KR20160027802A - Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method - Google Patents

Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method Download PDF

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Abstract

The present invention relates to a substrate liquid processing device for etching and cleaning a substrate for a semiconductor. The substrate liquid processing device comprises: a substrate support unit configured to separate a substrate from an upper portion of a table to be supported; a rotation driving unit configured to drive a rotation shaft which rotates the table; a processing liquid supply unit configured to supply processing liquid which processes a processing surface of the substrate; a heating unit configured to heat at least one of the substrate or the processing liquid; a processing liquid collecting unit installed in a circumference of the table to collect the processing liquid discharged from the substrate; and a moisture supply unit configured to supply moisture to a space to which the processing liquid is supplied, thereby suppressing evaporation of the moisture to increase a selection ratio for liquid processing.

Description

기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing method,

본 발명은 반도체용 기판을 식각 및 세정하는 기판 액처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate liquid processing apparatus for etching and cleaning a semiconductor substrate.

반도체 소자 제조를 위해서는 기판 상에 다층의 박막을 형성하는데 있어 식각 및 세정 공정은 필수적이다.In order to manufacture a semiconductor device, etching and cleaning processes are essential for forming a multilayer thin film on a substrate.

일반적으로 습식 식각 및 세정 장치는 기판을 지지하는 척이 설치된 테이블을 회전시키면서, 처리액을 기판에 공급하여 식각, 세정 및 건조 공정을 수행하고, 테이블 둘레에 컵 구조를 갖는 처리액 회수부를 이용하여 처리액을 회수한다.In general, the wet etching and cleaning apparatus is configured to perform the etching, cleaning, and drying processes by supplying the processing liquid to the substrate while rotating a table provided with a chuck for supporting the substrate, and using a processing solution recovery unit having a cup structure around the table The treatment liquid is recovered.

한편, 기판에 증착된 질화막, 산화막, 금속막 등의 박막이나 포토레지스트 등을 기판으로부터 빠르게 제거하기 위해서는 공정을 고온 상태에서 진행할 필요가 있었다. On the other hand, in order to quickly remove a thin film such as a nitride film, an oxide film, a metal film, or the like deposited on a substrate from a substrate, it has been necessary to carry out the process at a high temperature.

이와 같이 고온에서 처리액을 공급하는 경우 처리액에 포함된 수분이 급속히 증발하여 처리액과 농도가 높아지고, 이에 따라 장치 내 파티클이 다량 발생하고, 처리액의 농도 변화로 인해 처리 효율이 낮아지는 문제점이 있었다..When the treatment liquid is supplied at such a high temperature, the water contained in the treatment liquid rapidly evaporates to increase the concentration of the treatment liquid. As a result, a large amount of particles are generated in the apparatus, There was ...

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 고온에서의 기판 액처리 공정 시 처리액 내의 수분 증발을 억제하는 기판 액처리 장치를 제공함에 그 목적이 있다.In order to solve the problems of the background art described above, it is an object of the present invention to provide a substrate liquid processing apparatus which suppresses evaporation of moisture in a processing liquid during a substrate liquid processing process at a high temperature.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기판 액처리 장치는, 테이블 상부에 기판을 이격하여 지지하는 기판 지지부; 상기 테이블을 회전시키는 회전축을 구동하는 회전 구동부; 상기 기판의 처리면을 처리하는 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 상기 기판 또는 상기 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하는 가열부; 상기 테이블 둘레에 설치되어 기판으로부터 배출되는 처리액을 회수하는 처리액 회수부; 및 상기 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급하는 수분 공급부; 를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate liquid processing apparatus comprising: a substrate supporting unit for supporting a substrate on an upper portion of a table; A rotation driving unit for driving a rotation axis for rotating the table; A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid for processing the processing surface of the substrate; A heating unit for heating at least one of the substrate and the treatment liquid; A processing solution recovery unit installed around the table for recovering the processing solution discharged from the substrate; And a moisture supply unit for supplying moisture to the space to which the treatment liquid is supplied; .

바람직하게, 상기 수분 공급부는, 수분을 미스트 또는 증기 상태로 분사한다.Preferably, the water supply unit injects moisture in a mist or vapor state.

바람직하게, 상기 수분 공급부의 수분을 분사하는 분사구는 1 이상의 홀 또는 슬릿 형태로 형성된다.Preferably, the injection port for spraying the moisture of the water supply part is formed in at least one hole or slit shape.

바람직하게, 상기 기판은, 처리면이 상부를 향해 지지되고, 상기 처리액과 상기 수분은, 상기 기판의 상부 공간으로 공급된다.Preferably, the substrate is supported with the treatment surface facing upward, and the treatment liquid and the moisture are supplied to the upper space of the substrate.

바람직하게, 상기 기판의 상부에서 상기 처리액 공급부를 왕복 구동시키는 구동수단; 을 더 포함하고, 상기 수분 공급부는, 상기 기판의 상부 공간에 설치된다.Preferably, drive means for reciprocally driving the treatment liquid supply portion at an upper portion of the substrate; And the water supply unit is installed in an upper space of the substrate.

바람직하게, 상기 기판의 상부에서 상기 처리액 공급부를 왕복 구동시키는 구동수단; 을 더 포함하고, 상기 수분 공급부는, 상기 구동수단에 의해 상기 처리액 공급부와 함께 왕복 구동된다.Preferably, drive means for reciprocally driving the treatment liquid supply portion at an upper portion of the substrate; And the water supply unit is reciprocally driven together with the process liquid supply unit by the drive unit.

바람직하게, 상기 기판의 상부에서 상기 처리액 공급부를 왕복 구동시키는 구동수단; 을 더 포함하고, 상기 처리액 회수부는, 내측이 돌출된 1 이상의 컵을 구비하고, 상기 수분 공급부는, 상기 컵에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어진다.Preferably, drive means for reciprocally driving the treatment liquid supply portion at an upper portion of the substrate; Wherein the processing liquid recovery unit includes one or more cups with the inside protruding thereon, and the water supply unit includes one or more nozzles provided in the cup.

바람직하게, 상기 기판은, 처리면이 하부를 향해 지지되고, 상기 처리액과 상기 수분은, 상기 기판과 테이블 사이의 공간으로 공급된다.Preferably, the substrate is supported with the treatment surface facing downward, and the treatment liquid and the moisture are supplied to the space between the substrate and the table.

바람직하게, 상기 처리액 공급부와 상기 수분 공급부는, 각각 상기 테이블의 상부 중앙 부분에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어진다.Preferably, the treatment liquid supply unit and the water supply unit are each composed of one or more nozzles provided at an upper central portion of the table.

바람직하게, 상기 처리액 공급부는, 상기 테이블의 상부 중앙 부분에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어지고, 상기 처리액 회수부는, 내측이 돌출된 1 이상의 컵을 구비하고, 상기 수분 공급부는, 상기 컵에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어진다.Preferably, the treatment liquid supply unit includes one or more nozzles provided at an upper central portion of the table, and the treatment liquid recovery unit may include at least one cup having an inside protruding thereon, And one or more nozzles to be installed.

바람직하게, 상기 수분 공급부의 노즐은, 상기 기판의 수평면에 대하여 0°~ 20°기울어져 수분을 분사한다.Preferably, the nozzles of the water supply unit are inclined by 0 ° to 20 ° with respect to the horizontal plane of the substrate to spray water.

바람직하게, 상기 처리액은, SPM(황산과 과산화수소수의 혼합물)이다.Preferably, the treatment liquid is SPM (a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide water).

바람직하게, 상기 수분은, DIW(탈이온수)이다. 이때, 상기 수분은, 상온보다 높고, 끓는점보다 낮은 온도로 공급된다. Preferably, the water is DIW (deionized water). At this time, the water is supplied at a temperature higher than room temperature and lower than the boiling point.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기판 액처리 방법은, 상기 기판 또는 상기 기판에 제공되는 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하면서, 상기 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급한다.In order to solve the above-described problems, the method of processing a substrate liquid supplies moisture to a space to which the processing liquid is supplied while heating at least one of the substrate and the processing liquid provided on the substrate.

바람직하게, 상기 처리액은 상기 처리면의 식각 공정 또는 PR스트립 공정에 사용되는 약액이다. Preferably, the treatment liquid is a chemical solution used in an etching process or a PR strip process of the treatment surface.

바람직하게, 상기 수분은 상기 처리액과 동시에 분사된다.Preferably, the water is sprayed simultaneously with the treatment liquid.

바람직하게, 상기 처리액을 공급하는 시간과 상기 수분을 공급하는 시간이 적어도 일부 중첩되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.Preferably, the time for supplying the treatment liquid and the time for supplying the water are at least partially overlapped.

본 발명의 기판 액처리 장치에 의하면, 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급함으로써 수분의 증발을 억제하여 기판을 액처리 하는 선택비를 높일 수 있다.According to the substrate liquid processing apparatus of the present invention, by supplying moisture to the space to which the processing liquid is supplied, evaporation of moisture can be suppressed, and the selection ratio for liquid processing the substrate can be increased.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 구성도.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 의한 구성도.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 의한 구성도.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 의한 구성도.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 의한 구성도.1 is a configuration diagram according to a first embodiment of the present invention;
2 is a configuration diagram according to a second embodiment of the present invention;
3 is a configuration diagram according to a third embodiment of the present invention;
4 is a configuration diagram according to a fourth embodiment of the present invention;
5 is a configuration diagram according to a fifth embodiment of the present invention;

이하에서는 본 발명의 실시예를 도면을 참고하여 구체적으로 설명한다. 본 발명의 기판 액처리 장치는 제1 내지 제5 실시예로 구분할 수 있으며, 각 실시예의 구성요소는 기본적으로 동일하나, 일부 구성에 있어서 차이가 있다. 또한 발명의 여러 실시예 중 동일한 기능과 작용을 하는 구성요소에 대해서는 도면상의 도면부호를 동일하게 사용하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The substrate liquid processing apparatus of the present invention can be classified into the first to fifth embodiments, and the constituent elements of the respective embodiments are basically the same, but there is a difference in some configurations. In addition, among the various embodiments of the present invention, the same reference numerals in the drawings denote the same components and components that perform the same function and operation.

본 발명의 제1 실시예에 의한 기판 액처리 장치는 도 1에 도시한 바와 같이 크게 기판 지지부(10), 회전 구동부(20), 처리액 공급부(30), 가열부(40), 처리액 회수부(50) 및 수분 공급부(60)로 이루어진다.1, the substrate liquid processing apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a substrate supporting unit 10, a rotation driving unit 20, a process liquid supply unit 30, a heating unit 40, (50) and a water supply part (60).

기판 지지부(10)는 테이블(11) 상부에 기판(W)을 이격하여 지지한다. 테이블(11) 상부의 외곽에는 복수개의 척핀(12)이 설치되어 기판(W)을 내측으로 지지하며, 기판(W)의 처리면은 상부를 향하여 지지된다. 이때, 액처리하기 위한 기판 뿐 아니라 더미 기판을 사용할 수도 있다.The substrate supporting part 10 supports the substrate W in a spaced manner on the table 11. A plurality of chuck pins 12 are provided on the outer periphery of the table 11 to support the substrate W inward and the processing surface of the substrate W is supported toward the top. At this time, not only a substrate for liquid processing but also a dummy substrate may be used.

회전 구동부(20)는 테이블(11) 하부의 회전축을 구동시켜 테이블(11)을 회전시킨다.The rotary drive unit 20 drives the rotary shaft of the lower portion of the table 11 to rotate the table 11.

처리액 공급부(30)는 기판(W)의 상부면을 식각, 세정 또는 건조하기 위한 처리액을 공급하는 1 이상의 처리액공급 노즐(31)을 구비한다. 처리액공급 노즐(31)은 기판(W)의 상부 공간에 설치되고, 구동 수단에 의해 왕복 구동될 수 있다. 이때, 처리액은 SPM(황산과 과산화수소수의 혼합물)을 사용할 수 있다.The process liquid supply unit 30 includes at least one process liquid supply nozzle 31 for supplying a process liquid for etching, cleaning, or drying the upper surface of the substrate W. The treatment liquid supply nozzle 31 is provided in an upper space of the substrate W, and can be reciprocally driven by the driving means. At this time, SPM (a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide water) can be used as the treatment liquid.

가열부(40)는 기판(W)의 액처리 효율을 향상시키기 위하여 기판(W)의 상부에 히터를 설치할 수 있다. 히터는 구동수단에 의해 스윙 형태로 이동하여 회전하는 기판(W)을 균일하게 가열시킬 수 있다. 도면에 도시하지는 않았지만 기판에 처리액을 공급하기 전 처리액의 혼합에 의한 발열반응을 이용하거나 처리액을 직접 가열함으로써 고온의 처리액을 기판에 직접 공급하는 처리액 방식을 사용할 수 있다.The heating unit 40 may be provided with a heater on the substrate W to improve the liquid processing efficiency of the substrate W. The heater moves in a swing form by the driving means and can heat the rotating substrate W uniformly. Although not shown in the drawing, a treatment liquid system in which a high-temperature treatment liquid is directly supplied to the substrate by using an exothermic reaction by mixing the treatment liquid before the treatment liquid is supplied to the substrate or directly heating the treatment liquid can be used.

이러한 처리액 가열 방식과 상술한 히터 가열 방식은 단독 또는 복합적으로 사용할 수 있다.Such a treatment solution heating method and the above-described heater heating method can be used alone or in combination.

처리액 회수부(50)는 테이블(11) 둘레에 설치되어 기판(W)으로부터 배출되는 처리액을 회수할 수 있도록 상부가 내측으로 돌출된 1 이상의 컵(51, 52)을 구비한다. 도면에 도시하지는 않았지만 기판의 적재나, 처리액의 분리 회수를 위하여 회전축 또는 컵은 상대적으로 승강되도록 설치될 수 있다.The treatment liquid recovery unit 50 includes one or more cups 51 and 52 provided on the periphery of the table 11 and having an upper portion projecting inwardly so as to recover the treatment liquid discharged from the substrate W. [ Although not shown in the drawing, the rotating shaft or the cup can be relatively lifted and lowered for loading the substrate and separating and collecting the treatment liquid.

수분 공급부(60)는 기판(W)의 상부 공간에 처리액 공급부(30)와 별개로 설치된 수분공급 노즐(61)을 구비하고, 수분공급 노즐(61)은 구동 수단에 의해 스윙 형태로 왕복 구동될 수 있다. The water supply unit 60 includes a water supply nozzle 61 provided separately from the process liquid supply unit 30 in an upper space of the substrate W. The water supply nozzle 61 is reciprocated .

수분공급 노즐(61)은 처리액이 공급되는 기판(W)의 상부 공간에 수분을 분사시켜 처리액 공급 시 수분의 증발을 억제하여 기판(W)의 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 한편, 수분공급 노즐(61)은 1 이상의 홀 또는 슬릿 형태로 형성되고, 수분을 미스트 또는 증기 상태로 분사하여 수분의 분사 효율을 높일 수 있다. 공급되는 수분은 DIW(탈이온수)를 사용할 수 있고, 85℃ ~ 95℃의 수분을 공급하는 것이 바람직하나, 상온보다 높고 끓는점보다 낮은 온도라면 가능하다.The water supply nozzle 61 can spray water into the upper space of the substrate W to which the process liquid is supplied, thereby suppressing the evaporation of water at the time of supplying the process liquid, thereby improving the processing efficiency of the substrate W. On the other hand, the water supply nozzle 61 is formed in at least one hole or slit shape, and water can be sprayed in a mist or vapor state to increase water spraying efficiency. DIW (deionized water) may be used as the supplied water, and it is preferable to supply moisture at 85 ° C to 95 ° C, but it is possible that the temperature is higher than the normal temperature and lower than the boiling point.

위와 같이 처리액 공급부(30)와 수분 공급부(60)의 분사 위치가 다르더라도 기판이 회전함에 따라 처리액과 수분은 충분히 혼합될 수 있다.Even if the spray positions of the treatment liquid supply unit 30 and the water supply unit 60 are different as described above, the treatment liquid and moisture can be sufficiently mixed as the substrate rotates.

본 발명의 제2 실시예는 도 2에 도시한 바와 같이 기판 지지부(10), 회전 구동부(20), 처리액 공급부(30) 및 처리액 회수부(50)의 구조는 제1 실시예와 동일하며, 가열부(40) 및 수분 공급부(60)의 구조에 있어 차이가 있다.2, the structure of the substrate supporting portion 10, the rotation driving portion 20, the processing liquid supplying portion 30, and the processing liquid collecting portion 50 is the same as that of the first embodiment And there is a difference in the structure of the heating unit 40 and the water supply unit 60. [

가열부(40)는 기판(W)의 상부에 설치된 히터를 구비한다. 히터는 기판(W)의 영역과 동일하거나 기판(W)의 영역보다 더 크게 형성되어 기판(W)의 전체 영역을 균일하게 가열시킬 수 있다.The heating unit 40 includes a heater provided on the top of the substrate W. The heater may be formed to be larger than the area of the substrate W or to be larger than the area of the substrate W to uniformly heat the entire area of the substrate W. [

수분 공급부(60)는 기판(W)의 상부 공간에 수분공급 노즐(62)을 구비하고, 수분공급 노즐(62)은 구동 수단에 의해 처리액공급 노즐(32)과 함께 왕복 구동된다. 즉, 제1 실시예에 의한 처리액공급 노즐(31)과 수분공급 노즐(61)은 각각 왕복 운동을 하나, 제2 실시예에 의한 처리액공급 노즐(32)과 수분공급 노즐(62)은 하나의 구동 수단에 의해 왕복 운동을 한다는 차이가 있다. 이때 처리액공급 노즐(32)과 수분공급 노즐(62)의 분사구가 서로 번갈아 형성되어 처리액과 수분의 혼합을 용이하게 할 수도 있다.The water supply unit 60 has a water supply nozzle 62 in the upper space of the substrate W and the water supply nozzle 62 is reciprocally driven together with the treatment liquid supply nozzle 32 by the driving means. That is, although the process liquid supply nozzle 31 and the moisture supply nozzle 61 according to the first embodiment each reciprocate, the process liquid supply nozzle 32 and the moisture supply nozzle 62 according to the second embodiment There is a difference that a reciprocating motion is performed by one driving means. At this time, the injection port of the process liquid supply nozzle 32 and the injection port of the water supply nozzle 62 may be alternately formed to facilitate the mixing of the process liquid and the water.

본 발명의 제3 실시예는 도 3에 도시한 바와 같이 기판 지지부(10), 회전 구동부(20), 처리액 공급부(30), 가열부(40) 및 처리액 회수부(50)의 구조는 제1 실시예와 동일하며, 수분 공급부의 구조에 있어 차이가 있다.3, the structure of the substrate supporting unit 10, the rotation driving unit 20, the process liquid supply unit 30, the heating unit 40, and the process liquid collecting unit 50 is as shown in FIG. This is the same as in the first embodiment, and there is a difference in the structure of the water supply unit.

수분 공급부는 처리액공급 노즐(33)에 의해 처리액이 공급되는 기판(W)의 상부 공간에 수분을 공급하도록 1 이상의 수분공급 노즐(63)을 구비하고, 수분공급 노즐(63)은 처리액 회수부(50)를 구성하는 컵(52)에 설치된다.The water supply unit includes one or more water supply nozzles 63 for supplying water to the upper space of the substrate W to which the process liquid is supplied by the process liquid supply nozzle 33, And is installed in the cup 52 constituting the collecting section 50.

본 발명의 제4 실시예는 도 4에 도시한 바와 같이 기판 지지부(10), 가열부(40) 및 처리액 회수부(50)의 구조는 제2 실시예와 동일하며, 회전 구동부(20), 처리액 공급부, 수분 공급부의 구조와 기판(W)의 지지방향에 있어 차이가 있다.4, the structures of the substrate supporting unit 10, the heating unit 40, and the process liquid collecting unit 50 are the same as those of the second embodiment, and the rotation driving unit 20, , The structure of the treatment liquid supply portion and the water supply portion, and the supporting direction of the substrate W are different.

기판(W)은 처리면이 하부를 향하여 기판지지부(10)에 지지된다.The substrate W is supported on the substrate supporting portion 10 with the treatment surface facing downward.

회전 구동부(20)는 회전축 내부에 기판(W)을 액처리 하기 위한 처리액이나 냉각유체, 불활성 가스 등을 공급하기 위한 중공이 형성되어 있다.The rotary drive unit 20 has a hollow for supplying a processing liquid, a cooling fluid, an inert gas, and the like for liquid-processing the substrate W into the rotary shaft.

처리액 공급부는 기판(W)의 하부면을 식각, 세정 또는 건조하기 위한 처리액을 공급하는 1 이상의 처리액공급 노즐(34)을 구비한다. 처리액공급 노즐(34)은 테이블(11)의 상부 중앙 부분에 설치되어 기판(W)과 테이블(11) 사이의 공간으로 처리액을 공급할 수 있다. 처리액은 회전 구동부(20)의 중공을 통해 공급될 수 있다.The process liquid supply section has at least one process liquid supply nozzle 34 for supplying a process liquid for etching, cleaning, or drying the lower surface of the substrate W. The processing liquid supply nozzle 34 can be provided at the upper central portion of the table 11 to supply the processing liquid to the space between the substrate W and the table 11. [ The treatment liquid can be supplied through the hollow of the rotary drive part 20. [

수분 공급부는 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급하는 1 이상의 수분공급 노즐(64)을 구비한다. 수분공급 노즐(64)은 테이블(11)의 상부 중앙 부분에 설치되어 기판(W)과 테이블(11) 사이의 공간으로 처리액을 공급할 수 있다. 수분은 회전 구동부(20)의 중공을 통해 공급될 수 있다.The water supply part has one or more water supply nozzles (64) for supplying water to the space to which the treatment liquid is supplied. The water supply nozzle 64 is provided at the upper central portion of the table 11 to supply the processing liquid to the space between the substrate W and the table 11. [ The moisture can be supplied through the hollow of the rotary drive 20.

본 발명의 제5 실시예는 도 5에 도시한 바와 같이 기판 지지부(10), 회전 구동부(20), 처리액 공급부, 가열부(40) 및 처리액 회수부(50)의 구조는 제4 실시예와 동일하며, 수분 공급부의 구조에 있어 차이가 있다.5, the structures of the substrate supporting portion 10, the rotation driving portion 20, the processing liquid supplying portion, the heating portion 40, and the processing liquid collecting portion 50 are the same as the fourth embodiment And the structure of the water supply portion is different.

수분 공급부는 처리액공급 노즐(35)에 의해 처리액이 공급되는 기판(W)과 테이블(11) 사이의 공간에 수분을 공급하도록 1 이상의 수분공급 노즐(65)을 구비하고, 수분공급 노즐(65)은 처리액 회수부(50)를 구성하는 컵(51)에 설치된다. 수분공급 노즐(65)은 기판(W)의 수평면에 대하여 0°~ 20°기울어져 수분을 분사할 수 있으며, 20°를 초과하면 처리액이 공급되는 공간 내부로 수분이 충분히 공급되지 않아 수분 증발 억제의 효과를 기대하기 어려운 문제가 있을 수 있다.The water supply unit includes one or more water supply nozzles 65 for supplying water to the space between the table W and the substrate W to which the process liquid is supplied by the process liquid supply nozzle 35, 65 are provided in the cup 51 constituting the treatment liquid recovery section 50. [ The water supply nozzle 65 can spray water by being inclined by 0 ° to 20 ° with respect to the horizontal plane of the substrate W. If it exceeds 20 °, water is not sufficiently supplied into the space where the processing liquid is supplied, It may be difficult to expect the effect of inhibition.

본 발명의 다른 측면에 해당하는 기판 액처리 방법은, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 또는 기판(W)에 제공되는 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하여, 기판(W)의 처리면에 처리액을 공급하고, 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급하여 기판(W)의 처리면을 액처리 한다. The substrate liquid processing method according to another aspect of the present invention is a method for processing a substrate W by heating at least one of a substrate W and a processing solution supplied to the substrate W while rotating the substrate W, And supplies the water to the space to which the processing liquid is supplied to perform the liquid processing of the processing surface of the substrate W.

이때, 처리액은 처리면의 식각 공정 또는 PR스트립 공정에 사용되는 약액으로, 예컨대 SPM(황산과 과산화수소수의 혼합물)을 사용할 수 있다. 이때, 기판(W)의 처리면에 처리액과 수분을 동시에 공급할 수 있다. At this time, the treatment liquid may be, for example, SPM (a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide water) as the chemical solution used in the etching process of the treatment surface or the PR strip process. At this time, the treatment liquid and moisture can be simultaneously supplied to the treatment surface of the substrate W.

또한, 처리액을 공급하는 시간과 수분을 공급하는 시간이 적어도 일부 중첩되게 할 수도 있으며, 수분을 단속적(intermittent)으로 공급할 수도 있다. 즉, 처리액을 공급하는 시간 동안 수분을 공급하는 시간을 일치시키지 않고, 처리액이 공급되는 시간 중 일부 동안만 수분을 공급할 수도 있다.In addition, the time for supplying the treatment liquid and the time for supplying water may be at least partially overlapped, or moisture may be supplied intermittently. That is, water may be supplied only for a part of the time during which the treatment liquid is supplied, without matching the time for supplying water during the time for supplying the treatment liquid.

이상에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 중심으로 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상을 중심으로 그 변형물 또는 균등물에까지 미침은 자명하다 할 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

10 : 기판 지지부
20 : 회전 구동부
30 : 처리액 공급부
40 : 가열부
50 : 처리액 회수부
51, 52 : 컵
60 : 수분 공급부10: substrate support
20:
30:
40:
50: Process liquid recovery unit
51, 52: cup
60:

Claims (18)

테이블 상부에 기판을 이격하여 지지하는 기판 지지부;
상기 테이블을 회전시키는 회전축을 구동하는 회전 구동부;
상기 기판의 처리면을 처리하는 처리액을 공급하는 처리액 공급부;
상기 기판 또는 상기 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하는 가열부;
상기 테이블 둘레에 설치되어 기판으로부터 배출되는 처리액을 회수하는 처리액 회수부; 및
상기 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급하는 수분 공급부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.A substrate supporting unit for supporting the substrate on an upper portion of the table;
A rotation driving unit for driving a rotation axis for rotating the table;
A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid for processing the processing surface of the substrate;
A heating unit for heating at least one of the substrate and the treatment liquid;
A processing solution recovery unit installed around the table for recovering the processing solution discharged from the substrate; And
A moisture supply unit for supplying moisture to the space to which the treatment liquid is supplied; The substrate liquid processing apparatus comprising: 청구항 1에 있어서,
상기 수분 공급부는, 수분을 미스트 또는 증기 상태로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the water supply unit injects water in a mist or vapor state. 청구항 1에 있어서,
상기 수분 공급부의 수분을 분사하는 분사구는 1 이상의 홀 또는 슬릿 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein an ejection port for ejecting moisture of the water supply unit is formed in at least one hole or slit shape. 청구항 1에 있어서,
상기 기판은, 처리면이 상부를 향해 지지되고,
상기 처리액과 상기 수분은, 상기 기판의 상부 공간으로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is supported so that the treatment surface faces upward,
Wherein the treatment liquid and the moisture are supplied to an upper space of the substrate. 청구항 4에 있어서,
상기 처리액 공급부와 상기 수분 공급부는 상기 기판 상부 공간에 별개로 설치된되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.The method of claim 4,
Wherein the processing liquid supply unit and the water supply unit are separately provided in the upper space of the substrate. 청구항 4에 있어서,
상기 처리액 공급부와 상기 수분 공급부는 상기 기판 상부 공간에 일체로 설치된 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.The method of claim 4,
Wherein the processing liquid supply unit and the water supply unit are integrally provided in the upper space of the substrate. 청구항 4에 있어서,
상기 처리액 공급부는 상기 기판의 상부 공간에 설치되고,
상기 처리액 회수부는, 내측이 돌출된 1 이상의 컵을 구비하고,
상기 수분 공급부는, 상기 컵에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.The method of claim 4,
Wherein the processing liquid supply unit is installed in an upper space of the substrate,
Wherein the treatment liquid recovery unit includes one or more cups whose inside protrudes,
Wherein the water supply unit comprises one or more nozzles provided in the cup. 청구항 1에 있어서,
상기 기판은, 처리면이 하부를 향해 지지되고,
상기 처리액과 상기 수분은, 상기 기판과 테이블 사이의 공간으로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate has a treatment surface supported in a downward direction,
Wherein the processing liquid and the water are supplied to a space between the substrate and the table. 청구항 8에 있어서,
상기 처리액 공급부와 상기 수분 공급부는, 각각 상기 테이블의 상부 중앙 부분에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.The method of claim 8,
Wherein the processing liquid supply unit and the water supply unit are each composed of one or more nozzles provided at an upper central portion of the table. 청구항 8에 있어서,
상기 처리액 공급부는, 상기 테이블의 상부 중앙 부분에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어지고,
상기 처리액 회수부는, 내측이 돌출된 1 이상의 컵을 구비하고,
상기 수분 공급부는, 상기 컵에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.The method of claim 8,
Wherein the processing liquid supply unit comprises at least one nozzle provided at an upper central portion of the table,
Wherein the treatment liquid recovery unit includes one or more cups whose inside protrudes,
Wherein the water supply unit comprises one or more nozzles provided in the cup. 청구항 10에 있어서,
상기 수분 공급부의 노즐은, 상기 기판의 수평면에 대하여 0°~ 20°기울어져 수분을 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.The method of claim 10,
Wherein the nozzle of the water supply unit is sprayed with water by being inclined by 0 占 to 20 占 with respect to the horizontal plane of the substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 처리액은, SPM(황산과 과산화수소수의 혼합물)인 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the treatment liquid is SPM (a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide water). 청구항 1에 있어서,
상기 수분은, DIW(탈이온수)인 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the water is DIW (deionized water). 청구항 13에 있어서,
상기 수분은, 상온보다 높고, 끓는점보다 낮은 온도로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the water is supplied at a temperature higher than room temperature and lower than a boiling point. 기판을 회전시키면서 처리면을 액처리하는 기판 액처리 방법에 있어서,
상기 기판 또는 상기 기판에 제공되는 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하면서, 상기 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.A substrate liquid processing method for liquid-processing a processing surface while rotating a substrate,
Wherein at least one of the substrate and the processing liquid provided on the substrate is heated while supplying moisture to the space to which the processing liquid is supplied. 청구항 15에 있어서,
상기 처리액은 상기 처리면의 식각 공정 또는 PR스트립 공정에 사용되는 약액인 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.16. The method of claim 15,
Wherein the treatment liquid is a chemical liquid used in an etching process or a PR strip process of the treatment surface. 청구항 15에 있어서,
상기 수분은 상기 처리액과 동시에 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.16. The method of claim 15,
Wherein the water is sprayed simultaneously with the treatment liquid. 청구항 17에 있어서,
상기 처리액을 공급하는 시간과 상기 수분을 공급하는 시간이 적어도 일부 중첩되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.18. The method of claim 17,
Wherein the time for supplying the treatment liquid and the time for supplying the water are at least partially overlapped.
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