KR20160044599A - 투명 전도성 산화물 필름을 포함하는 스택으로 코팅된 기판의 제조 방법 - Google Patents

투명 전도성 산화물 필름을 포함하는 스택으로 코팅된 기판의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160044599A
KR20160044599A KR1020167009574A KR20167009574A KR20160044599A KR 20160044599 A KR20160044599 A KR 20160044599A KR 1020167009574 A KR1020167009574 A KR 1020167009574A KR 20167009574 A KR20167009574 A KR 20167009574A KR 20160044599 A KR20160044599 A KR 20160044599A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
thin
stack
metal
substrate
Prior art date
Application number
KR1020167009574A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101675252B1 (ko
Inventor
로렌초 카노바
드리스 라미네
니콜라 나도
세바스티앙 루아
니시타 와나쿨
Original Assignee
쌩-고벵 글래스 프랑스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쌩-고벵 글래스 프랑스 filed Critical 쌩-고벵 글래스 프랑스
Publication of KR20160044599A publication Critical patent/KR20160044599A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101675252B1 publication Critical patent/KR101675252B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3668—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3423—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings comprising a suboxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
    • C03C17/3435—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
    • C03C17/3441—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising carbon, a carbide or oxycarbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3626—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer one layer at least containing a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3649—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer made of metals other than silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3689—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer one oxide layer being obtained by oxidation of a metallic layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0635—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • C23C14/5813—Thermal treatment using lasers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/90—Other aspects of coatings
    • C03C2217/94—Transparent conductive oxide layers [TCO] being part of a multilayer coating
    • C03C2217/948—Layers comprising indium tin oxide [ITO]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
    • C03C2218/156—Deposition methods from the vapour phase by sputtering by magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 은 필름을 포함하지 않고 적어도 하나의 얇은 투명 전기 전도성 산화물 필름을 포함하는 얇은 필름 스택으로 유리 또는 유리 세라믹 필름의 표면 중 적어도 하나의 적어도 일부 상에 코팅된 유리 또는 유리 세라믹 필름을 포함하는 물질의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 - 상기 스택을 침착시키는 단계로서, 여기서 상기 얇은 투명 전기 전도성 산화물 필름 및 적어도 하나의 얇은 균질화 필름을 침착시키고, 상기 얇은 균질화 필름은 금속, 금속 탄화물, 또는 알루미늄 질화물 이외의 금속 질화물로 제조된 필름인 단계; 이어서, - 상기 스택을 방사선으로 처리하는 열 처리 단계를 포함한다.

Description

투명 전도성 산화물 필름을 포함하는 스택으로 코팅된 기판의 제조 방법 {METHOD FOR PRODUCING A SUBSTRATE COATED WITH A STACK INCLUDING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM}
본 발명은 유리 또는 유리 세라믹으로 제조된 기판 및 얇은 투명 전기 전도성 산화물 층을 적어도 하나 포함하는 코팅을 포함하는 물품의 제조에 관한 것이다.
글레이징 기판 상에 얇은 층의 형태로 침착되는 "TCO"라고 불리는 투명 전기 전도성 산화물은 복수의 응용을 갖는다: 투명 전기 전도성 산화물의 낮은 방출률은 투명 전기 전도성 산화물을 에너지-전달 감소 응용 (증진된 단열 성질을 갖는 글레이징 유닛, 응결 방지 글레이징 유닛 등)에서 유용하게 하고, 한편, 투명 전기 전도성 산화물의 낮은 전기 비저항은 투명 전기 전도성 산화물을 예를 들어 태양 전지, 활성 글레이징 유닛 또는 스크린에서 전극으로서 이용하는 것을 허용하거나, 또는 심지어 가열 층으로서 이용하는 것을 허용한다.
이 층은 종종 진공 기술에 의해, 특히, 마그네트론 음극 스퍼터링에 의해 침착되고, 종종, 뒤이은 열 처리가 그 층을 활성화하는 데, 즉, 그의 결정 성질을 개선함으로써 그의 전기 비저항을 감소시키는 데 필요한 것으로 증명된다.
출원 WO 2010/139908은 층 상에 집속되는 방사선, 특히 적외 또는 가시 레이저 방사선에 의해 층의 열 처리를 수행하는 방법을 서술한다. 그러한 처리는 기판을 상당히 가열하지 않으면서 TCO 층을 매우 급속하게 가열하는 것을 허용한다. 특히, TCO 층을 지니는 면의 반대쪽에 있는 기판의 면 상의 임의의 지점의 온도는 열 처리 동안 150℃ 미만, 특히 100℃ 미만으로 유지된다. 또한, 다른 유형의 방사선, 예컨대 플래시 램프에 의해 방출되는 방사선도 동일한 목적으로 이용가능하다.
본 발명의 목적은 광학적으로 더 균질한 코팅을 얻는 것을 허용하는 방법을 제공함으로써 이 기술을 개선하는 것이다.
구체적으로, 공지된 처리의 응용은 특히 높은 출력 밀도를 갖는 방사선, 예를 들어 레이저 방사선 또는 플래시 램프에 의해 방출되는 방사선으로 (코팅의 침착률과 양립할 수 있는) 높은 처리율로 처리되는 큰 기판의 경우에 광학적 균질성 문제를 야기하기 쉬운 것으로 판명된다.
큰 기판, 예컨대 글레이징 산업에서 이용되는 기판, 즉, 예를 들어 6 x 3.2 ㎡ 크기의 기판의 경우, TCO 층은 열 처리 전에는 완벽하게 균질하지 않다.
레이저 선의 경우에는, 출력 및 기하학적 구조 면에서, 특히 선 폭 면에서 완벽하게 균질한 긴 레이저 선을 얻는 것이 산업적 관점에서 매우 어렵다. 또한, 기판의 주행 속도가 변하기 쉽다.
플래시 램프의 경우에는, 전체 길이에 걸쳐 균질하게 광을 방출하는 큰 (예를 들어, 1 또는 2 m 이상의 길이의) 램프를 얻는 것이 어려울 수 있다. 게다가, 이 기술은 기판이 일련의 불연속 플래시에 노출되는 것을 요구하고, 따라서, 처리될 구역이 전부 처리되려면, 연속으로 조사되는 영역들이 부분적으로 겹쳐야 한다. 따라서, 상이한 영역들이 상이한 수의 플래시에 노출됨으로써 (예를 들어, 일부 영역은 2개의 플래시에 노출되고, 일부는 단 1개의 플래시에 노출됨), 기판의 평면이 공간적 불균질성을 함유한다.
이제, 본 발명자들은 TCO 층의 경우, 층의 흡수에서의 작은 불균질성 또는 예를 들어 (예를 들어, 레이저 또는 플래시 램프의) 방사선의 출력 면에서의 작은 처리 불균질성이 처리 후에 매우 가시적인 불균질성, 특히 반사에서의 색의 변화를 초래할 수 있다는 것을 입증하였다.
이 문제를 해결하기 위해, 본 발명의 한 주제는
유리 또는 유리 세라믹으로 제조된 기판의 면 중 적어도 한 면의 적어도 일부 상에 적어도 하나의 얇은 투명 전기 전도성 산화물 층을 포함하는 얇은 층들의 스택으로 코팅된 유리 또는 유리 세라믹으로 제조된 기판을 포함하는 물품을 얻는 방법이며, 상기 방법은
- 상기 스택을 침착시키는 단계로서, 이 단계에서 상기 얇은 투명 전기 전도성 산화물 층 및 적어도 하나의 얇은 균질화 층을 침착시키고, 상기 얇은 균질화 층은 금속 층 또는 알루미늄 질화물 이외의 금속 질화물을 기재로 하는 층, 또는 금속 탄화물을 기재로 하는 층인 단계; 이어서,
- 상기 스택을 방사선에 노출시키는 열 처리 단계
를 포함한다.
방사선은 특히 상기 코팅 상에 적어도 하나의 레이저 선 형태로 집속되는 레이저 방사선이다. 또한, 방사선은 적어도 하나의 플래시 램프에 의해 방출될 수 있다.
유리하게는, 열 처리는 그 처리 동안 얇은 투명 전기 전도성 산화물 층을 지니는 면의 반대쪽에 있는 기판의 면 상의 임의의 지점의 온도가 150℃, 특히 100℃ 및 심지어 50℃를 초과하지 않도록 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 대상은 본 발명에 따른 방법에 의해서 얻을 수 있는 물품이다.
본 발명자들은 스택에 금속 층 또는 (알루미늄 질화물 이외의) 금속 질화물 또는 금속 탄화물을 기재로 하는 층의 존재가 TCO 층의 불균질성 및 방사선원 (특히, 레이저 선)의 매개변수의 불균질성의 조합된 효과를 "해소"하는 것을 허용하고, 특히 광학적 관점에서 완벽하게 균질한 하나 이상의 TCO 층으로 코팅된 큰 기판을 얻는 것을 허용한다는 것을 입증하였다. 따라서, 본 명세서에서는 이 얇은 층을 "균질화 층"이라고 칭한다.
기판은 유리 또는 유리 세라믹으로 제조된다. 기판은 바람직하게는 투명하거나, 무색이거나 (그러면, 그것은 맑은 유리 또는 매우 맑은 유리의 문제이다), 또는 예를 들어 청색, 회색, 녹색 또는 청동색으로 틴팅된다. 유리는 바람직하게는 소다-석회-실리카 유리이지만, 또한, 특히 고온 응용 (오븐 문, 벽난로 삽입물, 내화성 글레이징 유닛)의 경우, 유리는 보로실리케이트 또는 알루미노-보로실리케이트 유리일 수 있다. 기판은 유리하게는 1 m 이상, 심지어 2 m 이상 및 심지어 3 m 이상의 치수를 적어도 하나 갖는다. 기판의 두께는 일반적으로 0.1 ㎜ 내지 19 ㎜, 바람직하게는 0.7 내지 9 ㎜, 특히 1 내지 6 ㎜, 심지어 2 내지 4 ㎜로 다양하다.
유리 기판은 바람직하게는 플로트 유리 기판, 즉, 용융 주석 조 ("플로트" 조) 상에 용융 유리를 붓는 것으로 이루어지는 방법에 의해 얻기 쉬운 기판이다. 이 경우, 처리될 코팅은 기판의 "주석측 면" 상에 또는 "분위기측 면" 상에 침착될 수 있다. "분위기측 면" 및 "주석측 면"이라는 표현은 각각 플로트 조 위의 분위기와 접촉하는 기판 면 및 용융 주석과 접촉하는 기판 면을 의미한다는 것을 이해한다. 주석측 면은 유리의 구조 내로 확산된 소량의 표재 주석을 함유한다. 또한, 유리 기판은 두 롤러 사이에서 압연함으로써 얻을 수 있고, 이 기술은 특히 특징을 유리 표면 내에 인쇄하는 것을 허용한다. 투명 전도성 산화물 (TCO)은 바람직하게는 인듐 주석 산화물 (ITO), 인듐 아연 산화물 (IZO), 안티모니- 또는 플루오린-도핑된 주석 산화물 (ATO 및 FTO), 알루미늄- 및/또는 갈륨- 및/또는 티타늄-도핑된 아연 산화물 (각각 AZO, GZO 또는 TZO), 니오븀- 및/또는 탄탈럼-도핑된 티타늄 산화물 및 아연 또는 카드뮴 스타네이트로부터 선택된다.
매우 바람직한 산화물은 "ITO"라고 빈번히 불리는 인듐 주석 산화물이다. Sn의 원자 백분율은 바람직하게는 5 내지 70%, 특히 6 내지 60% 및 유리하게는 8 내지 12%에 걸치는 범위에 포함된다. 다른 전도성 산화물, 예컨대 플루오린-도핑된 주석 산화물에 비해, ITO가 그의 높은 전기 전도성 때문에 바람직하며, 그 이유는 이것은 작은 두께로도 좋은 방출률 또는 비저항 수준을 얻을 수 있다는 것을 의미하기 때문이다. 이렇게 하여 얻은 물품은 목표 응용 대부분에서 유리한 높은 광 투과율을 갖는다. 게다가, ITO는 마그네트론 음극 스퍼터링에 의해 좋은 수율 및 높은 침착률로 쉽게 침착될 수 있다.
스택은 단일의 투명 전도성 산화물 층을 포함할 수 있다. 스택은 유리하게는 복수의, 특히 2개 또는 3개의 투명 전도성 산화물 층을 포함할 수 있다. 구체적으로, TCO의 주어진 총 두께에서, 단일의 더 두꺼운 층 대신에 복수의 TCO 층의 이용이 특히 높은 처리율의 경우에 처리의 균질성을 더 개선하는 것을 허용하는 것으로 판명된다. 스택이 복수의 TCO 층을 포함할 때, 바람직하게는 이 층들 모두에서 TCO는 동일하다. ITO의 경우, 이 실시양태는 큰 ITO 두께, 예를 들어 120 ㎚ 이상의 물리적 두께의 경우에 바람직한 것으로 입증되었다. 구체적으로, 두꺼운 층은 높은 처리율에서 균질하게 처리하기가 더 어렵고, 따라서 TCO 층을 적어도 하나의 유전 층에 의해 분리되는 복수의 더 얇은 개개의 층으로 나누는 것이 바람직하다. 얇은 투명 전기 전도성 산화물 층의 물리적 두께는 바람직하게는 30 ㎚ 이상 및 5000 ㎚ 이하, 특히 50 ㎚ 이상 및 2000 ㎚ 이하이다. 스택이 복수의 얇은 투명 전기 전도성 산화물 층을 함유할 때는, 이 수치들은 총 물리적 두께, 즉, 이 층들 각각의 물리적 두께의 합에 적용된다.
두께는 대부분의 경우 요망되는 시트 저항 또는 방출률에 의해 결정될 것이고, 이 두 양은 매우 밀접하게 상관있다. 게다가, TCO의 두께가 증가함에 따라 위에서 언급한 불균질성 문제가 점점 더 중요해지는 것으로 판명된다.
저방출률 또는 응결방지 글레이징 유닛의 경우, 목표 방출률은 일반적으로 0.15 내지 0.50일 것이다. "방출률"이라는 용어는 표준 EN 12898에서 정의된 283 K에서의 법선 방출률(normal emissivity)을 의미한다는 것을 이해한다.
전극으로서의 응용의 경우에는, 일반적으로 15 Ω 이하, 특히 10 Ω 이하의 시트 저항을 목표로 할 것이다.
ITO의 경우에는, 물리적 두께가 바람직하게는 30 ㎚ 이상, 특히 50 ㎚ 이상, 심지어 70 ㎚ 이상 및 심지어 100 ㎚ 이상이다. 그것은 일반적으로 800 ㎚ 이하, 특히 500 ㎚ 이하이다.
GZO 층 또는 AZO 층의 경우에는, 알루미늄 또는 갈륨의 원자 함량이 바람직하게는 1 내지 5%에 걸치는 범위에 포함된다. 물리적 두께는 바람직하게는 60 내지 1500 ㎚, 특히 100 내지 1000 ㎚에 걸치는 범위에 포함된다.
FTO의 경우에는, 물리적 두께가 바람직하게는 300 ㎚ 이상, 특히 500 ㎚ 이상 및 5000 ㎚ 이하, 특히 3000 ㎚ 이하이다.
여기서, 다시, 스택이 복수의 이 층들을 포함할 때는, 이 다양한 수치는 적용가능하다면 투명 전기 전도성 산화물의 총 물리적 두께에 적용된다.
또한, 본 발명자들은 TCO 층 (또는 각 TCO 층)의 산화 상태가 열 처리 후 층의 균질성에 영향을 미친다는 것을 관찰하였다. 이 점에서, 상대적으로 산화된 층을 침착시키고, 따라서 상대적으로 낮은 광 흡수율을 갖는 것이 바람직한 것으로 판명된다. 특히, ITO의 경우에 (하지만, 그 경우 뿐만은 아님), TCO 층의 물리적 두께에 대한 광 흡수율의 비가 열 처리 전에 0.1 내지 0.9 ㎛-1, 특히 0.2 내지 0.7 ㎛-1에 걸치는 범위에 포함되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 3%의 광 흡수율 및 100 ㎚ (= 0.1 ㎛)의 물리적 두께를 갖는 TCO 층의 경우, 이 비는 0.03/0.1 = 0.3 ㎛-1이다. TCO 층의 광 흡수율은 동일한 침착 조건 하에서 유리 상에 이 층만 침착시킴으로써 결정되고, 기판의 광 흡수율을 측정된 광 흡수율로부터 뺌으로써 계산된다. 후자는 그에 관한 한 표준 ISO 9050:2003에서 정의된 바와 같이 광 투과율 및 광 반사율을 값 1로부터 뺌으로써 계산된다. 꽤 높은 산화를 증명하는 이 상대적으로 낮은 흡수율은 음극 스퍼터링에 의한 ITO 층의 침착 동안에 플라즈마 기체 중의 산소 유량을 조정함으로써 얻을 수 있다. 스택이 복수의 TCO 층을 포함할 때는, TCO의 총 두께 (각 층의 두께의 합) 및 총 흡수율이 고려해야 하는 것이다.
스택은 바람직하게는 단일의 얇은 균질화 층, 특히 단일의 금속 층을 포함한다.
열 처리 동안, 얇은 균질화 층은 일반적으로 적어도 부분적으로 또는 심지어 완전히 산화될 것이다. 따라서, 금속, 금속 질화물 또는 금속 탄화물이 적어도 부분적으로 문제의 금속의 산화물이 될 것이다.
바람직하게는, 얇은 균질화 (특히, 금속) 층은 투명 전기 전도성 산화물 층 위에, 또는 적용가능하다면, 기판으로부터 가장 먼 투명 전기 전도성 산화물 층 위에 위치한다. 심지어 유리하게는, 얇은 균질화 층은 특히 그것의 산화를 용이하게 하기 위해 스택의 마지막 층이고, 따라서 분위기와 직접 접촉한다.
"위에"라는 표현은 얇은 균질화 (특히, 금속) 층이 투명 전기 전도성 산화물 층보다 기판으로부터 더 멀다는 것을 의미한다는 것을 이해한다. 그러나, 아래에서 더 상세히 설명하는 바와 같이 이 표현이 두 층 사이의 직접 접촉을 배제하는 것으로 이해하지 않아야 한다.
또 다른 실시양태에서, 얇은 균질화 (특히, 금속) 층은 투명 전기 전도성 산화물 층 아래에 (기판과 투명 전기 전도성 산화물 층 사이에, 임의로, 그러나, 투명 전기 전도성 산화물 층과 반드시 접촉할 필요는 없이) 위치하거나, 또는 적용가능하다면, 기판에 가장 가까운 투명 전도성 산화물 층 아래에 위치한다. 이 경우조차도, 얇은 균질화 (특히, 금속) 층은 일반적으로 적어도 부분적으로 산화될 것이고, 그 위에 놓인 층들을 통해 산소가 확산될 수 있다. 이 실시양태는 특히 물질이 전극인 것을 의도하는 경우에 특히 유리하고: TCO 층이 절연 층(산화된 금속 층의 케이스(case))으로 덮이지 않기 때문에, 전기 접촉이 더 쉽게 보존된다.
얇은 균질화 층은 바람직하게는 티타늄, 주석, 지르코늄, 아연, 알루미늄, 세륨 또는 그의 합금 중 임의의 것, 특히 주석 및 아연의 합금 또는 심지어 티타늄 및 지르코늄의 합금으로부터 선택되는 금속의 층으로부터 선택되는 금속 층이다.
금속은 바람직하게는 은, 구리, 또는 니켈 및 크롬의 합금은 아니다.
게다가, 스택은 바람직하게는 은 층을 포함하지 않는다.
이 금속들 중, 티타늄은 높은 열 처리율을 가능하게 하기 때문에 티타늄이 특히 유리한 것으로 입증되었다.
또 다른 실시양태에 따르면, 얇은 균질화 층은 금속 질화물을 기재로 하고, 특히, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 지르코늄 질화물 또는 그의 고용체 중 임의의 것, 특히 티타늄 지르코늄 질화물로부터 선택되는 금속 질화물을 기재로 한다.
또 다른 실시양태에 따르면, 얇은 균질화 층은 금속 탄화물을 기재로 하고, 특히 티타늄 탄화물, 텅스텐 탄화물 또는 그의 고용체 중 임의의 것으로부터 선택되는 금속 탄화물을 기재로 한다.
바람직하게는, 얇은 균질화 (특히, 금속) 층은 최종 생성물의 광 투과율을 불리하게 하지 않기 위해 열 처리 동안 적어도 부분적으로, 심지어 완전히, 산화된다. 따라서, 일반적으로, 최종 생성물은 적어도 부분적으로 산화된, 또는 심지어 완전히 산화된, 금속 또는 질화물 또는 탄화물, 예를 들어 TiOx, ZrOx, TiZrOx, ZnSnOx, TiOxNy, TiZrOxNy 등의 층을 함유할 것이다.
이 이유 때문에, 얇은 균질화 (특히, 금속) 층의 물리적 두께는 바람직하게는 15 ㎚ 이하 및 심지어 10 ㎚ 이하 또는 심지어 8 ㎚ 이하이다. 얇은 균질화 (특히, 금속 및 더 특히, 티타늄) 층의 물리적 두께는 바람직하게는 1 ㎚ 이상, 심지어 2 ㎚ 이상이다.
얇은 균질화 (특히, 금속) 층이 TCO 층 위에 (적용가능하다면, 기판으로부터 가장 먼 TCO 층 위에) 위치하고, 전극으로서의 응용을 목표로 할 때, 바람직하게는 얇은 균질화 (특히, 금속) 층이 꽤 얇고, 따라서 산화 후, 얻은 절연 층은 전기 접촉을 방해하지 않는다. 이 경우에 얇은 균질화 (특히, 금속) 층의 두께는 유리하게는 5 ㎚ 이하이다.
티타늄의 경우, 그의 적어도 부분 산화는 열 처리 후 티타늄 산화물을 생기게 한다. 자정(self-cleaning) 성질이 요망될 때, 티타늄 층이 TCO 층 위에 (또는 적용가능하다면, 기판으로부터 가장 먼 TCO 층 위에) 놓이고, 유리하게는 티타늄 층이 스택의 마지막 층을 형성하고, 얻은 티타늄 산화물은 바람직하게는 아나타제 형태로 적어도 부분적으로 결정화된다. 처리 후 티타늄 산화물의 두께가 만족스러운 광촉매 활성을 얻기에 충분하게 높기 위해서는 4 ㎚ 이상 및 8 ㎚ 또는 10 ㎚ 이하의 금속 티타늄의 두께가 바람직하다. 최종 생성물에 광촉매 성질이 추구되지 않으면, 2 ㎚ 이상 및 5 ㎚ 이하의 티타늄 두께로도 충분하다.
TCO 층 및 얇은 균질화 (특히, 금속) 층 각각에 바람직한 물질의 어떠한 조합도 가능하다는 것은 말할 필요 없지만, 간결성이라는 명백한 이유 때문에 여기에서는 그것들 전부를 명료하게 언급하지는 않는다. 비제한적 예로서, 특히, ITO/Zr, ITO/Ti, ITO/ZnSn, AZO/Zr, AZO/Ti, AZO/ZnSn, GZO/Zr, GZO/Ti, GZO/ZnSn, ITO/TiN, ITO/TiZrN 조합을 언급할 수 있다.
바람직하게는, 스택은 기판의 한 면의 표면 전체 또는 심지어 기판의 두 면 모두의 표면 전체를 덮는다. 위에서 나타낸 바와 같이, 스택은 단일 TCO 층을 포함할 수 있지만, 그것은 물론 TCO 층을 2개 이상, 예를 들어 3개 또는 4 개 포함할 수 있다. 이 경우에는, 일반적으로 단일의 얇은 균질화 (특히, 금속) 층이 요구될 것이고, 얇은 균질화 층은 기판으로부터 가장 먼 TCO 층 위에 위치한다.
스택은 (열 처리 전에는) TCO 층 및 얇은 균질화 (특히, 금속) 층으로 이루어질 수 있고, 특히 티타늄 층으로 덮인 ITO 층으로 이루어질 수 있다.
또한, 스택은 얇은 균질화 층 외의 다른 층도 포함할 수 있다. 스택은 특히 기판과 TCO 층 사이에 적어도 하나의 유전 층 및/또는 TCO 층과 얇은 균질화 층 사이에 적어도 하나의 유전 층을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 얇은 균질화 (특히, 금속) 층이 스택의 마지막 층이고, 따라서 열 처리 동안에 분위기와 접촉한다. 유전 층은 바람직하게는 알루미늄 또는 규소 질화물, 산화물 또는 산질화물, 특히 규소 질화물 또는 산질화물로 제조된다.
스택이 복수의 TCO 층을 포함할 때, 이 층들 중 둘 사이에 적어도 1개, 바람직하게는 단 1개의 유전 층, 특히 실리카를 기재로 하는 또는 (본질적으로) 실리카로 이루어진 유전 층이 있다. 이 유전 층의 물리적 두께는 바람직하게는 5 내지 100 ㎚, 특히 10 내지 80 ㎚ 및 심지어 20 내지 60 ㎚에 걸치는 범위에 포함된다.
스택은 바람직하게는 용매, 특히 수성 용매에 용해될 수 있는 층을 포함하지 않는다.
스택은 특히 기판과 TCO 층 (적용가능하다면, 기판에 가장 가까운 TCO 층) 사이에 적어도 하나의 중성화 층 또는 층들의 스택을 포함할 수 있다. 단일의 층의 경우, 그의 굴절률은 바람직하게는 기판의 굴절률과 TCO 층의 굴절률 사이에 포함된다. 그러한 층 또는 층들의 스택은 반사에서의 물품의 외관, 특히 반사에서의 그의 색에 영향을 미치는 것을 가능하게 한다. 음의 b* 색 좌표에 의해 특성화되는 푸르스름한 색이 일반적으로 바람직하다. 비제한적 예로서, 혼합된 규소 주석 산화물 (SiSnOx), 규소 산질화물 또는 산탄화물, 알루미늄 산화물 또는 혼합된 티타늄 규소 산화물의 층을 이용하는 것이 가능하다. 고굴절률 및 저굴절률을 각각 갖는 층 2개를 포함하는 층들의 스택, 예를 들어 TiOx/SiO(N)x, SiNx/SiOx 또는 ITO/SiOx 스택이 또한 이용될 수 있고, 고굴절률 층이 기판에 가장 가까운 층이다. 이 층 또는 이 층들의 물리적 두께는 바람직하게는 2 내지 100 ㎚, 특히 5 내지 50 ㎚에 걸치는 범위에 포함된다. 바람직한 중성화 층 또는 스택은 규소 산질화물로 제조된 중성화 층 또는 SiNx/SiOx 스택이다.
중성화 층 또는 스택은 바람직하게는 TCO 층 (적용가능하다면, 기판에 가장 가까운 TCO 층)과 직접 접촉한다. TCO 층과 기판 사이에 위치할 때, 중성화 층 또는 스택은 또한 이온, 예컨대 알칼리 금속 이온의 가능한 이동을 차단하는 역할을 할 수 있다.
기판과 중성화 층 또는 스택 사이에 접착 층을 놓는 것이 가능하다. 이 층은 유리하게는 유리 기판의 굴절률과 유사한 굴절률을 가지고, 중성화 층의 접착을 촉진함으로써 템퍼링 저항성을 개선하는 것을 허용한다. 접착 층은 바람직하게는 규소 또는 규소 질화물로 제조된다. 그의 물리적 두께는 바람직하게는 20 내지 200 ㎚, 특히 30 내지 150 ㎚에 걸치는 범위에 포함된다.
또한, 스택은 TCO 층 (적용가능하다면, 기판으로부터 가장 먼 TCO 층)과 얇은 균질화 층 사이에 산소 배리어 층, 바람직하게는 질화물 또는 산질화물, 특히 규소 또는 알루미늄의 질화물 또는 산질화물, 또는 티타늄, 지르코늄, 아연의 산화물 및 혼합 아연 주석 산화물로부터 선택되는 물질을 기재로 하는 (또는 본질적으로 그러한 물질로 이루어지는) 산소 배리어 층을 포함할 수 있다. 가능한 물질은 구체적으로 규소 질화물, 알루미늄 질화물, 규소 산질화물, 알루미늄 산질화물, 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 아연 산화물, 아연 주석 산화물 또는 그의 혼합물 중 임의의 것이다. 매우 바람직하게는, 산소 배리어 층은 규소 질화물을 기재로 하거나, 또는 본질적으로 규소 질화물로 이루어진다. 사실, 규소 질화물이 산소에 대해 매우 효과적인 배리어를 형성하고, 마그네트론 음극 스퍼터링에 의해 급속하게 침착될 수 있다. "규소 질화물"이라는 용어는 규소 및 및 질소 외의 다른 원자의 존재를 배제하지 않거나 또는 층의 실제 화학양론을 제한하지 않는다. 사실, 규소 질화물은 바람직하게는 전기 전도성을 증가시키고 이렇게 해서 마그네트론 음극 스퍼터링에 의한 침착을 용이하게 하기 위한 목적으로 이용된 규소 표적에 도핑제에 의해 첨가되는 소량의 하나 이상의 원자, 특히 알루미늄 또는 붕소를 포함한다. 규소 질화물은 화학양론적 양의 질소, 화학양론적 양 미만의 질소, 또는 심지어 화학양론적 양 초과의 질소를 가질 수 있다. 산소 배리어 층이 산소에 대한 배리어 역할을 하기 위해서는, 산소 배리어 층은 (특히, 그것이 규소 질화물을 기재로 하거나 또는 본질적으로 규소 질화물로 이루어질 때) 바람직하게는 3 ㎚ 이상, 특히 4 ㎚ 이상 또는 5 ㎚ 이상의 물리적 두께를 갖는다. 그의 물리적 두께는 유리하게는 50 ㎚ 이하, 특히 40 또는 30 ㎚ 이하이다.
산소 배리어 층이 TCO 층과 얇은 균질화 층 사이에 침착되는 유일한 층일 수 있다.
별법으로, 또 다른 층이 산소 배리어 층과 얇은 균질화 (특히, 금속) 층 사이에 침착될 수 있다. 그것은 스택으로부터 반사되는 광의 양을 감소시키기 위해 특히 규소 산화물 기재 층 및 유리하게는 실리카 층일 수 있다. 실리카가 도핑될 수 있거나 또는 화학양론에 따르지 않을 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예로서, 실리카는 음극 스퍼터링 방법에 의한 그의 침착을 용이하게 하기 위한 목적으로 알루미늄 또는 붕소 원자로 도핑될 수 있다. 이 규소 산화물 기재 층의 물리적 두께는 바람직하게는 20 내지 100 ㎚, 특히 30 ㎚ 내지 90 ㎚ 및 심지어 40 내지 80 ㎚에 걸치는 범위에 포함된다.
물론, 위에서 서술한 다양한 바람직한 실시양태들은 서로 조합될 수 있지만, 본 명세서를 불필요하게 장황하게 하지 않기 위해서 본 명세서에서는 가능한 조합 전부를 명료하게 서술하지는 않는다. 열 처리 전, 얇은 층들의 스택은 기판에서부터 시작해서 연속으로 TCO 층, 산소 배리어 층 및 균질화 층으로 이루어질 수 있다. 또한, 얇은 층들의 스택은 기판에서부터 시작해서 연속으로 고굴절률 층 다음에 저굴절률 층으로 이루어진 중성화 스택, TCO 층, 산소 배리어 층 및 균질화 층으로 이루어질 수 있다. 심지어, 얇은 층들의 스택은 기판에서부터 시작해서 연속으로 고굴절률 층 다음에 저굴절률 층으로 이루어진 중성화 스택, TCO 층, 산소 배리어 층, 규소 산화물 기재 층 및 얇은 균질화 층으로 이루어질 수 있다. 바람직하게는, TCO 또는 각 TCO는 ITO 층이고, 얇은 균질화 층은 티타늄 또는 지르코늄의 층이다.
열 처리 전의 스택의 몇 개의 예가 아래에 주어진다.
유리 / SiNx / SiOx / ITO / SiNx / SiOx / Ti
유리 / SiN / TiOx / SiOxNy / ITO / SiNx / Zr
유리 / Si(O)Nx / ITO / Si(O)Nx / Ti
유리 / SiNx / SiOx / ITO / SiOx / ITO / SiNx / SiOx / Ti
이 유형의 스택 및 일반적으로 위에서 서술된 유형의 스택은 다양한 응용을 가질 수 있다. 글레이징 유닛의 면 1 (주택의 외부 쪽으로 향한 면) 상에 침착될 때, 그것은 응결 감소 기능을 제공한다. 단일 글레이징 유닛의 면 2 상에, 이중 글레이징 유닛 또는 적층 글레이징 유닛의 면 4 상에, 또는 심지어 삼중 글레이징 유닛의 면 6 상에 침착될 때, 그것은 그의 낮은 방출률에 의해 그것이 설비된 건물, 자동차 또는 심지어 가정용 오븐 또는 냉장고의 단열을 개선한다.
물품이 전극인 것을 의도할 때, 스택은 오로지 TCO 층 및 균질화 층만을 포함하고, 바람직하게는 균질화 층이 TCO 층 아래에 있다.
열 처리가 바람직하게는 특히 결정의 크기 및/또는 결정 상의 양을 증가시킴으로써 TCO 층의 결정화를 개선하는 것을 의도한다.
바람직하게는, 열 처리 단계는 심지어 코팅의 부분 용융도 포함하지 않는다. 열 처리가 코팅의 결정화를 개선하는 것을 의도하는 경우, 열 처리는 코팅이 계속 고체 상태로 있는 동안에 코팅에 이미 존재하는 종자결정 둘레에서 결정 성장의 물리-화학적 메카니즘에 의해 코팅의 결정화를 촉진하기 위해 충분한 양의 에너지를 전송하는 것을 허용한다. 이 처리는 용융된 물질의 냉각을 포함하는 결정화 메카니즘을 실시하지 않으며, 그 이유는 한편으로는 그것이 극도로 높은 온도를 요구할 것이기 때문이고, 다른 한편으로는 그것이 코팅의 두께 또는 굴절률, 및 따라서 그의 성질을 변경하기 쉬울 것이고, 예를 들어 그의 광학적 외관을 변하게 할 것이기 때문이다.
한 바람직한 실시양태에 따르면, 방사선은 적어도 하나의 플래시 램프에 의해 방출된다.
그러한 램프는 일반적으로 밀폐되고 영족 기체로 충전되고 말단에 전극이 설치된 유리 또는 석영 관 형태를 취한다. 커패시터를 방전함으로써 얻는 짧은 전기 펄스의 효과 하에서, 기체가 이온화되어 비간섭성 광의 특히 강렬한 폭발을 일으킨다. 방출 스펙트럼은 일반적으로 적어도 2개의 방출 선을 포함하고; 그것은 바람직하게는 근자외선에서 최대 방출을 갖는 연속 스펙트럼이다.
램프는 바람직하게는 크세논 램프이다. 또한, 램프는 아르곤 램프, 헬륨 램프 또는 크립톤 램프일 수 있다. 방출 스펙트럼은 바람직하게는 복수의 선, 특히 160 내지 1000 ㎚의 범위의 파장의 복수의 선을 포함한다.
플래시의 길이는 바람직하게는 0.05 내지 20 밀리초, 특히 0.1 내지 5 밀리초에 걸치는 범위에 포함된다. 반복률은 바람직하게는 0.1 내지 5 Hz, 특히 0.2 내지 2 Hz에 걸치는 범위에 포함된다.
더 큰 영역을 동시에 처리하기 위해서는, 방사선이 나란히 놓인 복수의 램프, 예를 들어 5 내지 20 개의 램프, 또는 심지어 8 내지 15 개의 램프에 의해 방출될 수 있다. 이 경우, 모든 램프가 동시에 플래시를 방출할 수 있다.
램프 또는 각 램프는 바람직하게는 기판의 가장 긴 변을 가로질러서 놓인다. 램프 또는 각 램프는 바람직하게는 큰 기판을 처리하는 것을 허용하기 위해 1 m 이상의 길이, 특히 2 m 이상 및 심지어 3 m 이상의 길이를 갖는다.
커패시터는 대표적으로 500 V 내지 500 kV의 전압으로 충전된다. 전류 밀도는 바람직하게는 4000 A/㎠ 이상이다. 코팅의 면적으로 나눈 플래시 램프에 의해 방출된 총 에너지 밀도는 바람직하게는 1 내지 100 J/㎠, 특히 1 내지 30 J/㎠ 및 심지어 5 내지 20 J/㎠에 포함된다.
또 다른 바람직한 실시양태에 따르면, 방사선은 상기 코팅 상에 적어도 하나의 레이저 선 형태로 집속되는 레이저 방사선이다.
레이저 방사선은 바람직하게는 하나 이상의 레이저원 및 형상화 및 방향전환 광학체를 포함하는 모듈에 의해 발생된다.
레이저원은 대표적으로 레이저 다이오드 또는 섬유 전송 레이저, 특히 섬유 레이저, 다이오드 레이저 또는 심지어 디스크 레이저이다. 레이저 다이오드는 전기 공급장치 출력에 비해 높은 출력 밀도를 경제적으로 및 작은 차지공간으로 달성하는 것을 허용한다. 섬유 전송 레이저의 차지공간은 훨씬 더 작고, 얻은 단위 길이 당 출력은 훨씬 더 높을 수 있고, 더 높은 비용을 희생한다. "섬유 전송 레이저"라는 표현은 레이저 광이 발생되는 장소가 레이저 광이 전송되는 장소로부터 공간적으로 떨어져 있고 레이저 광이 적어도 하나의 광학 섬유에 의해 전송되는 레이저를 의미한다. 디스크 레이저의 경우에는, 레이저 광이 디스크, 예를 들어 Yb:YAG로 제조된 얇은 (약 0.1 ㎜ 두께) 디스크 형태를 취하는 방출 매체가 발견되는 공진 캐비티에서 생성된다. 이렇게 해서 생성된 광은 처리 장소 쪽으로 향하는 적어도 하나의 광학 섬유에 커플링된다. 섬유 또는 디스크 레이저는 바람직하게는 레이저 다이오드를 이용해서 광학적으로 펌핑된다.
레이저원은 바람직하게는 방사선을 연속으로 방출한다.
레이저 방사선의 파장은 바람직하게는 500 내지 2000 ㎚, 특히 700 내지 1100 ㎚ 및 심지어 800 내지 1000 ㎚에 걸치는 범위에 포함된다. 808 ㎚, 880 ㎚, 915 ㎚, 940 ㎚ 또는 980 ㎚로부터 선택되는 하나 이상의 파장으로 방출하는 출력 레이저 다이오드가 특히 적당한 것으로 입증되었다. 디스크 레이저의 경우에는, 파장이 예를 들어 1030 ㎚ (Yb:YAG 레이저의 방출 파장)이다. 섬유 레이저의 경우에는, 파장이 대표적으로 1070 ㎚이다.
섬유에 의해 전송되지 않는 레이저의 경우에는, 형상화 및 방향전환 광학체가 바람직하게는 렌즈 및 거울을 포함하고, 위치설정 수단, 균질화 수단 및 방사선 집속 수단으로 이용된다.
위치설정 수단의 목적은 필요한 경우, 레이저원에 의해 방출되는 방사선을 하나의 선으로 배열하는 것이다. 상기 수단은 바람직하게는 거울을 포함한다. 균질화 수단의 목적은 선을 따라서 내내 단위 길이 당 균질한 출력을 얻기 위해서 레이저원의 공간 프로파일들을 중첩시키는 것이다. 균질화 수단은 바람직하게는 입사 빔이 이차 빔으로 분리되고 상기 이차 빔이 균질한 선으로 재조합되는 것을 허용하는 렌즈를 포함한다. 방사선 집속 수단은 처리될 코팅 상에 방사선이 요망되는 길이 및 폭의 선 형태로 집속되는 것을 허용한다. 집속 수단은 바람직하게는 집속 거울 또는 수렴 렌즈를 포함한다.
섬유 전송 레이저의 경우에는, 바람직하게는 형상화 광학체가 광학 섬유 또는 각 광학 섬유의 출구에 위치하는 광학 헤드 형태로 조립된다.
상기 광학 헤드의 형상화 광학체는 바람직하게는 렌즈, 거울 및 프리즘을 포함하고, 전환 수단, 균질화 수단 및 방사선 집속 수단으로 이용된다.
전환 수단은 거울 및/또는 프리즘을 포함하고, 광학 섬유로부터의 산출물인 원형 빔을 비원형 이방성 선-형상 빔으로 전환하는 역할을 한다. 이것을 하기 위해, 전환 수단은 빔의 축 중 하나 (빠른 축, 또는 레이저 선의 폭 l의 축)을 따라서 빔의 질을 증가시키고, 다른 하나 (느린 축, 또는 레이저 선의 길이 L의 축)을 따라서 빔의 질을 감소시킨다.
균질화 수단은 선을 따라서 내내 단위 길이 당 균질한 출력을 얻기 위해서 레이저원의 공간 프로파일들을 중첩시킨다. 균질화 수단은 바람직하게는 입사 빔이 이차 빔으로 분리되고 상기 이차 빔이 균질한 선으로 재조합되는 것을 허용하는 렌즈를 포함한다.
마지막으로, 방사선 집속 수단은 작업 평면 상에, 즉, 처리될 코팅의 평면 상에 방사선이 요망되는 길이 및 폭의 선 형태로 집속되는 것을 허용한다. 집속 수단은 바람직하게는 집속 거울 또는 수렴 렌즈를 포함한다.
단일의 레이저 선이 이용될 때, 유리하게는 선의 길이가 기판의 폭과 같다. 이 길이는 대표적으로 1 m 이상, 특히 2 m 이상 및 심지어 3 m 이상이다. 또한, 복수의 임의로 분리된 선이 이용될 수 있고, 단, 이 선들은 기판의 전체 폭을 처리하도록 배열된다. 이 경우, 각 레이저 선의 길이는 바람직하게는 10 ㎝ 또는 20 ㎝ 이상이고, 특히 30 내지 100 ㎝, 특히 30 내지 75 ㎝ 및 심지어 30 내지 60 ㎝에 걸치는 범위에 포함된다.
선의 "길이"는 코팅의 표면 상에서 제1 방향에서 측정되는 가장 큰 치수이고, 선의 "폭"은 제2 방향에서의 그의 치수임을 이해한다. 레이저 분야에서 통상적인 바와 같이, 선의 폭 w는 빔의 축 (방사선의 세기가 최대임)과 방사선의 세기가 최대 세기의 1/e2 배인 지점 사이의 (이 제2 방향에서의) 거리에 상응한다. 레이저 선의 종축을 x로 표시하는 경우, 이 축을 따라서 w(x)로 표시되는 폭 분포가 정의될 수 있다.
레이저 선 또는 각 레이저 선의 평균 폭은 바람직하게는 35 ㎛ 이상이고, 특히 40 내지 100 ㎛ 또는 40 내지 70 ㎛에 걸치는 범위에 포함된다. 본 명세서 전체에 걸쳐서, "평균"이라는 용어는 산술 평균을 의미하는 것임을 이해한다. 선의 전체 길이에 걸쳐서 임의의 처리 불균질성을 가능한 한 많이 제한하기 위해 폭 분포는 좁다. 따라서, 최대 폭과 최소 폭 사이의 차는 바람직하게는 평균 폭의 값의 10% 이하이다. 이 값은 바람직하게는 5% 이하 및 심지어 3% 이하이다.
형상화 및 방향전환 광학체, 특히 위치설정 수단은 수동으로 조정될 수 있거나 또는 그것이 얼마나 멀리 있는지를 조정하는 것을 허용하는 작동기를 이용해서 조정될 수 있다. 이 작동기 (대표적으로 모터 또는 압전 작동기)는 수동으로 조절될 수 있고/있거나 자동으로 조정될 수 있다. 자동으로 조정되는 경우에는, 작동기가 바람직하게는 검출기 및 피드백 루프에 연결될 것이다.
바람직하게는, 레이저 모듈 중 적어도 일부 및 심지어, 레이저 모듈 전부가 밀폐된 인클로저(enclosure) 안에 놓이고, 유리하게는 이 인클로저는 레이저 모듈의 열 안정성을 보장하기 위해 냉각되고, 특히 팬 냉각된다.
레이저 모듈은 바람직하게는 대표적으로 알루미늄으로 제조되는 금속 원소를 기재로 하는 "브릿지"(bridge)라고 불리는 강직성 구조 상에 장착된다. 이 구조는 바람직하게는 대리석 시트를 포함하지 않는다. 브릿지는 바람직하게는 레이저 선 또는 각 레이저 선의 초점 평면이 처리될 기판의 표면에 계속 평행하도록 운반 수단에 평행하게 위치한다. 바람직하게는, 브릿지는 적어도 4개의 발을 포함하고, 실정이 어떠하든, 브릿지 및 운반 수단이 서로 평행한 것을 보장하도록 발의 높이가 개별적으로 조정될 수 있다. 조정은 각 발에 위치하는 모터에 의해서 수동으로 또는 거리 센서에 의해 자동으로 달성될 수 있다. 처리될 기판의 두께를 고려하고 따라서 기판의 평면이 레이저 선 또는 각 레이저 선의 초점 평면과 일치하는 것을 보장하기 위해 브릿지의 높이를 (수동으로 또는 자동으로) 변경할 수 있다.
레이저 선의 단위 길이 당 출력은 바람직하게는 300 W/㎝ 이상, 유리하게는 350 또는 400 W/㎝ 이상, 특히 450 W/㎝ 이상, 심지어 500 W/㎝ 이상 및 심지어 550 W/㎝ 이상이다. 심지어 유리하게는 그것은 600 W/㎝ 이상, 특히 800 W/㎝ 이상 및 심지어 1000 W/㎝ 이상이다. 단위 길이 당 출력은 코팅 상의 레이저 선 또는 각 레이저 선의 초점 평면에서 측정된다. 단위 길이 당 출력은 레이저 선 상에 출력 검출기, 예를 들어 열량측정형 출력계, 특히, 예컨대 코히런트 인크.(Coherent Inc.)에서 판매하는 빔 파인더(Beam Finder) (S/N 2000716) 출력계를 놓음으로써 측정할 수 있다. 유리하게는, 출력은 선 또는 각 선의 전체 길이에 걸쳐 균질하게 분포된다. 바람직하게는, 최고 출력과 최저 출력 사이의 차는 평균 출력의 10% 미만이다.
코팅에 전송되는 에너지 밀도는 바람직하게는 20 J/㎠ 이상 및 심지어 30 J/㎠ 이상이다.
높은 에너지 밀도 및 출력은 기판을 상당히 가열하지 않으면서 코팅을 매우 급속하게 가열하는 것을 허용한다.
열 처리 동안 코팅의 각 지점이 경험하는 최대 온도는 바람직하게는 300℃ 이상, 특히 350℃ 이상, 심지어 400℃ 이상, 및 심지어 500℃ 또는 600℃ 이상이다. 보통, 최대 온도는 문제의 코팅의 지점이 방사 기구 아래, 예를 들어 레이저 선 아래 또는 플래시 램프 아래를 통과하는 순간에 경험한다. 주어진 한 순간에, 보통은 방사 기구 아래에 (예를 들어 레이저 선 아래에) 및 방사 기구의 바로 근접한 곳에 (예를 들어 1 ㎜ 미만의 거리에) 위치하는 코팅의 표면의 지점들만 300℃ 이상의 온도이다. 레이저 선의 하류를 포함해서 2 ㎜ 초과, 특히 5 ㎜ 초과의 (주행 방향에서 측정되는) 레이저 선까지의 거리에서, 코팅의 온도는 보통 50℃ 이하 및 심지어 40℃ 또는 30℃ 이하이다.
코팅의 각 지점은 0.05 내지 10 ms, 특히 0.1 내지 5 ms 또는 0.1 내지 2 ms에 걸치는 범위에 포함되는 시간 길이 동안 열 처리를 겪는다 (또는 최대 온도까지 상승한다). 레이저 선에 의한 처리의 경우, 이 시간 길이는 레이저 선의 폭에 의해서 뿐만 아니라 기판과 레이저 선 사이의 상대 이동 속도 둘 다에 의해 설정된다. 플래시 램프에 의한 처리의 경우, 이 시간 길이는 플래시의 길이에 상응한다.
레이저 방사선은 일부는 처리될 코팅에 의해 반사되고 일부는 기판을 통해 투과된다. 안전 이유 때문에, 이 반사된 및/또는 투과된 방사선의 경로에 방사선을 중단시키는 수단을 놓는 것이 바람직하다. 방사선을 중단시키는 수단은 대표적으로 유체, 특히 물 흐름에 의해 냉각되는 금속 자켓이다. 반사된 방사선이 레이저 모듈을 손상시키는 것을 방지하기 위해, 바람직하게는 레이저 선 또는 각 레이저 선의 전파 축이 바람직하게는 기판의 법선과 0°가 아닌 각도, 대표적으로 5 내지 20°에 포함되는 각도를 만든다.
처리의 효율을 증가시키기 위해, 기판을 통해 투과된 및/또는 코팅에 의해 반사된 (주) 레이저 선의 적어도 일부가 적어도 하나의 이차 레이저 광선(ray)을 생성하기 위해 상기 기판 쪽으로 방향전환되는 것이 바람직하고, 상기 이차 광선은 바람직하게는 주 레이저 광선과 동일한 장소에서 기판과 충돌하고, 유리하게는 동일한 초점 깊이 및 동일한 프로파일을 갖는다. 유리하게는, 이차 레이저 광선 또는 각 이차 레이저 광선은 거울, 프리즘 및 렌즈로부터 선택되는 광학 요소만 포함하는 광학 어셈블리, 특히, 2개의 거울 및 렌즈, 또는 프리즘 및 렌즈로 이루어진 광학 어셈블리를 이용해서 생성된다. 소실된 주 방사선의 적어도 일부를 회복하고 그것을 기판 쪽으로 향하게 하는 것은 열 처리를 상당히 개선한다. 기판을 통해 투과되는 주 광선의 부분을 이용할지 ("투과" 모드), 코팅에 의해 반사되는 주 광선의 부분을 이용할지 ("반사" 모드) 또는 임의로, 둘 모두를 이용할지의 선택은 층의 본성 및 레이저 방사선의 파장에 의존한다.
기판이 특히 병진운동으로 이동할 때는, 기판을 임의의 기계적 운반 수단을 이용해서, 예를 들어 병진운동 이동을 제공하는 벨트, 롤러 또는 트레이를 이용해서 이동하게 할 수 있다. 운반 수단은 이동 속도를 조절하고 조정하는 것을 허용한다. 운반 수단은 바람직하게는 강직성 샤시 및 복수의 롤러를 포함한다. 롤러의 피치는 유리하게는 50 내지 300 ㎜에 걸치는 범위에 포함된다. 바람직하게는 롤러는 플라스틱 덮개로 덮인 금속 링, 대표적으로 스틸로 제조된 금속 링을 포함한다. 바람직하게는 롤러는 대표적으로 엔드 베어링 당 3개의 롤러로 저-플레이 엔드 베어링(low-play end bearing) 상에 탑재된다. 운반 평면이 완벽한 평면인 것을 보장하기 위해, 각 롤러의 위치는 유리하게 조정가능하다. 롤러는 바람직하게는 적어도 하나의 모터에 의해 구동되는 피니언 또는 체인, 바람직하게는 접선방향 체인을 이용해서 움직인다.
기판과 방사선원 또는 각 방사선원 (특히, 레이저 선 또는 각 레이저 선) 사이의 상대 이동 속도는 유리하게는 2 m/분 이상 또는 4 m/분 이상, 특히 5 m/분 이상 및 심지어 6 m/분 이상 또는 7 m/분 이상, 또는 심지어 8 m/분 이상 및 심지어 9 m/분 이상 또는 10 m/분 이상이다. 일부 실시양태에 따르면, 특히, 코팅에 의한 방사의 흡수가 높을 때 또는 코팅이 높은 침착률로 침착될 때, 기판과 방사선원 (특히, 레이저 선 또는 각 레이저 선 또는 플래시 램프) 사이의 상대 이동 속도는 12 m/분 이상 또는 15 m/분 이상, 특히 20 m/분 이상 및 심지어 25 또는 30 m/분 이상이다. 처리가 가능한 한 균질한 것을 보장하기 위해, 기판과 방사선원 또는 각 방사선원 (특히, 레이저 선 또는 각 레이저 선 또는 플래시 램프) 사이의 상대 이동 속도는 처리 동안에 그의 공칭 값에 대해 10 rel% 이하, 특히 2 rel% 이하 및 심지어 1 rel% 이하 변한다.
바람직하게는, 방사선원 또는 각 방사선원 (특히, 레이저 선 또는 플래시 램프)은 정지하고 기판은 움직이며, 이렇게 해서 상대 이동 속도는 기판의 주행 속도에 상응한다.
열 처리 기구는 층 침착 라인, 예를 들어 마그네트론 음극 스퍼터링 (마그네트론 방법) 침착 라인, 또는 화학 증착 (CVD) 침착 라인, 특히 진공 플라즈마-증진된 화학 증착 (PECVD) 또는 대기압 플라즈마-증진된 화학 증착 (APPECVD) 침착 라인에 통합될 수 있다. 이 라인은 일반적으로 기판 취급 기구, 침착 공구, 광학 검사 기구 및 스택으로 쌓는 기구를 포함한다. 기판은 예를 들어 운반 롤러 상에서 각 기구 또는 각 공구 앞으로 연속으로 주행한다.
열 처리 기구는 바람직하게는 코팅 침착 공구 바로 다음에, 예를 들어 침착 공구의 출구에 위치한다. 따라서, 코팅된 기판은 코팅이 침착된 후 인 라인(in line)으로 침착 공구의 출구에서 및 광학 검사 기구 이전에, 또는 광학 검사 기구 이후에 및 기판을 스택으로 쌓는 기구 이전에 처리될 수 있다.
또한, 열 처리 기구는 침착 공구에 통합될 수 있다. 예를 들어, 레이저 또는 플래시 램프는 음극 스퍼터링 침착 공구의 챔버들 중 하나에, 특히 희박화된, 특히 10 -6 mbar 내지 10-2 mbar에 포함되는 압력으로 희박화된 분위기를 갖는 챔버에 설치될 수 있다. 또한, 열 처리 기구는 침착 공구 외부에, 하지만 상기 공구 내부에 위치하는 기판을 처리하도록 놓일 수 있다. 이것을 하는 데 요구되는 모든 것은 이용되는 방사선의 파장에 투명한 포트호울을 제공하는 것이고, 이 포트호울을 통해 방사선이 투과되어 층을 처리할 것이다. 따라서, 한 층 (예를 들어, 은 층)을 동일 공구에서 또 다른 층의 뒤이은 침착 전에 처리하는 것이 가능하다.
열 처리 기구가 침착 공구 외부에 위치하는지 또는 침착 공구에 통합되는지에 관계없이, 이 "인 라인" 방법이 침착 단계와 열 처리 사이에서 유리 기판을 스택으로 쌓는 것을 요구하는 리워크(rework) 방법보다 바람직하다.
그러나, 본 발명에 따른 열 처리가 침착이 수행되는 부위와 상이한 부위, 예를 들어 유리가 변환되는 부위에서 수행되는 경우에는, 리워크 방법이 유리할 수 있다. 따라서, 열 처리 기구는 층 침착 라인과 다른 라인에 통합될 수 있다. 열 처리 기구는 예를 들어 다중 글레이징 유닛 (특히, 이중 또는 삼중 글레이징 유닛) 제조 라인, 적층 글레이징 유닛 제조 라인, 또는 심지어 굴곡된 및/또는 템퍼링된 글레이징 유닛 제조 라인에 통합될 수 있다. 적층 또는 굴곡된 또는 템퍼링된 글레이징 유닛은 건축 또는 자동차 응용에 이용될 수 있다. 어느 경우이든, 본 발명에 따른 열 처리는 바람직하게는 적층 또는 다중 글레이징 유닛이 조립되기 전에 수행된다. 그러나, 열 처리는 이중 글레이징 유닛 또는 적층 글레이징 유닛이 조립된 후에 수행될 수 있다.
열 처리 기구는 바람직하게는 방사선과의 어떠한 접촉도 방지하고 어떠한 오염 - 특히 기판, 광학체 또는 처리 영역의 어떠한 오염도 방지함으로써 사람이 계속 안전한 것을 보장하는 폐쇄된 베슬(vessel)에 놓인다.
스택은 바람직하게는 음극 스퍼터링, 특히 마그네트론 음극 스퍼터링에 의해 침착된다.
스택은 다른 방법, 예컨대 화학 증착 (CVD) 방법, 특히 플라즈마-증진된 화학 증착 (PECVD) 방법, 진공 증발 방법 또는 심지어, 졸-겔 방법을 이용해서 기판 상에 침착될 수 있다.
더 간단하게 하기 위해, 스택의 열 처리는 바람직하게는 공기 하에서 및/또는 대기압에서 수행될 수 있다. 그러나, 예를 들어 뒤이은 침착 전에 진공 침착 챔버에서 스택의 열 처리를 수행하는 것이 가능하다.
본 발명의 또 다른 대상은 본 발명의 방법에 의해 얻을 수 있는 물품이다.
본 발명의 또 다른 대상은 본 발명에 따른 물품을 적어도 하나 포함하는 단일, 다중 또는 적층 글레이징 유닛, 거울, 유리 벽 코팅, 오븐 문 또는 벽난로 삽입물이다.
코팅은 글레이징 유닛에 응결 방지 성질을 제공하기 위해서 글레이징 유닛의 면 1 상에 위치할 수 있고, 이렇게 함으로써 응결 또는 성에의 출현을 제한하거나 또는 방지한다. 코팅은 특히 면 2 또는 면 3 상의 다른 저방출률 코팅과 함께 글레이징 유닛의 단열 성능을 개선하기 위해서 이중 글레이징 유닛의 면 4 상에 또는 삼중 글레이징 유닛의 면 6 상에 위치할 수 있다. 동일한 이유에서, 또한, 코팅은 예를 들어 자동차 앞유리창으로 이용되는 적층 글레이징 유닛의 면 4 상에 위치할 수 있다. 글레이징 유닛은 특히 내화성일 수 있다.
본 발명의 또 다른 대상은 본 발명에 따른 물품을 적어도 하나 포함하고, 코팅이 전극으로 이용되는 광기전 전지, 디스플레이 스크린 또는 활성 글레이징 유닛이다.
디스플레이 스크린은 예를 들어 LCD (액정 디스플레이), PDP (플라즈마 디스플레이 패널), OLED (유기 발광 다이오드) 또는 FED (전계 방출 디스플레이) 디스플레이 스크린이다. 활성 글레이징 유닛은 특히 투명성이 전기적으로 조절가능한 글레이징 유닛, 특히 전기변색 또는 액정 유형의 글레이징 유닛이다.
본 발명을 다음 비제한 예시 실시양태에 의해 예시한다.
제1 시리즈의 실시예
3개의 상이한 스택을 마그네트론 음극 스퍼터링에 의해 4 ㎜ 두께 소다-석회-실리카 유리 기판 상에 침착시켰다.
아래에 각 스택에 관해서 층의 본성 및 층의 물리적 두께 (㎚)를 나타낸다:
1: 유리 / SiNx (19)/ SiOx (24)/ ITO (106)/ SiNx (8)/ SiOx (40)/ Ti (6)
2: 유리 / SiNx (19)/ SiOx (24)/ ITO (106)/ SiNx (8)/ SiOx (40)/ TiOx (11)
3: 유리 / SiNx (19)/ SiOx (24)/ ITO (106)/ SiNx (8)/ SiOx (40)/ C (6)
4: 유리 / SiNx (10)/ SiOx (30)/ ITO (120)/ SiNx (5)/ SiOx (40)/ Ti (4)
5: 유리 / SiNx (10)/ SiOx (30)/ ITO (60)/ SiOx (20 또는 40)/ ITO (60) / SiNx (5) / SiOx (40)/ Ti (4)
실시예 1, 4 및 5는 스택이 금속 균질화 층, 이 경우에는 티타늄으로 제조된 금속 균질화 층을 포함하기 때문에 본 발명에 따른 실시예이다. 실시예 4에 비해, 실시예 5는 시험에 의존해서 20 또는 40 ㎚의 물리적 두께를 갖는 SiOx 층에 의해 분리된 2개의 ITO 층을 포함한다. 총 ITO 두께는 두 경우 모두 동일하였다 (120 ㎚).
실시예 2 및 3은 비교 실시예이고, 티타늄 층이 티타늄 산화물 층 및 탄소 층으로 각각 대체되었다.
아래첨자 "x"는 층의 정확한 화학양론이 알려지지 않음을 나타낸다. 화학식 SiNx 또는 SiOx는 도핑제의 존재를 배제하지 않는다. 실제는, 이 층들은 전기 전도성을 증가시키기 위해 알루미늄으로 도핑된 규소 표적을 스퍼터링함으로써 얻기 때문에 소량의 알루미늄 원자를 함유한다.
실시예 1의 경우에는, ITO 층을 그의 광 흡수율이 4.4%이도록 침착시켰다. 따라서, 그의 두께에 대한 그의 광 흡수율의 비는 0.42 ㎛-1였다.
이어서, 이렇게 하여 코팅된 기판을 스택 상에 집속되는 선의 형태로 레이저 방사선을 방출하는 정지한 기구 아래에서 주행시켰다. 레이저 선의 평균 폭은 45 ㎛였고, 단위 길이 당 출력은 시험에 의존해서 250 내지 500 W/㎝였다. 레이저 방사선은 2개의 파장 915 및 980 ㎚를 중첩시켰다. 3 내지 20 m/분의 다양한 주행 속도를 시험하였다.
실시예 1 및 2의 경우, 60%의 높은 상대 시트 저항 개선도를 얻었다. 그러나, 실시예 1의 경우, 개선도가 레이저의 단위 길이 당 출력 및 이동 속도에 약하게 의존한다는 것을 관찰하였고, 상대 개선도는 항상 50 내지 60%에 포함되었다. 대조적으로, 실시예 2의 경우, 시트 저항 개선도가 레이저 선의 작업 조건에 분명히 더 의존한다는 것을 관찰하였다. 따라서, 선의 길이에 따른 또는 시간에 따른 출력 및/또는 폭의 변동이 얻어지는 개선도의 큰 변화를 초래할 수 있다.
실시예 3의 경우, 시트 저항 감소가 분명히 더 적었고, 얻은 스택이 낮은 투과율을 가질 정도로 탄소가 완전히 제거되지 않는다.
실시예 4의 경우, ITO의 더 큰 두께는 처리가 고속으로 예를 들어 20 m/분으로 수행될 때 처리 균질성을 약간 열화하는 결과를 가졌다. 특히, 시트 저항 개선도가 실시예 1의 경우보다 처리 속도에 더 의존하는 것으로 입증되었다. 두꺼운 ITO 층을 2개로 나누는 것 (실시예 5)은 또다시 완벽한 안정성을 얻는 것을 허용하였다.
도 1은 490 W/㎝의 단위 길이 당 출력의 경우에 실시예 1 및 2에서 얻은 샘플에 대해서 광 반사율의 공간적 변화를 도시한다. 샘플의 한 가장자리에서부터 30 ㎝의 길이에 걸쳐 매 ㎝에서 광 반사율을 측정하였다. 도 1의 x-축은 x로 표시되는 샘플 상의 위치를 나타내고, 도 1의 y-축은 △RL로 표시되는 이전의 측정에 대한 광 반사율의 절대 변화를 나타낸다.
실시예 2의 경우, 광 반사가 샘플 상의 위치의 함수로서 꽤 강하게 변하였다. 대조적으로, 본 발명에 따른 균질화 층의 이용은 실시예 1의 경우에서 최종 생성물의 균질성이 상당히 개선되는 것을 허용하였고, 광 반사율의 공간적 변화가 0에 가깝고, 항상 0.1% 미만이었다.
제2 시리즈의 실시예
이 시리즈의 실시예는 상기 실시예 1과 동일한 스택을 이용하였고 (실시예 6), 비교 실시예 7에서는 티타늄 균질화 층이 없는 동일한 스택을 이용하였다.
이 스택들로 코팅된 기판들을 250 내지 2500 ㎚에 걸치는 파장 범위의 비간섭성 방사선을 방출하고 6.5 ㎝ 폭 및 20 ㎝ 길이의 밴드 형태로 스택 상에 집중되는 정지한 크세논 플래시 램프 아래에서 주행시켰다.
10 내지 30 J/㎠ (2500 내지 4500 V의 커패시터의 충전 전압에 상응함)의 에너지 밀도를 이용하였다. 플래시 (펄스)는 길이가 3 ms이었고, 반복률이 0.5 Hz였다. 시험되는 주행 속도는 0.1 내지 1 m/분에 포함되었다.
60%의 높은 시트 저항 개선도를 얻었다.
본 발명에 따른 실시예 6의 경우에는 스택의 광학적 외관이 에너지 밀도 및 따라서, 램프의 작업 조건에 그다지 의존하지 않는다는 것을 관찰하였다. 특히, 반사에서 b* 색 좌표의 값은 커패시터의 충전 전압에 의존해서 -4부터 -4.5까지 다양하였다.
대조적으로, 비교 실시예 7의 경우에는 층의 외관이 램프의 작업 조건에 의존해서 크게 변하였다. 3400 V의 충전 전압의 경우에 -1이었던 b* 좌표는 4200 V의 충전 전압의 경우에는 -4로 감소하였다. 따라서, 처리 불균질성은 스택에서 매우 가시적인 불균질성을 생성하기 쉬울 것이다.

Claims (18)

  1. 유리 또는 유리 세라믹으로 제조된 기판의 면 중 적어도 한 면의 적어도 일부 상에 은 층을 포함하지 않고 적어도 하나의 얇은 투명 전기 전도성 산화물 층을 포함하는 얇은 층들의 스택으로 코팅된 유리 또는 유리 세라믹으로 제조된 기판을 포함하는 물품을 얻는 방법이며,
    - 상기 스택을 침착시키는 단계로서, 이 단계에서 상기 얇은 투명 전기 전도성 산화물 층 및 적어도 하나의 얇은 균질화 층을 침착시키고, 상기 얇은 균질화 층은 금속 층 또는 알루미늄 질화물 이외의 금속 질화물을 기재로 하는 층, 또는 금속 탄화물을 기재로 하는 층인 단계; 이어서,
    - 상기 스택을 방사선에 노출시키는 열 처리 단계
    를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 투명 전도성 산화물이 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 안티모니- 또는 플루오린-도핑된 주석 산화물, 알루미늄- 및/또는 갈륨- 및/또는 티타늄-도핑된 아연 산화물, 니오븀- 및/또는 탄탈럼-도핑된 티타늄 산화물 및 아연 또는 카드뮴 스타네이트로부터 선택되는 것인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 투명 전도성 산화물이 인듐 주석 산화물인 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 얇은 투명 전기 전도성 산화물 층의 물리적 두께가 30 ㎚ 이상, 특히 50 ㎚ 이상인 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 얇은 투명 전기 전도성 산화물 층의 물리적 두께에 대한 광 흡수율의 비가 열 처리 전에 0.1 내지 0.9 ㎛-1, 특히 0.2 내지 0.7 ㎛-1에 걸치는 범위에 포함되는 것인 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 스택이 복수의, 특히 2개 또는 3개의 투명 전도성 산화물 층을 포함하는 것인 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 얇은 균질화 층이 투명 전기 전도성 산화물 층 위에 위치하는 것인 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 얇은 균질화 층이 티타늄, 주석, 지르코늄, 아연, 알루미늄, 세륨 또는 그의 합금 중 임의의 것, 특히 주석 및 아연의 합금으로부터 선택되는 금속의 층으로부터 선택되는 금속 층인 방법.
  9. 제8항에 있어서, 금속이 티타늄인 방법.
  10. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 얇은 균질화 층이 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 지르코늄 질화물 또는 그의 고용체 중 임의의 것으로부터 선택되는 금속 질화물을 기재로 하는 것인 방법.
  11. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 얇은 균질화 층이 티타늄 탄화물, 텅스텐 탄화물 또는 그의 고용체 중 임의의 것으로부터 선택되는 금속 탄화물을 기재로 하는 것인 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 얇은 균질화 층의 물리적 두께가 15 ㎚ 이하, 특히 8 ㎚ 이하인 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 방사선이 적어도 하나의 플래시 램프, 특히 크세논 플래시 램프에 의해 방출되는 것인 방법.
  14. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 방사선이 상기 코팅 상에 적어도 하나의 레이저 선 형태로 집속되는 레이저 방사선인 방법.
  15. 제14항에 있어서, 레이저 방사선의 파장이 500 내지 2000 ㎚, 특히 700 내지 1100 ㎚에 걸치는 범위에 포함되는 것인 방법.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법에 의해 수득가능한 물품.
  17. 제16항에 따른 물품을 적어도 하나 포함하는 단일, 다중 또는 적층 글레이징 유닛, 거울, 유리 벽 코팅, 오븐 문 또는 벽난로 삽입물.
  18. 제16항에 따른 물품을 적어도 하나 포함하고, 코팅이 전극으로서 이용되는 광기전 전지, 디스플레이 스크린 또는 활성 글레이징 유닛.
KR1020167009574A 2013-10-17 2014-10-14 투명 전도성 산화물 필름을 포함하는 스택으로 코팅된 기판의 제조 방법 KR101675252B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1360092 2013-10-17
FR1360092A FR3012133B1 (fr) 2013-10-17 2013-10-17 Procede d'obtention d'un substrat revetu par un empilement comprenant une couche d'oxyde transparent conducteur
FR1453402A FR3012134B1 (fr) 2013-10-17 2014-04-16 Procede d'obtention d'un substrat revetu par un empilement comprenant une couche d'oxyde transparent conducteur
FR1453402 2014-04-16
PCT/FR2014/052615 WO2015055944A1 (fr) 2013-10-17 2014-10-14 Procede d'obtention d'un substrat revetu par un empilement comprenant une couche d'oxyde transparent conducteur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160044599A true KR20160044599A (ko) 2016-04-25
KR101675252B1 KR101675252B1 (ko) 2016-11-10

Family

ID=50231279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167009574A KR101675252B1 (ko) 2013-10-17 2014-10-14 투명 전도성 산화물 필름을 포함하는 스택으로 코팅된 기판의 제조 방법

Country Status (13)

Country Link
US (1) US10457592B2 (ko)
EP (1) EP3057914A1 (ko)
JP (1) JP6148405B2 (ko)
KR (1) KR101675252B1 (ko)
CN (1) CN105658592B (ko)
AU (1) AU2014335974B2 (ko)
BR (1) BR112016006759B1 (ko)
CA (1) CA2924811A1 (ko)
EA (1) EA033122B1 (ko)
FR (2) FR3012133B1 (ko)
MX (1) MX355110B (ko)
MY (1) MY172449A (ko)
WO (1) WO2015055944A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200038496A (ko) * 2017-08-04 2020-04-13 비트로 플랫 글래스 엘엘씨 투명 전도성 산화물 및 반도체 코팅의 플래쉬-어닐링
WO2023247871A1 (fr) * 2022-06-23 2023-12-28 Saint-Gobain Glass France Article verrier transparent pour compartiment froid et vitrage multiple incorporant ledit article
FR3137084A1 (fr) * 2022-06-23 2023-12-29 Saint-Gobain Glass France Article verrier transparent pour compartiment froid et vitrage multiple incorporant ledit article.

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10000965B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductive coating technology
US11155493B2 (en) 2010-01-16 2021-10-26 Cardinal Cg Company Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
US10000411B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology
US9862640B2 (en) 2010-01-16 2018-01-09 Cardinal Cg Company Tin oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
US10060180B2 (en) 2010-01-16 2018-08-28 Cardinal Cg Company Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology
US8815059B2 (en) * 2010-08-31 2014-08-26 Guardian Industries Corp. System and/or method for heat treating conductive coatings using wavelength-tuned infrared radiation
EP3296277B1 (en) 2015-05-11 2021-01-13 AGC Inc. Heat insulating glass unit for vehicle and manufacturing method thereof
EP3296275B1 (en) * 2015-05-11 2021-03-17 AGC Inc. Insulated glass unit for vehicles
EP3371123B1 (en) * 2015-11-06 2021-12-08 Cardinal CG Company Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology
EP3371121B1 (en) * 2015-11-06 2020-12-09 Cardinal CG Company Production of flash-treated indium tin oxide coatings
EP3371122B1 (en) * 2015-11-06 2021-08-11 Cardinal CG Company Insulating glass unit transparent conductive coating technology
US9674895B1 (en) * 2015-12-15 2017-06-06 Cardinal Cg Company Glazing perimeter anticondensation coating production technology
CN106977113A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 精工爱普生株式会社 透光性部件、钟表及透光性部件的制造方法
EP3446178A4 (en) 2016-04-19 2020-01-22 Sage Electrochromics, Inc. ELECTROCHROMIC DEVICE COMPRISING A TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE LAYER AND AN OMNIBUS BAR AND ITS FORMING METHOD
FR3056580B1 (fr) * 2016-09-26 2021-02-12 Saint Gobain Substrat revetu d'un revetement bas-emissif
DE102017102377B4 (de) * 2017-02-07 2019-08-22 Schott Ag Schutzverglasung, thermisches Prozessaggregat und Verfahren zur Herstellung einer Schutzverglasung
US10392300B2 (en) * 2017-02-23 2019-08-27 Guardian Glass, LLC Heat treatable coated article having titanium nitride and ITO based IR reflecting layers
US10392689B2 (en) * 2017-02-23 2019-08-27 Guardian Glass, LLC Heat treatable coated article having zirconium nitride and ITO based IR reflecting layers
BR112019023491A2 (pt) * 2017-05-09 2020-05-19 Saint Gobain painel com um revestimento eletricamente condutor, com visibilidade reduzida de impressões digitais
US10650935B2 (en) * 2017-08-04 2020-05-12 Vitro Flat Glass Llc Transparent conductive oxide having an embedded film
US20190043640A1 (en) * 2017-08-04 2019-02-07 Vitro Flat Glass, LLC Protective Layer Over a Functional Coating
US11220455B2 (en) 2017-08-04 2022-01-11 Vitro Flat Glass Llc Flash annealing of silver coatings
US20190040523A1 (en) * 2017-08-04 2019-02-07 Vitro Flat Glass, LLC Method of Decreasing Sheet Resistance in an Article Coated with a Transparent Conductive Oxide
CN111051978B (zh) 2017-09-12 2023-04-18 Sage电致变色显示有限公司 非发光可变透射设备及其形成方法
FR3074167B1 (fr) 2017-11-30 2019-11-15 Saint-Gobain Glass France Feuille de verre revetue d'un empilement de couches minces et d'une couche d'email.
FR3078964B1 (fr) * 2018-03-14 2020-03-27 Eurokera S.N.C. Plaque vitroceramique pour insert de cheminee et procede de fabrication
DE202019005371U1 (de) 2018-03-20 2020-05-29 Saint-Gobain Glass France Laserbehandelte heizbare Verglasung
US10822270B2 (en) 2018-08-01 2020-11-03 Guardian Glass, LLC Coated article including ultra-fast laser treated silver-inclusive layer in low-emissivity thin film coating, and/or method of making the same
US11028012B2 (en) 2018-10-31 2021-06-08 Cardinal Cg Company Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same
CN111057996B (zh) * 2020-01-03 2021-12-14 创隆实业(深圳)有限公司 一种全固态绝缘透波pvd膜层及其制备方法和应用
FR3113672B1 (fr) * 2020-08-25 2023-02-24 Saint Gobain Procede d’obtention d’un materiau revetu d’un revetement photocatalytique
CN111939937B (zh) * 2020-08-26 2022-12-27 杭州电子科技大学 一种锡酸锌/硫化铟带刺纳米花压电/光催化剂及其制备方法
CN112481591B (zh) * 2020-11-11 2023-03-24 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 自适应耐高低温循环低摩擦功能防护涂层及其制法与应用
FR3118027B1 (fr) * 2020-12-17 2023-08-18 Saint Gobain Procédé d’obtention d’un vitrage bombé feuilleté
FR3136461A1 (fr) * 2022-06-09 2023-12-15 Saint-Gobain Glass France Vitrage lumineux feuilleté comprenant un revêtement fonctionnel
CN117917383A (zh) 2022-10-20 2024-04-23 法国圣戈班玻璃厂 涂有导电层堆叠体的玻璃板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009114478A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Kaneka Corp 透明導電膜の製造方法
WO2010139908A1 (fr) * 2009-06-05 2010-12-09 Saint-Gobain Glass France Procede de depot de couche mince et produit obtenu

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2640257B1 (fr) * 1988-12-08 1992-08-28 Saint Gobain Vitrage Vitrage de protection solaire monolithique
NL9202164A (nl) * 1992-12-14 1994-07-01 Hans Peter Peloschek Werkwijze voor het maken van plaatselijke dunne metalen lagen en toepassingen hiervan.
DE102007024986A1 (de) * 2007-05-28 2008-12-04 Forschungszentrum Jülich GmbH Temperaturstabile TCO-Schicht, Verfahren zur Herstellung und Anwendung
FR2922886B1 (fr) 2007-10-25 2010-10-29 Saint Gobain Substrat verrier revetu de couches a resistivite amelioree.
FR2929938B1 (fr) * 2008-04-11 2010-05-07 Saint Gobain Procede de depot de couche mince.
FR2946639B1 (fr) * 2009-06-12 2011-07-15 Saint Gobain Procede de depot de couche mince et produit obtenu.
ES2364309B1 (es) * 2010-02-19 2012-08-13 Institut De Ciencies Fotoniques, Fundacio Privada Electrodo transparente basado en la combinación de óxidos, metales y óxidos conductores transparentes.
US8524337B2 (en) * 2010-02-26 2013-09-03 Guardian Industries Corp. Heat treated coated article having glass substrate(s) and indium-tin-oxide (ITO) inclusive coating
US8834976B2 (en) * 2010-02-26 2014-09-16 Guardian Industries Corp. Articles including anticondensation and/or low-E coatings and/or methods of making the same
US8815059B2 (en) * 2010-08-31 2014-08-26 Guardian Industries Corp. System and/or method for heat treating conductive coatings using wavelength-tuned infrared radiation
FR2963342B1 (fr) * 2010-07-27 2012-08-03 Saint Gobain Procede d'obtention d'un materiau comprenant un substrat muni d'un revetement
FR2969391B1 (fr) * 2010-12-17 2013-07-05 Saint Gobain Procédé de fabrication d'un dispositif oled
FR2988387B1 (fr) * 2012-03-21 2017-06-16 Saint Gobain Vitrage de controle solaire

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009114478A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Kaneka Corp 透明導電膜の製造方法
WO2010139908A1 (fr) * 2009-06-05 2010-12-09 Saint-Gobain Glass France Procede de depot de couche mince et produit obtenu

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200038496A (ko) * 2017-08-04 2020-04-13 비트로 플랫 글래스 엘엘씨 투명 전도성 산화물 및 반도체 코팅의 플래쉬-어닐링
WO2023247871A1 (fr) * 2022-06-23 2023-12-28 Saint-Gobain Glass France Article verrier transparent pour compartiment froid et vitrage multiple incorporant ledit article
FR3137084A1 (fr) * 2022-06-23 2023-12-29 Saint-Gobain Glass France Article verrier transparent pour compartiment froid et vitrage multiple incorporant ledit article.

Also Published As

Publication number Publication date
BR112016006759B1 (pt) 2021-10-26
CA2924811A1 (fr) 2015-04-23
CN105658592B (zh) 2018-12-07
EA201690791A1 (ru) 2016-08-31
MX2016004846A (es) 2016-07-06
BR112016006759A2 (pt) 2017-08-01
FR3012133B1 (fr) 2021-01-01
AU2014335974A1 (en) 2016-06-02
FR3012133A1 (fr) 2015-04-24
AU2014335974B2 (en) 2018-03-01
EA033122B1 (ru) 2019-08-30
MY172449A (en) 2019-11-26
MX355110B (es) 2018-04-05
FR3012134B1 (fr) 2021-04-02
CN105658592A (zh) 2016-06-08
JP2016536246A (ja) 2016-11-24
US20160229741A1 (en) 2016-08-11
WO2015055944A1 (fr) 2015-04-23
EP3057914A1 (fr) 2016-08-24
FR3012134A1 (fr) 2015-04-24
JP6148405B2 (ja) 2017-06-14
KR101675252B1 (ko) 2016-11-10
US10457592B2 (en) 2019-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101675252B1 (ko) 투명 전도성 산화물 필름을 포함하는 스택으로 코팅된 기판의 제조 방법
JP6054890B2 (ja) 被覆物を備えた基材を得る方法
JP6764349B2 (ja) 犠牲層を用い機能性層により被覆された基材を得るための方法
KR101913871B1 (ko) 코팅이 구비된 기판을 포함하는 재료의 생산 방법
JP6022935B2 (ja) 薄膜層堆積方法及び得られる製品
JP6204454B2 (ja) コーティングされた基材の製造方法
JP6640561B2 (ja) コーティングを備えた基材を得る方法
KR102289587B1 (ko) 코팅을 열처리하기 위한 방법
DK3241068T3 (en) PROCEDURE FOR FAST HEAT TREATMENT OF A COMPLETE THROUGH FIXED ELECTROCHROME LAMINATE
US20180305250A1 (en) Method for rapid annealing of a stack of thin layers containing an indium overlay
EP3828304A1 (en) Thin layer deposition process
US20170137320A1 (en) Method for obtaining a material comprising a functional layer made from silver resistant to a high-temperature treatment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant