KR20150145058A - 염료감응형 태양전지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 염료감응형 태양전지에 관한 것으로, 본 발명에서는 상/하부 판의 테두리로 노출된 내부격벽의 최 외곽에 상기 상/하부 판과 유사한 재질(예컨대, 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit) 재질, PbO 계 글래스 프릿 재질 등)을 가지는 오염물질 차단격벽을 추가로 배치하고, 이를 통해, 외부로부터 상/하부 판의 내측으로 유입/침투되는 여러 오염물질(예를 들어, 수분, 가스, 오일, 각종 화학물질 등)이 별다른 어려움 없이 효과적으로 차단/차폐될 수 있도록 유도함은 물론, 상기 상/하부 판의 합착강도 까지도 대폭 증대될 수 있도록 유도함으로써, 생산주체 측에서, 최종 생산되는 태양전지의 품질향상 이점은 물론, 자사 생산제품의 경쟁력향상 이점까지도 융통성 있게 향유할 수 있도록 가이드 할 수 있다.
Description
본 발명은 염료감응형 태양전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상/하부 판의 테두리로 노출된 내부격벽의 최 외곽에 상기 상/하부 판과 유사한 재질(예컨대, 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit) 재질, PbO 계 글래스 프릿 재질 등)을 가지는 오염물질 차단격벽을 추가로 배치하고, 이를 통해, 외부로부터 상/하부 판의 내측으로 유입/침투되는 여러 오염물질(예를 들어, 수분, 가스, 오일, 각종 화학물질 등)이 별다른 어려움 없이 효과적으로 차단/차폐될 수 있도록 유도함은 물론, 상기 상/하부 판의 합착강도 까지도 대폭 증대될 수 있도록 유도함으로써, 생산주체 측에서, 최종 생산되는 태양전지의 품질향상 이점은 물론, 자사 생산제품의 경쟁력향상 이점까지도 융통성 있게 향유할 수 있도록 가이드 할 수 있는 연료감응형 태양전지에 관한 것이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 기술에 따른 염료감응형 태양전지(10)는 상/하부 전극(51,52)이 구비된 글래스 재질의 상/하부 판(21,22)과, 상기 상/하부 판(21,22) 사이에 개재된 상태에서, 내부격벽(40)에 의해 상호 분리되며, 상/하부 판(21,22)을 따라 배열되면서, 전해질 및 염료고분자를 수용하는 다수의 전해질/염료 수용 셀(30)과, 상기 내부격벽(40) 내에 삽입되어, 전해질로부터 분리되는 그리드 전극(53)(Grid electrode) 등이 체계적으로 조합된 구성을 취하게 된다. 이 경우, 상/하부 판(21,22)에는 예컨대, FTO 등의 전도성 물질(도시 안됨)이 코팅될 수 있다.
이러한 염료감응형 태양전지(10)의 보다 상세한 구조는 예를 들어, 국내공개특허 제10-2012-114888호(명칭: 염료감응 태양전지용 봉지재 및 이를 이용한 염료감응 태양전지의 봉지방법)(2012.10.17.자 공개), 국내등록특허 제10-1223736호(명칭: 염료감응 태양전지용 전해질 및 이를 이용한 염료감응 태양전지)(2013.1.21.자 공고) 등에 개시되어 있다.
한편, 이러한 종래의 체제 하에서, 염료감응형 태양전지(10)를 구성하는 상부 판(21) 및 하부 판(22)의 샌드위치 형 조립/합체가 상기 내부격벽(40)을 매개로 완료되면, 생산주체 측에서는 상/하부 판(21,22)의 측 부에 형성되어 있던 전해질 주입구(60)를 통해, 전해질 및 염료고분자를 주입하는 공정을 실시(도 1의 경우)하거나, 상부 판(21)에 형성된 전해질 주입 홀(80)을 통해 전해질 및 염료고분자를 주입하는 공정을 실시(도 2의 경우)하게 된다.
물론, 상기 전해질 및 염료고분자의 주입 후, 별도의 추가 조치가 취해지지 아니하면, 해당 전해질이 외부로 유출되는 심각한 문제점이 야기될 수 있기 때문에, 생산주체 측에서는 일련의 실링 공정을 진행하여, 상기 상/하부 판(21,22)의 외곽에 실링구조물(70)을 배치시키고, 이 실링구조물(70)을 통해, 전해질의 외부 유출을 미리 방지시키는 조치를 다양하게 취하고 있다.
예를 들어, 국내공개특허 제10-2010-116797호(명칭: 태양전지용 실링장치 및 그 제어방법)(2010.11.2.자 공개), 국내공개특허 제10-2013-23929호(명칭: 염료감응 태양전지의 전해질 실링 구조)(2013.3.8.자 공개) 등에는 이러한 종래의 기술에 따른 전해질 실링 방법의 일례가 좀 더 상세하게 개시되어 있다.
이러한 종래의 체제 하에서, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 내부격벽(40)은 전해질/염료 수용 셀(30)을 가득 채운 전해질과 직접적인 접촉을 이룰 수밖에 없기 때문에, 생산주체 측에서는 내부격벽(40)의 재질로써, 전해질에 대해 강한 차단품질을 나타낼 수 있는 일련의 전해질 차단물질, 예를 들어, 바나듐산염(Vanadate), 실리케이트(Silicate) 등을 선택하게 된다.
그러나, 이러한 전해질 차단물질들은 비록, 전해질에 대해서는 강한 차단품질을 나타낼 수 있지만, 외부로부터 상/하부 판(21,22)의 내측으로 유입/침투되는 여러 오염물질, 예를 들어, 수분, 가스, 오일, 각종 화학물질 등에 대해서는 매우 낮은 차단품질을 나타낼 수밖에 없게 되며, 결국, 별다른 조치가 취해지지 않는 한, 생산주체 측에서는 상/하부 판(21,22)의 내측이 외부로부터 유입/침투되는 여러 오염물질(예를 들어, 수분, 가스, 오일, 각종 화학물질 등)에 의해 오염되는 심각한 피해를 피할 수 없게 된다(물론, 이러한 상/하부 판(21,22) 내측의 심각한 오염상황 하에서, 최종 생산되는 태양전지의 신뢰성은 크게 저하될 수밖에 없게 된다).
물론, 상술한 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 종래에서는 상/하부 판(21,22)의 외곽에 일련의 실링구조물(70)을 추가로 배치시켜 놓고 있기는 하지만, 이 실링구조물(70) 역시, 오로지 전해질에 대해서만 강한 차단품질을 나타낼 수 있는 일련의 전해질 차단물질(예를 들어, 실리콘, 에폭시, UV 에폭시 등)로 이루어져 있기 때문에, 결국, 실링구조물(70)의 배치상황 하에서도, 생산주체 측에서는 상/하부 판(21,22)의 내측이 외부로부터 유입/침투되는 여러 오염물질(예를 들어, 수분, 가스, 오일, 각종 화학물질 등)에 의해 오염되는 심각한 피해를 피할 수 없게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 상/하부 판의 테두리로 노출된 내부격벽의 최 외곽에 상기 상/하부 판과 유사한 재질(예컨대, 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit) 재질, PbO 계 글래스 프릿 재질 등)을 가지는 오염물질 차단격벽을 추가로 배치하고, 이를 통해, 외부로부터 상/하부 판의 내측으로 유입/침투되는 여러 오염물질(예를 들어, 수분, 가스, 오일, 각종 화학물질 등)이 별다른 어려움 없이 효과적으로 차단/차폐될 수 있도록 유도함은 물론, 상기 상/하부 판의 합착강도 까지도 대폭 증대될 수 있도록 유도함으로써, 생산주체 측에서, 최종 생산되는 태양전지의 품질향상 이점은 물론, 자사 생산제품의 경쟁력향상 이점까지도 융통성 있게 향유할 수 있도록 가이드 하는데 있다.
본 발명의 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부된 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 상/하부 판과; 상기 상/하부 판 사이에 개재된 상태에서, 내부격벽에 의해 상호 분리되며, 상기 상/하부 판을 따라 배열되면서, 전해질 및 염료고분자를 수용하는 전해질/염료 수용 셀을 포함하며, 상기 상/하부 판의 테두리로 노출된 상기 내부격벽의 최 외곽에는 외부 오염물질의 유입을 차단하기 위한 오염물질 차단격벽이 배치되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지를 개시한다.
본 발명에서는 상/하부 판의 테두리로 노출된 내부격벽의 최 외곽에 상기 상/하부 판과 유사한 재질(예컨대, 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit) 재질, PbO 계 글래스 프릿 재질 등)을 가지는 오염물질 차단격벽을 추가로 배치하기 때문에, 본 발명의 구현환경 하에서, 외부로부터 상/하부 판의 내측으로 유입/침투되는 여러 오염물질(예를 들어, 수분, 가스, 오일, 각종 화학물질 등)은 별다른 어려움 없이 효과적으로 차단/차폐될 수 있음은 물론, 상기 상/하부 판의 합착강도 까지도 대폭 증대될 수 있게 되며, 결국, 생산주체 측에서는, 최종 생산되는 태양전지의 품질향상 이점은 물론, 자사 생산제품의 경쟁력향상 이점까지도 융통성 있게 향유할 수 있게 된다.
도 1 및 도 2는 종래의 기술에 따른 염료감응형 태양전지를 도시한 예시도.
도 3은 본 발명의 일 실시에 따른 염료감응형 태양전지를 도시한 예시도.
도 4는 본 발명의 다른 실시에 따른 염료감응형 태양전지를 도시한 예시도.
도 3은 본 발명의 일 실시에 따른 염료감응형 태양전지를 도시한 예시도.
도 4는 본 발명의 다른 실시에 따른 염료감응형 태양전지를 도시한 예시도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 염료감응형 태양전지를 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시에 따른 염료감응형 태양전지(100)는 상/하부 전극(151,152)이 구비된 글래스 재질의 상/하부 판(121,122)과, 상기 상/하부 판(121,122) 사이에 개재된 상태에서, 내부격벽(140)에 의해 상호 분리되며, 상/하부 판(121,122)을 따라 배열되면서, 전해질 및 염료고분자를 수용하는 다수의 전해질/염료 수용 셀(130)과, 상기 내부격벽(140) 내에 삽입되어, 전해질로부터 분리되는 그리드 전극(153)(Grid electrode) 등이 체계적으로 조합된 구성을 취하게 된다. 이 경우, 상/하부 판(121,122)에는 예컨대, FTO 등의 전도성 물질(도시 안됨)이 코팅될 수 있다.
한편, 이러한 본 발명의 체제 하에서, 염료감응형 태양전지(100)를 구성하는 상부 판(121) 및 하부 판(122)의 샌드위치 형 조립/합체가 상기 내부격벽(140)을 매개로 완료되면, 생산주체 측에서는 상/하부 판(121,122)의 측 부에 형성되어 있던 전해질 주입구(160)를 통해, 전해질 및 염료고분자를 주입하는 공정을 실시하게 된다.
물론, 상기 전해질 및 염료고분자의 주입 후, 별도의 추가 조치가 취해지지 아니하면, 해당 전해질이 외부로 유출되는 심각한 문제점이 야기될 수 있기 때문에, 생산주체 측에서는 일련의 실링 공정을 진행하여, 상기 상/하부 판(121,122)의 외곽에 실링구조물(170)을 배치시키고, 이 실링구조물(170)을 통해, 전해질의 외부 유출을 미리 방지시키는 조치를 다양하게 취하게 된다.
이러한 본 발명의 체제 하에서, 내부격벽(140)은 전해질/염료 수용 셀(130)을 가득 채운 전해질과 직접적인 접촉을 이룰 수밖에 없기 때문에, 생산주체 측에서는 내부격벽(140)의 재질로써, 전해질에 대해 강한 차단품질을 나타낼 수 있는 일련의 전해질 차단물질, 예를 들어, 바나듐산염(Vanadate), 실리케이트(Silicate) 등을 선택하게 된다.
그러나, 이러한 전해질 차단물질들은 비록, 전해질에 대해서는 강한 차단품질을 나타낼 수 있지만, 외부로부터 상/하부 판(121,122)의 내측으로 유입/침투되는 여러 오염물질, 예를 들어, 수분, 가스, 오일, 각종 화학물질 등에 대해서는 매우 낮은 차단품질을 나타낼 수밖에 없게 되며, 결국, 별다른 조치가 취해지지 않는 한, 생산주체 측에서는 상/하부 판(121,122)의 내측이 외부로부터 유입/침투되는 여러 오염물질(예를 들어, 수분, 가스, 오일, 각종 화학물질 등)에 의해 오염되는 심각한 피해를 피할 수 없게 된다(물론, 이러한 상/하부 판(121,122) 내측의 심각한 오염상황 하에서, 최종 생산되는 태양전지의 신뢰성은 크게 저하될 수밖에 없게 된다).
이러한 민감한 상황 하에서, 본 발명에서는 오염물질의 무단 유입/침투를 차단하기 위한 본 발명 고유의 오염물질 차단격벽(200)을 추가 형성/배치하는 조치를 강구하게 된다.
이를 위하여, 본 발명에서는 상부 판(121) 및 하부 판(122)의 샌드위치 형 조립/합체가 상기 내부격벽(140)을 매개로 시행되는 국면에서, 상/하부 판(121,122)의 테두리를 타겟으로 하는 일련의 인쇄공정, 소성공정 등을 진행하고, 이를 통해, 상/하부 판(121,122)의 테두리로 노출된 내부격벽(140)의 최 외곽에 <외부 오염물질의 유입을 차단하기 위한 본 발명 고유의 오염물질 차단격벽(200)>을 형성/배치하게 된다.
다른 예로써, 본 발명에서는 상부 판(121) 및 하부 판(122)의 샌드위치 형 조립/합체가 상기 내부격벽(140)을 매개로 시행되는 국면에서, 상/하부 판(121,122)의 테두리를 타겟으로 하는 일련의 디스펜싱 공정을 진행하고, 이를 통해, 상/하부 판(121,122)의 테두리로 노출된 내부격벽(140)의 최 외곽에 <외부 오염물질의 유입을 차단하기 위한 본 발명 고유의 오염물질 차단격벽(200)>을 추가로 형성/배치하게 된다.
이러한 각각의 경우에서, 본 발명에서는 오염물질 차단격벽(200)의 재질을 바람직하게, 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit) 재질 또는 PbO 계 글래스 프릿 재질로 선택하게 된다.
몰론, 상기 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit), PbO 계 글래스 프릿 등은 우수한 내습, 내유, 내 가스 특성을 지니는 세라믹 물질이기 때문에, 상술한 바와 같이, 상/하부 판(121,122)의 테두리로 노출된 내부격벽(140)의 최 외곽에 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit) 재질, PbO 계 글래스 프릿 재질 등을 가지는 본 발명 고유의 오염물질 차단격벽(200)이 추가로 배치되는 경우, 외부의 여러 오염물질(예를 들어, 수분, 가스, 오일, 각종 화학물질 등)은 오염물질 차단격벽(200)의 차단작용에 의해 상/하부 판(121,122)의 내측으로 전혀 유입/침투할 수 없게 되며, 결국, 생산주체 측에서는, 오염물질의 유입/침투에 기인한 제품의 신뢰성 저하를 손쉽게 회피할 수 있게 됨으로써, 최종 생산되는 태양전지의 품질향상 이점은 물론, 자사 생산제품의 경쟁력향상 이점까지도 융통성 있게 향유할 수 있게 된다.
특히, 오염물질 차단격벽(200)을 이루는 상기 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit), PbO 계 글래스 프릿 등은 상/하부 판(121,122)의 재질(즉, 글래스 재질)과 매우 유사(또는, 동일)한 재질이기 때문에, 상/하부 판(121,122)의 테두리로 노출된 내부격벽(140)의 최 외곽에 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit) 재질, PbO 계 글래스 프릿 재질 등을 가지는 본 발명 고유의 오염물질 차단격벽(200)이 추가로 배치된 상황 하에서, 상/하부 판(121,122)의 조립/합체를 위한 공정이 진행되는 경우, 해당 상/하부 판(121,122) 측에서는 별다른 어려움 없이, 오염물질 차단격벽(200)을 합착 매개체로 활용하여, 상호 간에 매우 강한 융착을 이룰 수 있게 되며, 결국, 본 발명의 구현환경 하에서, 생산주체 측에서는 상술한 오염물질 차단효과는 물론, 상/하부 판(121,122)의 합착강도가 대폭 증대되는 효과까지도 융통성 있게 향유할 수 있게 된다.
한편, 이러한 본 발명의 기술사상을 구현함에 있어서, 본 발명에서는 상/하부 판(121,122)의 테두리로 노출된 내부격벽(140)의 외곽에 전해질 및 염료고분자의 주입을 위한 전해질 주입구(160)가 추가 형성되어 있는지를 점검하고, 만약, 도 3에 도시된 바와 같이, 상/하부 판(121,122)의 테두리로 노출된 내부격벽(140)의 외곽에 전해질 및 염료고분자의 주입을 위한 전해질 주입구(160)가 추가 형성되어 있는 경우, 해당 전해질 주입구 형성구역에는 오염물질 차단격벽(200)의 배치/형성을 생략하는 융통성 있는 조치를 강구하게 된다.
물론, 이러한 오염물질 차단격벽(200)의 선별적인 배치 구조 하에서, 생산주체 측에서는 내부격벽(140)의 최 외곽에 오염물질 차단격벽(200)이 추가로 배치된 상황 하에서도, 별다른 어려움 없이, 전해질 주입구(160)를 활용하여, 전해질/염료 수용 셀(130) 내부에 전해질 및 염료고분자를 손쉽게 주입할 수 있게 된다(참고로, 상기 실링구조물(170)은 전해질 주입구(160)를 통해, 전해질 및 염료고분자가 주입된 이후에 형성된다).
다른 한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시에 따른 염료감응형 태양전지(101)는 앞의 실시 예와 달리, 상부 판(121)에 형성된 전해질 주입 홀(180)을 통해 전해질 및 염료고분자가 주입되는 변화된 타입을 취하게 된다.
물론, 이러한 본 발명의 다른 실시 하에서도, 본 발명에서는 오염물질의 무단 유입/침투를 차단하기 위한 본 발명 고유의 오염물질 차단격벽(200)을 추가 형성/배치하는 조치를 강구하게 된다.
이 경우에도, 본 발명에서는 상부 판(121) 및 하부 판(122)의 샌드위치 형 조립/합체가 상기 내부격벽(140)을 매개로 시행되는 국면에서, 상/하부 판(121,122)의 테두리를 타겟으로 하는 일련의 인쇄공정, 소성공정 등을 진행하고, 이를 통해, 상/하부 판(121,122)의 테두리로 노출된 내부격벽(140)의 최 외곽에 <외부 오염물질의 유입을 차단하기 위한 본 발명 고유의 오염물질 차단격벽(200)>을 형성/배치하게 된다.
다른 예로써, 본 발명에서는 상부 판(121) 및 하부 판(122)의 샌드위치 형 조립/합체가 상기 내부격벽(140)을 매개로 시행되는 국면에서, 상/하부 판(121,122)의 테두리를 타겟으로 하여, 일련의 디스펜싱 공정을 진행하고, 이를 통해, 상/하부 판(121,122)의 테두리로 노출된 내부격벽(140)의 최 외곽에 <외부 오염물질의 유입을 차단하기 위한 본 발명 고유의 오염물질 차단격벽(200)>을 추가로 형성/배치하게 된다.
이때, 본 발명의 다른 실시에 따른 염료감응형 태양전지(101)는 앞의 실시 예와 달리, 상부 판(121)에 형성된 전해질 주입 홀(180)을 통해 전해질 및 염료고분자를 주입하는 타입을 취하고 있기 때문에, 본 발명의 다른 실시 하에서, 오염물질 차단격벽(200)은 전해질 주입구에 대한 별도의 배려 없이(즉, 별도의 생략 영역 없이), 상/하부 판(121,122)의 테두리로 노출된 내부격벽(140)의 최 외곽 전체를 일괄적으로 둘러싸는 구조를 원활하게 취할 수 있게 된다(도 3 및 도 4 비교/참조).
이러한 각각의 경우에서도, 본 발명에서는 오염물질 차단격벽(200)의 재질을 바람직하게, 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit) 재질 또는 PbO 계 글래스 프릿 재질로 선택하게 된다.
몰론, 상술한 바와 같이, 상기 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit), PbO 계 글래스 프릿 등은 우수한 내습, 내유, 내 가스 특성을 지니는 세라믹 물질이기 때문에, 상/하부 판(121,122)의 테두리로 노출된 내부격벽(140)의 최 외곽에 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit) 재질, PbO 계 글래스 프릿 재질 등을 가지는 본 발명 고유의 오염물질 차단격벽(200)이 추가로 배치되는 경우, 외부의 여러 오염물질(예를 들어, 수분, 가스, 오일, 각종 화학물질 등)은 오염물질 차단격벽(200)의 차단작용에 의해 상/하부 판(121,122)의 내측으로 전혀 유입/침투할 수 없게 되며, 결국, 본 발명의 다른 실시 하에서도, 생산주체 측에서는, 오염물질의 유입/침투에 기인한 제품의 신뢰성 저하를 손쉽게 회피할 수 있게 됨으로써, 최종 생산되는 태양전지의 품질향상 이점은 물론, 자사 생산제품의 경쟁력향상 이점까지도 융통성 있게 향유할 수 있게 된다.
특히, 본 발명의 다른 실시 하에서도, 오염물질 차단격벽(200)을 이루는 상기 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit), PbO 계 글래스 프릿 등은 상/하부 판(121,122)의 재질(즉, 글래스 재질)과 매우 유사(또는, 동일)한 재질이기 때문에, 상/하부 판(121,122)의 테두리로 노출된 내부격벽(140)의 최 외곽에 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit) 재질, PbO 계 글래스 프릿 재질 등을 가지는 본 발명 고유의 오염물질 차단격벽(200)이 추가로 배치된 상황 하에서, 상/하부 판(121,122)의 조립/합체를 위한 공정이 진행되는 경우, 해당 상/하부 판(121,122) 측에서는 별다른 어려움 없이, 오염물질 차단격벽(200)을 합착 매개체로 활용하여, 상호 간에 매우 강한 융착을 이룰 수 있게 되며, 결국, 본 발명의 다른 구현환경 하에서도, 생산주체 측에서는 상술한 오염물질 차단효과는 물론, 상/하부 판(121,122)의 합착강도가 대폭 증대되는 효과까지도 융통성 있게 향유할 수 있게 된다.
이러한 본 발명은 특정 분야에 국한되지 아니하며, 전해질의 유출 차단이 필요한 여러 분야에서, 전반적으로 유용한 효과를 발휘한다.
그리고, 앞에서, 본 발명의 특정한 실시 예가 설명되고 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.
이와 같은 변형된 실시 예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며 이와 같은 변형된 실시 예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위 안에 속한다 해야 할 것이다.
10,100,101: 연료감응형 태양전지 21,121: 상부 판
22,122: 하부 판 30,130: 전해질/염료 수용 셀
40.140: 내부격벽 51,151: 상부전극 52,152: 하부전극
53,153: 그리드 전극 60,160: 전해질 주입구 70,170: 실링구조물
80,180: 전해질 주입 홀 200: 오염물질 차단격벽
22,122: 하부 판 30,130: 전해질/염료 수용 셀
40.140: 내부격벽 51,151: 상부전극 52,152: 하부전극
53,153: 그리드 전극 60,160: 전해질 주입구 70,170: 실링구조물
80,180: 전해질 주입 홀 200: 오염물질 차단격벽
Claims (4)
- 상/하부 판과;
상기 상/하부 판 사이에 개재된 상태에서, 내부격벽에 의해 상호 분리되며, 상기 상/하부 판을 따라 배열되면서, 전해질 및 염료고분자를 수용하는 전해질/염료 수용 셀을 포함하며,
상기 상/하부 판의 테두리로 노출된 상기 내부격벽의 최 외곽에는 외부 오염물질의 유입을 차단하기 위한 오염물질 차단격벽이 배치되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지. - 제 1 항에 있어서, 상기 상/하부 판의 테두리로 노출된 상기 내부격벽의 외곽에 상기 전해질 및 염료고분자의 주입을 위한 전해질 주입구가 추가 형성되어 있는 경우, 해당 전해질 주입구 형성구역에는 상기 오염물질 차단격벽의 배치가 생략되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 오염물질 차단격벽은 비스무스(Bismuth) 계 글래스 프릿(Glass frit) 재질 또는 PbO 계 글래스 프릿 재질을 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 오염물질 차단격벽은 인쇄공정 또는 디스펜싱 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지.
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