KR20160000864A - 정전위 전해식 가스 센서의 에이징 장치, 및 정전위 전해식 가스 센서의 에이징 방법 - Google Patents

정전위 전해식 가스 센서의 에이징 장치, 및 정전위 전해식 가스 센서의 에이징 방법 Download PDF

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신이치 사사키
이쿠오 우에마츠
나오야 하야미즈
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가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

실시 형태에 따른 에이징 장치는, 정전위 전해식 가스 센서에 설치된 대향 전극 및 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 정전위 전해식 가스 센서에 설치된 작용극 간의 전위 인가와, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 전류의 측정을 행하는 조작 측정부와, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 상기 전류가 흐르기 시작할 때의 상기 전위를 구하고, 상기 전류가 흐르기 시작할 때의 상기 전위보다 높은 전위가 상기 대향 전극 및 상기 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 작용극 간에 인가되도록 상기 조작 측정부를 제어하는 제어부를 구비하고 있다.

Description

정전위 전해식 가스 센서의 에이징 장치, 및 정전위 전해식 가스 센서의 에이징 방법{AGING DEVICE OF CONSTANT ELECTRICAL POTENTIAL ELECTROLYSIS GAS SENSOR AND AGING METHOD OF CONSTANT ELECTRICAL POTENTIAL ELECTROLYSIS GAS SENSOR}
<관련 출원의 상호 참조>
본 출원은 2014년 6월 25일자 일본 특허출원 제2014-130345호를 기초로 우선권을 주장하며, 이 출원의 전체 내용은 본 출원에 원용된다.
본 발명의 실시 형태는, 정전위 전해식 가스 센서의 에이징 장치, 및 정전위 전해식 가스 센서의 에이징 방법에 관한 것이다.
황화수소, 오존, 일산화탄소, 아르신 등의 가스를 검출하는 가스 센서의 일종에 정전위 전해식 가스 센서가 있다.
정전위 전해식 가스 센서는, 전기 화학 반응에 따라, 작용극과 대향 전극 간에 흐르는 전해 전류를 측정하고, 이 전해 전류값을 측정 대상 가스의 농도로 변환한다.
여기서, 정전위 전해식 가스 센서를 처음으로 사용하는 경우나, 장시간 사용하지 않은 경우 등에 있어서는, 출력의 변동이 발생할 수 있다.
그로 인해, 일정한 출력 감도가 얻어질 때까지, 작용극과, 대향 전극 및 참조극 중 적어도 어느 하나와의 사이에 전위를 인가하는 에이징이 행하여지고 있다.
이와 같은 에이징에 있어서는, 에이징에 필요로 하는 시간이 변동되거나, 에이징의 완료까지 오랜 시간을 필요로 하거나 하는 문제가 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 에이징 장치(1)를 예시하기 위한 모식도이다.
도 2는 참조극(104)과 작용극(102) 간의 전위와, 작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류와의 관계를 예시하기 위한 그래프도이다.
실시 형태에 따른 에이징 장치는, 정전위 전해식 가스 센서에 설치된 대향 전극 및 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 정전위 전해식 가스 센서에 설치된 작용극 간의 전위 인가와, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 전류의 측정을 행하는 조작 측정부와, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 상기 전류가 흐르기 시작할 때의 상기 전위를 구하고, 상기 전류가 흐르기 시작할 때의 상기 전위보다 높은 전위가 상기 대향 전극 및 상기 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 작용극 간에 인가되도록 상기 조작 측정부를 제어하는 제어부를 구비하고 있다.
이하, 도면을 참조하면서, 실시 형태에 대하여 예시를 한다. 또한, 각 도면중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 부여하여 상세한 설명은 적절히 생략한다.
도 1은, 본 실시 형태에 따른 에이징 장치(1)를 예시하기 위한 모식도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 에이징 장치(1)는 정전위 전해식 가스 센서(100)에 전기적으로 접속된다.
먼저, 정전위 전해식 가스 센서(100)에 대하여 예시를 한다.
정전위 전해식 가스 센서(100)에는, 용기(101), 작용극(102), 대향 전극(103), 참조극(104), 및 전해액(105)이 설치되어 있다.
작용극(102), 대향 전극(103), 및 참조극(104)은 전극이다.
용기(101)는 전해액(105)을 보유 지지 가능한 밀폐 구조를 갖고 있다.
작용극(102)은 용기(101)의 내부에 설치되어 있다.
대향 전극(103)은 용기(101)의 내부에 설치되어 있다. 대향 전극(103)은 작용극(102)과 대향하고 있다.
참조극(104)은 용기(101)의 내부에 설치되어 있다. 참조극(104)은 작용극(102)과 대향하고 있다.
이 경우, 참조극(104)은 작용극(102)과 대향 전극(103) 사이에 설치되어 있어도 되고, 대향 전극(103)과 나란히 설치되어 있어도 된다.
작용극(102), 대향 전극(103), 및 참조극(104)은 에이징 장치(1)(조작 측정부(2))의 단자에 각각 전기적으로 접속되어 있다.
작용극(102), 대향 전극(103), 및 참조극(104)은 예를 들어, 불소 수지 등을 포함하는 기재와, 기재 위에 설치된 피검 가스를 산화, 환원하기에 적합한 전극 형성 재료(예를 들어, 금 등)를 포함하는 막을 구비하고 있다.
전극 형성 재료를 포함하는 막은, 예를 들어, 스퍼터링법 등을 사용하여 형성할 수 있다.
또한, 작용극(102), 대향 전극(103), 및 참조극(104)은 예를 들어, 전극 형성 재료를 포함하는 분말과, 불소 수지 등을 포함하는 분말을 혼합한 것을 기재 위에 도포하고, 소결함으로써 형성할 수도 있다.
전해액(105)은 부직포 등을 포함하는 시트에 포함시킨 상태에서, 전술한 전극끼리의 사이에 설치되어 있다.
전해액(105)은 예를 들어, 황산을 포함하는 용액으로 할 수 있다.
또한, 용기(101)에는, 피검 가스를 용기(101)의 내부에 도입하기 위한 도시하지 않은 통기로와, 용기(101)의 내부 가스를 외부로 배출하기 위한 도시하지 않은 통기로와, 통기로에 각각 설치된 도시하지 않은 필터가 설치되어 있다.
또한, 필터는, 측정에 영향을 미치는 간섭 가스를 흡수하는 흡수제가 설치된 것으로 할 수도 있다.
이어서, 정전위 전해식 가스 센서(100)의 작용에 대하여 예시한다.
통기로를 통하여 용기(101)의 내부에 도입된 피검 가스는, 전해액(105)에 용해된다. 여기서, 작용극(102)은 참조극(104)에 대하여 일정한 전위로 유지되고 있다. 그로 인해, 피검 가스는, 작용극(102)과 전해액(105)의 계면에서 전해되어, 피검 가스의 농도에 따른 반응 전류가 작용극(102)과 대향 전극(103) 사이에 흐른다. 반응 전류와 피검 가스의 농도의 관계는, 미리 실험 등을 행함으로써 구할 수 있다. 그로 인해, 반응 전류를 측정함으로써 피검 가스의 농도를 연산할 수 있다.
정전위 전해식 가스 센서(100)는 이상과 같이 하여, 피검 가스의 농도를 검출한다.
이어서, 본 실시 형태에 따른 에이징 장치(1)에 대하여 예시를 한다.
에이징 장치(1)에는, 조작 측정부(2), 측정부(3), 및 제어부(4)가 설치되어 있다.
조작 측정부(2)에는, 작용극(102), 대향 전극(103), 및 참조극(104)이 각각 전기적으로 접속되어 있다.
조작 측정부(2)는 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간의 전위 인가와, 작용극(102)과, 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류의 측정을 행한다.
조작 측정부(2)는 예를 들어, 참조극(104)과 작용극(102) 간의 전위가 일정해지도록 제어하고, 작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류를 측정하거나, 작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류가 일정해지도록 제어하고, 참조극(104)과 작용극(102) 간의 전위를 측정하거나 한다.
조작 측정부(2)는 예를 들어, 포텐셔/갈바노 스태트(Potentio/Galvanostat) 등으로 할 수 있다.
측정부(3)는 조작 측정부(2)와 전기적으로 접속되어 있다.
측정부(3)는 조작 측정부(2)로부터의 출력에 기초하여 임피던스를 측정한다.
측정부(3)는 예를 들어, 주파수 응답 애널라이저 등으로 할 수 있다.
측정부(3)는 반드시 필요한 것은 아니고, 필요에 따라 설치하도록 할 수 있다.
제어부(4)는 조작 측정부(2)와 측정부(3)에 전기적으로 접속되어 있다.
제어부(4)는 조작 측정부(2)를 제어하여, 정전위 전해식 가스 센서(100)의 에이징을 행한다.
제어부(4)는 예를 들어, 작용극(102)과, 대향 전극(103) 사이에 전류가 흐르기 시작할 때의 전위를 구하고, 구해진 전위보다 높은 전위가, 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 사이에 인가되도록 조작 측정부(2)를 제어한다.
여기서, 정전위 전해식 가스 센서(100)의 에이징에 대하여 예시한다.
정전위 전해식 가스 센서(100)를 처음으로 사용하는 경우나, 장시간 사용하지 않은 경우 등에 있어서는, 출력의 변동이 발생하는 경우가 있다.
그로 인해, 일정한 출력 감도가 얻어질 때까지, 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간에 전위를 인가하는 에이징이 행하여진다.
이와 같은 에이징에 있어서는, 에이징에 필요로 하는 시간이 변동되거나, 에이징의 완료까지 오랜 시간을 필요로 하거나 하는 경우가 있다.
도 2는, 참조극(104)과 작용극(102) 간의 전위와, 작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류와의 관계를 예시하기 위한 그래프도이다.
또한, 도 2는, 작용극(102), 대향 전극(103), 및 참조극(104)이 각각 금을 포함하고, 전해액(105)이 8.7M(mol/L)의 황산을 포함하는 경우이다.
참조극(104)과 작용극(102) 간에 인가하는 전위를 높여 가면, 작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 전류가 흐르기 시작한다.
예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 참조극(104)과 작용극(102) 간에 인가하는 전위를 V0 이상으로 하면, 작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 전류가 흐르기 시작한다.
작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 전류가 흐르면, 작용극(102)의 표면에 화합물이 형성된다. 예를 들어, 작용극(102)이 금을 포함하는 경우에는, 작용극(102)의 표면에 수산화금 「Au(OH)n」이 형성된다.
작용극(102)의 표면에 화합물이 형성되고, 표면 상태가 균일해지면, 출력의 변동이 억제된다. 즉, 작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 전류를 흘림으로써, 작용극(102)의 표면에 화합물이 형성되면, 에이징을 종료시킬 수 있다.
그런데, 전류가 흐르는 방식에는 개체차가 있다.
예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 인가하는 전위가 동일한 V1이어도, 정전위 전해식 가스 센서(100a)에서는 전류값이 Ia가 되고, 정전위 전해식 가스 센서(100b)에서는 전류값이 Ib가 된다.
그로 인해, 동일한 정전위 전해식 가스 센서여도, 에이징에 필요로 하는 시간이 변동되거나, 에이징의 완료까지 오랜 시간을 필요로 하거나 하는 경우가 있다.
본 발명자들의 검토 결과, 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나의 표면 상태가 에이징에 큰 영향을 미치는 것이 판명되었다.
예를 들어, 정전위 전해식 가스 센서(100)의 제조 시에 있어서의 대향 전극(103) 및 참조극(104)의 표면 상태나, 정전위 전해식 가스 센서(100)를 사용함으로써 대향 전극(103) 및 참조극(104)의 표면에 부착된 부착물(예를 들어, 피검 가스가 성분을 포함하는 부착물 등)의 양 등에 따라, 전류가 흐르는 방식에 개체차가 발생한다. 그로 인해, 에이징에 필요로 하는 시간이 변동되거나, 에이징의 완료까지 오랜 시간을 필요로 하거나 하게 된다.
이 경우, 대향 전극(103) 및 참조극(104)의 표면 상태가 소정의 범위가 되도록 하거나, 대향 전극(103) 및 참조극(104)의 표면에 부착된 부착물을 제거하거나 하면, 에이징에 필요로 하는 시간의 변동의 억제나 에이징의 시간 단축을 도모할 수 있다.
그러나, 이와 같이 하면, 필요하게 되는 노동력이나 시간이 오히려 증가할 우려가 있다.
본 발명자들이 얻은 지견에 의하면, 작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 전류가 흐르기 시작할 때의 전위를 검출하고, 이 전위보다도 0.1V 이상 높은 전위를 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간에 인가하면, 에이징에 필요로 하는 시간의 변동의 억제나 에이징의 시간 단축을 도모할 수 있다.
이어서, 에이징 장치(1)의 작용에 대하여 예시한다.
먼저, 제어부(4)는 조작 측정부(2)를 제어하여, 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간에 인가하는 전위를 변화시키고, 작용극(102)과, 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류를 측정한다.
이때, 측정부(3)는 조작 측정부(2)로부터의 출력에 기초하여 작용극(102)과, 대향 전극(103) 간의 임피던스를 측정한다.
이어서, 제어부(4)는 조작 측정부(2)로부터의 출력에 기초하여 작용극(102)과, 대향 전극(103) 간에 전류가 흐르기 시작할 때의 전위를 구한다.
이어서, 제어부(4)는 조작 측정부(2)를 제어하고, 구해진 전위보다 높은 전위를, 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간에 인가한다.
이 경우, 제어부(4)는 구해진 전위보다 0.1V 이상 높은 전위가, 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간에 인가되도록 조작 측정부(2)를 제어한다.
이어서, 제어부(4)는 조작 측정부(2)로부터의 출력에 기초하여 에이징의 종료 시기를 판단한다.
제어부(4)는 예를 들어, 작용극(102)과, 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류의 값에 기초하여, 에이징의 종료를 판단한다.
이 경우, 제어부(4)는 예를 들어, 작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류의 값이 소정의 값을 초과하거나, 작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류의 값이 안정되거나 한 경우에는, 에이징이 종료되었다고 판단할 수 있다.
또한, 기준이 되는 전류의 값은, 미리 실험 등을 행함으로써 구할 수 있다.
또한, 제어부(4)는 예를 들어, 구해진 전위보다 높은 전위를, 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간에 인가하고 나서 소정의 시간 경과 후에 에이징을 종료시킬 수도 있다.
또한, 소정의 시간은, 미리 실험 등을 행함으로써 구할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 실시 형태에 따른 정전위 전해식 가스 센서의 에이징 방법은, 이하의 공정을 구비할 수 있다.
대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간에 인가하는 전위를 변화시키고, 작용극(102)과, 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류를 측정하는 공정.
작용극(102)과, 대향 전극(103) 간에 전류가 흐르기 시작할 때의 전위를 구하는 공정.
구해진 전위보다 높은 전위를, 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간에 인가하는 공정.
이 경우, 구해진 전위보다 높은 전위를, 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간에 인가하는 공정에 있어서, 전류가 흐르기 시작할 때의 전위보다 0.1V 이상 높은 전위를 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간에 인가할 수 있다.
또한, 구해진 전위보다 높은 전위를, 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간에 인가한 후에, 작용극(102)과, 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류의 값에 기초하여, 에이징의 종료를 판단하는 공정을 더 구비할 수 있다.
이 경우, 예를 들어, 작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류의 값이 소정의 값을 초과하거나, 작용극(102)과 대향 전극(103) 간에 흐르는 전류의 값이 안정되거나 한 경우에는, 에이징이 종료되었다고 판단할 수 있다.
또한, 구해진 전위보다 높은 전위를, 대향 전극(103) 및 참조극(104) 중 적어도 어느 하나와, 작용극(102) 간에 인가하고 나서 소정의 시간 경과 후에 에이징을 종료시킬 수도 있다.
또한, 각 공정에서의 내용은, 전술한 것과 동일하게 할 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
지금까지 몇 가지 실시예들이 기술되었으나, 그러한 실시예들은 단지 예로서만 나타내어진 것으로서, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 실제로, 본 명세서에 기술된 신규 실시예들은 다양한 다른 형태로 실시될 수 있고; 또한, 본 명세서에 기술된 실시예들의 형태에 있어서, 다양한 생략, 치환, 변환이, 본 발명의 사상을 벗어나지 않고서 이루어질 수 있다. 첨부된 특허청구범위 및 그 등가물들은 본 발명의 범주 및 사상에 속하는 형태 또는 변경을 포함하는 것이다. 또한 상술한 실시예들은 서로 조합하여 수행될 수도 있다.

Claims (20)

  1. 에이징 장치로서,
    정전위 전해식 가스 센서에 설치된 대향 전극 및 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 정전위 전해식 가스 센서에 설치된 작용극 간의 전위 인가와, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 전류의 측정을 행하는 조작 측정부와,
    상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 상기 전류가 흐르기 시작할 때의 상기 전위를 구하고, 상기 전류가 흐르기 시작할 때의 상기 전위보다 높은 전위가 상기 대향 전극 및 상기 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 작용극 간에 인가되도록 상기 조작 측정부를 제어하는 제어부
    를 구비한, 에이징 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 전류가 흐르기 시작할 때의 상기 전위보다 0.1V 이상 높은 전위가 상기 대향 전극 및 상기 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 작용극 간에 인가되도록 상기 조작 측정부를 제어하는, 에이징 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 상기 전류의 값에 기초하여, 에이징의 종료를 판단하는, 에이징 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 상기 전류의 값이 소정의 값을 초과한 경우에는, 상기 에이징이 종료되었다고 판단하는, 에이징 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 상기 전류의 값이 안정된 경우에는, 상기 에이징이 종료되었다고 판단하는, 에이징 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 전류가 흐르기 시작할 때의 상기 전위보다 높은 전위가 인가되고 나서 소정의 시간 경과 후에 상기 에이징이 종료되었다고 판단하는, 에이징 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 조작 측정부는 상기 참조극과 상기 작용극 간의 상기 전위가 일정해지도록 제어하고, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 상기 전류를 측정하는, 에이징 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 조작 측정부는 포텐셔/갈바노 스태트(Potentio/Galvanostat)인, 에이징 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 조작 측정부에서의 출력에 기초하여 임피던스를 측정하는 측정부를 더 구비한, 에이징 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 측정부는 주파수 응답 애널라이저인, 에이징 장치.
  11. 에이징 방법으로서,
    정전위 전해식 가스 센서에 설치된 대향 전극 및 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 정전위 전해식 가스 센서에 설치된 작용극 간에 인가하는 전위를 변화시키고, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 전류를 측정하는 공정과,
    상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 상기 전류가 흐르기 시작할 때의 상기 전위를 구하는 공정과,
    상기 전류가 흐르기 시작할 때의 상기 전위보다 높은 전위를 상기 대향 전극 및 상기 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 작용극 간에 인가하는 공정
    을 구비한, 에이징 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 전류가 흐르기 시작할 때의 상기 전위보다 높은 전위를 상기 대향 전극 및 상기 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 작용극 간에 인가하는 공정에 있어서,
    상기 전류가 흐르기 시작할 때의 상기 전위보다 0.1V 이상 높은 전위를 상기 대향 전극 및 상기 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 작용극 간에 인가하는, 에이징 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 높은 전위를, 상기 대향 전극 및 상기 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 작용극 간에 인가한 후에, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 상기 전류의 값에 기초하여, 에이징의 종료를 판단하는 공정을 더 구비한, 에이징 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 에이징의 종료를 판단하는 공정에 있어서, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 상기 전류의 값이 소정의 값을 초과한 경우에는, 상기 에이징이 종료되었다고 판단하는, 에이징 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 에이징의 종료를 판단하는 공정에 있어서, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 상기 전류의 값이 안정된 경우에는, 상기 에이징이 종료되었다고 판단하는, 에이징 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 에이징의 종료를 판단하는 공정에 있어서, 상기 높은 전위를, 상기 대향 전극 및 상기 참조극 중 적어도 어느 하나와 상기 작용극 간에 인가하고 나서 소정의 시간 경과 후에 상기 에이징을 종료시키는, 에이징 방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 상기 전류를 측정하는 공정에 있어서, 상기 참조극과 상기 작용극 간의 상기 전위를 일정하게 하고, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 상기 전류를 측정하는, 에이징 방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 상기 전류를 측정하는 공정에 있어서, 포텐셔/갈바노 스태트를 사용하여, 상기 전위의 제어와, 상기 전류의 측정을 행하는, 에이징 방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 작용극과 상기 대향 전극 간에 흐르는 상기 전류에 기초하여, 임피던스를 측정하는 공정을 더 구비한, 에이징 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 임피던스를 측정하는 공정에 있어서, 주파수 응답 애널라이저를 사용하여 상기 임피던스를 측정하는, 에이징 방법.
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