KR20160032429A - Light emitting device package - Google Patents

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KR20160032429A
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이광희
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엘지이노텍 주식회사
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    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating

Abstract

A light emitting device package for improving the reliability of wire bonding according to an embodiment includes a substrate, a conductive layer arranged on the substrate, at least one light emitting chip arranged on the substrate, a wire electrically connected to the conductive layer and the at least one light emitting chip, a wavelength conversion part arranged on the light emitting chip, and a molding part which surrounds the light emitting chip and the wire and is arranged on the substrate to expose the upper surface of the wavelength conversion part. A distance from the upper surface of the light emitting chip to the upper surface of the wavelength conversion part is longer than the sum of 37um and a distance from the upper surface of the light emitting chip to the highest point of the wire.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LD) using semiconducting Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor materials have been developed with thin film growth technology and device materials, Green, blue, and ultraviolet rays. By using fluorescent materials or combining colors, it is possible to realize white light rays with high efficiency. Also, compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps, low power consumption, It has the advantages of response speed, safety, and environmental friendliness.

광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL:Cold Cathode Fluorescenece Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.A transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting diode Devices, automotive headlights, and traffic lights.

조명 장치나 표시 장치에는 발광 소자 패키지가 널리 사용되고 있다. 발광 소자 패키지는 일반적으로 몸체, 몸체 내에 위치하는 리드 프레임들, 및 리드 프레임들 중 어느 하나에 위치하는 발광 소자(예컨대, LED)를 포함할 수 있다.A light emitting device package is widely used for a lighting device and a display device. The light emitting device package may generally include a body, a lead frame positioned within the body, and a light emitting device (e.g., LED) located in one of the lead frames.

실시 예는 외부의 충격으로 인한 와이어의 파손, 및 와이어의 산화를 방지할 수 있고, 와이어 본딩의 신뢰성을 강화할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of preventing breakage of a wire due to an external impact and oxidation of the wire, and enhancing reliability of wire bonding.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 도전층; 상기 기판 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 칩; 상기 도전층과 상기 적어도 하나의 발광 칩을 전기적으로 연결하는 와이어; 상기 발광 칩 상에 배치되는 파장 변환부; 및 상기 발광 칩, 및 상기 와이어를 포위하고, 상기 파장 변환부의 상부면을 노출하도록 상기 기판 상에 배치되는 몰딩부를 포함하며, 상기 발광 칩의 상면으로부터 상기 파장 변환부의 상부면까지의 거리는 상기 발광 칩의 상면으로부터 상기 와이어의 최고점까지의 거리에 37㎛를 더한 값보다 크다.A light emitting device package according to an embodiment includes a substrate; A conductive layer disposed on the substrate; At least one light emitting chip disposed on the substrate; A wire electrically connecting the conductive layer and the at least one light emitting chip; A wavelength converter disposed on the light emitting chip; And a molding part which surrounds the wire and is disposed on the substrate so as to expose an upper surface of the wavelength conversion part, wherein a distance from an upper surface of the light emitting chip to an upper surface of the wavelength conversion part is smaller than a distance from the light emitting chip The distance from the top surface of the wire to the highest point of the wire is larger than a value obtained by adding 37 mu m.

상기 발광 칩의 상면으로부터 상기 파장 변환부의 상부면까지의 거리는 상기 발광 칩의 상면으로부터 상기 몰딩부의 상부면까지의 거리보다 클 수 있다.The distance from the upper surface of the light emitting chip to the upper surface of the wavelength converting portion may be greater than the distance from the upper surface of the light emitting chip to the upper surface of the molding portion.

상기 발광 칩의 상면으로부터 상기 와이어의 최고점까지의 거리는 상기 발광 칩의 상면으로부터 상기 몰딩부의 상부면까지의 거리보다 작을 수 있다.The distance from the upper surface of the light emitting chip to the highest point of the wire may be smaller than the distance from the upper surface of the light emitting chip to the upper surface of the molding portion.

상기 파장 변환부는 상기 발광 칩에 본딩되는 상기 와이어의 일단을 포위할 수 있다.The wavelength converter may surround one end of the wire bonded to the light emitting chip.

상기 파장 변환부는 상기 발광 칩에 본딩되는 상기 와이어의 일단으로부터 이격할 수 있다.The wavelength converting portion may be spaced apart from one end of the wire bonded to the light emitting chip.

상기 몰딩부는 상기 발광 칩에 본딩되는 상기 와이어의 일단을 포위할 수 있다.The molding part may surround one end of the wire bonded to the light emitting chip.

상기 몰딩부는 상기 파장 변환부의 상부면과 측면이 만나는 모서리 부분과 접할 수 있다.The molding portion may be in contact with a corner portion where the upper surface and the side of the wavelength conversion portion meet.

상기 몰딩부는 상기 파장 변환부의 상부면과 측면이 만나는 모서리 부분과 이격할 수 있다.The molding part may be separated from an edge part where the upper surface and the side of the wavelength conversion part meet.

상기 파장 변환부는 상기 몰딩부의 상부면을 기준으로 돌출된 구조일 수 있다.The wavelength converting portion may have a structure protruding from the upper surface of the molding portion.

상기 파장 변환부의 상부면으로부터 상기 와이어의 최고점까지의 거리는 67㎛ 이상일 수 있다.The distance from the upper surface of the wavelength conversion portion to the highest point of the wire may be 67 μm or more.

실시 예는 외부의 충격으로 인한 와이어의 파손, 및 와이어의 산화를 방지할 수 있고, 와이어 본딩의 신뢰성을 강화할 수 있다.The embodiment can prevent breakage of the wire due to an external impact, oxidation of the wire, and enhance the reliability of the wire bonding.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3a는 도 2에 도시된 파장 변환부 및 와이어의 일 실시 예에 따른 확대도를 나타낸다.
도 3b는 도 2에 도시된 파장 변환부 및 와이어의 다른 실시 예에 따른 확대도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 파장 변환부를 나타낸다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 파장 변환부를 나타낸다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 7은 도 6에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 8a는 도 7에 도시된 파장 변환부 및 와이어의 일 실시 예에 따른 확대도를 나타낸다.
도 8b는 도 7에 도시된 파장 변환부 및 와이어의 다른 실시 예에 따른 확대도를 나타낸다.
도 9는 도 1에 도시된 발광 칩의 일 실시 예를 나타낸다.
도 10은 실시 예에 따른 차량용 헤드 램프의 단면도를 나타낸다.
도 11은 다른 실시 예에 따른 차량의 헤드 램프를 나타낸다.1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view along the AB direction of the light emitting device package shown in Fig.
Fig. 3A shows an enlarged view according to one embodiment of the wavelength converting portion and the wire shown in Fig.
FIG. 3B shows an enlarged view according to another embodiment of the wavelength converting portion and the wire shown in FIG. 2. FIG.
Fig. 4 shows the wavelength converter shown in Fig.
5 shows a wavelength converter according to another embodiment.
6 is a plan view of a light emitting device package according to another embodiment.
7 is a sectional view of the light emitting device package shown in Fig. 6 in the AB direction.
Fig. 8A shows an enlarged view according to an embodiment of the wavelength converting portion and the wire shown in Fig. 7. Fig.
FIG. 8B shows an enlarged view according to another embodiment of the wavelength converting portion and the wire shown in FIG. 7. FIG.
Fig. 9 shows an embodiment of the light emitting chip shown in Fig.
10 is a sectional view of a vehicle headlamp according to an embodiment.
11 shows a head lamp of a vehicle according to another embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.FIG. 1 is a plan view of a light emitting device package 100 according to an embodiment. FIG. 2 is a sectional view of the light emitting device package 100 taken along line AB in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 기판(103), 복수의 도전층들(112,114,122,124), 적어도 하나의 발광 칩(130), 몰딩부(140), 파장 변환부(150), 및 와이어들(162,164,166)을 포함한다.1 and 2, the light emitting device package 100 includes a substrate 103, a plurality of conductive layers 112, 114, 122, and 124, at least one light emitting chip 130, a molding unit 140, a wavelength conversion unit 150 ), And wires 162, 164, 166.

복수의 도전층들(112,114,122,124)은 기판(103) 상에 배치되며, 적어도 하나의 발광 칩(130)은 기판(103) 상에 배치된다. 다른 실시 예에서 기판(103)이라는 용어는 패키지 몸체와 혼용되어 사용될 수 있다.A plurality of conductive layers 112, 114, 122, and 124 are disposed on the substrate 103, and at least one light emitting chip 130 is disposed on the substrate 103. In another embodiment, the term substrate 103 may be used interchangeably with the package body.

기판(103)은 제1 기판(101) 또는 제2 기판(102) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The substrate 103 may include at least one of a first substrate 101 and a second substrate 102.

예컨대, 기판(103)은 제1 기판(101), 및 제1 기판(101) 상에 배치되는 제2 기판(102)을 포함할 수 있고, 제2 기판(102)의 면적은 제1 기판(101)의 면적보다 작을 수 있다. 다른 실시 예에서는 제2 기판(102)의 면적은 제1 기판(101)의 면적과 동일할 수 있다.For example, the substrate 103 may include a first substrate 101 and a second substrate 102 disposed on the first substrate 101, and an area of the second substrate 102 may be greater than the area of the first substrate 101 101). In another embodiment, the area of the second substrate 102 may be the same as the area of the first substrate 101.

제1 기판(101)은 제1 열전도율을 갖는 기판일 수 있고, 제2 기판(102)은 제2 열전도율을 갖는 기판일 수 있으며, 제1 열전도율은 제2 열전도율보다 클 수 있다.이는 제2 기판(102) 위에 배치되는 발광 칩(130)으로부터 발생하는 열을 제1 기판(101)을 통하여 외부로 신속하게 방출하기 위함이다.The first substrate 101 may be a substrate having a first thermal conductivity, the second substrate 102 may be a substrate having a second thermal conductivity, and the first thermal conductivity may be greater than the second thermal conductivity. The heat generated from the light emitting chip 130 disposed on the first substrate 102 is quickly released to the outside through the first substrate 101.

제1 기판(101)은 금속 기판, 예컨대, MCPCB(Metal Cored Printed Circuit Board)일 수 있다. 제1 기판(101)은 열전도성이 높은 방열 플레이트로서, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au)으로부터 선택된 어느 한 물질 또는 그들의 합금으로 형성될 수 있다.The first substrate 101 may be a metal substrate, for example, a metal cored printed circuit board (MCPCB). The first substrate 101 may be formed of any one material selected from copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), and gold (Au) or an alloy thereof.

제2 기판(102)은 절연 기판일 수 있다. 예컨대, 제2 기판(102)은 열전도율이 높은 세라믹 기판일 수 있다. 제2 기판(102)은 질화물, 예컨대, AlN로 형성될 수 있다. 또는 제2 기판(102)은 양극 산화층(anodized layer)을 포함할 수도 있다.The second substrate 102 may be an insulating substrate. For example, the second substrate 102 may be a ceramic substrate having a high thermal conductivity. The second substrate 102 may be formed of a nitride, e.g., AlN. Or the second substrate 102 may include an anodized layer.

제1 기판(101)과 제2 기판(102)은 다양한 형태로 형성될 수 있다.The first substrate 101 and the second substrate 102 may be formed in various shapes.

일 실시 예로서, 제1 기판(101)은 소정 영역에 캐비티(cavity, 105)를 가질 수 있고, 제2 기판(102)은 제 1 기판(101)의 캐비티(105) 내에 배치될 수 있다. 이때 제 1 기판(101)은 Al, Cu, Au 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 제 2 기판(102)은 AlN을 포함할 수 있다.The first substrate 101 may have a cavity 105 in a predetermined region and the second substrate 102 may be disposed in the cavity 105 of the first substrate 101. In this case, At this time, the first substrate 101 may include at least one of Al, Cu, and Au, and the second substrate 102 may include AlN.

다른 실시 예로서, 제1 기판(101)과 제2 기판(102)은 순차적으로 적층된 적층 구조(laminating structure)로 이루어질 수도 있다. 이때, 제1 기판(101)은 Al, Cu, Au 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 제2 기판(102)은 양극 산화층(anodized layer)을 포함할 수 있다.As another example, the first substrate 101 and the second substrate 102 may be formed of a laminating structure sequentially stacked. At this time, the first substrate 101 may include at least one of Al, Cu, and Au, and the second substrate 102 may include an anodized layer.

또 다른 실시 예로서, 제1 기판(101)과 제2 기판(102)은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 이때, 제1 기판(101)과 제2 기판(102)은 AlN, Al, Cu, Au 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The first substrate 101 and the second substrate 102 may be formed of the same material as the first substrate 101 and the second substrate 102. In this case, the first substrate 101 and the second substrate 102 may be formed of AlN, Al, Cu, Au, and the like.

발광 칩(130)이 배치되는 제2 기판(102)의 상부 표면은 편평한 평면이거나, 오목한 곡면 또는 볼록한 곡면으로 이루어질 수도 있다. 또는 제2 기판(102)의 상부 표면은 오목한 곡면, 볼록한 곡면, 편평한 평면 중 적어도 두 가지의 형상이 혼합된 형태일 수도 있다.The upper surface of the second substrate 102 on which the light emitting chip 130 is disposed may be a flat plane, a concave curved surface, or a convex curved surface. Or the upper surface of the second substrate 102 may be a mixed form of at least two shapes of a concave curved surface, a convex curved surface, and a flat plane.

제1 도전층(122) 및 제2 도전층(124)은 제2 기판(102) 상에 서로 이격하여 배치될 수 있다. 또한 제2 기판(102)은 절연 기판이기 때문에 제1 도전층(122) 및 제2 도전층(124)은 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 또한 다른 실시 예에서는 제1 기판(101)과 제1 도전층(122) 사이, 및 제1 기판(101)과 제2 도전층(124) 사이에는 절연층(미도시)이 배치될 수도 있다. 제2 기판(102)은 제1 도전층(122)과 제2 도전층(124)을 포함하는 제2 회로 패턴을 포함할 수 있다.The first conductive layer 122 and the second conductive layer 124 may be spaced apart from each other on the second substrate 102. Also, since the second substrate 102 is an insulating substrate, the first conductive layer 122 and the second conductive layer 124 can be electrically separated from each other. In another embodiment, an insulating layer (not shown) may be disposed between the first substrate 101 and the first conductive layer 122 and between the first substrate 101 and the second conductive layer 124. The second substrate 102 may include a second circuit pattern including a first conductive layer 122 and a second conductive layer 124.

제3 도전층(112) 및 제4 도전층(114)은 제1 기판(101) 상에 서로 이격하여 배치될 수 있다. 또한 제3 도전층(112) 및 제4 도전층(114)은 서로 전기적으로 분리될 수 있으며, 이러한 전기적인 분리를 위하여 제1 기판(101)과 제3 도전층(112) 사이, 및 제1 기판(101)과 제4 도전층(114) 사이에는 절연층(미도시)이 배치될 수 있다.The third conductive layer 112 and the fourth conductive layer 114 may be spaced apart from each other on the first substrate 101. The third conductive layer 112 and the fourth conductive layer 114 may be electrically separated from each other and between the first substrate 101 and the third conductive layer 112, An insulating layer (not shown) may be disposed between the substrate 101 and the fourth conductive layer 114.

제1 기판(101)은 제3 도전층(112)과 제4 도전층(114)을 포함하는 제1 회로 패턴을 포함할 수 있다. 제1 내지 제4 도전층들(122,124,112,114)의 형상은 도 1에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형태로 구현될 수 있다.The first substrate 101 may include a first circuit pattern including a third conductive layer 112 and a fourth conductive layer 114. The shapes of the first through fourth conductive layers 122, 124, 112, and 114 are not limited to those shown in FIG. 1, and may be embodied in various forms.

적어도 하나의 발광 칩(130)은 제2 기판(102) 상에 배치된다.At least one light emitting chip 130 is disposed on the second substrate 102.

예컨대, 발광 칩(130)의 수는 도 1에 도시된 바와 같이 복수 개일 수 있으며, 복수의 발광 칩들(130)은 서로 이격하여 제2 기판(102) 상에 배치될 수 있다.For example, the number of the light emitting chips 130 may be plural as shown in FIG. 1, and the plurality of light emitting chips 130 may be disposed on the second substrate 102 at a distance from each other.

제2 도전층(124)은 복수 개일 수 있고, 복수의 제2 도전층들은 서로 이격하여 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 연결된 하나의 도전층을 형성할 수도 있다.A plurality of second conductive layers 124 may be provided, and the plurality of second conductive layers may be disposed apart from each other. However, the present invention is not limited thereto, and one conductive layer may be formed.

도 1에서 제1 도전층(122)은 한 개이지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 복수 개일 수 있으며, 복수의 제1 도전층들은 서로 이격하여 배치될 수 있으며, 각각의 제1 도전층에는 와이어(166)가 본딩될 수 있다.1, a plurality of first conductive layers 122 may be disposed apart from each other, and each first conductive layer 122 may include a plurality of wires (not shown) 166 may be bonded.

도 9는 도 1에 도시된 발광 칩(130)의 일 실시 예를 나타낸다.FIG. 9 shows an embodiment of the light emitting chip 130 shown in FIG.

도 9를 참조하면, 발광 칩(130)은 제2 전극(405), 보호층(440), 전류 차단층(Current Blocking Layer; 445), 발광 구조물(450), 패시베이션층(465), 및 제1 전극(470)를 포함한다. 예컨대, 발광 칩(130)은 발광 다이오드 칩(light emitting diode chip) 형태일 수 있다.9, the light emitting chip 130 includes a second electrode 405, a passivation layer 440, a current blocking layer 445, a light emitting structure 450, a passivation layer 465, 1 electrode 470. [ For example, the light emitting chip 130 may be in the form of a light emitting diode chip.

제2 전극(405)은 제1 전극(470)과 함께 발광 구조물(450)에 전원을 제공한다. 제2 전극(405)은 지지층(support layer, 410), 접합층(bonding layer, 415), 배리어층(barrier layer, 420), 반사층(reflective layer, 425), 및 오믹층(ohmic layer, 430)을 포함할 수 있다.The second electrode 405, together with the first electrode 470, provides power to the light emitting structure 450. The second electrode 405 includes a support layer 410, a bonding layer 415, a barrier layer 420, a reflective layer 425, and an ohmic layer 430. . ≪ / RTI >

지지층(410)은 발광 구조물(450)을 지지한다. 지지층(410)은 금속 또는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 또한 지지층(410)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 지지층(410)은 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 구리-텅스텐(Cu-W) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 물질이거나, 또는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 반도체일 수 있다.The support layer 410 supports the light emitting structure 450. The support layer 410 may be formed of a metal or a semiconductor material. The support layer 410 may also be formed of a material having high electrical conductivity and high thermal conductivity. For example, the support layer 410 may be formed of a metal including at least one of copper (Cu), a copper alloy, gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), and copper- Material, or a semiconductor including at least one of Si, Ge, GaAs, ZnO, and SiC.

접합층(415)은 지지층(410)과 배리어층(420) 사이에 배치될 수 있으며, 지지층(410)과 배리어층(420)을 접합시키는 본딩층(bonding layer)의 역할을 할 수 있다. 접합층(415)은 금속 물질, 예를 들어, In,Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 접합층(415)은 지지층(410)을 본딩 방식으로 접합하기 위해 형성하는 것이므로 지지층(410)을 도금이나 증착 방법으로 형성하는 경우에는 접합층(415)은 생략될 수 있다.The bonding layer 415 may be disposed between the supporting layer 410 and the barrier layer 420 and may serve as a bonding layer for bonding the supporting layer 410 to the barrier layer 420. The bonding layer 415 may include at least one of a metal material, for example, In, Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au and Cu. The bonding layer 415 is formed to bond the supporting layer 410 by a bonding method. Therefore, when the supporting layer 410 is formed by plating or vapor deposition, the bonding layer 415 may be omitted.

배리어층(420)은 반사층(425), 오믹층(430), 및 보호층(440)의 아래에 배치되며, 접합층(415) 및 지지층(410)의 금속 이온이 반사층(425), 및 오믹층(430)을 통과하여 발광 구조물(450)로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 배리어층(420)은 Ni, Pt, Ti, W, V, Fe, Mo 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.The barrier layer 420 is disposed under the reflective layer 425, the ohmic layer 430 and the protective layer 440 and the metal ions of the bonding layer 415 and the support layer 410 are disposed on the reflective layer 425, The light can be prevented from diffusing to the light emitting structure 450 through the first and second light emitting layers 430 and 430. For example, the barrier layer 420 may include at least one of Ni, Pt, Ti, W, V, Fe, and Mo, and may be a single layer or a multilayer.

반사층(425)은 배리어층(420) 상에 배치될 수 있으며, 발광 구조물(450)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 반사층(425)은 광 반사 물질, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.The reflective layer 425 may be disposed on the barrier layer 420 and may reflect light incident from the light emitting structure 450 to improve light extraction efficiency. The reflective layer 425 may be formed of a metal or an alloy containing at least one of a reflective material such as Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf.

반사층(425)은 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 형성할 수 있다.The reflective layer 425 may be formed of a multilayer of a metal or an alloy and a light transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO. For example, IZO / Ni, AZO / / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, or the like.

오믹층(430)은 반사층(425)과 제2 도전형 반도체층(452) 사이에 배치될 수 있으며,제2 도전형 반도체층(452)에 오믹 접촉(ohmic contact)되어 발광 구조물(450)에 전원이 원활히 공급되도록 할 수 있다.The ohmic layer 430 may be disposed between the reflective layer 425 and the second conductivity type semiconductor layer 452 and may be ohmic contacted with the second conductivity type semiconductor layer 452, So that power can be supplied smoothly.

투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용하여 오믹층(430)을 형성할 수 있다. 예컨대 오믹층(430)은 제2 도전형 반도체층(452)과 오믹 접촉하는 금속 물질, 예컨대, Ag, Ni, Cr, Ti, Pd, Ir, Sn, Ru, Pt, Au, Hf 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The ohmic layer 430 can be formed by selectively using the light-transmitting conductive layer and the metal. For example, the ohmic layer 430 may include at least one of a metal material in ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 452, for example, Ag, Ni, Cr, Ti, Pd, Ir, Sn, Ru, Pt, Au, . ≪ / RTI >

보호층(440)은 제2 전극층(405)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 보호층(440)은 오믹층(430)의 가장 자리 영역, 또는 반사층(425)의 가장 자리 영역, 또는 배리어층(420)의 가장 자리 영역, 또는 지지층(410)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다.The protective layer 440 may be disposed on the edge region of the second electrode layer 405. For example, the protective layer 440 may be disposed on the edge region of the ohmic layer 430, or the edge region of the reflective layer 425, or the edge region of the barrier layer 420, .

보호층(440)은 발광 구조물(450)과 제2 전극층(405) 사이의 계면이 박리되어 발광 칩(130)의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 보호층(440)은 전기 절연성 물질, 예를 들어, ZnO, SiO2, Si3N4, TiOx(x는 양의 실수), 또는 Al2O3 등으로 형성될 수 있다.The protective layer 440 can prevent the reliability of the light emitting chip 130 from deteriorating because the interface between the light emitting structure 450 and the second electrode layer 405 is peeled off. The protective layer 440 is an electrically insulating material, e.g., ZnO, SiO 2, Si 3 N 4, TiOx (x is a positive real number), or Al 2 O 3 Or the like.

전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 발광 구조물(450) 사이에 배치될 수 있으며, 전류가 집중되는 것을 방지하여 전류를 분산시킬 수 있다. 전류 차단층(445)의 상면은 제2 도전형 반도체층(452)과 접촉하고, 전류 차단층(445)의 하면, 또는 하면과 측면은 오믹층(430)과 접촉할 수 있다. 전류 차단층(445)은 수직 방향으로 제1 전극(470)와 적어도 일부가 오버랩되도록 배치될 수 있다.The current blocking layer 445 may be disposed between the ohmic layer 430 and the light emitting structure 450 to prevent the current from being concentrated and to disperse the current. The upper surface of the current blocking layer 445 is in contact with the second conductivity type semiconductor layer 452 and the lower surface or the lower surface and the side surface of the current blocking layer 445 can be in contact with the ohmic layer 430. The current blocking layer 445 may be arranged so that at least a part of the current blocking layer 445 overlaps with the first electrode 470 in the vertical direction.

전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 제2 도전형 반도체층(452) 사이에 형성되거나, 반사층(425)과 오믹층(430) 사이에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다The current blocking layer 445 may be formed between the ohmic layer 430 and the second conductivity type semiconductor layer 452 or may be formed between the reflective layer 425 and the ohmic layer 430

발광 구조물(450)은 오믹층(430) 및 보호층(440) 상에 배치될 수 있다. 발광 구조물(450)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있다. 발광 구조물(450)은 제2 도전형 반도체층(452), 활성층(454), 및 제1 도전형 반도체층(456)을 포함할 수 있으며, 빛을 발생할 수 있다.The light emitting structure 450 may be disposed on the ohmic layer 430 and the protective layer 440. The side surface of the light emitting structure 450 may be an inclined surface in an isolation etching process that is divided into unit chips. The light emitting structure 450 may include a second conductive type semiconductor layer 452, an active layer 454, and a first conductive type semiconductor layer 456, and may emit light.

제2 도전형 반도체층(452)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(452)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(452)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, p형 도펀트(예컨대, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 452 may be formed of a compound semiconductor such as a Group 3-Group 5, a Group 2-Group 6, or the like, and may be doped with a second conductivity type dopant. For example, the second conductivity type semiconductor layer 452 may be a semiconductor semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . The second conductivity type semiconductor layer 452 may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, , Sr, Ba) may be doped.

활성층(454)은 제1 도전형 반도체층(456) 및 제2 도전형 반도체층(452)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.The active layer 454 is formed by the energy generated during the recombination of electrons and holes provided from the first conductivity type semiconductor layer 456 and the second conductivity type semiconductor layer 452, Can be generated.

활성층(454)은 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다. 활성층(454)이 양자우물구조인 경우에는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질일 수 있다.The active layer 454 may be a compound semiconductor of a semiconductor compound such as a Group 3-V-5 or a Group 2-VI-6 compound semiconductor and may be a single well structure, a multi-well structure, a quantum- Dot) structure or the like. When the active layer 454 is a quantum well structure, a well layer having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) And a barrier layer having a composition formula of In a Al b Ga 1-ab N (0? A? 1, 0? B? 1, 0? A + b? 1). The well layer may be a material having a band gap lower than the energy band gap of the barrier layer.

제1 도전형 반도체층(456)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제1 도전형 반도체층(456)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(456)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Sn 등)가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 456 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V element, a group II-VI element, or the like, and the first conductive type dopant may be doped. For example, the first conductivity type semiconductor layer 456 may be a semiconductor semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . The first conductive semiconductor layer 456 may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, Etc.) can be doped.

발광 구조물(450)의 조성에 따라 발광 칩(130)는 제1 도전형 반도체층(456), 활성층(454), 및 제2 도전형 반도체층(452)의 조성에 따라 청색광, 적색광, 녹색광, 또는 황색광 중 어느 하나를 방출할 수 있다.Depending on the composition of the light emitting structure 450, the light emitting chip 130 may emit blue light, red light, green light, and blue light depending on the composition of the first conductivity type semiconductor layer 456, the active layer 454, and the second conductivity type semiconductor layer 452, Or yellow light.

패시베이션층(465)은 발광 구조물(450)을 전기적으로 보호하기 위하여 발광 구조물(450)의 측면에 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 제1 도전형 반도체층(456)의 상면 일부 또는 보호층(440)의 상면에도 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 로 형성될 수 있다.The passivation layer 465 may be disposed on the side of the light emitting structure 450 to electrically protect the light emitting structure 450. The passivation layer 465 may be disposed on the upper surface of the first conductive semiconductor layer 456 or on the upper surface of the passivation layer 440. The passivation layer 465 is an insulating material, e.g., SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 .

제1 전극(470)는 제1 도전형 반도체층(456) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(470)은 소정의 패턴 형상일 수 있다. 제1 전극(470)은 와이어 본딩을 위한 패드부, 및 패드부로부터 확장되는 가지 전극(미도시)을 포함할 수 있다.The first electrode 470 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 456. The first electrode 470 may have a predetermined pattern shape. The first electrode 470 may include a pad portion for wire bonding and a branch electrode (not shown) extending from the pad portion.

제1 도전형 반도체층(456)의 상면은 광 추출 효율을 증가시키기 위해 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 또한 광 추출 효율을 증가시키기 위하여 제1 전극(470)의 상면에도 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.A roughness pattern (not shown) may be formed on the top surface of the first conductivity type semiconductor layer 456 to increase light extraction efficiency. A roughness pattern (not shown) may also be formed on the top surface of the first electrode 470 to increase the light extraction efficiency.

도 9에는 발광 칩(130)의 예로 수직형 발광 다이오드를 예로 하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서 발광 칩(130)은 수평형 발광 다이오드 또는 플립칩형 발광 다이오드일 수도 있다.In FIG. 9, a vertical light emitting diode is taken as an example of the light emitting chip 130, but the present invention is not limited thereto. In another embodiment, the light emitting chip 130 may be a horizontal light emitting diode or a flip chip light emitting diode.

발광 칩(130)은 제1 도전층(122)과 제2 도전층(124)에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting chip 130 may be electrically connected to the first conductive layer 122 and the second conductive layer 124.

유테틱 본딩(eutectic bonding) 또는 다이 본딩(die bonding)을 이용하여 발광 칩(130)의 제2 전극(405)은 제2 기판(102) 상에 배치된 제2 도전층(124)에 배치되어 제2 도전층(144)과 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode 405 of the light emitting chip 130 is disposed on the second conductive layer 124 disposed on the second substrate 102 using eutectic bonding or die bonding And may be electrically connected to the second conductive layer 144.

와이어(166)는 발광 칩(130)의 제1 전극(470)과 제2 기판(102) 상에 배치된 제1 도전층(122)을 전기적으로 연결할 수 있다.The wire 166 may electrically connect the first electrode 470 of the light emitting chip 130 and the first conductive layer 122 disposed on the second substrate 102.

와이어(162)는 제2 기판(102) 상에 배치된 제1 도전층(122)과 제1 기판(101) 상에 배치된 제3 도전층(112)을 전기적으로 연결할 수 있다. 와이어(162)의 수는 1개 이상일 수 있다.The wire 162 may electrically connect the first conductive layer 122 disposed on the second substrate 102 and the third conductive layer 112 disposed on the first substrate 101. [ The number of the wires 162 may be one or more.

와이어(164)는 제2 기판(102) 상에 배치된 제2 도전층(124)과 제1 기판(101) 상에 마련된 제4 도전층(114)을 전기적으로 연결할 수 있다. 와이어(164)의 수는 1개 이상일 수 있다.The wire 164 may electrically connect the second conductive layer 124 disposed on the second substrate 102 and the fourth conductive layer 114 provided on the first substrate 101. [ The number of the wires 164 may be one or more.

파장 변환부(150)는 발광 칩(130)의 상부에 위치하며, 발광 칩(130)으로부터 발생하는 빛의 파장을 변화시킬 수 있다. 파장 변환부(150)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 및 형광체를 포함할 수 있다.The wavelength converter 150 is located above the light emitting chip 130 and can change the wavelength of the light emitted from the light emitting chip 130. The wavelength converter 150 may include a colorless transparent polymer resin such as epoxy or silicon, and a phosphor.

파장 변환부(150)은 적색 형광체, 녹색 형광체, 및 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The wavelength converter 150 may include at least one of a red phosphor, a green phosphor, and a yellow phosphor.

파장 변환부(150)는 와이어(166)의 일부를 감쌀 수 있다. 예컨대, 파장 변환부(150)는 발광 칩(130)의 제1 전극(470)과 연결되는 와이어(166)의 일단을 감쌀 수 있다.The wavelength conversion unit 150 may cover a part of the wire 166. [ For example, the wavelength converter 150 may surround one end of a wire 166 connected to the first electrode 470 of the light emitting chip 130.

몰딩부(140)는 발광 칩(130), 및 와이어들(162 내지 166)을 포위하도록 기판(103) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 몰딩부(140)는 제1 기판(101)의 캐비티(105)를 채울 수 있다. 또한 예컨대, 몰딩부(140)는 발광 칩(130)의 측면, 및 파장 변환부(150)의 측면과 접할 수 있다.The molding portion 140 may be disposed on the substrate 103 to surround the light emitting chip 130 and the wires 162 to 166. [ For example, the molding part 140 may fill the cavity 105 of the first substrate 101. For example, the molding portion 140 may be in contact with the side surface of the light emitting chip 130 and the side surface of the wavelength conversion portion 150.

몰딩부(140)는 파장 변환부(150)의 상부면(154)을 노출할 수 있다.The molding part 140 may expose the upper surface 154 of the wavelength conversion part 150.

몰딩부(140)의 상부면은 와이어(166)의 최고점보다 높게 위치할 수 있다. 이를 통해 몰딩부(140)는 와이어들(162 내지 166)을 포위하고, 와이어들(162 내지 166)이 외부로 노출되거나, 몰딩부(140) 밖으로 돌출되는 것을 방지할 수 있다.The upper surface of the molding part 140 may be positioned higher than the highest point of the wire 166. The molding part 140 surrounds the wires 162 to 166 and can prevent the wires 162 to 166 from being exposed to the outside or protruding outside the molding part 140.

몰딩부(140)를 구비함으로써, 실시 예는 와이어(예컨대, 166)가 충격 또는 압력에 의하여 파손 또는 변형되거나, 공기 등에 의하여 부식되는 것을 방지할 수 있고, 이로 인하여 발광 소자 패키지(100)의 신뢰성을 확보할 수 있다.By providing the molding part 140, the embodiment can prevent the wire (for example, 166) from being damaged or deformed by impact or pressure, or being corroded by air or the like, .

몰딩부(140)는 빛을 반사할 수 있는 비전도성 몰딩(molding) 부재, 예컨대, 화이트 실리콘(white silicon)로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The molding part 140 may be made of a nonconductive molding member capable of reflecting light, for example, white silicon, but is not limited thereto.

몰딩부(140)는 발광 칩들(130)과 밀착하며, 발광 칩들(130)로부터 조사되는 빛을 바로 반사시키기 때문에 실시 예는 공기 또는 제1 기판(101) 및 제2 기판(102)에 의한 흡수 및 투과에 의한 광 손실을 감소시킬 수 있으며, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.Since the molding part 140 is in close contact with the light emitting chips 130 and directly reflects the light emitted from the light emitting chips 130, the embodiment can be applied to the case where the air is absorbed by the air or the first substrate 101 and the second substrate 102 And light loss due to transmission can be reduced, and the luminous efficiency can be improved.

다른 실시 예에서 몰딩부(140)는 빛을 투과할 수 있는 비전도성 몰딩 부재로 이루어질 수 있다. 예컨대, 몰딩부(140)는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 글래스(glass), 글래스 세라믹(glass ceramic), 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 나일론 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 염화비닐 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에틸렌 수지, 테프론 수지, 폴리스틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리올레핀 수지 등으로 이루어질 수 있다.In another embodiment, the molding part 140 may be formed of a nonconductive molding member capable of transmitting light. For example, the molding part 140 may be formed of a resin such as a silicone resin, an epoxy resin, a glass, a glass ceramic, a polyester resin, an acrylic resin, a urethane resin, a nylon resin, a polyamide resin, a polyimide resin, , A polycarbonate resin, a polyethylene resin, a Teflon resin, a polystyrene resin, a polypropylene resin, a polyolefin resin, or the like.

또 다른 실시 예에서 몰딩부(140)는 빛을 흡수할 수 있는 몰딩 부재, 예컨대, 흑색 수지, 카본 블랙이 혼합된 폴리프탈아미드(Polyphtalamide, PPA) 수지, 블랙 EMC(Epoxy Mold Compound) 수지, 또는 블랙 실리콘 등으로 이루어질 수 있다.In another embodiment, the molding part 140 may be formed of a molding material capable of absorbing light, for example, a black resin, a polyphthalamide (PPA) resin mixed with carbon black, a black EMC (Epoxy Mold Compound) resin, Black silicon and the like.

도 3a는 도 2에 도시된 파장 변환부(150) 및 와이어(166)의 일 실시 예에 따른 확대도를 나타낸다.FIG. 3A shows an enlarged view according to one embodiment of the wavelength conversion section 150 and the wire 166 shown in FIG.

도 3a를 참조하면, 파장 변환부(150)의 상부면(154)은 몰딩부(140)의 상부면(142)보다 높게 위치할 수 있다. 파장 변환부(150)의 상부면(154)은 몰딩부(140)의 상부면(142)으로부터 노출될 수 있고, 파장 변환부(150)는 몰딩부(140)의 상부면(142)을 기준으로 돌출된 구조일 수 있다.3A, the upper surface 154 of the wavelength converting portion 150 may be positioned higher than the upper surface 142 of the molding portion 140. In this case, The upper surface 154 of the wavelength converting portion 150 may be exposed from the upper surface 142 of the molding portion 140 and the wavelength converting portion 150 may be exposed from the upper surface 142 of the molding portion 140 As shown in Fig.

발광 칩(130)의 상면으로부터 파장 변환부(150)의 상부면(154)까지의 거리(d1)는 발광 칩(130)의 상면으로부터 몰딩부(140)의 상부면(142)까지의 거리(d2)보다 클 수 있다(d1>d2).The distance d1 from the upper surface of the light emitting chip 130 to the upper surface 154 of the wavelength converting portion 150 is a distance from the upper surface of the light emitting chip 130 to the upper surface 142 of the molding portion 140 d2) (d1 > d2).

발광 칩(130)의 상면으로부터 와이어(166)의 최고점(T1)까지의 거리(d3)는 발광 칩(130)의 상면으로부터 몰딩부(140)의 상부면(142)까지의 거리(d2)보다 작을 수 있다(d2<d3). 이는 와이어(166)가 몰딩부(140) 밖으로 노출되는 것을 방지하기 위함이다. 여기서 와이어(166)의 최고점(T1)은 발광 칩(130)의 상면 위에 가장 높게 위치하는 와이어(166)의 어느 한 부분일 수 있다.The distance d3 from the upper surface of the light emitting chip 130 to the highest point T1 of the wire 166 is smaller than the distance d2 from the upper surface of the light emitting chip 130 to the upper surface 142 of the molding portion 140 (D2 < d3). This is to prevent the wire 166 from being exposed outside the molding part 140. Here, the highest point T1 of the wire 166 may be any portion of the wire 166 located at the highest position on the upper surface of the light emitting chip 130. [

도 3a에 도시된 바와 같이, 파장 변환부(150)는 발광 칩(130)에 본딩되는 와이어(166)의 일단을 포위 또는 밀봉할 수 있다. 예컨대, 파장 변환부(150)는 와이어(166)에 본딩되는 발광 칩(130)의 제1 전극(470), 및 제1 전극(470)에 본딩되는 와이어(166)의 일단을 포위 또는 밀봉할 수 있다.As shown in FIG. 3A, the wavelength converting unit 150 may enclose or seal one end of the wire 166 bonded to the light emitting chip 130. For example, the wavelength converting unit 150 may surround or seal one end of the first electrode 470 of the light emitting chip 130 and the wire 166 bonded to the first electrode 470, which are bonded to the wire 166 .

몰딩부(140)는 파장 변환부(150)의 상부면의 가장 자리에 접할 수 있다. 예컨대, 몰딩부(140)는 파장 변환부(150)의 상부면과 측면이 만나는 모서리 부분(301)과 접할 수 있다.The molding unit 140 may be in contact with the edge of the upper surface of the wavelength conversion unit 150. For example, the molding part 140 may be in contact with the edge part 301 where the upper surface and the side of the wavelength conversion part 150 meet.

예컨대, 몰딩부(140)의 상부면(142)은 파장 변환부(150)의 상부면(154)과 평행한 제1 상부면(142a), 및 제1 상부면(142a)과 파장 변환부(150)의 상부면(154)의 모서리 부분(301) 사이에 위치하는 제2 상부면(142b)을 포함할 수 있다.The upper surface 142 of the molding part 140 includes a first upper surface 142a parallel to the upper surface 154 of the wavelength conversion part 150 and a second upper surface 142b parallel to the upper surface 142a of the wavelength conversion part 150 And a second upper surface 142b positioned between the edge portions 301 of the upper surface 154 of the first and second surfaces 150a, 150b.

몰딩부(140)의 제2 상부면(142b)은 파장 변환부(150)의 상부면(154)의 모서리 부분(301), 및 제1 상부면(142a) 각각에 접할 수 있으며, 오목한 곡면일 수 있다. 몰딩부(140)의 제2 상부면(142b)이 오목한 곡면인 이유는 몰딩 공정 시 몰딩 부재가 유동성을 가지며, 경화 이후에 몰딩 부재가 수축이 발생하기 때문이다.The second upper surface 142b of the molding portion 140 can contact each of the corner portion 301 and the first upper surface 142a of the upper surface 154 of the wavelength converting portion 150, . The reason why the second upper surface 142b of the molding part 140 is a concave curved surface is that the molding member has fluidity during the molding process and shrinkage occurs after the molding process.

몰딩 공정의 용이성 및 광 굴절률을 고려할 때, 몰딩부(140) 형성에 사용되는 몰딩 부재의 점성 계수는 1500[mPas] ~ 2000[mPas]일 수 있다. 몰딩 부재의 점성 계수가 1500[mPas] 미만이거나 2000[mPas]를 초과할 경우, 몰딩 부재가 와이어(166)를 완전히 포위하지 못하여 와이어(166)가 외부로 노출될 수 있고, 원하는 광 굴절율을 구현하기 어려울 수 있다.The viscosity of the molding member used to form the molding part 140 may be 1500 [mPas] to 2000 [mPas], considering ease of molding process and optical refractive index. If the viscosity of the molding member is less than 1500 mPas or exceeds 2000 mPas, the molding member may not completely surround the wire 166, the wire 166 may be exposed to the outside, It can be difficult.

발광 칩(130)의 상면으로부터 몰딩부(140)의 상부면(142), 예컨대, 제1 상부면(142a)까지의 거리(d2)는 발광 칩(130)의 상면으로부터 와이어(166)의 최고점(T1)까지의 거리(d3)에 37㎛를 더한 값보다 클 수 있다.The distance d2 from the upper surface of the light emitting chip 130 to the upper surface 142 of the molding portion 140 such as the first upper surface 142a is equal to the distance d2 from the upper surface of the light emitting chip 130 to the highest point of the wire 166 May be larger than a value obtained by adding 37 [mu] m to the distance d3 to the distance T1.

이는 1500[mPas] ~ 2000[mPas]의 점성 계수를 갖는 몰딩 부재를 디스펜싱(dispensing) 타겟 높이에서 맞추어 디스펜싱 공정을 수행하면 몰딩 부재의 높이가 설정된 타겟 높이보다 약 30㎛ 낮아지고, 몰딩 부재 경화 시에 몰딩 부재의 수축에 의하여 몰딩 부재의 높이가 약 7㎛ 낮아지기 때문이다.When the dispensing process is performed by matching the molding member having the viscosity coefficient of 1500 [mPas] to 2000 [mPas] at the dispensing target height, the height of the molding member is lowered by about 30 탆 from the set target height, This is because the molding member is shrunk at the time of curing to lower the height of the molding member by about 7 mu m.

여기서 디스펜싱 타겟 높이는 파장 변환부(150)의 상부면(154)으로부터 30㎛만큼 아래에 위치하는 지점일 수 있으며, 디스펜싱 타겟 높이를 30um로 하는 이유는 디스펜싱 및 경화 공정에 따른 공정 마진을 줌으로써 신뢰성을 보장하기 위함이다.Here, the height of the dispensing target may be 30 占 퐉 below the upper surface 154 of the wavelength converter 150, and the height of the dispensing target may be 30 占 퐉 because the process margin due to the dispensing and curing process So as to ensure reliability.

따라서 공정 마진(약 30㎛), 디스펜싱 공정에 따른 타겟 높이의 낮아짐(약 30㎛)과 경화 시의 몰딩 부재의 수축(약 7㎛)을 고려하여 와이어(166)가 몰딩부(140) 밖으로 노출되지 않도록 하기 위해서는 파장 변환부(150)의 상부면(154)으로부터 와이어(166)의 최고점(T1)까지의 거리는 67㎛ 이상일 수 있다.Therefore, considering the process margin (about 30 mu m), the lowering of the target height (about 30 mu m) due to the dispensing process, and the shrinkage (about 7 mu m) The distance from the upper surface 154 of the wavelength converter 150 to the highest point T1 of the wire 166 may be 67 μm or more.

또한 발광 칩(130)의 상면으로부터 파장 변환부(150)의 상부면(154)까지의 거리(d1)는 발광 칩(130)의 상면으로부터 와이어(166)의 최고점(T1)까지의 거리(d3)에 37㎛를 더한 값보다 클 수 있다.The distance d1 from the upper surface of the light emitting chip 130 to the upper surface 154 of the wavelength converting portion 150 is equal to the distance d3 from the upper surface of the light emitting chip 130 to the highest point T1 of the wire 166 ) By 37 [micro] m.

d1 및 d2 각각이 d3에 37㎛를 더한 값보다 크기 때문에, 실시 예는 와이어(166)가 몰딩부(140) 및 파장 변환부(150) 밖으로 노출되는 것을 방지할 수 있고, 와이어 노출을 방지함으로써 외부의 충격으로 인한 와이어의 파손, 및 와이어의 산화를 방지할 수 있고, 와이어 본딩의 신뢰성을 강화할 수 있다.since each of d1 and d2 is larger than d3 plus 37 mu m, the embodiment can prevent the wire 166 from being exposed outside the molding portion 140 and the wavelength conversion portion 150, Breakage of the wire due to an external impact, and oxidation of the wire can be prevented, and the reliability of the wire bonding can be enhanced.

도 3b는 도 2에 도시된 파장 변환부(150) 및 와이어(166)의 다른 실시 예에 따른 확대도를 나타낸다.FIG. 3B shows an enlarged view according to another embodiment of the wavelength conversion section 150 and the wire 166 shown in FIG.

도 3b를 참조하면, 몰딩부(140)는 파장 변환부(150)의 상부면(154)의 가장 자리에 접하지 않을 수 있으며, 몰딩부(140)는 파장 변환부(150)의 상부면(154)의 모서리 부분(301)과 이격할 수 있고, 파장 변환부(150)의 측면에 접할 수 있으며, 파장 변환부(150)는 몰딩부(140)의 상부면(154)을 기준으로 돌출된 구조일 수 있다. 도 3b에 도시된 실시 예는 상술한 내용만 차이가 있을 뿐이고, d1,d2,d3에 대한 거리 상관 관계는 도 3a에서 설명한 바와 동일할 수 있다.3B, the molding part 140 may not touch the edge of the upper surface 154 of the wavelength conversion part 150, and the molding part 140 may contact the upper surface 154 of the wavelength conversion part 150 154 may be spaced apart from the edge portion 301 of the molding portion 140 and may contact the side surface of the wavelength conversion portion 150. The wavelength conversion portion 150 may protrude from the upper surface 154 of the molding portion 140 Structure. The embodiment shown in FIG. 3B differs only in the above-described embodiment, and the distance correlation for d1, d2, and d3 may be the same as described in FIG. 3A.

도 4는 도 1에 도시된 파장 변환부(150)를 나타낸다.FIG. 4 shows the wavelength converter 150 shown in FIG.

도 4를 참조하면, 파장 변환부(150)는 복수 개의 서브 파장 변환부들(150-a 내지 150d)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the wavelength converter 150 may include a plurality of sub-wavelength converters 150-a to 150d.

복수 개의 서브 파장 변환부들(150-a 내지 150d) 각각은 발광 소자들(130) 중 어느 하나와 대응하도록 위치하거나 또는 정렬될 수 있다.Each of the plurality of sub-wavelength converters 150-a to 150d may be positioned or aligned to correspond to any one of the light emitting elements 130. [

도 5는 다른 실시 예에 따른 파장 변환부(150')를 나타낸다.FIG. 5 shows a wavelength converter 150 'according to another embodiment.

도 5를 참조하면, 파장 변환부(150')는 발광 칩들 각각이 위치하는 영역 및 인접하는 2개의 발광 소자들 사이의 영역을 모두 합한 영역(S4)과 대응하도록 위치할 수 있으며, 일체형의 라인 형상으로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 5, the wavelength converter 150 'may be positioned so as to correspond to an area S4 where the respective light emitting chips are located and a region between two adjacent light emitting devices, Shape.

도 6은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)의 평면도를 나타내고, 도 7은 도 6에 도시된 발광 소자 패키지(200)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다. 도 1 및 도 2와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.FIG. 6 is a plan view of a light emitting device package 200 according to another embodiment, and FIG. 7 is a sectional view of the light emitting device package 200 in the AB direction. The same reference numerals as in Figs. 1 and 2 denote the same components, and a description of the same components will be simplified or omitted.

도 6 및 도 7을 참조하면, 발광 소자 패키지(200)는 기판(103), 복수의 도전층들(112,114,122,124), 적어도 하나의 발광 칩(130), 몰딩부(140), 파장 변환부(150-1), 및 와이어들(162,164,166)을 포함한다.6 and 7, the light emitting device package 200 includes a substrate 103, a plurality of conductive layers 112, 114, 122 and 124, at least one light emitting chip 130, a molding part 140, a wavelength conversion part 150 -1), and wires 162, 164, and 166.

도 6 및 도 7을 참조하면, 파장 변환부(150-1)는 적어도 하나의 발광 칩(130)과 본딩되는 와이어(166)와 접하지 않고 이격될 수 있다.6 and 7, the wavelength conversion unit 150-1 may be spaced apart from the at least one light emitting chip 130 without being in contact with the wires 166 to be bonded.

예컨대, 파장 변환부(150-1)는 발광 칩(130)의 제1 전극(470), 및 제1 전극(470)과 본딩되는 와이어(166)의 일단과 이격될 수 있다.For example, the wavelength conversion unit 150-1 may be spaced apart from one end of the first electrode 470 of the light emitting chip 130 and one end of the wire 166 bonded to the first electrode 470.

몰딩부(140-1)는 발광 칩(130)의 제1 전극(470), 및 제1 전극(470)과 본딩되는 와이어(166)의 일단을 밀봉할 수 있다.The molding part 140-1 may seal one end of the first electrode 470 of the light emitting chip 130 and one end of the wire 166 bonded to the first electrode 470. [

도 8a는 도 7에 도시된 파장 변환부(150-1) 및 와이어(166)의 일 실시 예에 따른 확대도를 나타낸다.FIG. 8A shows an enlarged view according to an embodiment of the wavelength conversion section 150-1 and the wire 166 shown in FIG.

도 8a를 참조하면, 몰딩부(140-1)는 파장 변환부(150-1)의 상부면의 가장 자리에 접할 수 있다. 예컨대, 몰딩부(140-1)는 파장 변환부(150-1)의 상부면과 측면이 만나는 모서리 부분(301)과 접할 수 있다.Referring to FIG. 8A, the molding part 140-1 may contact the edge of the upper surface of the wavelength converting part 150-1. For example, the molding part 140-1 may be in contact with the corner part 301 where the upper surface and the side of the wavelength conversion part 150-1 meet.

예컨대, 몰딩부(140-1)의 상부면(142)은 파장 변환부(150-1)의 상부면(154-1)과 평행한 제1 상부면(142a), 및 제1 상부면(142a)과 파장 변환부(150-1)의 상부면(154-1)의 모서리 부분(301) 사이에 위치하는 제2 상부면(142b)을 포함할 수 있다.For example, the upper surface 142 of the molding portion 140-1 includes a first upper surface 142a parallel to the upper surface 154-1 of the wavelength conversion portion 150-1, and a second upper surface 142a And a second upper surface 142b positioned between the edge portion 301 of the upper surface 154-1 of the wavelength conversion portion 150-1 and the edge portion 301 of the wavelength conversion portion 150-1.

발광 칩(130)의 상면으로부터 파장 변환부(150-1)의 상부면(154-1)까지의 거리(H1)는 도 3a에서 설명한 d1과 동일할 수 있다. 또한 발광 칩(130)의 상면으로부터 몰딩부(140-1)의 상부면(142)까지의 거리(H2)는 도 3a에서 설명한 d2와 동일할 수 있다. 또한 발광 칩(130)의 상면으로부터 와이어(166)의 최고점(T1)까지의 거리(H3)는 도 3a에서 설명한 d3와 동일할 수 있다.The distance H1 from the upper surface of the light emitting chip 130 to the upper surface 154-1 of the wavelength converting portion 150-1 may be the same as d1 described in FIG. The distance H2 from the upper surface of the light emitting chip 130 to the upper surface 142 of the molding part 140-1 may be the same as d2 described in FIG. The distance H3 from the upper surface of the light emitting chip 130 to the highest point T1 of the wire 166 may be the same as d3 described in Fig.

또한 H1, H2, 및 H3 간의 대소 관계는 도 3a에서 설명한 d1,d2, 및 d3 간의 대소 관계와 동일할 수 있다.The magnitude relationship between H1, H2, and H3 may be the same as the magnitude relationship between d1, d2, and d3 described in Fig. 3A.

도 8b는 도 7에 도시된 파장 변환부(150-1) 및 와이어(166)의 다른 실시 예에 따른 확대도를 나타낸다.FIG. 8B shows an enlarged view according to another embodiment of the wavelength conversion section 150-1 and the wire 166 shown in FIG.

도 8b를 참조하면, 몰딩부(140-1)는 파장 변환부(150-1)의 상부면(154-1)의 가장 자리에 접하지 않을 수 있으며, 몰딩부(140-1)는 파장 변환부(150-1)의 상부면(154-1)의 모서리 부분(301)과 이격할 수 있고, 파장 변환부(150-1)의 측면에 접할 수 있다.Referring to FIG. 8B, the molding part 140-1 may not touch the edge of the upper surface 154-1 of the wavelength conversion part 150-1, and the molding part 140-1 may have a wavelength conversion Can be spaced apart from the edge portion 301 of the upper surface 154-1 of the portion 150-1 and can contact the side surface of the wavelength conversion portion 150-1.

도 10은 실시 예에 따른 차량용 헤드 램프(800)의 단면도를 나타낸다.10 shows a sectional view of a vehicle headlamp 800 according to the embodiment.

도 10을 참조하면, 헤드 램프(800)는 발광 소자 패키지를 포함하는 램프 유닛(801), 리플렉터(reflector)(802), 쉐이드(803), 및 렌즈(804)를 포함한다.10, the headlamp 800 includes a lamp unit 801, a reflector 802, a shade 803, and a lens 804 including a light emitting device package.

램프 유닛(801)에 포함되는 발광 소자 패키지는 실시 예들(100,200) 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting device package included in the lamp unit 801 may be any one of the embodiments 100 and 200.

리플렉터(802)는 램프 유닛(801)로부터 조사되는 광을 일정 방향으로 반사시킬 수 있다. 쉐이드(803)는 리플렉터(802)와 렌즈(804) 사이에 배치될 수 있고, 리플렉터(802)에 의하여 반사되어 렌즈(804)로 향하는 광의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재이다.The reflector 802 can reflect the light emitted from the lamp unit 801 in a certain direction. The shade 803 may be disposed between the reflector 802 and the lens 804 and may block or reflect a portion of the light that is reflected by the reflector 802 and directed to the lens 804 to provide the designer with a desired light distribution pattern Member.

여기서, 렌즈(804)에 인접하는 쉐이드(803)의 일측부(803-1)와 램프 유닛(801)에 인접하는 쉐이드(803)의 타측부(803-2)는 높이가 다를 수 있다.Here, one side 803-1 of the shade 803 adjacent to the lens 804 and the other side 803-2 of the shade 803 adjacent to the lamp unit 801 may have different heights.

그리고, 램프 유닛(801)에서 조사된 광은 리플렉터(802) 및 쉐이드(803)에서 반사된 후, 렌즈(804)를 투과하여 차량의 전방으로 진행할 수 있다. 이때 렌즈(804)는 리플렉터(802)에 의하여 반사된 빛을 굴절시킬 수 있다.The light irradiated from the lamp unit 801 is reflected by the reflector 802 and the shade 803 and then transmitted through the lens 804 to advance to the front of the vehicle. At this time, the lens 804 may refract the light reflected by the reflector 802.

도 11은 다른 실시 예에 따른 차량의 헤드 램프를 나타낸다.11 shows a head lamp of a vehicle according to another embodiment.

도 11을 참조하면, 차량용 헤드 램프(900)는 발광 소자 패키지를 포함하는 램프 유닛(910) 및 라이트 하우징(light housing, 920)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, the vehicle headlamp 900 may include a lamp unit 910 including a light emitting device package and a light housing 920.

램프 유닛(910)에 포함되는 발광 소자 패키지는 상술한 실시 예들(100, 200) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting device package included in the lamp unit 910 may include at least one of the embodiments 100 and 200 described above.

라이트 하우징(920)은 램프 유닛(910)을 수납할 수 있으며, 투광성 재질로 이루어질 수 있다. 차량용 라이트 하우징(920)은 장착되는 차량 부위 및 디자인에 따라 굴곡을 포함할 수 있다.The light housing 920 can house the lamp unit 910 and can be made of a light transmitting material. The vehicle light housing 920 may include bends depending on the vehicle location and the design being mounted.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 타 광학 부재들과 함께 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 이러한 라이트 유닛은 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명 장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예에서는 상술한 실시 예들에 기재된 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등 등을 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment can function as a light unit together with other optical members. Such a light unit may be provided in a display device such as a portable terminal and a notebook computer, or may be variously applied to a lighting device and a pointing device. In another embodiment, the light emitting device package may be embodied as a lighting device including the light emitting device package described in the above embodiments. For example, the lighting device may include a lamp, a streetlight, an electric signboard, a headlight, and the like.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

103: 기판 112,114,122,124: 도전층들
130: 발광 칩 140: 몰딩부
150: 파장 변환부 162,164,166: 와이어들.103: substrate 112, 114, 122, 124:
130: light emitting chip 140: molding part
150: wavelength converter 162, 164, 166: wires.

Claims (10)

기판:
상기 기판 상에 배치되는 도전층;
상기 기판 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 칩;
상기 도전층과 상기 적어도 하나의 발광 칩을 전기적으로 연결하는 와이어;
상기 발광 칩 상에 배치되는 파장 변환부; 및
상기 발광 칩, 및 상기 와이어를 포위하고, 상기 파장 변환부의 상부면을 노출하도록 상기 기판 상에 배치되는 몰딩부를 포함하며,
상기 발광 칩의 상면으로부터 상기 파장 변환부의 상부면까지의 거리는 상기 발광 칩의 상면으로부터 상기 와이어의 최고점까지의 거리에 37㎛를 더한 값보다 큰 발광 소자 패키지.Board:
A conductive layer disposed on the substrate;
At least one light emitting chip disposed on the substrate;
A wire electrically connecting the conductive layer and the at least one light emitting chip;
A wavelength converter disposed on the light emitting chip; And
And a molding portion surrounding the light emitting chip and the wire and disposed on the substrate so as to expose an upper surface of the wavelength conversion portion,
Wherein the distance from the upper surface of the light emitting chip to the upper surface of the wavelength converting portion is larger than the distance from the upper surface of the light emitting chip to the highest point of the wire plus 37 占 퐉. 제1항에 있어서,
상기 발광 칩의 상면으로부터 상기 파장 변환부의 상부면까지의 거리는 상기 발광 칩의 상면으로부터 상기 몰딩부의 상부면까지의 거리보다 큰 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein a distance from an upper surface of the light emitting chip to an upper surface of the wavelength converting portion is larger than a distance from an upper surface of the light emitting chip to an upper surface of the molding portion. 제1항에 있어서,
상기 발광 칩의 상면으로부터 상기 와이어의 최고점까지의 거리는 상기 발광 칩의 상면으로부터 상기 몰딩부의 상부면까지의 거리보다 작은 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein a distance from an upper surface of the light emitting chip to a highest point of the wire is smaller than a distance from an upper surface of the light emitting chip to an upper surface of the molding portion. 제1항에 있어서,
상기 파장 변환부는 상기 발광 칩에 본딩되는 상기 와이어의 일단을 포위하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the wavelength converter surrounds one end of the wire bonded to the light emitting chip. 제1항에 있어서,
상기 파장 변환부는 상기 발광 칩에 본딩되는 상기 와이어의 일단으로부터 이격하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the wavelength converting portion is spaced apart from one end of the wire bonded to the light emitting chip. 제5항에 있어서,
상기 몰딩부는 상기 발광 칩에 본딩되는 상기 와이어의 일단을 포위하는 발광 소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the molding portion surrounds one end of the wire bonded to the light emitting chip. 제1항에 있어서,
상기 몰딩부는 상기 파장 변환부의 상부면과 측면이 만나는 모서리 부분과 접하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the molding portion is in contact with an edge portion where the upper surface and the side of the wavelength conversion portion meet. 제1항에 있어서,
상기 몰딩부는 상기 파장 변환부의 상부면과 측면이 만나는 모서리 부분과 이격하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the molding portion is spaced apart from an edge portion where the upper surface and the side of the wavelength conversion portion meet. 제8항에 있어서,
상기 파장 변환부는 상기 몰딩부의 상부면을 기준으로 돌출된 구조인 발광 소자 패키지.9. The method of claim 8,
Wherein the wavelength converting portion is protruded with respect to an upper surface of the molding portion. 제1항에 있어서,
상기 파장 변환부의 상부면으로부터 상기 와이어의 최고점까지의 거리는 67㎛ 이상인 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the distance from the upper surface of the wavelength conversion portion to the highest point of the wire is 67 mu m or more.
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