KR20160064958A - Method for producing bump-formed plate-like member, bump-formed plate-like member, method for producing electronic component, and electronic component - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a plate-shaped member having a projection electrode, a plate-shaped member having a projection electrode, a method of manufacturing an electronic component, and an electronic component.
IC, 반도체 칩 등의 전자 부품(이하, 간단히 「칩」이라고도 한다.)은 수지 밀봉 성형되어 이용되는 경우가 많다.BACKGROUND ART [0002] Electronic components (hereinafter, simply referred to as " chips ") such as ICs and semiconductor chips are often used by resin sealing molding.
상기 칩이 수지 밀봉된 전자 부품(완성품으로서의 전자 부품, 또는 패키지 등이라고도 한다. 이하, 간단히 「전자 부품」이라도 한다.)은, 수지 중에 비아(via) 전극이 매립되어 형성될 수 있다. 이 비아 전극은 예를 들면, 전자 부품의 상기 수지에, 패키지 윗면으로부터 비아 형성용 홀 또는 홈(이하, 「비아 형성공」이라고 한다.)을 형성하고, 상기 비아 형성공을 상기 비아 전극 형성 재료(예를 들면, 도금, 실드재, 땜납 볼 등)로 채워 형성할 수 있다. 상기 비아 형성공은, 예를 들면 전자 부품(패키지) 윗면으로부터 상기 수지에 레이저광을 조사함으로써 형성할 수 있다. 또한, 비아 전극 형성을 위한 다른 방법으로서 돌기를 가지는 금속 구조체의 상기 돌기를 반도체 칩과 함께 수지 밀봉한 후, 상기 금속 구조체의 상기 돌기 이외의 부분을 제거하는 방법이 제안된바 있다(특허문헌 1). 이 경우, 전자 부품 중 상기 금속 구조체의 상기 돌기만이 수지 밀봉된 상태로 남아, 이것이 비아 전극이 된다.An electronic part in which the chip is resin-sealed (also referred to as an electronic part, a package, or the like as a finished product, hereinafter, simply referred to as an "electronic part") may be formed by embedding a via electrode in a resin. This via electrode is formed by, for example, forming a via hole or a groove (hereinafter, referred to as " via type success ") from the package upper surface to the resin of the electronic component, (For example, a plating, a shielding material, a solder ball, or the like). The via-type success can be formed, for example, by irradiating the resin with laser light from the upper surface of the electronic component (package). As another method for forming the via-electrode, there has been proposed a method in which the protrusion of the metal structure having the protrusion is resin-sealed together with the semiconductor chip, and then the portion other than the protrusion of the metal structure is removed (see Patent Document 1 ). In this case, only the projections of the metal structure among the electronic parts remain in a resin-sealed state, and this becomes a via-electrode.
한편, 상기 전자 부품은 상기 칩이 발생시키는 열을 방출하여 냉각하기 위한 방열판(히트싱크), 또는 상기 칩이 발생시키는 전자파를 차폐하기 위한 실드(차폐판) 등의 판상 부재와 함께 성형될 수 있다(예를 들면, 특허문헌 2 및 3).Meanwhile, the electronic component may be molded together with a plate member such as a heat sink (heat sink) for cooling and discharging heat generated by the chip, or a shield (shield plate) for shielding electromagnetic waves generated by the chip (For example, Patent Documents 2 and 3).
수지에 비아 형성공을 형성하는 방법에는, 예를 들면 하기 (1)~(5) 등의 문제가 있다.Methods for forming a via-type success in a resin have problems such as the following (1) to (5).
(1) 전자 부품(패키지)의 두께 편차 등으로 인해, 기판의 배선 패턴상에서 비아 형성공의 깊이 등이 적절하게 형성되지 않을 우려가 있다.(1) Due to variations in the thickness of the electronic component (package), there is a possibility that the depth of the via-type success or the like may not be appropriately formed on the wiring pattern of the substrate.
(2) 수지 재료에 포함되는 필러가 기판의 배선 패턴 위에 남기 쉽다.(2) The filler included in the resin material tends to remain on the wiring pattern of the substrate.
(3) 상기 수지에 비아 형성공을 천공하는 조건에 따라서는, 칩이 탑재된 기판상의 배선 패턴에 손상을 입힐 우려가 있다.(3) There is a risk that the wiring pattern on the substrate on which the chip is mounted may be damaged depending on the conditions for piercing the via-type success in the resin.
(4) 상기 (3)과 관련하여, 수지 재료의 필러 밀도가 다르면, 상기 수지에 비아 형성공을 천공하는 레이저의 가공 조건을 변경할 필요가 있다. 즉, 비아 형성공의 형성 조건의 제어가 번잡하다.(4) With respect to (3) above, if the filler densities of the resin materials are different, it is necessary to change the processing conditions of the laser which punctures the via-type success in the resin. That is, the control of forming conditions of via-type success is complicated.
(5) 상기(1)~(4)의 영향에 의해, 전자 부품(패키지) 제조의 제품 수율이 향상되기 어렵다.(5) Due to the effects of the above (1) to (4), it is difficult to improve the product yield of electronic parts (packages).
한편, 특허문헌 1의 방법에서는, 금속 구조체의 상기 돌기를 수지 밀봉한 후, 상기 금속 구조체의 상기 돌기 이외의 부분을 제거하는 공정이 필요하다. 따라서, 전자 부품(패키지)의 제조 공정이 번잡하고, 또한 재료의 낭비가 생긴다.On the other hand, in the method of Patent Document 1, a step of removing the protrusion of the metal structure after the resin-sealing of the projection of the metal structure is required. Therefore, the manufacturing process of the electronic component (package) is troublesome, and the waste of the material occurs.
또한, 상기 어느 방법에서나, 판상 부재 형성을 위해서는 비아 전극 형성 후에 도금 등에 의해 형성해야 하므로 공정이 번잡하다.In any of the above methods, the formation of the plate-like member requires plating after forming the via-electrode, which complicates the process.
또한, 특허문헌 2 및 3에는, 판상 부재를 가지는 전자 부품 및 그 제조 방법이 기재되어 있으나, 비아 전극의 형성에 있어서 상기 각 방법의 과제를 해결할 수 있는 방법은 기재되어 있지 않다.Patent Documents 2 and 3 disclose an electronic component having a plate-shaped member and a method of manufacturing the same, but there is no description of a method that can solve the problems of each of the above methods in forming the via-electrode.
이와 같이, 비아 전극 및 판상 부재를 모두 가지는 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 기술은 존재하지 않는다.As described above, there is no technology that can easily and efficiently manufacture an electronic part having both a via-electrode and a plate-like member.
따라서, 본 발명은, 비아 전극 및 판상 부재를 모두 가지는 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention provides a method of manufacturing a plate-shaped member having a protruding electrode, a plate-shaped member having a protruding electrode, a method of manufacturing an electronic component, and an electronic component, which can easily and efficiently manufacture an electronic component having both a via- .
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법은 칩을 수지 밀봉한 전자 부품의 부재의 제조 방법으로서,Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, a method for manufacturing a plate-shaped member with a projection electrode according to the present invention is a method for manufacturing a member of an electronic component,
상기 부재는 판상 부재의 편면에 돌기 전극이 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재이며,Wherein the member is a plate-like member having a protruding electrode in which protruding electrodes are fixed to one surface of the plate-
성형틀을 이용한 성형에 의해, 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 성형 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.And a forming step of simultaneously molding the plate member and the protruding electrode by molding using a molding die.
본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재는 상기 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법에 의해 제조되는 돌기 전극 구비 판상 부재이다.The plate-shaped member having a projection electrode of the present invention is a plate-shaped member having a projection electrode, which is produced by the method of manufacturing the plate-shaped member having a projection electrode of the present invention.
본 발명의 전자 부품의 제조 방법은,A method of manufacturing an electronic component of the present invention includes:
칩을 수지 밀봉한 전자 부품의 제조 방법으로서,A method of manufacturing an electronic part in which a chip is resin-sealed,
제조되는 상기 전자 부품이, 기판, 칩, 수지, 판상 부재 및 돌기 전극을 포함하며, 상기 기판상에 배선 패턴이 형성된 전자 부품이고,Wherein the electronic component to be manufactured is an electronic component including a substrate, a chip, a resin, a plate-like member, and a projection electrode, and a wiring pattern formed on the substrate,
상기 제조 방법은 상기 칩을 상기 수지에 의해 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 가지고,The manufacturing method includes a resin sealing step of sealing the chip with the resin,
상기 수지 밀봉 공정에서, 상기 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 상기 돌기 전극의 고정면과 상기 기판의 상기 배선 패턴 형성면 사이에서, 상기 칩을 상기 수지에 의해 밀봉함과 함께 상기 돌기 전극을 상기 배선 패턴에 접촉시키는 것을 특징으로 한다.In the resin encapsulation step, the chip is sealed with the resin between the fixing surface of the protruding electrode in the projection electrode-equipped plate member of the present invention and the wiring pattern formation surface of the substrate, and the protruding electrode And is brought into contact with the wiring pattern.
본 발명의 전자 부품은,In the electronic component of the present invention,
칩을 수지 밀봉한 전자 부품으로서,An electronic component in which a chip is resin-sealed,
상기 전자 부품은 기판, 칩, 수지 및 상기 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재를 포함하고,The electronic component includes a substrate, a chip, a resin, and a plate member having the projection electrode of the present invention,
상기 칩은 상기 기판상에 배치됨과 함께 상기 수지에 의해 밀봉되어 있으며,The chip being disposed on the substrate and being sealed by the resin,
상기 기판상의 상기 칩 배치측에 배선 패턴이 형성되고,A wiring pattern is formed on the chip arrangement side on the substrate,
상기 돌기 전극은 상기 수지를 관통하여 상기 배선 패턴에 접촉되어 있는 것을 특징으로 한다.And the projecting electrode is in contact with the wiring pattern through the resin.
본 발명에 의하면, 비아 전극(돌기 전극) 및 판상 부재 모두를 가지는 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품을 제공할 수 있다.According to the present invention, there can be provided a method of manufacturing a plate-like member having a projection electrode, which can easily and efficiently manufacture an electronic component having both a via-electrode (projection electrode) and a plate-like member, a plate- Parts can be provided.
도 1은 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 구조의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 돌기 전극의 구조를 예시하는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 돌기 전극의 구조의 다른 일례를 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 돌기 전극의 구조의 또 다른 일례를 나타내는 사시도이다.
도 5는 전기 주조에 의한 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법의 일례를 나타내는 공정 단면도이다.
도 6은 전기 주조에 의한 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법의 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 7은 전기 주조에 의한 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법의 또 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 8은 전기 주조에 의한 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법의 또 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 9는 전기 주조에 의한 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법의 또 다른 일례를 나타내는 공정 단면도이다.
도 10a는 압축 성형에 의한 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법의 일례를 나타내는 공정 단면도이다.
도 10b는 도 10a에 이은 공정을 나타내는 공정 단면도이다.
도 11은 트랜스퍼 성형에 의한 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법의 일례를 나타내는 공정 단면도이다.
도 12는 본 발명의 전자 부품의 구조 및 그 제조 공정의 일례를 모식적으로 나타내는 공정 단면도이다.
도 13은 트랜스퍼 성형을 이용한 본 발명의 전자 부품의 제조 방법을 예시하는 단면도이다.
도 14는 압축 성형을 이용한 본 발명의 전자 부품의 제조 방법 일례의 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 15는 도 14와 동일한 제조 방법의 다른 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 16은 도 14와 동일한 제조 방법의 또 다른 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 17은 도 14와 동일한 제조 방법의 또 다른 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 18은 압축 성형을 이용한 본 발명의 전자 부품의 제조 방법의 다른 일례의 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 19는 도 18과 동일한 제조 방법의 다른 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 20은 압축 성형을 이용한 본 발명의 전자 부품의 제조 방법의 또 다른 일례의 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 21은 도 20과 동일한 제조 방법의 다른 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 22는 도 20과 동일한 제조 방법의 또 다른 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 23은 도 20과 동일한 제조 방법의 또 다른 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 24는 압축 성형을 이용한 본 발명의 전자 부품의 제조 방법의 또 다른 일례의 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 25는 압축 성형을 이용한 본 발명의 전자 부품의 제조 방법의 또 다른 일례의 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 26은 본 발명의 전자 부품의 제조 방법의 또 다른 일례를 예시하는 단면도이다.
도 27은 본 발명의 전자 부품의 제조 방법의 또 다른 일례를 예시하는 단면도이다.
도 28은 압축 성형을 이용한 본 발명의 전자 부품의 제조 방법의 또 다른 일례의 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 29는 도 28과 동일한 제조 방법의 다른 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 30은 도 28과 동일한 제조 방법의 다른 일공정을 예시하는 단면도이다.
도 31은 도 28과 동일한 제조 방법의 다른 일공정을 예시하는 단면도이다.1 is a perspective view showing an example of the structure of a plate-shaped member having a projection electrode according to the present invention.
Fig. 2 is a perspective view illustrating the structure of protruding electrodes of a plate-shaped member having a protruding electrode according to the present invention.
Fig. 3 is a perspective view showing another example of the structure of protruding electrodes of the plate-shaped member having a protruding electrode of the present invention.
4 is a perspective view showing still another example of the structure of protruding electrodes of a plate-shaped member having a protruding electrode of the present invention.
5 is a process sectional view showing an example of a method for manufacturing a plate-shaped member having a projection electrode by electroforming.
6 is a cross-sectional view showing another example of a method of manufacturing a plate-like member having a projection electrode by electroforming.
7 is a cross-sectional view showing still another example of a method for manufacturing a plate-like member having a projection electrode by electroforming.
8 is a cross-sectional view showing still another example of a method for manufacturing a plate-shaped member having a projection electrode by electroforming.
Fig. 9 is a process sectional view showing still another example of a method for manufacturing a plate-like member having a projection electrode by electroforming;
10A is a process sectional view showing an example of a method for manufacturing a plate-like member having a projection electrode by compression molding.
Fig. 10B is a process sectional view showing the process after Fig. 10A.
11 is a process sectional view showing an example of a method for manufacturing a plate-shaped member having a projection electrode by transfer molding.
12 is a process sectional view schematically showing the structure of an electronic part of the present invention and an example of a manufacturing process thereof.
13 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an electronic component of the present invention using transfer molding.
14 is a cross-sectional view illustrating one example of a manufacturing method of an electronic component of the present invention using compression molding.
15 is a cross-sectional view illustrating another process of the same manufacturing method as that of Fig.
16 is a cross-sectional view illustrating another process of the same manufacturing method as that of Fig.
17 is a cross-sectional view illustrating another process of the same manufacturing method as that of Fig.
18 is a cross-sectional view illustrating one step of another example of the method for manufacturing an electronic component of the present invention using compression molding.
19 is a cross-sectional view illustrating another process of the same manufacturing method as that of Fig.
20 is a cross-sectional view illustrating another step of another example of the method for manufacturing an electronic component of the present invention using compression molding.
21 is a cross-sectional view illustrating another process of the same manufacturing method as that of Fig.
22 is a cross-sectional view illustrating another process of the same manufacturing method as that of Fig.
23 is a cross-sectional view illustrating another process of the same manufacturing method as that of Fig.
24 is a cross-sectional view illustrating another step of another example of the method for manufacturing an electronic component of the present invention using compression molding.
25 is a cross-sectional view illustrating another step of another example of the method for manufacturing an electronic component of the present invention using compression molding.
26 is a cross-sectional view illustrating still another example of the method for manufacturing an electronic component of the present invention.
27 is a cross-sectional view illustrating still another example of the method for manufacturing an electronic component of the present invention.
28 is a cross-sectional view illustrating another step of another example of the method for manufacturing an electronic component of the present invention using compression molding.
29 is a cross-sectional view illustrating another process of the same manufacturing method as that of Fig.
30 is a cross-sectional view illustrating another process of the same manufacturing method as that of Fig.
31 is a cross-sectional view illustrating another process of the same manufacturing method as that of Fig.
다음으로, 본 발명에 대해 예를 들어 더욱 상세히 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 설명에 의해 한정되지 않는다.Next, the present invention will be described in more detail by way of example. However, the present invention is not limited by the following description.
본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법은, 전술한 바와 같이 칩을 수지 밀봉한 전자 부품용 부재의 제조 방법으로서,The method of manufacturing a plate-shaped member with a projection electrode of the present invention is a method of manufacturing a member for an electronic part in which a chip is resin-sealed as described above,
상기 부재는 판상 부재의 편면에 돌기 전극이 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재이며,Wherein the member is a plate-like member having a protruding electrode in which protruding electrodes are fixed to one surface of the plate-
성형틀을 이용한 성형에 의해, 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 성형 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.And a forming step of simultaneously molding the plate member and the protruding electrode by molding using a molding die.
본 발명에 있어서, 「칩」은 수지 밀봉하기 전의 전자 부품을 말하며, 구체적으로는, 예를 들면 IC, 반도체 칩 등의 칩 형태의 전자 부품을 들 수 있다. 본 발명에 있어서, 수지 밀봉하기 전의 전자 부품은 수지 밀봉 후의 전자 부품과 구별하기 위해서, 편의상 「칩」이라고 한다. 그러나, 본 발명에서의 「칩」은 수지 밀봉하기 전의 전자 부품이면 특별히 한정되지 않으며, 칩 형태의 전자 부품이 아니어도 된다. 또, 본 발명에 있어서, 간단히 「전자 부품」이라고 하는 경우는 특별히 언급하지 않는 이상 상기 칩이 수지 밀봉된 전자 부품(완성품으로서의 전자 부품)을 말한다.In the present invention, the term " chip " refers to an electronic component before resin sealing, and specifically, for example, an electronic component in the form of a chip such as an IC or a semiconductor chip. In the present invention, an electronic part before resin sealing is referred to as " chip " for the sake of convenience in distinguishing it from an electronic part after resin sealing. However, the " chip " in the present invention is not particularly limited as long as it is an electronic component before resin sealing, and may not be an electronic component in chip form. In the present invention, the term "electronic component" is simply referred to as an electronic component (electronic component as a finished product) in which the chip is resin-sealed unless otherwise specified.
우선, 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로 제조할 수 있는 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재에 대해 예를 들어 설명한다.First, a plate member with a projection electrode according to the present invention, which can be manufactured by the method for manufacturing a plate member with a projection electrode of the present invention, will be described by way of example.
본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재에서, 상기 돌기 전극의 수는 특별히 한정되지 않으며 임의이고, 하나여도 되고 복수여도 된다. 상기 돌기 전극의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 상기 돌기 전극이 복수인 경우, 그 형상은 서로 동일해도 되고 달라도 된다. 상기 돌기 전극은 변형 가능한 변형부를 포함하는 돌기 전극이어도 되고, 상기 변형부를 포함하지 않아도 된다. 상기 변형부는 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여 변형 가능한 것이 바람직하다. 상기 변형부를 포함하는 돌기 전극이면 예를 들면, 후술하는 바와 같이, 상기 돌기 전극의 높이를 완성품의 전자 부품의 두께로 엄밀하게 맞추어 설계할 필요가 없기 때문에 바람직하다. 예를 들면, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 번개 형상 돌기 전극이어도 된다. 상기 번개 형상 돌기 전극은 적어도 상기 변형부가 상기 판상 부재의 면 방향과 평행 방향에서 보아 번개 형상으로 절곡되어 있음으로써, 상기 변형부가 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여 변형하는 것이 가능해도 된다. 상기 번개 형상 돌기 전극은, 적어도 상기 변형부가 상기와 같이 번개 형상이어도 되고, 상기 변형부 이외의 부분은 번개 형상이 아니어도 된다. 상기 번개 형상 돌기 전극의 형상은, 보다 구체적으로는 예를 들면, 후술하는 도 2의 (A) 내지 (B) 또는 도 4의 (A) 내지 (C)와 같은 형상이어도 된다.In the plate member with a projection electrode according to the present invention, the number of the projection electrodes is not particularly limited and may be arbitrary, one or more than two. The shape of the protruding electrode is not particularly limited. When there are a plurality of protruding electrodes, their shapes may be the same or different. The protruding electrode may be a protruding electrode including a deformable deformable portion, and may not include the deformable portion. The deformed portion is preferably deformable and deformable in a direction perpendicular to the plane direction of the plate-shaped member. The protruding electrode including the deformed portion is preferable because it is not necessary to design the height of the protruding electrode strictly to the thickness of the electronic component of the finished product as described later, for example. For example, at least one of the protruding electrodes may be a lightning protruding electrode. The lightning-like protruding electrode may be deformed by being deformed at least in the direction parallel to the plane direction of the plate-like member so as to be deformed in a direction perpendicular to the plane direction of the plate-like member . The lightning protruding electrode may have at least the deformed portion in the form of lightning as described above, and the portion other than the deformed portion may not be in the form of a lightning. More specifically, the shape of the lightning protruding electrode may be, for example, a shape as shown in Figs. 2A to 2B or Figs. 4A to 4C to be described later.
또한, 예를 들면, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가, 관통공이 있는 돌기 전극이어도 된다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 후술하는 도 3의 (A) 내지 (C) 또는 도 4의 (A) 내지 (C)와 같이, 상기 관통공이 있는 돌기 전극(12)의 상기 관통공이 상기 판상 부재의 면 방향과 평행 방향(판 면과 평행 방향)으로 관통하는 관통공(12b)이어도 된다. 또한, 상기 관통공이 있는 돌기 전극이 상기 판상 부재에 고정된 단부(12a 측)와 반대쪽의 단부에, 상기 판상 부재의 판 면과 수직 방향으로 돌출하는 돌기(12c)를 가지고 있어도 된다. 또한, 상기 관통공의 주위는 변형 가능한 변형부여도 된다. 상기 관통공의 주위는 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여 변형 가능한 상기 변형부인 것이 바람직하다. 이러한 관통공이 있는 돌기 전극의 형상은, 보다 구체적으로는 예를 들면, 후술하는 도 3의 (A) 내지 (C) 또는 도 4의 (A) 내지 (C)와 같은 형상이어도 된다. 또한, 본 발명의 상기 돌기 전극 구비 판상 부재에서, 상기 돌기 전극의 상기 변형부의 변형은 탄성 변형이어도 되고 소성 변형이어도 된다. 즉, 상기 변형부는 탄성 변형이 가능한 부분(탄성부)이어도 되고, 소성 변형이 가능한 부분(소성부)이어도 된다. 상기 변형이 탄성 변형인지 소성 변형인지는, 예를 들면 상기 돌기 전극의 재질 등에 의한다.Further, for example, at least one of the protruding electrodes may be a protruding electrode having a through-hole. More specifically, for example, as shown in Figs. 3A to 3C or Figs. 4A to 4C described later, the through-hole of the protruding
본 발명의 제조 방법에 있어서, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 기둥 형상을 가지는 주상 돌기 전극이어도 된다. 상기 주상 돌기 전극의 형상으로서는, 예를 들면 원주상, 각주상, 원뿔형, 각뿔형, 원뿔대형, 각뿔대형 등을 들 수 있다. 또한, 예를 들면 원주상의 돌기 전극을 이용한 경우, 그 돌기 전극 전체가 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여 변형 가능한 변형부여도 된다. 또한, 이 경우, 예를 들면 상기 원주상의 측면이 전체적으로 볼록한 휘어진 항아리 형상이 되어도 된다.In the manufacturing method of the present invention, at least one of the projecting electrodes may be a columnar projecting electrode having a columnar shape. Examples of the shape of the columnar projecting electrode include a columnar shape, a columnar shape, a conical shape, a pyramidal shape, a conical shape, and a pyramidal shape. Further, for example, when a circumferential protruding electrode is used, the protruding electrode may be deformed such that the entire protruding electrode contracts and deforms in the direction perpendicular to the plane direction of the plate-like member. In this case, for example, the circumferential side surface may be formed into a convexly curved jar shape as a whole.
또한, 본 발명의 제조 방법에 있어서, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이어도 된다. 이 경우, 상기 본 발명의 전자 부품의 제조 방법에 있어서, 상기 칩이 복수이며, 상기 수지 밀봉 공정에서 상기 기판을 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구분함과 함께, 각각의 상기 영역 내에서 상기 전자 부품을 수지 밀봉 해도 된다. 또한, 상기 판상 돌기 전극이 관통공 및 돌기를 가지며, 상기 관통공은 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판 면과 평행 방향으로 관통하고, 상기 돌기는 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에서 상기 판상 부재의 판 면과 수직 방향으로 돌출되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 관통공의 주위는 변형 가능한 상기 변형부여도 된다. 상기 관통공의 주위는 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여 변형 가능한 상기 변형부인 것이 바람직하다.Further, in the manufacturing method of the present invention, at least one of the protruding electrodes may be a plate-shaped protruding electrode. In this case, in the above-described method of manufacturing an electronic component of the present invention, it is preferable that the chip has a plurality of chips, the substrate is divided into a plurality of regions by the plate-like projecting electrodes in the resin sealing step, The electronic component may be resin-sealed. The plate-shaped protruding electrode has through-holes and protrusions, the through-holes penetrate the plate-shaped protruding electrode in a direction parallel to the plate surface of the plate-like member, and the protrusion is fixed to the plate- And protrudes in a direction perpendicular to the plate surface of the plate member at the opposite end of the plate member. Further, the peripheries of the through holes may be deformed as described above. The perimeter of the through-hole is preferably the deformation portion which is contractible and deformable in a direction perpendicular to the plane direction of the plate-like member.
본 발명의 제조 방법에 있어서, 상기 판상 부재는 특별히 한정되지 않지만, 방열판(히트싱크) 또는 실드판(차폐판)인 것이 바람직하다. 상기 실드판은 예를 들면, 상기 전자 부품으로부터 방출되는 전자파를 차폐하는 것이어도 된다. 상기 방열판은 상기 돌기 전극의 고정면의 반대쪽 면에 방열 핀을 가지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 판상 부재의 형상은 상기 돌기 전극이 고정되어 있는 것 이외에는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 판상 부재가 방열판인 경우, 상기 방열판은 상기 돌기 전극 이외에 방열 효율을 좋게 하기 위한 돌기가 하나 또는 복수 결합된 형상(예를 들면, 핀 형상) 등이어도 된다. 상기 판상 부재의 재질도 특별히 한정되지 않지만, 상기 판상 부재가 방열판 또는 실드판인 경우는, 예를 들면 금속 재료, 세라믹스 재료, 수지, 금속 증착 필름 등을 이용할 수 있다. 상기 금속 증착 필름은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 알루미늄, 은 등을 필름에 증착한 금속 증착 필름이어도 된다. 또한, 상기 돌기 전극의 재질도 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 금속 재료, 세라믹스 재료, 수지 등을 이용할 수 있다. 상기 금속 재료로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 스테인리스스틸, 퍼멀로이(Permalloy; 철과 니켈의 합금) 등의 철계 재료, 놋쇠, 구리 몰리브덴 합금, 베릴륨 구리(Beryllium copper) 등의 구리계 재료, 두랄루민(Duralumin) 등의 알루미늄계 재료 등을 들 수 있다. 상기 세라믹스 재료로서는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 질화알루미늄 등의 알루미나계 재료, 질화규소 등의 규소계 재료, 산화지르코늄계 재료 등을 들 수 있다. 상기 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 엘라스토머 수지 등의 고무계 재료, 실리콘계의 기재에 도전성 재료를 혼합한 재료 및 이러한 재료를 압출 성형 또는 사출 성형한 수지 재료 등을 들 수 있다. 또, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재에서, 상기 판상 부재의 표면 등에 도금, 도장 등의 표면 처리를 하여 도전층을 형성해도 된다. 한편, 상기 판상 부재는 어떠한 기능을 가지는 기능 부재(작용 부재)이기도 하다. 예를 들면, 상기 판상 부재가 방열판(히트싱크)인 경우는 방열 기능(방열 작용)을 가지는 기능 부재(작용 부재)이며, 실드판(차폐판)인 경우는 차폐 기능(차폐 작용)을 가지는 기능 부재(작용 부재)이다.In the manufacturing method of the present invention, the plate member is not particularly limited, but is preferably a heat sink (heat sink) or a shield plate (shield plate). The shield plate may, for example, shield electromagnetic waves emitted from the electronic component. It is preferable that the heat sink has a heat dissipation fin on a surface opposite to the fixing surface of the protruding electrode. The shape of the plate member is not particularly limited except that the projection electrode is fixed. For example, when the plate member is a heat sink, the heat sink may have a shape (for example, a pin shape) in which one or a plurality of projections for improving heat radiation efficiency are combined with the projecting electrodes. The material of the plate member is also not particularly limited. However, when the plate member is a heat sink or a shield plate, for example, a metal material, a ceramics material, a resin, a metal evaporated film, or the like can be used. The metal vapor deposition film is not particularly limited, but may be a metal vapor deposition film obtained by depositing aluminum, silver or the like on a film. The material of the protruding electrode is not particularly limited, and for example, a metal material, a ceramics material, a resin, or the like can be used. Examples of the metal material include, but are not limited to, iron-based materials such as stainless steel and permalloy (an alloy of iron and nickel), copper-based materials such as brass, copper molybdenum alloy, beryllium copper, Duralumin), and the like. The ceramics material is not particularly limited, and examples thereof include alumina-based materials such as aluminum nitride, silicon-based materials such as silicon nitride, and zirconium oxide-based materials. The resin is not particularly limited, and examples thereof include rubber materials such as elastomer resins, materials obtained by mixing a conductive material with silicone base materials, and resin materials obtained by extrusion molding or injection molding of such materials. The conductive layer may be formed on the surface of the plate member by surface treatment such as plating or painting in the plate member provided with a projection electrode. On the other hand, the plate member is also a functional member (functional member) having any function. For example, when the plate member is a heat sink (heat sink), it is a function member (operation member) having a heat radiation function (heat radiation function). In the case of a shield plate (shield plate) (Operation member).
또한, 전술한 바와 같이, 상기 판상 부재의 형상은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 상기 판상 부재가 수지 수용부를 가지고 있어도 된다. 보다 구체적으로는, 예를 들면 상기 판상 부재의 둘레부가 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극의 고정면측으로 융기함으로써, 상기 판상 부재의 중앙부가 상기 수지 수용부를 형성하고 있어도 된다.As described above, the shape of the plate member is not particularly limited. For example, the plate member may have a resin accommodating portion. More specifically, for example, the periphery of the plate-like member may bulge toward the fixing surface of the projecting electrode of the plate member, so that the central portion of the plate member may form the resin containing portion.
다음으로, 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법에 대하여 예를 들어 설명한다.Next, a method of manufacturing the plate-shaped member with a protruding electrode of the present invention will be described by way of example.
본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법은, 전술한 바와 같이 성형틀을 이용한 성형에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 성형 공정을 포함한다. 한편, 상기 성형틀은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금형, 세라믹스형, 수지제형 등을 들 수 있다. 상기 성형 공정은, 예를 들면 전기 주조, 압축 성형, 또는 트랜스퍼 성형에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정이어도 된다. 상기 성형틀을 이용한 성형 방법으로서는 특별히 한정되지 않으나, 전기 주조, 압축 성형, 또는 트랜스퍼 성형 이외에 예를 들면, 사출 성형 등을 들 수 있다.The method for manufacturing a plate-shaped member having a projection electrode of the present invention includes a molding step for simultaneously molding the plate-shaped member and the projection electrode by molding using a molding die as described above. On the other hand, the molding frame is not particularly limited, and examples thereof include molds, ceramics molds, and resin moldings. The forming step may be a step of simultaneously molding the plate-like member and the projecting electrode by, for example, electroforming, compression molding, or transfer molding. The forming method using the above-mentioned molding die is not particularly limited, but may include, for example, injection molding in addition to electroforming, compression molding, or transfer molding.
상기 성형 공정이 전기 주조에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정인 경우, 상기 돌기 전극이 변형 가능한 변형부를 포함한 돌기 전극이어도 된다. 또한, 상기 성형 공정이 전기 주조에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정인 경우, 상기 성형틀이 원판(原版)틀을 이용한 성형에 의해 제조된 성형틀이어도 된다. 상기 성형틀이 원판틀을 이용한 성형에 의해 제조된 성형틀인 경우, 상기 성형틀이 복수 분할되어 상기 복수 분할된 성형틀을 조립한 상태에서 상기 성형 공정을 행해도 된다. 또한, 이 경우, 상기 성형틀이 상기 판상 부재의 면 방향과 거의 평행하게 복수 분할되어 있어도 된다.When the molding step is a step of simultaneously molding the plate-shaped member and the projection electrode by electroforming, the projection electrode may be a projection electrode including a deformable portion. Further, in the case where the forming step is a step of simultaneously molding the plate-shaped member and the protruding electrode by electroforming, the forming die may be a forming die produced by molding using an original plate mold. In a case where the forming die is a forming die produced by molding using a disk die, the forming die may be divided into a plurality of divided molding die assemblies. In this case, a plurality of the molds may be divided substantially parallel to the plane direction of the plate-shaped member.
상기 성형 공정은, 예를 들면 금속에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정이어도 된다. 또한, 예를 들면 상기 성형 공정이 도전성 수지에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정이어도 된다. 상기 도전성 수지는, 예를 들면 수지 및 도전성 입자의 혼합물이어도 된다. 상기 도전성 입자는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 금속 입자의 금속도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금, 은, 구리, 니켈, 주석, 그 외의 임의의 금속 및 그들 2종 이상을 포함한 합금 등을 들 수 있다. 또한, 본 발명의 돌기 전극 판상 부재의 제조 방법에서, 상기 성형 공정이 수지에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정이며, 또한 상기 돌기 전극 표면 및 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극측의 면에 도전성막을 붙이는 도전성막 부여 공정을 포함하고 있어도 된다. 상기 도전성막은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금속 등의 막을 들 수 있다. 상기 도전성막의 금속도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금, 은, 구리, 니켈, 주석 및 그들을 2종 이상 포함한 합금 등을 들 수 있다. 상기 도전성막의 형성 방법도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 도금, 도공, 스퍼터링, 증착 등을 들 수 있다. 상기 도금은 예를 들면 무전해 도금이어도 되고, 전해 도금이어도 된다.The forming step may be a step of simultaneously molding the plate member and the protruding electrode by metal, for example. Further, for example, the forming step may be a step of simultaneously molding the plate-shaped member and the protruding electrode with a conductive resin. The conductive resin may be, for example, a mixture of a resin and conductive particles. The conductive particles are not particularly limited, and examples thereof include metal particles. The metal of the metal particles is not particularly limited, and examples thereof include gold, silver, copper, nickel, tin, any other metals, and alloys containing two or more of them. In the method of manufacturing a protruding electrode plate-like member of the present invention, the forming step is a step of simultaneously molding the plate-like member and the protruding electrode by resin, and the step of forming the protruding electrode surface and the protruding electrode- And a conductive film applying step of attaching a conductive film to the surface. The conductive film is not particularly limited, and examples thereof include films of metals and the like. The metal of the conductive film is not particularly limited, and examples thereof include gold, silver, copper, nickel, tin, and alloys containing two or more of them. The method for forming the conductive film is not particularly limited, and examples thereof include plating, coating, sputtering, and vapor deposition. The plating may be, for example, electroless plating or electrolytic plating.
본 발명의 돌기 전극 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 성형틀이 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극의 고정면에 대응하는 형면 및 상기 형면에 형성되며 상기 돌기 전극의 형상에 대응한 홀을 가지고, 상기 성형 공정에서, 상기 형면 및 상기 홀의 내면에 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 형성 재료를 맞닿게 함으로써, 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형해도 된다. 또한, 상기 성형틀이 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극의 고정면에 대응하는 형면 및 상기 형면에 형성되며 상기 돌기 전극의 형상에 대응한 돌기를 가지고, 상기 성형 공정에서, 상기 형면 및 상기 돌기의 표면에 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 형성 재료를 맞닿게 함으로써, 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형해도 된다.In the method of manufacturing a protruding electrode plate-like member according to the present invention, the forming die has a mold surface corresponding to the fixing surface of the protruding electrode of the plate member, and a hole formed in the mold surface and corresponding to the shape of the protruding electrode, In the molding step, the plate-shaped member and the protruding electrode may be simultaneously formed by bringing the forming material of the plate-shaped member having the protruding electrode into contact with the mold surface and the inner surface of the hole. The forming die has a mold surface corresponding to the fixing surface of the projection electrode of the plate member and a protrusion formed on the mold surface and corresponding to the shape of the protruding electrode. In the molding step, the surface of the mold surface and the projection The plate member and the protruding electrode may be formed at the same time by bringing the forming material of the plate electrode with the protruding electrode into contact with each other.
또한, 예를 들면, 상기 돌기 전극의 형상은 전술한 바와 같이 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 상기 돌기 전극 선단을 향할수록 지름이 가늘어지는 테이퍼 형상이어도 된다. 상기 돌기 전극이 이러한 형상이면, 후술하는 바와 같이 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀으로부터 분리하기 쉬워진다.Further, for example, the shape of the protruding electrode is not particularly limited as described above, but may be a tapered shape having a smaller diameter toward the tip of the protruding electrode. If the protruding electrode has such a shape, it becomes easy to separate the plate-shaped member having the protruding electrode from the molding die as described later.
다음으로, 본 발명의 전자 부품의 제조 방법에 대해 예를 들어 설명한다.Next, a method of manufacturing the electronic component of the present invention will be described by way of example.
본 발명의 전자 부품의 제조 방법에 있어서는, 예를 들면, 전술한 바와 같이, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이며 상기 칩이 복수이고, 상기 수지 밀봉 공정에서 상기 기판을 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구분함과 함께 각각의 상기 영역 내에서 상기 칩을 수지 밀봉해도 된다.In the method of manufacturing an electronic component of the present invention, for example, as described above, at least one of the projecting electrodes is a plate-shaped protruding electrode, and the chip has a plurality of chips. In the resin sealing step, And the chip may be resin-sealed in each of the regions.
상기 수지 밀봉 공정에서, 수지 밀봉에 이용하는 방법(성형 방법)은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 수지 공정에서 트랜스퍼 성형에 의해 상기 칩을 수지 밀봉해도 되고, 압축 성형에 의해 상기 칩을 수지 밀봉해도 된다.In the resin sealing step, a method (molding method) used for resin sealing is not particularly limited. For example, the chip may be resin-sealed by transfer molding in the resin process, or the chip may be resin-sealed by compression molding.
상기 수지 밀봉 공정에서, 압축 성형에 의해 상기 칩을 수지 밀봉하는 경우, 본 발명의 제조 방법은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극이 고정된 면 상에 상기 수지를 탑재하는 수지 탑재 공정을 더 포함하고 있어도 된다. 또한, 이 경우, 본 발명의 제조 방법이, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 반송 공정을 더 포함하고 있어도 된다. 또한, 상기 몰드 캐비티 내에서, 상기 판상 부재 상에 탑재된 상기 수지에 상기 칩을 침지시킨 상태에서, 상기 수지를 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 및 상기 칩과 함께 압축 성형함으로써, 상기 수지 밀봉 공정을 행해도 된다.When the chip is resin-sealed by compression molding in the resin sealing step, the manufacturing method of the present invention further includes a resin mounting step of mounting the resin on the surface of the plate electrode having the projection electrode on which the projection electrode is fixed . Further, in this case, the manufacturing method of the present invention may further include a carrying step of carrying the plate member with the projection electrode to the mold cavity of the molding die. Further, in the mold cavity, the resin sealing step is performed by compression-molding the resin with the projecting electrode-equipped plate member and the chip while immersing the chip in the resin mounted on the plate member .
상기 수지 탑재 공정 및 상기 반송 공정의 순서는 특별히 한정되지 않으며, 어느쪽이 앞서도 되고 동시여도 된다. 예를 들면, 상기 반송 공정에서, 상기 수지를 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 상에 탑재한 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 상기 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송해도 된다. 또는, 상기 반송 공정에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 수지가 탑재되어 있지 않은 상태에서 상기 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송해도 된다. 이 경우, 본 발명의 제조 방법이, 상기 수지 탑재 공정에 앞서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 몰드 캐비티 내에서 가열하는 가열 공정을 더 포함하고 있어도 된다. 그리고, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 가열된 상태에서, 상기 몰드 캐비티 내에서 상기 수지 탑재 공정을 행해도 된다.The order of the resin loading step and the conveying step is not particularly limited, and either one may precede or follow. For example, in the carrying step, the resin may be carried to the position of the mold cavity of the forming die together with the projection electrode-equipped plate member in a state of being mounted on the plate electrode with the projection electrode. Alternatively, in the transporting step, the projecting electrode-provided plate-shaped member may be transported to the position of the mold cavity of the forming die in a state where no resin is mounted. In this case, the manufacturing method of the present invention may further include a heating step of heating the projecting electrode-equipped plate member in the mold cavity prior to the resin mounting step. The resin mounting step may be performed in the mold cavity in a state that the plate member with the projection electrode is heated.
상기 반송 공정에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 돌기 전극이 고정된 면이 위를 향하도록 이형필름 상에 올려진 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내로 반송해도 된다. 이 경우, 상기 반송 공정에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 프레임이 상기 이형필름 상에 올려지며, 또한 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 프레임에 의해 둘러싸인 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내로 반송해도 된다. 상기 수지 탑재 공정에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 상기 프레임이 상기 이형필름 상에 올려지며, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 프레임에 의해 둘러싸인 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 및 상기 프레임에 의해 둘러싸인 공간 내에 상기 수지를 공급함으로써 상기 돌기 전극의 고정면 상에 상기 수지를 탑재하는 것이 바람직하다. 그러한 경우, 상기 수지 탑재 공정 및 상기 반송 공정의 순서는 특별히 한정되지 않으며, 어느 쪽이 앞서도 되고 동시여도 되나, 상기 반송 공정에 앞서 상기 수지 탑재 공정을 행하는 것이 바람직하다.In the carrying process, the projecting electrode-provided plate-shaped member may be carried into the mold cavity of the forming die in a state in which the projecting electrode-provided plate-shaped member is placed on the release film such that the surface on which the projection electrode is fixed faces upward . In this case, in the transporting step, a frame is projected onto the release film together with the projection electrode-provided plate member, and in a state in which the projecting electrode-provided plate member is surrounded by the frame, It may be transported into the mold cavity of the mold. In the resin mounting step, the frame is mounted on the release film together with the projection electrode-provided plate member, and in the state that the projection electrode-provided plate member is surrounded by the frame, It is preferable to mount the resin on the fixing surface of the projection electrode by supplying the resin into the space surrounded by the projection electrode. In such a case, the order of the resin loading step and the conveying step is not particularly limited, and it is preferable to carry out the resin loading step prior to the conveying step, though either one may precede or follow.
또한, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재에서 상기 돌기 전극이 고정된 면의 반대쪽 면이 점착제에 의해 상기 이형필름 상에 고정되어 있어도 된다.The surface opposite to the surface on which the protruding electrodes are fixed may be fixed on the release film by a pressure sensitive adhesive.
상기 반송 공정을 행하는 반송 수단은, 상기 수지를 탑재한 상기 판상 부재가 이형필름 상에 올려진 상태에서, 상기 수지를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내로 반송하는 수단이어도 된다. 이 경우, 상기 수지 밀봉을 행하는 수지 밀봉 수단이 이형필름 흡착 수단을 가지고, 또한 상기 이형필름을 상기 이형필름 흡착 수단에 흡착시킨 상태에서 상기 압축 성형을 행하는 수단이어도 된다. 또한, 상기 성형틀은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금형 또는 세라믹스형이다.The carrying means for carrying out the carrying step may be a means for carrying the resin into the mold cavity of the mold while the plate-like member on which the resin is mounted is placed on the release film. In this case, the resin sealing means for performing the resin sealing may be means for carrying out the compression molding with the release film adsorption means and in the state that the release film is adsorbed to the release film adsorption means. The forming mold is not particularly limited, but is, for example, a mold or a ceramics mold.
본 발명의 전자 부품의 제조 방법에 있어서는, 전술한 바와 같이 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 판상 부재가 수지 수용부를 가지고 있어도 된다. 보다 구체적으로는, 예를 들면 상기 판상 부재의 둘레부가 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극의 고정면 측으로 융기함으로써, 상기 판상 부재의 중앙부가 상기 수지 수용부를 형성하고 있어도 된다. 또한, 본 발명의 전자 부품의 제조 방법은 상기 수지 탑재 공정에서, 상기 판상 부재의 상기 수지 수용부 내에 상기 수지를 탑재하여, 상기 수지 밀봉 공정을 상기 수지 수용부 내에 상기 수지가 탑재된 상태로 행해도 된다.In the method of manufacturing an electronic component according to the present invention, as described above, the plate member of the plate electrode having the projection electrode may have the resin containing portion. More specifically, for example, the periphery of the plate-like member may bulge toward the fixing surface of the projecting electrode of the plate member, so that the central portion of the plate member may form the resin containing portion. In the method of manufacturing an electronic component of the present invention, in the resin mounting step, the resin is mounted in the resin accommodating portion of the plate member, and the resin sealing step is performed in a state where the resin is mounted in the resin accommodating portion .
또한, 상기 수지 밀봉 공정에서, 상기 배선 패턴 형성면에 상기 칩이 배치된 상기 기판을 상기 배선 패턴 형성면이 위를 향하도록 기판 탑재대 상에 탑재하고, 또한 상기 배선 패턴 형성면 상에 상기 수지를 탑재한 상태에서 상기 수지를 가압해도 된다. 보다 구체적으로는, 상기 상태에서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 돌기 전극측으로부터 상기 수지로 가압해도 된다. 이에 따라, 전자 부품을 장착한 기판의 배선 패턴에 상기 돌기 전극을 접속할 수 있다.Further, in the resin sealing step, the substrate on which the chip is disposed is placed on the substrate mounting table such that the wiring pattern forming surface faces upward, and the resin The resin may be pressed. More specifically, in the above state, the projecting electrode-provided plate-shaped member may be pressed from the projecting electrode side to the resin. Thus, the projection electrode can be connected to the wiring pattern of the substrate on which the electronic component is mounted.
또한, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 판상 부재는, 전술한 바와 같이 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 상기 판상 부재가 방열판이며, 상기 방열판이 상기 돌기 전극 고정면의 반대쪽 면에 방열 핀을 가지고 있어도 된다.The plate member of the protruded electrode-provided plate-like member is not particularly limited as described above. For example, even if the plate-like member is a heat-radiating plate and the heat-radiating plate has a heat-dissipating fin on the surface opposite to the protruding electrode fixing surface do.
본 발명의 전자 부품의 제조 방법에 있어서, 상기 수지는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 열가소성 수지 또는 열경화성 수지 중 어느 것이어도 된다. 상기 수지는, 예를 들면 과립상 수지, 분말상 수지, 액상 수지, 판상 수지, 시트상 수지, 필름상 수지 및 페이스트상 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나여도 된다. 또한, 상기 수지는, 예를 들면 투명 수지, 반투명 수지 및 불투명 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나여도 된다.In the method for producing an electronic component of the present invention, the resin is not particularly limited and may be, for example, a thermoplastic resin or a thermosetting resin. The resin may be at least one selected from the group consisting of, for example, a granular resin, a powdered resin, a liquid resin, a plate-like resin, a sheet-like resin, a film-like resin and a paste resin. The resin may be at least one selected from the group consisting of, for example, transparent resin, translucent resin and opaque resin.
이하, 본 발명의 구체적인 실시 형태의 예를 도면에 기초하여 설명한다. 각 도면은, 설명의 편의를 위하여 적절히 생략 및 과장 등 하여 모식적으로 나타내고 있다.Best Mode for Carrying Out the Invention Examples of specific embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The drawings are schematically shown by omitting and exaggerating them appropriately for convenience of explanation.
[실시예 1][Example 1]
본 실시예에서는, 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 일례, 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법의 일례, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용한 본 발명의 전자 부품의 일례 및 상기 전자 부품의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다.In this embodiment, an example of a plate member with a projection electrode of the present invention, an example of a method of manufacturing a plate member with a projection electrode of the present invention, an example of an electronic component of the present invention using the projection electrode- An example of the manufacturing method will be described.
도 1의 사시도에, 본 실시예의 돌기 전극 구비 판상 부재의 구조를 모식적으로 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 돌기 전극 구비 판상 부재(10)는 판상 부재(11)의 편면에 돌기 전극(12)의 패턴이 고정되어 형성되어 있다. 돌기 전극(12)의 길이는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 완성품의 전자 부품(성형 패키지)의 두께에 따라 적절히 설정할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 상기 돌기 전극의 패턴은 본 실시예(도 1)의 패턴에 한정되지 않으며 임의이다.1 is a perspective view schematically showing the structure of a plate-shaped member having a projection electrode according to this embodiment. As shown in the drawing, the projecting electrode-provided
도 1에 나타내는 돌기 전극(12)의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 돌기 전극(12)은 예를 들면, 변형 가능한 변형부를 포함한 돌기 전극이어도 된다. 도 2의 (A) 및 (B)의 사시도에 그와 같은 변형부를 포함한 돌기 전극(12)의 구조의 일례를 나타낸다. 도 2의 (A) 및 (B)의 사시도에서, 상하 방향이 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향을 나타낸다. 동 도면 (A)에 나타낸 돌기 전극(12)에서는, 중앙 부분에 변형부(12A)를 포함하고, 상기 중앙 부분 이외의 부분이 강성부(12B, 돌기 전극(12)의 단부)로 구성되어 있다. 변형부(12A)는 도시한 바와 같이 판상 부재(11)의 면 방향과 평행 방향에서 보아 번개 형상으로 절곡되어 있다. 그리고, 동 도면 (A)에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 지그재그 형상으로 절곡되도록 하여 상기 수직 방향으로 수축 가능하다. 또한, 동 도면 (B)에 나타내는 돌기 전극(12)에서는 전체가 변형부(12A)로 구성되어 있다. 동 도면 (B)의 변형부(12A)도, 판상 부재(11)의 면 방향과 평행 방향에서 보아 번개 형상으로 절곡되어 있다. 동 도면 (B)에 나타내는 돌기 전극(12)에서는 전체가 부등호 모양(<)으로 절곡되도록 하여 상기 수직 방향으로 수축 변형되는 것이 가능하다. 이에 따라, 예를 들면 상기 돌기 전극(12)의 높이가 완성품의 전자 부품(칩을 수지 밀봉하여 성형한 전자 부품)의 두께보다 높게 설계된 경우라도, 성형시에 상기 돌기 전극은 손상되지 않고 상기 두께를 따르게 된다. 이 때문에, 미리 상기 두께에 맞추어 상기 돌기 전극의 높이를 설계할 필요가 없기 때문에, 비아 전극(돌기 전극) 및 판상 부재 모두를 가지는 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조 가능하다.The structure of the
또한, 돌기 전극(12)의 형상은, 도 2와 같이 변형부(12A)가 번개 형상(지그재그)으로 절곡되어 있는 구조에 한정되지 않는다. 예를 들면, 돌기 전극(12)의 형상은 관통공(12b)을 가지는 형상이어도 되고, 보다 구체적으로는, 예를 들면 도 3에 나타내는 형상이어도 된다. 도 3에서, 우측 상방의 도면은 도 1의 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 일부를 나타내는 사시도이다. 또한, 도 3의 (A) 내지 (C)는 돌기 전극(12)의 구조의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 3의 (A) 내지 (C)에 각각 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12)의 하부(12a, 판상 부재(11)에 접속되어 있는 쪽의 부분)에는 홀이 형성되어 있지 않다. 한편, 돌기 전극(12)의 상부(판상 부재(11)에 접속되어 있는 쪽의 반대쪽 부분)에는 판상 부재(11)의 판면과 평행 방향으로 돌기 전극(12)을 관통하는 홀(12b)(관통공)이 형성되어 있다. 또, 돌기 전극(12)의 상단(판상 부재(11)에 고정된 단부의 반대쪽 단부)은 그 일부가 상방으로(판상 부재(11)의 판면과 수직 방향으로) 돌출되어, 돌기(12c)를 형성하고 있다. 돌기 전극(12)은, 돌기(12c)의 선단 부분에서 기판의 배선 패턴(기판 전극)에 접하는 것이 가능하다. 한편, 도 3의 (A)에서는 돌기 전극(12c)의 수가 2개이다. 도 3의 (B)는 돌기 전극(12c)의 수가 하나이며, 돌기 전극(12)의 폭이 약간 좁은 것 이외에는 도 3의 (A)와 동일하다. 도 3의 (C)는, 돌기 전극(12)의 폭이 더 좁은 것 이외에는 도 3의 (B)와 동일하다. 이와 같이, 돌기(12c)의 수는 특별히 한정되지 않으며 하나여도 되고 복수여도 된다. 돌기(12c)의 수는 도 3의 (A) 내지 (C)에서는 하나 또는 두 개이지만, 세 개 이상이어도 된다. 또한, 홀(12b)(관통공)의 수도 도 3의 (A) 내지 (C)에서는 하나이지만, 특별히 한정되지 않고 임의이며 복수여도 된다.Further, the shape of the protruding
돌기(12c)를 가짐으로써, 돌기 전극(12)은 수지에 의해 방해받지 않고 기판의 배선 패턴(기판 전극)에 접촉하기 쉬워진다. 즉, 돌기(12c)에 의해, 돌기 전극(12)과 후술하는 도 12의 배선 패턴(22) 사이의 수지(예를 들면, 용융 수지 또는 액상 수지)를 밀어내, 배선 패턴(22)에 돌기(12c)의 선단이 맞닿음(물리적으로 접촉)과 함께 전기적으로 접속된다. 또한, 돌기 전극(12)이 관통공(12b)을 가짐으로써, 전자 부품의 수지 밀봉이 더욱 용이해진다. 즉, 수지가 관통공(12b)을 통과하여 유동할 수 있기 때문에, 수지의 유동이 더욱 원활해져, 수지 밀봉의 효율이 더욱 향상된다. 이 효과는 트랜스퍼 성형에 의해 전자 부품을 제조하는(칩을 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 수지 밀봉하는) 경우에 특히 현저하다. 또한, 돌기 전극(12)이 배선 패턴(22)에 맞닿을(접촉) 때, 도 3의 (D)에 나타낸 바와 같이 돌기 전극(12)이 홀(12b) 부근에서 구부러짐으로써, 돌기 전극(12)의 높이(길이)를 작게 하는 것이 가능하다. 즉, 도 3의 (A) 내지 (D)에 나타내는 형상의 돌기 전극(12)에서는, 관통공(12b)의 주위가 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축 가능한 상기 변형부이다. 이에 따라, 돌기 전극(12)의 높이를 전자 부품의 수지 두께(패키지 두께)에 대응하여 조정할 수 있다. 이 점을 고려하여, 돌기 전극(12)의 높이(길이)를 미리 상기 수지 두께(패키지 두께)보다 약간 길게 설정해도 된다.By having the
또한, 돌기 전극(12)은, 예를 들면 상기 번개 형상 돌기 전극이면서, 또한 상기 관통공이 있는 돌기 전극이어도 된다. 즉, 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 면 방향과 평행 방향에서 보아 번개 형상으로(지그재그로) 절곡된 상기 변형부와, 판상 부재(11)의 면 방향과 평행 방향으로 관통하는 상기 관통공을 모두 가지고 있어도 된다. 도 4에 그러한 구조의 일례를 나타낸다. 도 4에서, 우측 상방의 도면은 도 1의 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 일부를 나타내는 사시도이다. 또한, 도 4의 (A) 내지 (C)는 돌기 전극(12)의 구조의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 4의 (A) 내지 (C)의 돌기 전극(12)은 돌기 전극(12)의 하부(12a)(판상 부재(11)에 접속되어 있는 쪽으로써 홀이 형성되어 있지 않은 부분)와, 상부(판상 부재(11)에 접속되어 있는 쪽의 반대쪽으로서 관통공(12b)이 형성되어 있는 부분)가 변형부(12A)에 의해 접속되어 일체화되어 있는 것 이외에는, 도 3의 (A) 내지 (C)와 동일하다. 도 4의 (A) 내지 (C)에서, 변형부(12A)는 도 2의 (A)와 같이, 판상 부재(11)의 면 방향과 평행 방향에서 보아 번개 형상(지그재그)으로 절곡되어 있어, 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축 가능하다. 또한, 도 4의 (A) 내지 (C)의 돌기 전극(12)은 도 3의 (A) 내지 (C)와 마찬가지로 돌기 전극(12)이 홀(12b) 부근에서 구부러짐으로서, 예를 들면 도 4의 (D)에 나타낸 바와 같이 돌기 전극(12)의 높이(길이)를 작게 하는 것도 가능하다.The protruding
한편, 돌기 전극(12)의 형상은 도 2 내지 4의 형상에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 2 내지 도 4에 예시한 형상은 변형부(12A)를 포함하는 돌기 전극(12)의 예이지만, 돌기 전극(12)은 변형부(12A)를 포함하는 돌기 전극에 한정되지 않는다. 또한, 돌기 전극(12)이 변형부(12A)를 포함하는 경우도, 도 2 내지 도 4의 형상에 한정되지 않으며, 도 2 내지 도 4의 형상에 더하여 또는 이 대신 다른 형상이어도 된다. 예를 들면, 전술한 바와 같이 돌기 전극(12)의 적어도 하나가 기둥 형상을 가지는 주상 돌기 전극이어도 된다. 상기 주상 돌기 전극의 형상으로서는 전술한 바와 같이, 예를 들면 원주상, 각주상, 원뿔형, 각뿔형, 원뿔대형, 각뿔대형 등을 들 수 있다.On the other hand, the shape of the protruding
또한, 전술한 바와 같이 돌기 전극(12)의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이어도 된다. 이 경우, 전술한 바와 같이 본 발명의 제조 방법에서의 상기 수지 밀봉 공정에서, 상기 기판을 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구분함과 함께, 각각의 상기 영역 내에서 상기 전자 부품을 수지 밀봉해도 된다. 또한, 상기 판상 돌기 전극이 도 3의 (A) 내지 (C)의 돌기 전극과 마찬가지로, 관통공 및 돌기를 가지고 있어도 된다. 상기 관통공은 도 3의 (A) 내지 (C)와 마찬가지로, 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판면과 평행 방향으로 관통하고 있어도 된다. 또한, 상기 돌기는 도 3의 (A) 내지 (C)와 마찬가지로, 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대측 단부에서, 상기 판상 부재의 판면과 수직 방향으로 돌출되어 있는 것이 바람직하다. 상기 판상 돌기 전극의 상기 관통공 및 상기 돌기의 수도 특별히 한정되지 않으며 임의이나, 복수가 바람직하다. 상기 판상 돌기 전극이 상기 관통공 및 상기 돌기를 가짐으로써, 도 3의 (A) 내지 (C)의 관통공(12b) 및 돌기(12c)와 동일한 이점이 있다. 즉, 우선 상기 판상 돌기 전극이 상기 돌기를 가짐으로써, 상기 판상 돌기 전극은 수지에 의해 방해받지 않고 기판의 배선 패턴(기판 전극)에 접촉이 용이해진다. 또한, 상기 판상 돌기 전극이 상기 관통공을 가짐으로써, 수지가 상기 관통공을 통과하여 유동할 수 있기 때문에, 수지의 유동이 더 원활해져 수지 밀봉의 효율이 더욱 향상된다. 이 효과는, 트랜스퍼 성형에 의해 전자 부품을 제조하는(칩을 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 수지 밀봉하는) 경우에 특히 현저하다. 또한, 상기 판상 돌기 전극이 상기 관통공 부근에서 구부러짐으로써, 상기 판상 돌기 전극의 높이(길이)를 작게 하는 것이 가능하다. 이에 따라, 상기 판상 돌기 전극의 높이를 전자 부품의 수지 두께(패키지 두께)에 대응하여 조정할 수 있다. 이 점을 고려하여, 상기 판상 돌기 전극의 높이(길이)를 미리 상기 수지 두께(패키지 두께)보다 약간 길게 설정해도 된다.Also, as described above, at least one of the protruding
또한 본 발명에 있어서, 상기 돌기 전극의 상기 변형부는 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축 가능한 것이 바람직하지만, 상기 수직 방향으로 수축하는 것 이외에 어떠한 변형을 해도 무방하다. 예를 들면, 상기 변형부는 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축함과 함께, 상기 판상 부재의 면 방향(수평면 방향)이나 경사 방향을 포함하는 가로 방향 전체로 넓어지는 상태가 되어도 된다. 상기 변형이 어떠한 변형이 되는지는, 예를 들면 상기 판상 부재의 재질, 형상 등에 의한다.Further, in the present invention, it is preferable that the deformed portion of the projecting electrode is contractible in a direction perpendicular to the plane direction of the plate-shaped member, but it may be deformed in any other way than the contraction in the perpendicular direction. For example, the deformed portion may contract in a direction perpendicular to the plane direction of the plate member, and may extend in the entire lateral direction including the plane direction (horizontal plane direction) or the oblique direction of the plate member. The deformation of the deformation depends on, for example, the material and shape of the plate-like member.
다음으로, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법의 예에 대하여 설명한다.Next, an example of a manufacturing method of the above-mentioned projection electrode-bearing plate member will be described.
본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재는, 전술한 바와 같이 성형틀을 이용한 성형에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 성형 공정을 포함한다.The plate member with a projection electrode of the present invention includes a molding step for simultaneously molding the plate member and the projection electrode by molding using a molding die as described above.
도 5의 (A) 내지 (C)의 공정 단면도에, 상기 성형 공정에서 전기 주조에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 예를 모식적으로 나타낸다. 우선, 도 5의 (A)에 나타낸 바와 같이, 전기 주조용 성형틀(10D)을 준비한다. 도시한 바와 같이, 이 성형틀(10D)은 일방의 면(상측의 면)이 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극의 고정면에 대응하는 형면을 형성하고 있다. 상기 형면에는, 상기 돌기 전극의 형상에 대응한 홀(12D)이 형성되어 있다. 전기 주조용 성형틀(10D)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 수지판 또는 금속판의 기계 가공 등에 의해 제조해도 된다. 예를 들면, 홀(12D)을 기계 가공(milling) 등에 의해 형성해도 된다. 또는, 성형틀(10D)의 형상에 대응한(성형틀(10D)의 표면 형상의 요철을 반전시킨) 형면을 가지는 원판틀을 이용한 성형에 의해 성형틀(10D)을 제조해도 된다. 원판틀을 이용한 성형 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 전기 주조, 압축 성형, 트랜스퍼 성형 등을 들 수 있다. 성형틀(10D)의 형성 재료는 특별히 한정되지 않으며, 수지, 금속, 세라믹스 등을 들 수 있으나, 전기 주조용 성형틀으로서 이용하는 관점에서, 도전성 재료가 바람직하다. 성형틀(10D)의 형성 재료가 수지인 경우에는 도전성 수지가 바람직하다. 상기 도전성 수지는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 수지 및 도전성 입자의 혼합물이어도 된다. 상기 도전성 입자는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 금속 입자의 금속도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금, 은, 구리, 니켈, 주석, 그 외의 임의의 금속 및 그들 2종 이상을 포함한 합금 등을 들 수 있다. 또한, 성형틀(10D)은 상기 도전성 수지 또는 비도전성 수지의 표면에 도전성막을 부여한 성형틀이어도 된다. 상기 도전성막은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 전술한 바와 같이 금속 등의 막을 들 수 있다. 상기 도전성막의 금속도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금, 은, 구리, 니켈, 주석 및 그들 2종 이상을 포함한 합금 등을 들 수 있다. 상기 도전성막의 형성 방법도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 도금, 도공, 스퍼터링, 증착 등을 들 수 있다. 상기 도금은, 예를 들면 무전해 도금이어도 되고 전해 도금이어도 된다.5 (A) to 5 (C) schematically show an example in which the plate-shaped member and the protruding electrode are simultaneously formed by electroforming in the molding step. First, as shown in Fig. 5 (A), an
그리고, 도 5의 (A)의 화살표로 나타낸 바와 같이, 전기 주조에 의해 성형틀(10D)의 상기 형면 및 홀(12D)의 내면에 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 형성 재료를 맞닿게 한다. 즉, 도 5의 (B)에 나타낸 바와 같이, 성형틀(10D)의 상기 형면 및 홀(12D)의 내면에 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 형성 재료를 맞닿게 함으로써, 판상 부재(11)와 돌기 전극(12)을 동시에 성형하여(성형 공정), 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 제조한다. 이와 같이, 전기 주조에 의해 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 제조하는 경우, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 형성 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 니켈, 구리 등의 금속 및 그들 2종 이상을 포함한 합금 등을 들 수 있다. 그리고, 도 5의 (C)에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 성형틀(10D)로부터 분리하여 이용한다. 이때, 성형틀(10D)의 형태를 유지한 상태에서 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 성형틀(10D)로부터 분리해도 된다. 또한, 예를 들면 성형틀(10D)을 녹임으로써 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 성형틀(10D)로부터 분리해도 된다. 이 경우, 성형틀(10D)의 형성 재료가 수지인 것이 간편성의 관점에서 바람직하다. 상기 수지는, 예를 들면 도전성 입자를 혼합한 도전성 수지 등이어도 된다. 예를 들면, 원판틀을 이용하여 성형틀(10D)을 제조하면, 같은 형태 같은 크기의 성형틀(10D)을 몇 번이라도 간편하게 제조할 수 있다. 이에 따라, 성형틀(10D)를 녹여 일회용으로 하여도, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 제조를 양호한 효율 및 저비용으로 행할 수 있다. 또한, 예를 들면 성형틀(10D)을 녹여 얻어진 재료를 다시 성형틀(10D)의 형성 재료로서 이용해도 된다.Then, as shown by an arrow in Fig. 5A, the forming material of the plate electrode provided with the protruding electrode is brought into contact with the inner surface of the
한편, 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법은, 상기 성형 공정(상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정) 이외의 공정을 적절하게 포함하고 있어도 되고, 포함하지 않아도 된다. 예를 들면, 도 5에 나타내는 예에서는, 동 도면의 (C)와 같이 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 성형틀(10D)로부터 분리한 후, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 불필요 부분을 기계 가공(예를 들면, 절삭 연마 등) 또는 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함하고 있어도 되고, 포함하지 않아도 된다.On the other hand, the method of manufacturing a plate-shaped member having a projection electrode of the present invention may or may not appropriately include a step other than the molding step (step of simultaneously molding the plate-shaped member and the projection electrode). For example, in the example shown in Fig. 5, after separating the
또한, 도 6 내지 도 9에 상기 성형 공정(상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정)을 전기 주조에 의해 행하는 경우의 몇 개의 변형예를 나타낸다.Figs. 6 to 9 show several modified examples in the case of performing the molding step (the step of simultaneously forming the plate-like member and the projection electrode) by electroforming.
우선, 도 6에 성형틀(10D)이 볼록형인 경우의 예를 나타낸다. 즉, 도 5의 (A) 내지 (C)에서는 성형틀(10D)이 오목형인 경우를 예시하였다. 여기서, 오목형이란 도 5에서 설명한 바와 같이, 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극의 고정면에 대응하는 형면과, 상기 형면에 형성되며 상기 돌기 전극의 형상에 대응한 홀을 가지는 성형틀이다. 이에 대해, 볼록형이란 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극의 고정면에 대응하는 형면과, 상기 형면에 형성되며 상기 돌기 전극의 형상에 대응한 돌기를 가지는 성형틀을 말한다. 즉, 도 6의 성형틀(10D)(볼록형)은, 도시한 바와 같이, 일방의 면(상측의 면)이 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극의 고정면에 대응하는 형면을 형성하고 있다. 상기 형면에는 상기 돌기 전극의 형상에 대응한 돌기(12E)가 형성되어 있다. 도 6에서는 도시한 바와 같이, 상기 성형 공정에서 상기 형면 및 돌기(12E)의 표면에 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 형성 재료를 맞닿게 함으로써, 판상 부재(11)와 돌기 전극(12)을 동시에 성형한다. 도 6에서의 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 제조 방법은 전기 주조를 이용하여 행할 수 있다. 보다 구체적으로는, 도 6의 제조 방법은, 예를 들면 성형틀(10D)로서 도 5의 (A)에 나타내는 오목형 대신 도 6에 나타내는 볼록형을 이용하는 것 이외에는 도 5의 (A) 내지 (C)의 제조 방법과 동일하게 행할 수 있다.6 shows an example in which the forming
또한, 도 7 및 도 8은 돌기 전극(12)의 형상이 돌기 전극(12) 선단을 향할수록(판상 부재(11)로부터 멀어질수록) 지름이 가늘어지는 테이퍼 형상인 경우의 예이다. 도 7은 오목형의 예이며, 돌기 전극(12)의 형상이 돌기 전극(12) 선단을 향할수록(판상 부재(11)로부터 멀어질수록) 지름이 가늘어지는 테이퍼 형상인 것 이외에는, 도 5의 (B)와 동일하다. 도 8은 볼록형의 예이며, 돌기 전극(12)의 형상이 돌기 전극(12) 선단을 향할수록(판상 부재(11)로부터 멀어질수록) 지름이 가늘어지는 테이퍼 형상인 것 이외에는 도 6과 동일하다. 도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12)의 형상에 대응하는 홀(12D) 또는 돌기 전극(12)의 형상에 대응하는 돌기(12E)의 형상은 돌기 전극(12)의 형상에 대응한 형상으로 되어 있다. 즉, 홀(12D) 및 돌기(12E)의 형상은 돌기 전극(12) 선단을 향할수록(판상 부재(11)로부터 멀어질수록) 지름이 가늘어지는 테이퍼 형상이다. 도 7 및 도 8에 나타낸 성형틀(12D)을 이용한 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 제조는 도 5 또는 도 6과 동일하게 하여 행할 수 있다. 돌기 전극(12)이 이러한 테이퍼 형상이면, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 성형틀(10D)로부터 분리하기 쉬워, 바람직하다.7 and 8 show an example of a tapered shape in which the diameter of the protruding
또한, 도 9의 (A) 내지 도 (D)의 공정 단면도는 성형틀이 복수 분할되어 있는 경우의 예시이다. 도 9의 (A)에 나타낸 바와 같이, 이 성형틀은 판상 부재의 면 방향과 거의 평행하게 복수 분할되어 있다. 구체적으로는, 이 성형틀은 도시한 바와 같이, 돌기 전극 선단측으로부터 판상 부재측을 향하여, 4개의 성형틀(10D1, 10D2, 10D3, 10D4)로 나누어져 있다. 성형틀(10D1)은 돌기 전극 선단부에 대응한다. 성형틀(10D2, 10D3)은 돌기 전극의 중앙 부분인 변형부에 해당한다. 성형틀(10D4)은 판상 부재 및 돌기 전극의 판상 부재쪽 부분에 대응한다. 성형틀(10D4)의 상면(상측의 면)이 판상 부재의 돌기 전극의 고정면에 대응하는 형면이다. 성형틀(10D1, 10D2, 10D3, 10D4)에는 각각 돌기 전극의 형상에 대응하는 홀(12D1, 12D2, 12D3, 12D4)이 형성되어 있다. 홀(12D1)은 성형틀(10D1)을 관통하고 있지 않으며, 홀(12D2, 12D3, 12D4)은 성형틀(10D2, 10D3, 10D4)을 각각 관통하는 관통공이다. 도 9의 (B)에 나타낸 바와 같이, 성형틀(10D1, 10D2, 10D3, 10D4)을 조립하면 돌기 전극의 형상에 대응한 홀이 상기 형면에 형성된 하나의 성형틀이 된다. 이 성형틀에서는, 홀(12D1, 12D2, 12D3, 12D4)이 결합하여, 상기 돌기 전극의 형상에 대응한 홀로 되어 있다. 이 성형틀을 이용하여, 도 5의 (A) 내지 (C)와 마찬가지로, 전기 주조에 의해 돌기 전극 구비 판상 부재를 제조할 수 있다. 즉, 도 9의 (B)에 나타내는 성형틀의 상기 형면 및 상기 홀의 내면에 돌기 전극 구비 판상 부재의 형성 재료를 맞닿게 함으로써, 도 9의 (C)에 나타내는 바와 같이, 판상 부재(11)와 돌기 전극(12)을 동시에 성형하여(성형 공정), 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 제조한다. 이 돌기 전극 구비 판상 부재(10)는 도시한 바와 같이, 돌기 전극(12)의 중앙 부분이 변형 가능한 변형부(12A)이다. 그리고, 도 9의 (D)에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 성형틀(10D)로부터 분리하여 이용한다.9 (A) to FIG. 9 (D) show an example of a case where a plurality of molds are divided. As shown in Fig. 9 (A), the molding die is divided into a plurality of parts substantially parallel to the plane direction of the plate-shaped member. Specifically, the forming die is divided into four forming dies 10D1, 10D2, 10D3, and 10D4 from the tip end side of the projection electrode toward the plate-like member side, as shown in the drawing. The forming die 10D1 corresponds to the tip end of the projection electrode. The forming molds 10D2 and 10D3 correspond to deformed portions which are the central portions of the protruding electrodes. The forming die 10D4 corresponds to the plate-shaped member and the plate-shaped member side portion of the protruding electrode. And the upper surface (upper surface) of the forming die 10D4 corresponds to the fixing surface of the projecting electrode of the plate-like member. Holes 12D1, 12D2, 12D3, and 12D4 corresponding to the shapes of the protruding electrodes are formed in the forming molds 10D1, 10D2, 10D3, and 10D4, respectively. The holes 12D1 do not penetrate the forming die 10D1 and the holes 12D2, 12D3 and 12D4 are through holes penetrating the forming die 10D2, 10D3 and 10D4, respectively. As shown in Fig. 9B, when the forming molds 10D1, 10D2, 10D3, and 10D4 are assembled, holes corresponding to the shapes of the protruding electrodes become one forming mold formed on the mold surface. In this molding die, the holes 12D1, 12D2, 12D3, and 12D4 are coupled to each other to form a hole corresponding to the shape of the projection electrode. Using this molding die, a plate member having a projection electrode can be manufactured by electroforming as in Figs. 5 (A) to 5 (C). 9 (B), the forming material of the plate-shaped member having the projecting electrode is brought into contact with the inner surface of the hole and the mold surface of the forming die shown in Fig. 9 (B) The protruding
도 9의 (A) 내지 (D)와 같이, 판상 부재의 면 방향과 거의 평행하게, 복수 분할된 성형틀을 이용하는 방법은 돌기 전극(12)의 형상이 복잡한 경우에 바람직하다. 돌기 전극(12)의 형상이 복잡한 경우란, 구체적으로 예를 들면, 도 9의 (C) 및 (D)에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12)이 변형부(12A)를 포함하는 경우를 들 수 있다. 변형부(12A)를 포함하는 돌기 전극(12)의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 도 2 내지 도 4와 같다. 돌기 전극(12)의 형상이 복잡한 경우에도, 이와 같이 판상 부재의 면 방향과 거의 평행하게, 복수 분할된 성형틀을 이용하도록 하면 성형틀을 제조하기 쉽다. 또한, 상기 성형 공정(도 9의 (C)) 후에 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 성형틀(10D)로부터 분리하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 성형틀(10D)을 녹이는 것이 바람직하다. 성형틀(10D)을 녹임으로써, 돌기 전극(12)의 형상이 복잡한 형상이어도 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 성형틀(10D)로부터 용이하게 분리할 수 있다. 이 경우, 성형틀(10D)은 원판틀을 이용하여 제조하는 것이 바람직하다.As shown in Figs. 9A to 9D, a method of using a plurality of divided molds substantially parallel to the plane direction of the plate member is preferable in the case where the shape of the
이상, 도 5 내지 도 9를 이용하여, 돌기 전극 구비 판상 부재를 전기 주조에 의해 제조하는 제조 방법의 예에 대해 설명하였다. 전기 주조에 의한 성형을 이용하면, 동일 형상의 돌기 전극 구비 판상 부재를 극도로 양호한 정밀도로 효율적으로 제조할 수 있다. 또한, 전기 주조에 따르면, 돌기 전극 구비 판상 부재의 형상이 복잡한 형상, 미세한 형상 등이어도 양호한 정밀도로 재현이 가능하다.Up to now, an example of a manufacturing method of manufacturing a plate-shaped member having a projection electrode by electroforming has been described with reference to Figs. 5 to 9. Fig. By using the electroforming, it is possible to manufacture the plate member with the protruding electrode of the same shape with extremely high accuracy and efficiency. Further, according to the electroforming, even if the shape of the plate-shaped member having the protruding electrode is a complicated shape or a fine shape, it can be reproduced with good precision.
돌기 전극 구비 판상 부재를 이용한 전자 부품의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 도 12의 (A) 내지 (C)의 모식적인 공정 단면도에 나타내는 제조 공정에 의해 행할 수 있다. 도 12의 (C)의 단면도가 상기 제조 공정에 의해 제조되는 본 실시예의 전자 부품의 구조의 모식도이다. 우선, 도 12의 (C)에 나타낸 바와 같이, 이 전자 부품(20)은 기판(21), 칩(31), 수지(41), 판상 부재(11) 및 변형부(12A)를 가지는 돌기 전극(12)을 포함한다. 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 편면에 고정되며, 판상 부재(11)와 돌기 전극(12)이 일체가 되어 돌기 전극 구비 판상 부재를 형성하고 있다. 칩(31)은 기판(21) 상에 고정되어 있음과 함께, 수지(41)에 의해 밀봉되어 있다. 기판(21) 상의 칩(31) 배치측에는 배선 패턴(22)이 형성되어 있다. 돌기 전극(12)은 도 1에서도 설명했던 바와 같이 판상 부재(11)의 편면에 고정되어 있다. 또한, 돌기 전극(12)은 상기 수지(41)를 관통하여 배선 패턴(22)에 접촉하고 있다.The manufacturing method of the electronic component using the plate member having the protruding electrode is not particularly limited, but can be performed by the manufacturing process shown in the schematic sectional view of Fig. 12 (A) to (C). 12C is a schematic view of the structure of an electronic part of this embodiment in which the cross-sectional view of FIG. 12C is manufactured by the manufacturing process. 12 (C), the
다음으로, 도 12의 (A) 내지 (C)의 제조 공정에 대해 설명한다. 우선, 도 12의 (A)에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(10) 및 기판(21)을 준비한다. 도시한 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)에서는, 돌기 전극(12)이 판상 부재(11)의 편면에 고정되며, 판상 부재(11)와 돌기 전극(12)이 일체가 되어 돌기 전극 구비 판상 부재(10)을 형성하고 있다. 또한, 도 12의 (A)에서, 돌기 전극(12)의 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향의 길이(높이)를 화살표 및 부호(M)로 나타내고 있다. 기판(21) 상에는 칩(31)이 고정되어 있다. 기판(21) 상의 칩(31) 배치측에는 배선 패턴(22)이 형성되어 있다. 그리고, 돌기 전극 구비 판상 부재(10) 및 기판(21)을 도 12의 (A)에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12) 고정면과 배선 패턴(22) 형성면을 대향시켜 배치한다.Next, the manufacturing process of Figs. 12A to 12C will be described. First, as shown in Fig. 12 (A), a
그리고, 도 12의 (B)에 나타낸 바와 같이, 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면과 기판(21)의 배선 패턴(22) 형성면 사이에, 칩(31)을 수지(41)에 의해 밀봉한다. 동 도면에서는, 변형부(12A)를 가지는 돌기 전극(12)이 수축되어 있지 않다. 즉, 돌기 전극(12)의 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향의 길이(높이)는 도 12의 (A)와 동일한 M 상태이다. 이 상태에서, 돌기 전극(12)이 배선 패턴(22)에 접촉하고 있으며, 또한 돌기 전극(12)의 길이가 전자 부품의 소정의 두께를 따르고 있으면, 이것을 전자 부품(20)으로 하여도 된다. 돌기 전극(12)의 길이가 전자 부품의 소정의 두께를 따르지 않는 경우는 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향의 가압에 의해 판상 부재(11)와 기판(21)의 간격(거리)을 줄여, 전자 부품의 소정의 두께를 따르도록 한다. 이때, 돌기 전극(12)에는 기판(21)의 배선 패턴(22)에 맞닿음에 따른 가압력이 가해진다. 이 가압력에 의해 돌기 전극(12) 전체가 상대적으로 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 가압된다. 이 가압에 의해, 도 12의 (C)에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12)은 그 변형부(12A)가 절곡됨으로써 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축한다. 즉, 도시한 바와 같이, 돌기 전극(12)에서 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향의 길이(높이)는 도 12의 (A) 및 (B)의 M보다 작은 수치인 N이 된다(M＞N). 이에 따라, 돌기 전극(12)은 상기 전자 부품의 소정의 두께(판상 부재(11)와 기판(21)의 간격)를 따른다. 또한, 도 12의 (C) 상태에서, 돌기 전극(12)이 배선 패턴(22)에 접촉한 상태로 한다. 이와 같이 하여, 도시한 전자 부품(20)을 제조할 수 있다. 또한, 도 12에서는 설명의 편의상, 돌기 전극(12)은 번개 형상의 변형부(12A)를 가지는 형상인 것으로 설명하였다. 그러나, 전술한 바와 같이, 돌기 전극(12)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 전술한 바와 같이 어떠한 형상이어도 무방하다. 이하, 돌기 전극(12)을 포함하는 모든 단면도에서도 마찬가지이다.12 (B), a
또한, 판상 부재(11)는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 전술한 바와 같이, 방열판, 또는 차폐판(실드판) 등이어도 된다. 예를 들면, 하나의 IC(전자 부품) 중에 복수의 칩(칩)이 배치되어 있는 경우 등, 각각의 칩의 기능 관계상 차폐판(실드판)에 의해 전자적으로 차폐해도 된다.The
또한, 돌기 전극 구비 판상 부재는, 하나의 기판(하나의 전자 부품)에 대응한 판상 부재여도 무방하나, 도 1에 나타낸 바와 같이, 복수의 기판(복수의 전자 부품)에 대응한 판상 부재(매트릭스형)여도 된다. 매트릭스형의 경우, 예를 들면 각각 칩 및 배선 패턴이 고정된 복수의 기판을 상기 매트릭스형의 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 수지 밀봉한다. 그 후, 상기 매트릭스형의 돌기 전극 구비 판상 부재를 절단 등에 의해 각 기판에 대응한 영역마다 분할해도 된다. 또한, 예를 들면, 전술한 바와 같이 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이어도 된다. 이 경우, 기판면 상에서, 하나의 전자 부품(하나의 제품 단위)에 대응하는 필요한 범위(어느 특정 기능을 가지는 범위)를 상기 판상 돌기 전극으로 구획(구분)할 수 있다.Further, the plate-shaped member having the projection electrode may be a plate-like member corresponding to one substrate (one electronic component), but may be a plate-like member corresponding to a plurality of substrates (a plurality of electronic components) Type). In the case of the matrix type, for example, a plurality of substrates each having a chip and a wiring pattern fixed thereto are resin-sealed together with the plate-shaped member having the projection electrode of the matrix type. Thereafter, the plate-shaped member having the matrix-shaped projection electrode may be divided into regions corresponding to the respective substrates by cutting or the like. Further, for example, as described above, at least one of the protruding electrodes may be a plate-shaped protruding electrode. In this case, a necessary range (a range having a specific function) corresponding to one electronic component (one product unit) can be defined on the substrate surface by the plate-shaped protruding electrodes.
또한, 칩(31) 대신, 이미 칩이 수지 밀봉된 형태의 전자 부품을 이용해도 된다. 이 경우, 전자 부품(20)은 전자 부품(31)을 추가로 수지 밀봉한 형태이기 때문에, 칩이 복수회 수지 밀봉되어 있게 된다.Instead of the
한편, 도 12의 (A) 내지 (C)는 돌기 전극(12)이 변형부(12A)를 가지는 경우에 대해 설명하였다. 돌기 전극(12)이 변형부(12A)를 가지지 않는 경우에는 돌기 전극(12)의 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향의 길이(높이)가 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축하지 않는다. 그 이외에는, 돌기 전극(12)이 변형부(12A)를 가지지 않는 경우에도, 도 12의 (A) 내지 (C)와 같이 하여 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 제조할 수 있다. 그러나, 돌기 전극(12)이 변형부(12A)를 가지면, 전술한 바와 같이, 완성품의(수지 밀봉한) 전자 부품의 두께에 맞추어 상기 돌기 전극의 높이를 설계할 필요가 없다. 이 때문에, 비아 전극(돌기 전극) 및 판상 부재를 모두 가지는 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조 가능하여 바람직하다. 예를 들면, 전술한 바와 같이, 돌기 전극(12)이 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축하는 것을 고려하여, 돌기 전극(12)의 높이(길이)를 미리 완성품의(수지 밀봉한) 전자 부품의 수지 두께(패키지 두께)보다 약간 길게 설정해도 된다.On the other hand, Figs. 12A to 12C show the case where the protruding
한편, 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용한 전자 부품의 제조 방법을 도 12의 (A) 내지 (C)에서 모식적으로 예시했으나, 전술한 바와 같이 특별히 이 방법에 한정되는 것은 아니다. 전자 부품의 제조 방법의 더욱 구체적인 예는, 후술하는 각 실시 형태에서 설명한다.On the other hand, a manufacturing method of an electronic part using a plate-shaped member having a projection electrode is schematically illustrated in Figs. 12A to 12C, but the method is not particularly limited as described above. More specific examples of the manufacturing method of the electronic component will be described in each of the following embodiments.
[실시예 2][Example 2]
다음으로, 압축 성형에 의해 돌기 전극 구비 판상 부재를 제조하는 예에 대해 설명한다.Next, an example of manufacturing a plate-shaped member having a projection electrode by compression molding will be described.
도 10의 (A) 내지 (H)의 공정 단면도(단, 도 10의 (A)만 평면도)에, 본 실시예에서의 압축 성형에 의해 돌기 전극 구비 판상 부재를 제조하는 공정을 모식적으로 나타낸다. 한편, 도 10의 (A) 내지 (H)의 공정 단면도에 대해서는, 편의상 도 10a(도 10의 (A) 내지 (D)) 및 도 10b(도 10의 (E) 내지 (H)) 두 개로 나누고 있지만, 도 10a 및 도 10b를 간단히 도 10이라고 한다.10A to 10H (a plan view only for FIG. 10A), a step of manufacturing a plate member having a projection electrode by compression molding in the present embodiment is schematically shown . 10 (A) to 10 (D) and 10 (10 (E) to (H)) for the sake of convenience. 10A and 10B are simply referred to as Fig. 10.
우선, 도 10의 (A)의 평면도에 나타내 바와 같이, 금속 프레임(3001)을 준비한다. 도시한 바와 같이, 이 금속 프레임(3001)은 직사각형(장방형)이며, 그 중앙 부분에 직사각형의 관통공(3001a)(개구부)을 갖는다. 단, 금속 프레임(3001) 및 관통공(3001a)의 형상은 직사각형에 한정되지 않으며 임의이고, 돌기 전극 구비 판상 부재의 형상 등에 따라 적절히 선택할 수 있다.First, a
다음으로, 도 10의 (B)의 단면도에 나타낸 바와 같이, 금속 프레임(3001)을 금속 프레임(3001)과 동일 형태 동일 크기의 점착 시트(3002)의 편면에 붙인다. 점착 시트(3002)는 금속 프레임(3001) 점착측의 면에 점착제가 부여되어 있다. 점착 시트(3002)에서의 금속 프레임(3001) 점착측의 반대쪽 면은 성형틀의 상형에 마련한 흡착공(도시 생략)에 의해 흡인함으로써, 상기 상형에 흡착시키는 것이 가능하다. 또한, 점착 시트(3002)의 금속 프레임(3001) 점착측에서, 관통공(3001a)으로 노출된 점착면에는 후술하는 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재를 점착시키는 것이 가능하다.Next, as shown in the sectional view of Fig. 10B, the
다음으로, 도 10의 (C) 내지 (G)에 나타낸 바와 같이, 압축 성형에 의해 돌기 전극 구비 판상 부재를 제조한다. 우선, 도 10의 (C)에 나타낸 바와 같이, 성형틀의 상형(3003)에 점착 시트(3002) 및 금속 프레임(3001)을 흡착시킨다. 이 흡착은 예를 들면, 전술한 상형(3003)의 흡착공(도시 생략)으로부터 흡인에 의한 감압(진공)으로 행할 수 있다. 또한, 이 성형틀은 돌기 전극 구비 판상 부재를 제조하기 위한 압축 성형 장치의 일부이다. 도 10의 (C)의 단면도는 이 성형틀의 일부의 구조를 나타내는 개략도이다. 또한, 동 도면은 성형틀을 몰드 체결하기 전의 몰드 개방 상태이며, 또한 수지(4001)를 공급한 상태를 나타내고 있다.Next, as shown in Figs. 10C to 10G, a plate-shaped member having a projection electrode is produced by compression molding. First, as shown in Fig. 10C, the
도 10의 (C)에 나타내 바와 같이, 이 성형틀은 상형(3003)과 상형에 대향 배치된 하형(3004)을 주요 구성 요소로 한다. 상형(3003)의 형면(하면)에는 도시한 바와 같이, 금속 프레임(3001)을 붙인 점착 시트(3002)를 금속 프레임(3001) 쪽이 하방을 향한 상태로 흡착(장착)하여 고정할 수 있다.As shown in Fig. 10C, the molding die has a
상형(3003)은 상형 베이스 플레이트(3011)에 달린 상태로 마련되어 있다. 상형 베이스 플레이트(3011)상에서의 상형(3003)의 외주 위치에는, 상형 외기 차단 부재(3013)가 마련되어 있다. 상형 외기 차단 부재(3013)의 상단면(상형 베이스 플레이트(3011) 및 상형 외기 차단 부재(3013)에 끼워진 부분)에는, 외기 차단용 O-링(3013a)이 마련되어 있다. 또한, 상형 외기 차단 부재(3013)의 하단면에도 외기 차단용 O-링(3013b)이 마련되어 있다. 또한, 상형 베이스 플레이트(3011)에는 몰드 내의 공간부의 공기를 강제적으로 흡인하여 배출하기 위한 상형의 홀(3012, 관통공)이 마련되어 있다.The
또한, 하형(3004)은 하형 캐비티 바닥면 부재(3005a), 하형 외주 부재(3006) 및 하형 탄성 부재(3006a)로 형성되어 있다. 또한, 하형 캐비티 바닥면 부재(3005a)는 그 형면(상면)에 수지 성형용 공간인 캐비티(3005b)(하형 캐비티)를 포함한다. 하형 캐비티 바닥면 부재(3005a)는 하형 캐비티(3005b)의 하방에 마련되어 있다. 하형 캐비티 바닥면 부재(3005a)의 형면(상면)은 돌기 전극 구비 판상 부재에서 판상 부재의 돌기 전극의 고정면측에 대응한 형상을 하고 있다. 또한, 하형 캐비티(3005b)는 돌기 전극 구비 판상 부재에서 돌기 전극의 형상에 대응한 홀을 갖는다. 하형 외주 부재(3006)(하형의 프레임체, 캐비티 측면 부재)는 하형 캐비티 바닥면 부재(3005a)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다. 하형 외주 부재(3006) 상면의 높이는, 하형 캐비티 바닥면 부재(3005a) 상면의 높이보다 높게 되어 있다. 이에 따라, 하형 캐비티 바닥면 부재(3005a) 상면과 하형 외주 부재(3006) 내주면으로 둘러싸인 하형 캐비티(3005b)(오목부)가 형성되어 있다. 하형 캐비티 바닥면 부재(3005a)와 하형 외주 부재(3006) 사이에는 공극(3006c)(흡착공)이 있다. 이 공극(3006c)을 후술하는 바와 같이, 진공 펌프(도시 생략)로 감압하여, 이형필름 등을 흡착시키는 것이 가능하다. 또한, 하형(3004)(하형 캐비티 바닥면 부재(3005a), 하형 외주 부재(3006) 및 하형 탄성 부재(3006a))은 하형 베이스 플레이트(3005)에 탑재된 상태로 마련되어 있다. 완충용 하형 탄성 부재(3006a)는 하형 외주 부재(3006)와 하형 베이스 플레이트(3005) 사이에 마련되어 있다. 또한, 하형 베이스 플레이트(3005) 상에서의 하형 외주 부재(3006)의 외주 위치에는 하형 외기 차단 부재(3021)가 마련되어 있다. 하형 외기 차단 부재(3021)의 하단면(하형 베이스 플레이트(3005) 및 하형 외기 차단 부재(3021)의 사이 부분)에는 외기 차단용 O-링(3021a)이 마련되어 있다. 하형 외기 차단 부재(3021)는 상형 외기 차단 부재(3013) 및 외기 차단용의 O-링(3013b)의 바로 밑에 배치되어 있다. 이상의 구성을 가짐으로써, 상하 양형의 몰드 체결시, O-링(3013a, 3013b)을 포함하는 상형 외기 차단 부재(3013)와 O-링(3021a)을 포함하는 하형 외기 차단 부재(3021)를 접합함으로써, 적어도 하형 캐비티(3005b) 내를 외기 차단 상태로 만들 수 있다.The
그리고, 도 10의 (C)에 나타낸 바와 같이, 하형 캐비티(3005b) 내에 수지(4001)를 공급한다. 도시한 바와 같이, 수지(4001)는 이형필름(5001) 상에 올려져 있다. 이형필름(5001)은 하형 캐비티(3005b) 상면(캐비티면)에 흡착되어 있다. 수지(4001)는 이형필름(5001)을 개재하여 하형 캐비티(3005b) 내에 배치(세팅)되어 있다. 이형필름(5001)은 동 도면의 화살표(3007)로 나타낸 바와 같이, 하형의 흡착공(3006c)을 진공 펌프(도시 생략)로 흡착하여 감압함으로써, 하형 캐비티(3005b)의 캐비티면에 흡착되어 있다. 이에 따라, 하형 캐비티(3005b)의 캐비티면이 이형필름(5001)으로 피복되어 있다. 한편, 이형필름(5001) 및 수지(4001)를 하형 캐비티(3005b) 내에 공급하여 세팅하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 후술하는 도 28 내지 도 30과 마찬가지로 해도 된다. 즉, 우선 이형필름(5001) 상에, 관통공을 가지는 직사각형 형상의 프레임을 올리고, 그 관통공 내에 수지(4001)를 공급한 「수지 공급 프레임」을 형성한다. 그 「수지 공급 프레임」을 반송하여, 상형(3003)과 하형(3004) 사이(하형 캐비티(3005b)의 위치)에 진입시킨다. 그리고, 전술한 바와 같이 이형필름(5001)을 하형 캐비티(3005b)의 캐비티면에 흡착시킨 후, 상기 직사각형 형상의 프레임만을 제거한다. 또한, 도 10의 (C)에서는 수지(4001)는 용융된 상태로 도시되어 있다. 수지(4001)는, 예를 들면 후술하는 도 28 내지 도 30과 마찬가지로, 과립 수지 상태에서 상형(3003)과 하형(3004) 사이에 반송해도 된다. 그리고, 상기한 바와 같이 수지(4001)를 하형 캐비티(3005b) 내에 세팅한 후, 하형(3004)의 가열에 의해 용융시킬 수 있다.Then, as shown in Fig. 10C, the
다음으로, 상하 양형을 몰드 체결한다. 우선, 도 10의 (D)에 나타낸 바와 같이, 금속 프레임(3001)의 하면(점착 시트(3002) 점착면의 반대쪽)과 이형필름(5001)으로 피복된 하형 외주 부재(3006)의 상면을 필요한 간격으로 유지한 상태로 하는 중간적인 몰드 체결을 행한다. 즉, 우선, 도 10의 (C) 상태에서, 하형(3004)측을 화살표(3031) 방향으로 위로 움직인다. 이에 따라, 도 10의 (D)에 나타낸 바와 같이, 상형 외기 차단 부재(3013) 및 하형 외기 차단 부재(3021)를 O-링(3013b)을 사이에 둔 상태로 서로 폐쇄한다. 이와 같이 하여, 동 도면에 나타낸 바와 같이, 상형(3003), 하형(3004), 상형 외기 차단 부재(3013) 및 하형 외기 차단 부재(3021)로 둘러싸인 외기 차단 공간부를 형성한다. 이 상태에서, 동 도면의 화살표(3014)에 나타낸 바와 같이, 상형 베이스 플레이트(3011)에 마련된 상형의 홀(3012)을 통하여, 적어도 상기 외기 차단 공간부를 진공 펌프(도시 생략)로 흡인하여 감압해, 소정의 진공도로 설정한다.Next, the upper and lower molds are clamped with a mold. 10D, the lower surface of the metal frame 3001 (on the opposite side of the adhesive surface of the adhesive sheet 3002) and the upper surface of the lower-type outer
또한, 도 10의 (E)에 나타낸 바와 같이, 금속 프레임(3001) 하면과 이형필름(5001)으로 피복된 하형 외주 부재(3006) 상면을 접합하여 완전 몰드 체결을 행한다. 즉, 도 10의 (D) 상태에서 하형(3004)을 더 위로 움직인다. 이에 따라, 도 10의 (E)에 나타낸 바와 같이, 상형(3003)에 점착 시트(3002)를 개재하여 장착(흡착)된(고정된) 금속 프레임(3001)을, 이형필름(5001)을 개재하여 하형 외주 부재(3006)에 맞닿게 한다. 그리고, 하형 베이스 플레이트(3005)를 상방으로 더 이동시킴으로써, 하형 캐비티 바닥면 부재(3005a)를 더 상방으로 이동시킨다. 한편, 이때 수지(4001)는 유동성을 가지는 상태로 해둔다. 하형 캐비티 바닥면 부재(3005a)를 위로 움직임에 따른 가압력에 의해, 도시한 바와 같이 수지(4001)의 상면이 점착 시트(3002)의 금속 프레임(3001)의 관통공(3001a)으로 노출된 부분에 점착된다. 이때, 하형 탄성 부재(3006a) 및 O-링(3013a, 3013b, 3021a)이 수축하여 쿠션의 기능을 한다. 이와 같이 하여, 수지(4001)를 가압하여 압축 성형한다. 그리고, 수지(4001)를 경화시킨다. 이에 따라, 도 10의 (E) 내지 (H)에 나타낸 바와 같이, 판상 부재(11)의 편면에 돌기 전극(12)이 형성된 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 성형할 수 있다.10E, the upper surface of the lower
도 10의 (E) 내지 (H)에 나타낸 공정은, 예를 들면 이하와 같이 하여 행할 수 있다. 즉, 우선 도 10의 (E) 상태에서, 수지(4001)의 경화에 필요한 소요 시간의 경과후, 진공 펌프를 정지시키고 상형 베이스 플레이트(3011)에 마련되어 있는 상형의 홀(3012)을 통한 흡인에 의한 감압(진공)을 해제한다. 이때, 하형 캐비티 바닥면 부재(3005a)와 하형 외주 부재(3006) 사이의 공극의 감압(진공)은 해제해도 되나, 해제하지 않고 이형필름(5001)을 하형 캐비티 바닥면 부재(3005a)에 흡착시킨 채로 행하는 것이 바람직하다. 그 방법이 이하에서 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 이형필름(5001)으로부터 분리하는(이형하는) 공정을 행하기 쉽기 때문이다. 다음으로, 하형(3004)(하형 캐비티 바닥면 부재(3005a), 하형 외주 부재(3006) 및 하형 탄성 부재(3006a))을 하형 베이스 플레이트(3005)와 함께 화살표(3032) 방향으로 하강시킨다. 이에 따라, 상형(3003), 하형(3004), 상형 외기 차단 부재(3013) 및 하형 외기 차단 부재(3021)로 둘러싸인 상기 외기 차단 공간부 내를 개방하여 감압을 해제한다. 이에 따라, 도 10의 (F)에 나타낸 바와 같이, 상형(3003) 및 하형(3004)이 몰드 개방된다. 그리고, 동 도면에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)는 판상 부재(11)에서의 돌기 전극(12) 고정면의 반대쪽 면이 점착 시트(3002)에 점착된 상태에서, 이형필름(5001)으로부터 분리된다(이형된다).The steps shown in (E) to (H) of FIG. 10 can be performed, for example, as follows. 10 (E), after the elapse of the time required for curing the
그리고, 전술한 상형(3003)의 흡착공(도시 생략)으로부터의 흡인에 의한 감압(진공)을 해제한다. 이에 따라, 도 10의 (G)에 나타낸 바와 같이, 점착 시트(3002)를 금속 프레임(3001) 및 돌기 전극 구비 판상 부재(10)와 함께 상형(3003)으로부터 떼어낸다. 또한, 도 10의 (H)에 나타내 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)(판상 부재(11))를 점착 시트(3002) 및 금속 프레임(3001)으로부터 떼어낸다. 이상과 같이 하여, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 제조할 수 있다. 한편, 금속 프레임(3001)의 내주(관통공(3001a) 주위에서 판상 부재(11)와 접하는 부분)에는 미리 이형제(특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 불소계 이형제 등)를 도포해 두어도 된다. 이에 따라, 판상 부재(11)에 대한 이형성이 높아져, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 떼어내기 용이해진다.Then, the decompression (vacuum) due to the suction from the suction hole (not shown) of the
또한, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 형성 재료도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 도전성 수지여도 되고 비도전성 수지여도 된다. 상기 도전성 수지는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 수지 및 도전성 입자의 혼합물이어도 된다. 상기 도전성 입자는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 금속 입자의 금속도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금, 은, 동, 니켈, 주석, 그 외의 임의의 금속 및 그들 2종 이상을 포함한 합금 등을 들 수 있다. 또한, 예를 들면 상기 성형틀에 의한 성형 공정 후, 상기 도전성 수지 또는 비도전성 수지(특히, 비도전성 수지)로 형성된 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극측의 면에 도전성막을 형성해도 된다. 상기 도전성막은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금속 등의 막을 들 수 있다. 상기 도전성막의 금속도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금, 은, 동, 니켈, 주석 및 그들 2종 이상을 포함한 합금 등을 들 수 있다. 상기 도전성막의 형성 방법도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 도금, 도공, 스퍼터링, 증착 등을 들 수 있다. 상기 도금은, 예를 들면 무전해 도금이어도 되고 전해 도금이어도 된다.The material for forming the
또한, 압축 성형을 이용한 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법은, 본 예(도 10의 (A) 내지 (H))에 한정되지 않으며 적절히 변경이 가능하다. 예를 들면, 본 예에서는 관통공(3001a)을 가지는 금속 프레임(3001)을 점착 시트(3002)에 붙여 이용했으나, 이 대신 관통공을 가지지 않는 금속 플레이트 또는 수지 시트를 이용해도 된다. 상기 금속 플레이트 또는 수지 시트는, 예를 들면 점착 시트(3002)를 개재하지 않고 점착제에 의해 또는 진공 펌프에 의한 흡인(감압) 등에 의해 상형(3003)에 부착해도 된다. 또한, 상기 금속 플레이트 또는 수지 시트에는, 돌기 전극 구비 판상 부재와의 이형성을 높여 용이하게 분리되도록 미리 이형제(특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 불소계 이형제 등)를 도포해 두어도 된다.Further, the manufacturing method of the projecting electrode-equipped plate member by compression molding is not limited to this example ((A) to (H) of FIG. 10) and can be appropriately changed. For example, in this embodiment, the
[실시예 3][Example 3]
다음으로, 트랜스퍼 성형에 의해 돌기 전극 구비 판상 부재를 제조하는 예에 대해 설명한다.Next, an example of manufacturing a plate-shaped member having a projection electrode by transfer molding will be described.
도 11의 단면도에 판상 부재(11)의 편면에 돌기 전극(12)이 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타낸다. 이 제조 방법은 전술한 바와 같이 트랜스퍼 성형을 이용한 제조 방법이다.Sectional view of Fig. 11 schematically shows an example of a manufacturing method of the projecting electrode-equipped
도 11에 나타낸 바와 같이, 이 제조 방법은 일반적인 트랜스퍼 성형용 성형틀(6000)을 이용하여 행할 수 있다. 도시한 바와 같이, 성형틀(6000)은 상형(6001) 및 하형(6002)으로 형성되어 있다. 상형(6001)의 형면에는 수지 성형용 몰드 캐비티(6003)가 마련되고, 하형(6002)의 형면에는 실시예 2(도 10)와 동일한 금속 프레임(3001)을 점착한 점착 시트(3002)를 공급 세팅하는 세팅부(6004)가 마련되어 구성되어 있다. 또한, 상형의 몰드 캐비티(6003)는, 도시한 바와 같이 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)의 요철에 대응한(상기 요철을 반전시킨) 형상을 갖는다.As shown in Fig. 11, this manufacturing method can be carried out using a general transfer
또한, 상형(6001)에는 수지 재료 공급용 수지 통로(6005)(홀)가 마련되어 있다. 수지 통로(6005)에는 수지 가압용 포트(6006) 및 플런저(6007)가 접속되어 있다.A resin passage 6005 (hole) for supplying a resin material is provided in the
도 11의 장치를 이용한 트랜스퍼 성형의 방법은 특별히 한정되지 않으며, 일반적인 트랜스퍼 성형 방법에 따라 행해도 된다. 즉, 우선, 도시한 바와 같이, 하형(6002)의 형면(상면) 세팅부(6004)에 금속 프레임(3001)을 붙인 점착 시트(3002)를 금속 프레임(3001)을 위(하형(6002)의 형면 반대쪽)를 향한 상태로 공급 세팅한다. 또한, 포트(6006) 내에 수지 타블렛, 액상 수지(예를 들면, 열경화성 수지) 등의 수지 재료를 공급한다. 그리고, 상형(6001) 및 하형(6002)을 몰드 체결한다. 다음으로, 포트(6006) 내에서 수지를 가열하여 용융화하여, 포트(6006) 내의 용융 수지(4001)를 플런저(6007)로 가압함으로써, 상형(6001)의 수지 통로(6005) 내에서 상형(6001)의 몰드 캐비티(6003) 내로 용융 수지(4001)를 주입할 수 있도록 구성되어 있다. 이때, 플런저(6007)에서 몰드 캐비티(6003) 내의 수지에 필요한 수지압을 가할 수 있다.The method of transfer molding using the apparatus of Fig. 11 is not particularly limited and may be carried out according to a general transfer molding method. First, as shown in the figure, the
경화에 필요한 소요 시간의 경과 후, 상형(6001) 및 하형(6002)을 몰드 개방함으로써, 몰드 캐비티(6003) 내에서 판상 부재(11)의 편면에 돌기 전극(12)이 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 성형할 수 있다.The
한편, 트랜스퍼 성형의 조건 등은 도 11의 조건에 한정되지 않으며, 임의의 변경이 가능하다. 예를 들면, 상형(6001)의 이형성(성형 후의 돌기 전극 구비 판상 부재(10)와의 분리의 용이함)을 높이기 위해서, 예를 들면 상형(6001)의 몰드 캐비티(6003)를 이형필름으로 피복해도 되고, 상형(6001)에 이젝터 핀을 마련해도 된다. 또한, 예를 들면, 도 11에서는 금속 프레임(3001) 및 몰드 캐비티(6003)가 위를 향하고 있으나, 이를 상하 반대로 하여 금속 프레임(3001) 및 몰드 캐비티(6003)가 아래를 향한 구성으로 해도 된다. 즉, 상형(6001) 대신 하형(6002)에 몰드 캐비티(6003)를 마련하여 하형(6002) 대신 상형(6001)에 세팅부(6004)를 마련해도 된다.On the other hand, the conditions of the transfer molding and the like are not limited to the conditions of Fig. 11, and can be arbitrarily changed. For example, the
또한, 트랜스퍼 성형에서의 성형시에는, 예를 들면 몰드 캐비티 내 등을 소정의 진공도로 설정하여 트랜스퍼 성형해도 된다. 상기 소정의 진공도로 설정하는 방법도 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 일반적인 트랜스퍼 성형에 의한 방법에 따라 행해도 된다.Further, at the time of molding in transfer molding, for example, transfer molding may be performed by setting the inside of the mold cavity to a predetermined degree of vacuum. The method of setting the degree of vacuum to the predetermined degree of vacuum is also not particularly limited, and may be carried out by, for example, a general transfer molding method.
상기 트랜스퍼 성형에 이용하는 장치는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 일반적인 트랜스퍼 성형용 장치와 동일해도 된다. 또한, 상기 수지 밀봉 공정의 구체적인 조건도 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 일반적인 트랜스퍼 성형과 동일해도 된다.The apparatus used for the transfer molding is not particularly limited and may be the same as a general transfer molding apparatus, for example. Further, the specific conditions of the resin sealing step are not particularly limited, and may be the same as, for example, ordinary transfer molding.
[실시예 4][Example 4]
다음으로, 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용한 전자 부품의 제조 방법의 예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 트랜스퍼 성형에 의해 전자 부품을 제조하는 예에 대해 설명한다.Next, an example of a method of manufacturing an electronic component using the plate electrode with a projection electrode of the present invention will be described. In this embodiment, an example of manufacturing an electronic component by transfer molding will be described.
도 13의 단면도에, 도 12의 전자 부품의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타낸다. 이 제조 방법은, 전술한 바와 같이 트랜스퍼 성형을 이용한 제조 방법이다. 또한, 동 도면에서는 돌기 전극(12)이 변형부(12A)를 가지는 경우에 대해 설명한다.A cross-sectional view of Fig. 13 schematically shows an example of a manufacturing method of the electronic component of Fig. This manufacturing method is a manufacturing method using transfer molding as described above. In addition, the case where the protruding
도 13에 나타낸 바와 같이, 이 제조 방법은 일반적인 트랜스퍼 성형용 성형틀(50)을 이용하여 행할 수 있다. 도시한 바와 같이, 성형틀(50)은 상형(51) 및 하형(52)으로 형성되어 있다. 상형(51)의 형면에는 수지 성형용 몰드 캐비티(56)가 마련되고, 하형(52)의 형면에는 칩(31)과 배선 패턴(22)이 마련된 기판(21)을 공급 세팅하는 기판 세팅부(57)가 마련되어 구성되어 있다.As shown in Fig. 13, this manufacturing method can be performed by using a general transfer
또한, 하형(52)에는 수지 재료 공급용 포트(홀)(54)가 마련되어 있고, 포트 내에 수지 가압용 플런저(53)가 장착되어 있다.A resin material supply port (hole) 54 is provided in the
도 13의 장치를 이용한 트랜스퍼 성형의 방법은 특별히 한정되지 않으며, 일반적인 트랜스퍼 성형 방법에 따라 행해도 된다. 즉, 우선, 포트(54) 내에 수지 타블렛, 액상 수지(예를 들면, 열경화성 수지) 등의 수지 재료를 공급하고, 기판 세팅부(57)에 기판(21)을 공급 세팅하여, 상형(51) 및 하형(52)을 몰드 체결한다. 이때, 도 13에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 절곡됨으로써, 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축한다. 이에 따라, 돌기 전극(12)은 수지 밀봉 부품의 소정의 두께를 따른다. 다음으로, 포트(54) 내에서 수지를 가열해 용융화하고, 포트(54) 내의 용융 수지(41)를, 플런저(53)를 상방 이동하여 가압함으로써, 하형(52)의 포트(54) 내로부터 수지 통로(55)(컬, 러너, 게이트)를 통하여 상형(51)의 몰드 캐비티(56) 내에 용융 수지를 주입할 수 있도록 구성되어 있다. 이때, 플런저(53)에서 몰드 캐비티(56) 내의 수지에 필요한 수지압을 가할 수 있다.The method of transfer molding using the apparatus of Fig. 13 is not particularly limited and may be carried out according to a general transfer molding method. First, a resin material such as a resin tablet, a liquid resin (for example, a thermosetting resin) is supplied into the
경화에 필요한 소요 시간의 경과 후, 상형(51) 및 하형(52)을 몰드 개방함으로써, 몰드 캐비티(56) 내에서 캐비티의 형상에 대응한 패키지(수지 성형체) 내에 칩(31) 등을 밀봉 성형할 수 있다(도 12에 나타내는 전자 부품(20)을 참조).The
본 실시예에 있어서, 도 13에 나타내는 제조 방법(도 12에 나타내는 전자 부품(20)의 제조)은, 예를 들면 이하와 같이 하여 행할 수 있다. 즉, 우선, 하형(52)의 형면 상(기판 세팅부)에 상형(51)의 몰드 캐비티에 대응하는 위치에 칩(31)과 배선 패턴(22)이 마련된 기판(21)을 배치하고, 그 위에 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)을 완성품의 전자 부품(20)(도 12)과 동일한 위치 관계가 되도록 배치한다. 이때, 도 13에 나타낸 바와 같이, 기판(21)의 칩(31) 배치측의 반대쪽이 하형(52)과 접하도록 하여, 칩(31) 배치측의 면 상에 돌기 전극 구비 판상 부재(판상 부재(11) 및 돌기 전극(12))이 탑재되게 되어, 배선 패턴(22)과 돌기 전극(12)의 선단부는 물리적으로 전기적으로 접속되게 된다.In the present embodiment, the manufacturing method shown in Fig. 13 (manufacture of the
한편, 기판(21), 칩(31), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)은 도 13과 상하를 반전시킨 상태로 하형(52)의 형면 상에 탑재해도 된다. 즉, 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 형성면과는 반대쪽이 되는 면이 하형(52)과 접하도록 하여, 상기 돌기 전극(12) 형성면 쪽에 기판(21) 및 칩(31)을 배치해도 된다.On the other hand, the
다음으로, 도 13에 나타낸 바와 같이, 상형(51)과 하형(52)을 몰드 체결한다. 이때, 상형(51)을 하형(52) 상에 탑재하여, 상형(51)의 몰드 캐비티(56) 내에 기판(21), 칩(31), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)은 수용되고, 판상 부재(11)는 몰드 캐비티의 윗면에 맞닿게 된다. 이때, 전술한 바와 같이, 상기 몰드 체결의 과정에서 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 절곡됨으로써, 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축한다. 이에 따라, 돌기 전극(12)은 상기 전자 부품의 두께를 따른다.Next, as shown in Fig. 13, the
이 상태에서, 또한 도 13에 나타낸 바와 같이, 플런저(53)에서 하형(52)의 포트(54)로부터 상형(51)의 몰드 캐비티(56) 내에 수지 통로(55)를 통하여 수지(41)를 주입한다. 이에 따라, 기판(21) 상에 배치된 칩(31)을 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)과 함께 수지 밀봉한다. 이와 같이 하여, 도 12에 나타낸 전자 부품(20)을 제조할 수 있다.13, the
한편, 몰드 캐비티(56) 내로 수지를 주입할 때, 몰드 캐비티(56) 내에서 수지(41A)(용융 수지)는 돌기 전극(12) 사이를 흐르거나 또는 돌기 전극(12)의 홀(12b) 내를 통과하여 유동할 수 있다.On the other hand, when the resin is injected into the
또한, 상기에서는, 하형의 형면 상에 기판 및 돌기 전극 구비 판상 부재를 양쪽 모두 탑재하고 나서 몰드 체결하는 방법을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 하형(52)의 형면에 기판(21)을 공급 세팅하고, 상형(51)의 몰드 캐비티 윗면에 돌기 전극 구비 판상 부재(판상 부재(11))를 장착하고, 상형(51)과 하형 (52)을 몰드 체결하여 몰드 캐비티 내에 수지를 주입해도 된다. 이때, 전술한 바와 같이, 판상 부재(11) 및 기판(21)의 위치를 상하 반대로 해도 된다.In the above description, the method of mounting both the substrate and the plate-shaped member having the projection electrode on the mold surface of the lower mold and then performing the mold clamping has been described, but the present invention is not limited thereto. For example, the
또한, 트랜스퍼 성형에서의 성형(수지 밀봉)시에는, 예를 들면 몰드 캐비티 내 등을 소정의 진공도로 설정하여 트랜스퍼 성형해도 된다. 상기 소정의 진공도로 설정하는 방법도 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 일반적인 트랜스퍼 성형에 의한 방법에 따라 행해도 된다.Further, at the time of molding (resin sealing) in transfer molding, transfer molding may be performed by, for example, setting the inside of the mold cavity to a predetermined degree of vacuum. The method of setting the degree of vacuum to the predetermined degree of vacuum is also not particularly limited, and may be carried out by, for example, a general transfer molding method.
상기 트랜스퍼 성형에 이용하는 장치는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 일반적인 트랜스퍼 성형용 장치와 동일해도 된다. 또한, 상기 수지 밀봉 공정의 구체적인 조건도 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 일반적인 트랜스퍼 성형과 동일해도 된다.The apparatus used for the transfer molding is not particularly limited and may be the same as a general transfer molding apparatus, for example. Further, the specific conditions of the resin sealing step are not particularly limited, and may be the same as, for example, ordinary transfer molding.
한편, 돌기 전극(12)와 배선 패턴(22)의 접속을 보다 확실히 하기 위해서, 미리 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22) 사이에 땜납을 삽입해 두어도 된다. 이 경우, 예를 들면 상기 수지 밀봉 공정 후, 리플로우 등에 의해 상기 땜납을 용융시켜 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22)을 접합해도 된다. 이하의 각 실시 형태에서도 마찬가지이다.Solder may be inserted between the protruding
또한, 도 13에서는 돌기 전극(12)이 변형부(12A)를 가지는 경우에 대해 설명했지만, 돌기 전극(12)이 변형부(12A)를 가지지 않는 경우에도, 돌기 전극(12)이 수축하지 않는 것 이외에는 동일하게 하여 전자 부품을 제조할 수 있다. 그러나, 돌기 전극(12)이 변형부(12A)를 가지면, 미리 전자 부품의 수지 두께에 맞추어 돌기 전극(12)의 높이를 설계할 필요가 없기 때문에, 비아 전극(돌기 전극) 및 판상 부재를 모두 가지는 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조 가능하다. 후술하는 각 실시 형태(압축 성형에 의해 전자 부품을 제조하는 경우)에도 마찬가지이다.13 shows a case in which the protruding
또한, 본 발명에 의하면, 이와 같이 비아 전극을 형성하기 위하여, 수지에 비아 형성공(홈 또는 홀)을 천공할 필요가 없다. 이 때문에, 예를 들면 하기 (1) 내지 (5)의 효과를 얻을 수 있다. 단, 이러한 효과는 예시이며 본 발명을 한정하지 않는다.Further, according to the present invention, in order to form the via-electrode in this manner, it is not necessary to drill a via-type success (groove or hole) in the resin. Therefore, for example, the following effects (1) to (5) can be obtained. However, these effects are illustrative and do not limit the present invention.
(1) 수지에 비아 형성공을 천공할 필요가 없기 때문에, 수지 밀봉된 칩(패키지)의 두께의 편차 등에 기인하여, 기판의 배선 패턴상에서 비아 형성공의 깊이 등이 적절하게 형성되지 않는 일이 없다.(1) Since it is not necessary to drill a via-type success in the resin, it is difficult to appropriately form the depth of the via-type success or the like on the wiring pattern of the substrate due to the variation in the thickness of the resin- none.
(2) 수지에 비아 형성공을 천공할 필요가 없기 때문에, 수지 재료에 포함되는 필러가 기판의 배선 패턴 위에 남는 일이 없다.(2) Since it is not necessary to puncture the via-type success in the resin, the filler contained in the resin material does not remain on the wiring pattern of the substrate.
(3) 수지에 비아 형성공을 천공할 필요가 없기 때문에, 칩이 탑재된 기판상의 배선 패턴에 손상을 입히는 일이 없다.(3) Since there is no need to puncture the via-type success in the resin, the wiring pattern on the substrate on which the chip is mounted is not damaged.
(4) 수지에 비아 형성공을 천공할 필요가 없기 때문에, 전자 부품의 제조 조건이 수지 재료의 필러 밀도의 영향을 받지 않는다.(4) Since it is not necessary to drill a via-type success in the resin, the manufacturing conditions of the electronic component are not affected by the filler density of the resin material.
(5) 상기(1) 내지 (4)의 영향에 의해, 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있어 제품 수율이 좋다. 또한, 기판의 배선 패턴과 돌기 전극(비아 전극)의 접속 등이 양호해지기 때문에, 전자 부품의 성능 향상 또는 불량품 발생율의 저하 등에도 기여한다.(5) By the effects of the above (1) to (4), electronic parts can be manufactured easily and efficiently, and the product yield is good. In addition, since the connection between the wiring pattern of the substrate and the protruding electrode (via electrode) is improved, it also contributes to the improvement of the performance of the electronic component and the reduction of the generation rate of defective products.
[실시예 5][Example 5]
다음으로, 도 14 내지 도 17을 이용하여, 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 압축 성형을 이용한 상기 전자 부품의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다. 한편, 본 실시예에 이용되는 돌기 전극 구비 판상 부재의 돌기 전극은 변형부를 가지고 있다. 그러나, 실시예 3에서 설명한 바와 같이, 돌기 전극이 변형부를 가지지 않는 경우에도 상기 돌기 전극이 변형하지 않는(수축하지 않는) 것 이외에는 동일하게 제조할 수 있다.Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 14 to 17. Fig. In this embodiment, an example of a method of manufacturing the electronic component using compression molding will be described. On the other hand, the protruded electrodes of the plate-like member having a protruding electrode used in the present embodiment have deformed portions. However, as described in Embodiment 3, even if the projecting electrode does not have a deformed portion, the same manufacturing process can be performed except that the projecting electrode is not deformed (does not shrink).
우선, 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)를 준비한다. 도 14의 공정 단면도에 이 압축 성형 장치의 일부인 성형틀의 일부의 구조를 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 압축 성형 장치는 상형(101), 하형(111) 및 중간형(중간 플레이트)(102)을 주요 구성 요소로 한다. 하형(111)은 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 부재(112, 113)(하형 본체)를 포함한다. 하형 외주 부재(112, 113)(하형 본체)는 프레임 형상의 캐비티 측면 부재이다. 보다 구체적으로는, 하형 외주 부재(112)는 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 주위를 둘러싸도록 배치되고, 하형 외주 부재(113)는 다시 하형 외주 부재(112)의 외주를 둘러싸도록 배치되어 있다. 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 부재(112) 사이에는 공극(111c)(흡착공)이 있다. 하형 외주 부재(112)와 하형 외주 부재(113) 사이에는, 공극(111d)(흡착공)이 있다. 이러한 공극(111c, 111d)을 후술하는 바와 같이, 진공 펌프(도시 생략)로 감압하여 이형필름 등을 흡착하는 것이 가능하다. 하형 외주 부재(112) 상면의 높이는 하형 캐비티 바닥면 부재(111a) 및 하형 외주 부재(113) 상면의 높이보다 높다. 이에 따라, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a) 상면과 하형 외주 부재(112) 내주면으로 둘러싸인 하형 캐비티(오목부)(111b)가 형성되어 있다. 또한, 상형(101)에는 홀(관통공)(103)이 형성되어 있다. 후술하는 바와 같이, 몰드 체결 후, 홀(103)로부터 진공 펌프(도시 생략)로 흡인함으로써 적어도 하형 캐비티(111b) 내를 감압할 수 있다. 중간형(102)(중간 플레이트)은 프레임 형상(환상)이며, 하형 외주 부재(113)의 바로 위에 위치하도록 배치되어 있다. 중간형(102) 하면과 하형 외주 부재(113) 상면 사이에서, 이형필름(100)을 파지하여 고정할 수 있다. 중간형(102)의 상면의 둘레부에는 탄력성을 가지는 O-링(102a)이 부착되어 있다. 또한, 이 압축 성형 장치는, 도시한 바와 같이 도면의 좌우 양측에 롤(104)을 갖는다. 그리고, 1매의 길이가 긴 이형필름(100)의 양단이 좌우의 롤(104)에 각각 권취되어있다. 좌우의 롤(104)에 의해 이형필름(100)을 도 14의 오른쪽에서 왼쪽으로, 또는 왼쪽에서 오른쪽으로 송출할 수 있다. 이에 따라, 후술하는 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재를 이형필름(100) 위에 올려놓은 상태로 상기 하형 캐비티의 위치까지 반송할 수 있다. 즉, 롤(104)은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 반송 수단에 해당한다. 또한, 도시 생략하였으나, 이 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)는 수지 탑재 수단을 더 포함한다. 상기 수지 탑재 수단은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극 형성면 상에 수지를 탑재한다.First, a compression molding apparatus (a manufacturing apparatus for electronic parts) is prepared. Fig. 14 is a sectional view showing the structure of a part of a molding die which is a part of the compression molding apparatus. As shown in the drawing, the compression molding apparatus has a
다음으로, 도 14에 나타낸 바와 같이, 칩(31)이 편면에 고정된 기판(21)을 클램퍼(101a)에 의해, 상형(101)의 하면에 고정한다. 이때, 기판(21)의 칩(31) 형성면이 아래를 향하도록 한다. 한편, 기판(21) 및 칩(31)은 실시예 1과 동일하며, 기판(21)에는 실시예 1과 마찬가지로 배선 패턴(22)이 형성되어 있다. 또한, 상기 수지 탑재 수단에 의해, 도시한 바와 같이 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에, 수지 재료(41a)(수지)를 탑재한다(수지 탑재 공정). 한편, 판상 부재(11), 돌기 전극(12) 및 수지(41a)는 실시예 1과 동일하다. 수지 재료(41a)의 형태는 특별히 한정되지 않지만, 상기 수지 탑재 공정에서 수지 재료(41a)가 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상으로부터 흘러 넘치지 않게 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 수지 탑재 공정에서, 시트상의 수지 재료(41a)를 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에 라미네이트(적층)하여 가압해도 된다. 또한, 도시한 바와 같이, 이형필름(100) 상에 수지 재료(41a)를 탑재한 판상 부재(11)를 올려놓는다. 이때, 도시한 바와 같이, 판상 부재(11)의 수지 재료(41a) 탑재면(돌기 전극(12) 형성면)이 위를 향하도록(즉, 돌기 전극(12) 형성면의 반대쪽 면이 이형필름(100) 상면과 접하도록) 한다. 또한, 도시 생략하였으나, 점착제(접착층)가 이형필름(100) 상면과 판상 부재(11) 사이에 존재하고, 상기 점착제(접착층)에 의해 판상 부재(11)가 이형필름(100) 상면에 고정되어 있어도 된다. 이와 같이, 상기 점착제(접착층)가 존재하면, 예를 들면 판상 부재(11)에 홀이 형성되어 있어도, 상기 홀로부터 수지(41a)가 쉽게 새지 않는 등의 이점이 있어 바람직하다. 또한, 상기 반송 수단에 의해, 도 14에 나타낸 바와 같이 수지 재료(41a)를 판상 부재(11), 돌기 전극(12) 및 이형필름(100)과 함께 하형 캐비티(111b)의 위치까지 반송한다.Next, as shown in Fig. 14, the
다음으로, 도 15의 화살표(114)로 나타낸 바와 같이, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 부재(112) 사이의 틈새(공극(111c))를 진공 펌프(도시 생략)로 감압한다. 그와 함께, 동 도면의 화살표(115)로 나타낸 바와 같이, 하형 외주 부재(112)와 하형 외주 부재(113) 사이의 틈새(공극(111d))를 진공 펌프(도시 생략)로 감압한다. 또한, 중간형(102)을 O-링(102a)과 함께 하강시켜, 중간형(102)의 하면과 하형 외주 부재(113)의 상면 사이에서 이형필름(100)을 파지한다. 이들에 의해, 이형필름(100)을 하형 외주 부재(112) 및 하형 외주 부재(113)의 상면에 고정한다. 또한, 하형 캐비티(111b) 내의 감압(114)으로, 이형필름(100)을 하형 캐비티(111b)의 면에 피복시킬 수 있다. 그렇게 함으로써, 도시한 바와 같이 수지 재료(41a)를 판상 부재(11) 상에 탑재한 상태에서 하형 캐비티의 캐비티면 상에 탑재할 수 있다.Next, as shown by an
다음으로, 도 16 내지 도 17에 나타낸 바와 같이, 상기 수지 밀봉 공정을 행한다. 한편, 도 16에서는 편의상 클램퍼(101a)의 도시를 생략하였다.Next, as shown in Figs. 16 to 17, the resin sealing step is performed. In FIG. 16, the
즉, 우선, 도 16에 나타낸 바와 같이, 하형(111)(하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 부재(112, 113))을 중간형(102) 및 외기 차단용 O-링(102a)과 함께 상승시킨다. 이때, 상형(101)의 형면과 O-링(102a)의 상면측을 접합함으로써, 적어도 하형 캐비티(111b) 내를 외기 차단 상태로 설정하여 상형, 중간형, 하형(3개의 형)으로 외기 차단 공간부를 형성할 수 있다. 이 상태에서, 화살표(107)로 나타낸 바와 같이, 상형(101)의 홀(103)을 통하여, 적어도 하형 캐비티(111b) 내(외기 차단 공간부 내)를 진공 펌프(도시 생략)로 흡인하여 감압할 수 있다. 또한, 하형(111)과 중간형(102)을 일체로 하여 상승시킨다. 이때, 이형필름(100)을 개재하여 하형 외주 부재(112)의 상면(하형(111))과 기판(21)의 면을 접하게 할 수 있다.16, the lower mold 111 (the lower cavity
다음으로, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)를 상승시킨다. 이때, 도 16에 나타낸 바와 같이, 수지 재료(41a)(수지)를 가열 등에 의해 유동성 수지(41b)(수지) 상태로 해둔다. 이에 따라, 우선 하형 캐비티(111b) 내에서, 유동성 수지(41b)에 칩(31)을 침지시키고, 다음으로 하형 캐비티(111b) 내의 유동성 수지(41b)를 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)로 가압할 수 있다. 따라서, 도 17에 나타낸 바와 같이, 하형 캐비티(111b) 내에서 기판(21)에 장착한 칩(31)(돌기 전극 및 배선 패턴(22)을 포함)을 경화 수지로 이루어지는 밀봉 수지(수지)(41) 내에 압축 성형(수지 성형)하여, 하형 캐비티(111b)의 형상에 대응한 성형 패키지(수지 성형체)로 만들 수 있다. 이때, 판상 부재(11)는 상기 성형 패키지의 기판(21) 반대쪽 윗면측에 장착된 상태가 된다. 한편, 이때, 기판(21)과 이형필름(100) 사이에 약간의 클리어런스(공극)가 있어도 된다.Next, the lower mold cavity
전술한 바와 같이, 화살표(107)로 나타낸 바와 같이, 상형(101)의 홀(103)을 통하여 적어도 하형 캐비티(111b) 내를 진공 펌프(도시 생략)로 흡인하여 감압한다. 그리고, 그 상태에서 유동성 수지(41b)를 판상 부재(11), 돌기 전극(12), 칩(31) 및 기판(21)과 함께 압축 성형하여 칩(31)을 수지 밀봉한다. 이때, 돌기 전극(12)이 기판(21)의 배선 패턴(22)에 맞닿음에 따른 가압력에 의해, 돌기 전극(12) 전체가 상대적으로 수직 방향으로 가압된다. 이 가압에 의해, 도시한 바와 같이, 유동성 수지(41b)의 두께보다 높게 설계된 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 절곡된다. 이에 따라, 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여(즉, 면 방향과 수직 방향의 길이가 짧아져), 수지 밀봉 부품의 소정의 두께를 따르게 된다. 또, 이때, 돌기 전극(12)이 기판(21) 상에 형성된 배선 패턴(22)에 접촉하게 된다. 또한, 유동성 수지(41b)를 경화시켜, 도 17에 나타낸 바와 같이 경화 수지로 이루어지는 밀봉 수지(수지)(41)로 만든다. 이와 같이 하여, 상기 「수지 밀봉 공정」을 행하여 전자 부품을 제조할 수 있다.As described above, at least the inside of the
한편, 전술한 바와 같이, 하형 캐비티(111b) 내의 수지에 칩(31)을 침지할 때, 상기 수지는 유동성을 가지는 유동성 수지(41b) 상태에서 한다. 이 유동성 수지(41b)는, 예를 들면 액체의 수지(경화 전의 열경화성 수지 등)이어도 되고, 또는 과립상, 분말상, 페이스트상 등의 고체상의 수지를 가열하여 용융화한 용융 상태여도 된다. 수지 재료(41a)의 가열은, 예를 들면 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 가열 등에 의해 행할 수도 있다. 또한, 예를 들면, 수지 재료(41a)가 열경화성 수지로서 유동성을 가지고 있는(즉, 이미 유동성 수지(41b) 상태) 경우, 하형 캐비티(111b) 내의 수지 재료(41a)(유동성 수지(41b))를 가열하고, 또한 가압하여 열경화해도 된다. 이에 따라, 하형 캐비티의 형상에 대응한 수지 성형체(패키지) 내에 칩(31)을 수지 밀봉 성형(압축 성형)할 수 있다. 이와 같이 하면, 예를 들면 수지 성형체(패키지)의 상면(기판 반대쪽 면)에 판상 부재(11)를 노출한 상태에서 형성하는 것도 가능하다.On the other hand, as described above, when the
압축 성형(수지 밀봉) 후, 즉 유동성 수지(41b)를 경화하여 밀봉 수지(41)로 만든 후, 도 17에 나타낸 바와 같이, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 부재(112) 사이의 공극의 감압(진공)을 해제한다. 화살표(116)으로 나타낸 바와 같이, 반대로 상기 공극으로 공기를 불어넣어도 된다. 다음으로, 하형(111)(하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 부재(112, 113))을 중간형(102) 및 O-링(102a)과 함께 하강시킨다. 이에 따라, 하형 캐비티(111b) 내를 개방하여 감압을 해제한다. 이에 따라, 도시한 바와 같이 이형필름(100)이 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 상면으로부터 떨어진다. 이때, 하형 외주 부재(112, 113) 사이의 공극 감압(진공)은 해제되어 있지 않다. 또한, 중간형(102)은 하형 외주 부재(113)와 함께 이형필름(100)을 파지한 상태이다. 이 때문에, 이형필름(100)은 도시한 바와 같이, 하형 외주 부재(112, 113) 상면에 계속 흡착(고정)되어 있다. 또한, 기판(21)은 클램퍼(101a)에 의해 상형(101) 하면(몰드면)에 계속 고정되어 있다. 그리고, 밀봉 수지(41) 및 판상 부재(11)는 기판(21) 및 칩(31)과 함께 압축 성형되어 있으므로, 하형(111)의 하강에 의해 기판(21), 판상 부재(11), 돌기 전극(12), 칩(31) 및 밀봉 수지(41)에 의해 형성된 전자 부품으로부터 이형필름(100)이 박리된다. 그리고, 롤(104)에 의해 이형필름(100)을 도면 오른쪽 방향 또는 왼쪽 방향으로 풀어낸다(권취한다).17, after the compression molding (resin sealing), that is, the
본 발명에 있어서는, 예를 들면 본 실시예에 나타낸 바와 같이, 칩의 수지 밀봉을 행할 때, 하형 캐비티(111b) 내의 유동성 수지(41b)(용융 수지 또는 액상 수지) 중에 돌기 전극(12) 전체가 존재한다. 이 상태에서, 전술한 바와 같이 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)를 위로 움직이면, 유동성 수지(41b) 중에서 돌기 전극(12)의 선단부와 기판(21)의 배선 패턴(22)이 물리적으로 맞닿아 접속된다. 이와 같이 함으로써, 예를 들면 칩의 수지 밀봉 후에 비아 형성공을 천공하는 방법과 비교하여, 돌기 전극의 선단과 기판의 배선 패턴은 그 사이에 수지가 들어가지 않아 접촉하기 쉽다. 즉, 돌기 전극과 기판의 배선 패턴의 전기적인 접속이 유리해진다. 이것은, 예를 들면 판상 부재가 실드판인 경우의 실드 성능면에서 유리하다. 또, 전술한 바와 같이, 돌기 전극(12)은 변형부(12A)를 가지지 않아도 되나, 변형부(12A)를 가지면 돌기 전극(12)의 높이를 완성품의 전자 부품의 두께에 엄밀하게 맞추어 설계할 필요가 없기 때문에 바람직하다. 예를 들면, 번개 형상(지그재그)의 변형부가 절곡되는 대신, 또는 이에 더하여 도 3의 (A) 내지 (D) 또는 도 4의 (A) 내지 (D)에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12)이 수축할 수 있어도(높이가 작아질 수 있어도) 된다. 즉, 돌기 전극(12)의 높이가 수지(41)의 두께보다 약간 높아도, 돌기(12c)의 선단이 배선 패턴(22)에 맞닿았을 때 돌기(12c)가 홀(12b) 측의 공극으로 탄성적으로 이동함(내려감)에 따라, 돌기 전극(12)이 수축하는 것이 가능하다. 이에 따라, 전술한 바와 같이 돌기 전극(12)의 높이를 전자 부품의 수지 두께(패키지 두께)에 대응하여 조정할 수 있다.In the present invention, for example, as shown in this embodiment, when the resin is sealed in the chip, the entire projecting
다음으로, 도 18 및 19에 대해 설명한다. 도 14 내지 도 17에서는, 수지 재료(41a)를 판상 부재(11) 상에 탑재하는 「수지 탑재 공정」을 행하고, 그 후 돌기 전극 구비 판상 부재를 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 「반송 공정」을 행하는 방법에 대해 설명하였다. 그러나, 전술한 바와 같이, 상기 수지 탑재 공정과 상기 반송 공정의 순서는 특별히 한정되지 않는다. 도 18 및 도 19에, 상기 반송 공정 후 상기 수지 탑재 공정을 행하는 상기 전자 부품의 제조 방법의 예를 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 방법에 이용하는 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)는, 수지 공급 수단(60)을 가지는 것 이외에는 도 14 내지 도 17의 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)와 동일하다. 단, 도 18 내지 도 19에서는 간략화를 위하여 상형(101), 상형의 홀(관통공)(103), 클램퍼(101a), 기판(21), 배선 패턴(22) 및 칩(31)은 도시를 생략하였다. 수지 공급 수단(60)은, 도시한 바와 같이 수지 공급부(61)와 하부 셔터(62)로 구성되어 있다. 수지 공급부(61)는 상단 및 하단에 개구가 형성된 프레임 형상이다. 수지 공급부(프레임)(61) 하단의 개구는 셔터(62)에 의해 닫혀 있다. 이에 따라, 도 18에 나타낸 바와 같이, 수지 공급부(프레임)(61)와 하부 셔터(62)로 둘러싸인 공간 내에 수지 재료(41a)를 수용 가능하다. 이 상태에서, 도 18에 나타낸 바와 같이, 수지 공급 수단(60)을 하형 캐비티(111b)의 바로 위(하형(111)과 상형(101) 사이의 공간 내)에 진입시킨다. 그리고, 도 19에 나타낸 바와 같이, 하부 셔터(62)를 끌어당겨 수지 공급부(프레임)(61) 하단의 개구를 개방함으로써, 상기 개구로부터 수지 재료(41a)를 낙하시켜 하형 캐비티(111b) 내에 공급(탑재)할 수 있다. 또한, 수지 재료(41a)는 도 18 및 도 19에서는 과립 수지이지만, 특별히 이에 한정되지 않는다. 또한, 도 14 내지 도 17의 공정에 앞서는 상기 수지 탑재 공정에서, 도 18 내지 도 19와 마찬가지로 수지 공급부(61)와 하부 셔터(62)로 구성된 수지 공급 수단(60)을 이용해도 된다.Next, Figs. 18 and 19 will be described. In Figs. 14 to 17, a " carrying step " for carrying out the " resin mounting step " in which the
도 18 및 도 19에 나타내는 방법에서는, 우선 상기 반송 공정에서 판상 부재(11) 상에 수지 재료(41a)를 탑재하지 않는 것 이외에는 도 14 및 도 15와 동일한 공정을 행한다. 이에 따라, 도 18에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(판상 부재(11) 및 돌기 전극(12))가 수지 재료(41a)를 탑재하고 있지 않는 것 이외에는 도 15와 동일한 상태에서, 하형 캐비티(111b)의 캐비티면 상에(이형필름(100)을 개재하여) 올려진다.In the methods shown in Figs. 18 and 19, first, the same steps as those of Figs. 14 and 15 are carried out except that the
다음으로, 상기 수지 탑재 공정에 앞서, 도 18에 나타낸 상태에서 돌기 전극 구비 판상 부재를 하형 캐비티 내에서 가열한다(가열 공정). 상기 가열은, 예를 들면 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 가열 등에 의해 행할 수 있다. 이 가열 공정에서, 돌기 전극 구비 판상 부재를 충분히 열 팽창시키는 것이 바람직하다. 즉, 이후에 행하는 수지 밀봉 공정에서, 가열에 의한 돌기 전극 구비 판상 부재의 팽창이 일어나지 않게 하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 상기 수지 밀봉 공정에서 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22)의 위치가 어긋나기 어려워져, 위치 조정이 용이해진다.Next, prior to the resin mounting step, the plate-shaped member having the projection electrode in the state shown in Fig. 18 is heated in the lower cavity (heating step). The heating can be performed, for example, by heating the bottom cavity
또한, 도 19에 나타낸 바와 같이, 하형 캐비티(111b) 내에서, 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에 수지 재료(41a)를 탑재한다(수지 탑재 공정). 이 공정은, 예를 들면 하부 셔터(62)를 끌어당겨 수지 공급부(프레임)(61) 하단의 개구를 개방함으로써, 상기 개구로부터 수지 재료(41a)를 낙하시켜 하형 캐비티(111b) 내에 공급(탑재)한다. 그 후, 도 16 및 도 17과 동일하게 하여 상기 수지 밀봉 공정을 행한다. 한편, 수지 재료(41a)는 도 19에서는 과립 수지이지만 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 수지 재료(41a)가 열가소성 수지(예를 들면, 과립 수지, 분말 수지 등)이며, 돌기 전극 구비 판상 부재의 열에 의해 수지 재료(41a)를 용융화하여 유동성 수지(41b)로 만든 후, 냉각하여 고화시켜 밀봉 수지(41)로 해도 된다. 또한, 전술한 바와 같이, 수지 재료(41a)가 경화되기 전의 액상의 열경화성 수지이며, 돌기 전극 구비 판상 부재의 열에 의해 경화해도 된다.19, the
또한, 본 실시예에 있어서, 압축 성형 장치의 구조는 도 14 내지 도 17에 나타낸 구조에 한정되지 않으며, 어떠한 구조여도 무방하며, 예를 들면 일반적인 압축 성형 장치의 구조와 동일하거나 또는 그에 준해도 된다. 구체적으로는, 상기 압축 성형 장치의 구조는, 예를 들면 일본 특허 공개 제2013-187340호 공보, 일본 특허 공개 제2005-225133호 공보, 일본 특허 공개 제2010-069656호 공보, 일본 특허 공개 제2007-125783호 공보, 일본 특허 공개 제2010-036542호 공보 등에 나타낸 구조와 동일하거나 또는 그에 준해도 된다. 예를 들면, 압축 성형 장치는 도 14 내지 도 17에 나타낸 구조 대신, 일본 특허 공개 제2013-187340호 공보의 도 2 내지 도 6과 동일한 구조(중간형을 갖지 않는 대신, 상형에 필름 가압 수단이 부속되어 있는 구조)여도 된다. 이러한 압축 성형 장치를 이용한 압축 성형 방법(전자 부품의 제조 방법)은, 예를 들면 상기 공보에 기재된 방법과 동일하게 하여 행할 수 있다. 또한, 수지 공급 수단에 대해서는, 도 18 및 도 19의 수지 공급 수단(60) 대신 임의의 구성이어도 된다. 예를 들면, 상기 수지 공급 수단은 일본 특허 공개 제2010-036542호 공보에 기재된 수지 재료의 배포 수단(수지 재료의 투입 수단, 계량 수단, 호퍼, 리니어 진동 피더 등을 포함)이어도 된다. 또는, 상기 수지 공급 수단은 일본 특허 공개 제2007-125783호 공보에 기재된 수지 공급 기구와 같이, 저장부, 계량부, 투입부, 공급부, 셔터, 트레이, 슬릿 등을 구비한 구성이어도 된다. 또한, 예를 들면, 도 14 내지 도 17에 도시하지 않은 하형의 상하동 기구 등에 대해서는, 상기 일본 특허 공개 제2005-225133호 공보, 일본 특허 공개 제2010-069656호 공보 등과 동일하거나 또는 그에 준해도 되고, 예를 들면 하형 캐비티 바닥면 부재의 하방에 탄성 부재를 접속해도 된다.Further, in the present embodiment, the structure of the compression molding apparatus is not limited to the structure shown in Figs. 14 to 17, and any structure may be used. For example, the structure may be the same as or similar to that of a general compression molding apparatus . Specifically, the structure of the compression molding apparatus is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2013-187340, 2005-225133, 2010-069656, 2007 -125783, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-036542, or the like. For example, instead of the structure shown in Figs. 14 to 17, the compression molding apparatus may have the same structure as that of Figs. 2 to 6 of JP-A-2013-187340 (without having an intermediate mold, The attached structure). The compression molding method (manufacturing method of electronic parts) using such a compression molding apparatus can be carried out, for example, in the same manner as described in the above publication. In addition, the resin supply means may be any structure instead of the resin supply means 60 shown in Figs. 18 and 19. For example, the resin supply means may be a resin material dispensing means (including a means for injecting resin material, a metering means, a hopper, a linear vibration feeder, etc.) described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-036542. Alternatively, the resin supply means may have a configuration including a storage portion, a metering portion, a charging portion, a supply portion, a shutter, a tray, a slit, and the like as in the resin supply mechanism described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-125783. Further, for example, the up-and-down mechanism of the lower mold not shown in Figs. 14 to 17 may be the same as or similar to the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open Nos. 2005-225133 and 2010-069656 , For example, an elastic member may be connected to the lower side of the lower cavity bottom face member.
또한, 본 실시예에서는 하형 캐비티 내를 감압하여 압축 성형하는 방법을 이용하였다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다른 압축 성형(컴프레션 몰드)을 이용해도 된다.In the present embodiment, a method of compressing and molding the lower mold cavity was used. However, the present invention is not limited to this, and other compression molding (compression mold) may be used.
또한, 본 발명의 제조 방법은, 전술한 바와 같이, 상기 수지 밀봉 공정을 포함한 제조 방법이지만, 예를 들면 본 실시예에 나타낸 바와 같이, 그 외의 임의의 공정을 포함해도 무방하다.Further, the manufacturing method of the present invention is a manufacturing method including the above-described resin encapsulation step as described above, but it may include any other step as shown in this embodiment, for example.
본 실시예에서는, 전술한 바와 같이 이형필름 상에 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 올려놓고, 그 상태에서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티 내에 반송한다. 이에 따라, 예를 들면 판상 부재 및 그 반송 수단의 구조를 단순화 하기 쉽다. 또한, 본 실시예에서는, 전술한 바와 같이 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 이형필름 상에 올려놓은 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 상에 상기 수지를 탑재한다. 이에 따라, 예를 들면, 도 14 내지 도 17에서 수지(수지 재료(41a), 유동성 수지(41b) 및 밀봉 수지(41))와 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 접촉 및 하형(111)과 하형 외주 부재(112)의 공극 내에 상기 수지가 들어가는 것을 방지할 수 있다.In this embodiment, the plate member having the projection electrode is placed on the release film as described above, and the plate member provided with the projection electrode is transferred into the mold cavity of the molding die in this state. Thus, for example, the structure of the sheet-like member and its conveying means can be easily simplified. Further, in this embodiment, the resin is mounted on the projecting electrode-provided plate member in a state in which the projecting electrode-provided plate member is placed on the release film as described above. 14 to 17 and the lower mold cavity
한편, 본 발명에 있어서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재(수지를 탑재한 상태 또는 탑재하지 않은 상태)를 반송하는 수단(기구)은 도 14 내지 도 17의 구성에 한정되지 않으며, 다른 임의의 구성을 가지는 반송 수단(반송 기구)이어도 된다. 예를 들면, 상기 이형필름의 형상은 도 14 내지 도 17에서는, 길이가 긴 이형필름을 롤에 권취한 이형필름이지만 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 이형필름의 형상은 길이가 짧은 이형필름, 길이가 긴 이형필름, 롤에 권취한 이형필름 등 어떠한 형상이어도 무방하다. 예를 들면, 길이가 긴 이형필름 또는 롤에 권취한 이형필름을 본 발명의 제조 방법에 제공하는데 앞서, 커팅(프리커팅)하여 짧은 길이의 이형필름으로 만들어도 된다. 프리커팅한 이형필름을 이용하는 경우, 상기 반송 공정(상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 공정)은, 예를 들면 일본 특허 공개 제2013-187340호 공보의 도 1 및 그 설명과 동일하게 행해도 된다.On the other hand, in the present invention, the means (mechanism) for transporting the projecting electrode-provided plate-shaped member (the state in which the resin is mounted or not mounted) is not limited to the configurations shown in Figs. 14 to 17, The storage means may be a transfer means (transfer mechanism). For example, although the shape of the release film is a release film obtained by winding a release film having a long length on a roll in Figs. 14 to 17, it is not limited thereto. For example, the shape of the release film may be any shape such as a release film having a short length, a release film having a long length, or a release film wound around a roll. For example, a long release film or a release film wound on a roll may be cut (precut) into a short-length release film prior to providing the production method of the present invention. In the case of using the pre-cut release film, the above-described carrying process (the step of transporting the plate member with the projection electrode to the mold cavity of the mold) is disclosed in, for example, Figs. 1 and 2 of JP-A 2013-187340 The same explanation may be applied.
[실시예 6][Example 6]
다음으로, 본 발명의 또 다른 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 압축 성형을 이용한 전자 부품의 제조 방법의 또 다른 예를 나타낸다.Next, another embodiment of the present invention will be described. This embodiment shows another example of a method of manufacturing an electronic component using compression molding.
도 20 내지 도 23의 공정 단면도에, 본 실시예의 제조 방법을 모식적으로 나타낸다. 도시한 바와 같이, 본 실시예는 이형필름(100)을 이용하지 않는 것과, 판상 부재(11)의 형상이 다른 점에서 실시예 5(도 14 내지 도 17)와 상이하다.20 to 23 schematically show the manufacturing method of this embodiment. As shown in the drawing, this embodiment is different from Embodiment 5 (Figs. 14 to 17) in that the shape of the plate-
본 실시예에서는, 판상 부재(11)의 둘레부가 융기하여 중앙부가 수지 수용부가 되어 있다. 보다 구체적으로는, 도시한 바와 같이 판상 부재(11)의 둘레부가 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면측으로 융기함으로써, 벽상 부재(11b)를 형성하고 있다. 이에 따라, 판상 부재(11)의 중앙부가 수지 수용부(11c)를 형성하고 있다. 즉, 판상 부재(11)는 그 둘레부가 융기하여 벽상 부재(11b)를 형성함으로써, 트레이형(상면이 개방된 상자형)의 형상을 하고 있다. 그리고, 판상 부재(11)의 중앙부가 판상 부재(11)의 본체(바닥면부)와 벽상 부재(둘레부)(11b)로 둘러싸인 수지 수용부(상기 트레이형 형상의 오목부)(11c)를 형성하고 있다. 한편, 돌기 전극(12)은 도시한 바와 같이, 판상 부재(11) 본체(바닥면부)에서의 수지 수용부(오목부)(11c)측의 면에 고정되어 있다. 또, 벽상 부재(11b)는 판상 부재(11)의 일부이며 돌기 전극(12)과는 다르다. 벽상 부재(11b)는, 예를 들면 방열 부재 또는 전자파를 실드하는 실드 부재로서의 기능을 가지고 있어도 된다. 판상 부재(11)가 벽상 부재(11b)를 가지는 경우, 돌기 전극(12)의 형상은 특별히 한정되지 않으며 임의이지만, 예를 들면 돌기 전극(12)의 적어도 하나가 상기 판상 돌기 전극인 것이 바람직하다. 본 실시예에서는, 수지 수용부(11c) 때문에 이형필름을 이용하지 않아도, 수지(수지 재료(41a), 유동성 수지(41b) 및 밀봉 수지(41))와 하형 캐비티 바닥면 부재의 접촉 및 상기 수지가 하형 외주 부재와 하형 캐비티 바닥면 부재 사이의 공극 내에 들어가는 것을 억제하거나 또는 방지할 수 있다. 이 때문에, 이형필름의 생략에 따른 비용 절감과 함께, 이형필름을 붙이거나 흡착하는 공정을 생략할 수 있기 때문에, 전자 부품의 제조 효율의 향상으로 이어진다.In the present embodiment, the periphery of the
본 실시예에 있어서, 성형틀(상형 및 하형)을 포함하는 압축 성형 장치는 도 20 내지 도 23에 나타낸 바와 같이, 이형필름의 롤 및 중간형을 가지지 않는 것 이외에는 실시예 5와 동일한 것을 이용할 수 있다. 구체적으로는, 도시한 바와 같이 상기 압축 성형 장치는, 상형(1001)과 하형(1011)을 주요 구성 요소로 한다. 하형(1011)은 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 하형 외주 부재(1012)(하형 본체)를 포함한다. 하형 외주 부재(1012)(하형 본체)는 프레임 형상의 캐비티 측면 부재이다. 보다 구체적으로는, 하형 외주 부재(1012)는 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다. 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 하형 외주 부재(1012) 사이에는 공극(흡착공)(1011c)이 있다. 이 공극(1011c)을 도 21 및 도 22의 화살표(1014)로 나타낸 바와 같이, 진공 펌프(도시 생략)로 감압하여, 판상 부재를 흡착시키는 것이 가능하다. 또한, 압축 성형 후에는 도 23의 화살표(1016)에 나타낸 바와 같이, 이 공극(1011c)으로부터 반대로 공기를 불어넣어, 상기 판상 부재를 탈리시키는 것이 가능하다. 하형 외주 부재(1012) 상면의 높이는 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 상면의 높이보다 높게 되어 있다. 이에 따라, 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)의 상면과 하형 외주 부재(1012)의 내주면으로 둘러싸인 하형 캐비티(오목부)(1011b)가 형성되어 있다. 또한, 상형(1001)에는 홀(관통공)(1003)이 형성되어 있다. 이에 따라, 도 22의 화살표(1007)로 나타낸 바와 같이, 몰드 체결 후 홀(1003)로부터 진공 펌프(도시 생략)로 흡인함으로써, 적어도 하형 캐비티(1011b) 내를 감압할 수 있다. 하형 외주 부재(1012) 상면의 둘레부에는, 탄력성을 가지는 O-링(1012a)이 부착되어 있다. 또한, 도시 생략하였으나, 이 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)는 수지 탑재 수단 및 반송 수단을 더 포함한다. 상기 수지 탑재 수단은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극 형성면 상에 수지를 탑재한다. 상기 반송 수단은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송한다.In the present embodiment, the compression molding apparatus including a molding die (upper die and lower die) can be the same as the embodiment 5 except that it does not have a roll of the release film and an intermediate die as shown in Figs. 20 to 23 have. Specifically, as shown in the figure, the compression molding apparatus has a
본 실시예의 제조 방법은, 도 20 내지 도 23에 나타낸 바와 같이, 이형필름을 이용하지 않고, 수지 수용부(11c)에 수지 재료(41a)를 탑재한 판상 부재(11)를 하형 캐비티(1011b)의 위치까지 반송한다. 또한, 이형필름을 하형 및 하형 외주 가압 수단으로 흡착하는 대신, 도 21의 화살표(1014)로 나타낸 바와 같이, 하형 외주 부재(1012)와 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 사이의 공극(1011c)을 진공 펌프(도시 생략)로 감압함으로써, 판상 부재(11)를 하형 캐비티(1011b)(하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)의 상면 및 하형 외주 부재(1012)의 내주면)에 흡착시킨다. 그 이외에는, 본 실시예(도 20 내지 도 23)의 제조 방법은 실시예 5의 도 14 내지 도 17과 동일하게 행할 수 있다.20-23, the plate-
도 22 및 도 23에 나타내는 공정(수지 밀봉 공정)은, 보다 구체적으로 예를 들면, 이하와 같이 하여 행하는 것이 가능하다. 즉, 우선 도 21의 상태에서 하형(1011)을 위로 움직여, 상형(1001)의 형면을 하형의 O-링(1012a)의 상단에 맞닿게 한다. 이때, 상형면(상형(1001)의 형면)과 하형면(하형(1011)의 형면) 사이에 필요한 간격을 유지시켜 둔다. 즉, 상형(1001)과 하형(1011)을 완전히 몰드 체결함에 앞서, 양자간에 필요한 간격을 유지시킨 중간 몰드 체결을 행한다. 이 중간 몰드 체결시, O-링(1012a)으로 적어도 상하 양쪽 몰드면 사이와 캐비티 공간부를 외기 차단 상태로 설정하여 외기 차단 공간부를 형성할 수 있다. 또한, 이때 도 22의 화살표(1007)로 나타낸 바와 같이, 상기 외기 차단 공간부 내의 공기를 상형의 홀(1003)로부터 강제적으로 흡인하고 배출하여, 상기 외기 차단 공간부 내를 소정의 진공도로 설정할 수 있다. 다음으로, 상형면(상형(1001)의 몰드면)과 하형면(하형(1011)의 몰드면)을 서로 폐쇄하여 완전한 몰드 체결을 행한다. 또한, 캐비티 바닥면 부재(1011a)를 위로 움직인다. 또한, 이때, 도 22에 나타낸 바와 같이 수지 재료(41a)를 유동성 수지(41b) 상태로 해둔다. 이에 따라, 도 22에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22)을 접합하고, 또한 수지(41)에 칩(31)을 침지하여 하형 캐비티(1011b) 내의 유동성 수지(41b)를 더욱 가압한다. 또한 후술하는 바와 같이, 유동성 수지(41b)를 경화하여, 도 23에 나타낸 바와 같이 경화 수지로 이루어지는 밀봉 수지(수지)(41)로 만든다. 이에 따라, 기판(11)에 장착한 칩(31)을 필요한 형상의 밀봉 수지(경화 수지)(41) 내에 압축 성형(밀봉 성형)할 수 있다. 보다 구체적으로는, 도 23에 나타낸 바와 같이, 하형 캐비티(1011b) 내에서 기판(21)에 장착한 칩(31)(돌기 전극 및 배선 패턴(22)을 포함)을 경화 수지로 이루어지는 밀봉 수지(수지)(41) 내에 압축 성형(수지 성형)하여, 하형 캐비티(1011b)의 형상에 대응한 성형 패키지(수지 성형체)로 만들 수 있다. 이때, 판상 부재(11)는 상기 성형 패키지의 기판(21)의 반대쪽 윗면측에 장착된 상태가 된다. 그리고, 이때, 캐비티 바닥면 부재(1011a)가 위로 움직임에 따른 가압력에 의해, 돌기 전극(12) 전체가 상대적으로 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 가압된다. 이 가압에 의해, 도시한 바와 같이 유동성 수지(41b)의 두께보다 높게 설계된 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 절곡된다. 이에 따라, 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여, 수지 밀봉 부품의 소정의 두께를 따른다. 그리고, 유동성 수지(41b)의 경화에 필요한 소요 시간의 경과 후, 도 23에 나타낸 바와 같이, 상하 양형을 몰드 개방한다. 구체적으로는, 하형(1011)(하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 하형 외주 부재(1012))를 O-링(1012a)과 함께 하강시킨다. 이에 따라, 하형 캐비티(1011b) 내를 개방하여 감압을 해제한다. 이때, 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 하형 외주 부재(1012) 사이의 공극의 감압(진공)을 해제한다. 화살표(1016)로 나타낸 바와 같이, 반대로 상기 공극에 공기를 불어넣어도 된다. 이에 따라, 수지 수용부(11c)를 가지는 판상 부재(11), 기판(21), 칩(31), 배선 패턴(22) 및 돌기 전극(12)을 가지는 전자 부품(성형품)을 얻을 수 있다.The process (resin sealing process) shown in Figs. 22 and 23 can be carried out more specifically, for example, as follows. That is, first, the
또한, 본 실시예는, 이에 한정되지 않으며, 예를 들면 실시예 5의 도 18 및 19와 마찬가지로, 상기 반송 공정 후에 상기 수지 탑재 공정을 행해도 된다. 이 경우, 실시예 5와 마찬가지로, 상기 수지 탑재 공정에 앞서 돌기 전극 구비 판상 부재를 하형 캐비티 내에서 가열하는 것이 바람직하다(가열 공정). 또한, 이 가열 공정에서, 실시예 5와 동일한 이유에 따라, 돌기 전극 구비 판상 부재를 충분히 열팽창시키는 것이 바람직하다.The present embodiment is not limited to this, and the resin mounting step may be performed after the carrying step, for example, as in Figs. 18 and 19 of the fifth embodiment. In this case, as in the fifth embodiment, it is preferable to heat the plate-shaped member having the protruding electrode in the lower cavity prior to the resin mounting step (heating step). Further, in this heating step, it is preferable to sufficiently heat-expand the plate-shaped member provided with a projection electrode for the same reason as in the fifth embodiment.
한편, 본 발명에 있어서, 상기 판상 부재의 형상은 본 실시예 및 실시예 1 내지 5의 형상에 한정되지 않으며, 어떠한 형상이어도 무방하다. 예를 들면, 상기 판상 부재의 형상은 돌기 전극이 편면에 고정되어 있는 것 이외에는 특허문헌 2(일본 특허 공개 제2013-187340호 공보)에 예시된 판상 부재와 동일한 형상이어도 된다. 도 24 및 도 25에 판상 부재의 형상을 변경한 제조 방법(변형예)의 일례를 각각 나타낸다. 도 24는 판상 부재(11)가 돌기 전극(12) 고정면의 반대쪽 면(동 도면에서 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 대향하는 쪽의 면)에 방열 핀(11a)를 가지는 것 이외에는 도 14 내지 도 17(실시예 5)과 동일하고, 도 14 내지 도 17과 동일한 압축 성형 장치를 이용하여 실시예 5와 동일하게 행할 수 있다. 도 25는 판상 부재(11)가 돌기 전극(12) 고정면의 반대쪽 면(동 도면에서 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 대향하는 쪽의 면)에 방열 핀(11a)을 가지는 것 이외에는 도 20 내지 도 23(실시예 6)과 동일하고, 도 20 내지 도 23과 동일한 압축 성형 장치를 이용하여 실시예 6과 동일하게 행할 수 있다. 한편, 도 25의 압축 성형 장치에서는, 도시한 바와 같이 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)의 상면에, 방열 핀(11a)의 요철 형상과 결합 가능한 요철 형상이 형성되어 있다. 이와 같이 하면, 하형 캐비티내에서 판상 부재(11)가 안정되며, 또한 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 상면이 방열 핀(11a)에 의한 손상을 받기 어려운 이점이 있다. 또한, 방열 핀(11a)은 도 25에 나타낸 바와 같이, 하형 외주 부재(1012)와 판상 부재(11) 사이에 틈새가 생기지 않는 형상으로 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 하형 캐비티 내에서 감압에 의한 흡인(화살표 1014)을 효과적으로 행하기 쉽다.On the other hand, in the present invention, the shape of the plate member is not limited to the shape of this embodiment and the embodiments 1 to 5, and any shape may be used. For example, the shape of the plate-shaped member may be the same as the shape of the plate-shaped member exemplified in Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2013-187340) except that the protruding electrode is fixed on one side. 24 and 25 show an example of a manufacturing method (modified example) in which the shape of the plate member is changed. 24 shows a state in which the
[실시예 7][Example 7]
다음으로, 도 26 및 도 27을 이용하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는 전자 부품의 제조 방법의 또 다른 예를 나타낸다.Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 26 and 27. Fig. This embodiment shows another example of a manufacturing method of an electronic part.
도 26의 단면도에, 본 실시예의 제조 방법을 모식적으로 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 제조 방법은 하형(121), 상형(122)(마운터) 및 진공 챔버(123)를 이용하여 행한다. 하형(121)의 상면은 평탄면으로 되어 있어 전자 부품의 기판을 탑재할 수 있다. 진공 챔버(123)는 전자 부품의 형상에 맞춘 통 형상이며, 상기 전자 부품의 기판상에 탑재 가능하다. 상형(122)은 진공 챔버(123)의 내벽에 결합 가능하다.26 schematically shows the manufacturing method of this embodiment. As shown in the figure, this manufacturing method is performed using the
본 실시예의 제조 방법에서는, 우선 편면에 칩(31) 및 배선 패턴(22)이 고정된 기판(21)의 상기 칩(31) 및 배선 패턴(22) 고정면 상에, 액상 수지(열경화성 수지)로 이루어지는 수지 재료(수지)(41a)를 인쇄한다. 다음으로, 판상 부재(11)의 편면에 돌기 전극(12)이 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재의 돌기 전극(12)을 액상 수지(41a)를 관통시켜 배선 패턴(22)에 접촉시킨다. 이에 따라, 기판(21), 칩(31), 액상 수지(41a), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)이 완성품의 전자 부품(20)(도 12)과 동일한 위치 관계가 되도록 배치된다. 그리고, 예를 들면, 도 26에 나타낸 바와 같이, 하형(121) 상면에, 기판(21), 칩(31), 액상 수지(41a), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)을 상기 위치 관계(배치)가 되도록 배치한다. 이때, 도시한 바와 같이 기판(21)의 칩(31) 배치측의 반대쪽이 하형(121)의 상면과 접하도록 하고, 칩(31) 배치측의 면 상에 돌기 전극 구비 판상 부재(판상 부재(11) 및 변형부(12A)를 가지는 돌기 전극(12))를 배치하도록 한다.In the manufacturing method of the present embodiment, a liquid resin (thermosetting resin) is first formed on the fixed surface of the
다음으로, 기판(21) 상면 둘레부에서 액상 수지(41a)가 배치(탑재)되어 있지 않은 부분에 진공 챔버(123)를 탑재한다. 이에 따라, 칩(31), 수지(41), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)의 주위가 진공 챔버(123)로 둘러싸인다. 그리고, 칩(31), 액상 수지(41a), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)의 상방으로부터 상형(122)을 하강시켜, 진공 챔버(123)의 내벽에 결합시킨다. 이에 따라, 판상 부재(11), 진공 챔버(123) 및 상형(122)으로 둘러싸여 밀폐된 내부 공간 내에, 칩(31), 액상 수지(41a) 및 돌기 전극(12)이 수용된다. 또한, 상기 내부 공간 내를 진공 펌프(도시하지 않음)로 감압한다. 이에 따라, 칩(31), 액상 수지(41a), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)이 상형(122)으로 가압된다. 이때, 변형부(12A)를 가지는 돌기 전극(12)이 기판(21)의 배선 패턴(22)에 맞닿는다. 또한 상형(122)의 가압력에 의해 돌기 전극(12) 전체가 상대적으로 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 가압된다. 이 가압에 의해, 액상 수지(41a)의 두께보다 높게 설계된 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 절곡된다. 이에 따라, 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여, 수지 밀봉 부품의 소정의 두께를 따른다. 그리고, 그 상태에서 액상 수지(열경화성 수지)(41a)를 가열하여 경화시켜, 칩(31)을 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)와 함께 수지 밀봉한다. 액상 수지(41a)의 가열은, 예를 들면 하형(121)의 가열에 의해 행할 수 있다. 이와 같이 하여, 도 12에 나타낸 전자 부품(20)과 동일한 전자 부품을 제조할 수 있다.Next, the
한편, 본 실시예에서는, 예를 들면 진공 챔버에 의한 감압을 생략해도 된다. 단, 예를 들면 판상 부재와 수지 사이의 공기나 틈새가 허용되지 않는 경우 등은 진공 챔버에 의한 감압을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 진공 챔버에 의한 감압을 생략하는 경우, 상형(마운터)에 의한 가압은 행해도 되고 행하지 않아도 된다.On the other hand, in the present embodiment, for example, decompression by a vacuum chamber may be omitted. However, for example, when air or a gap between the plate-shaped member and the resin is not allowed, it is preferable to perform the decompression by the vacuum chamber. Further, when depressurization by the vacuum chamber is omitted, the pressing by the upper mold (mounter) may or may not be performed.
또한, 도 27의 단면도에, 본 실시예의 제조 방법의 변형예를 모식적으로 나타낸다. 동 도면의 제조 방법은, 기판(21)의 상기 칩(31) 및 배선 패턴(22) 고정면 상에 액상 수지(열경화성 수지)(41a)를 인쇄 대신 도포하는 것 및 판상 부재(11)가 돌기 전극(12) 고정면의 반대쪽 면(동 도면에서 상형(122)과 대향하는 쪽의 면)에 방열 핀(11a)을 가지는 것 이외에는, 도 26의 제조 방법과 동일하다. 한편, 도 26의 제조 방법에서, 도 27과 마찬가지로 방열 핀을 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용해도 되고, 반대로 도 27의 제조 방법에서, 도 26과 같이 방열 핀을 가지지 않는 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용해도 된다. 또한, 예를 들면, 도 26 또는 도 27에서 수지의 인쇄 또는 도포 대신, 시트 수지의 라미네이트, 수지의 스핀 코팅 등에 의해 기판(21)의 상기 칩(31) 및 배선 패턴(22) 고정면 상에 액상 수지(41a)를 배치해도 된다.A modified example of the manufacturing method of this embodiment is schematically shown in the sectional view of Fig. The manufacturing method of this figure is a method in which a liquid resin (thermosetting resin) 41a is applied on the fixing surface of the
[실시예 8][Example 8]
다음으로, 본 발명의 또 다른 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 압축 성형을 이용한 전자 부품의 제조 방법의 또 다른 예를 나타낸다.Next, another embodiment of the present invention will be described. This embodiment shows another example of a method of manufacturing an electronic component using compression molding.
본 실시예에서는, 프리커팅한 이형필름과 관통공(수지 공급부)를 가지는 직사각형 형상의 프레임을 이용하는 전자 부품의 제조 방법 및 압축 성형 장치(칩의 수지 밀봉 장치)에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재에 수지 재료(과립 수지)를 탑재한 상태로 하형 캐비티의 위치까지 반송하여 하형 캐비티 내에 공급 세팅한다.In this embodiment, a method of manufacturing an electronic part and a compression molding apparatus (resin sealing apparatus of a chip) using a rectangular shaped frame having a preformed release film and a through hole (resin supply portion) will be described. In this embodiment, a resin material (granular resin) is mounted on the projecting electrode-provided plate-like member and transported to the position of the lower cavity, and the supply is set in the lower cavity.
본 실시예에서는, 프리커팅한 이형필름 위에 프레임을 배치하고, 프레임 관통공(수지 공급부) 내의 이형필름 상에, 과립 수지를 탑재한 돌기 전극 구비 판상 부재를 배치한다. 이에 따라, 상기 과립 수지가 상기 돌기 전극 구비 판상 부재상으로부터 흘러 넘치는 것을 방지할 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 수지 재료가 과립 수지인 경우에 대해 설명하지만, 과립 수지 이외의 임의의 수지(예를 들면, 분말상 수지, 액상 수지, 판상 수지, 시트상 수지, 필름상 수지, 페이스트상 수지 등)에 대해서도 동일하게 행할 수 있다.In this embodiment, a frame is disposed on a pre-cut release film, and a plate-shaped member provided with a projection electrode on which a granular resin is mounted is disposed on a release film in a frame through hole (resin supply portion). Thus, it is possible to prevent the granular resin from overflowing from the projecting electrode-provided plate-shaped member. On the other hand, although the case where the resin material is a granular resin is described in the present embodiment, any resin other than the granular resin (for example, a powder resin, a liquid resin, a plate resin, a sheet resin, Etc.) can also be performed in the same manner.
이하, 도 28 내지 도 31을 이용하여 본 실시예에 대해 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present embodiment will be described in more detail with reference to Figs. 28 to 31. Fig.
우선, 도 28을 이용하여, 본 실시예에서의 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)에 대해 설명한다. 동 도면은 상기 압축 성형 장치의 일부인 성형틀의 일부의 구조를 나타내는 개략도이다. 또한, 동 도면은 이 성형틀에 수지 재료를 공급하기 전의 몰드 개방 상태를 나타내고 있다.First, with reference to Fig. 28, a compression molding apparatus (an electronic component manufacturing apparatus) in this embodiment will be described. This drawing is a schematic view showing a structure of a part of a molding die which is a part of the compression molding apparatus. The drawing shows the mold opening state before the resin material is supplied to the molding die.
도 28의 압축 성형 장치는, 실시예 6(도 20 내지 도 23)에 대해 성형틀이 상형 및 하형을 포함한 점에서 동일하지만, 상형 외기 차단 부재 및 하형 외기 차단 부재를 포함한 점이 다르다. 보다 구체적으로는 이하와 같다. 즉, 도 28의 압축 성형 장치는 도시한 바와 같이, 상형(2001)과 상형에 대향 배치된 하형(2011)을 주요 구성 요소로 한다. 상형(2001)은 상형 베이스 플레이트(2002)에 달린 상태로 마련되어 있다. 상형 베이스 플레이트(2002) 상에서의 상형(2001)의 외주 위치에는 상형 외기 차단 부재(2004)가 마련되어 있다. 상형 외기 차단 부재(2004)의 상단면(상형 베이스 플레이트(2002) 및 상형 외기 차단 부재(2004)의 사이 부분)에는 외기 차단용 O-링(2004a)이 마련되어 있다. 또한, 상형 외기 차단 부재(2004)의 하단면에도 외기 차단용 O-링(2004b)이 마련되어 있다. 또한, 상형 베이스 플레이트(2002)에는 몰드 내의 공간부의 공기를 강제적으로 흡인하여 배출하기 위한 홀(2003)이 마련되어 있다. 상형(2001)의 형면(하면)에는, 칩(31)을 장착한 기판(21)을 칩(31) 장착면 측이 하방을 향한 상태에서 공급 세팅(장착)하는 기판 세팅부(2001a)가 마련되어 있다. 기판(21)은, 예를 들면 클램퍼(도시하지 않음) 등에 의해 기판 세팅부(2001a)에 장착할 수 있다. 한편, 기판(21)에서의 칩(31) 장착면에는, 상기 각 실시예와 같이 배선 패턴(22)이 마련되어 있다.The compression molding apparatus of Fig. 28 is the same as that of the sixth embodiment (Figs. 20 to 23) in that the molding frame includes the upper mold and the lower mold, but differs in that it includes the upper mold outer air blocking member and the lower mold outer air blocking member. More specifically, it is as follows. That is, as shown in FIG. 28, the compression molding apparatus of FIG. 28 includes a
또한, 하형(2011)은 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a), 하형 외주 부재(2012) 및 탄성 부재(2012a)로 형성되어 있다. 또한, 하형(2011)은 그 몰드면에, 수지 성형용 공간인 캐비티(2011b)(하형 캐비티)를 포함한다. 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a)는 하형 캐비티(2011b)의 하방에 마련되어 있다. 하형 외주 부재(하형 프레임체, 캐비티 측면 부재)(2012)는 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다. 하형 외주 부재(2012) 상면의 높이는, 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a) 상면의 높이보다 높게되어 있다. 이에 따라, 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a) 상면과 하형 외주 부재(2012) 내주면으로 둘러싸인 하형 캐비티(오목부)(2011b)가 형성되어 있다. 하형 캐비티 바닥면 부재(2011)와 하형 외주 부재(2012) 사이에는, 공극(흡착공)(2011c)이 있다. 이 공극(2011c)을 후술하는 바와 같이, 진공 펌프(도시 생략)로 감압하여 이형필름 등을 흡착시키는 것이 가능하다. 또한, 하형(2011)(하형 캐비티 바닥면 부재(2011a), 하형 외주 부재(2012) 및 탄성 부재(2012a))는 하형 베이스 플레이트(2010)에 탑재된 상태로 마련되어 있다. 완충용 탄성 부재(2012a)는 하형 외주 부재(2012)와 하형 베이스 플레이트(2010) 사이에 마련되어 있다. 또한, 하형 베이스 플레이트(2010) 상에서 하형 외주 부재(2012)의 외주 위치에는, 하형 외기 차단 부재(2013)가 마련되어 있다. 하형 외기 차단 부재(2013)의 하단면(하형 베이스 플레이트(2010) 및 하형 외기 차단 부재(2013)의 사이 부분)에는 외기 차단용 O-링(2013a)이 마련되어 있다. 하형 외기 차단 부재(2013)는 상형 외기 차단 부재(2004) 및 외기 차단용 O-링(2004b)의 바로 밑에 배치되어 있다. 이상의 구성을 가짐으로써, 상하 양형의 몰드 체결시에 O-링(2004a, 2004b)를 포함한 상형 외기 차단 부재(2004)와 O-링(2013a)을 포함한 하형 외기 차단 부재(2013)를 접합함으로써, 적어도 하형 캐비티 내를 외기 차단 상태로 할 수 있다.The
다음으로, 이 압축 성형 장치를 이용한 본 실시예의 전자 부품의 제조 방법에 대해 설명한다. 즉, 우선 도 28에 나타낸 바와 같이, 상형(2001)의 형면(기판 세팅부(2001a))에 전술한 바와 같이 기판(21)을 장착한다. 또한, 도시한 바와 같이, 관통공을 가지는 직사각형 형상의 프레임(70)을 이용하여 하형 캐비티(2011b) 내에 과립 수지(41a)(수지 재료)를 공급한다. 보다 구체적으로는, 도시한 바와 같이 미리 필요한 길이로 절단된(프리커팅한) 이형필름(100) 상에 프레임(70)을 올린다. 이때, 프레임(70)의 하면에서 프리커팅한 이형필름(100)을 흡착하여 고정해도 된다. 다음으로, 프레임(70) 관통공의 상방의 개구부(수지 공급부)로부터 이형필름(100) 상에, 판상 부재(11)의 편면에 돌기 전극(12)이 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재를 올려놓는다. 이때, 돌기 전극(12)이 상방(이형필름(100)과 반대쪽)을 향한 상태로 한다. 한편, 본 실시예에서는, 돌기 전극 구비 판상 부재는 실시예 5(도 14 내지 도 17)와 마찬가지로, 벽상 부재(11b) 및 수지 수용부(11c)(오목부)를 가지지 않는다. 또한, 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에 과립 수지(41a)를 평탄화한 상태에서 공급(탑재)한다. 이와 같이 하여, 도 28에 나타낸 바와 같이 판상 부재(11) 및 프레임(70)에 둘러싸인 공간 내에 수지(41)가 공급되고, 그것이 이형필름(100) 상에 올려진 「수지 공급 프레임」을 형성할 수 있다. 또한, 상기 수지 공급 프레임을 반송하여, 도 28에 나타낸 바와 같이 몰드 개방 상태에 있는 상형(2001)과 하형(2011) 사이(하형 캐비티(2011b)의 위치)에 진입시킨다.Next, a method of manufacturing the electronic component of this embodiment using this compression molding apparatus will be described. That is, first, as shown in Fig. 28, the
다음으로, 하형(2011)의 몰드면 상에 상기 수지 공급 프레임을 탑재한다. 이때, 도 29에 나타낸 바와 같이, 프레임(70)과 하형 외주 부재(2012)로 이형필름(100)을 사이에 끼움과 함께, 하형 캐비티(2011b)의 개구부(하형면)에, 프레임(70) 관통공 하측의 개구부를 합치시킨다. 또한, 동 도면의 화살표(2014)로 나타낸 바와 같이, 하형의 흡착공(2011c)을 진공 펌프로 흡착하여 감압한다. 이에 따라, 도시한 바와 같이, 하형 캐비티(2011b)의 캐비티면에 이형필름(100)을 흡착시켜 피복함과 함께, 과립 수지(41a)를 하형 캐비티(2011b) 내에 공급하여 세팅한다. 또한, 하형(2011)을 가열함으로써, 도시한 바와 같이 과립 수지(41a)를 용융시켜 유동성 수지(41b) 상태로 만든다. 그 후, 감압(2014)에 의해 하형 캐비티(2011b)의 캐비티면에 이형필름(100)을 흡착시킨 채로 프레임(70)을 제거한다.Next, the resin supply frame is mounted on the mold surface of the
다음으로, 상하 양형을 몰드 체결한다. 우선, 도 30에 나타낸 바와 같이, 기판면(기판(21)의 칩(31) 고정면)과 하형면을 필요한 간격으로 유지한 상태로 하는 중간적인 몰드 체결을 행한다. 즉, 우선 도 29로부터 프레임(70)을 제거한 상태에서 하형(2011)측을 위로 움직인다. 이에 따라, 도 30에 나타낸 바와 같이, 상형 외기 차단 부재(2004) 및 하형 외기 차단 부재(2013)를 O-링(2004b)을 사이에 둔 상태로 서로 폐쇄한다. 이와 같이 하여, 동 도면에 나타낸 바와 같이, 상형(2001), 하형(2011), 상형 외기 차단 부재(2004) 및 하형 외기 차단 부재(2013)로 둘러싸인 외기 차단 공간부를 형성한다. 이 상태로, 동 도면의 화살표(2007)로 나타낸 바와 같이, 상형 베이스 플레이트(2002)의 홀(2003)을 통하여 적어도 상기 외기 차단 공간부를 진공 펌프(도시 생략)로 흡인하여 감압해, 소정의 진공도로 설정한다.Next, the upper and lower molds are clamped with a mold. First, as shown in Fig. 30, intermediate mold clamping is performed in such a state that the substrate surface (the fixing surface of the
또한, 도 31에 나타낸 바와 같이, 기판면과 하형면을 접합하여 완전 몰드 체결을 행한다. 즉, 도 30 상태에서 하형(2011)을 더 위로 움직인다. 이에 따라, 도 31에 나타낸 바와 같이, 상형(2001)에 공급 세팅된 기판(21)의 기판면(칩(31) 고정면)에, 하형 외주 부재(2012)의 상면을 이형필름(100)을 개재하여(끼워) 맞닿게 한다. 그리고, 하형 베이스 플레이트(2010)를 더 위로 움직임으로써, 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a)를 더 위로 움직인다. 이때, 전술한 바와 같이, 수지는 유동성 수지(41b) 상태로 해둔다. 이에 따라, 도 31에 나타낸 바와 같이, 기판(21)의 배선 패턴(22)에 돌기 전극(12)의 선단을 맞닿게 함(접촉시킴)과 함께 하형 캐비티(2011b) 내에서 유동성 수지(41b)에 칩(31)을 침지시키고, 또한 유동성 수지(41b)를 가압한다. 이때, 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a)의 가압력에 의해 돌기 전극(12) 전체가 상대적으로 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 가압된다. 이 가압에 의해, 도시한 바와 같이 유동성 수지(41b)의 두께보다 높게 설계된 돌기 전극(12)는 변형부(12A)가 절곡된다. 이에 따라, 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축하고, 수지 밀봉 부품의 소정의 두께를 따른다. 한편, 이때, 도시한 바와 같이, 탄성 부재(2012a) 및 O-링(2004a, 2004b, 2013a)이 수축하여 쿠션의 기능을 한다. 이에 따라, 전술한 바와 같이 유동성 수지(41b)를 가압하여 압축 성형한다. 그리고, 유동성 수지(41b)를 경화시켜 밀봉 수지로 만든다. 이와 같이 하여, 판상 부재(11)에서의 돌기 전극(12) 고정면과 기판(21)의 배선 패턴(22) 형성면의 사이에서 칩(31)을 상기 밀봉 수지에 의해 밀봉함과 함께, 돌기 전극(12)을 배선 패턴(22)에 접촉시킬 수 있다(수지 밀봉 공정). 유동성 수지(41b)의 경화에 필요한 소요 시간의 경과 후, 실시예 1, 5 또는 6(도 10(F), 도 17 또는 도 23)과 동일한 순서로 상하 양형을 몰드 개방한다. 이에 따라, 하형 캐비티(2011b) 내에서, 기판(21), 칩(31), 배선 패턴(22), 수지(41)(밀봉 수지), 돌기 전극(12) 및 판상 부재(11)로 이루어지는 성형품(전자 부품)을 얻을 수 있다.Further, as shown in Fig. 31, the substrate surface and the lower surface are bonded to each other to perform complete mold clamping. That is, in the state of FIG. 30, the
한편, 본 실시예에 있어서, 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)의 구조는 도 28 내지 도 31의 구조에 한정되지 않으며, 예를 들면 일반적인 압축 성형 장치의 구조와 동일하거나 또는 그에 준해도 된다. 구체적으로는, 예를 들면 일본 특허 공개 제2013-187340호 공보, 일본 특허 공개 제2005-225133호 공보, 일본 특허 공개 제2010-069656호 공보, 일본 특허 공개 제2007-125783호 공보, 일본 특허 공개 제2010-036542호 공보 등에 나타낸 구조와 동일하거나 또는 그에 준해도 된다.On the other hand, in the present embodiment, the structure of the compression molding apparatus (manufacturing apparatus of electronic parts) is not limited to the structure of Figs. 28 to 31, and may be the same as or similar to that of a general compression molding apparatus . Specifically, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2013-187340, 2005-225133, 2010-069656, 2007-125783, and Japanese Patent Application Laid- The structure described in JP-A-2010-036542, or the like.
본 발명은, 전술한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서 필요에 따라 임의로 적절히 조합, 변경 또는 선택하여 채용할 수 있는 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately combined, changed or selected as necessary within the scope of the present invention.
예를 들면, 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 상기 돌기 전극의 형상은 도 2 내지 도 4에 나타낸 형상에 한정되지 않으며, 어떠한 형상이어도 무방하다. 일례로서 전술한 바와 같이, 상기 돌기 전극 중 적어도 일부가 판 형상을 하고 있어도 된다. 그리고, 기판면 상에서 하나의 전자 부품(하나의 제품 단위)에 대응하는 필요한 범위를 상기 판상 전극으로 구획해도 된다.For example, the shape of the protruding electrode in the plate member having the protruding electrode is not limited to the shapes shown in Figs. 2 to 4, and may be any shape. As one example, at least a part of the protruding electrodes may have a plate shape, as described above. Then, a necessary range corresponding to one electronic component (one product unit) on the substrate surface may be divided into the plate-shaped electrodes.
10: 돌기 전극 구비 판상 부재
10D: 성형틀
10D1, 10D2, 10D3, 10D4: 분할된 성형틀
11: 판상 부재
11a: 방열 핀
11b: 벽상 부재
11c: 수지 수용부
12: 돌기 전극
12a: 돌기 전극(12)의 하부
12b: 관통공
12c: 돌기
12A: 변형부
12D: 홀(돌기 전극(12)의 형상에 대응한 홀)
12D1, 12D2, 12D3, 12D4: 돌기 전극(12)의 일부의 형상에 대응한 홀
12E: 돌기(돌기 전극(12)의 형상에 대응한 돌기)
20: 전자 부품(수지 밀봉된 완성품인 전자 부품)
21: 기판
22: 배선 패턴
31: 칩(칩이 수지 밀봉된 형태의 전자 부품)
41: 수지(밀봉 수지)
41a: 수지(액상 수지, 과립 수지 등의 수지 재료)
41b: 수지(유동성 수지)
41A: 수지(용융 수지)
50: 성형틀
51: 상형
52: 하형
53: 플런저
54: 포트(홀)
55: 수지 통로
56: 몰드 캐비티
57: 기판 세팅부
60: 수지 공급 수단
61: 수지 공급부
62: 하부 셔터
70: 직사각형 형상의 프레임
100: 이형필름
101: 상형
101a: 클램퍼
102: 중간형(중간 플레이트)
102a: O-링
103: 홀(관통공)
104: 롤
107: 감압(진공)
111: 하형
111a: 하형 캐비티 바닥면 부재
111b: 하형 캐비티
111c, 111d: 공극(흡착공)
112, 113: 하형 외주 부재(하형 본체)
114, 115: 감압에 의한 흡착
116: 공기
121: 하형
122: 상형(마운터)
123: 진공 챔버
1001: 상형
1001a: 클램퍼
1003: 상형의 홀(관통공)
1007: 감압(진공)
1011: 하형
1011a: 하형 캐비티 바닥면 부재
1011b: 하형 캐비티
1011c, 1011d: 공극(흡착공)
1012: 하형 외주 부재(하형 본체)
1012a: O-링
1014: 감압에 의한 흡착
1016: 공기
2001: 상형
2001a: 기판 세팅부
2002: 상형 베이스 플레이트
2003: 상형의 홀(관통공)
2004: 상형 외기 차단 부재
2004a, 2004b: O-링
2007: 감압(진공)
2010: 하형 베이스 플레이트
2011: 하형
2011a: 하형 캐비티 바닥면 부재
2011b: 하형 캐비티
2011c: 공극(흡착공)
2012: 하형 외주 부재
2012a: 탄성 부재
2013: 하형 외기 차단 부재
2013a: O-링
2014: 감압에 의한 흡착
3001: 금속 프레임
3001a: 관통공(개구부)
3002: 점착 시트
3003: 상형
3004: 하형
3005: 하형 베이스 플레이트
3005a: 하형 캐비티 바닥면 부재
3005b: 하형 캐비티
3006: 하형 외주 부재
3006a: 하형 탄성 부재
3006c: 공극(흡착공)
3007: 감압에 의한 흡착
3011: 상형 베이스 플레이트
3012: 상형의 홀(관통공)
3013: 상형 외기 차단 부재
3013a, 3013b, 3021a: O-링
3014: 감압에 의한 흡착
3021: 하형 외기 차단 부재
3031: 하형의 상방 움직임 방향을 나타내는 화살표
3032: 하형의 하방 움직임 방향을 나타내는 화살표
4001: 수지(용융 수지)
5001: 이형필름
6000: 성형틀
6001: 상형
6002: 하형
6003: 몰드 캐비티
6004: 세팅부
6005: 수지 통로
6006: 포트
6007: 플런저10: Plate member with
10D1, 10D2, 10D3, 10D4: a divided molding die 11: a plate-shaped member
11a:
11c: resin accommodating portion 12: protruding electrode
12a: Lower part of the protruding
12c:
12D: a hole (hole corresponding to the shape of the protruding electrode 12)
12D1, 12D2, 12D3, 12D4: holes corresponding to the shape of a part of the projecting
12E: projection (projection corresponding to the shape of the projection electrode 12)
20: Electronic parts (electronic part which is a resin-sealed finished product)
21: substrate 22: wiring pattern
31: chip (chip-sealed electronic component)
41: Resin (sealing resin)
41a: resin (a resin material such as a liquid resin or a granular resin)
41b: resin (fluid resin) 41A: resin (molten resin)
50: forming mold 51: upper mold
52: Lower mold 53: Plunger
54: port (hole) 55: resin passage
56: mold cavity 57: substrate setting section
60: Resin feeding means 61: Resin feeding section
62: lower shutter 70: rectangular frame
100: release film 101: upper mold
101a: clamper 102: intermediate type (intermediate plate)
102a: O-ring 103: hole (through hole)
104: roll 107: reduced pressure (vacuum)
111:
111b:
112, 113: Lower mold outer peripheral member (lower body) 114, 115: Adsorption by reduced pressure
116: air 121: bottom
122: upper mold (mounter) 123: vacuum chamber
1001:
1003: Upper hole (through hole) 1007: Decompression (vacuum)
1011:
1011b:
1012: Lower mold outer peripheral member (lower body) 1012a: O-ring
1014: Adsorption by reduced pressure 1016: Air
2001:
2002: Upper base plate 2003: Upper hole (through hole)
2004: Upper-type outside
2007: Decompression (vacuum) 2010: Lower base plate
2011:
2011b:
2012: Lower mold outer
2013: lower type outside
2014: Adsorption by decompression 3001: Metal frame
3001a: Through hole (opening) 3002: Pressure sensitive adhesive sheet
3003: upper figure 3004: lower figure
3005: Lower
3005b: Lower mold cavity 3006: Lower mold outer member
3006a: Lower mold
3007: Adsorption by reduced pressure 3011: Upper base plate
3012: Upper hole (through hole) 3013: Upper-type outer air blocking member
3013a, 3013b, 3021a: O-ring 3014: Adsorption by reduced pressure
3021: Lower type outside air blocking member
3031: arrow indicating the upward movement direction of the lower die
3032: arrow indicating the downward movement direction of the lower die
4001: resin (molten resin) 5001: release film
6000: forming mold 6001: upper mold
6002: Lower mold 6003: Mold cavity
6004: setting portion 6005: resin passage
6006: port 6007: plunger
Claims (46)
상기 부재는, 판상 부재의 편면에 돌기 전극이 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재이며,
성형틀을 이용한 성형에 의해, 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 성형 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.A method of manufacturing an electronic component member in which a chip is resin-sealed,
The member is a plate-shaped member having a protruding electrode with a protruding electrode fixed to one surface of the plate-
And a forming step of simultaneously molding the plate-like member and the projection electrode by molding using a molding die.
상기 성형 공정이 전기 주조에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정인 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the forming step is a step of simultaneously molding the plate-shaped member and the projecting electrode by electroforming.
상기 돌기 전극이 변형 가능한 변형부를 포함하는 돌기 전극인 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the protruded electrode is a protruding electrode including a deformable portion deformable.
상기 성형틀이 원판틀을 이용한 성형에 의해 제조된 성형틀인 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the forming die is a forming die produced by molding using a disk die.
상기 성형틀이 복수 분할되며,
상기 복수로 분할된 성형틀을 조립한 상태에서 상기 성형 공정을 행하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the mold is divided into a plurality of molds,
And the molding step is performed in a state where the plurality of divided molding dies are assembled.
상기 성형틀이 상기 판상 부재의 면 방향과 평행하게 복수 분할되어 있는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.6. The method of claim 5,
Wherein the forming die is divided into a plurality of parts in parallel with the plane direction of the plate member.
상기 성형 공정이 압축 성형에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정인 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the forming step is a step of simultaneously molding the plate member and the projection electrode by compression molding.
상기 성형 공정이 트랜스퍼 성형에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정인 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the forming step simultaneously forms the plate member and the protruding electrode by transfer molding.
상기 성형 공정이 금속에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정인 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the forming step is a step of simultaneously forming the plate-shaped member and the protruding electrode by metal.
상기 성형 공정이 도전성 수지에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정인 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the forming step simultaneously forms the plate-shaped member and the protruding electrode with a conductive resin.
상기 도전성 수지가 수지 및 도전성 입자의 혼합물인 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the conductive resin is a mixture of a resin and conductive particles.
상기 성형 공정이 수지에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정이며,
상기 돌기 전극 표면 및 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극측의 면에 도전성막을 붙이는 도전성막 부여 공정을 더 포함하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the forming step is a step of simultaneously molding the plate-shaped member and the protruding electrode by a resin,
Further comprising a conductive film applying step of attaching a conductive film to the surface of the protruding electrode and the surface of the plate member on the side of the protruding electrode.
상기 성형틀이 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극의 고정면에 대응하는 형면 및 상기 형면에 형성되며 상기 돌기 전극의 형상에 대응한 홀을 가지고,
상기 성형 공정에서, 상기 형면 및 상기 홀의 내면에 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 형성 재료를 맞닿게 함으로써, 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the forming die has a mold surface corresponding to the fixing surface of the projection electrode of the plate member and a hole formed in the mold surface and corresponding to the shape of the projection electrode,
Wherein the plate member and the protruding electrode are simultaneously formed by causing the forming material of the plate electrode member having the protruding electrode to abut on the mold surface and the inner surface of the hole in the molding step.
상기 성형틀이 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극의 고정면에 대응하는 형면 및 상기 형면에 형성되며 상기 돌기 전극의 형상에 대응한 돌기를 가지고,
상기 성형 공정에서, 상기 형면 및 상기 돌기의 표면에 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 형성 재료를 맞닿게 함으로써, 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the forming die has a mold surface corresponding to the fixing surface of the projection electrode of the plate member and a projection formed on the mold surface and corresponding to the shape of the projection electrode,
Wherein the plate member and the protruding electrode are formed simultaneously by abutting the forming material of the plate electrode member having the protruding electrode on the surface of the mold surface and the protrusion in the molding step.
상기 돌기 전극의 형상이 상기 돌기 전극 선단을 향할수록 지름이 가늘어지는 테이퍼 형상인 제조 방법.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein a shape of the protruding electrode is tapered so that the shape of the protruding electrode becomes narrower toward the tip of the protruding electrode.
상기 돌기 전극은 변형 가능한 변형부를 포함하는 돌기 전극인 돌기 전극 구비 판상 부재.17. The method of claim 16,
Wherein the protruding electrode is a protruding electrode including a deformable deformation portion.
상기 돌기 전극의 적어도 하나가 번개 형상 돌기 전극이며,
상기 번개 형상 돌기 전극은 적어도 상기 변형부가 상기 판상 부재의 면 방향과 평행 방향에서 보아 번개 형상으로 절곡되어 있음으로써, 상기 변형부가 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축 가능한 돌기 전극 구비 판상 부재.17. The method of claim 16,
At least one of the protruding electrodes is a lightning protruding electrode,
Like projecting electrode is bent at least in the direction of the deformed portion in a direction parallel to the plane direction of the plate member so that the deformed portion is contractible in a direction perpendicular to the plane direction of the plate member.
상기 돌기 전극의 적어도 하나가 관통공이 있는 돌기 전극이며,
상기 관통공이 있는 돌기 전극에서의 상기 관통공은 상기 판상 부재의 면 방향과 평행 방향으로 관통하는 관통공이며,
상기 관통공이 있는 돌기 전극은 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에, 상기 판상 부재의 판면과 수직 방향으로 돌출되는 돌기를 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재.17. The method of claim 16,
Wherein at least one of the protruding electrodes is a protruding electrode having a through hole,
The through-hole in the projection electrode having the through-hole is a through-hole penetrating in a direction parallel to the plane direction of the plate-like member,
And the protruding electrode having the through-hole has a protrusion protruding in a direction perpendicular to the plate surface of the plate-shaped member, at an end opposite to the end fixed to the plate-like member.
상기 관통공의 주위는 변형 가능한 변형부인 돌기 전극 구비 판상 부재.20. The method of claim 19,
And the perimeter of the through-hole is deformable deformable member.
상기 돌기 전극의 적어도 하나가, 기둥 형상을 가지는 주상 돌기 전극인 돌기 전극 구비 판상 부재.17. The method of claim 16,
Wherein at least one of the projecting electrodes is a columnar projecting electrode having a columnar shape.
상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극인 돌기 전극 구비 판상 부재.17. The method of claim 16,
And at least one of the protruding electrodes is a plate-shaped protruding electrode.
상기 판상 돌기 전극이 관통공 및 돌기를 가지며,
상기 관통공은 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판면과 평행 방향으로 관통하고,
상기 돌기는 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에서 상기 판상 부재의 판면과 수직 방향으로 돌출되어 있는 돌기 전극 구비 판상 부재.23. The method of claim 22,
The plate-shaped protruding electrode has a through hole and a protrusion,
The through hole penetrates the plate-shaped protruding electrode in a direction parallel to the plate surface of the plate member,
And the projection is protruded in a direction perpendicular to the plate surface of the plate-shaped member at an end opposite to the end fixed to the plate-shaped member of the plate-like projected electrode.
상기 판상 돌기 전극에서, 상기 관통공의 주위는 변형 가능한 상기 변형부인 돌기 전극 구비 판상 부재.24. The method of claim 23,
In the plate-shaped protruding electrode, the peripheries of the through-holes are deformable, and the plate-shaped member is provided with protruding electrodes.
상기 판상 부재가 방열판 또는 실드판인 돌기 전극 구비 판상 부재.17. The method of claim 16,
Wherein the plate member is a heat sink or a shield plate.
상기 판상 부재가 수지 수용부를 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재.17. The method of claim 16,
Wherein the plate member has a resin accommodating portion.
상기 판상 부재의 둘레부가 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극의 고정면측으로 융기함으로써, 상기 판상 부재의 중앙부가 상기 수지 수용부를 형성하고 있는 돌기 전극 구비 판상 부재.27. The method of claim 26,
And the peripheral portion of the plate-shaped member rises toward the fixing surface side of the projection electrode of the plate-like member, so that the central portion of the plate-like member forms the resin containing portion.
제조되는 상기 전자 부품이, 기판, 칩, 수지, 판상 부재 및 돌기 전극을 포함하며, 상기 기판상에 배선 패턴이 형성된 전자 부품이고,
상기 제조 방법은 상기 칩을 상기 수지에 의해 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 가지며,
상기 수지 밀봉 공정에서, 제16항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 상기 돌기 전극의 고정면과 상기 기판의 상기 배선 패턴 형성면 사이에서, 상기 칩을 상기 수지에 의해 밀봉함과 함께 상기 돌기 전극을 상기 배선 패턴에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.A method of manufacturing an electronic part in which a chip is resin-sealed,
Wherein the electronic component to be manufactured is an electronic component including a substrate, a chip, a resin, a plate-like member, and a projection electrode, and a wiring pattern formed on the substrate,
The manufacturing method has a resin sealing step of sealing the chip with the resin,
The chip is sealed with the resin between the fixing surface of the protruding electrode in the projection electrode plate member according to claim 16 and the wiring pattern formation surface of the substrate in the resin sealing step, Is brought into contact with the wiring pattern.
상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이며,
상기 칩이 복수이고,
상기 수지 밀봉 공정에서, 상기 기판을 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구분함과 함께 각각의 상기 영역 내에서 상기 칩을 수지 밀봉하는 전자 부품의 제조 방법.29. The method of claim 28,
Wherein at least one of the projecting electrodes is a plate-
A plurality of said chips,
In the resin sealing step, the substrate is divided into a plurality of regions by the plate-like projecting electrodes, and the chips are resin-sealed in each of the regions.
상기 수지 밀봉 공정에서, 트랜스퍼 성형에 의해 상기 칩을 수지 밀봉하는 전자 부품의 제조 방법.29. The method of claim 28,
In the resin sealing step, the chip is resin-sealed by transfer molding.
상기 수지 밀봉 공정에서, 압축 성형에 의해 상기 칩을 수지 밀봉하는 전자 부품의 제조 방법.29. The method of claim 28,
In the resin sealing step, the chip is resin-sealed by compression molding.
상기 돌기 전극 구비 판상 부재에서 상기 돌기 전극의 고정면 상에 상기 수지를 탑재하는 수지 탑재 공정; 및
상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 반송 공정;을 더 포함하고,
상기 몰드 캐비티내에서 상기 판상 부재 상에 탑재된 상기 수지에 상기 칩을 침지시킨 상태에서, 상기 수지를 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 및 상기 칩과 함께 압축 성형함으로써 상기 수지 밀봉 공정을 행하는 전자 부품의 제조 방법.32. The method of claim 31,
A resin mounting step of mounting the resin on the fixing surface of the projection electrode in the projection-like electrode plate member; And
And carrying the protruding electrode-provided plate-shaped member to the position of the mold cavity of the forming die,
Molding the electronic component with the resin in a state in which the chip is immersed in the resin mounted on the plate member in the mold cavity by compression molding the resin together with the plate electrode provided with the projection electrode and the chip Way.
상기 반송 공정에서, 상기 수지를 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 상에 탑재한 상태에서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 상기 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 전자 부품의 제조 방법.33. The method of claim 32,
Wherein the resin is transported to the position of the mold cavity of the forming die together with the projection electrode-equipped plate member in a state where the resin is mounted on the plate member provided with the projection electrode.
상기 반송 공정에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 수지가 탑재되어 있지 않은 상태에서 상기 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하고,
상기 수지 탑재 공정에 앞서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 몰드 캐비티 내에서 가열하는 가열 공정을 더 포함하고,
상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 가열된 상태에서, 상기 몰드 캐비티 내에서 상기 수지 탑재 공정을 행하는 전자 부품의 제조 방법.33. The method of claim 32,
In the carrying step, the projecting electrode-provided plate-shaped member is transported to the position of the mold cavity of the forming die in a state where no resin is mounted,
Further comprising a heating step of heating the projecting electrode-provided plate-shaped member in the mold cavity prior to the resin mounting step,
And the resin mounting step is performed in the mold cavity in a state that the plate member with the protruding electrode is heated.
상기 반송 공정에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 돌기 전극이 고정된 면이 위를 향하도록 이형필름 상에 올려진 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내로 반송하는 전자 부품의 제조 방법.33. The method of claim 32,
In the carrying step, the projecting electrode-provided plate-shaped member is placed on the release film so that the surface on which the projecting electrode is fixed faces upward, and the plate-shaped member having the projection electrode is transferred to the mold cavity of the forming die A method of manufacturing a component.
상기 반송 공정에서,
상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 프레임이 상기 이형필름 상에 올려지며, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 프레임에 의해 둘러싸인 상태에서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내로 반송하는 전자 부품의 제조 방법.36. The method of claim 35,
In the conveying step,
The frame member having the protruding electrode is placed on the release film and the plate member with the protruding electrode is surrounded by the frame and the plate member with the protruding electrode is carried into the mold cavity of the forming mold, ≪ / RTI >
상기 수지 탑재 공정에서,
상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 상기 프레임이 상기 이형필름 상에 올려지며, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 프레임에 의해 둘러싸인 상태에서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 및 상기 프레임에 의해 둘러싸인 공간 내에 상기 수지를 공급함으로써 상기 돌기 전극의 고정면 상에 상기 수지를 탑재하는 전자 부품의 제조 방법.37. The method of claim 36,
In the resin mounting step,
The frame is mounted on the release film together with the projection electrode-provided plate-shaped member, and in a state in which the projection-electrode-provided plate-shaped member is surrounded by the frame, the resin is held in the space surrounded by the projection- And the resin is mounted on the fixing surface of the projection electrode.
상기 반송 공정에 앞서 상기 수지 탑재 공정을 행하는 전자 부품의 제조 방법.37. The method of claim 36,
Wherein the resin mounting step is performed prior to the carrying step.
상기 돌기 전극 구비 판상 부재에서 상기 돌기 전극이 고정된 면의 반대쪽 면이 점착제에 의해 상기 이형필름 상에 고정되어 있는 전자 부품의 제조 방법.36. The method of claim 35,
And a surface opposite to the surface on which the protruding electrode is fixed is fixed on the release film by an adhesive agent in the protruding electrode-provided plate-like member.
상기 판상 부재가 수지 수용부를 가지며,
상기 수지 탑재 공정에서 상기 수지 수용부 내에 상기 수지를 탑재하고,
상기 수지 밀봉 공정을 상기 수지 수용부 내에 상기 수지가 탑재된 상태에서 행하는 전자 부품의 제조 방법.33. The method of claim 32,
Wherein the plate-like member has a resin accommodating portion,
The resin is mounted in the resin accommodating portion in the resin mounting step,
And the resin sealing step is performed in a state where the resin is housed in the resin containing portion.
상기 수지 밀봉 공정에서,
상기 배선 패턴 형성면에 상기 칩이 배치된 상기 기판을 상기 배선 패턴 형성면이 위를 향하도록 기판 탑재대 상에 탑재하며, 또한 상기 배선 패턴 형성면 상에 상기 수지를 탑재한 상태에서 상기 수지를 가압하는 전자 부품의 제조 방법.32. The method of claim 31,
In the resin sealing step,
The substrate on which the chip is disposed is placed on the substrate mounting table such that the wiring pattern formation surface faces upward, and the resin is mounted on the wiring pattern formation surface, A method of manufacturing an electronic component to press.
상기 판상 부재가 방열판이며,
상기 방열판이 상기 돌기 전극 고정면의 반대쪽 면에 방열 핀을 가지는 전자 부품의 제조 방법.29. The method of claim 28,
Wherein the plate member is a heat sink plate,
Wherein the heat sink has a heat dissipation fin on a surface opposite to the projecting electrode fixing surface.
상기 수지가 열가소성 수지 또는 열경화성 수지인 전자 부품의 제조 방법.29. The method of claim 28,
Wherein the resin is a thermoplastic resin or a thermosetting resin.
상기 수지가 과립상 수지, 분말상 수지, 액상 수지, 판상 수지, 시트 형상 수지, 필름 형상 수지 및 페이스트상 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 전자 부품의 제조 방법.29. The method of claim 28,
Wherein the resin is at least one selected from the group consisting of a granular resin, a powdery resin, a liquid resin, a plate-like resin, a sheet-like resin, a film-like resin and a paste-like resin.
상기 수지가 투명 수지, 반투명 수지 및 불투명 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 전자 부품의 제조 방법.29. The method of claim 28,
Wherein the resin is at least one selected from the group consisting of a transparent resin, a translucent resin and an opaque resin.
상기 전자 부품은 기판, 칩, 수지 및 제16항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재를 포함하고,
상기 칩은 상기 기판상에 배치됨과 함께 상기 수지에 의해 밀봉되어 있으며,
상기 기판상의 상기 칩 배치측에 배선 패턴이 형성되고,
상기 돌기 전극은 상기 수지를 관통하여 상기 배선 패턴에 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
An electronic component in which a chip is resin-sealed,
The electronic component includes a substrate, a chip, a resin, and a plate-shaped member having a projection electrode according to claim 16,
The chip being disposed on the substrate and being sealed by the resin,
A wiring pattern is formed on the chip arrangement side on the substrate,
And the protruding electrode is in contact with the wiring pattern through the resin.
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