KR102320797B1 - Light emitting diode - Google Patents

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KR102320797B1 KR1020150022603A KR20150022603A KR102320797B1 KR 102320797 B1 KR102320797 B1 KR 102320797B1 KR 1020150022603 A KR1020150022603 A KR 1020150022603A KR 20150022603 A KR20150022603 A KR 20150022603A KR 102320797 B1 KR102320797 B1 KR 102320797B1
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Abstract

본 발명은 발광 소자 에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광구조체; 상기 발광구조체 상에 위치하고, 상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극의 절연을 위해 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극의 일부를 덮는 절연층; 상기 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극; 및 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 발광구조체에서 발생된 열을 방열하는 방열패드를 포함하고, 상기 방열패드는 평면 형상의 적어도 세 면이 외면으로 노출될 수 있다. 본 발명에 의하면, 발광구조체에 외부 전력을 인가하기 위한 전극 이외에 발광구조체에서 발생된 열을 방열하기 위한 방열패드가 발광 소자에 구비됨에 따라 발광 소자에서 발생된 열을 보다 효율적으로 방열할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a light emitting device, and the light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. a light emitting structure comprising an active layer interposed therein; a first contact electrode and a second contact electrode positioned on the light emitting structure and in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer and the second conductivity-type semiconductor layer, respectively; an insulating layer covering a portion of the first contact electrode and the second contact electrode to insulate the first contact electrode and the second contact electrode; first and second electrodes electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; and a heat dissipation pad formed on the insulating layer and dissipating heat generated by the light emitting structure, wherein at least three surfaces of the heat dissipation pad having a planar shape are exposed to the outside. According to the present invention, since the light emitting element is provided with a heat dissipation pad for dissipating heat generated from the light emitting structure in addition to the electrode for applying external power to the light emitting structure, heat generated from the light emitting structure can be more efficiently dissipated. there is

Description

발광 소자{LIGHT EMITTING DIODE}Light emitting device {LIGHT EMITTING DIODE}

본 발명은 발광 소자 에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광 소자의 열적 특성이 개선된 발광 소자에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device having improved thermal properties of the light emitting device.

최근 소형 고출력 발광 소자에 대한 요구가 증가하면서, 방열 효율이 우수한 대면적의 플립칩형 발광 소자의 수요가 증가하는 추세에 있다. 플립칩형 발광 소자는 전극이 직접 2차 기판에 접합됨에 따라 외부 전원의 공급을 위한 와이어가 이용되지 않아 수평형 발광 소자에 비해 열 방출 효율이 높은 장점이 있다. 즉, 플립칩형 발광 소자에 고밀도 전류를 인가하더라도 열이 2차 기판 측으로 전도되기 때문에 플립칩형 발광 소자는 고출력 발광원으로 이용할 수 있다.Recently, as the demand for a small high-power light emitting device increases, the demand for a large-area flip-chip type light emitting device having excellent heat dissipation efficiency tends to increase. The flip-chip type light emitting device has an advantage in that heat dissipation efficiency is higher than that of the horizontal type light emitting device because the wire for supplying external power is not used as the electrode is directly bonded to the secondary substrate. That is, even when a high-density current is applied to the flip chip light emitting device, heat is conducted to the secondary substrate side, so the flip chip light emitting device can be used as a high output light emitting source.

한편, 발광 소자의 소형화를 위해 발광 소자를 하우징 등에 별도로 패키징하는 공정을 생략하여 발광 소자 자체가 패키지로 이용되는 칩 스케일 패키지(chip scale package)에 대한 요구가 증가하고 있다. 플립칩형 발광 소자는 전극이 패키지의 리드와 유사하게 기능할 수 있어 상기와 같은 칩 스케일 패키지에 유용하게 적용할 수 있다.On the other hand, in order to miniaturize the light emitting device, the process of separately packaging the light emitting device in a housing is omitted, and the demand for a chip scale package in which the light emitting device itself is used as a package is increasing. The flip-chip type light emitting device can be usefully applied to the chip scale package as described above because the electrode can function similarly to the lead of the package.

칩 스케일 패키지를 이용하여 발광 소자를 제조함에 따라 칩 스케일 패키지에 고밀도의 전류가 인가될 수 있다. 더욱이, 최근 고전력 제품들이 요구되어 칩 스케일 패키지에 인가되는 구동전류가 보다 높아지고 있다. 이처럼 칩 스케일 패키지에 인가되는 구동전류가 높아짐에 따라 발광 다이오드 칩에서 발생되는 열도 증가하는데, 증가된 열에 의해 발광 소자에 열적 스트레스가 발생될 수 있다. 또한, 증가된 열에 의해 정션온도(junction temperature)가 높아지는 현상이 발생하여 발광소자의 신뢰성을 떨어뜨리는 문제가 있다.
As the light emitting device is manufactured using the chip scale package, a high-density current may be applied to the chip scale package. Moreover, as high-power products are recently required, the driving current applied to the chip-scale package is increasing. As such, as the driving current applied to the chip scale package increases, heat generated from the light emitting diode chip also increases, and thermal stress may be generated in the light emitting device by the increased heat. In addition, there is a problem in that the junction temperature is increased due to the increased heat, thereby reducing the reliability of the light emitting device.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 고전력을 인가하여 구동되어도 신뢰성이 높은 발광 소자를 제공하는 것이다.
The problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting device with high reliability even when driven by applying high power.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광구조체; 상기 발광구조체 상에 위치하고, 상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극의 절연을 위해 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극의 일부를 덮는 절연층; 상기 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극; 및 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 발광구조체에서 발생된 열을 방열하는 방열패드를 포함하고, 상기 방열패드는 평면 형상의 적어도 세 면이 외면으로 노출될 수 있다.A light emitting device according to an embodiment of the present invention is a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer interposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. ; a first contact electrode and a second contact electrode positioned on the light emitting structure and in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer and the second conductivity-type semiconductor layer, respectively; an insulating layer covering a portion of the first contact electrode and the second contact electrode to insulate the first contact electrode and the second contact electrode; first and second electrodes electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; and a heat dissipation pad formed on the insulating layer and dissipating heat generated by the light emitting structure, wherein at least three surfaces of the heat dissipation pad having a planar shape are exposed to the outside.

이때, 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 하나 이상은 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 절연층의 평면상에서 일 측에 배치될 수 있다. 그리고 상기 제1 전극 및 제2 전극은 상기 절연층 상에 이격되어 형성되고, 상기 방열패드는 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 제1 및 제2 전극 사이에 배치될 수 있다.In this case, at least one of the first electrode and the second electrode may be formed on the insulating layer and disposed on one side on a plane of the insulating layer. The first electrode and the second electrode may be spaced apart from each other on the insulating layer, and the heat dissipation pad may be formed on the insulating layer and disposed between the first and second electrodes.

또한, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 둘 이상 형성되고, 상기 둘 이상의 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 절연층 상에 형성되며, 상기 절연층의 평면상에서 이격되어 배치될 수 있다. 그리고 상기 방열패드는 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 제1 전극 및 제2 전극들 사이에 배치될 수 있다.In addition, two or more of the first electrode and the second electrode may be formed, respectively, and the two or more first and second electrodes may be respectively formed on the insulating layer and spaced apart from each other on a plane of the insulating layer. The heat dissipation pad may be formed on the insulating layer and disposed between the first electrode and the second electrode.

또, 상기 방열패드는 둘 이상 형성되고, 상기 둘 이상의 방열패드의 면들 중 외면으로 노출되는 면의 수가 셋 이상일 수 있다. 이때, 상기 둘 이상의 방열패드는 서로 이격되어 배치될 수 있다.In addition, two or more heat dissipation pads may be formed, and the number of surfaces exposed to the outer surface among the surfaces of the two or more heat dissipation pads may be three or more. In this case, the two or more heat dissipation pads may be disposed to be spaced apart from each other.

여기서, 상기 절연층은, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 사이에 형성되어 상기 제2 컨택 전극의 일부를 덮도록 형성되고, 상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 컨택 전극을 각각 부분적으로 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부가 형성된 제1 절연층; 및 상기 제1 절연층을 부분적으로 덮는 제1 컨택 전극의 일부를 덮도록 형성되고, 상기 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극을 부분적으로 노출시키는 제3 개구부 및 제4 개구부가 형성된 제2 절연층을 포함할 수 있다.Here, the insulating layer is formed between the first and second contact electrodes to cover a portion of the second contact electrode, and partially exposes the first conductivity-type semiconductor layer and the second contact electrode, respectively. a first insulating layer having a first opening and a second opening; and a second insulating layer formed to cover a portion of the first contact electrode partially covering the first insulating layer, and having third and fourth openings partially exposing the first and second contact electrodes may include.

이때, 상기 제1 전극은 상기 제3 개구부를 통해 상기 제1 컨택 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 제4 개구부를 통해 상기 제2 컨택 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.In this case, the first electrode may be electrically connected to the first contact electrode through the third opening, and the second electrode may be electrically connected to the second contact electrode through the fourth opening.

또한, 상기 발광구조체는 상기 제1 도전형 반도체층을 부분적으로 노출시키는 다수의 홀이 형성되고, 상기 제1 컨택 전극은 상기 복수의 홀을 통해 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the light emitting structure may have a plurality of holes partially exposing the first conductivity type semiconductor layer, and the first contact electrode may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer through the plurality of holes. .

그리고 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al 및 Ag 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 상기 방열패드도 Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al 및 Ag 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
In addition, the first electrode and the second electrode may each include at least one of Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al and Ag, and the heat dissipation pad also includes Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al and Ag. may include one or more of

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는, 서로 전기적으로 연결된 다수의 발광구조체; 상기 다수의 발광구조체 중 하나에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 다수의 발광구조체 중 다른 하나에 전기적으로 연결된 제2 전극; 및 상기 다수의 발광구조체 상에 형성되고, 상기 다수의 발광구조체에서 발생된 열을 방열하는 방열패드를 포함하고, 상기 방열패드는 평면 형상의 적어도 세면이 외면으로 노출될 수 있다. On the other hand, the light emitting device according to an embodiment of the present invention, a plurality of light emitting structures electrically connected to each other; a first electrode electrically connected to one of the plurality of light emitting structures; a second electrode electrically connected to the other one of the plurality of light emitting structures; and a heat dissipation pad formed on the plurality of light emitting structures and dissipating heat generated by the plurality of light emitting structures, wherein at least three surfaces of the heat dissipation pad having a planar shape may be exposed to the outside.

이때, 상기 발광구조체는, 제1 도전형 반도체층; 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 및 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극의 절연을 위해 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극의 일부를 덮는 절연층을 포함할 수 있다.In this case, the light emitting structure may include a first conductivity type semiconductor layer; a second conductivity type semiconductor layer; an active layer interposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; a first contact electrode and a second contact electrode positioned on the second conductivity-type semiconductor layer and in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer and the second conductivity-type semiconductor layer, respectively; and an insulating layer covering a portion of the first contact electrode and the second contact electrode to insulate the first contact electrode and the second contact electrode.

그리고 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극에 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제1 및 제2 전극과 방열패드는 상기 절연층 상에 형성될 수 있다.In addition, the first electrode and the second electrode may be electrically connected to the first contact electrode and the second contact electrode, respectively, and the first and second electrodes and the heat dissipation pad may be formed on the insulating layer.

또한, 상기 다수의 발광구조체는 서로 직렬로 연결될 수 있다.In addition, the plurality of light emitting structures may be connected in series with each other.

그리고 상기 방열패드의 평면 형상 면적은 상기 발광 소자의 평면 형상 면적의 50% 이상일 수 있다.
In addition, the planar area of the heat dissipation pad may be 50% or more of the planar area of the light emitting device.

본 발명에 의하면, 발광구조체에 외부 전력을 인가하기 위한 전극 이외에 발광구조체에서 발생된 열을 방열하기 위한 방열패드가 발광 소자에 구비됨에 따라 발광 소자에서 발생된 열을 보다 효율적으로 방열할 수 있는 효과가 있다.
According to the present invention, since the light emitting element is provided with a heat dissipation pad for dissipating heat generated from the light emitting structure in addition to the electrode for applying external power to the light emitting structure, the heat generated from the light emitting structure can be more efficiently dissipated. there is

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자의 하부면을 도시한 저면도이다.
도 2는 도 1의 절취선 AA' 및 BB'을 따라 취해진 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자의 방열패드를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자의 하부면을 도시한 저면도이다.
도 5는 도 4의 절취선 CC'을 따라 취해진 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 소자의 하부면을 도시한 저면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 소자의 하부면을 도시한 저면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a bottom view illustrating a lower surface of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA′ and BB′ of FIG. 1 .
3 is a view for explaining a heat dissipation pad of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
4 is a bottom view illustrating a lower surface of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line CC′ of FIG. 4 .
6 is a bottom view illustrating a lower surface of a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.
7 is a bottom view illustrating a lower surface of a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is an exploded perspective view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a lighting device.
9 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.
10 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.
11 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a head lamp.

본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.A preferred embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자의 하부면을 도시한 저면도이고, 도 2의 (a)는 도 1의 절취선 AA'를 따라 취해진 단면도이며, 도 2의 (b)는 도 1의 절취선 BB'을 따라 취해진 단면도이다.1 is a bottom view showing a lower surface of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention, (a) of FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA' of FIG. It is a cross-sectional view taken along the cut-off line BB' of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)는, 발광구조체(23), 제1 컨택 전극(31), 제2 컨택 전극(33), 제1 절연층(35), 제2 절연층(37), 제1 전극(39), 제2 전극(41) 및 방열패드(43)를 포함한다.1 and 2 , the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention includes a light emitting structure 23 , a first contact electrode 31 , a second contact electrode 33 , and a first insulation It includes a layer 35 , a second insulating layer 37 , a first electrode 39 , a second electrode 41 , and a heat dissipation pad 43 .

발광구조체(23)는 제1 도전형 반도체층(25), 제1 도전형 반도체층(25) 상에 위치하는 활성층(27) 및 활성층(27) 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층(29)을 포함한다. 제1 도전형 반도체층(25), 활성층(27) 및 제2 도전형 반도체층(29)은 III-V족 계열의 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 일례로, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함할 수 있다.The light emitting structure 23 includes a first conductivity-type semiconductor layer 25 , an active layer 27 positioned on the first conductivity-type semiconductor layer 25 , and a second conductivity-type semiconductor layer 29 positioned on the active layer 27 . ) is included. The first conductivity type semiconductor layer 25 , the active layer 27 , and the second conductivity type semiconductor layer 29 may include a group III-V compound semiconductor, for example, (Al, Ga, In)N It may include a nitride-based semiconductor such as

제1 도전형 반도체층(25)은 n형 불순물(일례로, Si)을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(29)은 p형 불순물(일례로, Mg)을 포함할 수 있으며, 그 반대일 수도 있다. 활성층(27)은 다중 양자우물구조(MQW)를 포함할 수 있고, 원하는 피크 파장의 빛을 방출할 수 있도록 조성비가 결정될 수 있다.The first conductivity-type semiconductor layer 25 may include an n-type impurity (eg, Si), and the second conductivity-type semiconductor layer 29 may include a p-type impurity (eg, Mg), It could be the other way around. The active layer 27 may include a multi-quantum well structure (MQW), and a composition ratio may be determined to emit light of a desired peak wavelength.

그리고 발광구조체(23)는 제2 도전형 반도체층(29) 및 활성층(27)이 부분적으로 제거되어 제1 도전형 반도체층(25)이 부분적으로 노출된 영역을 포함할 수 있다. 즉, 도 2의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제2 도전형 반도체층(29) 및 활성층(27)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(25)을 노출시키는 다수의 홀(h)이 형성될 수 있다. 이때, 홀(h)의 형상 및 배치는 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(25)이 부분적으로 노출된 영역은 제2 도전형 반도체층(29) 및 활성층(27)을 부분적으로 제거하여 제2 도전형 반도체층(29)과 활성층(27)을 포함하는 메사를 형성할 수도 있다.In addition, the light emitting structure 23 may include a region in which the second conductivity type semiconductor layer 29 and the active layer 27 are partially removed and the first conductivity type semiconductor layer 25 is partially exposed. That is, as shown in FIGS. 2A and 2B , a plurality of holes penetrating through the second conductivity-type semiconductor layer 29 and the active layer 27 to expose the first conductivity-type semiconductor layer 25 . (h) may be formed. At this time, the shape and arrangement of the hole (h) may be variously modified. In addition, in the region where the first conductivity type semiconductor layer 25 is partially exposed, the second conductivity type semiconductor layer 29 and the active layer 27 are partially removed to form the second conductivity type semiconductor layer 29 and the active layer 27 . ) may be formed.

발광구조체(23)의 제1 도전형 반도체층(25) 하부에 성장 기판이 구비될 수 있다. 성장 기판은 발광구조체(23)를 성장시킬 수 있는 기판(21)이면 되며, 일례로, 성장 기판은 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 기판, 질화갈륨 기판 및 질화알루미늄 기판 등일 수 있다. 그리고 필요에 따라 성장 기판은 공지된 기술을 이용하여 발광구조체(23)에서 분리되어 제거될 수 있다. 또한, 도면에 표시하지 않았으나, 발광구조체(23)의 하면에 거칠기가 증가된 면을 가질 수 있다.A growth substrate may be provided under the first conductivity-type semiconductor layer 25 of the light emitting structure 23 . The growth substrate may be a substrate 21 on which the light emitting structure 23 can be grown. For example, the growth substrate may be a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a silicon substrate, a gallium nitride substrate, or an aluminum nitride substrate. And, if necessary, the growth substrate may be separated and removed from the light emitting structure 23 using a known technique. In addition, although not shown in the drawings, the lower surface of the light emitting structure 23 may have a surface with increased roughness.

제1 컨택 전극(31) 및 제2 컨택 전극(33)은 각각 제1 도전형 반도체층(25) 및 제2 도전형 반도체층(29)과 오믹 컨택할 수 있다. 제2 컨택 전극(33)에 대해 먼저 설명하면, 제2 컨택 전극(33)은 제2 도전형 반도체층(29)의 상부에 형성되고, 제2 도전형 반도체층(29)의 일부 또는 전체를 덮을 수 있다. 제2 컨택 전극(33)은 단일체로 구비되어, 제2 도전형 반도체층(29)의 상면을 덮도록 형성되며, 제1 도전형 반도체층(25)이 노출된 영역에만 형성되지 않는다. 이렇게 단일체로 형성된 제2 컨택 전극(33)에 의해 발광구조체(23)의 전역에 고르게 전류를 공급할 수 있어 전류분산효율이 향상될 수 있다. 물론, 이에 한정되지 않고, 필요에 따라 제2 컨택 전극(33)은 복수의 단위 전극들을 포함할 수 있다.The first contact electrode 31 and the second contact electrode 33 may be in ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer 25 and the second conductivity type semiconductor layer 29 , respectively. First, the second contact electrode 33 is described. The second contact electrode 33 is formed on the second conductivity-type semiconductor layer 29 and partially or entirely forms the second conductivity-type semiconductor layer 29 . can be covered The second contact electrode 33 is provided as a single body and is formed to cover the upper surface of the second conductivity type semiconductor layer 29 , and is not formed only in the area where the first conductivity type semiconductor layer 25 is exposed. The electric current can be uniformly supplied to the entire area of the light emitting structure 23 by the second contact electrode 33 formed as a single body, so that the current distribution efficiency can be improved. Of course, the present invention is not limited thereto, and if necessary, the second contact electrode 33 may include a plurality of unit electrodes.

제2 컨택 전극(33)은 제2 도전형 반도체층(29)에 오믹 컨택할 수 있는 물질이면 되고, 일례로, 금속성 물질 및 도전성 산화물 중 하나 이상이 포함된 물질일 수 있다. The second contact electrode 33 may be any material capable of making ohmic contact with the second conductivity-type semiconductor layer 29 , and for example, may be a material including at least one of a metallic material and a conductive oxide.

제2 컨택 전극(33)이 금속성 물질을 포함하는 경우, 제2 컨택 전극(33)은 반사층(미도시) 및 반사층을 덮는 커버층(미도시)을 포함할 수 있다. 그에 따라 발광구조체(23)에서 발광된 빛이 제2 컨택 전극(33)에서 반사될 수 있다. 이를 위해 반사층은 높은 반사도를 가지면서 제2 도전형 반도체층(29)과의 오믹 컨택할 수 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사층은 Ni, Pt, PD, Rh, W, Ti, Al, Ma, Ag 및 Au 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 단일층으로 형성되거나 다중층으로 형성될 수 있다.When the second contact electrode 33 includes a metallic material, the second contact electrode 33 may include a reflective layer (not shown) and a cover layer (not shown) covering the reflective layer. Accordingly, light emitted from the light emitting structure 23 may be reflected from the second contact electrode 33 . To this end, the reflective layer may include a metal capable of ohmic contact with the second conductivity-type semiconductor layer 29 while having high reflectivity. For example, the reflective layer may include one or more of Ni, Pt, PD, Rh, W, Ti, Al, Ma, Ag, and Au, and may be formed as a single layer or as multiple layers.

그리고 커버층은 반사층과 다른 물질 간의 상호 확산을 방지할 수 있고, 외부의 다른 물질이 반사층에 확산되어 반사층이 손상되는 것을 방지하기 위해 구비될 수 있다. 반사층이 제2 도전형 반도체층(29) 상에 접촉된 상태에서 커버층은 반사층의 상면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 커버층이 반사층의 측면을 덮도록 형성됨에 따라 커버층과 제2 도전형 반도체층(29)이 전기적으로 연결되어 커버층은 반사층과 더불어 컨택 전극으로 이용될 수 있다. 이러한 커버층은 Au, Ni, Ti 및 Cr 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 단일층으로 형성되거나 다중층으로 형성될 수 있다.In addition, the cover layer may prevent mutual diffusion between the reflective layer and other materials, and may be provided to prevent the reflective layer from being damaged due to diffusion of other external materials into the reflective layer. In a state in which the reflective layer is in contact with the second conductivity-type semiconductor layer 29 , the cover layer may be formed to cover the top and side surfaces of the reflective layer. As the cover layer is formed to cover the side surface of the reflective layer, the cover layer and the second conductivity-type semiconductor layer 29 are electrically connected, so that the cover layer may be used as a contact electrode together with the reflective layer. Such a cover layer may include at least one of Au, Ni, Ti, and Cr, and may be formed as a single layer or as multiple layers.

또한, 반사층 및 커버층은 각각 전자선 증착이나 도금 방식으로 형성될 수 있다.In addition, the reflective layer and the cover layer may be formed by electron beam deposition or plating, respectively.

한편, 제2 컨택 전극(33)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 도전성 산화물은 ITO, ZnO, AZO, IZO 등일 수 있다. 제2 컨택 전극(33)이 도전성 산화물을 포함하도록 형성되면, 금속을 포함하는 경우에 비해 제2 도전형 반도체층(29) 상면의 더 넓은 영역을 덮도록 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(25)이 노출된 영역의 테두리에서 제2 컨택 전극(33)까지의 이격 거리는 제2 컨택 전극(33)이 도전성 산화물을 포함하는 경우가 금속을 포함하는 경우보다 더 짧게 형성될 수 있다. 그에 따라 제2 컨택 전극(33)과 제2 도전형 반도체층(29)이 접촉하는 부분과 제1 컨택 전극(31)과 제1 도전형 반도체층(25)이 접촉하는 부분과의 최단 거리가 상대적으로 짧아지기 때문에 발광 소자(100)의 순방향 전압(Vf)이 감소될 수 있다.Meanwhile, when the second contact electrode 33 includes a conductive oxide, the conductive oxide may be ITO, ZnO, AZO, IZO, or the like. When the second contact electrode 33 is formed to include a conductive oxide, it may be formed to cover a larger area of the upper surface of the second conductivity-type semiconductor layer 29 compared to the case in which the second contact electrode 33 includes a metal. The separation distance from the edge of the region where the first conductivity type semiconductor layer 25 is exposed to the second contact electrode 33 is shorter when the second contact electrode 33 includes a conductive oxide than when the second contact electrode 33 includes a metal. can be formed. Accordingly, the shortest distance between a portion in which the second contact electrode 33 and the second conductivity-type semiconductor layer 29 are in contact and a portion in which the first contact electrode 31 and the first conductivity-type semiconductor layer 25 are in contact is reduced. Since it is relatively short, the forward voltage V f of the light emitting device 100 may be reduced.

상기와 같이, 제2 컨택 전극(33)이 금속성 물질을 포함하는 경우와 도전성 산화물을 포함하는 경우에 제2 컨택 전극(33)을 형성할 수 있는 면적에 차이가 발생하는 이유는 제조 방법의 차이에 의한 것일 수 있다. 예를 들어, 금속성 물질은 증착이나 도금 방식으로 형성되므로 마스크의 공정 마진에 의해 제2 도전형 반도체층(29)의 외곽 테두리에서 일정 거리 이격된 부분이 형성된다. 반면, 도전성 산화물은 제2 도전형 반도체층(29) 상에 전체적으로 형성된 다음에, 제1 도전형 반도체층(25)을 노출시키는 식각 공정을 통해 도전성 산화물이 제2 도전형 반도체층(29)과 함께 제거된다. 그로 인해 도전성 산화물은 상대적으로 제2 도전형 반도체층(29)의 외곽 테두리에 더욱 가깝게 형성될 수 있다.As described above, when the second contact electrode 33 includes a metallic material and when the second contact electrode 33 includes a conductive oxide, the reason for the difference in the area in which the second contact electrode 33 can be formed is the difference in manufacturing method. may be due to For example, since the metallic material is formed by deposition or plating, a portion spaced apart from the outer edge of the second conductivity-type semiconductor layer 29 by a predetermined distance is formed by the process margin of the mask. On the other hand, the conductive oxide is formed entirely on the second conductivity type semiconductor layer 29 , and then the conductive oxide is formed with the second conductivity type semiconductor layer 29 and the second conductivity type semiconductor layer 29 through an etching process to expose the first conductivity type semiconductor layer 25 . are removed together Accordingly, the conductive oxide may be formed relatively closer to the outer edge of the second conductivity-type semiconductor layer 29 .

제1 절연층(35)은 발광구조체(23) 상면 및 제2 컨택 전극(33)을 부분적으로 덮도록 형성될 수 있다. 또한, 제1 절연층(35)은 홀(h)의 측면을 덮도록 형성될 수 있고, 홀(h)의 저면에 제1 도전형 반도체층(25)이 부분적으로 노출되도록 형성될 수 있다. 그리고 제2 컨택 전극(33)의 일부가 노출되도록 제1 절연층(35)에 하나 이상의 개구부가 형성될 수 있다.The first insulating layer 35 may be formed to partially cover the upper surface of the light emitting structure 23 and the second contact electrode 33 . Also, the first insulating layer 35 may be formed to cover the side surface of the hole h, and the first conductivity type semiconductor layer 25 may be partially exposed on the bottom surface of the hole h. In addition, one or more openings may be formed in the first insulating layer 35 to partially expose the second contact electrode 33 .

제1 절연층(35)은 절연성 물질을 포함할 수 있는데, 일례로, SiO2, SiNx, MgF2 등을 포함할 수 있다. 그리고 제1 절연층(35)은 다중층으로 형성될 수 있으며, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다.The first insulating layer 35 may include an insulating material, for example, SiO 2 , SiN x , MgF 2 , or the like. In addition, the first insulating layer 35 may be formed in multiple layers, and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked.

제2 컨택 전극(33)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 제1 절연층(35)이 분포 브래그 반사기를 포함하여 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 그리고 제2 컨택 전극(33)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 제1 절연층(35)을 투명 절연 산화물(예컨대, SiO2)로 형성하여 제2 컨택 전극(33), 제1 절연층(35) 및 제1 컨택 전극(31)의 적층 구조에 의해 형성되는 전방위 반사기를 형성할 수 있다.When the second contact electrode 33 includes a conductive oxide, the first insulating layer 35 includes a distributed Bragg reflector to improve luminous efficiency of the light emitting device 100 . And when the second contact electrode 33 includes a conductive oxide, the first insulating layer 35 is formed of a transparent insulating oxide (eg, SiO 2 ) to form the second contact electrode 33 and the first insulating layer 35 . ) and an omnidirectional reflector formed by the stacked structure of the first contact electrode 31 may be formed.

제1 컨택 전극(31)은 제2 컨택 전극(33)의 일부를 노출시키는 개구부가 형성된 부분을 제외한 제1 절연층(35) 전체를 덮도록 형성될 수 있다. 그에 따라 제1 절연층(35)의 일부는 제1 컨택 전극(31)과 제2 컨택 전극(33) 사이에 개재될 수 있다.The first contact electrode 31 may be formed to cover the entire first insulating layer 35 except for a portion in which an opening exposing a portion of the second contact electrode 33 is formed. Accordingly, a portion of the first insulating layer 35 may be interposed between the first contact electrode 31 and the second contact electrode 33 .

한편, 제1 절연층(35)은 도 2에 도시하지 않았지만, 발광구조체(23)의 측면의 일부를 포함하여 덮을 수 있도록 형성될 수 있다. 제1 절연층(35)은 발광 소자(100)의 제조 과정에서 칩 단위 개별화(isolation)의 여부에 따라 달라질 수 있다. 발광 소자(100)의 제조 과정에서 웨이퍼를 칩 단위로 개별화한 후에 제1 절연층(35)을 형성하는 경우, 발광구조체(23)의 측면까지 제1 절연층(35)에 의해 덮일 수 있다.Meanwhile, although not shown in FIG. 2 , the first insulating layer 35 may be formed to cover a portion of the side surface of the light emitting structure 23 . The first insulating layer 35 may vary depending on whether chip unit isolation is performed during the manufacturing process of the light emitting device 100 . In the case where the first insulating layer 35 is formed after individualizing a wafer in a chip unit during the manufacturing process of the light emitting device 100 , the first insulating layer 35 may cover the side surface of the light emitting structure 23 .

제1 컨택 전극(31)은 발광구조체(23)를 부분적으로 덮도록 형성된다. 제1 컨택 전극(31)은 홀(h)을 메꾸도록 형성되어 홀(h)에 대응하는 부분에 위치하는 제1 절연층(35)이 덮지 않은 제1 도전형 반도체층(25)과 오믹 컨택된다. 본 발명의 제1 실시예에서 제1 컨택 전극(31)은 제1 절연층(35)의 일부를 제외한 제1 절연층(35) 전체를 덮도록 형성될 수 있다. 그에 따라 제1 컨택 전극(31)에 의해 발광구조체(23)에서 발광된 빛이 반사될 수 있으며, 제1 컨택층과 제2 컨택층이 제1 절연층(35)에 의해 서로 전기적으로 절연될 수 있다.The first contact electrode 31 is formed to partially cover the light emitting structure 23 . The first contact electrode 31 is formed to fill the hole h and is in ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer 25 not covered by the first insulating layer 35 positioned at a portion corresponding to the hole h. do. In the first embodiment of the present invention, the first contact electrode 31 may be formed to cover the entire first insulating layer 35 except for a portion of the first insulating layer 35 . Accordingly, light emitted from the light emitting structure 23 by the first contact electrode 31 may be reflected, and the first contact layer and the second contact layer may be electrically insulated from each other by the first insulating layer 35 . can

제1 컨택 전극(31)은 일부 영역을 제외하고 발광구조체(23)의 상면을 전체적으로 덮도록 형성됨에 따라 제1 컨택 전극(31)에 의해 전류 분산 효율이 더욱 향상될 수 있다. 그리고 제1 컨택 전극(31)은 제2 컨택 전극(33)에 의해 덮이지 않은 부분을 커버할 수 있어 빛을 보다 효과적으로 반사시켜 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.As the first contact electrode 31 is formed to entirely cover the upper surface of the light emitting structure 23 except for a partial region, current dissipation efficiency may be further improved by the first contact electrode 31 . In addition, since the first contact electrode 31 may cover a portion not covered by the second contact electrode 33 , light may be reflected more effectively to improve the luminous efficiency of the light emitting device 100 .

제1 컨택 전극(31)은 제1 도전형 반도체층(25)과 오믹 컨택되고, 빛을 반사시키는 역할을 한다. 그에 따라 제1 컨택 전극(31)은 Al층과 같은 고반사성 금속층을 포함할 수 있고, 단일층으로 형성되거나 다중층으로 형성될 수 있다. 이때, 고반사성 금속층은 Ti, Cr 또는 Ni 등의 접촉층 상에 형성될 수 있고, 제1 컨택층은 Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag 및 Au 중 하나 이상을 포함할 수 있다.The first contact electrode 31 is in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer 25 and serves to reflect light. Accordingly, the first contact electrode 31 may include a highly reflective metal layer such as an Al layer, and may be formed as a single layer or as a multilayer. In this case, the highly reflective metal layer may be formed on a contact layer such as Ti, Cr, or Ni, and the first contact layer may include at least one of Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag, and Au. may include

또한, 제1 컨택 전극(31)은 제1 절연층(35)과 같이, 발광구조체(23)의 측면의 일부를 덮도록 형성될 수 있는데, 제1 컨택 전극(31)이 발광구조체(23)의 측면까지 형성되는 경우, 활성층(27)에서 측면으로 발광되는 빛을 반사시켜 발광 소자(100)의 발광 효율을 증가시킬 수 있다. 이렇게 제1 컨택 전극(31)이 발광구조체(23)의 측면의 일부를 덮도록 형성될 때, 발광구조체(23)와 제1 컨택 전극(31) 사이에 제1 절연층(35)이 개재될 수 있다.Also, like the first insulating layer 35 , the first contact electrode 31 may be formed to cover a portion of the side surface of the light emitting structure 23 . When formed up to the side of the light emitting device 100 by reflecting the light emitted from the side of the active layer 27 can be increased. When the first contact electrode 31 is formed to cover a portion of the side surface of the light emitting structure 23 , the first insulating layer 35 may be interposed between the light emitting structure 23 and the first contact electrode 31 . can

제2 절연층(37)은 제1 컨택 전극(31)을 일부를 제외한 전체적으로 덮도록 형성된다. 제2 절연층(37)에는 제1 컨택 전극(31)을 부분적으로 노출시키는 제1 개구부(op1) 및 제2 컨택 전극(33)을 부분적으로 노출시키는 제2 개구부(op2)가 형성될 수 있다. 이때, 제1 개구부(op1) 및 제2 개구부(op2)는 각각 하나 이상 형성될 수 있다.The second insulating layer 37 is formed to completely cover the first contact electrode 31 except for a part. A first opening op1 partially exposing the first contact electrode 31 and a second opening op2 partially exposing the second contact electrode 33 may be formed in the second insulating layer 37 . . In this case, one or more of the first opening op1 and the second opening op2 may be formed, respectively.

제2 절연층(37)은 절연성 물질을 포함할 수 있고, 일례로, SiO2, SiNx, MgF2 등을 포함할 수 있으며, 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다. 제2 절연층(37)이 다중층으로 이루어진 경우, 제2 절연층(37)의 최상부층은 SiNx로 형성될 수 있다. 이렇게 제2 절연층(37)의 최상부층이 SiNx로 형성되면 발광구조체(23)로 습기가 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.The second insulating layer 37 may include an insulating material, for example, SiO 2 , SiN x , MgF 2 , etc., may include multiple layers, and materials having different refractive indices are alternately stacked. It may also include a distributed Bragg reflector. When the second insulating layer 37 is formed of multiple layers, the uppermost layer of the second insulating layer 37 may be formed of SiN x . When the uppermost layer of the second insulating layer 37 is formed of SiN x in this way, it is possible to effectively prevent moisture from penetrating into the light emitting structure 23 .

제1 전극(39) 및 제2 전극(41)은 발광구조체(23) 상에 위치할 수 있고, 각각 제1 컨택 전극(31) 및 제2 컨택 전극(33)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(39)은 제1 개구부(op1)를 통해 제1 컨택 전극(31)과 직접 접촉되어 전기적으로 연결되고, 제2 전극(41)은 제2 개구부(op2)를 통해 제2 컨택 전극(33)과 직접 접촉되어 전기적으로 연결된다.The first electrode 39 and the second electrode 41 may be positioned on the light emitting structure 23 , and may be electrically connected to the first contact electrode 31 and the second contact electrode 33 , respectively. The first electrode 39 is in direct contact with and electrically connected to the first contact electrode 31 through the first opening op1 , and the second electrode 41 is connected to the second contact electrode through the second opening op2 . (33) is in direct contact with and electrically connected.

제1 전극(39) 및 제2 전극(41)이 수십 ㎛ 이상의 두께를 가지도록 형성되어 발광 소자(100)는 그 자체로 칩 스케일 패키지로 이용될 수 있다.Since the first electrode 39 and the second electrode 41 are formed to have a thickness of several tens of μm or more, the light emitting device 100 itself may be used as a chip scale package.

제1 전극(39) 및 제2 전극(41)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있고, 전기적 도전성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 제1 전극(39) 및 제2 전극(41)은 각각 Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al 및 Ag 중 하나 이상을 포함할 수 있으며, 또는 소결된 형태의 금속 입자들 및 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함할 수도 있다. 여기서, 제1 전극(39) 및 제2 전극(41)은 도금, 증착, 도팅 또는 스크린 프린팅 방법 등을 이용하여 형성될 수 있다.The first electrode 39 and the second electrode 41 may be formed of a single layer or multiple layers, and may include a material having electrical conductivity. For example, the first electrode 39 and the second electrode 41 may each include one or more of Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al, and Ag, or metal particles and metal in a sintered form. It may include a non-metallic material interposed between the particles. Here, the first electrode 39 and the second electrode 41 may be formed using plating, deposition, dotting, or screen printing.

도금을 이용하여 제1 전극(39) 및 제2 전극(41)을 형성하는 경우, 제1 개구부(op1) 및 제2 개구부(op2)의 전면에 스퍼터링과 같은 방법으로 시드 메탈을 형성한다. 시드 메탈은 Ti, Cu, Au, Cr 등을 포함할 수 있고, UBM층(under bump metallization layer)과 같은 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 상기 시드 메탈은 Ti/Cu 적층 구조를 가질 수 있다. 시드 메탈을 형성한 다음, 시드 메탈 상에 마스크를 형성하는데, 마스크는 절연지지체가 형성되는 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고, 제1 및 제2 전극(39, 41)이 형성되는 영역을 오픈한다. 다음, 도금 공정을 통해 마스크의 오픈 영역 내에 제1 및 제2 전극(39, 41)을 형성하고, 이후 식각 공정을 통해 마스크 및 시드 메탈을 제거함으로써 제1 및 제2 전극(39, 41)이 형성될 수 있다.When the first electrode 39 and the second electrode 41 are formed by plating, the seed metal is formed on the entire surface of the first opening op1 and the second opening op2 by a method such as sputtering. The seed metal may include Ti, Cu, Au, Cr, or the like, and may serve as an under bump metallization layer (UBM). For example, the seed metal may have a Ti/Cu stacked structure. After forming the seed metal, a mask is formed on the seed metal. The mask masks a portion corresponding to the region where the insulating support is formed, and opens the region where the first and second electrodes 39 and 41 are formed. . Next, the first and second electrodes 39 and 41 are formed by forming the first and second electrodes 39 and 41 in the open region of the mask through a plating process, and then removing the mask and the seed metal through an etching process. can be formed.

또한, 스크린 프린팅 방법을 이용하여 제1 및 제2 전극(39, 41)을 형성하는 경우는 다음과 같다. 제1 개구부(op1) 및 제2 개구부(op2)의 적어도 일부 상에, 스퍼터링과 같은 증착 및 패터닝 방식, 또는 증착 및 리프트 오프 방법을 통해 UBM층을 형성한다. UBM층은 제1 및 제2 전극(39, 41)이 형성될 영역 상에 형성될 수 있으며, (Ti 또는 TiW)층과 (Cu, Ni, Au 단일층 또는 조합)층을 포함할 수 있다. 예를 들어, UBM층은 Ti/Cu 적층 구조를 가질 수 있다. 이어서, 마스크를 형성하되, 마스크는 절연지지체가 형성되는 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고, 제1 및 제2 전극(39, 41)이 형성되는 영역을 오픈한다. 다음, 스크린 프린팅 공정을 통해 Ag 페이스트, Au 페이스트, Cu 페이스트와 같은 물질을 상기 오픈 영역 내에 형성하고, 이를 경화시킨다. 이후 식각 공정을 통해 상기 마스크를 제거함으로써 제1 및 제2 전극(39, 41)이 형성될 수 있다.In addition, the case of forming the first and second electrodes 39 and 41 using the screen printing method is as follows. A UBM layer is formed on at least a portion of the first opening op1 and the second opening op2 through a deposition and patterning method such as sputtering, or a deposition and lift-off method. The UBM layer may be formed on the region where the first and second electrodes 39 and 41 are to be formed, and may include a (Ti or TiW) layer and a (Cu, Ni, Au single layer or a combination) layer. For example, the UBM layer may have a Ti/Cu stacked structure. Next, a mask is formed, but the mask masks a portion corresponding to the region where the insulating support is formed, and opens the region where the first and second electrodes 39 and 41 are formed. Next, a material such as Ag paste, Au paste, or Cu paste is formed in the open region through a screen printing process, and the material is cured. Thereafter, the first and second electrodes 39 and 41 may be formed by removing the mask through an etching process.

이때, 상기와 같은 방법으로 제1 및 제2 전극(39, 41)을 형성할 때, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에서 제1 및 제2 전극(39, 41)은 발광구조체(23)의 모서리 측에 각각 형성되도록 할 수 있다. 그리고 제1 및 제2 전극(39, 41) 사이에 일정 이상의 공간이 형성되도록 제1 전극(39) 및 제2 전극(41)의 크기를 조절할 수 있다. 제1 전극(39) 및 제2 전극(41)의 크기는 발광구조체(23)의 모서리 측에 일정 이하의 면적을 가지도록 형성될 수 있다.At this time, when the first and second electrodes 39 and 41 are formed in the same manner as described above, as shown in FIG. 1 , in the first embodiment of the present invention, the first and second electrodes 39 and 41 are formed. Silver may be formed on the edge of the light emitting structure 23, respectively. In addition, the sizes of the first electrode 39 and the second electrode 41 may be adjusted so that a predetermined space or more is formed between the first and second electrodes 39 and 41 . The size of the first electrode 39 and the second electrode 41 may be formed so as to have an area of a certain amount or less on the edge side of the light emitting structure 23 .

본 발명의 제1 실시예에서 발광구조체(23)의 평면상에 제1 전극(39) 및 제2 전극(41)이 발광구조체(23)의 모서리 측에 삼각형 형상으로 각각 형성되고, 제1 전극(39)과 제2 전극(41)의 사이에 방열패드(43)가 육각형 형상으로 형성될 수 있다.In the first embodiment of the present invention, the first electrode 39 and the second electrode 41 are each formed in a triangular shape on the edge of the light emitting structure 23 on the plane of the light emitting structure 23, and the first electrode A heat dissipation pad 43 may be formed in a hexagonal shape between the 39 and the second electrode 41 .

방열패드(43)는 발광구조체(23)의 평면상에 형성될 수 있고, 제2 절연층(37)과 접촉되어 형성될 수 있다. 방열패드(43)의 두께는 제1 및 제2 전극(39, 41)과 동일한 두께로 형성되거나 제1 및 제2 전극(39, 41)보다 작은 두께를 가지도록 형성될 수도 있다. 그리고 방열패드(43)의 면적은 제1 및 제2 전극(39, 41)의 평면상의 면적보다 넓은 면적을 가지도록 형성될 수 있어 도 1에 도시된 바와 같이, 적어도 세면 이상이 외면으로 노출될 수 있다. 일례로, 방열패드의 면적은 발광 소자의 평면 형상의 50% 이상이 되도록 형성할 수 있으며, 방열패드의 면적이 커질수록 보다 방열 효율을 높일 수 있다.The heat dissipation pad 43 may be formed on the plane of the light emitting structure 23 , and may be formed in contact with the second insulating layer 37 . The heat dissipation pad 43 may have the same thickness as the first and second electrodes 39 and 41 or may be formed to have a smaller thickness than the first and second electrodes 39 and 41 . In addition, the area of the heat dissipation pad 43 may be formed to have a larger area than the planar area of the first and second electrodes 39 and 41 , so that at least three surfaces are exposed to the outside as shown in FIG. 1 . can For example, the area of the heat dissipation pad may be formed to be 50% or more of the planar shape of the light emitting device, and as the area of the heat dissipation pad increases, the heat dissipation efficiency may be further increased.

본 발명의 제1 실시예에서 제1 전극(39) 및 제2 전극(41)이 발광구조체(23)의 모서리 측에 일정 면적 이하를 가지도록 형성됨에 따라 제1 및 제2 전극(39, 41)이 형성되지 않은 부분 전체에 형성될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 전극(39, 41)과 방열패드(43)는 일정 거리 이상 이격되도록 형성될 수 있다. 즉, 방열패드(43)는 제1 및 제2 전극(39, 41)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 방열패드(43)가 제1 및 제2 전극(39, 41)과 이격되도록 형성하여 방열패드(43)에는 전류가 흐르지 않도록 형성할 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 전극(39, 41)의 형상 및 방열패드(43)의 형상은 도시된 것에 한정되지 않고, 필요에 따라 다양하게 변형할 수 있다.In the first embodiment of the present invention, as the first electrode 39 and the second electrode 41 are formed to have a predetermined area or less on the edge of the light emitting structure 23, the first and second electrodes 39 and 41 ) may be formed in the entire non-formed portion. In this case, the first and second electrodes 39 and 41 and the heat dissipation pad 43 may be formed to be spaced apart from each other by a predetermined distance or more. That is, the heat dissipation pad 43 may be formed of the same material as the first and second electrodes 39 and 41 , and the heat dissipation pad 43 is formed to be spaced apart from the first and second electrodes 39 and 41 . The heat dissipation pad 43 may be formed so that no current flows. Here, the shapes of the first and second electrodes 39 and 41 and the shape of the heat dissipation pad 43 are not limited to the illustrated ones, and may be variously modified as necessary.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)의 방열패드(43) 면적에 따른 정션온도를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining the junction temperature according to the area of the heat dissipation pad 43 of the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention.

도 3의 (a)는 종래의 발광 소자를 도시한 도면이고, 도 3의 (b)는 본 발명의 발광 소자를 도시한 도면으로, 각각 제1 전극(39), 제2 전극(41) 및 방열패드(43)가 형성된 발광 소자(100)의 저면을 도시한 도면이다. 종래의 발광 소자는 방열패드(43)가 형성되지 않은 상태로 제1 및 제2 전극만 형성되고, 본 발명의 일시예에 따른 발광 소자는 방열패드와 함께 제1 및 제2 전극이 형성되며, 제1 및 제2 전극(39, 41)의 한 변의 길이가 약 500㎛으로 형성된 것을 도시한 도면이다.Figure 3 (a) is a view showing a conventional light emitting device, Figure 3 (b) is a view showing a light emitting device of the present invention, respectively, the first electrode 39, the second electrode 41 and It is a view showing a bottom surface of the light emitting device 100 on which the heat dissipation pad 43 is formed. In the conventional light emitting device, only the first and second electrodes are formed without the heat dissipation pad 43, and in the light emitting device according to an embodiment of the present invention, the first and second electrodes are formed together with the heat dissipation pad, It is a view showing that the length of one side of the first and second electrodes 39 and 41 is about 500 μm.

종래의 발광 소자와 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 전류 밀도 및 최대 인가 가능한 전류를 비교한 결과, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자에 방열패드를 형성함으로 인해 정션온도가 낮아진 것을 확인하였다. 그로 인해 일정 동작 범위 내에서 고전류 구동 시 안정적인 신뢰성을 확보할 수 있다.As a result of comparing the current density and the maximum applicable current of the conventional light emitting device and the light emitting device according to the embodiment of the present invention, it is found that the junction temperature is lowered due to the formation of the heat dissipation pad in the light emitting device according to the embodiment of the present invention. Confirmed. As a result, stable reliability can be secured during high-current driving within a certain operating range.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자의 하부면을 도시한 저면도이고, 도 5는 도 4의 절취선 CC'을 따라 취해진 단면도이다.4 is a bottom view illustrating a lower surface of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line CC′ of FIG. 4 .

본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자(100)는 발광구조체(23), 제1 컨택 전극(31), 제2 컨택 전극(33), 제1 절연층(35), 제2 절연층(37), 제1 전극(39), 제2 전극(41) 및 방열패드(43)를 포함한다. 그리고 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자(100)에 대해 설명하면서, 제1 실시예에서와 동일한 설명에 대해서는 생략한다.The light emitting device 100 according to the second embodiment of the present invention includes a light emitting structure 23 , a first contact electrode 31 , a second contact electrode 33 , a first insulating layer 35 , and a second insulating layer ( 37 ), a first electrode 39 , a second electrode 41 , and a heat dissipation pad 43 . In addition, while describing the light emitting device 100 according to the second embodiment of the present invention, the same description as in the first embodiment will be omitted.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에서 발광 소자(100)는 다수의 발광구조체(23a, 23b)가 직렬로 연결되어 형성된다. 설명을 위해 제1 발광구조체(23a) 및 제2 발광구조체(23)b가 직렬로 연결된 것에 대해서만 설명하면, 기판(21) 상부에 제1 발광구조체(23a) 및 제2 발광구조체(20b)가 이격되어 형성되고, 제1 발광구조체(23a)와 제2 발광구조체(23b)의 이격된 공간을 제1 절연체와 제1 컨택 전극(31)을 메꾸도록 형성된다. 이때, 제1 및 제2 발광구조체(23a, 23b)의 구조는 제1 실시예에서와 동일한 구조로 형성된다.4 and 5, in the second embodiment of the present invention, the light emitting device 100 is formed by connecting a plurality of light emitting structures 23a and 23b in series. For explanation, only the first light emitting structure 23a and the second light emitting structure 23b are connected in series, the first light emitting structure 23a and the second light emitting structure 20b are formed on the substrate 21 The spaced apart space between the first light emitting structure 23a and the second light emitting structure 23b is formed to be filled with the first insulator and the first contact electrode 31 . At this time, the structures of the first and second light emitting structures 23a and 23b are formed in the same structure as in the first embodiment.

이렇게 다수의 발광구조체(23a, 23b)가 직렬로 연결된 상태로 형성된 상태에서 제2 절연층(37)에 의해 다수의 발광구조체(23a, 23b) 전체를 덮도록 형성되고, 제2 절연체 상부에 제1 전극(39), 제2 전극(41) 및 방열패드(43)가 각각 형성된다. 이때, 제1 전극(39)과 제1 컨택 전극(31)은 제1 개구부(op1)를 통해 전기적으로 접촉되고, 제2 전극(41)과 제2 컨택 전극(33)은 제2 개구부(op2)를 통해 전기적으로 접촉된다. 그리고 방열패드(43)는 제1 및 제2 전극(39, 41)과 각각 이격된 상태로, 제2 절연층(37) 상에 형성된다.In this way, the plurality of light emitting structures 23a and 23b are formed to cover the entirety of the plurality of light emitting structures 23a and 23b by the second insulating layer 37 in a state in which they are connected in series, and are formed on the second insulator. A first electrode 39 , a second electrode 41 , and a heat dissipation pad 43 are formed, respectively. In this case, the first electrode 39 and the first contact electrode 31 are electrically contacted through the first opening op1 , and the second electrode 41 and the second contact electrode 33 are connected to the second opening op2 . ) through electrical contact. In addition, the heat dissipation pad 43 is formed on the second insulating layer 37 while being spaced apart from the first and second electrodes 39 and 41 , respectively.

이때, 본 발명의 제2 실시예에서 다수의 발광구조체(23a, 23b)가 직렬로 연결된 것에 대해 설명하였지만, 필요에 따라 다수의 발광구조체(23a, 23b)는 병렬로 연결될 수 있고, 직렬 및 병렬이 혼합되어 연결될 수도 있다.At this time, although it has been described that the plurality of light emitting structures 23a and 23b are connected in series in the second embodiment of the present invention, if necessary, the plurality of light emitting structures 23a and 23b may be connected in parallel, and in series and parallel These may be mixed and connected.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 소자의 하부면을 도시한 저면도이다.6 is a bottom view illustrating a lower surface of a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 소자(100)는 발광구조체(23), 제1 컨택 전극(31), 제2 컨택 전극(33), 제1 절연층(35), 제2 절연층(37), 제1 전극(391, 39b), 제2 전극(41a, 41b) 및 방열패드(43)를 포함한다. 그리고 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자(100)에 대해 설명하면서, 제1 실시예에서와 동일한 설명에 대해서는 생략한다.Referring to FIG. 6 , the light emitting device 100 according to the third embodiment of the present invention includes a light emitting structure 23 , a first contact electrode 31 , a second contact electrode 33 , and a first insulating layer 35 . , a second insulating layer 37 , first electrodes 391 and 39b , second electrodes 41a and 41b , and a heat dissipation pad 43 . In addition, while describing the light emitting device 100 according to the second embodiment of the present invention, the same description as in the first embodiment will be omitted.

본 발명의 제3 실시예에서 제1 전극(39a, 39b) 및 제2 전극(41a, 41b)은 각각 두 개씩 형성되고, 제1 및 제2 전극들(39a, 39b, 41a, 41b)은 각각 발광구조체(23)의 모서리 측에 삼각형 형상으로 형성될 수 있다. 그리고 제1 및 제2 전극들(39a, 39b, 41a, 41b) 사이에 팔각형 형상의 방열패드(43)가 형성될 수 있다. 그에 따라 팔각형 형상의 방열패드(43)의 네 면은 제1 및 제2 전극들(39a, 39b, 41a, 41b)과 인접하게 배치되고, 나머지 네 면은 발광구조체(23)의 외면에 노출되도록 형성된다.In the third embodiment of the present invention, the first and second electrodes 39a and 39b and the second electrodes 41a and 41b are each formed in pairs, and the first and second electrodes 39a, 39b, 41a and 41b are respectively It may be formed in a triangular shape on the corner side of the light emitting structure 23 . In addition, an octagonal heat dissipation pad 43 may be formed between the first and second electrodes 39a, 39b, 41a, and 41b. Accordingly, four surfaces of the octagonal heat dissipation pad 43 are disposed adjacent to the first and second electrodes 39a, 39b, 41a, and 41b, and the remaining four surfaces are exposed to the outer surface of the light emitting structure 23 . is formed

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 소자의 하부면을 도시한 저면도이다.7 is a bottom view illustrating a lower surface of a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 소자(100)는 발광구조체(23), 제1 컨택 전극(31), 제2 컨택 전극(33), 제1 절연층(35), 제2 절연층(37), 제1 전극(39), 제2 전극(41) 및 방열패드(43a, 43b, 43c, 43d)를 포함한다. 그리고 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자(100)에 대해 설명하면서, 제1 실시예에서와 동일한 설명에 대해서는 생략한다.Referring to FIG. 7 , the light emitting device 100 according to the fourth embodiment of the present invention includes a light emitting structure 23 , a first contact electrode 31 , a second contact electrode 33 , and a first insulating layer 35 . , a second insulating layer 37 , a first electrode 39 , a second electrode 41 , and heat dissipation pads 43a , 43b , 43c and 43d . In addition, while describing the light emitting device 100 according to the second embodiment of the present invention, the same description as in the first embodiment will be omitted.

본 발명의 제4 실시예에서 제1 전극(39) 및 제2 전극(41)은 각각 삼각형 형상으로 형성되어 발광구조체(23)의 모서리 측에 대각 방향으로 배치된다. 그리고 제1 전극(39) 및 제2 전극(41) 사이에 네 개의 방열패드(43a, 43b, 43c, 43d)가 구비된다. 네 개의 방열패드(43a, 43b, 43c, 43d) 중 제1 및 제2 전극(39, 41)이 형성되지 않은 위치의 두 개의 방열패드(43b, 43d)는 사각형 형상으로 형성되고, 나머지 두 개의 방열패드(43a, 43c)는 사각형 형상 중 한 모서리가 모따기된 형상으로 형성된다. 이때, 네 개의 방열패드(43a, 43b, 43c, 43d)는 서로 이격된 상태로 배치되고, 네 개의 방열패드(43a, 43b, 43c, 43d)와 제1 및 제2 전극(39, 41)도 서로 이격된 상태로 배치된다.In the fourth embodiment of the present invention, the first electrode 39 and the second electrode 41 are each formed in a triangular shape and disposed in a diagonal direction on the edge of the light emitting structure 23 . In addition, four heat dissipation pads 43a, 43b, 43c, and 43d are provided between the first electrode 39 and the second electrode 41 . Among the four heat dissipation pads 43a, 43b, 43c, and 43d, two heat dissipation pads 43b and 43d at positions where the first and second electrodes 39 and 41 are not formed are formed in a rectangular shape, and the remaining two The heat dissipation pads 43a and 43c are formed in a shape in which one corner of the rectangular shape is chamfered. At this time, the four heat dissipation pads 43a, 43b, 43c, and 43d are disposed to be spaced apart from each other, and the four heat dissipation pads 43a, 43b, 43c, 43d and the first and second electrodes 39 and 41 are also provided. placed spaced apart from each other.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.8 is an exploded perspective view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a lighting device.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 조명 장치는, 확산 커버(1010), 발광 소자 모듈(1020) 및 바디부(1030)를 포함한다. 바디부(1030)는 발광 소자 모듈(1020)을 수용할 수 있고, 확산 커버(1010)는 발광 소자 모듈(1020)의 상부를 커버할 수 있도록 바디부(1030) 상에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 8 , the lighting device according to the present embodiment includes a diffusion cover 1010 , a light emitting device module 1020 , and a body portion 1030 . The body 1030 may accommodate the light emitting device module 1020 , and the diffusion cover 1010 may be disposed on the body 1030 to cover the upper portion of the light emitting device module 1020 .

바디부(1030)는 발광 소자 모듈(1020)을 수용 및 지지하여, 발광 소자 모듈(1020)에 전기적 전원을 공급할 수 있는 형태이면 제한되지 않는다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 바디부(1030)는 바디 케이스(1031), 전원 공급 장치(1033), 전원 케이스(1035), 및 전원 접속부(1037)를 포함할 수 있다. The body portion 1030 is not limited as long as it can accommodate and support the light emitting device module 1020 and supply electrical power to the light emitting device module 1020 . For example, as shown, the body 1030 may include a body case 1031 , a power supply device 1033 , a power case 1035 , and a power connection unit 1037 .

전원 공급 장치(1033)는 전원 케이스(1035) 내에 수용되어 발광 소자 모듈(1020)과 전기적으로 연결되며, 적어도 하나의 IC칩을 포함할 수 있다. 상기 IC칩은 발광 소자 모듈(1020)로 공급되는 전원의 특성을 조절, 변환 또는 제어할 수 있다. 전원 케이스(1035)는 전원 공급 장치(1033)를 수용하여 지지할 수 있고, 전원 공급 장치(1033)가 그 내부에 고정된 전원 케이스(1035)는 바디 케이스(1031)의 내부에 위치할 수 있다. 전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035)의 하단에 배치되어, 전원 케이스(1035)와 결속될 수 있다. 이에 따라, 전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035) 내부의 전원 공급 장치(1033)와 전기적으로 연결되어, 외부 전원이 전원 공급 장치(1033)에 공급될 수 있는 통로 역할을 할 수 있다.The power supply device 1033 is accommodated in the power case 1035 , is electrically connected to the light emitting device module 1020 , and may include at least one IC chip. The IC chip may adjust, convert, or control characteristics of power supplied to the light emitting device module 1020 . The power case 1035 may accommodate and support the power supply 1033 , and the power case 1035 to which the power supply 1033 is fixed therein may be located inside the body case 1031 . . The power connection part 115 may be disposed at the lower end of the power case 1035 to be bound to the power case 1035 . Accordingly, the power connection unit 115 may be electrically connected to the power supply unit 1033 inside the power case 1035 , and may serve as a passage through which external power may be supplied to the power supply unit 1033 .

발광 소자 모듈(1020)은 기판(1023) 및 기판(1023) 상에 배치된 발광 소자(1021)를 포함한다. 발광 소자 모듈(1020)은 바디 케이스(1031) 상부에 마련되어 전원 공급 장치(1033)에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device module 1020 includes a substrate 1023 and a light emitting device 1021 disposed on the substrate 1023 . The light emitting device module 1020 may be provided on the body case 1031 and electrically connected to the power supply 1033 .

기판(1023)은 발광 소자(1021)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 배선을 포함하는 인쇄회로기판일 수 있다. 기판(1023)은 바디 케이스(1031)에 안정적으로 고정될 수 있도록, 바디 케이스(1031) 상부의 고정부에 대응하는 형태를 가질 수 있다. 발광 소자(1021)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The substrate 1023 is not limited as long as it is a substrate capable of supporting the light emitting device 1021 , and may be, for example, a printed circuit board including wiring. The substrate 1023 may have a shape corresponding to the fixing portion of the upper portion of the body case 1031 so as to be stably fixed to the body case 1031 . The light emitting device 1021 may include at least one of the light emitting devices according to the above-described embodiments of the present invention.

확산 커버(1010)는 발광 소자(1021) 상에 배치되되, 바디 케이스(1031)에 고정되어 발광 소자(1021)를 커버할 수 있다. 확산 커버(1010)는 투광성 재질을 가질 수 있으며, 확산 커버(1010)의 형태 및 광 투과성을 조절하여 조명 장치의 지향 특성을 조절할 수 있다. 따라서 확산 커버(1010)는 조명 장치의 이용 목적 및 적용 태양에 따라 다양한 형태로 변형될 수 있다.The diffusion cover 1010 may be disposed on the light emitting device 1021 , and may be fixed to the body case 1031 to cover the light emitting device 1021 . The diffusion cover 1010 may have a light-transmitting material, and by adjusting the shape and light transmittance of the diffusion cover 1010 , the directional characteristics of the lighting device may be adjusted. Therefore, the diffusion cover 1010 may be modified in various forms according to the purpose of use of the lighting device and the application aspect.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다. 9 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.

본 실시예의 디스플레이 장치는 표시패널(2110), 표시패널(2110)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU1) 및, 상기 표시패널(2110)의 하부 가장자리를 지지하는 패널 가이드(2100)를 포함한다.The display device of the present embodiment includes a display panel 2110 , a backlight unit BLU1 providing light to the display panel 2110 , and a panel guide 2100 supporting a lower edge of the display panel 2110 .

표시패널(2110)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(2110)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB(2112, 2113)는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다.The display panel 2110 is not particularly limited and may be, for example, a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer. A gate driving PCB for supplying a driving signal to the gate line may be further positioned at an edge of the display panel 2110 . Here, the gate driving PCBs 2112 and 2113 are not formed on a separate PCB, but may be formed on a thin film transistor substrate.

백라이트 유닛(BLU1)은 적어도 하나의 기판(2150) 및 복수의 발광 소자(2160)를 포함하는 광원 모듈을 포함한다. 나아가, 백라이트 유닛(BLU1)은 바텀커버(2180), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 더 포함할 수 있다.The backlight unit BLU1 includes a light source module including at least one substrate 2150 and a plurality of light emitting devices 2160 . Furthermore, the backlight unit BLU1 may further include a bottom cover 2180 , a reflective sheet 2170 , a diffusion plate 2131 , and optical sheets 2130 .

바텀커버(2180)는 상부로 개구되어, 기판(2150), 발광 소자(2160), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 수납할 수 있다. 또한, 바텀커버(2180)는 패널 가이드(2100)와 결합될 수 있다. 기판(2150)은 반사 시트(2170)의 하부에 위치하여, 반사 시트(2170)에 둘러싸인 형태로 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 반사 물질이 표면에 코팅된 경우에는 반사 시트(2170) 상에 위치할 수도 있다. 또한, 기판(2150)은 복수로 형성되어, 복수의 기판(2150)들이 나란히 배치된 형태로 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 단일의 기판(2150)으로 형성될 수도 있다.The bottom cover 2180 may be opened upward to accommodate the substrate 2150 , the light emitting device 2160 , the reflective sheet 2170 , the diffusion plate 2131 , and the optical sheets 2130 . Also, the bottom cover 2180 may be coupled to the panel guide 2100 . The substrate 2150 may be disposed under the reflective sheet 2170 to be surrounded by the reflective sheet 2170 . However, the present invention is not limited thereto, and when the reflective material is coated on the surface, it may be positioned on the reflective sheet 2170 . In addition, a plurality of substrates 2150 may be formed so that the plurality of substrates 2150 are arranged side by side, but is not limited thereto, and may be formed of a single substrate 2150 .

발광 소자(2160)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 발광 소자(2160)들은 기판(2150) 상에 일정한 패턴으로 규칙적으로 배열될 수 있다. 또한, 각각의 발광 소자(2160) 상에는 렌즈(2210)가 배치되어, 복수의 발광 소자(2160)들로부터 방출되는 광을 균일성을 향상시킬 수 있다.The light emitting device 2160 may include at least one of the light emitting devices according to the above-described embodiments of the present invention. The light emitting devices 2160 may be regularly arranged in a predetermined pattern on the substrate 2150 . In addition, a lens 2210 may be disposed on each light emitting device 2160 to improve uniformity of light emitted from the plurality of light emitting devices 2160 .

확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)은 발광 소자(2160) 상에 위치한다. 발광 소자(2160)로부터 방출된 광은 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 거쳐 면 광원 형태로 표시패널(2110)로 공급될 수 있다. The diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130 are positioned on the light emitting device 2160 . The light emitted from the light emitting device 2160 may be supplied to the display panel 2110 in the form of a surface light source through the diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130 .

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자는 본 실시예와 같은 직하형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.In this way, the light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to the direct type display device as in the present embodiment.

도 10은 일 실시예에 따른 발광 소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다. 10 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an exemplary embodiment is applied to a display device.

본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 구비된 디스플레이 장치는 영상이 디스플레이되는 표시패널(3210), 표시패널(3210)의 배면에 배치되어 광을 조사하는 백라이트 유닛(BLU2)을 포함한다. 나아가, 상기 디스플레이 장치는, 표시패널(3210)을 지지하고 백라이트 유닛(BLU2)이 수납되는 프레임(240) 및 상기 표시패널(3210)을 감싸는 커버(3240, 3280)를 포함한다.The display device provided with the backlight unit according to the present embodiment includes a display panel 3210 on which an image is displayed, and a backlight unit BLU2 disposed on the rear surface of the display panel 3210 to irradiate light. Furthermore, the display device includes a frame 240 supporting the display panel 3210 and accommodating the backlight unit BLU2 , and covers 3240 and 3280 surrounding the display panel 3210 .

표시패널(3210)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(3210)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다. 표시패널(3210)은 그 상하부에 위치하는 커버(3240, 3280)에 의해 고정되며, 하부에 위치하는 커버(3280)는 백라이트 유닛(BLU2)과 결속될 수 있다.The display panel 3210 is not particularly limited, and may be, for example, a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer. A gate driving PCB for supplying a driving signal to the gate line may be further positioned at an edge of the display panel 3210 . Here, the gate driving PCB is not formed on a separate PCB, but may be formed on the thin film transistor substrate. The display panel 3210 is fixed by covers 3240 and 3280 positioned at upper and lower portions thereof, and the lower cover 3280 may be coupled to the backlight unit BLU2 .

표시패널(3210)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU2)은 상면의 일부가 개구된 하부 커버(3270), 하부 커버(3270)의 내부 일 측에 배치된 광원 모듈 및 상기 광원 모듈과 나란하게 위치되어 점광을 면광으로 변환하는 도광판(3250)을 포함한다. 또한, 본 실시예의 백라이트 유닛(BLU2)은 도광판(3250) 상에 위치되어 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들(3230), 도광판(3250)의 하부에 배치되어 도광판(3250)의 하부방향으로 진행하는 광을 표시패널(3210) 방향으로 반사시키는 반사시트(3260)를 더 포함할 수 있다.The backlight unit BLU2 providing light to the display panel 3210 includes a lower cover 3270 having a partially opened upper surface, a light source module disposed on one side of the inner side of the lower cover 3270, and positioned in parallel with the light source module. and a light guide plate 3250 for converting point light into surface light. In addition, the backlight unit BLU2 of the present embodiment is disposed on the light guide plate 3250 and the optical sheets 3230 for diffusing and condensing light, and is disposed under the light guide plate 3250 and proceeds in the lower direction of the light guide plate 3250 . It may further include a reflective sheet 3260 for reflecting the light to the display panel 3210 direction.

광원 모듈은 기판(3220) 및 상기 기판(3220)의 일면에 일정 간격으로 이격되어 배치된 복수의 발광 소자(3110)를 포함한다. 기판(3220)은 발광 소자(3110)를 지지하고 발광 소자(3110)에 전기적으로 연결된 것이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판일 수 있다. 발광 소자(3110)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자를 적어도 하나 포함할 수 있다. 광원 모듈로부터 방출된 광은 도광판(3250)으로 입사되어 광학 시트들(3230)을 통해 표시패널(3210)로 공급된다. 도광판(3250) 및 광학 시트들(3230)을 통해, 발광 소자(3110)들로부터 방출된 점 광원이 면 광원으로 변형될 수 있다.The light source module includes a substrate 3220 and a plurality of light emitting devices 3110 spaced apart from each other at regular intervals on one surface of the substrate 3220 . The substrate 3220 is not limited as long as it supports the light emitting device 3110 and is electrically connected to the light emitting device 3110, and may be, for example, a printed circuit board. The light emitting device 3110 may include at least one light emitting device according to the above-described embodiments of the present invention. Light emitted from the light source module is incident on the light guide plate 3250 and is supplied to the display panel 3210 through the optical sheets 3230 . Through the light guide plate 3250 and the optical sheets 3230 , the point light source emitted from the light emitting devices 3110 may be transformed into a surface light source.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자는 본 실시예와 같은 에지형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.In this way, the light emitting device according to the embodiments of the present invention can be applied to the edge type display device as in the present embodiment.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.11 is a cross-sectional view illustrating an example in which a light emitting device according to an embodiment of the present invention is applied to a head lamp.

도 11을 참조하면, 상기 헤드 램프는, 램프 바디(4070), 기판(4020), 발광 소자(4010) 및 커버 렌즈(4050)를 포함한다. 나아가, 상기 헤드 램프는, 방열부(4030), 지지랙(4060) 및 연결 부재(4040)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11 , the head lamp includes a lamp body 4070 , a substrate 4020 , a light emitting device 4010 , and a cover lens 4050 . Furthermore, the head lamp may further include a heat dissipation unit 4030 , a support rack 4060 , and a connection member 4040 .

기판(4020)은 지지랙(4060)에 의해 고정되어 램프 바디(4070) 상에 이격 배치된다. 기판(4020)은 발광 소자(4010)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판과 같은 도전 패턴을 갖는 기판일 수 있다. 발광 소자(4010)는 기판(4020) 상에 위치하며, 기판(4020)에 의해 지지 및 고정될 수 있다. 또한, 기판(4020)의 도전 패턴을 통해 발광 소자(4010)는 외부의 전원과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광 소자(4010)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자를 적어도 하나 포함할 수 있다. The substrate 4020 is fixed by the support rack 4060 and spaced apart from the lamp body 4070 . The substrate 4020 is not limited as long as it is a substrate capable of supporting the light emitting device 4010 , and may be, for example, a substrate having a conductive pattern such as a printed circuit board. The light emitting device 4010 is positioned on the substrate 4020 , and may be supported and fixed by the substrate 4020 . Also, the light emitting device 4010 may be electrically connected to an external power source through the conductive pattern of the substrate 4020 . In addition, the light emitting device 4010 may include at least one light emitting device according to the above-described embodiments of the present invention.

커버 렌즈(4050)는 발광 소자(4010)로부터 방출되는 광이 이동하는 경로 상에 위치한다. 예컨대, 도시된 바와 같이, 커버 렌즈(4050)는 연결 부재(4040)에 의해 발광 소자(4010)로부터 이격되어 배치될 수 있고, 발광 소자(4010)로부터 방출된 광을 제공하고자하는 방향에 배치될 수 있다. 커버 렌즈(4050)에 의해 헤드 램프로부터 외부로 방출되는 광의 지향각 및/또는 색상이 조절될 수 있다. 한편, 연결 부재(4040)는 커버 렌즈(4050)를 기판(4020)과 고정시킴과 아울러, 발광 소자(4010)를 둘러싸도록 배치되어 발광 경로(4045)를 제공하는 광 가이드 역할을 할 수도 있다. 이때, 연결 부재(4040)는 광 반사성 물질로 형성되거나, 광 반사성 물질로 코팅될 수 있다. 한편, 방열부(4030)는 방열핀(4031) 및/또는 방열팬(4033)을 포함할 수 있고, 발광 소자(4010) 구동 시 발생하는 열을 외부로 방출시킨다.The cover lens 4050 is positioned on a path through which light emitted from the light emitting device 4010 travels. For example, as shown, the cover lens 4050 may be disposed to be spaced apart from the light emitting device 4010 by the connecting member 4040 and may be disposed in a direction in which the light emitted from the light emitting device 4010 is to be provided. can A beam angle and/or color of light emitted from the headlamp to the outside may be adjusted by the cover lens 4050 . Meanwhile, the connection member 4040 may serve as a light guide for fixing the cover lens 4050 to the substrate 4020 , as well as surrounding the light emitting device 4010 to provide a light emitting path 4045 . In this case, the connection member 4040 may be formed of a light reflective material or coated with a light reflective material. Meanwhile, the heat dissipation unit 4030 may include a heat dissipation fin 4031 and/or a heat dissipation fan 4033 , and radiates heat generated when the light emitting device 4010 is driven to the outside.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자는 본 실시예와 같은 헤드 램프, 특히, 차량용 헤드 램프에 적용될 수 있다.
In this way, the light emitting device according to the embodiments of the present invention may be applied to the head lamp as in the present embodiment, in particular, a vehicle head lamp.

위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
As described above, the detailed description of the present invention has been made by the embodiments with reference to the accompanying drawings, but since the above-described embodiments have only been described with preferred examples of the present invention, the present invention is limited only to the above embodiments. It should not be understood, and the scope of the present invention should be understood as the following claims and their equivalents.

100: 발광 소자 21: 기판
23: 발광구조체 25: 제1 도전형 반도체층
27: 활성층 29: 제2 도전형 반도체층
31: 제1 컨택 전극 33: 제2 컨택 전극
35: 제1 절연층 37: 제2 절연층
39: 제1 전극 41: 제2 전극
43: 방열패드 h: 홀
op1: 제1 개구부 op2: 제2 개구부100: light emitting element 21: substrate
23: light emitting structure 25: first conductivity type semiconductor layer
27: active layer 29: second conductivity type semiconductor layer
31: first contact electrode 33: second contact electrode
35: first insulating layer 37: second insulating layer
39: first electrode 41: second electrode
43: heat dissipation pad h: hole
op1: first opening op2: second opening

Claims (18)

제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광구조체;
상기 발광구조체 상에 위치하고, 상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극;
상기 발광구조체 상에 위치하고, 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극의 절연을 위해 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극의 일부를 덮는 절연층;
상기 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극; 및
상기 절연층 상에 형성되고, 상기 발광구조체에서 발생된 열을 방열하는 방열패드를 포함하고,
상기 발광구조체는 제1 측면 및 제2 측면이 만나는 제1 모서리 및 상기 제1 모서리와 마주하며 제3 측면 및 제4 측면이 만나는 제2 모서리를 포함하며,
상기 방열패드는 상기 발광구조체의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면을 따라 형성되어 상기 제1 모서리와 인접하게 형성되고, 상기 제3 측면 및 상기 제4 측면을 따라 형성되어 상기 제2 모서리와 인접하도록 형성된 발광 소자.a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer interposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
a first contact electrode and a second contact electrode positioned on the light emitting structure and in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer and the second conductivity-type semiconductor layer, respectively;
an insulating layer disposed on the light emitting structure and covering a portion of the first contact electrode and the second contact electrode to insulate the first contact electrode and the second contact electrode;
first and second electrodes electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; and
a heat dissipation pad formed on the insulating layer and dissipating heat generated by the light emitting structure;
The light emitting structure includes a first corner where the first side and the second side meet, and a second corner facing the first corner and where the third side and the fourth side meet,
The heat dissipation pad is formed along the first side and the second side of the light emitting structure to be adjacent to the first edge, and is formed along the third side and the fourth side to be adjacent to the second edge. A light emitting device formed to do so. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극 중 하나 이상은 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 절연층의 평면상에서 일 측에 배치된 발광 소자.The method according to claim 1,
At least one of the first electrode and the second electrode is formed on the insulating layer, and the light emitting device is disposed on one side on a plane of the insulating layer. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극은 상기 절연층 상에 이격되어 형성되고,
상기 방열패드는 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 제1 및 제2 전극 사이에 배치된 발광 소자.3. The method according to claim 2,
The first electrode and the second electrode are formed spaced apart on the insulating layer,
The heat dissipation pad is formed on the insulating layer and is disposed between the first and second electrodes. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 둘 이상 형성되고,
상기 둘 이상의 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 절연층 상에 형성되며, 상기 절연층의 평면상에서 이격되어 배치된 발광 소자.The method according to claim 1,
Two or more of the first electrode and the second electrode are each formed,
The at least two first and second electrodes are formed on the insulating layer, respectively, and are spaced apart from each other on a plane of the insulating layer. 청구항 4에 있어서,
상기 방열패드는 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 제1 전극 및 제2 전극들 사이에 배치된 발광 소자.5. The method according to claim 4,
The heat dissipation pad is formed on the insulating layer and is disposed between the first electrode and the second electrode. 청구항 1에 있어서,
상기 방열패드는 둘 이상 형성되고,
상기 둘 이상의 방열패드의 면들 중 외면으로 노출되는 면의 수가 셋 이상인 발광 소자.The method according to claim 1,
The heat dissipation pad is formed at least two,
A light emitting device in which the number of surfaces exposed to the outside among the surfaces of the two or more heat dissipation pads is three or more. 청구항 6에 있어서,
상기 둘 이상의 방열패드는 서로 이격되어 배치된 발광 소자.7. The method of claim 6,
The two or more heat dissipation pads are spaced apart from each other. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층은,
상기 제1 및 제2 컨택 전극 사이에 형성되어 상기 제2 컨택 전극의 일부를 덮도록 형성되고, 상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 컨택 전극을 각각 부분적으로 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부가 형성된 제1 절연층; 및
상기 제1 절연층을 부분적으로 덮는 제1 컨택 전극의 일부를 덮도록 형성되고, 상기 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극을 부분적으로 노출시키는 제3 개구부 및 제4 개구부가 형성된 제2 절연층을 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1, The insulating layer,
A first opening and a second opening formed between the first and second contact electrodes to cover a portion of the second contact electrode and partially exposing the first conductivity-type semiconductor layer and the second contact electrode, respectively a first insulating layer on which is formed; and
a second insulating layer formed to cover a portion of the first contact electrode partially covering the first insulating layer and having third and fourth openings partially exposing the first and second contact electrodes; A light emitting device comprising. 청구항 8에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제3 개구부를 통해 상기 제1 컨택 전극과 전기적으로 연결되고,
상기 제2 전극은 상기 제4 개구부를 통해 상기 제2 컨택 전극과 전기적으로 연결된 발광 소자.9. The method of claim 8,
the first electrode is electrically connected to the first contact electrode through the third opening;
The second electrode is a light emitting device electrically connected to the second contact electrode through the fourth opening. 청구항 1에 있어서,
상기 발광구조체는 상기 제1 도전형 반도체층을 부분적으로 노출시키는 다수의 홀이 형성되고,
상기 제1 컨택 전극은 상기 다수의 홀을 통해 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 발광 소자.The method according to claim 1,
The light emitting structure is formed with a plurality of holes partially exposing the first conductivity type semiconductor layer,
The first contact electrode is a light emitting device electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer through the plurality of holes. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al 및 Ag 중 하나 이상을 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
The first electrode and the second electrode each include a light emitting device comprising at least one of Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al, and Ag. 청구항 1에 있어서,
상기 방열패드는 Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al 및 Ag 중 하나 이상을 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
The heat dissipation pad is a light emitting device comprising at least one of Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al, and Ag. 서로 전기적으로 연결된 다수의 발광구조체로 이루어진 발광구조체 그룹;
상기 다수의 발광구조체 중 하나에 전기적으로 연결된 제1 전극;
상기 다수의 발광구조체 중 다른 하나에 전기적으로 연결된 제2 전극; 및
상기 다수의 발광구조체 그룹 상에 형성되고, 상기 다수의 발광구조체에서 발생된 열을 방열하는 방열패드를 포함하고,
상기 발광구조체 그룹은 제1 측면 및 제2 측면이 만나는 제1 모서리 및 상기 제1 모서리와 마주하며 제3 측면 및 제4 측면이 만나는 제2 모서리를 포함하며,
상기 방열패드는 상기 발광구조체 그룹의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면을 따라 형성되어 상기 제1 모서리와 인접하게 형성되고, 상기 제3 측면 및 상기 제4 측면을 따라 형성되어 상기 제2 모서리와 인접하도록 형성되고,
상기 방열패드는 평면 형상의 적어도 세면이 외면으로 노출된 발광 소자.a light emitting structure group consisting of a plurality of light emitting structures electrically connected to each other;
a first electrode electrically connected to one of the plurality of light emitting structures;
a second electrode electrically connected to the other one of the plurality of light emitting structures; and
a heat dissipation pad formed on the plurality of light emitting structure groups and dissipating heat generated by the plurality of light emitting structures;
The light emitting structure group includes a first corner where the first side and the second side meet, and a second corner facing the first corner and where the third side and the fourth side meet,
The heat dissipation pad is formed along the first side surface and the second side surface of the light emitting structure group to be formed adjacent to the first edge, and is formed along the third side surface and the fourth side surface to form the second edge and formed adjacent to
The heat dissipation pad is a light emitting device in which at least three surfaces of a planar shape are exposed to the outside. 청구항 13에 있어서, 상기 발광구조체는,
제1 도전형 반도체층;
제2 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 및
상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극의 절연을 위해 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극의 일부를 덮는 절연층을 포함하는 발광 소자.The method according to claim 13, The light emitting structure,
a first conductivity type semiconductor layer;
a second conductivity type semiconductor layer;
an active layer interposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
a first contact electrode and a second contact electrode positioned on the second conductivity type semiconductor layer and in ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, respectively; and
and an insulating layer covering a portion of the first contact electrode and the second contact electrode to insulate the first contact electrode and the second contact electrode. 청구항 14에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극에 전기적으로 연결된 발광 소자.15. The method of claim 14,
The first electrode and the second electrode are electrically connected to the first contact electrode and the second contact electrode, respectively. 청구항 14에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극과 방열패드는 상기 절연층 상에 형성된 발광 소자.15. The method of claim 14,
The first and second electrodes and the heat dissipation pad are formed on the insulating layer. 청구항 13에 있어서,
상기 다수의 발광구조체는 서로 직렬로 연결된 발광 소자.14. The method of claim 13,
The plurality of light emitting structures is a light emitting device connected in series with each other. 청구항 1 또는 청구항 13에 있어서,
상기 방열패드의 평면 형상 면적은 상기 발광 소자의 평면 형상 면적의 50% 이상인 발광 소자.14. The method of claim 1 or 13,
A planar area of the heat dissipation pad is 50% or more of a planar area of the light emitting element.
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