KR20160024928A - 저온 플라즈마의 코즈메틱 사용 - Google Patents

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KR20160024928A
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Abstract

본 발명은 건강한 두피의 심미적 질환들을 방지하고 그리고/또는 치료하기 위한 저온 대기압 플라즈마의 코즈메틱 사용에 관한 것이다.

Description

저온 플라즈마의 코즈메틱 사용{COSMETIC USE OF A COLD PLASMA}
본 발명은 두피의 질환들, 특히 심미적 질환들의 방지 및/또는 치료를 위한 새로운 치료법을 제안하는 것에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 두피의 비듬 질환들에 관한 것이다.
두피는 피부 조직의 나머지와 같이 연속적인 재생을 거치고, 피지 분비선들이 풍부한 표피이다.
정상적으로, 두피는 피부의 표면 세포들을 제거함으로써 재생을 거치는 데, 이러한 재생은 느껴지거나 또는 관찰되지 않는다. 그러나, 두피의 각질 층의 세포들의 과도한 재생은, 다양한 이유들로 "비듬" 으로서 알려진 육안으로 볼 수 있는 세포들의 크고 두꺼운 패치들을 형성시킬 수 있다.
비듬의 발생을 촉진시키는 인자들의 예로써, 스트레스, 겨울 기간, 이스트 말라세지아 종 (Malassezia sp.) 에 의한 피부 또는 모공들의 보습성 또는 콜로니 형성 (colonisation) 의 결핍이 언급될 수 있다. 말라세지아 종 속 (genus) 은 인간 및 임의의 항온 동물들의 피부에 정상적으로 존재하는 친유성 이스트들로 이루어진다. 그 분포는 나이, 피지를 분비선 활동, 및 임의의 병리적 컨디션에 따른다. 말라세지아 종 속은 비듬이 없는 개체들의 두피의 표면에서 정상적인 공생적 식물군 중 거의 45% 에 해당하지만, 비듬의 경우에는 식물군의 75% 에 해당할 수 있고, 관련된 지루성 피부염의 경우에는 최대 85% 에 해당한다. 두피의 표면에 일반적으로 존재하는 다른 미생물들은 미구균 및 여드름 균 (Propionobacterium) 이다.
비듬 컨디션은 일반적으로 다양한 국소적 또는 침투성 항진균제 치료들에 대응한다. 따라서, 항진균제들 및 항지루성제들을 조합하는 다양한 조제품들이 심각한 비듬 컨디션을 치료하도록 제안되어 왔다. 항진균제-계 치료법들은 비듬 컨디션에서 임의의 효과를 보여왔다.
두피의 표면에서 말라세지아 타입의 이스트들을 억제할 샴푸 내에 통합된 화학적 항진균제의 사용는 비교적 효과적이지만, 항비듬 샴푸의 사용이 정지된 후에, 비듬은 매우 급속도로 재발생된다.
게다가, 수많은 특허 출원 공개 공보들은 의학 분야 및 코즈메틱들 분야에서 플라즈마들의 사용에 관한 것이다.
국제 출원 WO 2012/104332 는 코즈메틱 콤포지션 및 플라즈마를 조합함으로써 데오도런트 치료 프로세스를 개시하고 있다.
WO 2012/103877 은 유전체 플라즈마를 사용하여 헤어를 치료하는 프로세스를 설명하고 있다.
WO 2004/105810 는 대기압 플라즈마로써 생물학적 재료들을 치료하기 위한 프로세스에 관한 것이다.
KR 2006025825 는 대기압 저온 플라즈마를 사용하여 헤어를 염색하기 위한 장치를 설명하고 있다.
DE 10238931 는 바니시를 수용하도록 네일을 제조하기 위한 장치를 설명하고 있다.
CN 101259036 은 피부를 치료하고 흑여드름들 (blackheads) 을 제거하기 위한 펜슬 형태의 플라즈마 제너레이터를 설명하고 있다.
DE 102009060627 은 피부 표면의 유전체 배리어 플라즈마 치료를 위한 전극 배열체를 개시하고 있다.
WO 2011/058301 은 저온 플라즈마를 사용하여 코즈메틱들에서 그리고 치과 분야에서 사용되는 치료 장치를 설명하고 있다.
KR 20090400156 는 안티 링클링 플라즈마 치료 장치를 개시하고 있다.
WO 2011/144344 A2 는 저온 플라즈마를 사용하여 오염된 표면을 적어도 부분적으로 살균하기 위한 디바이스를 개시하고 있고; 플라즈마를 생성하기 위한 다양한 전극 배열체들이 설명되어 있고 수많은 적용예들이 예를 들면 탈취 치료에 관해 언급하고 있다.
특히 비듬의 발생을 제거하거나 또는 감소시키는 두피 컨디션들에 유익한 작용을 행할 수 있는 새로운 솔루션들에 대해 필요가 여전히 존재한다.
본 발명은 건강한 두피의 심미적 질환들, 및 특히 건강한 두피의 비듬 컨디션들을 방지하고 및/또는 치료하기 위한 저온 대기압 플라즈마의 코즈메틱 사용에 의해 이러한 목적을 달성한다.
본 발명은 치료의 시작부터 바로 효과를 나타내고 비교적 장시간-지속되고, 실행하는 데 빠르고 용이한 솔루션을 제공한다.
본 발명의 또 다른 이점은 예를 들면 로션 또는 샴푸의 형태로 적용되도록 소정의 살생물성 화합물에 의존하지 않을 수 있다는 점에 있다.
본 발명을 위해, 용어 "방지하는" 은 고려 중인 현상의 징후의 위험을 감소시키는 것을 의미한다.
본 발명의 또 다른 양상들에 따르면, 본 발명의 주제는 저온 대기압 플라즈마에 두피의 노출을 포함하는, 개체에서 건강한 두피의 심미적 질환들을 치료하고 및/또는 방지하기 위한 코즈메틱 프로세스에 관한 것이다.
본 발명에 따른 프로세스는 두피의 비듬 컨디션을 나타내는 개체들에서 특히 유리하게 수행된다.
본 발명의 또 다른 양상들에 따르면, 본 발명의 주제는 또한:
- 플라즈마에 두피를 노출시키는 것이 가능한 저온 대기압 플라즈마를 생성하기 위한 부재,
- 두피에 대해 지지하고 상기 부재가 특히 0.5 내지 15 mm, 바람직하게 2 내지 6 mm 의, 그로부터 사전 규정된 거리로 두피에 대해 이동하는 것을 허용하도록 구성된 가이드를 포함하는 두피를 치료하기 위한 디바이스에 관한 것이다.
플라즈마
플라즈마는 이온화된 가스이고, 상기 이온화된 가스는 플라즈마를 발생시키는 방전에 의해 생성되는 반응 종 (reactive species) 을 발생시킬 수 있다. 저온 대기압 플라즈마는 플라즈마에 노출되는 기재의 소정의 과열을 발생시키지 않는 플라즈마이다.
저온 대기압 플라즈마들의 세개의 패밀리들, 즉 디렉트, 인디렉트 및 하이브리드 플라즈마들이 유용하다.
디렉트 플라즈마들에서, 기재는 플라즈마를 생성하는 데 요구되는 카운터 전극으로서 작용한다; 그러므로 플라즈마는 전극과 기재 사이에서 생성된다. 메인 디렉트 플라즈마 기술들 중 하나는 DBD (Dielectric Barrier Discharge : 유전체 배리어 방전) 으로서 공지된 플라즈마이다.
인디렉트 플라즈마들에서, 플라즈마는 두개의 전극들 사이에서 생성되고 그 후 가스 스트림을 사용하여 기재를 향해 지향된다. 메인 기술들 중 하나는 "플라즈마-토치" 로서 공지되어 있다.
코로나 플라즈마들로서 공지된 하이브리드 플라즈마들은 인디렉트 플라즈마들의 특성들 및 디렉트 플라즈마 생성 모드를 연결시킨다.
디렉트 또는 하이브리드 플라즈마의 경우에, 두피는 카운터 전극으로서 작용하고 전극 하에 위치된 영역이 치료된다.
저온 대기압 플라즈마들은 다양한 가스들 (공기, 헬륨, 산소, 등) 을 사용하는 것을 가능하게 한다. 본 발명은 가스의 관해 제한되지 않는다. 디렉트 플라즈마에서, 바람직한 가스는 공기이다.
플라즈마의 단독 사용의 경우에, 디렉트 플라즈마들, 및 심지어 보다 바람직하게 DBD 타입의 디렉트 플라즈마들이 본 발명에서 바람직하다.
치료 프로세스
본 발명에 따른 프로세스는 저온 대기압 플라즈마에 두피를 노출시키는 단계를 포함한다.
치료 영역은 바람직하게 두피의 전체로 확장된다.
이때 치료를 수행하도록, 플라즈마의 국소적 생성을 제공하는 부재를 두피에 대해 이동하는 것이 필수적일 수 있다.
치료 시간은 원하는 결과에 따라 조정된다.
노출 시간에 따라, 억제 영역은 확장될 수 있고, 이로써 전극 또는 플라즈마 소스의 표면 영역보다 큰 표면 영역을 치료하는 것이 가능할 수 있다.
치료 시간은 바람직하게 1" 내지 10', 및 보다 바람직하게 1" 내지 5' 이다. 이러한 치료 시간은 비듬 컨디션의 치료를 위해 플라즈마 제너레이터의 코즈메틱 사용과 전적으로 양립될 수 있다.
10" 노출은 이미 말라세지아 이스트들의 전적으로 만족스러운 억제를 얻는 것이 가능하다.
플라즈마는 두피의 표면에서 이동할 때에 제어된 거리로 플라즈마 생성의 전극 또는 소스를 유지하면서 생성될 수 있다.
이러한 이동은 수동 또는 자동 방식으로 수행될 수 있다. 수동 이동의 경우에, 수동 이동은 사람의 머리 주위에 위치된 안내 구조에 의해 적절한 장소에서 지원될 수 있다.
이동 중에, 헤어는 예를 들면 빗에 의해 두피로의 접근을 용이하게 하도록 국소적으로 분할될 수 있다.
플라즈마 생성은 시간이 지난 후에 자동적으로 차단될 수 있고, 제너레이터는 예를 들면 사전 규정된 작동 기간 후에 또는 전체 두피가 치료된 것이 검출될 때 정지된다.
치료는 예를 들면 2 일 내지 1 달의 간격으로 주기적으로 반복될 수 있다.
치료 프로세스가 코즈메틱 콤포지션의 국소 적용 (topical application) 을 포함하는 경우에, 플라즈마에 노출되기 전에, 노출되는 중에 또는 노출된 후에, 두피를 치료하기 위한 활성제(들) 의 침투는 특히 플라즈마가 지질 배리어 기능을 감소시킬 수 있다는 사실로 인해 용이하게 될 수 있다. 두피의 표면은 또한 보다 친수성으로 될 수 있다. 적용된 콤포지션은 특히 하나 이상의 항비듬 활성제들을 포함할 수 있다.
활성제들
항비듬 활성제들
용어 "항비듬 활성제" 는 비듬의 발생을 방지하고, 다수의 비듬 플레이크들을 감소시키고 및/또는 상기 비듬을 완전히 사라지게 할 수 있는 화합물을 의미하도록 의도된 것이다.
본 발명에서의 사용을 위해 적절한 항비듬 활성제는 특히:
- l-하이드록시-2-피리돈 유도체들, 예를 들면 l-하이드록시-4-메틸-2-피리돈, 1-하이드록시-6-메틸피리돈, 1-하이드록시-4,6-디메틸-2-피리돈, 1-하이드록시-4-메틸-6-(2,4,4-트리메틸펜틸)-2-피리돈, 1-하이드록시-4-메틸-6-시클로헥실-2-피리돈, 1 -하이드록시-4-메틸-6-(메틸시클로헥실)2-피리돈, l-하이드록시-4-메틸-6-(2-비시클로[2,2,l]헵틸)-2-피리돈, l-하이드록시-4-메틸-6(4-메틸페닐)-2-피리돈, 1-하이드록시-4-메틸-6[l-[4-니트로페녹시]부틸]-2-피리돈, l-하이드록시-4-메틸-6-(4-시아노페녹시메틸-2-피리돈), l-하이드록시-4-메틸-6-(페닐술포닐메틸)-2-피리돈, l-하이드록시-4-메틸-6-(4-브로모벤질)-2-피리돈 및 그 염들; 바람직한 l-하이드록시-2-피리돈 유도체로써, 상표명 octopyrox ((l-하이드록시-4-메틸-6-(2,4,4-트리메틸펜틸)-2-피리돈, 모노에탄올아민 염) 인 company Hoechst 에 의해 판매되는 제품을 언급할 수 있음;
- 피리딘싸이온 염들, 특히 칼슘, 마그네슘, 바륨, 스트론튬, 아연, 카드뮴, 주석 및 지르코늄 염들로부터 선택될 수 있다. 피리딘싸이온의 아연 염이 특히 바람직하다. 피리딘싸이온의 아연 염은 특히 상표명 zinc omadine 으로 company Olin 에 의해 판매되고 있다;
- 트리할로카바마이드들의 화학식:
Figure pct00001

여기서 Z 는 할로겐 원자, 예를 들면 염소 또는 C1-C4 트리할로알킬 기, 예를 들면 CF3 를 나타낸다;
- 화학식으로 나타낸 트리클로산:
Figure pct00002

- 아졸 화합물들, 예를 들면 클림바졸, 케토코나졸, 클로트리마졸, 에코나졸, 이소코나졸 및 미코나졸;
- 항진균성 폴리머들, 예를 들면 암포테리신 B 또는 나이스타틴;
- 셀레늄 황화물들, 특히 그 화학식은 SxSe8-x 이고, x 는 1 내지 7 의 범위임;
- 다양한 형태들의 황, 카드뮴 황화물, 알란토인, 석탄 또는 목 타르들 및 그 유도체들, 특히 카데 오일 (cade oil), 살리실 산, 운데실렌 산, 푸마르 산, 및 아릴아민들, 예를 들면 테르비나핀;
- 엘라그 산;
- 셀레늄 이황화물.
치료 디바이스
플라즈마는 저온 대기압 플라즈마에 두피를 노출하는 것이 가능한 소정의 적절한 디바이스에 의해 생성된다.
플라즈마의 방출은 바람직하게 핸드피스를 포함하는 또는 핸드피스의 형태의 제너레이터로부터 수행되고, 그 인체 공학은 두피 상에 적용과 양립한다. 예를 들면, company Neoplas tools GmbH 에 의해 판매되는 Kinpen 소스, 또는 특허 출원 CN101259036 에 설명된 바와 같은 펜 포멧의 소스, 또는 다르게는 플라즈마에 두피의 노출을 위해 맞춰진 빗의 형태의 소스가 사용된다. 사용될 수 있는 디바이스의 예는 도 2 를 참조하여 나중에 설명된다.
바람직하게, 디바이스는 생성된 플라즈마의 강도를 제어함으로써 두피의 균일한 노출을 제공하도록 배열된다.
디바이스는 예를 들면 전극 또는 소스가 두피에 대해 이동될 때 두피에 대해 지지하는 가이드에 의해 플라즈마의 생성 전극 또는 소스와 두피 사이에 사전 규정된 거리를 유지하도록 배열될 수 있다. 이러한 가이드는 두피의 곡률을 거의 본 뜬 만곡된 표면을 가질 수 있다.
디바이스는 국소적으로 헤어를 분할하여 두피를 청결히 하고 플라즈마의 작용을 용이하게 하도록 배열될 수 있고, 이를 위해 하나 이상의 빗 날들 (teeth) 을 포함할 수 있다.
두피에 대한 디바이스의 위치는 상기 디바이스가 이동될 때에, 예를 들면 가속도계들 및/또는 카메라에 의해 검출될 수 있고, 플라즈마 생성은 가장 완전하고 균일하고 정확한 치료를 보장하도록 자동적으로 디바이스의 위치에 따라 자동적으로 제어될 수 있다; 예를 들면, 디바이스가 이미 치료된 두피 상의 장소를 거쳐 다시 통과되는 것이 검출된다면, 플라즈마 생성은 일시적으로 차단되거나 또는 감소될 수 있다.
디바이스는 디바이스의 이동이 너무 빨라서 충분한 치료를 할 수 없다는 것을 예를 들면 카메라에 의해 검출하고 이를 사용자에게 알리도록 배열될 수 있다.
디바이스는 가정내 전원으로 작동될 수 있고 (mains-operated), 재충전 가능한 배터리로 작동될 수 있고 그리고/또는 배터리로 작동될 수 있다.
디바이스는 두피를 마사지하기 위한 부재를 포함할 수 있고, 그 작용은 플라즈마 치료와 수반되거나 수반되지 않을 수 있다.
테스트들
생체외 테스트들은 플라즈마 치료가 비교적 짧은 시간 노출로부터 계속 말라세지아 이스트들의 성장을 억제할 수 있다는 것을 증명하도록 수행되었다.
성장 매체 (세균 배양액 : agar) 에는 말라세지아 배양균이 접종되었다.
세균 배양액은 그 후 10" 내지 10' 의 범위의 기간 동안 DBD 타입의 플라즈마 치료를 거쳤다.
접종된 접시들 (테스트 시리즈 당 3) 은 사분면들로 분할되었고 테스트들의 제 1 시리즈를 위한 세개의 각각의 사분면들 상에서 10 초, 30 초 및 60 초 동안, 및 테스트들의 제 2 시리즈를 위해 1 분, 5 분 및 10 분 동안 플라즈마 가스에 각각 노출되었다. 접시들은 그 후 4 내지 5 일 동안 30-33℃ 에서 배양되었다.
배양 기간의 마지막에, 모든 세균 배양액 접시들은 사진 촬영되었다.
플라즈마 가스의 항진균성 효과는 세포 F 화상 분석 소프트웨어 (Olympus) 에 의해 노출된 말라세지아 균주의 억제 표면 영역을 측정함으로써 평가되었다.
치료된 표면 영역은 전극의 표면 영역에 상응하고, 즉 거의 1 ㎠ 에 상응한다.
결과들
테스트 조건 하에서, 플라즈마에 대한 노출은 테스트된 두개의 균주들 (말라세지아 글로보사 (globosa) 및 말라세지아 레스트릭타 restricta) 상에 항진균성 효과를 가졌다. 효과는 가능한 10" 보다 빠르게 치료로부터 나타나고 노출된 영역 주위에 억제 표면 영역은 몇 ㎠ 를 덮을 때까지 노출 시간의 함수로서 증가한다.
말라세지아 레스트릭타
Figure pct00003

말라세지아 글로보사
Figure pct00004

테스트들 조건 하에서, 말라세지아 레스트릭타 균주는 말라세지아 글로보사보다 더 민감하다.
결과들은 첨부된 도 1 에 도시된다.
도 2 는 본 발명에 따른 두피의 치료를 위한 디바이스 (10) 의 예를 도시한다.
이러한 디바이스는 두피 상에서 이동되는 핸드피스 (11) 를 포함한다.
플라즈마 제너레이터는 예를 들면, DBD 타입이고, 이러한 경우에, 핸드피스 (11) 는 유전체 재료로 덮혀진 전극 (12) 을 포함할 수 있다.
전극 (12) 에는 그 자체로 공지된 방식으로 고전압 펄스들이 공급된다.
두피는 카운터 전극으로서 역할을 하고, 무해한 전류를 수용한다.
디바이스 (10) 는 두피 (C) 로부터 사전 규정된 거리로 전극 (12) 을 유지하기 위한 가이드 (15) 를 포함한다. 이러한 가이드 (15) 는 또한 두피에 대해 핸드피스 (11) 의 이동의 방향을 고려하여 전극 (12) 의 상류에서 헤어 (H) 를 분할하도록 배열된다. 이러한 가이드 (15) 는 예시된 바와 같이 라운딩된 단부 편을 갖는 빗 날의 형태일 수 있다.
본 발명은 단지 설명된 예들에 제한되지 않는다.
특히, 치료는 또한 예를 들면 특히 항비듬 활성제를 포함하는 코즈메틱 콤포지션의 국소 적용 또는 플라즈마 치료 전에, 치료 중에 또는 치료 후에 식품 보충제의 섭취와 조합됨으로써 상이하게 수행될 수 있다.

Claims (12)

  1. 건강한 두피의 심미적 질환들을 방지하고 그리고/또는 치료 (treating) 하기 위한, 저온 대기압 플라즈마 (cold atmospheric plasma) 의 코즈메틱 사용.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 두피의 비듬 컨디션을 방지하고 그리고/또는 치료하기 위한, 저온 대기압 플라즈마의 코즈메틱 사용.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 저온 대기압 플라즈마는 디렉트 타입, 특히 DBD 타입인, 저온 대기압 플라즈마의 코즈메틱 사용.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 저온 대기압 플라즈마는 하이브리드 타입인, 저온 대기압 플라즈마의 코즈메틱 사용.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 저온 대기압 플라즈마는 인디렉트 타입인, 저온 대기압 플라즈마의 코즈메틱 사용.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저온 대기압 플라즈마에 대한 상기 두피의 국소적 노출의 지속 시간은 1 초 내지 10 분, 보다 더 양호하게 10 초 내지 5 분인, 저온 대기압 플라즈마의 코즈메틱 사용.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저온 대기압 플라즈마는 특히 0.5 내지 15 mm, 보다 더 양호하게 2 내지 6 mm 의 두피로부터의 사전 규정된 거리에서 상기 두피에 대해 이동된 전극 (12) 또는 소스에 의해 생성되는, 저온 대기압 플라즈마의 코즈메틱 사용.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저온 대기압 플라즈마 생성을 위해 사용된 가스는 공기인, 저온 대기압 플라즈마의 코즈메틱 사용.
  9. 건강한 두피를 위한 코즈메틱 치료 프로세스로서,
    건강한 상기 두피의 심미적 질환을 방지하고 그리고/또는 치료하기 위해, 그리고 바람직하게 상기 두피의 비듬 컨디션을 방지하고 그리고/또는 치료하기 위해 저온 대기압 플라즈마에 상기 두피를 노출시키는 단계를 포함하는, 건강한 두피를 위한 코즈메틱 치료 프로세스.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 두피에 대한 코즈메틱 콤포지션, 특히 항비듬 활성제를 포함하는 콤포지션의 국소 적용 (topical application) 을 포함하는, 건강한 두피를 위한 코즈메틱 치료 프로세스.
  11. 두피를 치료하기 위한 디바이스 (10) 로서:
    저온 대기압 플라즈마를 생성하기 위한 부재 (12) 로서, 상기 부재는 상기 저온 대기압 플라즈마에 상기 두피를 노출시키는 것이 가능한, 상기 부재,
    상기 두피 (C) 에 대해 지지되고 상기 부재가 특히 0.5 내지 15 mm, 보다 더 양호하게 2 내지 6 mm 의 두피로부터의 사전 규정된 거리에서 상기 두피에 대해 이동하게 허용하도록 구성된 가이드 (15) 를 포함하는, 두피를 치료하기 위한 디바이스.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    저온 대기압 플라즈마를 생성하기 위한 상기 부재는 디렉트 타입, 바람직하게 DBD 타입의 제너레이터에 속하는, 두피를 치료하기 위한 디바이스.
KR1020167001406A 2013-06-21 2014-06-20 저온 플라즈마의 코즈메틱 사용 KR20160024928A (ko)

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