KR20160053390A - 전극 일체형 태양전지 보호시트 및 이를 이용하여 제조된 태양전지 모듈 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 73
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 73
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 69
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 69
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 31
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 claims description 2
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 18
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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Abstract
본 발명은 전극 일체형 태양전지 보호시트, 그 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 태양전지 모듈에 관한 것으로, 기재인 고분자시트와, 상기 고분자시트의 일면에 일정한 패턴을 갖도록 형성된 금속전극과, 상기 금속전극의 상면에 형성된 저융점 합금전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트, 및 그 제조방법, 그리고 이를 이용하여 제조된 태양전지 모듈을 제공한다.
본 발명에 따르면, 태양광 모듈의 버스바전극 및 리본재를 대체하는 전극을 보호시트에 일체화시킴으로서 은 성분의 사용량을 줄이고, 접착 공정을 배제할 수 있으므로 공정이 단축되어 공정효율이 향상되며, 추가 투자비용없이도 간단히 전환시킬 수 있으므로 생산성 향상에도 기여하는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따르면, 태양광 모듈의 버스바전극 및 리본재를 대체하는 전극을 보호시트에 일체화시킴으로서 은 성분의 사용량을 줄이고, 접착 공정을 배제할 수 있으므로 공정이 단축되어 공정효율이 향상되며, 추가 투자비용없이도 간단히 전환시킬 수 있으므로 생산성 향상에도 기여하는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 전극 일체형 태양전지 보호시트, 그 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 태양전지 모듈에 관한 것으로, 보다 상세하게는 태양광 모듈의 버스바전극 및 리본재를 대체할 수 있는 전극을 태양광 모듈의 보호시트에 인쇄하여 일체화시킴으로써 제작공정을 단축시키고, 낮은 공정온도로 모듈 제작 효율을 증대시킬 수 있도록 한 전극 일체형 태양전지 보호시트, 그 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 태양전지 모듈에 관한 것이다.
태양에너지는 전기에너지로 변환할 수 있기 때문에 대기 오염이나 지구 온난화 등의 환경문제에 대응하여 이산화탄소를 배출하지 않고 발전할 수 있는 청정 에너지 공급원으로서 주목받고 있다.
더구나, 태양에너지는 태양을 이용할 수 있어 사용량에 제한 없이 사용할 수 있으며, 사용시 환경에 영향을 미치지 않아 친환경적으로 이용할 수 있는 장점이 있다.
특히, 태양에너지를 이용하는 방법 중 하나인 태양광 발전은 태양광을 전기 에너지로 변환시켜 에너지를 사용한다.
태양광 발전은 태양열 발전에 비해 직접적으로 전기 에너지로 변환할 수 있기 때문에 에너지 사용적인 측면에서 효율적으로 사용할 수 있으며, 터빈 등의 기계장치를 설치 하지 않기 때문에 유지보수에 유리한 측면을 가지고 있다.
하지만, 초기투자비 및 발전단가가 높아 이를 개선하기 위한 노력이 진행중이다.
태양광 발전을 위해서는 태양광 모듈이 필요하며, 모듈은 태양전지 셀과 이를 보호하기 위한 보호시트 그리고 강화유리로 구성된다.
상기 모듈은 광전 변환효율을 높이기 위해 태양전지 셀 상단의 전극과 또 다른 태양전지 셀의 하단의 전극을 주석도금 리본재를 이용하여 직렬연결한다.
이때, 태양전지 셀 상단의 핑거전극(finger electrode)과 맞닿는 버스바 전극(busbarelectode)은 내부의 전자를 빠르게 외부 회로로 보냄으로 광전효율을 증가시키는 역할을 한다.
이러한 태양광 모듈 제조 공정은 버스바 전극 상부에 200℃ 이상 온도의 열과 압력을 통해 리본재를 부착하는 솔더링 공정,보호시트와 강화유리를 태양전지에합지하는열융착공정의 두 공정이 필요하기에 다소 복잡한 과정을 거친다.
태양광 모듈에 널리 사용되는 실리콘 태양전지 두께는 광전변환 효율에 큰 영향을 미치지 않아 최근 제작 단가를 줄이기 위해 얇은 두께의 태양광 모듈을 생산하고 있으나, 모듈 제작 시 열과 압력에 의해 파손되는 경우가 많이 발생하여 제작 공정 효율이 떨어지는 단점이 있다.
또한, 태양전지 상단 표면의핑거전극과 버스바전극은 높은 전도도를 위해 은을 사용하는데, 비용이 높게 형성되어 있어 태양전지 생산단가 상승에 영향을 미치는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술상의 제반 문제점을 감안하여 이를 해결하고자 창출된 것으로, 태양광 모듈의 버스바전극 및 리본재를 대체할 수 있는 전극을 보호시트에 일체로 구성하여 제조공정을 단축시켜 제조 효율을 높이도록 한 전극 일체형 태양전지 보호시트, 그 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 태양전지 모듈을 제공함에 그 주된 목적이 있다.
본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위한 수단으로, 기재인 고분자시트와, 상기 고분자시트의 일면에 일정한 패턴을 갖도록 형성된 금속전극과, 상기 금속전극의 상면에 형성된 저융점 합금전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트를 제공한다.
또한, 상기 패턴은 보호시트의 길이방향으로 직진성을 가지며, 패턴 중간이 일정간격을 두고 떨어져 형성될 수 있다.
또한, 상기 고분자시트는 금속전극 및 저융점 합금전극이 형성된 부분을 제외한 다른 부분이 엠보싱처리될 수 있다.
또한, 상기 고분자시트는 EVA, TPO, 폴리올레핀계 수지, 폴리에스테르 계 수지, 폴리우레탄계 수지, 에틸렌계 공중합체 수지 중 선택된 1종 이상을 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 저융점 합금전극을 구성하는 저융점 합금은 130℃-160℃의 용융온도를 가질 수 있다.
또한, 상기 저융점 합금전극을 구성하는 저융점 합금은 Sn, Bi, Pb, In, Cd 중에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 패턴의 말단부는 저융점 합금으로 된 돌출부를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 금속전극은 금속이 포함된 잉크 또는 페이스트를 일정한 패턴으로 인쇄한 후 소결하여 제조될 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 금속전극은 패턴 모양의 금속박을 고분자시트 상에 합지하여 제조될 수 있다.
또한, 상기 금속전극은 Cu, Ni, Cr, Ag, Al 중에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함할 수 있다.
또한, 상기 고분자시트는 고열전도성 절연물질, 방열물질, 광변환물질 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 고분자시트는 입사된 태양광을 시트 내면에서 반사시켜 태양광 흡수를 증가시키는 물질을 포함하는 것이 바람직하다.
뿐만 아니라, 본 발명은 고분자시트의 일측면에 금속전극을 형성하는 단계; 상기 금속전극의 상면에 상기 저융점 합금전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트 제조방법도 제공한다.
아울러, 본 발명은 2장 이상이 나란히 배치된 태양전지셀과; 상기 태양전지셀의 상,하면에 각각 상기에 기재된 태양전지 보호시트가 합지된 구조를 포함하되, 상기 태양전지 보호시트에 일체로 된 저융점 합금전극이 상기 태양전지셀 표면에 구비된 전극에 접촉하도록 합지된 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈도 제공할 수 있다.
이때, 상기 태양전지 셀 중 어느 하나의 태양전지 셀 상부의 보호시트 상의 저융점 합금전극과, 그에 패턴 길이 방향으로 인접한 다른 태양전지 셀 하부의 보호시트 상의 저융점 합금전극이 셀과 셀 사이에서 서로 융착되고, 동일한 태양전지 셀 상부와 하부의 보호시트 상의 저융점 합금전극은 서로 접촉되지 않는 구조인 것을 특징으로 한다.
뿐만 아니라, 상기 셀과 셀 사이의 융착 부분은 저융점 합금전극 상에 형성된 저융점 합금 돌출부에 의해 연결된 것이 바람직하다.
그리고, 상기 태양전지 셀과 태양전지 보호시트의 합지는 130-160℃에서 열융착 방식으로 합지된 것이 바람직하다.
또한, 상기 저융점 합금전극은 상기 태양전지 셀 상의 상면 또는 하면에 형성된 전극과 적어도 1번 이상 접촉되도록 패터닝된 것이 특히 바람직하다.
아울러, 상기 저융점 합금전극은 열융착시저융점 합금 패턴과 그 외부를 둘러싼 고분자수지 막으로 구성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 태양광 모듈의 버스바전극 및 리본재를 대체하는 전극을 사용하여 비용을 절감하고, 보호시트에 인쇄 형태로 일체화시켜 접착 공정을 배제할 수 있으므로 공정이 단축되어 공정효율이 향상되고, 또한 추가 투자비용없이 간단히 전환시킬 수 있으므로 생산성 향상에도 기여하는 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지 보호시트의 예시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 태양전지 보호시트의 상부에 태양전지셀이 위치한 모습을 보인 예시도이다.
도 3는 본 발명에 따른 태양전지 모듈의 예시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 태양전지 모듈의 예시적인 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 태양전지 보호시트의 상부에 태양전지셀이 위치한 모습을 보인 예시도이다.
도 3는 본 발명에 따른 태양전지 모듈의 예시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 태양전지 모듈의 예시적인 단면도이다.
이하에서는, 첨부도면을 참고하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명 설명에 앞서, 이하의 특정한 구조 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며, 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.
또한, 본 발명의 개념에 따른 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로, 특정 실시예들은 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 특정한 개시 형태에 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경물, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명은 태양전지의 버스바 전극 및 리본재를 대체하는 전극 일체형 보호시트를 제작하여, 제작공정 및 단가를 낮출 수 있도록 구성된다.
이를 위해, 본 발명에서는 보호시트 위에 태양전지 셀에서 발생한 전하를 효율적으로 이동시키는 금속전극을 형성한 후, 그 위에 저융점 합금전극을 형성한다.
이때, 저융점 합금을 사용함으로써 낮은 온도에서 태양전지 핑거전극과 보호시트 상의 금속전극 사이의 통로를 형성하여 전하를 효율적으로 이동시킬 수 있다.
통상, 태양광 모듈은 태양전지 내부에서 발생한 전하를 리본재를 통해 태양전지셀을 직렬 연결함으로써 광전 변환효율을 증가시킨다.
그러나, 본 발명은 리본재를 대체하기 위하여 하나의 태양전지 상부와 인접한 다른 태양전지 하부를 연결시키는 방법으로 태양전지 상부 보호시트 상의 전극과 인접한 태양전지셀 하부의 보호시트상의 전극을 합지공정을 통해 연결하도록 구성된다.
이때, 저융점 합금전극은 130℃~160℃ 사이의 녹는점을 가지는 저융점 합금을 사용함으로써, 낮은 온도의 합지공정에서도 상하부의 전극을 용이하게 연결할 수 있어 리본재를 충분히 대체할 수 있다.
즉, 기존 태양광 모듈 제작시에는 리본재솔더링 공정과 보호시트 열융착 공정과 같은 두 공정을 거쳐 모듈이 제작되지만, 본 발명에서는 태양전지 모듈가 솔더링 공정없이 열융착 공정 한번으로 태양전지를 직렬 연결 할 수 있고, 동시에 태양전지 표면에 전극을 형성할 수 있어 매우 효율적이다.
이하, 도면을 참고하여 구체적으로 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전극 일체형 태양전지 보호시트는 기재인 고분자시트(110)와, 상기 고분자시트(110)의 일면에 도포된 금속전극(120)과, 상기 금속전극(120)의 상면에 인쇄된 저융점 합금전극(130)을 포함하여 구성된다.
이때, 상기 고분자시트(110)는 EVA, TPO, 폴리올레핀계 수지, 폴리에스테르 계 수지, 폴리우레탄계 수지, 에틸렌계 공중합체 수지등을 사용할 수 있다.
특히, 상기 고분자시트(110)는 진공 라미네이션 공정의 용이성을 위해 전면이 엠보싱되어 있거나, 혹은 금속전극(120) 및 저융점 합금전극(130)이 형성된 부분을 제외한 다른 부분만 엠보싱처리될 수도 있으며, 엠보싱 되지 않은 고분자시트도 사용가능함은 물론이다.
뿐만 아니라, 상기 고분자시트(110)는 고열전도성 절연물질, 방열물질, 광변환물질로 구성된 군에서 1종 이상 선택된 물질을 포함하여 구성될 수 있으며, 그 중에서도 입사된 태양광을 시트 내면에서 반사시켜 태양광 흡수를 증가시키는 물질을 사용하면 더욱 좋다.
또한, 상기 금속전극(120)은 상대적으로 전도도가 높은 Cu, Ni, Cr, Ag, Al 등을 사용할 수 있다.
아울러, 상기 저융점 합금전극(130)은 저융점 합금이 포함된 잉크 또는 페이스트를 인쇄공정을 통해 상기 금속전극(120)의 상면에 패턴 형태로 형성하는 방법이 바람직하다.
이때, 저융점 합금이 포함된 잉크 또는 페이스트는저융점 합금 입자가 고분자 수지에 균일하게 분산된 형태를 가져야 한다.
뿐만 아니라, 상기 저융점 합금은 후술할 태양전지 보호시트의 열융착 공정에서 한번에 합지할 수 있도록 130~160℃ 범위의 낮은 온도의 녹는점을 가지는 것이 좋다.
이를 위한 바람직한 저융점 합금으로는 Sn, Bi, Pb, In, Cd 등의 1종 이상의 금속을 포함하는 것이 좋다.
또한, 상기 금속전극(120)과 저융점 합금전극(130)은 동일한 패턴 모양을 가지며, 금속전극(120)의 상면에 저융점 합금전극(130)이 겹처진 형태를 갖는다.
특히, 상기 금속전극(120)과 저융점 합금전극(130)의 패턴은 기존 공정의 버스바와 리본을 대체할 용도이므로 폭에는 제한이 없으나, 길이는 도 2에서와 같이, 태양전지 셀(140)의 길이보다 긴 것이 바람직하다.
다만, 입사광 면적과 전하 이동의 최적화를 고려하여 패턴 폭을 결정할 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 금속전극(120)과 저융점 합금전극(130)의 패턴 한 쪽 끝은 태양전지 셀(140)의 안쪽에, 다른 한 쪽 끝은 태양전지 셀(140)의 바깥쪽에 위치하도록 구성할 수 있으며, 상기 패턴은 합지될 태양전지 셀(140)의 개수만큼 반복적으로 형성할 수 있다.
다시 말해, 패턴의 일측 말단부가 상기 태양전지 셀(140)의 일측으로 돌출된 돌출부를 갖도록 구성할 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 패턴은 상기 태양전지 보호시트의 길이 방향으로 직진성을 가지는 것이 바람직하며, 후술할 태양전지 모듈 제조공정에서 상부 보호시트 상의 저융점 합금전극과 하부 보호시트 상의 저융점 전극간의 부착을 위해 일정간격이 떨어진것이 좋다.
덧붙여, 상기 금속전극(120)은 패턴 모양의 금속박을 고분자시트(110)의 표면에 합지 시키는 방식으로도 제조될 수 있다.
그리고, 도 2에서 미설명 부호 '141'은 종래 기술에서 언급한 태양전지 핑거전극이다.
이러한 태양전지 보호시트는 다음과 같이 제조될 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 태양전지 보호시트는 고분자시트(110)의 일측면에 상술한 금속전극(120)을 형성하는 단계, 상기 금속전극(120)의 상면에 상기 저융점 합금전극(130)을 형성하는 단계를 포함하여 제조된다.
이때, 상기 고분자시트(110), 금속전극(120), 저융점 합금전극(130)의 선택 및 이들의 형성과 관련된 부분은 상술한 바와 같다.
특히, 이중에서도 금속전극(120)은 앞서 설명하였지만, 금속이 포함된 잉크 또는 페이스트를 일정한 패턴으로 인쇄한 후 소결하여 하여 형성하는 방법 혹은 패턴모양의 금속박을 고분자시트(110) 상에 합지하는 방법을 통해 제조될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 태양전지 모듈은 도 3의 예시와 같이, 전극이 일체로 형성된 2장의 태양전지 보호시트를 합지하여 형성하되, 이들 사이에 태양전지 셀(140)이 개재되어 마치 샌드위치 구조를 갖도록 합지 구조체, 즉 태양전지 모듈을 구성할 수 있다.
다시 말해, 합지 구조는 태양전지 셀(140)을 중심으로 그 상면에는 태양전지 핑거전극(141)과 접하는 상측저융점 합금전극(130')이 배치되고, 상기 상측저융점 합금전극(130')은 상측 금속전극(120') 상에 형성되며, 상기 상측 금속전극(120')은 상측 고분자시트(110') 상에 일체로 형성되고; 상기 태양전지 셀(140)의 하면에는 태양전지 알루미늄전극(142)과 접하는 하측 저융점 합금전극(130")이 배치되고, 상기 하측 저융점 합금전극(130")은 하측 금속전극(120") 상에 형성되며, 상기 하측 금속전극(120")은 하측 고분자시트(110") 상에 일체로 형성된 형태를 갖는다.
이때, 도면 4를 참조하면, 어느 하나의 태양전지 셀(140) 상부의 보호시트 상의 저융점 합금전극과, 인접한 다른 태양전지 셀 하부의 보호시트 상의 저융점 합금전극이, 셀과 셀 사이에서 서로 융착되어 있으며, 동일한 태양전지 셀 상부와 하부의 보호시트 상의 저융점 합금전극은 서로 접촉되지 않는 구조를 지닌다.
특히, 상기 합지구조는태양전지 셀 상하부에 상기 전극 일체형 보호시트를 각각 위치한 후 진공상태에서 열과 압력을 가하는 진공 라미네이션 공정을 통해 열융착함이 바람직하며, 이때 열은 160℃ 이하의 낮은 온도를 사용하는 것이 특히 바람직하다.
즉, 저융점 합금전극은 진공 라미네이션 공정 이전의 보호시트 상태에서는 저융점 합금 입자가 고분자 수지에 균일하게 분산되어 패턴되어 있는 형태이나, 모듈제조시열융착 공정을 통해 전극 내부의 저융점 합금과 이를 둘러싸고 있는 고분자수지 막 형태로 변화하게 된다.
이는 진공 라미네이션 과정중의 열로 인해 저융점 합금이 용융되며, 표면장력의 차이로 인해 저융점 합금과 고분자 수지간의 상 분리가 일어나기 때문이다.
이렇게 형성된 저융점 합금전극은 태양전지 표면의 전극과 보호시트 상의 금속전극 사이의 전하가 이동할 수 있는 통로를 제공하여 효율적인 전하이동이 이뤄질 수 있게 한다.
또한, 태양전지 셀과 셀 사이에서, 상부의 저융점 합금과 하부의 저융점 합금이 융착되는 부분에 저융점 합금으로 된 돌출부를 갖는 경우 효율적으로 융착이 가능하다.
이 경우, 상기 돌출부는 패턴 간격의 말단부에 형성되어야 한다.
아울러, 원활한 전하 이동을 위해 태양전지 셀 하부 보호시트, 태양전지 셀 그리고 태양전지 셀 상부 보호시트 간의 위치를 직렬 연결 되도록 정렬(align)하는 것이 좋다.
110: 고분자시트 120: 금속전극
130: 저융점 합금전극 140: 태양전지셀
130: 저융점 합금전극 140: 태양전지셀
Claims (19)
- 기재인 고분자시트와,
상기 고분자시트의 일면에 일정한 패턴을 갖도록 형성된 금속전극과,
상기 금속전극의 상면에 형성된 저융점 합금전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트.
- 청구항 1에 있어서;
상기 패턴은 보호시트의 길이방향으로 직진성을 가지며, 패턴 중간이 일정간격을 두고 떨어져 형성된 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트.
- 청구항 1에 있어서;
상기 고분자시트는 금속전극 및 저융점 합금전극이 형성된 부분을 제외한 다른 부분이 엠보싱처리된 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트.
- 청구항 1에 있어서;
상기 고분자시트는 EVA, TPO, 폴리올레핀계 수지, 폴리에스테르 계 수지, 폴리우레탄계 수지, 에틸렌계 공중합체 수지 중 선택된 1종 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트.
- 청구항 1에 있어서;
상기 저융점 합금전극을 구성하는 저융점 합금은 130℃-160℃의 용융온도를 갖는 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트.
- 청구항 1에 있어서;
상기 저융점 합금전극을 구성하는 저융점 합금은 Sn, Bi, Pb, In, Cd 중에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트.
- 청구항 1에 있어서;
상기 개개의 패턴 말단부는 저융점 합금으로 된 돌출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트.
- 청구항 1에 있어서;
상기 금속전극은 금속이 포함된 잉크 또는 페이스트를 일정한 패턴으로 인쇄한 후 소결하여 제조된 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트.
- 청구항 1에 있어서;
상기 금속전극은 패턴 모양의 금속박을 고분자시트 상에 합지한 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트.
- 청구항 1에 있어서;
상기 금속전극은 Cu, Ni, Cr, Ag, Al 중에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트.
- 청구항 1에 있어서;
상기 고분자시트는 고열전도성 절연물질, 방열물질, 광변화물질 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트.
- 청구항 1에 있어서;
상기 고분자시트는 입사된 태양광을 시트 내면에서 반사시켜 태양광 흡수를 증가시키는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트.
- 고분자시트의 일측면에 금속전극을 형성하는 단계;
상기 금속전극의 상면에 저융점 합금전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 일체형 태양전지 보호시트 제조방법.
- 2장 이상이 나란히 배치된 태양전지셀과;
상기 태양전지셀의 상,하면에 각각 상기 청구항 1 내지 청구항 12중 어느 한 항에 기재된 태양전지 보호시트가 합지된 구조를 포함하고,
상기 태양전지 보호시트에 일체로 된 저융점 합금전극이 상기 태양전지셀 표면에 구비된 전극과 접촉하도록 합지된 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 청구항 14에 있어서;
상기 태양전지셀 중 어느 하나의 태양전지셀 상부의 보호시트 상의 저융점 합금전극과, 그에 패턴 길이 방향으로 인접한 다른 태양전지셀 하부의 보호시트 상의 저융점 합금전극이 셀과 셀 사이에서 서로 융착되고, 동일한 태양전지셀 상부와 하부의 보호시트 상의 저융점 합금전극은 서로 접촉되지 않는 구조인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 청구항 14에 있어서;
상기 셀과 셀 사이의 융착 부분은 저융점 합금전극 상에 형성된 저융점 합금 돌출부에 의해 연결된 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 청구항 14에 있어서;
상기 태양전지셀과 태양전지 보호시트의 합지는 130-160℃에서 열융착 방식으로 합지된 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 청구항 14에 있어서;
상기 저융점 합금전극은 상기 태양전지셀 상의 상면 또는 하면에 형성된 전극과 적어도 1번 이상 접촉되도록 패터닝된 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 청구항 15에 있어서;
상기 저융점 합금전극은 열융착시 저융점 합금 패턴과 그 외부를 둘러싼 고분자수지 막으로 구성된 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140151981A KR101633684B1 (ko) | 2014-11-04 | 2014-11-04 | 전극 일체형 태양전지 보호시트 및 이를 이용하여 제조된 태양전지 모듈 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160053390A true KR20160053390A (ko) | 2016-05-13 |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140151981A KR101633684B1 (ko) | 2014-11-04 | 2014-11-04 | 전극 일체형 태양전지 보호시트 및 이를 이용하여 제조된 태양전지 모듈 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR101633684B1 (ko) |
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