KR20160093185A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 기판 위에 위치하는 게이트 전극 및 게이트선, 상기 기판 위에 상기 게이트선과 같은 층에 형성되어 있으며 상기 게이트선과 분리되어 있는 복수의 데이터선, 상기 게이트선, 상기 게이트 전극 및 상기 데이터선 위에 위치하는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 위치하는 반도체, 상기 반도체 및 상기 게이트 절연막 위에 위치하는 식각 저지막, 상기 식각 저지막 위에 위치하는 제1 보호막, 상기 제1 보호막 및 상기 식각 저지막 위에 위치하며 상기 복수의 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 식각 저지막 위에 위치하며 상기 소스 전극과 떨어져 있는 드레인 전극, 상기 제1 보호막 위에 위치하며 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 떨어져 있는 공통 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 공통 전극 위에 위치하는 제2 보호막, 그리고 상기 제2 보호막 위에 위치하며 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함한다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 이러한 액정 표시 장치에서는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
화소 전극과 공통 전극은 서로 다른 표시판에 구비될 수도 있고, 하나의 표시판에 모두 구비될 수도 있다. 표시판에는 또한 게이트 신호를 전송하는 게이트선과 데이터 신호를 전송하는 데이터선이 서로 교차하여 형성되고, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 차광부재, 색 필터, 공통 전극 등이 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터로는 무기 반도체를 사용하기도 하지만 최근 들어 유기 반도체를 사용하고자 하는 연구가 활발하다.
그러나 종래의 유기 반도체 액정 표시 장치는 제조 방법이 복잡하고 집적도가 낮으며, 접촉 부위의 접촉성 및 내구성이 떨어지고, 러빙 시 정전기가 유입되는 등의 문제점이 있다.
본 발명은 이러한 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 하나의 기판을 이용하여 표시 장치를 제조함으로써, 공정과 구조가 간단한 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 기판 위에 위치하는 게이트 전극 및 게이트선, 상기 기판 위에 상기 게이트선과 같은 층에 형성되어 있으며 상기 게이트선과 분리되어 있는 복수의 데이터선, 상기 게이트선, 상기 게이트 전극 및 상기 데이터선 위에 위치하는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 위치하는 반도체, 상기 반도체 및 상기 게이트 절연막 위에 위치하는 식각 저지막, 상기 식각 저지막 위에 위치하는 제1 보호막, 상기 제1 보호막 및 상기 식각 저지막 위에 위치하며 상기 복수의 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 식각 저지막 위에 위치하며 상기 소스 전극과 떨어져 있는 드레인 전극, 상기 제1 보호막 위에 위치하며 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 떨어져 있는 공통 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 공통 전극 위에 위치하는 제2 보호막, 그리고 상기 제2 보호막 위에 위치하며 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치 및 그 제조 방법은 하나의 기판을 이용하여 표시 장치를 제조함으로써, 공정과 구조가 간단한 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 배치도이다.
도 2는 도 2에 도시한 표시 장치의 단면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도 1 및 도 2를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 배치도이고, 도 3은 도 2의 표시 장치의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연 기판(110) 위에 게이트선(gate line)(121) 및 게이트선(121)으로부터 돌출되어 있는 게이트 전극(124), 그리고 데이터선(171)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗을 수 있다. 데이터선(171)은 게이트선(121)의 사이에 세로 방향으로 뻗으며 서로 분리된 복수의 세로 부재를 포함한다.
게이트선(121) 및 게이트 전극(124) 위에는 게이트 절연막(gate insulating layer)(130)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(130)은 무기 또는 유기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(140)은 다중막으로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 반도체(semiconductor)(154)가 형성되어 있다. 반도체(154)는 산화물 반도체, 예를 들면 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn) 및 주석(Sn) 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
반도체(154) 위에는 저항성 접촉 부재(ohmic contact member)(도시하지 않음)가 더 형성될 수 있다. 저항성 접촉 부재는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.
반도체(154) 및 게이트 절연막(140) 위에는 식각 저지막(160) 및 제1 보호막(180)이 형성되어 있다. 제1 보호막(180)은 유기물로서 식각 저지막(160)에 비하여 매우 두꺼울 수 있다.
제1 보호막(160) 위에는 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 식각 저지막(160) 및 제1 보호막(180)에 형성되어 있는 접촉 구멍을 통하여 각각 반도체(154)와 연결되어 있다. 소스 전극(173)은 또한 게이트 절연막(130), 식각 저지막(160) 및 제1 보호막(180)에 형성되어 있는 접촉 구멍을 통하여 데이터선(171)과 연결되어 있으며, 게이트선(121) 상하의 세로 부재들을 서로 연결한다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)를 이룬다. 박막 트랜지스터는 데이터선(171)의 데이터 전압을 전달하는 스위칭 소자로서 기능할 수 있다. 이때, 스위칭 소자(SW)의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체(154)에 형성되어 있다.
소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 공통 전극(270) 위에는 제2 보호막(210)이 형성되어 있다. 제2 보호막(210)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.
제2 보호막(180) 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 제2 보호막(210)에 형성된 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극(175)과 연결되어 있다.
그러면, 도 3 및 도 4를 앞서의 도 1 및 도 2와 함께 참고하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 3 및 도 4는 도 1 및 도 2의 표시 장치를 본 발명의 일 실시예에 따라 제조하는 방법을 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 3을 참고하면, 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 기판(110) 위에 게이트선(121), 게이트선(121)으로부터 돌출되는 게이트 전극(124) 및 데이터선(171)을 형성한다.
이어, 게이트선(121), 게이트 전극(124) 및 데이터선(171) 위에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질을 이용하여 게이트 절연막(140)을 형성한다. 게이트 절연막(140)은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.
이어, 게이트 절연막(140) 위에 금속 산화물(metal oxide) 등과 같은 반도체 물질을 증착한 후 이를 패터닝하여 반도체(154)를 형성한다. 반도체(154)는 게이트 전극(124) 위에 위치하도록 형성할 수 있다.
이어 도 3 및 도 4를 참고하면, 식각 저지막(160) 및 제1 보호막(180)을 적층하고 감광막(210)을 도포한다. 이어 위치에 따라 노광량이 달라지는 마스크(200)을 사용하여 감광막(210)을 노광한 다음, 게이트 절연막(130), 식각 저지막(160) 및 제1 보호막(180)을 식각하여 데이터선(171) 및 반도체(154)에 접촉 구멍을 형성한다. 게이트 패드 및 데이터 패드를 포함하는 패드부(129)에도 접촉 구멍을 형성한다.
도 2를 참고하면, 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 공통 전극(270)을 형성하고, 제2 보호막(210)을 적층하고 식각하여 패드부(129)에 접촉 구멍을 형성한다. 이어 화소 전극(191)을 형성한다.
한 실시예에 따르면, 패드부(129)에는 소스 전극(173) 등과 같은 층의 도전체 및 화소 전극(191)과 같은 층의 도전체가 형성될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (6)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 게이트 전극 및 게이트선,
    상기 기판 위에 상기 게이트선과 같은 층에 형성되어 있으며 상기 게이트선과 분리되어 있는 복수의 데이터선,
    상기 게이트선, 상기 게이트 전극 및 상기 데이터선 위에 위치하는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 위치하는 반도체,
    상기 반도체 및 상기 게이트 절연막 위에 위치하는 식각 저지막,
    상기 식각 저지막 위에 위치하는 제1 보호막,
    상기 제1 보호막 및 상기 식각 저지막 위에 위치하며 상기 복수의 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극,
    상기 식각 저지막 위에 위치하며 상기 소스 전극과 떨어져 있는 드레인 전극,
    상기 제1 보호막 위에 위치하며 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 떨어져 있는 공통 전극,
    상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 공통 전극 위에 위치하는 제2 보호막, 그리고
    상기 제2 보호막 위에 위치하며 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극
    을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 보호막은 유기물을 포함하는 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 반도체는 금속 산화물을 포함하는 표시 장치.
  4. 기판 위에 게이트 전극, 게이트선 및 데이터선을 형성하는 단계,
    상기 게이트 전극, 게이트선 및 데이터선 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계,
    상기 게이트 절연막 위에 반도체를 형성하는 단계,
    상기 게이트 절연막 및 반도체 위에 식각 저지막 및 제1 보호막을 적층하는 단계,
    상기 제1 보호막, 식각 저지막 및 게이트 절연막을 식각하여 상기 데이터선 및 상기 반도체를 드러내는 접촉 구멍을 형성하는 단계,
    상기 제1 보호막 및 상기 식각 저지막 위에 상기 복수의 데이터선과 연결되는 소스 전극, 상기 소스 전극과 떨어져 있는 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 떨어져 있는 공통 전극을 형성하는 단계,
    상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 공통 전극 위에 제2 보호막을 형성하는 단계, 그리고
    상기 제2 보호막 위에 위치하며 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 보호막은 유기물을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제4항에서,
    상기 반도체는 금속 산화물을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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