도움을 줄 수 있다. 유전체막(191b)의 재질은 SiO2가 적당하다. 분포 브래그 리플렉터(191a)는 유전체막(191b) 위에 형성된다. 분포 브래그 리플렉터(191a)는 반사율이 다른 물질의 반복 적층, 예를 들어, SiO2/TiO2, SiO2/Ta2O2, 또는 SiO2/HfO의 반복 적층으로 이루어질 수 있으며, Blue 빛에 대해서는 SiO2/TiO2가 반사효율이 좋고, UV 빛에 대해서는 SiO2/Ta2O2, 또는 SiO2/HfO가 반사효율이 좋을 것이다. 클래드막(191c)은 Al2O3와 같은 금속 산화물, SiO2, SiON와 같은 유전체막(191b), MgF, CaF, 등의 물질로 이루어질 수 있다. 분포 브래그 리플렉터(191a)는 수직 방향에 가까운 빛일수록 반사율이 높아서, 대략 99% 이상 반사한다. 절연층(130)이 잘 기능 하기 위해서는 다층 구조의 각 물질층이 특별히 설계된 두께로 잘 형성되어야 한다.In this example, the insulating
절연층(130)은 제1 발광부(111)와 제2 발광부(112) 위에 구비될 수 있다. 절연층(130)은 빛을 반사할 수 있다.The insulating
제1 전극부(140)는 제1 발광부(111)의 제2 반도체층(105)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극부(150)는 제2 발광부(112)의 제1 반도체층(103)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극부(140)는 제1 상부전극(141), 제1 전기적 연결(142)을 포함하고, 제1 전기적 연결(142)이 절연층(130)을 관통하여 제1 발광부(111)의 제2 반도체층(105)과 제1 상부전극(141)을 전기적으로 연결할 수 있다. 제2 전극부(150)는 제2 상부전극(151), 제2 전기적 연결(152)을 포함하고, 제2 전기적 연결(152)이 절연층(130)을 관통하여 제2 발광부(112)의 제1 반도체층(103)과 제2 상부전극(151)을 전기적으로 연결할 수 있다.The
제1 전기적 연결(142)과 제2 반도체층(105) 사이에는 접촉저항 감소와 안정적 전기적 연결을 위해 제1 오믹 전극(144)이 개재될 수 있다. 바람직하게는 전류 확산 전극(106; 예: ITO,Ni/Au)이 제2 반도체층(105)과 절연층(130) 사이에 형성될 수 있다. 제2 전기적 연결(152)의 안정적 전기적 연결을 위해 제1 반도체층(103)에는 제2 오믹 전극(154)이 개재될 수 있다.The first
돌출부(160)는 평면도에서 복수의 발광부(110;111,112) 중 하나의 발광부(111)가 다른 하나의 발광부(112)측으로 일부가 돌출되며, 홈부(170)는 평면도에서 다른 하나의 발광부(112)의 일부가 돌출부(160)에 대응되도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 돌출부(160)는 제1 발광부(111)에 형성되고 홈부(170)는 제2 발광부(112)에 형성되며, 제1 발광부(111)와 제2 발광부(112)는 일정거리 떨어져 형성된다. 따라서, 돌출부(160)와 홈부(170)는 일정거리 떨어져 형성된다. 돌출부(160)와 홈부(170) 사이에는 식각부(180)가 구비된다.Protruding
돌출부(160) 위에는 접촉영역(A)이 구비된다. 접촉영역(A)은 평탄하게 형성되는 곳이며, 접촉영역(A)은 이젝션 니들(802)이 접촉되는 영역이다. 이젝션 니들(802)이 접촉영역(A)에 접촉하면서 반도체 발광소자(100)에 가해지는 충격으로 인해 반도체 발광소자(100)의 신뢰도가 떨어지는 것을 막기 위한 것이다. 예를 들면, 도 4에서 설명한 것과 같이 돌출부(160) 위에 형성된 절연층(130)에 접촉영역(A)이 형성될 수 있고, 절연층(130)이 깨지는 것을 최소화 할 수 있다.The contact area A is provided on the
돌출부(160)는 반도체 발광소자(100)의 중심에 위치할 수 있다. 예를 들면, 짝수의 발광부(110)인 제1 발광부(111)와 제2 발광부(112) 사이에 움푹 패인 식각부(180)가 형성된다. 식각부(180) 위에 형성된 절연층(130)은 고르고 평평하지 않아서 이젝션 니들(802)이 접촉하면 절연층(130)이 깨지기 쉽다. 따라서, 이젝션 니들(802)과 접촉할 고르고 평평한 접촉영역(A)을 형성하기 위해 돌출부(160)가 형성되고, 돌출부(160)를 감싸도록 홈부(170)가 형성되며, 돌출부(160)에 접촉영역(A)이 구비될 수 있다. The
본 개시에서 돌출부(160)는 제1 반도체층(103)에 형성되지만, 돌출부(160)는 제2 반도체층(105)에도 형성될 수 있다. 홈부(170)도 제2 반도체층(105)에 형성되지만, 제1 반도체층(103)에 형성될 수 있다. 또한, 돌출부(160)와 홈부(170)는 각각의 발광부에서 같은 반도체층에도 형성될 수 있다. 돌출부(160)는 도 5에 나타난 바와 같이 원형상(일 예)으로 나타난다. 하지만 돌출부(160)의 모양은 한정되지 않는다.In the present disclosure, the
연결부(120)는 돌출부(160) 위에서 접촉영역(A)의 형성을 위해 돌출부(160)보다 넓게 형성되는 것이 바람직하다.The
접촉영역(A)은 평탄한 것이 바람직하며, 일반적으로 접촉영역(A)은 1um이하로 형성되면 평탄하다고 볼 수 있다.It is preferable that the contact area A is flat, and in general, the contact area A may be considered to be flat when formed to be less than 1 μm.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면이다.6 illustrates another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.
도 6(a)는 반도체 발광소자(100)의 평면도를 나타내고, 도 6(b)는 도 6(a)의 AA' 단면도를 나타낸다.FIG. 6A illustrates a plan view of the semiconductor
제1 전극부(140)는 제1 연결전극(143)을 더 포함할 수 있다. 제1 연결전극(143)은 제1 상부전극(141)과 제2 반도체층(105) 사이에 위치하고, 제1 상부전극(141)과 제2 반도체층(105)을 전기적으로 연결할 수 있다. The
제2 전극부(150)는 제2 연결전극(153)을 더 포함할 수 있다. 제2 연결전극(153)은 제2 상부전극(151)과 제1 반도체층(103) 사이에 위치하고, 제2 상부전극(151)과 제1 반도체층(103)을 전기적으로 연결할 수 있다.The
절연층(130)은 제1 절연층(131)과 제2 절연층(132)을 포함할 수 있다. 제1 절연층(131)과 제2 절연층(132)은 빛을 반사할 수 있다. 제1 절연층(131)은 제1 상부전극(141), 제2 상부전극(151)과 제1 연결전극(143), 제2 연결전극(153) 사이에 형성될 수 있다. 제2 절연층(132)은 제1 연결전극(143), 제2 연결전극(153)과 제1 발광부(111), 제2 발광부(112) 사이에 형성될 수 있다. The insulating
제1 상부전극(141)과 제1 연결전극(143) 사이에는 제1 상부 전기적 연결(142-1)이 형성되고, 제1 연결전극(143)과 제2 반도체층(105) 사이에는 제1 하부 전기적 연결(142-2)이 형성될 수 있다. 제2 상부전극(151)과 제2 연결전극(153) 사이에는 제2 상부 전기적 연결(152-1)이 형성되고, 제2 연결전극(153)과 제1 반도체층(103) 사이에는 제2 하부 전기적 연결(152-2)이 형성될 수 있다.A first upper electrical connection 142-1 is formed between the first
연결부(120)는 제2 절연층(132) 위에 형성되며, 제1 발광부(111)의 제1 반도체층(103)과 제2 발광부(112)의 제2 반도체층(105) 사이를 연결한다.The
돌출부(160) 위에는 접촉영역(A)이 형성된다. 돌출부(160) 위에는 제2 절연층(132), 제1 절연층(131), 및 연결부(120)가 구비된다. 접촉영역(A)은 제2 절연층(132), 제1 절연층(131), 및 연결부(120)에 모두 형성된다. 도 6의 접촉영역(A)의 최상층에는 제1 절연층(131)이 형성될 수 있다.The contact area A is formed on the
즉, 접촉영역(A)에는 여러 가지의 반도체 발광소자(100)를 이루는 층이 구비될 수 있으며, 그 중 노출되는 최상층의 예들은 제1 절연층(131), 제2 절연층(132) 등일 수 있다.That is, the contact area A may be provided with layers constituting various semiconductor
도 6에서 설명된 반도체 발광소자(100)는 도 6에서 설명한 것을 제외하고, 도 5에서 설명된 반도체 발광소자(100)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.7 illustrates another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.
연결부(120)는 제2 절연층(132) 아래에 형성되며, 제1 발광부(111)의 제1 반도체층(103)과 제2 발광부(112)의 제2 반도체층(105) 사이를 연결한다. 접촉영역(A)은 돌출부(160), 연결부(120), 제1 절연층(131)에도 형성될 수 있다.The
연결절연층(121)은 연결부(120) 아래에 구비되어 제1 반도체층(103)과 제2 반도체층(105)이 필요한 부분에서 연결 될 수 있도록 한다.The
도 7에서 설명된 반도체 발광소자(100)는 도 7에서 설명한 것을 제외하고, 도 6에서 설명된 반도체 발광소자(100)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예들을 나타내는 도면이다. 도 8(b)는 도 8(a)의 AA' 단면을 나타낸다.8 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 8A.
반도체 발광소자(100)는 발광부(110), 연결부(120), 절연층(130), 제1 전극부(140), 제2 전극부(150) 및 홈부(170)를 포함한다. The semiconductor
홈부(170)는 제1 홈부(171)와 제2 홈부(172)를 포함하며, 제1 홈부(171)는 제1 발광부(111)에 형성되고, 제2 홈부(172)는 제2 발광부(112)에 형성된다. 홈부(170) 위에는 접촉영역(A)이 구비된다.The
제1 홈부(171)와 제2 홈부(172) 사이에는 접촉영역(A)이 구비된다. 접촉영역(A)은 이젝션 니들(802)과 접촉하는 고르고 평평한 부분이다. The contact area A is provided between the
평면도에서 제1 발광부(111)와 제2 발광부(112) 사이에 움푹 패인 식각부(180)가 형성된다. 식각부(180) 위에 형성된 절연층(130)은 고르고 평평하지 않아서 이젝션 니들(802)이 접촉하면 절연층(130)이 깨지기 쉽다. 예를 들면, 도 4에서 설명한 것과 같이 기판(101)에 접촉영역(A)이 형성될 수 있고, 절연층(130)이 깨지는 것을 최소화 할 수 있다.In the plan view, a recessed
도 8(a)에서는 기판(101)이 노출되도록 접촉영역(A)을 형성하며, 접촉영역(A)에 형성된 절연층(130), 연결부(120) 및 발광부(110)를 모두 제거하거나, 접촉영역(A)에 절연층(130), 연결부(120) 및 발광부(110)가 반도체 발광소자(100)를 제조하면서 형성되지 않도록 할 수 있다.In FIG. 8A, the contact area A is formed to expose the
도시되지 않았지만 절연층(130)이 노출되도록 접촉영역(A)이 형성될 수 있다. 도 8(b)와 같이 접촉영역(A)이 기판(101)에 형성 되는 것이 절연층(130)이 깨질 염려가 없으므로 바람직한 실시 예이다. 그러나, 절연층(130)에 접촉영역(A)이 평탄하게 형성되므로, 절연층(130)의 접촉영역(A)에 이젝션 니들(802)이 접촉되어도 절연층(130)이 덜 깨진다. Although not shown, the contact region A may be formed to expose the insulating
제1 홈부(171)와 제2 홈부(172)는 도 8에 나타난 바와 같이 반원형상(일 예)으로 나타난다. 하지만 제1 홈부(171)와 제2 홈부(172)의 모양은 한정되지 않는다.The
또한, 기판(101)이 노출되는 경우 접촉영역(A)은 평탄하지 않아도 된다. 기판(101)은 단단하기 때문에 깨지지 않기 때문이다. 예를 들면, 기판(101)에는 PSS(Patterned Sapphire Substrate)가 형성될 수 있다.In addition, when the
도 8에서 설명된 반도체 발광소자(100)는 도 8에서 설명한 것을 제외하고 도 5에서 설명된 반도체 발광소자(100)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.9 illustrates another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.
도 9(b)는 도 9(a)의 단면 AA'의 일 예를 나타낸다.FIG. 9B shows an example of section AA ′ of FIG. 9A.
제1 전극부(140)는 제1 연결전극(143)을 더 포함한다. 제1 연결전극(143)은 제1 상부전극(141)과 제2 반도체층(105) 사이에 위치하고, 제1 상부전극(141)과 제2 반도체층(105)을 전기적으로 연결할 수 있다. The
제2 전극부(150)는 제2 연결전극(153)을 더 포함한다. 제2 연결전극(153)은 제2 상부전극(151)과 제1 반도체층(103) 사이에 위치하고, 제2 상부전극(151)과 제1 반도체층(103)을 전기적으로 연결할 수 있다. The
절연층(130)은 제1 절연층(131)과 제2 절연층(132)을 포함한다. 제1 절연층(131)은 제1 상부전극(141), 제2 상부전극(151)과 제1 연결전극(143), 제2 연결전극(153) 사이에 형성될 수 있다. 제2 절연층(132)은 제1 연결전극(143), 제2 연결전극(153)과 제1 발광부(111), 제2 발광부(112) 사이에 형성될 수 있다. The insulating
제1 상부전극(141)과 제1 연결전극(143) 사이에는 제1 절연층(131)을 관통하는 제1 상부 전기적 연결(142-1)이 형성될 수 있고, 제1 연결전극(143)과 제2 반도체층(105) 사이에는 제2 절연층(132)을 관통하는 제1 하부 전기적 연결(142-2)이 형성될 수 있다. 제2 상부전극(151)과 제2 연결전극(153) 사이에는 제1 절연층(131)을 관통하는 제2 상부 전기적 연결(152-1)이 형성될 수 있고, 제2 연결전극(153)과 제1 반도체층(103) 사이에는 제2 절연층(132)을 관통하는 제2 하부 전기적 연결(152-2)이 형성될 수 있다. A first upper electrical connection 142-1 penetrating the first insulating
연결부(120)는 제2 절연층(132) 위에 형성되며, 제1 발광부(111)의 제1 반도체층(103)과 제2 발광부(112)의 제2 반도체층(105) 사이를 연결할 수 있다.The
또한, 이젝션 니들(802)이 접촉하는 접촉영역(A)은 기판(101), 제2 절연층(130) 및 제1 절연층(131) 중 최상층에 형성될 수 있다. In addition, the contact area A that the
도 9에서 설명된 반도체 발광소자(100)는 도 9에서 설명한 것을 제외하고, 도 8에서 설명된 반도체 발광소자(100)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.10 illustrates another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.
도 10은 도 9(a)의 AA' 단면의 다른 예를 나타낸다. 연결부(120)는 제2 절연층(132) 아래에 형성되며, 제1 발광부(111)의 제1 반도체층(103)과 제2 발광부(112)의 제2 반도체층(105) 사이를 연결하여 접촉영역(A)의 기판(101)이 노출될 수 있다.FIG. 10 shows another example of the AA ′ cross section of FIG. 9 (a). The
도 10에서 설명된 반도체 발광소자(100)는 도 9에서 설명한 것을 제외하고, 도 9에서 설명된 반도체 발광소자(100)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 설명하는 도면이다.11 illustrates a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.
도 11(a)와 같이 복수의 발광부(110)가 홀수개인 경우, 하나의 반도체 발광소자(100)의 중심에 이젝션 니들(802)이 접촉할 수 있다. 이젝션 니들(802)이 접촉하는 접촉영역(A)은 일반적으로 발광부(110)에 구비될 수 있다.As shown in FIG. 11A, when the plurality of
그러나 도 11(b)와 같이 복수의 발광부(110)가 짝수 개인 경우, 접촉영역(A)은 복수의 발광부(110)와 식각부(180)를 걸쳐서 구비된다. 도 4에 설명된 원인으로 인해 문제점이 나타난다. 따라서 복수의 발광부(110)가 짝수 개인 경우, 접촉영역(A)이 형성되는 것이 더 효과적이다.However, when the plurality of
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다. 12 illustrates another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.
도 12(a)는 연결부(120)의 다른 예를 나타내는 도면이다. 12A is a diagram illustrating another example of the
연결부(120)는 중심에 위치하는 것이 전류 확산에 바람직하다. 그러나, 돌출부(160) 위에 연결부(120)를 위치함으로 인해 연결부(120)는 돌출부(160)보다 넓게 형성되어야 한다. 연결부(120)를 얇게 형성하기 위해 돌출부(160) 위에 연결부(120)를 두지 않고 연결부(120)는 돌출부(160) 주위에 구비될 수 있다. 연결부(120)는 전류 확산이 잘되도록 하기 위해 돌출부(160) 양측에 구비된다. 이는 홈부(170)에도 적용가능하다.The
도 12(b)는 연결부(120)의 또 다른 예를 나타내는 도면이다. 연결부(120)는 홈부(170) 주위에 구비되며, 연결부(120)는 전류 확산을 잘 시키기 위해서 복수의 트렌치(122)를 가진다. 도면에서 홈부(170) 상하측에 연결부(120)가 대칭적으로 형성되어 양측으로 전류 확산이 균일하게 될 수 있다. 이는 돌출부(160)에도 적용 가능하다.12 (b) is a diagram illustrating still another example of the
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 장점을 나타내는 도면이다.13 is a view showing the advantages of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.
발광부(110)가 사각 형상을 가진다면, 임계각 이상의 각으로 입사하는 광은 주변 발광부(110) 내에서 반사되며 갇히거나 외부로 추출되기까지 반사 회수가 증가하며, 이로 인해 광손실이 증가한다. If the
반도체 발광소자(100)에서 발생한 빛이 반도체 발광소자(100) 밖의 공기 중으로 나가기 위해서는 입사각이 임계각 이하가 되어야 빛이 반도체 발광소자(100) 밖으로 탈출이 가능하다. 임계각 이상이 되면 빛은 내부로 전반사 된다. In order for the light emitted from the semiconductor
즉, 도 13(a)와 같이 사각형의 모양을 가진 반도체 발광소자(100)는 내부에서 빛이 전반사 되어서 빛이 잘 빠져나오지 못한다. That is, in the semiconductor
반면, 도 13(b)와 같이 홈부(170), 돌출부(160)가 형성된 반도체 발광소자(100)는 홈부(170), 돌출부(160)에서 빛이 발광부(110) 밖으로 나올 수 있는 통로가 되어 빛이 더 많이 빠져 나온다.On the other hand, as shown in FIG. 13B, the semiconductor
즉, 홈부(170) 및 돌출부(160)에 대해서는 입사각이 임계각이 아니게 된다. 따라서, 상기 광은 연장선에 입사하기 전에 홈부(170) 및 돌출부(160)에 입사하면 외부로 더 잘 추출 될 수 있다. 따라서, 광추출효율이 향상되며, 그 결과 휘도가 향상된다.That is, the angle of incidence of the
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.
(1) 이젝션 니들과 접촉하는 반도체 발광소자에 있어서, 기판 위에 형성되는 복수의 발광부;로서, 각각 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층을 포함하는 제1 발광부 및 제2 발광부; 제1 발광부와 제2 발광부를 전기적으로 연결하는 연결부; 제1 발광부와 제2 발광부 위에 구비되는 절연층; 절연층을 관통하여 제1 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연결하는 제1 전극부; 그리고 절연층을 관통하여 제2 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연결하는 제2 전극부;를 포함하며, 제1 전극부는: 절연층 위에 형성되는 제1 상부전극; 그리고, 절연층을 관통하여 제1 발광부의 제2 반도체층과 제1 상부전극을 전기적으로 연결하는 제1 전기적 연결;을 포함하고, 제2 전극부는: 절연층 위에 형성되는 제2 상부전극; 그리고, 절연층을 관통하여 제2 발광부의 제1 반도체층과 제2 상부전극을 전기적으로 연결하는 제2 전기적 연결;을 포함하고, 평면도에서 복수의 발광부 중 하나의 발광부가 다른 하나의 발광부측으로 일부가 돌출되도록 형성되는 돌출부; 그리고, 평면도에서 다른 하나의 발광부의 일부가 돌출부에 대응되도록 형성되는 홈부;를 포함하며, 돌출부 위에 이젝션 니들과 접촉하는 접촉영역이 형성되는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting element in contact with an ejection needle, comprising: a plurality of light emitting portions formed on a substrate, each of a first semiconductor layer having a first conductivity and a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; A first light emitting unit and a second light emitting unit including a plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer generating light by recombination of electrons and holes; A connecting part electrically connecting the first light emitting part and the second light emitting part; An insulating layer provided on the first light emitting part and the second light emitting part; A first electrode part electrically connected to the second semiconductor layer of the first light emitting part through the insulating layer; And a second electrode part electrically connected to the first semiconductor layer of the second light emitting part through the insulating layer, wherein the first electrode part comprises: a first upper electrode formed on the insulating layer; And a first electrical connection penetrating the insulating layer to electrically connect the second semiconductor layer of the first light emitting part to the first upper electrode. The second electrode part may include: a second upper electrode formed on the insulating layer; And a second electrical connection penetrating the insulating layer to electrically connect the first semiconductor layer and the second upper electrode to the second light emitting part, wherein one light emitting part of the plurality of light emitting parts in the plan view is the other light emitting part. A protrusion formed to protrude to a side; And a groove portion in which a portion of the other light emitting portion corresponds to the protrusion portion in a plan view, and wherein a contact region in contact with the ejection needle is formed on the protrusion portion.
(2) 접촉영역은 평탄하게 형성되는 반도체 발광소자.(2) The semiconductor light emitting element in which the contact region is formed flat.
(3) 접촉영역에 형성되는 높이차는 1um 이하로 형성되는 반도체 발광소자.(3) The height difference formed in the contact region is 1um or less.
(4) 평면도에서 돌출부와 홈부는 반도체 발광소자의 중심에 위치하는 반도체 발광소자.(4) The semiconductor light emitting element in which the protrusion and the groove are located at the center of the semiconductor light emitting element in the plan view.
(5) 제1 전극부는 제1 상부전극과 제2 반도체층 사이에 위치하며, 제1 상부전극 및 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 연결전극을 포함하고, 제2 전극부는 제2 상부전극과 제1 반도체층 사이에 위치하며, 제2 상부전극 및 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 연결전극을 포함하고, 절연층은 제1 상부전극 및 제2 상부전극과 제1 연결전극 및 제2 연결전극 사이에 형성되는 제1 절연층 그리고, 제1 연결전극 및 제2 연결전극과 제1 발광부 및 제2 발광부 사이에 형성되는 제2 절연층을 포함하는 반도체 발광소자.(5) The first electrode portion is disposed between the first upper electrode and the second semiconductor layer, and includes a first connection electrode electrically connected to the first upper electrode and the second semiconductor layer, and the second electrode portion includes the second upper portion. Located between the electrode and the first semiconductor layer, and includes a second upper electrode and a second connection electrode electrically connected to the first semiconductor layer, the insulating layer is the first upper electrode and the second upper electrode and the first connection electrode And a first insulating layer formed between the second connection electrodes, and a second insulating layer formed between the first connection electrode and the second connection electrode, and the first light emitting part and the second light emitting part.
(6) 연결부는 제2 절연층 위에 형성되며, 제1 발광부의 제1 반도체층과 제2 발광부의 제2 반도체층 사이를 연결하는 반도체 발광소자.(6) A connecting portion is formed on the second insulating layer and connects between the first semiconductor layer of the first light emitting part and the second semiconductor layer of the second light emitting part.
(7) 연결부는 제2 절연층 아래에 형성되는 반도체 발광소자.(7) A semiconductor light emitting element, wherein the connecting portion is formed under the second insulating layer.
(8) 연결부는 돌출부와 홈부를 중심으로 위치하는 반도체 발광소자.(8) The semiconductor light emitting device, wherein the connecting portion is positioned around the protrusion and the groove.
(9) 연결부 아래에 형성되는 연결절연층;을 포함하는 반도체 발광소자.And a connection insulating layer formed below the connection portion.
(10) 복수의 발광부는 짝수 개인 반도체 발광소자. (10) A semiconductor light emitting device having an even number of light emitting portions.
(11) 복수의 발광부는 두 개인 반도체 발광소자.(11) A semiconductor light emitting element having two light emitting portions.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 반도체 발광소자에 돌출부가 형성됨으로써 돌출부에 이젝션 니들이 닿게 한다.According to one semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a protrusion is formed in the semiconductor light emitting device so that the ejection needle touches the protrusion.
본 개시에 따른 또 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 이젝션 니들이 닿는 부분을 넓게 형성하여 절연층이 깨지는 것을 방지 할 수 있다.According to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to prevent the insulating layer from being broken by forming a wide portion where the ejection needle touches.
본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 제1 발광부와 제2 발광부 사이에 이젝션 니들이 닿는 부분을 만들어 절연층이 깨지는 것을 방지 할 수 있다.According to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to prevent the insulating layer from being broken by making a portion where the ejection needle touches between the first light emitting part and the second light emitting part.
본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 돌출부와 홈부에 의해 반도체 발광소자 밖으로 빛이 더 많이 탈출하여 휘도가 증가한다.According to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, more light escapes out of the semiconductor light emitting device by the protrusions and the grooves, thereby increasing the luminance.
본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 돌출부와 홈부에 의해 극성표시가 가능하다.According to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, polarity display is possible by the protrusions and the grooves.
100: 반도체 발광소자 110: 발광부 111: 제1 발광부 112:제2 발광부 120: 연결부 130: 절연층 140: 제1 전극부 150: 제2 전극부 160: 돌출부 170: 홈부DESCRIPTION OF
Claims (11)
기판 위에 형성되는 복수의 발광부;로서, 각각 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층을 포함하는 제1 발광부 및 제2 발광부;
제1 발광부와 제2 발광부를 전기적으로 연결하는 연결부;
제1 발광부와 제2 발광부 위에 구비되는 절연층;
절연층을 관통하여 제1 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연결하는 제1 전극부; 그리고
절연층을 관통하여 제2 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연결하는 제2 전극부;를 포함하며,
제1 전극부는:
절연층 위에 형성되는 제1 상부전극; 그리고,
절연층을 관통하여 제1 발광부의 제2 반도체층과 제1 상부전극을 전기적으로 연결하는 제1 전기적 연결;을 포함하고,
제2 전극부는:
절연층 위에 형성되는 제2 상부전극; 그리고,
절연층을 관통하여 제2 발광부의 제1 반도체층과 제2 상부전극을 전기적으로 연결하는 제2 전기적 연결;을 포함하고,
평면도에서 복수의 발광부 중 하나의 발광부가 다른 하나의 발광부측으로 일부가 돌출되도록 형성되는 돌출부; 그리고,
평면도에서 다른 하나의 발광부의 일부가 돌출부에 대응되도록 형성되는 홈부;를 포함하며,
돌출부 위에 이젝션 니들과 접촉하는 접촉영역이 형성되며,
연결부와 돌출부가 겹쳐지는 경우에 연결부는 돌출부보다 넓게 형성되고,
연결부와 돌출부가 겹쳐지지 않는 경우에 연결부는 돌출부의 주위에 형성되는 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device in contact with the ejection needle,
A plurality of light emitting portions formed on the substrate, each of a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; A first light emitting part and a second light emitting part interposed and including a plurality of semiconductor layers having an active layer generating light by recombination of electrons and holes;
A connecting part electrically connecting the first light emitting part and the second light emitting part;
An insulating layer provided on the first light emitting part and the second light emitting part;
A first electrode part electrically connected to the second semiconductor layer of the first light emitting part through the insulating layer; And
And a second electrode part electrically connected to the first semiconductor layer of the second light emitting part through the insulating layer.
The first electrode portion:
A first upper electrode formed over the insulating layer; And,
And a first electrical connection penetrating the insulating layer to electrically connect the second semiconductor layer and the first upper electrode of the first light emitting unit.
Second electrode portion:
A second upper electrode formed over the insulating layer; And,
And a second electrical connection penetrating the insulating layer to electrically connect the first semiconductor layer and the second upper electrode of the second light emitting unit.
A protrusion in which one light emitting part of the plurality of light emitting parts is protruded toward the other light emitting part in a plan view; And,
And a groove portion formed so that a portion of the other light emitting portion corresponds to the protrusion in the plan view.
A contact area is formed on the protrusion in contact with the ejection needle,
When the connecting portion and the protrusion overlap, the connecting portion is formed wider than the protrusion,
The connecting portion is formed around the protrusion when the connecting portion and the protrusion does not overlap.
접촉영역은 평탄하게 형성되는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The semiconductor light emitting device has a flat contact area.
접촉영역 전체에서의 최대 높이와 최소 높이의 높이차는 1um 이하로 형성되는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The height difference between the maximum height and the minimum height in the entire contact area is less than 1um.
평면도에서 돌출부와 홈부는 반도체 발광소자의 중심에 위치하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The projection and the groove in the plan view is a semiconductor light emitting device located in the center of the semiconductor light emitting device.
제1 전극부는 제1 상부전극과 제2 반도체층 사이에 위치하며, 제1 상부전극 및 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 연결전극을 포함하고,
제2 전극부는 제2 상부전극과 제1 반도체층 사이에 위치하며, 제2 상부전극 및 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 연결전극을 포함하고,
절연층은 제1 상부전극 및 제2 상부전극과 제1 연결전극 및 제2 연결전극 사이에 형성되는 제1 절연층 그리고, 제1 연결전극 및 제2 연결전극과 제1 발광부 및 제2 발광부 사이에 형성되는 제2 절연층을 포함하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The first electrode part is positioned between the first upper electrode and the second semiconductor layer, and includes a first connection electrode electrically connected to the first upper electrode and the second semiconductor layer.
The second electrode part is positioned between the second upper electrode and the first semiconductor layer, and includes a second upper electrode and a second connection electrode electrically connected to the first semiconductor layer.
The insulating layer includes a first insulating layer formed between the first upper electrode and the second upper electrode, the first connection electrode, and the second connection electrode, and the first connection electrode and the second connection electrode, the first light emitting part, and the second light emission. A semiconductor light emitting device comprising a second insulating layer formed between the portions.
연결부는 제2 절연층 위에 형성되며, 제1 발광부의 제1 반도체층과 제2 발광부의 제2 반도체층 사이를 연결하는 반도체 발광소자.The method according to claim 5,
The connection part is formed on the second insulating layer, and the semiconductor light emitting device connects between the first semiconductor layer of the first light emitting part and the second semiconductor layer of the second light emitting part.
연결부는 제2 절연층 아래에 형성되는 반도체 발광소자.The method according to claim 5,
The connecting portion is formed under the second insulating layer.
연결부는 돌출부와 홈부를 중심으로 위치하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The connecting portion is a semiconductor light emitting device which is located around the protrusion and the groove.
연결부 아래에 형성되는 연결절연층;을 포함하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And a connection insulating layer formed under the connection portion.
복수의 발광부는 짝수 개인 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
A plurality of light emitting units are even semiconductor light emitting device.
복수의 발광부는 두 개인 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
A semiconductor light emitting device having two light emitting portions.
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