KR20160055927A - 벤조비스(티아디아졸) 유도체, 그것을 포함하는 잉크, 및 그것을 사용한 유기 일렉트로닉스 디바이스 - Google Patents

벤조비스(티아디아졸) 유도체, 그것을 포함하는 잉크, 및 그것을 사용한 유기 일렉트로닉스 디바이스 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 벤조비스(티아디아졸) 유도체에 관한 것이다.
Figure pct00257

(식 중, R1 은 직사슬형 또는 분기형의 알킬기, 또는 하기 식 (2) 의 기 중 어느 하나를 나타내고, R2 는 수소 원자를 나타내고, R3 은 수소 원자, 직사슬형 또는 분기형의 알킬기, 또는 하기 식 (2) 의 기 중 어느 하나를 나타내고, 단, R1 및 R3 의 적어도 일방은 하기 식 (2) 의 기 중 어느 하나를 나타내고, 2 개의 R1, 2 개의 R2, 및 2 개의 R3 은 모두 동일하거나 상이해도 된다.)
Figure pct00258

(식 중, R 은 직사슬형 또는 분기형의 알킬기를 나타낸다.)

Description

벤조비스(티아디아졸) 유도체, 그것을 포함하는 잉크, 및 그것을 사용한 유기 일렉트로닉스 디바이스 {BENZOBIS (THIADIAZOLE) DERIVATIVE, INK CONTAINING SAME, AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING SAME}
본 발명은, 벤조비스(티아디아졸) 유도체, 및 그것을 포함하는 잉크, 및 그것을 사용한 유기 박막 트랜지스터, 유기 일렉트로 루미네선스 소자, 표시 디바이스, 디스플레이, 태양 전지 등의 유기 일렉트로닉스 디바이스에 관한 것이다.
종래, 유기 박막 트랜지스터 (유기 TFT), 유기 일렉트로 루미네선스 소자 (유기 EL 소자) 또는 유기 박막 태양 전지용의 화합물로서 벤조비스티아졸 화합물이 주목 되어 있고, 벤조비스(티아디아졸) 을 주골격으로 하는 각종 유도체의 연구 개발이 활발히 실시되고 있다.
특히, 정공 및 전자의 이동도나 대기 중에서의 안정성을 개량하기 위해서, 강한 전자 흡인기를 도입한 벤조비스(티아디아졸) 화합물이 제안되어 있고, 예를 들어, 비특허문헌 1 및 비특허문헌 2 에는, 트리플루오로메틸페닐기가 티에닐렌기를 개재하여 벤조비스(티아디아졸) 에 결합하고 있는 화합물 (이하, FPTBBT 라고 칭하는 경우도 있다) 이 개시되어 있다. 이 화합물은, 강한 전자 흡인기인 트리플루오로메틸페닐기의 도입에 의해, 이동도의 향상이 도모되어 있다.
또한, 특허문헌 1 에도, n 형 유기 반도체의 재료로서 벤조비스티아디아졸 화합물이 개시되어 있지만, 합성되어 있는 화합물은 4,8-비스[3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐]벤조[1,2-c ; 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸 뿐이다. 또한, 4,8-비스[3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐]벤조[1,2-c ; 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸의 사이클릭 볼타메트리 (CV) 측정 결과는 기재되어 있지만, 이 화합물을 사용하여 박막 트랜지스터 (TFT) 등의 디바이스를 제작하여 특성을 평가하고 있지 않아, 유기 반도체 재료로서 충분한 특성을 가지고 있는지 불명하다. 또한, 특허문헌 1 에는, 용해도에 대해서도 기재가 없다.
또한, 벤조비스(티아디아졸) 을 주골격으로 하는 것은 아니지만, 티오펜 고리에 강한 전자 흡인기를 도입한 화합물은, 전자의 안정성이나 이동도의 향상이 도모되는 것이 일반적으로 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 2 참조).
또한, 2013년 9월 26일에 공개된 특허문헌 3 에는, 유기 용매에 가용인 벤조비스(티아디아졸) 유도체가 개시되어, 이 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 사용한 유기 박막 트랜지스터 등의 유기 일렉트로닉스 디바이스도 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 2013-124231호 일본 공개특허공보 2009-280515호 국제 공개 제2013/141182호
Chem.Commun., 46, 3265 (2010) Applied Physics Lett., 97, 133303 (2010)
그러나, 벤조비스(티아디아졸) 을 주골격으로 하는 각종 유도체는, 일반적으로, 유기 용매에 대한 용해성이 매우 낮기 때문에, 공업적으로 유리한 도포에 의한 박막 형성이 매우 곤란하다. 또한, 정공 및 전자의 이동도에 대해서도, 실용적인 관점에서는 여전히 불충분하다.
용매에 대한 용해성과, 높은 이동도를 양립시키는 것은, 유기 일렉트로닉스 디바이스의 개발에 있어서 중요하지만, 벤조비스(티아디아졸) 유도체에 한정되지 않고, 일반적으로, 그 양립은 곤란하다.
본 발명의 과제는, 유기 용매에 가용이고, 도포에 의한 박막 형성이 가능하고, 게다가 정공 및/또는 전자의 이동도 (전계 효과 이동도) 가 우수하고, 대기 중에서의 안정성도 우수한 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 과제는, 또한, 당해 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 사용한 유기 박막 트랜지스터, 유기 일렉트로 루미네선스 소자, 표시 디바이스, 디스플레이, 태양 전지, RFID 태그, 센서 등의 유기 일렉트로닉스 디바이스를 제공하는 것에도 있다.
본 발명은 이하의 사항에 관한 것이다.
1. 하기 일반식 (1) 로 나타내는 벤조비스(티아디아졸) 유도체.
[화학식 1]
Figure pct00001
(식 중, R1 은 직사슬형 또는 분기형의 알킬기, 또는 하기 식 (2) 의 기 중 어느 하나를 나타내고, R2 는 수소 원자를 나타내고, R3 은 수소 원자, 직사슬형 또는 분기형의 알킬기, 또는 하기 식 (2) 의 기 중 어느 하나를 나타내고, 단, R1 및 R3 의 적어도 일방은 하기 식 (2) 의 기 중 어느 하나를 나타내고, 2 개의 R1, 2 개의 R2, 및 2 개의 R3 은 모두 동일하거나 상이해도 된다.)
[화학식 2]
Figure pct00002
(식 중, R 은 직사슬형 또는 분기형의 알킬기를 나타낸다.)
2. R1 이 상기 식 (2) 의 기 중 어느 하나이고,
R2 가 수소 원자이고,
R3 이 수소 원자, 또는 직사슬형 또는 분기형의 알킬기인 것을 특징으로 하는 상기 1 에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체.
3. R1 이 직사슬형 또는 분기형의 알킬기이고,
R2 가 수소 원자이고,
R3 이 상기 식 (2) 의 기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상기 1 에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체.
4. 상기 식 (2) 의 기가, 하기 식 (3) 의 기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상기 1 ∼ 3 의 어느 1 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체.
[화학식 3]
Figure pct00003
(식 중, R 은 직사슬형 또는 분기형의 알킬기를 나타낸다.)
5. R1 이 직사슬형 또는 분기형의 알킬기이고,
R2 가 수소 원자이고,
R3 이 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기, 또는 시아노기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상기 1 ∼ 4 의 어느 1 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체.
6. 유기 용매에 가용인 것을 특징으로 하는 상기 1 ∼ 5 의 어느 1 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체.
7. 상기 1 ∼ 6 의 어느 1 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 잉크.
8. 2 종 이상의 유기 반도체를 포함하고, 그 중의 1 종 이상이 상기 1 ∼ 6 의 어느 1 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 잉크.
9. 상기 1 ∼ 6 의 어느 1 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 유기층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로닉스 디바이스.
10. 기판 상에, 게이트 전극과, 게이트 절연층과, 유기 반도체층과, 소스 전극 및 드레인 전극을 갖고,
상기 유기 반도체층이, 상기 1 ∼ 6 의 어느 1 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
11. 기판 상에, 양극과, 발광층과, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층과, 음극을 갖고,
상기 정공 수송층 및/또는 상기 전자 수송층이, 상기 1 ∼ 6 의 어느 1 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
12. 유기 박막 트랜지스터를 사용하여 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 구동·점등을 실시하는 표시 디바이스로서,
상기 유기 박막 트랜지스터가, 상기 10 에 기재된 유기 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 표시 디바이스.
13. 상기 10 에 기재된 유기 박막 트랜지스터와, 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 구비하는 화소가 매트릭스상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 방식의 표시 디바이스.
14. 상기 유기 일렉트로 루미네선스 소자가, 상기 11 에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자인 것을 특징으로 하는 상기 12 또는 13 에 기재된 표시 디바이스.
15. 유기 박막 트랜지스터를 사용하여 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 구동·점등을 실시하는 표시 디바이스로서,
상기 유기 일렉트로 루미네선스 소자가, 상기 11 에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자인 것을 특징으로 하는 표시 디바이스.
16. 기판 상에, 양극과, 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료를 포함하는 전하 분리층과, 음극을 갖고,
상기 전하 분리층이, 상기 1 ∼ 6 의 어느 1 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 태양 전지.
17. 기판 상에, 양극과, 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료를 포함하는 전하 분리층과, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층과, 음극을 갖고,
상기 정공 수송층 및/또는 상기 전자 수송층이, 상기 1 ∼ 6 의 어느 1 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 태양 전지.
18. 유기 박막 트랜지스터를 사용하여 작동하는 RFID 태그로서,
상기 유기 박막 트랜지스터가, 상기 10 에 기재된 유기 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 RFID 태그.
19. 유기 박막 트랜지스터를 사용하여 작동하는 센서로서,
상기 유기 박막 트랜지스터가, 상기 10 에 기재된 유기 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 센서.
20. 상기 기판이 가요성 기판인 것을 특징으로 하는 상기 9 에 기재된 유기 일렉트로닉스 디바이스, 상기 10 에 기재된 유기 박막 트랜지스터, 상기 11 에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자, 상기 12 ∼ 15 의 어느 1 항에 기재된 표시 디바이스, 상기 16 또는 17 에 기재된 유기 박막 태양 전지, 상기 18 에 기재된 RFID 태그, 또는 상기 19 에 기재된 센서.
본 발명에 의해, 유기 용매에 가용이고, 도포에 의한 박막 형성이 가능하고, 게다가 정공 및/또는 전자의 이동도 (전계 효과 이동도) 가 우수하고, 대기 중에서의 안정성도 우수한 벤조비스(티아디아졸) 유도체 (이하, 벤조비스(티아디아졸) 화합물이라고 칭하는 경우도 있다) 를 제공할 수 있다. 도포 (혹은 인쇄) 에 의해 박막 (층) 을 형성할 수 있는 것은, 고온 공정 그리고 고진공 공정이 불필요하고, 핸들링도 용이한 점에서, 저비용으로 대화면의 디바이스를 제작하는 것이 가능해져, 공업적으로 유리하다. 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체는, 정공 및 전자의 이동도 (전계 효과 이동도) 가 우수하고, 대기 중에서의 안정성도 우수한 점에서, 예를 들어, 유기 박막 트랜지스터, 유기 일렉트로 루미네선스 소자, 표시 디바이스, 디스플레이, 태양 전지, RFID 태그, 센서 등의 유기 일렉트로닉스 디바이스에 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 그 외 많은 디바이스에 바람직하게 사용할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 유기 박막 트랜지스터 (유기 TFT) 의 일례의 층 구성을 나타내는 단면도이다.
도 1i 은 상보형 인버터 (논리 반전) 회로의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2 는 본 발명의 유기 EL 소자의 일례의 층 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 표시 디바이스의 일례의 층 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 태양 전지의 일례의 층 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5 는 실시예 E-2 의 유기 TFT 의 전기 특성을 나타내는 도면이다.
도 6 은 실시예 E-9 의 유기 TFT 의 전기 특성을 나타내는 도면이다.
도 7 은 실시예 E-16 의 유기 TFT 의 전기 특성을 나타내는 도면이다.
도 8 은 실시예 E-28 의 유기 TFT 의 전기 특성을 나타내는 도면이다.
도 9 는 실시예 E-64 의 유기 TFT 의 100 V 측정시의 전기 특성을 나타내는 도면이다.
도 10 은 실시예 E-64 의 유기 TFT 의 50 V 측정시의 전기 특성을 나타내는 도면이다.
도 11 은 실시예 I-1 에서 제작한 인버터 회로의 구성을 나타내는 도면이다.
＜벤조비스(티아디아졸) 화합물＞
본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물 (벤조비스(티아디아졸) 유도체) 은, 하기 일반식 (1) 로 나타낸다. 벤젠 고리 상의 티에닐렌기에 대하여 메타 위치 (R1) 가 치환기로 치환되어 있음으로써, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물은, 용매에 대한 용해성이 우수하다. 단, 전계 효과 이동도의 향상의 관점에서, 다른 일방의 메타 위치 (R2) 는 수소 원자인 것이 바람직하다.
[화학식 4]
Figure pct00004
(식 중, R1 은 직사슬형 또는 분기형의 알킬기, 또는 하기 식 (2) 의 기 중 어느 하나를 나타내고, R2 는 수소 원자를 나타내고, R3 은 수소 원자, 직사슬형 또는 분기형의 알킬기, 또는 하기 식 (2) 의 기 중 어느 하나를 나타내고, 단, R1 및 R3 의 적어도 일방은 하기 식 (2) 의 기 중 어느 하나를 나타내고, 2 개의 R1, 2 개의 R2, 및 2 개의 R3 은 모두 동일하거나 상이해도 된다.)
[화학식 5]
Figure pct00005
(식 중, R 은 직사슬형 또는 분기형의 알킬기를 나타낸다.)
일반식 (1) 에 있어서, R1 이 상기 식 (2) 의 기 중 어느 하나이고, R2 가 수소 원자이고, R3 이 수소 원자, 또는 직사슬형 또는 분기형의 알킬기인 것이 바람직하다. 또한, R1 이 직사슬형 또는 분기형의 알킬기이고, R2 가 수소 원자이고, R3 이 상기 식 (2) 의 기 중 어느 하나인 것도 바람직하다.
2 개의 R1, 2 개의 R2, 및 2 개의 R3 은 모두 동일하거나 상이해도 되지만, 통상적으로, 동일한 것이 바람직하다.
상기의 직사슬형 또는 분기형의 알킬기는, 이동도나 용해도의 관점에서, 탄소수가 1 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수가 3 ∼ 25 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수가 5 ∼ 20 인 것이 특히 바람직하다.
직사슬형 또는 분기형의 알킬기의 구체예로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 1-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 3-메틸헥실기, 3-에틸헥실기, 2-메틸옥틸기, 2-에틸옥틸기, 3-메틸옥틸기, 2-헥실데실기, 2-옥틸도데실기, 2-데실테트라데실기 및 3-에틸옥틸기 등을 들 수 있다.
직사슬형의 알킬기로는, 하기에 나타내는 구조의 것을 들 수 있다.
[화학식 6]
Figure pct00006
분기형의 알킬기로는, 하기에 나타내는 구조의 것을 들 수 있다.
[화학식 7]
Figure pct00007
상기의 구조에 있어서, 아스터리스크 (*) 는 결합손을 나타낸다. 이하에 있어서도 동일하다.
상기 식 (2) 의 기 중에서는, 하기 식 (3) 의 기 중 어느 것이 바람직하다.
[화학식 8]
Figure pct00008
(식 중, R 은 직사슬형 또는 분기형의 알킬기를 나타낸다.)
R 로는, 탄소수 1 ∼ 30 의 직사슬형 또는 분기형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬형 또는 분기형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 15 의 직사슬형 또는 분기형의 알킬기가 보다 바람직하다.
R 의 구체예로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 2-에틸헥실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸도데실기, 2-데실테트라데실기 등을 들 수 있다.
상기 식 (2) 의 기로는, 불소 (-F), 염소 (-Cl), 트리플루오로메틸기 (-CF3), 트리플루오로메톡시기 (-OCF3), 시아노기 (-CN), 니트로기 (-NO2) 가 특히 바람직하고, 트리플루오로메틸기 (-CF3), 트리플루오로메톡시기 (-OCF3), 시아노기 (-CN) 가 더욱 바람직하다.
본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물로는, 예를 들어, 이하의 식 (1) ∼ (17), (63) ∼ (135) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 단, 식 중, R 은 직사슬형 또는 분기형의 알킬기를 나타낸다. 또한, -COR, -CO2R, -OCOR 은 각각 다음의 구조를 나타낸다.
[화학식 9]
Figure pct00009
[화학식 10]
Figure pct00010
[화학식 11]
Figure pct00011
[화학식 12]
Figure pct00012
[화학식 13]
Figure pct00013
[화학식 14]
Figure pct00014
본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물은 (1) Tetrahedron, 53, 10169 (1997), 혹은 (2) Organic Lett., 12, 3340 (2010) 등을 참고로 하여, 예를 들어, 이하에 나타내는 반응 스킴 (커플링 공정, 주석화 공정, BBT 화 공정의 3 공정) 에 따라 합성할 수 있다.
(커플링 공정)
[화학식 15]
Figure pct00015
[화학식 16]
Figure pct00016
[화학식 17]
Figure pct00017
[화학식 18]
Figure pct00018
식 중, R1, R2 및 R3 은 상기와 동일한 의미이고, X 는 할로겐 원자를 나타내고, 브롬 원자 또는 요오드 원자인 것이 바람직하다. 또한, 팔라듐 촉매 (Pd catalyst) 로는 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 (Pd(PPh3)4), 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 (PdCl2(PPh3)2), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (Pd(PtBu3)2), 아세트산팔라듐 (Pd(OAc)2), 염화팔라듐 (PdCl2) 등의 팔라듐 착물의 1 종 또는 2 종 이상이 바람직하고, PdCl2(PPh3)2, Pd(Ph3)4 가 보다 바람직하다.
(주석화 공정)
[화학식 19]
Figure pct00019
[화학식 20]
Figure pct00020
식 중, R1, R2 및 R3 은 상기와 동일한 의미이고, NBS 는 N-브로모숙신이미드를 나타내고, Bu 는 부틸기를 나타낸다. 또한, 염기 (Base) 로는 n-BuLi (단, Bu 는 부틸기를 나타낸다), 또는 LDA (리튬디이소프로필아미드) 가 바람직하다.
(BBT 화 공정)
[화학식 21]
Figure pct00021
[화학식 22]
Figure pct00022
식 중, R1, R2 및 R3 은 상기와 동일한 의미이고, Bu 는 부틸기를 나타내고, Ph 는 페닐기를 나타내고, AcOH 는 아세트산을 나타내고, Me 는 메틸기를 나타낸다.
본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물의 제조 공정은, 커플링 공정, 주석화 공정, BBT 화 공정의 3 공정을 포함하는데, 특별히 한정되지 않고, 상기의 커플링 공정 A ∼ D 중 임의의 1 개, 주석화 공정 A ∼ B 중 임의의 1 개, BBT 화 공정 A ∼ B 중 임의의 1 개를 적절히 선택하여 조합할 수 있다.
반응 종료 후, 얻어진 반응액으로부터, 예를 들어, 여과, 농축, 추출, 증류, 승화, 재결정, 칼럼 크로마토그래피 등의 일반적인 조작에 의해, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물을 단리·정제할 수 있지만, 용해도가 상이한 불순물을 제거하고, 화합물 순도를 향상시키기 위해서는, 유기 용매에 의한 속슬렛 추출을 정제 공정에 삽입하는 것이 간편하여 바람직하다.
본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물은, 통상적으로, 물이나, 다양한 유기 용매, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 에틸렌글리콜, 이소부탄올, 2-부탄올, 2-에틸-1-부탄올, n-옥탄올, 벤질알코올, 테르피네올 등의 알코올류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 아세토페논, 이소포론 등의 케톤류 : 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 벤조산메틸, 벤조산부틸, 살리실산메틸, 말론산에틸, 아세트산2-에톡시에탄, 아세트산2-메톡시-1-메틸에틸 등의 에스테르류 ; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈, 헥사메틸인산트리아미드 등의 아미드류 ; 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디메틸이미다졸리딘-2,4-디온 등의 우레아류 ; 디메틸술폭시드, 디에틸술폭시드 등의 술폭시드류 ; 술포란 등의 술폰류 ; 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴, 벤조니트릴 등의 니트릴류 ; γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 테트라하이드로푸란, 2-메틸테트라하이드로푸란, 디옥산, tert-부틸메틸에테르, 아니솔, 페네톨, 1,2-디메톡시벤젠, 1,3-디메톡시벤젠, 1,4-디메톡시벤젠, 1,2-메틸아니솔, 1,3-메틸아니솔, 1,4-메틸아니솔, 1,2-메틸렌디옥시벤젠, 2,3-디하이드로벤조푸란, 프탈란, 옥틸옥시벤젠, 디페닐에테르, 에틸셀로솔브 등의 에테르류 ; 탄산디메틸, 1,2-부틸렌글리콜카보네이트 등의 카보네이트류 ; 티오아니솔, 에틸페닐술파이드 등의 티오에테르류 ; 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌, 슈도쿠멘, 헤미멜리텐, 듀렌, 이소듀렌, 프레니텐, 에틸벤젠, 쿠멘, tert-부틸벤젠, 시클로헥실벤젠, 트리이소프로필벤젠, 페닐아세틸렌, 인단, 메틸인단, 인덴, 테트랄린, 나프탈렌, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸나프탈렌, 페닐옥탄, 디페닐메탄 등의 방향족 탄화수소류 ; 페놀, 1,2-크레졸, 1,3-크레졸, 1,4-크레졸, 1,2-메톡시페놀, 1,3-메톡시페놀, 1,4-메톡시페놀 등의 페놀류 ; 클로로벤젠, 1,2-디클로로벤젠, 1,3-디클로로벤젠, 1,2,4-트리클로로벤젠, 브로모벤젠, 1,2-디브로모벤젠, 1,3-디브로모벤젠, 1,4-디클로로톨루엔, 1-클로로나프탈렌, 2,4-디클로로톨루엔, 2-클로로-1,3-디메틸벤젠, 2-클로로톨루엔, 2-클로로-1,4-디메틸벤젠, 4-클로로-1,2-디메틸벤젠, 2,5-디클로로톨루엔, m-클로로톨루엔, 1-클로로-2,3-디메틸벤젠, 4-(트리플루오로메톡시)아니솔, 트리플루오로메톡시벤젠 등의 할로겐화 방향족 탄화수소류 ; 헥산, 헵탄, 옥탄, 시클로헥산, 리모넨 등의 지방족 탄화수소류 ; 디클로로메탄, 클로로포름, 사염화탄소, 1,2-디클로로에탄, 1,3-디클로로프로판, 1,2-디브로모에탄 등의 할로겐화 지방족 탄화수소류 ; 2,6-디메틸피리딘, 2,6-디tert-부틸피리딘 등의 피리딘류 등의 다양한 유기 용매의 적어도 1 종에 용해된다. 용매로는, 그 중에서도, 할로겐화 방향족 탄화수소류, 방향족 탄화수소류, 할로겐화 지방족 탄화수소류를 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 이들 용매는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
여기서, 「용해된다」 란, 상압에서, 비점 이하, 바람직하게는 80 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 60 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 20 ℃ 내지 30 ℃ 의 물 또는 유기 용매에 대하여, 바람직하게는 0.03 wt％ 이상, 보다 바람직하게는 0.05 wt％ 이상, 보다 바람직하게는 0.1 wt％ 이상의 용해도를 갖는 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체는, 물, 및 모든 유기 용매에 용해되는 것이 요구되는 것은 아니고, 물, 또는 예를 들어 상기에 예시한 유기 용매의 적어도 1 종에 가용이면 된다. 적어도 1 종의 유기 용매에 용해되는 벤조비스(티아디아졸) 유도체는, 「유기 용매에 가용이다」 라고 말한다.
본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물은 통상적으로, 1 종 이상의 유기 용매에 가용이고, 예를 들어, 유기 용매에 대하여, 바람직하게는 0.1 wt％ 이상, 보다 바람직하게는 0.3 wt％ 이상의 용해도를 가질 수 있다.
따라서, 이들 유기 용매에 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물을 용해시켜, 얻어진 용액을 유기 반도체 잉크로 할 수 있다. 유기 반도체 잉크로 할 수 있으면, 취급이 용이하고, 보존도 가능하다. 또한, 유기 반도체층의 형성 방법으로는 일반적으로 증착 및 도포를 들 수 있지만, 증착에는 고열원 또한 고진공이 필요하게 되기 때문에, 도포에 비하여 비용이 매우 높다. 본 발명의 유기 반도체 잉크를 이용하면, 도포에 의해 유기 반도체층을 형성할 수 있고, 비용을 대폭으로 낮출 수 있다.
또한, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체는 대기 중에서 안정적이기 때문에, 도포를 대기 중에서 실시할 수 있어, 아르곤 가스와 같은 불활성 가스 분위기를 만들어 낼 필요도 없다. 이 점에서도 비용 삭감이 도모된다.
본 발명의 유기 반도체 잉크는, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물 1 종 이상을 포함하는 것이고, 추가로 다른 유기 반도체 1 종 이상을 포함할 수도 있다. 또한, 잉크를 구성하는 용매는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또한 본 발명의 유기 반도체 잉크에는, 잉크의 점도를 조정하기 위한 첨가제, 및, 잉크의 친수성 혹은 발수성을 제어하기 위한 첨가제, 산화 방지제, 광 안정제, 표면 조정제 (레벨링제), 계면 활성제, 보존 안정제, 활제, 젖음성 개량제, 커플링제 등, 잉크의 물성을 제어하는 첨가제를 포함할 수 있다. 이들의 첨가 효과로는, 잉크의 점도의 최적화나 제막성의 향상 등에 더하여 전하 이동성의 향상을 들 수 있다. 또한, 회로 제작 공정의 관점에서, 회로 상에 종류가 상이한 복수의 유기 반도체를 사용하는 경우, 또는 동일한 유기 반도체를 사용하지만 복수의 특성으로 조정하는 경우, 유기 반도체 잉크에 상기의 첨가 성분을 첨가하는 것이 특히 바람직하다. 회로 상의 필요한 부분에 필요한 특성을 나타내는 유기 반도체를 분류하여 만드는 것이, 유기 반도체 잉크를 바꾼다는 간편한 조작에 의해 달성할 수 있기 때문에, 회로 제작의 자유도가 향상된다.
본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물의 잉크 중의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 0.001 wt％ ∼ 10 wt％ 정도로 할 수 있고, 또한 0.01 wt％ ∼ 1 wt％ 정도가 제막성의 관점에서 바람직하다. 또한, 본 발명의 유기 반도체 잉크가 다른 유기 반도체를 포함하는 경우에는, 이들 다른 유기 반도체와 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체의 합계 함유량은, 예를 들어 0.001 ∼ 10 wt％ 로 할 수 있다. 또한, 상기의 각종 첨가제의 첨가량은 특별히 한정되지 않고, 적절히 선택할 수 있다.
다른 유기 반도체로는, 예를 들어, 고분자 반도체 화합물을 들 수 있다. 여기서의 고분자 반도체 화합물이란, 반도체성을 나타내는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물로, 구체적으로는, 폴리아세틸렌계 고분자, 폴리디아세틸렌계 고분자, 폴리파라페닐렌계 고분자, 폴리아닐린계 고분자, 폴리트리페닐아민계 고분자, 폴리티오펜계 고분자, 폴리피롤계 고분자, 폴리파라페닐렌비닐렌계 고분자, 폴리에틸렌디옥시티오펜계 고분자, 나프탈렌디이미드를 1 성분으로 하는 공중합 고분자, 페릴렌디이미드를 1 성분으로 하는 공중합 고분자, 디케토피롤로피롤을 1 성분으로 하는 공중합 고분자 등을 들 수 있다. 이들 고분자 반도체 화합물 중에서도, 폴리아닐린계 고분자, 폴리티오펜계 고분자, 폴리피롤계 고분자, 폴리파라페닐렌비닐렌계 고분자, 나프탈렌디이미드를 1 성분으로 하는 공중합 고분자, 페릴렌디이미드를 1 성분으로 하는 공중합 고분자, 디케토피롤로피롤을 1 성분으로 하는 공중합 고분자 등이 바람직하다.
또 다른 유기 반도체로서, 예를 들어, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물 이외의 저분자 반도체 화합물을 들 수 있다. 여기서의 저분자 반도체 화합물이란, 반도체성을 나타내는 것을 특징으로 하는 저분자 화합물로, 구체적으로는, 아센 유도체, 페닐렌비닐렌 유도체, 트리페닐아민 유도체, 플루오렌 유도체, 아자아센 유도체, 티에노아센 유도체, 티오펜 유도체, 벤조티오펜 유도체, 티에노티오펜 유도체, 티아졸 유도체, 티아졸로티아졸 유도체, 테트라티아풀발렌 유도체, 프탈로시아닌 유도체, 포르피린 유도체, 나프탈렌디이미드 유도체, 페릴렌디이미드 유도체, 벤조티아디아졸 유도체, 나프토비스티아디아졸 유도체, 디케토피롤로피롤 유도체, 풀러렌 유도체 등을 들 수 있다. 이들 저분자 반도체 화합물 중에서도, 아센 유도체, 티에노아센 유도체, 티오펜 유도체, 티에노티오펜 유도체, 테트라티아풀발렌 유도체, 나프탈렌디이미드 유도체, 페릴렌디이미드 유도체, 디케토피롤로피롤 유도체, 풀러렌 유도체 등이 바람직하다.
또한 다른 유기 반도체로서, 예를 들어, Chem. Rev., 2012, Vol.112, pp.2208-2267 에 기재된 유기 반도체를 들 수 있다.
본 발명의 유기 반도체 잉크는, 필요에 따라, 첨가 성분으로서, 절연성의 고분자 화합물을 포함할 수도 있다. 여기서의 절연성 고분자 화합물이란, 합성 수지, 플라스틱, 합성 고무 등이고, 구체적으로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리에스테르, 페놀 수지, 아크릴 수지, 아미드 수지, 나일론, 비닐론, 폴리이소프렌, 폴리부타디엔, 아크릴 고무, 아크릴로니트릴 고무, 우레탄 고무 등을 들 수 있다. 이들의 첨가 효과로는, 잉크의 점도의 최적화나 제막성의 향상 등을 들 수 있다.
또한 본 발명의 유기 반도체 잉크는, 필요에 따라, 첨가 성분으로서, 도전성의 고분자 화합물을 포함할 수 있다. 여기서의 도전성 고분자 화합물이란, 전기 전도성을 나타내는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물로, 구체적으로는, 폴리아세틸렌계 고분자, 폴리디아세틸렌계 고분자, 폴리파라페닐렌계 고분자, 폴리아닐린계 고분자, 폴리트리페닐아민계 고분자, 폴리티오펜계 고분자, 폴리피롤계 고분자, 폴리파라페닐렌비닐렌계 고분자, 폴리에틸렌디옥시티오펜계 고분자, 폴리에틸렌디옥시티오펜·폴리스티렌술폰산의 혼합물 (일반명, PEDOT-PSS) 등을 들 수 있다. 이들 도전성 고분자 화합물 중에서도, 폴리아세틸렌계 고분자, 폴리파라페닐렌계 고분자, 폴리아닐린계 고분자, 폴리트리페닐아민계 고분자, 폴리티오펜계 고분자, 폴리피롤계 고분자, 폴리파라페닐렌비닐렌계 고분자 등이 바람직하다. 이들의 첨가 효과로는, 잉크의 점도의 최적화나 제막성의 향상 등에 더하여 전하 이동성의 향상을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 반도체 잉크는, 필요에 따라, 하기의 화합물 등의 저분자 화합물을, 잉크의 물성을 제어하는 첨가제로서 포함할 수 있다. 구체적으로는, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸, 테트라데칸, 펜타데칸, 헥사데칸, 헵타데칸, 옥타데칸, 노나데칸, 이코산 등의 지방족 탄화수소, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 노난올, 데칸올, 운데칸올, 도데칸올, 트리데칸올, 테트라데칸올, 펜타데칸올, 헥사데칸올, 헵타데칸올, 옥타데칸올, 노나데칸올, 에이코산올 등의 지방족 알코올, 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 운데실아민, 도데실아민, 트리데실아민, 테트라데실아민, 펜타데실아민, 헥사데실아민, 헵타데실아민, 옥타데실아민, 노나데실아민, 에이코실아민 등의 지방족 아민, 헥산티올, 헵탄티올, 옥탄티올, 노난티올, 데칸티올, 운데칸티올, 도데칸티올, 트리데칸티올, 테트라데칸티올, 펜타데칸티올, 헥사데칸티올, 헵타데칸티올, 옥타데칸티올, 노나데칸티올, 에이코산티올, 페닐메탄티올, (2-메틸페닐)메탄티올, (3-메틸페닐)메탄티올, (4-메틸페닐)메탄티올, (2-플루오로페닐)메탄티올, (3-플루오로페닐)메탄티올, (4-플루오로페닐)메탄티올, 2-페닐에탄티올 등의 지방족 티올, 벤젠티올, 2-메틸벤젠티올, 3-메틸벤젠티올, 4-메틸벤젠티올, 2-에틸벤젠티올, 3-에틸벤젠티올, 4-에틸벤젠티올, 2-아미노벤젠티올, 3-아미노벤젠티올, 4-아미노벤젠티올, 2-이소프로필벤젠티올, 3-이소프로필벤젠티올, 4-이소프로필벤젠티올, 2-(디메틸아미노)벤젠티올, 3-(디메틸아미노)벤젠티올, 4-(디메틸아미노)벤젠티올 등의 방향족 티올을 들 수 있다. 이들의 첨가 효과로는, 잉크의 점도의 최적화나 제막성의 향상 등에 더하여 전하 이동도의 향상을 들 수 있다. 이들 저분자 화합물 중에서도, 잉크의 젖음성의 향상에 의해 이동도의 향상을 도모할 목적으로, 지방족 티올, 방향족 티올이 바람직하다.
본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물을 포함하는 유기 반도체 잉크를 도포함으로써, 벤조비스(티아디아졸) 화합물의 층, 또는 박막을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물을 포함하는 유기 반도체 잉크의 도포는, 공지된 방법, 예를 들어, 스핀 코트법, 드롭 캐스트법, 캐스트법, 랭뮤어-블로드젯법 등으로 실시할 수 있다. 또한 도포법으로서, 일반적으로 인쇄의 기법으로서 알려진 공지된 방법을 사용하는 것도 가능하고, 예를 들어, 잉크젯법, 스크린법, 오프셋법, 그라비아법, 플렉소법, 마이크로 컨택트법 등으로 인쇄를 실시할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 반도체 잉크는, 기재 상에 도포 혹은 인쇄한 후에, 용매 성분이 제거되면, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물을 포함하는 층, 또는 포함하는 박막을 형성하는데, 용매 성분 제거 조건은 적절히 선택할 수 있다.
예를 들어 용매 성분을 실온 하에서 자연 건조 혹은 풍건하는 것이 바람직하지만, 용매의 비점이 높아 제거하기 어려운 경우에는, 실온 부근에서 감압 하에서 용매 제거하거나, 50 ℃ ∼ 200 ℃ 정도로 가열하여 용매 제거하거나, 혹은 양자를 병용하여 감압하에서 가열 처리할 수 있다.
또한 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물을 포함하는 층, 또는 포함하는 박막의 반도체 특성을 향상시킬 목적으로, 벤조비스(티아디아졸) 화합물을 포함하는 층, 또는 포함하는 박막을 가열 처리할 수 있다. 이 경우의 가열 처리 조건은 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 50 ℃ ∼ 250 ℃ 정도에서, 0.1 시간 ∼ 24 시간, 가열 처리하는 방법을 들 수 있다. 이 공정은 용매 제거 공정과 겸해도 된다.
또한, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물을 포함하는 층, 또는 포함하는 박막의 반도체 특성을 향상시킬 목적으로, 벤조비스(티아디아졸) 화합물을 포함하는 층, 또는 포함하는 박막을, 용매 증기에 노출시키는 처리를 실시해도 된다.
본 공정에 사용되는 용매로는, 물이나, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 에틸렌글리콜, 이소부탄올, 2-부탄올, 2-에틸-1-부탄올, n-옥탄올, 벤질알코올, 테르피네올 등의 알코올류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 아세토페논, 이소포론 등의 케톤류 : 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 벤조산메틸, 벤조산부틸, 살리실산메틸, 말론산에틸, 아세트산2-에톡시에탄, 아세트산2-메톡시-1-메틸에틸 등의 에스테르류 ; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈, 헥사메틸인산트리아미드 등의 아미드류 ; 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디메틸이미다졸리딘-2,4-디온 등의 우레아류 ; 디메틸술폭시드, 디에틸술폭시드 등의 술폭시드류 ; 술포란 등의 술폰류 ; 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴, 벤조니트릴 등의 니트릴류 ; γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 테트라하이드로푸란, 2-메틸테트라하이드로푸란, 디옥산, tert-부틸메틸에테르, 아니솔, 페네톨, 1,2-디메톡시벤젠, 1,3-디메톡시벤젠, 1,4-디메톡시벤젠, 1,2-메틸아니솔, 1,3-메틸아니솔, 1,4-메틸아니솔, 1,2-메틸렌디옥시벤젠, 2,3-디하이드로벤조푸란, 프탈란, 옥틸옥시벤젠, 디페닐에테르, 에틸셀로솔브 등의 에테르류 ; 탄산디메틸, 1,2-부틸렌글리콜카보네이트 등의 카보네이트류 ; 티오아니솔, 에틸페닐술파이드 등의 티오에테르류 ; 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌, 슈도쿠멘, 헤미멜리텐, 듀렌, 이소듀렌, 프레니텐, 에틸벤젠, 쿠멘, tert-부틸벤젠, 시클로헥실벤젠, 트리이소프로필벤젠, 페닐아세틸렌, 인단, 메틸인단, 인덴, 테트랄린, 나프탈렌, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸나프탈렌, 페닐옥탄, 디페닐메탄 등의 방향족 탄화수소류 ; 페놀, 1,2-크레졸, 1,3-크레졸, 1,4-크레졸, 1,2-메톡시페놀, 1,3-메톡시페놀, 1,4-메톡시페놀 등의 페놀류 ; 클로로벤젠, 1,2-디클로로벤젠, 1,3-디클로로벤젠, 1,2,4-트리클로로벤젠, 브로모벤젠, 1,2-디브로모벤젠, 1,3-디브로모벤젠, 1,4-디클로로톨루엔, 1-클로로나프탈렌, 2,4-디클로로톨루엔, 2-클로로-1,3-디메틸벤젠, 2-클로로톨루엔, 2-클로로-1,4-디메틸벤젠, 4-클로로-1,2-디메틸벤젠, 2,5-디클로로톨루엔, m-클로로톨루엔, 1-클로로-2,3-디메틸벤젠, 4-(트리플루오로메톡시)아니솔, 트리플루오로메톡시벤젠 등의 할로겐화 방향족 탄화수소류 ; 헥산, 헵탄, 옥탄, 시클로헥산, 리모넨 등의 지방족 탄화수소류 ; 디클로로메탄, 클로로포름, 사염화탄소, 1,2-디클로로에탄, 1,3-디클로로프로판, 1,2-디브로모에탄 등의 할로겐화 지방족 탄화수소류 ; 2,6-디메틸피리딘, 2,6-디tert-부틸피리딘 등의 피리딘류 등의 다양한 유기 용매 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 할로겐화 방향족 탄화수소류, 방향족 탄화수소류, 할로겐화 지방족 탄화수소류를 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 이들 용매는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
용매 증기 노출 처리 공정은, 예를 들어, 벤조비스(티아디아졸) 화합물을 포함하는 층, 또는 포함하는 박막과 용매를, 직접 벤조비스(티아디아졸) 화합물을 포함하는 층, 또는 포함하는 박막과 용매가 접하지 않도록 하면서, 밀폐성이 있는 공간에 정치 (靜置) 함으로써 달성된다. 용매 증기의 양을 증가시키기 위해서, 용매를 40 ℃ ∼ 150 ℃ 정도로 가온해도 된다. 이 용매 증기 노출 처리 공정 후에는, 상기의 용매 제거 공정 이후의 공정을 적절히 선택할 수 있다.
본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물은, 정공 및 전자의 이동도 (전계 효과 이동도) 가 우수하고, 예를 들어, 유기 박막 트랜지스터, 유기 일렉트로 루미네선스 소자, 표시 디바이스, 디스플레이, 태양 전지, RFID 태그, 센서 등의 유기 일렉트로닉스 디바이스에 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물은, 백 라이트, 광 통신, 전자 사진, 조명 광원, 기록 광원, 노광 광원, 판독 광원, 표지, 간판, 인테리어, 또한, 물류 관리, 재고 관리, 상품 관리, 개체 식별이나, 온도 측정, 압력 측정, 하중 측정, 명암 측정, 생체 정보 측정 등의 광범위에 이르는 분야의 용도에 제공할 수 있다.
＜유기 박막 트랜지스터＞
다음으로, 본 발명의 유기 박막 트랜지스터 (이하, 유기 TFT 라고 칭한다) 에 대하여 설명한다. 본 발명의 유기 박막 트랜지스터는, 유기 반도체층이 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것이다. 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체는, 분자의 배향 방향을 나열하기 쉽고, 고전계 효과 이동도를 달성할 수 있기 때문에, 유기 TFT 의 반도체층에 사용하면 효과적이다.
본 발명의 유기 박막 트랜지스터는, 반도체층이 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것 이외에, 공지된 구조, 재료를 사용할 수 있다.
반도체층의 막 두께는, 필요한 기능을 소실하지 않는 범위에서, 얇은 것이 바람직하다. 필요한 기능을 나타내기 위한 반도체층의 막 두께는, 통상적으로, 1 ㎚ ∼ 10 ㎛, 바람직하게는 5 ㎚ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 10 ㎚ ∼ 1 ㎛ 이다.
도 1 에, 본 발명의 유기 TFT 의 일례의 층 구성을 나타낸다. 도 1 의 (1-1) 에 나타내는 유기 TFT 는, 보텀 게이트-탑 컨택트 구조의 것으로, 기판 (11) 상에, 게이트 전극 (12) 과, 게이트 절연층 (13) 과, 유기 반도체층 (16) 과, 드레인 전극 (14) 및 소스 전극 (15) 을 이 순서로 적층하여 이루어지는 것이다.
도 1 의 (1-2) 에 나타내는 유기 TFT, (1-3) 에 나타내는 유기 TFT 는 각각, 보텀 게이트-보텀 컨택트 구조의 것, 탑 게이트-보텀 컨택트 구조의 것이다. 트랜지스터 소자의 미세화 및 집적화의 관점에서는, 통상적으로, 보텀 게이트-보텀 컨택트 구조, 혹은 탑 게이트-보텀 컨택트 구조가 적합하다. 또한, 도 1 의 (1-2), (1-3) 의 각 기호는 (1-1) 과 동일하다.
기판 (11) 으로는, 예를 들어, 유리, 석영, 실리콘 또는 세라믹 등의 재료나, 플라스틱 재료를 사용할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체는 통상적으로 물이나 유기 용매에 가용이고, 용매에 용해되어 유기 반도체 잉크로서, 이것을 도포함으로써 유기 반도체층을 형성할 수 있다. 도포에 있어서는, 비교적 저온에서 유기 반도체층을 형성할 수 있고, 따라서, 그 밖의 전극 등도 고온이 아닌 환경하에서 형성할 수 있는 경우, 기판 (11) 으로서 내열성이 낮은 재료도 사용할 수 있다.
그 때문에, 본 발명에 의하면, 내열성이 비교적 낮은 각종 플라스틱 재료도 기판 (11) 으로서 이용 가능하게 되고, 가요성을 갖는 재료를 사용할 수 있다. 이 경우에는, 기판 (11) 을 가요성 (플렉시블) 기판으로 할 수 있고, 이에 의해, 유기 TFT 를 평면 상 뿐만 아니라 곡면 등의 상에도 배치하는 것이 가능하게 되어, 유기 TFT 를 구비하는 유기 일렉트로닉스 디바이스 전체의 설계 자유도가 높아진다.
게이트 전극 (12) 으로는, 예를 들어, 금, 백금, 크롬, 텅스텐, 탄탈, 니켈, 동, 알루미늄, 은, 마그네슘, 칼슘 등의 금속, 혹은 그들의 합금, 및 폴리실리콘, 아모르퍼스 실리콘, 그라파이트, 주석 도프 산화인듐 (ITO), 산화아연, 도전성 폴리머 등의 재료를 사용할 수 있고, 진공 증착법, 전자빔 증착법, RF 스퍼터법 또는 인쇄법 등의 주지의 막 제작 방법에 의해 형성할 수 있다.
게이트 절연층 (13) 으로는, 예를 들어, SiO2, Si3N4, SiON, Al2O3, Ta2O5, 아모르퍼스 실리콘, 폴리이미드 수지, 폴리비닐페놀 수지, 폴리파라자일릴렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리불화탄소 수지, 디비닐테트라메틸실록산벤조시클로부텐 수지 등의 재료를 사용할 수 있고, 게이트 전극 (12) 과 동일한 주지의 막 제작 방법에 의해 형성할 수 있다.
본 발명의 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 유기 반도체층 (16) 은, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체 1 종 이상을 포함하고, 예를 들어, 진공 증착법이나 스핀 코트 등의 주지의 막 제작 방법에 의해 형성할 수 있다. 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물은 유기 용매에 가용이기 때문에, 도포 (인쇄) 법에 의해 유기 반도체층 (16) 을 형성할 수 있다. 또한, 유기 반도체층 (16) 은, 다른 유기 화합물 1 종 이상을 포함할 수도 있다.
드레인 전극 (14) 및 소스 전극 (15) 은, 예를 들어, 금, 백금, 크롬, 텅스텐, 탄탈, 니켈, 동, 알루미늄, 은, 마그네슘, 칼슘 등의 금속 혹은 그들의 합금, 및 폴리실리콘, 아모르퍼스 실리콘, 그라파이트, 주석 도프 산화인듐 (ITO), 산화아연, 도전성 폴리머 등의 재료를 사용할 수 있고, 게이트 전극 (12) 과 동일한 주지의 막 제작 방법에 의해 형성할 수 있다.
통상적으로, 본 발명의 유기 TFT 는 양호한 n 형 특성을 나타내기 때문에, p 형의 유기 TFT 와 조합하여, 도 1i 에 나타내는 상보형 인버터 (논리 반전) 회로를 제작할 수 있다. (NOT 회로라고 칭해지는 경우도 있다) 이 도면에 있어서 Vin 은 입력 신호선, Vout 는 출력 신호선, Vdd 는 전원선, GND 는 접지를 나타낸다. 또한 도면 중 상측의 트랜지스터가 p 형 TFT 이고, 하측이 n 형 TFT 이다.
이 회로를 작동시키는 데에는, Vdd 에 GND 에 대하여 이들 트랜지스터를 구동 가능한 전위차를 갖게 한다. Vin 이 GND 와 동일한 전위인 경우, p 형 TFT 가 on 상태이고 n 형 TFT 가 off 상태가 되기 때문에, Vout 에는 Vdd 와 대략 동일한 전위가 출력된다. 한편, Vin 이 Vdd 와 동일한 전위인 경우에는, p 형 TFT 가 off 상태이고 n 형 TFT 가 on 상태가 되어, Vout 의 전위는 GND 와 대략 동일한 전위가 된다. 즉 Vin 과 반대의 전위가 Vout 에 출력되기 때문에, 반전 회로라고 칭해진다. 이 회로는, 디지털 논리 회로를 구성하는 기본 회로이다. 논리 반전하는 순간에만, 약간의 전류만이 흐르기 때문에, 소비 전력이 적은 논리 회로를 구성하는 관점에서 바람직하게 이용되고 있다.
또한, 양호한 n 형 특성을 나타내는 본 발명의 유기 TFT 는, p 형의 유기 TFT 와 조합하여, NAND 회로, NOR 회로, 플립 플롭 회로 등을 제작할 수 있다. 이들 회로는 목적에 따른 설계를 기초로 조합하여 집적화함으로써, 집적화 논리 회로를 구성하고, 디스플레이 회로, RFID 회로, 센서 회로 등에 적용할 수 있다.
＜유기 일렉트로 루미네선스 소자＞
다음으로, 본 발명의 유기 일렉트로 루미네선스 소자 (이하, 유기 EL 소자라고 칭한다) 에 대하여 설명한다. 본 발명의 유기 EL 소자는, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층이 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것이다. 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체는, 정공 및 전자 수송성이 우수하기 때문에, 유기 EL 소자의 정공 수송층이나 전자 수송층에 사용하면 효과적이다.
본 발명의 유기 EL 소자는, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층이 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것 이외에, 공지된 구조, 재료를 사용할 수 있다.
유기 EL 소자는, 양극과 음극 사이에, 발광층을 포함하는 적어도 1 층 이상의 유기 화합물층을 형성한 소자이다. 전형적으로는, (양극/정공 수송층/발광층/음극), (양극/발광층/전자 수송층/음극), (양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극) 등의 소자 구조로 구성된다.
도 2 에, 본 발명의 유기 EL 소자의 일례의 층 구성을 나타낸다. 도 2 에 나타내는 유기 EL 소자는, 기판 (21) 상에, 양극 (22), 정공 수송층 (23), 발광층 (24), 전자 수송층 (25) 및 음극 (26) 을 이 순서로 적층하여 이루어지는 것이다.
상기와 같이 구성된 유기 EL 소자에 대하여, 양극 (22) 과 음극 (26) 사이에 소정의 직류 전압을 인가하면, 발광층 (24) 으로부터 고휘도의 발광이 얻어진다. 이 발광의 메커니즘은 이하와 같이 생각되고 있다.
즉, 상기 2 개의 층 사이에 소정의 직류 전압이 인가되면, 양극 (22) 으로부터 정공 수송층 (23) 에 유입된 정공이 발광층 (24) 까지 수송된다. 한편, 음극 (26) 으로부터 전자 수송층 (25) 에 주입된 전자는 발광층 (24) 까지 수송되고, 이 발광층 (24) 중을 확산 이동하여 정공과 재결합하여, 전기적으로 중화 상태가 된다. 이 재결합이 실시되면 소정의 에너지가 방출되고, 그 에너지에 의해 발광층 (24) 내의 유기 발광 재료가 여기 상태로 여기된다. 그 상태로부터 기저 상태로 돌아올 때에 광이 방출된다.
유기 EL 소자의 정공 수송층 (23) 이나 전자 수송층 (25) 에 고전계 효과 이동도의 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 사용하는 것에 의해, 정공 및 전자를 발광층 중에 효율적으로 주입할 수 있고, 발광 효율을 높일 수 있다.
기판 (21) 으로는, 예를 들어, 유리, 플라스틱 등의 투명 재료를 사용할 수 있다.
양극 (22) 으로는, 통상적으로, 광을 투과시키는 재료를 사용한다. 구체적으로는, 주석 도프 산화인듐 (ITO), 산화인듐, 산화주석 또는 산화인듐, 산화아연 합금인 것이 바람직하다. 금, 백금, 은, 마그네슘 합금 등의 금속의 박막을 사용할 수도 있다. 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤, 그것들의 유도체 등의 유기 재료도 사용 가능하다. 양극 (22) 은, 진공 증착법, 전자 빔 증착법, RF 스퍼터법 또는 도포 (인쇄) 법 등의 주지의 막 형성 방법에 의해 형성할 수 있다.
음극 (26) 으로는, 전자 주입성의 관점에서, 일 함수가 작은, Li, K, Na 등의 알칼리 금속이나 Mg, Ca 등의 알칼리 토금속을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 안정적인 Al 등을 사용하는 것도 바람직하다. 안정성과 전자 주입성을 양립시키기 위해서 2 종 이상의 재료를 포함하는 층으로 해도 되고, 그들 재료에 대해서는, 예를 들어 일본 공개특허공보 평2-15595호, 일본 공개특허공보 평5-121172호 등에 상세하게 기재되어 있다. 음극 (26) 은, 진공 증착법, 전자 빔 증착법, RF 스퍼터법 등의 주지의 막 형성 방법에 의해 형성할 수 있다.
발광층 (24) 으로는, 퀴놀리놀 착물이나 방향족 아민 등의 호스트 재료에, 쿠마린 유도체나 DCM, 퀴나크리돈, 루브렌 등의 색소 재료를 첨가 (도핑) 한 것을 사용하는 것이 바람직하지만, 호스트 재료만으로 발광층 (24) 을 형성할 수도 있다. 또한, 이리듐 금속 착물을 도핑하여 발광층 (24) 을 형성함으로써, 효율이 양호한 유기 EL 소자를 제작할 수 있다. 발광층 (24) 은, 진공 증착법, 스퍼터법 또는 도포 (인쇄) 법 등의 주지의 막 형성 방법에 의해 형성할 수 있다.
정공 수송층 (23) 및/또는 전자 수송층 (25) 에는, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 사용한다. 사용하는 벤조비스(티아디아졸) 유도체는 1 종류로 해도 되고, 복수 종류로 해도 된다. 또한, 정공 수송층 (23) 및 전자 수송층 (25) 은, 다른 화합물 1 종 이상을 포함할 수도 있다.
정공 수송층 (23) 에 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 이용하지 않는 경우, 정공 수송층 (23) 으로는, 예를 들어, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘 (TPD), N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)-2,2'-디메틸벤지딘 (α-NPD), 2,2-비스(3-(N,N-디-p-톨릴아미노)페닐)비페닐 (3DTAPBP) 등의 재료를 사용할 수 있다. 전자 수송층 (25) 에 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 이용하지 않는 경우, 전자 수송층 (25) 으로는, 예를 들어, 2-(4-비페닐)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사졸 (PBD), 1,3-비스[2-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아조-5-일]벤젠 (OXD-7), 2,2',2"-(1,3,5-벤진트리일)-트리스(1-페닐-1-H-벤즈이미다졸 (TPBi) 등의 재료를 사용할 수 있다.
정공 수송층 (23) 및 전자 수송층 (25) 의 막 형성 방법으로는, 상기 발광층 (24) 의 막 형성 방법과 동일한 방법이 사용된다. 또한, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물은 유기 용매에 가용이기 때문에, 도포 (인쇄) 법에 의해 정공 수송층 (23) 및 전자 수송층 (25) 을 형성할 수 있다. 정공 수송층 (23) 및 전자 수송층 (25) 의 두께는 적절히 선택할 수 있지만, 통상적으로 1 ㎚ ∼ 1 ㎛, 바람직하게는 1 ㎚ ∼ 100 ㎚ 이다.
또한, 본 발명의 유기 발광 소자는, 상기 각 층 외에, 전자 주입층, 정공 주입층, 전자 블록층, 정공 블록층, 보호층 등을 형성하도록 구성하는 것이 가능하다. 이들 층도, 상기 발광층 (24) 의 막 형성 방법과 동일한 방법에 의해 형성할 수 있다.
＜표시 디바이스＞
다음으로, 본 발명의 표시 디바이스에 대하여 설명한다. 본 발명의 표시 디바이스는, 유기 TFT 에 의해 유기 EL 소자의 구동 및 점등을 제어하는 것으로, 유기 TFT 가 상기와 같은 본 발명의 유기 TFT 이거나, 유기 EL 소자가 상기와 같은 본 발명의 유기 EL 소자이다. 본 발명의 표시 디바이스에 있어서는, 유기 TFT 가 본 발명의 유기 TFT 이고, 또한, 유기 EL 소자가 본 발명의 유기 EL 소자인 것이 바람직하다.
도 3 에, 본 발명의 표시 디바이스의 일례를 나타낸다. 도 3 에 나타내는 표시 디바이스는, 기판 (111) 상에, 배리어층 (112) 을 개재하여, 음극 (101), 전자 수송층 (102), 발광층 (103), 정공 수송층 (104) 및 양극 (105) 으로 구성되는 유기 EL 소자 (120) 와, 게이트 전극 (106), 게이트 절연층 (107), 유기 반도체층 (108), 소스 전극 (109) 및 드레인 전극 (110) 으로 구성되는 유기 TFT (121) 를 갖는다. 그리고, 이들 층 구조의 상방 부분이 보호막 (113) 에 의해 피복되어 있다.
이 표시 디바이스는, 유기 EL 소자 (120) 의 음극 (101) (기판 (111) 에 가까운 쪽의 전극) 과, 유기 TFT (121) 의 드레인 전극 (110) 이 전기적으로 접속된 구조로 되어 있다. 게이트 전극 (106) 에 전압을 인가함으로써 소스·드레인 전극 사이에 전류가 흘러, 유기 EL 소자 (120) 가 발광한다. 또한, 양극과 유기 TFT 의 드레인 전극이 전기적으로 접속된 구조로 할 수도 있다.
본 발명에 있어서는, 전술한 바와 같이, 유기 TFT, 및 유기 TFT 에 의해 구동·점등되는 유기 EL 소자 양방 모두, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 사용한 본 발명의 유기 TFT 및 본 발명의 유기 EL 소자인 것이 바람직하지만, 어느 일방이 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하지 않는, 공지된 재료 및 구성의 것이어도 된다.
또한, 도 3 에 나타내는 바와 같은, 스위칭용의 유기 TFT 와 유기 EL 소자를 조합한 소자 (화소) 를 매트릭스상으로 배치함으로써 액티브 매트릭스형의 유기 EL 디스플레이를 제작할 수 있다. 액티브 매트릭스형의 유기 EL 디스플레이는, 화소 수가 많아져도, 비선택점에 불필요한 전압이 인가될 우려가 작고, 또한, 고듀티시에 있어서도 효율 저하나 열화를 일으킬 우려가 작고, 응답성이 우수하다는 이점을 가지고 있다.
또한, 본 발명의 표시 디바이스 (디스플레이) 는, 본 발명의 유기 TFT 및/또는 본 발명의 유기 EL 소자를 사용하고 있는 것 이외에는, 공지된 구조, 재료를 사용할 수 있고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.
＜태양 전지＞
다음으로, 본 발명의 태양 전지 (이하, 유기 PV 소자라고 칭한다) 에 대하여 설명한다. 본 발명의 유기 PV 소자는, 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료를 포함하는 전하 분리층, 정공 수송층 또는 전자 수송층의 어느 1 개 이상이 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것이다. 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체는, 정공 및 전자 수송성이 우수하기 때문에, 유기 PV 소자의 전하 분리층이나, 정공 수송층, 전자 수송층에 사용하면 효과적이다.
본 발명의 유기 PV 소자는, 전하 분리층, 정공 수송층 또는 전자 수송층의 어느 1 개 이상이 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것 이외에, 공지된 구조, 재료를 사용할 수 있다.
유기 PV 소자는, 양극과 음극 사이에, 전하 분리층을 포함하는 적어도 1 층 이상의 유기 화합물층을 형성한 소자이다. 전형적으로는, (양극/전하 분리층/음극), (양극/전하 분리층/전자 수송층/음극), (양극/정공 수송층/전하 분리층/전자 수송층/음극) 등의 소자 구조로 구성된다.
도 4 에, 본 발명의 유기 PV 소자의 일례의 층 구성을 나타낸다. 도 4 에 나타내는 유기 PV 소자는, 기판 (31) 상에, 양극 (32), 전하 분리층 (33) 및 음극 (34) 을 이 순서로 적층하여 이루어지는 것이다.
상기와 같이 구성된 유기 PV 소자에 광이 조사되면, 전하 분리층 (33) 에 있어서 정공과 전자가 발생하고, 양극 (32) 과 음극 (34) 을 접속하면 전류를 취출할 수 있다. 이 발전의 메커니즘은 이하와 같이 생각되고 있다.
즉, 상기 전하 분리층 (33) 에 광이 조사되면, 광이 흡수되고, 그 에너지에 의해 유기 분자가 여기되어 전하 분리를 발생시켜, 정공과 전자가 발생한다. 정공은 전하 분리층 (33) 중의 정공 수송성 재료에 의해 양극 (32) 까지 수송되고, 전자는 전하 분리층 (33) 중의 전자 수송성 재료에 의해 음극 (34) 까지 수송되어, 외부 회로에 취출된다.
유기 PV 소자의 전하 분리층 (33) 에 고전계 효과 이동도의 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 사용하는 것에 의해, 정공 및 전자를 전하 분리층 (33) 중으로부터 효율적으로 취출할 수 있어, 발전 효율을 높일 수 있다. 또한, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 정공 수송층에 사용하는 것에 의해 정공을 양극에, 또는 전자 수송층에 사용하는 것에 의해 전자를 음극에, 각각 효율적으로 수송할 수 있어, 발전 효율을 높일 수 있다.
기판 (31) 으로는, 예를 들어, 유리, 플라스틱 등의 투명 재료를 사용할 수 있다.
양극 (32) 으로는, 통상적으로, 광을 투과시키는 재료를 사용한다. 구체적으로는, 주석 도프 산화인듐 (ITO), 산화인듐, 산화주석 또는 산화인듐, 산화아연 합금인 것이 바람직하다. 금, 백금, 은, 마그네슘 합금 등의 금속의 박막을 사용할 수도 있다. 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤, 그것들의 유도체 등의 유기 재료도 사용 가능하다. 양극 (32) 은, 진공 증착법, 전자 빔 증착법, RF 스퍼터법 또는 도포 (인쇄) 법 등의 주지의 막 형성 방법에 의해 형성할 수 있다.
음극 (34) 으로는, 전자 취출성의 관점에서, 일 함수가 작은, Li, K, Na 등의 알칼리 금속이나 Mg, Ca 등의 알칼리 토금속을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 안정적인 Al 등을 사용하는 것도 바람직하다. 안정성과 전자 취출성을 양립시키기 위해서 2 종 이상의 재료를 포함하는 층으로 해도 된다. 음극 (34) 은, 진공 증착법, 전자 빔 증착법, RF 스퍼터법 등의 주지의 막 형성 방법에 의해 형성할 수 있다.
전하 분리층 (33) 에는, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 사용한다. 사용하는 벤조비스(티아디아졸) 유도체는 1 종류로 해도 되고, 복수 종류로 해도 된다. 또한, 전하 분리층 (33) 은, 다른 화합물 1 종 이상을 포함할 수도 있다.
벤조비스(티아디아졸) 유도체와 함께 전하 분리층을 구성하는 재료로는, 예를 들어, 정공 수송 재료로는, 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일) (P3HT), 폴리[2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌] (MEH-PPV) 등을 들 수 있고, 또한, 전자 수송 재료로는, 풀러렌 C60, (6,6)-페닐-C61 부틸산메틸에스테르 (C61-PCBM), 풀러렌 C70, (6,6)-페닐-C71 부틸산메틸에스테르 (C71-PCBM) 등을 들 수 있다.
전하 분리층 (33) 은, 진공 증착법, 스퍼터법 또는 도포 (인쇄) 법 등의 주지의 막 형성 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 화합물은 유기 용매에 가용이기 때문에, 도포 (인쇄) 법에 의해 전하 분리층 (33) 을 형성할 수 있다. 전하 분리층 (33) 의 두께는 적절히 선택할 수 있지만, 통상적으로 5 ㎚ ∼ 1 ㎛, 바람직하게는 10 ㎚ ∼ 500 ㎚ 이다.
본 발명의 유기 PV 소자는, 또한, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층을 형성할 수 있다. 이들 층에도 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 바람직하게 사용할 수 있다. 사용하는 벤조비스(티아디아졸) 유도체는 1 종류로 해도 되고, 복수 종류로 해도 된다. 또한, 정공 수송층 및 전자 수송층은, 다른 화합물 1 종 이상을 포함할 수도 있다.
정공 수송층 또는 전자 수송층에 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 이용하지 않는 경우, 정공 수송층으로는, 예를 들어, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리(스티렌술포네이트) (PEDOT-PSS) 등의 재료를 사용할 수 있고, 전자 수송층으로는, 예를 들어, 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BCP) 등의 재료를 사용할 수 있다. 정공 수송층 및 전자 수송층의 막 형성 방법으로는, 상기 전하 분리층 (33) 의 막 형성 방법과 동일한 방법이 사용된다. 정공 수송층 및 전자 수송층의 두께는 적절히 선택할 수 있지만, 통상적으로 1 ㎚ ∼ 1 ㎛, 바람직하게는 1 ㎚ ∼ 100 ㎚ 이다.
＜RFID 태그＞
다음으로, 본 발명의 RFID 태그 (Radio Frequency IDentification tag) 에 대하여 설명한다. 본 발명의 RFID 태그는, 유기 TFT 를 사용하여 작동하는 것으로, 유기 TFT 가 상기와 같은 본 발명의 유기 TFT (본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 유기 반도체층을 갖는 유기 TFT) 이다.
RFID 태그는 집적 회로부 (이하, IC 부라고 칭한다) 와 안테나부를 갖고, IC 부에 기억되어 있는 ID, 즉 개체 식별 정보 등을, 안테나부를 통하여, 무선으로 리더 라이터 기기와 통신할 수 있고, 리더 라이터 기기에 의해 IC 부에 기억되어 있는 정보를 비접촉으로 판독하거나, 반대로 IC 부에 기입하는 것이 가능한 전자 디바이스이다. RFID 태그를 물품에 첩부하거나, 혹은 물품에 인쇄함으로써, 물품의 정보 관리, 유통 관리, 개체 인증 등이 가능하여, 다양한 분야에 응용되고 있다. 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체는, 고전계 효과 이동도를 달성할 수 있기 때문에, RFID 태그의 IC 부를 구성하는 유기 TFT 의 반도체층에 사용하면, RFID 태그의 응답성을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 RFID 태그는, 본 발명의 유기 TFT 를 사용하고 있는 것 이외에는, 예를 들어 Solid-State Electronics 84 (2013) 167-178 에 기재된, 공지된 구조, 재료를 사용할 수 있고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.
RFID 태그의 IC 부는, 통상적으로, 복수의 유기 TFT 를 구비하는데, 그 경우, 복수의 유기 TFT 중, 모든 유기 TFT 가 본 발명의 유기 TFT 여도 되고, 또한 일부의 유기 TFT 가 본 발명의 유기 TFT 이고, 일부의 유기 TFT 가 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하지 않는 유기 TFT 여도 된다.
＜센서＞
다음으로, 본 발명의 센서에 대하여 설명한다. 본 발명의 센서는, 유기 TFT 를 사용하여 작동하는 것으로, 유기 TFT 가 상기와 같은 본 발명의 유기 TFT (본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 유기 반도체층을 갖는 유기 TFT) 이다.
센서는, 유기 TFT 에 가해지는 외부의 자극에 의해, 유기 TFT 를 구성하는 유기 반도체의 물리 상태가 변화하고, 그 결과, 유기 TFT 로부터 얻어지는 전류 및/또는 전압이 변화하는 계에 적용할 수 있다. 예를 들어, 유기 TFT 를 구성하는 유기 반도체가 열이나 광을 받아, 그 유기 반도체의 물리 상태가 변화함으로써 온도나 광을 검지하는 온도 센서나 광 센서를 들 수 있다. 또한, 유기 TFT 를 구성하는 유기 반도체가 응력을 받아, 그 유기 반도체의 물리 상태가 변화함으로써 응력이나 압력을 검지하는 굽힘 응력 센서, 압력 센서를 들 수 있다. 또한, 유기 TFT 를 구성하는 유기 반도체가 특정한 화학 물질, 예를 들어 수분자나 산소 분자 등의 영향을 받아, 그 유기 반도체의 물리 상태가 변화함으로써, 그 화학 물질을 검지하는 화학 센서를 들 수 있다. 또한, 유기 TFT 를 구성하는 금속 전극이 특정한 화학 물질에 의해 영향을 받아, 유기 TFT 로부터 얻어지는 전류 및/또는 전압에 변화가 발생함으로써, 그 화학 물질을 검지하는 화학 센서에 적용할 수도 있다. 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체는, 고전계 효과 이동도를 달성할 수 있기 때문에, 센서를 구성하는 유기 TFT 의 반도체층에 사용하면, 응답성이나 다이나믹 레인지를 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 센서는, 본 발명의 유기 TFT 를 사용하고 있는 것 이외에는, 공지된 구조, 재료를 사용할 수 있고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.
센서는, 용도에 따라, 단일의 유기 TFT 를 구비하는 것이어도 되고, 복수의 유기 TFT 를 구비하는 것이어도 된다. 복수의 유기 TFT 를 구비하는 경우, 유기 TFT 중, 모든 유기 TFT 가 본 발명의 유기 TFT 여도 되고, 또한 일부의 유기 TFT 가 본 발명의 유기 TFT 이고, 일부의 유기 TFT 가 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하지 않는 유기 TFT 여도 된다.
이상과 같은 각종 본 발명의 유기 일렉트로닉스 디바이스 (본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 유기 일렉트로닉스 디바이스, 혹은 유기 박막 디바이스) 에 있어서는, 기판으로서, 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 기판으로서 사용하는 플라스틱은, 내열성, 치수 안정성, 내용제성, 전기 절연성, 가공성, 저통기성 및 저흡습성이 우수한 것이 바람직하다. 이와 같은 플라스틱으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리이미드 등을 들 수 있다.
플라스틱 기판의 경우, 기판의 전극측의 면, 전극과 반대측의 면, 또는 그 양방에 투습 방지층 (가스 배리어층) 을 형성하는 것이 바람직하다. 투습 방지층을 구성하는 재료로는 질화규소나 산화규소 등의 무기물이 바람직하다. 투습 방지층은 RF 스퍼터법 등의 주지의 막 제작 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 필요에 따라 하드 코트층이나 언더 코트층을 형성해도 된다.
또한, 본 발명의 유기 일렉트로닉스 디바이스에 있어서의 기판에 대해서는, 기판 표면을 소수화할 목적으로, 헥사메틸디실라잔으로 처리하거나, 폴리스티렌 등의 수지를 코팅하거나, UV 오존 처리를 실시하는 등, 기판의 표면 수식 처리를 실시할 수 있다.
실시예
다음으로, 실시예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 제한되는 것은 아니다.
[용해성의 평가]
합성한 화합물의 용해성의 평가는 다음의 방법으로 실시하였다.
약 2 - 3 ㎎ 의 화합물을 정밀 칭량하고, 설정한 용질 농도 (0.5 wt％, 0.3 wt％, 0.2 wt％, 0.1 wt％, 0.05 wt％, 또는 0.03 wt％) 가 되도록 각 용매를 첨가하고, 소정의 온도에서 30 분 교반한 후, 용질 (합성한 화합물) 이 완전하게 용해되어 있는지 여부를 외관 육안으로 평가하여, 용해성의 평가 결과로 하였다. 용매에는 클로로포름 (비점 61 ℃), 톨루엔 (비점 111 ℃), 자일렌 (비점 144 ℃), 메시틸렌 (비점 165 ℃), 클로로벤젠 (비점 130 ℃), 파라클로로톨루엔 (비점 162 ℃), 오르토 디클로로벤젠 (비점 181 ℃) 을 사용하였다.
[유기 TFT 의 제작·평가]
이하의 실시예에서는, 특별히 각 항에 기재가 없는 한, 하기의 유기 TFT 의 제작 순서에 따라, 실리콘 기판 상에 보텀 게이트-탑 컨택트 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 제작 순서)
스핀 코트법에 의한 유기 반도체층의 제작을 거치는 경우,
(TFT 기판의 제작) - (스핀 코트법에 의한 유기 반도체층의 제작) - (소스 전극 및 드레인 전극의 제작)
또는,
(TFT 기판의 제작) - (TFT 의 기판의 표면 수식) - (스핀 코트법에 의한 유기 반도체층의 제작) - (소스 전극 및 드레인 전극의 제작)
의 순서로 유기 TFT 를 제작하였다.
드롭 캐스트법에 의한 유기 반도체층의 제작을 거치는 경우,
(TFT 기판의 제작) - (드롭 캐스트법에 의한 유기 반도체층의 제작) - (소스 전극 및 드레인 전극의 제작)
또는,
(TFT 기판의 제작) - (TFT 의 기판의 표면 수식) - (드롭 캐스트법에 의한 유기 반도체층의 제작) - (소스 전극 및 드레인 전극의 제작)
의 순서로 유기 TFT 를 제작하였다.
진공 증착법에 의한 유기 반도체층의 제작을 거치는 경우,
(TFT 기판의 제작) - (진공 증착법에 의한 유기 반도체층의 제작) - (소스 전극 및 드레인 전극의 제작)
또는,
(TFT 기판의 제작) - (TFT 의 기판의 표면 수식) - (진공 증착법에 의한 유기 반도체층의 제작) - (소스 전극 및 드레인 전극의 제작)
의 순서로 유기 TFT 를 제작하였다.
또한, 이하의 실시예에 있어서, 보텀 게이트-보텀 컨택트 소자를 제작하는 경우에는,
드롭 캐스트법에 의한 유기 반도체층의 제작을 거치는 경우,
(TFT 기판의 제작) - (소스 전극 및 드레인 전극의 제작) - (드롭 캐스트법에 의한 유기 반도체층의 제작)
또는,
(TFT 기판의 제작) - (TFT 의 기판의 표면 수식) - (소스 전극 및 드레인 전극의 제작) - (드롭 캐스트법에 의한 유기 반도체층의 제작)
의 순서로 보텀 게이트-보텀 컨택트형 유기 TFT 를 제작하였다.
(TFT 기판의 제작)
유기 TFT 의 기판으로서, 표면에 막 두께 200 ㎚ 의 열 산화 실리콘을 형성한 시판되는 실리콘 웨이퍼를 사용하였다. 실리콘 웨이퍼는 저저항의 것으로 하고, 유기 TFT 의 게이트 전극으로서도 기능시켰다. 또한, 산화실리콘막을 게이트 절연막으로서 사용하였다. 상기 실리콘 웨이퍼는, 과산화수소수와 황산의 혼합액으로 세정하고, 다음 공정에서 사용하기 직전에 UV 오존 처리에 의해 표면을 청정하여 사용하였다. 이와 같이 처리한 기판을 이후 「베어 기판」 이라고 표기한다.
(TFT 의 기판의 표면 수식)
「베어 기판」 을 시판되는 헥사메틸디실라잔에 침지시켜 12 시간 이상 정치하여, 기판 표면을 수식하였다. 이와 같이 처리한 기판을 이후 「HMDS 수식 기판」 이라고 표기한다.
「베어 기판」 에, 시판되는 폴리스티렌을 0.5 wt％ 로 자일렌에 용해시킨 용액을 스핀 코트하고, 이어서 150 ℃ 에서 1 시간 가열하여, 기판 표면에 대략 20 ㎚ 의 폴리스티렌 박막을 제작하였다. 이와 같이 처리한 기판을 이후 「PS 기판」 이라고 표기한다.
「베어 기판」 에, 시판되는 폴리비닐페놀과 멜라민으로부터 조제한 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 용매로 하는, 폴리비닐페놀과 멜라민의 혼합 용액을 스핀 코트하고, 이어서 180 ℃ 에서 1 시간 가열하여, 기판 표면에 대략 20 ㎚ 의 폴리비닐페놀-멜라민 박막을 제작하였다. 이와 같이 처리한 기판을 이후 「PVP 기판」 이라고 표기한다.
「베어 기판」 에, 다우 일렉트로닉스 머테리얼즈로부터 시판되고 있는 CYCLOTENETM 용액을 스핀 코트하고, 이어서 축차적으로 150 ℃ 6 분, 210 ℃ 40 분, 300 ℃ 1 시간의 조건으로 가열하여, 기판 표면에 대략 20 ㎚ 의 디비닐테트라메틸실록산벤조시클로부텐 수지 박막을 제작하였다. 이와 같이 처리한 기판을 이후 「CYC 기판」 이라고 표기한다.
(스핀 코트법에 의한 유기 반도체층의 제작)
합성한 화합물 (유기 반도체 화합물) 을 사용하여, 각 항에 기재한 용매, 용질 농도의 용액 (유기 반도체 잉크) 을 제조하고, 그 반도체 잉크를 사용하여 스핀 코트법에 의해 각 항에 기재된 기판 상에, 막 두께 약 20 ∼ 50 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후 필요에 따라, 각 항에 기재한 조건으로, 열 어닐을 실시하였다. 스핀 코트와 열 어닐은, 특별히 각 항에 기재가 없는 한, 질소 분위기하에서 실시하였다.
(드롭 캐스트법에 의한 유기 반도체층의 제작)
「PVP 기판」 상에, 시판되는 테플론 (R) AF1600X 를 1 wt％ 로 플루오리너트TMFC-43 에 용해시킨 용액을 사용하여, 다음 공정에서의 반도체 잉크를 수용하는 격벽 패턴을 묘화하고, 100 ℃ 에서 30 분 가열하여, 격벽을 제작하였다.
합성한 화합물 (유기 반도체 화합물) 을 사용하여, 각 항에 기재된 용매, 용질 농도의 용액 (유기 반도체 잉크) 을 제조하고, 그 반도체 잉크를, 상기 공정에서 제작한 격벽 내부에 적하하고, 60 ℃ 에서 건조시켜 유기 반도체층을 형성하였다. 격벽 제작과 유기 반도체층의 형성은, 특별히 각 항에 기재가 없는 한, 대기 하에서 실시하였다. 그 후 필요에 따라, 각 항에 기재된 조건으로, 질소 분위기하에서 열 어닐을 실시하였다.
(진공 증착법에 의한 유기 반도체층의 제작)
합성한 화합물 (유기 반도체 화합물) 을 사용하여, 각 항에 기재된 기판 상에, 진공 증착법에 의해 막 두께 약 50 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 유기 반도체층 형성시의 증착 장치 챔버 내는 압력 2 × 10-5 ∼ 6 × 10-4 ㎩ 로 하고, 유기 반도체 화합물을 도가니에 넣고, 도가니 주위에 감은 필라멘트에 의해 가열하여, 증착을 실시하였다. 증착 속도는 0.2 ± 0.1 Å 매초로 하였다.
(소스 전극 및 드레인 전극의 제작)
상기 유기 반도체층 상에, 금속 마스크를 사용하여 금을 진공 증착법으로 제막함으로써, 소스 전극과 드레인 전극을 형성하였다. 유기 TFT 의 채널 폭 및 채널 길이는 각각 1000 ㎛ 및 70 ㎛ 로 하였다. 또한, 전극층 막 두께는 약 50 ㎚ 로 하였다.
(전계 효과 이동도의 평가)
전계 효과 이동도 (μ) 는, KEITHLEY 사의 반도체 특성 평가 시스템 4200-SCS 형을 사용하여, 제작한 유기 TFT 의 전달 특성을 측정한 결과로부터 구하였다.
전계 효과 이동도 (μ) 는, 드레인 전류 Id 를 나타내는 하기 식 (식 A) 를 사용하여 산출할 수 있다.
Id = (W/2L)μCi(Vg - Vt)2 …(식 A)
여기서, L 및 W 는 채널 길이 및 채널 폭이다. 또한, Ci 는 절연층의 단위 면적 당의 용량이다. Vg 는 게이트 전압이고, Vt 는 임계치 전압이다. 상기 전달 특성 측정으로부터, 어느 게이트 전압시에 있어서의 임계치 전압과 드레인 전류의 값이 나타나기 때문에, 전계 효과 이동도를 구할 수 있다.
＜실시예 1＞
[화합물 (C1) (상기 식 (3) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(3-(트리플루오로메톡시)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 1-1 : 화합물 (C1a) 의 합성)
[화학식 23]
Figure pct00023
교반 장치를 구비한 용량 300 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 1-브로모-3-(트리플루오로메톡시)벤젠을 14.0 g (58 m㏖), 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 (II) 를 4.1 g (5.8 m㏖), 2-(트리부틸주석)티오펜 28.2 g (76 m㏖) 및 무수 톨루엔 140 ㎖ 를 첨가하고, 내온 약 100 ℃ 에서 4 시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 용매를 농축하고, 헥산 400 ㎖ 를 첨가하여, 실리카 겔 : 탄산칼륨 = 90 : 10 (중량％) 을 통해서 여과하였다. 여과액을 농축하고, 농축물을 감압 증류하여, 무색 액체 17.3 g 을 얻었다. 증류물 8.0 g 을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 무색 액체로서 화합물 (C1a) 를 5.0 g 얻었다.
화합물 (C1a) 의 물성치는 이하와 같았다. 또한, 이하, 특별히 언급이 없는 경우, 측정은 실온 (25 ℃) 에서 실시하였다.
Figure pct00024
(공정 1-2 : 화합물 (C1b) 의 합성)
[화학식 24]
Figure pct00025
교반 장치를 구비한 용량 100 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C1a) 를 5.0 g (20.5 m㏖) 및, 무수 테트라하이드로푸란 50 ㎖ 를 첨가하고, 내온 -60 ℃ 이하를 유지하면서, 1.6 ㏖/ℓ 의 n-부틸리튬헥산 용액을 16.6 ㎖ (27 m㏖) 첨가하고, 동일 온도에서 30 분 교반한 후, 동일 온도에서 트리부틸주석클로라이드 9.0 g (27 m㏖) 을 첨가하여, 실온까지 승온하고, 하룻밤 교반하였다. THF-물 혼액을 첨가하여 반응 정지한 후, 용매를 증류 제거하였다. 농축물에 헥산을 첨가하고, 실리카 겔 : 탄산칼륨 = 90 : 10 (중량％) 을 통해서 여과하였다. 여과액을 농축하고, 역상 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 담황색 액체로서 화합물 (C1b) 를 10.0 g 얻었다.
화합물 (C1b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00026
(공정 1-3 : 화합물 (C1) 의 합성)
[화학식 25]
Figure pct00027
교반 장치를 구비한 용량 100 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C1b) 를 8.5 g (16 m㏖), Organic Lett., Vol.12, No.15, p.3340 (2010) 에 기재된 방법을 참조하여 합성한 디브로모벤조비스티아디아졸 (화합물 (951)) 1.4 g (4.0 m㏖), 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 (II) 를 0.84 g (1.2 m㏖) 및 무수 톨루엔 50 ㎖ 를 첨가하고, 내온 약 100 ℃ 에서 6 시간 반응시켰다. 반응액을 여과하여 미정제체 2.1 g 을 얻었다. 미정제체의 일부를 승화 정제하여, 녹색 고체로서 화합물 (C1) 을 0.25 g 얻었다.
화합물 (C1) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00028
화합물 (C1) 의 용해성을 평가한 결과, 100 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C1) 이 톨루엔에 완전하게 용해되었다. 또한, 0.1 wt％ 의 화합물 (C1) 이 메시틸렌에는 80 ℃ 에서 완전하게 용해되었다. 또한, 0.3 wt％ 의 화합물 (C1) 이 메시틸렌에는 130 ℃ 에서 완전하게 용해되었다.
＜실시예 2＞
[화합물 (C2) (상기 식 (2) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(3-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
[화학식 26]
Figure pct00029
1-브로모-3-(트리플루오로메톡시)벤젠 대신에 1-요오드-3-(트리플루오로메틸)벤젠을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 화합물 (C2) 를 얻었다.
화합물 (C2a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00030
화합물 (C2b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00031
화합물 (C2) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00032
화합물 (C2) 의 25 ℃ 에서의 용해성을 평가한 결과, 25 ℃ 에서 0.03 wt％ 의 화합물 (C2) 가 톨루엔에 완전하게 용해되고, 또한, 메시틸렌에도 완전하게 용해되었다. 또한, 100 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C2) 가 톨루엔에 완전하게 용해되었다. 또한, 0.1 wt％ 의 화합물 (C2) 가 메시틸렌, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 80 ℃ 에서 완전하게 용해되었다. 또한, 0.3 wt％ 의 화합물 (C2) 가 클로로벤젠에도 100 ℃ 에서 완전하게 용해되었다. 또한, 0.5 wt％ 의 화합물 (C2) 가 오르토 디클로로벤젠에도 100 ℃ 에서 완전하게 용해되었다.
＜비교예 1＞
[화합물 (RC1) (4,8-비스[5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 R1-1 : 화합물 (RC1a) 의 합성)
[화학식 27]
Figure pct00033
온도계와 교반 장치를 구비한 용량 1 ℓ 의 유리제 반응 용기에, 염화팔라듐 트리페닐포스핀 3.0 g (4.3 m㏖), 불화칼륨 10 g (174 m㏖), 4-(트리플루오로메톡시)요오드벤젠 25 g (86.8 m㏖), 2-브로모티오펜 17 g (104.2 m㏖), 질산은 14.2 g (86.8 m㏖) 및 무수 디메틸술폭시드 500 ㎖ 를 첨가하고, 동결 탈기를 2 회 실시하였다. 아르곤 분위기하 100 ℃ 에서 5 시간 가열 후, 실온까지 냉각시켜 셀라이트로 무기물을 여과 분리 제거하고, 진공 펌프로 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 미정제체를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 박황색 고체로서 화합물 (RC1a) 를 16.7 g 얻었다.
화합물 (RC1a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00034
(공정 R1-2 : 화합물 (RC1b) 의 합성)
[화학식 28]
Figure pct00035
온도계와 교반 장치를 구비한 용량 500 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (RC1a) 를 15 g (46.4 m㏖) 및 무수 테트라하이드로푸란 300 ㎖ 를 첨가하고, -65 ℃ 로 냉각시켰다. 내온을 -65 ℃ 로 유지하면서, t-부틸리튬의 테트라하이드로푸란 용액 33.6 ㎖ (53.4 m㏖) 를 적하 후, 30 분 교반하고, 그 후 트리부틸주석클로라이드 15.7 ㎖ (58 m㏖) 를 적하하였다. 1 시간 동일 온도에서 교반 후, 실온에서 1 시간 반응시키고, 중성 알루미나로 반응액을 여과하였다. 용매를 증류 제거 후, 칼럼 크로마토그래피 (C8 수식 실리카 겔) 로 정제하여, 황색 액체로서 화합물 (RC1b) 를 18.8 g 얻었다.
화합물 (RC1b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00036
(공정 R1-3 : 화합물 (RC1c) 의 합성)
[화학식 29]
Figure pct00037
온도계와 교반 장치를 구비한 용량 200 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, Chem. Pharm. Bull., 28, 1909 (1980) 에 기재된 방법을 참조하여 합성한 화합물 (952) 를 2.95 g (7.7 m㏖), 화합물 (RC1b) 를 9.0 g (16.9 m㏖), 비스트리페닐포스핀팔라듐디클로라이드를 1.08 g (1.54 m㏖) 및 무수 테트라하이드로푸란 80 ㎖ 를 첨가하고, 동결 탈기를 2 회 반복한 후, 5 시간 환류시켰다. 한번 더 동일량, 동일 조작으로 반응 후, 2 회 분의 반응액을 합쳐서, 포화 불화칼륨 수용액 100 ㎖ 를 첨가한 후, 30 분 교반하였다. 그리고, 클로로포름 700 ㎖ 로 2 회 추출 후, 황산마그네슘으로 건조시켜, 용매를 증류 제거하였다. 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 붉은 고체로서 화합물 (RC1c) 를 13.5 g 얻었다.
화합물 (RC1c) 의 물성치는 이하와 같았다.
EI-MS ; 710 (M＋)
(공정 R1-4 : 화합물 (RC1d) 의 합성)
[화학식 30]
Figure pct00038
온도계와 교반 장치를 구비한 용량 200 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (RC1c) 를 13 g (18.3 m㏖), 철 분말 12.3 g (220 m㏖) 및 아세트산 130 ㎖ 를 첨가하고, 실온에서부터 100 ℃ 로 승온하고, 100 ℃ 에서 1.5 시간 반응시켰다. 실온으로 냉각 후, 무기물을 여과 분리하고, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 고체를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 갈색 고체로서 화합물 (RC1d) 를 5.7 g 얻었다.
화합물 (RC1d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00039
(공정 R1-5 : 화합물 (RC1) 의 합성)
[화학식 31]
Figure pct00040
온도계와 교반 장치를 구비한 용량 200 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (RC1d) 를 5 g (7.7 m㏖) 및 무수 피리딘 100 ㎖ 를 첨가하고, 80 ℃ 로 가열하였다. 그리고, N-티오닐아닐린 1.85 ㎖ (16.1 m㏖) 를 적하하고, 이어서 트리메틸실릴클로라이드 9.7 ㎖ (76.8 m㏖) 를 1 분에 걸쳐 적하하고, 8 시간 반응시켰다. 용매를 증류 제거하고, 얻어진 고체에 메탄올 150 ㎖ 를 첨가하여 15 분 환류 세정을 한 후, 생성된 고체를 취득하였다. 메탄올 150 ㎖ 에 의한 환류 세정을 추가로 2 회 반복하여, 암녹색의 고체로서 2.93 g 의 화합물 (RC1) 의 미정제체를 얻었다. 미정제체를 클로로포름에 의한 가열 세정, 톨루엔으로부터의 재결정, 이어서 승화에 의해 정제하여, 화합물 (RC1) 의 정제체를 얻었다.
화합물 (RC1) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00041
화합물 (RC1) 의 100 ℃ 에서의 용해성을 평가한 결과, 0.03 wt％ 의 화합물 (RC1) 이 톨루엔, 메시틸렌, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게는 용해되지 않았다.
＜비교예 2＞
[화합물 (RC2) (4,8-비스[5-(4-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸 : FPTBBT) 의 합성]
[화학식 32]
Figure pct00042
1-브로모-3-(트리플루오로메톡시)벤젠 대신에 1-요오드-4-(트리플루오로메틸)벤젠을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 화합물 (RC2) 를 얻었다.
화합물 (RC2a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00043
화합물 (RC2b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00044
화합물 (RC2) 의 물성치는 이하와 같았다.
FAB-MS(-) ; 646
화합물 (RC2) 의 100 ℃ 에서의 용해성을 평가한 결과, 0.03 wt％ 의 화합물 (RC2) 가 톨루엔, 메시틸렌, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게는 용해되지 않았다.
＜참고예 1＞
[화합물 (RR1) (4,8-비스[5-(2-(트리플루오로메톡시)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
[화학식 33]
Figure pct00045
1-브로모-3-(트리플루오로메톡시)벤젠 대신에 1-브로모-2-(트리플루오로메톡시)벤젠을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 화합물 (RR1) 을 얻었다.
화합물 (RR1a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00046
화합물 (RR1b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00047
화합물 (RR1) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00048
화합물 (RR1) 의 용해성을 평가한 결과, 80 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (RR1) 이 톨루엔, 메시틸렌의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 벤젠 고리 상의 티에닐렌기에 대하여 오르토 위치를 치환기로 치환하는 것에 의해서도, 용매에 대한 용해성이 향상된다.
＜참고예 2＞
[화합물 (RR2) (4,8-비스[5-(2-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
[화학식 34]
Figure pct00049
1-브로모-3-(트리플루오로메톡시)벤젠 대신에 1-요오드-2-(트리플루오로메틸)벤젠을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 화합물 (RR2) 를 얻었다.
화합물 (RR2a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00050
화합물 (RR2b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00051
화합물 (RR2) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00052
화합물 (RR2) 의 25 ℃ 에서의 용해성을 평가한 결과, 25 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (RR2) 가 톨루엔, 메시틸렌, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 벤젠 고리 상의 티에닐렌기에 대하여 오르토 위치를 치환기로 치환하는 것에 의해서도, 용매에 대한 용해성이 향상된다.
＜참고예 P-3＞
[화합물 (C3) (4,8-비스[5-(3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 3-1 : 화합물 (C3a) 의 합성)
[화학식 35]
Figure pct00053
교반 장치를 구비한 용량 250 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐보론산을 2.84 g (11.0 m㏖), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (0) 를 1.15 g (1.0 m㏖), 탄산나트륨을 4.24 g (400 m㏖), 2-브로모티오펜을 968 ㎕ (10.0 m㏖) 및 무수 톨루엔 70 ㎖ 와 무수 에탄올 35 ㎖ 를 첨가하고, 내온 약 80 ℃ 에서 16 시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 용매를 농축하여 잔재에 물 150 ㎖ 를 첨가하고, 디에틸에테르 300 ㎖ 로 추출하고, 황산마그네슘으로 건조, 용매를 감압 증류 제거하였다. 얻어진 반응 미정제 생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제함으로써, 백색 고체로서 화합물 (C3a) 를 2.9 g 얻었다.
화합물 (C3a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00054
(공정 3-2 : 화합물 (C3) 의 합성)
[화학식 36]
Figure pct00055
화합물 (C1a) 대신에 화합물 (C3a) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 공정 1-2 내지 1-3 과 동일하게 하여 화합물 (C3) 을 얻었다.
화합물 (C3b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00056
화합물 (C3) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00057
화합물 (C3) 의 용해성을 평가한 결과, 130 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C3) 이 메시틸렌에 완전하게 용해되고, 또한, 클로로벤젠에도 완전하게 용해되었다. 또한, 0.1 wt％ 의 화합물 (C3) 이 오르토 디클로로벤젠에는 100 ℃ 에서 완전하게 용해되었다.
＜실시예 4＞
[화합물 (C4) (상기 식 (15) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(3-(1,1-디플루오로운데실)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 4-1 : 화합물 (C4a) 의 합성)
[화학식 37]
Figure pct00058
온도계와 교반 장치를 구비한 용량 300 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 질소 분위기하, 1,3-디브로모벤젠 5.0 g (21.2 m㏖), 테트라하이드로푸란 50 ㎖ 를 첨가한 후에, 내온을 -78 ℃ 로 냉각시켰다. 교반하면서 내온을 -78 ℃ 로 유지하여 1.6 ㏖/ℓ 의 n-부틸리튬헥산 용액 14.6 ㎖ (23.3 m㏖) 를 첨가하여 1 시간 교반하였다. 운데카날 4.33 g (25.4 m㏖) 을 테트라하이드로푸란 20 ㎖ 에 용해시킨 용액을 조정하고, 상기 반응 용액에 -78 ℃ 에서 천천히 첨가하여, 서서히 실온으로 승온시키면서 하룻밤 교반하였다. 포화 염화암모늄 수용액을 첨가한 후에, 반응 용액을 농축하고, 아세트산에틸로 추출하였다. 추출액을 수세, 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 용매를 감압 증류 제거하여, 황색 액체로서 화합물 (C4a) 를 7.23 g 얻었다.
화합물 (C4a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00059
(공정 4-2 : 화합물 (C4b) 의 합성)
[화학식 38]
Figure pct00060
온도계와 교반 장치를 구비한 용량 1000 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 질소 분위기하, 화합물 (C4a) 66.53 g (203 m㏖), 디클로로메탄 400 ㎖ 를 첨가하고, 반응 용액을 빙욕에서 0 ∼ 10 ℃ 로 냉각시켰다. 디아자비시클로운데센 (DBU) 34 g (223.3 m㏖) 을 디클로로메탄 34 ㎖ 로 희석한 용액을 첨가하고, 추가로 N-t-부틸페닐술펜아미드 5.52 g (30.45 m㏖) 을 디클로로메탄 20 ㎖ 로 희석한 용액을 첨가하였다. N-클로로숙신이미드 (NCS) 30 g (224.7 m㏖) 을 디클로로메탄 300 ㎖ 로 희석한 용액을, 30 분에 걸쳐 적하한 후에, 동일 온도에서 1 시간 교반하였다. 반응 용액을 티오황산나트륨 35.5 g 과 물 100 ㎖ 의 용액에 조심스럽게 붓고, 30 분간 교반하였다. 반응 혼합물을 수층과 유기층으로 나누어, 유기층은 물로 세정한 후에 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 용매를 감압 증류 제거하여, 목적물 미정제체를 흑색 액체로서 83.94 g 얻었다. 미정제체를 순상 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 청 ∼ 녹색 액체로서 화합물 (C4b) 를 14.5 g 얻었다.
화합물 (C4b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00061
(공정 4-3 : 화합물 (C4c) 의 합성)
[화학식 39]
Figure pct00062
교반 장치를 구비한 용량 200 ㎖ 의 테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체 (PFA) 제 반응 용기에, 아르곤 분위기하, 화합물 (C4b) 를 14.5 g (44.6 m㏖), 비스(2-메톡시에틸)아미노설페이트트리플루오라이드 39.5 g (179 m㏖) (와코 순약 공업 주식회사 제조, 상품명 Deoxo-Fluor(R)) 및 무수 클로로포름 145 ㎖ 를 첨가하여 균일 용액으로 한 후, 내온 약 50 ℃ 에서 35 시간 반응시켰다. 실온까지 냉각시킨 후, 빙랭한 포화 탄산수소나트륨 수용액 500 ㎖ 에 반응액을 첨가하여 반응 정지하고, 클로로포름 500 ㎖ 로 추출하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 용매를 감압 증류 제거하고, 얻어진 반응 혼합물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 무색 액체로서 화합물 (C4c) 를 8.43 g 얻었다.
화합물 (C4c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00063
(공정 4-4 : 화합물 (C4) 의 합성)
[화학식 40]
Figure pct00064
1-브로모-3-(트리플루오로메톡시)벤젠 대신에 화합물 (C4c) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 화합물 (C4) 를 얻었다.
화합물 (C4d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00065
화합물 (C4e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00066
화합물 (C4) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00067
화합물 (C4) 의 25 ℃ 에서의 용해성을 평가한 결과, 25 ℃ 에서 0.03 wt％ 의 화합물 (C4) 가 톨루엔, 메시틸렌, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C4) 가 톨루엔, 메시틸렌, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.5 wt％ 의 화합물 (C4) 가 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 100 ℃ 에서 0.5 wt％ 의 화합물 (C4) 가 톨루엔, 메시틸렌의 어느 것에도 완전하게 용해되었다.
＜비교예 3＞
[화합물 (RC3) (4,8-비스[5-(4-(1,1-디플루오로운데실)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 R3-1 : 화합물 (RC3a) 의 합성)
[화학식 41]
Figure pct00068
온도계와 교반 장치를 구비한 용량 200 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 질소 분위기하, 염화알루미늄 40 g (255 m㏖), 이황화탄소 90 ㎖ 를 첨가한 후에, 교반하면서 내온을 -5 ∼ 5 ℃ 로 유지하여 4-요오드벤젠 45 g (221 m㏖), 이어서 운데카노일클로라이드 59 g (290 m㏖) 을 조심스럽게 적하하고, 실온까지 승온시키면서 하룻밤 반응시켰다. 반응 종료 후, 얻어진 반응액을, 빙랭한 1 ㏖/ℓ 염산 200 ㎖ 에 첨가한 후, 아세트산에틸로 추출하고, 유기층을 물, 이어서 식염수로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 용매를 감압 증류 제거하였다. 얻어진 반응 혼합물을 역상 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체로서 화합물 (RC3a) 를 22.4 g 얻었다.
화합물 (RC3a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00069
(공정 R3-2 : 화합물 (RC3b) 의 합성)
[화학식 42]
Figure pct00070
화합물 (C4b) 대신에 화합물 (RC3a) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 4 의 공정 4-3 과 동일하게 하여 화합물 (RC3b) 를 얻었다.
화합물 (RC3b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00071
(공정 R3-3 : 화합물 (RC3) 의 합성)
[화학식 43]
Figure pct00072
1-브로모-3-(트리플루오로메톡시)벤젠 대신에 화합물 (RC3b) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 화합물 (RC3) 을 얻었다.
화합물 (RC3c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00073
화합물 (RC3d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00074
화합물 (RC3) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00075
화합물 (RC3) 의 60 ℃ 에서의 용해성을 평가한 결과, 0.03 wt％ 의 화합물 (RC3) 이 톨루엔, 메시틸렌, 클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게는 용해되지 않았다.
＜실시예 5＞
[화합물 (C5) (상기 식 (9) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(3-시아노페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 5-1 : 화합물 (C5a) 의 합성)
[화학식 44]
Figure pct00076
3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐보론산 대신에 3-시아노페닐보론산을 사용한 것 이외에는, 참고예 P-3 의 공정 3-1 과 동일하게 하여 화합물 (C5a) 를 얻었다.
화합물 (C5a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00077
(공정 5-2 : 화합물 (C5b) 의 합성)
[화학식 45]
Figure pct00078
교반 장치를 구비한 용량 50 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C5a) 를 926 ㎎ (5.0 m㏖) 및, 무수 테트라하이드로푸란 15 ㎖ 를 첨가하고, 내온 -75 ℃ 를 유지하면서 1.1 ㏖/ℓ 의 리튬디이소프로필아미드 (LDA) 헥산-테트라하이드로푸란 용액을 5.0 ㎖ 첨가하고, 동일 온도에서 1 시간 교반한 후, 동일 온도에서 트리부틸주석클로라이드 1.5 ㎖ (5.5 m㏖) 를 첨가하여 실온까지 승온하여 1 시간 교반하였다. 메탄올을 첨가하여 반응 정지한 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 미정제 생성물에 헥산을 첨가하고, 아미노기 수식 실리카 겔을 사용한 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제함으로써, 무색 액체로서 화합물 (C5b) 를 2.1 g 얻었다.
화합물 (C5b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00079
(공정 5-3 : 화합물 (C5) 의 합성)
[화학식 46]
Figure pct00080
화합물 (C1b) 대신에 화합물 (C5b) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 공정 1-3 과 동일하게 하여 화합물 (C5) 를 얻었다.
화합물 (C5) 의 물성치는 이하와 같았다.
FAB-MS(M/Z) : 560(M＋H)＋
＜비교예 4＞
[화합물 (RC4) (4,8-비스[5-(4-시아노페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
[화학식 47]
Figure pct00081
3-시아노페닐보론산 대신에 4-시아노페닐보론산을 사용한 것 이외에는, 실시예 5 와 동일하게 하여 화합물 (RC4) 를 얻었다.
화합물 (RC4a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00082
화합물 (RC4b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00083
화합물 (RC4) 의 물성치는 이하와 같았다.
FAB-MS(M/Z) : 560(M＋H)＋
＜참고예 3＞
[화합물 (RR3) (4,8-비스[5-(2-시아노페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 RR3-1 : 화합물 (RR3a) 의 합성)
[화학식 48]
Figure pct00084
교반 장치를 구비한 용량 30 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 2-티오펜보론산을 385 ㎎ (3.0 m㏖), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (0) 를 346 ㎎ (0.3 m㏖), 탄산나트륨을 848 ㎎ (8.8 m㏖), 1-브로모-2-시아노벤젠을 400 ㎎ (2.2 m㏖) 및 무수 톨루엔 14 ㎖ 와 무수 에탄올 7 ㎖ 를 첨가하고, 내온 약 80 ℃ 에서 39 시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 물 20 ㎖ 를 첨가하고, 디에틸에테르 60 ㎖ 로 추출하고, 유기층은 황산마그네슘으로 건조시켜, 그 후 용매를 감압 증류 제거하였다. 얻어진 반응 미정제 생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제함으로써, 백색 고체로서 화합물 (RR3a) 를 290 ㎎ 얻었다.
화합물 (RR3a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00085
(공정 RR3-2 : 화합물 (RR3) 의 합성)
[화학식 49]
Figure pct00086
화합물 (C5a) 대신에 화합물 (RR3a) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 5 의 공정 5-2 내지 5-3 과 동일하게 하여 화합물 (RR3) 을 얻었다.
화합물 (RR3b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00087
화합물 (RR3) 의 물성치는 이하와 같았다.
FD-MS(M/Z) ; 560(M), 280(M/2)
＜실시예 6＞
[화합물 (C6) (상기 식 (4) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(3-((트리플루오로메틸)티오)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 6-1 : 화합물 (C6a) 의 합성)
[화학식 50]
Figure pct00088
교반 장치를 구비한 용량 300 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 3-브로모트리플루오로메틸티오벤젠을 10.0 g (39 m㏖), 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 (II) 를 2.7 g (3.9 m㏖), 2-(트리부틸주석)티오펜 18.9 g (51 m㏖) 및 무수 톨루엔 100 ㎖ 를 첨가하고, 내온 약 100 ℃ 에서 4 시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 용매를 농축하고, 헥산 300 ㎖ 를 첨가하고, 실리카 겔 : 탄산칼륨 = 90 : 10 (중량％) 을 통해서 여과하였다. 여과액을 농축하고, 농축물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 무색 액체로서 화합물 (C6a) 를 8.8 g 얻었다.
화합물 (C6a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00089
(공정 6-2 : 화합물 (C6b) 의 합성)
[화학식 51]
Figure pct00090
교반 장치를 구비한 용량 300 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C6a) 를 8.25 g (31.7 m㏖) 및, 무수 테트라하이드로푸란 80 ㎖ 를 첨가하고, 내온 -25 ℃ ∼ -10 ℃ 를 유지하면서, N-브로모숙신이미드 (NBS) 5.25 g (29.5 m㏖) 을 테트라하이드로푸란 80 ㎖ 에 첨가한 용액을 적하하였다. 또한, N-브로모숙신이미드 2.26 g (12.7 m㏖) 을 테트라하이드로푸란 20 ㎖ 에 첨가한 용액을 적하하였다. 2 시간 반응한 후, 헥산 300 ㎖ 와 물 300 ㎖ 를 첨가하고, 분액하였다. 수층을 헥산으로 추출한 후, 합친 헥산층을 물로 세정하였다. 농축물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 담황색 고체로서 화합물 (C6b) 를 9.3 g 얻었다.
화합물 (C6b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00091
(공정 6-3 : 화합물 (C6c) 의 합성)
[화학식 52]
Figure pct00092
교반 장치를 구비한 용량 100 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C6b) 를 7.0 g (26.7 m㏖), 비스(트리부틸주석) 62.4 g (107.6 m㏖), 트리에틸아민 5.44 g (53.8 m㏖), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 (0) 6.22 g (5.4 m㏖) 및, 무수 톨루엔 140 ㎖ 를 첨가하고, 88 ℃, 4 시간 반응하였다. 반응 혼합물을 감압 농축한 후, 농축물을 염기성 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 무색 액체로서 화합물 (C6c) 를 3.6 g 얻었다.
화합물 (C6c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00093
(공정 6-4 : 화합물 (C6) 의 합성)
[화학식 53]
Figure pct00094
화합물 (C1b) 대신에 화합물 (C6c) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 공정 1-3 과 동일하게 하여 화합물 (C6) 을 얻었다.
화합물 (C6) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00095
화합물 (C6) 의 용해성을 평가한 결과, 80 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C6) 이 톨루엔, 메시틸렌, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 130 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C6) 이 메시틸렌에도 완전하게 용해되었다. 또한, 130 ℃ 에서 0.5 wt％ 의 화합물 (C6) 이 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠 어느 것에도 완전하게 용해되었다.
＜비교예 5＞
[화합물 (RC5) (4,8-비스[5-(4-((트리플루오로메틸)티오)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
[화학식 54]
Figure pct00096
3-브로모트리플루오로메틸티오벤젠 대신에 4-브로모트리플루오로메틸티오벤젠을 사용한 것 이외에는, 실시예 6 과 동일하게 하여 화합물 (RC5) 를 얻었다.
화합물 (RC5a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00097
화합물 (RC5b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00098
화합물 (RC5c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00099
화합물 (RC5) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00100
화합물 (RC5) 의 100 ℃ 에서의 용해성을 평가한 결과, 0.03 wt％ 의 화합물 (RC5) 가 톨루엔, 메시틸렌, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게는 용해되지 않았다.
＜실시예 7＞
[화합물 (C7) (상기 식 (105) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(3-시아노-4-헥실페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 7-1 : 화합물 (C7a) 의 합성)
[화학식 55]
Figure pct00101
교반 장치를 구비한 용량 300 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 5-브로모-2-요오드-벤조니트릴을 7.2 g (23.4 m㏖), 무수 테트라하이드로푸란 70 ㎖ 를 첨가하여 균일 용액으로 한 것에, 디이소프로필아민 14 ㎖, 요오드화동 (I) 0.45 g (2.34 m㏖), 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 (II) 를 1.64 g (2.34 m㏖) 및 1-헥신 1.92 g (23.4 m㏖) 을 첨가하고, 내온 25 ∼ 35 ℃ 에서 1 시간 반응 후, 1-헥신 0.19 g (2.3 m㏖) 을 첨가하여 1.5 시간 그대로 반응시켰다. 반응 용액을 감압 농축하고, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 담황색 액체로서 화합물 (C7a) 를 5.9 g 얻었다.
화합물 (C7a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00102
(공정 7-2 : 화합물 (C7b) 의 합성)
[화학식 56]
Figure pct00103
교반 장치를 구비한 용량 500 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C7a) 를 4.9 g (18.7 m㏖), 54 ％ 함수 3 ％ 백금-황/탄소를 2.51 g 및 무수 테트라하이드로푸란 150 ㎖ 를 첨가하여, 수소 분위기하, 내온 20 ∼ 30 ℃ 에서 26 시간 반응시켰다. 반응액을 여과하고, 여과액을 농축 후 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 담갈색 액체로서 화합물 (C7b) 를 3.0 g 얻었다.
화합물 (C7b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00104
(공정 7-3 : 화합물 (C7c) 의 합성)
[화학식 57]
Figure pct00105
교반 장치를 구비한 용량 200 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C7b) 를 3.1 g (11.5 m㏖), 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 (II) 를 0.9 g (1.2 m㏖), 2-(트리부틸주석)티오펜 5.59 g (14.9 m㏖) 및 톨루엔 111 ㎖ 를 첨가하고, 내온 약 100 ℃ 에서 6 시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 헥산 100 ㎖ 를 첨가하여 탄산칼륨-실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제 후, 역상 칼럼 크로마토그래피 이어서 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 황색 오일로서 화합물 (C7c) 를 1.46 g 얻었다.
화합물 (C7c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00106
(공정 7-4 : 화합물 (C7d) 의 합성)
[화학식 58]
Figure pct00107
교반 장치를 구비한 용량 100 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C7c) 를 0.26 g (1.0 m㏖) 및, 무수 테트라하이드로푸란 5 ㎖ 를 첨가하고, 내온 -55 ℃ 이하를 유지하면서, -55 ℃ 이하로 냉각시킨 0.1 ㏖/ℓ 의 리튬디이소프로필아미드 (LDA) 헥산 용액 11 ㎖ (1.1 m㏖) 첨가하고, 동일 온도에서 60 분 교반한 후, 동일 온도에서 트리부틸주석클로라이드 0.36 g (1.1 m㏖) 을 첨가하여, 실온까지 승온하고, 하룻밤 교반하였다. 에탄올을 첨가하여 반응 정지한 후, 용매를 증류 제거하였다. 아민 수식 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 담황색 액체로서 화합물 (C7d) 의 미정제체 (A) 를 0.34 g 얻었다.
상기 반응을, 화합물 (C7c) 를 1.22 g (4.43 m㏖), 실온의 0.1 ㏖/ℓ 의 리튬디이소프로필아미드헥산 용액을 첨가한 것 이외에는 동일하게 실시하여, 담황색 액체로서 화합물 (C7d) 의 미정제체 (B) 를 1.98 g 얻었다.
화합물 (C7d) 의 미정제체 (A) 와 화합물 (C7d) 의 미정제체 (B) 를 합쳐, 역상 실리카 겔 크로마토그래피를 실시하고, 박황색 액체로서 화합물 (C7d) 를 1.84 g 얻었다.
화합물 (C7d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00108
(공정 7-5 : 화합물 (C7) 의 합성)
[화학식 59]
Figure pct00109
화합물 (C1b) 대신에 화합물 (C7d) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 공정 1-3 과 동일하게 하여 화합물 (C7) 을 얻었다.
화합물 (C7) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00110
화합물 (C7) 의 용해성을 평가한 결과, 25 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C7) 이 클로로벤젠에 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C7) 이 톨루엔, 메시틸렌, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.5 wt％ 의 화합물 (C7) 이 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.5 wt％ 의 화합물 (C7) 이 메시틸렌에도 완전하게 용해되었다. 또한, 100 ℃ 에서 0.5 wt％ 의 화합물 (C7) 이 톨루엔에도 완전하게 용해되었다.
＜실시예 8＞
[화합물 (C8) (상기 식 (133) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3-헥실페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 8-1 : 화합물 (C8a) 의 합성)
[화학식 60]
Figure pct00111
온도계와 교반 장치를 구비한 용량 500 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 질소 분위기하, 4-브로모벤조니트릴 14.15 g (77.7 m㏖), 1,2-디클로로에탄 300 ㎖, N-요오드숙신이미드 (NIS) 26.24 g (116.6 m㏖), 아세트산팔라듐 1.75 g (7.8 m㏖), 파라톨루엔술폰산 1 수화물 7.40 g (38.9 m㏖) 을 첨가하여 70 ℃ 에서 4 시간 교반하면서 반응시켰다. 또한 N-요오드숙신이미드 8.75 g (38.9 m㏖), 아세트산팔라듐 0.88 g (3.9 m㏖) 을 첨가하여 70 ℃ 에서 2 시간 교반하였다. 반응 용액을 실온까지 냉각시키고, 셀라이트로 여과하여 농축하였다. 아세트산에틸과 물을 첨가하여 추출하고, 유기층을 물로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 용매를 감압 증류 제거하였다. 얻어진 반응 혼합물을, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 황 ∼ 백색 고체로서 화합물 (C8a) 를 15.29 g 얻었다.
화합물 (C8a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00112
(공정 8-2 : 화합물 (C8) 의 합성)
[화학식 61]
Figure pct00113
4-브로모-1-요오드-2-벤조니트릴 대신에 화합물 (C8a) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 7 과 동일하게 하여 화합물 (C8) 을 얻었다.
화합물 (C8b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00114
화합물 (C8c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00115
화합물 (C8d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00116
화합물 (C8e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00117
화합물 (C8) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00118
화합물 (C8) 의 25 ℃ 에서의 용해성을 평가한 결과, 25 ℃ 에서 0.03 wt％ 의 화합물 (C8) 이 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 130 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C8) 이 메시틸렌에 완전하게 용해되었다. 또한, 0.1 wt％ 의 화합물 (C8) 이 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 80 ℃ 에서 완전하게 용해되었다. 또한, 0.3 wt％ 의 화합물 (C8) 이 메시틸렌에도 130 ℃ 에서 완전하게 용해되었다. 또한, 0.3 wt％ 의 화합물 (C8) 이 클로로벤젠에도 80 ℃ 에서 완전하게 용해되었다. 또한, 0.5 wt％ 의 화합물 (C8) 이 오르토 디클로로벤젠에도 80 ℃ 에서 완전하게 용해되었다.
또한, 화합물 (C8) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.05 wt％ 의 화합물 (C8) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C8) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C8) 이 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 100 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C8) 이 파라클로로톨루엔에 완전하게 용해되었다.
＜실시예 9＞
[화합물 (C9) (상기 식 (87) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-헥실-3-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 9-1 : 화합물 (C9c) 의 합성)
[화학식 62]
Figure pct00119
4-브로모-1-요오드-2-벤조니트릴 대신에 4-브로모-1-요오드-2-트리플루오로메틸벤젠을 사용한 것 이외에는, 실시예 7 의 공정 7-1 내지 7-3 과 동일하게 하여 화합물 (C9c) 를 얻었다.
화합물 (C9a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00120
화합물 (C9b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00121
화합물 (C9c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00122
(공정 9-2 : 화합물 (C9) 의 합성)
[화학식 63]
Figure pct00123
화합물 (C1a) 대신에 화합물 (C9c) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 공정 1-2 내지 1-3 과 동일하게 하여 화합물 (C9) 를 얻었다.
화합물 (C9d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00124
화합물 (C9) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00125
화합물 (C9) 의 25 ℃ 에서의 용해성을 평가한 결과, 25 ℃ 에서 0.03 wt％ 의 화합물 (C9) 가 톨루엔, 메시틸렌, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C9) 가 톨루엔, 메시틸렌, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.5 wt％ 의 화합물 (C9) 가 톨루엔, 메시틸렌의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.5 wt％ 의 화합물 (C9) 가 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다.
＜실시예 10＞
[화합물 (C10) (상기 식 (115) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(3-헥실-4-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
[화학식 64]
Figure pct00126
4-브로모-1-요오드-2-트리플루오로메틸벤젠 대신에 4-브로모-2-요오드-1-트리플루오로메틸벤젠을 사용한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여 화합물 (C10) 을 얻었다.
화합물 (C10a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00127
화합물 (C10b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00128
화합물 (C10c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00129
화합물 (C10d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00130
화합물 (C10) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00131
화합물 (C10) 의 25 ℃ 에서의 용해성을 평가한 결과, 25 ℃ 에서 0.03 wt％ 의 화합물 (C10) 이 톨루엔, 메시틸렌, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C10) 이 톨루엔, 메시틸렌의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C10) 이 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C10) 이 톨루엔, 메시틸렌, 클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 100 ℃ 에서 0.5 wt％ 의 화합물 (C10) 이 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다.
＜실시예 11＞
[화합물 (C11) (상기 식 (93) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-헥실-3-(트리플루오로메톡시)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
[화학식 65]
Figure pct00132
4-브로모-1-요오드-2-트리플루오로메틸벤젠 대신에 4-브로모-1-요오드-2-트리플루오로메톡시벤젠을 사용한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여 화합물 (C11) 을 얻었다.
화합물 (C11a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00133
화합물 (C11b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00134
화합물 (C11c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00135
화합물 (C11d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00136
화합물 (C11) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00137
화합물 (C11) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C11) 이 톨루엔, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 0.1 wt％ 의 화합물 (C11) 이 메시틸렌에는 80 ℃ 에서 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.5 wt％ 의 화합물 (C11) 이 톨루엔, 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 0.5 wt％ 의 화합물 (C11) 이 메시틸렌에는 100 ℃ 에서 완전하게 용해되었다.
＜실시예 12＞
[화합물 (C12) (상기 식 (121) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(3-헥실-4-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
[화학식 66]
Figure pct00138
4-브로모-1-요오드-2-트리플루오로메틸벤젠 대신에 4-브로모-2-요오드-1-트리플루오로메톡시벤젠을 사용한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여 화합물 (C12) 를 얻었다.
화합물 (C12a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00139
화합물 (C12b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00140
화합물 (C12c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00141
화합물 (C12d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00142
화합물 (C12) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00143
화합물 (C12) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C12) 가 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C12) 가 톨루엔, 메시틸렌의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C12) 가 톨루엔에도 완전하게 용해되었다. 또한, 130 ℃ 에서 0.5 wt％ 의 화합물 (C12) 가 메시틸렌에도 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.5 wt％ 의 화합물 (C12) 가 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠에도 완전하게 용해되었다.
＜실시예 13＞
[화합물 (C13) (상기 식 (133) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3-헵틸페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 13-1 : 화합물 (C13) 의 합성)
[화학식 67]
Figure pct00144
1-헥신 대신에 1-헵틴을 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (C13) 을 얻었다.
화합물 (C13a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00145
화합물 (C13b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00146
화합물 (C13c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00147
화합물 (C13d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00148
화합물 (C13) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00149
화합물 (C13) 의 용해성을 평가한 결과, 25 ℃ 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C13) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C13) 이 오르토 디클로로벤젠, 클로로벤젠, 파라클로로톨루엔의 어느 것에도 완전하게 용해되었다.
＜실시예 14＞
[화합물 (C14) (상기 식 (133) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3-옥틸페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 14-1 : 화합물 (C14) 의 합성)
[화학식 68]
Figure pct00150
1-헥신 대신에 1-옥틴을 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (C14) 를 얻었다.
화합물 (C14a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00151
화합물 (C14b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00152
화합물 (C14c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00153
화합물 (C14d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00154
화합물 (C14) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00155
화합물 (C14) 의 용해성을 평가한 결과, 25 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C14) 가 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C14) 가 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C14) 가 오르토 디클로로벤젠에 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C14) 가 클로로벤젠에 완전하게 용해되었다. 또한, 100 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C14) 가 파라클로로톨루엔에 완전하게 용해되었다.
＜실시예 15＞
[화합물 (C15) (상기 식 (133) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3-노닐페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 15-1 : 화합물 (C15) 의 합성)
[화학식 69]
Figure pct00156
1-헥신 대신에 1-노닌을 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (C15) 를 얻었다.
화합물 (C15a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00157
화합물 (C15b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00158
화합물 (C15c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00159
화합물 (C15d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00160
화합물 (C15) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00161
화합물 (C15) 의 용해성을 평가한 결과, 25 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C15) 가 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C15) 가 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C15) 가 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C15) 가 파라클로로톨루엔에 완전하게 용해되었다.
＜실시예 16＞
[화합물 (C16) (상기 식 (133) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3-데실페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 16-1 : 화합물 (C16) 의 합성)
[화학식 70]
Figure pct00162
1-헥신 대신에 1-데신을 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (C16) 을 얻었다.
화합물 (C16a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00163
화합물 (C16b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00164
화합물 (C16c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00165
화합물 (C16d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00166
화합물 (C16) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00167
화합물 (C16) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C16) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C16) 이 오르토 디클로로벤젠, 클로로벤젠, 파라클로로톨루엔에 대하여 모두 완전하게 용해되었다.
＜실시예 17＞
[화합물 (C17) (상기 식 (133) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3-도데실페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 17-1 : 화합물 (C17) 의 합성)
[화학식 71]
Figure pct00168
1-헥신 대신에 1-도데신을 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (C17) 을 얻었다.
화합물 (C17a) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00169
화합물 (C17b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00170
화합물 (C17c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00171
화합물 (C17d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00172
화합물 (C17) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00173
화합물 (C17) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C17) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C17) 이 오르토 디클로로벤젠에 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C17) 이 클로로벤젠, 파라클로로톨루엔의 어느 것에도 완전하게 용해되었다. 또한, 100 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C17) 이 자일렌의 어느 것에도 완전하게 용해되었다.
＜실시예 18＞
[화합물 (C18) (상기 식 (133) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3-테트라데실페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸) 의 합성]
(공정 18-1 : 화합물 (C18) 의 합성)
[화학식 72]
Figure pct00174
1-헥신 대신에 1-테트라데신을 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (C18) 을 얻었다.
화합물 (C18b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00175
화합물 (C18c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00176
화합물 (C18d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00177
화합물 (C18e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00178
화합물 (C18) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00179
화합물 (C18) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C18) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C18) 이 오르토 디클로로벤젠, 1-메틸나프탈렌에 완전하게 용해되었다. 또한, 0.3 wt％ 의 화합물 (C18) 이 클로로벤젠, 100 ℃ 에서 완전하게 용해되었다.
＜실시예 19＞
[화합물 (C19) (상기 식 (133) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3-덱사데실페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 19-1 : 화합물 (C19) 의 합성)
[화학식 73]
Figure pct00180
1-헥신 대신에 1-헥사데신을 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (C19) 를 얻었다.
화합물 (C19b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00181
화합물 (C19c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00182
화합물 (C19d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00183
화합물 (C19e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00184
화합물 (C19) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00185
화합물 (C19) 의 용해성을 평가한 결과, 25 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C19) 가 1-메틸나프탈렌에 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C19) 가 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 0.3 wt％ 의 화합물 (C19) 가 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠의 어느 것에도 80 ℃ 에서 완전하게 용해되었다.
＜실시예 20＞
[화합물 (C20) (상기 식 (133) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3-옥타데실페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 20-1 : 화합물 (C20) 의 합성)
[화학식 74]
Figure pct00186
1-헥신 대신에 1-옥타데신을 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (C20) 을 얻었다.
화합물 (C20b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00187
화합물 (C20c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00188
화합물 (C20d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00189
화합물 (C20e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00190
화합물 (C20) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00191
화합물 (C20) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C20) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C20) 이 오르토 디클로로벤젠에 완전하게 용해되었다. 또한, 0.3 wt％ 의 화합물 (C20) 이 클로로벤젠, 1-메틸나프탈렌의 어느 것에도 100 ℃ 에서 완전하게 용해되었다.
＜실시예 21＞
[화합물 (C21) (상기 식 (133) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3-(3-메틸헥실)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 21-1 : 화합물 (C21) 의 합성)
[화학식 75]
Figure pct00192
1-헥신 대신에 3-메틸-1-헥신을 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (C21) 을 얻었다.
화합물 (C21b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00193
화합물 (C21c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00194
화합물 (C21d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00195
화합물 (C21e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00196
화합물 (C21) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00197
화합물 (C21) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C21) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C21) 이 클로로벤젠, 오르토 디클로로벤젠, 1-메틸나프탈렌의 어느 것에도 완전하게 용해되었다.
＜참고예 P-22＞
[화합물 (C22) ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3,5-디헥실페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 22-1 : 화합물 (C22) 의 합성)
[화학식 76]
Figure pct00198
4-브로모-2-요오드벤조니트릴 대신에 4-브로모-2,6-디요오드벤조니트릴을 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (C22) 를 얻었다.
화합물 (C22b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00199
화합물 (C22c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00200
화합물 (C22d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00201
화합물 (C22e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00202
화합물 (C22) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00203
화합물 (C22) 의 용해성을 평가한 결과, 실온 (25 ℃) 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C22) 가 톨루엔에 완전하게 용해되었다. 또한, 실온 (25 ℃) 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C22) 가 클로로포름, 오르토 디클로로벤젠, 1-메틸나프탈렌의 어느 것에도 완전하게 용해되었다.
＜참고예 4＞
[화합물 (RR4) (4,8-비스[5-(4-시아노-3-옥틸옥시페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 RR4-1 : 화합물 (RR4) 의 합성)
[화학식 77]
Figure pct00204
온도계와 교반 장치를 구비한 용량 500 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 질소 분위기하, 2-시아노-5-브로모-1-벤젠페놀 10.65 g (53.8 m㏖), N,N-디메틸포름아미드 300 ㎖, 탄산칼륨 8.65 g (62.6 m㏖), 1-브로모옥탄 12.66 g (65.6 m㏖), 요오드화칼륨 0.84 g (5.1 m㏖) 을 첨가한 후에, 내온을 70 ℃ 로 가열하였다. 교반하면서 내온을 70 ℃ 에서 1 시간 교반하였다. 반응 용액을 실온까지 냉각시킨 후에, 여과하여 여과액에 에테르로 추출하였다. 추출액을 수세, 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 용매를 감압 증류 제거하고, 황색 고체로서 화합물 (RR4c) 를 14.09 g 얻었다.
화합물 (RR4c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00205
화합물 (C8c) 대신에 화합물 (RR4c) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (RR4) 를 얻었다.
화합물 (RR4d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00206
화합물 (RR4e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00207
화합물 (RR4) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00208
＜실시예 23＞
[화합물 (C23) (상기 식 (133) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3-(2-(4'-펜틸-[1,1'-비(시클로헥산)]-4-일)에틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 23-1 : 화합물 (C23) 의 합성)
[화학식 78]
Figure pct00209
온도계와 교반 장치를 구비한 용량 500 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 질소 분위기하, 2-요오드-4-브로모벤조니트릴 9.2 g (29.8 m㏖), N,N-디메틸포름아미드 200 ㎖, 4-펜틸-4'-비닐-1,1'-비(시클로헥산) 7.9 g (30.0 m㏖), 아세트산팔라듐 0.54 g (2.41 m㏖), 탄산수소나트륨 6.30 g (59.4 m㏖), 4-펜틸-4'-비닐-1,1'-비시클로헥산 12.13 g 을 첨가한 후에, 내온을 80 ℃ 로 가열하였다. 교반하면서 내온을 80 ℃ 에서 8 시간 교반하였다. 반응 용액을 실온까지 냉각시킨 후에, 톨루엔으로 추출하였다. 추출액을 수세, 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 용매를 감압 증류 제거하고, 칼럼 정제하여, 백색 고체로서 화합물 (C23b) 를 4.81 g 얻었다.
화합물 (C23b) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00210
화합물 (C8b) 대신에 화합물 (C23b) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (C23) 을 얻었다.
화합물 (C23c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00211
화합물 (C23d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00212
화합물 (C23e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00213
화합물 (C23) 의 물성치는 이하와 같았다.
FD-MS ; 1085 (Calcd.1085)
＜실시예 24＞
[화합물 (C24) (상기 식 (115) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(3-옥틸-4-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 24-1 : 화합물 (C24) 의 합성)
[화학식 79]
Figure pct00214
교반 장치를 구비한 용량 250 ℓ 의 유리제 반응 용기에, 탄산나트륨 7.2 g (68.0 m㏖), 2-티오펜보론산 2.6 g (20.4 m㏖), 4-브로모-2-클로로벤조트리플루오라이드 2.5 ㎖ (17.0 m㏖), 톨루엔 102 ㎖, 에탄올 51 ㎖, 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 2.0 g (1.7 m㏖) 을 첨가하고, 80 ℃ 에서 16 시간 반응시켰다. 반응물에 물을 첨가하고 염화메틸렌으로 추출한 후, 황산마그네슘으로 건조시켜 용매를 감압 증류 제거 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산) 로 정제하여 백색 고체로서 화합물 (C24c) 를 4.4 g 얻었다.
화합물 (C24c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00215
교반 장치를 구비한 용량 250 ℓ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C24c) 1.8 g (7.0 m㏖), 옥틸보론산 1.7 g (10.5 m㏖), 인산칼륨 3.7 g (17.5 m㏖), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐 574.7 ㎎ (1.4 m㏖), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 320.5 ㎎ (0.35 m㏖), 톨루엔 21 ㎖, 에탄올 51 ㎖ 를 첨가하고, 80 ℃ 에서 16 시간 반응시켰다. 반응물에 물을 첨가하고 디에틸에테르로 추출한 후, 황산마그네슘으로 건조시켜 용매를 감압 증류 제거 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산) 로 정제하여 무색 액체로서 화합물 (C24d) 를 2.3 g 얻었다.
화합물 (C24d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00216
교반 장치를 구비한 용량 50 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C24d) 를 1.0 g (3.0 m㏖) 및, 무수 테트라하이드로푸란 18 ㎖ 를 첨가하고, 내온 -73 ℃ 를 유지하면서 1.6 규정의 노르말부틸리튬-헥산 용액을 2.1 ㎖ 첨가하고, 동일 온도에서 1 시간 교반한 후, 동일 온도에서 트리부틸주석클로라이드 0.9 ㎖ (3.3 m㏖) 를 첨가하여 실온까지 승온하고 1 시간 교반하였다. 메탄올을 첨가하여 퀀치한 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 미정제 생성물에 헥산을 첨가하고 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산) 에 의해 정제함으로써, 무색 액체로서 화합물 (C24e) 를 1.9 g 얻었다.
화합물 (C24e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00217
교반 장치를 구비한 용량 30 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C24e) 를 1.8 g (2.8 m㏖), 디브로모벤조비스티아디아졸 246.4 ㎎ (0.7 m㏖), 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 (II) 를 147.4 ㎎ (0.2 m㏖) 및 무수 톨루엔 10.5 ㎖ 를 첨가하고, 내온 약 100 ℃ 에서 6 시간 반응시켰다. 반응액을 농축하여 헥산을 첨가하고 침전물을 여과 채취함으로써 미정제체 2.1 g 을 얻었다. 얻어진 미정제체를 속슬렛 추출 (톨루엔) 하여 추출액을 -26 ℃ 까지 냉각, 재결정하는 것을 반복함으로써, 암녹색 분말로서 화합물 (C24) 를 259.7 ㎎ 얻었다.
화합물 (C24) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00218
화합물 (C24) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C24) 가 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C24) 가 오르토 디클로로벤젠, 톨루엔, 메시틸렌, 1-메틸나프탈렌에 완전하게 용해되었다.
＜실시예 25＞
[화합물 (C25) (상기 식 (87) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-옥틸-3-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 25-1 : 화합물 (C25) 의 합성)
[화학식 80]
Figure pct00219
4-브로모-2-클로로벤조트리플루오라이드 대신에 5-브로모-2-클로로벤조트리플루오라이드를 사용한 것 이외에는, 실시예 24 와 동일하게 하여 화합물 (C25) 를 얻었다.
화합물 (C25c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00220
화합물 (C25d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00221
화합물 (C25e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00222
화합물 (C25) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00223
화합물 (C25) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C25) 가 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C25) 가 오르토 디클로로벤젠, 톨루엔, 메시틸렌, 1-메틸나프탈렌에 완전하게 용해되었다.
＜실시예 26＞
[화합물 (C26) (상기 식 (106) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(3-시아노-4-옥틸페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 26-1 : 화합물 (C26) 의 합성)
[화학식 81]
Figure pct00224
4-브로모-2-클로로벤조트리플루오라이드 대신에 5-브로모-2-클로로벤조니트릴을 사용한 것 이외에는, 실시예 24 의 화합물 (C24c), 화합물 (C24d) 의 합성과 동일하게 하여 화합물 (C26c), 화합물 (C26d) 를 얻었다.
화합물 (C26c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00225
화합물 (C26d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00226
교반 장치를 구비한 용량 30 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C26d) 를 892.4 ㎎ (3.0 m㏖) 및, 무수 테트라하이드로푸란 9 ㎖ 를 첨가하고, 내온 -74 ℃ 를 유지하면서 1.1 규정의 리튬디이소프로필아미드헥산-테트라하이드로푸란 용액을 3.0 ㎖ 첨가하고, 동일 온도에서 1 시간 교반한 후, 동일 온도에서 트리부틸주석클로라이드 0.9 ㎖ (3.3 m㏖) 를 첨가하여 실온까지 승온하여 1 시간 교반하였다. 메탄올을 첨가하고 퀀치한 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 미정제 생성물에 헥산을 첨가하고 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산 : 아세트산에틸 = 50 : 1 용량비) 에 의해 정제함으로써, 무색 액체로서 화합물 (C26e) 를 1.7 g 얻었다.
화합물 (C26e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00227
화합물 (C24e) 대신에 화합물 (C26e) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 24 의 화합물 (C24) 의 합성과 동일하게 하여 화합물 (C26) 을 얻었다.
화합물 (C26) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00228
화합물 (C26) 의 용해성을 평가한 결과, 실온 (25 ℃) 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C26) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C26) 이 오르토 디클로로벤젠, 1-메틸나프탈렌에 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C26) 이 톨루엔, 메시틸렌에 완전하게 용해되었다.
＜실시예 27＞
[화합물 (C27) (상기 식 (115) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(3-도데실-4-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 27-1 : 화합물 (C27) 의 합성)
[화학식 82]
Figure pct00229
옥틸보론산 대신에 도데실보론산을 사용한 것 이외에는, 실시예 24 와 동일하게 하여 화합물 (C27) 을 얻었다.
화합물 (C27d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00230
화합물 (C27e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00231
화합물 (C27) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00232
화합물 (C27) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C27) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C27) 이 오르토 디클로로벤젠, 톨루엔, 메시틸렌, 1-메틸나프탈렌에 완전하게 용해되었다.
＜실시예 28＞
[화합물 (C28) (상기 식 (87) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-도데실-3-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 28-1 : 화합물 (C28) 의 합성)
[화학식 83]
Figure pct00233
옥틸보론산 대신에 도데실보론산을 사용한 것 이외에는, 실시예 25 와 동일하게 하여 화합물 (C28) 을 얻었다.
화합물 (C28d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00234
화합물 (C28e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00235
화합물 (C28) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00236
화합물 (C28) 의 용해성을 평가한 결과, 80 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C28) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C28) 이 오르토 디클로로벤젠에 용해되었다. 또한, 100 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C28) 이 톨루엔, 메시틸렌, 1-메틸나프탈렌에 완전하게 용해되었다.
＜실시예 29＞
[화합물 (C29) (상기 식 (133) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-시아노-3-(2-메틸헥실)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 29-1 : 화합물 (C29) 의 합성)
[화학식 84]
Figure pct00237
4-브로모-2-클로로벤조트리플루오라이드 대신에 4-브로모-2-클로로벤조니트릴을 사용한 것 이외에는, 실시예 24 와 동일하게 하여 화합물 (C29c) 를 얻었다.
화합물 (C29c) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00238
교반 장치를 구비한 용량 50 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 2-에틸헥실마그네슘브로마이드 17.4 ㎖ (17.4 m㏖ : 농도 1.0 M/디에틸에테르 용액) 를 넣고 0 ℃ 로 냉각시켜, 염화아연 (II) 15.8 ㎖ (17.4 m㏖ : 농도 1.1 M/디에틸에테르 용액) 를 첨가하고, 동일 온도에서 1 시간 교반한 후, 용매를 증류 제거하고 테트라하이드로푸란 35 ㎖ 를 첨가하여 2-에틸헥실아연클로라이드 용액으로 하였다. 교반 장치를 구비한 용량 100 ㎖ 의 유리제 반응 용기에 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 531.1 ㎎ (0.58 m㏖), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐 952.4 ㎎ (2.3 m㏖), 테트라하이드로푸란 23 ㎖ 를 첨가하고, 실온에서 15 분간 교반하고, 화합물 (C29c) 2.6 g (11.6 m㏖) 을 첨가한 후, 0 ℃ 로 냉각시키고 상기 조정한 2-에틸헥실아연클로라이드 용액을 첨가한 후, 50 ℃ 에서 3 시간 반응시켰다. 메탄올을 첨가하고 퀀치한 후, 용매를 증류 제거하여 포화 염화암모늄 수용액을 첨가하여 디에틸에테르로 추출, 황산마그네슘으로 건조시켜 용매를 감압 증류 제거 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산 : 아세트산에틸 = 95 : 5) 로 정제하여 백색 고체로서 화합물 (C29d) 를 3.1 g 얻었다.
화합물 (C29d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00239
교반 장치를 구비한 용량 100 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C29d) 를 3.5 g (11.8 m㏖) 및, 무수 테트라하이드로푸란 35 ㎖ 를 첨가하고, 내온 -75 ℃ 를 유지하면서 1.1 M 의 리튬디이소프로필아미드헥산-테트라하이드로푸란 용액을 11.9 ㎖ 첨가하고, 동일 온도에서 1 시간 교반한 후, 동일 온도에서 트리부틸주석클로라이드 3.5 ㎖ (13.0 m㏖) 를 첨가하여 실온까지 승온하고 1 시간 교반하였다. 메탄올을 첨가하여 퀀치한 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 미정제 생성물에 헥산을 첨가하고 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산 : 아세트산에틸 = 50 : 1 용량％) 에 의해 정제함으로써, 박황색 액체로서 화합물 (C29e) 를 4.6 g 얻었다.
화합물 (C29e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00240
교반 장치를 구비한 용량 50 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C29e) 를 4.6 g (7.8 m㏖), 디브로모벤조비스티아디아졸 683.8 ㎎ (1.9 m㏖), 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 (II) 를 408.5 ㎎ (0.58 m㏖) 및 무수 톨루엔 30 ㎖ 를 첨가하고, 내온 약 100 ℃ 에서 7 시간 반응시켰다. 반응액을 농축하여 헥산을 첨가하고 침전물을 여과 채취함으로써 미정제체 1.96 g 을 얻었다. 얻어진 미정제체를 속슬렛 추출 (클로로포름) 하여 추출액을 -26 ℃ 까지 냉각, 재결정하는 것을 반복함으로써, 농녹색 분말로서 화합물 (C29) 를 307.1 ㎎ 얻었다.
화합물 (C29) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00241
화합물 (C29) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.1 wt％ 의 화합물 (C29) 가 클로로포름에, 0.3 wt％ 의 화합물 (C29) 가 1-메틸나프탈렌에 완전하게 용해되었다.
＜실시예 30＞
[화합물 (C30) (상기 식 (115) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(3-(2-메틸헥실)-4-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 30-1 : 화합물 (C30) 의 합성)
[화학식 85]
Figure pct00242
교반 장치를 구비한 용량 100 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 457.9 ㎎ (0.5 m㏖), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐 821.1 ㎎ (2.0 m㏖), 테트라하이드로푸란 20 ㎖ 를 첨가하고, 실온에서 15 분간 교반하고, 화합물 (C24c) 2.6 g (10.0 m㏖) 을 첨가한 후, 0 ℃ 로 냉각시켜 2-에틸헥실마그네슘브로마이드 30 ㎖ (15.0 m㏖ : 농도 0.5 M/테트라하이드로푸란 용액) 를 첨가한 후, 실온에서 4 시간 반응시켰다. 메탄올을 첨가하여 퀀치한 후, 용매를 증류 제거하여 포화 염화암모늄 수용액을 첨가하고 디에틸에테르로 추출, 황산마그네슘으로 건조시켜 용매를 감압 증류 제거 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산) 로 정제하여 박황색 액체로서 화합물 (C30d) 를 2.7 g 얻었다.
화합물 (C30d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00243
교반 장치를 구비한 용량 100 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C30d) 를 1.7 g (5.0 m㏖) 및, 무수 테트라하이드로푸란 30 ㎖ 를 첨가하고, 내온 -74 ℃ 를 유지하면서 1.6 M 의 노르말부틸리튬-헥산 용액을 3.4 ㎖ 첨가하고, 동일 온도에서 1 시간 교반한 후, 동일 온도에서 트리부틸주석클로라이드 1.5 ㎖ (5.5 m㏖) 를 첨가하고 실온까지 승온하여 1 시간 교반하였다. 메탄올을 첨가하여 퀀치한 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 미정제 생성물에 헥산을 첨가하고 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산) 에 의해 정제함으로써, 박황색 액체로서 화합물 (C30e) 를 3.1 g 얻었다.
화합물 (C30e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00244
교반 장치를 구비한 용량 50 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C30e) 를 3.0 g (4.8 m㏖), 디브로모벤조비스티아디아졸 422.4 ㎎ (1.2 m㏖), 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 (II) 를 252.7 ㎎ (0.36 m㏖) 및 무수 톨루엔 18 ㎖ 를 첨가하고, 내온 약 100 ℃ 에서 7 시간 반응시켰다. 반응액을 농축하여 헥산을 첨가하고 침전물을 여과 채취함으로써 미정제체 733.8 ㎎ 을 얻었다. 얻어진 미정제체를 속슬렛 추출 (톨루엔 및 클로로포름) 하여 추출액을 -26 ℃ 까지 냉각, 재결정하는 것을 반복함으로써, 암녹색 분말로서 화합물 (C30) 을 242.3 ㎎ 얻었다.
화합물 (C30) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00245
화합물 (C30) 의 용해성을 평가한 결과, 60 ℃ 에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C30) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 60 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C30) 이 1-메틸나프탈렌에 완전하게 용해되었다. 또한, 80 ℃ 에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C30) 이 톨루엔, 메시틸렌, 오르토 디클로로벤젠에 완전하게 용해되었다.
＜실시예 31＞
[화합물 (C31) (상기 식 (87) 의 화합물 ; 4,8-비스[5-(4-(2-메틸헥실)-3-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 31-1 : 화합물 (C31) 의 합성)
[화학식 86]
Figure pct00246
교반 장치를 구비한 용량 100 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 320.5 ㎎ (0.35 m㏖), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐 574.7 ㎎ (1.4 m㏖), 테트라하이드로푸란 15 ㎖ 를 첨가하고, 실온에서 15 분간 교반하고, 화합물 (C25c) 1.8 g (7.0 m㏖) 을 첨가한 후, 0 ℃ 로 냉각시켜 2-에틸헥실마그네슘브로마이드 10.5 ㎖ (10.50 m㏖ : 농도 0.5 M/테트라하이드로푸란 용액) 를 첨가한 후, 실온에서 19 시간 반응시켰다. 메탄올을 첨가하여 퀀치한 후, 용매를 증류 제거하여 포화 염화암모늄 수용액을 첨가하고 디에틸에테르로 추출, 황산마그네슘으로 건조시키고 용매를 감압 증류 제거 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산) 로 정제하여 박황색 액체로서 화합물 (C31d) 를 2.1 g 얻었다.
화합물 (C31d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00247
교반 장치를 구비한 용량 100 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C31d) 를 2.1 g (6.2 m㏖) 및, 무수 테트라하이드로푸란 37 ㎖ 를 첨가하고, 내온 -73 ℃ 를 유지하면서 1.6 M 의 노르말부틸리튬-헥산 용액을 4.2 ㎖ 첨가하고, 동일 온도에서 1 시간 교반한 후, 동일 온도에서 트리부틸주석클로라이드 1.8 ㎖ (6.8 m㏖) 를 첨가하여 실온까지 승온하고 1 시간 교반하였다. 메탄올을 첨가하여 퀀치한 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 미정제 생성물에 헥산을 첨가하고 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산) 에 의해 정제함으로써, 박황색 액체로서 화합물 (C31e) 를 3.4 g 얻었다.
화합물 (C31e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00248
교반 장치를 구비한 용량 50 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 화합물 (C34e) 를 3.4 g (5.4 m㏖), 디브로모벤조비스티아디아졸 475.2 ㎎ (1.4 m㏖), 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 (II) 를 287.8 ㎎ (0.41 m㏖) 및 무수 톨루엔 20 ㎖ 를 첨가하고, 내온 약 100 ℃ 에서 7 시간 반응시켰다. 반응액을 농축하여 헥산을 첨가하고 침전물을 여과 채취함으로써 미정제체 659.8 ㎎ 을 얻었다. 얻어진 미정제체를 속슬렛 추출 (클로로포름) 하여 추출액을 -26 ℃ 까지 냉각, 재결정하는 것을 반복함으로써, 암녹색 고체로서 화합물 (C31) 을 149.9 ㎎ 얻었다.
화합물 (C31) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00249
화합물 (C31) 의 용해성을 평가한 결과, 실온에서 0.2 wt％ 의 화합물 (C31) 이 클로로포름에 완전하게 용해되었다. 또한, 실온에서 0.3 wt％ 의 화합물 (C31) 이 톨루엔, 메시틸렌, 오르토 디클로로벤젠, 1-메틸나프탈렌에 완전하게 용해되었다.
＜비교예 6＞
[화합물 (RC6) (4,8-비스[4-헥실-5-(3-(2-메틸헥실)-4-(트리플루오로메틸)페닐)티오펜-2-일]벤조[1,2-c : 4,5-c']비스[1,2,5]티아디아졸)) 의 합성]
(공정 R6-1 : 화합물 (RC6) 의 합성)
[화학식 87]
Figure pct00250
불활성 가스 분위기하, 교반 장치를 구비한 용량 300 ㎖ 의 유리제 반응 용기에, 4-브로모-시아노벤젠을 6.0 g (33 m㏖), 3-헥실-2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)티오펜을 9.70 g (33 m㏖), 탄산칼륨 5.46 g (39.6 m㏖) 및 무수 디메틸포름아미드 80 ㎖ 를 첨가하여, 동결 탈기하였다. 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (0) 를 0.57 g (0.5 m㏖) 첨가하고, 내온 약 90 ℃ 에서 4 시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 헥산 200 ㎖, 물 500 ㎖ 를 첨가하고, 추출을 실시하였다. 합친 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체로서 화합물 (RC6d) 를 7.4 g 얻었다.
화합물 (RC6d) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00251
화합물 (C8d) 대신에 화합물 (RC6d) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 화합물 (RC6) 을 얻었다.
화합물 (RC6e) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00252
화합물 (RC6) 의 물성치는 이하와 같았다.
Figure pct00253
＜실시예 E-1＞
실시예 1 에서 얻어진 화합물 (C1) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C1) 을 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C1) 의 유기 TFT 에서는, 1.3 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-2＞
실시예 1 에서 얻어진 화합물 (C1) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C1) 을 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다. 얻어진 전달 특성을 도 5 에 나타낸다. 도 5 의 가로축은 게이트 전압 (V), 세로축은 드레인 전류 (A) 이다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C1) 의 유기 TFT 에서는, 6.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-3＞
실시예 1 에서 얻어진 화합물 (C1) 을 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C1) 을 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「CYC 기판」 을 210 ℃ 에서 1 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C1) 의 유기 TFT 에서는, 1.6 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-4＞
실시예 1 에서 얻어진 화합물 (C1) 을 사용하여, 「HMDS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「HMDS 수식 기판」 상의 화합물 (C1) 의 유기 TFT 에서는, 5.6 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
또한, 이 유기 TFT 를 7 일간 대기 하에서 방치한 후, 다시 드레인 전압을 100 V 로 하여 전기 특성을 평가하였다. 그 결과, 4.8 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
또한, 이 유기 TFT 를 추가로 7 일간, 합계 14 일간 대기 하에서 방치한 후, 드레인 전압을 100 V 로 하여 전기 특성을 평가하였다. 그 결과, 4.9 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
또한, 이 유기 TFT 를 추가로 14 일간, 합계 28 일간 대기 하에서 방치한 후, 드레인 전압을 100 V 로 하여 전기 특성을 평가하였다. 그 결과, 4.8 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
또한, 이 유기 TFT 를 추가로 32 일간, 합계 60 일간 대기 하에서 방치한 후, 드레인 전압을 100 V 로 하여 전기 특성을 평가하였다. 그 결과, 4.8 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
또한, 이 유기 TFT 를 추가로 29 일간, 합계 89 일간 대기 하에서 방치한 후, 드레인 전압을 100 V 로 하여 전기 특성을 평가하였다. 그 결과, 4.7 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
또한, 이 유기 TFT 를 추가로 29 일간, 합계 118 일간 대기 하에서 방치한 후, 드레인 전압을 100 V 로 하여 전기 특성을 평가하였다. 그 결과, 6.3 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-5＞
실시예 1 에서 얻어진 화합물 (C1) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C1) 의 유기 TFT 에서는, 5.3 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
또한, 이 유기 TFT 를 7 일간 대기 하에서 방치한 후, 다시 드레인 전압을 100 V 로 하여 전기 특성을 평가하였다. 그 결과, 4.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
또한, 이 유기 TFT 를 추가로 7 일간, 합계 14 일간 대기 하에서 방치한 후, 드레인 전압을 100 V 로 하여 전기 특성을 평가하였다. 그 결과, 4.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
또한, 이 유기 TFT 를 추가로 14 일간, 합계 28 일간 대기 하에서 방치한 후, 드레인 전압을 100 V 로 하여 전기 특성을 평가하였다. 그 결과, 4.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
또한, 이 유기 TFT 를 추가로 32 일간, 합계 60 일간 대기 하에서 방치한 후, 드레인 전압을 100 V 로 하여 전기 특성을 평가하였다. 그 결과, 4.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
또한, 이 유기 TFT 를 추가로 29 일간, 합계 89 일간 대기 하에서 방치한 후, 드레인 전압을 100 V 로 하여 전기 특성을 평가하였다. 그 결과, 4.2 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
또한, 이 유기 TFT 를 추가로 29 일간, 합계 118 일간 대기 하에서 방치한 후, 드레인 전압을 100 V 로 하여 전기 특성을 평가하였다. 그 결과, 4.2 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-6＞
실시예 1 에서 얻어진 화합물 (C1) 을 사용하여, 하기의 순서에 따라, 유리 기판 상에 보텀 게이트-탑 컨택트 소자 (유기 TFT) 를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(소자의 제작)
유리 기판 상에 금속 마스크를 사용하여, 알루미늄을 진공 증착법으로 약 30 ㎚ 의 두께로 제막하여, 게이트 전극을 형성하였다. 게이트 전극을 형성한 유리 기판 상에, 시판되는 폴리비닐페놀과 멜라민을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 용해시켜 조제한 용액을 스핀 코트하고, 이어서 150 ℃ 에서 1 시간 가열하여, 기판 표면에 약 210 ㎚ 의 막 두께의 폴리비닐페놀-멜라민 박막을 제작하였다.
이 폴리비닐페놀-멜라민 박막 상에, 시판되는 테플론 (R) AF1600X 를 1 wt％ 로 플루오리너트TMFC-43 에 용해시킨 용액을 사용하여, 다음 공정에서의 반도체 잉크를 수용하는 격벽 패턴을 묘화하고, 100 ℃ 에서 30 분 가열하여, 격벽을 제작하였다.
실시예 1 에서 얻어진 화합물 (C1) 을 살리실산메틸에 0.2 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여 조제한 유기 반도체 잉크를, 상기 공정에서 제작한 격벽 내부에 적하하고, 80 ℃ 에서 건조시켜 유기 반도체층을 형성하였다. 유기 반도체층 상에 금속 마스크를 사용하여 금을 진공 증착법으로 제막함으로써, 소스 전극과 드레인 전극을 형성하여, 유기 TFT 를 제작하였다. 채널 폭 및 채널 길이는 각각 1500 ㎛ 및 50 ㎛ 로 하였다. 또한, 전극층 막 두께는 약 50 ㎚ 로 하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 40 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 이 화합물 (C1) 의 유기 TFT 에서는, 6.3 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-7＞
실시예 1 에서 얻어진 화합물 (C1) 을 사용하여, 하기의 순서에 따라, 유리 기판 상에 보텀 게이트-보텀 컨택트 소자 (유기 TFT) 를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(소자의 제작)
유리 기판 상에 금속 마스크를 사용하여, 알루미늄을 진공 증착법으로 약 30 ㎚ 의 두께로 제막하여, 게이트 전극을 형성하였다. 게이트 전극을 형성한 유리 기판 상에, 시판되는 폴리비닐페놀과 멜라민을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 용해시켜 조제한 용액을 스핀 코트하고, 이어서 150 ℃ 에서 1 시간 가열하여, 기판 표면에 약 210 ㎚ 의 막 두께의 폴리비닐페놀-멜라민 박막을 제작하였다.
이 폴리비닐페놀-멜라민 박막 상에, 금속 마스크를 사용하여 금을 진공 증착법으로 제막함으로써, 소스 전극과 드레인 전극을 형성하였다. 채널 폭 및 채널 길이는 각각 1000 ㎛ 및 35 ㎛ 로 하였다. 또한, 전극 막 두께는 약 50 ㎚ 로 하였다. 이 폴리비닐페놀-멜라민 박막 상에, 시판되는 테플론 (R) AF1600X 를 1 wt％ 로 플루오리너트TMFC-43 에 용해시킨 용액을 사용하여, 다음 공정에서의 반도체 잉크를 수용하는 격벽 패턴을 묘화하고, 100 ℃ 에서 30 분 가열하여, 격벽을 제작하였다.
실시예 1 에서 얻어진 화합물 (C1) 을 살리실산메틸에 0.2 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여 제조한 유기 반도체 잉크를, 상기 공정에서 제작한 격벽 내부에 적하하고, 80 ℃ 에서 건조시켜 유기 반도체층을 형성하여, 유기 TFT 를 제작하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 40 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 이 화합물 (C1) 의 유기 TFT 에서는, 1.0 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜비교예 E-1＞
비교예 1 에서 얻어진 화합물 (RC1) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (RC1) 을 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (RC1) 의 유기 TFT 에서는, 7.0 × 10-4 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜비교예 E-2＞
비교예 1 에서 얻어진 화합물 (RC1) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자의 제작 및 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (RC1) 을 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 트랜지스터 특성을 나타내지 않았다.
＜비교예 E-3＞
비교예 1 에서 얻어진 화합물 (RC1) 을 사용하여, 「HMDS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「HMDS 수식 기판」 상의 화합물 (RC1) 의 유기 TFT 에서는, 5.8 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜비교예 E-4＞
비교예 1 에서 얻어진 화합물 (RC1) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (RC1) 의 유기 TFT 에서는, 1.2 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜참고예 E-1＞
참고예 1 에서 얻어진 화합물 (RR1) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (RR1) 을 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (RR1) 의 유기 TFT 에서는, 6.2 × 10-5 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜참고예 E-2＞
참고예 1 에서 얻어진 화합물 (RR1) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (RR1) 을 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 트랜지스터 특성을 나타내지 않았다.
＜참고예 E-3＞
참고예 1 에서 얻어진 화합물 (RR1) 을 사용하여, 「HMDS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「HMDS 수식 기판」 상의 화합물 (RR1) 의 유기 TFT 에서는, 6.4 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜참고예 E-4＞
참고예 1 에서 얻어진 화합물 (RR1) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (RR1) 의 유기 TFT 에서는, 1.7 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-8＞
실시예 2 에서 얻어진 화합물 (C2) 를 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C2) 를 클로로벤젠에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C2) 의 유기 TFT 에서는, 2.9 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-9＞
실시예 2 에서 얻어진 화합물 (C2) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C2) 를 클로로벤젠에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 120 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다. 얻어진 전달 특성을 도 6 에 나타낸다. 도 6 의 가로축은 게이트 전압 (V), 세로축은 드레인 전류 (A) 이다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C2) 의 유기 TFT 에서는, 3.4 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-10＞
실시예 2 에서 얻어진 화합물 (C2) 를 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C2) 를 클로로벤젠에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「CYC 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C2) 의 유기 TFT 에서는, 4.5 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-11＞
실시예 2 에서 얻어진 화합물 (C2) 를 사용하여, 「HMDS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「HMDS 수식 기판」 상의 화합물 (C2) 의 유기 TFT 에서는, 3.9 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-12＞
실시예 2 에서 얻어진 화합물 (C2) 를 사용하여, 「PS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C2) 의 유기 TFT 에서는, 1.4 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜참고예 P-E-13＞
참고예 P-3 에서 얻어진 화합물 (C3) 을 사용하여, 「HMDS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「HMDS 수식 기판」 상의 화합물 (C3) 의 유기 TFT 에서는, 1.8 × 10-4 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜참고예 P-E-14＞
참고예 P-3 에서 얻어진 화합물 (C3) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C3) 의 유기 TFT 에서는, 5.2 × 10-4 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜비교예 E-5＞
비교예 2 에서 얻어진 화합물 (RC2) 를 사용하여, 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하고자, 화합물 (RC2) 를 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열했지만 전체량은 용해되지 않아, 균일한 용액은 되지 않았다.
＜비교예 E-6＞
비교예 2 에서 얻어진 화합물 (RC2) 를 사용하여, 「HMDS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「HMDS 수식 기판」 상의 화합물 (RC2) 의 유기 TFT 에서는, 3.9 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜비교예 E-7＞
비교예 2 에서 얻어진 화합물 (RC2) 를 사용하여, 「PS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (RC2) 의 유기 TFT 에서는, 4.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜참고예 E-5＞
참고예 2 에서 얻어진 화합물 (RR2) 를 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (RR2) 를 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다.
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 트랜지스터 특성을 나타내지 않았다.
＜참고예 E-6＞
참고예 2 에서 얻어진 화합물 (RR2) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (RR2) 를 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 120 ℃ 에서 35 분간 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (RR2) 의 유기 TFT 에서는, 5.1 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜참고예 E-7＞
참고예 2 에서 얻어진 화합물 (RR2) 를 사용하여, 「HMDS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「HMDS 수식 기판」 상의 화합물 (RR2) 의 유기 TFT 에서는, 3.8 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜참고예 E-8＞
참고예 2 에서 얻어진 화합물 (RR2) 를 사용하여, 「PS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (RR2) 의 유기 TFT 에서는 3.1 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-15＞
실시예 6 에서 얻어진 화합물 (C6) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C6) 을 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C6) 의 유기 TFT 에서는, 2.1 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-16＞
실시예 6 에서 얻어진 화합물 (C6) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C6) 을 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 120 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다. 얻어진 전달 특성을 도 7 에 나타낸다. 도 7 의 가로축은 게이트 전압 (V), 세로축은 드레인 전류 (A) 이다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C6) 의 유기 TFT 에서는, 3.9 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-17＞
실시예 6 에서 얻어진 화합물 (C6) 을 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C6) 을 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C6) 의 유기 TFT 에서는, 4.2 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-18＞
실시예 6 에서 얻어진 화합물 (C6) 을 사용하여, 「HMDS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「HMDS 수식 기판」 상의 화합물 (C6) 의 유기 TFT 에서는, 4.0 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-19＞
실시예 6 에서 얻어진 화합물 (C6) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C6) 의 유기 TFT 에서는, 9.3 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜비교예 E-8＞
비교예 5 에서 얻어진 화합물 (RC5) 를 사용하여, 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하고자, 화합물 (RC5) 를 메시틸렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열했지만 전체량은 용해되지 않아, 균일한 용액은 되지 않았다.
＜비교예 E-9＞
비교예 5 에서 얻어진 화합물 (RC5) 를 사용하여, 「HMDS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「HMDS 수식 기판」 상의 화합물 (RC5) 의 유기 TFT 에서는, 3.9 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜비교예 E-10＞
비교예 5 에서 얻어진 화합물 (RC5) 를 사용하여, 「PS 기판」 상에 진공 증착법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (RC5) 의 유기 TFT 에서는, 7.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-20＞
실시예 4 에서 얻어진 화합물 (C4) 를 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C4) 를 1,2-디클로로벤젠에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PS 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C4) 의 유기 TFT 에서는, 3.8 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-21＞
실시예 4 에서 얻어진 화합물 (C4) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C4) 를 메시틸렌에 0.5 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C4) 의 유기 TFT 에서는, 2.7 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-22＞
실시예 4 에서 얻어진 화합물 (C4) 를 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C4) 를 메시틸렌에 0.5 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C4) 의 유기 TFT 에서는, 2.7 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜비교예 E-11＞
비교예 3 에서 얻어진 화합물 (RC3) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (RC3) 을 1,2-디클로로벤젠에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PS 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (RC3) 의 유기 TFT 에서는, 1.0 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜비교예 E-12＞
비교예 3 에서 얻어진 화합물 (RC3) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (RC3) 을 1,2-디클로로벤젠에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (RC3) 의 유기 TFT 에서는, 6.0 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-23＞
실시예 7 에서 얻어진 화합물 (C7) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C7) 을 클로로포름에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PS 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C7) 의 유기 TFT 에서는, 1.0 × 10-3 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-24＞
실시예 7 에서 얻어진 화합물 (C7) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C7) 을 클로로포름에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C7) 의 유기 TFT 에서는, 2.5 × 10-3 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-25＞
실시예 7 에서 얻어진 화합물 (C7) 을 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C7) 을 클로로포름에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「CYC 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C7) 의 유기 TFT 에서는, 9.0 × 10-4 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-26＞
실시예 7 에서 얻어진 화합물 (C7) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C7) 을 클로로포름에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C7) 의 유기 TFT 에서는, 7.3 × 10-3 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-27＞
실시예 8 에서 얻어진 화합물 (C8) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C8) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PS 기판」 을 120 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C8) 의 유기 TFT 에서는, 2.7 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-28＞
실시예 8 에서 얻어진 화합물 (C8) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C8) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다. 얻어진 전달 특성을 도 8 에 나타낸다. 도 8 의 가로축은 게이트 전압 (V), 세로축은 드레인 전류 (A) 이다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C8) 의 유기 TFT 에서는, 7.3 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-29＞
실시예 8 에서 얻어진 화합물 (C8) 을 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C8) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「CYC 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C8) 의 유기 TFT 에서는, 4.3 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-30＞
실시예 8 에서 얻어진 화합물 (C8) 을 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C8) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「CYC 기판」 을 240 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C8) 의 유기 TFT 에서는, 2.0 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 20 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C8) 의 유기 TFT 에서는, 4.6 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-31＞
실시예 8 에서 얻어진 화합물 (C8) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C8) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C8) 의 유기 TFT 에서는, 4.9 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-32＞
실시예 8 에서 얻어진 화합물 (C8) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C8) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 240 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C8) 의 유기 TFT 에서는, 7.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-33＞
실시예 9 에서 얻어진 화합물 (C9) 를 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C9) 를 자일렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C9) 의 유기 TFT 에서는, 5.1 × 10-3 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-34＞
실시예 9 에서 얻어진 화합물 (C9) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C9) 를 자일렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C9) 의 유기 TFT 에서는, 4.8 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-35＞
실시예 9 에서 얻어진 화합물 (C9) 를 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C9) 를 자일렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C9) 의 유기 TFT 에서는, 3.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-36＞
실시예 9 에서 얻어진 화합물 (C9) 를 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C9) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C9) 의 유기 TFT 에서는, 5.7 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-37＞
실시예 9 에서 얻어진 화합물 (C9) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C9) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C9) 의 유기 TFT 에서는, 8.9 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-38＞
실시예 10 에서 얻어진 화합물 (C10) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C10) 을 자일렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 90 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PS 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C10) 의 유기 TFT 에서는, 1.9 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-39＞
실시예 10 에서 얻어진 화합물 (C10) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C10) 을 자일렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 90 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 120 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C10) 의 유기 TFT 에서는, 3.4 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-40＞
실시예 10 에서 얻어진 화합물 (C10) 을 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C10) 을 자일렌에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 90 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C10) 의 유기 TFT 에서는, 6.0 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-41＞
실시예 10 에서 얻어진 화합물 (C10) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C10) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C10) 의 유기 TFT 에서는, 1.4 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-42＞
실시예 10 에서 얻어진 화합물 (C10) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C10) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C10) 의 유기 TFT 에서는, 4.4 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-43＞
실시예 11 에서 얻어진 화합물 (C11) 을 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C11) 을 톨루엔에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PS 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C11) 의 유기 TFT 에서는, 8.5 × 10-3 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-44＞
실시예 11 에서 얻어진 화합물 (C11) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C11) 을 톨루엔에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C11) 의 유기 TFT 에서는, 8.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-45＞
실시예 11 에서 얻어진 화합물 (C11) 을 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C11) 을 톨루엔에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C11) 의 유기 TFT 에서는, 4.0 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-46＞
실시예 12 에서 얻어진 화합물 (C12) 를 사용하여, 「PS 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C12) 를 톨루엔에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PS 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PS 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PS 기판」 상의 화합물 (C12) 의 유기 TFT 에서는, 3.5 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-47＞
실시예 12 에서 얻어진 화합물 (C12) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C12) 를 톨루엔에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C12) 의 유기 TFT 에서는, 2.5 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-48＞
실시예 12 에서 얻어진 화합물 (C12) 를 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C12) 를 톨루엔에 0.3 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C12) 의 유기 TFT 에서는, 6.9 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-49＞
실시예 13 에서 얻어진 화합물 (C13) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C13) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 240 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C13) 의 유기 TFT 에서는, 7.9 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-50＞
실시예 13 에서 얻어진 화합물 (C13) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C13) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 90 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C13) 의 유기 TFT 에서는, 6.8 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-51＞
실시예 13 에서 얻어진 화합물 (C13) 을 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C13) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「CYC 기판」 을 240 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C13) 의 유기 TFT 에서는, 1.4 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-52＞
실시예 14 에서 얻어진 화합물 (C14) 를 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C14) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C14) 의 유기 TFT 에서는, 8.5 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-53＞
실시예 14 에서 얻어진 화합물 (C14) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C14) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 80 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C14) 의 유기 TFT 에서는, 1.0 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-54＞
실시예 14 에서 얻어진 화합물 (C14) 를 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C14) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「CYC 기판」 을 240 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C14) 의 유기 TFT 에서는, 2.0 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-55＞
실시예 14 에서 얻어진 화합물 (C14) 를 사용하여, 대기 하 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C14) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 대기 하에서, 「베어 기판」 상에 적하하여 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 대기 하에서 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C14) 의 유기 TFT 에서는, 6.5 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-56＞
실시예 14 에서 얻어진 화합물 (C14) 를 사용하여, 대기 하 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C14) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 대기 하에서, 「PVP 기판」 상에 적하하여 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 대기 하에서 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C14) 의 유기 TFT 에서는, 6.9 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-57＞
실시예 15 에서 얻어진 화합물 (C15) 를 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C15) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C15) 의 유기 TFT 에서는, 1.5 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-58＞
실시예 15 에서 얻어진 화합물 (C15) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C15) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C15) 의 유기 TFT 에서는, 1.3 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-59＞
실시예 15 에서 얻어진 화합물 (C15) 를 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C15) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「CYC 기판」 을 240 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C15) 의 유기 TFT 에서는, 1.1 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-60＞
실시예 16 에서 얻어진 화합물 (C16) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C16) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C16) 의 유기 TFT 에서는, 1.4 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-61＞
실시예 16 에서 얻어진 화합물 (C16) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C16) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C16) 의 유기 TFT 에서는, 1.3 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-62＞
실시예 16 에서 얻어진 화합물 (C16) 을 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C16) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「CYC 기판」 을 240 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C16) 의 유기 TFT 에서는, 2.4 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-63＞
실시예 17 에서 얻어진 화합물 (C17) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 2.3 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-64＞
실시예 17 에서 얻어진 화합물 (C17) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다. 얻어진 전달 특성을 도 9 에 나타낸다. 도 9 의 가로축은 게이트 전압 (V), 세로축은 드레인 전류 (A) 이다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 3.1 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다. 얻어진 전달 특성을 도 10 에 나타낸다. 도 10 의 가로축은 게이트 전압 (V), 세로축은 드레인 전류 (A) 이다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 1.1 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 20 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 8.8 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-65＞
실시예 17 에서 얻어진 화합물 (C17) 을 사용하여, 「CYC 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 유기 반도체 잉크의 0.18 ㎖ 를 「CYC 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「CYC 기판」 을 240 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 3.1 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 2.2 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 20 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「CYC 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 1.1 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-66＞
실시예 18 에서 얻어진 화합물 (C18) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C18) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 120 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C18) 의 유기 TFT 에서는, 1.5 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-67＞
실시예 18 에서 얻어진 화합물 (C18) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C18) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 30 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C18) 의 유기 TFT 에서는, 2.1 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-68＞
실시예 19 에서 얻어진 화합물 (C19) 를 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C19) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 60 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C19) 의 유기 TFT 에서는, 2.2 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-69＞
실시예 19 에서 얻어진 화합물 (C19) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C19) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 120 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 60 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C19) 의 유기 TFT 에서는, 2.9 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-70＞
실시예 20 에서 얻어진 화합물 (C20) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C20) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 120 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 80 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C20) 의 유기 TFT 에서는, 2.3 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-71＞
실시예 20 에서 얻어진 화합물 (C20) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C20) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 40 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C20) 의 유기 TFT 에서는, 3.0 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-72＞
실시예 21 에서 얻어진 화합물 (C21) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C21) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 120 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C21) 의 유기 TFT 에서는, 6.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-73＞
실시예 21 에서 얻어진 화합물 (C21) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C21) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 120 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C21) 의 유기 TFT 에서는, 8.0 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜참고예 P-E-74＞
참고예 P-22 에서 얻어진 화합물 (C22) 를 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C22) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 120 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 트랜지스터 특성을 나타내지 않았다.
＜참고예 P-E-75＞
참고예 P-22 에서 얻어진 화합물 (C22) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C22) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 120 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 트랜지스터 특성을 나타내지 않았다.
＜실시예 E-76＞
실시예 24 에서 얻어진 화합물 (C24) 를 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C24) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C24) 의 유기 TFT 에서는, 7.3 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-77＞
실시예 24 에서 얻어진 화합물 (C24) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C24) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C24) 의 유기 TFT 에서는, 8.5 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-78＞
실시예 25 에서 얻어진 화합물 (C25) 를 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C25) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C25) 의 유기 TFT 에서는, 4.4 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-79＞
실시예 25 에서 얻어진 화합물 (C25) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C25) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C25) 의 유기 TFT 에서는, 1.1 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-80＞
실시예 26 에서 얻어진 화합물 (C26) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C26) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C26) 의 유기 TFT 에서는, 2.5 × 10-3 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-81＞
실시예 26 에서 얻어진 화합물 (C26) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C26) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C26) 의 유기 TFT 에서는, 5.1 × 10-3 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-82＞
실시예 27 에서 얻어진 화합물 (C27) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C27) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C27) 의 유기 TFT 에서는, 1.1 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-83＞
실시예 27 에서 얻어진 화합물 (C27) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C27) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C27) 의 유기 TFT 에서는, 1.9 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-84＞
실시예 28 에서 얻어진 화합물 (C28) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C28) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C28) 의 유기 TFT 에서는, 8.0 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-85＞
실시예 28 에서 얻어진 화합물 (C28) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C28) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 70 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C28) 의 유기 TFT 에서는, 1.7 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-86＞
실시예 29 에서 얻어진 화합물 (C29) 를 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C29) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C29) 의 유기 TFT 에서는, 2.0 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-87＞
실시예 29 에서 얻어진 화합물 (C29) 를 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C29) 를 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C29) 의 유기 TFT 에서는, 1.8 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-88＞
실시예 30 에서 얻어진 화합물 (C30) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C30) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「베어 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C30) 의 유기 TFT 에서는, 8.9 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-89＞
실시예 30 에서 얻어진 화합물 (C30) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C30) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 60 ℃ 에서 가열하여 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 180 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C30) 의 유기 TFT 에서는, 1.7 × 100 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-90＞
실시예 31 에서 얻어진 화합물 (C31) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C31) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「베어 기판」 상의 화합물 (C31) 의 유기 TFT 에서는, 5.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-91＞
실시예 31 에서 얻어진 화합물 (C31) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C31) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분간 가열하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C31) 의 유기 TFT 에서는, 4.7 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜비교예 E-13＞
비교예 6 에서 얻어진 화합물 (RC6) 을 사용하여, 「베어 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (RC6) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「베어 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 트랜지스터 특성을 나타내지 않았다.
＜비교예 E-14＞
비교예 6 에서 얻어진 화합물 (RC6) 을 사용하여, 「PVP 기판」 상에 스핀 코트법에 의해 TFT 소자를 제작하여, 평가를 실시하였다.
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (RC6) 을 클로로포름에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 실온에서 제조한 용액 (유기 반도체 잉크) 의 0.18 ㎖ 를 「PVP 기판」 상에 적하하고, 1000 rpm 으로 30 초간 스핀 코트를 실시하여, 막 두께 약 20 ㎚ 의 유기 반도체층을 형성하였다. 막의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 균일한 막을 형성하여, 양호하게 제막되어 있는 것을 확인하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 트랜지스터 특성을 나타내지 않았다.
＜실시예 E-92＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C1) 을 1,2-디클로로벤젠에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에, 유기 반도체 잉크를 질소 분위기하, 130 ℃ 에서 드롭 캐스트하여 80 ℃ 에서 건조시켜 유기 반도체층을 형성하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C1) 의 유기 TFT 에서는, 2.0 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-93＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C8) 을 1,2-디클로로벤젠에 0.03 wt％ 가 되도록 첨가하고, 130 ℃ 에서 가열하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에, 유기 반도체 잉크를 질소 분위기하, 100 ℃ 에서 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 100 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C8) 의 유기 TFT 에서는, 7.3 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-94＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 테트랄린에 0.03 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 100 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 2.7 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-95＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 시클로헥실벤젠에 0.01 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 100 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 1.6 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-96＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 1-메틸나프탈렌에 0.03 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 100 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 6.0 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-97＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 클로로벤젠에 0.03 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 100 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 3.1 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-98＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 벤조산메틸에 0.03 wt％ 가 되도록 첨가하고, 100 ℃ 에서 가열하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 100 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 3.8 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-99＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 시클로헥실벤젠 : 1-메틸나프탈렌 = 1 : 0.3 의 혼합 용매에 0.01 wt％ 가 되도록 첨가하고 100 ℃ 에서 가열하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 100 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 1.8 × 10-1 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-100＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 1-메틸나프탈렌에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 120 ℃ 에서 가열하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를 제작할 목적으로, 소스 전극과 드레인 전극을 구비한 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에 상기 유기 반도체 잉크를 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 1.6 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-101＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 1-메틸나프탈렌 : 살리실산메틸 = 1 : 1 의 혼합 용매에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 120 ℃ 에서 가열하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를 제작할 목적으로, 소스 전극과 드레인 전극을 구비한 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에 상기 유기 반도체 잉크를 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 2.6 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-102＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 0.2 wt％ 가 되도록 1-메틸나프탈렌에 첨가하고, 120 ℃ 에서 가열하여 제조한 화합물 (C17) 용액 (1) 과, 옥타데칸티올을 200 μ㏖/ℓ 가 되도록 1-메틸나프탈렌에 첨가하고, 제조한 옥타데칸티올 용액 (2) 를, (1) : (2) = 1 : 1 로 혼합하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를 제작할 목적으로, 소스 전극과 드레인 전극을 구비한 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에, 상기 유기 반도체 잉크를 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 2.8 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-103＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 0.2 wt％ 가 되도록 1-메틸나프탈렌에 첨가하고, 120 ℃ 에서 가열하여 제조한 화합물 (C17) 용액 (1) 과, 헥산티올을 200 μ㏖/ℓ 가 되도록 1-메틸나프탈렌에 첨가하고, 제조한 헥산티올 용액 (2) 를, (1) : (2) = 1 : 1 로 혼합하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를 제작할 목적으로, 소스 전극과 드레인 전극을 구비한 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에, 상기 유기 반도체 잉크를 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 3.3 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-104＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 0.2 wt％ 가 되도록 1-메틸나프탈렌에 첨가하고, 120 ℃ 에서 가열하여 제조한 화합물 (C17) 용액 (1) 과, 4-메틸벤젠티올을 20 μ㏖/ℓ 가 되도록 1-메틸나프탈렌에 첨가하고, 제조한 4-메틸벤젠티올 용액 (2) 를, (1) : (2) = 1 : 1 로 혼합하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를 제작할 목적으로, 소스 전극과 드레인 전극을 구비한 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에, 상기 유기 반도체 잉크를 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 3.2 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-105＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 1-메틸나프탈렌에 0.06 wt％ 가 되도록 첨가하고, 120 ℃ 에서 가열하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를 제작할 목적으로, 소스 전극과 드레인 전극을 구비한 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에 상기 유기 반도체 잉크를 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 5.1 × 10-3 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-106＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 0.12 wt％ 가 되도록 1-메틸나프탈렌에 첨가하고, 120 ℃ 에서 가열하여 제조한 화합물 (C17) 용액 (1) 과, 도데칸올을 200 μ㏖/ℓ 가 되도록 1-메틸나프탈렌에 첨가하고, 제조한 도데칸올 용액 (2) 를, (1) : (2) = 1 : 1 로 혼합하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를 제작할 목적으로, 소스 전극과 드레인 전극을 구비한 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에, 상기 유기 반도체 잉크를 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 2.8 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 E-107＞
(유기 반도체층의 제작 조건)
화합물 (C17) 을 0.12 wt％ 가 되도록 1-메틸나프탈렌에 첨가하고, 120 ℃ 에서 가열하여 제조한 화합물 (C17) 용액 (1) 과, 도데실아민을 20 μ㏖/ℓ 가 되도록 1-메틸나프탈렌에 첨가하고, 제조한 도데실아민 용액 (2) 를, (1) : (2) = 1 : 1 로 혼합하여, 유기 반도체 잉크를 제조하였다. 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를 제작할 목적으로, 소스 전극과 드레인 전극을 구비한 「PVP 기판」 상에 제작한 격벽 내부에, 상기 유기 반도체 잉크를 드롭 캐스트하여 유기 반도체층을 형성하였다. 그 후, 유기 반도체층을 형성한 「PVP 기판」 을 150 ℃ 에서 35 분 가열하였다.
(유기 TFT 의 평가)
제작한 보텀 게이트-보텀 컨택트형의 유기 TFT 를, 드레인 전압이 50 V 인 조건으로 전달 특성을 측정한 결과, 이 유기 TFT 는 n 형의 반도체 특성을 나타냈다.
상기 (식 A) 를 사용하여 전계 효과 이동도 (μ) 를 계산한 결과, 「PVP 기판」 상의 화합물 (C17) 의 유기 TFT 에서는, 3.0 × 10-2 ㎠/Vs 의 전계 효과 이동도가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 I-1＞
(인버터 회로의 제작)
(평탄화층)
20 mm × 25 mm 의 청판 유리 상에, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 용매로 하는, 폴리비닐페놀과 멜라민의 혼합 용액을 스핀 코트하고, 이어서 150 ℃ 에서 1 시간 가열하여, 기판 표면에 평탄화층으로서, 대략 240 ㎚ 의 폴리비닐페놀-멜라민 박막을 제작하였다.
(게이트 전극)
다음으로 제작한 폴리비닐페놀-멜라민 박막을, 산소 플라즈마 처리를 100 와트, 산소 유량 30 sccm, 60 초 실시한 후, 잉크젯 장치를 사용하여 은나노 입자를 인쇄하고, 140 ℃ 에서 30 분 소성하여 게이트 전극을 제작하였다.
(게이트 절연막)
게이트 전극 상에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 용매로 하는, 폴리비닐페놀과 멜라민의 혼합 용액을 스핀 코트하고, 이어서 150 ℃ 에서 1 시간 가열하여, 게이트 절연막으로서 대략 800 ㎚ 의 폴리비닐페놀-멜라민 박막을 제작하였다.
(소스 전극과 드레인 전극)
제작한 폴리비닐페놀-멜라민 박막 상에 잉크젯 장치를 사용하여 은나노 입자를 인쇄하고, 120 ℃ 에서 30 분 소성하여 소스 전극과 드레인 전극을 제작하였다. p 형, n 형의 양방의 소자의 채널 폭 및 채널 길이는 각각 1040 ㎛ 및 50 ㎛ 로 하였다.
(격벽)
시판되는 테플론 (R) AF1600X 를 1 wt％ 로 플루오리너트TMFC-43 에 용해시킨 용액을 사용하여, 다음 공정에서의 반도체 잉크를 수용하는 격벽 패턴을 묘화하고, 100 ℃ 에서 30 분 가열하여, 격벽을 제작하였다.
(PFBT 처리)
시판되는 2,3,4,5,6-펜타플루오로티오페놀을 2-프로판올에 용해시켜 30 m㏖/ℓ 로 조제한 용액에 격벽까지 제작한 기판을 5 분 침지시킨 후, 질소 기류하에서 건조시켜 소스 전극과 드레인 전극을 표면 처리하였다.
(p 형 반도체의 도포)
2,8-디플루오로-5,11-비스(트리에틸실릴에티닐)안트라디티오펜을 메시틸렌에 0.5 wt％ 가 되도록 첨가하고, 제작한 p 형 반도체 잉크를, 상기 공정으로 제작한 격벽 내부에 적하하고, 이어서 실온에서 건조시켜, p 형 반도체층을 형성하였다.
(n 형 반도체의 도포)
화합물 (C17) 을 1-메틸나프탈렌에 0.1 wt％ 가 되도록 첨가하고, 120 ℃ 에서 30 분 가열하여, 제작한 n 형 반도체 잉크를 상기 공정으로 제조한 격벽 내부에 적하하고, 이어서 실온에서 건조시켜, n 형 반도체층을 형성하였다.
(열 어닐)
p 형 반도체층, n 형 반도체층을 형성한 기판을 질소하에서 120 ℃ 30 분 가열하여, 도 11 에 나타내는 것과 같은 인버터 회로를 제작하였다.
(인버터 회로의 평가)
구동 전압 40 V 의 조건으로, 출력 특성을 측정한 결과, 이 회로는 인버터 특성을 나타냈다. ΔVin = 0.2 V 로 하여, 이 인버터 회로의 게인 (ΔVout /Vin 으로 정의된다) 을 계산하면, 7.9 의 최대 게인이 얻어졌다. 따라서, 화합물 (C17) 은 인버터 회로의 n 형 반도체부로서 양호하게 기능하는 것을 알 수 있었다.
이상의 결과로부터, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체는, 초기 및 118 일간 방치 후에도, 높은 전계 효과 이동도를 나타내는 것을 알 수 있었다. 즉, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체는, 높은 전계 효과 이동도와 함께, 대기 중에서도 안정적인 특성을 겸비하는 것이 나타났다.
산업상 이용가능성
본 발명에 의해, 유기 용매에 가용이고, 도포에 의한 박막 형성이 가능하고, 게다가 정공 및/또는 전자의 이동도 (전계 효과 이동도) 가 우수하고, 대기 중에서의 안정성도 우수한 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 벤조비스(티아디아졸) 유도체는, 열적으로 안정적이고 또한, 높은 전계 효과 이동도를 가지고 있기 때문에, 이 화합물을 유기 TFT 의 반도체층에 사용함으로써 높은 전계 효과 이동도 특성을 실현할 수 있다. 또한, 이 화합물을 유기 EL 소자의 정공 수송층이나 전자 수송층에 사용함으로써 높은 발광 효율을 실현할 수 있다. 또한, 이 화합물을 태양 전지의 전하 분리층, 정공 수송층이나 전자 수송층에 사용함으로써 높은 광전 변환 효율을 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 TFT 와, 본 발명의 유기 EL 소자 또는 다른 유기 EL 소자를 조합하여 이루어지는 화소를 배열한 유기 EL 디스플레이는 발광 효율이 우수하고, 또한 응답성도 우수하다는 이점을 가지고 있다. 또한, 본 발명의 유기 TFT 는, RFID 태그나 센서를 작동시키는 유기 TFT 로서 바람직하게 사용할 수 있다.
11, 21, 31, 111 ; 기판
12, 106 ; 게이트 전극
13, 107 ; 게이트 절연막
14, 110 ; 드레인 전극
15, 109 ; 소스 전극
16, 108 ; 유기 반도체층
22, 105 ; 양극
23, 104 ; 정공 수송층
24, 103 ; 발광층
25, 102 ; 전자 수송층
26, 101 ; 음극
112 ; 배리어층
113 ; 보호층
120 ; 유기 EL 소자
121 ; 유기 TFT
32 ; 양극
33 ; 전하 분리층
34 ; 음극

Claims (20)

  1. 하기 일반식 (1) 로 나타내는 벤조비스(티아디아졸) 유도체.
    [화학식 1]
    Figure pct00254

    (식 중, R1 은 직사슬형 또는 분기형의 알킬기, 또는 하기 식 (2) 의 기 중 어느 하나를 나타내고, R2 는 수소 원자를 나타내고, R3 은 수소 원자, 직사슬형 또는 분기형의 알킬기, 또는 하기 식 (2) 의 기 중 어느 하나를 나타내고, 단, R1 및 R3 의 적어도 일방은 하기 식 (2) 의 기 중 어느 하나를 나타내고, 2 개의 R1, 2 개의 R2, 및 2 개의 R3 은 모두 동일하거나 상이해도 된다.)
    [화학식 2]
    Figure pct00255

    (식 중, R 은 직사슬형 또는 분기형의 알킬기를 나타낸다.)
  2. 제 1 항에 있어서,
    R1 이 상기 식 (2) 의 기 중 어느 하나이고,
    R2 가 수소 원자이고,
    R3 이 수소 원자, 또는 직사슬형 또는 분기형의 알킬기인 것을 특징으로 하는 벤조비스(티아디아졸) 유도체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    R1 이 직사슬형 또는 분기형의 알킬기이고,
    R2 가 수소 원자이고,
    R3 이 상기 식 (2) 의 기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 벤조비스(티아디아졸) 유도체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 식 (2) 의 기가 하기 식 (3) 의 기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 벤조비스(티아디아졸) 유도체.
    [화학식 3]
    Figure pct00256

    (식 중, R 은 직사슬형 또는 분기형의 알킬기를 나타낸다.)
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    R1 이 직사슬형 또는 분기형의 알킬기이고,
    R2 가 수소 원자이고,
    R3 이 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기, 또는 시아노기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 벤조비스(티아디아졸) 유도체.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유기 용매에 가용인 것을 특징으로 하는 벤조비스(티아디아졸) 유도체.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 잉크.
  8. 2 종 이상의 유기 반도체를 포함하고, 그 중의 1 종 이상이 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 잉크.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 유기층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로닉스 디바이스.
  10. 기판 상에, 게이트 전극과, 게이트 절연층과, 유기 반도체층과, 소스 전극 및 드레인 전극을 갖고,
    상기 유기 반도체층이, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
  11. 기판 상에, 양극과, 발광층과, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층과, 음극을 갖고,
    상기 정공 수송층 및/또는 상기 전자 수송층이, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
  12. 유기 박막 트랜지스터를 사용하여 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 구동·점등을 실시하는 표시 디바이스로서,
    상기 유기 박막 트랜지스터가 제 10 항에 기재된 유기 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 표시 디바이스.
  13. 제 10 항에 기재된 유기 박막 트랜지스터와, 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 구비하는 화소가 매트릭스상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 방식의 표시 디바이스.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 유기 일렉트로 루미네선스 소자가 제 11 항에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자인 것을 특징으로 하는 표시 디바이스.
  15. 유기 박막 트랜지스터를 사용하여 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 구동·점등을 실시하는 표시 디바이스로서,
    상기 유기 일렉트로 루미네선스 소자가 제 11 항에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자인 것을 특징으로 하는 표시 디바이스.
  16. 기판 상에, 양극과, 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료를 포함하는 전하 분리층과, 음극을 갖고,
    상기 전하 분리층이, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 태양 전지.
  17. 기판 상에, 양극과, 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료를 포함하는 전하 분리층과, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층과, 음극을 갖고,
    상기 정공 수송층 및/또는 상기 전자 수송층이, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 벤조비스(티아디아졸) 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 태양 전지.
  18. 유기 박막 트랜지스터를 사용하여 작동하는 RFID 태그로서,
    상기 유기 박막 트랜지스터가 제 10 항에 기재된 유기 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 RFID 태그.
  19. 유기 박막 트랜지스터를 사용하여 작동하는 센서로서,
    상기 유기 박막 트랜지스터가 제 10 항에 기재된 유기 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 센서.
  20. 상기 기판이 가요성 기판인 것을 특징으로 하는 제 9 항에 기재된 유기 일렉트로닉스 디바이스, 제 10 항에 기재된 유기 박막 트랜지스터, 제 11 항에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자, 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 기재된 표시 디바이스, 제 16 항 또는 제 17 항에 기재된 유기 박막 태양 전지, 제 18 항에 기재된 RFID 태그, 또는 제 19 항에 기재된 센서.
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