KR20160077248A

KR20160077248A - 메모리 테스트용 소켓장치

Info

Publication number: KR20160077248A
Application number: KR1020140185773A
Authority: KR
Inventors: 김태완; 이원식
Original assignee: (주)솔리드메카
Priority date: 2014-12-22
Filing date: 2014-12-22
Publication date: 2016-07-04
Also published as: KR101659322B1; CN105810253B; CN105810253A

Abstract

본 발명은 메모리 테스트용 소켓장치에 관한 것으로, 래치의 구조를 이중 회전구조로 구성하여 좌우 길이는 동일하나 상하 길이가 다른 다양한 종류의 메모리를 모두 수용하여 가압할 수 있도록 함으로써 하나의 메모리 테스트 소켓을 통해 상하 길이가 다른 다양한 종류의 메모리 테스트가 가능하도록 함에 그 목적이 있다. 이를 위해 구성되는 본 발명은 상용 소켓보드 상에 실장된 하나 이상의 메모리 소켓이 상부측으로 삽입 노출되도록 소켓 노출공이 다수 형성되어 상용 소켓보드 상부측에 설치 고정되는 베이스 플레이트; 소켓 노출공의 길이 방향 양측 각각에 대향 설치되어지되 대향면 상에는 상하로 가이드홈이 형성된 한 쌍의 지지부라켓; 지지부라켓 각각의 가이드홈 상에 상하 이동 가능하게 설치되어지되 대향면에는 메모리가 장착되는 슬롯이 하나 이상 형성된 이젝터 겸용 소켓; 지지브라켓 각각에 내외로 회전 가능하게 설치되어 내외로 회전을 통해 이젝터 겸용 소켓을 하강 또는 상승시키는 한 쌍의 승강용 래치; 승강용 래치의 외측방향 회전시 이젝터 겸용 소켓을 상향으로 이동시켜 메모리를 이젝트시키는 메모리 이젝트수단; 승강용 래치 각각에 내외로 회전 가능하게 설치되어 메모리를 상용 소켓보드의 메모리 소켓으로 가압하는 한 쌍의 가압용 래치; 가압용 래치의 대향면 각각에 설치되어 메모리의 양측 상단을 가압하는 하나 이상의 메모리 가압부재; 가압용 래치의 내외 회전시 회전을 가이드하는 회전 가이드수단; 및 한 쌍의 승강용 래치를 연결하여 내외로 회전시 동시에 자동되도록 하는 작동링크의 구성으로 이루어진다.

Description

메모리 테스트용 소켓장치{Sockets for memory testing device}

본 발명은 메모리 테스트용 소켓장치에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 상용화된 소켓보드의 메모리 소켓 상부측으로 설치되어 메모리의 불량여부를 테스트하기 위한 메모리 테스트 소켓에 장착되는 메모리의 상하 사이즈에 관계없이 메모리 테스트 소켓에 메모리의 장착이 가능하도록 한 메모리 테스트용 소켓장치에 관한 것이다.

일반적으로, 퍼스널 컴퓨터는 중앙처리장치(CPU)의 발전에 따라 그 성능이 비약적으로 향상되고 있으며, 더 빠르고 성능이 우수한 컴퓨터를 개발하기 위한 경쟁은 끊임없이 이어지고 있어 슈퍼컴퓨터, 병렬처리 컴퓨터 및 RISC(Reduced Instruction Set Computer) 등의 개발이 이루어졌다. 물론, 지금도 컴퓨터의 성능을 향상시키기 위한 노력은 계속되고 있다.

전술한 바와 같이 더 빠르고 성능이 우수한 컴퓨터를 개발하기 위한 경쟁은 더 많은 데이터를 고속으로 처리할 수 있는 CPU와 고집적·고용량·고속도화된 메모리 칩의 개발에 초점이 맞추어져 그 개발 경쟁이 가속화되고 있다. 특히, 이러한 CPU의 개발 속도에 맞추어 고집적·고용량·고속도화된 메모리 역시 개발 경쟁이 가속화되고 있다.

한편, 전술한 바와 같이 고집적·고용량·고속도화된 메모리의 불량률을 테스트하기 위한 종래의 기술로는 메모리 소켓이 실장된 소켓보드에 메모리 테스트 장치를 고정시킨 다음 소켓보드에 실장된 메모리 소켓과 메모리의 전기적인 접촉을 통해 전기적인 접속여부를 확인할 수 있도록 함으로써 테스트할 대상물인 메모리의 불량여부를 테스트하는 방법이 제공되고 있다.

전술한 메모리의 종류로는 크게 DDR1, DDR2, DDR3 로 나누어 진다. 이때, DDR은 Double Data Rate의 약자로, 원래의 이름은 DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Acess Memory)이다. 이름 그대로 한 번의 클럭(1Hz)에 데이터를 주고 받을 수 있어서 더블이라는 이름이 붙었다. 이전에 사용하던 SDR(Single Data Rate)에서는 한 번의 클럭에 신호를 주거나 또는 받거나 둘 중 하나 밖에 못했다. DDR 메모리들은 클럭에 따라 표 1 과 같이 나눌 수 있다.

DDR1	PC-1600 (200MHz), PC-2100 (266MHz), PC-2700 (333MHz), PC-3200 (400MHz), PC-4200 (533MHz)
DDR2	PC2-3200 (400MHz), PC2-4200 (533MHz), PC2-5300 (667MHz), PC2-6400 (800MHz), PC2-8500 (1066MHz)
DDr3	PC3-8500 (1066MHz), PC3-10600 (1333MHz), PC3-12800 (1600MHz), PC3-14900 (1866MHz), PC3-17000 (2133MHz)

표 1 에서와 같은 다양한 종류의 메모리는 좌우의 길이나 상하의 길이가 동일한 형태로 이루어질 수도 있으나, 대체적으로 다양한 종류의 메모리는 좌우 길이는 물론 상하 길이가 다른 형태로 이루어져 있다.

한편, 전술한 바와 같은 메모리 모듈의 불량 여부를 메모리 테스트 장치를 통해 테스트하기 위해서는 상용화된 소켓보드 상에 설치되는 메모리 테스트 소켓을 이용하여 메모리를 실장시킴으로써 전원의 인가 여부를 통해 메모리의 불량여부를 확인하게 된다. 이러한 메모리의 불량여부를 테스트하는 최근의 종래 기술로는 다음과 같은 기술이 개시되어 있다.

종래 기술에 따른 메모리 테스트 장치로는 소켓보드 상에 실장된 메모리 소켓 상부측으로 설치되어지되 양측 내측면 상에는 메모리의 측단을 가이드하는 슬롯이 형성된 메모리 테스트 소켓, 메모리 테스트 소켓의 양측에 내외측으로 일정범위 회전 가능하게 설치된 한 쌍의 래치, 한 쌍의 래치 각각에 구성되어 메모리 테스트 소켓의 삽입된 메모리를 양측 상단의 가압을 통해 소켓보드의 메모리 소켓에 실장시키는 메모리 가압부재 및 한 쌍의 래치를 연결하여 동시에 동작되도록 하는 연결링크의 구성으로 이루어진다.

전술한 바와 같이 구성된 종래 기술의 메모리 테스트 장치는 상용화된 소켓보드의 메모리 소켓 상부측으로 메모리 테스트 소켓을 일치시킨 상태로 소켓보드에 고정된다. 이처럼 고정된 메모리 테스트 소켓의 양측에 구성된 래치를 외측 방향으로 회전시킨 상태에서 메모리 테스트 소켓의 슬롯을 통해 메모리를 삽입한다.

그리고, 전술한 바와 같이 메모리 테스트 소켓의 슬롯을 통해 메모리를 삽입한 다음에는 외측 방향으로 회전된 래치를 내측 방향으로 회전시켜 메모리 가압부재의 가압을 통해 메모리를 소켓보드에 실장된 메모리 소켓에 접속되도록 가압하게 된다. 이때, 메모리 소켓으로 가압된 메모리의 접속단자와 메모리 소켓의 접속핀은 상호 접속되어진다.

전술한 바와 같이 메모리 소켓으로 가압된 메모리의 접속단자와 메모리 소켓의 접속핀이 상호 접속된 상태에서 전원의 인가여부를 통해 메모리의 불량여부를 확인하게 된다. 즉, 전원의 인가시 전기적으로 도통되면 메모리가 정상적인 제품으로 판단하고, 전기적으로 도통되지 않게 되면 불량제품으로 판단하게 된다.

그러나, 전술한 바와 같은 종래 기술에 따른 메모리 테스트 장치는 도 1 에 도시된 바와 같이 좌우 길이는 동일한데 상하의 길이가 다른 다양한 종류의 메모리를 삽입하여 실장시킬 수 있는 구조가 아니기 때문에 좌우 길이는 동일하나 상하 길이가 다른 종류의 메모리를 테스트하기 위해서는 해당 메모리의 상하 길이에 맞는 구조의 메모리 테스트 소켓을 갖추어야 하는 문제가 발생된다.

1. 대한민국 공개실용신안 제2010-0008201호(2010.08.18.자 공개) 2. 대한민국 공개특허공보 제2008-0081385호(2008.09.10.자 공개) 3. 대한민국 등록특허공보 제10-0704002호(2007.04.09.자 공고) 4. 대한민국 등록실용신안 제20-0373503호(2005.01.15.자 공고)

본 발명은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 래치의 구조를 이중 회전구조로 구성하여 좌우 길이는 동일하나 상하 길이가 다른 다양한 종류의 메모리를 모두 수용하여 가압할 수 있도록 함으로써 하나의 메모리 테스트 소켓을 통해 상하 길이가 다른 다양한 종류의 메모리 테스트가 가능하도록 한 메모리 테스트용 소켓장치를 제공함에 그 목적이 있다.

또한, 본 발명에 따른 기술의 다른 목적은 래치의 구조를 이중 회전구조로 구성하여 좌우 길이는 동일하나 상하 길이가 다른 다양한 종류의 메모리를 모두 수용하여 가압할 수 있도록 한 구조를 통해 메모리 테스트용 소켓장치의 구입에 따른 비용을 줄일 수 있도록 함에 그 목적이 있다.

한편, 본 발명에 따른 기술의 또 다른 목적은 래치의 구조를 이중 회전구조로 구성하여 좌우 길이는 동일하나 상하 길이가 다른 다양한 종류의 메모리를 모두 수용하여 가압할 수 있도록 함으로써 보다 원활한 메모리 테스트가 이루어질 수 있도록 함에 그 목적이 있다.

아울러, 본 발명에 따른 기술은 메모리 테스트 소켓의 구조를 래치의 회전에서 의해 승강되도록 하는 구조로 구성함으로써 메모리 테스트 소켓에 삽입되는 메모리를 소켓보드의 메모리 소켓에 실장되는 메모리의 이젝트를 보다 용이하게 할 수 있도록 하여 메모리 테스트의 시간을 절약할 수 있도록 함에 그 목적이 있다.

나아가, 본 발명에 따른 기술은 메모리 테스트 소켓에 삽입된 메모리를 가압하여 소켓보드의 메모리 소켓에 실장되도록 하는 메모리 가압부재를 힌지축을 통해 회전하는 구조로 구성함으로써 메모리 양측 상단의 파손을 방지할 수 있도록 함에 그 목적이 있다.

전술한 목적을 달성하기 위해 구성되는 본 발명은 다음과 같다. 즉, 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치는 상용 소켓보드 상에 실장된 하나 이상의 메모리 소켓이 상부측으로 삽입 노출되도록 소켓 노출공이 다수 형성되어 상용 소켓보드 상부측에 설치 고정되는 베이스 플레이트; 소켓 노출공의 길이 방향 양측 각각에 대향 설치되어지되 대향면 상에는 상하로 가이드홈이 형성된 한 쌍의 지지부라켓; 지지부라켓 각각의 가이드홈 상에 상하 이동 가능하게 설치되어지되 대향면에는 메모리가 장착되는 장착슬롯이 하나 이상 형성된 이젝터 겸용 소켓; 지지브라켓 각각에 내외로 회전 가능하게 설치되어 내외로 회전을 통해 이젝터 겸용 소켓을 하강 또는 상승시키는 한 쌍의 승강용 래치; 승강용 래치의 외측방향 회전시 이젝터 겸용 소켓을 상향으로 이동시켜 메모리를 이젝트시키는 메모리 이젝트수단; 승강용 래치 각각에 내외로 회전 가능하게 설치되어 메모리를 상용 소켓보드의 메모리 소켓으로 가압하는 한 쌍의 가압용 래치; 가압용 래치의 대향면 각각에 설치되어 메모리의 양측 상단을 가압하는 하나 이상의 메모리 가압부재; 가압용 래치의 내외 회전시 회전을 가이드하는 회전 가이드수단; 및 한 쌍의 승강용 래치를 연결하여 내외로 회전시 동시에 자동되도록 하는 작동링크의 구성으로 이루어진다.

전술한 본 발명에 따른 구성에서 이제터 겸용 소켓은 지지부라켓 각각의 가이드홈 상에 상하 이동 가능하게 설치되어 장착되는 메모리의 양측 하단을 지지하는 지지슬롯이 형성된 지지소켓; 지지소켓의 상부측으로 결합되어지되 지지슬롯에 대응하여 메모리를 가이드하는 가이드슬롯이 형성된 가이드소켓; 및 지지소켓과 가이드소켓을 체결하여 결합시키는 체결나사의 구성으로 이루어질 수 있다.

한편, 전술한 지지소켓의 지지슬롯 하단은 닫혀 있는 형태로 이루어져 메모리의 양측 하단이 지지될 수 있도록 한 구성으로 이루어지고, 가이드소켓의 가이드슬롯 상단에는 일정 경사각으로 모따기면이 더 형성되어 삽입되는 메모리를 가이드슬롯으로 가이드되도록 하는 구성으로 이루어질 수 있다.

그리고, 본 발명에 따른 구성에서 메모리 이젝트수단은 이젝터 겸용 소켓을 구성하는 가이드소켓 각각의 외측면에 형성되는 걸림홈; 및 승강용 래치 각각의 대향면 일측에 대향 형성되어지되 가이드소켓의 걸림홈 상에 걸림되어 승강용 래치의 외측방향 회전시 이젝터 겸용 소켓을 상승시켜 메모리를 이젝터 겸용 소켓으로부터 이젝트시키는 걸림부재의 구성으로 이루어질 수 있다.

전술한 바와 같은 본 발명에 따른 구성에서 회전 가이드수단은 승강용 래치 각각의 양측에 장홈의 형태로 대향 형성되는 가이드홀; 및 가압용 래치의 대향면 각각에 대향 설치되어지되 각각의 양단이 가이드홀 상에 삽입 결합되어 가이드홀의 범위내에서 가압용 래치의 회전이 이루어질 수 있도록 하는 가이드축의 구성으로 이루어질 수 있다. 이때, 회전 가이드수단을 구성하는 가이드홀의 상하 범위는 메모리의 상하 최대 길이 사이즈와 최소 길이 사이즈에 대응하여 형성됨이 보다 양호하다.

아울러, 본 발명에 따른 구성에서 메모리 가압부재는 회전 가이드수단을 구성하는 가이드축 각각에 회전 가능하게 설치되어 메모리의 양측 상단을 회전 가압하는 가압롤러의 구성으로 이루어질 수 있다.

그리고, 전술한 바와 같은 본 발명에 따른 구성에서 메모리 가압부재를 구성하는 가압롤러가 다수인 경우 인접한 가압롤러 각각을 분리하는 격벽이 가압용 래치의 대향면 각각에 일체로 더 형성될 수 있다. 이때, 격벽은 가압롤러의 좌우 유동을 방지하는 기능을 한다.

한편, 본 발명에 따른 구성에는 승강용 래치에 가압용 래치를 내외로 회전 가능하게 결합시키는 회전축 상에 설치되어 가압용 래치를 상시 원위치시키는 방향으로 탄성력의 작용이 이루어지는 토션스프링이 더 구성될 수 있다.

전술한 바와 같은 본 발명에 따른 구성에서 작동링크는 한 쌍의 지지브라켓에 대향 설치된 승강용 래치 각각의 동일 방향 측면에 설치 고정되는 지지보; 및 양측의 지지보를 회전 가능하게 연결하여 일측의 승강용 래치를 내외로 회전시키는 경우 타측의 승강용 래치가 동시에 작동되도록하는 연결링크의 구성으로 이루어질 수 있다. 이때, 연결링크는 일단이 일정 각도로 절곡된 형태로 이루어질 수 있다.

그리고, 본 발명에 따른 구성에서 승강용 래치의 대향면 각각에는 가압용 래치의 내측 방향 회전시 일정 범위 이상의 회전을 제한하는 회전 제한봉이 더 설치될 수 있다.

본 발명의 기술에 따르면 래치의 구조를 이중 회전구조로 구성하여 좌우 길이는 동일하나 상하 길이가 다른 다양한 종류의 메모리를 모두 수용하여 가압할 수 있도록 함으로써 하나의 메모리 테스트 소켓을 통해 상하 길이가 다른 다양한 종류의 메모리 테스트가 가능하도록 하는 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따른 기술은 하나의 메모리 테스트 소켓을 통해 상하 길이가 다른 다양한 종류의 메모리 테스트가 가능하도록 함으로써 메모리 테스트용 소켓장치의 구입에 따른 비용을 줄일 수 있음은 물론, 보다 원활한 메모리 테스트가 이루어질 수 있도록 하는 효과가 발현된다.

아울러, 본 발명에 따른 기술은 메모리 테스트 소켓의 구조를 래치의 회전에서 의해 승강되도록 하는 구조로 구성함으로써 메모리 테스트 소켓에 삽입되는 메모리를 소켓보드의 메모리 소켓에 실장되는 메모리의 이젝트를 보다 용이하게 할 수 있도록 하여 메모리 테스트의 시간을 절약할 수가 있다.

나아가, 본 발명에 따른 기술은 메모리 테스트 소켓에 삽입된 메모리를 가압하여 소켓보드의 메모리 소켓에 실장되도록 하는 메모리 가압부재를 힌지축을 통해 회전하는 구조로 구성함으로써 메모리 양측 상단의 파손을 방지할 수가 있다.

도 1 은 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치를 상용 소켓보드에 설치된 상태를 보인 사시 구성도.
도 2 는 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치를 보인 사시 구성도.
도 3 은 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치를 보인 평면 구성도.
도 4 는 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치를 보인 측면 구성도.
도 5a 는 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치에서 메모리의 삽입을 분리하여 보인 사시 구성도.
도 5b 는 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치에서 메모리의 장착 상태를 보인 사시 구성도.
도 6 은 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치의 메모리 테스트 소켓을 분리하여 보인 사시 구성도.
도 7 은 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치의 메모리 테스트 소켓을 분리하여 보인 측면 구성도.
도 8 은 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치를 통해 상하 길이가 긴 사이즈의 메모리를 장착시 래치의 작용을 보인 측면 구성도.
도 9 은 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치를 통해 상하 길이가 작은 사이즈의 메모리를 장착시 래치의 작용을 보인 측면 구성도.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.

도 1 은 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치를 상용 소켓보드에 설치된 상태를 보인 사시 구성도, 도 2 는 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치를 보인 사시 구성도, 도 3 은 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치를 보인 평면 구성도, 도 4 는 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치를 보인 측면 구성도, 도 5a 는 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치에서 메모리의 삽입을 분리하여 보인 사시 구성도, 도 5b 는 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치에서 메모리의 장착 상태를 보인 사시 구성도, 도 6 은 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치의 메모리 테스트 소켓을 분리하여 보인 사시 구성도 및 도 7 은 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치의 메모리 테스트 소켓을 분리하여 보인 측면 구성도이다.

도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치(100)는 상용 소켓보드(10) 상에 실장된 하나 이상의 메모리 소켓(20)이 상부측으로 삽입 노출되도록 소켓 노출공(112)이 다수 형성되어 상용 소켓보드(10) 상부측에 설치 고정되는 베이스 플레이트(110), 소켓 노출공(112)의 길이 방향 양측 각각에 대향 설치되어지되 대향면 상에는 상하로 가이드홈(122)이 형성된 한 쌍의 지지부라켓(120), 지지부라켓(120) 각각의 가이드홈(122) 상에 상하 이동 가능하게 설치되어지되 대향면에는 메모리(30)가 장착되는 장착슬롯(132)이 하나 이상 형성된 이젝터 겸용 소켓(130), 지지브라켓(120) 각각에 내외로 회전 가능하게 설치되어 내외로 회전을 통해 이젝터 겸용 소켓(130)을 하강 또는 상승시키는 한 쌍의 승강용 래치(140), 승강용 래치(140)의 외측방향 회전시 이젝터 겸용 소켓(130)을 상향으로 이동시켜 메모리(30)를 이젝트시키는 메모리 이젝트수단, 승강용 래치(140) 각각에 내외로 회전 가능하게 설치되어 메모리(30)를 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)으로 가압하는 한 쌍의 가압용 래치(160), 가압용 래치(160)의 대향면 각각에 설치되어 메모리(30)의 양측 상단을 가압하는 하나 이상의 메모리 가압부재(170), 가압용 래치(160)의 내외 회전시 회전을 가이드하는 회전 가이드수단 및 한 쌍의 승강용 래치(140)를 연결하여 내외로 회전시 동시에 자동되도록 하는 작동링크(190)를 포함한 구성으로 이루어진다.

전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치(100)는 베이스 플레이트(110) 상에 형성된 소켓 노출공(112)의 하부로부터 상부로 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)이 삽입되어 상향으로 노출되도록 상용 소켓보드(10)의 상부측에 설치 고정된다. 이때, 상용 소켓보드(10)는 퍼스널 컴퓨터에 실제 적용되는 메인보드와 같은 것이다.

한편, 전술한 바와 같이 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)이 상향으로 노출되도록 상용 소켓보드(10)의 상부측에 베이스 프레이트(110)를 설치 고정하게 되면 이젝트 겸용 소켓(130)의 장착슬롯(132)과 메모리 소켓(20)의 슬롯(도시하지 않음) 각각은 상하로 상호 일치하게 된다. 이에 따라, 이젝트 겸용 소켓(130)의 장착슬롯(132) 각각으로 삽입 장착되는 메모리(30)는 이젝트 겸용 소켓(130)의 장착슬롯(132)에 대응하는 메모리 소켓(20)의 슬롯에만 실장되어진다.

전술한 바와 같이 메모리 테스트용 소켓장치(100)를 상용 소켓보드(10)의 상부측으로 장착 고정시킨 상태에서 메모리(30)의 테스트 과정을 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 도 1 및 도 5a 에 도시된 바와 같이 상용 소켓보드(10)의 상부측으로 장착 고정된 메모리 테스트용 소켓장치(100)의 승강용 래치(140)를 외측으로 회전시킨 상태에서 이젝터 겸용 소켓(130)의 장착슬롯(132)에 테스트하고자 하는 메모리(30)를 삽입 장착한다.

다음으로, 전술한 바와 같이 이젝터 겸용 소켓(130)의 장착슬롯(132)에 테스트하고자 하는 메모리(30)를 삽입 장착한 다음에는 도 1 및 도 5b 에 도시된 바와 같이 양측 한 쌍의 가압용 래치(160)를 대향 방향인 내측 방향으로 회전시켜 메모리 가압부재(170)의 가압이 이루어질 수 있도록 한다. 이때, 양측 한 쌍의 가압용 래치(160)를 대향 방향인 내측 방향으로 회전시키게 되면 가압용 래치(160)가 설치되는 승강용 래치(140) 역시 대향 방향인 내측 방향으로 회전이 이루어진다.

전술한 바와 같이 양측 한 쌍의 가압용 래치(160)를 대향 방향인 내측 방향으로 회전시키게 되면 이젝터 겸용 소켓(130)에 삽입 장착된 메모리(30)는 메모리 가압부재(170)에 의해 메모리 소켓(20)의 슬롯으로 가압이 이루어진다. 이때, 이젝터 겸용 소켓(130)은 상하로 일정범위 승강 가능하도록 구성되기 때문에 메모리(30)의 가압시 하강되어 하강되는 메모리(30)가 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 실장될 수 있도록 한다.

한편, 전술한 바와 같이 가압용 래치(160)를 대향 방향인 내측 방향으로 회전시켜 이젝터 겸용 소켓(130)에 삽입 장착된 메모리(30)가 메모리 가압부재(170)에 의해 메모리 소켓(20)의 슬롯으로 실장되도록 한 다음에는 전원을 인가하여 메모리(30)의 전기적인 도통여부를 확인함으로써 메모리(30)의 불량여부를 판가름하게 된다.

반면, 전술한 바와 같이 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치(100)를 통해 메모리 소켓(20)의 슬롯에 메모리(30)를 실장시켜 메모리(30)의 불량여부를 확인한 다음에는 메모리 소켓(20)에 실장된 메모리(30)를 분리하게 되는데, 이때 메모리 소켓(20)에 실장된 메모리(30)의 분리는 대향방향으로 회전된 상태의 승 강용 래치(140)를 외측방향으로 회전시키는 작용만으로 이젝터 겸용 소켓(130)이 상승되어 메모리 소켓(20)으로부터 메모리(30)의 이젝트가 이루어진다.

다시 말해서, 전술한 바와 같이 메모리 테스트용 소켓장치(100)를 통해 메모리 소켓(20)의 슬롯에 메모리(30)를 실장시켜 메모리(30)의 불량여부를 확인한 상태에서 가압용 래치(160)를 외측방향으로 회전시키게 되면 승강용 래치(140) 역시 외측방향으로 회전하게 되고, 이에 따라 메모리 이젝트수단에 의해 이젝터 겸용 소켓(130)이 상승되어 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)으로부터 실장된 메모리(30)의 이젝트가 이루어진다.

전술한 바와 같이 이젝트수단에 의해 이젝터 겸용 소켓(130)이 상승되어 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)으로부터 실장된 메모리(30)의 이젝트가 이루어진 다음에는 메모리 소켓(20)으로부터 이젝트된 상태로 이젝터 겸용 소켓(130)에 삽입 장착된 메모리(30)를 이젝터 겸용 소켓(130)으로부터 분리하게 되면 메모리(30)의 분리가 이루어진다.

한편, 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치(100)는 앞서도 기술한 바와 같이 래치(140, 160)의 구조를 이중 회전구조로 구성하여 좌우 길이는 동일하나 상하 길이가 다른 다양한 종류의 메모리(230)를 모두 수용하여 가압할 수 있도록 한 기술로, 좌우 길이는 동일하나 상하 길이가 다른 메모리(30)를 예로 들어 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도 8 을 참조하여 설명하면 상하 길이가 최대 사이즈인 메모리(30)를 메모리 테스트용 소켓장치(100)를 통해 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 실장시키는 경우 이젝터 겸용 소켓(130)의 장착슬롯(132)에 테스트하고자 하는 메모리(30)를 삽입 장착한 상태에서 양측 한 쌍의 승가용 래치(160)를 대향 방향인 내측 방향으로 회전시켜 메모리 가압부재(170)의 가압이 이루어질 수 있도록 한다.

전술한 바와 같이 상하 길이가 최대 사이즈인 메모리(30)의 경우 한 쌍의 가압용 래치(160)를 대향 방향인 내측 방향으로 회전시키게 되면 승강용 래치(140)는 내측으로 완전한 회전이 이루어지나 가압용 래치(160)는 회전되지 않거나 미미한 정도의 회전만이 이루어져 메모리 이젝트수단과 가압부재(170)에 의해 메모리 소켓(20) 상에 메모리(30)의 실장이 이루어진다.

반면, 도 9 를 참조하여 설명하면 상하 길이가 최대 사이즈에 비해 작은 사이즈인 메모리(30)를 메모리 테스트용 소켓장치(100)를 통해 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 실장시키는 경우에는 이젝터 겸용 소켓(130)의 장착슬롯(132)에 테스트하고자 하는 상하 길이가 작은 사이즈의 메모리(30)를 삽입 장착한 상태에서 양측 한 쌍의 승가용 래치(160)를 대향 방향인 내측 방향으로 회전시켜 메모리 가압부재(170)의 가압이 이루어질 수 있도록 한다.

전술한 바와 같이 상하 길이가 작은 사이즈인 메모리(30)의 경우에는 한 쌍의 가압용 래치(160)를 대향 방향인 내측 방향으로 회전시키게 되면 승강용 래치(140)가 내측으로 완전하게 회전된 상태에서도 가압부재(170)와 메모리(30)의 상단면 사이에는 일정거리 떨어지게 된다. 이러한 상태에서 가압용 래치(160)를 대향 방향으로 더 회전시키게 되면 메모리 가압부재(170)가 메모리(30) 양측 상단에 접촉할 때까지 가압용 래치(160)의 회전이 이루어진다.

한편, 전술한 바와 같이 가압용 래치(160)를 대향 방향으로 더 회전시키는 과정에서 메모리 가압부재(170)와 메모리(30) 양측 상단의 접촉이 이루어지면서부터 메모리(30)이 가압이 이루어져 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 실장이 이루어진다. 이때, 메모리(30)의 실장이 완전하게 이루어진 상태에서 가압용 래치(160)를 가압하는 힘을 해제하면 가압용 래치(160)는 원상태로 복원된다.

본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치(100)를 구성하는 각각의 구성요소를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다. 먼저, 본 발명을 구성하는 베이스 플레이트(110)는 메모리 테스트용 소켓장치(100)를 상용 소켓보드(10)에 설치 고정시키기 위한 것으로, 이러한 베이스 플레이트(110)는 도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같이 상용 소켓보드(10)의 상부측에 설치 고정되어 상용 소켓보드(10) 상에 실장된 메모리 소켓(20)이 수용되도록 한다.

다시 말해서, 전술한 바와 같은 베이스 플레이트(110)는 도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같이 상용 소켓보드(10) 상에 실장된 하나 이상의 메모리 소켓(20)이 상부측으로 삽입 노출되도록 소켓 노출공(112)이 다수 형성된 구성으로 이루어져 상용 소켓보드(10) 상부측에 설치 고정된다. 이때, 상용 소켓보드(10) 상에 실장된 메모리 소켓(20)은 베이스 플레이트(110)의 소켓 노출공(112) 하부를 통해 상부측으로 노출되어진다.

한편, 전술한 바와 같이 상용 소켓보드(10) 상에 실장된 메모리 소켓(20)이 하부를 통해 상부측으로 노출되도록 하는 베이스 플레이트(110)의 소켓 노출공(112)은 메모리 소켓(20)에 대응하여 하나 또는 다수로 형성된다.

다음으로, 본 발명을 구성하는 지지브라켓(120)은 이젝터 겸용 소켓(130)과 승강용 래치(140)를 설치하기 위한 것으로, 이러한 지지브라켓(120)은 도 1 내지 도 2, 도 4, 도 5, 도 6 및 도 7 에 도시된 바와 같이 소켓 노출공(112)의 길이 방향 양측 각각에 대향 설치되어지되 대향면 상에는 상하로 가이드홈(122)이 형성된 한 쌍의 구조로 이루어진다.

전술한 바와 같이 구성된 지지브라켓(120)은 소켓 노출공(112)의 길이방향 양 끝단에 인접한 베이스 플레이트(110) 상부면 각각에 대향 설치된다. 이때, 지지브라켓(120)의 대향면 각각에는 후술하는 이젝터 겸용 소켓(130)을 상하로 승강 가이드하기 위한 가이드홈(122)이 형성된다.

다음으로, 본 발명을 구성하는 이젝터 겸용 소켓(130)은 메모리(30)를 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 일치되도록 배열시키는 것으로, 이러한 이젝터 겸용 소켓(130)은 도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같이 지지부라켓(120) 각각의 가이드홈(122) 상에 상하 이동 가능하게 설치되어지되 대향면에는 메모리(30)가 장착되는 장착슬롯(132)이 하나 이상 형성된 구성으로 이루어진다.

한편, 전술한 바와 같은 이제터 겸용 소켓(130)은 도 6 에 도시된 바와 같이 지지부라켓(120) 각각의 가이드홈(122) 상에 상하 이동 가능하게 설치되어 장착되는 메모리(30)의 양측 하단을 지지하는 지지슬롯(132a)이 형성된 지지소켓(130a), 지지소켓(130a)의 상부측으로 결합되어지되 지지슬롯(132a)에 대응하여 메모리(30)를 가이드하는 가이드슬롯(132b)이 형성된 가이드소켓(130b) 및 지지소켓(130a)과 가이드소켓(130b)을 체결하여 결합시키는 체결나사(134)의 구성으로 이루어진다.

전술한 바와 같이 체결나사(134)를 통해 하부와 상부로 결합 구성되는 이젝터 겸용 소켓(130)의 지지소켓(130a)과 가이드소켓(130b)에 형성된 지지슬롯(132a)과 가이드슬롯(132b)은 상하 동일 선상으로 배열되어 장착슬롯(132)으로 삽입 장착되는 메모리(30)의 걸림이 발생되지 않도록 한다. 이때, 지지소켓(130a)에 형성되는 지지슬롯(132a)의 하단은 닫혀 있는 구성으로 이루어져 장착슬롯(132)을 통해 삽입되는 메모리(30)의 양측 하단이 이젝터 겸용 소켓(130)의 장착슬롯(132)에 지지되도록 한다.

아울러, 전술한 바와 같이 구성된 이젝터 겸용 소켓(130)을 상부측을 구성하는 가이드소켓(130b)의 가이드슬롯(132b) 상단에는 일정 경사각으로 모따기면(136)이 형성되어 가이드소켓(130b)의 가이드슬롯(132b) 상단으로 삽입되는 메모리(30)가 보다 용이하게 삽입될 수 있도록 한다. 즉, 모따기면(136) 상에 메모리(30)의 하단이 접촉되면 가이드슬롯(132b)의 입구측으로 미끄러져 삽입될 수 있도록 한다.

다음으로, 본 발명을 구성하는 승강용 래치(140)는 내외측으로 회전을 통해 이젝터 겸용 소켓(130)을 하강 또는 상승시켜 메모리(30)의 실장 또는 이젝트가 이루어질 수 있도록 하는 것으로, 이러한 승강용 래치(140)는 도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같이 지지브라켓(120) 각각에 회전축(142 : 도 8 및 도 9 참조)을 통해 내외로 회전 가능하게 설치되어 내외로의 회전을 통해 이젝터 겸용 소켓(130)을 하강 또는 상승시키는 한 쌍의 구조로 이루어진다.

다시 말해서, 전술한 바와 같이 구성된 승강용 래치(140)는 후술하는 메모리 이젝터수단을 통해 승강용 래치(140)와 결합되는 이젝터 겸용 소켓(130)을 승강용 래키(140)를 내외측으로 회전시킴으로써 이젝터 겸용 소켓(130)의 하강에 따른 메모리(30)의 실장 또는 이젝터 겸용 소켓(130)의 상승에 따른 메모리(30)의 이젝트가 이루어질 수 있도록 한다.

따라서, 전술한 바와 같이 구성된 승강용 래치(140)는 후술하는 메모리 가압부재(170)에 의한 메모리(30)의 가압과 동시에 이젝터 겸용 소켓(130)을 하강시킨 다는 것을 알 수 있다. 즉, 가압용 래치(160)의 회전에 따른 승강용 래키(140)의 내측방향 회전시 메모리 가압부재(170)에 의한 메모리(30)의 가압과 메모리 이젝터수단에 의한 이젝터 겸용 소켓(130)의 하강은 동시에 이루어진다.

다음으로, 본 발명을 구성하는 메모리 이젝트수단은 이젝터 겸용 소켓(130)을 상승시켜 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 실장된 메모리(30)를 이젝트시키기 위한 것으로, 이러한 메모리 이젝트수단은 도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같이 승강용 래치(140)의 외측방향 회전시 이젝터 겸용 소켓(130)을 상향으로 이동시켜 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 실장된 메모리(30)를 이젝트시키는 구성이다.

전술한 바와 같은 메모리 이젝트수단은 이젝터 겸용 소켓(130)을 구성하는 가이드소켓(130b) 각각의 외측면에 형성되는 걸림홈(150) 및 승강용 래치(140) 각각의 대향면 일측에 대향 형성되어지되 가이드소켓(130b)의 걸림홈(150) 상에 걸림되어 승강용 래치(140)의 외측방향 회전시 이젝터 겸용 소켓(130)을 상승시켜 메모리(30)를 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)으로부터 이젝트시키는 걸림부재(152)의 구성으로 이루어진다.

한편, 전술한 바와 같은 메모리 이젝트수단은 앞서도 기술한 바와 같이 각각의 대향면 일측에 대향 형성되는 걸림부재(152)가 이젝터 겸용 소켓(130)을 구성하는 가이드소켓(130b)의 걸림홈(150) 상에 삽입되어 걸리는 구조로 이루어지기 때문에 승강용 래치(140)의 내측방향 회전시 이젝터 겸용 소켓(130)을 하강시켜 메모리 소켓(20)에 메모리(30)의 실장은 물론, 승강용 래치(140)의 외측방향 회전시 이젝터 겸용 소켓(130)을 상승시켜 메모리 소켓(20)에 실장된 메모리(30)를 이젝트시키게 된다.

전술한 바와 같이 본 발명을 구성하는 메모리 이젝트수단은 승강용 래치(140)의 내외측 방향으로 회전시 이젝트 겸용 소켓(130)능 하강 또는 상싱시켜 메모리 가압부재(170)에 의해 가압되는 메모리(30)가 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 보다 용이하게 실장되도록 함은 물론, 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 실장된 메모리(30)의 이젝트가 원활하기 이루어질 수 있도록 한다.

다음으로, 본 발명을 구성하는 가압용 래치(160)는 이젝트 겸용 소켓(130)에 삽입 장착된 메모리(30)를 하향으로 가압하기 위한 것으로, 이러한 가압용 래치(160)는 도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같이 승강용 래치(140) 각각에 회전지지축(162)을 통해 내외로 회전 가능하게 설치되어 메모리(30)를 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)으로 가압하는 한 쌍의 구조로 이루어진다.

전술한 바와 같은 가압용 래치(160)는 앞서 기술한 바와 같은 승강용 래치(140)와 이중 회전구조를 형성하는 것으로, 좌우 길이는 동일하나 상하의 길이가 따른 다양한 종류의 메모리(30)에 대하여 가압이 이루어질 수 있도록 하는 구성이다. 이때, 상하 길이가 최대 사이즈인 메모리(30)의 경우 가압용 래치(160)의 내측방향 회전은 이루어지지 않거나 미미한 정도의 회전만 이루어지고, 상하 길이가 작은 사이즈인 메모리(30)의 경우에는 이젝트 겸용 소켓(130)에 삽입 장착된 메모리(30)의 상단과 메모리 가압부재(170) 사이의 이격된 거리만큼 가압용 래치(160)의 회전이 이루어진다.

다음으로, 본 발명을 구성하는 메모리 가압부재(170)는 가압용 래치(160)의 내측방향 회전시 이젝트 겸용 소켓(130)에 삽입 장착된 메모리(30)의 상단을 가압하여 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)으로 실장되도록 하는 것으로, 이러한 메모리 가압부재(170)는 가압용 래치(160)의 대향면 각각에 설치되어 메모리(30)의 양측 상단을 가압하는 하나 이상으로 구성된다.

전술한 바와 같은 메모리 가압부재(170)는 후술하는 회전 가이드수단을 구성하는 가이드축(182) 각각에 회전 가능하게 설치되어 메모리(30)의 양측 상단을 회전 가압하는 가압롤러의 구성으로 이루어진다. 이처럼 가압롤러 형태의 메모리 가압부재(170)는 메모리(30) 상단의 가압시 메모리(30) 상단면에서 수평방향으로 이동되는 가운데 회전되어 메모리(30)에 전달되는 압력을 분산시키게 된다.

따라서, 전술한 바와 같이 가압롤러 형태의 이루어져 메모리(30) 상단의 가압시 메모리(30) 상단면에서 수평방향으로 이동되는 가운데 회전되어 메모리(30)에 전달되는 압력을 분산시키는 구조로 메모리 가압부재(170)를 구성함으로써 메모리 가압부재(170)에 의해 메모리(30) 상단면이 파손되는 것을 방지할 수가 있다.

한편, 전술한 바와 같은 메모리 가압부재(170)를 구성하는 가압롤러가 다수인 경우 인접한 가압롤러 각각을 분리하는 격벽(200)이 가압용 래치(160)의 대향면 각각에 일체로 더 형성될 수 있다. 이러한 격벽(200)은 가압롤러의 좌우 유동을 방지하여 해당 메모리(30)에만 가압이 작용되도록 한다.

다음으로, 본 발명을 구성하는 회전 가이드수단은 가압용 래치(160)의 내외 회전시 회전을 가이드하는 것으로, 이러한 회전 가이드수단은 도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같이 승강용 래치(140) 각각의 양측에 장홈의 형태로 대향 형성되는 가이드홀(180) 및 가압용 래치(160)의 대향면 각각에 대향 설치되어지되 각각의 양단이 가이드홀(180) 상에 삽입 결합되어 가이드홀(180)의 범위내에서 가압용 래치(160)의 회전이 이루어질 수 있도록 하는 가이드축(182)의 구성으로 이루어진다.

전술한 바와 같이 구성된 회전 가이드수단은 도 8 에 도시된 바와 같이 메모리 가압부재(170)를 통해 상하 길이가 최대 사이즈인 메모리(30)를 가압시에는 가압용 래치(160)의 회전이 이루어지지 않거나 미미한 회전에 그치기 때문에 가이드축(182)이 가이드홀(180)의 최상단에 위치될 것이다.

반면, 도 9 에 도시된 바와 같이 상하 길이가 작은 사이즈나 최소 사이즈의 메모리(30)를 가압시에는 메모리 가압부재(170)가 메모리(30)의 상단면에 접촉될 때까지 가압용 래치(160)의 회전이 이루어지기 때문에 가이드축(182)은 가이드홀(180)의 하부측으로 이동된다. 가이드축(182)은 최대 가이드홀(180)의 최하단까지도 이동될 수 있다.

따라서, 전술한 바와 같은 회전 가이드수단을 구성하는 가이드홀(180)의 상하 범위는 메모리(30)의 상하 최대 길이 사이즈와 최소 길이 사이즈에 대응하여 형성된다고 볼 수 있다.

다음으로, 본 발명을 구성하는 작동링크(190)는 일측의 승강용 래치(140)를 내외측으로 회전시키는 경우 타측의 승강용 래치(140) 역시 내외측 동일방향으로 작동되록 하는 것으로, 이러한 작동링크(190)는 도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같이 한 쌍의 지지브라켓(120)에 대향 설치된 승강용 래치(140) 각각의 동일 방향 측면에 설치 고정되는 지지보(192) 및 양측의 지지보(192)를 회전 가능하게 연결하여 일측의 승강용 래치(140)를 내외로 회전시키는 경우 타측의 승강용 래치(140)가 동시에 작동되도록하는 연결링크(194)의 구성으로 이루어진다.

다시 말해서, 전술한 바와 같이 구성된 작동링크(190)는 지지보(192)와 연결링크(194)의 연결 부분이 힌지를 통해 회전 가능하게 연결된 구성으로 이루어져 일측의 승강용 래치(140)를 내외로 회전시키는 경우 타측의 승강용 래치(140)에 작동링크(190)를 통해 힘이 원활하게 전달되도록 한다.

한편, 전술한 바와 같은 작동링크(190)의 구성에서 연결링크(194)는 일단이 일정 각도로 절곡된 형태로 이루어진다. 이처럼 연결링크(194)의 일단을 일정 각도로 절곡된 형태로 형성함으로써 본 발명에 따른 소켓장치(100)를 통해 메모리(30)의 불량여부 테스트를 수행하는 경우 기구적인 간섭을 최소화할 수 있도록 한다.

아울러, 전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치(100)의 구성에는 승강용 래치(140)에 가압용 래치(160)를 내외로 회전 가능하게 결합시키는 회전지지축(162) 상에 설치되어 가압용 래치(160)를 상시 원위치시키는 방향으로 탄성력의 작용이 이루어지는 토션스프링(210)이 더 구성될 수 있다.

전술한 바와 같은 토션스프링(210)은 가압력이 해제된 경우 가압용 래치(160)를 상시 원위치시킴으로써 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 실장된 메모리(30)를 이젝트시키기 위해 승강용 래치(140)를 외측방향으로 회전시키는 경우 가압용 래치(160)에 의한 승강용 래치(140)의 외측방향 회전작용을 원활하게 할 수 있도록 한다.

또한, 본 발명에 따른 구성에는 앞서와 같은 기술구성에 더하여 승강용 래치(140)의 대향면 각각에 가압용 래치(160)의 내측 방향 회전시 일정 범위 이상의 회전을 제한하는 회전 제한봉(220)이 더 설치된다. 이러한 회전 제한봉(220)에 의한 가압용 래치(160)의 회전 제한은 가압용 래치(160)의 내측 방향 회전시 가이드축(182)이 가이드되는 가이드홀(180)의 최하단에 인접한 시점에서 가압용 래치(160)와의 접촉을 통해 회전이 제한된다.

도 8 은 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치를 통해 상하 길이가 긴 사이즈의 메모리를 장착시 래치의 작용을 보인 측면 구성도, 도 9 은 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치를 통해 상하 길이가 작은 사이즈의 메모리를 장착시 래치의 작용을 보인 측면 구성도이다.

앞서와 같은 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치(100)를 통해 좌우의 길이는 동일하나 상하의 길이가 다른 종류의 메모리(230)를 장착하여 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 실장시키는 과정을 설명하면 도 8 및 도 9 에서와 같다. 이때, 도 8 에서는 상하의 길이가 최대 사이즈인 메모리(30)를 보인 것이고, 도 9 에서는 도 8 의 메모리(30)에 비해 상하의 길이가 작은 사이즈를 보인 것이다.

도 8 의 (a)에 도시된 바와 같이 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20) 상부측으로 설치된 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치(100)를 통해 상하 길이가 최대 사이즈인 메모리(30)를 테스트하는 경우 먼저, 가압용 래치(160)를 외측으로 젖히게 되면 그 힘에 의해 승강용 래치(140)가 동시에 외측으로 회전된다.

한편, 전술한 바와 같이 가압용 래치(160)를 외측 방향으로 젖히는 힘에 의해 승강용 래치(140)가 동시에 외측 방향으로 회전하게 되는 과정에서 이젝터 겸용 소켓(130)이 상승하게 된다. 즉, 승강용 래치(140) 상의 메모리 이젝트수단을 구성하는 걸림부재(152)가 이젝터 겸용 소켓(130)의 외측면에 형성되는 걸림홈(150)에 걸린 상태로 승강용 래치(140)의 외측 방향 회전시 이젝터 겸용 소켓(130)을 상승시키게 된다.

전술한 바와 같은 상태에서 메모리(30)의 양측 하단을 양측 이젝터 겸용 소켓(130) 상의 대향된 장착슬롯(132)에 삽입 장착되도록 한다. 이때, 이젝터 겸용 소켓(130)의 장착슬롯(132)에 삽입되는 메모리(30)는 장착슬롯(132)의 하단이 닫혀 있는 구조이기 때문에 이젝터 겸용 소켓(130)의 장착슬롯(132)에 삽입 장착된 상태로 지지된다.

그리고, 전술한 바와 같이 이젝터 겸용 소켓(130)에 메모리(30)를 삽입 장착한 상태에서 도 8 의 (b)에서와 같이 가압용 래치(160)를 내측 방향으로 젖혀 승강용 래치(140)의 내측 방향 회전이 이루어질 수 있도록 한다. 이때, 가압용 래치(160)의 내측 방향 젖힘에 의해 승강용 래치(140)의 내측 방향 회전이 이루어지는 과정에서 승강용 래치(140) 상의 메모리 이젝트수단을 구성하는 걸림부재(152)가 이젝터 겸용 소켓(130)을 하강시켜 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 메모리(30)를 실장시키게 된다.

한편, 도 8 의 메모리(30)는 앞서도 기술한 바와 같이 상하 길이가 최대 사이즈이기 때문에 메모리 이젝트수단을 구성하는 걸림부재(152)가 이젝터 겸용 소켓(130)을 하강시켜 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 메모리(30)를 실장되는 시점과 가압용 래치(160)의 대향면 상에 구성된 메모리 가압부재(170)에 의한 메모리(30) 상단의 가압 접촉시점은 동시에 이루어진다.

전술한 바와 같이 상하 길이가 최대 사이즈인 메모리(30)를 이젝터 겸용 소켓(130)을 통해 삽입 장착하여 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 실장되도록 하는 과정에서는 도 8 의 (a)와 (b)를 살펴보건데 가압용 래치(160)가 회전지지축(162)을 중심으로 전혀 회전되지 않은 상태를 볼 수 있다. 이는 토션스프링(210)의 압축이 없는 것을 통해 알 수 있다.

반면, 도 9 의 (a)에 도시된 바와 같이 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20) 상부측으로 설치된 본 발명에 따른 메모리 테스트용 소켓장치(100)를 통해 상하 길이가 최대 사이즈보다 작은 메모리(32)를 테스트하는 경우에는 가압용 래치(160)를 외측으로 젖혀 승강용 래치(140)를 외측으로 회전시킴으로써 이젝터 겸용 소켓(130)에 메모리(32)를 삽입할 수 있도록 개방시킨다.

한편, 전술한 바와 같이 가압용 래치(160)를 외측 방향으로 젖히는 힘에 의해 승강용 래치(140)가 동시에 외측 방향으로 회전하게 되는 과정에서 승강용 래치(140) 상의 메모리 이젝트수단을 구성하는 걸림부재(152)가 이젝터 겸용 소켓(130)의 외측면에 형성되는 걸림홈(150)에 걸린 상태로 승강용 래치(140)의 외측 방향 회전시 이젝터 겸용 소켓(130)을 상승시키게 된다.

전술한 바와 같은 승강용 래치(140)를 외측 방향으로 회전시켜 이젝터 겸용 소켓(130)을 상승시킨 상태에서 메모리(32)의 양측 하단을 양측 이젝터 겸용 소켓(130) 상의 대향된 장착슬롯(132)에 삽입 장착되도록 한다. 이때, 이젝터 겸용 소켓(130)의 장착슬롯(132)에 삽입되는 메모리(32)는 장착슬롯(132)의 하단이 닫혀 있는 구조이기 때문에 이젝터 겸용 소켓(130)의 장착슬롯(132)에 삽입 장착된 상태로 지지된다.

그리고, 전술한 바와 같이 이젝터 겸용 소켓(130)에 메모리(32)를 삽입 장착한 상태에서 도 9 의 (b)에서와 같이 가압용 래치(160)를 내측 방향으로 젖혀 승강용 래치(140)의 내측 방향 회전이 이루어질 수 있도록 한다. 이때, 가압용 래치(160)의 내측 방향 젖힘에 의해 승강용 래치(140)의 내측 방향 회전이 이루어지는 과정에서 승강용 래치(140) 상의 메모리 이젝트수단을 구성하는 걸림부재(152)가 이젝터 겸용 소켓(130)을 하강시켜 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 메모리(30)를 실장시키게 된다.

전술한 도 9 의 (b)에서와 같이 승강용 래치(140)가 내측 방향으로 완전하게 회전된 상태에서 이젝터 겸용 소켓(130)과 동시에 하강되어 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 실장되는 상하 길이가 작은 사이즈의 메모리(32) 상단과 가압용 래치(160)의 대향면 상에 구성된 가압부재(170) 하단 사이에는 일정거리의 유격이 발생된다. 이는 승강용 래치(140)의 내측 방향 최대 회전시 상하 길이가 최대 사이즈인 도 8 의 메모리(30) 상단에 가압부재(170)의 접촉이 이루어질 수 있도록 설계되기 때문이다.

한편, 전술한 도 9 의 (b)에서와 같이 승강용 래치(140)를 내측 방향으로 완전하게 회전시키는 경우 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 상하 길이가 작은 사이즈의 메모리(32)가 실장되더라도 가압부재(170)에 의한 가압이 이루어지지 않은 상태이기 때문에 테스트 상에 문제가 발생될 수 있다.

전술한 바와 같은 문제를 보완하기 위해 본 발명은 좌우 길이는 동일하나 상하 길이가 다른 다양한 사이즈의 메모리(30, 32) 모두를 수용하여 테스트할 수 있는 구조를 구성하기 위해 대향 설치되는 승강용 래치(140)에 대향되도록 가압용 래치(160)를 설치한 구조를 제공하고 있다. 이때, 가압용 래치(160)는 회전지지축(162)을 통해 내외측으로 일정범위 회전되도록 구성되어지되 회전지지축(162) 상에 설치되어 일단과 타단이 승강용 래치(140)와 가압용 래치(160)에 지지되는 토션스프링(210)을 통해 외측 방향으로 탄성력을 받는 구조로 이루어진다.

따라서, 전술한 바와 같이 회전지지축(162) 상에 설치되어 외측 방향으로 탄성력을 발하는 토션스프링(210)의 작용에 의해 가압용 래치(160)는 상시 외측으로 젖혀진 상태로 있게 된다. 이러한 상태에서 상용자에 의해 가압용 래치160)에 내측 방향으로 가압하는 힘이 작용되면 승강용 래치(140)의 내측 방향 최대 회전 시점까지는 가압용 래치(160)의 내측 방향 회전은 이루어지지 않고, 승강용 래치(140)의 내측 방향 최대 회전된 이후부터 가압용 래치(160)의 내측 방향 회전이 이루어진다.

다시 말해서, 전술한 도 9 의 (b)에서와 같이 승강용 래치(140)가 내측 방향으로 완전하게 회전된 상태에서 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 실장되는 상하 길이가 작은 사이즈의 메모리(32) 상단과 가압용 래치(160)의 대향면 상에 구성된 가압부재(170) 하단 사이에 일정거리의 유격이 발생된 상태에서 도 9 의 (c)에 도시된 바와 같이 가압용 래치(160)를 내측 방향으로 힘을 가하게 되면 유격 거리만큼 가압용 래치(160)의 내측 방향 회전이 이루어지면서 가압부재(170)에 의한 메모리(32)의 가압이 이루어진다.

전술한 바와 같이 승강용 래치(140)의 내측 방향 회전에 의해 상용 소켓보드(10)의 메모리 소켓(20)에 메모리(32)가 실장된 상태에서 가압용 래치(160)의 내측 방향 회전에 의해 메모리(32)의 가압이 이루어진 다음, 전원의 인가에 의해 메모리(32)의 불량여부 테스트가 이루어진다. 이때, 가압용 래치(160)를 가압하는 힘을 해제하면 토션스프링(210)의 탄성력에 의해 가압용 래치(160)는 원상태로 복원된다.

한편, 도 9 의 (c)에서와 같이 상하 길이가 작은 사이즈나 최소 사이즈의 메모리(32)를 가압시에는 메모리 가압부재(170)가 메모리(32)의 상단면에 접촉될 때까지 가압용 래치(160)의 회전이 이루어지기 때문에 가이드축(182)은 가이드홀(180)의 하부측으로 이동된다. 이때, 가이드축(182)은 최대 가이드홀(180)의 최하단까지도 이동될 수 있다.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 기술은 래치(140, 160)의 구조를 이중 회전구조로 구성하여 좌우 길이는 동일하나 상하 길이가 다른 다양한 종류의 메모리(30)를 모두 수용하여 가압할 수 있도록 함으로써 메모리(30)의 불량여부 테스트를 보다 원활하게 할 수 있도록 한다.

본 발명은 전술한 실시 예에 국한되지 않고 본 발명의 기술사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수가 있다.

10. 상용 소켓보드 20. 메모리 소켓
30. 메모리(상하 최대 사이즈) 32. 메모리(상하 작은 사이즈)
100. 소켓장치 110. 베이스 플레이트
112. 소켓 노출공 120. 지지브라켓
122. 가이드홈 130. 이젝터 겸용 소켓
132. 장착슬롯 134. 체결나사
136. 모따기면 140. 승강용 래치
150. 걸림홈 152. 걸림부재
160. 가압용 래치 162. 회전지지축
170. 메모리 가압부재 180. 가이드홀
182. 가이드축 190. 작동링크
192. 지지보 194. 연결링크
200. 격벽 210. 토션스프링
220. 회전 제한봉

Claims

상용 소켓보드 상에 실장된 하나 이상의 메모리 소켓이 상부측으로 삽입 노출되도록 소켓 노출공이 다수 형성되어 상기 상용 소켓보드 상부측에 설치 고정되는 베이스 플레이트;
상기 소켓 노출공의 길이 방향 양측 각각에 대향 설치되어지되 대향면 상에는 상하로 가이드홈이 형성된 한 쌍의 지지부라켓;
상기 지지부라켓 각각의 가이드홈 상에 상하 이동 가능하게 설치되어지되 대향면에는 메모리가 장착되는 장착슬롯이 하나 이상 형성된 이젝터 겸용 소켓;
상기 지지브라켓 각각에 내외로 회전 가능하게 설치되어 내외로 회전을 통해 상기 이젝터 겸용 소켓을 하강 또는 상승시키는 한 쌍의 승강용 래치;
상기 승강용 래치의 외측방향 회전시 상기 이젝터 겸용 소켓을 상향으로 이동시켜 상기 메모리를 이젝트시키는 메모리 이젝트수단;
상기 승강용 래치 각각에 내외로 회전 가능하게 설치되어 상기 메모리를 상기 상용 소켓보드의 메모리 소켓으로 가압하는 한 쌍의 가압용 래치;
상기 가압용 래치의 대향면 각각에 설치되어 상기 메모리의 양측 상단을 가압하는 하나 이상의 메모리 가압부재;
상기 가압용 래치의 내외 회전시 회전을 가이드하는 회전 가이드수단; 및
상기 한 쌍의 승강용 래치를 연결하여 내외로 회전시 동시에 자동되도록 하는 작동링크를 포함한 구성으로 이루어진 메모리 테스트용 소켓장치.
제 1 항에 있어서, 상기 이제터 겸용 소켓은 상기 지지부라켓 각각의 가이드홈 상에 상하 이동 가능하게 설치되어 장착되는 상기 메모리의 양측 하단을 지지하는 지지슬롯이 형성된 지지소켓;
상기 지지소켓의 상부측으로 결합되어지되 상기 지지슬롯에 대응하여 상기 메모리를 가이드하는 가이드슬롯이 형성된 가이드소켓; 및
상기 지지소켓과 가이드소켓을 체결하여 결합시키는 체결나사의 구성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.
제 2 항에 있어서, 상기 지지소켓의 지지슬롯 하단은 닫혀 있는 형태로 이루어져 상기 메모리의 양측 하단이 지지될 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.
제 2 항에 있어서, 상기 가이드소켓의 가이드슬롯 상단에는 일정 경사각으로 모따기면이 더 형성되어 삽입되는 상기 메모리를 상기 가이드슬롯으로 가이드되도록 하는 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.
제 2 내지 도 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소켓 승강수단은 상기 이젝터 겸용 소켓을 구성하는 상기 가이드소켓 각각의 외측면에 형성되는 걸림홈; 및
상기 승강용 래치 각각의 대향면 일측에 대향 형성되어지되 상기 가이드소켓의 걸림홈 상에 걸림되어 상기 승강용 래치의 외측방향 회전시 상기 이젝터 겸용 소켓을 상승시켜 상기 메모리를 상기 이젝터 겸용 소켓으로부터 이젝트시키는 걸림부재의 구성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.
제 1 항에 있어서, 상기 회전 가이드수단은 상기 승강용 래치 각각의 양측에 장홈의 형태로 대향 형성되는 가이드홀; 및
상기 가압용 래치의 대향면 각각에 대향 설치되어지되 각각의 양단이 상기 가이드홀 상에 삽입 결합되어 상기 가이드홀의 범위내에서 상기 가압용 래치의 회전이 이루어질 수 있도록 하는 가이드축의 구성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.
제 6 항에 있어서, 상기 회전 가이드수단을 구성하는 상기 가이드홀의 상하 범위는 상기 메모리의 상하 최대 길이 사이즈와 상기 최소 길이 사이즈에 대응하여 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 메모리 가압부재는 상기 회전 가이드수단을 구성하는 상기 가이드축 각각에 회전 가능하게 설치되어 상기 메모리의 양측 상단을 회전 가압하는 가압롤러의 구성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.
제 8 항에 있어서, 상기 메모리 가압부재를 구성하는 상기 가압롤러가 다수인 경우 인접한 상기 가압롤러 각각을 분리하는 격벽이 상기 가압용 래치의 대향면 각각에 일체로 더 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.
제 1 항에 있어서, 상기 승강용 래치에 상기 가압용 래치를 내외로 회전 가능하게 결합시키는 회전축 상에 설치되어 상기 가압용 래치를 상시 원위치시키는 방향으로 탄성력의 작용이 이루어지는 토션스프링이 더 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.
제 1 항에 있어서, 상기 작동링크는 상기 한 쌍의 지지브라켓에 대향 설치된 상기 승강용 래치 각각의 동일 방향 측면에 설치 고정되는 지지보; 및
상기 양측의 지지보를 회전 가능하게 연결하여 일측의 상기 승강용 래치를 내외로 회전시키는 경우 타측의 상기 승강용 래치가 동시에 작동되도록하는 연결링크의 구성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.
제 11 항에 있어서, 상기 연결링크는 일단이 일정 각도로 절곡된 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.
제 1 항에 있어서, 상기 가압용 래치의 회전에 따른 상기 승강용 래치의 내측방향 회전시 상기 메모리 가압부재에 의한 상기 메모리의 가압과 상기 메모리 이젝터수단에 의한 상기 이젝터 겸용 소켓의 하강은 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.
제 1 항에 있어서, 상기 승강용 래치의 대향면 각각에는 상기 가압용 래치의 내측 방향 회전시 일정 범위 이상의 회전을 제한하는 회전 제한봉이 더 설치된 것을 특징으로 하는 메모리 테스트용 소켓장치.