KR20160005081A - 열 인터페이스 재료 패드 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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리차드 에이 마타야
네이더 엠 살레시
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웨스턴 디지털 테크놀로지스, 인코포레이티드
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Abstract

컴포넌트로부터 열을 소멸시키기 위한 열 인터페이스 재료 (TIM) 패드가 개시된다. TIM 패드는 복수의 열 인터페이스 재료 층들, 및 복수의 TIM 층들 사이에 끼워 넣어진 적어도 하나의 그라핀 층을 포함한다. TIM 패드를 형성하는 방법은 TIM 패드에 대한 길이에 도달하기 위해 복수의 TIM 층들 사이에 끼워 넣어진 적어도 하나의 그라핀 층을 갖는 복수의 TIM 층들을 적층하는 단계를 포함한다. 적층된 층들은 컴포넌트에 대한 압착을 위해 TIM 패드에 대한 두께에 대응하게 절단된다.

Description

열 인터페이스 재료 패드 및 그의 제조 방법{THERMAL INTERFACE MATERIAL PAD AND METHOD OF FORMING THE SAME}
열 인터페이스 재료 (thermal interface material; TIM) 는, 전자기술에서, 컴포넌트들 사이의 열 전달 효율을 증가시키기 위해 컴포넌트들 사이에서 종종 이용된다. TIM 은 또한 컴포넌트들 상의 표면 결함들을 플렉시블하게 채울 수 있기 때문에 갭 패드라고 알려져 있다. 그러한 표면 결함들은, 그렇지 않으면, 컴포넌트들 사이의 열 전달을 방해할 것인데, 공기는 0.024 W/mK 의 열 전도성을 갖는 열악한 열의 전도체이기 때문이다.
TIM 들이 통상적으로 약 1 W/mK 내지 5 W/mK 의 열 전도성을 달성하나, 이러한 열 전도성은 알루미늄과 같은 다른 덜 플렉시블하나 열 전도성인 재료들에 대한 열 전도성보다 여전히 훨씬 낮다.
본 개시물의 실시형태들의 피쳐들 및 이점들은, 도면들과 연계하는 경우, 하기에서 제시된 상세한 설명으로부터 보다 자명해질 것이다. 도면들 및 연관된 설명들은 본 개시물의 실시형태들을 예시하기 위해 제공되는 것이지, 청구된 것들의 범위를 제한하려는 것이 아니다
도 1a 는 상부 일 실시형태에 따른 컴포넌트 상의 열 인터페이스 재료 (thermal interface material; TIM) 패드의 상부 투시도이다.
도 1b 는 도 1a 의 TIM 패드 및 컴포넌트의 하부 투시도이다.
도 2 는 일 실시형태에 따른 프레임과 컴포넌트 사이에 압착된 TIM 패드의 단면도이다.
도 3a 는 일 실시형태에 따른 TIM 층들 사이에 끼워 넣어진 그라핀 층들을 갖는 TIM 층들의 스택을 도시한다.
도 3b 는 일 실시형태에 따른 도 3a 의 스택의 절단을 도시한다.
도 3c 는 일 실시형태에 따른 TIM 패드를 형성하기 위한 도 3b 의 스택의 추가적인 절단을 도시한다.
도 4 는 일 실시형태에 따른 TIM 패드의 형성 및 배치에 대한 플로차트이다.
다음의 상세한 설명에서, 많은 특정 세부사항들은 본 개시물의 완전한 이해를 제공하기 위해 제시된다. 그러나, 개시된 다양한 실시형태들은 이러한 특정 세부사항들 중 일부 세부사항들이 없이 실시될 수도 있음이 당업자에게 자명할 것이다. 다른 사례들에서는, 다양한 실시형태들을 불필요하게 모호하게 하는 것을 피하기 위해 잘 알려진 구조들 및 기법들은 상세히 도시되지 않았다.
도 1a 및 도 1b 는 컴포넌트 (120) 상의 열 인터페이스 재료 (thermal interface material; TIM) 패드 (110) 의 상부 및 하부 단면도들을 도시한다. 당업자들에 의해 이해될 바와 같이, 도 1a 및 도 1b 는 반드시 크기에 맞춰 도시된 것은 아니다.
도 1a 및 도 1b 의 예에서, 컴포넌트 (120) 는 동작 동안에 열을 발생시키는 시스템 온 칩 (system on a chip; SOC) 이고, TIM 패드 (110) 는 컴포넌트 (120) 로부터 열을 소멸시키기 위해 배열된다. 도 1a 에 도시된 바와 같이, TIM 패드 (110) 는 TIM 재료 층들 (112) 및 TIM 층들 (112) 사이에 끼워 넣어지거나 줄무늬를 형성하는 그라핀 층들 (114) 을 포함한다. 다른 실시형태들에서, 컴포넌트 (120) 는 동작 중에 열을 발생시키는 다른 유형의 전자 컴포넌트일 수도 있다.
TIM 층들 (112) 은 임의의 플렉시블한 TIM 또는 열을 전도하고 컴포넌트들 상의 표면 결함들을 채우도록 공지의 기술에서 알려진 재료들의 조합을 포함할 수도 있다. 이와 관련하여, TIM 층들 (112) 은 또한 표면에 접착되는 것을 허용하는 접착 속성을 포함할 수도 있다. 그러한 플렉시블한 TIM 들의 예들은 소정의 금속, 탄소, 또는 실리콘 기반 매체에 매달린 세라믹 입자들을 포함할 수 있다. 일 예에서, TIM 층들 (112) 은 1 W/mK 내지 5 W/mK 의 열 전도성을 가질 수 있다.
그라핀 층들 (114) 은 컴포넌트 (120) 의 상부 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 확장되는 하나 이상의 그라핀의 시트들 (즉, 그래파이트 시트들) 을 포함할 수 있다. 그러한 구성에서, 그라핀 층들 (114) 은 컴포넌트 (120) 의 상부 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 약 1500 W/mK 의 열 전도성, 및 컴포넌트 (120) 의 상부 표면에 실질적으로 평행인 방향으로 약 25 W/mk 의 열 전도성을 가질 수 있다. 그 결과, TIM 패드 (110) 의 열 전도성은 컴포넌트 (120) 의 상부 표면에 실질적으로 평행인 방향보다 컴포넌트 (120) 의 상부 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 더 크다.
그라핀 층들 (114) 의 높은 열 전도성으로 인해, TIM 층들 (112) 의 압착성 및 에어 갭 충진 능력들을 여전히 허용하면서 그라핀 층들 (114) 을 추가함으로써 TIM 패드 (110) 의 열 전도성을 상당히 증가시키는 것이 보통 가능하다.
당업자들에 의해 이해될 바와 같이, 다른 실시형태들은 본 개시물의 사상 및 범주로부터 벗어나지 않으면서 도 1a 및 도 1b 에 도시된 것과 상이한 양의 TIM 층들 (112) 및 그라핀 층들 (114) 을 포함할 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 그라핀 층들 (114) 은 TIM 패드 (110) 의 전체 체적의 5% 와 15% 사이에서 형성될 수 있다. 하나의 그러한 실시형태에서, TIM 패드 (110) 의 체적은 90.9% TIM 층들 (112) 및 9.1% 그라핀 층들 (114) 로 구성되며, 여기서 컴포넌트 (120) 의 상부 표면에 실질적으로 수직인 방향으로, TIM 층들 (112) 은 5 W/mK 의 열 전도성을 가지고, 그라핀 층들 (114) 은 1500 W/mK 의 열 전도성을 갖는다. 이러한 예에서, 실질적으로 수직인 방향으로 TIM 패드 (110) 의 전체 열 전도성은 TIM 층들 (112) 사이에 그라핀 층들 (114) 을 끼워 넣음으로써 5 W/mK 에서 약 141 W/mK 까지 증가된다. 이는 TIM 패드 (110) 에서의 비례적 체적들에 대해 TIM 층들 (112) 과 그라핀 층들 (114) 의 열 전도성을 더함으로써 증명된다. 즉, 위의 예에서의 TIM 패드 (110) 의 전체 열 전도성은:
전체 열 전도성 = (90.9% x 5 W/mK) + (9.1 % x 1500 W/mK)
와 같이 산출될 수 있으며, 이는 약 141 W/mK 와 같다.
도 1b 는 컴포넌트 (120) 및 TIM 패드 (110) 의 하부 투시도를 도시한다. 도 1b 에 도시된 바와 같이, 많은 솔더 볼들 (122) 이 컴포넌트 (120) 의 하부 표면에 부착된다. 볼들 (122) 은 인쇄 회로 기판 (printed circuit board; PCB) 상에 컴포넌트 (120) 를 장착하기 위한 볼 그리드 어레이 (ball grid array; BGA) 의 일부일 수 있다. 도 1b 에서의 볼들의 양들은 예시적 목적들로 이용되고 볼들 (122) 의 실제 양들은 상이할 수도 있음이 당업자들에 의해 이해될 것이다.
도 2 는, 예를 들어, 데이터 저장 디바이스일 수 있는, 디바이스 (200) 의 단면도를 제공한다. 도 2 에 도시된 바와 같이, 디바이스 (200) 는 프레임 (230) 및 PCB (224) 를 포함한다. 프레임 (230) 은 디바이스 (200) 로부터 열을 소멸시키기 위해 열 전도성 재료로 구성될 수 있다. 그러한 프레임 재료는, 예를 들어, 167 W/mK 의 열 전도성을 갖는 6061 -T6 과 같은 알루미늄 합금을 포함할 수 있다.
컴포넌트 (220) 는 솔더 볼들 (222) 을 통해 PCB (224) 상에 장착되며, 솔더 볼들 (222) 은 컴포넌트 (220) 와 PCB (224) 에서 비아들 (미도시) 사이의 열 및/또는 전기 전도를 허용할 수 있다. 컴포넌트 (220) 는, 예를 들어, SOC, 플래시 메모리, 또는 더블 데이터 레이트 동기식 다이내믹 랜덤-액세스 메모리 (double data rate synchronous dynamic random-access memory; DDR SDRAM) 와 같은 열 발생 컴포넌트를 포함할 수 있다.
도 2 에서, 컴포넌트 (220) 는 기판 (218) 및 컴포넌트 (220) 의 외부 층으로서 접지된 열 스프레더 플레이트 (216) 를 포함한다. 열 스프레더 플레이트 (216) 는 접지되고 기판 (218) 을 커버하여 그라핀 층들 (214) 과 기판 (218) 사이의 접촉의 가능성을 감소시키는데, 그라핀이 전기 전도성이기 때문이다.
도 2 에 도시된 바와 같이, TIM 패드 (210) 는 프레임 (230) 과 컴포넌트 (220) 사이에 압착된다. 도 2 의 예에서, TIM 패드 (210) 의 좌측 및 우측에 도시된 TIM 패드 (210) 의 외부 층들은 TIM 패드 (210) 의 바깥쪽의 변형을 허용하는 TIM 층들 (212) 을 포함한다. 이와 관련하여, TIM 패드 (210) 의 하부 표면은 TIM 패드 (210) 에 접촉하기 위한 컴포넌트 (220) 의 상부 표면과 거의 동일한 압착되지 않은 상태에서의 영역을 가질 수 있다. 컴포넌트 (220) 에 대해 압착되는 경우, TIM 패드 (210) 는 컴포넌트 (220) 의 접촉 표면의 가장자리 너머로 확장될 수 있다. 그러한 중첩이 도 2 에서 보이고, TIM 패드 (210) 에 평행인 방향으로 추가적인 열 스프레딩을 허용할 수 있다.
도 2 에서, TIM 패드 (210) 는 TIM 층들 (212) 사이에 끼워 넣어지거나 줄무늬를 형성하는 그라핀 층들 (214) 을 포함한다. TIM 층들 (212) 은 프레임 (230) 및 컴포넌트 (220) 상의 표면 결함들을 채우도록 압착가능하며, 이는 그렇지 않으면 덜 압착가능한 재료와 에어 갭들을 형성할 것이다. 그라핀이 일반적으로 매우 플렉시블하지는 않으나, 그라핀 층들 (214) 은 여전히 TIM 패드 (210) 의 압착을 허용하도록 충분히 얇다. 일 실시형태에서, 그라핀 층들 (214) 은 약 0.1 mm 두께 (즉 0.08 mm 와 0.12 mm 사이의 두께) 일 수 있다.
그라핀 층들 (214) 은 컴포넌트 (220) 에 실질적으로 수직인 방향으로 배열된 적어도 하나의 그라핀의 시트를 포함한다. 이러한 방향에서의 그라핀 층들 (214) 의 높은 열 전도성은 보통 컴포넌트 (220) 와 프레임 (230) 사이의 열 전달을 향상시켜 프레임 (230) 을 통해 디바이스 (200) 로부터의 열의 더 많은 소멸을 허용한다.
도 3a 내지 도 3c 는 일 실시형태에 따른 TIM 패드 (310) 의 형성을 도시한다. 도 3a 에서, TIM 층들 (332) 은 TIM 층들 (332) 사이에 끼워 넣어지거나 줄무늬를 형성하는 그라핀 층들 (334) 과 함께 적층되어 적층된 층들 (330) 을 형성한다. 이와 관련하여, TIM 층들 (332) 은 TIM 층들 (332) 이 그라핀 층들 (334) 에 적찹되는 것을 허용하는 접착 속성을 포함할 수도 있다. 그라핀 층들 (334) 은 그라핀 층들 (334) 이 TIM 층들 (332) 에 평행한 방향 (즉, 도 3a 에서 수평 방향) 으로 보다 높은 열 전도성을 갖도록 적층된다.
일 예에서, TIM 층들 (332) 은 약 1mm 두께 (즉 0.08 mm 와 1.20 mm 사이의 두께) 일 수도 있고, 그라핀 층들 (334) 은 약 0.1 mm 두께 (즉 0.08 mm 와 1.20 mm 사이의 두께) 일 수도 있다. 적층된 층들 (330) 의 전체 높이는 도 3c 에 도시된 TIM 패드 (310) 에 대한 길이에 대응할 수 있다. 일 실시형태에서, 그라핀 층들 (334) 은 적층된 층들 (330) 의 전체 체적의 약 9% 를 형성한다.
도 3b 에서, 적층된 층들 (330) 은 TIM 패드 (310) 에 대한 두께에 대응하게 절단기 (336) 로 절단된다. 절단기 (336) 는 TIM 패드 (310) 의 명시된 두께에 대한 특정 허용오차를 달성하기 위한 임의의 두 갈래로 나누는 툴을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절단기 (336) 는 명시된 두께에 대한 상대적으로 작은 허용오차를 달성하기 위해 레이저 절단기를 포함할 수도 있거나, 절단기 (336) 는 보다 큰 허용오차를 위한 톱 또는 면도칼을 포함할 수도 있다.
TIM 패드 (310) 의 두께는 TIM 패드 (310) 에 의해 채워질 공간보다 약간 두꺼울 수 있다. 이는 TIM 패드 (310) 의 압착을 허용하며, 이는 통상적으로 컴포넌트 및/또는 프레임 표면을 따라 에어 갭들을 채움으로써 TIM 패드 (310) 의 열 효율을 향상시킨다. 일 예에서, TIM 패드 (310) 는 약 1 mm 의 두께로 절단된다.
도 3c 에서, TIM 패드 (310) 는 적층된 층들 (330) 에 걸친 절단의 완료로 형성된다. 도 3c 에 도시된 바와 같이, 결과적인 TIM 패드 (310) 는 TIM 층들 (312) 및 그라핀 층들 (314) 을 포함한다.
도 3a 내지 도 3c 가 수직으로 적층된 TIM 층들 (312) 및 그라핀 층들 (314) 을 갖는 TIM 패드 (310) 의 형성을 도시하나, 다른 실시형태들은 이러한 층들 및 절단기 (336) 를 상이하게 (예를 들어, 수직으로 대신에 수평으로) 배향할 수도 있다.
도 4 는 일 실시형태에 따른 TIM 패드의 형성 및 배치에 대한 플로차트이다. 프로세스는 블록 (400) 에서 시작되고, TIM 계층들은 블록 (402) 에서 원하는 TIM 패드 길이에 도달하도록 끼워 넣어진 그라핀 층들과 함께 적층된다. 일 실시형태에서, 그라핀 층들은 적층된 층들의 전체 체적의 5% 와 15% 사이에서 형성될 수도 있다. 위에서 언급된 바와 같이, TIM 층들은 TIM 층들이 그라핀 층들에 접착되는 것을 허용하는 접착 속성을 포함할 수도 있다. 또한, TIM 패드에 대한 원하는 길이는 컴포넌트에 대해 압착되는 경우 특정 컴포넌트 (예를 들어, 도 2 에서의 컴포넌트 (220)) 위의 TIM 패드의 중첩을 허용할 수도 있다.
블록 (404) 에서, 적층된 층들은 TIM 패드에 대한 원하는 두께 및 압착에 대응하는 두께로 절단된다. 구체적으로, TIM 패드는 소정의 양의 TIM 패드의 압착을 갖는 컴포넌트와 프레임 사이의 (예를 들어, 도 2 에서의 컴포넌트 (220) 와 프레임 (230) 사이의) 특정 공간을 채우도록 절단될 수 있다. TIM 패드의 압착은 보통 프레임 및/또는 컴포넌트 표면을 따라 에어 갭들을 채움으로써 TIM 패드의 열 효율을 향상시킨다.
블록 (406) 에서, TIM 패드는 적층된 층들로부터 절단된 후에 제거된다. 제거가능한 백킹 (backing) 이 제거 후에 TIM 패드에 선택적으로 적용되어 처리 또는 패키징 동안에 TIM 패드와의 접촉을 감소시킬 수도 있다.
적층된 층들로부터의 제거 후에, TIM 패드는 도 2 에서의 컴포넌트 (220) 와 같은 컴포넌트에 인접하게 (예를 들어, 상부에) 배치되거나, 도 2 에서의 프레임 (230) 과 같은 프레임에 인접하게 배치된다. TIM 패드에 이전에 적용된 임의의 백킹은 컴포넌트 또는 프레임에 인접한 TIM 패드의 배치의 일부로저 제거될 수도 있다.
TIM 패드는 그라핀 층들이 컴포넌트의 접촉 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 확장되도록 컴포넌트 또는 프레임에 인접하게 배치될 수 있다. 이는 보통 TIM 패드의 열 전도성이 컴포넌트의 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 증가되는 것을 허용하고, 그렇게 함으로써 TIM 패드를 통한 열 전도를 향상시킨다. 위에서 언급된 바와 같이, TIM 패드의 열 전도성은 컴포넌트의 표면에 실질적으로 평행인 방향보다 컴포넌트의 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 더 크다.
일 실시형태에서, 그라핀 층들은 TIM 패드의 열 전도성이 위에서 산출된 바와 같이 증가될 수 있도록 TIM 패드의 전체 체적의 약 9% 를 형성할 수도 있다.
블록 (408) 에서, TIM 패드는 프레임과 컴포넌트 사이에 압착된다. 압착은 프레임의 하나의 부분을 프레임의 다른 부분에 고정시킨 결과 일어날 수도 있다. 예를 들어, TIM 패드는 프레임의 상부 부분을 컴포넌트가 장착되는 프레임의 하부 부분에 고정시킴으로써 압착될 수도 있다. 압착은 또한 도 2 에 도시된 바와 같이 프레임을 PCB 에 고정시킴으로써 일어날 수도 있다. 도 4 의 프로세스는 그 다음에 블록 (410) 에서 종료된다.
개시된 예시적인 실시형태들의 앞서의 설명은 본 개시물에서의 실시형태들을 당업자가 제조하거나 이용하는 것을 가능하게 하기 위해 제공된다. 이러한 예들의 다양한 수정들이 당업자들에게 자명할 것이고, 본원에 개시된 원리들은 본 개시물의 사상 또는 범위로부터 벗어나지 않으면서 다른 예들에 적용될 수도 있다. 설명된 실시형태들은 모든 면들에서 오직 예시적으로만 고려되고 제한적인 것으로 고려되지는 않는다.

Claims (24)

  1. 전자 디바이스에서의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키기 위한 열 인터페이스 재료 (thermal interface material; TIM) 패드로서,
    복수의 TIM 층들; 및
    상기 복수의 TIM 층들 사이에 끼워 넣어진 적어도 하나의 그라핀 층을 포함하는, TIM 패드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 TIM 패드는 상기 컴포넌트의 표면과 접촉하고;
    상기 적어도 하나의 그라핀 층은, 상기 TIM 패드의 열 전도성이 상기 컴포넌트의 상기 표면에 실질적으로 평행인 방향에서 보다 상기 컴포넌트의 상기 표면에 실질적으로 수직인 방향에서 더 크도록, 상기 컴포넌트의 상기 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 확장되는, TIM 패드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 그라핀 층은 상기 TIM 패드의 전체 체적의 5% 와 15% 사이에서 형성되는, TIM 패드.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 디바이스는 데이터 저장 디바이스를 포함하고;
    상기 TIM 패드는 상기 데이터 저장 디바이스의 일부분을 형성하는, TIM 패드.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 시스템 온 칩 (system on a chip; SOC), 플래시 메모리, 및 더블 데이터 레이트 동기식 다이내믹 랜덤-액세스 메모리 (double data rate synchronous dynamic random-access memory; DDR SDRAM) 중 적어도 하나를 포함하는, TIM 패드.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 TIM 패드는 상기 컴포넌트의 접지된 열 스프레더 플레이트에 접촉하는, TIM 패드.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 TIM 패드는 상기 컴포넌트의 표면에 접촉하고 상기 복수의 TIM 층들은 플렉시블하여, 상기 복수의 TIM 층들의 바깥쪽 TIM 층이 상기 컴포넌트의 상기 표면에 대하여 압착되는 경우 상기 컴포넌트의 상기 표면에 실질적으로 평행인 방향에서 바깥쪽으로 변형되는, TIM 패드.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 TIM 패드는 상기 컴포넌트와 상기 컴포넌트를 하우징하는 프레임 사이에 압착되는, TIM 패드.
  9. 전자 디바이스의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키는 방법으로서,
    적어도,
    열 인터페이스 재료 (thermal interface material; TIM) 패드에 대한 길이에 도달하도록 복수의 TIM 층들 사이에 끼워 넣어진 적어도 하나의 그라핀 층을 갖는 상기 복수의 TIM 층들을 적층하고;
    상기 컴포넌트에 대한 압착을 위해 상기 TIM 패드에 대한 두께에 대응하여 적층된 상기 층들을 절단함으로써
    TIM 패드를 형성하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 TIM 패드가 상기 컴포넌트의 표면에 접촉하도록 상기 컴포넌트에 인접하게 상기 TIM 패드를 배치하는 단계를 더 포함하고,
    상기 적어도 하나의 그라핀 층은, 상기 TIM 패드의 열 전도성이 상기 컴포넌트의 상기 표면에 실질적으로 평행인 방향에서 보다 상기 컴포넌트의 상기 표면에 실질적으로 수직인 방향에서 더 크도록, 상기 컴포넌트의 상기 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 확장되는, 전자 디바이스의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키는 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 그라핀 층은 상기 TIM 패드의 전체 체적의 5% 와 15% 사이에서 형성되는, 전자 디바이스의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키는 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 TIM 층들은 상기 복수의 TIM 층들이 상기 적어도 하나의 그라핀 층에 접착하는 것을 허용하는 접착 속성을 포함하는, 전자 디바이스의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키는 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 그라핀 층은 약 0.1 mm 두께인, 전자 디바이스의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키는 방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 적층된 층들을 절단하는 것은 레이저 절단기, 톱, 또는 면도칼로 상기 적층된 층들을 절단하는 것을 포함하는, 전자 디바이스의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키는 방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 적층된 층은 상기 TIM 패드에 의해 채워질 공간보다 큰 두께로 절단되는, 전자 디바이스의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키는 방법.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 적층된 층들로부터 상기 TIM 패드를 제거하는 단계;
    상기 전자 디바이스의 상기 컴포넌트 또는 프레임에 인접하게 상기 TIM 패드를 배치하는 단계; 및
    상기 프레임과 상기 컴포넌트 사이에 상기 TIM 패드를 압착하는 단계를 더 포함하는, 전자 디바이스의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 TIM 패드를 압착하는 단계는 상기 프레임의 제 1 부분을 상기 프레임의 제 2 부분에 고정시키는 단계를 포함하는, 전자 디바이스의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키는 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 TIM 패드를 압착하는 단계는 상기 프레임을 상기 전자 디바이스의 인쇄 회로 기판 (printed circuit board; PCB) 에 고정시키는 단계를 포함하는, 전자 디바이스의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키는 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 전자 디바이스는 데이터 저장 디바이스를 포함하고;
    상기 TIM 패드, 상기 프레임, 및 상기 컴포넌트는 상기 데이터 저장 디바이스의 일부분을 형성하는, 전자 디바이스의 컴포넌트로부터 열을 소멸시키는 방법.
  20. 데이터 저장 디바이스로서,
    열을 발생시키는 컴포넌트; 및
    상기 컴포넌트로부터 열을 소멸시키기 위한 열 인터페이스 재료 (thermal interface material; TIM) 패드를 포함하고,
    상기 TIM 패드는,
    복수의 TIM 층들; 및
    상기 복수의 TIM 층들 사이에 끼워 넣어진 적어도 하나의 그라핀 층을 포함하는, 데이터 저장 디바이스.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 시스템 온 칩 (system on a chip; SOC), 플래시 메모리, 및 더블 데이터 레이트 동기식 다이내믹 랜덤-액세스 메모리 (double data rate synchronous dynamic random-access memory; DDR SDRAM) 중 적어도 하나를 포함하는, 데이터 저장 디바이스.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 TIM 패드는 상기 컴포넌트의 접지된 열 스프레더 플레이트에 접촉하는, 데이터 저장 디바이스.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 TIM 패드는 상기 컴포넌트의 표면에 접촉하고 상기 복수의 TIM 층들은 플렉시블하여, 상기 복수의 TIM 층들의 바깥쪽 TIM 층이 상기 컴포넌트의 상기 표면에 대하여 압착되는 경우 상기 컴포넌트의 상기 표면에 실질적으로 평행인 방향에서 바깥쪽으로 변형되는, 데이터 저장 디바이스.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 컴포넌트를 하우징하는 프레임을 더 포함하고, 상기 TIM 패드는 상기 컴포넌트와 상기 프레임 사이에 압착되는, 데이터 저장 디바이스.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2727445A4 (en) * 2011-06-28 2015-04-15 Ericsson Telefon Ab L M ELECTRONIC DEVICE HAVING A HEAT DISSIPATION STRUCTURE
US10589998B2 (en) 2013-11-05 2020-03-17 Neograf Solutions, Llc Graphite article
US10048722B2 (en) * 2014-10-15 2018-08-14 AzTrong Inc. Wearable portable electronic device with heat conducting path
CN104625283B (zh) * 2014-12-26 2017-01-04 哈尔滨工业大学 三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊的方法
US10568544B2 (en) 2015-10-09 2020-02-25 Xg Sciences, Inc. 2-dimensional thermal conductive materials and their use
US10182514B2 (en) * 2016-06-27 2019-01-15 International Business Machines Corporation Thermal interface material structures
KR102546241B1 (ko) 2016-10-05 2023-06-22 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US9775229B1 (en) * 2017-01-25 2017-09-26 Nvidia Corporation Internally die-referenced thermal transfer plate
CN106833367B (zh) * 2017-02-08 2018-04-20 昆山市中迪新材料技术有限公司 一种绝缘型界面导热衬垫材料及其制备方法
CN106947436B (zh) * 2017-05-10 2022-10-14 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种热界面材料及其制备和应用
CN109148397B (zh) * 2017-06-16 2023-02-28 日月光半导体制造股份有限公司 半导体装置封装
CN111182998B (zh) * 2017-09-29 2022-06-21 株式会社钟化 石墨层积体加工物、其制造方法以及用于石墨层积体加工物的激光切割装置
US10410942B2 (en) * 2017-11-27 2019-09-10 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method for manufacturing the same
FR3089423B1 (fr) * 2018-12-07 2020-12-18 Commissariat Energie Atomique Dispositif médical implantable à architecture améliorée
US20200373220A1 (en) * 2019-05-22 2020-11-26 Intel Corporation Integrated circuit packages with thermal interface materials with different material compositions
US11037860B2 (en) 2019-06-27 2021-06-15 International Business Machines Corporation Multi layer thermal interface material
US11774190B2 (en) 2020-04-14 2023-10-03 International Business Machines Corporation Pierced thermal interface constructions
US11457545B2 (en) * 2020-09-28 2022-09-27 Google Llc Thermal-control system of a media-streaming device and associated media-streaming devices
US20230010755A1 (en) * 2021-07-12 2023-01-12 Dell Products L.P. Information handling system thermal management with a liquid metal embedded elastomer

Family Cites Families (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6856556B1 (en) 2003-04-03 2005-02-15 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem with embedded circuit for protecting against anomalies in power signal from host
US20080131722A1 (en) * 2006-03-21 2008-06-05 Ephraim Suhir Single Layer Carbon Nanotube-Based Structures and Methods for Removing Heat from Solid-State Devices
US7176563B2 (en) * 2003-09-18 2007-02-13 International Business Machine Corporation Electronically grounded heat spreader
US7393587B2 (en) * 2004-09-17 2008-07-01 Graftech International Holdings Inc. Sandwiched finstock
US7351360B2 (en) * 2004-11-12 2008-04-01 International Business Machines Corporation Self orienting micro plates of thermally conducting material as component in thermal paste or adhesive
US7502256B2 (en) 2004-11-30 2009-03-10 Siliconsystems, Inc. Systems and methods for reducing unauthorized data recovery from solid-state storage devices
CN100337981C (zh) * 2005-03-24 2007-09-19 清华大学 热界面材料及其制造方法
US7653778B2 (en) 2006-05-08 2010-01-26 Siliconsystems, Inc. Systems and methods for measuring the useful life of solid-state storage devices
JP4868547B2 (ja) 2006-06-08 2012-02-01 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 熱伝導モジュールとその製造方法、並びに、高熱伝導で柔軟なシートの製造方法
US8108692B1 (en) 2006-06-27 2012-01-31 Siliconsystems, Inc. Solid-state storage subsystem security solution
US7765373B1 (en) 2006-06-27 2010-07-27 Siliconsystems, Inc. System for controlling use of a solid-state storage subsystem
US7447807B1 (en) 2006-06-30 2008-11-04 Siliconsystems, Inc. Systems and methods for storing data in segments of a storage subsystem
US7509441B1 (en) 2006-06-30 2009-03-24 Siliconsystems, Inc. Systems and methods for segmenting and protecting a storage subsystem
US8161227B1 (en) 2006-10-30 2012-04-17 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem capable of programming field-programmable devices of a target computer system
US8549236B2 (en) 2006-12-15 2013-10-01 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem with multiple non-volatile memory arrays to protect against data losses
US7596643B2 (en) 2007-02-07 2009-09-29 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem with configurable buffer
US7685337B2 (en) 2007-05-24 2010-03-23 Siliconsystems, Inc. Solid state storage subsystem for embedded applications
US7685338B2 (en) 2007-05-24 2010-03-23 Siliconsystems, Inc. Solid state storage subsystem for embedded applications
US7685374B2 (en) 2007-07-26 2010-03-23 Siliconsystems, Inc. Multi-interface and multi-bus structured solid-state storage subsystem
US8095851B2 (en) 2007-09-06 2012-01-10 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem capable of adjusting ECC settings based on monitored conditions
US8078918B2 (en) 2008-02-07 2011-12-13 Siliconsystems, Inc. Solid state storage subsystem that maintains and provides access to data reflective of a failure risk
US7962792B2 (en) 2008-02-11 2011-06-14 Siliconsystems, Inc. Interface for enabling a host computer to retrieve device monitor data from a solid state storage subsystem
US7733712B1 (en) 2008-05-20 2010-06-08 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem with embedded circuit for protecting against anomalies in power signal from host
US8375151B1 (en) 2009-02-12 2013-02-12 Siliconsystems, Inc. Command portal for securely communicating and executing non-standard storage subsystem commands
US8583835B1 (en) 2008-08-06 2013-11-12 Siliconsystems, Inc. Command portal for executing non-standard storage subsystem commands
US20100085713A1 (en) 2008-10-03 2010-04-08 Balandin Alexander A Lateral graphene heat spreaders for electronic and optoelectronic devices and circuits
US9176859B2 (en) 2009-01-07 2015-11-03 Siliconsystems, Inc. Systems and methods for improving the performance of non-volatile memory operations
US8090899B1 (en) 2009-03-04 2012-01-03 Western Digital Technologies, Inc. Solid state drive power safe wear-leveling
US10079048B2 (en) 2009-03-24 2018-09-18 Western Digital Technologies, Inc. Adjusting access of non-volatile semiconductor memory based on access time
KR101156620B1 (ko) 2009-04-08 2012-06-14 한국전자통신연구원 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
JP5431793B2 (ja) * 2009-05-29 2014-03-05 新光電気工業株式会社 放熱部品、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
CN101989583B (zh) * 2009-08-05 2013-04-24 清华大学 散热结构及使用该散热结构的散热系统
US8243525B1 (en) 2009-09-30 2012-08-14 Western Digital Technologies, Inc. Refreshing non-volatile semiconductor memory by reading without rewriting
US8254172B1 (en) 2009-09-30 2012-08-28 Western Digital Technologies, Inc. Wear leveling non-volatile semiconductor memory based on erase times and program times
US9753847B2 (en) 2009-10-27 2017-09-05 Western Digital Technologies, Inc. Non-volatile semiconductor memory segregating sequential, random, and system data to reduce garbage collection for page based mapping
US8135903B1 (en) 2009-10-30 2012-03-13 Western Digital Technologies, Inc. Non-volatile semiconductor memory compressing data to improve performance
US8261012B2 (en) 2009-10-30 2012-09-04 Western Digital Technologies, Inc. Non-volatile semiconductor memory comprising power fail circuitry for flushing write data in response to a power fail signal
US8397107B1 (en) 2009-12-11 2013-03-12 Western Digital Technologies, Inc. Data storage device employing data path protection using both LBA and PBA
US8443167B1 (en) 2009-12-16 2013-05-14 Western Digital Technologies, Inc. Data storage device employing a run-length mapping table and a single address mapping table
US8316176B1 (en) 2010-02-17 2012-11-20 Western Digital Technologies, Inc. Non-volatile semiconductor memory segregating sequential data during garbage collection to reduce write amplification
US8407449B1 (en) 2010-02-26 2013-03-26 Western Digital Technologies, Inc. Non-volatile semiconductor memory storing an inverse map for rebuilding a translation table
US8725931B1 (en) 2010-03-26 2014-05-13 Western Digital Technologies, Inc. System and method for managing the execution of memory commands in a solid-state memory
US8713066B1 (en) 2010-03-29 2014-04-29 Western Digital Technologies, Inc. Managing wear leveling and garbage collection operations in a solid-state memory using linked lists
US8782327B1 (en) 2010-05-11 2014-07-15 Western Digital Technologies, Inc. System and method for managing execution of internal commands and host commands in a solid-state memory
US9026716B2 (en) 2010-05-12 2015-05-05 Western Digital Technologies, Inc. System and method for managing garbage collection in solid-state memory
US8341339B1 (en) 2010-06-14 2012-12-25 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive garbage collecting a non-volatile semiconductor memory by migrating valid data to a disk
US8612669B1 (en) 2010-06-28 2013-12-17 Western Digital Technologies, Inc. System and method for performing data retention in solid-state memory using copy commands and validity and usage data
US8447920B1 (en) 2010-06-29 2013-05-21 Western Digital Technologies, Inc. System and method for managing data access in non-volatile memory
US8521972B1 (en) 2010-06-30 2013-08-27 Western Digital Technologies, Inc. System and method for optimizing garbage collection in data storage
US8639872B1 (en) 2010-08-13 2014-01-28 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive comprising write cache spanning non-volatile semiconductor memory and disk
US8775720B1 (en) 2010-08-31 2014-07-08 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive balancing execution times for non-volatile semiconductor memory and disk
US8638602B1 (en) 2010-09-10 2014-01-28 Western Digital Technologies, Inc. Background selection of voltage reference values for performing memory read operations
US8769190B1 (en) 2010-09-15 2014-07-01 Western Digital Technologies, Inc. System and method for reducing contentions in solid-state memory access
KR101680761B1 (ko) * 2010-09-17 2016-11-30 삼성전자주식회사 그래핀-폴리머 층상 복합체 및 그의 제조방법
US8788779B1 (en) 2010-09-17 2014-07-22 Western Digital Technologies, Inc. Non-volatile storage subsystem with energy-based performance throttling
US8612804B1 (en) 2010-09-30 2013-12-17 Western Digital Technologies, Inc. System and method for improving wear-leveling performance in solid-state memory
US10040683B2 (en) 2010-11-17 2018-08-07 Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration Multi-layered graphene sheet and method of fabricating the same
US8601313B1 (en) 2010-12-13 2013-12-03 Western Digital Technologies, Inc. System and method for a data reliability scheme in a solid state memory
US8601311B2 (en) 2010-12-14 2013-12-03 Western Digital Technologies, Inc. System and method for using over-provisioned data capacity to maintain a data redundancy scheme in a solid state memory
US8615681B2 (en) 2010-12-14 2013-12-24 Western Digital Technologies, Inc. System and method for maintaining a data redundancy scheme in a solid state memory in the event of a power loss
US8458435B1 (en) 2010-12-20 2013-06-04 Western Digital Technologies, Inc. Sequential write thread detection
US8392635B2 (en) 2010-12-22 2013-03-05 Western Digital Technologies, Inc. Selectively enabling a host transfer interrupt
US8683113B2 (en) 2011-02-04 2014-03-25 Western Digital Technologies, Inc. Concurrently searching multiple devices of a non-volatile semiconductor memory
US8700950B1 (en) 2011-02-11 2014-04-15 Western Digital Technologies, Inc. System and method for data error recovery in a solid state subsystem
US8537553B2 (en) 2011-02-14 2013-09-17 Futurewei Technologies, Inc. Devices having anisotropic conductivity heatsinks, and methods of making thereof
US8700951B1 (en) 2011-03-09 2014-04-15 Western Digital Technologies, Inc. System and method for improving a data redundancy scheme in a solid state subsystem with additional metadata
US10347559B2 (en) * 2011-03-16 2019-07-09 Momentive Performance Materials Inc. High thermal conductivity/low coefficient of thermal expansion composites
US20120241069A1 (en) 2011-03-22 2012-09-27 Massachusetts Institute Of Technology Direct Synthesis of Patterned Graphene by Deposition
US8769232B2 (en) 2011-04-06 2014-07-01 Western Digital Technologies, Inc. Non-volatile semiconductor memory module enabling out of order host command chunk media access
US8751728B1 (en) 2011-04-29 2014-06-10 Western Digital Technologies, Inc. Storage system bus transfer optimization
US8862804B2 (en) 2011-04-29 2014-10-14 Western Digital Technologies, Inc. System and method for improved parity determination within a data redundancy scheme in a solid state memory
US9021178B2 (en) 2011-05-02 2015-04-28 Western Digital Technologies, Inc. High performance path for command processing
US20120285673A1 (en) * 2011-05-11 2012-11-15 Georgia Tech Research Corporation Nanostructured composite polymer thermal/electrical interface material and method for making the same
JP5930604B2 (ja) * 2011-05-12 2016-06-08 株式会社サーモグラフィティクス 異方性熱伝導素子の製造方法
US8503237B1 (en) 2011-05-18 2013-08-06 Western Digital Technologies, Inc. System and method for data recovery in a solid state storage device
US8793429B1 (en) 2011-06-03 2014-07-29 Western Digital Technologies, Inc. Solid-state drive with reduced power up time
US8719531B2 (en) 2011-06-14 2014-05-06 Western Digital Technologies, Inc. System and method for performing data retention that incorporates environmental conditions
US8423722B1 (en) 2011-08-26 2013-04-16 Western Digital Technologies, Inc. System and method for high performance command processing in solid state drives
US8713357B1 (en) 2011-09-06 2014-04-29 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for detailed error reporting in data storage systems
US8707104B1 (en) 2011-09-06 2014-04-22 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for error injection in data storage systems
US8700834B2 (en) 2011-09-06 2014-04-15 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for an enhanced controller architecture in data storage systems
US8977803B2 (en) 2011-11-21 2015-03-10 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive data caching using a multi-tiered memory
US9314817B2 (en) * 2012-02-29 2016-04-19 Georgia Tech Research Corporation Three-dimensional vertically aligned functionalized multilayer graphene
US8724422B1 (en) 2012-02-29 2014-05-13 Western Digital Technologies, Inc. System and method for charging back-up charge storage element for data storage device using spindle phase switching elements
US9003224B2 (en) 2012-04-25 2015-04-07 Western Digital Technologies, Inc. Managing unreliable memory in data storage systems
US8788778B1 (en) 2012-06-04 2014-07-22 Western Digital Technologies, Inc. Garbage collection based on the inactivity level of stored data
US8966343B2 (en) 2012-08-21 2015-02-24 Western Digital Technologies, Inc. Solid-state drive retention monitor using reference blocks
US8788880B1 (en) 2012-08-22 2014-07-22 Western Digital Technologies, Inc. Efficient retry mechanism for solid-state memory failures
US9268682B2 (en) 2012-10-05 2016-02-23 Skyera, Llc Methods, devices and systems for physical-to-logical mapping in solid state drives
US8972826B2 (en) 2012-10-24 2015-03-03 Western Digital Technologies, Inc. Adaptive error correction codes for data storage systems
US9177638B2 (en) 2012-11-13 2015-11-03 Western Digital Technologies, Inc. Methods and devices for avoiding lower page corruption in data storage devices
US8954694B2 (en) 2012-11-15 2015-02-10 Western Digital Technologies, Inc. Methods, data storage devices and systems for fragmented firmware table rebuild in a solid state drive
US9021339B2 (en) 2012-11-29 2015-04-28 Western Digital Technologies, Inc. Data reliability schemes for data storage systems
US9059736B2 (en) 2012-12-03 2015-06-16 Western Digital Technologies, Inc. Methods, solid state drive controllers and data storage devices having a runtime variable raid protection scheme
US9293428B2 (en) * 2012-12-06 2016-03-22 Intel Corporation Low profile heat spreader and methods
US20140223255A1 (en) 2012-12-18 2014-08-07 Western Digital Technologies, Inc. Decoder having early decoding termination detection
US9430376B2 (en) 2012-12-26 2016-08-30 Western Digital Technologies, Inc. Priority-based garbage collection for data storage systems
US10087073B2 (en) * 2013-02-14 2018-10-02 Nanotek Instruments, Inc. Nano graphene platelet-reinforced composite heat sinks and process for producing same

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