KR20160076265A - 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

발광 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160076265A
KR20160076265A KR1020140186258A KR20140186258A KR20160076265A KR 20160076265 A KR20160076265 A KR 20160076265A KR 1020140186258 A KR1020140186258 A KR 1020140186258A KR 20140186258 A KR20140186258 A KR 20140186258A KR 20160076265 A KR20160076265 A KR 20160076265A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
sfs
nitride
nitride layer
composition ratio
Prior art date
Application number
KR1020140186258A
Other languages
English (en)
Inventor
박승철
안순호
김재헌
Original Assignee
서울바이오시스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울바이오시스 주식회사 filed Critical 서울바이오시스 주식회사
Priority to KR1020140186258A priority Critical patent/KR20160076265A/ko
Priority to PCT/KR2015/014123 priority patent/WO2016105098A1/en
Publication of KR20160076265A publication Critical patent/KR20160076265A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

발광 소자가 개시된다. 상기 발광 소자는 m면 성장면(m면으로부터 소정의 오프각을 갖는 면을 포함한다)을 갖는 제1 도전형 반도체층; 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 SFS(stacking fault suppression)층; SFS층 상에 위치하는 활성층; 및 활성층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층을 포함하고, SFS층은 제1 질화물층 및 상기 제1 질화물층보다 작은 밴드갭 에너지를 가지며, In을 포함하는 제2 질화물층이 1주기 이상 적층된 구조를 포함하며, 제2 질화물층은 하부 영역 및 상부 영역을 포함하되, 상기 하부 영역과 상부 영역은 하기 [식 1]의 조건을 만족하는 상호 관계를 갖는다 ([식 1] 단위 부피(1nm3)당 상기 상부 영역의 In 원자 밀도 표준 편차/단위 부피(1nm3)당 상기 하부 영역의 In 원자 밀도 표준 편차 = RD 일 때, 0.8≤RD＜1.05).

Description

발광 소자 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
본 발명은 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 적층 결함(stacking fault)이 최소화된 결정 구조를 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 발광 다이오드와 같은 발광 소자의 베이스 물질로 폭넓게 사용되는 질화물계 반도체는 질화갈륨 기판과 같은 동종 기판 또는 사파이어와 같은 이종 기판을 이용하여 성장시켜 제조된다. 이러한 질화물계 반도체의 결정성 및 발광 효율에 영향을 미치는 요인들 중 몇몇은 성장 기판의 특성에 의해 영향을 받는다.
질화물계 반도체를 포함하는 발광 소자에 있어서, 전자와 정공이 결합하는 면은 성장면에 대체로 수평하므로, 상기 질화물계 반도체의 성장면에 따라 발광 소자의 특성에 차이를 가진다. 예를 들어, 극성면(예컨대, C-plane)을 성장면으로 갖는 성장 기판 상에 성장된 질화물계 반도체는 극성면에 수직한(normal) 방향으로 성장되어 내부에 자발 분극 및 격자 상수 차이로 인한 압전 분극이 존재한다. 이와 같은 압전 분극과 자발 분극에 의한 분극 현상으로 인하여 질화물계 반도체의 에너지 밴드가 휘는 현상이 발생하고, 이는 활성층에서의 정공과 전자의 분포를 분리시키게 된다. 이에 따라, 전자와 전공의 재결합 효율이 감소하여 발광 효율이 낮아지고, 발광의 적색 편이 현상이 발생하며, 발광 소자의 순방향 전압(Vf)의 증가를 야기한다.
이와 같은 성장면의 극성으로 인하여 질화물계 반도체에 발생하는 문제점을 해결하기 위하여, 동종의 기판(homogeneous substrate) 상에 비극성 또는 반극성 질화물계 반도체를 성장시키는 방법이 연구 및 개발되고 있다. 동종의 기판 상에 비극성 또는 반극성의 질화물 반도체를 성장시킴으로써, 자발 분극 및 압전 분극으로 인한 효율 저하를 최소화할 수 있다. 질화물계 반도체의 비극성 면으로, a면({11-20})과 m면({1-100}) 등이 있으며, m면 비극성 기판 상에 질화물계 반도체층들이 성장되어 제조된 발광소자는 종래에 다수 개시된바 있다.
그러나 이러한 m면을 성장면으로 성장된 비극성 질화물계 반도체층은 c면을 성장면으로 성장된 비극성 질화물계 반도체층과 성장 특성, 광학적 특성 등이 다르다. 이에 따라, m면을 성장면으로 갖는 질화물계 반도체층 제조에 c면을 성장면으로 질화물계 반도체층을 성장시키는 기술을 직접적으로 적용하는 것에 한계가 있다.
특히, m면 성장면을 갖는 질화물계 반도체에 있어서, 적층 결함(stacking fault)는 2차원의 결함을 발생시켜 반도체층의 결정성을 매우 떨어뜨린다. 때로는 이러한 적층결함은 pit을 수반할 수 있으며 pit의 경계를 따라 누설전류가 발생한다. 이러한 적층 결함은 c면 성장면을 갖는 질화물계 반도체에 비해 m면 성장면을 갖는 질화물계 반도체에 대해 더욱 치명적인 결정 결함으로 작용한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, In 편석(segregation)의 발생을 억제하여 결정성이 향상된 발광 소자의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 발광 소자는, 비극성 또는 반극성 성장면을 갖는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며, In을 포함하는 SFS층; 상기 SFS층 상에 위치하는 활성층; 및 상기 활성층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 SFS층은 하부 영역 및 상부 영역을 포함하고, 상기 하부 영역과 상부 영역은 하기 [식 1]의 조건을 만족하는 상호관계를 갖는다.([식 1] 단위 부피(1nm3)당 상기 상부 영역의 In 원자 밀도 표준 편차/단위 부피(1nm3)당 상기 하부 영역의 In 원자 밀도 표준 편차 = RD 일 때, 0.8≤RD＜1.0)
상기 SFS층은 제1 질화물층 및 상기 제1 질화물층보다 작은 밴드갭 에너지를 가지며, In을 포함하는 제2 질화물층이 1주기 이상 적층된 구조를 포함할 수 있고, 상기 제2 질화물층은 하부 영역 및 상부 영역을 포함하되, 상기 제2 질화물층의 하부 영역과 상부 영역은 하기 [식 2]의 조건을 만족하는 상호 관계를 가질 수 있다. ([식 2] 단위 부피(1nm3)당 상기 제2 질화물층의 상부 영역의 In 원자 밀도 표준 편차/단위 부피(1nm3)당 상기 제2 질화물층의 하부 영역의 In 원자 밀도 표준 편차 = RD2 일 때, 0.8≤RD2＜1.0)
상기 비극성 성장면은 m면을 포함할 수 있고, 상기 반극성 성장면은 {20-2-1} 또는 {30-3-1}을 포함할 수 있다.
상기 비극성 또는 반극성 성장면은 -10° 내지 +10° 범위 내의 오프각을 가질 수 있다.
상기 SFS층의 In 농도는 두께 방향에 따라 다를 수 있고, 상기 SFS층의 중간 부분이 In 조성비가 가장 높고, 상기 SFS층의 상부 표면의 In 조성비가 상기 중간 부분의 In 조성비보다 낮거나 상기 SFS층 전체에서 In 조성비가 가장 낮을 수 있다.
나아가, 상기 제1 질화물층은 GaN 및/또는 InGaN을 포함할 수 있고, 상기 제2 질화물층은 InGaN을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 질화물층의 In 농도는 두께 방향에 따라 다를 수 있으며, 상기 제2 질화물층의 중간 부분이 In 조성비가 가장 높고, 상기 제2 질화물층의 상부 표면의 In 조성비가 상기 중간 부분의 In 조성비보다 낮거나 상기 제2 질화물층 전체에서 In 조성비가 가장 낮을 수 있다.
상기 제2 질화물층 상부 표면의 In 조성비는 상기 제2 질화물층의 중간 부분의 In 조성비의 80% 이하일 수 있다.
상기 SFS층은 상기 제1 도전형 반도체층과 동일한 도전형으로 도핑될 수 있다.
상기 RD는 0.91≤RD≤1.0의 범위 내의 값일 수 있다.
상기 활성층은 상기 SFS층의 바로 위에 위치하거나, 100nm 이내의 거리에 위치할 수 있다.
본 발명에 따르면, In 편석의 발생이 억제된 SFS층을 포함하는 발광 소자가 제공될 수 있고, 이에 따라, 층간 계면에서의 In 편석 발생 비율이 매우 감소되고, 적층 결함이 효과적으로 감소되어 종래의 비극성 발광 소자에 비해 더욱 내부 양자 효율이 높고, 정전기 방전에 대한 내성이 향상되어 신뢰성이 향상된 발광 소자가 제공될 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예 및 비교예에서, 성장 방향에 따라 In 조성비의 변화를 아톰 프로브(atom probe) 장비를 이용하여 측정한 그래프들이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예 및 비교예에서, In 원자의 분포를 두께 방향으로 2차원 도식화한 평면(plan-view) 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 기판(100)을 준비한다.
기판(100)은 질화물계 반도체를 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않으며, 예를 들어, 사파이어 기판, 실리콘 기판, 실리콘 카바이드 기판, 또는 스피넬 기판과 같은 이종 기판을 포함할 수 있고, 또한, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판 등과 같은 동종 기판을 포함할 수 있다. 또한, 기판(100)은 비극성 또는 반극성의 성장면을 갖는다. 예를 들어, 기판(100)은 비극성 질화물 기판일 수 있고, 그 성장면은 a면 또는 m면일 수 있다. 특히, 본 실시예에 있어서, 기판(100)은 m면 성장면을 갖는 질화물계 기판일 수 있다. 하기 실시예들에서, 기판(100)은 m면 성장면을 갖는 것으로 설명되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 비극성 또는 반극성(예를 들어, {20-2-1} 또는 {30-3-1} 등)의 성장면을 갖는 기판(100) 상에 성장되어 형성된 발광 소자 역시 본 발명의 범위에 포함된다.
또한, 기판(100)의 상면, 즉, 기판(100)의 성장면은 m면을 기준으로 c-방향(<0001> 패밀리 방향) 및/또는 a-방향(<11-20> 패밀리 방향)으로 소정의 오프컷(off-cut) 각을 가질 수 있다. 이때, c-방향과 a-방향은 각각 c면과 a면에 수직한(normal) 방향이다. 오프컷 각은 제한되지 않으나, 예를 들어, -10° 내지 +10°의 범위 내의 각도 일 수 있다. 오프컷 각을 갖는 성장면은 비극성 또는 반극성 면일 수 있다. 따라서, 상기 기판(100)의 성장면으로부터 성장된 질화물계 반도체층들 역시 비극성 또는 반극성 특성을 가질 수 있다.
m면 성장면이 오프컷 각을 갖는 기판(100)은 그 오프각으로 인해 미세한 계단이 표면에 형성되며, 상기 계단의 측면에 c면이 노출될 수 있다. 이러한 기판(100) 상에 질화물 반도체를 기상 성장할 경우, 성장 원자가 표면에 안착하여 결정이 성장할 때 이 계단에 결합 에너지가 높아 성장이 촉진된다. 따라서, 오프각을 조절하여 질화물 반도체층의 성장 속도를 높일 수 있다.
기판(100)의 성장면이 오프컷 각을 갖는 기판(100) 상에 성장된 질화물 반도체층은 오프컷 각을 갖지 않는 m면 상에 성장된 질화물계 반도체층보다 매끄러운 표면을 가질 수 있다. 즉, 성장면이 오프컷 각을 갖는 기판(100) 상에 질화물계 반도체층을 성장시킴으로써, 표면 결함을 감소시킬 수 있고, 결정성을 향상시킬 수 있다. 다만, 본 발명이 상술한 오프컷 방향 및 각도에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서, 'm면 성장면'은 m면으로부터 오프각을 갖는 경우를 포함하는 것으로 기술된다. 또한, m면 외에 다른 비극성면 또는 반극성면에 대해 오프각을 갖는 경우 역시 본 발명의 범위에 포함된다.
도 2를 참조하면, 기판(100) 상에 제1 도전형 반도체층(200)을 형성한다.
제1 도전형 반도체층(200)은 (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함하고, MOCVD, MBE, HVPE 등과 같은 방법을 이용하여 성장될 수 있다. MOCVD를 이용하여 제1 도전형 반도체층(200)을 성장시키는 경우, 약 1050 내지 1200℃의 성장 온도에서 소정의 성장 속도로 성장될 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(200)은 Si, C, Ge, Sn, Te, Pb등과 같은 불순물을 1종 이상 포함하여 n형으로 도핑될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 제1 도전형 반도체층(200)은 p형 도펀트를 포함하여 반대의 도전형으로 도핑될 수도 있다.
비극성 성장면, 특히 m면 성장면(m면으로부터 오프각을 갖는 경우를 포함한다)을 갖는 기판(100) 상에 성장된 제1 도전형 반도체층(200)은 비극성 특성을 갖고, 제1 도전형 반도체층(200)의 표면은 비극성 면(또는 반극성 면)일 수 있다. 따라서, 후속 공정에서 제1 도전형 반도체층(200) 상에 성장되는 다른 질화물계 반도체층들 역시 비극성(또는 반극성)의 성장면을 가질 수 있다.
한편, 제1 도전형 반도체층(200)을 성장시키기 전에, 기판(100) 상에 버퍼층(미도시)을 더 형성할 수 있다. 상기 버퍼층은 GaN과 같은 질화물 반도체를 포함할 수 있고, MOCVD를 이용하여 성장시킬 수 있으며, 약 450 내지 600℃ 범위 내의 성장 온도에서 성장될 수 있다. 버퍼층은 후속 공정에서 기판(100) 상에 성장되는 반도체층들의 결정성을 우수하게 할 수 있다.
이어서, 도 3 내지 도 4b를 참조하면, 제1 도전형 반도체층(200) 상에 SFS(stacking fault suppressed; 300)층을 형성한다.
SFS층(300)은 (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함하며, 특히, In을 포함할 수 있다. SFS층(300)은 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, SFS층(300)은 In 원자 밀도 표준 편차가 낮은 영역(상부 영역; 300b)과 In 원자 밀도 표준 편차가 상대적으로 높은 영역(하부 영역; 300a)을 포함할 수 있다. 이때, 상부 영역(300b)은 하부 영역(300a) 상에 위치할 수 있다. 하부 영역(300a)과 상부 영역(300b)은 하기 [식 1]의 조건을 만족한다.
[식 1]
Figure pat00001
Figure pat00002

상기 [식 1]은 다양한 방법을 통해 얻어질 수 있다. 예를 들어, 아톰 프로브(atom probe) 장비를 이용하여 1nm3 의 단위 부피 당 In 원자의 수를 측정하고, 수득된 밀도 값의 위치에 따른 분포 데이터를 정규 분포화하여 얻을 수 있다. 상기 표준 편차 값이 크다는 것은 In원자 밀도가 주변에 비해 높은 영역이 많이 존재함을 의미하고 표준 편차 값이 작다는 것은 In 원자 밀도가 영역 내에 전체적으로 균일함을 의미한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 다양한 측정 장비를 이용하여 상기 값을 도출할 수도 있다.
한편, SFS층(300)을 형성하는 것은, MOCVD 챔버 내에 Ⅲ족 원자 소스(예를 들어, TMGa 및/또는 TMIn) 및 Ⅴ족 원자 소스(예를 들어, NH3)를 도입하되, 분위기 가스로 N2 및 H2를 성장 챔버 내로 공급하여 In을 포함하는 질화물층을 성장시키는 것을 포함할 수 있다. SFS층(300) 성장 시, 분위기 가스는 N2뿐만 아니라, H2를 포함한다. 이에 따라, SFS층(300) 성장 과정에서 그 표면에 In 편석(segregation)이 발생하는 것이 억제될 수 있다. 한편, 상부 영역(300b)과 하부 영역(300a)은 설명의 편의를 위해 구분된 영역일 뿐, 실제 성장에 있어서 별도의 공정 등으로 구별되는 것은 아니다.
구체적으로, In을 포함하는 질화물계 반도체층 성장 시, In이 격자 내에 포함되지 않고 서로 응집되어 성장 표면에 In 편석이 발생할 확률이 높다. 특히, m면 성장면을 갖는 질화물계 반도체를 성장시킬 때, c면 성장면을 갖는 질화물계 반도체를 성장시키는 경우보다 In 편석이 발생할 확률이 더욱 높다. 이러한 In 편석이 질화물계 반도체층의 표면에 형성되면, 상기 In 편석에 의해 계속하여 성장되는 부분에 적층 결함이 발생한다. 특히, c면 성장면을 갖는 질화물계 반도체 내의 결함은 대부분 선형의 1차원 결함인데 비해, m면과 같은 비극성 또는 반극성 성장면을 갖는 질화물계 반도체층 내에 발생된 적층 결함은 2차원적인 결함을 유발하여 제조된 발광 소자의 결정성을 매우 떨어뜨린다. 이에 따라, 2차원적인 결함을 따라 누설 전류가 발생하고, 누설 전류량이 매우 증가하여 상기 발광 소자의 정전기 방전 내성을 악화시키며, 내부 양자 효율을 저하시킨다.
그러나, 분위기 가스가 N2 및 H2를 포함하므로, H2 가스가 In의 휘발을 촉진하여 질화물계 반도체층의 성장 표면의 In이 부분적으로 증발시킨다. 특히, 상기 표면에 응집되어 있는 In 편석 내의 In 원자들간 결합력이 약해 H2 가스에 의해 용이하게 증발된다. 따라서, 상부 영역(300b)의 In 원자 밀도를 감소시켜, 비극성 또는 반극성 성장면을 갖는 SFS층(300)의 성장 표면에 In 편석이 발생하는 것이 억제될 수 있다. 이에 따라, In 편석에 의해 발광 소자 내에 적층 결함이 발생할 확률을 매우 감소시킬 수 있다.
SFS(300)이 상기 [식 1]의 값을 만족함으로써, SFS층(300)과 SFS층(300) 보다 상부에 위치하는 층들 간의 계면에서 발생하는 In 편석을 억제하고 이로 인해 국부적으로 발생하는 적층 결함의 발생을 억제시킬 수 있다. 구체적으로, SFS층(300)이 In을 포함하여, SFS층(300)의 밴드갭을 낮아지면 SFS층(300)을 기준으로 상부층과 하부층간 격자상수 차이가 발생한다. 이로 인해 SFS층(300)과 상부층간 계면에 적층 결함이 발생할 수 있다. 그러나 본 발명에 따르면, In 원자 밀도 표준 편차가 낮은 영역은 In 원자 밀도 표준 편차가 높은 영역보다 상대적으로 상부에 위치하여, SFS층(300)과 SFS층(300) 보다 상부에 위치하는 층들 간의 계면에서 발생하는 In 편석을 억제하고 이로 인해 국부적으로 발생하는 적층 결함의 발생을 억제시킬 수 있다.
일례로, 도 6 내지 도 9를 참조하여 본 실시예에 따른 SFS층(300)의 In 원자의 밀도에 대해 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라, 성장 방향에 따른 In 조성비의 변화를 아톰 프로브(atom probe) 장비를 이용하여 측정한 그래프이고, 도 8은 SFS층(300)의 상부 영역(300b) 및 하부 영역(300a)의 인듐의 분포를 나타내는 아톰 프로브 평면도이다. 또한, 도 7은 비교예에 따라, 성장 방향에 따른 In 조성비의 변화를 아톰 프로브(atom probe) 장비를 이용하여 측정한 그래프이고, 도 9는 SFS층의 상부 영역 및 하부 영역의 인듐의 분포를 나타내는 아톰 프로브 평면도이다.
도 6의 SFS층(300)은 분위기 가스로 N2 및 H2 가스를 이용하였고, 도 7의 SFS층은 분위기 가스로 N2 가스를 이용하였다.
도 6 및 도 7을 참조하면, SFS층에 있어서, 상부 계면은 수평축에서 '2'에 해당하고, 하부 계면은 수평축에서 '8'에 해당한다. 따라서 상부 영역(300b)은 수평축에서 '2' 내지 '5'에 대응하는 부분이고, 하부 영역(300a)은 수평축에서 '5' 내지 '8'에 대응하는 부분이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 SFS층(300)의 상부 계면에서의 In의 조성비는 약 0.06 at%이고, 하부 계면에서의 In의 조성비는 약 0.08 at%이다. 즉, 상부 계면에서의 In 조성비가 하부 계면에서의 In 조성비에 비해 낮은 것을 알 수 있다. 특히, SFS층(300)의 중간 부분에서 In 조성비가 가장 높고 상부 표면의 In 조성비가 층의 중간 부분의 In 조성비보다 낮거나 층 전체에서 In 조성비가 가장 낮다. 예컨대, 상부 표면의 In 조성비는 SFS층(300)의 중간 부분에서의 최대 In 조성비에 비해 약80%이하일 수 있다.
또한, 도 8을 참조하면, 도 8에서 붉은 색이 진하게 표시된 부분이 In의 밀도가 높은 영역을 나타내며, 도 8의 (a) 및 (b)는 각각 상부 영역과 하부 영역을 도시한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 상부 영역(300b)의 In 밀도는 하부 영역(300a)의 In 밀도에 비해 현저히 낮은 것을 알 수 있다.
반면, 도 7에 도시된 바와 같이, 비교예에 따른 SFS층의 상부 계면에서의 In의 조성비는 약 0.08 at%이고, 하부 계면에서의 In의 조성비는 약 0.06 at%이다. 즉, 상부 계면에서의 In 조성비가 하부 계면에서의 In 조성비에 비해 낮은 것을 알 수 있다. 또한, 도 9를 참조하면, 도 9에서 붉은 색이 진하게 표시된 부분이 In의 밀도가 높은 영역을 나타내며, 도 9의 (a) 및 (b)는 각각 상부 영역과 하부 영역을 도시한다. 도 9에 도시된 바와 같이, 상부 영역의 In 밀도는 하부 영역의 In 밀도에 비해 더 높은 것을 알 수 있다.
이와 같이, SFS층(300) 성장 시 H2 가스를 분위기 가스로 더 도입함으로써 비교예에 비해 상부 표면의 In 농도가 감소하는 것을 알 수 있다. 따라서, SFS층(300) 성장 과정에서 H2 가스를 더 도입하면, 상부 표면의 In의 조성비가 전체적으로 감소하면서 In의 편석이 감소될 수 있다.
또한, 도 4b에 도시된 바와 같이, SFS층(300)은 다중층으로구 구성될 수 있고, 이 경우, SFS층(300)은 제1 질화물층(310) 및 제2 질화물층(320)을 포함할 수 있다. 제1 질화물층(310)과 제2 질화물층(320)은 1주기 이상 주기적으로 반복 적층될 수 있다. 이때, 제1 질화물층(310)의 밴드갭 에너지는 제2 질화물층(320)의 밴드갭 에너지보다 클 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 질화물층(310, 320)이 2주기 이상 반복 적층된 경우, 밴드갭 에너지 다이아그램으로 볼 때, 제2 질화물층(320)은 우물층에 대응하고, 제1 질화물층(310)은 장벽층에 대응할 수 있다. 제1 및 제2 질화물층(310, 320)의 두께는 한정되지 않으나, 각각 약 1 내지 10nm의 두께를 가질 수 있다. 이 경우, SFS층(300)은 제1 및 제2 질화물층(310, 320)이 반복 적층된 초격자 구조를 포함할 수 있다.
제1 질화물층(310)은 GaN 또는 InGaN을 포함할 수 있고, 제2 질화물층(320)은 In을 포함할 수 있고, 예를 들어, InGaN을 포함할 수 있다. 따라서, SFS층(300)은 InGaN/GaN 적층 구조 또는 InGaN/InGaN 적층 구조를 포함할 수 있다. 또한, 제1 질화물층(310)이 InGaN을 포함하고, 제2 질화물층(320) 역시 InGaN을 포함하는 경우, 제2 질화물층(320)의 In 조성비는 제1 질화물층(310)의 In 조성비보다 높으며, 이에 따라, 제2 질화물층(320)의 밴드갭 에너지는 제1 질화물층(310)의 밴드갭 에너지보다 작을 수 있다.
한편, 제2 질화물층(320)은 하부 영역(321) 및 상부 영역(323)을 포함할 수 있다. 이하, SFS층(300)의 성장 방법과 함께, 하부 및 상부 영역(321, 323)과 관련하여 상세하게 설명한다. 다만, 제2 질화물층(320)의 상부 영역(323)과 하부 영역(321)은 설명의 편의를 위해 구분된 영역일 뿐, 실제 성장에 있어서 별도의 공정 등으로 구별되는 것은 아니다.
SFS층(300)을 형성하는 것은, MOCVD 챔버 내에 Ⅲ족 원자 소스(예를 들어, TMGa 및/또는 TMIn) 및 Ⅴ족 원자 소스(예를 들어, NH3)를 도입하되, 분위기 가스로 N2를 성장 챔버 내로 공급하여 GaN 및/또는 InGaN을 포함하는 제1 질화물층(310)을 성장시키고, 이어서, MOCVD 챔버 내에 Ⅲ족 원자 소스(예를 들어, TMGa 및 TMIn) 및 Ⅴ족 원자 소스(예를 들어, NH3)를 도입하되, 분위기 가스로 N2 및 H2를 성장 챔버 내로 공급하여 InGaN을 포함하는 제2 질화물층(320)을 성장시키는 것을 포함할 수 있다. 제1 질화물층(310)과 제2 질화물층(320)의 성장 시간을 조절하여 각 층의 두께를 조절할 수 있다. 나아가, SFS층(300)을 형성하는 것은, 제1 및 제2 질화물층(310, 320)을 성장시키는 것을 1주기 이상 반복하여 제1 및 제2 질화물층(310, 320)이 1주기 이상 반복 적층된 초격자 구조를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
한편, 제2 질화물층(320) 성장 시, 분위기 가스는 N2뿐만 아니라, H2를 포함한다. 이에 따라, 제2 질화물층(320) 성장 과정에서, 표면에 In 편석(segregation)이 발생하는 것이 억제될 수 있다. 이와 관련하여서는, 도 4a를 참조하여 설명한 SFS층(300)의 상부 영역(300b)에서 In 편석의 발생이 억제되는 것과 대체로 유사하며, 이하 상세한 설명은 생략한다.
이와 같이, H2가스에 의해 제2 질화물층(320)의 In 편석 발생이 억제되고, 또한, 제2 질화물층(320)의 성장 표면에서의 In 밀도가 감소될 수 있다. 따라서, 제2 질화물층(320)의 하부 영역(321) 및 상부 영역(323) 간의 In원자 밀도 비율은 하기 [식 2]과 같은 소정의 비율 관계를 가질 수 있다.
[식 2]
Figure pat00003
Figure pat00004

상기 [식 2]는 다양한 방법을 통해 얻어질 수 있다. 예를 들어, 아톰 프로브(atom probe) 장비를 이용하여 1nm3 의 단위 부피 당 In 원자의 수를 측정하고, 수득된 밀도 값의 위치에 따른 분포 데이터를 정규 분포화하여 얻을 수 있다. 상기 표준 편차 값이 크다는 것은 In원자 밀도가 주변에 비해 높은 영역이 많이 존재함을 의미하고 표준 편차 값이 작다는 것은 In 원자 밀도가 영역 내에 전체적으로 균일함을 의미한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 다양한 측정 장비를 이용하여 상기 값을 도출할 수도 있다.
[식 2]에 나타난 바와 같이, 상기 RD가 1.0 미만의 값을 가짐으로써, 제2 질화물층(320) 표면에서의 In 편석이 발생되는 것이 억제될 수 있다. 나아가, 상기 RD값은 0.91≤RD<1.0의 범위를 만족하는 값일 수 있다.또한, 본 실시예에서 제2 질화물층(320)의 상부 영역(323)과 하부 영역(321)은 도 6에 도시된 바와 유사한 패턴의 In 조성비 프로파일을 가질 수 있다. 나아가, 상부 영역(323)과 하부 영역(321)을 아톰 프로브 장비를 이용하여 In 밀도를 측정하면, 도 8에 도시된 바와 유사한 패턴의 In 밀도 평면도가 도출될 수 있다. 이와 관련하여 중복되는 상세한 설명은 생략한다.
이와 같이, SFS층(300)이 제2 질화물층(320)을 포함하여, SFS층(300)은 발광 소자 내에 적층 결함이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 나아가, SFS층(300)은 제1 및 제2 질화물층(310, 320)의 초격자구조를 포함하여, SFS층(300)의 하단에 발생한 결함이 활성층(400)으로 전파되는 것을 방지할 수 있다.
특히, m면 성장면과 같은 비극성 성장면 또는 반극성 성장면을 갖는 반도체층들을 포함하는 발광 소자가 SFS층(300)을 포함함으로써, 적층 결함이 효과적으로 방지되어 종래의 비극성 발광 소자에 비해 더욱 내부 양자 효율이 높고, 정전기 방전에 대한 내성이 향상되어 신뢰성이 향상된 발광 소자가 제공될 수 있다.
한편, SFS층(300)은 언도핑 또는 제1 도전형 반도체층(200)과 동일한 도전형으로 도핑될 수 있다. 예를 들어, SFS층(300)은 Si와 같은 불순물을 포함하여 n형으로 도핑될 수 있다. SFS층(300)의 도핑 농도는 두께 방향에 따라 일정할 수도 있고, 또는 규칙적 또는 불규칙적으로 변화할 수도 있다.
이어서, 도 5를 참조하면, 활성층(400) 및 제2 도전형 반도체층(500)을 형성할 수 있고, 이에 따라, 도 5에 도시된 바와 같은 발광 소자가 제공될 수 있다.
활성층(400)은 (Al, Ga, In)N과 같은 질화물 반도체를 포함할 수 있으며, MOCVD, MBE, 또는 HVPE 등의 기술을 이용하여 SFS층(300) 상에 성장될 수 있다. 또한, 활성층(400)은 다중양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있으며, 상기 다중 양자우물구조를 이루는 반도체층들이 원하는 피크 파장의 광을 방출하도록, 상기 반도체층들을 이루는 원소 및 그 조성이 조절될 수 있다. 활성층(400)은 비극성 또는 반극성의 성장면을 가질 수 있고, 특히, m면 성장면을 가질 수 있다.
또한, 활성층(400)은 SFS층(300) 상에 위치하되, SFS층(300)의 바로 위에 위치할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, SFS층(300)과 활성층(400)의 사이에 다른 층들(예컨대, 전자주입층)이 더 개재될 수도 있다. 이때, SFS층(300)과 활성층(400)은 약 5 내지 200nm의 거리를 두고 이격될 수 있다. 상기 거리보다 멀게 SFS층(300)과 활성층(400)이 이격되는 경우, 활성층(400)의 스트레인 완화(strain relaxation)로 인하여 활성층(400) 자체 내에서 적층결함 또는 피트(pit)가 발생할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
활성층(400)이 m면과 같은 비극성 성장면 또는 반극성 성장면을 가짐으로써, 자발 분극에 의한 전자와 정공의 공간적 분리 현상이 완화될 수 있어, 발광의 적색편이 현상이 최소화될 수 있다. 또한, 활성층(400)의 하단에 SFS층(300)이 위치함으로써, 활성층(400) 내부의 적층 결함이 최소화될 수 있고, 전위와 같은 결함의 밀도 역시 감소될 수 있다. 따라서 활성층(400)의 결정성이 향상되어 내부 양자 효율이 향상되고 정전기 방전에 의한 활성층(400)의 파손이 방지되어 발광 소자의 신뢰성이 향상될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(500)은 (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함할 수 있으며, MOCVD, MBE, 또는 HVPE 등의 기술을 이용하여 활성층(400) 상에 성장될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(500)은 제1 도전형 반도체층(200)의 도전형과 반대의 도전형으로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제2 도전형 반도체층(500)은 Mg과 같은 불순물을 포함하여 p형으로 도핑될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고, 서로 반대의 경우일 수도 있다. 제2 도전형 반도체층(500)은 비극성 또는 반극성의 성장면을 가질 수 있으며, 이는 기판(100)의 성장면에 대응할 수 있다.
도 5의 발광 소자는 추가적인 공정을 통해 다양한 형태의 발광 소자로 응용될 수 있다. 예를 들어, 도 5의 발광 소자를 메사 식각하여 제1 도전형 반도체층(200)을 부분적으로 노출시키고, 제1 및 제2 도전형 반도체층(200, 500) 상에 각각 제1 및 제2 전극(미도시)을 형성하여 수평형 발광 소자 또는 플립칩형 발광 소자를 형성할 수 있다. 또한, 기판(100)을 제1 도전형 반도체층(200)으로부터 분리 및 제거하여, 제1 및 제2 도전형 반도체층(200, 500)의 표면 상에 각각 제1 및 제2 전극(미도시)을 전기적으로 연결하여 수직형 발광 소자를 구현할 수도 있다.
종래에 초격자는 c면 성장 시 활성층의 분극을 억제하는 효과 외에도 활성층으로 전자를 제공하는 효과가 있는 등 여러 기능이 있어 비단 극성뿐만 아니라 비극성 또는 반극성 반도체층을 포함하는 발광 소자에 적용한다. 그러나 초격자를 성장함에 있어, 각 층간 격자상수 차이로 인해 계면에 적층 결함이 발생해 활성층까지 확장하여 누설전류를 발생시킬 수 있어. 기술적 장벽으로 작용해 왔다. 특히 In의 편석(segregation) 현상으로 인해 상기 부작용이 심해져 효율저하에 큰 요소로 작용해 실 적용에 어려움을 겪어 왔다. 그러나 본 발명에 딸면, In 편석이 최소화되고, 적층 결함을 획기적으로 감소시킬 수 있는 SFS층을 포함하는 발광 소자를 제공함으로써, 발광 소자의 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하, SFS층(300)의 제2 질화물층(320) 성장 시, 분위기 가스로 N2가스만을 이용한 경우와 H2가스 및 N2가스를 동시에 이용한 경우의 RD값을 비교하여 설명한다. 이하 설명되는 실험 데이터는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것이고, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예는 모두 MOCVD챔버 내에서 성장되어 제조된 발광 소자들이다. 먼저, 실시예의 발광 소자는 SFS층을 포함하며, 상기 SFS층의 제2 질화물층 성장 시 분위기 가스로 H2가스 및 N2가스를 성장 챔버 내에 도입하였다. 다음, 비교예의 발광 소자 역시 SFS층을 포함하나, 상기 SFS층의 제2 질화물층 성장 시 분위기 가스로 N2가스를 성장 챔버 내에 도입하였다. 이에 따라, 제조된 실시예의 발광 소자 및 비교예의 발광 소자 각각에 대해서, 아톰 프로브(Atom probe)를 이용하여 제2 질화물층 내의 단위 부피(1nm3)당 상기 상부 영역의 In 원자 밀도 표준 편차와 단위 부피(1nm3)당 상기 하부 영역의 In 원자 밀도 표준 편차를 측정하였다. 실시예 및 비교예 각각에 대해, 세 개의 제2 질화물층에서의 In 원자 밀도 표준 편차를 측정하여 RD 값을 계산하고, 하기 [표 1]에 결과를 도시한다.
Figure pat00005
[표 1]의 결과에 따르면, 실시예에서 RD 값이 더욱 작게 측정된 것을 알 수 있고, 또한, 실시예의 제2 질화물층에서는 RD 값이 1미만으로 측정된 것을 알 수 있다. 이 결과로부터, 실시예의 제2 질화물층에는 In 편석의 발생이 억제된 것을 알 수 있다.
상기 실시예와 비교예에 따른 발광 소자의 특성 데이터를 아래 [표 2]에 도시한다.
Figure pat00006
[표 2]에 나타난 바와 같이, 본 실시예의 발광 소자는 비교예에 비해 낮은 순방향 전압을 갖고, 높은 발광 파워를 나타낸다. 즉, 실시예에 따른 발광 소자의 발광 효율이 비교예에 비해 월등히 높은 것을 알 수 있다. 또한, 본 실시예의 발광 소자는 비교예에 비해 낮은 역방향 전류를 갖는 것으로부터 누설 전류가 더욱 효과적으로 방지된 것을 알 수 있고, 또한 더 높은 역방향 전압을 갖는 것으로부터 신뢰성이 더욱 우수한 것을 알 수 있다.
이상, 상기 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하고, 본 발명은 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 모두 포함한다.

Claims (11)

  1. 비극성 또는 반극성 성장면을 갖는 제1 도전형 반도체층;
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며, In을 포함하는 SFS층;
    상기 SFS층 상에 위치하는 활성층; 및
    상기 활성층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층을 포함하고,
    상기 SFS층은 하부 영역 및 상부 영역을 포함하고,
    상기 하부 영역과 상부 영역은 하기 [식 1]의 조건을 만족하는 상호관계를 갖는 발광 소자.
    ([식 1]
    단위 부피(1nm3)당 상기 상부 영역의 In 원자 밀도 표준 편차/단위 부피(1nm3)당 상기 하부 영역의 In 원자 밀도 표준 편차 = RD 일 때,
    0.8≤RD＜1.0)
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 SFS층은 제1 질화물층 및 상기 제1 질화물층보다 작은 밴드갭 에너지를 가지며, In을 포함하는 제2 질화물층이 1주기 이상 적층된 구조를 포함하며,
    상기 제2 질화물층은 하부 영역 및 상부 영역을 포함하되, 상기 제2 질화물층의 하부 영역과 상부 영역은 하기 [식 2]의 조건을 만족하는 상호 관계를 갖는 발광 소자.
    ([식 2]
    단위 부피(1nm3)당 상기 제2 질화물층의 상부 영역의 In 원자 밀도 표준 편차/단위 부피(1nm3)당 상기 제2 질화물층의 하부 영역의 In 원자 밀도 표준 편차 = RD2 일 때,
    0.8≤RD2＜1.0)
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 비극성 성장면은 m면을 포함하고, 상기 반극성 성장면은 {20-2-1} 또는 {30-3-1}을 포함하는 발광 소자.
  4. 청구항 1에 있어서
    상기 비극성 또는 반극성 성장면은 -10° 내지 +10° 범위 내의 오프각을 갖는 발광 소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 SFS층의 In 농도는 두께 방향에 따라 다르며,
    상기 SFS층의 중간 부분이 In 조성비가 가장 높고, 상기 SFS층의 상부 표면의 In 조성비가 상기 중간 부분의 In 조성비보다 낮거나 상기 SFS층 전체에서 In 조성비가 가장 낮은 발광 소자.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 질화물층은 GaN 및/또는 InGaN을 포함하고, 상기 제2 질화물층은 InGaN을 포함하는 발광 소자.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2 질화물층의 In 농도는 두께 방향에 따라 다르며,
    상기 제2 질화물층의 중간 부분이 In 조성비가 가장 높고, 상기 제2 질화물층의 상부 표면의 In 조성비가 상기 중간 부분의 In 조성비보다 낮거나 상기 제2 질화물층 전체에서 In 조성비가 가장 낮은 발광 소자.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제2 질화물층 상부 표면의 In 조성비는 상기 제2 질화물층의 중간 부분의 In 조성비의 80% 이하인 발광소자.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 SFS층은 상기 제1 도전형 반도체층과 동일한 도전형으로 도핑된 발광 소자.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 RD는 0.91≤RD≤1.0의 범위 내의 값인 발광 소자.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 활성층은 상기 SFS층의 바로 위에 위치하거나, 100nm 이내의 거리에 위치하는 발광 소자.
KR1020140186258A 2014-12-22 2014-12-22 발광 소자 및 그 제조 방법 KR20160076265A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140186258A KR20160076265A (ko) 2014-12-22 2014-12-22 발광 소자 및 그 제조 방법
PCT/KR2015/014123 WO2016105098A1 (en) 2014-12-22 2015-12-22 Light emitting device and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140186258A KR20160076265A (ko) 2014-12-22 2014-12-22 발광 소자 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160076265A true KR20160076265A (ko) 2016-06-30

Family

ID=56151036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140186258A KR20160076265A (ko) 2014-12-22 2014-12-22 발광 소자 및 그 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20160076265A (ko)
WO (1) WO2016105098A1 (ko)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101507130B1 (ko) * 2008-11-20 2015-03-30 서울바이오시스 주식회사 초격자층을 갖는 발광 다이오드
WO2012158593A2 (en) * 2011-05-13 2012-11-22 The Regents Of The University Of California SUPPRESSION OF INCLINED DEFECT FORMATION AND INCREASE IN CRITICAL THICKNESS BY SILICON DOPING ON NON-C-PLANE (Al,Ga,In)N
WO2013049578A2 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Group iii-v substrate material with particular crystallographic features and methods of making
KR101271723B1 (ko) * 2011-10-06 2013-06-04 한국광기술원 적층결함이 제거된 ⅲ족 질화물 기판의 제조방법
CN103430334A (zh) * 2012-02-28 2013-12-04 松下电器产业株式会社 氮化物半导体发光元件和具备该氮化物半导体发光元件的光源

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016105098A1 (en) 2016-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111048578B (zh) 半导体装置
US9324908B2 (en) Nitride semiconductor light-emitting element
KR102122846B1 (ko) 질화물 반도체 성장 방법, 이를 이용한 반도체 제조용 템플릿 제조 방법 및 반도체 발광 소자 제조 방법
JP5559814B2 (ja) 窒化物系半導体発光ダイオードおよびその製造方法
US8803274B2 (en) Nitride-based semiconductor light-emitting element
US20170012166A1 (en) Semiconductor light-emitting element
US8878211B2 (en) Heterogeneous substrate, nitride-based semiconductor device using same, and manufacturing method thereof
WO2021060538A1 (ja) レーザーダイオード
JP2008118049A (ja) ＧａＮ系半導体発光素子
KR20150048337A (ko) 근자외선 발광 소자
JP2008288532A (ja) 窒化物系半導体装置
KR102131697B1 (ko) 정전기 방전 특성이 향상된 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101104239B1 (ko) 이종 기판, 그를 이용한 질화물계 반도체 소자 및 그의 제조 방법
KR101644156B1 (ko) 양자우물 구조의 활성 영역을 갖는 발광 소자
WO2008056632A1 (fr) Élément électroluminescent semi-conducteur gan
KR102553985B1 (ko) Ⅲ족 질화물 반도체
KR20160076265A (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101152989B1 (ko) 질화갈륨막을 포함하는 반도체 기판 및 그 제조방법과 발광소자
KR20150025278A (ko) AlGaN/GaN 초격자층을 이용한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR101903359B1 (ko) 반도체 발광소자
KR20110133239A (ko) 신뢰성 있는 발광 다이오드
US20220310874A1 (en) Group iii nitride semiconductor device and method for producing same
KR20160057664A (ko) 고효율 발광 소자
KR20140104755A (ko) 반도체 발광소자
KR20160149837A (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination