KR20160086509A - Method for manufacturing elastic contactor - Google Patents

Method for manufacturing elastic contactor Download PDF

Info

Publication number
KR20160086509A
KR20160086509A KR1020150003615A KR20150003615A KR20160086509A KR 20160086509 A KR20160086509 A KR 20160086509A KR 1020150003615 A KR1020150003615 A KR 1020150003615A KR 20150003615 A KR20150003615 A KR 20150003615A KR 20160086509 A KR20160086509 A KR 20160086509A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
contactor
cap
manufacturing container
metal layer
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020150003615A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101678366B1 (en
Inventor
강승남
윤채영
Original Assignee
(주)메리테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)메리테크 filed Critical (주)메리테크
Priority to KR1020150003615A priority Critical patent/KR101678366B1/en
Publication of KR20160086509A publication Critical patent/KR20160086509A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101678366B1 publication Critical patent/KR101678366B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/04Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0416Connectors, terminals

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

A method for manufacturing an elastic contactor according to an embodiment of the present invention comprises: (i) forming a first metal layer on a bottom surface of a container for manufacture, (ii) aligning a plurality of contactors to be spaced apart by a predetermined distance in the vertical direction on the first metal layer, (iii) bonding the contact portion of the first metal layer and the contactors, (iv) covering with a cap which covers the container for manufacture, (v) forming a hole on one side of the cap, (vi) injecting an insulating elastic material into the container for manufacture through the hole, (vii) hardening the injected insulating elastic material, (viii) removing the container for manufacture and the cap and (ix) coupling a tip to the exposed top of the contactor.

Description

컨택터 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING ELASTIC CONTACTOR}[0001] METHOD FOR MANUFACTURING ELASTIC CONTACTOR [0002]

본 발명은 컨택터 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 디바이스 테스트 시 검사장치 패드의 마모를 줄이고, 반도체 디바이스 컨택볼의 편차를 보상하기 위한 스트로크 조절이 가능한, 컨택터 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a contactor manufacturing method, and more particularly, to a contactor manufacturing method capable of reducing wear of an inspection apparatus pad during semiconductor device testing and capable of stroke adjustment to compensate for deviation of a semiconductor device contact ball.

일반적으로 제조된 전자부품은 제조된 이후에 제품의 신뢰성을 확인하기 위하여 각종 테스트를 실시하게 된다. 테스트는 전자부품의 모든 입출력 단자를 검사 신호 발생 회로와 연결하여 정상적인 동작 및 단선 여부를 검사하는 전기적 특성 테스트와 전자부품의 전원입력단자 등 몇몇 입출력 단자들을 검사 신호 발생 회로와 연결하여 정상 동작 조건보다 높은 온도, 전압 및 전류 등으로 스트레스를 인가하여 전자부품의 수명 및 결함 발생 여부를 체크하는 번인 테스트(Burn-in test)가 있다.Generally manufactured electronic components are subjected to various tests to confirm the reliability of the products after they are manufactured. The test connects all the input and output terminals of the electronic parts with the test signal generating circuit to check the normal operation and disconnection and connect the input and output terminals of the electronic parts such as the power input terminal to the test signal generating circuit. There is a burn-in test in which stress is applied by high temperature, voltage and current to check the lifetime of electronic parts and whether a defect is generated.

이와 같은 테스트는 도전성 컨택터에 전자부품을 탑재시켜 전기적으로 접촉된 상태에서 진행된다. 그리고, 도전성 컨택터는 기본적으로 전자부품의 형태에 따라서 그 모양이 결정되는 것이 일반적이며, 기계적인 접촉에 의해 전자부품의 피검사전극과 테스트장치의 전극을 연결하는 매개체의 역할을 한다.Such a test is conducted in an electrically contacted state by mounting an electronic component on a conductive contactor. The conductive contactor is basically determined in accordance with the shape of the electronic component, and serves as an intermediary for connecting the electrodes to be inspected of the electronic component and the electrodes of the test apparatus by mechanical contact.

특히 전자부품 중에서 피검사전극으로 솔더 볼을 사용하는 볼 그리드 어레이(Ball Grid Array; BGA) 패키지의 경우, 검사장치에 설치된 검사용 인쇄회로기판의 패드(PCB PAD)와 BGA 타입의 반도체 패키지의 컨택 볼을 전기적으로 연결하기 위해 소켓이 사용된다. 종래에는 이러한 소켓으로 포고(POGO) 타입 소켓과 러버(Rubber) 재질로 이루어진 러버 타입 소켓이 사용되었다.Particularly, in the case of a ball grid array (BGA) package using a solder ball as an electrode to be inspected among electronic components, a pad (PCB PAD) of a printed circuit board for inspection installed in an inspection apparatus and a contact A socket is used to electrically connect the ball. Conventionally, a rubber type socket made of a POGO type socket and a rubber material was used as the socket.

포고 타입의 경우, 컨택터가 반도체 디바이스로부터 받은 힘(force)이 검사장치 패드에 수직으로 가해져야하는데, 포고 핀을 사용할수록 홀(hole)의 유격에 따라 포고에 가해진 힘이 수직방향 이외의 방향으로 가해지기 때문에 검사장치 패드(PCB PAD)에 마모를 가져오는 문제가 있다. In the case of the pogo type, the force received by the contactor from the semiconductor device must be applied perpendicularly to the inspection device pad. As the pogo pin is used, the force applied to the pogo is increased There is a problem in that it causes abrasion on the inspection device pad (PCB PAD).

또한, 전자부품의 경박단소화에 따라서 포고핀도 미세피치화가 요구되지만, 포고핀을 가공하는 기술적 한계 및 가격 경쟁력에 의해 고밀도의 미세 피치 전극이 배열된 반도체 패키지를 검사하는데 어려움이 있다.In addition, although pogo pins are required to be finer in accordance with the thinning and shortening of electronic parts, there are difficulties in inspecting semiconductor packages in which high-density fine pitch electrodes are arranged due to technical limitations and price competitiveness of processing pogo pins.

러버 타입의 경우, 컨택볼에 대한 반복적인 접촉으로 인해 러버 외관이 손상되고, 복원력이 상실되며 이에 따라 컨택볼에 대한 일정한 컨택 유지가 어렵게 된다. 또한 러버 타입의 경우 Au powder의 날림(이탈) 현상의 우려가 있으며, 스트로크(stroke) 양이 적어 반도체 패키지 컨택볼들의 높이에 편차가 발생할 경우, 검사시 전체적인 컨택을 하기 어렵다. 더불어 러버 타입의 경우 컨택터 끝단을 변형하기 어려워 구조적으로 효율적인 전기적 접촉을 구현하는데 한계가 있다.In the case of the rubber type, repetitive contact to the contact ball damages the rubber appearance and loses its restoring force, which makes it difficult to maintain a constant contact with the contact ball. In addition, there is a risk of falling off of the Au powder in the case of the rubber type, and it is difficult to make the entire contact in the inspection when the stroke of the semiconductor package contact balls is varied due to the small amount of strokes. In addition, in the case of the rubber type, it is difficult to deform the end of the contactor, so that there is a limit in realizing structurally efficient electrical contact.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로, 포고 타입 소켓의 단점인 고밀도 미세 피치 대응과 검사장치 패드 마모에 대한 보완 및 러버 타입 소켓의 단점인 컨택볼과 컨택 시 발생할 수 있는 충격에 대한 취약성을 보완하고, 균일하고 정확히 배열된 핀을 구비하며, 기존 러버 타입 대비 월등한 스트로크 양을 구현하여 신뢰성 있는 반도체 패키지 검사가 수행될 수 있는 반도체 검사용 컨택터를 제조하는 것을 그 목적으로 한다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for a high density fine pitch, a disadvantage of a pogo type socket, It is an object of the present invention to provide a contactor for semiconductor inspection which can compensate for the vulnerability, has uniformly and precisely arranged pins, and can realize a reliable stroke amount of the conventional rubber type, thereby performing reliable semiconductor package inspection.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓의 컨택터를 제조하는 방법은, (ⅰ)제조용 용기의 바닥면에 제1 금속층을 형성하는 단계와, (ⅱ)상기 제1 금속층 상에 복수의 컨택터를 소정간격 이격하여 수직방향으로 정렬하는 단계와, (ⅲ)상기 제1 금속층과 상기 컨택터의 접촉부분을 본딩하는 단계와, (ⅳ)상기 제조용 용기를 덮는 캡을 씌우는 단계와, (ⅴ)상기 캡의 일측에 홀을 형성하는 단계와, (ⅵ)상기 홀을 통해 상기 제조용 용기에 절연성 탄성물질을 주입하는 단계와, (ⅶ)상기 주입된 절연성 탄성물질을 경화시키는 단계와, (ⅷ)상기 제조용 용기와 상기 캡을 제거하는 단계 및 (ⅸ)상기 컨택터의 노출된 상위에 팁을 결합시키는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a contactor for a semiconductor test socket, the method comprising the steps of: (i) forming a first metal layer on a bottom surface of a manufacturing container; (Iii) bonding a contact portion of the first metal layer and the contactor to each other, (iv) bonding the contact portion of the contactor to the first metal layer, (Vi) forming a hole at one side of the cap, (vi) injecting an insulating elastic material into the preparation container through the hole, (iii) inserting the injected insulating elastic material (Iii) removing the manufacturing container and the cap, and (iii) bonding the tip to the exposed top of the contactor.

본 발명의 컨택터 제조방법에 의하면, 컨택터를 상단부와 하단부가 각각 수직선상으로부터 돌출하되 서로 대칭하는 구조로 형성함으로 인하여 탄성을 가지게 함으로써, 이에 수직방향으로 발생한 힘을 Z축 방향으로만 전달함으로써, 검사장치패드의 마모를 줄이고, 컨택터 핀들이 균일한 핀 포스를 가지게 하여 반도체 디바이스 컨택볼에 균일한 컨택이 이루어지게 할 수 있다. 또한, 절연부를 구성하는 실리콘의 두께와 경도 조절을 통해 스트로크 조절을 가능하게 함으로써, 반도체 디바이스 컨택볼의 높이 편차를 보상할 수 있다. 더불어, 컨택터와 절연부를 탄성을 가진 일체형으로 형성하여, 컨택에 의해 발생한 힘이 컨택터와 절연부에 동시에 작용하게 함으로써, 기존 러버 타입 대비 테스트용 소켓의 수명을 향상시킬 수 있다.According to the contactor manufacturing method of the present invention, since the contactor is formed in a structure in which the upper end portion and the lower end portion protrude from the vertical line and are symmetrical to each other, the contactor is made elastic so that the force generated in the vertical direction is transmitted only in the Z- , Wear of the testing device pad can be reduced, and contactor pins can have a uniform pin force, so that a uniform contact can be made in the semiconductor device contact ball. Further, by controlling the thickness and the hardness of the silicon constituting the insulating portion, it is possible to adjust the stroke, so that the height deviation of the semiconductor device contact ball can be compensated. In addition, the contactor and the insulating portion are integrally formed with elasticity so that the force generated by the contact acts on the contactor and the insulating portion at the same time, so that the life time of the conventional rubber type test socket can be improved.

도 1은 본 발명에 따른 테스트 소켓용 컨택터의 제조공정을 설명하기 위한 순서도.
도 2 내지 도 7은 본 발명에 따른 테스트 소켓용 컨택터의 제조공정을 도시한 단면도.
도 8은 본 발명에 따른 컨택터의 구조를 나타내는 단면도.
1 is a flow chart for explaining a manufacturing process of a contactor for a test socket according to the present invention;
2 to 7 are cross-sectional views showing a manufacturing process of a contactor for a test socket according to the present invention.
8 is a sectional view showing the structure of a contactor according to the present invention.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공 되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 또한, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
For a better understanding of the present invention, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the elements in the drawings can be exaggeratedly expressed to emphasize a clearer description. It should be noted that in the drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. Further, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may be unnecessarily obscured by the gist of the present invention are omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명의 컨택터 제조방법을 상세히 설명한다.
Hereinafter, a method of manufacturing the contactor of the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 테스트 소켓용 컨택터의 제조공정을 설명하기 위한 순서도이다.1 is a flow chart for explaining a manufacturing process of a contactor for a test socket according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 디바이스 테스트 소켓용 컨택터의 제조방법은 제조용 용기의 바닥면에 제1 금속층을 형성하는 제1 단계와, 상기 제1 금속층에 복수의 컨택터를 소정간격 이격하여 수직방향으로 정렬하는 제2 단계와, 상기 제1 금속층과 상기 컨택터의 접촉부분을 본딩하는 제3 단계와, 상기 제조용 용기를 덮는 캡을 씌우는 제4 단계와, 상기 캡의 일측에 홀을 형성하는 제5 단계와, 상기 홀을 통해 상기 제조용 용기에 절연성 탄성물질을 주입하는 제6 단계와, 상기 주입된 절연성 탄성물질을 경화시키는 제7 단계와, 상기 제조용 용기와 상기 캡을 제거하는 제8 단계 및 상기 컨택터의 노출된 상위에 팁을 결합시키는 제9 단계를 포함한다.
Referring to FIG. 1, a method of manufacturing a contactor for a semiconductor device test socket according to the present invention includes a first step of forming a first metal layer on a bottom surface of a manufacturing container, a second step of forming a plurality of contactors on the first metal layer, A third step of bonding the contact portion of the first metal layer and the contactor to each other, a fourth step of covering the cap covering the manufacturing container, A sixth step of injecting an insulating elastic material into the manufacturing container through the hole, a seventh step of curing the injected insulating elastic material, a fifth step of removing the manufacturing container and the cap, An eighth step and a ninth step of bonding the tip to the exposed upper portion of the contactor.

이하 도 2 내지 도 7은 본 발명에 따른 반도체 디바이스 테스트 소켓용 컨택터의 제조공정을 도시한 단면도이고, 도 8은 본 발명에 따른 컨택터의 구조를 나타내는 단면도이다.2 to 7 are sectional views illustrating a process of manufacturing a contactor for a semiconductor device test socket according to the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating the structure of a contactor according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 먼저 트렌치(trench)가 형성된 제조용 용기(10)를 구비한다. 제조용 용기(10)는 복수의 컨택터 세트를 제조하기 위해 여러 구역으로 구분된 형태로 구비된다. 예를 들어 도 2에서는 제조용 용기(10)가 제1 세트부(11), 제2 세트부(12) 및 제3 세트부(13)로 제조되고, 상기 제1 내지 제3 세트부(11, 12, 13)는 제조용 용기(10)의 바닥면으로부터 형성된 칸막이(15)에 의해 구분될 수 있다. 칸막이(15)의 높이는 제조용 용기(10)의 외곽 둘레의 벽(14)의 높이보다 소정 길이 낮게 형성된다. 즉, 칸막이(15)는 외곽 둘레의 벽(14)에 비하여 소정 길이의 틈(16)을 갖게 된다. 제조용 용기(10)의 분리된 세트의 개수와 이에 실장되는 컨택터의 개수 등은 제작자의 의도에 따라 설정될 수 있음은 자명하다.As shown in Fig. 2, first, a manufacturing container 10 in which a trench is formed is provided. The manufacturing container 10 is provided in a form divided into several zones for manufacturing a plurality of contactor sets. For example, in FIG. 2, the manufacturing container 10 is made of a first set 11, a second set 12, and a third set 13, and the first through third set parts 11, 12 and 13 may be separated by a partition 15 formed from the bottom surface of the manufacturing container 10. The height of the partition 15 is formed to be lower than the height of the wall 14 around the outer periphery of the manufacturing container 10 by a predetermined length. That is, the partition 15 has a gap 16 of a predetermined length as compared with the wall 14 around the outer periphery. It is apparent that the number of separate sets of the manufacturing container 10 and the number of the contactors mounted thereon can be set according to the manufacturer's intention.

제조용 용기(10)의 바닥면에 스퍼터링(sputtering), 증착(deposition) 등을 이용하여 제1 금속층(100)을 형성한다. 여기서 제1 금속층(100)은 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 크롬(Cr) 등을 사용할 수 있다. The first metal layer 100 is formed on the bottom surface of the manufacturing container 10 by sputtering, deposition, or the like. Here, the first metal layer 100 may be formed of copper (Cu), silver (Ag), nickel (Ni), titanium (Ti), chromium (Cr)

다음, 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 컨택터(200)를 각 세트부(11, 12, 13) 내에 제1 금속층(100)의 상위에 소정간격 이격하여 정렬하되, 컨택터(200)가 수직선상으로 실장되도록 한다. 예를 들어, 제1 금속층(100)과 접촉하는 컨택터(200)의 하부를 레이저로 조사하여 녹임으로써 이를 본딩(bonding)할 수 있다. 컨택터(200)의 정렬은 추후 반도체 테스트 소켓의 구동시 컨택터(200)가 테스트 장치의 전극(미도시)과 접촉되는 위치에 대응하도록 설정된다.3, a plurality of contactors 200 are arranged in the respective set portions 11, 12, 13 at a predetermined interval above the first metal layer 100, To be mounted on a vertical line. For example, the lower portion of the contactor 200 contacting the first metal layer 100 can be bonded by laser irradiation. The alignment of the contactor 200 is set to correspond to the position at which the contactor 200 is in contact with the electrode (not shown) of the test apparatus when the semiconductor test socket is subsequently driven.

컨택터(200)는 도 8에 도시된 바와 같이, 컨택터(200)의 상단부(230)와 하단부(240)가 각각 수직선상으로부터 돌출하되, 상단부(230)와 하단부(240)가 맞닿는 점을 중심점으로 하여 X, Y 및 Z축상 서로 대칭하는 구조로 형성된다. 상단부(230)와 하단부(240)의 돌출구조는 다각 구조 또는 곡선 구조로 형성될 수 있고, 예를 들면 반원 구조, 삼각구조, 사각 구조, 반 육각구조, 반 팔각구조 등으로 형성될 수 있다. 컨택터(200)는 니켈, 철, 코발트, 베릴륨, 골드, 은, 팔라듐, 로듐 중 적어도 하나의 합금으로 제조되고, 멤스 공정으로 제조된다.8, the contactor 200 is formed so that the upper end 230 and the lower end 240 of the contactor 200 protrude from a vertical line respectively and the upper end 230 and the lower end 240 contact each other And are formed symmetrically with respect to each other on the X, Y, and Z axes as center points. The protruding structure of the upper portion 230 and the lower portion 240 may be formed in a polygonal or curved structure, for example, a semicircular structure, a triangular structure, a rectangular structure, a semi-hexagonal structure, a semi-octagonal structure, or the like. The contactor 200 is made of an alloy of at least one of nickel, iron, cobalt, beryllium, gold, silver, palladium and rhodium and is manufactured by a MEMS process.

다음, 도 4에 도시된 바와 같이, 제조용 용기(10)의 상면을 덮는 캡(Cap, 20)을 형성한다. 캡(20)은 컨택터(200)의 상부를 꽂을 수 있도록 컨택터(200)의 상부에 대응하는 트렌치가 형성된 구조로 구비한다. 캡(20)의 일측에는 제조용 용기(10) 내에 절연성 탄성 물질을 주입할 수 있도록 홀(hole, 24)이 형성된다. Next, as shown in Fig. 4, a cap Cap 20 is formed to cover the upper surface of the manufacturing container 10. As shown in Fig. The cap 20 has a structure in which a corresponding trench is formed on the upper portion of the contactor 200 so that the upper portion of the contactor 200 can be inserted. A hole 24 is formed at one side of the cap 20 so that the insulative elastic material can be injected into the manufacturing container 10.

도 5에 도시된 바와 같이 홀(24)을 통해 절연성 탄성 물질이 주입되고, 주입된 절연성 탄성 물질은 제조용 용기(10)의 내부를 채우게 된다. 이때 절연성 탄성 물질이 홀(24)을 통해 주입되면, 제3 세트부(13)에 절연성 탄성 물질이 칸막이(15)의 높이만큼 채워지고, 칸막이(15)의 틈(16)을 통해 제2 세트부(12) 및 제1 세트부(11)가 순차적으로 채워지며, 이후 제조용 용기(10)의 외곽둘레 벽(14) 높이까지 채워지게 된다.As shown in FIG. 5, the insulating elastic material is injected through the holes 24, and the injected insulating elastic material fills the inside of the manufacturing container 10. When the insulating elastic material is injected through the hole 24, the insulating elastic material is filled into the third set portion 13 by the height of the partition 15, The portion 12 and the first set portion 11 are sequentially filled and then filled up to the height of the outer peripheral wall 14 of the manufacturing container 10. [

여기서 절연성 탄성 물질은 예를 들어 액상 실리콘 등을 사용한다.Here, for example, liquid silicone or the like is used as the insulating elastic material.

이후, 제조용 용기(10)에 베이크 장치 등을 통해 열을 가하여 제조용 용기(10)에 주입된 절연성 탄성 물질을 경화시킨다.Thereafter, heat is applied to the manufacturing container 10 through a baking device or the like to cure the insulating elastic material injected into the manufacturing container 10. [

다음, 도 6에 도시된 바와 같이, 제조용 용기(10) 내의 절연성 탄성 물질이 경화되면, 제조용 용기(10)를 포함한 캡(20)을 제거한다. 이때 컨택터(200) 하부와 제1 금속층(100)이 본딩된 부분은 제1 금속층(100)을 녹일 수 있는 화학성분을 이용하는 에칭 공정을 통해 본딩 부분을 떨어뜨릴 수 있다. Next, as shown in FIG. 6, when the insulating elastic material in the manufacturing container 10 is cured, the cap 20 including the manufacturing container 10 is removed. At this time, the bonding portion of the lower portion of the contactor 200 and the first metal layer 100 may be dropped through an etching process using a chemical component capable of melting the first metal layer 100.

이에 의해 컨택터(200)와 상기 컨택터(200)와 일체화된 구조로 형성된 절연부(300)가 형성된다. 상기와 같이 컨택터(200)에 일체형으로 경화된 액체형 실리콘으로 형성된 절연부(300)는 탄성을 가지는 컨택터(200)와 함께 이중 탄성 기능을 구현할 수 있다. 이로 인해, 추후 반도체 테스트시 물리적 접촉에 의해 발생한 힘이 컨택터(200)와 절연부(300)에 동시에 흡수됨으로써, 부품의 파손을 방지하고, 기존 러버 타입에 비하여 소켓의 내구성을 향상시킬 수 있다. Accordingly, the contactor 200 and the contactor 200 are integrally formed with the insulation part 300. As described above, the insulating part 300 formed of the liquid silicone hardened integrally with the contactor 200 can realize the double elastic function together with the contactor 200 having elasticity. Therefore, the force generated by the physical contact at the time of the semiconductor test will be simultaneously absorbed by the contactor 200 and the insulating portion 300, thereby preventing breakage of the component and improving the durability of the socket compared to the conventional rubber type .

또한, 절연부(300)를 구성하는 액체형 실리콘의 경도 또는 두께 조절을 통해 테스트 스트로크(stroke) 양을 확보하고, 컨택터(200)의 힘(PIN Force)을 조절할 수 있다. 이로 인해 반도체 디바이스 컨택볼의 높이 편차를 보상하기 위한 스트로크 양을 구비할 수 있다.In addition, the amount of test strokes can be secured by adjusting the hardness or the thickness of the liquid silicon constituting the insulating portion 300, and the force (PIN Force) of the contactor 200 can be adjusted. Thereby providing a stroke amount for compensating for the height deviation of the semiconductor device contact ball.

한편, 도 6과 같이 도시된 컨택터(200)의 노출된 상부 및 하부를 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 통하여 평탄하게 연마하는 공정을 추가할 수 있다.Meanwhile, a step of polishing the exposed upper and lower portions of the contactor 200 shown in FIG. 6 through a chemical mechanical polishing (CMP) process may be added.

다음, 도 7에 도시된 바와 같이, 컨택터(200)의 노출된 상부에 크라운 팁(Crown tip, 220)을 장착한다. 크라운 팁(220)은 반도체 디바이스 컨택볼(미도시)와 컨택터(200)와의 접촉력을 증대시키기 위해 다수개의 요철구조로 형성되는 크라운 형태로 구비할 수 있다. 크라운 팁(220)은 멤스 공정으로 제조되며, 니켈, 철, 코발트, 베릴륨, 골드, 은, 팔라듐, 로듐 중 적어도 하나의 합금으로 제조될 수 있다.
Next, as shown in FIG. 7, a crown tip 220 is mounted on the exposed top of the contactor 200. The crown tip 220 may be provided in a crown shape having a plurality of concavo-convex structures to increase the contact force between the semiconductor device contact ball (not shown) and the contactor 200. The crown tip 220 is fabricated by a MEMS process and may be made from an alloy of at least one of nickel, iron, cobalt, beryllium, gold, silver, palladium, and rhodium.

반도체 테스트시 본 발명의 컨택터(200)에 가압되는 힘은 컨택터(200)의 탄성을 가지는 구조와 이러한 컨택터(200)에 탄성물질을 이용하여 일체형으로 형성된 절연부(300)에 의한 이중탄성기능에 의해 흡수됨으로써, 테스트 소켓의 마모를 줄이고 수명을 향상시킬 수 있다.The force to be applied to the contactor 200 of the present invention during the semiconductor test is the same as the force applied to the contactor 200 due to the structure having elasticity of the contactor 200 and the dual structure of the contactor 200 by the insulating portion 300 integrally formed by using elastic material. By being absorbed by the elastic function, wear of the test socket can be reduced and lifetime can be improved.

또한, 본 발명의 컨택터(200)는 반도체 디바이스 컨택볼과 수직상의 일대일 컨택 뿐만 아니라, 상하 컨택면의 위치가 다른 반도체 디바이스도 테스트가 가능하다. 각 컨택터(200)들이 일체형으로 구성되기 때문에 반복적인 컨택과 고주파 테스트(High Frequency test) 조건에서도 컨택 노이즈를 최소화할 수 있어 제품의 특성을 유지할 수 있다.In addition, the contactor 200 of the present invention can test not only one-to-one contacts in the vertical direction with the semiconductor device contact ball but also semiconductor devices having different positions of the upper and lower contact surfaces. Since the contactors 200 are integrally formed, the contact noise can be minimized even under repeated contact and high frequency test conditions, and the characteristics of the product can be maintained.

이러한 본 발명의 테스트 소켓용 컨택터는 기존 러버 타입 대비 루프 인덕턴스(Loop inductance)를 감소시켜 커런트 패스(current path)를 줄임으로써, 기존 반도체 디바이스뿐만 아니라 하이스피드 디바이스(high speed device)에도 사용이 가능하게 된다.The contactor for a test socket according to the present invention reduces the loop inductance of the conventional rubber type to reduce the current path so that it can be used not only for existing semiconductor devices but also for high speed devices do.

상기 언급한 바와 같이, 본 발명의 컨택터를 가지는 반도체 디바이스 테스트용 소켓은 컨택터 자체를 탄성을 가지는 구조로 형성하여 이에 수직방향으로 발생한 힘을 Z축 방향으로 전달함으로써, 검사장치패드의 마모를 줄이고, 컨택터 핀들이 균일한 핀 포스를 가지게 하여 반도체 디바이스 컨택볼에 균일한 컨택이 이루어지게 할 수 있다. As described above, the socket for testing a semiconductor device having the contactor of the present invention has a resilient structure in which the contactor itself is formed, and the force generated in the vertical direction is transmitted in the Z-axis direction, And the contactor pins have a uniform pin force, so that a uniform contact can be made in the semiconductor device contact ball.

또한, 절연부를 형성할 때, 실리콘의 두께와 경도 조절을 통해 스트로크 조절을 가능하게 함으로써, 반도체 디바이스 컨택볼의 높이 편차를 보상할 수 있다.In addition, when the insulating portion is formed, the stroke can be adjusted by controlling the thickness and hardness of the silicon, so that the height deviation of the semiconductor device contact ball can be compensated.

더불어, 컨택터와 절연부를 탄성을 가진 일체형으로 형성하여, 컨택에 의해 발생한 힘이 컨택터와 절연부에 동시에 작용하게 함으로써, 기존 러버 타입 대비 테스트용 소켓의 수명을 향상시킬 수 있다.In addition, the contactor and the insulating portion are integrally formed with elasticity so that the force generated by the contact acts on the contactor and the insulating portion at the same time, so that the life time of the conventional rubber type test socket can be improved.

그리고 컨택터와 크라운 팁 등을 멤스 공정을 통해 제조할 수 있어 고밀도 미세 피치의 소켓 제작이 용이한 장점이 있다.
And the contactor and the crown tip can be manufactured through the MEMS process, thereby making it easy to manufacture a socket having a high density fine pitch.

이상에서 설명된 본 발명의 의 실시 예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그러므로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations may be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. . Therefore, it is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiments. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims. It is also to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

10: 제조용 용기 11, 12, 13: 제1 내지 제3 셋트부
14: 외곽둘레 벽 15: 칸막이
20: 캡 24: 홀
100: 제1 금속층 200: 컨택터
220: 크라운 팁 230: 컨택터 상단부
240: 컨택터 하단부 300: 절연부
10: Manufacturing container 11, 12, 13: First to third set parts
14: outer peripheral wall 15: partition
20: cap 24: hole
100: first metal layer 200: contactor
220: Crown tip 230: Contactor top
240: contactor lower end portion 300: insulating portion

Claims (10)

반도체 테스트용 소켓의 컨택터를 제조하는 방법에 있어서,
(ⅰ)제조용 용기의 바닥면에 제1 금속층을 형성하는 단계;
(ⅱ)상기 제1 금속층 상에 복수의 컨택터를 소정간격 이격하여 수직방향으로 정렬하는 단계;
(ⅲ)상기 제1 금속층과 상기 컨택터의 접촉부분을 본딩하는 단계;
(ⅳ)상기 제조용 용기를 덮는 캡을 씌우는 단계;
(ⅴ)상기 캡의 일측에 홀을 형성하는 단계;
(ⅵ)상기 홀을 통해 상기 제조용 용기에 절연성 탄성물질을 주입하는 단계;
(ⅶ)상기 주입된 절연성 탄성물질을 경화시키는 단계;
(ⅷ)상기 제조용 용기와 상기 캡을 제거하는 단계; 및
(ⅸ)상기 컨택터의 노출된 상위에 팁을 결합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 테스트 소켓용 컨택터 제조방법.
A method of manufacturing a contactor of a semiconductor test socket,
(I) forming a first metal layer on a bottom surface of the manufacturing container;
(Ii) aligning a plurality of contactors on the first metal layer in a vertical direction with a predetermined spacing therebetween;
(Iii) bonding the contact portion of the first metal layer and the contactor;
(Iv) covering the cap for covering the manufacturing container;
(V) forming a hole on one side of the cap;
(Vi) injecting an insulating elastic material into the manufacturing container through the hole;
(Iii) curing the injected insulative elastic material;
(Iii) removing the manufacturing container and the cap; And
(E) bonding the tip to the exposed top of the contactor. ≪ Desc / Clms Page number 14 >
제1항에 있어서,
상기 제조용 용기는 외곽 둘레 벽의 높이보다 낮은 틈을 갖는 칸막이에 의해 복수의 세트부로 구분되는 구조인 것을 특징으로 하는, 반도체 테스트 소켓용 컨택터 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the manufacturing container is divided into a plurality of sets by a partition having a gap lower than the height of the outer peripheral wall.
제1항에 있어서,
상기 제조용 용기와 상기 캡을 제거한 이후, 상기 컨택터의 노출된 상부 및 하부를 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 통하여 연마하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 테스트 소켓용 컨택터 제조방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of polishing the exposed upper and lower portions of the contactor through a chemical mechanical polishing (CMP) process after removing the manufacturing container and the cap.
제1항에 있어서,
상기 컨택터는 수직선상으로부터 일측으로 돌출된 상단부와 이에 대칭하여 타측으로 돌출된 하단부로 형성되고, 상기 상단부와 하단부는 맞닿는 점을 중심으로 하여 X, Y 및 Z축상 서로 대칭하는 구조로 형성된 것을 특징으로 하는, 반도체 테스트 소켓용 컨택터 제조방법.
The method according to claim 1,
The contactor is formed of an upper end portion protruding from one side of a vertical line and a lower end portion protruding to the other side symmetrically with respect to the upper end portion. The upper end portion and the lower end portion are formed symmetrically with each other on X, Y, Wherein the semiconductor test socket is formed of a semiconductor material.
제4항에 있어서,
상기 컨택터의 상단부 및 하단부는 곡선 구조 또는 다각 구조로 형성된 것을 특징으로 하는, 반도체 테스트 소켓용 컨택터 제조방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the upper and lower ends of the contactor are formed in a curved or polygonal structure.
제1항에 있어서,
상기 컨택터의 상부에 결합시키는 팁은 상기 컨택터가 반도체 디바이스 컨택볼에 접촉하는 상단부분이 뾰족한 다수개의 돌기 형태로 형성된 크라운 팁인 것을 특징으로 하는, 반도체 테스트 소켓용 컨택터 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the tip for coupling to the upper portion of the contactor is a crown tip formed in the form of a plurality of projections with a top portion of the contactor contacting the semiconductor device contact ball.
제1항에 있어서,
상기 절연성 탄성물질로서 액상 실리콘을 이용하고, 이를 정렬된 상기 컨택터에 경화시켜 상기 컨택터와 일체형으로 형성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 테스트 소켓용 컨택터 제조방법.
The method according to claim 1,
Characterized in that liquid silicone is used as the insulating elastic material and is hardened to the aligned contactor so as to be integrated with the contactor.
제7항에 있어서,
상기 액체형 실리콘의 경도 또는 두께 조절을 통해 테스트 스트로크(stroke)를 조절함으로써 반도체 디바이스 컨택볼의 높이 편차를 보상하는 것을 특징으로 하는, 반도체 테스트 소켓용 컨택터 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein adjusting the test stroke through adjustment of the hardness or thickness of the liquid silicone compensates for height deviations of the semiconductor device contact ball.
제7항에 있어서,
상기 액체형 실리콘의 경도 조절을 통해 상기 컨택터의 컨택 힘(contact force)을 조절하는 것을 특징으로 하는, 반도체 테스트 소켓용 컨택터 제조방법.
8. The method of claim 7,
And adjusting the contact force of the contactor by controlling the hardness of the liquid silicon.
제1항에 있어서,
상기 컨택터 및 팁은 멤스 공정으로 제조되며, 니켈, 철, 코발트, 베릴륨, 골드, 은, 팔라듐, 로듐 중 적어도 하나의 합금으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 반도체 테스트 소켓용 컨택터 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the contactor and the tip are manufactured by a MEMS process and are made of an alloy of at least one of nickel, iron, cobalt, beryllium, gold, silver, palladium, and rhodium.
KR1020150003615A 2015-01-09 2015-01-09 Method for manufacturing elastic contactor KR101678366B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150003615A KR101678366B1 (en) 2015-01-09 2015-01-09 Method for manufacturing elastic contactor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150003615A KR101678366B1 (en) 2015-01-09 2015-01-09 Method for manufacturing elastic contactor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160086509A true KR20160086509A (en) 2016-07-20
KR101678366B1 KR101678366B1 (en) 2016-12-07

Family

ID=56679901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150003615A KR101678366B1 (en) 2015-01-09 2015-01-09 Method for manufacturing elastic contactor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101678366B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102030618B1 (en) * 2018-05-03 2019-10-10 주식회사 마이크로컨텍솔루션 Manufacturing method of contact apparatus and contact apparatus
KR20200141943A (en) * 2019-06-11 2020-12-21 야마이치 일렉트로닉스 컴퍼니 리미티드 Cylindrical member, contact probe and semiconductor inspection socket

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001249145A (en) * 1999-12-28 2001-09-14 Micronics Japan Co Ltd Probe card and method of manufacturing it
JP2002158264A (en) * 2000-11-17 2002-05-31 Ando Electric Co Ltd Probe card and its manufacturing method
KR20050083184A (en) * 2003-03-17 2005-08-26 프롬써어티 주식회사 Probe card for testing semiconductor
KR20100020793A (en) * 2008-08-13 2010-02-23 (주)리뉴젠 Test socket for high-frequency semiconductor ic test

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001249145A (en) * 1999-12-28 2001-09-14 Micronics Japan Co Ltd Probe card and method of manufacturing it
JP2002158264A (en) * 2000-11-17 2002-05-31 Ando Electric Co Ltd Probe card and its manufacturing method
KR20050083184A (en) * 2003-03-17 2005-08-26 프롬써어티 주식회사 Probe card for testing semiconductor
KR20100020793A (en) * 2008-08-13 2010-02-23 (주)리뉴젠 Test socket for high-frequency semiconductor ic test

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102030618B1 (en) * 2018-05-03 2019-10-10 주식회사 마이크로컨텍솔루션 Manufacturing method of contact apparatus and contact apparatus
KR20200141943A (en) * 2019-06-11 2020-12-21 야마이치 일렉트로닉스 컴퍼니 리미티드 Cylindrical member, contact probe and semiconductor inspection socket

Also Published As

Publication number Publication date
KR101678366B1 (en) 2016-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11204369B2 (en) Semiconductor device test socket
KR101482911B1 (en) Socket for semiconductor device test
KR101930866B1 (en) Contacts for testing a semiconductor device, and socket device
KR101667929B1 (en) Silicon rubber socket
KR102063761B1 (en) Data signal transmission connector and manufacturing method for the same
KR20010085477A (en) IC socket for surface-mounting semiconductor device
KR101737047B1 (en) Wire bonding structure using metal core solder ball and method for manufacturing the same and test socket having the same
KR101806472B1 (en) Burn-in test socket having wire silicon rubber interposed between contact pin and semiconductor device
KR101826663B1 (en) Bi-directional conductive socket for testing semiconductor device, bi-directional conductive module for testing semiconductor device, and manufacturing method thereof
KR20110076855A (en) Semiconductor test socket
KR101708487B1 (en) Test socket having double wire in silicon rubber and method for manufacturing thereof
KR102063762B1 (en) Contactor for connecting bga type electronic device and method for manufacturing the same
KR101678366B1 (en) Method for manufacturing elastic contactor
KR101726399B1 (en) Test socket having bottom metal plate bump and method for manufacturing thereof
KR101311752B1 (en) Contactor for testing semiconductor and manufacturing method thereof
KR101514636B1 (en) Contactor of test socket for semiconductor device and method of manufacturing the same
KR102043098B1 (en) Device for test socket having conducting fiber and method of manufacturing the same
KR20190022249A (en) Bi-directional electrically conductive module
JP2017517863A (en) Bidirectional conductive socket for high-frequency device test, bidirectional conductive module for high-frequency device test, and manufacturing method thereof
KR101420170B1 (en) Contactor of test socket for semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20190051909A (en) Bi-directional electrically conductive module
US11231443B2 (en) Semiconductor device test socket
KR101735520B1 (en) Test socket having top metal plate bump and method for manufacturing thereof
KR101802426B1 (en) Hybrid test socket fabricated by MEMS technology having wire silicon rubber thereby improving contact characteristic
KR101678368B1 (en) Contactor for semiconductor device test

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191016

Year of fee payment: 4