KR20160077870A - 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법 - Google Patents

실리콘 단결정 잉곳 성장 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (a) 도가니부가 일정한 속도로 회전하고, 수용한 실리콘 용융액을 실리콘의 용융점에 근접하도록 냉각시켜 안정화시키는 단계; (b) 종자결정 로드부가 챔버부에 삽입된 상태로 하강하여, 종자결정을 상기 실리콘 용융액의 표면에 근접하도록 위치시켜 예열하는 단계; (c) 상기 종자결정 로드부가 하강하여 상기 종자결정을 상기 실리콘 용융액의 표면에 접촉시키는 단계; (d) 상기 종자결정 로드부가 상승하여, 상기 종자결정을 상기 실리콘 단결정 잉곳의 넥부 및 숄더부로 성장시키는 단계; (e) 상기 종자결정 로드부가 상승하여 상기 실리콘 단결정 잉곳의 바디부를 성장시키고 상기 도가니부가 증가된 속도로 회전하는 단계; 및 (f) 상기 종자결정 로드부가 상승하여 상기 실리콘 단결정 잉곳의 테일부를 성장시키고 상기 성장된 실리콘 단결정 잉곳을 상기 실리콘 용융액으로부터 분리하여 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 개시한다. 상기와 같은 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법은 실리콘 단결정 잉곳에 함유된 산소의 농도를 감소시키면서 실리콘 단결정 잉곳의 다결정화를 감소시킬 수 있다.

Description

실리콘 단결정 잉곳 성장 방법{METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT}
본 발명은 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법에 관한 것으로서, 특히, 성장되는 실리콘 단결정 잉곳의 산소 농도를 감소시키면서 다결정화를 방지할 수 있는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법에 관한 것이다.
실리콘 단결정 잉곳은 반도체 및 태양전지용 웨이퍼(wafer)를 제조하는 데에 이용된다. 이러한 단결정 잉곳은 챔버, 도가니, 열 쉴드 및 회전 샤프트를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치를 통해 제조된다.
도가니는 일반적으로 석영으로 이루어지고, 챔버의 내부에 위치된다. 도가니의 내부에는 다결정 실리콘이 적재되고, 다결정 실리콘은 용융되어 실리콘 용융액으로 생성된다. 실리콘 용융액의 표면으로부터 실리콘 단결정 잉곳이 생성된다.
실리콘 단결정 잉곳이 성장될 때, 회전 샤프트는 도가니를 지지하면서 회전하고, 도가니를 상승시킨다. 실리콘 용융액의 표면은 동일한 높이로 유지된다. 이때, 실리콘 단결정 잉곳은 지지 샤프트와 동일한 축을 중심으로 하여 도가니의 회전방향과 반대방향으로 회전되면서 상승한다. 또한, 열 쉴드는 실리콘 단결정 잉곳과 도가니 사이에 위치되어, 성장된 실리콘 단결정 잉곳을 둘러싸고, 실리콘 용융액으로부터 발산되는 열을 차단하여 안정적인 실리콘 단결정 잉곳의 냉각을 구현한다.
한편, 실리콘 단결정 잉곳은 용융공정 이전에 투입되는 도판트의 종류에 따라 p형과 n형으로 나뉘어진다. 이때, p형은 붕소(B), 갈륨(Ga)과 같은 3족 원소로 인하여 정공이 많고, n형은 인(P), 비소(As)와 같은 5족 원소로 인하여 자유전자가 많다. 이러한 실리콘 단결정 잉곳은 절단되어 웨이퍼로 제조된다. 특히, p형 웨이퍼가 반도체 및 태양전지용으로 주로 사용되고 있다. 하지만, p형 웨이퍼가 태양전지에 적용되는 경우, 광이 p형 웨이퍼에 조사될 때 p형 웨이퍼의 붕소 원자와 산소 원자가 반응하여 전자를 소모하여 태양전지의 광변환효율을 저하시킨다. 즉, LID(light induced degradation) 현상이 발생된다. 이를 회피하기 위하여, 도판트가 n형으로 변경되거나, p형 중에서 붕소를 대신하여 갈륨으로 변경될 수 있다. 하지만, 도판트가 n형으로 변경될 경우에는 반도체 및 태양전지의 제조 공정이 변경되고 이에 따른 비용이 추가되는 단점이 있다. 또한, 갈륨은 단가가 높은 편이고, 낮은 편석계수, 높은 휘발성 등으로 인해 잉곳 및 웨이퍼를 제조하는 데에 어려움이 있다. 따라서, 잉곳의 산소 농도를 감소시키고자 하는 요구가 존재한다.
한편, 잉곳의 산소 농도가 감소되는 상태에서 잉곳의 다결정화가 이루어질 수 있다. 다결정화는 잉곳의 재용융이 요구되기에 공정 시간 증가로 인한 생산성 저하를 초래할 수 있다. 따라서, 잉곳의 산소 농도 감소 및 다결정화 방지가 동시에 충족되어야 한다.
본 발명은 성장되는 실리콘 단결정 잉곳에 함유된 산소의 농도를 감소시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 제공하고자 한다.
또한, 성장과정에서 실리콘 단결정 잉곳의 다결정화를 방지할 수 있는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 (a) 도가니부가 일정한 속도로 회전하고, 수용한 실리콘 용융액을 실리콘의 용융점에 근접하도록 냉각시켜 안정화시키는 단계; (b) 종자결정 로드부가 챔버부에 삽입된 상태로 하강하여, 종자결정을 상기 실리콘 용융액의 표면에 근접하도록 위치시켜 예열하는 단계; (c) 상기 종자결정 로드부가 하강하여 상기 종자결정을 상기 실리콘 용융액의 표면에 접촉시키는 단계; (d) 상기 종자결정 로드부가 상승하여, 상기 종자결정을 상기 실리콘 단결정 잉곳의 넥부 및 숄더부로 성장시키는 단계; (e) 상기 종자결정 로드부가 상승하여 상기 실리콘 단결정 잉곳의 바디부를 성장시키고 상기 도가니부가 증가된 속도로 회전하는 단계; 및 (f) 상기 종자결정 로드부가 상승하여 상기 실리콘 단결정 잉곳의 테일부를 성장시키고 상기 성장된 실리콘 단결정 잉곳을 상기 실리콘 용융액으로부터 분리하여 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 개시한다.
또한, 상기 (a) 단계 내지 상기 (d) 단계에서, 상기 도가니부는 1 rpm 내지 3 rpm의 속도로 회전하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 개시한다.
또한, 상기 도가니부는 1 rpm 내지 3 rpm의 속도로 회전하다가 상기 (e) 단계에서 4.5 rpm까지 점차 증가된 후에 4.5 rpm의 속도로 회전되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 개시한다.
또한, 상기 종자결정 로드부는 상기 (d) 단계에서 일정한 속도로 회전하다가 상기 (e) 단계에서 70% 수준으로 감소된 속도로 회전하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 개시한다.
또한, 상기 (d) 단계에서 상기 실리콘 단결정 잉곳의 숄더부가 성장될 때, 상기 종자결정 로드부는 0.5 ㎜/분 내지 0.8 ㎜/분의 속도로 상승하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 개시한다.
또한, 상기 (a) 단계 내지 상기 (e) 단계에서 상기 챔버부의 내부 압력 및 아르곤 유량은 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 개시한다.
본 발명에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법은 안정화 단계, 예열 단계, 하강 및 접촉 단계, 상승 및 성장 단계 및 냉각 단계를 포함하여, 실리콘 단결정 성장 잉곳의 성장을 구현한다. 특히, 상승 및 성장 단계에서 실리콘 단결정 잉곳의 넥부 및 숄더부가 성장하는 과정에서 실리콘 용융물을 수용한 도가니부는 1 rpm 내지 3 rpm의 속도로 회전한다. 이때, 도가니부의 원심력이 감소되기에, 도가니부 내의 실리콘 용융액은 낮아진 표면 높이 및 낮아진 표면 속도를 갖는다. 이로 인해, 성장되는 실리콘 단결정 잉곳에서 산소의 농도가 감소될 수 있다. 또한, 실리콘 단결정 잉곳의 바디부가 성장하는 과정에서 도가니부의 회전속도는 1 rpm으로부터 급속하게 4.5 rpm으로 증가된 후에, 4.5 rpm으로 일정하게 유지된다. 이때, 종자결정 로드부의 회전속도는 넥부 및 숄더부의 성장의 경우에 비해, 70% 수준으로 감소되고, 챔버부의 내부 압력 및 아르곤 유량은 적어도 바디부의 상단부의 성장이 완료될 때까지 일정하게 유지된다. 이로 인해, 실리콘 단결정 잉곳의 다결정화 비율이 감소된다. 따라서, 본 발명에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법은 실리콘 단결정 잉곳에 함유된 산소의 농도를 감소시키면서 실리콘 단결정 잉곳의 다결정화를 감소시킬 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법에 이용되는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치를 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치를 이용하여 성장된 실리콘 단결정 잉곳을 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 도시하는 흐름도이다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법에 이용되는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치(100)를 도시하는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치(100)를 이용하여 성장된 실리콘 단결정 잉곳(10)을 도시하는 도면이다.
도 1과 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치(100)는 챔버부(101), 도가니부(102), 열 쉴드부(103), 회전 샤프트부(104) 및 종자결정 로드부(105)를 포함하여, 실리콘 단결정 잉곳(10)을 성장시키는 데에 이용된다. 특히, 도 2에 도시된 실리콘 단결정 잉곳(10)은 넥부(11; neck part), 숄더부(12; shoulder part), 바디부(13; body part) 및 테일부(14; tail part)로 이루어진다. 넥부(11; neck part)는 실리콘 용융액(SM)과 종자결정(20; seed)이 접촉되면서 3㎜ 내지 4㎜의 일정한 직경으로 일정한 길이만큼 성장되는 부분이고, 숄더부(12; shoulder part)는 넥부(12)의 성장이 완료된 이후에 원하는 규격의 웨이퍼를 위한 직경을 이루도록 횡방향 및 종방향으로 성장되는 부분이다. 또한, 바디부(13; body part)는 숄더부(12)의 성장이 완료된 이후에 웨이퍼의 규격에 상응하는 직경으로 종방향으로만 성장되는 부분이고, 테일부(14; tail part)는 바디부(13)의 성장이 완료된 이후, 즉 원하는 바디부(13)의 길이가 달성된 이후에 열적 충격을 방지하기 위하여 직경이 점점 작아지면 용융액(SM)으로부터 분리되는 부분이다. 또한, 바디부(13)의 상단부는 숄더부(12)로부터 300㎜의 길이를 갖는 바디부(13)의 일부분이다.
챔버부(101)는 도가니부(102), 열 쉴드부(103) 및 지지 샤프트부(104)의 일부를 수용하고, 도가니부(102), 열 쉴드부(103) 및 지지 샤프트부(104)의 일부를 외부 환경으로부터 보호한다. 또한, 챔버부(101)의 내부에서 실리콘 단결정 잉곳(10)은 상승하면서 성장한다.
도가니부(102)는 챔버(101)의 내부에 수용된다. 도가니부(102)의 내부에는 실리콘 용융액(SM)이 수용된다. 이때, 실리콘 용융액(SM)은 다결정 실리콘이 용융됨으로써 생성된 것이다. 또한, 일반적으로 도가니부(102)는 석영으로 제조된다. 실리콘 단결정 잉곳(10)은 성장함에 따라, 도가니부(102) 내부의 실리콘 용융액(20)의 양은 점점 줄어든다.
열 쉴드부(103)는 챔버부(101)의 내부에 수용되고 도가니부(102)의 상측에 위치되어, 성장된 실리콘 단결정 잉곳(10)을 둘러싼다. 열 쉴드부(103)는 실리콘 용융액(SM)으로부터 발산되는 열을 차단하여, 실리콘 단결정 잉곳(10)이 안정적으로 냉각되도록 한다.
지지 샤프트부(104)는 챔버부(101)의 하면을 관통하여 도가니부(102)의 하면을 지지한다. 지지 샤프트부(104)는 회전하면서 도가니부(102)를 상승시킨다. 지지 샤프트부(104)는 실리콘 단결정 잉곳(10)이 성장함에 따라 증가하는 열 쉴드부(103)과 도가니부(102) 사이의 거리를 일정한 수준으로 유지할 수 있고, 실리콘 단결정 잉곳(10)은 균일한 상태로 냉각될 수 있다. 한편, 본 실시예의 지지 샤프트부(104)는 도가니부(102)를 1 rpm 내지 4.5 rpm의 속도로 회전시킨다.
종자결정 로드부(105)는 챔버부(101)의 상면을 통해 열 쉴드부(103)에 삽입되어, 상승하거나 하강한다. 또한, 종자결정 로드부(105)의 하단에는 종자결정(20)이 설치된다. 이로 인해, 종자결정 로드부(105)가 하강하여 종자결정(20)이 실리콘 용융액(SM)에 접촉된 이후에 다시 상승하면, 실리콘 단결정 잉곳(10)의 성장이 이루어진다. 이때, 종자결정 로드부(105)는 도가니부(102)와 반대방향으로 회전한다. 또한, 종자결정 로드부(105)의 상승 속도, 하강 속도 및 회전 속도는 조절가능하다.
한편, 본 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치(100)는 도가니 용기부(106), 가열부(107) 및 실린더부(108)를 더 포함하기도 한다.
도가니 용기부(106)는 챔버부(101)의 내부에 위치되고, 단열재로 이루어진다. 또한, 도가니 용기부(106)의 내부에는 도가니부(102)가 수용된다.
가열부(107)는 도가니 용기부(106)를 감싸도록 위치되고, 도가니부(102)를 가열하여 도가니부(102)에 수용된 고체 상태의 다결정 실리콘을 실리콘 용융액(SM)으로 생성한다. 또한, 가열부(107)의 출력은 조절가능하고, 다결정 실리콘이 실리콘 용융액(SM)으로 생성되어, 실리콘 용융액(SM)에서 대류 현상이 발생할 때까지 계속해서 증가한다.
실린더부(108)는 열 쉴드부(103)와 가열부(107)을 연결하면서, 챔버부(101)의 내부에서 열 쉴드부(103)를 둘러싼다. 이때, 실린더부(108)는 열 쉴드부(103)의 높이를 조절하고, 실리콘 용융액(SM)의 표면 높이를 조절하는 데에 이용된다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 3에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법은 상기 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치(100)를 이용하여 이루어지기에 이를 이용하여 설명하고자 한다.
우선, 도가니부(102)가 일정한 속도로 회전하면서 수용된 실리콘 용융액(SM)을 실리콘의 용융점에 근접하도록 냉각시켜 안정화시키는 단계(S101)가 이루어진다. 이로 인해, 실리콘 용융액(SM)의 온도가 다소 하강하여, 고액 변환이 가능하게 된다. 참고로, 실리콘의 용융점은 1414℃이다.
또한, 실리콘 용융액(SM)을 수용한 도가니부(102)는 지지 샤프트부(104)에 의해 바람직하게는 1 rpm 내지 3 rpm, 특히 바람직하게는 1 rpm속도로 일정하게 회전된다.
다음으로, 종자결정 로드부(105)가 챔버부(101)에 삽입된 상태로 하강하여, 종자결정(20)을 실리콘 용융액(SM)의 표면에 근접하도록 위치시켜 예열하는 단계(S102)가 이루어진다. 이때, 실리콘 용융액(SM)은 획득하고자 하는 온도 범위에 도달한 상태이고, 종자결정(20)과 실리콘 용융액(SM)의 온도차로 인한 열적 충격이 방지될 수 있다.
다음으로, 종자결정 로드부(105)가 하강하여, 종자결정(20)을 실리콘 용융액(SM)의 표면에 접촉시키는 단계(S103)가 이루어진다. 이때, 종자결정 로드부(105)가 상승함으로써, 실리콘 단결정 잉곳(10)의 성장이 시작될 수 있다.
다음으로, 종자결정 로드부(105)가 상승하여, 종자결정(20)을 실리콘 단결정 잉곳(10)의 넥부(11) 및 숄더부(12)로 성장시키는 단계(S104)가 이루어진다. 이때, 종자결정 로드부(105)는 도가니부(102)와 반대방향으로 회전하면서 상승하고, 실리콘 단결정 잉곳(10)은 넥부(11) 및 숄더부(12)의 순서로 성장한다.
종자결정 로드부(105)가 상승하면서 넥부(11) 및 숄더부(12)가 성장될 때, 도가니부(102)는 변함없이 일정한 속도로 회전하고, 상승하는 종자결정 로드부(105)도 변함없이 일정한 속도로 회전한다. 특히, 도가니부(102)의 회전 속도가 종래에 비하여 현저하게 감소된 1 rpm 내지 3 rpm, 특히 1 rpm이다. 이로 인해, 도가니부(102)의 원심력이 감소되기에, 도가니부(102) 내에 수용된 실리콘 용융액(SM)은 낮아진 표면 높이 및 낮아진 표면 속도를 갖는다. 따라서, 성장되는 실리콘 단결정 잉곳(10)에서 산소의 농도가 감소될 수 있다.
예를 들어, S101 단계로부터 S104 단계까지 도가니부(102)의 회전 속도가 종래의 회전 속도의 10% 수준(바디부(13)가 시작되는 경우를 기준으로 하면 종래의 회전 속도의 25% 수준)로 감소되면, 실리콘 단결정 잉곳(10)의 바디부(13)가 시작되는 부분에서 산소농도는 약 3.158ppma 수준으로 감소되었다. 또한, 실린더부(108)의 높이의 감소가 이루어지면, 예를 들어 60㎜의 감소가 이루어지면, 실리콘 단결정 잉곳(10)의 바디부(13)가 시작되는 부분에서 산소농도는 약 3.428ppma 수준으로 감소되었다. 따라서, 본 실시예에 따른 도가니부(102)의 회전 속도는 실리콘 단결정 잉곳(10)의 산소 농도를 감소시킨다.
S104 단계에서 숄더부(12)가 성장될 때 종자결정 로드부(105)의 상승 속도는 넥부(11)가 성장될 때의 74% 수준으로 감소되어 0.5 ㎜/분 내지 0.8 ㎜/분이다. 이로 인해, 넥부(11)가 성장될 때의 종자결정 로드부(105)의 상승속도가 적용될 때에 비하여, 숄더부(12)는 29% 증가된 평균 길이를 갖고, 76% 증가된 평균 성장시간을 갖는다. 이는 실리콘 단결정 잉곳(10)의 생산성이 저하된 것으로 볼 수 있다. 하지만, 이때, 숄더부(12)의 다결정화 비율이 약 37% 정도 감소되어, 이에 따른 재용융 시간이 감소되는 것으로 볼 수 있다.
다음으로, 종자결정 로드부(105)가 상승하여, 실리콘 단결정 잉곳(10)의 바디부(13)를 성장시키는 단계(S105)가 이루어진다. S105 단계에서 도가니부(102)는 증가된 속도로 회전한다.
S105 단계에서 도가니부(102)가 1 rpm의 속도로 일정하게 회전되면 바디부(13)의 상단부에서 다결정화가 발생될 가능성이 높아진다. 이로 인해, S105 단계에서 바디부(13)가 성장하기 시작될 때, 도가니부(102)는 1 rpm 내지 3 rpm, 특히 1 rpm으로부터 급속하게 4.5 rpm으로 증가된 속도로 회전된 후에, 4.5 rpm의 속도로 일정하게 회전된다. 또한, 종자결정 로드부(105)의 회전속도는 이전 단계의 회전 속도의 70% 수준으로 감소된다. 또한, S101 단계 내지 S105 단계에서 챔버부(101)의 내부 압력 및 아르곤 유량은 일정하게 유지되는 것이 바람직하다. 상기와 같은 바디부(13)의 성장에 따른 조건은 바디부(13)의 상단부의 성장이 완료될 때까지 유지된다.
상기와 같은 바디부(13)의 성장에 따른 조건으로 인해, 실리콘 단결정 잉곳(10)의 바디부(13)의 상단부의 다결정화 비율은 종래에 비해 30% 정도 감소되었고, 실리콘 단결정 잉곳(10)에서 넥부(11), 숄더부(12) 및 바디부(13)의 상단부에서 다결정화 비율이 50% 정도 감소되었다.
다음으로, 종자결정 로드부(105)가 상승하여 실리콘 단결정 잉곳(10)의 테일부(14)를 성장시키고 성장된 실리콘 단결정 잉곳(10)을 실리콘 용융액(SM)으로부터 분리하여 냉각시키는 단계(S106)가 이루어진다. S106 단계에서 실리콘 단결정 잉곳(10)은 테일부(14)의 성장까지 이루어지면 원하는 형상으로 이루어진 상태이다. 이때, 실리콘 단결정 잉곳(10)은 종자결정 로드부(105)에 의해 상승하여 실리콘 용융액(SM)으로부터 분리되고, 열 쉴드부(103)의 내부에 위치되어 최종적인 형상으로 이루어진 상태로 냉각된다. 냉각이 완료된 실리콘 단결정 잉곳(10)은 반도체 및 태양전지용 웨이퍼(wafer)를 제조하는 데에 이용될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법은 특히, S104 단계를 통해 산소 농도가 감소되고 S105 단계를 통해 다결정화 비율이 감소된 성장된 실리콘 단결정 잉곳(10)을 생산하는 데에 이용된다.
이상, 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다. 또한, 특허청구범위의 기재 중 괄호 내의 기재는 기재의 불명료함을 방지하기 위한 것이며, 특허청구범위의 권리범위는 괄호 내의 기재를 모두 포함하여 해석되어야 한다.
100: 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치
101: 챔버부
102: 도가니부
103: 열 쉴드부
104: 지지 샤프트부
105: 종자결정 로드부
106: 도가니 용기부
107: 가열부
108: 실린더부

Claims (6)

  1. (a) 도가니부가 일정한 속도로 회전하고, 수용한 실리콘 용융액을 실리콘의 용융점에 근접하도록 냉각시켜 안정화시키는 단계;
    (b) 종자결정 로드부가 챔버부에 삽입된 상태로 하강하여, 종자결정을 상기 실리콘 용융액의 표면에 근접하도록 위치시켜 예열하는 단계;
    (c) 상기 종자결정 로드부가 하강하여 상기 종자결정을 상기 실리콘 용융액의 표면에 접촉시키는 단계;
    (d) 상기 종자결정 로드부가 상승하여, 상기 종자결정을 상기 실리콘 단결정 잉곳의 넥부 및 숄더부로 성장시키는 단계;
    (e) 상기 종자결정 로드부가 상승하여 상기 실리콘 단결정 잉곳의 바디부를 성장시키고 상기 도가니부가 증가된 속도로 회전하는 단계; 및
    (f) 상기 종자결정 로드부가 상승하여 상기 실리콘 단결정 잉곳의 테일부를 성장시키고 상기 성장된 실리콘 단결정 잉곳을 상기 실리콘 용융액으로부터 분리하여 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (a) 단계 내지 상기 (d) 단계에서, 상기 도가니부는 1 rpm 내지 3 rpm의 속도로 회전하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 도가니부는 1 rpm 내지 3 rpm의 속도로 회전하다가 상기 (e) 단계에서 4.5 rpm까지 점차 증가된 후에 4.5 rpm의 속도로 회전되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 종자결정 로드부는 상기 (d) 단계에서 일정한 속도로 회전하다가 상기 (e) 단계에서 70% 수준으로 감소된 속도로 회전하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 (d) 단계에서 상기 실리콘 단결정 잉곳의 숄더부가 성장될 때, 상기 종자결정 로드부는 0.5 ㎜/분 내지 0.8 ㎜/분의 속도로 상승하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 (a) 단계 내지 상기 (e) 단계에서 상기 챔버부의 내부 압력 및 아르곤 유량은 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법.
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