KR20160012876A - Organic light emitting diode display device and fabricating method of the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof. The organic electroluminescent display device includes: a substrate divided into a display region and a non-display region; a thin film transistor disposed on the display region and including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; an organic light emitting display device disposed on the thin film transistor and including a first electrode, an organic light emitting device, and a second electrode; an auxiliary electrode connected to the second electrode of the organic light emitting device; and a pad unit disposed on the non-display region and including a pad electrode. The auxiliary electrode includes a first auxiliary electrode and a second auxiliary electrode, and the second auxiliary electrode is formed to enclose an upper surface and a side surface of the first auxiliary electrode.

Description

유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 {Organic light emitting diode display device and fabricating method of the same}[0001] The present invention relates to an organic electroluminescent display device,

본 발명은 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 신뢰성이 향상된 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display having improved reliability and a manufacturing method thereof.

최근, 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display)분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판표시장치(Flat Display Device)가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube: CRT)을 빠르게 대체하고 있다.In recent years, as the information age has come to a full-fledged information age, a display field for visually representing electrical information signals has been rapidly developed. In response to this, various flat panel display devices having excellent performance of thinning, lightweighting, Flat Display Device) has been developed to replace CRT (Cathode Ray Tube).

이 같은 평판표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display: OLED), 전기영동표시장치(Electrophoretic Display: EPD,Electric Paper Display), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광표시장치(Electro luminescence Display Device: ELD) 및 전기습윤표시장치(Electro-Wetting Display: EWD) 등을 들 수 있다. 이들은 공통적으로 영상을 구현하는 평판표시패널을 필수적인 구성요소로 하는데, 평판 표시패널은 고유의 발광물질 또는 편광물질층을 사이에 두고 대면 합착된 한 쌍의 기판을 포함하여 이루어진다.Specific examples of such flat panel display devices include a liquid crystal display device (LCD), an organic light emitting display (OLED), an electrophoretic display (EPD) A plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), an electroluminescence display (ELD), and an electro-wetting display (EWD) And the like. In general, a flat panel display panel, which realizes images, is an essential component. The flat panel display panel includes a pair of substrates bonded together with an intrinsic light emitting material or a polarizing material layer therebetween.

이러한 평판표시장치 중 하나인 유기전계발광 표시장치(Organic light emitting diode display device)는 자발광소자인 유기발광소자를 포함하므로, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 별도의 광원이 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다. 또한, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다.Since an organic light emitting diode (OLED) display device, which is one of such flat panel display devices, includes an organic light emitting element that is a self light emitting element, a separate light source used in a liquid crystal display It is lightweight and thin. In addition, it has superior viewing angle and contrast ratio compared with liquid crystal display devices, is advantageous in terms of power consumption, can be driven by DC low voltage, has a quick response speed, is resistant to external impacts due to its solid internal components, It has advantages.

이러한 유기전계발광 표시장치는 표시 영역 및 표시 영역 외곽의 비표시 영역으로 구분된다. 표시 영역에는 박막 트랜지스터 및 유기전계발광 소자가 형성된다. 또한, 비표시 영역에는 외부전원으로부터 박막 트랜지스터 및 유기전계발광 소자에 신호전압을 인가하기 위한 패드 전극을 포함하는 패드부가 구비된다. 여기서, 박막 트랜지스터 및 유기전계발광 소자는 패드부와 다수의 배선을 통해 서로 전기적으로 연결된다.Such an organic light emitting display device is divided into a display area and a non-display area outside the display area. A thin film transistor and an organic electroluminescent device are formed in the display region. The non-display region is provided with a pad portion including a thin film transistor from an external power source and a pad electrode for applying a signal voltage to the organic electroluminescent element. Here, the thin film transistor and the organic electroluminescent device are electrically connected to each other through a pad portion and a plurality of wirings.

상기 비표시 영역에 형성되는 패드부의 패드 전극은 구동부와 연결되기 위해 외부로 노출될 수 있다. 이 때, 패드 전극이 외부 습기와 산소로 인해 패드 전극의 부식이 발생할 수 있다. 패드 전극이 부식되는 경우, 신호 전달이 원활하지 않으며, 신뢰성이 문제될 수 있다. The pad electrode of the pad portion formed in the non-display region may be exposed to the outside in order to be connected to the driving portion. At this time, corrosion of the pad electrode may occur due to external moisture and oxygen. When the pad electrode is corroded, signal transmission is not smooth and reliability may be a problem.

또한, 이러한 유기전계발광 표시장치는 소면적에서는 문제되지 않으나, 대면적으로 형성될 경우, 균일한 휘도를 유지하지 못하고, 외곽 영역과 중심 영역 간에 휘도차가 발생하는 문제점이 발생한다. 보다 자세하게는, 유기발광소자의 상부 전극으로부터 외곽 영역 및 중심 영역 간에 전류가 흐르는 경우, 전류가 유입되는 곳으로부터 거리가 먼 곳까지 도달한다. 이때, 상기 유기발광소자의 상부 전극의 저항에 의해 전압 강하가 일어나 외곽 부분과 중심 부분의 휘도차가 발생하게 된다. Although the organic light emitting display device has a small area, when the organic light emitting display device is formed in a large area, the uniform luminance can not be maintained, and a luminance difference occurs between the peripheral area and the center area. More specifically, when a current flows from the upper electrode of the organic light emitting element to the outer region and the central region, the distance reaches a distance from the place where the current flows. At this time, a voltage drop occurs due to the resistance of the upper electrode of the organic light emitting device, and a luminance difference occurs between the outer portion and the central portion.

즉, 대면적의 종래 유기전계발광 표시장치의 경우, 유기발광소자의 상부 전극의 저항에 의한 외곽부와 중심부의 휘도 차이로 인해 휘도 균일도가 급격히 저하되며, 휘도 차이를 보완하는 수단을 필요로 한다.
That is, in the case of a conventional organic light emitting display having a large area, the luminance uniformity is drastically lowered due to the difference in luminance between the outer portion and the center portion due to the resistance of the upper electrode of the organic light emitting device, and means for compensating for the luminance difference is required .

본 발명은 외부로 노출되는 패드 전극이 다수의 패드 전극층으로 형성되고, 최상측에 배치되고, 외부로 노출되는 패드 전극층을 산소 및 수분으로 인해 부식되지 않는 물질로 형섬함으로써, 패드 전극의 부식과 마이그레이션이 발생하는 것을 방지하고, 신호 전달 불량을 방지할 수 있는 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is characterized in that a pad electrode exposed to the outside is formed of a plurality of pad electrode layers and a pad electrode layer disposed on the uppermost side and exposed to the outside is formed into a material which is not corroded by oxygen and moisture, And preventing a signal transmission failure, and a method of manufacturing the same.

또한, 본 발명은 다수의 패드 전극층을 형성하는데 필요한 공정을 단순화 하고, 제조 비용을 감소하는 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.It is another object of the present invention to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which simplify a process required to form a plurality of pad electrode layers and reduce manufacturing cost.

또한, 본 발명은 유기발광소자의 제 2 전극과 연결되는 보조 전극을 포함하여 제 2 전극의 저항을 작게하고, 전압강하를 감소하여 전 영역에서 균일하게 전류가 전달될 수 있는 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
In addition, the present invention provides an organic light emitting display device including an auxiliary electrode connected to a second electrode of an organic light emitting diode so that a resistance of the second electrode is reduced, a voltage drop is reduced, And a manufacturing method thereof.

상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 유기전계발광 표시장치는, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판; 상기 표시 영역 상에 배치되고, 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되고, 제 1 전극, 유기발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광소자; 상기 유기발광소자의 제 2 전극과 연결되는 보조 전극; 및 상기 비표시 영역 상에 배치되고, 패드 전극을 포함하는 패드부를 포함하고, 상기 보조 전극은 제 1 보조 전극 및 제 2 보조 전극을 포함하고, 상기 제 2 보조 전극은 상기 제 1 보조 전극의 상면 및 측면을 둘러싸고 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including: a substrate divided into a display region and a non-display region; A thin film transistor disposed on the display region and including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; An organic light emitting element disposed on the thin film transistor, the organic light emitting element including a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode; An auxiliary electrode connected to a second electrode of the organic light emitting diode; And a pad portion disposed on the non-display region, the pad portion including a pad electrode, wherein the auxiliary electrode includes a first auxiliary electrode and a second auxiliary electrode, and the second auxiliary electrode is formed on an upper surface And a side surface.

또한, 본 발명의 유기전계발광 표시장치의 제조 방법은, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판 상에, 상기 표시 영역에는 박막 트랜지스터를 형성하고, 상기 비표시 영역에는 패드 전극을 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터 및 패드 전극 상에 보호막을 형성하는 단계; 상기 표시 영역에서 상기 보호막 상에 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 표시 영역에서 상기 평탄화막 상에 제 1 보조 전극 및 연결 전극을 형성하고, 상기 비표시 영역에서 상기 보호막 상에 보호 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 보조 전극 상에 제 2 보조 전극을 형성하고, 상기 연결 전극 상에 유기발광소자 제 1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
The method of manufacturing an organic light emitting display according to the present invention includes the steps of forming a thin film transistor in the display region and a pad electrode in the non-display region on a substrate divided into a display region and a non-display region; Forming a protective film on the thin film transistor and the pad electrode; Forming a planarization film on the protective film in the display region; Forming a first auxiliary electrode and a connection electrode on the planarization layer in the display region and forming a protective electrode on the protection layer in the non-display region; And forming a second auxiliary electrode on the first auxiliary electrode and forming an organic light emitting diode first electrode on the connection electrode.

본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법은 외부로 노출되는 패드 전극이 다수의 패드 전극층으로 형성되고, 최상측에 배치되고, 외부로 노출되는 패드 전극층을 산소 및 수분으로 인해 부식되지 않는 물질로 형섬함으로써, 패드 전극의 부식과 마이그레이션이 발생하는 것을 방지하고, 신호 전달 불량을 방지할 수 있는 제 1 효과가 있다.The organic electroluminescence display device and the method of manufacturing the same according to the present invention are characterized in that the pad electrode exposed to the outside is formed of a plurality of pad electrode layers and disposed on the uppermost side, The first effect is that the corrosion and migration of the pad electrode are prevented from occurring and the signal transmission failure can be prevented.

또한, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법은 다수의 패드 전극층을 형성하는데 필요한 공정을 단순화 하고, 제조 비용을 감소하는 제 2 효과가 있다.In addition, the organic electroluminescent display device and the method of manufacturing the same according to the present invention have a second effect of simplifying the processes required to form a plurality of pad electrode layers and reducing the manufacturing cost.

또한, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법은 유기발광소자의 제 2 전극과 연결되는 보조 전극을 포함하여 제 2 전극의 저항을 작게 하고, 전압강하를 감소하여 전 영역에서 균일하게 전류가 전달될 수 있는 제 3 효과가 있다.
Also, the organic light emitting display device and the method of manufacturing the same according to the present invention may include an auxiliary electrode connected to the second electrode of the organic light emitting diode so as to reduce the resistance of the second electrode, reduce the voltage drop, There is a third effect that a current can be transmitted.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조 방법을 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a third embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a fourth embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a fifth embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a sixth embodiment of the present invention.
7A to 7E are views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention.
8A to 8E illustrate a method of manufacturing an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.In the case where the word 'includes', 'having', 'done', etc. are used in this specification, other parts can be added unless '~ only' is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에' '~전에' 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if a temporal posterior relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, and technically various interlocking and driving are possible, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

먼저, 도 1을 참조하여, 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도이다. First, an organic light emitting display according to a first embodiment will be described with reference to FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시 영역(Active Area; AA)과 비표시 영역(Inactive Area; IA)으로 구분되는 기판(100)을 포함한다. 상기 기판(100)은 절연 기판일 수 있다. 이때, 상기 기판(100)은 실리콘(Si), 유리(glass), 플라스틱 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 상기 기판(100) 상에 형성되는 다수의 층과 소자를 지지할 수 있는 재료면 충분하다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention includes a substrate 100 divided into an active area (AA) and an inactive area (IA). The substrate 100 may be an insulating substrate. At this time, the substrate 100 may include silicon (Si), glass, plastic, or polyimide (PI). However, the present invention is not limited thereto, and a plurality of layers formed on the substrate 100 and a material capable of supporting the elements are sufficient.

상기 기판(100)의 표시 영역(AA)에는 박막 트랜지스터(Tr), 상기 박막 트랜지스터(Tr)와 전기적으로 연결되는 유기발광소자(OL)가 배치될 수 있다. 또한, 상기 기판(100)의 비표시 영역(IA)에는 패드부가 배치될 수 있다. 상기 패드부는 하나의 패드부(640)를 포함할 수 있다. 다만, 상기 패드부는 도면에 한정되지 않으며, 다수개의 패드부를 더 포함할 수 있다.A thin film transistor Tr and an organic light emitting diode OL electrically connected to the thin film transistor Tr may be disposed in the display area AA of the substrate 100. [ In addition, a pad portion may be disposed in the non-display area IA of the substrate 100. The pad portion may include one pad portion 640. However, the pad portion is not limited to the drawing, and may further include a plurality of pad portions.

자세하게는, 상기 기판(100) 상에 일방향으로 게이트 라인이 형성되고, 상기 일방향과 다른 방향으로 데이터 라인이 형성된다. 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인은 서로 교차하여 상기 표시 영역(AA)에서 화소 영역을 정의할 수 있다. 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차 영역에는 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된다. 또한, 상기 화소 영역에는 상기 박막 트랜지스터(Tr)와 전기적으로 연결되는 유기발광소자(OL)가 형성된다.In detail, a gate line is formed in one direction on the substrate 100, and a data line is formed in a direction different from the one direction. The gate line and the data line intersect with each other to define a pixel region in the display area AA. A thin film transistor Tr is formed in a crossing region of the gate line and the data line. Also, an organic light emitting diode (OL) electrically connected to the thin film transistor (Tr) is formed in the pixel region.

상기 박막 트랜지스터(Tr)는 상기 기판(100) 상에 형성된 반도체층(111), 상기 게이트 라인에서 분기된 게이트 전극(313), 상기 데이터 라인에서 분기된 소스 전극(315) 및 상기 소스 전극(315)과 동일층에서 이격되어 형성된 드레인 전극(316)을 포함할 수 있다. The thin film transistor Tr includes a semiconductor layer 111 formed on the substrate 100, a gate electrode 313 branched from the gate line, a source electrode 315 branched from the data line, and the source electrode 315 And a drain electrode 316 spaced apart from the same layer.

상기 유기발광소자(OL)는 제 1 전극(130), 상기 제 1 전극(130)과 대향하여 형성되는 제 2 전극(136) 및 상기 제 1 전극(130)과 상기 제 2 전극(136) 사이에 형성되는 유기발광층(135)을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode OL includes a first electrode 130, a second electrode 136 formed to face the first electrode 130, and a second electrode 136 formed between the first electrode 130 and the second electrode 136 And an organic emission layer 135 formed on the organic emission layer 135.

상기 패드부(140)에서는 추후 구동부와 연결되기 위해 패드 전극(641)이 외부로 노출되어야 한다. 구리(Cu) 등으로 형성된 패드 전극은 저항이 작아 신호 전달에 유리하나, 구리(Cu) 등으로 형성된 패드 전극이 외부로 노출되는 경우, 산소 및 수분과 접촉하여 부식이 발생할 수 있다. 이러한 부식은 신호 전달의 불량을 야기하고, 유기전계발광 표시장치의 신뢰성이 감소되는 문제점이 있다. 또한, 구리(Cu) 등으로 형성된 패드 전극은 추후 유기발광소자(OL)를 형성하는 과정에서 제 1 전극(130) 형성시 함께 식각되는 문제점이 있다. The pad electrode 140 is exposed to the outside in order to be connected to the driving unit. The pad electrode formed of copper or the like is advantageous in signal transmission due to its low resistance. However, when the pad electrode formed of copper or the like is exposed to the outside, corrosion may occur due to contact with oxygen and moisture. Such corrosion causes defective signal transmission, and reliability of the organic light emitting display is reduced. Also, the pad electrode formed of copper or the like may be etched when the first electrode 130 is formed in the process of forming the OLED OL.

이를 해결하기 위해, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 패드부(640)는 패드 전극(641)을 포함하고, 상기 패드 전극(641)이 외부로 노출된 영역과 중첩하여 배치되는 보호 전극(741)을 더 포함한다.In order to solve this problem, the pad portion 640 of the organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention includes a pad electrode 641, and overlaps the exposed region of the pad electrode 641 And further includes a protective electrode 741 disposed therein.

더 자세하게는, 상기 표시 영역(AA)에서 상기 기판(100) 상에 반도체층(111)이 형성된다. 상기 반도체층(111)은 소스 영역(111a), 채널 영역(111b) 및 드레인 영역(111c)을 포함할 수 있다. 상기 반도체층(111) 상에 게이트 절연막(120)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 반도체층(111)이 형성된 상기 기판(100) 전면에 형성될 수 있다.More specifically, a semiconductor layer 111 is formed on the substrate 100 in the display area AA. The semiconductor layer 111 may include a source region 111a, a channel region 111b, and a drain region 111c. A gate insulating layer 120 is formed on the semiconductor layer 111. The gate insulating layer 120 may be formed on the entire surface of the substrate 100 on which the semiconductor layer 111 is formed.

상기 게이트 절연막(120) 상에 상기 게이트 라인, 게이트 전극(313), 패드 전극(641)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(313)은 상기 표시 영역(AA)에서 상기 반도체층(111)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 패드 전극(641)은 비표시 영역(IA)에 형성될 수 있다.The gate line, the gate electrode 313, and the pad electrode 641 may be disposed on the gate insulating layer 120. The gate electrode 313 may be formed to overlap the semiconductor layer 111 in the display area AA. In addition, the pad electrode 641 may be formed in the non-display area IA.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(313), 패드 전극(641)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 이때, 상기 게이트 라인과 상기 게이트 전극(313)은 일체로 형성될 수 있다. The gate line, the gate electrode 313, and the pad electrode 641 may be formed of the same material. At this time, the gate line and the gate electrode 313 may be integrally formed.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(313), 패드 전극(641)은 2이상의 층으로 형성된 다중층으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 게이트 전극(313)은 제 1 게이트 전극(313a) 및 상기 제 1 게이트 전극(313a) 상에 배치되는 제 2 게이트 전극(313b)으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 패드 전극(641)은 상기 제 1 패드 전극층(641a) 및 상기 제 1 패드 전극층(641a) 상에 배치되는 제 2 패드 전극층(641b)으로 이루어질 수 있다.The gate line, the gate electrode 313, and the pad electrode 641 may be formed of multiple layers formed of two or more layers. That is, the gate electrode 313 may include a first gate electrode 313a and a second gate electrode 313b disposed on the first gate electrode 313a. The pad electrode 641 may include a first pad electrode layer 641a and a second pad electrode layer 641b disposed on the first pad electrode layer 641a.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(313), 패드 전극(641)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 몰리티타늄(MoTi) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.The gate line, the gate electrode 313 and the pad electrode 641 may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum , Titanium (Ti), moly titanium (MoTi), and combinations thereof.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(313), 패드 전극(641) 상에 층간 절연막(121)이 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막(121)은 다수의 콘택홀을 포함할 수 있다.An interlayer insulating layer 121 may be formed on the gate line, the gate electrode 313, and the pad electrode 641. The interlayer insulating layer 121 may include a plurality of contact holes.

상기 표시 영역(AA)에서 상기 층간 절연막(121) 및 상기 게이트 절연막(120)은 상기 반도체층(111)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. 상기 콘택홀은 상기 반도체층(111)의 소스 영역(111a) 및 드레인 영역(111c)을 노출할 수 있다. 상기 비표시 영역(IA)에서 상기 층간 절연막(121)은 상기 패드 전극(641)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. In the display area AA, the interlayer insulating layer 121 and the gate insulating layer 120 may include a contact hole exposing the semiconductor layer 111. [ The contact hole may expose a source region 111a and a drain region 111c of the semiconductor layer 111. [ In the non-display area IA, the interlayer insulating layer 121 may include a contact hole exposing the pad electrode 641.

상기 다수의 콘택홀을 포함하는 층간 절연막(121) 상에 상기 데이터 라인, 소스 전극(315), 드레인 전극(316), 보호 전극(741)이 배치될 수 있다. 그리고, 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인과 다른 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(315) 및 상기 드레인 전극(316)은 서로 이격되어 형성되며, 각각 상기 콘택홀을 통해 노출된 상기 반도체층(111)과 접하도록 형성될 수 있다. 상기 소스 전극(315)은 상기 반도체층(111)의 소스 영역(111a)과 접하고, 상기 드레인 전극(116)은 상기 반도체층(311)의 드레인 영역(111c)과 접하도록 형성될 수 있다.The data line, the source electrode 315, the drain electrode 316, and the protective electrode 741 may be disposed on the interlayer insulating film 121 including the plurality of contact holes. The data line may be arranged to extend in a direction different from the gate line. The source electrode 315 and the drain electrode 316 may be spaced apart from each other and may be in contact with the semiconductor layer 111 exposed through the contact hole. The source electrode 315 may be in contact with the source region 111a of the semiconductor layer 111 and the drain electrode 116 may be in contact with the drain region 111c of the semiconductor layer 311. [

상기 보호 전극(741)은 상기 콘택홀을 통해 노출된 상기 패드 전극(641) 상에 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호 전극(741)은 상기 패드 전극(641)의 제 2 패드 전극층(641b)이 노출된 영역에 중첩하여 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제 2 패드 전극층(641b)은 상기 패드 전극(641) 및 층간 절연막(121)으로 둘러싸이도록 형성될 수 있다.The protective electrode 741 may be formed on the pad electrode 641 exposed through the contact hole. That is, the protective electrode 741 may be formed in a region where the second pad electrode layer 641b of the pad electrode 641 is exposed. Accordingly, the second pad electrode layer 641b may be formed so as to be surrounded by the pad electrode 641 and the interlayer insulating layer 121.

상기 데이터 라인, 소스 전극(315), 드레인 전극(316)는 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 데이터 라인, 소스 전극(315), 드레인 전극(316)은 2중층으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 데이터 라인, 소스 전극(315), 드레인 전극(316)은 각각 제 1 금속층(미도시,315a,316a) 및 상기 제 1 금속층(미도시,315a,316a) 상에 배치되는 제 2 금속층(미도시,315b,316b)으로 이루어질 수 있다.The data line, the source electrode 315, and the drain electrode 316 may be formed in multiple layers. For example, the data line, the source electrode 315, and the drain electrode 316 may be formed of a double layer. The data line, the source electrode 315 and the drain electrode 316 are electrically connected to the first metal layer 315a and 316a and the second metal layer 315a and 316a, (Not shown) 315b and 316b.

상기 데이터 라인, 소스 전극(315), 드레인 전극(361)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 몰리티타늄(MoTi) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 데이터 라인, 소스 전극(315), 드레인 전극(316)의 제 1 금속층(미도시,315a,316a)은 몰리티타늄(MoTi)으로 이루어지고, 제 2 금속층(미도시,315b,316b)은 구리(Cu)로 이루어질 수 있다.The data line, the source electrode 315 and the drain electrode 361 may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum (Ta) , Titanium (Ti), moly titanium (MoTi), and combinations thereof. The first metal layer (not shown) 315a and 316a of the data line, the source electrode 315 and the drain electrode 316 is made of moly titanium (MoTi), and a second metal layer (not shown) 316b may be made of copper (Cu).

그리고, 상기 보호 전극(741)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 몰리티타늄(MoTi) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 보호 전극(741)은 몰리티타늄(MoTi)으로 이루어질 수 있다.The protective electrode 741 may be formed of one selected from the group consisting of Al, tungsten, copper, silver, molybdenum, chromium, tantalum, titanium, molybdenum, Titanium (MoTi), and combinations thereof. Preferably, the protective electrode 741 may be made of moly titanium (MoTi).

여기서, 상기 데이터 라인, 소스 전극(315), 드레인 전극(316)의 제 1 금속층(미도시,315a,316a)은 상기 보호 전극(741)과 동일층에서 동일물질로 이루어질 수 있다. The first metal layer (not shown) 315a and 316a of the data line, the source electrode 315 and the drain electrode 316 may be formed of the same material as the protective electrode 741. [

이로써, 상기 반도체층(111), 게이트 전극(313), 소스 전극(315) 및 드레인 전극(316)을 포함하는 박막 트랜지스터(Tr)와 패드전극(641) 및 상기 패드전극(641) 상에 배치되는 보호 전극(741)을 포함하는 패드부(640)를 형성할 수 있다.Thus, the thin film transistor Tr and the pad electrode 641 including the semiconductor layer 111, the gate electrode 313, the source electrode 315, and the drain electrode 316 and the pad electrode 641 are disposed on the pad electrode 641 The pad portion 640 including the protective electrode 741 may be formed.

상기 박막 트랜지스터(Tr) 상에 보호막(122)이 형성되고, 상기 보호막(122) 상에 평탄화막(123)이 형성될 수 있다. 상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(316)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. A passivation layer 122 may be formed on the thin film transistor Tr and a planarization layer 123 may be formed on the passivation layer 122. The passivation layer 122 and the planarization layer 123 may include a contact hole exposing the drain electrode 316 of the thin film transistor Tr.

상기 보호막(122) 및 평탄화막(123)은 상기 층간 절연막(121)의 콘택홀을 통해 외부로 노출된 상기 패드전극(640) 상에 배치되지 않을 수 있다. 이때, 상기 보호막(122)은 상기 데이터 라인을 둘러싸고 형성될 수 있다. 또한, 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된 표시 영역(AA)에만 형성될 수 있다. The protective film 122 and the planarization film 123 may not be disposed on the pad electrode 640 exposed to the outside through the contact hole of the interlayer insulating film 121. At this time, the protective layer 122 may be formed to surround the data lines. In addition, the planarization layer 123 may be formed only in the display region AA where the thin film transistor Tr is formed.

상기 평탄화막(123) 상에 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130)이 형성된다. 상기 제 1 전극(130)은 상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123)을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(316)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(130)은 애노드(anode) 전극 일 수 있다.A first electrode 130 of the organic light emitting diode OL is formed on the planarization layer 123. The first electrode 130 may be electrically connected to the drain electrode 316 through a contact hole passing through the passivation layer 122 and the planarization layer 123. Also, the first electrode 130 may be an anode electrode.

다만, 상기 제 1 전극(130)은 도면에 한정되지 않으며, 다중층으로 이루어질 수도 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전극(130)은 제 1 전극층, 제 2 전극층, 및 제 3 전극층이 순차적으로 적층된 삼중층 구조로 형성될 수도 있다. However, the first electrode 130 is not limited to the drawing, and may be formed of multiple layers. For example, the first electrode 130 may have a triple-layer structure in which a first electrode layer, a second electrode layer, and a third electrode layer are sequentially stacked.

또한, 상기 평탄화막(123) 상에는 뱅크 패턴(139)이 형성된다. 상기 뱅크 패턴(139)은 상기 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130)의 상면의 일부를 노출하도록 배치된다. 즉, 상기 뱅크 패턴(139)은 상게 제 1 전극(130)의 측면을 둘러싸는 형태로 형성되어, 상기 제 1 전극(130)의 측면의 부식을 방지할 수 있다.In addition, a bank pattern 139 is formed on the planarization film 123. The bank pattern 139 is disposed to expose a part of the upper surface of the first electrode 130 of the organic light emitting diode OL. That is, the bank pattern 139 is formed to surround the side surface of the first electrode 130, thereby preventing corrosion of the side surface of the first electrode 130.

상기 뱅크 패턴(139)으로 둘러싸인 영역에는 상기 유기발광소자(OL)의 유기발광층(135)이 배치될 수 있다. 도면 상에는 상기 유기발광층(135)을 단층으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 유기발광층(135)은 발광물질로 이루어진 단층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성할 수도 있다. The organic light emitting layer 135 of the organic light emitting diode OL may be disposed in a region surrounded by the bank patterns 139. [ Although the organic light emitting layer 135 is shown as a single layer in the drawing, the present invention is not limited thereto. The organic light emitting layer 135 may include a hole injection layer, a hole transporting layer, an emitting material layer, and an electron transporting layer an electron transporting layer, and an electron injection layer.

상기 유기발광층(135) 상에는 제 2 전극(136)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제 2 전극(136)은 캐소드(cathode) 전극 일 수 있다. 상기 제 2 전극(136)은 일함수가 낮은 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 일반적으로 캐소드 전극으로 사용될 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극(136)은 상기 표시 영역(AA)에 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 2 전극(136)은 상기 유기발광층(135)의 상면에 형성될 수 있다.A second electrode 136 may be formed on the organic light emitting layer 135. In this case, the second electrode 136 may be a cathode electrode. The second electrode 136 may be formed of a metal or a metal alloy having a low work function. However, it is not limited thereto and may include a material which can be generally used as a cathode electrode. The second electrode 136 may be formed in the display area AA. At this time, the second electrode 136 may be formed on the upper surface of the organic light emitting layer 135.

본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 패드전극(641)과 중첩하여 배치되는 보호 전극(741)을 통해 패드전극(641)의 부식을 방지할 수 있는 효과가 있다.The organic electroluminescent display device according to the present invention has an effect of preventing corrosion of the pad electrode 641 through the protective electrode 741 disposed in a superposition with the pad electrode 641.

이어서, 도 2를 참조하여, 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치에 대해서 설명한다. 도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도이다. 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 앞서 설명한 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치와 동일 유사한 구성을 포함할 수 있다. 앞서 설명한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.Next, an organic light emitting display device according to a second embodiment will be described with reference to FIG. 2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention. The organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention may have the same structure as the organic light emitting display device according to the first embodiment described above. The description overlapping with the embodiment described above may be omitted. The same reference numerals are assigned to the same components.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시 영역(Active Area; AA)과 비표시 영역(Inactive Area; IA)으로 구분되는 기판(100)을 포함한다. 상기 기판(100)의 표시 영역(AA)에는 박막 트랜지스터(Tr), 상기 박막 트랜지스터(Tr)와 전기적으로 연결되는 유기발광소자(OL) 및 상기 유기발광소자(OL)와 연결되는 보조 전극(160)이 배치될 수 있다. Referring to FIG. 2, the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention includes a substrate 100 divided into an active area (AA) and an inactive area (IA). In the display area AA of the substrate 100, a thin film transistor Tr, an organic light emitting diode OL electrically connected to the thin film transistor Tr, and an auxiliary electrode 160 connected to the organic light emitting diode OL May be disposed.

또한, 상기 기판(100)의 비표시 영역(IA)에는 패드부가 배치될 수 있다. 상기 패드부는 제 1 패드부(140) 및 제 2 패드부(150)를 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(Tr), 유기발광소자(OL), 보조 전극(160), 제 1 패드부(140) 및 제 2 패드부(150)에 대해 자세히 설명하면 다음과 같다.In addition, a pad portion may be disposed in the non-display area IA of the substrate 100. The pad unit may include a first pad unit 140 and a second pad unit 150. The thin film transistor Tr, the OLED OL, the auxiliary electrode 160, the first pad portion 140, and the second pad portion 150 will be described in detail.

상기 기판(100) 상에 일방향으로 게이트 라인이 형성되고, 상기 일방향과 다른 방향으로 데이터 라인이 형성된다. 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인은 서로 교차하여 상기 표시 영역(AA)에서 화소 영역을 정의할 수 있다. 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차 영역에는 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된다. 또한, 상기 화소 영역에는 상기 박막 트랜지스터(Tr)와 전기적으로 연결되는 유기발광소자(OL)가 형성된다.Gate lines are formed in one direction on the substrate 100, and data lines are formed in a direction different from the one direction. The gate line and the data line intersect with each other to define a pixel region in the display area AA. A thin film transistor Tr is formed in a crossing region of the gate line and the data line. Also, an organic light emitting diode (OL) electrically connected to the thin film transistor (Tr) is formed in the pixel region.

상기 박막 트랜지스터(Tr)는 상기 기판(100) 상에 형성된 반도체층(111), 상기 게이트 라인에서 분기된 게이트 전극(113), 상기 데이터 라인에서 분기된 소스 전극(115) 및 상기 소스 전극(115)과 동일층에서 이격되어 형성된 드레인 전극(116)을 포함할 수 있다. 상기 유기발광소자(OL)는 제 1 전극(130), 상기 제 1 전극(130)과 대향하여 형성되는 제 2 전극(136) 및 상기 제 1 전극(130)과 상기 제 2 전극(136) 사이에 형성되는 유기발광층(135)을 포함할 수 있다. 상기 보조 전극(160)은 제 1 보조 전극(161) 및 제 2 보조 전극(162)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 패드부(140)는 제 1 하부 패드 전극(141) 및 제 1 상부 패드 전극(142)을 포함하고, 상기 제 2 패드부(150)는 제 2 하부 패드 전극(151) 및 제 2 상부 패드 전극(152)을 포함할 수 있다.The thin film transistor Tr includes a semiconductor layer 111 formed on the substrate 100, a gate electrode 113 branched from the gate line, a source electrode 115 branched from the data line, and a source electrode 115 And a drain electrode 116 formed apart from the same layer. The organic light emitting diode OL includes a first electrode 130, a second electrode 136 formed to face the first electrode 130, and a second electrode 136 formed between the first electrode 130 and the second electrode 136 And an organic emission layer 135 formed on the organic emission layer 135. The auxiliary electrode 160 may include a first auxiliary electrode 161 and a second auxiliary electrode 162. The first pad unit 140 includes a first lower pad electrode 141 and a first upper pad electrode 142. The second pad unit 150 includes a second lower pad electrode 151, And a second upper pad electrode 152.

상기 표시 영역(AA)에서 상기 기판(100) 상에 반도체층(111)이 형성된다. 상기 반도체층(111) 상에 게이트 절연막(120)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(IA)에 형성될 수 있다. 즉, 상기 게이트 절연막(120)은 상기 반도체층(111)이 형성된 상기 기판(100) 전면에 형성될 수 있다.A semiconductor layer 111 is formed on the substrate 100 in the display area AA. A gate insulating layer 120 is formed on the semiconductor layer 111. The gate insulating layer 120 may be formed in the display area AA and the non-display area IA. That is, the gate insulating layer 120 may be formed on the entire surface of the substrate 100 on which the semiconductor layer 111 is formed.

상기 게이트 절연막(120) 상에 상기 게이트 라인, 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(141) 및 제 2 하부 패드 전극(151)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(113)은 상기 표시 영역(AA)에서 상기 반도체층(111)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 하부 패드 전극(141) 및 제 2 하부 패드 전극(151)은 비표시 영역(IA)에 형성될 수 있다.The gate line, the gate electrode 113, the first lower pad electrode 141, and the second lower pad electrode 151 may be formed on the gate insulating layer 120. The gate electrode 113 may be formed to overlap the semiconductor layer 111 in the display area AA. In addition, the first lower pad electrode 141 and the second lower pad electrode 151 may be formed in the non-display area IA.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(141) 및 제 2 하부 패드 전극(151)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 이때, 상기 게이트 라인과 상기 게이트 전극(113)은 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 게이트 라인과 상기 제 1 하부 패드 전극(141)은 일체로 형성될 수 있다. The gate line, the gate electrode 113, the first lower pad electrode 141, and the second lower pad electrode 151 may be formed of the same material. At this time, the gate line and the gate electrode 113 may be integrally formed. In addition, the gate line and the first lower pad electrode 141 may be integrally formed.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(141) 및 제 2 하부 패드 전극(151)은 도면 상에는 단층으로 형성되었으나, 2이상의 층으로 형성된 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 게이트 라인, 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(141) 및 제 2 하부 패드 전극(151)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 몰리티타늄(MoTi) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.Although the gate line, the gate electrode 113, the first lower pad electrode 141 and the second lower pad electrode 151 are formed as a single layer in the drawing, they may be formed as multiple layers formed of two or more layers. The gate line, the gate electrode 113, the first lower pad electrode 141 and the second lower pad electrode 151 may be formed of a material selected from the group consisting of aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum Mo, Cr, Ta, Ti, MoTi, and a combination thereof.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(141) 및 제 2 하부 패드 전극(151) 상에 층간 절연막(121)이 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막(121)은 다수의 콘택홀을 포함할 수 있다.An interlayer insulating layer 121 may be formed on the gate line, the gate electrode 113, the first lower pad electrode 141, and the second lower pad electrode 151. The interlayer insulating layer 121 may include a plurality of contact holes.

상기 표시 영역(AA)에서 상기 층간 절연막(121) 및 상기 게이트 절연막(120)은 상기 반도체층(111)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. 상기 콘택홀은 상기 반도체층(111)의 소스 영역(111a) 및 드레인 영역(111c)을 노출할 수 있다. In the display area AA, the interlayer insulating layer 121 and the gate insulating layer 120 may include a contact hole exposing the semiconductor layer 111. [ The contact hole may expose a source region 111a and a drain region 111c of the semiconductor layer 111. [

상기 비표시 영역(IA)에서 상기 층간 절연막(121)은 상기 제 1 하부 패드 전극(141)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. 또한, 상기 비표시 영역(IA)에서 상기 층간 절연막(121)은 상기 제 2 하부 패드 전극(151)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다.In the non-display area IA, the interlayer insulating layer 121 may include a contact hole exposing the first lower pad electrode 141. In addition, in the non-display area IA, the interlayer insulating layer 121 may include a contact hole exposing the second lower pad electrode 151.

상기 다수의 콘택홀을 포함하는 층간 절연막(121) 상에 상기 데이터 라인, 소스 전극(115), 드레인 전극(116), 제 1 상부 패드 전극(142) 및 제 2 상부 패드 전극(152)이 형성될 수 있다. 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인과 다른 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(115) 및 상기 드레인 전극(116)은 서로 이격되어 형성되며, 각각 상기 콘택홀을 통해 노출된 상기 반도체층(111)과 접하도록 형성될 수 있다. 상기 소스 전극(115)은 상기 반도체층(111)의 소스 영역(111a)과 접하고, 상기 드레인 전극(116)은 상기 반도체층(111)의 드레인 영역(111c)과 접하도록 형성될 수 있다.The data line, the source electrode 115, the drain electrode 116, the first upper pad electrode 142, and the second upper pad electrode 152 are formed on the interlayer insulating film 121 including the plurality of contact holes . The data lines may be arranged to extend in a direction different from the gate lines. The source electrode 115 and the drain electrode 116 may be spaced apart from each other and may be in contact with the semiconductor layer 111 exposed through the contact hole. The source electrode 115 may be in contact with the source region 111a of the semiconductor layer 111 and the drain electrode 116 may be in contact with the drain region 111c of the semiconductor layer 111. [

상기 제 1 상부 패드 전극(142)은 상기 콘택홀을 통해 노출된 상기 제 1 하부 패드 전극(141) 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 상부 패드 전극(152)은 상기 콘택홀을 통해 노출된 상기 제 2 하부 패드 전극(151) 상에 형성될 수 있다.The first upper pad electrode 142 may be formed on the first lower pad electrode 141 exposed through the contact hole. The second upper pad electrode 152 may be formed on the second lower pad electrode 151 exposed through the contact hole.

상기 데이터 라인, 소스 전극(115), 드레인 전극(116), 제 1 상부 패드 전극(142) 및 제 2 상부 패드 전극(152)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 이때, 상기 데이터 라인과 상기 소스 전극(115)은 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 데이터 라인과 상기 제 2 상부 패드 전극(152)은 일체로 형성될 수 있다. The data line, the source electrode 115, the drain electrode 116, the first upper pad electrode 142, and the second upper pad electrode 152 may be formed of the same material. At this time, the data line and the source electrode 115 may be integrally formed. In addition, the data line and the second upper pad electrode 152 may be integrally formed.

상기 데이터 라인, 소스 전극(115), 드레인 전극(116), 제 1 상부 패드 전극(142) 및 제 2 상부 패드 전극(152)은 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 데이터 라인, 소스 전극(115), 드레인 전극(116), 제 1 상부 패드 전극(142) 및 제 2 상부 패드 전극(152)은 삼중층으로 형성될 수 있다.The data line, the source electrode 115, the drain electrode 116, the first upper pad electrode 142, and the second upper pad electrode 152 may be formed in multiple layers. For example, the data line, the source electrode 115, the drain electrode 116, the first upper pad electrode 142, and the second upper pad electrode 152 may be formed as a triple layer.

즉, 상기 소스 전극(115)은 제 1 소스 전극층(115a), 제 2 소스 전극층(115b) 및 제 3 소스 전극층(115c)을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(116)은 제 1 드레인 전극층(116a), 제 2 드레인 전극층(116b) 및 제 3 드레인 전극층(116c)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 상부 패드 전극(142)은 제 1 패드 전극층(142a), 제 2 패드 전극층(142b) 및 제 3 패드 전극층(142c)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 상부 패드 전극(152)은 제 1 패드 전극층(152a), 제 2 패드 전극층(152b) 및 제 3 패드 전극층(152c)을 포함할 수 있다.That is, the source electrode 115 may include a first source electrode layer 115a, a second source electrode layer 115b, and a third source electrode layer 115c. The drain electrode 116 may include a first drain electrode layer 116a, a second drain electrode layer 116b, and a third drain electrode layer 116c. The first upper pad electrode 142 may include a first pad electrode layer 142a, a second pad electrode layer 142b, and a third pad electrode layer 142c. The second upper pad electrode 152 may include a first pad electrode layer 152a, a second pad electrode layer 152b, and a third pad electrode layer 152c.

상기 제 1 소스 전극층(115a), 제 1 드레인 전극층(116a), 제 1 상부 패드 전극(142)의 제 1 패드 전극층(142a) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(152)의 제 1 패드 전극층(152a)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 1 소스 전극층(115a), 제 1 드레인 전극층(116a), 제 1 상부 패드 전극(142)의 제 1 패드 전극층(142a) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(152)의 제 1 패드 전극층(152a)은 각각 상기 제 2 소스 전극층(115b), 제 2 드레인 전극층(116b), 제 1 상부 패드 전극(142)의 제 2 패드 전극층(142b) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(152)의 제 2 패드 전극층(152b)의 접착력을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 소스 전극층(115a), 제 1 드레인 전극층(116a), 제 1 상부 패드 전극(142)의 제 1 패드 전극층(142a) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(152)의 제 1 패드 전극층(152a)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다.The first pad electrode layer 142a of the first source electrode layer 115a, the first drain electrode layer 116a and the first upper pad electrode 142 and the first pad electrode layer 152a of the second upper pad electrode 152 ) May be formed of the same material. The first pad electrode layer 142a of the first source electrode layer 115a, the first drain electrode layer 116a and the first upper pad electrode 142 and the first pad electrode layer 152a of the second upper pad electrode 152 Are formed on the second source electrode layer 115b, the second drain electrode layer 116b, the second pad electrode layer 142b of the first upper pad electrode 142 and the second pad electrode layer 142b of the second upper pad electrode 152, The adhesive force of the electrode layer 152b can be improved. For example, the first source electrode layer 115a, the first drain electrode layer 116a, the first pad electrode layer 142a of the first upper pad electrode 142, and the first pad electrode layer 142b of the second upper pad electrode 152 The pad electrode layer 152a may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof.

상기 제 2 소스 전극층(115b), 제 2 드레인 전극층(116b), 제 1 상부 패드 전극(142)의 제 2 패드 전극층(142b) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(152)의 제 2 패드 전극층(152b)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 2 소스 전극층(115b), 제 2 드레인 전극층(116b), 제 1 상부 패드 전극(142)의 제 2 패드 전극층(142b) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(152)의 제 2 패드 전극층(152b)은 저항이 작은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 소스 전극층(115b), 제 2 드레인 전극층(116b), 제 1 상부 패드 전극(142)의 제 2 패드 전극층(142b) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(152)의 제 2 패드 전극층(152b)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 제 2 소스 전극층(115b), 제 2 드레인 전극층(116b), 제 1 상부 패드 전극(142)의 제 2 패드 전극층(142b) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(152)의 제 2 패드 전극층(152b)은 구리(Cu)를 포함할 수 있다.The second source electrode layer 115b, the second drain electrode layer 116b, the second pad electrode layer 142b of the first upper pad electrode 142 and the second pad electrode layer 152b of the second upper pad electrode 152 ) May be formed of the same material. The second source electrode layer 115b, the second drain electrode layer 116b, the second pad electrode layer 142b of the first upper pad electrode 142 and the second pad electrode layer 152b of the second upper pad electrode 152 May be formed of a material having a low resistance. For example, the second source electrode layer 115b, the second drain electrode layer 116b, the second pad electrode layer 142b of the first upper pad electrode 142, and the second pad electrode layer 142b of the second upper pad electrode 152, The pad electrode layer 152b may be formed of any one of aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum (Ta) And the like. Preferably, the second source electrode layer 115b, the second drain electrode layer 116b, the second pad electrode layer 142b of the first upper pad electrode 142 and the second pad electrode layer 142b of the second upper pad electrode 152, The pad electrode layer 152b may include copper (Cu).

상기 제 3 소스 전극층(115c), 제 3 드레인 전극층(116c), 제 1 상부 패드 전극(142)의 제 3 패드 전극층(142c) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(152)의 제 3 패드 전극층(152c)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 3 소스 전극층(115c), 제 3 드레인 전극층(116c), 제 1 상부 패드 전극(142)의 제 3 패드 전극층(142c) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(152)의 제 3 패드 전극층(152c)은 외부에 노출되더라도 산소 및 수분에 의해 부식되지 않는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 3 소스 전극층(115c), 제 3 드레인 전극층(116c), 제 1 상부 패드 전극(142)의 제 3 패드 전극층(142c) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(152)의 제 3 패드 전극층(152c)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다.The third source electrode layer 115c, the third drain electrode layer 116c, the third pad electrode layer 142c of the first upper pad electrode 142 and the third pad electrode layer 152c of the second upper pad electrode 152 ) May be formed of the same material. The third source electrode layer 115c, the third drain electrode layer 116c, the third pad electrode layer 142c of the first upper pad electrode 142 and the third pad electrode layer 152c of the second upper pad electrode 152 May be formed of a material that is not corroded by oxygen and moisture even when exposed to the outside. For example, the third source electrode layer 115c, the third drain electrode layer 116c, the third pad electrode layer 142c of the first upper pad electrode 142, and the third pad electrode layer 142c of the second upper pad electrode 152, The pad electrode layer 152c may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof.

상기 패드부(140,150)의 상부 패드 전극(142,152)은 다수의 패드 전극층을 포함하도록 형성된다. 이때, 최상측에 배치된 패드 전극층(142c,152c)은 외부에 노출되더라도 산소 및 수분에 의해 부식되지 않는 물질로 형성될 수 있다. 특히, 상기 최상측에 배치된 패드 전극층(142c,152c)은 추후 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130) 식각액으로 식각되지 않는 물질로 형성될 수 있다. 즉, 최상측에 배치된 패드 전극층(142c,152c)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다. 이로 인해, 부식을 방지할 수 있으며, 신뢰성을 향상시키고, 신호 전달 불량을 개선할 수 있다.The upper pad electrodes 142 and 152 of the pad units 140 and 150 include a plurality of pad electrode layers. At this time, the pad electrode layers 142c and 152c disposed on the uppermost side may be formed of a material that is not corroded by oxygen and moisture even when exposed to the outside. In particular, the pad electrode layers 142c and 152c disposed on the uppermost side may be formed of a material that can not be etched by the etchant of the first electrode 130 of the OLED OL. That is, the pad electrode layers 142c and 152c disposed on the uppermost side may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof. As a result, corrosion can be prevented, reliability can be improved, and signal transmission failure can be improved.

이로써, 상기 반도체층(111), 게이트 전극(113), 소스 전극(115) 및 드레인 전극(116)을 포함하는 박막 트랜지스터(Tr)와, 상기 제 1 하부 패드 전극(141) 및 제 1 상부 패드 전극(142)을 포함하는 제 1 패드부(140)와, 상기 제 2 하부 패드 전극(151) 및 제 2 상부 패드 전극(152)을 포함하는 제 2 패드부(150)를 형성할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 패드부(140,150)의 하부 패드 전극(141,151)은 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(113)과 동일 공정에서 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 패드부(140,150)의 상부 패드 전극(142,152)은 상기 데이터 라인, 소스 전극(115) 및 드레인 전극(116)과 동일 공정에서 형성될 수 있다. The thin film transistor Tr including the semiconductor layer 111, the gate electrode 113, the source electrode 115 and the drain electrode 116 and the first lower pad electrode 141, A first pad portion 140 including the electrode 142 and a second pad portion 150 including the second lower pad electrode 151 and the second upper pad electrode 152 may be formed. The lower pad electrodes 141 and 151 of the first and second pad units 140 and 150 may be formed in the same process as the gate line and the gate electrode 113. The upper pad electrodes 142 and 152 of the first and second pad units 140 and 150 may be formed in the same process as the data line, the source electrode 115, and the drain electrode 116.

상기 박막 트랜지스터(Tr), 제 1 패드부(140) 및 제 2 패드부(150) 상에 보호막(122)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호막(122)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(IA)에 형성되며, 상기 기판(100) 전면에 형성될 수 있다. The passivation layer 122 may be formed on the thin film transistor Tr, the first pad portion 140, and the second pad portion 150. That is, the passivation layer 122 is formed on the display area AA and the non-display area IA and may be formed on the entire surface of the substrate 100.

또한, 상기 보호막(122) 상에 평탄화막(123)이 형성될 수 있다. 상기 평탄화막(123)은 상기 제 1 패드부(140) 및 제 2 패드부(150) 상에는 배치되지 않을 수 있다. 즉, 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된 표시 영역(AA)에만 형성될 수 있다. The planarization layer 123 may be formed on the protective layer 122. The planarization layer 123 may not be disposed on the first pad portion 140 and the second pad portion 150. That is, the planarization layer 123 may be formed only in the display region AA where the thin film transistor Tr is formed.

상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(116)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호막(122)은 상기 패드부(140,150)의 상부 패드 전극(142,152)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. The passivation layer 122 and the planarization layer 123 may include a contact hole exposing the drain electrode 116 of the thin film transistor Tr. The passivation layer 122 may include a contact hole exposing the upper pad electrodes 142 and 152 of the pad units 140 and 150.

이때, 상기 보호막(122)은 상기 상부 패드 전극(142,152)의 제 3 패드 전극층(142c,152c)의 상면을 노출하도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 보호막(122)은 상기 상부 패드 전극(142,152)의 측면을 둘러싸는 형태로 형성되어, 상기 상부 패드 전극(142,152) 측면의 부식을 방지할 수 있다.At this time, the passivation layer 122 may be formed to expose the upper surfaces of the third pad electrode layers 142c and 152c of the upper pad electrodes 142 and 152. At this time, the protective layer 122 is formed to surround the side surfaces of the upper pad electrodes 142 and 152, thereby preventing corrosion of the side surfaces of the upper pad electrodes 142 and 152.

이때, 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(116)을 노출하는 상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123)의 콘택홀은 동일 공정으로 함께 형성될 수 있다. 다만, 콘택홀의 형성 방법은 이에 한정되지 않는다. 상기 기판(100) 전면에 보호막(122)을 형성하고, 상기 제 1 패드부(140) 및 제 2 패드부(150) 형성 영역과 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극 형성 영역의 보호막(122)을 노출하도록 상기 평탄화막(123)을 형성할 수 있다. 이후, 별도의 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 보호막(122)을 식각함으로써, 상기 제 1 패드부(140), 제 2 패드부(150) 및 드레인 전극(116)을 노출하는 콘택홀을 형성할 수 있다.At this time, the protective film 122 exposing the drain electrode 116 of the thin film transistor Tr and the contact holes of the planarization film 123 may be formed together in the same process. However, the method of forming the contact hole is not limited to this. The passivation layer 122 is formed on the entire surface of the substrate 100 and the passivation layer 122 of the drain electrode formation region of the first pad portion 140 and the second pad portion 150, The planarization layer 123 may be formed to expose the planarization layer 123. The first pad portion 140, the second pad portion 150, and the drain electrode 116 are formed by etching the passivation layer 122 using a photoresist pattern as a mask, The contact hole can be formed.

상기 평탄화막(123) 상에 보조 전극(160) 및 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130)이 형성된다. 상기 보조 전극(160) 및 상기 제 1 전극(130)은 서로 이격되어 형성된다. The auxiliary electrode 160 and the first electrode 130 of the organic light emitting diode OL are formed on the planarization film 123. [ The auxiliary electrode 160 and the first electrode 130 are spaced apart from each other.

상기 보조 전극(160)은 제 1 보조 전극(161) 및 제 2 보조 전극(162)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 보조 전극(161)은 이중층으로 형성될 수 있다. 자세하게는, 상기 제 1 보조 전극(161)은 하부 보조 전극층(161a) 및 상부 보조 전극층(161b)이 적층되어 형성될 수 있다. The auxiliary electrode 160 may include a first auxiliary electrode 161 and a second auxiliary electrode 162. The first auxiliary electrode 161 may be formed as a double layer. In detail, the first auxiliary electrode 161 may be formed by stacking a lower auxiliary electrode layer 161a and an upper auxiliary electrode layer 161b.

상기 하부 보조 전극층(161a)은 상기 상부 보조 전극층(161b)의 접착력을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 하부 보조 전극층(161a)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다.The lower auxiliary electrode layer 161a may improve adhesion of the upper auxiliary electrode layer 161b. For example, the lower auxiliary electrode layer 161a may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof.

또한, 상기 상부 보조 전극층(161b)은 저항이 작은 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 상부 보조 전극층(161b)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 상부 보조 전극층(161b)은 구리(Cu)로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 보조 전극(160)이 저항이 작은 물질을 포함함으로써, 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다.Also, the upper auxiliary electrode layer 161b may be formed of a metal having a low resistance. For example, the upper auxiliary electrode layer 161b may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum ), And a combination thereof. Preferably, the upper auxiliary electrode layer 161b may be formed of copper (Cu). Accordingly, since the auxiliary electrode 160 includes a material having a low resistance, luminance uniformity can be improved.

상기 제 2 보조 전극(162)은 상기 제 1 보조 전극(161) 상에 형성된다. 이때, 상기 제 2 보조 전극(162)은 상기 제 1 보조 전극(161)의 상면 및 측면을 둘러싸고 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극(162)은 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 보조 전극(162)은 제 1 보조 전극층(162a), 제 2 보조 전극층(162b) 및 제 3 보조 전극층(162c)이 순차적으로 적층된 삼중층 구조로 형성될 수 있다. The second auxiliary electrode 162 is formed on the first auxiliary electrode 161. At this time, the second auxiliary electrode 162 may be formed to surround the upper surface and the side surface of the first auxiliary electrode 161. The second auxiliary electrode 162 may be formed of multiple layers. For example, the second auxiliary electrode 162 may have a triple-layer structure in which a first auxiliary electrode layer 162a, a second auxiliary electrode layer 162b, and a third auxiliary electrode layer 162c are sequentially stacked.

상기 제 1 전극(130)은 상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123)을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(116)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(130)은 애노드(anode) 전극 일 수 있다. 상기 제 1 전극(130)은 다수의 전극층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전극(130)은 제 1 전극층(130a), 제 2 전극층(130b) 및 제 3 전극층(130c)이 순차적으로 적층된 삼중층 구조로 형성될 수 있다. The first electrode 130 may be electrically connected to the drain electrode 116 through a contact hole passing through the passivation layer 122 and the planarization layer 123. Also, the first electrode 130 may be an anode electrode. The first electrode 130 may be formed of a plurality of electrode layers. For example, the first electrode 130 may have a triple-layer structure in which a first electrode layer 130a, a second electrode layer 130b, and a third electrode layer 130c are sequentially stacked.

상기 제 2 보조 전극(162) 및 상기 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 동일 물질로 형성될 수 있다.The second auxiliary electrode 162 and the first electrode 130 of the organic light emitting diode OL may be formed of the same material. The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of the same material. The second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of the same material. The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of the same material.

상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 각각 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)의 접착력을 높일 수 있다. 상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전극층(130a)은 ITO로 형성될 수 있다. The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a can increase the adhesion of the second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b. The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of a transparent conductive material. For example, the first electrode layer 130a may be formed of ITO.

상기 제 2 전극층(130b)은 반사층일 수 있다. 이때, 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 은(Ag)-합금으로 형성될 수 있다. 이를 통해, 상기 유기발광소자(OL)는 상부로 빛을 발광시키는 상부 발광방식 유기전계발광 표시장치를 구현할 수 있다. The second electrode layer 130b may be a reflective layer. At this time, the second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of a metal or a metal alloy. For example, the second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of a silver (Ag) alloy. Accordingly, the organic light emitting diode OL may emit light at an upper portion of the organic light emitting diode OL.

상기 제 3 전극층(130c)은 큰 일함수를 가짐으로써, 상기 제 1 전극(130)이 애노드 전극의 역할을 할 수 있도록 한다. 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 ITO로 형성될 수 있다.The third electrode layer 130c has a large work function, so that the first electrode 130 can function as an anode electrode. The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of a transparent conductive material. For example, the third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of ITO.

상기 보조 전극(160)을 상기 제 1 전극(130)과 동일 물질로 형성되는 제 2 보조 전극(162)으로만 형성하는 경우, 휘도 균일도를 향상시키기 위해서는, 상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 제 3 보조 전극층(162c)에 포함되는 ITO는 저항이 큰 물질이므로, 은(Ag)-합금으로 형성되는 제 2 보조 전극층(162b)이 8000Å 이상의 두께로 형성되어야 한다. 하지만, 8000Å 이상의 두께로 제 2 보조 전극층(162b) 및 제 2 전극층(130b) 형성시 유리 등으로 형성된 기판(100)이 깨지는 문제점이 발생할 수 있다. When the auxiliary electrode 160 is formed of only the second auxiliary electrode 162 formed of the same material as that of the first electrode 130, the first auxiliary electrode layer 162a and the second auxiliary electrode 162b may be formed in order to improve the luminance uniformity. Since the ITO contained in the third auxiliary electrode layer 162c is a material having a high resistance, a second auxiliary electrode layer 162b formed of a silver (Ag) alloy should be formed to a thickness of 8000 ANGSTROM or more. However, when the second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b are formed with a thickness of 8000 ANGSTROM or more, the substrate 100 formed of glass or the like may be broken.

또한, 구리와 같은 저항이 작은 물질을 포함하는 제 1 보조 전극(161)으로만 보조 전극(160)을 형성하는 경우, 보조 전극(160)이 부식이 발생하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 보조 전극(160)을 형성하고, 제 1 전극(130)을 형성하는 공정에서 식각될 수 있으므로 이를 방지하기 위한 공정이 추가되는 문제점이 있다. In addition, when the auxiliary electrode 160 is formed only by the first auxiliary electrode 161 including a substance having a small resistance such as copper, the auxiliary electrode 160 may be corroded. In addition, since the auxiliary electrode 160 can be etched in the process of forming the first electrode 130, a process for preventing the auxiliary electrode 160 is added.

따라서, 상기 보조 전극(160)이 저항이 작은 물질을 포함하는 제 1 보조 전극(161) 및 상기 제 1 보조 전극(161)을 보호하는 제 2 보조 전극(162)을 포함한다. 이로 인해, 대면적에서도 휘도의 균일도를 확보하고, 공정을 단순화할 수 있다.Therefore, the auxiliary electrode 160 includes a first auxiliary electrode 161 including a material having a low resistance and a second auxiliary electrode 162 for protecting the first auxiliary electrode 161. As a result, uniformity of brightness can be secured even in a large area, and the process can be simplified.

또한, 상기 평탄화막(123) 상에는 뱅크 패턴(139)이 형성된다. 상기 뱅크 패턴(139)은 상기 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160)을 노출하도록 형성된다. 이때, 상기 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160)의 상면만 노출되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(139)은 상기 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160)의 측면을 둘러싸는 형태로 형성되어, 상기 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160) 측면의 부식을 방지할 수 있다.In addition, a bank pattern 139 is formed on the planarization film 123. The bank pattern 139 is formed to expose the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160 of the organic light emitting diode OL. At this time, only the upper surface of the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160 may be exposed. That is, the bank pattern 139 is formed to surround the side surfaces of the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160, so that corrosion of the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160, Can be prevented.

상기 노출된 보조 전극(160) 상에 격벽(131)이 형성된다. 상기 격벽(131)은 격벽층(132,133) 및 더미층(134,137)을 포함할 수 있다. 상기 격벽층(132,133)은 제 1 격벽층(132) 및 제 2 격벽층(133)을 포함할 수 있다. 상기 더미층(134,137)은 제 1 더미층(134) 및 제 2 더미층(137)을 포함할 수 있다.A barrier rib 131 is formed on the exposed auxiliary electrode 160. The barrier ribs 131 may include barrier rib layers 132 and 133 and dummy layers 134 and 137. The barrier ribs 132 and 133 may include a first barrier rib layer 132 and a second barrier rib layer 133. The dummy layers 134 and 137 may include a first dummy layer 134 and a second dummy layer 137.

상기 제 1 격벽층(132)은 상기 뱅크 패턴(139)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 격벽층(132)은 상기 뱅크 패턴(139)과 동일 공정으로 형성될 수 있다. The first barrier rib layer 132 may be formed of the same material as the bank pattern 139. That is, the first barrier rib layer 132 may be formed in the same process as the bank pattern 139.

상기 제 2 격벽층(133)은 하단에서 상단으로 갈수로 면적이 점차 넓게 형성되며, 측면이 경사지도록 형성된다. 즉, 상기 제 2 격벽층(133)은 역테이펴 형상으로 형성된다. 다만, 상기 제 1 격벽층(132) 및 제 2 격벽층(133)은 이에 한정되지 않으며, 하나의 격벽층으로 형성될 수 있고, 상기 격벽층은 역테이퍼 형상으로 형성되면 충분하다. The second barrier rib layer 133 is formed to be gradually wider from the lower end to the upper end, and has a side surface inclined. That is, the second barrier rib layer 133 is formed in a reverse tapered shape. However, the first barrier rib layer 132 and the second barrier rib layer 133 are not limited thereto, but may be formed as one barrier rib layer, and the barrier rib layer may be formed in an inverted taper shape.

상기 제 1 격벽층(132) 및 제 2 격벽층(133)이 형성된 기판(100)의 표시 영역(AA) 상에 유기발광층(135) 및 제 1 더미층(134)이 형성된다. 상기 유기발광층(135)은 상기 뱅크 패턴(139)으로 인해 노출된 제 1 전극(130) 및 상기 뱅크 패턴(139) 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 더미층(134)은 상기 제 2 격벽층(133) 상에 형성될 수 있다.The organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134 are formed on the display area AA of the substrate 100 on which the first partition wall layer 132 and the second partition wall layer 133 are formed. The organic light emitting layer 135 may be formed on the first electrode 130 and the bank pattern 139 exposed by the bank pattern 139. Also, the first dummy layer 134 may be formed on the second partition layer 133.

상기 유기발광층(135) 및 상기 제 1 더미층(134)은 직진성을 갖고 성막될 수 있다. 예를 들면, 증착(evaporation) 방법으로 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 제 2 격벽층(133)이 역테이퍼 형상으로 형성됨에 따라, 상기 유기발광층(135) 및 제 1 더미층(134)은 상기 뱅크 패턴(139) 및 제 2 격벽층(133)의 상면에만 형성될 수 있다. 즉, 상기 격벽층(132,133) 및 상기 뱅크 패턴(139)의 측면에는 상기 유기발광층(135) 또는 제 1 더미층(134)이 형성되지 않을 수 있다. The organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134 may be formed to have a linearity. For example, it can be formed by an evaporation method. The organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134 are formed on the bank pattern 139 and the second barrier rib layer 133 in the inverse tapered shape, Can be formed only on the upper surface. That is, the organic light emitting layer 135 or the first dummy layer 134 may not be formed on the side surfaces of the barrier ribs 132 and 133 and the bank pattern 139.

이로 인해, 상기 유기발광층(135)은 상기 보조 전극(160)과 이격되어 형성되고, 상기 보조 전극(160)과 접하지 않도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 보조 전극(160)은 노출되도록 할 수 있다.Accordingly, the organic light emitting layer 135 may be spaced apart from the auxiliary electrode 160 and may not be in contact with the auxiliary electrode 160. In addition, the auxiliary electrode 160 may be exposed.

상기 유기발광층(135) 및 상기 제 1 더미층(134)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 즉, 상기 유기발광층(135) 및 상기 제 1 더미층(134)은 유기발광물질로 동일 공정에서 형성될 수 있으며, 형성 위치 및 역할에 따라, 상기 유기발광층(135) 및 상기 제 1 더미층(134)으로 구분될 수 있다.The organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134 may be formed of the same material. That is, the organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134 may be formed in the same process as the organic light emitting material, and the organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134 134).

상기 유기발광층(135) 상에는 제 2 전극(136)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제 2 전극(136)은 캐소드 전극 일 수 있다. 상기 제 2 전극(136)은 일함수가 낮은 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 일반적으로 캐소드 전극으로 사용될 수 있는 물질을 포함할 수 있다. A second electrode 136 may be formed on the organic light emitting layer 135. In this case, the second electrode 136 may be a cathode electrode. The second electrode 136 may be formed of a metal or a metal alloy having a low work function. However, it is not limited thereto and may include a material which can be generally used as a cathode electrode.

상기 제 2 전극(136)은 상기 표시 영역(AA)에 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 2 전극(136)은 상기 유기발광층(135)의 상면에 형성될 수 있다. 상기 제 2 전극(136)이 스퍼터링(sputtering)과 같은 방법으로 형성되는 경우, 상기 유기발광층(135)에 손상이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 제 2 전극(136)은 상기 유기발광층(135)과 같이 직진성을 갖고 성막될 수 있다. 예를 들면, 증착(evaporation) 방법으로 형성될 수 있다.The second electrode 136 may be formed in the display area AA. At this time, the second electrode 136 may be formed on the upper surface of the organic light emitting layer 135. If the second electrode 136 is formed by a method such as sputtering, the organic light emitting layer 135 may be damaged. Accordingly, the second electrode 136 may be formed to have a straight-line shape, like the organic light-emitting layer 135. For example, it can be formed by an evaporation method.

상기 제 1 더미층(134) 상에는 제 2 더미층(137)이 형성될 수 있다. 상기 제 2 더미층(137)은 상기 제 2 전극(136)과 동일 물질로 형성될 수 있으며, 상기 제 2 더미층(137)도 직진성을 갖고 성막될 수 있다. 즉, 상기 제 2 전극(136) 및 상기 제 2 더미층(137)은 동일 물질로 동일 공정에서 형성될 수 있으며, 형성 위치 및 역할에 따라, 상기 제 2 전극(136) 및 상기 제 2 더미층(137)으로 구분될 수 있다.A second dummy layer 137 may be formed on the first dummy layer 134. The second dummy layer 137 may be formed of the same material as that of the second electrode 136, and the second dummy layer 137 may be formed of a straight film. That is, the second electrode 136 and the second dummy layer 137 may be formed of the same material in the same process. Depending on the formation position and the role, the second electrode 136 and the second dummy layer 137 may be formed of the same material, (137).

상기 제 2 격벽층(133)이 역테이퍼 형상으로 형성됨에 따라, 상기 제 2 전극(136) 및 제 2 더미층(137)은 상기 유기발광층(135) 및 상기 제 1 더미층(134)의 상면에만 형성될 수 있다. 즉, 상기 격벽층(132,133), 상기 제 1 더미층(134) 및 상기 뱅크 패턴(139)의 측면에는 상기 제 2 전극(136) 및 제 2 더미층(137)이 형성되지 않을 수 있다. The second electrode layer 136 and the second dummy layer 137 are formed on the upper surface of the organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134, Respectively. That is, the second electrode 136 and the second dummy layer 137 may not be formed on the side surfaces of the barrier ribs 132, 133, the first dummy layer 134, and the bank pattern 139.

이로 인해, 상기 제 2 전극(136)은 상기 보조 전극(160)과 이격되어 형성되고, 상기 보조 전극(160)과 접하지 않도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 보조 전극(160)은 노출되도록 할 수 있다.The second electrode 136 may be spaced apart from the auxiliary electrode 160 and may not be in contact with the auxiliary electrode 160. In addition, the auxiliary electrode 160 may be exposed.

상기 제 2 전극(136)과 상기 보조 전극(160)을 연결하는 도전층(180)이 형성될 수 있다. 상기 도전층(180)은 투명도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 도전층(180)은 IZO로 형성될 수 있다. A conductive layer 180 connecting the second electrode 136 and the auxiliary electrode 160 may be formed. The conductive layer 180 may be formed of a transparent conductive material. For example, the conductive layer 180 may be formed of IZO.

상기 도전층(180)은 상기 제 2 전극(136) 상에 형성된다. 또한, 상기 도전층(180)은 상기 격벽(131)의 측면 및 상기 보조 전극(160)의 상면에 접하도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 도전층(180)은 단차 피복성(step coverage)이 우수한 스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성될 수 있다. 상기 도전층(180)은 스퍼터링 방법으로 형성하더라도, 상기 도전층(180)과 상기 유기발광층(135) 사이에 상기 제 2 전극(136)이 배치되어 있어, 상기 유기발광층(135)의 손상을 방지할 수 있다.The conductive layer 180 is formed on the second electrode 136. The conductive layer 180 may be formed to contact the side surface of the barrier rib 131 and the upper surface of the auxiliary electrode 160. At this time, the conductive layer 180 may be formed by a sputtering method with excellent step coverage. The second electrode 136 is disposed between the conductive layer 180 and the organic light emitting layer 135 to prevent the organic light emitting layer 135 from being damaged, even if the conductive layer 180 is formed by a sputtering method. can do.

따라서, 상기 제 2 전극(136)은 상기 도전층(180)을 통해 상기 보조 전극(160)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 보조 전극(160)에 의해 제 2 전극(136)의 저항이 작아지고, 전압강하가 감소하므로 표시 영역(AA) 전체에 걸쳐 균일하게 전류가 전달할 수 있다. 이로 인해, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다.Accordingly, the second electrode 136 may be electrically connected to the auxiliary electrode 160 through the conductive layer 180. Since the resistance of the second electrode 136 is reduced by the auxiliary electrode 160 and the voltage drop is reduced, current can be uniformly distributed throughout the display area AA. Thus, the luminance uniformity of the organic light emitting display device according to the present invention can be improved.

다만, 도면에 한정되지 않으며, 상기 도전층(180)이 캐소드 전극의 역할을 하고, 상기 제 2 전극(136)이 생략될 수 있다. 즉, 캐소드 전극이 투명도전물질로 형성되며, 상기 보조 전극(160)과 직접 접하도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 캐소드 전극은 IZO일 수 있다. 따라서, 일 실시예에서는 도면과 같이, 제 2 전극(136)과 보조 전극(160)이 이격하여 형성되어, 도전층(180)으로 연결될 수 있다. 또한, 다른 실시예에서는 제 2 전극(180)이 보조 전극(160)과 직접 접하도록 형성될 수 있다.However, the present invention is not limited to the drawings, and the conductive layer 180 serves as a cathode electrode, and the second electrode 136 may be omitted. That is, the cathode electrode may be formed of a transparent conductive material, and may be formed to directly contact the auxiliary electrode 160. At this time, the cathode electrode may be IZO. Accordingly, in one embodiment, the second electrode 136 and the auxiliary electrode 160 may be spaced apart from each other and connected to the conductive layer 180, as shown in the drawing. Also, in another embodiment, the second electrode 180 may be formed to directly contact the auxiliary electrode 160.

이어서, 도 3을 참조하여, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치에 대해서 설명한다. 도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다. 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 앞서 설명한 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치와 동일 유사한 구성을 포함할 수 있다. 앞서 설명한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.Next, an organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a third embodiment of the present invention. The organic light emitting display device according to the third embodiment of the present invention may have the same structure as the organic light emitting display device according to the previous embodiments. The description overlapping with the embodiment described above may be omitted. The same reference numerals are assigned to the same components.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시 영역(AA)과 비표시 영역(IA)으로 구분되는 기판(100)의 표시 영역(AA)에는 박막 트랜지스터(Tr), 상기 박막 트랜지스터(Tr)와 전기적으로 연결되는 유기발광소자(OL) 및 상기 유기발광소자(OL)와 전기적으로 연결되는 보조 전극(160)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 기판(100)의 비표시 영역(IA)에는 패드부가 배치될 수 있다. 3, an organic light emitting display according to a third exemplary embodiment of the present invention includes a thin film transistor (TFT) 300 formed on a display area AA of a substrate 100 divided into a display area AA and a non- Tr, an organic light emitting device OL electrically connected to the thin film transistor Tr, and an auxiliary electrode 160 electrically connected to the organic light emitting OL. In addition, a pad portion may be disposed in the non-display area IA of the substrate 100.

상기 기판(100) 상에 일방향으로 게이트 라인이 형성되고, 상기 일방향과 다른 방향으로 데이터 라인이 형성된다. 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차 영역에는 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된다.Gate lines are formed in one direction on the substrate 100, and data lines are formed in a direction different from the one direction. A thin film transistor Tr is formed in a crossing region of the gate line and the data line.

상기 박막 트랜지스터(Tr)는 상기 기판(100) 상에 형성된 반도체층(111), 상기 게이트 라인에서 분기된 게이트 전극(213), 상기 데이터 라인에서 분기된 소스 전극(115) 및 상기 소스 전극(115)과 동일층에서 이격되어 형성된 드레인 전극(116)을 포함할 수 있다. 상기 유기발광소자(OL)는 제 1 전극(130), 상기 제 1 전극(130)과 대향하여 형성되는 제 2 전극(136) 및 상기 제 1 전극(130)과 상기 제 2 전극(136) 사이에 형성되는 유기발광층(135)을 포함할 수 있다. 상기 보조 전극(160)은 제 1 보조 전극(161) 및 제 2 보조 전극(162)을 포함할 수 있다. The thin film transistor Tr includes a semiconductor layer 111 formed on the substrate 100, a gate electrode 213 branched from the gate line, a source electrode 115 branched from the data line, and a source electrode 115 And a drain electrode 116 formed apart from the same layer. The organic light emitting diode OL includes a first electrode 130, a second electrode 136 formed to face the first electrode 130, and a second electrode 136 formed between the first electrode 130 and the second electrode 136 And an organic emission layer 135 formed on the organic emission layer 135. The auxiliary electrode 160 may include a first auxiliary electrode 161 and a second auxiliary electrode 162.

상기 패드부는 제 1 패드부 및 제 2 패드부를 포함할 수 있다. 상기 제 1 패드부는 제 1 패드 전극(240)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 패드부는 제 2 패드 전극(250)을 포함할 수 있다.The pad portion may include a first pad portion and a second pad portion. The first pad unit may include a first pad electrode 240. The second pad portion may include a second pad electrode 250.

상기 표시 영역(AA)에서 상기 기판(100) 상에 반도체층(111)이 형성되고, 상기 반도체층(111) 상에 게이트 절연막(120)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(IA)에 형성될 수 있다. A semiconductor layer 111 is formed on the substrate 100 in the display area AA and a gate insulating layer 120 is formed on the semiconductor layer 111. [ The gate insulating layer 120 may be formed in the display area AA and the non-display area IA.

상기 게이트 절연막(120) 상에 게이트 라인, 게이트 전극(213) 및 제 1 패드 전극(240)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(213)은 상기 표시 영역(AA)에서 상기 반도체층(111)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 패드 전극(240)은 비표시 영역(IA)에 형성될 수 있다.A gate line, a gate electrode 213 and a first pad electrode 240 may be formed on the gate insulating layer 120. The gate electrode 213 may be formed to overlap the semiconductor layer 111 in the display area AA. In addition, the first pad electrode 240 may be formed in the non-display area IA.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(213) 및 제 1 패드 전극(240)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 이때, 상기 게이트 라인과 상기 게이트 전극(213)은 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 게이트 라인과 상기 제 1 패드 전극(240)은 일체로 형성될 수 있다. The gate line, the gate electrode 213 and the first pad electrode 240 may be formed of the same material. At this time, the gate line and the gate electrode 213 may be integrally formed. In addition, the gate line and the first pad electrode 240 may be integrally formed.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(213) 및 제 1 패드 전극(240)은 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 게이트 라인, 게이트 전극(213) 및 제 1 패드 전극(240)은 삼중층으로 형성될 수 있다.The gate line, the gate electrode 213, and the first pad electrode 240 may be formed in multiple layers. For example, the gate line, the gate electrode 213, and the first pad electrode 240 may be formed as a triple layer.

즉, 상기 게이트 전극(213)은 제 1 게이트 전극층(213a), 제 2 게이트 전극층(213b) 및 제 3 게이트 전극층(213c)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 패드 전극(240)은 제 1 패드 전극층(240a), 제 2 패드 전극층(240b) 및 제 3 패드 전극층(240c)을 포함할 수 있다. That is, the gate electrode 213 may include a first gate electrode layer 213a, a second gate electrode layer 213b, and a third gate electrode layer 213c. The first pad electrode 240 may include a first pad electrode layer 240a, a second pad electrode layer 240b, and a third pad electrode layer 240c.

상기 게이트 전극(213)의 제 1 게이트 전극층(213a) 및 상기 제 1 패드 전극(240)의 제 1 패드 전극층(240a)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 1 게이트 전극층(213a) 및 제 1 패드 전극(240)의 제 1 패드 전극층(240a)은 각각 상기 제 2 게이트 전극층(213b) 및 제 1 패드 전극(240)의 제 2 패드 전극층(240b)의 접착력을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 게이트 전극층(123a) 및 제 1 패드 전극(240)의 제 1 패드 전극층(240a)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다.The first gate electrode layer 213a of the gate electrode 213 and the first pad electrode layer 240a of the first pad electrode 240 may be formed of the same material. The first pad electrode layer 240a of the first gate electrode layer 213a and the first pad electrode 240 is electrically connected to the second pad electrode layer 240b of the second gate electrode layer 213b and the first pad electrode 240, It is possible to improve the adhesive strength. For example, the first pad electrode layer 240a of the first gate electrode layer 123a and the first pad electrode 240 may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti) Can be formed.

상기 제 2 게이트 전극층(123b) 및 상기 제 1 패드 전극(240)의 제 2 패드 전극층(240b)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 1 게이트 전극층(123b) 및 제 1 패드 전극(240)의 제 2 패드 전극층(240b)은 저항이 작은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 게이트 전극층(213b) 및 제 1 패드 전극(240)의 제 2 패드 전극층(240b)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 제 2 게이트 전극층(213b) 및 상기 제 1 패드 전극(240)의 제 2 패드 전극층(240b)은 구리(Cu)를 포함할 수 있다.The second gate electrode layer 123b and the second pad electrode layer 240b of the first pad electrode 240 may be formed of the same material. The first gate electrode layer 123b and the second pad electrode layer 240b of the first pad electrode 240 may be formed of a material having a low resistance. For example, the second gate electrode layer 213b and the second pad electrode layer 240b of the first pad electrode 240 may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag) (Mo), chromium (Cr), tantalum (Ta), titanium (Ti), and combinations thereof. Preferably, the second gate electrode layer 213b and the second pad electrode layer 240b of the first pad electrode 240 may include copper (Cu).

상기 제 3 게이트 전극층(213c) 및 제 1 패드 전극(240)의 제 3 패드 전극층(240c)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 3 게이트 전극층(213c) 및 상기 제 1 패드 전극(240)의 제 3 패드 전극층(240c)은 외부에 노출되더라도 산소 및 수분에 의해 부식되지 않는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 3 게이트 전극층(213c) 및 제 1 패드 전극(240)의 제 3 패드 전극층(240c)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다.The third gate electrode layer 213c and the third pad electrode layer 240c of the first pad electrode 240 may be formed of the same material. The third gate electrode layer 213c and the third pad electrode layer 240c of the first pad electrode 240 may be formed of a material that is not corroded by oxygen and moisture even when exposed to the outside. For example, the third gate electrode layer 213c and the third pad electrode layer 240c of the first pad electrode 240 may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti) Can be formed.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(213) 및 제 1 패드 전극(240) 상에 층간 절연막(121)이 형성될 수 있다. 상기 표시 영역(AA)에서 상기 층간 절연막(121) 및 상기 게이트 절연막(120)은 상기 반도체층(111)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. An interlayer insulating layer 121 may be formed on the gate line, the gate electrode 213, and the first pad electrode 240. In the display area AA, the interlayer insulating layer 121 and the gate insulating layer 120 may include a contact hole exposing the semiconductor layer 111. [

상기 층간 절연막(121) 상에 데이터 라인, 소스 전극(115), 드레인 전극(116) 및 제 2 패드 전극(250)이 형성될 수 있다. 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인과 다른 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(115) 및 상기 드레인 전극(116)은 서로 이격되어 형성되며, 각각 상기 콘택홀을 통해 노출된 상기 반도체층(111)과 접하도록 형성될 수 있다. A data line, a source electrode 115, a drain electrode 116, and a second pad electrode 250 may be formed on the interlayer insulating layer 121. The data lines may be arranged to extend in a direction different from the gate lines. The source electrode 115 and the drain electrode 116 may be spaced apart from each other and may be in contact with the semiconductor layer 111 exposed through the contact hole.

상기 데이터 라인, 소스 전극(115), 드레인 전극(116) 및 제 2 패드 전극(250)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 이때, 상기 데이터 라인과 상기 소스 전극(115)은 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 데이터 라인과 상기 제 2 패드 전극(250)은 일체로 형성될 수 있다. The data line, the source electrode 115, the drain electrode 116, and the second pad electrode 250 may be formed of the same material. At this time, the data line and the source electrode 115 may be integrally formed. In addition, the data line and the second pad electrode 250 may be integrally formed.

상기 데이터 라인, 소스 전극(115), 드레인 전극(116) 및 제 2 패드 전극(250)은 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 데이터 라인, 소스 전극(115), 드레인 전극(116) 및 제 2 패드 전극(250)은 삼중층으로 형성될 수 있다.The data line, the source electrode 115, the drain electrode 116, and the second pad electrode 250 may be formed in multiple layers. For example, the data line, the source electrode 115, the drain electrode 116, and the second pad electrode 250 may be formed as a triple layer.

즉, 상기 소스 전극(115)은 제 1 소스 전극층(115a), 제 2 소스 전극층(115b) 및 제 3 소스 전극층(115c)을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(116)은 제 1 드레인 전극층(116a), 제 2 드레인 전극층(116b) 및 제 3 드레인 전극층(116c)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 패드 전극(250)은 제 1 패드 전극층(250a), 제 2 패드 전극층(250b) 및 제 3 패드 전극층(250c)을 포함할 수 있다.That is, the source electrode 115 may include a first source electrode layer 115a, a second source electrode layer 115b, and a third source electrode layer 115c. The drain electrode 116 may include a first drain electrode layer 116a, a second drain electrode layer 116b, and a third drain electrode layer 116c. The second pad electrode 250 may include a first pad electrode layer 250a, a second pad electrode layer 250b, and a third pad electrode layer 250c.

상기 제 1 소스 전극층(115a), 제 1 드레인 전극층(116a) 및 제 2 패드 전극(250)의 제 1 패드 전극층(250a)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 1 소스 전극층(115a), 제 1 드레인 전극층(116a) 및 제 2 패드 전극(250)의 제 1 패드 전극층(250a)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다.The first pad electrode layer 250a of the first source electrode layer 115a, the first drain electrode layer 116a and the second pad electrode 250 may be formed of the same material. The first pad electrode layer 250a of the first source electrode layer 115a, the first drain electrode layer 116a and the second pad electrode 250 may be formed of a material selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti) As shown in FIG.

상기 제 2 소스 전극층(115b), 제 2 드레인 전극층(116b) 및 제 2 상부 패드 전극(250)의 제 2 패드 전극층(250b)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 2 소스 전극층(115b), 제 2 드레인 전극층(116b) 및 제 2 패드 전극(250)의 제 2 패드 전극층(250b)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있으며, 바람직하게는, 구리(Cu)를 포함할 수 있다.The second source electrode layer 115b, the second drain electrode layer 116b and the second pad electrode layer 250b of the second upper pad electrode 250 may be formed of the same material. The second pad electrode layer 250b of the second source electrode layer 115b, the second drain electrode layer 116b and the second pad electrode 250 may be formed of aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu) And may include any one selected from the group consisting of copper (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum (Ta), titanium (Ti), and combinations thereof. can do.

상기 제 3 소스 전극층(115c), 제 3 드레인 전극층(116c) 및 제 2 패드 전극(250)의 제 3 패드 전극층(250c)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 3 소스 전극층(115c), 제 3 드레인 전극층(116c) 및 상기 제 2 패드 전극(250)의 제 3 패드 전극층(250c)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다.The third source electrode layer 115c, the third drain electrode layer 116c and the third pad electrode layer 250c of the second pad electrode 250 may be formed of the same material. The third source electrode layer 115c, the third drain electrode layer 116c and the third pad electrode layer 250c of the second pad electrode 250 are made of moly titanium (MoTi), titanium (Ti) May be formed.

이로써, 상기 반도체층(111), 게이트 전극(213), 소스 전극(115) 및 드레인 전극(116)을 포함하는 박막 트랜지스터(Tr)와, 제 1 패드 전극(240)을 포함하는 제 1 패드부와, 상기 제 2 패드 전극(250)을 포함하는 제 2 패드부를 형성할 수 있다. The thin film transistor Tr including the semiconductor layer 111, the gate electrode 213, the source electrode 115 and the drain electrode 116 and the first pad electrode 240 including the first pad electrode 240, And a second pad portion including the second pad electrode 250 may be formed.

상기 패드부의 제 1 패드 전극(240)은 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(213)과 동일 공정에서 형성될 수 있다. 또한, 상기 패드부의 제 2 패드 전극(250)은 상기 데이터 라인, 소스 전극(115) 및 드레인 전극(116)과 동일 공정에서 형성될 수 있다. The first pad electrode 240 of the pad portion may be formed in the same process as the gate line and the gate electrode 213. In addition, the second pad electrode 250 of the pad portion may be formed in the same process as the data line, the source electrode 115, and the drain electrode 116.

상기 박막 트랜지스터(Tr), 제 1 패드부(240) 및 제 2 패드부(250) 상에 보호막(122)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호막(122)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(IA)에 형성되며, 상기 기판(100) 전면에 형성될 수 있다. The passivation layer 122 may be formed on the thin film transistor Tr, the first pad portion 240, and the second pad portion 250. That is, the passivation layer 122 is formed on the display area AA and the non-display area IA and may be formed on the entire surface of the substrate 100.

또한, 상기 보호막(122) 상에 평탄화막(123)이 형성될 수 있다. 상기 평탄화막(123)은 상기 제 1 패드 전극(240) 및 제 2 패드 전극(250) 상에는 배치되지 않을 수 있다. 즉, 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된 표시 영역(AA)에만 형성될 수 있다. The planarization layer 123 may be formed on the protective layer 122. The planarization layer 123 may not be disposed on the first pad electrode 240 and the second pad electrode 250. That is, the planarization layer 123 may be formed only in the display region AA where the thin film transistor Tr is formed.

상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(116)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호막(122) 및 상기 층간 절연막(121)은 상기 제 1 패드 전극(240)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호막(122)은 제 2 패드 전극(250)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. The passivation layer 122 and the planarization layer 123 may include a contact hole exposing the drain electrode 116 of the thin film transistor Tr. The protective layer 122 and the interlayer dielectric layer 121 may include a contact hole exposing the first pad electrode 240. In addition, the passivation layer 122 may include a contact hole exposing the second pad electrode 250.

이때, 상기 제 1 패드 전극(240) 및 제 2 패드 전극(250)의 상면만 노출되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 패드 전극(240)의 제 3 패드 전극층(240c)과 상기 제 2 패드 전극(250)의 제 3 패드 전극층(250c)의 상면을 노출하도록 형성될 수 있다. 상기 보호막(122)은 상기 제 1 패드 전극(240) 및 제 2 패드 전극(250)의 측면을 둘러싸는 형태로 형성되어, 상기 제 1 패드 전극(240) 및 제 2 패드 전극(250)의 측면의 부식을 방지할 수 있다.At this time, only the upper surfaces of the first pad electrode 240 and the second pad electrode 250 may be exposed. That is, the third pad electrode layer 240c of the first pad electrode 240 and the upper surface of the third pad electrode layer 250c of the second pad electrode 250 may be exposed. The passivation layer 122 is formed to surround the side surfaces of the first pad electrode 240 and the second pad electrode 250 so that the side surfaces of the first pad electrode 240 and the second pad electrode 250 It is possible to prevent corrosion of the substrate.

즉, 상기 제 1 패드부의 제 1 패드 전극(240) 및 상기 제 2 패드부의 제 2 패드 전극(250)은 추후 구동부와 연결되기 위해 외부로 노출되어야 한다. 저항이 작은 구리(Cu) 등으로 형성된 패드 전극을 사용할 경우, 신호 전달에는 유리하지만, 외부로 노출되는 경우 부식이 발생하는 문제점이 있었다. 또한, 구리(Cu) 등으로 형성된 패드 전극은 추후 유기발광소자(OL)를 형성하는 과정에서 제 1 전극(130) 형성시 함께 식각되는 문제점이 있었다.That is, the first pad electrode 240 of the first pad portion and the second pad electrode 250 of the second pad portion are exposed to the outside in order to be connected to the driving portion. When a pad electrode formed of copper (Cu) or the like having a small resistance is used, it is advantageous for signal transmission, but corrosion is caused when the pad electrode is exposed to the outside. In addition, the pad electrode formed of copper or the like has a problem that the pad electrode is etched when the first electrode 130 is formed in the process of forming the OLED OL.

따라서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 다수의 패드 전극층으로 이루어지는 패드 전극(240,250)을 포함한다. 이때, 최상측에 배치된 패드 전극층(240c,250c)은 외부에 노출되더라도 부식되지 않고, 추후 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130) 식각액으로 식각되지 않는 물질로 형성될 수 있다. 즉, 최상측에 배치된 패드 전극층(240c,250c)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다. 이로 인해, 부식을 방지할 수 있으며, 신뢰성을 향상시키고, 신호 전달 불량을 개선할 수 있다.Accordingly, the organic light emitting display according to the third exemplary embodiment of the present invention includes pad electrodes 240 and 250 including a plurality of pad electrode layers. At this time, the pad electrode layers 240c and 250c disposed on the uppermost side are not corroded even when they are exposed to the outside, and may be formed of a material that is not etched by the etchant of the first electrode 130 of the organic light emitting diode OL in the future. That is, the pad electrode layers 240c and 250c disposed on the uppermost side may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof. As a result, corrosion can be prevented, reliability can be improved, and signal transmission failure can be improved.

상기 평탄화막(123) 상에 보조 전극(160) 및 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130)이 형성된다. 상기 보조 전극(160) 및 상기 제 1 전극(130)은 서로 이격되어 형성된다. The auxiliary electrode 160 and the first electrode 130 of the organic light emitting diode OL are formed on the planarization film 123. [ The auxiliary electrode 160 and the first electrode 130 are spaced apart from each other.

상기 보조 전극(160)은 제 1 보조 전극(161) 및 제 2 보조 전극(162)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 보조 전극(161)은 이중층으로 형성될 수 있다. 자세하게는, 상기 제 1 보조 전극(161)은 하부 보조 전극층(161a) 및 상부 보조 전극층(161b)이 적층되어 형성될 수 있다. The auxiliary electrode 160 may include a first auxiliary electrode 161 and a second auxiliary electrode 162. The first auxiliary electrode 161 may be formed as a double layer. In detail, the first auxiliary electrode 161 may be formed by stacking a lower auxiliary electrode layer 161a and an upper auxiliary electrode layer 161b.

상기 하부 보조 전극층(161a)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 상부 보조 전극층(161b)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 상부 보조 전극층(161b)은 구리(Cu)로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 보조 전극(160)이 저항이 작은 물질을 포함함으로써, 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다.The lower auxiliary electrode layer 161a may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof. The upper auxiliary electrode layer 161b may be formed of a material selected from the group consisting of Al, tungsten, copper, silver, molybdenum, chromium, tantalum, titanium, And a combination of these. Preferably, the upper auxiliary electrode layer 161b may be formed of copper (Cu). Accordingly, since the auxiliary electrode 160 includes a material having a low resistance, luminance uniformity can be improved.

상기 제 2 보조 전극(162)은 상기 제 1 보조 전극(161) 상에 형성된다. 이때, 상기 제 2 보조 전극(162)은 상기 제 1 보조 전극(161)의 상면 및 측면을 둘러싸고 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극(162)은 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 보조 전극(162)은 제 1 보조 전극층(162a), 제 2 보조 전극층(162b) 및 제 3 보조 전극층(162c)이 순차적으로 적층된 삼중층 구조로 형성될 수 있다. The second auxiliary electrode 162 is formed on the first auxiliary electrode 161. At this time, the second auxiliary electrode 162 may be formed to surround the upper surface and the side surface of the first auxiliary electrode 161. The second auxiliary electrode 162 may be formed of multiple layers. For example, the second auxiliary electrode 162 may have a triple-layer structure in which a first auxiliary electrode layer 162a, a second auxiliary electrode layer 162b, and a third auxiliary electrode layer 162c are sequentially stacked.

상기 제 1 전극(130)은 상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123)을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(116)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(130)은 애노드 전극 일 수 있다. 상기 제 1 전극(130)은 다수의 전극층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전극(130)은 제 1 전극층(130a), 제 2 전극층(130b) 및 제 3 전극층(130c)이 순차적으로 적층된 삼중층 구조로 형성될 수 있다. The first electrode 130 may be electrically connected to the drain electrode 116 through a contact hole passing through the passivation layer 122 and the planarization layer 123. Also, the first electrode 130 may be an anode electrode. The first electrode 130 may be formed of a plurality of electrode layers. For example, the first electrode 130 may have a triple-layer structure in which a first electrode layer 130a, a second electrode layer 130b, and a third electrode layer 130c are sequentially stacked.

상기 제 2 보조 전극(162) 및 상기 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 동일 물질로 형성될 수 있다.The second auxiliary electrode 162 and the first electrode 130 of the organic light emitting diode OL may be formed of the same material. The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of the same material. The second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of the same material. The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of the same material.

상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전극층(130a)은 ITO로 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 은(Ag)-합금으로 형성될 수 있다. 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 ITO로 형성될 수 있다.The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of a transparent conductive material. For example, the first electrode layer 130a may be formed of ITO. The second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of a metal or a metal alloy. For example, the second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of a silver (Ag) alloy. The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of a transparent conductive material. For example, the third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of ITO.

상기 보조 전극(160)을 상기 제 1 전극(130)과 동일 물질로 형성되는 제 2 보조 전극(162)으로만 형성하는 경우, 두께를 8000Å이상으로 형성해야 하는 문제점이 있다. 또한, 제 1 보조 전극(161)으로만 보조 전극(160)을 형성하는 경우, 보조 전극(160)이 부식이 발생하거나 공정이 추가되는 문제점이 있다. When the auxiliary electrode 160 is formed of only the second auxiliary electrode 162 formed of the same material as the first electrode 130, the thickness of the auxiliary electrode 160 should be 8000 ANGSTROM or more. In addition, when the auxiliary electrode 160 is formed only by the first auxiliary electrode 161, the auxiliary electrode 160 may be corroded or a process may be added.

따라서, 상기 보조 전극(160)이 저항이 작은 물질을 포함하는 제 1 보조 전극(161) 및 상기 제 1 보조 전극(161)을 보호하는 제 2 보조 전극(162)을 포함한다. 이로 인해, 대면적에서도 휘도의 균일도를 확보하고, 공정을 단순화할 수 있다.Therefore, the auxiliary electrode 160 includes a first auxiliary electrode 161 including a material having a low resistance and a second auxiliary electrode 162 for protecting the first auxiliary electrode 161. As a result, uniformity of brightness can be secured even in a large area, and the process can be simplified.

또한, 상기 평탄화막(123) 상에는 뱅크 패턴(139)이 형성된다. 상기 뱅크 패턴(139)은 상기 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160)을 노출하도록 형성된다. 이때, 상기 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160)의 상면만 노출되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(139)은 상기 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160)의 측면을 둘러싸는 형태로 형성되어, 상기 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160) 측면의 부식을 방지할 수 있다.In addition, a bank pattern 139 is formed on the planarization film 123. The bank pattern 139 is formed to expose the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160 of the organic light emitting diode OL. At this time, only the upper surface of the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160 may be exposed. That is, the bank pattern 139 is formed to surround the side surfaces of the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160, so that corrosion of the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160, Can be prevented.

상기 노출된 보조 전극(160) 상에 격벽(131)이 형성된다. 상기 격벽(131)은 격벽층(132,133) 및 더미층(134,137)을 포함할 수 있다. 상기 격벽층(132,133)은 제 1 격벽층(132) 및 제 2 격벽층(133)을 포함할 수 있다. 상기 더미층(134,137)은 제 1 더미층(134) 및 제 2 더미층(137)을 포함할 수 있다.A barrier rib 131 is formed on the exposed auxiliary electrode 160. The barrier ribs 131 may include barrier rib layers 132 and 133 and dummy layers 134 and 137. The barrier ribs 132 and 133 may include a first barrier rib layer 132 and a second barrier rib layer 133. The dummy layers 134 and 137 may include a first dummy layer 134 and a second dummy layer 137.

상기 제 2 격벽층(133)은 상기 제 1 격벽층(132) 상에 배치되며, 하단에서 상단으로 갈수로 면적이 점차 넓게 형성되며, 측면이 경사지도록 형성된다. 즉, 상기 제 2 격벽층(133)은 역테이펴 형상으로 형성된다. 다만, 상기 제 1 격벽층(132) 및 제 2 격벽층(133)은 이에 한정되지 않으며, 하나의 격벽층으로 형성될 수 있고, 상기 격벽층은 역테이퍼 형상으로 형성되면 충분하다. The second barrier rib layer 133 is disposed on the first barrier rib layer 132 and has a gradually increasing area from the lower end to the upper end, That is, the second barrier rib layer 133 is formed in a reverse tapered shape. However, the first barrier rib layer 132 and the second barrier rib layer 133 are not limited thereto, but may be formed as one barrier rib layer, and the barrier rib layer may be formed in an inverted taper shape.

상기 제 1 격벽층(132) 및 제 2 격벽층(133)이 형성된 기판(100)의 표시 영역(AA) 상에 유기발광층(135)이 형성된다. 상기 유기발광층(135)은 상기 제 1 전극(130) 및 상기 뱅크 패턴(139) 상면에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 격벽층(133) 상면에는 상기 유기발광층(135)과 동일 물질로 형성된 제 1 더미층(134)이 형성될 수 있다. The organic emission layer 135 is formed on the display area AA of the substrate 100 on which the first partition layer 132 and the second partition layer 133 are formed. The organic light emitting layer 135 may be formed on the first electrode 130 and the bank pattern 139. In addition, a first dummy layer 134 formed of the same material as the organic emission layer 135 may be formed on the second partition layer 133.

상기 유기발광층(135) 상에는 제 2 전극(136)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제 2 전극(136)은 캐소드 전극 일 수 있다. 상기 제 2 전극(136)은 상기 표시 영역(AA)에 형성될 수 있다. 상기 제 2 전극(136)은 상기 유기발광층(135)의 상면에만 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 1 더미층(134)의 상면에는 상기 제 2 전극(136)과 동일 물질로 형성된 제 2 더미층(137)이 형성될 수 있다.A second electrode 136 may be formed on the organic light emitting layer 135. In this case, the second electrode 136 may be a cathode electrode. The second electrode 136 may be formed in the display area AA. The second electrode 136 may be formed only on the upper surface of the organic light emitting layer 135. At this time, a second dummy layer 137 formed of the same material as the second electrode 136 may be formed on the upper surface of the first dummy layer 134.

상기 제 2 전극(136) 및 상기 보조 전극(160)은 도전층(180)을 통해 연결될 수 있다. 상기 도전층(180)은 상기 제 2 전극(136) 상에 형성된다. 또한, 상기 도전층(180)은 상기 격벽(131)의 측면 및 상기 보조 전극(160)의 상면에 접하도록 형성될 수 있다. 상기 도전층(180)은 투명도전물질로 형성될 수 있다.The second electrode 136 and the auxiliary electrode 160 may be connected to each other through the conductive layer 180. The conductive layer 180 is formed on the second electrode 136. The conductive layer 180 may be formed to contact the side surface of the barrier rib 131 and the upper surface of the auxiliary electrode 160. The conductive layer 180 may be formed of a transparent conductive material.

따라서, 상기 제 2 전극(136)은 상기 보조 전극(160)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 보조 전극(160)에 의해 제 2 전극(136)의 저항이 작아지고, 전압강하가 감소하므로 표시 영역(AA) 전체에 걸쳐 균일하게 전류가 전달할 수 있다. 이로 인해, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다.Therefore, the second electrode 136 may be electrically connected to the auxiliary electrode 160. Since the resistance of the second electrode 136 is reduced by the auxiliary electrode 160 and the voltage drop is reduced, current can be uniformly distributed throughout the display area AA. Thus, the luminance uniformity of the organic light emitting display device according to the present invention can be improved.

다만, 도면에 한정되지 않으며, 상기 도전층(180)이 캐소드 전극의 역할을 하고, 상기 제 2 전극(136)이 생략될 수 있다. 즉, 캐소드 전극이 투명도전물질로 형성되며, 상기 보조 전극(160)과 직접 접하도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 캐소드 전극은 IZO일 수 있다. 따라서, 일 실시예에서는 도면과 같이, 제 2 전극(136)과 보조 전극(160)이 이격하여 형성되어, 도전층(180)으로 연결될 수 있다. 또한, 다른 실시예에서는 제 2 전극(180)이 보조 전극(160)과 직접 접하도록 형성될 수 있다.However, the present invention is not limited to the drawings, and the conductive layer 180 serves as a cathode electrode, and the second electrode 136 may be omitted. That is, the cathode electrode may be formed of a transparent conductive material, and may be formed to directly contact the auxiliary electrode 160. At this time, the cathode electrode may be IZO. Accordingly, in one embodiment, the second electrode 136 and the auxiliary electrode 160 may be spaced apart from each other and connected to the conductive layer 180, as shown in the drawing. Also, in another embodiment, the second electrode 180 may be formed to directly contact the auxiliary electrode 160.

이어서, 도 4를 참조하여, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치에 대해서 설명한다. 도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다. 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 앞서 설명한 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치와 동일 유사한 구성을 포함할 수 있다. 앞서 설명한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.Next, an organic light emitting display device according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a fourth embodiment of the present invention. The organic light emitting display device according to the fourth embodiment of the present invention may have the same structure as the organic light emitting display device according to the previous embodiments. The description overlapping with the embodiment described above may be omitted. The same reference numerals are assigned to the same components.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시 영역(AA)과 비표시 영역(IA)으로 구분되는 기판(100)을 포함한다. 상기 기판(100)의 표시 영역(AA)에는 박막 트랜지스터(Tr), 상기 박막 트랜지스터(Tr)와 전기적으로 연결되는 유기발광소자(OL) 및 상기 유기발광소자(OL)와 전기적으로 연결되는 보조 전극(160)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 기판(100)의 비표시 영역(IA)에는 패드부가 배치될 수 있다. Referring to FIG. 4, an organic light emitting display according to a fourth exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 100 divided into a display area AA and a non-display area IA. In the display area AA of the substrate 100, a thin film transistor Tr, an organic light emitting device OL electrically connected to the thin film transistor Tr, and an auxiliary electrode electrically connected to the organic light emitting device OL, (160) may be disposed. In addition, a pad portion may be disposed in the non-display area IA of the substrate 100.

상기 기판(100) 상에 일방향으로 게이트 라인이 형성되고, 상기 일방향과 다른 방향으로 데이터 라인이 형성된다. 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차 영역에는 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된다.Gate lines are formed in one direction on the substrate 100, and data lines are formed in a direction different from the one direction. A thin film transistor Tr is formed in a crossing region of the gate line and the data line.

상기 박막 트랜지스터(Tr)는 상기 기판(100) 상에 형성된 반도체층(111), 상기 게이트 라인에서 분기된 게이트 전극(113), 상기 데이터 라인에서 분기된 소스 전극(215) 및 상기 소스 전극(215)과 동일층에서 이격되어 형성된 드레인 전극(216)을 포함할 수 있다. 상기 유기발광소자(OL)는 제 1 전극(130), 상기 제 1 전극(130)과 대향하여 형성되는 제 2 전극(136) 및 상기 제 1 전극(130)과 상기 제 2 전극(136) 사이에 형성되는 유기발광층(135)을 포함할 수 있다. 상기 보조 전극(160)은 제 1 보조 전극(161) 및 제 2 보조 전극(162)을 포함할 수 있다. The thin film transistor Tr includes a semiconductor layer 111 formed on the substrate 100, a gate electrode 113 branched from the gate line, a source electrode 215 branched from the data line, and a source electrode 215 And a drain electrode 216 spaced apart from the same layer. The organic light emitting diode OL includes a first electrode 130, a second electrode 136 formed to face the first electrode 130, and a second electrode 136 formed between the first electrode 130 and the second electrode 136 And an organic emission layer 135 formed on the organic emission layer 135. The auxiliary electrode 160 may include a first auxiliary electrode 161 and a second auxiliary electrode 162.

상기 패드부는 제 1 패드부 및 제 2 패드부를 포함할 수 있다. 상기 제 1 패드부는 제 1 패드 전극(340)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 패드부는 제 2 패드 전극(350)을 포함할 수 있다.The pad portion may include a first pad portion and a second pad portion. The first pad portion may include a first pad electrode 340. The second pad portion may include a second pad electrode 350.

상기 표시 영역(AA)에서 상기 기판(100) 상에 반도체층(111)이 형성되고, 상기 반도체층(111) 상에 게이트 절연막(120)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(IA)에 형성될 수 있다. A semiconductor layer 111 is formed on the substrate 100 in the display area AA and a gate insulating layer 120 is formed on the semiconductor layer 111. [ The gate insulating layer 120 may be formed in the display area AA and the non-display area IA.

상기 게이트 절연막(120) 상에 게이트 라인, 게이트 전극(213), 제 1 패드 전극(340) 및 제 2 패드 전극(350)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 라인, 게이트 전극(213), 제 1 패드 전극(340) 및 제 2 패드 전극(350)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 이때, 상기 게이트 라인과 상기 게이트 전극(213)은 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 게이트 라인과 상기 제 1 패드 전극(340)은 일체로 형성될 수 있다. A gate line, a gate electrode 213, a first pad electrode 340, and a second pad electrode 350 may be formed on the gate insulating layer 120. The gate line, the gate electrode 213, the first pad electrode 340, and the second pad electrode 350 may be formed of the same material. At this time, the gate line and the gate electrode 213 may be integrally formed. In addition, the gate line and the first pad electrode 340 may be integrally formed.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(213), 제 1 패드 전극(340) 및 제 2 패드 전극(350)은 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 게이트 라인, 게이트 전극(213), 제 1 패드 전극(340) 및 제 2 패드 전극(350)은 삼중층으로 형성될 수 있다.The gate line, the gate electrode 213, the first pad electrode 340, and the second pad electrode 350 may be formed in multiple layers. For example, the gate line, the gate electrode 213, the first pad electrode 340, and the second pad electrode 350 may be formed as a triple layer.

즉, 상기 게이트 전극(213)은 제 1 게이트 전극층(213a), 제 2 게이트 전극층(213b) 및 제 3 게이트 전극층(213c)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 패드 전극(340)은 제 1 패드 전극층(340a), 제 2 패드 전극층(340b) 및 제 3 패드 전극층(340c)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 패드 전극(350)은 제 1 패드 전극층(350a), 제 2 패드 전극층(350b) 및 제 3 패드 전극층(350c)을 포함할 수 있다. That is, the gate electrode 213 may include a first gate electrode layer 213a, a second gate electrode layer 213b, and a third gate electrode layer 213c. The first pad electrode 340 may include a first pad electrode layer 340a, a second pad electrode layer 340b, and a third pad electrode layer 340c. The second pad electrode 350 may include a first pad electrode layer 350a, a second pad electrode layer 350b, and a third pad electrode layer 350c.

상기 제 1 게이트 전극층(213a), 제 1 패드 전극(340)의 제 1 패드 전극층(340a) 및 제 2 패드 전극(350)의 제 1 패드 전극층(350a)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 게이트 전극층(213b), 제 1 패드 전극(340)의 제 2 패드 전극층(340b) 및 제 2 패드 전극(350)의 제 2 패드 전극층(350b)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 3 게이트 전극층(213c), 제 1 패드 전극(340)의 제 3 패드 전극층(340c) 및 제 2 패드 전극(350)의 제 3 패드 전극층(350c)은 동일 물질로 형성될 수 있다.The first gate electrode layer 213a, the first pad electrode layer 340a of the first pad electrode 340 and the first pad electrode layer 350a of the second pad electrode 350 may be formed of the same material. The second gate electrode layer 213b, the second pad electrode layer 340b of the first pad electrode 340 and the second pad electrode layer 350b of the second pad electrode 350 may be formed of the same material . The third gate electrode layer 213c, the third pad electrode layer 340c of the first pad electrode 340 and the third pad electrode layer 350c of the second pad electrode 350 may be formed of the same material .

상기 제 1 게이트 전극층(213a), 제 1 패드 전극(340)의 제 1 패드 전극층(340a) 및 제 2 패드 전극(350)의 제 1 패드 전극층(350a)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 게이트 전극층(213b), 제 1 패드 전극(340)의 제 2 패드 전극층(340b) 및 제 2 패드 전극(350)의 제 2 패드 전극층(350b)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있고, 바람직하게는 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 상기 제 3 게이트 전극층(213c), 제 1 패드 전극(340)의 제 3 패드 전극층(340c) 및 제 2 패드 전극(350)의 제 3 패드 전극층(350c)은 상기 제 3 게이트 전극층(213c) 및 제 1 패드 전극(340)의 제 3 패드 전극층(340c)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 3 게이트 전극층(213c) 및 상기 제 1 패드 전극(340)의 제 3 패드 전극층(340c)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다.The first pad electrode layer 340a of the first gate electrode layer 213a and the first pad electrode 340 and the first pad electrode layer 350a of the second pad electrode 350 are formed of molybdenum (Mo), titanium (Ti) ), And a combination thereof. The second pad electrode layer 340b of the first pad electrode 340 and the second pad electrode layer 350b of the second pad electrode 350 may be formed of aluminum (Al), tungsten W may include any one selected from the group consisting of copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum (Ta), titanium (Ti) And preferably copper (Cu). The third gate electrode layer 213c and the third pad electrode layer 340c of the first pad electrode 340 and the third pad electrode layer 350c of the second pad electrode 350 are formed in the third gate electrode layer 213c, The third pad electrode layer 340c of the first pad electrode 340 may be formed of the same material. The third gate electrode layer 213c and the third pad electrode layer 340c of the first pad electrode 340 are formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof .

상기 게이트 라인, 게이트 전극(213), 제 1 패드 전극(340) 및 제 2 패드 전극(350) 상에 층간 절연막(121)이 형성될 수 있다. 상기 표시 영역(AA)에서 상기 층간 절연막(121) 및 상기 게이트 절연막(120)은 상기 반도체층(111)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. 또한, 상기 비표시 영역(IA)에서 상기 층간 절연막(121)은 상기 제 1 패드 전극(340) 및 상기 제 2 패드 전극(350)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. An interlayer insulating layer 121 may be formed on the gate line, the gate electrode 213, the first pad electrode 340, and the second pad electrode 350. In the display area AA, the interlayer insulating layer 121 and the gate insulating layer 120 may include a contact hole exposing the semiconductor layer 111. [ In the non-display area IA, the interlayer insulating layer 121 may include a contact hole exposing the first pad electrode 340 and the second pad electrode 350.

이때, 상기 제 2 패드 전극(350) 상에는 상기 층간 절연막(121)의 제 1 콘택홀 및 제 2 콘택홀이 배치될 수 있다. 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 제 2 패드 전극(350)은 외부로 노출될 수 있으며, 상기 제 2 콘택홀을 통해 상기 제 2 패드 전극(351)은 상기 데이터 라인과 연결될 수 있다.At this time, the first contact hole and the second contact hole of the interlayer insulating layer 121 may be disposed on the second pad electrode 350. The second pad electrode 350 may be exposed to the outside through the first contact hole and the second pad electrode 351 may be connected to the data line through the second contact hole.

상기 층간 절연막(121)은 상기 제 1 패드 전극(340) 및 제 2 패드 전극(350)의 상면만 노출되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 패드 전극(340)의 제 3 패드 전극층(340c)과 상기 제 2 패드 전극(350)의 제 3 패드 전극층(350c)의 상면을 노출하도록 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막(121)은 상기 제 1 패드 전극(340) 및 제 2 패드 전극(350)의 측면을 둘러싸는 형태로 형성되어, 상기 제 1 패드 전극(340) 및 제 2 패드 전극(350)의 측면의 부식을 방지할 수 있다.The interlayer insulating layer 121 may be formed to expose only the upper surfaces of the first pad electrode 340 and the second pad electrode 350. That is, the third pad electrode layer 340c of the first pad electrode 340 and the third pad electrode layer 350c of the second pad electrode 350 may be exposed. The interlayer insulating layer 121 is formed to surround the sides of the first pad electrode 340 and the second pad electrode 350 so that the first pad electrode 340 and the second pad electrode 350 It is possible to prevent corrosion of the side surface.

즉, 상기 제 1 패드부의 제 1 패드 전극(340) 및 상기 제 2 패드부의 제 2 패드 전극(350)은 추후 구동부와 연결되기 위해 외부로 노출되어야 한다. 상기 제 1 패드 전극(340) 및 제 2 패드 전극(350)은 다수의 패드 전극층으로 이루어지고, 최상측에 배치된 제 3 패드 전극층(240c,250c)이 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성된다. 이로 인해, 패드 전극(340,350)의 부식을 방지할 수 있으며, 신뢰성을 향상시키고, 신호 전달 불량을 개선할 수 있다.That is, the first pad electrode 340 of the first pad portion and the second pad electrode 350 of the second pad portion are exposed to the outside in order to be connected to the driving portion. The first pad electrode 340 and the second pad electrode 350 are formed of a plurality of pad electrode layers and the third pad electrode layers 240c and 250c disposed on the uppermost side are made of moly titanium, And a combination thereof. Therefore, corrosion of the pad electrodes 340 and 350 can be prevented, reliability can be improved, and signal transmission failure can be improved.

상기 층간 절연막(121) 상에 데이터 라인, 소스 전극(215) 및 드레인 전극(216)이 형성될 수 있다. 상기 데이터 라인, 소스 전극(215) 및 드레인 전극(216)은 동일 물질로 형성될 수 있다. A data line, a source electrode 215, and a drain electrode 216 may be formed on the interlayer insulating layer 121. The data line, the source electrode 215 and the drain electrode 216 may be formed of the same material.

이때, 상기 데이터 라인과 상기 소스 전극(215)은 일체로 형성될 수 있다. 상기 표시 영역(AA)에서 상기 소스 전극(215) 및 상기 드레인 전극(216)은 상기 층간 절연막(121)에 형성된 콘택홀을 통해 상기 반도체층(111)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 비표시 영역(IA)에서 상기 데이터 라인은 상기 층간 절연막(121)에 형성된 콘택홀을 통해 상기 제 2 패드 전극(350)과 연결될 수 있다. At this time, the data line and the source electrode 215 may be integrally formed. The source electrode 215 and the drain electrode 216 may be connected to the semiconductor layer 111 through a contact hole formed in the interlayer insulating layer 121 in the display area AA. In the non-display area IA, the data line may be connected to the second pad electrode 350 through a contact hole formed in the interlayer insulating layer 121.

상기 데이터 라인, 소스 전극(215) 및 드레인 전극(216)은 도면 상에는 단층으로 형성되었으나, 2이상의 층으로 형성된 다중층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 데이터 라인, 소스 전극(215) 및 드레인 전극(216)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 몰리티타늄(MoTi) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.The data line, the source electrode 215, and the drain electrode 216 are formed as a single layer in the drawing, but may be formed as multiple layers formed of two or more layers. The data line, the source electrode 215 and the drain electrode 216 may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr) Ta, titanium (Ti), molybdenum (MoTi), and combinations thereof.

이로써, 상기 반도체층(111), 게이트 전극(213), 소스 전극(215) 및 드레인 전극(216)을 포함하는 박막 트랜지스터(Tr)와, 제 1 패드 전극(340)을 포함하는 제 1 패드부와, 상기 제 2 패드 전극(350)을 포함하는 제 2 패드부를 형성할 수 있다. The thin film transistor Tr including the semiconductor layer 111, the gate electrode 213, the source electrode 215 and the drain electrode 216, and the first pad electrode 340 including the first pad electrode 340, And a second pad portion including the second pad electrode 350 may be formed.

상기 패드부의 제 1 패드 전극(340) 및 제 2 패드 전극(350)은 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(213)과 동일 공정에서 형성될 수 있다. 이때, 상기 패드부의 제 2 패드 전극(250)은 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결될 수 있다. The first pad electrode 340 and the second pad electrode 350 of the pad portion may be formed in the same process as the gate line and the gate electrode 213. At this time, the second pad electrode 250 of the pad portion may be electrically connected to the data line.

상기 박막 트랜지스터(Tr) 상에 보호막(122)이 형성되고, 상기 보호막(122) 상에 평탄화막(123)이 형성될 수 있다. 상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(216)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. A passivation layer 122 may be formed on the thin film transistor Tr and a planarization layer 123 may be formed on the passivation layer 122. The passivation layer 122 and the planarization layer 123 may include a contact hole exposing the drain electrode 216 of the thin film transistor Tr.

상기 보호막(122) 및 평탄화막(123)은 상기 층간 절연막(121)의 콘택홀을 통해 외부로 노출된 상기 제 1 패드 전극(340) 및 제 2 패드 전극(350) 상에 배치되지 않을 수 있다. 이때, 상기 보호막(122)은 상기 데이터 라인을 둘러싸고 형성될 수 있다. 또한, 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된 표시 영역(AA)에만 형성될 수 있다. The protective film 122 and the planarization film 123 may not be disposed on the first pad electrode 340 and the second pad electrode 350 exposed to the outside through the contact hole of the interlayer insulating film 121 . At this time, the protective layer 122 may be formed to surround the data lines. In addition, the planarization layer 123 may be formed only in the display region AA where the thin film transistor Tr is formed.

상기 평탄화막(123) 상에 보조 전극(160) 및 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130)이 형성된다. 상기 보조 전극(160) 및 상기 제 1 전극(130)은 서로 이격되어 형성된다. The auxiliary electrode 160 and the first electrode 130 of the organic light emitting diode OL are formed on the planarization film 123. [ The auxiliary electrode 160 and the first electrode 130 are spaced apart from each other.

상기 보조 전극(160)은 제 1 보조 전극(161) 및 제 2 보조 전극(162)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 보조 전극(161)은 이중층으로 형성될 수 있다. 자세하게는, 상기 제 1 보조 전극(161)은 하부 보조 전극층(161a) 및 상부 보조 전극층(161b)이 적층되어 형성될 수 있다. The auxiliary electrode 160 may include a first auxiliary electrode 161 and a second auxiliary electrode 162. The first auxiliary electrode 161 may be formed as a double layer. In detail, the first auxiliary electrode 161 may be formed by stacking a lower auxiliary electrode layer 161a and an upper auxiliary electrode layer 161b.

상기 하부 보조 전극층(161a)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 상부 보조 전극층(161b)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 상부 보조 전극층(161b)은 구리(Cu)로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 보조 전극(160)이 저항이 작은 물질을 포함함으로써, 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다.The lower auxiliary electrode layer 161a may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof. The upper auxiliary electrode layer 161b may be formed of a material selected from the group consisting of Al, tungsten, copper, silver, molybdenum, chromium, tantalum, titanium, And a combination of these. Preferably, the upper auxiliary electrode layer 161b may be formed of copper (Cu). Accordingly, since the auxiliary electrode 160 includes a material having a low resistance, luminance uniformity can be improved.

상기 제 2 보조 전극(162)은 상기 제 1 보조 전극(161) 상에 형성된다. 이때, 상기 제 2 보조 전극(162)은 상기 제 1 보조 전극(161)의 상면 및 측면을 둘러싸고 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극(162)은 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 보조 전극(162)은 제 1 보조 전극층(162a), 제 2 보조 전극층(162b) 및 제 3 보조 전극층(162c)이 순차적으로 적층된 삼중층 구조로 형성될 수 있다. The second auxiliary electrode 162 is formed on the first auxiliary electrode 161. At this time, the second auxiliary electrode 162 may be formed to surround the upper surface and the side surface of the first auxiliary electrode 161. The second auxiliary electrode 162 may be formed of multiple layers. For example, the second auxiliary electrode 162 may have a triple-layer structure in which a first auxiliary electrode layer 162a, a second auxiliary electrode layer 162b, and a third auxiliary electrode layer 162c are sequentially stacked.

상기 제 1 전극(130)은 상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123)을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(116)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(130)은 애노드 전극 일 수 있다. 상기 제 1 전극(130)은 다수의 전극층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전극(130)은 제 1 전극층(130a), 제 2 전극층(130b) 및 제 3 전극층(130c)이 순차적으로 적층된 삼중층 구조로 형성될 수 있다. The first electrode 130 may be electrically connected to the drain electrode 116 through a contact hole passing through the passivation layer 122 and the planarization layer 123. Also, the first electrode 130 may be an anode electrode. The first electrode 130 may be formed of a plurality of electrode layers. For example, the first electrode 130 may have a triple-layer structure in which a first electrode layer 130a, a second electrode layer 130b, and a third electrode layer 130c are sequentially stacked.

상기 제 2 보조 전극(162) 및 상기 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 동일 물질로 형성될 수 있다.The second auxiliary electrode 162 and the first electrode 130 of the organic light emitting diode OL may be formed of the same material. The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of the same material. The second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of the same material. The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of the same material.

상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전극층(130a)은 ITO로 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 은(Ag)-합금으로 형성될 수 있다. 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 ITO로 형성될 수 있다.The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of a transparent conductive material. For example, the first electrode layer 130a may be formed of ITO. The second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of a metal or a metal alloy. For example, the second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of a silver (Ag) alloy. The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of a transparent conductive material. For example, the third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of ITO.

상기 보조 전극(160)을 상기 제 1 전극(130)과 동일 물질로 형성되는 제 2 보조 전극(162)으로만 형성하는 경우, 두께를 8000Å이상으로 형성해야 하는 문제점이 있다. 또한, 제 1 보조 전극(161)으로만 보조 전극(160)을 형성하는 경우, 보조 전극(160)이 부식이 발생하거나 공정이 추가되는 문제점이 있다. When the auxiliary electrode 160 is formed of only the second auxiliary electrode 162 formed of the same material as the first electrode 130, the thickness of the auxiliary electrode 160 should be 8000 ANGSTROM or more. In addition, when the auxiliary electrode 160 is formed only by the first auxiliary electrode 161, the auxiliary electrode 160 may be corroded or a process may be added.

따라서, 상기 보조 전극(160)이 저항이 작은 물질을 포함하는 제 1 보조 전극(161) 및 상기 제 1 보조 전극(161)을 보호하는 제 2 보조 전극(162)을 포함한다. 이로 인해, 대면적에서도 휘도의 균일도를 확보하고, 공정을 단순화할 수 있다.Therefore, the auxiliary electrode 160 includes a first auxiliary electrode 161 including a material having a low resistance and a second auxiliary electrode 162 for protecting the first auxiliary electrode 161. As a result, uniformity of brightness can be secured even in a large area, and the process can be simplified.

또한, 상기 평탄화막(123) 상에는 뱅크 패턴(139)이 형성된다. 상기 뱅크 패턴(139)은 상기 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160)을 노출하도록 형성된다. 이때, 상기 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160)의 상면만 노출되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(139)은 상기 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160)의 측면을 둘러싸는 형태로 형성되어, 상기 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160) 측면의 부식을 방지할 수 있다.In addition, a bank pattern 139 is formed on the planarization film 123. The bank pattern 139 is formed to expose the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160 of the organic light emitting diode OL. At this time, only the upper surface of the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160 may be exposed. That is, the bank pattern 139 is formed to surround the side surfaces of the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160, so that corrosion of the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160, Can be prevented.

상기 노출된 보조 전극(160) 상에 격벽(131)이 형성된다. 상기 격벽(131)은 격벽층(132,133) 및 더미층(134,137)을 포함할 수 있다. 상기 격벽층(132,133)은 제 1 격벽층(132) 및 제 2 격벽층(133)을 포함할 수 있다. 상기 더미층(134,137)은 제 1 더미층(134) 및 제 2 더미층(137)을 포함할 수 있다.A barrier rib 131 is formed on the exposed auxiliary electrode 160. The barrier ribs 131 may include barrier rib layers 132 and 133 and dummy layers 134 and 137. The barrier ribs 132 and 133 may include a first barrier rib layer 132 and a second barrier rib layer 133. The dummy layers 134 and 137 may include a first dummy layer 134 and a second dummy layer 137.

상기 제 2 격벽층(133)은 상기 제 1 격벽층(132) 상에 배치되며, 하단에서 상단으로 갈수로 면적이 점차 넓게 형성되며, 측면이 경사지도록 형성된다. 즉, 상기 제 2 격벽층(133)은 역테이펴 형상으로 형성된다. 다만, 상기 제 1 격벽층(132) 및 제 2 격벽층(133)은 이에 한정되지 않으며, 하나의 격벽층으로 형성될 수 있고, 상기 격벽층은 역테이퍼 형상으로 형성되면 충분하다. The second barrier rib layer 133 is disposed on the first barrier rib layer 132 and has a gradually increasing area from the lower end to the upper end, That is, the second barrier rib layer 133 is formed in a reverse tapered shape. However, the first barrier rib layer 132 and the second barrier rib layer 133 are not limited thereto, but may be formed as one barrier rib layer, and the barrier rib layer may be formed in an inverted taper shape.

상기 제 1 격벽층(132) 및 제 2 격벽층(133)이 형성된 기판(100)의 표시 영역(AA) 상에 유기발광층(135)이 형성된다. 상기 유기발광층(135)은 상기 제 1 전극(130) 및 상기 뱅크 패턴(139) 상면에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 격벽층(133) 상면에는 상기 유기발광층(135)과 동일 물질로 형성된 제 1 더미층(134)이 형성될 수 있다. The organic emission layer 135 is formed on the display area AA of the substrate 100 on which the first partition layer 132 and the second partition layer 133 are formed. The organic light emitting layer 135 may be formed on the first electrode 130 and the bank pattern 139. In addition, a first dummy layer 134 formed of the same material as the organic emission layer 135 may be formed on the second partition layer 133.

상기 유기발광층(135) 상에는 제 2 전극(136)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제 2 전극(136)은 캐소드 전극 일 수 있다. 상기 제 2 전극(136)은 상기 표시 영역(AA)에 형성될 수 있다. 상기 제 2 전극(136)은 상기 유기발광층(135)의 상면에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 더미층(134)의 상면에는 상기 제 2 전극(136)과 동일 물질로 형성된 제 2 더미층(137)이 형성될 수 있다.A second electrode 136 may be formed on the organic light emitting layer 135. In this case, the second electrode 136 may be a cathode electrode. The second electrode 136 may be formed in the display area AA. The second electrode 136 may be formed on the upper surface of the organic light emitting layer 135. A second dummy layer 137 formed of the same material as the second electrode 136 may be formed on the upper surface of the first dummy layer 134.

이때, 상기 제 2 전극(136)은 도전층(180)을 통해 상기 보조 전극(160)과 연결될 수 있다. 상기 도전층(180)은 상기 제 2 전극(136) 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 도전층(180)은 상기 격벽(131)의 측면 및 상기 보조 전극(160)의 상면에 접하도록 형성될 수 있다. At this time, the second electrode 136 may be connected to the auxiliary electrode 160 through the conductive layer 180. The conductive layer 180 may be formed on the second electrode 136. The conductive layer 180 may be formed to contact the side surface of the barrier rib 131 and the upper surface of the auxiliary electrode 160.

따라서, 상기 제 2 전극(136)은 상기 보조 전극(160)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 보조 전극(160)에 의해 제 2 전극(136)의 저항이 작아지고, 전압강하가 감소하므로 표시 영역(AA) 전체에 걸쳐 균일하게 전류가 전달할 수 있다. 이로 인해, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다.Therefore, the second electrode 136 may be electrically connected to the auxiliary electrode 160. Since the resistance of the second electrode 136 is reduced by the auxiliary electrode 160 and the voltage drop is reduced, current can be uniformly distributed throughout the display area AA. Thus, the luminance uniformity of the organic light emitting display device according to the present invention can be improved.

다만, 도면에 한정되지 않으며, 상기 도전층(180)이 캐소드 전극의 역할을 하고, 상기 제 2 전극(136)이 생략될 수 있다. 즉, 캐소드 전극이 투명도전물질로 형성되며, 상기 보조 전극(160)과 직접 접하도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 캐소드 전극은 IZO일 수 있다. 따라서, 일 실시예에서는 도면과 같이, 제 2 전극(136)과 보조 전극(160)이 이격하여 형성되어, 도전층(180)으로 연결될 수 있다. 또한, 다른 실시예에서는 제 2 전극(180)이 보조 전극(160)과 직접 접하도록 형성될 수 있다.However, the present invention is not limited to the drawings, and the conductive layer 180 serves as a cathode electrode, and the second electrode 136 may be omitted. That is, the cathode electrode may be formed of a transparent conductive material, and may be formed to directly contact the auxiliary electrode 160. At this time, the cathode electrode may be IZO. Accordingly, in one embodiment, the second electrode 136 and the auxiliary electrode 160 may be spaced apart from each other and connected to the conductive layer 180, as shown in the drawing. Also, in another embodiment, the second electrode 180 may be formed to directly contact the auxiliary electrode 160.

이어서, 도 5를 참조하여, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치에 대해서 설명한다. 도 5는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다. 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 앞서 설명한 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치와 동일 유사한 구성을 포함할 수 있다. 앞서 설명한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.Next, an organic light emitting display according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a fifth embodiment of the present invention. The organic light emitting display according to the fifth embodiment of the present invention may have the same structure as the organic light emitting display according to the above-described embodiments. The description overlapping with the embodiment described above may be omitted. The same reference numerals are assigned to the same components.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시 영역(AA)과 비표시 영역(IA)으로 구분되는 기판(100)을 포함한다 상기 기판(100)의 표시 영역(AA)에는 박막 트랜지스터(Tr), 상기 박막 트랜지스터(Tr)와 전기적으로 연결되는 유기발광소자(OL) 및 상기 유기발광소자(OL)와 전기적으로 연결되는 보조 전극(160)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 기판(100)의 비표시 영역(IA)에는 패드부가 배치될 수 있다. 5, the organic light emitting display according to the fifth embodiment of the present invention includes a substrate 100 divided into a display area AA and a non-display area IA. The organic light emitting diode OL and the auxiliary electrode 160 electrically connected to the organic light emitting diode OL may be disposed in the region AA, have. In addition, a pad portion may be disposed in the non-display area IA of the substrate 100.

상기 기판(100) 상에 일방향으로 게이트 라인이 형성되고, 상기 일방향과 다른 방향으로 데이터 라인이 형성된다. 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차 영역에는 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된다.Gate lines are formed in one direction on the substrate 100, and data lines are formed in a direction different from the one direction. A thin film transistor Tr is formed in a crossing region of the gate line and the data line.

상기 박막 트랜지스터(Tr)는 상기 기판(100) 상에 형성된 반도체층(111), 상기 게이트 라인에서 분기된 게이트 전극(113), 상기 데이터 라인에서 분기된 소스 전극(215) 및 상기 소스 전극(215)과 동일층에서 이격되어 형성된 드레인 전극(216)을 포함할 수 있다. 상기 유기발광소자(OL)는 제 1 전극(130), 상기 제 1 전극(130)과 대향하여 형성되는 제 2 전극(136) 및 상기 제 1 전극(130)과 상기 제 2 전극(136) 사이에 형성되는 유기발광층(135)을 포함할 수 있다. 상기 보조 전극(160)은 제 1 보조 전극(161) 및 제 2 보조 전극(162)을 포함할 수 있다. The thin film transistor Tr includes a semiconductor layer 111 formed on the substrate 100, a gate electrode 113 branched from the gate line, a source electrode 215 branched from the data line, and a source electrode 215 And a drain electrode 216 spaced apart from the same layer. The organic light emitting diode OL includes a first electrode 130, a second electrode 136 formed to face the first electrode 130, and a second electrode 136 formed between the first electrode 130 and the second electrode 136 And an organic emission layer 135 formed on the organic emission layer 135. The auxiliary electrode 160 may include a first auxiliary electrode 161 and a second auxiliary electrode 162.

상기 패드부는 제 1 패드부(440) 및 제 2 패드부(450)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 패드부(440)는 제 1 패드 전극(441) 및 제 1 보호 전극(442)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 패드부(450)는 제 2 패드 전극(451) 및 제 2 보호 전극(452)을 포함할 수 있다.The pad portion may include a first pad portion 440 and a second pad portion 450. The first pad unit 440 may include a first pad electrode 441 and a first protective electrode 442. The second pad unit 450 may include a second pad electrode 451 and a second protective electrode 452.

상기 표시 영역(AA)에서 상기 기판(100) 상에 반도체층(111)이 형성되고, 상기 반도체층(111) 상에 게이트 절연막(120)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(IA)에 형성될 수 있다. A semiconductor layer 111 is formed on the substrate 100 in the display area AA and a gate insulating layer 120 is formed on the semiconductor layer 111. [ The gate insulating layer 120 may be formed in the display area AA and the non-display area IA.

상기 게이트 절연막(120) 상에 게이트 라인, 게이트 전극(113) 및 제 1 패드 전극(441)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(113)은 상기 표시 영역(AA)에서 상기 반도체층(111)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 패드 전극(441)은 비표시 영역(IA)에 형성될 수 있다.A gate line, a gate electrode 113, and a first pad electrode 441 may be formed on the gate insulating layer 120. The gate electrode 113 may be formed to overlap the semiconductor layer 111 in the display area AA. In addition, the first pad electrode 441 may be formed in the non-display area IA.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(113) 및 제 1 패드 전극(441)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 이때, 상기 게이트 라인과 상기 게이트 전극(113)은 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 게이트 라인과 상기 제 1 패드 전극(441)은 일체로 형성될 수 있다. The gate line, the gate electrode 113, and the first pad electrode 441 may be formed of the same material. At this time, the gate line and the gate electrode 113 may be integrally formed. In addition, the gate line and the first pad electrode 441 may be integrally formed.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(113) 및 제 1 패드 전극(441)은 도면 상에는 단층으로 형성되었으나, 2이상의 층으로 형성된 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 게이트 라인, 게이트 전극(113) 및 제 1 패드 전극(441)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 몰리티타늄(MoTi) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.Although the gate line, the gate electrode 113 and the first pad electrode 441 are formed as a single layer in the drawing, they may be formed as multiple layers formed of two or more layers. The gate line, the gate electrode 113 and the first pad electrode 441 may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr) Ta, titanium (Ti), molybdenum (MoTi), and combinations thereof.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(113) 및 제 1 패드 전극(441) 상에 층간 절연막(121)이 형성될 수 있다. 상기 표시 영역(AA)에서 상기 층간 절연막(121) 및 상기 게이트 절연막(120)은 상기 반도체층(111)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. An interlayer insulating layer 121 may be formed on the gate line, the gate electrode 113, and the first pad electrode 441. In the display area AA, the interlayer insulating layer 121 and the gate insulating layer 120 may include a contact hole exposing the semiconductor layer 111. [

상기 층간 절연막(121) 상에 데이터 라인, 소스 전극(215), 드레인 전극(216) 및 제 2 패드 전극(451)이 형성될 수 있다. 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인과 다른 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(215) 및 상기 드레인 전극(216)은 서로 이격되어 형성되며, 각각 상기 콘택홀을 통해 노출된 상기 반도체층(111)과 접하도록 형성될 수 있다. A data line, a source electrode 215, a drain electrode 216, and a second pad electrode 451 may be formed on the interlayer insulating layer 121. The data lines may be arranged to extend in a direction different from the gate lines. The source electrode 215 and the drain electrode 216 may be spaced apart from each other and may be in contact with the semiconductor layer 111 exposed through the contact hole.

상기 데이터 라인, 소스 전극(215), 드레인 전극(216) 및 제 2 패드 전극(451)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 이때, 상기 데이터 라인과 상기 소스 전극(215)은 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 데이터 라인과 상기 제 2 패드 전극(451)은 일체로 형성될 수 있다. The data line, the source electrode 215, the drain electrode 216, and the second pad electrode 451 may be formed of the same material. At this time, the data line and the source electrode 215 may be integrally formed. In addition, the data line and the second pad electrode 451 may be integrally formed.

상기 데이터 라인, 소스 전극(215), 드레인 전극(216) 및 제 2 패드 전극(451)은 도면 상에는 단층으로 형성되었으나, 2이상의 층으로 형성된 다중층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 데이터 라인, 소스 전극(215) 및 드레인 전극(216)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 몰리티타늄(MoTi) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.Although the data line, the source electrode 215, the drain electrode 216, and the second pad electrode 451 are formed as a single layer in the drawing, they may be formed as multiple layers formed of two or more layers. The data line, the source electrode 215 and the drain electrode 216 may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr) Ta, titanium (Ti), molybdenum (MoTi), and combinations thereof.

이로써, 상기 반도체층(111), 게이트 전극(113), 소스 전극(215) 및 드레인 전극(216)을 포함하는 박막 트랜지스터(Tr)와, 제 1 패드 전극(441)과, 상기 제 2 패드 전극(451)을 형성할 수 있다. The thin film transistor Tr including the semiconductor layer 111, the gate electrode 113, the source electrode 215 and the drain electrode 216, the first pad electrode 441, (451) can be formed.

즉, 상기 제 1 패드부(440)의 제 1 패드 전극(441)은 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(113)과 동일 공정에서 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 패드부(450)의 제 2 패드 전극(451)은 상기 데이터 라인, 소스 전극(215) 및 드레인 전극(216)과 동일 공정에서 형성될 수 있다. That is, the first pad electrode 441 of the first pad portion 440 may be formed in the same process as the gate line and the gate electrode 113. The second pad electrode 451 of the second pad portion 450 may be formed in the same process as the data line, the source electrode 215, and the drain electrode 216.

상기 박막 트랜지스터(Tr), 제 1 패드 전극(441) 및 제 2 패드 전극(451) 상에 보호막(122)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호막(122)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(IA)에 형성되며, 상기 기판(100) 전면에 형성될 수 있다. The passivation layer 122 may be formed on the thin film transistor Tr, the first pad electrode 441, and the second pad electrode 451. That is, the passivation layer 122 is formed on the display area AA and the non-display area IA and may be formed on the entire surface of the substrate 100.

또한, 상기 보호막(122) 상에 평탄화막(123)이 형성될 수 있다. 상기 평탄화막(123)은 상기 제 1 패드 전극(441) 및 제 2 패드 전극(451) 상에는 배치되지 않을 수 있다. 즉, 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된 표시 영역(AA)에만 형성될 수 있다. The planarization layer 123 may be formed on the protective layer 122. The planarization layer 123 may not be disposed on the first pad electrode 441 and the second pad electrode 451. That is, the planarization layer 123 may be formed only in the display region AA where the thin film transistor Tr is formed.

상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(216)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호막(122) 및 상기 층간 절연막(121)은 상기 제 1 패드 전극(441)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호막(122)은 제 2 패드 전극(451)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. The passivation layer 122 and the planarization layer 123 may include a contact hole exposing the drain electrode 216 of the thin film transistor Tr. The protective layer 122 and the interlayer insulating layer 121 may include a contact hole exposing the first pad electrode 441. In addition, the passivation layer 122 may include a contact hole exposing the second pad electrode 451.

이때, 상기 제 1 패드 전극(441) 및 제 2 패드 전극(451)의 상면만 노출되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 패드 전극(441) 및 제 2 패드 전극(451)의 측면은 상기 층간 절연막(121) 또는 보호막(122)과 접하도록 형성되어, 상기 제 1 패드 전극(441) 및 제 2 패드 전극(451)의 측면의 부식을 방지할 수 있다.At this time, only the upper surfaces of the first pad electrode 441 and the second pad electrode 451 may be exposed. That is, the side surfaces of the first pad electrode 441 and the second pad electrode 451 are in contact with the interlayer insulating layer 121 or the protective layer 122, and the first pad electrode 441 and the second pad Corrosion of the side surface of the electrode 451 can be prevented.

상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123) 상에 보조 전극(160), 연결 전극(170), 제 1 전극(130), 제 1 보호 전극(442) 및 제 2 보호 전극(452)이 형성된다. 즉, 상기 표시 영역(AA)에서 상기 평탄화막(123) 상에 상기 보조 전극(160), 상기 연결 전극(170) 및 제 1 전극(130)이 형성된다. 또한, 상기 비표시 영역(IA)에서 상기 보호막(122) 상에 제 1 보호 전극(442) 및 제 2 보호 전극(452)이 형성된다.The auxiliary electrode 160, the connecting electrode 170, the first electrode 130, the first protective electrode 442 and the second protective electrode 452 are formed on the protective layer 122 and the planarization layer 123 do. That is, the auxiliary electrode 160, the connection electrode 170, and the first electrode 130 are formed on the planarization layer 123 in the display area AA. A first protective electrode 442 and a second protective electrode 452 are formed on the protective film 122 in the non-display area IA.

상기 보조 전극(160)은 상기 연결 전극(170) 및 제 1 전극(130)과 이격하여 형성된다. 상기 연결 전극(170)은 상기 노출된 드레인 전극(216)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(130)은 상기 연결 전극(170) 상에 배치된다. 즉, 상기 제 1 전극(130) 및 상기 드레인 전극(216) 사이에 연결 전극(170)이 배치될 수 있다.The auxiliary electrode 160 is spaced apart from the connection electrode 170 and the first electrode 130. The connection electrode 170 may be connected to the exposed drain electrode 216. In addition, the first electrode 130 is disposed on the connection electrode 170. That is, the connection electrode 170 may be disposed between the first electrode 130 and the drain electrode 216.

상기 보조 전극(160)은 제 1 보조 전극(161) 및 제 2 보조 전극(162)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 보조 전극(162)은 상기 제 1 보조 전극(161) 상에 형성된다. 이때, 상기 제 2 보조 전극(162)은 상기 제 1 보조 전극(161)의 상면 및 측면을 둘러싸고 형성될 수 있다. The auxiliary electrode 160 may include a first auxiliary electrode 161 and a second auxiliary electrode 162. The second auxiliary electrode 162 is formed on the first auxiliary electrode 161. At this time, the second auxiliary electrode 162 may be formed to surround the upper surface and the side surface of the first auxiliary electrode 161.

이때, 상기 제 1 보조 전극(161)은 상기 연결 전극(170)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 보조 전극(162)은 상기 제 1 전극(130)과 동일 물질로 형성될 수 있다.At this time, the first auxiliary electrode 161 may be formed of the same material as the connection electrode 170. In addition, the second auxiliary electrode 162 may be formed of the same material as the first electrode 130.

상기 제 1 보조 전극(161)은 하부 보조 전극층(161a) 및 상부 보조 전극층(161b)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 연결 전극(170)은 하부 연결 전극층(170a) 및 상부 연결 전극층(170b)을 포함할 수 있다. The first auxiliary electrode 161 may include a lower auxiliary electrode layer 161a and an upper auxiliary electrode layer 161b. The connection electrode 170 may include a lower connection electrode layer 170a and an upper connection electrode layer 170b.

상기 하부 보조 전극층(161a) 및 상기 하부 연결 전극층(170a)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다.The lower auxiliary electrode layer 161a and the lower connection electrode layer 170a may be formed of the same material. (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof.

또한, 상기 상부 보조 전극층(161b) 및 상기 상부 연결 전극층(170b)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 상부 보조 전극층(161b) 및 상기 상부 연결 전극층(170b)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 상부 보조 전극층(161b) 및 상기 상부 연결 전극층(170b)은 구리(Cu)로 형성될 수 있다. The upper auxiliary electrode layer 161b and the upper connection electrode layer 170b may be formed of the same material. The upper auxiliary electrode layer 161b and the upper connection electrode layer 170b may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chrome (Cr), tantalum , Titanium (Ti), and combinations thereof. Preferably, the upper auxiliary electrode layer 161b and the upper connection electrode layer 170b may be formed of copper (Cu).

상기 제 2 보조 전극(162)은 제 1 보조 전극층(162a), 제 2 보조 전극층(162b) 및 제 3 보조 전극층(162c)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(130)은 제 1 전극층(130a), 제 2 전극층(130b) 및 제 3 전극층(130c)을 포함할 수 있다.The second auxiliary electrode 162 may include a first auxiliary electrode layer 162a, a second auxiliary electrode layer 162b, and a third auxiliary electrode layer 162c. The first electrode 130 may include a first electrode layer 130a, a second electrode layer 130b, and a third electrode layer 130c.

상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 동일 물질로 형성될 수 있다.The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of the same material. The second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of the same material. The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of the same material.

상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전극층(130a)은 ITO로 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 은(Ag)-합금으로 형성될 수 있다. 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 ITO로 형성될 수 있다.The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of a transparent conductive material. For example, the first electrode layer 130a may be formed of ITO. The second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of a metal or a metal alloy. For example, the second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of a silver (Ag) alloy. The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of a transparent conductive material. For example, the third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of ITO.

비표시 영역(IA)에서 상기 제 1 보호 전극(442)은 상기 노출된 제 1 패드 전극(441) 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 보호 전극(452)은 상기 노출된 제 2 패드 전극(451) 상에 형성될 수 있다. 상기 평탄화막(123)은 적어도 상기 제 1 패드부(440) 및 상기 제 2 패드부(450) 상에는 형성되지 않을 수 있다.In the non-display area IA, the first protective electrode 442 may be formed on the exposed first pad electrode 441. The second protective electrode 452 may be formed on the exposed second pad electrode 451. The planarization layer 123 may not be formed on at least the first pad portion 440 and the second pad portion 450.

상기 제 1 보호 전극(442) 또는 상기 제 2 보호 전극(452)은 외부에 노출되더라도 부식되지 않는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 보호 전극(442) 또는 상기 제 2 보호 전극(452)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 제 1 패드 전극(441) 또는 상기 제 2 패드 전극(451)이 수분 및 산소로 인해 부식되는 문제점을 방지할 수 있다.The first protective electrode 442 or the second protective electrode 452 may be formed of a material that is not corroded even when exposed to the outside. For example, the first protective electrode 442 or the second protective electrode 452 may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof. Accordingly, it is possible to prevent the first pad electrode 441 or the second pad electrode 451 from being corroded by moisture and oxygen.

상기 제 1 보호 전극(442) 또는 상기 제 2 보호 전극(452)은 상기 제 1 보조 전극(161) 및 연결 전극(170)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 자세하게는, 상기 제 1 보호 전극(442) 또는 상기 제 2 보호 전극(452)은 상기 제 1 보조 전극(161)의 하부 보조 전극층(161a) 및 상기 연결 전극(170)의 하부 연결 전극층(170a)과 동일 물질로 형성될 수 있다. The first protective electrode 442 or the second protective electrode 452 may be formed of the same material as the first auxiliary electrode 161 and the connection electrode 170. The first protective electrode 442 or the second protective electrode 452 may be formed on the lower auxiliary electrode layer 161a of the first auxiliary electrode 161 and the lower connection electrode layer 170a of the connection electrode 170, And the like.

상기 제 1 보호 전극(442) 또는 상기 제 2 보호 전극(452)은 단층으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 보호 전극(442) 또는 제 2 보호 전극(452)은 은(Ag)-합금 또는 ITO의 식각액으로 식각되지 않는 물질로 형성될 수 있다.The first protective electrode 442 or the second protective electrode 452 may be formed as a single layer. That is, the first protective electrode 442 or the second protective electrode 452 may be formed of a material that is not etched by an Ag-alloy or ITO etchant.

상기 패드부는 구동부와 연결되기 위해 외부로 노출될 수 있다. 즉, 상기 패드 전극 또는 보호 전극은 외부로 노출될 수 있다. 예를 들면, 패드 전극 또는 보호 전극이 구리(Cu) 또는 은(Ag)-합금 등 수분 및 산소로 인해 부식될 수 있는 물질로 형성되고, 외부로 노출되는 경우, 신호 전달에 불량이 발생할 수 있었다. The pad unit may be exposed to the outside to be connected to the driving unit. That is, the pad electrode or the protective electrode may be exposed to the outside. For example, when the pad electrode or the protective electrode is formed of a material which can be corroded by moisture and oxygen such as copper (Cu) or silver (Ag) -alloy and is exposed to the outside, .

따라서, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는, 패드 전극 상에 부식되지 않는 물질로 보호 전극이 형성된다. 예를 들면, 상기 보호 전극은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다. 이로 인해, 패드 전극이 외부로 노출되지 않도록 형성되어, 패드 전극이 산소 및 수분과 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 패드 전극의 부식을 방지하고, 신호 전달 불량을 방지하는 효과가 있다.Accordingly, in the organic light emitting display device according to the present invention, the protective electrode is formed of a material that is not corroded on the pad electrode. For example, the protective electrode may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof. Thus, the pad electrode is formed so as not to be exposed to the outside, thereby preventing the pad electrode from coming into contact with oxygen and moisture. In addition, corrosion of the pad electrode is prevented, and signal transfer failure is prevented.

상기 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160) 상에 뱅크 패턴(139) 및 격벽층(132,133)이 형성될 수 있다. 상기 뱅크 패턴(139) 및 격벽층(132,133) 상에 유기발광층(135) 및 제 1 더미층(134)이 형성될 수 있다. 상기 유기발광층(135) 및 제 1 더미층(134) 상에 제 2 전극(136) 및 제 2 더미층(137)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 전극(136) 및 제 2 더미층(137) 상에 도전층(180)이 형성될 수 있다.A bank pattern 139 and barrier rib layers 132 and 133 may be formed on the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160. The organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134 may be formed on the bank pattern 139 and the barrier rib layers 132 and 133. [ A second electrode 136 and a second dummy layer 137 may be formed on the organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134. In addition, the conductive layer 180 may be formed on the second electrode 136 and the second dummy layer 137.

상기 도전층(180)은 상기 제 2 전극(136) 및 상기 보조 전극(160)과 접하도록 형성된다. 상기 보조 전극(160)이 저항이 작은 물질을 포함하는 제 1 보조 전극(161) 및 상기 제 1 보조 전극(161)을 보호하는 제 2 보조 전극(162)을 포함하므로, 대면적에서도 휘도의 균일도를 확보할 수 있다.The conductive layer 180 is formed in contact with the second electrode 136 and the auxiliary electrode 160. Since the auxiliary electrode 160 includes the first auxiliary electrode 161 including a material having a small resistance and the second auxiliary electrode 162 for protecting the first auxiliary electrode 161, .

다만, 도면에 한정되지 않으며, 상기 도전층(180)이 캐소드 전극의 역할을 하고, 상기 제 2 전극(136)이 생략될 수 있다. 즉, 캐소드 전극이 투명도전물질로 형성되며, 상기 보조 전극(160)과 직접 접하도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 캐소드 전극은 IZO일 수 있다. 따라서, 일 실시예에서는 도면과 같이, 제 2 전극(136)과 보조 전극(160)이 이격하여 형성되어, 도전층(180)으로 연결될 수 있다. 또한, 다른 실시예에서는 제 2 전극(180)이 보조 전극(160)과 직접 접하도록 형성될 수 있다.However, the present invention is not limited to the drawings, and the conductive layer 180 serves as a cathode electrode, and the second electrode 136 may be omitted. That is, the cathode electrode may be formed of a transparent conductive material, and may be formed to directly contact the auxiliary electrode 160. At this time, the cathode electrode may be IZO. Accordingly, in one embodiment, the second electrode 136 and the auxiliary electrode 160 may be spaced apart from each other and connected to the conductive layer 180, as shown in the drawing. Also, in another embodiment, the second electrode 180 may be formed to directly contact the auxiliary electrode 160.

이어서, 도 6을 참조하여, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치에 대해서 설명한다. 도 6은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다. 본 발명의 제 6 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 앞서 설명한 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치와 동일 유사한 구성을 포함할 수 있다. 앞서 설명한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.Next, an organic light emitting display device according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a sixth embodiment of the present invention. The organic light emitting display device according to the sixth embodiment of the present invention may have the same structure as the organic light emitting display device according to the previous embodiments. The description overlapping with the embodiment described above may be omitted. The same reference numerals are assigned to the same components.

도 6를 참조하면, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는, 제 1 패드부(540) 및 제 2 패드부(550)를 제외하고 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치와 동일 유사한 구성을 포함할 수 있다. 6, the organic light emitting display according to the sixth exemplary embodiment of the present invention includes an organic light emitting display (OLED) according to the fourth exemplary embodiment of the present invention, except for the first pad portion 540 and the second pad portion 550. Referring to FIG. 6, And may include the same configuration as the electroluminescent display device.

본 발명의 제 6 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시 영역(AA)과 비표시 영역(IA)으로 구분되는 기판(100)을 포함한다 상기 기판(100)의 표시 영역(AA)에는 박막 트랜지스터(Tr), 상기 박막 트랜지스터(Tr)와 전기적으로 연결되는 유기발광소자(OL) 및 상기 유기발광소자(OL)와 전기적으로 연결되는 보조 전극(160)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 기판(100)의 비표시 영역(IA)에는 패드부가 배치될 수 있다. The organic light emitting display according to the sixth embodiment of the present invention includes a substrate 100 divided into a display area AA and a non-display area IA. In the display area AA of the substrate 100, A transistor Tr, an organic light emitting device OL electrically connected to the thin film transistor Tr, and an auxiliary electrode 160 electrically connected to the organic light emitting OL. In addition, a pad portion may be disposed in the non-display area IA of the substrate 100.

상기 기판(100) 상에 일방향으로 게이트 라인이 형성되고, 상기 일방향과 다른 방향으로 데이터 라인이 형성된다. 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차 영역에는 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된다.Gate lines are formed in one direction on the substrate 100, and data lines are formed in a direction different from the one direction. A thin film transistor Tr is formed in a crossing region of the gate line and the data line.

상기 박막 트랜지스터(Tr)는 상기 기판(100) 상에 형성된 반도체층(111), 상기 게이트 라인에서 분기된 게이트 전극(113), 상기 데이터 라인에서 분기된 소스 전극(215) 및 상기 소스 전극(215)과 동일층에서 이격되어 형성된 드레인 전극(216)을 포함할 수 있다. 상기 유기발광소자(OL)는 제 1 전극(130), 상기 제 1 전극(130)과 대향하여 형성되는 제 2 전극(136) 및 상기 제 1 전극(130)과 상기 제 2 전극(136) 사이에 형성되는 유기발광층(135)을 포함할 수 있다. 상기 보조 전극(160)은 제 1 보조 전극(161) 및 제 2 보조 전극(162)을 포함할 수 있다. The thin film transistor Tr includes a semiconductor layer 111 formed on the substrate 100, a gate electrode 113 branched from the gate line, a source electrode 215 branched from the data line, and a source electrode 215 And a drain electrode 216 spaced apart from the same layer. The organic light emitting diode OL includes a first electrode 130, a second electrode 136 formed to face the first electrode 130, and a second electrode 136 formed between the first electrode 130 and the second electrode 136 And an organic emission layer 135 formed on the organic emission layer 135. The auxiliary electrode 160 may include a first auxiliary electrode 161 and a second auxiliary electrode 162.

상기 패드부는 제 1 패드부(540) 및 제 2 패드부(550)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 패드부(540)는 제 1 하부 패드 전극(541), 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 1 보호 전극(543)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 패드부(550)는 제 2 하부 패드 전극(551), 제 2 상부 패드 전극(552) 및 제 2 보호 전극(553)을 포함할 수 있다.The pad portion may include a first pad portion 540 and a second pad portion 550. The first pad unit 540 may include a first lower pad electrode 541, a first upper pad electrode 542, and a first protective electrode 543. The second pad unit 550 may include a second lower pad electrode 551, a second upper pad electrode 552, and a second protective electrode 553.

상기 표시 영역(AA)에서 상기 기판(100) 상에 반도체층(111)이 형성되고, 상기 반도체층(111) 상에 게이트 절연막(120)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(IA)에 형성될 수 있다. A semiconductor layer 111 is formed on the substrate 100 in the display area AA and a gate insulating layer 120 is formed on the semiconductor layer 111. [ The gate insulating layer 120 may be formed in the display area AA and the non-display area IA.

상기 게이트 절연막(120) 상에 게이트 라인, 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(541) 및 제 2 하부 패드 전극(551)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(113)은 상기 표시 영역(AA)에서 상기 반도체층(111)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 하부 패드 전극(541) 및 제 2 하부 패드 전극(551)은 비표시 영역(IA)에 형성될 수 있다.A gate line, a gate electrode 113, a first lower pad electrode 541, and a second lower pad electrode 551 may be formed on the gate insulating layer 120. The gate electrode 113 may be formed to overlap the semiconductor layer 111 in the display area AA. In addition, the first lower pad electrode 541 and the second lower pad electrode 551 may be formed in the non-display area IA.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(541) 및 제 2 하부 패드 전극(551)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 이때, 상기 게이트 라인과 상기 게이트 전극(113)은 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 게이트 라인과 상기 제 1 하부 패드 전극(541)은 일체로 형성될 수 있다. The gate line, the gate electrode 113, the first lower pad electrode 541, and the second lower pad electrode 551 may be formed of the same material. At this time, the gate line and the gate electrode 113 may be integrally formed. In addition, the gate line and the first lower pad electrode 541 may be integrally formed.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(541) 및 제 2 하부 패드 전극(551) 상에 층간 절연막(121)이 형성될 수 있다. 상기 표시 영역(AA)에서 상기 층간 절연막(121) 및 상기 게이트 절연막(120)은 상기 반도체층(111)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. An interlayer insulating layer 121 may be formed on the gate line, the gate electrode 113, the first lower pad electrode 541, and the second lower pad electrode 551. In the display area AA, the interlayer insulating layer 121 and the gate insulating layer 120 may include a contact hole exposing the semiconductor layer 111. [

상기 층간 절연막(121) 상에 데이터 라인, 소스 전극(215), 드레인 전극(216), 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 2 상부 패드 전극(552)이 형성될 수 있다. 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인과 다른 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(215) 및 상기 드레인 전극(216)은 서로 이격되어 형성되며, 각각 상기 콘택홀을 통해 노출된 상기 반도체층(111)과 접하도록 형성될 수 있다. A data line, a source electrode 215, a drain electrode 216, a first upper pad electrode 542, and a second upper pad electrode 552 may be formed on the interlayer insulating layer 121. The data lines may be arranged to extend in a direction different from the gate lines. The source electrode 215 and the drain electrode 216 may be spaced apart from each other and may be in contact with the semiconductor layer 111 exposed through the contact hole.

상기 데이터 라인, 소스 전극(215), 드레인 전극(216), 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 2 상부 패드 전극(552)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 이때, 상기 데이터 라인과 상기 소스 전극(215)은 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 데이터 라인과 상기 제 2 상부 패드 전극(552)은 일체로 형성될 수 있다. The data line, the source electrode 215, the drain electrode 216, the first upper pad electrode 542, and the second upper pad electrode 552 may be formed of the same material. At this time, the data line and the source electrode 215 may be integrally formed. In addition, the data line and the second upper pad electrode 552 may be integrally formed.

즉, 상기 제 1 패드부(540)의 제 1 하부 패드 전극(541) 및 제 2 패드부(550)의 제 2 하부 패드 전극(551)은 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(113)과 동일 공정에서 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 패드부(540)의 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 2 패드부(550)의 제 2 상부 패드 전극(552)은 상기 데이터 라인, 소스 전극(215) 및 드레인 전극(216)과 동일 공정에서 형성될 수 있다. That is, the first lower pad electrode 541 of the first pad portion 540 and the second lower pad electrode 551 of the second pad portion 550 are formed in the same process as the gate line and the gate electrode 113 . The first upper pad electrode 542 of the first pad portion 540 and the second upper pad electrode 552 of the second pad portion 550 are electrically connected to the data line, 216 in the same process.

상기 박막 트랜지스터(Tr), 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 2 상부 패드 전극(552) 상에 보호막(122)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호막(122)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(IA)에 형성되며, 상기 기판(100) 전면에 형성될 수 있다. The passivation layer 122 may be formed on the thin film transistor Tr, the first upper pad electrode 542, and the second upper pad electrode 552. That is, the passivation layer 122 is formed on the display area AA and the non-display area IA and may be formed on the entire surface of the substrate 100.

또한, 상기 보호막(122) 상에 평탄화막(123)이 형성될 수 있다. 상기 평탄화막(123)은 상기 제 1 패드 전극(541,542) 및 제 2 패드 전극(551,552) 상에는 배치되지 않을 수 있다. 즉, 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된 표시 영역(AA)에만 형성될 수 있다. The planarization layer 123 may be formed on the protective layer 122. The planarization layer 123 may not be disposed on the first pad electrodes 541 and 542 and the second pad electrodes 551 and 552. That is, the planarization layer 123 may be formed only in the display region AA where the thin film transistor Tr is formed.

상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(216)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호막(122)은 상기 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 2 상부 패드 전극(552)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. The passivation layer 122 and the planarization layer 123 may include a contact hole exposing the drain electrode 216 of the thin film transistor Tr. The passivation layer 122 may include a contact hole exposing the first upper pad electrode 542 and the second upper pad electrode 552.

이때, 상기 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 2 상부 패드 전극(552)의 상면만 노출되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 상부 패드 전극(542) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(552)의 측면은 상기 보호막(122)과 접하도록 형성되어, 상기 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 2 상부 패드 전극(552)의 측면의 부식을 방지할 수 있다.At this time, only the upper surfaces of the first upper pad electrode 542 and the second upper pad electrode 552 may be exposed. That is, the side surfaces of the first upper pad electrode 542 and the second upper pad electrode 552 are formed to be in contact with the protective layer 122, and the first upper pad electrode 542 and the second upper pad electrode 552 It is possible to prevent corrosion of the side surface of the insulating layer 552.

상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123) 상에 보조 전극(160), 연결 전극(170), 제 1 전극(130), 제 1 보호 전극(543) 및 제 2 보호 전극(553)이 형성된다. 즉, 상기 표시 영역(AA)에서 상기 평탄화막(123) 상에 상기 보조 전극(160), 상기 연결 전극(170) 및 제 1 전극(130)이 형성된다. 또한, 상기 비표시 영역(IA)에서 상기 보호막(122) 상에 제 1 보호 전극(543) 및 제 2 보호 전극(553)이 형성된다.The auxiliary electrode 160, the connection electrode 170, the first electrode 130, the first protective electrode 543, and the second protective electrode 553 are formed on the protective layer 122 and the planarization layer 123 do. That is, the auxiliary electrode 160, the connection electrode 170, and the first electrode 130 are formed on the planarization layer 123 in the display area AA. A first protective electrode 543 and a second protective electrode 553 are formed on the protective film 122 in the non-display area IA.

상기 보조 전극(160)은 상기 연결 전극(170) 및 제 1 전극(130)과 이격하여 형성된다. 상기 연결 전극(170)은 상기 노출된 드레인 전극(216)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(130)은 상기 연결 전극(170) 상에 배치된다. 즉, 상기 제 1 전극(130) 및 상기 드레인 전극(216) 사이에 연결 전극(170)이 배치될 수 있다.The auxiliary electrode 160 is spaced apart from the connection electrode 170 and the first electrode 130. The connection electrode 170 may be connected to the exposed drain electrode 216. In addition, the first electrode 130 is disposed on the connection electrode 170. That is, the connection electrode 170 may be disposed between the first electrode 130 and the drain electrode 216.

상기 보조 전극(160)은 제 1 보조 전극(161) 및 제 2 보조 전극(162)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 보조 전극(162)은 상기 제 1 보조 전극(161) 상에 형성된다. 이때, 상기 제 2 보조 전극(162)은 상기 제 1 보조 전극(161)의 상면 및 측면을 둘러싸고 형성될 수 있다. The auxiliary electrode 160 may include a first auxiliary electrode 161 and a second auxiliary electrode 162. The second auxiliary electrode 162 is formed on the first auxiliary electrode 161. At this time, the second auxiliary electrode 162 may be formed to surround the upper surface and the side surface of the first auxiliary electrode 161.

이때, 상기 제 1 보조 전극(161)은 상기 연결 전극(170)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 보조 전극(162)은 상기 제 1 전극(130)과 동일 물질로 형성될 수 있다.At this time, the first auxiliary electrode 161 may be formed of the same material as the connection electrode 170. In addition, the second auxiliary electrode 162 may be formed of the same material as the first electrode 130.

상기 제 1 보조 전극(161)은 하부 보조 전극층(161a) 및 상부 보조 전극층(161b)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 연결 전극(170)은 하부 연결 전극층(170a) 및 상부 연결 전극층(170b)을 포함할 수 있다. The first auxiliary electrode 161 may include a lower auxiliary electrode layer 161a and an upper auxiliary electrode layer 161b. The connection electrode 170 may include a lower connection electrode layer 170a and an upper connection electrode layer 170b.

상기 하부 보조 전극층(161a) 및 상기 하부 연결 전극층(170a)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다.The lower auxiliary electrode layer 161a and the lower connection electrode layer 170a may be formed of the same material. (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof.

또한, 상기 상부 보조 전극층(161b) 및 상기 상부 연결 전극층(170b)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 상부 보조 전극층(161b) 및 상기 상부 연결 전극층(170b)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 상부 보조 전극층(161b) 및 상기 상부 연결 전극층(170b)은 구리(Cu)로 형성될 수 있다. The upper auxiliary electrode layer 161b and the upper connection electrode layer 170b may be formed of the same material. The upper auxiliary electrode layer 161b and the upper connection electrode layer 170b may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chrome (Cr), tantalum , Titanium (Ti), and combinations thereof. Preferably, the upper auxiliary electrode layer 161b and the upper connection electrode layer 170b may be formed of copper (Cu).

상기 제 2 보조 전극(162)은 제 1 보조 전극층(162a), 제 2 보조 전극층(162b) 및 제 3 보조 전극층(162c)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(130)은 제 1 전극층(130a), 제 2 전극층(130b) 및 제 3 전극층(130c)을 포함할 수 있다.The second auxiliary electrode 162 may include a first auxiliary electrode layer 162a, a second auxiliary electrode layer 162b, and a third auxiliary electrode layer 162c. The first electrode 130 may include a first electrode layer 130a, a second electrode layer 130b, and a third electrode layer 130c.

상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 동일 물질로 형성될 수 있다.The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of the same material. The second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of the same material. The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of the same material.

상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전극층(130a)은 ITO로 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 은(Ag)-합금으로 형성될 수 있다. 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 ITO로 형성될 수 있다.The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of a transparent conductive material. For example, the first electrode layer 130a may be formed of ITO. The second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of a metal or a metal alloy. For example, the second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of a silver (Ag) alloy. The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of a transparent conductive material. For example, the third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of ITO.

비표시 영역(IA)에서 상기 제 1 보호 전극(543)은 상기 노출된 제 1 패드 전극(541) 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 보호 전극(553)은 상기 노출된 제 2 패드 전극(551) 상에 형성될 수 있다. 상기 평탄화막(123)은 적어도 상기 제 1 패드부(540) 및 상기 제 2 패드부(550) 상에는 형성되지 않을 수 있다.In the non-display area IA, the first protective electrode 543 may be formed on the exposed first pad electrode 541. In addition, the second protective electrode 553 may be formed on the exposed second pad electrode 551. The planarization layer 123 may not be formed on at least the first pad portion 540 and the second pad portion 550.

상기 제 1 보호 전극(543) 또는 상기 제 2 보호 전극(553)은 외부에 노출되더라도 부식되지 않는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 보호 전극(543) 또는 상기 제 2 보호 전극(553)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 제 1 패드 전극(541) 또는 상기 제 2 패드 전극(551)이 수분 및 산소로 인해 부식되는 문제점을 방지할 수 있다.The first protective electrode 543 or the second protective electrode 553 may be formed of a material that is not corroded even when exposed to the outside. For example, the first protective electrode 543 or the second protective electrode 553 may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof. Accordingly, it is possible to prevent the first pad electrode 541 or the second pad electrode 551 from being corroded by moisture and oxygen.

상기 제 1 보호 전극(543) 또는 상기 제 2 보호 전극(553)은 상기 제 1 보조 전극(161) 및 연결 전극(170)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 자세하게는, 상기 제 1 보호 전극(543) 또는 상기 제 2 보호 전극(553)은 상기 제 1 보조 전극(161)의 하부 보조 전극층(161a) 및 상기 연결 전극(170)의 하부 연결 전극층(170a)과 동일 물질로 형성될 수 있다. The first protective electrode 543 or the second protective electrode 553 may be formed of the same material as the first auxiliary electrode 161 and the connection electrode 170. The first protective electrode 543 or the second protective electrode 553 may be formed on the lower auxiliary electrode layer 161a of the first auxiliary electrode 161 and the lower connection electrode layer 170a of the connection electrode 170, And the like.

상기 제 1 보호 전극(543) 또는 상기 제 2 보호 전극(553)은 단층으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 보호 전극(543) 또는 제 2 보호 전극(553)은 은(Ag)-합금 또는 ITO의 식각액으로 식각되지 않는 물질로 형성될 수 있다.The first protective electrode 543 or the second protective electrode 553 may be formed as a single layer. That is, the first protective electrode 543 or the second protective electrode 553 may be formed of a material that is not etched with an etchant of silver (Ag) -or alloy or ITO.

상기 패드부는 구동부와 연결되기 위해 외부로 노출될 수 있다. 즉, 상기 패드 전극 또는 보호 전극은 외부로 노출될 수 있다. 예를 들면, 패드 전극 또는 보호 전극이 구리(Cu) 또는 은(Ag)-합금 등 수분 및 산소로 인해 부식될 수 있는 물질로 형성되고, 외부로 노출되는 경우, 신호 전달에 불량이 발생할 수 있었다. The pad unit may be exposed to the outside to be connected to the driving unit. That is, the pad electrode or the protective electrode may be exposed to the outside. For example, when the pad electrode or the protective electrode is formed of a material which can be corroded by moisture and oxygen such as copper (Cu) or silver (Ag) -alloy and is exposed to the outside, .

따라서, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는, 패드 전극 상에 부식되지 않는 물질로 보호 전극이 형성된다. 예를 들면, 상기 보호 전극은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다. 이로 인해, 패드 전극이 외부로 노출되지 않도록 형성되어, 패드 전극이 산소 및 수분과 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 패드 전극의 부식을 방지하고, 신호 전달 불량을 방지하는 효과가 있다.Accordingly, in the organic light emitting display device according to the present invention, the protective electrode is formed of a material that is not corroded on the pad electrode. For example, the protective electrode may be formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof. Thus, the pad electrode is formed so as not to be exposed to the outside, thereby preventing the pad electrode from coming into contact with oxygen and moisture. In addition, corrosion of the pad electrode is prevented, and signal transfer failure is prevented.

상기 제 1 전극(130) 및 상기 보조 전극(160) 상에 뱅크 패턴(139) 및 격벽층(132,133)이 형성될 수 있다. 상기 뱅크 패턴(139) 및 격벽층(132,133) 상에 유기발광층(135) 및 제 1 더미층(134)이 형성될 수 있다. 상기 유기발광층(135) 및 제 1 더미층(134) 상에 제 2 전극(136) 및 제 2 더미층(137)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 전극(136) 및 제 2 더미층(137) 상에 도전층(180)이 형성될 수 있다.A bank pattern 139 and barrier rib layers 132 and 133 may be formed on the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160. The organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134 may be formed on the bank pattern 139 and the barrier rib layers 132 and 133. [ A second electrode 136 and a second dummy layer 137 may be formed on the organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134. In addition, the conductive layer 180 may be formed on the second electrode 136 and the second dummy layer 137.

상기 도전층(180)은 상기 제 2 전극(136) 및 상기 보조 전극(160)과 접하도록 형성된다. 상기 보조 전극(160)이 저항이 작은 물질을 포함하는 제 1 보조 전극(161) 및 상기 제 1 보조 전극(161)을 보호하는 제 2 보조 전극(162)을 포함하므로, 대면적에서도 휘도의 균일도를 확보할 수 있다.The conductive layer 180 is formed in contact with the second electrode 136 and the auxiliary electrode 160. Since the auxiliary electrode 160 includes the first auxiliary electrode 161 including a material having a small resistance and the second auxiliary electrode 162 for protecting the first auxiliary electrode 161, .

다만, 도면에 한정되지 않으며, 상기 도전층(180)이 캐소드 전극의 역할을 하고, 상기 제 2 전극(136)이 생략될 수 있다. 즉, 캐소드 전극이 투명도전물질로 형성되며, 상기 보조 전극(160)과 직접 접하도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 캐소드 전극은 IZO일 수 있다. 따라서, 일 실시예에서는 도면과 같이, 제 2 전극(136)과 보조 전극(160)이 이격하여 형성되어, 도전층(180)으로 연결될 수 있다. 또한, 다른 실시예에서는 제 2 전극(180)이 보조 전극(160)과 직접 접하도록 형성될 수 있다.However, the present invention is not limited to the drawings, and the conductive layer 180 serves as a cathode electrode, and the second electrode 136 may be omitted. That is, the cathode electrode may be formed of a transparent conductive material, and may be formed to directly contact the auxiliary electrode 160. At this time, the cathode electrode may be IZO. Accordingly, in one embodiment, the second electrode 136 and the auxiliary electrode 160 may be spaced apart from each other and connected to the conductive layer 180, as shown in the drawing. Also, in another embodiment, the second electrode 180 may be formed to directly contact the auxiliary electrode 160.

이어서, 도 7a 내지 도 7e를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조 방법을 도시한 도면이다.7A to 7E, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention will be described. 7A to 7E are views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention.

도 7a 내지 7e를 참조하면, 표시 영역(AA)과 비표시 영역(IA)으로 구분되는 기판(100)의 표시 영역(AA) 상에 반도체층(111)을 형성한다. 상기 반도체층(111)은 반도체 물질층을 형성하고, 상기 반도체 물질층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 반도체 물질층을 식각하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거(strip)하는 포토레지스트 공정으로 형성될 수 있다.7A to 7E, a semiconductor layer 111 is formed on a display area AA of a substrate 100 divided into a display area AA and a non-display area IA. The semiconductor layer 111 may be formed by forming a semiconductor material layer, forming a photoresist pattern on the semiconductor material layer, etching the semiconductor material layer using the photoresist pattern as a mask, stripping the photoresist layer.

상기 반도체층(111)을 포함하는 기판(100) 전면에 게이트 절연막(120)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(120) 상에 게이트 라인, 상기 게이트 라인으로부터 분기된 게이트 전극(313), 패드전극(641)을 형성한다. A gate insulating layer 120 is formed on the entire surface of the substrate 100 including the semiconductor layer 111. A gate line, a gate electrode 313 branched from the gate line, and a pad electrode 641 are formed on the gate insulating layer 120.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(313) 및 패드전극(641)은 상기 게이트 절연막(120) 상에 전극 물질층을 형성하고, 상기 전극 물질층 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 전극 물질층을 식각하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 포토레지스트 공정으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 게이트 라인, 게이트 전극(313) 및 패드전극(641)은 동일 공정으로 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 게이트 라인, 게이트 전극(313) 및 패드전극(641)은 동일층에서 동일 물질로 형성될 수 있다. The gate line, the gate electrode 313 and the pad electrode 641 are formed by forming an electrode material layer on the gate insulating layer 120, forming a photoresist pattern on the electrode material layer, A photoresist process for etching the electrode material layer and removing the photoresist pattern. That is, the gate line, the gate electrode 313, and the pad electrode 641 may be formed by the same process. Accordingly, the gate line, the gate electrode 313, and the pad electrode 641 may be formed of the same material in the same layer.

또한, 상기 게이트 라인, 게이트 전극(313) 및 패드전극(641)은 2중층으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 게이트 절연막(120) 상에 제 1 전극 물질이 형성되고, 상기 제 1 전극물질 상에 제 2 전극 물질이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제 1 전극 물질과 제 2 전극 물질은 포토리소그래피 공정을 통해 식각되어 상기 게이트 라인, 게이트 전극(313) 및 패드전극(641)이 될 수 있다.The gate line, the gate electrode 313, and the pad electrode 641 may be formed of a double layer. That is, a first electrode material may be formed on the gate insulating layer 120, and a second electrode material may be formed on the first electrode material. The first electrode material and the second electrode material may be etched through a photolithography process to form the gate line, the gate electrode 313, and the pad electrode 641.

이를 통해, 도 7a에 나타낸 바와 같이, 상기 게이트 전극(313)은 제 1 게이트 전극(313a) 및 상기 제 1 게이트 전극(313a) 상에 배치되는 제 2 게이트 전극(313b)으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 패드전극(641)은 상기 제 1 패드전극(641a) 및 제 1 패드전극(641a) 상에 배치되는 제 2 패드전극(641b)으로 이루어질 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 7A, the gate electrode 313 may include a first gate electrode 313a and a second gate electrode 313b disposed on the first gate electrode 313a. The pad electrode 641 may include a first pad electrode 641a and a second pad electrode 641b disposed on the first pad electrode 641a.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(313) 및 패드전극(641)이 배치된 기판(100) 전면에 층간 절연막(121)을 형성한다. 그리고, 상기 층간 절연막(121) 상에 다수의 콘택홀을 형성한다. 자세하게는, 상기 층간 절연막(121) 및 상기 게이트 절연막(120)을 관통하여 상기 반도체층(111)을 노출하는 콘택홀을 형성한다. 또한, 상기 층간 절연막(121)을 관통하여 패드전극(641)을 노출하는 다수의 콘택홀을 형성한다. 여기서, 상기 콘택홀을 통해 상기 제 2 패드전극(641)의 상면의 일부가 노출될 수 있다An interlayer insulating film 121 is formed on the entire surface of the substrate 100 on which the gate line, the gate electrode 313 and the pad electrode 641 are disposed. A plurality of contact holes are formed on the interlayer insulating film 121. In detail, a contact hole is formed through the interlayer insulating layer 121 and the gate insulating layer 120 to expose the semiconductor layer 111. Further, a plurality of contact holes exposing the pad electrode 641 through the interlayer insulating film 121 are formed. Here, a part of the upper surface of the second pad electrode 641 may be exposed through the contact hole

상기 층간 절연막(121) 상에 제 1 금속층 물질(415a)을 형성한다. 예를 들면, 상기 상부 보조 전극층(161b)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 제 1 금속층 물질(415a)은 몰리티타늄(MoTi)일 수 있다.A first metal layer material 415a is formed on the interlayer insulating layer 121. [ For example, the upper auxiliary electrode layer 161b may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum ), And a combination thereof. Preferably, the first metal layer material 415a may be moly titanium (MoTi).

상기 제 1 금속층 물질(415a) 상에는 제 2 금속층 물질(415b)을 형성한다. 예를 들면, 상기 상부 보조 전극층(161b)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰디브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 상부 보조 전극층(161b)은 구리(Cu)로 형성될 수 있다. A second metal layer material 415b is formed on the first metal layer material 415a. For example, the upper auxiliary electrode layer 161b may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum Ti), and a combination thereof. Preferably, the upper auxiliary electrode layer 161b may be formed of copper (Cu).

이때, 상기 제 1 금속층 물질(415a) 및 제 2 금속층 물질(415b)은 기판(100) 전면에 형성된다. 상기 제 2 금속층 물질(415b) 상에는 포토레지스트(10)가 형성된다. 상기 포토레지스트(10)는 기판(100) 전면에 형성될 수 있다. 상기 포토레지스트(10)는 네거티브 포토레지스트일 수 있다.At this time, the first metal layer material 415a and the second metal layer material 415b are formed on the entire surface of the substrate 100. A photoresist 10 is formed on the second metal layer material 415b. The photoresist 10 may be formed on the entire surface of the substrate 100. The photoresist 10 may be a negative photoresist.

그리고, 상기 기판(100)과 대향하여 마스크(300)를 배치한다. 이때, 상기 마스크(300)는 차단부(301), 반투과부(302) 및 투과부(303)로 이루어지는 하프톤 마스크일 수 있다,Then, the mask 300 is disposed opposite to the substrate 100. At this time, the mask 300 may be a halftone mask including the blocking portion 301, the transflective portion 302, and the transmissive portion 303.

상기 마스크(300)의 투과부(303)는 상기 기판(100)의 표시 영역(AA)에서 추후 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되는 영역과 대응하여 배치될 수 있다. 상기 마스크(300)의 반투과부(302)는 상기 기판(100)의 비표시 영역(IA)에서 추후 보호 전극이 형성되는 영역과 대응하여 배치될 수 있다. 상기 마스크(300)의 차단부(301)는 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 보호 전극의 미 형성 영역과 대응하여 배치될 수 있다.The transmissive portion 303 of the mask 300 may be disposed corresponding to a region where the source electrode and the drain electrode are formed later in the display region AA of the substrate 100. [ The transflective portion 302 of the mask 300 may be disposed corresponding to a region where the protective electrode is formed later in the non-display area IA of the substrate 100. [ The blocking portion 301 of the mask 300 may be disposed corresponding to a non-forming region of the source electrode, the drain electrode, and the protective electrode.

상기 마스크(300)를 통해 상기 포토레지스트(100)로 광을 조사한다. 여기서, 상기 마스크(300)의 반투과부(302)와 대향하는 포토레지스트(200)는 조사되는 광에 의해 반경화된다. 또한, 상기 마스크(300)의 투과부(303)와 대향하는 포토레지스트(200)는 조사되는 광에 의해 경화된다.The photoresist 100 is irradiated with light through the mask 300. Here, the photoresist 200 facing the transflective portion 302 of the mask 300 is semi-cured by the light to be irradiated. Further, the photoresist 200 facing the transmissive portion 303 of the mask 300 is cured by the irradiated light.

이어서, 도 7b를 참조하면, 상기 마스크(300)의 차단부(301)에 대응하여 배치되는 포토레지스트는 제거된다. 이를 통해, 상기 마스크(300)의 투과부(303) 및 반투과부(302)에 대응하여 배치되는 포토레지스트는 각각 제 1 포토레지스트 패턴(10a) 및 제 2 포토레지스트 패턴(10b)으로 남게된다.Next, referring to FIG. 7B, the photoresist disposed corresponding to the blocking portion 301 of the mask 300 is removed. As a result, the photoresist disposed corresponding to the transmissive portion 303 and the transflective portion 302 of the mask 300 remains as the first photoresist pattern 10a and the second photoresist pattern 10b, respectively.

자세하게는, 추후 상기 기판(100) 상에 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되는 영역에는 제 1 포토레지스트 패턴(10a)이 남게되고, 추후 상기 기판(100) 상에 보호 전극이 형성되는 영역에는 제 2 포토레지스트 패턴(10b)이 남게된다. 즉, 표시 영역(AA)에는 제 1 포토레지스트 패턴(10a)만 남게되고, 상기 비표시 영역(IA)에는 제 2 포토레지스트 패턴(10b)만 남게된다. 여기서, 상기 제 1 포토레지스트 패턴(10a)의 높이는 상기 제 2 포토레지스트 패턴(10b)의 높이보다 높게 형성된다. In detail, a first photoresist pattern 10a is left in a region where a source electrode and a drain electrode are formed on the substrate 100, and a second photoresist pattern 10b is formed in a region where a protective electrode is formed later on the substrate 100 The photoresist pattern 10b remains. That is, only the first photoresist pattern 10a remains in the display area AA, and only the second photoresist pattern 10b remains in the non-display area IA. Here, the height of the first photoresist pattern 10a is higher than the height of the second photoresist pattern 10b.

상기 제 1 포토레지스트 패턴(10a) 및 제 2 포토레지스트 패턴(10b)을 마스크로 하여, 상기 제 1 금속층 물질(415a)과 제 2 금속층 물질(415b)을 식각한다. 이를 통해, 상기 제 1 금속층 물질(415a) 및 제 2 금속층 물질(415b)은 상기 제 1 포토레지스트 패턴(10a) 및 제 2 포토레지스트 패턴(10b) 하부에만 남게 된다.The first metal layer material 415a and the second metal layer material 415b are etched using the first photoresist pattern 10a and the second photoresist pattern 10b as a mask. Accordingly, the first metal layer material 415a and the second metal layer material 415b remain only under the first photoresist pattern 10a and the second photoresist pattern 10b.

이어서, 도 7c를 참조하면, 상기 비표시 영역(IA)에 배치된 제 2 포토레지스트 패턴(10b)을 식각한다. 이때, 상기 표시 영역(AA)에 배치된 제 1 포토레지스트 패턴(10a)의 일부도 식각된다. 따라서, 추후 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되는 영역 상에는 상기 제 1 포토레지스트 패턴(10a)보다 높이가 낮은 제 3 포토레지스트 패턴(10c)이 남게된다. Next, referring to FIG. 7C, the second photoresist pattern 10b disposed in the non-display area IA is etched. At this time, part of the first photoresist pattern 10a disposed in the display area AA is also etched. Therefore, a third photoresist pattern 10c having a height lower than that of the first photoresist pattern 10a remains on a region where the source electrode and the drain electrode are formed later.

상기 제 2 포토레지스트 패턴(10b)이 제거된 영역에서는 패터닝된 제 2 금속층 물질(841d)이 노출된다. 상기 제 2 금속층 물질(841d) 하부에는 패터닝된 제 1 금속층 물질(841c)이 배치된다. 또한, 추후 소스 전극이 형성되는 영역에 배치된 상기 제 3 포토레지스트 패턴(10c) 하부에 남아있는 제 1 금속층 물질(315c) 및 제 2 금속층 물질(315c)은 각각 소스 전극의 제 1 금속층 및 제 2 금속층과 동일할 수 있다. 추후 드레인 전극이 형성되는 영역에 배치된 상기 제 3 포토레지스트 패턴(10c) 하부에 남아있는 제 1 금속층 물질(316c) 및 제 2 금속층 물질(316d)은 각각 드레인 전극의 제 1 금속층 및 제 2 금속층과 동일할 수 있다.In the region where the second photoresist pattern 10b is removed, the patterned second metal layer material 841d is exposed. A patterned first metal layer material 841c is disposed under the second metal layer material 841d. The first metal layer material 315c and the second metal layer material 315c remaining in the lower portion of the third photoresist pattern 10c disposed in the region where the source electrode is to be formed are the first metal layer and the second metal layer material 315c of the source electrode, 2 < / RTI > metal layer. The first metal layer material 316c and the second metal layer material 316d remaining in the lower portion of the third photoresist pattern 10c disposed in the region where the drain electrode is formed later are formed of the first metal layer and the second metal layer 316d of the drain electrode, . ≪ / RTI >

이 후, 상기 비표시 영역(IA)에 배치된 제 2 금속층 물질(841d)을 식각한다. 상기 제 2 금속층 물질(841d)을 식각하는 공정에서 상기 제 2 금속층 물질(841d) 하부에 배치되는 제 1 금속층 물질(841c)은 식각되지 않고 남아있게 된다. 여기서, 상기 제 1 금속층 물질(841c)은 보호 전극과 동일할 수 있다. 이 후, 상기 표시 영역(AA) 상에 남아있는 제 3 포토레지스트 패턴(10c)을 제거한다. Thereafter, the second metal layer material 841d disposed in the non-display area IA is etched. In the process of etching the second metal layer material 841d, the first metal layer material 841c disposed under the second metal layer material 841d remains unetched. Here, the first metal layer material 841c may be the same as the protective electrode. Thereafter, the third photoresist pattern 10c remaining on the display area AA is removed.

이어서 도 7d를 참조하면, 상기 제 3 포토 레지스트 패턴(10c) 하부에 배치된 제 1 금속층 물질(315c,316c) 및 제 2 금속층 물질(315d,316d)은 각각 소스 전극(315)과 드레인 전극(315)의 제 1 금속층(315a,316a) 및 제 2 금속층(315b,316b)이 된다. 즉, 상기 소스 전극(315)은 제 1 금속층(315a) 및 상기 제 1 금속층(315a) 상에 배치된 제 2 금속층(315b)으로 이루어지고, 상기 드레인 전극(316)은 상기 제 1 금속층(316a) 및 상기 제 1 금속층(316a) 상에 배치되는 제 2 금속층(316b)으로 이루어진다.Referring to FIG. 7D, the first metal layer materials 315c and 316c and the second metal layer materials 315d and 316d disposed under the third photoresist pattern 10c are respectively connected to the source electrode 315 and the drain electrode The first metal layers 315a and 316a and the second metal layers 315b and 316b. That is, the source electrode 315 includes a first metal layer 315a and a second metal layer 315b disposed on the first metal layer 315a, and the drain electrode 316 includes the first metal layer 316a And a second metal layer 316b disposed on the first metal layer 316a.

또한, 상기 비표시 영역(IA)에 배치되는 제 1 금속층 물질은 보호 전극(741)이 된다. 즉, 상기 보호 전극(741)은 상기 패드전극(641)과 중첩도록 형성된다.In addition, the first metal layer material disposed in the non-display area IA becomes a protective electrode 741. [ That is, the protective electrode 741 overlaps with the pad electrode 641.

상기 소스 전극(315), 드레인 전극(316) 및 보호 전극(741)을 포함하는 기판(100) 상에 보호층 물질(122a)을 형성한다. 상기 보호층 물질(122a)은 상기 기판(100) 전면에 형성될 수 있다.A protective layer material 122a is formed on the substrate 100 including the source electrode 315, the drain electrode 316 and the protective electrode 741. [ The protective layer material 122a may be formed on the entire surface of the substrate 100.

이 때, 상기 비표시 영역(IA) 전면에 형성된 보호층 물질(122a)은 제거될 수 있다. 상기 보호층 물질(122a)은 레이저(laser)를 통해 제거될 수 있다. 자세하게는, 상기 레이저는 240 nm 내지 250 nm의 파장을 가지는 레이저를 통해 제거될 수 있다. 상기 레이저의 파장이 240 nm 미만이거나 250 nm를 초과할 경우, 상기 보호층 물질(122a)이 제거되지 않을 수 있다.At this time, the protective layer material 122a formed on the entire surface of the non-display area IA may be removed. The protective layer material 122a may be removed through a laser. In detail, the laser can be removed through a laser having a wavelength of 240 nm to 250 nm. If the wavelength of the laser is less than 240 nm or more than 250 nm, the protective layer material 122a may not be removed.

이어서, 도 7e를 참조하면, 상기 비표시 영역(IA) 상에 형성된 보호층 물질이 제거됨으로써, 상기 비표시 영역(IA)에는 패드전극(641) 및 상기 패드전극(641)과 중첩하여 배치되는 보호 전극(741)이 형성될 수 있다. 본 발명의 유기전계발광 표시장치의 제조 방법을 통해, 간단한 공정으로 패드 전극(641)을 보호할 수 있는 보호 전극(741)을 형성할 수 있다.7E, the protective layer material formed on the non-display area IA is removed so that the non-display area IA is overlapped with the pad electrode 641 and the pad electrode 641 A protective electrode 741 may be formed. The protective electrode 741 for protecting the pad electrode 641 can be formed by a simple process through the manufacturing method of the organic electroluminescence display device of the present invention.

이어서, 도 8a 내지 도 8e를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조 방법을 도시한 도면이다. Next, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8A to 8E. FIG. 8A to 8E illustrate a method of manufacturing an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조 방법은 앞서 설명한 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치와 동일 유사한 구성을 포함할 수 있다. 앞서 설명한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.The manufacturing method of the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention may include the same structure as the organic light emitting display according to the above-described embodiments. The description overlapping with the embodiment described above may be omitted. The same reference numerals are assigned to the same components.

도 8a를 참조하면, 표시 영역(AA)과 비표시 영역(IA)으로 구분되는 기판(100) 상에 박막 트랜지스터(Tr), 제 1 패드 전극(541,542) 및 제 2 패드 전극(551,552)를 형성한다. 상기 제 1 패드 전극(541,542)은 제 1 하부 패드 전극(541) 및 제 1 상부 패드 전극(542)을 포함하고, 상기 제 2 패드 전극(551,552)는 제 2 하부 패드 전극(551) 및 제 2 상부 패드 전극(552)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 8A, a thin film transistor Tr, first pad electrodes 541 and 542, and second pad electrodes 551 and 552 are formed on a substrate 100 divided into a display area AA and a non-display area IA. do. The first pad electrodes 541 and 542 include a first lower pad electrode 541 and a first upper pad electrode 542. The second pad electrodes 551 and 552 include a second lower pad electrode 551, And an upper pad electrode 552.

자세하게는, 상기 기판(100) 상에 반도체층(111)을 형성한다. 상기 반도체층(111)은 반도체 물질층을 형성하고, 상기 반도체 물질층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 반도체 물질층을 식각하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거(strip)하는 포토레지스트 공정으로 형성될 수 있다. 상기 반도체층(111)은 상기 표시 영역(AA)에 형성될 수 있다. 상기 반도체층(111) 상에 게이트 절연막(120)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 반도체층(111)이 형성된 기판(100) 전면에 형성될 수 있다.In detail, a semiconductor layer 111 is formed on the substrate 100. The semiconductor layer 111 may be formed by forming a semiconductor material layer, forming a photoresist pattern on the semiconductor material layer, etching the semiconductor material layer using the photoresist pattern as a mask, stripping the photoresist layer. The semiconductor layer 111 may be formed in the display area AA. A gate insulating layer 120 is formed on the semiconductor layer 111. The gate insulating layer 120 may be formed on the entire surface of the substrate 100 on which the semiconductor layer 111 is formed.

상기 게이트 절연막(120) 상에 게이트 라인, 상기 게이트 라인으로부터 분기된 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(541) 및 제 2 하부 패드 전극(551)을 형성한다. 상기 게이트 라인, 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(541) 및 제 2 하부 패드 전극(551)은 상기 게이트 절연막(120) 상에 전극 물질층을 형성하고, 상기 전극 물질층 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 전극 물질층을 식각하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 포토레지스트 공정으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 게이트 라인, 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(541) 및 제 2 하부 패드 전극(551)은 동일 공정으로 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 게이트 라인, 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(541) 및 제 2 하부 패드 전극(551)은 동일층에서 동일 물질로 형성될 수 있다. A gate line, a gate electrode 113 branched from the gate line, a first lower pad electrode 541, and a second lower pad electrode 551 are formed on the gate insulating layer 120. The gate line, the gate electrode 113, the first lower pad electrode 541 and the second lower pad electrode 551 form an electrode material layer on the gate insulating layer 120, Forming a resist pattern, etching the electrode material layer using the photoresist pattern as a mask, and removing the photoresist pattern. That is, the gate line, the gate electrode 113, the first lower pad electrode 541, and the second lower pad electrode 551 may be formed by the same process. Accordingly, the gate line, the gate electrode 113, the first lower pad electrode 541, and the second lower pad electrode 551 may be formed of the same material in the same layer.

상기 게이트 전극(113)은 상기 반도체층(111)과 중첩되는 영역에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 하부 패드 전극(541)은 상기 게이트 라인과 일체로 형성될 수 있다. The gate electrode 113 may be formed in a region overlapping the semiconductor layer 111. In addition, the first lower pad electrode 541 may be formed integrally with the gate line.

상기 게이트 라인, 게이트 전극(113), 제 1 하부 패드 전극(541) 및 제 2 하부 패드 전극(551) 상에 층간 절연막(121)을 형성한다. 상기 층간 절연막(121)은 상기 기판(100) 전면에 형성될 수 있다. An interlayer insulating layer 121 is formed on the gate line, the gate electrode 113, the first lower pad electrode 541, and the second lower pad electrode 551. The interlayer insulating layer 121 may be formed on the entire surface of the substrate 100.

상기 층간 절연막(121) 상에 다수의 콘택홀을 형성한다. 자세하게는, 상기 층간 절연막(121) 및 상기 게이트 절연막(120)을 관통하여 상기 반도체층(111)을 노출하는 콘택홀을 형성한다. 또한, 상기 층간 절연막(121)을 관통하여 각각 상기 제 1 하부 패드 전극(541) 및 상기 제 2 하부 패드 전극(551)을 노출하는 다수의 콘택홀을 형성한다.A plurality of contact holes are formed on the interlayer insulating film 121. In detail, a contact hole is formed through the interlayer insulating layer 121 and the gate insulating layer 120 to expose the semiconductor layer 111. A plurality of contact holes are formed through the interlayer insulating layer 121 to expose the first lower pad electrode 541 and the second lower pad electrode 551, respectively.

상기 층간 절연막(121) 상에 데이터 라인, 상기 데이터 라인으로부터 분기된 소스 전극(215), 드레인 전극(216), 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 2 상부 패드 전극(552)을 형성한다. 상기 데이터 라인, 상기 데이터 라인으로부터 분기된 소스 전극(215), 드레인 전극(216), 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 2 상부 패드 전극(552)은 상기 층간 절연막(121) 상에 전극 물질층을 형성하고, 상기 전극 물질층 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 전극 물질층을 식각하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 포토레지스트 공정으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 데이터 라인, 상기 데이터 라인으로부터 분기된 소스 전극(215), 드레인 전극(216), 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 2 상부 패드 전극(552)은 동일 공정으로 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 데이터 라인, 상기 데이터 라인으로부터 분기된 소스 전극(215), 드레인 전극(216), 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 2 상부 패드 전극(552)은 동일층에서 동일 물질로 형성될 수 있다. A data line, a source electrode 215, a drain electrode 216, a first upper pad electrode 542, and a second upper pad electrode 552 branched from the data line are formed on the interlayer insulating layer 121. The source electrode 215, the drain electrode 216, the first upper pad electrode 542 and the second upper pad electrode 552 branched from the data line and the data line are formed on the interlayer insulating layer 121, Forming a photoresist pattern on the electrode material layer, etching the electrode material layer using the photoresist pattern as a mask, and removing the photoresist pattern. That is, the source electrode 215, the drain electrode 216, the first upper pad electrode 542, and the second upper pad electrode 552 branched from the data line and the data line may be formed in the same process. The source electrode 215, the drain electrode 216, the first upper pad electrode 542 and the second upper pad electrode 552 branched from the data line and the data line are formed of the same material in the same layer .

상기 소스 전극(215) 및 상기 드레인 전극(216)은 서로 이격하여 형성된다. 또한, 상기 소스 전극(215) 및 상기 드레인 전극(216)은 각각 상기 노출된 반도체층(111) 상에 형성될 수 있다. 즉, 상기 소스 전극(215) 및 상기 드레인 전극(216)은 상기 층간 절연막(121)상에 형성되며, 상기 층간 절연막(121) 및 상기 게이트 절연막(120)에 형성된 콘택홀을 통해 각각 상기 반도체층(111)과 연결될 수 있다. The source electrode 215 and the drain electrode 216 are spaced apart from each other. The source electrode 215 and the drain electrode 216 may be formed on the exposed semiconductor layer 111, respectively. That is, the source electrode 215 and the drain electrode 216 are formed on the interlayer insulating layer 121 and are electrically connected to each other through the contact holes formed in the interlayer insulating layer 121 and the gate insulating layer 120, (Not shown).

상기 제 1 상부 패드 전극(542)은 상기 노출된 제 1 하부 패드 전극(541) 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 상부 패드 전극(552)은 상기 노출된 제 2 하부 패드 전극(551) 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 상부 패드 전극(552)은 상기 데이터 라인과 일체로 형성될 수 있다.The first upper pad electrode 542 may be formed on the exposed first lower pad electrode 541. The second upper pad electrode 552 may be formed on the exposed second lower pad electrode 551. In addition, the second upper pad electrode 552 may be formed integrally with the data line.

이로 인해, 상기 반도체층(111), 게이트 전극(113), 소스 전극(215) 및 드레인 전극(216)을 포함하는 박막 트랜지스터(Tr), 제 1 패드 전극(241,242) 및 제 2 패드 전극(251,252)을 형성할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(Tr)는 표시 영역에 형성되고, 상기 제 1 패드 전극(241,242) 및 제 2 패드 전극(251,252)은 비표시 영역에 형성될 수 있다.The thin film transistor Tr including the semiconductor layer 111, the gate electrode 113, the source electrode 215 and the drain electrode 216, the first pad electrodes 241 and 242 and the second pad electrodes 251 and 252 ) Can be formed. The thin film transistor Tr may be formed in a display region, and the first pad electrodes 241 and 242 and the second pad electrodes 251 and 252 may be formed in a non-display region.

도면 상에는 패드 전극이 하부 패드 전극(241,251) 및 상부 패드 전극(242,252)을 포함하는 구성을 도시하였으나, 상기 박막 트랜지스터(Tr) 및 패드 전극을 형성하는 공정은 이에 한정되지 않는다. Although the pad electrode includes the lower pad electrodes 241 and 251 and the upper pad electrodes 242 and 252 in the drawing, the process of forming the thin film transistor Tr and the pad electrode is not limited thereto.

예를 들면, 도 4와 같이, 제 1 패드 전극은 게이트 라인 및 게이트 전극과 함께 형성되고, 제 2 패드 전극은 데이터 라인, 소스 전극 및 드레인 전극과 함께 형성되는 구성으로 형성될 수 있다. For example, as shown in FIG. 4, the first pad electrode may be formed with the gate line and the gate electrode, and the second pad electrode may be formed with the data line, the source electrode, and the drain electrode.

즉, 상기 기판 상에 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 상에 게이트 절연막을 형성한다. 또한, 상기 게이트 절연막 상에 게이트 라인, 게이트 전극 및 제 1 패드 전극을 형성할 수 있다. 이후, 상기 게이트 라인, 게이트 전극 및 제 1 패드 전극 상에 층간 절연막을 형성하고, 상기 반도체층을 노출하는 콘택홀을 형성할 수 있다. 또한, 상기 층간 절연막 상에 데이터 라인, 소스 전극, 드레인 전극 및 제 2 패드 전극을 형성할 수 있다.That is, a semiconductor layer is formed on the substrate, and a gate insulating film is formed on the semiconductor layer. A gate line, a gate electrode, and a first pad electrode may be formed on the gate insulating layer. Thereafter, an interlayer insulating film is formed on the gate line, the gate electrode, and the first pad electrode, and a contact hole exposing the semiconductor layer can be formed. Further, a data line, a source electrode, a drain electrode, and a second pad electrode may be formed on the interlayer insulating film.

이때, 상기 게이트 라인 및 상기 제 1 패드 전극은 일체로 형성될 수 있다. 상기 데이터 라인 및 상게 제 2 패드 전극은 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 노출된 반도체층 상에 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성될 수 있다.At this time, the gate line and the first pad electrode may be integrally formed. The data line and the second pad electrode may be integrally formed. The source electrode and the drain electrode may be formed on the exposed semiconductor layer.

상기 박막 트랜지스터(Tr), 제 1 패드 전극(241,242) 및 제 2 패드 전극(251,252) 상에 보호막(122)을 형성한다. 즉, 상기 데이터 라인, 소스 전극(215), 드레인 전극(216), 제 1 상부 패드 전극(542) 및 제 2 상부 패드 전극(552)은 상에 보호막(122)을 형성한다. 상기 보호막(122)은 상기 기판(100) 전면에 형성될 수 있다. A protective layer 122 is formed on the thin film transistor Tr, the first pad electrodes 241 and 242, and the second pad electrodes 251 and 252. That is, the passivation layer 122 is formed on the data line, the source electrode 215, the drain electrode 216, the first upper pad electrode 542, and the second upper pad electrode 552. The protective layer 122 may be formed on the entire surface of the substrate 100.

상기 보호막(122) 상에 평탄화막(123)을 형성한다. 상기 평탄화막(123)은 상기 박막 트랜지스터(Tr) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 평탄화막(123)은 상기 제 1 상부 패드 전극(542) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(552) 상에는 형성되지 않을 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(100) 전면에 평탄화막(123)을 형성하고, 상기 제 1 패드 전극(241,242) 및 제 2 패드 전극(251,252) 상에 형성된 평탄화막(123)은 제거할 수 있다. A planarization layer 123 is formed on the protective layer 122. The planarization layer 123 may be disposed on the thin film transistor Tr. In addition, the planarization layer 123 may not be formed on the first upper pad electrode 542 and the second upper pad electrode 552. For example, the planarization layer 123 may be formed on the entire surface of the substrate 100, and the planarization layer 123 formed on the first and second pad electrodes 241 and 242 and the second pad electrodes 251 and 252 may be removed.

이후, 상기 평탄화막(123) 및 상기 보호막(122) 상에 콘택홀을 형성한다. 자세하게는, 상기 보호막(122) 및 상기 평탄화막(123)을 관통하여 상기 드레인 전극(116)을 노출하는 콘택홀을 형성한다. 또한, 상기 보호막(122)을 관통하여 각각 상기 제 1 상부 패드 전극(242) 및 상기 제 2 상부 패드 전극(252)을 노출하는 다수의 콘택홀을 형성한다. Then, a contact hole is formed on the planarization layer 123 and the protection layer 122. Specifically, a contact hole is formed through the passivation layer 122 and the planarization layer 123 to expose the drain electrode 116. A plurality of contact holes exposing the first upper pad electrode 242 and the second upper pad electrode 252 through the passivation layer 122 are formed.

도 8b를 참조하면, 상기 평탄화막(123) 및 상기 보호막(122) 상에 하부 전극 물질층(71) 및 상부 전극 물질층(72)을 순차적으로 적층하여 형성한다. 상기 하부 전극 물질층(71) 및 상기 상부 전극 물질층(72)은 상기 평탄화막(123) 및 상기 보호막(122)이 형성된 기판(100) 전면에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 8B, a lower electrode material layer 71 and an upper electrode material layer 72 are sequentially stacked on the planarization layer 123 and the protection layer 122. The lower electrode material layer 71 and the upper electrode material layer 72 may be formed on the entire surface of the substrate 100 on which the planarization layer 123 and the protection layer 122 are formed.

상기 하부 전극 물질층(71)은 외부에 노출되더라도 산소 및 수분에 의해 부식되지 않는 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 하부 전극 물질층(71)은 상기 상부 전극 물질층(72)을 식각할 수 있는 식각액으로 식각되지 않는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 하부 전극 물질층(71)은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다.The lower electrode material layer 71 may be formed of a material that is not corroded by oxygen and moisture even when exposed to the outside. In addition, the lower electrode material layer 71 may be formed of a material that can not be etched with an etchant that can etch the upper electrode material layer 72. For example, the lower electrode material layer 71 may be formed of one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof.

상기 상부 전극 물질층(72) 저항이 작은 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 상부 전극 물질층(72)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 상부 전극 물질층은 구리(Cu)를 포함할 수 있다.The upper electrode material layer 72 may be formed of a metal having a low resistance. For example, the upper electrode material layer 72 may comprise at least one of aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum Ti), and a combination thereof. Preferably, the upper electrode material layer may comprise copper (Cu).

이후, 상기 상부 전극 물질층(72) 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴은 제 1 포토레지스트 패턴(61), 제 2 포토레지스트 패턴(62), 제 3 포토레지스트 패턴(63) 및 제 4 포토레지스트 패턴(64)을 포함할 수 있다. Thereafter, a photoresist pattern is formed on the upper electrode material layer 72. The photoresist pattern may include a first photoresist pattern 61, a second photoresist pattern 62, a third photoresist pattern 63, and a fourth photoresist pattern 64.

상기 제 1 포토레지스트 패턴(61) 및 제 2 포토레지스트 패턴(62)은 표시 영역(AA)에 형성될 수 있다. 자세하게는, 상기 제 1 포토레지스트 패턴(61)은 추후 보조 전극이 형성되는 영역에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 포토레지스트 패턴(62)은 추후 연결 전극이 형성되는 영역에 형성될 수 있다. 상기 제 2 포토레지스트 패턴(62)은 상기 평탄화막(123) 상에서 상기 드레인 전극(216)을 노출하는 콘택홀 상에 배치될 수 있다.The first photoresist pattern 61 and the second photoresist pattern 62 may be formed in the display area AA. In detail, the first photoresist pattern 61 may be formed in a region where auxiliary electrodes are formed later. In addition, the second photoresist pattern 62 may be formed in a region where the connection electrode is formed later. The second photoresist pattern 62 may be disposed on the planarization layer 123 on the contact hole exposing the drain electrode 216.

상기 제 3 포토레지스트 패턴(63) 및 상기 제 4 포토레지스트 패턴(64)은 비표시 영역(IA)에 형성될 수 있다. 상기 제 3 포토레지스트 패턴(63) 및 상기 제 4 포토레지스트 패턴(64)은 추후 보호 전극이 형성되는 영역에 형성될 수 있다. 자세하게는, 상기 제 3 포토레지스트 패턴(63)은 상기 제 1 패드 전극(541,542) 상에 배치되고, 상기 제 4 포토레지스트 패턴(64)은 상기 제 2 패드 전극(551,552) 상에 배치될 수 있다. The third photoresist pattern 63 and the fourth photoresist pattern 64 may be formed in the non-display area IA. The third photoresist pattern 63 and the fourth photoresist pattern 64 may be formed in a region where a protective electrode is formed later. In detail, the third photoresist pattern 63 may be disposed on the first pad electrodes 541 and 542, and the fourth photoresist pattern 64 may be disposed on the second pad electrodes 551 and 552 .

도 8c를 참조하면, 상기 제 1 포토레지스트 패턴(61) 내지 제 4 포토레지스트 패턴(64)을 마스크로 하여 상기 하부 전극 물질층(71) 및 상부 전극 물질층(72)을 식각한다. 이로 인해, 상기 제 1 보조 전극(161), 연결 전극(170), 제 1 보호 전극(543), 상기 제 1 보호 전극(543) 상에 배치된 제 1 더미층(45), 제 2 보호 전극(553) 및 상기 제 2 보호 전극(553) 상에 배치된 제 2 더미층(55)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 8C, the lower electrode material layer 71 and the upper electrode material layer 72 are etched using the first photoresist pattern 61 to the fourth photoresist pattern 64 as masks. Accordingly, the first auxiliary layer 161, the connection electrode 170, the first protective electrode 543, the first dummy layer 45 disposed on the first protective electrode 543, And a second dummy layer 55 disposed on the first protective electrode 553 and the second protective electrode 553.

상기 제 1 보조 전극(161)은 하부 보조 전극층(161a) 및 상부 보조 전극층(161b)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 연결 전극(170)은 하부 연결 전극층(170a) 및 상부 연결 전극층(170b)을 포함할 수 있다. The first auxiliary electrode 161 may include a lower auxiliary electrode layer 161a and an upper auxiliary electrode layer 161b. The connection electrode 170 may include a lower connection electrode layer 170a and an upper connection electrode layer 170b.

상기 제 1 보호 전극(543) 및 상기 제 2 보호 전극(553)은 상기 하부 보조 전극층(161a) 및 상기 하부 연결 전극층(170a)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 보호 전극(543), 제 2 보호 전극(553), 하부 보조 전극층(161a) 및 하부 연결 전극층(170a)은 상기 하부 전극 물질층(71)으로 형성될 수 있다.The first protective electrode 543 and the second protective electrode 553 may be formed of the same material as the lower auxiliary electrode layer 161a and the lower connection electrode layer 170a. That is, the first protective electrode 543, the second protective electrode 553, the lower auxiliary electrode layer 161a, and the lower connection electrode layer 170a may be formed of the lower electrode material layer 71.

상기 제 1 더미층(45) 및 상기 제 2 더미층(55)은 상기 상부 보조 전극층(161b) 및 상기 상부 연결 전극층(170b)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 더미층(45), 제 2 더미층(55), 상부 보조 전극층(161b) 및 상기 상부 연결 전극층(170b)은 상기 상부 전극 물질층(72)으로 형성될 수 있다.The first dummy layer 45 and the second dummy layer 55 may be formed of the same material as the upper auxiliary electrode layer 161b and the upper connecting electrode layer 170b. That is, the first dummy layer 45, the second dummy layer 55, the upper auxiliary electrode layer 161b, and the upper connection electrode layer 170b may be formed of the upper electrode material layer 72.

상기 제 1 보조 전극(161), 연결 전극(170), 제 1 보호 전극(543), 제 1 더미층(45), 제 2 보호 전극(553) 및 제 2 더미층(55) 상에 제 1 전극 물질층(73), 제 2 전극 물질층(74) 및 제 3 전극 물질층(75)을 순차적으로 적층하여 형성한다. 상기 제 1 전극 물질층(73) 내지 상기 제 3 전극 물질층(75)은 상기 기판(100) 전면에 형성될 수 있다. The first dummy layer 45 and the second dummy layer 55 are formed on the first auxiliary electrode 161, the connecting electrode 170, the first protective electrode 543, the first dummy layer 45, the second protective electrode 553, An electrode material layer 73, a second electrode material layer 74, and a third electrode material layer 75 are sequentially formed. The first electrode material layer 73 to the third electrode material layer 75 may be formed on the entire surface of the substrate 100.

상기 제 1 전극 물질층(73) 및 상기 제 3 전극 물질층(75)은 투명 전도물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전극 물질층(73) 및 상기 제 3 전극 물질층(75)은 ITO로 형성될 수 있다.The first electrode material layer 73 and the third electrode material layer 75 may be formed of a transparent conductive material. For example, the first electrode material layer 73 and the third electrode material layer 75 may be formed of ITO.

상기 제 1 전극 물질층(73)은 상기 제 2 전극 물질층(74)의 접착력을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제 3 전극 물질층(75)은 큰 일함수를 가짐으로써, 추후 유기발광소자의 제 1 전극이 애노드 전극의 역할을 할 수 있도록 한다.The first electrode material layer 73 may improve adhesion of the second electrode material layer 74. In addition, the third electrode material layer 75 has a large work function, so that the first electrode of the organic light emitting device can later serve as an anode electrode.

상기 제 2 전극 물질층(74)은 반사 가능한 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 2 전극 물질층(74)은 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 전극 물질층(74)은 은(Ag)-합금으로 형성될 수 있다. 이를 통해, 상기 유기발광소자는 상부로 빛을 발광시키는 상부 발광방식 유기전계발광 표시장치를 구현할 수 있다.The second electrode material layer 74 may be formed of a reflective material. The second electrode material layer 74 may be formed of a metal or a metal alloy. For example, the second electrode material layer 74 may be formed of a silver (Ag) alloy. Accordingly, the organic light emitting diode may be a top emission organic light emitting display device that emits light upward.

상기 제 3 전극 물질층(75) 상에 포토레지스트 패턴(65,66)을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴(65,66)은 표시 영역에 형성될 수 있다. 자세하게는, 상기 포토레지스트 패턴(65,66)은 제 5 포토레지스트 패턴(65) 및 제 6 포토레지스트 패턴(66)을 포함할 수 있다.Photoresist patterns 65 and 66 are formed on the third electrode material layer 75. The photoresist patterns 65 and 66 may be formed in the display region. In detail, the photoresist patterns 65 and 66 may include a fifth photoresist pattern 65 and a sixth photoresist pattern 66.

상기 제 5 포토레지스트 패턴(65)은 상기 제 1 보조 전극(161) 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 5 포토레지스트 패턴(65)은 추후 제 2 보조 전극이 형성되는 영역에 형성될 수 있다. The fifth photoresist pattern 65 may be disposed on the first auxiliary electrode 161. That is, the fifth photoresist pattern 65 may be formed in a region where the second auxiliary electrode is formed later.

또한, 상기 제 6 포토레지스트 패턴(66)은 상기 연결 전극(170) 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 6 포토레지스트 패턴(66)은 추후 유기발광소자 제 1 전극이 형성되는 영역에 형성될 수 있다.The sixth photoresist pattern 66 may be disposed on the connection electrode 170. That is, the sixth photoresist pattern 66 may be formed in a region where the first electrode of the organic light emitting device is formed later.

도 8d를 참조하면, 상기 제 5 포토레지스 패턴(65) 및 제 6 포토레지스트 패턴(66)을 마스크로 하여 상기 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(IA)에 형성된 상기 제 1 전극 물질층(73), 제 2 전극 물질층(74) 및 제 3 전극 물질층(75)을 식각한다. 8D, the first electrode material layer (not shown) formed in the display area AA and the non-display area IA using the fifth photoresist pattern 65 and the sixth photoresist pattern 66 as a mask, 73, the second electrode material layer 74 and the third electrode material layer 75 are etched.

이때, 상기 제 1 전극 물질층(73), 제 2 전극 물질층(74), 제 3 전극 물질층(75), 제 1 더미층(45) 및 제 2 더미층(55)은 동일 식각액으로 동시에 식각될 수 있다. 또한, 상기 제 1 보호 전극(543) 및 제 2 보호 전극(553)은 상기 제 1 전극 물질층(73), 제 2 전극 물질층(74), 제 3 전극 물질층(75), 제 1 더미층(45) 및 제 2 더미층(55)의 식각액으로 식각되지 않는다. At this time, the first electrode material layer 73, the second electrode material layer 74, the third electrode material layer 75, the first dummy layer 45 and the second dummy layer 55 are simultaneously etched with the same etchant Can be etched. The first protective electrode 543 and the second protective electrode 553 may be formed on the first electrode material layer 73, the second electrode material layer 74, the third electrode material layer 75, It is not etched with the etching solution of the layer 45 and the second dummy layer 55.

이후, 상기 제 5 포토레지스트 패턴(65) 및 제 6 포토레지스트 패턴(66)을 제거하면, 상기 표시 영역(AA)에서 제 2 보조 전극(162) 및 유기발광소자의 제 1 전극(130)이 형성된다. 또한, 상기 비표시 영역(IA)에서 제 1 더미층(45) 및 제 2 더미층(55)이 제거될 수 있다. 즉, 상기 평탄화막(123) 및 보호막(122) 상에 보조 전극(160), 연결 전극(170), 제 1 전극(130), 제 1 패드부(540) 및 제 2 패드부(550)를 완성할 수 있다. After the fifth photoresist pattern 65 and the sixth photoresist pattern 66 are removed, the second auxiliary electrode 162 and the first electrode 130 of the organic light emitting diode in the display area AA . In addition, the first dummy layer 45 and the second dummy layer 55 may be removed in the non-display area IA. The auxiliary electrode 160, the connection electrode 170, the first electrode 130, the first pad portion 540, and the second pad portion 550 are formed on the planarization layer 123 and the passivation layer 122, Can be completed.

상기 제 2 보조 전극(162)은 제 1 보조 전극층(162a), 제 2 보조 전극층(162b) 및 제 3 보조 전극층(162c)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(130)은 제 1 전극층(130a), 제 2 전극층(130b) 및 제 3 전극층(130c)을 포함할 수 있다.The second auxiliary electrode 162 may include a first auxiliary electrode layer 162a, a second auxiliary electrode layer 162b, and a third auxiliary electrode layer 162c. The first electrode 130 may include a first electrode layer 130a, a second electrode layer 130b, and a third electrode layer 130c.

상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 상기 제 1 전극 물질층(73)으로 형성될 수 있다.The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of the same material. The first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of the first electrode material layer 73.

상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 상기 제 2 전극 물질층(74)으로 형성될 수 있다.The second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of the same material. The second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of the second electrode material layer 74.

상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 상기 제 3 전극 물질층(75)으로 형성될 수 있다.The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of the same material. The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of the third electrode material layer 75.

즉, 상기 제 1 보조 전극층(162a) 및 상기 제 1 전극층(130a)은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전극층(130a)은 ITO로 형성될 수 있다. 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 보조 전극층(162b) 및 상기 제 2 전극층(130b)은 은(Ag)-합금으로 형성될 수 있다. 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 3 보조 전극층(162c) 및 상기 제 3 전극층(130c)은 ITO로 형성될 수 있다.That is, the first auxiliary electrode layer 162a and the first electrode layer 130a may be formed of a transparent conductive material. For example, the first electrode layer 130a may be formed of ITO. The second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of a metal or a metal alloy. For example, the second auxiliary electrode layer 162b and the second electrode layer 130b may be formed of a silver (Ag) alloy. The third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of a transparent conductive material. For example, the third auxiliary electrode layer 162c and the third electrode layer 130c may be formed of ITO.

도 8e를 참조하면, 상기 표시 영역(AA)에서 상기 제 1 전극(130) 및 보조 전극(160)의 상면을 노출하는 뱅크 패턴(139)을 형성한다. 또한, 상기 보조 전극(160) 상에 격벽층(132,133)을 형성한다. 상기 격벽층(132,133)은 제 1 격벽층(132) 및 제 2 격벽층(133)을 포함하고, 상기 제 1 격벽층(132)은 상기 뱅크 패턴(139)과 함께 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 격벽층(132) 상에 제 2 격벽층(133)을 형성한다. 상기 제 2 격벽층(133)은 역테이퍼 형상으로 형성될 수 있다. 상기 격벽층(132,133)과 상기 뱅크 패턴(139)은 서로 이격되어 형성된다.Referring to FIG. 8E, a bank pattern 139 is formed to expose the upper surfaces of the first electrode 130 and the auxiliary electrode 160 in the display area AA. Further, barrier ribs 132 and 133 are formed on the auxiliary electrode 160. The barrier ribs 132 and 133 may include a first barrier rib layer 132 and a second barrier rib layer 133 and the first barrier rib layer 132 may be formed with the bank pattern 139. A second barrier rib layer 133 is formed on the first barrier rib layer 132. The second barrier rib layer 133 may be formed in an inverted taper shape. The barrier ribs 132 and 133 and the bank patterns 139 are formed apart from each other.

상기 격벽층(132,133)은 도면과 달리 하나의 격벽층으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 격벽층은 상기 뱅크 패턴(139)과 별도 공정으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 격벽층을 먼저 형성한 후, 상기 뱅크 패턴(139)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 뱅크 패턴(139) 형성 후 상기 격벽층을 형성할 수 있다. 상기 격벽층은 역테이퍼 형상으로 형성되면 충분하다. 또한, 상기 격벽층(132,133)의 상면의 높이는 상기 뱅크 패턴(139)의 상면의 높이보다 높게 형성될 수 있다. The barrier rib layers 132 and 133 may be formed as one barrier rib layer, unlike the drawing. At this time, the bank layer 139 may be formed separately from the bank pattern 139. Referring to FIG. That is, the bank pattern 139 may be formed after the barrier layer is formed first. In addition, after the bank pattern 139 is formed, the barrier rib layer can be formed. It is sufficient that the barrier rib layer is formed in an inverted tapered shape. The height of the upper surface of the barrier ribs 132 and 133 may be higher than the height of the upper surface of the bank pattern 139.

상기 뱅크 패턴(139) 및 제 2 격벽층(133) 상에 유기발광물질을 형성한다. 상기 유기발광물질은 직진성을 가지고 성막될 수 있다. 예를 들면, 상기 유기발광물질은 증착(evaporation) 방법으로 형성될 수 있다. An organic luminescent material is formed on the bank pattern 139 and the second bank layer 133. The organic luminescent material can be formed with a straight-line property. For example, the organic light emitting material may be formed by an evaporation method.

이로 인해, 상기 유기발광물질은 상기 뱅크 패턴(139), 상기 뱅크 패턴(139)에 의해 노출된 제 1 전극(130) 및 제 2 격벽층(133)의 상면에만 형성된다. 즉, 상기 제 2 격벽층(133)이 역테이퍼 형상으로 형성되며, 직진성을 가지고 성막되는 유기발광물질은 제 2 격벽층(133)의 측면에 접하지 않도록 형성된다. 또한, 상기 제 2 보조 전극(162) 상면에도 형성되지 않을 수 있다.The organic light emitting material is formed only on the upper surfaces of the first electrode 130 and the second bank layer 133 exposed by the bank pattern 139, the bank pattern 139, and the like. That is, the second barrier rib layer 133 is formed in an inverted tapered shape, and the organic luminescent material that is formed in a linear fashion is formed not to contact the side surface of the second barrier rib layer 133. Further, it may not be formed on the upper surface of the second auxiliary electrode 162.

상기 뱅크 패턴 및 제 1 전극(130) 상에는 유기발광층(135)이 형성되고, 상기 제 2 격벽층(133) 상에는 제 1 더미층(134)이 형성될 수 있다. 상기 유기발광층(135)과 상기 제 1 더미층(134)은 동일 물질로 형성된다. An organic light emitting layer 135 may be formed on the bank pattern and the first electrode 130 and a first dummy layer 134 may be formed on the second bank layer 133. The organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134 are formed of the same material.

도면 상에는 상기 유기발광층(135) 및 제 1 더미층(134)을 단층으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 유기발광층(135) 및 제 1 더미층(134)은 발광물질로 이루어진 단층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성할 수도 있다. Although the organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134 are shown as a single layer in the drawing, the present invention is not limited thereto. The organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134 may be formed of a single layer of a light emitting material and may include a hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting layer emitting material layer, an electron transporting layer, and an electron injection layer.

상기 유기발광층(135) 및 제 1 더미층(134) 상에 전극물질을 형성한다. 상기 전극물질은 직진성을 가지고 성막될 수 있다. 예를 들면, 상기 전극물질은 증착(evaporation) 방법으로 형성될 수 있다. 상기 전극물질은 일함수가 낮은 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. An electrode material is formed on the organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134. The electrode material can be formed with straightness. For example, the electrode material may be formed by an evaporation method. The electrode material may be formed of a metal or a metal alloy having a low work function.

이로 인해, 상기 전극물질은 상기 유기발광층(135) 및 제 1 더미층(134)의 상면에만 형성된다. 즉, 상기 제 2 격벽층(133)이 역테이퍼 형상으로 형성되며, 직진성을 가지고 성막되는 전극물질은 제 2 격벽층(133)의 측면에 접하지 않도록 형성된다. 또한, 상기 제 2 보조 전극(162) 상면에도 형성되지 않을 수 있다.Accordingly, the electrode material is formed only on the upper surfaces of the organic light emitting layer 135 and the first dummy layer 134. That is, the second barrier rib layer 133 is formed in an inverted taper shape and the electrode material formed in a straight line is formed not to contact the side surface of the second barrier rib layer 133. Further, it may not be formed on the upper surface of the second auxiliary electrode 162.

상기 유기발광층(135) 상면에는 제 2 전극(136)이 형성되고, 상기 제 1 더미층(134) 상면에는 제 2 더미층(137)이 형성될 수 있다. 상기 제 2 전극(136)과 상기 제 2 더미층(137)은 동일 물질로 형성된다. 또한, 상기 보조 전극(160) 상에는 상기 제 1 격벽층(132), 제 2 격벽층(133), 제 1 더미층(134) 및 제 2 더미층(135)을 포함하는 격벽(131)이 형성된다.A second electrode 136 may be formed on the upper surface of the organic light emitting layer 135 and a second dummy layer 137 may be formed on the upper surface of the first dummy layer 134. The second electrode 136 and the second dummy layer 137 are formed of the same material. A barrier rib 131 including the first barrier rib layer 132, the second barrier rib layer 133, the first dummy layer 134 and the second dummy layer 135 is formed on the auxiliary electrode 160 do.

상기 도전층(180)은 상기 제 2 전극(136)과 접하도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 격벽(131)의 측면 및 상기 보조 전극(160)의 상면에 접하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 도전층(180)은 단차 피복성(step coverage)이 우수한 스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성될 수 있다.The conductive layer 180 may be in contact with the second electrode 136. The auxiliary electrode 160 may be formed to contact the side surface of the barrier rib 131 and the upper surface of the auxiliary electrode 160. For example, the conductive layer 180 may be formed by a sputtering method with excellent step coverage.

상기 도전층(180)은 투명도전물질로 형성될 수 있다. 이로 인해, 제 2 전극(136) 상으로 방출되는 광이 손실되지 않도록 할 수 있다. 예를 들면, 상기 도전층(180)은 IZO로 형성될 수 있다.The conductive layer 180 may be formed of a transparent conductive material. Thus, the light emitted onto the second electrode 136 can be prevented from being lost. For example, the conductive layer 180 may be formed of IZO.

따라서, 상기 제 2 전극(136)은 상기 도전층(180)을 통해 상기 보조 전극(160)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 보조 전극(160)에 의해 제 2 전극(136)의 저항이 작아지고, 전압강하가 감소하므로 표시 영역(AA) 전체에 걸쳐 균일하게 전류가 전달할 수 있다. 이로 인해, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다.
Accordingly, the second electrode 136 may be electrically connected to the auxiliary electrode 160 through the conductive layer 180. Since the resistance of the second electrode 136 is reduced by the auxiliary electrode 160 and the voltage drop is reduced, current can be uniformly distributed throughout the display area AA. Thus, the luminance uniformity of the organic light emitting display device according to the present invention can be improved.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

100: 기판
160: 보조 전극
Tr: 박막 트랜지스터
OL: 유기발광소자100: substrate
160: auxiliary electrode
Tr: thin film transistor
OL: Organic light emitting device

Claims (29)

표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판;
상기 표시 영역 상에 배치되고, 반도체층, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 배치되는 제 1 전극, 유기발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광소자;
상기 비표시 영역 상에 배치되는 패드전극;
상기 패드전극 상에 배치되고, 금속으로 이루어지는 보호 전극;을 포함하고, 상기 보호 전극은 상기 패드전극의 콘택홀에 중첩하여 배치되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
A substrate divided into a display area and a non-display area;
A thin film transistor disposed on the display region and including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode;
An organic light emitting element including a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode arranged on the thin film transistor;
A pad electrode disposed on the non-display region;
And a protective electrode formed on the pad electrode and made of a metal, wherein the protective electrode is disposed over the contact hole of the pad electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 패드전극은 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일층에서 동일물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the pad electrode is formed of the same material as the gate electrode of the thin film transistor.
제 1 항에 있어서,
상기 소스 전극 및 드레인 전극은 제 1 금속층 및 상기 제 1 금속층 상에 배치되는 제 2 금속층을 포함하고,
상기 제 1 금속층은 MoTi 또는 Ti로 이루어지고, 상기 제 2 금속층은 Cu로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the source electrode and the drain electrode comprise a first metal layer and a second metal layer disposed on the first metal layer,
Wherein the first metal layer is made of MoTi or Ti, and the second metal layer is made of Cu.
제 1 항에 있어서,
상기 보호 전극은 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 제 1 금속층과 동일층에서 동일물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the protective electrode is formed of the same material as the first metal layer of the source electrode and the drain electrode.
표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판;
상기 표시 영역 상에 배치되고, 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 배치되고, 제 1 전극, 유기발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광소자;
상기 유기발광소자의 제 2 전극과 연결되는 보조 전극; 및
상기 비표시 영역 상에 배치되고, 패드 전극을 포함하는 패드부를 포함하고,
상기 보조 전극은 제 1 보조 전극 및 제 2 보조 전극을 포함하고, 상기 제 2 보조 전극은 상기 제 1 보조 전극의 상면 및 측면을 둘러싸고 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
A substrate divided into a display area and a non-display area;
A thin film transistor disposed on the display region and including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode;
An organic light emitting element disposed on the thin film transistor, the organic light emitting element including a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode;
An auxiliary electrode connected to a second electrode of the organic light emitting diode; And
And a pad portion disposed on the non-display region and including a pad electrode,
Wherein the auxiliary electrode includes a first auxiliary electrode and a second auxiliary electrode, and the second auxiliary electrode is formed to surround an upper surface and a side surface of the first auxiliary electrode.
제 5 항에 있어서,
상기 제 1 보조 전극은 하부 보조 전극층 및 상부 보조 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the first auxiliary electrode comprises a lower auxiliary electrode layer and an upper auxiliary electrode layer.
제 6 항에 있어서,
상기 상부 보조 전극층은 구리(Cu)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the upper auxiliary electrode layer comprises copper (Cu).
제 6 항에 있어서,
상기 하부 보조 전극층은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the lower auxiliary electrode layer is formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof.
제 6 항에 있어서,
상기 패드부는 상기 패드 전극 상에 형성되는 보호 전극을 더 포함하고,
상기 보호 전극은 상기 하부 보조 전극층과 동일 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 6,
The pad unit may further include a protective electrode formed on the pad electrode,
Wherein the protective electrode is formed of the same material as the lower auxiliary electrode layer.
제 5 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극 및 상기 유기발광소자의 제 1 전극 사이에 연결 전극이 더 배치되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
6. The method of claim 5,
And a connection electrode is further disposed between the drain electrode of the thin film transistor and the first electrode of the organic light emitting device.
제 10 항에 있어서,
상기 제 1 보조 전극 및 상기 연결 전극은 동일 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시 장치.
11. The method of claim 10,
Wherein the first auxiliary electrode and the connection electrode are formed of the same material.
제 11 항에 있어서,
상기 연결 전극은 하부 연결 전극층 및 상부 연결 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the connection electrode includes a lower connection electrode layer and an upper connection electrode layer.
제 12 항에 있어서,
상기 패드부는 상기 패드 전극 상에 형성되는 보호 전극을 더 포함하고,
상기 보호 전극은 상기 하부 연결 전극층과 동일 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
13. The method of claim 12,
The pad unit may further include a protective electrode formed on the pad electrode,
Wherein the protective electrode is formed of the same material as the lower connection electrode layer.
제 5 항에 있어서,
상기 제 2 보조 전극은 상기 제 1 전극과 동일 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the second auxiliary electrode is formed of the same material as the first electrode.
제 5 항에 있어서,
상기 제 2 보조 전극은 제 1 보조 전극층, 제2 보조 전극층 및 제 3 보조 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the second auxiliary electrode includes a first auxiliary electrode layer, a second auxiliary electrode layer, and a third auxiliary electrode layer.
제 15 항에 있어서,
상기 제 1 보조 전극층 및 상기 제 3 보조 전극층은 ITO로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
16. The method of claim 15,
Wherein the first auxiliary electrode layer and the third auxiliary electrode layer are formed of ITO.
제 15 항에 있어서,
상기 제 2 보조 전극층은 은(Ag)-합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
16. The method of claim 15,
And the second auxiliary electrode layer is formed of a silver (Ag) -alloy.
제 5 항에 있어서,
상기 패드 전극은 다수의 패드 전극층을 포함하고,
상기 패드 전극의 최상측에 배치되는 패드 전극층은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the pad electrode includes a plurality of pad electrode layers,
Wherein the pad electrode layer disposed on the uppermost side of the pad electrode is formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof.
제 18 항에 있어서,
상기 패드 전극은 제 1 패드 전극층, 제 2 패드 전극층 및 제 3 패드 전극층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
19. The method of claim 18,
Wherein the pad electrode is formed by sequentially laminating a first pad electrode layer, a second pad electrode layer, and a third pad electrode layer.
제 19 항에 있어서,
상기 제 1 패드 전극층 및 상기 제 3 패드 전극층은 몰리티타늄(MoTi), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
20. The method of claim 19,
Wherein the first pad electrode layer and the third pad electrode layer are formed of any one selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), titanium (Ti), and combinations thereof.
제 19 항에 있어서,
상기 제 2 전극층은 구리(Cu)로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
20. The method of claim 19,
And the second electrode layer is formed of copper (Cu).
표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판 상에, 상기 표시 영역에는 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하고, 상기 비표시 영역에는 패드전극을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계;
상기 표시 영역 상에 제 1 금속층 및 상기 제 1 금속층 상에 배치되는 제 2 금속층으로 이루어지는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 비표시 영역 상에 제 1 금속층으로 이루어지는 보호 전극을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 보호막 물질을 형성하는 단계;
상기 비표시 영역 상에 형성된 보호막 물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 제조방법.
Forming a gate electrode of the thin film transistor in the display region and forming a pad electrode in the non-display region on a substrate divided into a display region and a non-display region;
Forming an interlayer insulating film on the substrate;
Forming a source electrode and a drain electrode including a first metal layer on the display region and a second metal layer disposed on the first metal layer, and forming a protective electrode made of a first metal layer on the non-display region;
Forming a protective film material on the substrate;
And removing the protective film material formed on the non-display area.
제 22 항에 있어서,
상기 소스 전극, 드레인 전극 및 보호 전극을 형성하는 단계는,
상기 층간 절연막 상에 제 1 금속층 물질 및 제 2 금속층 물질을 순차적으로 형성하는 단계;
상기 제 2 금속층 물질 상에 포토레지스트를 형성하는 단계;
상기 기판과 대향하여 배치되고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되는 영역에 대응하는 투과부, 상기 보호 전극이 형성되는 영역에 대응하는 반투과부 및 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 보호 전극 미 형성 영역에 대응하는 차단부를 포함하는 하프톤 마스크를 배치하는 단계;
상기 소스 전극, 드레인 전극 및 보호 전극 형성 영역에 배치된 포토레지스트를 마스크로 하여 제 1 금속층 물질 및 제 2 금속층 물질을 식각하는 단계;
상기 소스 전극 및 드레인 전극 형성 영역에 배치된 포토레지스트의 일부와 상기 보호 전극 형성 영역에 형성된 포토레지스트를 식각하는 단계;
상기 보호 전극 형성 영역에 형성된 제 2 금속층 물질을 제거하는 단계;
상기 소스 전극 및 드레인 전극 형성 영역에 형성된 포토레지스트를 식각하는 단계;
상기 기판 상에 보호층 물질을 형성하는 단계; 및
상기 비표시 영역 상에 형성된 보호층 물질을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 제조방법.
23. The method of claim 22,
The forming of the source electrode, the drain electrode,
Sequentially forming a first metal layer material and a second metal layer material on the interlayer insulating layer;
Forming a photoresist on the second metal layer material;
A transflective portion disposed opposite to the substrate and corresponding to a region where the source electrode and the drain electrode are formed, a transflective portion corresponding to a region where the protective electrode is formed, and a source electrode, a drain electrode, and a protective electrode non- Disposing a halftone mask including a blocking portion that is formed on the substrate;
Etching the first metal layer material and the second metal layer material using the photoresist disposed in the source electrode, the drain electrode, and the protective electrode formation region as a mask;
Etching the photoresist formed in the source electrode and the drain electrode formation region and the photoresist formed in the protection electrode formation region;
Removing a second metal layer material formed in the protective electrode formation region;
Etching the photoresist formed in the source and drain electrode formation regions;
Forming a protective layer material on the substrate; And
And removing the protective layer material formed on the non-display area.
제 23 항에 있어서,
상기 비표시 영역 상에 형성된 보호층 물질은 240 nm 내지 250 nm 파장을 가지는 레이저를 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 제조방법.
24. The method of claim 23,
Wherein the protective layer material formed on the non-display area is removed through a laser having a wavelength of 240 nm to 250 nm.
표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판 상에, 상기 표시 영역에는 박막 트랜지스터를 형성하고, 상기 비표시 영역에는 패드 전극을 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터 및 패드 전극 상에 보호막을 형성하는 단계;
상기 표시 영역에서 상기 보호막 상에 평탄화막을 형성하는 단계;
상기 표시 영역에서 상기 평탄화막 상에 제 1 보조 전극 및 연결 전극을 형성하고, 상기 비표시 영역에서 상기 보호막 상에 보호 전극을 형성하는 단계; 및
상기 제 1 보조 전극 상에 제 2 보조 전극을 형성하고, 상기 연결 전극 상에 유기발광소자 제 1 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
Forming a thin film transistor in the display region and a pad electrode in the non-display region on a substrate divided into a display region and a non-display region;
Forming a protective film on the thin film transistor and the pad electrode;
Forming a planarization film on the protective film in the display region;
Forming a first auxiliary electrode and a connection electrode on the planarization layer in the display region and forming a protective electrode on the protection layer in the non-display region; And
Forming a second auxiliary electrode on the first auxiliary electrode, and forming an organic light emitting diode first electrode on the connection electrode.
제 25 항에 있어서,
상기 제 1 보조 전극, 연결 전극 및 보호 전극을 형성하는 단계에서 상기 보호 전극 상에 더미층이 형성되고, 상기 제 2 보조 전극 및 제 1 전극을 형성하는 단계에서 상기 더미층이 제거되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
26. The method of claim 25,
A dummy layer is formed on the protective electrode in the step of forming the first auxiliary electrode, the connection electrode and the protective electrode, and the dummy layer is removed in the step of forming the second auxiliary electrode and the first electrode. Wherein the organic electroluminescent display device is a display device.
제 26 항에 있어서,
상기 제 1 보조 전극, 연결 전극, 보호 전극 및 더미층을 형성하는 단계는,
상기 평탄화막 및 보호막 상에 하부 전극 물질층을 형성하는 단계;
상기 하부 전극 물질층 상에 상부 전극 물질층을 형성하는 단계;
상기 상부 전극 물질층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 상부 전극 물질층 및 하부 전극 물질층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
27. The method of claim 26,
The forming of the first auxiliary electrode, the connecting electrode, the protective electrode, and the dummy layer may include:
Forming a lower electrode material layer on the planarization layer and the protection layer;
Forming an upper electrode material layer on the lower electrode material layer;
Forming a photoresist pattern on the upper electrode material layer;
And etching the upper electrode material layer and the lower electrode material layer using the photoresist pattern as a mask.
제 27 항에 있어서,
상기 보호 전극은 상기 하부 전극 물질층으로 형성되고, 상기 더미층은 상기 상부 전극 물질층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
28. The method of claim 27,
Wherein the protective electrode is formed of the lower electrode material layer, and the dummy layer is formed of the upper electrode material layer.
제 27 항에 있어서,
상기 제 2 보조 전극 및 제 1 전극을 형성하는 단계는,
상기 제 1 보조 전극, 연결 전극, 보호 전극 및 더미층 상에 제 1 전극 물질층, 제 2 전극 물질층 및 제 3 전극 물질층을 순차적으로 형성하는 단계;
상기 제 3 전극 물질층 상에 상기 제 1 보조 전극 및 상기 연결 전극과 중첩되는 영역에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제 1 전극 물질층, 제 2 전극 물질층, 제 3 전극 물질층 및 더미층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.

28. The method of claim 27,
Wherein forming the second auxiliary electrode and the first electrode comprises:
Sequentially forming a first electrode material layer, a second electrode material layer and a third electrode material layer on the first auxiliary electrode, the connecting electrode, the protective electrode, and the dummy layer;
Forming a photoresist pattern on the third electrode material layer in a region overlapping the first auxiliary electrode and the connection electrode; And
And etching the first electrode material layer, the second electrode material layer, the third electrode material layer, and the dummy layer using the photoresist pattern as a mask.

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