KR20160103805A - 투명 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

투명 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법 Download PDF

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KR20160103805A
KR20160103805A KR1020150026639A KR20150026639A KR20160103805A KR 20160103805 A KR20160103805 A KR 20160103805A KR 1020150026639 A KR1020150026639 A KR 1020150026639A KR 20150026639 A KR20150026639 A KR 20150026639A KR 20160103805 A KR20160103805 A KR 20160103805A
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방성환
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엘에스엠트론 주식회사
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Abstract

본 발명은 투명 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법을 개시한다. 본 발명의 일 측면에 따른 투명 가스 배리어성 필름은, 베이스 기재; 및 상기 베이스 기재의 상부에 형성되는 결정성 입자를 갖는 무기막으로 이루어진 배리어층;을 포함하되, 상기 배리어층은 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상이다.

Description

투명 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법{TRANSPARENT GAS BARRIER FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING TRANSPARENT GAS BARRIER FILM}
본 발명은 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 수분 침투 방지 기능이 향상된 투명 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상표시장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판표시장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기전계발광 표시장치(OLED) 등이 각광받고 있다. 상기 유기전계발광 표시장치는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점이 있다.
상기 유기전계발광 표시장치(OLED)는 외부로부터 산소와 수분이 내부로 유입될 경우 소자의 수명에 치명적인 영향을 미치게 되므로, 상기 산소와 수분의 침투를 방지하는 것은 매우 중요하다.
따라서, 종래에는 상기 유기전계발광 표시장치(OLED)의 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위한 배리어 필름을 형성하는데 있어서, 무기막층을 증착해 사용하였다. 하지만, 상기 증착된 무기막층은 모두 결정성을 가지지 않는 비정질 박막층으로, 상기 무기막층이 비결정성을 가지게 되면 에너지적으로 불안정하여, 이에 따라 크랙 발생으로 인해 배리어 특성이 저하된다.
따라서, 상기 무기막층을 안정하게 하기 위한 한 가지 방법으로 챔버 내를 고온의 환경으로 만들어 가스의 반응성을 높이는 것이 있을 수 있다. 가스의 반응성이 높아지면 베이스 기재에 결정성을 갖는 무기막층을 증착할 수 있기 때문이다. 하지만, 유기전계발광 표시장치(OLED)에 사용되는 베이스 기재는 유리전이온도(예컨대, 150℃)까지 밖에 버티지 못하기 때문에, 챔버 내를 고온의 환경으로 만들게되면 베이스 기재에 손상이 발생한다. 따라서, 상술한 바와 같은 방법으로는 결정성 입자를 갖는 무기막층을 형성하는 것이 어렵다.
한국등록특허 제10-1430892호(2014.08.18 공고)
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 베이스 기재의 온도를 유리전이온도 이하로 유지한 상태에서 결정성 입자를 갖는 무기막층을 형성할 수 있는 투명 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있으며, 본 발명의 실시 예에 의해 보다 분명하게 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 본 발명의 일 측면에 따른 투명 가스 배리어성 필름은, 베이스 기재; 및 상기 베이스 기재의 상부에 형성되는 결정성 입자를 갖는 무기막으로 이루어진 배리어층;을 포함하되, 상기 배리어층은 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상이다.
상기 배리어층은 상기 베이스 기재 상에 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)으로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 배리어층은 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, MgO 중 어느 하나 이상의 무기막으로 형성될 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 투명 가스 배리어성 필름의 제조 방법은, 상기 베이스 기재를 준비하는 단계; 및 상기 베이스 기재의 상부에 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상인 무기막으로 이루어진 배리어층을 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 배리어층은 상기 베이스 기재 상에 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)으로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 배리어층은 700와트(W) 이상의 RF파워와 플라즈마 내에서 8.2 x 1010/m3 이상의 전자밀도를 갖도록 챔버를 제어하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 베이스 기재의 온도가 유리전이온도 이하인 상태에서 무기막층을 증착할 경우 상기 무기막층이 결정성 입자를 갖도록하여 에너지적으로 안정하게 함으로써 배리어 특성을 향상시키는 효과가 있다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 것이며, 후술되는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름의 적층 구성을 나타낸 도면,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름을 제조하는 방법에 대한 흐름도,
도 3은 본 발명의 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름의 실험 결과를 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시 예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름의 적층 구성을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름은 베이스 기재(100) 및 배리어층(200)을 포함한다.
베이스 기재(100)는 고분자 플라스틱 필름일 수 있으며, 바람직하게 PET(polyethylene terephthalate), COP(Cyclo Olefin Polymer), PC(polycarbonate) 등 일 수 있다. 하지만, 상기 베이스 기재(100)는 이에 한하지 않으며, OLED 봉지제, OPV 봉지제 등을 제조할 수 있으면 관계없다.
본 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기재(100)는 유리전이온도 이하일 수 있다. 바람직하게, 상기 베이스 기재(100)의 온도는 저온(50℃ 이하) 상태일 수 있다.
한편, 상기 베이스 기재(100)가 폴리머 재질일 경우, 유리전이온도(glass transition temperature : Tg)가 150℃ 내지 200℃로 매우 낮기 때문에 낮은 온도에서 결정성 입자를 형성하는 방법은 매우 중요하다. 왜냐하면, 상기 베이스 기재(100)를 유리전이온도 이상으로 형성하면 특성이 변형되기 때문이다. 이때, 상기 유리전이온도는 물체의 특성이 변형되는 임계점 값이다. 따라서, 후술할 배리어층(200)의 증착 공정은 상기 유리전이온도 이하에서 이루어지는 것이 바람직하다.
일반적으로, 상기 베이스 기재(100)는 15~100㎛ 두께로 형성될 수 있다.
배리어층(200)은 상기 베이스 기재(100)의 상부에 형성되어 대기 중의 수분이나 산소가 유입되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 이때, 상기 배리어층(200)은 무기막으로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 배리어층(200)은 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, MgO 중 어느 하나 이상의 무기막으로 형성될 수 있다.
상기 배리어층(200)은 상기 베이스 기재(100) 상에 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)으로 단층 또는 다층으로 형성할 수 있다. 이때, 상기 배리어층(200)은 internal one turn type의 ICP 코일을 사용하여 형성할 수 있다. 일반적인 화학기상증착법에 사용되던 ICP 코일은 챔버의 외부에 설치된 유전체 튜브에 2 내지 3회 감긴 형태로, 이러한 형태를 갖는 ICP 코일은 전자밀도를 높이는데 한계가 있다. 따라서, 일반적인 형태의 ICP 코일을 사용할 경우, 챔버 내로 주입되는 반응가스와의 반응성이 낮아 결정성을 갖는 무기막을 상온에서 형성하는데 어려움이 있다. 하지만, 본 실시 예에 따른 상기 ICP 코일은 챔버의 내부에 형성되며, 전력의 손실을 막기 위해 1회만 감는 형태이므로 챔버 내의 전자밀도를 높게 하여 상온에서도 결정성의 무기막을 증착할 수 있게 할 수 있다.
한편, 상기 배리어층(200)은 결정성 무기막을 형성하기 위해 베이스 기재(100)의 상부에 증착시 RF파워를 500W 이상으로 하여 전자밀도를 6.2 x 1010/m3 이상으로 유지하는 것이 바람직하다. 하지만, 상기 RF파워를 500W 미만으로 하여 배리어층(200)을 증착시키면 상기 배리어층(200)을 구성하는 무기막의 입자는 비결정성으로 형성되어 상대적으로 결정성 입자를 갖는 배리어층(200)보다 배리어 특성이 저하된다.
또한, 상기 배리어층(200)은 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 배리어층(200)은 상술한 조건(결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상)을 만족할 경우, 그렇지 못한 경우(예컨대, 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%미만)보다 배리어 특성이 우수하다. 본 실시 예에 따른 투명 가스 배리어 필름의 배리어 특성에 대한 우수성은 실시예 및 비교예의 비교를 통한 실험값을 통해 자세히 후술하기로 한다.
이때, 상기 배리어층(200)은 증착 공정 조건으로 700와트(W) 이상의 RF파워와 플라즈마 내에서 8.2 x 1010/m3 이상의 전자밀도를 갖도록 하여 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상 되게 할 수 있다.
본 실시 예에 따르면, 상기 배리어층(200)은 100nm 내지 300nm의 두께를 가지도록 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 실시 예에 따르면, 상기 배리어층(200)은 베이스 기재(100)가 유리전이온도 이하인 상태에서도 배리어층(200)을 형성하는 무기막이 결정성 입자를 갖도록 증착하여 에너지적으로 안정하게 함으로써 배리어 특성을 높일 수 있다. 또한, 상기 배리어층(200)은 특정 조건(결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상)을 만족할 경우 배리어 특성이 우수한 필름을 제조할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름을 제조하는 방법에 대한 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 우선 유리전이온도 이하의 저온 상태의 베이스 기재(100)를 준비한다(S210). 바람직하게, 상기 베이스 기재(100)의 온도는 50℃일 수 있다.
상기 베이스 기재(100)는 고분자 플라스틱 필름일 수 있으며, 바람직하게 PET(polyethylene terephthalate), COP(Cyclo Olefin Polymer), PC(polycarbonate) 등 일 수 있다. 하지만, 상기 베이스 기재(100)는 이에 한하지 않으며, OLED 봉지제, OPV 봉지제 등을 제조할 수 있으면 관계없다.
이때, 상기 베이스 기재(100)가 폴리머 재질일 경우, 유리전이온도(glass transition temperature : Tg)가 150℃ 내지 200℃로 매우 낮기 때문에 낮은 온도에서 결정성 입자를 형성하는 방법은 매우 중요하다. 왜냐하면, 상기 베이스 기재(100)를 유리전이온도 이상으로 형성하면 특성이 변형되기 때문이다. 이때, 상기 유리전이온도는 물체의 특성이 변형되는 임계점 값이다. 따라서, 후술할 배리어층(200)의 증착 공정은 상기 유리전이온도 이하에서 이루어지는 것이 바람직하다.
일반적으로, 상기 베이스 기재(100)는 15~100㎛ 두께로 형성될 수 있다.
이후, 상기 베이스 기재(100)의 상부에 배리어층(200)을 형성한다(S230).
상기 배리어층(200)은 베이스 기재(100)의 상부에 형성되어 대기 중의 수분이나 산소가 유입되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 이때, 상기 배리어층(200)은 무기막으로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 배리어층(200)은 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, MgO 중 어느 하나 이상의 무기막으로 형성될 수 있다.
상기 배리어층(200)은 상기 베이스 기재(100) 상에 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)으로 단층 또는 다층으로 형성할 수 있다. 이때, 상기 배리어층(200)은 internal one turn type의 ICP 코일을 사용하여 형성할 수 있다. 일반적인 화학기상증착법에 사용되던 ICP 코일은 챔버의 외부에 설치된 유전체 튜브에 2 내지 3회 감긴 형태로, 이러한 형태를 갖는 ICP 코일은 전자밀도를 높이는데 한계가 있다. 따라서, 일반적인 형태의 ICP 코일을 사용할 경우, 챔버 내로 주입되는 반응가스와의 반응성이 낮아 결정성을 갖는 무기막을 상온에서 형성하는데 어려움이 있다. 하지만, 본 실시 예에 따른 상기 ICP 코일은 챔버의 내부에 형성되며, 전력의 손실을 막기 위해 1회만 감는 형태이므로 챔버 내의 전자밀도를 높게 하여 상온에서도 결정성의 무기막을 증착할 수 있게 할 수 있다.
한편, 상기 배리어층(200)은 결정성 무기막을 형성하기 위해 베이스 기재(100)의 상부에 증착시 RF파워를 500W 이상으로 하여 전자밀도를 6.2 x 1010/m3 이상으로 유지하는 것이 바람직하다. 하지만, 상기 RF파워를 500W 미만으로 하여 배리어층(200)을 증착시키면 상기 배리어층(200)을 구성하는 무기막의 입자는 비결정성으로 형성되어 상대적으로 결정성 입자를 갖는 배리어층(200)보다 배리어 특성이 저하된다.
또한, 상기 배리어층(200)은 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상인 것이 바람직하다. 본 실시 예에 따르면 특정 결정면을 가지는 박막이 비정질의 박막보다 배리어 특성이 우수하다. 또한, 상기 배리어층(200)은 상술한 조건(결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상)을 만족할 경우, 그렇지 못한 경우(예컨대, 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%미만)보다 배리어 특성이 우수하다.
이때, 상기 배리어층(200)은 증착 공정 조건으로 700와트(W) 이상의 RF파워와 플라즈마 내에서 8.2 x 1010/m3 이상의 전자밀도를 갖도록 하여 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상되게 할 수 있다.
본 실시 예에 따르면, 상기 배리어층(200)은 100nm 내지 300nm의 두께를 가지도록 형성할 수 있다.
이하, 본 발명을 하기 실험예를 들어 더욱 상세하게 설명하기로 한다.
평가시료 준비
1. 유리전이온도 이하의 저온 상태인 베이스 기재(100) 상에 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)으로 무기막을 증착하였다. 이때, 상기 무기막은 베이스 기재(100) 상에 단층 또는 다층으로 형성할 수 있지만, 단층 또는 다층으로 증착할 경우에 따른 배리어 특성은 동일하므로 본 실험 예에서는 무기막이 단층으로 증착된 경우에 한하여 설명한다. 이때, 상기 무기막은 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, MgO 중 어느 하나 이상일 수 있다. 가스는 실레인(Silane), 트리메칠아민(TMA), 질소(N2), 아르곤(Ar), 암모니아(NH3), 아산화질소(N2O)를 사용하였으며, 소스는 RF를 사용하였다. 또한, 베이스 기재(100) 상에 증착된 무기막은 100nm 내지 300nm의 두께를 가지도록 하였다.
2. 비교예 및 실시예
비교예 1 내지 2는 베이스 기재(100)의 상부에 무기막(SiOx)을 단층으로 증착하였으며, 이때의 RF파워는 각각 100W, 400W이다. 이때, 상기 무기막의 입자는 비결정성 입자로 구성된다.
비교예 3 내지 4는 베이스 기재(100)의 상부에 무기막(SiOx)을 단층으로 증착하였으며, 이때의 RF파워는 각각 500W, 600W이다. 이때, 상기 무기막의 입자는 결정성 입자로 구성된다.
실시예 1 내지 3은 베이스 기재(100)의 상부에 무기막(SiOx)을 단층으로 증착하였으며, 이때의 RF파워는 각각 700W, 900W, 1100W이다. 이때, 상기 무기막의 입자는 결정성 입자로 구성된다.
테스트
1. 수분 투과율(Water Vapor Transmission Rate : WVTR) 측정
: 10cm X 10cm 샘플영역에 있어 챔버 진공상태 유지 후 40℃, 습도 90% 환경을 유지하며 수분을 샘플에 흘려주어 샘플을 투과한 아래쪽 챔버 수분량을 측정하여 수분 투과율을 측정한다.(Techmoloc社 deltaperm)
2. 입자의 결정성 유/무 및 결정면의 면간거리 분석
: 3mm x 3mm 샘플 영역내 TEM(Transmission Electron Microscopy)을 이용하여 박막 결정성 유/무 확인 및 gatan software를 활용하여 결정입자의 결정면 간 거리를 확인한다.
3. 플라즈마 내의 전자 밀도 측정
: Langmuir probe를 활용하여 외부에서 플라즈마내에 탐침을 삽입하여 전자 밀도를 측정한다.
4. 빛의 투과율 측정
: 3cm X 3cm 영역에서 가시광 빛을 조사하여 550nm 파장에 대한 투과율을 측정한다.(CM-5 이용)
결과
상기 테스트에 대한 결과는 도 3에 도시된 바와 같다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름의 실험 결과를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하여 본 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름의 우수성을 설명하면 다음과 같다.
우선, 비교예 1 내지 2는 무기막의 입자가 비결정성으로, 무기막의 입자가 결정성인 비교예 3 내지 4 및 실시예 1 내지 3과 비교해보면 빛의 투과율은 비슷하나, 수분 투과율(WVTR)이 저하됨을 알 수 있다. 즉, 배리어층(200)을 형성하는 무기막의 입자가 비결정성일 경우 에너지적으로 불안정하게 되며, 이에 따라 크랙 발생으로 인해 배리어 특성이 저하되는 것이다. 따라서, 상술한 비교를 통해 배리어층(200)을 형성하는 무기막의 입자가 결정성일 경우, 비결정성에 비해 배리어 특성이 우수함을 알 수 있다.
이때, 배리어층(200)을 형성하는 무기막의 입자가 결정성일 경우라도, 특정 결정면 간 거리를 갖는 결정성 입자의 비율이 특정 비율만큼 존재하는 경우 빛의 투과율은 비슷하지만 필름의 배리어 특성 즉, 수분 투과율이 더 우수해질 수 있다. 즉, 본 실시 예에 따른 배리어층(200)은 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상일 경우 필름의 배리어 특성이 더 우수할 수 있다.
이에 대한 실험 예로 비교예 3 내지 4 그리고, 실시예 1 내지 3을 살펴보기로 한다.
비교예 3 내지 4 그리고, 실시예 1 내지 3은 무기막의 입자가 결정성으로 이루어져 있으며, 상기 무기막의 증착 공정시 RF파워 및 플라즈마 내의 전자 밀도의 값을 다르게 설정하였다.
바람직하게, 실시예 1 내지 3에서와 같이, 배리어층(200)의 증착 공정에서 700와트(W) 이상의 RF파워와 플라즈마 내에서 8.2 x 1010/m3 이상의 전자밀도를 갖도록 하면, 상기 배리어층(200)은 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상되게 할 수 있다. 이에 따라, 실시예 1 내지 3에서와 같이 배리어 특성이 우수한 즉, 수분 투과율이 뛰어나 수분 침투 방지 능력을 향상시킬 수 있는 배리어 필름을 제조할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 실시 예에 따르면, 상기 배리어층(200)은 베이스 기재(100)가 유리전이온도 이하로 저온인 상태에서도 배리어층(200)을 형성하는 무기막이 결정성 입자를 갖도록 증착하여 에너지적으로 안정하게 함으로써 배리어 특성을 높일 수 있다. 또한, 상기 배리어층(200)은 특정 조건(결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상)을 만족할 경우 배리어 특성이 우수한 필름을 제조할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
100 : 베이스 기재
200 : 배리어층

Claims (6)

  1. 베이스 기재; 및
    상기 베이스 기재의 상부에 형성되는 결정성 입자를 갖는 무기막으로 이루어진 배리어층;을 포함하되,
    상기 배리어층은 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상인 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배리어층은 상기 베이스 기재 상에 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)으로 단층 또는 다층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 배리어층은 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, MgO 중 어느 하나 이상의 무기막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름.
  4. 투명 가스 배리어성 필름의 제조 방법에 있어서,
    상기 베이스 기재를 준비하는 단계; 및
    상기 베이스 기재의 상부에 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0.32nm인 비율이 25%이상인 무기막으로 이루어진 배리어층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 배리어층은 상기 베이스 기재 상에 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)으로 단층 또는 다층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름의 제조 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 배리어층은 700와트(W) 이상의 RF파워와 플라즈마 내에서 8.2 x 1010/m3 이상의 전자밀도를 갖도록 챔버를 제어하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름의 제조 방법.
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