KR20160041745A - 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 - Google Patents

유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 Download PDF

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Abstract

고 발광 효율 및 장수명의 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 하기 일반식 (1)로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00065

Description

유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE MATERIAL AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자에 관한 것이다. 특히, 고효율, 장수명의 유기 일렉트로루미네센스 소자용의 정공 수송 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자에 관한 것이다.
최근, 영상 표시 장치로서, 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치(Organic Electroluminescence Display : 유기 EL 표시 장치)의 개발이 왕성하게 이루어져 왔다. 유기 EL 표시 장치는 액정 표시 장치 등과는 다르고, 양극 및 음극으로부터 주입된 정공 및 전자를 발광층에 있어서 재결합시킴으로써, 발광층에 있어서 유기 화합물을 포함하는 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 표시 장치이다.
유기 일렉트로루미네센스 소자(유기 EL 소자)로서는, 예를 들어, 양극, 양극 상에 배치된 정공 수송층, 정공 수송층 상에 배치된 발광층, 발광층 상에 배치된 전자 수송층 및 전자 수송층 상에 배치된 음극으로 구성된 유기 소자가 알려져 있다. 양극으로부터는 정공이 주입되고, 주입된 정공은 정공 수송층을 이동하여 발광층으로 주입된다. 한편, 음극으로부터는 전자가 주입되고, 주입된 전자는 전자 수송층을 이동하여 발광층으로 주입된다. 발광층으로 주입된 정공과 전자가 재결합함으로써, 발광층 내에서 여기자가 생성된다. 유기 일렉트로루미네센스 소자는 그 여기자의 복사 비활성에 의해 발생하는 광을 이용하여 발광한다. 또한, 유기 일렉트로루미네센스 소자는 이상에 설명한 구성에 한정되지 않고, 여러 가지의 변경이 가능하다.
유기 일렉트로루미네센스 소자를 표시 장치에 응용함에 있어서, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 고효율화 및 장수명화가 요구되고 있다. 특히, 청색 발광 영역에서는, 녹색 발광 영역 및 적색 발광 영역에 비해, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 구동 전압이 높고, 발광 효율이 충분한 것이라고는 말하기 어렵다. 유기 일렉트로루미네센스 소자의 고효율화 및 장수명화를 실현하기 위해, 정공 수송층의 정상화, 안정화, 내구성의 향상 등이 검토되고 있다.
정공 수송층에 사용되는 정공 수송 재료로서는, 방향족 아민계 화합물 등의 여러 가지 화합물이 알려져 있지만, 소자 수명에 과제가 있었다. 유기 일렉트로루미네센스 소자의 장수명화에 유리한 재료로서, 예를 들어, 아릴기 또는 헤테로아릴기가 치환된 아민 유도체가 알려져 있다. 그러나, 이들의 재료를 사용한 유기 일렉트로루미네센스 소자도 충분한 발광 수명을 갖고 있다고는 말하기 어렵다. 그러므로, 현재로서는 한 층, 고효율이고, 발광 수명이 긴 유기 일렉트로루미네센스 소자가 바람직하다. 특히, 적색 발광 영역 및 녹색 발광 영역에 비해, 청색 발광 영역에서는, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 발광 효율이 낮기 때문에, 발광 효율의 향상이 요구되고 있다.
본 발명은 상술한 문제를 해결하는 것으로서, 고 발광 효율 및 장수명의 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, 본 발명은 청색 발광 영역에 있어서, 발광층과 양극 사이에 배치되는 적층막 중의 적어도 하나의 막에 사용하는 고발광 효율 및 장수명의 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 하기 일반식 (1)에서 나타내는 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료가 제공된다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 일반식 (1) 중, R1~R6은 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시릴기, 할로겐 원자, 수소 원자 또는 중수소 원자이고, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기이고, L1~L3은 각각 독립적으로 단결합, 또는 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 알킬렌기, 아랄킬렌기, 치환 또는 무치환의 아릴렌기, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴렌기, 및 시릴기로 이루어지는 군으로부터 선택된 2 가기이고, m은 0 이상 3 이하의 정수이고, n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 아민에 직접 또는 L을 통하여 결합하는 페닐렌기의 m번 위치에 디벤조티오펜번 위치를 도입함으로써, 디벤조티오펜의 유황 원자에 의해 분자 중에 분극이 일어남으로써, 재료의 아모퍼스성이 향상하여 전하의 이동도가 높아지고, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 장수명화와 높은 발광 효율을 실현할 수 있다. 특히, 청색 발광 영역에 있어서 현저한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 아민에 직접 또는 L을 통하여 결합하는 페닐렌기의 m번 위치에 디벤조티오펜번 위치를 도입함으로써, 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료의 글래스 전이 온도가 상승하고, 재료의 내열성 및 내구성이 향상되고, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 한층 더 장수명화를 실현할 수 있다.
일반식 (1)로 표현되는 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료에 있어서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 4-(1-나프틸)페닐기, 또는 4-(2-나프틸) 페닐기인 것을 특징으로 하는 제 1 항에 기재된 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 Ar1 및 Ar2가 각각 독립적으로 페닐기, 나프틸기, 4-(1-나프틸)페닐기, 또는4-(2-나프틸) 페닐기이기 때문에, 재료의 내열성 및 내구성이 향상되고, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 한층 더 장수명화를 실현할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 하기 일반식 (2)로 나타내는 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료가 제공된다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 일반식 (2) 중, R7~R17은 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 시릴기, 할로겐 원자, 수소 원자 또는 중수소 원자이고, a, b 및 c는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고, d 및 e는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이고, m은 0 이상3 이하의 정수이고, n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 일반식 (1)에 있어서 Ar1, Ar2 및 L1~L3이 각각 치환 또는 무치환의 페닐기 또는 페닐렌기이므로, 아민의 공액이 확보되고, 전하 내성이 향상한다.
일반식 (2)로 표현되는 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 하기 일반식 (3)으로 표현되는 제 3 항에 기재된 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
본 발명의 일 실시 형태에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는, 일반식 (2)에 있어서, 아민에 제 1 페닐렌기를 통하여 결합하는 제 2 페닐렌기의 m번 위치의 탄소가 디벤조티오펜의 4번 위치의 탄소와 결함함으로써, 분자 전체의 평면성이 붕괴되고, 아모퍼스성이 향상한다.
상기 어느 하나의 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료를 발광층과 양극 사이에 배치된 적층막 중의 적어도 층에 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자는, 발광층과 양극 사이에 배치되는 적층막 중의 적어도 하나의 막에 상기 어느 하나의 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료를 사용함으로써, 장수명과 높은 발광 효율을 실현할 수 있다. 특히, 청색 발광 영역에 있어서 현저한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 의하면, 고효율, 장수명을 실현하는 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제공할 수 있다. 특히 본 발명에 의하면, 청색 발광 영역에 있어서, 발광층과 양극 사이에 배치된 적층막 중의 적어도 한 층에 사용하는 고효율 장수명을 실현하는 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제공할 수 있다. 본 발명의 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 아민의 질소 원자(N)에 직접 또는 연결기(L1)를 통하여 결합하는 페닐렌기의 m번 위치에 디벤지티오펜번 위치를 도입함으로써, 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료의 아모퍼스성이 향상하여 전하의 이동도가 높아지고, 또한, 글래스 전이 온도가 상승하고, 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료의 내열성 및 내구성이 향상되기 때문에, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 장수명화와 높은 발광 효율을 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자를 나타내는 개략도이다.
상술한 문제를 해결하고자 예의 검토한 결과, 본 발명자들은 아민의 질소 원자(N)에 직접 또는 연결기를 통하여 결합하는 페닐렌기의 m번 위치에 디벤조티오펜번 위치를 도입함으로써, 재료의 아모퍼스성이 향상하여 전하의 이동도가 높아지고, 또한 내열성 및 내구성이 향상됨으로써, 장수명과 높은 발광 효율을 실현할 수 있는 것을 발견하였다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자에 대해서 설명한다. 단, 본 발명의 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자는 많은 다른 실시 형태로 실시하는 것이 가능하고, 이하에 나타내는 실시의 형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 본 실시의 형태에서 참조하는 도면에 있어서, 동일 부분 또는 동일한 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 그 반복 설명은 생략한다.
본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 하기 일반식 (1)에서 나타내는 아민에 결합한 페닐렌기의 m번 위치에 디벤조티오펜번 위치가 도입된 아민 화합물이다.
[화학식 1]
Figure pat00004
본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료에 있어서, 일반식 (1) 중, R1~R6은 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시릴기, 할로겐 원자, 수소 원자 또는 중수소 원자이다. Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기이다. L1~L3은 각각 독립적으로 단결합, 또는 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 알킬렌기, 아랄킬렌기, 치환 또는 무치환의 아릴렌기, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴렌기, 및 시릴기로 이루어지는 군으로부터 선택된 2 가기이다. m은 0 이상 3 이하의 정수이고, n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
여기서, 일반식 (1)에 있어서 R1~R6에 사용하는 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기로서는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기, 섹시페닐기, 플루오레닐기, 트리페닐렌기, 비페닐렌기, 피레닐기, 벤조플루오란테닐기, 글리세릴기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
또한, R1~R6에 사용하는 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기로서는, 피리딜기, 프릴기, 티에닐기, 키노릴기, 이소키노릴기, 벤조프릴기, 벤조티에닐기, 인도릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 퀴녹살릴기, 벤조이미다졸릴기, 디벤조프릴기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, R1~R6에 사용하는 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 2-하이드록시이소부틸기, 1, 2-디히드록시에틸기, 1, 3-디히드록시이소프로필기, 2, 3-디히드록시-t-부틸기, 1, 2, 3-트리하이드록시프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로이소부틸기, 1, 2-디클로로에틸기, 1, 3-디클로로이소프로필기, 2, 3-디클로로-t-부틸기, 1, 2, 3-트리클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모이소부틸기, 1, 2-디브로모에틸기, 1, 3-디브로모이소프로필기, 2, 3-디브로모-t-부틸기, 1, 2, 3-트리브로모프로필기, 요오드메틸기, 1-요오드에틸기, 2-요오드에틸기, 2-요오드이소부틸기, 1, 2-디요오드에틸기, 1, 3-디요오드이소프로필기, 2, 3-디요오드-t-부틸기, 1, 2, 3-트리요오드프로필기, 시아노메틸기, 1-시아노에틸기, 2-시아노에틸기, 2-시아노이소부틸기, 1, 2-디시아노에틸기, 1, 3-디시아노이소프로필기, 2, 3-디시아노-t-부틸기, 1, 2, 3-트리시아노프로필기, 니트로메틸기, 1-니트로에틸기, 2-니트로에틸기, 2-니트로이소부틸기, 1, 2-디니트로에틸기, 1, 3-디니트로이소프로필기, 2, 3-디니트로-t-부틸기, 1, 2, 3-트리니트로프로필기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노르보닐기, 2-노르보닐기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
또한, R1~R6에 사용하는 시릴기는 트리알킬시릴기, 트리아릴시릴기, 모노알킬디아릴시릴기, 디알킬모노아릴시릴기일지라도 좋고, 예를 들어, 트리메틸시릴기, 트리페닐시릴기 등을 들 수 있다.
또한, R1~R6에 사용하는 할로겐 원자는 불소 원자(F), 염소 원자(Cl), 브롬 원자(Br)일 수도 있다.
또한, R1~R6은 수소 원자 또는 중수소 원자일 수도 있다.
여기서, 일반식 (1)에 있어서 인접한 복수의 R2~R6은 서로 결합하고, 포화 또는 불포화의 고리를 형성할 수 있다.
일반식 (1)에 있어서 Ar1 및 Ar2에 사용하는 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기로서는, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 비페닐기, 4-(1-나프틸) 페닐기, 또는 4-(2-나프틸) 페닐기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
또한, Ar1 및 Ar2에 사용하는 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기로서는, 피리딜기, 프릴기, 티에닐기, 키노릴기, 이소키노릴기, 벤조프릴기, 벤조티에닐기, 인도릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 퀴녹살릴기, 벤조이미다졸릴기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
일반식 (1)에 있어서 L1~L3에 사용하는 2 가의 연결기 중, 치환 또는 무치환의 알킬렌기로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로피렌기, n-부틸렌기, n-헥실렌기, n-헵틸렌기, n-옥틸렌기, n-도데실렌기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, L1~L3에 사용하는 2 가의 연결기 중, 치환 또는 무치환의 아랄킬렌기로서는, -(CH2)x-Ar'-, -Ar'-(CH2)x-, -(CH2)x-Ar'-(CH2)y-로 표시된다. Ar'은 페닐렌기, 나프티렌기 등의 고리 형성 탄소수 6 이상 18 이하의 아릴렌기를 나타내고, x, y는 각각 1 이상 24 이하의 정수를 나타낸다. x, y 및 Ar'로 나타내는 아릴렌기의 탄소수의 합이 7 이상 20 이하, 바람직하게는 7 이상 14 이하일 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, L1~L3에 사용하는 2 가의 연결기 중, 치환 또는 무치환의 아릴렌기로서는, 페닐렌기, 비페닐렌기, 터페닐렌기, 나프티렌기, 안트라세니렌기, 플루오레닐렌기, 트리페닐렌기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. L1~L3으로서는, 치환 또는 무치환의 페닐렌기가 바람직하다.
또한, L1~L3에 사용하는 2 가의 연결기 중, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴렌기로서는, 피리디렌기, 디벤조프릴렌기, 디벤조에틸리렌기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, L1~L3에 사용하는 2 가의 연결기 중, 치환 또는 무치환의 시릴기의 2 가기로서는 디메틸 시릴렌기, 디페닐시릴렌기를 들 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 아민의 질소 원자(N)에 직접 또는 L1을 통하여 결합하고 있는 페닐렌기의, 치환기 효과가 적은 m번 위치에 디벤조티오펜번 위치를 도입함으로써, 디벤조티오펜의 유황 원자에 의해 분자 중에 분극이 일어남으로써, 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료의 아모퍼스성이 향상하여 전하의 이동도가 높아진다. 그러므로, 수명을 향상시키는 아민의 특성을 유지하면서, 높은 발광 효율을 실현할 수 있다. 또한, 아민의 질소 원자(N)에 직접 또는 L1을 통하여 결합하는 페닐렌기의 m번 위치에 디벤조티오펜번 위치를 도입함으로써, 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료의 글래스 전이 온도가 상승하고, 재료의 내열성 및 내구성이 향상되기 때문에, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 한층 더 장수명화를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 일반식 (1)에 있어서 Ar1 및 Ar2가 각각 치환 또는 무치환의 페닐기이고, 또한, L1~L3이 각각 치환 또는 무치환의 페닐렌기인 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 하기 일반식 (2)에서 나타내는 아민 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 2]
Figure pat00005
본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료에 있어서, 일반식 (2) 중, R7~R17은 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 시릴기, 할로겐 원자, 수소 원자 또는 중수소 원자이다. 또한, a, b 및 c는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고, d 및 e는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이고, m은 0 이상 3 이하의 정수이고, n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
일반식 (2)에 있어서 R7~R17에 사용하는 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 시릴기, 할로겐 원자로서는 일반식 (1)에 있어서 R1~R6에 사용하는 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시릴기, 할로겐 원자와 동일하다.
여기서, 일반식 (2)에 있어서 인접한 복수의 R8~R14는 서로 결합하고, 포화 또는 불포화의 고리를 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 일반식 (1)에 있어서 Ar1 및 Ar2가 각각 치환 또는 무치환의 페닐기이고, 또한, L1~L3이 각각 치환 또는 무치환의 페닐렌기이므로, 아민의 공액이 확보되고, 재료의 전하 내성이 향상한다.
또한, 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 일반식 (2)에 있어서, 아민의 질소 원자(N)에 제 1 페닐렌기를 통하여 결합하는 제 2 페닐렌기의 m번 위치의 탄소가 디벤조티오펜의 4번 위치의 탄소와 결합하고 있는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 하기 일반식 (2)에서 나타내는 아민 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 3]
Figure pat00006
본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 일반식 (2)에 있어서, 아민의 질소 원자(N)에 제 1 페닐렌기를 통하여 결합하는 제 2 페닐렌기의 m번 위치의 탄소가 디벤조티오펜의 4번 위치의 탄소와 결합함으로써, 분자 전체의 평면성이 붕괴되고, 아모퍼스성이 향상한다.
본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 일 예로서, 이하의 구조식에 의해 나타낸 물질이다.
[화학식 4]
Figure pat00007
[화학식 5]
Figure pat00008
[화학식 6]
Figure pat00009
[화학식 7]
Figure pat00010
[화학식 8]
Figure pat00011
[화학식 9]
Figure pat00012
[화학식 10]
Figure pat00013
[화학식 11]
Figure pat00014
[화학식 12]
Figure pat00015
[화학식 13]
Figure pat00016
[화학식 14]
Figure pat00017
[화학식 15]
Figure pat00018
[화학식 16]
Figure pat00019
[화학식 17]
Figure pat00020
[화학식 18]
Figure pat00021
[화학식 19]
Figure pat00022
[화학식 20]
Figure pat00023
[화학식 21]
Figure pat00024
[화학식 22]
Figure pat00025
[화학식 23]
Figure pat00026
[화학식 24]
Figure pat00027
[화학식 25]
Figure pat00028
[화학식 26]
Figure pat00029
[화학식 27]
Figure pat00030
본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 유기 일렉트로루미네센스 소자의 발광층과 양극 사이에 배치된 적층막 중의 적어도 한 층에 사용할 수 있다. 이것에 의해, 재료의 아모퍼스성이 향상하여 전하의 이동도가 높아지고, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 장수명화와 고효율화를 실현할 수 있다. 또한, 재료의 글래스 전이 온도가 상승하기 때문에, 내열성 및 내구성이 향상되고, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 한층 더 장수명화를 실현할 수 있다.
(유기 일렉트로루미네센스 소자)
본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료를 사용한 유기 일렉트로루미네센스 소자에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자(100)를 나타내는 개략도이다. 유기 일렉트로루미네센스 소자(100)는 예를 들어, 기판(102), 양극(104), 정공 주입층(106), 정공 수송층(108), 발광층(110), 전자 수송층(112), 전자 주입층(114), 및 음극(116)을 구비한다. 일 실시 형태에 있어서, 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 발광층과 양극 사이에 배치된 적층막 중의 적어도 한 층에 사용할 수 있다.
여기에서는 일 예로서 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료를 정공 수송층(108)에 사용하는 경우에 대해서 설명한다.
기판(102)은 예를 들어, 투명 유리 기판이나, 실리콘 등으로 이루어지는 반도체 기판 수지 등의 플렉시블한 기판일 수 있다.
양극(104)은 기판(102) 상에 배치되고, 산화인듐주석(ITO)이나 인듐아연산화물(IZO) 등을 사용하여 형성할 수 있다.
정공 주입층(HIL, 106)은 양극(104) 상에 10 nm 이상 150 nm 이하의 두께로 알려진 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 트리페닐아민 함유 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-이소프로필-4'-메틸디페닐요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)붕산염(PPBI), N, N'-디페닐-N, N'-비스-[4-(페닐-m-톨릴-아미노)-페닐]-비페닐-4, 4'-디아민(DNTPD), 구리 프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, 4, 4', 4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민(m-MTDATA), N, N'-디(1-나프틸)-N, N'-디페닐벤지딘(NPB), 4, 4', 4"-트리스{N, N 디페닐 아미노}트리페닐아민(TDATA), 4, 4', 4"-트리스(N, N-2-나프틸페닐아미노)트리페닐아민(2-NATA), 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산(PANI/DBSA), 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌슬포네이트)(PEDOT/PSS), 폴리아닐린/캄퍼슬폰산(PANI/CSA), 또는, 폴리아닐린/폴리(4-스티렌슬포네이트)(PANI/PSS) 등을 포함할 수 있다.
정공 수송층(HTL, 108)은 정공 주입층(106) 상에, 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료를 사용하여 10 nm 이상 150 nm 이하의 두께로 형성된다. 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료를 포함하는 정공 수송층(108)은 진공 증착에 의해 형성된다.
발광층(EL, 110)은 정공 수송층(108) 상에, 공지의 호스트 재료를 사용하여 두께 10 nm 이상 60 nm 이하로 형성된다. 발광층(110)에 사용되는 공지의 호스트 재료로서, 예를 들어, 트리스(8-퀴노리놀라토)알루미늄(Alq3), 4, 4'-N, N'-디카바졸-비페닐(CBP), 폴리(n-비닐카르바졸)(PVK), 9, 10-디(나프타렌-2-일)안트라센(ADN), 4, 4', 4"-리스(N-카르바졸릴) 트리페닐아민(TCTA), 1, 3, 5-트리스(N-페닐벤지이미다졸-2-일) 벤젠(TPBI), 3-tert-부틸-9, 10-디(나프토-2-일)안트라센(TBADN), 디스티릴아릴렌(DSA), 4, 4'-비스(9-카르바졸)-2, 2'-디메틸-비페닐(dmCBP)을 들 수 있다.
발광층(110)은 도펀트 재료로서, 스티릴 유도체(예를 들어, 1, 4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalene-2-yl)vinyl)phenyl-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)), 페릴렌 및 그 유도체(예를 들어, 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene(TBPe), 피렌 및 그 유도체(예를 들어, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) 등의 도펀트를 포함할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송층(ETL, 112)은 발광층(110) 상에 15 nm 이상 50 nm 이하의 두께로, 예를 들어, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium(Alq3)나 함질소 방향 고리를 갖는 재료(예를 들어, 1, 3, 5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene라는 피리딘 고리를 포함하는 재료나, 2, 4, 6-tris(3'-(pyridine-3-yl)biphenyl-3-yl)1, 3, 5-triazine라는 트리아진 고리를 포함하는 재료, 2-(4-N-phenylbenzoimidazolyl-1-ylphenyl)-9, 10-dinaphthylanthracene라는 이미다졸 유도체를 포함하는 재료)를 포함하는 재료에 의해 형성된다.
전자 주입층(EIL, 114)은 전자 수송층(112) 상에 0.3 nm 이상 9 nm 이하의 두께로, 예를 들어, 불화리튬(LiF), 리튬-8-퀴노리나토(Liq) 등을 포함하는 재료에 의해 형성된다.
음극(Cathode, 116)은 전자 주입층(114) 상에 배치되고, 알루미늄(Al)이나 은(Ag), 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 등의 금속, 이들의 혼합물, 및 산화인듐주석(ITO) 및 인듐아연 옥사이드(IZO) 등의 투명 재료에 의해 형성된다.
이상에 설명한 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자를 구성하는 각 전극 및 각 층은 진공 증착, 스퍼터, 각종 도포 등 재료에 따른 적절한 성막 방법을 선택함으로써, 형성할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료를 사용하여 형성되는 정공 수송층(108)은 진공 증착에 의해 형성된다.
본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자(100)에 있어서는, 상술한 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료를 사용함으로써, 장수명화와 고효율화를 실현 가능한 정공 수송층을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자(100)에 있어서는, 상술한 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 정공 주입층의 재료로서 사용될 수 있다. 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 발광층과 양극 사이에 배치된 적층막 중의 적어도 한 층에 사용함으로써, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 고효율화 및 장수명화를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 TFT를 사용한 액티브 매트릭스의 유기 일렉트로루미네센스 발광 장치에도 적용할 수 있다.
(제조 방법)
본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는, 예를 들어, 이하와 같이 합성할 수 있다.
(화학식 28의 화합물 1의 합성 방법)
[화학식 28]
Figure pat00031
(화합물 A의 합성)
Ar 분위기 하에서, 2L의 플라스크에 N-[1, 1'-biphenyl]-4-yl-N-(4-bromophenyl)-[1, 1'-Biphenyl]-4-amine을 53.8 g, Pd(dppf)Cl2?H2Cl2를 6.46 g, KOAc를 33.3 g, 및 Bis(pinacolato)diboron을 33.0 g 넣고, 750 mL의 Dioxane 용매 중에서 진공 탈기 후에 100℃에서 12 시간 교반하였다. 그 후 용매 증류하고, CH2Cl2와 물을 더하고, 유기 상을 분리하고, 황산 마그네슘 및 활성 백토를 더한 후에, 흡인 여과하고 용매 증류를 행하였다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(디클로로메탄과 헥산과의 혼합 용매를 사용)로 정제를 행하고, 흰색 고체의 화합물 A를 56.8 g(수율 98%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 A의 분자량은 523이었다.
(화합물 B의 합성)
Ar 분위기 하, 300 mL의 3구 플라스크에, 화합물 A를 10.0 g, 1-iodo-3-bromobenzene 6.00 g, Pd(PPh3)4를 1.54 g, 및 탄산칼륨을 5.25 g 가하여, 450 mL 톨루엔, 물 60 mL의 혼합 용매 중에서 90℃에서 8 시간 가열 교반하였다. 공냉 후, 물을 가하여 유기층을 분리하고, 용매 증류하였다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(디클로로메탄과 헥산과의 혼합 용매를 사용)로 정제 후, 톨루엔 및 헥산 혼합 용매에서 재결정을 행하고, 흰색 고체인 화합물 B를 9.29 g(수율 88%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 B의 분자량은 551이었다.
(하기 화학식 29의 화합물 1의 합성)
Ar 분위기 하, 500 mL의 3구 플라스크에, 화합물 B를 3.10 g, dibenzothiophene-4-boronic acid를 1.28 g, Pd(PPh3)4를 0.84 g, 및 탄산칼륨을 2.35 g 가하여, 170 mL 톨루엔, 물 80 mL의 혼합 용매 중에서 90℃에서 8 시간 가열 교반하였다. 공냉 후, 물을 가하여 유기층을 분리하고, 용매 증류하였다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(디클로로메탄과 헥산과의 혼합 용매를 사용)로 정제 후, 톨루엔 및 헥산 혼합 용매로 재결정을 행하고, 흰색 고체의 화합물 1을 2.94 g(수율 80%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 1의 분자량은 656이었다. 또한, 1H-NMR(CDCl3) 측정으로 측정된 화합물 1의 케미칼 쉬프트 값(δ)은 8.46-8.41(m, 2H), 8.20(d, 1H, J=7.80Hz), 7.98(d, 1H, J=7.90Hz), 7.58-7.50(m, 18H), 7.48-7.41(m, 4H), 6.69-6.65(m, 4H)이었다.
또한, 본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 예를 들어, 이하와 같이 합성할 수 있다.
(하기 화학식 29의 화합물 13의 합성)
이상에 설명한, 화합물 1의 합성 방법에 있어서, 화합물 B 대신에 N-[1, 1'-biphenyl]-4-yl-N-(3-bromophenyl)-1-Naphthalenamine를 사용한 것 이외에는 화합물 1의 합성 방법과 마찬가지로 화합물 13을 합성하였다. 또한, 1H-NMR(CDCl3) 측정으로 측정된 화합물 13의 케미칼 쉬프트 값(δ)은 8.45-8.41(m, 8H), 8.20(d, 1H, J=7.80Hz), 8.07-7.98(m, 3H), 7.57-7.50(m, 11H), 7.44-7.38(m, 3H), 6.98(d, 1H, J=7.76Hz), 6.90-6.87(m, 2H), 6.69(d, 2H, J=7.82Hz), 6.58(d, 1H, J=7.70Hz)이었다. 이상의 결과로부터 합성된 흰색 고체는 화합물 13인 것이 인정된다.
(하기 화학식 29의 화합물 61의 합성)
이상에 설명한 화합물 1의 합성 방법에 있어서, dibenzothiophene-4-boronic acid 대신에 dibenzothiophene-3-boronic acid를 사용한 것 이외에는 화합물 1의 합성과 마찬가지로 화합물 61을 합성하였다. 또한, 1H-NMR(CDCl3) 측정으로 측정된 화합물 61의 케미칼 쉬프트 값(δ)은 8.45(d, 1H, J=7.82Hz), 8.11-8.05(m, 3H), 7.98(d, 1H, J=7.68Hz), 7.70(s, 1H), 7.57-7.50(m, 17H), 7.48-7.41(m, 4H), 6.69-6.67(m, 6H)이었다. 이상의 결과로부터 합성된 흰색 고체는 화합물 61인 것이 인정된다.
(하기 화학식 29의 화합물 73의 합성)
이상에 설명한 화합물 1의 합성 방법에 있어서, dibenzothiophene-4-boronic acid 대신에 dibenzothiophene-1-boronic acid를 사용한 것 이외에는 화합물 1의 합성과 마찬가지로 화합물 73을 합성하였다. 또한, 1H-NMR(CDCl3) 측정으로 측정된 화합물 73의 케미칼 쉬프트 값(δ)은 8.44(d, 1H, J=7.80Hz), 7.98-7.82(m, 3H), 7.71(s, 1H), 7.57-7.50(m, 18H), 7.48-7.40(m, 4H), 6.72-6.65(m, 6H)이었다. 이상의 결과로부터 합성된 흰색 고체는 화합물 73인 것이 인정된다.
상술한 화합물 1, 화합물 13, 화합물 61, 및 화합물 73을 정공 수송 재료로서 사용하여 상술한 제조 방법에 의해, 실시예 1 내지 4의 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제작하였다.
[화학식 29]
Figure pat00032
또한, 비교예로서, 하기 화학식 30의 화합물 C1~C3을 정공 수송 재료로서 사용하여, 비교예 1 내지 3의 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제작하였다.
[화학식 30]
Figure pat00033
본 실시예에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자(200)를 도 2에 나타낸다. 본 실시예에 있어서는, 기판(202)에는 투명 유리 기판을 사용하고, 150 nm의 막 두께의 ITO로 양극(204)을 형성하고, 60 nm의 막 두께의 2-TNATA로 정공 주입층(206)을 형성하고, 30 nm의 막 두께의 정공 수송층(208)을 형성하고, ADN에 TBP를 3% 도프한 25 nm의 막 두께의 발광층(210)을 형성하고, Alq3로 25 nm의 막 두께의 전자 수송층(212)을 형성하고, LiF로 1 nm의 막 두께의 전자 주입층(214)를 형성하고, Al으로 100 nm의 막 두께의 음극(216)을 형성하였다.
작성된 유기 일렉트로루미네선스 소자(200)에 대해서, 구동 전압, 발광 효율, 및 반감 수명을 평가하였다. 또한, 전류 효율은 10 mA/cm2에 있어서 값을 나타내고, 반감 수명은 초기 휘도 1, 000 cd/m2로부터의 휘도 반감 시간을 나타낸다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
소자 작성 예 정공 수송층 전압
(V)		 발광 효율
(cd/A)		 수명
LT50(h)
실시예 1 화합물 1 6.3 6.7 2,700
실시예 2 화합물 13 6.2 6.7 1,800
실시예 3 화합물 61 6.2 6.4 2,200
실시예 4 화합물 73 6.4 6.5 2,400
비교예 1 비교예 화합물 C1 6.3 5.8 1,400
비교예 2 비교예 화합물 C2 6.5 5.2 1,450
비교예 3 비교예 화합물 C3 6.6 6.0 1,100
이어서, 화합물 1 및 이하에 나타내는 비교예 화합물 C4에 대해서 글래스 전이 온도(Tg)를 측정하였다. Tg의 측정에는, 히타치 하이테크사(Hitachi High-Technologies Corporation) 제 DSC7000X를 사용하고, DSC 측정을 실시하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[화학식 31]
Figure pat00034
Tg[℃]
화합물 1 115
비교예 화합물 C4 100
표 1의 결과로부터 본 발명의 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료를 정공 수송 재료로서 사용한 경우, 비교예의 화합물에 비하여 고발광 효율 및 장수명을 나타내는 것이 인정되었다. 본 발명의 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 아민에 결합하는 페닐렌기의 m번 위치에 디벤조티오펜번 위치를 도입함으로써, 장수명을 나타내는 아민의 특성을 유지하면서, 디벤조티오펜의 유황 원자의 효과에 의해 분자에 분극이 일어남으로써, 아모퍼스성이 향상하고, 한층 더 장수명과 고효율을 나타내고 있는 것을 알 수 있다.
또한, 실시예 1 내지 실시예 4와 디벤조티오펜을 갖지 않는 화합물을 사용한 비교예 1 및 비교예 2를 비교하면, 본 발명의 유기 일렉트로루미네센스 소자가 고효율화, 장수명화되고 있는 것을 알 수 있다. 이것은 표 2에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료의 글래스 전이 온도(Tg)가 높기 때문에, 본 발명의 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료의 내열성 및 내구성이 향상되고, 소자의 장수명화에 연결되었기 때문인 것으로 생각될 수 있다.
또한, 실시예 1 내지 실시예 4와 디벤조티오펜이 연결기를 통하여 아민에 결합하고 있는 페닐렌기의 p번 위치에 결합하고 있는 비교예 화합물 C3를 사용한 비교예 3을 비교하면, 실시예 1 내지 실시예 4의 수명이 향상하고 있다. 이것은 비교예 화합물 C3에 있어서, 디벤조티오펜의 유황 원자와 아민의 질소 원자가 공액하여 있고, 캐리어 수송 시의 라디칼의 안정성이 저하하여 수명의 저하로 연결된 것으로 생각될 수 있다. 실시예 2의 소자 수명이 다른 실시예의 소자 수명 보다도 짧았던 것은 아민 주변의 공액이 짧고, 전하 내성이 낮았기 때문으로 추측된다. 실시예 1의 소자 효율이 제일 높았던 것은 디벤조티오펜의 4번 위치가 m-페닐렌기에 결합함으로써, 다른 결합 위치에 비해 아모퍼스성이 높아지는 효과가 있는 것으로 생각될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 아민에 결합하는 페닐렌기의, 치환기 효과가 적은 m번 위치에 디벤조티오펜번 위치를 도입함으로써, 재료의 아모퍼스성이 향상된다. 그러므로, 전하의 이동도가 높아지고, 장수명과 높은 발광 효율을 실현할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서 에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 넓은 에너지 갭을 갖고 있기 때문에, 녹색~적색 영역으로의 적용하는 것도 가능하다.
100 : 유기 EL 소자 102 : 기판
104 : 애노드 106 : 정공 주입층
108 : 정공 수송층 110 : 발광층
112 : 전자 수송층 114 : 전자 주입층
116 : 캐소드 200 : 유기 EL 소자
202 : 기판 204 : 애노드
206 : 정공 주입층 208 : 정공 수송층
210 : 발광층 212 : 전자 수송층
214 : 전자 주입층 216 : 캐소드

Claims (9)

  1. 하기 일반식 (1)로 표시되는 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료.
    [화학식 1]
    Figure pat00035

    상기 일반식 (1)에서,
    R1~R6은 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시릴기, 할로겐 원자, 수소 원자 또는 중수소 원자이고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기이고,
    L1~L3은 각각 독립적으로 단결합, 또는 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 알킬렌기, 아랄킬렌기, 치환 또는 무치환의 아릴렌기, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴렌기, 및 시릴기로 이루어지는 군으로부터 선택된 2 가기이고,
    m은 0 이상 3 이하의 정수이고, n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 일반식 (1)에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 4-(1-나프틸)페닐기, 또는 4-(2-나프틸)페닐기인 것 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 하기 일반식 (2)로 표시되는 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료.
    [화학식 2]
    Figure pat00036

    상기 일반식 (2)에서,
    R7~R17은 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 시릴기, 할로겐 원자, 수소 원자 또는 중수소 원자이고,
    a, b 및 c는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
    d 및 e는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이고,
    m은 0 이상3 이하의 정수이고,
    n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는 하기 일반식 (3)으로 표현되는 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료.
    [화학식 3]
    Figure pat00037

    상기 일반식 (3)에서,
    R7~R17은 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 시릴기, 할로겐 원자, 수소 원자 또는 중수소 원자이고,
    a, b 및 c는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
    d 및 e는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이고,
    m은 0 이상3 이하의 정수이고,
    n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
  5. 발광층과 양극 사이에 배치되는 적층막 중의 적어도 하나의 층에 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료를 포함하고,
    상기 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는
    하기 일반식 (1)로 표시되는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
    [화학식 1]
    Figure pat00038

    상기 일반식 (1)에서,
    R1~R6은 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시릴기, 할로겐 원자, 수소 원자 또는 중수소 원자이고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기이고,
    L1~L3은 각각 독립적으로 단결합, 또는 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 알킬렌기, 아랄킬렌기, 치환 또는 무치환의 아릴렌기, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴렌기, 및 시릴기로 이루어지는 군으로부터 선택된 2 가기이고,
    m은 0 이상 3 이하의 정수이고, n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 일반식 (1)의 상기 Ar1 및 Ar2는
    각각 독립적으로 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 4-(1-나프틸)페닐기, 또는 4-(2-나프틸)페닐기인 것 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는
    하기 일반식 (2)로 표시되는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
    [화학식 2]
    Figure pat00039

    상기 일반식 (2)에서,
    R7~R17은 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 시릴기, 할로겐 원자, 수소 원자 또는 중수소 원자이고,
    a, b 및 c는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
    d 및 e는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이고,
    m은 0 이상 3 이하의 정수이고,
    n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는
    하기 일반식 (2)로 표시되는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
    [화학식 3]
    Figure pat00040

    상기 일반식 (3)에서,
    R7~R17은 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 30 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 시릴기, 할로겐 원자, 수소 원자 또는 중수소 원자이고,
    a, b 및 c는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
    d 및 e는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이고,
    m은 0 이상 3 이하의 정수이고,
    n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료는
    하기 화학식 4 내지 화학식 27의 화합물들 중 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
    [화학식 4]
    Figure pat00041

    [화학식 5]
    Figure pat00042

    [화학식 6]
    Figure pat00043

    [화학식 7]
    Figure pat00044

    [화학식 8]
    Figure pat00045

    [화학식 9]
    Figure pat00046

    [화학식 10]
    Figure pat00047

    [화학식 11]
    Figure pat00048

    [화학식 12]
    Figure pat00049

    [화학식 13]
    Figure pat00050

    [화학식 14]
    Figure pat00051

    [화학식 15]
    Figure pat00052

    [화학식 16]
    Figure pat00053

    [화학식 17]
    Figure pat00054

    [화학식 18]
    Figure pat00055

    [화학식 19]
    Figure pat00056

    [화학식 20]
    Figure pat00057

    [화학식 21]
    Figure pat00058

    [화학식 22]
    Figure pat00059

    [화학식 23]
    Figure pat00060

    [화학식 24]
    Figure pat00061

    [화학식 25]
    Figure pat00062

    [화학식 26]
    Figure pat00063

    [화학식 27]
    Figure pat00064
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190079181A (ko) 2017-12-27 2019-07-05 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
US10930855B2 (en) 2015-12-17 2021-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, lighting system, and guidance system

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6752226B2 (ja) * 2015-12-08 2020-09-09 保土谷化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2020004235A1 (ja) * 2018-06-25 2020-01-02 保土谷化学工業株式会社 トリアリールアミン構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102169567B1 (ko) * 2018-12-21 2020-10-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN110951485B (zh) * 2019-12-12 2023-06-09 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种有机电致发光化合物及其制备方法和应用
US20230118654A1 (en) * 2020-02-04 2023-04-20 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. Compound, material for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, and electronic device
WO2023025971A2 (de) * 2022-02-24 2023-03-02 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006151844A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Canon Inc アミノアントリル誘導基置換化合物および有機発光素子
WO2009008099A1 (ja) * 2007-07-10 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011021520A1 (ja) * 2009-08-19 2011-02-24 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20120111670A (ko) * 2011-04-01 2012-10-10 덕산하이메탈(주) 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치
WO2014034795A1 (ja) * 2012-08-31 2014-03-06 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体およびこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014129846A1 (en) * 2013-02-21 2014-08-28 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Organic electroluminescent compounds and an organic electroluminescent device comprising the same

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5186365B2 (ja) * 2006-04-26 2013-04-17 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009029726A (ja) 2007-07-25 2009-02-12 Toyo Ink Mfg Co Ltd カルバゾリル基を有する化合物およびその用途
JP2009267255A (ja) 2008-04-28 2009-11-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5742092B2 (ja) 2009-09-02 2015-07-01 三菱化学株式会社 有機化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明
US10570113B2 (en) 2010-04-09 2020-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Aromatic amine derivative, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102101248B1 (ko) 2011-01-11 2020-04-16 미쯔비시 케미컬 주식회사 유기 전계 발광 소자용 조성물, 유기 전계 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치
US9051274B2 (en) 2011-06-24 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Triarylamine compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
EP2755252B1 (en) * 2011-09-09 2018-10-31 LG Chem, Ltd. Material for organic light-emitting device, and organic light-emitting device using same
JP6303272B2 (ja) * 2012-09-06 2018-04-04 東ソー株式会社 アリールアミンポリマー、その製造方法及びその用途
KR102182270B1 (ko) * 2013-02-21 2020-11-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP6516407B2 (ja) * 2013-12-20 2019-05-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5848480B1 (ja) * 2014-10-28 2016-01-27 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102401598B1 (ko) * 2014-11-07 2022-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US10014480B2 (en) * 2014-11-12 2018-07-03 E-Ray Optoelectronics Technology Co., Ltd. Heterocyclic compounds and organic electroluminescent devices using the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006151844A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Canon Inc アミノアントリル誘導基置換化合物および有機発光素子
WO2009008099A1 (ja) * 2007-07-10 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011021520A1 (ja) * 2009-08-19 2011-02-24 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20120111670A (ko) * 2011-04-01 2012-10-10 덕산하이메탈(주) 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치
WO2014034795A1 (ja) * 2012-08-31 2014-03-06 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体およびこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014129846A1 (en) * 2013-02-21 2014-08-28 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Organic electroluminescent compounds and an organic electroluminescent device comprising the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10930855B2 (en) 2015-12-17 2021-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, lighting system, and guidance system
KR20190079181A (ko) 2017-12-27 2019-07-05 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US20160099420A1 (en) 2016-04-07
JP6516433B2 (ja) 2019-05-22
KR102421142B1 (ko) 2022-07-15
US10147886B2 (en) 2018-12-04
JP2016076566A (ja) 2016-05-12

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